CN117066978A - 一种钽酸锂键合晶片的减薄方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 47
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 83
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 52
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 15
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 88
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 53
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 48
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 38
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 30
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 27
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 claims description 22
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 claims description 21
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 16
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims description 13
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 13
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 13
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 7
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 6
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 6
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 4
- FGUUSXIOTUKUDN-IBGZPJMESA-N C1(=CC=CC=C1)N1C2=C(NC([C@H](C1)NC=1OC(=NN=1)C1=CC=CC=C1)=O)C=CC=C2 Chemical compound C1(=CC=CC=C1)N1C2=C(NC([C@H](C1)NC=1OC(=NN=1)C1=CC=CC=C1)=O)C=CC=C2 FGUUSXIOTUKUDN-IBGZPJMESA-N 0.000 claims description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 3
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 claims description 2
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 claims description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 claims description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract description 184
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 abstract description 4
- 238000013467 fragmentation Methods 0.000 abstract description 2
- 238000006062 fragmentation reaction Methods 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 26
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 18
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 12
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 10
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 10
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 5
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 4
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 3
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 3
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 3
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000001994 activation Methods 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000000678 plasma activation Methods 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
- C30B33/08—Etching
- C30B33/10—Etching in solutions or melts
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B1/00—Processes of grinding or polishing; Use of auxiliary equipment in connection with such processes
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
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Abstract
一种钽酸锂键合晶片的减薄方法，包括如下步骤：将钽酸锂晶片与其它晶片键合形成键合晶片；使用减薄机对键合晶片进行粗减薄加工；使用干法刻蚀去除键合晶片表面损伤层及残余应力；使用减薄机对键合晶片进行精减薄加工；使用干法刻蚀去除键合晶片表面损伤层及残余应力；通过飞秒激光扫描键合晶片进行最终减薄。本发明通过设置逐级减薄配合干法刻蚀的方法可以更加精确地控制晶片的减薄厚度和过程，避免加工中因应力集中或应力过大导致晶片边缘翘曲和碎裂，提高加工效率，保证加工质量，降低加工成本。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制造工艺领域，具体涉及一种钽酸锂键合晶片的减薄方法。
背景技术
在半导体制造工艺中，通常需要将衬底晶片与其他材料晶片键合至一起以提高器件的性能，同时为满足未来集成电路高精度、高集成化的需求，需要对键合晶片进行减薄加工，在保证晶片质量的同时，将键合晶片减薄至尽可能薄的厚度。
钽酸锂是一种优良的多功能晶体材料，具有优良的压电、声光、热释电性能，在光学、声学、电学和电子领域有广泛应用，钽酸锂键合晶片是微型化、高精密集成电路的常用材料，需要将键合晶片中钽酸锂层厚度减薄至20μm以下，同时对晶片表面平坦度和粗糙度有严格要求。现有的键合晶片减薄工艺大多采用研磨机配合抛光机进行减薄加工，由于钽酸锂晶片莫氏硬度较低、同时钽酸锂通常与材料性质和热膨胀系数差别较大的硅片或者蓝宝石进行键合，键合界面可能存在残余应力，导致钽酸锂键合晶片的结构更加脆弱，研磨抛光过程中容易造成晶片边缘翘曲或者碎片，特别是大尺寸晶片的加工，当钽酸锂层厚度低于100μm时碎片率大幅上升，同时研磨抛光还存在加工过程中压力分布不均造成减薄不均匀、表面损伤或边缘翘曲的问题。在晶片加工制作中，通常采用腐蚀浸泡降低加工损伤、释放应力，但化学腐蚀减薄精度难以保证，且键合后晶片经过药液腐蚀浸泡可能会降低键合强度。传统的研磨抛光减薄质量差、加工精度低、晶片易翘曲碎片，亟需一种减薄加工后表面质量好，加工良率高，可将钽酸锂层厚度减薄至20μm以下的键合晶片的减薄方法。
公告号为CN102832224B的发明专利公开了一种通过研磨和湿法刻蚀工艺进行晶片减薄的方法，该方法可以将晶片厚度减薄至10μm以下，但湿法刻蚀工艺需要使用大量强腐蚀性药液浸泡晶片，若是将键合晶片长时间放入腐蚀药液中浸泡可能会影响键合强度，该方法并不适用于键合晶片的减薄加工。
公告号为CN110039382 A的发明专利公开了一种大尺寸超薄钽酸锂晶圆片的减薄方法，但其减薄的对象只是单纯的晶片，并非键合晶片，其粗减薄和精减薄的工艺参数与本发明不同，且晶片减薄后的厚度仍在150um及以上，与本发明的技术方案和技术效果相差甚大。
公告号为CN111403273B的发明专利公开了一种使用采用化学机械研磨工艺配合TMAH药液对晶片进行减薄的方法，该方法可以精确控制晶片的厚度，加工精度较高，但由于使用大量的化学药液进行腐蚀浸泡及抛光清洗，不适用于键合晶片的减薄使用。
公告号为CN104733300B的发明专利公开了一种减薄前使用磨轮对晶片边缘磨削去除弧形边缘的减薄方法，该方法解决了减薄过程中键合晶片出现尖角造成器件晶片边缘破裂的问题，但该方法采用传统的研磨抛光方法进行键合晶片减薄，加工中易产生应力造成损伤且减薄加工精度和加工效率较低。
综上所述，现有技术中缺乏一种加工效率高、加工质量好、不易翘曲碎片的钽酸锂键合晶片的减薄方法。
发明内容
本发明提供了一种钽酸锂键合晶片减薄方法，以解决现有技术中加工钽酸锂键合晶片易翘曲碎片、加工效率低、加工质量差的问题。
为解决上述技术问题，本发明提供的钽酸锂键合晶片减薄方法包括如下步骤：
a）准备厚度为100～300μm的钽酸锂晶片及与钽酸锂晶片形状大小完全相同的待键合晶片，将钽酸锂晶片与待键合晶片进行键合，形成键合晶片；
b）对键合晶片进行单面粗减薄，减薄面为钽酸锂背面喷砂面，使用砂轮对键合晶片进行粗减薄加工，砂轮进给速度为4～8μm/min，砂轮转速为850～1200rpm，减薄加工时晶片转速为150～250rpm，减薄钽酸锂层厚度至60～65μm；
c）将粗减薄后的键合晶片进行清洗、吹干，并将清洗吹干后的键合晶片放入刻蚀机中，通入刻蚀气体和辅助气体，对粗减薄后的钽酸锂背面喷砂面进行刻蚀；
d）将步骤c）刻蚀后的键合晶片进行清洗、吹干后，对键合晶片进行单面精减薄，减薄面为钽酸锂背面喷砂面，使用砂轮对键合晶片进行精减薄加工，砂轮进给速度为2～5μm/min，砂轮转速为300～600rpm，减薄加工时晶片转速为50～150rpm，减薄钽酸锂层厚度至30～35μm；
e）将精减薄后的键合晶片进行清洗、吹干，并将清洗吹干后的键合晶片放入刻蚀机中，通入刻蚀气体和辅助气体，对精减薄后的钽酸锂背面喷砂面进行刻蚀；
f）将步骤e）刻蚀后的键合晶片进行清洗、吹干，并通过飞秒激光扫描键合晶片进行最终减薄，减薄面为钽酸锂背面喷砂面，激光脉冲频率为10～80KHz，输出功率5～60W，钽酸锂层厚度减薄至10～20μm。
上述步骤a）中，将钽酸锂晶片及与钽酸锂晶片形状大小完全相同的待键合晶片键合至一起，根据待键合材料选择合适的键合方法，保证键合质量，键合方法采用阳极键合、黏着键合、共晶键合、金属键合、等离子活化键合、紫外光活化键合中的一种或几种；待键合晶片为硅片、蓝宝石、碳化硅、石英中的一种；钽酸锂晶片与待键合晶片尺寸为4～8英寸；钽酸锂晶片与待键合晶片的表面粗糙度小于0.5nm，翘曲度小于10μm。
上述步骤b)中，使用6000#树脂结合剂金刚石砂轮对键合晶片进行粗减薄加工，步骤d)中，使用12000#树脂结合剂金刚石砂轮对键合晶片进行精减薄加工。
上述步骤c）中，减薄加工过程中会造成晶片表面损伤并产生应力，采用刻蚀加工可以去除晶片表面损伤层和残余应力，避免因应力集中或应力过大导致晶片边缘翘曲和碎裂。粗减薄后的晶片表面存在杂质，先后使用清洗液和超纯水清洗晶片去除杂质，避免影响刻蚀加工效果，清洗完成后使用氮气吹干，将吹干后的键合晶片放入刻蚀机中，通入刻蚀气体和辅助气体，刻蚀气体被等离子化后在电极的作用下朝键合晶片运动，对钽酸锂背面喷砂面进行刻蚀加工，辅助气体用于加速刻蚀反应，刻蚀气体为SF6、CHF3和CF4中的一种，辅助气体为Ar、O2、He中的一种，刻蚀机腔体温度为40～60℃，电源功率150～300W，刻蚀气体流量为45～60sccm，辅助气体流量为15～25sccm。
上述步骤e）中，通过刻蚀加工去除精减薄加工后晶片表面损伤层并降低晶片残余应力，使用清洗液和超纯水清洗晶片去除杂质避免影响刻蚀加工效果，将清洗完成氮气吹干的键合晶片放入刻蚀机中，通入刻蚀气体和辅助气体对钽酸锂背面喷砂面进行刻蚀加工，刻蚀气体为SF6、CHF3和CF4中的一种，辅助气体为Ar、O2、He中的一种，刻蚀机腔体温度为40～60℃，电源功率100～200W，刻蚀气体流量为35～50sccm，辅助气体流量为5～15sccm。
上述步骤f）中，使用激光照射钽酸锂背面喷砂面进行激光减薄至钽酸锂层厚度达到10～20μm，采用激光为飞秒激光，激光波长700～1064nm，激光扫描速度1～500mm/s，脉冲频率为10～80KHz，输出功率5～60W；
由于钽酸锂是一种优良的多功能晶体材料，为避免激光减薄时温度过高损伤晶片功能层，影响后续器件性能，需要严格控制激光功率和脉冲，加工时采用具有冷却功能的吸盘吸附键合晶片，通过内部冷却水吸收晶片热量，在减薄设备内部添加冷却系统，保证晶片在合适的温度范围内进行减薄，提高减薄的效果和质量。
作为一种优选，上述步骤c）、步骤d）、步骤e）、步骤f）中，清洗时均采用先清洗液清洗后超纯水清洗的方法清洗晶片表面残留杂质，清洗完成后使用氮气吹干，采用的清洗液由NH4OH、H2O2、H2O按体积比1：1：15～20组成，清洗液和超纯水清洗时间均为2～5min。
作为一种优选，步骤c）、步骤e）中，刻蚀机设有多个进气口，且进气口大小可调节，便于调高刻蚀均匀性。
与现有技术相比，本发明具有以下有益技术效果：
1.本发明的键合晶片中，钽酸锂层厚度为100～300μm，尺寸在4～8英寸间，本身厚度较薄，尺寸较大，要进一步将钽酸锂层厚度减薄至20μm以下，对减薄工艺方法及参数要求较高，本发明通过减薄机对键合晶片先粗减薄再精减薄，最后进行激光减薄，通过设置逐级减薄再配合干法刻蚀的方法， 一方面，可以更加精确地控制晶片的减薄厚度和过程，减少晶片的损伤风险，提高作业效率，保证加工质量；另一方面，避免使用强腐蚀性化学药液腐蚀加工影响键合晶片的键合强度，提高了作业效率，降低了安全风险和生产成本；
2.由于键合晶片的键合界面本身存在残余应力，导致钽酸锂键合晶片的结构更加脆弱，同时使用减薄机减薄加工过程中会引入新的应力，本工艺在使用减薄机减薄加工后通过干法刻蚀去除晶片表面损伤层和残余应力，避免加工中因应力集中或应力过大导致晶片边缘翘曲和碎裂，保证了加工质量；
3.当本发明中键合晶片的钽酸锂层经过两次减薄后，厚度非常薄（在30～35μm间），故本工艺采用不与工件接触产生加工应力且容易控制的激光法进行最终减薄，保证了晶片减薄的良率及表面质量，加工表面更均匀，避免了后续封装加工的导电层不均匀、保护层外扩短路的问题，提高了产品的可靠性。
附图说明
图1为实施例1的工艺流程示意图。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明作进一步说明，但不应以此限制本发明的保护范围。
实施例1如下：
a）准备厚度200μm、表面粗糙度小于0.5nm、翘曲度小于10μm的6英寸钽酸锂晶片及厚度350μm、表面粗糙度小于0.5nm、翘曲度小于10μm的6英寸蓝宝石晶片，采用等离子活法键合法完成钽酸锂及蓝宝石晶片键合，具体加工流程见图1；
b）检查键合界面，确定键合界面无气泡，晶片未翘曲，使用6000#树脂结合剂金刚石砂轮对钽酸锂晶片背面喷砂面进行粗减薄，砂轮进给速度为6μm/min，砂轮转速为1000rpm，减薄加工时晶片转速为200rpm，减薄钽酸锂层厚度至60μm；
c）按照NH4OH：H2O2：H2O体积比1：1：20配制清洗液，将粗减薄后的晶片先后放入清洗液及超纯水中清洗2min，清洗后使用氮气吹干，将吹干后的键合晶片放入刻蚀机中，通入CHF3和Ar进行刻蚀，刻蚀机腔体温度为50℃，电源功率200W，CHF3流量为50sccm，Ar流量为15sccm；
d）按照NH4OH：H2O2：H2O体积比1：1：20配制清洗液，将晶片先后放入清洗液及超纯水中清洗2min，清洗后使用氮气吹干，使用12000#树脂结合剂金刚石砂轮对钽酸锂晶片背面喷砂面进行精减薄，砂轮进给速度为3μm/min，砂轮转速为400rpm，减薄加工时晶片转速为100rpm，减薄钽酸锂层厚度至30μm；
e）按照NH4OH：H2O2：H2O体积比1：1：20配制清洗液，将晶片先后放入清洗液及超纯水中清洗2min，清洗后使用氮气吹干，将吹干后的键合晶片放入刻蚀机中，通入CHF3和Ar进行刻蚀，刻蚀机腔体温度为50℃，电源功率100W，CHF3流量为40sccm，Ar流量为10sccm；
f）按照NH4OH：H2O2：H2O体积比1：1：20配制清洗液，将晶片先后放入清洗液及超纯水中清洗2min，清洗后使用氮气吹干，使用飞秒激光照射钽酸锂背面喷砂面进行激光至钽酸锂层厚度达到10μm，减薄激光波长1030nm，激光扫描速度100mm/s，脉冲频率为10KHz，输出功率30W。
本实施例减薄后的键合晶片经检验无碎片裂片，键合界面无气泡，无解键合，表面无翘曲，平坦度3.1～5.2μm，键合强度大于2.1MPa，综合良率98.01%。
实施例2如下：
a）准备厚度200μm、表面粗糙度小于0.5nm、翘曲度小于10μm的6英寸钽酸锂晶片及厚度350μm、表面粗糙度小于0.5nm、翘曲度小于10μm的6英寸蓝宝石晶片，采用等离子活法键合法完成钽酸锂及蓝宝石晶片键合；
b）检查键合界面，确定键合界面无气泡，晶片未翘曲，使用6000#树脂结合剂金刚石砂轮对钽酸锂晶片背面喷砂面进行粗减薄，砂轮进给速度为4μm/min，砂轮转速为850rpm，减薄加工时晶片转速为150rpm，减薄钽酸锂层厚度至60μm；
c）按照NH4OH：H2O2：H2O体积比1：1：15配制清洗液，将粗减薄后的晶片先后放入清洗液及超纯水中清洗2min，清洗后使用氮气吹干，将吹干后的键合晶片放入刻蚀机中，通入CHF3和Ar进行刻蚀，刻蚀机腔体温度为40℃，电源功率150W，CHF3流量为45sccm，Ar流量为15sccm；
d）按照NH4OH：H2O2：H2O体积比1：1：15配制清洗液，将晶片先后放入清洗液及超纯水中清洗2min，清洗后使用氮气吹干，使用12000#树脂结合剂金刚石砂轮对钽酸锂晶片背面喷砂面进行精减薄，砂轮进给速度为2μm/min，砂轮转速为300rpm，减薄加工时晶片转速为50rpm，减薄钽酸锂层厚度至30μm；
e）按照NH4OH：H2O2：H2O体积比1：1：15配制清洗液，将晶片先后放入清洗液及超纯水中清洗2min，清洗后使用氮气吹干，将吹干后的键合晶片放入刻蚀机中，通入CHF3和Ar进行刻蚀，刻蚀机腔体温度为40℃，电源功率100W，CHF3流量为35sccm，Ar流量为10sccm；
f）按照NH4OH：H2O2：H2O体积比1：1：15配制清洗液，将晶片先后放入清洗液及超纯水中清洗2min，清洗后使用氮气吹干，使用飞秒激光照射钽酸锂背面喷砂面进行激光至钽酸锂层厚度达到10μm，减薄激光波长1030nm，激光扫描速度200mm/s，脉冲频率为20KHz，输出功率35W。
本实施例减薄后的键合晶片经检验无碎片裂片，键合界面无气泡，无解键合，表面无翘曲，平坦度2.6～5.3μm，键合强度大于2.2MPa，综合良率97.88%。
对比例1：
a）同实施例1；
b）同实施例1；
c）按照HF：HNO3体积比2：1配制酸性腐蚀液，将粗减薄后的晶片放入酸性腐蚀液中腐蚀2h，然后放入超纯水中清洗5min，清洗完成后使用氮气吹干；
d）使用12000#树脂结合剂金刚石砂轮对钽酸锂晶片背面喷砂面进行精减薄，砂轮进给速度为3μm/min，砂轮转速为400rpm，减薄加工时晶片转速为100rpm，减薄钽酸锂层厚度至30μm；
e）按照HF：HNO3体积比3：1配制酸性腐蚀液，将精减薄后的晶片放入酸性腐蚀液中腐蚀1h，然后放入超纯水中清洗5min，清洗完成后使用氮气吹干；
f）同实施例1。
本对比例在实施过程中发现经过步骤e）加工后的部分键合晶片局部发生解键合，经检验键合强度降低至1MPa以下，判断为键合后晶片经强腐蚀性溶液长时间浸泡后导致键合强度降低甚至解键合，综合良率91.56%。
对比例2：
a）同实施例1；
b）同实施例1；
c）按照NH4OH：H2O2：H2O体积比1：1：20配制清洗液，将晶片先后放入清洗液及超纯水中清洗2min，清洗后使用氮气吹干，使用12000#树脂结合剂金刚石砂轮对钽酸锂晶片背面喷砂面进行精减薄，砂轮进给速度为3μm/min，砂轮转速为400rpm，减薄加工时晶片转速为100rpm，减薄钽酸锂层厚度至30μm；
d）按照NH4OH：H2O2：H2O体积比1：1：20配制清洗液，将晶片先后放入清洗液及超纯水中清洗2min，清洗后使用氮气吹干，使用飞秒激光照射钽酸锂背面喷砂面进行激光至钽酸锂层厚度达到10μm，减薄激光波长1030nm，激光扫描速度100mm/s，脉冲频率为10KHz，输出功率30W。
本对比例减薄后的键合晶片经检验表面质量较差，表面存在划伤，晶片边缘翘曲率20.05%，碎片率3.61%，判断为减薄机加工后表面损伤及残留应力未采取措施去除，造成边缘翘曲和碎片，综合良率68.35%。
对比例3：
a）同实施例1；
b）同实施例1；
c）按照NH4OH：H2O2：H2O体积比1：1：20配制清洗液，将晶片先后放入清洗液及超纯水中清洗2min，清洗后使用氮气吹干，使用12000#树脂结合剂金刚石砂轮对钽酸锂晶片背面喷砂面进行精减薄，砂轮进给速度为3μm/min，砂轮转速为400rpm，减薄加工时晶片转速为100rpm，减薄钽酸锂层厚度至30μm；
d）按照NH4OH：H2O2：H2O体积比1：1：20配制清洗液，将晶片先后放入清洗液及超纯水中清洗2min，清洗后使用氮气吹干，使用抛光机对钽酸锂晶片背面喷砂面进行抛光减薄，抛光温度为22℃，抛光液流量为6L/min，抛光压力为100g/cm2。
本对比例减薄后的键合晶片经抛光减薄后出现大量崩边裂片，碎片率10.37%，分析原因为经减薄后的晶片表面损伤和应力没有去除，边缘存在翘曲，由于键合晶片结构更加脆弱，在进行抛光加工时与抛光盘接触后受力不均或压力过大造成崩边裂片，综合良率64.31%。
对比例4：
a）同实施例1；
b）检查键合界面，确定键合界面无气泡，晶片未翘曲，使用6000#树脂结合剂金刚石砂轮对钽酸锂晶片背面喷砂面进行粗减薄，砂轮进给速度为15μm/min，砂轮转速为2000rpm，减薄加工时晶片转速为400rpm，减薄钽酸锂层厚度至60μm；
c）同实施例1；
d）按照NH4OH：H2O2：H2O体积比1：1：20配制清洗液，将晶片先后放入清洗液及超纯水中清洗2min，清洗后使用氮气吹干，使用12000#树脂结合剂金刚石砂轮对钽酸锂晶片背面喷砂面进行精减薄，砂轮进给速度为10μm/min，砂轮转速为1500rpm，减薄加工时晶片转速为300rpm，减薄钽酸锂层厚度至30μm；
e）同实施例1；
f）同实施例1。
本对比例减薄后的键合晶片经检验碎片率2.35%，翘曲率6.24%，综合良率88.95%，分析原因为使用减薄砂轮进行减薄时，砂轮转速、砂轮进给速度和晶片转速过高，减薄加工中造成应力集中发生翘曲，此时继续加工容易造成裂片。
对比例5：
a）同实施例1；
b）同实施例1；
c）同实施例1；
d）同实施例1；
e）同实施例1；
f）按照NH4OH：H2O2：H2O体积比1：1：20配制清洗液，将晶片先后放入清洗液及超纯水中清洗2min，清洗后使用氮气吹干，使用飞秒激光照射钽酸锂背面喷砂面进行激光至钽酸锂层厚度达到10μm，减薄激光波长1030nm，激光扫描速度100mm/s，脉冲频率350KHz，输出功率300W。
本对比例减薄后的键合晶片在激光减薄后无碎片和翘曲，使用原子力显微镜、体积电阻率和透过率测试仪对晶片的表面形貌和功能层进行分析，发现部分键合晶片的电学或光学性能明显下降，分析原因为脉冲频率和输出功率过高，对键合晶片的功能层产生了影响，综合良率89.37%。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (9)
1.一种钽酸锂键合晶片的减薄方法，其特征在于，包括下列具体步骤：
a）准备厚度为100～300μm的钽酸锂晶片及与钽酸锂晶片形状大小完全相同的待键合晶片，将钽酸锂晶片与待键合晶片进行键合，形成键合晶片；
b）对键合晶片进行单面粗减薄，减薄面为钽酸锂背面喷砂面，使用砂轮对键合晶片进行粗减薄加工，砂轮进给速度为4～8μm/min，砂轮转速为850～1200rpm，减薄加工时晶片转速为150～250rpm，减薄钽酸锂层厚度至60～65μm；
c）将粗减薄后的键合晶片进行清洗、吹干，并将清洗吹干后的键合晶片放入刻蚀机中，通入刻蚀气体和辅助气体，对粗减薄后的钽酸锂背面喷砂面进行刻蚀；
d）将步骤c）刻蚀后的键合晶片进行清洗、吹干后，对键合晶片进行单面精减薄，减薄面为钽酸锂背面喷砂面，使用砂轮对键合晶片进行精减薄加工，砂轮进给速度为2～5μm/min，砂轮转速为300～600rpm，减薄加工时晶片转速为50～150rpm，减薄钽酸锂层厚度至30～35μm；
e）将精减薄后的键合晶片进行清洗、吹干，并将清洗吹干后的键合晶片放入刻蚀机中，通入刻蚀气体和辅助气体，对精减薄后的钽酸锂背面喷砂面进行刻蚀；
f）将步骤e）刻蚀后的键合晶片进行清洗、吹干，并通过飞秒激光扫描键合晶片进行最终减薄，减薄面为钽酸锂背面喷砂面，激光脉冲频率为10～80KHz，输出功率5～60W，钽酸锂层厚度减薄至10～20μm。
2.根据权利要求1所述的一种钽酸锂键合晶片的减薄方法，其特征在于，所述步骤a)中，键合采用阳极键合、黏着键合、共晶键合、金属键合、等离子活化键合、紫外光活化键合中的一种或几种。
3.根据权利要求1所述的一种钽酸锂键合晶片的减薄方法，其特征在于，所述步骤a)中，待键合晶片为硅片、蓝宝石、碳化硅、石英中的一种，钽酸锂晶片与待键合晶片尺寸为4～8英寸，钽酸锂晶片与待键合晶片的表面粗糙度小于0.5nm，翘曲度小于10μm。
4.根据权利要求1所述的一种钽酸锂键合晶片的减薄方法，其特征在于，所述步骤b)中，使用6000#树脂结合剂金刚石砂轮对键合晶片进行粗减薄加工；所述步骤d)中，使用12000#树脂结合剂金刚石砂轮对键合晶片进行精减薄加工。
5.根据权利要求1所述的一种钽酸锂键合晶片的减薄方法，其特征在于，所述步骤c)中，刻蚀气体为SF6、CHF3和CF4中的一种，辅助气体为Ar、O2、He中的一种，刻蚀机腔体温度为40～60℃，电源功率150～300W，刻蚀气体流量为45～60sccm，辅助气体流量为15～25sccm。
6.根据权利要求1所述的一种钽酸锂键合晶片的减薄方法，其特征在于，所述步骤e)中，刻蚀气体为SF6、CHF3和CF4中的一种，辅助气体为Ar、O2、He中的一种，刻蚀机腔体温度为40～60℃，刻电源功率100～200W，刻蚀气体流量为35～50sccm，辅助气体流量为5～15sccm。
7.根据权利要求1所述的一种钽酸锂键合晶片的减薄方法，其特征在于，所述步骤f)中，使用飞秒激光照射钽酸锂背面喷砂面进行激光减薄，减薄设备内部具有冷却系统，通过内部冷却水吸收晶片热量，加工时采用具有冷却功能的吸盘吸附键合晶片吸收晶片热量，激光波长700～1064nm，激光扫描速度1～500mm/s。
8.根据权利要求1所述的一种钽酸锂键合晶片的减薄方法，其特征在于，所述步骤c）、步骤d）、步骤e）、步骤f）中，清洗时均采用先清洗液清洗后超纯水清洗的方法进行晶片清洗，清洗完成后使用氮气吹干，清洗液由NH4OH、H2O2、H2O按体积比1：1：15～20组成，清洗液和超纯水清洗时间均为2～5min。
9.根据权利要求1所述的一种钽酸锂键合晶片的减薄方法，其特征在于，所述步骤c）、步骤e）中，刻蚀机设有多个进气口，且进气口大小可调节，便于调高刻蚀均匀性。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202311330667.3A CN117066978B (zh) | 2023-10-16 | 2023-10-16 | 一种钽酸锂键合晶片的减薄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| CN202311330667.3A CN117066978B (zh) | 2023-10-16 | 2023-10-16 | 一种钽酸锂键合晶片的减薄方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN117066978A true CN117066978A (zh) | 2023-11-17 |
| CN117066978B CN117066978B (zh) | 2024-01-05 |
Family
ID=88713738
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202311330667.3A Active CN117066978B (zh) | 2023-10-16 | 2023-10-16 | 一种钽酸锂键合晶片的减薄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN117066978B (zh) |
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|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |