CN116387036A - 多层电子组件 - Google Patents

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任珍亨
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Abstract

本公开提供一种多层电子组件。所述多层电子组件包括主体，主体具有介电层以及第一内电极和第二内电极，第一内电极和第二内电极交替设置且介电层介于第一内电极和第二内电极之间。主体具有六面体形状。第一外电极包括设置在第三表面上的第一连接部、从第一连接部分别延伸到第一表面的一部分和第二表面的一部分上的第一带部和第三带部。第二外电极包括设置在第四表面上的第二连接部、从第二连接部分别延伸到第一表面的一部分和第二表面的一部分上的第二带部和第四带部。包括含铪的氧化物的绝缘层设置在第一连接部和第二连接部上并且覆盖第二表面以及第三带部和第四带部。第一镀层和第二镀层分别设置在第一带部和第二带部上。

Description

多层电子组件
本申请要求于2021年12月31日在韩国知识产权局提交的第10-2021-0194178号韩国专利申请的优先权的权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用被全部包含于此。
技术领域
本公开涉及一种多层电子组件。
背景技术
多层陶瓷电容器(MLCC)(一种多层电子组件)是在安装在各种电子产品(诸如，包括液晶显示器(LCD)和等离子体显示面板(PDP)的成像装置、计算机、智能手机、移动电话等)的印刷电路板上时充电或放电的片式电容器。
这样的多层陶瓷电容器由于其小尺寸、高电容和易于安装而可用作各种电子装置的组件。随着诸如计算机和移动装置的各种电子装置小型化并具有高输出，对小型化和高电容多层陶瓷电容器的需求正在增加。
此外，随着最近行业对汽车电子组件的关注的增加，多层陶瓷电容器也需要具有高可靠性特性以用于汽车或信息娱乐系统。
为了使多层陶瓷电容器小型化并增加其电容，有必要通过形成薄的内电极和介电层来增加其层数，并且有必要通过显著减小不影响形成电容的部分的体积来增加实现电容所需的有效体积分数。
此外，为了在板的有限区域内安装尽可能多的组件，有必要显著减小安装空间。
另外，随着边缘的厚度随着多层陶瓷电容器的小型化和高电容而减小，可能促进外部水分渗透或镀液渗透，因此会使可靠性劣化。因此，需要一种能够保护多层陶瓷电容器免受外部水分渗透或镀液渗透的方法。
发明内容
本公开的一方面是提供一种具有改善的每单位体积电容的多层电子组件。
本公开的一方面是提供一种具有改善的可靠性的多层电子组件。
本公开的一方面是提供一种安装空间可显著减小的多层电子组件。
根据本公开的一方面，一种多层电子组件包括：主体，具有介电层以及第一内电极和第二内电极，所述第一内电极和所述第二内电极交替设置且所述介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间，所述主体具有在第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面、连接到所述第一表面和所述第二表面并且在第二方向上彼此相对的第三表面和第四表面以及连接到所述第一表面、所述第二表面、所述第三表面和所述第四表面并且在第三方向上彼此相对的第五表面和第六表面；第一外电极，包括设置在所述第三表面上的第一连接部、从所述第一连接部延伸到所述第一表面的一部分上的第一带部以及从所述第一连接部延伸到所述第二表面的一部分上的第三带部；第二外电极，包括设置在所述第四表面上的第二连接部、从所述第二连接部延伸到所述第一表面的一部分上的第二带部以及从所述第二连接部延伸到所述第二表面的一部分上的第四带部；绝缘层，设置在所述第一连接部和所述第二连接部上并且覆盖所述第二表面以及所述第三带部和所述第四带部；第一镀层，设置在所述第一带部上；以及第二镀层，设置在所述第二带部上。所述绝缘层包括含铪(Hf)的氧化物。
根据本公开的一方面，一种多层电子组件包括：主体，具有介电层以及第一内电极和第二内电极，所述第一内电极和所述第二内电极交替设置且所述介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间，所述主体具有在第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面、连接到所述第一表面和所述第二表面并且在第二方向上彼此相对的第三表面和第四表面以及连接到所述第一表面、所述第二表面、所述第三表面和所述第四表面并且在第三方向上彼此相对的第五表面和第六表面；第一外电极，包括设置在所述第三表面上的第一连接部和从所述第一连接部延伸到所述第一表面的一部分上的第一带部；第二外电极，包括设置在所述第四表面上的第二连接部和从所述第二连接部延伸到所述第一表面的一部分上的第二带部；绝缘层，设置在所述第二表面上并且在所述第一连接部和所述第二连接部上方延伸；第一镀层，设置在所述第一带部上；以及第二镀层，设置在所述第二带部上。所述绝缘层包括含铪(Hf)的氧化物。
根据本公开的一方面，一种多层电子组件包括：主体，具有介电层以及第一内电极和第二内电极，所述第一内电极和所述第二内电极交替设置且所述介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间，所述主体具有在第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面、连接到所述第一表面和所述第二表面并在第二方向上彼此相对的第三表面和第四表面以及连接到所述第一表面、所述第二表面、所述第三表面和所述第四表面并在第三方向上彼此相对的第五表面和第六表面；第一外电极，包括设置在所述第三表面上的第一连接部、从所述第一连接部延伸到所述第一表面的一部分上的第一带部以及从所述第一连接部延伸到连接所述第二表面和所述第三表面的拐角的第一拐角部；第二外电极，包括设置在所述第四表面上的第二连接部、从所述第二连接部延伸到所述第一表面的一部分上的第二带部以及从所述第二连接部延伸到连接所述第二表面和所述第四表面的拐角的第二拐角部；绝缘层，设置在所述第一连接部和所述第二连接部上并且设置成覆盖所述第二表面以及所述第一拐角部和所述第二拐角部；第一镀层，设置在所述第一带部上；以及第二镀层，设置在所述第二带部上。当在所述第二方向上从所述第三表面的延长线到所述第一拐角部的端部的平均距离为B3，在所述第二方向上从所述第四表面的延长线到所述第二拐角部的端部的平均距离为B4，所述第三表面与所述第二内电极间隔开的区域在所述第二方向上的平均尺寸为G1，并且所述第四表面与所述第一内电极间隔开的区域在所述第二方向上的平均尺寸为G2时，满足B3≤G1和B4≤G2，并且所述绝缘层包括含铪(Hf)的氧化物。
根据本公开的一方面，一种多层电子组件包括：主体，具有介电层以及第一内电极和第二内电极，所述第一内电极和所述第二内电极交替设置且所述介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间，所述主体具有在第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面、连接到所述第一表面和所述第二表面并在第二方向上彼此相对的第三表面和第四表面以及连接到所述第一表面、所述第二表面、所述第三表面和所述第四表面并在第三方向上彼此相对的第五表面和第六表面；第一外电极，包括设置在所述第三表面上的第一连接电极和设置在所述第一表面上并连接到所述第一连接电极的第一带电极；第二外电极，包括设置在所述第四表面上的第二连接电极和设置在所述第一表面上并连接到所述第二连接电极的第二带电极；第一绝缘层，设置在所述第一连接电极上；第二绝缘层，设置在所述第二连接电极上；第一镀层，设置在所述第一带电极上；以及第二镀层，设置在所述第二带电极上。所述第一绝缘层和所述第二绝缘层包括含铪(Hf)的氧化物。
附图说明
通过结合附图以及以下具体实施方式，本公开的以上和其他方面、特征和优点将被更清楚地理解，在附图中：
图1示意性地示出根据实施例的多层电子组件；
图2示意性地示出图1的多层电子组件的主体；
图3是沿图1的线I-I'截取的截面图；
图4是示意性地示出图2的分解主体的分解立体图；
图5是其上安装有图1的多层电子组件的板的示意性立体图；
图6是根据实施例的多层电子组件的示意性立体图；
图7是沿图6的线II-II'截取的截面图；
图8是根据实施例的多层电子组件的示意性立体图；
图9是沿图8的线III-III'截取的截面图；
图10是根据实施例的多层电子组件的示意性立体图；
图11是沿图10的线IV-IV'截取的截面图；
图12是根据实施例的多层电子组件的示意性立体图；
图13是沿图12的线V-V'截取的截面图；
图14是根据实施例的多层电子组件的示意性立体图；
图15是沿图14的线VI-VI'截取的截面图；
图16示出图14的修改示例；
图17是根据实施例的多层电子组件的示意性立体图；
图18是沿图17的线VII-VII'截取的截面图；
图19是根据实施例的多层电子组件的示意性立体图；
图20是沿图19的线XIV-XIV'截取的截面图；
图21是根据实施例的多层电子组件的示意性立体图；
图22是沿图21的线VIII-VIII'截取的截面图；
图23示出图21的修改示例；
图24是根据实施例的多层电子组件的示意性立体图；
图25是沿图24的线IX-IX'截取的截面图；
图26示出图24的修改示例；
图27是根据实施例的多层电子组件的示意性立体图；
图28是沿图27的线X-X'截取的截面图；
图29示出图27的修改示例；
图30是根据实施例的多层电子组件的示意性立体图；
图31是沿图30的线XI-XI'截取的截面图；
图32示出图30的修改示例；
图33是根据实施例的多层电子组件的示意性立体图；
图34是沿图33的线XII-XII'截取的截面图；
图35是根据实施例的多层电子组件的示意性立体图；
图36是沿图35的线XIII-XIII'截取的截面图；
图37示出图35的修改示例；
图38是根据实施例的多层电子组件的示意性立体图；
图39是沿图38的线XV-XV'截取的截面图；
图40是根据实施例的多层电子组件的示意性立体图；
图41是沿图40的线XVI-XVI'截取的截面图；
图42是图41的区域K1的放大图。
具体实施方式
在下文中，将参照具体实施方式和附图描述本公开的实施例。然而，可以按各种其他形式修改实施例，并且本公开的范围不限于下面描述的实施例。此外，提供本公开的实施例是为了向本领域技术人员更详细地描述本公开。因此，为了更清楚地理解，可夸大附图中的要素的形状和尺寸，并且在附图中由相同的附图标记指示的要素是相同的要素。
为了在附图中清楚地解释本公开，省略了与描述无关的部分，并且为了便于描述，任意地指示了附图中所示的各个组件的尺寸和厚度，因此本公开不一定限于图示。另外，将使用相同的附图标记来描述在相同构思的范围内具有相同功能的组件。此外，在整个说明书中，除非另有说明，否则当部件“包括”某个要素时，意味着还可包括其他要素，而不排除其他要素。
在附图中，第一方向可被定义为层叠方向或厚度方向，第二方向可被定义为长度方向，并且第三方向可被定义为宽度方向。
图1示意性地示出根据实施例的多层电子组件。
图2示意性地示出图1的多层电子组件的主体。
图3是沿图1的线I-I'截取的截面图。
图4是示意性地示出图2的分解主体的分解立体图。
图5是其上安装有图1的多层电子组件的板的示意性立体图。
在下文中，将参照图1至图5描述根据实施例的多层电子组件1000。
根据实施例的多层电子组件1000可包括：主体110，包括介电层111以及第一内电极121和第二内电极122，第一内电极121和第二内电极122交替设置且介电层介于第一内电极121和第二内电极122之间，并且主体110具有在第一方向上彼此相对的第一表面1和第二表面2、连接到第一表面和第二表面并在第二方向上彼此相对的第三表面3和第四表面4以及连接到第一表面至第四表面并在第三方向上彼此相对的第五表面5和第六表面6；第一外电极131，包括设置在第三表面上的第一连接部131a、从第一连接部延伸到第一表面的一部分上的第一带部131b以及从第一连接部延伸到第二表面的一部分上的第三带部131c；第二外电极132，包括设置在第四表面上的第二连接部132a、从第二连接部延伸到第一表面的一部分上的第二带部132b以及从第二连接部延伸到第二表面的一部分上的第四带部132c；绝缘层151，设置在第一连接部和第二连接部上，并且设置成覆盖第二表面以及第三带部131c和第四带部132c；第一镀层141，设置在第一带部131b上；以及第二镀层142，设置在第二带部132b上。绝缘层151可包括含铪(Hf)的氧化物。
在主体110中，介电层111以及内电极121和122交替堆叠。
主体110的形状没有特别限制，但是如图所示，主体110可具有六面体形状或类似形状。由于包含在主体110中的陶瓷粉末在烧制工艺期间的收缩，主体110可不具有完全直的六面体形状，而是可具有基本上六面体形状。
主体110可具有在第一方向上彼此相对的第一表面1和第二表面2、连接到第一表面1和第二表面2并且在第二方向上彼此相对的第三表面3和第四表面4以及连接到第一表面1和第二表面2、连接到第三表面3和第四表面4并且在第三方向上彼此相对的第五表面5和第六表面6。
在实施例中，主体110可包括连接第一表面和第三表面的1-3拐角、连接第一表面和第四表面的1-4拐角、连接第二表面和第三表面的2-3拐角以及连接第二表面和第四表面的2-4拐角。随着1-3拐角和2-3拐角接近第三表面，1-3拐角和2-3拐角具有朝向主体在第一方向上的中央收缩的形状，并且随着1-4拐角和2-4拐角接近第四表面，1-4拐角和2-4拐角可具有朝向主体在第一方向上的中央收缩的形状。
当介电层111的未设置内电极121和122的边缘区域叠置时，由于内电极121和122的厚度而出现台阶差，并且当从第一表面或第二表面观察时，将第一表面与第三表面和第四表面连接的拐角和/或将第二表面与第三表面和第四表面连接的拐角可具有朝向主体110在第一方向上的中央收缩的形状。可选地，由于主体在烧结工艺中的收缩行为，当从第一表面或第二表面观察时，将第一表面1与第三表面3、第四表面4、第五表面5和第六表面6连接的拐角和/或将第二表面2与第三表面3、第四表面4、第五表面5和第六表面6连接的拐角可具有朝向主体110在第一方向上的中央收缩的形状。可选地，当通过执行单独的工艺对主体110的连接各个表面的拐角进行倒圆以防止碎裂缺陷等时，将第一表面与第三表面至第六表面连接的拐角和/或将第二表面与第三表面至第六表面连接的拐角可具有倒圆形状。
拐角可包括连接第一表面和第三表面的1-3拐角、连接第一表面和第四表面的1-4拐角、连接第二表面和第三表面的2-3拐角以及连接第二表面和第四表面的2-4拐角。此外，拐角可包括连接第一表面和第五表面的1-5拐角、连接第一表面和第六表面的1-6拐角、连接第二表面和第五表面的2-5拐角以及连接第二表面和第六表面的2-6拐角。主体110的第一表面至第六表面可以是基本上平坦的表面，并且非平坦区域可被认为是拐角。在下文中，每个表面的延长线可指示基于每个表面的平坦部分延伸的线。
在这种情况下，在外电极131和132中，设置在主体110的拐角上的区域可被称为拐角部，设置在主体110的第三表面和第四表面上的区域可被称为连接部，并且设置在主体的第一表面和第二表面上的区域可被称为带部。
另一方面，为了抑制由内电极121和122引起的台阶差，在层叠之后，执行切割使得内电极暴露于电容形成部Ac在第三方向(宽度方向)上的两侧，然后，通过在电容形成部Ac在第三方向(宽度方向)上的两侧上堆叠单个介电层或者两个或更多个介电层来形成边缘部114和115，在这种情况下，连接第一表面与第五表面和第六表面的部分以及连接第二表面与第五表面和第六表面的部分可不具有收缩形状。
形成主体110的多个介电层111处于烧制状态，并且相邻介电层111可一体化使得它们之间的边界在不使用扫描电子显微镜(SEM)的情况下不容易区分。
根据实施例，用于形成介电层111的原材料没有特别限制，只要可获得足够的电容即可。例如，可使用钛酸钡基材料、铅复合钙钛矿基材料或钛酸锶基材料。钛酸钡基材料可包括BaTiO3基陶瓷粉末。可使用BaTiO3、其中钙(Ca)、锆(Zr)等部分固溶于BaTiO3中的(Ba1- xCax)TiO3(0<x<1)、Ba(Ti1-yCay)O3(0<y<1)、(Ba1-xCax)(Ti1-yZry)O3(0<x<1，0<y<1)或Ba(Ti1- yZry)O3(0<y<1)等作为陶瓷粉末的示例。
另外，根据本公开的用途，可将各种陶瓷添加剂、有机溶剂、粘合剂、分散剂等添加到粉末(诸如钛酸钡(BaTiO3))中来作为用于形成介电层111的原材料。
另一方面，介电层111的平均厚度td不需要特别限制。
然而，通常，在介电层以小于0.6μm的平均厚度薄薄地形成的情况下，详细地，介电层的平均厚度为0.35μm或更小，存在可靠性降低的担忧。
根据本公开的实施例，通过在外电极的连接部上设置绝缘层，并且在外电极的带部上设置镀层，可通过防止外部水分、镀液等的渗透来改善可靠性。因此，即使当介电层111的平均厚度为0.35μm或更小时，也可确保优异的可靠性。
因此，当介电层111的平均厚度为0.35μm或更小时，根据本公开的实施例的可靠性改善效果可更显著。
介电层111的平均厚度td可指示设置在第一内电极121和第二内电极122之间的介电层111的平均厚度。
介电层111的平均厚度可通过用放大倍数为10000倍的扫描电子显微镜(SEM)扫描主体110的在长度-厚度方向上的截面而获得的图像来测量。详细地，可通过在扫描的图像中测量一个介电层的在长度方向上的30个等间隔的点处的厚度来测量平均值。可在电容形成部Ac中指定30个等间隔的点。此外，通过将厚度的测量扩展到10个介电层并对测量的值求平均值，介电层的平均厚度可更一般化。
主体110可包括电容形成部Ac和在第一方向上形成在电容形成部Ac的上部和下部上的覆盖部112和113，电容形成部Ac包括第一内电极121和第二内电极122，第一内电极121和第二内电极122设置成彼此面对且介电层111介于第一内电极121和第二内电极122之间，以形成电容。电容形成部Ac以及覆盖部112和113设置在主体110内部。
另外，电容形成部Ac可以是对电容器的电容形成有贡献的部分，并且可通过重复堆叠多个第一内电极121和多个第二内电极122且介电层111介于第一内电极121和第二内电极122之间来形成。
覆盖部112和113可包括在第一方向上设置在电容形成部Ac上的上覆盖部112和在第一方向上设置在电容形成部Ac下方的下覆盖部113。
上覆盖部112和下覆盖部113可通过在厚度方向上分别在电容形成部Ac的上表面和下表面上堆叠单个介电层或者两个或更多个介电层来形成，并且可基本上用于防止由物理应力或化学应力引起的对内电极的损坏。
上覆盖部112和下覆盖部113不包括内电极，并且可包括与介电层111的材料相同的材料。
例如，上覆盖部112和下覆盖部113可包括陶瓷材料，例如，包括钛酸钡(BaTiO3)基陶瓷材料。
另一方面，覆盖部112和113的平均厚度不需要特别限制。然而，为了更容易地获得小型化和高电容的多层电子组件，覆盖部112和113的平均厚度tc可以为15μm或更小。此外，根据实施例，通过将绝缘层设置在外电极的连接部上并且将镀层设置在外电极的带部上，可通过防止外部水分和镀液渗透来改善可靠性。因此，即使当覆盖部112和113的平均厚度tc为15μm或更小时，也可确保优异的可靠性。
覆盖部112和113的平均厚度tc可表示在第一方向上的尺寸(例如，平均尺寸)，并且可以是通过以下方式获得的值：对在电容形成部Ac的上部或下部上以相等间隔间隔开的五个点处测量的覆盖部112和113在第一方向上的尺寸求平均值。例如，可通过使用扫描电子显微镜(SEM)扫描主体110的截面来进行测量。即使在本公开中没有描述，也可使用本领域普通技术人员理解的其他方法和/或工具。
另外，边缘部114和115可设置在电容形成部Ac的侧表面上。
边缘部114和115可包括设置在电容形成部Ac的在宽度方向上的一个侧表面上的第一边缘部114和设置在电容形成部Ac的在宽度方向上的另一侧表面上的第二边缘部115。例如，边缘部114和115可分别设置在电容形成部Ac在宽度方向上的两个侧表面上。
如图2所示，边缘部114和115可指：在主体110的在宽度-厚度(W-T)方向上的截面中，第一内电极121和第二内电极122的两端与主体110的外表面之间的区域。
边缘部114和115可基本上用于防止由物理应力或化学应力引起的对内电极的损坏。
边缘部114和115可通过以下方式形成：通过将导电膏涂覆到陶瓷生片除了要形成边缘部的部分之外的部分上来形成内电极。
另外，为了抑制由内电极121和122引起的台阶差，在层叠之后进行切割使得内电极暴露于电容形成部Ac的在第三方向(宽度方向)上的两侧之后，通过在电容形成部Ac的在第三方向(宽度方向)上的两侧上层叠单个介电层或者两个或更多个介电层，可形成边缘部114和115。
另一方面，边缘部114和115的宽度不需要特别限制。然而，为了更容易地获得小型化和高电容的多层电子组件，边缘部114和115的平均宽度可以是15μm或更小。另外，根据实施例，绝缘层设置在外电极的连接部上，并且镀层设置在外电极的带部上，从而通过防止外部水分、镀液等的渗透来改善可靠性。因此，即使当边缘部114和115的平均宽度为15μm或更小时，也可确保优异的可靠性。
边缘部114和115的平均宽度可表示边缘部114和115在第三方向上的平均尺寸，并且可以是通过对在电容形成部Ac的侧表面上的五个等间隔的点处测量的边缘部114和115在第三方向上的尺寸求平均值而获得的值。例如，可通过使用扫描电子显微镜(SEM)扫描主体110的截面来进行测量。即使在本公开中没有描述，也可使用本领域普通技术人员理解的其他方法和/或工具。
内电极121和122与介电层111交替堆叠。
内电极121和122可包括第一内电极121和第二内电极122。第一内电极121和第二内电极122交替设置成彼此面对且介电层111介于第一内电极121和第二内电极122之间，并且第一内电极121和第二内电极122可分别暴露于主体110的第三表面3和第四表面4。
参照图3，第一内电极121可与第四表面4间隔开并且通过第三表面3暴露，并且第二内电极122可与第三表面3间隔开并且通过第四表面4暴露。第一外电极131设置在主体的第三表面3上并连接到第一内电极121，并且第二外电极132可设置在主体的第四表面4上并连接到第二内电极122。
例如，第一内电极121不与第二外电极132连接，而是与第一外电极131连接，第二内电极122不与第一外电极131连接，而是与第二外电极132连接。因此，第一内电极121形成为与第四表面4间隔开预定距离，并且第二内电极122可形成为与第三表面3间隔开预定距离。
在这种情况下，第一内电极121和第二内电极122可通过设置在其间的介电层111彼此电分离。
主体110可通过交替堆叠其上印刷有用于第一内电极121的导电膏的陶瓷生片和其上印刷有用于第二内电极122的导电膏的陶瓷生片，然后烧制来形成。
用于形成内电极121和122的材料没有特别限制，并且可使用具有优异导电性的材料。例如，内电极121和122可包括镍(Ni)、铜(Cu)、钯(Pd)、银(Ag)、金(Au)、铂(Pt)、锡(Sn)、钨(W)、钛(Ti)和它们的合金中的至少一种。
此外，内电极121和122可通过在陶瓷生片上印刷用于内电极的导电膏来形成，该导电膏包含镍(Ni)、铜(Cu)、钯(Pd)、银(Ag)、金(Au)、铂(Pt)、锡(Sn)、钨(W)、钛(Ti)和它们的合金中的至少一种。用于内电极的导电膏的印刷方法可使用丝网印刷法、凹版印刷法等，但是本公开不限于此。
另一方面，内电极121和122的平均厚度te不需要特别限制。
然而，通常，在内电极以小于0.6μm的厚度薄薄地形成的情况下，详细地，内电极的平均厚度为0.35μm或更小，存在可靠性降低的担忧。
根据本公开的实施例，绝缘层设置在外电极的连接部上，并且镀层设置在外电极的带部上。因此，可通过防止外部水分、镀液等的渗透来改善可靠性。因此，即使当内电极121和122的平均厚度为0.35μm或更小时，也可确保优异的可靠性。
因此，当内电极121和122的平均厚度为0.35μm或更小时，根据本公开的效果可更显著，并且可更容易地获得小型化和高电容的多层电子组件。
内电极121和122的平均厚度te可表示内电极121和122中的每个的平均厚度。
内电极121和122的平均厚度可通过用放大倍数为10000的扫描电子显微镜(SEM)扫描主体110的在长度-厚度方向上的截面而获得的图像来测量。详细地，可通过在扫描的图像中测量一个内电极的在长度方向上的30个等间隔的点处的厚度来测量平均值。可在电容形成部Ac中指定以相等间隔间隔开的30个点。此外，当通过将厚度的测量扩展到10个内电极并对测量的值求平均值时，内电极的平均厚度可更一般化。
外电极131和132可设置在主体110的第三表面3和第四表面4上。外电极131和132可包括第一外电极131和第二外电极132，第一外电极131和第二外电极132分别设置在主体110的第三表面3和第四表面4上并且分别连接到第一内电极121和第二内电极122。
外电极131和132可包括第一外电极131和第二外电极132，第一外电极131包括设置在第三表面上的第一连接部131a和从第一连接部延伸到第一表面的一部分上的第一带部131b，第二外电极132包括设置在第四表面上的第二连接部132a和从第二连接部延伸到第一表面的一部分上的第二带部132b。第一连接部131a可在第三表面上连接到第一内电极121，并且第二连接部132a可在第四表面上连接到第二内电极122。
另外，第一外电极131可包括从第一连接部131a延伸到第二表面的一部分上的第三带部131c，并且第二外电极132可包括从第二连接部132a延伸到第二表面的一部分上的第四带部132c。此外，第一外电极131可包括从第一连接部131a延伸到第五表面的一部分和第六表面的一部分上的第一侧带部，并且第二外电极132可包括从第二连接部132a延伸到第五表面的一部分和第六表面的一部分上的第二侧带部。
然而，第三带部、第四带部、第一侧带部和第二侧带部不是本公开的必要组件。第一外电极131和第二外电极132可不设置在第二表面上，或者可不设置在第五表面和第六表面上。由于第一外电极131和第二外电极132不设置在第二表面上，因此第一外电极131和第二外电极132可设置在主体的第二表面的延长线下方。另外，第一连接部131a和第二连接部132a可设置成与第五表面和第六表面间隔开，并且第一连接部131a和第二连接部132a可设置成与第二表面间隔开。另外，第一带部131b和第二带部132b也可设置成与第五表面和第六表面间隔开。
另一方面，当第一外电极131和第二外电极132分别包括第三带部131c和第四带部132c时，尽管绝缘层被示出为设置在第三带部131c和第四带部132c上，但是本公开不限于此。为了改善安装方便性，可在第三带部131c和第四带部132c上设置镀层。另外，第一外电极131可包括第三带部131c，第二外电极132可包括第四带部132c，但是第一外电极131和第二外电极132可不包括侧带部，并且在这种情况下，第一连接部131a和第二连接部132a以及第一带部131b、第二带部132b、第三带部131c和第四带部132c可具有与第五表面和第六表面间隔开的形式。
在本实施例中，描述了多层电子组件1000具有两个外电极131和132的结构，但是外电极131和132的数量或形状可根据内电极121和122的形状或其他用途而改变。
另一方面，外电极131和132可利用任意材料(诸如金属)形成，只要它们具有导电性即可。可在考虑电特性、结构稳定性等的情况下确定具体的材料，此外，外电极131和132可具有多层结构。
外电极131和132可以是包括导电金属和玻璃的烧制电极，或者是包括导电金属和树脂的树脂基电极。
在实施例中，外电极131和132可包括玻璃。本公开的绝缘层151包括含铪(Hf)的氧化物，并且由于含铪(Hf)的氧化物抑制了与玻璃接触的部分中的扩散的发生，从而防止了绝缘层的连续性的劣化。因此，当外电极131和132包括玻璃时，根据本公开的实施例的效果可更显著。
另外，外电极131和132可具有在主体上依次形成烧制电极和树脂基电极的形式。此外，外电极131和132通过将包含导电金属的片材转印到主体上而形成，或者可通过将包含导电金属的片材转印到烧制电极上而形成。
可使用具有优异导电性的材料作为包括在外电极131和132中的导电金属，但并不特别限定。例如，导电金属可以是Cu、Ni、Pd、Ag、Sn、Cr和它们的合金中的至少一种。详细地，外电极131和132可包括Ni和Ni合金中的至少一种，因此，可进一步改善与包括Ni的内电极121和122的连接性。
绝缘层151可设置在第一连接部131a和第二连接部132a上。
第一连接部131a和第二连接部132a是连接到内电极121和122的部分，因此可以是在镀覆工艺中镀液渗透或在实际使用期间水分渗透的路径。因此，在本公开的实施例中，由于绝缘层151设置在连接部131a和132a上，因此可防止外部水分或镀液渗透。
绝缘层151可设置成接触第一镀层141和第二镀层142。在这种情况下，绝缘层151可以按在与第一镀层141和第二镀层142的端部接触的同时部分地覆盖第一镀层141和第二镀层142的端部的形式形成，或者第一镀层141和第二镀层142可以按在与绝缘层151的端部接触的同时部分地覆盖绝缘层151的端部的形式形成。
绝缘层151可设置在第一连接部131a和第二连接部132a上，并且可设置为覆盖第二表面以及第三带部131c和第四带部132c。在这种情况下，绝缘层151可设置为覆盖第二表面上的未设置第三带部131c和第四带部132c的区域并且覆盖第三带部131c和第四带部132c。因此，绝缘层151覆盖第三带部131c和第四带部132c的端部与主体110接触的区域，以阻挡水分渗透路径，从而改善防潮可靠性。
绝缘层151可设置在第二表面上以延伸到第一连接部131a和第二连接部132a。此外，当外电极131和132不设置在第二表面上时，绝缘层可设置为完全覆盖第二表面。另一方面，绝缘层151不一定设置在第二表面上，并且绝缘层可不设置在第二表面的一部分或整个第二表面上，并且绝缘层可分成两部分并分别设置在第一连接部131a和第二连接部132a上。当绝缘层不设置在第二表面上时，绝缘层可设置在第二表面的延长线下方。另外，尽管绝缘层不设置在第二表面上，但是绝缘层可从第一连接部131a和第二连接部132a延伸到第五表面和第六表面以形成一个绝缘层。
此外，绝缘层151可设置成覆盖第一侧带部的一部分、第二侧带部的一部分、第五表面的一部分和第六表面的一部分。在这种情况下，第五表面的未被绝缘层151覆盖的部分和第六表面的未被绝缘层151覆盖的部分可暴露在外部。
另外，绝缘层151可设置为覆盖整个第一侧带部和整个第二侧带部、整个第五表面和整个第六表面，在这种情况下，由于第五表面和第六表面不暴露在外部，因此可改善防潮可靠性，并且连接部131a和132a也不直接暴露在外部，使得可改善多层电子组件1000的可靠性。详细地，绝缘层可覆盖整个第一侧带部和整个第二侧带部，并且覆盖第五表面和第六表面的除了形成第一侧带部和第二侧带部的区域之外的所有区域。
绝缘层151可用于防止镀层141和142形成在外电极131和132的其上设置有绝缘层151的区域上，并且可通过改善密封特性而起到显著减少水分或镀液从外部渗透的作用。
绝缘层151可包括含铪(Hf)的氧化物。
在现有技术中，玻璃基材料通常用于绝缘层，但是由于玻璃基材料的性质，导致难以形成均匀的膜(由于烧结期间的严重团聚)。因为在烧结工艺期间需要热量，所以在主体中可能产生应力，并且可能引起裂纹或分层。此外，当使用包含玻璃基材料的绝缘层时，使用在烧制外电极之后烧制包含玻璃基材料的绝缘层的方法，但是在烧制绝缘层的工艺中，外电极的金属材料可能扩散到内电极中，这可能引起辐射裂纹。此外，由于玻璃基材料通常具有硬质特性，因此担心即使受到小的冲击，玻璃基材料也可能破碎。
在本公开中，通过将含铪(Hf)的氧化物而不是玻璃基材料应用于绝缘层，以防止玻璃基绝缘层可能破碎的问题。含铪(Hf)的氧化物不仅具有绝缘性质，而且具有显著低的透湿性，因此，即使具有相对薄的厚度，也可确保足够的防潮可靠性和对镀液的耐酸性。另外，含铪(Hf)的氧化物抑制与玻璃接触的部分中的扩散，由此防止绝缘层的连续性劣化。因此，通过将含铪(Hf)的氧化物而不是玻璃基材料应用于绝缘层，可进一步改善防潮可靠性和对镀液的耐酸性，可防止绝缘层的连续性劣化，并且可抑制由于热收缩引起的裂纹和由于金属扩散引起的辐射裂纹。
另一方面，不需要特别限制形成绝缘层151的方法。
例如，在主体100上形成外电极131和132之后，可使用原子层沉积(ALD)形成包括含铪(Hf)的氧化物的绝缘层151。原子层沉积是在半导体工艺期间在基板的表面上沉积薄膜或保护膜的技术，并且是通过一层一层地堆叠原子层来生长薄膜的技术，这与化学涂覆薄膜的现有沉积技术不同。原子层沉积在薄膜的均匀性、阶梯覆盖率和容易控制薄膜厚度方面具有明显的优势。因此，可通过原子层沉积方法形成绝缘层151，从而形成薄且均匀的绝缘层151。
另外，绝缘层151中包括的含铪(Hf)的氧化物的类型没有特别的限制，例如可以是HfO2。
在实施例中，在绝缘层151中，铪(Hf)元素的摩尔数与除氧之外的元素的总摩尔数的比值可以为0.95或更大。例如，除了被检测为杂质的元素之外，绝缘层151可基本利用含铪(Hf)的氧化物形成。在这种情况下，含铪(Hf)的氧化物可以是HfO2。因此，可进一步改善抑制由于热收缩引起的裂纹、由于金属扩散引起的辐射裂纹等的效果以及改善防潮可靠性的效果。
在这种情况下，绝缘层151的成分可根据使用扫描电子显微镜-能量色散X射线光谱仪(SEM-EDS)观察的图像来计算。详细地，在通过将多层电子组件研磨到宽度方向(第三方向)上的中央位置来暴露长度-厚度方向截面(L-T截面)之后，可在绝缘层的在厚度方向上被分成5个相等部分的区域中的中心区域中使用EDS测量绝缘层中包括的各个元素的摩尔数，并且可计算铪(Hf)元素的摩尔数与除氧之外的元素的总摩尔数的比值。
在实施例中，绝缘层151的平均厚度t2可大于等于15nm且小于等于1000nm。当绝缘层151的平均厚度t2大于等于15nm时，绝缘层的透湿性可以为0mg/[m2天]，从而可改善防潮可靠性。
如果绝缘层151的平均厚度小于15nm，则担心可能无法充分确保抑制由于热收缩引起的裂纹和由于金属扩散引起的辐射裂纹的效果以及改善防潮可靠性的效果。绝缘层的透湿性可超过0mg/[m2天]。另一方面，如果绝缘层151的平均厚度大于1000nm，则存在绝缘层破裂的风险，绝缘层形成时间可能太长，并且随着多层电子组件的整体尺寸增加，每单位体积的电容可能降低。
绝缘层151的平均厚度t2可以是在设置在第一连接部131a和第二连接部132a上的绝缘层151上的在五个等间隔的点处测量的厚度的平均值。作为更详细的示例，平均厚度t2可以是通过以下方式获得的值：在与第一连接部131a和第二连接部132a在第一方向上的中心点、相对于第一方向上的中心点在第一方向上间隔开5μm的两个点以及相对于第一方向上的中心点在第一方向上间隔开10μm的两个点相对应的位置处测量的绝缘层的厚度值求平均值。例如，可通过使用扫描电子显微镜(SEM)扫描主体110的截面来进行测量。即使在本公开中没有描述，也可使用本领域普通技术人员理解的其他方法和/或工具。
在实施例中，还可包括设置在绝缘层151上并且包括含铝(Al)的氧化物的覆盖层。稍后将给出其更详细的描述。
在实施例中，绝缘层151设置为与第一外电极131和第二外电极132直接接触，并且第一外电极131和第二外电极132可包括导电金属和玻璃。因此，由于镀层141和142可不设置在第一外电极131和第二外电极132的外表面中的设置有绝缘层151的区域中，因此可有效地防止镀液对外电极的侵蚀。
在这种情况下，第一镀层141可被设置为覆盖绝缘层151的设置在第一外电极131上的端部，并且第二镀层142可被设置为覆盖绝缘层151的设置在第二外电极132上的端部。通过在外电极131和132上形成镀层141和142之前首先形成绝缘层151，可更可靠地抑制在形成镀层的工艺中的镀液渗透。由于在形成镀层之前形成绝缘层，因此镀层141和142可具有覆盖绝缘层151的端部的形式。
第一镀层141和第二镀层142可分别设置在第一带部131b和第二带部132b上。镀层141和142可用于改善安装特性，并且由于镀层141和142设置在带部131b和132b上，因此可显著减小安装空间，并且可通过显著减少镀液渗透到内电极中来改善可靠性。第一镀层141的一端和第二镀层142的一端可接触第一表面，并且第一镀层141的另一端和第二镀层142的另一端可接触绝缘层151。
镀层141和142的类型没有特别限制，并且可以是包括Cu、Ni、Sn、Ag、Au、Pd和它们的合金中的至少一种的镀层，并且镀层可形成为多个层。
对于镀层141和142的更详细的示例，镀层141和142可以是Ni镀层或Sn镀层，并且Ni镀层和Sn镀层可顺序地形成在第一带部131b和第二带部132b上。
在实施例中，第一镀层141和第二镀层142可延伸以分别部分地覆盖第一连接部131a和第二连接部132a。在第一内电极121和第二内电极122中，当在第一方向上从第一表面1到设置为最靠近第一表面1的内电极的平均距离被称为H1，并且在第一方向上从第一表面1的延长线到第一镀层141和第二镀层142的设置在第一连接部131a和第二连接部132a上的端部的平均距离被称为H2时，可满足H1>H2。因此，可抑制在镀覆工艺期间镀液渗透到内电极中，从而改善可靠性。
H1和H2可以是通过以下方法获得的值：在第三方向上的五个等间隔的点处，在第一方向和第二方向上切割主体110，对在获得的截面(L-T截面)中测量的值求平均值。H1可以是在每个截面中设置为最靠近第一表面1的内电极上的点处测量的值的平均值，H2可以是基于每个截面中镀层的设置在外电极上的端部测量的值的平均值，并且在测量H1和H2时，用作参考的第一表面的延长线可相同。例如，可通过使用扫描电子显微镜(SEM)扫描主体110的截面来进行测量。即使在本公开中没有描述，也可使用本领域普通技术人员理解的其他方法和/或工具。
在实施例中，第一镀层141可设置为覆盖绝缘层151的设置在第一外电极131上的端部，并且第二镀层142可设置为覆盖绝缘层151的设置在第二外电极132上的端部。因此，可通过加强绝缘层151与镀层141和142之间的结合力来改善多层电子组件1000的可靠性。
在实施例中，绝缘层151可设置为覆盖第一镀层141的设置在第一外电极131上的端部，并且绝缘层151可设置为覆盖第二镀层142的设置在第二外电极132上的端部。因此，可通过加强绝缘层151与镀层141和142之间的结合力来改善多层电子组件1000的可靠性。
在实施例中，当主体110在第二方向上的平均尺寸为L，在第二方向上从第三表面的延长线到第一带部的端部的平均距离为B1，并且在第二方向上从第四表面的延长线到第二带部的端部的平均距离为B2时，可满足0.2≤(B1/L)≤0.4和0.2≤(B2/L)≤0.4。
如果B1/L和B2/L小于0.2，则可能难以确保足够的固定强度。另一方面，如果B1/L和B2/L大于0.4，则存在可能在高电压电流下在第一带部131b和第二带部132b之间产生漏电流的风险，并且在镀覆工艺期间，存在第一带部131b和第二带部132b可能由于镀覆扩散而彼此电连接的担忧。
B1、B2和L可以是在主体110的在第三方向上的五个等间隔的点处，对在沿第一方向和第二方向切割的截面(L-T截面)中测量的值的平均值。例如，可通过使用扫描电子显微镜(SEM)扫描主体110的截面来进行测量。即使在本公开中没有描述，也可使用本领域普通技术人员理解的其他方法和/或工具。
参照示出其上安装有多层电子组件1000的安装板1100的图5，多层电子组件1000的镀层141和142可通过焊料191和192结合到设置在基板180上的电极焊盘181和182。
另一方面，当内电极121和122在第一方向上堆叠时，多层电子组件1000可水平地安装在基板180上，使得内电极121和122平行于安装表面。然而，本公开不限于水平安装的情况，并且当内电极121和122在第三方向上堆叠时，多层电子组件可垂直地安装在基板上，使得内电极121和122垂直于安装表面。
多层电子组件1000的尺寸不需要特别限制。
然而，为了同时获得小型化和高电容，介电层和内电极的厚度应该减薄以增加层数，因此，在尺寸为1005(长度×宽度，1.0mm×0.5mm)或更小的多层电子组件1000中，根据本公开的实施例的改善可靠性和每单位体积电容的效果可变得更显著。
因此，考虑到制造误差和外电极尺寸，当多层电子组件1000的长度为1.1mm或更小并且宽度为0.55mm或更小时，根据本公开的可靠性改善效果可更显著。在这种情况下，多层电子组件1000的长度表示多层电子组件1000在第二方向上的最大尺寸，并且多层电子组件1000的宽度可表示多层电子组件1000在第三方向上的最大尺寸。例如，可通过使用扫描电子显微镜(SEM)扫描主体110的截面来进行测量。即使在本公开中没有描述，也可使用本领域普通技术人员理解的其他方法和/或工具。
(示例)
下面的表1示出根据绝缘层(包括含铪(Hf)的氧化物)的平均厚度的防潮可靠性和裂纹发生的评估。
详细地，通过原子层沉积方法针对每个试验编号在聚酰亚胺(PI)膜上形成具有不同平均厚度的绝缘层，然后在100％相对湿度和41.8℃温度下测量透湿率。在这种情况下，透湿率测量装置是Mocon的“AQUATRAN 1(G)”。
此外，使用光学显微镜用肉眼观察是否存在裂纹，并且将出现裂纹的情况用“O”标记，并且将未出现裂纹的情况用“X”标记。
通过在PI膜上形成绝缘层来进行防潮可靠性评估，但是在根据各种实施例的多层电子组件1000、2000和3000的情况下，可类似地理解可从防潮可靠性评估确认的效果。
[表1]
Figure BDA0004018738180000191
试验编号1是绝缘层的平均厚度小于15nm的情况，并且可确认抑制水分渗透的效果不足。
在试验编号2至7中，当绝缘层的平均厚度为15nm或更大时，可确认透湿率为0mg/[m2天]，并且可确认抑制水分渗透的效果是显著的。
然而，在试验编号7中，绝缘层的平均厚度超过1000nm，并且在绝缘层中出现裂纹。
因此，通过将根据实施例的多层电子组件的绝缘层的平均厚度t2设定为大于等于15nm且小于等于1000nm，可阻止水分渗透以在确保优异的防潮可靠性的同时防止裂纹。
图6示意性地示出根据实施例的多层电子组件1001，并且图7是沿图6的线II-II'截取的截面图。
参照图6和图7，在根据实施例的多层电子组件1001中，第一镀层141-1和第二镀层142-1可设置在第一表面的延长线E1下方。因此，在安装期间可显著减小焊料的高度，并且可显著减小安装空间。
另外，绝缘层151-1可延伸至第一表面的延长线下方，并且可设置成接触第一镀层141-1和第二镀层142-1。
图8是根据实施例的多层电子组件1002的示意性立体图，并且图9是沿图8的线III-III'截取的截面图。
参照图8和图9，根据实施例的多层电子组件1002还可包括设置在第一表面1上并且设置在第一带部131b和第二带部132b之间的附加绝缘层161。因此，可防止在高压电流下可能在第一带部131b和第二带部132b之间出现漏电流。
附加绝缘层161的类型不需要特别限制。例如，附加绝缘层161可像绝缘层151那样包括含铪(Hf)的氧化物。然而，不需要将附加绝缘层161和绝缘层151限制为相同的材料，并且附加绝缘层161和绝缘层151可利用不同的材料形成。例如，附加绝缘层161可包括选自环氧树脂、丙烯酸树脂、乙基纤维素等中的至少一种，或者可包括玻璃。
图10是根据实施例的多层电子组件1003的示意性立体图，并且图11是沿图10的线IV-IV'截取的截面图。
参照图10和图11，在根据实施例的多层电子组件1003中，当在第一方向上从第一表面1到第一内电极121和第二内电极122中设置为最靠近第一表面1的内电极的平均距离是H1，并且在第一方向上从第一表面1的延长线到镀层141-3和142-3的设置在第一连接部131a和第二连接部132a上的端部的平均距离是H2时，可满足H1<H2。因此，通过在安装期间增加与焊料接触的面积，可改善固定强度。
详细地，当主体110在第一方向上的平均尺寸为T时，可满足H2<(T/2)。例如，可满足H1<H2<(T/2)。如果H2为T/2或更大，则存在通过绝缘层改善防潮可靠性的效果劣化的可能性。
H1、H2和T可以是通过以下方法获得的值：在第三方向上五个等间隔的点处，在第一方向和第二方向上切割主体110，对在获得的截面(L-T截面)中测量的值求平均值。H1可以是在每个截面中设置为最靠近第一表面1的内电极上的点处测量的值的平均值，H2可以是基于每个截面中镀层的设置在外电极上的端部测量的值的平均值，并且在测量H1和H2时，用作参考的第一表面的延长线可相同。例如，可通过使用扫描电子显微镜(SEM)扫描主体110的截面来进行测量。即使在本公开中没有描述，也可使用本领域普通技术人员理解的其他方法和/或工具。另外，T可以是在每个截面中测量主体110在第一方向上的最大尺寸之后获得的平均值。
图12是根据实施例的多层电子组件1004的示意性立体图，并且图13是沿图12的线V-V'截取的截面图。
参照图12和图13，在根据实施例的多层电子组件1004中，第一带部131b-4的平均长度B1可长于第三带部131c-4的平均长度B3，并且第二带部132b-4的平均长度B2可长于第四带部132c-4的平均长度B4。因此，通过在安装期间增加与焊料接触的面积，可改善固定强度。
更详细地，当在第二方向上从第三表面3的延长线E3到第一带部131b-4的端部的平均距离为B1，在第二方向上从第四表面4的延长线E4到第二带部132b-4的端部的平均距离为B2，在第二方向上从第三表面3的延长线E3到第三带部131c-4的端部的平均距离为B3，并且在第二方向上从第四表面4的延长线E4到第四带部132c-4的端部的平均距离为B4时，可满足B3<B1和B4<B2。
在这种情况下，当主体110在第二方向上的平均尺寸为L时，可满足0.2≤(B1/L)≤0.4和0.2≤(B2/L)≤0.4。
B1、B2、B3、B4和L可以是通过以下方法获得的值：在第三方向上五个等间隔的点处，对在沿第一方向和第二方向切割的截面(L-T截面)中测量的值求平均值。例如，可通过使用扫描电子显微镜(SEM)扫描主体110的截面来进行测量。即使在本公开中没有描述，也可使用本领域普通技术人员理解的其他方法和/或工具。
另外，第一外电极131-4可包括从第一连接部131a-4延伸到第五表面的一部分和第六表面的一部分上的第一侧带部，并且第二外电极132-4可包括从第二连接部132a-4延伸到第五表面的一部分和第六表面的一部分上的第二侧带部。在这种情况下，第一侧带部和第二侧带部在第二方向上的尺寸可随着它们接近第一表面而逐渐增大。例如，第一侧带部和第二侧带部可以按锥形形状或梯形形状设置。
此外，当在第二方向上从第三表面的延长线到第三带部131c-4的端部的平均距离为B3，在第二方向上从第四表面的延长线到第四带部132c-4的端部的平均距离为B4，第三表面与第二内电极122间隔开的区域在第二方向上的平均尺寸为G1，并且第四表面与第一内电极121间隔开的区域在第二方向上的平均尺寸为G2时，可满足B3≤G1和B4≤G2。因此，可通过显著减小由外电极占据的体积来增加多层电子组件1004的每单位体积的电容。
对于通过从第三方向上的中央沿第一方向和第二方向切割主体而获得的截面中的G1和G2，可将通过对相对于在第一方向上位于中央部中的五个第二内电极测量的与第三表面间隔开的区域在第二方向上的尺寸求平均值而获得的值定义为G1，并且可将通过对相对于在第一方向上位于中央部中的五个任意第一内电极测量的与第四表面间隔开的区域在第二方向上的尺寸求平均值而获得的值定义为G2。例如，可通过使用扫描电子显微镜(SEM)扫描主体110的截面来进行测量。即使在本公开中没有描述，也可使用本领域普通技术人员理解的其他方法和/或工具。
此外，在沿第三方向五个等间隔的点处，在沿第一方向和第二方向切割的截面(L-T截面)上可获得G1和G2，然后可对G1和G2求平均值以使其更一般化。
然而，并不意在将本公开限制为B3≤G1和B4≤G2，即使当满足B3≥G1和B4≥G2时，这也可被包括作为本公开的实施例。因此，在实施例中，当在第二方向上从第三表面的延长线到第三带部的端部的平均距离为B3，在第二方向上从第四表面的延长线到第四带部的端部的平均距离为B4，第三表面与第二内电极间隔开的区域在第二方向上的平均尺寸为G1，并且第四表面与第一内电极间隔开的区域在第二方向上的平均尺寸为G2时，可满足B3≥G1和B4≥G2。
在实施例中，当在第二方向上从第三表面的延长线到第一带部的端部的平均距离为B1，并且在第二方向上从第四表面的延长线到第二带部的端部的平均距离为B2时，可满足B1≥G1和B2≥G2。因此，可改善多层电子组件1004与基板180的结合强度。
图14是根据实施例的多层电子组件1005的示意性立体图，并且图15是沿图14的线VI-VI'截取的截面图。
参照图14和图15，根据实施例的多层电子组件1005的第一外电极131-5和第二外电极132-5不设置在第二表面上，并且可设置在第三表面、第四表面和第一表面上以具有L形。例如，第一外电极131-5和第二外电极132-5可设置在第二表面的延长线下方。
第一外电极131-5可包括设置在第三表面3上的第一连接部131a-5和从第一连接部131a-5延伸到第一表面1的一部分上的第一带部131b-5。第二外电极132-5可包括设置在第四表面4上的第二连接部132a-5和从第二连接部132a-5延伸到第一表面1的一部分上的第二带部132b-5。由于外电极131-5和132-5不设置在第二表面2上，因此绝缘层151-5可设置为覆盖整个第二表面2。因此，由外电极131-5和132-5占据的体积可显著减小。可进一步改善多层电子组件1005的每单位体积的电容。然而，不需要将绝缘层151-5限制为覆盖整个第二表面2的形式，并且绝缘层可具有绝缘层不覆盖第二表面2的一部分或不覆盖整个第二表面2，而是被分离以分别覆盖第一连接部131a-5和第二连接部132a-5的形式。
另外，绝缘层151-5设置为覆盖第五表面的一部分和第六表面的一部分，以进一步改善可靠性。在这种情况下，第五表面和第六表面的未被绝缘层151-5覆盖的部分可暴露在外部。
此外，绝缘层151-5可设置为覆盖整个第五表面和整个第六表面，在这种情况下，由于第五表面和第六表面没有暴露在外部，因此可进一步改善防潮可靠性。
第一镀层141-5可设置在第一带部131b-5上，第二镀层142-5可设置在第二带部132b-5上，并且第一镀层141-5和第二镀层142-5可设置成延伸到第一连接部132a-5的一部分和第二连接部132a-5的一部分上。
在这种情况下，外电极131-5和132-5甚至可不设置在第五表面5和第六表面6上。例如，外电极131-5和132-5可仅设置在第三表面、第四表面和第一表面上。
当在第一方向上从第一表面1到第一内电极121和第二内电极122中的设置为最靠近第一表面1的内电极的平均距离为H1，并且在第一方向上从第一表面1的延长线到镀层141-5和142-5的设置在第一连接部131a-5和第二连接部132a-5上的端部的平均距离为H2时，可满足H1<H2。因此，可通过在安装期间增加与焊料接触的面积来改善固定强度，并且通过增加外电极131-5和132-5与镀层141-5和142-5之间的接触面积，可抑制等效串联电阻(ESR)的增加。
详细地，当主体110在第一方向上的平均尺寸为T时，可满足H2<(T/2)。例如，可满足H1<H2<(T/2)。如果H2为T/2或更大，则存在通过绝缘层改善防潮可靠性的效果劣化的可能性。
此外，第一镀层141-5和第二镀层142-5可设置为覆盖绝缘层151-1的在第三表面和第四表面上的一部分。例如，镀层141-5和142-5可设置为覆盖绝缘层151-5的在第三表面和第四表面上的端部。因此，可加强绝缘层151-5与镀层141-5和142-5之间的结合力，并且可改善多层电子组件1005的可靠性。
此外，绝缘层151-5可设置为覆盖第一镀层141-5的在第三表面上的一部分和第二镀层142-5的在第四表面上的一部分。例如，绝缘层151-5可设置为覆盖镀层141-5和142-5的在第三表面和第四表面上的端部。因此，可通过加强绝缘层151-5与镀层141-5和142-5之间的结合力来改善多层电子组件1005的可靠性。
图16示出图14的修改示例。参照图16，示出根据实施例的多层电子组件1005的修改示例(多层电子组件1006)。第一附加电极层134可设置在第一连接部131a-6与第三表面之间，并且第二附加电极层135可设置在第二连接部132a-6与第四表面之间。第一附加电极层134可设置在不超出第三表面的范围内，并且第二附加电极层135可设置在不超出第四表面的范围内。第一附加电极层134和第二附加电极层135可改善内电极121和122与外电极131-6和132-6之间的电连接性，并且第一附加电极层134和第二附加电极层135与外电极131-6和132-6具有优异的结合强度，从而用于进一步改善外电极131-6和132-6的机械结合力。
第一外电极131-6和第二外电极132-6可具有其中第一外电极和第二外电极不设置在第二表面上的L形状。
第一外电极131-6可包括设置在第一附加电极层134上的第一连接部131a-6以及从第一连接部131a-6延伸到第一表面1的一部分上的第一带部131b-6。第二外电极132-6可包括设置在第二附加电极层135上的第二连接部132a-6以及从第二连接部132a-6延伸到第一表面1的一部分上的第二带部132b-6。
另一方面，第一附加电极层134和第二附加电极层135可利用任意材料(诸如金属)形成，只要它们具有导电性即可，并且可考虑电特性和结构稳定性来确定具体材料。另外，第一附加电极层134和第二附加电极层135可以是包含导电金属和玻璃的烧制电极，或者是包含导电金属和树脂的树脂基电极。另外，第一附加电极层134和第二附加电极层135可通过将包括导电金属的片材转印到主体上来形成。
作为包含在第一附加电极层134和第二附加电极层135中的导电金属，可使用具有优异导电性的材料，但不受特别限制。例如，导电金属可以是Cu、Ni、Pd、Ag、Sn、Cr和它们的合金中的至少一种。详细地，第一附加电极层134和第二附加电极层135可包括Ni和Ni合金中的至少一种，因此，可进一步改善与包括Ni的内电极121和122的连接性。
图17是根据实施例的多层电子组件1007的示意性立体图，并且图18是沿图17的线VII-VII'截取的截面图。
参照图17和图18，根据实施例的多层电子组件1007的第一镀层141-6和第二镀层142-6的平均厚度t1可小于绝缘层151-6的平均厚度t2。
绝缘层151-6用于防止外部水分渗透或镀液渗透，并且与镀层141-6和142-6的不良连接可能导致镀层141-6和142-6的分层。当镀层分层时，会降低与基板180的粘附强度。在这种情况下，镀层141-6和142-6的分层可表示镀层与外电极131-5和132-5部分分离或物理分离。因为镀层与绝缘层之间的连接性相对较弱，所以绝缘层与镀层之间的间隙将变宽或者异物将渗透的可能性很高。因为镀层易受外部冲击等影响，所以分层的可能性可能增加。
根据实施例，镀层的平均厚度t1小于绝缘层的平均厚度t2。可减小镀层与绝缘层之间的接触面积。因此，抑制分层的发生并且可改善多层电子组件1000与基板180的结合强度。
第一镀层141-6和第二镀层142-6的平均厚度t1可以是通过对分别设置在第一连接部131a-5和第二连接部132a-5或者分别设置在第一带部131b-5和第二带部132b-5上的第一镀层141-6和第二镀层142-6上的五个等距点处测量的厚度求平均值而获得的值，并且绝缘层151-6的平均厚度t2可以是通过对在设置在第一连接部131a-5和第二连接部132a-5上的绝缘层上的五个等间隔的点处测量的厚度求平均值而获得的值。例如，可通过使用扫描电子显微镜(SEM)扫描主体110的截面来进行测量。即使在本公开中没有描述，也可使用本领域普通技术人员理解的其他方法和/或工具。
图19是根据实施例的多层电子组件1008的示意性立体图。图20是沿图18的线XIV-XIV'截取的截面图。
参照图19和图20，包括含铝(Al)的氧化物的覆盖层171可设置在根据实施例的多层电子组件1008的绝缘层151-7上。
含铝(Al)的氧化物可能在与玻璃接触的部分中引起扩散，并且在包括玻璃的外电极上利用含铝(Al)的氧化物形成绝缘层的情况下，绝缘层的连续性可能由于扩散而劣化。详细地，在高温环境中使用多层电子组件的情况下，由于扩散可能频繁发生，因此在绝缘层利用含铝(Al)的氧化物形成的情况下，存在高温环境中不能保证防潮可靠性的担忧。
根据本公开的实施例，由于包括含铝(Al)的氧化物的覆盖层171设置在包括含铪(Hf)的氧化物的绝缘层151-7上，因此即使当外电极131和132包括玻璃时，也可防止覆盖层171的连续性劣化，从而即使在高温环境中也确保优异的防潮可靠性。另外，即使在覆盖层171中出现裂纹的情况下，绝缘层151-7也可用于防止裂纹扩展到第一外电极131和第二外电极132以及主体110中，从而抑制裂纹的出现。
在实施例中，包括在绝缘层151-7中的含铪(Hf)的氧化物可以是HfO2，并且包括在覆盖层171中的含铝(Al)的氧化物可以是Al2O3。
在实施例中，在绝缘层151-7中，铪(Hf)元素的摩尔数与除氧之外的元素的总摩尔数的比值可以为0.95或更大，并且在覆盖层171中，铝(Al)元素的摩尔数与除氧之外的元素的总摩尔数的比值可以是0.95或更大。例如，如果排除被检测为杂质的元素，则绝缘层151-7可基本上利用含铪(Hf)的氧化物形成，并且覆盖层171可基本上利用铝(Al)形成。因此，可进一步改善抑制由于热收缩引起的裂纹、由于金属扩散引起的辐射裂纹等的效果以及改善防潮可靠性的效果。
在这种情况下，可利用与分析绝缘层的成分的上述方法相同的方式分析覆盖层171的成分。
图21是根据实施例的多层电子组件2000的示意性立体图。图22是沿图21的线VIII-VIII'截取的截面图。
在下文中，将参照图21和图22详细描述根据实施例的多层电子组件2000。然而，可省略与上述内容重复的内容，以避免重复描述。
根据实施例的多层电子组件2000可包括：主体110，包括介电层111、第一内电极121和第二内电极122，第一内电极121和第二内电极122交替设置且介电层介于其间，并且主体110具有在第一方向上彼此相对的第一表面1和第二表面2、连接到第一表面和第二表面并在第二方向上彼此相对的第三表面3和第四表面4、以及连接到第一表面至第四表面并在第三方向上彼此相对的第五表面5和第六表面6；第一外电极231，包括设置在第三表面上的第一连接电极231a和设置在第一表面上并连接到第一连接电极的第一带电极231b；第二外电极232，包括设置在第四表面上的第二连接电极232a和设置在第一表面上并连接到第二连接电极的第二带电极232b；第一绝缘层251，设置在第一连接电极上；第二绝缘层252，设置在第二连接电极上；第一镀层241，设置在第一带电极上；以及第二镀层242，设置在第二带电极上。第一绝缘层251和第二绝缘层252可包括含铪(Hf)的氧化物。
第一连接电极231a可设置在第三表面3上并连接到第一内电极121，并且第二连接电极232a可设置在第四表面4上以连接到第二内电极122。另外，第一绝缘层251设置在第一连接电极231a上，并且第二绝缘层252可设置在第二连接电极232a上。
在现有技术中，当形成外电极时，主要使用将主体的暴露内电极的表面浸入包括导电金属的膏中的方法。然而，在通过浸渍法形成外电极的情况下，外电极的在厚度方向上的中央部中的厚度可能太厚。此外，即使根据该浸渍法不存在外电极的厚度不均匀的问题，也因为内电极暴露于主体的第三表面和第四表面，所以为了抑制水分和镀液通过外电极的渗透，外电极的设置在第三表面和第四表面上的部分的厚度形成为一定水平或更大。
此外，在本公开中，由于绝缘层251和252设置在连接电极231a和232a上，因此即使当内电极暴露到的第三表面和第四表面上的连接电极231a和232a的厚度相对减小时，也可确保足够的可靠性。
第一连接电极231a和第二连接电极232a可分别具有与第三表面和第四表面对应的形状，并且第一连接电极231a和第二连接电极232a的面向主体110的表面可分别具有与主体110的第三表面和第四表面的面积相同的面积。第一连接电极231a和第二连接电极232a可分别设置在不超出第三表面3和第四表面4的范围内。连接电极231a和232a可设置成不延伸到主体110的第一表面1、第二表面2、第五表面5和第六表面6。详细地，在实施例中，第一连接电极231a和第二连接电极232a可设置成与第五表面和第六表面间隔开。因此，在确保内电极121和122与外电极231和232之间的充分连接的同时，外电极所占据的体积显著减小。可增加多层电子组件2000的每单位体积的电容。
在这方面，第一连接电极231a和第二连接电极232a可设置成与第二表面2间隔开。例如，由于外电极231和232没有设置在第二表面上，因此通过进一步显著减小外电极231和232所占据的体积，可进一步增加多层电子组件2000的每单位体积的电容。
然而，连接电极231a和232a可延伸到主体110的拐角并且包括设置在拐角上的拐角部。例如，在实施例中，第一连接电极包括设置成延伸到1-3拐角和2-3拐角上的拐角部，并且第二连接电极可包括延伸到1-4拐角和2-4拐角上的拐角部。
另外，连接电极231a和232a可具有比通过现有技术的浸渍法形成的外电极更均匀且更薄的厚度。
形成连接电极231a和232a的方法不需要特别限制，例如，连接电极231a和232a可通过将包括导电金属和有机材料(诸如粘合剂)的片材转印到第三表面和第四表面来形成，但是本公开不限于此。例如，连接电极231a和232a可通过用导电金属镀覆第三表面和第四表面来形成。例如，连接电极231a和232a可以是通过烧制导电金属形成的烧制层或镀层。
连接电极231a和232a的厚度没有特别限制，但可以是例如2μm至7μm。在这种情况下，连接电极231a和232a的厚度可指示最大厚度，并且可指示连接电极231a和232a在第二方向上的尺寸。
在实施例中，第一连接电极231a和第二连接电极232a可包括玻璃以及与内电极121和122中包括的金属相同的金属。由于第一连接电极231a和第二连接电极232a包括与内电极121和122中包括的金属相同的金属，因此可更好地改善与内电极121和122的电连接，并且由于第一连接电极231a和第二连接电极232a包括玻璃，因此可改善与主体110和/或绝缘层251和252的结合力。在这种情况下，与内电极121和122中包括的金属相同的金属可以是Ni。
第一绝缘层251和第二绝缘层252可分别设置在第一连接电极231a和第二连接电极232a上，并且用于防止在第一连接电极231a和第二连接电极232a上形成镀层。另外，第一绝缘层251和第二绝缘层252可用于通过改善密封特性来显著减少水分或镀液从外部的渗透。
第一绝缘层251和第二绝缘层252可包括含铪(Hf)的氧化物。因此，可进一步改善防潮可靠性，并且可抑制由于热收缩引起的裂纹和由于金属扩散引起的辐射裂纹。
第一带电极231b和第二带电极232b可设置在主体110的第一表面1上。第一带电极231b和第二带电极232b分别与第一连接电极231a和第二连接电极232a接触，以电连接到第一内电极121和第二内电极122。
通过现有技术的浸渍法形成的外电极较厚地形成在第三表面和第四表面上，并且部分地延伸到第一表面、第二表面、第五表面和第六表面，从而引起难以确保高的有效体积比的问题。
此外，根据本公开的实施例，第一连接电极231a和第二连接电极232a设置在主体110的内电极暴露到的表面上，并且第一带电极231b和第二带电极232b设置在主体110的将安装在基板上的表面上，从而确保相对高的有效体积比。
另一方面，当内电极121和122在第一方向上堆叠时，多层电子组件2000可水平地安装在基板上，使得内电极121和122平行于安装表面。然而，本公开不限于水平安装的情况，并且当内电极121和122在第三方向上堆叠时，多层电子组件可垂直地安装在基板上，使得内电极121和122垂直于安装表面。
第一带电极231b和第二带电极232b可利用任意材料(诸如金属)形成，只要它们具有导电性即可，并且可考虑电特性、结构稳定性等来确定具体材料。例如，第一带电极231和第二带电极232b可以是包括导电金属和玻璃的烧制电极，并且可使用将包括导电金属和玻璃的膏涂覆到主体的第一表面的方法来形成，但是本公开不限于此。例如，第一带电极231和第二带电极232b可以是其中导电金属镀覆在主体的第一表面上的镀覆电极。
作为包括在第一带电极231b和第二带电极232b中的导电金属，可使用具有优异导电性的材料，并且不受特别限制。例如，导电金属可以是镍(Ni)、铜(Cu)和它们的合金中的至少一种，并且可包括与内电极121和122中包括的金属相同的金属。
另一方面，在实施例中，第一外电极231还可包括设置在第二表面2上并连接到第一连接电极231a的第三带电极(未示出)，并且第二外电极232还可包括设置在第二表面2上并连接到第二连接电极232a的第四带电极(未示出)。
在实施例中，当从第三表面的延长线E3到第一带电极231b的端部的距离为B1，从第四表面的延长线E4到第二带电极232b的端部的距离为B2，从第三表面的延长线到第三带电极(未示出)的端部的距离为B3，从第四表面的延长线到第四带电极(未示出)的端部的距离为B4，其中第三表面与第二内电极122间隔开的区域在第二方向上的平均尺寸为G1，并且其中第四表面与第一内电极121间隔开的区域在第二方向上的平均尺寸为G2时，可满足B1≥G1、B3≤G1、B2≥G2和B4≤G2。因此，外电极所占据的体积显著减小，以增加多层电子组件2000的每单位体积的电容，同时，可增加在安装时与焊料接触的面积，从而改善结合强度。
然而，并不意在将本公开限制于B1≥G1、B3≤G1、B2≥G2和B4≤G2，并且满足B1≥G1、B3≥G1、B2≥G2和B4≥G2的情况也可包括在本公开的实施例中。因此，在实施例中，当从第三表面的延长线E3到第一带电极231b的端部的距离为B1，从第四表面的延长线E4到第二带电极232b的端部的距离为B2，从第三表面的延长线到第三带电极(未示出)的端部的距离为B3，从第四表面的延长线到第四带电极(未示出)的端部的距离为B4，其中第三表面与第二内电极122间隔开的区域在第二方向上的平均尺寸为G1，并且其中第四表面与第一内电极121间隔开的区域在第二方向上的平均尺寸为G2时，可满足B1≥G1、B3≥G1、B2≥G2和B4≥G2。因此，第一表面和第二表面中的任意一个可用作安装表面，因此可改善安装便利性。
第一镀层241和第二镀层242可设置在第一带电极231b和第二带电极232b上。第一镀层241和第二镀层242用于改善安装特性。第一镀层241和第二镀层242的类型没有特别限制，并且可以是包括Ni、Sn、Pd和它们的合金中的至少一种的镀层，并且可由多个层形成。
对于第一镀层241和第二镀层242的更详细的示例，第一镀层241和第二镀层242可以是Ni镀层或Sn镀层，并且Ni镀层和Sn镀层可顺序地形成在第一带电极231b和第二带电极232b上。
在实施例中，第一镀层241和第二镀层242可延伸以分别部分地覆盖第一连接电极231a和第二连接电极232a。
当在第一方向上从第一表面1到第一内电极121和第二内电极122中设置为最靠近第一表面1的内电极的平均距离为H1，并且在第一方向上从第一表面1的延长线到第一镀层241和第二镀层242的设置在第一连接电极231a和第二连接电极232a上的端部的平均距离为H2时，可满足H1>H2。因此，可抑制在镀覆工艺期间镀液渗透到内电极中，从而改善可靠性。
在实施例中，第一绝缘层251和第二绝缘层252被设置为分别与第一连接电极231a和第二连接电极232a直接接触，并且第一连接电极231a和第二连接电极232a可包括导电金属和玻璃。因此，镀层241和242可不设置在第一连接电极231a和第二连接电极232a的外表面中的设置有绝缘层251和252的区域上，并且可有效地防止镀液对外电极的侵蚀。
在实施例中，第一绝缘层251和第二绝缘层252可设置为分别与第一连接电极231a和第二连接电极232a直接接触，并且第一连接电极231a和第二连接电极232a可包括导电金属和树脂。因此，在第一连接电极231a和第二连接电极232a的外表面中的设置有绝缘层251和252的区域中，由于可不设置镀层241和242，因此可有效地抑制镀液对外电极的侵蚀。
在实施例中，第一镀层241被设置为覆盖第一绝缘层251的设置在第一外电极231上的端部，并且第二镀层242可被设置为覆盖第二绝缘层252的设置在第二外电极232上的端部。因此，可通过加强绝缘层251和252与镀层241和242之间的结合力来改善多层电子组件2000的可靠性。另外，通过在外电极231和232上形成镀层241和242之前首先形成第一绝缘层251和第二绝缘层252，可更可靠地抑制在形成镀层的工艺中的镀液渗透。由于在形成镀层之前形成绝缘层，因此镀层241和242可具有覆盖绝缘层251和252的端部的形状。
在实施例中，第一绝缘层251可被设置为覆盖第一镀层241的设置在第一外电极231上的端部，并且第二绝缘层252可被设置为覆盖第二镀层242的设置在第二外电极232上的端部。因此，可通过加强绝缘层251和252与镀层241和242之间的结合力来改善多层电子组件2000的可靠性。
图23示出图21的修改示例。参照图23，示出根据实施例的多层电子组件2000的修改示例(多层电子组件2001)。第一绝缘层251-1和第二绝缘层252-1延伸到第五表面5和第六表面6并且彼此连接，从而连接为一个绝缘层253-1。在这种情况下，连接的第一绝缘层和第二绝缘层(绝缘层253-1)可设置为覆盖第五表面的一部分和第六表面的一部分。
图24是根据实施例的多层电子组件2002的示意性立体图。图25是沿图24的线IX-IX'截取的截面图。
参照图24和图25，在根据实施例的多层电子组件2002中，第一镀层241-2和第二镀层242-2可设置在第一表面的延长线下方。因此，在安装期间可显著减小焊料的高度，并且可显著减小安装空间。
另外，第一绝缘层251-2和第二绝缘层252-2可延伸到第一表面的延长线下方，并且可被设置成接触第一镀层241-2和第二镀层242-2。
图26示出图24的修改示例。参照图26，示出根据实施例的多层电子组件2002的修改示例(多层电子组件2003)。第一绝缘层251-3和第二绝缘层252-3延伸到第五表面5和第六表面6并且彼此连接，从而连接为一个绝缘层253-3。在这种情况下，连接的第一绝缘层和第二绝缘层(绝缘层253-3)可设置为覆盖整个第五表面和整个第六表面。
图27示意性地示出根据实施例的多层电子组件2004。图28是沿图27的线X-X'截取的截面图。
参照图27和图28，根据实施例的多层电子组件2004还可包括设置在第一表面1上并且设置在第一带电极231b和第二带电极232b之间的附加绝缘层261。因此，可防止在高电压电流下可能在第一带电极231b和第二带电极232b之间发生的泄漏电流。
附加绝缘层261的类型不需要特别限制。例如，类似于第一绝缘层251-2和第二绝缘层252-2，附加绝缘层261可包括含铪(Hf)的氧化物。然而，不必将附加绝缘层261以及第一绝缘层251-2和第二绝缘层252-2限制为相同的材料，并且附加绝缘层261以及第一绝缘层251-2和第二绝缘层252-2可形成为具有不同的材料。例如，附加绝缘层261可包括选自环氧树脂、丙烯酸树脂、乙基纤维素等中的至少一种，或者可包括玻璃。
图29示出图27的修改示例。参照图29，示出根据实施例的多层电子组件2004的修改示例(多层电子组件2005)。第一绝缘层251-5和第二绝缘层252-5延伸到第五表面5和第六表面6，并且彼此连接以连接为一个绝缘层253-5。
图30是根据实施例的多层电子组件2006的示意性立体图。图31是沿图30的线XI-XI'截取的截面图。
参照图30和图31，根据实施例的多层电子组件2006包括设置在第一连接电极231a上的第一绝缘层251-6和设置在第二连接电极232a上的第二绝缘层252-6。当在第一方向上从第一表面1到第一内电极121和第二内电极122中设置为最靠近第一表面1的内电极的平均距离为H1，并且在第一方向上从第一表面1的延长线到第一镀层241-6和第二镀层242-6的设置在第一连接电极231a和第二连接电极232a上的端部的平均距离为H2时，可满足H1<H2。因此，通过在安装期间增加与焊料接触的面积，可改善固定强度。
详细地，当主体110在第一方向上的平均尺寸为T时，可满足H2<(T/2)。例如，可满足H1<H2<(T/2)。如果H2为T/2或更大，则存在绝缘层的防潮可靠性改善效果劣化的可能性。
图32示出图30的修改示例。参照图32，示出根据实施例的多层电子组件2006的修改示例2007。第一绝缘层251-7和第二绝缘层252-7延伸到第五表面5和第六表面6，并且彼此连接以连接为一个绝缘层253-7。
图33是根据实施例的多层电子组件2008的示意性立体图。图34是沿图33的线XII-XII'截取的截面图。
参照图33和图34，在根据实施例的多层电子组件2008中，第一绝缘层251-8和第二绝缘层252-8可延伸到第二表面2、第五表面5和第六表面6，并且可彼此连接以连接为一个绝缘层253-8。如图33所示，多层电子组件2008可具有绝缘层253-8覆盖整个第二表面并且仅部分地覆盖第五表面和第六表面的形式。
图35是根据实施例的多层电子组件2009的示意性立体图。图36是沿图35的线XIII-XIII'截取的截面图。
参照图35和图36，根据实施例的多层电子组件2009的第一镀层241-9和第二镀层242-9的平均厚度t1'可小于第一绝缘层251-9和第二绝缘层252-9的平均厚度t2'。
根据实施例，由于第一镀层241-9和第二镀层242-9的平均厚度t1'小于第一绝缘层251-9和第二绝缘层252-9的平均厚度t2'，因此可减小镀层与绝缘层之间的接触面积。因此，抑制了分层的发生，并且可改善多层电子组件2009与基板180的结合强度。
第一镀层241-9和第二镀层242-9的平均厚度t1'可以是在分别设置在第一连接电极231a和第二连接电极232a上或者分别设置在第一带电极231b和第二带电极232b上的第一镀层241-9和第二镀层242-9上的五个等间隔的点处测量的厚度的平均值，并且绝缘层251-9和252-9的平均厚度t2'可以是在分别设置在第一连接电极231a和第二连接电极232a上的绝缘层251-9和252-9上的五个等间隔的点处测量的厚度的平均值。例如，可通过使用扫描电子显微镜(SEM)扫描主体110的截面来进行测量。即使在本公开中没有描述，也可使用本领域普通技术人员理解的其他方法和/或工具。
图37示出图35的修改示例。参照图37，示出根据实施例的多层电子组件2009的修改示例(多层电子组件2010)。第一绝缘层251-10和第二绝缘层252-10延伸到第五表面5和第六表面6，并且彼此连接以连接为一个绝缘层253-10。
图38是根据实施例的多层电子组件2011的示意性立体图。图39是沿图38的线XV-XV'截取的截面图。
参照图38和图39，在根据实施例的多层电子组件2011的第一绝缘层251-11和第二绝缘层252-11上，可设置各自包括绝缘材料的第一覆盖层271和第二覆盖层272。
包括含铝(Al)的氧化物的第一覆盖层271和第二覆盖层272设置在包括含铪(Hf)的氧化物的第一绝缘层251-11和第二绝缘层252-11上，因此，即使当第一外电极231和第二外电极232包括玻璃时，也可防止第一覆盖层271和第二覆盖层272的连续性劣化，并且即使在高温环境中也可确保优异的防潮可靠性。另外，即使在第一覆盖层271和第二覆盖层272中发生裂纹的情况下，第一绝缘层251-11和第二绝缘层252-11也可用于防止裂纹扩展到第一外电极231和第二外电极232以及主体110中，从而抑制裂纹的发生。
在实施例中，包括在第一绝缘层251-11和第二绝缘层252-11中的含铪(Hf)的氧化物可以是HfO2，并且包括在第一覆盖层271和第二覆盖层272中的含铝(Al)的氧化物可以是Al2O3。
在实施例中，在第一绝缘层251-11和第二绝缘层252-11中，铪(Hf)元素的摩尔数与除氧之外的元素的总摩尔数的比值可以是0.95或更大，并且在第一覆盖层271和第二覆盖层272中，铝(Al)元素的摩尔数与除氧之外的元素的总摩尔数的比值可以为0.95或更大。例如，如果排除被检测为杂质的元素，则第一绝缘层251-11和第二绝缘层252-11可基本上利用含铪(Hf)的氧化物形成，并且第一覆盖层271和第二覆盖层272可基本上利用铝(Al)形成。因此，可进一步改善抑制由于热收缩引起的裂纹、由于金属扩散引起的辐射裂纹等的效果以及改善防潮可靠性的效果。
在这种情况下，可利用与分析绝缘层的成分的上述方法相同的方式分析第一覆盖层271和第二覆盖层272的成分。
图40是示出根据实施例的多层电子组件3000的示意性立体图。图41是沿图40的线XVI-XVI'截取的截面图。图42是图41的区域K1的放大图。
参照图40至图42，根据实施例的多层电子组件3000包括：主体110，包括介电层111以及第一内电极121和第二内电极122，第一内电极121和第二内电极122交替设置且介电层介于其间，并且主体110具有在第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面、连接到第一表面和第二表面并在第二方向上彼此相对的第三表面和第四表面以及连接到第一表面至第四表面并在第三方向上彼此相对的第五表面和第六表面；第一外电极331，包括设置在主体的第三表面上的第一连接部331a、从第一连接部延伸到第一表面的一部分上的第一带部331b以及从第一连接部延伸到主体的连接第二表面和第三表面的拐角的第一拐角部331c；第二外电极332，包括设置在主体的第四表面上的第二连接部332a、从第二连接部延伸到第一表面的一部分上的第二带部332b以及从第二连接部延伸到主体的连接第二表面和第四表面的拐角的第二拐角部332c；绝缘层351，设置在第一连接部331a和第二连接部332a上并且设置成覆盖第二表面以及第一拐角部和第二拐角部；第一镀层341，设置在第一带部上；以及第二镀层342，设置在第二带部上。第一绝缘层和第二绝缘层可包括含铪(Hf)的氧化物。
在实施例中，当在第二方向上从第三表面的延长线到第一拐角部331c的端部的平均距离为B3，在第二方向上从第四表面的延长线到第二拐角部332c的端部的平均距离为B4，第三表面与第二内电极间隔开的区域在第二方向上的平均尺寸为G1，并且第四表面与第一内电极间隔开的区域在第二方向上的平均尺寸为G2时，可满足B3≤G1和B4≤G2。因此，通过显著减小外电极331和332所占据的体积，可增加多层电子组件3000的每单位体积的电容。
在这种情况下，当在第二方向上从第三表面的延长线到第一带部331b的端部的平均距离为B1，并且在第二方向上从第四表面的延长线到第二带部332b的端部的平均距离为B2时，可满足B1≥G1和B3≥G2。因此，通过在安装期间增加与焊料接触的面积，可改善固定强度。
根据实施例的多层电子组件3000可包括主体110，主体110包括介电层111以及第一内电极121和第二内电极122，第一内电极121和第二内电极122交替设置且介电层介于其间，并且主体110具有在第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面、连接到第一表面和第二表面并且在第二方向上彼此相对的第三表面和第四表面以及连接到第一表面至第四表面并且在第三方向上彼此相对的第五表面和第六表面。除了主体的第一表面或第二表面的端部具有收缩形状之外(如稍后将描述)，多层电子组件3000的主体110可具有与多层电子组件1000的主体110的构造相同的构造。
外电极331和332可设置在主体110的第三表面3和第四表面4上。外电极331和332可包括第一外电极331和第二外电极332，第一外电极331和第二外电极332分别设置在主体110的第三表面3和第四表面4上并且分别连接到第一内电极121和第二内电极122。
外电极331和332可包括：第一外电极331，包括设置在第三表面上的第一连接部331a、从第一连接部延伸到第一表面的一部分上的第一带部331b以及从第一连接部延伸到连接第二表面和第三表面的拐角的第一拐角部331c；以及第二外电极332，包括设置在第四表面上的第二连接部332a、从第二连接部延伸到第一表面的一部分上的第二带部332b以及从第二连接部延伸到连接第二表面和第四表面的拐角的第二拐角部332c。第一连接部331a可在第三表面上连接到第一内电极121，并且第二连接部332a可在第四表面上连接到第二内电极122。
在实施例中，第一连接部331a和第二连接部332a可设置成与第五表面和第六表面间隔开。因此，外电极331和332所占据的体积可显著减小，并且多层电子组件3000可进一步小型化。
当介电层111的未设置内电极121和122的边缘区域叠置时，由于内电极121和122的厚度而出现台阶差，并且当从第一表面或第二表面观察时，将第一表面与第三表面和第四表面连接的拐角和/或将第二表面与第三表面和第四表面连接的拐角可具有朝向主体110在第一方向上的中央收缩的形状。可选地，通过主体的烧结工艺中的收缩行为，当从第一表面或第二表面观察时，将第一表面1与第三表面3、第四表面4、第五表面5和第六表面6连接的拐角和/或将第二表面2与第三表面3、第四表面4、第五表面5和第六表面6连接的拐角可具有朝向主体110在第一方向上的中央收缩的形状。可选地，当通过执行单独的工艺对主体110的连接各个表面的拐角进行倒圆以防止碎裂缺陷等时，将第一表面与第三表面至第六表面连接的拐角和/或将第二表面与第三表面至第六表面连接的拐角可具有倒圆形状。
拐角可包括连接第一表面和第三表面的1-3拐角c1-3、连接第一表面和第四表面的1-4拐角c1-4、连接第二表面和第三表面的2-3拐角c2-3以及连接第二表面和第四表面的2-4拐角c2-4。此外，拐角可包括连接第一表面和第五表面的1-5拐角、连接第一表面和第六表面的1-6拐角、连接第二表面和第五表面的2-5拐角以及连接第二表面和第六表面的2-6拐角。然而，为了抑制由内电极121和122引起的台阶差，在层叠之后，执行切割使得内电极暴露于电容形成部Ac的在第三方向(宽度方向)上的两侧，然后在电容形成部Ac的在第三方向(宽度方向)上的两侧上设置单个介电层或者两个或更多个介电层。在通过层叠形成边缘部114和115的情况下，将第一表面与第五表面和第六表面连接的部分以及将第二表面与第五表面和第六表面连接的部分可不具有收缩形状。
另一方面，主体110的第一表面至第六表面可以是基本上平坦的表面，并且非平坦区域可被认为是拐角。另外，可将外电极131和132中的设置在拐角上的区域视为拐角部。
在这方面，第一拐角部331c和第二拐角部332c可设置在第二表面的延长线E2下方，并且第一拐角部331c和第二拐角部332c可设置成与第二表面间隔开。例如，由于外电极331和332未设置在第二表面上，因此通过进一步显著减小外电极331和332所占据的体积，可进一步增加多层电子组件3000的每单位体积的电容。另外，第一拐角部331c可设置在连接第三表面和第二表面的2-3拐角c2-3的一部分上，并且第二拐角部332c可设置在连接第四表面和第二表面的2-4拐角c2-4的一部分上。
第二表面的延长线E2可定义如下。
在多层电子组件3000的宽度方向上的中心处切割的多层电子组件3000的长度-厚度截面(L-T截面)中，通过沿长度方向从第三表面到第四表面绘制具有相等的间隔的7条直线(P0、P1、P2、P3、P4、P5、P6)，穿过P2与第二表面相交的点以及P4与第二表面相交的点的直线可被定义为第二表面的延长线E2。
另一方面，外电极331和332可使用任意材料(诸如金属)形成，只要其具有导电性即可，并且可考虑电特性或结构稳定性等来确定具体的材料。此外，外电极可具有多层结构。
外电极331和332是包括导电金属和玻璃的烧制电极，或者可以是包括导电金属和树脂的树脂基电极。
另外，外电极331和332可具有在主体上依次形成烧制电极和树脂基电极的形式。
此外，外电极331和332通过将包括导电金属的片材转印到主体上而形成，或者可通过将包括导电金属的片材转印到烧制电极上而形成。
作为外电极331和332中包括的导电金属，可使用具有优异导电性的材料，并且对材料没有特别的限制。例如，导电金属可以是Cu、Ni、Pd、Ag、Sn、Cr和它们的合金中的至少一种。详细地，外电极331和332可包括Ni和Ni合金中的至少一种，因此，可进一步改善与包括Ni的内电极121和122的连接性。
绝缘层351可设置在第一连接部331a和第二连接部332a上。
第一连接部331a和第二连接部332a是连接到内电极121和122的部分，因此可能是在镀覆工艺期间镀液渗透或在实际使用期间水分渗透的路径。在本公开中，由于绝缘层351设置在连接部331a和332a上，因此可防止外部水分或镀液渗透。
绝缘层351可设置为与第一镀层341和第二镀层342接触。在这种情况下，绝缘层351可接触并部分地覆盖第一镀层341和第二镀层342的端部，或者第一镀层341和第二镀层342可接触并部分地覆盖绝缘层351的端部。
绝缘层设置在第一连接部331a和第二连接部332a上，并且可设置为覆盖第二表面以及第一拐角部331c和第二拐角部332c。另外，绝缘层351覆盖第一拐角部331c和第二拐角部332c的端部与主体110彼此接触的区域，以阻挡水分渗透路径，从而进一步改善防潮可靠性。
绝缘层351可设置在第二表面上并延伸到第一连接部331a和第二连接部332a。此外，当外电极331和332不设置在第二表面上时，绝缘层可设置为覆盖整个第二表面。另一方面，绝缘层351不必须设置在第二表面上，并且绝缘层可不设置在第二表面的一部分或整个第二表面上，或者绝缘层可分成两部分并分别设置在第一连接部331a和第二连接部332a上。然而，即使在这种情况下，绝缘层也可设置成覆盖整个第一拐角部331c和整个第二拐角部332c。当绝缘层不设置在整个第二表面上时，绝缘层可设置在第二表面的延长线下方。另外，尽管绝缘层不设置在第二表面上，但是绝缘层可从第一连接部331a和第二连接部332a延伸到第五表面和第六表面以形成一个绝缘层。
在实施例中，绝缘层351可设置成部分地覆盖第五表面和第六表面以改善可靠性。在这种情况下，第五表面和第六表面的未被绝缘层覆盖的部分可暴露在外部。
此外，绝缘层351可设置为覆盖整个第五表面和整个第六表面，在这种情况下，由于第五表面和第六表面没有暴露在外部，因此可进一步改善防潮可靠性。
绝缘层351可用于防止镀层341和342形成在外电极331和332的其上设置有绝缘层351区域上，并且可通过改善密封特性而起到显著减少水分或镀液从外部渗透的作用。绝缘层351的成分、组成和平均厚度以及相应的效果与多层电子组件1000和2000及其各种变型实施例中包括的绝缘层的成分、组成和平均厚度以及相应的效果相同。因此，将省略对它们的描述。
第一镀层341和第二镀层342可分别设置在第一带部331b和第二带部332b上。镀层341和342可用于改善安装特性，并且由于镀层341和342设置在带部331b和332b上，因此可显著减小安装空间，并且可通过显著减少镀液渗透到内电极中来改善可靠性。第一镀层341的一端和第二镀层342的一端可接触第一表面，并且第一镀层341的另一端和第二镀层342的另一端可接触绝缘层351。
镀层341和342的类型没有特别限制，并且可以是包括Cu、Ni、Sn、Ag、Au、Pd和它们的合金中的至少一种的镀层，并且可形成为多个层。
作为镀层341和342的更详细的示例，镀层341和342可以是Ni镀层或Sn镀层，并且Ni镀层和Sn镀层可顺序地形成在第一带部331b和第二带部332b上。
在实施例中，第一镀层341可设置为覆盖绝缘层351的设置在第一外电极331上的端部，并且第二镀层342可设置为覆盖绝缘层351的设置在第二外电极332上的端部。因此，可通过加强绝缘层351与镀层341和342之间的结合力来改善多层电子组件3000的可靠性。另外，通过在将镀层341和342形成在外电极331和332上之前首先形成绝缘层351，可更可靠地抑制在形成镀层的工艺中的镀液渗透。由于在形成镀层之前形成绝缘层，因此镀层341和342可具有覆盖绝缘层351的端部的形状。
在实施例中，绝缘层351可设置为覆盖第一镀层341的设置在第一外电极331上的端部，并且绝缘层351可设置为覆盖第二镀层342的设置在第二外电极332上的端部。因此，可通过加强绝缘层351与镀层341和342之间的结合力来改善多层电子组件3000的可靠性。
在实施例中，第一镀层341和第二镀层342可延伸以分别部分地覆盖第一连接部331a和第二连接部332a。当在第一方向上从第一表面1到第一内电极121和第二内电极122中设置为最靠近第一表面1的内电极的平均距离被称为H1，并且在第一方向上从第一表面1的延长线到第一镀层341和第二镀层342的设置在第一连接部331a和第二连接部332a上的端部的平均距离被称为H2时，可满足H1>H2。因此，可抑制在镀覆工艺期间镀液渗透到内电极中，从而改善可靠性。
在实施例中，当在第一方向上从第一表面到第一内电极121和第二内电极122中设置为最靠近第一表面的内电极的平均距离为H1，并且在第一方向上从第一表面的延长线到镀层341和342的设置在第一连接部331a和第二连接部332a上的端部的平均距离为H2时，可满足H1<H2。因此，通过在安装期间增加与焊料接触的面积，可改善固定强度。详细地，当主体110在第一方向上的平均尺寸为T时，可满足H2<(T/2)。例如，可满足H1<H2<(T/2)。如果H2为T/2或更大，则可能存在绝缘层的防潮可靠性改善效果降低的可能性。
在实施例中，第一镀层341和第二镀层342可设置在第一表面的延长线下方。因此，在安装期间可显著减小焊料的高度，并且可显著减小安装空间。另外，绝缘层351可延伸到第一表面的延长线下方并且设置成接触第一镀层341和第二镀层342。
在实施例中，当主体在第二方向上的平均尺寸为L，在第二方向上从第三表面的延长线到第一带部的端部的平均距离为B1，并且在第二方向上从第四表面的延长线到第二带部的端部的平均距离为B2时，可满足0.2≤(B1/L)≤0.4和0.2≤(B2/L)≤0.4。
如果B1/L和B2/L小于0.2，则可能难以确保足够的固定强度。另一方面，如果B1/L和B2/L大于0.4，则在高压电流下在第一带部331b和第二带部332b之间存在漏电流的风险，并且在镀覆工艺期间，存在第一带部331b和第二带部332b可能由于镀覆扩散等导致的彼此电连接的担忧。
在实施例中，多层电子组件3000还可包括设置在第一表面上并设置在第一带部331b和第二带部332b之间的附加绝缘层。因此，可防止在高压电流下可能在第一带部331b和第二带部332b之间产生的漏电流。
附加绝缘层的类型不需要特别限制。例如，附加绝缘层可像绝缘层351那样包括含铪(Hf)的氧化物。然而，不需要将附加绝缘层和绝缘层351限制为相同的材料，并且附加绝缘层和绝缘层351也可形成为具有不同的材料。例如，附加绝缘层可包括选自环氧树脂、丙烯酸树脂、乙基纤维素等中的至少一种，或者可包括玻璃。
在实施例中，当在第二方向上从第三表面的延长线到第一带部的端部的平均距离为B1，并且在第二方向上从第四表面的延长线到第二带部的端部的平均距离为B2时，可满足B3<B1和B4<B2。第一带部331b的平均长度B1可长于第一拐角部331c的平均长度B3，并且第二带部332b的平均长度可长于第二拐角部332c的平均长度B4。因此，通过在安装期间增加与焊料接触的面积，可改善固定强度。
更详细地，当在第二方向上从第三表面3的延长线到第一带部331b的端部的平均距离为B1，在第二方向上从第四表面4的延长线到第二带部332b的端部的平均距离为B2，在第二方向上从第三表面3的延长线到第一拐角部331c的端部的平均距离为B3，并且在第二方向上从第四表面4的延长线到第二拐角部332c的端部的平均距离为B4时，可满足B3<B1和B4<B2。
在实施例中，第一镀层341和第二镀层342的平均厚度可小于绝缘层351的平均厚度。
绝缘层351用于防止外部水分渗透或镀液渗透，但是其与镀层341和342的连接性相对较弱，这可能导致镀层的分层。在镀层分层的情况下，与基板的固定强度可能降低。在这种情况下，镀层的分层可表示镀层与外电极331和332部分分离或物理分离。因为镀层和绝缘层之间的连接性较弱，所以绝缘层和镀层之间的间隙将变宽或者异物将渗透的可能性很高。因为镀层易受外部冲击等影响，所以分层的可能性会增加。
根据本公开的实施例，镀层的平均厚度小于绝缘层的平均厚度，并且可减小镀层和绝缘层之间的接触面积。因此，可抑制分层的发生，并且可改善多层电子组件3000的结合强度。
多层电子组件3000的尺寸不需要特别限制。
然而，为了同时实现小型化和高电容，由于介电层和内电极的厚度应减薄以增加层数，因此在尺寸为1005(长度×宽度，1.0mm×0.5mm)或更小的多层电子组件3000中，根据本公开的改善可靠性和每单位体积电容的效果可变得更显著。
因此，考虑到制造误差和外电极尺寸，当多层电子组件3000的长度为1.1mm或更小并且宽度为0.55mm或更小时，根据本公开的可靠性改善效果可更显著。在这种情况下，多层电子组件3000的长度表示多层电子组件3000在第二方向上的最大尺寸，并且多层电子组件3000的宽度可表示多层电子组件3000在第三方向上的最大尺寸。
如上所述，根据实施例，通过在外电极的连接部上设置绝缘层并在外电极的带部上设置镀层，可在改善多层电子组件的每单位体积的电容的同时改善多层电子组件的可靠性。
此外，可显著减小多层电子组件的安装空间。
另外，根据实施例，绝缘层包括含铪(Hf)的氧化物，从而改善防潮可靠性和对镀液的耐酸性，并抑制裂纹产生和扩展。
另外，根据实施例，绝缘层包括含铪(Hf)的氧化物，从而抑制在与玻璃接触的部分中发生扩散，从而抑制绝缘层的连续性的劣化。
尽管上面已经详细描述了本公开的实施例，但是本公开不受上述实施例和附图的限制，而是旨在受所附权利要求的限制。因此，在不脱离权利要求中描述的本公开的技术精神的范围内，本领域技术人员将能够进行各种类型的替换、修改和改变，并且可认为其落入本公开的范围内。
另外，本公开中使用的表述“实施例”并不意味着彼此相同的实施例，并且提供表述“实施例”以强调和解释不同的独特特征。然而，上面呈现的一个实施例不排除与另一实施例的特征组合来实现。例如，除非提供矛盾或相反的描述，否则在特定实施例中描述的内容即使在另一实施例中没有描述，也可被理解为与另一实施例相关的描述。
本公开中使用的术语仅用于描述实施例，并不旨在限制本公开。在这种情况下，除非上下文另有明确说明，否则单数表达包括复数表达。
虽然上面已经示出和描述了实施例，但是对于本领域技术人员将易于理解的是，在不脱离由所附权利要求限定的本公开的范围的情况下，可做出修改和变型。

Claims (132)

1.一种多层电子组件，包括：
主体，包括介电层以及第一内电极和第二内电极，所述第一内电极和所述第二内电极交替设置且所述介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间，所述主体具有在第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面、连接到所述第一表面和所述第二表面并且在第二方向上彼此相对的第三表面和第四表面以及连接到所述第一表面、所述第二表面、所述第三表面和所述第四表面并且在第三方向上彼此相对的第五表面和第六表面；
第一外电极，包括设置在所述第三表面上的第一连接部、从所述第一连接部延伸到所述第一表面的一部分上的第一带部以及从所述第一连接部延伸到所述第二表面的一部分上的第三带部；
第二外电极，包括设置在所述第四表面上的第二连接部、从所述第二连接部延伸到所述第一表面的一部分上的第二带部以及从所述第二连接部延伸到所述第二表面的一部分上的第四带部；
绝缘层，设置在所述第一连接部和所述第二连接部上并且覆盖所述第二表面以及所述第三带部和所述第四带部；
第一镀层，设置在所述第一带部上；以及
第二镀层，设置在所述第二带部上，
其中，所述绝缘层包括含Hf的氧化物。
2.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述含Hf的氧化物是HfO2。
3.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，在构成所述绝缘层的元素中，Hf元素的摩尔数与除氧之外的元素的总摩尔数的比值为0.95或更大。
4.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述绝缘层的平均厚度在15nm至1000nm的范围内。
5.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述第一外电极和所述第二外电极包括玻璃。
6.根据权利要求1所述的多层电子组件，所述多层电子组件还包括覆盖层，所述覆盖层设置在所述绝缘层上并且包括含Al的氧化物。
7.根据权利要求6所述的多层电子组件，其中，所述含Hf的氧化物是HfO2，并且
所述含Al的氧化物是Al2O3。
8.根据权利要求6所述的多层电子组件，其中，在构成所述绝缘层的元素中，Hf元素的摩尔数与除氧之外的元素的总摩尔数的比值为0.95或更大，并且
在构成所述覆盖层的元素中，Al元素的摩尔数与除氧之外的元素的总摩尔数的比值为0.95或更大。
9.根据权利要求6所述的多层电子组件，其中，所述第一外电极和所述第二外电极包括玻璃。
10.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，当在所述第一方向上从所述第一表面到所述第一内电极和所述第二内电极中设置为最靠近所述第一表面的内电极的平均距离为H1，并且在所述第一方向上从所述第一表面的延长线到所述第一镀层和所述第二镀层的设置在所述第一连接部和所述第二连接部上的端部的平均距离为H2时，
满足H1>H2。
11.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，当在所述第一方向上从所述第一表面到所述第一内电极和所述第二内电极中设置为最靠近所述第一表面的内电极的平均距离为H1，并且在所述第一方向上从所述第一表面的延长线到所述第一镀层和所述第二镀层的设置在所述第一连接部和所述第二连接部上的端部的平均距离为H2时，
满足H1<H2。
12.根据权利要求11所述的多层电子组件，其中，当所述主体在所述第一方向上的平均尺寸为T时，H2和T满足H2<(T/2)。
13.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述第一镀层和所述第二镀层设置在所述第一表面的延长线下方。
14.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，当所述主体在所述第二方向上的平均尺寸为L，在所述第二方向上从所述第三表面的延长线到所述第一带部的端部的平均距离为B1，并且在所述第二方向上从所述第四表面的延长线到所述第二带部的端部的平均距离为B2时，
满足0.2≤(B1/L)≤0.4和0.2≤(B2/L)≤0.4。
15.根据权利要求1所述的多层电子组件，所述多层电子组件还包括设置在所述第一表面上并且设置在所述第一带部和所述第二带部之间的附加绝缘层。
16.根据权利要求15所述的多层电子组件，其中，所述附加绝缘层包括含Hf的氧化物。
17.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述第一外电极和所述第二外电极包括Ni和Ni合金中的至少一种。
18.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，当在所述第二方向上从所述第三表面的延长线到所述第一带部的端部的平均距离为B1，在所述第二方向上从所述第四表面的延长线到所述第二带部的端部的平均距离为B2，在所述第二方向上从所述第三表面的延长线到所述第三带部的端部的平均距离为B3，并且在所述第二方向上从所述第四表面的延长线到所述第四带部的端部的平均距离为B4时，
满足B3<B1和B4<B2。
19.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述多层电子组件在所述第二方向上的最大尺寸为1.1mm或更小，并且所述多层电子组件在所述第三方向上的最大尺寸为0.55mm或更小。
20.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述介电层的平均厚度为0.35μm或更小。
21.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述第一内电极和所述第二内电极的平均厚度为0.35μm或更小。
22.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述主体包括电容形成部和覆盖部，所述电容形成部包括交替设置的所述第一内电极和所述第二内电极且所述介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间，所述覆盖部设置在所述电容形成部的在所述第一方向上的两个表面上，
其中，所述覆盖部在所述第一方向上的平均尺寸为15μm或更小。
23.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述第一镀层和所述第二镀层的平均厚度小于所述绝缘层的平均厚度。
24.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述第一镀层设置成覆盖所述绝缘层的设置在所述第一外电极上的端部，并且所述第二镀层设置成覆盖所述绝缘层的设置在所述第二外电极上的端部。
25.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述绝缘层设置成覆盖所述第一镀层的设置在所述第一外电极上的端部，并且所述绝缘层设置成覆盖所述第二镀层的设置在所述第二外电极上的端部。
26.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述第一外电极包括从所述第一连接部延伸到所述第五表面的一部分和所述第六表面的一部分上的第一侧带部，并且
所述第二外电极包括从所述第二连接部延伸到所述第五表面的一部分和所述第六表面的一部分上的第二侧带部，
其中，所述第一侧带部和所述第二侧带部在所述第二方向上的尺寸随着所述第一侧带部和所述第二侧带部接近所述第一表面而增大。
27.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述第一外电极包括从所述第一连接部延伸到所述第五表面的一部分和所述第六表面的一部分上的第一侧带部，
所述第二外电极包括从所述第二连接部延伸到所述第五表面的一部分和所述第六表面的一部分上的第二侧带部，并且
所述绝缘层设置成覆盖所述第一侧带部、所述第二侧带部、所述第五表面和所述第六表面中的每个的一部分。
28.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述第一外电极包括从所述第一连接部延伸到所述第五表面的一部分和所述第六表面的一部分上的第一侧带部，
所述第二外电极包括从所述第二连接部延伸到所述第五表面的一部分和所述第六表面的一部分上的第二侧带部，并且
所述绝缘层设置成覆盖整个所述第一侧带部和整个所述第二侧带部以及整个所述第五表面和整个所述第六表面。
29.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，当在所述第二方向上从所述第三表面的延长线到所述第三带部的端部的平均距离为B3，并且在所述第二方向上从所述第四表面的延长线到所述第四带部的端部的平均距离为B4时，并且
当所述第三表面与所述第二内电极间隔开的区域在所述第二方向上的平均尺寸为G1，并且所述第四表面与所述第一内电极间隔开的区域在所述第二方向上的平均尺寸为G2时，
满足B3≥G1和B4≥G2。
30.根据权利要求29所述的多层电子组件，其中，当在所述第二方向上从所述第三表面的延长线到所述第一带部的端部的平均距离为B1，并且在所述第二方向上从所述第四表面的延长线到所述第二带部的端部的平均距离为B2时，
满足B1≥G1和B2≥G2。
31.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述主体包括连接所述第一表面和所述第三表面的1-3拐角、连接所述第一表面和所述第四表面的1-4拐角、连接所述第二表面和所述第三表面的2-3拐角以及连接所述第二表面和所述第四表面的2-4拐角，
随着所述1-3拐角和所述2-3拐角接近所述第三表面，所述1-3拐角和所述2-3拐角具有朝向所述主体在所述第一方向上的中央收缩的形状，并且随着所述1-4拐角和所述2-4拐角接近所述第四表面，所述1-4拐角和所述2-4拐角具有朝向所述主体在所述第一方向上的中央收缩的形状，并且
所述第一外电极包括设置在所述1-3拐角和所述2-3拐角上的拐角部，并且所述第二外电极包括设置在所述1-4拐角和所述2-4拐角上的拐角部。
32.一种多层电子组件，包括：
主体，包括介电层以及第一内电极和第二内电极，所述第一内电极和所述第二内电极交替设置且所述介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间，所述主体具有在第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面、连接到所述第一表面和所述第二表面并且在第二方向上彼此相对的第三表面和第四表面以及连接到所述第一表面、所述第二表面、所述第三表面和所述第四表面并且在第三方向上彼此相对的第五表面和第六表面；
第一外电极，包括设置在所述第三表面上的第一连接部和从所述第一连接部延伸到所述第一表面的一部分上的第一带部；
第二外电极，包括设置在所述第四表面上的第二连接部和从所述第二连接部延伸到所述第一表面的一部分上的第二带部；
绝缘层，设置在所述第二表面上并且延伸到所述第一连接部和所述第二连接部上；
第一镀层，设置在所述第一带部上；以及
第二镀层，设置在所述第二带部上，
其中，所述绝缘层包括含Hf的氧化物。
33.根据权利要求32所述的多层电子组件，其中，所述含Hf的氧化物是HfO2。
34.根据权利要求32所述的多层电子组件，其中，在构成所述绝缘层的元素中，Hf元素的摩尔数与除氧之外的元素的总摩尔数的比值为0.95或更大。
35.根据权利要求32所述的多层电子组件，其中，所述绝缘层的平均厚度在15nm至1000nm的范围内。
36.根据权利要求32所述的多层电子组件，其中，所述第一外电极和所述第二外电极包括玻璃。
37.根据权利要求32所述的多层电子组件，所述多层电子组件还包括覆盖层，所述覆盖层设置在所述绝缘层上并且包括含Al的氧化物。
38.根据权利要求37所述的多层电子组件，其中，所述含Hf的氧化物是HfO2，并且
所述含Al的氧化物是Al2O3。
39.根据权利要求37所述的多层电子组件，其中，在构成所述绝缘层的元素中，Hf元素的摩尔数与除氧之外的元素的总摩尔数的比值为0.95或更大，并且
在构成所述覆盖层的元素中，Al元素的摩尔数与除氧之外的元素的总摩尔数的比值为0.95或更大。
40.根据权利要求37所述的多层电子组件，其中，所述第一外电极和所述第二外电极包括玻璃。
41.根据权利要求32所述的多层电子组件，其中，当在所述第一方向上从所述第一表面到所述第一内电极和所述第二内电极中设置为最靠近所述第一表面的内电极的平均距离为H1，并且在所述第一方向上从所述第一表面的延长线到所述第一镀层和所述第二镀层的设置在所述第一连接部和所述第二连接部上的端部的平均距离为H2时，满足H1>H2。
42.根据权利要求32所述的多层电子组件，其中，当在所述第一方向上从所述第一表面到所述第一内电极和所述第二内电极中设置为最靠近所述第一表面的内电极的平均距离为H1，并且在所述第一方向上从所述第一表面的延长线到所述第一镀层和所述第二镀层的设置在所述第一连接部和所述第二连接部上的端部的平均距离为H2时，满足H1<H2。
43.根据权利要求42所述的多层电子组件，其中，当所述主体在所述第一方向上的平均尺寸为T时，H2和T满足H2<(T/2)。
44.根据权利要求32所述的多层电子组件，其中，所述第一镀层和所述第二镀层设置在所述第一表面的延长线下方。
45.根据权利要求32所述的多层电子组件，其中，当所述主体在所述第二方向上的平均尺寸为L，在所述第二方向上从所述第三表面的延长线到所述第一带部的端部的平均距离为B1，并且在所述第二方向上从所述第四表面的延长线到所述第二带部的端部的平均距离为B2时，满足0.2≤(B1/L)≤0.4和0.2≤(B2/L)≤0.4。
46.根据权利要求32所述的多层电子组件，所述多层电子组件还包括设置在所述第一表面上并且设置在所述第一带部和所述第二带部之间的附加绝缘层。
47.根据权利要求46所述的多层电子组件，其中，所述附加绝缘层包括含Hf的氧化物。
48.根据权利要求32所述的多层电子组件，其中，所述第一外电极和所述第二外电极包括Ni和Ni合金中的至少一种。
49.根据权利要求32所述的多层电子组件，其中，所述第一连接部和所述第二连接部均与所述第五表面和所述第六表面间隔开。
50.根据权利要求32所述的多层电子组件，其中，所述第一连接部和所述第二连接部与所述第二表面间隔开。
51.根据权利要求32所述的多层电子组件，其中，所述多层电子组件在所述第二方向上的最大尺寸为1.1mm或更小，并且所述多层电子组件在所述第三方向上的最大尺寸为0.55mm或更小。
52.根据权利要求32所述的多层电子组件，其中，所述介电层的平均厚度为0.35μm或更小。
53.根据权利要求32所述的多层电子组件，其中，所述第一内电极和所述第二内电极的平均厚度为0.35μm或更小。
54.根据权利要求32所述的多层电子组件，其中，所述主体包括电容形成部和覆盖部，所述电容形成部包括交替设置的所述第一内电极和所述第二内电极且所述介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间，所述覆盖部设置在所述电容形成部的在所述第一方向上的两个表面上，
其中，所述覆盖部在所述第一方向上的平均尺寸为15μm或更小。
55.根据权利要求32所述的多层电子组件，其中，所述第一镀层和所述第二镀层的平均厚度小于所述绝缘层的平均厚度。
56.根据权利要求32所述的多层电子组件，其中，所述第一镀层设置成覆盖所述绝缘层的设置在所述第一外电极上的端部，并且所述第二镀层设置成覆盖所述绝缘层的设置在所述第二外电极上的端部。
57.根据权利要求32所述的多层电子组件，其中，所述绝缘层设置成覆盖所述第一镀层的设置在所述第一外电极上的端部，并且所述绝缘层设置成覆盖所述第二镀层的设置在所述第二外电极上的端部。
58.根据权利要求32所述的多层电子组件，其中，所述绝缘层设置成覆盖所述第五表面的一部分和所述第六表面的一部分。
59.根据权利要求32所述的多层电子组件，其中，所述绝缘层设置成覆盖整个所述第五表面和整个所述第六表面。
60.根据权利要求32所述的多层电子组件，其中，所述主体包括连接所述第一表面和所述第三表面的1-3拐角、连接所述第一表面和所述第四表面的1-4拐角、连接所述第二表面和所述第三表面的2-3拐角以及连接所述第二表面和所述第四表面的2-4拐角，
其中，随着所述1-3拐角和所述2-3拐角接近所述第三表面，所述1-3拐角和所述2-3拐角具有朝向所述主体在所述第一方向上的中央收缩的形状，并且随着所述1-4拐角和所述2-4拐角接近所述第四表面，所述1-4拐角和所述2-4拐角具有朝向所述主体在所述第一方向上的中央收缩的形状，并且
所述第一外电极包括设置在所述1-3拐角上的拐角部和从所述第一连接部延伸到所述2-3拐角上的拐角部，并且所述第二外电极包括设置在所述1-4拐角上的拐角部和从所述第二连接部延伸到所述2-4拐角上的拐角部。
61.一种多层电子组件，包括：
主体，包括介电层以及第一内电极和第二内电极，所述第一内电极和所述第二内电极交替设置且所述介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间，所述主体具有在第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面、连接到所述第一表面和所述第二表面并在第二方向上彼此相对的第三表面和第四表面以及连接到所述第一表面、所述第二表面、所述第三表面和所述第四表面并在第三方向上彼此相对的第五表面和第六表面；
第一外电极，包括设置在所述第三表面上的第一连接部、从所述第一连接部延伸到所述第一表面的一部分上的第一带部以及从所述第一连接部延伸到连接所述第二表面和所述第三表面的拐角的第一拐角部；
第二外电极，包括设置在所述第四表面上的第二连接部、从所述第二连接部延伸到所述第一表面的一部分上的第二带部以及从所述第二连接部延伸到连接所述第二表面和所述第四表面的拐角的第二拐角部；
绝缘层，设置在所述第一连接部和所述第二连接部上，并且设置成覆盖所述第二表面以及所述第一拐角部和所述第二拐角部；
第一镀层，设置在所述第一带部上；以及
第二镀层，设置在所述第二带部上，
其中，当在所述第二方向上从所述第三表面的延长线到所述第一拐角部的端部的平均距离为B3，在所述第二方向上从所述第四表面的延长线到所述第二拐角部的端部的平均距离为B4，所述第三表面与所述第二内电极间隔开的区域在所述第二方向上的平均尺寸为G1，并且所述第四表面与所述第一内电极间隔开的区域在所述第二方向上的平均尺寸为G2时，
满足B3≤G1和B4≤G2，并且
所述绝缘层包括含Hf的氧化物。
62.根据权利要求61所述的多层电子组件，其中，所述含Hf的氧化物是HfO2。
63.根据权利要求61所述的多层电子组件，其中，在构成所述绝缘层的元素中，Hf元素的摩尔数与除氧之外的元素的总摩尔数的比值为0.95或更大。
64.根据权利要求61所述的多层电子组件，其中，所述绝缘层的平均厚度在15nm至1000nm的范围内。
65.根据权利要求61所述的多层电子组件，其中，所述第一外电极和所述第二外电极包括玻璃。
66.根据权利要求61所述的多层电子组件，所述多层电子组件还包括覆盖层，所述覆盖层设置在所述绝缘层上并且包括含Al的氧化物。
67.根据权利要求66所述的多层电子组件，其中，所述含Hf的氧化物是HfO2，并且
所述含Al的氧化物是Al2O3。
68.根据权利要求66所述的多层电子组件，其中，在构成所述绝缘层的元素中，Hf元素的摩尔数与除氧之外的元素的总摩尔数的比值为0.95或更大，并且
在构成所述覆盖层的元素中，Al元素的摩尔数与除氧之外的元素的总摩尔数的比值为0.95或更大。
69.根据权利要求66所述的多层电子组件，其中，所述第一外电极和所述第二外电极包括玻璃。
70.根据权利要求61所述的多层电子组件，其中，当在所述第一方向上从所述第一表面到所述第一内电极和所述第二内电极中设置为最靠近所述第一表面的内电极的平均距离为H1，并且在所述第一方向上从所述第一表面的延长线到所述第一镀层和所述第二镀层的设置在所述第一连接部和所述第二连接部上的端部的平均距离为H2时，
满足H1>H2。
71.根据权利要求61所述的多层电子组件，其中，当在所述第一方向上从所述第一表面到所述第一内电极和所述第二内电极中设置为最靠近所述第一表面的内电极的平均距离为H1，并且在所述第一方向上从所述第一表面的延长线到所述第一镀层和所述第二镀层的设置在所述第一连接部和所述第二连接部上的端部的平均距离为H2时，
满足H1<H2。
72.根据权利要求71所述的多层电子组件，其中，当所述主体在所述第一方向上的平均尺寸为T时，H2和T满足H2<(T/2)。
73.根据权利要求61所述的多层电子组件，其中，所述第一镀层和所述第二镀层设置在所述第一表面的延长线下方。
74.根据权利要求61所述的多层电子组件，其中，当所述主体在所述第二方向上的平均尺寸为L，在所述第二方向上从所述第三表面的延长线到所述第一带部的端部的平均距离为B1，并且在所述第二方向上从所述第四表面的延长线到所述第二带部的端部的平均距离为B2时，
满足0.2≤(B1/L)≤0.4和0.2≤(B2/L)≤0.4。
75.根据权利要求61所述的多层电子组件，所述多层电子组件还包括设置在所述第一表面上并且设置在所述第一带部和所述第二带部之间的附加绝缘层。
76.根据权利要求75所述的多层电子组件，其中，所述附加绝缘层包括含Hf的氧化物。
77.根据权利要求61所述的多层电子组件，其中，所述第一外电极和所述第二外电极包括Ni和Ni合金中的至少一种。
78.根据权利要求61所述的多层电子组件，其中，当在所述第二方向上从所述第三表面的延长线到所述第一带部的端部的平均距离为B1，并且在所述第二方向上从所述第四表面的延长线到所述第二带部的端部的平均距离为B2时，
满足B3<B1和B4<B2。
79.根据权利要求61所述的多层电子组件，其中，所述第一拐角部和所述第二拐角部设置在所述第二表面的延长线下方。
80.根据权利要求61所述的多层电子组件，其中，所述第一连接部和所述第二连接部均与所述第五表面和所述第六表面间隔开。
81.根据权利要求61所述的多层电子组件，其中，所述第一拐角部和所述第二拐角部与所述第二表面间隔开。
82.根据权利要求61所述的多层电子组件，其中，所述多层电子组件在所述第二方向上的最大尺寸为1.1mm或更小，并且所述多层电子组件在所述第三方向上的最大尺寸为0.55mm或更小。
83.根据权利要求61所述的多层电子组件，其中，所述介电层的平均厚度为0.35μm或更小。
84.根据权利要求61所述的多层电子组件，其中，所述第一内电极和所述第二内电极的平均厚度为0.35μm或更小。
85.根据权利要求61所述的多层电子组件，其中，所述主体包括电容形成部和覆盖部，所述电容形成部包括交替设置的所述第一内电极和所述第二内电极且所述介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间，所述覆盖部设置在所述电容形成部的在所述第一方向上的两个表面上，
其中，所述覆盖部在所述第一方向上的平均尺寸为15μm或更小。
86.根据权利要求61所述的多层电子组件，其中，所述第一镀层和所述第二镀层的平均厚度小于所述绝缘层的平均厚度。
87.根据权利要求61所述的多层电子组件，其中，所述第一镀层覆盖所述绝缘层的设置在所述第一外电极上的端部，并且所述第二镀层覆盖所述绝缘层的设置在所述第二外电极上的端部。
88.根据权利要求61所述的多层电子组件，其中，所述绝缘层覆盖所述第一镀层的设置在所述第一外电极上的端部，并且所述绝缘层覆盖所述第二镀层的设置在所述第二外电极上的端部。
89.根据权利要求61所述的多层电子组件，其中，所述绝缘层设置成覆盖所述第五表面的一部分和所述第六表面的一部分。
90.根据权利要求61所述的多层电子组件，其中，所述绝缘层设置成覆盖整个所述第五表面和整个所述第六表面。
91.根据权利要求61所述的多层电子组件，其中，当在所述第二方向上从所述第三表面的延长线到所述第一带部的端部的平均距离为B1，并且在所述第二方向上从所述第四表面的延长线到所述第二带部的端部的平均距离为B2时，
满足B1≥G1和B2≥G2。
92.一种多层电子组件，包括：
主体，包括介电层以及第一内电极和第二内电极，所述第一内电极和所述第二内电极交替设置且所述介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间，所述主体具有在第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面、连接到所述第一表面和所述第二表面并在第二方向上彼此相对的第三表面和第四表面以及连接到所述第一表面、所述第二表面、所述第三表面和所述第四表面并在第三方向上彼此相对的第五表面和第六表面；
第一外电极，包括设置在所述第三表面上的第一连接电极和设置在所述第一表面上并连接到所述第一连接电极的第一带电极；
第二外电极，包括设置在所述第四表面上的第二连接电极和设置在所述第一表面上并连接到所述第二连接电极的第二带电极；
第一绝缘层，设置在所述第一连接电极上；
第二绝缘层，设置在所述第二连接电极上；
第一镀层，设置在所述第一带电极上；以及
第二镀层，设置在所述第二带电极上，
其中，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层包括含Hf的氧化物。
93.根据权利要求92所述的多层电子组件，其中，所述含Hf的氧化物是HfO2。
94.根据权利要求92所述的多层电子组件，其中，在构成所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的元素中，Hf元素的摩尔数与除氧之外的元素的总摩尔数的比值为0.95或更大。
95.根据权利要求92所述的多层电子组件，其中，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层具有在15nm至1000nm范围内的平均厚度。
96.根据权利要求92所述的多层电子组件，其中，所述第一外电极和所述第二外电极包括玻璃。
97.根据权利要求92所述的多层电子组件，所述多层电子组件还包括设置在所述第一绝缘层上的第一覆盖层和设置在所述第二绝缘层上的第二覆盖层，
其中，所述第一覆盖层和所述第二覆盖层包括含Al的氧化物。
98.根据权利要求97所述的多层电子组件，其中，所述含Hf的氧化物是HfO2，并且
所述含Al的氧化物是Al2O3。
99.根据权利要求97所述的多层电子组件，其中，在构成所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的元素中，Hf元素的摩尔数与除氧之外的元素的总摩尔数的比值为0.95或更大，并且
在构成所述第一覆盖层和所述第二覆盖层的元素中，Al元素的摩尔数与除氧之外的元素的总摩尔数的比值为0.95或更大。
100.根据权利要求97所述的多层电子组件，其中，所述第一外电极和所述第二外电极包括玻璃。
101.根据权利要求92所述的多层电子组件，其中，当在所述第一方向上从所述第一表面到所述第一内电极和所述第二内电极中设置为最靠近所述第一表面的内电极的平均距离为H1，并且在所述第一方向上从所述第一表面的延长线到所述第一镀层和所述第二镀层的设置在所述第一连接电极和所述第二连接电极上的端部的平均距离为H2时，满足H1>H2。
102.根据权利要求92所述的多层电子组件，其中，当在所述第一方向上从所述第一表面到所述第一内电极和所述第二内电极中设置为最靠近所述第一表面的内电极的平均距离为H1，并且在所述第一方向上从所述第一表面的延长线到所述第一镀层和所述第二镀层的设置在所述第一连接电极和所述第二连接电极上的端部的平均距离为H2时，满足H1<H2。
103.根据权利要求102所述的多层电子组件，其中，当所述主体在所述第一方向上的平均尺寸为T时，H2和T满足H2<(T/2)。
104.根据权利要求92所述的多层电子组件，其中，所述第一镀层和所述第二镀层设置在所述第一表面的延长线下方。
105.根据权利要求92所述的多层电子组件，所述多层电子组件还包括设置在所述第一表面上并且设置在所述第一带电极和所述第二带电极之间的附加绝缘层。
106.根据权利要求105所述的多层电子组件，其中，所述附加绝缘层包括含Hf的氧化物。
107.根据权利要求92所述的多层电子组件，其中，所述第一连接电极和所述第二连接电极包括Ni和Ni合金中的至少一种。
108.根据权利要求92所述的多层电子组件，其中，所述第一连接电极和所述第二连接电极均与所述第五表面和所述第六表面间隔开。
109.根据权利要求92所述的多层电子组件，其中，所述第一连接电极和所述第二连接电极与所述第二表面间隔开。
110.根据权利要求92所述的多层电子组件，其中，所述多层电子组件在所述第二方向上的最大尺寸为1.1mm或更小，并且所述多层电子组件在所述第三方向上的最大尺寸为0.55mm或更小。
111.根据权利要求92所述的多层电子组件，其中，所述介电层的平均厚度为0.35μm或更小。
112.根据权利要求92所述的多层电子组件，其中，所述第一内电极和所述第二内电极的平均厚度为0.35μm或更小。
113.根据权利要求92所述的多层电子组件，其中，所述主体包括电容形成部和覆盖部，所述电容形成部包括交替设置的所述第一内电极和所述第二内电极且所述介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间，所述覆盖部设置在所述电容形成部的在所述第一方向上的两个表面上，
其中，所述覆盖部在所述第一方向上的平均尺寸为15μm或更小。
114.根据权利要求92所述的多层电子组件，其中，所述第一镀层和所述第二镀层的平均厚度小于所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的平均厚度。
115.根据权利要求92所述的多层电子组件，其中，所述第一镀层覆盖所述第一绝缘层的设置在所述第一外电极上的端部，并且所述第二镀层覆盖所述第二绝缘层的设置在所述第二外电极上的端部。
116.根据权利要求92所述的多层电子组件，其中，所述第一绝缘层覆盖所述第一镀层的设置在所述第一外电极上的端部，并且所述第二绝缘层覆盖所述第二镀层的设置在所述第二外电极上的端部。
117.根据权利要求92所述的多层电子组件，其中，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层延伸到所述第五表面和所述第六表面并且彼此连接，并且设置成覆盖所述第五表面的一部分和所述第六表面的一部分。
118.根据权利要求92所述的多层电子组件，其中，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层延伸到所述第五表面和所述第六表面并且彼此连接，并且设置成覆盖整个所述第五表面和整个所述第六表面。
119.根据权利要求92所述的多层电子组件，其中，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层延伸到所述第二表面并且彼此连接。
120.根据权利要求92所述的多层电子组件，其中，所述主体包括连接所述第一表面和所述第三表面的1-3拐角、连接所述第一表面和所述第四表面的1-4拐角、连接所述第二表面和所述第三表面的2-3拐角以及连接所述第二表面和所述第四表面的2-4拐角，
随着所述1-3拐角和所述2-3拐角接近所述第三表面，所述1-3拐角和所述2-3拐角具有朝向所述主体在所述第一方向上的中央收缩的形状，并且随着所述1-4拐角和所述2-4拐角接近所述第四表面，所述1-4拐角和所述2-4拐角具有朝向所述主体在所述第一方向上的中央收缩的形状，并且
所述第一外电极包括在所述1-3拐角和所述2-3拐角上延伸的拐角部，并且所述第二外电极包括在所述1-4拐角和所述2-4拐角上延伸的拐角部。
121.根据权利要求120所述的多层电子组件，其中，所述第一外电极还包括设置在所述第二表面上并连接到所述第一连接电极的第三带电极，并且所述第二外电极还包括设置在所述第二表面上并连接到所述第二连接电极的第四带电极。
122.根据权利要求121所述的多层电子组件，其中，当在所述第二方向上从所述第三表面的延长线到所述第一带电极的端部的平均距离为B1，在所述第二方向上从所述第四表面的延长线到所述第二带电极的端部的平均距离为B2，在所述第二方向上从所述第三表面的延长线到所述第三带电极的端部的平均距离为B3，在所述第二方向上从所述第四表面的延长线到所述第四带电极的端部的平均距离为B4，所述第三表面与所述第二内电极间隔开的区域在所述第二方向上的平均尺寸为G1，并且所述第四表面与所述第一内电极间隔开的区域在所述第二方向上的平均尺寸为G2时，
满足B1≥G1、B3≥G1、B2≥G2和B4≥G2。
123.根据权利要求121所述的多层电子组件，其中，当在所述第二方向上从所述第三表面的延长线到所述第一带电极的端部的平均距离为B1，在所述第二方向上从所述第四表面的延长线到所述第二带电极的端部的平均距离为B2，在所述第二方向上从所述第三表面的延长线到所述第三带电极的端部的平均距离为B3，在所述第二方向上从所述第四表面的延长线到所述第四带电极的端部的平均距离为B4，所述第三表面与所述第二内电极间隔开的区域在所述第二方向上的平均尺寸为G1，并且所述第四表面与所述第一内电极间隔开的区域在所述第二方向上的平均尺寸为G2时，
满足B1≥G1、B3≤G1、B2≥G2和B4≤G2。
124.根据权利要求92所述的多层电子组件，其中，所述第一带电极和所述第二带电极包括与所述第一内电极和所述第二内电极中包括的金属相同的金属。
125.根据权利要求92所述的多层电子组件，其中，所述第一连接电极和所述第二连接电极包括与所述第一内电极和所述第二内电极中包括的金属相同的金属。
126.根据权利要求92所述的多层电子组件，其中，所述第一带电极和所述第二带电极是包括导电金属和玻璃的烧制电极。
127.根据权利要求92所述的多层电子组件，其中，所述第一连接电极和所述第二连接电极是包括导电金属和玻璃的烧制电极。
128.根据权利要求92所述的多层电子组件，其中，所述第一带电极和所述第二带电极是镀覆电极。
129.根据权利要求92所述的多层电子组件，其中，所述第一连接电极和所述第二连接电极是镀覆电极。
130.根据权利要求124所述的多层电子组件，其中，所述相同的金属是Ni。
131.根据权利要求125所述的多层电子组件，其中，所述相同的金属是Ni。
132.根据权利要求126所述的多层电子组件，其中，所述导电金属是Ni、Cu和它们的合金中的至少一种。
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