CN116410222B - 一种叔丁基三(二甲氨基)锡烷的合成方法 - Google Patents
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- 125000002147 dimethylamino group Chemical group [H]C([H])([H])N(*)C([H])([H])[H] 0.000 title claims abstract description 26
- KXCAEQNNTZANTK-UHFFFAOYSA-N stannane Chemical compound [SnH4] KXCAEQNNTZANTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 26
- 229910000080 stannane Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 26
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 title abstract description 9
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 title abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 27
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 claims abstract description 19
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 11
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 238000004821 distillation Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 5
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical group CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- WHXTVQNIFGXMSB-UHFFFAOYSA-N n-methyl-n-[tris(dimethylamino)stannyl]methanamine Chemical compound CN(C)[Sn](N(C)C)(N(C)C)N(C)C WHXTVQNIFGXMSB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 claims description 3
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 4
- 230000003321 amplification Effects 0.000 abstract description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 abstract description 2
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 abstract 1
- LUZSPGQEISANPO-UHFFFAOYSA-N butyltin Chemical group CCCC[Sn] LUZSPGQEISANPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- HISWIBBQBKEYQD-UHFFFAOYSA-N N-[tert-butyl-bis(dimethylamino)stannyl]-N-methylmethanamine Chemical compound CN(C)[Sn](N(C)C)(N(C)C)C(C)(C)C HISWIBBQBKEYQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000001095 inductively coupled plasma mass spectrometry Methods 0.000 description 4
- 238000010813 internal standard method Methods 0.000 description 4
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- UBJFKNSINUCEAL-UHFFFAOYSA-N lithium;2-methylpropane Chemical compound [Li+].C[C-](C)C UBJFKNSINUCEAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- WUBGZVBILZBZAD-UHFFFAOYSA-N [Zr].[Hf].[Sn] Chemical compound [Zr].[Hf].[Sn] WUBGZVBILZBZAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000012705 liquid precursor Substances 0.000 description 1
- CQRPUKWAZPZXTO-UHFFFAOYSA-M magnesium;2-methylpropane;chloride Chemical compound [Mg+2].[Cl-].C[C-](C)C CQRPUKWAZPZXTO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/22—Tin compounds
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- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
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-
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- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/10—Energy storage using batteries
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Abstract
本发明实施例公开了一种叔丁基三(二甲氨基)锡烷的合成方法。该合成方法:氩气保护下,以四二甲氨基锡和四叔丁基锡为原料,在有机溶剂存在的条件下进行反应,减压除去有机溶剂,减压蒸馏,得到叔丁基三(二甲氨基)锡烷。本发明提供叔丁基三(二甲氨基)锡烷的合成方法,利用较为安全的原料,以较高收率合成了目标产品,过程安全可控,适合进行工业放大。
Description
技术领域
本发明实施例涉及化学合成技术领域,具体涉及一种叔丁基三(二甲氨基)锡烷的合成方法。
背景技术
由于电子技术的发展,各种电子设备中使用的电子元件的小型化和轻量化正在迅速发展。同时,为了制造微电子元件,通过各种物理或化学气相沉积方法形成金属薄膜、金属氧化物薄膜、金属氮化物薄膜等。通常使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺或原子层沉积(ALD)工艺形成含有金属的薄膜。其中金属前驱体主要为锆铪锡等金属有机物,携带有目标元素,呈气态、易挥发液态或固态,具备化学热稳定性,同时具备相应的反应活性或物理性能的一类物质。叔丁基三(二甲氨基)锡烷(CAS:1913978-88-7),为液体前驱体,且具有高蒸汽压,因为其活泼的反应活性,更易于形成高质量的含锡薄膜。
传统合成方法有利用四二甲氨基锡与叔丁基氯化镁反应合成叔丁基三(二甲氨基)锡烷( WO2019199467 A1),该方法产率较低为70%,且反应过程中控制温度不超过20℃,反应放热温度难以准确控制。还有利用四二甲氨基锡与叔丁基锂反应(WO2019023797 A1),该方法中叔丁基锂试剂有安全隐患,不适合工业大量生产。
发明内容
为此,本发明实施例提供一种叔丁基三(二甲氨基)锡烷的合成方法。
为了实现上述目的,本发明实施例提供如下技术方案:
一种叔丁基三(二甲氨基)锡烷的合成方法,所述方法包括:氩气保护下,以四(二甲氨基)锡(CAS号:1066-77-9)和四叔丁基锡(CAS号:83236-77-5)为原料,在有机溶剂存在的条件下进行反应,减压除去有机溶剂,减压蒸馏,得到叔丁基三(二甲氨基)锡烷。
进一步地,所述四二甲氨基锡和四叔丁基锡的摩尔比为3-4:1。
进一步地,所述有机溶剂为正己烷,二氯甲烷、三氯甲烷、甲苯或乙醚。
进一步地,所述有机溶剂为正己烷。
进一步地,所述反应的温度为20-100℃,时间为3-12小时。
进一步地,所述反应的温度为50-100℃,时间为3-6小时。
进一步地,所述合成方法包括:氩气保护下,将四(二甲氨基)锡溶于有机溶剂中,于10-50℃的条件下,滴加四叔丁基锡,之后在50-100℃搅拌3-6小时。
进一步地,所述减压蒸馏的条件:0.3-0.7torr,50-80℃。
本发明实施例具有如下优点:
本发明提供叔丁基三(二甲氨基)锡烷的合成方法,利用较为安全的原料,以较高收率合成了目标产品,过程安全可控,适合进行工业放大。
附图说明
为了更清楚地说明本发明的实施方式或现有技术中的技术方案,下面将对实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。显而易见地,下面描述中的附图仅仅是示例性的,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据提供的附图引伸获得其它的实施附图。
图1为本发明实施例1提供的叔丁基三(二甲氨基)锡烷1HNMR。
具体实施方式
以下由特定的具体实施例说明本发明的实施方式,熟悉此技术的人士可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点及功效,显然,所描述的实施例是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
实施例1
本实施例提供一种叔丁基三(二甲氨基)锡烷的合成方法:
氩气保护,将40g(0.136mol)四(二甲氨基)锡和150mL正己烷加入500mL三口烧瓶中,20℃将15.7g(0.045mol)四叔丁基锡滴加至三口烧瓶中,后升温50℃搅拌3小时,恢复室温,减压除去正己烷,0.37-0.43torr,53-55℃蒸出54g(0.175 mol)无色透明液体叔丁基三(二甲氨基)锡,收率:97.2%。1H NMR (C6D6, MHz): 2.84 (s, 18H, -NCH3), 1.24 (s, 9H,H3CC-),氢谱核磁内标法检测纯度99%,ICP-MS检测锡含量为99.98%。
实施例2
本实施例提供一种叔丁基三(二甲氨基)锡烷的合成方法:
氩气保护,将40g(0.136mol)四(二甲氨基)锡和150mL正己烷加入500mL三口烧瓶中,20℃将15.7g(0.045mol)四叔丁基锡滴加至三口烧瓶中,后继续在20℃搅拌3小时,恢复室温,减压除去正己烷,0.37-0.43torr,53-55℃蒸出48g(0.156 mol)无色透明液体叔丁基三(二甲氨基)锡,收率:86.7%。1H NMR (C6D6, MHz): 2.84 (s, 18H, -NCH3), 1.24 (s,9H, H3CC-),氢谱核磁内标法检测纯度99%,ICP-MS检测锡含量为99.98%。
实施例3
本实施例提供一种叔丁基三(二甲氨基)锡烷的合成方法:
氩气保护,将40g(0.136 mol)四(二甲氨基)锡和150mL二氯甲烷加入500mL三口烧瓶中,20℃将15.7g(0.045mol)四叔丁基锡滴加至三口烧瓶中,后升温至回流(39-40℃)搅拌3小时,恢复室温,减压除去二氯甲烷,0.37-0.43torr,53-55℃蒸出51g(0.166 mol)无色透明液体叔丁基三(二甲氨基)锡,收率:92.2%。1H NMR (C6D6, MHz): 2.84 (s, 18H, -NCH3), 1.24 (s, 9H, H3CC-),氢谱核磁内标法检测纯度99%,ICP-MS检测锡含量为99.98%。
实施例4
本实施例提供一种叔丁基三(二甲氨基)锡烷的合成方法:
氩气保护,将40g(0.136mol)四二甲氨基锡和150mL正己烷加入500mL三口烧瓶中,20℃将15.7g(0.045mol)四叔丁基锡滴加至三口烧瓶中,后升温50℃搅拌3小时,恢复室温,减压除去正己烷,0.37-0.43torr,70-75℃蒸出55g(0.179 mol)无色透明液体叔丁基三(二甲氨基)锡,收率:99.4%。1H NMR (C6D6, MHz): 2.84 (s, 18H, -NCH3), 1.24 (s, 9H,H3CC-),氢谱核磁内标法检测纯度95%,ICP-MS检测锡含量为95.24%。
虽然,上文中已经用一般性说明及具体实施例对本发明作了详尽的描述,但在本发明基础上,可以对之作一些修改或改进,这对本领域技术人员而言是显而易见的。因此,在不偏离本发明精神的基础上所做的这些修改或改进,均属于本发明要求保护的范围。
Claims (8)
1.一种叔丁基三(二甲氨基)锡烷的合成方法,其特征在于,所述方法包括:氩气保护下,以四(二甲氨基)锡和四叔丁基锡为原料,在有机溶剂存在的条件下进行反应,减压除去有机溶剂,减压蒸馏,得到叔丁基三(二甲氨基)锡烷。
2.根据权利要求1所述的叔丁基三(二甲氨基)锡烷的合成方法,其特征在于,所述四(二甲氨基)锡和四叔丁基锡的摩尔比为3-4:1。
3.根据权利要求1所述的叔丁基三(二甲氨基)锡烷的合成方法,其特征在于,所述有机溶剂为正己烷、二氯甲烷、三氯甲烷、甲苯或乙醚。
4.根据权利要求3所述的叔丁基三(二甲氨基)锡烷的合成方法,其特征在于,所述有机溶剂为正己烷。
5.根据权利要求1所述的叔丁基三(二甲氨基)锡烷的合成方法,其特征在于,所述反应的温度为20-100℃;反应时间为3-12小时。
6.根据权利要求5所述的叔丁基三(二甲氨基)锡烷的合成方法,其特征在于,述反应的温度为50-100℃;反应时间为3-6小时。
7.根据权利要求1所述的叔丁基三(二甲氨基)锡烷的合成方法,其特征在于,所述合成方法包括:
氩气保护下,将四(二甲氨基)锡溶于有机溶剂中,于10-50℃的条件下,滴加四叔丁基锡,之后在50-100℃搅拌3-6小时。
8.根据权利要求1所述的叔丁基三(二甲氨基)锡烷的合成方法,其特征在于,所述减压蒸馏的条件:0.3-0.7torr,50-80℃。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN116410222B (zh) |
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GR01 | Patent grant | ||
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Address after: Cg05-223, building 8, yard 1, Zhongguancun East Road, Haidian District, Beijing 100086 Patentee after: Yanfeng Technology (Beijing) Co.,Ltd. Address before: Cg05-223, building 8, yard 1, Zhongguancun East Road, Haidian District, Beijing 100086 Patentee before: Yanfeng Technology (Beijing) Co.,Ltd. |
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