CN114335104A - 显示面板及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本公开提供一种显示面板及其制备方法,该显示面板包括基底以及位于基底上的像素界定层和多个发光器件,像素界定层包括多个通孔,每个发光器件包括叠置在基底上的第一电极、发光功能层和第二电极,发光功能层位于通孔中。在基底所在面上,第一电极的正投影至少部分位于对应的通孔的正投影之内。在至少一个通孔中,第一电极的边缘的一部分与像素界定层接触,且第一电极的边缘的另一部分和像素界定层间隔,以使得第一电极和像素界定层之间具有凹槽,该显示面板中的相邻发光器件间出现电流串扰的风险降低。
Description
技术领域
本公开涉及显示技术领域,具体地,涉及一种显示面板及其制备方法。
背景技术
有机发光二极管(OLED,Organic Light-Emitting Diode)是一种有机薄膜电致发光器件,其因具有制备工艺简单、成本低、功耗小、亮度高、视角宽、对比度高及可实现柔性显示等优点,而受到人们极大的关注并在电子显示产品中得到广泛应用。
然而,当前的电子显示产品限于自身结构的设计,相邻的发光器件之间容易出现电流串扰,从而使得发光器件容易出现偏色现象,这降低了显示图像的对比度,难以满足用户体验。
发明内容
本公开提供一种显示面板及其制备方法,在该显示面板的每个子像素中,将发光器件的第一电极的边缘的一部分设计为与像素界定层间隔,从而在第一电极和像素界定层之间形成凹槽,在制备发光器件的发光功能层时,该凹槽形成段差可以使得发光功能层出现断裂,从而降低相邻的发光器件之间因电流串扰而出现显示不良的风险。
本公开第一方面提供一种显示面板,该显示面板包括基底以及位于基底上的像素界定层和多个发光器件,像素界定层包括多个通孔,每个发光器件包括叠置在基底上的第一电极、发光功能层和第二电极,发光功能层位于通孔中。在基底所在面上,第一电极的正投影至少部分位于对应的通孔的正投影之内。在至少一个通孔中,第一电极的边缘的一部分与像素界定层接触,且第一电极的边缘的另一部分和像素界定层间隔,以使得第一电极和像素界定层之间具有凹槽。
在上述方案中,凹槽的设置使得发光功能层的膜层连续性被破坏,这降低了相邻发光器件间出现电流串扰的风险,从而也提高了显示图像的对比度。
在本公开第一方面的一个具体实施方式中,每个发光功能层包括发光层以及位于发光层和第一电极之间的第一公共膜层,多个发光器件共用第一公共膜层。在设置有凹槽的通孔中,第一公共膜层包括位于第一电极上的第一子膜层和位于凹槽中的第二子膜层。第一公共膜层的厚度小于或等于凹槽的深度,以使得第一子膜层和第二子膜层在第一电极和凹槽的段差交界处彼此断开。
在上述方案中,即便电流经过发光层之后再通过其它膜层进入相邻的发光器件中,在该相邻的发光器件中,受电势的影响,该电流也不会再进入发光层。
在本公开第一方面的一个具体实施方式中,第一公共膜层包括空穴传输层和空穴注入层中的至少一个。
在本公开第一方面的一个具体实施方式中,在设置有凹槽的通孔中,发光层包括位于第一电极上的第一子发光层和位于凹槽中的第二子发光层,第一子发光层和第二子发光层在第一电极和凹槽的段差交界处彼此断开,第一子发光层和第二子发光层之间的段差与凹槽的深度基本相等。例如,进一步地,发光层设置为通过蒸镀形成。
在上述方案中,可以避免来自第一电极的电流从第一子发光层进入第二子发光层;此外,有利于形成在发光层之上的其它膜层在凹槽处断裂,从而进一步降低电流进入相邻发光器件的风险。
在本公开第一方面的另一个具体实施方式中,在设置有凹槽的通孔中,发光层为覆盖第一电极和凹槽的连续膜层。例如,发光层的背离基底的表面为平面,第二电极的位于通孔中且背离所述基底的表面为平面,以使得第二电极的由凹槽所在区域延伸至像素界定层区域的部分为连续膜层。例如,进一步地,发光层设置为通过喷墨打印形成。
在上述方案中,发光层为连续的整层结构,使得第一电极和第二电极之间传输的载流子必须经过发光层,从而保证发光器件的发光效率;此外,发光层可以起到平坦化的作用,降低因设置凹槽而导致第二电极断裂的风险。
在本公开第一方面的一个具体实施方式中,基底包括平坦层,平坦层位于基底的面向像素界定层的一侧,凹槽包括子凹槽和由第一电极和像素界定层围设成的子开口,在基底所在面上,子开口的正投影和子凹槽的正投影重合。子凹槽形成在平坦层中;或者,平坦层的面向像素界定层一侧表面设置有凹陷结构,凹陷结构设置为由平坦层以第一电极为掩膜进行减薄形成,且像素界定层覆盖凹陷结构的部分区域,以使得通孔中的侧壁(实际为像素界定层的用于限定通孔的侧壁)和凹陷结构的侧壁共同围设子凹槽。
在上述方案中,通过在平坦层中设置子凹槽,可以增加凹槽的设计深度,从而保证第一公共膜层断裂。
在本公开第一方面的一个具体实施方式中,相邻且出射不同波长光的至少三个发光器件构成一个像素单元。出射最短波长光线的发光器件所对应的通孔中设置有凹槽,且凹槽位于出射最短波长光线的发光器件的第一电极和相邻的出射非最短波长光线的发光器件之间;和/或,出射非最短波长光线的发光器件所对应的通孔中设置有凹槽,且凹槽位于出射非最短波长光线的发光器件的第一电极和相邻的出射最短波长光线的发光器件之间。例如,进一步地,最短波长光线为蓝光,非最短波长光线为红光和绿光中的一种或组合。
在上述方案中,可以降低凹槽在整个显示面板所占的设计面积,保证开口率(凹槽的设计使得开口率是降低的),以保证显示图像的亮度;此外,未对应设置凹槽的发光器件的制备工艺不会受到凹槽的影响,从而简化制备工艺流程;另外,可以尽量降低设置凹槽而导致的第二电极出现诸如大面积断裂带来的风险。
在本公开第一方面的一个具体实施方式中,凹槽在基底所在面上的正投影环绕第一电极在基底所在面上的正投影的一部分。如此,可以避免因设置凹槽而导致第二电极完全断裂,以保证第二电极作为公共电极的连续性。
在本公开第一方面的一个具体实施方式中,凹槽的由像素界定层界定的侧壁在基底所在面上的正投影的长度,为通孔的朝向基底的一端在基底所在面上的正投影的周长的5%~95%。例如进一步地,每个通孔由像素界定层的多个侧壁围设形成,在设置有凹槽的通孔中,多个侧壁的一个侧壁与第一电极接触,多个侧壁的其它侧壁与第一电极间隔。
本公开第二方面提供一种显示面板的制备方法,该制备方法包括:提供基底;在基底上形成多个彼此间隔的第一电极;在形成有第一电极的基底形成像素界定层,像素界定层中形成有暴露第一电极的至少部分的通孔;在通孔中形成发光功能层,且发光功能层的至少部分以蒸镀方式形成;以及在发光功能层上形成第二电极。在至少一个通孔中,第一电极的边缘的一部分与像素界定层接触,且第一电极的边缘的另一部分和像素界定层间隔,以使得第一电极和像素界定层之间形成凹槽。
附图说明
图1为本公开一实施例提供的一种显示面板的平面区域划分的示意图。
图2为图1所示显示面板的一个子像素区域的结构的截面图。
图3为图2所示的子像素区域的部分结构的截面图。
图4为图3所示的像素界定层和第一电极的平面位置关系示意图。
图5为图4所示像素界定层和第一电极之间的凹槽的正投影示意图。
图6为图1所示显示面板的两个相邻子像素区域的结构的截面图。
图7为本公开一实施例提供的另一种显示面板的一个子像素区域的结构的截面图。
图8为本公开一实施例提供的另一种显示面板的一个子像素区域的结构的截面图。
图9为图8所示的子像素区域的部分结构的截面图。
图10为本公开一实施例提供的另一种显示面板的两个相邻子像素区域的结构的截面图。
图11为图10所示的子像素区域的部分结构的截面图。
图12为本公开一实施例提供的另一种显示面板的一个子像素区域的结构的截面图。
图13为本公开一实施例提供的一种子像素的排布方式的示意图,其示出了各个子像素中的凹槽的开口方向。
图14为本公开一实施例提供的另一种子像素的排布方式的示意图,其示出了各个子像素中的凹槽的开口方向。
图15为本公开一实施例提供的另一种子像素的排布方式的示意图,其示出了各个子像素中的凹槽的开口方向。
图16为本公开一实施例提供的另一种子像素的排布方式的示意图,其示出了各个子像素中的凹槽的开口方向。
图17为本公开一实施例提供的另一种子像素的排布方式的示意图,其示出了各个子像素中的凹槽的开口方向。
图18为本公开一实施例提供的另一种子像素的排布方式的示意图,其示出了各个子像素中的凹槽的开口方向。
图19为本公开一实施例提供的另一种子像素的排布方式的示意图,其示出了各个子像素中的凹槽的排布方式。
图20为本公开一实施例提供的另一种子像素的排布方式的示意图,其示出了各个子像素中的凹槽的排布方式。
具体实施方式
下面将结合本公开实施例中的附图,对本公开实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅是本公开一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本公开中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本公开保护的范围。
在显示面板的生产工艺中,发光器件的用于发光的部分膜层通常会通过蒸镀等工艺形成,从而形成为整层结构,即,显示面板的所有发光器件可以共用该整层结构,这降低了显示面板制备工艺的精度要求,且极大提高了显示面板制备工艺的效率。但是,在显示面板显示图像时,驱动发光器件的电流可能通过该共用的整层结构在多个发光器件之间传输,即,多个发光器件之间可能存在串扰电流,从而使得发光器件实际出射的光线亮度和预期灰阶下的出射亮度不同。例如,以相邻的第一发光器件和第二发光器件为例,在第一发光器件需要呈现暗态(可理解为关断)而相邻的第二发光器件需要呈现为亮态的情况下,如果该第二发光器件的电流串扰至第一发光器件中,可能会使得第一发光器件继续激发光,从而使得第一发光器件出现不能完全关断的情况,这使得显示面板的显示图像的对比度降低。
有鉴于此,本公开至少一个实施例提供一种显示面板及其制备方法,至少可以解决上述问题。该显示面板包括基底以及位于基底上的像素界定层和多个发光器件,像素界定层包括多个通孔,每个发光器件包括叠置在基底上的第一电极、发光功能层和第二电极,发光功能层位于通孔中。在基底所在面上,第一电极的正投影至少部分位于对应的通孔的正投影之内。在至少一个通孔中,第一电极的边缘的一部分与像素界定层接触,且第一电极的边缘的另一部分和像素界定层间隔,以使得第一电极和像素界定层之间具有凹槽。例如,像素界定层和多个发光器件所构成的模组结构可以统称为显示功能层。在该显示面板中,凹槽的设置使得第一电极的边缘出现段差,在制备发光功能层时,发光功能层的位于第一电极上的部分和位于凹槽中的部分因为该段差而出现错位,即,发光功能层的膜层连续性被破坏,如此,在驱动发光器件时,电流难以通过发光功能层经由凹槽所在的区域传输至相邻的发光器件中,这降低了相邻发光器件间出现电流串扰的风险,从而也提高了显示图像的对比度。
需要说明的是,在“凹槽”所在的区域,第一电极和像素界定层实际只限定出开孔,但是在第一电极和像素界定层的一侧设置有基底,即,该开孔的一侧被基底封闭,从而使得该开孔可以呈现为凹槽。
下面,结合附图对根据本公开至少一个实施例中的显示面板及其制备方法进行说明。此外,在该些附图中,以显示面板的基底为参照建立空间直角坐标系,以对显示面板中的各个结构的位置关系进行辅助说明,在该空间直角坐标系中,X轴和Y轴与基底所在平面平行,Z轴与基底所在平面垂直。另外,在本申请的实施例中,以基底为基准定义“上”、“下”、“高度”、“厚度”和“深度”等,例如,对于位于基底同一侧的两个对象,距离基底更远的对象在距离基底更近的对象之上,相应地,距离基底更近的对象在距离基底更远的对象之下;例如,对于位于基底一侧的对象,该对象的距离基底最远的一端至基底的垂直距离为该对象的高度,该对象的距离基底最远的一端至基底的垂直距离与距离基底最近的一端至基底的垂直距离之差为该对象的深度或厚度。
在本公开一实施例中,如图1-图5所示,显示面板10包括显示区11和位于显示区11至少一侧的非显示区12。显示面板10包括基底100以及位于基底100上的显示功能层,显示功能层位于显示区11,且包括位于基底100上的像素界定层201和发光器件202。像素界定层201设置为具有通孔310,发光器件202包括在基底100上叠置的第一电极210、发光功能层220和第二电极230,发光功能层220位于通孔310中。具体如图2和图4所示,在基底100所在面上,第一电极210的正投影的一部分位于通孔310的正投影之内,即,第一电极210的位于通孔310中的面积小于通孔310的面积,从而使得第一电极210的部分边缘与像素界定层201间隔,以使得第一电极210、像素界定层201和基底100围成凹槽320,相应地,第一电极210和凹槽320的交界D(可以认为是第一电极210的与像素界定层201间隔的边缘处)处形成段差。如此,在通孔310中形成发光功能层220时,发光功能层220会在交界D处出现错位,即,发光功能层220的部分膜层在交界D的两侧位于不同高度,使得该部分膜层出现断裂。
需要说明的是,在本公开至少一个实施例中,通孔310的侧壁实际是具有一定的坡度的。例如,对于图1~图5所示的显示面板的结构,在实际工艺中,通孔310沿Z轴方向的截面形状大致为倒梯形,该倒梯形的顶边朝向基底100,例如,该倒梯形的顶边和侧边的夹角范围可以为120°~150°,即,通孔310的侧壁坡度为30°~80°。例如,进一步地,通孔310的侧壁坡度为35°、45°、55°、65°、75°等。如此,可以保证第二电极230在从通孔310中延伸至像素界定层201之上时不容易断裂,当然,这也使得发光功能层220在通孔310的侧壁上保持膜层的连续性,从而在未设计有凹槽320的情况下,导致相邻的发光器件202之间产生电流串扰。需要说明的是,通孔310的侧壁的坡度范围可以根据实际工艺需要进行设计,不限于上述数值范围。
需要说明的是,在显示技术领域中,通常使用像素界定层的通孔来界定子像素的边界,即界定像素开口的大小,因此,即便像素界定层膜层划分上是位于发光器件的阳极(上述第一电极)之上,出于对位精度等的考虑,阳极可以不全部位于通孔之内,且发光器件的阴极(上述的第二电极)通常为整层的结构,即,阴极不仅位于通孔中,还覆盖像素界定层,如此,发光器件的主体部分位于通孔中,其部分结构是延伸至通孔之外的,但是,在本领域中对发光器件的分布区域划分为位于像素开口中的情况下,也可以认为发光器件位于通孔中。
在本公开的实施例中,如图2所示,基底100可以包括衬底110和驱动电路层120,驱动电路层120可以包括像素驱动电路,在每个发光器件202所对应的子像素中,像素驱动电路可以包括多个晶体管(图2中的TFT)、电容等,例如形成为2T1C(即2个晶体管(T)和1个电容(C))、3T1C或者7T1C等多种形式。像素驱动电路与发光器件202连接,以控制发光器件202的开关状态以及发光亮度。
发光器件中的发光功能层通常会包括发光层和一些其它辅助功能膜层,而在显示面板的制造工艺中,出于对准精度控制、工艺成本和效率等的考虑,不同的发光器件的一些辅助功能膜层会共用一层,该些共用的辅助功能膜层可以被称为公共膜层,在驱动发光器件时,电流可能会沿着该公共膜层从一发光器件进入另一相邻的发光器件中。在发光器件中,载流子(空穴和电子)是要在发光层中实现激发光的,而发光器件的阳极(例如上述的第一电极)通常设置为具有高电位,阴极(例如上述的第二电极)通常设置为具有低电位,即,电流在每个发光器件中维持从阳极至阴极传输。如此,如果破坏发光层之前的膜层在相邻的发光器件中的连续性,即便相邻的发光器件间出现电流串扰,串扰的电流进入相邻的发光器件之后会进入阴极而难以再次经过发光层,从而降低电流串扰所引起的图像对比度降低的风险。
在本公开至少一个实施例提供的显示面板中,每个发光功能层包括发光层以及位于发光层和第一电极之间的第一公共膜层,多个发光器件共用第一公共膜层。在设置有凹槽的通孔中,第一公共膜层包括位于第一电极上的第一子膜层和位于凹槽中的第二子膜层。第一公共膜层的厚度小于或等于凹槽的深度,以使得第一子膜层和第二子膜层在第一电极和凹槽的段差交界处彼此断开。在发光层和第一电极之间的第一公共膜层在凹槽和第一电极的交界处断开的情况下,即便电流经过发光层之后再通过其它膜层进入相邻的发光器件中,在该相邻的发光器件中,受电势的影响,该电流也不会再进入发光层,即,该串扰的电流不会贡献于相邻发光器件的发光。示例性的,如图1-5所示,发光功能层220包括位于发光层222和第一电极210之间的第一公共膜层221以及位于发光层222和第二电极230之间的第二公共膜层223,凹槽的深度320的深度大于第一公共膜层221的厚度,如此,在沉积第一公共膜层221时,第一公共膜层221会在交界D处断开,即,第一公共膜层221的位于凹槽320中的部分不会参与发光器件的发光。
如图1-5所示的显示面板10所能降低发光器件202之间出现电流串扰风险的原理,可以参见如图6所示的实施例。如图6所示,两个发光器件202a、202b彼此相邻,发光器件202a在被激发光时,来自第一电极210a的电流依次经过第一公共膜层221a、发光层222a、第二公共膜层223a,因为发光器件202a的第一公共膜层221a在交界D处断开,且凹槽(或者交界D)位于发光器件202a的第一电极210a和发光器件202b之间,来自第一电极210a的电流并不会经由第一公共膜层221a进入发光器件202b。此外,即便发光器件202a中电流经过第二公共膜层223a、第二电极等进入发光器件202b,限于第一电极210a、210b的电位大致相等(例如正极),来自发光器件202a的电流会进入第二公共膜层223b,而不会再进入第一公共膜层221a。此外,图6所示的发光器件202a、202b的具体结构和图2所示的发光器件202的结构一致,在此不作赘述。
发光器件的发光功能层可以包括位于阳极和发光层之间的空穴注入层和空穴传输层、位于阴极和发光层之间的电子注入层和电子传输层。例如,发光功能层还可以包括位于阳极和发光层之间的电子阻挡层、位于阴极和发光层之间的空穴阻挡层。根据不同的工艺需求,空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、空穴阻挡层、电子注入层和电子传输层可以选择作为各个发光器件的公共膜层。例如,在本公开至少一个实施例提供的显示面板中,第一公共膜层包括空穴传输层和空穴注入层中的至少一个,第二公共膜层可以包括空穴注入层和空穴传输层中的至少一个。
在本公开的实施例中,在发光层形成在通孔中的情况下,对发光层的制备方式不作进一步限制,例如,在一些工艺需求中,可以选择通过蒸镀的方式制备发光层,在另一些工艺需求中,可以选择通过喷墨打印的方式制备发光层。
例如,在本公开一些实施例提供的显示面板中,在设置有凹槽的通孔中,发光层包括位于第一电极上的第一子发光层和位于凹槽中的第二子发光层,第一子发光层和第二子发光层在第一电极和凹槽的段差交界处彼此断开,第一子发光层和第二子发光层之间的段差与凹槽的深度基本相等。如此,发光层在第一电极和凹槽的交界处的连续性被破坏,可以避免来自第一电极的电流从第一子发光层进入第二子发光层;此外,在形成发光层之后,第一子发光层进入第二子发光层之间的段差仍能够和凹槽的深度基本相等,从而有利于形成在发光层之上的其它膜层在凹槽处断裂,从而进一步降低该电流从第二子发光层进入其它膜层进而进入相邻发光器件的风险。示例性的,重新参见图2,位于第一电极210之上的第一子发光层和位于凹槽320中的第二子发光层之间的高度差基本等于凹槽320的深度,第二公共膜层223的位于第一电极210之上的部分和位于凹槽320中的部分之间的高度差也基本等于凹槽320的深度,且第二电极230的位于第一电极210之上的部分和位于凹槽320中的部分之间的高度差也基本等于凹槽320的深度。如此,第二公共膜层223和第二电极230在交界D处容易断裂,从而降低相邻发光器件之间电流串扰的风险。
例如,在本公开至少一个实施例中,如图2所示的发光层222可以设置为通过蒸镀形成,从而使得第一子发光层和第二子发光层的厚度基本相等,以保证两者之间的段差和凹槽320的深度基本相等,即,这可以维持凹槽320的用于使得膜层断裂的效果。
例如,在本公开另一些实施例提供的显示面板中,在设置有凹槽的通孔中,发光层为覆盖第一电极和凹槽的连续膜层,发光层的背离基底的表面为平面,第二电极的位于通孔中且背离所述基底的表面为平面,以使得第二电极的由凹槽所在区域延伸至像素界定层区域的部分为连续膜层。例如,进一步地,发光层设置为通过喷墨打印形成。发光层为连续的整层结构,在凹槽和第一电极的交界处,发光层可以避免两侧的膜层彼此接触,从而使得第一电极和第二电极之间传输的载流子必须经过发光层,从而保证发光器件的发光效率;此外,发光层可以起到平坦化的作用,降低因设置凹槽而导致第二电极断裂的风险。示例性的,如图7所示,发光层222c的背离基底100c的表面为平面,即,发光层222c的位于第一电极210c上的部分的表面和位于凹槽320c中的部分的表面的高度基本持平,从而实现共面,如此,第二公共膜层223c的位于通孔310中且位于发光层222c上的部分的背离基底100c的表面为平面,相应地,第二电极230c的位于通孔310中且位于第二公共膜层223c上的部分的背离基底100c的表面为平面,即,第二电极230c的位于像素界定层201c上的部分与位于第一电极210c上的部分之间的段差,和第二电极230c的位于像素界定层201c上的部分与位于凹槽320c上的部分之间的段差基本相等,如此,凹槽320c的设置不会额外导致第二电极230c在从通孔310c中延伸至像素界定层201c上时出现断裂的风险。
例如,在本公开的一些实施例中,在发光层为覆盖第一电极和凹槽的连续膜层,且其背离基底的表面为平面的情况下,发光层可以设置为通过喷墨打印形成。示例性的,如图7所示,在制备发光器件202c的发光功能层220c的过程中,可以在通孔310c中通过例如蒸镀的方式制备第一公共膜层221c,然后在通孔310c中滴入(工艺可以为喷墨打印)包含激发光材料的溶液,该溶液蒸干之后,形成发光层222c,然后在发光层222c之上通过蒸镀或者喷墨打印等方式形成第二公共膜层223c,最后,在第二公共膜层223c通过电镀、磁控溅射等方式形成第二电极230c。
通过对本公开的上述实施例的描述,可知,凹槽的设计厚度影响其对第一公共膜层的断开效果,从而影响相邻发光器件间出现电流串扰的风险。因此,在本公开的一些实施例中,可以通过增加第一电极的设计厚度,以增加凹槽的设计厚度,例如将第一电极设计为多层复合膜层,例如钛-铝-钛三层金属、ITO-金属(钛、银等)-ITO(氧化铟锡)三层金属和金属氧化物构成的复合膜层结构,该结构会降低第一电极的透光率或者使得第一电极不透光而成为了反射电极,从而使得显示面板比较适用设计为具有顶发射模式;或者,在本公开另一些实施例中,第一电极可以设计为单层结构,从而具有较小的设计厚度,此外,可以将凹槽设计为向基底延伸,从而增加凹槽的设计深度,如此,可以节省制备第一电极的材料和制备工艺流程,以降低成本,还可以使得第一电极在弯曲时产生的应力相对较小,从而更加适用于柔性显示领域,另外,该第一电极可以设计为具备较高的透光率,从而使得显示面板能够设计为具有底发射模式,当然具有该第一电极的显示面板也可以设计为具有顶发射模式。在本公开再一些实施例中,可以采用上述的两种方式来设计凹槽,即,增加第一电极的设计厚度,并且使得凹槽向基底延伸以增加凹槽的设计深度。
下面,以凹槽设计为向基底延伸为例,对本公开至少一个实施例提供的显示面板的结构进行说明。
例如,在本公开的一些实施例中,基底包括平坦层,平坦层位于基底的面向像素界定层的一侧,凹槽包括子凹槽和由第一电极和像素界定层围设成的子开口,在基底所在面上,子开口的正投影和子凹槽的正投影重合,子凹槽形成在平坦层中。通过在平坦层中设置子凹槽,可以增加凹槽的设计深度,从而保证第一公共膜层断裂。示例性的,如图8和图9所示,基底100包括平坦层121,平坦层121可以平坦化基底100的表面。在通孔310d中,第一电极210d和像素界定层201d围成凹槽320d的子开口321d,平坦层121的表面设置有子凹槽322d,子凹槽322d和子开口321d的位置对应,例如,子开口321d在基底100所在面上的正投影和子凹槽322d在基底100所在面上的正投影基本重合。如此,凹槽320d的深度为子凹槽322d的深度和子开口321d的厚度之和,从而保证凹槽320d具有较大的设计厚度,以使得发光功能层220d中的第一公共膜层221d在交界D处断裂。需要说明的是,发光功能层220d中的发光层222d和第二公共膜层223d、第二电极230d的设置方式可以参见图2和图7分别所示出的两种设计结构,在此不作赘述。
例如,在本公开的一些实施例中,基底包括平坦层,平坦层位于基底的面向像素界定层的一侧,凹槽包括子凹槽和由第一电极和像素界定层围设成的子开口,在基底所在面上,子开口的正投影和子凹槽的正投影重合。平坦层的面向像素界定层一侧表面设置有凹陷结构,凹陷结构设置为由平坦层以第一电极为掩膜进行减薄形成,且像素界定层覆盖凹陷结构的部分区域,以使得像素界定层的位于通孔中的侧壁(实际为像素界定层的用于限定通孔的侧壁)和凹陷结构的侧壁共同围设子凹槽。示例性的,如图10和图11所示,以第一电极为掩膜,刻蚀并减薄平坦层121e,以使得平坦层121e的面向像素界定层201e的表面形成凹陷结构330,像素界定层201e位于凹陷结构330中,且像素界定层201e的面积小于凹陷结构330的面积,如此,像素界定层201e在凹陷结构330中限定出子凹槽,该子凹槽所在区域可以理解为位于凹陷结构330和通孔310e的交叠区域,子凹槽的侧壁可以由平坦层121e的用于限定凹陷结构330的侧壁和像素界定层201e的用于限定通孔310e的侧壁组成。像素界定层201e和第一电极限定出子开口,子凹槽和子开口的位置对应,例如,子开口在基底所在面上的正投影和子凹槽在基底所在面上的正投影基本重合。如此,凹槽320e的深度为子凹槽的深度和子开口的厚度之和,从而保证凹槽320e具有较大的设计厚度,以使得发光功能层中的第一公共膜层在第一电极和凹槽的交界处断裂。
需要说明的是,在本公开的实施例中,平坦层可以由基底的钝化层设计而来,具体可以参见图10,其所示的平坦层121e实际为钝化层,如此,有利于显示面板的轻薄化设计;或者平坦层也可以设计为独立的膜层,以免凹槽的设置对基底中的结构(例如驱动电路层中的TFT等)造成破坏,例如在基底的钝化层上覆盖平坦层,具体可以参见图12,基底包括钝化层122f和平坦层121f,平坦层121f位于钝化层122f和像素界定层201d(或者第一电极210d)之间,凹槽320d的子凹槽形成在平坦层121f中,例如,子凹槽贯穿平坦层121f。
例如,平坦层的材料可以为氧化硅、氮化硅、氧氮化硅等无机材料构成的膜层,在起到平坦化作用之外还具备较高的致密性以具备良好的隔绝作用,以对基底的器件进行保护;或者,在平坦层为独立膜层的情况(例如基底包括平坦层和钝化层)下,平坦层的材料可以为有机高分子材料例如聚酰亚胺等,从而具备较高的柔性,以使得显示面板更加适用于柔性显示;或者,在实际工艺中,基底的大部分膜层(例如钝化层、层间介质层等)为无机材料形成,像素界定层通常为有机材料形成,而无机材料膜层和有机材料膜层之间容易出现界面分离,因此,平坦层可以为上述有机材料和无机材料掺杂形成的复合膜层,从而使得其具备上述效果的同时,可以减小位于平坦层上下两侧的膜层分离的风险,以提高显示面板的强度。
在本公开的实施例提供的显示面板中,只要通孔中设置有凹槽,就可以起到降低相邻发光器件之间出现电流串扰的风险的效果,在此基础上,凹槽的平面形状可以根据实际工艺的需要进行设计,在此不做限制。下面,在几个实施例中,对凹槽的几种平面形状进行说明。
例如,在本公开一些实施例中,在设置有凹槽的通孔中,凹槽在基底所在面上的正投影为散点状分布。
例如,在本公开另一些实施例中,在设置有凹槽的通孔中,凹槽在基底所在面上的正投影为多个间隔的线段形。
例如,在本公开另一些实施例中,在设置有凹槽的通孔中,凹槽在基底所在面上的正投影环绕第一电极在基底所在面上的正投影的一部分,以使得凹槽在基底所在面上的正投影为非闭合环形,具体如图4和图5所示。如此,可以在避免通孔中的第二电极断裂的同时,使得凹槽有较大的设计长度,以最大化降低相邻的发光器件之间出现电流串扰的风险。
需要说明的是,在本公开的实施例中,凹槽的正投影为非闭合环形,可以理解为凹槽的整体长度的形状为非闭合环形,在该情况下,凹槽的宽度可以忽略。例如,在基底所在面上,凹槽的正投影的边缘实际由第一电极和像素限定层界定,凹槽的正投影的边缘中由第一电极所界定的部分的形状为非闭合环形,且凹槽的正投影的边缘中由像素界定层所界定的部分的形状为非闭合环形。
此外,在本公开的实施例中,“非闭合环形”为基于“闭合环形”划分得到的形状,即,将闭合环形截取任一长度,以使得剩余的部分具有内外连通的缺口(例如下述的开口),剩余的部分的形状为非闭合环形。
在本公开至少一个实施例提供的显示面板中,凹槽的长度为通孔的边缘长度的5%~95%,例如进一步为15%、25%、35%、45%、50%、55%、65%、75%、85%等。凹槽的长度可以为其由像素界定层限定的侧壁在基底所在面上的正投影的长度。通孔的边缘长度可以为通孔的面向所述基底的一侧开口(通孔的面向基底的一端的开口)在基底所在面上的正投影的外边缘的周长,例如,在忽略通孔侧壁的坡度的情况下(相当于通道的侧壁所在面垂直于基底所在面),通孔基底所在面上的正投影的外边缘的周长为通孔的边缘长度。例如进一步地,每个通孔由像素界定层的多个侧壁围设形成,在设置有凹槽的通孔中,多个侧壁的一个侧壁与第一电极接触,多个侧壁的其它侧壁与第一电极间隔。例如,通孔的平面形状(例如其在基底所在面的投影的外边缘的形状)为包括N条边的多边形,该多边形的N-1条边处设置凹槽,其未设置凹槽的一条边用于保证第二电极的连续性。示例性的,如图4和图5所示,第一电极210和通孔的平面形状为矩形,凹槽换套该第一电极210的三条边,即,第一电极210和通孔在基底所在面上的正投影都为矩形,而凹槽在基底所在面上的正投影3201环绕第一电极210在基底所在面上的正投影的三条边。
显示面板包括多个子像素,每个子像素中设置有一个发光器件。子像素的排布方式是有多种的,在凹槽的形状为非闭合环形的情况下,可以根据实际需要设计不同的子像素中的凹槽的开口朝向,以减少相邻子像素中的发光器件出现电流串扰的风险。
在本公开的实施例中,凹槽的开口朝向可以参见如图5所示的方向S,具体为:非闭合环形的凹槽可以包括开口和与开口对应的底,该底至开口的方向S为凹槽的开口朝向。
下面,通过几个具体的实施例,对显示面板的各个子像素中的凹槽的开口朝向的设计方式进行说明。
例如,在本公开一些实施例提供的显示面板中,各个发光器件的凹槽在基底所在面上的非闭合环形正投影的开口朝向相同。示例性的,如图13所示,一个像素单元P包括相邻且出射不同波长光线的三个子像素,在每个像素单元中,三个子像素R、G、B的发光器件可以分别出射红、绿、蓝三种颜色的光线。每个子像素中的凹槽的开口朝向(图中的X轴正方向)都相同,如此,所有的子像素中的凹槽的开口都不会相对,从而避免相邻的发光器件之间出现电流串扰的情况。
需要说明的是,在本公开的实施例中,对发光器件出射光的颜色不做限制,例如其可以设置为出射白光,或者可以设置为出射红、绿、蓝或黄等其它颜色光;此外,每个像素单元可以包括三个、四个或四个以上出射不同颜色光线的发光器件。
例如,在本公开另一些实施例提供的显示面板中,相邻且出射不同波长光的至少三个发光器件构成一个像素单元,且在每个像素单元中,出射非最短波长光的发光器件的凹槽在基底所在面上的非闭合环形正投影的开口与出射最短波长光的发光器件的凹槽在基底所在面上的非闭合环形正投影的边对应,出射非最短波长光的发光器件中的至少两个的凹槽在基底所在面上的非闭合环形正投影的开口相对。示例性的,如图14所示,每个像素单元P1、P2包括相邻且出射不同波长光线的三个子像素,在每个像素单元中,三个子像素R、G、B的发光器件可以分别出射红、绿、蓝三种颜色的光线。每个像素单元P1、P2中,子像素R、G中的凹槽的开口彼此相对,子像素R、G中的每一个的凹槽的开口都不与子像素B中的凹槽的开口相对。在显示面板的驱动过程中,出射最短波长光线的发光器件的驱动电压比较高,容易和相邻的发光器件之间产生电流串扰,如此,在驱动子像素B时,子像素B中的发光器件的电流难以串扰至子像素R、G中,而子像素R、G中的发光器件的驱动电压相差较小或者大致相等,即便子像素R、G中的凹槽的开口彼此相对,子像素R、G中的发光器件也不会出现电流串扰。
在本公开另一些实施例提供的显示面板中,相邻且出射不同波长光的至少三个发光器件构成一个像素单元,至少一个像素单元中出射最短波长光的相邻发光器件的凹槽在基底所在面上的非闭合环形正投影的开口,与至少一个相邻的像素单元中出射最短波长光的相邻发光器件的凹槽在基底所在面上的非闭合环形正投影的开口相对。示例性的,如图15所示,在任一个像素单元P3、P4中,子像素R和子像素G的凹槽的开口都不与子像素B的凹槽的开口相对。此外,像素单元P3中的子像素B的凹槽的开口和像素单元P4中的子像素B的凹槽的开口相对。在显示面板的驱动过程中,出射相同波长光线(同颜色光线)的发光器件的驱动电压大致相等,即便彼此相邻在被驱动时也难以产生电流串扰,如此,像素单元P3中的子像素B的发光器件和像素单元P4中的子像素B的发光器件之间不会产生电流串扰;此外,凹槽的设计可能会破坏第二电极的连续性,而在图15所示的实施例中,在像素单元P3中的子像素B的凹槽的开口和像素单元P4中的子像素B的凹槽的开口彼此相对,从而使得第二电极在从像素单元P3中的子像素B延伸至像素单元P4中的子像素B的过程中,其连续性不会受到凹槽的破坏,与图14所示的结构相比,可以降低因第二电极连续性破坏而导致的功耗增加甚至显示不良的风险。需要说明的是,在该些实施例中,同一个像素单元中,出射非最短波长光的发光器件的凹槽的开口可以相对,具体如图15所示的情况;或者,出射非最短波长光的发光器件的凹槽的开口可以不相对,具体如下图16所示的情况;或者,出射非最短波长光的发光器件之间不设置所述凹槽,仅在出射最短波长光的发光器件与出射非最短波长光的发光器件之间设置所述凹槽。
例如,在本公开另一些实施例提供的显示面板中,相邻且出射不同波长光的至少三个发光器件构成一个像素单元,任一发光器件的凹槽在基底所在面上的非闭合环形正投影的开口与相邻的其它发光器件的凹槽在基底所在面上的非闭合环形正投影的边对应,且每个像素单元中的凹槽在基底所在面上的非闭合环形正投影的开口朝向彼此不同。示例性的,如图16所示,像素单元P5中的每个子像素的中的凹槽开口朝向都不相同。此外,所有的子像素中的凹槽的开口都不会相对。如此,可以避免相邻的发光器件之间出现电流串扰的情况。
需要说明的是,在实际工艺中,子像素的排布方式也可以存在多种,如此,本公开的实施例中如图13-图15所示的凹槽的排布方式可以根据具体选择的子像素的具体排布方式进行调整。示例性的,在显示面板中的任意相邻的子像素中的凹槽的开口朝向都不相对的情形下,子像素的阵列排列方式可以呈现为如图13所示的多行、多列(行方向和列方向可以彼此垂直或者非垂直式交叉,图13所示情形为后者);或者,子像素的阵列排列方式可以呈现为如图16所示的多列排布,而子像素B单独排布为多列,而子像素R和子像素G共同排布为多列,子像素R和子像素G排布而成的列和子像素B排布而成的列交替排布,在子像素R和子像素G排布而成的每个列中,子像素R和子像素G交替排布,如此,每个子像素B和相邻列的相邻子像素R和子像素G可以组成一个像素单元P5。例如,各个子像素B中的凹槽的开口朝向相同且与列方向平行,位于同一列中的子像素R和子像素G的凹槽的开口朝向相反且与列方向垂直,如此,任意相邻的子像素的凹槽的开口都不相对。
需要说明的是,在本公开的实施例中,可以对所有的子像素设计凹槽,也可以针对容易导致电流串扰的特定子像素单独设计凹槽,以减少因设置凹槽而可能给显示面板的结构带来的不良影响。
例如,在本公开另一些实施例提供的显示面板中,相邻且出射不同波长光的至少三个发光器件构成一个像素单元,凹槽在基底所在面上的正投影为非闭合环形,仅出射非最短波长光的发光器件所对应的通孔中设置有凹槽,且每个像素单元中,相邻且出射非最短波长光的发光器件的凹槽的开口相对。示例性的,可以对图15所示的结构改造以获得如图17所示的结构,具体如图17所示,在每个像素单元P3、P4中,子像素R和子像素G中设置有凹槽,而子像素B中未设置凹槽,且子像素R和子像素G中的凹槽的开口彼此相对,从而不会朝向子像素B。如此,可以减少凹槽的设计面积,以降低第二电极在凹槽所在的区域附近断裂的风险,此外,该设计仍可以避免子像素B的电流向子像素R和子像素G传输,以降低进入子像素R和子像素G的串扰电流的大小,从而降低电流串扰造成的不良影响。
例如,在本公开一些实施例提供的显示面板中,相邻且出射不同波长光的至少三个发光器件构成一个像素单元,凹槽在基底所在面上的正投影为非闭合环形,仅出射最短波长光的发光器件所对应的通孔中设置有凹槽,且出射最短波长光的发光器件的凹槽的开口与至少一个相邻且出射最短波长光的发光器件的凹槽的开口相对。示例性的,可以对图15所示的结构改造以获得如图18所示的结构,具体如图18所示,在每个像素单元P3、P4中,子像素R和子像素G中未设置凹槽,而子像素B中设置有凹槽,且像素单元P3中的子像素B的凹槽的开口和相邻的像素单元P4中的子像素B的凹槽的开口彼此相对,从而像素单元P3、P4中的子像素B的凹槽的开口不会朝向子像素R和子像素G。如此,可以减少凹槽的设计面积,以降低第二电极在凹槽所在的区域附近断裂的风险,此外,该设计仍可以避免子像素B的电流向子像素R和子像素G传输,以降低进入子像素R和子像素G的串扰电流的大小,从而降低电流串扰造成的不良影响。
在本公开另一些实施例提供的显示面板中,相邻且出射不同波长光的至少三个发光器件构成一个像素单元。凹槽在所述基底所在面上的正投影为直线段形,且出射最短波长光线的发光器件所对应的通孔中设置有至少一个凹槽,且凹槽位于出射最短波长光线的发光器件的第一电极和相邻的出射非最短波长光线的发光器件之间。如此,允许选择仅对容易输出串扰电流或者受串扰电流影响的发光器件所在的区域进行凹槽设计,从而降低凹槽在整个显示面板所占的设计面积,保证开口率(凹槽的设计使得开口率是降低的),以保证显示图像的亮度;此外,出射不同波长光线的发光器件的发光层通常在不同的制备工艺中获得,如此,未对应设置凹槽的发光器件的制备工艺不会受到凹槽的影响,从而简化制备工艺流程;另外,可以尽量降低设置凹槽而导致的第二电极出现诸如大面积断裂带来的风险。示例性的,如图19所示,仅子像素B中设置有凹槽,子像素R和子像素G中都没有设置凹槽,且在每个像素单元P6、P7中,子像素R和子像素G的任一个和子像素B的发光器件的第一电极(例如阳极)之间都被凹槽隔开,即,子像素B的朝向子像素R和子像素G的方向上都具有凹槽。此外,像素单元P6中的子像素R和子像素G的任一个和相邻的像素单元P7中子像素B的发光器件的第一电极(例如阳极)之间都被凹槽隔开。如此,可以避免子像素B的电流向子像素R和子像素G传输,以降低进入子像素R和子像素G的串扰电流的大小,从而降低电流串扰造成的不良影响。
在本公开另一些实施例提供的显示面板中,相邻且出射不同波长光的至少三个发光器件构成一个像素单元,凹槽在所述基底所在面上的正投影为直线段形,出射非最短波长光线的发光器件所对应的通孔中设置有至少一个凹槽,且凹槽位于出射非最短波长光线的发光器件的第一电极和相邻的出射最短波长光线的发光器件之间。如此,允许选择仅对容易输出串扰电流或者受串扰电流影响的发光器件所在的区域进行凹槽设计,从而降低凹槽在整个显示面板所占的设计面积,保证开口率(凹槽的设计使得开口率是降低的),以保证显示图像的亮度;此外,出射不同波长光线的发光器件的发光层通常在不同的制备工艺中获得,如此,未对应设置凹槽的发光器件的制备工艺不会受到凹槽的影响,从而简化制备工艺流程;另外,可以尽量降低设置凹槽而导致的第二电极出现诸如大面积断裂带来的风险。示例性的,如图20所示,子像素B中没有设置有凹槽,子像素R和子像素G中都设置有凹槽,且在每个像素单元P8、P9中,子像素R的发光器件的第一电极和子像素G的发光器件的第一电极的任一个和子像素B之间都被凹槽隔开,即,子像素R和子像素G中的任一个的朝向子像素B的方向上都具有凹槽。此外,像素单元P8中的子像素R的发光器件的第一电极和子像素G的发光器件的第一电极中的任一个和相邻的像素单元P9中的子像素B之间都被凹槽隔开。如此,可以避免子像素B漏出的电流进入子像素R和子像素G,以降低进入子像素R和子像素G的串扰电流的大小,从而降低电流串扰造成的不良影响。
例如,本公开至少一个实施例提供的显示面板还可以包括位于显示阵列层的背离基底一侧的封装层,封装层覆盖显示器件以至少对显示器件进行保护;或者显示面板还可以包括封装盖板,该封装盖板和显示面板对置,两者围成的盒体的周边填充封框胶以实现封装。
例如,本公开至少一个实施例提供的显示面板还可以包括触控结构,以具备触控功能。例如,该触控结构可以为触控面板或者触控层,触控面板可以通过贴合的方式设置在显示面板上,例如设置为显示面板的出光侧;触控层可以直接在显示面板的封装层或者封装盖板上制备,以有利于显示面板的轻薄化设计。
例如,本公开的实施例中的显示面板可以为电视、数码相机、手机、手表、平板电脑、笔记本电脑、导航仪等任何具有显示功能的产品或者部件。
需要说明的是,为表示清楚,并没有叙述上述的显示面板的全部结构。为实现显示面板的必要功能,本领域技术人员可以根据具体应用场景进行设置其他结构,本公开的实施例对此不作限制。
本公开至少一个实施例提供一种显示面板的制备方法,该制备方法包括:提供基底;在基底上形成多个彼此间隔的第一电极;在形成有第一电极的基底形成像素界定层,像素界定层中形成有暴露第一电极的至少部分的通孔;在通孔中形成发光功能层,且发光功能层的至少部分以蒸镀方式形成;以及在发光功能层上形成第二电极。在至少一个通孔中,第一电极的边缘的一部分与像素界定层接触,且第一电极的边缘的另一部分和像素界定层间隔,以使得第一电极和像素界定层之间形成凹槽。在该制备方法获得的显示面板中,凹槽的设置使得第一电极的边缘出现段差,在制备发光功能层时,发光功能层的位于第一电极上的部分和位于凹槽中的部分因为该段差而出现错位,即,发光功能层的膜层连续性被破坏,如此,在驱动发光器件时,电流难以通过发光功能层经由凹槽所在的区域传输至相邻的发光器件中,这降低了相邻发光器件间出现电流串扰的风险,从而也提高了显示图像的对比度。该制备方法所获得的显示面板的结构可以参见如图1~图12所示的实施例中的相关描述,在此不作赘述。
在本公开一些实施例提供的显示面板的制备方法中,基底包括平坦层,平坦层形成在基底的面向像素界定层的一侧,凹槽包括子凹槽和由第一电极和像素界定层围设成的子开口,在基底所在面上,子开口的正投影和子凹槽的正投影重合,子凹槽形成在平坦层中,形成凹槽的方法可以包括:在形成有平坦层的基底上制备第一电极之后,涂覆像素界定材料层,该像素界定材料层进行构图工艺以形成通孔,像素界定材料层的剩余部分形成像素界定层,通孔的部分边缘和第一电极的部分边缘间隔(该间隔区域为子开口),在形成通孔的过程中,刻蚀完像素界定材料层的位于通孔中的部分之后,继续刻蚀平坦层,在刻蚀平坦层的过程中,位于通孔中的第一电极和用于界定通孔的像素界定层充当了平坦层的刻蚀掩膜,从而在平坦层中形成和子开口对应的子凹槽。该制备方法所获得的显示面板的结构可以参见如图8和图9所示的实施例中的相关描述,在此不作赘述。
在本公开的实施例中,构图工艺可以为光刻构图工艺,例如可以包括:在需要被构图的结构层上涂覆光刻胶,使用掩模板对光刻胶进行曝光,对曝光的光刻胶进行显影以得到光刻胶图案,使用光刻胶图案对结构层进行蚀刻(可选湿刻或者干刻),然后可选地去除光刻胶图案。需要说明的是,在结构层(例如像素界定层)的材料包括光刻胶的情况下,可以通过掩模板对该结构层直接曝光以形成所需要的图案。
在本公开另一些实施例提供的显示面板的制备方法中,基底包括平坦层,平坦层形成在基底的面向像素界定层的一侧,凹槽包括子凹槽和由第一电极和像素界定层围设成的子开口,在基底所在面上,子开口的正投影和子凹槽的正投影重合,平坦层的面向像素界定层一侧表面设置有凹陷结构,凹陷结构设置为由平坦层以第一电极为掩膜进行减薄形成,且像素界定层覆盖凹陷结构的部分区域,以使得像素界定层的位于通孔中的侧壁和凹陷结构的侧壁共同围设子凹槽,形成凹槽的方法可以包括:在形成有平坦层的基底上制备第一电极之后,以第一电极为掩膜对平坦层进行构图工艺,以对平坦层的未覆盖第一电极的部分进行减薄,从而在平坦层中形成凹陷结构;然后涂覆像素界定材料层,该像素界定材料层进行构图工艺以形成通孔,像素界定材料层的剩余部分形成像素界定层,像素界定层位于凹陷结构中,通孔的部分边缘和第一电极的部分边缘间隔以界定出子开口,通孔的部分侧壁和凹陷结构的部分侧壁间隔以界定出和子开口对应的子凹槽。该制备方法所获得的显示面板的结构可以参见如图10和图11所示的实施例中的相关描述,在此不作赘述。
以上所述仅为本公开的较佳实施例而已,并不用以限制本公开,凡在本公开的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换等,均应包含在本公开的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
基底;
像素界定层,位于所述基底上且设置有多个通孔;
多个发光器件,每个所述发光器件包括叠置的第一电极、发光功能层和第二电极,所述发光功能层位于所述通孔中;
其中,在所述基底所在面上,所述第一电极的正投影至少部分位于对应的所述通孔的正投影之内,以及
在至少一个所述通孔中,所述第一电极的边缘的一部分与所述像素界定层接触,且所述第一电极的边缘的另一部分和所述像素界定层间隔,以使得所述第一电极和所述像素界定层之间具有凹槽。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,每个所述发光功能层包括发光层以及位于所述发光层和所述第一电极之间的第一公共膜层,多个所述发光器件共用所述第一公共膜层,
在设置有所述凹槽的所述通孔中,所述第一公共膜层包括位于所述第一电极上的第一子膜层和位于所述凹槽中的第二子膜层,以及
所述第一公共膜层的厚度小于或等于所述凹槽的深度,以使得所述第一子膜层和所述第二子膜层在所述第一电极和所述凹槽的段差交界处彼此断开,
优选地,所述第一公共膜层包括空穴传输层和空穴注入层中的至少一个。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,
在设置有所述凹槽的所述通孔中,所述发光层包括位于所述第一电极上的第一子发光层和位于所述凹槽中的第二子发光层,所述第一子发光层和所述第二子发光层在所述第一电极和所述凹槽的段差交界处彼此断开,且所述第一子发光层和所述第二子发光层之间的段差与所述凹槽的深度基本相等;或者
在设置有所述凹槽的所述通孔中,所述发光层为覆盖所述第一电极和所述凹槽的连续膜层,优选地,所述发光层的背离所述基底的表面为平面,所述第二电极的位于所述通孔中且背离所述基底的表面为平面。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述基底包括平坦层,所述平坦层位于所述基底的面向所述像素界定层的一侧,所述凹槽包括子凹槽和由所述第一电极和所述像素界定层围设成的子开口,在所述基底所在面上,所述子开口的正投影和所述子凹槽的正投影重合,以及
所述子凹槽形成在所述平坦层中;或者
所述平坦层的面向所述像素界定层一侧表面设置有凹陷结构,所述通孔中的侧壁和所述凹陷结构的侧壁共同围设所述子凹槽。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的显示面板,其特征在于,相邻且出射不同波长光的至少三个所述发光器件构成一个像素单元,以及
出射最短波长光线的所述发光器件所对应的通孔中设置有所述凹槽,且所述凹槽位于出射最短波长光线的所述发光器件的第一电极和相邻的出射非最短波长光线的所述发光器件之间,和/或出射非最短波长光线的所述发光器件所对应的通孔中设置有所述凹槽,且所述凹槽位于出射非最短波长光线的所述发光器件的第一电极和相邻的出射最短波长光线的所述发光器件之间,
优选地,最短波长光线为蓝光,且非最短波长光线为红光和绿光中的一种或组合。
6.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,
所述凹槽在所述基底所在面上的正投影环绕所述第一电极在所述基底所在面上的正投影的一部分,
优选地,所述凹槽在所述基底所在面上的正投影为直线段形。
7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,
所述凹槽的由所述像素界定层界定的侧壁在所述基底所在面上的正投影的长度,为所述通孔的朝向所述基底的一端在所述基底所在面上的正投影的周长的5%~95%,
优选地,每个所述通孔由所述像素界定层的多个侧壁围设形成,在设置有所述凹槽的所述通孔中,所述多个侧壁的部分侧壁与所述第一电极接触,所述多个侧壁的其它侧壁与所述第一电极间隔。
8.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述凹槽在所述基底所在面上的正投影为非闭合环形,以及
每个所述通孔中都设置有所述凹槽,且所述凹槽的开口朝向相同;或者
每个所述通孔中都设置有所述凹槽,且在每个所述像素单元中,出射非最短波长光的所述发光器件的所述凹槽的开口与出射最短波长光的所述发光器件的所述凹槽的边对应,出射非最短波长光的所述发光器件中的至少两个的所述凹槽的开口相对;或者
每个所述通孔中都设置有所述凹槽,任一所述发光器件的所述凹槽的开口与相邻的其它所述发光器件的所述凹槽的边对应,且每个所述像素单元中的所述凹槽的开口朝向彼此不同;或者
每个所述通孔中都设置有所述凹槽,至少一个像素单元中出射最短波长光的所述发光器件的凹槽的开口,与至少一个相邻的像素单元中出射最短波长光的所述发光器件的凹槽的开口相对;或者
每个所述通孔中都设置有所述凹槽,任一所述发光器件的凹槽的开口与相邻的所述发光器件的凹槽的边对应,且每个所述像素单元中,位于不同的所述发光器件中的所述凹槽的开口朝向彼此不同;或者
仅出射最短波长光的所述发光器件所对应的通孔中设置有所述凹槽,且出射最短波长光的所述发光器件的所述凹槽的开口与至少一个相邻且出射最短波长光的所述发光器件的所述凹槽的开口相对;或者
仅出射非最短波长光的所述发光器件所对应的通孔中设置有所述凹槽,且每个所述像素单元中,相邻且出射非最短波长光的所述发光器件的所述凹槽的开口相对。
9.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述凹槽在所述基底所在面上的正投影为直线段形,以及
出射最短波长光的发光器件所对应的通孔中设置有至少一个所述凹槽,且所述凹槽位于出射最短波长光线的发光器件的第一电极和相邻的出射非最短波长光的所述发光器件之间;和/或
出射非最短波长光线的所述发光器件所对应的通孔中设置有至少一个所述凹槽,且所述凹槽位于出射非最短波长光线的发光器件的第一电极和相邻的出射最短波长光线的所述发光器件之间。
10.一种根据权利要求1-8中任一项所述的显示面板的制备方法,其特征在于,包括:
提供基底;
在所述基底上形成多个彼此间隔的第一电极;
在形成有所述第一电极的所述基底形成像素界定层,所述像素界定层中形成有暴露所述第一电极的至少部分的通孔;
在所述通孔中形成发光功能层,且所述发光功能层的至少部分以蒸镀方式形成;以及
在所述发光功能层上形成第二电极;
其中,在至少一个所述通孔中,所述第一电极的边缘的一部分与所述像素界定层接触,且所述第一电极的边缘的另一部分和所述像素界定层间隔,以使得所述第一电极和所述像素界定层之间形成凹槽。
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