CN116916692A - 显示装置 - Google Patents
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Abstract
提供了一种显示装置。所述显示装置包括基体；堤状件，在基体上并且包括暴露基体的表面的开口；以及精细图案层，与堤状件的表面接触，其中，精细图案层的与堤构件接触的部分的面积比精细图案层的面像所述堤构件的表面的总面积小。
Description
本申请是向中国国家知识产权局提交的申请日为2018年4月27日的标题为“显示装置、制造该显示装置的方法和像素”的第201810390903.3号申请的分案申请。
技术领域
在此描述的一个或更多个实施例涉及一种显示装置和一种用于制造显示装置的方法。
背景技术
有机发光显示器是自发光显示器。与液晶显示器不同，有机发光显示器不需要背光，因此用于各种电气/电子产品，诸如但不限于智能手机和超薄电视。
用于形成这种显示器的有机发光层的一种技术涉及将包含有机发光材料的有机墨水喷射到像素区域。可以使用溶液涂布法(例如，喷墨印刷)来喷射有机墨水。然后将喷射的有机油墨干燥。然而，当有机墨水被喷射或喷溅到像素区域时，墨水可能溢出到像素限定层和/或其它像素区域上。这会对显示质量或性能具有不利影响。
为了防止这种现象，已经提出了用于增加像素限定层的表面的排斥性的方法。该技术的目的是防止液体被沾染在像素限定层上。然而，像素限定层对于控制有机墨水不是足够排斥的，因此提出的方法已被证明是无效的。
发明内容
根据一个或更多个实施例，一种显示装置包括：基体；堤状件，在基体上并包括暴露基体的表面的开口；以及有机膜图案，在基体上的开口中，其中，堤状件包括与上表面相邻的侧表面，侧表面从上表面朝向开口向下倾斜，其中，堤状件包括在上表面和侧表面上的多个细孔以及在堤状件中的多个内孔。
所述多个细孔中的至少一个细孔的截面可以包括圆形的形状的一部分。堤状件的表面可以具有排斥的性质。堤状件可以包括具有内孔的多个无机颗粒。无机颗粒可以包括二氧化硅(SiO2)、氧化铝(Al2O3)和氧化锌(ZnO)中的至少一种。堤状件的表面可以包括氟代基。
显示装置还可以包括多个像素，其中，基体可以包括基底和在基底上的所述多个像素中的每个像素中的第一电极，堤状件可以是用于所述多个像素的像素限定层，堤状件的开口可以暴露在所述多个像素中的每个像素中的第一电极的至少一部分。有机膜图案可以包括有机发光材料。显示装置还可以包括在有机膜图案上的第二电极。
根据一个或更多个其它实施例，一种制造显示装置的方法可以包括下述步骤：在基体基底上形成电极；在基体基底上形成光刻胶图案，光刻胶图案包括具有内孔的多个无机颗粒和暴露电极的至少一部分的开口；以及通过部分地去除在光刻胶图案的表面中的无机颗粒来在光刻胶图案的表面上形成多个细孔，其中，部分地去除无机颗粒的步骤包括使用氟化气体蚀刻光刻胶图案的表面以暴露在无机颗粒中的内孔。
无机颗粒可以包括二氧化硅(SiO2)、氧化铝(Al2O3)和氧化锌(ZnO)中的至少一种。光刻胶图案的表面可以包括氟代基。所述多个细孔中的至少一个细孔的截面可以包括圆形的形状的一部分。
所述方法还可以包括：将有机墨水喷射到通过开口暴露的电极上，有机墨水包括有机发光材料；通过使喷射的有机墨水干燥来形成有机层。所述方法还可以包括在形成光刻胶图案之后使用氟化气体来蚀刻光刻胶图案的表面之前，通过等离子体灰化去除光刻胶图案的在电极上的残留物。
根据一个或更多个其它实施例，一种显示装置可以包括：基体；堤状件，在基体上并包括暴露基体的表面的开口；以及精细图案层，与堤状件的表面接触，其中，精细图案层的与堤状件接触的部分的面积比精细图案层的面向堤状件的表面的总面积小。精细图案层可以包括氧化硅(SixOy)、氮化硅(SixNy)和氮氧化硅(SixOyNz)中的一种或更多种。
显示装置还可以包括多个像素，其中，基体可以包括基底和在基底上的所述多个像素中的每个像素中的像素电极，堤状件可以是用于所述多个像素的像素限定层，堤状件的开口可以暴露在所述多个像素中的每个像素中的像素电极的至少一部分。像素限定层可以具有阻挡光透射的颜色。显示装置还可以包括在通过开口暴露的像素电极上的有机层，其中，有机层包括有机发光材料。
根据一个或更多个其它实施例，一种像素包括第一层以及在第一层上的第二层，其中，第二层包括开口和与开口相邻的第一表面，第一表面包括多个孔和包括氟代基元素的材料。第一表面可以具有与孔对应的凹陷表面，凹陷表面可以包括氟代基元素。第二层可以包括与第一表面相邻的第二表面，第二表面可以相对于第一表面成角度并且包括所述多个孔的一部分。第二层可以是像素限定层，可以在第二层中的开口将发射光。像素还可以包括在第一层上和开口中的有机膜图案。
附图说明
对于本领域技术人员而言，通过参照附图详细描述示例性实施例，特征将变得显而易见，在附图中：
图1示出了显示装置的实施例；
图2示出了像素限定层的实施例；
图3示出了沿图2中的线III-III′截取的剖视图；
图4示出了图2中的部分B的放大图；
图5示出了沿图4中的线V-V′截取的剖视图；
图6示出了根据实施例的其中有机墨水与像素限定层的表面接触的状态；
图7至图10示出了根据各个实施例的有机发光显示装置的像素限定层的各个部分的放大图；
图11至图18示出了用于制造显示装置的方法的实施例的步骤；
图19示出了有机发光显示装置的实施例；
图20示出了像素限定层的另一实施例；
图21示出了沿图20中的线XXI-XXI′的剖视图；以及
图22至图30示出了用于制造有机发光显示装置的方法的另一实施例的步骤。
具体实施方式
参照附图描述示例实施例；然而，示例实施例可以以不同的形式来实施，并且不应该被解释为限于在此阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底的和完整的，并且将向本领域技术人员传达示例性实施方式。实施例(或实施例的一部分)可以组合以形成额外的实施例。
在附图中，为了说明的清楚性，层和区域的尺寸可以被夸大。还将理解的是，当层或元件被称为“在”另一层或基底“上”时，其可以直接在所述另一层或基底上，或者也可以存在中间层。此外，将理解的是，当层被称为“在”另一层“下方”时，其可以直接位于所述另一层下方，也可以存在一个或更多个中间层。另外，还将理解的是，当层被称为“在”两个层“之间”时，其可以是所述两个层之间的唯一层，或者也可以存在一个或更多个中间层。同样的附图标记始终表示同样的元件。
当元件被称为“连接”或“结合”到另一元件时，元件可以直接连接或结合到所述另一元件，或者可以间接地连接或结合到所述另一元件，且一个或更多个中间元件置于它们之间。另外，当元件被称为“包括”组件时，除非有不同的公开，否则这表示元件还可以包括另一组件，而不是排除所述另一组件。
图1示出显示装置的实施例的剖视图，显示装置包括在基体10上的堤状件22和在堤状件22的部分之间的有机膜图案23。基体10可以提供堤状件22和有机膜图案23设置在其中的空间并且可以支撑堤状件22和有机膜图案23。在示例性实施例中，基体10可以是包括布线、电极、半导体、绝缘膜和/或用于驱动显示装置的其它特征的支撑基底。
多个开口O中的每个开口O暴露基体10的表面。开口O可以限定在堤状件22中，有机膜图案23可以在基体10上位于开口O中的各自的开口O中。
堤状件22可以包括上表面22a和侧表面22b，上表面22a是平直的表面，侧表面22b是倾斜的表面。堤状件22的上表面22a可以平行于基体10的表面。堤状件22的侧表面22b可以连接到上表面22a并且可以从上表面22a朝向开口O向下倾斜。堤状件22的侧表面22b可以连接上表面22a和基体10的表面。
堤状件22的上表面22a和/或侧表面22b可以是平直的表面。在一个实施例中，堤状件22的上表面22a和/或侧表面22b可以不是平直的表面，例如，堤状件22的上表面22a和/或侧表面22b的至少一部分可以包括弯曲的表面。
堤状件22的上表面22a和侧表面22b是相对的概念，例如，基于图1被定位成相对较高的表面可以被称为上表面22a，被定位成相对较低的表面可以被称为侧表面22b。例如，基于上述相对标准并考虑到由实际制造工艺形成的堤状件22的实际形状，上表面22a与侧表面22b之间的边界可以以预定的方式设定或设定在预定的位置。
在示例性实施例中，堤状件22的截面可以具有包括连续曲线的堆形形状。在这种情况下，上表面22a与侧表面22b之间的边界可以设定到任意位置。此外，高于边界的表面可以是上表面22a，低于边界的表面可以是侧表面22b。在一个实施例中，上表面22a和侧表面22b可以以不同的方式布置。
堤状件22可以在其表面上包括多个内孔和多个细孔。细孔可以设置在堤状件22的凹陷表面中。内孔和细孔中的每个的最大直径可以是例如，但不限于大约50nm至100nm。
至少一个内孔的截面可以具有预定的(例如，圆形的)形状。至少一个细孔的截面可以包括预定的(例如，圆形的)形状的一部分。术语“圆形的形状”不仅可以包括与圆形相同的形状，而且考虑到制造工艺可以包括基本上接近圆形、椭圆形、闭合曲线或者具有至少一个弯曲部分的形状的多边形。
堤状件22可以包括诸如丙烯酸化合物、聚酰亚胺(PI)、苯并环丁烷(BCB)或者全氟环丁烷(PFCB)的有机材料。堤状件22还可以包括具有微米级内孔或纳米级内孔的无机颗粒。无机颗粒可以与有机材料混合或者可以分散在有机材料中。无机颗粒可以是例如中空二氧化硅(SiO2)、中空氧化铝(Al2O3)和中空氧化锌(ZnO)中的一种或更多种。在另一实施例中，只要颗粒包括微米级内孔或纳米级内孔，就可以使用不同种类的颗粒，。
当堤状件22包括具有微米级内孔或纳米级内孔的无机颗粒时，形成在堤状件22中的内孔可以是无机颗粒的内孔。在堤状件22的表面上的细孔可以是例如通过部分地去除一些无机颗粒以暴露无机颗粒内部的内孔来形成的细孔。
堤状件22的表面可以包括例如氟代基(F)。氟代基不仅可以被包括在堤状件22的表面的没有形成有细孔的部分中，还可以被包括在细孔的内壁中。在示例性实施例中，氟代基的含量(或浓度)可以在所述表面的未形成有细孔的部分中比在细孔的内壁中高。
堤状件22可以是但不限于在有机发光显示装置中限定多个像素的像素限定层。有机膜图案23是包括有机材料的层，并且可以是但不限于包括有机发光材料的有机墨水或者溶液。由于形成在堤状件22的表面上的细孔和氟代基，堤状件22可以是高度排斥的。因此，有机膜图案23可以容易地形成在堤状件22的部分之间的每个开口O中。
在下文中，将描述上面所描述的堤状件22和有机膜图案23的结构应用于有机发光显示装置的实施例。在这种情况下，堤状件22可以是像素限定层，有机膜图案23可以是包括有机发光材料的有机层。
图2示出了有机发光显示装置的像素限定层220的平面图。参照图2，当从上面看时，有机发光显示装置包括布置成矩阵形状的多个像素PX1至像素PX4。
像素限定层220是围绕像素PX1至像素PX4设置的层，在像素限定层220中的开口O可以限定像素PX1至像素PX4中的每个。
像素限定层220可以包括上表面220a和侧表面220b，上表面220a是平直的表面，侧表面220b是倾斜的表面。侧表面220b可以从开口O朝向上表面220a延伸并且可以连接到上表面220a。每个侧表面220b可以倾斜使得在上表面220a的侧面上的一端高于在开口O的侧面上的另一端。每个侧表面220b可以具有基本恒定的斜率。然而，每个侧表面220b的斜率可以不同，例如，根据另一实施例中的位置。侧表面220b可以围绕像素PX1至像素PX4中的每个。
图3示出了沿图2的线III-III′截取的剖视图。图4示出了图2中的部分B的放大图。图5示出了沿图4的线V-V′截取的剖视图。在图3中，不但示出了像素限定层220而且示出了有机发光显示装置的其它组件。
参照图3、图4和图5，有机发光显示装置包括基体基底100、第一电极210、像素限定层220、有机层230和第二电极240。基体基底100可以是有机发光显示装置的支撑基底，并且可以包括布线、电极、半导体、绝缘膜和/或用于驱动有机发光显示装置的其它特征。
第一电极210可以在基体基底100上。第一电极210可以在与由像素限定层220的开口O限定的每个像素对应的区域中。第一电极210可以是有机发光显示装置的像素电极或阳极。
第一电极210可以包括具有高功函数的导电材料。例如，第一电极210可以包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)或氧化铟(In2O3)的透明导电氧化物(TCO)。在一个实施例中，第一电极210可以包括由上面示例中的任何一个制成的透明导电氧化物层和由反射金属(例如，锂(Li)、钙(Ca)、铝(Al)、银(Ag)、镁(Mg)或金(Au))制成的导电材料层的堆叠件。
氟化合物可以保留在第一电极210的表面上。第一电极210的表面可以包括例如氟代基元素。
像素限定层220在基体基底100上，并且当从上面看时，像素限定层220限定有机发光显示装置的多个像素(例如，PX1至PX4)。像素限定层220可以围绕在每个像素中的第一电极210。暴露第一电极210的至少一部分的开口O可以限定在像素限定层220中。像素限定层220的一部分可以覆盖第一电极210的一部分。
像素限定层220可以包括上表面220a和侧表面220b，上表面220a是平直的表面，侧表面220b是倾斜的表面。像素限定层220的上表面220a可以与基体基底100的上表面和/或基体基底100的下表面平行，并且可以在垂直方向上比第一电极210的表面高。像素限定层220的侧表面220b可以从开口O朝向上表面220a向上倾斜，并且可以连接第一电极210的表面和像素限定层220的上表面220a。
像素限定层220在其表面上包括多个内孔H1和多个细孔P1。内孔H1和细孔P1中的每个的最大直径可以是，但不限于大约50nm至100nm。至少一个内孔H1的截面可以具有预定的(例如，圆形的)形状。至少一个细孔P1的截面可以包括预定的(例如，圆形的)形状的一部分。
至少一些细孔P1可以具有入口的截面面积比内部的最大截面面积小(例如，入口的直径d1比每个细孔P1的最大直径d2小)的形状。细孔P1可以形成在像素限定层220的上表面220a和侧表面220b上。在一个实施例中，细孔P1也可以仅形成在上表面220a和侧表面220b中的一个上。细孔P1可以随机布置或以预定图案布置。
像素限定层220可以包括诸如丙烯酸化合物、PI、BCB或者PFCB的有机材料。在一个实施例中，像素限定层220可以是通过使光刻胶材料显影来形成的有机层。
像素限定层220还可以包括具有微米级内孔或纳米级内孔的无机颗粒。无机颗粒可以与上面有机材料混合或者可以分散在有机材料中。无机颗粒可以是例如中空二氧化硅、中空氧化铝和中空氧化锌中的一种或更多种。在另一实施例中，只要颗粒包括微米级内孔或纳米级内孔，就可以使用一种或更多种不同类型的颗粒。
当像素限定层220包括具有微米级内孔或纳米级内孔的无机颗粒时，像素限定层220中的内孔H1可以是无机颗粒的内孔。在像素限定层220的表面上的细孔P1可以是通过部分地去除无机颗粒中的一些以暴露无机颗粒内部的内孔来形成的细孔。
像素限定层220可以具有阻挡光透射的颜色。因此，像素限定层220可以用作遮光层。例如，像素限定层220可以具有基本上阻挡可见光的透射的颜色，诸如，黑色、灰色或白色。因此，像素限定层220可防止光透射通过像素限定层220并防止光泄漏。为此，像素限定层220还可以包括黑色颜料、黑色染料或黑色涂料，或者还可以包括炭黑。
像素限定层220的表面可以包括氟代基(F)。在一个实施例中，像素限定层220可以包括具有不饱和键的有机材料。当通过制成等离子体的氟化气体蚀刻像素限定层220的表面时，氟可以结合到像素限定层220的表面中的有机材料的至少一部分。
氟代基不仅可以包括在像素限定层220的表面的未形成细孔P1的部分中，还可以包括在细孔P1的内壁中。在示例性实施例中，氟代基的含量可以在表面的没有形成细孔P1的部分中比在细孔P1的内壁中高。
氟代基也可以以小的预定的量包括在第一电极210的表面中。然而，由于像素限定层220的表面具有细孔P1，所以像素限定层220的表面可以比第一电极210的表面更排斥。
有机层230可以在通过开口O暴露的第一电极210上。有机层230可以通过使用溶液涂布法(诸如喷墨印刷和使喷射的有机墨水干燥)将包含有机发光材料的有机墨水喷射到开口O中来形成。
在像素限定层220的表面上的细孔P1可以容纳空气或气体。因此，可以减小像素限定层220的表面与有机墨水之间的接触面积，从而提高像素限定层220的表面的排斥性。此外，在像素限定层220的表面中的氟代基可以进一步提高像素限定层220的表面的排斥性，从而使像素限定层220的表面超排斥。因此，喷射到第一电极210上的开口O中的有机墨水可以容易地定位在开口O内，而不溢出到像素限定层220的表面或者侵入另一像素区域的开口O。
在一个实施例中，有机层230可以是包括发光层以及空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层中的一个或更多个的多层。在这种情况下，有机层230中的每个层可以通过喷射工艺和干燥工艺顺序地形成，并且可以由于像素限定层220的排斥表面而容易地形成在期望的像素区域的开口O中。
第二电极240可以在有机层230上并且可以部分地或全部地覆盖像素限定层220的表面。第二电极240可以包括具有低功函数的导电材料。例如，第二电极240可以包括诸如Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Mg、Ag、Pt、Pd、Ni、Au、Nd、Ir、Cr、BaF、Ba、Yb的金属或者这些金属的化合物或者这些金属的混合物，或者可以包括诸如ITO、TCO、IZO、ZnO或In2O3的透明导电材料。第二电极240可以是有机发光显示装置的共电极或阴极。
在一个实施例中，有机发光显示装置还可以包括防止外来物质或水分渗入到有机层230中的覆层或保护层。
图6示出了根据实施例的其中有机墨水INK1与像素限定层220的表面接触的状态。
参照图6，像素限定层220的表面和有机墨水INK1可以以预定的接触角θ彼此接触。接触角θ是由像素限定层220的表面和有机墨水INK1的切线形成的角度。接触角θ的值随着像素限定层220的表面的排斥性的增加而增大或者随着像素限定层220的表面的表面张力的减小而增大。
像素限定层220的表面可以在细孔P1中包含少量的空气或气体g。因此，尽管少量的有机墨水INK2可以流入到细孔P1中，但是每个细孔P1中的大部分空间可以充满空气或气体g。因此，像素限定层220的表面与有机墨水INK1之间的接触面积减小，从而导致像素限定层220的表面更排斥有机墨水INK1。
此外，由于通过氟代基降低了像素限定层220的表面张力，因此可以进一步提高像素限定层220的表面的排斥性。因此，像素限定层220的表面与有机墨水INK1的接触角θ可以具有高值。
因此，在形成像素限定层220之后，如果使用喷墨喷嘴将有机墨水INK1溅射到特定像素的开口O上，则有机墨水INK1可以仅定位在所述特定像素的开口O中，而不沾染像素限定层220的表面或侵入另一像素的开口O。
当去离子水(DIW)而不是有机墨水INK1与像素限定层220的表面接触时，像素限定层220的表面与去离子水的接触角θ可以是例如120°或更大。
图7示出了根据实施例的有机发光显示装置的像素限定层221的一部分的放大图。除了像素限定层221还包括围绕多个细孔P2和多个内孔H2中的每个细孔P2和每个内孔H2的壳S之外，在图7中示出的实施例可以与在图3中的实施例相同。
参照图7，像素限定层221还可以包括围绕细孔P2和内孔H2中的每个细孔P2和每个内孔H2的壳S。壳S可以由例如二氧化硅制成。像素限定层221可以包括具有内孔H2的二氧化硅颗粒。在这种情况下，壳S可以是二氧化硅部分，在像素限定层221中的内孔H2可以是二氧化硅颗粒的内孔H2。
此外，在像素限定层221的表面上的每个细孔P2可以是通过部分去除二氧化硅壳S以暴露壳S内部的内孔H2来形成的细孔。在这种情况下，壳S的一部分可以暴露在像素限定层221的表面上，并且每个细孔P2的内壁可以由壳S形成。
图8示出了根据实施例的有机发光显示装置的像素限定层222的一部分的放大图。除了像素限定层222包括第一层222_1(其既不包括细孔P1也不包括内孔H1)和第二层222_2(其包括多个细孔P1和多个内孔H1)之外，在图8中的实施例可以与在图3中的实施例相同。
参照图8，像素限定层222包括第一层222_1和第二层222_2，第一层222_1既不包括细孔P1也不包括内孔H1，第二层222_2堆叠在第一层222_1上并包括细孔P1和内孔H1。第一层222_1可以仅由有机材料制成。第二层222_2可以与在图3中示出的像素限定层220相同。
当第一层222_1使用有机材料形成并且第二层222_2形成为如图8中所示的具有细孔P1和内孔H1的层时，可以保持像素限定层222的表面的排斥性。另外，可以防止在通过图案化像素限定层222形成每个开口O的工艺中对第一电极210的损坏。
图9示出了根据实施例的有机发光显示装置的像素限定层223的一部分的放大图。除了在像素限定层223中没有形成内孔之外，在图9中的实施例可以与在图3中的实施例相同。
参照图9，多个细孔P3可以仅形成在像素限定层223的表面上，没有内孔形成在像素限定层223中。因此，可以增大像素限定层223的内部密度，防止空气或水分渗入到像素限定层223中。
图10示出了根据实施例的有机发光显示装置的像素限定层224的一部分的放大图。除了在像素限定层224的表面上形成具有相同的尺寸和相同的形状的细孔P4之外，在图10中的实施例可以与图9中的实施例相同。
参照图10，细孔P4可以具有相同的尺寸和相同的形状。例如，每个细孔P4的入口的直径d1可以比每个细孔P4的最大直径d2小。在这种情况下，空气或气体可以有效地容纳在细孔P4中。
在图10中，每个细孔P4的截面包括圆形的形状的一部分。然而，在另一实施例中，细孔P4的截面可以具有另一形状(包括但不限于朝向像素限定层224的内部变得更宽的多边形形状)。如这里所使用的，术语“多边形形状”不仅可以指与多边形形状相同的形状，而且考虑到制造工艺可以包括基本上接近多边形的闭合曲线、具有至少一个弯曲部分的形状等。
图11至图18示出了用于制造显示装置(例如，可以是图3的有机发光显示装置)的方法的实施例的步骤的剖视图。
参照图11，在基体基底100上的每个像素中形成第一电极210。
参照图12，在基体基底100上形成第一光刻胶层CL1。第一光刻胶层CL1可以形成在基体基底100的整个表面上以完全覆盖第一电极210。第一光刻胶层CL1可以包括具有微米级内孔或纳米级内孔的无机颗粒。
参照图13，将第一光刻胶层CL1图案化以形成第一光刻胶图案CL2，在第一光刻胶图案CL2中限定暴露第一电极210的每个开口O。此时，可以通过例如等离子体灰化去除第一光刻胶层CL1的在第一电极210上的残留物。
参照图14和图15，使用被制成等离子体的氟化气体PS对第一光刻胶图案CL2的表面进行蚀刻，从而形成使多个细孔P1形成在其表面上的像素限定层220。由于第一光刻胶图案CL2的表面层被蚀刻，所以可以部分去除接近第一光刻胶图案CL2的表面的无机颗粒以暴露无机颗粒中的内孔H1。因此，可以在像素限定层220的表面上形成细孔P1。
此外，在第一光刻胶图案CL2或像素限定层220的表面中具有不饱和键的碳化合物的至少一部分可以结合到氟原子。因此，在像素限定层220的表面中可以包括氟代基。
引入以蚀刻第一光刻胶图案CL2的氟化气体PS也可部分蚀刻第一电极210的表面。因此，也可以在第一电极210的表面上保留氟化合物。例如，第一电极210的表面可以包括氟代基。因此，可以增加第一电极210的表面的排斥性。然而，由于像素限定层220的表面远比第一电极210的表面排斥，所以可以将有机墨水INK定位在第一电极210上而不是在像素限定层220上。
参照图16，将有机墨水INK喷射到每个像素的开口O的内部的第一电极210上。由于像素限定层220的表面的排斥性，有机墨水INK不会溢出像素限定层220。
参照图17，将有机墨水INK进行干燥以形成有机层230。例如，可以将有机墨水INK中的溶剂蒸发以仅留下有机发光材料。当干燥有机墨水INK时，有机墨水INK可以附着到第一电极210。
在图17中有机层230是单层。在另一实施例中，可以将有机层230形成为包括发光层以及空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层中的一个或更多个的多层。在这种情况下，可以顺序地喷射并干燥与每个层对应的墨水。
参照图18，在有机层230和像素限定层220上形成第二电极240以产生在图3中示出的有机发光显示装置。
图19是有机发光显示装置的另一实施例的剖视图。图20示出了在图19中示出的有机发光显示装置的像素限定层225的表面的放大图。图21示出了沿图20中的线XXI-XXI′截取的剖视图。在图19、图20和图21中，示出了有机发光显示装置的堤状件和有机膜图案的结构。此外，除了在像素限定层225中没有形成内孔并且精细图案层PT在像素限定层225的表面上之外，在图19、图20和图21中的实施例与在图3、图4和图5中的实施例相同。
参照图19、图20和图21，有机发光显示装置还包括在像素限定层225上并且与像素限定层225的表面接触的精细图案层PT。精细图案层PT可以是具有以预定的间隔规则地布置的微米级图案或纳米级图案的层。当从上面看时，如图20中所示，精细图案层PT的精细图案可以布置为但不必呈矩阵形状或条纹形状。
像素限定层225的表面可以与精细图案层PT接触并且可以包括细孔P5。在一个实施例中，每个细孔P5可以成形为在相邻的精细图案层PT之间延伸的谷。在另一实施例中细孔P5可以具有不同的形状。
精细图案层PT的与像素限定层225接触的部分的面积a1可以比精细图案层PT的面向像素限定层225的表面的总面积a2小。这可以导致其中每个细孔P5中的一些空间G与精细图案层PT叠置的区域的形成。即使在这种情况下，由于每个细孔P5的入口窄，所以空气或气体可以有效地容纳在每个细孔P5中。
精细图案层PT可以包括无机材料。例如，精细图案层PT可以包括但不限于氧化硅(SixOy)、氮化硅(SixNy)和氮氧化硅(SixOyNz)中的一种或更多种，其中x、y和z是正整数并且可以具有使氧化硅、氮化硅和氮氧化硅具有化学可行分子式的值。
图22至图30是示出用于制造有机发光显示装置(例如，其可以为图19的有机发光显示装置)的方法的另一实施例的步骤的剖视图。
参照图22，以与图11中相同的方式来形成基体基底100和第一电极210。然后，在基体基底100上形成第二光刻胶层CL3。类似于图12的第一光刻胶层CL1，第二光刻胶层CL3可以形成为完全覆盖第一电极210。但是，与第一光刻胶层CL1不同，第二光刻胶层CL3可以不包括具有微米级内孔或纳米级内孔的无机颗粒。
参照图23，在第二光刻胶层CL3的整个表面上形成无机层310。无机层310可以包含无机材料，并且例如，可以包括氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的一种或更多种。由于无机材料具有透光性，所以无机层310可以形成为透明的。
参照图24，在无机层310的整个表面上形成第三光刻胶层320。
参照图25，可以通过具有遮光图案的掩模M来使第三光刻胶层320曝光。掩模M可以包括对应于第一电极210的第一区域R1和围绕第一区域R1的第二区域R2。第一区域R1不包括遮光部分B。第二区域R2包括形成为预定图案的遮光部分B和其中未形成遮光部分B的狭缝SL。因此，入射在第一区域R1上的光可以原样穿过第一区域R1，入射在第二区域R2上的光可以仅穿过狭缝SL。
穿过第一区域R1的光提供到第三光刻胶层320的与整个第一区域R1对应的区域。穿过第二区域R2的光提供到第三光刻胶层320的与第二区域R2的每个狭缝SL对应的区域。
由于无机层310具有透光性质，因此穿过第三光刻胶层320的光可以到达无机层310下方的第二光刻胶层CL3。第二区域R2的狭缝SL可以以半色调方式形成来降低透光的程度。因此，能够防止第二光刻胶层CL3的与狭缝SL对应的部分在第二光刻胶层CL3的显影操作中被去除。
当从上面看时，第二区域R2的遮光部分B可以布置成预定的(例如，棋盘格或者矩阵)图案。因此，精细图案层PT可以布置成矩阵形状。在另一实施例中，遮光部分B可以布置成条纹图案或另一图案。
参照图26，使第三光刻胶层320显影以形成第三光刻胶图案321。第三光刻胶图案321可以具有与掩模M的遮光部分B对应的图案。
参照图27，蚀刻无机层310以形成精细图案层PT。穿过精细图案层PT之间的间隙的蚀刻气体可以部分蚀刻第二光刻胶层CL3的表面，从而形成细孔P5。
与精细图案层PT相比可以更大程度地蚀刻第二光刻胶层CL3。因此，如图21中所示，细孔P5可以比精细图案层PT更深地挖到像素限定层225中。例如，精细图案层PT的与像素限定层225接触的部分的面积a1可以比精细图案层PT的面向像素限定层225的表面的总面积a2小。精细图案层PT可以与掩模M的遮光部分B和第三光刻胶图案321对应。
蚀刻方法可以是例如干法蚀刻方法。在另一实施例中可以使用不同的蚀刻方法。
参照图28，剥离并去除第三光刻胶图案321。可以通过但不限于使用剥离器的剥离方法来去除第三光刻胶图案321。
参照图29，将第二光刻胶层CL3显影以形成像素限定层225。由于在第三光刻胶层320的曝光操作中第二光刻胶层CL3也被暴露于穿过透明无机层310的光，所以可以在没有进一步曝光的情况下将第二光刻胶层CL3显影。
此外，当如上面所描述的以半色调方式来形成掩模M的狭缝SL时，能够防止第二光刻胶层CL3的与狭缝SL对应的部分在第三光刻胶层320的显影操作中被去除。
参照图30，将有机墨水喷射到每个像素的开口O中的第一电极210上，然后干燥以形成有机层230。在那之后，在有机层230和像素限定层225上形成第二电极240以产生在图19中示出的有机发光显示装置。
根据上述实施例中的一个或更多个，在像素限定层的表面上形成细孔或精细图案以使像素限定层的表面超排斥。因此，可以容易地控制包含有机发光材料的有机墨水。此外，因为可以使用低浓度的有机墨水，所以可以降低工艺成本。
这里已经公开了示例实施例，虽然采用了特定术语，但是它们仅在一般性和描述性意义上来使用和将被解释，而不是为了限制的目的。在一些情况下，对于本领域技术人员而言显而易见的是，在提交本申请时起，除非另外表明，否则结合具体实施例描述的特征、特性和/或元件可以单独使用或者可以与结合其它实施例描述的特征、特性和/或元件组合。因此，在不脱离权利要求中阐述的实施例的精神和范围的情况下，可以做出形式和细节上的各种改变。
Claims (5)
1.一种显示装置，所述显示装置包括：
基体；
堤状件，在所述基体上并且包括暴露所述基体的表面的开口；以及
精细图案层，与所述堤状件的表面接触，其中，所述精细图案层的与所述堤构件接触的部分的面积比所述精细图案层的面向所述堤构件的表面的总面积小。
2.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述精细图案层包括氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的一种或更多种。
3.如权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：
多个像素，
其中，所述基体包括基底和在所述基底上的所述多个像素中的每个像素中的像素电极，其中，所述堤状件是用于所述多个像素的像素限定层，并且，所述堤状件的所述开口暴露在所述多个像素中的每个像素中的所述像素电极的至少一部分。
4.如权利要求3所述的显示装置，其中，所述像素限定层具有阻挡光透射的颜色。
5.如权利要求3所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括有机层，在由所述开口暴露的所述像素电极上，
其中，所述有机层包括有机发光材料。
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