CN117438390B - 一种金属陶瓷全密封封装的过压过流保护开关和系统 - Google Patents
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- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 109
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 45
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 45
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 73
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims description 154
- 239000011195 cermet Substances 0.000 claims description 11
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 7
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 6
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 239000012080 ambient air Substances 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000010344 co-firing Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
- H01L23/3736—Metallic materials
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- Materials Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Abstract
本申请涉及一种金属陶瓷全密封封装的过压过流保护开关和系统，涉及保护开关技术领域，其包括陶瓷基板、芯片、金属热沉以及外壳盖板，陶瓷基板开设有安装槽，陶瓷基板内设有导电线路层，陶瓷基板的底面设有与导电线路层相连的CSOP引针，CSOP引针用于与外接电路相连；芯片倒装焊于安装槽内，且芯片的引脚与导电线路层相连；金属热沉贴合安装于陶瓷基板的底面，并与CSOP引针的高度相同；外壳盖板安装于陶瓷基板的封口环上，并封闭安装槽的槽口，外壳盖板朝向安装槽的一侧与芯片相抵。本申请具有有效缓解的芯片发热，提高芯片的集成度的效果。
Description
技术领域
本申请涉及保护开关技术领域，尤其是涉及一种金属陶瓷全密封封装的过压过流保护开关和系统。
背景技术
目前传统保护开关产品有两种制作工艺，一种是将基片粘接在外壳壳体上，芯片通过粘接或再流焊的方式固定在基片上，再将该芯片通过金丝键合等方式连接到基片，最后将金属壳体与外壳盖板进行平行缝焊封装，这种工艺制作的保护开关，由于使用了金属壳体，整体尺寸相对较大，集成度低，且金属壳体的散热效果有限。
另一种是将芯片倒装焊接在基片上，再对芯片进行注塑密封，这种工艺制作的保护开关，会受到注塑胶的包裹，导致芯片在运行过程中的热无法很好的散出，从而影响芯片的性能和可靠性。
发明内容
本申请旨在至少解决现有技术中存在的若使用金属壳体，会导致占据保护开关过大的空间，使其芯片集成度低，且金属壳体的散热效果有限，而若直接用注塑胶包裹芯片，又会导致芯片在运行过程中的热无法很好的散出，从而影响芯片的性能和可靠性。为此，本申请提出一种金属陶瓷全密封封装的过压过流保护开关和系统。
第一方面，本申请提供了一种金属陶瓷全密封封装的过压过流保护开关，包括：
陶瓷基板，所述陶瓷基板开设有安装槽，所述陶瓷基板内设有导电线路层，所述陶瓷基板的底面设有与所述导电线路层相连的CSOP引针，所述CSOP引针用于与外接电路相连，所述安装槽的槽口开设有封口环；
芯片，所述芯片倒装焊于所述安装槽内，且所述芯片的引脚与所述导电线路层相连；
金属热沉，所述金属热沉贴合安装于所述陶瓷基板的底面，并与所述CSOP引针的高度相同；
外壳盖板，所述外壳盖板安装于所述封口环上，并封闭所述安装槽的槽口，所述外壳盖板朝向所述安装槽的一侧与所述芯片相抵。
通过采用上述技术方案，芯片在运行过程中的热一部分通过金属热沉向下传递，另一部分通过外壳盖板向上传递，从而有效缓解的芯片发热，本申请根据设计所需可以在陶瓷基板的安装槽内集成多个芯片，以确保芯片有足够的集成度。另外，外壳盖板封闭陶瓷基板，能阻隔水氧侵蚀芯片，对芯片提供保护。
根据本申请的一个实施例，金属陶瓷全密封封装的过压过流保护开关还包括：底填胶；
所述芯片的侧面与安装槽的内壁之间呈预设间隔设置，所述芯片上植球并通过倒装焊固定于所述陶瓷基板上，底填胶可增加连接强度，所述底填胶能通过所述预设间隔填充于所述陶瓷基板上。
根据本申请的一个实施例，所述外壳盖板朝向所述安装槽的一侧涂覆有导热胶，所述导热胶与所述芯片相抵。
根据本申请的一个实施例，所述安装槽的槽壁厚为0.7mm。
第二方面，本申请提供了一种过压过流保护系统，包括：支撑结构、多个散热片体、多个第一电路板以及电子元器件，所述电子元器件至少包括上述任意一实施例所述的金属陶瓷全密封封装的过压过流保护开关；
所述散热片体设置于所述支撑结构，且在所述支撑结构的表面间隔开排布，所述散热片体包括：第一散热段和与所述第一散热段相连的第二散热段，所述第一散热段与所述第二散热段不共面，且与所述第二散热段的延伸方向相反；
所述第一电路板设置于所述支撑结构，且沿所述支撑结构间隔开排布，所述第一电路板包括第一子板和第二子板，所述第一子板与所述第二子板不共面，且延伸方向相反；
其中，所述金属陶瓷全密封封装的过压过流保护开关的所述CSOP引针均与所述第一电路板电性连接。
通过采用上述技术方案，该陶瓷基板产生的热量分别沿第一散热段和第二散热段向外传导散出，也能直接扩散在环境空气中，从而提高陶瓷基板内芯片的性能、可靠性和平均寿命。
根据本申请的一个实施例，所述散热片体包括：第一片体和与所述第一片体平行相对设置的第二片体；
所述第二片体相比所述第一片体更远离所述支撑结构设置，所述第一片体与所述第二片体围合形成密闭的散热腔，所述散热腔包括与所述第一散热段位置对应的第一散热腔、与所述第二散热段位置对应的第二散热腔以及处于所述第一散热腔与所述第二散热腔中间的第三散热腔；
所述散热片体内还设置有挡片，所述挡片的一侧与所述第二片体转动连接，所述挡片的另一侧为自由端；
所述第一散热段与所述第二散热段之间具有第三散热段，所述挡片位于所述第一散热段与所述第三散热段的交界处，所述挡片在常温时能抵持所述第一片体以封堵所述第一散热腔，当所述第一散热腔内的气体受热膨胀时能打开所述挡片，以使所述第一散热腔与所述第三散热腔互通；
所述第二散热腔与所述第三散热腔相连通，且所述第二散热腔内充满有散热介质。
根据本申请的一个实施例，所述第二散热段设置于所述支撑结构的表面，所述第一散热段与所述支撑结构间隔设置，所述第二散热段的长度大于所述第一散热段的长度。
根据本申请的一个实施例，所述金属陶瓷全密封封装的过压过流保护开关还包括：第二电路板；
所述第二电路板设置于多个所述第一电路板背离所述支撑结构的一侧，且与多个所述第一电路板电连接。
根据本申请的一个实施例，处于所述支撑结构一端的散热片体与所述支撑结构之间夹设有加强块；
和/或，处于所述支撑结构另一端的散热片体与所述第二电路板之间夹设有加强块。
第三方面，本申请还提供一种过压过流保护系统，包括：支撑结构、多个散热片体、多个第一电路板以及电子元器件，所述电子元器件至少包括上述任意一实施例所述的金属陶瓷全密封封装的过压过流保护开关；
所述散热片体为Z字形，所述第一电路板为Z字形；
每两个所述散热片体相对设置以使两个所述散热片体的第一端间隔设置形成容纳部，两个所述散热片体的第二端贴合设置形成贴合部；
每两个所述第一电路板相对设置以使两个所述第一电路板的第一端间隔设置，两个所述第一电路板的第二端贴合设置，两个所述第一电路板的第一端分别位于所述贴合部相对的表面，两个所述第一电路板的第二端位于所述容纳部内；
其中，所述金属陶瓷全密封封装的过压过流保护开关的数量为多个，每个所述金属陶瓷全密封封装的过压过流保护开关的所述CSOP引针均与所述第一电路板的焊盘相连，且每个所述金属陶瓷全密封封装的过压过流保护开关夹设于所述容纳部与所述第一电路板的第二端之间，和每个所述金属陶瓷全密封封装的过压过流保护开关夹设于所述贴合部与所述第一电路板的第一端之间。
综上所述，本申请包括以下至少一种有益技术效果：芯片在运行过程中的热一部分通过金属热沉向下传递，另一部分通过外壳盖板向上传递，从而有效缓解的芯片发热，本申请根据设计所需可以在陶瓷基板的安装槽内集成多个芯片，以确保芯片有足够的集成度。另外，外壳盖板封闭陶瓷基板，能阻隔水氧侵蚀芯片，对芯片提供保护。
附图说明
图1是本申请实施例提供的金属陶瓷全密封封装的过压过流保护开关的结构示意图之一；
图2是本申请实施例提供的金属陶瓷全密封封装的过压过流保护开关的结构示意图之二；
图3是本申请实施例提供的金属陶瓷全密封封装的过压过流保护开关的结构示意图之三；
图4是本申请实施例提供的金属陶瓷全密封封装的过压过流保护开关的结构示意图之四；
图5是本申请实施例提供的金属陶瓷全密封封装的过压过流保护系统的结构示意图之一；
图6是本申请实施例提供的金属陶瓷全密封封装的过压过流保护系统的结构示意图之二；
图7是本申请实施例提供的金属陶瓷全密封封装的过压过流保护系统的结构示意图之三；
图8是本申请实施例提供的散热片体的结构示意图之一；
图9是本申请实施例提供的散热片体的结构示意图之二；
图10是本申请实施例提供的金属陶瓷全密封封装的过压过流保护系统的结构示意图之四；
图11是本申请实施例提供的金属陶瓷全密封封装的过压过流保护系统的结构示意图之五。
附图标记：
110、陶瓷基板；111、安装槽；112、CSOP引针；120、芯片；130、金属热沉；140、外壳盖板；150、底填胶；160、导热胶；200、支撑结构；300、散热片体；310、第一散热段；320、第二散热段；311、第一片体；321、第二片体；a1、第一散热腔；a2、第二散热腔；a3、第三散热腔；b、挡片；b1、自由端；c、散热介质；3a0、容纳部；3b0、贴合部；400、第一电路板；410、第一子板；420、第二子板；500、第二电路板；600、缓冲块。
具体实施方式
下面详细描述本申请的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本申请，而不能理解为对本申请的限制。
下面参考图1-图11描述根据本申请实施例的金属陶瓷全密封封装的过压过流保护开关。
如图1-图4所示，金属陶瓷全密封封装的过压过流保护开关包括：陶瓷基板110、芯片120、金属热沉130、外壳盖板140以及底填胶150。
陶瓷基板110开设有安装槽111，陶瓷基板110内设有导电线路层，该导电线路可以选用钨导体。
该陶瓷基板110包括但不限于为93%Al2O3陶瓷，可通过高温共烧陶瓷工艺将导电线路层烧结在陶瓷基板110内。
该陶瓷基板110可以是多层，该陶瓷基板110的每层均设置有导电线路，该陶瓷基板110每层的导电线路构成该导电线路层。
在实际执行中，陶瓷基板110的厚度可以为1.2mm，开设安装槽111后陶瓷基板110的厚度可以为0.7mm。
陶瓷基板110的底面设有与导电线路层的焊盘相连的CSOP引针112，CSOP引针112用于与外接电路相连。
需要说明的是，CSOP引针112相较于相关技术的QFN引脚，可有效释放CSOP引针112焊接于外接电路的应力，在实际执行中，可以围绕陶瓷基板110的底部中心设置多个CSOP引针112，这样可以有效保证金属陶瓷全密封封装的过压过流保护开关通过大电流。
芯片120倒装焊于安装槽111内，且芯片120的引脚与导电线路层的焊盘相连，该芯片120可以是裸芯片120。
该陶瓷基板110的导电线路层的焊盘可以是镀镍钯金，这样在芯片120的引脚焊接于该焊盘上后的连接可靠性会更高。
金属热沉130贴合安装于陶瓷基板110的底面，并与CSOP引针112的高度相同。
这样用于使CSOP引针112能顺利连接到外接电路上，且确保连接的稳定性。
外壳盖板140安装于陶瓷基板110上，并封闭安装槽111的槽口，外壳盖板140朝向安装槽111的一侧与芯片120相抵，该外壳盖板140可以选用热传导效果好的金属。
其中，外壳盖板140可以直接相抵于芯片120的上表面，外壳盖板140也可以通过导热胶160相抵于芯片120的上表面，本实施例不做限制。
芯片120的侧面与安装槽111的内壁之间呈预设间隔设置，芯片120可以植球，并通过倒装焊固定于陶瓷基板110上，底填胶可增加连接强度，底填胶150能通过预设间隔填充于陶瓷基板110上。
底填胶150能避免水氧对芯片120的引脚侵蚀。
本申请上述实施例中，芯片120在运行过程中的热一部分通过金属热沉130向下传递，另一部分通过外壳盖板140向上传递，从而有效缓解的芯片120发热。
本申请根据设计所需可以在陶瓷基板110的安装槽111内集成多个芯片120，以确保芯片120有足够的集成度。
另外，外壳盖板140封闭陶瓷基板110，能阻隔水氧侵蚀芯片120，对芯片120提供保护，这也是底填胶150至少包覆于芯片120的引脚的前提，其相较于相关技术完全包裹住芯片120，能使芯片120发热更好的扩散。
在一些实施例中，安装槽111的壁面开设有导流道，导流道的一端延伸至安装槽111的槽口处，导流道的另一端延伸至芯片120的引脚处（未图示）。
本实施例中，通过沿导流道注入底填胶150，能将该底填胶150引导至芯片120的引脚，这样可以避免底填胶150溅到芯片120上，从而保证了金属陶瓷全密封封装的过压过流保护开关的可批产性。
在一些实施例中，外壳盖板140相抵于芯片120的一端与安装槽111抵接，并与安装槽111的壁面围合形成导流道，安装槽111的底面围绕芯片120设有围坝，围坝的高度与CSOP引针112的高度相同，导流道贯穿围坝（未图示）。
本实施例中，外壳盖板140除了将芯片120的热向外导出以外，还与安装槽111的壁面抵接，这能使底填胶150流向芯片120引脚的过程中，不从导流道溢出，且底填胶150会填充在围坝内。
反之，若大量底填胶150从导流道溢出，并分布在陶瓷基板110的安装槽111内，不利于陶瓷基板110内的导电线路层散热。
如图5所示，本申请还提供一种过压过流保护系统，包括：支撑结构200、多个散热片体300、多个第一电路板400以及电子元器件，所述电子元器件至少包括上述任意一实施例所述的金属陶瓷全密封封装的过压过流保护开关。
散热片体300设置于支撑结构200，且在支撑结构200的表面间隔开排布，散热片体300包括：第一散热段310和与第一散热段310相连的第二散热段320，第一散热段310与第二散热段320不共面，且与第二散热段320的延伸方向相反；
第一电路板400设置于支撑结构200，且沿支撑结构200间隔开排布，第一电路板400包括第一子板410和第二子板420，第一子板410与第二子板420不共面，且延伸方向相反；
金属陶瓷全密封封装的过压过流保护开关的CSOP引针112均与第一电路板400电性连接。
本实施例中，每个散热片体300的第一散热段310和第二散热段320都分别压接金属陶瓷全密封封装的陶瓷基板110，该陶瓷基板110能通过散热片体300的第一散热段310或第二散热段320向外传递热量。
陶瓷基板110处于散热片体300的第一散热段310与第二子板420之间。
该陶瓷基板110的热量一部分会通过散热片体300的第一散热段310向外传递，直到扩散在环境空气中；一部分会从散热片体300的第一散热段310，沿着散热片体300的第二散热段320向支撑结构200的方向传递，直到扩散在环境空气中。
该陶瓷基板110的热量另一部分会直接扩散在第一散热段310与第二子板420之间的环境空气中。
陶瓷基板110处于散热片体300的第二散热段320与第一子板410之间。
该陶瓷基板110的热量一部分会通过散热片体300的第二散热段320向支撑结构200的方向传递，直到扩散在环境空气中；一部分会从散热片体300的第二散热段320，沿着散热片体300的第一散热段310向外传递，直到扩散在环境空气中。
该陶瓷基板110的热量另一部分会直接扩散在第二散热段320与第一子板410之间的环境空气中。
也即该陶瓷基板110产生的热量分别沿第一散热段310和第二散热段320向外传导散出，也能直接扩散在环境空气中，从而提高陶瓷基板110内芯片120的性能、可靠性和平均寿命。
如图6所示，在一些实施例中，该过压过流保护系统还包括：第二电路板500。
第二电路板500设置于多个第一电路板400背离支撑结构200的一侧，且与多个第一电路板400电连接。
相较于单个第一电路板400的功能模块实现特定功能，本实施例通过第二电路板500与多个第一电路板400电连接，使多个第一电路板400和第二电路板500的功能模块发生协同作用。
如图6所示，在一些实施例中，支撑结构200一端的散热片体300与支撑结构200之间夹设有缓冲块600；和/或，支撑结构200另一端的散热片体300与第二电路板500之间夹设有缓冲块600。
需要说明是，该金属陶瓷全密封封装的过压过流保护开关发生撞击时，第二电路板500相对于支撑结构200的位置具有发生变化的趋势，而一但第二电路板500相对于支撑结构200的位置发生变化，就可能导致第一电路板400、散热片体300形变，导致陶瓷基板110的CSOP引针112与第一电路板400之间连接断裂，使陶瓷基板110内的芯片120功能失效。
而在本实施例通过在支撑结构200一端的散热片体300与支撑结构200之间夹设缓冲块600，在支撑结构200另一端的散热片体300与第二电路板500之间夹设缓冲块600。
这样可以加强支撑结构200与第二电路板500之间的连接强度，以避免第二电路板500相对于支撑结构200的位置变化，从而保证陶瓷基板110的CSOP引针112与第一电路板400之间能稳定连接。
如图7-图9所示，在一些实施例中，散热片体300包括：第一片体311和与第一片体311平行相对设置的第二片体321。
第二片体321相比第一片体311更远离支撑结构200设置，第一片体311与第二片体321围合形成密闭的散热腔，散热腔包括与第一散热段310位置对应的第一散热腔a1、与第二散热段320位置对应的第二散热腔a2以及处于第一散热腔a1与第二散热腔a2中间的第三散热腔a3。
散热片体300内还设置有挡片b，挡片b的一侧与第二片体321转动连接，挡片b的另一侧为自由端b1；
在实际执行中，挡片b的一侧可通过枢轴与第二片体321转动连接。
第一散热段310与第二散热段320之间具有第三散热段，该挡片b位于第一散热段310与第三散热段的交界处，挡片b在常温时能抵持第一片体311以封堵第一散热腔a1。
当第一散热腔a1内的气体受热膨胀时能打开挡片b，以使第一散热腔a1与第三散热腔a3互通。
第二散热腔a2与第三散热腔a3相连通，且第二散热腔a2内充满有散热介质c。
该散热介质c可以为高比热容的液体，该散热介质c包括但不限于为热传导油和水。
具体的，第三散热腔a3内的散热介质c会吸收上方陶瓷基板110的热量，因而第三散热腔a3内温度上升的慢；第一散热腔a1吸收下方陶瓷基板110的热量，因而第一散热腔a1内的温度上升的快。
即第一散热腔a1内的气体会向第三散热腔a3的方向膨胀，进而顶开挡片b，此时第一散热腔a1会与第三散热腔a3内的气体快速进行热对流，迅速使第一散热腔a1内的热量降低。
当陶瓷基板110内的芯片120不工作或者该芯片120温度下降到一定程度后，挡片b的自由端b1会回落到抵持第一片体311，从而封堵第一散热腔a1。
在实际执行中，第三散热腔a3上方该陶瓷基板110内的芯片120可以为低功率芯片120，第一散热腔a1下方该陶瓷基板110内的芯片120可以为高功率芯片120。
这样设计能增加第三散热腔a3与第一散热腔a1之间的温差，从而加强气体的热对流效果。
如图8和图9所示，在一些实施例中，第二散热段320设置于支撑结构200的表面，第一散热段310与支撑结构200间隔设置，第二散热段320的长度大于第一散热段310的长度。
这样设计，能使第二散热段320容纳更多的散热介质c，从而使散热介质c可以吸收更多的热，这样也能增加第三散热腔a3与第一散热腔a1之间的温差，进一步加强气体的热对流效果。
如图10所示，本申请还提供一种过压过流保护系统，包括：支撑结构200、多个散热片体300、多个第一电路板400以及电子元器件，所述电子元器件至少包括上述任意一实施例所述的金属陶瓷全密封封装的过压过流保护开关。
散热片体300为Z字形，第一电路板400为Z字形。
每两个散热片体300相对设置以使两个散热片体300的第一端间隔设置形成容纳部3a0，两个散热片体300的第二端贴合设置形成贴合部3b0。
每两个第一电路板400相对设置以使两个第一电路板400的第一端间隔设置，两个第一电路板400的第二端贴合设置，两个第一电路板400的第一端分别位于贴合部3b0相对的表面，两个第一电路板400的第二端位于容纳部3a0内。
其中，金属陶瓷全密封封装的过压过流保护开关的数量为多个，每个金属陶瓷全密封封装的过压过流保护开关的CSOP引针112均与第一电路板400的焊盘相连，且每个金属陶瓷全密封封装的过压过流保护开关夹设于容纳部3a0与第一电路板400的第二端之间，和每个金属陶瓷全密封封装的过压过流保护开关夹设于贴合部3b0与第一电路板400的第一端之间。
本实施例相较于上述任一实施例集成的金属陶瓷全密封封装的过压过流保护开关的数量更多，也能更有效的利用两个散热片体300所形成的容纳部3a0和贴合部3b0向外导热。
如图11所示，在一些实施例中，该过压过流保护系统还包括：第二电路板500。
第二电路板500设置于多个第一电路板400背离支撑结构200的一侧，且与多个第一电路板400电连接。
相较于单个第一电路板400的功能模块实现特定功能，本实施例通过第二电路板500与多个第一电路板400电连接，使多个第一电路板400和第二电路板500的功能模块发生协同作用。
以上均为本申请的较佳实施例，并非依此限制本申请的保护范围，故：凡依本申请的结构、形状、原理所做的等效变化，均应涵盖于本申请的保护范围之内。
Claims (8)
1.一种金属陶瓷全密封封装的过压过流保护系统，其特征在于，包括：支撑结构(200)、多个散热片体(300)、多个第一电路板(400)以及电子元器件；
所述电子元器件至少包括金属陶瓷全密封封装的过压过流保护开关，所述金属陶瓷全密封封装的过压过流保护开关包括：陶瓷基板(110)、芯片(120)、金属热沉(130)和外壳盖板(140)；所述陶瓷基板(110)开设有安装槽(111)，所述陶瓷基板(110)内设有导电线路层，所述陶瓷基板(110)的底面设有与所述导电线路层相连的CSOP引针(112)，所述CSOP引针(112)用于与外接电路相连；
所述芯片(120)倒装焊于所述安装槽(111)内，且所述芯片(120)的引脚与所述导电线路层相连；
所述金属热沉(130)贴合安装于所述陶瓷基板(110)的底面，并与所述CSOP引针(112)的高度相同；
所述外壳盖板(140)安装于所述陶瓷基板(110)上，并封闭所述安装槽(111)的槽口，所述外壳盖板(140)朝向所述安装槽(111)的一侧与所述芯片(120)相抵；
所述散热片体(300)设置于所述支撑结构(200)，且在所述支撑结构(200)的表面间隔开排布，所述散热片体(300)包括：第一散热段(310)和与所述第一散热段(310)相连的第二散热段(320)，所述第一散热段(310)与所述第二散热段(320)不共面，且与所述第二散热段(320)的延伸方向相反；
所述第一电路板(400)设置于所述支撑结构(200)，且沿所述支撑结构(200)间隔开排布，所述第一电路板(400)包括第一子板(410)和第二子板(420)，所述第一子板(410)与所述第二子板(420)不共面，且延伸方向相反；
其中，所述金属陶瓷全密封封装的过压过流保护开关的数量为多个，每个所述金属陶瓷全密封封装的过压过流保护开关的所述CSOP引针均与所述第一电路板(400)电性连接；
每个所述散热片体(300)的所述第一散热段(310)和所述第二散热段(320)都分别压接所述陶瓷基板(110)；
部分所述金属陶瓷全密封封装的过压过流保护开关的所述陶瓷基板(110)处于所述散热片体(300)的所述第一散热段(310)和所述第二子板(420)之间；
另一部分所述金属陶瓷全密封封装的过压过流保护开关的所述陶瓷基板(110)处于所述散热片体(300)的所述第二散热段(320)与所述第一子板(410)之间。
2.根据权利要求1所述的过压过流保护系统，其特征在于，所述芯片(120)的侧面与安装槽(111)的内壁之间呈预设间隔设置，所述芯片(120)还通过底填胶(150)固定于所述陶瓷基板(110)上，所述底填胶(150)能通过所述预设间隔填充于所述陶瓷基板(110)上。
3.根据权利要求1所述的过压过流保护系统，其特征在于，所述外壳盖板(140)朝向所述安装槽(111)的一侧涂覆有导热胶(160)，所述导热胶(160)与所述芯片(120)相抵。
4.根据权利要求1所述的过压过流保护系统，其特征在于，所述安装槽(111)的槽壁厚为0.7mm。
5.根据权利要求1所述的过压过流保护系统，其特征在于，所述散热片体(300)包括：第一片体(311)和与所述第一片体(311)平行相对设置的第二片体(321)；
所述第二片体(321)相比所述第一片体(311)更远离所述支撑结构(200)设置，所述第一片体(311)与所述第二片体(321)围合形成密闭的散热腔，所述散热腔包括与所述第一散热段(310)位置对应的第一散热腔(a1)、与所述第二散热段(320)位置对应的第二散热腔(a2)以及处于所述第一散热腔(a1)与所述第二散热腔(a2)中间的第三散热腔(a3)；
所述散热片体(300)内还设置有挡片(b)，所述挡片(b)的一侧与所述第二片体(321)转动连接，所述挡片(b)的另一侧为自由端(b1)；
所述第一散热段(310)与所述第二散热段(320)之间具有第三散热段，所述挡片(b)位于所述第一散热段(310)与所述第三散热段的交界处，所述挡片(b)在常温时能抵持所述第一片体(311)以封堵所述第一散热腔(a1)，当所述第一散热腔(a1)内的气体受热膨胀时能打开所述挡片(b)，以使所述第一散热腔(a1)与所述第三散热腔(a3)互通；
所述第二散热腔(a2)与所述第三散热腔(a3)相连通，且所述第二散热腔(a2)内充满有散热介质(c)。
6.根据权利要求5所述的过压过流保护系统，其特征在于，所述第二散热段(320)设置于所述支撑结构(200)的表面，所述第一散热段(310)与所述支撑结构(200)间隔设置，所述第二散热段(320)的长度大于所述第一散热段(310)的长度。
7.根据权利要求5所述的过压过流保护系统，其特征在于，所述金属陶瓷全密封封装的过压过流保护开关还包括：第二电路板(500)；
所述第二电路板(500)设置于多个所述第一电路板(400)背离所述支撑结构(200)的一侧，且与多个所述第一电路板(400)电连接。
8.根据权利要求7所述的过压过流保护系统，其特征在于，处于所述支撑结构(200)一端的散热片体(300)与所述支撑结构(200)之间夹设有加强块；
和/或，处于所述支撑结构(200)另一端的散热片体(300)与所述第二电路板(500)之间夹设有加强块。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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Applications Claiming Priority (1)
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Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN117438390A CN117438390A (zh) | 2024-01-23 |
| CN117438390B true CN117438390B (zh) | 2024-03-19 |
Family
ID=89553827
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202311755715.3A Active CN117438390B (zh) | 2023-12-20 | 2023-12-20 | 一种金属陶瓷全密封封装的过压过流保护开关和系统 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| CN (1) | CN117438390B (zh) |
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