CN114335052A - 显示设备 - Google Patents

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Abstract

本公开涉及显示设备，所述显示设备包括：衬底；第一电极，在衬底上并且在第一方向上延伸；第二电极，在衬底上并且在第一方向上延伸，第二电极在第二方向上与第一电极间隔开；第一绝缘层，在第一电极和第二电极上；发光元件，在第一绝缘层上，发光元件设置在第一电极和第二电极上；第二绝缘层，设置在发光元件上；第一接触电极，设置在第一电极上，并且与发光元件电接触；以及第二接触电极，设置在第二电极上，并且与发光元件电接触。第二绝缘层包括覆盖发光元件的至少一部分并且在第一方向上彼此间隔开的图案。

Description

显示设备
技术领域
本公开涉及显示设备。
背景技术
随着多媒体技术的发展，显示设备变得越来越重要。因此，目前使用着各种类型的显示设备，诸如有机发光显示(OLED)设备和液晶显示(LCD)设备。
显示设备可以包括用于显示图像的显示面板，诸如有机发光显示面板和液晶显示面板。其中，发光显示面板可以包括发光元件。例如，发光二极管(LED)可以包括使用有机材料作为发光材料的有机发光二极管或者使用无机材料作为发光材料的无机发光二极管。
发明内容
本公开的方面提供可以包括改进的光发射效率的发光元件的显示设备。
应注意，本公开的方面不限于以上内容，并且根据以下描述，本公开的其它方面对于本领域中的技术人员将是显而易见的。
根据本公开的实施方式，在显示设备中可以固定发光元件的绝缘层可以包括多个图案。所述图案可以在固定发光元件的同时彼此间隔开，使得从发光元件发射的光的光发射效率可以提高。
应注意，本公开的效果不限于上述效果，并且根据以下描述，本公开的其它效果对于本领域中的技术人员将是显而易见的。
根据本公开的实施方式，显示设备可以包括：衬底；第一电极，在衬底上并且在第一方向上延伸；第二电极，在衬底上并且在第一方向上延伸，第二电极在第二方向上与第一电极间隔开；第一绝缘层，在第一电极和第二电极上；发光元件，在第一绝缘层上，发光元件设置在第一电极和第二电极上；第二绝缘层，设置在发光元件上；第一接触电极，设置在第一电极上，并且与发光元件电接触；以及第二接触电极，设置在第二电极上，并且与发光元件电接触。第二绝缘层可以包括覆盖发光元件的至少一部分并且可以在第一方向上彼此间隔开的图案。
图案中的每个的在第二方向上测量的长度可以小于发光元件的长度。第一接触电极可以与发光元件中的每个的一个端部接触，第二接触电极可以与发光元件中的每个的另一端部接触，发光元件中的每个的所述一个端部和所述另一端部可以被暴露，并且图案可以不设置在发光元件中的每个的所述一个端部和所述另一端部上。
图案中的每个的在第一方向上测量的长度可以大于在第一方向上彼此间隔开的图案之间的距离。
显示设备还可以包括设置在衬底和第一电极之间以及衬底和第二电极之间的第一堤部。第二绝缘层的图案可以在第一堤部之间。
图案中的每个的在第一方向上测量的长度可以大于图案的中心和第一堤部的中心之间的距离。
发光元件可以不设置在沿着第一方向间隔开的图案之间。
第一接触电极和第二接触电极在沿着第一方向彼此间隔开的图案之间可以直接设置在第一绝缘层上。
第二绝缘层可以包括有机绝缘材料，并且图案中的每个可以具有平坦的上表面。
第二绝缘层可以包括有机绝缘材料，并且图案中的每个可以具有弯曲的上表面。
第一接触电极和第二接触电极中的每个可以包括部分地设置在图案上方的第一电极部分以及设置在第一电极部分之间并且定位在彼此间隔开的图案之间的第二电极部分。第一电极部分的宽度可以大于第二电极部分的宽度。
第一电极部分的在第一方向上测量的长度可以等于图案的长度，并且第一电极部分之间在第一方向上的距离可以等于图案之间在第一方向上的距离。
显示设备还可以包括可以在沿着第一方向彼此间隔开的图案之间的结构。发光元件可以设置在可以在第一方向上彼此间隔开的结构之间。
所述结构的在第二方向上测量的宽度可以小于第一电极和第二电极之间的距离。
所述结构中的每个可以包括底部层和设置成覆盖底部层的上部层。上部层和第一电极、或者上部层和第一接触电极可以包括相同的材料。
第二绝缘层可以包括与第一电极和第二电极重叠的基部，并且基部可以在第二方向上与发光元件间隔开。
显示设备还可以包括设置在第二绝缘层上的第三绝缘层。第一接触电极可以设置在第三绝缘层上，并且第二接触电极可以设置在第二绝缘层和第三绝缘层之间。
根据本公开的实施方式，显示设备可以包括：第一电极，在第一方向上延伸；第二电极，在第一方向上延伸并且在第二方向上与第一电极间隔开；第一绝缘层，在第一电极和第二电极上；发光元件，在第一绝缘层上，发光元件设置在第一电极和第二电极上；第二绝缘层，在发光元件上；第一接触电极，在第一电极上，并且与发光元件电接触；以及第二接触电极，在第二电极上，并且与发光元件电接触。第二绝缘层可以包括覆盖发光元件并且可以在第一方向上延伸的图案。所述图案可以包括：第一部分，具有第一厚度；以及第二部分，设置在第一部分之间，并且具有小于第一厚度的第二厚度。
发光元件可以包括设置在图案的第一部分下方的第一发光元件和设置在图案的第二部分下方的第二发光元件。
第二绝缘层可以包括有机绝缘材料，并且图案的第一部分和第二部分中的每个可以包括平坦的上表面。
第二绝缘层可以包括有机绝缘材料。第一部分可以具有弯曲的上表面，并且第二部分可以具有平坦的上表面。
附图说明
通过参考附图详细描述本公开的实施方式，本公开的以上和其它方面和特征将变得更加明显，在附图中：
图1是根据本公开的实施方式的显示设备的示意性平面图。
图2是示出根据本公开的实施方式的显示设备的像素的示意性平面图。
图3是示出图2的第一子像素的示意性平面图。
图4是沿着图3的线Q1–Q1'截取的示意性剖视图。
图5是沿着图3的线Q2–Q2'截取的示意性剖视图。
图6是图3的部分A的放大示意图。
图7是沿着图6的线Q3–Q3'截取的示意性剖视图。
图8是示出根据本公开的实施方式的发光元件的示意图。
图9是示出根据本公开的另一实施方式的显示设备的子像素的示意性平面图。
图10是沿着图9的线Q4–Q4'截取的示意性剖视图。
图11是示出根据本公开的另一实施方式的显示设备的子像素的示意性平面图。
图12是沿着图11的线Q5–Q5'截取的示意性剖视图。
图13是示出根据本公开的另一实施方式的显示设备的一部分的示意性剖视图。
图14是示出制造图13的显示设备的工艺期间的工艺步骤的示意性剖视图。
图15是示出根据本公开的另一实施方式的显示设备的一部分的示意性剖视图。
图16是示出根据本公开的另一实施方式的显示设备的子像素的示意性平面图。
图17是沿着图16的线Q6–Q6'截取的示意性剖视图。
图18是沿着图16的线Q7–Q7'截取的示意性剖视图。
图19是示出根据本公开的另一实施方式的显示设备的一部分的示意性剖视图。
图20是示出根据本公开的另一实施方式的显示设备的一部分的示意性剖视图。
图21是示出图20的实施方式的另一部分的示意性剖视图。
具体实施方式
现在将在下文中参考附图更全面地描述本公开，在附图中示出了本公开的实施方式。然而，本公开可以以不同的形式实施，并且不应被解释为限于本文中阐述的实施方式。准确地说，提供这些实施方式使得本公开将是彻底和完整的，并且将本公开的范围完全传达给本领域中的技术人员。
如本文中所用，除非上下文另外清楚地指示，否则单数形式“一”、“一个”和“该”旨在也包括复数形式(反之亦然)。当在本文中使用时，术语“包含(comprises)”、“包含(comprising)”、“包括(includes)”和/或“包括(including)”、“具有(has)”、“具有(have)”和/或“具有(having)”及其变体指定所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其群组的存在，但不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其群组的存在或添加。
还将理解，当层被称作为“在”另一层或衬底“上”时，它可以直接在其它层或衬底上或者也可以存在居间层。在整个说明书中，相同的参考标记表示相同的组件。
将理解，尽管可以在本文中使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。例如，在不脱离本公开的教导的情况下，以下讨论的第一元件可以被称为第二元件。类似地，第二元件也可以被称为第一元件。
在说明书和权利要求书中，出于其含义和说明的目的，术语“和/或”旨在包括术语“和”与“或”的任何组合。例如，“A和/或B”可以理解为意指“A、B、或A和B”。术语“和”与“或”可以以结合或分离的含义使用，并且可以理解为等同于“和/或”。
在说明书和权利要求书中，出于其含义和说明的目的，短语“…中的至少一个”旨在包括“选自…的群组中的至少一个”的含义。例如，“A和B中的至少一个”可以理解为意指“A、B、或A和B”。
术语“重叠”或“重叠的”意指第一物体可以在第二物体的上方或下方或一侧，反之亦然。另外，术语“重叠”可以包括层叠、堆叠、面对或面向、延伸穿过、覆盖或部分地覆盖、或者如由本领域中的普通技术人员将领会和理解的任何其它合适的术语。
术语“面对”和“面向”意指第一元件可以直接或间接地与第二元件相对。在第三元件插置在第一元件和第二元件之间的情况下，第一元件和第二元件可以被理解为彼此间接相对，尽管仍然彼此面对。
当元件被描述为与另一元件“不重叠(not overlapping)”或“不重叠(to notoverlap)”时，这可以包括元件彼此间隔开、彼此偏离或彼此分开、或者如由本领域中的普通技术人员将领会和理解的任何其它合适的术语。
当元件被称作为与另一元件“接触(in contact)”或“接触(contacted)”等时，该元件可以与另一元件“电接触”或“物理接触”，或者与另一元件“间接接触”或“直接接触”。
除非另外限定或指示，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与如由本公开所属领域中的普通技术人员通常理解的相同的含义。还将理解，术语(诸如在常用词典中限定的术语)应被解释为具有与它们在相关技术的上下文中的含义一致的含义，并且除非在本文中明确地如此限定，否则将不以理想化或过于形式化的含义进行解释。
图1是根据本公开的实施方式的显示设备的示意性平面图。
参考图1，显示设备10可以显示动态图像或静态图像。显示设备10可以指提供显示屏幕的任何电子设备。例如，显示设备10可以包括电视机、膝上型计算机、监视器、电子广告牌、物联网设备、移动电话、智能电话、平板个人计算机(PC)、电子手表、智能手表、手表电话、头戴式显示设备、移动通信终端、电子笔记本、电子书、便携式多媒体播放器(PMP)、导航设备、游戏控制台、数码相机、摄像机等。
显示设备10可以包括用于提供显示屏幕的显示面板。显示面板的示例可以包括无机发光二极管显示面板、有机发光显示面板、量子点发光显示面板、等离子体显示面板、场发射显示面板等。在以下描述中，采用无机发光二极管显示面板作为显示面板的示例，但是本公开不限于此。可以采用任何其它的显示面板，只要可以等同地应用本公开的技术构思即可。
显示设备10的形状可以以多种方式修改。例如，显示设备10可以具有诸如具有较长的侧边的矩形、具有较长的竖直边的矩形、正方形、具有圆润拐角(顶点)的四边形、其它多边形、圆形等的形状。显示设备10的显示区域DPA的形状也可以类似于显示设备10的整体形状。在图1中所示的示例中，显示设备10具有在第二方向DR2上具有长边的矩形形状。
显示设备10可以包括显示区域DPA和非显示区域NDA。在显示区域DPA中，可以显示图像。在非显示区域NDA中，可以不显示图像。显示区域DPA可以被称作为有效区域，而非显示区域NDA也可以被称作为无效区域。显示区域DPA通常可以占据显示设备10的中央的大部分。
显示区域DPA可以包括像素PX。像素PX可以布置成矩阵。当从顶部观察时，每个像素PX的形状可以是但不限于矩形或正方形。每个像素PX可以具有包括相对于一个方向倾斜的边的菱形形状。像素PX可以交替布置成条纹或
Figure BDA0003283694460000071
图案。像素PX中的每个可以包括至少一个发光元件，该发光元件发射特定波长带的光以表现颜色。
非显示区域NDA可以设置在显示区域DPA周围。非显示区域NDA可以完全或部分地围绕显示区域DPA。显示区域DPA可以具有矩形形状，并且非显示区域NDA可以设置成与显示区域DPA的四个边相邻。非显示区域NDA可以形成显示设备10的边框。包括在显示设备10中的布线或电路驱动器可以设置在非显示区域NDA中的每个中，或者可以安装外部设备。
图2是示出根据本公开的实施方式的显示设备的像素的示意性平面图。
参考图2，显示设备10的像素PX中的每个可以包括子像素PXn，其中，n可以是从1到3的整数。例如，像素PX可以包括第一子像素PX1、第二子像素PX2和第三子像素PX3。第一子像素PX1可以发射第一颜色的光，第二子像素PX2可以发射第二颜色的光，并且第三子像素PX3可以发射第三颜色的光。例如，第一颜色可以是蓝色，第二颜色可以是绿色，并且第三颜色可以是红色。然而，应理解，本公开不限于此。所有子像素PXn可以发射相同颜色的光。尽管在图2中所示的示例中，单个像素PX包括三个子像素PXn，但是本公开不限于此。像素PX可以包括多于两个子像素PXn。
显示设备10的子像素PXn中的每个可以包括发射区域EMA和非发射区域。在发射区域EMA中，可以设置发光元件(例如，发光二极管ED)以发射特定波长的光。在非发射区域中，可以不设置发光二极管ED，并且从发光二极管ED发射的光可以不能到达，并且因此没有光可以从非发射区域出射。发射区域EMA可以包括其中可以设置发光二极管ED的区域，并且可以包括与发光二极管ED相邻的出射从发光二极管ED发射的光的区域。
然而，应理解，本公开不限于此。发射区域EMA还可以包括其中从发光二极管ED发射的光可以被其它元件反射或折射以出射的区域。发光二极管ED可以设置在子像素PXn中的每个中，并且发射区域EMA可以包括可以设置发光二极管ED的区域和相邻区域。
尽管在附图所示的示例中，子像素PXn的发射区域EMA具有大致相同的面积，但是本公开不限于此。在一些实施方式中，子像素PXn的发射区域EMA可以取决于从设置在相应子像素PXn中的发光二极管ED发射的光的颜色或波长带而具有不同的面积。
子像素PXn中的每个还可以包括设置在非发射区域中的附属区域SA。附属区域SA可以在第一方向DR1上设置在发射区域EMA的一侧处，并且可以设置在沿着第一方向DR1彼此相邻的子像素PXn的发射区域EMA之间。例如，发射区域EMA和附属区域SA可以在第二方向DR2上重复地布置，并且可以在第一方向DR1上交替地布置。第二堤部BNL2可以设置在附属区域SA和发射区域EMA之间，并且附属区域SA和发射区域EMA之间的距离可以根据第二堤部BNL2的宽度而变化。可以不在附属区域SA中设置发光二极管ED，并且因此没有光可以从附属区域SA出射。设置在子像素PXn中的每个中的电极RME1和RME2可以部分地设置在附属区域SA中。设置在子像素PXn中的一些中的电极RME1和RME2可以在附属区域SA中设置成彼此分离。
第二堤部BNL2可以在显示区域DPA的整个表面上设置成网格图案，当从顶部观察时，所述网格图案包括在第一方向DR1和第二方向DR2上延伸的部分。第二堤部BNL2可以沿着子像素PXn中的每个的边界设置，以将相邻的子像素PXn彼此区分开。第二堤部BNL2可以设置成围绕设置在子像素PXn中的每个中的发射区域EMA和附属区域SA，以将发射区域EMA和附属区域SA区分开。
图3是示出图2的第一子像素的示意性平面图。图4是沿着图3的线Q1–Q1'截取的示意性剖视图。图5是沿着图3的线Q2–Q2'截取的示意性剖视图。图3示出了包括在像素PX中的第一子像素PX1。图4示出了从设置在第一子像素PX1中的发光二极管ED的一端到另一端的截面。图5示出了接触部分CT1和CT2的截面，其中电极RME1和RME2可以分别与接触电极CNE1和CNE2连接。
结合图2参考图3至图5，显示设备10可以包括第一衬底SUB、设置在第一衬底SUB上的半导体层、导电层和绝缘层。半导体层、导电层和绝缘层可以形成显示设备10的电路层CCL和显示元件层。
第一衬底SUB可以是绝缘衬底。第一衬底SUB可以由诸如玻璃、石英、聚合物树脂或其组合的绝缘材料制成。第一衬底SUB可以是刚性衬底或可以弯曲、折叠或卷曲的柔性衬底。
第一导电层可以设置在第一衬底SUB上。第一导电层可以包括底部金属层BML。底部金属层BML可以设置成与第一晶体管T1的有源层ACT1重叠。底部金属层BML可以包括阻挡光的材料，并且因此可以防止光进入第一晶体管T1的有源层ACT1。然而，应注意，可以去除底部金属层BML。
缓冲层BL可以完全设置在底部金属层BML和第一衬底SUB上。缓冲层BL可以形成在第一衬底SUB上，以保护像素PX的晶体管免受渗透通过易受湿气渗透的第一衬底SUB的湿气的影响，并且还可以提供平坦的表面。
半导体层可以设置在缓冲层BL上。半导体层可以包括第一晶体管T1的有源层ACT1。有源层ACT1可以设置成与稍后将描述的第二导电层的栅电极G1等部分地重叠。
半导体层可以包括多晶硅、单晶硅、氧化物半导体等中的至少一种。氧化物半导体可以是含有铟(In)的氧化物半导体。例如，氧化物半导体可以是铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟镓氧化物(IGO)、铟锌锡氧化物(IZTO)、铟镓锡氧化物(IGTO)、铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓锌锡氧化物(IGZTO)等中的至少一种。
尽管附图中仅描绘了包括在显示设备10的子像素PXn中的晶体管之中的第一晶体管T1，但是本公开不限于此。更多数量的晶体管可以包括在显示设备10中。
第一栅极绝缘层GI可以设置在半导体层和缓冲层BL上。第一栅极绝缘层GI可以用作晶体管中的每个的栅极绝缘体。
第二导电层可以设置在第一栅极绝缘层GI上。第二导电层可以包括第一晶体管T1的栅电极G1。可以设置栅电极G1使得它在厚度方向(即，第三方向DR3)上与有源层ACT1的沟道区域重叠。尽管附图中未示出，但是第二导电层还可以包括存储电容器的电容器电极。
第一层间电介质层IL1可以设置在第二导电层上。第一层间电介质层IL1可以用作第二导电层和设置在第二导电层上的其它层之间的绝缘层，并且可以保护第二导电层。
第三导电层可以设置在第一层间电介质层IL1上。第三导电层可以包括第一晶体管T1的第一源电极S和第一漏电极D。
第一晶体管T1的第一源电极S和第一漏电极D可以通过穿透通过第一层间电介质层IL1和第一栅极绝缘层GI的接触孔与有源层ACT1接触。第一源电极S可以通过另一接触孔与底部金属层BML接触。尽管附图中未示出，但是第三导电层还可以包括存储电容器的电容电极或数据线。
第二层间电介质层IL2可以设置在第三导电层上。第二层间电介质层IL2可以用作第三导电层和设置在第三导电层上的其它层之间的绝缘层，并且可以保护第三导电层。
第四导电层可以设置在第二层间电介质层IL2上。第四导电层可以包括第一电压线VL1、第二电压线VL2和第一导电图案CDP。高电平电压(或第一电源电压)可以施加到第一电压线VL1以供应到第一晶体管T1，并且低电平电压(或第二电源电压)可以施加到第二电压线VL2以供应到第二电极RME2。
第一导电图案CDP可以电连接到第一晶体管T1。第一导电图案CDP还可以连接到稍后将描述的第一电极RME1。第一晶体管T1可以向第一电极RME1传输从第一电压线VL1施加的第一电源电压(VDD)。
缓冲层BL、第一栅极绝缘层GI、第一层间电介质层IL1和第二层间电介质层IL2可以由彼此交替堆叠的多个无机层组成。例如，缓冲层BL、第一栅极绝缘层GI、第一层间电介质层IL1和第二层间电介质层IL2可以由双层或多个层组成，在双层中包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)和氮氧化硅(SiON)中的至少一种的无机层可以彼此堆叠，在多个层中它们可以彼此交替堆叠。然而，应理解，本公开不限于此。缓冲层BL、第一栅极绝缘层GI、第一层间电介质层IL1和第二层间电介质层IL2可以由包括上述绝缘材料的单个无机层组成。
第二导电层、第三导电层和第四导电层可以由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)及其合金中的至少一种的单个层或多个层组成。然而，应理解，本公开不限于此。
过孔层VIA可以设置在第四导电层上。过孔层VIA可以包括有机绝缘材料(例如，诸如聚酰亚胺(PI)的有机材料)以提供平坦的表面。
堤部BNL1和BNL2、电极RME1和RME2、发光二极管ED以及接触电极CNE1和CNE2可以设置在过孔层VIA上作为显示元件层。钝化层PAS1和PAS2可以设置在过孔层VIA上。
第一堤部BNL1可以设置在(例如，直接设置在)过孔层VIA上。第一堤部BNL1可以在发射区域EMA中沿着第一方向DR1延伸，并且可以在第二方向DR2上彼此间隔开。例如，第一堤部BNL1可以分别设置在每个发射区域EMA在第二方向DR2上的一侧和相对侧处。第一堤部BNL1可以具有在第一方向DR1上延伸的形状，并且可以具有比由第二堤部BNL2围绕的区域在第一方向DR1上的长度小的长度。即，第一堤部BNL1可以设置在子像素PXn的发射区域EMA中，以形成具有相对窄的宽度的岛状图案，并且可以在显示区域DPA的前表面上沿着一个方向延伸。
第一堤部BNL1可以具有至少部分地从过孔层VIA的上表面突出的结构。第一堤部BNL1的突起可以具有倾斜的侧表面。从发光二极管ED发射的光可以被设置在第一堤部BNL1上的电极RME1和RME2反射，使得光可以朝向过孔层VIA的上侧出射。然而，应理解，本公开不限于此。第一堤部BNL1可以具有包括弯曲的外表面的半圆形或半椭圆形的形状。第一堤部BNL1可以包括但不限于诸如聚酰亚胺(PI)的有机绝缘材料。
电极RME1和RME2可以具有在一个方向上延伸的形状，并且可以设置在子像素PXn中的每个中。例如，电极RME1和RME2可以具有在第一方向DR1上延伸的形状，并且可以在子像素PXn中的每个中沿着第二方向DR2彼此间隔开。显示设备10的电极RME1和RME2可以包括通过穿透过孔层VIA的电极接触孔CTD和CTS连接到(例如，直接连接到)其下方的第四导电层的电极。在一些实施方式中，显示设备10还可以包括可以不直接连接到第四导电层的电极。
电极RME1和RME2可以在第一方向DR1上延伸，并且可以设置成跨越子像素PXn中的每个中的发射区域EMA和附属区域SA。子像素PXn的电极RME1和RME2可以在附属区域SA的分离区域ROP处与在第一方向DR1上相邻的子像素PXn的电极RME1和RME2分离。电极RME1和RME2可以在制造显示设备10的工艺期间形成为在第一方向DR1上延伸的电极线，并且可以用于在子像素PXn中产生电场以对准发光二极管ED。发光二极管ED可以通过接收由电极线上产生的电场产生的介电泳力来对准。电极线可以在分离区域ROP处分离以形成电极RME1和RME2。
将详细描述电极RME1和RME2。第一电极RME1和第二电极RME2可以设置在单个子像素PXn中。第一电极RME1可以设置在发射区域EMA的左侧处的第一堤部BNL1上，并且第二电极RME2可以设置在发射区域EMA的右侧处的第一堤部BNL1上。第一电极RME1和第二电极RME2可以彼此间隔开，并且可以在第二方向DR2上彼此面对。
第一电极RME1和第二电极RME2中的每个可以连接到其下方的第四导电层。第一电极RME1可以通过形成在第二堤部BNL2下方的第一电极接触孔CTD连接到(例如，直接连接到)第四导电层，并且第二电极RME2可以通过第二电极接触孔CTS连接到(例如，直接连接到)第四导电层。例如，第一电极RME1可以通过穿透其下方的过孔层VIA的第一电极接触孔CTD与第一导电图案CDP接触。第二电极RME2可以通过穿透通过其下方的过孔层VIA的第二电极接触孔CTS与第二电压线VL2接触。第一电极RME1可以通过第一导电图案CDP电连接到第一晶体管T1以接收第一电源电压。第二电极RME2可以电连接到第二电压线VL2以接收第二电源电压。由于第一电极RME1和第二电极RME2可以分别设置在子像素PXn中的每个中，所以不同子像素PXn的发光二极管ED可以单独发射光。
根据本公开的实施方式，电极RME1和RME2的在第二方向DR2上测量的宽度可以小于第一堤部BNL1的宽度。电极RME1和RME2可以仅分别覆盖第一堤部BNL1的彼此面对的侧部。然而，应理解，本公开不限于此。电极RME1和RME2在第二方向DR2上的宽度可以大于第一堤部BNL1的宽度，使得电极RME1和RME2可以分别覆盖第一堤部BNL1的两个侧部。电极RME1和RME2可以设置成分别覆盖第一堤部BNL1的至少一个侧部，以反射从发光二极管ED发射的光。在第二方向DR2上间隔开的电极RME1和RME2之间的距离可以小于第一堤部BNL1之间的距离。电极RME1和RME2中的每个的至少一部分可以设置在(例如，直接设置在)过孔层VIA上，使得电极RME1和RME2可以设置在相同的平面上。
电极RME1和RME2可以电连接到发光二极管ED。电极RME1和RME2可以通过接触电极CNE1和CNE2连接到发光二极管ED的两个端部，并且可以向发光二极管ED传输从第四导电层施加的电信号。用于允许发光二极管ED发射光的电信号可以施加(例如，直接施加)到第一电极RME1和第二电极RME2，并且该电信号可以通过稍后将描述的发光二极管ED以及接触电极CNE1和CNE2传输到其它电极。
电极RME1和RME2中的每个可以包括具有高反射率的导电材料。例如，电极RME1和RME2中的每个可以包括诸如银(Ag)、铜(Cu)和铝(Al)的金属作为具有高反射率的材料，并且可以是包括铝(Al)、镍(Ni)、镧(La)等的合金。电极RME1和RME2中的每个可以反射可以从发光二极管ED发射并且朝向第一堤部BNL1的朝向子像素PXn中的每个的上侧的侧表面行进的光。
然而，应理解，本公开不限于此。电极RME1和RME2中的每个还可以包括透明导电材料。例如，电极RME1和RME2中的每个可以包括诸如ITO、IZO、ITZO或其组合的材料。在一些实施方式中，电极RME1和RME2中的每个可以具有其中透明导电材料的一个或多个层和具有高反射率的一个或多个金属层可以彼此堆叠的结构，或者可以由包括所述材料的单个层组成。例如，电极RME1和RME2中的每个可以具有诸如ITO/Ag/ITO、ITO/Ag/IZO或ITO/Ag/ITZO/IZO的堆叠结构。
第一钝化层PAS1可以设置在电极RME1和RME2以及第一堤部BNL1上。第一钝化层PAS1可以设置成完全覆盖电极RME1和RME2，并且可以保护电极RME1和RME2且使电极RME1和RME2彼此绝缘。第一钝化层PAS1也可以防止设置在其上的发光二极管ED可能与其它元件接触并损坏。
在实施方式中，第一钝化层PAS1可以具有台阶，使得上表面的一部分可以在彼此间隔开的电极RME1和RME2之间沿着第三方向DR3凹入。发光二极管ED可以设置在第一钝化层PAS1的上表面的台阶中，并且可以在发光二极管ED和第一钝化层PAS1之间形成空间。然而，应理解，本公开不限于此。
第一钝化层PAS1可以包括暴露电极RME1和RME2中的每个的上表面的一部分的接触部分CT1和CT2。接触部分CT1和CT2可以穿透通过第一钝化层PAS1，并且稍后描述的接触电极CNE1和CNE2可以与通过接触部分CT1和CT2暴露的电极RME1和RME2接触。
第二堤部BNL2可以设置在第一钝化层PAS1上。第二堤部BNL2可以设置成包括从顶部观察时在第一方向DR1和第二方向DR2上延伸的部分的网格图案，并且可以设置在子像素PXn的边界处，以将相邻的子像素PXn彼此区分开。第二堤部BNL2可以设置成围绕设置在每个子像素PXn中的发射区域EMA和附属区域SA，以将发射区域EMA和附属区域SA区分开。
根据本公开的实施方式，第二堤部BNL2的可以在第一方向DR1上延伸并且设置在发射区域EMA之间的部分可以具有比设置在附属区域SA之间的部分更大的宽度。附属区域SA之间的距离可以小于发射区域EMA之间的距离。然而，应理解，本公开不限于此。相反，第二堤部BNL2的宽度可以变化，使得附属区域SA之间的距离可以大于发射区域EMA之间的距离。
第二堤部BNL2的高度可以大于第一堤部BNL1的高度。在制造显示设备10的工艺的喷墨印刷工艺期间，第二堤部BNL2可以防止油墨溢出到相邻的子像素PXn中。第二堤部BNL2可以将不同的子像素PXn彼此分离，使得其中可以分散不同的发光二极管ED的油墨可以不混合。然而，应理解，本公开不限于此。第二堤部BNL2可以包括与第一堤部BNL1相同的材料，并且可以具有与第一堤部BNL1的高度相似的高度。
发光二极管ED可以设置在第一钝化层PAS1上。发光二极管ED可以在电极RME1和RME2可以延伸的第一方向DR1上彼此间隔开，并且可以对准成大致彼此平行。发光二极管ED可以具有在一个方向上延伸的形状。电极RME1和RME2可以延伸的方向可以大致垂直于发光二极管ED可以延伸的方向。然而，应理解，本公开不限于此。发光二极管ED可以定向成相对于电极RME1和RME2可以延伸的方向倾斜。
发光二极管ED可以包括掺杂成具有不同导电类型的半导体层。发光二极管ED可以包括多个半导体层，并且可以被对准，使得它们的端部可以根据在电极RME1和RME2上产生的电场的方向定向在特定的方向上。发光二极管ED中的每个可以包括发射层36(参见图8)以发射特定波长带的光。设置在子像素PXn中的每个中的发光二极管ED可以根据发射层36的材料而发射不同波长带的光。然而，应理解，本公开不限于此。设置在子像素PXn中的发光二极管ED可以发射相同颜色的光。
发光二极管ED可以包括沿着平行于第一衬底SUB的方向设置在第一衬底SUB的上表面上的多个层。可以布置显示设备10的发光二极管ED使得它们可以平行于第一衬底SUB延伸。包括在发光二极管ED中的多个半导体层可以在平行于第一衬底SUB的上表面的方向上依次设置。然而，应理解，本公开不限于此。在一些实施方式中，当发光二极管ED具有不同的结构时，多个层可以设置在垂直于第一衬底SUB的方向上。
发光二极管ED可以设置在电极RME1和RME2上，电极RME1和RME2在第一堤部BNL1之间沿着第二方向DR2彼此间隔开。发光二极管ED的长度可以大于在第二方向DR2上彼此间隔开的电极RME1和RME2之间的距离，并且发光二极管ED的端部可以设置在电极RME1和RME2上。
发光二极管ED中的每个可以包括半导体层，并且可以基于半导体层中的一个来限定第一端部和与第一端部相对的第二端部。可以设置发光二极管ED中的每个使得第一端部和第二端部可以放置在相应的电极RME1和RME2上。然而，应理解，本公开不限于此。可以根据电极RME1和RME2之间的定向设置发光二极管ED使得仅其一个端部可以放置在电极RME1和RME2上。
发光二极管ED中的每个的端部可以分别与接触电极CNE1和CNE2接触。由于发光二极管ED的半导体层的一部分可以因为绝缘膜38(参见图8)可以不形成在延伸方向的侧部上的端表面处而暴露，所以半导体层的暴露部分可以与接触电极CNE1和CNE2接触。然而，应理解，本公开不限于此。在一些实施方式中，可以去除绝缘膜38的至少一部分，使得发光二极管ED的半导体层的侧表面可以被部分地暴露。半导体层的暴露的侧表面可以与接触电极CNE1和CNE2接触。发光二极管ED中的每个可以通过接触电极CNE1和CNE2电连接到电极RME1和RME2或其它发光二极管ED。
第二钝化层PAS2可以设置在第一钝化层PAS1和发光二极管ED上。例如，第二钝化层PAS2可以覆盖在电极RME1和RME2之间沿着第一方向DR1布置的发光二极管ED中的一些，并且可以部分地覆盖发光二极管ED的外表面。第二钝化层PAS2的一部分可以设置在电极RME1和RME2之间或者在(例如，直接在)覆盖电极RME1和RME2彼此面对的侧部的第一钝化层PAS1上。第二钝化层PAS2可以在制造显示设备10的工艺期间保护发光二极管ED并固定发光二极管ED。第二钝化层PAS2可以设置成填充发光二极管ED和其下方的第一钝化层PAS1之间的空间。
根据本公开的实施方式，第二钝化层PAS2可以包括覆盖至少一个发光二极管ED的多个图案PT。图案PT可以在第一堤部BNL1之间或者在可以设置发光二极管ED的第一电极RME1和第二电极RME2之间沿着第一方向DR1彼此间隔开。图案PT可以在第二方向DR2上具有恒定的宽度并且可以具有在第一方向DR1上延伸的形状，并且可以设置成覆盖一个或多个发光二极管ED。与发光二极管ED类似，图案PT可以布置在第一方向DR1上并且彼此间隔开。
在发射层36中产生的光可以通过发光二极管ED中的每个的第一端部和第二端部在延伸方向上出射。光中的一些可以通过发射层36的侧表面或发光二极管ED的侧表面出射。通过侧表面出射的光可以入射在第二钝化层PAS2上，并且然后可以通过第二钝化层PAS2的上表面出射。根据本公开的实施方式，第二钝化层PAS2包括图案PT以覆盖发光二极管ED，允许通过发光二极管ED的侧表面发射的光在彼此间隔开的图案PT之间出射。显示设备10可以具有其中第二钝化层PAS2固定发光二极管ED并提高光发射效率的结构。以下将参考其它附图对其进行更详细的描述。
尽管附图中未示出，但是第二钝化层PAS2的一部分可以设置在附属区域SA中。电极RME1和RME2可以通过在对准发光二极管ED并形成第二钝化层PAS2之后在附属区域SA的分离区域ROP处分离电极线来形成。在分离电极线的工艺期间，除了电极RME1和RME2之外，可以部分地去除第一钝化层PAS1和第二钝化层PAS2。过孔层VIA的一部分可以在分离区域ROP处暴露。
第一钝化层PAS1和第二钝化层PAS2中的每个可以包括无机绝缘材料或有机绝缘材料。然而，应理解，本公开不限于此。
接触电极CNE1和CNE2可以设置在第二钝化层PAS2上。接触电极CNE1和CNE2可以与发光二极管ED中的每个的端部以及电极RME1和RME2中的至少一个接触。接触电极CNE1和CNE2可以与发光二极管ED中的每个的可以不设置第二钝化层PAS2而暴露的端部接触，并且可以通过可以形成在第一钝化层PAS1中并且暴露电极RME1和RME2的部分的接触部分CT1和CT2与电极RME1和RME2中的至少一个接触。例如，接触电极CNE1和CNE2可以包括在第一方向DR1上延伸的部分，并且可以设置成跨越发射区域EMA和附属区域SA。接触电极CNE1和CNE2的设置在发射区域EMA中的部分可以与发光二极管ED接触。接触电极CNE1和CNE2的设置在附属区域SA中的部分可以通过接触部分CT1和CT2与电极RME1和RME2接触。接触电极CNE1和CNE2可以设置在第二堤部BNL2的可以设置在发射区域EMA和附属区域SA之间的部分上。
第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2可以设置在单个子像素PXn中。第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2可以分别设置在第一电极RME1和第二电极RME2上。第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2中的每个可以在第一方向DR1上延伸，并且它们可以在子像素PXn中的每个的发射区域EMA内部形成线性图案。第一接触电极CNE1可以通过暴露第一电极RME1的上表面的第一接触部分CT1与第一电极RME1接触，并且第二接触电极CNE2可以通过暴露第二电极RME2的上表面的第二接触部分CT2与第二电极RME2接触。第一接触电极CNE1可以与发光二极管ED中的每个的第一端部接触，并且第二接触电极CNE2可以与发光二极管ED中的每个的第二端部接触。第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2可以向发光二极管ED中的每个的端部传输施加到电极RME1和RME2的电信号。
可以形成接触部分CT1和CT2，使得它们不在第二方向DR2上与发光二极管ED重叠。可以形成接触部分CT1和CT2使得它们可以在第一方向DR1上与可以设置发光二极管ED的区域间隔开。光可以从发光二极管ED的端部发射，并且接触部分CT1和CT2可以定位成避开光的路径。根据本公开的实施方式，接触部分CT1和CT2可以形成在可以不设置发光二极管ED的附属区域SA中。由于接触部分CT1和CT2可以形成在附属区域SA中，因此可以避免从发光二极管ED发射的光可以在接触部分CT1和CT2处折射且不能出射。在制造显示设备10的工艺期间，通过暴露电极RME1和RME2的上表面的接触部分CT1和CT2，可以防止发光二极管ED在接触部分CT1和CT2附近粘附在一起。
接触电极CNE1和CNE2可以设置在第二钝化层PAS2上，使得它们可以彼此间隔开。它们可以设置在(例如，直接设置在)第一钝化层PAS1和发光二极管ED上，其中可以不设置第二钝化层PAS2。然而，应理解，本公开不限于此。可以在接触电极CNE1和CNE2之间设置附加绝缘层，使得接触电极CNE1和CNE2中的一些部分可以设置在相同层上，而接触电极CNE1和CNE2中的其它部分可以设置在不同层上。
接触电极CNE1和CNE2可以包括导电材料。例如，接触电极CNE1和CNE2可以包括ITO、IZO、ITZO、铝(Al)等中的至少一种。例如，接触电极CNE1和CNE2可以包括透明导电材料，并且从发光二极管ED发射的光可以传输通过接触电极CNE1和CNE2以朝向电极RME1和RME2传播。然而，应理解，本公开不限于此。
尽管附图中未示出，但是绝缘层还可以设置在接触电极CNE1和CNE2上以覆盖接触电极CNE1和CNE2。绝缘层可以完全设置在第一衬底SUB上，以保护设置在其上的元件免受外部环境的影响。
如上所述，覆盖显示设备10中的发光二极管ED的第二钝化层PAS2可以包括图案PT。图案PT可以覆盖发光二极管ED，并且可以布置在第一方向DR1上并且彼此间隔开，使得它们可以提高通过发光二极管ED的侧表面出射的光的光发射效率。
图6是图3的部分A的放大示意图。图7是沿着图6的线Q3–Q3'截取的示意性剖视图。图6是示出图3中的图案PT的布置的放大图。图7示出了在第一方向DR1上穿过发光二极管ED和图案PT的截面。
参考图6和图7以及图3和图4，第二钝化层PAS2包括覆盖一个或多个发光二极管ED的图案PT，并且图案PT可以在第一堤部BNL1之间沿着第一方向DR1彼此间隔开。单个图案PT可以在第二方向DR2上具有恒定的宽度。根据本公开的实施方式，图案PT的在第二方向DR2上测量的宽度D4可以小于发光二极管ED的长度。单个图案PT可以具有宽度D4，使得它覆盖至少一个发光二极管ED，并且发光二极管ED的端部被暴露。图案PT的宽度D4可以小于第一堤部BNL1之间的距离，并且可以等于或小于第一电极RME1和第二电极RME2之间的距离。然而，应理解，本公开不限于此。
图案PT可以具有在第一方向DR1上延伸的形状，并且图案PT可以在第一方向DR1上彼此间隔开。图案PT中的每个可以覆盖一个或多个发光二极管ED，并且类似于发光二极管ED可以布置在第一方向DR1上并且彼此间隔开。在图案PT下方的发光二极管ED的端部可以分别设置在电极RME1和RME2上，并且可以不在图案PT之间的空间中设置发光二极管ED。根据本公开的其中第二钝化层PAS2包括有机绝缘材料的实施方式，图案PT可以具有平坦的顶表面。由于图案PT可以由有机绝缘材料制成，因此即使图案PT覆盖一个或多个发光二极管ED，它们的上表面也可以形成为平坦，尽管其下方的高度差。
第二钝化层PAS2的图案PT的结构可以通过形成覆盖发光二极管ED中的全部的单个图案并且然后以规则的间隔切割该图案来形成。第二钝化层PAS2可以在制造显示设备10的工艺期间形成为单个图案，并且可以用于固定发光二极管ED。覆盖发光二极管ED的第二钝化层PAS2可以引导通过发光二极管ED的侧表面发射的光传播。如果第二钝化层PAS2可以形成为在第一方向DR1上延伸的单个图案并且长度可以过长，则通过发光二极管ED的侧表面发射的光可以沿着第二钝化层PAS2行进，并且可以被第二钝化层PAS2吸收或者在第二钝化层PAS2和外部之间的边界处损失。因此，可以降低光发射效率。相反，在根据本公开的实施方式的显示设备10中，第二钝化层PAS2可以包括在第一方向DR1上彼此间隔开的多个图案PT，并且可以调整图案PT在第一方向DR1上的长度。因此，可以减小通过发光二极管ED的侧表面发射的光的行进距离或传播长度。在制造显示设备10的工艺期间，图案PT可以通过形成为在一个方向上延伸的单个图案，并且然后将其分成多个图案来形成。由于图案PT可以具有在第一方向DR1上延伸的形状并且长度相对短，因此可以减少可以从发光二极管ED发射并被图案PT吸收的光的量。从发光二极管ED发射的光可以通过图案PT出射，使得显示设备10的光发射效率可以提高。
图案PT中的每个的在第一方向DR1上测量的长度D1可以具有足以覆盖一个或多个发光二极管ED的范围。具体地，图案PT中的每个的在第一方向DR1上测量的长度D1可以至少大于发光二极管ED的直径。如果图案PT中的每个的在第一方向DR1上测量的长度D1可以过小，则不能固定发光二极管ED。如果长度D1可以过长，则从发光二极管ED发射的光可能被吸收，并且因此可能降低光发射效率。
图案PT中的每个的在第一方向DR1上测量的长度D1可以基于来自发光二极管ED的在第一方向DR1上出射的光和在第二方向DR2上出射的光的量来确定。如前所述，光不仅可以通过侧表面而且可以通过在纵向方向上的第一端部和第二端部从发光二极管ED出射。通过发光二极管ED的端部出射的光可以被设置在第一堤部BNL1的侧表面上的电极RME1和RME2反射以向上出射。从发光二极管ED沿着第二方向DR2发射的光可以通过接触电极CNE1和CNE2以及第一钝化层PAS1传播。可以基于第二钝化层PAS2和第一堤部BNL1之间的距离来确定这些光的行进距离或传播距离。
通过发光二极管ED的侧表面发射并且在第一方向DR1上行进的光的传播距离可以基于图案PT中的每个在第一方向DR1上的长度D1来确定。通过发光二极管ED的端部发射并且在第二方向DR2上行进的光的传播距离可以基于第二钝化层PAS2的中心和第一堤部BNL1的中心之间的距离D3来确定。根据本公开的实施方式，图案PT中的每个的在第一方向DR1上测量的长度D1可以等于或大于第二钝化层PAS2的中心和第一堤部BNL1的中心之间的距离D3。通过调整图案PT中的每个的在第一方向DR1上测量的长度D1，可以减小显示设备10的发光二极管ED的第一方向DR1和第二方向DR2之间的光发射比的误差。
图案PT之间的距离D2可以小于图案PT中的每个的在第一方向DR1上测量的长度D1。取决于图案化工艺的分辨率，图案PT之间的距离D2可以具有等于或大于预定尺寸的尺寸。然而，如果它可以过大，则在图案PT之间损耗的发光二极管ED的数量可能增加。考虑到发光二极管ED的损耗率，图案PT之间的距离D2可以具有最小尺寸，并且可以根据图案化工艺的分辨率具有最小值。
接触电极CNE1和CNE2的部分可以设置在第二钝化层PAS2的图案PT上。由于接触电极CNE1和CNE2可以具有在第一方向DR1上延伸的形状，因此它们甚至可以设置在彼此间隔开的图案PT之间。根据本公开的实施方式，接触电极CNE1和CNE2的可以设置在图案PT之间的部分可以设置在(例如，直接设置在)第一钝化层PAS1上。接触电极CNE1和CNE2可以围绕发光二极管ED的端部并且可以与发光二极管ED的端部接触，并且可以在一个方向上延伸。接触电极CNE1和CNE2中的每个的可以在第一方向DR1上与其与发光二极管ED接触的部分相邻的部分可以设置在(例如，直接设置在)第一钝化层PAS1上。同样，其可以与设置在图案PT上的部分相邻的部分也可以设置在(例如，直接设置在)第一钝化层PAS1上。然而，应理解，本公开不限于此。
在根据实施方式的显示设备10中，固定发光二极管ED的第二钝化层PAS2可以包括多个图案PT。由于图案PT可以固定发光二极管ED并且可以布置在第一方向DR1上且彼此间隔开，因此可以提高从发光二极管ED发射的光的光发射效率。
尽管在上述实施方式中第二钝化层PAS2可以包括图案PT以仅覆盖发光二极管ED，但是应当注意，本公开不限于此。在一些实施方式中，第二钝化层PAS2可以包括可以完全设置在第一钝化层PAS1上以暴露发光二极管ED的两个端部并且可以彼此间隔开的图案PT。即，第二钝化层PAS2还可以包括设置在电极RME1和RME2或第二堤部BNL2上的部分。将参考另一实施方式给出对其更详细的描述。
图8是示出根据本公开的实施方式的发光元件的示意图。
参考图8，发光元件可以是发光二极管ED。具体地，发光元件可以具有从纳米到微米的尺寸，并且可以是由无机材料制成的无机发光二极管。由于可以通过在两个电极之间沿着特定方向形成电场来产生极性，所以发光二极管ED可以在彼此面对的两个电极之间对准。
根据实施方式的发光二极管ED可以具有在一个方向上延伸的形状。发光二极管ED可以具有圆柱体、杆、线、管等的形状。应理解，发光二极管ED的形状不限于此。发光二极管ED可以具有包括诸如立方体、长方体和六边形柱的多边柱形形状或可以在一个方向上延伸且具有部分倾斜的外表面的形状的各种形状。
发光二极管ED可以包括掺杂有导电类型(例如，p型或n型)的杂质的半导体层。半导体层可以通过传输从外部电源施加的电信号来发射特定波长带的光。发光二极管ED可以包括第一半导体层31、第二半导体层32、发射层36、电极层37和绝缘膜38。
第一半导体层31可以是n型半导体。第一半导体层31可以包括具有以下化学式的半导体材料：AlxGayIn1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)。例如，它可以是n型掺杂的AlGaInN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的至少一个。掺杂到第一半导体层31中的n型掺杂剂可以是Si、Ge、Sn、Se等中的至少一种。发光二极管ED的第一端部可以指发射层36的可以设置有第一半导体层31的一侧。
第二半导体层32可以设置在第一半导体层31上方，并且发射层36在第二半导体层32和第一半导体层31之间。第二半导体层32可以是p型半导体。第二半导体层32可以包括具有以下化学式的半导体材料：AlxGayIn1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)。例如，它可以是p型掺杂的AlGaInN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的至少一种。掺杂到第二半导体层32中的p型掺杂剂可以是Mg、Zn、Ca、Ba等中的至少一种。发光二极管ED的第二端部可以指发射层36的可以设置有第二半导体层32的另一侧。
尽管在附图中第一半导体层31和第二半导体层32中的每个实施为单个层，但是本公开不限于此。根据发射层36的材料，第一半导体层31和第二半导体层32还可以包括更多数量的层，例如，包覆层或拉伸应变势垒减小(TSBR)层。
发射层36可以设置在第一半导体层31和第二半导体层32之间。发射层36可以包括具有单量子阱结构或多量子阱结构的材料。当发射层36包括具有多量子阱结构的材料时，该多量子阱结构可以包括彼此交替堆叠的量子层和阱层。由于电子-空穴对可以响应于通过第一半导体层31和第二半导体层32施加的电信号在发射层36中复合，因此发射层36可以发射光。发射层36可以包括诸如AlGaN和AlGaInN的材料。具体地，当发射层36具有其中量子层和阱层可以彼此交替堆叠的多量子阱结构时，量子层可以包括AlGaN或AlGaInN，并且阱层可以包括诸如GaN和AlGaN的材料。
发射层36可以具有其中具有大带隙能量的半导体材料和具有小带隙能量的半导体材料可以彼此交替堆叠的结构，并且可以根据发射光的波长范围而包括其它III族到V族半导体材料。因此，从发射层36发射的光不限于蓝色波长带的光。在一些实施方式中，发射层36可以发射红色或绿色波长带的光。
电极层37可以是欧姆接触电极。然而，应理解，本公开不限于此。电极层37可以是肖特基接触电极。发光二极管ED可以包括至少一个电极层37。发光二极管ED可以包括一个或多个电极层37。然而，应理解，本公开不限于此。可以去除电极层37。
在显示设备10中，当发光二极管ED与电极或接触电极电连接时，电极层37可以减小发光二极管ED与电极或接触电极之间的电阻。电极层37可以包括具有导电性的金属。例如，电极层37可以包括铝(Al)、钛(Ti)、铟(In)、金(Au)、银(Ag)、ITO、IZO和ITZO中的至少一种。
绝缘膜38可以设置成围绕上述半导体层和电极层的外表面。例如，绝缘膜38可以设置成至少围绕发射层36的外表面，并且发光二极管ED的在纵向方向上的两个端部被暴露。在截面中，绝缘膜38的上表面的可以与发光二极管ED的端部中的至少一个相邻的部分可以是圆润的。
绝缘膜38可以包括具有绝缘性的材料，诸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氮化铝(AlNx)、氧化铝(AlOx)或其组合。尽管附图中绝缘膜38形成为单个层，但是本公开不限于此。在一些实施方式中，绝缘膜38可以形成为多层结构，其中多个层可以彼此堆叠。
绝缘膜38可以用于保护上述元件。绝缘膜38可以防止当它与电信号可以通过其传输到发光二极管ED的电极直接接触时可能在发射层36中发生的电学短路。绝缘膜38可以防止发光效率的降低。
可以对绝缘膜38的外表面进行表面处理。发光二极管ED可以分散在油墨中，并且油墨可以喷涂到电极上。在这种情况下，可以对绝缘膜38应用表面处理，使得它变成疏水或亲水的，以保持分散在油墨中的发光二极管ED不彼此聚集。
在下文中，将参考其它附图来描述根据本公开的其它实施方式的显示设备。
图9是示出根据本公开的另一实施方式的显示设备的子像素的示意性平面图。图10是沿着图9的线Q4–Q4'截取的示意性剖视图。图10示出了在第一方向DR1上穿过发光二极管ED和图案PT的截面。
参考图9和图10，在根据实施方式的显示设备10_1中，接触电极CNE1_1和CNE2_1可以与可以彼此间隔开的第二钝化层PAS2的图案PT一起部分地图案化。显示设备10_1的接触电极CNE1_1和CNE2_1可以包括部分地设置在图案PT上方的第一电极部分CN1以及设置在第一电极部分CN1之间且定位在图案PT之间的第二电极部分CN2。形成第二钝化层PAS2的图案PT的工艺可以在形成接触电极CNE1_1和CNE2_1之后执行。接触电极CNE1_1和CNE2_1可以在形成图案PT的工艺期间被部分地图案化，使得它们可以被划分为第一电极部分CN1和第二电极部分CN2。
接触电极CNE1_1和CNE2_1的第一电极部分CN1可以与图案PT对应，并且可以与发光二极管ED和具有恒定宽度的图案PT接触。第一接触电极CNE1_1的第一电极部分CN1的面对第二接触电极CNE2_1的侧部可以设置在图案PT上。第二接触电极CNE2_1的第一电极部分CN1的面对第一接触电极CNE1_1的侧部可以设置在图案PT上。由于第一电极部分CN1可以通过与图案PT相同的工艺形成，因此在第一方向DR1上测量的长度可以等于图案PT中的每个的在第一方向DR1上测量的长度。根据本公开的实施方式，第一电极部分CN1之间在第一方向DR1上的距离可以等于图案PT之间在第一方向DR1上的距离。
接触电极CNE1_1和CNE2_1的第二电极部分CN2可以定位在图案PT之间，并且可以具有比第一电极部分CN1的宽度小的宽度。第二电极部分CN2可以是在形成图案PT的工艺期间在接触电极CNE1_1和CNE2_1可以被图案化之后接触电极CNE1_1和CNE2_1的材料的剩余物，第二电极部分CN2可以定位在第一电极部分CN1之间。可以去除接触电极CNE1_1和CNE2_1的第一接触电极CNE1_1和第二接触电极CNE2_1的第二电极部分CN2之间的材料，使得可以形成狭缝GP。由于第二电极部分CN2可以定位在图案PT之间的空间中，因此第二电极部分CN2可以与图案PT间隔开。
接触电极CNE1_1和CNE2_1可以形成为具有彼此面对并且沿着第一方向DR1弯曲的边。接触电极CNE1_1和CNE2_1中的每个的第一电极部分CN1之间的距离可以小于第二电极部分CN2之间的距离。
由于接触电极CNE1_1和CNE2_1可以具有第一电极部分CN1和第二电极部分CN2，所以没有接触电极CNE1_1和CNE2_1可以设置在图案PT之间暴露的第一钝化层PAS1上。如图10中所示，图案PT在第一方向DR1上的侧部可以被暴露，并且接触电极CNE1_1和CNE2_1不设置在该侧部上。通过发光二极管ED的侧表面发射的光可以入射在图案PT上并且可以通过图案PT和外部之间的边界出射。在根据本实施方式的显示设备10_1中，由于接触电极CNE1_1和CNE2_1可以不设置在图案PT的在第一方向DR1上的侧部上而是该侧部可以被暴露，因此可以减少通过发光二极管ED的侧表面出射的光之中的在由图案PT与接触电极CNE1_1和CNE2_1形成的边界处反射的光的量。即，通过部分地图案化接触电极CNE1_1和CNE2_1，可以进一步提高显示设备10_1的光发射效率。
图11是示出根据本公开的另一实施方式的显示设备的子像素的示意性平面图。图12是沿着图11的线Q5–Q5'截取的示意性剖视图。图12示出了在第一方向DR1上穿过发光二极管ED和图案PT_2的截面。
参考图11和图12，在根据实施方式的显示设备10_2中，包括具有不同厚度的第一部分P1和第二部分P2的第二钝化层PAS2_2可以包括在第一方向DR1上延伸的单个图案PT_2。第二钝化层PAS2_2的图案PT_2可以形成为单个图案且设置成覆盖发光二极管ED，并且上表面具有不同的高度。因此，由于上表面具有不同的高度，所以它可以允许光出射。
图案PT_2可以在第一堤部BNL1之间沿着第一方向DR1延伸，并且可以设置成覆盖发光二极管ED。图案PT_2的上表面的部分可以被压下，并且因此图案PT_2可以包括具有不同厚度的部分。根据本公开的实施方式，图案PT_2可以包括具有第一厚度的第一部分P1和具有小于第一厚度的第二厚度的第二部分P2。与图3的实施方式不同，图案PT_2可以通过在制造显示设备10_2的工艺期间部分地图案化上表面而不完全去除上表面来形成。图案PT_2的可以不被图案化且具有第一厚度的部分可以形成第一部分P1，而图案PT_2的已被图案化且具有第二厚度的部分(可以较低)可以形成第二部分P2。除了它们的厚度之外，第二部分P2可以与第一部分P1相同。第一部分P1和第二部分P2中的每个可以具有平坦的上表面。
根据本公开的实施方式，发光二极管ED可以包括设置在图案PT_2的第一部分P1下方的第一发光二极管ED1以及设置在第二部分P2下方的第二发光二极管ED2。在图3的显示设备10中，可以不在图案PT之间设置发光二极管ED。相反，在图11和图12的显示设备10_2中，图案PT_2的第二部分P2具有特定的厚度，并且因此第二发光二极管ED2可以设置在第二部分P2下方。第一发光二极管ED1和第二发光二极管ED2可以被图案PT_2覆盖，但是设置在第一发光二极管ED1上的图案PT_2的厚度可以与设置在第二发光二极管ED2上的图案PT_2的厚度不同。由于发光二极管ED的布置可以不与图案PT_2的第一部分P1和第二部分P2的位置对准，所以发光二极管ED可以不设置在图案PT_2的第二部分P2中的一些的下方。
由于通过第一部分P1和第二部分P2形成的高度差，通过发光二极管ED的侧表面发射、朝向图案PT_2的外表面入射的光的入射角可以被改变。通过发光二极管ED的侧表面发射的光中的至少一些可以入射在第一部分P1的侧表面上或者可以入射在第二部分P2的上表面上。入射在第一部分P1的侧表面或第二部分P2的上表面上的光可以具有与朝向第一部分P1的上表面定向的光的入射角不同的入射角。光可以在具有相同折射率的图案PT_2中行进，但是光中的一些可以出射，因为它们在与外部的界面处具有不同的入射角。换言之，图案PT_2包括具有不同厚度的第一部分P1和第二部分P2，由于有高度差因此允许光出射。
图13是示出根据本公开的另一实施方式的显示设备的一部分的示意性剖视图。
参考图13，在根据本公开的实施方式的显示设备10_3中，第二钝化层PAS2_3的图案PT_3可以具有弯曲的表面。该实施方式与图7的实施方式的不同之处可以在于，图案PT_3的截面形状可以不同。在以下描述中，描述将集中在不同之处上，并且将省略冗余的描述。
在第二钝化层PAS2_3包括有机绝缘材料的实施方式中，图案PT_3的上表面可以不是平坦的并且可以具有弯曲的形状。第二钝化层PAS2_3的图案PT_3可以通过在制造显示设备10_3的工艺期间部分地图案化第二钝化层PAS2_3以形成与图7的实施方式中相同的结构，并且然后对第二钝化层PAS2_3进行热处理来形成。
图14是示出制造图13的显示设备的工艺期间的工艺步骤的示意性剖视图。
参考图14，包括有机绝缘材料的图案PT_3可以通过热处理工艺部分地熔化，使得它们具有流动性，并且因此它们可以回流。在上述工艺之后，有机绝缘材料可以被固化，并且因此图案PT_3可以具有弯曲的形状，而不是平坦的上表面。
由于图案PT_3的上表面可以不是平坦的而是具有弯曲的形状，所以通过发光二极管ED的侧表面发射的光之中的朝向图案PT_3的上表面定向的光的入射角可以改变。类似于图12的实施方式，根据本实施方式，可以修改显示设备10_3中的图案PT_3的上表面的形状，以允许从发光二极管ED发射的光出射。即，可以进一步提高显示设备10_3的发光二极管ED的光发射效率。
图15是示出根据本公开的另一实施方式的显示设备的一部分的示意性剖视图。
参考图15，在根据实施方式的显示设备10_4中，第二钝化层PAS2_4的图案PT_4包括具有不同厚度的第一部分P1和第二部分P2，并且第一部分P1的上表面可以具有弯曲的形状，而第二部分P2的上表面可以具有平坦的形状。本实施方式与图12的实施方式的不同之处可以在于，第一部分P1的上表面的形状可以类似于图13的实施方式的图案PT_3的上表面的形状。在显示设备10_4中，第二钝化层PAS2_4可以包括单个图案PT_4，但是图案PT_4可以包括具有不同厚度的第一部分P1和第二部分P2，其中第一部分P1具有弯曲的上表面。因此，可以提高光发射效率。
图16是示出根据本公开的另一实施方式的显示设备的子像素的示意性平面图。图17是沿着图16的线Q6–Q6'截取的示意性剖视图。图18是沿着图16的线Q7–Q7'截取的示意性剖视图。图17示出了在第二方向DR2上穿过显示设备10_5的结构STR_5的截面。图18示出了在第一方向DR1上穿过结构STR_5和发光二极管ED的截面。
参考图16至图18，根据实施方式的显示设备10_5还可以包括设置在彼此间隔开的第二钝化层PAS2的图案PT之间的结构STR_5。取决于图案PT的布置，结构STR_5可以定位在图案PT之间。结构STR_5可以引导发光二极管ED，使得发光二极管ED可以布置在特定位置处，并且可以提高通过发光二极管ED的侧表面出射的光的光发射效率。
结构STR_5可以设置在第一电极RME1和第二电极RME2之间。结构STR_5可以设置在过孔层VIA(参见图4)上并且设置在与电极RME1和RME2相同的层上。根据本公开的实施方式，结构STR_5可以在第一衬底SUB和第一钝化层PAS1之间或者在过孔层VIA(参见图4)和第一钝化层PAS1之间设置在第一电极RME1和第二电极RME2之间。结构STR_5的在第二方向DR2上测量的宽度可以小于第一电极RME1和第二电极RME2之间的距离。结构STR_5可以通过第一钝化层PAS1而不与电极RME1和RME2直接接触。
结构STR_5可以在电极RME1和RME2之间沿着第一方向DR1彼此间隔开。由于结构STR_5可以设置在第二钝化层PAS2的图案PT之间的空间中，因此它们可以不在厚度方向上与图案PT重叠。在制造显示设备10_5的工艺期间，可以在可以设置第一钝化层PAS1之前形成结构STR_5，并且可以通过图案化可以设置结构STR_5的部分来形成图案PT。
结构STR_5可以具有从第一衬底SUB或过孔层VIA(参见图4)的上表面向上突出的形状。结构STR_5可以在电极RME1和RME2之间沿着第一方向DR1限定空间。第一钝化层PAS1的上表面可以具有沿着第一方向DR1的高度差。第一钝化层PAS1可以在彼此间隔开的结构STR_5之间具有低的高度。发光二极管ED可以设置在结构STR_5之间。然而，应理解，本公开不限于此。
根据本公开的实施方式，结构STR_5可以包括底部层ST1和设置成覆盖底部层ST1的上部层ST2。底部层ST1可以具有从过孔层VIA(参见图4)的上表面突出的形状。在一些实施方式中，底部层ST1可以包括与第一堤部BNL1相同的材料，并且可以具有倾斜的侧表面。然而，应理解，本公开不限于此。
上部层ST2可以设置成覆盖底部层ST1的外表面。在一些实施方式中，上部层ST2可以包括具有高反射率的材料，并且可以包括与电极RME1和RME2或接触电极CNE1和CNE2相同的材料。通过发光二极管ED的侧表面发射的光可以在图案PT之间出射，并且可以朝向结构STR_5定位。结构STR_5包括上部层ST2，与电极RME1和RME2类似，上部层ST2包括具有高反射率的材料，并且因此可以反射入射光。因此，在显示设备10_5中，图案PT可以彼此间隔开，以提高发光二极管ED的光发射效率，并增加朝向第一衬底SUB的上侧定位的光的量。
附加地，即使上部层ST2可以包括与电极RME1和RME2相同的材料，上部层ST2与电极RME1和RME2也可以通过第一钝化层PAS1彼此电绝缘。第一钝化层PAS1可以设置在(例如，直接设置在)上部层ST2上。结构STR_5的上部层ST2与电极RME1和RME2可以彼此不直接连接。
图19是示出根据本公开的另一实施方式的显示设备的一部分的示意性剖视图。
参考图19，在根据实施方式的显示设备10_6中，第二钝化层PAS2_6还可以包括设置在图案PT以外的其它位置处的基部SP。除了覆盖和固定发光二极管ED的图案PT之外，第二钝化层PAS2_6可以包括在第二方向DR2上与发光二极管ED间隔开的基部SP。
第二钝化层PAS2_6可以设置成部分地围绕发光二极管ED的外表面，使得发光二极管ED的第一端部和第二端部可以不被覆盖。第二钝化层PAS2_6的图案PT可以在第一钝化层PAS1上沿着第一方向DR1彼此间隔开，从而在子像素PXn中的每个中形成线性图案或岛状图案。
第二钝化层PAS2_6的基部SP可以与发光二极管ED间隔开并且设置在第一钝化层PAS1上。基部SP可以与第一电极RME1和第二电极RME2部分地重叠，并且也可以设置在第二堤部BNL2上。第二钝化层PAS2_6的这种形状可以通过将第二钝化层PAS2_6完全设置在第一钝化层PAS1和第二堤部BNL2上并执行用于同时形成图案PT和发光二极管ED的端部的图案化工艺来形成。由于第二钝化层PAS2_6可以通过经由图案化工艺仅部分地去除而形成，因此在制造工艺方面可以是有利的。
图20是示出根据本公开的另一实施方式的显示设备的一部分的示意性剖视图。图21是示出图20的实施方式的另一部分的示意性剖视图。
参考图20和图21，根据实施方式的显示设备10_7还可以包括设置在第二钝化层PAS2_5上的第三钝化层PAS3。显示设备10_7的接触电极CNE1和CNE2可以设置在不同层上，并且第三钝化层PAS3在接触电极CNE1和CNE2之间。
第三钝化层PAS3可以设置在第一钝化层PAS1、第二钝化层PAS2_5和第二接触电极CNE2上。第三钝化层PAS3可以完全设置在第一钝化层PAS1和第二钝化层PAS2_5上，并且发光二极管ED的可以设置第一接触电极CNE1的第一端部被暴露。第一接触电极CNE1的一部分可以设置在第三钝化层PAS3上。第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2可以通过第三钝化层PAS3彼此绝缘。
第三钝化层PAS3的一部分可以在形成第二钝化层PAS2的图案PT的工艺期间被一起分离。具体地，第三钝化层PAS3的设置在图案PT上的部分可以在第一方向DR1上间隔开，并且设置在图案PT之间的接触电极CNE1和CNE2可以设置在(例如，直接设置在)第一钝化层PAS1上。
在上述实施方式中，第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2可以同时形成，并且可以在图案PT上彼此间隔开。相反，在根据本实施方式的显示设备10_7中，可以在接触电极CNE1和CNE2之间设置至少一个绝缘层，并且因此可以通过不同工艺形成接触电极CNE1和CNE2。在根据本实施方式的显示设备10_7中，与相同的发光二极管ED接触的接触电极CNE1和CNE2可以通过第三钝化层PAS3彼此绝缘，并且因此可以防止在制造工艺期间由于连接电极材料的剩余物而引起的短路。
在结束详细描述时，本领域中的技术人员将理解，在大致不脱离本公开的原理的情况下，可以对实施方式进行许多变化和修改。因此，所公开的本公开的实施方式仅在一般和描述性的意义上使用，而非出于限制的目的。

Claims (20)

1.显示设备，包括：
衬底；
第一电极，在所述衬底上并且在第一方向上延伸；
第二电极，在所述衬底上并且在所述第一方向上延伸，所述第二电极在第二方向上与所述第一电极间隔开；
第一绝缘层，在所述第一电极和所述第二电极上；
发光元件，在所述第一绝缘层上，所述发光元件设置在所述第一电极和所述第二电极上；
第二绝缘层，设置在所述发光元件上；
第一接触电极，设置在所述第一电极上，并且与所述发光元件电接触；以及
第二接触电极，设置在所述第二电极上，并且与所述发光元件电接触，其中，
所述第二绝缘层包括覆盖所述发光元件的至少一部分并且在所述第一方向上彼此间隔开的图案。
2.根据权利要求1所述的显示设备，其中，
当在所述第二方向上测量时，所述图案中的每个的长度小于所述发光元件的长度，
所述第一接触电极与所述发光元件中的每个的一个端部接触，
所述第二接触电极与所述发光元件中的每个的另一端部接触，
所述发光元件中的每个的所述一个端部和所述另一端部被暴露，以及
所述图案不设置在所述发光元件中的每个的所述一个端部和所述另一端部上。
3.根据权利要求2所述的显示设备，其中，所述图案中的每个的在所述第一方向上测量的长度大于在所述第一方向上彼此间隔开的所述图案之间的距离。
4.根据权利要求1所述的显示设备，还包括：
第一堤部，设置在所述衬底和所述第一电极之间以及所述衬底和所述第二电极之间，
其中，所述第二绝缘层的所述图案在所述第一堤部之间。
5.根据权利要求4所述的显示设备，其中，所述图案中的每个的在所述第一方向上测量的长度大于所述图案的中心与所述第一堤部的中心之间的距离。
6.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述发光元件不设置在沿着所述第一方向间隔开的所述图案之间。
7.根据权利要求6所述的显示设备，其中，所述第一接触电极和所述第二接触电极在沿着所述第一方向彼此间隔开的所述图案之间直接设置在所述第一绝缘层上。
8.根据权利要求1所述的显示设备，其中，
所述第二绝缘层包括有机绝缘材料，以及
所述图案中的每个具有平坦的上表面。
9.根据权利要求1所述的显示设备，其中，
所述第二绝缘层包括有机绝缘材料，以及
所述图案中的每个具有弯曲的上表面。
10.根据权利要求1所述的显示设备，其中，
所述第一接触电极和所述第二接触电极中的每个包括：
第一电极部分，部分地设置在所述图案上方；以及
第二电极部分，设置在所述第一电极部分之间，并且定位在彼此间隔开的所述图案之间，以及
所述第一电极部分的宽度大于所述第二电极部分的宽度。
11.根据权利要求10所述的显示设备，其中，
当在所述第一方向上测量时，所述第一电极部分的长度等于所述图案的长度，以及
所述第一电极部分之间在所述第一方向上的距离等于所述图案之间在所述第一方向上的距离。
12.根据权利要求1所述的显示设备，还包括：
在沿着所述第一方向彼此间隔开的所述图案之间的结构，
其中，所述发光元件设置在所述结构之间，所述结构在所述第一方向上彼此间隔开。
13.根据权利要求12所述的显示设备，其中，所述结构的在所述第二方向上测量的宽度小于所述第一电极与所述第二电极之间的距离。
14.根据权利要求12所述的显示设备，其中，
所述结构中的每个包括：
底部层；以及
上部层，设置成覆盖所述底部层，以及
所述上部层与所述第一电极、或者所述上部层与所述第一接触电极包括相同的材料。
15.根据权利要求1所述的显示设备，其中，
所述第二绝缘层包括与所述第一电极和所述第二电极重叠的基部，以及
所述基部在所述第二方向上与所述发光元件间隔开。
16.根据权利要求15所述的显示设备，还包括：
第三绝缘层，设置在所述第二绝缘层上，其中，
所述第一接触电极设置在所述第三绝缘层上，以及
所述第二接触电极设置在所述第二绝缘层和所述第三绝缘层之间。
17.显示设备，包括：
第一电极，在第一方向上延伸；
第二电极，在所述第一方向上延伸并且在第二方向上与所述第一电极间隔开；
第一绝缘层，在所述第一电极和所述第二电极上；
发光元件，在所述第一绝缘层上，所述发光元件设置在所述第一电极和所述第二电极上；
第二绝缘层，在所述发光元件上；
第一接触电极，在所述第一电极上，并且与所述发光元件电接触；以及
第二接触电极，在所述第二电极上，并且与所述发光元件电接触，其中，
所述第二绝缘层包括覆盖所述发光元件并且在所述第一方向上延伸的图案，以及
所述图案包括：
第一部分，具有第一厚度；以及
第二部分，设置在所述第一部分之间，并且具有小于所述第一厚度的第二厚度。
18.根据权利要求17所述的显示设备，其中，所述发光元件包括：
第一发光元件，设置在所述图案的所述第一部分下方；以及
第二发光元件，设置在所述图案的所述第二部分下方。
19.根据权利要求18所述的显示设备，其中，
所述第二绝缘层包括有机绝缘材料，以及
所述图案的所述第一部分和所述第二部分中的每个包括平坦的上表面。
20.根据权利要求18所述的显示设备，其中，
所述第二绝缘层包括有机绝缘材料，
所述第一部分具有弯曲的上表面，以及
所述第二部分具有平坦的上表面。
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