CN117497464B - 检测光刻胶适用性的方法及装置 - Google Patents
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Abstract
本申请涉及一种检测光刻胶适用性的方法及装置，包括：获取正片上的光刻胶的目标离子注入条件；其中，所述光刻胶在所述目标离子注入条件下存在缺陷；获取第一控片上的所述光刻胶在所述目标离子注入条件下的极限温度；获取第二控片上的所述光刻胶在实际生产离子注入条件下的第一温度信息；其中，所述第一控片和所述第二控片的品质相同；根据所述第一温度信息和所述极限温度确定所述光刻胶的适用性。本方法通过检测控片上光刻胶的温度，并和极限温度作比较，从而确定光刻胶的适用性，节省了正片，降低了测试成本。
Description
技术领域
本申请涉及半导体测试技术领域，特别是涉及一种检测光刻胶适用性的方法及装置。
背景技术
为了提高半导体器件的电学性能，可以利用掺杂工艺将一定数量的杂质掺入到半导体材料中，常用的掺杂方法有离子注入方法。
在晶圆生产过程中，通常以光刻胶作为掩膜进行离子注入。在不同能量或者不同剂量的离子注入时，离子碰撞过程产生的温度可能会超出光刻胶的玻璃化温度，导致光刻胶软化，容易在机台和晶圆上产生光刻胶残留，影响机台的性能。因此，亟需一种可以检测离子注入过程中光刻胶是否适用的方法。
发明内容
基于此，有必要针对相关技术中的缺乏在离子注入工艺之前检查光刻胶适用性的问题提供一种检测光刻胶适用性的方法及装置。
第一方面，本申请提供了一种检测光刻胶适用性方法。所述方法包括：
获取正片上的光刻胶的目标离子注入条件；其中，所述光刻胶在所述目标离子注入条件下存在缺陷；
获取第一控片上的所述光刻胶在所述目标离子注入条件下的极限温度；
获取第二控片上的所述光刻胶在实际生产离子注入条件下的第一温度信息；其中，所述第一控片和所述第二控片的品质相同；
根据所述第一温度信息和所述极限温度确定所述光刻胶的适用性。
在其中一个实施例中，所述获取正片的光刻胶的目标离子注入条件，包括：
向所述正片上的光刻胶注入不同的离子注入条件的离子；
获取所述正片上的光刻胶在每一所述离子注入条件下的缺陷检查结果；
将所述缺陷检查结果符合晶圆缺陷变差条件对应的离子注入条件作为目标离子注入条件。
在其中一个实施例中，所述获取第一控片上的光刻胶在所述目标离子注入条件下的极限温度，包括：
对贴有至少一张感温试纸后的所述第一控片上的所述光刻胶注入所述目标离子注入条件的离子；
获取在所述目标离子注入条件下，每一所述感温试纸的变色信息；
根据每一所述感温试纸的所述变色信息确定所述第一控片的光刻胶在所述目标离子注入条件下的所述极限温度。
在其中一个实施例中，所述第一控片的光刻胶上贴有多张感温试纸，所述多张感温试纸均匀分布在所述光刻胶上；其中，所述根据每一所述感温试纸的所述变色信息确定所述第一控片的光刻胶在所述目标离子注入条件下的所述极限温度，包括：
根据每一所述感温试纸的所述变色信息对应获取每一所述感温试纸对应的第二温度信息；
将所述第二温度信息中最低的温度作为所述第一控片的光刻胶的所述极限温度。
在其中一个实施例中，所述获取第二控片的光刻胶在实际生产离子注入条件下的第一温度信息包括：
对贴有至少一张感温试纸后的所述第二控片上的所述光刻胶注入所述实际生产离子注入条件的离子束；
获取在实际生产离子注入条件下所述感温试纸的变色信息；
根据所述变色信息确定所述第二控片的光刻胶在实际生产离子注入条件下的第一温度信息。
在其中一个实施例中，所述感温试纸的感温区间为60摄氏度-140摄氏度。
在其中一个实施例中，所述根据所述第一温度信息和所述极限温度确定所述光刻胶的适用性，包括：
在所述第一温度信息大于或等于所述极限温度的情况下，确定所述光刻胶不适用所述实际生产离子注入条件；
在所述第一温度信息小于所述极限温度的情况下，确定所述光刻胶适用所述实际生产离子注入条件。
在其中一个实施例中，在所述获取第一控片上的所述光刻胶在所述目标离子注入条件下的极限温度之后，所述方法还包括：
将光刻胶类型和所述极限温度存储至服务器，以构建关于所述光刻胶类型和所述极限温度的数据映射表。
在其中一个实施例中，所述极限温度表示所述第一控片上所述光刻胶在进行离子注入工艺时能承受的最高温度。
第二方面，本申请还提供了一种检测光刻胶适用性的装置，所述装置包括：
条件获取模块，用于获取正片上的光刻胶的目标离子注入条件；其中，所述光刻胶在所述目标离子注入条件下存在缺陷；
极限温度获取模块，用于获取第一控片上的所述光刻胶在所述目标离子注入条件下的极限温度；
第一温度获取模块，用于获取第二控片上的所述光刻胶在实际生产离子注入条件下的第一温度信息；其中，所述第一控片和所述第二控片的品质相同；
结果确定模块，用于根据所述第一温度信息和所述极限温度确定所述光刻胶的适用性。
第三方面，本申请还提供了一种计算机设备。所述计算机设备包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现以下步骤：
获取正片上的光刻胶的目标离子注入条件；其中，所述光刻胶在所述目标离子注入条件下存在缺陷；
获取第一控片上的所述光刻胶在所述目标离子注入条件下的极限温度；
获取第二控片上的所述光刻胶在实际生产离子注入条件下的第一温度信息；其中，所述第一控片和所述第二控片的品质相同；
根据所述第一温度信息和所述极限温度确定所述光刻胶的适用性。
第四方面，本申请还提供了一种计算机可读存储介质。所述计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现以下步骤：
获取正片上的光刻胶的目标离子注入条件；其中，所述光刻胶在所述目标离子注入条件下存在缺陷；
获取第一控片上的所述光刻胶在所述目标离子注入条件下的极限温度；
获取第二控片上的所述光刻胶在实际生产离子注入条件下的第一温度信息；其中，所述第一控片和所述第二控片的品质相同；
根据所述第一温度信息和所述极限温度确定所述光刻胶的适用性。
第五方面，本申请还提供了一种计算机程序产品。所述计算机程序产品，包括计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现以下步骤：
获取正片上的光刻胶的目标离子注入条件；其中，所述光刻胶在所述目标离子注入条件下存在缺陷；
获取第一控片上的所述光刻胶在所述目标离子注入条件下的极限温度；
获取第二控片上的所述光刻胶在实际生产离子注入条件下的第一温度信息；其中，所述第一控片和所述第二控片的品质相同；
根据所述第一温度信息和所述极限温度确定所述光刻胶的适用性。
本申请意想不到的效果是：上述检测光刻胶适用性的方法及装置通过获取正片上的光刻胶的目标离子注入条件，进而能够获取第一控片上的光刻胶在目标离子注入条件下的极限温度，之后，通过获取第二控片上的光刻胶在实际生产离子注入条件下的第一温度信息，并根据第一温度信息和极限温度确定光刻胶的适用性，不需要在待注入实际生产离子注入条件的正片上注入实际生产离子注入条件的离子束进行测试，节省了正片，降低了测试成本。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为一实施例中提供的检测光刻胶适用性的方法的流程图；
图2为一实施例中提供的正常缺陷检查结果示意图；
图3为一实施例中提供的缺陷变差检查结果示意图；
图4为另一实施例中提供的检测光刻胶适用性的方法的流程图；
图5为一实施例中提供的检测光刻胶适用性的装置的结构框图；
图6为一个实施例中计算机设备的内部结构图。
具体实施方式
为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的实施例。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使本申请的公开内容更加透彻全面。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请。
离子注入是一种向衬底中引入可控制数量的杂质，以改变其电学性能的方法。在工艺流程中，离子注入在光刻工艺之后进行，在有光刻胶保护的地方，离子束无法穿透光刻胶，在没有光刻胶的地方离子束才能被注入到晶圆中实现掺杂，因此，用于离子注入工艺的光刻胶必须要能够有效地阻挡离子束。在离子注入工艺中，离子束和光刻胶的碰撞会产生大量热量，如果温度超过了光刻胶的玻璃化温度，就会导致的光刻胶软化，从而导致在机台和晶圆上产生光刻胶残留。
在使用正片进行各种工艺制程之前，一般需要先用控片监测工艺质量，包括监测工艺制程中电阻率、薄膜沉积速率、刻蚀速率和研磨速率等。由于控片和正片对离子注入工艺中离子束的灵敏度不同，因此在进行离子注入时，还是需要使用正片进行多次测试，测试成本较高。
基于以上原因，本申请提出了一种检测光刻胶适用性的方法，如图1所示，该方法包括步骤102-步骤104。
步骤102，获取正片上的光刻胶的目标离子注入条件。
其中，光刻胶在目标离子注入条件下存在缺陷。正片可指被投入生产的晶圆。在正片上可能存在有图形化的膜层。在正片上涂覆待测试的光刻胶，对正片进行离子注入工艺，每一离子注入条件的离子束的能量或剂量不同，找到使得正片上光刻胶出现缺陷的离子注入条件，并将其作为目标离子注入条件。
步骤104，获取第一控片上的光刻胶在目标离子注入条件下的极限温度。
控片是在半导体加工过程中用来监控测试的晶圆，使用控片能够对离子注入制程的电阻率进行监测。第一控片和正片上分别涂覆有同类型的光刻胶。对第一控片进行离子注入工艺，采用正片上的光刻胶的目标离子注入条件的离子束注入至第一控片的光刻胶上，通过检测第一控片上光刻胶在目标离子注入条件下的温度，进而可获取光刻胶的极限温度。极限温度可理解为第一控片上光刻胶在进行离子注入工艺时能承受的最高温度。如果在离子注入过程中，光刻胶的温度超过了该极限温度，光刻胶会软化，导致在机台上产生光刻胶残留。
示例性的，在获取极限温度的过程中，目标离子注入条件可能为多个，可以将多个目标离子注入条件的离子束分别注入至多个第一控片的光刻胶上，第一控片的数量和目标离子注入条件的数量相同，并检测多个第一控片的光刻胶对应的多个温度，基于多个温度确定极限温度。例如，可以将多个温度中的最低温度作为极限温度。
步骤106，获取第二控片上的光刻胶在实际生产离子注入条件下的第一温度信息。
其中，第一控片和第二控片的品质相同。第一控片和第二控片品质相同指大小、形状、厚度、材料均维持在一定的误差范围内。可选地，第一控片和第二控片的大小、形状、厚度、材料分别相同，例如，可以为同一批次的两个控片。实际生产离子注入条件是在实际生产中设置的半导体产品离子注入工艺制程的工艺参数条件。在本申请中，可采用实际生产离子注入条件的离子束注入第二控片上，以检测并获取第二控片上光刻胶在实际生产离子注入条件下的第一温度信息。
步骤108，根据第一温度信息和极限温度确定光刻胶的适用性。
通过在正片和第一控片上进行离子注入试验确定在控片上待检测光刻胶的极限温度后，将第一温度信息和极限温度进行比较，确定待检测光刻胶在实际生产离子注入条件下是否适用。试验时发现，在相同的离子注入条件下，正片上光刻胶的温度和控片上光刻胶的温度存在线性关系，因此，如果第二控片上的检测到的第一温度信息超过了极限温度，就可以认为在实际生产离子注入条件下，待进行实际生产离子注入条件的正片上光刻胶的温度将会超过光刻胶能承受的温度。
在本申请实施例中，通过获取正片上的光刻胶的目标离子注入条件，进而能够获取第一控片上的光刻胶在目标离子注入条件下的极限温度，之后，通过获取第二控片上的光刻胶在实际生产离子注入条件下的第一温度信息，并根据第一温度信息和极限温度确定光刻胶在实际生产离子注入条件的适用性，不需要在待注入实际生产离子注入条件的正片上注入实际生产离子注入条件的离子束进行测试，节省了正片，降低了测试成本。
在一个实施例中，根据第一温度信息和极限温度确定光刻胶的适用性，包括：在第一温度信息大于或等于极限温度的情况下，确定光刻胶不适用实际生产离子注入条件；在第一温度信息小于极限温度的情况下，确定光刻胶适用实际生产离子注入条件的步骤。
将测得的第一温度信息和极限温度进行比较，在第一温度信息大于极限温度的情况下，认为待检测光刻胶在实际生产离子注入条件下在正片上会出现光刻胶残留或者光刻胶变质缺陷，即待检测光刻胶不适用于实际生产离子注入条件。
可选地，在第一温度信息小于极限温度的情况下，认为待检测光刻胶适用于实际生产离子注入条件，也即，可以采用该实际生产离子注入条件对正片进行光刻、离子注入、刻蚀等工艺，而不会在机台上出现光刻胶残留缺陷。
在本申请实施例中，通过将第一温度信息和极限温度作比较，在第一温度信息大于或等于极限温度的情况下，确定待检测光刻胶不适用实际生产离子注入条件；在第一温度信息小于极限温度的情况下，确定待检测光刻胶适用实际生产离子注入条件，不需要在待注入实际生产离子注入条件的正片上注入实际生产离子注入条件的离子束进行测试，节省了正片，降低了测试成本。
在一个实施例中，获取正片的光刻胶的目标离子注入条件，包括：向正片上的光刻胶注入不同的离子注入条件的离子，获取正片上的光刻胶在每一离子注入条件下的缺陷检查结果，以及将缺陷检查结果符合晶圆缺陷变差条件对应的离子注入条件作为目标离子注入条件的步骤。
正片上涂覆有同类型的光刻胶，向正片上注入不同的离子注入条件的离子束，并对进行离子注入后的正片进行缺陷检测，获取正片的缺陷检查结果。将缺陷检查结果中缺陷变差的正片所对应的离子注入条件作为目标离子注入条件。
在本申请实施例中，缺陷变差是指高剂量或者高能量的离子束注入导致温度超过光刻胶本身所能承受的温度，使得光阻倒塌或者被破坏，造成大量光刻胶残留落在机台或者晶圆上。缺陷变差可以通过观测直接得到，示例性地，对正片进行缺陷检测时，正常的检查结果如图2所示，缺陷变差的检查结果如图3所示，明显地，缺陷变差的正片的表面非常脏乱。
在本申请实施例中，通过向正片上的光刻胶注入不同的离子注入条件的离子，并获取正片上的光刻胶在每一离子注入条件下的缺陷检查结果，进一步地，将缺陷检查结果符合晶圆缺陷变差条件对应的离子注入条件作为目标离子注入条件，基于该目标离子注入条件对控片进行离子注入，而不需要采用多个离子注入条件对具有光刻胶的控片进行试验，可以减少在控片上进行试验的次数。
在一个实施例中，获取第一控片上的光刻胶在目标离子注入条件下的极限温度，包括：对贴有至少一张感温试纸后的第一控片上的光刻胶注入目标离子注入条件的离子，获取在目标离子注入条件下，每一感温试纸的变色信息，以及根据每一感温试纸的变色信息确定第一控片的光刻胶在目标离子注入条件下的极限温度的步骤。
在第一控片的光刻胶上贴有至少一张感温试纸。示例性地，第一控片上贴设的感温试纸可以为一张，也可以为多张。在本申请实施例中，对感温试纸的数量不做限定，其对感温试纸贴设在第一控片的位置也不做限定。例如，当感温试纸为多张时，可以在第一控片的光刻胶的中心以及四周均匀粘贴感温试纸。可选地，多张感温试纸也可以呈线性分布于第一控片的光刻胶上，也可以呈二维阵列排布分布于第一控片的光刻胶上。可选地，多张感温试纸也可以非均匀分布于第一控片的光刻胶上。感温试纸具有不同的感温区间，在不同的感温区间会呈现不同的颜色。示例性的，感温试纸可以为八格温度试纸，感温区间为60摄氏度-140摄氏度，随着温度升高，感温试纸上从下到上颜色逐渐变深，颜色最深的格子对应的温度即为感温试纸测量的温度。
将目标离子注入条件的离子束分别注入贴有感温试纸的第一控片上的光刻胶中，然后获取在目标离子注入条件下，每一第一控片上感温试纸的变色信息，从而能够获取第一控片的光刻胶在目标离子注入条件下的极限温度。
在本申请实施例中，通过对贴有至少一张感温试纸的第一控片上的光刻胶注入目标离子注入条件的离子，获取在目标离子注入条件下，每一感温试纸的变色信息，进一步地，根据每一感温试纸的变色信息确定第一控片的光刻胶在目标离子注入条件下的极限温度，使得后续可以在控片上进行离子注入工艺检测光刻胶的适用性。
在一个实施例中，根据每一感温试纸的变色信息确定第一控片的光刻胶在目标离子注入条件下的极限温度，包括：根据每一感温试纸的变色信息对应获取每一感温试纸对应的第二温度信息，以及将第二温度信息中最低的温度作为第一控片的光刻胶的极限温度的步骤。
具体来说，第一控片的光刻胶上贴有多张感温试纸，每一感温试纸在目标离子注入条件下，分别对应有一变色信息，基于各变色信息可对应获取每一感温试纸对应的第二温度信息。其中，第二温度信息的数量与感温试纸的数量相同。因此，可以对应获取与多个感温试纸对应的多个第二温度信息。在本申请实施例中，可将多个第二温度信息中最低的温度作为第一控片的光刻胶的极限温度。可以理解，对第一控片进行离子注入工艺时，如果温度大于等于多个第二温度信息中的最低温度，就会导致光刻胶软化，在机台上出现光刻胶残留或者光刻胶变质缺陷，因此，可以将第二温度信息中最低的温度作为第一控片的光刻胶的极限温度。
可选地，由于多张感温试纸贴设于同一第一控片上，其各个感温试纸对应的第二温度信息之间的差值不会太大，因此，也可以将多个第二温度信息的平均值作为第一控片的光刻胶的极限温度。
在本申请实施例中，目标离子注入条件可能会有多组，在确定光刻胶的极限温度时，需要将多组目标离子注入条件的离子束分别注入至多个第一控片上，每一第一控片上粘贴有感温试纸，根据第一控片上感温试纸的变色信息获取第二温度信息，并将第二温度信息中最低的温度作为该第一控片的极限温度，从而可获取每一第一控片对应的极限温度。对于有多组目标离子注入条件的情况，可将每一第一控片对应的极限温度中的最低温度作为在第一控片上光刻胶的极限温度。
在一个实施例中，获取第二控片的光刻胶在实际生产离子注入条件下的第一温度信息包括：对贴有至少一张感温试纸后的第二控片上的光刻胶注入实际生产离子注入条件的离子束，获取在实际生产离子注入条件下感温试纸的变色信息，以及根据变色信息确定第二控片的光刻胶在实际生产离子注入条件下的第一温度信息的步骤。
在第二控片上的光刻胶上粘贴有多张感温试纸，示例性地，第二控片上贴设的感温试纸可以为一张，也可以为多张。在本申请实施例中，对感温试纸的数量不做限定，其对感温试纸贴设在第二控片的位置也不做限定。例如，当感温试纸为多张时，可以在第二控片的光刻胶的中心以及四周均匀粘贴感温试纸。可选地，多张感温试纸也可以呈线性分布于第二控片的光刻胶上，也可以呈二维阵列排布分布于第二控片的光刻胶上。可选地，多张感温试纸也可以非均匀分布于第二控片的光刻胶上。向第二控片注入实际生产需要的实际生产离子注入条件的离子束，获取在实际生产离子注入条件下感温试纸的变色信息，然后根据感温试纸的变色信息确定第二控片的光刻胶在实际生产离子注入条件下的第一温度信息，从而可以和极限温度进行比较，确定光刻胶在实际生产离子注入条件下的适用性。
在一个实施例中，在获取正片上的光刻胶的目标离子注入条件，以及确定第一控片上的光刻胶在目标离子注入条件下的极限温度之后，还可以将光刻胶类型以及极限温度等信息存储在服务器中，以构建关于所述光刻胶类型和所述极限温度的数据映射表。
在积累了大量试验数据的基础上，可以建立关于不同类型的光刻胶和其对应的极限温度的数据映射表。在后续产品生产过程中进行离子注入工艺时，可以通过查询数据映射表的方式获取计划使用的光刻胶的极限温度，与在控片上涂覆该光刻胶后注入实际生产离子注入条件的离子束检测得到的实际温度进行比较，确定该光刻胶在实际生产离子注入条件下是否适用，节省了测试时间。
为了更好地理解，以使用检测光刻胶适用性的方法检测某一光刻胶是否适用为例进行说明，具体实施步骤包括步骤402-步骤416。
步骤402，向正片的光刻胶分别注入不同的离子注入条件的离子。
步骤404，获取正片上的光刻胶在每一离子注入条件下的缺陷检查结果，将缺陷检查结果符合晶圆缺陷变差条件对应的离子注入条件作为目标离子注入条件。
步骤406，对第一控片上的光刻胶注入目标离子注入条件的离子，其中，在第一控片的中心位置以及四个边角均粘贴有感温试纸。
步骤408，获取在目标离子注入条件下，每一感温试纸的变色信息。
步骤410，根据每一感温试纸的变色信息对应获取每一感温试纸对应的第二温度信息，并将第二温度信息中最低的温度作为第一控片的光刻胶的极限温度。
上述步骤目的是获取第一控片上光刻胶的极限温度，该极限温度也可以通过调用关于光刻胶类型和对应的极限温度的数据映射表得到。
步骤412，对第二控片上的光刻胶注入实际生产离子注入条件的离子束，其中，在第二控片的中心位置以及四个边角均粘贴有感温试纸，第二控片和第一控片的品质相同。
步骤414，获取在实际生产离子注入条件下感温试纸的变色信息，并根据变色信息确定第二控片的光刻胶在实际生产离子注入条件下的第一温度信息。
步骤416，根据第一温度信息和极限温度确定光刻胶的适用性。在第一温度信息大于或等于极限温度的情况下，确定光刻胶不适用实际生产离子注入条件；在第一温度信息小于极限温度的情况下，确定光刻胶适用实际生产离子注入条件。
在本申请实施例中，通过对正片上的光刻胶进行离子注入工艺，获取目标离子注入条件，进一步地，对第一控片注入目标离子注入条件的离子束以获取第一控片上光刻胶的极限温度；在正式生产之前，在第二控片上注入实际生产离子注入条件的离子束，获取第二控片上光刻胶的第一温度信息，并将第一温度信息与极限温度进行比较，在第一温度信息大于或等于极限温度的情况下，确定光刻胶不适用实际生产离子注入条件，在第一温度信息小于极限温度的情况下，确定光刻胶适用实际生产离子注入条件。在实际生产时，不需要在待注入实际生产离子注入条件的正片上注入实际生产离子注入条件的离子束进行测试，节省了正片，降低了测试成本。
应该理解的是，虽然如上所述的各实施例所涉及的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，这些步骤可以以其它的顺序执行。而且，如上所述的各实施例所涉及的流程图中的至少一部分步骤可以包括多个步骤或者多个阶段，这些步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，这些步骤或者阶段的执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其它步骤或者其它步骤中的步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。
基于同样的发明构思，本申请实施例还提供了一种用于实现上述所涉及的检测光刻胶适用性方法的检测光刻胶适用性装置。该装置所提供的解决问题的实现方案与上述方法中所记载的实现方案相似，故下面所提供的一个或多个检测光刻胶适用性装置实施例中的具体限定可以参见上文中对于检测光刻胶适用性方法的限定，在此不再赘述。
在本申请的一个实施例中，还提供了一种检测光刻胶适用性的装置，如图5所示，包括条件获取模块502、极限温度获取模块504、第一温度获取模块506和结果确定模块508。
其中，条件获取模块502，用于获取正片上的光刻胶的目标离子注入条件；其中，光刻胶在目标离子注入条件下存在缺陷；
极限温度获取模块504，用于获取第一控片上的光刻胶在目标离子注入条件下的极限温度；
第一温度获取模块506，用于获取第二控片上的光刻胶在实际生产离子注入条件下的第一温度信息；其中，第一控片和第二控片的品质相同；
结果确定模块508，用于根据第一温度信息和极限温度确定光刻胶的适用性。
在一个实施例中，条件获取模块还用于向正片上的光刻胶注入不同的离子注入条件的离子；获取正片上的光刻胶在每一离子注入条件下的缺陷检查结果；将缺陷检查结果符合晶圆缺陷变差条件对应的离子注入条件作为目标离子注入条件。
在一个实施例中，极限温度获取模块还用于对贴有至少一张感温试纸后的第一控片上的光刻胶注入目标离子注入条件的离子；获取在目标离子注入条件下，每一感温试纸的变色信息；根据每一感温试纸的变色信息确定第一控片的光刻胶在目标离子注入条件下的极限温度。
在一个实施例中，极限温度获取模块还用于根据每一感温试纸的变色信息对应获取每一感温试纸对应的第二温度信息；将第二温度信息中最低的温度作为第一控片的光刻胶的极限温度。
在一个实施例中，第一温度获取模块还用于对贴有至少一张感温试纸后的第二控片上的光刻胶注入实际生产离子注入条件的离子束；获取在实际生产离子注入条件下感温试纸的变色信息；根据变色信息确定第二控片的光刻胶在实际生产离子注入条件下的第一温度信息。
在一个实施例中，结果确定模块还用于在第一温度信息大于或等于极限温度的情况下，确定光刻胶不适用实际生产离子注入条件；在第一温度信息小于极限温度的情况下，确定光刻胶适用实际生产离子注入条件。
在一个实施例中，检测光刻胶适用性的装置还包括存储模块，存储模块用于存储光刻胶类型和所述极限温度，以及构建关于所述光刻胶类型和所述极限温度的数据映射表。
上述检测光刻胶适用性的装置中的各个模块可全部或部分通过软件、硬件及其组合来实现。上述各模块可以硬件形式内嵌于或独立于计算机设备中的处理器中，也可以以软件形式存储于计算机设备中的存储器中，以便于处理器调用执行以上各个模块对应的操作。
在一个实施例中，提供了一种计算机设备，该计算机设备可以是终端，其内部结构图可以如图6所示。该计算机设备包括处理器、存储器、输入/输出接口、通信接口、显示单元和输入装置。其中，处理器、存储器和输入/输出接口通过系统总线连接，通信接口、显示单元和输入装置通过输入/输出接口连接到系统总线。其中，该计算机设备的处理器用于提供计算和控制能力。该计算机设备的存储器包括非易失性存储介质和内存储器。该非易失性存储介质存储有操作系统和计算机程序。该内存储器为非易失性存储介质中的操作系统和计算机程序的运行提供环境。该计算机设备的输入/输出接口用于处理器与外部设备之间交换信息。该计算机设备的通信接口用于与外部的终端进行有线或无线方式的通信，无线方式可通过WIFI、移动蜂窝网络、NFC（近场通信）或其他技术实现。该计算机程序被处理器执行时以实现一种检测光刻胶适用性的方法。该计算机设备的显示单元用于形成视觉可见的画面，可以是显示屏、投影装置或虚拟现实成像装置。显示屏可以是液晶显示屏或者电子墨水显示屏，该计算机设备的输入装置可以是显示屏上覆盖的触摸层，也可以是计算机设备外壳上设置的按键、轨迹球或触控板，还可以是外接的键盘、触控板或鼠标等。
本领域技术人员可以理解，图6中示出的结构，仅仅是与本申请方案相关的部分结构的框图，并不构成对本申请方案所应用于其上的计算机设备的限定，具体的计算机设备可以包括比图中所示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者具有不同的部件布置。
在一个实施例中，提供了一种计算机设备，包括存储器和处理器，存储器中存储有计算机程序，该处理器执行计算机程序时实现前述任一实施例中的检测光刻胶适用性的方法。
在一个实施例中，提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现前述任一实施例中的检测光刻胶适用性的方法的步骤。
在一个实施例中，提供了一种计算机程序产品，包括计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现前述任一实施例中的检测光刻胶适用性的方法的步骤。
本申请意想不到的效果是：通过获取正片上的光刻胶的目标离子注入条件，进而能够获取第一控片上的光刻胶在目标离子注入条件下的极限温度，之后，通过获取第二控片上的光刻胶在实际生产离子注入条件下的第一温度信息，并根据第一温度信息和极限温度确定光刻胶的适用性，不需要在待注入实际生产离子注入条件的正片上注入实际生产离子注入条件的离子束进行测试，节省了正片，降低了测试成本。
本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程，是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成的，计算机程序可存储于一非易失性计算机可读取存储介质中，该计算机程序在执行时，可包括如上述各方法的实施例的流程。其中，本申请所提供的各实施例中所使用的对存储器、数据库或其它介质的任何引用，均可包括非易失性和易失性存储器中的至少一种。非易失性存储器可包括只读存储器（Read-OnlyMemory，ROM）、磁带、软盘、闪存、光存储器、高密度嵌入式非易失性存储器、阻变存储器（ReRAM）、磁变存储器（Magnetoresistive Random Access Memory，MRAM）、铁电存储器（Ferroelectric Random Access Memory，FRAM）、相变存储器（Phase Change Memory，PCM）、石墨烯存储器等。易失性存储器可包括随机存取存储器（Random Access Memory，RAM）或外部高速缓冲存储器等。作为说明而非局限，RAM可以是多种形式，比如静态随机存取存储器（Static Random Access Memory，SRAM）或动态随机存取存储器（Dynamic RandomAccess Memory，DRAM）等。本申请所提供的各实施例中所涉及的数据库可包括关系型数据库和非关系型数据库中至少一种。非关系型数据库可包括基于区块链的分布式数据库等，不限于此。本申请所提供的各实施例中所涉及的处理器可为通用处理器、中央处理器、图形处理器、数字信号处理器、可编程逻辑器、基于量子计算的数据处理逻辑器等，不限于此。
以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种检测光刻胶适用性的方法，其特征在于，包括：
获取正片上的光刻胶的目标离子注入条件；其中，所述光刻胶在所述目标离子注入条件下存在缺陷；
获取第一控片上的所述光刻胶在所述目标离子注入条件下的极限温度；
获取第二控片上的所述光刻胶在实际生产离子注入条件下的第一温度信息；其中，所述第一控片和所述第二控片的品质相同；
根据所述第一温度信息和所述极限温度确定所述光刻胶的适用性。
2.根据权利要求1所述的检测光刻胶适用性的方法，其特征在于，所述获取正片的光刻胶的目标离子注入条件的步骤包括：
向所述正片上的光刻胶注入不同离子注入条件的离子；
获取所述正片上的光刻胶在每一个所述离子注入条件下的缺陷检查结果；
将所述缺陷检查结果符合晶圆缺陷变差条件对应的离子注入条件作为目标离子注入条件。
3.根据权利要求1所述的检测光刻胶适用性的方法，其特征在于，所述获取第一控片上的光刻胶在所述目标离子注入条件下的极限温度的步骤包括：
对贴有至少一张感温试纸后的所述第一控片上的所述光刻胶注入所述目标离子注入条件的离子；
获取在所述目标离子注入条件下，每一个所述感温试纸的变色信息；
根据每一所述感温试纸的所述变色信息确定所述第一控片的光刻胶在所述目标离子注入条件下的所述极限温度。
4.根据权利要求3所述的检测光刻胶适用性的方法，其特征在于，所述第一控片的光刻胶上贴有多张感温试纸，所述多张感温试纸均匀分布在所述光刻胶上；其中，所述根据每一所述感温试纸的所述变色信息确定所述第一控片上的光刻胶在所述目标离子注入条件下的所述极限温度的步骤包括：
根据每一个所述感温试纸的所述变色信息对应获取每一个所述感温试纸对应的第二温度信息；
将所述第二温度信息中最低的温度作为所述第一控片上的光刻胶的所述极限温度。
5.根据权利要求1所述的检测光刻胶适用性的方法，其特征在于，所述获取第二控片的光刻胶在实际生产离子注入条件下的第一温度信息的步骤包括：
对贴有至少一张感温试纸后的所述第二控片上的所述光刻胶注入所述实际生产离子注入条件的离子束；
获取在实际生产离子注入条件下所述感温试纸的变色信息；
根据所述变色信息确定所述第二控片上的光刻胶在实际生产离子注入条件下的第一温度信息。
6.根据权利要求5所述的检测光刻胶适用性的方法，其特征在于，所述感温试纸的感温区间为60摄氏度-140摄氏度。
7.根据权利要求1所述的检测光刻胶适用性的方法，其特征在于，所述根据所述第一温度信息和所述极限温度确定所述光刻胶的适用性的步骤包括：
在所述第一温度信息大于或等于所述极限温度的情况下，确定所述光刻胶不适用于所述实际生产离子注入条件；
在所述第一温度信息小于所述极限温度的情况下，确定所述光刻胶适用于所述实际生产离子注入条件。
8.根据权利要求1所述的检测光刻胶适用性的方法，其特征在于，在所述获取第一控片上的所述光刻胶在所述目标离子注入条件下的极限温度之后，所述方法还包括：
将光刻胶类型和所述极限温度存储至服务器，以构建关于所述光刻胶类型和所述极限温度的数据映射表。
9.根据权利要求1所述的检测光刻胶适用性的方法，其特征在于，所述极限温度表示所述第一控片上所述光刻胶在进行离子注入工艺时能承受的最高温度。
10.一种检测光刻胶适用性的装置，其特征在于，所述装置包括：
条件获取模块，用于获取正片上的光刻胶的目标离子注入条件；其中，所述光刻胶在所述目标离子注入条件下存在缺陷；
极限温度获取模块，用于获取第一控片上的所述光刻胶在所述目标离子注入条件下的极限温度；
第一温度获取模块，用于获取第二控片上的所述光刻胶在实际生产离子注入条件下的第一温度信息；其中，所述第一控片和所述第二控片的品质相同；
结果确定模块，用于根据所述第一温度信息和所述极限温度确定所述光刻胶的适用性。
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