CN116298603B - 电迁移测试参数获取方法、系统、计算机设备和存储介质 - Google Patents
电迁移测试参数获取方法、系统、计算机设备和存储介质 Download PDFInfo
- Publication number
- CN116298603B CN116298603B CN202310075262.3A CN202310075262A CN116298603B CN 116298603 B CN116298603 B CN 116298603B CN 202310075262 A CN202310075262 A CN 202310075262A CN 116298603 B CN116298603 B CN 116298603B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- tested
- sample
- current
- test
- failure time
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000012360 testing method Methods 0.000 title claims abstract description 242
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 53
- 238000003860 storage Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims abstract description 137
- 230000004913 activation Effects 0.000 claims abstract description 67
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims abstract description 48
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims abstract description 22
- 238000004590 computer program Methods 0.000 claims description 22
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 claims description 13
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 claims description 8
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 5
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 10
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 4
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 238000007619 statistical method Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials Using Thermal Means (AREA)
Abstract
本发明涉及一种电迁移测试参数获取方法、系统、计算机设备和存储介质，提供电迁移测试结构，电迁移测试结构包括多个待测样品，各待测样品均具有焊点；将各待测样品的焊点分别连接不同的分布式光纤传感器；将待测样品置于恒温箱内，向各待测样品均通入测试电流，并使用分布式光纤传感器实时监测各待测样品的焊点处的实际工作温度，且记录各待测样品在测试电流下的失效时间；基于各待测样品的焊点处的实际工作温度和各待测样品在所测试电流下的失效时间，得到电迁移测试结构的激活能和电流影响指数。本申请中，进行一次电迁移试验，可得到大量待测样品的焊点处的实际工作温度和在测试电流下的失效时间，可以快速且精确得到激活能和电流影响指数。
Description
技术领域
本申请涉及集成电路技术领域，特别是涉及一种电迁移测试参数获取方法、系统、计算机设备和存储介质。
背景技术
电子元器件的失效物理模型是通过大量样品的统计分析，将影响电子元器件可靠性的多个因素独立化，定量描述电子元器件失效的可靠性水平与可靠性相关因素之间的关联性的模型。失效物理模型可以反映失效率的统计平均值，具有较强的工程实用性。
实际应用中，失效物理模型中的平均失效时间(Mean Time To Failure，MTTF)是用来预测电子元器件的电迁移可靠性寿命的重要参数。电流影响指数n和激活能Q是影响电迁移可靠性寿命的重要参数。其中，电流影响指数n处于电流值的指数位置，其值的变化对整个电子元器件的失效时间的影响非常大。激活能Q的定义为原子克服势垒所必须的能量，即原子脱离平衡位置发生迁移需要的最小能量。激活能值越大，越难发生电迁移现象，互连失效所需的能量就越高。可选的，n和Q这两个参数仅与工艺方法，器件几何结构和材料成分等电子元器件固有性质相关，而与电流密度，工作温度无关。因此，对于一种新工艺制备的电迁移测试结构(新结构或者新材料)，均需要通过大量的可靠性试验数据来计算得到激活能和电流影响指数，才能建立一个合理正确的电迁移测试结构可靠性模型，从而得到精确的使用寿命。
现有的电迁移试验过程中，是将电迁移测试结构置于恒温箱中，直接将恒温箱的温度作为试验和失效温度。然而，上述电迁移试验方法中，由于每一个恒温箱每次实验时只能设置一个加热温度，至少需要使用3次恒温箱才能求得n和Q，使用的电迁移测试结构的数量和试验次数较多，测试效率比较低。
因此，如何提高获取的电迁移测试参数的测试效率是目前亟需解决的技术问题。
发明内容
基于此，有必要提供一种电迁移测试参数获取方法、系统、计算机设备和存储介质，以实现提高获取的电迁移测试参数的测试效率。
第一方面，本申请提供了一种电迁移测试参数获取方法，包括以下步骤：
提供电迁移测试结构，电迁移测试结构包括多个待测样品，各待测样品均具有焊点；将各待测样品的焊点分别连接不同的分布式光纤传感器；将所待测样品置于恒温箱内，向各待测样品均通入测试电流，并使用分布式光纤传感器实时监测各待测样品的焊点处的实际工作温度，且记录各待测样品在测试电流下的失效时间；基于各待测样品的焊点处的实际工作温度和各待测样品在所测试电流下的失效时间，得到电迁移测试结构的激活能和电流影响指数。
上述电迁移测试参数获取方法，首先，提供包括多个待测样品以及对应的焊点的电迁移测试结构；其中，将各待测样品的焊点分别连接不同的分布式光纤传感器；然后，将所待测样品置于恒温箱内，向各待测样品均通入测试电流，并使用分布式光纤传感器实时监测各待测样品的焊点处的实际工作温度，且记录各待测样品在测试电流下的失效时间；最后，基于各待测样品的焊点处的实际工作温度和各待测样品在所测试电流下的失效时间，得到电迁移测试结构的激活能和电流影响指数。本申请中，针对电迁移测试结构，进行一次电迁移试验，即可以得到大量的待测样品的焊点处的实际工作温度和各待测样品在测试电流下的失效时间，进而，可以快速且精确得到电迁移测试结构的激活能和电流影响指数，可以显著提高测试效率和测试精确度，节约大量的时间成本和经济成本。
可选地，各待测样品的焊点分别并联不同的继电器。
可选地，待测样品包括多个第一待测样品；向各待测样品均通入测试电流，并使用分布式光纤传感器实时监测各待测样品的焊点处的实际工作温度，且记录各待测样品在所述测试电流下的失效时间，包括：向各第一待测样品均通入具有第一电流密度的第一测试电流，使用分布式光纤传感器实时监测各第一待测样品的焊点处的实际工作温度，且记录各第一待测样品在第一测试电流下的失效时间；
基于各待测样品的焊点处的实际工作温度和各待测样品在测试电流下的失效时间得到电迁移测试结构的激活能和电流影响指数，包括：基于各第一待测样品的焊点处的实际工作温度和各第一待测样品在第一测试电流下的失效时间，对Black方程曲线进行拟合，以得到电迁移测试结构的激活能和电流影响指数。
可选地，基于各第一待测样品的焊点处的实际工作温度和各第一待测样品在第一测试电流下的失效时间，对Black方程曲线进行拟合，以得到电迁移测试结构的激活能和电流影响指数之前，还包括：
通过数值解析法检测并去除各第一待测样品的焊点处的实际工作温度中的孤立温度点和各第一待测样品在第一测试电流下的失效时间中的孤立失效时间点。
可选地，待测样品包括多个第一待测样品和多个第二待测样品，第一待测样品的结构与第二待测样品的结构相同；向各待测样品均通入测试电流，并使用分布式光纤传感器实时监测各待测样品的焊点处的实际工作温度，且记录各待测样品在测试电流下的失效时间，包括：向各第一待测样品均通入具有第一电流密度的第一测试电流，使用分布式光纤传感器实时监测各第一待测样品的焊点处的实际工作温度，且记录各第一待测样品在第一测试电流下的失效时间；向各第二待测样品均通入具有第二电流密度的第二测试电流，使用分布式光纤传感器实时监测各第二待测样品的焊点处的实际工作温度，且记录各第二待测样品在第二测试电流下的失效时间；
基于各待测样品的焊点处的实际工作温度和各待测样品在测试电流下的失效时间得到电迁移测试结构的激活能和电流影响指数，包括：基于各第一待测样品的焊点处的实际工作温度和各第一待测样品在第一测试电流下的失效时间，对Black方程曲线进行拟合，以得到第一激活能和第一电流影响指数；基于各第二待测样品的焊点处的实际工作温度和各第二待测样品在第二测试电流下的失效时间，对Black方程曲线进行拟合，以得到第二激活能和第二电流影响指数；将第一激活能和第二激活能求平均值，以得到电迁移测试结构的激活能；将第一电流影响指数和第二电流影响指数求平均值，以得到电迁移测试结构的电流影响指数。
可选地，基于各第一待测样品的焊点处的实际工作温度和各第一待测样品在第一测试电流下的失效时间，对Black方程曲线进行拟合，以得到第一激活能和第一电流影响指数之前，还包括：通过数值解析法检测并去除各第一待测样品的焊点处的实际工作温度中的孤立温度点和各第一待测样品在第一测试电流下的失效时间中的孤立失效时间点；
基于各第二待测样品的焊点处的实际工作温度和各第二待测样品在第二测试电流下的失效时间，对Black方程曲线进行拟合，以得到第二激活能和第二电流影响指数之前，还包括：通过数值解析法检测并去除各第二待测样品的焊点处的实际工作温度中的孤立温度点和各第二待测样品在第二测试电流下的失效时间中的孤立失效时间点。
第二方面，本申请还提供一种电迁移测试参数获取系统，包括：
恒温箱；
电迁移测试结构，电迁移测试结构包括多个待测样品，各待测样品均具有焊点；
测试电流提供装置，与各待测样品相连接，用于向各待测样品通入测试电流；
多个分布式光纤传感器，与各待测样品一一对应设置，且与待测样品的焊点相连接；分布式光纤传感器用于实时监测在测试电流下各待测样品的焊点处的实际工作温度；
失效时间记录模块，用于记录各待测样品在测试电流下的失效时间；
处理模块，与分布式光纤传感器和失效时间记录模块均相连接，用于基于各待测样品的焊点处的实际工作温度和各待测样品在测试电流下的失效时间得到电迁移测试结构的激活能和电流影响指数。
第三方面，本申请还提供一种计算机设备，包括存储器和处理器，存储器存储有计算机程序，处理器执行计算机程序时实现上述任一实施方式的方法的步骤。
第四方面，本申请还提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现上述任一实施方式的方法的步骤。
第五方面，本申请还提供一种计算机程序产品，包括计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现上述任一实施方式的方法的步骤。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例中提供的一种电迁移测试参数获取方法的流程图；
图2为本申请一实施例中提供的平均失效时间的对数lnMTTF和工作温度的倒数值1/T对应的直线拟合图；
图3为本实施例提供的一种电迁移测试参数获取系统的结构框图；
图4为本实施例提供的计算机设备的内部结构图。
具体实施方式
为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的首选实施例。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本申请的公开内容更加透彻全面。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请。
应当明白，当元件或层被称为“在...上”、“与...相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在...上”、“与...直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层、掺杂类型和/或部分，这些元件、部件、区、层、掺杂类型和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层、掺杂类型或部分与另一个元件、部件、区、层、掺杂类型或部分。因此，在不脱离本发明教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层、掺杂类型或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分；举例来说，可以将第一掺杂类型成为第二掺杂类型，且类似地，可以将第二掺杂类型成为第一掺杂类型；第一掺杂类型与第二掺杂类型为不同的掺杂类型，譬如，第一掺杂类型可以为P型且第二掺杂类型可以为N型，或第一掺杂类型可以为N型且第二掺杂类型可以为P型。
空间关系术语例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在这里可以用于描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在...下面”和“在...下”可包括上和下两个取向。此外，器件也可以包括另外地取向(譬如，旋转90度或其它取向)，并且在此使用的空间描述语相应地被解释。
在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也可以包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白，当术语“组成”和/或“包括”在该说明书中使用时，可以确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。同时，在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。
这里参考作为本发明的理想实施例(和中间结构)的示意图的横截面图来描述发明的实施例，这样可以预期由于例如制造技术和/或容差导致的所示形状的变化。因此，本发明的实施例不应当局限于在此所示的区的特定形状，而是包括由于例如制造技术导致的形状偏差。例如，显示为矩形的注入区在其边缘通常具有圆的或弯曲特征和/或注入浓度梯度，而不是从注入区到非注入区的二元改变。同样，通过注入形成的埋藏区可导致该埋藏区和注入进行时所经过的表面之间的区中的一些注入。因此，图中显示的区实质上是示意性的，它们的形状并不表示器件的区的实际形状，且并不限定本发明的范围。
电子元器件的失效物理模型是通过大量样品的统计分析，将影响电子元器件可靠性的多个因素独立化，定量描述电子元器件失效的可靠性水平与可靠性相关因素之间的关联性的模型。失效物理模型可以反映失效率的统计平均值，具有较强的工程实用性。
实际应用中，失效物理模型中的平均失效时间(Mean Time To Failure，MTTF)是用来预测电子元器件的电迁移可靠性寿命的重要参数。电流影响指数n和激活能Q是影响电迁移可靠性寿命的重要参数。其中，电流影响指数n处于电流值的指数位置，其值的变化对整个电子元器件的失效时间的影响非常大。激活能Q的定义为原子克服势垒所必须的能量，即原子脱离平衡位置发生迁移需要的最小能量。激活能值越大，越难发生电迁移现象，互连失效所需的能量就越高。可选的，n和Q这两个参数仅与工艺方法，器件几何结构和材料成分等电子元器件固有性质相关，而与电流密度，工作温度无关。因此，对于一种新工艺制备的电迁移测试结构(新结构或者新材料)，均需要通过大量的可靠性试验数据来计算得到激活能和电流影响指数，才能建立一个合理正确的电迁移测试结构可靠性模型，从而得到精确的使用寿命。
在一种电迁移试验过程中，是将电迁移测试结构置于恒温箱中，直接将恒温箱的温度作为试验和失效温度。然而，上述电迁移试验方法中，由于每一个恒温箱每次实验时只能设置一个加热温度，至少需要使用3次恒温箱才能求得n和Q，使用的电迁移测试结构的数量和试验次数较多，测试效率比较低。
由于在电迁移试验过程中，由于电流密度是按施加电流大小和焊点尺寸实际计算得到的，因此不存在很大的误差。但由于生产过程中工艺的一致性较差，每个焊点自身的电阻大小不一样，试验过程中焊点自身会产生不同的焦耳热，使得每个焊点实际的温度与试验设定的温度存在较大的差异，即恒温箱设定的环境温度并不等于器件的实际工作温度，进而影响试验模型的精度，使得求得的n和Q与真实值有较大误差。据统计，当焊点实际的温度与试验设定温度偏差超过10℃时，焊点的平均寿命的误差将超过100％。可以通过使用足够小的电流来忽略焦耳热的影响，但过小的电流无法起到电迁移的作用。
在另一种电迁移试验过程中，在恒温箱中采用不会使器件结构产生焦耳热的电流测量其电阻温度系数；然后在同一温度的恒温箱中进行至少三组不同电流密度的电迁移试验，同时记录每一组样品的电阻值，根据电阻温度系数计算得到样品在不同电流密度下的实际温度。然而，上述电迁移试验方法中，样品的电阻温度系数是基于使用不产生焦耳热的电流进行实验测得的，但通常情况下焦耳热的影响无法忽略，故必须存在一定误差；另外，虽然通过计算得到了样品的理论工作温度，但并未考虑样品的散热条件对温度的影响，即使是同一条电流通路上的不同焊点因散热条件的不同，也会具有差异较大的实际工作温度，故通过计算得到的理论工作温度与实际温度存在误差，因此求得的n和Q不够精确。
请参阅图1，本申请提供一种电迁移测试参数获取方法，包括如下步骤：
S10：提供电迁移测试结构，电迁移测试结构包括多个待测样品，各待测样品均具有焊点；
S20：将各待测样品的焊点分别连接不同的分布式光纤传感器；
S30：将待测样品置于恒温箱内，向各待测样品均通入测试电流，并使用分布式光纤传感器实时监测各待测样品的焊点处的实际工作温度，且记录各待测样品在测试电流下的失效时间；
S40：基于各待测样品的焊点处的实际工作温度和各待测样品在测试电流下的失效时间，得到电迁移测试结构的激活能和电流影响指数。
上述电迁移测试参数获取方法，首先，提供包括多个待测样品以及对应的焊点的电迁移测试结构；其中，将各待测样品的焊点分别连接不同的分布式光纤传感器；然后，将所待测样品置于恒温箱内，向各待测样品均通入测试电流，并使用分布式光纤传感器实时监测各待测样品的焊点处的实际工作温度，且记录各待测样品在测试电流下的失效时间；最后，基于各待测样品的焊点处的实际工作温度和各待测样品在所测试电流下的失效时间，得到电迁移测试结构的激活能和电流影响指数。本实施例中，针对电迁移测试结构，进行一次电迁移试验，即可以得到大量的待测样品的焊点处的实际工作温度和各待测样品在测试电流下的失效时间，进而，基于此，可以快速且精确得到电迁移测试结构的激活能和电流影响指数，可以显著提高测试效率和测试精确度，节约大量的时间成本和经济成本。
在步骤S10中，请参阅图1中的S10步骤，提供电迁移测试结构，电迁移测试结构包括多个待测样品，各待测样品均具有焊点。
可选的，电迁移通常是指在电流密度极高的区域中，在电场的作用下金属离子物理迁移运动造成元件或电路失效的现象。电迁移测试结构是指用于测试电迁移性能的结构。待测样品是指需要用于测试电迁移性能的样品，其中，各个待测样品中都有对应的焊点。
本实施例中，可以利用分布式光纤传感器、芯片与焊点等集成多个待测样品，多个待测样品组合形成电迁移测试结构。
可选的，各待测样品的焊点分别并联不同的继电器。本实施例中，当各个待测样品的各个焊点中的任意一个焊点失效时，并不会影响电迁移测试结构整体的测试步骤，可以通过继电器自动将失效焊点短路，继续执行获取电迁移测试结构的参数步骤。本实施例，由于继电器的引入，可以提高获取电迁移测试参数的效率。
在步骤S20中，请参阅图1中的S20步骤，将各待测样品的焊点分别连接不同的分布式光纤传感器。
本实施例中，分布式光纤传感器用于测试焊点对应温度。分布式光纤传感器设置的测量温度位置点与各个焊点对应；分布式光纤传感器设置的测量温度位置点对应的间距不小于至少两个焊点的间距，其中，至少两个焊点的间距范围可以为1mm-10mm。
在步骤S30中，请参阅图1中的S30步骤，将待测样品置于恒温箱内，向各待测样品均通入测试电流，并使用分布式光纤传感器实时监测各待测样品的焊点处的实际工作温度，且记录各待测样品在测试电流下的失效时间。
可选的，可以将多个分布式光纤传感器和焊点集成后的待测样品置于恒温箱内，并将待测样品接入电流通路中，利用各个分布式光纤传感器实时监测，与各个分布式光纤传感器对应的各个待测样品的焊点处的实际工作温度，即得到各待测样品的焊点处的实际工作温度，当多个待测样品中的任意一个焊点失效后，记录失效焊点在测试电流下的失效时间。
在步骤S40中，请参阅图1中的S40步骤，基于各待测样品的焊点处的实际工作温度和各待测样品在测试电流下的失效时间，得到电迁移测试结构的激活能和电流影响指数。
本实施例中，在得到各待测样品的焊点处的实际工作温度和各待测样品在测试电流下的失效时间之后，可以通过Black方程对各待测样品的焊点处的实际工作温度和各待测样品在测试电流下的失效时间进行计算，得到电迁移测试结构的激活能和电流影响指数。
其中，Black方程可用如下公式(1)表示：
其中，A为常数，仅与材料和结构有关；j为电流密度，单位MA/cm2；k＝8.616×10-5e V/K，为波尔兹曼常数；T为各待测样品的焊点处的实际工作温度，单位为K；Q是激活能，单位为eV；n为电流影响指数。MTTF为各待测样品在测试电流下的失效时间。
在一个可选的实施方式中，待测样品包括多个第一待测样品，步骤S30包括：向各第一待测样品均通入具有第一电流密度的第一测试电流，使用分布式光纤传感器实时监测各第一待测样品的焊点处的实际工作温度，且记录各第一待测样品在第一测试电流下的失效时间；相应的，步骤S40包括：基于各第一待测样品的焊点处的实际工作温度和各第一待测样品在第一测试电流下的失效时间，对Black方程曲线进行拟合，以得到电迁移测试结构的激活能和电流影响指数。
本实施例中，可以基于第一测试电流和多个第一待测样品对应的平均焊点的尺寸，得到第一电流密度J1。可选的，可以将多个第一待测样品置于恒温箱内，并设定恒温箱的温度为T，当恒温箱达到设定温度T后，将第一待测样品接入第一电流密度的第一测试电流通路中，进行电迁移实验。利用各个分布式光纤传感器实时监测，与各个分布式光纤传感器对应的各个第一待测样品的焊点处的实际工作温度，即可以得到各个第一待测样品的焊点处的实际工作温度T 11、T12、T13…T1n。当多个第一待测样品中的任意焊点失效后，记录失效焊点在测试电流下的失效时间t11、t12、t13…t1n。在得到各待测样品的焊点处的实际工作温度和各待测样品在测试电流下的失效时间之后，可以通过Black方程对各第一待测样品的焊点处的实际工作温度和各待测样品在测试电流下的失效时间进行计算，得到电迁移测试结构的激活能和电流影响指数。
可选的，对Black方程曲线进行拟合的过程包括如下步骤：
步骤一：对上述公式(1)进行变形，得到如下公式(2)。
另B＝lnA-n×lnj(3)，则公式(2)可以变形得到如下给公式(4)。
由公式(4)可以知道，当电流密度一定时，B为常数，即失效时间的对数lnMTTF和工作温度的倒数值1/T呈线性关系。可以根据第一电流密度，多个第一待测样品的焊点处的实际工作温度，多个第一待测样品中的焊点的失效时间，对Black方程对应的曲线进行拟合，可以得到失效时间的对数lnMTTF和工作温度的倒数值1/T对应的直线拟合图，如图2所示。具体的，可以根据第一电流密度J1，多个第一待测样品的焊点处的实际工作温度T11、T12、T13…T1n，多个第一待测样品中的焊点的失效时间t11、t12、t13…t1n，对Black方程对应的曲线进行拟合，进而得到失效时间的对数lnMTTF和工作温度的倒数值1/T对应的直线拟合图。
步骤三：由公式(4)确定图2所示的直线斜率即可得到激活能(例如Q1)，另外，得到直线截距(B1)，进而基于直线截距即可得到电流影响指数(例如n1)。
显然，本实施例中，针对电迁移测试结构，进行一次电迁移试验，可以得到大量的第一待测样品的焊点处的实际工作温度和各待测样品在测试电流下的失效时间，进而，基于此，可以计算快速得到精确的电迁移测试结构的激活能和电流影响指数，可以节约大量的时间成本和经济成本。
可选的，在得到电迁移测试结构的激活能和电流影响指数之前，可以通过数值解析法检测并去除各第一待测样品的焊点处的实际工作温度中的孤立温度点和各第一待测样品在第一测试电流下的失效时间中的孤立失效时间点。
本实施例中，孤立温度点是指在预设温度范围内的多个最高温度和多个最低温度，孤立失效时间点是指在预设时间范围内的多个最高时间和多个最低时间。在得到各个第一待测样品的焊点处的实际工作温度和各个第一待测样品在测试电流下的失效时间之后，可以通过数值解析法对实际工作温度和失效时间进行解析，去除各第一待测样品的焊点处的实际工作温度中的个最高温度和多个最低温度，和各第一待测样品在第一测试电流下的失效时间中的多个最高时间和多个最低时间。可以基于第一待测样品的焊点处的有效的实际工作温度和各个第一待测样品在测试电流下的有效的失效时间进行计算，得到精确的电迁移测试结构的激活能和电流影响指数。本实施例中，去除孤立温度点和孤立失效时间点，可以减少计算电迁移测试结构的激活能和电流影响指数误差。
在另一个可选的实施方式中，待测样品包括多个第一待测样品和多个第二待测样品，第一待测样品的结构与第二待测样品的结构相同。可选的，本实施例中，可以采用相同的工艺得到第一待测样品和第二待测样品。可选的，步骤S30包括：向各第一待测样品均通入具有第一电流密度的第一测试电流，使用分布式光纤传感器实时监测各第一待测样品的焊点处的实际工作温度，且记录各第一待测样品在第一测试电流下的失效时间；向各第二待测样品均通入具有第二电流密度的第二测试电流，使用分布式光纤传感器实时监测各第二待测样品的焊点处的实际工作温度，且记录各第二待测样品在第二测试电流下的失效时间。相应的，步骤S40包括：基于各第一待测样品的焊点处的实际工作温度和各第一待测样品在第一测试电流下的失效时间，对Black方程曲线进行拟合，以得到第一激活能和第一电流影响指数；基于各第二待测样品的焊点处的实际工作温度和各第二待测样品在第二测试电流下的失效时间，对Black方程曲线进行拟合，以得到第二激活能和第二电流影响指数；将第一激活能和第二激活能求平均值，以得到电迁移测试结构的激活能；将第一电流影响指数和第二电流影响指数求平均值，以得到电迁移测试结构的电流影响指数。
可选的，本实施例中，设定恒温箱的温度为T，当恒温箱达到设定温度T后，将第一待测样品接入第一电流密度J1的第一测试电流通路中，进行电迁移试验。利用各个分布式光纤传感器实时监测，与各个分布式光纤传感器对应的各个第一待测样品的焊点处的实际工作温度，即可以得到各个第一待测样品的焊点处的实际工作温度T11、T12、T13…T1n，以及记录失效焊点在测试电流下的失效时间t11、t12、t13…t1n。基于各个第一待测样品的焊点处的实际工作温度T11、T12、T13…T1n，以及记录的失效焊点在测试电流下的失效时间t11、t12、t13…t1n，对Black方程曲线进行拟合，即可得到第一激活能Q1和第一电流影响指数n1，
类似的，针对与第一待测样品同样结构的第二待测样品，也进行相似的操作，即当恒温箱达到设定温度T后，将第二待测样品接入第一电流密度J2的第二测试电流通路中，进行电迁移试验，即可以得到各个第二待测样品的焊点处的实际工作温度T21、T22、T23…T2n，以及记录失效焊点在测试电流下的失效时间t21、t22、t23…t2n。基于各个第二待测样品的焊点处的实际工作温度T21、T22、T23…T2n，以及记录失效焊点在测试电流下的失效时间t21、t22、t23…t2n对Black方程曲线进行拟合，即可得到第二激活能Q2和第二电流影响指数n2。分别对第一激活能Q1和第二激活能Q2取平均值，以及第一电流影响指数n1和第二电流影响指数n2取平均值，则可以得到电迁移测试结构的激活能和电迁移测试结构的电流影响指数。
显然，本实施例中，针对电迁移测试结构，进行2次电迁移试验，可以得到大量的第一待测样品的焊点处的实际工作温度和各待测样品在测试电流下的失效时间，以及大量的第二待测样品的焊点处的实际工作温度和各待测样品在测试电流下的失效时间，进而，基于此，可以计算得到精确的电迁移测试结构的激活能和电流影响指数，可以节约大量的时间成本和经济成本。
一种可选的实施方式中，在得到第一激活能和第一电流影响指数之前，还包括：通过数值解析法检测并去除各第一待测样品的焊点处的实际工作温度中的孤立温度点和各第一待测样品在第一测试电流下的失效时间中的孤立失效时间点；相应的，得到第二激活能和第二电流影响指数之前，还包括：通过数值解析法检测并去除各第二待测样品的焊点处的实际工作温度中的孤立温度点和各第二待测样品在第二测试电流下的失效时间中的孤立失效时间点。
可选的，在得到各个第一待测样品的焊点处的实际工作温度T11、T12、T13…T1n和各个第一待测样品在测试电流下的失效时间t11、t12、t13…t1n之后，可以通过数值解析法对实际工作温度和失效时间进行解析，去除各第一待测样品的焊点处的实际工作温度中多个最高温度(例如T12、T122)和多个最低温度(例如T124、t156)，和各第一待测样品在第一测试电流下的失效时间中的多个最高时间(例如t13、t192)和多个最低时间(例如t111、t120)，以便于后续可以基于第一待测样品的焊点处的有效的实际工作温度和各个第一待测样品在测试电流下的有效的失效时间进行计算，得到精确的电迁移测试结构的激活能和电流影响指数。类似的，在得到各个第二待测样品的焊点处的实际工作温度T 21、T 22、T 23…T2n和各个第一待测样品在测试电流下的失效时间t 21、t 22、t 23…t 2n之后，可以通过数值解析法对实际工作温度和失效时间进行解析，去除各第二待测样品的焊点处的实际工作温度中多个最高温度和多个最低温度，和各第二待测样品在第二测试电流下的失效时间中的多个最高时间和多个最低时间，以便于后续可以基于第二待测样品的焊点处的有效的实际工作温度和各个第二待测样品在测试电流下的有效的失效时间进行计算，得到精确的电迁移测试结构的激活能和电流影响指数。
基于同样的发明构思，本申请实施例还提供了一种用于实现上述所涉及的电迁移测试参数获取方法的一种电迁移测试参数获取系统。该系统所提供的解决问题的实现方案与上述方法中所记载的实现方案和有益效果相似，具体限定可以参见上文中对于一种电迁移测试参数获取方法的限定，在此不再赘述。
在一个实施例中，如图3所示，提供了一种电迁移测试参数获取系统，包括：
恒温箱301；
电迁移测试结构，电迁移测试结构包括多个待测样品302，各待测样品302均具有焊点；
测试电流提供装置303，与各所待测样品302相连接，用于向各待测样品302通入测试电流；
多个分布式光纤传感器304，与各待测样品302一一对应设置，且与待测样品302的焊点相连接；分布式光纤传感器304用于实时监测在测试电流下各待测样品302的焊点处的实际工作温度；
失效时间记录模块305，用于记录各待测样品302在测试电流下的失效时间；
处理模块306，与分布式光纤传感器304和失效时间记录模块305均相连接，用于基于各待测样品302的焊点处的实际工作温度和各待测样品302在测试电流下的失效时间得到电迁移测试结构的激活能和电流影响指数。
上述电迁移测试参数获取系统中的各个模块可全部或部分通过软件、硬件及其组合来实现。上述各模块可以硬件形式内嵌于或独立于计算机设备中的处理器中，也可以以软件形式存储于计算机设备中的存储器中，以便于处理器调用执行以上各个模块对应的操作。
在一个实施例中，提供了一种计算机设备，该计算机设备可以是终端，其内部结构图可以如图4所示。该计算机设备包括通过系统总线连接的处理器、存储器、通信接口、显示屏和输入装置。其中，该计算机设备的处理器用于提供计算和控制能力。该计算机设备的存储器包括非易失性存储介质、内存储器。该非易失性存储介质存储有操作系统和计算机程序。该内存储器为非易失性存储介质中的操作系统和计算机程序的运行提供环境。该计算机设备的通信接口用于与外部的终端进行有线或无线方式的通信，无线方式可通过WIFI、移动蜂窝网络、NFC(近场通信)或其他技术实现。该计算机程序被处理器执行时以实现电迁移测试参数获取。该计算机设备的显示屏可以是液晶显示屏或者电子墨水显示屏，该计算机设备的输入装置可以是显示屏上覆盖的触摸层，也可以是计算机设备外壳上设置的按键、轨迹球或触控板，还可以是外接的键盘、触控板或鼠标等。
本领域技术人员可以理解，图4中示出的结构，仅仅是与本申请方案相关的部分结构的框图，并不构成对本申请方案所应用于其上的计算机设备的限定，具体的计算机设备可以包括比图中所示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者具有不同的部件布置。
在一个实施例中，本申请提供了一种计算机设备，包括存储器和处理器，存储器中存储有计算机程序，该处理器执行计算机程序时实现上述任一实施方式所述的方法的步骤。
在一个实施例中，本申请还提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述任一实施方式所述的方法的步骤。
在一个实施例中，本申请还提供了一种计算机程序产品。计算机程序产品，包括计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现上述任一实施方式所述的方法的步骤。
需要说明的是，本申请所涉及的数据(包括但不限于用于分析的数据、存储的数据、展示的数据等)，均为经用户授权或者经过各方充分授权的数据。
本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程，是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，所述的计算机程序可存储于非易失性计算机可读取存储介质中，该计算机程序在执行时，可包括如上述各方法的实施例的流程。其中，本申请所提供的各实施例中所使用的对存储器、数据库或其它介质的任何引用，均可包括非易失性和易失性存储器中的至少一种。非易失性存储器可包括只读存储器(Read-OnlyMemory，ROM)、磁带、软盘、闪存、光存储器、高密度嵌入式非易失性存储器、阻变存储器(ReRAM)、磁变存储器(Magnetoresistive Random Access Memory，MRAM)、铁电存储器(Ferroelectric Random Access Memory，FRAM)、相变存储器(Phase Change Memory，PCM)、石墨烯存储器等。易失性存储器可包括随机存取存储器(Random Access Memory，RAM)或外部高速缓冲存储器等。作为说明而非局限，RAM可以是多种形式，比如静态随机存取存储器(Static Random Access Memory，SRAM)或动态随机存取存储器(Dynamic RandomAccess Memory，DRAM)等。本申请所提供的各实施例中所涉及的数据库可包括关系型数据库和非关系型数据库中至少一种。非关系型数据库可包括基于区块链的分布式数据库等，不限于此。本申请所提供的各实施例中所涉及的处理器可为通用处理器、中央处理器、图形处理器、数字信号处理器、可编程逻辑器、基于量子计算的数据处理逻辑器等，不限于此。
以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种电迁移测试参数获取方法，其特征在于，包括：
提供电迁移测试结构，所述电迁移测试结构包括多个待测样品，各所述待测样品均具有焊点；
将各所述待测样品的焊点分别连接不同的分布式光纤传感器；
将所述待测样品置于恒温箱内，向各所述待测样品均通入测试电流，并使用所述分布式光纤传感器实时监测各所述待测样品的焊点处的实际工作温度，且记录各所述待测样品在所述测试电流下的失效时间；
基于各所述待测样品的焊点处的实际工作温度和各所述待测样品在所述测试电流下的失效时间，得到所述电迁移测试结构的激活能和电流影响指数；
其中，各所述待测样品的所述焊点分别并联不同的继电器；所述继电器用于短路所并联的失效焊点。
2.根据权利要求1所述的电迁移测试参数获取方法，其特征在于，
所述待测样品包括多个第一待测样品；所述向各所述待测样品均通入测试电流，并使用所述分布式光纤传感器实时监测各所述待测样品的焊点处的实际工作温度，且记录各所述待测样品在所述测试电流下的失效时间，包括：向各所述第一待测样品均通入具有第一电流密度的第一测试电流，使用所述分布式光纤传感器实时监测各所述第一待测样品的焊点处的实际工作温度，且记录各所述第一待测样品在所述第一测试电流下的失效时间；
所述基于各所述待测样品的焊点处的实际工作温度和各所述待测样品在所述测试电流下的失效时间得到所述电迁移测试结构的激活能和电流影响指数，包括：基于各所述第一待测样品的焊点处的实际工作温度和各所述第一待测样品在所述第一测试电流下的失效时间，对Black方程曲线进行拟合，以得到所述电迁移测试结构的激活能和电流影响指数。
3.根据权利要求2所述的电迁移测试参数获取方法，其特征在于，所述基于各所述第一待测样品的焊点处的实际工作温度和各所述第一待测样品在所述第一测试电流下的失效时间，对Black方程曲线进行拟合，以得到所述电迁移测试结构的激活能和电流影响指数之前，还包括：
通过数值解析法检测并去除各所述第一待测样品的焊点处的实际工作温度中的孤立温度点和各所述第一待测样品在所述第一测试电流下的失效时间中的孤立失效时间点。
4.根据权利要求1所述的电迁移测试参数获取方法，其特征在于，
所述待测样品包括多个第一待测样品和多个第二待测样品，所述第一待测样品的结构与所述第二待测样品的结构相同；所述向各所述待测样品均通入测试电流，并使用所述分布式光纤传感器实时监测各所述待测样品的焊点处的实际工作温度，且记录各所述待测样品在所述测试电流下的失效时间，包括：向各所述第一待测样品均通入具有第一电流密度的第一测试电流，使用所述分布式光纤传感器实时监测各所述第一待测样品的焊点处的实际工作温度，且记录各所述第一待测样品在所述第一测试电流下的失效时间；向各所述第二待测样品均通入具有第二电流密度的第二测试电流，使用所述分布式光纤传感器实时监测各所述第二待测样品的焊点处的实际工作温度，且记录各所述第二待测样品在所述第二测试电流下的失效时间；
所述基于各所述待测样品的焊点处的实际工作温度和各所述待测样品在所述测试电流下的失效时间得到所述电迁移测试结构的激活能和电流影响指数，包括：基于各所述第一待测样品的焊点处的实际工作温度和各所述第一待测样品在所述第一测试电流下的失效时间，对Black方程曲线进行拟合，以得到第一激活能和第一电流影响指数；基于各所述第二待测样品的焊点处的实际工作温度和各所述第二待测样品在所述第二测试电流下的失效时间，对Black方程曲线进行拟合，以得到第二激活能和第二电流影响指数；将所述第一激活能和所述第二激活能求平均值，以得到所述电迁移测试结构的激活能；将所述第一电流影响指数和所述第二电流影响指数求平均值，以得到所述电迁移测试结构的电流影响指数。
5.根据权利要求4所述的电迁移测试参数获取方法，其特征在于，
所述基于各所述第一待测样品的焊点处的实际工作温度和各所述第一待测样品在所述第一测试电流下的失效时间，对Black方程曲线进行拟合，以得到第一激活能和第一电流影响指数之前，还包括：通过数值解析法检测并去除各所述第一待测样品的焊点处的实际工作温度中的孤立温度点和各所述第一待测样品在所述第一测试电流下的失效时间中的孤立失效时间点；
所述基于各所述第二待测样品的焊点处的实际工作温度和各所述第二待测样品在所述第二测试电流下的失效时间，对Black方程曲线进行拟合，以得到第二激活能和第二电流影响指数之前，还包括：通过数值解析法检测并去除各所述第二待测样品的焊点处的实际工作温度中的孤立温度点和各所述第二待测样品在所述第二测试电流下的失效时间中的孤立失效时间点。
6.根据权利要求1-5任一项所述的电迁移测试参数获取方法，其特征在于，所述分布式光纤传感器设置的测量温度位置点，与各个焊点相对应。
7.一种电迁移测试参数获取系统，其特征在于，包括：
恒温箱；
电迁移测试结构，所述电迁移测试结构包括多个待测样品，各所述待测样品均具有焊点；
测试电流提供装置，与各所述待测样品相连接，用于向各所述待测样品通入测试电流；
多个分布式光纤传感器，与各所述待测样品一一对应设置，且与所述待测样品的焊点相连接；所述分布式光纤传感器用于实时监测在所述测试电流下各所述待测样品的焊点处的实际工作温度；
失效时间记录模块，用于记录各所述待测样品在所述测试电流下的失效时间；
处理模块，与所述分布式光纤传感器和所述失效时间记录模块均相连接，用于基于各所述待测样品的焊点处的实际工作温度和各所述待测样品在所述测试电流下的失效时间得到所述电迁移测试结构的激活能和电流影响指数；
其中，各所述待测样品的所述焊点分别并联不同的继电器；所述继电器用于短路所并联的失效焊点。
8.一种计算机设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序时实现权利要求1至6中任一项所述的方法的步骤。
9.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1至6中任一项所述的方法的步骤。
10.一种计算机程序产品，包括计算机程序，其特征在于，该计算机程序被处理器执行时实现权利要求1至6中任一项所述的方法的步骤。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202310075262.3A CN116298603B (zh) | 2023-02-02 | 2023-02-02 | 电迁移测试参数获取方法、系统、计算机设备和存储介质 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202310075262.3A CN116298603B (zh) | 2023-02-02 | 2023-02-02 | 电迁移测试参数获取方法、系统、计算机设备和存储介质 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN116298603A CN116298603A (zh) | 2023-06-23 |
| CN116298603B true CN116298603B (zh) | 2024-03-26 |
Family
ID=86814020
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202310075262.3A Active CN116298603B (zh) | 2023-02-02 | 2023-02-02 | 电迁移测试参数获取方法、系统、计算机设备和存储介质 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN116298603B (zh) |
Citations (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN2755619Y (zh) * | 2004-08-19 | 2006-02-01 | 中国电子产品可靠性与环境试验研究所 | 封装级可靠性模型参数提取系统 |
| CN201681119U (zh) * | 2010-03-26 | 2010-12-22 | 北京工业大学 | 焊点电迁移电压的数据采集系统 |
| CN102760727A (zh) * | 2011-04-27 | 2012-10-31 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 互连线电迁移的测试装置及方法 |
| CN103137607A (zh) * | 2011-12-02 | 2013-06-05 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 半导体失效检测结构及形成方法、检测失效时间的方法 |
| CN103884927A (zh) * | 2012-12-21 | 2014-06-25 | 中国科学院金属研究所 | 一种力电热多场耦合下微电子产品可靠性测试方法 |
| RU2567016C1 (ru) * | 2014-06-19 | 2015-10-27 | Открытое акционерное общество "Ангстрем-Т" | Способ оценки электромиграционных параметров металлических проводников |
| CN105118798A (zh) * | 2015-08-26 | 2015-12-02 | 上海华力微电子有限公司 | 电迁移测试结构及测试方法 |
| CN205789952U (zh) * | 2016-05-26 | 2016-12-07 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 一种电迁移测试结构 |
| CN106680694A (zh) * | 2017-01-19 | 2017-05-17 | 重庆科技学院 | 微线性焊点电迁移实验装置 |
| CN107045993A (zh) * | 2016-02-05 | 2017-08-15 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 电迁移测试装置、电迁移测试系统及其测试方法 |
| CN108181571A (zh) * | 2017-12-28 | 2018-06-19 | 上海华力微电子有限公司 | 一种电迁移加速测试方法 |
| CN109976930A (zh) * | 2017-12-28 | 2019-07-05 | 腾讯科技（深圳）有限公司 | 异常数据的检测方法、系统及存储介质 |
| CN112834911A (zh) * | 2021-01-06 | 2021-05-25 | 上海燧原智能科技有限公司 | 一种电迁移测试方法、装置、设备及存储介质 |
| CN113495189A (zh) * | 2021-09-08 | 2021-10-12 | 深圳荣耀智能机器有限公司 | 评估电子装联材料可靠性的测试方法 |
| CN114280408A (zh) * | 2021-12-31 | 2022-04-05 | 北京工业大学 | 一种多温度环境下微焊点原位电迁移数据测试系统和方法 |
| CN114371384A (zh) * | 2021-12-21 | 2022-04-19 | 中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室）） | 电迁移测试电路、测试装置和方法 |
| CN114487785A (zh) * | 2022-03-07 | 2022-05-13 | 河南科技大学 | 一种焊点电-热迁移试验方法 |
| CN114814518A (zh) * | 2021-01-18 | 2022-07-29 | 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司 | 测试装置 |
| CN115579352A (zh) * | 2022-08-25 | 2023-01-06 | 中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室）） | 电迁移寿命时间测试方法、测试组件、计算机设备、介质 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8290753B2 (en) * | 2006-01-24 | 2012-10-16 | Vextec Corporation | Materials-based failure analysis in design of electronic devices, and prediction of operating life |
| EP1978371A1 (en) * | 2007-04-02 | 2008-10-08 | Nxp B.V. | Electromigration testing and evaluation apparatus and methods |
-
2023
- 2023-02-02 CN CN202310075262.3A patent/CN116298603B/zh active Active
Patent Citations (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN2755619Y (zh) * | 2004-08-19 | 2006-02-01 | 中国电子产品可靠性与环境试验研究所 | 封装级可靠性模型参数提取系统 |
| CN201681119U (zh) * | 2010-03-26 | 2010-12-22 | 北京工业大学 | 焊点电迁移电压的数据采集系统 |
| CN102760727A (zh) * | 2011-04-27 | 2012-10-31 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 互连线电迁移的测试装置及方法 |
| CN103137607A (zh) * | 2011-12-02 | 2013-06-05 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 半导体失效检测结构及形成方法、检测失效时间的方法 |
| CN103884927A (zh) * | 2012-12-21 | 2014-06-25 | 中国科学院金属研究所 | 一种力电热多场耦合下微电子产品可靠性测试方法 |
| RU2567016C1 (ru) * | 2014-06-19 | 2015-10-27 | Открытое акционерное общество "Ангстрем-Т" | Способ оценки электромиграционных параметров металлических проводников |
| CN105118798A (zh) * | 2015-08-26 | 2015-12-02 | 上海华力微电子有限公司 | 电迁移测试结构及测试方法 |
| CN107045993A (zh) * | 2016-02-05 | 2017-08-15 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 电迁移测试装置、电迁移测试系统及其测试方法 |
| CN205789952U (zh) * | 2016-05-26 | 2016-12-07 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 一种电迁移测试结构 |
| CN106680694A (zh) * | 2017-01-19 | 2017-05-17 | 重庆科技学院 | 微线性焊点电迁移实验装置 |
| CN108181571A (zh) * | 2017-12-28 | 2018-06-19 | 上海华力微电子有限公司 | 一种电迁移加速测试方法 |
| CN109976930A (zh) * | 2017-12-28 | 2019-07-05 | 腾讯科技（深圳）有限公司 | 异常数据的检测方法、系统及存储介质 |
| CN112834911A (zh) * | 2021-01-06 | 2021-05-25 | 上海燧原智能科技有限公司 | 一种电迁移测试方法、装置、设备及存储介质 |
| CN114814518A (zh) * | 2021-01-18 | 2022-07-29 | 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司 | 测试装置 |
| CN113495189A (zh) * | 2021-09-08 | 2021-10-12 | 深圳荣耀智能机器有限公司 | 评估电子装联材料可靠性的测试方法 |
| CN114371384A (zh) * | 2021-12-21 | 2022-04-19 | 中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室）） | 电迁移测试电路、测试装置和方法 |
| CN114280408A (zh) * | 2021-12-31 | 2022-04-05 | 北京工业大学 | 一种多温度环境下微焊点原位电迁移数据测试系统和方法 |
| CN114487785A (zh) * | 2022-03-07 | 2022-05-13 | 河南科技大学 | 一种焊点电-热迁移试验方法 |
| CN115579352A (zh) * | 2022-08-25 | 2023-01-06 | 中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室）） | 电迁移寿命时间测试方法、测试组件、计算机设备、介质 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| 多物理场下FCBGA焊点电迁移失效预测的数值模拟研究;张元祥;梁利华;张继成;陈俊俊;盛玉峰;;力学学报(第03期);全文 * |
| 电子封装微互连中的电迁移;尹立孟;张新平;;电子学报(第08期);全文 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN116298603A (zh) | 2023-06-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9252187B2 (en) | Devices and methods for measurement of magnetic characteristics of MRAM wafers using magnetoresistive test strips | |
| CN108120949A (zh) | 一种智能电能表加速退化试验方法 | |
| CN110728008B (zh) | 一种用于确定智能电表的期望寿命的方法及装置 | |
| CN116257923A (zh) | 桥梁健康监测方法、装置、计算机设备和存储介质 | |
| KR20230006866A (ko) | 테스트 샘플의 온도-변조 특성 측정 방법 | |
| CN101467057B (zh) | 用于测量浅层半导体注入物的片电阻和漏电流密度的方法 | |
| CN116298603B (zh) | 电迁移测试参数获取方法、系统、计算机设备和存储介质 | |
| CN115841046A (zh) | 基于维纳过程的加速退化试验数据处理方法和装置 | |
| Tranter et al. | The Effect of Cracks on the In‐plane Electrical Conductivity of PEFC Catalyst Layers | |
| US20180366643A1 (en) | Method for evaluating thermal effect and reducing thermal crosstalk of three-dimensional integrated resistive switching memory | |
| CN116682485A (zh) | 磁存储器电迁移失效及寿命预测方法、装置及电子设备 | |
| US9208832B2 (en) | Functional screening of static random access memories using an array bias voltage | |
| CN111458617A (zh) | 半导体器件可靠性检测方法、装置、计算机设备及介质 | |
| CN112162223B (zh) | Squid器件电磁参数测试方法、装置和计算机设备 | |
| CN114678288A (zh) | 晶圆的测试方法、装置及计算机可读存储介质 | |
| CN114579375A (zh) | 电路板质量检测方法、装置、计算机设备和存储介质 | |
| CN116413385A (zh) | 气体传感器检测方法、装置、系统、计算机设备 | |
| CN115879610B (zh) | 接触器使用期限预测方法、装置、设备和存储介质 | |
| KR102097096B1 (ko) | 컴포넌트 샘플의 재료 특성들을 검출하기 위한 검사 장치 및 방법 | |
| CN116991646B (zh) | 磁存储器寿命预测方法、装置、电子设备及存储介质 | |
| CN115656258B (zh) | 基于fbg温度传感器阵列的套管受潮诊断方法和装置 | |
| CN116191443A (zh) | 电压暂升影响的评估方法、装置、计算机设备和存储介质 | |
| CN111983411B (zh) | 多指栅型晶体管热阻测试方法、装置及终端设备 | |
| Wu et al. | Lower confidence bounds as precision measure for truncated processes | |
| CN117995701A (zh) | 测试结构以及测试方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |