CN113066831A - 显示面板及电子设备 - Google Patents
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Abstract
本申请实施例提供的显示面板及电子设备，涉及显示技术领域。彩色滤光层对应主显示区的第一滤光部分与对应透明显示区的第二滤光部分的厚度设置不同，通过不同滤光部分的厚度控制主显示区与透明显示区的透光率。如此可以改善主显示区出射的光与透明显示区出射的光之间的亮度差异，使得在采用主显示区和透明显示区同时显示时，用户无法从主显示区和透明显示区的显示亮度区分出两者，提升用户的使用体验。另外，采用彩色滤光层可以实现偏光片防光反射的作用，可以取消偏光片，节省产品的制作成本，提升产品的市场竞争力。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体而言，涉及一种显示面板及电子设备。
背景技术
随着用户需求的提升，全面屏显示技术已成为业界的趋势。例如，目前用于智能手机的全面屏技术，将摄像头置于显示面板下，在不采用摄像头进行拍摄时，位于摄像头上方的透明显示区可以用于显示，如此可以提高整个显示面板的显示面积。然而，透明显示区和主显示区在显示时，会存在显示亮度差异，这会影响用户的观看体验，降低产品的市场竞争力。为此，改善透明显示区和主显示区的显示亮度差异是本领域技术人员急需解决的技术问题。
发明内容
为了克服上述技术背景中所提及的透明显示区和主显示区存在显示亮度差异的技术问题，本申请实施例提供一种显示面板及电子设备。
本申请的第一方面，提供一种显示面板，包括：
阵列基板；
位于所述阵列基板上的发光器件层；
位于所述发光器件层远离所述阵列基板一侧的封装层；
位于所述封装层远离所述阵列基板一侧的彩色滤光层，其中，所述显示面板具有透明显示区、围绕所述透明显示区的主显示区，所述彩色滤光层包括正投影位于所述主显示区的第一滤光部分以及正投影位于所述透明显示区的第二滤光部分，所述第一滤光部分的厚度大于所述第二滤光部分的厚度。
在上述结构中，彩色滤光层对应主显示区的第一滤光部分与对应透明显示区的第二滤光部分的厚度设置不同，如此可以改变主显示区与透明显示区的透光率，从而可以改善主显示区出射的光与透明显示区出射的光之间的亮度差异，使得在采用主显示区和透明显示区同时显示时，用户无法从主显示区和透明显示区的显示亮度区分出两者，提升用户的使用体验。另外，采用彩色滤光层可以实现偏光片防光反射的作用，可以取消偏光片，节省产品的制作成本，提升产品的市场竞争力。
在本申请的一种可能实施例中，述发光器件层包括：
位于所述阵列基板上的阳极膜层；
位于所述阵列基板上的像素限定层，所述像素限定层在所述阳极膜层上形成像素开口；
位于所述像素开口远离所述阵列基板一侧的发光层；
位于所述发光层远离所述阵列基板一侧的阴极膜层，所述阴极膜层包括与各个所述像素开口对应的阴极区，相邻像素开口对应的阴极区相互隔离并通过导线连接，所述像素开口在所述阴极膜层上的正投影位于对应的阴极区内。
阴极膜层包括相互隔离的阴极区，相邻阴极区之间的空隙可以提高光的透光率，在显示相同亮度的图案时，可以降低显示面板的功耗，提升采用该显示面板的电子设备的续航能力。
在本申请的一种可能实施例中，所述封装层包括位于所述发光器件层远离所述阵列基板一侧薄膜封装层。
在本申请的一种可能实施例中，所述封装层包括：
位于所述发光器件层远离所述阵列基板一侧的玻璃盖板，及位于所述玻璃盖板远离所述阵列基板一侧的光感胶层。
在本申请的一种可能实施例中，所述彩色滤光层包括分别与不同的所述像素开口对应的多个彩色滤光区，相邻的所述彩色滤光区相互间隔，所述像素开口在所述彩色滤光层上的正投影位于对应的彩色滤光区内。
在本申请的一种可能实施例中，所述第一滤光部分的厚度为0.20um～0.23um，所述第二滤光部分的厚度为0.15um～0.18um。
在本申请的一种可能实施例中，相邻所述彩色滤光区之间的距离为5um～10um。
在本申请的一种可能实施例中，所述像素开口对应的阴极区在所述彩色滤光层上的正投影位于该像素开口对应的彩色滤光区内。
在本申请的一种可能实施例中，所述像素开口在所述彩色滤光层上的正投影为矩形，所述彩色滤光区的形状也为矩形，所述彩色滤光区的尺寸比像素开口在该彩色滤光区内的正投影的尺寸大4um～8um。
本申请的第二方面，还提供一种电子设备，所述电子设备包括第一方面所述的显示面板。
相对于现有技术，本申请实施例提供的显示面板及电子设备。彩色滤光层对应主显示区的第一滤光部分与对应透明显示区的第二滤光部分的厚度设置不同，通过不同滤光部分的厚度控制主显示区与透明显示区的透光率。如此可以改善主显示区出射的光与透明显示区出射的光之间的亮度差异，使得在采用主显示区和透明显示区同时显示时，主显示区和透明显示区的显示亮度不会出现明显差异，进而提升用户的使用体验。另外，采用彩色滤光层可以实现偏光片防光反射的作用，以替代偏光片，进一步节省产品的制作成本，提升产品的市场竞争力。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1为本实施例提供的一种可能的显示面板分屏结构示图；
图2为本实施例提供的显示面板的部分膜层结构示意图；
图3为本实施例提供的阵列基板与发光器件层的部分膜层结构示意图；
图4为本实施例提供的一种显示面板的膜层结构图；
图5为本实施例提供的辅助层的膜层结构示意图；
图6为本实施例提供的另一种显示面板的膜层结构图。
具体实施方式
为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
因此，以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
在本申请的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该申请产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请的实施例中的不同特征之间可以相互结合。
请参照图1，图1示出了本实施例提供的一种可能的显示面板分屏结构示图，显示面板10包括透明显示区110及主显示区120。透明显示区110在屏下摄像头工作时充当透明玻璃的角色，由于透明显示区110可以用于显示，透明显示区110包括与主显示区120相同的膜层结构，同时考虑到摄像头在拍摄时的透光效果，一般地，透明显示区110中阳极膜层的尺寸会比主显示区120中阳极膜层的尺寸小，透明显示区110中阳极膜层的反射光性能要低于主显示区120中阳极膜的反射光性能。在透明显示区110与主显示区120同时显示时，透明显示区110的显示亮度要低于主显示区120的显示亮度。这会导致用户在观看到显示的画面时存在显示区域亮度不一致的问题，影响用户的观看体验，不利于产品的市场推广，而降低产品的市场竞争力。
为了解决上述技术问题，发明人创新性地设计了以下的技术方案，下面将结合附图对本申请的具体实现方案进行详细说明。
请参照图2，图2示出了本申请实施提供的显示面板1的部分膜层结构示意图，显示面板10包括阵列基板101、发光器件层102、封装层103及彩色滤光层104。
发光器件层102位于阵列基板101上，封装层103位于发光器件层102远离阵列基板101的一侧，彩色滤光层104位于封装层103远离阵列基板101的一侧。
彩色滤光层104可以包括正投影位于主显示区120的第一滤光部分以及正投影位于透明显示区110的第二滤光部分，第一滤光部分的厚度大于第二滤光部分的厚度。
在本申请实施例中，可以先制作厚度较大的第一滤光部分，再制作厚度较小的第二滤光部分，由此得到彩色滤光层104。
上述结构，彩色滤光层104对应主显示区120的第一滤光部分与对应透明显示区110的第二滤光部分的厚度设置不同，通过不同滤光部分的厚度控制主显示区120与透明显示区110的透光率。如此可以改善主显示区120出射的光与透明显示区110出射的光之间的亮度差异，使得在采用主显示区120和透明显示区110同时显示时，主显示区120和透明显示区110的显示亮度不会出现明显差异，进而升用户的使用体验。另外，采用彩色滤光层104可以实现偏光片防光反射的作用，可以取消偏光片，节省产品的制作成本，提升产品的市场竞争力。
在本申请实施例中，在本实施例中，第一滤光部分的厚度可以为0.20um～0.23um，可选地，第一滤光部分的厚度可以为，但不限于，0.2um、0.205um、0.21um、0.215um、0.218um、0.221um、0.226um及0.23um等。第二滤光部分的厚度可以为0.15um～0.18um，可选地，第二滤光部分的厚度可以为，但不限于，0.15um、0.155um、0.16um、0.165um、0.168um、0.172um及0.18um等。
在本申请实施例中，图3示出了在本实施例提供的阵列基板与发光器件层的一种可能膜层结构示意图，阵列基板101可以包括基板层1011、缓冲层1012及驱动层。
基板层1011可以为玻璃基板，缓冲层1012位于基板层1011的一侧，驱动层位于缓冲层1012远离基板层1011的一侧。在本实施例中，缓冲层1012可由无机材料，例如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等制备形成。在本实施例中，缓冲层1012可以是依次形成于基板层1011上的氮化硅(SiNx)层和氧化硅(SiOx)层的双层结构。
驱动层可以包括有源层10131、栅极绝缘层10132、栅极10133、源极10134、漏极10135、第一绝缘层10136、第二绝缘层10137，以及用于形成电容的第一电极10138及第二电极10139。
有源层10131形成于缓冲层1012上并部分覆盖缓冲层1012，有源层10131可以由无机半导体(如，非晶体硅或多晶硅)、有机半导体或氧化物半导体形成，有源层10131可以包括源区(S)、漏区(D)和沟道区(p-si)。
栅极绝缘层10132形成于有源层10131和未被有源层10131覆盖的缓冲层1012上，以便将有源层10131和栅极10133绝缘隔离。栅极绝缘层10132可以采用氧化硅或氮化硅等材料制成，但不限于此。
栅极10133形成于有源层10131对应位置处的栅极绝缘层10132的一侧，栅极10133可以使用金属Al、Mo、Cu、Ti或其他低电阻率的金属材料中的一种或多种形成。同时，在栅极绝缘层10132上还形成有电容的第一电极10138。该第一电极10138形成于栅极绝缘层10132上并部分覆盖栅极绝缘层10132，第一电极10138与栅极10133的材料可以相同，因此可以在栅极绝缘层10132上同时制作栅极10133和第一电极10138。
第一绝缘层10136形成于栅极绝缘层10132上并覆盖栅极10133和第一电极10138，第二电极10139位于第一电极10138所对应的第一绝缘层10136远离基板层1011的一侧。第一绝缘层10136用于将栅极10133与源极10134和漏极10135绝缘隔离，以及将第一电极10138与第二电极10139绝缘隔离。第一绝缘层10136使栅极10133分别与源极10134和漏极10135之间电绝缘，并使第一电极10138与第二电极10139形成电容。第一绝缘层10136同样可以由无机材料，如：氮化硅和氧化硅形成。
第二绝缘层10137形成于第一绝缘层10136上并覆盖第二电极10139，用于隔离源极10134、漏极10135与第二电极10139，使得源极10134、漏极10135与第二电极10139相互绝缘。第二绝缘层10137同样可以由无机材料(如：氮化硅和氧化硅)形成。第二绝缘层10137的结构可以为氮化硅和氧化硅形成的双层或三层以上的结构。
源极10134和漏极10135形成于第二绝缘层10137上，源极10134通过通孔与有源层10131中的源区(S)电连接，漏极10135通过通孔与有源层10131中的漏区(D)电连接。栅极10133、源极10134、漏极10135、第一电极10138、第二电极10139的电极材料可同为金属Al、Mo、Cu、Ti或其他低电阻率的金属材料中的一种或多种。
在驱动层远离基板层1011的一侧还可以设置平坦化层1014及发光器件层102。驱动元件包括由栅极10133、源极10134、漏极10135以及有源层10131等形成的TFT(ThinFilmTransistor，薄膜晶体管)。
发光器件层102可以包括阳极膜层1021、像素限定层1022、发光层1023及阴极膜层1024。阳极膜层1021位于阵列基板101上，像素限定层1022位于阵列基板101，像素限定层1022在阳极膜层1021上形成的像素开口1025，发光层1023位于像素开口1025远离阵列基板101的一侧，阴极膜层1024位于发光层1023远离阵列基板101的一侧。
具体地，阳极膜层1021位于平坦化层1014远离基板层1011的一侧，阳极膜层1021通过平坦化层过孔121与驱动元件的漏极10135电连接。像素限定层1022位于平坦化层1014及阳极膜层1021远离基板层1011的一侧，像素限定层1022的开口在阳极膜层1021上形成像素开口1025。
请参照图4，图4为本申请实施例提供的一种显示面板的膜层结构图，阴极膜层1024可以包括与各个像素开口1025对应的阴极区10241，相邻像素开口1025对应的阴极区10241相互之间隔离开，并且相邻的阴极区10241之间可以通过导线(图中未示出)连接，其中，像素开口1025在阴极膜层1024上的正投影位于对应的阴极区10241内。相邻阴极区10241之间的空隙可以提高光的透光率，在显示相同亮度的图案时，可以降低显示面板10的功耗，提升采用该显示面板的电子设备的续航能力。在采用摄像头拍摄时，可以基于透明显示区110良好的透光性能获得清晰的图像。
在本申请实例中，发光器件层102还可以包括辅助层1027，辅助层1027位于阴极膜层1024与发光层1023之间，辅助层1027朝向阵列基板101的一侧可以由位于像素限定层1022上的支撑柱1026支撑，阴极膜层1024设置在辅助层1027远离阵列基板101的一侧。辅助层1027可以用于输送阴极膜层1024提供的电子，使得辅助层1027输送的电子在发光层1023与空穴结合以激发有机发光材料发光。
进一步地，请参照图5，图5示出了辅助层的可能膜层结构示意图，在本申请实施例中，辅助层1027可以包括电子注入层(Electron lnjection Layer，EIL)1027a、电子传输层(Electron Transporting Layer，ETL)1027b及空穴阻挡层(Hole Blocking Layer，HBL)1027c。
电子注入层1027a设置在阴极膜层1024朝向阳极膜层1021的一侧，电子传输层1027b设置在电子注入层1027a远离阴极膜层1024的一侧。空穴阻挡层1027c设置在电子传输层1027b朝向阳极膜层1021的一侧。
在本申请实施例中，在发光层1023与电子结合的空穴可以通过设置于阳极膜层1021与发光层1023之间的辅助层(图中未示出)传送，该辅助层可以包括空穴注入层(HoleInjection Layer，HIL)和空穴传输层(Hole Transporting Layer，HTL)。空穴注入层设置在阳极膜层1021朝向阴极膜层1024的一侧，空穴传输层设置在空穴注入层远离阳极膜层1021的一侧。
在本申请实施例中，彩色滤光层104可以包括分别与不同的像素开口1025对应的多个彩色滤光区1041，彩色滤光区1041包括多种不同颜色的滤光区1041，比如，红色滤光区(CF-R)、绿色滤光区(CF-G)及蓝色滤光区(CF-B)，相邻的彩色滤光区1041之间相互间隔，像素开口1025在彩色滤光层1041上的正投影位于对应的彩色滤光区1041内。如图所示，红色滤光区(CF-R)、绿色滤光区(CF-G)及蓝色滤光区(CF-B)之间相互隔离，红色像素对应的像素开口1025在彩色滤光层1041上的正投影位于对应红色滤光区内，绿色像素对应的像素开口1025在彩色滤光层1041上的正投影位于对应绿色滤光区内，蓝色像素对应的像素开口1025在彩色滤光层1041上的正投影位于对应蓝色滤光区内。
进一步地，在本申请实施例中，相邻彩色滤光区之间的距离可以为5um～10um。
进一步地，在本申请实施例中，像素开口1025对应的阴极区1041在彩色滤光层104上的正投影位于该像素开口1025对应的彩色滤光区1025内。如此设置，可以使像素单元所发射光的范围位于对应的彩色滤光区1025内，可以避免相邻像素单元所发射的光之间出现混光，在彩色滤光层104可以不必在相邻彩色滤光区之间设置黑色矩阵(BlackMatrix，BM)即可避免相邻像素单元之间的混光问题。
在本申请实施例的一种较佳实施例中，像素开口1025在彩色滤光层104上的正投影可以为矩形，彩色滤光区1041的形状也可以为矩形。彩色滤光区1041的尺寸比像素开口1025位于该彩色滤光区1041内的正投影的尺寸大4um～8um，优选地，彩色滤光区1041的尺寸比像素开口1025位于该彩色滤光区1041内的正投影的尺寸大4um、4.4um、4.8um、5.3um、6.2um、6.8um、7.1um及8um。
请再次参照图4，在本申请实施例的一种实施方式中，显示面板10可以为柔性显示面板，在该实施方式中，封装层103可以包括位于发光器件层102远离阵列基板101一侧的薄膜封装(Thin-Film Encapsulation，TFE)层，薄膜封装层可以采用沉积技术制作而成，具体地，可以采用等离子增强化学汽相沉积(PECVD)、原子层沉积(ALD)、喷墨打印(IJP)等沉积技术制作该薄膜封装层。
请参照图6，在本申请实施例的另一种实施方式中，显示面板10可以为刚性显示面板，在该实施方式中，封装层103可以包括玻璃盖板1031及光感胶层1032，玻璃盖板1031位于发光器件层102远离阵列基板101一侧，光感胶层1032位于玻璃盖板1031远离阵列基板101的一侧。该光感胶层1032可以为负光阻的感光胶。
请参照图4及图6，在本申请实施例中，显示面板还可以包括位于彩色滤光层104远离封装层103一侧的保护层105，保护层105可以采用与光感胶层1032材质相同的有机材料制作而成。
本申请实施例还提供一种电子设备，电子设备包括上面描述的显示面板，采用上面显示面板的电子设备在显示画面时，主显示区与透明显示区的显示亮度的差异不易被用户察觉，如此可以，提升用户的使用体验，并提升整个电子设备的市场竞争力。
本申请实施例提供的显示面板及电子设备。彩色滤光层对应主显示区的第一滤光部分与对应透明显示区的第二滤光部分的厚度设置不同，通过不同滤光部分的厚度控制主显示区与透明显示区的透光率。如此可以改善主显示区出射的光与透明显示区出射的光之间的亮度差异，使得在采用主显示区和透明显示区同时显示时，主显示区和透明显示区的显示亮度不会出现明显区别，可提升用户的使用体验。另外，采用彩色滤光层可以实现偏光片防光反射的作用，以替代偏光片，进而节省产品的制作成本，提升产品的市场竞争力。
以上所述仅为本申请的优选实施例而已，并不用于限制本申请，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种显示面板，其特征在于，包括：
阵列基板；
位于所述阵列基板上的发光器件层；
位于所述发光器件层远离所述阵列基板一侧的封装层；
位于所述封装层远离所述阵列基板一侧的彩色滤光层，其中，所述显示面板具有透明显示区、围绕所述透明显示区的主显示区，所述彩色滤光层包括正投影位于所述主显示区的第一滤光部分以及正投影位于所述透明显示区的第二滤光部分，所述第一滤光部分的厚度大于所述第二滤光部分的厚度。
2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述发光器件层包括：
位于所述阵列基板上的阳极膜层；
位于所述阵列基板上的像素限定层，所述像素限定层在所述阳极膜层上形成像素开口；
位于所述像素开口远离所述阵列基板一侧的发光层；
位于所述发光层远离所述阵列基板一侧的阴极膜层，所述阴极膜层包括与各个所述像素开口对应的阴极区，相邻像素开口对应的阴极区相互隔离并通过导线连接，所述像素开口在所述阴极膜层上的正投影位于对应的阴极区内。
3.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述封装层包括位于所述发光器件层远离所述阵列基板一侧薄膜封装层。
4.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述封装层包括：
位于所述发光器件层远离所述阵列基板一侧的玻璃盖板，及位于所述玻璃盖板远离所述阵列基板一侧的光感胶层。
5.如权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述彩色滤光层包括分别与不同的所述像素开口对应的多个彩色滤光区，相邻的所述彩色滤光区相互间隔，所述像素开口在所述彩色滤光层上的正投影位于对应的彩色滤光区内。
6.如权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述像素开口对应的阴极区在所述彩色滤光层上的正投影位于该像素开口对应的彩色滤光区内。
7.如权利要求1-6中任意一项所述的显示面板，其特征在于，所述第一滤光部分的厚度为0.20um～0.23um，所述第二滤光部分的厚度为0.15um～0.18um。
8.如权利要求6所述的显示面板，其特征在于，相邻所述彩色滤光区之间的距离为5um～10um。
9.如权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述像素开口在所述彩色滤光层上的正投影为矩形，所述彩色滤光区的形状也为矩形，所述彩色滤光区的尺寸比像素开口在该彩色滤光区内的正投影的尺寸大4um～8um。
10.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括权利要求1-9中任意一项所述的显示面板。
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|---|---|---|---|
| CN202110285160.5A CN113066831A (zh) | 2021-03-17 | 2021-03-17 | 显示面板及电子设备 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113066831A true CN113066831A (zh) | 2021-07-02 |
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| CN202110285160.5A Pending CN113066831A (zh) | 2021-03-17 | 2021-03-17 | 显示面板及电子设备 |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2024021205A1 (zh) * | 2022-07-25 | 2024-02-01 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110676301A (zh) * | 2019-10-30 | 2020-01-10 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种有机发光显示面板和显示装置 |
| CN111029381A (zh) * | 2019-12-09 | 2020-04-17 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 有机发光显示面板及有机发光显示装置 |
| CN111785742A (zh) * | 2020-08-25 | 2020-10-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板及其制作方法、显示装置 |
-
2021
- 2021-03-17 CN CN202110285160.5A patent/CN113066831A/zh active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110676301A (zh) * | 2019-10-30 | 2020-01-10 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种有机发光显示面板和显示装置 |
| CN111029381A (zh) * | 2019-12-09 | 2020-04-17 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 有机发光显示面板及有机发光显示装置 |
| CN111785742A (zh) * | 2020-08-25 | 2020-10-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板及其制作方法、显示装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2024021205A1 (zh) * | 2022-07-25 | 2024-02-01 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
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