CN117396023A - 显示装置和用于制造该显示装置的方法 - Google Patents

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赵晟原
金秀哲
宋大镐
李嶷伊
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Abstract

提供了一种显示装置和用于制造该显示装置的方法。所述显示装置包括：基底；像素电极，在基底上；发光元件，在像素电极上，并且在基底的厚度方向上延伸；第一绝缘层，在发光元件的侧面周围延伸；以及连接电极，在像素电极中的一个像素电极与发光元件中的对应发光元件之间。连接电极包括：连接部分，将像素电极接合到发光元件；以及反射部分，与连接部分成一体，并且在第一绝缘层上在发光元件的侧面周围延伸。

Description

显示装置和用于制造该显示装置的方法
本申请要求于2022年7月11日在韩国知识产权局提交的第10-2022-0085017号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
本公开的实施例的方面涉及一种显示装置和用于制造该显示装置的方法。
背景技术
随着多媒体的发展，显示装置已经变得日益重要。因此，已经开发了诸如有机发光二极管(OLED)显示装置和液晶显示(LCD)装置的各种类型的显示装置。
诸如有机发光二极管显示面板和液晶显示面板的显示面板是用于显示图像的显示装置的一部分。显示装置可以包括发光元件以具有发光显示面板。例如，发光元件可以是发光二极管(LED)，发光二极管(LED)包括使用有机材料作为发光材料的有机发光二极管(OLED)或使用无机材料作为发光材料的无机发光二极管。
发明内容
本公开的实施例提供了一种显示装置，该显示装置通过在发光元件的侧面上包括反射膜(或反射层)而表现出改善的光效率，并且本公开的其它实施例提供了一种用于制造这种显示装置的方法。
本公开的方面和特征不限于上述那些，并且本领域技术人员将通过以下描述清楚地理解本公开的这里未提及的附加方面和特征。
根据本公开的实施例，一种显示装置包括：基底；像素电极，在基底上；发光元件，在像素电极上，并且在基底的厚度方向上延伸；第一绝缘层，在发光元件的侧面周围延伸(例如，围绕发光元件的侧面)；以及连接电极，在像素电极中的一个像素电极与发光元件中的对应发光元件之间。连接电极包括：连接部分，将像素电极接合到发光元件；以及反射部分，与连接部分成一体，并且在第一绝缘层上在发光元件的侧面周围延伸(例如，围绕发光元件的侧面)。
连接部分和反射部分可以包括相同的材料。
根据本公开的另一实施例，一种显示装置包括：基底；像素电极，在基底上；发光元件，在像素电极上，并且在基底的厚度方向上延伸；第一绝缘层，在发光元件的侧面周围延伸(例如，围绕发光元件的侧面)；以及连接电极，在像素电极中的一个像素电极与发光元件中的对应发光元件之间。连接电极具有：连接部分，将像素电极接合到发光元件；以及反射部分，在第一绝缘层上在发光元件的侧面周围延伸(例如，围绕发光元件的侧面)。连接部分和反射部分包括相同的材料。
根据本公开的另一实施例，一种用于制造显示装置的方法包括：在第一基底上形成第一连接电极层；在第二基底上的发光材料层上形成第二连接电极层；将第一连接电极层接合到第二连接电极层，以形成连接电极层；去除第二基底；在发光材料层上形成掩模图案；根据掩模图案蚀刻发光材料层，以形成发光元件；在发光元件的侧面上形成第一绝缘层；通过对连接电极层执行溅射蚀刻来形成连接部分；在溅射蚀刻期间，通过将非挥发性材料从连接电极层附着到第一绝缘层来形成反射部分；在连接部分的侧面和反射部分的上表面和侧面上形成第二绝缘层；在发光元件中的每个发光元件的上表面和第二绝缘层上形成共电极；在非发光区域中形成分隔壁；以及在分隔壁之间在共电极上形成波长转换层。波长转换层被构造为转换从发光元件发射的光的波长。
在根据本公开的实施例的显示装置和用于制造该显示装置的方法中，可以通过使用在连接电极的溅射蚀刻期间发生的重新布置而不使用单独的掩模在发光元件的侧面上形成反射膜。
在根据本公开的实施例的显示装置和用于制造该显示装置的方法中，在发光元件的侧面上形成反射膜，以防止由于来自发光元件的光发射到达相邻的发光区域而导致的颜色混合。
本公开的实施例的方面和特征不限于上面提到的那些，并且更多各种其它方面和特征被包括在本公开的以下描述中。
附图说明
通过参照附图详细地描述本公开的实施例，本公开的上述和其它方面和特征将变得更加明显，在附图中：
图1是示出根据一个实施例的显示装置的平面图；
图2是示出根据一个实施例的显示装置的显示基底的电路的示意性布局图；
图3是根据一个实施例的显示装置的一个像素的等效电路图；
图4是根据另一实施例的显示装置的一个像素的等效电路图；
图5是根据另一实施例的显示装置的一个像素的等效电路图；
图6是示出根据一个实施例的显示装置的示意性剖视图；
图7是示出根据一个实施例的像素电极和发光元件的剖视图；
图8是根据一个实施例的图6中所示的发光元件的放大剖视图；
图9是根据另一实施例的图6中所示的发光元件的放大剖视图；
图10至图31是示出根据一个实施例的用于制造显示装置的方法的步骤的剖视图；
图32是描述根据一个实施例的用于制造显示装置的方法的流程图；
图33是示出根据一个实施例的包括显示装置的虚拟现实装置的视图；
图34是示出根据一个实施例的包括显示装置的智能装置的视图；
图35是示出根据一个实施例的包括显示装置的车辆仪表板和中央仪表板的视图；以及
图36是示出根据一个实施例的包括显示装置的透明显示装置的视图。
具体实施方式
现在将在下文中参照附图更充分地描述本公开，在附图中示出了本公开的实施例。然而，本公开可以以各种不同的形式实施，并且不应被解释为限于这里描述的实施例。所描述的实施例的与本公开无关或本领域普通技术人员很好理解的一些方面可以不被描述或可以仅被简要地描述，以聚焦本公开。
将理解的是，当元件或层被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“结合到”另一元件或层时，所述元件或层可以直接在所述另一元件或层上、直接连接到或直接结合到所述另一元件或层，或者也可以存在一个或更多个居间元件或居间层。当元件或层被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接结合到”另一元件或层时，不存在居间元件或居间层。例如，当第一元件被描述为“结合”或“连接”到第二元件时，第一元件可以直接结合或连接到第二元件，或者第一元件可以经由一个或更多个居间元件间接结合或间接连接到第二元件。
在附图中，为了例示的清楚，各种元件、层等的尺寸可能被夸大。相同的附图标记表示相同的元件。如这里所使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项的任何组合和所有组合。此外，当描述本公开的实施例时，“可以”的使用涉及“本公开的一个或更多个实施例”。诸如“……中的至少一个(种/者)”的表述在一列元件之前(之后)时，修饰整列元件，而不修饰该列中的个别元件。如这里所使用的，术语“使用”和其变型可以被认为分别与术语“利用”和其变型同义。
将理解的是，尽管这里可以使用术语第一、第二、第三等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语限制。这些术语用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离示例实施例的教导的情况下，下面讨论的第一元件、第一组件、第一区域、第一层或第一部分可以被称为第二元件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分。
为了便于描述，这里可以使用诸如“在……之下”、“下方”、“下”、“上方”、“上”等的空间相对术语，以描述如附图中示出的一个元件或特征与另一(其它)元件或特征的关系。将理解的是，空间相对术语意图包括装置在使用或操作中除了附图中所描绘的方位之外的不同方位。例如，如果附图中的装置被翻转，则被描述为“在”其它元件或特征“下方”或“之下”的元件将随后被定向为“在”其它元件或特征“上方”或“之上”。因此，术语“下方”可以涵盖上方和下方两个方位。装置可以被另外定向(旋转90度或在其它方位处)，并且应相应地解释这里使用的空间相对描述语。
此外，短语“在平面图中”意指从上方观看对象部分的情况，并且短语“在示意性剖视图中”意指从侧面观看通过竖直地切割对象部分而截取的示意性剖面的情况。术语“叠置”或“重合”意指第一对象可以在第二对象的上方或下方或一侧，反之亦然。另外，如本领域普通技术人员将领会和理解的，术语“叠置”可以包括层叠、堆叠、面对或面向、在……上方延伸、覆盖或部分地覆盖，或者任何其它合适的术语。如本领域普通技术人员将领会和理解的，表述“不叠置”可以包括诸如“与……间隔开”、“与……偏置”或“与……偏移”以及任何其它合适的等同物的含义。术语“面对”和“面向”可以意指第一对象可以直接或间接地与第二对象相对。在第三对象介于第一对象与第二对象之间时，尽管仍然彼此面对，但是第一对象和第二对象可以被理解为彼此间接地相对。
如这里所使用的，术语“约(大约)”或“近似”包括所陈述的值，并且意指：考虑到所讨论的测量以及与具体量的测量相关的误差(例如，测量系统的局限性)，在所陈述的值的如由本领域普通技术人员所确定的可接受的偏差范围内。例如，“约(大约)”可以意指在一个或更多个标准偏差内，或在所陈述的值的±30％、±20％、±10％、±5％内。
这里使用的术语是为了描述本公开的实施例的目的，而不旨在成为本公开的限制。如这里所使用的，除非上下文另外明确地指出，否则单数形式“一”和“一个(种/者)”也旨在包括复数形式。还将理解的是，当术语“包含”、“包括”和/或它们的变型在本说明书中使用时，说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或附加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
除非另有定义或暗示，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与该公开所属领域的技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解的是，除非在说明书中清楚地定义，否则术语(诸如在常用词典中定义的术语)应被解释为具有与其在相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且将不以理想化或过于形式化的意义来解释。
图1是示出根据本公开的一个实施例的显示装置的平面图。
参照图1，根据一个实施例的显示装置10可以应用于智能电话、蜂窝电话、平板PC、个人数字助理(PDA)、便携式多媒体播放器(PMP)、电视、游戏机、手表型电子装置、头戴式显示器、个人计算机的监视器、膝上型计算机、车辆导航仪、车辆仪表板、数码相机、摄像机、室外广告牌、电子显示板、医疗装置、检查装置、各种家用电器(诸如冰箱和洗衣机)或物联网(IoT)装置(或包括在智能电话、蜂窝电话、平板PC、个人数字助理(PDA)、便携式多媒体播放器(PMP)、电视、游戏机、手表型电子装置、头戴式显示器、个人计算机的监视器、膝上型计算机、车辆导航仪、车辆仪表板、数码相机、摄像机、室外广告牌、电子显示板、医疗装置、检查装置、各种家用电器(诸如冰箱和洗衣机)或物联网(IoT)装置中)。在本公开中，电视(TV)将被描述为显示装置的示例，并且TV可以具有高分辨率或超高分辨率(诸如HD、UHD、4K和8K)。
根据本公开的实施例的显示装置10可以根据显示方法或类型进行分类。例如，显示装置可以包括有机发光二极管(OLED)显示装置、无机发光显示装置、量子点发光显示(QLED)装置、微LED显示装置、纳米LED显示装置、等离子显示装置(PDP)、场发射显示(FED)装置、阴极射线管(CRT)装置、液晶显示(LCD)装置和电泳显示(EPD)装置。在下文中，将通过示例的方式将显示装置描述为有机发光二极管显示装置，并且除非另有说明，否则应用于实施例的有机发光二极管显示装置将简单地缩写为显示装置。然而，本公开不限于有机发光显示装置，并且如上所列的或相关领域中已知的另一显示装置可以在技术精神的范围内应用于本公开。
在以下附图中，第一方向DR1是指显示装置10的水平方向，第二方向DR2是指显示装置10的竖直方向，第三方向DR3是指显示装置10的厚度方向。此外，“左”、“右”、“上”和“下”是指在平面上观看显示装置10时的方向。例如，“右侧”是指第一方向DR1的一侧，“左侧”是指第一方向DR1的另一侧，“上侧”是指第二方向DR2的一侧，“下侧”是指第二方向DR2的另一侧。此外，如通过术语使用的上下文将理解的，“上侧”是指第三方向DR3的一侧，“下侧”是指第三方向DR3的另一侧。
根据一个实施例，显示装置10在平面图上可以具有正方形形状。当显示装置10是电视时，显示装置10可以具有矩形形状，其拥有在水平方向上延伸的长边，但不限于此。显示装置10可以设置为使得长边位于竖直方向上(或在竖直方向上延伸)，或者可以旋转使得长边在水平方向或竖直方向上可变地定位。此外，在其它实施例中，显示装置10可以具有圆形形状或椭圆形形状。
显示装置10可以具有显示区域DPA和非显示区域NDA。显示区域DPA可以是其中显示图像的有效区域。显示区域DPA可以在平面图上具有与显示装置10的大体形状类似的正方形形状，但不限于此。
显示区域DPA可以包括多个像素PX。多个像素PX可以布置为矩阵。每个像素PX可以在平面上具有矩形形状或正方形形状，但不限于此。例如，每个像素PX可以具有其中每条边相对于显示装置10的一个方向倾斜的菱形形状。多个像素PX可以包括各种颜色。例如，多个像素PX可以包括但不限于红色(或发射红色)的第一像素PX、绿色的第二像素PX和蓝色的第三像素PX。各个像素PX可以以条型或(三星显示器有限公司的注册商标)型重复地布置。
非显示区域NDA可以设置在显示区域DPA附近。例如，非显示区域NDA可以完全地或部分地围绕显示区域DPA(例如，在平面图上围绕显示区域DPA或在显示区域DPA的外围周围延伸)。显示区域DPA可以具有正方形形状，非显示区域NDA可以设置为与正方形显示区域DPA的四条边相邻。非显示区域NDA可以构成(或形成)显示装置10的边框。
用于驱动显示区域DPA的驱动电路或驱动元件可以设置在非显示区域NDA中。在一个实施例中，垫(pad，又称为“焊盘”或“焊垫”)部分可以在设置为与显示装置10的第一侧(例如，图1中的下侧)相邻的非显示区域NDA中设置在显示装置10的显示基底上，并且外部装置EXD可以封装在(例如，结合到)垫部分的垫电极上。外部装置EXD的示例可以包括连接膜、印刷电路板、驱动芯片DIC、连接器、线连接膜等。直接形成在显示装置10的显示基底上的扫描驱动器SDR可以设置在设置为与显示装置10的第二侧(例如，图1中的左侧)相邻的非显示区域NDA中。
图2是示出根据一个实施例的显示装置的显示基底的电路的示意性布局图。
参照图2，多条线设置在显示基底上。多条线可以包括扫描线SCL、感测信号线SSL、数据线DTL、参考电压线RVL、第一电源线ELVDL等。
扫描线SCL和感测信号线SSL可以在第一方向DR1上延伸。扫描线SCL和感测信号线SSL可以连接到扫描驱动器SDR。扫描驱动器SDR可以包括驱动电路。扫描驱动器SDR可以在显示基底上设置在非显示区域NDA的一侧处，但不限于此。在其它实施例中，扫描驱动器SDR可以设置在非显示区域NDA的两侧(例如，相对侧)处。扫描驱动器SDR可以在第一非显示区域NDA和/或第二非显示区域NDA中通过连接到垫WPD_CW的信号连接线CWL而连接到外部装置(例如，图1中的“EXD”)。
数据线DTL和参考电压线RVL可以在与第一方向DR1交叉的第二方向DR2上延伸。第一电源线ELVDL可以包括在第二方向DR2上延伸的部分。第一电源线ELVDL还可以包括在第一方向DR1上延伸的部分。第一电源线ELVDL的部分可以形成网状结构，但第一电源线ELVDL不限于此。
布线垫WPD可以设置在数据线DTL、参考电压线RVL和第一电源线ELVDL的至少一端处。每个布线垫WPD可以设置在非显示区域NDA的垫区域PDA中。在一个实施例中，数据线DTL的布线垫(下文中称为“数据垫”)WPD_DT、参考电压线RVL的布线垫(下文中称为“参考电压垫”)WPD_RV和第一电源线ELVDL的布线垫(下文中称为“第一电源垫”)WPD_ELVD可以设置在非显示区域NDA的垫区域PDA中。在另一实施例中，数据垫WPD_DT、参考电压垫WPD_RV和第一电源垫WPD_ELVD可以设置在不同的非显示区域NDA中。如上所述，外部装置(例如，图1中的“EXD”)可以封装在布线垫WPD上。外部装置EXD可以通过各向异性导电膜、超声接合等封装在布线垫WPD上。
显示基底上的每个像素PX包括像素驱动电路。上述线可以在经过每个像素PX时或沿着像素PX外围行进时，将驱动信号施加到每个像素驱动电路。像素驱动电路可以包括晶体管和电容器。可以对每个像素驱动电路中的晶体管和电容器的数量进行各种修改。在下文中，将基于包括三个晶体管和一个电容器的3T1C结构来描述像素驱动电路，但不限于此。诸如2T1C结构、7T1C结构和6T1C结构的各种合适的像素结构(例如，像素电路结构)可以应用于像素驱动电路。
图3是根据一个实施例的显示装置的一个像素的等效电路图。
参照图3，除了发光元件LE之外，根据一个实施例的显示装置的每个像素PX还包括三个晶体管DTR、STR1和STR2以及一个存储电容器(以下也称为“电容器”)CST。
发光元件LE根据(或依据)通过驱动晶体管DTR供应的电流而发射光(例如，被配置为根据(或依据)通过驱动晶体管DTR供应的电流而发射光)。发光元件LE可以被实现为无机发光二极管、有机发光二极管、微发光二极管、纳米发光二极管等。
发光元件LE的第一电极(例如，阳极电极)可以连接到驱动晶体管DTR的源电极，并且其第二电极(例如，阴极电极)可以连接到第二电源线ELVSL，第二电源线ELVSL被供应有低于第一电源线ELVDL的第一电位电压(例如，高电位或高电源电压)的第二电位电压(例如，低电位或低电源电压)。
驱动晶体管DTR根据栅电极与源电极之间的电压差调节从被供应有第一电源电压的第一电源线ELVDL流到发光元件LE的电流。驱动晶体管DTR的栅电极可以连接到第一晶体管STR1的第一电极，其源电极可以连接到发光元件LE的第一电极，并且其漏电极可以连接到被施加有第一电源电压的第一电源线ELVDL。
第一晶体管STR1通过来自扫描线SCL的扫描信号而导通，以将数据线DTL连接到驱动晶体管DTR的栅电极。第一晶体管STR1的栅电极可以连接到扫描线SCL，其第一电极可以连接到驱动晶体管DTR的栅电极，并且其第二电极可以连接到数据线DTL。
第二晶体管STR2通过来自感测信号线SSL的感测信号而导通，以将初始化电压线VIL连接到驱动晶体管DTR的源电极。第二晶体管STR2的栅电极可以连接到感测信号线SSL，其第一电极可以连接到初始化电压线VIL，并且其第二电极可以连接到驱动晶体管DTR的源电极。
在一个实施例中，第一晶体管STR1和第二晶体管STR2中的每个的第一电极可以是源电极，并且其第二电极可以是漏电极，但它们不限于此，并且可以反之亦然。
电容器CST形成在驱动晶体管DTR的栅电极与源电极之间。存储电容器CST存储驱动晶体管DTR的栅极电压与源极电压的差分电压。
驱动晶体管DTR以及第一晶体管STR1和第二晶体管STR2可以由薄膜晶体管形成。在图3中所示的实施例中，驱动晶体管DTR以及第一晶体管STR1和第二晶体管STR2是N型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，但它们不限于此。在其它实施例中，驱动晶体管DTR以及第一晶体管STR1和第二晶体管STR2可以是P型MOSFET，或者其一个或更多个可以是N型MOSFET，并且其一个或更多个其它晶体管可以是P型MOSFET。
图4是根据另一实施例的显示装置的一个像素的等效电路图。
参照图4，发光元件LE的第一电极可以连接到第四晶体管STR4的第一电极和第六晶体管STR6的第二电极，并且发光元件LE的第二电极可以连接到第二电源线ELVSL。寄生电容Cel会形成在发光元件LE的第一电极与第二电极之间。
每个像素PX包括驱动晶体管DTR、开关元件和电容器CST。开关元件包括第一晶体管STR1(包括晶体管ST1-1和ST1-2)、第二晶体管STR2、第三晶体管STR3(包括晶体管ST3-1和ST3-2)、第四晶体管STR4、第五晶体管STR5和第六晶体管STR6。
驱动晶体管DTR包括栅电极、第一电极和第二电极。驱动晶体管DTR根据施加到其栅电极的数据电压来控制在发光元件LE的第一电极与第二电极之间流动的漏-源电流(在下文中，称为“驱动电流”)Ids。
电容器CST形成在驱动晶体管DTR的第二电极与第一电源线ELVDL之间。电容器CST的一个电极可以连接到驱动晶体管DTR的第二电极，并且其另一电极可以连接到第一电源线ELVDL。
当第一晶体管STR1、第二晶体管STR2、第三晶体管STR3、第四晶体管STR4、第五晶体管STR5和第六晶体管STR6以及驱动晶体管DTR中的每个的第一电极是源电极时，它们的第二电极可以是漏电极。在其它实施例中，当第一晶体管STR1、第二晶体管STR2、第三晶体管STR3、第四晶体管STR4、第五晶体管STR5和第六晶体管STR6以及驱动晶体管DTR中的每个的第一电极是漏电极时，它们的第二电极可以是源电极。
第一晶体管STR1、第二晶体管STR2、第三晶体管STR3、第四晶体管STR4、第五晶体管STR5和第六晶体管STR6以及驱动晶体管DTR中的每个的有源层可以由多晶硅、非晶硅和氧化物半导体中的任一种形成。当第一晶体管STR1、第二晶体管STR2、第三晶体管STR3、第四晶体管STR4、第五晶体管STR5和第六晶体管STR6以及驱动晶体管DTR中的每个的半导体层由多晶硅形成时，形成半导体层的工艺可以是低温多晶硅(LTPS)工艺。
此外，在图4中，第一晶体管STR1、第二晶体管STR2、第三晶体管STR3、第四晶体管STR4、第五晶体管STR5和第六晶体管STR6以及驱动晶体管DTR被描述为形成为P型MOSFET，但不限于此，并且它们可以形成为N型MOSFET。
此外，可以考虑驱动晶体管DTR的特性、发光元件LE的特性等来设定第一电源线ELVDL的第一电源电压、第二电源线ELVSL的第二电源电压和第三电源线的第三电源电压。
图5是根据另一实施例的显示装置的一个像素的等效电路图。
图5中所示的实施例与图4中所示的实施例的不同之处在于：驱动晶体管DTR、第二晶体管STR2、第四晶体管STR4、第五晶体管STR5和第六晶体管STR6形成为P型MOSFET，并且第一晶体管STR1和第三晶体管STR3形成为N型MOSFET。
参照图5，形成为P型MOSFET的驱动晶体管DTR、第二晶体管STR2、第四晶体管STR4、第五晶体管STR5和第六晶体管STR6中的每个的有源层可以由多晶硅形成，形成为N型MOSFET的第一晶体管STR1和第三晶体管STR3中的每个的有源层可以由氧化物半导体形成。
图5中所示的实施例与图4中所示的实施例的不同之处还在于：第二晶体管STR2的栅电极和第四晶体管STR4的栅电极连接到写入扫描线GWL，并且第一晶体管STR1的栅电极连接到控制扫描线GCL。此外，在图5中，因为第一晶体管STR1和第三晶体管STR3形成为N型MOSFET，所以栅极高电压的扫描信号可以施加到控制扫描线GCL和初始化扫描线GIL。相反，因为第二晶体管STR2、第四晶体管STR4、第五晶体管STR5和第六晶体管STR6形成为P型MOSFET，所以栅极低电压的扫描信号可以施加到写入扫描线GWL和发光线EL。
应当注意的是，像素的等效电路图不限于图3至图5中所示的那些。除了图3至图5中所示的实施例之外，根据本公开的实施例的像素的等效电路图可以以本领域技术人员可以采用的另一种已知的合适的电路结构形成。
图6是示出根据一个实施例的显示装置的示意性剖视图。图7是示出根据一个实施例的像素电极和发光元件的剖视图。图8是示出根据实施例的图6中所示的发光元件的放大剖视图，图9是示出根据另一实施例的图6中所示的发光元件的放大剖视图。
参照图6至图8，显示面板100可以包括半导体电路板110和发光元件层120。
半导体电路板110可以包括第一基底SUB1、多个像素电路PXC、像素电极111和第一绝缘层INS1。
第一基底SUB1可以是硅晶圆基底。第一基底SUB1可以由单晶硅制成。
多个像素电路PXC中的每个可以设置在第一基底SUB1上。多个像素电路PXC中的每个可以包括使用半导体工艺形成的互补金属氧化物半导体(CMOS)电路。多个像素电路PXC中的每个可以包括通过半导体工艺形成的至少一个晶体管。另外，多个像素电路PXC中的每个还可以包括通过半导体工艺形成的至少一个电容器。
多个像素电路PXC可以设置在显示区域DPA中。多个像素电路PXC中的每个可以连接到相应的像素电极111。例如，多个像素电路PXC与多个像素电极111可以一一对应地彼此连接。像素电路PXC中的每个可以将像素电压或阳极电压施加到相应的像素电极111。
像素电极111中的每个可以设置在相应的像素电路PXC上。像素电极111中的每个可以是从像素电路PXC暴露的暴露电极。例如，像素电极111中的每个可以从像素电路PXC的上表面突出。像素电极111中的每个可以与像素电路PXC一体地形成。像素电极111中的每个可以被供应有来自像素电路PXC的像素电压或阳极电压。像素电极111可以包括铜(Cu)、钛(Ti)、银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、铅(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)或其混合物。在一些实施例中，像素电极111可以具有其中堆叠有两个或更多个金属层的多层结构。例如，像素电极111可以是其中铜层堆叠在钛层上的双层结构，但不限于此。
第一绝缘层INS1可以设置在其上未设置有像素电极111的第一基底SUB1上。第一绝缘层INS1设置在像素电极111之间，并且第一绝缘层INS1的上表面和像素电极111中的每个的上表面可以连接为平坦的(例如，可以形成平坦表面)。因此，第一绝缘层INS1可以被称为平坦化层。第一绝缘层INS1可以由诸如氧化硅(SiOx)层、氧化铝(AlxOy)层或氧化铪(HfOx)层的无机层形成。
发光元件层120可以包括多个发光区域EA1、EA2和EA3，并且它可以是发射光的层(例如，被构造为发射光的层)。发光元件层120可以包括连接电极112、发光元件LE、第二绝缘层INS2、共电极CE、波长转换层QDL、反射膜RF以及多个滤色器CF1、CF2和CF3。
连接电极112中的每个可以设置在对应的像素电极111上。例如，连接电极112可以一一对应地连接到像素电极111。连接电极112可以用作接合金属，以在制造工艺期间将像素电极111接合到发光元件LE。例如，连接电极112可以包括金(Au)。在一些实施例中，连接电极112可以包括连接部分112-1和反射部分112-2。
如下所述，连接部分112-1可以设置在像素电极111上以将像素电极111接合到发光元件LE，并且反射部分112-2可以形成为围绕发光元件LE的一侧(例如，在发光元件LE的一侧周围延伸)。如下所述，连接部分112-1可以与像素电极111的上表面接触，并且反射部分112-2可以与第二绝缘层INS2的外表面接触。反射部分112-2反射从发光元件LE发射的光之中的向上侧和下侧以及左侧和右侧而非向上方向移动的光，从而防止从相邻的发光区域EA1、EA2和EA3的发光元件LE发射的光的混合。连接部分112-1和反射部分112-2可以一体地形成，并且可以包括相同的材料。例如，连接部分112-1和反射部分112-2可以包括金(Au)。
在另一实施例中，如图9中所示，连接电极112可以包括第一连接部分112-11、第二连接部分112-12和反射部分112-2。
第一连接部分112-11可以将发光信号从像素电极111传输到发光元件LE。第一连接部分112-11可以是欧姆连接电极，但不限于此，并且可以是肖特基连接电极。第一连接部分112-11可以设置在发光元件LE的最下端处，并且可以设置为比第二连接部分112-12更远离活性层MQW。第一连接部分112-11可以包括金(Au)、铜(Cu)、锡(Sn)、银(Ag)、铝(Al)和钛(Ti)中的至少一种。例如，第一连接部分112-11可以包括金和锡的9:1合金、8:2合金或7:3合金。
第二连接部分112-12可以反射从发光元件LE的活性层MQW发射的光。第二连接部分112-12可以设置为与发光元件LE的活性层MQW相邻。第二连接部分112-12可以包括具有导电性和反射率的金属材料。
当第一连接部分112-11和第二连接部分112-12中的每个由金和锡的合金形成时，第一连接部分112-11和第二连接部分112-12中的金含量比可以彼此不同。例如，第二连接部分112-12可以具有比第一连接部分112-11的金含量比高的金含量比。
第二连接部分112-12和反射部分112-2可以一体地形成，并且可以包括相同的材料。例如，第二连接部分112-12和反射部分112-2可以包括金(Au)。
在图9中所示的实施例中，连接电极112具有双层结构，但不限于此。在一些实施例中，连接电极112可以形成为具有其中堆叠有更多数量的层的结构。
返回参照图6至图8，发光元件LE中的每个可以设置在连接电极112上。发光元件LE可以是在第三方向DR3上延伸的竖直发光二极管元件。例如，发光元件LE在第三方向DR3上的长度可以长于发光元件LE在水平方向上的长度。发光元件LE在水平方向上的长度指在第一方向DR1上的长度或在第二方向DR2上的长度。例如，发光元件LE在第三方向DR3上的长度可以在约1μm至约5μm的范围内。
发光元件LE可以是微发光二极管元件或纳米发光二极管。参照图8，发光元件LE在第三方向DR3上包括第一半导体层SEM1、电子阻挡层EBL、活性层MQW、超晶格层SLT和第二半导体层SEM2。第一半导体层SEM1、电子阻挡层EBL、活性层MQW、超晶格层SLT和第二半导体层SEM2可以在第三方向DR3上顺序地堆叠。
发光元件LE可以具有圆柱形形状、盘形形状或拥有比高度大的宽度的棒形状，但不限于此。发光元件LE可以具有诸如棒、线和管的形状，以及诸如立方体、长方体和六边形柱的多边形柱形状，或者可以具有各种形状(诸如具有在一个方向上延伸但部分地倾斜的外表面的形状)。
第一半导体层SEM1可以设置在连接电极112上。第一半导体层SEM1可以掺杂有诸如Mg、Zn、Ca、Sr和Ba的第一导电型掺杂剂。例如，第一半导体层SEM1可以是掺杂有p型Mg的p-GaN。第一半导体层SEM1的厚度Tsem1可以在约30nm至约200nm的范围内。
电子阻挡层EBL可以设置在第一半导体层SEM1上。电子阻挡层EBL可以是用于抑制或防止太多电子流到活性层MQW的层。例如，电子阻挡层EBL可以是掺杂有p型Mg的p-AlGaN。电子阻挡层EBL的厚度Tebl可以在约10nm至约50nm的范围内。然而，在一些实施例中，可以省略电子阻挡层EBL。
活性层MQW可以设置在电子阻挡层EBL上。活性层MQW可以根据通过第一半导体层SEM1和第二半导体层SEM2施加的电信号通过使电子-空穴对的复合而发光。活性层MQW可以发射具有范围从约450nm至约495nm的主波段的第一光(即，可以发射蓝色波段的光)，但不限于此。
活性层MQW可以包括单量子阱或多量子阱结构。当活性层MQW包括多量子阱结构时，多个阱层和多个势垒层可以交替地堆叠。在这样的实施例中，阱层可以由但不限于InGaN形成，并且势垒层可以由但不限于GaN或AlGaN形成。阱层的厚度可以在约1nm至约4nm的范围内，并且势垒层的厚度可以在约3nm至约10nm的范围内。活性层MQW的厚度Tmqw是阱层的厚度和势垒层的厚度之和。
在一些实施例中，活性层MQW可以具有其中具有高能带隙的半导体材料和具有低能带隙的半导体材料交替地堆叠的结构，并且可以根据将要发射的光的波段而包括不同的III族至V族半导体材料。从活性层MQW发射的光可以是第二光(例如，绿色波段的光)或第三光(例如，红色波段的光)，并且不限于第一光(例如，蓝色波段的光)。
超晶格层SLT可以设置在活性层MQW上。超晶格层SLT可以是用于减轻第二半导体层SEM2与活性层MQW之间的应力的层。例如，超晶格层SLT可以由InGaN或GaN形成。超晶格层SLT的厚度Tslt可以在约50nm至约200nm的范围内。然而，在一些实施例中，可以省略超晶格层SLT。
第二半导体层SEM2可以设置在超晶格层SLT上。第二半导体层SEM2可以掺杂有诸如Si、Se、Ge和Sn的第二导电型掺杂剂。例如，第二半导体层SEM2可以是掺杂有n型Si的n-GaN。第二半导体层SEM2的厚度Tsem2可以在约500nm至约1μm的范围内。
第二绝缘层INS2可以设置在发光元件LE中的每个的侧面上。第二绝缘层INS2未设置在发光元件LE中的每个的上表面上。第二绝缘层INS2可以由诸如氧化硅(SiOx)层、氧化铝(AlxOy)层或氧化铪(HfOx)层的无机层形成，但不限于此。
第三绝缘层INS3可以设置在连接电极112中的每个的侧面上。第三绝缘层INS3可以设置在连接电极112中的每个的上表面上。第三绝缘层INS3沿着反射部分112-2的上表面和侧面以及连接部分112-1的侧面设置。例如，第三绝缘层INS3可以设置为围绕连接电极112的侧面和上表面。第三绝缘层INS3可以设置在其处未设置有连接电极112的第一绝缘层INS1上。第三绝缘层INS3可以不设置在发光元件LE中的每个的上表面上。第三绝缘层INS3可以由诸如氧化硅(SiOx)层、氧化铝(AlxOy)层或氧化铪(HfOx)层的无机层形成，但不限于此。
共电极CE可以包括具有低电阻的材料，因为它完全地设置在第一基底SUB1上以施加共电压。共电极CE可以设置在发光元件LE中的每个的上表面和第三绝缘层INS3的上表面上。共电极CE可以设置为完全地覆盖发光元件LE中的每个。另外，共电极CE可以形成为具有薄的厚度(例如，可以是相对薄的厚度)以促进光的透射。共电极CE可以包括透明导电材料。例如，共电极CE可以包括诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)的透明导电氧化物(TCO)。共电极CE的厚度可以在约至约/>的范围内，但不限于此。
第四绝缘层INS4可以设置在共电极CE上。例如，第四绝缘层INS4设置在将稍后描述的波长转换层QDL与共电极CE之间。第四绝缘层INS4可以由诸如氧化硅(SiOx)层、氧化铝(AlxOy)层或氧化铪(HfOx)层的无机层形成，但不限于此。
波长转换层QDL可以在第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3中的每个中设置在第四绝缘层INS4上。波长转换层QDL可以在第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3中的每个中在第三方向DR3上与发光元件LE叠置。
波长转换层QDL可以包括第一波长转换颗粒。第一波长转换颗粒可以将从发光元件LE发射的第一光转换为第四光。例如，第一波长转换颗粒可以将蓝色波段的光转换为黄色波段的光。第一波长转换颗粒可以是量子点(QD)、量子棒、荧光材料或磷光材料。量子点可以包括IV族纳米晶体、II-VI族化合物纳米晶体、III-V族化合物纳米晶体、IV-VI族化合物纳米晶体或它们的组合。
量子点可以包括核和包覆核的壳。例如，核可以是但不限于CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InP、InAs、InSb、SiC、Ca、Se、In、P、Fe、Pt、Ni、Co、Al、Ag、Au、Cu、FePt、Fe2O3、Fe3O4、Si和Ge中的至少一种。壳可以包括但不限于ZnS、ZnSe、ZnTe、CdS、CdSe、CdTe、HgS、HgSe、HgTe、AlN、AlP、AlAs、AlSb、GaN、GaP、GaAs、GaSb、GaSe、InN、InP、InAs、InSb、TlN、TlP、TlAs、TlSb、PbS、PbSe和PbTe中的至少一种。
波长转换层QDL还可以包括用于在随机方向上散射发光元件LE的光的散射体。在这样的实施例中，散射体可以包括金属氧化物颗粒或有机颗粒。例如，金属氧化物可以是氧化钛(TiO2)、氧化锆(ZrO2)、二氧化硅(SiO2)、氧化铝(AlxOy)、氧化铟(In2O3)、氧化锌(ZnO)或氧化锡(SnO2)。另外，有机颗粒可以包括丙烯酸类树脂或氨基甲酸乙酯类树脂。散射体的直径可以在几纳米至几十纳米的范围内。
分隔壁PW可以在显示区域DPA中设置在共电极CE上，并且可以限定多个发光区域EA1、EA2和EA3以及非发光区域。分隔壁PW可以设置为在第一方向DR1和第二方向DR2上延伸，并且可以遍及显示区域DPA以格子形状图案形成。此外，分隔壁PW可以不与多个发光区域EA1、EA2和EA3叠置，并且可以与非发光区域叠置。
分隔壁PW可以具有暴露其下方的共电极CE的多个开口OP1、OP2和OP3。多个开口OP1、OP2和OP3可以包括与第一发光区域EA1叠置的第一开口OP1、与第二发光区域EA2叠置的第二开口OP2和与第三发光区域EA3叠置的第三开口OP3。在示出的实施例中，多个开口OP1、OP2和OP3可以与多个发光区域EA1、EA2和EA3对应。例如，第一开口OP1可以与第一发光区域EA1对应，第二开口OP2可以与第二发光区域EA2对应，第三开口OP3可以与第三发光区域EA3对应。
分隔壁PW可以提供(或可以形成)用于形成波长转换层QDL的空间。为此，分隔壁PW可以具有一厚度(例如，预定厚度)；例如，分隔壁PW的厚度可以在约1μm至约10μm的范围内。分隔壁PW可以包括有机绝缘材料。有机绝缘材料可以包括例如环氧类树脂、丙烯酸类树脂、卡多(cardo)类树脂或酰亚胺类树脂。
反射膜RF可以设置在分隔壁PW和波长转换层QDL的侧面上，并且可以位于分隔壁PW与波长转换层QDL之间。反射膜RF与非发光区域叠置。反射膜RF反射从发光元件LE发射的光之中的朝向上侧和下侧以及左侧和右侧移动但不在向上方向上移动的光。反射膜RF可以包括具有高反射率的金属材料(诸如铝(Al))。反射膜RF的厚度可以为约0.1μm。
在一个实施例中，反射膜RF可以在第三方向DR3上与连接电极112的反射部分112-2布置成行(例如，对准)，但不限于此。
多个滤色器CF1、CF2和CF3可以设置在分隔壁PW和波长转换层QDL上。多个滤色器CF1、CF2和CF3可以与多个像素电路PXC和波长转换层QDL叠置。多个滤色器CF1、CF2和CF3可以包括第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3。
第一滤色器CF1中的每个可以在第一发光区域EA1中设置在波长转换层QDL上。第一滤色器CF1中的每个可以透射第一光，并且可以吸收或阻挡第二光和第三光。例如，第一滤色器CF1中的每个可以透射蓝色波段的光，并且可以吸收或阻挡绿色波段和红色波段的光。因此，第一滤色器CF1中的每个可以透射从发光元件LE发射的第一光。也就是说，从第一发光区域EA1中的发光元件LE发射的第一光不被单独的波长转换层QDL转换，并且可以通过透光层透射(例如，可以穿过)第一滤色器CF1。因此，第一发光区域EA1中的每个可以发射第一光。
第二滤色器CF2中的每个可以在第二发光区域EA2中设置在波长转换层QDL上。第二滤色器CF2中的每个可以透射第二光，并且可以吸收或阻挡第一光和第三光。例如，第二滤色器CF2中的每个可以透射绿色波段的光，并且可以吸收或阻挡蓝色波段和红色波段的光。因此，第二滤色器CF2中的每个可以吸收或阻挡从发光元件LE发射的第一光之中的未被波长转换层QDL转换的第一光。另外，第二滤色器CF2中的每个可以透射由波长转换层QDL转换的第四光之中的与绿色波段对应的第二光，并且可以吸收或阻挡与红色波段对应的第三光。因此，第二发光区域EA2中的每个可以发射第二光。
第三滤色器CF3中的每个可以在第三发光区域EA3中设置在波长转换层QDL上。第三滤色器CF3中的每个可以透射第三光，并且可以吸收或阻挡第一光和第二光。例如，第三滤色器CF3中的每个可以透射红色波段的光，并且可以吸收或阻挡蓝色波段和绿色波段的光。因此，第三滤色器CF3中的每个可以吸收或阻挡从发光元件LE发射的第一光之中的未被波长转换层QDL转换的第一光。另外，第三滤色器CF3中的每个可以透射由波长转换层QDL转换的第四光之中的与红色波段对应的第三光，并且可以吸收或阻挡与绿色波段对应的第二光。因此，第三发光区域EA3中的每个可以发射第三光。在另一实施例中，可以在第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3中的任一个中形成透光层来代替波长转换层QDL。透光层可以在第一发光区域EA1中的每个中设置在共电极CE上。透光层可以在第一发光区域EA1中的每个中在第三方向DR3上与发光元件LE叠置。透光层可以包括透光有机材料。例如，透光层可以包括环氧类树脂、丙烯酸类树脂、卡多类树脂或酰亚胺类树脂。
黑矩阵可以设置在多个滤色器CF1、CF2和CF3之中(例如，之间)。例如，黑矩阵可以设置在第一滤色器CF1与第二滤色器CF2之间、第二滤色器CF2与第三滤色器CF3之间、以及第一滤色器CF1与第三滤色器CF3之间。黑矩阵可以包括无机黑色颜料或有机黑色颜料(诸如炭黑)。
多个滤色器CF1、CF2和CF3中的每个的平面面积可以大于多个发光区域EA1、EA2和EA3中的每个的平面面积。例如，第一滤色器CF1的平面面积可以大于第一发光区域EA1的平面面积。第二滤色器CF2的平面面积可以大于第二发光区域EA2的平面面积。第三滤色器CF3的平面面积可以大于第三发光区域EA3的平面面积。然而，本公开不限于此，并且多个滤色器CF1、CF2和CF3中的每个的平面面积可以与多个发光区域EA1、EA2和EA3中的每个的平面面积相同。
光阻挡构件BM可以设置在分隔壁PW上。光阻挡构件BM可以与非发光区域叠置，以阻挡光的透射。光阻挡构件BM可以基本上以类似于分隔壁PW的平面格子形状设置。光阻挡构件BM可以设置为与分隔壁PW叠置，并且可以不与发光区域EA1、EA2和EA3叠置(例如，可以从发光区域EA1、EA2和EA3偏移)。
在一个实施例中，光阻挡构件BM可以包括有机光阻挡材料，并且可以通过有机光阻挡材料的涂覆和曝光工艺形成。光阻挡构件BM可以包括具有光阻挡性质的染料或颜料，并且可以是黑矩阵。光阻挡构件BM的至少一部分可以与相邻的滤色器CF1、CF2和CF3叠置，并且滤色器CF1、CF2和CF3可以设置在光阻挡构件BM的至少一部分上。
当光阻挡构件BM设置在分隔壁PW上时，外部光的至少一部分被光阻挡构件BM吸收。因此，可以抑制由外部光的反射导致的颜色失真。另外，光阻挡构件BM可以防止由于相邻发光区域之间的漏光而发生颜色混合，从而改善颜色再现率。
保护层BF可以设置在多个滤色器CF1、CF2和CF3以及光阻挡构件BM下方。保护层BF可以设置在分隔壁PW和波长转换层QDL上。保护层BF的一个表面(例如，保护层BF的上表面)可以与多个滤色器CF1、CF2和CF3以及光阻挡构件BM中的每个的下表面接触。另外，面对保护层BF的一个表面的另一表面(例如，保护层BF的下表面)可以与分隔壁PW和波长转换层QDL中的每个的上表面接触。保护层BF可以包括无机绝缘材料。例如，保护层BF可以包括但不限于氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氧化铝(AlxOy)、氮化铝(AlN)等。保护层BF可以具有例如在约0.01μm至约1μm的范围内的厚度(例如，预定厚度)，但不限于此。
在下文中，将参照其它附图描述根据一个实施例的显示装置10的制造工艺。
图10至图31是示出根据一个实施例的用于制造显示装置的方法的步骤的剖视图，图32是描述图10至图31中所示的用于制造显示装置的方法的步骤的流程图。
如图10中所示，在第一基底SUB1上形成第一绝缘层INS1，在第一绝缘层INS1和像素电极111上形成第一连接电极层112L_1，并且在第二基底SUB2上的发光材料层LEML上形成第二连接电极层112L_2(图32的S110)。
例如，在未设置有像素电极111处(例如，像素电极111之间)在第一基底SUB1上形成第一绝缘层INS1。第一绝缘层INS1的上表面和像素电极111中的每个的上表面可以连接为平坦的(或平面)。也就是说，可以通过第一绝缘层INS1填充(或避免)第一基底SUB1的上表面与像素电极111的上表面之间的高度差。第一绝缘层INS1可以由诸如氧化硅(SiOx)层、氧化铝(AlxOy)层或氧化铪(HfOx)层的无机层形成。
然后，在像素电极111和第一绝缘层INS1上沉积第一连接电极层112L_1。第一连接电极层112L_1可以包括金(Au)。
另外，可以在第二基底SUB2的一个表面上形成缓冲膜BUF。第二基底SUB2可以是硅基底或蓝宝石基底。缓冲膜BUF可以由诸如氧化硅(SiOx)层、氧化铝(AlxOy)层或氧化铪(HfOx)层的无机层形成。
可以在缓冲膜BUF上设置发光材料层LEML。发光材料层LEML可以包括第一半导体材料层LEMD和第二半导体材料层LEMU。第二半导体材料层LEMU可以设置在缓冲膜BUF上，第一半导体材料层LEMD可以设置在第二半导体材料层LEMU上。第二半导体材料层LEMU的厚度可以大于第一半导体材料层LEMD的厚度。
第一半导体材料层LEMD可以包括例如如图8中所示的第一半导体层SEM1、电子阻挡层EBL、活性层MQW、超晶格层SLT和第二半导体层SEM2。第二半导体材料层LEMU可以是未掺杂有掺杂剂的半导体层(即，它可以是未掺杂的半导体层)。例如，第二半导体材料层LEMU可以是未掺杂有掺杂剂的未掺杂GaN。
可以在第一半导体材料层LEMD上沉积第二连接电极层112L_2。第二连接电极层112L_2可以包括金(Au)。
如图11中所示，将第一连接电极层112L_1和第二连接电极层112L_2彼此接合，并且去除第二基底SUB2(图32的S120)。
例如，使第一基底SUB1上的第一连接电极层112L_1和第二基底SUB2上的第二连接电极层112L_2彼此接触。然后，在一定温度(例如，预定温度)下将第一连接电极层112L_1和第二连接电极层112L_2熔融接合，以形成一个连接电极层112L。也就是说，连接电极层112L设置在第一基底SUB1上的像素电极111与第二基底SUB2上的发光材料层LEML之间，以用作用于将第一基底SUB1上的像素电极111接合到第二基底SUB2上的发光材料层LEML的接合金属层。
然后，可以通过抛光工艺(诸如化学机械抛光(CMP)工艺)和/或蚀刻工艺去除第二基底SUB2和缓冲膜BUF。另外，可以通过抛光工艺(诸如CMP工艺)去除发光材料层LEML的第二半导体材料层LEMU。
如图12中所示，在发光材料层LEML上形成掩模图案MP(图32的S130)。
在发光材料层LEML的上表面上形成掩模图案MP。发光材料层LEML的上表面可以是第一半导体材料层LEMD的通过去除第二基底SUB2、缓冲膜BUF和第二半导体材料层LEMU而暴露的上表面。掩模图案MP可以设置在将要形成发光元件LE的区域中。结果，掩模图案MP可以在第三方向DR3上与像素电极111叠置。掩模图案MP可以包括诸如镍(Ni)的导电材料。掩模图案MP的厚度可以在约0.01μm至约1μm的范围内。
如图13中所示，根据掩模图案MP蚀刻发光材料层LEML，然后去除掩模图案MP(图32的S140)。
例如，掩模图案MP可以不被用于蚀刻发光材料层LEML的蚀刻材料蚀刻。因此，可以不蚀刻设置掩模图案MP的区域的发光材料层LEML。因此，可以在像素电极111中的每个的上表面上形成发光元件LE。然后去除掩模图案MP。
如图14至图16中所示，在发光元件LE中的每个的上表面和侧面上形成第二绝缘层INS2(图32的S150)。
例如，如图14中所示，在发光元件LE中的每个的上表面和侧面上以及连接电极层112L上沉积第二绝缘层INS2。
第二绝缘层INS2可以设置在发光元件LE中的每个的上表面和侧面以及连接电极层112L的其中未设置有发光元件LE的上表面上。第二绝缘层INS2可以由诸如氧化硅(SiOx)层、氧化铝(AlxOy)层或氧化铪(HfOx)层的无机层形成。
如图15中所示，在第二绝缘层INS2上形成掩模图案MP。
掩模图案MP可以在第三方向DR3上与像素电极111叠置。掩模图案MP可以包括诸如镍(Ni)的导电材料。掩模图案MP的厚度可以在约0.01μm至约1μm的范围内。
如图15和图16中所示，蚀刻其上未设置有掩模图案MP的第二绝缘层INS2和连接电极层112L以形成仅围绕发光元件LE的上表面和侧面的第二绝缘层INS2，然后去除掩模图案MP。
掩模图案MP可以不被用于蚀刻第二绝缘层INS2的蚀刻材料蚀刻。因此，可以不蚀刻在其处设置有掩模图案MP的区域中的发光元件LE和连接电极层112L。因此，可以在发光元件LE中的每个的上表面和侧面上形成第二绝缘层INS2。此外，可以暴露其上未设置有发光元件LE的连接电极层112L。然后去除掩模图案MP。
如图17A、图17B和图18中所示，在低温下干法蚀刻连接电极层112L而不使用单独的掩模，以形成具有反射部分112-2的连接电极112(图32的S160)。
干法蚀刻可以通过使用溅射蚀刻、反应性自由基蚀刻、反应性离子蚀刻和Cl2气体类电感耦合等离子体反应性离子蚀刻(ICP-RIE)设备来执行。在一个实施例中，使用溅射蚀刻方法。通过在相对低的温度下加速诸如氩(Ar)的气体使该气体与靶碰撞并喷射原子来执行溅射蚀刻。溅射蚀刻可以在约20℃至约100℃的范围内的温度下执行，并且在一个实施例中，溅射蚀刻可以在约80℃下执行。通过在低温下对连接电极层112L执行溅射蚀刻来形成连接电极112的连接部分112-1。此时，来自连接电极层112L的非挥发性材料附着到第二绝缘层INS2的侧壁以形成例如如图7中所示的反射部分112-2。反射部分112-2可以与连接部分112-1一体形成。在图17A中，反射部分112-2被示出为形成为随着其与连接部分112-1的距离增加而具有与连接部分112-1的厚度相同的厚度，但本公开不限于此。例如，如图17B中所示，反射部分112-2可以形成为随着其与连接部分112-1的距离增加而更薄。
在一个实施例中，因为连接电极112的反射部分112-2是通过在溅射蚀刻期间发生的重新布置(例如，原子和/或材料的重新布置)而形成的，所以当与使用掩模等的蚀刻相比时，发光元件可以不被损坏。
如图19至图21中所示，在连接电极112和第二绝缘层INS2的除了发光元件LE的上部处之外的上部和侧面上形成第三绝缘层INS3(图32的S170)。
例如，如图19中所示，沉积第三绝缘层INS3以覆盖第一基底SUB1的其上设置有发光元件LE的整个表面。第三绝缘层INS3形成在发光元件LE中的每个的上表面、连接部分112-1的侧面、反射部分112-2的上表面和侧面以及第二绝缘层INS2上。
如图20中所示，在第三绝缘层INS3上形成光致抗蚀剂图案PR。在一个实施例中，光致抗蚀剂图案PR可以是正性光致抗蚀剂图案。
光致抗蚀剂图案PR设置为不与发光区域叠置(例如，从发光区域偏移或在发光区域的外部)。光致抗蚀剂图案PR可以设置为与非发光区域叠置。
然后，如图21中所示，去除设置在发光区域中的每个的发光元件LE的未被光致抗蚀剂图案PR覆盖的上表面上的第三绝缘层INS3和第二绝缘层INS2。例如，可以蚀刻在与发光区域叠置的区域处的第三绝缘层INS3和第二绝缘层INS2，以暴露发光元件LE的上部区域。然后去除光致抗蚀剂图案PR。
如图22中所示，在发光元件LE的未被第三绝缘层INS3覆盖的上表面和第三绝缘层INS3上沉积共电极CE，并且如图23中所示，在共电极CE上形成第四绝缘层INS4(图32中的S180)。
共电极CE可以包括诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)的透明导电氧化物(TCO)。
如图24至图29中所示，形成分隔壁PW、反射膜RF和波长转换层QDL(图32的S190)。
例如，如图24中所示，在第四绝缘层INS4上涂覆有机材料PPW。然后，如图25中所示，在非发光区域中设置掩模图案PRP。如图26中所示，将有机材料PPW图案化以形成分隔壁PW。可以通过设置在非发光区域中的掩模图案PRP在发光区域中形成开口。然后去除掩模图案PRP。
如图27中所示，沉积反射膜RF以覆盖其上形成有分隔壁PW的第一基底SUB1。
然后，在没有单独的掩模的情况下在第三方向DR3上形成电压差(例如，大的电压差或相对大的电压差)，并且通过蚀刻材料蚀刻反射膜RF。蚀刻材料可以在电压(例如，电压差)的控制下在第三方向DR3上(即，从顶部到底部)移动的同时蚀刻反射膜RF。因此，去除设置在由第一方向DR1和第二方向DR2限定的水平面上的反射膜RF，而可以不去除设置在由第三方向DR3限定的竖直面上的反射膜RF。因此，可以去除设置在第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3中的每个中的第四绝缘层INS4的上表面以及分隔壁PW的上表面上的反射膜RF。然而，设置在分隔壁PW的侧面上的反射膜RF可以不被去除。因此，可以在第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3中的每个中在分隔壁PW的侧面上设置反射膜RF。
如图29中所示，在分隔壁PW之间形成的开口OP1、OP2和OP3中形成波长转换层QDL。波长转换层QDL可以形成为填充多个开口OP1、OP2和OP3。对于其中第一波长转换颗粒与第一基体树脂混合的溶液，可以通过诸如喷墨印刷、压印等的溶液工艺形成波长转换层QDL，但不限于此。波长转换层QDL中的每个可以形成在多个开口OP1、OP2和OP3中，并且可以与多个发光区域叠置。
如图30至图31中所示，形成保护层BF和多个滤色器CF1、CF2和CF3(图32的S200)。
如图30中所示，形成保护层BF以覆盖分隔壁PW的上表面、波长转换层QDL的上表面和反射膜RF的上表面。
然后，如图31中所示，在分隔壁PW上形成光阻挡构件BM。通过涂覆光阻挡材料并将其图案化而形成光阻挡构件BM。光阻挡构件BM形成为与非发光区域叠置，并且不与发光区域EA1、EA2和EA3叠置。然后，在由光阻挡构件BM分隔的波长转换层QDL上形成第一滤色器CF1。可以通过光学工艺形成第一滤色器CF1。第一滤色器CF1的厚度可以为约1μm或更小，但不限于此。类似地，通过图案化工艺形成其它滤色器以与相应的开口叠置。
图33是示出根据一个实施例的包括显示装置的虚拟现实装置的视图。在图33中，示出了根据一个实施例的显示装置10应用于其的虚拟现实装置1。
参照图33，根据一个实施例的虚拟现实装置1可以是眼镜型装置。根据一个实施例的虚拟现实装置1可以包括显示装置10、左眼透镜10a、右眼透镜10b、支撑框架20、眼镜框架腿30a和30b、反射构件40和显示装置容纳部50。
尽管图33示出了包括眼镜框架腿30a和30b的虚拟现实装置1，但根据另一实施例的虚拟现实装置1可以应用于包括头戴式带的头戴式显示器，该头戴式显示器可以安装在头部上，而不是安装在眼镜框架腿30a和30b上。也就是说，虚拟现实装置1不限于图33中所示的虚拟现实装置，并且可应用于呈各种形式的各种电子装置。
显示装置容纳部50可以包括显示装置10和反射构件40。显示在显示装置10上的图像可以由反射构件40反射并通过右眼透镜10b提供到用户的右眼。以这种方式，用户可以通过右眼观看显示在显示装置10上的虚拟现实图像。
尽管图33示出了显示装置容纳部50设置在支撑框架20的右端处，但本公开不限于此。例如，显示装置容纳部50可以设置在支撑框架20的左端处，并且在这样的实施例中，显示在显示装置10上的图像可以被反射构件40反射并通过左眼透镜10a提供到用户的左眼。以这种方式，用户可以通过左眼观看显示在显示装置10上的虚拟现实图像。在另一实施例中，显示装置容纳部50可以设置在支撑框架20的左端和右端两者处，并且以这种方式，用户可以通过左眼和右眼两者观看显示在显示装置10上的虚拟现实图像。
图34是示出根据一个实施例的包括显示装置的智能装置的视图。
参照图34，根据一个实施例的显示装置10可以应用于作为一种智能装置的智能手表2。
图35是示出根据一个实施例的包括显示装置的车辆仪表板和中央仪表板的视图。图35中示出了根据一个实施例的显示装置10应用于的车辆。
参照图35，根据一个实施例的显示装置10_a、10_b和10_c可以应用于车辆的仪表板、应用于车辆的中央仪表板或者应用于设置在车辆的仪表板上的中央信息显示器(CID)。在一些实施例中，显示装置10_a、10_b和10_c可以用作显示装置。另外，根据一个实施例的显示装置10_d和10_e可以应用于代替车辆的侧视镜的室内镜显示器。
图36是示出根据一个实施例的包括显示装置的透明显示装置的视图。
参照图36，根据一个实施例的显示装置10可以应用于透明显示装置。透明显示装置可以显示图像IM，并且同时可以透光。因此，定位在透明显示装置的前表面上的用户不仅可以观看显示在显示装置10上的图像IM，而且还可以观看定位在透明显示装置的后表面上的对象RS或背景。当显示装置10应用于透明显示装置时，例如图6中所示的显示装置10的第一基底SUB1可以包括被构造为透光的透光部，或者可以由透光材料形成。
然而，本公开的方面和特征不限于这里阐述的那些。通过参照权利要求(其等同物包括在其范围内)，本公开的上述和其它方面和特征对于公开所属领域的普通技术人员而言将变得更加明显。

Claims (20)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底；
像素电极，在所述基底上；
发光元件，在所述像素电极上，并且在所述基底的厚度方向上延伸；
第一绝缘层，在所述发光元件的侧面周围延伸；以及
连接电极，在所述像素电极中的一个像素电极与所述发光元件中的对应发光元件之间，所述连接电极包括：连接部分，将所述像素电极接合到所述发光元件；以及反射部分，与所述连接部分成一体，并且在所述第一绝缘层上在所述发光元件的所述侧面周围延伸。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述连接部分和所述反射部分包括相同的材料。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述连接部分和所述反射部分包括金。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述连接部分具有与所述像素电极中的所述一个像素电极接触的第一连接部分以及在所述第一连接部分上的第二连接部分。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述第二连接部分具有比所述第一连接部分的金含量比高的金含量比。
6.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：第二绝缘层，在所述反射部分的上表面和侧面以及所述连接部分的侧面上。
7.根据权利要求6所述的显示装置，所述显示装置还包括：共电极，在所述发光元件和所述第二绝缘层上。
8.根据权利要求7所述的显示装置，所述显示装置还包括：平坦化层，在所述像素电极之间，
其中，所述第二绝缘层在所述平坦化层上。
9.根据权利要求7所述的显示装置，所述显示装置还包括：
分隔壁，将发光区域和非发光区域分隔开；以及
波长转换层，在所述分隔壁之间，并且在所述发光区域中与所述发光元件叠置。
10.根据权利要求9所述的显示装置，所述显示装置还包括：
第三绝缘层，在所述波长转换层与所述共电极之间；以及
反射膜，在所述波长转换层与所述分隔壁之间。
11.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述反射膜包括反射金属。
12.根据权利要求9所述的显示装置，所述显示装置还包括：
光阻挡构件，在所述分隔壁上；以及
滤色器，在所述波长转换层上。
13.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述发光元件包括在所述基底的所述厚度方向上顺序地堆叠的第一半导体层、电子阻挡层、活性层、超晶格层和第二半导体层。
14.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底；
像素电极，在所述基底上；
发光元件，在所述像素电极上，并且在所述基底的厚度方向上延伸；
第一绝缘层，在所述发光元件的侧面周围延伸；以及
连接电极，在所述像素电极中的一个像素电极与所述发光元件中的对应发光元件之间，所述连接电极具有：连接部分，将所述像素电极接合到所述发光元件；以及反射部分，包括与所述连接部分相同的材料，并且在所述第一绝缘层上在所述发光元件的所述侧面周围延伸。
15.根据权利要求14所述的显示装置，其中，所述连接部分和所述反射部分包括金。
16.根据权利要求14所述的显示装置，所述显示装置还包括：
第二绝缘层，在所述反射部分的上表面和侧面以及所述连接部分的侧面上；以及
共电极，在所述发光元件和所述第二绝缘层上。
17.根据权利要求16所述的显示装置，所述显示装置还包括：
分隔壁，将发光区域和非发光区域分隔开；以及
波长转换层，在所述分隔壁之间，并且与所述发光元件叠置。
18.一种用于制造显示装置的方法，所述方法包括：
在第一基底上形成第一连接电极层；
在第二基底上的发光材料层上形成第二连接电极层；
将所述第一连接电极层接合到所述第二连接电极层，以形成连接电极层；
去除所述第二基底；
在所述发光材料层上形成掩模图案；
根据所述掩模图案蚀刻所述发光材料层，以形成发光元件；
在所述发光元件的侧面上形成第一绝缘层；
通过执行针对所述连接电极层的溅射蚀刻来形成连接部分；
在所述溅射蚀刻期间，通过将非挥发性材料从所述连接电极层附着到所述第一绝缘层来形成反射部分；
在所述连接部分的侧面和所述反射部分的上表面和侧面上形成第二绝缘层；
在所述发光元件中的每个发光元件的上表面和所述第二绝缘层上形成共电极；
在非发光区域中形成分隔壁；以及
在所述分隔壁之间在所述共电极上形成波长转换层，所述波长转换层被构造为转换从所述发光元件发射的光的波长。
19.根据权利要求18所述的方法，其中，所述连接电极层包括金。
20.根据权利要求18所述的方法，其中，所述溅射蚀刻在20℃至100℃的范围内的温度下执行。
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