CN115312558A - 显示装置和制造该显示装置的方法 - Google Patents

显示装置和制造该显示装置的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN115312558A
CN115312558A CN202210431839.5A CN202210431839A CN115312558A CN 115312558 A CN115312558 A CN 115312558A CN 202210431839 A CN202210431839 A CN 202210431839A CN 115312558 A CN115312558 A CN 115312558A
Authority
CN
China
Prior art keywords
light emitting
light
layer
emitting element
bank
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202210431839.5A
Other languages
English (en)
Inventor
宋大镐
金敏佑
全亨一
崔鎭宇
朴声国
尹昭妍
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from KR1020210056387A external-priority patent/KR20220149831A/ko
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of CN115312558A publication Critical patent/CN115312558A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0025—Processes relating to coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0058—Processes relating to semiconductor body packages relating to optical field-shaping elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0091—Scattering means in or on the semiconductor body or semiconductor body package
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
    • H01L33/06—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
    • H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

提供了一种显示装置和制造该显示装置的方法，所述显示装置包括：堤，设置在基底上；发光元件，在基底上设置在由堤分隔的发光区域中，并且在基底的厚度方向上延伸；波长转换层，在发光区域中设置在发光元件上，并且将从发光元件发射的光的波长进行转换；以及保护膜，在发光区域中设置在发光元件与波长转换层之间。保护膜设置在彼此面对的发光元件的至少一侧与堤的至少一侧之间。

Description

显示装置和制造该显示装置的方法
本申请要求于2021年4月30日在美国专利和商标局(USPTO)提交的美国临时申请63/182195以及2021年4月30日在韩国知识产权局(KIPO)提交的第10-2021-0056387号韩国专利申请的优先权和权益，这些专利申请的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
公开涉及显示装置和制造该显示装置的方法。
背景技术
随着信息时代的进步，对用于显示图像的显示装置的需求已经以各种形式增加。显示装置可以是诸如液晶显示装置、场发射显示装置和发光显示装置的平板显示装置。发光显示装置可以包括包含有机发光二极管元件作为发光元件的有机发光显示装置或包含无机半导体元件作为发光元件的无机发光显示装置，或者包括微型发光二极管元件作为发光元件。
最近，已经开发了包括发光显示装置的头戴式显示器。头戴式显示器(HMD)是虚拟现实(VR)或增强现实(AR)的眼镜型监视器设备，其由用户以眼镜或头盔的形式佩戴并且在靠近用户眼睛的距离处形成焦点。
包括微型发光二极管元件的高分辨率微型发光二极管显示面板应用于头戴式显示器。由于微型发光二极管元件发射单色的光，因此微型发光二极管显示面板可以包括将从微型发光二极管元件发射的光的波长进行转换以显示各种颜色的波长转换层。
发明内容
实施例可以提供一种显示装置和用于制造该显示装置的方法，在该显示装置中可以防止波长转换层由于发光元件的散热而损坏。
实施例的额外特征将在下面的描述中阐述，并且部分地可以通过描述而明显，或者可以通过实践这里的实施例或多个实施例而获知。
根据实施例，显示装置可以包括：堤(或分隔壁)，设置在基底上；发光元件，在基底上设置在由堤分隔的发光区域中，并且在基底的厚度方向上延伸；波长转换层，在发光区域中设置在发光元件上，并且将从发光元件发射的光的波长进行转换；以及保护膜，在发光区域中设置在发光元件与波长转换层之间。保护膜可以设置在彼此面对的发光元件的至少一侧与堤的至少一侧之间。
保护膜可以包括具有在约1纳米至约100纳米的范围内的直径的散射体。
保护膜可以具有比波长转换层的厚度小的厚度。
显示装置还可以包括：共连接电极，设置在堤下面，并且与发光元件间隔开。
显示装置还可以包括：像素电极，设置在基底上；以及连接电极，设置在像素电极上，并且电连接到发光元件的一端。
共连接电极和连接电极可以包括相同的材料。
显示装置还可以包括：第一绝缘膜，设置在堤与共连接电极之间。
堤可以包括第一堤，并且第一堤的部分区域和发光元件可以包括相同的材料。
发光元件可以包括：第一半导体层，设置在连接电极上；活性层，设置在第一半导体层上；以及第二半导体层，设置在活性层上。
第一堤可以包括：第一子堤，第一子堤和第一半导体层具有相同的材料；第二子堤，第二子堤和活性层具有相同的材料；以及第三子堤，第三子堤和第二半导体层具有相同的材料。
第三子堤可以具有比第二半导体层的厚度大的厚度。
第一堤还可以包括具有未掺杂的半导体材料的第四子堤，并且第四子堤设置在第三子堤上。
第四子堤可以具有比第二半导体层的厚度大的厚度。
堤还包括：第二堤，设置在第一堤上，并且具有绝缘材料；第三堤，设置在第二堤上，并且具有导电材料。
第二分隔壁可以具有比第三堤的厚度大的厚度。
显示装置还可以包括：第二绝缘膜，设置在堤的侧面和发光元件的侧面上。
显示装置还可以包括：共电极，设置在堤的上表面和侧面以及发光元件的上表面和侧面上。
共电极可以接触设置在堤的侧面和发光元件的侧面上的第二绝缘膜。
显示装置还可以包括：反射膜，设置在堤的侧面和发光元件的侧面上。
反射膜可以接触设置在堤的侧面和发光元件的侧面上的共电极。
显示装置还可以包括：滤色器，设置在波长转换层上。
显示装置还可以包括：盖层，设置在波长转换层与滤色器之间；以及选择性透射膜，设置在盖层与滤色器之间。
显示装置还可以包括：选择性透射膜，设置在滤色器上；以及盖层，设置在选择性透射膜与滤色器之间。
波长转换层可以将从发光元件发射的第一光的至少一部分转换为作为第二光和第三光的混合光的第四光。
波长转换层包括：第一波长转换层，设置在保护膜上，并且将从发光元件发射的第一光的至少一部分转换为第二光；以及第二波长转换层，设置在第一波长转换层上，并且将第一光的至少一部分转换为第三光。
根据实施例，显示装置可以包括：第一发光区域、第二发光区域和第三发光区域，第一发光区域发射第一光，第二发光区域发射第二光，第三发光区域发射第三光，第一发光区域、第二发光区域和第三发光区域设置在基底的显示区域中；堤，分隔第一发光区域、第二发光区域和第三发光区域；发光元件，在第一发光区域、第二发光区域和第三发光区域中的每个中与堤间隔开，并且在基底的厚度方向上延伸；保护膜，在第一发光区域、第二发光区域和第三发光区域中的每个中设置在发光元件上；以及波长转换层，在第一发光区域、第二发光区域和第三发光区域中的至少一个中设置在保护膜上。保护膜可以具有比波长转换层的厚度小的厚度。
波长转换层可以设置在第一发光区域、第二发光区域和第三发光区域中，并且将第一光的至少一部分转换为作为第二光和第三光的混合光的第四光。
显示装置还可以包括：第一滤色器，设置在第一发光区域中，并且透射第一光；第二滤色器，设置在第二发光区域中，并且透射第二光；以及第三滤色器，设置在第三发光区域中，并且透射第三光。
波长转换层可以包括：第一波长转换层，设置在保护膜上，并且将第一光的至少一部分转换为第二光；以及第二波长转换层，设置在第一波长转换层上，并且将第一光的至少一部分转换为第三光。
显示装置还可以包括：光透射层，在第一发光区域中设置在保护膜上。保护膜可以具有比光透射层的厚度小的厚度。
波长转换层可以在第二发光区域中设置在保护膜上以将第一光的至少一部分转换为第二光，并且在第三发光区域中设置在保护膜上以将第一光的至少一部分转换为第三光。
根据实施例，制造显示装置的方法可以包括：在第一基底上形成第一连接电极层，在第二基底的发光元件层上形成图案化的第一绝缘膜，以及在第一绝缘膜和第二基底的发光元件层上形成第二连接电极层；通过将第一基底的第一连接电极层粘合到第二基底的第二连接电极层来形成连接电极层，使第一基底接合到第二基底；去除第二基底；在发光元件层上形成第一掩模图案和第二掩模图案，并且通过根据第一掩模图案和第二掩模图案蚀刻发光元件层来形成至少一个发光元件和至少一个堤；通过蚀刻连接电极层来形成连接电极和共连接电极；在至少一个发光元件的侧面和至少一个堤的侧面上形成第二绝缘膜；形成将至少一个发光元件的上表面与共连接电极连接的共电极；在至少一个发光元件的侧面和至少一个堤的侧面上形成反射膜；以及在由至少一个堤限定的发光区域中的每个中在发光元件上形成保护膜，在保护膜上形成波长转换层，并且在波长转换层上形成滤色器。
根据实施例，保护膜在多个发光区域中的每个中设置在发光元件与波长转换层之间。由于发光元件与波长转换层之间的距离可以由于保护膜而增大，所以可以防止波长转换层的波长转换颗粒由于发光元件的散热而被损坏。
根据实施例，由于保护膜包括散射体，因此发光元件的光可以在随机方向上散射。为此，由于可以增大穿过波长转换层的光的路径长度，因此可以提高基于波长转换层的颜色转换效率。
根据实施例，由于选择性透射膜形成在波长转换层上，所以第一光中的原样发射而未被波长转换层转换的一部分可以被选择性透射膜反射，然后可以重新进入波长转换层。因此，可以增强从发光元件发射并被波长转换层转换为另一光的第一光的光转换效率。
根据实施例，堤的至少部分区域和发光元件可以包括相同的材料。例如，由于堤可以通过与发光元件的工艺相同的工艺形成，因此可以简化制造工艺。
其他特征和实施例可以通过以下详细描述、附图和权利要求而明显。
附图说明
被包括以提供对公开的进一步理解的附图示出了实施例，在附图中：
图1是根据本公开的实施例的显示装置的示意性布局图；
图2是示意性地示出图1的区域A的详细布局图；
图3是示意性地示出根据公开的实施例的显示面板的像素的区域C的布局图；
图4是示意性地示出沿着图2的线A-A'截取的显示面板的示例的剖视图；
图5是示意性地示出沿着图3的线B-B'截取的显示面板的示例的剖视图；
图6是示意性地示出图5的发光元件的示例的详细的放大剖视图；
图7是示意性地示出图5的分隔壁的示例的详细的放大剖视图；
图8是示意性地示出图5的分隔壁的另一示例的详细的放大剖视图；
图9是示意性地示出沿着图3的线B-B'截取的显示面板的另一示例的剖视图；
图10是示意性地示出沿着图3的线B-B'截取的显示面板的再一示例的剖视图；
图11是示意性地示出沿着图3的线B-B'截取的显示面板的又一示例的剖视图；
图12是示意性地示出沿着图3的线B-B'截取的显示面板的又一示例的剖视图；
图13是示意性地示出沿着图3的线B-B'截取的显示面板的又一示例的剖视图；
图14是示意性地示出沿着图3的线B-B'截取的显示面板的又一示例的剖视图；
图15是示意性地示出根据本公开的实施例的用于制造显示装置的方法的流程图；
图16至图27是示意性地示出根据本公开的实施例的用于制造显示装置的方法的剖视图；
图28是示意性地示出包括根据实施例的显示装置的虚拟现实设备的示例视图；
图29是示出包括根据实施例的显示装置的智能设备的示例视图；
图30是示出包括根据实施例的显示装置的车辆仪表板和中央仪表盘的示例视图；
图31是示出包括根据实施例的显示装置的透明显示设备的示例视图；
图32是根据实施例的像素电路区域和发光元件的等效电路的示意图；
图33是根据另一实施例的像素电路区域和发光元件的等效电路的示意图；以及
图34是根据另一实施例的像素电路区域和发光元件的等效电路的示意图。
具体实施方式
现在将在下文中参照附图更充分地描述实施例。然而，实施例可以以不同的形式提供，并且不应被解释为限制。贯穿公开，相同的附图标号指相同的组件。在附图中，为了清楚，可以夸大层和区域的厚度。
为了描述公开的实施例，可能不会提供与描述无关的一些部分。
还将理解的是，当层被称为“在”另一层或基底“上”时，该层可以直接在所述另一层或基底上，或者还可以存在中间层。相反，当元件被称为“直接在”另一元件“上”时，可以不存在居间元件。
此外，短语“在平面图中”是指当从上方观看对象部分时，短语“在示意性剖视图中”是指当从侧面观看通过竖直地切割对象部分而截取的示意性剖面时。术语“叠置”或其变型是指第一物体可以在第二物体的上方或下方或一侧，反之亦然。另外，术语“叠置”可以包括层叠、堆叠、面对或其变型、在其上方延伸、覆盖或部分地覆盖或者如本领域普通技术人员将领会和理解的任何其他合适的术语。表述“不叠置”可以包括诸如“远离”或“留出(set aside from)”或“偏离”以及如本领域普通技术人员将领会和理解的任何其他合适的等同物的含义。术语“面对”和其变型可以指第一物体可以直接或间接地与第二物体相对。在第三物体插入第一物体与第二物体之间的情况下，第一物体和第二物体可以被理解为彼此间接相对，尽管仍然彼此面对。
为了易于描述，可以在这里使用空间相对术语“在……下方”、“在……之下”、“下”、“在……上方”、“上”等来描述如附图中所示的一个元件或组件与另一元件或组件之间的关系。将理解的是，除了在附图中描绘的方位之外，空间相对术语还意图包含装置在使用或操作中的不同方位。例如，在将附图中示出的装置翻转的情况下，定位“在”另一装置“下方”或“之下”的装置可以放置“在”所述另一装置“上方”。因此，说明性术语“在……下方”可以包括下位置和上位置两者。装置也可以在另一方向上定位，因此空间相对术语可以根据方位而被不同地解释。
当元件被称为“连接”或“结合”到另一元件时，该元件可以“直接连接”或“直接结合”到所述另一元件，或者“电连接”或“电结合”到所述另一元件且一个或更多个中间元件置于该元件与所述另一元件之间。还将理解的是，当使用术语“包括”、“具有”、“包含”和/或其变型时，它们可以说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或添加其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的任意组合。
将理解的是，尽管可以在这里使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件，但是这些元件不应该受这些术语限制。这些术语用于将一个元件与另一元件区分开，或者为了这些元件的便于描述和解释。例如，当在说明书中讨论“第一元件”时，它可以被称为“第二元件”或“第三元件”，并且“第二元件”和“第三元件”可以以类似的方式被命名而不脱离这里的教导。
考虑到正在被谈及的测量以及与具体量的测量有关的误差(例如，测量系统的局限性)，如在这里使用的术语“约(大约)”或“近似”包括所陈述的值并且表示在如由本领域的普通技术人员确定的具体值的可接受偏差范围内。例如，“约”可以表示在一个或更多个标准偏差内，或者在所陈述的值的±30％、±20％、±10％、±5％内。
在说明书和权利要求书中，术语“和/或”出于其意思和解释的目的而旨在包括术语“和”以及“或”的任何组合。例如，“A和/或B”可以被理解为意指“A、B或者A和B”。术语“和”以及“或”可以以合取含义或析取含义使用，并且可以被理解为等同于“和/或”。在说明书和权利要求书中，短语“……中的至少一个(种/者)”出于其意思和解释的目的而旨在包括“选自……的组中的至少一个(种/者)”的含义。例如，“A和B中的至少一个(种/者)”可以被理解为意指“A、B或者A和B”。
除非另外定义或暗示，否则在这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的技术人员通常理解的意思相同的意思。还将理解的是，除非在说明书中清楚地定义，否则术语(诸如在通用字典中定义的术语)应被解释为具有与它们在相关领域的背景下的意思一致的意思，而将不以理想化的或过于形式化的含义来进行解释。
图1是根据公开的实施例的显示装置的示意性布局图。图2是示意性地示出图1的区域A的详细布局图，图3是示意性地示出根据公开的实施例的显示面板的像素的区域C的布局图。
尽管在图1至图3中根据公开的实施例的显示装置是包括微型发光二极管作为发光元件的微型发光二极管显示装置(或纳米发光二极管显示装置)，但是公开的实施例不限于此。
此外，尽管在图1至图3中根据公开的实施例的显示装置是具有设置在通过半导体工艺形成的半导体电路板110上的发光二极管作为发光元件的硅上发光二极管(LEDoS)，但是应当注意，公开的实施例不限于此。
在图1至图3中，第一方向DR1指显示面板100的水平方向，第二方向DR2指显示面板100的竖直方向，第三方向DR3指显示面板100的厚度方向或半导体电路板110的厚度方向。在这种情况下，术语“左”、“右”、“上”和“下”指在从平面(或在平面图中)观看显示面板100时的方向。例如，“右”指第一方向DR1的一侧，“左”指第一方向DR1的另一侧，“上”指第二方向DR2的一侧，“下”指第二方向DR2的另一侧。另外，“上”指第三方向DR3的一侧，“下”指第三方向DR3的另一侧。
参照图1至图3，根据实施例的显示装置10包括显示面板100，显示面板100包括显示区域DA和非显示区域NDA。
显示面板100可以具有矩形平面形状，该矩形平面形状具有第一方向DR1的长边和第二方向DR2的短边，但是显示面板100的平面形状不限于此，并且还可以具有除了矩形形状之外的其他多边形形状、圆形形状、椭圆形形状或不规则平面形状。
显示区域DA可以是显示图像的区域，非显示区域NDA可以是不显示图像的区域。显示区域DA的平面形状可以遵循显示面板100的平面形状。在图1的示例中，显示区域DA的平面形状是矩形形状。显示区域DA可以设置在显示面板100的中心区域中。非显示区域NDA可以设置在显示区域DA的附近。非显示区域NDA可以被设置为围绕显示区域DA。
显示面板100的显示区域DA可以包括像素PX。像素PX可以被定义为能够显示光(例如，白光)的最小光发射单元(或光发射部件)。
像素PX中的每个可以包括发射光的发光区域EA1、EA2和EA3。在公开的实施例中，像素PX中的每个包括三个发光区域EA1、EA2和EA3，但不限于此。例如，像素PX中的每个可以包括四个发光区域。
发光区域EA1、EA2和EA3中的每个可以包括用于发射第一光(或第一颜色的光)的发光元件LE。尽管发光元件LE具有矩形平面形状，但是公开的实施例不限于此。例如，发光元件LE还可以具有除了矩形形状之外的多边形形状、圆形形状、椭圆形形状或不规则形状。
第一发光区域EA1中的每个指用于发射第一光的区域。第一发光区域EA1中的每个可以原样输出从发光元件LE输出的第一光。第一光可以是蓝色波长带的光。例如，蓝色波长带可以在约370nm至约460nm的范围内，但是公开的实施例不限于此。
第二发光区域EA2中的每个指用于发射第二光(或第二颜色的光)的区域。第二发光区域EA2中的每个可以将从发光元件LE输出的第一光的一部分转换为第二光并输出第二光。第二光可以是绿色波长带的光。例如，绿色波长带可以在约480nm至约560nm的范围内，但是公开的实施例不限于此。
第三发光区域EA3中的每个指用于发射第三光(或第三颜色的光)的区域。第三发光区域EA3中的每个可以将从发光元件LE输出的第一光的一部分转换为第三光并输出第三光。第三光可以是红色波长带的光。例如，红色波长带可以在约600nm至约750nm的范围内，但是公开的实施例不限于此。
第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3可以在第一方向DR1上交替地布置。例如，第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3可以在第一方向DR1上以适当的顺序设置。
第一发光区域EA1可以在第二方向DR2上布置。第二发光区域EA2可以在第二方向DR2上布置。第三发光区域EA3可以在第二方向DR2上布置。
发光区域EA1、EA2和EA3可以被分隔壁(或堤)PW分隔。分隔壁PW可以被设置为围绕发光元件LE。分隔壁PW可以被设置为与发光元件LE间隔开。分隔壁PW可以具有网格平面形状、网状平面形状或格子平面形状。
尽管图2和图3示出了由分隔壁PW限定的发光区域EA1、EA2和EA3中的每个具有矩形平面形状，但是公开的实施例不限于此。例如，由分隔壁PW限定的发光区域EA1、EA2和EA3中的每个可以具有除了矩形形状之外的多边形形状、圆形形状、椭圆形形状或不规则平面形状。
共连接电极CCE可以被设置为在第三方向DR3上与分隔壁PW叠置。共连接电极CCE可以被设置为围绕发光元件LE。共连接电极CCE可以被设置成与发光元件LE间隔开。共连接电极CCE具有网格平面形状、网状平面形状或格子平面形状。
共连接电极CCE在第一方向DR1或第二方向DR2上的宽度Wcce可以比分隔壁PW的宽度Wpw宽(见例如图7)。分隔壁PW可以在第三方向DR3上与共连接电极CCE完全地叠置。共连接电极CCE的一部分可以在第三方向DR3上与分隔壁PW叠置。
非显示区域NDA可以包括第一垫(pad，或被称为“焊盘”)区域PDA1和第二垫区域PDA2。
第一垫区域PDA1可以设置在非显示区域NDA中。第一垫区域PDA1可以设置在显示面板100上方。第一垫区域PDA1可以包括与外部的电路板CB连接的第一垫PD1(图4)。
第二垫区域PDA2可以设置在非显示区域NDA中。第二垫区域PDA2可以设置在半导体电路板110下方。第二垫区域PDA2可以包括用于与外部的电路板CB(图4)连接的第二垫。可以省略第二垫区域PDA2。
图4是示意性地示出沿着图2的线A-A'截取的显示面板的示例的剖视图。图5是示意性地示出沿着图3的线B-B'截取的显示面板的示例的剖视图。图6是示意性地示出图5的发光元件的示例的详细放大的剖视图。图7是示意性地示出图5的分隔壁的示例的详细放大的剖视图。
参照图4至图7，显示面板100可以包括半导体电路板110、导电连接层130和发光元件层120。
半导体电路板110可以包括像素电路区域PXC和像素电极111。导电连接层130可以包括连接电极112、第一垫PD1、共连接电极CCE和第一绝缘膜INS1。
半导体电路板110可以是使用半导体工艺形成的硅晶圆基底。可以使用半导体工艺形成半导体电路板110的像素电路区域PXC。
像素电路区域PXC可以设置在显示区域DA中。像素电路区域PXC中的每个可以连接到其对应的像素电极111。例如，像素电路区域PXC和像素电极111可以一一对应地彼此连接。像素电路区域PXC中的每个可以在第三方向DR3上与发光元件LE叠置。
像素电路区域PXC中的每个可以包括通过半导体工艺形成的至少一个晶体管。像素电路区域PXC中的每个还可以包括通过半导体工艺形成的至少一个电容器。像素电路区域PXC中的每个可以将像素电压或阳极电压施加到像素电极111。
像素电极111中的每个可以设置在其对应的像素电路区域PXC上。像素电极111中的每个可以是从像素电路区域PXC暴露的暴露电极。例如，像素电极111中的每个可以从像素电路区域PXC的上表面突出。像素电极111中的每个可以与像素电路区域PXC一体地形成(或与像素电路区域PXC是一体的)。像素电极111中的每个可以被供应有来自像素电路区域PXC的像素电压或阳极电压。像素电极111可以由铝(Al)形成(或包括铝(Al))。
连接电极112中的每个可以设置在其对应的像素电极111上。连接电极112中的每个可以设置在像素电极111上。连接电极112可以包括用于将像素电极111粘合到发光元件LE的金属材料。例如，连接电极112可以包括金(Au)、铜(Cu)、铝(Al)和锡(Sn)中的至少一种。作为另一示例，连接电极112可以包括包含金(Au)、铜(Cu)、铝(Al)和锡(Sn)中的任何一种的第一层、以及包含金(Au)、铜(Cu)、铝(Al)和锡(Sn)中的另一种的第二层。在这种情况下，第二层可以设置在第一层上。
共连接电极CCE可以被设置为与像素电极111和连接电极112间隔开。共连接电极CCE可以被设置为围绕像素电极111和连接电极112。
共连接电极CCE可以连接到非显示区域NDA的第一垫区域PDA1的第一垫PD1中的任何一个或第二垫区域PDA2的第二垫中的任何一个以接收共电压。共连接电极CCE和连接电极112可以包括相同的材料。例如，共连接电极CCE可以包括金(Au)、铜(Cu)、铝(Al)和锡(Sn)中的至少一种。在连接电极112中的每个包括第一层和第二层的情况下，连接电极112中的每个的第一层和共连接电极CCE可以包括相同的材料。
第一绝缘膜INS1可以设置在共连接电极CCE上。第一绝缘膜INS1可以由诸如氧化硅(SiO2)膜、氧化铝(Al2O3)膜或氧化铪(HfOx)膜的无机膜形成。第一绝缘膜INS1在第一方向DR1和/或第二方向DR2上的宽度Wins1可以比共连接电极CCE的宽度Wcce窄。为此，共连接电极CCE的上表面的一部分可以被暴露而不被第一绝缘膜INS1覆盖(或与第一绝缘膜INS1叠置或重叠)。共连接电极CCE的上表面的被暴露而未被第一绝缘膜INS1覆盖的部分可以与共电极CE接触(或接触共电极CE)。因此，共电极CE可以连接到共连接电极CCE。
第一垫PD1中的每个可以通过导电连接构件(诸如对应的布线WR)连接到电路板CB的垫CPD。例如，第一垫PD1、布线WR和电路板CB的垫CPD可以一一对应地彼此电连接。
第一垫PD1中的每个可以包括第一垫电极PDE1和第二垫电极PDE2。第一垫电极PDE1和像素电极111可以包括相同的材料。第二垫电极PDE2和连接电极112可以包括相同的材料。例如，第二垫电极PDE2可以包括金(Au)、铜(Cu)、铝(Al)和锡(Sn)中的至少一种。在连接电极112中的每个包括第一层和第二层的情况下，第二垫电极PDE2也可以包括第一层和第二层。
半导体电路板110和电路板CB可以设置在基体基底BSUB上。半导体电路板110和电路板CB可以通过诸如压敏粘合剂的粘合构件附着到基体基底BSUB的上表面。
电路板CB可以是柔性印刷电路板(FPCB)、印刷电路板(PCB)、柔性印刷电路(FPC)或诸如膜上芯片(COF)的柔性膜。
在实施例中，第二垫区域PDA2的第二垫可以与参照图4和图5描述的第一垫PD1基本上相同或相似，因此下面将省略它们的描述。
发光元件层120可以包括发光元件LE、分隔壁PW、第二绝缘膜INS2、共电极CE、反射膜RF、保护膜PTF、波长转换层QDL以及滤色器CF1、CF2和CF3。
发光元件层120可以包括由分隔壁PW分隔的第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3。滤色器CF1、CF2和CF3中的任何一个、发光元件LE、保护膜PTF以及波长转换层QDL可以设置在第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3中的每个中。
发光元件LE可以在第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3中的每个中设置在连接电极112上。发光元件LE可以是在第三方向DR3上延伸的竖直发光二极管元件。例如，发光元件LE在第三方向DR3上的长度可以比在水平方向上的长度长。水平方向上的长度指第一方向DR1上的长度或第二方向DR2上的长度。例如，发光元件LE在第三方向DR3上的长度可以是约1μm至约5μm。
发光元件LE可以是微型发光二极管元件。如图6中所示，发光元件LE包括第一半导体层SEM1、电子阻挡层EBL、活性层MQW、超晶格层SLT和第二半导体层SEM2。第一半导体层SEM1、电子阻挡层EBL、活性层MQW、超晶格层SLT和第二半导体层SEM2可以在第三方向DR3上顺序地沉积。
第一半导体层SEM1可以设置在连接电极112上。第一半导体层SEM1可以掺杂有诸如Mg、Zn、Ca和Ba的第一导电类型掺杂剂。例如，第一半导体层SEM1可以是掺杂有p型Mg的p-GaN。第一半导体层SEM1的厚度Tsem1可以是约30nm至约200nm。
电子阻挡层EBL可以设置在第一半导体层SEM1上。电子阻挡层EBL可以是用于抑制或防止过量电子流到活性层MQW的层。例如，电子阻挡层EBL可以是掺杂有p型Mg的p-AlGaN。电子阻挡层EBL的厚度Tebl可以是约10nm至约50nm。可以省略电子阻挡层EBL。
活性层MQW可以设置在电子阻挡层EBL上。活性层MQW可以根据通过第一半导体层SEM1和第二半导体层SEM2施加的电信号通过电子-空穴对的结合发射光。活性层MQW可以发射具有范围从约450nm至约495nm的主峰波长带的第一光，例如，蓝色波长带的光。
活性层MQW可以包括单量子阱结构材料或多量子阱结构材料。在活性层MQW包括多量子阱结构材料的情况下，阱层和势垒层可以交替地沉积。在这种情况下，阱层可以由但不限于InGaN形成，势垒层可以由但不限于GaN或AlGaN形成。阱层的厚度可以是约1nm至约4nm，势垒层的厚度可以是约3nm至约10nm。
可选地，活性层MQW可以具有其中具有大能带隙的半导体材料和具有低能带隙的半导体材料交替地沉积的结构，并且可以根据发射的光的波长范围包括不同的III族至V族半导体材料。从活性层MQW发射的光不限于第一光(蓝色波长带的光)，并且可以根据具体情况发射第二光(绿色波长带的光)、第三光(红色波长带的光)或任何颜色的光。
超晶格层SLT可以设置在活性层MQW上。超晶格层SLT可以是用于减缓第二半导体层SEM2与活性层MQW之间的应力的层。例如，超晶格层SLT可以由InGaN或GaN形成。超晶格层SLT的厚度Tslt可以是约50nm至约200nm。可以省略超晶格层SLT。
第二半导体层SEM2可以设置在超晶格层SLT上。第二半导体层SEM2可以掺杂有诸如Si、Se、Ge和Sn的第二导电类型掺杂剂。例如，第二半导体层SEM2可以是掺杂有n型Si的n-GaN。第二半导体层SEM2的厚度Tsem2可以是2μm至4μm。
分隔壁PW可以被设置为与设置在第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3中的每个中的发光元件LE间隔开。分隔壁PW可以被设置为围绕设置在第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3中的每个中的发光元件LE。
分隔壁PW可以设置在共连接电极CCE上。分隔壁PW在第一方向DR1和/或第二方向DR2上的宽度Wpw可以比共连接电极CCE的宽度Wcce窄。分隔壁PW可以被设置为与发光元件LE间隔开。
分隔壁PW可以包括第一分隔壁PW1、第二分隔壁PW2和第三分隔壁PW3。
第一分隔壁PW1可以设置在第一绝缘膜INS1上。第一分隔壁PW1和发光元件LE可以通过同一工艺形成，第一分隔壁PW1和发光元件LE的至少部分区域可以包括相同的材料。
第一分隔壁PW1可以包括在第三方向DR3上顺序地沉积的子分隔壁(或子堤)SPW1至SPW6。例如，第一分隔壁PW1可以包括第一子分隔壁SPW1、第二子分隔壁SPW2、第三子分隔壁SPW3、第四子分隔壁SPW4、第五子分隔壁SPW5和第六子分隔壁SPW6。
第一子分隔壁SPW1和发光元件LE的第一半导体层SEM1可以由相同的材料形成(或包括相同的材料)。第一子分隔壁SPW1和发光元件LE的第一半导体层SEM1可以通过同一工艺形成。第一子分隔壁SPW1的厚度Tspw1可以基本上等于发光元件LE的第一半导体层SEM1的厚度Tsem1。
第二子分隔壁SPW2和发光元件LE的电子阻挡层EBL可以由相同的材料形成。第二子分隔壁SPW2和发光元件LE的电子阻挡层EBL可以通过同一工艺形成。第二子分隔壁SPW2的厚度Tspw2可以基本上等于发光元件LE的电子阻挡层EBL的厚度Tebl。在省略电子阻挡层EBL的情况下，也可以省略第二子分隔壁SPW2。
第三子分隔壁SPW3和发光元件LE的活性层MQW可以由相同的材料形成。第三子分隔壁SPW3和发光元件LE的活性层MQW可以通过同一工艺形成。第三子分隔壁SPW3的厚度Tspw3可以基本上等于发光元件LE的活性层MQW的厚度Tmqw。
第四子分隔壁SPW4和发光元件LE的超晶格层SLT可以由相同的材料形成。第四子分隔壁SPW4和发光元件LE的超晶格层SLT可以通过同一工艺形成。第四子分隔壁SPW4的厚度Tspw4可以基本上等于发光元件LE的超晶格层SLT的厚度Tslt。
第五子分隔壁SPW5和发光元件LE的第二半导体层SEM2可以由相同的材料形成。第五子分隔壁SPW5和发光元件LE的第二半导体层SEM2可以通过同一工艺形成。在显示面板100的制造工艺期间，可以不去除第五子分隔壁SPW5，而可以去除发光元件LE的第二半导体层SEM2的一部分，因此第五子分隔壁SPW5的厚度Tspw5可以比发光元件LE的第二半导体层SEM2的厚度Tsem2厚或大。
第六子分隔壁SPW6可以由未掺杂有掺杂剂的半导体层(即，未掺杂的半导体层)形成。例如，第六子分隔壁SPW6可以是未掺杂有掺杂剂的未掺杂的GaN。第六子分隔壁SPW6的厚度Tspw6可以比发光元件LE的第二半导体层SEM2的厚度Tsem2大。第六子分隔壁SPW6的厚度Tspw6可以是约2μm至约3μm。
第二分隔壁PW2和第三分隔壁PW3可以在用于形成发光元件LE和分隔壁PW的制造工艺期间用作或充当用于防止第一分隔壁PW1被蚀刻的掩模。
第二分隔壁PW2可以设置在第一分隔壁PW1上。第二分隔壁PW2可以由诸如氧化硅(SiO2)膜、氧化铝(Al2O3)膜或氧化铪(HfOX)膜的无机膜形成。第二分隔壁PW2的厚度Tpw2可以是约1μm至约2μm。
第三分隔壁PW3可以设置在第二分隔壁PW2上。第三分隔壁PW3可以包括诸如镍(Ni)的导电材料。第三分隔壁PW3的厚度Tpw3可以是约0.01μm至约1μm。
第二绝缘膜INS2可以设置在共连接电极CCE的侧面、分隔壁PW的侧面、像素电极111中的每个的侧面、连接电极112中的每个的侧面以及发光元件LE中的每个的侧面上。第二绝缘膜INS2可以由诸如氧化硅(SiO2)膜、氧化铝(Al2O3)膜或氧化铪(HfOX)膜的无机膜形成。第二绝缘膜INS2的厚度可以是0.1μm。
共电极CE可以设置在发光元件LE中的每个的上表面和侧面以及分隔壁PW的上表面和侧面上。例如，共电极CE可以被设置为覆盖发光元件LE中的每个的上表面和侧面以及分隔壁PW的上表面和侧面(或与发光元件LE中的每个的上表面和侧面以及分隔壁PW的上表面和侧面叠置)。
共电极CE可以接触设置在共连接电极CCE的侧面、分隔壁PW的侧面、像素电极111中的每个的侧面、连接电极112中的每个的侧面和发光元件LE中的每个的侧面上的第二绝缘膜INS2。另外，共电极CE可以接触共连接电极CCE的上表面、发光元件LE中的每个的上表面和分隔壁PW的上表面。
共电极CE可以接触共连接电极CCE的上表面和发光元件LE的上表面，共连接电极CCE的上表面和发光元件LE的上表面被暴露而没有被第二绝缘膜INS2覆盖。因此，供应到共连接电极CCE的共电压可以施加到发光元件LE。例如，发光元件LE的一端可以通过连接电极112供应有像素电极111的像素电压或阳极电压，其另一端可以通过共电极CE供应有共电压。发光元件LE可以根据像素电压与共电压之间的电压差发射具有预定的亮度的光。
共电极CE可以包括透明导电材料。共电极CE可以由诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)的透明导电氧化物(TCO)形成。共电极CE的厚度可以是约0.1μm。
反射膜RF用于反射从发光元件LE发射的光之中的向上侧和下侧以及左侧和右侧(而不是向上方向)移动的光。反射膜RF可以包括具有高反射率的金属材料，诸如铝(Al)。反射膜RF的厚度可以是约0.1μm。
反射膜RF可以设置在共连接电极CCE的侧面、分隔壁PW的侧面、像素电极111中的每个的侧面、连接电极112中的每个的侧面和发光元件LE中的每个的侧面上。反射膜RF可以接触设置在共连接电极CCE的侧面、分隔壁PW的侧面、像素电极111中的每个的侧面、连接电极112中的每个的侧面和发光元件LE中的每个的侧面上的共电极CE。
保护膜PTF可以在第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3中的每个中设置在发光元件LE上。保护膜PTF可以在第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3中的每个中设置在发光元件LE与分隔壁PW之间。例如，保护膜PTF可以在第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3中的每个中设置在发光元件LE与分隔壁PW之间的间隙空间ES中。在实施例中，保护膜PTF设置在间隙空间ES中，保护膜PTF可以具有倒置的U形剖面形状或椅形剖面形状。此外，保护膜PTF中的形成在间隙空间ES中的部分可以相对于保护膜PTF的其他部分以基本上90°设置，但是公开的实施例不限于此。
由于保护膜PTF设置在发光元件LE与波长转换层QDL之间，因此发光元件LE与波长转换层QDL之间的距离可以由于保护膜PTF而增大。因此，可以防止波长转换层QDL的波长转换颗粒WCP由于发光元件LE的散热而被损坏。在实施例中，保护膜PTF在第三方向DR3上从发光元件LE的上表面起的厚度可以是约1μm至约3μm，波长转换层QDL在第三方向DR3上的厚度Tqdl可以是约2μm至10μm。也就是说，保护膜PTF在第三方向DR3上的厚度可以比波长转换层QDL在第三方向DR3上的厚度小。
保护膜PTF可以包括第一基体树脂BRS1和分散在第一基体树脂BRS1中的第一散射体SCT1。由于第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3中的每个在第一方向DR1或第二方向DR2上的长度仅为几微米，因此第一散射体SCT1的直径可以是几纳米至几十纳米。例如，第一散射体SCT1具有在约1纳米至约100纳米的范围内的直径。由于保护膜PTF包括第一散射体SCT1，所以发光元件LE的光可以例如在随机方向上散射。为此，可以增大穿过波长转换层QDL的光的路径长度，从而可以提高基于波长转换层QDL的颜色转换效率。
第一基体树脂BRS1可以包括透光有机材料。例如，第一基体树脂BRS1可以包括环氧类树脂、丙烯酸类树脂、卡多类树脂或酰亚胺类树脂。第一基体树脂BRS1可以是UV可固化树脂或热固性树脂。
第一散射体SCT1可以包括金属氧化物颗粒或有机颗粒。例如，金属氧化物可以是氧化钛(TiO2)、氧化锆(ZrO2)、氧化铝(Al2O3)、氧化铟(In2O3)、氧化锌(ZnO)或氧化锡(SnO2)。另外，有机颗粒可以包括丙烯酸类树脂或聚氨酯类树脂。
波长转换层QDL可以在第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3中的每个中设置在保护膜PTF上。波长转换层QDL可以将来自发光元件LE的入射的第一光的一部分转换为第四光并发射第四光(或第四颜色的光)。例如，第四光可以是黄色波长带的光。第四光可以是包括绿色波长带和红色波长带两者的光。例如，第四光可以是第二光和第三光的混合光。
波长转换层QDL可以包括第二基体树脂BRS2和波长转换颗粒WCP。第二基体树脂BRS2可以包括透光有机材料。例如，第二基体树脂BRS2可以包括环氧类树脂、丙烯酸类树脂、卡多类树脂或酰亚胺类树脂。第二基体树脂BRS2可以与第一基体树脂BRS1基本上相同或相似，但不限于此。
波长转换颗粒WCP可以将来自发光元件LE的入射的第一光转换为第四光。例如，波长转换颗粒WCP可以将蓝色波长带的光转换为黄色波长带的光。波长转换颗粒WCP可以是量子点(QD)、量子棒、荧光材料或磷光材料。量子点可以包括IV族纳米晶体、II-VI族化合物纳米晶体、III-V族化合物纳米晶体、IV-VI族化合物纳米晶体或它们的组合。
量子点可以包括核和包覆核的壳。例如，核可以是但不限于CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InP、InAs、InSb、SiC、Ca、Se、In、P、Fe、Pt、Ni、Co、Al、Ag、Au、Cu、FePt、Fe2O3、Fe3O4、Si和Ge中的至少一种。壳可以包括但不限于ZnS、ZnSe、ZnTe、CdS、CdSe、CdTe、HgS、HgSe、HgTe、AlN、AlP、AlAs、AlSb、GaN、GaP、GaAs、GaSb、GaSe、InN、InP、InAs、InSb、TlN、TlP、TlAs、TlSb、PbS、PbSe和PbTe中的至少一种。
波长转换层QDL还可以包括用于在随机方向上散射发光元件LE的光的散射体。在这种情况下，散射体可以包括金属氧化物颗粒或有机颗粒。例如，金属氧化物可以是氧化钛(TiO2)、氧化锆(ZrO2)、氧化铝(Al2O3)、氧化铟(In2O3)、氧化锌(ZnO)或氧化锡(SnO2)。另外，有机颗粒可以包括丙烯酸类树脂或聚氨酯类树脂。散射体的直径可以在纳米级至微米级(例如，几纳米至几十纳米)的范围内。
波长转换层QDL的厚度Tqdl可以比保护膜PTF的厚度Tptf大。随着波长转换层QDL的厚度Tqdl变得更大，包含在波长转换层QDL中的波长转换颗粒WCP的含量增大，从而可以提高波长转换层QDL的光转换效率。因此，优选的是，考虑到波长转换层QDL的光转换效率来设定波长转换层QDL的厚度Tqdl和保护膜PTF的厚度Tptf。
滤色器CF1、CF2和CF3可以包括第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3。
第一滤色器CF1中的每个可以在第一发光区域EA1中设置在波长转换层QDL上。此外，第一滤色器CF1中的每个可以设置在分隔壁PW上。第一滤色器CF1中的每个可以透射第一光并且吸收或阻挡第四光。例如，第一滤色器CF1中的每个可以透射蓝色波长带的光并且吸收或阻挡绿色波长带的光和红色波长带的光。因此，第一滤色器CF1中的每个可以透射从发光元件LE发射的第一光之中的未被波长转换层QDL转换的第一光，并且可以吸收或阻挡通过波长转换层QDL转换的第四光。因此，第一发光区域EA1中的每个可以发射第一光。
第二滤色器CF2中的每个可以在第二发光区域EA2中设置在波长转换层QDL上。此外，第二滤色器CF2中的每个可以设置在分隔壁PW上。第二滤色器CF2中的每个可以透射第二光，并且可以吸收或阻挡第一光和第三光。例如，第二滤色器CF2中的每个可以透射绿色波长带的光并且吸收或阻挡蓝色波长带的光和红色波长带的光。因此，第二滤色器CF2中的每个可以吸收或阻挡从发光元件LE发射的第一光之中的未被波长转换层QDL转换的第一光。另外，第二滤色器CF2中的每个可以透射通过波长转换层QDL转换的第四光之中的与绿色波长带对应的第二光，并且可以吸收或阻挡与红色波长带对应的第三光。因此，第二发光区域EA2中的每个可以发射第二光。
第三滤色器CF3中的每个可以在第三发光区域EA3中设置在波长转换层QDL上。此外，第三滤色器CF3中的每个可以设置在分隔壁PW上。第三滤色器CF3中的每个可以透射第三光并且吸收或阻挡第一光和第二光。例如，第三滤色器CF3中的每个可以透射红色波长带的光并且吸收或阻挡蓝色波长带的光和绿色波长带的光。因此，第三滤色器CF3中的每个可以吸收或阻挡从发光元件LE发射的第一光之中的未被波长转换层QDL转换的第一光。另外，第三滤色器CF3中的每个可以透射通过波长转换层QDL转换的第四光之中的与红色波长带对应的第三光，并且可以吸收或阻挡与绿色波长带对应的第二光。因此，第三发光区域EA3中的每个可以发射第三光。
如图4至图7中所示，保护膜PTF在第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3中的每个中设置在发光元件LE与波长转换层QDL之间。因此，发光元件LE与波长转换层QDL之间的距离可以由于保护膜PTF而增大。因此，可以防止波长转换层QDL的波长转换颗粒WCP由于发光元件LE的散热而被损坏。
此外，由于保护膜PTF包括第一散射体SCT1，所以发光元件LE的光可以在随机方向上散射。为此，可以增大穿过波长转换层QDL的光的路径长度，从而可以增大基于波长转换层QDL的颜色转换效率。
此外，分隔壁PW和发光元件LE的至少部分区域可以包括相同的材料。例如，由于分隔壁PW和发光元件LE可以通过同一工艺形成，因此可以简化制造工艺。
图8是示意性地示出图5的分隔壁的另一示例的详细的放大剖视图。
图8的实施例与图7的实施例的不同之处至少在于，第一分隔壁PW1的第五子分隔壁SPW5的厚度Tspw5'基本上等于发光元件LE的第二半导体层SEM2的厚度Tsem2，并且第一分隔壁PW1的第五子分隔壁SPW5的厚度Tspw5'薄于或小于第六子分隔壁SPW6的厚度Tspw6'。图8的实施例与图7的实施例在结构上的不同之处至少在于，在制造工艺期间仅去除设置在发光元件LE上的未掺杂的半导体层以形成发光元件LE。
图9是示意性地示出沿着图3的线B-B'截取的显示面板的另一示例的剖视图。
图9的实施例与图4和图5的实施例的不同之处至少在于，保护膜PTF在第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3中的每个中不包括第一散射体SCT1，并且还在波长转换层QDL上包括散射层SCL。在图9中，将省略关于图4和图5的实施例的重复描述。
参照图9，保护膜PTF可以包括透光有机材料。例如，保护膜PTF可以包括环氧类树脂、丙烯酸类树脂、卡多类树脂或酰亚胺类树脂。保护膜PTF可以不包括散射体。
散射层SCL可以包括第三基体树脂BRS3和分散在第三基体树脂BRS3中的第二散射体SCT2。在实施例中，第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3中的每个在第一方向DR1或第二方向DR2上的长度可以仅是几微米，第二散射体SCT2的直径可以是几纳米到几十纳米。散射层SCL可以包括第二散射体SCT2，第二散射体SCT2可以使已经穿过波长转换层QDL的光在随机方向上散射。
第三基体树脂BRS3可以包括透光有机材料。例如，第三基体树脂BRS3可以包括环氧类树脂、丙烯酸类树脂、卡多类树脂或酰亚胺类树脂。第三基体树脂BRS3可以与保护膜PTF或第二基体树脂BRS2基本上相同或相似，但不限于此。
第二散射体SCT2可以包括金属氧化物颗粒或有机颗粒。例如，金属氧化物可以是氧化钛(TiO2)、氧化锆(ZrO2)、氧化铝(Al2O3)、氧化铟(In2O3)、氧化锌(ZnO)或氧化锡(SnO2)。另外，有机颗粒可以包括丙烯酸类树脂或聚氨酯类树脂。
同时，散射层SCL的布置位置不限于图9中所示的布置位置。例如，散射层SCL可以设置在保护膜PTF与波长转换层QDL之间。在另一示例中，可以省略散射层SCL。
图10是示意性地示出沿着图3的线B-B'截取的显示面板的再一示例的剖视图。
图10的实施例与图4和图5的实施例的不同之处至少在于，波长转换层QDL在第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3中的每个中包括第一波长转换层QDL1和第二波长转换层QDL2。在图10中，将省略关于图4和图5的实施例的重复描述。
参照图10，第一波长转换层QDL1可以设置在保护膜PTF上。第一波长转换层QDL1可以包括第四基体树脂BRS4和第一波长转换颗粒WCP1。第四基体树脂BRS4可以包括透光有机材料。例如，第四基体树脂BRS4可以包括环氧类树脂、丙烯酸类树脂、卡多类树脂和酰亚胺类树脂中的至少一种。第四基体树脂BRS4可以与第一基体树脂BRS1基本上相同或相似，但不限于此。第一波长转换颗粒WCP1可以将来自发光元件LE的入射的第一光转换为第二光。例如，第一波长转换颗粒WCP1可以将蓝色波长带的光转换为绿色波长带的光。第一波长转换颗粒WCP1可以是量子点(QD)、量子棒、荧光材料或磷光材料。
第二波长转换层QDL2可以设置在第一波长转换层QDL1上。第二波长转换层QDL2可以包括第五基体树脂BRS5和第二波长转换颗粒WCP2。第五基体树脂BRS5可以包括透光有机材料。例如，第五基体树脂BRS5可以包括环氧类树脂、丙烯酸类树脂、卡多类树脂或酰亚胺类树脂。第五基体树脂BRS5可以与第一基体树脂BRS1基本上相同或相似，但不限于此。第二波长转换颗粒WCP2可以将来自发光元件LE的入射的第一光转换为第三光。例如，第二波长转换颗粒WCP2可以将蓝色波长带的光转换为红色波长带的光。第二波长转换颗粒WCP2可以是量子点(QD)、量子棒、荧光材料或磷光材料。
从发光元件LE发射的第一光之中的未被第一波长转换层QDL1和第二波长转换层QDL2转换的第一光可以透射通过第一滤色器CF1。在从发光元件LE发射的第一光之中，通过第一波长转换层QDL1转换的第二光和通过第二波长转换层QDL2转换的第三光可以被第一滤色器CF1吸收或阻挡。因此，第一发光区域EA1可以发射第一光。
从发光元件LE发射的第一光之中的未被第一波长转换层QDL1和第二波长转换层QDL2转换的第一光可以被第二滤色器CF2吸收或阻挡。另外，在从发光元件LE发射的第一光之中，通过第一波长转换层QDL1转换的第二光可以透射通过第二滤色器CF2，但是通过第二波长转换层QDL2转换的第三光可以被第二滤色器CF2吸收或阻挡。因此，第二发光区域EA2可以发射第二光。
从发光元件LE发射的第一光之中的未被第一波长转换层QDL1和第二波长转换层QDL2转换的第一光可以被第三滤色器CF3吸收或阻挡。另外，在从发光元件LE发射的第一光之中，通过第一波长转换层QDL1转换的第二光被第三滤色器CF3吸收或阻挡，但是通过第二波长转换层QDL2转换的第三光可以透射通过第三滤色器CF3。因此，第三发光区域EA3可以发射第三光。
图11是示意性地示出沿着图3的线B-B'截取的显示面板的又一示例的剖视图。
图11的实施例与图10的实施例的不同之处可以至少在于，第二波长转换层QDL2设置在保护膜PTF上，并且第一波长转换层QDL1设置在第二波长转换层QDL2上。因此，将省略对图11的实施例的重复描述。
图12是示意性地示出沿着图3的线B-B'截取的显示面板的又一示例的剖视图。
图12的实施例与图4和图5的实施例的不同之处至少在于，光透射层TPL设置在第一发光区域EA1中的每个中，第一波长转换层QDL1设置在第二发光区域EA2中的每个中，第二波长转换层QDL2设置在第三发光区域EA3中的每个中。在图12中，将省略与图4和图5的实施例重复的描述。
参照图12，光透射层TPL可以在第一发光区域EA1中的每个中设置在保护膜PTF上。光透射层TPL可以包括透光有机材料。例如，光透射层TPL可以包括环氧类树脂、丙烯酸类树脂、卡多类树脂或酰亚胺类树脂。
第一波长转换层QDL1可以在第二发光区域EA2中的每个中设置在保护膜PTF上。第一波长转换层QDL1可以包括第四基体树脂BRS4和第一波长转换颗粒WCP1。第四基体树脂BRS4和第一波长转换颗粒WCP1可以与参照图10描述的第四基体树脂BRS4和第一波长转换颗粒WCP1基本上相同或相似。因此，将省略第四基体树脂BRS4和第一波长转换颗粒WCP1的重复描述。
第二波长转换层QDL2可以在第三发光区域EA3中的每个中设置在保护膜PTF上。第二波长转换层QDL2可以包括第五基体树脂BRS5和第二波长转换颗粒WCP2。第五基体树脂BRS5和第二波长转换颗粒WCP2可以与参照图10描述的第五基体树脂BRS5和第二波长转换颗粒WCP2基本上相同或相似。因此，将省略第五基体树脂BRS5和第二波长转换颗粒WCP2的重复描述。
从第一发光区域EA1中的发光元件LE发射的第一光可以经由保护膜PTF和光透射层TPL透射通过第一滤色器CF1。例如，由于从第一发光区域EA1中的发光元件LE发射的第一光不被单独的波长转换层转换，因此第一光可以透射通过第一滤色器CF1。因此，第一发光区域EA1可以发射第一光。
从第二发光区域EA2中的发光元件LE发射的第一光之中的通过第一波长转换层QDL1转换的第二光可以透射通过第二滤色器CF2。从第二发光区域EA2中的发光元件LE发射的第一光之中的未被第一波长转换层QDL1转换的第一光可以被第二滤色器CF2吸收或阻挡。因此，第二发光区域EA2可以发射第二光。
从第三发光区域EA3中的发光元件LE发射的第一光之中的通过第二波长转换层QDL2转换的第三光可以透射通过第三滤色器CF3。从第三发光区域EA3中的发光元件LE发射的第一光之中的未被第二波长转换层QDL2转换的第一光可以被第三滤色器CF3吸收或阻挡。因此，第三发光区域EA3可以发射第三光。
图13是示意性地示出沿着图3的线B-B'截取的显示面板的又一示例的剖视图。
图13的实施例与图4和图5的实施例的不同之处至少在于，盖层CPL和选择性透射膜RTF设置在波长转换层QDL与滤色器CF1、CF2和CF3之间。
参照图13，盖层CPL可以设置在波长转换层QDL和分隔壁PW上。盖层CPL可以由诸如氧化硅(SiO2)膜、氧化铝(Al2O3)膜或氧化铪(HfOX)膜的无机膜形成(或包括诸如氧化硅(SiO2)膜、氧化铝(Al2O3)膜或氧化铪(HfOX)膜的无机膜)。
选择性透射膜RTF可以设置在盖层CPL上。选择性透射膜RTF可以设置在第二发光区域EA2和第三发光区域EA3中。选择性透射膜RTF可以在第二发光区域EA2和第三发光区域EA3中的每个中在第三方向DR3上与波长转换层QDL叠置。选择性透射膜RTF可以设置在设置于第二发光区域EA2与第三发光区域EA3之间的分隔壁PW上。
选择性透射膜RTF可以是反射从波长转换层QDL发射的光的一部分的膜。例如，选择性透射膜RTF可以是反射第一光并且透射第二光和第三光的膜。选择性透射膜RTF可以是分布式布拉格反射器(DBR)。选择性透射膜RTF可以具有其中在第三方向DR3上交替地沉积具有各自彼此不同的折射率的第一无机膜和第二无机膜的结构。第一无机膜中的每个可以是氧化硅(SiO2)膜，但不限于此，第二无机膜中的每个可以是氧化钛(TiO2)膜，但不限于此。
从第二发光区域EA2和第三发光区域EA3中的每个原样发射而没有被波长转换层QDL转换的第一光的一部分可以被选择性透射膜RTF反射，然后可以重新进入波长转换层QDL。因此，可以增强从第二发光区域EA2和第三发光区域EA3中的每个中的发光元件LE发射并被波长转换层QDL转换为第二光和第三光的第一光的光转换效率。因此，可以增强从第二发光区域EA2发射的第二光的发射效率和从第三发光区域EA3发射的第三光的发射效率。
图14是示意性地示出沿着图3的线B-B'截取的显示面板的又一示例的剖视图。
图14的实施例与图13的实施例的不同之处至少在于，盖层CPL和选择性透射膜RTF设置在滤色器CF1、CF2和CF3上。因此，将省略对图14的实施例的重复描述。
图15是示意性地示出根据公开的实施例的用于制造显示装置的方法的步骤的流程图。图16至图27是示意性地示出根据公开的实施例的用于制造显示装置的方法的步骤的剖视图。在下文中，将参照图15至图27详细描述根据公开的实施例的用于制造显示面板的方法。
首先，如图16中所示，在半导体电路板110上形成第一连接电极层112L_1，并且在发光元件基底ESUB的发光元件层120'上形成第二连接电极层112L_2(图15的S1)。
详细地，第一连接电极层112L_1被沉积为覆盖半导体电路板110的像素电极111(或与半导体电路板110的像素电极111叠置)。第一连接电极层112L_1可以包括金(Au)、铜(Cu)、铝(Al)或锡(Sn)。可以通过诸如化学机械抛光(CMP)工艺的抛光工艺使第一连接电极层112L_1的面对第二连接电极层112L_2的一个表面平坦化。
可以在发光元件基底ESUB的一个表面上形成缓冲膜BF。发光元件基底ESUB可以是由硅制成的硅基底。缓冲膜BF可以由诸如氧化硅(SiO2)膜、氧化铝(Al2O3)膜或氧化铪(HfOX)膜的无机膜形成。
发光元件层120'可以设置在缓冲膜BF上。如图6中所示，发光元件层120'可以包括第一半导体层SEM1、电子阻挡层EBL、活性层MQW、超晶格层SLT和第二半导体层SEM2。发光元件层120'还可以包括未掺杂有掺杂剂的半导体层。在这种情况下，未掺杂有掺杂剂的半导体层(即，未掺杂的半导体层)可以设置在缓冲膜BF上，第二半导体层SEM2可以设置在未掺杂的半导体层上，超晶格层SLT可以设置在第二半导体层SEM2上，活性层MQW可以设置在超晶格层SLT上，电子阻挡层EBL可以设置在活性层MQW上，第一半导体层SEM1可以设置在电子阻挡层EBL上。在实施例中，第一半导体层SEM1、电子阻挡层EBL、活性层MQW、超晶格层SLT、第二半导体层SME2和未掺杂的半导体层可以与参照图6和图7描述的第一半导体层SEM1、电子阻挡层EBL、活性层MQW、超晶格层SLT、第二半导体层SME2和未掺杂的半导体层基本上相同或相似，因此将省略它们的描述。
在实施例中，可以准备外延晶圆以包括基底和层，所述层包括p接触层(例如，p-GaN)、电子阻挡层EBL、单量子阱或多量子阱(MQW)层、超晶格结构(或超晶格层SLT)、n接触层(例如，n-GaN)、未掺杂的层(例如，u-GaN)和缓冲层(或缓冲膜BF)中的至少一个。
在实施例中，p接触层(p-GaN)在第三方向DR3上的厚度可以在约30nm至约200nm的范围内，电子阻挡层EBL在第三方向D3上的厚度可以在约10nm至约50nm的范围内，量子阱(MQW)层的阱在第三方向DR3上的厚度可以在约1nm至约4nm的范围内，量子阱(MQW)层的势垒在第三方向DR3上的厚度可以在约3nm至约10nm的范围内，超晶格结构在第三方向DR3上的厚度可以在约50nm至约200nm的范围内，n接触层(例如，n-GaN)在第三方向DR3上的厚度可以在约2μm至约4μm的范围内，未掺杂的层(例如，u-GaN)在第三方向DR3上的厚度可以在约2μm至约3μm的范围内，缓冲层在第三方向DR3上的厚度可以在约10nm至约50nm的范围内，基底在第三方向DR3上的厚度可以在约100μm至约1000μm的范围内。然而，实施例不限于此，在公开的精神和范围内可以采用其他合适的厚度。
可以在第一半导体材料层上使第一绝缘膜INS1图案化。如图22中所示，第一绝缘膜INS1可以在第三方向DR3上不与像素电极111叠置。第一绝缘膜INS1可以由诸如氧化硅(SiO2)层、氧化铝(Al2O3)层或氧化铪(HfOx)层的无机层形成。
可以在第一绝缘膜INS1和发光元件层120'上沉积第二连接电极层112L_2。第二连接电极层112L_2可以包括金(Au)、铜(Cu)、铝(Al)或锡(Sn)。可以通过诸如CMP工艺的抛光工艺来使第二连接电极层112L_2的面对第一连接电极层112L_1的一个表面平坦化。
其次，如图17中所示，将半导体电路板110的第一连接电极层112L_1和发光元件基底ESUB的第二连接电极层112L_2彼此粘合，从而半导体电路板110和发光元件基底ESUB彼此接合(或附着或连接)(图15的S2)。
详细地，将半导体电路板110的第一连接电极层112L_1和发光元件基底ESUB的第二连接电极层112L_2彼此接触。然后，可以使第一连接电极层112L_1和第二连接电极层112L_2在预定的温度下经受熔融接合以形成连接电极层112L。因此，半导体电路板110和发光元件基底ESUB可以彼此接合。
第三，如图18中所示，去除发光元件基底ESUB和设置在发光元件基底ESUB与发光元件层120'之间的缓冲膜BF(图15的S3)。
详细地，发光元件基底ESUB可以是由硅(Si)制成的硅基底。可以通过抛光工艺(诸如化学机械抛光(CMP)工艺)和蚀刻工艺去除发光元件基底ESUB和缓冲膜BF。
第四，如图19中所示，在发光元件层120'上形成第一掩模图案MP1和第二掩模图案MP2(图16的S4)。
详细地，在发光元件层120'的上表面上形成第一掩模图案MP1。发光元件层120'的上表面可以是通过去除发光元件基底ESUB和缓冲膜BF而向上暴露的表面。可以在将要形成第一分隔壁PW1和发光元件LE的区域中形成第一掩模图案MP1。在实施例中，发光元件LE的宽度比第一分隔壁PW1的宽度宽，形成在将要形成发光元件LE的区域中的第一掩模图案MP1的宽度可以比形成在将要形成第一分隔壁PW1的区域中的第一掩模图案MP1的宽度宽。第一掩模图案MP1可以由诸如氧化硅(SiO2)膜、氧化铝(Al2O3)膜或氧化铪(HfOX)膜的无机膜形成。第一掩模图案MP1的厚度可以是约1μm至约2μm。
可以在第一掩模图案MP1的一部分上设置第二掩模图案MP2。可以在将要形成第一分隔壁PW1的区域中形成第二掩模图案MP2。第二掩模图案MP2可以包括诸如镍(Ni)的导电材料。第二掩模图案MP2的厚度可以是约0.01μm至约1μm。
第五，如图20中所示，可以根据第一掩模图案MP1和第二掩模图案MP2蚀刻(例如，干蚀刻)发光元件层120'，以形成发光元件LE和分隔壁PW(图15的S5)。
详细地，第二掩模图案MP2可以不被用于蚀刻(或干蚀刻)的蚀刻气体蚀刻。为此，由于设置有第二掩模图案MP2的区域的发光元件层120'未被蚀刻，因此可以形成分隔壁PW。
发光元件层120'的基于用于蚀刻的蚀刻气体EG1的蚀刻比率可以比第一掩模图案MP1的蚀刻比率高。由于发光元件层120'保留在设置有第一掩模图案MP1的区域中，因此可以形成发光元件LE。可以从未设置有第一掩模图案MP1的区域完全地去除发光元件层120'。
参照图6，发光元件层120'可以具有其中第一半导体层SEM1、电子阻挡层EBL、活性层MQW、超晶格层SLT、第二半导体层SEM2和未掺杂有掺杂剂的半导体层在第三方向DR3上顺序地沉积的结构。在这种情况下，发光元件LE中的每个可以具有其中未掺杂有掺杂剂的半导体层被去除并且第一半导体层SEM1、电子阻挡层EBL、活性层MQW、超晶格层SLT和第二半导体层SEM2在第三方向DR3上顺序地沉积的结构。
相反，如图7中所示，分隔壁PW可以包括第一分隔壁PW1，第一分隔壁PW1包括与第一半导体层SEM1对应的第一子分隔壁SPW1、与电子阻挡层EBL对应的第二子分隔壁SPW2、与活性层MQW对应的第三子分隔壁SPW3、与超晶格层SLT对应的第四子分隔壁SPW4、与第二半导体层SEM2对应的第五子分隔壁SPW5、以及与未掺杂有掺杂剂的半导体层对应的第六子分隔壁SPW6。此外，分隔壁PW还可以包括与通过被第二掩模图案MP2保护而未被去除而保留的第一掩模图案MP1对应的第二分隔壁PW2和与第二掩模图案MP2对应的第三分隔壁PW3。
第六，如图21A和图21B中所示，蚀刻连接电极层112L以形成连接电极112和共连接电极CCE(图15的S6)。
详细地，如图21A中所示，分隔壁PW、发光元件LE和第一绝缘膜INS1可以不被用于蚀刻连接电极层112L的第一蚀刻材料EM1蚀刻。为此，设置在发光元件LE中的每个的下部和第一绝缘膜INS1的下部上的连接电极层112L可以不被第一蚀刻材料EM1蚀刻。因此，可以形成设置在发光元件LE中的每个的下部上的连接电极112和设置在第一绝缘膜INS1的下部上的共连接电极CCE。
然后，如图21B中所示，分隔壁PW、发光元件LE和共连接电极CCE可以不被用于蚀刻第一绝缘膜INS1的第二蚀刻材料EM2蚀刻。因此，可以通过第二蚀刻材料EM2蚀刻未被分隔壁PW覆盖(或与分隔壁PW叠置或重叠)而暴露的第一绝缘膜INS1。因此，可以暴露共连接电极CCE的上表面的一部分而不被第一绝缘膜INS1覆盖。
第七，如图22和图23中所示，在发光元件LE中的每个的侧面和分隔壁PW的侧面上形成第二绝缘膜INS2(图15的S7)。
详细地，在半导体电路板110上完全地沉积第二绝缘膜层INSL2。在这种情况下，可以在共连接电极CCE的上表面和侧面、分隔壁PW的上表面和侧面、像素电极111中的每个的侧面、连接电极112中的每个的侧面、发光元件LE中的每个的上表面和侧面以及像素电极111与共连接电极CCE之间的半导体电路板110的上表面上设置第二绝缘膜层INSL2。
然后，在没有单独的掩模而通过在第三方向DR3上形成大的电压差使用预定的蚀刻气体EG2来蚀刻第二绝缘膜层INSL2的情况下，可以去除设置在由第一方向DR1和第二方向DR2限定的水平面上的第二绝缘膜层INSL2。相反，可以不去除设置在沿第三方向DR3限定的竖直平面上的第二绝缘膜层INSL2。
例如，可以去除设置在共连接电极CCE的上表面、分隔壁PW的上表面、发光元件LE中的每个的上表面以及像素电极111与共连接电极CCE之间的半导体电路板110的上表面上的第二绝缘膜层INSL2。相反，可以不去除设置在共连接电极CCE的侧面、分隔壁PW的侧面、像素电极111中的每个的侧面、连接电极112中的每个的侧面和发光元件LE中的每个的侧面上的第二绝缘膜层INSL2。因此，可以在共连接电极CCE的侧面、分隔壁PW的侧面、像素电极111中的每个的侧面、连接电极112中的每个的侧面和发光元件LE中的每个的侧面上形成第二绝缘膜INS2。
第二绝缘膜INS2可以由诸如氧化硅(SiO2)膜、氧化铝(Al2O3)膜或氧化铪(HfOX)膜的无机膜形成(或包括诸如氧化硅(SiO2)膜、氧化铝(Al2O3)膜或氧化铪(HfOX)膜的无机膜)。第二绝缘膜INS2的厚度可以是约0.1μm。
同时，由于可以通过蚀刻气体EG2去除第二绝缘膜层INSL2的上部中的设置在分隔壁PW的侧面上的一部分，因此设置在分隔壁PW的侧面上的第二绝缘膜INS2的高度可以比分隔壁PW的上表面的高度低。类似地，由于可以通过蚀刻气体EG2去除第二绝缘膜层INSL2的上部中的设置在发光元件LE中的每个的侧面上的一部分，因此设置在发光元件LE中的每个的侧面上的第二绝缘膜INS2的高度可以比发光元件LE的上表面的高度低。
第八，如图24中所示，形成用于将发光元件LE中的每个的上表面与共连接电极CCE连接的共电极CE(图15的S8)。
详细地，在半导体电路板110的显示区域DA的整个表面上沉积共电极CE。在这种情况下，可以在共连接电极CCE的上表面、分隔壁PW的上表面以及像素电极111与共连接电极CCE之间的半导体电路板110的上表面上设置共电极CE。也可以在设置在共连接电极CCE的侧面、分隔壁PW的侧面、像素电极111中的每个的侧面、连接电极112中的每个的侧面和发光元件LE中的每个的侧面上的第二绝缘膜INS2上设置共电极CE。
共连接电极CCE的上表面的一部分被暴露而不被第一绝缘膜INS1覆盖，因此可以接触共电极CE。因此，共电极CE可以连接到共连接电极CCE。
共电极CE可以包括透明导电材料。共电极CE可以由诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)的透明导电氧化物(TCO)形成。共电极CE的厚度可以是0.1μm。
第九，如图25和图26中所示，在发光元件LE中的每个的侧面和分隔壁PW的侧面上形成反射膜RF(图15的S9)。
详细地，在半导体电路板110上完全地沉积反射层RL。在这种情况下，可以在设置在共连接电极CCE的上表面和侧面、分隔壁PW的上表面和侧面、像素电极111中的每个的侧面、连接电极112中的每个的侧面、发光元件LE中的每个的上表面和侧面以及像素电极111与共连接电极CCE之间的半导体电路板110的上表面上的共电极CE上设置反射层RL。
然后，当没有单独的掩模而通过在第三方向DR3上形成电压差使用预定的蚀刻气体EG3来蚀刻反射层RL时，可以去除设置在由第一方向DR1和第二方向DR2限定的水平面上的反射层RL。相反，可以不去除设置在由第三方向DR3限定的竖直平面上的反射层RL。
例如，可以去除设置在共连接电极CCE的上表面、分隔壁PW的上表面、发光元件LE中的每个的上表面以及像素电极111与共连接电极CCE之间的半导体电路板110的上表面上的反射层RL。相反，可以不去除设置在共连接电极CCE的侧面、分隔壁PW的侧面、像素电极111中的每个的侧面、连接电极112中的每个的侧面和发光元件LE中的每个的侧面上的反射层RL。因此，可以在设置在共连接电极CCE的侧面、分隔壁PW的侧面、像素电极111中的每个的侧面、连接电极112中的每个的侧面和发光元件LE中的每个的侧面上的共电极CE上形成反射膜RF。
反射膜RF可以包括具有高反射率的金属材料，诸如铝(Al)。反射膜Rf的厚度可以是约0.1μm。
同时，由于可以去除反射层RL的上部中的设置在分隔壁PW的侧面上的一部分，因此反射膜RF的设置在分隔壁PW的侧面上的高度可以比分隔壁PW的上表面的高度低。类似地，由于可以去除反射层RL的上部中的设置在发光元件LE中的每个的侧面上的一部分，因此反射膜RF的设置在发光元件LE中的每个的侧面上的高度可以比发光元件LE的上表面的高度低。
第十，如图27中所示，在由分隔壁PW限定的发光区域EA1、EA2和EA3中的每个中在发光元件LE上形成保护膜PTF，在保护膜PTF上形成波长转换层QDL，在波长转换层QDL上形成滤色器CF1、CF2和CF3(图15的S10)。
详细地，在第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3中的每个中在发光元件LE上形成保护膜PTF。可以在第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3中的每个中在发光元件LE与分隔壁PW之间设置保护膜PTF。例如，可以在第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3中的每个中在发光元件LE与分隔壁PW之间的间隙空间中设置保护膜PTF。
然后，在第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3中的每个中在保护膜PTF上形成波长转换层QDL。发光元件LE与波长转换层QDL之间的距离可以由于保护膜PTF而增大。因此，可以防止波长转换层QDL的波长转换颗粒WCP由于发光元件LE的散热而被损坏。
此外，由于在第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3中的每个中设置相同的波长转换层QDL，因此可以通过一次工艺在第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3中的每个中形成波长转换层QDL。
然后，可以在第一发光区域EA1中在波长转换层QDL上形成第一滤色器CF1，可以在第二发光区域EA2中在波长转换层QDL上形成第二滤色器CF2，可以在第三发光区域EA3中在波长转换层QDL上形成第三滤色器CF3。
如参照图15至图27描述的，使用第一掩模图案MP1和第二掩模图案MP2同时地形成分隔壁PW和发光元件LE，从而可以简化制造工艺。
此外，使用第一绝缘膜INS1和发光元件LE作为掩模蚀刻连接电极层112L，以同时地形成连接电极112和共连接电极CCE，从而可以简化制造工艺。
图28是示意性地示出包括根据实施例的显示装置的虚拟现实设备的示例视图。在图28中，示出了根据实施例的显示装置10应用于其的虚拟现实设备1。
参照图28，根据实施例的虚拟现实设备1可以是眼镜型设备。根据实施例的虚拟现实设备1可以包括显示装置10、左眼透镜10a、右眼透镜10b、支撑框架20、眼镜框架腿30a和30b、反射构件40以及显示装置容纳部分50。
尽管图28示出了包括眼镜框架腿30a和30b的虚拟现实设备1，但是根据实施例的虚拟现实设备1可以应用于可以安装在头部上的包括头戴带而不是眼镜框架腿30a和30b的头戴式显示器。也就是说，根据实施例的虚拟现实设备1不限于图28中所示的虚拟现实设备，并且可应用于各种形式的各种电子设备。
显示装置容纳部分50可以包括显示装置10和反射构件40。显示在显示装置10上的图像可以从反射构件40反射并通过右眼透镜10b提供到用户的右眼。为此，用户可以通过右眼观看显示在显示装置10上的虚拟现实图像。
尽管图28示出了显示装置容纳部分50设置在支撑框架20的右端处，但是公开的实施例不限于此。例如，显示装置容纳部分50可以设置在支撑框架20的左端处，在这种情况下，显示在显示装置10上的图像可以从反射构件40反射并通过左眼透镜10a提供到用户的左眼。为此，用户可以通过左眼观看显示在显示装置10上的虚拟现实图像。作为另一示例，显示装置容纳部分50可以设置在支撑框架20的左端和右端两者处，在这种情况下，用户可以通过左眼和右眼两者观看显示在显示装置10上的虚拟现实图像。
图29是示意性地示出包括根据实施例的显示装置的智能设备的示例视图。
参照图29，根据实施例的显示装置10可以应用于作为智能设备之一的智能手表2。
图30是示意性地示出包括根据实施例的显示装置的车辆仪表板和中央仪表盘的示例视图。图30中示出了根据实施例的显示装置10应用于其的车辆。
参照图30，根据实施例的显示装置10_a、10_b和10_c可以应用于车辆的仪表板、应用于车辆的中央仪表盘、或者应用于设置在车辆的仪表板上的中央信息显示器(CID)。作为另一示例，根据实施例的显示装置10_a、10_b和10_c中的每个可以用作显示装置。另外，根据实施例的显示装置10_d和10_e可以应用于代替车辆的侧视镜的室内镜显示器。
图31是示意性地示出包括根据实施例的显示装置的透明显示设备的示例视图。
参照图31，根据实施例的显示装置10_3可以应用于透明显示设备。透明显示设备可以显示图像IM并且同时透射光。因此，位于透明显示设备的前表面处的用户不仅可以观看显示在显示装置10_3上的图像IM，而且可以观看位于透明显示设备的后表面处的物体RS或背景。在显示装置10_3应用于透明显示设备的情况下，图4中所示的显示装置10_3的基体基底BSUB可以包括能够透射光的光透射部分，或者可以由能够透射光的材料形成。
图32是根据实施例的像素电路区域和发光元件的等效电路的示意图。
图32中示出了图5的像素电路区域PXC和发光元件LE的示例。
参照图32，发光元件LE根据驱动电流Ids发射光。发光元件LE的发射量可以与驱动电流Ids成比例。发光元件LE可以是包括阳极电极、阴极电极和设置在阳极电极与阴极电极之间的无机半导体的无机发光元件。例如，发光元件LE可以是微型发光二极管。
发光元件LE的阳极电极可以连接到驱动晶体管DT的源电极，其阴极电极可以连接到比高电位电压低的低电位电压供应到其的第二电力线VSL。
驱动晶体管DT根据栅电极与源电极之间的电压差调节从第一电力电压供应到其的第一电力线VDL流到发光元件LE的电流。驱动晶体管DT的栅电极可以连接到第一晶体管ST1的第一电极，它的源电极可以连接到发光元件LE的阳极电极，它的漏电极可以连接到高电位电压施加到其的第一电力线VDL。
第一晶体管ST1通过扫描线SL的扫描信号而导通，以将数据线DL连接到驱动晶体管DT的栅电极。第一晶体管ST1的栅电极可以连接到扫描线SL，它的第一电极可以连接到驱动晶体管DT的栅电极，它的第二电极可以连接到数据线DL。
第二晶体管ST2通过感测信号线SSL的感测信号而导通，以将初始化电压线(在下文中，或被称为第三电力线)VIL连接到驱动晶体管DT的源电极。第二晶体管ST2的栅电极可以连接到感测信号线SSL，它的第一电极可以连接到初始化电压线VIL，它的第二电极可以连接到驱动晶体管DT的源电极。
尽管第一晶体管ST1和第二晶体管ST2中的每个的第一电极可以是源电极，并且其第二电极可以是漏电极，但是应注意的是，它们不限于此。例如，第一晶体管ST1和第二晶体管ST2中的每个的第一电极可以是漏电极，并且其第二电极可以是源电极。
电容器Cst形成在驱动晶体管DT的栅电极与源电极之间。电容器Cst存储驱动晶体管DT的栅电压与源电压之间的电压差。
尽管在图32中驱动晶体管DT以及第一晶体管ST1和第二晶体管ST2由P型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)形成，但是应注意的是，晶体管不限于此。驱动晶体管DT以及第一晶体管ST1和第二晶体管ST2可以由N型MOSFET形成。
图33是根据另一实施例的像素电路区域和发光元件的等效电路的示意图。
图33中示出了图5的像素电路区域PXC和发光元件LE的另一示例。
参照图33，发光元件LE根据驱动电流Ids发射光。发光元件LE的发射量可以与驱动电流Ids成比例。发光元件LE可以是包括阳极电极、阴极电极和设置在阳极电极与阴极电极之间的无机半导体的无机发光元件。例如，发光元件LE可以是微型发光二极管。
发光元件LE的阳极电极可以连接到第四晶体管ST4的第一电极和第六晶体管ST6的第二电极，其阴极电极可以连接到第二电力线VSL。寄生电容Cel可以形成在发光元件LE的阳极电极与阴极电极之间。
像素电路区域PXC包括驱动晶体管DT、开关元件和电容器C1。开关元件包括第一晶体管ST1、第二晶体管ST2、第三晶体管ST3、第四晶体管ST4、第五晶体管ST5和第六晶体管ST6。第一晶体管ST1可以包括两个晶体管ST1-1、ST1-2，第三晶体管ST3可以包括两个晶体管ST3-1、ST3-2。
驱动晶体管DT包括栅电极、第一电极和第二电极。驱动晶体管DT根据施加到栅电极的数据电压来控制在第一电极与第二电极之间流动的漏-源电流Ids(在下文中，被称为“驱动电流”)。
电容器C1形成在驱动晶体管DT的栅电极与第一电力线VDL之间。电容器C1的一个电极可以连接到驱动晶体管DT的栅电极，电容器C1的另一电极可以连接到第一电力线VDL。
在第一晶体管ST1、第二晶体管ST2、第三晶体管ST3、第四晶体管ST4、第五晶体管ST5和第六晶体管ST6以及驱动晶体管DT中的每个的第一电极是源电极的情况下，其第二电极可以是漏电极。在另一示例中，在第一晶体管ST1、第二晶体管ST2、第三晶体管ST3、第四晶体管ST4、第五晶体管ST5和第六晶体管ST6以及驱动晶体管DT中的每个的第一电极是漏电极的情况下，其第二电极可以是源电极。
第一晶体管ST1、第二晶体管ST2、第三晶体管ST3、第四晶体管ST4、第五晶体管ST5和第六晶体管ST6以及驱动晶体管DT中的每个的有源层可以由多晶硅、非晶硅和氧化物半导体中的任何一种形成(或者包括多晶硅、非晶硅和氧化物半导体中的任何一种)。在第一晶体管ST1、第二晶体管ST2、第三晶体管ST3、第四晶体管ST4、第五晶体管ST5和第六晶体管ST6以及驱动晶体管DT中的每个的半导体层由多晶硅形成的情况下，形成所述半导体层的工艺可以是低温多晶硅(LTPS)工艺。
尽管在图33中第一晶体管ST1、第二晶体管ST2、第三晶体管ST3、第四晶体管ST4、第五晶体管ST5和第六晶体管ST6以及驱动晶体管DT由P型MOSFET形成，但是晶体管不限于此，第一晶体管ST1、第二晶体管ST2、第三晶体管ST3、第四晶体管ST4、第五晶体管ST5和第六晶体管ST6以及驱动晶体管DT可以由N型MOSFET形成。
此外，可以考虑驱动晶体管DT的特性、发光元件LE的特性等来设定第一电力线VDL的第一电力电压、第二电力线VSL的第二电力电压和第三电力线VIL的第三电力电压。
图34是根据另一实施例的像素电路区域和发光元件的等效电路的示意图。
图34的实施例与图33的实施例的不同之处至少在于，驱动晶体管DT、第二晶体管ST2、第四晶体管ST4、第五晶体管ST5和第六晶体管ST6由P型MOSFET形成，第一晶体管ST1和第三晶体管ST3由N型MOSFET形成。
参照图34，由P型MOSFET形成的驱动晶体管DT、第二晶体管ST2、第四晶体管ST4、第五晶体管ST5和第六晶体管ST6中的每个的有源层可以由多晶硅形成，由N型MOSFET形成的第一晶体管ST1和第三晶体管ST3中的每个的有源层可以由氧化物半导体形成。
图34的实施例与图33的实施例的不同之处至少在于，第二晶体管ST2的栅电极和第四晶体管ST4的栅电极连接到写入扫描线GWL，第一晶体管ST1的栅电极连接到控制扫描线GCL。在图34中，由于第一晶体管ST1和第三晶体管ST3由N型MOSFET形成，因此栅极高电压的扫描信号可以施加到控制扫描线GCL和初始化扫描线GIL。相反，由于第二晶体管ST2、第四晶体管ST4、第五晶体管ST5和第六晶体管ST6由P型MOSFET形成，因此栅极低电压的扫描信号可以施加到写入扫描线GWL和光发射线EL。
应注意的是，根据公开的实施例的像素电路区域PXC不限于图32至图34中所示的像素电路区域。除了图32至图34中所示的实施例之外，根据公开的实施例的像素电路区域PXC可以以本领域技术人员已知并且可以采用的其他电路结构形成。
然而，公开的方面不限于这里阐述的方面。通过参照权利要求书和其中包括其的功能等同物，公开的以上和其他方面对于公开所属领域的普通技术人员将变得更加明显。

Claims (32)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
堤，设置在基底上；
发光元件，在所述基底上设置在由所述堤分隔的发光区域中，并且在所述基底的厚度方向上延伸；
波长转换层，在所述发光区域中设置在所述发光元件上，并且将从所述发光元件发射的光的波长进行转换；以及
保护膜，在所述发光区域中设置在所述发光元件与所述波长转换层之间，
其中，所述保护膜设置在彼此面对的所述发光元件的至少一侧与所述堤的至少一侧之间。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述保护膜包括具有在1纳米至100纳米的范围内的直径的散射体。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述保护膜具有比所述波长转换层的厚度小的厚度。
4.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：
共连接电极，设置在所述堤下面，并且与所述发光元件间隔开。
5.根据权利要求4所述的显示装置，所述显示装置还包括：
像素电极，设置在所述基底上；以及
连接电极，设置在所述像素电极上，并且电连接到所述发光元件的一端。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述共连接电极和所述连接电极包括相同的材料。
7.根据权利要求4所述的显示装置，所述显示装置还包括：第一绝缘膜，设置在所述堤与所述共连接电极之间。
8.根据权利要求5所述的显示装置，其中，
所述堤包括第一堤，并且
所述第一堤的部分区域和所述发光元件包括相同的材料。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述发光元件包括：
第一半导体层，设置在所述连接电极上；
活性层，设置在所述第一半导体层上；以及
第二半导体层，设置在所述活性层上。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述第一堤包括：
第一子堤，所述第一子堤和所述第一半导体层具有相同的材料；
第二子堤，所述第二子堤和所述活性层具有相同的材料；以及
第三子堤，所述第三子堤和所述第二半导体层具有相同的材料。
11.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述第三子堤具有比所述第二半导体层的厚度大的厚度。
12.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述第一堤还包括具有未掺杂的半导体材料的第四子堤，并且所述第四子堤设置在所述第三子堤上。
13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述第四子堤具有比所述第二半导体层的厚度大的厚度。
14.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述堤还包括：
第二堤，设置在所述第一堤上，并且具有绝缘材料；以及
第三堤，设置在所述第二堤上，并且具有导电材料。
15.根据权利要求14所述的显示装置，其中，所述第二堤具有比所述第三堤的厚度大的厚度。
16.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：
第二绝缘膜，设置在所述堤的侧面和所述发光元件的侧面上。
17.根据权利要求12所述的显示装置，所述显示装置还包括：
共电极，设置在所述堤的上表面和侧面以及所述发光元件的上表面和侧面上。
18.根据权利要求17所述的显示装置，其中，所述共电极接触设置在所述堤的所述侧面和所述发光元件的所述侧面上的第二绝缘膜。
19.根据权利要求17所述的显示装置，所述显示装置还包括：
反射膜，设置在所述堤的所述侧面和所述发光元件的所述侧面上。
20.根据权利要求19所述的显示装置，其中，所述反射膜接触设置在所述堤的所述侧面和所述发光元件的所述侧面上的所述共电极。
21.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：
滤色器，设置在所述波长转换层上。
22.根据权利要求21所述的显示装置，所述显示装置还包括：
盖层，设置在所述波长转换层与所述滤色器之间；以及
选择性透射膜，设置在所述盖层与所述滤色器之间。
23.根据权利要求21所述的显示装置，所述显示装置还包括：
选择性透射膜，设置在所述滤色器上；以及
盖层，设置在所述选择性透射膜与所述滤色器之间。
24.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述波长转换层将从所述发光元件发射的第一光的至少一部分转换为作为第二光和第三光的混合光的第四光。
25.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述波长转换层包括：
第一波长转换层，设置在所述保护膜上，并且将从所述发光元件发射的第一光的至少一部分转换为第二光；以及
第二波长转换层，设置在所述第一波长转换层上，并且将所述第一光的至少一部分转换为第三光。
26.一种显示装置，所述显示装置包括：
第一发光区域、第二发光区域和第三发光区域，所述第一发光区域发射第一光，所述第二发光区域发射第二光，所述第三发光区域发射第三光，所述第一发光区域、所述第二发光区域和所述第三发光区域设置在基底的显示区域中；
堤，分隔所述第一发光区域、所述第二发光区域和所述第三发光区域；
发光元件，在所述第一发光区域、所述第二发光区域和所述第三发光区域中的每个中与所述堤间隔开，并且在所述基底的厚度方向上延伸；
保护膜，在所述第一发光区域、所述第二发光区域和所述第三发光区域中的每个中设置在所述发光元件上；以及
波长转换层，在所述第一发光区域、所述第二发光区域和所述第三发光区域中的至少一个中设置在所述保护膜上，
其中，所述保护膜具有比所述波长转换层的厚度小的厚度。
27.根据权利要求26所述的显示装置，其中，所述波长转换层设置在所述第一发光区域、所述第二发光区域和所述第三发光区域中，并且将所述第一光的至少一部分转换为作为所述第二光和所述第三光的混合光的第四光。
28.根据权利要求27所述的显示装置，所述显示装置还包括：
第一滤色器，设置在所述第一发光区域中，并且透射所述第一光；
第二滤色器，设置在所述第二发光区域中，并且透射所述第二光；以及
第三滤色器，设置在所述第三发光区域中，并且透射所述第三光。
29.根据权利要求26所述的显示装置，其中，所述波长转换层包括：
第一波长转换层，设置在所述保护膜上，并且将所述第一光的至少一部分转换为所述第二光；以及
第二波长转换层，设置在所述第一波长转换层上，并且将所述第一光的至少一部分转换为所述第三光。
30.根据权利要求26所述的显示装置，所述显示装置还包括：
光透射层，在所述第一发光区域中设置在所述保护膜上，
其中，所述保护膜具有比所述光透射层的厚度小的厚度。
31.根据权利要求30所述的显示装置，其中，所述波长转换层在所述第二发光区域中设置在所述保护膜上以将所述第一光的至少一部分转换为所述第二光，并且在所述第三发光区域中设置在所述保护膜上以将所述第一光的至少一部分转换为所述第三光。
32.一种用于制造显示装置的方法，所述方法包括：
在第一基底上形成第一连接电极层，在第二基底的发光元件层上形成图案化的第一绝缘膜，以及在所述第一绝缘膜和所述第二基底的所述发光元件层上形成第二连接电极层；
通过将所述第一基底的所述第一连接电极层粘合到所述第二基底的所述第二连接电极层来形成连接电极层，使所述第一基底接合到所述第二基底；
去除所述第二基底；
在所述发光元件层上形成第一掩模图案和第二掩模图案，并且通过根据所述第一掩模图案和所述第二掩模图案蚀刻所述发光元件层来形成至少一个发光元件和至少一个堤；
通过蚀刻所述连接电极层来形成连接电极和共连接电极；
在所述至少一个发光元件的侧面和所述至少一个堤的侧面上形成第二绝缘膜；
形成将所述至少一个发光元件的上表面与所述共连接电极连接的共电极；
在所述至少一个发光元件的所述侧面和所述至少一个堤的所述侧面上形成反射膜；以及
在由所述至少一个堤限定的发光区域中的每个中在发光元件上形成保护膜，在所述保护膜上形成波长转换层，并且在所述波长转换层上形成滤色器。
CN202210431839.5A 2021-04-30 2022-04-22 显示装置和制造该显示装置的方法 Pending CN115312558A (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US202163182195P 2021-04-30 2021-04-30
US63/182,195 2021-04-30
KR1020210056387A KR20220149831A (ko) 2021-04-30 2021-04-30 표시 장치와 그의 제조 방법
KR10-2021-0056387 2021-04-30

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN115312558A true CN115312558A (zh) 2022-11-08

Family

ID=83808606

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202210431839.5A Pending CN115312558A (zh) 2021-04-30 2022-04-22 显示装置和制造该显示装置的方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20220352437A1 (zh)
CN (1) CN115312558A (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10837916B2 (en) * 2017-03-09 2020-11-17 Spirit Aerosystems, Inc. Optical measurement device for inspection of discontinuities in aerostructures
CN113643621A (zh) * 2021-07-22 2021-11-12 惠州华星光电显示有限公司 发光二极管面板及拼接面板

Also Published As

Publication number Publication date
US20220352437A1 (en) 2022-11-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN115312558A (zh) 显示装置和制造该显示装置的方法
US20220359788A1 (en) Display device and method for fabricating the same
KR20220087668A (ko) 표시 장치 및 그의 제조 방법
US20220352429A1 (en) Display device
US20220352241A1 (en) Display device and method for fabricating the same
CN116096148A (zh) 显示装置
KR20220149831A (ko) 표시 장치와 그의 제조 방법
US20220352245A1 (en) Display device
KR20220149860A (ko) 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
US20230163251A1 (en) Display device
US20230215903A1 (en) Display device and method of fabricating the same
US20220352424A1 (en) Display device and method for fabricating the same
US20240030389A1 (en) Display device and method of fabricating the same
US20230017296A1 (en) Display device
KR20220149896A (ko) 표시 장치와 그의 제조 방법
KR20220149826A (ko) 표시 장치
US20230065016A1 (en) Display device and method for fabricating the same
KR20220149864A (ko) 표시 장치
CN117396023A (zh) 显示装置和用于制造该显示装置的方法
CN117440715A (zh) 显示装置和制造该显示装置的方法
CN115274743A (zh) 显示装置
CN117393687A (zh) 显示装置和用于制造该显示装置的方法
CN115706198A (zh) 显示装置
CN115720466A (zh) 显示装置
CN115274745A (zh) 显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination