JP2023099439A - 積層型電子部品 - Google Patents

Abstract

【課題】単位体積当たりの容量が向上した積層型電子部品を提供する。【解決手段】積層型電子部品１０００は、誘電体層１１１及び内部電極１２１、１２２を含み、第１方向に対向する第１面及び第２面、第２方向に対向する第３面及び第４面、第３方向に対向する第５面及び第６面を含む本体１１０と、第３（４）面に配置される第１（２）接続部１３１ａ（１３２ａ）と、第１（２）接続部から第１面の一部まで延長される第１（２）バンド部１３１ｂ（１３２ｂ）、第１（２）接続部から第２面の一部まで延長される第３（４）バンド部１３１ｃ（１３２ｃ）を含む第１（２）外部電極１３１（１３２）と、第１接続部及び第２接続部上に配置され、第２面、第３及び第４バンド部を覆うように配置される絶縁層１５１と、第１（２）バンド部上に配置される第１（２）めっき層１４１（１４２）と、を含む。絶縁層は、ハフニウム（Ｈｆ）を含む酸化物を含む。【選択図】図３

Description

本発明は、積層型電子部品に関するものである。

積層型電子部品の一つである積層セラミックキャパシタ（ＭＬＣＣ：Ｍｕｌｔｉ－Ｌａｙｅｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃ Ｃａｐａｃｉｔｏｒ）は、液晶表示装置（ＬＣＤ：Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）及びプラズマ表示装置パネル（ＰＤＰ：Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ）などの映像機器、コンピュータ、スマートフォン及び携帯電話など、様々な電子製品の印刷回路基板に装着され、電気を充電又は放電させる役割を果たすチップ型のコンデンサである。

このような積層セラミックキャパシタは、小型でありながらも高容量が保障され、実装が容易であるという利点により、様々な電子装置の部品として使用されることができる。コンピュータ、モバイル機器など、各種の電子機器の小型化、高出力化に伴い、積層セラミックキャパシタに対する小型化及び高容量化に対する要求が増大している。また、最近、自動車用電装部品に対する業界の関心が高まるにつれて、積層セラミックキャパシタも自動車あるいはインフォテインメントシステムに使用されるために高信頼性の特性が求められている。

積層セラミックキャパシタの小型化及び高容量化のためには、内部電極及び誘電体層を薄く形成して積層数を増加させなければならず、容量の形成に影響を及ぼさない部分の体積を最小化させ、容量実現に必要な有効体積分率を増加させる必要がある。また、制限された基板の面積内に最大限多くの部品を実装するためには、実装空間を最小化する必要がある。

また、積層セラミックキャパシタの小型化及び高容量化に伴い、マージンの厚さが薄くなるにつれて、外部からの水分浸透又はめっき液の浸透が容易になることができ、そのため、信頼性が弱くなる可能性がある。したがって、外部からの水分浸透又はめっき液の浸透から積層セラミックキャパシタを保護することができる方案が求められる。

本発明のいくつかの目的の一つは、単位体積当たりの容量が向上した積層型電子部品を提供することである。

本発明のいくつかの目的の一つは、信頼性が向上した積層型電子部品を提供することである。

本発明のいくつかの目的の一つは、実装空間を最小化することができる積層型電子部品を提供することである。

但し、本発明の目的は上述した内容に限定されず、本発明の具体的な実施形態を説明する過程でより容易に理解することができる。

本発明の一実施形態による積層型電子部品は、誘電体層及び上記誘電体層を間に挟んで交互に配置される第１及び第２内部電極を含み、第１方向に対向する第１及び第２面、上記第１及び第２面と連結され、第２方向に対向する第３及び第４面、上記第１～第４面と連結され、第３方向に対向する第５及び第６面を含む本体と、上記第３面に配置される第１接続部、上記第１接続部から上記第１面の一部まで延長される第１バンド部、上記第１接続部から上記第２面の一部まで延長される第３バンド部を含む第１外部電極と、上記第４面に配置される第２接続部、上記第２接続部から上記第１面の一部まで延長される第２バンド部、及び上記第２接続部から上記第２面の一部まで延長される第４バンド部を含む第２外部電極と、上記第１及び第２接続部上に配置され、上記第２面、第３及び第４バンド部を覆うように配置される絶縁層と、上記第１バンド部上に配置される第１めっき層と、上記第２バンド部上に配置される第２めっき層と、を含み、上記絶縁層は、ハフニウム（Ｈｆ）を含む酸化物を含むことができる。

本発明の一実施形態による積層型電子部品は、誘電体層及び上記誘電体層を間に挟んで交互に配置される第１及び第２内部電極を含み、第１方向に対向する第１及び第２面、上記第１及び第２面と連結され、第２方向に対向する第３及び第４面、上記第１～第４面と連結され、第３方向に対向する第５及び第６面を含む本体と、上記第３面に配置される第１接続部、上記第１接続部から上記第１面の一部まで延長される第１バンド部を含む第１外部電極と、上記第４面に配置される第２接続部、上記第２接続部から上記第１面の一部まで延長される第２バンド部を含む第２外部電極と、上記第２面上に配置され、上記第１及び第２接続部上に延長して配置される絶縁層と、上記第１バンド部上に配置される第１めっき層と、上記第２バンド部上に配置される第２めっき層と、を含み、上記絶縁層は、ハフニウム（Ｈｆ）を含む酸化物を含むことができる。

本発明の一実施形態による積層型電子部品は、誘電体層及び上記誘電体層を間に挟んで交互に配置される第１及び第２内部電極を含み、第１方向に対向する第１及び第２面、上記第１及び第２面と連結され、第２方向に対向する第３及び第４面、上記第１～第４面と連結され、第３方向に対向する第５及び第６面を含む本体と、上記第３面に配置される第１接続部、上記第１接続部から上記第１面の一部まで延長される第１バンド部、上記第１接続部から上記第２面と第３面を連結するコーナーに延長して配置される第１コーナー部を含む第１外部電極と、上記第４面に配置される第２接続部、上記第２接続部から上記第１面の一部まで延長される第２バンド部、及び上記第２接続部から第２面と第４面を連結するコーナーに延長して配置される第２コーナー部を含む第２外部電極と、上記第１及び第２接続部上に配置され、上記第２面、第１及び第２コーナー部を覆うように配置される絶縁層と、上記第１バンド部上に配置される第１めっき層と、上記第２バンド部上に配置される第２めっき層と、を含み、上記第３面の延長線から上記第１コーナー部の端までの上記第２方向の平均サイズをＢ３、上記第４面の延長線から上記第２コーナー部の端までの上記第２方向の平均サイズをＢ４、上記第３面と上記第２内部電極が離隔した領域の第２方向の平均サイズをＧ１、上記第４面と上記第１内部電極が離隔した領域の第２方向の平均サイズをＧ２とするとき、Ｂ３≦Ｇ１及びＢ４≦Ｇ２を満たし、上記絶縁層はハフニウム（Ｈｆ）を含む酸化物を含むことができる。

本発明の一実施形態による積層型電子部品は、誘電体層及び上記誘電体層を間に挟んで交互に配置される第１及び第２内部電極を含み、第１方向に対向する第１及び第２面、上記第１及び第２面と連結され、第２方向に対向する第３及び第４面、上記第１～第４面と連結され、第３方向に対向する第５及び第６面を含む本体と、上記第３面に配置される第１連結電極及び上記第１面に配置されて上記第１連結電極と連結される第１バンド電極を含む第１外部電極と、上記第４面に配置される第２連結電極及び上記第１面に配置されて上記第２連結電極と連結される第２バンド電極を含む第２外部電極と、上記第１連結電極上に配置される第１絶縁層と、上記第２連結電極上に配置される第２絶縁層と、上記第１バンド電極上に配置される第１めっき層と、上記第２バンド電極上に配置される第２めっき層と、を含み、上記第１及び第２絶縁層はハフニウム（Ｈｆ）を含む酸化物を含むことができる。

本発明の様々な効果の一つは、外部電極の接続部上には絶縁層を配置し、外部電極のバンド部上にはめっき層を配置することにより、積層型電子部品の単位体積当たりの容量を向上させながらも信頼性を向上させたことである。

本発明の様々な効果の一つは、積層型電子部品の実装空間を最小化したことである。

本発明の様々な効果の一つは、絶縁層がハフニウム（Ｈｆ）を含む酸化物を含むことにより、耐湿信頼性及びめっき液に対する耐酸性を向上させ、クラックの発生及び伝播を抑制したことである。

本発明の様々な効果の一つは、絶縁層がハフニウム（Ｈｆ）を含む酸化物を含むことにより、ガラスと当接する部分で拡散（ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ）が発生することを抑制し、絶縁層の連続性が低下することを抑制したことである。

但し、本発明の多様かつ有益な利点と効果は上述した内容に限定されず、本発明の具体的な実施形態を説明する過程でより容易に理解することができる。

本発明の一実施形態による積層型電子部品の斜視図を概略的に示すものである。 図１の積層型電子部品の本体の斜視図を概略的に示すものである。 図１のＩ－Ｉ'線に沿った断面図である。 図２の本体を分解して概略的に示す分解斜視図である。 図１の積層型電子部品が実装された基板の斜視図を概略的に示すものである。 本発明の一実施形態による積層型電子部品の斜視図を概略的に示すものである。 図６のＩＩ－ＩＩ'線に沿った断面図である。 本発明の一実施形態による積層型電子部品の斜視図を概略的に示すものである。 図８のＩＩＩ－ＩＩＩ'線に沿った断面図である。 本発明の一実施形態による積層型電子部品の斜視図を概略的に示すものである。 図１０のＩＶ－ＩＶ'線に沿った断面図である。 本発明の一実施形態による積層型電子部品の斜視図を概略的に示すものである。 図１２のＶ－Ｖ'線に沿った断面図である。 本発明の一実施形態による積層型電子部品の斜視図を概略的に示すものである。 図１４のＶＩ－ＶＩ'線に沿った断面図である。 図１４の変形例を示すものである。 本発明の一実施形態による積層型電子部品の斜視図を概略的に示すものである。 図１７のＶＩＩ－ＶＩＩ'線に沿った断面図である。 本発明の一実施形態による積層型電子部品の斜視図を概略的に示すものである。 図１９のＸＩＶ－ＸＩＶ'線に沿った断面図である。 本発明の一実施形態による積層型電子部品の斜視図を概略的に示すものである。 図２１のＶＩＩＩ－ＶＩＩＩ'線に沿った断面図である。 図２１の変形例を示すものである。 本発明の一実施形態による積層型電子部品の斜視図を概略的に示すものである。 図２４のＩＸ－ＩＸ'線に沿った断面図である。 図２４の変形例を示すものである。 本発明の一実施形態による積層型電子部品の斜視図を概略的に示すものでる。 図２７のＸ－Ｘ'線に沿った断面図である。 図２７の変形例を示すものである。 本発明の一実施形態による積層型電子部品の斜視図を概略的に示すものである。 図３０のＸＩ－ＸＩ'線に沿った断面図である。 図３０の変形例を示すものである。 本発明の一実施形態による積層型電子部品の斜視図を概略的に示すものである。 図３３のＸＩＩ－ＸＩＩ'線に沿った断面図である。 本発明の一実施形態による積層型電子部品の斜視図を概略的に示すものである。 図３５のＸＩＩＩ－ＸＩＩＩ'線に沿った断面図である。 図３５の変形例を示すものである。 本発明の一実施形態による積層型電子部品の斜視図を概略的に示すものである。 図３８のＸＶ－ＸＶ'線に沿った断面図である。 本発明の一実施形態による積層型電子部品の斜視図を概略的に示すものである。 図４０のＸＶＩ－ＸＶＩ'線に沿った断面図である。 図４０のＫ１領域を拡大した拡大図である。

以下では、具体的な実施形態及び添付の図面を参照して本発明の実施形態を説明する。しかし、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形することができ、本発明の範囲は以下で説明する実施形態に限定されるものではない。また、本発明の実施形態は、通常の技術者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面における要素の形状及び大きさなどは、より明確な説明のために拡大縮小表示（又は強調表示や簡略化表示）がされることがあり、図面上の同一の符号で示される要素は同一の要素である。

そして、図面において本発明を明確に説明するために、説明と関係のない部分は省略し、図面に示された各構成の大きさ及び厚さは説明の便宜上、任意に示しているため、本発明は必ずしも図示されたものに限定されない。なお、同一思想の範囲内の機能が同一である構成要素については、同一の参照符号を用いて説明する。さらに、明細書全体において、ある部分がある構成要素を「含む」と言うとき、これは特に反対される記載がない限り、他の構成要素を除外するのではなく、他の構成要素をさらに含むことができることを意味する。

図面において、第１方向は積層方向又は厚さＴ方向、第２方向は長さＬ方向、第３方向は幅Ｗ方向と定義することができる。

図１は、本発明の一実施形態による積層型電子部品の斜視図を概略的に示すものであり、図２は、図１の積層型電子部品の本体の斜視図を概略的に示すものであり、図３は、図１のＩ－Ｉ'線に沿った断面図であり、図４は、図２の本体を分解して概略的に示す分解斜視図であり、図５は、図１の積層型電子部品が実装された基板の斜視図を概略的に示すものである。

以下、図１～図５を参照して、本発明の一実施形態による積層型電子部品１０００について説明する。

本発明の一実施形態による積層型電子部品１０００は、誘電体層１１１、上記誘電体層を間に挟んで交互に配置される第１及び第２内部電極１２１、１２２を含み、第１方向に対向する第１及び第２面１、２、上記第１及び第２面と連結され、第２方向に対向する第３及び第４面３、４、上記第１～第４面と連結され、第３方向に対向する第５及び第６面５、６を含む本体１１０と、上記第３面に配置される第１接続部１３１ａ、上記第１接続部から上記第１面の一部まで延長される第１バンド部１３１ｂ、及び上記第１接続部から上記第２面の一部まで延長される第３バンド部１３１ｃを含む第１外部電極１３１と、上記第４面に配置される第２接続部１３２ａ、上記第２接続部から上記第１面の一部まで延長される第２バンド部１３２ｂ、及び上記第２接続部から上記第２面の一部まで延長される第４バンド部１３２ｃを含む第２外部電極１３２と、上記第１及び第２接続部上に配置され、上記第２面、第３及び第４バンド部１３１ｃ、１３２ｃを覆うように配置される絶縁層１５１と、上記第１バンド部１３１ｂ上に配置される第１めっき層１４１と、上記第２バンド部１３２ｂ上に配置される第２めっき層１４２と、を含み、上記絶縁層１５１はハフニウム（Ｈｆ）を含む酸化物を含むことができる。

本体１１０は、誘電体層１１１及び内部電極１２１、１２２が交互に積層されている。本体１１０の具体的な形状に特に制限はないが、図示のように本体１１０は六面体形状やこれと類似の形状からなることができる。焼成工程で本体１１０に含まれたセラミック粉末の収縮により、本体１１０は完全な直線を有する六面体形状ではないが、実質的に六面体形状を有することができる。

本体１１０は、第１方向に互いに対向する第１及び第２面１、２、上記第１及び第２面１、２と連結され、第２方向に互いに対向する第３及び４面３、４、第１及び第２面１、２と連結され、第３及び第４面３、４と連結され、第３方向に互いに対向する第５及び第６面５、６を有することができる。

一実施形態において、本体１１０は、第１面と第３面を連結する第１－３コーナー、上記第１面と第４面を連結する第１－４コーナー、上記第２面と第３面を連結する第２－３コーナー、上記第２面と第４面を連結する第２－４コーナーを含み、上記第１－３コーナー及び第２－３コーナーは、上記第３面に近づくほど、上記本体の第１方向の中央に収縮した形態を有し、上記第１－４コーナー及び第２－４コーナーは、上記第４面に近づくほど、上記本体の第１方向の中央に収縮した形態を有することができる。

誘電体層１１１上に内部電極１２１、１２２が配置されていないマージン領域が重なることによって、内部電極１２１、１２２の厚さによる段差が発生し、第１面と第３～第５面を連結するコーナー及び／又は第２面と第３～第５面を連結するコーナーは、第１面又は第２面を基準としてみたとき、本体１１０の第１方向の中央側に収縮した形態を有することができる。または、本体の焼結過程における収縮挙動により、第１面１と第３～第６面３、４、５、６を連結するコーナー及び／又は第２面２と第３～第６面３、４、５、６を連結するコーナーは、第１面又は第２面を基準としてみたとき、本体１１０の第１方向の中央側に収縮した形態を有することができる。または、チッピング不良等を防止するために、本体１１０の各面を連結する角を別途の工程を行ってラウンド処理することによって、第１面と第３～第６面を連結するコーナー及び／又は第２面と第３～第６面を連結するコーナーはラウンド形状を有することができる。

上記コーナーは、第１面と第３面を連結する第１－３コーナー、第１面と第４面を連結する第１－４コーナー、第２面と第３面を連結する第２－３コーナー、第２面と第４面を連結する第２－４コーナーを含むことができる。また、コーナーは、第１面と第５面を連結する第１－５コーナー、第１面と第６面を連結する第１－６コーナー、第２面と第５面を連結する第２－５コーナー、第２面と第６面を連結する第２－６コーナーを含むことができる。本体１１０の第１～第６面は概して平坦な面であることができ、平坦でない領域をコーナーとすることができる。以下、各面の延長線とは、各面の平坦な部分を基準に延長した線を意味することができる。

このとき、外部電極１３１、１３２のうち本体１１０のコーナー上に配置された領域をコーナー部、本体１１０の第３及び第４面上に配置された領域を接続部、本体の第１及び第２面上に配置された領域をバンド部とすることができる。

一方、内部電極１２１、１２２による段差を抑制するために、積層後の内部電極が本体の第５及び第６面５、６に露出するように切断した後、単一の誘電体層又は２つ以上の誘電体層を容量形成部Ａｃの両側面に第３方向（幅方向）に積層してマージン部１１４、１１５を形成する場合には、第１面と第５及び第６面を連結する部分及び第２面と第５及び第６面を連結する部分が収縮した形態を有さなくてもよい。

本体１１０を形成する複数の誘電体層１１１は焼成された状態であって、隣接する誘電体層１１１間の境界は走査電子顕微鏡（ＳＥＭ：Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を利用せずには確認しにくいほど一体化することができる。

本発明の一実施形態によると、上記誘電体層１１１を形成する原料は、十分な静電容量が得られる限り特に制限されない。例えば、チタン酸バリウム系材料、鉛複合ペロブスカイト系材料又はチタン酸ストロンチウム系材料などを使用することができる。上記チタン酸バリウム系材料は、ＢａＴｉＯ_３系セラミック粉末を含むことができ、上記セラミック粉末の例示として、ＢａＴｉＯ_３、ＢａＴｉＯ_３にＣａ（カルシウム）、Ｚｒ（ジルコニウム）等が一部固溶した（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）ＴｉＯ_３（０＜ｘ＜１）、Ｂａ（Ｔｉ_１－ｙＣａ_ｙ）Ｏ_３（０＜ｙ＜１）、（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）（Ｔｉ_１－ｙＺｒ_ｙ）Ｏ_３（０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１）又はＢａ（Ｔｉ_１－ｙＺｒ_ｙ）Ｏ_３（０＜ｙ＜１）等が挙げられる。

また、上記誘電体層１１１を形成する原料は、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）などのパウダーに本発明の目的に応じて様々なセラミック添加剤、有機溶剤、結合剤、分散剤などを添加することができる。

一方、誘電体層１１１の平均厚さｔｄは特に限定する必要はない。但し、一般的に誘電体層を０．６μｍ未満の厚さで薄く形成する場合、特に誘電体層の厚さが０．３５μｍ以下の場合には信頼性が低下する恐れがあった。本発明の一実施形態によると、絶縁層を外部電極の接続部上に配置し、めっき層を外部電極のバンド部上に配置することにより、外部からの水分浸透、めっき液の浸透などを防止して信頼性を向上させることができるため、誘電体層１１１の平均厚さが０．３５μｍ以下の場合であっても優れた信頼性を確保することができる。

したがって、誘電体層１１１の平均厚さが０．３５μｍ以下の場合に、本発明による信頼性の向上効果がより顕著になることができる。上記誘電体層１１１の平均厚さｔｄは、上記第１及び第２内部電極１２１、１２２の間に配置される誘電体層１１１の平均厚さを意味することができる。

誘電体層１１１の平均厚さは、本体１１０の長さ及び厚さ方向（Ｌ－Ｔ）の断面を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ、Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）でイメージをスキャンして測定することができる。より具体的に、スキャンされたイメージにおいて、一つの誘電体層を長さ方向に等間隔である３０個の地点でその厚さを測定して平均値を測定することができる。上記等間隔である３０個の地点は、容量形成部Ａｃで指定することができる。また、このような平均値の測定を１０個の誘電体層に拡張して平均値を測定すると、誘電体層の平均厚さをさらに一般化することができる。

本体１１０は、本体１１０の内部に配置され、誘電体層１１１を間に挟んで互いに対向するように配置される第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２を含んで容量が形成される容量形成部Ａｃと、上記容量形成部Ａｃの第１方向の上部及び下部に形成されたカバー部１１２、１１３とを含むことができる。また、上記容量形成部Ａｃは、キャパシタの容量形成に寄与する部分であって、誘電体層１１１を間に挟んで複数の第１及び第２内部電極１２１、１２２を繰り返し積層して形成することができる。

カバー部１１２、１１３は、上記容量形成部Ａｃの第１方向の上部に配置される上部カバー部１１２及び上記容量形成部Ａｃの第１方向の下部に配置される下部カバー部１１３を含むことができる。

上記上部カバー部１１２及び下部カバー部１１３は、単一の誘電体層又は２つ以上の誘電体層を容量形成部Ａｃの上下面にそれぞれ厚さ方向に積層して形成することができ、基本的に物理的又は化学的ストレスによる内部電極の損傷を防止する役割を果たすことができる。

上記上部カバー部１１２及び下部カバー部１１３は内部電極を含まず、誘電体層１１１と同じ材料を含むことができる。すなわち、上記上部カバー部１１２及び下部カバー部１１３は、セラミック材料を含むことができ、例えば、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）系セラミック材料を含むことができる。

一方、カバー部１１２、１１３の平均厚さは特に限定する必要はない。但し、積層型電子部品の小型化及び高容量化をより容易に達成するために、カバー部１１２、１１３の平均厚さｔｃは１５μｍ以下であってもよい。また、本発明の一実施形態によると、絶縁層を外部電極の接続部上に配置し、めっき層を外部電極のバンド部上に配置することにより、外部からの水分浸透、めっき液の浸透などを防止して信頼性を向上させることができるため、カバー部１１２、１１３の平均厚さｔｃが１５μｍ以下の場合であっても優れた信頼性を確保することができる。

カバー部１１２、１１３の平均厚さｔｃは第１方向のサイズを意味することができ、容量形成部Ａｃの上部又は下部において等間隔の５個の地点で測定したカバー部１１２、１１３の第１方向のサイズを平均した値であることができる。

また、上記容量形成部Ａｃの側面には、マージン部１１４、１１５が配置されることができる。マージン部１１４、１１５は、本体１１０の第５面５に配置された第１マージン部１１４と、第６面６に配置された第２マージン部１１５とを含むことができる。すなわち、マージン部１１４、１１５は、上記本体１１０の幅方向の両端面（ｅｎｄ ｓｕｒｆａｃｅｓ）に配置されることができる。

マージン部１１４、１１５は、図３に示すように、上記本体１１０を幅－厚さ（Ｗ－Ｔ）方向に切断した断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）において、第１及び第２内部電極１２１、１２２の両端と本体１１０の境界面との間の領域を意味することができる。マージン部１１４、１１５は、基本的に物理的又は化学的ストレスによる内部電極の損傷を防止する役割を果たすことができる。

マージン部１１４、１１５は、セラミックグリーンシート上にマージン部が形成される箇所を除いて、導電性ペーストを塗布して内部電極を形成することにより形成されたものであってもよい。また、内部電極１２１、１２２による段差を抑制するために、積層後の内部電極が本体の第５及び第６面５、６に露出するように切断した後、単一の誘電体層又は２つ以上の誘電体層を容量形成部Ａｃの両側面に第３方向（幅方向）に積層してマージン部１１４、１１５を形成することもできる。

一方、マージン部１１４、１１５の幅は特に限定する必要はない。但し、積層型電子部品の小型化及び高容量化をより容易に達成するために、マージン部１１４、１１５の平均幅は１５μｍ以下であってもよい。また、本発明の一実施形態によると、絶縁層を外部電極の接続部上に配置し、めっき層を外部電極のバンド部上に配置することにより、外部からの水分浸透、めっき液の浸透などを防止して信頼性を向上させることができる。このため、マージン部１１４、１１５の平均幅が１５μｍ以下の場合であっても優れた信頼性を確保することができる。

マージン部１１４、１１５の平均幅は、マージン部１１４、１１５の第３方向の平均サイズを意味することができ、容量形成部Ａｃの側面において等間隔の５個の地点で測定したマージン部１１４、１１５の第３方向のサイズを平均した値であることができる。

内部電極１２１、１２２は誘電体層１１１と交互に積層される。内部電極１２１、１２２は、第１及び第２内部電極１２１、１２２を含むことができる。第１及び第２内部電極１２１、１２２は、本体１１０を構成する誘電体層１１１を間に挟んで互いに対向するように交互に配置され、本体１１０の第３及び第４面３、４にそれぞれ露出することができる。

図３を参照すると、第１内部電極１２１は第４面４と離隔し、第３面３を介して露出し、第２内部電極１２２は第３面３と離隔し、第４面４を介して露出することができる。本体の第３面３には第１外部電極１３１が配置されて第１内部電極１２１と連結され、本体の第４面４には第２外部電極１３２が配置されて第２内部電極１２２と連結されることができる。

すなわち、第１内部電極１２１は第２外部電極１３２とは連結されず、第１外部電極１３１と連結され、第２内部電極１２２は第１外部電極１３１とは連結されず、第２外部電極１３２と連結される。したがって、第１内部電極１２１は第４面４において一定距離離隔して形成され、第２内部電極１２２は第３面３において一定距離離隔して形成されることができる。

このとき、第１及び第２内部電極１２１、１２２は、中間に配置された誘電体層１１１によって互いに電気的に分離されることができる。本体１１０は、第１内部電極１２１が印刷されたセラミックグリーンシートと第２内部電極１２２が印刷されたセラミックグリーンシートとを交互に積層した後、焼成して形成することができる。

内部電極１２１、１２２を形成する材料は特に制限されず、電気伝導性に優れた材料を使用することができる。例えば、内部電極１２１、１２２は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、錫（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金のうち一つ以上を含むことができる。

また、内部電極１２１、１２２は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、錫（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金のうち一つ以上を含む内部電極用導電性ペーストをセラミックグリーンシートに印刷して形成することができる。上記内部電極用導電性ペーストの印刷方法としては、スクリーン印刷法又はグラビア印刷法などを使用することができるが、本発明はこれらに限定されるものではない。

一方、内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｅは特に限定する必要はない。但し、一般的に内部電極を０．６μｍ未満の厚さで薄く形成する場合、特に内部電極の厚さが０．３５μｍ以下の場合には信頼性が低下する恐れがあった。

本発明の一実施形態によると、絶縁層を外部電極の接続部上に配置し、めっき層を外部電極のバンド部上に配置することにより、外部からの水分浸透、めっき液の浸透などを防止して信頼性を向上させることができるため、内部電極１２１、１２２の平均厚さが０．３５μｍ以下の場合であっても優れた信頼性を確保することができる。したがって、内部電極１２１、１２２の厚さが平均０．３５μｍ以下である場合に、本発明による効果がより顕著となることができ、積層型電子部品の小型化及び高容量化をより容易に達成することができる。

上記内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｅは内部電極１２１、１２２の平均厚さを意味することができる。内部電極１２１、１２２の平均厚さは、本体１１０の長さ及び厚さ方向（Ｌ－Ｔ）の断面を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ、Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）でイメージをスキャンして測定することができる。より具体的に、スキャンされたイメージにおいて、一つの内部電極を長さ方向に等間隔である３０個の地点でその厚さを測定して平均値を測定することができる。上記等間隔である３０個の地点は、容量形成部Ａｃで指定することができる。また、このような平均値の測定を１０個の内部電極に拡張して平均値を測定すると、内部電極の平均厚さをさらに一般化することができる。

外部電極１３１、１３２は、本体１１０の第３面３及び第４面４に配置されることができる。外部電極１３１、１３２は、本体１１０の第３及び第４面３、４にそれぞれ配置され、第１及び第２内部電極１２１、１２２とそれぞれ連結された第１及び第２外部電極１３１、１３２を含むことができる。

外部電極１３１、１３２は、第３面に配置される第１接続部１３１ａ及び上記第１接続部から上記第１面の一部まで延長される第１バンド部１３１ｂを含む第１外部電極１３１、第４面に配置される第２接続部１３２ａ及び上記第２接続部から上記第１面の一部まで延長される第２バンド部１３２ｂを含む第２外部電極１３２を含むことができる。第１接続部１３１ａは第１内部電極１２１と第３面で連結され、第２接続部１３２ａは第２内部電極１２２と第４面で連結されることができる。

また、第１外部電極１３１は、第１接続部１３１ａから第２面の一部まで延長される第３バンド部１３１ｃを含むことができ、第２外部電極１３２は第２接続部１３２ａから第２面の一部まで延長される第４バンド部１３２ｃを含むことができる。さらに、第１外部電極１３１は、第１接続部１３１ａから第５及び第６面の一部まで延長される第１側面バンド部を含むことができ、第２外部電極１３２は第２接続部１３２ａから第５及び第６面の一部まで延長される第２側面バンド部を含むことができる。

但し、第３バンド部、第４バンド部、第１側部バンド部及び第２側部バンド部は、本発明に必須の構成要素でなくてもよい。第１及び第２外部電極１３１、１３２は第２面には配置されなくてもよく、第５及び第６面にも配置されなくてもよい。第１及び第２外部電極１３１、１３２が第２面に配置されないことによって、第１及び第２外部電極１３１、１３２は本体の第２面の延長線以下に配置されることができる。また、第１及び第２接続部１３１ａ、１３２ａは第５及び第６面と離隔して配置されることができ、第１及び第２接続部１３１ａ、１３２ａは第２面と離隔して配置されることができる。また、第１及び第２バンド部１３１ｂ、１３２ｂも第５及び第６面と離隔して配置されることができる。

一方、第１及び第２外部電極１３１、１３２が第３及び第４バンド部１３１ｃ、１３２ｃを含む場合、第３及び第４バンド部１３１ｃ、１３２ｃ上に絶縁層が配置されることを図示しているが、これに制限されるものではなく、実装の便宜性を向上させるために、第３及び第４バンド部１３１ｃ、１３２ｃ上にめっき層を配置してもよい。また、第１及び第２外部電極１３１、１３２が第３及び第４バンド部１３１ｃ、１３２ｃを含むものの、側面バンド部は含まない形態であってもよく、この場合、第１、第２接続部１３１ａ、１３２ａ、及び第１～第４バンド部１３１ａ、１３２ｂ、１３１ｃ、１３２ｃが第５及び第６面と離隔した形態を有してもよい。

本実施形態では、積層型電子部品１０００が２つの外部電極１３１、１３２を有する構造を説明しているが、外部電極１３１、１３２の個数や形状などは内部電極１２１、１２２の形態やその他の目的に応じて変更されることができる。

一方、外部電極１３１、１３２は、金属などのように電気伝導性を有するものであれば、如何なる物質を使用して形成されてもよく、電気的特性、構造的安定性などを考慮して具体的な物質が決定されてもよく、さらに、多層構造を有してもよい。

外部電極１３１、１３２は、導電性金属及びガラスを含む焼成（ｆｉｒｉｎｇ）電極であってもよく、導電性金属及び樹脂を含む樹脂系電極であってもよい。一実施形態において、外部電極１３１、１３２はガラスを含むことができる。本発明の絶縁層１５１は、ハフニウム（Ｈｆ）を含む酸化物を含み、ハフニウム（Ｈｆ）を含む酸化物は、ガラスと当接する部分で拡散（ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ）が発生することを抑制し、絶縁層の連続性が低下することを防止することができるため、外部電極１３１、１３２がガラスを含む場合、本発明による効果がより顕著になることができる。

なお、外部電極１３１、１３２は、本体上に焼成電極及び樹脂系電極が順次に形成された形態であってもよい。また、外部電極１３１、１３２は、本体上に導電性金属を含むシートを転写する方式で形成されるか、又は焼成電極上に導電性金属を含むシートを転写する方式で形成されたものであってもよい。

外部電極１３１、１３２に含まれる導電性金属として、電気伝導性に優れた材料を使用することができるが、特に限定されない。例えば、導電性金属は、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｓｎ、Ｃｒ及びそれらの合金のうち一つ以上であってもよい。好ましくは、外部電極１３１、１３２は、Ｎｉ及びＮｉ合金のうち一つ以上を含むことができる。これにより、Ｎｉを含む内部電極１２１、１２２との連結性をより向上させることができる。

絶縁層１５１は、第１及び第２接続部１３１ａ、１３２ａ上に配置されることができる。第１及び第２接続部１３１ａ、１３２ａは内部電極１２１、１２２と連結される部位であるため、めっき工程においてめっき液の浸透又は実際の使用時に水分浸透の経路となることができる。本発明では、接続部１３１ａ、１３２ａ上に絶縁層１５１が配置されるため、外部からの水分浸透又はめっき液の浸透を防止することができる。

絶縁層１５１は、第１及び第２めっき層１４１、１４２と接するように配置されることができる。このとき、絶縁層１５１が第１及び第２めっき層１４１、１４２の端を一部覆う形態で接するか、又は第１及び第２めっき層１４１、１４２が絶縁層１５１の端を一部覆う形態で接することができる。

絶縁層１５１は、第１及び第２接続部１３１ａ、１３２ａ上に配置され、第２面、第３及び第４バンド部１３１ｃ、１３２ｃを覆うように配置されることができる。このとき、絶縁層１５１は、第２面のうち第３及び第４バンド部１３１ｃ、１３２ｃが配置されない領域、第３及び第４バンド部１３１ｃ、１３２ｃを覆うように配置されることができる。これにより、絶縁層１５１が第３及び第４バンド部１３１ｃ、１３２ｃの端と本体１１０が接する領域をカバーして水分浸透の経路を遮断することにより、耐湿信頼性をより向上させることができる。

絶縁層１５１は、第２面上に配置され、上記第１及び第２接続部１３１ａ、１３２ａに延長して配置されることができる。また、絶縁層は、外部電極１３１、１３２が第２面に配置されていない場合、第２面を全部覆うように配置されることができる。一方、絶縁層１５１が第２面に必ずしも配置される必要はなく、絶縁層が第２面の一部又は全部に配置されなくてもよく、絶縁層が２つに分離されて第１及び第２接続部１３１ａ、１３２ａ上にそれぞれ配置される形態を有してもよい。絶縁層が第２面の全部に配置されない場合、第２面の延長線以下に配置されることができる。また、絶縁層が第２面に配置されないが、第１及び第２接続部１３１ａ、１３２ａ上で第５及び第６面に延長されて一つの絶縁層を成すことができる。

さらに、絶縁層１５１は、第１及び第２側面バンド部、第５面及び第６面の一部を覆うように配置されることができる。このとき、絶縁層１５１に覆われていない第５面及び第６面の一部は外部に露出することができる。

また、絶縁層１５１は、第１及び第２側面バンド部、第５面及び第６面を全て覆うように配置されてもよく、この場合、第５面及び第６面が外部に露出しないため耐湿信頼性を向上させることができ、接続部１３１ａ、１３２ａも直接に外部に露出せず、積層型電子部品１０００の信頼性を向上させることができる。より詳細には、絶縁層が第１及び第２側面バンド部を全て覆い、第５及び第６面のうち第１及び第２側面バンド部が形成された領域を除いた領域を全て覆うことができる。

絶縁層１５１は、絶縁層１５１が配置された外部電極１３１、１３２上にめっき層１４１、１４２が形成されることを防止する役割を果たすことができ、シーリング特性を向上させて外部から水分やめっき液などが浸透することを最小化する役割を果たすことができる。

絶縁層１５１は、ハフニウム（Ｈｆ）を含む酸化物を含むことができる。従来は、一般的に絶縁層にガラス系物質を使用していたが、ガラス系列の特性上、焼結時に凝集が著しく発生するため均一な膜を形成しにくく、焼結する過程で熱が必要となるため、本体内の応力を発生させてクラック又はデラミネーションの原因となることがある。また、ガラス系列の物質を含む絶縁層を用いる場合、外部電極を焼成した後にガラス系列の物質を含む絶縁層を焼成させる方法を使用するが、絶縁層を焼成する過程で外部電極の金属物質が内部電極に拡散して放射クラックが発生する恐れがある。さらに、ガラス系列は一般的に硬い特性を有するため、小さな衝撃にも割れる恐れがある。

本発明では、絶縁層にガラス系列の物質の代わりにハフニウム（Ｈｆ）を含む酸化物を適用することにより、ガラス系列の絶縁層が有する問題を解決しようとした。ハフニウム（Ｈｆ）を含む酸化物は絶縁特性を有するだけでなく、透湿率が非常に低いため、薄い厚さでも十分な耐湿信頼性及びめっき液に対する耐酸性を確保することができる。また、ハフニウム（Ｈｆ）を含む酸化物は、ガラスと当接する部分で拡散（ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ）が発生することを抑制し、絶縁層の連続性が低下することを防止することができる。したがって、絶縁層にガラス系列の代わりにハフニウム（Ｈｆ）を含む酸化物を適用することにより、耐湿信頼性及びめっき液に対する耐酸性をより向上させることができ、絶縁層の連続性が低下することを防止することができ、熱収縮によるクラック、金属拡散による放射クラックなどを抑制することができる。

一方、絶縁層１５１を形成する方法は特に限定する必要はない。例えば、本体１００に外部電極１３１、１３２を形成した後、原子層蒸着法（ＡＬＤ：Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）を用いてハフニウム（Ｈｆ）を含む酸化物を含む絶縁層１５１を形成することができる。原子層蒸着法は、半導体工程のうち、基板の表面に薄膜や保護膜を蒸着させる技術であって、化学的に薄膜を施す従来の蒸着技術とは異なり、原子層を一層ずつ積み重ねて薄膜を成長させる技術である。原子層蒸着法は、段差被覆（Ｓｔｅｐ－ｃｏｖａｒａｇｅ）に優れ、薄膜の厚さ調節が容易であり、均一な薄膜を形成できるという利点がある。したがって、絶縁層１５１は、原子層蒸着法により形成されたものであってもよく、これにより、薄くて均一な絶縁層１５１を形成することができる。

また、絶縁層１５１に含まれたハフニウム（Ｈｆ）を含む酸化物の種類は特に限定されないが、例えば、ＨｆＯ_２であってもよい。

一実施形態において、絶縁層１５１は、酸素原子を除いた残りの元素の総モル数に対するハフニウム（Ｈｆ）原子のモル数が０．９５以上であってもよい。すなわち、絶縁層１５１は、不純物として検出される元素を除けば、実質的にハフニウム（Ｈｆ）を含む酸化物からなることができる。このとき、ハフニウム（Ｈｆ）を含む酸化物はＨｆＯ_２であってもよい。これにより、熱収縮によるクラック、金属拡散による放射クラックなどを抑制する効果、及び耐湿信頼性の向上効果をより向上させることができる。

このとき、絶縁層１５１の成分は、ＳＥＭ－ＥＤＳ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ－Ｅｎｅｒｇｙ Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ Ｘ－ｒａｙ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）を用いて観察した画像から算出したものであってもよい。具体的に、積層型電子部品を幅方向（第３方向）の中央の位置まで研磨して長さ方向及び厚さ方向の断面（Ｌ－Ｔ断面）を露出させた後、絶縁層を厚さ方向に５等分した領域のうち、中央に配置された領域を、ＥＤＳを用いて絶縁層に含まれた各元素のモル数を測定することができ、酸素原子を除いた残りの元素の総モル数に対するハフニウム（Ｈｆ）原子のモル数を計算することができる。

一実施形態において、絶縁層１５１の平均厚さｔ２は１５ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であってもよい。絶縁層１５１の平均厚さｔ２が１５ｎｍ以上である場合、絶縁層の水分透過率が０ｍｇ／［ｍ^２ｄａｙ］であることができ、これにより耐湿信頼性を向上させることができる。

絶縁層１５１の平均厚さが１５ｎｍ未満の場合には、熱収縮によるクラック、金属拡散による放射クラック等を抑制する効果及び耐湿信頼性の向上効果が十分に確保できない恐れがあり、絶縁層の水分透過率が０ｍｇ／［ｍ^２ｄａｙ］を超える可能性がある。これに対し、絶縁層１５１の平均厚さが１０００ｎｍを超える場合には、絶縁層にクラックが発生する恐れがあり、絶縁層の形成時間が過度に長くなる可能性があり、積層型電子部品の全体サイズが大きくなって単位体積当たりの容量が低下する恐れがある。

絶縁層１５１の平均厚さｔ２は、第１及び第２接続部１３１ａ、１３２ａ上の等間隔の５個の地点で測定した厚さを平均した値であってもよい。より具体的な例を挙げると、第１及び第２接続部１３１ａ、１３２ａの第１方向の中央地点、上記第１方向の中央地点を基準として第１方向に５μｍ離隔した２個の地点、第１方向に１０μｍ離隔した２個の地点で測定した絶縁層の厚さ値を平均した値であってもよい。

一実施形態において、絶縁層１５１上に配置され、アルミニウム（Ａｌ）を含む酸化物を含むカバー層をさらに含むことができる。より詳細な説明は後述する。

一実施形態において、絶縁層１５１は第１及び第２外部電極１３１、１３２と直接接するように配置され、第１及び第２外部電極１３１、１３２は導電性金属及びガラスを含むことができる。これにより、第１及び第２外部電極１３１、１３２の外表面のうち絶縁層１５１が配置された領域には、めっき層１４１、１４２が配置されなくてもよいため、めっき液による外部電極の侵食を効果的に抑制することができる。

このとき、第１めっき層１４１は、絶縁層１５１の第１外部電極１３１上に配置された端を覆うように配置され、第２めっき層１４２は、絶縁層１５１の第２外部電極１３２上に配置された端を覆うように配置されることができる。外部電極１３１、１３２上にめっき層１４１、１４２を形成する前に絶縁層１５１を先に形成することにより、めっき層の形成過程におけるめっき液の浸透をより確実に抑制することができる。めっき層よりも絶縁層を先に形成することにより、めっき層１４１、１４２が絶縁層１５１の端を覆う形態を有することができる。

一実施形態において、絶縁層１５１は第１及び第２外部電極１３１、１３２と直接接するように配置され、第１及び第２外部電極１３１、１３２は導電性金属及び樹脂を含むことができる。これにより、第１及び第２外部電極１３１、１３２の外表面のうち絶縁層１５１が配置された領域には、めっき層１４１、１４２が配置されなくてもよいため、めっき液による外部電極の侵食を効果的に抑制することができる。

このとき、第１めっき層１４１は、絶縁層１５１の第１外部電極１３１上に配置された端を覆うように配置され、第２めっき層１４２は、絶縁層１５１の第２外部電極１３２上に配置された端を覆うように配置されることができる。外部電極１３１、１３２上にめっき層１４１、１４２を形成する前に絶縁層１５１を先に形成することにより、めっき層の形成過程におけるめっき液の浸透をより確実に抑制することができる。めっき層よりも絶縁層を先に形成することにより、めっき層１４１、１４２が絶縁層１５１の端を覆う形態を有することができる。

第１及び第２めっき層１４１、１４２は、それぞれ第１及び第２バンド部１３１ｂ、１３２ｂ上に配置されることができる。めっき層１４１、１４２は実装特性を向上させる役割を果たすことができ、めっき層１４１、１４２がバンド部１３１ｂ、１３２ｂ上に配置されることにより、実装空間を最小化することができ、内部電極にめっき液が浸透することを最小化して信頼性を向上させることができる。第１及び第２めっき層１４１、１４２の一端は第１面に接することができ、他端は絶縁層１５１に接することができる。

めっき層１４１、１４２の種類は特に限定されず、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｄ及びこれらの合金のうち一つ以上を含むめっき層であってもよく、複数の層で形成されてもよい。めっき層１４１、１４２に対するより具体的な例を挙げると、めっき層１４１、１４２は、Ｎｉめっき層又はＳｎめっき層であってもよく、第１及び第２バンド部１３１ｂ、１３２ｂ上にＮｉめっき層及びＳｎめっき層が順次に形成された形態であってもよい。

一実施形態において、第１及び第２めっき層１４１、１４２は、それぞれ第１及び第２接続部１３１ａ、１３２ａを一部覆うように延長して配置されることができる。第１及び第２内部電極１２１、１２２のうち、第１面１に最も近く配置された内部電極までの第１方向の平均サイズをＨ１、上記第１面１の延長線から上記第１及び第２接続部１３１ａ、１３２ａ上に配置された第１及び第２めっき層１４１、１４２の端までの第１方向の平均サイズをＨ２とするとき、Ｈ１＞Ｈ２を満たすことができる。これにより、めっき工程時にめっき液が内部電極に浸透することを抑制し、信頼性を向上させることができる。

Ｈ１及びＨ２は、本体１１０を第３方向に等間隔を有する５個の地点において、第１及び第２方向に切断した断面（Ｌ－Ｔ断面）で測定した値を平均した値であってもよい。Ｈ１は、各断面において第１面１に最も近く配置された内部電極が外部電極と連結される地点で測定した値を平均した値であってもよく、Ｈ２は外部電極と接するめっき層の端を基準として測定した値を平均した値であってもよく、Ｈ１及びＨ２の測定時に基準となる第１面の延長線は同一であってもよい。

一実施形態において、第１めっき層１４１は、絶縁層１５１の第１外部電極１３１上に配置された端を覆うように配置され、第２めっき層１４２は絶縁層１５１の第２外部電極１３２上に配置された端を覆うように配置されることができる。これにより、絶縁層１５１とめっき層１４１、１４２との結合力を強化して積層型電子部品１０００の信頼性を向上させることができる。

一実施形態において、絶縁層１５１は、第１めっき層１４１の第１外部電極１３１上に配置された端を覆うように配置され、絶縁層１５１は第２めっき層１４２の第２外部電極１３２上に配置された端を覆うように配置されることができる。これにより、絶縁層１５１とめっき層１４１、１４２との結合力を強化して積層型電子部品１０００の信頼性を向上させることができる。

一実施形態において、本体１１０の第２方向の平均サイズをＬ、上記第３面の延長線から上記第１バンド部の端までの上記第２方向の平均サイズをＢ１、上記第４面の延長線から上記第２バンド部の端までの上記第２方向の平均サイズをＢ２とするとき、０．２≦Ｂ１／Ｌ≦０．４及び０．２≦Ｂ２／Ｌ≦０．４を満たすことができる。

Ｂ１／Ｌ及びＢ２／Ｌが０．２未満の場合には、十分な固着強度を確保しにくい可能性がある。これに対し、Ｂ２／Ｌが０．４を超える場合には、高圧電流下で第１バンド部１３１ｂと第２バンド部１３２ｂとの間で漏れ電流が発生する恐れがあり、めっき工程時にめっき滲み等により第１バンド部１３１ｂと第２バンド部１３２ｂとが電気的に連結される恐れがある。Ｂ１、Ｂ２及びＬは、本体１１０を第３方向に等間隔を有する５個の地点において第１及び第２方向に切断した断面（Ｌ－Ｔ断面）で測定した値を平均した値であってもよい。

積層型電子部品１０００が実装された実装基板１１００を示す図５を参照すると、積層型電子部品１０００のめっき層１４１、１４２は、基板１８０上に配置された電極パッド１８１、１８２と半田１９１、１９２によって接合されることができる。

一方、内部電極１２１、１２２が第１方向に積層されている場合には、内部電極１２１、１２２が実装面と平行になるように積層型電子部品１０００を基板１８０に水平実装することができる。但し、本発明が水平実装である場合に限定されるものではなく、内部電極１２１、１２２を第３方向に積層する場合には、内部電極１２１、１２２が実装面と垂直になるように基板に積層型電子部品を垂直実装することができる。

積層型電子部品１０００のサイズは特に限定する必要はない。但し、小型化及び高容量化を同時に達成するためには、誘電体層及び内部電極の厚さを薄くして積層数を増加させなければならないため、１００５（長さ×幅、１．０ｍｍ×０．５ｍｍ）以下のサイズを有する積層型電子部品１０００において、本発明による信頼性及び単位体積当たりの容量向上効果がより顕著になることができる。

したがって、製造誤差、外部電極サイズなどを考慮すると、積層型電子部品１０００の長さが１．１ｍｍ以下であり、幅が０．５５ｍｍ以下である場合、本発明による信頼性の向上効果がより顕著になることができる。ここで、積層型電子部品１０００の長さは、積層型電子部品１０００の第２方向の最大サイズを意味し、積層型電子部品１０００の幅は、積層型電子部品１０００の第３方向の最大サイズを意味することができる。

（実施例）
下記の表１は、ハフニウム（Ｈｆ）を含む酸化物を含む絶縁層の平均厚さによる耐湿信頼性及びクラック発生の有無を評価したものである。具体的に各試験番号当たりＰＩ（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）フィルムに平均厚さを異ならせる絶縁層を原子層蒸着方法（Ａｔｏｍｉｃ ｌａｙｅｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）で形成した後、相対湿度１００％、温度４１．８℃で水分の透過率を測定した。このとき、水分の透過率の測定装備はＭｏｃｏｎ社の「ＡＱＵＡＴＲＡＮ １（Ｇ）」であった。

また、光学顕微鏡を用いて目視でクラック発生の有無を観察し、クラックが発生した場合は「Ｏ」、クラックが発生していない場合は「×」と表した。上記耐湿信頼性の評価は、ＰＩフィルムに絶縁層を形成して評価したものであるが、耐湿信頼性の評価から確認できる効果は、多様な実施例による積層型電子部品１０００、２０００、３０００の場合でも同様に理解することができる。

試験番号１は、絶縁層の平均厚さが１５ｎｍ未満の場合であって、水分透過を抑制する効果が不足していることが確認できる。試験番号２～７は、絶縁層の平均厚さが１５ｎｍ以上の場合であって、水分透過率が０ｍｇ／ｍ^２ｄａｙであることが確認でき、水分透過を抑制する効果が顕著であることが確認できる。但し、試験番号７は絶縁層の平均厚さが１０００ｎｍを超えて絶縁層にクラックが発生した。したがって、一実施形態による積層型電子部品の絶縁層の平均厚さｔ２を１５ｎｍ以上１０００ｎｍ以下とすることにより、水分透過を遮断して優れた耐湿信頼性を確保しながらもクラックを防止することができる。

図６は、本発明の一実施形態による積層型電子部品１００１の斜視図を概略的に示すものであり、図７は、図６のＩＩ－ＩＩ'線に沿った断面図である。図６及び図７を参照すると、本発明の一実施形態による積層型電子部品１００１は、第１及び第２めっき層１４１－１、１４２－１が第１面の延長線Ｅ１以下に配置されることができる。これにより、実装時に半田の高さを最小化することができ、実装空間を最小化することができる。また、絶縁層１５１－１は、第１面の延長線以下まで延長されて第１及び第２めっき層１４１－１、１４２－１と接するように配置されることができる。

図８は、本発明の一実施形態による積層型電子部品１００２の斜視図を概略的に示すものであり、図９は図８のＩＩＩ－ＩＩＩ'線に沿った断面図である。図８及び図９を参照すると、本発明の一実施形態による積層型電子部品１００２は、第１面１上に配置され、第１バンド部１３１ｂと第２バンド部１３２ｂとの間に配置される追加絶縁層１６１をさらに含むことができる。これにより、高圧電流下で第１バンド部１３１ｂと第２バンド部１３２ｂとの間で発生し得る漏れ電流などを防止することができる。

追加絶縁層１６１の種類は特に限定する必要はない。例えば、追加絶縁層１６１は、絶縁層１５１と同様に、ハフニウム（Ｈｆ）を含む酸化物を含むことができる。但し、追加絶縁層１６１と絶縁層１５１を同じ材料に限定する必要はなく、異なる材料で形成されてもよい。例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、エチルセルロース（Ｅｔｈｙｌ Ｃｅｌｌｕｌｏｓｅ）等から選択された１種以上を含んでもよく、ガラスを含んでもよい。

図１０は、本発明の一実施形態による積層型電子部品１００３の斜視図を概略的に示すものであり、図１１は、図１０のＩＶ－ＩＶ'線に沿った断面図である。図１０及び図１１を参照すると、一実施形態による積層型電子部品１００３は、第１面１から上記第１及び第２内部電極１２１、１２２のうち、上記第１面１に最も近く配置された内部電極までの第１方向の平均サイズをＨ１、上記第１面１の延長線から上記第１及び第２接続部１３１ａ、１３２ａ上に配置されためっき層１４１－３、１４２－３の端までの第１方向の平均サイズをＨ２とするとき、Ｈ１＜Ｈ２を満たすことができる。これにより、実装時に半田と接する面積を増加させて固着強度を向上させることができる。

より好ましくは、本体１１０の第１方向の平均サイズをＴとするとき、Ｈ２＜Ｔ／２を満たすことができる。すなわち、Ｈ１＜Ｈ２＜Ｔ／２を満たすことができる。Ｈ２がＴ／２以上の場合には、絶縁層による耐湿信頼性の向上効果が低下する恐れがあるためである。

Ｈ１、Ｈ２及びＴは、本体１１０を第３方向に等間隔を有する５個の地点において、第１及び第２方向に切断した断面（Ｌ－Ｔ断面）で測定した値を平均した値であってもよい。Ｈ１は、各断面において第１面１に最も近く配置された内部電極が外部電極と連結される地点で測定した値を平均した値であってもよく、Ｈ２は、各断面において外部電極と接するめっき層の端を基準として測定した値を平均した値であってもよく、Ｈ１及びＨ２の測定時に基準となる第１面の延長線は同じであってもよい。また、Ｔは、各断面において、本体１１０の第１方向の最大サイズを測定した後に平均した値であってもよい。

図１２は、本発明の一実施形態による積層型電子部品１００４の斜視図を概略的に示すものであり、図１３は、図１２のＶ－Ｖ'線に沿った断面図である。図１２及び図１３を参照すると、本発明の一実施形態による積層型電子部品１００４は、第１バンド部１３１ｂ－４の平均長さＢ１が第３バンド部１３１ｃ－４の平均長さＢ３より長くてもよく、第２バンド部１３２ｂ－４の平均長さが第４バンド部１３２ｃ－４の平均長さＢ４より長くてもよい。これにより、実装時に半田と接する面積を増加させて固着強度を向上させることができる。

より詳細には、第３面３の延長線から上記第１バンド部１３１ｂ－４の端までの上記第２方向の平均サイズをＢ１、上記第４面４の延長線から上記第２バンド部１３２ｂ－４の端までの上記第２方向の平均サイズをＢ２、上記第３面３の延長線から上記第３バンド部１３１ｃ－４の端までの上記第２方向の平均サイズをＢ３、上記第４面４の延長線から上記第４バンド部１３２ｃ－４の端までの上記第２方向の平均サイズをＢ４とするとき、Ｂ３＜Ｂ１及びＢ４＜Ｂ２を満たすことができる。

このとき、本体１１０の第２方向の平均サイズをＬとするとき、０．２≦Ｂ１／Ｌ≦０．４及び０．２≦Ｂ２／Ｌ≦０．４を満たすことができる。Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ４及びＬは、本体１１０を第３方向に等間隔を有する５個の地点において第１及び第２方向に切断した断面（Ｌ－Ｔ断面）で測定した値を平均した値であってもよい。

また、第１外部電極１３１－４は、第１接続部１３１ａ－４から第５及び第６面の一部まで延長される第１側面バンド部を含むことができ、第２外部電極１３２－４は、第２接続部１３２ａ－４から第５及び第６面の一部まで延長される第２側面バンド部を含むことができる。このとき、上記第１及び第２側面バンド部の第２方向のサイズは、第１面に近づくほど次第に大きくなることができる。すなわち、上記第１及び第２側面バンド部は、テーパ形状または台形形状に配置されることができる。

さらに、上記第３面の延長線から上記第３バンド部１４１ｃ－４の端までの上記第２方向の平均サイズをＢ３、上記第４面の延長線から上記第４バンド部１４２ｃ－４の端までの上記第２方向の平均サイズをＢ４、上記第３面と上記第２内部電極１２２が離隔した領域の第２方向の平均サイズをＧ１、上記第４面と上記第１内部電極１２１が離隔した領域の第２方向の平均サイズをＧ２とするとき、Ｂ３≦Ｇ１及びＢ４≦Ｇ２を満たすことができる。これにより、外部電極が占める体積を最小化して積層型電子部品１００４の単位体積当たりの容量を増加させることができる。

上記Ｇ１及びＧ２は、本体を第３方向の中央で第１及び第２方向に切断した断面において、第１方向の中央部に位置した任意の５個の第２内部電極に対して測定した第３面まで離隔した第２方向のサイズを平均した値はＧ１とし、第１方向の中央部に位置した任意の５個の第１内部電極に対して測定した第４面まで離隔した領域の第２方向のサイズを平均した値をＧ２とすることができる。

さらに、本体１１０を第３方向に等間隔を有する５個の地点において第１及び第２方向に切断した断面（Ｌ－Ｔ断面）でＧ１及びＧ２を求め、それらを平均した値をＧ１及びＧ２とすることで、さらに一般化することができる。

但し、本発明をＢ３≦Ｇ１及びＢ４≦Ｇ２に限定する意図ではなく、Ｂ３≧Ｇ１及びＢ４≧Ｇ２を満たす場合も、本発明の一実施形態に含まれることができる。したがって、一実施形態において、第３面の延長線から第３バンド部の端までの上記第２方向の平均サイズをＢ３、上記第４面の延長線から上記第４バンド部の端までの上記第２方向の平均サイズをＢ４、第３面と上記第２内部電極が離隔した領域の第２方向の平均サイズをＧ１、第４面と上記第１内部電極が離隔した領域の第２方向の平均サイズをＧ２とするとき、Ｂ３≧Ｇ１及びＢ４≧Ｇ２を満たすことができる。

一実施形態において、上記第３面Ｅ３の延長線から上記第１バンド部の端までの上記第２方向の平均サイズをＢ１、上記第４面の延長線から上記第２バンド部の端までの上記第２方向の平均サイズをＢ２とするとき、Ｂ１≧Ｇ１及びＢ２≧Ｇ２を満たすことができる。これにより、積層型電子部品１００４の基板１８０との固着強度を向上させることができる。

図１４は、本発明の一実施形態による積層型電子部品１００５の斜視図を概略的に示すものであり、図１５は、図１４のＶＩ－ＶＩ'線に沿った断面図である。図１４及び図１５を参照すると、本発明の一実施形態による積層型電子部品１００５の第１及び第２外部電極１３１－５、１３２－５は、第２面上には配置されず、第３、第４及び第１面に配置されてＬ字形状を有することができる。すなわち、第１及び第２外部電極１３１－５、１３２－５は第２面の延長線以下に配置されることができる。

第１外部電極１３１－５は、第３面３に配置される第１接続部１３１ａ－５、上記第１接続部１３１ａ－５から上記第１面１の一部まで延長される第１バンド部１３１ｂ－５を含むことができ、第２外部電極１３２－５は、第４面４に配置される第２接続部１３２ａ－５、上記第２接続部１３２ａ－５から上記第１面１の一部まで延長される第２バンド部１３２ｂ－５を含むことができる。第２面２上には外部電極１３１－５、１３２－５が配置されず、絶縁層１５１－５が第２面２の全部を覆うように配置されることができる。これにより、外部電極１３１－５、１３２－５が占める体積を最小化することができるため、積層電子部品１００５の単位体積当たりの容量をより向上させることができる。但し、絶縁層１５１－５が第２面２の全部を覆う形態に限定する必要はなく、絶縁層が第２面２の一部又は全部を覆わずに、分離されて第１及び第２接続部１３１ａ－５、１３２ａ－５をそれぞれ覆っている形態を有してもよい。

また、絶縁層１５１－５が第５面及び第６面の一部を覆うように配置されて信頼性をより向上させることができる。このとき、絶縁層１５１－５に覆われていない第５面及び第６面の一部は外部に露出することができる。さらに、絶縁層１５１－５は、第５面及び第６面の全体を覆うように配置されることができ、この場合、第５面及び第６面が外部に露出しないため、耐湿信頼性をさらに向上させることができる。

第１バンド部１３１ｂ－５上には第１めっき層１４１－５、第２バンド部１３２ｂ－５上には第２めっき層１４２－５が配置され、第１及び第２めっき層１４１－５、１４２－５は第１及び第２接続部１３２ａ－５、１３２ｂ－５上の一部まで延長して配置されることができる。このとき、第５及び第６面５、６上にも外部電極１３１－５、１３２－５が配置されなくてもよい。すなわち、外部電極１３１－５、１３２－５が第３、第４及び第１面上にのみ配置される形態を有することができる。

第１面１から上記第１及び第２内部電極１２１、１２２のうち、上記第１面１に最も近く配置された内部電極までの第１方向の平均サイズをＨ１、上記第１面１の延長線から上記第１及び第２接続部１３１ａ－５、１３２ａ－５上に配置されためっき層１４１－５、１４２－５の端までの第１方向の平均サイズをＨ２とするとき、Ｈ１＜Ｈ２を満たすことができる。これにより、実装時に半田と接する面積を増加させて固着強度を向上させることができ、外部電極１３１－５、１３２－５とめっき層１４１－５、１４２－５が接する面積を増加させてＥＳＲ（Ｅｑｕｉｖａｌｅｎｔ Ｓｅｒｉｅｓ Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）が増加することを抑制することができる。

より好ましくは、本体１１０の第１方向の平均サイズをＴとするとき、Ｈ２＜Ｔ／２を満たすことができる。すなわち、Ｈ１＜Ｈ２＜Ｔ／２を満たすことができる。Ｈ２がＴ／２以上の場合には、絶縁層による耐湿信頼性の向上効果が低下する恐れがあるためである。

また、第１及び第２めっき層１４１－５、１４２－５は、第３面及び第４面において絶縁層１５１－１の一部を覆うように配置されることができる。すなわち、めっき層１４１－５、１４２－５が第３面及び第４面において絶縁層１５１－５の端を覆うように配置されることができる。これにより、絶縁層１５１－５とめっき層１４１－５、１４２－５との結合力を強化して積層型電子部品１００５の信頼性を向上させることができる。

また、絶縁層１５１－５は、第３面及び第４面において第１及び第２めっき層１４１－５、１４２－５の一部を覆うように配置されることができる。すなわち、絶縁層１５１－５が第３面及び第４面においてめっき層１４１－５、１４２－５の端を覆うように配置されることができる。これにより、絶縁層１５１－５とめっき層１４１－５、１４２－５との結合力を強化して積層型電子部品１００５の信頼性を向上させることができる。

図１６は、図１４の変形例を示すものである。図１６を参照すると、本発明の一実施形態による積層型電子部品１００５の変形例１００６は、第１接続部１３１ａ－６と第３面との間には第１追加電極層１３４が配置されることができ、第２接続部１３２ａ－６と第４面との間には第２追加電極層１３５が配置されることができる。第１追加電極層１３４は第３面から外れない範囲で配置されることができ、第２追加電極層１３５は第４面から外れない範囲で配置されることができる。第１及び第２追加電極層１３４、１３５は、内部電極１２１、１２２と外部電極１３１－６、１３２－６間の電気的連結性を向上させることができ、外部電極１３１－６、１３２－６との結合力に優れ、外部電極１３１－６、１３２－６の機械的結合力をより向上させる役割を果たすことができる。

第１及び第２外部電極１３１－６、１３２－６は、第２面上に第１及び第２外部電極が配置されていないＬ字形状を有することができる。第１外部電極１３１－６は、第１追加電極層１３４上に配置される第１接続部１３１ａ－６、上記第１接続部１３１ａ－６から上記第１面１の一部まで延長される第１バンド部１３１ｂ－６を含むことができ、第２外部電極１３２－６は、第２追加電極層１３５上に配置される第２接続部１３２ａ－６、上記第２接続部１３２ａ－６から上記第１面１の一部まで延長される第２バンド部１３２ｂ－６を含むことができる。

一方、第１及び第２追加電極層１３１－６、１３２－６は、金属等のように電気伝導性を有するものであれば、如何なる物質を使用して形成されてもよく、電気的特性、構造的安定性等を考慮して具体的な物質が決定されてもよい。また、第１及び第２追加電極層１３１－６、１３２－６は、導電性金属及びガラスを含む焼成（ｆｉｒｉｎｇ）電極であってもよく、導電性金属及び樹脂を含む樹脂系電極であってもよい。また、第１及び第２追加電極層１３１－６、１３２－６は、本体上に導電性金属を含むシートを転写する方式で形成されたものであってもよい。

第１及び第２追加電極層１３１－６、１３２－６に含まれる導電性金属として電気伝導性に優れた材料を使用することができるが、特に限定されない。例えば、導電性金属は、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｓｎ、Ｃｒ及びそれらの合金のうち一つ以上であってもよい。好ましくは、第１及び第２追加電極層１３１－６、１３２－６は、Ｎｉ及びＮｉ合金のうち一つ以上を含むことができる。これにより、Ｎｉを含む内部電極１２１、１２２との連結性をより向上させることができる。

図１７は、本発明の一実施形態による積層型電子部品１００７の斜視図を概略的に示すものであり、図１８は、図１７のＶＩＩ－ＶＩＩ'線に沿った断面図である。図１７及び図１８を参照すると、本発明の一実施形態による積層型電子部品１００７の第１及び第２めっき層１４１－６、１４２－６の平均厚さｔ１は絶縁層１５１－６の平均厚さｔ２よりも薄い形態であってもよい。

絶縁層１５１－６は外部からの水分浸透又はめっき液の浸透を防止する役割を果たすが、めっき層１４１－６、１４２－６との連結性が弱く、めっき層１４１－６、１４２－６のデラミネーション（ｄｅｌａｍｉｎａｔｉｏｎ）の原因となることがある。めっき層がデラミネーションされる場合、基板１８０との固着強度が低下する可能性がある。ここで、めっき層１４１－６、１４２－６のデラミネーションとは、めっき層が一部剥がれたり、外部電極１３１－５、１３２－５と物理的に分離されたりすることを意味することができる。めっき層と絶縁層との連結性が弱いため、絶縁層とめっき層との界面の隙間が広がったり、異物が浸透する可能性が高くなり、外部衝撃等に脆弱になったりしてデラミネーションされる可能性が高くなることがある。

本発明の一実施形態によると、めっき層の平均厚さｔ１を絶縁層の平均厚さｔ２よりも薄くしてめっき層と絶縁層が当接する面積を減らすことができ、これにより、デラミネーションの発生を抑制して積層型電子部品１０００の基板１８０との固着強度を向上させることができる。

第１及び第２めっき層１４１－６、１４２－６の平均厚さｔ１は、第１及び第２接続部１３１ａ－５、１３２ａ－５又は第１及び第２バンド部１３１ｂ－５、１３２ｂ－５上の等間隔の５個の地点で測定した厚さを平均した値であってもよく、絶縁層１５１－６の平均厚さｔ２は第１及び第２接続部１３１ａ－５、１３２ａ－５上の等間隔の５個の地点で測定した厚さを平均した値であってもよい。

図１９は、本発明の一実施形態による積層型電子部品１００８の斜視図を概略的に示すものであり、図２０は、図１８のＸＩＶ－ＸＩＶ'線に沿った断面図である。図１９及び図２０を参照すると、一実施形態による積層型電子部品１００８の絶縁層１５１－７上にはアルミニウム（Ａｌ）を含む酸化物を含むカバー層１７１が配置されることができる。

アルミニウム（Ａｌ）を含む酸化物は、ガラスと当接する部分で拡散（ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ）が発生する可能性があり、ガラスを含む外部電極上にアルミニウム（Ａｌ）を含む酸化物で絶縁層を形成する場合、拡散により絶縁層の連続性が低下する可能性がある。特に、積層型電子部品を高温環境で使用する場合、拡散が発生しやすいため、アルミニウム（Ａｌ）を含む酸化物で絶縁層を形成する場合、高温環境における耐湿信頼性が保障できない恐れがある。

本発明の一実施形態によると、アルミニウム（Ａｌ）を含む酸化物を含むカバー層１７１が、ハフニウム（Ｈｆ）を含む酸化物を含む絶縁層１５１－７上に配置されるため、外部電極１３１、１３２がガラスを含む場合にもカバー層１７１の連続性が低下することを防止することができ、高温環境でも優れた耐湿信頼性を確保することができる。また、カバー層１７１にクラックが発生しても、絶縁層１５１－７が第１、第２外部電極１３１、１３２及び本体１１０の内部にクラックが伝播することを防止する役割を果たすことができ、クラックの発生を抑制することができる。

一実施形態において、絶縁層１５１－７に含まれたハフニウム（Ｈｆ）を含む酸化物はＨｆＯ_２であってもよく、カバー層１７１に含まれたアルミニウム（Ａｌ）を含む酸化物はＡｌ_２Ｏ_３であってもよい。

一実施形態において、絶縁層１５１－７は、酸素原子を除いた残りの元素の総モル数に対するハフニウム（Ｈｆ）原子のモル数が０．９５以上であってもよく、カバー層１７１は酸素原子を除いた残りの元素の総モル数に対するアルミニウム（Ａｌ）原子のモル数は０．９５以上であってもよい。すなわち、不純物として検出される元素を除けば、絶縁層１５１－７は実質的にハフニウム（Ｈｆ）を含む酸化物からなることができ、カバー層１７１は実質的にアルミニウム（Ａｌ）からなることができる。これにより、熱収縮によるクラック、金属拡散による放射クラックなどを抑制する効果、及び耐湿信頼性の向上効果をより向上させることができる。このとき、カバー層１７１の成分は、上述した絶縁層の成分を分析する方法と同様の方法で分析することができる。

図２１は、本発明の一実施形態による積層型電子部品２０００の斜視図を概略的に示すものであり、図２２は、図２１のＶＩＩＩ－ＶＩＩＩ'線に沿った断面図である。以下、図２１及び図２２を参照して、本発明の一実施形態による積層型電子部品２０００について詳細に説明する。但し、上述した内容と重複する内容は、重複した説明を避けるために省略することができる。

本発明の一実施形態による積層型電子部品２０００は、誘電体層１１１、上記誘電体層を間に挟んで交互に配置される第１及び第２内部電極１２１、１２２を含み、第１方向に対向する第１及び第２面１、２、上記第１及び第２面と連結され、第２方向に対向する第３及び第４面３、４、上記第１～第４面と連結され、第３方向に対向する第５及び第６面５、６を含む本体１１０と、上記第３面に配置される第１連結電極２３１ａ及び上記第１面に配置されて上記第１連結電極と連結される第１バンド電極２３１ｂを含む第１外部電極２３１と、上記第４面に配置される第２連結電極２３２ａ及び上記第１面に配置されて上記第２連結電極と連結される第２バンド電極２３２ｂを含む第２外部電極２３２と、上記第１連結電極上に配置される第１絶縁層２５１と、上記第２連結電極上に配置される第２絶縁層２５２と、上記第１バンド電極上に配置される第１めっき層２４１と、上記第２バンド電極上に配置される第２めっき層２４２と、を含み、上記第１及び第２絶縁層２５１、２５２はハフニウム（Ｈｆ）を含む酸化物を含むことができる。

第１連結電極２３１ａは第３面３に配置されて第１内部電極１２１と連結され、第２連結電極２３１ｂは第４面４に配置されて第２内部電極１２２と連結されることができる。また、第１連結電極２３１ａ'上には第１絶縁層２５１が配置され、第２連結電極２３２ａ上には第２絶縁層２５２が配置されることができる。

従来は、外部電極を形成する際に導電性金属が含まれたペーストを使用して、本体の内部電極が露出した面をペーストにディッピング（ｄｉｐｐｉｎｇ）する方法が主に使用されていた。しかし、ディッピング（ｄｉｐｐｉｎｇ）工法によって形成された外部電極は、厚さ方向の中央部における外部電極の厚さが過度に厚くなることがあった。また、このようなディッピング（ｄｉｐｐｉｎｇ）工法による外部電極の厚さ不均衡の問題でなくとも、本体の第３及び第４面に内部電極が露出するため、外部電極を介した水分及びめっき液の浸透を抑制するために第３及び第４面に配置された外部電極の厚さが一定以上になるように形成した。

これに対し、本発明では、連結電極２３１ａ、２３２ａ上に絶縁層２５１、２５２を配置するため、内部電極が露出する第３及び第４面における連結電極２３１ａ、２３２ａの厚さを薄くしても十分な信頼性を確保することができる。

第１及び第２連結電極２３１ａ、２３２ａは、それぞれ第３及び第４面に対応する形態であってもよく、第１及び第２連結電極２３１ａ、２３２ａにおいて本体１１０に向かう面は本体１１０の第３及び第４面とそれぞれ同じ面積を有してもよい。第１及び第２連結電極２３１ａ、２３２ａは、それぞれ第３及び第４面３、４から外れない範囲で配置されることができる。連結電極２３１ａ、２３２ａは、本体１１０の第１、第２、第５及び第６面１、２、５、６に延長されないように配置されることができる。具体的に、一実施形態において、第１及び第２連結電極２３１ａ、２３２ａは、第５及び第６面と離隔して配置されることができる。これにより、内部電極１２１、１２２と外部電極２３１、２３２間の十分な連結性を確保しながらも外部電極が占める体積を最小化し、積層型電子部品２０００の単位体積当たりの容量を増加させることができる。

このような観点から、上記第１及び第２連結電極２３１ａ、２３２ａは、上記第２面２と離隔して配置されることができる。すなわち、外部電極２３１、２３２が第２面上には配置されないことによって、外部電極２３１、２３２が占める体積をさらに最小化し、積層型電子部品２０００の単位体積当たりの容量をさらに増加させることができる。

但し、連結電極２３１ａ、２３２ａは、本体１１０のコーナーに延長されてコーナー上に配置されたコーナー部を含むことができる。すなわち、一実施形態において、第１連結電極は、上記第１－３コーナー及び第２－３コーナー上に延長して配置されるコーナー部を含み、上記第２連結電極は、上記第１－４コーナー及び第２－４コーナー上に延長して配置されるコーナー部を含むことができる。

また、連結電極２３１ａ、２３２ａは、従来のディッピング方式によって形成された外部電極に比べて均一かつ薄い厚さを有することができる。連結電極２３１ａ、２３２ａを形成する方法は特に制限する必要はないが、例えば、導電性金属、バインダーのような有機物質等を含むシートを第３及び第４面に転写する方式で形成することができるが、これに制限されるものではなく、導電性金属を第３及び第４面にめっきして形成することができる。すなわち、連結電極２３１ａ、２３２ａは、導電性金属を焼成した焼成層であってもよく、めっき層であってもよい。

連結電極２３１ａ、２３２ａの厚さは特に限定されないが、例えば２～７μｍであってもよい。ここで、連結電極２３１ａ、２３２ａの厚さとは、最大厚さを意味することができ、連結電極２３１ａ、２３２ａの第２方向のサイズを意味することができる。

一実施形態において、第１及び第２連結電極２３１ａ、２３２ａは、内部電極１２１、１２２に含まれた金属と同じ金属及びガラスを含むことができる。第１及び第２連結電極２３１ａ、２３２ａが内部電極１２１、１２２に含まれた金属と同じ金属を含むことにより、内部電極１２１、１２２との電気的連結性を向上させることができ、第１及び第２連結電極２３１ａ、２３２ａがガラスを含むことにより、本体１１０及び／又は絶縁層２５１、２５２との結合力を向上させることができる。このとき、内部電極１２１、１２２に含まれた金属と同じ金属はＮｉであってもよい。

第１及び第２絶縁層２５１、２５２は、それぞれ第１及び第２連結電極２３１ａ、２３２ａ上に配置され、第１及び第２連結電極２３１ａ、２３２ａ上にめっき層が形成されることを防止する役割を果たすことができる。また、第１及び第２絶縁層２５１、２５２は、シーリング特性を向上させ、外部から水分やめっき液等が浸透することを最小化する役割を果たすことができる。第１及び第２絶縁層２５１、２５２は、ハフニウム（Ｈｆ）を含む酸化物を含むことができる。これにより、耐湿信頼性をより向上させることができ、熱収縮によるクラック、金属拡散による放射クラックなどを抑制することができる。

第１及び第２バンド電極２３１ｂ、２３２ｂは本体１１０の第１面１に配置されることができる。第１及び第２バンド電極２３１ｂ、２３２ｂは、それぞれ第１及び第２連結電極２３１ａ、２３２ａと接触することにより、第１及び第２内部電極１２１、１２２とそれぞれ電気的に連結されることができる。

従来のディッピング（ｄｉｐｐｉｎｇ）工法によって形成された外部電極は、第３及び第４面において厚く形成され、第１、第２、第５及び第６面にも一部延長して形成されることから、有効体積率を高く確保することが難しいという問題があった。これに対し、本発明の一実施形態によると、内部電極が露出した面には第１及び第２連結電極２３１ａ、２３２ａを配置し、基板に実装される面には第１及び第２バンド電極２３１ｂ、２３２ｂを配置することにより、有効体積率を高く確保することができる。

一方、内部電極１２１、１２２が第１方向に積層されている場合には、内部電極１２１、１２２が実装面と平行になるように積層型電子部品２０００を基板に水平実装することができる。但し、本発明が水平実装である場合に限定されるものではなく、内部電極１２１、１２２を第３方向に積層する場合には、内部電極１２１、１２２が実装面と垂直になるように基板に積層型電子部品を垂直実装することができる。

第１及び第２バンド電極２３１ｂ、２３２ｂは、金属等のように電気伝導性を有するものであれば、如何なる物質を使用して形成されてもよく、電気的特性、構造的安定性等を考慮して具体的な物質が決定されてもよい。例えば、第１及び第２バンド電極２３１ｂ、２３２ｂは、導電性金属及びガラスを含む焼成（ｆｉｒｉｎｇ）電極であってもよく、本体の第１面に導電性金属及びガラスを含むペーストを塗布する方式を用いて形成してもよいが、これに限定されるものではなく、導電性金属を本体の第１面にめっきしためっき層であってもよい。

第１及び第２バンド電極２３１ｂ、２３２ｂに含まれる導電性金属として電気伝導性に優れた材料を使用することができるが、特に限定されない。例えば、導電性金属は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、及びそれらの合金のうち一つ以上であってもよく、内部電極１２１、１２２に含まれた金属と同じ金属を含んでもよい。

一方、一実施形態において、第１外部電極２３１は、上記第２面２に配置されて上記第１連結電極２３１ａと連結される第３バンド電極（図示せず）をさらに含み、上記第２外部電極２３２は、上記第２面２に配置されて上記第２連結電極２３２ａと連結される第４バンド電極（図示せず）をさらに含むことができる。

一実施形態において、上記第３面の延長線Ｅ３から上記第１バンド電極２３１ｂの端までの距離をＢ１、上記第４面の延長線Ｅ４から上記第２バンド電極２３２ｂの端までの距離をＢ２、上記第３面の延長線から上記第３バンド電極（図示せず）の端までの距離をＢ３、上記第４面の延長線から上記第４バンド電極（図示せず）の端までの距離をＢ４、上記第３面と上記第２内部電極１２２が離隔した領域の第２方向の平均サイズをＧ１、上記第４面と上記第１内部電極１２１が離隔した領域の第２方向の平均サイズをＧ２とするとき、Ｂ１≧Ｇ１、Ｂ３≦Ｇ１、Ｂ２≧Ｇ２及びＢ４≦Ｇ２を満たすことができる。これにより、外部電極が占める体積を最小化して積層型電子部品２０００の単位体積当たりの容量を増加させるとともに、実装時に半田と接する面積を増加させて固着強度を向上させることができる。

但し、本発明をＢ１≧Ｇ１、Ｂ３≦Ｇ１、Ｂ２≧Ｇ２及びＢ４≦Ｇ２に限定しようとする意図ではなく、Ｂ１≧Ｇ１、Ｂ３≧Ｇ１、Ｂ２≧Ｇ２及びＢ４≧Ｇ２を満たす場合も本発明の一実施形態に含まれることができる。したがって、一実施形態において、上記第３面の延長線Ｅ３から上記第１バンド電極２３１ｂの端までの距離をＢ１、上記第４面の延長線Ｅ４から上記第２バンド電極２３２ｂの端までの距離をＢ２、上記第３面の延長線から上記第３バンド電極（図示せず）の端までの距離をＢ３、上記第４面の延長線から上記第４バンド電極（図示せず）の端までの距離をＢ４、上記第３面と上記第２内部電極１２２が離隔した領域の第２方向の平均サイズをＧ１、上記第４面と上記第１内部電極１２１が離隔した領域の第２方向の平均サイズをＧ２とするとき、Ｂ１≧Ｇ１、Ｂ３≧Ｇ１、Ｂ２≧Ｇ２及びＢ４≧Ｇ２を満たすことができる。これにより、第１及び第２面のいずれか一面を実装面とすることができ、実装の便宜性を向上させることができる。

第１及び第２めっき層２４１、２４２は、第１及び第２バンド電極２３１ｂ、２３２ｂ上に配置されることができる。第１及び第２めっき層２４１、２４２は実装特性を向上させる役割を果たす。第１及び第２めっき層２４１、２４２の種類は特に限定されず、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｐｄ及びこれらの合金のうち一つ以上を含むめっき層であってもよく、複数の層で形成されてもよい。

第１及び第２めっき層２４１、２４２に対するより具体的な例を挙げると、第１及び第２めっき層２４１、２４２は、Ｎｉめっき層又はＳｎめっき層であってもよく、第１及び第２バンド電極２３１ｂ、２３２ｂ上にＮｉめっき層及びＳｎめっき層が順次に形成された形態であってもよい。

一実施形態において、第１及び第２めっき層２４１、２４２は、それぞれ第１及び第２連結電極２３１ａ、２３２ａを一部覆うように延長して配置されることができる。第１面１から第１及び第２内部電極１２１、１２２のうち第１面１に最も近く配置された内部電極までの第１方向の平均サイズをＨ１、上記第１面１の延長線から上記第１及び第２連結電極２３１ａ、２３２ａ上に配置された第１及び第２めっき層２４１、２４２の端までの第１方向の平均サイズをＨ２とするとき、Ｈ１＞Ｈ２を満たすことができる。これにより、めっき工程時にめっき液が内部電極に浸透することを抑制して信頼性を向上させることができる。

一実施形態において、第１及び第２絶縁層２５１、２５２は、第１及び第２連結電極２３１ａ、２３２ａとそれぞれ直接接するように配置され、第１及び第２連結電極２３１ａ、２３２ａは導電性金属及びガラスを含むことができる。これにより、第１及び第２連結電極２３１ａ、２３２ａの外表面のうち絶縁層２５１、２５２が配置された領域には、めっき層２４１、２４２が配置されなくてもよいため、めっき液による外部電極の侵食を効果的に抑制することができる。

一実施形態において、第１及び第２絶縁層２５１、２５２は、第１及び第２連結電極２３１ａ、２３２ａとそれぞれ直接接するように配置され、第１及び第２連結電極２３１ａ、２３２ａは導電性金属及び樹脂を含むことができる。これにより、第１及び第２連結電極２３１ａ、２３２ａの外表面のうち絶縁層２５１、２５２が配置された領域には、めっき層２４１、２４２が配置されなくてもよいため、めっき液による外部電極の侵食を効果的に抑制することができる。

一実施形態において、第１めっき層２４１は、第１絶縁層２５１の第１外部電極２３１上に配置された端を覆うように配置され、第２めっき層２４２は第２絶縁層２５２の第２外部電極２３２上に配置された端を覆うように配置されることができる。これにより、絶縁層２５１、２５２とめっき層２４１、２４２との結合力を強化して積層型電子部品３０００の信頼性を向上させることができる。また、外部電極２３１、２３２上にめっき層２４１、２４２を形成する前に第１及び第２絶縁層２５１、２５２を先に形成することにより、めっき層の形成過程におけるめっき液の浸透をより確実に抑制することができる。めっき層よりも絶縁層を先に形成することにより、めっき層２４１、２４２が絶縁層２５１、２５２の端を覆う形態を有することができる。

一実施形態において、第１絶縁層２５１は、第１めっき層２４１の第１外部電極２３１上に配置された端を覆うように配置され、第２絶縁層２５２は第２めっき層２４２の第２外部電極２３２上に配置された端を覆うように配置されることができる。これにより、絶縁層２５１とめっき層２４１、２４２との結合力を強化して積層型電子部品３０００の信頼性を向上させることができる。

図２３は、図２１の変形例を示すものである。図２３を参照すると、本発明の一実施形態による積層型電子部品２０００の変形例２００１は、第１及び第２絶縁層２５１－１、２５２－１が第５及び第６面５、６に延長して互いに連結されることにより、一つの絶縁層２５３－１として連結されることができる。このとき、連結された第１及び第２絶縁層２５３－１が第５面及び第６面の一部を覆うように配置されてもよい。

図２４は、本発明の一実施形態による積層型電子部品２００２の斜視図を概略的に示すものであり、図２５は、図２４のＩＸ－ＩＸ'線に沿った断面図である。図２４及び図２５を参照すると、本発明の一実施形態による積層型電子部品２００２は、第１及び第２めっき層２４１－２、２４２－２が第１面の延長線以下に配置されることができる。これにより、実装時に半田の高さを最小化することができ、実装空間を最小化することができる。また、第１及び第２絶縁層２５１－２、２５２－２は、第１面の延長線以下まで延長して第１及び第２めっき層２４１－２、２４２－２と接するように配置されることができる。

図２６は、図２４の変形例を示すものである。図２６を参照すると、本発明の一実施形態による積層型電子部品２００２の変形例２００３は、第１及び第２絶縁層２５１－３、２５２－３が第５及び第６面５、６に延長して互いに連結されることにより、一つの絶縁層２５３－３として連結されることができる。このとき、連結された第１及び第２絶縁層２５３－３が第５面及び第６面の全部を覆うように配置されることができる。

図２７は、本発明の一実施形態による積層型電子部品２００４の斜視図を概略的に示すものであり、図２８は、図２７のＸ－Ｘ'線に沿った断面図である。図２７及び図２８を参照すると、本発明の一実施形態による積層型電子部品２００４は、第１面１上に配置され、第１バンド電極２３１ｂと第２バンド電極２３２ｂとの間に配置される追加絶縁層２６１をさらに含むことができる。これにより、高圧電流下で第１バンド電極２３１ｂと第２バンド電極２３２ｂとの間で発生し得る漏れ電流などを防止することができる。

追加絶縁層２６１の種類は特に限定する必要はない。例えば、追加絶縁層２６１は、第１及び第２絶縁層２５１－２、２５２－２と同様にハフニウム（Ｈｆ）を含む酸化物を含むことができる。但し、追加絶縁層２６１と第１及び第２絶縁層２５１－２、２５２－２とを同じ材料に限定する必要はなく、異なる材料で形成されてもよい。例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、エチルセルロース（Ｅｔｈｙｌ Ｃｅｌｌｕｌｏｓｅ）等から選択された１種以上を含んでもよく、ガラスを含んでもよい。

図２９は、図２７の変形例を示すものである。図２９を参照すると、本発明の一実施形態による積層型電子部品２００４の変形例２００５は、第１及び第２絶縁層２５１－５、２５２－５が第５及び第６面５、６に延長して互いに連結されることにより、一つの絶縁層２５３－５として連結されることができる。

図３０は、本発明の一実施形態による積層型電子部品２００６の斜視図を概略的に示すものであり、図３１は、図３０のＸＩ－ＸＩ'線に沿った断面図である。図３０及び図３１を参照すると、一実施形態による積層型電子部品２００６は、第１連結電極２３１ａ上に配置される第１絶縁層２５１－６、第２連結電極２３２ａ上に配置されるに配置される第２絶縁層２５２－６を含み、第１面１から上記第１及び第２内部電極１２１、１２２のうち上記第１面１に最も近く配置された内部電極までの第１方向の平均サイズをＨ１、上記第１面１の延長線から上記第１及び第２連結電極２３１ａ、２３２ａ上に配置された第１及び第２めっき層２４１－６、２４２－６の端までの第１方向の平均サイズをＨ２とするとき、Ｈ１＜Ｈ２を満たすことができる。これにより、実装時に半田と接する面積を増加させて固着強度を向上させることができる。

より好ましくは、本体１１０の第１方向の平均サイズをＴとするとき、Ｈ２＜Ｔ／２を満たすことができる。すなわち、Ｈ１＜Ｈ２＜Ｔ／２を満たすことができる。Ｈ２がＴ／２以上の場合には、絶縁層による耐湿信頼性の向上効果が低下する恐れがあるためである。

図３２は、図３０の変形例を示すものである。図３２を参照すると、本発明の一実施形態による積層型電子部品２００６の変形例２００７は、第１及び第２絶縁層２５１－７、２５２－７が第５及び第６面５、６に延長して互いに連結されることにより、一つの絶縁層２５３－７として連結されることができる。

図３３は、本発明の一実施形態による積層型電子部品２００８の斜視図を概略的に示すものであり、図３４は、図３３のＸＩＩ－ＸＩＩ'線に沿った断面図である。図３３及び図３４を参照すると、本発明の一実施形態による積層型電子部品２００８は、第１及び第２絶縁層２５１－８、２５２－８が第２、第５及び第６面２、５、６に延長して互いに連結されることにより、一つの絶縁層２５３－８として連結されることができる。図３５に示すように、絶縁層２５３－８が第２面を全て覆っている形態であってもよく、第５及び第６面は一部のみを覆っている形態であってもよい。

図３５は、本発明の一実施形態による積層型電子部品２００９の斜視図を概略的に示すものであり、図３６は、図３５のＸＩＩＩ－ＸＩＩＩ'線に沿った断面図である。図３７及び図４０を参照すると、本発明の一実施形態による積層型電子部品２００９の第１及び第２めっき層２４１－９、２４２－９の平均厚さｔ１は、第１及び第２絶縁層２５１－９、２５２－９の平均厚さｔ２より薄い形態であってもよい。

本発明の一実施形態によると、第１及び第２めっき層２４１－９、２４２－９の平均厚さｔ１を第１及び第２絶縁層２５１－９、２５２－９の平均厚さｔ２よりも薄くしてめっき層と絶縁層が当接する面積を減らすことができ、これによりデラミネーションの発生を抑制して積層型電子部品２００９の基板１８０との固着強度を向上させることができる。

第１及び第２めっき層２４１－９、２４２－９の平均厚さｔ１は、第１及び第２連結電極２３１ａ、２３２ａ又は第１及び第２バンド電極２３１ｂ、２３２ｂ上の等間隔の５個の地点で測定した厚さを平均した値であってもよく、絶縁層２５１－９、２５２－９の平均厚さｔ２は第１及び第２連結電極２３１ａ、２３２ａ上の等間隔の５個の地点で測定した厚さを平均した値であってもよい。

図３７は、図３５の変形例を示すものである。図３７を参照すると、本発明の一実施形態による積層型電子部品２００９の変形例２０１０は、第１及び第２絶縁層２５１－１０、２５２－１０が第５及び第６面５、６に延長して互いに連結されることにより、一つの絶縁層２５３－１０として連結されることができる。

図３８は、本発明の一実施形態による積層型電子部品２０１１の斜視図を概略的に示すものであり、図３９は、図３８のＸＶ－ＸＶ'線に沿った断面図である。図３８及び図３９を参照すると、一実施形態による積層型電子部品２０１１の第１及び第２絶縁層２５１－１１、２５２－１１上には、それぞれ絶縁物質を含む第１及び第２カバー層２７１、２７２が配置されることができる。

アルミニウム（Ａｌ）を含む酸化物を含む第１及び第２カバー層２７１、２７２がハフニウム（Ｈｆ）を含む酸化物を含む第１及び第２絶縁層２５１－１１、２５２－１１上に配置されるため、第１及び第２外部電極２３１、２３２がガラスを含む場合でも、第１及び第２カバー層２７１、２７２の連続性が低下することを防止することができ、高温環境でも優れた耐湿信頼性を確保することができる。また、第１及び第２カバー層２７１、２７２にクラックが発生しても、第１及び第２絶縁層２５１－１１、２５２－１１が第１、第２外部電極２３１、２３２及び本体１１０の内部にクラックが伝播することを防止する役割を果たすことができ、クラックの発生を抑制することができる。

一実施形態において、第１及び第２絶縁層２５１－１１、２５２－１１に含まれたハフニウム（Ｈｆ）を含む酸化物はＨｆＯ_２であってもよく、第１及び第２カバー層２７１、２７２に含まれたアルミニウム（Ａｌ）を含む酸化物はＡｌ_２Ｏ_３であってもよい。

一実施形態において、第１及び第２絶縁層２５１－１１、２５２－１１は、酸素原子を除いた残りの元素の総モル数に対するハフニウム（Ｈｆ）原子のモル数が０．９５以上であってもよく、第１及び第２カバー層２７１、２７２は、酸素原子を除いた残りの元素の総モル数に対するアルミニウム（Ａｌ）原子のモル数が０．９５以上であってもよい。すなわち、不純物として検出される元素を除けば、第１及び第２絶縁層２５１－１１、２５２－１１は、実質的にハフニウム（Ｈｆ）を含む酸化物からなることができ、第１及び第２カバー層２７１、２７２は、実質的にアルミニウム（Ａｌ）からなることができる。これにより、熱収縮によるクラック、金属拡散による放射クラックなどを抑制する効果、及び耐湿信頼性の向上効果をより向上させることができる。このとき、第１及び第２カバー層２７１、２７２の成分は、上述した絶縁層の成分を分析する方法と同様の方法で分析することができる。

図４０は、本発明の一実施形態による積層型電子部品３０００の斜視図を概略的に示すものであり、図４１は、図４０のＸＶＩ－ＸＶＩ'線に沿った断面図である。図４２は、図４０のＫ１領域を拡大した拡大図である。

図４０～図４２を参照すると、本発明の一実施形態による積層型電子部品３０００は、誘電体層１１１及び上記誘電体層を間に挟んで交互に配置される第１及び第２内部電極１２１、１２２を含み、第１方向に対向する第１及び第２面、上記第１及び第２面と連結され、第２方向に対向する第３及び第４面、上記第１～第４面と連結され、第３方向に対向する第５及び第６面を含む本体１１０と、上記本体の第３面に配置される第１接続部３３１ａ、上記第１接続部から第１面の一部まで延長される第１バンド部３３１ｂ、上記第１接続部から本体の第２面と第３面を連結するコーナーに延長して配置される第１コーナー部３３１ｃを含む第１外部電極３３１と、上記本体の第４面に配置される第２接続部３３２ａ、上記第２接続部から第１面の一部まで延長される第２バンド部３３２ｂ、上記第２接続部から本体の第２面と第４面を連結するコーナーに延長して配置される第２コーナー部３３２ｃを含む第２外部電極３３２と、上記第１及び第２接続部３３１ａ、３３２ａ上に配置され、上記第２面、第１及び第２コーナー部を覆うように配置される絶縁層３５１と、上記第１バンド部上に配置される第１めっき層３４１と、上記第２バンド部上に配置される第２めっき層３４２と、を含み、上記第１及び第２絶縁層はハフニウム（Ｈｆ）を含む酸化物を含むことができる。

一実施形態において、上記第３面の延長線から上記第１コーナー部３３１ｃの端までの上記第２方向の平均サイズをＢ３、上記第４面の延長線から上記第２コーナー部３３２ｃの端までの上記第２方向の平均サイズをＢ４、上記第３面と上記第２内部電極が離隔した領域の第２方向の平均サイズをＧ１、上記第４面と上記第１内部電極が離隔した領域の第２方向の平均サイズをＧ２とするとき、Ｂ３≦Ｇ１及びＢ４≦Ｇ２を満たすことができる。これにより、外部電極３３１、３３２が占める体積を最小化し、積層型電子部品３０００の単位体積当たりの容量を増加させることができる。

このとき、上記第３面の延長線から上記第１バンド部３３１ｂの端までの上記第２方向の平均サイズをＢ１、上記第４面の延長線から上記第２バンド部３３２ｂの端までの上記第２方向の平均サイズをＢ２とするとき、Ｂ１≧Ｇ１及びＢ３≧Ｇ２を満たすことができる。これにより、実装時に半田と接する面積を増加させて固着強度を向上させることができる。

一実施形態による積層型電子部品３０００は、誘電体層１１１及び上記誘電体層を間に挟んで交互に配置される第１及び第２内部電極１２１、１２２を含み、第１方向に対向する第１及び第２面、上記第１及び第２面と連結され、第２方向に対向する第３及び第４面、上記第１～第４面と連結され、第３方向に対向する第５及び第６面を含む本体１１０を含むことができる。積層型電子部品３０００の本体１１０は、後述するように、本体の第１面又は第２面の端部が収縮した形態を有することを除けば、積層型電子部品１０００の本体１１０と同じ構成を有することができる。

外部電極３３１、３３２は、本体１１０の第３面３及び第４面４に配置されることができる。外部電極３３１、３３２は、本体１１０の第３及び第４面３、４にそれぞれ配置され、第１及び第２内部電極１２１、１２２とそれぞれ連結された第１及び第２外部電極３３１、３３２を含むことができる。

外部電極３３１、３３２は、第３面に配置される第１接続部３３１ａ及び上記第１接続部から上記第１面の一部まで延長される第１バンド部３３１ｂ、上記第１接続部から上記第２面と第３面を連結するコーナーに延長して配置される第１コーナー部３３１ｃを含む第１外部電極３３１、第４面に配置される第２接続部３３２ａ及び上記第２接続部から上記第１面の一部まで延長される第２バンド部３３２ｂ、上記第２接続部から第２面と第４面を連結するコーナーに延長して配置される第２コーナー部３３２ｃを含む第２外部電極１３２を含むことができる。第１接続部３３１ａは第１内部電極１２１と第３面で連結され、第２接続部３３２ａは第２内部電極１２２と第４面で連結されることができる。

一実施形態において、上記第１及び第２接続部３３１ａ、３３２ａは、上記第５及び第６面と離隔して配置されることができる。これにより、外部電極３３１、３３２が占める比重を最小化して積層型電子部品３０００をさらに小型化することができる。

誘電体層１１１上に内部電極１２１、１２２が配置されていないマージン領域が重なることによって、内部電極１２１、１２２の厚さによる段差が発生し、第１面と第３～第５面を連結するコーナー及び／又は第２面と第３～第５面を連結するコーナーは、第１面又は第２面を基準としてみたとき、本体１１０の第１方向の中央側に収縮した形態を有することができる。あるいは、本体の焼結過程における収縮挙動により、第１面１と第３～第６面３、４、５、６を連結するコーナー及び／又は第２面２と第３～第６面３、４、５、６を連結するコーナーは、第１面又は第２面を基準としてみたとき、本体１１０の第１方向の中央側に収縮した形態を有することができる。あるいは、チッピング不良等を防止するために、本体１１０の各面を連結するコーナーを別途の工程を行ってラウンド処理することによって、第１面と第３～第６面を連結するコーナー及び／又は第２面と第３～第６面を連結するコーナーはラウンド形状を有することができる。

上記コーナーは、第１面と第３面を連結する第１－３コーナーｃ１－３、第１面と第４面を連結する第１－４コーナーｃ１－４、第２面と第３面を連結する第２－３コーナーｃ２－３、第２面と第４面を連結する第２－４コーナーｃ２－４を含むことができる。また、コーナーは、第１面と第５面を連結する第１－５コーナー、第１面と第６面を連結する第１－６コーナー、第２面と第５面を連結する第２－５コーナー、第２面と第６面を連結する第２－６コーナーを含むことができる。但し、内部電極１２１、１２２による段差を抑制するために、積層後の内部電極が本体の第５及び第６面５、６に露出するように切断した後、単一の誘電体層又は２つ以上の誘電体層を容量形成部Ａｃの両側面に第３方向（幅方向）に積層してマージン部１１４、１１５を形成する場合には、第１面と第５及び第６面を連結する部分及び第２面と第５及び第６面を連結する部分が収縮した形態を有さないこともある。

一方、本体１１０の第１～第６面は概して平坦な面であることができ、平坦でない領域をコーナーとすることができる。また、外部電極１３１、１３２のうちコーナー上に配置される領域をコーナー部とすることができる。

このような観点から、上記第１及び第２コーナー部３３１ｃ、３３２ｃは、上記第２面の延長線Ｅ２以下に配置されることができ、上記第１及び第２コーナー部３３１ｃ、３３２ｃは第２面と離隔して配置されることができる。すなわち、外部電極３３１、３３２が第２面上には配置されないことによって、外部電極３３１、３３２が占める体積をさらに最小化し、積層型電子部品３０００の単位体積当たりの容量をさらに増加させることができる。また、第１コーナー部３３１ｃは、第３面と第２面を連結する第２－３コーナーＣ２－３の一部上に配置されることができ、第２コーナー部３３２ｃは第４面と第２面を連結する第２－４コーナーＣ２－４の一部上に配置されることができる。

第２面の延長線Ｅ２は、下記のように定義することができる。積層型電子部品３０００を幅方向の中央で切断した長さ－厚さ方向の断面（Ｌ－Ｔ断面）において、第３面から第４面まで長さ方向に均等な間隔を有する厚さ方向の７個の直線Ｐ０、Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４、Ｐ５、Ｐ６、Ｐ７を引いてＰ２と第２面が交わる地点と、Ｐ４と第２面が交わる地点を通る直線を第２面の延長線Ｅ２と定義することができる。

一方、外部電極３３１、３３２は、金属などのように電気伝導性を有するものであれば、如何なる物質を使用して形成されてもよく、電気的特性、構造的安定性などを考慮して具体的な物質が決定されてもよく、さらに、多層構造を有してもよい。

外部電極３３１、３３２は、導電性金属及びガラスを含む焼成（ｆｉｒｉｎｇ）電極であってもよく、導電性金属及び樹脂を含む樹脂系電極であってもよい。

また、外部電極３３１、３３２は、本体上に焼成電極及び樹脂系電極が順次に形成された形態であってもよい。また、外部電極３３１、３３２は、本体上に導電性金属を含むシートを転写する方式で形成されてもよく、焼成電極上に導電性金属を含むシートを転写する方式で形成されたものであってもよい。

外部電極３３１、３３２に含まれる導電性金属として、電気伝導性に優れた材料を使用することができるが、特に限定されない。例えば、導電性金属は、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｓｎ、Ｃｒ及びそれらの合金のうち一つ以上であってもよい。好ましくは、外部電極３３１、３３２は、Ｎｉ及びＮｉ合金のうち一つ以上を含むことができ、これにより、Ｎｉを含む内部電極１２１、１２２との連結性をより向上させることができる。

絶縁層３５１は、第１及び第２接続部３３１ａ、３３２ａ上に配置されることができる。第１及び第２接続部３３１ａ、３３２ａは内部電極１２１、１２２と連結される部位であるため、めっき工程でめっき液の浸透又は実際の使用時に水分浸透の経路となることができる。本発明では、接続部３３１ａ、３３２ａ上に絶縁層３５１が配置されるため、外部からの水分浸透又はめっき液の浸透を防止することができる。

絶縁層３５１は、第１及び第２めっき層３４１、３４２と接するように配置されることができる。このとき、絶縁層３５１が第１及び第２めっき層３４１、３４２の端を一部覆う形態で接するか、又は第１及び第２めっき層３４１、３４２が絶縁層３５１の端を一部覆う形態で接することができる。

絶縁層３５３は、第１及び第２接続部３３１ａ、３３２ａ上に配置され、第２面、第１及び第２コーナー部３３１ｃ、３３２ｃを覆うように配置されることができる。また、絶縁層３５１が第１及び第２コーナー部３３１ｃ、３３２ｃの端と本体１１０が接する領域をカバーして水分浸透の経路を遮断することにより、耐湿信頼性をより向上させることができる。

絶縁層３５１は、第２面上に配置されて上記第１及び第２接続部３３１ａ、３３２ａに延長して配置されることができる。また、絶縁層は、外部電極３３１、３３２が第２面に配置されない場合、第２面を全て覆うように配置されることができる。一方、絶縁層３５１が第２面に必ずしも配置される必要はなく、絶縁層が第２面の一部又は全部に配置されなくてもよく、絶縁層が２つに分離されて第１及び第２接続部３３１ａ、３３２ａ上にそれぞれ配置される形態を有してもよい。しかし、この場合でも、絶縁層は、第１及び第２コーナー部３３１ｃ、３３２ｃを全て覆うように配置されることができる。絶縁層が第２面の全部に配置されない場合、第２面の延長線以下に配置されることができる。また、絶縁層が第２面には配置されないが、第１及び第２接続部３３１ａ、３３２ａ上で第５及び第６面に延長して一つの絶縁層を成すことができる。

一実施形態において、上記絶縁層３５１は、上記第５面及び第６面の一部を覆うように配置されて信頼性を向上させることができる。このとき、上記絶縁層に覆われていない上記第５面及び第６面の一部は、外部に露出することができる。

さらに、絶縁層３５１は、第５面及び第６面の全体を覆うように配置されることができ、この場合、第５面及び第６面が外部に露出しないため、耐湿信頼性をさらに向上させることができる。

絶縁層３５１は、絶縁層３５１が配置された外部電極３３１、３３２上にめっき層３４１、３４２が形成されることを防止する役割を果たすことができ、シーリング特性を向上させて外部から水分やめっき液などが浸透することを最小化する役割を果たすことができる。絶縁層３５１の成分、組成、平均厚さ、及びこれによる効果は、積層型電子部品１０００、２０００、またはこれらの様々な実施形態が含む絶縁層１５１、２５１、２５２、２５３と同様であるため、これに対する説明は省略する。

第１及び第２めっき層３４１、３４２は、それぞれ第１及び第２バンド部３３１ｂ、３３２ｂ上に配置されることができる。めっき層３４１、３４２は実装特性を向上させる役割を果たすことができ、めっき層３４１、３４２がバンド部３３１ｂ、３３２ｂ上に配置されることにより、実装空間を最小化することができ、内部電極にめっき液が浸透することを最小化して信頼性を向上させることができる。第１及び第２めっき層３４１、３４２の一端は第１面に接することができ、他端は絶縁層３５１に接することができる。

めっき層３４１、３４２の種類は特に限定されず、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｄ及びこれらの合金のうち一つ以上を含むめっき層であってもよく、複数の層で形成されてもよい。めっき層３４１、３４２のより具体的な例を挙げると、めっき層３４１、３４２はＮｉめっき層又はＳｎめっき層であってもよく、第１及び第２バンド部３３１ｂ、３３２ｂ上にＮｉめっき層及びＳｎめっき層が順次に形成された形態であってもよい。

一実施形態において、第１めっき層３４１は、絶縁層３５１の第１外部電極３３１上に配置された端を覆うように配置され、第２めっき層３４２は絶縁層３５１の第２外部電極３３２上に配置された端を覆うように配置されることができる。これにより、絶縁層３５１とめっき層３４１、３４２との結合力を強化して積層型電子部品３０００の信頼性を向上させることができる。また、外部電極３３１、３３２上にめっき層３４１、３４２を形成する前に絶縁層３５１を先に形成することにより、めっき層の形成過程におけるめっき液の浸透をより確実に抑制することができる。めっき層よりも絶縁層を先に形成することにより、めっき層３４１、３４２が絶縁層３５１の端を覆う形態を有することができる。

一実施形態において、絶縁層３５１は、第１めっき層３４１の第１外部電極３３１上に配置された端を覆うように配置され、絶縁層３５１は第２めっき層３４２の第２外部電極３３２上に配置された端を覆うように配置されることができる。これにより、絶縁層３５１とめっき層３４１、３４２との結合力を強化して積層型電子部品３０００の信頼性を向上させることができる。

一実施形態において、上記第１及び第２めっき層３４１、３４２は、それぞれ第１及び第２接続部３３１ａ、３３２ａを一部覆うように延長して配置されることができる。第１及び第２内部電極１２１、１２２のうち、第１面１に最も近く配置された内部電極までの第１方向の平均サイズをＨ１、上記第１面１の延長線から上記第１及び第２接続部１３１ａ、１３２ａ上に配置された第１及び第２めっき層１４１、１４２の端までの第１方向の平均サイズをＨ２とするとき、Ｈ１＞Ｈ２を満たすことができる。これにより、めっき工程時にめっき液が内部電極に浸透することを抑制して信頼性を向上させることができる。

一実施形態において、上記第１面から上記第１及び第２内部電極１２１、１２２のうち、上記第１面に最も近く配置された内部電極までの第１方向の平均サイズをＨ１、上記第１面の延長線から上記第１及び第２接続部３３１ａ、３３２ａ上に配置されためっき層３４１、３４２の端までの第１方向の平均サイズをＨ２とするとき、Ｈ１＜Ｈ２を満たすことができる。これにより、実装時に半田と接する面積を増加させて固着強度を向上させることができる。より好ましくは、本体１１０の第１方向の平均サイズをＴとするとき、Ｈ２＜Ｔ／２を満たすことができる。すなわち、Ｈ１＜Ｈ２＜Ｔ／２を満たすことができる。 Ｈ２がＴ／２以上の場合には、絶縁層による耐湿信頼性の向上効果が低下する恐れがあるためである。

一実施形態において、上記第１及び第２めっき層３４１、３４２は、上記第１面の延長線以下に配置されることができる。これにより、実装時に半田の高さを最小化することができ、実装空間を最小化することができる。また、絶縁層３５１は、第１面の延長線以下まで延長して第１及び第２めっき層３４１、３４２と接するように配置されることができる。

一実施形態において、上記本体の第２方向の平均サイズをＬ、上記第３面の延長線から上記第１バンド部の端までの上記第２方向の平均サイズをＢ１、上記第４面の延長線から上記第２バンド部の端までの上記第２方向の平均サイズをＢ２とするとき、０．２≦Ｂ１／Ｌ≦０．４及び０．２≦Ｂ２／Ｌ≦０．４を満たすことができる。

Ｂ１／Ｌ及びＢ２／Ｌが０．２未満の場合には、十分な固着強度を確保しにくくなる可能性がある。これに対し、Ｂ２／Ｌが０．４を超える場合には、高圧電流下で第１バンド部３３１ｂと第２バンド部３３２ｂとの間で漏れ電流が発生する恐れがあり、めっき工程時にめっき滲み等によって第１バンド部３３１ｂと第２バンド部３３２ｂとが電気的に連結される恐れがある。

一実施形態において、上記第１面上に配置され、上記第１バンド部３３１ｂと上記第２バンド部３３２ｂとの間に配置される追加絶縁層をさらに含むことができる。これにより、高圧電流下で第１バンド電極３３１ｂと第２バンド電極３３２ｂとの間で発生し得る漏れ電流などを防止することができる。

追加絶縁層の種類は、特に限定する必要はない。例えば、追加絶縁層は、絶縁層３５１と同様に、ハフニウム（Ｈｆ）を含む酸化物を含むことができる。但し、追加絶縁層と絶縁層３５１を同じ材料に限定する必要はなく、異なる材料で形成されてもよい。例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、エチルセルロース（Ｅｔｈｙｌ Ｃｅｌｌｕｌｏｓｅ）等から選択された１種以上を含んでもよく、ガラスを含んでもよい。

一実施形態において、上記第３面の延長線から上記第１バンド部の端までの上記第２方向の平均サイズをＢ１、上記第４面の延長線から上記第２バンド部の端までの上記第２方向の平均サイズをＢ２とするとき、Ｂ３＜Ｂ１及びＢ４＜Ｂ２を満たすことができる。第１バンド部３３１ｂの平均長さＢ１が第１コーナー部３３１ｃの平均長さＢ３より長くてもよく、第２バンド部３３２ｂの平均長さが第２コーナー部３３２の平均長さＢ４より長くてもよい。これにより、実装時に半田と接する面積を増加させて固着強度を向上させることができる。

より詳細には、第３面３の延長線から上記第１バンド部３３１ｂの端までの上記第２方向の平均サイズをＢ１、上記第４面４の延長線から上記第２バンド部３３２ｂの端までの上記第２方向の平均サイズをＢ２、上記第３面３の延長線から上記第１コーナー部３３１ｃの端までの上記第２方向の平均サイズをＢ３、上記第４面４の延長線から上記第２コーナー部３３２ｃの端までの上記第２方向の平均サイズをＢ４とするとき、Ｂ３＜Ｂ１及びＢ４＜Ｂ２を満たすことができる。

一実施形態において、上記第１及び第２めっき層３４１、３４２の平均厚さは、上記絶縁層３５１の平均厚さよりも薄くてもよい。絶縁層３５１は、外部からの水分浸透又はめっき液の浸透を防止する役割を果たすが、めっき層３４１、３４２との連結性が弱く、めっき層のデラミネーション（ｄｅｌａｍｉｎａｔｉｏｎ）の原因となることがある。めっき層がデラミネーションされる場合、基板との接着強度が低下する可能性がある。ここで、めっき層のデラミネーションとは、めっき層が一部剥がれたり、外部電極３３１、３３２と物理的に分離されたりすることを意味することができる。めっき層と絶縁層との連結性が弱いため、絶縁層とめっき層との界面の隙間が広がったり、異物が浸透する可能性が高くなり、外部衝撃等に脆弱になったりしてデラミネーションされる可能性が高くなる恐れがある。

本発明の一実施形態によると、めっき層の平均厚さを絶縁層の平均厚さより薄くすることで、めっき層と絶縁層が当接する面積を減らすことができ、これにより、デラミネーションの発生を抑制して積層型電子部品３０００との固着強度を向上させることができる。

積層型電子部品３０００のサイズは特に限定する必要はない。但し、小型化及び高容量化を同時に達成するためには、誘電体層及び内部電極の厚さを薄くして積層数を増加させなければならないため、１００５（長さ×幅、１．０ｍｍ×０．５ｍｍ）以下のサイズを有する積層型電子部品３０００において、本発明による信頼性及び単位体積当たりの容量の向上効果がより顕著になることができる。

したがって、製造誤差、外部電極サイズなどを考慮すると、積層型電子部品３０００の長さが１．１ｍｍ以下であり、幅が０．５５ｍｍ以下である場合、本発明による信頼性の向上効果がより顕著になることができる。ここで、積層型電子部品３０００の長さは、積層型電子部品３０００の第２方向の最大サイズを意味し、積層型電子部品３０００の幅は、積層型電子部品３０００の第３方向の最大サイズを意味することができる。

以上のように、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明は、上述した実施形態及び添付の図面によって限定されるものではなく、添付の特許請求の範囲によって限定されるものとする。したがって、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から逸脱しない範囲内で、当技術分野における通常の知識を有する者により様々な形態の置換、変形及び変更が可能であり、これも本発明の範囲に属すると言える。

なお、本発明で使用される「一実施形態」という表現は、互いに同一の実施形態を意味するものではなく、それぞれ互いに異なる固有の特徴を強調して説明するために提供されたものである。しかし、上記提示された一実施形態は、他の一実施形態の特徴と結合して実現されることを排除しない。例えば、特定の一実施形態に説明された事項が他の一実施形態に説明されていなくても、他の一実施形態においてその事項と反対又は矛盾する説明がない限り、他の一実施形態に関する説明として理解することができる。

本発明で使用される用語は、単に一実施形態を説明するために使用されたものであり、本発明を限定する意図ではない。このとき、単数の表現は、文脈上明らかに異なる意味ではない限り、複数の表現を含む。

１０００、２０００、３０００：積層型電子部品
１１００：実装基板
１１０：本体
１１１：誘電体層
１１２、１１３：カバー部
１１４、１１５：マージン部
１２１、１２２：内部電極
１３１、２３１、３３１：第１外部電極
１３２、２３２、３３２：第２外部電極
１３４、１３５：追加電極層
１４１、１４２、２４１、２４２、３４１、３４２：めっき層
１５１、２５１、２５２、２５３、３５１：絶縁層
１７１、２７１、２７２：カバー層
１６１、２６１：追加絶縁層
１８０：基板
１８１、１８２：電極パッド
１９１、１９２：半田

Claims (132)

1. 誘電体層及び前記誘電体層を間に挟んで交互に配置される第１内部電極及び第２内部電極を含み、第１方向に対向する第１面及び第２面、前記第１面及び前記第２面と連結され、第２方向に対向する第３面及び第４面、前記第１面から前記第４面と連結され、第３方向に対向する第５面及び第６面を含む本体と、
   前記第３面に配置される第１接続部、前記第１接続部から前記第１面の一部まで延長される第１バンド部、前記第１接続部から前記第２面の一部まで延長される第３バンド部を含む第１外部電極と、
   前記第４面に配置される第２接続部、前記第２接続部から前記第１面の一部まで延長される第２バンド部、及び前記第２接続部から前記第２面の一部まで延長される第４バンド部を含む第２外部電極と、
   前記第１接続部及び前記第２接続部上に配置され、前記第２面、前記第３バンド部及び前記第４バンド部を覆うように配置される絶縁層と、
   前記第１バンド部上に配置される第１めっき層と、
   前記第２バンド部上に配置される第２めっき層と、を含み、
   前記絶縁層はハフニウム（Ｈｆ）を含む酸化物を含む、積層型電子部品。
2. 前記ハフニウム（Ｈｆ）を含む酸化物はＨｆＯ_２である、請求項１に記載の積層型電子部品。
3. 前記絶縁層を構成する元素のうち、酸素を除いた残りの元素の総モル数に対するハフニウム（Ｈｆ）元素のモル数は０．９５以上である、請求項１に記載の積層型電子部品。
4. 前記絶縁層の平均厚さは１５ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である、請求項１に記載の積層型電子部品。
5. 前記第１外部電極及び前記第２外部電極はガラスを含む、請求項１に記載の積層型電子部品。
6. 前記絶縁層上に配置され、アルミニウム（Ａｌ）を含む酸化物を含むカバー層をさらに含む、請求項１に記載の積層型電子部品。
7. 前記ハフニウム（Ｈｆ）を含む酸化物はＨｆＯ_２であり、
   前記アルミニウム（Ａｌ）を含む酸化物はＡｌ_２Ｏ_３である、請求項６に記載の積層型電子部品。
8. 前記絶縁層を構成する元素のうち、酸素を除いた残りの元素の総モル数に対するハフニウム（Ｈｆ）元素のモル数は０．９５以上であり、
   前記カバー層を構成する元素のうち、酸素を除いた残りの元素の総モル数に対するアルミニウム（Ａｌ）元素のモル数は０．９５以上である、請求項６に記載の積層型電子部品。
9. 前記第１外部電極及び前記第２外部電極はガラスを含む、請求項６に記載の積層型電子部品。
10. 前記第１面から前記第１内部電極及び前記第２内部電極のうち、前記第１面に最も近く配置された内部電極までの前記第１方向の平均サイズをＨ１、
    前記第１面の延長線から前記第１接続部及び前記第２接続部上に配置されためっき層の端までの前記第１方向の平均サイズをＨ２とするとき、
    Ｈ１＞Ｈ２を満たす、請求項１に記載の積層型電子部品。
11. 前記第１面から前記第１内部電極及び前記第２内部電極のうち、前記第１面に最も近く配置された内部電極までの前記第１方向の平均サイズをＨ１、
    前記第１面の延長線から前記第１接続部及び前記第２接続部上に配置されためっき層の端までの前記第１方向の平均サイズをＨ２とするとき、
    Ｈ１＜Ｈ２を満たす、請求項１に記載の積層型電子部品。
12. 前記本体の第１方向の平均サイズをＴとするとき、
    前記Ｈ２及び前記ＴはＨ２＜Ｔ／２を満たす、請求項１１に記載の積層型電子部品。
13. 前記第１めっき層及び前記第２めっき層は、前記第１面の延長線以下に配置される、請求項１から１２のいずれか一項に記載の積層型電子部品。
14. 前記本体の前記第２方向の平均サイズをＬ、前記第３面の延長線から前記第１バンド部の端までの前記第２方向の平均サイズをＢ１、
    前記第４面の延長線から前記第２バンド部の端までの前記第２方向の平均サイズをＢ２とするとき、
    ０．２≦Ｂ１／Ｌ≦０．４及び０．２≦Ｂ２／Ｌ≦０．４を満たす、請求項１から１２のいずれか一項に記載の積層型電子部品。
15. 前記第１面上に配置され、前記第１バンド部と前記第２バンド部との間に配置される追加絶縁層をさらに含む、請求項１から１２のいずれか一項に記載の積層型電子部品。
16. 前記追加絶縁層は、ハフニウム（Ｈｆ）を含む酸化物を含む、請求項１５に記載の積層型電子部品。
17. 前記第１外部電極及び前記第２外部電極は、Ｎｉ及びＮｉ合金のうち一つ以上を含む、請求項１から１２のいずれか一項に記載の積層型電子部品。
18. 前記第３面の延長線から前記第１バンド部の端までの前記第２方向の平均サイズをＢ１、
    前記第４面の延長線から前記第２バンド部の端までの前記第２方向の平均サイズをＢ２、
    前記第３面の延長線から前記第３バンド部の端までの前記第２方向の平均サイズをＢ３、
    前記第４面の延長線から前記第４バンド部の端までの前記第２方向の平均サイズをＢ４とするとき、
    Ｂ３＜Ｂ１及びＢ４＜Ｂ２を満たす、請求項１から１２のいずれか一項に記載の積層型電子部品。
19. 前記積層型電子部品の前記第２方向の最大サイズは１．１ｍｍ以下であり、
    前記第３方向の最大サイズは０．５５ｍｍ以下である、請求項１から１２のいずれか一項に記載の積層型電子部品。
20. 前記誘電体層の平均厚さは０．３５μｍ以下である、請求項１から１２のいずれか一項に記載の積層型電子部品。
21. 前記第１内部電極及び前記第２内部電極の平均厚さは０．３５μｍ以下である、請求項１から１２のいずれか一項に記載の積層型電子部品。
22. 前記本体は、前記誘電体層を間に挟んで交互に配置される前記第１内部電極及び前記第２内部電極を含む容量形成部、及び前記容量形成部の前記第１方向の両端面上に配置されるカバー部を含み、
    前記カバー部の前記第１方向の平均サイズは１５μｍ以下である、請求項１から１２のいずれか一項に記載の積層型電子部品。
23. 前記第１めっき層及び前記第２めっき層の平均厚さは、前記絶縁層の平均厚さより薄い、請求項１から１２のいずれか一項記載の積層型電子部品。
24. 前記第１めっき層は、前記絶縁層の前記第１外部電極上に配置された端を覆うように配置され、
    前記第２めっき層は、前記絶縁層の前記第２外部電極上に配置された端を覆うように配置される、請求項１から１２のいずれか一項に記載の積層型電子部品。
25. 前記絶縁層は、前記第１めっき層の前記第１外部電極上に配置された端を覆うように配置され、
    前記絶縁層は、前記第２めっき層の前記第２外部電極上に配置された端を覆うように配置される、請求項１から１２のいずれか一項に記載の積層型電子部品。
26. 前記第１外部電極は、前記第１接続部から前記第５面及び前記第６面の一部まで延長される第１側面バンド部を含み、
    前記第２外部電極は、前記第２接続部から前記第５面及び前記第６面の一部まで延長される第２側面バンド部を含み、
    前記第１バンド部及び前記第２側面バンド部の前記第２方向のサイズは、前記第１面に近づくほど大きくなる、請求項１から１２のいずれか一項に記載の積層型電子部品。
27. 前記第１外部電極は、前記第１接続部から前記第５面及び前記第６面の一部まで延長される第１側面バンド部を含み、
    前記第２外部電極は、前記第２接続部から前記第５面及び前記第６面の一部まで延長される第２側面バンド部を含み、
    前記絶縁層は、前記第１側面バンド部及び前記第２側面バンド部、前記第５面及び前記第６面の一部を覆うように配置される、請求項１から１２のいずれか一項に記載の積層型電子部品。
28. 前記第１外部電極は、前記第１接続部から前記第５面及び前記第６面の一部まで延長される第１側面バンド部を含み、
    前記第２外部電極は、前記第２接続部から前記第５面及び前記第６面の一部まで延長される第２側面バンド部を含み、
    前記絶縁層は、前記第１、第２側面バンド部、第５面及び前記第６面を全て覆うように配置される、請求項１から１２のいずれか一項に記載の積層型電子部品。
29. 前記第３面の延長線から前記第３バンド部の端までの前記第２方向の平均サイズをＢ３、
    前記第４面の延長線から前記第４バンド部の端までの前記第２方向の平均サイズをＢ４、
    前記第３面と前記第２内部電極が離隔した領域の前記第２方向の平均サイズをＧ１、
    前記第４面と前記第１内部電極が離隔した領域の前記第２方向の平均サイズをＧ２とするとき、
    Ｂ３≧Ｇ１及びＢ４≧Ｇ２を満たす、請求項１から１２のいずれか一項に記載の積層型電子部品。
30. 前記第３面の延長線から前記第１バンド部の端までの前記第２方向の平均サイズをＢ１、
    前記第４面の延長線から前記第２バンド部の端までの前記第２方向の平均サイズをＢ２とするとき、
    Ｂ１≧Ｇ１及びＢ２≧Ｇ２を満たす、請求項２９に記載の積層型電子部品。
31. 前記本体は、前記第１面と前記第３面を連結する第１－３コーナー、前記第１面と前記第４面を連結する第１－４コーナー、前記第２面と前記第３面を連結する第２－３コーナー、前記第２面と前記第４面を連結する第２－４コーナーを含み、
    前記第１－３コーナー及び前記第２－３コーナーは、前記第３面に近づくほど前記本体の前記第１方向の中央に収縮した形態を有し、
    前記第１－４コーナー及び第２－４コーナーは、前記第４面に近づくほど前記本体の第１方向の中央に収縮した形態を有し、
    前記第１外部電極は、前記第１－３コーナー及び前記第２－３コーナー上に配置されるコーナー部を含み、
    前記第２外部電極は、前記第１－４コーナー及び第２－４コーナー上に配置されるコーナー部を含む、請求項１から１２のいずれか一項に記載の積層型電子部品。
32. 誘電体層及び前記誘電体層を間に挟んで交互に配置される第１内部電極及び第２内部電極を含み、第１方向に対向する第１面及び第２面、前記第１面及び前記第２面と連結され、第２方向に対向する第３面及び第４面、前記第１面から前記第４面と連結され、第３方向に対向する第５面及び第６面を含む本体と、
    前記第３面に配置される第１接続部、前記第１接続部から前記第１面の一部まで延長される第１バンド部を含む第１外部電極と、
    前記第４面に配置される第２接続部、前記第２接続部から前記第１面の一部まで延長される第２バンド部を含む第２外部電極と、
    前記第２面上に配置されて前記第１接続部及び前記第２接続部上に延長して配置される絶縁層と、
    前記第１バンド部上に配置される第１めっき層と、
    前記第２バンド部上に配置される第２めっき層と、を含み、
    前記絶縁層はハフニウム（Ｈｆ）を含む酸化物を含む、積層型電子部品。
33. 前記ハフニウム（Ｈｆ）を含む酸化物はＨｆＯ_２である、請求項３２に記載の積層型電子部品。
34. 前記絶縁層を構成する元素のうち、酸素を除いた残りの元素の総モル数に対するハフニウム（Ｈｆ）元素のモル数は０．９５以上である、請求項３２に記載の積層型電子部品。
35. 前記絶縁層の平均厚さは１５ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である、請求項３２に記載の積層型電子部品。
36. 前記第１外部電極及び前記第２外部電極はガラスを含む、請求項３２に記載の積層型電子部品。
37. 前記絶縁層上に配置され、アルミニウム（Ａｌ）を含む酸化物を含むカバー層をさらに含む、請求項３２に記載の積層型電子部品。
38. 前記ハフニウム（Ｈｆ）を含む酸化物はＨｆＯ_２であり、
    前記アルミニウム（Ａｌ）を含む酸化物はＡｌ_２Ｏ_３である、請求項３７に記載の積層型電子部品。
39. 前記絶縁層を構成する元素のうち、酸素を除いた残りの元素の総モル数に対するハフニウム（Ｈｆ）元素のモル数は０．９５以上であり、
    前記カバー層を構成する元素のうち、酸素を除いた残りの元素の総モル数に対するアルミニウム（Ａｌ）元素のモル数は０．９５以上である、請求項３７に記載の積層型電子部品。
40. 前記第１外部電極及び前記第２外部電極はガラスを含む、請求項３７に記載の積層型電子部品。
41. 前記第１面から前記第１内部電極及び前記第２内部電極のうち、前記第１面に最も近く配置された内部電極までの前記第１方向の平均サイズをＨ１、
    前記第１面の延長線から前記第１接続部及び前記第２接続部上に配置されためっき層の端までの第１方向の平均サイズをＨ２とするとき、
    Ｈ１＞Ｈ２を満たす、請求項３２に記載の積層型電子部品。
42. 前記第１面から前記第１内部電極及び前記第２内部電極のうち、前記第１面に最も近く配置された内部電極までの前記第１方向の平均サイズをＨ１、
    前記第１面の延長線から前記第１接続部及び前記第２接続部上に配置されためっき層の端までの前記第１方向の平均サイズをＨ２とするとき、
    Ｈ１＜Ｈ２を満たす、請求項３２に記載の積層型電子部品。
43. 前記本体の第１方向の平均サイズをＴとするとき、
    前記Ｈ２及び前記ＴはＨ２＜Ｔ／２を満たす、請求項４２に記載の積層型電子部品。
44. 前記第１めっき層及び前記第２めっき層は、前記第１面の延長線以下に配置される、請求項３２から４３のいずれか一項に記載の積層型電子部品。
45. 前記本体の第２方向の平均サイズをＬ、
    前記第３面の延長線から前記第１バンド部の端までの前記第２方向の平均サイズをＢ１、前記第４面の延長線から前記第２バンド部の端までの前記第２方向の平均サイズをＢ２とするとき、
    ０．２≦Ｂ１／Ｌ≦０．４及び０．２≦Ｂ２／Ｌ≦０．４を満たす、請求項３２から４３のいずれか一項に記載の積層型電子部品。
46. 前記第１面上に配置され、前記第１バンド部と前記第２バンド部との間に配置される追加絶縁層をさらに含む、請求項３２から４３のいずれか一項に記載の積層型電子部品。
47. 前記追加絶縁層は、ハフニウム（Ｈｆ）を含む酸化物を含む、請求項４６に記載の積層型電子部品。
48. 前記第１外部電極及び前記第２外部電極は、Ｎｉ及びＮｉ合金のうち一つ以上を含む、請求項３２から４３のいずれか一項に記載の積層型電子部品。
49. 前記第１接続部及び前記第２接続部は、前記第５面及び前記第６面と離隔して配置される、請求項３２から４３のいずれか一項に記載の積層型電子部品。
50. 前記第１接続部及び前記第２接続部は、前記第２面と離隔して配置される、請求項３２から４３のいずれか一項に記載の積層型電子部品。
51. 前記積層型電子部品の前記第２方向の最大サイズは１．１ｍｍ以下であり、
    前記第３方向の最大サイズは０．５５ｍｍ以下である、請求項３２から４３のいずれか一項に記載の積層型電子部品。
52. 前記誘電体層の平均厚さは０．３５μｍ以下である、請求項３２から４３のいずれか一項に記載の積層型電子部品。
53. 前記第１内部電極及び前記第２内部電極の平均厚さは０．３５μｍ以下である、請求項３２から４３のいずれか一項に記載の積層型電子部品。
54. 前記本体は、前記誘電体層を間に挟んで交互に配置される前記第１内部電極及び前記第２内部電極を含む容量形成部、及び前記容量形成部の前記第１方向の両端面上に配置されるカバー部を含み、
    前記カバー部の前記第１方向の平均サイズは１５μｍ以下である、請求項３２から４３のいずれか一項に記載の積層型電子部品。
55. 前記第１めっき層及び前記第２めっき層の平均厚さは、前記絶縁層の平均厚さより薄い、請求項３２から４３のいずれか一項に記載の積層型電子部品。
56. 前記第１めっき層は、前記絶縁層の前記第１外部電極上に配置された端を覆うように配置され、
    前記第２めっき層は、前記絶縁層の前記第２外部電極上に配置された端を覆うように配置される、請求項３２から４３のいずれか一項に記載の積層型電子部品。
57. 前記絶縁層は、前記第１めっき層の前記第１外部電極上に配置された端を覆うように配置され、
    前記絶縁層は、前記第２めっき層の前記第２外部電極上に配置された端を覆うように配置される、請求項３２から４３のいずれか一項に記載の積層型電子部品。
58. 前記絶縁層は、前記第５面及び前記第６面の一部を覆うように配置される、請求項３２から４３のいずれか一項に記載の積層型電子部品。
59. 前記絶縁層は、前記第５面及び前記第６面の全部を覆うように配置される、請求項３２から４３のいずれか一項に記載の積層型電子部品。
60. 前記本体は、前記第１面と前記第３面を連結する第１－３コーナー、前記第１面と前記第４面を連結する第１－４コーナー、前記第２面と前記第３面を連結する第２－３コーナー、前記第２面と前記第４面を連結する第２－４コーナーを含み、
    前記第１－３コーナー及び前記第２－３コーナーは、前記第３面に近づくほど、前記本体の第１方向の中央に収縮した形態を有し、
    前記第１－４コーナー及び前記第２－４コーナーは、前記第４面に近づくほど、前記本体の第１方向の中央に収縮した形態を有し、
    前記第１外部電極は、前記第１－３コーナー上に配置されるコーナー部及び前記第１接続部から前記第２－３コーナー上に延長して配置されるコーナー部を含み、
    前記第２外部電極は、前記第１－４コーナー上に配置されるコーナー部及び前記第２接続部から前記第２－４コーナー上に延長して配置されるコーナー部を含む、請求項３２から４３のいずれか一項に記載の積層型電子部品。
61. 誘電体層及び前記誘電体層を間に挟んで交互に配置される第１内部電極及び第２内部電極を含み、第１方向に対向する第１面及び第２面、前記第１面及び前記第２面と連結され、第２方向に対向する第３面及び第４面、前記第１面から前記第４面と連結され、第３方向に対向する第５面及び第６面を含む本体と、
    前記第３面に配置される第１接続部、前記第１接続部から前記第１面の一部まで延長される第１バンド部、前記第１接続部から前記第２面と前記第３面を連結するコーナーに延長して配置される第１コーナー部を含む第１外部電極と、
    前記第４面に配置される第２接続部、前記第２接続部から前記第１面の一部まで延長される第２バンド部、前記第２接続部から前記第２面と前記第４面を連結するコーナーに延長して配置される第２コーナー部を含む第２外部電極と、
    前記第１接続部及び前記第２接続部上に配置され、前記第２面、前記第１コーナー部及び前記第２コーナー部を覆うように配置される絶縁層と、
    前記第１バンド部上に配置される第１めっき層と、
    前記第２バンド部上に配置される第２めっき層と、を含み、
    前記第３面の延長線から前記第１コーナー部の端までの前記第２方向の平均サイズをＢ３、
    前記第４面の延長線から前記第２コーナー部の端までの前記第２方向の平均サイズをＢ４、
    前記第３面と前記第２内部電極が離隔した領域の前記第２方向の平均サイズをＧ１、
    前記第４面と前記第１内部電極が離隔した領域の前記第２方向の平均サイズをＧ２とするとき、
    Ｂ３≦Ｇ１及びＢ４≦Ｇ２を満たし、
    前記絶縁層は、ハフニウム（Ｈｆ）を含む酸化物を含む、積層型電子部品。
62. 前記ハフニウム（Ｈｆ）を含む酸化物はＨｆＯ_２である、請求項６１に記載の積層型電子部品。
63. 前記絶縁層を構成する元素のうち、酸素を除いた残りの元素の総モル数に対するハフニウム（Ｈｆ）元素のモル数は０．９５以上である、請求項６１に記載の積層型電子部品。
64. 前記絶縁層の平均厚さは１５ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である、請求項６１に記載の積層型電子部品。
65. 前記第１外部電極及び前記第２外部電極はガラスを含む、請求項６１に記載の積層型電子部品。
66. 前記絶縁層上に配置され、アルミニウム（Ａｌ）を含む酸化物を含むカバー層をさらに含む、請求項６１に記載の積層型電子部品。
67. 前記ハフニウム（Ｈｆ）を含む酸化物はＨｆＯ_２であり、
    前記アルミニウム（Ａｌ）を含む酸化物はＡｌ_２Ｏ_３である、請求項６６に記載の積層型電子部品。
68. 前記絶縁層を構成する元素のうち、酸素を除いた残りの元素の総モル数に対するハフニウム（Ｈｆ）元素のモル数は０．９５以上であり、
    前記カバー層を構成する元素のうち、酸素を除いた残りの元素の総モル数に対するアルミニウム（Ａｌ）元素のモル数は０．９５以上である、請求項６６に記載の積層型電子部品。
69. 前記第１外部電極及び前記第２外部電極はガラスを含む、請求項６６に記載の積層型電子部品。
70. 前記第１面から前記第１内部電極及び前記第２内部電極のうち、前記第１面に最も近く配置された内部電極までの前記第１方向の平均サイズをＨ１、
    前記第１面の延長線から前記第１接続部及び前記第２接続部上に配置されためっき層の端までの前記第１方向の平均サイズをＨ２とするとき、
    Ｈ１＞Ｈ２を満たす、請求項６１に記載の積層型電子部品。
71. 前記第１面から前記第１内部電極及び前記第２内部電極のうち、前記第１面に最も近く配置された内部電極までの前記第１方向の平均サイズをＨ１、
    前記第１面の延長線から前記第１接続部及び前記第２接続部上に配置されためっき層の端までの前記第１方向の平均サイズをＨ２とするとき、
    Ｈ１＜Ｈ２を満たす、請求項６１に記載の積層型電子部品。
72. 前記本体の第１方向の平均サイズをＴとするとき、
    前記Ｈ２及び前記ＴはＨ２＜Ｔ／２を満たす、請求項７１に記載の積層型電子部品。
73. 前記第１めっき層及び前記第２めっき層は、前記第１面の延長線以下に配置される、請求項６１から７２のいずれか一項に記載の積層型電子部品。
74. 前記本体の前記第２方向の平均サイズをＬ、
    前記第３面の延長線から前記第１バンド部の端までの前記第２方向の平均サイズをＢ１、
    前記第４面の延長線から前記第２バンド部の端までの前記第２方向の平均サイズをＢ２とするとき、
    ０．２≦Ｂ１／Ｌ≦０．４及び０．２≦Ｂ２／Ｌ≦０．４を満たす、請求項６１から７２のいずれか一項に記載の積層型電子部品。
75. 前記第１面上に配置され、前記第１バンド部と前記第２バンド部との間に配置される追加絶縁層をさらに含む、請求項６１から７２のいずれか一項に記載の積層型電子部品。
76. 前記追加絶縁層は、ハフニウム（Ｈｆ）を含む酸化物を含む、請求項７５に記載の積層型電子部品。
77. 前記第１外部電極及び前記第２外部電極は、Ｎｉ及びＮｉ合金のうち一つ以上を含む、請求項６１から７２のいずれか一項に記載の積層型電子部品。
78. 前記第３面の延長線から前記第１バンド部の端までの前記第２方向の平均サイズをＢ１、
    前記第４面の延長線から前記第２バンド部の端までの前記第２方向の平均サイズをＢ２とするとき、
    Ｂ３＜Ｂ１及びＢ４＜Ｂ２を満たす、請求項６１から７２のいずれか一項に記載の積層型電子部品。
79. 前記第１コーナー部及び前記第２コーナー部は、前記第２面の延長線以下に配置される、請求項６１から７２のいずれか一項に記載の積層型電子部品。
80. 前記第１接続部及び前記第２接続部は、前記第５面及び前記第６面と離隔して配置される、請求項６１から７２のいずれか一項に記載の積層型電子部品。
81. 前記第１コーナー部及び前記第２コーナー部は、前記第２面と離隔して配置される、請求項６１から７２のいずれか一項に記載の積層型電子部品。
82. 前記積層型電子部品の前記第２方向の最大サイズは１．１ｍｍ以下であり、
    前記第３方向の最大サイズは０．５５ｍｍ以下である、請求項６１から７２のいずれか一項に記載の積層型電子部品。
83. 前記誘電体層の平均厚さは０．３５μｍ以下である、請求項６１から７２のいずれか一項に記載の積層型電子部品。
84. 前記第１内部電極及び前記第２内部電極の平均厚さは０．３５μｍ以下である、請求項６１から７２のいずれか一項に記載の積層型電子部品。
85. 前記本体は、前記誘電体層を間に挟んで交互に配置される第１内部電極及び前記第２内部電極を含む容量形成部、及び前記容量形成部の前記第１方向の両端面上に配置されるカバー部を含み、
    前記カバー部の前記第１方向の平均サイズは１５μｍ以下である、請求項６１から７２のいずれか一項に記載の積層型電子部品。
86. 前記第１めっき層及び前記第２めっき層の平均厚さは、前記絶縁層の平均厚さより薄い、請求項６１から７２のいずれか一項に記載の積層型電子部品。
87. 前記第１めっき層は、前記絶縁層の前記第１外部電極上に配置された端を覆うように配置され、
    前記第２めっき層は、前記絶縁層の前記第２外部電極上に配置された端を覆うように配置される、請求項６１から７２のいずれか一項に記載の積層型電子部品。
88. 前記絶縁層は、前記第１めっき層の前記第１外部電極上に配置された端を覆うように配置され、
    前記絶縁層は、前記第２めっき層の前記第２外部電極上に配置された端を覆うように配置される、請求項６１から７２のいずれか一項に記載の積層型電子部品。
89. 前記絶縁層は、前記第５面及び前記第６面の一部を覆うように配置される、請求項６１から７２のいずれか一項に記載の積層型電子部品。
90. 前記絶縁層は、前記第５面及び前記第６面の全部を覆うように配置される、請求項６１から７２のいずれか一項に記載の積層型電子部品。
91. 前記第３面の延長線から前記第１バンド部の端までの前記第２方向の平均サイズをＢ１、
    前記第４面の延長線から前記第２バンド部の端までの前記第２方向の平均サイズをＢ２とするとき、
    Ｂ３≦Ｇ１及びＢ４≦Ｇ２を満たす、請求項６１から７２のいずれか一項に記載の積層型電子部品。
92. 誘電体層及び前記誘電体層を間に挟んで交互に配置される第１内部電極及び第２内部電極を含み、第１方向に対向する第１面及び第２面、前記第１面及び前記第２面と連結され、第２方向に対向する第３面及び第４面、前記第１面から前記第４面と連結され、第３方向に対向する第５面及び第６面を含む本体と、
    前記第３面に配置される第１連結電極及び前記第１面に配置されて前記第１連結電極と連結される第１バンド電極を含む第１外部電極と、
    前記第４面に配置される第２連結電極及び前記第１面に配置されて前記第２連結電極と連結される第２バンド電極を含む第２外部電極と、
    前記第１連結電極上に配置される第１絶縁層と、
    前記第２連結電極上に配置される第２絶縁層と、
    前記第１バンド電極上に配置される第１めっき層と、
    前記第２バンド電極上に配置される第２めっき層と、を含み、
    前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層は、ハフニウム（Ｈｆ）を含む酸化物を含む、積層型電子部品。
93. 前記ハフニウム（Ｈｆ）を含む酸化物はＨｆＯ_２である、請求項９２に記載の積層型電子部品。
94. 前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層を構成する元素のうち、酸素を除いた残りの元素の総モル数に対するハフニウム（Ｈｆ）元素のモル数は０．９５以上である、請求項９２に記載の積層型電子部品。
95. 前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層の平均厚さは１５ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である、請求項９２に記載の積層型電子部品。
96. 前記第１外部電極及び前記第２外部電極はガラスを含む、請求項９２に記載の積層型電子部品。
97. 前記第１絶縁層上に配置される第１カバー層及び前記第２絶縁層上に配置される第２カバー層をさらに含み、前記第１カバー層及び前記第２カバー層はアルミニウム（Ａｌ）を含む酸化物を含む、請求項９２に記載の積層型電子部品。
98. 前記ハフニウム（Ｈｆ）を含む酸化物はＨｆＯ_２であり、
    前記アルミニウム（Ａｌ）を含む酸化物はＡｌ_２Ｏ_３である、請求項９７に記載の積層型電子部品。
99. 前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層を構成する元素のうち、酸素を除いた残りの元素の総モル数に対するハフニウム（Ｈｆ）元素のモル数は０．９５以上であり、
    前記第１カバー層及び前記第２カバー層を構成する元素のうち、酸素を除いた残りの元素の総モル数に対するアルミニウム（Ａｌ）元素のモル数は０．９５以上である、請求項９７に記載の積層型電子部品。
100. 前記第１外部電極及び前記第２外部電極はガラスを含む、請求項９７に記載の積層型電子部品。
101. 前記第１面から前記第１内部電極及び前記第２内部電極のうち、前記第１面に最も近く配置された内部電極までの前記第１方向の平均サイズをＨ１、
     前記第１面の延長線から前記第１連結電極及び前記第２連結電極上に配置された前記第１めっき層及び前記第２めっき層の端までの前記第１方向の平均サイズをＨ２とするとき、
     Ｈ１＞Ｈ２を満たす、請求項９２に記載の積層型電子部品。
102. 前記第１面から前記第１内部電極及び前記第２内部電極のうち、前記第１面に最も近く配置された内部電極までの前記第１方向の平均サイズをＨ１、
     前記第１面の延長線から前記第１連結電極及び前記第２連結電極上に配置された第１及び前記第２めっき層の端までの前記第１方向の平均サイズをＨ２とするとき、
     Ｈ１＜Ｈ２を満たす、請求項９２に記載の積層型電子部品。
103. 前記本体の第１方向の平均サイズをＴとするとき、
     前記Ｈ２及び前記ＴはＨ２＜Ｔ／２を満たす、請求項１０２に記載の積層型電子部品。
104. 前記第１めっき層及び前記第２めっき層は、前記第１面の延長線以下に配置される、請求項９２から１０３のいずれか一項に記載の積層型電子部品。
105. 前記第１面上に配置され、前記第１バンド電極と前記第２バンド電極との間に配置される追加絶縁層をさらに含む、請求項９２から１０３のいずれか一項に記載の積層型電子部品。
106. 前記追加絶縁層は、ハフニウム（Ｈｆ）を含む酸化物を含む、請求項１０５に記載の積層型電子部品。
107. 前記第１連結電極及び前記第２連結電極は、Ｎｉ及びＮｉ合金のうち一つ以上を含む、請求項９２から１０３のいずれか一項に記載の積層型電子部品。
108. 前記第１連結電極及び前記第２連結電極は、前記第５面及び前記第６面と離隔して配置される、請求項９２から１０３のいずれか一項に記載の積層型電子部品。
109. 前記第１連結電極及び前記第２連結電極は、前記第２面と離隔して配置される、請求項９２から１０３のいずれか一項に記載の積層型電子部品。
110. 前記積層型電子部品の前記第２方向の最大サイズは１．１ｍｍ以下であり、
     前記第３方向の最大サイズは０．５５ｍｍ以下である、請求項９２から１０３のいずれか一項に記載の積層型電子部品。
111. 前記誘電体層の平均厚さは０．３５μｍ以下である、請求項９２から１０３のいずれか一項に記載の積層型電子部品。
112. 前記第１内部電極及び前記第２内部電極の平均厚さは０．３５μｍ以下である、請求項９２から１０３のいずれか一項に記載の積層型電子部品。
113. 前記本体は、前記誘電体層を間に挟んで交互に配置される前記第１内部電極及び前記第２内部電極を含む容量形成部、及び前記容量形成部の前記第１方向の両端面上に配置されるカバー部を含み、
     前記カバー部の前記第１方向の平均サイズは１５μｍ以下である、請求項９２から１０３のいずれか一項に記載の積層型電子部品。
114. 前記第１めっき層及び前記第２めっき層の平均厚さは、前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層の平均厚さより薄い、請求項９２から１０３のいずれか一項に記載の積層型電子部品。
115. 前記第１めっき層は、前記第１絶縁層の前記第１外部電極上に配置された端を覆うように配置され、
     前記第２めっき層は、前記第２絶縁層の前記第２外部電極上に配置された端を覆うように配置される、請求項９２から１０３のいずれか一項に記載の積層型電子部品。
116. 前記第１絶縁層は、前記第１めっき層の前記第１外部電極上に配置された端を覆うように配置され、
     前記第２絶縁層は、前記第２めっき層の前記第２外部電極上に配置された端を覆うように配置される、請求項９２から１０３のいずれか一項に記載の積層型電子部品。
117. 前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層は、前記第５面及び前記第６面に延長して互いに連結され、前記第５面及び前記第６面の一部を覆うように配置される、請求項９２から１０３のいずれか一項に記載の積層型電子部品。
118. 前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層は、前記第５面及び前記第６面に延長して互いに連結され、前記第５面及び前記第６面の全部を覆うように配置される、請求項９２から１０３のいずれか一項に記載の積層型電子部品。
119. 前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層は、前記第２面に延長して互いに連結される、請求項９２から１０３のいずれか一項に記載の積層型電子部品。
120. 前記本体は、前記第１面と前記第３面を連結する第１－３コーナー、前記第１面と前記第４面を連結する第１－４コーナー、前記第２面と前記第３面を連結する第２－３コーナー、前記第２面と前記第４面を連結する第２－４コーナーを含み、
     前記第１－３コーナー及び前記第２－３コーナーは、前記第３面に近づくほど、前記本体の前記第１方向の中央に収縮した形態を有し、
     前記第１－４コーナー及び前記第２－４コーナーは、前記第４面に近づくほど、前記本体の前記第１方向の中央に収縮した形態を有し、
     前記第１連結電極は、前記第１－３コーナー及び前記第２－３コーナー上に延長して配置されるコーナー部を含み、
     前記第２連結電極は、前記第１－４コーナー及び前記第２－４コーナー上に延長して配置されるコーナーを含む、請求項９２から１０３のいずれか一項に記載の積層型電子部品。
121. 前記第１外部電極は、前記第２面に配置されて前記第１連結電極と連結される第３バンド電極をさらに含み、
     前記第２外部電極は、前記第２面に配置されて前記第２連結電極と連結される第４バンド電極をさらに含む、請求項１２０に記載の積層型電子部品。
122. 前記第３面の延長線から前記第１バンド電極の端までの距離をＢ１、
     前記第４面の延長線から前記第２バンド電極の端までの距離をＢ２、
     前記第３面の延長線から前記第３バンド電極の端までの距離をＢ３、
     前記第４面の延長線から前記第４バンド電極の端までの距離をＢ４、
     前記第３面と前記第２内部電極が離隔した領域の前記第２方向の平均サイズをＧ１、
     前記第４面と前記第１内部電極が離隔した領域の前記第２方向の平均サイズをＧ２とするとき、
     Ｂ１≧Ｇ１、Ｂ３≧Ｇ１、Ｂ２≧Ｇ２及びＢ４≧Ｇ２を満たす、請求項１２１に記載の積層型電子部品。
123. 前記第３面の延長線から前記第１バンド電極の端までの距離をＢ１、
     前記第４面の延長線から前記第２バンド電極の端までの距離をＢ２、
     前記第３面の延長線から前記第３バンド電極の端までの距離をＢ３、
     前記第４面の延長線から前記第４バンド電極の端までの距離をＢ４、
     前記第３面と前記第２内部電極が離隔した領域の前記第２方向の平均サイズをＧ１、
     前記第４面と前記第１内部電極が離隔した領域の前記第２方向の平均サイズをＧ２とするとき、
     Ｂ１≧Ｇ１、Ｂ３≦Ｇ１、Ｂ２≧Ｇ２及びＢ４≦Ｇ２を満たす、請求項１２１に記載の積層型電子部品。
124. 前記第１バンド電極及び前記第２バンド電極は、前記内部電極に含まれた金属と同じ金属を含む、請求項９２から１０３のいずれか一項に記載の積層型電子部品。
125. 前記第１連結電極及び前記第２連結電極は、前記内部電極に含まれた金属と同じ金属を含む、請求項９２から１０３のいずれか一項に記載の積層型電子部品。
126. 前記第１バンド電極及び前記第２バンド電極は、導電性金属及びガラスを含む焼成電極である、請求項９２から１０３のいずれか一項に記載の積層型電子部品。
127. 前記第１連結電極及び前記第２連結電極は、導電性金属及びガラスを含む焼成電極である、請求項９２から１０３のいずれか一項に記載の積層型電子部品。
128. 前記第１バンド電極及び前記第２バンド電極はめっき層である、請求項９２から１０３のいずれか一項に記載の積層型電子部品。
129. 前記第１連結電極及び前記第２連結電極はめっき層である、請求項９２から１０３のいずれか一項に記載の積層型電子部品。
130. 前記同じ金属はＮｉである、請求項１２４に記載の積層型電子部品。
131. 前記同じ金属はＮｉである、請求項１２５に記載の積層型電子部品。
132. 前記導電性金属は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）及びそれらの合金のうち一つ以上である、請求項１２６に記載の積層型電子部品。

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