CN117440715A - 显示装置和制造该显示装置的方法 - Google Patents

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宋大镐
吕少英
李起范
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Abstract

公开提供了一种显示装置和制造该显示装置的方法。该显示装置包括：多个像素电路部，设置在基底上；多个像素电极，均设置在多个像素电路部上；第一绝缘层，填充多个像素电极之间的空间；多个发光元件，均设置在多个像素电极上；以及连接电极，设置在多个发光元件与多个像素电极之间。多个像素电极中的每个包括朝向连接电极中的对应的一个突出的突起。

Description

显示装置和制造该显示装置的方法
本申请要求于2022年7月20日在韩国知识产权局(KIPO)提交的第10-2022-0089495韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
公开涉及一种显示装置和制造该显示装置的方法。
背景技术
随着多媒体的发展，显示装置正变得越来越重要。因此，正在使用各种类型的显示装置(诸如有机发光显示器和液晶显示器)。
显示装置包括显示面板(诸如有机发光显示面板或液晶显示面板)作为用于显示显示装置的图像的装置。在它们之中，发光显示面板可以包括发光元件。例如，在发光元件是发光二极管(LED)的情况下，LED可以是使用有机材料作为发光材料的有机发光二极管(OLED)或者可以是使用无机材料作为发光材料的无机LED。
发明内容
公开的方面提供了一种能够防止在将发光元件和电路连接的连接电极中产生空隙的显示装置以及制造该显示装置的方法。
然而，公开的方面不限于这里阐述的方面。通过参照下面给出的公开的详细描述，公开的以上和其他方面对于公开所属领域的普通技术人员将变得更明显。
根据公开的方面，显示装置可以包括：多个像素电路部，设置在基底上；多个像素电极，均设置在所述多个像素电路部上；第一绝缘层，填充所述多个像素电极之间的空间；多个发光元件，均设置在所述多个像素电极上；以及连接电极，设置在所述多个发光元件与所述多个像素电极之间。所述多个像素电极中的每个可以包括朝向连接电极中的对应的一个突出的突起。
连接电极中的每个可以覆盖突起。
连接电极中的每个可以包括：第一连接电极，覆盖突起；以及第二连接电极，电连接到所述多个发光元件中的每个。第一连接电极和第二连接电极可以熔融接合在一起。
所述多个像素电极中的每个的在基底的厚度方向上的厚度可以大于第一绝缘层的在基底的厚度方向上的厚度。
所述多个像素电极中的每个可以包括钨(W)、铜(Cu)、钛(Ti)、银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、铅(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)或其混合物。
第一绝缘层可以是无机层。
显示装置还可以包括：波长转换层，均设置在所述多个发光元件中的每个上；以及堤，填充所述多个发光元件之间的空间和波长转换层之间的空间。
显示装置还可以包括：第二绝缘层，设置在所述多个发光元件的侧表面、连接电极的侧表面和其上未设置所述多个发光元件的第一绝缘层上；以及共电极，设置在所述多个发光元件的上表面和第二绝缘层上。
显示装置还可以包括：第一反射层，设置在所述多个发光元件和第二绝缘层的侧表面上；以及第二反射层，设置在波长转换层的侧表面上。
波长转换层中的每个的在与基底的厚度方向垂直的方向上的长度可以大于所述多个发光元件中的每个的在与厚度方向垂直的方向上的长度，并且显示装置还可以包括设置在波长转换层的不与所述多个发光元件叠置的底部上的第三反射层。
所述多个像素电极中的每个还可以包括下电极层和设置在下电极层上的上电极层。
下电极层可以包括金属氧化物，并且上电极层可以包括金属。
上电极层可以包括钨(W)、铜(Cu)、钛(Ti)、银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、铅(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)或其混合物。
显示装置还可以包括：光阻挡构件，设置在堤上；以及滤色器，均设置在波长转换层中的每个上。
所述多个发光元件中的每个可以包括顺序地堆叠在所述多个像素电极上的第一半导体层、电子阻挡层、活性层、超晶格层和第二半导体层。
根据公开的另一方面，制造显示装置的方法可以包括以下步骤：在设置在第一基底上的像素电路部上形成第一绝缘层；通过蚀刻第一绝缘层在第一绝缘层中形成使像素电路部暴露的接触孔；形成填充接触孔并且覆盖第一绝缘层的像素电极层；通过蚀刻像素电极层和第一绝缘层来形成像素电极，像素电极均具有在第一绝缘层之上突出的突起；在第一基底上形成第一连接电极层以覆盖突起；在第二基底的发光层上形成第二连接电极层；将第一连接电极层和第二连接电极层接合并且去除第二基底；在发光层上形成掩模图案；以及通过经由掩模图案蚀刻发光层和接合的连接电极层来形成发光元件和连接电极。
在形成像素电极的步骤中，可以使用第一浆料通过化学机械抛光方法蚀刻像素电极层，直到第一绝缘层被暴露，并且可以使用第二浆料通过化学机械抛光方法选择性地蚀刻第一绝缘层，直到第一绝缘层的在第一基底的厚度方向上的厚度小于像素电极层的在第一基底的厚度方向上的厚度。
像素电极层可以由钨(W)、铜(Cu)、钛(Ti)、银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、铅(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)或其混合物形成，第一绝缘层可以由无机材料形成，第一浆料可以是用于对金属进行选择性地抛光的第一磨料，并且第二浆料可以是用于对无机材料进行选择性地抛光的第二磨料。
所述方法还可以包括：在发光元件的上表面和侧表面、连接电极的侧表面以及其上未设置发光元件的第一绝缘层上形成第二绝缘层；通过蚀刻第二绝缘层的在发光元件的上表面上的一部分，在第二绝缘层中形成使发光元件的上表面部分地暴露的开口；在第二绝缘层上和第二绝缘层的开口中形成共电极；通过在发光元件上施用有机绝缘材料并且对有机绝缘材料进行图案化来形成堤；以及在堤的部分之间在共电极上形成波长转换层，以转换从发光元件发射的光的波长。
所述方法还可以包括：在堤上形成光阻挡构件；以及在波长转换层上放置滤色器。
在根据实施例的显示装置和制造该显示装置的方法中，能够通过防止在连接电极中产生空隙来防止显示装置的电流密度降低。
因此，可以减少显示装置的亮度降低。
然而，公开的效果不限于上述效果，并且各种其他效果包括在说明书中。
附图说明
通过以下结合附图对实施例的描述，这些和/或其他方面将变得明显并且更容易理解，在附图中：
图1是根据实施例的显示装置的平面图；
图2是根据实施例的显示装置的显示基底的电路的示意性布局图；
图3是根据实施例的显示装置的像素的等效电路的示意图；
图4是根据实施例的显示装置的像素的等效电路的示意图；
图5是根据实施例的显示装置的像素的等效电路的示意图；
图6是根据实施例的显示装置的示意性剖视图；
图7是示出根据实施例的像素电极和发光元件的示意性剖视图；
图8是示出像素电极和绝缘层的示意性剖视图；
图9是示出根据实施例的图6的发光元件的示意性剖视图；
图10是示出根据实施例的像素电极和发光元件的示意性剖视图；
图11是根据实施例的显示装置的示意性剖视图；
图12是根据实施例的显示装置的示意性剖视图；
图13是根据实施例的显示装置的示意性剖视图；
图14至图27是示出根据实施例的制造显示装置的方法的示意性剖视图；
图28是示出根据实施例的制造显示装置的方法的流程图；
图29是示出根据实施例的制造半导体电路板的方法的流程图；
图30是示出包括根据实施例的显示装置的虚拟现实装置的示意图；
图31是示出包括根据实施例的显示装置的智能装置的示意图；
图32是示出包括根据实施例的显示装置的车辆的示意图；以及
图33是示出包括根据实施例的显示装置的透明显示装置的示意图。
具体实施方式
现在将在下文中参照附图更充分地描述实施例。然而，实施例可以以不同的形式提供，并且不应被解释为限制。贯穿公开，相同的附图标记指示相同的组件。在附图中，为了清楚起见，层和区域的厚度可能被夸大。
为了清楚地描述公开的实施例，可能已经省略了与描述不相关联的部分中的一些。
将理解的是，当层被称为“在”另一层或基底“上”时，它可以直接在所述另一层或基底上，或者也可以存在居间层。相反，当元件被称为“直接在”另一元件“上”时，可以不存在居间元件。
此外，短语“在平面图中”是指当从上方观看物体部分时，并且短语“在示意性剖视图中”是指当从侧面观看通过竖直切割物体部分而截取的剖面时。术语“叠置”或“重叠”是指第一物体可以在第二物体的上方或下方或一侧，反之亦然。另外，术语“叠置”可以包括层叠、堆叠、面对或面向、在……之上延伸、覆盖或部分地覆盖或如由本领域普通技术人员将领会和理解的任何其他合适的术语。表述“不叠置”可以包括诸如“与……间隔开”或“与……分开”或“与……偏移”的含义以及如由本领域普通技术人员将领会和理解的任何其他合适的等同物。术语“面对”和“面向”可以是指第一物体可以直接或间接与第二物体相对。在第三物体介于第一物体与第二物体之间的情况下，尽管第一物体和第二物体仍然彼此面对，但是第一物体和第二物体可以被理解为彼此间接相对。
为了易于描述，这里可以使用空间相对术语“在……下方”、“在……之下”、“下(下部)”、“在……上方”、“上(上部)”等来描述如附图中所示的一个元件或组件与另一元件或组件之间的关系。将理解的是，除了附图中描绘的方位之外，空间相对术语旨在涵盖装置在使用或操作中的不同方位。例如，在附图中所示的装置被翻转的情况下，位于另一装置“下方”或“之下”的装置可以放置“在”所述另一装置“上方”。因此，说明性术语“在……下方”可以包括下部位置和上部位置两者。装置也可以在其他方向上定位，因此可以根据方位不同地解释空间相对术语。
当元件被称为“连接”或“结合”到另一元件时，该元件可以“直接连接”或“直接结合”到所述另一元件，或者“电连接”或“电结合”所述到另一元件且一个或更多个居间元件置于其间。此外，当元件被称为“与”另一元件“接触”或“接触”到另一元件等时，该元件可以与所述另一元件“电接触”或“物理接触”；或者与所述另一元件“间接接触”或“直接接触”。还将理解的是，当使用术语“包含”、“具有”、“包括”和/或其变型时，它们可以说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但是不排除存在或添加其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的任何组合。
将理解的是，尽管这里可以使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语限制。这些术语用于将一个元件与另一元件区分开，或者为了便于其描述和解释。例如，当在描述中讨论“第一元件”时，它可以被命名为“第二元件”或“第三元件”，并且在不脱离这里的教导的情况下，“第二元件”和“第三元件”可以以类似的方式命名。
考虑到所讨论的测量和与特定量的测量相关的误差(例如，测量系统的局限性)，如这里所使用的术语“约(大约)”或“近似”包括所陈述的值，并且是指在如由本领域普通技术人员确定的特定值的可接受的偏差范围内。例如，“约(大约)”可以是指在一个或更多个标准偏差内，或者在所陈述的值的±30％、±20％、±10％、±5％内。
在说明书和权利要求中，出于其含义和解释的目的，术语“和/或”旨在包括术语“和”和“或”的任何组合。例如，“A和/或B”可以理解为是指“A、B或者A和B”。术语“和”和“或”可以以连接或分离的意义使用，并且可以理解为等同于“和/或”。在说明书和权利要求中，出于其含义和解释的目的，短语“……至少一个(种/者)”旨在包括“选自于……的组中的至少一个(种/者)”的含义。例如，“A和B中的至少一个(种/者)”可以理解为是指“A、B或者A和B”。
除非另外定义或暗示，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解的是，术语(诸如在常用词典中定义的术语)应被解释为具有与它们在相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且除非在说明书中清楚地限定，否则将不以理想的或过于形式化的意义来解释。
图1是根据实施例的显示装置10的平面图。
参照图1，根据实施例的显示装置10可以应用于智能电话、移动电话、平板个人计算机(PC)、个人数字助理(PDA)、便携式多媒体播放器(PMP)、电视、游戏控制台、手表型电子装置、头戴式显示器、PC监视器、膝上型计算机、汽车导航系统、汽车仪表板、数码相机、摄像机、室外广告牌、电子显示板、医疗装置、检查装置、各种家用电器(诸如冰箱和洗衣机)或物联网(IoT)装置。在说明书中，将电视描述为显示装置10的示例，并且电视可以具有高分辨率或超高分辨率(诸如HD、UHD、4K和8K)。
根据实施例的显示装置10可以根据显示方法进行各种分类。例如，显示装置10可以分类为有机发光显示装置、无机电致发光(EL)显示装置、量子点发光显示装置(QED)、微发光二极管显示装置、纳米发光二极管显示装置、等离子显示面板(PDP)、场发射显示(FED)装置、阴极射线管(CRT)显示装置、液晶显示(LCD)装置或电泳显示(EPD)装置。下面将描述有机发光显示装置作为显示装置10的示例。除非需要特殊区分，否则应用于实施例的有机发光显示装置将简单地缩写为显示装置。然而，实施例不限于有机发光显示装置，在共享技术精神的范围内，也可以应用以上列出的或本领域已知的其他显示装置。
在以下附图中，第一方向DR1指示显示装置10的水平方向，第二方向DR2指示显示装置10的竖直方向，并且第三方向DR3指示显示装置10的厚度方向。“左”、“右”、“上”和“下”指在平面图中观看显示装置10的情况下的方向。例如，“右侧”指在第一方向DR1上的一侧，“左侧”指在第一方向DR1上的另一侧，“上侧”指在第二方向DR2上的一侧，并且“下侧”指在第二方向DR2上的另一侧。另外，“顶部”指在第三方向DR3上的一侧，并且“底部”指在第三方向DR3上的另一侧。
在平面图中，根据实施例的显示装置10可以具有方形形状(例如，正方形形状)。在显示装置10是电视的情况下，它可以具有具备在水平方向上定位的长边的矩形形状。然而，公开不限于此，长边可以在竖直方向上定位，或者显示装置10可以可旋转地安装，使得长边可以在水平或竖直方向上可变地定位。在平面图中，显示装置10可以具有圆形或椭圆形形状。
显示装置10可以包括显示区域DPA和非显示区域NDA。显示区域DPA可以是其中显示有图像的有效区域。在平面图中，显示区域DPA可以具有类似于显示装置10的整体形状的正方形形状，但是公开不限于此。
显示区域DPA可以包括多个像素PX。像素PX可以以矩阵布置。在平面图中，像素PX中的每个可以具有矩形形状或正方形形状。然而，公开不限于此，像素PX中的每个可以具有菱形平面形状，该菱形平面形状具有相对于显示装置10的边倾斜的每条边。像素PX可以包括多个颜色像素PX。例如，像素PX可以包括但不限于红色第一颜色像素PX、绿色第二颜色像素PX和蓝色第三颜色像素PX。颜色像素PX可以以条纹或图案交替地布置。
非显示区域NDA可以定位为与显示区域DPA相邻。非显示区域NDA可以整个地或部分地围绕显示区域DPA。显示区域DPA可以是正方形，并且非显示区域NDA可以设置为与显示区域DPA的四条边相邻。非显示区域NDA可以形成显示装置10的边框。
用于驱动显示区域DPA的驱动电路或驱动元件可以设置在非显示区域NDA中。在实施例中，垫(pad，或称为“焊盘”)部可以在设置为与显示装置10的第一侧(图1中的下侧)相邻的非显示区域NDA中设置在显示装置10的显示基底上，并且外部装置EXD可以安装在垫部的垫电极上。外部装置EXD的示例可以包括连接膜、印刷电路板、驱动芯片DIC、连接件和布线连接膜。直接形成在显示装置10的显示基底上的扫描驱动器SDR可以设置在与显示装置10的第二侧(图1中的左侧)相邻的非显示区域NDA中。
图2是根据实施例的显示装置10的显示基底的电路的示意性布局图。
参照图2，多条布线可以设置在第一基底SUB1(见图6)上。布线可以包括扫描线SCL、感测信号线SSL、数据线DTL、参考电压线RVL和第一电力线ELVDL。
扫描线SCL和感测信号线SSL可以在第一方向DR1上延伸。扫描线SCL和感测信号线SSL可以连接到扫描驱动器SDR。扫描驱动器SDR可以包括驱动电路。扫描驱动器SDR可以在显示基底上设置非显示区域NDA的一侧。然而，公开不限于此，扫描驱动器SDR可以设置在非显示区域NDA的两侧。扫描驱动器SDR可以连接到信号连接布线CWL，并且信号连接布线CWL的至少一端可以在与显示装置10的第一侧(图1中的下侧)相邻的非显示区域NDA和/或与显示装置10的第二侧(图1中的左侧)相邻的非显示区域NDA中形成垫WPD_CW，因此可以连接到外部装置EXD(见图1)。
数据线DTL和参考电压线RVL可以在与第一方向DR1相交的第二方向DR2上延伸。第一电力线ELVDL可以包括在第二方向DR2上延伸的部分。第一电力线ELVDL还可以包括在第一方向DR1上延伸的部分。第一电力线ELVDL可以具有格子结构，但是公开不限于此。
布线垫WPD可以设置在数据线DTL、参考电压线RVL和第一电力线ELVDL中的至少一条的一端上。每个布线垫WPD可以设置在非显示区域NDA的垫部PDA中。在实施例中，数据线DTL的布线垫(在下文中，称为“数据垫”)WPD_DT、参考电压线RVL的布线垫(在下文中，称为“参考电压垫”)WPD_RV和第一电力线ELVDL的布线垫(在下文中，称为“第一电力垫”)WPD_ELVD可以设置在非显示区域NDA的垫部PDA中。在另一实施例中，数据垫WPD_DT、参考电压垫WPD_RV和第一电力垫WPD_ELVD可以设置在另一非显示区域NDA中。如上所述，外部装置EXD(见图1)可以安装在布线垫WPD上。外部装置EXD可以通过各向异性导电膜、超声波接合等安装在布线垫WPD上。
显示基底上的每个像素PX可以包括像素驱动电路。上述布线可以在穿过每个像素PX或在每个像素PX周围的同时将驱动信号传输到每个像素驱动电路。像素驱动电路可以包括晶体管和电容器。每个像素驱动电路中的晶体管和电容器的数量可以不同地改变。尽管下面将使用包括三个晶体管和一个电容器的3T1C结构作为示例来描述像素驱动电路，但是公开不限于此，诸如2T1C结构、7T1C结构和6T1C结构的其他各种修改结构也可以是适用的。
图3是根据实施例的显示装置10的像素PX的等效电路的示意图。
参照图3，除了发光元件LE之外，根据实施例的显示装置10的每个像素PX可以包括三个晶体管DTR、STR1和STR2以及一个存储电容器CST。
发光元件LE可以响应于通过驱动晶体管DTR供应的电流而发射光。发光元件LE可以是无机发光二极管、有机发光二极管、微发光二极管或纳米发光二极管。
发光元件LE的第一电极(即，阳极)可以连接到驱动晶体管DTR的源电极，并且其第二电极(即，阴极)可以连接到供应有比第一电力线ELVDL的高电位电压(第一电源电压)低的低电位电压(第二电源电压)的第二电力线ELVSL。
驱动晶体管DTR可以根据施加到栅电极的电压来调节从供应有第一电源电压的第一电力线ELVDL流到发光元件LE的电流。驱动晶体管DTR可以具有连接到第一晶体管STR1的第一电极的栅电极、连接到发光元件LE的第一电极的源电极以及连接到施加有第一电源电压的第一电力线ELVDL的漏电极。
第一晶体管STR1可以通过扫描线SCL的扫描信号导通，以将数据线DTL连接到驱动晶体管DTR的栅电极。第一晶体管STR1可以具有连接到扫描线SCL的栅电极、连接到驱动晶体管DTR的栅电极的第一电极以及连接到数据线DTL的第二电极。
第二晶体管STR2可以通过感测信号线SSL的感测信号导通，以将参考电压线RVL连接到驱动晶体管DTR的源电极。第二晶体管STR2可以具有连接到感测信号线SSL的栅电极、连接到参考电压线RVL的第一电极以及连接到驱动晶体管DTR的源电极的第二电极。
在实施例中，第一晶体管STR1和第二晶体管STR2中的每个的第一电极可以是源电极，第二电极可以是漏电极。然而，公开不限于此，第一电极可以是漏电极，第二电极可以是源电极。
存储电容器CST可以形成在驱动晶体管DTR的栅电极和源电极之间。存储电容器CST可以存储驱动晶体管DTR的栅极电压和源极电压之间的电压差。
驱动晶体管DTR以及第一晶体管STR1和第二晶体管STR2中的每个可以形成为薄膜晶体管。尽管在图3中已经描述了驱动晶体管DTR以及第一晶体管STR1和第二晶体管STR2是N型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的情况，但是公开不限于此。例如，驱动晶体管DTR以及第一晶体管STR1和第二晶体管STR2可以形成为P型MOSFET，或者它们中的一些晶体管可以形成为N型MOSFET，并且它们中的其他晶体管可以形成为P型MOSFET。
图4是根据实施例的显示装置10的像素PX的等效电路的示意图。
参照图4，发光元件LE的第一电极可以连接到第四晶体管STR4的第一电极和第六晶体管STR6的第二电极，并且发光元件LE的第二电极可以连接到第二电力线ELVSL。寄生电容Cel可以形成在发光元件LE的第一电极和第二电极之间。
每个像素PX可以包括驱动晶体管DTR、开关元件和电容器CST。开关元件可以包括第一晶体管STR1至第六晶体管STR6。
驱动晶体管DTR可以包括栅电极、第一电极和第二电极。驱动晶体管DTR可以根据施加到栅电极的数据电压来控制在第一电极与第二电极之间流动的漏极-源极电流(在下文中，称为“驱动电流”)。
电容器CST可以形成在驱动晶体管DTR的栅电极与第一电力线ELVDL之间。电容器CST的一个电极可以连接到驱动晶体管DTR的栅电极，并且另一电极可以连接到第一电力线ELVDL。
在第一晶体管STR1至第六晶体管STR6以及驱动晶体管DTR中的每个的第一电极是源电极的情况下，第二电极可以是漏电极。在第一晶体管STR1至第六晶体管STR6以及驱动晶体管DTR中的每个的第一电极是漏电极的情况下，第二电极可以是源电极。
第一晶体管STR1至第六晶体管STR6以及驱动晶体管DTR中的每个的半导体层可以由多晶硅、非晶硅和氧化物半导体中的一种制成。在第一晶体管STR1至第六晶体管STR6以及驱动晶体管DTR中的每个的半导体层由多晶硅制成的情况下，用于形成半导体层的工艺可以是低温多晶硅(LTPS)工艺。
尽管在图4中已经描述了第一晶体管STR1至第六晶体管STR6以及驱动晶体管DTR形成为P型MOSFET的情况，但是公开不限于此，第一晶体管STR1至第六晶体管STR6以及驱动晶体管DTR可以形成为N型MOSFET。
可以考虑驱动晶体管DTR的特性、发光元件LE的特性等来设定第一电力线ELVDL的第一电源电压、第二电力线ELVSL的第二电源电压和第三电力线VIL的第三电源电压。
图5是根据实施例的显示装置10的像素PX的等效电路的示意图。
图5的实施例与图4的实施例的不同之处在于：驱动晶体管DTR、第二晶体管STR2、第四晶体管STR4、第五晶体管STR5和第六晶体管STR6形成为P型MOSFET，第一晶体管STR1和第三晶体管STR3形成为N型MOSFET。
参照图5，形成为P型MOSFET的驱动晶体管DTR、第二晶体管STR2、第四晶体管STR4、第五晶体管STR5和第六晶体管STR6中的每个的有源层可以由多晶硅制成，形成为N型MOSFET的第一晶体管STR1和第三晶体管STR3中的每个的有源层可以由氧化物半导体制成。
图5的实施例与图4的实施例的不同之处在于：第二晶体管STR2的栅电极和第四晶体管STR4的栅电极均连接到写入扫描布线GWL，并且第一晶体管STR1的栅电极连接到控制扫描布线GCL。由于在图5中第一晶体管STR1和第三晶体管STR3形成为N型MOSFET，因此栅极高电压的扫描信号可以传输到控制扫描布线GCL和初始化扫描布线GIL。相反，由于第二晶体管STR2、第四晶体管STR4、第五晶体管STR5和第六晶体管STR6形成为P型MOSFET，因此栅极低电压的扫描信号可以传输到写入扫描布线GWL和发射布线ELk。
然而，应当注意的是，像素PX的电路不限于图3至图5中所示的像素PX的电路。除了图3至图5中所示的实施例之外，像素PX的电路还可以以本领域技术人员可以采用的其他电路结构形成。
图6是根据实施例的显示装置10的示意性剖视图。图7是示出根据实施例的像素电极111和发光元件LE的示意性剖视图。图8是示出像素电极111和绝缘层的示意性剖视图。图9是示出根据实施例的图6的发光元件LE的示意性剖视图。
参照图6至图9，显示装置10可以包括半导体电路板110和发光层120。
半导体电路板110可以包括第一基底SUB1、多个像素电路部(或像素电路单元)PXC、像素电极111和第一绝缘层INS1。
第一基底SUB1可以是绝缘基底。第一基底SUB1可以包括透明材料。例如，第一基底SUB1可以包括透明绝缘材料(诸如玻璃或石英)。第一基底SUB1可以是刚性基底。然而，第一基底SUB1不限于刚性基底。第一基底SUB1可以包括诸如聚酰亚胺的塑料并且具有柔性特性，使得其可以弯曲、弯折、折叠或卷曲。多个发射区域EA1至EA3和非发射区域NEA可以限定在第一基底SUB1中。
像素电路部PXC中的每个可以设置在第一基底SUB1上。像素电路部PXC中的每个可以包括使用半导体工艺形成的互补金属氧化物半导体(CMOS)电路。像素电路部PXC中的每个可以包括通过半导体工艺形成的至少一个晶体管。像素电路部PXC中的每个还可以包括通过半导体工艺形成的至少一个电容器。
像素电路部PXC可以设置在显示区域DPA中。像素电路部PXC中的每个可以连接到对应的像素电极111。例如，像素电路部PXC与像素电极111可以一对一地彼此连接。像素电路部PXC中的每个可以将像素电压或阳极电压施加到像素电极111。
像素电极111中的每个可以设置在对应的像素电路单元PXC上。像素电极111中的每个可以是从像素电路单元PXC暴露的电极。像素电极111中的每个可以从像素电路单元PXC的上表面突出。像素电极111中的每个可以包括朝向下面将描述的发光元件LE突出的突起111-c。像素电极111中的每个可以形成为朝向下面将描述的连接电极112突出，并且连接电极112可以形成为覆盖像素电极111的突起111-c。连接电极112可以具有突起111-c的高度的两倍或更多倍大的厚度d1，以充分覆盖突起111-c。例如，除了突起111-c之外的连接电极112的厚度d2可以是连接电极112的总厚度d1的一半或更多。
像素电极111中的每个和一个像素电路单元PXC可以彼此成一体。像素电极111中的每个可以从像素电路单元PXC接收像素电压或阳极电压。像素电极111可以包括钨(W)、铜(Cu)、钛(Ti)、银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、铅(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)或其混合物。
第一绝缘层INS1可以设置在其上未设置像素电极111的第一基底SUB1上。第一绝缘层INS1可以设置在像素电极111之间。第一绝缘层INS1可以由诸如二氧化硅(SiO2)层、氧化铝(Al2O3)层或氧化铪(HfOx)层的无机层形成。第一绝缘层INS1可以具有比像素电极111的厚度t1小的厚度t2，以使像素电极111暴露。因此，像素电极111可以通过第一绝缘层INS1朝向发光层120突出。
发光层120可以包括多个发射区域EA1至EA3以发射光。发光层120可以包括连接电极112、发光元件LE、第二绝缘层INS2、共电极CE、波长转换层QDL、分隔壁或堤PW、第一反射层RF1、第二反射层RF2和多个滤色器CF1至CF3。连接电极112、发光元件LE、第二绝缘层INS2、共电极CE和波长转换层QDL可以统称为发光元件部LEP。
连接电极112中的每个可以设置在对应的像素电极111上。例如，连接电极112可以一对一地连接到像素电极111。连接电极112可以形成为在第一方向DR1上具有比像素电极111的宽度W1大的宽度W2。
连接电极112可以在制造工艺中用作用于接合像素电极111和发光元件LE的接合金属。例如，连接电极112可以包括金(Au)、铜(Cu)、锡(Sn)、银(Ag)、铝(Al)和钛(Ti)中的至少一种。
参照图8，尽管第一绝缘层INS1形成为具有均匀的厚度，但是每个像素电极111的上部可以不平坦。像素电极111可以具有不均匀的厚度。例如，像素电极111中的每个可以朝向其中心变薄。像素电极111中的每个可以在中心具有凹槽111-g。像素电极111中的每个的边缘部111-e可以具有圆形倒角形状。
每个像素电极111的最薄部分的厚度t11可以大于第一绝缘层INS1的厚度t2。每个像素电极111的最薄部分可以是凹槽111-g的中心。因此，每个像素电极111的凹槽111-g的中心部分的厚度可以大于第一绝缘层INS1的厚度t2。
再次参照图6至图8，发光元件LE可以分别设置在第一发射区域EA1、第二发射区域EA2和第三发射区域EA3中。发光元件LE可以是在第三方向DR3上延伸得长的竖直发光二极管元件。例如，每个发光元件LE的在第三方向DR3上的长度可以大于其在水平方向上的长度。在水平方向上的长度可以是在第一方向DR1上的长度或在第二方向DR2上的长度。例如，每个发光元件LE的在第三方向DR3上的长度可以在约1μm至约5μm的范围内。
参照图9，发光元件LE可以是微发光二极管元件。发光元件LE中的每个可以包括第一半导体层SEM1、电子阻挡层EBL、活性层MQW、超晶格层SLT和第二半导体层SEM2。第一半导体层SEM1、电子阻挡层EBL、活性层MQW、超晶格层SLT和第二半导体层SEM2可以在第三方向DR3上顺序地堆叠。
发光元件LE中的每个可以具有诸如具有大于高度的宽度的圆柱形、盘或棒的形状。然而，公开不限于此，发光元件LE中的每个可以具有诸如棒、线、管、多边形棱柱(诸如立方体、长方体、六棱柱)的各种形状以及在一方向上延伸并具有部分地倾斜的外表面的形状。
第一半导体层SEM1可以设置在连接电极112上。第一半导体层SEM1可以掺杂有第一导电型的掺杂剂(诸如Mg、Zn、Ca、Sr或Ba)。例如，第一半导体层SEM1可以是掺杂有p型Mg的p-GaN。第一半导体层SEM1的在第三方向DR3上的厚度Tsem1可以在约30nm至约200nm的范围内。
电子阻挡层EBL可以设置在第一半导体层SEM1上。电子阻挡层EBL可以是用于抑制或防止太多电子流入到活性层MQW中的层。例如，电子阻挡层EBL可以是掺杂有p型Mg的p-AlGaN。电子阻挡层EBL的在第三方向DR3上的厚度Tebl可以在约10nm至约50nm的范围内。可以省略电子阻挡层EBL。
活性层MQW可以设置在电子阻挡层EBL上。响应于通过第一半导体层SEM1和第二半导体层SEM2接收的电信号，活性层MQW可以通过电子-空穴对的复合来发射光。活性层MQW可以发射具有在约450nm至约495nm的范围内的中心波段的第一光(例如，蓝色波段中的光)，但是公开不限于此。
活性层MQW可以具有单量子阱结构或多量子阱结构。在活性层MQW具有具备多量子阱结构的材料的情况下，它可以具有其中多个阱层和多个势垒层彼此交替地堆叠的结构。例如，阱层可以由InGaN制成，势垒层可以由GaN或AlGaN制成，但是公开不限于此。在第三方向DR3上，阱层可以具有在约1nm至约4nm的范围内的厚度，并且势垒层可以具有在约3nm至约10nm的范围内的厚度。活性层MQW的厚度Tmqw可以为堆叠的阱层和势垒层的厚度的总和。
在另一实施例中，活性层MQW可以具有其中具有大能带隙的半导体材料和具有小能带隙的半导体材料彼此交替地堆叠的结构，或者可以根据其发射的光的波段来包括III族至V族半导体材料。从活性层MQW发射的光不限于第一光(蓝色波段中的光)。在另一实施例中，可以发射第二光(绿色波段中的光)或第三光(红色波段中的光)。
超晶格层SLT可以设置在活性层MQW上。超晶格层SLT可以是用于减轻第二半导体层SEM2与活性层MQW之间的应力的层。例如，超晶格层SLT可以由InGaN或GaN制成。超晶格层SLT的在第三方向DR3上的厚度Tslt可以在约50nm至约200nm的范围内。可以省略超晶格层SLT。
第二半导体层SEM2可以设置在超晶格层SLT上。第二半导体层SEM2可以掺杂有第二导电型的掺杂剂(诸如Si、Ge、Se或Sn)。例如，第二半导体层SEM2可以是掺杂有n型Si的n-GaN。第二半导体层SEM2的在第三方向DR3上的厚度Tsem2可以在约500nm至约1μm的范围内。
再次参照图6至图8，第二绝缘层INS2可以设置在发光元件LE和连接电极112中的每个的侧表面上，并且设置在其上未设置连接电极112的第一绝缘层INS1上。第二绝缘层INS2可以不覆盖发光元件LE中的每个的整个上表面。第二绝缘层INS2可以包括使发光元件LE的上表面暴露的多个开口OP1至OP3。开口OP1至OP3可以包括第一发射区域EA1中的第一开口OP1、第二发射区域EA2中的第二开口OP2和第三发射区域EA3中的第三开口OP3。第二绝缘层INS2可以覆盖发光元件LE的除了开口OP1至OP3之外的上表面。第二绝缘层INS2可以由诸如二氧化硅(SiO2)层、氧化铝(Al2O3)层或氧化铪(HfOx)层的无机层形成，但是公开不限于此。
共电极CE可以设置在第一基底SUB1的整个区域上，并且共电压可以施加到共电极CE。因此，共电极CE可以包括具有低电阻的材料。共电极CE可以设置在第二绝缘层INS2上。共电极CE可以通过开口OP1至OP3电连接到发光元件LE。共电极CE可以完全覆盖开口OP1至OP3中的发光元件LE中的每个。共电极CE可以具有薄的厚度以允许光穿过其。共电极CE可以包括透明导电材料。例如，共电极CE可以包括诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)的透明导电氧化物(TCO)。共电极CE的厚度可以但不限于在约至约/>的范围内。
波长转换层QDL可以分别在第一发射区域EA1、第二发射区域EA2和第三发射区域EA3中设置在共电极CE上。波长转换层QDL可以在第三方向DR3上分别与第一发射区域EA1、第二发射区域EA2和第三发射区域EA3中的发光元件LE叠置。
波长转换层QDL中的每个可以包括第一波长转换颗粒。第一波长转换颗粒可以将从发光元件LE发射的第一光转换为第四光。例如，第一波长转换颗粒可以将蓝色波段的光转换为黄色波段的光。第一波长转换颗粒可以是量子点、量子棒、荧光材料或磷光材料。量子点可以包括IV族纳米晶体、II-VI族化合物纳米晶体、III-V族化合物纳米晶体、IV-VI族化合物纳米晶体或其组合。
量子点可以包括核和包覆核的壳。核可以是但不限于例如CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InP、InAs、InSb、SiC、Ca、Se、In、P、Fe、Pt、Ni、Co、Al、Ag、Au、Cu、FePt、Fe2O3、Fe3O4、Si和Ge中的至少一种。壳可以是但不限于例如ZnS、ZnSe、ZnTe、CdS、CdSe、CdTe、HgS、HgSe、HgTe、AlN、AlP、AlAs、AlSb、GaN、GaP、GaAs、GaSb、GaSe、InN、InP、InAs、InSb、TlN、TlP、TlAs、TlSb、PbS、PbSe和PbTe中的至少一种。
波长转换层QDL中的每个还可以包括用于在随机方向上散射来自发光元件LE的光的散射体。散射体可以包括金属氧化物颗粒、二氧化硅(SiO2)颗粒或有机颗粒。例如，金属氧化物颗粒可以是氧化钛(TiO2)、氧化锆(ZrO2)、氧化铝(Al2O3)、氧化铟(In2O3)、氧化锌(ZnO)或氧化锡(SnO2)。有机颗粒可以包括丙烯酸树脂或氨基甲酸乙酯树脂。散射体的直径可以是几纳米至几十纳米。
堤PW可以设置在发光元件LE之间以及波长转换层QDL之间。堤PW可以将发射区域EA1至EA3与非发射区域NEA分开。堤PW可以遍及整个显示区域DPA以网格图案形成。堤PW可以不设置在发射区域EA1至EA3中，并且可以设置在非发射区域NEA中。
堤PW可以提供其中形成有波长转换层QDL的空间。例如，堤PW可以限定波长转换层QDL的区域。堤PW可以包括有机绝缘材料并且具有一厚度。有机绝缘材料可以包括例如环氧树脂、丙烯酸树脂、卡多树脂或酰亚胺树脂。
第一反射层RF1可以设置在发光元件LE和第二绝缘层INS2的侧表面上。第一反射层RF1可以设置在堤PW与第二绝缘层INS2之间。
第一反射层RF1可以反射从发光元件LE发射的光之中的在所有横向方向而不是向上方向上行进的光。第一反射层RF1可以包括具有高反射率的金属(诸如铝(Al))。第一反射层RF1的厚度可以是约0.1μm。
第二反射层RF2可以设置在堤PW和波长转换层QDL中的每个的侧表面上，并且可以设置在堤PW与波长转换层QDL之间。第二反射层RF2可以设置在非发射区域NEA中。第二反射层RF2可以包括具有高反射率的金属(诸如铝(Al))。第二反射层RF2的厚度可以是约0.1μm。
第二反射层RF2可以设置在沿第三方向DR3与下面将描述的光阻挡构件BM叠置的非发射区域NEA中，以防止发射区域EA1至EA3之间的光的颜色混合。
在实施例中，第一发射区域EA1的发光元件LE可以发射蓝色第一光，第二发射区域EA2的发光元件LE可以发射红色第二光，并且第三发射区域EA3的发光元件LE可以发射绿色第三光。光阻挡构件BM可以防止发射区域EA1至EA3之间的光的颜色混合。
滤色器CF1至CF3可以设置在堤PW和波长转换层QDL上。滤色器CF1至CF3可以在第三方向DR3上与像素电路部PXC和波长转换层QDL叠置。滤色器CF1至CF3可以包括第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3。
第一滤色器CF1可以在第一发射区域EA1中设置在波长转换层QDL上。第一滤色器CF1可以透射第一光并且吸收或阻挡第二光和第三光。例如，第一滤色器CF1可以透射蓝色波段的光并且吸收或阻挡绿色和红色波段的光。
第二滤色器CF2可以在第二发射区域EA2中设置在波长转换层QDL上。第二滤色器CF2可以透射第二光并且吸收或阻挡第一光和第三光。例如，第二滤色器CF2可以透射绿色波段的光并且吸收或阻挡蓝色和红色波段的光。
第三滤色器CF3可以在第三发射区域EA3中设置在波长转换层QDL上。第三滤色器CF3可以透射第三光并且吸收或阻挡第一光和第二光。例如，第三滤色器CF3可以透射红色波段的光并且吸收或阻挡蓝色和绿色波段的光。
在平面图中，滤色器CF1至CF3中的每个的面积可以等于或大于发射区域EA1至EA3中的每个的面积。例如，在平面图中，第一滤色器CF1的面积可以等于或大于第一发射区域EA1的面积。在平面图中，第二滤色器CF2的面积可以等于或大于第二发射区域EA2的面积。在平面图中，第三滤色器CF3的面积可以等于或大于第三发射区域EA3的面积。
光阻挡构件BM可以设置在堤PW上。光阻挡构件BM可以设置在非发射区域NEA中以阻挡光的透射。与堤PW一样，在平面图中，光阻挡构件BM可以以基本上网格形状布置。光阻挡构件BM可以在第三方向DR3上与堤PW叠置，并且可以不设置在发射区域EA1至EA3中。
在实施例中，光阻挡构件BM可以包括有机光阻挡材料，并且可以通过涂覆和曝光有机光阻挡材料来形成。光阻挡构件BM可以包括具有光阻挡性质的染料或颜料，并且可以是黑矩阵。光阻挡构件BM的至少一部分可以在第三方向DR3上与相邻的滤色器CF1至CF3叠置，并且滤色器CF1至CF3可以设置在光阻挡构件BM的至少一部分上。
在光阻挡构件BM设置在堤PW上的情况下，外部光的至少一部分可以被光阻挡构件BM吸收。因此，可以减少由于外部光的反射引起的颜色失真。光阻挡构件BM可以通过防止相邻发射区域之间的光的侵入来防止颜色混合，从而改善色域。
缓冲层BF可以设置在滤色器CF1至CF3以及光阻挡构件BM下面。缓冲层BF可以设置在堤PW和波长转换层QDL上。缓冲层BF的一表面(例如，上表面)可以接触滤色器CF1至CF3的下表面以及光阻挡构件BM的下表面。缓冲层BF的另一表面(例如，缓冲层BF的下表面)可以接触堤PW的上表面和波长转换层QDL的上表面。缓冲层BF可以包括无机绝缘材料。例如，缓冲层BF可以包括但不限于氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氧化铝(AlxOy)或氮化铝(AlN)。缓冲层BF的厚度可以在例如约0.01μm至约1μm的范围内。可以省略缓冲层BF。
现在将参照其他附图描述根据其他实施例的显示装置。
图10是示出根据实施例的像素电极111和发光元件LE的示意性剖视图。
参照图10，该实施例与图6至图8的实施例的不同之处在于：像素电极111可以形成为多层。因此，将简要给出或省略与上述元件相同的元件的描述，并且将详细描述差异。
参照图10，在该实施例中，像素电极111可以包括下电极层111-1和上电极层111-3。
下电极层111-1可以设置在像素电极111的最下部分中，并且可以电连接到像素电路单元PXC。下电极层111-1可以将像素电极111接合到像素电路单元PXC。下电极层111-1可以包括金属氧化物(例如，氧化钛(TiO2)、氧化锆(ZrO2)、氧化铝(Al2O3)、氧化铟(In2O3)、氧化锌(ZnO)或氧化锡(SnO2))或二氧化硅(SiO2)。
上电极层111-3可以设置在下电极层111-1上并且直接接触连接电极112。上电极层111-3可以设置在下电极层111-1与连接电极112之间，并且可以将像素电极111接合到连接电极112。上电极层111-3可以包括金属，例如，钨(W)、铜(Cu)、钛(Ti)、银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、铅(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)或其混合物。
尽管在实施例中示出了具有两个层的像素电极111，但是公开不限于此，像素电极111可以形成为多层结构。例如，像素电极111还可以在下电极层111-1与上电极层111-3之间包括反射电极层(未示出)。反射电极层(未示出)可以将从发光元件LE发射的光反射到向上方向。反射电极层(未示出)可以包括具有高反射率的金属，例如，银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、铅(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)或其混合物。
然而，公开不限于此。在实施例中，可以省略像素电极111的下电极层111-1。像素电极111可以具有反射电极层(未示出)和设置在反射电极层(未示出)上的上电极层111-3的两层结构。
图11是根据实施例的显示装置10的示意性剖视图。参照图11，该实施例与图6至图8的实施例的不同之处在于：第三反射层RF3可以设置在每个波长转换层QDL的底部上。因此，将简要给出或省略与上述元件相同的元件的描述，并且将详细描述差异。
参照图11，在实施例中，每个波长转换层QDL的在第一方向DR1(与厚度方向垂直的方向)上的长度W1可以大于每个发光元件LE的在第一方向DR1上的长度W2。
第三反射层RF3可以在沿第三方向DR3不与发光元件LE叠置的区域中设置在每个波长转换层QDL的底部上。第三反射层RF3可以在第一方向DR1和第二方向DR2上延伸。第三反射层RF3可以设置在发射区域EA1、EA2和EA3中。第三反射层RF3可以接触堤PW和波长转换层QDL。第三反射层RF3可以包括具有高反射率的金属(诸如铝(Al))。第三反射层RF3的在第三方向DR3上的厚度可以是约0.1μm。
图12是根据实施例的显示装置10的示意性剖视图。图13是根据实施例的显示装置10的示意性剖视图。
参照图12，第一发射区域EA1的发光元件LE可以发射蓝色第一光，第二发射区域EA2的发光元件LE可以发射红色第二光，并且第三发射区域EA3的发光元件LE可以发射绿色第三光。每个波长转换层QDL可以包括第一散射体SCP1和第一基体树脂BRS1，以散射从发光元件LE发射的光并且通过滤色器CF1、CF2或CF3发射光。
参照图13，在实施例中，分别设置在第一发射区域EA1、第二发射区域EA2和第三发射区域EA3中的发光元件LE可以发射蓝色第一光。波长转换层QDL可以包括第一发射区域EA1中的光透射图案230、第二发射区域EA2中的第一波长转换图案240和第三发射区域EA3中的第二波长转换图案250。
光透射图案230可以在第三方向DR3上与第一发射区域EA1和第一滤色器CF1叠置。光透射图案230可以透射入射光。从设置在第一发射区域EA1中的发光元件LE发射的第一光可以是蓝光。作为蓝光的第一光可以穿过光透射图案230并且可以从第一发射区域EA1输出。光透射图案230可以包括第一基体树脂BRS1和分散在第一基体树脂BRS1中的第一散射体SCP1。由于以上已经描述了第一基体树脂BRS1和第一散射体SCP1，因此将省略其描述。
第一波长转换图案240可以在第三方向DR3上与第二发射区域EA2和第二滤色器CF2叠置。第一波长转换图案240可以将入射光的峰值波长转换或移位为另一特定峰值波长，并且输出具有特定峰值波长的光。在实施例中，第一波长转换图案240可以将从第二发射区域EA2的发光元件LE发射的第一光转换为作为具有在约610nm至约650nm的范围内的单峰值波长的红光的第二光，并且可以发射第二光。
第一波长转换图案240可以包括第二基体树脂BRS2以及分散在第二基体树脂BRS2中的第二波长转换颗粒WCP2和第二散射体SCP2。
第二基体树脂BRS2可以由具有高透光率的材料制成，或者可以由与上述第一基体树脂BRS1的材料相同的材料制成。
第二波长转换颗粒WCP2可以将入射光的峰值波长转换或移位为另一特定峰值波长。在实施例中，第二波长转换颗粒WCP2可以将作为由发光元件LE提供的蓝光的第一颜色的光转换为具有在约610nm至约650nm的范围内的单峰值波长的红光。第二波长转换颗粒WCP2可以是例如量子点、量子棒或磷光体。第二波长转换颗粒WCP2可以与第一波长转换颗粒基本上相同或相似，并且因此将省略其详细描述。
作为从发光元件LE发射的蓝光的第一光的一部分可能穿过第一波长转换图案240而不被第二波长转换颗粒WCP2转换为作为红光的第二光。然而，未转换为红光的光可以被第二滤色器CF2阻挡。另一方面，被第一波长转换图案240从发光元件LE发射的第一光转换的红光可以穿过第二滤色器CF2并且可以出射到外部。
第二波长转换图案250可以在第三方向DR3上与第三发射区域EA3和第三滤色器CF3叠置。第二波长转换图案250可以将入射光的峰值波长转换或移位为另一特定峰值波长，并且输出具有特定峰值波长的光。在实施例中，第二波长转换图案250可以将从第三发射区域EA3的发光元件LE发射的第一光转换为作为具有在约510nm至约550nm的范围内的峰值波长的绿光的第三光，并且可以发射第三光。
第二波长转换图案250可以包括第三基体树脂BRS3以及分散在第三基体树脂BRS3中的第三波长转换颗粒WCP3和第三散射体SCP3。
第三基体树脂BRS3可以由具有高透光率的材料制成，可以由与第一基体树脂BRS1和第二基体树脂BRS2的材料相同的材料制成，或者可以包括可以用于第一基体树脂BRS1和第二基体树脂BRS2的材料中的至少一种。
第三波长转换颗粒WCP3可以将入射光的峰值波长转换或移位为另一特定峰值波长。在实施例中，第三波长转换颗粒WCP3可以将作为由发光元件LE提供的蓝光的第一光转换为作为具有在约510nm至约550nm的范围内的峰值波长的绿光的第三光，并且可以发射第三光。
第三波长转换颗粒WCP3可以是例如量子点、量子棒或磷光体。第三波长转换颗粒WCP3可以与第一波长转换颗粒基本上相同或相似，并且因此将省略其详细描述。
作为从发光元件LE发射的蓝光的第一光的一部分可能不被第三波长转换颗粒WCP3转换为作为绿光的第三光。然而，未转换为绿光的第一光可以被设置在第二波长转换图案250上的第三滤色器CF3阻挡。另一方面，被第二波长转换图案250从第一光转换的绿光可以穿过第三滤色器CF3并且可以出射到外部。
在根据实施例的显示装置10中，由于形成了包括光透射图案230、第一波长转换图案240和第二波长转换图案250的波长转换层QDL，因此可以改善蓝光、绿光和红光的发射效率。
图14至图27是示出根据实施例的制造显示装置10的方法的示意性剖视图。图28是示出根据实施例的制造显示装置10的方法的流程图。图29是示出根据实施例的制造半导体电路板110的方法的流程图。
参照图14至图17，可以形成包括像素电极111的第一基底SUB1(图28中的操作S110)。
参照图14，可以在第一基底SUB1上形成像素电路部PXC，并且可以在像素电路部PXC上形成第一绝缘层INS1(图29中的操作S111)。
第一基底SUB1可以是透明绝缘基底，并且可以是玻璃或石英基底。像素电路部PXC中的每个可以包括多个薄膜晶体管和电容器。
参照图15，可以在第一绝缘层INS1中形成使像素电路部PXC暴露的接触孔INS1-h(图29中的操作S112)。
参照图16，可以在第一绝缘层INS1上形成像素电极层PEL(图29中的操作S113)。像素电极层PEL可以通过形成在第一绝缘层INS1中的接触孔INS1-h连接到像素电路部PXC。
参照图17，可以选择性地蚀刻像素电极层PEL和第一绝缘层INS1来形成像素电极111(图29中的操作S114)。可以使用化学机械抛光(CMP)方法执行蚀刻。可以将其上形成有像素电极层PEL的第一基底SUB1放置在化学机械抛光(CMP)设备中，并且可以通过注入第一浆料执行蚀刻直到第一绝缘层INS1被暴露。第一浆料可以是用于对像素电极层PEL的金属表面进行选择性地抛光的磨料。可以分阶段对像素电极层PEL进行抛光。例如，可以首先对即使在注入第一浆料之后也形成像素电极111的像素电极区域进行抛光，并且可以对除了像素电极区域之外的区域进行抛光。
可以通过将第二浆料注入到CMP设备中来蚀刻第一绝缘层INS1。可以调节第二浆料的量或注入时间，使得第一绝缘层INS1的厚度变得小于像素电极层PEL的厚度。第二浆料可以是用于对第一绝缘层INS1的表面进行选择性地抛光的磨料。可以再次注入第一浆料以精细加工像素电极层PEL的上表面，从而形成像素电极111。这种精细加工可以去除划痕和不必要的异物。在像素电极111形成为比如实施例中的第一绝缘层INS1厚的情况下，即使在像素电极111中发生凹陷，也能够防止在像素电极111和连接电极112接合在一起的情况下在连接电极112中产生空隙。
参照图18，可以在第一绝缘层INS1和像素电极111上形成第一连接电极层112L_1，并且可以在第二基底SUB2的发光材料层LEML上形成第二连接电极层112L_2(图28中的操作S120)。第一连接电极层112L-1可以包括金(Au)、铜(Cu)、锡(Sn)、银(Ag)、铝(Al)和钛(Ti)中的至少一种。第二连接电极层112L_2可以包括金(Au)、铜(Cu)、锡(Sn)、银(Ag)、铝(Al)和钛(Ti)中的至少一种。
参照图19，可以将第一连接电极层112L_1和第二连接电极层112L_2接合在一起，并且可以去除第二基底SUB2(图28中的操作S130)。
例如，可以移动第一基底SUB1的第一连接电极层112L_1以接触第二基底SUB2的第二连接电极层112L_2，并且可以在一温度下将第一连接电极层112L_1和第二连接电极层112L_2熔融接合(melt-bonded)在一起以形成一个连接电极层112L。
可以通过诸如CMP工艺的抛光工艺和/或蚀刻工艺来去除第二基底SUB2和缓冲层BF。可以通过诸如CMP工艺的抛光工艺去除发光材料层LEML的第二半导体材料层LEMU。
参照图20，可以通过蚀刻发光材料层LEML来形成发光元件LE和连接电极112(图28中的操作S140)。
可以在图19的发光材料层LEML的上表面上形成掩模图案(未示出)。发光材料层LEML的上表面可以是第一发光材料层LEMD的通过去除第二基底SUB2、缓冲层BF和第二半导体材料层LEMU而暴露的上表面。可以在将形成发光元件LE的区域中放置掩模图案。因此，掩模图案可以在第三方向DR3上与像素电极111叠置。掩模图案可以包括导电材料(诸如镍(Ni))。掩模图案的厚度可以在约0.01μm至约1μm的范围内。
例如，掩模图案可以不被用于蚀刻发光材料层LEML的蚀刻材料蚀刻。因此，放置有掩模图案的区域中的发光材料层LEML可以不被蚀刻。因此，可以分别在像素电极111的上表面上形成发光元件LE和连接电极112。可以去除掩模图案。连接电极112可以设置在第一基底SUB1的像素电极111与第二基底SUB2的发光材料层LEML之间，以用作接合第一基底SUB1的像素电极111和第二基底SUB2的发光材料层LEML的接合金属层。例如，连接电极112可以形成为围绕像素电极111的突起。
参照图21至图24，可以形成第二绝缘层INS2、共电极CE和第一反射层RF1(图28中的操作S150)。
可以沉积第二绝缘层INS2以覆盖其上设置有发光元件LE的第一基底SUB1的整个区域。可以使用光致抗蚀剂形成开口OP1至OP3。因此，如图21中所示，可以在发光元件LE的除了开口OP1至OP3之外的上表面和侧表面上、连接电极112的侧表面上以及其上未设置发光元件LE的第一绝缘层INS1上沉积第二绝缘层INS2，并且发光元件LE的上表面可以通过开口OP1至OP3暴露。
参照图22，可以在发光元件LE的未被第二绝缘层INS2覆盖的上表面上以及第二绝缘层INS2上沉积共电极CE。共电极CE可以包括诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)的透明导电氧化物(TCO)。
参照图23，可以沉积第一反射层RF1以覆盖共电极CE。可以在第三方向DR3上形成大的电压差，并且可以在没有掩模的情况下使用蚀刻材料来蚀刻第一反射层RF1。蚀刻材料可以通过电压控制在第三方向DR3上移动，例如，可以从顶部移动到底部以蚀刻第一反射层RF1。因此，如图24中所示，当去除设置在由第一方向DR1和第二方向DR2限定的水平面上的第一反射层RF1时，可以不去除设置在由第三方向DR3限定的竖直平面上的第一反射层RF1。因此，设置在共电极CE的上表面上的第一反射层RF1可以在非发射区域NEA中以及第一发射区域EA1、第二发射区域EA2和第三发射区域EA3中的发光元件LE中的每个上被去除。设置在发光元件LE的侧表面上的第一反射层RF1可以不被去除。因此，可以在与发光元件LE的侧表面叠置的共电极CE上设置第一反射层RF1。
参照图25和图26，可以形成堤PW、第二反射层RF2和波长转换层QDL(图28中的操作S160)。
例如，可以将有机材料施用到如图24中所示的其上形成有第一反射层RF1的发光元件LE上。可以通过在非发射区域NEA中放置掩模图案(PR)来对有机材料进行图案化。因此，如图25中所示，可以不蚀刻非发射区域NEA中的有机材料以形成堤PW，并且可以在未设置掩模图案的发射区域EA1至EA3中形成用于波长转换层QDL的空间QDL-S。共电极CE的上表面可以在用于波长转换层QDL的空间QDL-S的底部处暴露。可以去除掩模图案。
可以沉积第二反射层RF2以覆盖其上形成有堤PW和用于波长转换层QDL的空间QDL-S的第一基底SUB1。在形成第一反射层RF1的情况下，可以在第三方向DR3上形成大的电压差，并且可以在没有掩模的情况下使用蚀刻材料来蚀刻第二反射层RF2。因此，可以去除设置在堤PW上以及第一发射区域EA1、第二发射区域EA2和第三发射区域EA3中的每个中的发光元件LE上的第二反射层RF2。设置在堤PW的侧表面上的第二反射层RF2可以不被去除。因此，第二反射层RF2可以在非发射区域NEA中设置在堤PW的侧表面上。
可以在堤PW的部分之间在用于波长转换层QDL的空间QDL-S中形成波长转换层QDL。波长转换层QDL可以形成为填充用于波长转换层QDL的空间QDL-S。可以通过使用其中第一基体树脂BRS1与第一波长转换颗粒混合的溶液执行溶液工艺(诸如喷墨印刷或压印)来形成波长转换层QDL，但是公开不限于此。波长转换层QDL可以分别形成在用于波长转换层QDL的空间QDL-S中，并且可以形成为与发射区域EA1至EA3叠置。
参照图27，可以形成多个滤色器CF1至CF3(图28中的操作S170)。
在实施例中，可以在形成滤色器CF1至CF3之前形成缓冲层BF。
缓冲层BF可以形成为覆盖堤PW和波长转换层QDL。缓冲层BF的一表面(例如，上表面)可以接触滤色器CF1至CF3的下表面和稍后将形成的光阻挡构件BM的下表面。缓冲层BF的另一表面(例如，缓冲层BF的下表面)可以接触堤PW的上表面和波长转换层QDL的上表面。缓冲层BF可以包括无机绝缘材料。例如，缓冲层BF可以包括但不限于氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氧化铝(AlxOy)或氮化铝(AlN)。
可以在堤PW上形成光阻挡构件BM。可以通过施用光阻挡材料并对光阻挡材料进行图案化来形成光阻挡构件BM。可以在非发射区域NEA中而不在发射区域EA1至EA3中形成光阻挡构件BM。可以在第一发射区域EA1中在由光阻挡构件BM限定的波长转换层QDL上形成第一滤色器CF1。可以通过光工艺形成第一滤色器CF1。第一滤色器CF1可以具有但不限于等于或小于约1μm的厚度。类似地，可以通过图案化工艺在对应的开口中形成其他滤色器。
图30是示出包括根据实施例的显示装置10的虚拟现实装置1的示意图。图30示出了应用根据实施例的显示装置10的虚拟现实装置1。
参照图30，根据实施例的虚拟现实装置1可以是呈眼镜的形式的装置。根据实施例的虚拟现实装置1可以包括显示装置10、左眼透镜10a、右眼透镜10b、支撑框架20、左腿30a和右腿30b、反射构件40以及显示装置壳体50。
图30示出了包括两条腿30a和30b的虚拟现实装置1。公开不限于此。根据实施例的虚拟现实装置1可以应用于包括头戴式带的头戴式显示器，该头戴式带可以代替腿30a和30b安装在头上。例如，根据实施例的虚拟现实装置1不限于图30中所示的示例，并且可以以各种形式应用并且应用于各种电子装置。
显示装置壳体50可以容纳显示装置10和反射构件40。显示在显示装置10上的图像可以从反射构件40反射并通过右眼透镜10b提供到用户的右眼。因此，用户可以经由右眼观看显示在显示装置10上的虚拟现实图像。
图30示出了显示装置壳体50设置在支撑框架20的右端处。然而，公开不限于此。例如，显示装置壳体50可以设置在支撑框架20的左端处。显示在显示装置10上的图像可以从反射构件40反射并经由左眼透镜10a提供到用户的左眼。因此，用户可以经由左眼观看显示在显示装置10上的虚拟现实图像。在另一实施例中，显示装置壳体50可以设置在支撑框架20的左端和右端中的每个处。用户可以经由左眼和右眼两者观看显示在显示装置10上的虚拟现实图像。
图31是示出包括根据实施例的显示装置10的智能装置的示意图。
参照图31，根据实施例的显示装置10可以应用于作为智能装置中的一个的智能手表2。
图32是示出包括根据实施例的显示装置10_a、10_b、10_c、10_d和10_e的车辆的示意图。图32示出了应用根据实施例的显示装置10_a、10_b、10_c、10_d和10_e的车辆。
参照图32，根据实施例的显示装置10_a、10_b和10_c可以应用于车辆的仪表板，应用于车辆的中央仪表盘，或者应用于设置在车辆的仪表板上的中心信息显示器(CID)。此外，根据实施例的显示装置10_d和10_e中的每个可以应用于代替车辆的侧视镜中的每个的每个室内镜子显示器。
图33是示出包括根据实施例的显示装置10的透明显示装置的示意图。
参照图33，根据实施例的显示装置10可以应用于透明显示装置。透明显示装置可以在其上显示图像IM的同时通过其透射光。因此，定位在透明显示装置的前面的用户不仅可以观看显示在显示装置10上的图像IM，而且可以看到定位在透明显示装置后面的物体RS或背景。在显示装置10应用于透明显示装置的情况下，图6中所示的显示装置10的第一基底SUB1可以包括可以通过其透射光的光透射部，或者可以由可以通过其透射光的材料制成。
以上描述是公开的技术特征的示例，并且公开所属领域的技术人员将能够进行各种修改和变化。因此，上述公开的实施例可以单独地或彼此组合地实施。
因此，公开中所公开的实施例不旨在限制公开的技术精神，而是描述公开的技术精神，并且公开的技术精神的范围不由这些实施例限制。

Claims (20)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
多个像素电路部，设置在基底上；
多个像素电极，均设置在所述多个像素电路部上；
第一绝缘层，填充所述多个像素电极之间的空间；
多个发光元件，均设置在所述多个像素电极上；以及
连接电极，设置在所述多个发光元件与所述多个像素电极之间，
其中，所述多个像素电极中的每个包括朝向所述连接电极中的对应的一个突出的突起。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述连接电极中的每个覆盖所述突起。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述连接电极中的每个包括：第一连接电极，覆盖所述突起；以及第二连接电极，电连接到所述多个发光元件中的每个，并且
所述第一连接电极和所述第二连接电极熔融接合在一起。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述多个像素电极中的每个的在所述基底的厚度方向上的厚度大于所述第一绝缘层的在所述基底的所述厚度方向上的厚度。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述多个像素电极中的每个包括钨、铜、钛、银、镁、铝、铂、铅、金、镍、钕、铱、铬、锂、钙或其混合物。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一绝缘层是无机层。
7.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：
波长转换层，均设置在所述多个发光元件中的每个上；以及
堤，填充所述多个发光元件之间的空间和所述波长转换层之间的空间。
8.根据权利要求7所述的显示装置，所述显示装置还包括：
第二绝缘层，设置在所述多个发光元件的侧表面、所述连接电极的侧表面和其上未设置所述多个发光元件的所述第一绝缘层上；以及
共电极，设置在所述多个发光元件的上表面和所述第二绝缘层上。
9.根据权利要求8所述的显示装置，所述显示装置还包括：
第一反射层，设置在所述多个发光元件和所述第二绝缘层的侧表面上；以及
第二反射层，设置在所述波长转换层的侧表面上。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，
所述波长转换层中的每个的在与所述基底的厚度方向垂直的方向上的长度大于所述多个发光元件中的每个的在与所述厚度方向垂直的所述方向上的长度，并且
所述显示装置还包括设置在所述波长转换层的不与所述多个发光元件叠置的底部上的第三反射层。
11.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述多个像素电极中的每个还包括下电极层和设置在所述下电极层上的上电极层。
12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，
所述下电极层包括金属氧化物，并且
所述上电极层包括金属。
13.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述上电极层包括钨、铜、钛、银、镁、铝、铂、铅、金、镍、钕、铱、铬、锂、钙或其混合物。
14.根据权利要求7所述的显示装置，所述显示装置还包括：
光阻挡构件，设置在所述堤上；以及
滤色器，均设置在所述波长转换层中的每个上。
15.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述多个发光元件中的每个包括顺序地堆叠在所述多个像素电极上的第一半导体层、电子阻挡层、活性层、超晶格层和第二半导体层。
16.一种制造显示装置的方法，所述方法包括以下步骤：
在设置在第一基底上的像素电路部上形成第一绝缘层；
通过蚀刻所述第一绝缘层在所述第一绝缘层中形成使所述像素电路部暴露的接触孔；
形成填充所述接触孔并且覆盖所述第一绝缘层的像素电极层；
通过蚀刻所述像素电极层和所述第一绝缘层来形成像素电极，所述像素电极均具有在所述第一绝缘层之上突出的突起；
在所述第一基底上形成第一连接电极层以覆盖所述突起；
在第二基底的发光层上形成第二连接电极层；
将所述第一连接电极层和所述第二连接电极层接合并且去除所述第二基底；
在所述发光层上形成掩模图案；以及
通过经由所述掩模图案蚀刻所述发光层和接合的连接电极层来形成发光元件和连接电极。
17.根据权利要求16所述的方法，其中，在形成所述像素电极的步骤中，
使用第一浆料通过化学机械抛光方法蚀刻所述像素电极层，直到所述第一绝缘层被暴露，并且
使用第二浆料通过所述化学机械抛光方法选择性地蚀刻所述第一绝缘层，直到所述第一绝缘层的在所述第一基底的厚度方向上的厚度小于所述像素电极层的在所述第一基底的所述厚度方向上的厚度。
18.根据权利要求17所述的方法，其中，
所述像素电极层由钨、铜、钛、银、镁、铝、铂、铅、金、镍、钕、铱、铬、锂、钙或其混合物形成，
所述第一绝缘层由无机材料形成，
所述第一浆料是用于对金属进行选择性地抛光的第一磨料，并且
所述第二浆料是用于对无机材料进行选择性地抛光的第二磨料。
19.根据权利要求16所述的方法，所述方法还包括：
在所述发光元件的上表面和侧表面、所述连接电极的侧表面以及其上未设置所述发光元件的所述第一绝缘层上形成第二绝缘层；
通过蚀刻所述第二绝缘层的在所述发光元件的所述上表面上的一部分，在所述第二绝缘层中形成使所述发光元件的所述上表面部分地暴露的开口；
在所述第二绝缘层上和所述第二绝缘层的所述开口中形成共电极；
通过在所述发光元件上施用有机绝缘材料并且对所述有机绝缘材料进行图案化来形成堤；以及
在所述堤的部分之间在所述共电极上形成波长转换层，以转换从所述发光元件发射的光的波长。
20.根据权利要求19所述的方法，所述方法还包括：
在所述堤上形成光阻挡构件；以及
在所述波长转换层上放置滤色器。
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