CN116888169A - 共聚物、组合物、成形体和被覆电线 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种能够形成耐机油性优异的被覆电线的共聚物、组合物、成形体和被覆电线。本发明的共聚物为包含基于乙烯的单元、基于四氟乙烯的单元和基于CH2＝CX(CF2)nY所表示的化合物A(式中，X和Y分别独立地为氢原子或氟原子，n为2～6的整数)或CF2＝CF‑O‑C3F7所表示的化合物B的单元的共聚物，其特征在于，通过小角X射线散射法求得的结晶片晶厚度在4.0nm以下，熔点在245℃以上。
Description
技术领域
本发明涉及共聚物、组合物、成形体和被覆电线。
背景技术
乙烯/四氟乙烯共聚物(以下也称为“ETFE”)不仅耐热性、耐候性、电绝缘性、非粘合性、拒水拒油性等优异，而且在氟树脂中具有成形性和机械强度高的特征。因此，其通过挤出成形、吹塑成形、注塑成形、旋转成形等熔融成形方法制造成电线的被覆、管、片、膜、纤丝、泵壳体、接头类、包装、内衬、涂层等各种成形体。
例如，专利文献1中公开了包含含有基于乙烯的单元、基于四氟乙烯的单元和基于其他单体的单元的共聚物、以及氧化铜的组合物。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利特开2018-145209号公报
发明内容
发明所要解决的技术问题
机动车用被覆电线具有导体和配置于导体表面的被覆层，四氟乙烯/六氟丙烯共聚物(以下也称为“FEP”)广泛用于形成被覆层。在这种情况下，近年来，从机动车的轻量化等方面考虑，用ETFE来代替FEP。
本发明人对专利文献1所记载的具有采用ETFE形成的被覆层的被覆电线进行评价时，发现耐机油性还有改善的余地。
于是，本发明的目的在于，提供一种能够形成耐机油性优异的被覆电线的共聚物、组合物、成形体和被覆电线。
解决技术问题所采用的技术方案
本发明人基于上述问题进行认真研究，结果发现，若采用包含基于乙烯的单元、基于四氟乙烯的单元、和基于后述式(A)或式(B)的单元且结晶片晶厚度在4.0nm以下而熔点在245℃以上的共聚物，则能获得耐机油性优异的被覆电线，从而完成了本发明。
即，发明人发现通过以下构成可以解决上述问题。
[1]一种共聚物，其为包含基于乙烯的单元、基于四氟乙烯的单元、和基于式(A)所表示的化合物或式(B)所表示的化合物的单元的共聚物，
其特征在于，通过小角X射线散射法求得的结晶片晶厚度在4.0nm以下，熔点在245℃以上；
CH2＝CX(CF2)nY式(A)
CF2＝CF-O-C3F7式(B)
式(A)中，X和Y分别独立地为氢原子或氟原子，n为2～6的整数。
[2]如[1]所述的共聚物，其中，通过以下计算方法求得的所述共聚物的M值在0.20以下；
计算方法：M值为通过采用所述共聚物的熔融物基于400MHz的19F-NMR测定所获得的谱图由下述式(1)计算而得的值；
M值＝C1/B1式(1)
B1：化学位移-100～-115ppm的范围内观测到的峰的积分值
C1：化学位移-118.5～-122ppm的范围内观测到的峰的积分值
所述B1和所述C1的化学位移是在所述共聚物的2个所述基于四氟乙烯的单元连续的部位中一个基于四氟乙烯的单元与另一个基于四氟乙烯的单元直接键合的位置处的CF2的峰的化学位移为-120ppm时所观测到的化学位移；
其中，所述B1中不包含来源于所述式(A)所表示的化合物和式(B)所表示的化合物的化学位移-100～-115ppm的范围内观测到的峰的积分值；此外，所述C1中不包含来源于所述式(A)所表示的化合物和式(B)所表示的化合物的化学位移-118.5～-122ppm的范围内观测到的峰的积分值。
[3]如[1]或[2]所述的共聚物，其中，所述基于四氟乙烯的单元的含量相对于所述共聚物中所含的全部单元为40～65摩尔％。
[4]如[1]～[3]中任一项所述的共聚物，其中，所述基于四氟乙烯的单元的含量相对于所述共聚物中所含的全部单元为35～60摩尔％。
[5]如[1]～[4]中任一项所述的共聚物，其中，所述共聚物为包含所述基于乙烯的单元、所述基于四氟乙烯的单元、和基于所述式(A)所表示的化合物的单元的共聚物。
[6]如[1]～[5]中任一项所述的共聚物，其中，所述共聚物包含基于所述式(A)所表示的化合物的单元，所述基于式(A)所表示的化合物的单元的含量相对于所述共聚物中所含的全部单元为1～5摩尔％。
[7]如[1]～[4]中任一项所述的共聚物，其中，所述共聚物包含基于所述式(B)所表示的化合物的单元，所述基于式(B)所表示的化合物的单元的含量相对于所述共聚物中所含的全部单元为1～5摩尔％。
[8]如[1]～[7]中任一项所述的共聚物，其中，按照ASTM D3159在温度297℃、荷重49N的条件下测定的所述共聚物的熔体流动速率为15～60g/10分钟。
[9]一种组合物，其包含[1]～[8]中任一项所述的共聚物和添加剂。
[10]如[9]所述的组合物，其包含热稳定剂作为所述添加剂。
[11]如[10]所述的组合物，其中，所述热稳定剂为铜化合物。
[12]如[9]～[11]中任一项所述的组合物，其包含抗氧化剂作为所述添加剂。
[13]一种成形体，其由[1]～[8]中任一项所述的共聚物或[9]～[12]中任一项所述的组合物成形而得。
[14]一种被覆电线，其具有导体、和配置于所述导体表面的由[1]～[8]中任一项所述的共聚物或[9]～[12]中任一项所述的组合物形成的被覆层。
发明效果
根据本发明，能够提供一种能够形成耐机油性优异的被覆电线的共聚物、组合物、成形体和被覆电线。
附图说明
图1所示为采用本发明的一个实施方式的共聚物进行19F-NMR测定时获得的谱图。
图2所示为采用本发明的一个实施方式的共聚物进行19F-NMR测定时获得的谱图。
图3所示为采用本发明的一个实施方式的共聚物进行19F-NMR测定时获得的谱图。
图4所示为采用本发明的一个实施方式的共聚物进行19F-NMR测定时获得的谱图。
图5所示为采用本发明的一个实施方式的共聚物进行19F-NMR测定时获得的谱图。
具体实施方式
本发明中的术语的含义如下所述。
聚合物中的“单元”是指单体聚合而直接形成的来源于所述单体1分子的原子团，其也指所述原子团的一部分聚合后发生化学变化而得的原子团。另外，下文中，根据情况，有时将来自各单体的单元用该单体名加“单元”的名称来记载。
“TFE单元”是指聚合物中的基于四氟乙烯的单元，“E单元”是指聚合物中的基于乙烯的单元。
“TFE二连结构”是指共聚物中的TFE单元和E单元的排列方式中E单元之间连续有2个TFE单元的部位的结构，是指“-E-TFE-TFE-E-”所表示的结构中的下划线部分。用化学式记载的话，为“-CH2-CH2-CF2-CF2-CF2-CF2 -CH2-CH2-”所表示的结构中的下划线部分。
“TFE二连结构中的CF2侧CF2”是指“-CH2-CH2-CF2-CF2-CF2-CF2-CH2-CH2-”所表示的结构中标有下述(b)的CF2。
“-CH2-CH2-CF2-CF2 (b)-CF2 (b)-CF2-CH2-CH2-”
“TFE二连结构中的CH2侧CF2”是指“-CH2-CH2-CF2-CF2-CF2-CF2-CH2-CH2-”所表示的结构中标有下述(c)的CF2。
“-CH2-CH2-CF2 (c)-CF2-CF2-CF2 (c)-CH2-CH2-”
“TFE-E交替结构”是指共聚物中的TFE单元和E单元的排列方式中TFE单元与E单元交替连续的部位的结构，是指“-TFE-E-”所表示的结构。用化学式记载的话，为“-CF2-CF2-CH2-CH2-”所表示的结构。
“TFE-E交替结构中的CF2”是指“-CF2-CF2-CH2-CH2-”中标有下述(a)的CF2。
“-CF2 (a)-CF2 (a)-CH2-CH2-”
[共聚物]
本发明的共聚物(以下也称为“本共聚物”)包含E单元、TFE单元、和基于后述式(A)或式(B)的单元。此外，本共聚物通过小角X射线散射法求得的结晶片晶厚度在4.0nm以下，熔点在245℃以上。
本共聚物能够形成耐机油性优异的被覆电线。其详细理由尚不明确，但是推测为以下理由。
本发明中的耐机油性通过将具有用共聚物获得的被覆层的被覆电线浸渍在机油中后在高温下将被覆电线长时间静置后根据被覆层是否产生裂纹来进行评价。
认为本共聚物能够形成耐机油性优异的被覆电线的理由之一是因为采用了结晶片晶厚度在4.0nm以下且熔点在245℃以上的共聚物。
即，认为共聚物的结晶片晶厚度小则采用共聚物形成的被覆电线的被覆层的刚性会下降。籍此，推测能够抑制被覆层产生裂纹。
此外，认为由于共聚物的熔点高，因此在高温下进行耐机油性的评价时，被覆层的热损伤减少。籍此，推测能够抑制被覆层产生裂纹。
这样，推测由于特定了共聚物的结晶片晶厚度和熔点，因此各物性的效果发生协同作用，能够获得耐机油性优异的被覆电线。
本共聚物为包含E单元、TFE单元、和基于式(A)所表示的化合物(以下也称为“化合物A”)的单元(以下也称为“A单元”)或基于式(B)所表示的化合物(以下也称为“化合物B”)的单元(以下也称为“B单元”)的共聚物。
CH2＝CX(CF2)nY式(A)
CF2＝CF-O-C3F7式(B)
式(A)中，X和Y分别独立地为氢原子或氟原子。从聚合性的角度考虑，X优选氢原子。从耐热性的角度考虑，Y优选氟原子。
n为2～6的整数。
作为化合物A，从耐机油性更优异的角度考虑，优选CH2＝CH(CF2)2F、CH2＝CH(CF2)4F、CH2＝CH(CF2)6F、CH2＝CF(CF2)4F和CH2＝CF(CF2)3H，特别优选CH2＝CH(CF2)4F(以下也称为“PFBE”)。
从耐摩耗性和耐应力破裂性优异的角度考虑，本共聚物优选为具有E单元、TFE单元、和A单元的共聚物。
E单元的含量相对于本共聚物中所含的全部单元优选35～60摩尔％，更优选40～55摩尔％，进一步优选44～52摩尔％，特别优选45～50摩尔％。若在35摩尔％以上，则机械特性和耐机油性更优异，若在60摩尔％以下，则耐热性更优异。
TFE单元的含量相对于本共聚物中所含的全部单元优选40～65摩尔％，更优选45～60摩尔％，进一步优选48～56摩尔％，特别优选50～54摩尔％。若在40摩尔％以上，则耐热性更优异，若在65摩尔％以下，则机械特性和耐机油性更优异。
在本共聚物包含A单元的情况下，A单元的含量相对于本共聚物中所含的全部单元优选1～5摩尔％，更优选2～4摩尔％，特别优选2.5～3.5摩尔％。若在1摩尔％以上，则能使本共聚物的结晶片晶厚度变小，若在5摩尔％以下，则能使本共聚物的熔点变高。
在本共聚物包含B单元的情况下，B单元的含量相对于本共聚物中所含的全部单元优选1～5摩尔％，更优选2～4摩尔％，特别优选2.5～3.5摩尔％。若在1摩尔％以上，则能使本共聚物的结晶片晶厚度变小，若在5摩尔％以下，则能使本共聚物的熔点变高。
本共聚物优选包含40～64摩尔％的TFE单元、35～59摩尔％的E单元和1～5摩尔％的A单元，更优选包含45～58摩尔％的TFE单元、40～53摩尔％的E单元和2～4摩尔％的A单元，进一步优选包含48～53.5摩尔％的TFE单元、44～49.5摩尔％的E单元和2.5～3.5摩尔％的A单元。
＜结晶片晶厚度＞
本共聚物的结晶片晶厚度在4.0nm以下，从耐机油性更优异的角度考虑，优选3.95nm以下，更优选3.9nm以下，特别优选3.85nm以下。
此外，从确保本共聚物的优异的机械强度和熔点的角度考虑，本共聚物的结晶片晶厚度优选2.0nm以上，更优选2.5nm以上，特别优选3.0nm以上。
作为使本共聚物的结晶片晶厚度在上述范围内的方法的具体例，可例举调节本共聚物中A单元和B单元的含量的方法。
本共聚物的结晶片晶厚度由小角X射线散射法(SAXS法)来测定，具体通过后述实施例栏中所述的测定条件求得。
＜熔点＞
本共聚物的熔点在245℃以上，从耐机油性更优异的角度考虑，优选246℃以上，更优选248℃以上，特别优选249℃以上。
此外，从本共聚物的成形性更优异的角度考虑，本共聚物的熔点优选290℃以下，更优选280℃以下，特别优选270℃以下。
作为使本共聚物的熔点在上述范围内的方法的具体例，可例举降低本共聚物制造时的聚合温度的方法，或调节本共聚物中A单元和B单元的含量的方法。
本共聚物的熔点是用差示扫描热分析仪在空气气氛下以10℃/分钟升温加热本共聚物后的吸热峰所对应的温度。
＜熔体流动速率＞
本共聚物的熔体流动速率(以下也称为“MFR”)优选15～60g/10分钟，更优选25～55g/10分钟，特别优选30～50g/10分钟。若本共聚物的MFR在15g/10分钟以上，则本共聚物的熔融成形性优异。若本共聚物的MFR在60g/10分钟以下，则用本共聚物获得的成形体具有高温下优异的机械强度。
另一方面，从用本共聚物获得的成形体的耐摩耗性优异的角度考虑，本共聚物的MFR更优选25g/10分钟以下，更优选20g/10分钟以下。因此，从同时满足本共聚物的熔融成形性和用本共聚物获得的成形体的耐摩耗性的角度考虑，本共聚物的MFR优选15～25g/分钟，更优选15～20g/分钟。
作为使本共聚物的MFR在上述范围内的方法的具体例，可例举调节本共聚物的分子量的方法。本共聚物的分子量越大，MFR越小。
本共聚物的MFR是指按照ASTM D3159在温度297℃、荷重49N的条件下测定得到的10分钟内从直径2mm、长度8mm的孔口流出的本共聚物的质量。
＜M值＞
从本共聚物的熔点变得更高的角度和耐机油性更优异的角度考虑，本共聚物的M值优选0.20以下，更优选0.19以下，特别优选0.18以下。
此外，从耐应力破裂性和耐热性更优异的角度考虑，本共聚物的M值优选0.10以上，更优选0.11以上，特别优选0.12以上。
此处，本共聚物的M值是表征本共聚物中TFE单元和E单元交替配置的程度的值，其通过以下计算方法求得。可以说M值越小，则本共聚物中TFE单元和E单元交替键合的比例越高。
作为使本共聚物的M值在上述范围内的方法的具体例，可例举降低本共聚物制造时的聚合温度的方法。
M值通过采用本共聚物的熔融物基于400MHz的19F-NMR测定所获得的谱图由下述式(1)计算而得。
M值＝C1/B1式(1)
B1：化学位移-100～-115ppm的范围内观测到的峰的积分值的合计
C1：化学位移-118.5～-122ppm的范围内观测到的峰的积分值的合计
B1和C1的化学位移是在本共聚物的2个TFE单元连续的部位中一个TFE单元与另一个TFE单元直接键合的位置处的CF2(即TFE二连结构中的CF2侧CF2)的峰的化学位移为-120ppm时所观测到的化学位移。
B1是指TFE-E交替结构中CF2的峰的积分值与TFE二连结构中的CH2侧CF2的峰的积分值的合计。即，B1主要是表示TFE单元和E单元交替键合的数值，在B1较大的情况下，其表示本共聚物中TFE单元和E单元交替键合的部分的比例较高。
此处，B1中不包含来源于化合物A和化合物B的化学位移-100～-115ppm的范围内观测到的峰的积分值。其理由如下。
即，在化学位移-100～-115ppm的范围内，有时会观察到来源于化合物A和化合物B的峰。基于化合物A的单元(即A单元)和基于化合物B的单元(即B单元)是不构成TFE单元和E单元交替键合的部分的单元。因此，需要从化学位移-100～-115ppm的范围内观测到的各峰的积分值的合计(以下也称为“B”)中除去来源于化合物A和化合物B的化学位移-100～-115ppm的范围内观测到的峰的积分值。即，B1是B减去来源于化合物A和化合物B的化学位移-100～-115ppm的范围内观测到的峰的积分值而得的值。
C1是指TFE二连结构中的CF2侧CF2的峰的积分值。即，C1主要是表示TFE单元和TFE单元连续键合的数值，在C1较大的情况下，其表示本共聚物中TFE单元和TFE单元连续键合的部分的比例较高。
此处，C1中不包含来源于化合物A和化合物B的化学位移-118.5～-122ppm的范围内观测到的峰的积分值。其理由如下。
即，在化学位移-118.5～-122ppm的范围内，有时会观察到来源于化合物A和化合物B的峰。基于化合物A的单元(即A单元)和基于化合物B的单元(即B单元)是不构成TFE单元和TFE单元连续键合的部分的单元。因此，需要从化学位移-118.5～-122ppm的范围内观测到的各峰的积分值的合计(以下也称为“C”)中除去来源于化合物A和化合物B的化学位移-118.5～-122ppm的范围内观测到的峰的积分值。即，C1是C减去来源于化合物A和化合物B的化学位移-118.5～-122ppm的范围内观测到的峰的积分值而得的值。
各峰的积分值可以通过在该范围内达到波谷的部分取积分来求得。更具体而言，以化学位移-100～-130ppm作为基线，通过以规定范围内的化学位移进行垂直分割来求得。具体而言，B1通过向基线垂直分割化学位移-100ppm～-115ppm的范围来求得。此外，C1通过向基线垂直分割化学位移-118.5ppm～-122ppm的范围来求得。
以下，就每个化合物A和化合物B的代表性具体例说明M值的计算方法。
(M值的计算方法：化合物A为CH2＝CH(CF2)4F的情况)
在本共聚物包含基于作为化合物A的一个形态的CH2＝CH(CF2)4F的单元的情况下，本共聚物的M值通过采用本共聚物的熔融物基于400MHz的19F-NMR测定所获得的谱图由下述式(2-1)计算得到。
M值＝{C-(A/3)×2}/{B-(A/3)×2}式(2-1)
A：化学位移-75～-85ppm的范围内观测到的峰的积分值的合计
B：化学位移-100～-115ppm的范围内观测到的峰的积分值的合计
C：化学位移-118.5～-122ppm的范围内观测到的峰的积分值的合计
A、B和C的化学位移是在本共聚物的2个TFE单元连续的部位中一个TFE单元与另一个TFE单元直接键合的位置处的CF2(即TFE二连结构中的CF2侧CF2)的峰的化学位移为-120ppm时所观测到的化学位移。
关于式(2-1)，参照图1进行详细说明。图1所示为采用包含E单元、TFE单元和基于CH2＝CH(CF2)4F的单元的共聚物的熔融物通过400MHz的19F-NMR测定所获得的谱图。
图1的A区域、B区域和C区域分别是为了更容易理解化学位移-75～-85ppm的范围内观测到的峰的位置、化学位移-100～-115ppm的范围内观测到的峰的位置和化学位移-118.5～-122ppm的范围内观测到的峰的位置而示出的区域。
图1的A区域中观测到-CH2-CH(CF2-CF2-CF2-CF3)-所表示的单元中的CF3所对应的峰。因此，式(2-1)的A是指CF3所对应的峰的积分值。
图1的B区域中观测到TFE-E交替结构中的CF2所对应的峰a和TFE二连结构中的CH2侧CF2所对应的峰c。B区域中还检测到基于CH2＝CH(CF2)4F的单元、即-CH2-CH(CF2-CF2-CF2-CF3)-所表示的单元中的1个CF2所对应的峰。因此，式(2-1)的B是指这些峰的积分值的合计。
此处，-CH2-CH(CF2-CF2-CF2-CF3)-所表示的单元为不构成TFE单元和E单元交替键合的部分的单元。因此，需要从式(2-1)的B中除去B区域中检测出的-CH2-CH(CF2-CF2-CF2-CF3)-所表示的单元的1个CF2所对应的峰的积分值，但是该峰的积分值无法直接计算出。于是，通过将A区域中观测到的-CH2-CH(CF2-CF2-CF2-CF3)-所表示的单元的CF3所对应的峰的积分值乘以2/3来计算。此处乘以2/3是因为，相对于CF3的氟原子数为3个，CF2的氟原子数为2个，因此CF3所对应的峰的积分值的2/3倍的值相当于CF2所对应的峰的积分值。由于CF3所对应的峰的积分值为A，因此式(2-1)中B减去(A/3)×2。
图1的C区域中观测到TFE二连结构中的CF2侧CF2所对应的峰b。C区域中还检测到基于CH2＝CH(CF2)4F的单元、即-CH2-CH(CF2-CF2-CF2-CF3)-所表示的单元中的1个CF2所对应的峰。因此，式(2-1)的C是指这些峰的积分值的合计。
此处，-CH2-CH(CF2-CF2-CF2-CF3)-所表示的单元为不构成TFE单元和TFE单元连续键合的部分的单元。因此，需要从式(2-1)的C中除去C区域中检测到的-CH2-CH(CF2-CF2-CF2-CF3)-所表示的单元的1个CF2所对应的峰的积分值，但是该峰的积分值无法直接计算。于是，通过将A区域中观测到的-CH2-CH(CF2-CF2-CF2-CF3)-所表示的单元的CF3所对应的峰的积分值乘以2/3来计算。此处乘以2/3是因为，相对于CF3的氟原子数为3个，CF2的氟原子数为2个，因此CF3所对应的峰的积分值的2/3倍的值相当于CF2所对应的峰的积分值。由于CF3所对应的峰的积分值为A，因此式(2-1)中C减去(A/3)×2。
(M值的计算方法：化合物A为CH2＝CH(CF2)6F的情况)
在本共聚物包含基于作为化合物A的一个形态的CH2＝CH(CF2)6F的单元的情况下，本共聚物的M值通过采用本共聚物的熔融物基于400MHz的19F-NMR测定所获得的谱图由下述式(2-2)计算得到。
M值＝{C-(A/3)×4}/{B-(A/3)×2}式(2-2)
A：化学位移-75～-85ppm的范围内观测到的峰的积分值的合计
B：化学位移-100～-115ppm的范围内观测到的峰的积分值的合计
C：化学位移-118.5～-122ppm的范围内观测到的峰的积分值的合计
A、B和C的化学位移是在本共聚物的2个TFE单元连续的部位中一个TFE单元与另一个TFE单元直接键合的位置处的CF2(即TFE二连结构中的CF2侧CF2)的峰的化学位移为-120ppm时所观测到的化学位移。
关于式(2-2)，参照图2进行详细说明。图2所示为采用包含E单元、TFE单元和基于CH2＝CH(CF2)6F的单元(即-CH2-CH(CF2-CF2-CF2-CF2-CF2-CF3)-所表示的单元)的共聚物的熔融物通过400MHz的19F-NMR测定所获得的谱图。
图2的A区域、B区域和C区域的含义与图1的A区域、B区域和C区域的含义相同。
此外，图2的各区域的峰所带的字母的含义也与图1的各区域的峰所带的字母的含义相同。
图2的A区域中观测到-CH2-CH(CF2-CF2-CF2-CF2-CF2-CF3)-所表示的单元中的CF3所对应的峰。因此，式(2-2)的A是指CF3的峰所对应的积分值。
图2的B区域中观测到TFE-E交替结构中的CF2所对应的峰a和TFE二连结构中的CH2侧CF2所对应的峰c。B区域中还检测到基于CH2＝CH(CF2)6F的单元、即-CH2-CH(CF2-CF2-CF2-CF2-CF2-CF3)-所表示的单元中的1个CF2所对应的峰。因此，式(2-2)的B是指这些峰的积分值的合计。
此处，-CH2-CH(CF2-CF2-CF2-CF2-CF2-CF3)-所表示的单元为不构成TFE单元和E单元交替键合的部分的单元。因此，需要从式(2-2)的B中除去B区域中检测到的-CH2-CH(CF2-CF2-CF2-CF2-CF2-CF3)-所表示的单元的1个CF2所对应的峰的积分值，但是该峰的积分值无法直接计算。于是，通过将A区域中观测到的-CH2-CH(CF2-CF2-CF2-CF2-CF2-CF3)-所表示的单元的CF3所对应的峰的积分值乘以2/3来计算。此处乘以2/3是因为，相对于CF3的氟原子数为3个，CF2的氟原子数为2个，因此CF3所对应的峰的积分值的2/3倍的值相当于CF2的积分值。由于CF3所对应的峰的积分值为A，因此式(2-2)中C减去(A/3)×2。
图2的C区域中观测到TFE二连结构中的CF2侧CF2所对应的峰b。C区域中还检测到基于CH2＝CH(CF2)6F的单元、即-CH2-CH(CF2-CF2-CF2-CF2-CF2-CF3)-所表示的单元中的2个CF2的峰。因此，式(2-2)的C是指这些峰的积分值的合计。
此处，-CH2-CH(CF2-CF2-CF2-CF2-CF2-CF3)-所表示的单元为不构成TFE单元和TFE单元连续键合的部分的单元。因此，需要从式(2-2)的C中除去C区域中检测到的-CH2-CH(CF2-CF2-CF2-CF2-CF2-CF3)-所表示的单元的2个CF2的峰的积分值，但是该峰的积分值无法直接计算。于是，通过将A区域中观测到的-CH2-CH(CF2-CF2-CF2-CF2-CF2-CF3)-所表示的单元的CF3所对应的峰的积分值乘以4/3来计算。此处乘以4/3是因为，相对于CF3的氟原子数为3个，CF2的氟原子数为2个且该峰有2个，因此CF3所对应的峰的积分值的4/3倍的值相当于2个CF2所对应的峰的积分值。由于CF3所对应的峰的积分值为A，因此式(2-2)中C减去(A/3)×2。
(M值的计算方法：化合物A为CH2＝CH(CF2)2F的情况)
在本共聚物包含基于作为化合物A的一个形态的CH2＝CH(CF2)2F的单元的情况下，本共聚物的M值通过采用本共聚物的熔融物基于400MHz的19F-NMR测定所获得的谱图由下述式(2-3)计算得到。
M值＝C/{B-(A/3)×2}式(2-3)
A：化学位移-75～-85ppm的范围内观测到的峰的积分值的合计
B：化学位移-100～-115ppm的范围内观测到的峰的积分值的合计
C：化学位移-118.5～-122ppm的范围内观测到的峰的积分值的合计
A、B和C的化学位移是在本共聚物的2个TFE单元连续的部位中一个TFE单元与另一个TFE单元直接键合的位置处的CF2(即TFE二连结构中的CF2侧CF2)的峰的化学位移为-120ppm时所观测到的化学位移。
关于式(2-3)，参照图3进行详细说明。图3所示为采用包含E单元、TFE单元和基于CH2＝CH(CF2)2F的单元(即-CH2-CH(CF2-CF3)-所表示的单元)的共聚物的熔融物通过400MHz的19F-NMR测定所获得的谱图。
图3的A区域、B区域和C区域的含义与图1的A区域、B区域和C区域的含义相同。
此外，图3的各区域的峰所带的字母的含义也与图1的各区域的峰所带的字母的含义相同。
图3的A区域中观测到-CH2-CH(CF2-CF3)-所表示的单元中的CF3所对应的峰。因此，式(2-3)的A是指CF3所对应的峰的积分值。
图3的B区域中观测到TFE-E交替结构中的CF2所对应的峰a和TFE二连结构中的CH2侧CF2所对应的峰c。B区域中还检测到基于CH2＝CH(CF2)2F的单元、即-CH2-CH(CF2-CF3)-所表示的单元中的1个CF2所对应的峰。因此，式(2-3)的B是指这些峰的积分值的合计。
此处，-CH2-CH(CF2-CF3)-所表示的单元为不构成TFE单元和E单元交替键合的部分的单元。因此，需要从式(2-3)的B中除去B区域中检测到的-CH2-CH(CF2-CF3)-所表示的单元的1个CF2所对应的峰的积分值，但是该峰的积分值无法直接计算。于是，通过将A区域中观测到的-CH2-CH(CF2-CF3)-所表示的单元的CF3所对应的峰的积分值乘以2/3来计算。此处乘以2/3是因为，相对于CF3的氟原子数为3个，CF2的氟原子数为2个，因此CF3的积分值的2/3倍的值相当于CF2所对应的峰的积分值。由于CF3所对应的峰的积分值为A，因此式(2-3)中B减去(A/3)×2。
图3的C区域中观测到TFE二连结构中的CF2侧CF2所对应的峰b。因此，式(2-3)的C是指峰b的积分值。
(M值的计算方法：化合物A为CH2＝CF(CF2)3H的情况)
在本共聚物包含基于作为化合物A的一个形态的CH2＝CF(CF2)3H的单元的情况下，本共聚物的M值通过采用本共聚物的熔融物基于400MHz的19F-NMR测定所获得的谱图由下述式(3-1)计算得到。
M值＝C/B式(3-1)
B：化学位移-100～-115ppm的范围内观测到的峰的积分值的合计
C：化学位移-118.5～-122ppm的范围内观测到的峰的积分值的合计
B和C的化学位移是在本共聚物的2个TFE单元连续的部位中一个TFE单元与另一个TFE单元直接键合的位置处的CF2(即TFE二连结构中的CF2侧CF2)的峰的化学位移为-120ppm时所观测到的化学位移。
关于式(3-1)，参照图4进行详细说明。图4所示为采用包含E单元、TFE单元和基于CH2＝CF(CF2)3H的单元(即-CH2-CF(CF2-CF2-CF2H)-所表示的单元)的共聚物的熔融物通过400MHz的19F-NMR测定所获得的谱图。
图4的B区域和C区域的含义与图1的B区域和C区域的含义相同。
此外，图4的各区域的峰所带的字母的含义也与图1的各区域的峰所带的字母的含义相同。
图4的B区域中观测到TFE-E交替结构中的CF2所对应的峰a和TFE二连结构中的CH2侧CF2所对应的峰c。因此，式(3-1)的B是指峰a和峰c的各积分值的合计。
图4的C区域中观测到TFE二连结构中的CF2侧CF2所对应的峰b。因此，式(3-1)的C是指峰b的积分值。
(M值的计算方法：化合物B的情况)
在本共聚物包含基于化合物B(即，CF2＝CF-O-C3F7)的单元的情况下，本共聚物的M值通过采用本共聚物的熔融物基于400MHz的19F-NMR测定所获得的谱图由下述式(4-1)计算得到。
M值＝C/{B-(A/5)×2}式(4-1)
A：化学位移-75～-85ppm的范围内观测到的峰的积分值的合计
B：化学位移-100～-115ppm的范围内观测到的峰的积分值的合计
C：化学位移-118.5～-122ppm的范围内观测到的峰的积分值的合计
A、B和C的化学位移是在本共聚物的2个TFE单元连续的部位中一个TFE单元与另一个TFE单元直接键合的位置处的CF2(即TFE二连结构中的CF2侧CF2)的峰的化学位移为-120ppm时所观测到的化学位移。
关于式(4-1)，参照图5进行详细说明。图5所示为采用包含E单元、TFE单元和基于CF2＝CF-O-C3F7的单元的共聚物的熔融物通过400MHz的19F-NMR测定所获得的谱图。
图5的A区域、B区域和C区域的含义与图1的A区域、B区域和C区域的含义相同。
此外，图5的各区域的峰所带的字母的含义也与图1的各区域的峰所带的字母的含义相同。
图5的A区域中观测到-CF2-CF(OCF2CF2CF3)-所表示的单元中的CF3所对应的峰和-CF2-CF(OCF2CF2CF3)-所表示的单元中的1个CF2所对应的峰e。因此，式(4-1)的A是指这些峰的积分值的合计。
图5的B区域中观测到TFE-E交替结构中的CF2所对应的峰a和TFE二连结构中的CH2侧CF2所对应的峰c。B区域中还检测到基于CF2＝CF(OCF2)3F的单元、即-CF2-CF(OCF2CF2CF3)-所表示的单元中的1个CF2所对应的峰。因此，式(4-1)的B是指这些峰的积分值的合计。
此处，-CF2-CF(OCF2CF2CF3)-所表示的单元为不构成TFE单元和E单元交替键合的部分的单元。因此，需要从式(4-1)的B中除去B区域中检测到的-CF2-CF(OCF2CF2CF3)-所表示的单元的1个CF2所对应的峰的积分值，但是该峰的积分值无法直接计算。于是，通过将A区域中观测到的-CF2-CF(OCF2CF2CF3)-所表示的单元的CF3所对应的峰的积分值和1个CF2所对应的峰的积分值的合计乘以2/5来计算。此处乘以2/5是因为，相对于CF3的氟原子数为3个且1个CF2的氟原子数为2个、即合计为5个，CF2的氟原子数为2个，因此CF3所对应的峰的积分值和1个CF2所对应的峰的积分值的合计的2/5倍的值相当于CF2的积分值。由于CF3积分值为A，因此式(4-1)中B减去(A/5)×2。
图5的C区域中观测到TFE二连结构中的CF2侧CF2所对应的峰b。因此，式(4-1)的C是指峰b的积分值。
＜制造方法＞
本共聚物能够采用上述单体(乙烯、四氟乙烯、和化合物A或化合物B)通过本体聚合、溶液聚合、悬浮聚合、乳液聚合等公知的方法来制造，其中优选通过溶液聚合来制造。
除了上述的单体外，本共聚物的制造还可以使用聚合引发剂、聚合介质、链转移剂等。
聚合引发剂优选半衰期为10小时的温度为0～100℃的自由基链引发剂，特别优选该温度为20～90℃的自由基聚合引发剂。作为聚合引发剂的具体例，可例举国际公开第2013/015202号例示的各种聚合引发剂。
聚合引发剂可以单独使用1种，也可以2种以上组合使用。
聚合引发剂的使用量相对于单体的使用量100质量份优选0.01～0.9质量份，特别优选0.05～0.5质量份。
作为聚合介质，可使用全氟烃、氢氟烃、氢氟醚等。作为聚合介质的具体例，可例举国际公开第2013/015202号例示的各种聚合介质。
聚合介质可以2种以上组合使用。
聚合介质的使用量以相对于单体使用量的质量比计优选5倍以上，更优选7倍以上。此外，优选20倍以下，更优选17倍以下。
作为链转移剂，从链转移系数大、添加量少的角度考虑，优选甲醇、乙醇、2,2,2-三氟乙醇、2,2,3,3-四氟丙醇、1,1,1,3,3,3-六氟异丙醇、2,2,3,3,3-五氟丙醇等醇类，正戊烷、正己烷、环己烷等烃类，CF2H2等氢氟烃类，丙酮等酮类，甲基硫醇等硫醇类，乙酸甲酯、乙酸乙酯等酯类，乙醚、甲乙醚等醚类等。
其中，从链转移系数更高、本共聚物的末端基的稳定性高的角度考虑，优选醇类、烃类和氢氟烃类，更优选醇类和烃类，特别优选醇类。醇类中，特别优选甲醇和乙醇。其中，从反应性和获得容易性考虑，特别优选甲醇。链转移剂可以使用2种以上。
链转移剂的使用量以相对于单体使用量的质量比计优选0.001倍以上，更优选0.005倍以上。此外，优选5倍以下，更优选4倍以下。
聚合温度优选15～60℃，更优选20～58℃，特别优选25～55℃。若聚合温度在25℃以上，则聚合性优异。若聚合温度在60℃以下，则能够提升本共聚物的熔点，此外，容易获得M值在上述范围内的本共聚物。
聚合压力优选0.5～3.0MPa，特别优选0.9～2.5MPa。
聚合时间优选1～12小时。
[组合物]
本发明的组合物(以下也称为“本组合物”)包含上述本共聚物和添加剂。由于本组合物包含本共聚物，因此若采用本组合物，则可以获得耐机油性优异的成形体。此外，由于本共聚物的熔点高，因此若采用本组合物，则可以获得耐热性优异的成形体。
作为添加剂，优选热稳定剂和抗氧化剂。此外，本组合物可以包含2种以上的添加剂。
本共聚物的含量相对于本组合物的全部质量优选50质量％以上且小于100质量％，更优选70质量％以上且小于100质量％，特别优选90质量％以上且小于100质量％。
＜热稳定剂＞
从采用本组合物获得的成形体在高温下的强度优异的角度考虑，本组合物优选包含热稳定剂。作为热稳定剂，优选铜化合物。
作为热稳定剂的铜化合物的具体例，可列举氧化亚铜(氧化铜(I))、氧化铜(氧化铜(II)、碘化亚铜、碘化铜，从在湿度高的空气中的稳定性优异的角度考虑，特别优选氧化铜。
在本组合物包含热稳定剂的情况下，热稳定剂的含量相对于本组合物中的本共聚物100质量份优选0.00015～0.02质量份，更优选0.0002～0.005质量份，特别优选0.0003～0.002质量份。若热稳定剂的含量在上述范围内，则即使将采用本组合物获得的成形体在高温下使用时，其强度仍然良好，着色也能得以抑制。
＜抗氧化剂＞
从能够提升采用本组合物获得的成形体的耐热性的角度考虑，本组合物优选包含抗氧化剂。
作为抗氧化剂的具体例，可列举酚类抗氧化剂、磷类抗氧化剂、硫类抗氧化剂、受阻酚类抗氧化剂、氨类抗氧化剂、为聚合物型的丙烯酸酯型自由基捕捉剂，从能够进一步提升成形体的耐热性的角度考虑，优选酚类抗氧化剂。
在本组合物包含抗氧化剂的情况下，抗氧化剂的含量相对于本组合物中的本共聚物100质量份优选0.00002～0.02质量份，更优选0.00005～0.0015质量份，特别优选0.0001～0.001质量份。若抗氧化剂的含量在上述范围内，则能够进一步提升成形体的耐热性。
＜其他添加剂＞
本组合物还可以包含上述以外的添加剂。作为这样的其他添加剂的具体例，可列举本共聚物以外的树脂、着色剂、紫外线吸收剂、填充剂、交联剂、交联助剂、有机过氧化物。
在本组合物包含其他添加剂的情况下，其他添加剂的含量相对于本组合物中的本共聚物100质量份优选0.0000001～70质量份，更优选0.0000005～60质量份，特别优选0.000001～50质量份。
作为本组合物的制造方法，可例举将本共聚物和根据需要使用的上述成分通过公知的方法熔融混炼的方法。
[成形体]
本发明的成形体可以通过上述本共聚物或上述本组合物成形来获得。由于本成形体包含本共聚物，因此耐机油性优异。此外，由于本共聚物的熔点高，因此本成形体的耐热性也优异。
作为成型方法的具体例，可列举注塑成形、挤出成形、吹塑成形、加压成形、旋转成形和静电涂布。
本成形体适合用作为各种设备的电线被覆材。具体而言，可列举：机器人、电动机、发电机和变压器等电气设备的电线被覆材，家庭用电气设备的电线被覆材，电话和对讲机等通信用传输设备的电线被覆材，计算机、数据通信设备和终端设备等电子设备的电线被覆材，铁路车辆用电线被覆材，机动车用电线被覆材，飞机用电线被覆材，船舶用电线被覆材，大楼、工厂干线、发电站、石油化工厂和钢铁厂等的系统构成用电线被覆材等。其中，从本成形体的耐机油性优异的角度考虑，其特别适合用于使用机油的机动车等的电线被覆材。
此外，除了电线被覆材外，本成形体也能够用于管、片、膜、纤丝、泵壳体、接头类、包装、内衬、涂层等。
[被覆电线]
本发明的被覆电线(以下也称为“本被覆电线”)具有导体和配置于所述导体表面的由上述本共聚物或上述本组合物形成的被覆层。
本被覆电线由于包含本共聚物，因此耐机油性优异。此外，由于本共聚物的熔点高，因此本被覆电线的耐热性也优异。
作为构成导体的材料，可列举铜、铝及其合金，优选铜。导体可以实施镀锡、镀银等。导体优选为芯线。
导体的剖面直径优选200μm～18.0mm。
被覆层的厚度优选100μm～2.0mm。
被覆电线的剖面直径优选400μm～22.0mm。
作为本被覆电线的制造方法的具体例，可例举使熔融的本共聚物或本组合物附着于导体表面并使由本共聚物或本组合物形成的被覆层形成于导体表面的方法。
被覆电线的用途的具体例在上述本成形体的项目中已有叙述，因此省略其说明。
实施例
以下，举例对本发明进行详细说明。例1～例3和例6为实施例，例4～例5和例7、例8为比较例。但是，本发明并不限定于这些示例。
[各单元的比例]
共聚物中各单元的含量(摩尔％)通过19F-NMR测定来计算出。其中，共聚物中E单元的含量通过1H和13C-NMR测定来计算出。
[结晶片晶厚度]
共聚物的结晶片晶厚度(nm)由通过小角X射线散射法(SAXS法)求得的谱图来计算出。
具体而言，SAXS法的测定用爱知同步加速器光学中心(あいちシンクロトロン光センター)的光束线BL8S3来实施。以X射线波长相机长度1131.07mm、曝光时间60秒为测定条件，检测器用R-AXIS。二维检测器获得的数据通过圆环平均进行一维化。对所得的一维SAXS谱图实施空位散射校正，获得共聚物的SAXS谱图。将0.15nm-1＜q(散射矢量)＜1.5nm-1的区域的共聚物的SAXS谱图转换为一维电子密度相关函数，由该一维电子密度相关函数的谱图求出结晶片晶厚度。
另外，一维电子密度相关函数的转换按照Fujimori,A.et al.J.Polym.Sci.PartB:Polym.Phys.2015,53,1674-1690中所记载的方法。
[熔点]
共聚物的熔点(℃)采用差示扫描热分析装置(商品名“DSC7020”，日立高新技术公司(日立ハイテクサイエンス社)制)在空气气氛下以10℃/分钟升温至300℃加热共聚物后的吸热峰求出。
[M值]
通过采用各共聚物的熔融物基于400MHz的19F-NMR测定所获得的谱图由上述式(2-1)计算出各共聚物的M值。
19F-NMR测定在以下测定条件下实施。
测定装置：Bruker公司制“AVANCE III 400”
[MFR(熔体流动速率)]
使用熔融指数仪(テクノセブン社制)按照ASTM D3159在温度297℃、荷重49N的条件下测定10分钟内从直径2mm、长度8mm的孔口流出的共聚物的质量(g)，即为MFR(g/10分钟)。
[评价试验]
准备被覆电线制造装置，其具备用于送出芯线的送出机、具备熔融混炼包含共聚物的组合物的螺杆(IKG公司(IKG社)制，全螺纹，L/D＝24、直径30mm)的挤出机(IKG公司制，MS30-25)、用于收取被覆电线的收取机(圣制作所制)、以及用于卷绕被覆电线的卷绕机(圣制作所制)。
将供给到挤出机中的组合物在280～320℃的温度条件下熔融混炼，将熔融的组合物从挤出机的喷嘴挤出，使其附着于从送出机送出的芯线(商品名“TA铜芯37/0.26”、安田工业株式会社(安田工業社)制)的表面。使附着于芯线表面的组合物冷却固化，获得芯线表面形成有被覆层的被覆电线(被覆电线的剖面直径：2.8mm±0.02mm)。另外，被覆电线的收取速度调节为10m/分钟。
采用所得的被覆电线实施以下评价试验。
＜耐机油性＞
将被覆电线切割为600mm的长度后，将被覆电线两端25mm的长度的被覆层剥下。将剥下部分的芯线相互卷绕，获得泪滴状被覆电线(评价用样品)。
之后，将评价用样品在日本太阳石油株式会社(日本サン石油社)制的油(IRM902)中浸渍10秒钟后取出，除去油，将其悬挂在升温至200℃的烘箱中静置。经过240小时后，将评价用样品取出，通过目视确认评价用样品的被覆层有无裂纹。无裂纹的样品再次在油(IRM902)中浸渍10秒钟后取出，除去油，将其悬挂在加热至200℃的烘箱中静置。将相同操作再重复2次，从最初将评价用样品在烘箱中静置开始计经过1000小时后，从烘箱中取出评价用样品。将其在施加5kgf的荷重的状态下在30mm径的芯轴上绕卷5次以上，通过目视判断评价用样品的被覆层有无裂纹。
＜耐摩耗性＞
将所得的被覆电线以与耐机油性的评价相同的方式切割为2m的长度后，用安田精机株式会社(安田精機社)制“电磁线摩耗试验机(往复式)”按照ISO6722-1的试验方法实施刮擦摩耗试验。
具体而言，在刮针直径：0.45±0.01mm、刮针材质：SUS316(按照JIS K-G7602)、摩耗距离：1.55±1mm、摩耗速度：55±5次/分钟、荷重：7N、试验环境：23±1℃的条件下实施。
摩耗阻力以刮针的往复运动使芯线从被覆层中露出所需的刮针的往复次数来表示。摩耗阻力(刮针的往复次数)越多，则被覆层的耐摩耗性越优异。
[例1]
＜共聚物1的制造＞
将21.3L的不锈钢制聚合槽用氮气置换后减压至-0.1MPaG，加入C6H(21050g)、CH3OH(206.8g)、CH2＝CH(CF2)4F(290g)、四氟乙烯(TFE)(3393g)、乙烯(E)(155g)。
之后，将聚合槽内的溶液一边搅拌一边升温至50℃(聚合温度)，将IPP溶解于C6H而成的溶液(2质量％，200mL)注入聚合槽内。聚合槽内的压力开始下降后，添加TFE/E＝54/46(摩尔比)的混合单体以使聚合槽内的内压保持在1.5MPaG，使聚合进行下去。每压入混合单体50g，就向聚合槽添加CH2＝CH(CF2)4F溶液(76质量％，5mL)。在连续投入的混合单体达到1718g的时间点，将聚合槽冷却至室温，将聚合槽内的气体排放·回收。聚合时间为220分钟。除去溶剂，在150℃下干燥，从而获得共聚物1的粉末。
另外，C6H是指1,1,1,2,2,3,3,4,4,5,5,6,6-十三氟己烷，IPP是指过氧化二碳酸二异丙酯。
＜组合物1的制造＞
将共聚物1(100质量份)、氧化铜(II)(0.00065质量份)、GP(0.02质量份)混合，在口径为30mm的挤出机(IKG公司制，MS30-25)中，在料筒温度260～300℃、模温300℃、螺杆转速60rpm的条件下进行熔融挤出，获得股线状的成型物，用造粒机切割，获得颗粒状的组合物1。
[例2]
除了调整各成分的投入量使得共聚物的组成比如表1所记载的值以外，以与例1相同的方式，获得例2的共聚物2。作为化合物A使用CH2＝CH(CF2)6F。
除了使用所得的共聚物以外，以与例1相同的方式，获得例2的颗粒状的组合物2。
[例3]
除了调整各成分的投入量使得共聚物的组成比如表1所记载的值以外，以与例1相同的方式，获得例3的共聚物3。作为化合物A使用CH2＝CH(CF2)2F。
除了使用所得的共聚物并且不使用GP以外，以与例1相同的方式，获得例3的颗粒状的组合物3。
[例4]
除了调整各成分的投入量使得共聚物的组成比如表1所记载的值并且将聚合温度从50℃变更为66℃以外，以与例1相同的方式，获得例4的共聚物4。作为化合物A使用CH2＝CF(CF2)3H。
除了使用共聚物4以外，以与例1相同的方式，获得例4的颗粒状的组合物4。
[例5]
除了调整各成分的投入量使得共聚物的组成比如表1所记载的值以外，以与例1相同的方式，获得例5的共聚物5。作为化合物B使用CF2＝CF(OCF2)3F。
除了使用共聚物5以外，以与例1相同的方式，获得例5的颗粒状的组合物5。
使用例1～例5的组合物的评价结果如表1所示。
[表1]
如表1所示，确认到若使用包含E单元、TFE单元和A单元且结晶片晶厚度在4.0nm以下而熔点在245℃以上的共聚物，则可以获得耐机油性优异的被覆电线(例1～3)。
[例6]
除了调整各成分的投入量使得共聚物的组成比如表2所记载的值以外，以与例1相同的方式，获得例6的共聚物6。作为化合物B使用CF2＝CF(OCF2)3F。
除了使用所得的共聚物以外，以与例1相同的方式，获得例6的颗粒状的组合物6。
[例7]
除了调整各成分的投入量使得共聚物的组成比如表2所记载的值以外，以与例1相同的方式，获得例7的共聚物7。与例1相同，作为化合物A使用CH2＝CH(CF2)4F。
除了使用所得的共聚物以外，以与例1相同的方式，获得例7的颗粒状的组合物7。
[例8]
除了调整各成分的投入量使得共聚物的组成比如表2所记载的值以外，以与例1相同的方式，获得例8的共聚物8。与例1相同，作为化合物A使用CH2＝CH(CF2)4F。
除了使用所得的共聚物以外，以与例1相同的方式，获得例8的颗粒状的组合物8。
使用例6～例8的组合物的评价结果如表2所示。
[表2]
这里引用2021年02月12日提出申请的日本专利申请2021-020979号的说明书、权利要求书、摘要和附图的全部内容作为本发明的说明书的揭示。
Claims (14)
1.一种共聚物，
其为包含基于乙烯的单元、基于四氟乙烯的单元、和基于式(A)所表示的化合物或式(B)所表示的化合物的单元的共聚物，
其特征在于，通过小角X射线散射法求得的结晶片晶厚度在4.0nm以下，熔点在245℃以上；
CH2＝CX(CF2)nY式(A)
CF2＝CF-O-C3F7式(B)
式(A)中，X和Y分别独立地为氢原子或氟原子，n为2～6的整数。
2.如权利要求1所述的共聚物，其中，通过以下计算方法求得的所述共聚物的M值在0.20以下；
计算方法：M值为通过采用所述共聚物的熔融物基于400MHz的19F-NMR测定所获得的谱图由下述式(1)计算而得的值；
M值＝C1/B1式(1)
B1：化学位移-100～-115ppm的范围内观测到的峰的积分值
C1：化学位移-118.5～-122ppm的范围内观测到的峰的积分值
所述B1和所述C1的化学位移是在所述共聚物的2个所述基于四氟乙烯的单元连续的部位中一个基于四氟乙烯的单元与另一个基于四氟乙烯的单元直接键合的位置处的CF2的峰的化学位移为-120ppm时所观测到的化学位移；
其中，所述B1中不包含来源于所述式(A)所表示的化合物和式(B)所表示的化合物的化学位移-100～-115ppm的范围内观测到的峰的积分值；此外，所述C1中不包含来源于所述式(A)所表示的化合物和式(B)所表示的化合物的化学位移-118.5～-122ppm的范围内观测到的峰的积分值。
3.如权利要求1或2所述的共聚物，其中，所述基于四氟乙烯的单元的含量相对于所述共聚物中所含的全部单元为40～65摩尔％。
4.如权利要求1～3中任一项所述的共聚物，其中，所述基于乙烯的单元的含量相对于所述共聚物中所含的全部单元为35～60摩尔％。
5.如权利要求1～4中任一项所述的共聚物，其中，所述共聚物为包含所述基于乙烯的单元、所述基于四氟乙烯的单元、和基于所述式(A)所表示的化合物的单元的共聚物。
6.如权利要求1～5中任一项所述的共聚物，其中，所述共聚物包含基于所述式(A)所表示的化合物的单元，所述基于式(A)所表示的化合物的单元的含量相对于所述共聚物中所含的全部单元为1～5摩尔％。
7.如权利要求1～4中任一项所述的共聚物，其中，所述共聚物包含基于所述式(B)所表示的化合物的单元，所述基于式(B)所表示的化合物的单元的含量相对于所述共聚物中所含的全部单元为1～5摩尔％。
8.如权利要求1～7中任一项所述的共聚物，其中，按照ASTM D3159在温度297℃、荷重49N的条件下测定的所述共聚物的熔体流动速率为15～60g/10分钟。
9.一种组合物，其特征在于，其包含权利要求1～8中任一项所述的共聚物和添加剂。
10.如权利要求9所述的组合物，其包含热稳定剂作为所述添加剂。
11.如权利要求10所述的组合物，其中，所述热稳定剂为铜化合物。
12.如权利要求9～11中任一项所述的组合物，其包含抗氧化剂作为所述添加剂。
13.一种成形体，其特征在于，由权利要求1～8中任一项所述的共聚物或权利要求9～12中任一项所述的组合物成形而得。
14.一种被覆电线，其特征在于，具有导体、和配置于所述导体表面的由权利要求1～8中任一项所述的共聚物或权利要求9～12中任一项所述的组合物形成的被覆层。
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