CN117388906A - 基于弹针阵列的高像素密度辐射探测器晶体检测装置及平台 - Google Patents
基于弹针阵列的高像素密度辐射探测器晶体检测装置及平台 Download PDFInfo
- Publication number
- CN117388906A CN117388906A CN202311322105.4A CN202311322105A CN117388906A CN 117388906 A CN117388906 A CN 117388906A CN 202311322105 A CN202311322105 A CN 202311322105A CN 117388906 A CN117388906 A CN 117388906A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- crystal
- detected
- detection
- base
- array
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 125
- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims abstract description 85
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims abstract description 23
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000003491 array Methods 0.000 claims description 10
- 230000006835 compression Effects 0.000 claims description 5
- 238000007906 compression Methods 0.000 claims description 5
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 3
- 238000002788 crimping Methods 0.000 claims description 3
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 3
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims description 3
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- QWUZMTJBRUASOW-UHFFFAOYSA-N cadmium tellanylidenezinc Chemical compound [Zn].[Cd].[Te] QWUZMTJBRUASOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-2h-tetrazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NNN=N1 MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000005251 gamma ray Effects 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/24—Measuring radiation intensity with semiconductor detectors
- G01T1/241—Electrode arrangements, e.g. continuous or parallel strips or the like
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/24—Measuring radiation intensity with semiconductor detectors
- G01T1/247—Detector read-out circuitry
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T7/00—Details of radiation-measuring instruments
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
Abstract
本发明公开了一种基于弹针阵列的高像素密度辐射探测器晶体检测装置及平台，包括晶体基座、弹针阵列、检测电路和高压模块；被检测晶体放置于晶体基座内，晶体基座与弹针阵列在XY平面的投影位置保持不变，弹针阵列可沿着Z轴方向运动；通过放置塞块，将被检测晶体紧固在晶体基座内，并利用特定形状的塞块改变被检测晶体与弹针阵列之间的位置偏移量，使弹针针尖正对待检测像素的电极中心；对于高像素密度被检测晶体，弹针阵列相邻弹针之间间距设定为被检测晶体像素间距的整数倍。本发明基于常规间距的弹针阵列，配合简易的塞块装置调整晶体位置，多次弹压实现高像素密度晶体检测。
Description
技术领域
本发明属于辐射探测领域，具体是一种基于弹针阵列的高像素密度辐射探测器晶体检测装置及平台。
背景技术
晶体缺陷检测是辐射探测器生产制造的重要环节之一；近年来以CdTe(碲化镉)与CZT(碲锌镉)等化合物半导体为代表的晶体材料在X射线与gamma射线探测器领域应用日渐突显，晶体具有阵列式的像素电极结构，各电极与读出电路输入端通过倒装工艺实现一对一互连，组成探测器像素阵列。在晶体与电路倒装前，需要对晶体进行质量检测，排查晶体缺陷。对于像素型晶体，通常采用弹针(Pogo-Pi n)阵列形式的工装进行检测，弹针阵列一端与读出电路互连，另一端与晶体电极通过弹压接触，实现非焊接互连，检测装置如附图4所示。传统检测装置弹针数目与晶体像素数目相同，针距与像素间距相同，受限于弹针的加工工艺限制，弹针阵列密度逐渐无法满足高像素密度辐射探测器的检测需求。
发明内容
本发明为了解决上述现有技术中存在的缺陷和不足，提供了一种采用的弹针间距为晶体像素间距的整数倍数，弹针阵列与固定塞块配合使用调整被检测晶体像素电极与弹针阵列的相对位置，采用分区域多次检测方式，可实现高像素密度晶体的全像素检测，扩展了弹针阵列检测能力的基于弹针阵列的高像素密度辐射探测器晶体检测装置及平台。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：一种基于弹针阵列的高像素密度辐射探测器晶体检测装置，包括晶体基座、弹针阵列、检测电路和高压模块；
被检测晶体放置于晶体基座内，晶体基座与弹针阵列在XY平面的投影位置保持不变，弹针阵列可沿着Z轴方向运动；通过放置塞块，将被检测晶体紧固在晶体基座内，并利用特定形状的塞块改变被检测晶体与弹针阵列之间的位置偏移量，使弹针针尖正对待检测像素的电极中心；对于高像素密度被检测晶体，弹针阵列相邻弹针之间间距设定为被检测晶体像素间距的整数倍。
优选地，所述弹针阵列由弹针与弹针基座组成，弹针与检测电路上的电路电极之间通过焊接或连线实现互连；检测电路含多路电荷放大读出电路，可实现被检测晶体像素检测功能；弹针阵列与读出电路固定在一起。
优选地，弹针阵列上相邻弹针之间间距在X方向等于被检测晶体像素间距M倍，Y方向等于被检测晶体像素间距N倍；弹针阵列与被检测晶体每一次压接后检测全部阵列1/(MxN)数目的像素，通过不同塞块调整被检测晶体在晶体基座内的位置，MxN次压接实现全部像素检测。
优选地，被检测晶体的阳极一侧具有像素电极，阴极一侧具有公共电极；公共电极通过高压导线与高压模块连接，公共电极与晶体基座之间由绝缘垫隔离；高压模块与检测电路具有相同参考地。
一种用于基于弹针阵列的高像素密度辐射探测器晶体检测装置的检测平台，包括用于安装弹针阵列与检测电路的弹针基台、用于安装晶体基座的检测件基台以及配合弹针基台的滑动导轨；所述弹针基台上包含1组以上弹针阵列。
优选地，弹针阵列与检测电路均固定于弹针基台上，晶体基座固定于检测件基台上，弹针基台可沿着滑动导轨移动，弹针间距在X方向为被检测晶体像素间距M倍，Y方向为被检测晶体像素间距N倍，弹针阵列跟随弹针基台运动，沿Z轴方向移动，实现压接，压接一次检测全部阵列1/(MxN)数目的像素；一次检测后，更换塞块，调整塞块与被检测晶体在晶体基座内的位置，进行下一次检测；MxN次压接后实现全部像素检测；检测件基台上有开槽，供高压引线走线。
优选地，该检测平台的弹针基台上包含1组或多组弹针阵列，可进行一块晶体的检测或者同时进行多块晶体的检测。
本发明中弹针阵列的弹针间距为被检测晶体像素间距的整数倍，弹针阵列与晶体基座在XY平面投影相对位置保持静止，通过塞块调整被检测晶体像素电极与弹针阵列的相对位置，通过多次弹压与调整塞块完成弹针与像素电极接触，实现像素密度高于弹针密度的晶体检测，扩展了弹针阵列检测能力。
附图说明
图1为本发明基于弹针阵列的高密度辐射探测器晶体检测装置的结构示意图；
图2为本发明中晶体分像素区域多次检测原理示意图；
图3为本发明基于弹针阵列的高密度辐射探测器晶体检测平台的结构示意图；
图4为本发明背景技术中常规弹针阵列检测装置的结构示意图；
图中100：晶体基座，200：被检测晶体，210：晶体公共电极，220：晶体像素电极，300：弹针阵列，310：弹针，320：弹针座，400：检测电路，500：高压模块，510：高压引线，600：塞块，700：绝缘垫，810：检测件基台，820：弹针基台，830：滑动导轨。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例1
一种基于弹针阵列的辐射探测器晶体检测装置，基本组成结构如附图1所示。该装置由晶体基座100、弹针阵列300、检测电路400、高压模块500、塞块600、绝缘垫700组成。
弹针阵列300由弹针310与弹针基座320组成。弹针310与检测电路400上的电路电极之间通过焊接或连线实现互连。检测电路400含多路电荷放大读出电路，可以实现晶体像素检测功能。弹针阵列300与读出电路400固定在一起。
被检测晶体200放置于晶体基座100内，晶体基座100与弹针阵列300在XY平面的投影位置保持不变，弹针阵列300可沿着图1所示Z轴方向运动。通过放置塞块600，将晶体200紧固在晶体基座100内，并利用特定形状的塞块改变晶体200与弹针阵列300之间的位置偏移量，可以使弹针针尖正对待检测像素的电极中心。
对于高像素密度晶体，相邻弹针之间间距设定为晶体像素间距的整数倍，附图2所示的一个实例为弹针间距等于晶体像素间距2倍。弹针阵列与晶体每一次压接后检测全部阵列1/4数目的像素，通过不同塞块调整晶体200在晶体基座100内的位置，4次压接实现全部像素检测。
晶体200的阳极一侧具有像素电极220，阴极一侧具有公共电极210。公共电极210通过高压导线510与高压模块500连接，公共电极210与晶体基座100之间由绝缘垫700隔离。高压模块500与检测电路400具有相同参考地。
实施例2
一种基于弹针阵列的高密度辐射探测器晶体检测平台，如附图3所示。弹针阵列300与检测电路400均固定于弹针基台820上，晶体基座100固定于检测件基台810上，弹针基台820可沿着滑动导轨830移动，弹针间距为像素间距的2倍，弹针阵列300跟随弹针基台820运动，沿图中Z轴方向移动，实现压接，压接一次检测全部阵列1/4数目的像素。一次检测后，更换塞块600，调整塞块600与被检测晶体200在晶体基座100内的位置，进行下一次检测。4次压接后实现全部像素检测。检测件基态810上有开槽，供高压引线510走线。本实施例检测机台上包含2组弹针阵列，可以进行2块晶体的检测。但本发明所述检测件基台与弹针基台上不限于仅包含2组弹针阵列。
本发明的特征在于，弹针阵列的弹针间距为被检测晶体像素间距的整数倍，弹针阵列与晶体基座在XY平面投影相对位置保持静止，通过塞块调整被检测晶体像素电极与弹针阵列的相对位置，通过多次弹压与调整塞块完成弹针与像素电极接触，实现像素密度高于弹针密度的晶体检测。
本发明的优点在于，基于常规间距的弹针阵列，配合简易的塞块装置调整晶体位置，多次弹压实现高像素密度晶体检测。
Claims (7)
1.一种基于弹针阵列的高像素密度辐射探测器晶体检测装置，其特征在于：其包括晶体基座、弹针阵列、检测电路和高压模块；
被检测晶体放置于晶体基座内，晶体基座与弹针阵列在XY平面的投影位置保持不变，弹针阵列可沿着Z轴方向运动；通过放置塞块，将被检测晶体紧固在晶体基座内，并利用特定形状的塞块改变被检测晶体与弹针阵列之间的位置偏移量，使弹针针尖正对待检测像素的电极中心；对于高像素密度被检测晶体，弹针阵列相邻弹针之间间距设定为被检测晶体像素间距的整数倍。
2.根据权利要求1所述的一种基于弹针阵列的高像素密度辐射探测器晶体检测装置，其特征在于：所述弹针阵列由弹针与弹针基座组成，弹针与检测电路上的电路电极之间通过焊接或连线实现互连；检测电路含多路电荷放大读出电路，可实现被检测晶体像素检测功能；弹针阵列与读出电路固定在一起。
3.根据权利要求1所述的一种基于弹针阵列的高像素密度辐射探测器晶体检测装置，其特征在于：弹针阵列上相邻弹针之间间距在X方向等于被检测晶体像素间距M倍，Y方向等于被检测晶体像素间距N倍；弹针阵列与被检测晶体每一次压接后检测全部阵列1/(MxN)数目的像素，通过不同塞块调整被检测晶体在晶体基座内的位置，MxN次压接实现全部像素检测。
4.根据权利要求1所述的一种基于弹针阵列的高像素密度辐射探测器晶体检测装置，其特征在于：被检测晶体的阳极一侧具有像素电极，阴极一侧具有公共电极；公共电极通过高压导线与高压模块连接，公共电极与晶体基座之间由绝缘垫隔离；高压模块与检测电路具有相同参考地。
5.一种用于如权利要求1所述的基于弹针阵列的高像素密度辐射探测器晶体检测装置的检测平台，其特征在于：其包括用于安装弹针阵列与检测电路的弹针基台、用于安装晶体基座的检测件基台以及配合弹针基台的滑动导轨；所述弹针基台上包含1组以上弹针阵列。
6.根据权利要求5所述的一种用于基于弹针阵列的高像素密度辐射探测器晶体检测装置的检测平台，其特征在于：弹针阵列与检测电路均固定于弹针基台上，晶体基座固定于检测件基台上，弹针基台可沿着滑动导轨移动，弹针间距在X方向为被检测晶体像素间距M倍，Y方向为被检测晶体像素间距N倍，弹针阵列跟随弹针基台运动，沿Z轴方向移动，实现压接，压接一次检测全部阵列1/(MxN)数目的像素；一次检测后，更换塞块，调整塞块与被检测晶体在晶体基座内的位置，进行下一次检测；MxN次压接后实现全部像素检测；检测件基台上有开槽，供高压引线走线。
7.根据权利要求5所述的一种用于基于弹针阵列的高像素密度辐射探测器晶体检测装置的检测平台，其特征在于：该检测平台的弹针基台上包含1组或多组弹针阵列，可进行一块晶体的检测或者同时进行多块晶体的检测。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202311322105.4A CN117388906B (zh) | 2023-10-12 | 2023-10-12 | 基于弹针阵列的高像素密度辐射探测器晶体检测装置及平台 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202311322105.4A CN117388906B (zh) | 2023-10-12 | 2023-10-12 | 基于弹针阵列的高像素密度辐射探测器晶体检测装置及平台 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN117388906A true CN117388906A (zh) | 2024-01-12 |
| CN117388906B CN117388906B (zh) | 2024-06-21 |
Family
ID=89436863
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202311322105.4A Active CN117388906B (zh) | 2023-10-12 | 2023-10-12 | 基于弹针阵列的高像素密度辐射探测器晶体检测装置及平台 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN117388906B (zh) |
Citations (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09270447A (ja) * | 1996-03-29 | 1997-10-14 | Toshiba Corp | 結晶欠陥検出装置 |
| JPH10307076A (ja) * | 1997-05-09 | 1998-11-17 | Sony Corp | 液晶表示素子用検査装置及び方法 |
| JP2000266671A (ja) * | 1999-03-15 | 2000-09-29 | Toshiba Microelectronics Corp | 結晶欠陥検出装置及び結晶欠陥検出方法 |
| US6272207B1 (en) * | 1999-02-18 | 2001-08-07 | Creatv Microtech, Inc. | Method and apparatus for obtaining high-resolution digital X-ray and gamma ray images |
| US20100148082A1 (en) * | 2008-12-16 | 2010-06-17 | General Electric Company | Radiation Detecting Pixel Array Signal Routing |
| JP2010217137A (ja) * | 2009-03-19 | 2010-09-30 | Shimadzu Corp | プローバフレーム、およびｔｆｔアレイ検査装置 |
| CN201892745U (zh) * | 2010-07-20 | 2011-07-06 | 高占军 | 多排线阵列x射线探测器 |
| US20120068078A1 (en) * | 2010-09-19 | 2012-03-22 | Nuctech Company Limited | Radiation detector, imaging device and electrode structure thereof, and method for acquiring an image |
| US20170322319A1 (en) * | 2016-05-03 | 2017-11-09 | Redlen Technologies, Inc. | Sub-pixel segmentation for semiconductor radiation detectors and methods of fabricating thereof |
| TWI605258B (zh) * | 2016-08-26 | 2017-11-11 | 均豪精密工業股份有限公司 | 列陣探針自動引導教育系統及其方法 |
| CN107782921A (zh) * | 2016-08-26 | 2018-03-09 | 均豪精密工业股份有限公司 | 列阵探针自动引导教育系统及其方法 |
| KR20190071140A (ko) * | 2017-12-14 | 2019-06-24 | 세메스 주식회사 | 어레이 테스트 장치 |
| CN110100191A (zh) * | 2016-12-21 | 2019-08-06 | 皇家飞利浦有限公司 | 伽马辐射探测器的保护件 |
| CN110687583A (zh) * | 2019-11-05 | 2020-01-14 | 中国计量科学研究院 | 一种基于czt探测器的位置能量时间测试系统及装置 |
| CN111146222A (zh) * | 2019-12-10 | 2020-05-12 | 南京威派视半导体技术有限公司 | 一种基于多晶圆堆叠技术的多区块像元阵列 |
| CN111638543A (zh) * | 2020-05-28 | 2020-09-08 | 中国科学院近代物理研究所 | 一种位置灵敏的晶体阵列探头制作工艺 |
| CN112002718A (zh) * | 2020-08-14 | 2020-11-27 | 上海奕瑞光电子科技股份有限公司 | X射线探测器及其制备方法 |
| CN114296278A (zh) * | 2021-11-30 | 2022-04-08 | 滁州惠科光电科技有限公司 | 阵列基板、显示面板及显示装置 |
| CN114582907A (zh) * | 2022-04-29 | 2022-06-03 | 浙江大学 | 基于多层石墨烯/半导体的辐射探测器阵列及其制备方法 |
| CN217765246U (zh) * | 2022-06-16 | 2022-11-08 | 无锡中科德芯感知科技有限公司 | 短波红外探测器 |
| US20230184824A1 (en) * | 2020-11-27 | 2023-06-15 | Advantest Corporation | Test arrangement for testing one or more devices, test support module for supporting testing one or more devices, and method for operating an automated test equipment |
| CN219328903U (zh) * | 2023-01-13 | 2023-07-11 | 陕西迪泰克新材料有限公司 | 像素型面阵探测器伽马能谱测试系统 |
| CN116735604A (zh) * | 2023-06-13 | 2023-09-12 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 大尺寸激光晶体内在缺陷无损检测系统及方法 |
-
2023
- 2023-10-12 CN CN202311322105.4A patent/CN117388906B/zh active Active
Patent Citations (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09270447A (ja) * | 1996-03-29 | 1997-10-14 | Toshiba Corp | 結晶欠陥検出装置 |
| JPH10307076A (ja) * | 1997-05-09 | 1998-11-17 | Sony Corp | 液晶表示素子用検査装置及び方法 |
| US6272207B1 (en) * | 1999-02-18 | 2001-08-07 | Creatv Microtech, Inc. | Method and apparatus for obtaining high-resolution digital X-ray and gamma ray images |
| JP2000266671A (ja) * | 1999-03-15 | 2000-09-29 | Toshiba Microelectronics Corp | 結晶欠陥検出装置及び結晶欠陥検出方法 |
| US20100148082A1 (en) * | 2008-12-16 | 2010-06-17 | General Electric Company | Radiation Detecting Pixel Array Signal Routing |
| JP2010217137A (ja) * | 2009-03-19 | 2010-09-30 | Shimadzu Corp | プローバフレーム、およびｔｆｔアレイ検査装置 |
| CN201892745U (zh) * | 2010-07-20 | 2011-07-06 | 高占军 | 多排线阵列x射线探测器 |
| US20120068078A1 (en) * | 2010-09-19 | 2012-03-22 | Nuctech Company Limited | Radiation detector, imaging device and electrode structure thereof, and method for acquiring an image |
| US20170322319A1 (en) * | 2016-05-03 | 2017-11-09 | Redlen Technologies, Inc. | Sub-pixel segmentation for semiconductor radiation detectors and methods of fabricating thereof |
| CN107782921A (zh) * | 2016-08-26 | 2018-03-09 | 均豪精密工业股份有限公司 | 列阵探针自动引导教育系统及其方法 |
| TWI605258B (zh) * | 2016-08-26 | 2017-11-11 | 均豪精密工業股份有限公司 | 列陣探針自動引導教育系統及其方法 |
| CN110100191A (zh) * | 2016-12-21 | 2019-08-06 | 皇家飞利浦有限公司 | 伽马辐射探测器的保护件 |
| KR20190071140A (ko) * | 2017-12-14 | 2019-06-24 | 세메스 주식회사 | 어레이 테스트 장치 |
| CN110687583A (zh) * | 2019-11-05 | 2020-01-14 | 中国计量科学研究院 | 一种基于czt探测器的位置能量时间测试系统及装置 |
| CN111146222A (zh) * | 2019-12-10 | 2020-05-12 | 南京威派视半导体技术有限公司 | 一种基于多晶圆堆叠技术的多区块像元阵列 |
| CN111638543A (zh) * | 2020-05-28 | 2020-09-08 | 中国科学院近代物理研究所 | 一种位置灵敏的晶体阵列探头制作工艺 |
| CN112002718A (zh) * | 2020-08-14 | 2020-11-27 | 上海奕瑞光电子科技股份有限公司 | X射线探测器及其制备方法 |
| US20230184824A1 (en) * | 2020-11-27 | 2023-06-15 | Advantest Corporation | Test arrangement for testing one or more devices, test support module for supporting testing one or more devices, and method for operating an automated test equipment |
| CN114296278A (zh) * | 2021-11-30 | 2022-04-08 | 滁州惠科光电科技有限公司 | 阵列基板、显示面板及显示装置 |
| CN114582907A (zh) * | 2022-04-29 | 2022-06-03 | 浙江大学 | 基于多层石墨烯/半导体的辐射探测器阵列及其制备方法 |
| CN217765246U (zh) * | 2022-06-16 | 2022-11-08 | 无锡中科德芯感知科技有限公司 | 短波红外探测器 |
| CN219328903U (zh) * | 2023-01-13 | 2023-07-11 | 陕西迪泰克新材料有限公司 | 像素型面阵探测器伽马能谱测试系统 |
| CN116735604A (zh) * | 2023-06-13 | 2023-09-12 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 大尺寸激光晶体内在缺陷无损检测系统及方法 |
Non-Patent Citations (4)
| Title |
|---|
| S.V.VADAWALE: "Multipixel characterization of imaging CZT detectors for hard X-ray imaging and spectroscopy", HARD X-RAY AND GAMMA-RAY DETECTOR PHYSICS VI, vol. 5540, 21 October 2004 (2004-10-21), pages 3 - 5 * |
| 李德辉;徐扬;尹红;蒋春健;胡吉海;赵晓东;冯大建: "LSO晶体及阵列加工技术研究", 压电与声光, no. 003, 31 December 2013 (2013-12-31) * |
| 李红日等: "基于ASIC的CdZnTe像素探测器的研制", 第十六届全国核电子学与核探测技术学术年会论文集（上册）, 15 August 2012 (2012-08-15) * |
| 黎淼: "面元像素CdZnTe高能辐射探测器原理、系统及特性研究", 博士电子期刊 工程科技II辑, vol. 2013, no. 2, 15 February 2013 (2013-02-15) * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN117388906B (zh) | 2024-06-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20100045265A1 (en) | Method and device for forming a temporary electrical contact to a solar cell | |
| CN101889338B (zh) | 用于晶圆测试的方法以及用于该方法的探针卡 | |
| CN101154609B (zh) | 凸块测试单元、装置及测试方法 | |
| CN105572486A (zh) | 一种电荷耦合器件中子辐照后的电荷转移效率测试方法 | |
| KR101694474B1 (ko) | 영상 타일을 구비하는 방사선 영상 패널의 제조방법 | |
| KR101814948B1 (ko) | 태양전지 셀용 출력 측정 지그 및 태양전지 셀의 출력 측정 방법 | |
| CN107911080B (zh) | 太阳能电池电性能的测试装置 | |
| CN117388906B (zh) | 基于弹针阵列的高像素密度辐射探测器晶体检测装置及平台 | |
| Becks et al. | The DELPHI pixels | |
| CN202974890U (zh) | 多功能pcb测试系统 | |
| CN110161063B (zh) | 一种扫描透射电子束诱导电流分析系统及方法 | |
| GB2246662A (en) | Testing photodetector devices | |
| Adloff et al. | MICROROC: MICRO-mesh gaseous structure Read-Out Chip | |
| CN114361190B (zh) | 像元错位的铟镓砷线列探测器、检测方法及铟镓砷光敏芯片 | |
| CN114966368A (zh) | 一种基于视觉混合定位的静电自动化测试系统 | |
| US20200243592A1 (en) | Active matrix substrate, and inspection device for the active matrix substrate | |
| CN114488272A (zh) | 一种探测器评测装置及方法 | |
| CN221531445U (zh) | 一种背接触电池的测试系统 | |
| CN218099250U (zh) | 一种新型Toll封装测试板结构 | |
| CN220798220U (zh) | 一种太阳能电池片测试装置及系统 | |
| CN112928108A (zh) | 用于探测器的读出芯片 | |
| CN219715663U (zh) | 一种led晶粒测试机的高精度检测装置 | |
| TWI291563B (en) | Sensing system with multiple probe sets, probe card and testing method | |
| CN112113965B (zh) | 一种led芯粒光参数测试方法 | |
| CN210380767U (zh) | 太阳能电池测试装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |