CN115552610A - 显示装置 - Google Patents

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李政桓
李咥瑾
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Abstract

提供了一种显示装置。该显示装置包括：第一基底；第一电极和第二电极，布置为在第一基底上彼此间隔开；多个发光元件，布置在第一电极和第二电极上；多个接触电极，布置在第一电极或第二电极上且与发光元件接触，其中，接触电极包括布置在第一电极上的第一接触电极、布置在第二电极上的第二接触电极、在第二方向上面对第一接触电极的第三接触电极以及在第二方向上面对第二接触电极的第四接触电极，并且包括连接到第三接触电极和第四接触电极且布置为围绕第二接触电极的电极连接部。

Description

显示装置
技术领域
公开涉及一种显示装置。
背景技术
随着多媒体技术的发展，显示装置的重要性已经逐渐地增大。响应于此，已经使用了各种类型的显示装置(诸如有机发光显示器(OLED)、液晶显示器(LCD)等)。
显示装置是用于显示图像的装置，并且包括诸如有机发光显示面板或液晶显示面板的显示面板。发光显示面板可以包括发光元件(例如，发光二极管(LED))，发光二极管的示例包括使用有机材料作为荧光材料的有机发光二极管(OLED)和使用无机材料作为荧光材料的无机发光二极管。
发明内容
技术问题
公开的方面提供了一种具有减少的每个子像素的发光故障和改善的每单位面积的亮度的显示装置。
应注意的是，公开的方面不限于此，根据以下描述，在此未提及的其它方面对于本领域普通技术人员而言将是明显的。
技术方案
根据公开的实施例，显示装置包括：第一基底；第一电极和第二电极，在第一基底上沿第一方向延伸且在第二方向上彼此间隔开；多个发光元件，设置在第一电极和第二电极上；以及多个接触电极，设置在第一电极或第二电极上且接触发光元件，其中，接触电极包括：第一接触电极，设置在第一电极上；第二接触电极，设置在第二电极上；第三接触电极，在第一方向上与第二接触电极间隔开且在第二方向上面对第一接触电极；以及第四接触电极，在第一方向上与第一接触电极间隔开且在第二方向上面对第二接触电极，并且显示装置还包括连接到第三接触电极和第四接触电极且围绕第二接触电极的电极连接部。
电极连接部可以与第三接触电极和第四接触电极成一体。
显示装置还可以包括第一绝缘层，第一绝缘层设置在第一基底上以覆盖第一电极和第二电极且包括暴露第一电极的上表面的一部分的第一开口和暴露第二电极的上表面的一部分的第二开口，其中，发光元件可以设置在第一绝缘层上。
显示装置还可以包括第二绝缘层，第二绝缘层设置在第一绝缘层和发光元件上且暴露每个发光元件的两端和第一绝缘层的其上设置有接触电极的部分。
第一接触电极、第二接触电极、第三接触电极和第四接触电极可以直接设置在第一绝缘层上，并且电极连接部的至少一部分可以设置在第二绝缘层上。
显示装置还可以包括覆盖第一接触电极和第二接触电极的第三绝缘层，其中，第三接触电极、第四接触电极和电极连接部中的每个的至少一部分可以设置在第三绝缘层上。
发光元件可以包括：第一发光元件，具有与第一接触电极接触的一端和与第三接触电极接触的另一端；以及第二发光元件，具有与第四接触电极接触的一端和与第二接触电极接触的另一端。
发光元件还可以包括具有不与接触电极接触的两端的第三发光元件。
第一接触电极可以覆盖第一开口以接触第一电极，第二接触电极可以覆盖第二开口以接触第二电极，并且第三接触电极和第四接触电极可以设置在第一绝缘层上以不接触第一电极和第二电极。
电极连接部可以包括：第一延伸部，在第一方向上延伸且连接到第三接触电极；以及第二延伸部，在第二方向上延伸且具有连接到第一延伸部的一侧和连接到第四接触电极的另一侧，其中，第一延伸部可以与第二接触电极的外侧的长侧间隔开，并且第二延伸部可以与第二接触电极的外侧的短侧间隔开。
第二接触电极的长侧与电极连接部的第一延伸部之间的距离可以等于或小于第二接触电极与第四接触电极之间的距离。
电极连接部的第一延伸部可以在厚度方向上与第二电极部分地叠置。
接触电极中的每个可以包括第一部分和具有比第一部分的宽度小的宽度的第二部分，并且在沿第二方向彼此面对的接触电极之间在第二部分之间的距离可以比在第一部分之间的距离大。
根据公开的实施例，显示装置包括：第一基底；第一电极和第二电极，在第一基底上沿第一方向延伸且在第二方向上彼此间隔开；第一绝缘层，设置在第一基底上且包括暴露第一电极或第二电极的一部分的开口；多个发光元件，设置在第一绝缘层上且具有分别设置在第一电极和第二电极上的两端；多个第一型接触电极，设置在第一电极或第二电极上且接触发光元件以及第一电极或第二电极；以及第二型接触电极，接触发光元件且不接触第一电极和第二电极，其中，第二型接触电极包括：多个接触部，设置在第一电极或第二电极上但与第一型接触电极间隔开；以及电极连接部，将接触部连接，其中，电极连接部与第一型接触电极中的任何一个的外侧间隔开且围绕外侧。
第一型接触电极可以包括：第一接触电极，设置在第一电极上且通过暴露第一电极的上表面的一部分的第一开口接触第一电极；以及第二接触电极，设置在第二电极上且通过暴露第二电极的上表面的一部分的第二开口接触第二电极，并且第二型接触电极包括：第一接触部，设置在第二电极上且与第二接触电极间隔开；第二接触部，设置在第一电极上且与第一接触电极间隔开；以及第一电极连接部，将第一接触部和第二接触部连接。
第一电极连接部可以围绕第二接触电极的外侧。
发光元件可以包括：第一发光元件，具有与第一接触电极接触的一端和与第一接触部接触的另一端；以及第二发光元件，具有与第二接触部接触的一端和与第二接触电极接触的另一端。
第一接触部可以面对第一接触电极，第二接触部可以在第一方向上与第一接触电极间隔开，第一电极连接部可以围绕第一接触电极的外侧，并且第二型接触电极还可以包括：第三接触部，设置在第二接触电极与第一接触部之间以面对第二接触部；第四接触部，在第一方向上与第二接触部间隔开以面对第二接触电极；以及第二电极连接部，将第三接触部和第四接触部连接且围绕第二接触电极的外侧。
显示装置还可以包括第二绝缘层，第二绝缘层设置在第一绝缘层和发光元件上且暴露每个发光元件的两端和第一绝缘层的其上设置有接触电极的部分，其中，第一型接触电极和第二型接触电极的接触部可以设置在同一层。
第二型接触电极的电极连接部可以直接设置在第二绝缘层上。
其它实施例的细节包括在详细描述和附图中。
技术效果
在根据实施例的显示装置中，每个子像素中的多个发光元件中的一些彼此串联连接。因此，可以改善每单位子像素的亮度，并且可以减少每个子像素的发光故障。另外，电极连接部的放置被设计为确保其中设置有每个子像素的发光元件的足够的区域且将发光元件串联连接。因此，即使被每个子像素占据的面积小，也能够在保持每个子像素的尺寸的同时改善亮度。
根据实施例的效果不受以上例示的内容的限制，更多的各种效果包括在本公开中。
附图说明
图1是根据实施例的显示装置的示意性平面图。
图2是根据实施例的显示装置的像素的平面图。
图3是图2的子像素的平面图。
图4是沿着图3的线Q1-Q1'和线Q2-Q2'截取的剖视图。
图5是沿着图3的线Q3-Q3'截取的剖视图。
图6是沿着图3的线Q4-Q4'和线Q5-Q5'截取的剖视图。
图7是沿着图3的线Q6-Q6'截取的剖视图。
图8是根据实施例的发光元件的示意图。
图9是根据另一实施例的显示装置的子像素的平面图。
图10是沿着图9的线Q7-Q7'截取的剖视图。
图11是根据另一实施例的显示装置的子像素的平面图。
图12是根据另一实施例的显示装置的子像素的平面图。
图13是沿着图12的线Q8-Q8'截取的剖视图。
图14是根据另一实施例的显示装置的子像素的平面图。
图15是沿着图14的线Q9-Q9'截取的剖视图。
图16示意性地示出了根据另一实施例的显示装置的接触电极。
具体实施方式
现在将在下文中参照附图更充分地描述发明，在附图中示出了发明的优选实施例。然而，本发明可以以不同的形式实现，并且不应被解释为限于在此所阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是透彻的和完整的，并且将向本领域技术人员充分地传达发明的范围。
还将理解的是，当层被称为“在”另一层或基底“上”时，它可以直接在所述另一层或基底上，或者也可以存在居间层。在整个说明书中，相同的附图标记表示相同的组件。
将理解的是，虽然在此可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受到这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。例如，在不脱离发明的教导的情况下，下面讨论的第一元件可以被命名为第二元件。类似地，第二元件也可以被命名为第一元件。
在下文中，将参照附图描述实施例。
图1是根据实施例的显示装置的平面图。
参照图1，显示装置10显示运动图像或静止图像。显示装置10可以指提供显示屏幕的任何电子装置。显示装置10的示例可以包括电视、笔记本计算机、监视器、广告牌、物联网(IoT)装置、移动电话、智能电话、平板个人计算机(PC)、电子手表、智能手表、手表电话、头戴式显示器、移动通信终端、电子笔记本、电子书、便携式多媒体播放器(PMP)、导航装置、游戏机、数码相机和摄像机，它们中的全部提供显示屏幕。
显示装置10包括提供显示屏幕的显示面板。显示面板的示例包括无机发光二极管显示面板、有机发光显示面板、量子点发光显示面板、等离子体显示面板和场发射显示面板。将在下面描述其中无机发光二极管显示面板被应用为显示面板的示例的情况，但是公开不限于这种情况，也可以应用其它显示面板，只要相同的技术精神是适用的即可。
显示装置10的形状可以进行各种修改。例如，显示装置10可以具有诸如水平地长矩形、竖直地长矩形、正方形、具有圆角(顶点)的四边形、其它多边形或圆形的各种形状。显示装置10的显示区域DPA的形状也可以与显示装置10的整体形状类似。在图1中，显示装置10和显示区域DPA中的每个成形为与水平地长矩形类似，但是公开不限于此。
显示装置10可以包括显示区域DPA和非显示区域NDA。显示区域DPA可以是其中可以显示画面的区域，非显示区域NDA可以是其中不显示画面的区域。显示区域DPA也可以被称为有效区域，非显示区域NDA也可以被称为非有效区域。显示区域DA通常可以占据显示装置10的中心。
显示区域DPA可以包括多个像素PX。像素PX可以以矩阵形式布置。像素PX中的每个在平面图中可以是矩形或正方形。然而，公开不限于此，像素PX中的每个也可以具有具备相对于一定方向倾斜的每条边的菱形平面形状。像素PX可以以条纹或
Figure BDA0003933895130000061
类型交替地布置。另外，像素PX中的每个可以包括发射特定波长带的光以显示特定颜色的一个或更多个发光元件30。
非显示区域NDA可以定位在显示区域DPA周围。非显示区域NDA可以完全地或部分地围绕显示区域DPA。显示区域DPA可以是矩形的，非显示区域NDA可以设置为与显示区域DPA的四条边相邻。非显示区域NDA可以形成显示装置10的边框。包括在显示装置10中的布线或电路驱动器可以定位在每个非显示区域NDA中，并且/或者外部装置可以安装在每个非显示区域NDA中。
图2是根据实施例的显示装置的像素的平面图。
参照图2，像素PX中的每个可以包括多个子像素PXn(其中，n是1至3的整数)。例如，一个像素PX可以包括第一子像素PX1、第二子像素PX2和第三子像素PX3。第一子像素PX1可以发射第一颜色的光，第二子像素PX2可以发射第二颜色的光，第三子像素PX3可以发射第三颜色的光。例如，第一颜色可以是蓝色，第二颜色可以是绿色，第三颜色可以是红色。然而，公开不限于此，子像素PXn也可以发射相同颜色的光。另外，虽然在图2中一个像素PX包括三个子像素PXn，但是公开不限于此，像素PX也可以包括附加的子像素PXn。
显示装置10的每个子像素PXn可以包括发射区域EMA和非发射区域。发射区域EMA可以是其中发光元件30设置为发射特定波长带的光的区域。非发射区域可以是其中未设置发光元件30且因为从发光元件30发射的光未到达该区域而没有光从其输出的区域。发射区域可以包括其中定位有发光元件30和其中从发光元件30发射的光被输出到与发光元件30相邻的区域的区域。
然而，公开不限于此，发射区域也可以包括其中从发光元件30发射的光在被其它构件反射或折射之后被输出的区域。多个发光元件30可以设置在每个子像素PXn中，其中定位有发光元件30的区域和与该区域相邻的区域可以形成发射区域。
另外，每个子像素PXn可以包括设置在非发射区域中的切口区域CBA。切口区域CBA可以设置在发射区域EMA的在第二方向DR2上的一侧上。切口区域CBA可以设置在沿第二方向DR2相邻的子像素PXn的发射区域EMA之间。多个发射区域EMA和多个切口区域CBA可以布置在显示装置10的显示区域DPA中。例如，发射区域EMA和切口区域CBA可以均在第一方向DR1上重复地布置，但是可以在第二方向DR2上交替地布置。另外，切口区域CBA之间的在第一方向DR1上的距离可以比发射区域EMA之间的在第一方向DR1上的距离小。第二堤BNL2可以设置在切口区域CBA与发射区域EMA之间，切口区域CBA与发射区域EMA之间的距离可以根据第二堤BNL2的宽度而变化。由于发光元件30未设置在切口区域CBA中，因此没有光从切口区域CBA发射。然而，设置在每个子像素PXn中的电极21和22的部分可以设置在切口区域CBA中。设置在每个子像素PXn中的电极21和22可以在切口区域CBA中与相邻的子像素PXn的电极21和22分开。
图3是图2的子像素的平面图。图4是沿着图3的线Q1-Q1'和线Q2-Q2'截取的剖视图。图5是沿着图3的线Q3-Q3'截取的剖视图。图6是沿着图3的线Q4-Q4'和线Q5-Q5'截取的剖视图。
图3示出了第一子像素PX1中的电极21和22、发光元件30以及接触电极CNE的布置，图4至图6示出了接触电极CNE的根据接触电极CNE的布置和形状的剖面。图4和图6示出了横跨设置在第一子像素PX1中的发光元件30(30A和30B)的一端和另一端的剖面。
结合图2参照图3至图6，显示装置10可以包括第一基底11以及设置在第一基底11上的半导体层、多个导电层和多个绝缘层。半导体层、导电层和绝缘层可以构成显示装置10的电路层和发光元件层。
具体地，第一基底11可以是绝缘基底。第一基底11可以由诸如玻璃、石英或聚合物树脂的绝缘材料制成。另外，第一基底11可以是刚性基底，但是也可以是可以弯曲、折叠、卷曲等的柔性基底。
光阻挡层BML可以设置在第一基底11上。光阻挡层BML与显示装置10的第一晶体管T1的有源层ACT叠置。光阻挡层BML1可以包括光阻挡材料以防止光入射到第一晶体管的有源层ACT。例如，光阻挡层BML可以由阻挡光的透射的不透明金属材料制成。然而，公开不限于此。在一些情况下，可以省略光阻挡层BML。
缓冲层12可以设置在光阻挡层BML和第一基底11的整个表面上。缓冲层12可以形成在第一基底11上以保护像素PX的第一晶体管T1免受通过第一基底11引入的湿气的影响，并且可以执行表面平坦化功能，第一基底11易受湿气渗透。缓冲层12可以由交替地堆叠的多个无机层组成。例如，缓冲层12可以是其中交替地堆叠有包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)和氮氧化硅(SiON)中的至少任何一个的无机层的多层，或者可以是包括以上材料的单个层。
半导体层设置在缓冲层12上。半导体层可以包括第一晶体管T1的有源层ACT。有源层ACT可以与稍后将描述的第一栅极导电层的栅电极GE部分地叠置。
虽然在附图中仅示出了包括在显示装置10的每个子像素PXn中的晶体管之中的第一晶体管T1，但是公开不限于此。显示装置10可以包括更多的晶体管。例如，通过在每个子像素PXn中包括除了第一晶体管T1之外的一个或更多个晶体管，显示装置10可以包括两个或三个晶体管。
半导体层可以包括多晶硅、单晶硅、氧化物半导体等。当半导体层包括氧化物半导体时，每个有源层ACT可以包括多个导电区ACTa和ACTb以及它们之间的沟道区ACTc。氧化物半导体可以是包含铟(In)的氧化物半导体。例如，氧化物半导体可以是氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓(IGO)、氧化铟锌锡(IZTO)、氧化铟镓锡(IGTO)、氧化铟镓锌(IGZO)或氧化铟镓锌锡(IGZTO)。
在另一实施例中，半导体层可以包括多晶硅。多晶硅可以通过使非晶硅结晶而形成。在这种情况下，有源层ACT的每个导电区可以是掺杂有杂质的掺杂区。
第一栅极绝缘层13设置在半导体层和缓冲层12上。第一栅极绝缘层13可以用作每个晶体管的栅极绝缘膜。第一栅极绝缘层13可以是包括无机材料(例如，氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)和氮氧化硅(SiON)中的任何一个)的单个层，或者可以是其中堆叠有以上材料的双层或多层。
第一栅极导电层设置在第一栅极绝缘层13上。第一栅极导电层可以包括第一晶体管T1的栅电极GE和存储电容器的第一电容性电极CSE1。栅电极GE可以在厚度方向上与有源层ACT的沟道区ACTc叠置。第一电容性电极CSE1可以在厚度方向上与稍后将描述的第二电容性电极CSE2叠置。在实施例中，第一电容性电极CSE1可以整体地连接到栅电极GE。第一电容性电极CSE1可以在厚度方向上与第二电容性电极CSE2叠置，存储电容器可以形成在第一电容性电极CSE1与第二电容性电极CSE2之间。
第一栅极导电层可以是但不限于由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)和它们的合金中的任何一个或更多个制成的单个层或多层。
第一保护层15设置在第一栅极导电层上。第一保护层15可以覆盖第一栅极导电层以保护第一栅极导电层。第一保护层15可以是包括无机材料(例如，氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)和氮氧化硅(SiON)中的任何一个)的单个层，或者可以是其中堆叠有以上材料的双层或多层。
第一数据导电层设置在第一保护层15上。第一数据导电层可以包括第一晶体管T1的第一源/漏电极SD1和第二源/漏电极SD2、数据线DTL以及第二电容性电极CSE2。
第一晶体管T1的源/漏电极SD1和SD2可以通过穿透第一层间绝缘层17和第一栅极绝缘层13的接触孔分别接触有源层ACT的掺杂区ACTa和ACTb。另外，第一晶体管T1的第一源/漏电极SD1可以通过另一接触孔电连接到光阻挡层BML。
数据线DTL可以将数据信号传输到包括在显示装置10中的其它晶体管(未示出)。虽然在附图中未示出，但是数据线DTL可以连接到其它晶体管的源/漏电极，以传输发送到数据线DTL的信号。
第二电容性电极CSE2在厚度方向上与第一电容性电极CSE1叠置。在实施例中，第二电容性电极CSE2可以整体地连接到第二源/漏电极SD2。
第一数据导电层可以是但不限于由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)和它们的合金中的任何一个或更多个制成的单个层或多层。
第一层间绝缘层17设置在第一数据导电层上。第一层间绝缘层17可以用作第一数据导电层与第一数据导电层上的其它层之间的绝缘膜。另外，第一层间绝缘层17可以覆盖第一数据导电层且保护第一数据导电层。第一层间绝缘层17可以是包括无机材料(例如，氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)和氮氧化硅(SiON)中的任何一个)的单个层，或者可以是其中堆叠有以上材料的双层或多层。
第二数据导电层设置在第一层间绝缘层17上。第二数据导电层可以包括第一电压布线VL1、第二电压布线VL2和第一导电图案CDP。供应到第一晶体管T1的高电位电压(或第一电源电压)可以被施加到第一电压布线VL1，供应到第二电极22的低电位电压(或第二电源电压)可以被施加到第二电压布线VL2。另外，在显示装置10的制造工艺期间，对准发光元件30所需的对准信号可以被传输到第二电压布线VL2。
第一导电图案CDP可以通过形成在第一层间绝缘层17中的接触孔连接到第二电容性电极CSE2。第二电容性电极CSE2可以与第一晶体管T1的第二源/漏电极SD2成一体，第一导电图案CDP可以电连接到第二源/漏电极SD2。第一导电图案CDP也可以接触稍后将描述的第一电极21，第一晶体管T1可以通过第一导电图案CDP将从第一电压布线VL1接收的第一电源电压传输到第一电极21。虽然在附图中第二数据导电层包括一条第二电压布线VL2和一条第一电压布线VL1，但是公开不限于此。第二数据导电层可以包括更多条第一电压布线VL1和更多条第二电压布线VL2。
第二数据导电层可以是但不限于由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)和它们的合金中的任何一个或更多个制成的单个层或多层。
第一平坦化层19设置在第二数据导电层上。第一平坦化层19可以包括有机绝缘材料(例如，诸如聚酰亚胺(PI)的有机材料)，并且可以执行表面平坦化功能。
多个第一堤BNL1、多个电极21和22、发光元件30、多个接触电极CNE1至CNE4以及第二堤BNL2设置在第一平坦化层19上。另外，多个绝缘层PAS1至PAS4可以设置在第一平坦化层19上。
第一堤BNL1可以直接设置在第一平坦化层19上。第一堤BNL1可以在每个子像素PXn中沿第二方向DR2延伸，但是可以设置在发射区域EMA内而不延伸到在第二方向DR2上相邻的其它子像素PXn。另外，第一堤BNL1可以在第一方向DR1上彼此间隔开，发光元件30可以设置在第一堤BNL1之间。第一堤BNL1可以设置在每个子像素PXn中，以在显示装置10的显示区域DPA中形成线性图案。每个第一堤BNL1的在第二方向DR2上测量的长度可以比稍后将描述的接触电极CNE1和CNE2中的每个的长度大。然而，公开不限于此。虽然在附图中示出了两个第一堤BNL1，但是公开不限于此。第一堤BNL1的数量可以根据稍后将描述的电极21和22的数量而增大。
第一堤BNL1中的每个的至少一部分可以从第一平坦化层19的上表面突出。第一堤BNL1中的每个的突出部可以具有倾斜的侧表面，从发光元件30发射的光可以在被设置在第一堤BNL1上的电极21和22反射之后朝向第一平坦化层19上方行进。第一堤BNL1可以在用作在向上方向上反射从发光元件30发射的光的反射屏障的同时提供其中定位有发光元件30的区域。第一堤BNL1的侧表面可以以线性形状倾斜。然而，公开不限于此，第一堤BNL1的外表面也可以具有弯曲的半圆形或半椭圆形形状。第一堤BNL1可以包括诸如聚酰亚胺(PI)的有机绝缘材料，但是公开不限于此。
电极21和22设置在第一堤BNL1和第一平坦化层19上。电极21和22可以包括第一电极21和第二电极22。第一电极21和第二电极22可以在第二方向DR2上延伸，并且可以在第一方向DR1上彼此间隔开。
第一电极21和第二电极22中的每个可以在每个子像素PXn中沿第二方向DR2延伸，但是可以在切口区域CBA中与另一电极21或22分开。例如，切口区域CBA可以设置在沿第二方向DR2相邻的子像素PXn的发射区域EMA之间，第一电极21和第二电极22可以在切口区域CBA中与设置在沿第二方向DR2相邻的子像素PXn中的另一第一电极21和另一第二电极22分开。然而，公开不限于此，一些电极21和22可以不针对每个子像素PXn分开，而是可以延伸超过沿第二方向DR2相邻的子像素PXn，或者第一电极21和第二电极22中的仅一个可以被分开。
第一电极21可以通过第一接触孔CT1电连接到第一晶体管T1，第二电极22可以通过第二接触孔CT2电连接到第二电压布线VL2。例如，第一电极21可以通过第一接触孔CT1接触第一导电图案CDP，第一接触孔CT1在第二堤BNL2的沿第一方向DR1延伸的一部分中穿透第一平坦化层19。第二电极22也可以通过第二接触孔CT2接触第二电压布线VL2，第二接触孔CT2在第二堤BNL2的沿第一方向DR1延伸的一部分中穿透第一平坦化层19。然而，公开不限于此。在另一实施例中，第一接触孔CT1和第二接触孔CT2可以设置在被第二堤BNL2围绕的发射区域EMA中，以便不与第二堤BNL2叠置。
虽然在附图中一个第一电极21和一个第二电极22设置在每个子像素PXn中，但是公开不限于此，更多的第一电极21和更多的第二电极22可以设置在每个子像素PXn中。另外，设置在每个子像素PXn中的第一电极21和第二电极22可以不必在一个方向上延伸，并且可以以各种结构设置。例如，第一电极21和第二电极22可以部分地弯折或弯曲，或者第一电极21和第二电极22中的任何一个可以围绕另一电极。
第一电极21和第二电极22可以分别设置在第一堤BNL1上。第一电极21和第二电极22可以形成为分别具有比第一堤BNL1的宽度大的宽度。例如，第一电极21和第二电极22可以分别覆盖第一堤BNL1的外表面。第一电极21和第二电极22可以分别设置在第一堤BNL1的侧表面上，第一电极21与第二电极22之间的距离可以比第一堤BNL1之间的距离小。另外，第一电极21和第二电极22中的每个的至少一部分可以直接设置在第一平坦化层19上，使得第一电极21和第二电极22中的每个的至少一部分位于同一平面。然而，公开不限于此。在一些情况下，电极21和22的宽度可以分别比第一堤BNL1的宽度小。然而，电极21和22中的每个可以覆盖第一堤BNL1的至少一个侧表面，以反射从发光元件30发射的光。
电极21和22中的每个可以包括透明导电材料。例如，电极21和22中的每个可以包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)或氧化铟锡锌(ITZO)的材料。然而，公开不限于此，电极21和22中的每个可以包括具有高反射率的导电材料。例如，电极21和22中的每个可以包括诸如银(Ag)、铜(Cu)或铝(Al)的金属作为具有高反射率的材料。在这种情况下，电极21和22中的每个可以将在从发光元件30发射之后朝向第一堤BNL1的侧表面行进的光朝向每个子像素PXn上方反射。
然而，公开不限于此，电极21和22中的每个也可以具有其中透明导电材料和具有高反射率的金属层均堆叠在一个或更多个层中的结构，或者也可以形成为包括透明导电材料和金属层的单个层。例如，电极21和22中的每个可以具有ITO/Ag/ITO、ITO/Ag/IZO或ITO/Ag/ITZO/IZO的堆叠结构，或者可以是包含铝(Al)、镍(Ni)或镧(La)的合金。
电极21和22可以电连接到发光元件30，预定电压可以被施加到电极21和22，使得发光元件30可以发射光。例如，电极21和22可以通过稍后将描述的接触电极CNE电连接到发光元件30，并且可以通过接触电极CNE将接收的电信号传输到发光元件30。
第一电极21和第二电极22中的任何一个可以电连接到发光元件30的阳极，另一个可以电连接到发光元件30的阴极。然而，公开不限于此，相反的情况也可以是真实的。
另外，电极21和22中的每个可以用于在每个子像素PXn中形成电场，以便对准发光元件30。发光元件30可以通过形成在第一电极21和第二电极22上的电场布置在第一电极21与第二电极22之间。显示装置10的发光元件30可以通过喷墨印刷工艺喷射到电极21和22上。当包括发光元件30的墨被喷射到电极21和22上时，对准信号被传输到电极21和22以产生电场。分散在墨中的发光元件30可以通过由产生在电极21和22上的电场施加的介电泳力在电极21和22上对准。
第一绝缘层PAS1设置在第一平坦化层19上。第一绝缘层PAS1可以覆盖第一堤BNL1、第一电极21和第二电极22。在实施例中，第一绝缘层PAS1可以包括部分地暴露第一电极21和第二电极22的开口OP1和OP2。第一绝缘层PAS1可以包括暴露第一电极21的上表面的一部分的第一开口OP1和暴露第二电极22的上表面的一部分的第二开口OP2。第一开口OP1和第二开口OP2可以部分地暴露电极21和22的分别设置在第一堤BNL1的上表面上的部分。稍后将描述的接触电极CNE中的一些可以分别接触通过开口OP1和OP2暴露的电极21和22。
第一绝缘层PAS1可以是台阶式的，使得第一绝缘层PAS1的上表面的一部分凹陷在第一电极21与第二电极22之间。例如，由于第一绝缘层PAS1覆盖第一电极21和第二电极22，因此第一绝缘层PAS1的上表面可以根据设置在第一绝缘层PAS1下面的电极21和22的形状而是台阶式的。然而，公开不限于此。第一绝缘层PAS1可以在使第一电极21和第二电极22彼此绝缘的同时保护第一电极21和第二电极22。另外，第一绝缘层PAS1可以防止第一绝缘层PAS1上的发光元件30与其它构件直接接触，并且因此防止对第一绝缘层PAS1上的发光元件30的损坏。
第二堤BNL2可以设置在第一绝缘层PAS1上。第二堤BNL2可以包括在平面图中沿第一方向DR1和第二方向DR2延伸的部分，并且可以遍及整个显示区域DPA设置为格子图案。第二堤BNL2可以设置在每个子像素PXn的边界处，以使相邻的子像素PXn分开。
另外，第二堤BNL2可以围绕设置在每个子像素PXn中的发射区域EMA和切口区域CBA以使它们分开。第一电极21和第二电极22可以在第二方向DR2上延伸以穿过第二堤BNL2的沿第一方向DR1延伸的一部分。第二堤BNL2的沿第二方向DR2延伸的一部分在发射区域EMA之间可以具有比在切口区域CBA之间大的宽度。因此，切口区域CBA之间的距离可以比发射区域EMA之间的距离小。
第二堤BNL2可以形成为具有比第一堤BNL1的高度大的高度。第二堤BNL2可以防止在显示装置10的制造工艺期间在喷墨印刷工艺中墨溢出到相邻的子像素PXn。因此，第二堤BNL2可以针对不同的子像素PXn使其中分散有不同的发光元件30的墨分开，以便防止墨彼此混合。与第一堤BNL1类似，第二堤BNL2可以包括但不限于聚酰亚胺(PI)。
发光元件30可以设置在第一绝缘层PAS1上。发光元件30可以沿着电极21和22中的每个延伸所沿的第二方向DR2彼此间隔开，并且可以基本上彼此平行对准。发光元件30可以在一个方向上延伸，电极21和22延伸所沿的方向与发光元件30延伸所沿的方向可以基本上彼此垂直。然而，公开不限于此，发光元件30也可以在不与电极21和22延伸所沿的方向垂直而是与电极21和22延伸所沿的方向倾斜的方向上延伸。
设置在子像素PXn中的发光元件30可以包括包含不同材料的发光层36(见图8)，以发射不同波长带的光。因此，可以分别从第一子像素PX1、第二子像素PX2和第三子像素PX3输出第一颜色的光、第二颜色的光和第三颜色的光。然而，公开不限于此，子像素PXn也可以包括相同类型的发光元件30以发射基本上相同颜色的光。
每个发光元件30的两端可以在第一堤BNL1之间分别设置在电极21和22上。发光元件30延伸的长度可以比第一电极21与第二电极22之间的距离大，每个发光元件30的两端可以分别设置在第一电极21和第二电极22上。例如，每个发光元件30的一端可以设置在第一电极21上，另一端可以设置在第二电极22上。
发光元件30中的每个可以包括在与第一基底11或第一平坦化层19的上表面平行的方向上定位的多个层。发光元件30延伸所沿的方向可以与第一平坦化层19的上表面平行，包括在发光元件30中的每个中的半导体层可以沿着与第一平坦化层19的上表面平行的方向顺序地定位。然而，公开不限于此。当发光元件30中的每个具有不同的结构时，所述层也可以在与第一平坦化层19的上表面垂直的方向上定位。
每个发光元件30的两端可以分别接触接触电极CNE。例如，绝缘膜38(见图8)可以不形成在每个发光元件30的在发光元件30延伸所沿的方向上的端表面上，从而暴露半导体层中的一些。因此，暴露的半导体层可以接触接触电极CNE。然而，公开不限于此，可以去除每个发光元件30的绝缘膜38的至少一部分以部分地暴露半导体层的两端的侧表面。半导体层的暴露侧表面可以直接接触接触电极CNE。
根据实施例，发光元件30可以包括具有与不同的接触电极CNE接触的两端的发光元件30A和30B。发光元件30可以包括可以通过彼此连接的接触电极CNE电连接的第一发光元件30A和第二发光元件30B。第一发光元件30A的第一端和第二发光元件30B的第一端可以接触不同的接触电极CNE，第一发光元件30A的第二端和第二发光元件30B的第一端可以接触彼此连接的接触电极CNE。第一发光元件30A和第二发光元件30B可以通过接触电极CNE彼此串联连接，可以改善每个子像素PXn的每单位面积的亮度。这将在稍后更详细地描述。
第二绝缘层PAS2可以设置在发光元件30上。第二绝缘层PAS2可以部分地设置在第一绝缘层PAS1、第一电极21、第二电极22和发光元件30上。例如，除了每个发光元件30的两端以及电极21和22的上表面的其上设置有接触电极CNE的部分之外，第二绝缘层PAS2可以在被第二堤BNL2围绕的区域中设置在第一绝缘层PAS1的整个表面上。在显示装置10的制造工艺期间，第二绝缘层PAS2可以放置为覆盖发光元件30、电极21和22以及第一绝缘层PAS1，然后可以被去除以暴露发光元件30的两端。第二绝缘层PAS2的一部分可以在暴露发光元件30的两端的同时覆盖发光元件30。第二绝缘层PAS2的设置在发光元件30上的一部分可以在平面图中在第一绝缘层PAS1上沿第二方向DR2延伸，以在每个子像素PXn中形成线性或岛状图案。第二绝缘层PAS2可以在显示装置10的制造工艺中在锚定发光元件30的同时保护发光元件30。另外，在一些实施例中，第二绝缘层PAS2的一部分可以填充发光元件30与第一绝缘层PAS1之间的空间。
另外，第二绝缘层PAS2可以部分地覆盖电极21和22中的每个的外侧。接触电极CNE可以部分地设置在其中未设置第二绝缘层PAS2的部分中。然而，公开不限于此，第二绝缘层PAS2也可以仅设置在电极21和22之间以锚定发光元件30，并且可以在其它区域中被去除。
多个接触电极CNE和第三绝缘层PAS3可以设置在第二绝缘层PAS2上。
接触电极CNE可以在一个方向上延伸，并且可以分别设置在电极21和22上。接触电极CNE可以包括设置在第一电极21上的第一接触电极CNE1和第四接触电极CNE4以及设置在第二电极22上的第二接触电极CNE2和第三接触电极CNE3。接触电极CNE可以彼此间隔开或者可以彼此面对。例如，第一接触电极CNE1和第四接触电极CNE4可以在第一电极21上沿第二方向DR2彼此间隔开，第二接触电极CNE2和第三接触电极CNE3可以在第二电极22上沿第二方向DR2彼此间隔开。另外，第一接触电极CNE1和第三接触电极CNE3可以在第一方向DR1上彼此面对，第二接触电极CNE2和第四接触电极CNE4也可以在第一方向DR1上彼此面对。接触电极CNE中的每个可以在每个子像素PXn的发射区域EMA中形成条纹图案。
接触电极CNE中的每个可以接触发光元件30。第一接触电极CNE1和第四接触电极CNE4可以接触每个发光元件30的一端，第二接触电极CNE2和第三接触电极CNE3可以接触每个发光元件30的另一端。如上所述，半导体层可以在每个发光元件30的在发光元件30延伸所沿的方向上的两个端表面上暴露，接触电极CNE可以通过接触半导体层而电连接到每个发光元件30的半导体层。接触电极CNE的接触发光元件30的两端的相应侧可以设置在第二绝缘层PAS2上。
接触电极CNE的在一定方向上测量的宽度可以比电极21和22的分别在该方向上测量的宽度小。接触电极CNE可以分别接触每个发光元件30的一端和另一端，并且可以部分地覆盖第一电极21和第二电极22的上表面。然而，公开不限于此，接触电极CNE也可以比电极21和22宽以覆盖电极21和22的两侧。
接触电极CNE可以包括诸如ITO、IZO、ITZO或铝(Al)的透明导电材料。从发光元件30发射的光可以穿过接触电极CNE以朝向电极21和22行进。然而，公开不限于此。
根据实施例，接触电极CNE可以包括通过第一绝缘层PAS1的开口OP接触电极21和22的第一型接触电极CNE#1以及不接触电极21和22且仅接触发光元件30的第二型接触电极CNE#2。另外，第二型接触电极CNE#2可以包括设置在电极21和22上但不接触电极21和22的部分，并且还可以包括将设置在电极21和22上的部分连接的电极连接部BE。第一型接触电极CNE#1和第二型接触电极CNE#2可以接触发光元件30，但是可以根据它们是否接触电极21和22以及它们是否连接到电极连接部BE而彼此区分开。
例如，第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2中的每个可以是第一型接触电极CNE#1。第一接触电极CNE1可以覆盖第一开口OP1且通过第一开口OP1接触第一电极21，第二接触电极CNE2可以覆盖第二开口OP2且通过第二开口OP2接触第二电极22。第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2可以在一个方向上延伸，并且可以设置在电极21和22上且直接连接到电极21和22。
第二型接触电极CNE#2包括分别设置在电极21和22上以接触发光元件30的接触部CP1和CP2以及将接触部CP1和CP2彼此连接的电极连接部BE。第三接触电极CNE3和第四接触电极CNE4可以是第二型接触电极CNE#2的接触部CP1和CP2。第三接触电极CNE3可以是与第二接触电极CNE2间隔开且面对第一接触电极CNE1的第一接触部CP1，第四接触电极CNE4可以是与第一接触电极CNE1间隔开且面对第二接触电极CNE2的第二接触部CP2。电极连接部BE可以将第一接触部CP1和第二接触部CP2或者第三接触电极CNE3和第四接触电极CNE4连接，第三接触电极CNE3和第四接触电极CNE4可以通过电极连接部BE彼此电连接。
发光元件30中的每个可以具有设置在第一电极21上的一端和设置在第二电极22上的另一端。每个发光元件30的两端可以分别接触第一型接触电极CNE#1和第二型接触电极CNE#2，发光元件30中的一些可以通过第二型接触电极CNE#2彼此电连接。根据实施例，发光元件30可以包括第一发光元件30A和第二发光元件30B，第一发光元件30A具有与第一接触电极CNE1接触的第一端和与第三接触电极CNE3接触的第二端，第二发光元件30B具有与第四接触电极CNE4接触的第一端和与第二接触电极CNE2接触的第二端。
第一发光元件30A的第一端和第二发光元件30B的第二端分别接触第一型接触电极CNE#1。第一发光元件30A的第一端接触第一接触电极CNE1，第二发光元件30B的第二端接触第二接触电极CNE2。第一发光元件30A的第一端和第二发光元件30B的第二端可以分别通过第一型接触电极CNE#1电连接到电极21和22。
第一发光元件30A的第二端和第二发光元件30B的第一端接触第二型接触电极CNE#2。第一发光元件30A的第二端接触第三接触电极CNE3，第二发光元件30B的第一端接触第四接触电极CNE4。由于第三接触电极CNE3和第四接触电极CNE4通过电极连接部BE彼此连接，因此第一发光元件30A的第二端和第二发光元件30B的第一端可以通过第二型接触电极CNE#2彼此电连接。第一电极21和第二电极22可以分别通过第一接触孔CT1和第二接触孔CT2电连接到它们下面的第一晶体管T1和第二电压布线VL2，并且可以从第一晶体管T1和第二电压布线VL2接收电信号。电信号可以流过第一型接触电极CNE#1、第一发光元件30A、第二发光元件30B和第二型接触电极CNE#2。由于第一发光元件30A和第二发光元件30B通过第二型接触电极CNE#2彼此电连接，因此它们可以彼此串联连接。当某些发光元件30设置在每个子像素PXn中时，如果发光元件30中的一些彼此串联连接，则从发光元件30发射的光的量可以增大。在显示装置10中，多个发光元件30可以在每个子像素PXn中串联连接以增大每单位子像素的亮度。另外，由于发光元件30串联连接，因此即使接触电极CNE中的一些短路，接触其它接触电极CNE的发光元件30也可以发射光。例如，当与第一发光元件30A接触的第一接触电极CNE1和第三接触电极CNE3彼此直接连接以短路时，即使第一发光元件30A不发射光，第二发光元件30B也可以发射光。显示装置10可以在使其中对应的子像素PXn不完全地发射光的发光故障最小化的同时改善每个子像素PXn的亮度。
在实施例中，电极连接部BE与接触部CP1和CP2或者第三接触电极CNE3和第四接触电极CNE4可以彼此成一体且设置在同一层，第一型接触电极CNE#1和第二型接触电极CNE#2可以设置在不同层。第一型接触电极CNE#1的第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2在同一工艺中形成，但是彼此间隔开。第二型接触电极CNE#2的第三接触电极CNE3、第四接触电极CNE4和电极连接部BE在同一工艺中形成为彼此连接以形成一体的接触电极。然而，公开不限于此，电极连接部BE也可以在单独的工艺中形成且连接到接触部CP1和CP2。
第三绝缘层PAS3可以设置在第一型接触电极CNE#1与第二型接触电极CNE#2之间。第三绝缘层PAS3也可以设置在排除其中设置有第二型接触电极CNE#2的接触部CP1和CP2的区域的第一型接触电极CNE#1和第二绝缘层PAS2上。第二绝缘层PAS2可以设置在第一绝缘层PAS1的除了其中接触电极CNE设置在电极21和22上的部分之外的整个表面上，第三绝缘层PAS3可以设置在第一绝缘层PAS1的除了其中第二型接触电极CNE#2设置在电极21和22上的部分之外的整个表面上。第三绝缘层PAS3可以使第一型接触电极CNE#1与第二型接触电极CNE#2绝缘，使得第一型接触电极CNE#1与第二型接触电极CNE#2彼此不直接接触。即，在实施例中，第一型接触电极CNE#1和第二型接触电极CNE#2可以设置在不同层。第一型接触电极CNE#1可以直接设置在第二绝缘层PAS2上，第二型接触电极CNE#2可以直接设置在第三绝缘层PAS3上。然而，第一型接触电极CNE#1和第二型接触电极CNE#2也可以在其中未设置第二绝缘层PAS2和第三绝缘层PAS3和其中发光元件30的两端被暴露的区域中直接设置在第一绝缘层PAS1上。
另外，第二绝缘层PAS2和第三绝缘层PAS3可以设置在其中未设置发光元件30的区域中或者设置在电极21和22与第二堤BNL2之间，使得电极连接部BE设置在第二绝缘层PAS2或第三绝缘层PAS3上。由于电极连接部BE设置在第三绝缘层PAS3上，因此它可以通过第三绝缘层PAS3与第一型接触电极CNE#1绝缘。然而，公开不限于此，也可以省略第三绝缘层PAS3，第二型接触电极CNE#2可以直接设置在第二绝缘层PAS2上。
另外，根据实施例，第二型接触电极CNE#2的电极连接部BE可以与第一型接触电极CNE#1的外侧间隔开且可以围绕该外侧。电极连接部BE可以包括第一延伸部EP1和第二延伸部EP2，第一延伸部EP1在第二方向DR2上延伸且连接到第三接触电极CNE3，第二延伸部EP2在第一方向DR1上延伸且具有连接到第一延伸部EP1的一侧和连接到第四接触电极CNE4的另一侧。电极连接部BE的第一延伸部EP1可以与第二接触电极CNE2的外侧的长侧间隔开，第二延伸部EP2可以与第二接触电极CNE2的外侧的短侧间隔开。因此，电极连接部BE可以围绕第二接触电极CNE2的外侧。电极连接部BE的第一延伸部EP1可以不与第二电极22叠置。
第二型接触电极CNE#2的电极连接部BE可以经由其中未设置发光元件30的区域将接触部CP1和CP2或者第三接触电极CNE3和第四接触电极CNE4连接。其中接触电极CNE彼此间隔开的区域是每个子像素PXn的发射区域EMA的其中可以设置有发光元件30的一部分。因此，电极连接部BE放置为不与其中接触电极CNE彼此间隔开的区域交叉。电极连接部BE可以围绕第一型接触电极CNE#1的外侧，并且可以设置在电极21或22与第二堤BNL2之间。由于电极连接部BE仅设置在未设置发光元件30的区域中，因此能够在保持设置在每个子像素PXn中的发光元件30的数量的同时将一些发光元件30串联连接。在显示装置10中，电极连接部BE的放置被设计为确保其中设置有每个子像素PXn的发光元件30的足够的区域且将发光元件30串联连接。因此，即使被每个子像素PXn占据的面积小，也能够在保持每个子像素PXn的尺寸的同时改善亮度。
根据实施例，电极连接部BE与第一型接触电极CNE#1(例如，第二接触电极CNE2)之间的距离DC1和DC2可以等于或小于接触电极CNE之间的距离。第一型接触电极CNE#1和第二型接触电极CNE#2可以不彼此直接连接，而是可以通过发光元件30彼此电连接。在一个子像素PXn中，电极连接部BE在与第二接触电极CNE2间隔开预定距离或更大距离的同时围绕第二接触电极CNE2的外侧。电极连接部BE的第一延伸部EP1与第二接触电极CNE2的外侧的长侧之间的距离DC1以及第二延伸部EP2与第二接触电极CNE2的外侧的短侧之间的距离DC2可以足够大以防止它们彼此直接接触。距离DC1和DC2可以等于第一型接触电极CNE#1与第二型接触电极CNE#2的接触部CP1和CP2之间的距离，但是也可以在其中它们可以不彼此连接的范围内更小。
第三绝缘层PAS3可以设置在第一型接触电极CNE#1与第二型接触电极CNE#2之间以使它们彼此绝缘。然而，如上所述，也可以省略第三绝缘层PAS3。在这种情况下，第一型接触电极CNE#1和第二型接触电极CNE#2可以设置在同一层，电极连接部BE可以在其中它不直接连接到第一型接触电极CNE#1的范围内与第一型接触电极CNE#1间隔开预定距离(DC1和DC2)。
虽然在附图中两个第一型接触电极CNE#1和一个第二型接触电极CNE#2设置在一个子像素PXn中，但是公开不限于此。与第一电极21接触的一个第一接触电极CNE1和与第二电极22接触的一个第二接触电极CNE2可以设置为第一型接触电极CNE#1，但是第二型接触电极CNE#2也可以包括更大数量的接触部CP1和CP2以及电极连接部BE。因此，可以增大每个子像素PXn中串联连接的发光元件30的数量，还可以改善每个子像素PXn的亮度。
第四绝缘层PAS4可以设置在第一基底11的整个表面上。第四绝缘层PAS4可以用于保护第一基底11上的构件免受外部环境的影响。
上述第一绝缘层PAS1、第二绝缘层PAS2、第三绝缘层PAS3和第四绝缘层PAS4中的每个可以包括无机绝缘材料或有机绝缘材料。例如，第一绝缘层PAS1、第二绝缘层PAS2、第三绝缘层PAS3和第四绝缘层PAS4可以包括诸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氧化铝(AlOx)或氮化铝(AlNx)的无机绝缘材料。可选地，第一绝缘层PAS1、第二绝缘层PAS2、第三绝缘层PAS3和第四绝缘层PAS4可以包括诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯树脂、聚苯硫醚树脂、苯并环丁烯、卡多树脂、硅氧烷树脂、倍半硅氧烷树脂、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯或聚甲基丙烯酸甲酯-聚碳酸酯合成树脂的有机绝缘材料。然而，公开不限于此。
第一型接触电极CNE#1可以在第二方向DR2上与第二型接触电极CNE#2的接触部CP1或CP2间隔开，或者第一接触电极CNE1和第三接触电极CNE3可以在第二方向DR2上与第四接触电极CNE4和第二接触电极CNE2间隔开，发光元件30也可以设置在它们之间。这些发光元件30可以设置在电极21和22上且两端不与接触电极CNE接触，并且可以保持为在每个子像素PXn中不发射光的发光元件30。
图7是沿着图3的线Q6-Q6'截取的剖视图。
参照图7，根据实施例的发光元件30还可以包括具有不与接触电极CNE接触的两端的第三发光元件30C。第三发光元件30C的两端可以设置在第一电极21和第二电极22上，但是接触电极CNE可以不设置在其上设置有第三发光元件30C的两端的电极21和22上。第一型接触电极CNE#1与第二型接触电极CNE#2的接触部CP1和CP2可以在电极21和22上沿第二方向DR2彼此间隔开，发光元件30也可以设置在它们之间的区域中。发光元件包括未电连接到接触电极CNE的第三发光元件30C，第三发光元件30C的两端可以被第二绝缘层PAS2和第三绝缘层PAS3暴露。第三发光元件30C的两端可以直接接触设置在它们上的第四绝缘层PAS4。显示装置10可以包括不发射光的第三发光元件30C。然而，即使每个子像素PXn包括一些丢失的发光元件30(诸如第三发光元件30C)，由于第一发光元件30A和第二发光元件30B串联连接，因此也可以提供足够的亮度。另外，第三发光元件30C可以被第二绝缘层PAS2围绕，其位置可以在显示装置10的制造工艺期间被锚定。虽然第三发光元件30C不连接到接触电极CNE，但是它可以不偏离其位置以在后续工艺中充当异物，即使显示装置10包括一些丢失的发光元件30，显示装置10也可以具有足够的亮度。
根据实施例的显示装置10可以通过将每个子像素PXn中的一些发光元件30彼此串联连接来改善每单位面积的亮度。另外，由于第二型接触电极CNE#2的将发光元件30串联连接的电极连接部BE放置为穿过其中未设置发光元件30的区域，因此能够在保持每个子像素PXn的尺寸和发光元件30的数量的同时将发光元件30串联连接。
图8是根据实施例的发光元件的示意图。
发光元件30可以是发光二极管。具体地，发光元件30可以是具有微米或纳米的尺寸且由无机材料制成的无机发光二极管。当在彼此面对的两个电极之间沿特定方向形成电场时，无机发光二极管可以在其中形成有极性的两个电极之间对准。发光元件30可以通过形成在电极上的电场在两个电极之间对准。
根据实施例的发光元件30可以在一个方向上延伸。发光元件30可以成形为圆柱、棒、线、管等。然而，发光元件30的形状不限于此，发光元件30也可以具有包括诸如立方体、长方体或六棱柱的多边形棱柱的各种形状以及在一个方向上延伸且具有部分地倾斜的外表面的形状。包括在稍后将描述的发光元件30中的多个半导体可以沿着该一个方向顺序地布置或堆叠。
发光元件30可以包括掺杂有任何导电类型(例如，p型或n型)的杂质的半导体层。半导体层可以从外部电源接收电信号且发射特定波长带的光。
参照图8，发光元件30可以包括第一半导体层31、第二半导体层32、发光层36、电极层37和绝缘膜38。
第一半导体层31可以是n型半导体。如果发光元件30发射蓝色波长带的光，则第一半导体层31可以包括具有AlxGayIn1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的化学式的半导体材料。例如，包括在第一半导体层31中的半导体材料可以是n型掺杂的AlGaInN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的任何一种或更多种。第一半导体层31可以掺杂有n型掺杂剂，n型掺杂剂可以是Si、Ge或Sn。例如，第一半导体层31可以是掺杂有n型Si的n-GaN。第一半导体层31的长度可以在但不限于1.5μm至5μm的范围内。
第二半导体层32设置在稍后将描述的发光层36上。第二半导体层32可以是p型半导体。如果发光元件30发射蓝色或绿色波长带的光，则第二半导体层32可以包括具有AlxGayIn1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的化学式的半导体材料。例如，包括在第二半导体层32中的半导体材料可以是p型掺杂的AlGaInN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的任何一种或更多种。第二半导体层32可以掺杂有p掺杂剂，p掺杂剂可以是Mg、Zn、Ca、Se或Ba。例如，第二半导体层32可以是掺杂有p型的Mg的p-GaN。第二半导体层32的长度可以在但不限于0.05μm至0.10μm的范围内。
虽然在附图中第一半导体层31和第二半导体层32中的每个由一个层组成，但是公开不限于此。第一半导体层31和第二半导体层32中的每个也可以包括更多层，例如，根据发光层36的材料，还可以包括包覆层或拉伸应变势垒减小(TSBR)层。
发光层36设置在第一半导体层31与第二半导体层32之间。发光层36可以包括具有单量子阱结构或多量子阱结构的材料。当发光层36包括具有多量子阱结构的材料时，它可以具有其中交替地堆叠有多个量子层和多个阱层的结构。发光层36可以根据通过第一半导体层31和第二半导体层32接收的电信号通过电子-空穴对的复合发射光。如果发光层36发射蓝色波长带的光，则它可以包括诸如AlGaN或AlGaInN的材料。具体地，当发光层36具有其中交替地堆叠有量子层和阱层的多量子阱结构时，量子层可以包括诸如AlGaN或AlGaInN的材料，阱层可以包括诸如GaN或AlInN的材料。例如，发光层36可以包括作为量子层的AlGaInN和作为阱层的AlInN以发射如上所述的其中心波长带在450nm至495nm的范围内的蓝光。
然而，公开不限于此，根据发光层36发射的光的波长带，发光层36也可以具有其中交替地堆叠有具有大能带隙的半导体材料和具有小能带隙的半导体材料的结构，或者可以包括不同的III族至V族半导体材料。从发光层36发射的光不限于蓝色波长带的光。在一些情况下，发光层36可以发射红色或绿色波长带的光。发光层36的长度可以在但不限于0.05μm至0.10μm的范围内。
从发光层36发射的光不仅可以在纵向方向上通过发光元件30的外表面辐射，而且可以通过两个侧表面辐射。从发光层36发射的光的方向不限于一个方向。
电极层37可以是欧姆接触电极。然而，公开不限于此，电极层37也可以是肖特基(Schottky)接触电极。发光元件30可以包括至少一个电极层37。虽然在图8中发光元件30包括一个电极层37，但是公开不限于此。在一些情况下，发光元件30可以包括附加的电极层37，或者可以省略电极层37。即使当发光元件30包括不同数量的电极层37或者还包括另一结构时，发光元件30的以下描述也可以同样地适用。
当发光元件30电连接到根据实施例的显示装置10中的电极或接触电极时，电极层37可以减小发光元件30与电极或接触电极之间的电阻。电极层37可以包括导电金属。例如，电极层37可以包括铝(Al)、钛(Ti)、铟(In)、金(Au)、银(Ag)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)和氧化铟锡锌(ITZO)中的至少任何一种。另外，电极层37可以包括n型或p型掺杂的半导体材料。电极层37可以包括相同的材料或不同的材料，但是公开不限于此。
绝缘膜38围绕上述半导体层和电极层的外表面。例如，绝缘膜38可以围绕至少发光层36的外表面且在发光元件30延伸所沿的方向上延伸。绝缘膜38可以保护以上构件。例如，绝缘膜38可以围绕以上构件的侧表面，但是可以在纵向方向上暴露发光元件30的两端。
在图中，绝缘膜38在发光元件30的纵向方向上延伸，以从第一半导体层31的侧表面覆盖到电极层37的侧表面。然而，公开不限于此，绝缘膜38可以覆盖发光层36的外表面和仅一些半导体层，或者可以覆盖电极层37的外表面的仅一部分以部分地暴露电极层37的外表面。另外，绝缘膜38的上表面在与发光元件30的至少一端相邻的区域中在剖面中可以是圆形的。
绝缘膜38的厚度可以在但不限于10nm至1.0μm的范围内。绝缘膜38的厚度可以是例如约40nm。
绝缘膜38可以包括诸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氮化铝(AlNx)或氧化铝(AlOx)的绝缘材料。因此，可以防止当发光层36直接接触将电信号传输到发光元件30的电极时会发生的电短路。另外，由于绝缘膜38保护包括发光层36的发光元件30的外表面，因此可以防止发光效率的降低。
另外，可以处理绝缘膜38的外表面。可以将分散在预定墨中的发光元件30喷涂到电极上，然后使其对准。这里，绝缘膜38的表面可以是疏水或亲水处理的，使得发光元件30在墨中保持分离而不与其它相邻的发光元件30聚集。
发光元件30的长度h可以在1μm至10μm或2μm至6μm的范围内，并且可以例如在3μm至5μm的范围内。另外，发光元件30的直径可以在30nm至700nm的范围内，发光元件30的长宽比可以是1.2至100。然而，公开不限于此，包括在显示装置10中的多个发光元件30也可以根据发光层36的组成的差异而具有不同的直径。发光元件30的直径可以是例如约500nm。
在下文中，将参照其它附图描述显示装置10的其它实施例。
图9是根据另一实施例的显示装置的子像素的平面图。图10是沿着图9的线Q7-Q7'截取的剖视图。
参照图9和图10，在显示装置10中，可以省略第三绝缘层PAS3。显示装置10的第一型接触电极CNE#1和第二型接触电极CNE#2可以均直接设置在第一绝缘层PAS1或第二绝缘层PAS2上，并且可以设置在同一层。当前实施例与图4至图6的实施例的不同之处在于省略了第三绝缘层PAS3。在下文中，将省略任何冗余的描述，将主要描述差异。
在实施例中，可以省略第三绝缘层PAS3，第一型接触电极CNE#1和第二型接触电极CNE#2可以直接设置在第一绝缘层PAS1和第二绝缘层PAS2上。多个接触电极CNE可以在同一工艺中同时地形成，并且可以设置在同一层。第一型接触电极CNE#1与第二型接触电极CNE#2的接触部CP1和CP2可以在设置在发光元件30上的第二绝缘层PAS2上彼此间隔开。第一接触电极CNE1_1和第三接触电极CNE3_1以及第二接触电极CNE2_1和第四接触电极CNE4_1在第二绝缘层PAS2上彼此间隔开且彼此不直接连接。电极连接部BE_1也直接设置在第二绝缘层PAS2上。电极连接部BE_1围绕第一型接触电极CNE#1之中的第二接触电极CNE2_1的外侧，但是与第二接触电极CNE2_1的外侧间隔开预定距离。因此，电极连接部BE_1可以不直接连接到第二接触电极CNE2_1。
在显示装置10中，即使省略了第三绝缘层PAS3，第一型接触电极CNE#1和第二型接触电极CNE#2也彼此间隔开预定距离。具体地，由于围绕第一型接触电极CNE#1中的任何一个的电极连接部BE_1与第一型接触电极CNE#1中的所述任何一个间隔开预定距离DC1和DC2，因此它们可以不彼此直接连接。第一发光元件30A和第二发光元件30B可以通过第二型接触电极CNE#2串联电连接。
图11是根据另一实施例的显示装置的子像素的平面图。
参照图11，在根据实施例的显示装置10中，电极连接部BE_2的第一延伸部EP1_2与第二接触电极CNE2之间的距离DC1可以比第二延伸部EP2与第二接触电极CNE2之间的距离DC2小。电极连接部BE_2的第一延伸部EP1_2可以在厚度方向上与第二电极22的外侧叠置。当前实施例与图3的实施例的不同之处在于：电极连接部BE_2的第一延伸部EP1_2与第二接触电极CNE2之间的距离DC1较小。
由于如上所述第三绝缘层PAS3设置在第一型接触电极CNE#1与第二型接触电极CNE#2之间，因此第一型接触电极CNE#1和第二型接触电极CNE#2可以不彼此直接接触。电极连接部BE_2可以围绕第二接触电极CNE2的外侧，但是即使它们之间的距离DC1和DC2变小，也可以不直接接触第二接触电极CNE2。另外，即使省略了第三绝缘层PAS3，电极连接部BE_2也可以与第二接触电极CNE2间隔开到其不直接接触第二接触电极CNE2的程度。在显示装置10中，由于电极连接部BE_2以距第二接触电极CNE2最小距离绕过第二接触电极CNE2，因此可以进一步使被每个子像素PXn的发射区域EMA占据的面积最小化。由此，可以在显示装置10中设置每单位面积更大数量的子像素PXn，可以实现超高分辨率显示装置。
图12是根据另一实施例的显示装置的子像素的平面图。图13是沿着图12的线Q8-Q8'截取的剖视图。图13示出了横跨发光元件30的接触第二型接触电极CNE#2的两端的剖面。另外，图12和图13示出了其中更大数量的第二型接触电极CNE#2设置在从其省略第三绝缘层PAS3的图9的显示装置10中的实施例。
参照图12和图13，根据实施例的显示装置10可以包括更大数量的第二型接触电极CNE#2，以在每个子像素PXn中将更多的发光元件30串联连接。每个子像素PXn还可以包括串联连接在第一发光元件30A与第二发光元件30B之间的第四发光元件30D。在每个子像素PXn中，第一发光元件30A、第四发光元件30D和第二发光元件30B可以串联连接，以进一步改善每个子像素PXn的亮度。
如在图9的实施例中，第一型接触电极CNE#1包括设置在第一电极21上的第一接触电极CNE1_3和设置在第二电极22上的第二接触电极CNE2_3。第一接触电极CNE1_3和第二接触电极CNE2_3可以分别通过第一绝缘层PAS1的开口OP1和OP2接触电极21和22。第二型接触电极CNE#2可以包括第三接触电极CNE3_3、第四接触电极CNE4_3和将第三接触电极CNE3_3和第四接触电极CNE4_3连接的第一电极连接部BE1_3，并且还可以包括第五接触电极CNE5_3、第六接触电极CNE6_3和将第五接触电极CNE5_3和第六接触电极CNE6_3连接的第二电极连接部BE2_3。由于第一型接触电极CNE#1的布置与以上参照图9的实施例所描述的第一型接触电极CNE#1的布置相同，因此下面将描述第二型接触电极CNE#2。
第三接触电极CNE3_3设置在第二电极22上以面对第一接触电极CNE1_3。第四接触电极CNE4_3设置在第一电极21上且在第二方向DR2上与第一接触电极CNE1_3间隔开。第三接触电极CNE3_3和第四接触电极CNE4_3的布置可以与图3的实施例的第三接触电极CNE3和第四接触电极CNE4的布置基本上相同。然而，将第三接触电极CNE3_3和第四接触电极CNE4_3连接的第一电极连接部BE1_3可以围绕第一型接触电极CNE#1之中的第一接触电极CNE1_3的外壁。
第五接触电极CNE5_3在第三接触电极CNE3_3与第二接触电极CNE2_3之间设置在第二电极22上。第五接触电极CNE5_3可以在第二方向DR2上与第三接触电极CNE3_3和第二接触电极CNE2_3中的每个间隔开，并且可以在第一方向DR1上面对第四接触电极CNE4_3。第六接触电极CNE6_3设置在第一电极21上且在第二方向DR2上与第四接触电极CNE4_3间隔开。第六接触电极CNE6_3可以在第一方向DR1上面对第二接触电极CNE2_3。第五接触电极CNE5_3可以是第二型接触电极CNE#2的第三接触部CP3，第六接触电极CNE6_3可以是第二型接触电极CNE#2的第四接触部CP4。将第五接触电极CNE5_3和第六接触电极CNE6_3连接的第二电极连接部BE2_3可以围绕作为第一型接触电极CNE#1的第二接触电极CNE2_3的外壁。
每个第一发光元件30A的一端接触第一接触电极CNE1_3，另一端接触第三接触电极CNE3_3。每个第二发光元件30B的一端接触第六接触电极CNE6_3，另一端接触第二接触电极CNE2_3。每个第四发光元件30D的一端接触第四接触电极CNE4_3，另一端接触第五接触电极CNE5_3。第一发光元件30A和第四发光元件30D以及第四发光元件30D和第二发光元件30B可以通过第二型接触电极CNE#2彼此串联连接。在根据当前实施例的显示装置10中，每个子像素PXn的发光元件30可以多个串联连接，还可以改善每个子像素PXn的亮度。
第一电极21和第二电极22可以不必在一个方向上延伸。在一些实施例中，显示装置10的电极21和22可以包括以不同宽度延伸的部分和在不同方向上延伸的部分。
图14是根据另一实施例的显示装置的子像素的平面图。图15是沿着图14的线Q9-Q9'截取的剖视图。
参照图14和图15，根据实施例的显示装置10的电极21_4和22_4中的每个可以包括在第二方向DR2上延伸且具有比其它部分的宽度大的宽度的加宽部RE-E、在从第一方向DR1和第二方向DR2倾斜的方向上延伸的弯曲部RE-B以及将弯曲部RE-B和加宽部RE-E连接的连接部RE-C。电极21_4和22_4中的每个通常可以在第二方向DR2上延伸，但是可以在一部分中具有较大的宽度，或者可以在从第二方向DR2倾斜的方向上弯曲。第一电极21_4和第二电极22_4可以相对于它们之间的区域以对称结构设置。在下文中，将省略任何冗余的描述，将主要描述第一电极21_4的形状。
第一电极21_4可以包括具有比其它部分的宽度大的宽度的加宽部RE-E。加宽部RE-E可以在每个子像素PXn的发射区域EMA中设置在每个第一堤BNL1_4上，并且可以在第二方向DR2上延伸。发光元件30可以设置在第一电极21_4和第二电极22_4的加宽部RE-E上。另外，接触电极CNE可以设置在电极21_4和22_4中的每个的加宽部RE-E上，但是接触电极CNE的宽度可以比加宽部RE-E的宽度小。第一型接触电极CNE#1可以覆盖部分地暴露电极21_4和22_4的加宽部RE-E的上表面的开口OP1和OP2，并且因此可以接触加宽部RE-E。第二型接触电极CNE#2的加宽部在加宽部RE-E上沿第二方向DR2与第一型接触电极CNE#1间隔开，电极连接部BE在第二电极22_4的加宽部RE-E上与第二接触电极CNE2间隔开。
连接部RE-C可以分别连接到每个加宽部RE-E的在第二方向DR2上的两侧。连接部RE-C1和RE-C2可以连接到每个加宽部RE-E，并且可以遍及每个子像素PXn的发射区域EMA和第二堤BNL2设置。
连接部RE-C的宽度可以比加宽部RE-E的宽度小。在第二方向DR2上延伸的每个连接部RE-C的一侧可以共线地连接到在第二方向DR2上延伸的加宽部RE-E的一侧。例如，在加宽部RE-E和连接部RE-C中的每个的两侧之中，加宽部RE-E的定位在发射区域EMA的中心外部的一侧和连接部RE-C的定位在发射区域EMA的中心外部的一侧可以延伸且可以彼此连接。因此，第一电极21_4和第二电极22_4的加宽部RE-E之间的距离DE1可以比连接部RE-C之间的距离DE2小。
弯曲部RE-B连接到连接部RE-C。连接到连接部RE-C的弯曲部RE-B可以在从第二方向DR2倾斜(例如，朝向每个子像素PXn的中心)的方向上弯曲。第一电极21_4的弯曲部RE-B与第二电极22_4之间的最短距离DE3可以比连接部RE-C之间的距离DE2小。然而，弯曲部RE-B之间的最短距离DE3可以比加宽部RE-E之间的距离DE1大。
连接到第一电极21_4的加宽部RE-E的上侧的连接部RE-C的长度可以比连接到第二电极22_4的加宽部RE-E的上侧的连接部RE-C的长度小。因此，第一电极21_4的上部的弯曲部RE-B和第二电极22_4的上部的弯曲部RE-B可以彼此交错。另一方面，连接到电极21_4和22_4的加宽部RE-E的下侧的连接部RE-C可以具有相同的长度，下部的弯曲部RE-B可以彼此对称地设置。
另外，在分离电极21_4之后保留在切口区域CBA中的片段部RE-D可以形成在每个上部的弯曲部RE-B的端部处。片段部RE-D可以是在分离在第二方向DR2上相邻的子像素PXn的电极21_4或22_4之后保留在切口区域CBA中的一部分。
第一电极21_4可以具有设置在上部的弯曲部RE-B与片段部RE-D之间且具有相对大的宽度的接触部RE-P。第二电极22_4可以具有形成在上部的连接部RE-C中的接触部RE-P。在接触部RE-P中，可以形成第一电极21_4和第二电极22_4的第一接触孔CT1和第二接触孔CT2。
图14的实施例与图2的实施例的不同之处在于：第一电极21_4和第二电极22_4包括加宽部RE-E、连接部RE-C1和RE-C2以及弯曲部RE-B1和RE-B2，并且相对于每个子像素PXn的中心对称地设置。然而，公开不限于此。在一些情况下，第一电极21_4和第二电极22_4可以具有不同的形状。
另外，每个第一堤BNL1_4可以具有较大的宽度，并且可以横跨在第一方向DR1上相邻的子像素PXn之间的边界设置。第一堤BNL1_4可以设置在每个子像素PXn的发射区域EMA中且横跨子像素PXn之间的边界。因此，第二堤BNL2_4的在第二方向DR2上延伸的一部分可以部分地设置在第一堤BNL1-4上。在一个子像素PXn中，可以部分地设置两个第一堤BNL1-4。电极21_4和22_4的加宽部RE-E可以设置在第一堤BNL1_4上，接触电极CNE可以接触设置在第一堤BNL1_4之间的发光元件30，并且可以设置在电极21_4和22_4的加宽部RE-E上。
接触电极CNE可以沿着由它们形成的台阶设置在电极21和22以及第一堤BNL1的倾斜的侧表面上。具体地，当如图14的实施例中将接触电极CNE设置在电极21_4和22_4的加宽部RE-E上时，由于第一堤BNL1_4和加宽部RE-E引起的斜率在加宽部RE-E的上拐角或下拐角处可以是大的。当接触电极CNE设置在加宽部RE-E的拐角处时，形成接触电极CNE的材料会通过由第一堤BNL1-4和接触电极CNE下面的电极形成的台阶连接。为了防止这种情况，在显示装置10中，可以在加宽部RE-E的拐角处减小接触电极CNE的宽度。
图16示意性地示出了根据另一实施例的显示装置的接触电极。图16是图14的显示装置10中的具有不同形状的第一接触电极CNE1_5和第三接触电极CNE3_5的放大图。
参照图16，每个接触电极CNE可以包括第一部分P1和具有比第一部分P1的宽度小的宽度的第二部分P2。关于在第一方向DR1上彼此面对的接触电极CNE之间的距离，第二部分P2之间的距离DC4可以比第一部分P1之间的距离DC3大。例如，第一接触电极CNE1_5和第三接触电极CNE3_5中的每个可以包括具有相对大的宽度的第一部分P1和具有比第一部分P1的宽度小的宽度的第二部分P2。第一接触电极CNE1_5和第三接触电极CNE3_5中的每个总体上可以具有与第一部分P1的宽度相同的宽度，但是设置在电极21或22的拐角以及第一堤BNL1上的一部分(或第二部分P2)可以具有较小的宽度。
第一堤BNL1可以从第一平坦化层19的上表面突出，第一堤BNL1的每侧在剖面中可以倾斜。当在平面图中观看时，每个第一堤BNL1的上侧和横向侧可以在剖面中倾斜，并且在其中它们相遇的拐角处可以比每个侧的其它部分倾斜。当在平面图中观看时，电极21和22的设置在第一堤BNL1上的加宽部RE-E也可以在其中上侧和横向侧相遇的拐角处进一步形成台阶。
在用于形成接触电极CNE的图案化工艺中，形成接触电极CNE的材料必须彼此间隔开一定距离。然而，由于在拐角下面形成的台阶，在其中每个加宽部RE-E的上侧和横向侧相遇的拐角上，材料不会彼此间隔开期望的距离。在这种情况下，彼此面对的接触电极CNE(例如，第一接触电极CNE1_5和第三接触电极CNE3_5)的材料会部分地彼此连接。在显示装置10中，接触电极CNE中的每个可以形成为在其中接触电极CNE下面形成大台阶的一部分中具有小宽度。因此，这可以防止不同的接触电极CNE彼此直接连接。
在实施例中，关于接触电极CNE之间的距离，第一部分P1之间的距离DC3可以比第二部分P2之间的距离DC4小。例如，每个接触电极CNE的第二部分P2的面对另一接触电极CNE的一侧可以倾斜，使得接触电极CNE的宽度朝向上侧减小。即，每个接触电极CNE可以在其中在接触电极CNE下面形成大台阶的一部分中被倒角，并且可以防止在该部分中直接连接到另一接触电极CNE。
在总结详细描述时，本领域技术人员将理解的是，在基本上不脱离发明的原理的情况下，可以对优选实施例进行许多变化和修改。因此，所公开的发明的优选实施例仅在一般性和描述性意义上使用，而不是为了限制的目的。

Claims (20)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
第一基底；
第一电极和第二电极，在所述第一基底上沿第一方向延伸且在第二方向上彼此间隔开；
多个发光元件，设置在所述第一电极和所述第二电极上；以及
多个接触电极，设置在所述第一电极或所述第二电极上且接触所述多个发光元件，
其中，所述多个接触电极包括：第一接触电极，设置在所述第一电极上；第二接触电极，设置在所述第二电极上；第三接触电极，在所述第一方向上与所述第二接触电极间隔开且在所述第二方向上面对所述第一接触电极；以及第四接触电极，在所述第一方向上与所述第一接触电极间隔开且在所述第二方向上面对所述第二接触电极，并且
所述显示装置还包括连接到所述第三接触电极和所述第四接触电极且围绕所述第二接触电极的电极连接部。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述电极连接部与所述第三接触电极和所述第四接触电极成一体。
3.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括第一绝缘层，所述第一绝缘层设置在所述第一基底上以覆盖所述第一电极和所述第二电极且包括暴露所述第一电极的上表面的一部分的第一开口和暴露所述第二电极的上表面的一部分的第二开口，
其中，所述多个发光元件设置在所述第一绝缘层上。
4.根据权利要求3所述的显示装置，所述显示装置还包括第二绝缘层，所述第二绝缘层设置在所述第一绝缘层和所述多个发光元件上且暴露每个发光元件的两端和所述第一绝缘层的其上设置有所述多个接触电极的部分。
5.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述第一接触电极、所述第二接触电极、所述第三接触电极和所述第四接触电极直接设置在所述第一绝缘层上，并且
所述电极连接部的至少一部分设置在所述第二绝缘层上。
6.根据权利要求2所述的显示装置，所述显示装置还包括覆盖所述第一接触电极和所述第二接触电极的第三绝缘层，
其中，所述第三接触电极、所述第四接触电极和所述电极连接部中的每个的至少一部分设置在所述第三绝缘层上。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述多个发光元件包括：第一发光元件，具有与所述第一接触电极接触的一端和与所述第三接触电极接触的另一端；以及第二发光元件，具有与所述第四接触电极接触的一端和与所述第二接触电极接触的另一端。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述多个发光元件还包括具有不与所述多个接触电极接触的两端的第三发光元件。
9.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述第一接触电极覆盖所述第一开口以接触所述第一电极，
所述第二接触电极覆盖所述第二开口以接触所述第二电极，并且
所述第三接触电极和所述第四接触电极设置在所述第一绝缘层上以不接触所述第一电极和所述第二电极。
10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述电极连接部包括：第一延伸部，在所述第一方向上延伸且连接到所述第三接触电极；以及第二延伸部，在所述第二方向上延伸且具有连接到所述第一延伸部的一侧和连接到所述第四接触电极的另一侧，
其中，所述第一延伸部与所述第二接触电极的外侧的长侧间隔开，并且
所述第二延伸部与所述第二接触电极的所述外侧的短侧间隔开。
11.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述第二接触电极的所述长侧与所述电极连接部的所述第一延伸部之间的距离等于或小于所述第二接触电极与所述第四接触电极之间的距离。
12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述电极连接部的所述第一延伸部在厚度方向上与所述第二电极部分地叠置。
13.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述多个接触电极中的每个包括第一部分和具有比所述第一部分的宽度小的宽度的第二部分，并且
在沿所述第二方向彼此面对的所述多个接触电极之间在所述第二部分之间的距离比在所述第一部分之间的距离大。
14.一种显示装置，所述显示装置包括：
第一基底；
第一电极和第二电极，在所述第一基底上沿第一方向延伸且在第二方向上彼此间隔开；
第一绝缘层，设置在所述第一基底上且包括暴露所述第一电极或所述第二电极的一部分的开口；
多个发光元件，设置在所述第一绝缘层上且具有分别设置在所述第一电极和所述第二电极上的两端；
多个第一型接触电极，设置在所述第一电极或所述第二电极上且接触所述多个发光元件以及所述第一电极或所述第二电极；以及
第二型接触电极，接触所述多个发光元件且不接触所述第一电极和所述第二电极，
其中，所述第二型接触电极包括：多个接触部，设置在所述第一电极或所述第二电极上但与所述多个第一型接触电极间隔开；以及电极连接部，将所述多个接触部连接，
其中，所述电极连接部与所述多个第一型接触电极中的任何一个的外侧间隔开且围绕所述外侧。
15.根据权利要求14所述的显示装置，其中，所述多个第一型接触电极包括：第一接触电极，设置在所述第一电极上且通过暴露所述第一电极的上表面的一部分的第一开口接触所述第一电极；以及第二接触电极，设置在所述第二电极上且通过暴露所述第二电极的上表面的一部分的第二开口接触所述第二电极，并且
所述第二型接触电极包括：第一接触部，设置在所述第二电极上且与所述第二接触电极间隔开；第二接触部，设置在所述第一电极上且与所述第一接触电极间隔开；以及第一电极连接部，将所述第一接触部和所述第二接触部连接。
16.根据权利要求15所述的显示装置，其中，所述第一电极连接部围绕所述第二接触电极的外侧。
17.根据权利要求16所述的显示装置，其中，所述多个发光元件包括：第一发光元件，具有与所述第一接触电极接触的一端和与所述第一接触部接触的另一端；以及第二发光元件，具有与所述第二接触部接触的一端和与所述第二接触电极接触的另一端。
18.根据权利要求15所述的显示装置，其中，所述第一接触部面对所述第一接触电极，
所述第二接触部在所述第一方向上与所述第一接触电极间隔开，
所述第一电极连接部围绕所述第一接触电极的外侧，并且
所述第二型接触电极还包括：第三接触部，设置在所述第二接触电极与所述第一接触部之间以面对所述第二接触部；第四接触部，在所述第一方向上与所述第二接触部间隔开以面对所述第二接触电极；以及第二电极连接部，将所述第三接触部和所述第四接触部连接且围绕所述第二接触电极的外侧。
19.根据权利要求14所述的显示装置，所述显示装置还包括第二绝缘层，所述第二绝缘层设置在所述第一绝缘层和所述多个发光元件上且暴露每个发光元件的两端和所述第一绝缘层的其上设置有所述接触电极的部分，
其中，所述多个第一型接触电极和所述第二型接触电极的所述多个接触部设置在同一层。
20.根据权利要求19所述的显示装置，其中，所述第二型接触电极的所述电极连接部直接设置在所述第二绝缘层上。
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