CN115917751A - 显示装置 - Google Patents

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CN115917751A CN202180044703.2A CN202180044703A CN115917751A CN 115917751 A CN115917751 A CN 115917751A CN 202180044703 A CN202180044703 A CN 202180044703A CN 115917751 A CN115917751 A CN 115917751A
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李太熙
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Abstract

提供了一种显示装置。该显示装置包括：多个电极，在第一方向和与第一方向交叉的第二方向上彼此分隔开，并且具有在第二方向上延伸的形状；第一绝缘层，设置在多个电极上；多个发光二极管，设置在第一绝缘层上且均包括放置在沿第一方向彼此分隔开的多个电极上的相对端；以及第二绝缘层，至少部分地设置在多个发光二极管上，其中，第二绝缘层包括：多个延伸部，在第二方向上延伸；以及至少一个图案部，连接到多个延伸部且包括具有在第一方向上测量的比多个延伸部中的每个的在第一方向上的宽度大的宽度的部分。

Description

显示装置
技术领域
公开涉及一种显示装置。
背景技术
随着多媒体技术的发展，显示装置变得越来越重要。因此，已经使用了诸如有机发光二极管(OLED)显示装置、液晶显示(LCD)装置等的各种显示装置。
典型的显示装置包括诸如有机发光显示面板或液晶显示(LCD)面板的显示面板。发光显示面板可以包括发光元件。例如，发光二极管(LED)包括使用有机材料作为荧光材料的有机发光二极管(OLED)和使用无机材料作为荧光材料的无机LED。
发明内容
技术问题
公开的实施例提供了一种能够防止覆盖发光元件的绝缘层的分层的无机发光显示装置。
应注意的是，本公开的方面不限于上述方面，本领域技术人员将通过以下描述清楚地理解本公开的其它未提及的方面。
技术方案
根据公开的实施例，显示装置包括：多个电极，在第一方向上和在与第一方向相交的第二方向上彼此分隔开，多个电极中的每个具有在第二方向上延伸的形状；第一绝缘层，设置在多个电极上；多个发光元件，设置在第一绝缘层上，多个发光元件中的每个包括设置在沿第一方向彼此分隔开的多个电极上的端部；以及第二绝缘层，至少部分地设置在多个发光元件上，其中，第二绝缘层包括：多个延伸部，在第二方向上延伸；以及至少一个图案部，连接到多个延伸部，至少一个图案部包括在第一方向上具有比多个延伸部中的每个的宽度大的宽度的部分。
在第一方向上，多个延伸部中的每个的宽度可以比多个发光元件中的每个的长度小，至少一个图案部可以设置在沿第二方向分隔开的多个电极之间的第一区域中，并且至少一个图案部的宽度可以比在第一方向上彼此分隔开的多个电极之间的距离小。
至少一个图案部可以具有在第一方向上延伸的形状，并且设置在多个电极的在第二方向上彼此分隔开的多个电极彼此面对的一侧上。
至少一个图案部可以包括第一图案部，第一图案部围绕在第二方向上彼此分隔开的多个电极之间的第一区域，并且第一图案部的在第一方向上延伸的部分的长度可以比多个延伸部中的每个的在第一方向上的宽度大。
第一图案部还可以包括第一连接桥，第一连接桥将第一图案部的在第一方向上延伸的部分的中心连接到第一图案部的在第一方向上延伸的另一部分的中心。
第一绝缘层可以包括在第二方向上与多个发光元件分隔开且暴露多个电极的部分的多个接触孔，并且至少一个图案部可以包括围绕其中形成有多个接触孔的区域且不与多个接触孔叠置的第二图案部。
第二图案部可以包括设置在多个接触孔之间的第二连接桥，第二连接桥中的每个将第二图案部的在第一方向上延伸的部分连接到第二图案部的在第一方向上延伸的另一部分，并且第二连接桥可以与多个延伸部平行布置。
显示装置还可以包括：发射区域，多个电极设置在发射区域中；子区域，定位在发射区域的在第二方向上的一侧上；以及堤，围绕发射区域和子区域，其中，第二绝缘层还可以包括：上层，设置在堤上；以及连接桥，将上层连接到第一图案部。
多个电极可以包括：第一电极；第二电极，在第一方向上与第一电极分隔开；第三电极，设置在第一电极与第二电极之间；以及第四电极，在第一方向上与第二电极分隔开，多个发光元件可以包括：第一发光元件，包括分别设置在第一电极和第三电极上的端部；以及第二发光元件，包括分别设置在第二电极和第四电极上的端部，并且第二绝缘层的多个延伸部可以包括：第一延伸部，与第一发光元件叠置；以及第二延伸部，与第二发光元件叠置。
多个电极还可以包括：第五电极，在第二方向上与第一电极分隔开；第六电极，在第二方向上与第二电极分隔开；第七电极，在第二方向上与第三电极分隔开；以及第八电极，在第二方向上与第四电极分隔开，多个发光元件还可以包括：第三发光元件，包括分别设置在第五电极和第七电极上的端部；以及第四发光元件，包括分别设置在第六电极和第八电极上的端部，并且第二绝缘层的多个延伸部还可以包括：第三延伸部，与第三发光元件叠置；以及第四延伸部，与第四发光元件叠置。
至少一个图案部可以包括第一图案部，第一图案部围绕在第二方向上彼此分隔开的多个电极之间的第一区域且连接到第一延伸部至第四延伸部。
至少一个图案部还可以包括：第二图案部，连接到第一延伸部和第二延伸部且在第二方向上与第一图案部分隔开；以及第三图案部，连接到第三延伸部和第四延伸部且在第二方向上与第一图案部分隔开，并且第二图案部和第三图案部可以不与多个发光元件叠置。
显示装置还可以包括：第一接触电极，设置在第一电极上且接触第一发光元件；第二接触电极，设置在第二电极上且接触第二发光元件；第三接触电极，设置在第三电极和第五电极上且接触第一发光元件和第三发光元件；第四接触电极，设置在第七电极和第八电极上且接触第三发光元件和第四发光元件；以及第五接触电极，设置在第四电极和第六电极上且接触第二发光元件和第四发光元件。
第一接触电极、第二接触电极、第三接触电极、第四接触电极和第五接触电极中的每个的至少一部分可以设置在第二绝缘层上。
根据公开的实施例，显示装置包括：第一电极组，包括在第一方向上彼此分隔开且在与第一方向相交的第二方向上延伸的多个电极；第二电极组，包括在第二方向上与第一电极组分隔开且在第一方向上彼此分隔开的多个电极；第一绝缘层，设置在多个电极上；多个发光元件，设置在沿第一方向分隔开的多个电极上；第二绝缘层，至少部分地设置在发光元件上；以及多个接触电极，接触多个电极中的至少一个和多个发光元件中的至少一个，其中，第二绝缘层包括：多个延伸部，与发光元件叠置且在第二方向上延伸；以及图案部，连接到多个延伸部且包括在第一方向上具有比多个延伸部中的每个的宽度大的宽度的部分。
图案部可以设置在第一电极组与第二电极组之间，并且图案部的宽度可以比多个延伸部中的每个的在第一方向上的宽度大，并且比在第一方向上彼此分隔开的多个电极之间的距离小。
图案部可以具有在第一方向上延伸的形状，并且设置在多个电极的在第二方向上彼此分隔开的多个电极彼此面对的一侧上。
图案部可以包括第一图案部，第一图案部连接到多个延伸部且围绕第一电极组与第二电极组之间的第一区域。
第一绝缘层可以包括多个接触孔，多个接触孔在第二方向上与多个发光元件分隔开且暴露多个电极的部分，并且图案部还可以包括连接到多个延伸部且围绕其中设置有多个接触孔的区域的第二图案部。
多个接触电极可以包括：多个第一型接触电极，设置在电极中的一个上；以及多个第二型接触电极，遍及电极中的两个或更多个设置。
其它实施例的细节包括在具体实施方式和附图中。
有益效果
根据实施例，即使显示装置中的用于固定发光元件的对准位置的绝缘层具有长的长度和窄的线宽，也可以因为绝缘层包括连接到其的图案部而防止绝缘层的分层。
根据实施例的效果不受以上例示的内容的限制，更多的各种效果包括在本公开中。
附图说明
图1是根据实施例的显示装置的示意性平面图。
图2是示出了根据实施例的显示装置的像素的示意性平面图。
图3是示出了图2的第一子像素的示意性平面图。
图4是沿着图3的线Q1-Q1'、线Q2-Q2'和线Q3-Q3'截取的示意性剖视图。
图5是沿着图3的线Q4-Q4'截取的示意性剖视图。
图6是示出了根据实施例的发光元件的透视图。
图7是示出了根据实施例的显示装置中的子像素中的第二绝缘层的布局的示意性平面图。
图8是沿着图7的线Q5-Q5'截取的示意性剖视图。
图9是示出了根据另一实施例的显示装置中的子像素中的第二绝缘层的布局的示意性平面图。
图10是示出了根据另一实施例的显示装置中的子像素中的第二绝缘层的布局的示意性平面图。
图11是沿着图10的线Q6-Q6'截取的示意性剖视图。
图12是示出了根据又一实施例的显示装置中的子像素中的第二绝缘层的布局的示意性平面图。
图13是示出了根据另一实施例的显示装置中的子像素中的第二绝缘层的布局的示意性平面图。
图14是沿着图13的线Q7-Q7'截取的示意性剖视图。
图15是示出了根据又一实施例的显示装置中的子像素中的第二绝缘层的布局的示意性平面图。
图16是示出了根据另一实施例的显示装置中的子像素中的第二绝缘层的布局的示意性平面图。
图17是沿着图16的线Q8-Q8'截取的示意性剖视图。
具体实施方式
现在将在下文中参照附图更充分地描述本公开，在附图中示出了公开的优选实施例。然而，本公开可以以不同的形式实现，并且不应被解释为限于在此所阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是透彻的和完整的，并且将向本领域技术人员充分地传达公开的范围。
还将理解的是，当层被称为“在”另一层或基底“上”时，它可以直接在所述另一层或基底上，或者也可以存在居间层。在整个说明书中，相同的附图标记表示相同的组件。
将理解的是，虽然在此可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受到这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。例如，在不脱离本公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件可以被命名为第二元件。类似地，第二元件也可以被命名为第一元件。
在下文中，将参照附图描述实施例。
图1是根据实施例的显示装置的示意性平面图。
参照图1，显示装置10显示运动图像或静止图像。显示装置10可以指提供显示屏幕的任何电子装置。例如，显示装置10可以包括电视机、膝上型计算机、监视器、电子广告牌、物联网(IoT)装置、移动电话、智能电话、平板个人计算机(PC)、电子手表、智能手表、手表电话、头戴式显示装置、移动通信终端、电子笔记本、电子书、便携式多媒体播放器(PMP)、导航装置、游戏机和数码相机、摄像机等。
显示装置10包括用于提供显示屏幕的显示面板。显示面板的示例可以包括无机发光二极管显示面板、有机发光显示面板、量子点发光显示面板、等离子体显示面板、场发射显示面板等。无机发光二极管显示面板用作显示面板的示例，但是实施例不限于此。可以采用任何其它的显示面板，只要可以等同地应用发明的精神和范围即可。
显示装置10的形状可以以各种方式修改。例如，显示装置10可以具有诸如具备较长横向侧的矩形、具备较长纵向侧的矩形、正方形、具备圆滑的拐角(顶点)的四边形、其它多边形、圆形等的形状。显示装置10的显示区域DPA的形状也可以与显示装置10的整体形状类似。图1示出了呈具有较长水平侧的矩形的形状的显示装置10和显示区域DPA。
显示装置10可以包括显示区域DPA和非显示区域NDA。在显示区域DPA中，可以显示图像。在非显示区域NDA中，不显示图像。显示区域DPA可以被称为有效区域，同时非显示区域NDA也可以被称为非有效区域。显示区域DPA通常可以占据显示装置10的中心。
显示区域DPA可以包括像素PX。像素PX可以以矩阵形式布置。每个像素PX的形状在平面图中可以是但不限于矩形或正方形。每个像素可以具有具备相对于一定方向倾斜的边的菱形形状。像素PX可以以条纹和
Figure BDA0004011939120000061
图案交替地布置。像素PX中的每个可以包括发射特定波段的光以表达颜色的至少一个发光元件ED。
非显示区域NDA可以设置在显示区域DPA周围。非显示区域NDA可以完全地或部分地围绕显示区域DPA。显示区域DPA可以具有矩形形状，非显示区域NDA可以设置为与显示区域DPA的四条边相邻。非显示区域NDA可以形成显示装置10的边框。包括在显示装置10中的线或电路驱动器可以设置在非显示区域NDA中的每个中，或者可以安装外部装置。
图2是示出了根据实施例的显示装置的像素的示意性平面图。
参照图2，像素PX中的每个可以包括子像素PXn，其中，n是从一至三的整数。例如，像素PX可以包括第一子像素PX1、第二子像素PX2和第三子像素PX3。第一子像素PX1可以发射第一颜色的光，第二子像素PX2可以发射第二颜色的光，第三子像素PX3可以发射第三颜色的光。例如，第一颜色可以是蓝色，第二颜色可以是绿色，第三颜色可以是红色。然而，实施例不限于此。全部子像素PXn可以发射相同颜色的光。虽然在图2中所示的示例中像素PX包括三个子像素PXn，但是实施例不限于此。像素PX可以包括多于三个的子像素PXn。
显示装置10的每个像素PX可以包括发射区域EMA，每个子像素PXn可以包括发射区域EMA和非发射区域(未示出)。在发射区域EMA中，发光元件ED(参照图6)可以设置为发射特定波长的光。在非发射区域中，可以不设置发光元件ED，从发光元件ED发射的光可以不到达非发射区域。因此，没有光可以从非发射区域出射。除了其中设置有发光元件ED的区域之外，发射区域可以包括与发光元件ED相邻的可以出射有从发光元件ED发射的光的区域。
发射区域也可以包括其中从发光元件ED发射的光被其它元件反射或折射以出射的区域。发光元件ED可以设置在子像素PXn中的每个中，发射区域可以包括设置有发光元件的区域和相邻的区域。
像素PX的第一发射区域EMA1可以设置在第一子像素PX1中，第二发射区域EMA2可以设置在第二子像素PX2中，第三发射区域EMA3可以设置在第三子像素PX3中。每个子像素PXn可以包括不同类型的发光元件ED，第一发射区域至第三发射区域EMA可以发射不同颜色的光。例如，第一子像素PX1可以发射第一颜色的光，第二子像素PX2可以发射第二颜色的光，第三子像素PX3可以发射第三颜色的光。第一颜色可以是蓝色，第二颜色可以是绿色，第三颜色可以是红色。然而，实施例不限于此。子像素PXn可以包括相同种类的发光元件ED，发射区域EMA或者单个像素PX可以发射相同颜色的光。
像素PX的子像素PXn中的每个可以包括与发射区域EMA分隔开且作为非发射区域的一部分的子区域SA。子区域SA可以包括第一子像素PX1的第一子区域SA1、第二子像素PX2的第二子区域SA2和第三子像素PX3的第三子区域SA3。子区域SA可以在子像素PXn中的每个中设置在发射区域EMA的在第二方向DR2上的一侧上，并且可以设置在沿第二方向DR2彼此相邻的子像素PXn的发射区域EMA之间。例如，在子像素PXn中的每个中，子区域SA可以设置在发射区域EMA的在第二方向DR2上的上侧上，第一子像素至第三子像素PX1、PX2和PX3的发射区域EMA可以在第一方向DR1上并排布置。类似地，第一子区域SA1、第二子区域SA2和第三子区域SA3可以在第一方向DR1上并排布置。
发光元件ED可以不设置在子区域SA中，因此没有光可以从子区域SA出射。设置在子像素PXn中的每个中的电极RME可以延伸到子区域SA中。设置在子像素PXn中的每个中的电极RME中的一些(或至少一部分)可以在子区域SA中分开。
第三堤BNL3可以以格子图案设置在显示区域DPA的包括在平面图中沿第一方向DR1和第二方向DR2延伸的部分的整个表面上。第三堤BNL3可以沿着子像素PXn中的每个的边界设置，以将相邻的子像素PXn彼此区分开。第三堤BNL3可以设置为围绕设置在子像素PXn中的每个中的发射区域EMA和子区域SA以将它们区分开。
图3是示出了图2的第一子像素的示意性平面图。图4是沿着图3的线Q1-Q1'、线Q2-Q2'和线Q3-Q3'截取的示意性剖视图。图5是沿着图3的线Q4-Q4'截取的示意性剖视图。图4是示出了设置在子像素PXn中的发光元件ED的从一端到另一端的剖面的图。图5是示出了横跨形成在子像素PXn中的接触孔CT1和CT2的剖面的图。
结合图2参照图3至图5，显示装置10可以包括第一基底SUB以及设置在第一基底SUB上的电路层CCL和显示元件层。在显示元件层中，可以设置多个电极RME和接触电极CNE，包括发光元件ED。电路层CCL可以包括多条线，包括允许发光元件ED发射光的电路元件。
第一基底SUB可以是绝缘基底。第一基底SUB可以由诸如玻璃、石英和聚合物树脂的绝缘材料制成。第一基底SUB可以是刚性基底或者可以弯曲、折叠或卷曲的柔性基底。
第一导电层可以设置在第一基底SUB上。第一导电层包括底部金属层BML。底部金属层BML设置为与第一晶体管T1的有源层ACT1叠置。底部金属层BML可以包括阻挡光的材料，并且因此可以防止光进入第一晶体管T1的有源层ACT1。例如，底部金属层BML可以由阻挡光透射的不透明金属材料制成。然而，实施例不限于此。在一些实施例中，可以消除底部金属层BML。
缓冲层BL可以设置在第一基底SUB上，完全地覆盖第一导电层。缓冲层BL可以形成在第一基底SUB上，以保护第一晶体管T1免受湿气渗透通过第一基底SUB(其会易于受到湿气渗透的影响)的影响，并且也可以提供平坦表面。
半导体层设置在缓冲层BL上。半导体层可以包括第一晶体管T1的第一有源层ACT1。根据实施例，半导体层可以包括多晶硅、单晶硅、氧化物半导体等。多晶硅可以通过使非晶硅结晶而形成。当半导体层包括氧化物半导体时，第一有源层ACT1可以包括多个导电区和位于多个导电区之间的沟道区。氧化物半导体可以是包含铟(In)的氧化物半导体。在一些实施例中，氧化物半导体可以是氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓(IGO)、氧化铟锌锡(IZTO)、氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铟镓锡(IGTO)、氧化铟镓锌锡(IGZTO)等。
在其它实施例中，半导体层可以包括多晶硅。多晶硅可以通过使非晶硅结晶而形成，第一有源层ACT1的导电区可以是掺杂有杂质的掺杂区。然而，实施例不限于此。
第一栅极绝缘体GI可以设置在半导体层和缓冲层BL上。例如，第一栅极绝缘体GI可以设置在半导体层和缓冲层BL的上表面上。第一栅极绝缘体GI可以用作薄膜晶体管中的每个的栅极绝缘体。
第二导电层可以设置在第一栅极绝缘体GI上。第二导电层可以包括第一晶体管T1的第一栅电极G1和存储电容器的第一电容器电极CSE1。虽然未在附图中示出，但是第二导电层还可以包括连接到子像素PXn的多条扫描线。第二导电层的第一栅电极G1可以设置为与第一晶体管T1的第一有源层ACT1部分地叠置。存储电容器的第一电容器电极CSE1可以设置为使得存储电容器的第一电容器电极CSE1与下面所描述的第二电容器电极CSE2叠置。
第一层间介电层IL1设置在第二导电层上。第一层间介电层IL1可以设置为使得第一层间介电层IL1覆盖第二导电层以保护第二导电层。
第三导电层可以设置在第一层间介电层IL1上。第三导电层可以包括第一晶体管T1的第一源电极S1和第一漏电极D1以及存储电容器的第二电容器电极CSE2。虽然未在附图中示出，但是第三导电层还可以包括连接到子像素PXn的多条数据线。
第一晶体管T1的第一源电极S1和第一漏电极D1设置为与第一有源层ACT1部分地叠置。第一源电极S1和第一漏电极D1可以分别通过穿透第一层间介电层IL1和第一栅极绝缘体GI的接触孔与第一有源层ACT1接触。第一源电极S1可以通过穿透第一层间介电层IL1、第一栅极绝缘体GI和缓冲层BL的接触孔与底部金属层BML接触。第一漏电极D1可以电连接到将在下面描述的第一电压线VL1，第一源电极S1可以连接到与第一电极RME1连接的第一导电图案CDP。
第二层间介电层IL2设置在第三导电层上。第二层间介电层IL2可以用作第三导电层与设置在第三导电层上的其它层之间的绝缘层。第二层间介电层IL2可以覆盖第三导电层以保护第三导电层。第二层间介电层IL2可以提供平坦表面。
第四导电层设置在第二层间介电层IL2上。第四导电层可以包括第一电压线VL1、第二电压线VL2和第一导电图案CDP。
高电平电压(或第一电源电压)可以施加到第一电压线VL1以供应到第一晶体管T1，低电平电压(或第二电源电压)可以施加到第二电压线VL2以供应到第二电极RME2。
第一电压线VL1和第二电压线VL2可以在第二方向DR2上延伸。第一电压线VL1和第二电压线VL2可以设置在使得它们在厚度方向上与电极RME部分地叠置的位置处。第一电压线VL1和第二电压线VL2可以横跨发射区域EMA。
第一导电图案CDP可以电连接到第一源电极S1。第一导电图案CDP也可以与将在下面描述的第一电极RME1接触。第一晶体管T1可以通过第一导电图案CDP将从第一电压线VL1施加的第一电源电压传输到第一电极RME1。虽然在附图中所示的示例中第四导电层包括一条第一电压线VL1和一条第二电压线VL2，但是实施例不限于此。第四导电层可以包括多于一条的第一电压线VL1和第二电压线VL2。
第一导电层至第四导电层可以由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的一种或者它们的合金的单个层或多层构成。然而，实施例不限于此。
缓冲层BL、第一栅极绝缘体GI、第一层间介电层IL1和第二层间介电层IL2可以由单个层、多层或通过交替地堆叠所述层而形成的多个无机层制成。例如，缓冲层BL、第一栅极绝缘体GI、第一层间介电层IL1和第二层间介电层IL2可以由包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)和氮氧化硅(SiON)中的至少一种的无机层制成，或者可以由通过交替地堆叠这些无机层形成的多层制成或者通过顺序地堆叠氧化硅(SiOx)层和氮化硅(SiNx)层形成的双层制成。
第三层间介电层IL3设置在第四导电层上。第三层间介电层IL3可以包括有机绝缘材料，以遍及在第三层间介电层IL3下面的导电层提供平坦表面。例如，第三层间介电层IL3可以包括诸如聚酰亚胺(PI)的有机材料，以提供平坦表面。
在第三层间介电层IL3上，可以设置第一堤BNL1、第二堤BNL2、电极RME、发光元件ED、第三堤BNL3和接触电极CNE。绝缘层PAS1和PAS2还可以设置在第三层间介电层IL3上。
多个第一堤BNL1和第二堤BNL2可以直接设置在第三层间介电层IL3上。在每个子像素PXn中，可以设置第一堤BNL1和单个第二堤BNL2，并且第二堤BNL2与第一堤BNL1分隔开且设置在第一堤BNL1之间。发光元件ED可以设置在可以在第一方向DR1上彼此分隔开的第一堤BNL1与第二堤BNL2之间。
第一堤BNL1可以设置在子像素PXn的发射区域EMA中，并且可以彼此分隔开。例如，第一堤BNL1可以包括在每个发射区域EMA中沿第一方向DR1彼此分隔开的多个子堤BNL_A和BNL_B。第一子堤BNL_A可以设置在发射区域EMA的中心的左侧上，第二子堤BNL_B可以设置在右侧上。子堤BNL_A和BNL_B可以具有在第二方向DR2上延伸的形状。子堤BNL_A和BNL_B的在第二方向DR2上的长度可以比被第三堤BNL3围绕的开口区域的在第二方向DR2上的长度小。在单个子像素PXn中，两个第一子堤BNL_A和两个第二子堤BNL_B可以设置为使得它们在第二方向DR2上彼此分隔开。第一堤BNL1可以在显示区域DPA的前表面上形成在一个方向上延伸的岛状图案。
第二堤BNL2可以设置在沿第一方向DR1分隔开的第一堤BNL1之间。第二堤BNL2可以在第二方向DR2上延伸，并且可以具有设置在发射区域EMA中的具有大宽度的部分。作为示例，第二堤BNL2形成为使得第二堤BNL2的面对第一堤BNL1的部分具有大宽度，并且可以在第一子堤BNL_A与第二子堤BNL_B之间沿第二方向DR2延伸。与第一堤BNL1不同，第二堤BNL2可以延伸超过发射区域EMA到子区域SA中。第二堤BNL2可以设置在沿第二方向DR2彼此相邻的子像素PXn中，以在显示区域DPA的前表面上形成线性图案。
第一堤BNL1和第二堤BNL2可以具有从第三层间介电层IL3的上表面至少部分地突出的结构。第一堤BNL1和第二堤BNL2的突出部可以具有倾斜的侧表面。从发光元件ED发射的光可以被设置在第一堤BNL1和第二堤BNL2上的电极RME反射，使得光可以朝向第三层间介电层IL3的上侧出射。第一堤BNL1和第二堤BNL2可以提供其中设置有发光元件ED的区域，并且还可以用作向上反射从发光元件ED发射的光的反射壁。例如，包括具有高反射率的材料的层还可以设置在第一堤BNL1和第二堤BNL2上，所述层可以反射从发光元件ED发射的光。第一堤BNL1和第二堤BNL2的侧表面可以以线性形状倾斜，但是实施例不限于此。第一堤BNL1和第二堤BNL2可以具有具备弯曲的外表面的半圆形或半椭圆形状。第一堤BNL1和第二堤BNL2可以包括但不限于诸如聚酰亚胺(PI)的有机绝缘材料。
电极RME可以具有在一个方向上延伸的形状，并且设置在子像素PXn中的每个中。例如，电极RME可以具有在第二方向DR2上延伸的形状，并且可以在子像素PXn中的每个中沿第一方向DR1和第二方向DR2彼此分隔开。根据实施例，电极RME可以被划分为包括并排布置且在第一方向DR1上彼此分隔开的多个电极的电极组RME#1和RME#2，电极组RME#1和RME#2中的每个可以在第二方向DR2上彼此分隔开。
例如，子像素PXn可以包括在第二方向DR2上彼此分隔开的第一电极组RME#1和第二电极组RME#2。第一电极组RME#1可以设置在相对于发射区域EMA的中心的在第二方向DR2上的上侧上，同时第二电极组RME#2可以设置在发射区域EMA的下侧上且可以在第二方向DR2上与第一电极组RME#1分隔开。子像素PXn的第一电极组RME#1和第二电极组RME#2可以通过定位在发射区域EMA中的第一区域ROP1彼此分隔开。
第一电极组RME#1的电极RME可以延伸超过第三堤BNL3进入到子像素PXn的子区域SA中。第二电极组RME#2的电极RME也可以延伸超过第三堤BNL3。在图3中，第二电极组RME#2的电极RME可以延伸到在第二方向DR2上定位为比第一子像素PX1低的子像素的子区域中。在子区域SA中，不同的子像素的第一电极组RME#1和第二电极组RME#2可以被设置且彼此分隔开。不同的子像素PXn的第一电极组RME#1和第二电极组RME#2可以通过定位在子像素PXn的子区域SA中的第二区域ROP2彼此分隔开。
不同的电极组RME#1和RME#2的电极可以并排布置且在第二方向DR2上彼此分隔开。例如，属于第一电极组RME#1的一个电极可以在第二方向DR2上与属于第二电极组RME#2的一个电极布置成一条线。电极RME可以通过形成在第二方向DR2上延伸的单条电极线然后在已经设置发光元件ED之后的后续工艺期间将它们彼此分开来形成。电极线可以用于在制造显示装置10的工艺期间在子像素PXn中产生电场以使发光元件ED对准。发光元件ED可以接收来自遍及电极线所产生的电场的介电泳力，发光元件可以在电极RME上对准。在使发光元件ED对准之后，可以在第一区域ROP1和第二区域ROP2中使电极线分开，使得电极组RME#1和RME#2变得在第二方向DR2上彼此分隔开。
将详细描述包括在电极组RME#1和RME#2中的每个中的电极。第一电极组RME#1可以包括第一电极RME1、第二电极RME2、第三电极RME3和第四电极RME4。第二电极组RME#2可以包括第五电极RME5、第六电极RME6、第七电极RME7和第八电极RME8。设置在子像素PXn中的每个中的电极RME可以设置在彼此分隔开的第一堤BNL1或第二堤BNL2上。
第一电极RME1可以设置在相对于发射区域EMA的中心的左上侧上。第一电极RME1的部分可以设置在设置在发射区域EMA的上侧上的第一子堤BNL_A上。第二电极RME2可以在第一方向DR1上与第一电极RME1分隔开，并且可以设置为与发射区域EMA的中心相邻。第二电极RME2的部分可以设置在第二堤BNL2的面对第二子堤BNL_B的一侧上。
第一电极RME1和第二电极RME2中的每个可以是连接到其下面的第四导电层的第一型电极。第一电极RME1和第二电极RME2可以分别通过形成在使得它们与第三堤BNL3叠置的位置处的电极接触孔CTD和CTS连接到第四导电层。例如，第一电极RME1可以通过穿透第三层间介电层IL3的第一电极接触孔CTD与第一导电图案CDP接触。第二电极RME2可以通过穿透第三层间介电层IL3的第二电极接触孔CTS与第二电压线VL2接触。第一电极RME1可以通过第一导电图案CDP电连接到第一晶体管T1以接收第一电源电压。第二电极RME2可以电连接到第二电压线VL2以接收第二电源电压。由于第一电极RME1和第二电极RME2单独地设置在子像素PXn中的每个中，因此不同的子像素PXn中的发光元件ED可以独立地发射光。虽然在附图中第一电极接触孔CTD和第二电极接触孔CTS形成在使得它们与第三堤BNL3叠置的位置处，但是实施例不限于此。例如，电极接触孔CTD和CTS可以定位在被第三堤BNL3围绕的发射区域EMA中。
第三电极RME3可以设置在第一电极RME1与第二电极RME2之间。第三电极RME3可以与第一电极RME1分隔开且面对第一电极RME1，并且可以设置在第二堤BNL2上且与第二电极RME2分隔开。第三电极RME3的一部分可以设置在第二堤BNL2的面对定位在发射区域EMA的上侧上的第一子堤BNL_A的相对侧上。第四电极RME4可以在第一方向DR1上与第二电极RME2分隔开。第四电极RME4可以面对第二电极RME2，并且可以设置在相对于发射区域EMA的中心的右上侧上。第四电极RME4的一部分可以设置在第二子堤BNL_B的设置在面对第二堤BNL2的上侧上的一侧上。
第五电极RME5可以设置在相对于发射区域EMA的中心的左下侧上。第五电极RME5可以在第二方向DR2上与第一电极RME1分隔开，第五电极RME5的一部分可以设置在设置在发射区域EMA的下侧上的第一子堤BNL_A的一侧上。第六电极RME6可以在第一方向DR1上与第五电极RME5分隔开，并且可以设置为与发射区域EMA的中心相邻以在第二方向DR2上与第二电极RME2分隔开。第六电极RME6的一部分可以设置在第二堤BNL2的面对定位在发射区域EMA的下侧上的第二子堤BNL_B的一侧上。
第七电极RME7可以设置在第五电极RME5与第六电极RME6之间。第七电极RME7可以与第五电极RME5分隔开且面对第五电极RME5，并且可以设置在第二堤BNL2上且与第六电极RME6分隔开。第七电极RME7的一部分可以设置在第二堤BNL2的面对定位在发射区域EMA的下侧上的第一子堤BNL_A的相对侧上。第八电极RME8可以在第一方向DR1上与第六电极RME6分隔开。第八电极RME8可以面对第六电极RME6，并且可以设置在相对于发射区域EMA的中心的右下侧上，使得第八电极RME8可以在第二方向DR2上与第四电极RME4分隔开。第八电极RME8的一部分可以设置在第二子堤BNL_B的设置在面对第二堤BNL2的下侧上的一侧上。因此，第一电极RME1至第八电极RME8可以在第一方向DR1和第二方向DR2上彼此分隔开，并且电极中的每个可以具有在第二方向DR2上延伸的形状。
与第一型电极不同，第三电极RME3至第八电极RME8可以是不直接连接到其下面的第四导电层的第二型电极。第二型电极可以通过发光元件ED或接触电极CNE接收直接施加到第一型电极的电信号。第三电极RME3至第八电极RME8不直接连接到其下面的第四导电层，但是可以传输从其施加的电信号，因此它们不是浮置的。
根据实施例，电极RME的在第一方向DR1上测量的宽度可以比第一堤BNL1和第二堤BNL2的在第一方向DR1上测量的宽度小。电极RME中的每个可以设置为覆盖第一堤BNL1或第二堤BNL2的至少一侧，以反射从发光元件ED发射的光。在第一方向DR1上彼此分隔开的电极RME之间的间距可以比第一堤BNL1与第二堤BNL2之间的间距小。电极RME中的每个的至少一部分可以直接设置在第三层间介电层IL3上，使得它们可以设置在同一平面。电极RME可以电连接到发光元件ED。电极RME可以通过将在下面描述的接触电极CNE连接到发光元件ED的两端，并且可以将从第四导电层施加的电信号传输到发光元件ED。用于允许发光元件ED发射光的电信号可以直接施加到作为第一型电极的第一电极RME1和第二电极RME2，电信号可以通过将在下面描述的接触电极CNE和发光元件ED传输到其它电极。
电极RME中的每个可以包括具有高反射率的导电材料。例如，电极RME可以包括诸如银(Ag)、铜(Cu)和铝(Al)的金属作为具有高反射率的材料，并且可以是包括铝(Al)、镍(Ni)、镧(La)等的合金。电极RME可以将从发光元件ED发射且朝向第一堤BNL1或第二堤BNL2的侧表面行进的光朝向子像素PXn中的每个的上侧反射。
然而，实施例不限于此。电极RME还可以包括透明导电材料。例如，电极RME中的每个可以包括诸如ITO、IZO和ITZO的材料。在一些实施例中，电极RME1和RME2中的每个可以具有其中一个或更多个透明导电材料层以及一个或更多个具有高反射率的金属层彼此堆叠的结构，或者可以由包括它们的单个层制成。例如，电极RME中的每个可以具有诸如ITO/Ag/ITO/、ITO/Ag/IZO或ITO/Ag/ITZO/IZO的堆叠结构。
虽然在附图中第一电极组RME#1和第二电极组RME#2在定位在子像素PXn中的每个中的发射区域EMA中的第一区域ROP1中彼此分开，但是实施例不限于此。在一些实施例中，设置在子像素PXn中的每个中的电极可以不彼此分开，而是可以在第一区域ROP1中彼此连接，并且因此可以不被划分为不同的电极组RME#1和RME#2。属于电极组RME#1和RME#2中的每个的电极RME的数量可以根据设置在子像素PXn中的每个中的发光元件ED的数量而变化。
第一绝缘层PAS1可以设置在电极RME、第一堤BNL1和第二堤BNL2上。第一绝缘层PAS1可以设置为完全地覆盖电极RME、第一堤BNL1和第二堤BNL2，并且可以在使电极RME彼此绝缘的同时保护电极RME。第一绝缘层PAS1还可以通过防止发光元件ED与其它元件接触来防止对设置在第一绝缘层PAS1上的发光元件ED的损坏。
在实施例中，第一绝缘层PAS1可以具有台阶，使得上表面的一部分在沿第一方向DR1彼此分隔开的电极RME之间凹陷。发光元件ED可以设置在第一绝缘层PAS1的上表面的台阶中，空间可以形成在发光元件ED与第一绝缘层PAS1之间。然而，实施例不限于此。
第一绝缘层PAS1可以包括暴露电极RME中的每个的上表面的一部分的接触孔CT1和CT2。接触孔CT1和CT2可以穿透第一绝缘层PAS1，下面所描述的接触电极CNE可以与通过接触孔CT1和CT2暴露的电极RME接触。
第三堤BNL3可以设置在第一绝缘层PAS1上。第三堤BNL3可以以包括在平面图中沿第一方向DR1和第二方向DR2延伸的部分的格子图案设置，并且可以设置在子像素PXn的边界处以将相邻的子像素PXn彼此区分开。第三堤BNL3可以设置为围绕设置在子像素PXn中的每个中的发射区域EMA和子区域SA以将它们区分开。第三堤BNL3的在第二方向DR2上延伸且设置在发射区域EMA之间的部分可以具有比设置在子区域SA之间的部分大的宽度。子区域SA之间的距离可以比发射区域EMA之间的距离小。然而，实施例不限于此。第三堤BNL3的宽度可以变化，子区域SA之间的距离可以比发射区域EMA之间的距离大。
第三堤BNL3可以具有比第一堤BNL1和第二堤BNL2中的每个的高度大的高度。第三堤BNL3可以在制造显示装置10的工艺的喷墨印刷工艺期间防止其中分散有不同的发光元件ED的墨溢出到相邻的子像素PXn，使得可以使不同的子像素PXn彼此分开且使墨不混合。与第一堤BNL1类似，第三堤BNL3可以包括但不限于聚酰亚胺(PI)。
发光元件ED可以设置在第一绝缘层PAS1上。发光元件ED可以在电极RME延伸所沿的第二方向DR2上彼此分隔开，并且可以基本上彼此平行对准。发光元件ED可以具有在一个方向上延伸的形状。电极RME延伸所沿的方向可以与发光元件ED延伸所沿的方向基本上垂直。然而，实施例不限于此。发光元件ED可以与电极RME延伸所沿的方向倾斜地取向。
发光元件ED可以包括掺杂为具有不同的导电类型的半导体层。发光元件ED可以包括多个半导体层，并且可以对准为使得它们的端部根据遍及电极RME所产生的电场的方向定向为特定的取向。发光元件ED中的每个可以包括发射层36(参照图6)以发射特定波段的光。根据发射层36的材料，设置在子像素PXn中的每个中的发光元件ED可以发射不同波段的光。然而，实施例不限于此。设置在子像素PXn中的发光元件ED可以发射相同颜色的光。
发光元件ED可以包括在与第一基底SUB的上表面平行的方向上设置在第一基底SUB的上表面上的多个层。显示装置10的发光元件ED可以布置为使得它们与第一基底SUB平行地延伸。包括在发光元件ED中的多个半导体层可以在与第一基底SUB的上表面平行的方向上顺序地设置。然而，实施例不限于此。在一些实施例中，当发光元件ED具有不同的结构时，多个层可以在与第一基底SUB垂直的方向上设置。
发光元件ED可以在第一堤BNL1与第二堤BNL2之间设置在沿第一方向DR1彼此分隔开的电极RME上。发光元件ED的长度可以比在第一方向DR1上彼此分隔开的电极RME之间的距离大，发光元件ED的两端可以分别设置在不同的电极上。例如，发光元件ED可以包括第一发光元件ED1和第二发光元件ED2，第一发光元件ED1具有分别设置在第一电极组RME#1的第一电极RME1和第三电极RME3上的端部，第二发光元件ED2具有分别设置在第一电极组RME#1的第二电极RME2和第四电极RME4上的端部。例如，发光元件ED可以包括第三发光元件ED3和第四发光元件ED4，第三发光元件ED3具有分别设置在第二电极组RME#2的第五电极RME5和第七电极RME7上的端部，第四发光元件ED4具有分别设置在第二电极组RME#2的第六电极RME6和第八电极RME8上的端部。
发光元件ED中的每个可以包括多个半导体层，第一端和与第一端相对的第二端可以基于半导体层中的一个来限定。发光元件ED中的每个可以设置为使得第一端和第二端放置在相应的电极RME上。例如，第一发光元件ED1可以设置为使得第一端放置在第一电极RME1上且第二端放置在第三电极RME3上。第二发光元件ED2可以设置为使得第一端放置在第四电极RME4上且第二端放置在第二电极RME2上。类似地，第三发光元件ED3可以设置为使得第一端放置在第五电极RME5上且第二端放置在第七电极RME7上。第四发光元件ED4可以设置为使得第一端放置在第八电极RME8上且第二端放置在第六电极RME6上。发光元件ED中的每个可以具有电连接到不同的电极RME的第一端和第二端。因此，发光元件ED中的每个可以包括设置在沿第一方向DR1彼此分隔开的电极RME上的端部。然而，实施例不限于此。发光元件ED可以设置为使得根据电极RME之间的取向仅一端放置在电极RME上。
发光元件ED中的每个的端部可以分别与接触电极CNE接触。因为绝缘层38(参照图6)未形成在延伸方向的一侧上的端表面处，所以发光元件ED中的每个的半导体层的一部分被暴露，半导体层的暴露部分可以与接触电极CNE接触。然而，实施例不限于此。在一些实施例中，去除绝缘层38的至少一部分，绝缘层38被去除，使得发光元件ED的半导体层的两个端表面可以被部分地暴露。半导体层的暴露的侧表面可以与接触电极CNE接触。发光元件ED可以通过接触电极CNE电连接到电极RME。
第二绝缘层PAS2可以部分地设置在发光元件ED上。例如，第二绝缘层PAS2可以设置为部分地围绕发光元件ED的外表面，使得发光元件ED中的每个的第一端和第二端不被覆盖。第二绝缘层PAS2可以在第一堤BNL1与第二堤BNL2之间沿第二方向DR2延伸。第二绝缘层PAS2的不与发光元件ED叠置的部分可以直接设置在第一绝缘层PAS1上。第二绝缘层PAS2可以具有使得在制造显示装置10的工艺期间第二绝缘层PAS2初始地形成为完全地覆盖第一绝缘层PAS1然后在暴露发光元件ED的端部的工艺期间第二绝缘层PAS2可以被去除的形状。第二绝缘层PAS2可以在平面图中在第一绝缘层PAS1上沿第二方向DR2延伸，从而在子像素PXn中的每个中形成线性或岛状图案。第二绝缘层PAS2可以在制造显示装置10的工艺期间保护发光元件ED且固定发光元件ED。第二绝缘层PAS2可以设置为填充发光元件ED与其下面的第一绝缘层PAS1之间的空间。
由于第二绝缘层PAS2部分地覆盖发光元件ED且具有在第二方向DR2上延伸的形状，因此第二绝缘层PAS2可以具有在第二方向DR2上的比在第一方向DR1上测量的线宽或宽度大的长度。根据实施例，第二绝缘层PAS2可以包括设置在电极RME之间且在第二方向DR2上延伸的延伸部PE(参照图7)以及连接到延伸部PE且在第一方向DR1上扩展的图案部PT(参照图7)。在第一方向上，图案部PT可以具有比延伸部PE中的每个的宽度大的宽度，或者图案部PT可以设置为围绕预定区域，使得图案部PT可以具有比延伸部PE大的形状。由于第二绝缘层PAS2包括图案部PT，因此可以在形成将在下面描述的接触电极CNE的工艺期间防止延伸部PE(其具有比宽度大的长度)从第一绝缘层PAS1或发光元件ED分层。将更详细地描述第二绝缘层PAS2的形状。
接触电极CNE可以设置在第二绝缘层PAS2上。每个接触电极CNE可以与每个发光元件ED的端部中的一个和至少一个电极RME接触。例如，接触电极CNE可以通过形成在第一绝缘层PAS1中且暴露电极RME的部分的接触孔CT1和CT2与发光元件ED的暴露的端部(第二绝缘层PAS2未设置在暴露的端部处)中的一个以及电极RME中的至少一个接触。半导体层在发光元件ED中的每个的两个端表面处被暴露，接触电极CNE可以与暴露半导体层的发光元件ED接触。因此，发光元件ED的端部中的每个可以通过不同的接触电极CNE电连接到电极RME。
接触电极CNE可以基本上设置在同一层。例如，接触电极CNE的一侧可以与发光元件ED接触且设置在第二绝缘层PAS2上，同时接触电极CNE的另一侧可以设置在设置在电极RME上的第一绝缘层PAS1上。在其它实施例中，接触电极CNE的部分可以通过穿透第一绝缘层PAS1的接触孔CT1和CT2与电极RME接触。
根据实施例，显示装置10的接触电极CNE可以被划分为电连接到不同类型的电极的不同类型的接触电极。例如，接触电极CNE可以包括设置在作为第一型电极的第一电极RME1或第二电极RME2上的作为第一型接触电极的第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2。
第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2可以分别设置在第一电极RME1的一部分和第二电极RME2的一部分上。第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2中的每个可以在第二方向DR2上延伸，它们可以在子像素PXn中的每个的发射区域EMA内部形成线性图案。第一接触电极CNE1可以通过暴露第一电极RME1的上表面的一部分的第一接触孔CT1与第一电极RME1接触，第二接触电极CNE2可以通过暴露第二电极RME2的上表面的一部分的第一接触孔CT1与第二电极接触。第一接触电极CNE1可以与第一发光元件ED1的第一端接触，第二接触电极CNE2可以与第二发光元件ED2的第二端接触。
作为第一型电极的第一电极RME1和第二电极RME2可以直接连接到第四导电层。作为第一型接触电极的第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2可以将施加到第一型电极的电信号传输到发光元件ED的一些端部。电信号可以直接施加到第一发光元件ED1的第一端和第二发光元件ED2的第二端。电信号可以通过第一发光元件ED1的第二端和第二发光元件ED2的第一端传输到其它接触电极CNE和发光元件ED。
接触电极CNE可以包括设置在作为第二型电极的第三电极RME3至第八电极RME8中的一个或更多个上的作为第二型接触电极的第三接触电极CNE3、第四接触电极CNE4和第五接触电极CNE5。
第三接触电极CNE3可以设置在第三电极RME3和第五电极RME5上。第三接触电极CNE3可以包括在第二方向DR2上延伸的第一电极延伸部CN_E1和第二电极延伸部CN_E2以及在发射区域EMA的第一区域ROP1中将第一电极延伸部CN_E1与第二电极延伸部CN_E2连接的第一电极桥CN_B1。第三接触电极CNE3通常可以在第二方向DR2上延伸，并且可以具有弯曲形状使得第三接触电极CNE3可以设置在第三电极RME3和第五电极RME5上。第一电极延伸部CN_E1可以设置在第三电极RME3上以与第三电极RME3和第一发光元件ED1接触。第一电极延伸部CN_E1可以与第一发光元件ED1的第二端和经由第二接触孔CT2暴露的第三电极RME3接触。第二电极延伸部CN_E2可以设置在第五电极RME5上以与第五电极RME5和第三发光元件ED3接触。第二电极延伸部CN_E2可以与第三发光元件ED3的第一端和经由第二接触孔CT2暴露的第五电极RME5接触。第一电极桥CN_B1可以具有在第一区域ROP1中沿第一方向DR1延伸的形状。
第四接触电极CNE4可以设置在第七电极RME7和第八电极RME8上。第四接触电极CNE4可以包括在第二方向DR2上延伸的第三电极延伸部CN_E3和第四电极延伸部CN_E4以及在发射区域EMA的下侧上将第三电极延伸部CN_E3与第四电极延伸部CN_E4连接的第二电极桥CN_B2。第四接触电极CNE4可以具有与将在下面描述的第五接触电极CNE5的第五电极延伸部CN_E5分隔开且围绕第五接触电极CNE5的第五电极延伸部CN_E5的形状。第三电极延伸部CN_E3可以设置在第七电极RME7上以与第七电极RME7和第三发光元件ED3的第二端接触。第四电极延伸部CN_E4可以设置在第八电极RME8上以与第八电极RME8和第四发光元件ED4的第一端接触。第二电极桥CN_B2可以在发射区域EMA的下侧上设置在第三堤BNL3与第一堤BNL1之间的空间中。
第五接触电极CNE5可以具有与第三接触电极CNE3的形状类似的形状，并且可以设置在第六电极RME6和第四电极RME4上。第五接触电极CNE5可以包括在第二方向DR2上延伸的第五电极延伸部CN_E5和第六电极延伸部CN_E6以及在发射区域EMA的第一区域ROP1中将第五电极延伸部CN_E5与第六电极延伸部CN_E6连接的第三电极桥CN_B3。第五电极延伸部CN_E5可以设置在第六电极RME6上以与第六电极RME6和第四发光元件ED4的第二端接触，第六电极延伸部CN_E6可以设置在第四电极RME4上以与第四电极RME4和第二发光元件ED2的第一端接触。第三电极桥CN_B3可以具有在第一区域ROP1中沿第一方向DR1延伸的形状。
第一发光元件ED1和第三发光元件ED3可以通过第三接触电极CNE3彼此电连接。通过第一接触电极CNE1施加的电信号可以通过第一发光元件ED1和第三接触电极CNE3传输到第三发光元件ED3。类似地，电信号可以通过第四接触电极CNE4和第五接触电极CNE5传输到第四发光元件ED4和第二发光元件ED2。设置在一个子像素PXn中的发光元件ED可以通过第二型接触电极串联连接。
形成在接触电极CNE和电极RME彼此接触的这样的位置处的接触孔CT1和CT2可以在第一方向DR1上不与发光元件ED叠置。例如，接触孔CT1和CT2中的每个可以在第二方向DR2上与其中设置有发光元件ED的区域分隔开，并且可以设置为与第三堤BNL3的在第一方向DR1上延伸的部分相邻。光从发光元件ED的两端发射，接触孔CT1和CT2可以定位为避开光的路径。然而，实施例不限于此。接触孔CT1和CT2的位置可以根据电极RME的结构和发光元件ED的位置而变化。
虽然在附图中仅一个第一接触电极CNE1、仅一个第二接触电极CNE2、仅一个第三接触电极CNE3、仅一个第四接触电极CNE4和仅一个第五接触电极CNE5设置在一个子像素PXn中，但是实施例不限于此。接触电极CNE1、CNE2、CNE3、CNE4和CNE5的数量和形状可以根据设置在子像素PXn中的每个中的电极RME的数量而变化。
接触电极CNE可以包括导电材料。例如，接触电极可以包括ITO、IZO、ITZO、铝(Al)等。例如，接触电极CNE可以包括透明导电材料，从发光元件ED发射的光可以透射接触电极CNE以朝向电极RME行进。然而，实施例不限于此。
虽然未在附图中示出，但是绝缘层可以设置在接触电极CNE和第三堤BNL3上以覆盖接触电极CNE和第三堤BNL3。绝缘层可以完全地设置在第一基底SUB上，以保护设置在第一基底SUB上的元件免受外部环境的影响。
第一绝缘层PAS1和第二绝缘层PAS2中的每个可以包括无机绝缘材料或有机绝缘材料。根据实施例，第一绝缘层PAS1和第二绝缘层PAS2可以包括诸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氧化铝(AlOx)和氮化铝(AlNx)的无机绝缘材料。可选地，它们可以包括作为有机绝缘材料的丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯树脂、聚苯硫醚树脂、苯并环丁烯、卡多树脂、硅氧烷树脂、倍半硅氧烷树脂、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯-聚碳酸酯合成树脂等。然而，实施例不限于此。
图6是示出了根据实施例的发光元件的图。
发光元件ED可以是发光二极管。具体地，发光元件ED可以具有从微米至纳米的尺寸，并且可以是由无机材料制成的无机发光元件。因为通过在两个电极之间沿特定方向形成电场来产生极性，所以无机发光二极管可以在彼此面对的两个电极之间对准。发光元件ED可以通过遍及两个电极所形成的电场在两个电极之间对准。
根据实施例的发光元件ED可以具有在一个方向上延伸的形状。发光元件ED可以具有圆柱体、棒、线、管等的形状。将理解的是，发光元件ED的形状不限于此。发光元件ED可以具有包括诸如立方体、长方体和六角柱的多边形柱形状或者在一定方向上延伸的具有部分地倾斜的外表面的形状的各种形状。将在下面描述的包括在发光元件ED中的半导体可以具有沿着预定方向顺序地布置或堆叠的结构。
发光元件ED可以包括掺杂有导电型(例如，p型或n型)杂质的半导体层。半导体层可以通过传输从外部电源施加的电信号来发射特定波段的光。
如图6中所示，发光元件ED可以包括第一半导体层31、第二半导体层32、发射层36、电极层37和绝缘层38。
第一半导体层31可以是n型半导体。当发光元件ED发射蓝色波段的光时，第一半导体层31可以包括具有以下化学式的半导体材料：AlxGayIn1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)。例如，第一半导体层31可以是n型掺杂的AlGaInN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的至少一种。第一半导体层31可以掺杂有n型掺杂剂，n型掺杂剂可以是Si、Ge、Sn等。例如，第一半导体层31可以是掺杂有n型Si的n-GaN。发光元件ED的第一端可以是第一半导体层31相对于发射层36设置的部分。
第二半导体层32设置在将在下面描述的发射层36上。第二半导体层32可以是p型半导体。当发光元件ED发射蓝色或绿色波段的光时，第二半导体层32可以包括具有以下化学式的半导体材料：AlxGayIn1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)。例如，第二半导体层32可以是p型掺杂的AlGaInN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的至少一种。第二半导体层32可以掺杂有p型掺杂剂，p型掺杂剂可以是Mg、Zn、Ca、Ba等。例如，第二半导体层32可以是掺杂有p型Mg的p-GaN。发光元件ED的第二端可以指发射层36的设置有第二半导体层32的另一侧。
虽然在附图中第一半导体层31和第二半导体层32中的每个被实现为信号层，但是实施例不限于此。根据发射层36的材料，第一半导体层31和第二半导体层32还可以包括更大数量的层(例如，包覆层或拉伸应变势垒降低(TSBR)层)。
发射层36设置在第一半导体层31与第二半导体层32之间。发射层36可以包括具有单量子阱结构或多量子阱结构的材料。当发射层36包括具有多量子阱结构的材料时，所述结构可以包括彼此交替地堆叠的量子层和阱层。发射层36可以响应于通过第一半导体层31和第二半导体层32施加的电信号在电子-空穴对在其中复合时发射光。当发射层36发射蓝色波段的光时，发射层36可以包括诸如AlGaN和AlGaInN的材料。当发射层36具有其中量子层和阱层彼此交替地堆叠的多量子阱结构时，量子层可以包括AlGaN或AlGaInN，阱层可以包括诸如GaN和AlGaN的材料。例如，发射层36包括作为量子层的AlGaInN和作为阱层的AlInN，如上所述，发射层36可以发射具有450nm至495nm的中心波段的蓝光。
然而，实施例不限于此。发射层36可以具有其中具有大带隙能的半导体材料和具有小带隙能的半导体材料彼此交替地堆叠的结构，并且可以根据发射光的波长范围包括其它III族至V族半导体材料。因此，从发射层36发射的光不限于蓝色波段的光。在一些实施例中，发射层36可以发射红色或绿色波段的光。
从发射层36发射的光不仅可以通过发光元件ED的在纵向方向上的外表面出射，而且可以通过两个侧表面出射。从发射层36发射的光传播所沿的方向不限于一个方向。
电极层37可以是欧姆接触电极。然而，实施例不限于此。元件电极层可以是肖特基接触电极。发光元件ED可以包括至少一个电极层37。虽然在图6中所示的示例中发光元件ED包括一个电极层37，但是实施例不限于此。在一些实施例中，发光元件ED可以包括更大数量的电极层37，或者可以省略电极层。即使电极层37的数量不同或者发光元件ED还包括其它结构，也可以同样地适用关于发光元件ED的以下描述。
当在根据实施例的显示装置10中发光元件ED电连接到电极或接触电极时，电极层37可以减小发光元件ED与电极或接触电极之间的电阻。电极层37可以包括具有导电性的金属。例如，电极层37可以包括铝(Al)、钛(Ti)、铟(In)、金(Au)、银(Ag)、ITO、IZO和ITZO中的至少一种。电极层37可以包括掺杂有n型或p型杂质的半导体材料。然而，实施例不限于此。
绝缘层38可以设置为围绕上述半导体层和电极层的外表面。例如，绝缘层38可以设置为至少围绕发射层36的外表面，并且可以在发光元件ED延伸所沿的方向上延伸。绝缘层38可以用于保护上述元件。绝缘层38可以形成为围绕元件的侧表面，发光元件ED的在纵向方向上的两端可以被暴露。
虽然在附图中所示的示例中绝缘层38在发光元件ED的纵向方向上延伸以从第一半导体层31覆盖到电极层37的侧表面，但是实施例不限于此。绝缘层38可以仅覆盖半导体层的部分的外表面(包括发射层36的外表面)，或者可以仅覆盖电极层37的外表面的部分以部分地暴露电极层37的外表面。绝缘层38的上表面的与发光元件ED的至少一端相邻的部分在剖面中可以是圆形的。
绝缘层38的厚度可以在但不限于10nm至1.0μm的范围内。例如，绝缘层38的厚度可以近似是40nm。
绝缘层38可以包括诸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氮化铝(AlNx)和氧化铝(AlOx)的具有绝缘性质的材料。虽然在附图中绝缘层38形成为单个层，但是实施例不限于此。在一些实施例中，绝缘层38可以形成为其中多个层彼此堆叠的双层或多层结构。当绝缘层38形成为双层或多层时，绝缘层38中的每个层可以包括相同的材料或不同的材料，并且可以经由不同的工艺形成。因此，可以防止当发射层36与电信号通过其传输到发光元件ED的电极接触时会发生的电短路。由于绝缘层38围绕发射层36以保护发光元件ED的外表面，因此可以防止发光效率的降低。
绝缘层38的外表面可以进行表面处理。发光元件ED可以分散在墨中，墨可以被喷射到电极上。在这样做时，可以对绝缘层38应用表面处理，使得绝缘层38变得疏水或亲水，以防止分散在墨中的发光元件ED彼此聚集。例如，绝缘层38的外表面可以用诸如硬脂酸和2,3-萘二甲酸的材料进行表面处理。
第二绝缘层PAS2可以具有比第二绝缘层PAS2的线宽长的长度，并且仍然可以具有能够防止分层的结构。根据实施例，第二绝缘层PAS2可以覆盖不同的电极RME之间的发光元件ED，并且可以包括在第二方向DR2上延伸的延伸部和连接到延伸部且在第一方向DR1上具有比延伸部的面积大的面积的图案部。
图7是示出了根据实施例的显示装置中的子像素中的第二绝缘层的布局的示意性平面图。图8是沿着图7的线Q5-Q5'截取的示意性剖视图。图7示出了在平面图中设置在第一子像素PX1中的发光元件ED、电极RME和接触电极CNE以及第二绝缘层PAS2的布局。图8示出了第二绝缘层PAS2的设置在发射区域EMA的第一区域ROP1中的第一图案部PT1的剖面。
参照图7和图8，在根据实施例的显示装置10中，第二绝缘层PAS2可以包括一个或更多个绝缘图案PA1和PA2。绝缘图案PA1和PA2中的每个可以包括延伸部PE1和PE2以及图案部PT1。第二绝缘层PAS2可以设置在沿第一方向DR1彼此分隔开的电极RME之间，以覆盖发光元件ED。由于发光元件ED在子像素PXn中的每个的发射区域EMA中设置在第一堤BNL1与第二堤BNL2之间，因此第二绝缘层PAS2可以包括均设置在第一堤BNL1与第二堤BNL2之间的一个或更多个绝缘图案PA1和PA2。
例如，第一绝缘图案PA1可以设置在第一堤BNL1的第一子堤BNL_A与第二堤BNL2之间，第二绝缘图案PA2可以设置在第一堤BNL1的第二子堤BNL_B与第二堤BNL2之间。绝缘图案PA1和PA2中的每个可以包括在电极RME之间沿第二方向DR2延伸的延伸部PE1和PE2。绝缘图案PA1和PA2中的每个可以包括设置在第一电极组RME#1的电极RME之间的第一延伸部PE1和设置在第二电极组RME#2的电极RME之间的第二延伸部PE2。第一绝缘图案PA1的第一延伸部PE1设置在第一电极RME1与第三电极RME3之间，第一绝缘图案PA1的第二延伸部PE2设置在第五电极RME5与第七电极RME7之间。第二绝缘图案PA2的第一延伸部PE1设置在第二电极RME2与第四电极RME4之间，第二绝缘图案PA2的第二延伸部PE2设置在第六电极RME6与第八电极RME8之间。因此，第一绝缘图案PA1可以设置为覆盖设置在第一电极RME1和第三电极RME3上的第一发光元件ED1以及设置在第五电极RME5和第六电极RME6上的第三发光元件ED3。第二绝缘图案PA2可以设置为覆盖设置在第二电极RME2和第四电极RME4上的第二发光元件ED2以及设置在第六电极RME6和第八电极RME8上的第四发光元件ED4。
根据实施例，第二绝缘层PAS2的延伸部PE1和PE2可以具有在第一方向DR1上测量的比发光元件ED的长度h小的宽度。如上所述，设置在发光元件ED上的第二绝缘层PAS2可以具有使得发光元件ED的两端可以被暴露的宽度。第二绝缘层PAS2的延伸部PE1和PE2可以具有比在电极RME之间延伸的长度小的线宽。延伸部PE1和PE2的在第一方向DR1上测量的宽度可以比发光元件ED的长度h小，并且可以在第二方向DR2上具有相对大的长度，以便覆盖电极RME之间的发光元件ED。第二绝缘层PAS2的绝缘图案PA1和PA2包括在电极RME之间沿第二方向DR2延伸的延伸部PE1和PE2，并且因此在平面图中可以具有基本线性形状。
根据实施例，第二绝缘层PAS2可以包括第一图案部PT1，第一图案部PT1连接到延伸部PE1和PE2且具有具备比延伸部PE1和PE2的在第一方向DR1上的宽度或长度大的宽度或长度的至少一部分。由于第一图案部PT1具有在第一方向DR1上测量的比延伸部PE1和PE2大的宽度或者包括包含在第一方向DR1上延伸的部分的形状，因此被第一图案部PT1占据的区域的在第一方向DR1上的宽度可以比延伸部PE1和PE2大。
例如，第二绝缘层PAS2的绝缘图案PA1和PA2中的每个可以包括第一图案部PT1，第一图案部PT1连接到第一延伸部PE1和第二延伸部PE2且具有比延伸部PE1和PE2的宽度大的宽度。第一图案部PT1、第一延伸部PE1和第二延伸部PE2可以彼此成一体以形成绝缘图案PA1和PA2中的每个。第一图案部PT1可以在第一电极组RME#1与第二电极组RME#2之间设置在第一区域ROP1中。因此，第一图案部PT1可以设置在沿第二方向DR2分隔开的电极之间的区域中。在子像素PXn中的每个中，可以设置第二绝缘层PAS2的第一绝缘图案PA1和第二绝缘图案PA2。绝缘图案PA1和PA2中的每个的第一图案部PT1可以设置在发射区域EMA的第一区域ROP1中。第一图案部PT1的数量可以等于子像素PXn中的每个中的绝缘图案PA1和PA2的数量。在附图中所示的示例中，两个第一图案部PT1可以设置在一个发射区域EMA中。然而，实施例不限于此。
在制造显示装置10的工艺期间，第一电极组RME#1和第二电极组RME#2的电极在第二方向DR2上形成为连续的电极线，然后可以在第一区域ROP1中彼此分开。使电极线分开的工艺可以通过形成第二绝缘层PAS2然后使第一绝缘层PAS1和电极线图案化来进行。从设置有电极线的位置或在第二方向DR2上并排布置的电极RME之间去除第一绝缘层PAS1，以执行使电极线图案化的工艺。除了在沿第二方向DR2并排布置的电极RME之间之外，不从第一区域ROP1去除第一绝缘层PAS1。因此，第二绝缘层PAS2的第一图案部PT1可以设置在设置在第一区域ROP1中的第一绝缘层PAS1上。第三接触电极CNE3的第一电极桥CN_B1和第五接触电极CNE5的第三电极桥CN_B3可以直接设置在第一图案部PT1上。
根据实施例，第一图案部PT1可以具有在第一方向DR1上测量的比延伸部PE1和PE2的宽度大但是比在第一方向DR1上分隔开的电极RME之间的距离小的宽度。如果第一图案部PT1的宽度太大，则第一图案部PT1会覆盖设置在第一区域ROP1中的电极线，因此电极线不会被完全地分开。因此，可以在不覆盖电极线的情况下将第一图案部PT1的宽度调节到比延伸部PE1和PE2大的程度。然而，实施例不限于此。虽然在附图中所示的示例中第一图案部PT1设置在第一区域ROP1中且具有恒定的宽度，但是宽度可以根据第一图案部PT1的形状和位置而变化。将参照其它实施例给出更详细的描述。
在制造显示装置10的工艺期间，第二绝缘层PAS2的延伸部PE1和PE2可以固定发光元件ED的对准位置，从而防止发光元件ED在后续工艺期间偏离。由于第二绝缘层PAS2包括连接到延伸部PE1和PE2的第一图案部PT1，因此可以防止第二绝缘层PAS2在已经形成第二绝缘层PAS2之后的工艺期间分层。由于用于固定发光元件ED的延伸部PE1和PE2具有与它们的长度相比相对小的宽度，因此用于固定发光元件ED的延伸部PE1和PE2会容易地分层。在根据实施例的显示装置10中，第二绝缘层PAS2还包括连接到延伸部PE1和PE2的第一图案部PT1，以防止第二绝缘层PAS2分层且防止发光元件ED偏离它们的位置。
图7示出了第二绝缘层PAS2包括绝缘图案PA1和PA2并且绝缘图案PA1和PA2中的每个包括延伸部PE1和PE2以及具有比延伸部PE1和PE2的宽度大的宽度的第一图案部PT1的实施例。然而，第二绝缘层PAS2的用于防止延伸部PE1和PE2的分层的第一图案部PT1的形状和结构可以以各种方式修改。在下文中，将参照其它附图描述根据各种实施例的显示装置(特别地，第二绝缘层PAS2的结构)。
图9是示出了根据另一实施例的显示装置中的子像素中的第二绝缘层的布局的示意性平面图。图9示出了第一子像素PX1的第二绝缘层PAS2_1、发光元件ED、电极RME和接触电极CNE的相对布置。
参照图9，在根据实施例的显示装置10_1中，第二绝缘层PAS2_1包括分别设置在第一电极组RME#1和第二电极组RME#2中的绝缘图案PA1_1和PA2_1。绝缘图案PA1_1和PA2_1中的每个可以包括一个或更多个图案部PT1_1和PT2_1。第二绝缘层PAS2_1的图案部PT1_1和PT2_1可以具有基本上等于延伸部PE1_1和PE2_1的宽度的宽度，但是在第一方向DR1上延伸的长度可以比延伸部PE1_1和PE2_1大。除了设置在覆盖发光元件ED的延伸部PE1_1和PE2_1与第一区域ROP1之间的边界处的第一图案部PT1_1之外，绝缘图案PA1_1和PA2_1中的每个还可以包括设置在发射区域EMA的在第二方向DR2上的两侧上的第二图案部PT2_1。该实施例与图7的实施例的不同之处在于，第二绝缘层PAS2_1的绝缘图案PA1_1和PA2_1具有不同的形状和布置结构。在下文中，将详细描述第二绝缘层PAS2_1的结构中的差异，同时将省略冗余描述。
在根据实施例的第二绝缘层PAS2_1中，第一绝缘图案PA1_1的延伸部PE1_1和PE2_1可以设置在第一电极组RME#1的电极RME之间，第二绝缘图案PA2_1的延伸部PE1_1和PE2_1可以设置在第二电极组RME#2的电极RME之间。例如，在第一绝缘图案PA1_1中，第一延伸部PE1_1可以设置在第一电极RME1与第三电极RME3之间，第二延伸部PE2_1可以设置在第二电极RME2与第四电极RME4之间。第二绝缘图案PA2_1的第一延伸部PE1_1可以设置在第五电极RME5与第七电极RME7之间，第二绝缘图案PA2_1的第二延伸部PE2_1可以设置在第六电极RME6与第八电极RME8之间。因此，第一绝缘图案PA1_1可以设置为覆盖第一发光元件ED1和第二发光元件ED2，第二绝缘图案PA2_1可以设置为覆盖第三发光元件ED3和第四发光元件ED4。
绝缘图案PA1_1和PA2_1包括连接到延伸部PE1_1和PE2_1的一个或更多个图案部PT1_1和PT2_1。图案部PT1_1和PT2_1可以包括第一图案部PT1_1和第二图案部PT2_1，第一图案部PT1_1设置在电极组RME#1和RME#2中的每个的电极RME与第一区域ROP1接触的边界处，第二图案部PT2_1在发射区域EMA的上侧和下侧上设置为与第三堤BNL3相邻。第一图案部PT1_1和第二图案部PT2_1可以具有与延伸部PE1_1和PE2_1的宽度相等的宽度，但是在第一方向DR1上延伸的长度可以比延伸部PE1_1和PE2_1大。如上所述，第二绝缘层PAS2_1的图案部PT1_1和PT2_1可以在第一方向DR1上具有比延伸部PE1_1和PE2_1大的宽度，以便防止延伸部PE1_1和PE2_1分层。根据该实施例，图案部PT1_1和PT2_1具有在第一方向DR1上延伸的形状，从而防止延伸部PE1_1和PE2_1的分层。
第一图案部PT1_1可以设置在第一区域ROP1的边界处，并且可以与电极RME叠置。第一图案部PT1_1可以设置在第一电极组RME#1和第二电极组RME#2的电极RME在第二方向DR2上彼此分隔开且彼此面对的一侧上。在第一方向DR1上延伸的第一图案部PT1_1可以具有使得第一图案部PT1_1可以与属于电极组RME#1和RME#2中的每个的四个电极RME中的全部叠置的长度。第一绝缘图案PA1_1的第一图案部PT1_1可以与第一电极组RME#1的第一电极至第四电极RME1、RME2、RME3和RME4叠置，第二绝缘图案PA2_1的第一图案部PT1_1可以与第二电极组RME#2的第五电极至第八电极RME5、RME6、RME7和RME8叠置。第一绝缘图案PA1_1和第二绝缘图案PA2_1的第一图案部PT1_1可以在第二方向DR2上彼此分隔开且彼此面对并且第一区域ROP1位于第一绝缘图案PA1_1和第二绝缘图案PA2_1的第一图案部PT1_1之间。由于在第一区域ROP1中执行使电极线分开的工艺，因此第一图案部PT1_1设置在第一区域ROP1的边界处，以允许第一区域ROP1内部存在用于使电极线分开的空间。
第二图案部PT2_1可以设置在发射区域EMA的上侧和下侧上，并且设置为与第三堤BNL3的在第一方向DR1上延伸的部分相邻。第一绝缘图案PA1_1的第二图案部PT2_1可以设置在发射区域EMA的上侧上且与子区域SA相邻。第二绝缘图案PA2_1的第二图案部PT2_1可以设置在发射区域EMA的下侧上且与另一子像素PXn相邻。第二图案部PT2_1可以形成在形成在第一绝缘层PAS1和第三堤BNL3中的接触孔CT1和CT2之间的空间中，并且可以与电极RME和接触电极CNE部分地叠置。第二图案部PT2_1中的每个可以不与发光元件ED叠置，并且可以在第二方向DR2上与发光元件ED分隔开。与第一图案部PT1_1类似，在第一方向DR1上延伸的第二图案部PT2_1可以具有使得第二图案部PT2_1可以与电极组RME#1和RME#2中的每个中的四个电极RME中的全部叠置的长度。第一图案部PT1_1和第二图案部PT2_1中的每个具有在第一方向DR1上测量的比延伸部PE1_1和PE2_1的在第一方向DR1上的宽度大的长度，使得可以防止第二绝缘层PAS2_1的分层。
虽然根据上述实施例，第二绝缘层PAS2包括彼此分开的绝缘图案PA1和PA2，但是实施例不限于此。第二绝缘层PAS2可以形成为包括覆盖发光元件ED的多个延伸部PE以及连接到多个延伸部PE的一个或更多个图案部PT的单个图案。
图10是示出了根据另一实施例的显示装置中的子像素中的第二绝缘层的布局的示意性平面图。图11是沿着图10的线Q6-Q6'截取的示意性剖视图。
图10示出了第二绝缘层PAS2_2的相对布置，图11示出了在第一方向DR1上横跨第一区域ROP1的剖面。
参照图10和图11，在根据实施例的显示装置10_2中，第二绝缘层PAS2_2可以包括多个延伸部PE1_2、PE2_2、PE3_2和PE4_2以及连接到其的第一图案部PT1_2。延伸部PE1_2、PE2_2、PE3_2和PE4_2可以与图9的实施例类似在电极RME之间沿第二方向DR2延伸，而第一图案部PT1_2可以设置为围绕第一区域ROP1。该实施例与图7和图9的实施例的不同之处在于，第二绝缘层PAS2_2形成为单个连续图案并且第一图案部PT1_2具有不同的形状。在以下描述中，描述将集中于差异，并且将省略冗余描述。
第二绝缘层PAS2_2的延伸部PE1_2、PE2_2、PE3_2和PE4_2可以以与上述相同的方式设置。例如，第一延伸部PE1_2和第二延伸部PE2_2可以设置在第一电极组RME#1的电极RME之间，第三延伸部PE3_2和第四延伸部PE4_2可以设置在第二电极组RME#2的电极RME之间。第一延伸部至第四延伸部PE1_2、PE2_2、PE3_2和PE4_2可以设置为分别与第一发光元件至第四发光元件ED1、ED2、ED3和ED4叠置。
第一图案部PT1_2可以围绕第一区域ROP1且可以连接到第一延伸部至第四延伸部PE1_2、PE2_2、PE3_2和PE4_2。第一图案部PT1_2在平面图中可以具有包括沿第一方向DR1和第二方向DR2延伸的边的矩形形状。与图9的实施例类似，第一图案部PT1_2的宽度可以基本上等于延伸部PE1_1、PE2_2、PE3_2和PE4_2的宽度，但是在第一方向DR1上延伸的长度可以比延伸部PE1_2、PE2_2、PE3_2和PE4_2的长度大。第一图案部PT1_2的在第一方向DR1上延伸的部分可以设置在第一区域ROP1的边界处，使得它们与电极RME叠置，第一图案部PT1_2的在第二方向DR2上延伸的部分可以将在第一方向DR1上延伸的部分彼此连接。第一图案部PT1_2设置为围绕第一区域ROP1，使得可以防止延伸部PE1_2、PE2_2、PE3_2和PE4_2的分层，并且还可以确保在可以使电极线分开的第一区域ROP1中存在空间。
图12是示出了根据另一实施例的显示装置中的子像素中的第二绝缘层的布局的示意性平面图。
参照图12，在根据实施例的显示装置10_3中，第二绝缘层PAS2_3可以包括围绕第一区域ROP1的第一图案部PT1_3和与第一图案部PT1_3的中心交叉的第一连接桥PB1_3。第一连接桥PB1_3可以设置在第二电极RME2和第六电极RME6的延伸部与第三电极RME3和第七电极RME7的延伸部之间。第一连接桥PB1_3可以在第二方向DR2上延伸以与第一图案部PT1_3的中心交叉，并且可以与第一图案部PT1_3成一体。第一连接桥PB1_3可以将第一图案部PT1_3的在第一方向上延伸(在第一区域ROP1的上侧上)的部分的中心连接到第一图案部PT1_3的在第一方向上延伸(在第一区域ROP1的下侧上)的另一部分的中心。第一连接桥PB1_3可以确保存在可以使电极线分开的空间且可以增大通过第一图案部PT1_3防止分层的效果。该实施例与图10的实施例的不同之处在于，第二绝缘层PAS2_3还包括连接到第一图案部PT1_3的第一连接桥PB1_3。
图13是示出了根据另一实施例的显示装置中的子像素中的第二绝缘层的布局的示意性平面图。图14是沿着图13的线Q7-Q7'截取的示意性剖视图。
图13示出了第二绝缘层PAS2_4的相对布置，图14示出了在第一方向DR1上横跨形成在第一绝缘层PAS1中的接触孔CT1和CT2的剖面。
参照图13和图14，在根据实施例的显示装置10_4中，除了第一图案部PT1_4之外，第二绝缘层PAS2_4还可以包括第二图案部PT2_4和第三图案部PT3_4，第二图案部PT2_4和第三图案部PT3_4围绕其中形成有接触孔CT1和CT2的接触电极CNE与电极RME接触的区域。该实施例与图12的实施例的不同之处在于，第二绝缘层PAS2_4还包括第二图案部PT2_4和第三图案部PT3_4。
与第一图案部PT1_4类似，第二图案部PT2_4和第三图案部PT3_4可以包括在第一方向DR1和第二方向DR2上延伸的部分。第二图案部PT2_4和第三图案部PT3_4的在第一方向DR1上延伸的部分的长度可以等于第一图案部PT1_4的在第一方向DR1上的长度。第二图案部PT2_4和第三图案部PT3_4的在第二方向DR2上延伸的部分的长度可以比第一图案部PT1_4的长度小。第二图案部PT2_4可以设置为围绕形成在第一电极组RME#1的电极RME上的接触孔CT1和CT2，第三图案部PT3_4可以设置为围绕形成在第二电极组RME#2的电极RME上的接触孔CT1和CT2。第二图案部PT2_4可以设置在发射区域EMA的上侧上且在第二方向DR2上与第一图案部PT1_4分隔开，第三图案部PT3_4可以设置在发射区域EMA的下侧上且在与第二方向DR2的相反方向上与第一图案部PT1_4分隔开。第二图案部PT2_4和第三图案部PT3_4可以彼此分隔开，使得它们不与设置在第一电极组RME#1和第二电极组RME#2上的发光元件ED叠置。具体地，第二图案部PT2_4可以连接到延伸部PE1_4和PE2_4，同时第三图案部PT3_4可以连接到延伸部PE3_4和PE4_4，并且它们可以在第二方向DR2上与第一图案部PT1_4分隔开。
第二图案部PT2_4和第三图案部PT3_4可以不覆盖接触孔CT1和CT2，使得在后续工艺期间形成的接触电极CNE可以通过接触孔CT1和CT2与电极RME接触。由于第二绝缘层PAS2_4除了第一图案部PT1_4之外还包括第二图案部PT2_4和第三图案部PT3_4，因此可以进一步增大防止延伸部PE1_4、PE2_4、PE3_4和PE4_4的分层的效果。
图15是示出了根据另一实施例的显示装置中的子像素中的第二绝缘层的布局的示意性平面图。
参照图15，在根据实施例的显示装置10_5中，第二绝缘层PAS2_5还可以包括分别设置在被第二图案部PT2_5和第三图案部PT3_5围绕的区域中的多个连接桥。第二图案部PT2_5可以设置为围绕形成在第一电极组RME#1上的接触孔CT1和CT2，第二连接桥PB2_5可以设置在电极RME之间，以将第二图案部PT2_5的在第一方向DR1上延伸的部分彼此连接。第二连接桥PB2_5可以与第一延伸部PE1_5和第二延伸部PE2_5平行布置，并且可以设置在第一电极RME1与第三电极RME3之间以及第二电极RME2与第四电极RME4之间。
第三图案部PT3_5可以设置为围绕形成在第二电极组RME#2上的接触孔CT1和CT2，第三连接桥PB3_5可以设置在电极RME之间，以将第三图案部PT3_5的在第一方向DR1上延伸的部分彼此连接。第三连接桥PB3_5可以与第三延伸部PE3_5和第四延伸部PE4_5平行布置，并且可以设置在第五电极RME5与第七电极RME7之间以及第六电极RME6与第八电极RME8之间。由于第二绝缘层PAS2_5还包括分别设置在被第二图案部PT2_5和第三图案部PT3_5围绕的区域中的连接桥PB2_5和PB3_5，使得可以防止第二绝缘层PAS2_5分层。
图16是示出了根据另一实施例的显示装置中的子像素中的第二绝缘层的布局的示意性平面图。图17是沿着图16的线Q8-Q8'截取的示意性剖视图。
参照图16和图17，在根据实施例的显示装置10_6中，第二绝缘层PAS2_6还可以包括设置在第三堤BNL3上的上层PS_6和将上层PS_6连接到第一图案部PT1_6的第四连接桥PB4_6。根据该实施例的第二绝缘层PAS2_6与图12的实施例类似包括延伸部PE1_6、PE2_6、PE3_6和PE4_6以及第一图案部PT1_6，并且其还可以包括设置在第三堤BNL3上的上层PS_6和将上层PS_6连接到第一图案部PT1_6的第四连接桥PB4_6。在以下描述中，描述将集中于差异，并且将省略冗余描述。
第二绝缘层PAS2_6可以经由将其完全地设置在第三堤BNL3和第一绝缘层PAS1上且暴露发光元件ED的两端和第一区域ROP1的一部分的工艺来形成。因此，第二绝缘层PAS2_6可以包括设置在第三堤BNL3上的部分和围绕第一区域ROP1的部分，并且形成有大宽度的上层PS_6和第一图案部PT1_6可以彼此连接，以便防止设置在发射区域EMA中的第二绝缘层PAS2_6的分层。
第二绝缘层PAS2_6的上层PS_6在平面图中可以以与第三堤BNL3相同的形状设置。上层PS_6可以在第一方向DR1和第二方向DR2上延伸以设置成格子图案，并且可以围绕除了子像素PXn中的每个的边界之外的发射区域EMA和子区域SA。上层PS_6的宽度可以比延伸部PE1_6、PE2_6、PE3_6和PE4_6以及第一图案部PT1_6的宽度大。
第四连接桥PB4_6可以连接到第一图案部PT1_6和设置在第一区域ROP1的边界处的上层PS_6。第四连接桥PB4_6可以在发射区域EMA中形成在第一区域ROP1的在第一方向DR1上的两侧上，第四连接桥PB4_6的在第二方向DR2上测量的宽度可以等于第一图案部PT1_6的在第二方向DR2上的长度。换句话说，第四连接桥PB4_6实际上可以是从第一图案部PT1_6的在第一方向DR1上的两侧扩展的部分。
在根据实施例的显示装置10_6中，第二绝缘层PAS2_6还设置在第三堤BNL3上，设置在发射区域EMA中的延伸部PE1_6、PE2_6、PE3_6和PE4_6以及图案部PT1_6连接到第三堤BNL3上的上层PS_6，使得可以进一步增大防止分层的效果。
在总结具体实施方式时，本领域技术人员将理解的是，在实质上不脱离公开的原理的情况下，可以对实施例进行许多变化和修改。因此，所公开的实施例仅在一般性和描述性意义上使用，而不是为了限制的目的。

Claims (20)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
多个电极，在第一方向上和在与所述第一方向相交的第二方向上彼此分隔开，所述多个电极中的每个具有在所述第二方向上延伸的形状；
第一绝缘层，设置在所述多个电极上；
多个发光元件，设置在所述第一绝缘层上，所述多个发光元件中的每个包括设置在沿所述第一方向彼此分隔开的所述多个电极上的端部；以及
第二绝缘层，至少部分地设置在所述多个发光元件上，
其中，所述第二绝缘层包括：多个延伸部，在所述第二方向上延伸；以及至少一个图案部，连接到所述多个延伸部，所述至少一个图案部包括在所述第一方向上具有比所述多个延伸部中的每个的宽度大的宽度的部分。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
在所述第一方向上，所述多个延伸部中的每个的宽度比所述多个发光元件中的每个的长度小，
所述至少一个图案部设置在沿所述第二方向分隔开的所述多个电极之间的第一区域中，并且
所述至少一个图案部的宽度比在所述第一方向上彼此分隔开的所述多个电极之间的距离小。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述至少一个图案部具有在所述第一方向上延伸的形状，并且设置在所述多个电极的在所述第二方向上彼此分隔开的所述多个电极彼此面对的一侧上。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述至少一个图案部包括围绕在所述第二方向上彼此分隔开的所述多个电极之间的第一区域的第一图案部，并且
所述第一图案部的在所述第一方向上延伸的部分的长度比所述多个延伸部中的每个在所述第一方向上的宽度大。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述第一图案部还包括：
第一连接桥，将所述第一图案部的在所述第一方向上延伸的部分的中心连接到所述第一图案部的在所述第一方向上延伸的另一部分的中心。
6.根据权利要求4所述的显示装置，其中，
所述第一绝缘层包括在所述第二方向上与所述多个发光元件分隔开且暴露所述多个电极的部分的多个接触孔，并且
所述至少一个图案部包括围绕其中形成有所述多个接触孔的区域且不与所述多个接触孔叠置的第二图案部。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，
所述第二图案部包括设置在所述多个接触孔之间的第二连接桥，所述第二连接桥中的每个将所述第二图案部的在所述第一方向上延伸的部分连接到所述第二图案部的在所述第一方向上延伸的另一部分，并且
所述第二连接桥与所述多个延伸部平行布置。
8.根据权利要求4所述的显示装置，所述显示装置还包括：
发射区域，所述多个电极设置在所述发射区域中；
子区域，定位在所述发射区域的在所述第二方向上的一侧上；以及
堤，围绕所述发射区域和所述子区域，
其中，所述第二绝缘层还包括：上层，设置在所述堤上；以及连接桥，将所述上层连接到所述第一图案部。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述多个电极包括：第一电极；第二电极，在所述第一方向上与所述第一电极分隔开；第三电极，设置在所述第一电极与所述第二电极之间；以及第四电极，在所述第一方向上与所述第二电极分隔开，
所述多个发光元件包括：第一发光元件，包括分别设置在所述第一电极和所述第三电极上的端部；以及第二发光元件，包括分别设置在所述第二电极和所述第四电极上的端部，并且
所述第二绝缘层的所述多个延伸部包括：第一延伸部，与所述第一发光元件叠置；以及第二延伸部，与所述第二发光元件叠置。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，
所述多个电极还包括：第五电极，在所述第二方向上与所述第一电极分隔开；第六电极，在所述第二方向上与所述第二电极分隔开；第七电极，在所述第二方向上与所述第三电极分隔开；以及第八电极，在所述第二方向上与所述第四电极分隔开，
所述多个发光元件还包括：第三发光元件，包括分别设置在所述第五电极和所述第七电极上的端部；以及第四发光元件，包括分别设置在所述第六电极和所述第八电极上的端部，并且
所述第二绝缘层的所述多个延伸部还包括：第三延伸部，与所述第三发光元件叠置；以及第四延伸部，与所述第四发光元件叠置。
11.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述至少一个图案部包括第一图案部，所述第一图案部围绕在所述第二方向上彼此分隔开的所述多个电极之间的第一区域且连接到所述第一延伸部至所述第四延伸部。
12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，
所述至少一个图案部还包括：第二图案部，连接到所述第一延伸部和所述第二延伸部且在所述第二方向上与所述第一图案部分隔开；以及第三图案部，连接到所述第三延伸部和所述第四延伸部且在所述第二方向上与所述第一图案部分隔开，并且
所述第二图案部和所述第三图案部不与所述多个发光元件叠置。
13.根据权利要求10所述的显示装置，所述显示装置还包括：
第一接触电极，设置在所述第一电极上且接触所述第一发光元件；
第二接触电极，设置在所述第二电极上且接触所述第二发光元件；
第三接触电极，设置在所述第三电极和所述第五电极上，并且接触所述第一发光元件和所述第三发光元件；
第四接触电极，设置在所述第七电极和所述第八电极上，并且接触所述第三发光元件和所述第四发光元件；以及
第五接触电极，设置在所述第四电极和所述第六电极上，并且接触所述第二发光元件和所述第四发光元件。
14.根据权利要求13所述的显示装置，其中，
所述第一接触电极、所述第二接触电极、所述第三接触电极、所述第四接触电极和所述第五接触电极中的每个的至少一部分设置在所述第二绝缘层上。
15.一种显示装置，所述显示装置包括：
第一电极组，包括在第一方向上彼此分隔开且在与所述第一方向相交的第二方向上延伸的多个电极；
第二电极组，包括在所述第二方向上与所述第一电极组分隔开且在所述第一方向上彼此分隔开的多个电极；
第一绝缘层，设置在所述多个电极上；
多个发光元件，设置在沿所述第一方向分隔开的所述多个电极上；
第二绝缘层，至少部分地设置在所述多个发光元件上；以及
多个接触电极，接触所述多个电极中的至少一个和所述多个发光元件中的至少一个，
其中，所述第二绝缘层包括：多个延伸部，与所述多个发光元件叠置且在所述第二方向上延伸；以及图案部，连接到所述多个延伸部且包括在所述第一方向上具有比所述多个延伸部中的每个的宽度大的宽度的部分。
16.根据权利要求15所述的显示装置，其中，
所述图案部设置在所述第一电极组与所述第二电极组之间，并且
所述图案部的宽度比所述多个延伸部中的每个的在所述第一方向上的宽度大，并且比在所述第一方向上彼此分隔开的所述多个电极之间的距离小。
17.根据权利要求15所述的显示装置，其中，所述图案部具有在所述第一方向上延伸的形状，并且设置在所述多个电极的在所述第二方向上彼此分隔开的所述多个电极彼此面对的一侧上。
18.根据权利要求15所述的显示装置，其中，所述图案部包括第一图案部，所述第一图案部连接到所述多个延伸部且围绕所述第一电极组与所述第二电极组之间的第一区域。
19.根据权利要求18所述的显示装置，其中，
所述第一绝缘层包括在所述第二方向上与所述多个发光元件分隔开且暴露所述多个电极的部分的多个接触孔，并且
所述图案部还包括连接到所述多个延伸部且围绕其中设置有所述多个接触孔的区域的第二图案部。
20.根据权利要求15所述的显示装置，其中，所述多个接触电极包括：
多个第一型接触电极，设置在所述多个电极中的一个上；以及
多个第二型接触电极，遍及所述多个电极中的两个或更多个设置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013004792A (ja) * 2011-06-17 2013-01-07 Sharp Corp 発光装置および自発光ディスプレイ装置、並びに、上記発光装置を備えた照明装置およびバックライト
KR20180071465A (ko) * 2016-12-19 2018-06-28 삼성디스플레이 주식회사 발광장치 및 그의 제조방법
KR102587215B1 (ko) * 2016-12-21 2023-10-12 삼성디스플레이 주식회사 발광 장치 및 이를 구비한 표시 장치
KR102513267B1 (ko) * 2017-10-13 2023-03-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102052434B1 (ko) * 2017-12-11 2019-12-05 엘지디스플레이 주식회사 컨택 구조 및 이를 이용한 전계발광 표시장치
KR102493479B1 (ko) * 2018-02-06 2023-02-01 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치의 제조 방법
KR102535276B1 (ko) * 2018-12-20 2023-05-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR20200082434A (ko) * 2018-12-28 2020-07-08 엘지디스플레이 주식회사 구동 회로 및 발광 소자를 포함하는 디스플레이 장치
KR102580167B1 (ko) * 2019-01-09 2023-09-21 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법

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