CN117316968A - 图像传感器 - Google Patents

图像传感器 Download PDF

Info

Publication number
CN117316968A
CN117316968A CN202311289610.3A CN202311289610A CN117316968A CN 117316968 A CN117316968 A CN 117316968A CN 202311289610 A CN202311289610 A CN 202311289610A CN 117316968 A CN117316968 A CN 117316968A
Authority
CN
China
Prior art keywords
pixel
region
pad
image sensor
separation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202311289610.3A
Other languages
English (en)
Inventor
李昌根
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of CN117316968A publication Critical patent/CN117316968A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14603—Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
    • H01L27/14605—Structural or functional details relating to the position of the pixel elements, e.g. smaller pixel elements in the center of the imager compared to pixel elements at the periphery
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/1463—Pixel isolation structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76898—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics formed through a semiconductor substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/481—Internal lead connections, e.g. via connections, feedthrough structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14603—Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14603—Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
    • H01L27/14607—Geometry of the photosensitive area
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
    • H01L27/14612—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements involving a transistor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14636—Interconnect structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/1464—Back illuminated imager structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14641—Electronic components shared by two or more pixel-elements, e.g. one amplifier shared by two pixel elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
    • H01L27/14645—Colour imagers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H01L27/14689—MOS based technologies
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Abstract

公开了图像传感器，其包括：含像素区域和焊盘区域的基板，包括相对的第一和第二表面；焊盘区域上的第一和第二焊盘分隔沟槽，分别从第二和第一表面朝彼此延伸且彼此接触；和像素区域上的像素组，包括：分别在第一至第四区中的第一至第四单元像素，第一和第二区在第一方向相邻，第三和第四区在第一方向相邻，在与第一方向垂直的第二方向上第三和第四区分别邻近第二和第一区；源极跟随器栅极和选择栅极；第一和第二单元像素间的像素分隔沟槽，从第二表面朝第一表面延伸；在第一表面和像素分隔沟槽间且接触二者的像素分隔区；像素分隔沟槽中的绝缘图案；以及在第一和第二区中的第二表面上且在绝缘图案上的固定电荷层，图像传感器在第二表面接收光。

Description

图像传感器
本申请是申请日为2018年10月26日且题为“图像传感器和制造其的方法”的第201811256111.3号发明专利申请的分案申请。
技术领域
发明构思涉及图像传感器和制造其的方法。
背景技术
图像传感器将光学图像转换成电信号。图像传感器可以被归类为电荷耦合器件(CCD)型或互补金属氧化物半导体(CMOS)型。CIS(CMOS图像传感器)是CMOS型图像传感器。CIS可以包括多个二维排列的像素。每个像素包括光电二极管(PD)。光电二极管用于将入射光转换成电信号。
发明内容
发明构思的一些实施方式提供了高可靠的图像传感器和制造其的方法。
根据发明构思的一些实施方式，一种图像传感器可以包括：半导体基板，包括像素区域和焊盘区域，并具有彼此相对的第一表面和第二表面；第一焊盘分隔图案，在焊盘区域上，并从半导体基板的第一表面朝向第二表面延伸；第二焊盘分隔图案，在焊盘区域上，并从半导体基板的第二表面朝向第一表面延伸，第二焊盘分隔图案与第一焊盘分隔图案接触；以及像素分隔图案，在像素区域上，并从第二表面朝向第一表面延伸。
根据发明构思的一些实施方式，一种图像传感器可以包括：半导体基板，包括焊盘区域，并具有彼此相对的第一表面和第二表面；第一焊盘分隔图案，在焊盘区域上，并从半导体基板的第一表面朝向半导体基板的第二表面延伸；第二焊盘分隔图案，在焊盘区域上，并从半导体基板的第二表面朝向半导体基板的第一表面延伸，第二焊盘分隔图案与第一焊盘分隔图案接触；以及贯通通路，在焊盘区域上，并与第一焊盘分隔图案和第二焊盘分隔图案间隔开，贯通通路穿透半导体基板。第一焊盘分隔图案可以设置在提供于半导体基板中的沟槽中。该沟槽可以与半导体基板的第一表面相邻。第一焊盘分隔图案可以包括覆盖所述沟槽的内表面的衬垫绝缘图案、以及填充所述沟槽的掩埋绝缘图案。
根据发明构思的一些实施方式，一种制造图像传感器的方法可以包括：提供半导体基板，该半导体基板包括焊盘区域和像素区域，并具有彼此相对的第一表面和第二表面；在焊盘区域上形成位于半导体基板中的第一焊盘分隔图案，第一焊盘分隔图案与半导体基板的第一表面相邻；以及蚀刻半导体基板的第二表面，以在焊盘区域上形成暴露第一焊盘分隔图案的第一沟槽，并在像素区域上形成第二沟槽。
附图说明
图1示出显示了根据本发明构思的示例实施方式的图像传感器的俯视图。
图2示出根据本发明构思的示例实施方式的沿图1的线I-I'截取的剖视图。
图3A至3D示出显示了根据本发明构思的示例实施方式的图2的部分P2的剖视图。
图4示出显示了根据本发明构思的示例实施方式的图1的部分P1的放大图。
图5示出根据本发明构思的示例实施方式的沿图4的线II-II'截取的剖视图。
图6示出显示了根据本发明构思的示例实施方式的图像传感器的电路图。
图7至15示出显示了根据本发明构思的示例实施方式的制造具有图2的剖面的图像传感器的方法的剖视图。
具体实施方式
要指出的是，本发明构思的关于一个实施方式描述的方面可以并入不同的实施方式中，尽管未关于其进行具体描述。也就是，所有实施方式和/或任何实施方式的特征能以任何方式和/或组合进行组合。本发明构思的这些及另外的目的和/或方面在下面阐述的说明书中进行详细解释。
在下文中，将结合附图详细描述发明构思的一些实施方式，以帮助清楚地理解发明构思。
图1示出显示了根据发明构思的一些实施方式的图像传感器的俯视图。图2示出沿图1的线I-I'截取的剖视图。
参照图1和2，示出了包括焊盘区域A、逻辑区域B和像素区域C的半导体基板1。半导体基板1可以具有彼此相对的第一表面1a和第二表面1b。半导体基板1可以在像素区域C上被掺杂以例如P型导电性杂质。像素区域C可以包括多个单元像素UP1、UP2、UP3和/或UP4。像素区域C可以在其上提供有传输入射光所产生的电荷的转移晶体管、重置晶体管、选择晶体管和源极跟随器晶体管。逻辑区域B可以在其上提供有包括逻辑晶体管LTR的逻辑电路，逻辑晶体管LTR驱动设置在像素区域C上的晶体管。焊盘区域A可以在其上提供有包括焊盘39p的贯通通路39，焊盘39p提供电和/或与逻辑电路通信电信号。
逻辑晶体管LTR可以设置在第一表面1a上。第一表面1a可以用层间电介质层15覆盖。层间电介质层15可以由多层形成，该多层包括硅氧化物层、硅氮化物层、硅氮氧化物层和多孔低k电介质层中的一个或更多个。层间电介质层15可以在其中提供有导电线17。层间电介质层15的底表面可以用第一钝化层19覆盖。第一钝化层19可以由例如硅氮化物层和/或聚酰亚胺层形成。
在焊盘区域A上，半导体基板1可以在其中提供有从第一表面1a朝向第二表面1b延伸的第一焊盘分隔沟槽3。第一焊盘分隔沟槽3可以与第一表面1a相邻。第一焊盘分隔沟槽3的内表面可以用衬垫绝缘图案5b共形地覆盖。衬垫绝缘图案5b可以由例如硅氮化物层形成。第一焊盘分隔沟槽3可以用第一掩埋绝缘图案7a填充。第一掩埋绝缘图案7a可以由与衬垫绝缘图案5b的材料不同的材料(例如硅氧化物层)形成。第一掩埋绝缘图案7a和衬垫绝缘图案5b可以构成第一焊盘分隔图案6。将理解，虽然这里可以使用术语第一、第二、第三等来描述各种元件，但是元件不应受这些术语限制；更确切地，这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。因此，下面讨论的第一元件可被称为第二元件而不脱离本发明构思的范围。
在焊盘区域A上，半导体基板1可以在其中提供有从第二表面1b朝向第一表面1a延伸的第二焊盘分隔沟槽21a。第二焊盘分隔沟槽21a可以与第二表面1b相邻。第二焊盘分隔沟槽21a的内表面可以用固定电荷层23共形地覆盖。第二焊盘分隔沟槽21a可以用第二掩埋绝缘层25填充。固定电荷层23可以包括金属氧化物层或金属氟化物层，金属氧化物层包含量小于其化学计量比的氧，金属氟化物层包含量小于其化学计量比的氟。照此，固定电荷层23可以具有负的固定电荷。固定电荷层23可以包括金属氧化物和金属氟化物中的至少一种，所述金属氧化物和所述金属氟化物包含从包括铪(Hf)、锆(Zr)、铝(Al)、钽(Ta)、钛(Ti)、钇(Y)和镧系元素的组中选择的至少一种金属。例如，固定电荷层23可以是或者可以包括铪氧化物层或铝氟化物层。固定电荷层23周围可以发生空穴累积。因此，暗电流和白斑可以由于固定电荷层23周围的空穴累积而有效地减少。第二掩埋绝缘层25可以由与固定电荷层23的材料不同的材料形成。第二掩埋绝缘层25可以由例如硅氧化物层形成。第二焊盘分隔图案27可以由设置在第二焊盘分隔沟槽21a中的固定电荷层23和第二掩埋绝缘层25构成。
在俯视图中，第一焊盘分隔图案6和第二焊盘分隔图案27可以形成为围绕贯通通路39。第一焊盘分隔图案6和第二焊盘分隔图案27可以与贯通通路39间隔开。半导体基板1可以部分地插置在第一焊盘分隔图案6与贯通通路39之间以及第二焊盘分隔图案27与贯通通路39之间。固定电荷层23和第二掩埋绝缘层25可以从第二焊盘分隔沟槽21a向外延伸，覆盖第二表面1b。
图3A至3D示出显示了根据发明构思的一些实施方式的图2的部分P2的剖视图。
参照图3A，第一焊盘分隔图案6可以包括与半导体基板1的第一表面1a相对并间隔开的顶表面6u。第二焊盘分隔图案27可以包括与半导体基板1的第二表面1b相对并间隔开的底表面27b。第一焊盘分隔图案6的顶表面6u可以具有第一宽度W1，第一宽度W1大于第二焊盘分隔图案27的底表面27b的第二宽度W2。第二焊盘分隔图案27的底表面27b可以比第一焊盘分隔图案6的顶表面6u离第一表面1a更近。例如，第二焊盘分隔图案27的一部分可以插入到第一焊盘分隔图案6中。第一焊盘分隔图案6可以具有与第一表面1a共面的底表面6b。
参照图3B，根据一些实施方式，第二焊盘分隔图案27的底表面27b可以位于与第一焊盘分隔图案6的顶表面6u的水平相同的水平处。第一焊盘分隔图案6的顶表面6u可以具有比第二焊盘分隔图案27的底表面27b的宽度大的宽度。
不同地，参照图3C，第二焊盘分隔图案27的底表面27b可以位于与第一焊盘分隔图案6的顶表面6u的水平相同的水平处。第一焊盘分隔图案6的顶表面6u可以具有与第二焊盘分隔图案27的底表面27b的宽度相同的宽度。
在一些实施方式中，参照图3D，第二焊盘分隔图案27的一侧下端可以从第一焊盘分隔图案6横向突出。第一焊盘分隔图案6的一侧上端可以从第二焊盘分隔图案27横向突出。第二焊盘分隔图案27的所述一侧下端的突出方向可以与第一焊盘分隔图案6的所述一侧上端的突出方向相反。第二焊盘分隔图案27可以包括与第一焊盘分隔图案6接触的第一底表面27b1、以及从第一焊盘分隔图案6横向突出的第二底表面27b2。第二底表面27b2可以比第一底表面27b1离半导体基板1的第一表面1a更近。
参照回图1和2，贯通通路39可以设置在贯通通路孔33中，贯通通路孔33穿透第二掩埋绝缘层25、固定电荷层23、半导体基板1、以及层间电介质层15的一部分。贯通通路39可以联接到导电线17之一。贯通通路39可以包括彼此不同的第一金属层35和第二金属层37。第一金属层35可以具有比第二金属层37的电阻小的电阻。第二金属层37可以表现出比第一金属层35的间隙填充特性优越的间隙填充特性。第一金属层35可以是或者可以包括例如钨。第二金属层37可以是或者可以包括例如铝。焊盘39p可以从第二掩埋绝缘层25向外突出。焊盘39p可以具有比设置在贯通通路孔33中的贯通通路39的宽度大的宽度。
像素区域C可以在其上提供有像素分隔图案29，像素分隔图案29将单元像素UP1、UP2、UP3和UP4彼此分开。在俯视图中，像素分隔图案29可以具有网络形状。像素分隔图案29可以设置在从第二表面1b朝向第一表面1a延伸的像素分隔沟槽21b中。像素分隔沟槽21b可以与第二表面1b相邻。像素分隔图案29可以包括固定电荷层23和第二掩埋绝缘层25。固定电荷层23可以从第二表面1b延伸并共形地覆盖像素分隔沟槽21b的内表面。第二掩埋绝缘层25可以填充像素分隔沟槽21b。像素分隔图案29可以与第一表面1a间隔开。像素分隔区13可以设置在第一表面1a与像素分隔图案29之间并与像素分隔图案29接触。像素分隔区13可以是或者可以包括杂质掺杂区，该杂质掺杂区被掺杂以具有与半导体基板1中掺杂的杂质的导电性相同的导电性(例如P型导电性)的杂质。像素分隔区13的杂质浓度可以大于半导体基板1的杂质浓度。像素分隔区13可以与第一表面1a相邻设置，并且可以用作限定有源区的器件隔离层。像素分隔沟槽21b可以不被形成为到达第一表面1a，并且像素分隔区13可以被设置，从而减小暗电流。第二表面1b与第二焊盘分隔图案27的底表面27b之间的第一距离D1可以等于或小于第二表面1b与像素分隔图案29的底表面29b之间的第二距离D2。例如，从第一表面1a到第二焊盘分隔图案27的第三距离D3可以等于或大于从第一表面1a到像素分隔图案29的第四距离D4。从半导体基板1的第二表面1b到像素分隔区13的距离可以与从半导体基板1的第二表面1b到第一焊盘分隔图案6的距离基本相同。
逻辑区域B可以在其上提供有逻辑分隔图案7b，逻辑分隔图案7b限定逻辑晶体管LTR的有源区。逻辑分隔图案7b可以设置在从第一表面1a朝向第二表面1b延伸的逻辑分隔沟槽9中。逻辑分隔图案7b可以与第二表面1b间隔开。逻辑分隔图案7b可以由与第一掩埋绝缘图案7a的材料相同的材料形成。第一表面1a与第一焊盘分隔图案6的顶表面6u之间的第五距离D5可以大于第一表面1a与逻辑分隔图案7b的顶表面7bu之间的第六距离D6。例如，第五距离D5可以是第六距离D6的大约两倍。在这个意义上，从第二表面1b到第一焊盘分隔图案6的第七距离D7可以小于从第二表面1b到逻辑分隔图案7b的第八距离D8。
图4示出显示了图1的部分P1的放大图。图5示出沿图4的线II-II'截取的剖视图。图6是示出根据本发明构思的一些实施方式的图像传感器的电路图。
参照图1、2、4、5和6，单元像素UP1、UP2、UP3和UP4可以包括彼此相邻的第一单元像素UP1、第二单元像素UP2、第三单元像素UP3和第四单元像素UP4。第一单元像素UP1、第二单元像素UP2、第三单元像素UP3和第四单元像素UP4可以共用单个浮置扩散区FD。第一单元像素UP1可以包括第一转移栅极TG1和设置在半导体基板1中的第一光电转换部PD1。例如，第一单元像素UP1可以在其与第二单元像素UP2、第三单元像素UP3和第四单元像素UP4相邻的拐角处具有第一转移栅极TG1。第二单元像素UP2可以包括第二转移栅极TG2和设置在半导体基板1中的第二光电转换部PD2。例如，第二单元像素UP2可以在其与第一单元像素UP1、第三单元像素UP3和第四单元像素UP4相邻的拐角处具有第二转移栅极TG2。第一单元像素UP1和第二单元像素UP2的每个可以具有与第一方向X平行的第三宽度W3、以及与交叉第一方向X的第二方向Y平行的第四宽度W4。第三宽度W3可以与第四宽度W4基本相同。
重置栅极RG、选择栅极SEL和源极跟随器栅极SF可以设置在第三单元像素UP3和第四单元像素UP4上。例如，第三单元像素UP3可以包括第三转移栅极TG3、设置在半导体基板1中的第三光电转换部PD3、重置栅极RG、以及源极跟随器栅极SF的一部分。第四单元像素UP4可以包括第四转移栅极TG4、设置在半导体基板1中的第四光电转换部PD4、选择栅极SEL、以及源极跟随器栅极SF的另外部分。为了确保容纳重置栅极RG、选择栅极SEL和源极跟随器栅极SF的空间，第三单元像素UP3和第四单元像素UP4的每个可以具有与第二方向Y平行且大于第四宽度W4的第五宽度W5。例如，像素分隔图案29可以具有对应于第四宽度W4的相对小的长度和对应于第五宽度W5的相对大的长度。第三单元像素UP3和第四单元像素UP4的每个可以具有与第一方向X平行的第三宽度W3。
第一至第四光电转换部PD1、PD2、PD3和PD4的每个可以包括杂质掺杂区，该杂质掺杂区被掺杂以具有与半导体基板1中掺杂的杂质的导电性相反的导电性(例如N型导电性)的杂质。PN结可以通过半导体基板1中的N型导电性掺杂区和P型导电性掺杂区形成，在光入射时产生电子-空穴对。
浮置扩散区FD可以被掺杂以具有与半导体基板1中掺杂的杂质的导电性相反的导电性(例如N型导电性)的杂质。浮置扩散区FD可以设置在半导体基板1的第一表面1a与像素分隔图案29之间。辅助像素分隔区14可以设置在像素分隔图案29与浮置扩散区FD之间。辅助像素分隔区14可以被掺杂以与像素分隔区13的杂质和浓度相同的杂质和浓度。例如，在第三单元像素UP3上，像素分隔区13可以插置于第三光电转换部PD3与重置栅极RG之下在半导体基板1中的沟道区之间，从而可以防止第三光电转换部PD3中产生的电荷流到重置栅极RG之下在半导体基板1中的沟道区中。
参照图4和6，第一单元像素UP1至第四单元像素UP4中产生的电荷可以顺序地转移。首先，电源电压VDD可以施加到包括重置栅极RG的重置晶体管的漏极和包括源极跟随器栅极SF的源极跟随器晶体管的漏极，释放留在浮置扩散区FD中的电荷。此后，重置晶体管可以被关断，并且第一转移栅极TG1可以被供以电压，结果第一光电转换部PD1中产生的电荷可以转移到浮置扩散区FD并在浮置扩散区FD中累积。源极跟随器栅极SF的偏压可以与累积电荷的量成比例地改变，这可以导致源极跟随器晶体管的源极电位的变化。在这种情况下，当包括选择栅极SEL的选择晶体管导通时，基于累积电荷的信号可以从信号读出线Vout被读出。接着，可以对第二单元像素UP2至第四单元像素UP4执行相同的操作。
参照回图2，第二钝化层41可以设置在第二掩埋绝缘层25上。第二钝化层41可以由例如硅氮化物层或聚酰亚胺层形成。像素区域C可以在其上提供有设置在第二钝化层41上的滤色器43a和43b。例如，滤色器43a和43b的每个可以具有红色、绿色和蓝色之一。微透镜45可以设置在滤色器43a和43b上。滤色器43a和43b以及微透镜45可以在第二表面1b上设置于第二钝化层41上，或者在第一表面1a上设置于第一钝化层19上。在焊盘区域A上，第二钝化层41可以覆盖焊盘39p的侧壁并部分地暴露焊盘39p的顶表面。
图7至15示出显示了制造具有图2的剖面的图像传感器的方法的剖视图。
参照图7，可以准备包括焊盘区域A、逻辑区域B和像素区域C的半导体基板1。半导体基板1可以具有彼此相对的第一表面1a和第二表面1b。像素区域C上的半导体基板1可以用例如P型导电性杂质掺杂。半导体基板1的第一表面1a可以被蚀刻，以在焊盘区域A上形成第一焊盘分隔沟槽3。
参照图8，掩模层可以在半导体基板1的整个第一表面1a上共形地形成。掩模层可以是或者可以包括例如硅氮化物层。掩模层可以形成为共形地覆盖第一焊盘分隔沟槽3的内壁。掩模层可以不完全地填充第一焊盘分隔沟槽3。虽然未示出，但是光致抗蚀剂图案可以在掩模层上形成，然后光致抗蚀剂图案可以用作蚀刻掩模，以在逻辑区域B上图案化掩模层，从而形成具有限定逻辑分隔沟槽9的开口的掩模图案5a。光致抗蚀剂图案可以被去除。掩模图案5a可以用作蚀刻掩模以蚀刻逻辑区域B上的半导体基板1，这可以形成逻辑分隔沟槽9。掩模图案5a可以在其上堆叠有填充逻辑分隔沟槽9和第一焊盘分隔沟槽3的第一掩埋绝缘层7。第一掩埋绝缘层7可以由例如硅氧化物层形成。
参照图1、4和9，可以执行诸如化学机械抛光(CMP)或回蚀刻的平坦化蚀刻工艺，以去除半导体基板1的第一表面1a上的第一掩埋绝缘层7和掩模图案5a，从而在逻辑区域B上形成逻辑分隔图案7b，同时在焊盘区域A上形成由衬垫绝缘图案5b和第一掩埋绝缘图案7a构成的第一焊盘分隔图案6。可以执行离子注入工艺，以在像素区域C上形成分别位于第一至第四单元像素UP1、UP2、UP3和UP4中的第一至第四光电转换部PD1、PD2、PD3和PD4。
参照图1、4和10，可以执行离子注入工艺，以形成限定单元像素UP1至UP4的每个上的有源区的像素分隔区13，因而在像素区域C上，半导体基板1可以在其中包括与第一表面1a相邻的像素分隔区13。转移栅极TG1、TG2、TG3和TG4、重置栅极RG、源极跟随器栅极SF和选择栅极SEL可以在半导体基板1的第一表面1a上形成。可以执行离子注入工艺，以在栅极TG、RG、SF和SEL的每个的相反侧上形成源极/漏极区，并形成浮置扩散区FD。逻辑晶体管LTR也可以在逻辑区域B上形成。
参照图11，层间电介质层15和导电线17可以在半导体基板1的第一表面1a上形成。第一钝化层19可以在层间电介质层15上形成。半导体基板1可以被上下倒置以使第二表面1b面朝上。
参照图12，可以执行蚀刻工艺使得半导体基板1的第二表面1b可以被蚀刻，以在焊盘区域A上形成暴露第一焊盘分隔图案6的第二焊盘分隔沟槽21a，同时在像素区域C上形成暴露像素分隔区13的像素分隔沟槽21b。第二焊盘分隔沟槽21a可以形成为具有比像素分隔沟槽21b的宽度大的宽度。当执行蚀刻工艺时，第一焊盘分隔图案6可以用作蚀刻停止层。因此，像素分隔沟槽21b可以在深度上被精确地控制，并且图像传感器可以被制造为具有提高的可靠性。如图3A所示，当第一焊盘分隔图案6的顶表面6u形成为具有比第二焊盘分隔图案27的底表面27b的第二宽度W2大的第一宽度W1时，可以在执行蚀刻工艺以形成第二焊盘分隔沟槽21a时防止不对准。由于用作蚀刻停止层的第一焊盘分隔图案6不形成在像素区域C上的像素分隔沟槽21b的底部，像素分隔沟槽21b可以形成得比第二焊盘分隔沟槽21a深。
第一焊盘分隔图案6可以有助于同时形成第二焊盘分隔沟槽21a和像素分隔沟槽21b。当不形成第一焊盘分隔图案6时，第二焊盘分隔沟槽21a会有必要形成得更深以使半导体基板1与下面将讨论的贯通通路(图15的39)绝缘。例如，第二焊盘分隔沟槽21a可以形成为到达第一表面1a，从而暴露层间电介质层15。在这种情况下，由于蚀刻深度的差异，会难以同时形成第二焊盘分隔沟槽21a和像素分隔沟槽21b。如果第二焊盘分隔沟槽21a和像素分隔沟槽21b中的一个形成得比另一个早，则所需的光致抗蚀剂图案会留在第二焊盘分隔沟槽21a和像素分隔沟槽21b中的一个中，这会引起工艺故障。然而，根据发明构思，因为第一焊盘分隔图案6有助于第二焊盘分隔沟槽21a和像素分隔沟槽21b的同时形成，所以可以防止这样的工艺故障。
参照图13，固定电荷层23可以在半导体基板1的整个第二表面1b上共形地形成。固定电荷层23可以在其上堆叠有填充第二焊盘分隔沟槽21a和像素分隔沟槽21b的第二掩埋绝缘层25。也就是，固定电荷层23可以与半导体基板1接触，第二掩埋绝缘层25可以与半导体基板1间隔开。因此，第二焊盘分隔图案27可以在第二焊盘分隔沟槽21a中形成，同时像素分隔图案29可以在像素分隔沟槽21b中形成。像素分隔图案29可以将单元像素UP1至UP4彼此分开。虽然未示出，但是可以执行平坦化蚀刻工艺以平坦化第二掩埋绝缘层25的顶表面。
参照图14，在焊盘区域A上，第二掩埋绝缘层25、固定电荷层23、半导体基板1和层间电介质层15可以被图案化，以形成暴露导电线17的贯通通路孔33。
参照图15，第一金属层35可以在半导体基板1的整个第二表面1b上形成，覆盖贯通通路孔33的内表面。第二金属层37可以在第一金属层35上形成，填充贯通通路孔33。也就是，第一金属层35可以与半导体基板1相邻，第二金属层37可以与半导体基板1间隔开。第一金属层35可以是或者可以包括钨，第二金属层37可以是或者可以包括铝。第二金属层37和第一金属层35可以被图案化，以在贯通通路孔33中形成贯通通路39，同时在第二掩埋绝缘层25上形成焊盘39p。
参照回图2，第二钝化层41可以在半导体基板1的第二表面1b上共形地形成，然后被图案化以暴露焊盘39p。在像素区域C上，滤色器43a和43b以及微透镜45可以在第二钝化层41上形成。
根据发明构思的一些实施方式的图像传感器可以提高可靠性并减少暗电流和白斑。根据发明构思的一些实施方式的制造图像传感器的方法可以解决光致抗蚀剂图案留在第二焊盘分隔沟槽和像素分隔沟槽中的问题。
当在此使用时，术语“和/或”包括相关所列举项目中的一个或更多个的任何及所有组合。诸如“中的至少一个”的表述当在一列元素之后时，修饰整列元素而不修饰该列中的个别元素。
如上所述，已经参照附图和说明书描述了实施方式。虽然实施方式已经使用说明书中的特定术语进行了描述，但是这些术语用于描述本公开的技术思想，而不用于限制含义或者限制权利要求中本公开的范围。虽然已经参照本发明构思的实施方式具体显示并描述了本发明构思，但是将理解，可以在其中进行形式和细节上的各种改变而不背离所附权利要求的精神和范围。
本申请要求享有2017年11月13日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2017-0150692号的优先权，其公开通过引用全文合并于此。

Claims (20)

1.一种图像传感器，包括：
基板，包括像素区域和焊盘区域，所述基板包括彼此相对的第一表面和第二表面；
第一焊盘分隔沟槽，在所述焊盘区域上，并且从所述第二表面朝向所述第一表面延伸；
第二焊盘分隔沟槽，在所述焊盘区域上，并且从所述第一表面朝向所述第二表面延伸，其中所述第二焊盘分隔沟槽与所述第一焊盘分隔沟槽接触；以及
像素组，在所述像素区域上，包括：
第一区中的第一单元像素；
第二区中的第二单元像素，其中所述第二区在第一方向上与所述第一区相邻；
第三区中的第三单元像素，其中所述第三区在与所述第一方向垂直的第二方向上与所述第二区相邻；
第四区中的第四单元像素，其中所述第四区在所述第二方向上与所述第一区相邻，且在所述第一方向上与所述第三区相邻；
源极跟随器栅极，被配置为电连接至所述第一单元像素至所述第四单元像素；
选择栅极，被配置为电连接至所述第一单元像素至所述第四单元像素；
像素分隔沟槽，在所述第一单元像素和所述第二单元像素之间，其中所述像素分隔沟槽从所述第二表面朝向所述第一表面延伸；
像素分隔区，在所述第一表面和所述像素分隔沟槽之间，其中所述像素分隔沟槽与所述基板的所述第一表面和所述像素分隔沟槽两者接触；
绝缘图案，在所述像素分隔沟槽中；以及
固定电荷层，在所述像素区域的所述第一区和所述第二区中的所述基板的所述第二表面上以及在所述绝缘图案上，
其中所述图像传感器被配置为在所述第二表面接收光。
2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述第一焊盘分隔沟槽的一部分延伸到所述第二焊盘分隔沟槽中。
3.根据权利要求2所述的图像传感器，其中所述第二焊盘分隔沟槽的顶表面在所述第一方向上的宽度大于所述第一焊盘分隔沟槽的底表面在所述第一方向上的宽度。
4.根据权利要求3所述的图像传感器，其中所述第一焊盘分隔沟槽在第三方向上的长度大于所述第二焊盘分隔沟槽在所述第三方向上的长度，以及
其中所述第三方向垂直于所述第一方向和所述第二方向。
5.根据权利要求4所述的图像传感器，其中所述绝缘图案包括硅氧化物。
6.根据权利要求5所述的图像传感器，其中所述固定电荷层包括钽。
7.根据权利要求5所述的图像传感器，其中所述固定电荷层在所述像素分隔沟槽的侧表面和底表面上，且包括金属氧化物层。
8.根据权利要求5所述的图像传感器，其中所述源极跟随器栅极的一部分在所述第一区内。
9.根据权利要求7所述的图像传感器，其中所述金属氧化物层包括铝。
10.根据权利要求9所述的图像传感器，其中所述选择栅极在所述第二区内。
11.根据权利要求10所述的图像传感器，其中所述源极跟随器栅极的一部分在所述第一区内。
12.一种图像传感器，包括：
基板，包括像素区域和焊盘区域，所述基板包括彼此相对的第一表面和第二表面；
第一焊盘分隔沟槽，在所述焊盘区域上，并且从所述第二表面朝向所述第一表面延伸；以及
第二焊盘分隔沟槽，在所述焊盘区域上，并且从所述第一表面朝向所述第二表面延伸，其中所述第二焊盘分隔沟槽与所述第一焊盘分隔沟槽接触，
其中所述第一焊盘分隔沟槽的一部分延伸到所述第二焊盘分隔沟槽中，
其中所述第二焊盘分隔沟槽的顶表面在第一方向上的宽度大于所述第一焊盘分隔沟槽的底表面在所述第一方向上的宽度，所述第一方向平行于所述基板的所述第二表面，
其中所述第一焊盘分隔沟槽在第二方向上的长度大于所述第二焊盘分隔沟槽在所述第二方向上的长度，所述第二方向垂直于所述第一方向，以及
其中所述图像传感器被配置为在所述第二表面接收光。
13.根据权利要求12所述的图像传感器，还包括：
像素分隔沟槽，在所述像素区域上，从所述第二表面朝向所述第一表面延伸；以及
固定电荷层，在所述像素分隔沟槽的侧表面和底表面上。
14.根据权利要求13所述的图像传感器，其中所述固定电荷层包括金属氧化物层。
15.根据权利要求14所述的图像传感器，其中所述金属氧化物层包括铝。
16.根据权利要求15所述的图像传感器，还包括：
在所述像素区域上的像素分隔区，在所述第一表面和所述像素分隔沟槽之间，其中所述像素分隔沟槽与所述基板的所述第一表面和所述像素分隔沟槽两者接触，以及
其中所述像素分隔沟槽的一部分延伸至所述像素分隔区中。
17.根据权利要求16所述的图像传感器，其中所述像素分隔区的顶表面在所述第一方向上的宽度大于所述像素分隔沟槽的底表面在所述第一方向上的宽度，以及
其中所述像素分隔沟槽的所述底表面延伸至所述像素分隔区的所述顶表面中。
18.根据权利要求17所述的图像传感器，还包括：
在所述像素区域上的像素组，
其中所述像素组包括：
第一单元像素、第二单元像素、第三单元像素和第四单元像素；
浮置扩散区；
源极跟随器栅极；以及
选择栅极，
其中所述第一单元像素、所述第二单元像素、所述第三单元像素和所述第四单元像素共用所述源极跟随器栅极和所述选择栅极，以及
其中所述第一单元像素、所述第二单元像素、所述第三单元像素和所述第四单元像素被配置为电连接至所述浮置扩散区。
19.根据权利要求18所述的图像传感器，其中所述第一单元像素在第一像素区中，且所述源极跟随器栅极的一部分在所述第一像素区内。
20.根据权利要求17所述的图像传感器，还包括在所述像素分隔沟槽中的硅氧化物层。
CN202311289610.3A 2017-11-13 2018-10-26 图像传感器 Pending CN117316968A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170150692A KR102411698B1 (ko) 2017-11-13 2017-11-13 이미지 센서 및 이의 형성 방법
KR10-2017-0150692 2017-11-13
CN201811256111.3A CN109786408B (zh) 2017-11-13 2018-10-26 图像传感器和制造其的方法

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811256111.3A Division CN109786408B (zh) 2017-11-13 2018-10-26 图像传感器和制造其的方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN117316968A true CN117316968A (zh) 2023-12-29

Family

ID=66433552

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202311289610.3A Pending CN117316968A (zh) 2017-11-13 2018-10-26 图像传感器
CN201811256111.3A Active CN109786408B (zh) 2017-11-13 2018-10-26 图像传感器和制造其的方法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811256111.3A Active CN109786408B (zh) 2017-11-13 2018-10-26 图像传感器和制造其的方法

Country Status (3)

Country Link
US (4) US10615200B2 (zh)
KR (1) KR102411698B1 (zh)
CN (2) CN117316968A (zh)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102411698B1 (ko) * 2017-11-13 2022-06-22 삼성전자주식회사 이미지 센서 및 이의 형성 방법
US10535698B2 (en) * 2017-11-28 2020-01-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Image sensor with pad structure
KR102662233B1 (ko) * 2019-02-28 2024-05-02 삼성전자주식회사 이미지 센서
KR20210122526A (ko) * 2020-04-01 2021-10-12 에스케이하이닉스 주식회사 이미지 센서 장치
KR20210133739A (ko) * 2020-04-29 2021-11-08 에스케이하이닉스 주식회사 이미지 센서
US20210366953A1 (en) * 2020-05-21 2021-11-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited Semiconductor arrangement and method of making
US11862678B2 (en) * 2020-06-18 2024-01-02 Omnivision Technologies, Inc. Electrical isolation in pixel-array substrates using combination of doped semiconductor guard rings and overlapping isolation trenches
KR20220007953A (ko) * 2020-07-13 2022-01-20 에스케이하이닉스 주식회사 이미지 센싱 장치
KR20220008996A (ko) 2020-07-14 2022-01-24 삼성전자주식회사 이미지 센서
KR20220029072A (ko) * 2020-09-01 2022-03-08 삼성전자주식회사 이미지 센서 및 그 제조 방법
KR20220087678A (ko) * 2020-12-18 2022-06-27 삼성전자주식회사 이미지 센서 및 이미지 센싱 회로
KR20220152043A (ko) * 2021-05-07 2022-11-15 삼성전자주식회사 이미지 센서
CN114256280A (zh) * 2021-12-17 2022-03-29 武汉新芯集成电路制造有限公司 图像传感器及其制造方法

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5564909B2 (ja) 2009-11-30 2014-08-06 ソニー株式会社 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器
JP5853351B2 (ja) * 2010-03-25 2016-02-09 ソニー株式会社 半導体装置、半導体装置の製造方法、及び電子機器
KR101934864B1 (ko) 2012-05-30 2019-03-18 삼성전자주식회사 관통 실리콘 비아 구조물 및 그 제조 방법, 이를 포함하는 이미지 센서 및 그 제조 방법
KR20130134292A (ko) 2012-05-30 2013-12-10 삼성전자주식회사 이미지 센서, 상기 이미지 센서를 포함하는 이미지 처리 시스템 및 상기 이미지 센서의 제조 방법
JP6012262B2 (ja) * 2012-05-31 2016-10-25 キヤノン株式会社 半導体装置の製造方法
JP2014096490A (ja) 2012-11-09 2014-05-22 Sony Corp 撮像素子、製造方法
EP2913847B1 (en) * 2014-02-28 2018-04-18 LFoundry S.r.l. Method of fabricating a semiconductor device and semiconductor product
KR102180102B1 (ko) * 2014-03-07 2020-11-17 삼성전자주식회사 이미지 센서 및 그 제조방법
CN105097851A (zh) 2014-05-04 2015-11-25 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种cmos图像传感器及其制造方法和电子装置
KR102268714B1 (ko) 2014-06-23 2021-06-28 삼성전자주식회사 이미지 센서 및 이의 제조 방법
KR102374110B1 (ko) 2014-08-22 2022-03-14 삼성전자주식회사 쉴딩 구조를 갖는 이미지 센서
FR3030113A1 (fr) 2014-12-15 2016-06-17 St Microelectronics Crolles 2 Sas Capteur d'image eclaire et connecte par sa face arriere
KR102367384B1 (ko) * 2015-01-13 2022-02-25 삼성전자주식회사 이미지 센서 및 그 형성 방법
US9812488B2 (en) 2015-05-19 2017-11-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Backside illuminated image sensor and method of manufacturing the same
KR102441577B1 (ko) * 2015-08-05 2022-09-07 삼성전자주식회사 패드 구조체를 갖는 반도체 소자
US9786710B2 (en) 2015-09-30 2017-10-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Image sensor device with sub-isolation in pixels
KR102439506B1 (ko) * 2015-10-16 2022-09-02 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US9954022B2 (en) 2015-10-27 2018-04-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Extra doped region for back-side deep trench isolation
US10163959B2 (en) 2015-11-16 2018-12-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Image sensor and method for manufacturing the same
KR102541701B1 (ko) * 2016-01-15 2023-06-13 삼성전자주식회사 씨모스 이미지 센서
KR102473664B1 (ko) 2016-01-19 2022-12-02 삼성전자주식회사 Tsv 구조체를 가진 다중 적층 소자
JP6700811B2 (ja) 2016-01-26 2020-05-27 キヤノン株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP2018157110A (ja) * 2017-03-17 2018-10-04 東芝メモリ株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP2018170363A (ja) * 2017-03-29 2018-11-01 東芝メモリ株式会社 半導体装置の製造方法及び半導体装置
KR102411698B1 (ko) * 2017-11-13 2022-06-22 삼성전자주식회사 이미지 센서 및 이의 형성 방법
KR102541880B1 (ko) * 2018-02-27 2023-06-09 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널

Also Published As

Publication number Publication date
US10615200B2 (en) 2020-04-07
CN109786408A (zh) 2019-05-21
US20190148427A1 (en) 2019-05-16
CN109786408B (zh) 2024-06-11
KR20190054447A (ko) 2019-05-22
US20200212089A1 (en) 2020-07-02
KR102411698B1 (ko) 2022-06-22
US20220199662A1 (en) 2022-06-23
US11302724B2 (en) 2022-04-12
US11749695B2 (en) 2023-09-05
US20230411415A1 (en) 2023-12-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109786408B (zh) 图像传感器和制造其的方法
US12068351B2 (en) Solid-state image pickup device
US7417273B2 (en) Image sensor with embedded photodiode region and fabrication method thereof
KR101016474B1 (ko) 이미지센서 및 그 제조방법
US20220149101A1 (en) Image sensor
KR20200126477A (ko) 이미지 센서
US20100164046A1 (en) Image sensor and method for manufacturing the same
JP2023044647A (ja) イメージセンサー
KR20230013704A (ko) 이미지 센서
KR20220106901A (ko) 이미지 센서 및 이의 제조 방법
KR101063651B1 (ko) 이미지센서 및 그 제조방법
KR20060108956A (ko) 크로스 토크를 억제하기 위한 광차단 패턴을 갖는 ｃｍｏｓ이미지 센서 및 그 제조방법
KR20230174592A (ko) 이미지 센서
KR20240109518A (ko) 반도체 소자, 이미지 센서 및 이의 제조 방법
KR20240062818A (ko) 이미지 센서 및 이의 제조 방법
JP2024072796A (ja) イメージセンサ及びその製造方法
CN115763503A (zh) 图像传感器及制造其的方法
KR20100077986A (ko) 이미지 센서 및 그의 제조 방법
KR20040007971A (ko) 크로스토크를 방지할 수 있는 이미지센서 및 그 제조 방법
KR20100040034A (ko) 이미지센서의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination