CN116895413A - 薄膜电阻元件 - Google Patents
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 24
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical group Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 abstract description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 6
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009966 trimming Methods 0.000 description 1
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- H01C3/10—Non-adjustable metal resistors made of wire or ribbon, e.g. coiled, woven or formed as grids the resistive element having zig-zag or sinusoidal configuration
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- H01C1/14—Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors
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- H01C3/08—Dimension or characteristic of resistive element changing gradually or in discrete steps from one terminal to another
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/5228—Resistive arrangements or effects of, or between, wiring layers
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- H—ELECTRICITY
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- H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L28/20—Resistors
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- H—ELECTRICITY
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- H01C—RESISTORS
- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/06—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
- H01C17/075—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thin film techniques
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
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- H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
- H01L27/0207—Geometrical layout of the components, e.g. computer aided design; custom LSI, semi-custom LSI, standard cell technique
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Abstract
本发明提供一种薄膜电阻元件，电阻层包含通过连接部相互连接的多个网状部，其中位于中央的网状部网线宽较大，靠近两侧电极的网状部网线宽较小，发热点移至电阻层的两侧且靠近电极，使热量快速从电极端导出，增加散热速度。
Description
技术领域
本发明是关于一种薄膜电阻元件，特别有关一种具高散热效率的薄膜电阻元件。
背景技术
一般电阻元件结构通常包含矩形的绝缘基材，其表面两侧设置两个电极，电阻层设置于二电及之间的基板表面上，与两个电极连接。
在电阻调整制程中，会以激光照射电阻层进行修阻，达到期望的电阻值。
当电流通过电阻层时，发热点在电阻层中央，再逐渐传导至电极，散热路径长，影响散热效率。
发明内容
为了解决上述问题，本发明通过电阻图案的设计，使得电阻层的发热点靠近电极，缩短散热路径，同时降低修阻刀数。
本发明提供一种薄膜电阻元件，包含：
一基板；
两个电极，分开且对向设置于该基板上；以及
一电阻层，设置于该两个电极之间的该基板上且与该两个电极连接，其中该电阻层包含：
一第一网状部；
两个第二网状部，分别设置于该第一网状部的相对侧，其中任一该两个第二网状部的网线宽小于该第一网状部的网线宽；以及
多个连接部，用以将其中一该两个电极、其中一该两个第二网状部、该第一网状部、另一该两个第二网状部及另一该两个电极依序连接。
本发明另提供一种薄膜电阻元件，包含：
一基板；
两个电极，分开且对向设置于该基板上；以及
一网状电阻层，设置于该两个电极之间的该基板上且与该两个电极连接，其中该网状电阻层的网格密度由该网状电阻层中央分别向二侧的该两个电极方向呈低到高。
附图说明
图1为本发明一实施例薄膜电阻元件俯视图。
图2为本发明另一实施例薄膜电阻元件俯视图。
图3为本发明又另一实施例薄膜电阻元件俯视图。
符号说明
10基板
11电极
12电阻层
121 第一网状部
122 第二网状部
123 第三网状部
124 连接部
13网状电阻层
W1第一网状部线宽
W2第二网状部线宽
W3第三网状部线宽
D1第一网状部与第二网状部间距
D2第二网状部与电极间距
D3第三网状部与电极间距
D4第二网状部与第三网状部间距
具体实施方式
以下将详述本发明的各实施例，并配合图式作为例示，以利读者具有较佳的理解。除了这些详细说明之外，本发明亦可广泛地施行于其它的实施例中，任何所述实施例的轻易替代、修改、等效变化都应理解被包含在本发明的范围内，专利范围的界定应以权利要求为准。特别注意的是，图式仅为示意之用，并非代表元件实际的尺寸或数量，有些细节可能未完全绘出，以求图式的简洁。
本发明提供一种薄膜电阻元件，电阻层包含通过连接部相互连接的多个网状部，或者电阻层具网状结构，是由光刻刻蚀形成的图案，其中位于中央的网状部面积较大且网格大(网格密度低的粗网)，靠近两侧电极的网状部面积较小且网格小(网格密度高的细网)，此种设计使得发热点移至电阻层的两侧且靠近电极，由电极将热量导出，除了降低热点集中的情况之外，进一步缩短散热路径，增加散热速度。
请参阅图1，为本发明一实施例薄膜电阻元件俯视图。在此实施例中，薄膜电阻元件至少包含基板10，两个电极11分开且对向设置于基板10表面上，以及电阻层12设置于两个电极11之间的基板10表面上且与两个电极11电连接，其中电阻层12的图案包含第一网状部121，第二网状部122分别设置于第一网状部121的相对两侧，以及多个连接部124用以将其中一电极11、其中一第二网状部122、第一网状部121、另一第二网状部122及另一电极11依序电连接导通。
在此实施例中，任一第二网状部122的面积小于第一网状部121的面积，较佳为任一第二网状部122的面积为第一网状部121面积的50％～75％。
较佳地，其中任一第二网状部线宽W2为第一网状部线宽W1的50％～75％。
较佳地，位于第一网状部121同侧的其中一电极11与其中一第二网状部122的间距D2为第一网状部121与其中一第二网状部122的间距D1的50％～75％。
参阅图2，在另一实施例中，在上述实施例的设置基础上，电阻层12图案更包含两个第三网状部123分别设置于其中一电极11与其中一第二网状部122之间以及另一电极11与另一第二网状部122之间，其中多个连接部124用以将其中一电极11、其中一第三网状部123、其中一第二网状部122、第一网状部121、另一第二网状部122、另一第三网状部123及另一电极11依序电连接导通。
在此实施例中，任一第三网状部的面积不大于任一第二网状部的面积，较佳为任一第三网状部的面积为第二网状部面积的50％～75％。
较佳地，其中任一第三网状部123的线宽W3为第二网状部122线宽W2的50％～75％。
较佳地，位于第一网状部121同侧的其中一电极11与其中一第三网状部123的间距D3为位于第一网状部121同侧的其中一第二网状部122与其中一第三网状部123的间距D4的50％～75％。
在上述实施例中，电阻层12的第一网状部121、两个第二网状部122及两个第三网状部123为矩形，网格亦为矩形。较佳地，第一网状部121、其中一第二网状部122及其中一第三网状部123的面积比或线宽比为4:2:1。
明显的，网格密度由中央往两侧电极方向逐渐提高，两相邻网状部越来越近。电流通过时，温度分布与网格密度分布正相关，即热点会落在邻近电极的网状部。
请参阅图3，另一实施例中，薄膜电阻元件至少包含基板10，两个电极11分开且对向设置于基板10表面上，以及网状电阻层13设置于两个电极11之间的基板10表面上且与两个电极11电连接，其网状电阻层13的网格密度由网状电阻层13中央分别向二侧的该两个电极11方向呈低到高。较佳地，网状电阻层13的网格尺寸由网状电阻层13中央分别向二侧的该两个电极11方向呈大到小。
在任一实施例中，基板材料为氮化铝，以及电极材料为铜，皆具有高导热特性，结合上述电阻层图案设计可增加散热速率。
本发明薄膜电阻元件的电阻层图案设计，使得温度分布由电极相邻的网状部向中央网状部降低，主要发热点位于两侧电极附近而不会集中在电阻层的中央，且因邻近电极而有较短的散热路径，而可快速降低热点温度。
Claims (12)
1.一种薄膜电阻元件，其特征在于，包含：
一基板；
两个电极，分开且对向设置于所述基板上；以及
一电阻层，设置于所述两个电极之间的所述基板上且与所述两个电极连接，其中所述电阻层包含：
一第一网状部；
两个第二网状部，分别设置于所述第一网状部的相对侧，其中任一所述两个第二网状部的网线宽小于所述第一网状部的网线宽；以及
多个连接部，用以将其中一所述两个电极、其中一所述两个第二网状部、所述第一网状部、另一所述两个第二网状部及另一所述两个电极依序连接。
2.如权利要求1所述的薄膜电阻元件，其特征在于，位于所述第一网状部同侧的其中一所述两个电极与其中一所述两个第二网状部的距离为所述第一网状部与其中一所述两个第二网状部的距离的50％～75％。
3.如权利要求1所述的薄膜电阻元件，其特征在于，任一所述两个第二网状部的面积为所述第一网状部面积的50％～75％。
4.如权利要求1所述的薄膜电阻元件，其特征在于，任一所述两个第二网状部的网线宽为所述第一网状部的网线宽的50％～75％。
5.如权利要求1所述的薄膜电阻元件，其特征在于，所述电阻层更包含两个第三网状部分别设置于其中一所述两个电极与其中一所述两个第二网状部之间及另一所述两个电极与另一所述两个第二网状部之间，其中任一所述两个第三网状部的网线宽不大于任一所述两个第二网状部的网线宽，以及所述多个连接部用以将其中一所述两个电极、其中一所述两个第三网状部、其中一所述两个第二网状部、所述第一网状部、另一所述两个第二网状部、另一所述两个第三网状部及另一所述两个电极依序连接。
6.如权利要求5所述的薄膜电阻元件，其特征在于，位于所述第一网状部同侧的其中一所述两个电极与其中一所述两个第三网状部的距离为其中一所述两个第二网状部与其中一所述两个第三网状部的距离的50％～75％。
7.如权利要求5所述的薄膜电阻元件，其特征在于，任一所述两个第三网状部的面积为任一所述两个第二网状部面积的50％～75％。
8.如权利要求5所述的薄膜电阻元件，其特征在于，任一所述两个第三网状部的网线宽为任一所述两个第二网状部的网线宽的50％～75％。
9.如权利要求5所述的薄膜电阻元件，其特征在于，所述第一网状部、所述两个第二网状部及所述两个第三网状部为矩形。
10.如权利要求1所述的薄膜电阻元件，其特征在于，所述基板的材料为氮化铝，以及所述两个电极材料为铜。
11.一种薄膜电阻元件，其特征在于，包含：
一基板；
两个电极，分开且对向设置于所述基板上；以及
一网状电阻层，设置于所述两个电极之间的所述基板上且与所述两个电极连接，其中所述网状电阻层的网格密度由所述网状电阻层中央分别向二侧的所述两个电极方向呈低到高。
12.如权利要求11所述的薄膜电阻元件，其特征在于，所述网状电阻层的网格尺寸由所述网状电阻层中央分别向二侧的所述两个电极方向呈大到小。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW111112986 | 2022-04-06 | ||
| TW111112986A TWI801196B (zh) | 2022-04-06 | 2022-04-06 | 薄膜電阻元件 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN116895413A true CN116895413A (zh) | 2023-10-17 |
Family
ID=85641092
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202310197872.0A Pending CN116895413A (zh) | 2022-04-06 | 2023-03-03 | 薄膜电阻元件 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20230326635A1 (zh) |
| EP (1) | EP4258295A1 (zh) |
| CN (1) | CN116895413A (zh) |
| TW (1) | TWI801196B (zh) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4203499B2 (ja) * | 2005-09-26 | 2009-01-07 | 太陽社電気株式会社 | チップ抵抗器及びチップ抵抗器の製造方法 |
| JP2016152301A (ja) * | 2015-02-17 | 2016-08-22 | ローム株式会社 | チップ抵抗器およびその製造方法 |
| CN113113199B (zh) * | 2021-04-14 | 2022-09-06 | 南京萨特科技发展有限公司 | 一种大功率合金箔电阻器及制造方法 |
-
2022
- 2022-04-06 TW TW111112986A patent/TWI801196B/zh active
-
2023
- 2023-03-03 CN CN202310197872.0A patent/CN116895413A/zh active Pending
- 2023-03-14 EP EP23161690.5A patent/EP4258295A1/en active Pending
- 2023-04-05 US US18/296,260 patent/US20230326635A1/en active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP4258295A1 (en) | 2023-10-11 |
| TW202341191A (zh) | 2023-10-16 |
| US20230326635A1 (en) | 2023-10-12 |
| TWI801196B (zh) | 2023-05-01 |
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|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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