CN116666414A - 显示装置 - Google Patents

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王丁国
康起宁
金仁杓
金宰熙
张殷齐
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Abstract

本发明提供一种显示装置。根据一实施例的显示装置包括：基板；第一电极和第二电极，布置在所述基板上，并且彼此并排地延伸且彼此相隔；发光元件，布置在所述第一电极和所述第二电极上；第一绝缘层，覆盖所述发光元件的至少一部分；第一连接电极，布置在所述发光元件上，并且与所述发光元件的一端部接触；以及第二连接电极，布置在所述发光元件和所述第一绝缘层上，并且与所述发光元件的另一端部接触，其中，所述第一连接电极和所述第二连接电极在厚度方向上彼此重叠。

Description

显示装置
技术领域
本发明涉及一种显示装置。
背景技术
随着多媒体的发展，显示装置的重要性正在增加。响应于此，正在使用诸如有机发光显示装置(OLED：Organic Light Emitting Display)、液晶显示装置(LCD：LiquidCrystal Display)等多种种类的显示装置。
作为显示显示装置的图像的装置存在包括发光元件的自发光显示装置。自发光显示装置包括包含将有机物用作发光物质的发光元件的有机发光显示装置或者包含将无机物用作发光物质的发光元件的无机发光显示装置等。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于提供一种能够防止电极以及发光元件在工序中因静电而受损的显示装置。
本发明的技术问题并不局限于以上所提及的技术问题，未提及的其他技术问题可以通过以下记载被本领域技术人员明确地理解。
用于解决上述技术问题的根据一实施例的显示装置可以包括：基板；第一电极和第二电极，布置在所述基板上，并且彼此并排地延伸且彼此相隔；发光元件，布置在所述第一电极和所述第二电极上；第一绝缘层，覆盖所述发光元件的至少一部分；第一连接电极，布置在所述发光元件上，并且与所述发光元件的一端部接触；以及第二连接电极，布置在所述发光元件和所述第一绝缘层上，并且与所述发光元件的另一端部接触，其中，所述第一连接电极和所述第二连接电极可以在厚度方向上彼此重叠。
所述第二连接电极的在所述发光元件的长度方向上的宽度可以大于所述第一连接电极的在所述发光元件的长度方向上的宽度。
所述第一连接电极可以与各个所述发光元件的一部分重叠，所述第二连接电极可以与整个所述发光元件重叠。
所述第一连接电极可以与所述第一电极重叠而不与所述第二电极重叠，所述第二连接电极可以与所述第一电极和所述第二电极重叠。
所述第二连接电极的面积可以大于所述第一连接电极的面积。
所述第一绝缘层包括：第一开口部，暴露所述发光元件的一端部；以及第二开口部，暴露所述发光元件的另一端部，其中，所述第二开口部的面积可以大于所述第一开口部的面积。
所述第一连接电极可以通过所述第一开口部而与所述发光元件接触，并且所述第二连接电极可以通过所述第二开口部而与所述发光元件接触。
所述第二连接电极与所述发光元件的接触面积可以大于所述第一连接电极与所述发光元件的接触面积。
显示装置还可以包括第二绝缘层，所述第二绝缘层布置在所述第一连接电极与所述第二连接电极之间，并且使所述第一连接电极与所述第二连接电极绝缘。
所述第一绝缘层和所述第二绝缘层可以包括：第三开口部，布置在所述第一开口部与所述第二开口部之间，并且暴露所述发光元件的上表面，其中，所述第二连接电极可以通过所述第三开口部而与所述发光元件的上表面接触。
所述第一连接电极可以在平面上与所述第三开口部相隔。
并且，根据一实施例的显示装置可以包括：基板；第一电极和第二电极，布置在所述基板上，并且彼此并排地延伸且彼此相隔；发光元件，布置在所述第一电极和所述第二电极上；第一绝缘层，包括暴露所述发光元件的一部分区域的开口部；第一连接电极，布置在所述发光元件上，并且与所述发光元件的一端部接触；以及第二连接电极，布置在所述发光元件和所述第一绝缘层上，并且与所述发光元件的另一端部接触，其中，所述第二连接电极与所述发光元件的接触面积可以大于所述第一连接电极与所述发光元件的接触面积。
所述第一绝缘层的所述开口部可以包括：第一开口部，暴露所述发光元件的一端部；以及第二开口部，暴露所述发光元件的另一端部，其中，所述第一连接电极可以通过所述第一开口部而与所述发光元件的一端部接触，所述第二连接电极可以通过所述第二开口部而与所述发光元件的另一端部接触。
所述第一绝缘层的所述开口部还可以包括：第三开口部，布置在所述第一开口部与所述第二开口部之间，并且暴露所述发光元件的上表面的一部分，其中，所述第二连接电极可以通过所述第三开口部而与所述发光元件的上表面的一部分接触。
所述第二开口部的面积可以大于所述第一开口部的面积且大于所述第三开口部的面积，所述第三开口部的面积可以小于所述第一开口部的面积。
所述第二连接电极的面积可以大于所述第一连接电极的面积。
所述第一连接电极和所述第二连接电极可以在厚度方向上彼此重叠。
并且，根据一实施例的显示装置可以包括：基板；第一电极和第二电极，布置在所述基板上，并且彼此并排地延伸且彼此相隔；发光元件，布置在所述第一电极和所述第二电极上；第一绝缘层，覆盖所述发光元件的至少一部分且包括有机物；第一连接电极，布置在所述发光元件和所述第一绝缘层上，并且与所述发光元件的一端部接触；以及第二连接电极，布置在所述发光元件和所述第一绝缘层上，并且与所述发光元件的另一端部接触，其中，所述第一绝缘层可以包括上表面的至少一部分向上部突出的突出部。
所述第一连接电极可以从所述第一绝缘层的一侧表面向所述突出部的一侧表面延伸，并且所述第二连接电极可以从所述第一绝缘层的另一侧表面向所述突出部的另一侧表面延伸。
所述第一连接电极和所述第二连接电极可以布置为将所述突出部置于其之间而彼此相隔。
其他实施例的具体事项包括于详细的说明以及附图中。
基于根据实施例的显示装置，可以形成过电流保护结构，以使在执行工序的过程中产生的静电泄漏。据此，能够防止第二连接电极以及发光元件因静电而受损，因而能够改善显示装置的暗点不良。
根据实施例的效果并不局限于以上例示的内容，更加多样的效果包括在本说明书内。
附图说明
图1是根据一实施例的显示装置的示意性的平面图。
图2是示出根据一实施例的显示装置所包括的多条布线的布置的平面图。
图3是根据一实施例的显示装置的一子像素的等效电路图。
图4是示出根据一实施例的显示装置的一像素的平面图。
图5是沿图4的E1-E1'线剖切的剖面图。
图6是沿图4的E2-E2'线剖切的剖面图。
图7是放大图5的A区域的剖面图。
图8是示出根据一实施例的显示装置的第一连接电极和第二连接电极的平面图。
图9是根据一实施例的发光元件的示意图。
图10是示出根据另一实施例的显示装置的剖面图。
图11是放大图10的B区域的剖面图。
图12是示意性地示出根据另一实施例的显示装置的第二绝缘层的平面图。
图13是示出根据又一实施例的显示装置的剖面图。
图14是放大图13的C区域的剖面图。
图15是示意性地示出根据又一实施例的显示装置的第二绝缘层的平面图。
图16是示出根据又一实施例的显示装置的剖面图。
图17是放大图16的D区域的剖面图。
图18是示出根据又一实施例的显示装置的一子像素的平面图。
图19是沿图18的E4-E4'线剖切的剖面图。
图20是沿图18的E5-E5'线剖切的剖面图。
图21是示意性地示出根据又一实施例的显示装置的各个连接电极的平面图。
附图标记说明
10：显示装置 RME1：第一电极
RME2：第二电极 PAS1：第一绝缘层
PAS2：第二绝缘层 PAS3：第三绝缘层
ED：发光元件 CNE1：第一连接电极
CNE2：第二连接电极 OP1：第一开口部
OP2：第二开口部 OP3：第三开口部
PRO：突出部
具体实施方式
参照与附图一起详细后述的实施例，可以明确本发明的优点和特征以及达成这些的方法。然而本发明可以以互不相同的多种形态来实现，而不局限于以下公开的实施例，提供本实施例的目的仅在于使得本发明的公开得以完整，并向本发明所属技术领域中具有普通知识的人完整地告知发明的范围，本发明仅由权利要求的范围来定义。
提及元件(elements)或者层在其他元件或者层“上(on)”的情形包括在其他元件或层的紧邻的上方的情形或者在中间夹设有其他层或者其他元件的情形。贯穿整个说明书，相同的附图标记指代相同的构成要素。用于说明实施例的附图中所公开的形状、尺寸、比率、角度、数量等是示例性的，因此本发明并不局限于图示的事项。
虽然第一、第二等术语用于叙述多种构成要素，但这些构成要素显然不受限于这些术语。这些术语仅用于将一个构成要素与另一构成要素进行区分。因此，以下提及的第一构成要素在本发明的技术思想内，显然也可以是第二构成要素。
本发明的多个实施例的各个特征能够局部地或整体地相互结合或组合，并且能够在技术上进行多样的联动及驱动，各个实施例对于彼此而言能够独立地进行实施，也能够以相关关系一同实施。
以下，参照附图针对具体的实施例进行说明。
图1是根据一实施例的显示装置的示意性的平面图。
参照图1，显示装置10显示视频或静止图像。显示装置10可以指提供显示画面的所有电子装置。例如，显示装置10可以包括提供显示画面的电视、笔记本计算机、监视器、广告牌、物联网装置、移动电话、智能电话、平板个人计算机(PC：Personal Computer)、电子表、智能手表、手表电话、头戴式显示器、移动通信终端、电子记事本、电子书、便携式多媒体播放器(PMP：Portable Multimedia Player)、导航仪、游戏机、数码相机、摄像机等。
显示装置10包括提供显示画面的显示面板。显示面板的示例可以包括无机发光二极管显示面板、有机发光显示面板、量子点发光显示面板、等离子体显示面板、场发射显示面板等。以下，作为显示面板的一例，例示了应用无机发光二极管显示面板的情形，但并不限于此，只要能够应用相同的技术思想，则也可以应用于其他显示面板。
显示装置10的形状可以多样地变形。例如，显示装置10可以具有横向长度长的矩形，纵向长度长的矩形、正方形、边角部(顶角)圆滑的四边形、其他多边形、圆形等形状。显示装置10的显示区域DPA的形状也可以与显示装置10的整体形状相似。在图1中，示出了在第二方向DR2上的长度长的矩形形状的显示装置10。
显示装置10可以包括显示区域DPA和非显示区域NDA。显示区域DPA是能够显示画面的区域，非显示区域NDA是不显示画面的区域。显示区域DPA也可以被称为有效区域，非显示区域NDA也可以被称为非有效区域。显示区域DPA可以大致占据显示装置10的中央。
显示区域DPA可以包括多个像素PX。多个像素PX可以沿行列方向排列。各个像素PX的形状在平面上可以为矩形或正方形，但并不限于此，也可以是各个边相对于一方向倾斜的菱形形状。各个像素PX可以排列为条纹型或岛型。并且，像素PX中的每一个可以包括一个以上的发出特定波长带的光的发光元件而显示特定颜色。
显示区域DPA的周边可以布置有非显示区域NDA。非显示区域NDA可以将显示区域DPA全部或者局部地围绕。显示区域DPA可以是矩形形状，非显示区域NDA可以布置为与显示区域DPA的四个边相邻。非显示区域NDA可以构成显示装置10的边框。在各个非显示区域NDA中，可以布置有包括在显示装置10中的布线或电路驱动部，或者贴装有外部装置。
图2是示出根据一实施例的显示装置所包括的多条布线的布置的平面图。
参照图2，显示装置10可以包括多条布线。显示装置10可以包括多条扫描线SL、多条数据线DTL、初始化电压布线VIL以及多条电压布线VL等。虽未在附图中图示，但显示装置10还可布置有其他布线。
第一扫描线SL1和第二扫描线SL2可以沿第一方向DR1延伸而布置。第一扫描线SL1和第二扫描线SL2可以布置为彼此相邻的状态，并且与其他第一扫描线SL1和第二扫描线SL2可以沿第二方向DR2相隔布置。第一扫描线SL1和第二扫描线SL2可以与连接于扫描驱动部(未图示)的扫描布线垫WPD_SC连接。第一扫描线SL1和第二扫描线SL2可以从布置在非显示区域NDA的垫区域PDA延伸至显示区域DPA而布置。
第三扫描线SL3可以沿第二方向DR2延伸而布置，并且与其他第三扫描线SL3沿第一方向DR1相隔布置。一条第三扫描线SL3可以与一条以上的第一扫描线SL1或者一条以上的第二扫描线SL2连接。在一实施例中，第一扫描线SL1和第二扫描线SL2可以利用布置在与第三扫描线SL3不同层的导电层构成。多条扫描线SL可以在显示区域DPA的整个表面上具有网格(Mesh)结构，但并不限于此。
另外，在本说明书中，“连接”的含义不仅可以表示一个部件与另一部件通过相互物理接触而连接，而且也可以表示通过其他部件而连接。并且，可以理解为，作为一体化的一个部件，一部分和另一部分由于一体化的部件而相互连接。进一步地，一个部件与另一部件的连接可以被解释为，除了直接接触的连接以外还包括通过另一部件的电连接的含义。
数据线DTL可以沿第一方向DR1延伸而布置。数据线DTL包括第一数据线DTL1、第二数据线DTL2以及第三数据线DTL3，一条第一数据线DTL1、一条第二数据线DTL2和一条第三数据线DTL3形成一个组而彼此相邻地布置。各数据线DTL1、DTL2、DTL3可以布置为从布置在非显示区域NDA的垫区域PDA延伸至显示区域DPA。但并不限于此，多条数据线DTL可以在后述的第一电压布线VL1与第二电压布线VL2之间以等间隔相隔而布置。
初始化电压布线VIL可以沿第一方向DR1延伸而布置。初始化电压布线VIL可以布置在数据线DTL与第一扫描线SL1以及第二扫描线SL2之间。初始化电压布线VIL可以布置为从布置在非显示区域NDA的垫区域PDA延伸至显示区域DPA。
第一电压布线VL1和第二电压布线VL2沿第一方向DR1延伸而布置，并且第三电压布线VL3和第四电压布线VL4沿第二方向DR2延伸而布置。第一电压布线VL1和第二电压布线VL2可以沿第二方向DR2交替布置，并且第三电压布线VL3和第四电压布线VL4可以沿第一方向DR1交替布置。第一电压布线VL1和第二电压布线VL2可以沿第一方向DR1延伸并横跨显示区域DPA而布置，并且第三电压布线VL3和第四电压布线VL4各自的一部分布线可以布置在显示区域DPA，其他布线可以布置在位于显示区域DPA的第一方向DR1两侧的非显示区域NDA。第一电压布线VL1和第二电压布线VL2可以利用布置在与第三电压布线VL3和第四电压布线VL4不同层的导电层构成。第一电压布线VL1可以与至少一条第三电压布线VL3连接，第二电压布线VL2可以与至少一条第四电压布线VL4连接，多条电压布线VL可以在显示区域DPA的整个表面上具有网格(Mesh)结构。然而，并不限于此。
第一扫描线SL1、第二扫描线SL2、数据线DTL、初始化电压布线VIL、第一电压布线VL1和第二电压布线VL2可以与至少一个布线垫WPD电连接。各布线垫WPD可以布置于非显示区域NDA。在一实施例中，各布线垫WPD可以布置于位于显示区域DPA的作为第一方向DR1的另一侧的下侧的垫区域PDA。第一扫描线SL1和第二扫描线SL2连接于布置在垫区域PDA的扫描布线垫WPD_SC，多条数据线DTL中的每一条连接于彼此不同的数据布线垫WPD_DT。初始化电压布线VIL连接于初始化布线垫WPD_Vint，第一电压布线VL1连接于第一电压布线垫WPD_VL1，而且第二电压布线VL2连接于第二电压布线垫WPD_VL2。外部装置可以贴装于布线垫WPD上。外部装置可以通过各向异性导电膜、超声波接合等而被贴装在布线垫WPD上。在附图中，例示出各布线垫WPD布置在布置于显示区域DPA的下侧的垫区域PDA的情形，但并不限于此。多条布线垫WPD中的一部分也可以布置在显示区域DPA的上侧或者左右侧中的任一区域。
显示装置10的各个像素PX或者子像素SPXn(n是1至3的整数)包括像素驱动电路。上述的布线可以在穿过各个像素PX或其周围的同时向各个像素驱动电路施加驱动信号。像素驱动电路可以包括晶体管和电容器。各个像素驱动电路的晶体管和电容器的数量可以多样地变更。根据一实施例，显示装置10的各个子像素SPXn可以为像素驱动电路包括三个晶体管和一个电容器的3T1C结构。以下将3T1C结构作为示例而对像素驱动电路进行说明，但并不限于此，也可以应用2T1C结构、7T1C结构、6T1C结构等其他多样的变形结构。
图3是根据一实施例的显示装置的一子像素的等效电路图。
参照图3，根据一实施例的显示装置10的各个子像素SPXn除了包括发光二极管EL之外，还包括三个晶体管T1、T2、T3和一个存储电容器Cst。
发光二极管EL根据通过第一晶体管T1供应的电流而发光。发光二极管EL可以包括第一电极、第二电极以及布置于它们之间的至少一个发光元件。所述发光元件可以借由从第一电极和第二电极传输的电信号而发出特定波长带的光。
发光二极管EL的一端可以连接于第一晶体管T1的源极电极，另一端可以连接于供应比第一电压布线VL1的高电位电压(以下，称为第一电源电压)低的低电位电压(以下，称为第二电源电压)的第二电压布线VL2。
第一晶体管T1根据栅极电极与源极电极的电压差来调节从供应第一电源电压的第一电压布线VL1流向发光二极管EL的电流。作为一示例，第一晶体管T1可以是用于驱动发光二极管EL的驱动晶体管。第一晶体管T1的栅极电极可以连接于第二晶体管T2的源极电极，源极电极可以连接于发光二极管EL的第一电极，并且漏极电极可以连接于被施加第一电源电压的第一电压布线VL1。
第二晶体管T2被第一扫描线SL1的扫描信号导通而将数据线DTL连接于第一晶体管T1的栅极电极。第二晶体管T2的栅极电极可以连接于第一扫描线SL1，源极电极可以连接于第一晶体管T1的栅极电极，并且漏极电极可以连接于数据线DTL。
第三晶体管T3被第二扫描线SL2的扫描信号导通而将初始化电压布线VIL连接于发光二极管EL的一端。第三晶体管T3的栅极电极可以连接于第二扫描线SL2，漏极电极可以连接于初始化电压布线VIL，并且源极电极可以连接于发光二极管EL的一端或者第一晶体管T1的源极电极。
虽然在附图中示出了第二晶体管T2和第三晶体管T3的栅极电极中的每一个与彼此不同的扫描线SL1、SL2电连接的情形，但并不限于此。在若干实施例中，第二晶体管T2和第三晶体管T3的栅极电极也可以分别与彼此相同的扫描线电连接。
在一实施例中，各个晶体管T1、T2、T3的源极电极和漏极电极不限于上述的情况，也可以是与此相反的情况。并且，晶体管T1、T2、T3中的每一个可以利用薄膜晶体管(thinfilm transistor)形成。并且，在图3中，以各个晶体管T1、T2、T3利用N型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET：Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)形成的情况为中心进行了说明，但并不限于此。即，各个晶体管T1、T2、T3可以利用P型MOSFET形成，或者也可以为一部分利用N型MOSFET形成，另一部分利用P型MOSFET形成。
存储电容器Cst形成于第一晶体管T1的栅极电极与源极电极之间。存储电容器Cst存储第一晶体管T1的栅极电压与源极电压的电压差。
以下，进一步参照其他附图对根据一实施例的显示装置10的一像素PX的结构进行详细说明。
图4是示出根据一实施例的显示装置的一像素的平面图。图4示出了布置于显示装置10的一像素PX的电极RME、堤图案BP1、BP2和堤层BNL、多个发光元件ED以及连接电极CNE的平面布置。
参照图4，显示装置10的像素PX中的每一个可以包括多个子像素SPXn。例如，一个像素PX可以包括第一子像素SPX1、第二子像素SPX2以及第三子像素SPX3。第一子像素SPX1可以发出第一颜色的光，第二子像素SPX2可以发出第二颜色的光，第三子像素SPX3可以发出第三颜色的光。作为一示例，第一颜色可以是蓝色，第二颜色可以是绿色，第三颜色可以是红色。然而，并不限于此，各个子像素SPXn也可以发出相同颜色的光。在一实施例中，各个子像素SPXn可以发出蓝色的光。在附图中，示出了一个像素PX包括三个子像素SPXn的情形，但并不限于此，像素PX可以包括更多数量的子像素SPXn。
显示装置10的各个子像素SPXn可以包括发光区域EMA及非发光区域。发光区域EMA可以是布置有发光元件ED而射出特定波长带的光的区域。非发光区域可以是未布置发光元件ED且从发光元件ED发出的光未到达而不射出光的区域。
发光区域EMA可以包括布置有发光元件ED的区域以及作为与发光元件ED相邻的区域的从发光元件ED发出的光射出的区域。例如，发光区域EMA还可以包括从发光元件ED发出的光被另一部件反射或折射而射出的区域。多个发光元件ED可以布置在各个子像素SPXn，并且可以包括布置有它们的区域和与其相邻的区域而形成发光区域EMA。
在附图中示出了各个子像素SPXn的发光区域EMA具有彼此相同的面积的情形，但并不限于此。在若干实施例中，各个子像素SPXn的各个发光区域EMA还可以根据从布置于相应子像素的发光元件ED发出的光的颜色或波长带而具有彼此不同的面积。
各个子像素SPXn还可以包括布置在非发光区域的子区域SA。相应子像素SPXn的子区域SA可以布置在发光区域EMA的作为第一方向DR1的另一侧的下侧。发光区域EMA和子区域SA可以沿第一方向DR1交替排列，在沿第一方向DR1相隔的彼此不同的子像素SPXn的发光区域EMA之间可以布置有子区域SA。例如，发光区域EMA和子区域SA可以在第一方向DR1上彼此交替排列，发光区域EMA和子区域SA中的每一个可以在第二方向DR2上反复排列。然而，并不限于此，在多个像素PX中，发光区域EMA和子区域SA还可以具有与图4不同的排列。
在子区域SA中未布置有发光元件ED，从而不会射出光，但可以布置有布置在各个子像素SPXn的电极RME的一部分。布置在彼此不同的子像素SPXn的电极RME可以在子区域SA的分离部ROP彼此分离而布置。
布置在各个像素PX并与发光二极管EL接触的电路层的布线和电路元件可以分别与第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3连接。然而，所述布线与电路元件可以不与各个子像素SPXn或者发光区域EMA所占的区域相对应地布置，而是在一个像素PX内与发光区域EMA的位置无关地布置。
堤层BNL可以布置为围绕多个子像素SPXn以及发光区域EMA和子区域SA。堤层BNL可以布置在沿第一方向DR1和第二方向DR2相邻的子像素SPXn的边界，还可以布置在发光区域EMA和子区域SA的边界。显示装置10的子像素SPXn、发光区域EMA以及子区域SA可以是借由堤层BNL的布置而得以区分的区域。多个子像素SPXn和发光区域EMA以及子区域SA之间的间隔可以根据堤层BNL的宽度而不同。
堤层BNL可以包括在平面上沿第一方向DR1以及第二方向DR2延伸的部分，从而在显示区域DPA的整个表面布置为格子形图案。堤层BNL可以跨过各个子像素SPXn的边界而布置，从而区分相邻的子像素SPXn。并且，堤层BNL可以布置为围绕布置在各个子像素SPXn的发光区域EMA和子区域SA，从而区分它们。
图5是沿图4的E1-E1'线剖切的剖面图。图6是沿图4的E2-E2'线剖切的剖面图。图7是放大图5的A区域的平面图。图8是示出根据一实施例的显示装置的第一连接电极和第二连接电极的平面图。
图5示出了布置在第一子像素SPX1的发光元件ED的两端部以及横跨电极接触孔CTD、CTS的剖面，图6示出了布置在第一子像素SPX1的发光元件ED的两端部以及横跨接触部CT1、CT2的剖面。
结合图4而参照图5至图8，显示装置10可以包括基板SUB、布置在该基板SUB上的半导体层、多个导电层以及多个绝缘层。并且，显示装置10可以包括多个电极RME、发光元件ED以及连接电极CNE。所述半导体层、导电层以及绝缘层可以分别构成显示装置10的电路层。
基板SUB可以是绝缘基板。基板SUB可以利用玻璃、石英或高分子树脂等的绝缘物质构成。并且，基板SUB可以是刚性(Rigid)基板，但也可以是能够实现弯曲(Bending)、折叠(Folding)、卷曲(Rolling)等的柔性(Flexible)基板。基板SUB可以包括显示区域DPA和围绕显示区域DPA的非显示区域NDA，显示区域DPA可以包括发光区域EMA和作为非发光区域中的一部分的子区域SA。
第一导电层可以布置于基板SUB上。第一导电层包括下部金属层BML，下部金属层BML被布置为与第一晶体管T1的第一有源层ACT1重叠。下部金属层BML可以防止光入射到第一晶体管T1的第一有源层ACT1，或者与第一有源层ACT1电连接而执行使第一晶体管T1的电特性稳定化的功能。然而，可以省略下部金属层BML。
缓冲层BL可以布置在下部金属层BML和基板SUB上。缓冲层BL形成于基板SUB上，以保护像素PX的晶体管免受通过易透湿的基板SUB渗透的水分的影响，并且可以执行表面平坦化功能。
半导体层布置在缓冲层BL上。半导体层可以包括第一晶体管T1的第一有源层ACT1以及第二晶体管T2的第二有源层ACT2。第一有源层ACT1和第二有源层ACT2可以布置为与后述的第二导电层的第一栅极电极G1和第二栅极电极G2局部地重叠。
半导体层可以包括多晶硅、单晶硅、氧化物半导体等。在另一实施例中，半导体层也可以包括多晶硅。所述氧化物半导体可以是含铟(In)的氧化物半导体。例如，所述氧化物半导体可以是铟锡氧化物(ITO：Indium Tin Oxide)、铟锌氧化物(IZO：Indium ZincOxide)、铟镓氧化物(IGO：Indium Gallium Oxide)、铟锌锡氧化物(IZTO：Indium Zinc TinOxide)、铟镓锡氧化物(IGTO：Indium Gallium Tin Oxide)、铟镓锌氧化物(IGZO：IndiumGallium Zinc Oxide)、铟镓锌锡氧化物(IGZTO：Indium Gallium Zinc Tin Oxide)中的至少一种。
在附图中，例示了在显示装置10的子像素SPXn布置有第一晶体管T1和第二晶体管T2的情形，但并不限于此，显示装置10可以包括更多数量的晶体管。
第一栅极绝缘层GI在显示区域DPA中布置在半导体层上。第一栅极绝缘层GI可以起到各个晶体管T1、T2的栅极绝缘膜的作用。在附图中，例示了第一栅极绝缘层GI与后述的第二导电层的栅极电极G1、G2一起被图案化，从而在第二导电层与半导体层的有源层ACT1、ACT2之间局部地布置的情形，但并不限于此。在若干实施例中，第一栅极绝缘层GI也可以全面地布置在半导体层和缓冲层BL上。
第二导电层布置在第一栅极绝缘层GI上。第二导电层可以包括第一晶体管T1的第一栅极电极G1和第二晶体管T2的第二栅极电极G2。第一栅极电极G1可以布置为在作为厚度方向的第三方向DR3上与第一有源层ACT1的沟道区域重叠，第二栅极电极G2可以布置为在作为厚度方向的第三方向DR3上与第二有源层ACT2的沟道区域重叠。虽未在附图中示出，第二导电层还可以包括存储电容器的一个电极。
第一层间绝缘层IL1布置在第二导电层上。第一层间绝缘层IL1可以在第二导电层与布置于第二导电层上的其他层之间起到绝缘膜的功能，并保护第二导电层。
第三导电层可以布置在第一层间绝缘层IL1上。第三导电层可以包括布置在显示区域DPA的第一电压布线VL1和第二电压布线VL2以及第一导电图案CDP1和各个晶体管T1、T2的源极电极S1、S2以及漏极电极D1、D2。虽未在附图中示出，第三导电层还可以包括存储电容器的另一电极。
第一电压布线VL1可以被施加传输至第一电极RME1的高电位电压(或者第一电源电压)，并且第二电压布线VL2可以被施加传输至第二电极RME2的低电位电压(或者第二电源电压)。第一电压布线VL1的一部分可以通过贯通第一层间绝缘层IL1和第一栅极绝缘层GI的接触孔而与第一晶体管T1的第一有源层ACT1接触。第一电压布线VL1可以起到第一晶体管T1的第一漏极电极D1的作用。第二电压布线VL2可以直接连接于后述的第二电极RME2。
第一导电图案CDP1可以通过贯通第一层间绝缘层IL1和第一栅极绝缘层GI的接触孔而与第一晶体管T1的第一有源层ACT1接触。第一导电图案CDP1可以通过另一接触孔而与下部金属层BML接触。第一导电图案CDP1可以起到第一晶体管T1的第一源极电极S1的作用。并且，第一导电图案CDP1可以电连接后述的第一电极RME1或者第一连接电极CNE1。第一晶体管T1可以将从第一电压布线VL1施加的第一电源电压传输至第一电极RME1或者第一连接电极CNE1。
第二源极电极S2和第二漏极电极D2分别可以通过贯通第一层间绝缘层IL1和第一栅极绝缘层GI的接触孔而与第二晶体管T2的第二有源层ACT2接触。第二晶体管T2可以是上文中参照图3而描述的开关晶体管中的任意一个。第二晶体管T2可以将从图3的数据线DTL施加的信号传输至第一晶体管T1，或者将从图3的初始化电压布线VIL施加的信号传输至存储电容器的另一电极。
第一保护层PV1布置在第三导电层上。第一保护层PV1可以在第三导电层与其他的层之间执行绝缘膜的功能，并且可以保护第三导电层。
上述的缓冲层BL、第一栅极绝缘层GI、第一层间绝缘层IL1以及第一保护层PV1可以利用交替层叠的多个无机层构成。例如，缓冲层BL、第一栅极绝缘层GI、第一层间绝缘层IL1以及第一保护层PV1可以形成为包含硅氧化物(SiOx：Silicon Oxide)、硅氮化物(SiNx：Silicon Nitride)、硅氮氧化物(SiOxNy：Silicon Oxynitride)中的至少一种的无机层层叠的双层或由它们交替层叠的多层。然而，并不限于此，缓冲层BL、第一栅极绝缘层GI、第一层间绝缘层IL1、以及第一保护层PV1也可以利用包括上述的绝缘性材料的一个无机层构成。并且，在若干实施例中，第一层间绝缘层IL1也可以利用聚酰亚胺(PI：Polyimide)之类的有机绝缘物质构成。
过孔层VIA在显示区域DPA中布置在第一保护层PV1上。过孔层VIA包括有机绝缘物质(例如，聚酰亚胺(PI)之类的有机绝缘物质)，以补偿由于下部导电层而形成的阶梯差，并且可以使上表面平坦地形成。然而，在若干实施例中，可以省略过孔层VIA。
显示装置10可以包括堤图案BP1、BP2、多个电极RME、堤层BNL、多个发光元件ED以及多个连接电极CNE作为布置在过孔层VIA上的显示元件层。并且，显示装置10可以包括布置在过孔层VIA上的绝缘层PAS1、PAS2、PAS3。
多个堤图案BP1、BP2可以布置在各个子像素SPXn的发光区域EMA。堤图案BP1、BP2可以沿第二方向DR2具有预定宽度，并且可以具有沿第一方向DR1延伸的形状。
例如，堤图案BP1、BP2可以包括在各个子像素SPXn的发光区域EMA内沿第二方向DR2彼此相隔的第一堤图案BP1以及第二堤图案BP2。第一堤图案BP1可以在发光区域EMA的中心中布置在作为第二方向DR2的一侧的左侧，第二堤图案BP2可以与第一堤图案BP1相隔而在发光区域EMA的中心中布置在作为第二方向DR2的另一侧的右侧。第一堤图案BP1和第二堤图案BP2可以沿第二方向DR2彼此交替地布置，在显示区域DPA中可以布置为岛型的图案。在第一堤图案BP1与第二堤图案BP2之间可以布置有多个发光元件ED。
第一堤图案BP1和第二堤图案BP2在第一方向DR1上的长度可以彼此相同，且可以小于堤层BNL所围绕的发光区域EMA的在第一方向DR1上的长度。第一堤图案BP1和第二堤图案BP2可以与堤层BNL中的沿第二方向DR2延伸的部分相隔。然而，并不限于此，堤图案BP1、BP2可以与堤层BNL一体化，或者与堤层BNL的沿第二方向DR2延伸的部分局部地重叠。在这种情况下，堤图案BP1、BP2的在第一方向DR1上的长度可以与堤层BNL所围绕的发光区域EMA的在第一方向DR1上的长度相同或更大于堤层BNL所围绕的发光区域EMA的在第一方向DR1上的长度。
第一堤图案BP1和第二堤图案BP2的在第二方向DR2上的宽度彼此相同。然而，并不限于此，它们也可以具有彼此不同的宽度。例如，一个堤图案可以具有比另一个堤图案大的宽度，并且宽度大的堤图案可以横跨沿第二方向DR2相邻的另一子像素SPXn的发光区域EMA而布置。在这种情况下，在横跨多个发光区域EMA而布置的堤图案中，堤层BNL中的沿第一方向DR1延伸的部分可以在厚度方向上与第二堤图案BP2重叠。在附图中，例示了在每个子像素SPXn中两个堤图案BP1、BP2具有相同宽度的情形，但并不限于此。堤图案BP1、BP2的数量和形状可以根据电极RME的数量或布置结构而不同。
多个堤图案BP1、BP2可以布置在过孔层VIA上。例如，堤图案BP1、BP2可以直接布置在过孔层VIA上，并且可以具有至少一部分以过孔层VIA的上表面为基准而突出的结构。堤图案BP1、BP2的突出的部分可以具有倾斜或者具有曲率的侧表面，并且从发光元件ED发出的光可以被布置于堤图案BP1、BP2上的电极RME反射而朝向过孔层VIA的上部方向射出。与附图中例示的情形不同地，堤图案BP1、BP2可以具有在剖面图上外表面具有曲率的形状，或者也可以具有半圆或半椭圆的形状。堤图案BP1、BP2可以包括聚酰亚胺(PI：Polyimide)之类的有机绝缘物质，但并不限于此。
多个电极RME以沿一方向延伸的形状布置于每个子像素SPXn。多个电极RME可以沿第一方向DR1延伸而布置于子像素SPXn的发光区域EMA和子区域SA，并且它们可以在第二方向DR2上彼此相隔而布置。多个电极RME可以与后述的发光元件ED电连接，但并不限于此。电极RME也可以不与发光元件ED电连接。
显示装置10可以包括布置在各个子像素SPXn的第一电极RME1和第二电极RME2。第一电极RME1布置在发光区域EMA的中心的左侧，第二电极RME2在第二方向DR2上与第一电极RME1相隔，并布置在发光区域EMA的中心的右侧。第一电极RME1可以布置在第一堤图案BP1上，第二电极RME2可以布置在第二堤图案BP2上。第一电极RME1和第二电极RME2可以越过堤层BNL而局部地布置在相应子像素SPXn和子区域SA。彼此不同的子像素SPXn的第一电极RME1和第二电极RME2可以分别以位于一个子像素SPXn的子区域SA内的分离部ROP为基准彼此相隔。
在附图中，例示了每个子像素SPXn中两个电极RME具有沿第一方向DR1延伸的形状的情形，但并不限于此。例如，在显示装置10中，在一个子像素SPXn可以布置有更多数量的电极RME，或者电极RME局部地被弯曲，并且可以具有宽度根据位置而不同的形状。
第一电极RME1和第二电极RME2可以至少布置在堤图案BP1、BP2的倾斜的侧表面上。在一实施例中，在第二方向DR2上测量的多个电极RME的宽度可以小于在第二方向DR2上测量的堤图案BP1、BP2的宽度，第一电极RME1和第二电极RME2在第二方向DR2上相隔的间隔可以小于堤图案BP1、BP2之间的间隔。第一电极RME1和第二电极RME2的至少一部分区域可以直接布置在过孔层VIA上，从而它们可以布置在相同平面上。
布置在堤图案BP1、BP2之间的发光元件ED朝向两端部发出光，发出的所述光可以朝向布置在堤图案BP1、BP2上的电极RME。各个电极RME可以具有布置在堤图案BP1、BP2上的部分能够反射从发光元件ED发出的光的结构。第一电极RME1和第二电极RME2可以布置为至少覆盖堤图案BP1、BP2的一侧表面，从而反射从发光元件ED发出的光。
各个电极RME可以在发光区域EMA与子区域SA之间的重叠于堤层BNL的部分通过电极接触孔CTD、CTS而与第三导电层直接接触。
第一电极接触孔CTD可以形成在堤层BNL与第一电极RME1重叠的区域，第二电极接触孔CTS可以形成在堤层BNL与第二电极RME2重叠的区域。第一电极RME1可以通过贯通过孔层VIA和第一保护层PV1的第一电极接触孔CTD而与第一导电图案CDP1接触。第二电极RME2可以通过贯通过孔层VIA和第一保护层PV1的第二电极接触孔CTS而与第二电压布线VL2接触。第一电极RME1可以通过第一导电图案CDP1而与第一晶体管T1电连接，并被施加第一电源电压，第二电极RME2可以与第二电压布线VL2电连接，并被施加第二电源电压。然而，并不限于此。在另一实施例中，各个电极RME也可以不与第三导电层的电压布线VL1、VL2电连接，后述的连接电极CNE可以直接与第三导电层连接。
多个电极RME可以包括反射率高的导电性物质。例如，电极RME可以包括诸如银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)等的金属，或者具有包括铝(Al)、镍(Ni)、镧(La)等的合金，或者钛(Ti)、钼(Mo)以及铌(Nb)等的金属层和所述合金层叠的结构。在若干实施例中，电极RME可以构成为双层或多层，所述双层或多层由包含铝(Al)的合金和钛(Ti)、钼(Mo)及铌(Nb)构成的一层以上的金属层层叠而成。
但并不限于此，各个电极RME还可以包括透明性导电性物质。例如，各个电极RME可以包括诸如ITO、IZO、ITZO等的物质。在若干实施例中，各个电极RME可以形成透明性导电性物质和反射率高的金属层分别层叠一层以上的结构，或者可以形成为包括它们的一层。例如，各电极RME可以具有ITO/Ag/ITO、ITO/Ag/IZO或者ITO/Ag/ITZO/IZO等的层叠结构。电极RME可以与发光元件ED电连接，并将从发光元件ED发出的光中的一部分向基板SUB的上部方向进行反射。
第一绝缘层PAS1可以布置在显示区域DPA的整个面，并且可以布置在过孔层VIA和多个电极RME上。第一绝缘层PAS1可以包括绝缘物质来保护多个电极RME，同时使彼此不同的电极RME彼此绝缘。第一绝缘层PAS1在形成堤层BNL前布置为覆盖电极RME，从而能够在形成堤层BNL的工艺中防止电极RME受损。并且，第一绝缘层PAS1可以防止布置在其上部的发光元件ED与其他构件直接接触而被损伤。
在作为示例性的实施例中，第一绝缘层PAS1可以在沿第二方向DR2相隔的电极RME之间以上表面的一部分凹入的方式形成阶梯差。在第一绝缘层PAS1的形成阶梯差的上表面布置有发光元件ED，在发光元件ED与第一绝缘层PAS1之间还可以形成空间。
根据一实施例，第一绝缘层PAS1可以包括多个分离开口部OPR以及多个接触部CT1、CT2。第一绝缘层PAS1可以包括与子区域SA的分离部ROP对应地形成的多个分离开口部OPR以及在后述的连接电极CNE与电极RME连接部分形成的多个接触部CT1、CT2。第一绝缘层PAS1可以全面地布置在过孔层VIA上，并且可以在形成有接触部CT1、CT2的部分和形成有子区域SA的分离部ROP的部分中可以暴露下部的层的一部分。
形成于第一绝缘层PAS1的接触部CT1、CT2可以分别布置为与彼此不同的电极RME重叠。例如，接触部CT1、CT2可以分别布置在子区域SA，并且包括布置为与第一电极RME1重叠的第一接触部CT1以及布置为与第二电极RME2重叠的第二接触部CT2。第一接触部CT1和第二接触部CT2可以贯通第一绝缘层PAS1而暴露其下部的第一电极RME1或第二电极RME2的上表面的一部分。第一接触部CT1和第二接触部CT2还可以分别贯通布置在第一绝缘层PAS1上的其他绝缘层中的一部分。通过各个接触部CT1、CT2暴露的电极RME可以与连接电极CNE接触。
堤层BNL可以布置在第一绝缘层PAS1上。堤层BNL可以包括沿第一方向DR1和第二方向DR2延伸的部分，并可以围绕各个子像素SPXn。堤层BNL可以围绕各个子像素SPXn的发光区域EMA和子区域SA来区分它们，并且可以围绕显示区域DPA的最外廓来区分显示区域DPA和非显示区域NDA。堤层BNL全面地布置在显示区域DPA而形成格子形图案，在显示区域DPA中堤层BNL所开口的区域可以是发光区域EMA和子区域SA。
堤层BNL可以具有与堤图案BP1、BP2相似的高度，并且可以具有整体上均匀的高度。在若干实施例中，堤层BNL的上表面的高度可以高于堤图案BP1、BP2，其厚度可以等于或大于堤图案BP1、BP2。堤层BNL可以防止在显示装置10的制备工艺中的喷墨印刷工序中墨溢出到相邻的子像素SPXn。与堤图案BP1、BP2相同地，堤层BNL可以包括诸如聚酰亚胺之类的有机绝缘物质。
多个发光元件ED可以布置在发光区域EMA中。发光元件ED布置于堤图案BP1、BP2之间，并且可以彼此沿第一方向DR1相隔而排列。在一实施例中，多个发光元件ED可以具有沿一方向延伸的形状，并且两端部分别布置在彼此不同的电极RME上。发光元件ED的长度可以比沿第二方向DR2相隔的电极RME之间的间隔长。发光元件ED大致可以排列成延伸的方向与电极RME延伸的第一方向DR1垂直。然而，并不限于此，发光元件ED的延伸方向可以向着第二方向DR2或者与其倾斜的方向而布置。
多个发光元件ED可以布置在第一绝缘层PAS1上。发光元件ED可以具有沿一方向延伸的形状，并且可以布置为延伸的一方向与基板SUB的上表面平行。如下所述，发光元件ED可以包括沿着所述延伸的一方向布置的多个半导体层，所述多个半导体层可以沿着与基板SUB的上表面平行的方向依次布置。然而，并不限于此，当发光元件ED具有其他结构的情况下，多个半导体层也可以沿着垂直于基板SUB的方向布置。
布置在各个子像素SPXn的发光元件ED可以根据上述的半导体层所构成的材料发出彼此不同波长带的光。然而，并不限于此，布置在各个子像素SPXn的发光元件ED可以包括相同材料的半导体层而发出相同颜色的光。
发光元件ED可以与连接电极CNE接触而与电极RME及过孔层VIA下部的导电层电连接，并且被施加电信号而发出特定波长带的光。
第二绝缘层PAS2可以布置在多个发光元件ED、第一绝缘层PAS1以及堤层BNL上。第二绝缘层PAS2包括在堤图案BP1、BP2之间沿第一方向DR1延伸而布置在多个发光元件ED上的图案部。所述图案部布置为局部地围绕发光元件ED的外表面，可以不覆盖发光元件ED的两侧或两端部。在平面图上，所述图案部可以在各个子像素SPXn内形成线型或岛型的图案。第二绝缘层PAS2的所述图案部可以在保护发光元件ED的同时固定发光元件ED，使得发光元件ED在显示装置10的制备工艺中不脱离。并且，第二绝缘层PAS2可以布置为填充发光元件ED与其下部的第一绝缘层PAS1之间的空间。并且，第二绝缘层PAS2的一部分可以布置在堤层BNL的上部以及子区域SA。
根据一实施例，第二绝缘层PAS2可以包括与子区域SA的分离部ROP对应的部分以及在发光区域EMA中暴露发光元件ED的第一端部和第二端部的部分中暴露下部的层的开口部。并且，第二绝缘层PAS2可以包括在连接电极CNE与电极RME连接的部分形成的多个接触部CT1、CT2。第二绝缘层PAS2可以全面地布置在第一绝缘层PAS1上，并且在形成有多个开口部的部分中可以暴露下部的层的一部分。
作为形成于第二绝缘层PAS2的开口部，在与子区域SA的分离部ROP对应地形成的开口部中可以执行布置在下部的电极RME彼此分离的工序。与第一绝缘层PAS1相似地，第二绝缘层PAS2也可以在执行电极RME的分离工序的分离部ROP中暴露过孔层VIA的上表面。
多个连接电极CNE可以布置在多个电极RME以及堤图案BP1、BP2上。多个连接电极CNE可以分别具有沿一方向延伸的形状，并且可以彼此相隔布置。各个连接电极CNE可以与发光元件ED接触，并可以电连接到第三导电层。
多个连接电极CNE可以包括布置于各个子像素SPXn的第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2。第一连接电极CNE1可以具有沿第一方向DR1延伸的形状，并且可以布置在第一电极RME1或第一堤图案BP1上。第一连接电极CNE1可以与第一电极RME1局部地重叠，并且可以从发光区域EMA越过堤层BNL而布置至子区域SA。第二连接电极CNE2可以具有沿第一方向DR1延伸的形状，并且可以布置在第二电极RME2或第二堤图案BP2上。第二连接电极CNE2可以与第二电极RME2局部地重叠，并且可以从发光区域EMA越过堤层BNL而布置至子区域SA。第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2可以分别与发光元件ED接触，并与电极RME或者其下部的导电层电连接。
例如，第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2可以分别布置在第二绝缘层PAS2上，并与发光元件ED接触。第一连接电极CNE1可以与第一电极RME1局部地重叠，并与发光元件ED的一端接触。第二连接电极CNE2可以与第二电极RME2局部地重叠，以与发光元件ED的另一端接触。多个连接电极CNE横跨发光区域EMA和子区域SA而布置。连接电极CNE可以在布置于发光区域EMA的部分中与发光元件ED接触，并且在布置于子区域SA的部分中与第三导电层电连接。
根据一实施例，在显示装置10中，各个连接电极CNE可以通过布置在子区域SA的接触部CT1、CT2而与电极RME接触。第一连接电极CNE1可以在子区域SA中通过贯通第一绝缘层PAS1和第二绝缘层PAS2的第一接触部CT1而与第一电极RME1接触。第二连接电极CNE2可以在子区域SA中通过贯通第一绝缘层PAS1、第二绝缘层PAS2和第三绝缘层PAS3的第二接触部CT2而与第二电极RME2接触。各个连接电极CNE可以通过各个电极RME而与第三导电层电连接。第一连接电极CNE1可以与第一晶体管T1电连接而被施加第一电源电压，并且第二连接电极CNE2可以与第二电压布线VL2电连接而被施加第二电源电压。各个连接电极CNE可以在发光区域EMA中与发光元件ED接触，并将电源电压传输到发光元件ED。
然而，并不限于此。在若干实施例中，多个连接电极CNE可以与第三导电层直接接触，也可以通过不是电极RME的其他图案而与第三导电层电连接。
连接电极CNE可以包括导电性物质。例如，可以包括ITO、IZO、ITZO、铝(Al)等。作为一例，连接电极CNE可以包括透明性导电性物质，从发光元件ED发出的光可以透射连接电极CNE而射出。
第三绝缘层PAS3布置在第一连接电极CNE1和第二绝缘层PAS2上。第三绝缘层PAS3可以全面地布置在第二绝缘层PAS2上而覆盖第一连接电极CNE1，并且第二连接电极CNE2可以布置在第三绝缘层PAS3上。第三绝缘层PAS3可以使第一连接电极CNE1与第二连接电极CNE2彼此绝缘，使得第二连接电极CNE2不与第一连接电极CNE1直接接触。
第三绝缘层PAS3可以包括暴露发光元件ED的第一端部的部分以及在子区域SA中形成于第二连接电极CNE2与第二电极RME2连接的部分的多个第二接触部CT2。多个第二接触部CT2除了贯通第一绝缘层PAS1和第二绝缘层PAS2之外，还可以贯通第三绝缘层PAS3。多个第二接触部CT2可以暴露其下部的第二电极RME2的上表面的一部分。
上述的第一绝缘层PAS1、第二绝缘层PAS2以及第三绝缘层PAS3中的每一个可以包括绝缘性无机物质或绝缘性有机物质。作为一例，第一绝缘层PAS1、第二绝缘层PAS2以及第三绝缘层PAS3中的每一个可以包括绝缘性无机物质，或者第一绝缘层PAS1和第三绝缘层PAS3可以包括绝缘性无机物质，而第二绝缘层PAS2包括绝缘性有机物质。第一绝缘层PAS1、第二绝缘层PAS2以及第三绝缘层PAS3中的每一个或至少一个层也可以形成为多个绝缘层交替或重复地层叠的结构。在示例性的实施例中，第一绝缘层PAS1、第二绝缘层PAS2以及第三绝缘层PAS3可以分别是硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)以及硅氮氧化物(SiOxNy)中的任意一种。第一绝缘层PAS1、第二绝缘层PAS2以及第三绝缘层PAS3可以利用彼此相同的材料构成，或者可以利用一部分彼此相同而一部分彼此不同的材料构成，或者可以利用分别彼此不同的材料构成。
所述第二连接电极CNE2可以以暴露在第三绝缘层PAS3上的状态执行后续工序，从而当发生静电时，有可能向第二连接电极CNE2施加较强的瞬时电压。在本实施例中，通过增加第二连接电极CNE2的面积，可以防止第二连接电极CNE2和连接于第二连接电极CNE2的发光元件ED因静电而受损。
在一实施例中，第二连接电极CNE2可以布置为沿第二方向DR2延伸且与第一连接电极CNE1重叠。第二连接电极CNE2可以整体地覆盖与发光元件ED重叠的部分的第二绝缘层PAS2。第二连接电极CNE2可以整体地覆盖发光元件ED，并且可以与整个发光元件ED重叠。在示例性的实施例中，第二连接电极CNE2可以与发光元件ED的另一端部接触并重叠，并且可以与发光元件ED的一端部重叠。第一连接电极CNE1可以与发光元件ED的一端部接触并重叠，并且可以与发光元件ED的一部分重叠。
第二连接电极CNE2除了与第二电极RME2重叠而布置之外，还可以与第一电极RME1重叠而布置。第二连接电极CNE2可以与第一电极RME1和第二电极RME2沿第二方向DR2相隔的之间的空间重叠而布置。例如，第二连接电极CNE2可以从第二电极RME2连续延伸至第一电极RME1的一部分而布置。
在一实施例中，第二连接电极CNE2的在第二方向DR2上的宽度W2可以大于第一连接电极CNE1的在第二方向DR2上的宽度W1。在示例性的实施例中，第二连接电极CNE2的宽度W2可以是第一连接电极CNE1的宽度W1的110％至200％。然而，并不限于此，第二连接电极CNE2的宽度W2可以超过第一连接电极CNE1的宽度W1的200％。
随着第二连接电极CNE2的在第二方向DR2上的宽度W2的增加，第二连接电极CNE2可以与布置在第二方向DR2上的第一连接电极CNE1重叠。据此，第二连接电极CNE2可以在第三方向DR3上与第一连接电极CNE1重叠。在示例性的实施例中，第二连接电极CNE2可以与第一连接电极CNE1的一部分重叠。然而，并不限于此，第二连接电极CNE2也可以与整个第一连接电极CNE1重叠。
第二连接电极CNE2的面积可以大于第一连接电极CNE1的面积。如上所述，当由于静电而强电压被施加到第二连接电极CNE2时，可以通过将第二连接电极CNE2的面积形成得较大来确保足够的电流路径(path)。在示例性的实施例中，第二连接电极CNE2的面积可以是第一连接电极CNE1的面积的110％至200％。然而，并不限于此，第二连接电极CNE2的面积可以超过第一连接电极CNE1的面积的200％。
如上所述，在根据实施例的显示装置10中，通过将第二连接电极CNE2形成为与第一连接电极CNE1重叠，可以构成当产生静电时通过较宽的第二连接电极CNE2漏电的过电流保护结构。据此，能够防止第二连接电极CNE2和发光元件ED受损，从而改善暗点不良。
图9是根据一实施例的发光元件的示意图。
参照图9，发光元件ED可以是发光二极管(Light Emitting diode)，具体地，发光元件ED可以是具有纳米(Nano-meter)至微米(Micro-meter)单位的大小且利用无机物构成的无机发光二极管。若在彼此对向的两个电极之间沿着特定方向形成电场，则发光元件ED可整齐排列于形成极性的上述两个电极之间。
根据一实施例的发光元件ED可以具有沿一方向延伸的形状。发光元件ED可以具有圆柱体、杆(Rod)、线(Wire)、管(Tube)等形状。但是，发光元件ED的形态并不局限于此，发光元件ED可以具有正方体、长方体、六角柱形等多角棱柱形状，或者具有沿一方向延伸且外表面部分倾斜的形状等多种形态。
发光元件ED可以包括掺杂有任意导电型(例如，P型或N型)掺杂剂的半导体层。半导体层可以通过传输从外部电源施加的电信号来发出特定波长带的光。发光元件ED可以包括第一半导体层31、第二半导体层32、发光层36、电极层37以及绝缘膜38。
第一半导体层31可以是N型半导体。第一半导体层31可以包括具有化学式AlxGayIn1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的半导体材料。例如，第一半导体层31可以是掺杂有N型掺杂剂的AlGaInN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN以及InN中的一种以上。掺杂于第一半导体层31的N型掺杂剂可以是Si、Ge、Sn等。
第二半导体层32隔着发光层36布置在第一半导体层31上。第二半导体层32可以是P型半导体，并且第二半导体层32可以包括具有化学式AlxGayIn1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的半导体材料。例如，第二半导体层32可以是掺杂有P型掺杂剂的AlGaInN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN以及InN中的一种以上。掺杂于第二半导体层32的P型掺杂剂可以是Mg、Zn、Ca、Ba等。
另外，虽然在附图中示出了第一半导体层31和第二半导体层32构成为一个层的情形，但并不限于此。根据发光层36的物质，第一半导体层31和第二半导体层32还可包括更多数量的层，例如，覆盖层(Clad layer)或拉伸应变势垒减小(TSBR：Tensile strainbarrier reducing)层。例如，发光元件ED还可以包括布置在第一半导体层31与发光层36之间或者第二半导体层32与发光层36之间的其他半导体层。布置在第一半导体层31和发光层36之间的半导体层可以是掺杂有N型掺杂剂的AlGaInN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN以及InN中的一种以上，并且布置在第二半导体层32与发光层36之间的半导体层可以是掺杂有P型掺杂剂的AlGaInN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN以及InN中的一种以上。
发光层36布置在第一半导体层31与第二半导体层32之间。发光层36可以包括单量子阱结构或多量子阱结构的物质。在发光层36包括多量子阱结构的物质的情况下，也可以是量子层(Quantum layer)和阱层(Well layer)彼此交替层叠多个的结构。发光层36可根据通过第一半导体层31和第二半导体层32施加的电信号而通过电子-空穴对的结合来发出光。发光层36可以包括AlGaN、AlGaInN、InGaN等物质。尤其，在发光层36为量子层和阱层交替层叠为多量子阱结构的结构的情况下，量子层可以包含AlGaN或AlGaInN，阱层可以包含GaN或AlInN等物质。
发光层36可以是能带隙(Band gap)大的种类的半导体物质和能带隙小的半导体物质彼此交替层叠的结构，也可以根据发出的光的波长带而包括不同的III族至V族半导体物质。发光层36发出的光不局限在蓝色波长带的光，根据情况也可以出发出红色、绿色波长带的光。
电极层37可以是欧姆(Ohmic)连接电极。但是，并不限于此，也可以是肖特基(Schottky)连接电极。发光元件ED可以包括至少一个电极层37。发光元件ED可以包括一个以上的电极层37，但并不限于此，也可以省略电极层37。
当在显示装置10中发光元件ED与电极或者连接电极电连接时，在电极层37可以降低发光元件ED与电极或者连接电极之间的电阻。电极层37可以包括具有导电性的金属。例如，电极层37可以包括铝(Al)、钛(Ti)、铟(In)、金(Au)、银(Ag)、ITO、IZO以及ITZO中的至少一种。
绝缘膜38以围绕上述多个半导体层和电极层的外表面的方式布置。例如，绝缘膜38可以布置成至少围绕发光层36的外表面，并且可以形成为暴露发光元件ED的在长度方向上的两个端部。并且，绝缘膜38在与发光元件ED的至少一端部相邻的区域中，上表面也可以在剖面上圆滑地形成。
绝缘膜38可以包括具有绝缘特性的物质，例如，硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)、硅氮氧化物(SiOxNy)、氮化铝(AlNx)、氧化铝(AlOx)、锆氧化物(ZrOx)、铪氧化物(HfOx)以及钛氧化物(TiOx)中的至少一种。在附图中，例示了绝缘膜38形成为单层的情形，但并不限于此，在若干实施例中，绝缘膜38也可以形成为层叠有多个层的多层结构。
绝缘膜38可以发挥保护发光元件ED的半导体层和电极层的功能。当绝缘膜38与向发光元件ED传输电信号的电极直接接触的情况下，可以防止可能在发光层36发生的电短路。并且，绝缘膜38可以防止发光元件ED的发光效率的降低。
并且，可以对绝缘膜38的外表面进行表面处理。发光元件ED可以以分散在预定的墨中的状态喷射到电极上而被整齐排列。其中，为了使发光元件ED在墨内不与相邻的其他发光元件ED凝聚而维持分散的状态，绝缘膜38的表面可以进行疏水性或者亲水性处理。
以下，参照其他附图公开显示装置的其他实施例。
图10是示出根据另一实施例的显示装置的剖面图。图11是放大图10的B区域的剖面图。图12是示意性地示出根据另一实施例的显示装置的第二绝缘层的平面图。
参照图10至图12，在本实施例中，与上述的图4至图8的实施例不同之处在于，与发光元件ED重叠的第二绝缘层PAS2还包括第三开口部OP3，并且第二连接电极CNE2形成为填充第三开口部OP3。以下，将省略与上述的实施例重复的说明，并且针对差异点进行说明。
在一实施例中，第二绝缘层PAS2可以包括多个开口部OP1、OP2、OP3、OPR以及多个接触部CT1、CT2。第二绝缘层PAS2可以包括与子区域SA的分离部ROP对应地形成的多个分离开口部OPR、在发光区域EMA中与电极RME部分地重叠布置以暴露发光元件ED的第一端部和第二端部的第一开口部OP1和第二开口部OP2、以及布置在第一开口部OP1与第二开口部OP2之间的第三开口部OP3。第二绝缘层PAS2可以包括在连接电极CNE与电极RME连接的部分形成的多个接触部CT1、CT2。第二绝缘层PAS2可以全面地布置在第一绝缘层PAS1上，并且在形成有多个开口部OP1、OP2、OP3、OPR的部分中可以暴露下部的层的一部分。
作为形成于第二绝缘层PAS2的开口部，与子区域SA的分离部ROP对应地形成的分离开口部OPR可以执行布置在下部的电极RME彼此分离的工序。与第一绝缘层PAS1相似，第二绝缘层PAS2也可以包括在执行电极RME分离工序的分离部ROP中暴露过孔层VIA的上表面的分离开口部OPR。
第二绝缘层PAS2可以包括与第一电极RME1部分地重叠的第一开口部OP1以及与第二电极RME2部分地重叠的第二开口部OP2。第一开口部OP1和第二开口部OP2可以分别布置在发光区域EMA内，并且可以分别暴露发光元件ED的两端部。第一开口部OP1可以暴露或不覆盖布置在发光元件ED的第一电极RME1上的第一端部，并且第二开口部OP2可以暴露或不覆盖布置在发光元件ED的第二电极RME2上的第二端部。
第一开口部OP1可以布置为与第一电极RME1中的与第二电极RME2对向的一侧重叠，并且可以具有沿第一方向DR1延伸的形状。第一开口部OP1可以暴露发光元件ED的第一端部。第二开口部OP2可以布置为与第二电极RME2中的与第一电极RME1对向的一侧重叠，并且可以具有沿第一方向DR1延伸的形状。第二开口部OP2可以暴露发光元件ED的第二端部。如下所述，第二开口部OP2也可以贯通后述的第三绝缘层PAS3。连接电极CNE可以通过多个第一开口部OP1以及第二开口部OP2而与暴露的发光元件ED的两端部接触。
一个第一开口部OP1和一个第二开口部OP2分别布置在一个子像素SPXn中。然而，并不限于此。在若干实施例中，多个第一开口部OP1和多个第二开口部OP2可以分别布置在一个子像素SPXn中。
第一开口部OP1和第二开口部OP2可以布置在布置有发光元件ED的发光区域EMA内，并且可以与发光元件ED部分地重叠。第一开口部OP1和第二开口部OP2可以布置为暴露发光元件ED的一部分，使得布置在第二绝缘层PAS2上的连接电极CNE可以与发光元件ED接触。由于发光元件ED在发光区域EMA内布置在电极RME上，因此第一开口部OP1和第二开口部OP2可以布置为与电极RME和发光元件ED重叠。
在一实施例中，第二绝缘层PAS2可以包括布置在第一开口部OP1与第二开口部OP2之间的第三开口部OP3。与与电极RME部分地重叠的开口部OP1、OP2不同，第三开口部OP3可以布置为不与电极RME重叠。第三开口部OP3可以具有沿第一方向DR1延伸的形状，并且可以布置为与发光元件ED重叠。第三开口部OP3可以布置在发光元件ED沿第一方向DR1排列的部分上。第三开口部OP3可以布置为暴露发光元件ED的上表面的一部分，并且第二连接电极CNE2可以直接布置在暴露的发光元件ED的上表面。第三开口部OP3可以布置为贯通第三绝缘层PAS3而暴露发光元件ED的上表面的一部分。
第三开口部OP3的面积可以小于第一开口部OP1的面积，并且可以小于第二开口部OP2的面积。并且，第三开口部OP3的在第二方向DR2上的宽度可以小于第一开口部OP1的在第二方向DR2上的宽度，且可以小于第二开口部OP2的在第二方向DR2上的宽度。
第二连接电极CNE2可以布置于第二绝缘层PAS2的第三开口部OP3。第二连接电极CNE2可以布置为填充第三开口部OP3。第二连接电极CNE2可以与通过第三开口部OP3暴露的发光元件ED的上表面的一部分直接接触。第二连接电极CNE2可以与第二绝缘层PAS2的一侧表面以及第三绝缘层PAS3的一侧表面直接接触。第二连接电极CNE2可以布置为以在填充第三开口部OP3的同时在第三绝缘层PAS3上与第一连接电极CNE1重叠的方式沿第二方向DR2延伸。第一连接电极CNE1可以在平面上与第三开口部OP3相隔地布置，且不与第三开口部OP3重叠。
在一实施例中，第二连接电极CNE2形成为填充第三开口部OP3，从而可以增加第二连接电极CNE2的体积。随着第二连接电极CNE2增加与第三开口部OP3的大小(或者体积)相当的体积，可以确保足够的电流路径。据此，可以防止第二连接电极CNE2和发光元件ED受损，从而可以改善显示装置10的暗点不良。
图13是示出根据又一实施例的显示装置的剖面图。图14是放大图13的C区域的剖面图。图15是示意性地示出根据又一实施例的显示装置的第二绝缘层的平面图。
参照图13至图15，在本实施例中，与上述的图4至图8的实施例不同之处在于，与发光元件ED重叠的第二绝缘层PAS2的第二开口部OP2的面积大于第一开口部OP1的面积。以下，将省略与上述的实施例重复的说明，并且针对差异点进行说明。
在一实施例中，第二绝缘层PAS2可以包括多个开口部OP1、OP2、OPR以及多个接触部CT1、CT2。第二绝缘层PAS2可以包括与子区域SA的分离部ROP对应地形成的分离开口部OPR、以在发光区域EMA中暴露发光元件ED的第一端部和第二端部的方式与电极RME部分地重叠布置的第一开口部OP1和第二开口部OP2。第二绝缘层PAS2可以包括在连接电极CNE与电极RME连接的部分形成的多个接触部CT1、CT2。第二绝缘层PAS2的开口部OP1、OP2、接触部CT1、CT2以及分离开口部OPR的示意性的结构与上述的图10至图12的实施例重复，因此将省略对其的说明。
在一实施例中，在第二绝缘层PAS2中，第一开口部OP1的面积可以与第二开口部OP2的面积彼此不同。例如，第二绝缘层PAS2的第二开口部OP2的大小可以大于第一开口部OP1的大小。在示例性的实施例中，第二绝缘层PAS2的第二开口部OP2的在第二方向DR2上的宽度可以大于第一开口部OP1的在第二方向DR2上的宽度。
布置在发光元件ED上的第二绝缘层PAS2可以布置为偏向发光元件ED的一侧。例如，第二绝缘层PAS2可以与发光元件ED的在长度方向上二等分的线L不重叠，并且可以与第一连接电极CNE1或第一堤图案BP1相邻地布置。
第二绝缘层PAS2的第二开口部OP2所暴露的发光元件ED的一部分的面积可以大于第一开口部OP1所暴露的发光元件ED的一部分的面积。在第二开口部OP2中第二连接电极CNE2与发光元件ED的接触面积可以大于在第一开口部OP1中第一连接电极CNE1与发光元件ED的接触面积。第二连接电极CNE2的在第二方向DR2上的宽度可以大于第一连接电极CNE1的在第二方向DR2上的宽度。据此，随着第二连接电极CNE2的面积的增大，可以防止第二连接电极CNE2和发光元件ED因静电而受损。
图16是示出根据又一实施例的显示装置的剖面图。图17是放大图16的D区域的剖面图。
参照图16和图17，在本实施例中，与上述的图4至图15的实施例不同之处在于，第二绝缘层PAS2包括绝缘性有机物质，并且省略第三绝缘层PAS3。以下，将省略与上述的实施例重复的说明，并且针对差异点进行说明。
在一实施例中，第二绝缘层PAS2可以包括诸如聚酰亚胺之类的绝缘性有机物质。第二绝缘层PAS2可以利用有机物质的特性而以较厚的厚度形成。例如，第二绝缘层PAS2的厚度可以大于第一绝缘层PAS1的厚度。并且，第二绝缘层PAS2的厚度可以大于发光元件ED的直径。在与发光元件ED重叠的部分中，第二绝缘层PAS2的上表面的高度可以与堤图案BP1、BP2或堤层BNL的上表面的高度相同。然而，并不限于此，在与发光元件ED重叠的部分中，第二绝缘层PAS2的上表面的高度可以小于堤图案BP1、BP2或堤层BNL的上表面的高度。
第二绝缘层PAS2的上表面可以包括突出部PRO。突出部PRO可以与第二绝缘层PAS2形成为一体，并且在第二绝缘层PAS2上沿第一方向DR1延伸而布置。第二绝缘层PAS2的突出部PRO可以起到使第一连接电极CNE1与第二连接电极CNE2彼此分离的作用。例如，第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2可以将突出部PRO置于两者之间而彼此相隔地布置。
在第二绝缘层PAS2的一部分上可以布置有第一连接电极CNE1，并且在另一部分上可以布置有第二连接电极CNE2。例如，以第二绝缘层PAS2的突出部PRO为基准，在与第一堤图案BP1相邻的一侧可以布置有第一连接电极CNE1，在与第二堤图案BP2相邻的一侧可以布置有第二连接电极CNE2。第一连接电极CNE1可以沿着第二绝缘层PAS2的一侧表面延伸至第二绝缘层PAS2的上表面和突出部PRO的一侧表面而布置。第二连接电极CNE2可以沿着第二绝缘层PAS2的另一侧表面延伸至第二绝缘层PAS2的上表面和突出部PRO的另一侧表面而布置。与上述的实施例不同，第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2可以利用彼此相同的宽度、大小、面积形成。
在一实施例中，随着第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2延伸至具有较厚的厚度的第二绝缘层PAS2的侧表面和上表面而布置，可以增加第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2中的每一个的面积。据此，即使在第一连接电极CNE1和/或第二连接电极CNE2中发生在后续工序中可能发生的静电，也可以形成足够的电流路径，从而防止各个连接电极CNE1、CNE2以及发光元件ED的损坏。
图18是示出根据又一实施例的显示装置的一子像素的平面图。图19是沿图18的E4-E4'线剖切的剖面图。图20是沿图18的E5-E5'线剖切的剖面图。图21是示意性地示出根据又一实施例的显示装置的各个连接电极的平面图。
图18示出了布置在显示装置10的一子像素SPXn的电极RME、堤图案BP1、BP2、BP3、堤层BNL、多个发光元件ED以及连接电极CNE的平面布置。
参照图18，根据一实施例的显示装置10可以包括更多数量的电极RME、堤图案BP1、BP2、BP3、发光元件ED以及连接电极CNE。根据本实施例的显示装置10与上述的图4的实施例不同之处在于，每个子像素SPXn包括更多数量的电极和发光元件。以下，将省略重复的内容，并且针对差异点进行说明。
参照图18至图21，堤图案BP1、BP2、BP3还可以包括布置在第一堤图案BP1与第二堤图案BP2之间的第三堤图案BP3。第一堤图案BP1可以布置在发光区域EMA的中心的左侧，第二堤图案BP2可以布置在发光区域EMA的中心的右侧，第三堤图案BP3可以布置在发光区域EMA的中心。第三堤图案BP3的在第二方向DR2上测量的宽度可以大于第一堤图案BP1和第二堤图案BP2的在第二方向DR2上测量的宽度。各个堤图案BP1、BP2、BP3之间的沿第二方向DR2相隔的间隔可以大于各个电极RME之间的间隔。第一堤图案BP1可以布置为与第一电极RME1部分地重叠，并且第二堤图案BP2可以布置为与第四电极RME4部分地重叠。第三堤图案BP3可以布置为与第二电极RME2和第三电极RME3部分地重叠。各个电极RME可以布置为至少一部分不与堤图案BP1、BP2、BP3重叠。
布置在每个子像素SPXn的多个电极RME除了第一电极RME1和第二电极RME2之外，还可以包括第三电极RME3和第四电极RME4。
第三电极RME3可以布置在第一电极RME1和第二电极RME2之间，第四电极RME4和第三电极RME3可以将第二电极RME2置于两者之间并沿第二方向DR2相隔地布置。在多个电极RME中，第一电极RME1、第三电极RME3、第二电极RME2及第四电极RME4可以从子像素SPXn的左侧朝向右侧依次布置。各个电极RME可以沿第二方向DR2彼此相隔而对向。多个电极RME可以在子区域SA的分离部ROP中与沿第一方向DR1相邻的另一子像素SPXn的电极RME相隔。
在多个电极RME中，第一电极RME1和第二电极RME2可以分别通过布置于堤层BNL下部的电极接触孔CTD、CTS而与下部的第一导电图案CDP1和第二电压布线VL2接触，相反，第三电极RME3和第四电极RME4可以并非如此。
形成于第一绝缘层PAS1的多个接触部CT1、CT2、CT3、CT4中的每一个可以布置为与彼此不同的电极RME重叠。例如，多个接触部CT1、CT2、CT3、CT4中的每一个可以布置在子区域SA中，并且可以包括布置为与第一电极RME1重叠的第一接触部CT1、布置为与第二电极RME2重叠的第二接触部CT2、布置为与第三电极RME3重叠的第三接触部CT3以及布置为与第四电极RME4重叠的第四接触部CT4。多个接触部CT1、CT2、CT3、CT4可以贯通第一绝缘层PAS1而暴露其下部的电极RME1、RME2、RME3、RME4的上表面的一部分。各个接触部CT1、CT2、CT3、CT4还可以贯通布置在第一绝缘层PAS1上的其他绝缘层中的一部分。
多个发光元件ED可以布置在堤图案BP1、BP2、BP3之间或者彼此不同的电极RME上。发光元件ED中的一部分可以布置在第一堤图案BP1与第三堤图案BP3之间，另一部分可以布置在第三堤图案BP3与第二堤图案BP2之间。根据一实施例，发光元件ED可以包括布置在第一堤图案BP1与第三堤图案BP3之间的第一发光元件ED1和第三发光元件ED3、布置在第三堤图案BP3与第二堤图案BP2之间的第二发光元件ED2以及第四发光元件ED4。第一发光元件ED1和第三发光元件ED3可以分别布置在第一电极RME1和第三电极RME3上，并且第二发光元件ED2和第四发光元件ED4可以分别布置在第二电极RME2与第四电极RME4上。第一发光元件ED1和第二发光元件ED2可以在相应子像素SPXn的发光区域EMA中与下侧或者子区域SA相邻地布置，并且第三发光元件ED3和第四发光元件ED4可以在相应子像素SPXn的发光区域EMA中与上侧相邻地布置。
然而，各发光元件ED并非根据布置于发光区域EMA的位置而区分，而是可以根据与后述的连接电极CNE的连接关系而区分。各发光元件ED根据连接电极CNE的布置结构，两端部接触的连接电极CNE可以彼此不同，根据接触的连接电极CNE的种类，可以区分为彼此不同的发光元件ED。
多个连接电极CNE除了布置在第一电极RME1上的第一连接电极CNE1以及布置在第二电极RME2上的第二连接电极CNE2之外，还可以包括横跨多个电极RME而布置的第三连接电极CNE3、第四连接电极CNE4和第五连接电极CNE5。
与图4的实施例不同，第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2中的每一个的沿第一方向DR1延伸的长度可以相对较短。第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2可以以发光区域EMA的中心为基准布置于下侧。第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2可以横跨发光区域EMA和相应子像素SPXn的子区域SA而布置，并且可以分别通过形成于各个子区域SA的接触部CT1、CT2而与电极RME直接接触。第一连接电极CNE1可以在子区域SA中通过贯通第一绝缘层PAS1、第二绝缘层PAS2以及第三绝缘层PAS3的第一接触部CT1而与第一电极RME1直接接触，并且第二连接电极CNE2可以在子区域SA中通过贯通第一绝缘层PAS1、第二绝缘层PAS2以及第三绝缘层PAS3的第二接触部CT2而与第二电极RME2接触。
第三连接电极CNE3可以包括布置在第三电极RME3上的第一延伸部CN_E1、布置在第一电极RME1上的第二延伸部CN_E2以及连接第一延伸部CN_E1和第二延伸部CN_E2的第一连接部CN_B1。第一延伸部CN_E1可以沿第二方向DR2与第一连接电极CNE1相隔并对向，并且第二延伸部CN_E2可以沿第一方向DR1与第一连接电极CNE1相隔。第一延伸部CN_E1可以布置于相应子像素SPXn的发光区域EMA中的下侧，第二延伸部CN_E2可以布置于发光区域EMA的上侧。第一延伸部CN_E1和第二延伸部CN_E2可以布置在发光区域EMA内。第一连接部CN_B1可以在发光区域EMA的中心部横跨第一电极RME1和第三电极RME3而布置。第三连接电极CNE3大致可以具有沿第一方向DR1延伸的形状，并且可以具有沿第二方向DR2弯曲之后再次沿第一方向DR1延伸的形状。
第四连接电极CNE4可以包括布置在第四电极RME4上的第三延伸部CN_E3、布置在第二电极RME2上的第四延伸部CN_E4以及连接第三延伸部CN_E3和第四延伸部CN_E4的第二连接部CN_B2。第三延伸部CN_E3可以沿第二方向DR2与第二连接电极CNE2相隔并对向，并且第四延伸部CN_E4可以沿第一方向DR1与第二连接电极CNE2相隔。第三延伸部CN_E3可以布置于相应子像素SPXn的发光区域EMA中的下侧，第四延伸部CN_E4可以布置于发光区域EMA的上侧。第三延伸部CN_E3和第四延伸部CN_E4可以布置于发光区域EMA内。第二连接部CN_B2可以与发光区域EMA的中心相邻并横跨第二电极RME2和第四电极RME4而布置。第四连接电极CNE4大致可以具有沿第一方向DR1延伸的形状，并且可以具有沿第二方向DR2弯曲之后再次沿第一方向DR1延伸的形状。
第五连接电极CNE5可以包括布置在第三电极RME3上的第五延伸部CN_E5、布置在第四电极RME4上的第六延伸部CN_E6、以及连接第五延伸部CN_E5和第六延伸部CN_E6的第三连接部CN_B3。第五延伸部CN_E5可以沿第二方向DR2与第三连接电极CNE3的第二延伸部CN_E2相隔并对向，第六延伸部CN_E6可以沿第二方向DR2与第四连接电极CNE4的第四延伸部CN_E4相隔并对向。第五延伸部CN_E5及第六延伸部CN_E6可以分别布置于发光区域EMA的上侧，第三连接部CN_B3可以横跨第三电极RME3、第二电极RME2及第四电极RME4而布置。第五连接电极CNE5可以以在平面图上围绕第四连接电极CNE4的第四延伸部CN_E4的形状布置。
第三连接电极CNE3可以在子区域SA中通过贯通第一绝缘层PAS1和第二绝缘层PAS2的第三接触部CT3而与第三电极RME3直接接触，并且第四连接电极CNE4可以在子区域SA中通过贯通第一绝缘层PAS1和第二绝缘层PAS2的第四接触部CT4而与第四电极RME4接触。
第一连接电极CNE1可以与第一发光元件ED1的第一端部接触，并且第二连接电极CNE2可以与第二发光元件ED2的第二端部接触。第三连接电极CNE3可以与第一发光元件ED1的第二端部和第三发光元件ED3的第一端部接触。第四连接电极CNE4可以与第四发光元件ED4的第二端部和第二发光元件ED2的第一端部接触。第五连接电极CNE5可以与第三发光元件ED3的第二端部和第四发光元件ED4的第一端部接触。
对应于连接电极CNE的布置结构，多个发光元件ED可以根据两端接触的连接电极CNE被区分为彼此不同的发光元件ED。第一发光元件ED1可以与第一连接电极CNE1和第三连接电极CNE3接触，第二发光元件ED2可以与第二连接电极CNE2和第四连接电极CNE4接触。第三发光元件ED3可以与第三连接电极CNE3和第五连接电极CNE5接触，第四发光元件ED4可以与第四连接电极CNE4和第五连接电极CNE5接触。
多个发光元件ED可以通过多个连接电极CNE彼此串联连接。根据本实施例的显示装置10可以在每个子像素SPXn包括更多数量的发光元件ED而构成它们的串联连接，从而可以增加每单位面积的发光量。
在一实施例中，第三连接电极CNE3可以布置为沿第二方向DR2延伸而与第一连接电极CNE1重叠，并且可以与第五连接电极CNE5重叠布置。例如，第三连接电极CNE3的第一延伸部CN_E1可以在第三绝缘层PAS3上与第一连接电极CNE1重叠，并且第三连接电极CNE3的第二延伸部CN_E2可以在第三绝缘层PAS3上与第五连接电极CNE5的第五延伸部CN_E5重叠。
第三连接电极CNE3的在第二方向DR2上的宽度W3可以大于第一连接电极CNE1的在第二方向DR2上的宽度W1以及第二连接电极CNE2的在第二方向DR2上的宽度W2中的每一个。例如，第三连接电极CNE3的第一延伸部CN_E1和第二延伸部CN_E2中的每一个的宽度W3可以大于第一连接电极CNE1的宽度W1以及第二连接电极CNE2的宽度W2中的每一个。第三连接电极CNE3的在第二方向DR2上的宽度W3可以大于第五连接电极CNE5的第五延伸部CN_E5以及第六延伸部CN_E6中的每一个的宽度W5。并且，第三连接电极CNE3的面积可以大于第一连接电极CNE1、第二连接电极CNE2以及第五连接电极CNE5中的每一个的面积。
并且，第四连接电极CNE4可以布置为沿第二方向DR2延伸而与第二连接电极CNE2重叠，并且与第五连接电极CNE5重叠布置。例如，第四连接电极CNE4的第三延伸部CN_E3可以在第三绝缘层PAS3上与第二连接电极CNE2重叠，并且第四连接电极CNE4的第四延伸部CN_E4可以在第三绝缘层PAS3上与第五连接电极CNE5的第六延伸部CN_E6重叠。
第四连接电极CNE4的在第二方向DR2上的宽度W4可以大于第一连接电极CNE1的在第二方向DR2上的宽度W1以及第二连接电极CNE2的在第二方向DR2上的宽度W2中的每一个。例如，第四连接电极CNE4的第三延伸部CN_E3和第四延伸部CN_E4中的每一个的宽度W4可以大于第一连接电极CNE1的宽度W1以及第二连接电极CNE2的宽度W2中的每一个。第四连接电极CNE4的在第二方向DR2上的宽度W4可以大于第五连接电极CNE5的第五延伸部CN_E5以及第六延伸部CN_E6中的每一个的宽度W5。并且，第四连接电极CNE4的面积可以大于第一连接电极CNE1、第二连接电极CNE2以及第五连接电极CNE5中的每一个的面积。
第三连接电极CNE3的宽度W3和面积可以分别与第四连接电极CNE4的宽度W4和面积彼此相同。然而，并不限于此，第三连接电极CNE3的宽度W3和面积也可以分别与第四连接电极CNE4的宽度W4和面积彼此不同。在示例性的实施例中，第三连接电极CNE3的宽度W3和面积也可以分别小于或大于第四连接电极CNE4的宽度W4和面积。
如上所述，通过将向第三绝缘层PAS3的上部暴露的第三连接电极CNE3和第四连接电极CNE4的宽度和面积形成为大于相邻的第一连接电极CNE1、第二连接电极CNE2以及第五连接电极CNE5，从而能够形成当发生静电时通过较宽的第三连接电极CNE3和第四连接电极CNE4漏电的过电流保护结构。据此，可以防止第三连接电极CNE3、第四连接电极CNE4以及发光元件ED1、ED2、ED3、ED4的损坏，从而能够改善暗点不良。
虽然在上述的图18至图21的实施例中例示应用图4至图8的实施例的情形而进行了说明，但不限于此，也可以应用图10至图17的实施例。
以上，参照附图说明了本发明的实施例，但在本发明所属技术领域中具有普通知识的人员可以理解的是，可以在不改变本发明的其技术思想或者必要特征的情况下以其他具体形态实施。因此，以上记载的实施例应当理解为在所有方面均为示例性的，而不是限定性的。

Claims (20)

1.一种显示装置，包括：
基板；
第一电极和第二电极，布置在所述基板上，并且彼此并排地延伸且彼此相隔；
发光元件，布置在所述第一电极和所述第二电极上；
第一绝缘层，覆盖所述发光元件的至少一部分；
第一连接电极，布置在所述发光元件上，并且与所述发光元件的一端部接触；以及
第二连接电极，布置在所述发光元件和所述第一绝缘层上，并且与所述发光元件的另一端部接触，
其中，所述第一连接电极和所述第二连接电极在厚度方向上彼此重叠。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述第二连接电极的在所述发光元件的长度方向上的宽度大于所述第一连接电极的在所述发光元件的长度方向上的宽度。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述第一连接电极与各个所述发光元件的一部分重叠，所述第二连接电极与整个所述发光元件重叠。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述第一连接电极与所述第一电极重叠而不与所述第二电极重叠，所述第二连接电极与所述第一电极和所述第二电极重叠。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述第二连接电极的面积大于所述第一连接电极的面积。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述第一绝缘层包括：第一开口部，暴露所述发光元件的一端部；以及第二开口部，暴露所述发光元件的另一端部，
其中，所述第二开口部的面积大于所述第一开口部的面积。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，
所述第一连接电极通过所述第一开口部而与所述发光元件接触，所述第二连接电极通过所述第二开口部而与所述发光元件接触。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，
所述第二连接电极与所述发光元件的接触面积大于所述第一连接电极与所述发光元件的接触面积。
9.根据权利要求6所述的显示装置，还包括：
第二绝缘层，布置在所述第一连接电极与所述第二连接电极之间，并且使所述第一连接电极和所述第二连接电极绝缘。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，
所述第一绝缘层和所述第二绝缘层包括：第三开口部，布置在所述第一开口部与所述第二开口部之间，并且暴露所述发光元件的上表面，
其中，所述第二连接电极通过所述第三开口部而与所述发光元件的上表面接触。
11.根据权利要求10所述的显示装置，其中，
所述第一连接电极在平面上与所述第三开口部相隔。
12.一种显示装置，包括：
基板；
第一电极和第二电极，布置在所述基板上，并且彼此并排地延伸且彼此相隔；
发光元件，布置在所述第一电极和所述第二电极上；
第一绝缘层，包括暴露所述发光元件的一部分区域的开口部；
第一连接电极，布置在所述发光元件上，并且与所述发光元件的一端部接触；以及
第二连接电极，布置在所述发光元件和所述第一绝缘层上，并且与所述发光元件的另一端部接触，
其中，所述第二连接电极与所述发光元件的接触面积大于所述第一连接电极与所述发光元件的接触面积。
13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，
所述第一绝缘层的所述开口部包括：第一开口部，暴露所述发光元件的一端部；以及第二开口部，暴露所述发光元件的另一端部，
其中，所述第一连接电极通过所述第一开口部而与所述发光元件的一端部接触，所述第二连接电极通过所述第二开口部而与所述发光元件的另一端部接触。
14.根据权利要求13所述的显示装置，其中，
所述第一绝缘层的所述开口部还包括：第三开口部，布置在所述第一开口部与所述第二开口部之间，并且暴露所述发光元件的上表面的一部分，
其中，所述第二连接电极通过所述第三开口部而与所述发光元件的上表面的一部分接触。
15.根据权利要求14所述的显示装置，其中，
所述第二开口部的面积大于所述第一开口部的面积且大于所述第三开口部的面积，
所述第三开口部的面积小于所述第一开口部的面积。
16.根据权利要求12所述的显示装置，其中，
所述第二连接电极的面积大于所述第一连接电极的面积。
17.根据权利要求12所述的显示装置，其中，
所述第一连接电极和所述第二连接电极在厚度方向上彼此重叠。
18.一种显示装置，包括：
基板；
第一电极和第二电极，布置在所述基板上，并且彼此并排地延伸且彼此相隔；
发光元件，布置在所述第一电极和所述第二电极上；
第一绝缘层，覆盖所述发光元件的至少一部分且包括有机物；
第一连接电极，布置在所述发光元件和所述第一绝缘层上，并且与所述发光元件的一端部接触；以及
第二连接电极，布置在所述发光元件和所述第一绝缘层上，并且与所述发光元件的另一端部接触，
其中，所述第一绝缘层包括上表面的至少一部分向上部突出的突出部。
19.根据权利要求18所述的显示装置，其中，
所述第一连接电极从所述第一绝缘层的一侧表面向所述突出部的一侧表面延伸，并且所述第二连接电极从所述第一绝缘层的另一侧表面向所述突出部的另一侧表面延伸。
20.根据权利要求18所述的显示装置，其中，
所述第一连接电极和所述第二连接电极布置为将所述突出部置于两者之间而彼此相隔。
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