CN117116920A - 电容器件及其形成方法 - Google Patents

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CN117116920A CN202210521458.6A CN202210521458A CN117116920A CN 117116920 A CN117116920 A CN 117116920A CN 202210521458 A CN202210521458 A CN 202210521458A CN 117116920 A CN117116920 A CN 117116920A
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王晓东
王西宁
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Abstract

一种电容器件及其形成方法，其中结构包括：位于所述衬底上的第一金属层，所述第一金属层包括第一电极层和第二电极层，所述第一电极层包括若干第一指状极板，所述第二电极层包括若干第二指状极板；位于所述第一金属层上的层叠设置的若干第二金属层和若干第三金属层，各所述第二金属层位于相邻的所述第三金属层之间或者所述第三金属层与所述第一金属层之间，各所述第二金属层包括第三电极层，各所述第三金属层包括第四电极层，所述第三电极层和所述第四电极层在所述衬底表面的具有相互重叠的第一投影，所述若干第一指状极板和所述若干第二指状极板在所述衬底表面的投影在位于所述第一投影范围内，提高电容器件性能。

Description

电容器件及其形成方法
技术领域
本发明涉及半导体制造领域，尤其是涉及一种电容器件及其形成方法。
背景技术
在半导体集成电路中，与晶体管电路制作在同一芯片上的集成电容被广泛地应用。其形式主要有金属-绝缘体-金属(metal-insulator-metal，MIM)电容和金属-氧化物-金属(metal-oxide-metal，MOM)电容两种。其中，MIM电容使用上下层金属作为电容极板，制作MIM电容一般需要新增光刻层次，同时电容介质层击穿电压与电容大小是无法调和的矛盾量，而且平板电容一般都需要较大的面积，不利于器件的集成。而MOM电容采用指状结构和叠层相结合的方法可以在相对较小的面积上制作容量更大的电容。此外，在制作MOM电容时，无需额外的光刻胶层和掩模，从而制作工艺相对于MIM电容也更简单，成本更低。但是，由于受到金属线间距离的限制，现有技术中的侧向MOM电容无法做大，且稳定度较差。
随着器件小型化的发展，如何增加MOM电容的密度成为本领域技术人员亟待解决的问题之一。
发明内容
本发明解决的技术问题是提供一种电容器件及其形成方法，以改善半导体结构性能。
为解决上述技术问题，本发明的技术方案提供一种电容器件，包括：衬底；位于所述衬底上的第一金属层，所述第一金属层包括第一电极层和第二电极层，所述第一电极层包括若干第一指状极板，所述第二电极层包括若干第二指状极板，所述若干第一指状极板和所述若干第二指状极板均平行于第一方向且沿第二方向排布，所述第一方向与所述第二方向相互垂直，各所述第一指状极板位于相邻第二指状极板之间；位于所述第一金属层上的层叠设置的若干第二金属层和若干第三金属层，各所述第二金属层位于相邻的所述第三金属层之间或者所述第三金属层与所述第一金属层之间，各所述第二金属层包括第三电极层，各所述第三金属层包括第四电极层，所述第三电极层和所述第四电极层在所述衬底表面的具有相互重叠的第一投影，所述若干第一指状极板和所述若干第二指状极板在所述衬底表面的投影在位于所述第一投影范围内，且所述第一电极层和所述若干第三电极层电互联，所述第二电极层和所述若干第四电极层电互联。
可选的，所述第一电极层还包括第一电极端，所述第二电极层还包括第二电极端，所述第一电极端和所述第二电极端位于所述第一金属层相对的两端，各所述若干第一指状极板的一端延伸至与所述第一电极端连接，各所述若干第二指状极板的一端延伸至与所述第二电极端连接。
可选的，各所述第二金属层还包括与所述第三电极层相互平行的第五电极层，所述第五电极层位于所述第二电极端上，且与所述第三电极层之间电隔离，所述第二电极层和所述若干第四电极层之间通过所述第五电极层电互联；各所述第三金属层还包括与所述第四电极层相互平行的第六电极层，所述第六电极层位于所述第一电极端上，且与所述第四电极层之间电隔离，所述第一电极层和所述若干第三电极层之间通过所述第六电极层电互联。
可选的，所述第五电极层和所述第六电极层均平行于所述第二方向。
可选的，在沿着所述第一方向上，所述第三电极层和所述第五电极层之间距离范围为0.1μm至2μm；在沿着所述第一方向上，所述第四电极层和所述第六电极层之间距离范围为0.1μm至2μm。
可选的，所述第二金属层和所述第三金属层的数量分别至少为1层。
可选的，包括：在沿所述第一方向上，各所述第一指状极板的长度范围为0.5μm至300μm；在沿所述第二方向上，各所述第一指状极板的宽度范围为0.02μm至5μm；在沿所述第二方向上，相邻的所述第一指状极板和所述第二指状极板之间的距离范围为0.02μm至5μm；在沿所述第一方向上，所述第一指状极板与所述第二电极端之间的距离范围为0.1μm至2μm；在沿所述第一方向上，所述第二指状极板与所述第一电极端之间的距离范围为0.1μm至2μm。
相应的，本发明的技术方案还提供一种电容器件的形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成第一金属层，所述第一金属层包括第一电极层和第二电极层，所述第一电极层包括若干第一指状极板，所述第二电极层包括若干第二指状极板，所述若干第一指状极板和所述若干第二指状极板均平行于第一方向且沿第二方向排布，所述第一方向与所述第二方向相互垂直，各所述第一指状极板位于相邻第二指状极板之间；在所述第一金属层上形成层叠设置的若干第二金属层和若干第三金属层，各所述第二金属层位于相邻的所述第三金属层之间或者所述第三金属层与所述第一金属层之间，各所述第二金属层包括第三电极层，各所述第三金属层包括第四电极层，所述第三电极层和所述第四电极层在所述衬底表面具有相互重叠的第一投影，所述若干第一指状极板和所述若干第二指状极板在所述衬底表面的投影在位于所述第一投影范围内，且所述第一电极层和所述若干第三电极层电互联，所述第二电极层和所述若干第四电极层电互联。
可选的，所述第一电极层还包括第一电极端，所述第二电极层还包括第二电极端，所述第一电极端和所述第二电极端位于所述第一金属层相对的两端，各所述若干第一指状极板的一端延伸至与所述第一电极端连接，各所述若干第二指状极板的一端延伸至与所述第二电极端连接。
可选的，各所述第二金属层还包括与所述第三电极层相互平行的第五电极层，所述第五电极层位于所述第二电极端上，且与所述第三电极层之间电隔离，所述第二电极层和所述若干第四电极层之间通过所述第五电极层电互联；各所述第三金属层还包括与所述第四电极层相互平行的第六电极层，所述第六电极层位于所述第一电极端上，且与所述第四电极层之间电隔离，所述第一电极层和所述若干第三电极层之间通过所述第六电极层电互联。
可选的，包括：在形成所述第一金属层之后，形成所述若干第二金属层和所述若干第三金属层之前，在所述第一电极端上形成若干第一导电插塞，在所述第二电极端上形成若干第二导电插塞；形成所述第一导电插塞和所述第二导电插塞之后，形成所述第三电极层和所述第五电极层，所述第三电极层位于所述若干第一导电插塞上，所述第五电极层位于所述若干第二导电插塞上。
可选的，所述第五电极层和所述第六电极层均平行于所述第二方向。
可选的，在沿着所述第一方向上，所述第三电极层和所述第五电极层之间距离范围为0.1μm至2μm；在沿着所述第一方向上，所述第四电极层和所述第六电极层之间距离范围为0.1μm至2μm。
可选的，包括：在沿所述第一方向上，各所述第一指状极板的长度范围为0.5μm至300μm；在沿所述第二方向上，各所述第一指状极板的宽度范围为0.02μm至5μm；在沿所述第二方向上，相邻的所述第一指状极板和所述第二指状极板之间的距离范围为0.02μm至5μm；在沿所述第一方向上，所述第一指状极板与所述第二电极端之间的距离范围为0.1μm至2μm；在沿所述第一方向上，所述第二指状极板与所述第一电极端之间的距离范围为0.1μm至2μm。
可选的，所述第二金属层和所述第三金属层的数量分别至少为1层。
与现有技术相比，本发明实施例的技术方案具有以下有益效果：
本发明技术方案提供的电容器件中，所述第一电极层和所述若干第三电极层作为电容器件的一电极端，所述第二电极层和所述若干第四电极层作为电容器件另一电极端，所述第三电极层和所述第四电极层在所述衬底表面的具有相互重叠的第一投影，所述若干第一指状极板和所述若干第二指状极板在所述衬底表面的投影在位于所述第一投影范围内，所述第三电极层和所述第四电极层相对所述第一指状极板和所述若干第二指状极板，其面积增大，电容器件面积的增大有利于提高电容器件的密度；另外，第三电极层和第四电极层因面积较大有利于降低电极层的电阻，增加器件的Q因子，从而提高器件的能量转换效率；再者，位于所述衬底上的第一金属层，所述第一金属层包括第一电极层和第二电极层，所述第一电极层包括若干第一指状极板，所述第二电极层包括若干第二指状极板，所述第一电极层和所述第二电极层呈指状设计，有利于降低所述第一金属层和衬底的耦合，同时各所述第一指状极板位于相邻第二指状极板之间，所述若干第一指状极板和所述第二指状极板的对称设计，有利于提高衬底同所述第一电极层、所述第二电极层耦合的一致性，以提高器件输入端反射系数和输出端反射系数的对称性，利于提高作为高频器件时电容对称性，进而提高电容器件性能。
本发明技术方案提供的电容器件的形成方法中，所述第一电极层和所述若干第三电极层作为电容器件的其一电极端，所述第二电极层和所述若干第四电极层作为电容器件另一电极端，所述第三电极层和所述第四电极层在所述衬底表面的具有相互重叠的第一投影，所述若干第一指状极板和所述若干第二指状极板在所述衬底表面的投影在位于所述第一投影范围内，所述第三电极层和所述第四电极层相对所述第一指状极板和所述若干第二指状极板，其面积增大，电容器件面积的增大有利于提高电容器件的密度；另外，第三电极层和第四电极层因面积较大有利于降低电极层的电阻，增加器件的Q因子，从而提高器件的能量转换效率；再者，位于所述衬底上的第一金属层，所述第一金属层包括第一电极层和第二电极层，所述第一电极层包括若干第一指状极板，所述第二电极层包括若干第二指状极板，所述第一电极层和所述第二电极层呈指状设计，有利于降低所述第一金属层和衬底的耦合，同时各所述第一指状极板位于相邻第二指状极板之间，所述若干第一指状极板和所述第二指状极板的对称设计，有利于提高衬底同所述第一电极层、所述第二电极层耦合的一致性，以提高器件输入端反射系数和输出端反射系数的对称性，利于提高作为高频器件时电容对称性，进而提高电容器件性能。
附图说明
图1至图3是一种电容器件的结构示意图；
图4至图8是本发明实施例电容器件形成方法中各步骤对应的结构示意图。
具体实施方式
需要注意的是，本说明书中的“表面”、“上”，用于描述空间的相对位置关系，并不限定于是否直接接触。
如背景技术所述，现有技术中形成的电容器件的性能有待改善。现结合一种电容器件进行说明分析。
图1至图3是一种电容器件的结构示意图。
请参考图1至图3，图1是图2和图3的俯视结构示意图，图2是图1中沿EE1方向的剖面结构示意图，图3是图1中沿DD1方向的剖面结构示意图，所述半导体结构包括：衬底100；位于所述衬底100上若干层叠设置的金属层，各所述金属层包括第一电极层11和第二电极层12，所述第一电极层11包括第一电极端110和若干第一指状极板111，所述第二电极层12包括第二电极端120和若干第二指状极板121，所述若干第一指状极板111和所述若干第二指状极板121均分别行于第一方向X且沿第二方向Y排布，所述若干第一指状极板111的一端通过第一电极端110连接在一起，所述若干第二指状极板121的一端通过第二电极端120连接在一起，所述第一电极端110和所述第二电极端120位于各所述金属层相对的两端，各所述第一指状极板111位于相邻两条第二指状极板111之间，且所述第一方向与所述第二方向相互垂直；相邻的所述金属层的所述第一电极11通过位于所述第一电极端110的若干第一导电插塞112相互电连接，相邻的所述金属层的所述第二电极12通过位于所述第二电极端120的若干第二导电插塞122连接。
上述结构中示出了五层金属层组成的MOM电容，其中，所述第一电极层11和所述第二电极层12连接不同的电极端。所述MOM电容包括同金属不同电极间的C1电容、相邻层不同电极间的C2电容，以及非相邻层不同电极间的C3电容。所述第一电极层11与所述第二电极层12之间需要有一定的距离来避免短路，比如，所述第一指状极板111和所述第二指状极板121在沿Y方向上具有一定距离；而在沿X方向上，所述第一电极端110与所述第二指状极板121之间也需要保持一定的距离，从而导致MOM器件密度较小，不利于提高器件的集成度。
为了解决上述问题，本发明提供一种电容器件及其形成方法，所述第一电极层和所述若干第三电极层作为电容器件的其一电极端，所述第二电极层和所述若干第四电极层作为电容器件另一电极端，所述第三电极层和所述第四电极层在所述衬底表面的具有相互重叠的第一投影，所述若干第一指状极板和所述若干第二指状极板在所述衬底表面的投影在位于所述第一投影范围内，所述第三电极层和所述第四电极层相对所述第一指状极板和所述若干第二指状极板，其面积增大，电容器件面积的增大有利于提高电容器件的密度；另外，第三电极层和第四电极层因面积较大有利于降低电极层的电阻，增加器件的Q因子，从而提高器件的能量转换效率；再者，位于所述衬底上的第一金属层，所述第一金属层包括第一电极层和第二电极层，所述第一电极层包括若干第一指状极板，所述第二电极层包括若干第二指状极板，所述第一电极层和所述第二电极层呈指状设计，有利于降低所述第一金属层和衬底的耦合，同时各所述第一指状极板位于相邻第二指状极板之间，所述若干第一指状极板和所述第二指状极板的对称设计，有利于提高衬底同所述第一电极层、所述第二电极层耦合的一致性，以提高器件输入端反射系数和输出端反射系数的对称性，利于提高作为高频器件时电容对称性，进而提高电容器件性能。
为使本发明的上述目的、特征和有益效果能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
图4至图8是本发明实施例电容器件形成方法中各步骤对应的结构示意图。
请参考图4，提供衬底200。
本实施例中，所述衬底200包括基底(图中未标出)，位于基底上的器件层(图中未标出)以及位于所述基底和所述器件层表面的第一介质层(图中未标出)，所述器件层包括隔离结构(图中未标出)和位于隔离结构内的器件结构(图中未标出)，所述器件结构包括晶体管、二极管、三极管、电容、电感或导电结构等。
请参考图5，在所述衬底200上形成第一金属层，所述第一金属层包括第一电极层21和第二电极层22，所述第一电极层21包括若干第一指状极板211，所述第二电极层22包括若干第二指状极板221，所述若干第一指状极板211和所述若干第二指状极板221均平行于第一方向X且沿第二方向Y排布，所述第一方向X与所述第二方向Y相互垂直，各所述第一指状极板211位于相邻第二指状极板221之间。
本实施例中，在沿所述第一方向X上，各所述第一指状极板211的长度a范围为0.5μm至300μm；在沿所述第二方向Y上，各所述第一指状极板211的宽度b范围为0.02μm至5μm；在沿所述第二方向Y上，相邻的所述第一指状极板211和所述第二指状极板221之间的距离d1范围为0.02μm至5μm；在沿所述第一方向X上，所述第一指状极板211与所述第二电极端220之间的距离d2范围为0.1μm至2μm；在沿所述第一方向X上，所述第二指状极板221与所述第一电极端210之间的距离d3范围为0.1μm至2μm。
本实施例中，所述第一电极层21还包括第一电极端210，所述第二电极层22还包括第二电极端220，所述第一电极端210和所述第二电极端220位于所述第一金属层相对的两端，各所述若干第一指状极板211的一端延伸至与所述第一电极端210连接，各所述若干第二指状极板221的一端延伸至与所述第二电极端220连接。
所述第一电极端210和所述第二电极端220分别用于将电容电路引出，以连接不同的电源极端。
请参考图6至图8，图6为俯视结构示意图，图7是图6中沿DD1方向的剖面结构示意图，图8是图6中沿EE1方向的剖面结构示意图，在所述第一金属层上形成层叠设置的若干第二金属层和若干第三金属层，各所述第二金属层位于相邻的所述第三金属层之间或者所述第三金属层与所述第一金属层之间，各所述第二金属层包括第三电极层23，各所述第三金属层包括第四电极层24，所述第三电极层23和所述第四电极层24在所述衬底200表面具有相互重叠的第一投影，所述若干第一指状极板211和所述若干第二指状极板221在所述衬底200表面的投影在位于所述第一投影范围内，且所述第一电极层21和所述若干第三电极层23电互联，所述第二电极层22和所述若干第四电极层24电互联。
至此，所述第一电极层21和所述若干第三电极层23作为电容器件的其一电极端，所述第二电极层22和所述若干第四电极层24作为电容器件另一电极端，所述第三电极层23和所述第四电极层24在所述衬底200表面的具有相互重叠的第一投影，所述若干第一指状极板211和所述若干第二指状极板221在所述衬底200表面的投影在位于所述第一投影范围内，所述第三电极层23和所述第四电极层24相对所述第一指状极板211和所述若干第二指状极板221，其面积增大，电容器件面积的增大有利于提高电容器件的密度；另外，第三电极层23和第四电极层24因面积较大有利于降低电极层的电阻，增加器件的Q因子，从而提高器件的能量转换效率；再者，位于所述衬底200上的第一金属层，所述第一金属层包括第一电极层21和第二电极层22，所述第一电极层21包括若干第一指状极板211，所述第二电极层22包括若干第二指状极板221，所述第一电极层21和所述第二电极层22呈指状设计，有利于降低所述第一金属层和衬底200的耦合，同时各所述第一指状极板211位于相邻第二指状极板221之间，所述若干第一指状极板211和所述第二指状极板221的对称设计，有利于提高衬底200同所述第一电极层21、所述第二电极层22耦合的一致性，以提高器件输入端反射系数和输出端反射系数的对称性，利于提高作为高频器件时电容对称性，进而提高电容器件性能。
本实施例中，在沿着所述第一方向X上，所述第三电极层23和所述第五电极层25之间距离m范围为0.1μm至2μm；在沿着所述第一方向X上，所述第四电极层24和所述第六电极层26之间距离n范围为0.1μm至2μm。
本实施例中，各所述第二金属层还包括与所述第三电极层23相互平行的第五电极层25，所述第五电极层25位于所述第二电极端220上，且与所述第三电极层23之间电隔离，所述第二电极层22和所述若干第四电极层24之间通过所述第五电极层25电互联；各所述第三金属层还包括与所述第四电极层24相互平行的第六电极层26，所述第六电极层26位于所述第一电极端210上，且与所述第四电极层24之间电隔离，所述第一电极层21和所述若干第三电极层23之间通过所述第六电极层26电互联。
本实施例中，在形成所述第一金属层之后，形成所述若干第二金属层和所述若干第三金属层之前，在所述第一电极端210上形成若干第一导电插塞301，在所述第二电极端220上形成若干第二导电插塞302；形成所述第一导电插塞301和所述第二导电插塞302之后，形成所述第三电极层23和所述第五电极层25，所述第三电极层23位于所述若干第一导电插塞301上，所述第五电极层25位于所述若干第二导电插塞302上。
所述第二金属层和所述第三金属层的数量分别至少为1层。本实施例中，所述第二金属层的数量为2层，所述第三金属层的数量为2层。
具体的，形成所述第一导电插塞301和所述第二导电插塞302之后，形成第一层所述第二金属层，在所述第二金属层上形成第一层所述第三金属层，在所述第三金属层上形成第二层所述第二金属层，在所述第二金属层上形成第二层所述第三金属层，各层金属层之间通过若干导电插塞(图中未示出)电联接。
本实施例中，所述第五电极层25和所述第六电极层26均平行于所述第二方向。若干所述第五电极层25用于将若干所述第四电极层24、所述第二电极层22电互联，若干所述第六电极层26用于将若干所述第三电极层23、所述第一电极层21电互联，上下相对的两电极层分别连接不同的电路极端，以构成电容器件。
相应的，本发明另一实施例还提供一种上述方法所形成的电容器件，请继续参考图6至图8，包括：衬底200；位于所述衬底200上的第一金属层，所述第一金属层包括第一电极层21和第二电极层22，所述第一电极层21包括若干第一指状极板211，所述第二电极层22包括若干第二指状极板221，所述若干第一指状极板211和所述若干第二指状极板221均平行于第一方向X且沿第二方向Y排布，所述第一方向X与所述第二方向Y相互垂直，各所述第一指状极板211位于相邻第二指状极板221之间；位于所述第一金属层上的层叠设置的若干第二金属层和若干第三金属层，各所述第二金属层位于相邻的所述第三金属层之间或者所述第三金属层与所述第一金属层之间，各所述第二金属层包括第三电极层23，各所述第三金属层包括第四电极层24，所述第三电极层23和所述第四电极层24在所述衬底200表面的具有相互重叠的第一投影，所述若干第一指状极板211和所述若干第二指状极板221在所述衬底200表面的投影在位于所述第一投影范围内，且所述第一电极层21和所述若干第三电极层23电互联，所述第二电极层22和所述若干第四电极层24电互联。
所述第一电极层21和所述若干第三电极层23作为电容器件的其一电极端，所述第二电极层22和所述若干第四电极层24作为电容器件另一电极端，所述第三电极层23和所述第四电极层24在所述衬底200表面的具有相互重叠的第一投影，所述若干第一指状极板211和所述若干第二指状极板221在所述衬底200表面的投影在位于所述第一投影范围内，所述第三电极层23和所述第四电极层24相对所述第一指状极板211和所述若干第二指状极板221，其面积增大，电容器件面积的增大有利于提高电容器件的密度；另外，第三电极层23和第四电极层24因面积较大有利于降低电极层的电阻，增加器件的Q因子，从而提高器件的能量转换效率；再者，位于所述衬底200上的第一金属层，所述第一金属层包括第一电极层21和第二电极层22，所述第一电极层21包括若干第一指状极板211，所述第二电极层22包括若干第二指状极板221，所述第一电极层21和所述第二电极层22呈指状设计，有利于降低所述第一金属层和衬底200的耦合，同时各所述第一指状极板211位于相邻第二指状极板221之间，所述若干第一指状极板211和所述第二指状极板221的对称设计，有利于提高衬底200同所述第一电极层21、所述第二电极层22耦合的一致性，以提高器件输入端反射系数和输出端反射系数的对称性，利于提高作为高频器件时电容对称性，进而提高电容器件性能。
本实施例中，所述第一电极层21还包括第一电极端210，所述第二电极层22还包括第二电极端220，所述第一电极端210和所述第二电极端220位于所述第一金属层相对的两端，各所述若干第一指状极板211的一端延伸至与所述第一电极端210连接，各所述若干第二指状极板221的一端延伸至与所述第二电极端220连接。
本实施例中，各所述第二金属层还包括与所述第三电极层23相互平行的第五电极层25，所述第五电极层25位于所述第二电极端220上，且与所述第三电极层23之间电隔离，所述第二电极层22和所述若干第四电极层24之间通过所述第五电极层25电互联；各所述第三金属层还包括与所述第四电极层24相互平行的第六电极层26，所述第六电极层26位于所述第一电极端210上，且与所述第四电极层24之间电隔离，所述第一电极层21和所述若干第三电极层23之间通过所述第六电极层26电互联。
本实施例中，所述第五电极层25和所述第六电极层26均平行于所述第二方向Y。
本实施例中，在沿着所述第一方向X上，所述第三电极层23和所述第五电极层25之间距离m范围为0.1μm至2μm；在沿着所述第一方向X上，所述第四电极层24和所述第六电极层26之间距离n范围为0.1μm至2μm。
本实施例中，所述第二金属层和所述第三金属层的数量分别至少为1层。本实施例中，所述第二金属层的数量为2层，所述第三金属层的数量为2层。
本实施例中，在沿所述第一方向X上，各所述第一指状极板211的长度a范围为0.5μm至300μm；在沿所述第二方向Y上，各所述第一指状极板211的宽度b范围为0.02μm至5μm；在沿所述第二方向Y上，相邻的所述第一指状极板211和所述第二指状极板221之间的距离d1范围为0.02μm至5μm；在沿所述第一方向X上，所述第一指状极板211与所述第二电极端220之间的距离d2范围为0.1μm至2μm；在沿所述第一方向X上，所述第二指状极板221与所述第一电极端210之间的距离d3范围为0.1μm至2μm。
虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims (15)

1.一种电容器件，其特征在于，包括：
衬底；
位于所述衬底上的第一金属层，所述第一金属层包括第一电极层和第二电极层，所述第一电极层包括若干第一指状极板，所述第二电极层包括若干第二指状极板，所述若干第一指状极板和所述若干第二指状极板均平行于第一方向且沿第二方向排布，所述第一方向与所述第二方向相互垂直，各所述第一指状极板位于相邻第二指状极板之间；
位于所述第一金属层上的层叠设置的若干第二金属层和若干第三金属层，各所述第二金属层位于相邻的所述第三金属层之间或者所述第三金属层与所述第一金属层之间，各所述第二金属层包括第三电极层，各所述第三金属层包括第四电极层，所述第三电极层和所述第四电极层在所述衬底表面的具有相互重叠的第一投影，所述若干第一指状极板和所述若干第二指状极板在所述衬底表面的投影在位于所述第一投影范围内，且所述第一电极层和所述若干第三电极层电互联，所述第二电极层和所述若干第四电极层电互联。
2.如权利要求1所述的电容器件，其特征在于，所述第一电极层还包括第一电极端，所述第二电极层还包括第二电极端，所述第一电极端和所述第二电极端位于所述第一金属层相对的两端，各所述若干第一指状极板的一端延伸至与所述第一电极端连接，各所述若干第二指状极板的一端延伸至与所述第二电极端连接。
3.如权利要求2所述的电容器件，其特征在于，各所述第二金属层还包括与所述第三电极层相互平行的第五电极层，所述第五电极层位于所述第二电极端上，且与所述第三电极层之间电隔离，所述第二电极层和所述若干第四电极层之间通过所述第五电极层电互联；各所述第三金属层还包括与所述第四电极层相互平行的第六电极层，所述第六电极层位于所述第一电极端上，且与所述第四电极层之间电隔离，所述第一电极层和所述若干第三电极层之间通过所述第六电极层电互联。
4.如权利要求3所述的电容器件，其特征在于，所述第五电极层和所述第六电极层均平行于所述第二方向。
5.如权利要求3所述的电容器件，其特征在于，在沿着所述第一方向上，所述第三电极层和所述第五电极层之间距离范围为0.1μm至2μm；在沿着所述第一方向上，所述第四电极层和所述第六电极层之间距离范围为0.1μm至2μm。
6.如权利要求1所述的电容器件，其特征在于，所述第二金属层和所述第三金属层的数量分别至少为1层。
7.如权利要求1所述的电容器件，其特征在于，包括：在沿所述第一方向上，各所述第一指状极板的长度范围为0.5μm至300μm；在沿所述第二方向上，各所述第一指状极板的宽度范围为0.02μm至5μm；在沿所述第二方向上，相邻的所述第一指状极板和所述第二指状极板之间的距离范围为0.02μm至5μm；在沿所述第一方向上，所述第一指状极板与所述第二电极端之间的距离范围为0.1μm至2μm；在沿所述第一方向上，所述第二指状极板与所述第一电极端之间的距离范围为0.1μm至2μm。
8.一种电容器件的形成方法，其特征在于，包括：
提供衬底；
在所述衬底上形成第一金属层，所述第一金属层包括第一电极层和第二电极层，所述第一电极层包括若干第一指状极板，所述第二电极层包括若干第二指状极板，所述若干第一指状极板和所述若干第二指状极板均平行于第一方向且沿第二方向排布，所述第一方向与所述第二方向相互垂直，各所述第一指状极板位于相邻第二指状极板之间；
在所述第一金属层上形成层叠设置的若干第二金属层和若干第三金属层，各所述第二金属层位于相邻的所述第三金属层之间或者所述第三金属层与所述第一金属层之间，各所述第二金属层包括第三电极层，各所述第三金属层包括第四电极层，所述第三电极层和所述第四电极层在所述衬底表面具有相互重叠的第一投影，所述若干第一指状极板和所述若干第二指状极板在所述衬底表面的投影在位于所述第一投影范围内，且所述第一电极层和所述若干第三电极层电互联，所述第二电极层和所述若干第四电极层电互联。
9.如权利要求8所述的电容器件的形成方法，其特征在于，所述第一电极层还包括第一电极端，所述第二电极层还包括第二电极端，所述第一电极端和所述第二电极端位于所述第一金属层相对的两端，各所述若干第一指状极板的一端延伸至与所述第一电极端连接，各所述若干第二指状极板的一端延伸至与所述第二电极端连接。
10.如权利要求9所述的电容器件的形成方法，其特征在于，各所述第二金属层还包括与所述第三电极层相互平行的第五电极层，所述第五电极层位于所述第二电极端上，且与所述第三电极层之间电隔离，所述第二电极层和所述若干第四电极层之间通过所述第五电极层电互联；各所述第三金属层还包括与所述第四电极层相互平行的第六电极层，所述第六电极层位于所述第一电极端上，且与所述第四电极层之间电隔离，所述第一电极层和所述若干第三电极层之间通过所述第六电极层电互联。
11.如权利要求10所述的电容器件的形成方法，其特征在于，包括：在形成所述第一金属层之后，形成所述若干第二金属层和所述若干第三金属层之前，在所述第一电极端上形成若干第一导电插塞，在所述第二电极端上形成若干第二导电插塞；形成所述第一导电插塞和所述第二导电插塞之后，形成所述第三电极层和所述第五电极层，所述第三电极层位于所述若干第一导电插塞上，所述第五电极层位于所述若干第二导电插塞上。
12.如权利要求10所述的电容器件的形成方法，其特征在于，所述第五电极层和所述第六电极层均平行于所述第二方向。
13.如权利要求10所述的电容器件的形成方法，其特征在于，在沿着所述第一方向上，所述第三电极层和所述第五电极层之间距离范围为0.1μm至2μm；在沿着所述第一方向上，所述第四电极层和所述第六电极层之间距离范围为0.1μm至2μm。
14.如权利要求9所述的电容器件的形成方法，其特征在于，包括：在沿所述第一方向上，各所述第一指状极板的长度范围为0.5μm至300μm；在沿所述第二方向上，各所述第一指状极板的宽度范围为0.02μm至5μm；在沿所述第二方向上，相邻的所述第一指状极板和所述第二指状极板之间的距离范围为0.02μm至5μm；在沿所述第一方向上，所述第一指状极板与所述第二电极端之间的距离范围为0.1μm至2μm；在沿所述第一方向上，所述第二指状极板与所述第一电极端之间的距离范围为0.1μm至2μm。
15.如权利要求8所述的电容器件的形成方法，其特征在于，所述第二金属层和所述第三金属层的数量分别至少为1层。
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