CN116864498A - 光传感器封装结构 - Google Patents
光传感器封装结构 Download PDFInfo
- Publication number
- CN116864498A CN116864498A CN202311132143.3A CN202311132143A CN116864498A CN 116864498 A CN116864498 A CN 116864498A CN 202311132143 A CN202311132143 A CN 202311132143A CN 116864498 A CN116864498 A CN 116864498A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- light
- substrate
- flange
- cover plate
- shielding cover
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 title abstract description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 46
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims abstract description 13
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 16
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 14
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 14
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 6
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 claims description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 3
- 229920006332 epoxy adhesive Polymers 0.000 claims description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 17
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 abstract description 10
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 abstract description 8
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 abstract description 8
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 abstract description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 229920006335 epoxy glue Polymers 0.000 description 4
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 3
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000008280 blood Substances 0.000 description 1
- 210000004369 blood Anatomy 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
- H01L25/165—Containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
- H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L31/02327—Optical elements or arrangements associated with the device the optical elements being integrated or being directly associated to the device, e.g. back reflectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
Abstract
本发明公开了一种光传感器封装结构，属于芯片封装技术领域，包括遮光盖板与支撑翼缘、隔挡翼缘形成M形遮光盖以对发光元件和受光元件完全挡光，降低传统光学传感器封装结构使用环氧树脂胶的成本。本发明的光传感器封装结构，其遮光盖板的支撑翼缘通过多个插接部与基板的外缘的多个承插缺口形成交错式盖子与基板接合方式，插接部与承插缺口之间采用胶粘接，胶粘接的接触面积增大，提高了遮光盖板与基板之间的连接抗拔力。本发明解决了传统光传感器的注塑壳体与电路板采用环氧树脂胶粘接，有漏光风险，且注塑壳体易掉的问题。
Description
技术领域
本发明涉及芯片封装技术领域，具体涉及一种光传感器封装结构。
背景技术
目前，光学传感器在消费电子类的应用越来越广泛，如手机、智能手表、智能手环等。利用光学传感器，可以实现接近光检测、环境光检测、心率检测、血氧检测、手势识别等。
光学传感器的基本原理是发光件（如LED芯片）发出特定波长的光线，该光线到达待测物体后，会返回一束与待测物体相关的光线，到达收光件（如光学接收芯片）的光学接收区。目前一些光学传感器的封装形式中，如公开号为CN206134714U的中国专利，采用不透光的注塑壳体保护和分隔发光件和受光件，注塑壳体通过粘结方式的固定在电路板上。其中，注塑壳体和间隔部采用环氧树脂胶粘解压电路板，一方面，环氧树脂胶粘结层，无法完全阻挡光的穿透，有漏光风险，且有溢胶问题，另一方面，注塑壳体与电路板粘结力小，注塑壳体易掉。
发明内容
为克服现有技术所存在的缺陷，现提供一种光传感器封装结构，以解决传统的光传感器的注塑壳体与电路板采用环氧树脂胶粘接，有漏光风险，且注塑壳体易掉的问题。
为实现上述目的，提供一种光传感器封装结构，包括：
基板，所述基板具有一正面和一背面，所述基板的正面的外缘的形成有多个承插缺口，多个所述承插缺口沿所述基板的周向方向间隔设置；
发光元件，安装于所述基板的正面；
受光元件，安装于所述基板的正面，所述受光元件与所述发光元件相对设置；
设置于所述基板的正面的遮光盖板，所述遮光盖板的外缘形成有支撑翼缘，所述支撑翼缘沿所述基板的外缘设置一圈，所述支撑翼缘形成有多个插接部，多个所述插接部一一对应地插设于多个所述承插缺口中，所述插接部与所述承插缺口之间填充有粘结胶，所述遮光盖板形成有两透光口，两所述透光口分别对准于所述发光元件和所述受光元件，所述遮光盖板的内侧形成有隔挡翼缘，所述基板支撑于所述隔挡翼缘，所述隔挡翼缘设置于所述发光元件和所述受光元件之间，所述遮光盖板的外侧形成有容置槽，所述容置槽伸至所述隔挡翼缘中；
透明胶，填充于所述透光口和容置槽中。
进一步的，所述隔挡翼缘的厚度自所述隔挡翼缘的远离所述遮光盖板的一侧向所述隔挡翼缘的靠近所述遮光盖板的另一侧逐渐增大。
进一步的，所述遮光盖板为液晶聚合物盖板。
进一步的，所述隔挡翼缘与所述遮光盖板一体注塑成型。
进一步的，所述发光元件和所述受光元件通过硅中介层安装于所述基板的正面。
进一步的，所述粘结胶为环氧树脂胶。
进一步的，所述透光口的内径自所述透光口的靠近所述基板的一端向所述透光口的远离所述基板的一端逐渐增大。
本发明的有益效果在于，本发明的光传感器封装结构，遮光盖板与支撑翼缘、隔挡翼缘形成类M型遮光盖以对发光元件和受光元件完全挡光，既降低传统光学传感器封装结构使用环氧树脂胶的成本，且解决了传统光学传感器封装结构的间隔部或遮光屏障与基板连接处使用DAM epoxy胶挡光，无法100%阻挡光的穿透的问题和Epoxy胶溢胶问题。此外，本发明的光传感器封装结构，其中的遮光盖板的支撑翼缘通过多个插接部与基板的外缘的多个承插缺口形成交错式盖子与基板接合方式，插接部与承插缺口之间采用胶粘接，一方面，胶粘接的接触面积增大，提高了遮光盖板与基板之间的连接抗拔力，使得遮光盖板与基板连接牢固且稳定，改善了传统光学传感器封装结构的壳体易掉的问题。
附图说明
通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
图1为本发明实施例的光传感器封装结构的结构示意图。
图2为本发明实施例的光传感器封装结构的侧视图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本申请作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关发明，而非对该发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与发明相关的部分。
需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。
参照图1和图2所示，本发明提供了一种光传感器封装结构，包括：基板1、发光元件2、受光元件3、遮光盖板4和透明胶5。
在本实施例中，基板为不透明基板。基板不透光。
具体的，基板1具有一正面和一背面。基板1的正面的外缘的形成有多个承插缺口。多个承插缺口沿基板1的周向方向间隔设置。
发光元件2和受光元件3安装于基板1的正面。受光元件3与发光元件2相对设置。
作为一种较佳的实施方式，发光元件2和受光元件3通过硅中介层11安装于基板1的正面。
具体的，在本实施例中，发光元件2为ASIC芯片（ASIC，Application SpecificIntegrated Circuit）。受光元件为垂直腔表面发射激光器（VCSEL，Vertical CavitySurface Emitting Laser）。
硅中介层嵌设于基板的中部。发光元件2通过DAF（Die Attach Film）超薄型薄膜黏合剂粘接于硅中介层的一侧。受光元件3通过银胶粘接于硅中介层的另一侧。
遮光盖板4设置于基板1的正面。遮光盖板4设置于发光元件和受光元件的远离基板的一侧。
遮光盖板4的外缘形成有支撑翼缘41。支撑翼缘41沿基板1的外缘设置一圈。遮光盖板与支撑翼缘、基板的正面之间围合形成一空腔。发光元件和受光元件分别设置于一空腔中。
支撑翼缘41形成有多个插接部。多个插接部411一一对应地插设于多个承插缺口中。插接部411与承插缺口之间填充有粘结胶412。遮光盖板4形成有两透光口。两透光口分别对准于发光元件2和受光元件3。
在本实施例中，粘结胶412为环氧树脂胶。
遮光盖板4的内侧形成有隔挡翼缘42。基板1支撑于隔挡翼缘42。隔挡翼缘42设置于发光元件2和受光元件3之间。隔挡翼缘与遮光盖板为不透光材料。隔挡翼缘将所述一空腔分割形成两腔室。每个腔室对应的遮光盖板上设置有一透光口。发光元件和受光元件分别设置于两个腔室中。
遮光盖板4的外侧形成有容置槽。容置槽伸至隔挡翼缘42中。
透明胶5填充于透光口和容置槽中。
遮光盖板为预制盖板。透明胶填充于透光口中以固化形成透光板。在一些实施例中，透光板为平透镜。
在本实施例中，透光口的内径自透光口的靠近基板1的一端向透光口的远离基板1的一端逐渐增大。
作为一种较佳的实施方式，隔挡翼缘42的厚度自隔挡翼缘42的远离遮光盖板4的一侧向隔挡翼缘42的靠近遮光盖板4的另一侧逐渐增大。隔挡翼缘呈下窄上宽的结构，避免了传统光传感器封装结构的注塑壳体上的间隔部（光屏障）压到发光元件或受光元件的引线。
隔挡翼缘42与遮光盖板4一体注塑成型。遮光盖板4、支撑翼缘和隔挡翼缘为液晶聚合物板。
本发明的光传感器封装结构，使用透明胶固化形成透镜结构取代现有技术中的玻璃盖板，可降低成本与缩短开发时程。此外，透明胶的高填充性，可用于填充不同形状的异形透光口。
本发明的光传感器封装结构，遮光盖板与支撑翼缘、隔挡翼缘形成类M型遮光盖以对发光元件和受光元件完全挡光，既降低传统光学传感器封装结构使用环氧树脂胶的成本，且解决了传统光学传感器封装结构的间隔部或遮光屏障与基板连接处使用DAM epoxy胶挡光，无法100%阻挡光的穿透的问题和Epoxy胶溢胶问题。此外，本发明的光传感器封装结构，其中的遮光盖板的支撑翼缘通过多个插接部与基板的外缘的多个承插缺口形成交错式盖子与基板接合方式，插接部与承插缺口之间采用胶粘接，一方面，胶粘接的接触面积增大，提高了遮光盖板与基板之间的连接抗拔力，改善了传统光学传感器封装结构的壳体易掉的问题。
以上描述仅为本申请的较佳实施例以及对所运用技术原理的说明。本领域技术人员应当理解，本申请中所涉及的发明范围，并不限于上述技术特征的特定组合而成的技术方案，同时也应涵盖在不脱离所述发明构思的情况下，由上述技术特征或其等同特征进行任意组合而形成的其它技术方案。例如上述特征与本申请中公开的(但不限于)具有类似功能的技术特征进行互相替换而形成的技术方案。
Claims (7)
1.一种光传感器封装结构，其特征在于，包括：
基板，所述基板具有一正面和一背面，所述基板的正面的外缘的形成有多个承插缺口，多个所述承插缺口沿所述基板的周向方向间隔设置；
发光元件，安装于所述基板的正面；
受光元件，安装于所述基板的正面，所述受光元件与所述发光元件相对设置；
设置于所述基板的正面的遮光盖板，所述遮光盖板的外缘形成有支撑翼缘，所述支撑翼缘沿所述基板的外缘设置一圈，所述支撑翼缘形成有多个插接部，多个所述插接部一一对应地插设于多个所述承插缺口中，所述插接部与所述承插缺口之间填充有粘结胶，所述遮光盖板形成有两透光口，两所述透光口分别对准于所述发光元件和所述受光元件，所述遮光盖板的内侧形成有隔挡翼缘，所述基板支撑于所述隔挡翼缘，所述隔挡翼缘设置于所述发光元件和所述受光元件之间，所述遮光盖板的外侧形成有容置槽，所述容置槽伸至所述隔挡翼缘中；
透明胶，填充于所述透光口和容置槽中。
2.根据权利要求1所述的光传感器封装结构，其特征在于，所述隔挡翼缘的厚度自所述隔挡翼缘的远离所述遮光盖板的一侧向所述隔挡翼缘的靠近所述遮光盖板的另一侧逐渐增大。
3.根据权利要求1所述的光传感器封装结构，其特征在于，所述遮光盖板为液晶聚合物盖板。
4.根据权利要求3所述的光传感器封装结构，其特征在于，所述隔挡翼缘与所述遮光盖板一体注塑成型。
5.根据权利要求1所述的光传感器封装结构，其特征在于，所述发光元件和所述受光元件通过硅中介层安装于所述基板的正面。
6.根据权利要求1所述的光传感器封装结构，其特征在于，所述粘结胶为环氧树脂胶。
7.根据权利要求1所述的光传感器封装结构，其特征在于，所述透光口的内径自所述透光口的靠近所述基板的一端向所述透光口的远离所述基板的一端逐渐增大。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202311132143.3A CN116864498B (zh) | 2023-09-05 | 2023-09-05 | 光传感器封装结构 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202311132143.3A CN116864498B (zh) | 2023-09-05 | 2023-09-05 | 光传感器封装结构 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN116864498A true CN116864498A (zh) | 2023-10-10 |
| CN116864498B CN116864498B (zh) | 2024-04-19 |
Family
ID=88229014
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202311132143.3A Active CN116864498B (zh) | 2023-09-05 | 2023-09-05 | 光传感器封装结构 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN116864498B (zh) |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW200518413A (en) * | 2003-08-19 | 2005-06-01 | Nichia Corp | Semiconductor device |
| JP2009155141A (ja) * | 2007-12-25 | 2009-07-16 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 半導体基板の作成方法ならびに半導体基板およびそれを用いる化合物半導体発光素子 |
| JP3168024U (ja) * | 2010-04-20 | 2011-05-26 | 順徳工業股▲ふん▼有限公司 | 発光装置のパッケージフレーム用の基板及び発光装置パッケージ |
| CN106206920A (zh) * | 2016-08-29 | 2016-12-07 | 上海瑞丰光电子有限公司 | Led封装结构、封装方法及具有该led封装结构的led灯 |
| CN109301084A (zh) * | 2018-09-28 | 2019-02-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 封装结构、电子装置及封装方法 |
| CN115377270A (zh) * | 2022-08-31 | 2022-11-22 | 深圳市聚飞光电股份有限公司 | 一种led封装结构 |
| CN115808692A (zh) * | 2021-09-13 | 2023-03-17 | 讯芯电子科技（中山）有限公司 | 光学传感器 |
| CN116266562A (zh) * | 2021-12-16 | 2023-06-20 | 昇佳电子股份有限公司 | 光学感测模块及其封装方法 |
-
2023
- 2023-09-05 CN CN202311132143.3A patent/CN116864498B/zh active Active
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW200518413A (en) * | 2003-08-19 | 2005-06-01 | Nichia Corp | Semiconductor device |
| JP2009155141A (ja) * | 2007-12-25 | 2009-07-16 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 半導体基板の作成方法ならびに半導体基板およびそれを用いる化合物半導体発光素子 |
| JP3168024U (ja) * | 2010-04-20 | 2011-05-26 | 順徳工業股▲ふん▼有限公司 | 発光装置のパッケージフレーム用の基板及び発光装置パッケージ |
| CN106206920A (zh) * | 2016-08-29 | 2016-12-07 | 上海瑞丰光电子有限公司 | Led封装结构、封装方法及具有该led封装结构的led灯 |
| CN109301084A (zh) * | 2018-09-28 | 2019-02-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 封装结构、电子装置及封装方法 |
| CN115808692A (zh) * | 2021-09-13 | 2023-03-17 | 讯芯电子科技（中山）有限公司 | 光学传感器 |
| CN116266562A (zh) * | 2021-12-16 | 2023-06-20 | 昇佳电子股份有限公司 | 光学感测模块及其封装方法 |
| CN115377270A (zh) * | 2022-08-31 | 2022-11-22 | 深圳市聚飞光电股份有限公司 | 一种led封装结构 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN116864498B (zh) | 2024-04-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6328813B2 (ja) | リフロー可能な光電子モジュール | |
| JP3721935B2 (ja) | 光学装置 | |
| US8946620B2 (en) | Proximity sensor device with internal channeling section | |
| CN105679753B (zh) | 光学模块、其制造方法及电子装置 | |
| EP2834683B1 (en) | Opto-electronic module | |
| TWI267992B (en) | Optical semiconductor device and electronic equipment using same | |
| KR100459347B1 (ko) | 광 반도체 장치 및 이것을 실장한 광 반도체 모듈 | |
| CN113167863A (zh) | 光学传感器装置、设备和光学传感器装置的制造方法 | |
| US20190363216A1 (en) | Optical Sensing Assembly and Method for Manufacturing the Same, and Optical Sensing System | |
| JP2010114141A (ja) | 受光・発光一体型光半導体装置および電子機器 | |
| CN116864498B (zh) | 光传感器封装结构 | |
| CN214621493U (zh) | 红外温度传感器以及电子设备 | |
| CN214254398U (zh) | 芯片封装结构、感测组件及电子装置 | |
| JP2002072021A (ja) | Ｐｏｆ通信用受光装置 | |
| CN215773184U (zh) | 支撑部及具有其的终端设备 | |
| CN217426748U (zh) | 光电封装结构 | |
| TWI744987B (zh) | 光學感測器封裝結構及其製造方法 | |
| CN218385260U (zh) | 光电封装结构 | |
| CN111180346A (zh) | 具有挡墙的光电机构的制作方法 | |
| CN112904523B (zh) | 镜片结构、显示装置及可穿戴设备 | |
| CN219498482U (zh) | 芯片封装结构和电子设备 | |
| CN217182185U (zh) | 光电模块及光学传感器 | |
| CN219477235U (zh) | 芯片封装结构和电子设备 | |
| CN220085061U (zh) | 芯片封装结构及激光雷达 | |
| CN218386185U (zh) | 一种dToF传感器封装结构 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant |