CN214254398U - 芯片封装结构、感测组件及电子装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种芯片封装结构、感测组件及电子装置。所述芯片封装结构包括：基板、第一围坝部件、芯片、封装胶体和第二围坝部件。第一围坝部件设置在基板上，并围设形成第一容置空间；芯片设置在基板上，且容置于第一容置空间内；封装胶体填充第一容置空间，且覆盖芯片，封装胶体的顶面实质上为平面，且封装胶体的高度小于或等于第一围坝部件的高度；第二围坝部件设置在第一围坝部件的上方。因此，通过封装胶体的顶面实质上为平面、封装胶体的高度小于或等于第一围坝部件的高度及第一围坝部件和第二围坝部件的整体高度相较于现有产品低，使得芯片封装结构实现应用其的感测组件及电子装置的预设功能及薄型化。
Description
技术领域
本实用新型涉及半导体封装领域，尤其涉及一种芯片封装结构、感测组件及电子装置。
背景技术
随着科技的发展，越来越多的电子装置，例如个人计算机、移动电话、数码相机、穿戴设备，被广泛的应用于人们的日常生活中，其中，电子装置的主要部件是芯片，为了保证芯片的可靠性以及避免外部因素损坏(例如受到湿气、热、噪声的影响)，芯片必须与外界隔离，因此，需要进行封装保护。
现有技术中，一般是直接采用封装胶对芯片进行封装，形成封装结构。然而，随着电子装置的小型化、轻量化和多功能化，对半导体芯片封装的要求越来越高。此外，为了使电子装置实现各种预设的功能，需要将芯片封装结构与其他部件进行组合搭配，因此，提供一种薄型化且适合与其他部件进行组合搭配的芯片封装结构是一个重要的课题。
实用新型内容
有鉴于上述课题，本实用新型实施例的目的为提供一种薄型化且具有适合与其他部件进行组合搭配的芯片封装结构、感测组件及电子装置。
为了实现上述目的，本实用新型是这样实现的：
在一个实施例中，提供了一种芯片封装结构，其包括：基板、第一围坝部件、芯片、封装胶体及第二围坝部件。第一围坝部件设置在基板上，以围设形成容置空间；芯片设置在基板上，且容置于容置空间内；封装胶体填充容置空间，且覆盖芯片，封装胶体的顶面实质上为平面，且封装胶体的高度小于或等于第一围坝部件的高度；第二围坝部件设置在第一围坝部件的上方。
在另一个实施例中，提供一种感测组件，其包括：如上述实施例的至少一芯片封装结构及至少一感测单元。其中，至少一芯片封装结构设置在电路基板上，至少一芯片封装结构的芯片为发光芯片，至少一感测单元设置在至少一芯片封装结构的周围。
在又一个实施例中，提供一种电子装置，其包括：基座、如上述实施例的感测组件及盖体。其中，感测组件设置在基座上；盖体盖合于基座的顶面，盖体具有至少一透光区域，感测组件容纳于盖体和基座之间所形成的空间内。
在本实用新型实施例中，通过封装胶体的顶面实质上为平面、封装胶体的高度小于或等于第一围坝部件的高度及相接第一围坝部件的部分或全部的顶面的第二围坝部件的设计，使得芯片封装结构适合与其他部件进行搭配，实现应用其的感测组件及电子装置的预设功能。此外，位在第一围坝部件上方的第二围坝部件的高度可以降低，使得第一围坝部件及第二围坝部件的整体高度相较于现有产品低，应用其的感测组件及电子装置整体体积轻薄，实现薄型化。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本实用新型的进一步理解，构成本实用新型的一部分，本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的不当限定。在附图中：
图1为依据本实用新型的芯片封装结构的第一实施例剖面示意图；
图2为依据本实用新型的芯片封装结构的第二实施例剖面示意图；
图3为依据本实用新型的芯片封装结构的第三实施例剖面示意图；
图4为依据本实用新型的芯片封装结构的第四实施例剖面示意图；
图5为应用图1的芯片封装结构的感测组件的一实施例剖面示意图；
图6为应用图2的芯片封装结构的感测组件的一实施例剖面示意图；
图7为应用图2的芯片封装结构的感测组件的另一实施例剖面示意图；
图8为应用图3的芯片封装结构的感测组件的一实施例剖面示意图；
图9为应用图5的感测组件的电子装置的一实施例剖面示意图；
图10为应用图5的感测组件的电子装置的另一实施例剖面示意图；
图11为应用图6的感测组件的电子装置的一实施例剖面示意图；
图12为应用图8的感测组件的电子装置的一实施例剖面示意图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
请参阅图1至图4，图1至图4分别为依据本实用新型的芯片封装结构的第一实施例至第四实施例剖面示意图。为了避免图1至图4的图面过于复杂，在图1至图4的实施例中仅绘示芯片封装结构100包括一个芯片130，但所述实施例并非用以限定本实用新型，换句话说，可依据需求设计调整芯片封装结构100所包括的芯片130的数量，举例而言，芯片封装结构100可包括多个芯片130；此外，当芯片封装结构100包括多个芯片130时，芯片130的排列位置也可依据需求进行设计。
如图1所示，芯片封装结构100包括：基板110、第一围坝部件120、芯片130、封装胶体140及第二围坝部件150。
在本实施例中，基板110可为但不限于陶瓷基板、印刷电路板(PCB)、BT基板、环氧玻纤(FR4)基板、耐高温玻璃纤维(FR5)基板、直接覆铜基板、陶瓷基板、铝基板或ABF基板，基板110的材质可为但不限于陶瓷、玻璃纤维、环氧树脂、环氧模塑料(Epoxy MoldingCompound，EMC)、聚苯醚(Polyphenylene Oxide，PPO)、聚酰亚胺(Polyimide，PI)、聚丙烯(Polypropylene，PP)、铜箔、绝缘导热胶和铝板(铜板)为基材压合的金属基板材的其中一种或多种混合。
在一实施例中，基板110可为但不限于印刷电路板，且包括一个或多个导电焊盘(未图示)，以通过所述焊盘电连接到芯片130，进而使芯片130可与其他的电路元件进行电性连接。导电焊盘的材质可包括任何适合的导电材质，包括铜、银、金、镍或它们的组合。
第一围坝部件120设置在基板110上，以和基板110围设形成第一容置空间，以供芯片130设置于其内。
在一实施例中，第一围坝部件120的纵向形状截面可呈但不限于I字型的形状(如图1所示)，第一围坝部件120为不透光的材质所制成，其可包括但不限于聚丙烯(Polypropylene,PP)、ABS树脂(Acrylonitrile Butadiene Styrene，ABS)、聚碳酸酯(Polycarbonate,PC)、树脂和增强材料组成、液晶高分子(liquid crystal polymers，LCP)和玻璃纤维的组合，第一围坝部件120的形成工艺可为但不限于注塑工艺(injectionmolding)、转塑工艺(transfer molding)、黏合或丝网印刷工艺。
在一实施例中，第一围坝部件120的材质可为但不限于聚邻苯二甲酰胺(PPA)、聚对苯二甲酸1,4-环己烷二甲醇酯(PCT)、环氧树脂、硅胶等热固性或热塑性的高反射塑胶材料，换句话说，第一围坝部件120的内壁面(即和基板110围设形成第一容置空间的表面)可为反射面。由于上述材质的可塑性及稳定性好，并且当芯片130为发光芯片时，所述反射面利于光的反射，减少光线被吸收，提高了芯片封装结构100的出光效率。
在一实施例中，芯片封装结构100还包括反射部件170(如图3所示)，所述反射部件170位于第一围坝部件120的内壁面(即和基板110围设形成第一容置空间的表面)；当芯片130为发光芯片时，反射部件170利于光的反射，减少光线被吸收，提高了芯片封装结构100的出光效率。
芯片130设置在基板110上，且容置于第一容置空间内。其中，芯片130可以是逻辑半导体芯片(例如专用集成电路(ASIC)芯片)、发光芯片(例如发光二极管(LED)芯片或VCSEL)或MEMS芯片，芯片130电性连接于基板110且与外部单元(未绘示于图)电性连接。
在一实施例中，芯片130可通过倒装芯片(flip-chip)方式电性连接至基板110(如图1所示)。在另一实施例中，芯片130可通过打线连接(wire bonding)电性连接至基板110(如图2所示)，换句话说，芯片130可通过一条或多条引线50电性连接于基板110，并不以此为限。
在一实施例中，第一围坝部件120的顶面略高于芯片130的顶面和引线50的最高点，且芯片封装结构100还包含封装胶体140，封装胶体140设置在基板110上，填充容置空间，且覆盖芯片130和引线50，以保证芯片130和引线50的可靠性以及避免外部因素损坏。封装胶体140可为透明树脂材料，例如硅或环氧化合物。在其它实施例中，封装胶体140还可包含荧光粉。其中，封装胶体140的顶面142邻近第一围坝部件120侧壁的端面不太会有爬胶现象产生，顶面142实质上为平整表面(包含但不限于略凸、齐平或略凹)，且封装胶体140的高度小于或等于第一围坝部件120的高度(图1中封装胶体140的高度等于第一围坝部件120的高度，换句话说，封装胶体140的上表面可与第一围坝部件120的上表面处于同一水平面；图2中封装胶体140的高度小于第一围坝部件120的高度)。
在一实施例中，封装胶体140可通过加热液态封胶使其固化的方式封装并覆盖芯片130。在另一实施例中，封装胶体140可通过模造封胶(Mold Compound)以模造成型方式封装并覆盖芯片130。在又一实施例中，封装胶体140可通过模造封胶以转塑工艺方式封装并覆盖芯片130，进而大幅缩短制程时间，以达到提升单位时间产出及间接降低成本的功效。简言之，封装胶体140可通过在一定时间、加热或其他条件下进行固化，并不以此为限。
第二围坝部件150设置在第一围坝部件120的上方。
在一实施例中，第二围坝部件150的一端至少和第一围坝部件120的部分或全部的顶面124相接，而第二围坝部件150的顶部与封装胶体140的顶面间隔一预定距离，且第二围坝部件150与封装胶体140顶面共同界定出第二容置空间。其中，第二围坝部件150用于支撑或承载之后在芯片封装结构100上方配置其他部件，所述预定距离可依据实际需求进行调整。
当第二围坝部件150的一端和第一围坝部件120的部分顶面124相接时，第二围坝部件150可和第一围坝部件120形成具有台阶式结构的挡墙(如图2和图3所示)；当第二围坝部件150的一端和第一围坝部件120的全部顶面124相接时，第二围坝部件150可和第一围坝部件120形成具有柱状结构的挡墙(如图1和图4所示)。
在一实施例中，第二围坝部件150的纵向形状截面呈倒L字型的形状(如图3和图4所示)或I字型的形状(如图1和图2所示)。当第二围坝部件150的纵向形状截面呈倒L字型时，第二围坝部件150的一端除了和第一围坝部件120的部分或全部的顶面124相接外，还可和第一围坝部件120的外侧面126相接；当第二围坝部件150的纵向形状截面呈I字型时，第二围坝部件150可和第一围坝部件120的部分或全部的顶面124相接(如图1和图2所示)，但所述实施例并非用以限定本实用新型，换句话说，第二围坝部件150的结构形状、高度可依据之后在芯片封装结构100上方配置的其他部件的搭配需求进行对应设计。
在一实施例中，封装胶体140的高度可依产品设计需求而定，例如小于或等于0.25mm，但不以此为限，且由于位在第一围坝部件120上方的第二围坝部件150的高度可以降低(即第二围坝部件150的顶部与封装胶体140的顶面只要间隔一预定距离)，使得第一围坝部件120及第二围坝部件150的整体高度相较于现有技术可以减少，进而使得应用芯片封装结构100的感测组件及电子装置整体体积轻薄，实现薄型化。
在一实施例中，芯片封装结构100还包括黏合胶体160，第二围坝部件150通过黏合胶体160黏合于第一围坝部件120的部分或全部的顶面124。在一实施例中，第二围坝部件150还通过黏合胶体160黏合于第一围坝部件120的外侧面126。
当芯片130为发光芯片时，为避免芯片130所发出的光线自黏合胶体160处泄漏，所述黏合胶体可为挡光胶体，例如黑胶体，黑胶体的材质可包括但不限于环氧树脂和碳黑(Carbon Black)的组合。
在一实施例中，第二围坝部件150的材质可包括但不限于树脂和增强材料组成、液晶高分子和玻璃纤维的组合，第二围坝部件150的形成工艺可为但不限于注塑工艺、转塑工艺、黏合或丝网印刷工艺。
在一实施例中，第二围坝部件150为不透光的材质所制成，其可为但不限于聚邻苯二甲酰胺(PPA)、聚对苯二甲酸1,4-环己烷二甲醇酯(PCT)、环氧树脂、硅胶等热固性或热塑性的高反射塑胶材料。换句话说，第二围坝部件150的内壁面(即与封装胶体140顶面共同界定出第二容置空间的表面)可为反射面。由于上述材质的可塑性及稳定性好，并且当芯片130为发光芯片时，所述反射面利于光的反射，减少光线被吸收，提高了芯片封装结构100的出光效率。
在一实施例中，第一围坝部件120和第二围坝部件150的材质可以相同，但所述实施例并非用以限定本实用新型，也就是说，第一围坝部件120和第二围坝部件150也可以具有不同的材质。
在一实施例中，芯片封装结构100还包括反射部件172(如图3所示)，所述反射部件172还位于第二围坝部件150的内壁面(即与封装胶体140顶面共同界定出第二容置空间的表面)；当芯片130为发光芯片时，反射部件172利于光的反射，减少光线被吸收，提高了芯片封装结构100的出光效率。
请参阅图5至图8，图5为应用图1的芯片封装结构的感测组件的一实施例剖面示意图，图6和图7分别为应用图2的芯片封装结构的感测组件的一实施例和另一实施例剖面示意图，图8为应用图3的芯片封装结构的感测组件的一实施例剖面示意图。为了避免图5至图8的图面过于复杂，在图5至图8的实施例中仅绘示感测组件300包括一个芯片封装结构100和一个感测单元320，但所述实施例并非用以限定本实用新型，换句话说，可依据需求设计调整感测组件300所包括的芯片封装结构100和感测单元320的数量，举例而言，感测组件300可包括多个芯片封装结构100和多个感测单元320；此外，当感测组件300包括多个芯片封装结构100和多个感测单元320时，芯片封装结构100和感测单元320的排列位置也可依据需求进行设计。
如图5所示，感测组件300包括：芯片封装结构100、电路基板310和感测单元320，芯片封装结构100设置在电路基板310上，芯片封装结构100的芯片130为发射单元(Emitter),例如为发光芯片；感测单元320设置在芯片封装结构100的周围。
在一实施例中，感测单元320为接收单元(Receiver)，其可包含但不限侦测光的光电二极管及相关联处理电路的集成电路芯片(即半导体芯片)。感测单元320可通过打线连接(wire bonding)电性连接至电路基板上，但并不以此为限(如图6所示)。
在一实施例中，感测单元320设置在与芯片封装结构100相同的电路基板310上(如图5所示)。在另一实施例中，感测单元320设置在与芯片封装结构100不同的电路基板(即电路基板310a、310b)上(如图6至图8所示)。
在一实施例中，感测单元320与芯片封装结构100位在同一平面上(如图5至图8所示)。在另一实施例中，感测单元320与芯片封装结构100不位在同一平面上。
在一实施例中，感测组件300还包括光学单元330，其对应设置于芯片封装结构100的上方，且和第二围坝部件150相接(如图5至图8所示)。如图6至图8所示，第二围坝部件150和第一围坝部件120所形成的具有台阶式结构的挡墙可利于容纳光学单元330或与光学单元330相接，例如：光学单元330可与第二围坝部件150的内壁面(即与封装胶体140顶面共同界定出第二容置空间的表面)相接(如图7所示)，或光学单元330与第二围坝部件150的顶面相接(如图6和图8所示)；当光学单元330相接于第二围坝部件150的内壁面(如图7所示)时，可进一步降低光学单元330所需的高度，感测组件300整体体积轻薄，实现薄型化；且通过第二围坝部件150的内壁面可利于定位光学单元330。
在一实施例中，光学单元330的部份或全部可位于第二围坝部件150与封装胶体140的顶面所共同界定出的第二容置空间内。当光学单元330相接于第二围坝部件150的内壁面(如图7所示)且光学单元330的部份或全部位于所述第二容置空间时，可进一步降低光学单元330所需的高度，感测组件300整体体积轻薄，实现薄型化。
在一实施例中，光学单元330可包括但不限于准直镜、反射器、准直透镜(例如：菲涅耳透镜(Fresnel lens))、准直层或膜(例如：棱镜膜或亮度增强层)、在其表面上形成有微结构的透镜及其各种组合，以将所述发光芯片发出的光线作特定方向的配光或聚光；所述微结构型式未有限定，可为半球数组透镜、金字塔数组透镜、非球面透镜、绕射光学组件(DOE)、全像光学组件(HOE)、或以上组件的复合体组成的微结构。
在一实施例中，光学单元330可通过粘合、卡合或其它结合方式和第二围坝部件150相接，但所述实施例并非用以限定本实用新型。
在一实施例中，光学单元330还对应设置于感测单元320的上方(如图6所示)。在一实施例中，对应设置于感测单元320的上方的光学单元330的部分底面不具有微结构，可以是光学膜层，而对应设置于芯片封装结构100的上方的光学单元330的部分底面具有微结构(如图6所示)，但所述实施例并非用以限定本实用新型。举例而言，在另一实施例中，对应设置于感测单元320和芯片封装结构100的上方的光学单元330的部分底面都具有微结构；在又一实施例中，对应设置于感测单元320和芯片封装结构100的上方的光学单元330的部分底面都不具有微结构；在更一实施例中，对应设置于感测单元320的上方的光学单元330的部分底面具有微结构，对应设置于芯片封装结构100的上方的光学单元330的部分底面不具有微结构。
在一实施例中，所述感测组件300还包括光学隔离件340，设置在芯片封装结构100和感测单元320之间(如图7和图8所示)，以避免感测单元320所接收的光线受到芯片封装结构100的芯片130所发射的光线的干扰(减小光学串扰)。换句话说，光学隔离件340为不透明的部件。
请参阅图9至图12，图9和图10分别为应用图5的感测组件的电子装置的一实施例和另一实施例剖面示意图，图11为应用图6的感测组件的电子装置的一实施例剖面示意图，图12为应用图8的感测组件的电子装置的一实施例剖面示意图。为了避免图9至图12的图面过于复杂，在图9至图12的实施例中仅绘示电子装置200包括一个感测组件300，但所述实施例并非用以限定本实用新型，换句话说，可依据需求设计调整电子装置200所包括的感测组件300的数量，举例而言，电子装置200可包括多个感测组件300(包括多个芯片130和多个感测单元320)；此外，当电子装置200包括多个感测组件300时，感测组件300的排列位置也可依据需求进行设计。
如图9所示，应用感测组件300的电子装置200可为可穿戴设备(WearableDevice)，例如智能手环、智能手表，但所述实施例并非用以限定本实用新型。电子装置200包括：基座210、感测组件300和盖体240；基座210包括其侧壁的顶面212、基座凹陷部214和开口；感测组件300设置在基座凹陷部214的内底面216上并容纳于基座凹陷部214中(即感测组件300设置在基座210上，且容纳于盖体240和基座210之间所形成的空间(也就是基座210的内底面216和盖体240远离外表面242的一侧所形成的空间)内)；盖体240盖合于基座210侧壁的顶面212，盖体240具有透光区域60。其中，盖体240的透光区域60对应设置于芯片封装结构100和感测单元320上方。
在一实施例中，盖体240可以在朝向芯片130的一侧的特定区域上形成该光学单元330，换句话说，盖体240与光学单元330可形成一体。其中，所述特定区域可为但不限于透光区域60(如图10所示)。
在一实施例中，光学单元330为与盖体240相接的分离构件(如图9、图11和图12所示)。
在一实施例中，盖体240可通过粘合、卡合或其它结合方式盖合于基座210的侧壁的顶面212。
在一实施例中，盖体240可为透光材质所制成(如图9和图10所示)。在一实施例中，为避免光串扰，电子装置200还可在芯片封装结构100和感测单元320之间的盖体240外侧设置遮光层。
在一实施例中，光学隔离件340和基座210可为一体成型(如图11所示)或为分离构件(如图12所示)，但不以此为限。
在一实施例中，盖体240也可为不透光材质所制成，其可具有至少一透光区域，举例而言，盖体240可具有两个开孔70，一个开孔70相对设置于芯片封装结构100的上方，另一个开孔70相对设置于感测单元320的上方(如图11所示)。在另一实施例中，当光学单元330可分为两个光学子单元80a、80b时，所述两个光学子单元80a、80b可分别设置于所述两个开孔70中(如图12所示)。
在一实施例中，电子装置200所包括的光学隔离件340可和基座210一体成型(如图11所示)。在另一实施例中，光学隔离件340和基座210为分离构件。
在一实施例中，电子装置200所包括的光学隔离件340可和盖体240一体成型(如图12所示)。
在另一实施例中，光学隔离件340和盖体240为分离构件(如图11所示)。
在一实施例中，当光学单元330的底面具有微结构时，通过封装胶体140的顶面142实质上为平面、封装胶体140的高度小于或等于第一围坝部件120的高度及相接第一围坝部件120的部分或全部的顶面124的第二围坝部件150的设计，可让所述微结构不易抵触封装胶体140的顶面142(如图9至图12所示)。在一实施例中，第二围坝部件150和第一围坝部件120形成具有台阶式结构的挡墙时，光学单元330可容置于第二容置空间内且设置于所述台阶式结构上(如图11和图12所示)，借由所述台阶式结构的设计进一步固定光学单元330在水平方向X的位置。其中，光学单元330可通过粘合方式设置于所述台阶式结构上，而和第二围坝部件150相接。值得注意的是，由于封装胶体140的顶面实质上为平整的表面，所以设置于其上的光学单元330的底面不会发生习知抵触封装胶体140的顶面142的问题，故位在第一围坝部件120上方的第二围坝部件150的高度可以降低，进而整体高度也可随之降低。
在图9至图12的实施例中，芯片130所发光的光线可通过光学单元330和盖体240的透光区域60照射于待测物体的表面，例如用户的皮肤，而感测单元320可通过盖体240的透光区域60接收自用户的皮肤反射的光线，因此，电子装置200可借由芯片130发射光线和感测单元320接收反射光线的设计达成监测用户的光电容积描记图(Photoplethysmography，PPG)信号等生理信号的功效。
在图9至图12的实施例中，通过封装胶体140的顶面142实质上为平面、封装胶体140的高度小于或等于第一围坝部件120的高度及相接第一围坝部件120的部分或全部的顶面124的第二围坝部件150的设计，可让位在第一围坝部件120上方的第二围坝部件150的高度降低，使得第一围坝部件120及第二围坝部件150的整体高度相较于现有产品低，进而让应用芯片封装结构100的感测组件300及电子装置200整体体积轻薄，实现薄型化。此外，也可让芯片封装结构100适合与光学单元330进行搭配，实现应用芯片封装结构100的感测组件300及电子装置200的预设功能。
综上所述，本实用新型提供一种芯片封装结构、感测组件及电子装置，通过封装胶体的顶面实质上为平面、封装胶体的高度小于或等于第一围坝部件的高度及第一围坝部件和第二围坝部件的整体高度相较于现有产品低，使得芯片封装结构不但适合与其他部件进行搭配，实现应用所述芯片封装结构的感测组件及电子装置的预设功能，且应用所述芯片封装结构的感测组件及电子装置整体体积轻薄，实现薄型化。
需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者装置不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者装置所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者装置中还存在另外的相同要素。
上面结合附图对本实用新型的实施例进行了描述，但是本实用新型并不局限于上述的具体实施方式，上述的具体实施方式仅仅是示意性的，而不是限制性的，本领域的普通技术人员在本实用新型的启示下，在不脱离本实用新型宗旨和权利要求所保护的范围情况下，还可做出很多形式，均属于本实用新型的保护之内。
Claims (25)
1.一种芯片封装结构，其特征在于，包括：
基板；
第一围坝部件，设置在所述基板上，以围设形成第一容置空间；
芯片，设置在所述基板上，且容置于所述第一容置空间内；
封装胶体，填充所述第一容置空间，且覆盖所述芯片，所述封装胶体的顶面实质上为平面，且所述封装胶体的高度小于或等于所述第一围坝部件的高度；
第二围坝部件，其设置在所述第一围坝部件的上方。
2.如权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述第二围坝部件的一端面至少和所述第一围坝部件的部分或全部的顶面相接。
3.如权利要求2所述的芯片封装结构，其特征在于，所述第二围坝部件的所述端面还和所述第一围坝部件的外侧面相接。
4.如权利要求2所述的芯片封装结构，其特征在于，还包括黏合胶体，所述第二围坝部件通过所述黏合胶体黏合于所述第一围坝部件的部分或全部的所述顶面。
5.如权利要求4所述的芯片封装结构，其特征在于，所述黏合胶体为挡光胶体。
6.如权利要求2所述的芯片封装结构，其特征在于，所述第二围坝部件的纵向形状截面呈倒L字型或I字型的形状。
7.如权利要求1-6中任一项所述的芯片封装结构，其特征在于，所述第二围坝部件和所述第一围坝部件形成具有台阶式结构或柱状结构的挡墙。
8.如权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述芯片通过一条或多条引线电性连接于所述基板，所述封装胶体覆盖所述一条或多条引线。
9.如权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述第一围坝部件和所述第二围坝部件的材质相同或不相同。
10.如权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述第一围坝部件和所述第二围坝部件的内壁面为反射面。
11.如权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述芯片封装结构还包括反射部件，所述反射部件位于所述第一围坝部件和所述第二围坝部件的内壁面。
12.一种感测组件，其特征在于，包括：
至少一如权利要求1-11中任一项所述的芯片封装结构，设置在电路基板上，所述至少一所述芯片封装结构的所述芯片为发光芯片；
至少一感测单元，设置在所述至少一所述芯片封装结构的周围。
13.如权利要求12所述的感测组件，其特征在于，所述至少一感测单元设置在与所述至少一所述芯片封装结构相同的所述电路基板上，或另一个不同的电路基板上。
14.如权利要求12或13所述的感测组件，其特征在于，所述至少一感测单元与所述至少一所述芯片封装结构位在同一平面上。
15.如权利要求12所述的感测组件，其特征在于，所述第一围坝部件与所述基板共同界定出所述第一容置空间；所述第二围坝部件与所述封装胶体的顶面共同界定出第二容置空间。
16.如权利要求15所述的感测组件，其特征在于，所述感测组件还包括光学单元，其对应设置于所述至少一所述芯片封装结构的上方，且和所述第二围坝部件相接。
17.如权利要求16所述的感测组件，其特征在于，所述光学单元还对应设置于所述至少一感测单元的上方。
18.如权利要求16所述的感测组件，其特征在于，所述光学单元为准直镜、反射器、准直透镜、准直层或膜、具有微结构的透镜及其各种组合。
19.如权利要求16所述的感测组件，其特征在于，所述光学单元的部份或全部位于所述第二容置空间内。
20.如权利要求12所述的感测组件，其特征在于，所述感测组件还包括光学隔离件，设置在所述至少一所述芯片封装结构和所述至少一感测单元之间。
21.一种电子装置，其特征在于，包括：
基座；
如权利要求12-15中任一项所述的感测组件，设置在所述基座上；
盖体，盖合于所述基座的顶面，所述盖体具有至少一透光区域，所述感测组件容纳于所述盖体和所述基座之间所形成的空间内。
22.如权利要求21所述的电子装置，其特征在于，所述至少一透光区域对应设置于所述至少一所述芯片封装结构和所述至少一感测单元上方。
23.如权利要求22所述的电子装置，其特征在于，所述电子装置还包括光学隔离件，设置在所述至少一所述芯片封装结构和所述至少一感测单元之间，且位于所述盖体和所述基座之间所形成的所述空间内。
24.如权利要求23所述的电子装置，其特征在于，所述光学隔离件和所述基座或所述盖体一体成型。
25.一种电子装置，其特征在于，包括：
基座；
如权利要求16-19中任一项所述的感测组件，设置在所述基座上；
盖体，盖合于所述基座的顶面，所述盖体具有至少一透光区域，所述感测组件容纳于所述盖体和所述基座之间所形成的空间内；
其中，所述光学单元与所述盖体形成一体，或为与所述盖体相接的分离构件。
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