CN116209313A - 显示基板及其制作方法和显示装置 - Google Patents

Abstract

提供一种显示基板及其制作方法和显示装置。显示基板包括：多个子像素，位于衬底基板的主表面上，子像素包括发光元件，发光元件具有发光区，发光元件包括第一电极、发光功能层、以及第二电极，发光功能层包括多个子功能层；以及隔断结构，位于相邻子像素的发光区之间，并包括层叠设置的第一隔断部和第二隔断部，第一隔断部位于第二隔断部的靠近衬底基板的一侧，第二隔断部具有突出部，突出部相对于第一隔断部的靠近第二隔断部的一侧突出，发光功能层的至少一个子功能层在突出部处断开，第一隔断部的材料包括有机材料，第二隔断部的材料包括有机材料，沿从第一电极指向第二电极的方向上，隔断结构在衬底基板上的正投影逐渐减小再逐渐增大。

Description

显示基板及其制作方法和显示装置

技术领域

本公开的实施例涉及一种显示基板及其制作方法和显示装置。

背景技术

随着显示技术的不断发展，有机发光二极管(OLED)显示装置因其广色域、高对比度、轻薄设计、自发光、以及宽视角等优点已经成为当前各大厂商的研究热点和技术发展的方向。

目前，有机发光二极管显示装置已经广泛地应用到各种电子产品中，小到智能手环、智能手表、智能手机、平板电脑等电子产品，大到笔记本电脑、台式电脑、电视机等电子产品。因此，市场对于有源矩阵有机发光二极管显示装置的需求也日益旺盛。

发明内容

本公开的实施例提供一种显示基板及其制作方法和显示装置。

本公开的实施例提供一种显示基板，包括：衬底基板；多个子像素，位于所述衬底基板的主表面上，所述子像素包括发光元件，所述发光元件具有发光区，所述发光元件包括第一电极、发光功能层、以及第二电极，所述第二电极位于所述发光功能层的背离所述衬底基板的一侧，所述第一电极位于所述发光功能层的靠近所述衬底基板的一侧，所述发光功能层包括多个子功能层；以及隔断结构，位于相邻子像素的发光区之间，并包括层叠设置的第一隔断部和第二隔断部，所述第一隔断部位于所述第二隔断部的靠近所述衬底基板的一侧；所述第二隔断部具有突出部，所述突出部相对于所述第一隔断部的靠近所述第二隔断部的一侧突出，所述发光功能层的至少一个子功能层在所述突出部处断开，所述第一隔断部的材料包括有机材料，所述第二隔断部的材料包括有机材料，沿从所述第一电极指向所述第二电极的方向上，所述隔断结构在所述衬底基板上的正投影逐渐减小再逐渐增大。

根据本公开的实施例提供的显示基板，所述第二隔断部与所述第一隔断部接触。

根据本公开的实施例提供的显示基板，所述隔断结构呈葫芦型或沙漏型。

根据本公开的实施例提供的显示基板，所述隔断结构包括底面、顶面和位于所述底面和所述顶面之间的两个侧面，所述侧面呈V字型，两个V字的底部相对设置。

根据本公开的实施例提供的显示基板，在所述隔断结构的同一侧，所述第一隔断部的侧面和所述第二隔断部的侧面之间的夹角大于或等于60度且小于或等于150度。

根据本公开的实施例提供的显示基板，所述第二隔断部的靠近所述隔断结构的顶面的部分与所述顶面之间的夹角为锐角，所述锐角大于或等于60度且小于或等于80度。

根据本公开的实施例提供的显示基板，所述第二隔断部的靠近所述隔断结构的顶面的部分与所述顶面之间的夹角为钝角，所述钝角大于110度且小于或等于160度。

根据本公开的实施例提供的显示基板，显示基板还包括：像素限定图案，包括多个开口，所述开口被配置为限定所述子像素的所述发光区，所述开口被配置为暴露所述第一电极的至少一部分，所述像素限定图案包括与所述第一隔断部位于同一层的部分。

根据本公开的实施例提供的显示基板，所述像素限定图案与所述第一隔断部至少部分分离，所述像素限定图案与所述第一隔断部均与同一绝缘层接触并位于该绝缘层之上。

根据本公开的实施例提供的显示基板，所述像素限定图案包括位于两个相邻开口之间的第一像素限定部和第二像素限定部，所述隔断结构位于所述第一像素限定部和所述第二像素限定部之间，所述隔断结构和所述第一像素限定部之间具有第一凹陷，所述隔断结构和所述第二像素限定部之间具有第二凹陷。

根据本公开的实施例提供的显示基板，所述突出部在所述衬底基板上的正投影与所述第一电极在所述衬底基板上的正投影至少部分交叠。

根据本公开的实施例提供的显示基板，所述像素限定图案与所述隔断结构为一体结构。

根据本公开的实施例提供的显示基板，所述第一隔断部的材料包括正性光刻胶，所述第二隔断部的材料包括负性光刻胶。

根据本公开的实施例提供的显示基板，所述发光功能层包括层叠设置的电荷产生层、第一发光层和第二发光层，所述第一发光层位于所述第一电极和所述电荷产生层之间，所述第二发光层位于所述第二电极和所述电荷产生层之间，所述电荷产生层在所述突出部处断开。

根据本公开的实施例提供的显示基板，所述发光功能层还包括位于所述第一电极和所述第一发光层之间的第一电荷传输层以及位于所述第一发光层和所述电荷产生层之间的第二电荷传输层，所述第一电荷传输层和所述第二电荷传输层在所述突出部处断开。

根据本公开的实施例提供的显示基板，所述隔断结构包括至少一个隔断子结构，所述至少一个隔断子结构在所述衬底基板上的正投影至少环绕所述发光区在所述衬底基板上的正投影的二分之一。

根据本公开的实施例提供的显示基板，所述隔断结构呈环形，以围绕所述发光区，所述第二电极在所述突出部处连续。

根据本公开的实施例提供的显示基板，显示基板还包括像素电路，所述像素电路被配置为驱动所述发光元件发光，所述显示基板还包括平坦化层，所述第一电极通过贯穿所述平坦化层的过孔与所述像素电路相连，所述第一电极和所述第一隔断部均位于所述平坦化层上。

根据本公开的实施例提供的显示基板，所述第一电极和所述第一隔断部均与所述平坦化层接触。

根据本公开的实施例提供的显示基板，所述像素电路包括电容，所述电容在所述衬底基板上的正投影与所述隔断结构在所述衬底基板上的正投影至少部分交叠。

根据本公开的实施例提供的显示基板，显示基板还包括导电结构，所述导电结构被配置为向所述像素电路提供信号，所述导电结构位于所述隔断结构和所述衬底基板之间，所述导电结构在所述衬底基板上的正投影与所述隔断结构在所述衬底基板上的正投影交叠。

根据本公开的实施例提供的显示基板，所述导电结构位于相邻子像素的发光区之间，所述导电结构与所述第二电极电连接。

根据本公开的实施例提供的显示基板，所述隔断结构在平行于所述主表面的平面内的最小尺寸大于相邻子像素的第一电极之间的间距。

根据本公开的实施例提供的显示基板，所述隔断结构在平行于所述主表面的平面内的最大尺寸大于或等于相邻子像素的第一电极之间的间距的五分之一。

本公开的实施例还提供一种显示装置，包括上述任一显示基板。

本公开的实施例还提供一种显示基板的制作方法，包括：在衬底基板的主表面上形成多个子像素，所述子像素包括发光元件，所述发光元件具有发光区，所述发光元件包括第一电极、发光功能层、以及第二电极，所述第二电极位于所述发光功能层的背离所述衬底基板的一侧，所述第一电极位于所述发光功能层的靠近所述衬底基板的一侧，所述发光功能层包括多个子功能层；以及在相邻子像素的发光区之间形成隔断结构，形成所述隔断结构包括形成层叠设置的第一隔断部和第二隔断部，所述第一隔断部位于所述第二隔断部的靠近所述衬底基板的一侧；所述第二隔断部具有突出部，所述突出部相对于所述第一隔断部的靠近所述第二隔断部的一侧突出，所述发光功能层的至少一个子功能层在所述突出部处断开，所述第一隔断部的材料包括有机材料，所述第二隔断部的材料包括有机材料，沿从所述第一电极指向所述第二电极的方向上，所述隔断结构在所述衬底基板上的正投影逐渐减小再逐渐增大。

根据本公开的实施例提供的制作方法，形成层叠设置的所述第一隔断部和所述第二隔断部包括：形成正性光刻胶薄膜；在所述正性光刻胶薄膜上形成负性光刻胶薄膜；对所述负性光刻胶薄膜进行构图形成所述第二隔断部；以及以所述第二隔断部为掩膜对所述正性光刻胶薄膜进行构图，形成所述第一隔断部。

附图说明

为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施例，而非对本公开的限制。

图1为发光元件的示意图。

图2为一种显示基板的示意图。

图3为本公开的实施例提供的一种显示基板的剖视图。

图4为图3中的隔断结构处的放大图。

图5为本公开的实施例提供的另一种显示基板的剖视图。

图6为图5中的隔断结构处的放大图。

图7为本公开的实施例提供的另一种显示基板的剖视图。

图8为图7中的隔断结构处的放大图。

图9A为本公开的实施例提供的一种显示基板的隔断结构处的示意图。

图9B为本公开的实施例提供的一种显示基板的隔断结构处的示意图。

图10为本公开的实施例提供的显示基板中的发光元件的示意图。

图11为本公开一实施例提供的另一种显示基板的平面示意图。

图12为本公开一实施例提供的另一种显示基板的平面示意图。

图13为一种显示基板中的像素电路和发光元件的示意图。

图14A为本公开一实施例提供的显示基板的示意图。

图14B为本公开另一实施例提供的显示基板的示意图。

图15为本公开一实施例提供的一种显示装置的示意图。

图16A至图16D为本公开的实施例提供的一种显示基板的制作方法的示意图。

图17A为负性光刻胶经曝光显影后的截面示意图。

图17B为正性光刻胶经曝光显影后的截面示意图。

图18A至图18C为本公开的实施例提供的一种显示基板的制作方法的示意图。

具体实施方式

为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。

除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。

随着显示技术的不断发展，人们对于显示品质的追求也越来越高。为了进一步降低功耗并实现高亮度，可将OLED显示面板中的发光元件中的一个发光层替换为两个发光层，并在该两个发光层之间增加电荷产生层(CGL)，使用N/P-CGL作为异质结，将两个发光器件结构串联，形成双叠层设计，构成Tandem结构，Tandem结构的显示基板实现了双发光器件串联，在相同发光强度下，极大地降低了发光元件的发光电流，提升了发光元件的寿命，有利于车载等高寿命新技术开发量产。Tandem结构的显示装置具有寿命长、功耗低、亮度高等优点。

图1为发光元件的示意图。图1(a)为通常的发光元件的示意图。图1(b)为一种具有Tandem结构的发光元件的示意图。如图1(b)所示，Tandem结构的不同发光元件之间的电荷产生层(CGL)是相连的。

图1示出了第一电极E1、第二电极E2、空穴传输层HTL、电子传输层ETL、光耦合层CPL、增透层ARL、P型掺杂的电荷产生层P-CGL、N型掺杂的电荷产生层N-CGL、发光层R、发光层G、发光层B。发光层R包括分别含有发光材料R1和发光材料R2的两个子层，发光层G包括分别含有发光材料G1和发光材料G2的两个子层，发光层B包含发光材料B1和发光材料B2。发光材料R1和发光材料R2为发红光的两种不同的材料，发光材料G1和发光材料G2为发绿光的两种不同的材料，发光材料B1和发光材料B2为发蓝光的两种不同的材料。

图2为一种显示基板的示意图。如图2所示，显示基板包括平坦化层PLN1、平坦化层PLN2、像素限定层PDL、电极E1、发光功能层FL、电极E2以及封装层EPS。图1示出了发光元件EM01和发光元件EM02，发光元件EM01和发光元件EM02的电荷产生层(CGL)可为一体结构，采用开口掩膜来制作。

然而，发明人注意到，对于高分辨率的产品而言，由于电荷产生层具有较强的导电性，而相邻的子像素的发光功能层(这里指包括两个发光层和电荷产生层的膜层)是相连的，因此电荷产生层容易导致相邻子像素之间的串扰，影响产品画质，从而严重地影响显示品质。

例如，相邻子像素之间的串扰是指应该不发光的发光元件发光的情况。如图2所示，若想要的情况是发光元件EM01发光，而发光元件EM02不发光，但因电荷产生层的导电性，使得发光元件EM02也发光，从而形成串扰。

图3为本公开的实施例提供的一种显示基板的剖视图。图4为图3中的隔断结构处的放大图。图5为本公开的实施例提供的另一种显示基板的剖视图。图6为图5中的隔断结构处的放大图。图7为本公开的实施例提供的另一种显示基板的剖视图。图8为图7中的隔断结构处的放大图。图9A为本公开的实施例提供的一种显示基板的隔断结构处的示意图。图9B为本公开的实施例提供的一种显示基板的隔断结构处的示意图。

如图3、图5和图7所示，本公开的实施例提供一种显示基板包括：衬底基板BS、多个子像素SP、以及隔断结构10。

如图3和图5所示，多个子像素SP位于衬底基板BS的主表面SF0上，子像素SP包括发光元件EMC，发光元件EMC具有发光区R0。图7也示出了发光元件EMC以及发光区R0。

如图3、图5和图7所示，发光元件EMC包括第一电极E1、发光功能层FL、以及第二电极E2，第二电极E2位于发光功能层FL的背离衬底基板BS的一侧，第一电极E1位于发光功能层FL的靠近衬底基板BS的一侧，发光功能层FL包括多个子功能层。

例如，第一电极E1采用导电材料制作。例如，第一电极E1的材料包括金属和导电的金属氧化物。例如，第一电极E1采用氧化铟锡(ITO)、银(Ag)、氧化铟锡(ITO)层叠设置的结构。第一电极E1的材料和结构可根据需要设置。

例如，第二电极E2采用导电材料制作。例如，第二电极E2的材料包括金属或合金。例如，第二电极E2的材料包括Mg/Ag合金。第二电极E2的材料和结构可根据需要设置。

例如，不同子像素的第二电极E2电连接，以利于提供相同的电压信号。

如图3、图5和图7所示，隔断结构10位于相邻子像素SP的发光区R0之间，并包括层叠设置的第一隔断部11和第二隔断部12，第一隔断部11位于第二隔断部12的靠近衬底基板BS的一侧；第二隔断部12具有突出部PR，突出部PR突出于第一隔断部11，例如，突出部PR相对于第一隔断部11的靠近第二隔断部12的一侧突出；发光功能层FL的至少一个子功能层在突出部PR处断开，沿从第一电极E1指向第二电极E2的方向上，隔断结构10在衬底基板BS上的正投影逐渐减小再逐渐增大。例如，从第一电极E1指向第二电极E2的方向为方向Z。隔断结构10先缩窄再增宽的结构利于隔断发光功能层FL的至少一个子功能层。

例如，如图3、图5和图7所示，突出部PR相对于第一隔断部11的顶面突出。

例如，一个元件在突出部PR处断开包括在突出部PR的侧面处断开。

例如，第一隔断部11的材料包括有机材料，第二隔断部12的材料包括有机材料。例如，有机材料包括树脂，但不限于此。例如，有机材料包括亚克力或聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚酰胺、聚碳酸酯、环氧树脂等中的一种或几种的组合。例如，第一隔断部11的材料可包括光刻胶，第二隔断部12的材料可包括光刻胶。

例如，第二隔断部12的材料与第一隔断部11的材料不同。

例如，如图3、图5和图7所示，第二隔断部12的截面呈倒梯形，但不限于此，第二隔断部12的截面也可以采用其他适合的形状。

如图3、图5和图7所示，多个子像素SP包括子像素SP1和子像素SP2。子像素SP1和子像素SP2为两个相邻的子像素。显示基板上设置的子像素的个数不限于图中所示，可根据需要而定。

在本公开的实施例中，发光功能层FL包括的子功能层的数量可根据需要来设置。

在本公开的实施例提供的显示基板中，可通过在相邻的子像素之间设置隔断结构，并使得发光功能层中的多个子功能层中的至少一个在隔断结构所在的位置断开，增大发光功能层FL中的导电率较高的子功能层的电阻，从而减轻多个子功能层中导电率较高的膜层造成相邻子像素之间的串扰。

本公开的实施例提供的显示基板，隔断结构10在形成第一电极E1之后形成，不需改变显示基板的背板结构，无涂胶孔晕等风险。并且，隔断结构10设置在发光元件的第一电极E1之间，使得隔断结构10有较大的设置空间，利于设置不同结构的隔断结构10。

如图3和图5所示，根据本公开的实施例提供的显示基板，隔断结构10呈沙漏型。如图7所示，隔断结构10呈葫芦型或倒葫芦型，在截面图中，隔断结构10的第一隔断部11和第二隔断部12的接触位置处缩窄，隔断结构10的靠近衬底基板BS的一端和远离衬底基板BS的一端的尺寸大于隔断结构10的缩窄位置处的尺寸。

如图3、图5和图7所示，隔断结构10可以设置在显示基板的显示区的子像素之间。

如图4、图6和图8所示，根据本公开的实施例提供的显示基板，隔断结构10包括底面SF1、顶面SF2和位于底面SF1和顶面SF2之间的两个侧面SF3，侧面SF3呈V字型，两个V字的底部相对设置。

如图3、图5和图7所示，根据本公开的实施例提供的显示基板，显示基板还包括：像素限定图案PDL，包括多个开口OPN，开口OPN被配置为限定子像素SP的发光区R0，开口OPN被配置为暴露第一电极E1的至少一部分。

如图3至图6所示，像素限定图案PDL与第一隔断部11位于同一层。在本公开的实施例中，两个元件位于同一层是指该两个元件由同一膜层构图而成。

如图3至图6所示，根据本公开的实施例提供的显示基板，像素限定图案PDL与第一隔断部11至少部分分离，像素限定图案PDL与第一隔断部11均与同一绝缘层接触并位于该绝缘层之上。图3至图6示出了像素限定图案PDL与第一隔断部11均与平坦化层PLN接触并位于平坦化层PLN之上。

如图3和图5所示，根据本公开的实施例提供的显示基板，像素限定图案PDL包括位于两个相邻开口OPN之间的第一像素限定部PDL1和第二像素限定部PDL2，隔断结构10位于第一像素限定部PDL1和第二像素限定部PDL2之间，隔断结构10和第一像素限定部PDL1之间具有第一凹陷RC1，隔断结构10和第二像素限定部PDL2之间具有第二凹陷RC2。

如图3和图5所示，第一凹陷RC1和第二凹陷RC2被封装层EPS填充。

在本公开的实施例中，如图3至图6所示，封装层EPS包括第一封装层EPS1、第二封装层EPS2、以及第三封装层EPS3。例如，第一封装层EPS1和第三封装层EPS3为无机层，可采用化学气相沉积(CVD)工艺形成。第二封装层EPS2为有机层，可采用喷墨打印工艺形成。如图3至图6所示，第二封装层EPS2的厚度大于第一封装层EPS1的厚度。如图3至图6所示，第二封装层EPS2的厚度大于第三封装层EPS3的厚度。

例如，封装层EPS覆盖整个显示基板，且在隔断结构处覆盖良好，防止发光元件被水氧侵蚀。本公开的实施例提供的隔断结构10，不仅能有效隔断发光功能层中的至少一个子功能层，还不影响封装层的薄膜封装效果。本公开的实施例提供的隔断结构10，不影响封装层EPS的成膜均一性，避免出现封装层的成膜不连续问题，防止发光元件被水汽入侵失效。

如图3和图5所示，因隔断结构10位于第一像素限定部PDL1和第二像素限定部PDL2之间，且与第一像素限定部PDL1和第二像素限定部PDL2分别具有间隔，突出部PR在衬底基板BS上的正投影与第一电极E1在衬底基板BS上的正投影不交叠。

例如，如图3和图5所示，第二隔断部12的靠近隔断结构10的顶面SF2的部分与顶面SF2之间的夹角A2为锐角，例如，锐角A2大于或等于60度且小于或等于80度。

例如，如图3和图5所示，第二隔断部12的厚度大于第一隔断部11的厚度的二分之一且小于或等于第一隔断部11的厚度。

例如，如图3和图5所示，第二隔断部12的厚度小于第一隔断部11的厚度。

如图3、图5和图7所示，根据本公开的实施例提供的显示基板，在隔断结构10的同一侧，为了提高封装效果，第一隔断部11的侧面和第二隔断部12的侧面之间的夹角A0大于或等于60度且小于或等于150度。例如，为了进一步提高封装效果，第一隔断部11的侧面和第二隔断部12的侧面之间的夹角A0大于90度且小于或等于150度。进一步例如，为了获得更好的封装效果，第一隔断部11的侧面和第二隔断部12的侧面之间的夹角A0大于90度且小于或等于120度。夹角A0的取值与封装效果有关。例如，构成夹角A0的两个边越平缓，越利于提高封装效果。当然，也可以采用其他方式来提高封装效果。

例如，除了调整夹角A0夹角外，降低第二电极E2(例如，阴极)的断线风险和提高封装层中的无机层的连续性。在隔断结构10处，还可以采用二次掩模的方式，增设辅助连接电极以使得不同子像素的第二电极E2相连，或者，也可以使得光耦合层CPL(如图1所示)导电。即，不同子像素的第二电极E2通过导电的光耦合层CPL相连。例如，封装层中的无机层采用化学气相沉积(CVD)方法制作。

例如，如图5和图6所示，第二隔断部12的靠近隔断结构10的顶面SF2的部分(隔断结构10的侧面)与顶面SF2之间的夹角A2为锐角，例如，为了利于隔断发光功能层，夹角A2大于或等于45度且小于或等于75度。例如，呈倒梯形的第二隔断部12的两个底角(夹角A2)中的每一个均大于或等于45度且小于或等于75度。

如图3和图5所示，根据本公开的实施例提供的显示基板，显示基板包括电容C0，电容C0包括极板Ca和极板Cb，电容C0在衬底基板BS上的正投影与隔断结构10在衬底基板BS上的正投影至少部分交叠。当然，在其他实施例或者在其他位置处，也可以是其他的结构或其他导线在衬底基板BS上的正投影与隔断结构10在衬底基板BS上的正投影至少部分交叠。这些与隔断结构10交叠的结构或导线可以位于第三导电图案层LY3。

如图3和图5所示，根据本公开的实施例提供的显示基板，显示基板还包括像素电路PXC，像素电路PXC被配置为驱动发光元件EMC发光，显示基板还包括平坦化层PLN，第一电极E1通过贯穿平坦化层的过孔V0与像素电路PXC相连，第一电极E1和第一隔断部11均位于平坦化层PLN上。

如图7和图8所示，隔断结构10与像素限定图案PDL为一体结构。

如图7和图8所示，像素限定图案PDL包括像素限定子层SL1和像素限定子层SL2。像素限定子层SL1与第一隔断部11为一体结构，像素限定子层SL2与第二隔断部12为一体结构。即，隔断结构10也同时作为像素限定图案PDL。

如图7和图8所示，根据本公开的实施例提供的显示基板，突出部PR在衬底基板BS上的正投影与第一电极E1在衬底基板BS上的正投影至少部分交叠。

如图7和图8所示，第二隔断部12的厚度大于第一隔断部11的厚度。例如，第二隔断部12的厚度为第一隔断部11的厚度的两倍以上。进一步例如，第二隔断部12的厚度为第一隔断部11的厚度的三倍以上。例如，第二隔断部12的厚度与第一隔断部11的厚度之比大于或等于2小于或等于6。

如图3和图5所示，在本公开的实施例中，一个元件的厚度是指该元件在垂直于衬底基板的主表面SF0的方向上的尺寸。图中示出了方向Z。方向Z即为垂直于衬底基板的主表面SF0的方向。如图3和图5所示，衬底基板的主表面SF0为用于制作各个元件的表面。

如图3至图8所示，根据本公开的实施例提供的显示基板，第二隔断部12与第一隔断部11接触。

例如，如图7和图8所示，第一隔断部11和第二隔断部12具有接触面CS，为了利于隔断发光功能层的至少一个子功能层的同时使得第二电极E2在突出部PR处不断开，第二隔断部12的靠近接触面CS的部分与接触面CS之间的夹角A1为钝角。例如，如图7和图8所示，夹角A1大于90度且小于或等于150度。夹角A1也可以采用其他的数值。

例如，如图7和图8所示，为了利于隔断发光功能层，第二隔断部12的靠近隔断结构10的顶面SF2的部分与顶面SF2之间的夹角A2为钝角。例如，为了更好的隔断发光功能层，夹角A2大于110度且小于或等于160度。

例如，如图7和图8所示，根据本公开的实施例提供的显示基板，第一隔断部11的材料包括正性光刻胶，第二隔断部12的材料包括负性光刻胶。从而，可利用正性光刻胶和负性光刻胶的性质来形成隔断结构10。

如图3至图8所示，第二电极E2与隔断结构10的侧面SF3的一部分相接触。如图3至图8所示，第二电极E2与隔断结构10的侧面SF3在隔断结构10的缩窄处接触。

如图3至图6所示，根据本公开的实施例提供的显示基板，第一电极E1和第一隔断部11均与平坦化层PLN接触。

如图7和图8所示，根据本公开的实施例提供的显示基板，第一电极E1和第一隔断部11均与平坦化层PLN2接触。

如图3和图5所示，根据本公开的实施例提供的显示基板，隔断结构10在平行于主表面的平面内的最小尺寸小于相邻子像素SP的第一电极E1之间的间距。

如图3和图5所示，根据本公开的实施例提供的显示基板，隔断结构10在平行于主表面的平面内的最大尺寸大于或等于相邻子像素SP的第一电极E1之间的间距的五分之一。

如图7和图8所示，根据本公开的实施例提供的显示基板，隔断结构10在平行于主表面的平面内的最小尺寸大于相邻子像素SP的第一电极E1之间的间距。

如图3至图6所示，显示基板包括缓冲层BF、栅绝缘层GI1、栅绝缘层GI2、层间绝缘层ILD。

图3和图5还示出了薄膜晶体管T0，薄膜晶体管T0包括栅极GE、有源层ACT、源极Ea、漏极Eb，第一电极E1与漏极Eb相连。薄膜晶体管的源极Ea和漏极Eb在结构上可相同，在称谓上可互换。例如，薄膜晶体管T0可为发光控制晶体管。

图3和图5还示出了电容的第一极板Ca和第二极板Cb。

如图3和图5所示，第一导电图案层LY1包括栅极GE和第一极板Ca，第二导电图案层LY2包括第二极板Cb，第三导电图案层LY3包括源极Ea和漏极Eb。

如图7和图8所示，根据本公开的实施例提供的显示基板，显示基板包括平坦化层PLN1和平坦化层PLN2。

为了清楚起见，在本公开的附图中，没有示出显示基板的所有结构。

图9A为本公开的实施例提供的显示基板的隔断结构处的示意图。图9B为本公开的实施例提供的显示基板的隔断结构处的示意图。

如图9A所示，发光功能层FL在隔断结构10的突出部处断开，形成发光功能部FL1和发光功能部FL2，发光功能部FL2位于隔断结构10上。即，发光功能层FL的每个子功能层均在隔断结构10的突出部处断开。

如图9A所示，第二电极E2在各处连续。即，第二电极E2没有被隔断结构10断开。第二电极E2的材料通常为金属或合金，金属或合金具有较好的爬坡性能。

图9B所示的结构与图9A所示的结构的区别在于：发光功能层FL的一部分子功能层在隔断结构10的突出部处断开，而另一部分子功能层在隔断结构10的突出部处不断开，形成功能子部FLa和功能子部FLb，功能子部FLa没有断开，而功能子部FLb形成断开的部分FLb1和FLb2。

图10为本公开的实施例提供的显示基板中的发光元件的示意图。如图10所示，根据本公开的实施例提供的显示基板，发光功能层FL包括层叠设置的电荷产生层40、第一发光层41和第二发光层42，第一发光层41位于第一电极E1和电荷产生层40之间，第二发光层42位于第二电极E2和电荷产生层40之间，电荷产生层40在突出部PR处断开。因电荷产生层40在隔断结构10处断开，使得电荷的传播路径较长，发光功能层中的电荷生成层的电阻较大，能有效避免相邻子像素之间的串扰。

例如，在一些实施例中，除了电荷产生层40在突出部PR处断开之外，电荷产生层40和第一电极E1之间的子功能层在突出部PR处也断开，而电荷产生层40和第二电极E2之间的子功能层在突出部PR处不断开。在另一些实施例中，除了电荷产生层40在突出部PR处断开之外，电荷产生层40和第一电极E1之间的子功能层在突出部PR处也断开，而电荷产生层40和第二电极E2之间的子功能层在突出部PR处也断开，该情况下，发光功能层FL的各个子功能层在突出部PR处均断开。

如图10所示，根据本公开的实施例提供的显示基板，发光功能层FL还包括位于第一电极E1和第一发光层41之间的第一电荷传输层51以及位于第一发光层41和电荷产生层40之间的第二电荷传输层52，第一电荷传输层51和第二电荷传输层52在突出部PR处断开。

如图10所示，第一电荷传输层51为空穴传输层HTL，第二电荷传输层52为电子传输层ETL。其余各个结构可参考图1的描述。

图11为本公开一实施例提供的另一种显示基板的平面示意图。根据本公开的实施例提供的显示基板，如图11所示，隔断结构10呈环形，以围绕发光区R0，第二电极E2在隔断结构10的突出部处连续，以利于不同子像素的第二电极E2上的信号传递。隔断结构10的剖视图如之前所示。

如图11所示，每个子像素SP的发光区R0被一个隔断结构10环绕。

图12为本公开一实施例提供的另一种显示基板的平面示意图。根据本公开的实施例提供的显示基板，如图12所示，隔断结构10包括至少一个隔断子结构01，至少一个隔断子结构01在衬底基板BS上的正投影至少环绕发光区R0在衬底基板BS上的正投影的二分之一。

如图12所示，每个子像素SP的发光区R0被三个或四个隔断子结构01环绕。隔断子结构01的个数可根据需要而定。

如图11和图12所示，显示基板包括第一子像素201、第二子像素202、第三子像素203以及第四子像素204。例如，第一子像素201和第三子像素203之一为蓝色子像素，第一子像素201和第三子像素203之另一为红色子像素，第二子像素202和第四子像素204可为相同颜色的子像素，例如，均为绿色子像素。第一子像素201、第二子像素202、第三子像素203以及第四子像素204的发光颜色可根据需要而定。

例如，如图11和图12所示，一个第一子像素201、一个第二子像素202、一个第三子像素203以及一个第四子像素204构成一个重复单元RP，在一个重复单元RP中，第二子像素202和第四子像素204分设在第一子像素201和第三子像素203的中心连线CL的两侧。图11和图12示出了第一子像素201的中心C1和第三子像素203的中心C2。相应的，第一子像素201和第三子像素203也分设在第二子像素202和第四子像素204的中心连线的两侧。

例如，在其他的实施例中，在相邻的两个子像素之间，仅设置有一个隔断结构，从而可减小相邻两个子像素之间的间隔的宽度，以提高像素密度。

图11和图12还示出了隔垫物50。隔垫物50被配置为在制作发光层时支撑精细金属掩模。

如所示，隔垫物50在第一子像素201、第二子像素202、第三子像素203、以及第四子像素204围设的区域内。

如图12所示，在第二方向Y上排列的第一子像素201和第三子像素203之间设置隔垫物50。

图11和图12示出了方向X和方向Y。方向X与方向Y相交。例如，方向X垂直于方向Y。方向X与方向Y均为平行于衬底基板的主表面的方向。例如，方向Z垂直于方向X，并垂直于方向Y。

图13为一种显示基板中的像素电路和发光元件的示意图。图13以7T1C的像素电路为例进行说明。需要说明的是，像素电路不限于图13所示，可根据需要设置。如图13所示，显示基板包括子像素SP，子像素包括像素电路PXC和发光元件EMC。发光元件EMC包括第一电极E1、第二电极E2、以及位于第一电极E1和第二电极E2之间的发光功能层。像素电路PXC包括晶体管和存储电容Cst。例如，晶体管包括晶体管T1-T7，存储电容Cst包括极板Ca1和极板Cb1。图13还示出了提供扫描信号SCAN的栅线GT、提供数据信号DATA的数据线DT、提供发光控制信号EM的发光控制信号线EML、提供电源电压VDD的电源线PL1、提供电源电压VSS的电源线PL2、提供复位信号RESET的复位控制信号线RST1、提供扫描信号SCAN的复位控制信号线RST2、提供初始化信号Vinit1的初始化信号线INT1、以及提供初始化信号Vinit2的初始化信号线INT2。

例如，如图13所示，晶体管T1为驱动晶体管，晶体管T2为数据写入晶体管，晶体管T3为阈值补偿晶体管，晶体管T4为发光控制晶体管，晶体管T5为发光控制晶体管，晶体管T6为复位控制晶体管，晶体管T7为复位控制晶体管。

图14A为本公开一实施例提供的显示基板的示意图。图14B为本公开另一实施例提供的显示基板的示意图。

如图14A和图14B所示，根据本公开的实施例提供的显示基板，显示基板还包括导电结构30，导电结构30被配置为向像素电路提供信号，导电结构30位于隔断结构10和衬底基板BS之间，导电结构30在衬底基板BS上的正投影与隔断结构10在衬底基板BS上的正投影交叠。例如，导电结构30可位于第三导电图案层LY3，形成导电结构30之后形成隔断结构10。当然，导电结构30也可以位于其他层。例如，对于较低PPI的显示基板，布线位置较充足的情况下，导电结构30也可以与第一电极E1同层。

在一些实施例中，如图14A所示，导电结构30在衬底基板BS上的正投影与隔断结构10在衬底基板BS上的正投影重合。

在一些实施例中，如图14B所示，导电结构30在衬底基板BS上的正投影与隔断结构10在衬底基板BS上的正投影部分交叠。

例如，导电结构30与第二电极E2相连，能够使得该第二电极E2(VSS)的电阻大大降低，使第二电极E2上的压降降低，从而减小显示基板中电源电压VSS与电源电压VDD之间的压差，更好的降低显示基板的功耗。例如，根据IR-Drop仿真结果，第二电极E2(VSS)上的压降可以降低0.5V左右。

例如，根据本公开的实施例提供的显示基板，导电结构30位于相邻子像素SP的发光区R0之间，导电结构30与第二电极E2电连接。导电结构30与第二电极E2的相连位置可位于周边区，但不限于此。例如，周边区可为显示基板的边框区。显示区可为显示基板的显示画面的区域。显示区包括发光区R0和相邻子像素之间的间隔区Ra。例如，周边区位于显示区的至少一侧。例如，周边区围绕显示区。

例如，第二电极E2为发光元件的阴极，第一电极E1为发光元件的阳极。在第二电极E2为整面的连续电极，不被隔断结构10断开的情况下，利于减小第二电极E2的电阻，利于第二电极E2上的信号传递。

在一些实施例中，发光功能层FL的各个子功能层被隔断结构10断开，以利于减轻相邻子像素的串扰，第二电极E2为整面的连续电极，不被隔断结构10断开，利于减小第二电极E2的电阻，利于第二电极E2上的信号传递。

本公开的实施例还提供一种显示装置，包括上述任一显示基板。例如，本公开的实施例中的显示基板也可以称作显示面板。

图15为本公开一实施例提供的一种显示装置的示意图。如图15所示，该显示装置500包括显示基板100。显示基板100即为上述任一的显示基板。

一方面，该显示基板通过在相邻的子像素之间设置隔断结构，并使得发光功能层中的至少一个子功能层，例如，电荷产生层，在隔断结构所在的位置断开，从而避免导电性较高的子功能层(例如，电荷产生层)造成相邻子像素之间的串扰。由此，包括该显示基板的显示装置因此也可避免相邻子像素之间的串扰，因此具有较高的产品良率和较高的显示品质。

另一方面，由于显示基板可在采用Tandem结构，以提高像素密度。因此，包括该显示基板的显示装置具有寿命长、功耗低、亮度高、分辨率高等优点。

例如，该显示装置可以为有机发光二极管显示装置等显示器件以及包括该显示装置的电视、数码相机、手机、手表、平板电脑、笔记本电脑、导航仪等任何具有显示功能的产品或者部件，本公开的实施例包括但不限于此。

图16A至图16D为本公开的实施例提供的一种显示基板的制作方法的示意图。图17A为负性光刻胶经曝光显影后的截面示意图。图17B为正性光刻胶经曝光显影后的截面示意图。图18A至图18C为本公开的实施例提供的一种显示基板的制作方法的示意图。

参考图3、图5、图7、图16A至图16D以及图18A至图18C，本公开的实施例还提供一种显示基板的制作方法，包括如下步骤。

S11、在衬底基板BS的主表面上形成多个子像素SP，子像素SP包括发光元件EMC，发光元件EMC具有发光区R0，发光元件EMC包括第一电极E1、发光功能层FL、以及第二电极E2，第二电极E2位于发光功能层FL的背离衬底基板BS的一侧，第一电极E1位于发光功能层FL的靠近衬底基板BS的一侧，发光功能层FL包括多个子功能层。

S12、在相邻子像素SP的发光区R0之间形成隔断结构10，形成隔断结构10包括形成层叠设置的第一隔断部11和第二隔断部12，第一隔断部11位于第二隔断部12的靠近衬底基板BS的一侧；第二隔断部12具有突出部PR，突出部PR相对于第一隔断部11的靠近第二隔断部12的一侧突出，发光功能层FL的至少一个子功能层在突出部PR处断开，第一隔断部11的材料包括有机材料，第二隔断部12的材料包括有机材料，沿从第一电极E1指向第二电极E2的方向上，隔断结构10在衬底基板BS上的正投影逐渐减小再逐渐增大。

如图16A至图16D所示，本公开的实施例提供的显示基板的制作方法，包括如下步骤。

S21、如图16A所示，在形成第一电极E1的衬底基板BS上形成像素限定薄膜PDF。

S22、如图16B所示，对像素限定薄膜PDF进行构图，形成像素限定图案以及第一隔断部11。

S23、如图16C所示，在像素限定图案以及第一隔断部11上形成支撑薄膜TF。

S24、如图16D所示，对支撑薄膜TF进行构图，形成第二隔断部12。

例如，第二隔断部12可作为隔垫物以在形成发光层时支撑精细金属掩模。

在第二隔断部12复用为隔垫物的情况下，一方面，仅通过像素限定图案以及隔垫物的形状的变化，即可形成隔断结构10，不增加掩膜数量，利于显示基板的制作。另一方面，隔断结构10在形成第一电极E1之后形成，不影响背板的制作。再一方面，制作隔断结构10的空间较大，利于形成较大尺寸的隔断结构10。

如图17A所示，负性光刻胶在曝光显影后形成的结构上大下小。如图17B所示，正性光刻胶在曝光显影后形成的结构上小下大。可利用正性光刻胶和负性光刻胶的性质，来形成隔断结构，以隔断发光功能层的至少一个子功能层。

如图18A至图18C所示，根据本公开的实施例提供的显示基板的制作方法，形成层叠设置的第一隔断部11和第二隔断部12包括如下步骤。

S01、如图18A所示，形成正性光刻胶薄膜11F。

S02、如图18A所示，在正性光刻胶薄膜11F上形成负性光刻胶薄膜12F。

S03、如图18B所示，对负性光刻胶薄膜12F进行构图形成第二隔断部12。

S04、如图18C所示，以第二隔断部12为掩膜对正性光刻胶薄膜进行构图，形成第一隔断部11，从而形成隔断结构10。

在步骤S04之后，还可包括如下步骤。

S05、形成发光功能层，发光功能层的至少一个功能子层在隔断结构10的突出部处断开。

S06、形成第二电极E2，第二电极E2在隔断结构10的突出部处可断开，也可不断开。

图18B示出了像素限定子层的图形12P，像素限定子层的图形12P包括第二隔断部12。

图18C示出了像素限定子层的图形11P，像素限定子层的图形11P包括第一隔断部11。

例如，正性光刻胶薄膜11F的厚度可为0.5～1μm。例如，第一隔断部11的厚度可为0.5～1μm。

例如，负性光刻胶薄膜12F的厚度可为1.2～2μm。例如，第二隔断部12的厚度可为1.2～2μm。

在步骤S03中，进行第一次曝光，可采用掩膜版遮挡，对负性光刻胶进行曝光，被曝光区域可形成倒梯形的图形。

在步骤S04中，进行第二次曝光，利用负性光刻胶的图形对正性光刻胶再次进行曝光，根据曝光深度，负性光刻胶下的正性光刻胶不被曝光，负性光刻胶未遮挡的正性光刻胶将被曝光后去除。最终形成类似倒葫芦的形状，以该形状来增大子功能层例如电荷产生层(CGL)的电阻，以减轻发光时相邻子像素之间的串扰。

采用图18A至图18C所示的方法可形成图7所示的显示基板。

如图7和图18C所示，像素限定图案PDL与隔断结构10可以为一体结构。可看成像素限定图案PDL复用为隔断结构10。

对于图18A至图18C所示的制作方法和图7所示的显示基板，具有如下至少之一的效果。

(1)、仅通过像素限定图案的形状的变化，即可形成隔断结构10，不增加掩膜数量，利于显示基板的制作。

(2)、隔断结构10在形成第一电极E1之后形成，不影响背板的制作。

(3)、隔断结构10复用为像素限定图案，与像素限定图案的开口区域一次形成，无需制作新的隔断结构，简化制作工艺。

(4)、隔断结构10采用一个掩膜版制作，利用负性胶形成的第二隔断部12作为正性光刻胶的掩膜，可以避免曝光工艺中的错位(overlay)的问题，从而，适用于很高PPI的显示基板的制作。

在图18A至图18C中，“+”表示正性光刻胶，“-”表示负性光刻胶。光刻胶是指通过紫外光、电子束、离子束、X射线等的照射或辐射，其溶解度发生变化的材料。对于正性光刻胶，被曝光的部分显影后被去除，未被曝光的部分显影后被留下。对于负性光刻胶，被曝光的部分显影后被留下，未被曝光的部分显影后被去除。

负性光刻胶与正性光刻胶主要有以下三点不同。

(1)、曝光显影过程不同，正性光刻胶在曝光区间显影，负性光刻胶则相反，其曝光区间得到保留。

(2)、负性光刻胶和正性光刻胶边界漫射光形成的轮廓不同，漫射形成的轮廓使显影后的图像为下宽上窄的图像，而负性胶相反，为上宽下窄的图像。

(3)、正性光刻胶溶于强碱，显影剂采用碱溶液，而负性光刻胶的显影剂多采用有机溶液(如二甲苯溶液)。

如图18A至图18C所示，正性光刻胶和负性光刻胶采用同一张掩膜版曝光，通过正性光刻胶和负性光刻胶的曝光原理以及显影药液的性质不同来形成倒“葫芦状”的柱状的隔断结构，以该形状来增大发光功能层中的子功能层例如电荷生成层(CGL)的电阻，减轻串扰。

例如，在本公开的实施例中，位于同一层的部件可由同一膜层经同一构图工艺形成。在本公开的实施例中，构图或构图工艺可只包括光刻工艺，或包括光刻工艺以及刻蚀步骤，或者可以包括打印、喷墨等其他用于形成预定图形的工艺。光刻工艺是指包括成膜、曝光、显影等工艺过程，利用光刻胶、掩模板、曝光机等形成图形。可根据本公开的实施例中所形成的结构选择相应的构图工艺。

例如，在本公开的实施例中，一个部件的厚度是指该部件在垂直于衬底基板的方向上的尺寸。

例如，在本公开的实施例中，衬底基板BS、缓冲层BF、栅绝缘层GI1、栅绝缘层GI2、层间绝缘层ILD、平坦化层PLN、平坦化层PLN1、平坦化层PLN2均采用绝缘材料制作。例如，衬底基板BS的材料包括聚酰亚胺，但不限于此。例如，衬底基板BS可以为柔性衬底基板，以形成柔性显示基板。例如，缓冲层BF、栅绝缘层GI1、栅绝缘层GI2、层间绝缘层ILD的材料包括无机绝缘材料。例如，平坦化层PLN、平坦化层PLN1、平坦化层PLN2的材料包括有机绝缘材料。例如，无机绝缘材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅至少之一。例如，有机绝缘材料包括亚克力、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚酰胺、聚碳酸酯、环氧树脂等中的一种或几种的组合。

例如，在本公开的实施例中，栅极GE、第一极板Ca、第二极板Cb、源极Ea和漏极Eb采用金属或合金制作。

例如，在本公开的实施例中，有源层ACT为半导体层，可采用多晶硅或金属氧化物半导体。

以上所述，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (27)

1.一种显示基板，包括：

衬底基板；

多个子像素，位于所述衬底基板的主表面上，所述子像素包括发光元件，所述发光元件具有发光区，所述发光元件包括第一电极、发光功能层、以及第二电极，所述第二电极位于所述发光功能层的背离所述衬底基板的一侧，所述第一电极位于所述发光功能层的靠近所述衬底基板的一侧，所述发光功能层包括多个子功能层；以及

隔断结构，位于相邻子像素的发光区之间，并包括层叠设置的第一隔断部和第二隔断部，所述第一隔断部位于所述第二隔断部的靠近所述衬底基板的一侧，

其中，所述第二隔断部具有突出部，所述突出部相对于所述第一隔断部的靠近所述第二隔断部的一侧突出，所述发光功能层的至少一个子功能层在所述突出部处断开，所述第一隔断部的材料包括有机材料，所述第二隔断部的材料包括有机材料，沿从所述第一电极指向所述第二电极的方向上，所述隔断结构在所述衬底基板上的正投影逐渐减小再逐渐增大。

2.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述第二隔断部与所述第一隔断部接触。

3.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述隔断结构呈葫芦型或沙漏型。

4.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述隔断结构包括底面、顶面和位于所述底面和所述顶面之间的两个侧面，所述侧面呈V字型，两个V字的底部相对设置。

5.根据权利要求1所述的显示基板，其中，在所述隔断结构的同一侧，所述第一隔断部的侧面和所述第二隔断部的侧面之间的夹角大于或等于60度且小于或等于150度。

6.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述第二隔断部的靠近所述隔断结构的顶面的部分与所述顶面之间的夹角为锐角，所述锐角大于或等于60度且小于或等于80度。

7.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述第二隔断部的靠近所述隔断结构的顶面的部分与所述顶面之间的夹角为钝角，所述钝角大于110度且小于或等于160度。

8.根据权利要求1所述的显示基板，还包括：

像素限定图案，包括多个开口，所述开口被配置为限定所述子像素的所述发光区，所述开口被配置为暴露所述第一电极的至少一部分，

其中，所述像素限定图案包括与所述第一隔断部位于同一层的部分。

9.根据权利要求8所述的显示基板，其中，所述像素限定图案与所述第一隔断部至少部分分离，所述像素限定图案与所述第一隔断部均与同一绝缘层接触并位于该绝缘层之上。

10.根据权利要求8所述的显示基板，其中，所述像素限定图案包括位于两个相邻开口之间的第一像素限定部和第二像素限定部，所述隔断结构位于所述第一像素限定部和所述第二像素限定部之间，所述隔断结构和所述第一像素限定部之间具有第一凹陷，所述隔断结构和所述第二像素限定部之间具有第二凹陷。

11.根据权利要求8所述的显示基板，其中，所述突出部在所述衬底基板上的正投影与所述第一电极在所述衬底基板上的正投影至少部分交叠。

12.根据权利要求8所述的显示基板，其中，所述像素限定图案与所述隔断结构为一体结构。

13.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述第一隔断部的材料包括正性光刻胶，所述第二隔断部的材料包括负性光刻胶。

14.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述发光功能层包括层叠设置的电荷产生层、第一发光层和第二发光层，所述第一发光层位于所述第一电极和所述电荷产生层之间，所述第二发光层位于所述第二电极和所述电荷产生层之间，所述电荷产生层在所述突出部处断开。

15.根据权利要求14所述的显示基板，其中，所述发光功能层还包括位于所述第一电极和所述第一发光层之间的第一电荷传输层以及位于所述第一发光层和所述电荷产生层之间的第二电荷传输层，所述第一电荷传输层和所述第二电荷传输层在所述突出部处断开。

16.根据权利要求1-15任一项所述的显示基板，其中，所述隔断结构包括至少一个隔断子结构，所述至少一个隔断子结构在所述衬底基板上的正投影至少环绕所述发光区在所述衬底基板上的正投影的二分之一。

17.根据权利要求1-15任一项所述的显示基板，其中，所述隔断结构呈环形，以围绕所述发光区，所述第二电极在所述突出部处连续。

18.根据权利要求1-15任一项所述的显示基板，还包括像素电路，其中，所述像素电路被配置为驱动所述发光元件发光，所述显示基板还包括平坦化层，所述第一电极通过贯穿所述平坦化层的过孔与所述像素电路相连，所述第一电极和所述第一隔断部均位于所述平坦化层上。

19.根据权利要求18所述的显示基板，其中，所述第一电极和所述第一隔断部均与所述平坦化层接触。

20.根据权利要求18所述的显示基板，其中，所述像素电路包括电容，所述电容在所述衬底基板上的正投影与所述隔断结构在所述衬底基板上的正投影至少部分交叠。

21.根据权利要求18所述的显示基板，还包括导电结构，其中，所述导电结构被配置为向所述像素电路提供信号，所述导电结构位于所述隔断结构和所述衬底基板之间，所述导电结构在所述衬底基板上的正投影与所述隔断结构在所述衬底基板上的正投影交叠。

22.根据权利要求21所述的显示基板，其中，所述导电结构位于相邻子像素的发光区之间，所述导电结构与所述第二电极电连接。

23.根据权利要求1-15任一项所述的显示基板，其中，所述隔断结构在平行于所述主表面的平面内的最小尺寸大于相邻子像素的第一电极之间的间距。

24.根据权利要求1-15任一项所述的显示基板，其中，所述隔断结构在平行于所述主表面的平面内的最大尺寸大于或等于相邻子像素的第一电极之间的间距的五分之一。

25.一种显示装置，包括权利要求1-24任一项所述的显示基板。

26.一种显示基板的制作方法，包括：

在衬底基板的主表面上形成多个子像素，所述子像素包括发光元件，所述发光元件具有发光区，所述发光元件包括第一电极、发光功能层、以及第二电极，所述第二电极位于所述发光功能层的背离所述衬底基板的一侧，所述第一电极位于所述发光功能层的靠近所述衬底基板的一侧，所述发光功能层包括多个子功能层；以及

在相邻子像素的发光区之间形成隔断结构，形成所述隔断结构包括形成层叠设置的第一隔断部和第二隔断部，所述第一隔断部位于所述第二隔断部的靠近所述衬底基板的一侧，

其中，所述第二隔断部具有突出部，所述突出部相对于所述第一隔断部的靠近所述第二隔断部的一侧突出，所述发光功能层的至少一个子功能层在所述突出部处断开，所述第一隔断部的材料包括有机材料，所述第二隔断部的材料包括有机材料，沿从所述第一电极指向所述第二电极的方向上，所述隔断结构在所述衬底基板上的正投影逐渐减小再逐渐增大。

27.根据权利要求26所述的制作方法，其中，形成层叠设置的所述第一隔断部和所述第二隔断部包括：

形成正性光刻胶薄膜；

在所述正性光刻胶薄膜上形成负性光刻胶薄膜；

对所述负性光刻胶薄膜进行构图形成所述第二隔断部；以及

以所述第二隔断部为掩膜对所述正性光刻胶薄膜进行构图，形成所述第一隔断部。

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