CN116897606A - 显示装置 - Google Patents
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Abstract
一种显示装置包括:第一基底,在所述第一基底中限定有源区域和位于所述有源区域周围的非有源区域;有源元件层,在所述有源区域中设置在所述第一基底的一个表面上;第二基底,与所述第一基底的一个表面相对,并且设置在所述有源元件层上;以及防反射构件,设置在所述第二基底的面向所述第一基底的一个表面上,并且与所述有源元件层间隔布置,其中,所述防反射构件包括从所述第二基底的面向所述第一基底的一个表面依次层叠的第一折射层、第二折射层、第三折射层和第四折射层,所述第一折射层的折射率和所述第三折射层的折射率分别大于所述第二折射层的折射率和所述第四折射层的折射率,并且所述第四折射层包括铝、铟或镓。
Description
技术领域
本公开涉及一种显示装置。
背景技术
诸如智能电话、平板个人计算机(PC)、数码相机、笔记本计算机、导航装置或智能电视(TV)的电子装置包括用于显示图像的显示装置。
显示装置包括显示面板和用于驱动显示面板的元件或部件。用于实现除显示功能之外的各种功能的各种元件或部件倾向于安装在显示装置中。配备有多种功能的显示装置的示例包括其中安装有诸如相机和红外传感器等的光学元件的智能电话。
显示装置可以包括一个或多个用于接收用于光学装置的光的光学孔。为了改善光学孔的透射率,光学孔被显示装置的一些构件物理穿透。
发明内容
【技术问题】
本公开的实施例提供一种能够改善由光学元件接收的光的眩光(flare)的显示装置。
本公开的实施例还提供一种能够防止发射层因从防反射构件的表面释放的氧气或水分而劣化的显示装置。
然而,本公开的实施例不限于本文中阐述的那些。通过参考下面给出的本公开的详细描述,本公开的上述和其他实施例对于本公开所属领域的普通技术人员将变得更加显而易见。
【技术方案】
根据本公开的实施例,一种显示装置包括:第一基底,具有在其中限定的有源区域和设置在所述有源区域周围的非有源区域;有源元件层,在所述有源区域中设置在所述第一基底的第一表面上;第二基底,面向所述第一基底的所述第一表面,所述第二基底设置在所述有源元件层上;以及防反射构件,设置在所述第二基底的面向所述第一基底的第一表面上,所述防反射构件与所述有源元件层间隔开,其中,所述防反射构件包括从所述第二基底的所述第一表面依次沉积的第一折射层、第二折射层、第三折射层和第四折射层,所述第一折射层的折射率和所述第三折射层的折射率大于所述第二折射层的折射率和所述第四折射层的折射率,并且所述第四折射层包括铝、铟或镓。
根据本公开的另一实施例,一种显示装置包括:显示基底,具有在其中限定的围绕孔区的有源区域和设置在所述有源区域周围的非有源区域;有源元件层,在所述有源区域中设置在所述显示基底的第一表面上;封装基底,面向所述显示基底的所述第一表面,所述封装基底设置在所述有源元件层上;防反射构件,设置在所述封装基底的面向所述显示基底的第一表面上,所述防反射构件与所述有源元件层间隔开;以及光学元件,提供在所述孔区中并且设置在所述显示基底下方,其中,所述有源元件层包括与所述孔区重叠的通孔。
根据本公开的又一实施例,一种显示装置包括:显示基底,具有在其中限定的有源区域和非有源区域,所述有源区域包括第一有源区域和比所述第一有源区域具有小的面积的第二有源区域,所述非有源区域设置在所述有源区域周围;有源元件层,在所述有源区域中设置在所述显示基底的第一表面上;封装基底,面向所述显示基底的所述第一表面,所述封装基底设置在所述有源元件层上;防反射构件,设置在所述封装基底的面向所述显示基底的第一表面上,所述防反射构件与所述有源元件层间隔开;以及光学元件,提供在所述显示基底下方以与所述第二有源区域重叠,其中,所述防反射构件包括从所述封装基底的所述第一表面依次沉积的第一折射层、第二折射层、第三折射层和第四折射层,所述第一有源区域包括第一像素,所述第二有源区域包括第二像素,并且所述第二有源区域中每单位面积的第二像素的数量小于所述第一有源区域中每单位面积的第一像素的数量。
其他特征和实施例可以从以下详细描述、附图和权利要求中显而易见。
【有益效果】
根据本公开的上述和其他实施例,由于在第二基底的面向第一基底的表面上提供防反射构件,因此可以改善由光学元件接收的光的眩光。
另外,由于防反射构件的结构被精致地设计,所以可以防止发射层因从防反射构件的表面释放的氧气或水分而劣化。
根据实施例的效果不限于以上示例的内容,并且本说明书中包括更多不同的效果。
附图说明
图1是根据本公开的实施例的显示装置的平面图;
图2是沿着图1的线II-II'截取的截面图;
图3是图示图1的孔区附近的元件的布局的平面图;
图4是沿着图3的线III-III'截取的截面图;
图5是图1的显示装置的子像素的电路图;
图6是图1的显示装置的子像素的截面图;
图7是沿着图3的线III-III'截取的详细截面图;
图8是图7的区A的放大截面图;
图9A和图9B是图示光如何依据防反射构件的存在而行进的截面图;
图10到图14是图示如何形成防反射构件并且如何接合第一基底和涂覆有防反射构件的第二基底的截面图;
图15是示出其中防反射构件施加到第二基底的实施例的透光率和其中防反射构件未施加到第二基底的比较示例的透光率的图;
图16是示出样品#1的粗糙度或RMS的照片;
图17和图18是示出样品#1、#2和#3的氧气排放的图;
图19和图20是示出样品#1、#2和#3的水分排放的图;
图21是根据本公开的另一实施例的显示装置的平面图;
图22是图21的显示装置的截面图;
图23是图21的显示装置的第一有源区域的平面图;以及
图24是图21的显示装置的第二有源区域的平面图。
具体实施方式
本文中所公开的本发明的实施例的具体结构和功能描述仅仅用于说明本发明的实施例的目的。在不脱离本发明的精神和重要特征的情况下,本发明可以以许多不同的形式体现。因此,公开本发明的实施例仅用于说明的目的,并且不应理解为对本发明的限制。也就是说,本发明仅由权利要求的范围限定。
应当理解,当元件称为与另一元件相关,诸如“耦接到”或“连接到”另一元件时,该元件可以直接耦接到或连接到该另一元件,或者可以在该元件与该另一元件之间存在居间元件。
将理解,尽管在本文中可以使用术语“第一”、“第二”等描述各种元件,但是这些元件不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。因此,在不脱离本文中的教导的情况下,下面讨论的“第一元件”可被称为“第二元件”。
在下文中,将参照附图描述本发明的实施例。
图1是根据本公开的实施例的显示装置的平面图。图2是沿着图1的线II-II'截取的截面图。具体地,图2图示图1的显示装置的截面图。
例如,第一方向DR1和第二方向DR2可以是在平面图中以直角彼此交叉的不同方向。例如,第三方向DR3可以是与第一方向DR1和第二方向DR2两者交叉的方向。第一方向DR1可以指显示装置1的竖直方向,第二方向DR2可以指显示装置1的水平方向,并且第三方向DR3可以指显示装置1的厚度方向。
在第一方向DR1上的第一侧在平面图中可以指向上方向,在第一方向DR1上的第二侧在平面图中可以指向下方向,在第二方向DR2上的第一侧在平面图中可以指向右方向,在第二方向DR2上的第二侧在平面图中可以指向左方向,在第三方向DR3上的第一侧在截面图中可以指向上方向,并且在第三方向DR3上的第二侧在截面图中可以指向下方向。除非另有说明,否则本文中使用的术语“上”、“顶表面”、“在……上”和“在……上方”等可以指显示面板10的显示表面的一侧,并且本文使用的术语“下”、“底表面”和“在……下方”等可以指代显示面板10的与显示表面背对的一侧。然而,本文中所阐述的方向应理解为相对方向,并且不受具体限制。
参照图1和图2,显示装置1显示运动图像或静止图像。例如,在显示装置1是前发射显示装置的情况下,主屏幕的显示方向可以对应于在第三方向DR3上的第一侧,但是本公开不限于此。
显示装置1可以指代几乎所有类型的提供显示屏幕的电子装置。显示装置1的示例不仅包括诸如移动电话、智能电话、平板个人计算机(PC)、电子手表、手表电话、移动通信终端、电子记事本、电子书阅读器、便携式多媒体播放器(PMP)、导航装置、游戏机和数码相机等的便携式电子装置,还包括电视机(TV)、笔记本计算机和电子广告牌等。
显示装置1包括有源区域AAR和非有源区域NAR。如果限定显示装置1的显示图像的部分作为显示区并且限定显示装置1的不显示图像的部分作为非显示区,则显示区可以包括在有源区域AAR中。在显示装置1具有触摸功能的情况下,其中能够检测到触摸输入的触摸区也可以包括在有源区域AAR中。显示区和触摸区可以重叠。有源区域AAR可以是其中执行图像的显示和触摸输入的检测两者的区域。
有源区域AAR可以包括用于显示图像的像素PX。多个像素PX中的每一个可以包括第一子像素SP1、第二子像素SP2、第三子像素SP3和第四子像素SP4。第一子像素SP1、第二子像素SP2、第三子像素SP3和第四子像素SP4可以在第二方向DR2上布置。
第一子像素SP1可以包括发射第一颜色的光的第一发射区BE。第二子像素SP2可以包括发射第二颜色的光的第二发射区GE1。第三子像素SP3可以包括发射第三颜色的光的第三发射区RE。第四子像素SP4可以包括发射第四颜色的光的第四发射区GE2。
第一发射区BE、第二发射区GE1、第三发射区RE和第四发射区GE2可以发射不同颜色的光。可选地,第一发射区BE、第二发射区GE1、第三发射区RE和第四发射区GE2可以发射相同颜色的光。在一个示例中,第二发射区GE1和第四发射区GE2可以发射相同颜色的光。
第一发射区BE、第二发射区GE1、第三发射区RE和第四发射区GE2在平面图中可以具有矩形形状,但是本公开不限于此。可选地,第一发射区BE、第二发射区GE1、第三发射区RE和第四发射区GE2在平面图中可以具有非四边形的多边形形状、圆形形状或椭圆形状。第一发射区BE可以具有最大尺寸并且第二发射区GE1和第四发射区GE2可以具有相同尺寸并且第二发射区GE1和第四发射区GE2可以具有最小尺寸。然而,本公开不限于此。
第二发射区GE1和第四发射区GE2可以在第二方向DR2上交替地布置。第二发射区GE1可以在第一方向DR1上布置。第四发射区GE2可以在第一方向DR1上布置。每一个第四发射区GE2可以具有在第四方向DR4上的长边和在第五方向DR5上的短边,并且每一个第二发射区GE1可以具有在第五方向DR5上的长边和在第四方向DR4上的短边。第四方向DR4可以是第一方向DR1和第二方向DR2之间的斜线方向,并且第五方向DR5可以是与第四方向DR4相交的方向。
第一发射区BE和第三发射区RE可以在第二方向DR2上交替地布置。第一发射区BE可以在第一方向DR1上布置。第三发射区RE可以在第一方向DR1上布置。在子像素SP1、SP2、SP3和SP4的它们各自的行中,第一发射区BE和第三发射区RE可以定位为比第二发射区GE1和第四发射区GE2低。第一发射区BE和第三发射区RE在平面图中可以具有菱形形状,在这种情况下,第一发射区BE和第三发射区RE可以各自具有在第四方向DR4上的一对平行侧和在第五方向DR5上的一对平行侧。
也就是说,图1图示第二发射区GE1和第四发射区GE2在第二方向DR2上交替地布置,第一发射区BE和第三发射区RE在第二方向DR2上交替地布置,在子像素SP1、SP2、SP3和SP4的它们各自的行中,第一发射区BE和第三发射区RE定位为比第二发射区GE1和第四发射区GE2低,并且第一发射区BE、第二发射区GE1、第三发射区RE和第四发射区GE2可以在第二方向DR2上以Z字形方式布置,但是第一发射区BE、第二发射区GE1、第三发射区RE和第四发射区GE2的布置的图案没有特别限制,并且可以变化。
子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个可以包括发射区EMA(参见图6)和非发射区NEM(参见图6)。
非有源区域NAR可以设置在有源区域AAR周围。非有源区域NAR可以是边框区域。非有源区域NAR可以与窗构件20(参见图2)的印刷层22(参见图2)重叠。
非有源区域NAR可以围绕有源区域AAR的所有侧(例如,四个侧),但是本公开不限于此。非有源区域NAR可以不设置在有源区域AAR的上侧附近。
用于向有源区域AAR(或者显示区或触摸区)施加信号的信号线或驱动电路可以设置在非有源区域NAR中。在一个示例中,驱动芯片IC可以设置在非有源区域NAR中。驱动芯片IC可以包括用于驱动显示面板10的集成电路。集成电路可以包括用于显示器的集成电路和/或用于触摸构件TSP的集成电路。驱动芯片IC可以直接安装在第一基底100的相对于第二基底190突出的突出部上。
显示装置1还可以在有源区域AAR中包括孔区HLA,孔区HLA包括至少一个孔(例如,图4的孔HLE)。
图2是沿着图1的线II-II'截取的截面图。下文中将参照图1和图2描述显示装置1的截面结构。
显示装置1可以包括提供显示屏幕的显示面板10、触摸构件TSP、偏振构件POL、窗构件20和设置在显示面板10下方的覆盖面板CPL。显示装置1的除显示面板10以外的一些元件可以不提供或用其他元件代替。
显示面板10例如可以是有机发光显示面板、微型发光二极管(LED)显示面板、纳米LED显示面板、量子点LED显示面板、液晶显示面板、等离子显示面板(PDP)、场发射显示(FED)面板、电泳显示(EPD)面板或电润湿显示面板。以下将显示面板10描述为例如有机发光显示面板,但是本公开不限于此。显然,其他各种显示面板也可以适用于显示装置1。
显示面板10可以包括第一基底100、第二基底190、有源元件层ATL、防反射构件AR和密封构件SL。
第一基底100可以支撑有源元件层ATL。第一基底100可以具有高透光率。第一基底100可以包括诸如玻璃和/或石英的无机材料,但是本公开不限于此。可选地,第一基底100可以包括用于形成透明板或透明膜的有机材料。
第二基底190可以面向第一基底100并且可以设置为与第一基底100间隔开。第二基底190可以保护有源元件层ATL免受外部水分和空气的影响。第二基底190可以具有高透光率。第二基底190可以包括诸如玻璃和/或石英的无机材料,但是本公开不限于此。
有源元件层ATL可以设置在第一基底100和第二基底190之间。有源元件层ATL可以设置在第一基底100的顶表面(或第一表面)上。有源元件层ATL可以包括发光元件和用于驱动发光元件的薄膜晶体管(TFT)。有源元件层ATL可以与第二基底190间隔开,但是本公开不限于此。后面将描述有源元件层ATL。
防反射构件AR可以设置在第一基底100和第二基底190之间。防反射构件AR可以设置在第二基底190的底表面(或第二表面)上。第二基底190的底表面可以面向第一基底100的顶表面。防反射构件AR可以至少设置在孔区HLA中。防反射构件AR不仅可以设置在孔区HLA中,而且可以设置在整个有源区域AAR中,并且甚至可以设置在围绕有源区域AAR的非有源区域NAR中。也就是说,防反射构件AR可以与密封构件SL重叠。
防反射构件AR可以设置在第二基底190的底表面上以减少从与第二基底190的界面反射的光的量,并且结果,可以增加穿过第二基底190的光的量。这将在后面描述。
密封构件SL可以设置在第一基底100和第二基底190之间。在一个示例中,密封构件SL可以设置在显示装置1的非有源区域NAR中以围绕有源区域AAR。密封构件SL可以接合第一基底100和第二基底190并且可以密封有源元件层ATL以及第一基底100和第二基底190。在一个示例中,密封构件SL可以包括玻璃料,但是本公开不限于此。
有源元件层ATL和防反射构件AR可以设置在由第一基底100、第二基底190和密封构件SL限定的显示面板10中。间隙EMT可以在显示面板10内提供在有源元件层ATL和防反射构件AR之间。间隙EMT可以是真空的或者填充有气体等。气体可以是例如惰性气体或大气。间隙EMT不仅可以填充有气体,还可以填充有填充物。间隙EMT可以与第一通孔HLE_TH1(参见图4)重叠。
触摸构件TSP可以设置在显示面板10上。触摸构件TSP可以检测触摸输入。触摸构件TSP可以设置在第二基底190的顶表面(或第一表面)上。触摸构件TSP可以以触摸层的形式结合到显示面板10中,但是本公开不限于至此。可替代地,触摸构件TSP可以作为单独的触摸面板或膜提供并且可以附接在显示面板10上。触摸构件TSP可以包括多个触摸电极。可以不提供触摸构件TSP。
偏振构件POL使从中穿过的光偏振。偏振构件POL可以减少外部光的反射。偏振构件POL可以通过偏振接合层(未示出)附接在触摸构件TSP上。在未提供触摸构件TSP的情况下,偏振构件POL可以附接在第二基底190上。
在一些实施例中,可以不提供偏振构件POL,并且具有与偏振构件POL相同功能的元件可以设置在触摸构件TSP上。在一个示例中,与偏振构件POL具有相同功能的元件可以是设置在滤色器之间的黑矩阵。
窗构件20设置在偏振构件POL上。窗构件20覆盖并保护显示面板10。窗构件20可以包括窗基体21和设置在窗基体21上的印刷层22。窗构件20可以经由包括光学透明粘合剂(OCA)或光学透明树脂(OCR)的透明接合层TAL附接在显示面板10的第一表面上。在显示装置1包括偏振构件POL的情况下,窗构件20可以附接在偏振构件POL的顶表面(或第一表面)上。
窗基体21可以由透明材料形成。例如,窗基体21可以包括玻璃或塑料。
窗基体21的平面形状可以对应于显示装置1的平面形状。在一个示例中,在显示装置1在平面图中具有基本上矩形形状的情况下,窗基体21在平面图中也可以具有基本上矩形的形状。在另一示例中,在显示装置1在平面图中具有圆形形状的情况下,窗基体21在平面图中也可以具有圆形形状。
印刷层22可以设置在窗基体21上。印刷层22可以设置在窗基体21的第一表面和/或第二表面上。印刷层22可以在非有源区域NAR中设置在窗基体21的边缘上。印刷层22也可以设置在孔区HLA中。印刷层22可以是光阻挡层或用于美观效果的装饰层。
以下将描述显示装置1的孔区HLA。
图3是图示图1的孔区附近的元件的布局的平面图。图4是沿着图3的线III-III'截取的截面图。图4是图示图1的显示装置的孔区的周边的截面图。
参照图1到图4,孔区HLA可以朝向显示装置1的第一侧设置。孔区HLA可以是非有源区域NAR的其中不执行图像的显示和/或触摸输入的检测的部分。孔区HLA可以设置在有源区域AAR内。也就是说,如图1中所示,孔区HLA可以由有源区域AAR包围。可替代地,孔区HLA可以由非有源区域NAR包围或者可以设置在有源区域AAR和非有源区域NAR之间的边界处,使得孔区HLA的一部分可以由有源区域AAR包围,并且孔区HLA的一部分可以由非有源区域NAR包围。
孔区HLA在平面图中可以具有圆形形状、椭圆形状、哑铃形状或具有凸出的短边的矩形形状,但是本公开不限于此。可替代地,孔区HLA在平面图中可以具有诸如长方形形状、正方形形状或非四边形多边形形状的各种其他形状。
孔区HLA可以包括一个或多个孔HLE。孔HLE的平面形状可以对应于孔区HLA的平面形状,但是本公开不限于此。可替代地,孔HLE在平面图中可以具有诸如圆形形状或椭圆形状的各种其他形状。
孔HLE可以包括通孔HLE_TH。通孔HLE_TH在平面图中可以具有椭圆形状,但是本公开不限于此。通孔HLE_TH可以包括物理穿透显示面板10的有源元件层ATL的第一通孔HLE_TH1、物理穿透触摸构件TSP的第二通孔HLE_TH2以及物理穿透偏振构件POL的第三通孔HLE_TH3。由于通孔HLE_TH的存在,可以改善通孔HLE_TH中的透光率。
第一通孔HLE_TH1、第二通孔HLE_TH2和第三通孔HLE_TH3可以至少部分地相互重叠。结果,可以确保用于外部光入射到光学元件OPS上的光路。
在平面图中,第二通孔HLE_TH2和第三通孔HLE_TH3可以由第一通孔HLE_TH1围绕,并且第二通孔HLE_TH2可以由第三通孔HLE_TH3围绕。然而,本公开不限于此。第一通孔HLE_TH1、第二通孔HLE_TH2和第三通孔HLE_TH3的平面尺寸(或直径)和布置的图案可以不同。
有源元件层ATL的第一通孔HLE_TH1可以是空的或者可以填充有存在于间隙EMT中的气体。触摸构件TSP的第二通孔HLE_TH2和偏振构件POL的第三通孔HLE_TH3可以填充有OCR。
在与通孔HLE_TH重叠的区中,显示面板100的第一基底100和第二基底190、触摸构件TSP以及窗构件20可以不被物理穿透。如上所述,由于显示面板10的第一基底100和第二基底190已经具有高透光率,因此在与通孔HLE_TH重叠的区中,显示面板10可以保持高透光率。由于触摸构件TSP的触控导电层210(参见图6)没有设置在与通孔HLE_TH重叠的区中,并且触摸构件TSP的触摸基体层205(参见图6)在与通孔HLE_TH重叠的区中已经具有高透光率,因此在与通孔HLE_TH重叠的区中触摸构件TSP可以保持高透光率。由于窗构件20的窗基体21已经具有高透光率,因此即使窗构件20没有被通孔HLE_TH穿透,在与通孔HLE_TH重叠的区中窗构件20也能保持高透光率。此外,由于窗构件20没有被穿透,而是覆盖与通孔HLE_TH重叠的区,因此窗构件20可以保护设置在其下方的元件。
孔区HLA还可以包括透射穿过其的光的光学孔HLE_OP。光学孔HLE_OP可以与通孔HLE_TH重叠并且可以由窗构件20的印刷层22的图案限定。印刷层22可以部分地设置在孔区HLA中以阻挡来自像素PX的通过通孔HLE_TH的光的输出(即,漏光)。印刷层22甚至可以设置在孔区HLA的外部,但是本公开不限于此。
印刷层22可以设置在通孔HLE_TH附近以暴露通孔HLE_TH的至少部分。由印刷层22暴露的通孔HLE_TH的部分可以对应于透射穿过其的光的光学孔HLE_OP。在一个示例中,孔区HLA的印刷层22可以与通孔HLE_TH部分地重叠。也就是说,印刷层22的内侧表面可以向内突出超过通孔HLE_TH的内侧壁。印刷层22的内侧表面可以与多个通孔HLE_TH中的任何一个具有最小直径的通孔HLE_TH的内侧壁对准或位于多个通孔HLE_TH中的任何一个具有最小直径的通孔HLE_TH的内侧壁内。因此,第一通孔HLE_TH1、第二通孔HLE_TH2和第三通孔HLE_TH3的内侧壁可以被印刷层22隐藏,并且因此可以不能从外面看到。
显示装置1还可以包括包含光接收部分的光学元件OPS。光学元件OPS的示例包括相机、透镜(例如,聚光透镜或光路导引透镜等)和光学传感器(例如,红外传感器、虹膜传感器或照度传感器等)。光学元件OPS可以设置在显示面板10的第二表面上以与孔区HLA重叠。光学元件OPS的光接收部分可以至少部分地位于光学孔HLE_OP中。来自显示装置1外部的光可以穿过窗基体21的由印刷层22包围的部分,并且然后可以通过通孔HLE_TH、显示面板10的第二基底190和显示面板10的第一基底100入射到光学元件OPS的光接收部分。如上所述,在窗基体21以及显示面板10的第一基底100和第二基底190具有高透光率的情况下,外部光可以通过上述光路到达光学元件OPS的光接收部分而几乎没有任何实质损失。
显示装置1还可以包括覆盖面板CPL。覆盖面板CPL可以设置在第一基底100的第二表面上。覆盖面板CPL可以包括散热层和缓冲层等。覆盖面板CPL可以不设置在与光学孔HLE_OP和通孔HLE_TH中的至少一个重叠的区中。
下面将描述显示装置1的一个子像素的电路的截面结构。
图5是图1的显示装置的子像素的电路图。
参照图5,显示装置1的子像素可以包括第一晶体管TR1、第二晶体管TR2、电容器Cst和有机发光二极管(OLED)。扫描线SCL、数据线DL和第一电源电压线ELVDDL连接到子像素。
第一晶体管TR1可以是驱动晶体管,并且第二晶体管TR2可以是开关晶体管。第一晶体管TR1和第二晶体管TR2图示为P型金属氧化物半导体(PMOS)晶体管,但是本公开不限于此。可替代地,第一晶体管TR1和第二晶体管TR2中的至少一个可以是N型金属氧化物半导体(NMOS)晶体管。
第一晶体管TR1的第一电极(或源极电极)可以连接到第一电源电压线ELVDDL,并且第一晶体管TR1的第二电极(或漏极电极)可以连接到OLED的阳极电极。第二晶体管TR2的第一电极(或源极电极)可以连接到数据线DL,并且第二晶体管TR2的第二电极(或漏极电极)可以连接到第一晶体管TR1的栅极电极。电容器Cst可以连接在第一晶体管TR1的栅极电极和第一电极之间。OLED的阴极电极可以接收第二电源电压ELVSS。第二电源电压ELVSS可以低于来自第一电源电压线ELVDDL的第一电源电压(ELVDD)。
第二晶体管TR2可以响应于施加到扫描线SCL的扫描信号而输出施加到数据线DL的数据信号。电容器Cst可以以与从第二晶体管TR2接收的数据信号相对应的电压充电。第一晶体管TR1可以根据在电容器Cst中存储的电荷的量来控制在OLED中流动的驱动电流。
图5的子像素的电路仅仅是示例性的并且可以包括多于两个的晶体管(例如,七个晶体管)和多于一个的电容器。
图6是图1的显示装置的子像素的截面图。图7是沿着图3的线III-III'截取的详细截面图。显示装置1的元件将在下文中参照图6和图7进行描述。
参照图6和图7,例如,有源元件层ATL可以覆盖除了第一通孔HLE_TH1之外的整个第一基底100。有源元件层ATL可以包括半导体层110、第一绝缘层121、第一栅极导电层130、第二绝缘层122、第二栅极导电层140、第三绝缘层123、数据导电层150、第四绝缘层124、阳极电极160、包括暴露阳极电极160的开口的堤层126、设置在堤层126的开口中的发射层170、以及设置在发射层170和堤层126上的阴极电极180。半导体层110、第一绝缘层121、第一栅极导电层130、第二绝缘层122、第二栅极导电层140、第三绝缘层123、数据导电层150、第四绝缘层124、阳极电极160、堤层126和阴极电极180可以依次沉积。此外,半导体层110、第一绝缘层121、第一栅极导电层130、第二绝缘层122、第二栅极导电层140、第三绝缘层123、数据导电层150、第四绝缘层124、阳极电极160、堤层126和阴极电极180可以形成为单个膜或多个膜的堆叠。在半导体层110、第一绝缘层121、第一栅极导电层130、第二绝缘层122、第二栅极导电层140、第三绝缘层123、数据导电层150、第四绝缘层124、阳极电极160、堤层126和阴极电极180之间可以存在其他层。
半导体层110设置在第一基底100上。半导体层110可以形成子像素的TFT的沟道。半导体层110可以包括多晶硅,但是本公开不限于此。可替代地,半导体层110可以包括单晶硅、低温多晶硅、非晶硅或氧化物半导体。
第一绝缘层121设置在半导体层110上。第一绝缘层121可以是具有栅极绝缘功能的第一栅极绝缘膜。第一绝缘层121可以包括硅化合物或金属氧化物等。
第一栅极导电层130设置在第一绝缘层121上。第一栅极导电层130可以包括子像素的TFT的栅极电极GAT、连接到栅极电极GAT的扫描线以及存储电容器的第一电极CE1。
第一栅极导电层130可以包括从钼(Mo)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钛(Ti)、钽(Ta)、钨(W)和铜(Cu)之中选择的至少一种金属。
第二绝缘层122可以设置在第一栅极导电层130上。第二绝缘层122可以是层间绝缘膜或第二栅极绝缘膜。
第二栅极导电层140设置在第二绝缘层122上。第二栅极导电层140可以包括存储电容器的第二电极CE2。第二栅极导电层140可以包括从Mo、Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Ca、Ti、Ta、W和Cu之中选择的至少一种金属。
第三绝缘层123设置在第二栅极导电层140上。第三绝缘层123可以是层间绝缘膜。
数据导电层150设置在第三绝缘层123上。数据导电层150可以包括子像素的TFT的第一电极SD1和第二电极SD2。第一电极SD1和第二电极SD2可以通过穿透第三绝缘层123、第二绝缘层122和第一绝缘层121的接触孔电连接到半导体层110的源极区域和漏极区域。子像素的第一电源电压电极ELVDDE可以由数据导电层150形成。第一电源电压电极ELVDDE可以通过穿透第三绝缘层123的接触孔电连接到第二电极CE2。
数据导电层150可以包括从Al、Mo、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Ca、Ti、Ta、W和Cu之中选择的至少一种金属。数据导电层150可以是单个膜或多个膜。
第四绝缘层124设置在数据导电层150上。第四绝缘层124覆盖数据导电层150。第四绝缘层124可以是贯通层。第四绝缘层124可以包括诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯树脂、聚苯硫醚树脂或苯并环丁烯(BCB)的有机绝缘材料。
阳极电极160设置在第四绝缘层124上。阳极电极160可以是提供在每个子像素中的像素电极。阳极电极160可以通过穿透第四绝缘层124的接触孔连接到第二电极SD2。阳极电极160可以至少部分地与子像素的发射区EMA重叠。
阳极电极160可以具有其中由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)或氧化铟(In2O3)形成的高功函数材料层和由Ag、Mg、Al、Pt、铅(Pb)、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、锂(Li)、Ca或其混合物形成的反射材料层堆叠的结构。高功函数材料层可以设置在反射材料层上方,靠近发射层170。阳极电极160可以具有诸如ITO/Mg、ITO/MgF2、ITO/Ag或ITO/Ag/ITO的多层结构,但是本公开不限于此。
堤层126可以设置在阳极电极160上。堤层126可以包括从阳极电极160上方暴露阳极电极160的开口。由于堤层126和开口的存在,可以限定发射区EMA和非发射区NEM。堤层126可以包括诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯树脂、聚苯硫醚树脂或BCB的有机绝缘材料。在一些实施例中,堤层126可以包括无机材料。
显示装置1还可以包括间隔件127。间隔件127可以设置在堤层126上。间隔件127可以直接设置在堤层126上。间隔件127可以在厚度方向上与堤层126重叠。间隔件127可以保持设置在其上方的元件和设置在其下方的元件之间的间隙或距离。在一个示例中,间隔件127可以在沉积有机材料以形成发射层170期间防止精细金属掩模(FMM)下垂。间隔件127可以支撑沉积在其上方的结构并且可以减轻可能由当向显示面板10施加压力时的应力引起的显示面板10的任何变形。间隔件127可以比堤层126具有小的宽度。间隔件127可以仅设置在堤层126的一部分上,并且结果,可以在未提供间隔件127的区域和提供间隔件127的区域之间形成高度差。
与堤层126一样,间隔件127可以包括有机绝缘材料。间隔件127可以形成为与堤层126分开的层,但是堤层126和间隔件127可以由相同的材料通过单一工艺形成。在一个示例中,具有不同高度的堤层126和间隔件127可以通过施加光敏有机材料并且然后使用狭缝掩模和半色调掩模执行曝光和显影的单一工艺形成。
发射层170设置在阳极电极160的由堤层126暴露的部分上。发射层170可以包括有机材料层。发射层170的有机材料层可以包括有机发光层并且还可以包括空穴注入/传输层和/或电子注入/传输层。
阴极电极180可以设置在发射层170上。阴极电极180可以是公共电极,公共电极是针对所有像素的全电极。阳极电极160、发射层170和阴极电极180可以形成有机发光元件。
阴极电极180不仅可以与发射层170接触,还可以与堤层126的顶表面接触。阴极电极180可以与间隔件127的表面接触并且可以覆盖间隔件127的表面。阴极电极180可以共形地形成以反映设置在其下方的结构中的任何高度差。
阴极电极180可以包括低功函数材料层,该低功函数材料层由Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Mg、Ag、Pt、Pd、Ni、Au、Nd、Ir、Cr、BaF2、Ba、或者其化合物或混合物(例如,Ag和Mg的混合物)形成。阴极电极180还可以包括设置在低功函数材料层上的透明金属氧化物层。
防反射构件AR和第二基底190设置在阴极电极180上。防反射构件AR设置在阴极电极180上,并且第二基底190设置在防反射构件AR上。
防反射构件AR可以位于第二基底190的底表面上。防反射构件AR可以是第二基底190的面向第一基底100的表面。防反射构件AR可以具有100nm至500nm的厚度或200nm至300nm的厚度。防反射构件AR可以通过高密度膜形成方法形成。在一个示例中,防反射构件AR可以通过溅射、化学气相沉积(CVD)或原子层沉积(ALD)在第二基底190的底表面上形成。
防反射构件AR可以改善由有机发光元件发射的光的透射率,并且可以防止由光学元件OPS反射的外部光被第二基底190的底表面反射(即,眩光现象)。
防反射构件AR可以设置在与光学孔HLE_OP以及第一通孔HLE_TH1、第二通孔HLE_TH2和第三通孔HLE_TH3中的至少一个重叠的区中。
图8是图7的区A的放大截面图。
参照图8,防反射构件AR可以具有其中具有高折射率的折射层和具有低折射率的折射层交替堆叠的结构。防反射构件AR可以包括依次沉积在第二基底190的面向第一基底100的第一表面上的第一折射层AR1、第二折射层AR2、第三折射层AR3和第四折射层AR4。第一折射层AR1的折射率和第三折射层AR3的折射率可以大于第二折射层AR2的折射率和第四折射层AR4的折射率。
第一折射层AR1的折射率和第三折射层AR3的折射率可以在1.8到2.4的范围内,并且第二折射层AR2的折射率和第四折射层AR4的折射率可以在1.47到1.6的范围内。
如果第一折射层AR1的折射率和第三折射层AR3的折射率是1.8或更大,则可以确保第一折射层AR1的折射率和第三折射层AR3的折射率与第二折射层AR2的折射率和第四折射层AR4的折射率之间的最小差。因此,可以改善防反射构件AR的透光率,并且可以防止眩光现象。如果第一折射层AR1的折射率和第三折射层AR3的折射率是2.4或更小,则可以确保在材料选择方面的自由度。
此外,如果第二折射层AR2的折射率和第四折射层AR4的折射率是1.6或更小,则可以确保第一折射层AR1的折射率和第三折射层AR3的折射率与第二折射层AR2的折射率和第四折射层AR4的折射率之间的最小差。因此,可以改善防反射构件AR的透光率,并且可以防止眩光现象。如果第二折射层AR2的折射率和第四折射层AR4的折射率是1.47或更大,则可以确保在材料选择方面的自由度。
第一折射层AR1可以具有5nm到15nm的厚度,第二折射层AR2可以具有25nm到40nm的厚度,第三折射层AR3可以具有100nm到130nm的厚度,并且第四折射层AR4可以具有80nm到100nm的厚度。
可以考虑第一折射层AR1的折射率、第二折射层AR2的折射率、第三折射层AR3的折射率和第四折射层AR4的折射率以及从第一折射层AR1、第二折射层AR2、第三折射层AR3和第四折射层AR4反射的光束相互抵消的条件来设置第一折射层AR1的厚度、第二折射层AR2的厚度、第三折射层AR3的厚度和第四折射层AR4的厚度。如果如上所述设置第一折射层AR1、第二折射层AR2、第三折射层AR3和第四折射层AR4的折射率和厚度,则从第一折射层AR1、第二折射层AR2、第三折射层AR3和第四折射层AR4反射的光束可以相互抵消。
第一折射层AR1、第二折射层AR2、第三折射层AR3和第四折射层AR4可以由能够满足上述折射率范围的材料形成。
第一折射层AR1和第三折射层AR3可以包括第一无机材料。第一无机材料可以包括例如氮化硅(SiNx)、氧化铝(AlOx)、氧化钛(TiOx)和氧化铌(Nb2O5)中的至少一种,但是本公开不限于此。第二折射层AR2和第四折射层AR4可以包括第二无机材料。第二无机材料可以包括例如氧化硅(SiO2)和氮氧化硅(SiNxOy)中的至少一种,但是本公开不限于此。与第二折射层AR2不同,第四折射层AR4还可以包括Al、铟(In)或镓(Ga)。
在一些实施例中,可以提供两个或更多个第一折射层AR1以及两个或更多个第二折射层AR2。在一个示例中,第一折射层AR1可以进一步设置在第二折射层AR2和第三折射层AR3之间,并且第二折射层AR2可以进一步设置在第一折射层AR1和第三折射层AR3之间。
下面将描述防反射构件AR的光学功能。
图9A和图9B是图示光如何依据防反射构件的存在而行进的截面图。
图9A和图9B是图示显示装置的孔区的周边的截面图。具体地,图9A图示不包括防反射构件AR的显示装置1,并且图9B图示包括防反射构件AR的显示装置1。
参照图9A,从显示装置1外部入射的光L1可以通过光学孔HLE_OP到达光学元件OPS。光L1可以是从被摄体提供的光。
一些光L1可以到达光学元件OPS并且可以由光学元件OPS反射为光L2。一些反射光可以在向上方向上行进并且可以由第一基底100的底表面反射为光L21或者由第二基底190的底表面反射为光L22。
由于光学元件OPS不仅仅基于来自被摄体的光L1形成被摄体的图像,而且还受到从第一基底100的底表面反射的光L21和从第二基底190的底表面反射的光L22的影响,因此可能会发生被摄体的图像的失真或诸如眩目的眩光现象。
参照图9B,在防反射构件AR设置在第二基底190的底表面上的情况下,从光学元件OPS反射的一些光可以在向上方向上行进并且可以由第一基底100的底表面反射为光L21或由防反射构件AR的多个层反射为光L22。具体地,从防反射构件AR的多个层反射的光L22可以包括从第四折射层AR4和间隙EMT之间的界面反射的光L221、从第三折射层AR3和第四折射层AR4之间的界面反射的光L222、从第二折射层AR2和第三折射层AR3之间的界面反射的光L223、从第一折射层AR1和第二折射层AR2之间的界面反射的光L224以及从第一折射层AR1和第二基底190之间的界面反射的光L225。
在一个示例中,由于第一折射层AR1、第二折射层AR2、第三折射层AR3和第四折射层AR4的折射率和厚度设计为满足从第一折射层AR1、第二折射层AR2、第三折射层AR3、和第四折射层AR4反射的光束相互抵消的条件,因此可以最小化从防反射构件AR的多个层反射的光L22的量,并且可以抑制眩光现象的发生。
发射层170可能易受水分或室外空气(例如,氧气)的影响。如果发射层170暴露于水分或氧气,则发射层170可能劣化。如上文参照图2和图6所描述的,有源元件层ATL被第一基底100、防反射构件AR和密封构件SL密封。因此,一旦第一基底100和第二基底190通过密封构件SL接合在一起,就可以防止来自显示装置1外部的水分或氧气渗入有源元件层ATL中。然而,在接合第一基底100和第二基底190之后,存在于防反射构件AR的表面上的水分或氧气可能释放到有源元件层ATL中,从而引起发射层170的劣化。
图10到图14是图示如何形成防反射构件并且如何接合第一基底和涂覆有防反射构件的第二基底的截面图。
参照图10,在室CH内,将防反射构件AR涂覆在第二基底190的第一表面上,并且用清洁溶液冲洗防反射构件AR和第二基底190,然后对防反射构件AR和第二基底190进行干燥。清洁溶液可以是水,但是本公开不限于此。在防反射构件AR和第二基底190的干燥之后,可以去除大部分清洁溶液,但是可能保留一些清洁溶液。此后,存储防反射构件AR和第二基底190。在防反射构件AR和第二基底190处于存储状态时,防反射构件AR周围的室外空气和水分可能粘附到防反射构件AR的表面上。此后,参照图14,第一基底100和第二基底190的接合在室CH中执行。在接合第一基底100和第二基底190之后,粘附在防反射构件AR的表面上的室外空气和水分可能被释放并且可能使发射层170劣化。
随着防反射构件AR的第四折射层AR4的填充密度提高,可以在防反射构件AR和第二基底190处于存储状态的同时,抑制室外空气或水分粘附在防反射构件AR的表面上。随着第四折射层AR4的填充密度增加,第四折射层AR4的表面的粗糙度减小。因此,室外空气(例如,O2)或水分(H2O)被吸附到第四折射层AR4的表面的程度显著降低,并且结果,可以解决在第一基底100和第二基底190的接合之后发射层170的劣化。
可以通过适当地设计第四折射层AR4的材料来改善第四折射层AR4的填充密度。
第四折射层AR4还可以包括Al、In或Ga。因此,可以改善第四折射层AR4的填充密度,并且可以减小第四折射层AR4的表面粗糙度。Al、In或Ga相对于整个第四折射层AR4的全部组合物的原子百分比可以是0.5%至5%。如果Al、In或Ga相对于第四折射层AR4的全部组合物的原子百分比是0.5%或更大,则可以有效地改善第四折射层AR4的填充密度,并且可以减小第四折射层AR4的表面粗糙度。如果Al、In或Ga相对于整个第四折射层AR4的组合物的原子百分比是5%或更小,则在不超过第四折射层AR4的折射率的范围的情况下可以保持防反射构件AR的光学特性。
可以使用透射电子显微镜(TEM)在30000或更大的观察放大倍数下,以250nm的间隔从第四折射层AR4的表面(连续截面)上的5000nm区域中的20个位置,测量第四折射层AR4的表面粗糙度(RMS,nm)。然后,可以将表面粗糙度测量值的标准偏差确定为第四折射层AR4的表面粗糙度。第四折射层AR4的表面粗糙度可以是1.3nm或更小。
第四折射层AR4的整个表面可以基本上相同。这不仅意味着第四折射层AR4的整个表面具有相同的粗糙度或处于相同的粗糙度范围内,而且还可以遍及整个第四折射层AR4涵盖第四折射层AR4的表面粗糙度具有大约仅10%的偏差,并且因此在肉眼看来,遍及整个第四折射层AR4表现为相同。
在下文中将描述施加到第二基底190的防反射构件的实施例如何比具有未施加到第二基底190的防反射构件的比较示例具有高的透射率。
图15是示出具有施加到第二基底190的防反射构件的实施例的透光率和不具有施加到第二基底190的防反射构件的比较示例的透光率的图。
参照图15,实施例可以是如图2中所示的具有直接设置在第二基底190的底表面上的防反射构件AR的第二基底190,并且防反射构件AR可以具有图8中所示的结构。比较示例可以是没有被施加防反射构件AR的第二基底190。参照图15,水平轴表示施加到防反射构件AR和第二基底190(在实施例的情况下)或施加到第二基底190(在比较示例的情况下)的光的波长(nm),并且竖直轴表示从有机发光元件施加的光的强度与经由防反射构件AR和第二基底190两者透射(在本实施例的情况下)或仅经由第二基底190透射(在比较示例的情况下)的光的强度的比率。
如图15中所示,在大约400nm至大约700nm的波长范围内,实施例比比较示例具有高的透光率(%)。也就是说,由于防反射构件AR直接设置在第二基底190下方,因此可以改善透光率,并且反射的光可以被最小化,从而可以有效地抑制眩光现象。
下面将描述其中防反射构件直接提供在第二基底下方并且通过用Al、In或Ga掺杂第四折射层来增加防反射构件的第四折射层的填充密度的实施例的有益效果。
为方便起见,其中防反射构件直接提供在第二基底下方并且防反射构件的第四折射层由氧化硅铝(SixAlyOz)(其中Al的原子百分比是0.5%至5%并且氧与硅的原子比是1.7)形成的实施例在下文中将被称为样品#1,并且其中防反射构件直接设置在第二基底下方并且防反射构件的第四折射层由氧化硅(SiO2)形成的实施例在下文中将被称为样品#2和样品#3。
下面的表格1示出样品#1、样品#2和样品#3的规格。图16示出样品#1的粗糙度。图17和图18是示出样品#1、样品#2和样品#3的氧气排放的图。图19和图20是示出样品#1、样品#2和样品#3的水分排放的图。
【表格1】
生产示例1
样品#1的制作
第一折射层、第二折射层、第三折射层和第四折射层通过溅射依次沉积在玻璃基底上。
第一折射层和第三折射层由氧化铌(Nb2O5)形成,第二折射层由氧化硅(SiO2)形成,并且第四折射层由氧化硅铝(SixAlyOz)形成。第四折射层中Al的原子百分比是0.5%至5%。样品#1的氧硅原子比是1.7。
样品#1的厚度是260nm。
样品#2和样品#3的制作
样品#2和样品#3与样品#1的不同之处在于第四折射层由氧化硅(SiO2)形成。
样品#2的厚度是230nm,并且样品#3的厚度是300nm。
样品#2和样品#3的氧硅原子比是1.6。
实验示例1:表面粗糙度
表面粗糙度的测量
如上文参照图15所述,测量样品#1、样品#2和样品#3的表面粗糙度。具体地,使用TEM以30000或更大的观察放大倍数以250nm的间隔从相应样品表面上的5000nm区域中的20个位置测量样品#1、样品#2和样品#3中的每一个的表面粗糙度。
表面粗糙度测量结果
样品#1的表面粗糙度是1.1nm,样品#2的表面粗糙度是1.4nm,并且样品#3的表面粗糙度是1.5nm。
生产示例2
样品#1的制作
制备除了具有10cm×10cm的尺寸之外与生产示例1的样品#1相同的样品。
样品#2和样品3的制作
制备除了具有10cm×10cm的尺寸之外与生产示例1的样品#2和样品#3相同的样品。
实验示例2:氧气排放
氧气排放的测量
样品#1、样品#2和样品#3在900℃的温度下在室内进行热处理,并且然后暴露在空气中达48小时。
此后,如图16和图17中所示,在从2000秒到4000秒的周期内改变温度(℃)的同时测量样品#1、样品#2和样品#3的氧气排放。
氧气排放测量结果
样品#1、样品#2和样品#3的氧气排放被转换为离子电流(A)并输出。
如图17中所示,样品#1、样品#2和样品#3的离子电流增加直到大约2800秒,并且在2800秒之后减小。
样品#1通常比样品#2和样品#3具有低的离子电流。
图18示出在从2000秒到4000秒的周期期间,样品#2的离子电流量比样品#1的离子电流量大大约三倍,并且样品#3的离子电流量比样品#1的离子电流量大大约两倍。
实验示例3:水分排放
水分排放的测量
样品#1、样品#2和样品#3在900℃的温度下的室内进行热处理,并且然后暴露在空气中达48小时。
此后,如图19和图20中所示,在从2000秒到4000秒的周期内改变温度(℃)的同时测量样品#1、样品#2和样品#3的水分排放。
水分排放测量结果
样品#1、样品#2和样品#3的水分排放被转换为离子电流(A)并输出。
如图19中所示,样品#1、样品#2和样品#3的离子电流增加直到大约2800秒,并且然后在2800秒后减小。
样品#1通常具有比样品#2和样品#3低的离子电流。
图20示出在从2000秒到4000秒的周期期间,样品#2的离子电流量比样品#1的离子电流量大大约四倍,并且样品#3的离子电流量比样品#1的离子电流量大大约三倍。
以下将描述根据本公开的另一实施例的显示装置,主要集中于与图1到图9B的显示装置1的不同之处。将省略或简化上面已经描述的元件或特征的描述。
图21是根据本公开的另一实施例的显示装置的平面图。图22是图21的显示装置的截面图。图23是图21的显示装置的第一有源区域的平面图。图24是图21的显示装置的第二有源区域的平面图。
参照图21到图24并且进一步参照图1到图9B,显示装置2与图1到图4的显示装置1的不同之处在于,有源区域AAR_1包括第一有源区域AAR1和比第一有源区域AAR1具有小的尺寸(例如面积)的第二有源区域AAR2。
光学元件OPS可以设置在第二有源区域AAR2中并与第二有源区域AAR2重叠。
防反射构件AR可以覆盖第一有源区域AAR1和第二有源区域AAR2。
第一有源区域AAR1可以包括多个第一像素PX1,并且第二有源区域AAR2可以包括多个第二像素PX2。第一像素PX1可以与图1的像素PX相同。
参照图23,第二有源区域AAR2可以包括用于显示图像的第二像素PX2和透光窗TA。
每一个第二像素PX2可以包括第一子像素SP1、第二子像素SP2、第三子像素SP3和第四子像素SP4。第一子像素SP1、第二子像素SP2、第三子像素SP3和第四子像素SP4可以分别与图1的每一个像素PX的第一子像素SP1、第二子像素SP2、第三子像素SP3和第四子像素SP4基本上相同,并且因此省略其详细说明。
透光窗TA可以是其中可以透射光的区域。第二像素PX2不设置在透光窗TA中。第二有源区域AAR2中每单位面积的第二像素PX2的数量(即,每英寸像素(PPI))可以小于第一有源区域AAR1中每单位面积的第一像素PX1的数量。也就是说,可以通过减少第二有源区域AAR2中的第二像素PX2的数量来确保用于布置透光窗TA的空间。
多个透光窗TA可以在第一方向DR1和第二方向DR2上相互相邻设置。多个透光窗TA可以以Z字形方式布置。每一个透光窗TA可以由第二像素PX2包围。
如图24中所示,由于第二有源区域AAR2中每单位面积的第二像素PX2的数量减少到低于第一有源区域AAR1中每单位面积的第一像素PX1的数量,因此可以确保用于在第二有源区域AAR2中布置透光窗TA的空间。
与图1到图9B的实施例中类似,在图21到图24的实施例中,光学元件OPS不仅可以使用来自被摄体的入射光而且可以使用来自第一基底100的底表面和来自第二基底190的底表面的反射光来形成被摄体的图像,并且结果,可能出现其中被摄体的图像不清晰可见的眩光现象。然而,由于防反射构件AR设置在第二基底190的底表面上,因此可以抑制眩光现象。
此外,随着防反射构件AR的第四折射层AR4的填充密度提高,可以在防反射构件AR和第二基底190处于存储状态的同时,抑制室外空气或水分粘附在防反射构件AR的表面上。随着第四折射层AR4的填充密度增加,第四折射层AR4的表面粗糙度减小。因此,室外空气(例如,O2)或水分(H2O)被吸附到第四折射层AR4的表面的程度显著降低,并且结果,可以解决在第一基底100和第二基底190的接合之后发射层170的劣化。
尽管出于说明的目的公开了本发明的实施例,但是本领域的技术人员将理解在实质上不背离本公开的原理的情况下,可以对优选实施例进行许多变化和修改。因此,所公开的本发明的优选实施例仅用于一般性和描述性的意义,并且不是为了限制的目的。
Claims (22)
1.一种显示装置,包括:
第一基底,具有在其中限定的有源区域和设置在所述有源区域周围的非有源区域;
有源元件层,在所述有源区域中设置在所述第一基底的第一表面上;
第二基底,面向所述第一基底的所述第一表面,所述第二基底设置在所述有源元件层上;以及
防反射构件,设置在所述第二基底的面向所述第一基底的第一表面上,所述防反射构件与所述有源元件层间隔开,
其中,
所述防反射构件包括从所述第二基底的所述第一表面依次沉积的第一折射层、第二折射层、第三折射层和第四折射层,
所述第一折射层的折射率和所述第三折射层的折射率大于所述第二折射层的折射率和所述第四折射层的折射率,并且
所述第四折射层包括铝、铟或镓。
2.如权利要求1所述的显示装置,其中,所述第四折射层的表面粗糙度(RMS)是1.3nm或更小。
3.如权利要求1所述的显示装置,其中,
所述第一折射层的所述折射率和所述第三折射层的所述折射率是1.8到2.4,并且
所述第二折射层的所述折射率和所述第四折射层的所述折射率是1.47到1.6。
4.如权利要求1所述的显示装置,其中,
所述第一折射层的厚度是5nm到15nm,
所述第二折射层的厚度是25nm到40nm,
所述第三折射层的厚度是100nm到130nm,并且
所述第四折射层的厚度是80nm到100nm。
5.如权利要求1所述的显示装置,其中,所述防反射构件设置为与所述有源区域和所述非有源区域重叠。
6.如权利要求5所述的显示装置,还包括:
密封构件,在所述非有源区域中设置在所述第一基底的所述第一表面上以耦接所述第一基底的所述第一表面和所述防反射构件。
7.如权利要求6所述的显示装置,其中,所述密封构件包括玻璃料。
8.如权利要求1所述的显示装置,其中,
所述第一基底是显示基底,并且
所述第二基底是封装基底。
9.如权利要求1所述的显示装置,其中,
所述防反射构件还包括:第五折射层,设置在所述第一折射层和所述第二基底的所述第一表面之间;以及第六折射层,设置在所述第一折射层和所述第五折射层之间,并且
所述第五折射层的折射率大于所述第六折射层的折射率。
10.一种显示装置,包括:
显示基底,具有在其中限定的围绕孔区的有源区域和设置在所述有源区域周围的非有源区域;
有源元件层,在所述有源区域中设置在所述显示基底的第一表面上;
封装基底,面向所述显示基底的所述第一表面,所述封装基底设置在所述有源元件层上;
防反射构件,设置在所述封装基底的面向所述显示基底的第一表面上,所述防反射构件与所述有源元件层间隔开;以及
光学元件,提供在所述孔区中并且设置在所述显示基底下方,
其中,所述有源元件层包括与所述孔区重叠的通孔。
11.如权利要求10所述的显示装置,其中,
所述防反射构件包括从所述封装基底的所述第一表面依次沉积的第一折射层、第二折射层、第三折射层和第四折射层,
所述第一折射层的折射率和所述第三折射层的折射率大于所述第二折射层的折射率和所述第四折射层的折射率,并且
所述第四折射层包括铝、铟或镓。
12.如权利要求11所述的显示装置,其中,所述防反射构件覆盖所述孔区。
13.如权利要求11所述的显示装置,其中,所述光学元件包括相机、透镜、红外传感器、虹膜传感器或照度传感器。
14.如权利要求11所述的显示装置,其中,所述第四折射层的表面粗糙度(RMS)是1.3nm或更小。
15.如权利要求11所述的显示装置,其中,
所述第一折射层的所述折射率和所述第三折射层的所述折射率是1.8到2.4,并且
所述第二折射层的所述折射率和所述第四折射层的所述折射率是1.47到1.6。
16.如权利要求11所述的显示装置,其中,
所述第一折射层的厚度是5nm到15nm,
所述第二折射层的厚度是25nm到40nm,
所述第三折射层的厚度是100nm到130nm,并且
所述第四折射层的厚度是80nm到100nm。
17.一种显示装置,包括:
显示基底,具有在其中限定的有源区域和非有源区域,所述有源区域包括第一有源区域和比所述第一有源区域具有小的面积的第二有源区域,所述非有源区域设置在所述有源区域周围;
有源元件层,在所述有源区域中设置在所述显示基底的第一表面上;
封装基底,面向所述显示基底的所述第一表面,所述封装基底设置在所述有源元件层上;
防反射构件,设置在所述封装基底的面向所述显示基底的第一表面上,所述防反射构件与所述有源元件层间隔开;以及
光学元件,提供在所述显示基底下方以与所述第二有源区域重叠,
其中,
所述防反射构件包括从所述封装基底的所述第一表面依次沉积的第一折射层、第二折射层、第三折射层和第四折射层,
所述第一有源区域包括第一像素,
所述第二有源区域包括第二像素,并且
所述第二有源区域中每单位面积的第二像素的数量小于所述第一有源区域中每单位面积的第一像素的数量。
18.如权利要求17所述的显示装置,其中,
所述第一折射层的折射率和所述第三折射层的折射率大于所述第二折射层的折射率和所述第四折射层的折射率,并且
所述第四折射层包括铝、铟或镓。
19.如权利要求18所述的显示装置,其中,所述第二有源区域还包括透光窗,所述透光窗设置在所述第二像素之间。
20.如权利要求19所述的显示装置,其中,所述防反射构件覆盖所述第二有源区域。
21.如权利要求19所述的显示装置,其中,所述光学元件包括相机、透镜、红外传感器、虹膜传感器或照度传感器。
22.如权利要求19所述的显示装置,其中,所述第四折射层的表面粗糙度(RMS)是1.3nm或更小。
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