CN113299855B - 显示装置、显示面板及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本公开是关于显示技术领域，主要涉及一种显示装置、显示面板及其制造方法，该显示面板主要包括衬底、驱动层、多个第一电极、发光功能层及第二电极，其中：衬底，具有第一像素区和第二像素区；驱动层设于衬底一侧，且其在衬底上的正投影覆盖第一像素区和第二像素区，位于第一像素区的驱动层设有凹陷区；多个第一电极阵列分布于驱动层背离衬底的一侧，且第一像素区和第二像素区均设有第一电极，第一电极与凹陷区间隔分布；发光功能层覆盖各第一电极；第二电极覆盖发光功能层，且第二电极在驱动层上的正投影覆盖第一电极以外的至少部分区域。

Description

显示装置、显示面板及其制造方法

技术领域

本公开涉及显示技术领域，具体而言，涉及一种显示装置、显示面板及其制造方法。

背景技术

随着显示技术的发展，OLED(Organic Light Emitting Diode，有机发光二极管)显示面板因具有轻薄、高对比度、可弯曲、响应时间短等优点，被广泛应用于屏下摄像中。例如，将摄像头置于显示面板下方。然而，现有显示面板中屏下摄像头所在区域的透过率较低，图像采集效果较差。

需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本公开的目的在于克服上述现有技术的不足，提供一种显示装置、显示面板及其制造方法，可提高摄像头所在区域的透过率，提高摄像头的图像采集效果。

根据本公开的一个方面，提供一种显示面板，包括：

衬底，具有第一像素区和第二像素区；

驱动层，设于所述衬底一侧，且其在所述衬底上的正投影覆盖所述第一像素区和所述第二像素区，位于所述第一像素区的所述驱动层设有凹陷区；

多个第一电极，阵列分布于所述驱动层背离所述衬底的一侧，且所述第一像素区和所述第二像素区均设有所述第一电极，所述第一电极与所述凹陷区间隔分布；

发光功能层，覆盖各所述第一电极；

第二电极，覆盖所述发光功能层，且所述第二电极在所述驱动层上的正投影覆盖所述第一电极以外的至少部分区域。

在本公开的一种示例性实施方式中，所述凹陷区包括多个间隔分布的隔离孔，所述隔离孔由所述驱动层背离所述衬底的表面向所述衬底延伸。

在本公开的一种示例性实施方式中，所述隔离孔的深度为0～3.5um。

在本公开的一种示例性实施方式中，所述第二电极在所述隔离孔的底部的厚度小于其在所述发光功能层表面的厚度。

在本公开的一种示例性实施方式中，所述第二电极在所述衬底上的正投影与所述隔离孔在所述衬底上的正投影至多部分交叠。

在本公开的一种示例性实施方式中，所述隔离孔的侧壁在垂直于所述衬底的平面上的正投影的边界与所述衬底的夹角为65°～125°。

在本公开的一种示例性实施方式中，所述显示面板还包括：

缓冲层，位于所述衬底与所述驱动层之间；

所述驱动层包括像素驱动电路，所述像素电路包括多个呈阵列分布的晶体管，所述晶体管包括：

有源层，位于所述衬底靠近所述第一电极的一侧；

第一栅绝缘层，覆盖于所述有源层；

第一栅极，设于所述第一栅绝缘层背离所述衬底的一侧；

第二栅绝缘层，覆盖于所述第一栅极和所述第一栅绝缘层；

层间介质层，覆盖所述第二栅极和所述第二栅绝缘层；

源漏层，形位于所述层间介质层背离所述衬底的一侧，且包括源极和漏极，所述源极和所述漏极分别与所述有源层的两端连接；

所述隔离孔贯穿所述层间介质层、所述第二栅绝缘层、所述第一栅绝缘层及所述缓冲层。

在本公开的一种示例性实施方式中，所述驱动层背离所述衬底的一侧具有多个间隔分布的凸起，所述凸起位于所述第一像素区内；所述凹陷区为所述凸起以外且未被所述第一电极覆盖的区域。

在本公开的一种示例性实施方式中，所述第二电极在相邻两个所述凸起的间隙处的厚度小于其在所述发光功能层表面的厚度。

在本公开的一种示例性实施方式中，所述第二电极在所述衬底上的正投影与相邻两个所述凸起的间隙在所述衬底上的正投影至多部分交叠。

在本公开的一种示例性实施方式中，所述凸起的侧壁在垂直于所述衬底的平面上的正投影的边界与所述衬底的夹角为65°～90°。

在本公开的一种示例性实施方式中，所述凸起为透明凸起。

在本公开的一种示例性实施方式中，所述显示面板还包括：

平坦化层，设于所述驱动层背离所述衬底的表面；

所述凸起与所述平坦化层同层设置，且所述凸起背离所述驱动层的表面凸出于所述平坦化层背离所述驱动层的表面。

在本公开的一种示例性实施方式中，所述凸起背离所述驱动层的表面为弧面。

在本公开的一种示例性实施方式中，每个所述第一电极周围围绕多个所述凸起。

在本公开的一种示例性实施方式中，单位面积中位于所述第一像素区的第一电极的数量少于单位面积中位于所述第二像素区的第一电极的数量。

在本公开的一种示例性实施方式中，所述显示面板还包括：

封装层，位于所述第二电极和所述凹陷区背离所述驱动层的一侧。

根据本公开的一个方面，提供一种显示面板的制造方法，包括：

提供衬底，所述衬底具有第一像素区和第二像素区；

在所述衬底一侧形成驱动层，所述驱动层在所述衬底上的正投影覆盖所述第一像素区和所述第二像素区，位于所述第一像素区的所述驱动层设有凹陷区；

在所述驱动层背离所述衬底的一侧形成多个呈阵列分布的第一电极，所述第一像素区和所述第二像素区均设有所述第一电极，且所述第一电极与所述凹陷区间隔分布；

形成覆盖各所述第一电极的发光功能层；

形成覆盖所述发光功能层的第二电极，所述第二电极在所述驱动层上的正投影覆盖所述第一电极以外的至少部分区域。

在本公开的一种示例性实施方式中，所述凹陷区包括多个间隔分布的隔离孔，所述隔离孔由所述驱动层背离所述衬底的表面向所述衬底延伸。

在本公开的一种示例性实施方式中，所述驱动层背离所述衬底的一侧具有多个间隔分布的凸起，所述凸起位于所述第一像素区内；所述凹陷区为所述凸起以外且未被所述第一电极覆盖的区域。

在本公开的一种示例性实施方式中，所述制造方法还包括：

在预设温度下对所述凸起表面进行烘烤，以使所述凸起背离所述驱动层的表面呈弧面。

在本公开的一种示例性实施方式中，所述预设温度为60℃～100℃。

根据本公开的一个方面，提供一种显示装置，包括上述任一项所述的显示面板。

本公开的显示装置、显示面板及其制造方法，可通过多个第一电极、发光功能层及第二电极在第一像素区和第二像素区分别构成多个发光单元，进而可在第一像素区和第二像素区均进行显示。同时，在形成第二电极的过程中，可通过凹陷区的侧壁对第二电极的材料进行遮挡，减小沉积在凹陷区底部的第二电极的厚度，避免由于第二电极透过率较低而影响凹陷区的透过率，从而提高凹陷区的透过率。在此过程中，由于凹陷区位于第一像素区，可提高第一像素区的透过率，将摄像头设置于第一像素区下方，可保证更多的光线进入摄像头内，从而提高摄像头的图像采集效果。

应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。

附图说明

此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本公开第一种实施方式中显示面板的示意图。

图2为本公开第二种实施方式中显示面板的示意图。

图3为本公开实施方式中显示面板的俯视图。

图4为本公开第一种实施方式中驱动层的示意图。

图5为本公开第二种实施方式中驱动层的示意图。

图6为本公开第一种实施方式中驱动层的示意图。

图7为本公开第二种实施方式中驱动层的示意图。

图8为本公开第一种实施方式中第一像素区的示意图。

图9为本公开第二种实施方式中第一像素区的示意图。

图10为本公开第二种实施方式中凸起的示意图。

图11为本公开第二种实施方式中对凸起进行烘烤前的表面形貌图。

图12为本公开第二种实施方式中对凸起进行烘烤后的表面形貌图。

图13为本公开第一种实施方式中封装层的示意图。

图14为本公开第二种实施方式中封装层的示意图。

图15为本公开实施方式中显示面板的制造方法的流程图。

附图标记说明：

1、衬底；101、第一像素区；102、第二像素区；2、驱动层；211、隔离孔；212、凸起；22、有源层；23、第一栅绝缘层；24、第一栅极；25、第二栅绝缘层；26、第二栅极；27、层间介质层；28、源漏层；3、发光单元；31、第一电极；32、发光功能层；33、第二电极；34、像素定义层；4、平坦化层；5、封装层；51、第一无机层；52、有机层；53、第二无机层；6、引线；7、缓冲层；8、彩色滤光层；9、保护层；91、覆盖层。

具体实施方式

现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本公开将全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。此外，附图仅为本公开的示意性图解，并非一定是按比例绘制。

虽然本说明书中使用相对性的用语，例如“上”“下”来描述图标的一个组件对于另一组件的相对关系，但是这些术语用于本说明书中仅出于方便，例如根据附图中所述的示例的方向。能理解的是，如果将图标的装置翻转使其上下颠倒，则所叙述在“上”的组件将会成为在“下”的组件。当某结构在其它结构“上”时，有可能是指某结构一体形成于其它结构上，或指某结构“直接”设置在其它结构上，或指某结构通过另一结构“间接”设置在其它结构上。

用语“一个”、“一”、“该”、“所述”和“至少一个”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等；用语“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等；用语“第一”和“第二”等仅作为标记使用，不是对其对象的数量限制。

随着全面屏的发展，电子设备对屏占比的要求越来越高。但是，由于其功能需求，通常需要在显示屏的下方设置前置摄像头及传感器，造成电子设备的屏占比无法达到100％。相关技术中，为了扩大屏占比，通常将部分显示区域设置成半透明显示区域，将摄像头置于半透明显示区域下方，即UDC(Under Display Camera)。但是，由于半透明显示区域中发光单元的第二电极透过率较低(通常低于60％)，进而导致半透明显示区域整体透过率较低，在摄像头采集图像的过程中因光线不足，而导致图像采集效果较差。

本公开实施方式提供了一种显示面板，该显示面板可以是OLED显示面板，当然，也可以是其他显示面板，在此不做特殊限定。图1及图2示出了本公开实施方式中显示面板的示意图，结合图1及图2可知，显示面板可包括衬底1、驱动层2、多个第一电极31、发光功能层32及第二电极33，其中：

衬底1具有第一像素区和第二像素区；

驱动层2设于衬底1一侧，且其在衬底1上的正投影覆盖第一像素区和第二像素区，位于第一像素区的驱动层2设有凹陷区；

多个第一电极31阵列分布于驱动层2背离衬底1的表面，且第一像素区和第二像素区均设有第一电极31，第一电极31与凹陷区间隔分布；

发光功能层32覆盖各第一电极31；

第二电极33覆盖发光功能层32，且第二电极33在驱动层2上的正投影覆盖第一电极31以外的至少部分区域。

在本公开实施方式的显示面板中，可通过多个第一电极31、发光功能层32及第二电极33在第一像素区和第二像素区分别构成多个发光单元3，进而可在第一像素区和第二像素区均进行显示。同时，在形成第二电极33的过程中，可通过凹陷区的侧壁对第二电极33的材料进行遮挡，减小沉积在凹陷区底部的第二电极33的厚度，避免由于第二电极33透过率较低而影响凹陷区的透过率，从而提高凹陷区的透过率。在此过程中，由于凹陷区位于第一像素区，可提高第一像素区的透过率，将摄像头设置于第一像素区下方，可保证更多的光线进入摄像头内，从而提高摄像头的图像采集效果。

图1及图2示出了本公开实施方式中显示面板的结构示意图，下面结合图1及图2对本公开实施方式中的显示面板的发光原理进行说明：

显示面板主要包括衬底1、驱动层2和发光器件层，其中，驱动层2可设于衬底1的一侧，其可包括多个并排设置的像素驱动电路，发光器件层设于驱动层2背离衬底1的一侧，且包括多个呈阵列分布的发光单元3，不同的发光单元3可与不同的像素驱动电路连接，可通过各像素驱动电路向各发光单元3通电，进而显示图像。需要说明的是，在本公开的一种实施方式中，可通过引线6将像素驱动电路与外接电路连接，进而通过外接电路向像素驱动电路提供电能。

在本公开的一种示例性实施方式中，衬底1可为平板结构，其可采用玻璃等硬质材料，也可采用PI(聚酰亚胺)等柔性材料。衬底1可为透明衬底，其可以是单层或多层结构，在此不做特殊限定，当衬底1为多层结构时，其中各层的透过率至少高于76％，举例而言，衬底1中部分膜层的透过率可为76％、90％、98％或99％等。

在本公开的一种示例性实施方式中，衬底1具有像素区，如图3所示，像素区可包括第一像素区101和第二像素区102，第一像素区101和第二像素区102可并排分布，且邻接设置。第一像素区101可为圆形区域、椭圆形区域、矩形区域或其他形状的区域，在此不做特殊限定。驱动层2在衬底1上的正投影可覆盖第一像素区101和第二像素区102，同时，发光器件层在衬底1上的正投影也可覆盖第一像素区101和第二像素区102。

在本公开的一种示例性实施方式中，第一像素区101和第二像素区102均可设有多个发光单元3，进而可在第一像素区101和第二像素区102均显示图像。可将与第一像素区101的发光单元3连接的像素驱动电路至少部分设于第二像素区102，避免像素驱动电路遮挡第一像素区101的光线，可提高第一像素区101的透过率。当然，也可将与第一像素区101的发光单元3连接的各像素驱动电路一一对应的设置于各发光单元3的下方，在此不做特殊限定。

在本公开的一种示例性实施方式中，位于第一像素区101的发光单元3的分布密度可小于位于第二像素区102的发光单元3的分布密度，即：单位面积中位于第一像素区101的发光单元3的数量可少于单位面积中位于第二像素区102的发光单元3的数量。可在位于第一像素区101的驱动层2中形成凹陷区，进而通过凹陷区的设置提高第一像素区101的透过率，可将摄像头置于第一像素区101的下方，进而保证更多的光线进入摄像头内，提高摄像头的图像采集效果。

需要说明的是，第一像素区101的形状可与摄像头的镜头形状相匹配，其尺寸可与摄像头的镜头尺寸相匹配。举例而言，当摄像头的镜头形状为圆形时，第一像素区101可为圆形区域，且其直径可与摄像头的镜头的直径相等。此时，第二像素区102可环绕于第一像素区101的外围。

在本公开的一种示例性实施方式中，发光单元3可为透明发光单元，其可包括第一电极31、发光功能层32及第二电极33，其中：

第一电极31可设于驱动层2背离衬底1的一侧，并可与像素驱动电路连接，第一电极31可作为发光单元3的阳极层，其材料可为透明导电材料。举例而言，其可为ITO或AZO。

发光功能层32可覆盖第一电极31，即：其可设于第一电极31背离驱动层2的表面，可为激子提供复合场所而发光，发光功能层32可为单层膜层，也可为多层膜层，在此不做特殊限定；以多层膜层为例，其可包括依次层叠分布的空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层，其中，空穴注入层可形成于第一电极31的表面。发光功能层32的厚度可为300nm，其可由透明材料构成，该透明材料的透过率可为98％。

第二电极33可覆盖发光功能层32，且其在驱动层2上的正投影可覆盖第一电极31以外的至少部分区域。第二电极33可为金属氧化物电极、金属电极、金属合金电极或金属与金属氧化物组合形成的复合电极，在此不做特殊限定。第二电极33可由透明或半透明导电材料构成，其透光率可为51％。第二电极33可作为发光单元3的阴极层，可向第一电极31和第二电极33施加电压，从而使发光功能层32发光。

如图4及图5所示，像素驱动电路可包括晶体管，晶体管可与发光单元3的第一电极31连接，以便通过各晶体管一一对应的控制各发光单元3发光，进而显示图像。

晶体管可包括有源层22、栅绝缘层、栅极、层间介质层27和源漏层28，栅绝缘层可包括第一栅绝缘层23和第二栅绝缘层25，栅极可包括第一栅极24和第二栅极26，可对有源区进行多次掺杂以形成有源层22，有源层22可位于衬底1靠近发光器件层的一侧；第一栅绝缘层23覆盖于有源层22；第一栅极24设于第一栅绝缘层23背离衬底1的一侧；第二栅绝缘层25覆盖于第一栅极24和第一栅绝缘层23，层间介质层27覆盖于第二栅极26和第二栅绝缘层25，可对第一栅绝缘层23、第二栅绝缘层25和层间介质层27进行开孔以形成连接有源层22的过孔；该过孔在衬底1上的正投影与栅极在衬底1上的正投影互不交叠；源漏层28形成于层间介质层27背离衬底1的一侧，且包括源极和漏极，源极和漏极可通过贯穿第一栅绝缘层23、第二栅绝缘层25和层间介质层27的过孔连接于有源层22的两端。举例而言，晶体管可为双栅场效应管，当然，也可以是其他类型的晶体管，在此不做特殊限定。

在本公开的一种示例性实施方式中，在形成各发光单元3时，可在驱动层2背离衬底1的一侧形成多个呈阵列分布的第一电极31，具体而言，第一像素区101和第二像素区102均可设有多个呈阵列分布的第一电极31，且位于第一像素区101的各第一电极31可与凹陷区间隔分布。在此过程中，为了给凹陷区留出足够的空间，位于第一像素区101的第一电极31的分布密度可小于位于第二像素区102的第一电极31的分布密度(即：单位面积中位于第一像素区101的第一电极31的数量可少于单位面积中位于第二像素区102的第一电极31的数量)，可在位于第一像素区101的第一电极31的外围形成凹陷区。

为了在发光功能层32中限定出各个发光单元3的范围，本公开的显示面板还包括像素定义层34，如图4及图5所示，其可位于驱动层2背离衬底1的一侧，并可与各第一电极31设于驱动层2的同一侧面。像素定义层34可设有多个第一开口和与第一开口间隔分布的第二开口，每个第一开口可露出一个第一电极31，第二开口可露出凹陷区。

如图6及图7所示，发光功能层32可形成于第一电极31背离驱动层2的表面，并可至少覆盖位于第一开口内。举例而言，可采用真空蒸镀、磁控溅射、化学气相沉积或物理气相沉积等工艺在第一电极31的表面形成发光功能层32。

如图6及图7所示，可形成覆盖发光功能层32的第二电极33，第二电极33在驱动层2上的正投影可覆盖第一电极31以外的至少部分区域。举例而言，可采用真空蒸镀、磁控溅射、化学气相沉积或物理气相沉积等工艺在第一电极31的表面形成第二电极33。各发光单元3可共用第二电极33，可采用一次工艺同时形成各发光单元3的第二电极33。为了降低生产成本，可采用开放式掩膜版进行掩膜，在此过程中，可通过凹陷区的侧壁对第二电极33的材料进行遮挡，减小沉积在凹陷区底部的第二电极33的厚度，避免由于第二电极33透过率较低而影响凹陷区的透过率，从而提高凹陷区的透过率。同时，还可通过合理设置凹陷区的深度及坡度角，使得第二电极33的材料在凹陷区的侧壁处断开，避免第二电极33的材料沉积至凹陷区底部，进一步提高凹陷区的透过率。在此过程中，由于凹陷区位于第一像素区101，可提高第一像素区101的透过率，将摄像头设置于第一像素区101下方，可保证更多的光线进入摄像头内，从而提高摄像头的图像采集效果。

下面通过多种实施方式对凹陷区的结构及具体细节进行详细说明：

在本公开的第一种实施方式中，如图4及图6所示，凹陷区可包括多个间隔分布的隔离孔211，各隔离孔211可由驱动层2背离衬底1的表面向衬底1延伸，其深度可为0～3.5um，例如，其可为0.5um、1.0um、1.5um、2.0um、2.5um、3.0um或3.5um，当然，也可以是其他深度，在此不再一一列举。在一实施方式中，隔离孔211可穿透驱动层2的部分膜层，也可贯穿驱动层2的所有膜层，还可在贯穿驱动层2的所有膜层的同时贯穿位于驱动层2与衬底1之间的其他膜层并露出衬底1，此不对隔离孔211具体贯穿的膜层进行做特殊限定。举例而言，隔离孔211可贯穿层间介质层27、第二栅绝缘层25和第一栅绝缘层23。

在本公开的一些实施方式中，隔离孔211可为直孔，其侧壁可垂直于衬底1，且在平行于衬底1的方向上，隔离孔211的横截面可呈圆形、矩形、多边形或不规则图形，在此不做特殊限定。在本公开的另一些实施方式中，隔离孔211可由驱动层2背离衬底1的一侧向靠近衬底1的一侧收缩，也可由驱动层2背离衬底1的一侧向靠近衬底1的一侧扩张，在此不做特殊限定。

举例而言，隔离孔211的侧壁在垂直于衬底1的平面上的正投影的边界与衬底1的夹角可为65°～125°(即：隔离孔211的坡度角可为65°～125°)，举例而言，隔离孔211的坡度角可为65°、75°、85°、95°、105°、115°或125°，当然，其坡度角还可为其他角度，在此不再一一例举。

如图8所示，各隔离孔211可均匀的分布于第一像素区101，并可与第一像素区101的第一电极31间隔分布，可在各第一电极31的表面分别形成发光功能层32及第二电极33，进而在第一像素区101内形成多个发光单元3，不同的发光单元3中的发光功能层33发出的光的颜色可以相同，也可以不同，在此不做特殊限定。在一实施方式中，多个发光单元3可至少发光三种颜色的光，其可分别为红(R)、绿(G)和蓝(B)，且可将RGB均匀分布，进而实现全彩显示。举例而言，各隔离孔211可围成多个环形圈，每个环形圈可作为一组，每个第一电极31周围可围绕一组隔离孔211。

可通过蒸镀工艺形成第二电极33，在蒸镀第二电极33的过程中，可通过隔离孔211的孔壁对第二电极33的材料进行阻挡，进而使得沉积在隔离孔211的底部的第二电极33的厚度小于其在发光功能层32表面的厚度，从而减小第二电极33材料对透过率的影响，使得隔离孔211底部的透过率增大。

进一步地，可通过控制隔离孔211的深度使第二电极33的材料在蒸镀过程中沿隔离孔211的孔壁断开，防止第二电极33的材料沉积至隔离孔211底部，避免第二电极33的材料对隔离孔211所在区域的透过率产生影响，进而提高隔离孔211底部的透过率，即：第二电极33在衬底1上的正投影可与隔离孔211在衬底1上的正投影至多部分交叠。

举例而言，可根据蒸镀设备的蒸镀宽度、蒸镀设备与衬底1表面之间的间距设置隔离孔211的深度及宽度，进而保证第二电极33的材料在蒸镀时可在隔离孔211的孔壁处断裂，而不会沉积至其底部。举例而言，在蒸镀设备的蒸镀宽度、蒸镀设备与衬底1表面的间距以及隔离孔211的深度及宽度之间满足式I时，可保证第二电极33的材料在蒸镀时可在隔离孔211的孔壁处断裂，而不会沉积至其底部。

L/d＝D/Ts

式I，

其中，L为隔离孔211的宽度，d为隔离孔211的深度，D为蒸镀设备的蒸镀源距离蒸镀中心的距离，Ts为蒸镀源与衬底1表面的间距。

在本公开的第二种实施方式中，如图9所示，驱动层2背离衬底1的一侧具有多个间隔分布的凸起212，各凸起212均可位于第一像素区101内，凹陷区可为各凸起212以外且未被第一电极31覆盖的区域。凸起212可与第一像素区101的第一电极31间隔分布，可在各第一电极31的表面分别形成发光功能层32及第二电极33，进而在第一像素区101内形成多个发光单元3，不同的发光单元3中的发光功能层33发出的光的颜色可以相同，也可以不同，在此不做特殊限定。在一实施方式中，多个发光单元3可至少发光三种颜色的光，其可分别为红(R)、绿(G)和蓝(B)，且可将RGB均匀分布，进而实现全彩显示。

在本公开的一种示例性实施方式中，凸起212可以是形成于驱动层2表面的凸出结构，为了提高凸起212所在区域的透光率，各凸起212均可为透明凸起212，其可由透明材料构成，举例而言，其材料可为透明树脂，当然，凸起212还由其他透明材料构成，在此不做特殊限定。

本公开的显示面板还可包括平坦化层4，该平坦化层4可设于驱动层2背离衬底1的表面，发光器件层可形成于平坦化层4背离驱动层2的表面。举例而言，平坦化层4可覆盖源漏层28及层间介质层27，以消除源漏层28的器件断差。发光单元3的第一电极31可穿过平坦化层4与源漏层28连接。凸起212可形成于驱动层2的表面，并可与平坦化层4同层设置，且其背离驱动层2的表面可凸出于平坦化层4背离驱动层2的表面。

在本公开的一种示例性实施方式中，凸起212可设置于衬底1表面，其可由衬底1表面向背离衬底1的一侧延伸。凸起212可贯穿驱动层2，并凸出于驱动层2背离衬底1的表面，从而可在驱动层2的表面位于凸起212以外且未被第一电极31覆盖的区域形成凹陷区。

在本公开的一些实施方式中，凸起212可沿垂直于衬底1的方向延伸，其侧壁可垂直于衬底1，且在平行于衬底1的方向上，凸起212的横截面可呈圆形、矩形、多边形或不规则图形，在此不做特殊限定。在本公开的另一些实施方式中，凸起212的侧壁可由驱动层2背离衬底1的一侧向靠近衬底1的一侧收缩，也可由驱动层2背离衬底1的一侧向靠近衬底1的一侧扩张，在此不做特殊限定。

举例而言，凸起212的侧壁在垂直于衬底1的平面上的正投影的边界与衬底1的夹角可为65°～90°(即：凸起212的坡度角可为65°～90°)，举例而言，凸起212的坡度角可为65°、70°、75°、80°、85°或90°，当然，其坡度角还可为其他角度，在此不再一一例举。

各凸起212可均匀的分布于第一像素区101，并可与第一像素区101的第一电极31间隔分布。举例而言，各凸起212可围成多个环形圈，每个环形圈可作为一组，每个第一电极31周围可围绕一组凸起212。

可通过蒸镀工艺形成第二电极33，在蒸镀第二电极33的过程中，可通过凸起212的侧壁对第二电极33的材料进行阻挡，进而使得沉积在相邻两个凸起212的间隙处的第二电极33的厚度小于其在发光功能层32表面的厚度，从而减小第二电极33材料对透过率的影响，使得各凸起212之间的间隙处的透过率增大。

进一步地，可通过控制凸起212的高度及相邻两个凸起212的间距使第二电极33的材料在蒸镀过程中沿凸起212的侧壁断开，防止第二电极33的材料沉积至相邻两个凸起212的间隙处，避免第二电极33的材料对相邻两个凸起212的间隙处的透过率产生影响，进而提高相邻两个凸起212的间隙处的透过率，即：第二电极33在衬底1上的正投影可与相邻两个凸起212的间隙在衬底1上的正投影至多部分交叠。

举例而言，可根据蒸镀设备的蒸镀宽度、蒸镀设备与衬底1表面之间的间距设置凸起212的高度及相邻两个凸起212的间距，进而保证第二电极33的材料在蒸镀时可在凸起212的侧壁处断裂，而不会沉积至相邻两个凸起212的间隙处。举例而言，在蒸镀设备的蒸镀宽度、蒸镀设备与衬底1表面的间距以及凸起212的高度及相邻两个凸起212的间距之间满足式II时，可保证第二电极33的材料在蒸镀时可在凸起212的侧壁处断裂，而不会沉积至其底部。

L/H＝D/Ts

式II，

其中，L为相邻两个凸起212的间距，H为凸起212的高度，D为蒸镀设备的蒸镀源距离蒸镀中心的距离，Ts为蒸镀源与衬底1表面的间距。

凸起212背离驱动层2的表面可为弧面，举例而言，如图10所示，可在预设温度下对凸起212背离衬底1的表面进行烘烤，以使凸起212背离驱动层2的表面呈弧面，该弧面可向远离衬底1的方向凸出，即：凸起212可呈透镜结构，有助于提高光线的正向透过率。烘烤前后凸起212的形貌如图11及图12所示。

在一实施方式中，预设温度可为60℃～100℃，举例而言，其可以是60℃、70℃、80℃、90℃或100℃，当然，也可以是其他温度，在此不再一一列举。

在本公开的一种示例性实施方式中，本公开的显示面板还可包括缓冲层7，缓冲层7可位于衬底1与驱动层2之间，举例而言，缓冲层7可形成于衬底1表面，驱动层2可位于缓冲层7背离衬底1的表面。可采用化学气相沉积、物理气相沉积或原子层沉积等工艺在衬底1的表面形成缓冲层7，可通过缓冲层7阻挡衬底1中的杂质扩散至驱动层2中，保护驱动层2的稳定性。

需要说明的是，当凹陷区为隔离孔211时，隔离孔211可贯穿层间介质层27、第二栅绝缘层25、第一栅绝缘层23及缓冲层7，并露出衬底1。

在本公开的一种示例性实施方式中，如图13和图14所示，本公开的显示面板还可包括封装层5，可用于阻隔外界水、氧，避免发光器件层被外界水氧侵蚀，可延长器件使用寿命。举例而言，封装层5可位于第二电极33和凹陷区背离驱动层2的一侧，其可覆盖第二电极33，并可同时填满凹陷区。当凹陷区为各凸起212以外且未被第一电极31覆盖的区域时，由于凸起212表面为向背离衬底1的方向凸出的弧面，其表面各区域的坡度角较小，坡度变化较为平缓，没有明显的拐角，可使封装层5与弧面较好的配合，进而降低封装层5剥离的风险，从而减小封装层5失效风险。

封装层5可由有机材料构成，也可由无机材料构成，还可以是有机层52、无机层交替的复合膜层，举例而言，封装层5的材料可为亚克力材料，也可以是氮化硅、氧化硅或氮氧化硅等材料构成的复合膜层，在此不做特殊限定。

在一实施方式中，封装层5可以是有机层52和无机层交替的复合膜层结构，例如，其可包括第一无机层51、有机层52和第二无机层53，第一无机层51可形成于发光器件层的表面，第二无机层53形成于第一无机层51背离发光器件层的一侧，有机层52位于第一无机层51和第二无机层53之间，可通过无机层阻挡水、氧，通过有机层52释放无机层的应力，防止发光器件层和第一无机层51间因应力产生的拉扯而剥离。

在本公开的一种示例性实施方式中，本公开的显示面板还可包括彩膜层，彩膜层可位于封装层5背离衬底1的表面，其可包括彩色滤光层8及保护层9，彩色滤光层8可包括多个间隔设置的彩色滤光片，且相邻彩色滤光片之间通过黑矩阵间隔开；多个彩色滤光片可包括R(红)、G(绿)、B(蓝)滤光片等，每个彩色滤光片对应一发光单元3，可通过彩色滤光片对进入各发光单元3中的光线进行过滤，避免杂光进入发光单元3，提升显示效果。保护层9可覆盖彩色滤光片和黑矩阵，以对彩色滤光片和黑矩阵进行保护。保护层9背离衬底1的表面还可形成有覆盖层91，可通过覆盖层91对保护层9的表面进行进一步的保护，防止显示面板表面被划伤。

本公开实施方式还提供一种显示面板的制造方法，如图15所示，该制造方法包括步骤S110-步骤S150，其中：

步骤S110，提供衬底，所述衬底具有第一像素区和第二像素区；

步骤S120，在所述衬底一侧形成驱动层，所述驱动层在所述衬底上的正投影覆盖所述第一像素区和所述第二像素区，位于所述第一像素区的所述驱动层设有凹陷区；

步骤S130，在所述驱动层背离所述衬底的表面形成多个呈阵列分布的第一电极，所述第一像素区和所述第二像素区均设有所述第一电极，且所述第一电极与所述凹陷区间隔分布；

步骤S140，形成覆盖各所述第一电极的发光功能层；

步骤S150，形成覆盖所述发光功能层的第二电极，所述第二电极在所述驱动层上的正投影覆盖所述第一电极以外的至少部分区域。

此外，在本公开的一些实施方式中，本公开的制造方法还可包括：

步骤S160，在预设温度下对所述凸起表面进行烘烤，以使所述凸起背离所述驱动层的表面呈弧面。

弧面可向远离衬底1的方向凸出，即：凸起212可呈透镜结构，有助于提高光线的正向透过率。在一实施方式中，预设温度可为50℃～100℃，举例而言，其可以是50℃、60℃、70℃、80℃、90℃或100℃，当然，也可以是其他温度，在此不再一一列举。

本公开实施方式的制造方法的具体细节和有益效果已在上文显示面板的实施方式中进行了说明，因此，此处不再赘述。

需要说明的是，尽管在附图中以特定顺序描述了本公开中显示面板的制造方法的各个步骤，但是，这并非要求或者暗示必须按照该特定顺序来执行这些步骤，或是必须执行全部所示的步骤才能实现期望的结果。附加的或备选的，可以省略某些步骤，将多个步骤合并为一个步骤执行，以及/或者将一个步骤分解为多个步骤执行等。

本公开实施方式还提供一种显示装置，该显示装置可包括上述任意实施方式的显示面板，其结构和有益效果可参考上述显示面板的实施方式，在此不再详述。本公开实施方式的显示装置可以是手机、显示屏、平板电脑、电视、微显示设备等用于显示图像的装置，在此不再列举。

本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本公开的其它实施方案。本申请旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本公开的真正范围和精神由所附的权利要求指出。

Claims (18)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：

衬底，具有第一像素区和第二像素区；

驱动层，设于所述衬底一侧，且其在所述衬底上的正投影覆盖所述第一像素区和所述第二像素区，位于所述第一像素区的所述驱动层设有凹陷区；

多个第一电极，阵列分布于所述驱动层背离所述衬底的一侧，且所述第一像素区和所述第二像素区均设有所述第一电极，所述第一电极与所述凹陷区间隔分布；

发光功能层，覆盖各所述第一电极；

第二电极，覆盖所述发光功能层，且所述第二电极在所述驱动层上的正投影覆盖所述第一电极以外的至少部分区域；

所述驱动层背离所述衬底的一侧具有多个间隔分布的凸起，所述凸起位于所述第一像素区内；所述凹陷区为所述凸起以外且未被所述第一电极覆盖的区域；

所述凸起背离所述驱动层的表面为弧面；

封装层，位于所述第二电极和所述凹陷区背离所述驱动层的一侧。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述凹陷区包括多个间隔分布的隔离孔，所述隔离孔由所述驱动层背离所述衬底的表面向所述衬底延伸。

3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述隔离孔的深度为0~3.5um。

4.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第二电极在所述隔离孔的底部的厚度小于其在所述发光功能层表面的厚度。

5.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第二电极在所述衬底上的正投影与所述隔离孔在所述衬底上的正投影至多部分交叠。

6.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述隔离孔的侧壁在垂直于所述衬底的平面上的正投影的边界与所述衬底的夹角为65°~125°。

7.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括：

缓冲层，位于所述衬底与所述驱动层之间；

所述驱动层包括像素驱动电路，所述像素驱动电路包括多个呈阵列分布的晶体管，所述晶体管包括：

有源层，位于所述衬底靠近所述第一电极的一侧；

第一栅绝缘层，覆盖于所述有源层；

第一栅极，设于所述第一栅绝缘层背离所述衬底的一侧；

第二栅绝缘层，覆盖于所述第一栅极和所述第一栅绝缘层；

第二栅极，设于所述第二栅绝缘层的表面；

层间介质层，覆盖所述第二栅极和所述第二栅绝缘层；

源漏层，形位于所述层间介质层背离所述衬底的一侧，且包括源极和漏极，所述源极和所述漏极分别与所述有源层的两端连接；

所述隔离孔贯穿所述层间介质层、所述第二栅绝缘层、所述第一栅绝缘层及所述缓冲层。

8.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第二电极在相邻两个所述凸起的间隙处的厚度小于其在所述发光功能层表面的厚度。

9.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第二电极在所述衬底上的正投影与相邻两个所述凸起的间隙在所述衬底上的正投影至多部分交叠。

10.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述凸起的侧壁在垂直于所述衬底的平面上的正投影的边界与所述衬底的夹角为65°~90°。

11.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述凸起为透明凸起。

12.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括：

平坦化层，设于所述驱动层背离所述衬底的表面；

所述凸起与所述平坦化层同层设置，且所述凸起背离所述驱动层的表面凸出于所述平坦化层背离所述驱动层的表面。

13.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，每个所述第一电极周围围绕多个所述凸起。

14.根据权利要求1-13任一项所述的显示面板，其特征在于，单位面积中位于所述第一像素区的第一电极的数量少于单位面积中位于所述第二像素区的第一电极的数量。

15.一种显示面板的制造方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底具有第一像素区和第二像素区；

在所述衬底一侧形成驱动层，所述驱动层在所述衬底上的正投影覆盖所述第一像素区和所述第二像素区，位于所述第一像素区的所述驱动层设有凹陷区；

在所述驱动层背离所述衬底的一侧形成多个呈阵列分布的第一电极，所述第一像素区和所述第二像素区均设有所述第一电极，且所述第一电极与所述凹陷区间隔分布；

形成覆盖各所述第一电极的发光功能层；

形成覆盖所述发光功能层的第二电极，所述第二电极在所述驱动层上的正投影覆盖所述第一电极以外的至少部分区域；

所述驱动层背离所述衬底的一侧具有多个间隔分布的凸起，所述凸起位于所述第一像素区内；所述凹陷区为所述凸起以外且未被所述第一电极覆盖的区域；

在预设温度下对所述凸起表面进行烘烤，以使所述凸起背离所述驱动层的表面呈弧面；

在所述第二电极和所述凹陷区背离所述驱动层的一侧形成封装层。

16.根据权利要求15所述的制造方法，其特征在于，所述凹陷区包括多个间隔分布的隔离孔，所述隔离孔由所述驱动层背离所述衬底的表面向所述衬底延伸。

17.根据权利要求15所述的制造方法，其特征在于，所述预设温度为50℃~100℃。

18.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-14任一项所述的显示面板。