CN116762272A - 恒温槽型压电振荡器 - Google Patents

Abstract

OCXO(1)中，核心部(5)以密闭状态被封入隔热用的封装体(2)的内部。核心部(5)包含振荡器IC(51)、晶体谐振器(50)、及加热器IC(52)，并由核心基板(4)支撑在封装体(2)中。OCXO(1)包含通过焊料接合而安装于封装体(2)的作为调节用电子部件的电容器(9)，核心部(5)被真空密封在封装体(2)中的密闭空间内，即，凹部(2a)内，电容器(9)被配置在密闭空间外，即，凹部(2e)内。

Description

恒温槽型压电振荡器

技术领域

本发明涉及一种恒温槽型压电振荡器。

背景技术

晶体谐振器等压电振子基于固有的频率温度特性，振动频率相应于温度而发生变化。于是，现有技术中出现了为使压电振子周围的温度保持恒定而将压电振子封入恒温槽内的恒温槽型压电振荡器(例如，温度控制型晶体振荡器(Oven-Controlled Xtal(crystal)Oscillator)：以下也称为“OCXO”)(例如，参照专利文献1、专利文献2)。

OCXO中，使用了被封入到作为恒温槽的封装体内的温度特性较强的部件，即，压电振子、振荡器IC、及加热器IC，但除此之外，还需要与加热器IC组合使用的作为调节用电子部件的电容器等。以往的OC XO中，这些调节用电子部件也被封入到封装体内。

通常，电容器是通过焊料安装于基板等的焊接部件。另外，一般情况下，为了提高隔热性能，OCXO被构成为，封装体内被真空密封。并且，将电容器这样的焊接部件封入到封装体内的情况下，有时会因焊料的重熔等而产生气体，导致封装体内的真空度降低。因而存在若封装体内的真空度降低，则OCXO的隔热性能也会降低这样的问题。

【专利文献1】：日本特开2012－205093号公报

【专利文献2】：日本特开2018－14705号公报

发明内容

针对上述技术问题，本发明的目的在于，提供一种能够避免隔热性能降低的恒温槽型压电振荡器。

为了解决上述技术问题，本发明的恒温槽型压电振荡器是核心部以密闭状态被封入隔热用的封装体内部的恒温槽型压电振荡器，其特征在于：所述核心部至少包含振荡器IC、压电振子、及加热器IC，并且，包含通过接合材料安装于所述封装体的电路部件，所述核心部被真空密封在所述封装体中的密闭空间内，所述电路部件配置在所述密闭空间外。

基于上述结构，通过将电路部件配置在配置有核心部的密闭空间以外的部位，能够避免因接合材料(例如，焊料)所产生的气体而使密闭空间的真空度降低的情况发生。由此，还能良好地维持恒温槽型压电振荡器的隔热性能。

另外，上述恒温槽型压电振荡器可被构成为，所述核心部通过核心基板被支撑在所述封装体中。

基于上述结构，由于通过核心基板将核心部连接在封装体中，所以能够提高对核心部隔热的隔离效果。

另外，上述恒温槽型压电振荡器可被构成为，所述核心部被安装在所述封装体的一个主面上，所述电路部件被安装在所述封装体的所述一个主面的相反侧的另一个主面上。

另外，上述恒温槽型压电振荡器可被构成为，所述密闭空间中的真空度在10Pa以下。

另外，上述恒温槽型压电振荡器中，所述压电振子可被构成为，具备第一密封部件、第二密封部件、及具有在两个主面上形成有激励电极的振动部的压电振动板，所述压电振动板的上表面、下表面分别隔着规定间隔地与所述第一密封部件、所述第二密封部件接合，配置在内部的所述振动部被气密密封。

另外，上述恒温槽型压电振荡器可被构成为，所述核心部由所述振荡器IC、所述压电振子、及所述加热器IC从上方开始依次层叠而成，俯视时，所述振荡器IC、所述压电振子、及所述加热器IC越位于上方面积越小。

另外，上述恒温槽型压电振荡器可被构成为，所述核心部与所述封装体通过引线键合而实现电连接，所述压电振子与所述封装体之间未直接用电线连接，与所述压电振子之间直接用电线连接的仅有所述振荡器IC。

发明效果:

本发明的恒温槽型压电振荡器具有能够避免因接合材料所产生的气体而使密闭空间的真空度降低、并能良好地维持恒温槽型压电振荡器的隔热性能这样的效果。

附图说明

图1是表示本发明的一种实施方式的OCXO的概要结构的截面图。

图2是表示图1中的OCXO的核心部及核心基板的概要结构的截面图。

图3是图2中的核心部所包含的晶体振荡器的截面图。

图4是图2中的核心部所包含的晶体振荡器的俯视图。

图5是表示图2中的核心部所包含的晶体振荡器的变形例的截面图。

图6是表示OCXO在变形例中的概要结构的截面图。

图7图1中的OCXO的仰视图。

图8是表示OCXO的变形例的截面图。

＜附图标记说明＞

1 OCXO(恒温槽型压电振荡器)

2 封装体

2a 凹部

2b 周壁部

2c 台阶部

2d 空间

2e 凹部

3 盖子

4 核心基板

5 核心部

50 晶体谐振器(压电振子)

51 振荡器IC

52 加热器IC

53、54、55 非导电性粘合剂

6a、6b 电线

7 非导电性粘合剂(接合材料)

8 密封材料

9 电容器(电路部件)

10 晶体振动片(压电振动板)

20 第一密封部件

21 连接端子

22 外部端子

30 第二密封部件

100 晶体振荡器

具体实施方式

以下，参照附图对本发明的实施方式进行详细说明。

如图1所示，本实施方式所涉及的OCXO1被构成为，在陶瓷等制的近似长方体的封装体2的内部配置有核心部5、并由盖子3气密密封。在封装体2上形成有上方开口的凹部2a，核心部5以气密状态被封入凹部2a的内部。盖子3通过密封材料8被固定在包围着凹部2a的周壁部2b的上表面，封装体2的内部为密闭状态(气密状态)。作为密封材料8，例如优选采用Au－Su合金、焊料等金属系密封材料，但也可以采用低熔点玻璃等密封材料。另外，不局限于此，还可以采用使用了金属环的接缝密封或不使用金属环的直接接缝密封、利用光束密封等方式的密封部件结构(若不使真空度降低，则优选接缝密封)。为了提高隔热性能，封装体2的内部空间被真空(例如真空度在10Pa以下)密封。

在封装体2的周壁部2b的内壁面上，沿顺着连接端子(省略图示)的队列形成有台阶部2c。核心部5隔着板状的核心基板4，配置在对置的一对台阶部2c之间的凹部2a的底面上。或者，台阶部2c也可以被构成为包围着凹部2a的底面的四方。核心基板4由非导电性粘合剂(接合材料)7接合在凹部2a的底面，在核心基板4的下方的部分形成有空间2d。另外，形成在核心部5的各构成部件上的外部端子(省略图示)通过电线6a、电线6b，与形成在台阶部2c的台阶面上的连接端子通过引线键合而连接。

如此，由于通过核心基板4将核心部5与封装体2连接，并在核心基板4的下方形成空间2d，能够提高对核心部5隔热的隔热效果。另外，通过在封装体2上设置一对台阶部2c、在台阶部2c上设置连接端子，能够使连接端子接近封装体2的开口部，从而核心部5与封装体2之间的引线键合变得简单易行。另外，较佳为，俯视时，用于将核心基板4接合在封装体2上的接合区域(非导电性粘合剂7的涂布区域)不与核心基板4的上表面中的核心部5的配置区域相重叠。

另外，在OCXO1中，包含有作为与加热器IC52组合使用的调节用电子部件的电容器9(图1中有三个)。电容器9是通过焊料安装于封装体2的焊接部件(电路部件)。在作为焊接部件的电容器9与核心部5一起配置在封装体2内的情况下，有可能因作为接合材料的焊料的重熔等而产生气体，从而导致封装体2内的真空度降低。若封装体2内的真空度降低，则OCXO1的隔热性能也会降低。

因此，在图1所示的OCXO1中，封装体2上除了形成有上方开口的凹部2a之外，还形成有下方开口的凹部2e，电容器9被配置在凹部2e内。另外，电容器9与安装于核心部5的部件(后述的振荡器IC51、晶体谐振器50、及加热器IC52)不同，是温度特性较弱(不容易受温度影响)的部件，因而没有必要用盖子等将凹部2e密封。

如此，通过将作为焊接部件的电容器9配置在配置有核心部5的密闭空间(凹部2a所形成的密闭空间)以外的部位，能够避免配置有核心部5的密闭空间的真空度因焊料产生的气体而降低。由此，还能良好地维持OCXO1的隔热性能。另外，对于电容器9等配置在部外(密闭空间外)的电路部件的安装区域(该例中凹部2e的一部分或全部等)，也可以用密封树脂进行密封，在此情况下，通过用密封树脂覆盖，能够提高电路部件与外部空间之间的隔热効果。

另外，通过将电容器9配置在配置有核心部5的密闭空间外，还能减小该密闭空间的热容量。通过减小密闭空间的热容量，能够以小功率进行温度控制，并能提高核心部5的温度跟随性。

下面，参照图2对核心部5进行说明。图2中示出核心部5被安装在核心基板4上的状态。核心部5是通过将OCXO1中使用的各种电子部件封装而构成的，采用由振荡器IC51、晶体谐振器(压电振子)50、及加热器IC52从上侧开始依次层叠的三层结构(层叠结构)。俯视时，振荡器IC51、晶体谐振器50、及加热器IC52越位于上方面积越小。核心部5被构成为，特别是通过对温度特性强的晶体谐振器50、振荡器IC51、及加热器IC52进行温度调节，而使OCXO1的振荡频率稳定。另外，核心部5的各种电子部件未由密封树脂密封，但也可以根据密封气氛而用密封树脂进行密封。

由晶体谐振器50和振荡器IC51构成晶体振荡器100。振荡器IC51通过多个金属凸点安装在晶体谐振器50上。通过由振荡器IC 51控制晶体谐振器50的压电振动，OCXO1的振荡频率得到控制。有关晶体振荡器100的详细结构，将于后述。

在晶体谐振器50与振荡器IC51彼此相向的相向面之间，存在非导电性粘合剂53，通过非导电性粘合剂53，晶体谐振器50和振荡器IC51彼此相向的相向面被固定。在此情况下，晶体谐振器50的上表面与振荡器IC51的下表面通过非导电性粘合剂53相接合。

俯视时，振荡器IC51的面积小于晶体谐振器50的面积，且振荡器IC51的整体位于晶体谐振器50的范围内。振荡器IC51的下表面的整体与晶体谐振器50的上表面相接合。

加热器IC52例如是通过将发热体(热源)、用于控制发热体的温度的控制电路(电流控制用的电路)、及用于检测发热体的温度的温度传感器构成为一体而获得的。通过由加热器IC52进行核心部5的温度控制，核心部5的温度被维持为大致一定的温度，从而能够实现OCXO1的振荡频率的稳定化。

在晶体谐振器50与加热器IC52彼此相向的相向面之间，存在非导电性粘合剂54，通过非导电性粘合剂54，晶体谐振器50与加热器IC52彼此相向的相向面被固定。在此情况下，晶体谐振器50的下表面与加热器IC52的上表面通过非导电性粘合剂54相接合。

俯视时，晶体谐振器50的面积小于加热器IC52的面积，且晶体谐振器50的整体位于加热器IC52的范围内。晶体谐振器50的下表面的整体与加热器IC52的上表面相接合。

在加热器IC52与核心基板4彼此相向的相向面之间，存在非导电性粘合剂55，通过非导电性粘合剂55，加热器IC52与核心基板4彼此相向的相向面被固定。作为非导电性粘合剂(53、54、55)，例如可使用聚酰亚胺系粘合剂、环氧系粘合剂等。

图2所示的核心部5中，在晶体谐振器50及加热器IC52的上表面上形成有引线键合用的外部端子。在此，晶体谐振器50及加热器IC 52的引线键合不在将核心部5安装于封装体2之前进行，而在将核心部5安装于封装体2之后进行。即，如图1所示，将核心部5安装于封装体2之后，在晶体谐振器50的上表面上形成的外部端子通过电线6a与在台阶部2c的台阶面上形成的连接端子连接。另外，在加热器IC52的上表面上形成的外部端子通过电线6b与在台阶部2c的台阶面上形成的连接端子连接。如此，通过在将核心部5安装于封装体2之后再进行引线键合，能够高效地进行引线键合。

另外，本发明中，不局限于晶体谐振器50和加热器IC52通过引线键合而与封装体2直接电连接的结构。即，也可以采用晶体谐振器50和加热器IC52通过核心基板4而与封装体2电连接的结构。在此情况下，可以在核心基板4上形成中转布线，通过引线键合或倒装芯片键合来实现晶体谐振器50和加热器IC52与核心基板4之间的连接。另外，有关核心基板4与封装体2之间的连接，在封装体2的与核心基板4相向的相向面上形成连接端子，通过导电性粘合剂将核心基板4和封装体2的连接端子彼此连接即可(取代图1中的非导电性粘合剂7，使用导电性粘合剂)。在此情况下，不一定需要图1中的台阶部2c，可以将其省略。

另外，较佳为，如图1所示那样，采用利用非导电性粘合剂7实现的封装体2与核心基板4之间的机械性接合与利用引线键合实现的核心部5与封装体2之间的电连接相分离的结构，这样，能够获得使机械性接合和电连接这两方的可靠性均得到提高的效果。例如，作为将封装体2与核心基板4连接的非导电性粘合剂7，优选即使受到外部应力的影响，机械性接合强度也不容易降低的具有柔软性的材料。另外，核心部5与封装体2之间的引线键合中，通过使用电阻较小的金属丝，不容易产生共同阻抗噪声，从而能够提高恒温槽型压电振荡器的CN特性。

对核心部5所使用的晶体谐振器50的种类没有特别限定，但优选使用易于使器件薄型化的三明治结构的器件。三明治结构的器件是由第一密封部件、第二密封部件、及压电振动板构成的器件，其中，第一密封部件和第二密封部件由玻璃或水晶构成，压电振动板例如由水晶构成并具有在两个主面上形成有激励电极的振动部，第一密封部件与第二密封部件隔着压电振动板层叠并接合，配置在内部的压电振动板的振动部被气密密封。

参照图3和图4，对这样的三明治结构的晶体谐振器50与振荡器I C51被设置为一体的晶体振荡器100的一例进行说明。图3是晶体振荡器100的截面图(图4中的A－A截面图)，图4是晶体振荡器100的俯视图。另外，三明治结构的晶体谐振器本身属于公知技术，因而省略对晶体谐振器50的内部结构的详细说明。

如图3所示，晶体振荡器100具备晶体振动片(压电振动板)10、第一密封部件20、第二密封部件30、及振荡器IC51。该晶体振荡器100中，晶体振动片10与第一密封部件20通过环状的密封接合部41相接合，晶体振动片10与第二密封部件30通过环状的密封接合部42相接合，从而构成近似长方体的三明治结构的封装体。密封接合部41、密封接合42例如可采用在晶体振动片10、第一密封部件20、及第二密封部件30各自的接合面上形成表面为Au层的接合图案(例如，从最下层侧起形成有Ti层和Au层的接合图案)，并利用接合面彼此贴合时的Au－Au扩散接合而进行接合的结构。基于该结构，能够使晶体振动片10与各密封部件(20、30)之间的间隙尺寸非常小，达到0.15μm～1μm左右，从而能够成为有利于实现薄型化和核心部5的热容量缩小化的结构。

即，晶体振荡器100中，通过使形成有振动部(省略图示)的晶体振动片10的两个主面分别与第一密封部件20、第二密封部件30接合而形成封装体的内部空间(空腔)，晶体振动片10的振动部被气密密封在该内部空间中。在第一密封部件20上安装的振荡器IC51是与晶体振动片10一起构成振荡电路的单芯片集成电路元件。

如图4所示，在晶体谐振器50的上表面上形成有连接端子21、外部端子22。连接端子21的一端(外周侧端部)与振动部的激励电极(通过晶体谐振器50内的布线、贯穿孔)电连接，连接端子21的另一端(内周侧端部)与振荡器IC51连接。另外，外部端子22的一端(外周侧端部)用于与封装体2之间的引线键合，外部端子22的另一端(内周侧端部)与振荡器IC51连接。振荡器IC51通过使用了金属凸点的F CB法，与连接端子21、外部端子22连接。

另外，图3所示的核心部5中，振荡器IC51通过多个金属凸点21(即，通过倒装芯片键合)安装在晶体谐振器50上。然而，本发明不局限于此，也可以如图5所示那样，振荡器IC51芯片键合在晶体谐振器50上，并与晶体谐振器50通过引线键合而电连接。另外，也可以在晶体谐振器50的背面(与加热器IC52接合的接合面)上，形成用于在OCXO1工作时被施加GND电位的粘性电极43。

将振荡器IC51芯片键合到晶体谐振器50上的结构中，与倒装芯片键合相比，振荡器IC51与晶体谐振器50之间的接触面积增大，因振荡器IC51而产生的热量的影响更容易经由晶体谐振器50传到承担温度控制的加热器IC52。因此，能够使核心部5中的温度，即，振荡器IC51、晶体谐振器50、及加热器IC52的温度高效地传到加热器IC52所具备的温度传感器，从而能够进行高精度的温度控制。

即，原本希望晶体谐振器50不受作为加热器以外的热源的振荡器I C51的影响，但实际上较为困难。这样的话，如果能将振荡器IC51所引起的晶体谐振器50的温度变化高效地传给加热器IC52的温度传感器，则易于控制。

另外，在振荡器IC51与晶体谐振器50通过引线键合而电连接的情况下，核心部5与封装体2之间的引线键合中，如图6所示那样，晶体谐振器50与封装体2之间不直接采用电线连接，较佳为，与晶体谐振器50直接电线连接的只有振荡器IC51。图6中，仅是晶体谐振器50与振荡器IC51通过电线6c连接。该结构中，能够防止热量从晶体谐振器50通过电线逃逸到封装体2。其结果，能够带来对晶体谐振器50隔热的隔热性能提高、及对晶体谐振器50进行温度控制的性能提高这样的优点。

本实施方式所涉及的OCXO1通过使用将振荡器IC51、晶体谐振器50、及加热器IC52层叠配置而成的核心部5，能够减小核心部5的热容量。核心部5的热容量减小，则易于以小功率进行温度控制，而且，能够使核心部5的温度跟随性提高、使OCXO1的稳定性提高。另外，在OCXO1的热容量减小的情况下，容易受到外部温度变化的影响，但由于核心部5与封装体2之间隔着核心基板4，所以能够减轻应力和热量的逃逸。

本实施方式中，三个电容器9被安装在封装体2上的、一个主面的反面侧的另一个主面(在此情况下是凹部2e的底面)上。如图7所示，电容器9通过焊料与在封装体2的凹部2e的底面上形成的安装垫9a(电路部件用安装垫)接合。在此，图7中省略了电容器9的图示，用点划线仅示出电容器9的配置区域。每一对安装垫9a分别沿着封装体2的短边方向对置，三个电容器9各自的封装体2的短边方向的两个端部与一对安装垫9a接合。

如图7所示，三对安装垫9a在封装体2的长边方向上彼此隔开规定间隔地排列。各安装垫9a以岛状分布在封装体2的底面上。另外，俯视时封装体2及三个电容器9分别为矩形，相对于封装体2的短边方向的中心线L1和长边方向的中心线L2，三个电容器9对称地配置。在此情况下，三个电容器9的配置部位只要相对于中心线L1、中心线L2线对称即可。另外，在封装体2的下表面，形成有用于通过焊料等将OCXO1与设置在外部的外部电路基板(省略图示)电连接的多个(图7中是八个)外部连接端子2f。

本实施方式中，由于三个电容器9相对于封装体2的短边方向的中心线L1和长边方向的中心线L2对称地配置，所以能够实现封装体2整体的热分布均一化。由此，封装体2整体的热传递不容易偏，能够实现OC XO1的温度控制及特性的稳定化。另外，有关电容器9的朝向和间隔，也是以良好的状态配置，因而，相对于封装体2的另一个主面的安装区域，电容器9的安装位置上不存在浪费，从而能够使安装性能提高。

另外，对封装体2的另一个主面上安装的电容器9的数目没有特别限定，电容器9的数目也可以不是三个。另外，也可以将电容器9以外的电路部件安装在封装体2的另一个主面。另外，所有的电路部件的大小(体积、表面积)可以不相同。

在图7的例中，三个电容器9相对于中心线L1、中心线L2的两方均线对称地配置，但只要相对于中心线L1和中心线L2中的至少一方线对称即可。例如，也可以是，三个电容器9仅相对于封装体2的短边方向的中心线L1线对称即可；或者，三个电容器9仅相对于封装体2的长边方向的中心线L2线对称即可。由此，能够保持封装体2在特定的边方向上的热传递的对称性，从而热传递不容易偏，能够实现OCXO1的温度控制和特性的稳定化。

本次公开的实施方式是对所有方面的示例，不作为限定性解释的依据。因而，本发明的技术范围不能仅根据上述实施方式来解释，而需根据权利要求书的范围来界定。并且，本发明包含与权利要求书同等的意味及范围内的所有变更。

例如，上述实施方式中，使用了包含三明治结构的晶体谐振器50的晶体振荡器100，但本发明不局限于此，也可以使用三明治结构以外的振荡器(例如，SMD(SurfaceMount Device，表面贴装器件)型的振荡器)。

另外，对OCXO1所包含的加热器的数目没有特别的限定，OCX O1除了加热器IC52所包含的加热器以外，还可具有其它的加热器。例如，可以考虑，在核心部5的上部进一步追加了加热器的结构、在封装体2内除核心部5以外配置的电路部件的安装区域中追加了加热器的结构、及在封装体2主体中埋入了膜状的加热器的结构等。

另外，上述实施方式中，封装体2被构成为，凹部2a及凹部2e分别被形成在不同的主面上的H型封装体，但本发明不局限于此，例如也可以采用如图8所示那样的平置封装体或双重叠合封装体。

图8所示的平置封装体的OCXO1被构成为，作为核心部5的安装部并为密闭空间的凹部2a与配置有电容器9的凹部2e在封装体2的同一个主面上排列。另外，作为双重叠合封装体的OCXO1，省略了图示，可以采用仅一方有凹部的封装体在上下方向上层叠并在机电上接合，用盖子将上侧的封装体气密密封的结构。在此情况下，可以为，上侧的封装体被构成为，在图1所示的凹部中收纳核心部5的结构；下侧的封装体中仅收纳电容器。进一步，作为其它的OCXO1，也可以采用在图1的盖子3上配置电容器9的结构。

这样的平置封装体、双重叠合封装体也能够将作为焊接部件的电容器9配置在配置有核心部5的密闭空间以外的部位，从而能够获得与图1所示的H型封装体的OCXO1相同的效果。

另外，上述核心部5采用了振荡器IC51、晶体谐振器50、及加热器IC52从上侧开始依次层叠的三层结构，但本发明不局限于此，也可以采用在加热器IC52上平置(横向排列)振荡器IC51和晶体谐振器50的结构。该结构中，晶体谐振器50不容易受到来自振荡器IC 51的热量的影响，容易使晶体谐振器50及加热器IC52的温度均一化，因而，利用加热器IC52所具备的温度传感器，能够对作为温度控制对象的晶体谐振器50进行高精度的温度控制。

本申请基于2021年2月25日在日本提出申请的特愿2021－028791号要求优先权。不言而喻，其所有内容被导入于本申请。

Claims (7)

1.一种恒温槽型压电振荡器，核心部以密闭状态被封入隔热用的封装体的内部，其特征在于：

所述核心部至少包含振荡器IC、压电振子、及加热器IC，

并且，包含通过接合材料安装于所述封装体的电路部件，

所述核心部被真空密封在所述封装体中的密闭空间内，

所述电路部件配置在所述密闭空间外。

2.根据权利要求1所述的恒温槽型压电振荡器，其特征在于：

所述核心部通过核心基板被支撑在所述封装体中。

3.根据权利要求1或2所述的恒温槽型压电振荡器，其特征在于：

所述核心部被安装在所述封装体的一个主面上，

所述电路部件被安装在所述封装体的所述一个主面的相反侧的另一个主面上。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的恒温槽型压电振荡器，其特征在于：

所述密闭空间中的真空度在10Pa以下。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的恒温槽型压电振荡器，其特征在于：

所述压电振子被构成为，具备第一密封部件、第二密封部件、及具有在两个主面上形成有激励电极的振动部的压电振动板，所述压电振动板的上表面、下表面分别隔着规定间隔地与所述第一密封部件、所述第二密封部件接合，配置在内部的所述振动部被气密密封。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的恒温槽型压电振荡器，其特征在于：

所述核心部由所述振荡器IC、所述压电振子、及所述加热器IC从上方开始依次层叠而成，

俯视时，所述振荡器IC、所述压电振子、及所述加热器IC越位于上方面积越小。

7.根据权利要求1～6中任意一项所述的恒温槽型压电振荡器，其特征在于：

所述核心部与所述封装体通过引线键合而实现电连接，

所述压电振子与所述封装体之间未直接用电线连接，与所述压电振子之间直接用电线连接的仅有所述振荡器IC。