CN117580403A - 显示面板 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种显示面板，该显示面板包括基底以及位于基底上的隔离结构和多个发光器件。每个发光器件包括依次叠置的第一电极、发光功能层和第二电极，且发光功能层在基底上的正投影位于第二电极在基底上的正投影内。隔离结构限定有多个第一开口，发光功能层设置于第一开口之内，隔离结构包括靠近基底的第一端部和远离基底的第二端部。在与基底垂直的截面上，且在隔离结构的同一侧，第二电极的边缘和第二端部的边缘所确定的直线，与基底所在面构成的锐角为第二角度，第二角度为20°‑70°。

Description

显示面板

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体地，涉及一种显示面板。

背景技术

有机发光二极管(OLED，Organic Light-Emitting Diode)是一种有机薄膜电致发光器件，其因具有制备工艺简单、成本低、功耗小、亮度高、视角宽、对比度高及可实现柔性显示等优点，而受到人们极大的关注并在电子显示产品中得到广泛应用。

然而，当前的电子显示产品限于自身结构的设计，在面临进一步提高像素密度PPI的需求时，不能在保证有效发光面积的同时，进一步减小像素间隙的设计宽度，从而限制了像素密度PPI的提高。

发明内容

本发明第一方面提供一种显示面板，该显示面板包括基底、显示功能层和隔离结构。显示功能层包括多个发光器件，每个发光器件包括在基底上依次叠置的第一电极、发光功能层和第二电极，发光功能层包括有效功能区，且发光功能层包括第一功能层。隔离结构位于基底上且包括隔断部，隔断部环绕发光功能层。隔断部包括面向基底的第一端部，隔断部包括背离基底的第二端部，有效功能区在基底上的正投影位于隔断部的第二端部在基底上的正投影之外，第一功能层的边缘在基底上的正投影，位于第一端部在基底上的正投影之外，且位于第二端部在基底上的正投影之内。在与基底垂直的截面上，且在隔断部的同一侧，第一功能层的边缘和第二端部的边缘所确定的直线，与基底所在面构成的锐角为第一角度，有效功能区的边缘和第二端部的边缘所确定的直线，与基底所在面构成的锐角的正切值，不大于第一角度的正切值，且第一端部的边缘和第二端部的边缘在沿与基底所在面垂直方向上的高度差，第一端部的边缘和第二端部的边缘在沿与基底所在面平行方向上的间距的比值，不大于第一角度的正切值。例如，第一功能层的位于有效功能区中的部分的膜厚均匀。

在上述方案中，通过有效功能区的边界以及第二端部(其边缘)的高度确定第一蒸镀角，并且根据第一蒸镀角以及第二端部的高度确定第一功能层的边缘的延伸位置，基于第一功能层被隔离结构隔断的原则可以推断出该延伸位置与第二端部的间距，以推断出第二端部的边缘位置的可选范围，如此，可以构建有效功能区的边缘、第一功能层的边缘、隔离结构的宽度(第一端部和第二端部的边缘位置)和高度(第一端部和第二端部的边缘的高度差)、蒸镀角这些参数之间的联系，并结合第一端部的宽度尺寸的可选范围(存在下限值)，可以反推出有效功能区的可选宽度范围，并推断出主要发光区的可选宽度范围(包括最大宽度)，从而可以在特定的PPI设计要求下，获得主要发光区的最大设计宽度，以保证主要发光区在实际工艺下的设计面积(该面积下的宽度可以等于最大设计宽度，也可以略小于最大设计宽度)，如此，可以在维持第一功能层被隔离结构隔断以消除电流串扰的同时，提高发光器件的排布密度。

在本发明第一方面的一个具体实施方式中，隔断部限定有多个第一开口，发光功能层和第二电极位于第一开口中，隔断部包括面向基底的导电部分，且第二电极与隔断部的导电部分连接，隔断部的面向基底的第一端部在基底上的正投影，位于隔断部的背离基底的第二端部在基底上的正投影之内。

在本发明第一方面的一个具体实施方式中，在与基底垂直的截面上，且在隔离结构的同一侧，第二电极的边缘和第二端部的边缘所确定的直线，与基底所在面构成的锐角为第二角度，第二角度小于第一角度，有效功能区的边缘和第二端部的边缘所确定的直线，与基底所在面构成的锐角小于或等于第二角度。例如，第二电极的位于有效功能区中的部分的膜厚均匀。

在上述方案中，可以保证第二电极以及发光功能层中的所有膜层在有效功能区的膜厚均匀分布的情况下，获得有效功能区的边缘和第二端部的边缘在横向上的间距的最小可设计尺寸，据此可以获得相邻有效功能区域之间的最小间距，从而维持第一功能层被隔离结构隔断以消除电流串扰的同时，提高发光器件的排布密度(相当于像素密度PPI)。

在本发明第一方面的一个具体实施方式中，在与基底垂直的截面上，且在隔离结构的同一侧，第一端部的边缘(例如朝向基底的表面的边缘)和第二端部的边缘所确定的直线，与基底所在面构成的锐角不小于第二角度且不大于第一角度。

在上述方案中，可以获得第一端部的边缘和第二端部的边缘在横向上的间距的最小可设计尺寸，据此进一步获得相邻有效功能区域之间的最小间距，从而维持第一功能层被隔离结构隔断以消除电流串扰的同时，提高发光器件的排布密度(相当于像素密度PPI)。

例如，第一端部的边缘和第二端部的边缘所确定的直线，与基底所在面构成的锐角大于第二角度，以使得第二电极与第一端部的侧表面的至少部分重叠且接触。

在上述方案中，可以保证第二电极与隔离结构的第一端部的搭接，且使得第二电极的与隔离结构的搭接部分具有相对较大的厚度以免接触不良或者搭接处的电阻过大。

在本发明第一方面的一个具体实施方式中，有效功能区的边缘和第二端部的边缘所确定的直线，与基底所在面构成的锐角等于第二角度，第一端部的边缘和第二端部的边缘所确定的直线，与基底所在面构成的锐角等于第一角度。

在上述方案中，在保证发光器件的各个膜层在有效功能区中膜厚均匀的情况下，将有效功能区的边缘和第二端部的边缘在横向上的间距、第一端部的边缘和第二端部的边缘在横向上的间距都设计为了最小尺寸，从而最大化减小相邻有效功能区域之间的间距，从而维持第一功能层被隔离结构隔断以消除电流串扰的同时，使得发光器件的排布密度(相当于像素密度PPI)最大化。

在本发明第一方面的一个具体实施方式中，隔断部为一体化结构。例如，进一步地，沿与基底垂直的方向，隔断部的截面形状为倒梯形，倒梯形的顶边位于基底和倒梯形的底边之间，第一端部的面向基底的表面的边缘为第一端部的边缘，第二端部的背离基底的表面的边缘为第二端部的边缘。

在本发明第一方面的另一个具体实施方式中，隔断部包括在基底上依次叠置的隔离柱和隔断层，隔离柱构成第一端部，隔断层构成第二端部。例如，进一步地，沿与基底垂直的方向，隔离柱的截面形状为正梯形，且隔断层位于隔离柱的顶边，隔离柱的面向基底的表面的边缘为第一端部的边缘。例如，更进一步地，沿与基底垂直的方向，隔断层的截面形状为正梯形，隔断层的面向隔离柱的表面的边缘，为第二端部的边缘。

在本发明第一方面的一个具体实施方式中，发光功能层还包括发光层和第二功能层，第一功能层、发光层和第二功能层位于第一电极和第二电极之间，且在第一电极上依次叠置，发光层和第二共通层第二功能层中任一方的边缘在基底上的正投影，位于第一共通层第一功能层的边缘在基底上的正投影和第二电极的边缘在基底上的正投影之间。

在本发明第一方面的一个具体实施方式中，隔离结构还可以包括像素界定层，该像素界定层位于隔断部和第一电极所在层之间，且覆盖相邻的第一电极之间的间隙。像素界定层界定有第二开口，发光功能层覆盖第二开口，第二开口与第一开口分别对应且彼此连通，第二开口在基底上的正投影位于对应的第一开口在基底上的正投影之内。

在上述方案中，通过设计像素界定层，可以消除第一电极与相邻的隔断部(例如其中导电的第一端部)搭接的风险，从而使得第一电极具备较大的设计尺寸，以保证有效功能区的设计面积。

例如，像素界定层沿与基底垂直的截面形状为正梯形，且在隔离结构的同一侧，像素界定层的背离基底的表面的边缘和第二端部的边缘所确定的直线，与基底所在面构成的锐角等于第一角度。

在上述方案中，可以使得第二电极在像素界定层的侧壁(具有坡度)上具备相对较大的膜厚，以避免第二电极因段差导致膜层的延续性不良。

例如，像素界定层沿与基底垂直的截面形状为正梯形，且在隔离结构的同一侧，像素界定层的面向基底的表面的边缘和第二端部的边缘所确定的直线，与基底所在面构成的锐角等于第二角度。

在上述方案中，像素界定层的第二开口的边界与有效功能区的边界重合，从而使得发光器件的发光区与有效功能区重合，以使得发光区的发光部分都能具备最大的发光效率，从而改善出光均匀度；相应地，该设计可以在保证发光器件最大发光效率的同时，获得像素界定层的边界可延伸的范围，以获得像素界定层的最大设计宽度(两个相邻的第一开口之间的部分的宽度)，从而有利于规划像素间隙(相邻发光器件的发光区域的间隙)的宽度。

在本发明第一方面的一个具体实施方式中，相邻第一电极的间隙在基底上的正投影，与第一端部的面向基底的表面在基底上的正投影重合。在上述方案中，可以获得隔离结构的第一端部的最小可设计宽度，据此可以获得相邻有效功能区域之间的最小间距，从而维持第一功能层被隔离结构隔断以消除电流串扰的同时，提高发光器件的排布密度(相当于像素密度PPI)。

本发明第二方面提供一种显示面板，该显示面板包括基底以及位于基底上的隔离结构和多个像素。隔离结构具有多个第一开口，每个像素包括多种出射不同波长光线的子像素，子像素包括依次层叠设置于基底上的第一电极、发光功能层及第二电极，子像素的发光功能层设于第一开口内，且第二电极与隔离结构连接。通过设置隔离结构，可以使得像素的排布密度的范围至少为404PPI至2000PPI。

在上述方案中，对于子像素的蒸镀膜层而言，通过设置隔离结构，可以不再需要通过掩膜板进行蒸镀，从而不需要考虑蒸镀时的对位精度问题，从而可以使得相邻子像素的间距可以减小，以使得显示面板具备较高的像素密度PPI。

在本发明第二方面的一个具体实施方式中，子像素的平均宽度不小于4微米，子像素的间隙不小于8微米且不大于17微米，以使得像素的排布密度为404PPI至1025PPI。

在本发明第二方面的另一个具体实施方式中，子像素的平均宽度不小于2微米，子像素的间隙不小于8微米且不大于17微米，以使得像素的排布密度为404PPI至1270PPI。

在本发明第二方面的另一个具体实施方式中，子像素的平均宽度不小于1.5微米，子像素的间隙不小于7微米且不大于17微米，以使得像素的排布密度为404PPI至1500PPI。

在本发明第二方面的另一个具体实施方式中，子像素的平均宽度不小于1.35微米，子像素的间隙不小于5微米且不大于17微米，以使得像素的排布密度为404PPI至2000PPI。

在本发明第二方面的一个具体实施方式中，每个像素的多个子像素包括第一子像素、第二子像素和第三子像素，第一子像素、第二子像素和第三子像素的总数量比为1:1:1，第一子像素、第二子像素和第三子像素为真实子像素。

附图说明

图1所示为本发明一实施例提供的一种显示面板的平面结构示意图。

图2为图1所示显示面板的S区域的放大图。

图3为图1所示显示面板在一种设计下的一个子像素所在区域的截面图。

图4为图1所示显示面板在另一种设计下的一个子像素所在区域的截面图。

图5为本发明一实施例提供的另一种显示面板的部分区域的截面图。

图6为本发明一实施例提供的另一种显示面板的部分区域的截面图。

图7为本发明一实施例提供的另一种显示面板的部分区域的截面图。

图8A为本发明一实施例提供的另一种显示面板的部分区域的截面图。

图8B为本发明一实施例提供的另一种显示面板的部分区域的截面图。

图9为本发明一实施例提供的另一种显示面板的部分区域的截面图。

图10至图13为图9所示显示面板的制造工艺的过程图。

图14为本发明一实施例提供的另一种显示面板的一个像素的放大图。

图15为本发明一实施例提供的另一种显示面板的一个像素的放大图。

附图标记说明：

100-基底；200-显示功能层；210-第一电极；220-发光功能层；221-第一功能层；222-发光层；223-第二功能层；202-有效功能区；230-第二电极；300-隔离结构；301-第一开口；302-第二开口；310-第一端部(隔离柱)；320-第二端部(隔断层)；330-像素界定层；400-保护层；500-光刻胶图案。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

在显示产品中，发光器件中的一些功能膜层会通过蒸镀的方式形成，而每个发光器件中的功能膜层有多种，且出射不同光线的发光器件中的一些功能膜层(例如发光层)的材料不同，因此，在通过掩膜板(例如精细掩膜板)进行蒸镀该些功能膜层时，需要进行多次对位，为了解决对位精度误差引起的位置偏移问题，不同发光器件之间需要预留足够的空间(和对位误差相关的安全余量)，以保证发光器件的实际发光区域的位置能够和设计位置(设计面积)有一定的重叠率，这相当于压缩了发光器件的发光区域的设计面积，不仅使得发光器件的发光面积有限，也使得发光器件(可称为子像素)的排布密度不能进一步增加，从而难以进一步提升显示面板的PPI(像素密度)。

在本发明中，通过在发光器件的间隙处设置隔离结构，以对相邻发光器件的功能膜层进行隔断，如此，在功能膜层的蒸镀工艺中，只需要在显示面板上进行整面蒸镀，而不用借助掩膜板对每个发光器件的功能膜层进行单独制备，该工艺不需要考虑蒸镀时的对位精度问题，从而可以使得发光器件的间隙设计为更小的尺寸，以增加PPI(其原理可以参见下述与图10至图13相关的实施例中的相关说明)。

在上述设计中，隔离结构环绕发光器件，而在蒸镀工艺中，鉴于用于蒸镀功能膜层的蒸镀源存在蒸镀角，因此，隔离结构的高度、宽度等会对蒸镀膜层的分布产生影响。发光器件的发光区的发光效率与该些功能膜层的蒸镀质量有关，因为蒸镀时的蒸镀角的存在以及隔离结构对蒸镀材料会进行遮挡，在功能膜层的边缘区域，功能膜层的厚度会逐渐减小，从而影响发光效率。因此，会将功能膜层的厚度均匀的部分尽量分布在发光区中，以保证发光器件的发光区的任意位置都具备较高的发光效率，以使得发光区整体上出光均匀，因此，实际上，功能膜层的厚度均匀的部分(下述的有效功能区)限制了发光区的设计边界(不一定重合)，即，需要先获取有效功能区的边界，以进一步确定发光区的主要发光区域(发光效率均匀)的边界。

在对发光器件和隔离结构的尺寸进行设计时，如果将有效功能区的边界设置为距离隔离结构的隔断部分(用于隔断功能膜层例如下述的第一功能层)较远，会更利于有效功能区的膜层在蒸镀时的均匀性，但这显然也会导致发光器件的间距(发光区的间距)较大，从而使得功能膜层的设计面积较小，相应地，发光区的主要发光区域的面积也会较小；反之，如果将有效功能区的边界设置为距离隔离结构的隔断部分较近，虽然会减小发光器件的间隙，但这会显著降低隔离结构的隔断效果，甚至导致部分需要隔断的功能膜层(例如下述的第一功能层所包括的各个膜层)与隔离结构直接接触，从而出现串扰等不良。因此，如何基于蒸镀角、功能膜层的分布位置等来规划隔离结构的高度、宽度等参数，以在维持发光器件具备良好发光效率的同时，使得发光器件之间具备相对更小的间距以增加PPI，成为显示面板结构设计中需要研究的重要课题。

本发明的实施例提供一种显示面板，以至少解决上述技术问题。该显示面板包括基底、显示功能层和隔离结构。显示功能层包括多个发光器件，每个发光器件包括在基底上依次叠置的第一电极、发光功能层和第二电极，发光功能层包括有效功能区，第一功能层的位于有效功能区中的部分的膜厚均匀。隔离结构位于基底上且包括隔断部，隔断部环绕发光功能层。隔断部包括面向基底的第一端部及背离基底的第二端部，有效功能区在基底上的正投影位于隔断部的第二端部在基底上的正投影之外，第一功能层的边缘在基底上的正投影，位于第一端部在基底上的正投影之外，且位于第二端部在基底上的正投影之内。在与基底垂直的截面上，且在隔断部的同一侧，第一功能层的边缘和第二端部的边缘所确定的直线，与基底所在面构成的锐角为第一角度，有效功能区的边缘和第二端部的边缘所确定的直线，与基底所在面构成的锐角的正切值，不大于第一角度的正切值，且第一端部的边缘和第二端部的边缘在沿与基底所在面垂直方向上的高度差，第一端部的边缘和第二端部的边缘在沿与基底所在面平行方向上的间距的比值，不大于第一角度的正切值。

在面对特定的PPI设计要求时，可以直接计算出发光器件的主要发光区的宽度(简称为子像素宽度)与相邻主要发光区的间隙之和，其中，主要发光区的宽度需要基于有效功能区确定，即，如果可以界定有效功能区的边界位置的可选范围，即可推断出主要发光区的边界位置的可选范围。基于本发明上述实施例中的设计，通过有效功能区的边界以及第二端部(其边缘)的高度确定第一蒸镀角，并且根据第一蒸镀角以及第二端部的高度确定第一功能层的边缘的延伸位置，基于第一功能层被隔离结构隔断的原则可以推断出该延伸位置与第二端部的间距，以推断出第二端部的边缘位置的可选范围，如此，可以构建有效功能区的边缘、第一功能层的边缘、隔离结构的宽度(第一端部和第二端部的边缘位置)和高度(第一端部和第二端部的边缘的高度差)、蒸镀角这些参数之间的联系，并结合第一端部的宽度尺寸的可选范围(存在下限值)，可以反推出有效功能区的可选宽度范围，并推断出主要发光区的可选宽度范围(包括最大宽度)，从而可以在特定的PPI设计要求下，获得主要发光区的最大设计宽度，以保证主要发光区在实际工艺下的设计面积(该面积下的宽度可以等于最大设计宽度，也可以略小于最大设计宽度)。

需要说明的是，因为在制备隔离结构的过程中，可能需要考虑对位精度问题，因此，主要发光区的设计宽度可以选择为略小于上述方式计算出来的最大设计宽度，以为隔离结构的对位精度误差提供安全余量；此外，根据上述设计也可以得出，有效功能区的边界由隔离结构的设计参数以及蒸镀角决定，在隔离结构位置固定的情况下，该边界位置不会受蒸镀时的对位精度的影响，因此，在未采用上述隔离结构的情况下，是无法在设计阶段即可明确界定有效功能区在实际工艺阶段中的具体位置的，从而也无法基于上述方式反推有效功能区的最大设计宽度以及主要发光区的最大设计宽度。

下面，结合附图对根据本发明至少一个实施例中的显示面板的结构进行详细的说明。此外，在该些附图中，以基底为基准建立空间直角坐标系，以更加直观呈现显示面板中的相关结构的位置关系，在该空间直角坐标系中，X轴和Y轴与基底所在面平行，Z轴与基底所在面垂直。

如图1至图3所示，显示面板10的平面区域可以划分为显示区11和环绕显示区11的边框区12，显示区11中可以排布有子像素(可称为亚像素等)例如R、G、B，该子像素的实体结构可以为发光器件，相邻且出射光线颜色不同的子像素构成一个像素P(可称为像素单元、大像素等)，该像素P在显示区11中的排布密度即代表像素密度PPI。需要说明的是，在本发明一些实施例中，边框区12中的部分走线可以排布至显示区11中，从而使得边框区12可以设计为单侧边框。

显示面板10的实体结构可以包括基底100以及位于基底100上的显示功能层和隔离结构300，显示功能层包括多个发光器件200。发光器件200包括在基底100上依次叠置的第一电极210、发光功能层220和第二电极230，发光功能层220包括有效功能区202，且发光功能层220包括第一功能层221。

例如，发光功能层还可以包括发光层222和第二功能层223，第一功能层221、发光层222和第二功能层223依次叠置在第一电极210上。第一功能层221可以包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层等。第二功能层223可以包括电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层等。需要说明的是，由于载流子(空穴、电子)主要通过第一功能层221在相邻的发光器件200之间串扰，因此，隔离结构300的设置需要使得各个发光器件200的第一功能层221在电性上彼此断开。

例如，在本发明至少一个实施例中，第一电极可以设置为阳极，第二电极可以设置为阴极。

隔离结构300位于基底上且包括隔断部，隔断部限定有多个第一开口301，发光功能层220和第二电极230位于第一开口301中，隔断部包括面向基底的导电部分，且第二电极230与隔断部的导电部分连接。如此，隔断部的整体结构会呈现为网格状，第一开口301即为网格的网孔。

隔断部整体呈现为上宽下窄，以使得第一功能层221在蒸镀过程中会在隔断部的边缘处断开。例如，隔断部的面向基底的第一端部310在基底100上的正投影，位于隔断部的背离基底的第二端部320在基底100上的正投影之内，如此，第一功能层221的边缘在基底100上的正投影，位于第一端部310在基底100上的正投影之外，且位于第二端部320在基底100上的正投影之内，即，第一功能层221不会与隔断部的导电部分(例如第一端部310)连接而导致相邻发光器件200之间出现串扰。在与基底100垂直的截面上，且在隔断部的同一侧，第二端部320的边缘和第一功能层221的边缘所确定的直线P1，与基底100所在面构成的锐角为第一角度Θ2。在以第一功能层221的膜厚均匀部分的边缘来界定有效功能区202的边界的情况下，第一功能层221的膜厚均匀部分的边缘与第二端部320的边缘所确定的直线P2与直线P0确定的锐角等于第一角度Θ2，相应地，有效功能区202的边缘和第二端部320的边缘所确定的直线P3，与基底100所在面(包括直线P0)构成的锐角也为第一角度Θ2。

有效功能区202的边缘和第二端部320的边缘所确定的直线，与基底100所在面构成的锐角的正切值，不大于第一角度Θ2的正切值，在该关系下，可以保障第一功能层221在有效功能区202中的膜厚均匀，其中，在“等于”的关系下，相当于第一功能区221的边缘界定了有效功能区202的边界。

例如，第一端部310的边缘和第二端部320的边缘在沿与基底100所在面垂直方向上的高度差h1，与第一端部310的边缘和第二端部320的边缘在沿与基底所在面平行方向上的间距L2的比值，不大于第一角度Θ2的正切值tanΘ2，即，L2≥h1/tanΘ2。如此，在实际工艺中，可以保障隔断部对第一功能层221的隔断效果，且能保证第一功能层221的位于有效功能区202的部分的膜厚均匀。例如，在以第一功能层221的膜厚均匀部分的边缘来界定有效功能区202的边界的情况下，如果L2＝h1/tanΘ2，那么第一功能层221的边界刚好延伸至第一端部310的边缘，此处因为第一功能层221的膜厚已经无限接近于零(电阻无限大)，第一功能层221与第一端部310之间几乎不会存在串扰电流或者串扰的电流极小，可以认为隔断部对第一功能层221有显著的隔断效果；如果L2＞h1/tanΘ2，那么第一功能层221和第一端部310不接触且两者之间存在间隙，相应地，隔断部隔断第一功能层221。

例如，该第一角度Θ2实际为蒸镀第一功能层221时的蒸镀角，且因为第一功能层221需要与隔断部间隔，因此需要相对较小的设计尺寸，且鉴于在蒸镀角越大的情况下，第一功能层221的边缘与隔断部间隔的距离越大，以使得第一端部310的边缘和第二端部320的边缘在横向(例如平行X轴的方向)上的间距L2具有相对较小的设计尺寸，从而减小发光器件200的间距，因此，在一些实施方式中，该第一角度Θ2可以对应蒸镀源的最大蒸镀角。

在本发明的实施例中，有效功能区202在基底100上的正投影位于第二端部320在基底100上的正投影之外，且有效功能区202的边缘和第二端部320的边缘所确定的直线P3，与基底100所在面(包括线P0)构成的锐角，小于或等于第一角度Θ2。图3中示出了等于的情况，即，设第一端部310的外边缘和第二端部320的外边缘的高度差为h1，有效功能区202的边缘和第二端部320的边缘在横向上的间距为L1，线P1和P2确定蒸镀源在不同位置时在第二端部320阻挡下的蒸镀材料的分布边界，在满足L1＝h1/tanΘ2的情况下，P3与P0的夹角等于Θ2。

需要说明的是，“H”为第二端部320的外边缘和目标膜层的厚度均匀部分的边界在Z轴方向上的间距，例如，对于如图3所示的结构(无下述实施例中的像素界定层)，如果忽略第一电极210的厚度，那么隔断部的底部和第一功能层221的外边缘大致同层，则上述公式L1＝h1/tanΘ2可以替换为L1＝H/tanΘ2。如果计算第一电极210的厚度，那么上述公式L1＝H/tanΘ2中的“H”需要再减去第一电极210的厚度。

需要说明的是，在L1＝h1/tanΘ2的情况下，在蒸镀第一功能层221时，即便蒸镀源与隔离结构300正对(线P2确定的蒸镀角以及蒸镀边界)，蒸镀的材料仍然可以落在有效功能区202中，因此，有效功能区202中的第一功能层221在任意位置都能被蒸镀而膜厚均匀，该情形下，L1的宽度为可以保证第一功能层221在有效功能区202中膜厚均匀的最小设计宽度，基于该最小设计宽度设计发光器件200的间隙时，可以使得子像素之间具备较小的间隙。

需要说明的是，在本发明的实施例中，膜层在某个区域的蒸镀呈现为“均匀”，是属于宏观上的表现，指的是该区域在整个蒸镀过程中不会存在其它结构对蒸镀源造成遮挡，从而使得该区域的膜层厚度一直在增加而未中断，即，对于第一功能层而言，如果将有效功能区的边界作为第一功能层的膜厚均匀度发生改变的边界，那么在有效功能区中，第一功能层的蒸镀自始至终不会受到隔断部的阻挡，而在有效功能区之外，第一功能层的蒸镀在某个时间段(蒸镀源与显示面板相对位置改变)会被隔断部遮挡，而距离有效功能区越远的位置，第一功能层在蒸镀过程中被遮挡的时间越长，从而最终蒸镀获得的膜厚越小。如此，本发明的实施例中提及的膜层的“均匀”忽略膜层本身蒸镀在微观上存在的不均，该微观上的不均是受蒸镀工艺条件的限制，在整个膜层上普遍存在的。

此外，需要说明的是，在上述的实施例中，如果仅考虑有效功能区中第一功能层的厚度均一性，可以将第一功能层的膜厚均匀部分的边缘作为有效功能区的边界，相应地，主要发光区的最大边界也为第一功能层的膜厚均匀部分的边缘。

需要说明的是，在本发明的实施例中，在保证隔断部上宽下窄的情况下，对隔断部的设置方式不做限制，下面，通过实施例对隔断部的几种设置方式进行简述。

在本发明一些实施例中，如图3所示，隔断部为一体化结构，即，该一体化结构可以为独立的膜层，且该膜层中不存在物理界面，隔断部中的至少第一端部310和第二端部320为该一体化结构中的两部分。例如，进一步地，沿与基底100垂直的方向，隔断部的截面形状为倒梯形，倒梯形的顶边朝向基底100，即，倒梯形的顶边位于基底100和倒梯形的底边之间，如此，第一端部310的面向基底100的表面的边缘为第一端部310的边缘，第二端部320的背离基底100的表面的边缘为第二端部320的边缘。该设计下，隔断部的侧壁为内切结构，从而增加隔断部的隔断效果。

在本发明另一些实施例中，如图4所示，隔断部包括在基底100上依次叠置的隔离柱和隔断层，隔离柱构成第一端部310，隔断层构成第二端部320。例如，进一步地，沿与基底100垂直的方向，隔离柱310的截面形状为正梯形，且隔断层320位于隔离柱310的顶边，在此情况下，隔离柱310的面向基底100的表面的边缘为第一端部310的边缘。在此情况下，可以便于第二电极230的蒸镀材料在隔离柱310的侧壁上沉积，以提高第二电极230和隔离柱310的搭接良率。例如，更进一步地，沿与基底100垂直的方向，隔断层320的截面形状为正梯形，隔断层320的面向隔离柱310的表面的边缘，为第二端部320的边缘。

在本发明的实施例中，蒸镀第二电极230时的蒸镀角一般是小于上述第一角度Θ2的，从而保证第二电极230与第一端部310搭接。在此情形下，如果保证第二电极230在有效功能区202的膜厚均匀，需要对L1的最小尺寸进行界定。

例如，如图5所示，在与基底100垂直的截面上，且在隔离结构300的同一侧，第二电极230的边缘和第二端部320的边缘所确定的直线P4，与基底100所在面构成的锐角为第二角度Θ1，第二角度Θ1小于第一角度Θ2，有效功能区202的边缘和第二端部320的边缘所确定的直线P3，与基底100所在面(例如其包括的线P0)构成的锐角小于或等于第二角度Θ1，在此情形下，P3与P0构成的锐角已经小于第一角度Θ2，即，在图5中的L2和图4中的L2大致相等的情况下，图5中的L1会大于图4中的L1。

第二角度Θ1实际为蒸镀第二电极230时的蒸镀角，且因为第二电极230需要与隔断部的第一端部310连接，因此需要相对较大的设计尺寸，且鉴于在蒸镀角越小的情况下，第二电极230的边缘与隔断部间隔的接触面积越大，这也使得第一端部310的边缘和第二端部320的边缘在横向(例如平行X轴的方向)上的间距L2具有相对较小的设计尺寸，从而减小相邻发光器件200之间的间距，因此，在一些实施方式中，该第二角度Θ1可以对应蒸镀源的最小蒸镀角。线P5与线P0的夹角为第二角度Θ1，即，线P5与第二电极230相交的位置，即为第二电极230的厚度是否开始出现厚度不均的临界位置，在线P3与线P0构成的锐角小于或等于第二角度Θ1的情况下，该厚度不均的临界位置会与线P3与第二电极230相交的位置重合，或者位于线P3与第二电极230相交的位置和隔断部之间，从而可以保证第二电极230以及发光功能层220中的所有膜层在有效功能区202的膜厚均匀分布的情况下，获得有效功能区202的边缘和第二端部320的边缘在横向上的间距L1的最小可设计尺寸，据此可以获得相邻有效功能区域202之间的最小间距，从而维持第一功能层221被隔离结构300隔断以消除电流串扰的同时，提高像素密度PPI。

在本发明一些实施例中，在不考虑发光功能层与阳极接触面积的情况下，可以仅通过发光功能层中相关膜层(例如第一功能层或者所有的膜层)的厚度均匀部分的边界，来界定有效功能区的范围。第二电极只要保证可以向发光功能层提供载流子(例如电子)即可，在厚度足够的情况下，即便第二电极出现厚度不均，也可以认为该厚度不均的部分对发光器件的出光效率是否均匀分布不会造成影响。

在本发明另一些实施例中，鉴于第二电极透光率提高的要求，其厚度有限，从而在一些设计中，需要尽量将第二电极的位于主要发光区域部分的厚度尽量均匀。例如，如果要使得第二电极中和有效功能区重叠的部分的膜厚均匀，可以通过第二电极的膜厚均匀部分的边缘进一步限定有效功能区的边界，此情况下，有效功能区的面积会比发光功能层中膜厚均匀部分的面积(例如发光层的膜厚均匀部分的面积以及第一功能层的膜厚均匀部分的面积)小，中第二电极的厚度均一性，可以将第二电极的膜厚均匀部分的边缘作为有效功能区的边界，相应地，主要发光区的最大边界也为第二电极的膜厚均匀部分的边缘。

在本发明至少一个实施例中，位于第一功能层221上的膜层例如发光层222、第二功能层223等的蒸镀角一般会小于或等于第一功能层221的蒸镀角，以使得该些膜层可以覆盖第一功能层221，以免第一功能层221直接与第二电极230连接。在此情况下，以发光层222的对应的蒸镀角小于第一功能层221的蒸镀角为例，如果L1的宽度设计为可以保证发光层222在有效功能区202中膜厚均匀，那么第一功能层221是可以在有效功能区202中具有均匀的膜厚的；此外，以第二功能层223对应的蒸镀角小于发光功能层中其它膜层对应的蒸镀角为例，如果L1的宽度设计为可以保证第二功能层223在有效功能区202中膜厚均匀，那么第一功能层221、发光层222等其它膜层是可以在有效功能区202中具有均匀的膜厚的。

需要说明的是，发光层222为发光功能层中进行激发光的主要膜层，从而为发光功能层的基本功能层，因此与其它膜层相比，发光层222的成膜质量对发光器件的发光效率的影响相对较大。因此，在实际工艺中，需要至少保证发光层222在有效功能区中的膜厚均匀，即，可以将发光层222的膜厚均匀部分的边缘作为有效功能区的边界。在此情况下，有效功能区的面积会不大于第一功能层221的膜厚均匀部分的面积。

需要说明的是，在发光层222的对应的蒸镀角小于或等于第一功能层221的蒸镀角的情况下，发光层222的边界最小极限(最小面积)为第一功能层221的边界处，即，有效功能区的最大面积对应的边界仍可以为第一功能区221的膜厚均匀部分的边界，因此，至少在计算像素密度的极限值时，仍可以通过第一功能层221的膜厚均匀部分的边缘的位置来界定有效功能区的位置。

需要说明的是，在本发明的实施例中，可以将发光层222的膜厚均匀部分的边界，作为发光器件的主要发光区的边界。例如，在发光层222的对应的蒸镀角等于第一功能层221的蒸镀角的情况下，主要发光区的边界、有效功能区的边界、发光层222的膜厚均匀部分的边界、第一功能层221的膜厚均匀部分的边界重合；或者，在发光层222的对应的蒸镀角小于第一功能层221的蒸镀角的情况下，发光层222的膜厚均匀部分的边界为发光器件的主要发光区的边界，第一功能层221的膜厚均匀部分的边界为有效功能区的边界。

在本发明至少一个实施例中，发光层222、第二功能层223等不需要与隔断部有良好的接触或者设计为避免接触隔断部，因此，发光层222、第二功能层223等的蒸镀角一般会大于第二电极230的蒸镀角。在此情况下，如果L1的宽度设计为可以保证第二电极230在有效功能区202中膜厚均匀，那么第一功能层221和第二电极230之间的发光层222、第二功能层223等功能层都可以在有效功能区202中具有均匀的膜厚，即，如果将第二电极230的膜厚均匀部分的边缘来界定有效功能区的边界，那么发光功能层中的各个膜层在有效功能区的膜厚是均匀的。

在本发明至少一个实施例中，如图5所示，在与基底100垂直的截面上，且在隔离结构300的同一侧，第一端部310的朝向基底100的表面的边缘和第二端部320的边缘所确定的直线，与基底100所在面(或者线P0)构成的锐角不小于第二角度Θ1且不大于第一角度Θ2，即，h1/tanΘ2≤L2≤h1/tanΘ1。如此，可以获得第一端部310的边缘和第二端部320的边缘在横向上的间距L2的最小可设计尺寸，据此进一步获得相邻有效功能区域202之间的最小间距，从而维持第一功能层221被隔离结构300隔断以消除电流串扰的同时，进一步提高发光器件的排布密度(相当于像素密度PPI)。

例如，在本发明的一些实施例中，如图5所示，第一端部310的朝向基底100的表面的边缘和第二端部320的边缘所确定的直线，与基底100所在面(或者P0)构成的锐角等于第二角度Θ1，以使得第二电极230刚好与第一端部310接触，此情况下可以认为第二电极230与第一端部310已经存在电性连接。

例如，在本发明的另一些实施例中，如图6所示，第一端部310的朝向基底100的表面的边缘和第二端部320的边缘所确定的直线P6，与基底100所在面(或者P0)构成的锐角大于第二角度Θ1，以使得第二电极230可以攀爬至第一端部310的侧表面，即，第二电极230与第一端部310的侧表面的至少部分重叠且接触，例如图6中示出了攀爬高度为h2。如此，可以保证第二电极230与隔离结构300的第一端部310的搭接，且使得第二电极230的与隔离结构300的搭接部分具有相对较大的厚度以免接触不良或者搭接处的电阻过大。需要说明的是，在此情况下，L2的尺寸为：L2＝(h1-h2)/tanΘ1。

在本发明一些实施例中，可以综合考虑L1和L2的临界范围的情况下，获取L1+L2的最小值，以进一步减小子像素间隙的可选最小尺寸。例如，可重新参见图5，有效功能区202的边缘和第二端部320的边缘所确定的直线P3，与基底100所在面(例如其包括的线P0)构成的锐角等于第二角度Θ1，第一端部310的朝向基底100的表面的边缘和第二端部320的边缘所确定的直线P6，与基底100所在面构成的锐角等于第一角度Θ2，即，L1＝h1/tanΘ1，且L2＝h1/tanΘ2。如此，在保证发光器件的各个膜层在有效功能区202中膜厚均匀的情况下，将有效功能区202的边缘和第二端部320的边缘在横向上的间距L1、第一端部310的边缘和第二端部320的边缘在横向上的间距L2都设计为了最小尺寸，从而最大化减小相邻有效功能区域202之间的间距，从而维持第一功能层221被隔离结构300隔断以消除电流串扰的同时，使得发光器件200的排布密度(相当于像素密度PPI)最大化。需要说明的是，在该设计中，第一功能层221的边缘会刚好与隔断部(例如第一端部310)接触，但是在接触位置，第一功能层221的厚度理论上会无限接近于零，从而使得接触位置的电阻无限大，电流不会经过第一功能层221进入隔离结构300中，即，因此隔离结构300实际仍然将相邻的第一功能层221进行了电隔离，串扰问题仍可以得到有效解决。

需要说明的是，在如图5所示的实施例中，公式L1＝h1/tanΘ1中忽略了第一电极210和发光功能层220中各个膜层的厚度，且公式L1＝h1/tanΘ2可以替换为L1＝H/tanΘ2。如果计算第一电极210和发光功能层220的厚度，那么上述公式L1＝H/tanΘ2中的“H”需要再减去第一电极210和发光功能层220的厚度。

在本发明一些实施例中，如图6所示，隔离结构300可以只包括第一端部310(例如隔离柱)和第二端部320(例如隔断层)，此情况下边，第一电极210的尺寸需要设计为避免与隔离结构300重叠，以避免相邻的第一电极210串联，在此情况下，第一电极210限定有效功能区202的边界，即，有效功能区202与第一电极210重合。

在本发明另一些实施例中，如图7所示，隔离结构300还可以包括像素界定层330，该像素界定层330位于隔断部(例如隔离柱310)和第一电极210所在层之间，以覆盖相邻的第一电极210之间的间隙(L4)。像素界定层330界定有第二开口302，发光功能层220覆盖第二开口302，第二开口302与第一开口301分别对应且彼此连通，第二开口302在基底100上的正投影位于对应的第一开口301在基底100上的正投影之内。通过设计像素界定层330，可以消除第一电极210与相邻的隔断部(例如其中导电的第一端部310)搭接的风险，从而使得第一电极210具备较大的设计尺寸，以保证有效功能区202的设计面积。

像素界定层330界定了第一电极210的暴露面积(用于与发光功能层220接触的部分的面积)，从而界定了发光器件200的发光区的边界。需要说明的是，在发光区中，如果发光功能层220的各个膜层厚度不均匀，会导致发光区的出光效率不均匀，因此，可以将发光功能层220的有效功能区设置为覆盖该发光区，即，发光区与有效功能区与有效功能区完全重合，或者，发光区位于有效功能区之内，从而保证发光区均匀出光。

需要说明的是，在设计显示面板的PPI时，可以在确定有效功能区(或者进一步为主要发光区)的尺寸时同步确定出上述的L1、L2和h1(H)等参数，在此基础上再确定像素界定层330的边界的具体位置，例如，像素界定层330的第二开口302的最小边界(第二开口302的最小尺寸)为有效功能区的边界。在该情况下，在对显示面板PPI进行设计时，在完成有效功能区的尺寸和位置之前，可以不需要考虑像素界定层330的具体位置(尺寸)，从而减少设计时涉及的结构数量，以简化显示面板的设计成本。

需要说明的是，在本发明的实施例中，基于在像素界定层中形成第二开口的工艺精度(例如掩膜对位精度)的考虑，可以将第二开口的面积设计为略大于有效功能区的面积，即，有效功能区在基底上的正投影位于第二开口在基底上的正投影之内，以设置足够的对位安全余量，以保证发光功能层的位于有效功能区的部分都可以与第一电极接触。

需要说明的是，在本发明另一些实施例中，可以在像素界定层上制备完隔断部之后，以隔断部为掩膜对像素界定层进行光刻，以在像素界定层中形成第二开口。如此，可以不需要考虑像素界定层中第二开口形成时的对位精度的问题，在实际工艺中，可以直接将第二开口的边界作为有效功能区的边界。例如，在光刻工艺中，可以在第一开口中填充光刻胶，然后使用诸如线光源进行曝光，该线光源可以与隔断部对准，从而使得曝光的角度等于第一角度(假设第一功能层的膜厚均匀部分的边缘对应有效功能区的边界)，从而使得光刻胶的与有效功能区基本重合的部分被曝光，然后再显影、刻蚀之后，在像素界定层中形成第二开口。需要说明的是，在该光刻工艺中，因为曝光角度(等于第一角度)的存在，隔断部的侧壁上是存在光刻胶的，从而不会对隔断部造成侧蚀，即，不会影响上述L1、L2等参数的设计。

例如，在本发明一些实施例中，如图8A所示，像素界定层330沿与基底100垂直的截面形状为正梯形，且在隔离结构300的同一侧，有效功能区的边界由第二电极230的膜厚均匀部分的边界确定，那么可以将像素界定层330的面向基底100的表面的边缘设计为与有效功能区的边界基本重合，即，像素界定层330的面向基底100的表面的边缘与第二端部320的夹角等于第二角度Θ1。此外，可以进一步设计为将像素界定层330的背离基底100的表面的边缘和第二端部320的边缘所确定的直线，与基底100所在面构成的锐角等于第一角度Θ2，即，第一功能层221在像素界定层330的背离基底100的表面的边缘处开始出现厚度不均。基于透光率的需求，第二电极230的整体厚度是比较小的，这使得第二电极230在坡度较大的区域容易出现膜厚过低、断裂、延续性不良等问题。本发明上述的设计可以使得L1具备相对较小尺寸的同时，使得像素界定层330的侧壁具有相对较小的坡度，以使得第二电极230在像素界定层330的侧壁上更容易沉积而具备相对较大的膜厚，以避免第二电极230因段差导致膜层的延续性不良甚至断裂。

例如，在本发明另一些实施例中，可以对图8A所示结构进行改造以得到图8B，具体地，如图8B所示，有效功能区的边界由发光层222的膜厚均匀部分的边界确定，那么可以将像素界定层330的面向基底100的表面的边缘设计为与有效功能区的边界基本重合，即，像素界定层330的面向基底100的表面的边缘与第二端部320的夹角(界定于第一角度Θ2和第二角度Θ1之间)，等于发光层222的边缘与第二端部320所确定的直线P3和基底100所在面的夹角，在此情况下，第一功能层221的膜厚均匀部分的边界与像素界定层330的面向基底100的表面的边缘重合(此情况下，第一功能层221和发光层222对应的蒸镀角相等)，或者位于像素界定层330的侧表面或者背离基底100的表面上(此情况下，第一功能层221对应的蒸镀角大于发光层222对应的蒸镀角)。此外，可以进一步设计为将像素界定层330的背离基底100的表面的边缘和第二端部320的边缘所确定的直线，与基底100所在面构成的锐角等于第一角度Θ2，即，第一功能层221在像素界定层330的背离基底100的表面的边缘处开始出现厚度不均。基于透光率的需求，第二电极230的整体厚度是比较小的，这使得第二电极230在坡度较大的区域容易出现膜厚过低、断裂、延续性不良等问题。本发明上述的设计可以使得L1具备相对较小尺寸的同时，使得像素界定层330的侧壁具有相对较小的坡度，以使得第二电极230在像素界定层330的侧壁上更容易沉积而具备相对较大的膜厚，以避免第二电极230因段差导致膜层的延续性不良甚至断裂。

例如，在本发明至少一个实施方式中，如图8A所示，像素界定层330沿与基底100垂直的截面形状为正梯形，且在隔离结构300的同一侧，像素界定层330的面向基底100的表面的边缘和第二端部的边缘所确定的直线，与基底100所在面构成的锐角等于第二角度Θ1。像素界定层330的第二开口302的边界与有效功能区的边界重合，从而使得发光器件200的发光区与有效功能区重合，以使得发光区的发光部分都能具备最大的发光效率，从而改善出光均匀度；相应地，该设计可以在保证发光器件200最大发光效率的同时，获得像素界定层330的边界可延伸的范围，以获得像素界定层330的最大设计宽度(两个相邻的第一开口301之间的部分的宽度)，从而有利于规划像素间隙(相邻发光器件200的发光区域的间隙)的宽度。

在本发明的实施例中，像素界定层330主要用于间隔第一电极210和隔离结构300，并不需要对发光功能层220进行限位，从而可以将像素界定层330设计为具有较小的设计厚度，这不仅降低像素界定层330的边界处的段差(过大会导致成膜质量变差)，还有利于显示面板的轻薄化设计。然而，厚度较小的像素界定层330会在相邻第一电极210的间隙处形成共形的凹陷，该凹陷可能会对后续膜层的质量构成影响。

例如，如图7所示，像素界定层330的覆盖第一电极210的间隙(配合基底100呈现为凹槽形状)的部分与第一电极210的间隙共形以形成凹陷。例如，该像素界定层330为无机材料膜层，以使得像素界定层330具备较薄厚度的同时具备较高的绝缘性。例如，该像素界定层330的材料可以为氧化硅、氮化硅、氧氮化硅等。例如，像素界定层330的厚度可以为1000埃至5000埃。

在本发明一些实施例中，如图7所示，相邻第一电极210在基底100上的正投影的间隙，位于第一端部310的面向基底100的表面在基底100上的正投影之内，即，第一电极210的间隙的宽度L4小于第一端部310的宽度L3，以使得隔断部的第一端部310可以将像素界定层330上的凹陷覆盖。

在本发明另一些实施例中，如图8A所示，相邻第一电极210在基底100上的正投影的间隙，与第一端部310的面向基底100的表面在基底100上的正投影重合，即，第一电极210的间隙的宽度L4与第一端部310的宽度L3相等。如此，可以获得隔离结构300的第一端部310的最小可设计宽度，据此可以获得相邻有效功能区域202之间的最小间距，从而维持第一功能层221被隔离结构300隔断以消除电流串扰的同时，提高发光器件200的排布密度(相当于像素密度PPI)。

例如，基底100可以包括衬底以及位于衬底上的驱动电路层，驱动电路层包括位于显示区中的多个像素驱动电路，显示功能层位于该驱动电路层上。例如，像素驱动电路可以包括多个晶体管TFT、电容等，例如形成为2T1C(即2个晶体管(TFT)和1个电容(C))、3T1C或者7T1C等多种形式。像素驱动电路与发光器件200连接，以控制发光器件200的开关状态以及发光亮度。

在本发明至少一个实施例中，如图9所示，显示面板还可以包括保护层400，该保护层400至少覆盖发光器件200以在显示面板的制备工艺过程中对发光器件200的膜层进行保护。需要说明的是，出射光不同的发光器件200是独立制作的，但是每个发光器件200中的膜层(蒸镀膜层例如发光功能层等)在蒸镀时是在显示面板上整面蒸镀的。例如，发光器件200分类为分别出射红光(R)、绿光(G)和蓝光(B)的发光器件，在制备过程中，发光器件R、G、B依次制备，在制备发光器件R时，每个第一开口301中都形成发光器件R，在显示面板上制备保护层400以覆盖发光器件G，然后将部分第一开口301(最终产品中用于形成发光器件G、B)中的保护层400以及发光器件R的第二电极和发光功能层去除，在此过程中，保护层400用于保护其它第一开口301中的发光器件R，基于该方式再依次制备发光器件G、B，最终形成如图9所示的保护层400。下面，结合图10至图13对图9所示的显示面板的制备过程进行描述。

需要说明的是，保护层400对于发光器件来说已经起到了封装的效果，因此也可以称为封装层(仅设置一个膜层)或者封装层(多个封装膜层时)中的一个膜层。

如图10所示，提供基底100并在基底100上形成阵列排布的第一电极210；在形成有第一电极210的基底100上沉积绝缘材料膜层(例如无机材料膜层)；在显示面板上形成隔离柱310和隔断层320；对绝缘材料膜层进行构图工艺以形成像素界定层330(平面形状为网格状)，像素界定层330覆盖相邻第一电极210的间隙，如此，像素界定层330的平面形状为网格状。

在本发明的实施例中，构图工艺可以为光刻构图工艺，例如可以包括：在需要被构图的结构层上涂覆光刻胶，使用掩模板对光刻胶进行曝光，对曝光的光刻胶进行显影以得到光刻胶图案，使用光刻胶图案对结构层进行蚀刻(可选湿刻或者干刻)，然后可选地去除光刻胶图案。需要说明的是，在结构层(例如下述的光刻胶图案500)的材料包括光刻胶的情况下，可以通过掩模板对该结构层直接曝光以形成所需要的图案。

如图11所示，在基底100上蒸镀发光功能层和第二电极，其中，蒸镀源以第一蒸镀角(第一角度)进行蒸镀以形成第一功能层221，以第二蒸镀角(第二角度)进行蒸镀以形成第二电极230，以在隔离结构300的每个第一开口301中都形成发光器件200，该过程中的蒸镀未采用掩膜板，因此蒸镀的材料也会在隔断层320上沉积；然后沉积形成保护层400以覆盖发光器件200。例如，蒸镀的发光功能层220中的发光层可以为出射红光，即，在该阶段，隔离结构300的每个第一开口301中都形成有出射红光的发光器件200。

如图12所示，在形成有保护层400的基底100上形成(例如涂覆等)光刻胶，然后对其进行构图工艺以形成光刻胶图案500，光刻胶图案500仅覆盖隔离结构300的一部分第一开口301。

如图13所示，以光刻胶图案500为掩膜对显示面板的表面进行刻蚀，去除为被光刻胶图案500覆盖的保护层400、第二电极230和发光功能层220；然后去除残留的光刻胶图案500。

重复上述图11至图13的步骤，以在其它第一开口301中分别形成出射绿光的发光器件200和出射蓝光的发光器件200，并形成如图9所示的显示面板。

需要说明的是，在本发明的一些实施例中，发光功能层中的部分膜层例如发光层，可以使用非蒸镀的方式例如喷墨打印来制备，具体可以根据该些膜层的材料来选择，例如，在该些膜层为高分子材料而不适用蒸镀的情况下，可以使用喷墨打印来制备。

在当前的OLED显示面板设计中，发光器件中膜层的蒸镀需要利用掩膜板单独制备，限于多次对位的精度要求，需要预留较大的子像素间隙(发光器件的间隙)；此外，当前的OLED需要通过厚度较大的像素界定层(同本发明的像素界定层不同)来对发光器件进行限位，发光器件是完全容纳在该像素界定层的开口中的，在此情况下，因为像素界定层的厚度过大，且为了增加且使得像素界定层的开口的侧壁具备较大的坡度，所有像素界定层的侧壁占据的空间比较大，这更进一步增加了子像素的间隙；另外，受对位精度的限制，发光器件本身的尺寸也难以进一步缩小。对于当前的OLED显示面板，其理论上的像素密度最大可以做到403PPI，其中，子像素的宽度最大可以做到4微米，子像素的间隙最小可以达到17微米。

在本发明至少一个实施例中，通过进一步缩小子像素的宽度(可以小于4微米)和/或进一步减小子像素的间隙(可以小于17微米)，以将像素密度提高至大于403PPI，以突破当前OLED显示面板中像素密度难以进一步提升的限制，例如，可以将像素密度提高至404PPI至2000PPI。

下面，对如何将显示面板中的像素密度提升至大于403PPI以及该情况下的显示面板的具体结构，进行详细地说明。

在本发明一些实施例中，显示面板包括基底以及位于基底上的隔离结构和多个像素。隔离结构具有多个第一开口，每个像素包括多种出射不同波长光线的子像素，子像素包括依次层叠设置于基底上的第一电极、发光功能层及第二电极，子像素的发光层设于第一开口内，且第二电极与隔离结构连接。通过设置隔离结构，可以使得像素的排布密度的范围至少为404PPI至2000PPI。在上述方案中，对于子像素的蒸镀膜层而言，通过设置隔离结构，可以不再需要通过掩膜板进行蒸镀，从而不需要考虑蒸镀时的对位精度问题，从而可以使得相邻子像素的间距可以减小，以使得显示面板具备较高的像素密度PPI。显示面板的平面结构以及提高PPI的原理，可以参见前述实施例中的相关说明，在此不做赘述。

在本发明的实施例中，可以选择减小子像素宽度、或者减小子像素的间距、或者同时缩小子像素的宽度以及缩小子像素的间距等方式来提高像素密度PPI，下面，通过不同的实施例，针对上述不同选择下的显示面板的结构进行详细地说明。

在本发明一些实施例中，可以通过仅缩小子像素的间距的方式来提高像素密度PPI。例如，可以将子像素的平均宽度设计为不小于4微米，子像素的间隙设计为不小于8微米且不大于17微米，如此，可以使得像素的排布密度为404PPI至1025PPI，其中，在子像素的平均宽度设计为4微米且子像素的间隙设计为8微米的情况下，像素的排布密度大致为706PPI或者1025PPI。

例如，显示功能层包括与子像素对应的多个发光器件。发光器件中各个膜层的类型、位置关系以及与隔离结构的位置关系可以参见前述关于图1至图3相关的实施例中的相关说明，在此不作赘述。此外，在本实施例中，可重新参见图4，第一端部310的边缘和第二端部320的边缘在垂直于基底100的方向上的距离h1不小于0.6微米，第一端部310的宽度不小于2微米，第二端部320的宽度不小于4微米，且在隔离结构300的同一侧，有效功能区202的边缘和第二端部320的边缘在基底100上的正投影的间距L1不小于2微米，以使得子像素的间隙不小于8微米。例如，进一步地，第一角度为40度至70度。

例如，可重新参见图5，在与基底100垂直的截面上，且在隔离结构300的同一侧，第二电极230的边缘和第二端部320的边缘所确定的直线P4，与基底100所在面构成的锐角为第二角度Θ1，第二角度Θ1小于第一角度Θ2，有效功能区202的边缘和第二端部320的边缘所确定的直线P3，与基底100所在面(例如线P0)构成的锐角小于或等于第二角度Θ1。在该情形下，第二角度Θ1可以设计为20度至70度。

例如，可重新参见图5，有效功能区202的边缘和第二端部320的边缘所确定的直线P3，与基底100所在面(例如其包括的线P0)构成的锐角等于第二角度Θ1，第一端部310的朝向基底100的表面的边缘和第二端部320的边缘所确定的直线P6，与基底100所在面构成的锐角等于第一角度Θ2，即，L1＝H/tanΘ1(该公式中H的计算忽略第一电极和发光功能层的膜厚)，且L2＝h1/tanΘ2。例如，第一端部310的宽度(L3)为2微米，第二端部320的宽度(2L2+L3)为4微米，且在隔离结构300的同一侧，有效功能区202的边缘和第二端部320的边缘在基底100上的正投影的间距L1为2微米，以使得子像素的间隙为8微米。例如，更进一步地，在每个像素中，子像素的平均宽度为4微米，以使得像素的排布密度为706PPI或者1025PPI。

需要说明的是，“子像素的平均宽度”为每个像素中的多个子像素的宽度之和与子像素个数的比值。例如，可重新参见图2，每个像素P包括出射光线波长依次增加的第一子像素B、第二子像素G和第三子像素R，第一子像素B、第二子像素G和第三子像素R分别出射蓝光、绿光、红光。本实施方式中的显示面板中的第一子像素B、第二子像素G和第三子像素R的总数量比为1:1:1且均为真实子像素，即本实施方式中的显示面板的PPI为真实子像素得出，不包含算法得出。

例如，在一些设计中，可重新参见图2，第一子像素B、第二子像素G和第三子像素R的宽度都为4微米。

例如，在一些设计中，如图14所示，第一子像素B、第二子像素G和第三子像素R排布为多行，第一子像素B、第二子像素G和第三子像素R的宽度的方向与行的方向(例如X轴的方向)相同，每个像素中的第一子像素B、第二子像素G和第三子像素R沿行的方向依次排布，第一子像素B的宽度a1、第二子像素G的宽度a2和第三子像素R的宽度a3依次减小，第一子像素B的宽度a1大于4微米，第三子像素R的宽度a3小于4微米，以使得第一子像素B、第二子像素G和第三子像素R的平均宽度(a1+a2+a3)/3为4微米。

在上述设计下，每个像素(包括第一子像素B、第二子像素G和第三子像素R)的宽度(可称为pitch＝a1+a2+a3+3b)为36微米，以使得像素的排布密度为706PPI，其中，b＝2L1+2L2+L3。

例如，在另一些设计中，如图15所示，第一子像素B、第二子像素G和第三子像素R排布为多列，第一子像素B、第二子像素G和第三子像素R的宽度的方向与列的方向垂直，第二子像素G和第三子像素R所在列与第一子像素B所在列不同，在第二子像素G和第三子像素R所在列中，第二子像素G和第三子像素R，第一子像素B所在的列和第二子像素G所在的列交替排布，第二子像素G和第三子像素R的数量相等。

例如，如图15所示，第二子像素G和第三子像素R的宽度都为4微米；或者，第二子像素G和第三子像素R的宽度依次减小，第一子像素的宽度大于4微米，第二子像素和第三子像素的宽度相等且小于4微米。在上述设计下，每个像素P(包括第一子像素B、第二子像素G和第三子像素R)的宽度(可称为pitch＝2a+2b)为24微米，以使得像素的排布密度为1025PPI，其中，b＝2L1+2L2+L3。

在本发明的实施例中，PPI的计算方式可以为25.4毫米与pitch的比值，例如，在pitch为36微米的情况下，PPI大致为706，在pitch为36微米的情况下，PPI大致为1025。

在本发明一些实施例中，可以通过仅缩小子像素的宽度的方式来提高像素密度PPI。例如，可以将子像素的平均宽度设计为不小于2微米，将子像素的间隙设计为不小于17微米，如此，可以使得像素的排布密度为404PPI至668PPI，其中，在子像素的平均宽度设计为2微米且子像素的间隙设计为17微米的情况下，像素的排布密度大致为446PPI或者668PPI。

例如，显示面板还可以包括基底以及位于基底上的显示功能层，显示功能层包括与子像素对应的多个发光器件。发光器件中各个膜层的类型、位置关系以及与隔离结构的位置关系可以参见前述关于图1至图3相关的实施例中的相关说明，在此不作赘述。此外，在本实施例中，可重新参见图4，第一端部310的边缘和第二端部320的边缘在垂直于基底100的方向上的距离h1不小于0.6微米，第一端部310的宽度不小于2微米，第二端部320的宽度不小于4微米，且在隔离结构300的同一侧，有效功能区202的边缘和第二端部320的边缘在基底100上的正投影的间距L1不小于6.5微米，以使得子像素的间隙不小于17微米。例如，进一步地，第一角度为40度至70度。

例如，可重新参见图5，在与基底100垂直的截面上，且在隔离结构300的同一侧，第二电极230的边缘和第二端部320的边缘所确定的直线P4，与基底100所在面构成的锐角为第二角度Θ1，第二角度Θ1小于第一角度Θ2，有效功能区202的边缘和第二端部320的边缘所确定的直线P3，与基底100所在面(例如线P0)构成的锐角小于或等于第二角度Θ1。在该情形下，第二角度Θ1可以设计为20度至70度。

例如，可重新参见图5，有效功能区202的边缘和第二端部320的边缘所确定的直线P3，与基底100所在面(例如其包括的线P0)构成的锐角等于第二角度Θ1，第一端部310的朝向基底100的表面的边缘和第二端部320的边缘所确定的直线P6，与基底100所在面构成的锐角等于第一角度Θ2，即，L1＝H/tanΘ1(该公式中H的计算忽略第一电极和发光功能层的膜厚)，且L2＝h1/tanΘ2。例如，第一端部310的宽度为2微米，第二端部320的宽度为4微米，且在隔离结构300的同一侧，有效功能区202的边缘和第二端部320的边缘在基底100上的正投影的间距L1为6.5微米，以使得子像素的间隙为17微米。例如，，在每个像素中，子像素的平均宽度为2微米，以使得像素的排布密度为446PPI或者668PPI。例如，在如图2和图14所示的像素排布结构中，第一子像素B、第二子像素G和第三子像素R的宽度都为2微米；或者，第一子像素B的宽度大于2微米，第三子像素R的宽度小于2微米，以使得第一子像素B、第二子像素G和第三子像素R的平均宽度为2微米。在上述设计下，每个像素(包括第一子像素B、第二子像素G和第三子像素R)的宽度(可称为pitch)为57微米，以使得像素的排布密度为446PPI。关于子像素的平均宽度的设计，可以参见前述实施例中的相关说明，在此不作赘述。

例如，在如图15所示的像素排布结构中，第二子像素G和第三子像素R的宽度都为2微米；或者，第二子像素G和第三子像素R的宽度依次减小，第一子像素的宽度大于2微米，第二子像素和第三子像素的宽度相等且小于2微米。在上述设计下，每个像素P(包括第一子像素B、第二子像素G和第三子像素R)的宽度(可称为pitch)为38微米，以使得像素的排布密度为668PPI。关于子像素的平均宽度的设计，可以参见前述实施例中的相关说明，在此不作赘述。

在本发明一些实施例中，可以通过缩小子像素的间距且缩小子像素的宽度的方式来提高像素密度PPI。例如，可以将子像素的平均宽度设计为不小于2微米，将子像素的间隙设计为不小于8微米且不大于17微米，以使得像素的排布密度为404PPI至1270PPI，其中，在子像素的平均宽度设计为2微米且子像素的间隙设计为8微米的情况下，像素的排布密度大致为847PPI或者1270PPI。

例如，显示面板还可以包括基底以及位于基底上的显示功能层，显示功能层包括与子像素对应的多个发光器件。发光器件中各个膜层的类型、位置关系以及与隔离结构的位置关系可以参见前述关于图1至图3相关的实施例中的相关说明，在此不作赘述。此外，在本实施例中，可重新参见图4，第一端部310的边缘和第二端部320的边缘在垂直于基底100的方向上的距离不小于0.6微米，第一端部310的宽度不小于2微米，第二端部320的宽度不小于4微米，且在隔离结构300的同一侧，有效功能区202的边缘和第二端部320的边缘在基底100上的正投影的间距不小于2微米，以使得子像素的间隙不小于8微米。例如，进一步地，第一角度为40度至70度。

例如，可重新参见图5，在与基底100垂直的截面上，且在隔离结构300的同一侧，第二电极230的边缘和第二端部320的边缘所确定的直线P4，与基底100所在面构成的锐角为第二角度Θ1，第二角度Θ1小于第一角度Θ2，有效功能区202的边缘和第二端部320的边缘所确定的直线P3，与基底100所在面(例如线P0)构成的锐角小于或等于第二角度Θ1。在该情形下，第二角度Θ1可以设计为20度至70度。

例如，可重新参见图5，有效功能区202的边缘和第二端部320的边缘所确定的直线P3，与基底100所在面(例如其包括的线P0)构成的锐角等于第二角度Θ1，第一端部310的朝向基底100的表面的边缘和第二端部320的边缘所确定的直线P6，与基底100所在面构成的锐角等于第一角度Θ2，即，L1＝H/tanΘ1(该公式中H的计算忽略第一电极和发光功能层的膜厚)，且L2＝h1/tanΘ2。例如，第一端部310的宽度为2微米，第二端部320的宽度为4微米，且在隔离结构300的同一侧，有效功能区202的边缘和第二端部320的边缘在基底100上的正投影的间距为2微米，以使得子像素的间隙为8微米。例如，更进一步地，在每个像素中，子像素的平均宽度为2微米，以使得像素的排布密度为847PPI或者1270PPI。

例如，在如图2和图14所示的像素排布结构中，第一子像素B、第二子像素G和第三子像素R的宽度都为2微米；或者，第一子像素B的宽度大于2微米，第三子像素R的宽度小于2微米，以使得第一子像素B、第二子像素G和第三子像素R的平均宽度为2微米。在上述设计下，每个像素(包括第一子像素B、第二子像素G和第三子像素R)的宽度(可称为pitch)为30微米，以使得像素的排布密度为847PPI。关于子像素的平均宽度的设计，可以参见前述实施例中的相关说明，在此不作赘述。

例如，在如图15所示的像素排布结构中，第二子像素G和第三子像素R的宽度都为2微米；或者，第二子像素G和第三子像素R的宽度依次减小，第一子像素的宽度大于2微米，第二子像素和第三子像素的宽度相等且小于2微米。在上述设计下，每个像素P(包括第一子像素B、第二子像素G和第三子像素R)的宽度(可称为pitch)为20微米，以使得像素的排布密度为1270PPI。关于子像素的平均宽度的设计，可以参见前述实施例中的相关说明，在此不作赘述。

在本发明一些实施例中，可以通过极限缩小子像素的间距且极限缩小子像素的宽度的方式来提高像素密度PPI。例如，可以将子像素的平均宽度设计为不小于1.5微米，将子像素的间隙设计为不小于7微米且不大于17微米，以使得像素的排布密度为404PPI至1500PPI，其中，在子像素的平均宽度设计为1.5微米且子像素的间隙设计为7微米的情况下，像素的排布密度大致为1000PPI或者1500PPI。

例如，显示面板还可以包括基底以及位于基底上的显示功能层，显示功能层包括与子像素对应的多个发光器件。发光器件中各个膜层的类型、位置关系以及与隔离结构的位置关系可以参见前述关于图1至图3相关的实施例中的相关说明，在此不作赘述。此外，在本实施例中，可重新参见图4，第一端部310的边缘和第二端部320的边缘在垂直于基底100的方向上的距离不小于0.6微米，第一端部310的宽度不小于2微米，第二端部320的宽度不小于4微米，且在隔离结构300的同一侧，有效功能区202的边缘和第二端部320的边缘在基底100上的正投影的间距L1不小于1.5微米，以使得子像素的间隙不小于7微米。例如，进一步地，第一角度为40度至70度。

例如，可重新参见图5，在与基底100垂直的截面上，且在隔离结构300的同一侧，第二电极230的边缘和第二端部320的边缘所确定的直线P4，与基底100所在面构成的锐角为第二角度Θ1，第二角度Θ1小于第一角度Θ2，有效功能区202的边缘和第二端部320的边缘所确定的直线P3，与基底100所在面(例如线P0)构成的锐角小于或等于第二角度Θ1。在该情形下，第二角度Θ1可以设计为20度至70度。

例如，可重新参见图5，有效功能区202的边缘和第二端部320的边缘所确定的直线P3，与基底100所在面(例如其包括的线P0)构成的锐角等于第二角度Θ1，第一端部310的朝向基底100的表面的边缘和第二端部320的边缘所确定的直线P6，与基底100所在面构成的锐角等于第一角度Θ2，即，L1＝H/tanΘ1(该公式中H的计算忽略第一电极和发光功能层的膜厚)，且L2＝h1/tanΘ2。例如，第一端部310的宽度为2微米，第二端部320的宽度为4微米，且在隔离结构300的同一侧，有效功能区202的边缘和第二端部320的边缘在基底100上的正投影的间距L1为1.5微米，以使得子像素的间隙为7微米。例如，更进一步地，在每个像素中，子像素的平均宽度为1.5微米，以使得像素的排布密度为1000PPI或者1500PPI。

例如，在如图2和图14所示的像素排布结构中，第一子像素B、第二子像素G和第三子像素R的宽度都为1.5微米；或者，第一子像素B的宽度大于1.5微米，第三子像素R的宽度小于1.5微米，以使得第一子像素B、第二子像素G和第三子像素R的平均宽度为1.5微米。在上述设计下，每个像素(包括第一子像素B、第二子像素G和第三子像素R)的宽度(可称为pitch)为25.5微米，以使得像素的排布密度为1000PPI。关于子像素的平均宽度的设计，可以参见前述实施例中的相关说明，在此不作赘述。

例如，在如图15所示的像素排布结构中，第二子像素G和第三子像素R的宽度都为1.5微米；或者，第二子像素G和第三子像素R的宽度依次减小，第一子像素的宽度大于1.5微米，第二子像素和第三子像素的宽度相等且小于1.5微米。在上述设计下，每个像素P(包括第一子像素B、第二子像素G和第三子像素R)的宽度(可称为pitch)为17微米，以使得像素的排布密度为1500PPI。关于子像素的平均宽度的设计，可以参见前述实施例中的相关说明，在此不作赘述。

例如，在如图2和图14所示的像素排布结构中，第一子像素B、第二子像素G和第三子像素R的宽度都为2微米；或者，第一子像素B的宽度大于2微米，第三子像素R的宽度小于2微米，以使得第一子像素B、第二子像素G和第三子像素R的平均宽度为2微米。在上述设计下，每个像素(包括第一子像素B、第二子像素G和第三子像素R)的宽度(可称为pitch)为27微米，以使得像素的排布密度为941PPI。关于子像素的平均宽度的设计，可以参见前述实施例中的相关说明，在此不作赘述。

例如，在如图15所示的像素排布结构中，第二子像素G和第三子像素R的宽度都为2微米；或者，第二子像素G和第三子像素R的宽度依次减小，第一子像素的宽度大于2微米，第二子像素和第三子像素的宽度相等且小于2微米。在上述设计下，每个像素P(包括第一子像素B、第二子像素G和第三子像素R)的宽度(可称为pitch)为18微米，以使得像素的排布密度为1411PPI。关于子像素的平均宽度的设计，可以参见前述实施例中的相关说明，在此不作赘述。

在本发明一些实施例中，可以通过极限缩小子像素的间距且极限缩小子像素的宽度的方式来提高像素密度PPI。例如，可以将子像素的平均宽度设计为不小于1.35微米，将子像素的间隙设计为不小于5微米且不大于17微米，以使得像素的排布密度为404PPI至2000PPI，其中，在子像素的平均宽度设计为1.35微米且子像素的间隙设计为5微米的情况下，像素的排布密度大致为1333PPI或者2000PPI。

例如，显示面板还可以包括基底以及位于基底上的显示功能层，显示功能层包括与子像素对应的多个发光器件。发光器件中各个膜层的类型、位置关系以及与隔离结构的位置关系可以参见前述关于图1至图3相关的实施例中的相关说明，在此不作赘述。此外，在本实施例中，可重新参见图4，第一端部310的边缘和第二端部320的边缘在垂直于基底100的方向上的距离不小于0.6微米，第二端部320的宽度不小于3.5微米，第一端部310的宽度不小于2微米，且在隔离结构300的同一侧，有效功能区202的边缘和第二端部320的边缘在基底100上的正投影的间距L1不小于0.75微米，以使得子像素的间隙不小于5微米。例如，进一步地，第一角度为40度至70度。

例如，可重新参见图5，在与基底100垂直的截面上，且在隔离结构300的同一侧，第二电极230的边缘和第二端部320的边缘所确定的直线P4，与基底100所在面构成的锐角为第二角度Θ1，第二角度Θ1小于第一角度Θ2，有效功能区202的边缘和第二端部320的边缘所确定的直线P3，与基底100所在面(例如线P0)构成的锐角小于或等于第二角度Θ1。在该情形下，第二角度Θ1可以设计为20度至70度。

例如，可重新参见图5，有效功能区202的边缘和第二端部320的边缘所确定的直线P3，与基底100所在面(例如其包括的线P0)构成的锐角等于第二角度Θ1，第一端部310的朝向基底100的表面的边缘和第二端部320的边缘所确定的直线P6，与基底100所在面构成的锐角等于第一角度Θ2，即，L1＝H/tanΘ1(该公式中H的计算忽略第一电极和发光功能层的膜厚)，且L2＝h1/tanΘ2。例如，第二端部320的宽度为3.5微米，第一端部310的宽度为2微米，且在隔离结构300的同一侧，有效功能区202的边缘和第二端部320的边缘在基底100上的正投影的间距L1为0.75微米，以使得子像素的间隙为5微米。例如，更进一步地，在每个像素中，子像素的平均宽度为1.35微米，以使得像素的排布密度为1333PPI或者2000PPI。

例如，在如图2和图14所示的像素排布结构中，第一子像素B、第二子像素G和第三子像素R的宽度都为1.35微米；或者，第一子像素B的宽度大于1.35微米，第三子像素R的宽度小于1.35微米，以使得第一子像素B、第二子像素G和第三子像素R的平均宽度为1.35微米。在上述设计下，每个像素(包括第一子像素B、第二子像素G和第三子像素R)的宽度(可称为pitch)为19.05微米，以使得像素的排布密度为1333PPI。关于子像素的平均宽度的设计，可以参见前述实施例中的相关说明，在此不作赘述。

例如，在如图15所示的像素排布结构中，第二子像素G和第三子像素R的宽度都为1.35微米；或者，第二子像素G和第三子像素R的宽度依次减小，第一子像素的宽度大于1.35微米，第二子像素和第三子像素的宽度相等且小于1.35微米。在上述设计下，每个像素P(包括第一子像素B、第二子像素G和第三子像素R)的宽度(可称为pitch)为12.7微米，以使得像素的排布密度为2000PPI。关于子像素的平均宽度的设计，可以参见前述实施例中的相关说明，在此不作赘述。

在本发明一些实施例中，可以通过极限缩小子像素的间距且极限缩小子像素的宽度的方式来提高像素密度PPI。例如，可以将子像素的平均宽度设计为不小于4.8微米，将子像素的间隙设计为不小于12微米且不大于17微米，以使得像素的排布密度为404PPI至756PPI，其中，在子像素的平均宽度设计为4.8微米且子像素的间隙设计为7微米的情况下，像素的排布密度大致为504PPI或者756PPI。

例如，显示面板还可以包括基底以及位于基底上的显示功能层，显示功能层包括与子像素对应的多个发光器件。发光器件中各个膜层的类型、位置关系以及与隔离结构的位置关系可以参见前述关于图1至图3相关的实施例中的相关说明，在此不作赘述。此外，在本实施例中，可重新参见图4，第一端部310的边缘和第二端部320的边缘在垂直于基底100的方向上的距离不小于0.6微米，第一端部310的宽度不小于2微米，第二端部320的宽度不小于4微米，且在隔离结构300的同一侧，有效功能区202的边缘和第二端部320的边缘在基底100上的正投影的间距L1不小于4微米，以使得子像素的间隙不小于12微米。例如，进一步地，第一角度为40度至70度。

例如，可重新参见图5，在与基底100垂直的截面上，且在隔离结构300的同一侧，第二电极230的边缘和第二端部320的边缘所确定的直线P4，与基底100所在面构成的锐角为第二角度Θ1，第二角度Θ1小于第一角度Θ2，有效功能区202的边缘和第二端部320的边缘所确定的直线P3，与基底100所在面(例如线P0)构成的锐角小于或等于第二角度Θ1。在该情形下，第二角度Θ1可以设计为20度至70度。

例如，可重新参见图5，有效功能区202的边缘和第二端部320的边缘所确定的直线P3，与基底100所在面(例如其包括的线P0)构成的锐角等于第二角度Θ1，第一端部310的朝向基底100的表面的边缘和第二端部320的边缘所确定的直线P6，与基底100所在面构成的锐角等于第一角度Θ2，即，L1＝H/tanΘ1(该公式中H的计算忽略第一电极和发光功能层的膜厚)，且L2＝h1/tanΘ2。例如，第一端部310的宽度为2微米，第二端部320的宽度为4微米，且在隔离结构300的同一侧，有效功能区202的边缘和第二端部320的边缘在基底100上的正投影的间距L1为4微米，以使得子像素的间隙为12微米。例如，更进一步地，在每个像素中，子像素的平均宽度为4.8微米，以使得像素的排布密度为504PPI或者756PPI。

例如，在如图2和图14所示的像素排布结构中，第一子像素B、第二子像素G和第三子像素R的宽度都为4.8微米；或者，第一子像素B的宽度大于4.8微米，第三子像素R的宽度小于4.8微米，以使得第一子像素B、第二子像素G和第三子像素R的平均宽度为4.8微米。在上述设计下，每个像素(包括第一子像素B、第二子像素G和第三子像素R)的宽度(可称为pitch)为50.4微米，以使得像素的排布密度为504PPI。关于子像素的平均宽度的设计，可以参见前述实施例中的相关说明，在此不作赘述。

例如，在如图15所示的像素排布结构中，第二子像素G和第三子像素R的宽度都为4.8微米；或者，第二子像素G和第三子像素R的宽度依次减小，第一子像素的宽度大于4.8微米，第二子像素和第三子像素的宽度相等且小于4.8微米。在上述设计下，每个像素P(包括第一子像素B、第二子像素G和第三子像素R)的宽度(可称为pitch)为33.6微米，以使得像素的排布密度为756PPI。关于子像素的平均宽度的设计，可以参见前述实施例中的相关说明，在此不作赘述。

在本发明一些实施例中，可以通过极限缩小子像素的间距且极限缩小子像素的宽度的方式来提高像素密度PPI。例如，可以将子像素的平均宽度设计为不小于2.8微米，将子像素的间隙设计为不小于10微米且不大于17微米，以使得像素的排布密度为404PPI至756PPI，其中，在子像素的平均宽度设计为2.8微米且子像素的间隙设计为7微米的情况下，像素的排布密度大致为661PPI或者992PPI。

例如，显示面板还可以包括基底以及位于基底上的显示功能层，显示功能层包括与子像素对应的多个发光器件。发光器件中各个膜层的类型、位置关系以及与隔离结构的位置关系可以参见前述关于图1至图3相关的实施例中的相关说明，在此不作赘述。此外，在本实施例中，可重新参见图4，第一端部310的边缘和第二端部320的边缘在垂直于基底100的方向上的距离不小于0.6微米，第一端部310的宽度不小于2微米，第二端部320的宽度不小于4微米，且在隔离结构300的同一侧，有效功能区202的边缘和第二端部320的边缘在基底100上的正投影的间距L1不小于3微米，以使得子像素的间隙不小于10微米。例如，进一步地，第一角度为40度至70度。

例如，可重新参见图5，在与基底100垂直的截面上，且在隔离结构300的同一侧，第二电极230的边缘和第二端部320的边缘所确定的直线P4，与基底100所在面构成的锐角为第二角度Θ1，第二角度Θ1小于第一角度Θ2，有效功能区202的边缘和第二端部320的边缘所确定的直线P3，与基底100所在面(例如线P0)构成的锐角小于或等于第二角度Θ1。在该情形下，第二角度Θ1可以设计为20度至70度。

例如，可重新参见图5，有效功能区202的边缘和第二端部320的边缘所确定的直线P3，与基底100所在面(例如其包括的线P0)构成的锐角等于第二角度Θ1，第一端部310的朝向基底100的表面的边缘和第二端部320的边缘所确定的直线P6，与基底100所在面构成的锐角等于第一角度Θ2，即，L1＝H/tanΘ1(该公式中H的计算忽略第一电极和发光功能层的膜厚)，且L2＝h1/tanΘ2。例如，第一端部310的宽度为2微米，第二端部320的宽度为4微米，且在隔离结构300的同一侧，有效功能区202的边缘和第二端部320的边缘在基底100上的正投影的间距L1为3微米，以使得子像素的间隙为10微米。例如，更进一步地，在每个像素中，子像素的平均宽度为2.8微米，以使得像素的排布密度为661PPI或者992PPI。

例如，在如图2和图14所示的像素排布结构中，第一子像素B、第二子像素G和第三子像素R的宽度都为2.8微米；或者，第一子像素B的宽度大于2.8微米，第三子像素R的宽度小于2.8微米，以使得第一子像素B、第二子像素G和第三子像素R的平均宽度为2.8微米。在上述设计下，每个像素(包括第一子像素B、第二子像素G和第三子像素R)的宽度(可称为pitch)为38.4微米，以使得像素的排布密度为661PPI。关于子像素的平均宽度的设计，可以参见前述实施例中的相关说明，在此不作赘述。

例如，在如图15所示的像素排布结构中，第二子像素G和第三子像素R的宽度都为2.8微米；或者，第二子像素G和第三子像素R的宽度依次减小，第一子像素的宽度大于2.8微米，第二子像素和第三子像素的宽度相等且小于2.8微米。在上述设计下，每个像素P(包括第一子像素B、第二子像素G和第三子像素R)的宽度(可称为pitch)为25.6微米，以使得像素的排布密度为992PPI。关于子像素的平均宽度的设计，可以参见前述实施例中的相关说明，在此不作赘述。

需要说明的是，在本发明的实施例中，像素密度提升是以当前存在的制备工艺条件为前提的，即，在当前制备工艺条件例如光刻精度、对位精度(例如光刻的对位精度)等未改变的情况下，进一步提升PPI，随着技术的发展，上述工艺条件可能会进一步提升，在此情况下，本发明的实施例中提及的像素密度PPI也可以进一步提升，例如，第一电极的间隙、隔离柱的宽度可以进一步降低，子像素(或者有效功能区)的宽度可以进一步降低。

例如，在本发明的实施例中，显示面板还可以包括覆盖显示功能层的封装层，该封装层可以隔绝显示功能层中的发光器件，并且具有平坦化功能，以便于在封装层上设置触控功能层、偏光片、透镜层、盖板等功能结构。例如，该封装层可以包括依次叠置在显示功能层上的第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层，第一无机封装层和第二无机封装层的致密性高以隔绝水氧等，有机封装层具有较大的厚度，且具有平坦化功能。例如，在显示面板中设置前述提及的保护层的情况下，该保护层可以独立设置以位于第一封装层和显示功能层之间，或者，可以充当第一无机封装层。

例如，本发明的实施例提供的显示面板可以为电视、数码相机、手机、手表、平板电脑、笔记本电脑、导航仪等任何具有显示功能的产品或者部件。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：

基底；

多个发光器件，位于所述基底上，其中，每个所述发光器件包括依次叠置的第一电极、发光功能层和第二电极，且所述发光功能层在所述基底上的正投影位于所述第二电极在所述基底上的正投影内；以及

隔离结构，位于所述基底上且限定有多个第一开口，其中，所述发光功能层设置于所述第一开口之内，所述隔离结构包括靠近所述基底的第一端部和远离所述基底的第二端部；

其中，在与所述基底垂直的截面上，且在所述隔离结构的同一侧，所述第二电极的边缘和所述第二端部的边缘所确定的直线，与所述基底所在面构成的锐角为第二角度，所述第二角度为20°-70°。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述发光功能层包括有效功能区，且所述发光功能层包括第一功能层，所述发光功能层的所述有效功能区在所述基底上的正投影位于所述隔断部的所述第二端部在所述基底上的正投影之外，所述第一功能层的边缘在所述基底上的正投影，位于所述第一端部在所述基底上的正投影之外，且位于所述第二端部在所述基底上的正投影之内，在与所述基底垂直的截面上，且在所述隔断部的同一侧，所述第一功能层的边缘和所述第二端部的边缘所确定的直线，与所述基底所在面构成的锐角为第一角度，以及

所述有效功能区的边缘和所述第二端部的边缘所确定的直线，与所述基底所在面构成的锐角的正切值，不大于所述第一角度的正切值，且所述第一端部的边缘和所述第二端部的边缘在沿与所述基底所在面垂直方向上的高度差，所述第一端部的边缘和所述第二端部的边缘在沿与所述基底所在面平行方向上的间距的比值，不大于所述第一角度的正切值。

3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述隔断部限定有多个第一开口，所述发光功能层和所述第二电极位于所述第一开口中，所述隔断部包括面向所述基底的导电部分，且所述第二电极与所述隔断部的所述导电部分连接，以及

所述隔断部的面向所述基底的第一端部在所述基底上的正投影，位于所述隔断部的所述第二端部在所述基底上的正投影之内；

优选地，所述第二角度小于所述第一角度，所述有效功能区的边缘和所述第二端部的边缘所确定的直线，与所述基底所在面构成的锐角小于或等于所述第二角度；

进一步优选地，在与所述基底垂直的截面上，且在所述隔离结构的同一侧，所述第一端部的边缘和所述第二端部的边缘所确定的直线，与所述基底所在面构成的锐角不小于所述第二角度且不大于所述第一角度，所述第一端部的边缘和所述第二端部的边缘所确定的直线，与所述基底所在面构成的锐角大于所述第二角度，以使得所述第二电极与所述第一端部的侧表面的至少部分重叠且接触；

再进一步优选地，所述有效功能区的边缘和所述第二端部的边缘所确定的直线，与所述基底所在面构成的锐角等于所述第二角度，所述第一端部的边缘和所述第二端部的边缘所确定的直线，与所述基底所在面构成的锐角等于所述第一角度；

进一步优选地，所述隔断部为一体化结构，沿与所述基底垂直的方向，所述隔断部的截面形状为倒梯形，所述倒梯形的顶边位于所述基底和所述倒梯形的底边之间，所述第一端部的面向所述基底的表面的边缘为所述第一端部的边缘，所述第二端部的背离所述基底的表面的边缘为所述第二端部的边缘；或者，所述隔断部包括在所述基底上依次叠置的隔离柱和隔断层，所述隔离柱构成所述第一端部，所述隔断层构成所述第二端部，沿与所述基底垂直的方向，所述隔离柱的截面形状为正梯形，所述隔断层位于所述隔离柱的顶边，所述隔离柱的面向所述基底的表面的边缘为所述第一端部的边缘，沿与所述基底垂直的方向，所述隔断层的截面形状为正梯形，所述隔断层的面向所述隔离柱的表面的边缘，为所述第二端部的边缘；

进一步优选地，所述发光功能层还包括发光层和第二功能层，所述第一功能层、所述发光层和所述第二功能层位于所述第一电极和所述第二电极之间，且在所述第一电极上依次叠置，所述发光层和所述第二功能层中任一方的边缘在所述基底上的正投影，位于所述第一功能层的边缘在所述基底上的正投影和所述第二电极的边缘在所述基底上的正投影之间。

4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述隔离结构还包括：

像素界定层，位于所述隔断部的面向所述基底的一侧，所述像素界定层设置为覆盖相邻的所述第一电极之间的间隙，且间隔所述隔断部和所述第一电极；

其中，所述像素界定层界定有第二开口，所述发光功能层覆盖所述第二开口，所述第二开口与所述第一开口分别对应且彼此连通，所述第二开口在所述基底上的正投影位于对应的所述第一开口在所述基底上的正投影之内，以及

所述像素界定层沿与所述基底垂直的截面形状为正梯形，且在所述隔离结构的同一侧，所述像素界定层的背离所述基底的表面的边缘和所述第二端部的边缘所确定的直线，与所述基底所在面构成的锐角等于所述第一角度；和/或

所述像素界定层沿与所述基底垂直的截面形状为正梯形，且在所述隔离结构的同一侧，所述像素界定层的面向所述基底的表面的边缘和所述第二端部的边缘所确定的直线，与所述基底所在面构成的锐角等于所述第二角度；

优选地，相邻所述第一电极的间隙在所述基底上的正投影，与所述第一端部的面向所述基底的表面在所述基底上的正投影重合；或者，相邻所述第一电极的间隙在所述基底上的正投影，位于所述第一端部的面向所述基底的表面在所述基底上的正投影之内；或者，所述像素界定层的覆盖所述第一电极的间隙的部分与所述第一电极的间隙共形，且所述像素界定层为无机材料膜层。

5.一种显示面板，其特征在于，包括：

基底；

多个发光器件，位于所述基底上，其中，每个所述发光器件包括依次叠置的第一电极、发光功能层和第二电极，所述第二电极与所述隔离结构连接，且所述发光功能层的边缘在所述基底上的正投影，位于所述第一端部的边缘在所述基底上的正投影和所述第二端部的边缘在所述基底上的正投影之间；以及

隔离结构，位于所述基底上且限定有多个第一开口，其中，所述发光功能层设置于所述第一开口之内，所述隔离结构包括靠近所述基底的第一端部和远离所述基底的第二端部；

其中，在与所述基底垂直的截面上，且在所述隔离结构的同一侧，所述第二电极的边缘和所述第二端部的边缘所确定的直线，与所述基底所在面构成的锐角为20°-70°。

6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述发光功能层包括有效功能区，且所述发光功能层包括第一功能层，所述发光功能层的所述有效功能区在所述基底上的正投影位于所述隔断部的所述第二端部在所述基底上的正投影之外，所述第一功能层的边缘在所述基底上的正投影，位于所述第一端部在所述基底上的正投影之外，且位于所述第二端部在所述基底上的正投影之内，在与所述基底垂直的截面上，且在所述隔断部的同一侧，所述第一功能层的边缘和所述第二端部的边缘所确定的直线，与所述基底所在面构成的锐角为第一角度，以及

所述有效功能区的边缘和所述第二端部的边缘所确定的直线，与所述基底所在面构成的锐角的正切值，不大于所述第一角度的正切值，且所述第一端部的边缘和所述第二端部的边缘在沿与所述基底所在面垂直方向上的高度差，所述第一端部的边缘和所述第二端部的边缘在沿与所述基底所在面平行方向上的间距的比值，不大于所述第一角度的正切值。

7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述隔断部限定有多个第一开口，所述发光功能层和所述第二电极位于所述第一开口中，所述隔断部包括面向所述基底的导电部分，且所述第二电极与所述隔断部的所述导电部分连接，以及

所述隔断部的面向所述基底的第一端部在所述基底上的正投影，位于所述隔断部的所述第二端部在所述基底上的正投影之内；

优选地，所述第二角度小于所述第一角度，所述有效功能区的边缘和所述第二端部的边缘所确定的直线，与所述基底所在面构成的锐角小于或等于所述第二角度；

进一步优选地，在与所述基底垂直的截面上，且在所述隔离结构的同一侧，所述第一端部的边缘和所述第二端部的边缘所确定的直线，与所述基底所在面构成的锐角不小于所述第二角度且不大于所述第一角度，所述第一端部的边缘和所述第二端部的边缘所确定的直线，与所述基底所在面构成的锐角大于所述第二角度，以使得所述第二电极与所述第一端部的侧表面的至少部分重叠且接触；

再进一步优选地，所述有效功能区的边缘和所述第二端部的边缘所确定的直线，与所述基底所在面构成的锐角等于所述第二角度，所述第一端部的边缘和所述第二端部的边缘所确定的直线，与所述基底所在面构成的锐角等于所述第一角度；

进一步优选地，所述隔断部为一体化结构，沿与所述基底垂直的方向，所述隔断部的截面形状为倒梯形，所述倒梯形的顶边位于所述基底和所述倒梯形的底边之间，所述第一端部的面向所述基底的表面的边缘为所述第一端部的边缘，所述第二端部的背离所述基底的表面的边缘为所述第二端部的边缘；或者，所述隔断部包括在所述基底上依次叠置的隔离柱和隔断层，所述隔离柱构成所述第一端部，所述隔断层构成所述第二端部，沿与所述基底垂直的方向，所述隔离柱的截面形状为正梯形，所述隔断层位于所述隔离柱的顶边，所述隔离柱的面向所述基底的表面的边缘为所述第一端部的边缘，沿与所述基底垂直的方向，所述隔断层的截面形状为正梯形，所述隔断层的面向所述隔离柱的表面的边缘，为所述第二端部的边缘；

进一步优选地，所述发光功能层还包括发光层和第二功能层，所述第一功能层、所述发光层和所述第二功能层位于所述第一电极和所述第二电极之间，且在所述第一电极上依次叠置，所述发光层和所述第二功能层中任一方的边缘在所述基底上的正投影，位于所述第一功能层的边缘在所述基底上的正投影和所述第二电极的边缘在所述基底上的正投影之间。

8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述隔离结构还包括：

像素界定层，位于所述隔断部的面向所述基底的一侧，所述像素界定层设置为覆盖相邻的所述第一电极之间的间隙，且间隔所述隔断部和所述第一电极；

其中，所述像素界定层界定有第二开口，所述发光功能层覆盖所述第二开口，所述第二开口与所述第一开口分别对应且彼此连通，所述第二开口在所述基底上的正投影位于对应的所述第一开口在所述基底上的正投影之内，以及

所述像素界定层沿与所述基底垂直的截面形状为正梯形，且在所述隔离结构的同一侧，所述像素界定层的背离所述基底的表面的边缘和所述第二端部的边缘所确定的直线，与所述基底所在面构成的锐角等于所述第一角度；和/或

所述像素界定层沿与所述基底垂直的截面形状为正梯形，且在所述隔离结构的同一侧，所述像素界定层的面向所述基底的表面的边缘和所述第二端部的边缘所确定的直线，与所述基底所在面构成的锐角等于所述第二角度；

优选地，相邻所述第一电极的间隙在所述基底上的正投影，与所述第一端部的面向所述基底的表面在所述基底上的正投影重合；或者，相邻所述第一电极的间隙在所述基底上的正投影，位于所述第一端部的面向所述基底的表面在所述基底上的正投影之内；或者，所述像素界定层的覆盖所述第一电极的间隙的部分与所述第一电极的间隙共形，且所述像素界定层为无机材料膜层。

9.一种显示面板，其特征在于，包括：

基底；

隔离结构，位于所述基底上且包括隔断部，其中，所述隔断部限定有多个第一开口，且所述隔断部包括面向所述基底的第一端部和背离所述基底的第二端部；以及

多个像素，位于所述基底上，其中，每个所述像素包括多种出射不同波长光线的子像素，所述子像素包括依次层叠在所述基底上的第一电极、发光功能层和第二电极，所述子像素的发光功能层和所述第二电极位于所述第一开口中，所述第二电极与所述隔离结构连接，所述发光功能层的边缘在所述基底上的正投影，位于所述第一端部的边缘在所述基底上的正投影和所述第二端部的边缘在所述基底上的正投影之间，以使得所述像素的排布密度为404PPI至2000PPI。

10.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，

所述发光功能层在所述基底上的正投影位于所述第二电极在所述基底上的正投影内；和/或

所述发光功能层的边缘在所述基底上的正投影，位于所述第一端部的边缘在所述基底上的正投影和所述第二端部的边缘在所述基底上的正投影之间；

优选地，在与所述基底垂直的截面上，且在所述隔离结构的同一侧，所述第二电极的边缘和所述第二端部的边缘所确定的直线，与所述基底所在面构成的锐角为第二角度，所述第二角度为20°-70°。