CN116994795A - 一种中温烧结陶瓷滤波器用银浆及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种中温烧结陶瓷滤波器用银浆及其制备方法，属于电子浆料技术领域。所述中温烧结陶瓷滤波器用银浆包括如下重量百分含量的组分：72‑80％导电银粉、3‑11％玻璃粉和12‑19％有机载体；玻璃粉包括如下质量百分含量组分：40‑52％Bi2O3、20‑30％B2O3、10‑15％SiO2、7‑9％ZnO、1‑3％Al2O3、2‑3％CaO、3％‑5％BaO；导电银粉包括球形银粉和片状银粉，其中片状银粉的含量为3‑10wt.％。本发明一方面通过在玻璃粉中添加CaO，与其他玻璃粉成分作用获得综合性能完善、粒度分布均匀、与陶瓷介质滤波器膨胀系数匹配的玻璃粉，使银浆烧结温度更低，且与基体的附着力度高。另一方面将球形银粉和片状银粉进行混合，使得银粉在更低的温度下烧结成膜，在降低银粉含量的同时，降低银浆的烧结温度，同时提高银浆与基体的附着力，增强导电性。
Description
技术领域
本发明属于电子浆料技术领域，具体涉及一种中温烧结陶瓷滤波器用银浆及其制备方法。
背景技术
由于陶瓷不导电，金属化是陶瓷过滤器正常工作的关键技术。由于其高导电性、热稳定性和可焊接性，银被用作陶瓷过滤器的电极材料。许多金属化技术可用于涂覆陶瓷，包括丝网印刷、低温共烧陶瓷、球磨、磁控溅射和化学镀。丝网印刷是陶瓷表面金属化最常用的方法。在这种方法中，将银浆涂覆在陶瓷表面并烧结以形成银涂层。
但是，目前银浆的烧结温度都在850℃以上甚至更高，更高的烧结温度不仅提高了工业成本，而且高温对陶瓷本身的性质也有影响。高温容易促进晶粒长大，提高了陶瓷材料本身的孔隙率。更大的晶粒和更多的孔隙率对陶瓷的抗热震性、介电性能、力学性能都有影响。为了降低工业成本、减少银浆烧结温度对陶瓷本身的影响。研发一种在中温(600-700℃)烧结的浆料且与基底具有良好的匹配性，导电性好，附着力高的、烧结致密化高的5G陶瓷滤波器表面金属化专用银浆，非常有必要。
发明内容
针对上述现有技术的缺点，本发明提供一种中温烧结陶瓷滤波器用银浆及其制备方法。
为实现上述目的，本发明采取的技术方案为：一种中温烧结陶瓷滤波器用银浆，包括如下重量百分含量的组分：72-80％导电银粉、3-11％玻璃粉和12-19％有机载体；所述玻璃粉包括如下质量百分含量的组分：40-52％Bi2O3、20-30％B2O3、10-15％SiO2、7-9％ZnO、1-3％Al2O3、2-3％CaO、3％-5％BaO；所述导电银粉包括球形银粉和片状银粉，所述导电银粉中片状银粉的重量百分含量为3-10％。
作为本发明的优选实施方案，所述中温烧结陶瓷滤波器用银浆包括如下重量百分含量的组分：75％导电银粉、8％玻璃粉和17％有机载体。
作为本发明的优选实施方案，所述玻璃粉包括如下质量百分含量的组分：49％Bi2O3、24％B2O3、12％SiO2、7％ZnO、2％Al2O3、2％CaO、4％BaO。
作为本发明的优选实施方案，所述导电银粉中片状银粉的重量百分含量为5％。
作为本发明的优选实施方案，所述片状银粉的粒径为5-9μm，比表面积为0.5-0.8m2/g；所述球形银粉表面由纳米级银粉团簇形成，具有高烧结活性，球形银粉粒径为1-1.5μm，比表面积1.7-2.9m2/g。
本发明将比表面积大、表面由纳米级银颗粒团簇形成的具有高表面活的球形银粉和松装密度小的片状银粉进行混合，使具有高能态、高烧结活性的银粉在更低的温度下能烧结成膜，在有效降低银粉含量的同时，大大降低烧结温度。另外，本发明利用玻璃粉的润湿性，促进银膜层的烧结，两种银膜充分填充烧结过程的间隙，更利于获得致密的导电网络，片状银粉的加入可以提升银浆的防沉降性能，烧结后可以提高陶瓷基体表面银膜层的光亮度。
作为本发明的优选实施方案，所述玻璃粉软化温度为500～520℃。
作为本发明的优选实施方案，所述玻璃粉的平均粒径≤3μm。
作为本发明的优选实施方案，所述有机载体由以下质量百分含量的组分组成：79％～89％有机溶剂、9％～19％增稠剂、2％表面活性剂。
更优选的，所述有机载体由以下质量百分含量的组分组成：86％有机溶剂、12％增稠剂、2％表面活性剂。
作为本发明的优选实施方案，所述有机溶剂为邻苯二甲酸二丁酯、松油醇、异丙醇、石油醚、环氧树脂中的一种或两种。
作为本发明的优选实施方案，所述增稠剂为乙基纤维素和/或聚异丁烯。
作为本发明的优选实施方案，所述表面活性剂为甲苯和/或乙醇。
作为本发明的优选实施方案，所述有机载体的制备方法包括：将有机溶剂和表面活性剂置于水浴中完全溶解得到有机载体。
作为本发明的优选实施方案，所述水浴的温度为60℃-80℃。
作为本发明的优选实施方案，所述中温烧结陶瓷滤波器用银浆的烧结温度为600～670℃。
本发明还要求保护所述中温烧结陶瓷滤波器用银浆的制备方法，包括如下步骤：
(1)根据玻璃粉的组分配制原料并混合均匀、干燥，然后进行熔融得到玻璃液，将玻璃液经过水淬得到玻璃渣，然后依次经过球磨、烘干、过筛得到玻璃粉；
(2)将有机载体、导电银粉、玻璃粉混合均匀，然后研磨得到细度≤5μm的中温烧结陶瓷滤波器用银浆。
与现有技术相比，本发明的有益效果为：本发明一方面通过在玻璃粉中添加CaO，与其他玻璃粉成分作用获得综合性能完善、粒度分布均匀与陶瓷介质滤波器基体膨胀系数匹配的玻璃粉，使得制备得到的银浆烧结温度更低，且与基体的附着力度高。另一方面将球形银粉和片状银粉进行混合，使得银粉在更低的温度下烧结成膜，在有效降低银粉含量的同时，大大降低银浆的烧结温度为600～670℃，同时提高银浆与基体的附着力，增强导电性。另外，本发明将导电银粉、玻璃粉和有机载体复配，共同实现降低银浆烧结温度的目的，同时使的银浆具备在陶瓷基体上的高附着性和导电性。
附图说明
图1为球形银粉表面形貌图。
图2为实施例2所制备的玻璃粉烧结后润湿角的示意图。
图3为实施例1所制备的中温烧结陶瓷滤波器用银浆烧结后的扫描电镜图。
图4为实施例2所制备的中温烧结陶瓷滤波器用银浆烧结后的扫描电镜图。
图5为实施例3所制备的中温烧结陶瓷滤波器用银浆烧结后的扫描电镜图。
具体实施方式
为更好地说明本发明的目的、技术方案和优点，下面将结合具体实施例对本发明作进一步说明。
实施例1
一种中温烧结陶瓷滤波器用银浆，包括如下重量百分含量的组分：80％导电银粉、3％玻璃粉和17％有机载体。
所述玻璃粉包括如下质量百分含量的组分：40％Bi2O3、30％B2O3、10％SiO2、9％ZnO、3％Al2O3、3％CaO、5％BaO。
所述导电银粉由重量百分含量为97％球形银粉和重量百分含量为3％片状银粉的组成；所述片状银粉的粒径为9μm，比表面积为0.5m2/g；所述球形银粉表面由纳米级银粉团簇形成，球形银粉粒径为1.5μm，比表面积1.7m2/g。
所述有机载体由以下质量百分含量的组分组成：79％松油醇、19％乙基纤维素、2％甲苯。
所述中温烧结陶瓷滤波器用银浆的制备方法，包括如下步骤：
(1)根据玻璃粉的组分配制原料，利用超声振荡0.5h使原料粉末颗粒充分分散混合，再利用磁力搅拌器转速为300r/min混料1h，在80℃烘干5h，然后在箱式电阻炉中进行熔融得到玻璃液，将玻璃液经过水淬，干燥8h得到玻璃渣，然后放入行星式球磨机中球磨12h，球磨机转速为300r/min，球磨后放入80℃干燥箱中恒温干燥10h，经过筛分得到平均粒径≤3μm玻璃粉；
(2)将有机溶剂和表面活性剂置于60℃水浴中完全溶解，然后室温冷却，密封保存，得到有机载体。
(3)将有机载体、导电银粉、玻璃粉置于研钵中，充分润湿后通过三辊机充分混料研磨，得到细度≤5μm的中温烧结陶瓷滤波器用银浆。
本实施例所制备的中温烧结陶瓷滤波器用银浆在670℃下烧结在陶瓷片上的扫描电镜图如图3所示，由图可以看出银层的烧结并不完全均匀致密。
实施例2
一种中温烧结陶瓷滤波器用银浆，包括如下重量百分含量的组分：75％导电银粉、8％玻璃粉和17％有机载体。
所述玻璃粉包括如下质量百分含量的组分：49％Bi2O3、24％B2O3、12％SiO2、7％ZnO、2％Al2O3、2％CaO、4％BaO。
所述导电银粉由重量百分含量为95％球形银粉和重量百分含量为5％片状银粉的组成；所述片状银粉的粒径为5μm，比表面积为0.8m2/g；所述球形银粉表面由纳米级银粉团簇形成，球形银粉粒径为1μm，比表面积2.9m2/g。
所述有机载体由以下质量百分含量的组分组成：86％邻苯二甲酸二丁酯、12％乙基纤维素和聚异丁烯、2％乙醇。
所述中温烧结陶瓷滤波器用银浆的制备方法，包括如下步骤：
(1)根据玻璃粉的组分配制原料，利用超声振荡0.5h使原料粉末颗粒充分分散混合，再利用磁力搅拌器转速为300r/min混料1h，在80℃烘干5h，然后在箱式电阻炉中进行熔融得到玻璃液，将玻璃液经过水淬，干燥8h得到玻璃渣，然后放入行星式球磨机中球磨12h，球磨机转速为300r/min，球磨后放入80℃干燥箱中恒温干燥10h，经过筛分得到平均粒径≤3μm玻璃粉；
(2)将有机溶剂和表面活性剂置于60℃水浴中完全溶解，然后室温冷却，密封保存，得到有机载体。
(3)将有机载体、导电银粉、玻璃粉置于研钵中，充分润湿后通过三辊机充分混料研磨，得到细度≤5μm的中温烧结陶瓷滤波器用银浆。
本实施例所制备的中温烧结陶瓷滤波器用银浆在670℃下烧结在陶瓷片上的扫描电镜图如图4所示，由图可以看出烧结后的银层致密化完全，银颗粒互熔生长，完全连接在一起。且银浆在烧结后并没有出现翘起或开裂等现象。
实施例3
一种中温烧结陶瓷滤波器用银浆，包括如下重量百分含量的组分：72％导电银粉、11％玻璃粉和17％有机载体。
所述玻璃粉包括如下质量百分含量的组分：52％Bi2O3、20％B2O3、15％SiO2、7％ZnO、1％Al2O3、2％CaO、3％BaO。
所述导电银粉由重量百分含量为90％球形银粉和重量百分含量为10％片状银粉的组成；所述片状银粉的粒径为5μm，比表面积为0.8m2/g；所述球形银粉表面由纳米级银粉团簇形成，球形银粉粒径为1μm，比表面积2.9m2/g。
所述有机载体由以下质量百分含量的组分组成：89％异丙醇和环氧树脂、9％聚异丁烯、2％乙醇和甲苯。
所述中温烧结陶瓷滤波器用银浆的制备方法，包括如下步骤：
(1)根据玻璃粉的组分配制原料，利用超声振荡0.5h使原料粉末颗粒充分分散混合，再利用磁力搅拌器转速为300r/min混料1h，在80℃烘干5h，然后在箱式电阻炉中进行熔融得到玻璃液，将玻璃液经过水淬，干燥8h得到玻璃渣，然后放入行星式球磨机中球磨12h，球磨机转速为300r/min，球磨后放入80℃干燥箱中恒温干燥10h，经过筛分得到平均粒径≤3μm玻璃粉；
(2)将有机溶剂和表面活性剂置于60℃水浴中完全溶解，然后室温冷却，密封保存，得到有机载体。
(3)将有机载体、导电银粉、玻璃粉置于研钵中，充分润湿后通过三辊机充分混料研磨，得到细度≤5μm的中温烧结陶瓷滤波器用银浆。
本实施例所制备的中温烧结陶瓷滤波器用银浆在670℃下烧结在陶瓷片上的扫描电镜图如图5所示，由图可以看出烧结后的银层致密化完全，但依然存在孔洞和少许缺陷。
对比例1
一种中温烧结陶瓷滤波器用银浆，包括如下重量百分含量的组分：72％导电银粉、11％玻璃粉和17％有机载体。
所述玻璃粉包括如下质量百分含量的组分：52％Bi2O3、23％B2O3、15％SiO2、7％ZnO、1％Al2O3、3％BaO。
所述导电银粉、有机载体与实施例3相同。
所述中温烧结陶瓷滤波器用银浆的制备方法与实施例3相同。
本对比例所制备的银浆在670℃烧结时无法充分润湿银粉不能促进烧结，进而引起银浆的电阻率、附着力等综合性能的急剧下降。因此需要在840℃下烧结在陶瓷片上，但烧结后银膜表面粗糙度较高，所形成银膜不够致密，对银浆的导电性能有影响。
对比例2
一种中温烧结陶瓷滤波器用银浆，包括如下重量百分含量的组分：72％导电银粉、11％玻璃粉和17％有机载体。
所述玻璃粉包括如下质量百分含量的组分：47％Bi2O3、20％B2O3、15％SiO2、7％ZnO、1％Al2O3、2％CaO、3％BaO、5％K2O。
所述导电银粉、有机载体与实施例3相同。
所述中温烧结陶瓷滤波器用银浆的制备方法与实施例3相同。
本对比例所制备的银浆在670℃烧结时无法充分润湿银粉不能促进烧结，进而引起银浆的电阻率、附着力等综合性能的急剧下降。因此本对比例所制备的银浆需在920℃下烧结，但烧结后的银膜在陶瓷片上，表面平整度不够，在3000倍SEM下观察到银膜表面浮有较多玻璃颗粒，影响银膜的导电性。
对比例3
一种中温烧结陶瓷滤波器用银浆，包括如下重量百分含量的组分：72％导电银粉、11％玻璃粉和17％有机载体。
所述玻璃粉、导电银粉与实施例3相同。
所述有机载体由以下质量百分含量的组分组成：89％异丙醇和环氧树脂、9％聚异丁烯、2％二甲苯。
所述中温烧结陶瓷滤波器用银浆的制备方法与实施例3相同。
本对比例所制备的银浆在670℃烧结时无法充分润湿银粉不能促进烧结，进而引起银浆的电阻率、附着力等综合性能的急剧下降。因此本对比例所制备的银浆需在880℃下烧结在陶瓷上，但由于本对比例所用有机载体润湿性不够，在制备银浆过程中各组分无法充分润湿和分散，所得银浆综合性较差。在进行丝网印刷时，导致银浆的印刷性和银浆在陶瓷上的流平性能较差。
对比例4
一种中温烧结陶瓷滤波器用银浆，包括如下重量百分含量的组分：72％导电银粉、11％玻璃粉和17％有机载体。
所述玻璃粉、导电银粉与实施例3相同。
所述有机载体由以下质量百分含量的组分组成：89％异丙醇和环氧树脂、9％聚异丁烯、2％三乙醇胺。
所述中温烧结陶瓷滤波器用银浆的制备方法与实施例3相同。
本对比例所制备的银浆在670℃烧结时无法充分润湿银粉不能促进烧结，进而引起银浆的电阻率、附着力等综合性能的急剧下降。因此本对比例所制备的银浆需在820℃下烧结在陶瓷上，但由于本对比例所用有机载体粘度较大，润湿和分散银粉的难度大，导致所制备银浆粘度过大而在丝网印刷时，银浆难以过网，印刷后的银膜具有明显网印，烧结后银膜综合性能差。
对比例5
一种中温烧结陶瓷滤波器用银浆，包括如下重量百分含量的组分：72％导电银粉、11％玻璃粉和17％有机载体。
所述玻璃粉、导电银粉与实施例3相同。
所述有机载体由以下质量百分含量的组分组成：86％异丙醇和环氧树脂、9％聚异丁烯、2％乙醇和甲苯、3％氢化蓖麻油。
所述中温烧结陶瓷滤波器用银浆的制备方法与实施例3相同。
本对比例所制备的银浆在670℃烧结时无法充分润湿银粉不能促进烧结，进而引起银浆的电阻率、附着力等综合性能的急剧下降。因此本对比例所制备的银浆需在850℃下烧结在陶瓷上，但由于本对比例所述有机载体粘度过低，致使银浆的流动性较强，丝网印刷后的银膜有严重扩边行为，影响产品综合性能。
对比例6
一种中温烧结陶瓷滤波器用银浆，包括如下重量百分含量的组分：72％导电银粉、11％玻璃粉和17％有机载体。
所述玻璃粉、有机载体与实施例3相同。
所述导电银粉为球形银粉，所述球形银粉表面由纳米级银粉团簇形成，球形银粉粒径为1μm，比表面积2.9m2/g。
所述中温烧结陶瓷滤波器用银浆的制备方法与实施例3相同。
本对比例所制备的银浆在670℃烧结时无法充分润湿银粉不能促进烧结，进而引起银浆的电阻率、附着力等综合性能的急剧下降。因此本对比例所制备的银浆需在850℃下烧结在陶瓷上，但烧结后的银膜在3000倍SEM下观察到大量不均匀分散的孔洞，孔洞大小不均一，分散于整个银膜，且有大量玻璃浮至表面，在过量的玻璃下，银膜并未形成有效连接，表面存在孔洞、孔隙、玻璃等缺陷。
对比例7
一种中温烧结陶瓷滤波器用银浆，包括如下重量百分含量的组分：72％导电银粉、11％玻璃粉和17％有机载体。
所述玻璃粉、有机载体与实施例3相同。
所述导电银粉为片状银粉，所述片状银粉的粒径为5μm，比表面积为0.8m2/g。
所述中温烧结陶瓷滤波器用银浆的制备方法与实施例3相同。
本对比例所制备的银浆在670℃烧结时无法充分润湿银粉不能促进烧结，进而引起银浆的电阻率、附着力等综合性能的急剧下降。因此本对比例所制备的银浆烧结温度为870℃，但烧结后的银膜在3000倍SEM下观察到大量孔洞和叠层结构，影响银膜的导电性。在8000-12000倍下观察银膜截面，银膜和基底结合并不完全，存在大量孔隙和间隙，且银膜层存在大量孔洞，烧结并不致密。
对比例8
一种中温烧结陶瓷滤波器用银浆，包括如下重量百分含量的组分：72％导电银粉、11％玻璃粉和17％有机载体。
所述玻璃粉、有机载体与实施例3相同。
所述导电银粉由重量百分含量为10％球形银粉和重量百分含量为90％片状银粉的组成；所述片状银粉的粒径为5μm，比表面积为0.8m2/g；所述球形银粉表面由纳米级银粉团簇形成，球形银粉粒径为1μm，比表面积2.9m2/g。
所述中温烧结陶瓷滤波器用银浆的制备方法与实施例3相同。
本对比例所制备的银浆在670℃烧结时无法充分润湿银粉不能促进烧结，进而引起银浆的电阻率、附着力等综合性能的急剧下降。因此本对比例所制备的银浆需在900℃下烧结在陶瓷上，但烧结后的银膜在3000-6000倍SEM观察到存在孔隙和叠层，部分纳米银晶粒存在于表面和间隙，并未实现致密的烧结。且在8000-14000倍SEM观察到银膜与基底的截面存在明显的间隙，且银层的烧结存在孔洞等缺陷，所致银膜的综合性能较差。
实施例1-3和对比例1-8所得到的中温烧结陶瓷滤波器用银浆的导电性、附着力、致密度、与陶瓷介质滤波器的烧结温度和润湿角的结果见表1。
表1
根据对比例1、2和实施例3可知，对比例1缺少CaO导致玻璃粉润湿效果差且玻璃结构不稳定玻璃化转变温度过高，因此导致银浆与MgTiO3陶瓷基体不能很好的连接，而且导致银浆烧结在MgTiO3陶瓷滤波器上的温度过高为840℃。本发明在玻璃中添加CaO能够提高玻璃的密度，有效降低玻璃的粘度，有利于在MgTiO3陶瓷滤波器上中温烧结的应用。但在玻璃粉中添加K2O等第一主族氧化物会导致玻璃的转变温度变高，玻璃的热性能差，玻璃在中温无法充分润湿银粉，不能起到良好的连接作用，导致性能变差。
根据对比例3和4与实施例3对比，甲苯和/或乙醇表面活性剂能够降低颗粒间的相互作用力，使银粉的流动性变强，降低粘度，降低烧结温度、而且能够增强银浆与MgTiO3陶瓷基体的附着力和导电性，同时致密度和润湿性也得到极大的提升。但表面活性剂二甲苯或三乙醇胺会影响银浆的粘度和流变性，降低银浆的综合性能。
根据实施例3和对比例5可知，本发明所述银浆体系中加入触变剂会导致所制备的银浆在MgTiO3陶瓷基体上的烧结温度显著增强，且在基体上的附着力、导电性、致密度和润湿性均显著下降。主要是因为触变剂的加入使得银浆系统失去了流动性，使得浆料的粘度变大，银颗粒的分散性变差，未形成有效连接，烧结性变差。
根据对比例6-8和实施例3对比可知，仅使用球形银粉或片状银粉会造成玻璃粉的热膨胀系数与MgTiO3陶瓷基底不匹配，导致烧结后的银膜有很多缺陷，另外造成玻璃软化温度过高，玻璃粉与MgTiO3陶瓷基底的润湿性较差，进而影响材料的中温烧结性能。而本发明将球形银粉和片状银粉进行复配，由于纳米颗粒促进微米颗粒中的微裂纹和亚晶界更加细化，显著提高烧结致密化程度，提高结构的均匀性，使得银膜的力学性能增加。本发明利用混合银粉的高烧结活性，配合玻璃粉实现银膜的中温烧结，且在中温烧结后实现了银膜的致密化且与MgTiO3陶瓷基底具有良好的结合。
但根据对比例8和实施例3对比可知，球形银粉和片状银粉的比例至关重要，由于片状银粉在银网络中起支柱作用，球形银粉在片状银粉中起连接作用，游离的纳米银颗粒充当连接桥梁，将球形银粉和片状银粉进行复配能够降低烧结温度，促进银粉的互连。当导电银粉中片状银粉的重量百分含量不在3-10％范围内，银浆无法实现中温烧结。
最后所应当说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非对本发明保护范围的限制，尽管参照较佳实施例对本发明作了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的实质和范围。
Claims (10)
1.一种中温烧结陶瓷滤波器用银浆，其特征在于，包括如下重量百分含量的组分：72-80％导电银粉、3-11％玻璃粉和12-19％有机载体；所述玻璃粉包括如下质量百分含量的组分：40-52％Bi2O3、20-30％B2O3、10-15％SiO2、7-9％ZnO、1-3％Al2O3、2-3％CaO、3％-5％BaO；所述导电银粉包括球形银粉和片状银粉；所述导电银粉中片状银粉的重量百分含量为3-10％。
2.如权利要求1所述中温烧结陶瓷滤波器用银浆，其特征在于，所述片状银粉的粒径为5-9μm，比表面积为0.5-0.8m2/g；所述球形银粉表面由纳米级银粉团簇形成，具有高烧结活性，球形银粉粒径为1-1.5μm，比表面积1.7-2.9m2/g。
3.如权利要求1所述中温烧结陶瓷滤波器用银浆，其特征在于，所述玻璃粉软化温度为500～520℃。
4.如权利要求1所述中温烧结陶瓷滤波器用银浆，其特征在于，所述玻璃粉的平均粒径≤3μm。
5.如权利要求1所述中温烧结陶瓷滤波器用银浆，其特征在于，所述有机载体由以下质量百分含量的组分组成：79％～89％有机溶剂、9％～19％增稠剂和2％表面活性剂。
6.如权利要求5所述中温烧结陶瓷滤波器用银浆，其特征在于，所述有机溶剂为邻苯二甲酸二丁酯、松油醇、异丙醇、石油醚、环氧树脂中的一种或两种。
7.如权利要求5所述中温烧结陶瓷滤波器用银浆，其特征在于，所述增稠剂为乙基纤维素和/或聚异丁烯。
8.如权利要求5所述中温烧结陶瓷滤波器用银浆，其特征在于，所述表面活性剂为甲苯和/或乙醇。
9.如权利要求1所述中温烧结陶瓷滤波器用银浆，其特征在于，所述银浆的烧结温度为600～670℃。
10.权利要求1-9任一项所述中温烧结陶瓷滤波器用银浆的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)根据玻璃粉的组分配制原料并混合均匀、干燥，然后进行熔融得到玻璃液，将玻璃液经过水淬得到玻璃渣，然后依次经过球磨、烘干、过筛得到玻璃粉；
(2)将有机载体、导电银粉、玻璃粉混合均匀，然后研磨得到细度≤5μm的中温烧结陶瓷滤波器用银浆。
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