CN109301084A - 封装结构、电子装置及封装方法 - Google Patents

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Abstract

一种封装结构、电子装置以及封装方法。该封装结构包括：衬底基板、置于所述衬底基板上的有机层和阻隔坝；所述阻隔坝设置在所述有机层的外侧；并且所述阻隔坝包括远离所述衬底基板的上表面和面向所述有机层的侧表面，所述上表面和所述侧表面中的至少一方包括凹槽和/或突起。该封装结构具有较窄的边框和较好的密封性。

Description

封装结构、电子装置及封装方法
技术领域
本公开至少一实施例涉及一种封装结构、电子装置以及封装方法。
背景技术
有些电子器件(例如OLED器件)对抗水汽和氧气的能力较差，如果暴露在水汽或氧气中，这些电子器件的寿命会减小。对于电子器件的封装，目前较为前沿的封装技术是薄膜封装技术。例如，可以采用多个无机封装层相互叠加的方式形成封装薄膜，也可以采用无机封装层和有机封装层相互叠加的方式形成封装薄膜。随着显示行业的发展，超窄边框显示器越来越受到人们的青睐，在实现好的封装效果的同时实现更窄的边框具有重要意义。
发明内容
本公开至少一实施例提供一种封装结构，该封装结构包括：衬底基板、置于所述衬底基板上的有机层和阻隔坝；所述阻隔坝设置在所述有机层的外侧；并且所述阻隔坝包括远离所述衬底基板的上表面和面向所述有机层的侧表面，所述上表面和所述侧表面中的至少一方包括凹槽和/或突起。
例如，本公开一实施例提供的封装结构中，所述凹槽和/或突起配置为使所述上表面和所述侧表面中的所述至少一方的表面粗糙度为Rz>5nm。
例如，本公开一实施例提供的封装结构还包括与所述有机层堆叠设置的第一无机层；所述有机层和所述阻隔坝均位于所述第一无机层的远离所述衬底基板的一侧。
例如，本公开一实施例提供的封装结构中，所述有机层的边缘部分与所述阻隔坝的所述侧表面接触；或者，所述有机层的边缘部分与所述阻隔坝的所述上表面接触。
例如，本公开一实施例提供的封装结构中，所述有机层的边缘部分包括斜面，所述斜面与所述衬底基板所在的平面具有夹角；所述斜面包括第一端和第二端，由所述第一端到所述第二端，所述有机层在垂直于所述衬底基板方向上的厚度逐渐减小；所述斜面在所述衬底基板上的正投影的在由所述第一端到所述第二端的方向上的宽度小于2mm。
例如，本公开一实施例提供的封装结构中，所述有机层与所述阻隔坝之间具有间隔。
例如，本公开一实施例提供的封装结构还包括与所述有机层堆叠设置的第二无机层；所述第二无机层覆盖所述有机层和所述阻隔坝，且所述第二无机层与所述阻隔坝的侧表面接触或者与所述阻隔坝的上表面和侧表面二者接触。
例如，本公开一实施例提供的封装结构中，还包括与所述有机层堆叠设置的第一无机层；所述有机层设置于所述第一无机层的远离所述衬底基板的一侧；所述第一无机层覆盖所述阻隔坝，且所述第一无机层与所述阻隔坝的上表面和侧表面接触；第一无机层的远离衬底基板的表面的覆盖所述阻隔坝的部分具有凹槽和/或突起。
例如，本公开一实施例提供的封装结构还包括与所述有机层堆叠设置的第二无机层；所述第二无机层覆盖所述有机层和所述第一无机层，且所述第二无机层与所述第一无机层的远离所述衬底基板的表面接触。
例如，本公开一实施例提供的封装结构中，所述阻隔坝在垂直于所述衬底基板的方向上的高度小于所述有机层在垂直于所述衬底基板的方向上的厚度。
例如，本公开一实施例提供的封装结构中，所述阻隔坝的平面形状为封闭的环形或不封闭的环形。
例如，本公开一实施例提供的封装结构中，所述阻隔坝的平面形状包括多个沿所述有机层的边缘延伸的条形。
例如，本公开一实施例提供的封装结构中，所述阻隔坝的个数为多个，在远离所述有机层的方向上，多个所述阻隔坝间隔排列。
例如，本公开一实施例提供的封装结构中，所述阻隔坝的材料为疏水性材料。
本公开至少一实施例还提供一种电子装置，该电子装置包括本公开实施例提供的任意一种封装结构。所述电子装置还包括电子器件，该电子器件设置在所述衬底基板上并被所述有机层覆盖。
本公开至少一实施例还提供一种封装方法，该封装方法包括：提供衬底基板；形成阻隔坝，所述阻隔坝包括远离所述衬底基板的上表面和面向所述有机层的侧表面，所述上表面和所述侧表面中的至少一方包括凹槽和/或突起；以及在形成所述阻隔坝之后形成有机层，所述阻隔坝设置在所述有机层的外侧。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本发明的一些实施例，而非对本发明的限制。
图1为一种封装结构的示意图；
图2A为本公开一实施例提供的一种封装结构的平面示意图；
图2B为沿图2A中的A-A’线的一种剖面示意图；
图2C为沿图2A中的A-A’线的另一种剖面示意图；
图2D为本公开一实施例提供的封装结构的另一种剖面示意图；
图3为图2B所示的封装结构中的阻隔坝的截面示意图；
图4A为图2B所示的有机层的边缘部分的放大示意图；
图4B为液态的有机材料与具有不同表面粗糙度的阻隔坝的接触角示意图；
图5A为本公开一实施例提供的封装结构的另一种平面示意图；
图5B为本公开一实施例提供的封装结构的又一种平面示意图；
图5C为本公开一实施例提供的封装结构的再一种平面示意图；
图6A为本公开一实施例提供的另一种封装结构的平面示意图；
图6B为沿图6A中的B-B’线的剖面示意图；
图6C为图6B所示的封装结构中的阻隔坝和第一无机层的局部放大示意图；
图7A为本公开一实施例提供的又一种封装结构的平面示意图；
图7B为沿图7A中的C-C’线的剖面示意图；
图7C为本公开一实施例提供的封装结构的另一种平面示意图；
图8为本公开一实施例提供的一种电子装置示意图；
图9A-9H为本公开一实施例提供的一种封装方法示意图；
图10A-10G为本公开一实施例提供的另一种封装方法示意图。
附图标记
101-衬底基板；201-发光器件；40-无机封装层；50-有机封装层；1-衬底基板；2-电子器件；3-阻隔坝；301-上表面；302-侧表面；30-凹槽；31-突起；32-条形部分；33-弯折部分；34-内侧的条形部分；35-外侧的条形部分；401-第一无机层；4011-第一无机层的远离衬底基板的表面；41-第一无机层的凹槽；42-第一无机层的突起；402-第二无机层；5-有机层；501-斜面；502-液态的有机材料；6-有机层的边缘部分；10-封装结构；100-电子装置。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
除非另作定义，此处使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本发明专利申请说明书以及权利要求书中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现在该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“内”、“外”、“上”、“下”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
本公开所使用的附图并不是严格按实际比例绘制，各个结构的具体地尺寸和数量可根据实际需要进行确定。本公开中所描述的附图仅是结构示意图。
图1为一种电子装置的示意图。如图1所示，该电子装置包括衬底基板101、设置于衬底基板101上的发光器件102、无机封装层40和有机封装层50。有机封装层50设置于无机封装层40上。该电子装置中，衬底基板1具有边缘以及靠近边缘的非功能区D，例如，该电子装置为显示面板，非功能区D为非显示区。例如，非功能区D中设置有驱动电路等器件。例如，利用液态的有机材料形成有机封装层50；形成该有机封装层50的过程中，液态的有机材料会向非功能区D漫延，从而液态的有机材料容易超出用于设置有机封装层50的预设区域而进入衬底基板101的非功能区D，影响在非功能区D中驱动电路等器件的设置，从而需要预留更大面积的非功能区D，不利于实现窄边框结构。另外，在该电子装置中，无机封装层40的延展性较差，容易产生裂隙。并且，无机封装层40与有机封装层50的结合强度较低，容易相互分离，并且不利于无机封装层40在弯曲过程中释放应力，因此无机封装层40容易产生裂隙。从而，导致外界的湿气、氧气等通过裂隙接触到发光器件102，会减少发光器件102的使用寿命。
本公开至少一实施例提供一种封装结构，该封装结构包括：衬底基板、置于衬底基板上的有机层和阻隔坝；阻隔坝设置在有机层的外侧；并且阻隔坝包括远离衬底基板的上表面和面向有机层的侧表面，该上表面和该侧表面中的至少一方包括凹槽和/或突起。
示范性地，图2A为本公开一实施例提供的一种封装结构的平面示意图，图2B为沿图2A中的A-A’线的一种剖面示意图，图3为图2B所示的封装结构中的阻隔坝的截面示意图，以图2B中所示的阻隔坝301的两个柱形截面中的左侧的柱形为例。如图2A、图2B和图3所示，封装结构10包括：衬底基板1、置于衬底基板1上的有机层5和阻隔坝3。阻隔坝3设置在有机层5的外侧。本公开中，有机层5的外侧是指有机层5的朝向衬底基板1的边缘的一侧。例如，阻隔坝3围绕有机层5设置。例如，利用液态的有机材料制作有机层5，在有机层的制作过程中，阻隔坝3对液态的有机材料具有阻挡作用。阻隔坝3包括远离衬底基板1的上表面301和面向有机层5的侧表面302，上表面301和侧表面302中的至少一方包括凹槽30和/或突起31。在形成有机层5的过程中，液态的有机材料向衬底基板1的边缘漫延，其有可能会接触到阻隔坝3的侧表面302或者阻隔坝3的侧表面302和上表面301二者，凹槽30和/或突起31使得上表面301和侧表面302具有较大的粗糙度，这种情况下，阻隔坝3能够有效阻止液态的有机材料过度地向衬底基板1的边缘漫延，防止液态的有机材料超出有机层5的预设区域而进入衬底基板1的边缘区域。如此，可以减小在衬底基板1的边缘区域预留的宽度，有利于实现窄边框设计。需要说明的是，凹槽30和突起31的轮廓的形状不一定为图中所示形状，其轮廓的形状可以是不规则的。
例如，阻隔坝3的上表面301和侧表面302彼此相交。
例如，凹槽30和突起31是根据需要在阻隔坝3的上表面301和侧表面302上专门设置的结构，区别于由于工艺精度而避免不了的不平整状态。凹槽30是指相对于设置所述凹槽30的表面凹陷的结构，突起31是指相对于设置所述突起31的表面突起的结构。例如，首先形成阻隔坝3，然后通过例如刻蚀等工艺在阻隔坝3的上表面301和侧表面302中的至少一方上根据需要形成凹槽30和/或突起31。
例如，上表面301和侧表面302中的至少一方包括凹槽30和/或突起31包括下面三种情形：(1)仅上表面301包括凹槽30和/或突起31；(2)仅侧表面302包括凹槽30和/或突起31；(3)上表面301和侧表面302二者均包括凹槽30和/或突起31。
例如，用于形成有机层5的有机材料可以为树脂材料，例如环氧树脂或丙烯酸树脂等。当然，用于形成有机层5的有机材料不限于上述种类。
例如，上表面301和侧表面302中的至少一方包括凹槽30和/或突起31，凹槽30和/或突起31配置为使该至少一方的表面粗糙度为Rz>5nm，以达到较好的阻止液态的有机材料漫延的效果。Rz为轮廓最大高度，即在取样长度内，轮廓峰与轮廓谷的距离(即，最高点与最低点间的距离)。例如，在图3中，以上表面301为例，在取样长度内，例如，五个突起31的最高点P在垂直于衬底基板1方向上的高度的平均值与五个凹槽30的最低点V在垂直于衬底基板1方向上的高度的平均值之差大于5nm。进一步地，例如，5nm<Rz<1000nm，在该范围内的粗糙度易于制作。
例如，封装结构10还包括第一无机层401。例如，在图2B所示的实施例中，第一无机层401与有机层5堆叠设置。有机层5和阻隔坝3均位于第一无机层401的远离衬底基板1的一侧。例如，第一无机层401设置于衬底基板1上并覆盖电子器件2和至少部分衬底基板1，以实现对电子器件2的密封。例如，电子器件2还被有机层5覆盖。
例如，电子器件2可以为有机发光二极管(OLED)器件或其他需要密封的电子元件等。衬底基板1例如可以为玻璃基板、石英基板等。例如，衬底基板1也可以为柔性基板，此时，例如衬底基板1的材料为聚酰亚胺。当然，衬底基板1的类型和材料不限于上述列举种类，本公开实施例对此不作限定。
例如，在图2B所示的实施例中，有机层5的边缘部分6与阻隔坝3的侧表面302和上表面301接触。此时，例如，阻隔坝3的侧表面302和上表面301均具有凹槽30和/或突起31，从而阻隔坝3的侧表面302和上表面301均能够有效阻止液态的有机材料过度向衬底基板1的边缘漫延。
例如，图4A为图2B所示的有机层的边缘部分6的放大示意图，以图2B中所示的阻隔坝301的两个柱形截面中的左侧的柱形为例。图4B为液态的有机材料与具有不同表面粗糙度的阻隔坝的接触角示意图。如图4A所示，有机层5的边缘部分包括斜面501，斜面501与衬底基板1所在的平面具有夹角。斜面501包括第一端A和第二端B，由第一端A到第二端B，有机层5在垂直于衬底基板1方向上的厚度逐渐减小。斜面501在衬底基板1上的正投影的在由第一端A到第二端B的方向上的宽度L越小，有机层5越不容易超出预设区域。在用于形成有机层5的液态的有机材料漫延过程中，在形成阻隔坝3的材料不改变的情况下，与液态的有机材料接触的阻隔坝3的侧表面302和上表面301的粗糙度越大，液态的有机材料与阻隔坝3的接触角越大。如图4B所示，液态的有机材料502与表面粗糙度较小的阻隔坝3的表面接触时，接触角为θ1；液态的有机材料502与表面粗糙度较大的阻隔坝3的表面接触时，接触角为θ2。θ1<θ2，并且，形成较大的接触角θ2的液态的有机材料502对阻隔坝3的表面的浸润程度较低，与阻隔坝3的表面接触的接触面积较小。在图4A中，凹槽30和/或突起31有利于增大用于形成有机层5的液态的有机材料与阻隔坝3的上表面301的接触角，从而减小宽度L，利于实现窄边框产品，例如窄边框显示装置。例如，本公开实施例中，宽度L小于2mm，能够较好地满足窄边框产品的需求。
图2C为沿图2A中的A-A’线的另一种剖面示意图。在本公开的另一个实施例中，如图2C所示，例如，有机层5的边缘部分6与阻隔坝3的侧表面302接触。例如，阻隔坝3的侧表面302包括凹槽30和/或突起31，当用于形成有机层5的液态的有机材料漫延至阻隔坝3的侧表面302时，该侧表面302可以有效阻止该液态的有机材料进一步向衬底基板1的边缘漫延，这种情况下，有机层5可不与阻隔坝3的上表面301接触。例如，在图2C中，仅阻隔坝3的侧表面302包括凹槽30和/或突起31。
图2D为本公开一实施例提供的封装结构的另一种剖面示意图。又例如，在本公开另一个实施例中，如图2D所示，液态的有机材料向衬底基板1的边缘漫延程度较小，有机层5与阻隔坝3之间具有间隔，有机层5与阻隔坝3不接触。
例如，如图2B所示，封装结构10还包括与有机层5堆叠设置的第二无机层402。第二无机层402覆盖有机层5和阻隔坝3，且第二无机层402与阻隔坝3的上表面301接触。阻隔坝3的上表面301的凹槽30和/或突起31使得其具有较大的粗糙度，能够增大第二无机层402与阻隔坝3的接触面积，有利于增强第二无机层402与阻隔坝3之间的结合强度，从而获得更好的密封效果。
例如，在图2C和2D所示的实施例中，第二无机层402与阻隔坝3的上表面301和侧表面302均接触。如此，阻隔坝3的上表面301和侧表面302均包括所述凹槽30和/或突起31，都具有较大的粗糙度，从而能够进一步增大第二无机层402与阻隔坝3的接触面积，更加有利于增强第二无机层402与阻隔坝3之间的结合强度，从而获得更好的密封效果。
例如，如图2B-2D所示，阻隔坝3在垂直于衬底基板1的方向上的高度小于有机层5在垂直于衬底基板1的方向上的厚度。阻隔坝3的高度较低，利于阻隔坝3固定的稳定性，并且不会额外增加封装结构10的厚度，利于封装结构10的减薄，从而能够获得轻薄产品，例如封装结构10适用于轻薄的显示装置。
需要说明的是，图2C和图2D所示的封装结构的未提及的其他特征均匀图2B所示的封装结构的相同，请参考之前的描述，在此不赘述。
图5A为本公开一实施例提供的封装结构的另一种平面示意图，图5B为本公开一实施例提供的封装结构的又一种平面示意图，图5C为本公开一实施例提供的封装结构的再一种平面示意图。例如，阻隔坝3的平面形状可以为封闭的环形，如图2A所示。例如，阻隔坝3的平面形状也可以为不封闭的环形，如图5A所示。又例如，阻隔坝3的平面形状包括多个沿有机层5的边缘延伸的条形，如图5B所示。例如，在图5B所示的示例中，有机层5的平面图形包括多条边，该多条边中的每条对应一个沿该边延伸的条形的阻隔坝3。再例如，如图5C所示，有机层5包括棱角，阻隔坝3包括沿有机层5的边缘延伸的多个条形部分32和围绕有机层5的棱角的多个弯折部分33。
例如，阻隔坝3的材料为疏水性材料。在阻隔坝3的上表面301和侧表面302的表面粗糙度不变的情况下，阻隔坝3的材料的疏水性越强，其上表面301和侧表面302与有机层5的接触角越大，而接触角增大有利于减小上述斜面501的所述宽度L，从而实现窄边框。例如，阻隔坝3的材料为疏水性有机材料，例如聚氨酯、聚二甲基硅氧烷等。当然，在本公开的一实施例中，阻隔坝3的材料也可以为其他的有机材料，例如聚酰亚胺(PI)等。或者，阻隔坝3的材料也可以为无机材料，例如包括氧化硅、氮化硅或氮氧化硅等。需要说明的是，阻隔坝3的材料不限于上述列举种类。
图6A为本公开一实施例提供的另一种封装结构的平面示意图，图6B为沿图6A中的B-B’线的剖面示意图。在如图6A和图6B所示的封装结构10中，有机层5设置于第一无机层401的远离衬底基板1的一侧，第一无机层401覆盖阻隔坝3，且第一无机层401与阻隔坝3的上表面301和侧表面302接触。这种情况下，阻隔坝3的上表面301和侧表面302的凹槽30和/或突起31使得上表面301和侧表面302具有较大的粗糙度，能够增大第一无机层401与阻隔坝3的接触面积，有利于增强第一无机层401与阻隔坝3之间的结合强度，从而获得更好的密封效果。
例如，图6C为图6B所示的封装结构中的阻隔坝和第一无机层的局部放大示意图，以图6B中所示的阻隔坝301的两个柱形截面中的左侧的柱形为例。如图6C所示，第一无机层401的远离衬底基板1的表面4011的覆盖阻隔坝3的部分具有凹槽41和/或突起42。例如，通过沉积方法在阻隔坝3的上表面301和侧表面302上形成第一无机层401时，由于阻隔坝3的上表面301和侧表面302上的凹槽30和/或突起31的存在，表面4011的覆盖阻隔坝3的部分具有阻隔坝3的上表面301和侧表面302相似的轮廓，也就是说，由于阻隔坝3的上表面301和侧表面302上的凹槽30和/或突起31的存在，第一无机层401的表面4011相应地形成了凹槽41和/或突起42，并且凹槽41和突起42分别与上述凹槽30和上述突起31的形状相似。例如，凹槽41和/或突起42使得第一无机层401的表面4011的覆盖阻隔坝3的部分也具有较高的粗糙度，例如，该粗糙度为Rz>5nm。
在图6B中，有机层5与第一无机层401的远离衬底基板1的表面4011接触。第一无机层401的表面4011的凹槽41和/或突起42使得表面4011的覆盖阻隔坝3的部分具有较大的粗糙度，从而表面4011的覆盖阻隔坝3的部分能够有效阻止用于形成有机层5的液态的有机材料过度向衬底基板1的边缘漫延，防止液态的有机材料超出有机层5的预设区域而进入衬底基板1的边缘区域。同理，也可以减小有机层5的边缘部分的上述宽度L。如此，可以减小在衬底基板1的边缘区域预留的宽度，有利于实现窄边框设计。
例如，图6B所示的封装结构10还包括与有机层5堆叠设置的第二无机层402，第二无机层402覆盖有机层5和第一无机层401，且第二无机层5与第一无机层401的远离衬底基板1的表面4011接触。表面4011上的凹槽41和/或突起42使得表面4011的覆盖阻隔坝3的部分具有较大的粗糙度，能够增大第二无机层402与第一无机层401的接触面积，有利于增强第二无机层402与第一无机层401之间的结合强度，从而获得更好的密封效果。
需要说明的是，图6B所示的封装结构的未提及的其他特征均匀图2B所示的封装结构的相同，请参考之前的描述，在此不赘述。
图7A为本公开一实施例提供的又一种封装结构的平面示意图，图7B为沿图7A中的C-C’线的剖面示意图。图7A和图7B所示的封装结构10与图6B所示的封装结构的区别在于，阻隔坝3的个数为多个，在远离有机层5的方向上，多个阻隔坝3间隔排列。如此，一方面，多个阻隔坝3能够进一步阻止有机层5外延，保证用于形成有机层5的液体的有机材料不超出预设区域；另一方面，多个间隔排列的阻隔坝3能够进一步提高第一无机层401和第二无机层402的对电子器件2的密封效果。图7A和图7B所示的封装结构的其他特征均与图6B中的相同，请参考之前的描述。例如，图7B所示的多个阻隔坝3的结构也可用于图2B。
图7C为本公开一实施例提供的封装结构的另一种平面示意图。例如，多个阻隔坝3的每个的平面形状可以为封闭的环形，如图7A所示。又例如，如图7C所示，每个阻隔坝3的平面图形包括沿有机层5的边缘延伸的弯折部分，弯折部分围绕有机层的拐角处。多个弯折部分在垂直于衬底基板1的边缘的方向上部分重叠，从而每个弯折部分包括内侧的条形部分34和外侧的条形部分35。例如，内侧的条形部分34与外侧的条形部分35部分重叠，,如此，多个弯折部分共同围绕整个有机层5，以在有机层5的外侧的各个位置对有机层5进行阻挡。例如，在与衬底基板1的边缘垂直的方向上，多个条形的阻隔坝3间隔排列。例如，内侧的条形部分34与外侧的条形部分35间隔排列。所述内侧指远离衬底基板1的边缘，所述外侧指靠近衬底基板1的边缘。
本公开至少一实施例还提供一种电子装置，该电子装置包括本公开实施例提供的任意一种封装结构。电子装置还包括电子器件2，该电子器件2设置在衬底基板1上并被有机层5覆盖，如图2B所示。
示范性地，图8为本公开一实施例提供的一种电子装置示意图。如图8所示，该电子装置100包括本公开实施例提供的任意一种封装结构10。该电子装置100具有较窄的边框，该电子装置100的电子器件具有较好的密封性，能够实现较长的使用寿命。
例如，电子装置100可以为显示装置(例如OLED显示装置)，例如电子装置100可以是手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相机、导航仪等具有显示功能的产品或部件。例如，电子装置100也可以是照明装置(例如OLED照明装置)，例如，装饰性彩灯、柔性照明装置等。当然，本公开实施例对电子装置的种类没有限定。
需要说明的是，图8只是包括本公开实施例提供的任意一种封装结构的电子装置的示意图，电子装置的未示出的其他结构，本领域技术人员可参考常规技术，本实施例对此不作限定。
本公开至少一实施例还提供一种封装方法，该封装方法包括：提供衬底基板；形成阻隔坝，阻隔坝包括远离衬底基板的上表面和面向有机层的侧表面，上表面和侧表面中的至少一方包括凹槽和/或突起；以及在形成所述阻隔坝之后，形成有机层，所述阻隔坝设置在所述有机层的外侧。
图9A-图9H为本公开一实施例提供的一种封装方法示意图，该方法还包括：形成与有机层堆叠设置的第一无机层，有机层和阻隔坝均位于第一无机层的远离衬底基板的一侧；以及形成与有机层堆叠设置的第二无机层，第二无机层覆盖有机层和阻隔坝，且第二无机层与阻隔坝的上表面或侧表面接触。封装方法的具体的工艺如下。
如图9A所示，提供衬底基板1，在衬底基板1上形成电子器件2，例如该电子器件2为OLED器件。例如，该OLED器件可以通过半导体工艺形成。衬底基板1例如可以为玻璃基板、石英基板等。例如，衬底基板1也可以为柔性基板，此时，例如衬底基板1的材料为聚酰亚胺。当然，电子器件2不限于是OLED器件，其可以是任何需要被封装的器件；衬底基板1的类型和材料也不限于上述列举种类，本公开实施例对此不作限定。
如图9B所示，形成第一无机层401。例如，采用等离子体增强化学气相沉积或原子沉积的方法形成第一无机层401。第一无机层401的材料为无机材料，例如包括氧化硅或氮化硅或氮氧化硅。
如图9C所示，形成阻隔坝3，阻隔坝3位于电子器件2的外侧，阻隔坝3的内侧(远离衬底基板1的边缘的一侧)的空间用于后续形成有机层。阻隔坝3包括远离衬底基板1的上表面301和面向后续将形成的有机层的侧表面302。例如，可通过喷墨打印或涂覆工序结合构图工艺(例如光刻)形成阻隔坝3。阻隔坝3的平面图形请参考之前的实施例中的描述，在此不再赘述。
如图9D所示，对阻隔坝3的上表面301或/和侧表面302进行处理，以使上表面301和侧表面302中的至少一方包括凹槽和/或突起。例如，上表面301和侧表面302均包括凹槽和突起。该凹槽和突起的具体特征请参考之前的实施例中的描述。例如，该处理可以包括等离子体刻蚀、激光刻蚀等。
如图9E所示，在第一无机层401的远离衬底基板1的一侧、阻隔坝3的内侧形成有机层5，以使得阻隔坝3位于有机层5的外侧，有机层5覆盖电子器件2。形成有机层5包括通过涂覆法利用液体的有机材料形成有机材料层以及对该有机材料层进行固化，以得到有机层5。在固化之前，该液体的有机材料会向衬底基板1的边缘漫延，当该液体的有机材料接触到阻隔坝3的侧表面302时(如图9E所示)，或者当该液体的有机材料接触到阻隔坝3的侧表面302和上表面301时(如图9F所示)，由于侧表面302和上表面301上的凹槽和/或突起使得上表面301和侧表面302具有较大的粗糙度，这种情况下，阻隔坝3能够有效阻止液态的有机材料过度向衬底基板1的边缘漫延，防止液态的有机材料超出有机层5的预设区域而进入衬底基板1的边缘区域。如此，可以减小在衬底基板1的边缘区域预留的宽度，有利于实现窄边框设计。
例如，通过上述处理形成所述凹槽和/或突起以使得上表面301和侧表面302中的至少一方的表面粗糙度为Rz>5nm，以达到较好的阻止液态的有机材料漫延的效果。进一步地，例如，5nm<Rz<1000nm，粗糙度在该范围内的上表面301或侧表面302容易制作，通过所述刻蚀工艺更容易获得。
在一个实施例中，在图9E所示的结构的基础上形成与有机层5堆叠设置的第二无机层402，第二无机层402覆盖有机层5和阻隔坝3，且第二无机层402与阻隔坝3的上表面301接触，从而得到如图9G所示的封装结构。例如，可通过沉积方法(例如化学气相沉积或原子沉积)形成第二无机层402。阻隔坝3的上表面301和侧表面302的至少一方上设置的凹槽30和/或突起31使得具有较大的粗糙度，能够增大第二无机层402与阻隔坝3的接触面积，有利于增强第二无机层402与阻隔坝3之间的结合强度，从而获得更好的密封效果。
在另一个实施例中，在图9F所示的结构的基础上形成所述第二无机层402，第二无机层402与阻隔坝3的上表面301和侧表面302均接触，从而得到如图9H所示的封装结构。例如，阻隔坝3的上表面301和侧表面302均包括所述凹槽30和突起31，阻隔坝3的上表面301和侧表面302都具有较大的粗糙度，从而能够进一步增大第二无机层402与阻隔坝3的接触面积，更加有利于增强第二无机层402与阻隔坝3之间的结合强度，从而获得更好的密封效果。
图10A-10G为本公开一实施例提供的另一种封装方法示意图，该方法还包括：形成与有机层堆叠设置的第一无机层，有机层设置于第一无机层的远离所述衬底基板的一侧，第一无机层覆盖阻隔坝，且第一无机层与阻隔坝的上表面和侧表面接触；第一无机层的远离衬底基板的表面的覆盖阻隔坝的部分具有凹槽和/或突起；以及形成与有机层堆叠设置的第二无机层，第二无机层覆盖有机层和第一无机层，且第二无机层与第一无机层的远离衬底基板的表面接触。封装方法的具体的工艺如下。
如图10A所示，提供衬底基板1，在衬底基板1上形成电子器件2。具体请参考对图9A的描述。
如图10B所示，在衬底基板1上形成阻隔坝3，例如阻隔坝3与衬底基板1之间没有其他的层。阻隔坝3位于电子器件2的外侧，阻隔坝3的内侧(远离衬底基板1的边缘的一侧)的空间用于后续形成有机层。阻隔坝3包括远离衬底基板1的上表面301和面向后续将形成的有机层的侧表面302。例如，可通过喷墨打印或涂覆工序结合构图工艺(例如光刻)形成阻隔坝3。阻隔坝3的平面图形请参考之前的实施例中的描述，在此不再赘述。
例如，可以形成多个阻隔坝3，在远离有机层5的方向上，多个阻隔坝3间隔排列，如图10C所示。
以图10B所示的结构为例，形成阻隔坝3之后，执行图10D所示工序。对阻隔坝3的上表面301或/和侧表面302进行处理，以使上表面301和侧表面302中的至少一方包括凹槽和/或突起。该方法与之前的实施例中的相同，请参考之前的描述。
如图10E所示，形成第一无机层401，第一无机层401覆盖阻隔坝3，且第一无机层401与阻隔坝3的上表面301和侧表面302接触；第一无机层401的远离衬底基板1的表面4011的覆盖阻隔坝3的部分具有凹槽和/或突起。该凹槽和突起的具体特征请参考之前的实施例中的描述。例如，可通过沉积方法(例如化学气相沉积或原子沉积)形成第一无机层401。
如图10F所示，在第一无机层401的远离衬底基板1的一侧、阻隔坝3的内侧形成有机层5，以使得阻隔坝3位于有机层5的外侧，有机层5与第一无机层401堆叠并覆盖电子器件2。形成有机层5的具体方法与之前的相同，请参考之前的描述。液体的有机材料会向衬底基板1的边缘漫延，当该液体的有机材料接触到第一无机层401的远离衬底基板1的表面4011的覆盖阻隔坝的部分时，由于表面4011的覆盖阻隔坝的部分上的凹槽和/或突起使得表面4011的覆盖阻隔坝的部分具有较大的粗糙度，这种情况下，表面4011的覆盖阻隔坝的部分能够有效阻止液态的有机材料过度向衬底基板1的边缘漫延，防止液态的有机材料超出有机层5的预设区域而进入衬底基板1的边缘区域。如此，可以减小在衬底基板1的边缘区域预留的宽度，有利于实现窄边框设计。
如图10G所示，形成与有机层5堆叠设置的第二无机层402，第二无机层402覆盖有机层5和第一无机层401，且第二无机层402与第一无机层401的远离衬底基板1的表面接触。第一无机层401的表面4011上的凹槽和/或突起使得表面4011的覆盖阻隔坝3的部分具有较大的粗糙度，能够增大第二无机层402与第一无机层401的接触面积，有利于增强第二无机层402与第一无机层401之间的结合强度，从而获得更好的密封效果。
以上所述仅是本发明的示范性实施方式，而非用于限制本发明的保护范围，本发明的保护范围由所附的权利要求确定。

Claims (16)

1.一种封装结构，包括：衬底基板、设置于所述衬底基板上的有机层和阻隔坝；其中，
所述阻隔坝设置在所述有机层的外侧；并且
所述阻隔坝包括远离所述衬底基板的上表面和面向所述有机层的侧表面，所述上表面和所述侧表面中的至少一方包括凹槽和/或突起。
2.根据权利要求1所述的封装结构，其中，所述凹槽和/或突起配置为使所述上表面和所述侧表面中的所述至少一方的表面粗糙度为Rz>5nm。
3.根据权利要求1所述的封装结构，还包括与所述有机层堆叠设置的第一无机层；其中，
所述有机层和所述阻隔坝均位于所述第一无机层的远离所述衬底基板的一侧。
4.根据权利要求3所述的封装结构，其中，
所述有机层的边缘部分与所述阻隔坝的所述侧表面接触；或者，
所述有机层的边缘部分与所述阻隔坝的所述上表面接触。
5.根据权利要求4所述的封装结构，其中，所述有机层的边缘部分包括斜面，所述斜面与所述衬底基板所在的平面具有夹角；
所述斜面包括第一端和第二端，由所述第一端到所述第二端，所述有机层在垂直于所述衬底基板方向上的厚度逐渐减小；
所述斜面在所述衬底基板上的正投影的在由所述第一端到所述第二端的方向上的宽度小于2mm。
6.根据权利要求3所述的封装结构，其中，所述有机层与所述阻隔坝之间具有间隔。
7.根据权利要求3所述的封装结构，还包括与所述有机层堆叠设置的第二无机层；其中，
所述第二无机层覆盖所述有机层和所述阻隔坝，且所述第二无机层与所述阻隔坝的侧表面接触或者与所述阻隔坝的上表面和侧表面二者接触。
8.根据权利要求1所述的封装结构，还包括与所述有机层堆叠设置的第一无机层；其中，
所述有机层设置于所述第一无机层的远离所述衬底基板的一侧；
所述第一无机层覆盖所述阻隔坝，且所述第一无机层与所述阻隔坝的上表面和侧表面接触；
第一无机层的远离衬底基板的表面的覆盖所述阻隔坝的部分具有凹槽和/或突起。
9.根据权利要求8所述的封装结构，还包括与所述有机层堆叠设置的第二无机层；其中，
所述第二无机层覆盖所述有机层和所述第一无机层，且所述第二无机层与所述第一无机层的远离所述衬底基板的表面接触。
10.根据权利要求1-9任一所述的封装结构，其中，所述阻隔坝在垂直于所述衬底基板的方向上的高度小于所述有机层在垂直于所述衬底基板的方向上的厚度。
11.根据权利要求1-9任一所述的封装结构，其中，所述阻隔坝的平面形状为封闭的环形或不封闭的环形。
12.根据权利要求1-9任一所述的封装结构，其中，所述阻隔坝的平面形状包括多个沿所述有机层的边缘延伸的条形。
13.根据权利要求1-9任一所述的封装结构，其中，所述阻隔坝的个数为多个，在远离所述有机层的方向上，多个所述阻隔坝间隔排列。
14.根据权利要求1-9任一所述的封装结构，其中，所述阻隔坝的材料为疏水性材料。
15.一种电子装置，包括权利要求1-14任一所述的封装结构，其中，
所述电子装置还包括电子器件，所述电子器件设置在所述衬底基板上并被所述有机层覆盖。
16.一种封装方法，包括：
提供衬底基板；
形成阻隔坝，其中，所述阻隔坝包括远离所述衬底基板的上表面和面向所述有机层的侧表面，所述上表面和所述侧表面中的至少一方包括凹槽和/或突起；以及
在形成所述阻隔坝之后形成有机层，其中，所述阻隔坝设置在所述有机层的外侧。
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