CN117015300A - 电容器件及其形成方法 - Google Patents

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CN117015300A CN202210453737.3A CN202210453737A CN117015300A CN 117015300 A CN117015300 A CN 117015300A CN 202210453737 A CN202210453737 A CN 202210453737A CN 117015300 A CN117015300 A CN 117015300A
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邬庆
王西宁
钱蔚宏
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Abstract

一种电容器件及其形成方法，其中结构包括：导电插塞，所述导电插塞包括第一导电插塞、第二导电插塞、第三导电插塞和第四导电插塞，所述第一导电插塞使所述第一电极层与相邻的各第一导电区相互电连接，所述第二导电插塞使所述第二电极层与相邻的所述各第二导电区相互电连接，所述第三导电插塞使相邻两层第二金属层中的第一导电区相互电连接，所述第四导电插塞使相邻两层第二金属层中的第二导电区相互电连接，所述第一导电区和所述第二导电区分别连接不同的电极端，增加了所述第一导电插塞与所述第二导电插塞之间的电容，以及所述第一导电层与所述第二导电插塞之间、所述第二导电层与所述第一导电插塞之间的电容，提高了器件的电容密度。

Description

电容器件及其形成方法
技术领域
本发明涉及半导体制造领域，尤其是涉及一种电容器件及其形成方法。
背景技术
在半导体集成电路中，与晶体管电路制作在同一芯片上的集成电容被广泛地应用。其形式主要有金属-绝缘体-金属(metal-insulator-metal，MIM)电容和金属-氧化物-金属(metal-oxide-metal，MOM)电容两种。其中，MIM电容使用上下层金属作为电容极板，制作MIM电容一般需要新增光刻层次，同时电容介质层击穿电压与电容大小是无法调和的矛盾量，而且平板电容一般都需要较大的面积，不利于器件的集成。而MOM电容采用指状结构和叠层相结合的方法可以在相对较小的面积上制作容量更大的电容。此外，在制作MOM电容时，无需额外的光刻胶层和掩模，从而制作工艺相对于MIM电容也更简单，成本更低。但是，由于受到金属线间距离的限制，现有技术中的侧向MOM电容无法做大，且稳定度较差。
随着器件小型化的发展，如何增加MOM电容的密度成为本领域技术人员亟待解决的问题之一。
发明内容
本发明解决的技术问题是提供一种电容器件及其形成方法，以改善半导体结构性能。
为解决上述技术问题，本发明的技术方案提供一种电容器件，包括：一种电容器件，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底上第一金属层，所述第一金属层包括第一电极层和第二电极层，所述第一电极层包括若干第一指状极板，所述第二电极层包括若干第二指状极板，所述若干第一指状极板和所述若干第二指状极板均平行于第一方向且沿第二方向排布，所述第一方向与所述第二方向相互垂直，各所述第一指状极板位于相邻的两个第二指状极板之间；位于所述衬底上与所述第一金属层层叠设置的若干第二金属层，各所述第二金属层包括若干第三指状极板，所述若干第三指状极板平行于所述第一方向，且沿所述第二方向排布，各所述第三指状极板分别与所述第一指状极板层或所述第二指状极板层叠设置，各所述第三指状极板包括若干沿第一方向间隔分布的第一导电区和第二导电区，各所述第一导电区和所述第二导电区之间具有绝缘层，同层相邻两根所述第三指状极板的第一导电区和第二导电区相邻，相邻两层的所述第三指状极板的第一导电区和第二导电区相邻；导电插塞，所述导电插塞包括第一导电插塞、第二导电插塞、第三导电插塞和第四导电插塞，所述第一导电插塞使所述第一电极层与相邻的各第一导电区相互电连接，所述第二导电插塞使所述第二电极层与相邻的所述各第二导电区相互电连接，所述第三导电插塞使相邻两层第二金属层中的第一导电区相互电连接，所述第四导电插塞使相邻两层第二金属层中的第二导电区相互电连接。
可选的，还包括：位于所述若干第二金属层上的第三金属层，所述第三金属层包括第三电极层和第四电极层，所述第三电极层包括若干第四指状极板，所述第四电极层包括若干第五指状极板，所述若干第四指状极板和所述若干第五指状极板均平行于第一方向且沿第二方向排布，各所述第四指状极板位于相邻的两个第五指状极板之间，所述第四指状极板与所述第一指状极板层叠设置，所述第五指状极板与所述第二指状极板层叠设置。
可选的，所述导电插塞还包括第五导电插塞和第六导电插塞，所述第五导电插塞使相邻的所述若干第一导电区和所述第三电极层相互电连接，所述第六导电插塞使相邻的所述若干第二导电区与所述第四电极层相互电连接。
可选的，所述第一电极层还包括第一电极端，所述第二电极层还包括第二电极端，且所述第一电极端和所述第二电极端位于所述第一金属层在沿所述第一方向上相对的两端；各所述第二金属层还包括位于所述第二金属层在沿所述第一方向上相对两端的第三电极端和第四电极端；所述第三电极层还包括第五电极端，所述第四电极层还包括第六电极端，且所述第五电极端和所述第六电极端位于所述第三金属层在沿所述第一方向上相对的两端。
可选的，包括：所述若干第一指状极板延伸至与所述第一电极端相互电连接，所述若干第二指状极板延伸至与所述第二电极端相互电连接；所述若干第四指状极板延伸至与所述第五电极端相互电连接，所述若干第五指状极板延伸至与所述第六电极端相互电连接。
可选的，所述第一电极端、所述第二电极端、所述第三电极端、所述第四电极端、所述第五电极端和所述第六电极端均平行于所述第二方向。
可选的，所述若干第二金属层的数量范围为大于或等于2层。
可选的，在沿着所述第一方向上，相邻的所述第一导电区和所述第二导电区之间的距离范围为30nm至1000nm；在沿着所述第二方向上，相邻两个所述第三指状极板之间的距离范围为30nm至5000nm；在沿着所述第二方向上，各所述第三指状极板的宽度范围为30nm至5000nm。
相应的，本发明的技术方案还提供一种电容器件的形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成第一金属层，所述第一金属层包括第一电极层和第二电极层，所述第一电极层包括若干第一指状极板，所述第二电极层包括若干第二指状极板，所述若干第一指状极板和所述若干第二指状极板均平行于第一方向且沿第二方向排布，所述第一方向与所述第二方向相互垂直，各所述第一指状极板位于相邻的两个第二指状极板之间；在所述第一金属层上形成第一导电插塞和第二导电插塞，所述第一导电插塞位于所述第一电极层上，所述第二导电插塞位于所述第二电极层上；在形成所述第一导电插塞和所述第二导电插塞之后，形成与所述第一金属层层叠设置的若干第二金属层以及所述若干第二金属层之间的第三导电插塞和第四导电插塞，各所述第二金属层包括若干第三指状极板，所述若干第三指状极板平行于所述第一方向，且沿所述第二方向排布，各所述第三指状极板分别与所述第一指状极板层或所述第二指状极板层叠设置，各所述第三指状极板包括若干沿第一方向间隔分布的第一导电区和第二导电区，各所述第一导电区和所述第二导电区之间具有绝缘层，各同层相邻两根所述第三指状极板的第一导电区和第二导电区相邻，相邻两层的所述第三指状极板的第一导电区和第二导电区相邻，所述第一导电插塞使所述第一电极层与相邻的各第一导电区相互电连接，所述第二导电插塞使所述第二电极层与相邻的各第二导电区相互电连接，所述第三导电插塞使相邻两层第二金属层中的第一导电区相互电连接，所述第四导电插塞使相邻两层的第二金属层中的第二导电区相互电连接。
可选的，在形成所述若干第二金属层之后，形成第三金属层，所述第三金属层包括第三电极层和第四电极层，所述第三电极层包括若干第四指状极板，所述第四电极层包括若干第五指状极板，所述若干第四指状极板和所述若干第五指状极板均平行于第一方向且沿第二方向排布，各所述第四指状极板位于相邻的两个第五指状极板之间，所述第四指状极板与所述第一指状极板层叠设置，所述第五指状极板与所述第二指状极板层叠设置。
可选的，在形成所述第三金属层之前，还包括：形成第五导电插塞和第六导电插塞。
可选的，所述第五导电插塞使相邻的所述若干第一导电区和所述第三电极层相互电连接，所述第六导电插塞使相邻的所述若干第二导电区与所述第四电极层相互电连接。
可选的，所述第一电极层还包括第一电极端，所述第二电极层还包括第二电极端，且所述第一电极端和所述第二电极端位于所述第一金属层在沿所述第一方向上相对的两端；各所述第二金属层还包括位于所述第二金属层在沿所述第一方向上相对两端的第三电极端和第四电极端；所述第三电极层还包括第五电极端，所述第四电极层还包括第六电极端，且所述第五电极端和所述第六电极端位于所述第三金属层在沿所述第一方向上相对的两端。
可选的，包括：所述若干第一指状极板延伸至与所述第一电极端相互电连接，所述若干第二指状极板延伸至与所述第二电极端相互电连接；所述若干第四指状极板延伸至与所述第五电极端相互电连接，所述若干第五指状极板延伸至与所述第六电极端相互电连接。
可选的，所述第一电极端、所述第二电极端、所述第三电极端、所述第四电极端、所述第五电极端和所述第六电极端均平行于所述第二方向。
可选的，所述若干第二金属层的层数范围为大于或等于2。
可选的，在沿着所述第一方向上，相邻的所述第一导电区和所述第二导电区之间的距离范围为30nm至1000nm；在沿着所述第二方向上，相邻两个所述第三指状极板之间的距离范围为30nm至5000nm；在沿着所述第二方向上，各所述第三指状极板的宽度范围为30nm至5000nm。
与现有技术相比，本发明实施例的技术方案具有以下有益效果：
本发明技术方案提供的电容器件中，导电插塞包括第一导电插塞、第二导电插塞、第三导电插塞和第四导电插塞，所述第一导电插塞使所述第一电极层与相邻的各第一导电区相互电连接，所述第二导电插塞使所述第二电极层与相邻的各第二导电区相互电连接，所述第三导电插塞使相邻两层第二金属层中的第一导电区相互电连接，所述第四导电插塞使相邻两层的第二金属层中的第二导电区相互电连接，所述第一导电区和所述第二导电区分别连接不同的电极端，增加了不同电极端导电插塞间的电容，即所述第一导电插塞与所述第二导电插塞之间的电容，以及所述第一导电层与所述第二导电插塞之间、所述第二导电层与所述第一导电插塞之间的电容，提高了器件的电容密度。
本发明技术方案提供的电容器件的形成方法中，导电插塞包括第一导电插塞、第二导电插塞、第三导电插塞和第四导电插塞，所述第一导电插塞使所述第一电极层与相邻的各第一导电区相互电连接，所述第二导电插塞使所述第二电极层与相邻的各第二导电区相互电连接，所述第三导电插塞使相邻两层第二金属层中的第一导电区相互电连接，所述第四导电插塞使相邻两层的第二金属层中的第二导电区相互电连接，所述第一导电区和所述第二导电区分别连接不同的电极端，增加了不同电极端导电插塞间的电容，即所述第一导电插塞与所述第二导电插塞之间的电容，以及所述第一导电层与所述第二导电插塞之间、所述第二导电层与所述第一导电插塞之间的电容，提高了器件的电容密度。
附图说明
图1至图3是一种电容器件的结构示意图；
图4至图11是本发明实施例电容器件形成方法中各步骤对应的结构示意图。
具体实施方式
需要注意的是，本说明书中的“表面”、“上”，用于描述空间的相对位置关系，并不限定于是否直接接触。
如背景技术所述，现有技术中形成的电容器件的性能有待改善。现结合一种电容器件进行说明分析。
图1至图3是一种电容器件的结构示意图。
请参考图1至图3，图1是图2和图3的俯视结构示意图，图2是图1中沿EE1方向的剖面结构示意图，图3是图1中沿DD1方向的剖面结构示意图，所述半导体结构包括：衬底100；位于所述衬底100上若干层叠设置的金属层，各所述金属层包括第一电极层11和第二电极层12，所述第一电极层11包括第一电极端110和若干第一指状极板111，所述第二电极层12包括第二电极端120和若干第二指状极板121，所述若干第一指状极板111和所述若干第二指状极板121均分别行于第一方向X且沿第二方向Y排布，所述若干第一指状极板111的一端通过第一电极端110连接在一起，所述若干第二指状极板121的一端通过第二电极端120连接在一起，所述第一电极端110和所述第二电极端120位于各所述金属层相对的两端，各所述第一指状极板111位于相邻两条第二指状极板111之间，且所述第一方向与所述第二方向相互垂直；相邻的所述金属层的所述第一电极11通过位于所述第一电极端110的若干第一导电插塞112相互电连接，相邻的所述金属层的所述第二电极12通过位于所述第二电极端120的若干第二导电插塞122连接。
上述结构中示出了五层金属层组成的MOM电容，其中，所述第一电极层11和所述第二电极层12连接不同的电极端。所述MOM电容包括同金属不同电极间的C1电容、相邻层不同电极间的C2电容，以及非相邻层不同电极间的C3电容。所述第一电极层11与所述第二电极层12之间需要有一定的距离来避免短路，比如，所述第一指状极板111和所述第二指状极板121在沿Y方向上具有一定距离；而在沿X方向上，所述第一电极端110与所述第二指状极板121之间也需要保持一定的距离，从而导致MOM器件密度较小，不利于提高器件的集成度。
为了解决上述问题，本发明提供一种电容器件及其形成方法，导电插塞包括第一导电插塞、第二导电插塞、第三导电插塞和第四导电插塞，所述第一导电插塞使所述第一电极层与相邻的各第一导电区相互电连接，所述第二导电插塞使所述第二电极层与相邻的各第二导电区相互电连接，所述第三导电插塞使相邻两层第二金属层中的第一导电区相互电连接，所述第四导电插塞使相邻两层的第二金属层中的第二导电区相互电连接，所述第一导电区和所述第二导电区分别连接不同的电极端，增加了不同电极端导电插塞间的电容，即所述第一导电插塞与所述第二导电插塞之间的电容，以及所述第一导电层与所述第二导电插塞之间、所述第二导电层与所述第一导电插塞之间的电容，提高了器件的电容密度。
为使本发明的上述目的、特征和有益效果能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
图4至图11是本发明实施例电容器件形成方法中各步骤对应的结构示意图。
请参考图4，提供衬底200。
本实施例中，所述衬底200包括基底(图中未标出)，位于基底上的器件层(图中未标出)以及位于所述基底和所述器件层表面的第一介质层(图中未标出)，所述器件层包括隔离结构(图中未标出)和位于隔离结构内的器件结构(图中未标出)，所述器件结构包括晶体管、二极管、三极管、电容、电感或导电结构等。
请参考图5，在所述衬底200上形成第一金属层，所述第一金属层包括第一电极层21和第二电极层22，所述第一电极层21包括若干第一指状极板211，所述第二电极层22包括若干第二指状极板221，所述若干第一指状极板211和所述若干第二指状极板221均平行于第一方向X且沿第二方向Y排布，所述第一方向X与所述第二方向Y相互垂直，各所述第一指状极板211位于相邻第二指状极板221之间。
所述第一电极层21还包括第一电极端210，所述第二电极层22还包括第二电极端220，且所述第一电极端210和所述第二电极端220位于所述第一金属层在沿所述第一方向X上相对的两端。
本实施例中，所述第一电极端210和所述第二电极端220均平行于所述第二方向。
本实施例中，所述若干第一指状极板211延伸至与所述第一电极端210相互电连接，所述若干第二指状极板221延伸至与所述第二电极端220相互电连接。
请参考图6，在所述第一金属层上形成第一导电插塞301和第二导电插塞302，所述第一导电插塞301位于所述第一电极层21上，所述第二导电插塞302位于所述第二电极层22上。
请参考图7和图8，在形成所述第一导电插塞301和所述第二导电插塞302之后，形成与所述第一金属层层叠设置的若干第二金属层以及所述若干第二金属层之间的第三导电插塞303和第四导电插塞304，各所述第二金属层包括若干第三指状极板401，所述若干第三指状极板401平行于所述第一方向X，且沿所述第二方向Y排布，各所述第三指状极板401分别与所述第一指状极板层211或所述第二指状极板221层叠设置，各所述第三指状极板401包括若干沿第一方向X间隔分布的第一导电区401a和第二导电区401b，各所述第一导电区401a和所述第二导电区401b之间具有绝缘层(图中未示出)，各同层相邻两根所述第三指状极板401的第一导电区401a和第二导电区401b相邻，相邻两层的所述第三指状极板401的第一导电区401a和第二导电区401b相邻，所述第一导电插塞301使所述第一电极层21与相邻的各第一导电区401a相互电连接，所述第二导电插塞302使所述第二电极层22与相邻的各第二导电区401b相互电连接，所述第三导电插塞303使相邻两层第二金属层中的第一导电区401a相互电连接，所述第四导电插塞304使相邻两层的第二金属层中的第二导电区401b相互电连接。
后续，在形成所述若干第二金属层之后，形成第三金属层。
本实施例中，在形成所述第三金属层之前，在所述若干第二金属层上形成第五导电插塞305和第六导电插塞306，所述第五导电插塞305位于所述若干第一导电区401a上，所述第六导电插塞306位于所述若干第二导电区401b上。
各所述第二金属层还包括位于所述第二金属层在沿所述第一方向X上相对两端的第三电极端402和第四电极端403。具体的，所述第五导电插塞305还位于所述第三电极端402；所述第六导电插塞306还位于所述第四电极端403。
本实施例中，所述第三电极端402和所述第四电极端403均平行于所述第二方向Y。
所述若干第二金属层的数量范围为大于或等于2层。本实施例中，所述若干第二金属层的数量为2层。
需要说明的是，图7和图8分别示意出了两层第二金属层中下层的第二金属层和上层的第二金属层，以及位于下层第二金属层上的第三导电插塞303和第四导电插塞304、位于上层第二金属层上的第五导电插塞305和第六导电插塞306的俯视结构示意图。在其他实施例中，所述若干第二金属层的层数可以大于2层。
请参考图9至图11，图9为俯视结构示意图，图10是图9中沿着EE1方向的剖面结构示意图，图11是图9中沿着DD1方向的剖面结构示意图，在形成所述若干第二金属层之后，形成第三金属层，所述第三金属层包括第三电极层51和第四电极层52，所述第三电极层51包括若干第四指状极板511，所述第四电极层52包括若干第五指状极板521，所述若干第四指状极板511和所述若干第五指状极板521均平行于第一方向X且沿第二方向Y排布，各所述第四指状极板511位于相邻的两个第五指状极板521之间，所述第四指状极板511与所述第一指状极板层211叠设置，所述第五指状极板521与所述第二指状极板221层叠设置。
至此，所述电容器件中，导电插塞包括第一导电插塞301、第二导电插塞302、第三导电插塞303和第四导电插塞304，所述第一导电插塞301使所述第一电极层21与相邻的各第一导电区401a相互电连接，所述第二导电插塞302使所述第二电极层22与相邻的各第二导电区401b相互电连接，所述第三导电插塞303使相邻两层第二金属层中的第一导电区401a相互电连接，所述第四导电插塞304使相邻两层的第二金属层中的第二导电区401b相互电连接，所述第一导电区401a和所述第二导电区401b分别连接不同的电极端，增加了不同电极端导电插塞间的电容，即所述第一导电插塞301与所述第二导电插塞302之间的电容，以及所述第一导电层21与所述第二导电插塞302之间、所述第二导电层22与所述第一导电插塞301之间的电容，提高了器件的电容密度。
本实施例中，所述第三电极层51还包括第五电极端510，所述第四电极层52还包括第六电极端520，且所述第五电极端510和所述第六电极端520位于所述第三金属层在沿所述第一方向X上相对的两端。
本实施例中，所述第五电极端510和所述第六电极端520均平行于所述第二方向Y。
本实施例中，所述若干第四指状极板511延伸至与所述第五电极端510相互电连接，所述若干第五指状极板521延伸至与所述第六电极端520相互电连接。
具体的，所述第五导电插塞305使相邻的所述若干第一导电区401a和所述第三电极层51相互电连接，所述第六导电插塞306使相邻的所述若干第二导电区401b与所述第四电极层52相互电连接。
本实施例中，所述第一电极端210、所述第二电极端220、所述第三电极端402、所述第四电极端403、所述第五电极端510和所述第六电极端520均平行于所述第二方向Y。
在沿着所述第一方向X上，相邻的所述第一导电区401a和所述第二导电区401b之间的距离m范围为30nm至1000nm；在沿着所述第二方向Y上，相邻两个所述第三指状极板401之间的距离n范围为30nm至5000nm；在沿着所述第二方向Y上，各所述第三指状极板401的宽度d范围为30nm至5000nm。
在此，需要说明的是图9仅示出了第三金属层。
相应的，本发明另一实施例还提供一种上述方法所形成的电容器件，请继续参考图9至图11，包括：衬底200；位于所述衬底200上第一金属层，所述第一金属层包括第一电极层21和第二电极层22，所述第一电极层21包括若干第一指状极板211，所述第二电极层22包括若干第二指状极板221，所述若干第一指状极板211和所述若干第二指状极板221均平行于第一方向X且沿第二方向Y排布，所述第一方向X与所述第二方向Y相互垂直，各所述第一指状极板211位于相邻的两个第二指状极板221之间；位于所述衬底200上与所述第一金属层层叠设置的若干第二金属层，各所述第二金属层包括若干第三指状极板401，所述若干第三指状极板401平行于所述第一方向X，且沿所述第二方向Y排布，各所述第三指状极板401分别与所述第一指状极板层211或所述第二指状极板层221叠设置，各所述第三指状极板401包括若干沿第一方向X间隔分布的第一导电区401a和第二导电区401b，各所述第一导电区401a和所述第二导电区401b之间具有绝缘层，同层相邻两根所述第三指状极板401的第一导电区401a和第二导电区401b相邻，相邻两层的所述第三指状极板401的第一导电区401a和第二导电区401b相邻；导电插塞，所述导电插塞包括第一导电插塞301、第二导电插塞302、第三导电插塞303和第四导电插塞304，所述第一导电插塞301使所述第一电极层21与相邻的各第一导电区401a相互电连接，所述第二导电插塞302使所述第二电极层22与相邻的所述各第二导电区401b相互电连接，所述第三导电插塞303使相邻两层第二金属层中的第一导电区401a相互电连接，所述第四导电插塞304使相邻两层第二金属层中的第二导电区401b相互电连接。
所述电容器件中，导电插塞包括第一导电插塞301、第二导电插塞302、第三导电插塞303和第四导电插塞304，所述第一导电插塞301使所述第一电极层21与相邻的各第一导电区401a相互电连接，所述第二导电插塞302使所述第二电极层22与相邻的各第二导电区401b相互电连接，所述第三导电插塞303使相邻两层第二金属层中的第一导电区401a相互电连接，所述第四导电插塞304使相邻两层的第二金属层中的第二导电区401b相互电连接，所述第一导电区401a和所述第二导电区401b分别连接不同的电极端，增加了不同电极端导电插塞间的电容，即所述第一导电插塞301与所述第二导电插塞302之间的电容，以及所述第一导电层21与所述第二导电插塞302之间、所述第二导电层22与所述第一导电插塞301之间的电容，提高了器件的电容密度。
本实施例中，所述电容器件还包括：位于所述若干第二金属层上的第三金属层，所述第三金属层包括第三电极层51和第四电极层52，所述第三电极层51包括若干第四指状极板511，所述第四电极层52包括若干第五指状极板521，所述若干第四指状极板511和所述若干第五指状极板521均平行于第一方向X且沿第二方向Y排布，各所述第四指状极板511位于相邻的两个第五指状极板521之间，所述第四指状极板511与所述第一指状极板层211叠设置，所述第五指状极板521与所述第二指状极板221层叠设置。
本实施例中，所述导电插塞还包括第五导电插塞305和第六导电插塞306，所述第五导电插塞305使相邻的所述若干第一导电区401a和所述第三电极层51相互电连接，所述第六导电插塞306使相邻的所述若干第二导电区401b与所述第四电极层52相互电连接。
本实施例中，所述第一电极层21还包括第一电极端210，所述第二电极层22还包括第二电极端220，且所述第一电极端210和所述第二电极端220位于所述第一金属层在沿所述第一方向X上相对的两端；各所述第二金属层还包括位于所述第二金属层在沿所述第一方向X上相对两端的第三电极端402和第四电极端403；所述第三电极层51还包括第五电极端510，所述第四电极层52还包括第六电极端520，且所述第五电极端510和所述第六电极端520位于所述第三金属层在沿所述第一方向X上相对的两端。
本实施例中，所述电容器件包括：所述若干第一指状极板211延伸至与所述第一电极端210相互电连接，所述若干第二指状极板221延伸至与所述第二电极端220相互电连接；所述若干第四指状极板511延伸至与所述第五电极端510相互电连接，所述若干第五指状极板521延伸至与所述第六电极端520相互电连接。
本实施例中，所述第一电极端210、所述第二电极端220、所述第三电极端402、所述第四电极端403、所述第五电极端510和所述第六电极端520均平行于所述第二方向Y。
所述若干第二金属层的数量范围为大于或等于2层。本实施例中，所述若干第二金属层的数量为2层。
在沿着所述第一方向X上，相邻的所述第一导电区401a和所述第二导电区401b之间的距离m范围为30nm至1000nm；在沿着所述第二方向Y上，相邻两个所述第三指状极板401之间的距离n范围为30nm至5000nm；在沿着所述第二方向Y上，各所述第三指状极板401的宽度d范围为30nm至5000nm。
虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims (17)

1.一种电容器件，其特征在于，包括：
衬底；
位于所述衬底上第一金属层，所述第一金属层包括第一电极层和第二电极层，所述第一电极层包括若干第一指状极板，所述第二电极层包括若干第二指状极板，所述若干第一指状极板和所述若干第二指状极板均平行于第一方向且沿第二方向排布，所述第一方向与所述第二方向相互垂直，各所述第一指状极板位于相邻的两个第二指状极板之间；
位于所述衬底上与所述第一金属层层叠设置的若干第二金属层，各所述第二金属层包括若干第三指状极板，所述若干第三指状极板平行于所述第一方向，且沿所述第二方向排布，各所述第三指状极板分别与所述第一指状极板层或所述第二指状极板层叠设置，各所述第三指状极板包括若干沿第一方向间隔分布的第一导电区和第二导电区，各所述第一导电区和所述第二导电区之间具有绝缘层，同层相邻两根所述第三指状极板的第一导电区和第二导电区相邻，相邻两层的所述第三指状极板的第一导电区和第二导电区相邻；
导电插塞，所述导电插塞包括第一导电插塞、第二导电插塞、第三导电插塞和第四导电插塞，所述第一导电插塞使所述第一电极层与相邻的各第一导电区相互电连接，所述第二导电插塞使所述第二电极层与相邻的所述各第二导电区相互电连接，所述第三导电插塞使相邻两层第二金属层中的第一导电区相互电连接，所述第四导电插塞使相邻两层第二金属层中的第二导电区相互电连接。
2.如权利要求1所述的电容器件，其特征在于，还包括：位于所述若干第二金属层上的第三金属层，所述第三金属层包括第三电极层和第四电极层，所述第三电极层包括若干第四指状极板，所述第四电极层包括若干第五指状极板，所述若干第四指状极板和所述若干第五指状极板均平行于第一方向且沿第二方向排布，各所述第四指状极板位于相邻的两个第五指状极板之间，所述第四指状极板与所述第一指状极板层叠设置，所述第五指状极板与所述第二指状极板层叠设置。
3.如权利要求2所述的电容器件，其特征在于，所述导电插塞还包括第五导电插塞和第六导电插塞，所述第五导电插塞使相邻的所述若干第一导电区和所述第三电极层相互电连接，所述第六导电插塞使相邻的所述若干第二导电区与所述第四电极层相互电连接。
4.如权利要求2所述的电容器件，其特征在于，所述第一电极层还包括第一电极端，所述第二电极层还包括第二电极端，且所述第一电极端和所述第二电极端位于所述第一金属层在沿所述第一方向上相对的两端；各所述第二金属层还包括位于所述第二金属层在沿所述第一方向上相对两端的第三电极端和第四电极端；所述第三电极层还包括第五电极端，所述第四电极层还包括第六电极端，且所述第五电极端和所述第六电极端位于所述第三金属层在沿所述第一方向上相对的两端。
5.如权利要求4所述的电容器件，其特征在于，包括：所述若干第一指状极板延伸至与所述第一电极端相互电连接，所述若干第二指状极板延伸至与所述第二电极端相互电连接；所述若干第四指状极板延伸至与所述第五电极端相互电连接，所述若干第五指状极板延伸至与所述第六电极端相互电连接。
6.如权利要求4所述的电容器件，其特征在于，所述第一电极端、所述第二电极端、所述第三电极端、所述第四电极端、所述第五电极端和所述第六电极端均平行于所述第二方向。
7.如权利要求1所述的电容器件，其特征在于，所述若干第二金属层的数量范围为大于或等于2层。
8.如权利要求1所述的电容器件，其特征在于，在沿着所述第一方向上，相邻的所述第一导电区和所述第二导电区之间的距离范围为30nm至1000nm；在沿着所述第二方向上，相邻两个所述第三指状极板之间的距离范围为30nm至5000nm；在沿着所述第二方向上，各所述第三指状极板的宽度范围为30nm至5000nm。
9.一种电容器件的形成方法，其特征在于，包括：
提供衬底；
在所述衬底上形成第一金属层，所述第一金属层包括第一电极层和第二电极层，所述第一电极层包括若干第一指状极板，所述第二电极层包括若干第二指状极板，所述若干第一指状极板和所述若干第二指状极板均平行于第一方向且沿第二方向排布，所述第一方向与所述第二方向相互垂直，各所述第一指状极板位于相邻的两个第二指状极板之间；
在所述第一金属层上形成第一导电插塞和第二导电插塞，所述第一导电插塞位于所述第一电极层上，所述第二导电插塞位于所述第二电极层上；
在形成所述第一导电插塞和所述第二导电插塞之后，形成与所述第一金属层层叠设置的若干第二金属层以及所述若干第二金属层之间的第三导电插塞和第四导电插塞，各所述第二金属层包括若干第三指状极板，所述若干第三指状极板平行于所述第一方向，且沿所述第二方向排布，各所述第三指状极板分别与所述第一指状极板层或所述第二指状极板层叠设置，各所述第三指状极板包括若干沿第一方向间隔分布的第一导电区和第二导电区，各所述第一导电区和所述第二导电区之间具有绝缘层，各同层相邻两根所述第三指状极板的第一导电区和第二导电区相邻，相邻两层的所述第三指状极板的第一导电区和第二导电区相邻，所述第一导电插塞使所述第一电极层与相邻的各第一导电区相互电连接，所述第二导电插塞使所述第二电极层与相邻的各第二导电区相互电连接，所述第三导电插塞使相邻两层第二金属层中的第一导电区相互电连接，所述第四导电插塞使相邻两层的第二金属层中的第二导电区相互电连接。
10.如权利要求9所述的电容器件的形成方法，其特征在于，在形成所述若干第二金属层之后，形成第三金属层，所述第三金属层包括第三电极层和第四电极层，所述第三电极层包括若干第四指状极板，所述第四电极层包括若干第五指状极板，所述若干第四指状极板和所述若干第五指状极板均平行于第一方向且沿第二方向排布，各所述第四指状极板位于相邻的两个第五指状极板之间，所述第四指状极板与所述第一指状极板层叠设置，所述第五指状极板与所述第二指状极板层叠设置。
11.如权利要求10所述的电容器件的形成方法，其特征在于，在形成所述第三金属层之前，还包括：形成第五导电插塞和第六导电插塞。
12.如权利要求11所述的电容器件的形成方法，其特征在于，所述第五导电插塞使相邻的所述若干第一导电区和所述第三电极层相互电连接，所述第六导电插塞使相邻的所述若干第二导电区与所述第四电极层相互电连接。
13.如权利要求10所述的电容器件的形成方法，其特征在于，所述第一电极层还包括第一电极端，所述第二电极层还包括第二电极端，且所述第一电极端和所述第二电极端位于所述第一金属层在沿所述第一方向上相对的两端；各所述第二金属层还包括位于所述第二金属层在沿所述第一方向上相对两端的第三电极端和第四电极端；所述第三电极层还包括第五电极端，所述第四电极层还包括第六电极端，且所述第五电极端和所述第六电极端位于所述第三金属层在沿所述第一方向上相对的两端。
14.如权利要求13所述的电容器件的形成方法，其特征在于，包括：所述若干第一指状极板延伸至与所述第一电极端相互电连接，所述若干第二指状极板延伸至与所述第二电极端相互电连接；所述若干第四指状极板延伸至与所述第五电极端相互电连接，所述若干第五指状极板延伸至与所述第六电极端相互电连接。
15.如权利要求13所述的电容器件的形成方法，其特征在于，所述第一电极端、所述第二电极端、所述第三电极端、所述第四电极端、所述第五电极端和所述第六电极端均平行于所述第二方向。
16.如权利要求9所述的电容器件的形成方法，其特征在于，所述若干第二金属层的层数范围为大于或等于2。
17.如权利要求9所述的电容器件的形成方法，其特征在于，在沿着所述第一方向上，相邻的所述第一导电区和所述第二导电区之间的距离范围为30nm至1000nm；在沿着所述第二方向上，相邻两个所述第三指状极板之间的距离范围为30nm至5000nm；在沿着所述第二方向上，各所述第三指状极板的宽度范围为30nm至5000nm。
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