JP2023099436A - 積層型電子部品 - Google Patents
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Abstract
【課題】熱膨脹及び熱収縮による応力を抑制した積層型電子部品を提供する。【解決手段】積層型電子部品１０００は、誘電体層１１１及び誘電体層を挟んで交互に配置される第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２を含み、第１方向に対向する第１面及び第２面、第１面及び第２面に連結され第２方向に対向する第３面及び第４面、第１面から第４面と連結され第３方向に対向する第５面及び第６面を含む本体１１０と、第３（４）面に配置される第１（２）接続部１３１ａ（１３２ａ）及び第１（２）接続部から第１面の一部まで延長される第１（２）バンド部１３１ｂ（１３２ｂ）を含む第１（２）外部電極１３１（１３２）と、第２面上に配置され第１接続部及び第２接続部上の一部まで延長して配置される絶縁層と１５１、第１バンド部及び第２バンド部上に配置される第１めっき層１４１及び第２メッキ層１４２と、を含む。絶縁層は、Ｓｉを含む酸化物を含む。【選択図】図３
Description
本発明は、積層型電子部品に関する。
積層型電子部品の一つである積層セラミックキャパシタ（ＭＬＣＣ：Ｍｕｌｔｉ－Ｌａｙｅｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃ Ｃａｐａｃｉｔｏｒ）は、液晶表示装置（ＬＣＤ：Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）及びプラズマ表示装置パネル（ＰＤＰ：Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ）などの映像機器、コンピュータ、スマートフォン及び携帯電話など、様々な電子製品の印刷回路基板に装着され、電気を充電又は放電させる役割を果たすチップ型のコンデンサである。
このような積層セラミックキャパシタは、小型でありながらも高容量が保障され、実装が容易であるという利点により、様々な電子装置の部品として使用されることができる。
近年は、電子製品の小型化、多機能化に伴い、積層セラミックキャパシタの高集積化、高容量化への要求が増大し、積層セラミックキャパシタ間の空間が最小化している。
また、自動車またはインフォテインメントシステムにも積層セラミックキャパシタが使用されることにより、高信頼性、高強度特性と小型化への要求が増加している。
積層セラミックキャパシタの小型化及び高容量化のためには、内部電極及び誘電体層を薄く形成して積層数を増加させなければならず、容量の形成に影響を及ぼさない部分の体積を最小化させて容量実現に必要な有効体積分率を増加させる必要がある。
また、制限された基板の面積内に最大限多い数の部品を実装するためには、その実装空間を最小化する必要がある。
また、積層セラミックキャパシタの小型化及び高容量化につれてマージンの厚さが薄くなって外部からの水分浸透またはめっき液の浸透が容易になり、それが原因で信頼性が劣ることがある。よって、外部からの水分浸透またはめっき液の浸透から積層セラミックキャパシタが保護可能な方案が要求される。
本発明の様々な目的の一つは、熱膨脹及び熱収縮から積層型電子部品を保護するために、積層型電子部品を取り囲むガラス層を形成する場合、ガラス層に凝集が発生して均一な膜を形成し難いという問題点を解決するためである。
本発明の様々な目的の一つは、軟化点以下の温度でガラス層の硬度が上昇しながら積層型電子部品に応力を伝達するようになるため、積層型電子部品にクラック及びディラミネーションを発生させるという問題点を解決するためである。
本発明の様々な目的の一つは、温度を上昇させる過程で積層型電子部品を構成する外部電極の金属が内部電極に拡散して放射クラックが発生するという問題点を解決するためである。
但し、本発明の目的は、上述した内容に限定されず、本発明の具体的な実施形態を説明する過程でより容易に理解されることができる。
本発明の一実施形態に係る積層型電子部品は、誘電体層及び上記誘電体層を挟んで交互に配置される第１内部電極及び第２内部電極を含み、第１方向に対向する第１面及び第２面、上記第１面及び第２面と連結され第２方向に対向する第３面及び第４面、上記第１面から第４面と連結され第３方向に対向する第５面及び第６面を含む本体と、上記第３面に配置される第１接続部、上記第１接続部から上記第１面の一部まで延長される第１バンド部を含む第１外部電極と、上記第４面に配置される第２接続部、上記第２接続部から上記第１面の一部まで延長される第２バンド部を含む第２外部電極と、上記第２面上に配置され上記第１接続部及び第２接続部上に延長して配置される絶縁層と、上記第１バンド部上に配置される第１めっき層と、上記第２バンド部上に配置される第２めっき層とを含み、上記絶縁層は、珪素（Ｓｉ）を含む酸化物を含むことができる。
本発明の一実施形態に係る積層型電子部品は、誘電体層及び上記誘電体層を挟んで交互に配置される第１内部電極及び第２内部電極を含み、第１方向に対向する第１面及び第２面、上記第１面及び第２面と連結され第２方向に対向する第３面及び第４面、上記第１面から第４面と連結され第３方向に対向する第５面及び第６面を含む本体と、上記第３面に配置される第１接続部、上記第１接続部から上記第１面の一部まで延長される第１バンド部を含む第１外部電極と、上記第４面に配置される第２接続部、上記第２接続部から上記第１面の一部まで延長される第２バンド部を含む第２外部電極と、上記第２面上に配置され上記第１接続部及び第２接続部上に延長して配置される絶縁層と、上記第１バンド部上に配置される第１めっき層と、上記第２バンド部上に配置される第２めっき層とを含み、上記絶縁層は、ホウ素（Ｂ）を含む酸化物、ホウケイ酸塩及び亜鉛－ホウケイ酸塩のうち少なくともいずれか一つを含むことができる。
本発明の一実施形態に係る積層型電子部品は、誘電体層及び上記誘電体層を挟んで交互に配置される第１内部電極及び第２内部電極を含み、第１方向に対向する第１面及び第２面、上記第１面及び第２面と連結され第２方向に対向する第３面及び第４面、上記第１面から第４面と連結され第３方向に対向する第５面及び第６面を含む本体と、上記第３面に配置される第１接続部、上記第１接続部から上記第１面の一部まで延長される第１バンド部、上記第１接続部から上記第２面の一部まで延長される第３バンド部を含む第１外部電極と、上記第４面に配置される第２接続部、上記第２接続部から上記第１面の一部まで延長される第２バンド部、及び上記第２接続部から上記第２面の一部まで延長される第４バンド部を含む第２外部電極と、上記第１接続部及び第２接続部上に配置され、上記第２面、第３バンド部及び第４バンド部を覆うように配置される絶縁層と、上記第１バンド部上に配置される第１めっき層と、上記第２バンド部上に配置される第２めっき層とを含み、上記絶縁層は、珪素（Ｓｉ）を含む酸化物を含むことができる。
本発明の一実施形態に係る積層型電子部品は、誘電体層及び上記誘電体層を挟んで交互に配置される第１内部電極及び第２内部電極を含み、第１方向に対向する第１面及び第２面、上記第１面及び第２面と連結され第２方向に対向する第３面及び第４面、上記第１面から第４面と連結され第３方向に対向する第５面及び第６面を含む本体と、上記第３面に配置される第１接続部、上記第１接続部から上記第１面の一部まで延長される第１バンド部、上記第１接続部から上記第２面と第３面を連結するコーナーに延長して配置される第１コーナー部を含む第１外部電極と、上記第４面に配置される第２接続部、上記第２接続部から上記第１面の一部まで延長される第２バンド部、及び上記第２接続部から第２面と第４面を連結するコーナーに延長して配置される第２コーナー部を含む第２外部電極と、上記第１接続部及び第２接続部上に配置され、上記第２面、第１コーナー部及び第２コーナー部を覆うように配置される絶縁層と、上記第１バンド部上に配置される第１めっき層と、上記第２バンド部上に配置される第２めっき層とを含み、上記第３面の延長線から上記第１コーナー部の末端までの上記第２方向の平均大きさをＢ３、上記第４面の延長線から上記第２コーナー部の末端までの上記第２方向の平均大きさをＢ４、上記第３面と上記第２内部電極が離隔した領域の第２方向の平均大きさをＧ１、上記第４面と上記第１内部電極が離隔した領域の第２方向の平均大きさをＧ２とした時、Ｂ３≦Ｇ１及びＢ４≦Ｇ２を満たし、上記絶縁層は、珪素（Ｓｉ）を含む酸化物を含むことができる。
本発明の一実施形態に係る積層型電子部品は、誘電体層及び上記誘電体層を挟んで交互に配置される第１内部電極及び第２内部電極を含み、第１方向に対向する第１面及び第２面、上記第１面及び第２面と連結され第２方向に対向する第３面及び第４面、上記第１面から第４面と連結され第３方向に対向する第５面及び第６面を含む本体と、上記第３面に配置される第１連結電極及び上記第１面に配置され上記第１連結電極と連結される第１バンド電極を含む第１外部電極と、上記第４面に配置される第２連結電極及び上記第１面に配置され上記第２連結電極と連結される第２バンド電極を含む第２外部電極と、上記第１連結電極上に配置される第１絶縁層と、上記第２連結電極上に配置される第２絶縁層と、上記第１バンド電極上に配置される第１めっき層と、上記第２バンド電極上に配置される第２めっき層とを含み、上記絶縁層は、珪素（Ｓｉ）を含む酸化物を含むことができる。
本発明の様々な効果の一つは、熱膨脹及び熱収縮から積層型電子部品を保護して均一な絶縁膜を形成することである。
本発明の様々な効果の一つは、軟化点以下の温度でガラス層の硬度が上昇しながら積層型電子部品に応力を伝達することを抑制して、積層型電子部品にクラック及びディラミネーションを防止することである。
本発明の様々な効果の一つは、温度を上昇させる過程で積層型電子部品を構成する外部電極の金属が内部電極に拡散して放射クラックが発生することを抑制することである。
但し、本発明の多様かつ有益な長所と効果は、上述した内容に限定されず、本発明の具体的な実施形態を説明する過程でより容易に理解されることができる。
以下では、具体的な実施形態及び添付の図面を参照して本発明の実施形態を説明する。しかしながら、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形されることができ、本発明の範囲は以下で説明する実施形態に限定されない。また、本発明の実施形態は通常の技術者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面における要素の形状及び大きさなどは、より明確な説明のために拡大縮小表示（又は強調表示や簡略化表示）がされることがあり、図面上の同一の符号で示される要素は同一の要素である。
そして、図面において本発明を明確に説明するために、説明と関係のない部分は省略し、図面に示した各構成の大きさ及び厚さは説明の便宜上、任意に示しているため、本発明は必ずしも示されたものに限定されない。なお、同一思想の範囲内の機能が同一である構成要素については、同一の参照符号を用いて説明する。さらに、明細書全体において、ある部分がある構成要素を「含む」というとき、これは特に反対される記載がない限り、他の構成要素を除外するのではなく、他の構成要素をさらに含むことができることを意味する。
図面において、第１方向は積層方向または厚さＴ方向、第２方向は長さＬ方向、第３方向は幅Ｗ方向と定義することができる。
図１は、本発明の一実施形態に係る積層型電子部品の斜視図を概略的に示したものであり、図２は、図１の積層型電子部品の本体の斜視図を概略的に示したものであり、図３は、図１のＩ－Ｉ'に沿った断面図であり、図４は、図２の本体を分解して概略的に示した分解斜視図であり、図５は、図１の積層型電子部品が実装された基板の斜視図を概略的に示したものである。
以下、図１～図５を参照して、本発明の一実施形態に係る積層型電子部品１０００について説明する。
本発明の一実施形態に係る積層型電子部品１０００は、誘電体層１１１、上記誘電体層を挟んで交互に配置される第１内部電極及び第２内部電極１２１、１２２を含み、第１方向に対向する第１面及び第２面１、２、上記第１面及び第２面と連結され第２方向に対向する第３面及び第４面３、４、上記第１面から第４面と連結され第３方向に対向する第５面及び第６面５、６を含む本体１１０と、上記第３面に配置される第１接続部１３１ａ、上記第１接続部から上記第１面の一部まで延長される第１バンド部１３１ｂ、及び上記第１接続部から上記第２面の一部まで延長される第３バンド部１３１ｃを含む第１外部電極１３１と、上記第４面に配置される第２接続部１３２ａ、上記第２接続部から上記第１面の一部まで延長される第２バンド部１３２ｂ、及び上記第２接続部から上記第２面の一部まで延長される第４バンド部１３２ｃを含む第２外部電極１３２と、上記第１接続部及び第２接続部上に配置され、上記第２面、第３バンド部１３１ｃ及び第４バンド部１３２ｃを覆うように配置される絶縁層１５１と、上記第１バンド部１３１ｂ上に配置される第１めっき層１４１と、上記第２バンド部１３２ｂ上に配置される第２めっき層１４２とを含み、上記絶縁層１５１は、珪素（Ｓｉ）を含む酸化物を含むことができる。
本体１１０は、誘電体層１１１及び内部電極１２１、１２２が交互に積層されている。
本体１１０の具体的な形状に特に限定はないが、示されたように、本体１１０は六面体形状やこれと類似の形状からなることができる。焼成過程で本体１１０に含まれたセラミック粉末の収縮により、本体１１０は完全な直線を有する六面体形状ではないが、実質的に六面体形状を有することができる。
本体１１０は、第１方向に互いに対向する第１面１及び第２面２、上記第１面１及び第２面２と連結され第２方向に互いに対向する第３面３及び第４面４、第１面１及び第２面、２と連結され第３面３及び第４面４と連結され第３方向に互いに対向する第５面５及び第６面６を有することができる。
一実施形態において、本体１１０は、第１面と第３面を連結する第１－３コーナー、上記第１面と第４面を連結する第１－４コーナー、上記第２面と第３面を連結する第２－３コーナー、上記第２面と第４面を連結する第２－４コーナーを含み、上記第１－３コーナー及び第２－３コーナーは、上記第３面に近くなるほど上記本体の第１方向の中央に収縮した形態を有し、上記第１－４コーナー及び第２－４コーナーは、上記第４面に近くなるほど上記本体の第１方向の中央に収縮した形態を有することができる。
誘電体層１１１上に内部電極１２１、１２２が配置されていないマージン領域が重なることによって内部電極１２１、１２２の厚さによる段差が発生し、第１面と第３面から第６面を連結するコーナー及び／又は第２面と第３面から第６面を連結するコーナーは、第１面又は第２面を基準としてみたときに、本体１１０の第１方向の中央側に収縮した形態を有することができる。或いは、本体の焼結過程における収縮挙動によって第１面１と第３面３、第４面４、第５面５、第６面６を連結するコーナー及び／又は第２面２と第３面、第４面４、第５面５、第６面６を連結するコーナーは、第１面又は第２面を基準としてみたときに、本体１１０の第１方向の中央側に収縮した形態を有することができる。或いは、チッピング不良などを防止するために、本体１１０の各面を連結する角部を別途の工程を行ってラウンド処理することによって、第１面と第３面から第６面を連結するコーナー及び／又は第２面と第３面から第６面を連結するコーナーは、ラウンド形状を有することができる。
上記コーナーは、第１面と第３面を連結する第１－３コーナー、第１面と第４面を連結する第１－４コーナー、第２面と第３面を連結する第２－３コーナー、第２面と第４面を連結する第２－４コーナーを含むことができる。また、コーナーは、第１面と第５面を連結する第１－５コーナー、第１面と第６面を連結する第１－６コーナー、第２面と第５面を連結する第２－５コーナー、第２面と第６面を連結する第２－６コーナーを含むことができる。本体１１０の第１面から第６面は概して平坦な面であることができ、平坦でない領域をコーナーとすることができる。以下、各面の延長線とは、各面の平坦な部分を基準として延長した線を意味することができる。
このとき、外部電極１３１、１３２のうち本体１１０のコーナー上に配置された領域をコーナー部、本体１１０の第３面及び第４面上に配置された領域を接続部、本体の第１面及び第２面上に配置された領域をバンド部とすることができる。
一方、内部電極１２１、１２２による段差を抑制するために、積層後の内部電極が本体の第５面５及び第６面６に露出するように切断した後、単一の誘電体層又は２つ以上の誘電体層を容量形成部Ａｃの両側面に第３方向（幅方向）に積層してマージン部１１４、１１５を形成する場合には、第１面と第５面及び第６面を連結する部分及び第２面と第５面及び第６面を連結する部分が収縮した形態を有していなくてもよい。
本体１１０を形成する複数の誘電体層１１１は焼成された状態であって、隣接する誘電体層１１１間の境界は、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ：Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を利用せずには確認しにくいほど一体化していることができる。
本発明の一実施形態によると、上記誘電体層１１１を形成する原料は、十分な静電容量が得られる限り、特に制限されない。例えば、チタン酸バリウム系材料、鉛複合ペロブスカイト系材料、又はチタン酸ストロンチウム系材料などを使用することができる。上記チタン酸バリウム系材料はＢａＴｉＯ３系セラミック粉末を含むことができ、上記セラミック粉末としては、例えば、ＢａＴｉＯ３、ＢａＴｉＯ３にＣａ（カルシウム）、Ｚｒ（ジルコニウム）などが一部固溶された（Ｂａ１－ｘＣａｘ）ＴｉＯ３（０＜ｘ＜１）、Ｂａ（Ｔｉ１－ｙＣａｙ）Ｏ３（０＜ｙ＜１）、（Ｂａ１－ｘＣａｘ）（Ｔｉ１－ｙＺｒｙ）Ｏ３（０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１）、又はＢａ（Ｔｉ１－ｙＺｒｙ）Ｏ３（０＜ｙ＜１）などが挙げられる。
また、上記誘電体層１１１を形成する原料には、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）などのパウダーに本発明の目的に応じて多様なセラミック添加剤、有機溶剤、結合剤、分散剤などが添加されることができる。
一方、誘電体層１１１の平均厚さｔｄは、特に限定する必要はない。
但し、一般的に、誘電体層を０．６μｍ未満の厚さで薄く形成する場合、特に、誘電体層の厚さが０．３５μｍ以下である場合には、信頼性が低下する恐れがあった。
本発明の一実施形態によると、絶縁層を外部電極の接続部上に配置し、めっき層を外部電極のバンド部上に配置することで、外部からの水分浸透、めっき液の浸透などを防止して信頼性を向上させることができることから、誘電体層１１１の平均厚さが０．３５μｍ以下であっても、優れた信頼性を確保することができる。
したがって、誘電体層１１１の平均厚さが０．３５μｍ以下である場合に、本発明による信頼性の向上効果がより顕著になることができる。
上記誘電体層１１１の平均厚さｔｄとは、上記第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２の間に配置される誘電体層１１１の平均厚さを意味することができる。
誘電体層１１１の平均厚さは、本体１１０の長さ及び厚さ方向Ｌ－Ｔ断面を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ：Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）でイメージをスキャンして測定することができる。より具体的には、スキャンされたイメージにおいて任意の誘電体層を長さ方向に等間隔である３０個の地点でその厚さを測定して平均値を測定することができる。上記等間隔である３０個の地点は容量形成部Ａｃで指定されることができる。また、このような平均値の測定を１０個の誘電体層に拡張して求めると、誘電体層の平均厚さをさらに一般化することができる。
本体１１０は、本体１１０の内部に配置され、誘電体層１１１を挟んで互いに対向するように配置される第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２を含み容量が形成される容量形成部Ａｃと、上記容量形成部Ａｃの第１方向上部及び下部に形成されたカバー部１１２、１１３とを含むことができる。
また、上記容量形成部Ａｃは、キャパシタの容量の形成に寄与する部分であって、誘電体層１１１を挟んで複数の第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２を繰り返し積層して形成されることができる。
カバー部１１２、１１３は、上記容量形成部Ａｃの第１方向上部に配置される上部カバー部１１２及び上記容量形成部Ａｃの第１方向下部に配置される下部カバー部１１３を含むことができる。
上記上部カバー部１１２及び下部カバー部１１３は、単一の誘電体層又は２つ以上の誘電体層を容量形成部Ａｃの上下面にそれぞれ厚さ方向に積層して形成することができ、基本的に物理的又は化学的ストレスによる内部電極の損傷を防止する役割を果たすことができる。
上記上部カバー部１１２及び下部カバー部１１３は内部電極を含まず、誘電体層１１１と同じ材料を含むことができる。
すなわち、上記上部カバー部１１２及び下部カバー部１１３は、セラミック材料を含むことができ、例えば、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）系セラミック材料を含むことができる。
一方、カバー部１１２、１１３の平均厚さは、特に限定する必要はない。但し、積層型電子部品の小型化及び高容量化をより容易に達成するために、カバー部１１２、１１３の平均厚さｔｃは１５μｍ以下であることができる。また、本発明の一実施形態によると、絶縁層を外部電極の接続部上に配置し、めっき層を外部電極のバンド部上に配置することで、外部からの水分浸透、めっき液の浸透などを防止して信頼性を向上させることができることから、カバー部１１２、１１３の平均厚さｔｃが１５μｍ以下であっても、優れた信頼性を確保することができる。
カバー部１１２、１１３の平均厚さｔｃは第１方向の大きさを意味することができ、容量形成部Ａｃの上部又は下部において等間隔の５個地点で測定したカバー部１１２、１１３の第１方向の大きさを平均した値であることができる。
また、上記容量形成部Ａｃの側面には、マージン部１１４、１１５が配置されることができる。
マージン部１１４、１１５は、本体１１０の第５面５に配置された第１マージン部１１４と、第６面６に配置された第２マージン部１１５とを含むことができる。すなわち、マージン部１１４、１１５は、上記セラミック本体１１０の幅方向両端面（ｅｎｄ ｓｕｒｆａｃｅｓ）に配置されることができる。
マージン部１１４、１１５は、図３に示されたように、上記本体１１０を幅－厚さＷ－Ｔ方向に沿って切った断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）において、第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２の両末端と本体１１０の境界面との間の領域を意味することができる。
マージン部１１４、１１５は、基本的に物理的又は化学的ストレスによる内部電極の損傷を防止する役割を果たすことができる。
マージン部１１４、１１５は、セラミックグリーンシート上にマージン部が形成される箇所を除いて、導電性ペーストを塗布して内部電極を形成することによりなるものであることができる。
また、内部電極１２１、１２２による段差を抑制するために、積層後の内部電極が本体の第５面５及び第６面６に露出するように切断した後、単一の誘電体層又は２つ以上の誘電体層を容量形成部Ａｃの両側面に第３方向（幅方向）に積層してマージン部１１４、１１５を形成することもできる。
一方、マージン部１１４、１１５の幅は、特に限定する必要はない。但し、積層型電子部品の小型化及び高容量化をより容易に達成するために、マージン部１１４、１１５の平均幅は１５μｍ以下であることができる。また、本発明の一実施形態によると、絶縁層を外部電極の接続部上に配置し、めっき層を外部電極のバンド部上に配置することで、外部からの水分浸透、めっき液の浸透などを防止して信頼性を向上させることができることから、マージン部１１４、１１５の平均幅が１５μｍ以下であっても、優れた信頼性を確保することができる。
マージン部１１４、１１５の平均幅はマージン部１１４、１１５の第３方向の平均大きさを意味することができ、容量形成部Ａｃの側面において等間隔の５個地点で測定したマージン部１１４、１１５の第３方向の大きさを平均した値であることができる。
内部電極１２１、１２２は、誘電体層１１１と交互に積層される。
内部電極１２１、１２２は、第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２を含むことができる。第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２は、本体１１０を構成する誘電体層１１１を挟んで互いに対向するように交互に配置され、本体１１０の第３面３及び第４面４にそれぞれ露出することができる。
図３を参照すると、第１内部電極１２１は、第４面４と離隔して第３面３に露出し、第２内部電極１２２は、第３面３と離隔して第４面４に露出することができる。本体の第３面３には、第１外部電極１３１が配置されて第１内部電極１２１と連結され、本体の第４面４には、第２外部電極１３２が配置されて第２内部電極１２２と連結されることができる。
すなわち、第１内部電極１２１は、第２外部電極１３２とは連結されず、第１外部電極１３１と連結され、第２内部電極１２２は、第１外部電極１３１とは連結されず、第２外部電極１３２と連結される。よって、第１内部電極１２１は、第４面４において一定距離離隔して形成され、第２内部電極１２２は、第３面３において一定距離離隔して形成されることができる。
このとき、第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２は、中間に配置された誘電体層１１１により互いに電気的に分離されることができる。
本体１１０は、第１内部電極１２１が印刷されたセラミックグリーンシートと第２内部電極１２２が印刷されたセラミックグリーンシートとを交互に積層した後、焼成して形成することができる。
内部電極１２１、１２２を形成する材料は、特に制限されず、電気伝導性に優れた材料を使用することができる。例えば、内部電極１２１、１２２は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、スズ（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、及びこれらの合金のうち１種以上を含むことができる。
また、内部電極１２１、１２２は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、スズ（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、及びこれらの合金のうち１種以上を含む内部電極用導電性ペーストをセラミックグリーンシートに印刷して形成することができる。上記内部電極用導電性ペーストの印刷方法としては、スクリーン印刷法又はグラビア印刷法などを使用することができるが、本発明はこれに限定されるものではない。
一方、内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｅは、特に限定する必要はない。
但し、一般的に、内部電極を０．６μｍ未満の厚さで薄く形成する場合、特に内部電極の厚さが０．３５μｍ以下である場合には、信頼性が低下する恐れがあった。
本発明の一実施形態によると、絶縁層を外部電極の接続部上に配置し、めっき層を外部電極のバンド部上に配置することで、外部からの水分浸透、めっき液の浸透などを防止して信頼性を向上させることができることから、内部電極１２１、１２２の平均厚さが０．３５μｍ以下であっても、優れた信頼性を確保することができる。
したがって、内部電極１２１、１２２の厚さが平均０．３５μｍ以下である場合に、本発明による効果がより顕著になることができ、セラミック電子部品の小型化及び高容量化をより容易に果たすことができる。
上記内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｅとは、内部電極１２１、１２２の平均厚さを意味することができる。
内部電極１２１、１２２の平均厚さは、本体１１０の長さ及び厚さ方向Ｌ－Ｔ断面を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ：Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）でイメージをスキャンして測定することができる。より具体的には、スキャンされたイメージにおいて任意の内部電極を長さ方向に等間隔である３０個の地点でその厚さを測定して平均値を測定することができる。上記等間隔である３０個の地点は容量形成部Ａｃで指定されることができる。また、このような平均値の測定を１０個の内部電極に拡張して求めると、内部電極の平均厚さをさらに一般化することができる。
外部電極１３１、１３２は、本体１１０の第３面３及び第４面４に配置されることができる。外部電極１３１、１３２は、本体１１０の第３面３及び第４面４にそれぞれ配置され、第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２とそれぞれ連結された第１外部電極１３１及び第２外部電極１３２を含むことができる。
外部電極１３１、１３２は、第３面に配置される第１接続部１３１ａ及び上記第１接続部から上記第１面の一部まで延長される第１バンド部１３１ｂを含む第１外部電極１３１と、第４面に配置される第２接続部１３２ａ及び上記第２接続部から上記第１面の一部まで延長される第２バンド部１３２ｂを含む第２外部電極１３２とを含むことができる。第１接続部１３１ａは第１内部電極１２１と第３面で連結され、第２接続部１３２ａは第２内部電極１２２と第４面で連結されることができる。
また、第１外部電極１３１は、第１接続部１３１ａから第２面の一部まで延長される第３バンド部１３１ｃを含むことができ、第２外部電極１３２は、第２接続部１３２ａから第２面の一部まで延長される第４バンド部１３２ｃを含むことができる。さらに、第１外部電極１３１は、第１接続部１３１ａから第５面及び第６面の一部まで延長される第１側面バンド部を含むことができ、第２外部電極１３２は、第２接続部１３２ａから第５面及び第６面の一部まで延長される第２側面バンド部を含むことができる。
但し、第３バンド部、第４バンド部、第１側面バンド部及び第２側面バンド部は、本発明に必須の構成要素でなくてもよい。第１外部電極１３１及び第２外部電極１３２は、第２面には配置されなくてもよく、第５面及び第６面にも配置されなくてもよい。第１外部電極１３１及び第２外部電極１３２が第２面に配置されないことから、第１外部電極１３１及び第２外部電極１３２は、本体の第２面の延長線以下に配置されることができる。また、第１接続部１３１ａ及び第２接続部１３２ａは、第５面及び第６面と離隔して配置されることができ、第１接続部１３１ａ及び第２接続部１３２ａは、第２面と離隔して配置されることができる。また、第１バンド部１３１ｂ及び第２バンド部１３２ｂは、第５面及び第６面と離隔して配置されることができる。
一方、第１外部電極１３１及び第２外部電極１３２が第３バンド部１３１ｃ及び第４バンド部１３２ｃを含む場合、第３バンド部１３１ｃ及び第４バンド部１３２ｃ上に絶縁層が配置されることを図示しているが、これに制限されるものではなく、実装の便宜性を向上させるために、第３バンド部１３１ｃ及び第４バンド部１３２ｃ上にめっき層を配置することができる。また、第１外部電極１３１及び第２外部電極１３２が第３バンド部１３１ｃ及び第４バンド部１３２ｃを含むものの、側面バンド部は含まない形態であってもよく、この場合、第１接続部１３１ａ、第２接続部１３２ａ及び第１バンド部１３１ａ、第２バンド部１３２ｂ、第３バンド部１３１ｃ、第４バンド部１３２ｃが第５面及び第６面と離隔した形態を有することができる。
本実施形態では、セラミック電子部品１００が２個の外部電極１３１、１３２を有する構造について説明しているが、外部電極１３１、１３２の個数や形状などは、内部電極１２１、１２２の形態やその他の目的に応じて異なることができる。
一方、外部電極１３１、１３２は、金属などのように電気伝導性を有するものであれば、如何なる物質を使用して形成されてもよく、電気的特性、構造的安定性などを考慮して具体的な物質が決定されることができ、さらに、多層構造を有することができる。
外部電極１３１、１３２は、導電性金属及びガラスを含む焼成（ｆｉｒｉｎｇ）電極、又は、導電性金属及び樹脂を含む樹脂系電極であることができる。
また、外部電極１３１、１３２は、本体上に焼成電極及び樹脂系電極が順次に形成された形態であることができる。また、外部電極１３１、１３２は、本体上に導電性金属を含むシートを転写する方式で形成されるか、又は、焼成電極上に導電性金属を含むシートを転写する方式で形成されたものであることができる。
外部電極１３１、１３２に含まれる導電性金属としては、電気伝導性に優れた材料を使用することができ、特に限定されない。例えば、導電性金属は、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｓｎ、Ｃｒ、及びそれらの合金のうち１種以上であることができる。好ましくは、外部電極１３１、１３２は、Ｎｉ及びＮｉ合金のうち１種以上を含むことができ、これにより、Ｎｉを含む内部電極１２１、１２２との連結性をさらに向上させることができる。
絶縁層１５１は、第１接続部１３１ａ及び第２接続部１３２ａ上に配置されることができる。
第１接続部１３１ａ及び第２接続部１３１ａ、１３２ａは内部電極１２１、１２２と連結される部位であるため、めっき工程でめっき液浸透、或いは、実際の使用において水分浸透の経路となることがある。本発明では、接続部１３１ａ、１３２ａ上に絶縁層１５１が配置されるため、外部からの水分浸透又はめっき液の浸透を防止することができる。
絶縁層１５１は、第１めっき層１４１及び第２めっき層１４２と接するように配置されることができる。このとき、絶縁層１５１は第１めっき層１４１及び第２めっき層１４２の末端を一部覆う形態で接するか、又は、第１めっき層１４１及び第２めっき層１４２が絶縁層１５１の末端を一部覆う形態で接することができる。
絶縁層１５１は、第１接続部１３１ａ及び第２接続部１３２ａ上に配置され、第２面、第３バンド部１３１ｃ及び第４バンド部１３２ｃを覆うように配置されることができる。このとき、絶縁層１５１は、第２面において第３バンド部１３１ｃ及び第４バンド部１３２ｃが配置されていない領域、第３バンド部１３１ｃ及び第４バンド部１３２ｃを覆うように配置されることができる。これにより、絶縁層１５１は、第３バンド部１３１ｃ及び第４バンド部１３２ｃの末端と本体１１０が接する領域をカバーして水分浸透経路を遮断することで、耐湿信頼性をさらに向上させることができる。
絶縁層１５１は、第２面上に配置され、上記第１接続部１３１ａ及び第２接続部１３２ａに延長して配置されることができる。また、絶縁層は、外部電極１３１、１３２が第２面に配置されない場合、第２面を全部覆うように配置されることができる。一方、絶縁層１５１が第２面に必ずしも配置される必要はなく、絶縁層が第２面の一部又は全部に配置されなくてもよく、絶縁層が２つに分離されて第１接続部１３１ａ及び第２接続部１３２ａ上にそれぞれ配置される形態を有してもよい。絶縁層が第２面の全部に配置されない場合、第２面の延長線以下に配置されることができる。また、絶縁層が第２面には配置されないが、第１接続部１３１ａ及び第２接続部１３１ａ、１３２ａ上で第５面及び第６面に延長して一つの絶縁層を成すことができる。
さらに、絶縁層１５１は、第１側面バンド部及び第２側面バンド部、第５面及び第６面の一部を覆うように配置されることができる。このとき、絶縁層１５１に覆われていない第５面及び第６面の一部は、外部に露出することができる。
また、絶縁層１５１は、第１側面バンド部及び第２側面バンド部、第５面及び第６面を全て覆うように配置されることができ、この場合、第５面及び第６面が外部に露出しないため、耐湿信頼性を向上させることができ、接続部１３１ａ、１３２ａも直接外部に露出しないため、積層型電子部品１０００の信頼性を向上させることができる。より詳細には、絶縁層が第１側面バンド部及び第２側面バンド部を全て覆い、第５面及び第６面において第１側面バンド部及び第２側面バンド部が形成された領域を除いた領域を全て覆うことができる。
絶縁層１５１は、絶縁層１５１が配置された外部電極１３１、１３２上にめっき層１４１、１４２が形成されることを防止する役割を果たすことができ、シーリング特性を向上させて外部から水分やめっき液などが浸透することを最小化する役割を果たすことができる。
絶縁層１５１は、珪素（Ｓｉ）を含む酸化物を含むことができる。
積層型電子部品を基板に実装するためには、半田リフロー（ｒｅｆｌｏｗ）過程を経る必要がある。この過程で温度上昇と下降が起こり熱膨脹と熱収縮が起こるようになり、積層型電子部品に引張応力を加えることがある。かかる引張応力は、積層型電子部品に割れを発生させて電気的特性を低下させるおそれがある。
従来は、熱膨脹と熱収縮による熱衝撃から積層型電子部品を保護するために、外部電極及び本体の表面一部に絶縁層をガラス系列物質で形成した。
ガラス系列物質を含む絶縁層は、ガラス粉末またはガラスペーストを成形した後、軟化点付近まで温度を上昇させてから低くする方式で形成されることができる。この時、絶縁層の温度を上昇させてから低くする過程中で、絶縁層の凝集が発生して均一な膜を形成し難いことがある。また、軟化点以下の温度で絶縁層硬度が上昇しながら積層型電子部品に応力を伝達するようになるため、積層型電子部品にクラック及びディラミネーションを発生させることがある。また、温度を上昇させる過程で積層型電子部品１０００を構成する外部電極１３１、１３２の金属が内部電極１２１、１２２に拡散して放射クラックが発生するおそれがある。特に、積層型電子部品１０００の高容量化、小型化のために絶縁層１５１及び内部電極１２１、１２２の厚さを減少させると、放射クラック及びディラミネーションにさらに脆弱になるおそれがある。
本発明の一実施形態に係る積層型電子部品１０００における絶縁層１５１は、Ｓｉを含む酸化物を含むことで、絶縁層の凝集を防止して均一な膜を形成し、高温で硬度が増加しながら積層型電子部品１０００に応力を伝達することを防止することができ、また、Ｓｉを含む酸化物を含む絶縁層を形成する場合、一般ガラス層に比べて低い温度で形成が可能であるため、積層型電子部品１０００を構成する外部電極１３１、１３２の金属が内部電極１２１、１２２に拡散する現象を抑制して放射クラックの発生を減少させることができる。
一方、絶縁層１５１に含まれるＳｉの含量が高いほど他の材料で形成された同一厚さの絶縁層に比べて外部湿気の浸透を効果的に防止することができ、めっき液などのような酸や塩基などに対する耐食性と抵抗性が向上されることができる。
一実施形態において、絶縁層は、酸素を除いた残りの元素のモル数に対してＳｉ原子のモル数が０．９５以上であることができる。すなわち、絶縁層１５１は、不純物として検出される元素を除くと、実質的にＳｉを含む酸化物からなることができる。
一方、Ｓｉを含む酸化物を含む絶縁層１５１を形成する方法は多様であることができる。例えば、ゾル－ゲル法（Ｓｏｌ－ｇｅｌ ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ）、化学的蒸着法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＣＶＤ）、原子層蒸着法（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＡＬＤ）などで形成されることができるが、これに制限されるものではなく、薄く均一な絶縁層を形成することができる他の方法でも形成可能である。
一方、Ｓｉを含む酸化物は、シリカ（ＳｉＯ２）であることができる。シリカ（ＳｉＯ２）は、一般的なガラス系列物質より薄く均一な絶縁層１５１を形成することができ、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）のような他の無機質に比べて耐衝撃性、耐食性に優れている。
一実施形態において、絶縁層１５１に含まれるＳｉを含む酸化物は、シリカ（ＳｉＯ２）であることができ、これにより、積層型電子部品１０００の絶縁層１５１を均一に形成することができ、クラック及びディラミネーションの発生を抑制して放射クラックの発生を抑制することができる。
本発明の一実施形態に係る積層型電子部品１０００のように絶縁層１５１がＳｉを含む酸化物を含む場合、絶縁層をなす各物質が不安定に存在することがある。
ホウ素を含む酸化物は、絶縁層に含まれた他の物質、例えば、ＳｉＯ２、ＺｎＯなどと化合物を形成して絶縁層を安定化することができる。一実施形態において、Ｓｉを含む酸化物を含む絶縁層１５１は、ホウ素を含む酸化物をさらに含むことで、各物質を有機的に結合させて絶縁層１５１の安定性を向上させることができる。
特に、絶縁層１５１がホウ素を含む酸化物を含む場合、本体１１０の表面のバリウムオキシドと低温で反応してＥｕｔｅｔｉｃを形成することができる。したがって、一実施形態では、積層型電子部品１０００は、ホウ素を含む酸化物をさらに含む絶縁層１５１と本体１１０が接する界面でバリウム及びホウ素を含む接着層をさらに含むことができる。
絶縁層に含まれる物質は、ＳｉＯ２、Ｂ２Ｏ３のような絶縁物質であるため、導電性金属を含む第１外部電極１３１及び第２外部電極１３２と接着力が良くない。本発明の一実施形態に係る積層型電子部品１０００は、絶縁層１５１と第１外部電極１３１及び第２外部電極１３２との接着力が良くないにもかかわらず、絶縁物質を含む本体１１０と接着力が良いため、積層型電子部品１０００全体の強度を向上させることができる。
より好ましくは、絶縁層１５１に含まれるホウ素を含む酸化物と本体１１０に含まれるバリウムオキシドが絶縁層１５１と本体１１０が接する界面でＥｕｔｅｔｉｃ Ｂｏｎｄｉｎｇを形成し、バリウム及びホウ素を含む接着層が形成されることができ、積層型電子部品１０００全体の強度をさらに向上させることができる。
一実施形態では、絶縁層１５１はホウ素を含む酸化物（ｂｏｒｉｃ ｏｘｉｄｅ）をさらに含み、絶縁層１５１と本体１１０が接する界面でバリウム及びホウ素を含む接着層をさらに含むようにして絶縁層１５１と本体１１０の接着力を向上させ、積層型電子部品１０００全体の強度を向上させることができる。
この時、絶縁層１５１の成分は、ＳＥＭ－ＥＤＳ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ－Ｅｎｅｒｇｙ Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ Ｘ－ｒａｙ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）を利用して観察した画像から算出したものであることができる。具体的に、積層型電子部品を幅方向（第３方向）の中央位置まで研磨して長さ方向及び厚さ方向断面（Ｌ－Ｔ断面）を露出させた後、絶縁層を厚さ方向に５等分した領域のうち中央に配置された領域をＥＤＳを利用して絶縁層に含まれた各元素のモル数を測定することができ、酸素原子を除いた残りの元素の総モル数に対するＳｉ原子のモル数またはホウ素原子のモル数を計算することができる。
一方、一実施形態に係る積層型電子部品１０００の他の一実施形態では、本発明の他の一実施形態に係る積層型電子部品１０００は、誘電体層１１１及び上記誘電体層１１１を挟んで交互に配置される第１内部電極１２１及び第２内部電極１２１、１２２を含み、第１方向に対向する第１面１及び第２面２、上記第１面及び第２面に連結され第２方向に対向する第３面３及び第４面４、上記第１面から第４面と連結され第３方向に対向する第５面５及び第６面６を含む本体１１０と、上記第３面３に配置される第１接続部１３１ａ及び上記第１接続部１３１ａから上記第１面１の一部まで延長される第１バンド部１３１ｂを含む第１外部電極１３１と、上記第４面４に配置される第２接続部１３２ａ及び上記第２接続部１３２ａから上記第１面１の一部まで延長される第２バンド部１３２ｂを含む第２外部電極１３２と、上記第２面２上に配置され上記第１接続部及び第２接続部１３１ａ、１３２ａ上の一部まで延長して配置される絶縁層１５１、及び上記第１バンド部１３１ｂ及び第２バンド部１３２ｂ上に配置されるめっき層１４１、１４２とを含み、上記絶縁層１５１は、ホウ素（Ｂ）を含む酸化物、ホウケイ酸塩、及び亜鉛－ホウケイ酸塩の少なくともいずれか一つを含むことができる。
従来、ガラス系物質を含む絶縁層は、熱膨脹係数がセラミック本体または外部電極より相対的に大きくて、積層型電子部品に過度な応力を加える可能性がある。
絶縁層がホウ素を含む酸化物（ｂｏｒｉｃ ｏｘｉｄｅ）を含む場合、ガラス系物質を含む絶縁層に比べて低温で絶縁層の形成が可能であり、絶縁層形成過程で誘発し得る放射クラックを防止することができ、液相及び気相法などの多様な方法で形成可能であるという長所がある。
また、ホウ素を含む酸化物を含む絶縁層は、ガラス系物質を含む絶縁層に比べて熱膨脹係数が低く、積層型電子部品に熱処理をするか外部から熱衝撃が加えられる場合も積層型電子部品に加えられる応力を最小化することができ、物理的衝撃に対する耐性が強いため、積層型電子部品を保護する緩衝剤の役割を果たすことができる。
一実施形態において、絶縁層１５１がホウ素を含む酸化物（ｂｏｒｉｃ ｏｘｉｄｅ）を含ませることで、積層型電子部品１０００の信頼性を向上させることができる。
一方、ホウ素を含む酸化物は、Ｂ２Ｏ３からなることが好ましいが、これに制限されるものではない。
一実施形態において、絶縁層１５１は、酸素原子を除いた残りの元素の総モル数に対するホウ素原子のモル数が０．９５以上であることができる。すなわち、絶縁層１５１は、不純物として検出される元素を除くと、実質的にホウ素を含む酸化物からなることができる。
ホウケイ酸塩（ｂｏｒｏｓｉｌｉｃａｔｅ）は、ホウ素を含む酸化物（ｂｏｒｉｃ ｏｘｉｄｅ）に比べて耐食性が高く、絶縁層の役割だけでなく、めっき液の浸透から積層型電子部品を保護する役割を果たすことができ、水分透過率が低い。一実施形態において、絶縁層１５１がホウケイ酸塩（ｂｏｒｏｓｉｌｉｃａｔｅ）を含ませることで、積層型電子部品１０００の外部から水分及びめっき液の浸透を防止して信頼性を向上させることができる。
一実施形態において、絶縁層１５１は、酸素原子を除いた残りの元素の総モル数に対するホウ素及び珪素原子のモル数が０．９５以上であることができる。すなわち、絶縁層１５１は、不純物として検出される元素を除くと、実質的にホウケイ酸塩からなることができる。
亜鉛－ホウケイ酸塩（ｚｉｎｃ－ｂｏｒｏｓｉｌｉｃａｔｅ）は、ホウケイ酸塩（ｂｏｒｏｓｉｌｉｃａｔｅ）に比べて低温で形成が可能であり、放射クラックの形成をさらに防止することができ、外部電極に含まれるＣｕなどのような金属との濡れ性（ｗｅｔｔａｂｉｌｉｔｙ）が良いという特性を有する。
一実施形態において、絶縁層１５１が亜鉛－ホウケイ酸塩（ｚｉｎｃ－ｂｏｒｏｓｉｌｉｃａｔｅ）を含ませることで、放射クラックの形成を防止すると同時に、絶縁層１５１と第１外部電極１３１及び第２外部電極１３２の結合力を向上させることができる。また、向上された結合力により、めっき液及び水分の浸透を防止して積層型電子部品１０００の信頼性の向上に役に立てられる。
一実施形態において、絶縁層１５１は、酸素原子を除いた残りの元素の総モル数に対するホウ素、珪素及び亜鉛原子のモル数が０．９５以上であることができる。すなわち、絶縁層１５１は、不純物として検出される元素を除くと、実質的に亜鉛－ホウケイ酸塩からなることができる。
一方、ホウ素を含む酸化物（ｂｏｒｉｃ ｏｘｉｄｅ）、ホウケイ酸塩（ｂｏｒｏｓｉｌｉｃａｔｅ）及び亜鉛－ホウケイ酸塩（ｚｉｎｃ－ｂｏｒｏｓｉｌｉｃａｔｅ）の少なくともいずれか一つを含む絶縁層を形成する方法は、多様であることができる。例えば、ゾル－ゲル法（Ｓｏｌ－ｇｅｌ ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ）、化学的蒸着法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＣＶＤ）、原子層蒸着法（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＡＬＤ）などで形成されることができるが、これに制限されるものではなく、薄く均一な絶縁層を形成することができる他の方法でも形成可能である。
この時、絶縁層１５１の成分は、ＳＥＭ－ＥＤＳ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ－Ｅｎｅｒｇｙ Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ Ｘ－ｒａｙ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）を利用して観察した画像から算出したものであることができる。具体的に、積層型電子部品を幅方向（第３方向）の中央位置まで研磨して長さ方向及び厚さ方向断面（Ｌ－Ｔ断面）を露出させた後、絶縁層を厚さ方向に５等分した領域のうち中央に配置された領域をＥＤＳを利用して絶縁層に含まれた各元素のモル数を測定することができ、酸素原子を除いた残りの元素の総モル数に対するＳｉ原子のモル数、ホウ素原子のモル数または亜鉛原子のモル数を計算することができる。
一実施形態において、絶縁層１５１は、ホウ素を含む酸化物（ｂｏｒｉｃ ｏｘｉｄｅ）、ホウケイ酸塩及び亜鉛－ホウケイ酸塩（ｚｉｎｃ－ｂｏｒｏｓｉｌｉｃａｔｅ）の少なくともいずれか一つ以上を含むことができ、その他にも多様な添加剤を含むことができる。絶縁層１５１がホウ素を含む酸化物（ｂｏｒｉｃ ｏｘｉｄｅ）、ホウケイ酸塩（ｂｏｒｏｓｉｌｉｃａｔｅ）及び亜鉛－ホウケイ酸塩（ｚｉｎｃ－ｂｏｒｏｓｉｌｉｃａｔｅ）の少なくともいずれか一つを含ませることで、外部からの熱衝撃から積層型電子部品１０００に加えられる応力を減少させてクラック及びディラミネーションの発生を減少させ、放射クラックの形成を防止し、めっき液及び外部水分の浸透を防止して積層型電子部品１０００の信頼性を向上させることができる。
第１めっき層１４１及び第２めっき層１４２は、それぞれ、第１バンド部１３１ｂ及び第２バンド部１３２ｂ上に配置されることができる。めっき層１４１、１４２は、実装特性を向上させる役割を果たすことができ、めっき層１４１、１４２がバンド部１３１ｂ、１３２ｂ上に配置されることで実装空間を最小化することができ、内部電極にめっき液が浸透することを最小化して信頼性を向上させることができる。第１めっき層１４１及び第２めっき層１４２の一末端は第１面に接することができ、他末端は絶縁層１５１に接することができる。
めっき層１４１、１４２の種類は、特に制限されず、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｄ、及びこれらの合金のうち１種以上を含むめっき層であることができ、複数の層からなることができる。
めっき層１４１、１４２に対するより具体的な例を挙げると、めっき層１４１、１４２はＮｉめっき層又はＳｎめっき層であることができ、第１バンド部１３１ｂ及び第２バンド部１３２ｂ上にＮｉめっき層及びＳｎめっき層が順次に形成された形態であることができる。
一実施形態において、第１めっき層１４１及び第２めっき層１４２は、それぞれ、第１接続部１３１ａ及び第２接続部１３２ａを一部覆うように延長して配置されることができる。第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２のうち第１面１に最も近く配置された内部電極までの第１方向の平均大きさをＨ１、上記第１面１の延長線から上記第１接続部１３１ａ及び第２接続部１３２ａ上に配置された第１めっき層１４１及び第２めっき層１４２の末端までの第１方向の平均大きさをＨ２としたとき、Ｈ１＞Ｈ２を満たすことができる。これにより、めっき工程時にめっき液が内部電極に浸透することを抑制して信頼性を向上させることができる。
Ｈ１及びＨ２は、本体１１０を第３方向に等間隔を有する５個地点で第１方向及び第２方向に切断した断面（Ｌ－Ｔ断面）で測定した値を平均した値であることができる。Ｈ１は、各断面において第１面１に最も近く配置された内部電極が外部電極と連結される地点で測定した値を平均した値であることができ、Ｈ２は、外部電極と接するめっき層の末端を基準として測定した値を平均した値であることができ、Ｈ１及びＨ２の測定時に基準となる第１面の延長線は同一であることができる。
一実施形態において、第１めっき層１４１は、絶縁層１５１の第１外部電極１３１上に配置された末端を覆うように配置され、第２めっき層１４２は、絶縁層１５１の第２外部電極１３２上に配置された末端を覆うように配置されることができる。これにより、絶縁層１５１とめっき層１４１、１４２の結合力を強化して積層型電子部品１０００の信頼性を向上させることができる。
一実施形態において、絶縁層１５１は、第１めっき層１４１の第１外部電極１３１上に配置された末端を覆うように配置され、絶縁層１５１は、第２めっき層１４２の第２外部電極１３２上に配置された末端を覆うように配置されることができる。これにより、絶縁層１５１とめっき層１４１、１４２の結合力を強化して積層型電子部品１０００の信頼性を向上させることができる。
一実施形態において、本体１１０の第２方向の平均大きさをＬ、上記第３面の延長線から上記第１バンド部の末端までの上記第２方向の平均大きさをＢ１、上記第４面の延長線から上記第２バンド部の末端までの上記第２方向の平均大きさをＢ２としたとき、０．２≦Ｂ１／Ｌ≦０．４及び０．２≦Ｂ２／Ｌ≦０．４を満たすことができる。
Ｂ１／Ｌ及びＢ２／Ｌが０．２未満の場合は、十分な固着強度の確保が困難になることがある。これに対し、Ｂ２／Ｌが０．４超の場合は、高圧電流下で第１バンド部１３１ｂと第２バンド部１３２ｂとの間で漏れ電流が発生する恐れがあり、めっき工程時にめっき滲みなどによって第１バンド部１３１ｂと第２バンド部１３２ｂが電気的に連結される恐れがある。
Ｂ１、Ｂ２及びＬは、本体１１０を第３方向に等間隔を有する５個地点で第１方向及び第２方向に切断した断面（Ｌ－Ｔ断面）で測定した値を平均した値であることができる。
積層型電子部品１０００が実装された実装基板１１００を図示した図５を参照すると、積層型電子部品１０００のめっき層１４１、１４２は、基板１８０上に配置された電極パッド１８１、１８２と半田１９１、１９２により接合されることができる。
一方、内部電極１２１、１２２が第１方向に積層されている場合には、内部電極１２１、１２２が実装面と平行になるように、積層型電子部品１０００を基板１８０に水平実装することができる。但し、本発明が水平実装である場合に限定されるものではなく、内部電極１２１、１２２を第３方向に積層する場合には、内部電極１２１、１２２が実装面と垂直になるように、基板に積層型電子部品を垂直実装することができる。
積層型電子部品１０００のサイズは、特に限定する必要はない。
但し、小型化及び高容量化を同時に達成するためには、誘電体層及び内部電極の厚さを薄くして積層数を増加させなければならないため、１００５（長さ×幅、１．０ｍｍ×０．５ｍｍ）以下のサイズを有する積層型電子部品１０００において、本発明による信頼性及び単位体積あたりの容量の向上効果がより顕著になることができる。
したがって、製造誤差、外部電極の大きさなどを考慮すると、セラミック電子部品１００の長さが１．１ｍｍ以下であり、幅が０．５５ｍｍ以下である場合、本発明による信頼性の向上効果がより顕著になることができる。ここで、積層型電子部品１０００の長さは、積層型電子部品１０００の第２方向の最大大きさを意味し、積層型電子部品１０００の幅は、積層型電子部品１０００の第３方向の最大大きさを意味することができる。
図６は、本発明の一実施形態に係る積層型電子部品１００１の斜視図を概略的に示したものであり、図７は、図６のＩＩ－ＩＩ'に沿った断面図である。
図６及び図７を参照すると、本発明の一実施形態に係る積層型電子部品１００１は、第１めっき層１４１－１及び第２めっき層１４２－１が第１面の延長線Ｅ１以下に配置されることができる。これにより、実装時に半田の高さを最小化することができ、実装空間を最小化することができる。
また、絶縁層１５１－１は、第１面の延長線以下まで延長して第１めっき層１４１－１及び第２めっき層１４２－１と接するように配置されることができる。
図８は、本発明の一実施形態に係る積層型電子部品１００２の斜視図を概略的に示したものであり、図９は、図８のＩＩＩ－ＩＩＩ'に沿った断面図である。
図８及び図９を参照すると、本発明の一実施形態に係る積層型電子部品１００２は、第１面１上に配置され、第１バンド部１３１ｂと第２バンド部１３２ｂの間に配置される追加絶縁層１６１をさらに含むことができる。これにより、高圧電流下で第１バンド部１３１ｂと第２バンド部１３２ｂとの間で発生し得る漏れ電流などを防止することができる。
追加絶縁層１６１の種類は特に限定する必要はない。例えば、絶縁層１５１と同様に、Ｓｉを含む酸化物、ホウ素を含む酸化物（ｂｏｒｉｃ ｏｘｉｄｅ）、ホウケイ酸塩（ｂｏｒｏｓｉｌｉｃａｔｅ）及び亜鉛－ホウケイ酸塩（ｚｉｎｃ－ｂｏｒｏｓｉｌｉｃａｔｅ）の少なくともいずれか一つを含むことができる。一方、追加絶縁層１６１と絶縁層１５１が同じ材料で形成される必要はなく、異なる材料で形成されることができる。例えば、追加絶縁層１６１は、エポキシ樹脂、アクリル樹脂などから選択された１種以上の熱硬化性樹脂を含むことができる。また、追加絶縁層１６１は、高分子樹脂以外にＴｉＯ２、ＢａＴｉＯ３、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＢａＯなどから選択された１種以上を添加剤として含むことができる。これにより、本体または外部電極との結合力を向上させることができる。
図１０は、本発明の一実施形態に係る積層型電子部品１００３の斜視図を概略的に示したものであり、図１１は、図１０のＩＶ－ＩＶ'に沿った断面図である。
図１０及び図１１を参照すると、一実施形態に係る積層型電子部品１００３は、第１面１から上記第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２のうち上記第１面１に最も近く配置された内部電極までの第１方向の平均大きさをＨ１、上記第１面１の延長線から上記第１接続部１３１ａ及び第２接続部１３２ａ上に配置されためっき層１４１－３、１４２－３の末端までの第１方向の平均大きさをＨ２としたとき、Ｈ１＜Ｈ２を満たすことができる。これにより、実装時に半田と接する面積を増加させて固着強度を向上させることができる。
より好ましくは、本体１１０の第１方向の平均大きさをＴとしたとき、Ｈ２＜Ｔ／２を満たすことができる。すなわち、Ｈ１＜Ｈ２＜Ｔ／２を満たすことができる。Ｈ２がＴ／２以上である場合には、絶縁層による耐湿信頼性の向上効果が低下する恐れがあるためである。
Ｈ１、Ｈ２及びＴは、本体１１０を第３方向に等間隔を有する５個地点で第１方向及び第２方向に切断した断面（Ｌ－Ｔ断面）で測定した値を平均した値であることができる。Ｈ１は、各断面において第１面１に最も近く配置された内部電極が外部電極と連結される地点で測定した値を平均した値であることができ、Ｈ２は、各断面において外部電極と接するめっき層の末端を基準に測定した値を平均した値であることができ、Ｈ１及びＨ２の測定時に基準となる第１面の延長線は同一であることができる。また、Ｔは、各断面において本体１１０の第１方向の最大大きさを測定して平均した値であることができる。
図１２は、本発明の一実施形態に係る積層型電子部品１００４の斜視図を概略的に示したものであり、図１３は、図１２のＶ－Ｖ'に沿った断面図である。
図１２及び図１３を参照すると、本発明の一実施形態に係る積層型電子部品１００４は、第１バンド部１３１ｂ－４の平均長さＢ１が第３バンド部１３１ｃ－４の平均長さＢ３より長いことができ、第２バンド部１３２ｂ－４の平均長さが第４バンド部１３２ｃ－４の平均長さＢ４より長いことができる。これにより、実装時に半田と接する面積を増加させて固着強度を向上させることができる。
より詳細には、第３面３の延長線から上記第１バンド部１３１ｂ－４の末端までの上記第２方向の平均大きさをＢ１、上記第４面４の延長線から上記第２バンド部１３２ｂ－４の末端までの上記第２方向の平均大きさをＢ２、上記第３面３の延長線から上記第３バンド部１３１ｃ－４の末端までの上記第２方向の平均大きさをＢ３、上記第４面４の延長線から上記第４バンド部１３２ｃ－４の末端までの上記第２方向の平均大きさをＢ４としたとき、Ｂ３＜Ｂ１及びＢ４＜Ｂ２を満たすことができる。
このとき、本体１１０の第２方向の平均大きさをＬとしたとき、０．２≦Ｂ１／Ｌ≦０．４及び０．２≦Ｂ２／Ｌ≦０．４を満たすことができる。
Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ４、及びＬは、本体１１０を第３方向に等間隔を有する５個地点で第１方向及び第２方向に切断した断面（Ｌ－Ｔ断面）で測定した値を平均した値であることができる。
また、第１外部電極１３１－４は、第１接続部１３１ａ－４から第５面及び第６面の一部まで延長される第１側面バンド部を含むことができ、第２外部電極１３２－４は、第２接続部１３２ａ－４から第５面及び第６面の一部まで延長される第２側面バンド部を含むことができる。このとき、上記第１側面バンド部及び第２側面バンド部の第２方向の大きさは、第１面に近くなるほど次第に大きくなることができる。すなわち、上記第１側面バンド部及び第２側面バンド部は、テーパ状又は台形状に配置されることができる。
さらに、上記第３面の延長線から上記第３バンド部１３１ｃ－４の末端までの上記第２方向の平均大きさをＢ３、上記第４面の延長線から上記第４バンド部１３２ｃ－４の末端までの上記第２方向の平均大きさをＢ４、上記第３面と上記第２内部電極１２２が離隔した領域の第２方向の平均大きさをＧ１、上記第４面と上記第１内部電極１２１が離隔した領域の第２方向の平均大きさをＧ２としたとき、Ｂ３≦Ｇ１及びＢ４≦Ｇ２を満たすことができる。これにより、外部電極が占める体積を最小化して積層型電子部品１００４の単位体積あたりの容量を増加させることができる。
上記Ｇ１及びＧ２は、本体を第３方向の中央で第１方向及び第２方向に切断した断面において、第１方向の中央部に位置した任意の５個の第２内部電極に対して測定した第３面まで離隔した第２方向の大きさを平均した値はＧ１とし、第１方向の中央部に位置した任意の５個の第１内部電極に対して測定した第４面まで離隔した領域の第２方向の大きさを平均した値をＧ２とすることができる。
さらに、本体１１０を第３方向に等間隔を有する５個地点で第１方向及び第２方向に切断した断面（Ｌ－Ｔ断面）においてＧ１及びＧ２を求め、それらを平均した値をＧ１及びＧ２としてさらに一般化することができる。
但し、本発明をＢ３≦Ｇ１及びＢ４≦Ｇ２に限定しようとする意図ではなく、Ｂ３≧Ｇ１及びＢ４≧Ｇ２を満たす場合も本発明の一実施形態として含まれることができる。よって、一実施形態において、第３面の延長線から第３バンド部の末端までの上記第２方向の平均大きさをＢ３、上記第４面の延長線から上記第４バンド部の末端までの上記第２方向の平均大きさをＢ４、第３面と上記第２内部電極が離隔した領域の第２方向の平均大きさをＧ１、第４面と上記第１内部電極が離隔した領域の第２方向の平均大きさをＧ２としたとき、Ｂ３≧Ｇ１及びＢ４≧Ｇ２を満たすことができる。
一実施形態において、上記第３面Ｅ３の延長線から上記第１バンド部の末端までの上記第２方向の平均大きさをＢ１、上記第４面の延長線から上記第２バンド部の末端までの上記第２方向の平均大きさをＢ２としたとき、Ｂ１≧Ｇ１及びＢ２≧Ｇ２を満たすことができる。これにより、積層型電子部品１００４の基板１８０との固着強度を向上させることができる。
図１４は、本発明の一実施形態に係る積層型電子部品１００５の斜視図を概略的に示したものであり、図１５は、図１４のＶＩ－ＶＩ'に沿った断面図である。
図１４及び図１５を参照すると、本発明の一実施形態に係る積層型電子部品１００５の第１外部電極１３１－５及び第２外部電極１３２－５は、第２面上には配置されず、第３面、第４面及び第１面に配置されてＬ字状を有することができる。すなわち、第１外部電極１３１－５及び第２外部電極１３２－５は、第２面の延長線以下に配置されることができる。
第１外部電極１３１－５は、第３面３に配置される第１接続部１３１ａ－５、上記第１接続部１３１ａ－５から上記第１面１の一部まで延長される第１バンド部１３１ｂ－５を含むことができ、第２外部電極１３２－５は、第４面４に配置される第２接続部１３２ａ－５、上記第２接続部１３２ａ－５から上記第１面１の一部まで延長される第２バンド部１３２ｂ－５を含むことができる。第２面２上には、外部電極１３１－５、１３２－５が配置されず、絶縁層１５１－５が第２面２の全部を覆うように配置されることができる。これにより、外部電極１３１－５、１３２－５が占める体積を最小化することができるため、積層電子部品１００５の単位体積あたりの容量をさらに向上させることができる。但し、絶縁層１５１－５が第２面２の全部を覆う形態に限定する必要はなく、絶縁層が第２面２の一部又は全部を覆うことなく、分離されて第１接続部１３１ａ－５及び第２接続部１３２ａ－５をそれぞれ覆っている形態を有してもよい。
また、絶縁層１５１－５が第５面及び第６面の一部を覆うように配置されることで、信頼性をさらに向上させることができる。このとき、絶縁層１５１－５に覆われていない第５面及び第６面の一部は、外部に露出することができる。
さらに、絶縁層１５１－５は第５面及び第６面の全体を覆うように配置されることができ、この場合、第５面及び第６面が外部に露出しないため、耐湿信頼性をさらに向上させることができる。
第１バンド部１３１ｂ－５上には第１めっき層１４１－５、第２バンド部１３２ｂ－５上には第２めっき層１４２－５が配置され、第１めっき層１４１－５及び第２めっき層１４２－５は、第１接続部１３１ａ－５及び第２接続部１３２ｂ－５上の一部まで延長して配置されることができる。
このとき、第５面５及び第６面６上にも外部電極１３１－５、１３２－５が配置されていなくてもよい。すなわち、外部電極１３１－５、１３２－５は、第３面、第４面及び第１面上のみに配置される形態を有することができる。
第１面１から上記第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２のうち上記第１面１に最も近く配置された内部電極までの第１方向の平均大きさをＨ１、上記第１面１の延長線から上記第１接続部１３１ａ－５及び第２接続部１３２ａ－５上に配置されためっき層１４１－５、１４２－５の末端までの第１方向の平均大きさをＨ２としたとき、Ｈ１＜Ｈ２を満たすことができる。これにより、実装時に半田と接する面積を増加させて固着強度を向上させることができ、外部電極１３１－５、１３２－５とめっき層１４１－５、１４２－５が接する面積を増加させることで、ＥＳＲ（Ｅｑｕｉｖａｌｅｎｔ Ｓｅｒｉｅｓ Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）が増加することを抑制することができる。
より好ましくは、本体１１０の第１方向の平均大きさをＴとしたとき、Ｈ２＜Ｔ／２を満たすことができる。すなわち、Ｈ１＜Ｈ２＜Ｔ／２を満たすことができる。Ｈ２がＴ／２以上である場合には、絶縁層による耐湿信頼性の向上効果が低下する恐れがあるためである。
また、第１めっき層１４１－５及び第２めっき層１４２－５は、第３面及び第４面において絶縁層１５１－１の一部を覆うように配置されることができる。すなわち、めっき層１４１－５、１４２－５が第３面及び第４面において絶縁層１５１－５の末端を覆うように配置されることができる。これにより、絶縁層１５１－５とめっき層１４１－５、１４２－５の結合力を強化して積層型電子部品１００５の信頼性を向上させることができる。
また、絶縁層１５１－５は、第３面及び第４面において第１めっき層１４１－５及び第２めっき層１４２－５の一部を覆うように配置されることができる。すなわち、絶縁層１５１－５が第３面及び第４面においてめっき層１４１－５、１４２－５の末端を覆うように配置されることができる。これにより、絶縁層１５１－５とめっき層１４１－５、１４２－５の結合力を強化して積層型電子部品１００５の信頼性を向上させることができる。
図１６は、図１４の変形例を図示したものである。図１６を参照すると、本発明の一実施形態に係る積層型電子部品１００５の変形例１００６は、第１接続部１３１ａ－６と第３面との間には第１追加電極層１３４が配置されることができ、第２接続部１３２ａ－６と第４面との間には第２追加電極層１３５が配置されることができる。第１追加電極層１３４は、第３面から外れない範囲で配置されることができ、第２追加電極層１３５は、第４面から外れない範囲で配置されることができる。第１追加電極層１３４及び第２追加電極層１３５は、内部電極１２１、１２２と外部電極１３１－６、１３２－６との間の電気的連結性を向上させることができ、外部電極１３１－６、１３２－６との結合力に優れることから、外部電極１３１－６、１３２－６の機械的結合力をさらに向上させる役割を果たすことができる。
図１６は、図１４の変形例を図示したものである。図１６を参照すると、本発明の一実施形態に係る積層型電子部品１００５の変形例１００６は、第１接続部１３１ａ－６と第３面との間には第１追加電極層１３４が配置されることができ、第２接続部１３２ａ－６と第４面との間には第２追加電極層１３５が配置されることができる。第１追加電極層１３４は、第３面から外れない範囲で配置されることができ、第２追加電極層１３５は、第４面から外れない範囲で配置されることができる。第１追加電極層１３４及び第２追加電極層１３５は、内部電極１２１、１２２と外部電極１３１－６、１３２－６との間の電気的連結性を向上させることができ、外部電極１３１－６、１３２－６との結合力に優れることから、外部電極１３１－６、１３２－６の機械的結合力をさらに向上させる役割を果たすことができる。
第１外部電極１３１－６及び第２外部電極１３２－６は、第２面上に第１外部電極及び第２外部電極が配置されていないＬ字状を有することができる。
第１外部電極１３１－６は、第１追加電極層１３４上に配置される第１接続部１３１ａ－６、上記第１接続部１３１ａ－６から上記第１面１の一部まで延長される第１バンド部１３１ｂ－６を含むことができ、第２外部電極１３２－６は、第２追加電極層１３５上に配置される第２接続部１３２ａ－６、上記第２接続部１３２ａ－６から上記第１面１の一部まで延長される第２バンド部１３２ｂ－６を含むことができる。
一方、第１追加電極層１３１－６及び第２追加電極層１３１－６、１３２－６は、金属などのように電気伝導性を有するものであれば、如何なる物質を使用して形成されてもよく、電気的特性、構造的安定性などを考慮して具体的な物質が決定されることができる。また、第１追加電極層１３１－６及び第２追加電極層１３２－６は、導電性金属及びガラスを含む焼成（ｆｉｒｉｎｇ）電極、又は、導電性金属及び樹脂を含む樹脂系電極であることができる。また、第１追加電極層１３１－６及び第２追加電極層１３２－６は、本体上に導電性金属を含むシートを転写する方式で形成されたものであることができる。
第１追加電極層１３１－６及び第２追加電極層１３２－６に含まれる導電性金属として、電気伝導性に優れた材料を使用することができ、特に限定されない。例えば、導電性金属は、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｓｎ、Ｃｒ、及びそれらの合金のうち１種以上であることができる。好ましくは、第１追加電極層１３１－６及び第２追加電極層１３２－６は、Ｎｉ及びＮｉ合金のうち１種以上を含むことができ、これにより、Ｎｉを含む内部電極１２１、１２２との連結性をさらに向上させることができる。
図１７は、本発明の一実施形態に係る積層型電子部品１００７の斜視図を概略的に示したものであり、図１８は、図１７のＶＩＩ－ＶＩＩ'に沿った断面図である。
図１７及び図１８を参照すると、本発明の一実施形態に係る積層型電子部品１００７の第１めっき層１４１－６及び第２めっき層１４２－６の平均厚さｔ１は、絶縁層１５１－６の平均厚さｔ２より薄い形態であることができる。
絶縁層１５１－６は、外部からの水分浸透又はめっき液の浸透を防止する役割をするものの、めっき層１４１－６、１４２－６との連結性が弱いことからめっき層１４１－６、１４２－６のデラミネーション（ｄｅｌａｍｉｎａｔｉｏｎ）の原因になることがある。めっき層がデラミネーションされる場合、基板１８０との固着強度が低下することがある。ここで、めっき層１４１－６、１４２－６のデラミネーションとは、めっき層が一部剥がれたり、外部電極１３１－５、１３２－５と物理的に分離されることを意味することができる。めっき層と絶縁層の連結性が弱いことから絶縁層とめっき層との界面の隙間が広がったり、異物が浸透する可能性が高くなり、外部衝撃などに脆弱になってデラミネーションされる可能性が高くなる恐れがある。
本発明の一実施形態によると、めっき層の平均厚さｔ１を絶縁層の平均厚さｔ２よりも薄くしてめっき層と絶縁層が接する面積を減らすことができ、これにより、デラミネーションの発生を抑制して積層型電子部品１０００の基板１８０との固着強度を向上させることができる。
第１めっき層１４１－６及び第２めっき層１４２－６の平均厚さｔ１は、第１接続部１３１ａ－５及び第２接続部１３２ａ－５又は第１バンド部１３１ｂ－５及び第２バンド部１３２ｂ－５上の等間隔の５個地点で測定した厚さを平均した値であることができ、絶縁層１５１－６の平均厚さｔ２は、第１接続部１３１ａ－５及び第２接続部１３２ａ－５上の等間隔の５個地点で測定した厚さを平均した値であることができる。
図１９は、本発明の一実施形態に係る積層型電子部品２０００の斜視図を概略的に示したものであり、図２０は、図１９のＶＩＩＩ－ＶＩＩＩ'に沿った断面図である。
以下、図１９及び図２０を参照して本発明の一実施形態に係る積層型電子部品２０００について詳しく説明する。但し、上述した内容と重複する内容は重複した説明を避けるために省略する。
本発明の一実施形態に係る積層型電子部品２０００は、誘電体層１１１、上記誘電体層を挟んで交互に配置される第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２を含み、第１方向に対向する第１面１及び第２面２、上記第１面及び第２面と連結され、第２方向に対向する第３面３及び第４面４、上記第１面から第４面と連結され、第３方向に対向する第５面５及び第６面６を含む本体１１０と、上記第３面に配置される第１連結電極２３１ａ及び上記第１面に配置され、上記第１連結電極と連結される第１バンド電極２３１ｂを含む第１外部電極２３１と、上記第４面に配置される第２連結電極２３２ａ及び上記第１面に配置され、上記第２連結電極と連結される第２バンド電極２３２ｂを含む第２外部電極２３２と、上記第１連結電極上に配置される第１絶縁層２５１と、上記第２連結電極上に配置される第２絶縁層２５２と、上記第１バンド電極上に配置される第１めっき層２４１と、上記第２バンド電極上に配置される第２めっき層２４２とを含み、上記第１絶縁層２５１及び第２絶縁層２５２は、珪素（Ｓｉ）を含む酸化物を含むことができる。
第１連結電極２３１ａは、第３面３に配置され第１内部電極１２１と連結され、第２連結電極２３１ｂは、第４面４に配置され第２内部電極１２２と連結されることができる。また、第１連結電極２３１ａ'上には第１絶縁層２５１が配置され、第２連結電極２３２ａ上には第２絶縁層２５２が配置されることができる。
従来は、外部電極を形成する時に導電性金属が含まれたペーストを使用して、本体の内部電極が露出した面をペーストにディッピング（ｄｉｐｐｉｎｇ）する方法が主に使用されていた。しかし、ディッピング（ｄｉｐｐｉｎｇ）工法によって形成された外部電極は、厚さ方向の中央部における外部電極の厚さが非常に厚いことがあった。また、このようなディッピング（ｄｉｐｐｉｎｇ）工法による外部電極の厚さバラツキの問題でなくとも、本体の第３面及び第４面に内部電極が露出することから、外部電極による水分及びめっき液の浸透を抑制するために第３面及び第４面に配置された外部電極の厚さが一定以上になるように形成した。
これに対し、本発明では、連結電極２３１ａ、２３２ａ上に絶縁層２５１、２５２を配置するため、内部電極が露出する第３面及び第４面における連結電極２３１ａ、２３２ａの厚さを薄くしても十分な信頼性を確保することができる。
第１連結電極２３１ａ及び第２連結電極２３２ａは、それぞれ、第３面及び第４面に対応する形態であることができ、第１連結電極２３１ａ及び第２連結電極２３２ａから本体１１０に向かう面は、本体１１０の第３面及び第４面とそれぞれ同じ面積を有することができる。第１連結電極２３１ａ及び第２連結電極２３２ａは、それぞれ、第３面３及び第４面４から外れない範囲で配置されることができる。連結電極２３１ａ、２３２ａは、本体１１０の第１面１、第２面２、第５面５及び第６面１、２、５、６に延長しないように配置されることができる。具体的には、一実施形態において、第１連結電極２３１ａ及び第２連結電極２３２ａは第５面及び第６面と離隔して配置されることができる。これにより、内部電極１２１、１２２と外部電極２３１、２３２間の十分な連結性を確保しながらも外部電極が占める体積を最小化して積層型電子部品２０００の単位体積あたりの容量を増加させることができる。
このような観点から、上記第１連結電極２３１ａ及び第２連結電極２３２ａは、上記第２面２と離隔して配置されることができる。すなわち、外部電極２３１、２３２が第２面上には配置されないことから、外部電極２３１、２３２が占める体積をさらに最小化して積層型電子部品２０００の単位体積あたりの容量をさらに増加させることができる。
但し、連結電極２３１ａ、２３２ａは、本体１１０のコーナーに延長してコーナー上に配置されたコーナー部を含むことができる。すなわち、一実施形態において、第１連結電極は、上記第１－３コーナー及び第２－３コーナー上に延長して配置されるコーナー部（図示せず）を含み、上記第２連結電極は、上記第１－４コーナー及び第２－４コーナー上に延長して配置されるコーナー部（図示せず）を含むことができる。
また、連結電極２３１ａ、２３２ａは、従来のディッピング方式によって形成された外部電極に比べて均一で薄い厚さを有することができる。
連結電極２３１ａ、２３２ａを形成する方法は、特に制限する必要はないが、例えば、導電性金属、バインダーのような有機物質などを含むシートを第３面及び第４面に転写する方式で形成することができるが、これに制限されるものではなく、導電性金属を第３面及び第４面にめっきして形成することができる。すなわち、連結電極２３１ａ、２３２ａは、導電性金属を焼成した焼成層又はめっき層であることができる。
連結電極２３１ａ、２３２ａの厚さは、特に限定されないが、例えば、２～７μｍであることができる。ここで、連結電極２３１ａ、２３２ａの厚さは、最大厚さを意味することができ、連結電極２３１ａ、２３２ａの第２方向の大きさを意味することができる。
一実施形態において、第１連結電極２３１ａ及び第２連結電極２３２ａは、内部電極１２１、１２２に含まれた金属と同じ金属及びガラスを含むことができる。第１連結電極２３１ａ及び第２連結電極２３２ａが内部電極１２１、１２２に含まれた金属と同じ金属を含むことで、内部電極１２１、１２２との電気的連結性を向上させることができ、第１連結電極２３１ａ及び第２連結電極２３２ａがガラスを含むことで、本体１１０及び／又は絶縁層２５１、２５２との結合力を向上させることができる。このとき、内部電極１２１、１２２に含まれた金属と同じ金属はＮｉであることができる。
第１絶縁層２５１及び第２絶縁層２５２は、それぞれ、第１連結電極２３１ａ及び第２連結電極２３２ａ上に配置されて第１連結電極２３１ａ及び第２連結電極２３２ａ上にめっき層が形成されることを防止する役割を果たすことができる。また、第１絶縁層２５１及び第２絶縁層２５２は、シーリング特性を向上させて外部から水分やめっき液などが浸透することを最小化する役割を果たすことができる。
一実施形態において、第１絶縁層２５１及び第２絶縁層２５２は、珪素（Ｓｉ）を含む酸化物を含むことができる。これにより、耐湿信頼性をより向上させることができ、熱収縮によるクラック、金属拡散による放射クラックなどを抑制することができる。
この時、一実施形態では、第１絶縁層２５１及び第２絶縁層２５２はホウ素を含む酸化物（ｂｏｒｉｃ ｏｘｉｄｅ）をさらに含み、第１絶縁層２５１及び第２絶縁層２５２と本体１１０が接する界面でバリウム及びホウ素を含む接着層をさらに含むようにして、絶縁層２５１、２５２と本体１１０の接着力を向上させ、積層型電子部品２０００全体の強度を向上させることができる。
一実施形態において、第１絶縁層２５１及び第２絶縁層２５２は、酸素を除いた残りの元素のモル数に対するＳｉ原子のモル数が０．９５以上であることができる。すなわち、絶縁層１５１は、不純物として検出される元素を除くと、実質的にＳｉを含む酸化物からなることができ、これにより同じ厚さを有する他の成分で構成された絶縁層に比べて外部湿気の浸透を効果的に防止することができ、めっき液などのような酸や塩基に対する耐食性と抵抗性が向上されることができる。
また、一実施形態において、第１絶縁層２５１及び第２絶縁層２５２は、ホウ素を含む酸化物（ｂｏｒｉｃ ｏｘｉｄｅ）、ホウケイ酸塩及び亜鉛－ホウケイ酸塩（ｚｉｎｃ－ｂｏｒｏｓｉｌｉｃａｔｅ）の少なくともいずれか一つ以上を含むことができる。これにより、外部熱衝撃から積層型電子部品２０００に加えられる応力を減少させてクラック及びディラミネーションの発生を減少させ、放射クラックの形成を防止し、めっき液及び外部水分の浸透を防止して積層型電子部品２０００の信頼性を向上させることができる。
上記実施形態のうち第１絶縁層２５１及び第２絶縁層２５２がホウ素を含む酸化物（ｂｏｒｉｃ ｏｘｉｄｅ）、ホウケイ酸塩及び亜鉛－ホウケイ酸塩（ｚｉｎｃ－ｂｏｒｏｓｉｌｉｃａｔｅ）の少なくともいずれか一つ以上を含む場合、本体１１０表面のバリウムオキシドと低温で反応してＥｕｔｅｔｉｃを形成することができる。したがって、一実施形態では、積層型電子部品２０００は、ホウ素を含む酸化物をさらに含む絶縁層２５１、２５２と本体１１０が接する界面でバリウム及びホウ素を含む接着層をさらに含むことができる。
絶縁層に含まれる物質はＳｉＯ２、Ｂ２Ｏ３のような絶縁物質であるため、導電性金属を含む第１外部電極２３１及び第２外部電極２３２と接着力が良くない。本発明の一実施形態に係る積層型電子部品２０００は、絶縁層２５１、２５２と第１外部電極２３１及び第２外部電極２３２との接着力が良くないにもかかわらず、絶縁物質を含む本体１１０と接着力が良いため、積層型電子部品２０００全体の強度を向上させることができる。
第１バンド電極２３１ｂ及び第２バンド電極２３２ｂは、本体１１０の第１面１に配置されることができる。第１バンド電極２３１ｂ及び第２バンド電極２３２ｂは、それぞれ、第１連結電極２３１ａ及び第２連結電極２３２ａと接触することで、第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２とそれぞれ電気的に連結されることができる。
従来のディッピング（ｄｉｐｐｉｎｇ）工法によって形成された外部電極は、第３面及び第４面で厚く形成され、第１面、第２面、第５面及び第６面にも一部延長して形成されることによって有効体積率を高く確保しにくいという問題点があった。
これに対し、本発明の一実施形態によると、内部電極が露出した面には第１連結電極２３１ａ及び第２連結電極２３２ａを配置し、基板に実装される面には第１バンド電極２３１ｂ及び第２バンド電極２３２ｂを配置することによって、有効体積率を高く確保することができる。
一方、内部電極１２１、１２２が第１方向に積層されている場合には、内部電極１２１、１２２が実装面と平行になるように積層型電子部品２０００を基板に水平実装することができる。但し、本発明が水平実装である場合に限定されるものではなく、内部電極１２１、１２２を第３方向に積層する場合には、内部電極１２１、１２２が実装面と垂直になるように、基板に積層型電子部品を垂直実装することができる。
第１バンド電極２３１ｂ及び第２バンド電極２３２ｂは、金属などのように電気伝導性を有するものであれば、如何なる物質を使用して形成されてもよく、電気的特性、構造的安定性などを考慮して具体的な物質が決定されることができる。例えば、第１バンド電極２３１ｂ及び第２バンド電極２３２ｂは、導電性金属及びガラスを含む焼成（ｆｉｒｉｎｇ）電極であることができ、本体の第１面に導電性金属及びガラスを含むペーストを塗布する方式を用いて形成することができるが、これに制限されるものではなく、導電性金属を本体の第１面にめっきしためっき層であることができる。
第１バンド電極２３１ｂ及び第２バンド電極２３２ｂに含まれる導電性金属としては、電気伝導性に優れた材料を使用することができ、特に限定されない。例えば、導電性金属は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、及びそれらの合金のうち１種以上であることができ、内部電極１２１、１２２に含まれた金属と同じ金属を含むことができる。
一方、シーリング特性及び高い強度を確保するためには、一実施形態において、第１外部電極２３１は、上記第２面２に配置され、上記第１連結電極２３１ａと連結される第３バンド電極（図示せず）をさらに含み、上記第２外部電極２３２は、上記第２面２に配置され、上記第２連結電極２３２ａと連結される第４バンド電極（図示せず）をさらに含むことができる。
一実施形態において、上記第３面の延長線Ｅ３から上記第１バンド電極２３１ｂの末端までの距離をＢ１、上記第４面の延長線Ｅ４から上記第２バンド電極２３２ｂの末端までの距離をＢ２、上記第３面の延長線から上記第３バンド電極（図示せず）の末端までの距離をＢ３、上記第４面の延長線から上記第４バンド電極（図示せず）の末端までの距離をＢ４、上記第３面と上記第２内部電極１２２が離隔した領域の第２方向の平均大きさをＧ１、上記第４面と上記第１内部電極１２１が離隔した領域の第２方向の平均大きさをＧ２としたとき、Ｂ１≧Ｇ１、Ｂ３≦Ｇ１、Ｂ２≧Ｇ２、及びＢ４≦Ｇ２を満たすことができる。これにより、外部電極が占める体積を最小化して積層型電子部品２０００の単位体積あたりの容量を増加させるとともに、実装時に半田と接する面積を増加させて固着強度を向上させることができる。
但し、本発明をＢ１≧Ｇ１、Ｂ３≦Ｇ１、Ｂ２≧Ｇ２、及びＢ４≦Ｇ２に限定しようとする意図ではなく、Ｂ１≧Ｇ１、Ｂ３≧Ｇ１、Ｂ２≧Ｇ２、及びＢ４≧Ｇ２を満たす場合も本発明の一実施形態として含まれることができる。よって、一実施形態において、上記第３面の延長線Ｅ３から上記第１バンド電極２３１ｂの末端までの距離をＢ１、上記第４面の延長線Ｅ４から上記第２バンド電極２３２ｂの末端までの距離をＢ２、上記第３面の延長線から上記第３バンド電極（図示せず）の末端までの距離をＢ３、上記第４面の延長線から上記第４バンド電極（図示せず）の末端までの距離をＢ４、上記第３面と上記第２内部電極１２２が離隔した領域の第２方向の平均大きさをＧ１、上記第４面と上記第１内部電極１２１が離隔した領域の第２方向の平均大きさをＧ２としたとき、Ｂ１≧Ｇ１、Ｂ３≧Ｇ１、Ｂ２≧Ｇ２、及びＢ４≧Ｇ２を満たすことができる。
第１めっき層２４１及び第２めっき層２４２は、第１バンド電極２３１ｂ及び第２バンド電極２３２ｂ上に配置されることができる。第１めっき層２４１及び第２めっき層２４２は実装特性を向上させる役割を果たす。第１めっき層２４１及び第２めっき層２４２の種類は、特に制限されず、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｐｄ、及びこれらの合金のうち１種以上を含むめっき層であることができ、複数の層からなることができる。
第１めっき層２４１及び第２めっき層２４２に対するより具体的な例を挙げると、第１めっき層２４１及び第２めっき層２４２はＮｉめっき層又はＳｎめっき層であることができ、第１バンド電極２３１ｂ及び第２バンド電極２３２ｂ上にＮｉめっき層及びＳｎめっき層が順次に形成された形態であることができる。
一実施形態において、第１めっき層２４１及び第２めっき層２４２は、それぞれ、第１連結電極２３１ａ及び第２連結電極２３２ａを一部覆うように延長して配置されることができる。
第１面１から第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２のうち第１面１に最も近く配置された内部電極までの第１方向の平均大きさをＨ１、上記第１面１の延長線から上記第１連結電極２３１ａ及び第２連結電極２３２ａ上に配置された第１めっき層２４１及び第２めっき層２４２の末端までの第１方向の平均大きさをＨ２としたとき、Ｈ１＞Ｈ２を満たすことができる。これにより、めっき工程時にめっき液が内部電極に浸透することを抑制して信頼性を向上させることができる。
一実施形態において、第１絶縁層２５１及び第２絶縁層２５２は、第１連結電極２３１ａ及び第２連結電極２３２ａとそれぞれ直接接するように配置され、第１連結電極２３１ａ及び第２連結電極２３２ａは導電性金属及びガラスを含むことができる。これにより、第１連結電極２３１ａ及び第２連結電極２３２ａの外表面において絶縁層２５１、２５２が配置された領域にはめっき層２４１、２４２が配置されないことがあるため、めっき液による外部電極侵食の防止を効果的に抑制することができる。
一実施形態において、第１絶縁層２５１及び第２絶縁層２５２は、第１連結電極２３１ａ及び第２連結電極２３２ａとそれぞれ直接接するように配置され、第１連結電極２３１ａ及び第２連結電極２３２ａは導電性金属及び樹脂を含むことができる。これにより、第１連結電極２３１ａ及び第２連結電極２３２ａの外表面において絶縁層２５１、２５２が配置された領域にはめっき層２４１、２４２が配置されないことがあるため、めっき液による外部電極侵食の防止を効果的に抑制することができる。
一実施形態において、第１めっき層２４１は、第１絶縁層２５１の第１外部電極２３１上に配置された末端を覆うように配置され、第２めっき層２４２は、第２絶縁層２５２の第２外部電極２３２上に配置された末端を覆うように配置されることができる。これにより、絶縁層２５１、２５２とめっき層２４１、２４２の結合力を強化して積層型電子部品３０００の信頼性を向上させることができる。また、外部電極２３１、２３２上にめっき層２４１、２４２を形成する前に第１絶縁層２５１及び第２絶縁層２５２を先に形成することで、めっき層形成過程におけるめっき液の浸透をより確実に抑制することができる。めっき層よりも絶縁層を先に形成することで、めっき層２４１、２４２が絶縁層２５１、２５２の末端を覆う形態を有することができる。
一実施形態において、第１絶縁層２５１は、第１めっき層２４１の第１外部電極２３１上に配置された末端を覆うように配置され、第２絶縁層２５２は、第２めっき層３４２の第２外部電極３３２上に配置された末端を覆うように配置されることができる。これにより、絶縁層３５１とめっき層３４１、３４２の結合力を強化して積層型電子部品３０００の信頼性を向上させることができる。
図２１は、図１９の変形例を図示したものである。図２１を参照すると、本発明の一実施形態に係る積層型電子部品２０００の変形例２００１は、第１絶縁層２５１－１及び第２絶縁層２５２－１が第５面５及び第６面６に延長して互いに連結されることで、一つの絶縁層２５３－１として連結されることができる。このとき、連結された第１絶縁層及び第２絶縁層２５３－１が第５面及び第６面の一部を覆うように配置されることができる。
図２２は、本発明の一実施形態に係る積層型電子部品２００２の斜視図を概略的に示したものであり、図２３は、図２２のＩＸ－ＩＸ'に沿った断面図である。
図２２及び図２３を参照すると、本発明の一実施形態に係る積層型電子部品２００２は、第１めっき層２４１－２及び第２めっき層２４２－２が第１面の延長線以下に配置されることができる。これにより、実装時に半田の高さを最小化することができ、実装空間を最小化することができる。
また、第１第２絶縁層２５１－２及び第２絶縁層２５２－２は、第１面の延長線以下まで延長して第１めっき層２４１－２及び第２めっき層２４２－２と接するように配置されることができる。
図２４は、図２２の変形例を図示したものである。図２５を参照すると、本発明の一実施形態に係る積層型電子部品２００２の変形例２００３は、第１絶縁層２５１－３及び第２絶縁層２５２－３が第５面５及び第６面６に延長して互いに連結されることで、一つの絶縁層２５３－３として連結されることができる。このとき、連結された第１絶縁層及び第２絶縁層２５３－３が第５面及び第６面の全部を覆うように配置されることができる。
図２５は、本発明の一実施形態に係る積層型電子部品２００４の斜視図を概略的に示したものであり、図２６は、図２５のＸ－Ｘ'に沿った断面図である。
図２５及び図２６を参照すると、本発明の一実施形態に係る積層型電子部品２００４は、第１面１上に配置され、第１バンド電極２３１ｂと第２バンド電極２３２ｂの間に配置される追加絶縁層２６１をさらに含むことができる。これにより、高圧電流下で第１バンド電極２３１ｂと第２バンド電極２３２ｂの間で発生し得る漏れ電流などを防止することができる。
追加絶縁層２６１の種類は、特に限定する必要はない。例えば、追加絶縁層２６１は、第１絶縁層２５１－２及び第２絶縁層２５２－２と同様に、Ｓｉを含む酸化物、ホウ素を含む酸化物（ｂｏｒｉｃ ｏｘｉｄｅ）、ホウケイ酸塩（ｂｏｒｏｓｉｌｉｃａｔｅ）及び亜鉛－ホウケイ酸塩（ｚｉｎｃ－ｂｏｒｏｓｉｌｉｃａｔｅ）の少なくともいずれか一つを含むことができる。但し、追加絶縁層２６１と第１絶縁層２５１－２及び第２絶縁層２５２－２を同じ材料に限定する必要はなく、異なる材料で形成されてもよい。例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、エチルセルロース（Ｅｔｈｙｌ Ｃｅｌｌｕｌｏｓｅ）などから選択された１種以上を含むか、又は、ガラスを含むことができる。
図２７は、図２５の変形例を図示したものである。図２７を参照すると、本発明の一実施形態に係る積層型電子部品２００４の変形例２００５は、第１絶縁層２５１－５及び第２絶縁層２５２－５が第５面５及び第６面６に延長して互いに連結されることで、一つの絶縁層２５３－５として連結されることができる。
図２８は、本発明の一実施形態に係る積層型電子部品２００６の斜視図を概略的に示したものであり、図２９は、図２８のＸＩ－ＸＩ'に沿った断面図である。
図２８及び図２９を参照すると、一実施形態に係る積層型電子部品２００６は、第１連結電極２３１ａ上に配置される第１絶縁層２５１－６、第２連結電極２３２ａ上に配置される第２絶縁層２５２－６を含み、第１面１から上記第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２のうち上記第１面１に最も近く配置された内部電極までの第１方向の平均大きさをＨ１、上記第１面１の延長線から上記第１連結電極２３１ａ及び第２連結電極２３２ａ上に配置された第１めっき層２４１－６及び第２めっき層２４２－６の末端までの第１方向の平均大きさをＨ２としたとき、Ｈ１＜Ｈ２を満たすことができる。これにより、実装時に半田と接する面積を増加させて固着強度を向上させることができる。
より好ましくは、本体１１０の第１方向の平均大きさをＴとしたとき、Ｈ２＜Ｔ／２を満たすことができる。すなわち、Ｈ１＜Ｈ２＜Ｔ／２を満たすことができる。Ｈ２がＴ／２以上である場合には、絶縁層による耐湿信頼性の向上効果が低下する恐れがあるためである。
図３０は、図２８の変形例を図示したものである。図３０を参照すると、本発明の一実施形態に係る積層型電子部品２００６の変形例２００７は、第１絶縁層２５１－７及び第２絶縁層２５２－７が第５面５及び第６面６に延長して互いに連結されることで、一つの絶縁層２５３－７として連結されることができる。
図３１は、本発明の一実施形態に係る積層型電子部品２００８の斜視図を概略的に示したものであり、図３２は、図３１のＸＩＩ－ＸＩＩ'に沿った断面図である。
図３１及び図３２を参照すると、本発明の一実施形態に係る積層型電子部品２００８は、第１絶縁層２５１－８及び第２絶縁層２５２－８が第２面２、第５面５及び第６面６に延長して互いに連結されることで、一つの絶縁層２５３－８として連結されることができる。図３３に示されたように、絶縁層２５３－８が第２面を全て覆っている形態であってもよく、第５面及び第６面は一部のみを覆っている形態であることができる。
図３３は、本発明の一実施形態に係る積層型電子部品２００９の斜視図を概略的に示したものであり、図３４は、図３３のＸＩＩＩ－ＸＩＩＩ'に沿った断面図である。
図３５及び図３６を参照すると、本発明の一実施形態に係る積層型電子部品２００９の第１めっき層２４１－９及び第２めっき層２４２－９の平均厚さｔ１は、第１絶縁層２５１－９及び第２絶縁層２５２－９の平均厚さｔ２よりも薄い形態であることができる。
本発明の一実施形態によると、第１めっき層２４１－９及び第２めっき層２４２－９の平均厚さｔ１を第１絶縁層２５１－９及び第２絶縁層２５２－９の平均厚さｔ２より薄くしてめっき層と絶縁層が接する面積を減らすことができ、これにより、デラミネーションの発生を抑制して積層型電子部品２００９の基板１８０との固着強度を向上させることができる。
第１めっき層２４１－９及び第２めっき層２４２－９の平均厚さｔ１は、第１連結電極２３１ａ及び第２連結電極２３２ａ又は第１バンド電極２３１ｂ及び第２バンド電極２３２ｂ上の等間隔の５個地点で測定した厚さを平均した値であることができ、絶縁層２５１－９、２５２－９の平均厚さｔ２は、第１連結電極２３１ａ及び第２連結電極２３２ａ上の等間隔の５個地点で測定した厚さを平均した値であることができる。
図３５は、図３３の変形例を図示したものである。図３５を参照すると、本発明の一実施形態に係る積層型電子部品２００９の変形例２０１０は、第１絶縁層２５１－１０及び第２絶縁層２５２－１０が第５面５及び第６面６に延長して互いに連結されることで、一つの絶縁層２５３－１０として連結されることができる。
図３６は、本発明の一実施形態に係る積層型電子部品３０００の斜視図を概略的に示したものであり、図３７は、図３６のＸＩＶ－ＸＩＶ'に沿った断面図であり、図３８は、図３６のＫ１領域を拡大した拡大図である。
図３６および図３７を参照すると、本発明の一実施形態に係る積層型電子部品３０００は、誘電体層１１１及び上記誘電体層を挟んで交互に配置される第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２を含み、第１方向に対向する第１面及び第２面、上記第１面及び第２面と連結され、第２方向に対向する第３面及び第４面、上記第１面から第４面と連結され、第３方向に対向する第５面及び第６面を含む本体１１０と、上記本体の第３面に配置される第１接続部３３１ａ、上記第１接続部から第１面の一部まで延長される第１バンド部３３１ｂ、上記第１接続部から本体の第２面と第３面を連結するコーナーに延長して配置される第１コーナー部３３１ｃを含む第１外部電極３３１と、上記本体の第４面に配置される第２接続部３３２ａ、上記第２接続部から第１面の一部まで延長される第２バンド部３３２ｂ、上記第２接続部から本体の第２面と第４面を連結するコーナーに延長して配置される第２コーナー部３３２ｃを含む第２外部電極３３２と、上記第１接続部３３１ａ及び第２接続部３３２ａ上に配置され、上記第２面、第１コーナー部及び第２コーナー部を覆うように配置される絶縁層３５１と、上記第１バンド部上に配置される第１めっき層３４１と、上記第２バンド部上に配置される第２めっき層３４２とを含み、上記絶縁層３５１は、珪素（Ｓｉ）を含む酸化物を含むことができる。
一実施形態において、上記第３面の延長線から上記第１コーナー部３３１ｃの末端までの上記第２方向の平均大きさをＢ３、上記第４面の延長線から上記第２コーナー部３３２ｃの末端までの上記第２方向の平均大きさをＢ４、上記第３面と上記第２内部電極が離隔した領域の第２方向の平均大きさをＧ１、上記第４面と上記第１内部電極が離隔した領域の第２方向の平均大きさをＧ２としたとき、Ｂ３１及びＢ４２を満たすことができる。これにより、外部電極３３１、３３２が占める体積を最小化して積層型電子部品３０００の単位体積あたりの容量を増加させることができる。
このとき、上記第３面の延長線から上記第１バンド部３３１ｂの末端までの上記第２方向の平均大きさをＢ１、上記第４面の延長線から上記第２バンド部３３２ｂの末端までの上記第２方向の平均大きさをＢ２としたとき、Ｂ１≧Ｇ１及びＢ３≧Ｇ２を満たすことができる。これにより、実装時に半田と接する面積を増加させて固着強度を向上させることができる。
一実施形態に係る積層型電子部品３０００は、誘電体層１１１及び上記誘電体層を挟んで交互に配置される第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２を含み、第１方向に対向する第１面及び第２面、上記第１面及び第２面と連結され第２方向に対向する第３面及び第４面、上記第１面から第４面と連結され第３方向に対向する第５面及び第６面を含む本体１１０を含むことができる。積層型電子部品３０００の本体１１０は、後述するように、本体の第１面又は第２面の端部が収縮した形態を有することを除いて、積層型電子部品１０００の本体１１０と同じ構成を有することができる。
外部電極３３１、３３２は、本体１１０の第３面３及び第４面４に配置されることができる。外部電極３３１、３３２は、本体１１０の第３面３及び第４面４にそれぞれ配置され、第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２とそれぞれ連結された第１外部電極３３１及び第２外部電極３３２を含むことができる。
外部電極３３１、３３２は、第３面に配置される第１接続部３３１ａ及び上記第１接続部から上記第１面の一部まで延長される第１バンド部３３１ｂ、上記第１接続部から上記第２面と第３面を連結するコーナーに延長して配置される第１コーナー部３３１ｃを含む第１外部電極３３１、第４面に配置される第２接続部３３２ａ及び上記第２接続部から上記第１面の一部まで延長される第２バンド部３３２ｂ、上記第２接続部から第２面と第４面を連結するコーナーに延長して配置される第２コーナー部３３２ｃを含む第２外部電極１３２を含むことができる。第１接続部３３１ａは第１内部電極１２１と第３面で連結され、第２接続部３３２ａは第２内部電極１２２と第４面で連結されることができる。
一実施形態において、上記第１接続部３３１ａ及び第２接続部３３２ａは、上記第５面及び第６面と離隔して配置されることができる。これにより、外部電極３３１、３３２が占める比重を最小化して積層型電子部品３０００をさらに小型化することができる。
誘電体層１１１上に内部電極１２１、１２２が配置されていないマージン領域が重なることによって、内部電極１２１、１２２の厚さによる段差が発生し、第１面と第３面～第６面を連結するコーナー及び／又は第２面と第３面～第６面を連結するコーナーは、第１面又は第２面を基準としてみたときに、本体１１０の第１方向の中央側に収縮した形態を有することができる。或いは、本体の焼結過程における収縮挙動によって第１面１と第３面３、第４面４、第５面５、第６面６を連結するコーナー及び／又は第２面２と第３面３、第４面４、第５面５、第６面６を連結するコーナーは、第１面又は第２面を基準としてみたときに、本体１１０の第１方向の中央側に収縮した形態を有することができる。或いは、チッピング不良などを防止するために、本体１１０の各面を連結する角部を別途の工程を行ってラウンド処理することによって、第１面と第３面～第６面を連結するコーナー及び／又は第２面と第３～第６面を連結するコーナーは、ラウンド形状を有することができる。
上記コーナーは、第１面と第３面を連結する第１－３コーナーｃ１－３、第１面と第４面を連結する第１－４コーナーｃ１－４、第２面と第３面を連結する第２－３コーナーｃ２－３、第２面と第４面を連結する第２－４コーナーｃ２－４を含むことができる。また、コーナーは、第１面と第５面を連結する第１－５コーナー、第１面と第６面を連結する第１－６コーナー、第２面と第５面を連結する第２－５コーナー、第２面と第６面を連結する第２－６コーナーを含むことができる。但し、内部電極１２１、１２２による段差を抑制するために、積層後の内部電極が本体の第５面及び第６面６に露出するように切断した後、単一の誘電体層又は２つ以上の誘電体層を容量形成部Ａｃの両側面に第３方向（幅方向）に積層してマージン部１１４、１１５を形成する場合には、第１面と第５面及び第６面を連結する部分及び第２面と第５面及び第６面を連結する部分が収縮した形態を有していなくてもよい。
一方、本体１１０の第１面～第６面は概して平坦な面であることができ、平坦でない領域をコーナーとすることができる。また、外部電極１３１、１３２のうちコーナー上に配置される領域をコーナー部とすることができる。
このような観点から、上記第１コーナー部３３１ｃ及び第２コーナー部３３２ｃは、上記第２面の延長線Ｅ２以下に配置されることができ、上記第１コーナー部３３１ｃ及び第２コーナー部３３２ｃは、第２面と離隔して配置されることができる。すなわち、外部電極３３１、３３２が第２面上には配置されないことから、外部電極３３１、３３２が占める体積をさらに最小化して積層型電子部品３０００の単位体積あたりの容量をさらに増加させることができる。また、第１コーナー部３３１ｃは、第３面と第２面を連結する第２－３コーナーＣ２－３の一部上に配置されることができ、第２コーナー部３３２ｃは、第４面と第２面を連結する第２－４コーナーＣ２－４の一部上に配置されることができる。
第２面の延長線Ｅ２は、下記のように定義されることができる。
積層型電子部品３０００を幅方向の中央で切断した長さ－厚さ方向断面（Ｌ－Ｔ断面）において、第３面から第４面まで長さ方向に均等な間隔を有する厚さ方向の７個の直線Ｐ０、Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４、Ｐ５、Ｐ６、Ｐ７を引いてＰ２と第２面が交わる地点と、Ｐ４と第２面が交わる地点とを通る直線を第２面の延長線Ｅ２と定義することができる。
一方、外部電極３３１、３３２は、金属などのように電気伝導性を有するものであれば、如何なる物質を使用して形成されてもよく、電気的特性、構造的安定性などを考慮して具体的な物質が決定されることができ、さらに、多層構造を有することができる。
外部電極３３１、３３２は、導電性金属及びガラスを含む焼成（ｆｉｒｉｎｇ）電極、又は、導電性金属及び樹脂を含む樹脂系電極であることができる。
また、外部電極３３１、３３２は、本体上に焼成電極及び樹脂系電極が順次に形成された形態であることができる。また、外部電極３３１、３３２は、本体上に導電性金属を含むシートを転写する方式で形成されるか、又は、焼成電極上に導電性金属を含むシートを転写する方式で形成されたものであることができる。
外部電極３３１、３３２に含まれる導電性金属としては、電気伝導性に優れた材料を使用することができ、特に限定されない。例えば、導電性金属は、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｓｎ、Ｃｒ、及びそれらの合金のうち１種以上であることができる。好ましくは、外部電極３３１、３３２は、Ｎｉ及びＮｉ合金のうち１種以上を含むことができ、これにより、Ｎｉを含む内部電極１２１、１２２との連結性をさらに向上させることができる。
絶縁層３５１は、第１接続部３３１ａ及び第２接続部３３２ａ上に配置されることができる。
第１接続部３３１ａ及び第２接続部３３２ａは、内部電極１２１、１２２と連結される部位であるため、めっき工程でめっき液浸透、或いは、実際の使用において水分浸透の経路となることがある。本発明では、接続部３３１ａ、３３２ａ上に絶縁層３５１が配置されるため、外部からの水分浸透又はめっき液の浸透を防止することができる。
絶縁層３５１は、第１めっき層３４１及び第２めっき層３４２と接するように配置されることができる。このとき、絶縁層３５１は第１めっき層３４１及び第２めっき層３４２の末端を一部覆う形態で接するか、又は、第１めっき層３４１及び第２めっき層３４２が絶縁層３５１の末端を一部覆う形態で接することができる。
絶縁層３５３は、第１接続部３３１ａ及び第２接続部３３２ａ上に配置され、第２面、第１コーナー部３３１ｃ及び第２コーナー部３３２ｃを覆うように配置されることができる。また、絶縁層３５１は第１コーナー部３３１ｃ及び第２コーナー部３３２ｃの末端と本体１１０が接する領域をカバーして水分浸透経路を遮断することで、耐湿信頼性をさらに向上させることができる。
絶縁層３５１は、第２面上に配置され、上記第１接続部３３１ａ及び第２接続部３３２ａに延長して配置されることができる。また、絶縁層は、外部電極３３１、３３２が第２面に配置されない場合、第２面を全部覆うように配置されることができる。一方、絶縁層３５１が第２面に必ずしも配置される必要はなく、絶縁層が第２面の一部又は全部に配置されなくてもよく、絶縁層が２つに分離されて第１接続部３３１ａ及び第２接続部３３２ａ上にそれぞれ配置される形態を有してもよい。しかし、この場合であっても、絶縁層は第１コーナー部３３１ｃ及び第２コーナー部３３２ｃを全部覆うように配置されることができる。絶縁層が第２面の全部に配置されない場合、第２面の延長線以下に配置されることができる。また、絶縁層が第２面には配置されないが、第１接続部３３１ａ及び第２接続部３３２ａ上で第５面及び第６面に延長して一つの絶縁層を成すことができる。
一実施形態において、上記絶縁層３５１は、上記第５面及び第６面の一部を覆うように配置されて信頼性を向上させることができる。このとき、上記絶縁層に覆われていない上記第５面及び第６面の一部は、外部に露出することができる。
さらに、絶縁層３５１は、第５面及び第６面の全体を覆うように配置されることができ、この場合、第５面及び第６面が外部に露出しないため、耐湿信頼性をさらに向上させることができる。
絶縁層３５１は、絶縁層３５１が配置された外部電極３３１、３３２上にめっき層３４１、３４２が形成されることを防止する役割を果たすことができ、シーリング特性を向上させて外部から水分やめっき液などが浸透することを最小化する役割を果たすことができる。絶縁層３５１の成分、組成、平均厚さ、及びこれによる効果は、積層型電子部品１０００、２０００、又は、これらの多様な実施例を含む絶縁層１５１、２５１、２５２、２５３と同様であるため、これに対する説明は省略する。
第１めっき層３４１及び第２めっき層３４２は、それぞれ、第１バンド部３３１ｂ及び第２バンド部３３２ｂ上に配置されることができる。めっき層３４１、３４２は実装特性を向上させる役割を果たすことができ、めっき層３４１、３４２がバンド部３３１ｂ、３３２ｂ上に配置されることで実装空間を最小化することができ、内部電極にめっき液が浸透することを最小化して信頼性を向上させることができる。第１めっき層３４１及び第２めっき層３４２の一末端は第１面に接することができ、他末端は絶縁層３５１に接することができる。
めっき層３４１、３４２の種類は、特に制限されず、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｄ、及びこれらの合金のうち１種以上を含むめっき層であることができ、複数の層からなることができる。
めっき層３４１、３４２に対するより具体的な例を挙げると、めっき層３４１、３４２はＮｉめっき層又はＳｎめっき層であることができ、第１バンド部３３１ｂ及び第２バンド部３３２ｂ上にＮｉめっき層及びＳｎめっき層が順次に形成された形態であることができる。
一実施形態において、絶縁層３５１は第１外部電極３３１及び第２外部電極３３２と直接接するように配置され、第１外部電極３３１及び第２外部電極３３２は導電性金属及びガラスを含むことができる。これにより、第１外部電極３３１及び第２外部電極３３２の外表面において絶縁層３５１が配置された領域にはめっき層３４１、３４２が配置されないことがあるため、めっき液による外部電極侵食の防止を効果的に抑制することができる。
一実施形態において、絶縁層３５１は第１外部電極３３１及び第２外部電極３３２と直接接するように配置され、第１外部電極３３１及び第２外部電極３３２は導電性金属及び樹脂を含むことができる。これにより、第１外部電極３３１及び第２外部電極３３２の外表面において絶縁層３５１が配置された領域にはめっき層３４１、３４２が配置されないことがあるため、めっき液による外部電極侵食の防止を効果的に抑制することができる。
一実施形態において、第１めっき層３４１は、絶縁層３５１の第１外部電極３３１上に配置された末端を覆うように配置され、第２めっき層３４２は、絶縁層３５１の第２外部電極３３２上に配置された末端を覆うように配置されることができる。これにより、絶縁層３５１とめっき層３４１、３４２の結合力を強化して積層型電子部品３０００の信頼性を向上させることができる。また、外部電極３３１、３３２上にめっき層３４１、３４２を形成する前に絶縁層３５１を先に形成することで、めっき層形成過程におけるめっき液の浸透をより確実に抑制することができる。めっき層よりも絶縁層を先に形成することで、めっき層３４１、３４２が絶縁層３５１の末端を覆う形態を有することができる。
一実施形態において、絶縁層３５１は、第１めっき層３４１の第１外部電極３３１上に配置された末端を覆うように配置され、絶縁層３５１は、第２めっき層３４２の第２外部電極３３２上に配置された末端を覆うように配置されることができる。これにより、絶縁層３５１とめっき層３４１、３４２の結合力を強化して積層型電子部品３０００の信頼性を向上させることができる。
一実施形態において、第１めっき層３４１及び第２めっき層３４２は、それぞれ、第１接続部３３１ａ及び第２接続部３３１ａ、３３２ａを一部覆うように延長して配置されることができる。第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２のうち第１面１に最も近く配置された内部電極までの第１方向の平均大きさをＨ１、上記第１面１の延長線から上記第１接続部３３１ａ及び第２接続部３３２ａ上に配置された第１めっき層３４１及び第２めっき層３４２の末端までの第１方向の平均大きさをＨ２としたとき、Ｈ１＞Ｈ２を満たすことができる。これにより、めっき工程時にめっき液が内部電極に浸透することを抑制して信頼性を向上させることができる。
一実施形態において、上記第１面から上記第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２のうち上記第１面に最も近く配置された内部電極までの第１方向の平均大きさをＨ１、上記第１面の延長線から上記第１接続部３３１ａ及び第２接続部３３２ａ上に配置されためっき層３４１、３４２の末端までの第１方向の平均大きさをＨ２としたとき、Ｈ１＜Ｈ２を満たすことができる。これにより、実装時に半田と接する面積を増加させて固着強度を向上させることができる。より好ましくは、本体１１０の第１方向の平均大きさをＴとしたとき、Ｈ２＜Ｔ／２を満たすことができる。すなわち、Ｈ１＜Ｈ２＜Ｔ／２を満たすことができる。Ｈ２がＴ／２以上である場合には、絶縁層による耐湿信頼性の向上効果が低下する恐れがあるためである。
一実施形態において、上記第１めっき層３４１及び第２めっき層３４２は、上記第１面の延長線以下に配置されることができる。これにより、実装時に半田の高さを最小化することができ、実装空間を最小化することができる。また、絶縁層３５１は、第１面の延長線以下まで延長して第１めっき層３４１及び第２めっき層３４２と接するように配置されることができる。
一実施形態において、上記本体の第２方向の平均大きさをＬ、上記第３面の延長線から上記第１バンド部の末端までの上記第２方向の平均大きさをＢ１、上記第４面の延長線から上記第２バンド部の末端までの上記第２方向の平均大きさをＢ２としたとき、０．２≦Ｂ１／Ｌ≦０．４及び０．２≦Ｂ２／Ｌ≦０．４を満たすことができる。
Ｂ１／Ｌ及びＢ２／Ｌが０．２未満の場合は、十分な固着強度の確保が困難になることがある。これに対し、Ｂ２／Ｌが０．４超の場合は、高圧電流下で第１バンド部３３１ｂと第２バンド部３３２ｂとの間で漏れ電流が発生する恐れがあり、めっき工程時にめっき滲みなどによって第１バンド部３３１ｂと第２バンド部３３２ｂが電気的に連結される恐れがある。
一実施形態において、上記第１面上に配置され、上記第１バンド部３３１ｂと上記第２バンド部３３２ｂの間に配置される追加絶縁層をさらに含むことができる。これにより、高圧電流下で第１バンド電極３３１ｂと第２バンド電極３３２ｂとの間で発生し得る漏れ電流などを防止することができる。
追加絶縁層の種類は特別に限定する必要はない。例えば、追加絶縁層は、絶縁層（３５１）とＳｉを含む酸化物、ホウ素を含む酸化物（ｂｏｒｉｃ ｏｘｉｄｅ）、ホウケイ酸塩（ｂｏｒｏｓｉｌｉｃａｔｅ）及び亜鉛－ホウケイ酸塩（ｚｉｎｃ－ｂｏｒｏｓｉｌｉｃａｔｅ）の少なくともいずれか一つを含むことができる。但し、追加絶縁層と絶縁層３５１を同じ材料に限定する必要はなく、異なる材料で形成されてもよい。例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、エチルセルロース（Ｅｔｈｙｌ Ｃｅｌｌｕｌｏｓｅ）などから選択された１種以上を含むか、又は、ガラスを含むことができる。
一実施形態において、上記第３面の延長線から上記第１バンド部の末端までの上記第２方向の平均大きさをＢ１、上記第４面の延長線から上記第２バンド部の末端までの上記第２方向の平均大きさをＢ２としたとき、Ｂ３＜Ｂ１及びＢ４＜Ｂ２を満たすことができる。第１バンド部３３１ｂの平均長さＢ１が第１コーナー部３３１ｃの平均長さＢ３より長いことができ、第２バンド部３３２ｂの平均長さが第２コーナー部３３２の平均長さＢ４より長いことができる。これにより、実装時に半田と接する面積を増加させて固着強度を向上させることができる。
より詳細には、第３面３の延長線から上記第１バンド部３３１ｂの末端までの上記第２方向の平均大きさをＢ１、上記第４面４の延長線から上記第２バンド部３３２ｂの末端までの上記第２方向の平均大きさをＢ２、上記第３面３の延長線から上記第１コーナー部３３１ｃの末端までの上記第２方向の平均大きさをＢ３、上記第４面４の延長線から上記第２コーナー部３３２ｃの末端までの上記第２方向の平均大きさをＢ４としたとき、Ｂ３＜Ｂ１及びＢ４＜Ｂ２を満たすことができる。
一実施形態において、上記第１めっき層３４１及び第２めっき層３４２の平均厚さは、上記絶縁層３５１の平均厚さよりも薄いことがある。
絶縁層３５１は、外部からの水分浸透又はめっき液の浸透を防止する役割をするものの、めっき層３４１、３４２との連結性が弱いことから層のデラミネーション（ｄｅｌａｍｉｎａｔｉｏｎ）の原因になることがある。めっき層がデラミネーションされる場合、基板との固着強度が低下することがある。ここで、めっき層のデラミネーションとは、めっき層が一部剥がれたり、外部電極３３１、３３２と物理的に分離されることを意味することができる。めっき層と絶縁層の連結性が弱いことから絶縁層とめっき層との界面の隙間が広がったり、異物が浸透する可能性が高くなり、外部衝撃などに脆弱になってデラミネーションされる可能性が高くなる恐れがある。
本発明の一実施形態によると、めっき層の平均厚さを絶縁層の平均厚さよりも薄くしてめっき層と絶縁層が接する面積を減らすことができ、これにより、デラミネーションの発生を抑制して積層型電子部品３０００との固着強度を向上させることができる。
積層型電子部品３０００のサイズは、特に限定する必要はない。
但し、小型化及び高容量化を同時に達成するためには、誘電体層及び内部電極の厚さを薄くして積層数を増加させなければならないため、１００５（長さ×幅、１．０ｍｍ×０．５ｍｍ）以下のサイズを有する積層型電子部品３０００において、本発明による信頼性及び単位体積あたりの容量の向上効果がより顕著になることができる。
したがって、製造誤差、外部電極の大きさなどを考慮すると、積層型電子部品３０００の長さが１．１ｍｍ以下であり、幅が０．５５ｍｍ以下である場合、本発明による信頼性の向上効果がより顕著になることができる。ここで、積層型電子部品３０００の長さは、積層型電子部品３０００の第２方向の最大大きさを意味し、積層型電子部品３０００の幅は、積層型電子部品３０００の第３方向の最大大きさを意味することができる。
本発明は、上述した実施形態及び添付の図面によって限定されるものではなく、添付の特許請求の範囲によって限定されるものとする。したがって、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から逸脱しない範囲内で、当該技術分野における通常の知識を有する者により様々な形態の置換、変形及び変更が可能であり、これも本発明の範囲に属すると言える。
なお、本発明において用いられる「一実施形態」という表現は、互いに同一の実施形態を意味するものではなく、それぞれ互いに異なる固有の特徴を強調して説明するために提供されたものである。しかしながら、上記提示された一実施形態は、他の一実施形態の特徴と組み合わせて実現されることを排除しない。例えば、特定の一実施形態において説明された事項が他の一実施形態において説明されていなくても、他の一実施形態においてその事項と反対または矛盾する説明がない限り、他の一実施形態に関連する説明として理解することができる。
本発明で使用される用語は、単に一実施形態を説明するために使用されたものであり、本発明を限定する意図ではない。このとき、単数の表現は、文脈上明らかに異なる表現を使用しない限り、複数の表現を含む。
１０００、２０００、３０００：積層型電子部品
１１００：実装基板
１１０：本体
１１１：誘電体層
１１２、１１３：カバー部
１１４、１１５：マージン部
１２１、１２２：内部電極
１３１、２３１、３３１：第１外部電極
１３２、２３２、３３２：第２外部電極
１３４、１３５：追加電極層
１４１、１４２、２４１、２４２、３４１、３４２：めっき層
１５１、２５１、２５２、２５３、３５１：絶縁層
１６１、２６１：追加絶縁層
１８０：基板
１８１、１８２：電極パッド
１９１、１９２：半田
１１００：実装基板
１１０：本体
１１１：誘電体層
１１２、１１３：カバー部
１１４、１１５：マージン部
１２１、１２２：内部電極
１３１、２３１、３３１：第１外部電極
１３２、２３２、３３２：第２外部電極
１３４、１３５：追加電極層
１４１、１４２、２４１、２４２、３４１、３４２：めっき層
１５１、２５１、２５２、２５３、３５１：絶縁層
１６１、２６１：追加絶縁層
１８０：基板
１８１、１８２：電極パッド
１９１、１９２：半田
Claims (142)
- 誘電体層及び前記誘電体層を挟んで交互に配置される第１内部電極及び第２内部電極を含み、第１方向に対向する第１面及び第２面、前記第１面及び第２面と連結され第２方向に対向する第３面及び第４面、前記第１面から第４面と連結され第３方向に対向する第５面及び第６面を含む本体と、
前記第３面に配置される第１接続部、前記第１接続部から前記第１面の一部まで延長される第１バンド部を含む第１外部電極と、
前記第４面に配置される第２接続部、前記第２接続部から前記第１面の一部まで延長される第２バンド部を含む第２外部電極と、
前記第２面上に配置され前記第１接続部及び第２接続部上に延長して配置される絶縁層と、
前記第１バンド部上に配置される第１めっき層と、
前記第２バンド部上に配置される第２めっき層とを含み、
前記絶縁層は珪素（Ｓｉ）を含む酸化物を含む、
積層型電子部品。 - 前記Ｓｉを含む酸化物は、シリカ（ＳｉＯ２）である、請求項１に記載の積層型電子部品。
- 前記絶縁層は、ホウ素（Ｂ）を含む酸化物をさらに含む、請求項１に記載の積層型電子部品。
- 前記本体はバリウム（Ｂａ）を含み、
前記絶縁層と前記本体が接する界面でバリウム（Ｂａ）及びホウ素（Ｂ）を含む接着層を含む、請求項３に記載の積層型電子部品。 - 前記本体の第２方向の平均大きさをＬ、前記第３面の延長線から前記第１バンド部の末端までの前記第２方向の平均大きさをＢ１、前記第４面の延長線から前記第２バンド部の末端までの前記第２方向の平均大きさをＢ２とした時、
０．２≦Ｂ１／Ｌ≦０．４及び０．２≦Ｂ２／Ｌ≦０．４を満たす、請求項３に記載の積層型電子部品。 - 前記本体の第２方向の平均大きさをＬ、前記第３面の延長線から前記第１バンド部の末端までの前記第２方向の平均大きさをＢ１、前記第４面の延長線から前記第２バンド部の末端までの前記第２方向の平均大きさをＢ２とした時、
０．２≦Ｂ１／Ｌ≦０．４及び０．２≦Ｂ２／Ｌ≦０．４を満たす、請求項４に記載の積層型電子部品。 - 前記第１面上に配置され、前記第１バンド部と前記第２バンド部の間に配置される追加絶縁層をさらに含む、請求項３に記載の積層型電子部品。
- 前記第１面上に配置され、前記第１バンド部と前記第２バンド部の間に配置される追加絶縁層をさらに含む、請求項４に記載の積層型電子部品。
- 前記第１面から前記第１内部電極及び第２内部電極のうち前記第１面に最も近く配置された内部電極までの第１方向の平均大きさをＨ１、前記第１面の延長線から前記第１接続部及び第２接続部上に配置されためっき層の末端までの第１方向の平均大きさをＨ２とした時、Ｈ１＞Ｈ２を満たす、請求項３に記載の積層型電子部品。
- 前記第１面から前記第１内部電極及び第２内部電極のうち前記第１面に最も近く配置された内部電極までの第１方向の平均大きさをＨ１、前記第１面の延長線から前記第１接続部及び第２接続部上に配置されためっき層の末端までの第１方向の平均大きさをＨ２とした時、Ｈ１＞Ｈ２を満たす、請求項４に記載の積層型電子部品。
- 前記第１面から前記第１内部電極及び第２内部電極のうち前記第１面に最も近く配置された内部電極までの第１方向の平均大きさをＨ１、前記第１面の延長線から前記第１接続部及び第２接続部上に配置されためっき層の末端までの第１方向の平均大きさをＨ２とした時、Ｈ１＜Ｈ２を満たす、請求項３に記載の積層型電子部品。
- 前記第１面から前記第１内部電極及び第２内部電極のうち前記第１面に最も近く配置された内部電極までの第１方向の平均大きさをＨ１、前記第１面の延長線から前記第１接続部及び第２接続部上に配置されためっき層の末端までの第１方向の平均大きさをＨ２とした時、Ｈ１＜Ｈ２を満たす、請求項４に記載の積層型電子部品。
- 前記第１面から前記第１内部電極及び第２内部電極のうち前記第１面に最も近く配置された内部電極までの第１方向の平均大きさをＨ１、前記第１面の延長線から前記第１接続部及び第２接続部上に配置されためっき層の末端までの第１方向の平均大きさをＨ２とした時、Ｈ１＞Ｈ２を満たす、請求項１に記載の積層型電子部品。
- 前記第１面から前記第１内部電極及び第２内部電極のうち前記第１面に最も近く配置された内部電極までの第１方向の平均大きさをＨ１、前記第１面の延長線から前記第１接続部及び第２接続部上に配置されためっき層の末端までの第１方向の平均大きさをＨ２とした時、Ｈ１＜Ｈ２を満たす、請求項１に記載の積層型電子部品。
- 前記本体の第１方向の平均大きさをＴとした時、
前記Ｈ２はＨ２＜Ｔ／２を満たす、請求項１４に記載の積層型電子部品。 - 前記第１めっき層及び第２めっき層は、前記第１面の延長線以下に配置される、請求項１に記載の積層型電子部品。
- 前記本体の第２方向の平均大きさをＬ、前記第３面の延長線から前記第１バンド部の末端までの前記第２方向の平均大きさをＢ１、前記第４面の延長線から前記第２バンド部の末端までの前記第２方向の平均大きさをＢ２とした時、
０．２≦Ｂ１／Ｌ≦０．４及び０．２≦Ｂ２／Ｌ≦０．４を満たす、請求項１に記載の積層型電子部品。 - 前記第１面上に配置され前記第１バンド部と前記第２バンド部の間に配置される追加絶縁層をさらに含む、請求項１に記載の積層型電子部品。
- 前記追加絶縁層は、珪素（Ｓｉ）を含む酸化物を含む、請求項１８に記載の積層型電子部品。
- 前記第１外部電極及び第２外部電極は、Ｎｉ及びＮｉ合金のうち一つ以上を含む、請求項１に記載の積層型電子部品。
- 前記積層型電子部品の前記第２方向の最大大きさは１．１ｍｍ以下であり、前記第３方向の最大大きさは０．５５ｍｍ以下である、請求項１に記載の積層型電子部品。
- 前記誘電体層の平均厚さは、０．３５μｍ以下である、請求項１に記載の積層型電子部品。
- 前記第１内部電極及び第２内部電極の平均厚さは、０．３５μｍ以下である、請求項１に記載の積層型電子部品。
- 前記誘電体層を挟んで交互に配置される第１内部電極及び第２内部電極を含む容量形成部及び前記容量形成部の第１方向の両端面上に配置されるカバー部を含み、
前記カバー部の第１方向の平均大きさは、１５μｍ以下である、請求項１に記載の積層型電子部品。 - 前記第１めっき層及び第２めっき層の平均厚さは前記絶縁層の平均厚さより薄い、請求項１に記載の積層型電子部品。
- 前記第１接続部及び第２接続部は、前記第５面及び第６面と離隔して配置される、請求項１に記載の積層型電子部品。
- 前記第１接続部及び第２接続部は、前記第２面と離隔して配置される、請求項１に記載の積層型電子部品。
- 前記第１めっき層は、前記絶縁層の前記第１外部電極上に配置された末端を覆うように配置され、前記第２めっき層は、前記絶縁層の前記第２外部電極上に配置された末端を覆うように配置される、請求項１に記載の積層型電子部品。
- 前記絶縁層は、前記第１めっき層の前記第１外部電極上に配置された末端を覆うように配置され、前記絶縁層は、前記第２めっき層の前記第２外部電極上に配置された末端を覆うように配置される、請求項１に記載の積層型電子部品。
- 前記絶縁層は、前記第５面及び第６面の一部を覆うように配置される、請求項１に記載の積層型電子部品。
- 前記絶縁層は、前記第５面及び第６面の全部を覆うように配置される、請求項１に記載の積層型電子部品。
- 前記本体は、前記第１面と第３面を連結する第１－３コーナー、前記第１面と第４面を連結する第１－４コーナー、前記第２面と第３面を連結する第２－３コーナー、前記第２面と第４面を連結する第２－４コーナーを含み、
前記第１－３コーナー及び第２－３コーナーは、前記第３面に近くなるほど前記本体の第１方向の中央に収縮した形態を有し、前記第１－４コーナー及び第２－４コーナーは、前記第４面に近くなるほど前記本体の第１方向の中央に収縮した形態を有し、
前記第１外部電極は、前記第１－３コーナー上に配置されるコーナー部及び前記第１接続部から前記第２－３コーナー上に延長して配置されるコーナー部を含み、前記第２外部電極は、前記第１－４コーナー上に配置されるコーナー部及び前記第２接続部から前記第２－４コーナー上に延長して配置されるコーナー部を含む、請求項１に記載の積層型電子部品。 - 誘電体層及び前記誘電体層を挟んで交互に配置される第１内部電極及び第２内部電極を含み、第１方向に対向する第１面及び第２面、前記第１面及び第２面と連結され第２方向に対向する第３面及び第４面、前記第１面から第４面と連結され第３方向に対向する第５面及び第６面を含む本体と、
前記第３面に配置される第１接続部、前記第１接続部から前記第１面の一部まで延長される第１バンド部を含む第１外部電極と、
前記第４面に配置される第２接続部、前記第２接続部から前記第１面の一部まで延長される第２バンド部を含む第２外部電極と、
前記第２面上に配置され前記第１接続部及び第２接続部上に延長して配置される絶縁層と、
前記第１バンド部上に配置される第１めっき層と、
前記第２バンド部上に配置される第２めっき層とを含み、
前記絶縁層は、ホウ素（Ｂ）を含む酸化物、ホウケイ酸塩及び亜鉛－ホウケイ酸塩のうち少なくともいずれか一つを含む、積層型電子部品。 - 前記絶縁層は、ホウ素を含む酸化物を含む、請求項３３に記載の積層型電子部品。
- 前記本体は、バリウム（Ｂａ）を含み、
前記絶縁層と前記本体が接する界面でバリウム（Ｂａ）及びホウ素（Ｂ）を含む接着層を含む、請求項３３に記載の積層型電子部品。 - 前記第１面から前記第１内部電極及び第２内部電極のうち前記第１面に最も近く配置された内部電極までの第１方向の平均大きさをＨ１、前記第１面の延長線から前記第１接続部及び第２接続部上に配置されためっき層の末端までの第１方向の平均大きさをＨ２とした時、Ｈ１＞Ｈ２を満たす、請求項３３に記載の積層型電子部品。
- 前記第１面から前記第１内部電極及び第２内部電極のうち前記第１面に最も近く配置された内部電極までの第１方向の平均大きさをＨ１、前記第１面の延長線から前記第１接続部及び第２接続部上に配置されためっき層の末端までの第１方向の平均大きさをＨ２とした時、Ｈ１＜Ｈ２を満たす、請求項３３に記載の積層型電子部品。
- 前記本体の第１方向の平均大きさをＴとした時、
前記Ｈ２はＨ２＜Ｔ／２を満たす、請求項３７に記載の積層型電子部品。 - 前記第１めっき層及び第２めっき層は、前記第１面の延長線以下に配置される、請求項３３に記載の積層型電子部品。
- 前記本体の第２方向の平均大きさをＬ、前記第３面の延長線から前記第１バンド部の末端までの前記第２方向の平均大きさをＢ１、前記第４面の延長線から前記第２バンド部の末端までの前記第２方向の平均大きさをＢ２とした時、
０．２≦Ｂ１／Ｌ≦０．４及び０．２≦Ｂ２／Ｌ≦０．４を満たす、請求項３３に記載の積層型電子部品。 - 前記第１面上に配置され、前記第１バンド部と前記第２バンド部の間に配置される追加絶縁層をさらに含む、請求項３３に記載の積層型電子部品。
- 前記追加絶縁層はホウ素（Ｂ）を含む酸化物を含む、請求項４１に記載の積層型電子部品。
- 前記第１外部電極及び第２外部電極は、Ｎｉ及びＮｉ合金のうち一つ以上を含む、請求項３３に記載の積層型電子部品。
- 前記積層型電子部品の前記第２方向の最大大きさは１．１ｍｍ以下であり、前記第３方向の最大大きさは０．５５ｍｍ以下である、請求項３３に記載の積層型電子部品。
- 前記誘電体層の平均厚さは、０．３５μｍ以下である、請求項３３に記載の積層型電子部品。
- 前記第１内部電極及び第２内部電極の平均厚さは、０．３５μｍ以下である、請求項３３に記載の積層型電子部品。
- 前記誘電体層を挟んで交互に配置される第１内部電極及び第２内部電極を含む容量形成部及び前記容量形成部の第１方向の両端面上に配置されるカバー部を含み、
前記カバー部の第１方向の平均大きさは、１５μｍ以下である、請求項３３に記載の積層型電子部品。 - 前記第１めっき層及び第２めっき層の平均厚さは、前記絶縁層の平均厚さより薄い、請求項３３に記載の積層型電子部品。
- 前記第１接続部及び第２接続部は、前記第５面及び第６面と離隔して配置される、請求項３３に記載の積層型電子部品。
- 前記第１接続部及び第２接続部は、前記第２面と離隔して配置される、請求項３３に記載の積層型電子部品。
- 前記第１めっき層は、前記絶縁層の前記第１外部電極上に配置された末端を覆うように配置され、前記第２めっき層は、前記絶縁層の前記第２外部電極上に配置された末端を覆うように配置される、請求項３３に記載の積層型電子部品。
- 前記絶縁層は、前記第１めっき層の前記第１外部電極上に配置された末端を覆うように配置され、前記絶縁層は、前記第２めっき層の前記第２外部電極上に配置された末端を覆うように配置される、請求項３３に記載の積層型電子部品。
- 前記絶縁層は、前記第５面及び第６面の一部を覆うように配置される、請求項３３に記載の積層型電子部品。
- 前記絶縁層は、前記第５面及び第６面の全部を覆うように配置される、請求項３３に記載の積層型電子部品。
- 前記本体は、前記第１面と第３面を連結する第１－３コーナー、前記第１面と第４面を連結する第１－４コーナー、前記第２面と第３面を連結する第２－３コーナー、前記第２面と第４面を連結する第２－４コーナーを含み、
前記第１－３コーナー及び第２－３コーナーは、前記第３面に近くなるほど前記本体の第１方向の中央に収縮した形態を有し、前記第１－４コーナー及び第２－４コーナーは、前記第４面に近くなるほど前記本体の第１方向の中央に収縮した形態を有し、
前記第１外部電極は、前記第１－３コーナー上に配置されるコーナー部及び前記第１接続部から前記第２－３コーナー上に延長して配置されるコーナー部を含み、前記第２外部電極は、前記第１－４コーナー上に配置されるコーナー部及び前記第２接続部から前記第２－４コーナー上に延長して配置されるコーナー部を含む、請求項３３に記載の積層型電子部品。 - 誘電体層及び前記誘電体層を挟んで交互に配置される第１内部電極及び第２内部電極を含み、第１方向に対向する第１面及び第２面、前記第１面及び第２面と連結され第２方向に対向する第３面及び第４面、前記第１面から第４面と連結され第３方向に対向する第５面及び第６面を含む本体と、
前記第３面に配置される第１接続部、前記第１接続部から前記第１面の一部まで延長される第１バンド部、前記第１接続部から前記第２面の一部まで延長される第３バンド部を含む第１外部電極と、
前記第４面に配置される第２接続部、前記第２接続部から前記第１面の一部まで延長される第２バンド部、及び前記第２接続部から前記第２面の一部まで延長される第４バンド部を含む第２外部電極と、
前記第１接続部及び第２接続部上に配置され、前記第２面、第３バンド部及び第４バンド部を覆うように配置される絶縁層と、
前記第１バンド部上に配置される第１めっき層と、
前記第２バンド部上に配置される第２めっき層とを含み、
前記絶縁層は、珪素（Ｓｉ）を含む酸化物を含む、
積層型電子部品。 - 前記珪素（Ｓｉ）を含む酸化物は、シリカ（ＳｉＯ２）である、請求項５６に記載の積層型電子部品。
- 前記絶縁層は、ホウ素（Ｂ）を含む酸化物をさらに含む、請求項５６に記載の積層型電子部品。
- 前記本体は、バリウム（Ｂａ）を含み、
前記絶縁層と前記本体が接する界面でバリウム（Ｂａ）及びホウ素（Ｂ）を含む接着層を含む、請求項５８に記載の積層型電子部品。 - 前記第１面から前記第１内部電極及び第２内部電極のうち前記第１面に最も近く配置された内部電極までの第１方向の平均大きさをＨ１、前記第１面の延長線から前記第１接続部及び第２接続部上に配置されためっき層の末端までの第１方向の平均大きさをＨ２とした時、Ｈ１＞Ｈ２を満たす、請求項５６に記載の積層型電子部品。
- 前記第１面から前記第１内部電極及び第２内部電極のうち前記第１面に最も近く配置された内部電極までの第１方向の平均大きさをＨ１、前記第１面の延長線から前記第１接続部及び第２接続部上に配置されためっき層の末端までの第１方向の平均大きさをＨ２とした時、Ｈ１＜Ｈ２を満たす、請求項５６に記載の積層型電子部品。
- 前記本体の第１方向の平均大きさをＴとした時、
前記Ｈ２はＨ２＜Ｔ／２を満たす、請求項６１に記載の積層型電子部品。 - 前記第１めっき層及び第２めっき層は、前記第１面の延長線以下に配置される、請求項５６に記載の積層型電子部品。
- 前記本体の第２方向の平均大きさをＬ、前記第３面の延長線から前記第１バンド部の末端までの前記第２方向の平均大きさをＢ１、前記第４面の延長線から前記第２バンド部の末端までの前記第２方向の平均大きさをＢ２とした時、
０．２≦Ｂ１／Ｌ≦０．４及び０．２≦Ｂ２／Ｌ≦０．４を満たす、請求項５６に記載の積層型電子部品。 - 前記第１面上に配置され、前記第１バンド部と前記第２バンド部の間に配置される追加絶縁層をさらに含む、請求項５６に記載の積層型電子部品。
- 前記追加絶縁層は、珪素（Ｓｉ）を含む酸化物を含む、請求項６５に記載の積層型電子部品。
- 前記第１外部電極及び第２外部電極は、Ｎｉ及びＮｉ合金のうち一つ以上を含む、請求項５６に記載の積層型電子部品。
- 前記第３面の延長線から前記第１バンド部の末端までの前記第２方向の平均大きさをＢ１、前記第４面の延長線から前記第２バンド部の末端までの前記第２方向の平均大きさをＢ２、前記第３面の延長線から前記第３バンド部の末端までの前記第２方向の平均大きさをＢ３、前記第４面の延長線から前記第４バンド部の末端までの前記第２方向の平均大きさをＢ４とした時、
Ｂ３＜Ｂ１及びＢ４＜Ｂ２を満たす、請求項５６に記載の積層型電子部品。 - 前記積層型電子部品の前記第２方向の最大大きさは１．１ｍｍ以下であり、前記第３方向の最大大きさは０．５５ｍｍ以下である、請求項５６に記載の積層型電子部品。
- 前記誘電体層の平均厚さは、０．３５μｍ以下である、請求項５６に記載の積層型電子部品。
- 前記第１内部電極及び第２内部電極の平均厚さは、０．３５μｍ以下である、請求項５６に記載の積層型電子部品。
- 前記誘電体層を挟んで交互に配置される第１内部電極及び第２内部電極を含む容量形成部及び前記容量形成部の第１方向の両端面上に配置されるカバー部を含み、
前記カバー部の第１方向の平均大きさは、１５μｍ以下である、請求項５６に記載の積層型電子部品。 - 前記第１めっき層及び第２めっき層の平均厚さは、前記絶縁層の平均厚さより薄い、請求項５６に記載の積層型電子部品。
- 前記第１めっき層は、前記絶縁層の前記第１外部電極上に配置された末端を覆うように配置され、前記第２めっき層は、前記絶縁層の前記第２外部電極上に配置された末端を覆うように配置される、請求項５６に記載の積層型電子部品。
- 前記絶縁層は、前記第１めっき層の前記第１外部電極上に配置された末端を覆うように配置され、前記絶縁層は、前記第２めっき層の前記第２外部電極上に配置された末端を覆うように配置される、請求項５６に記載の積層型電子部品。
- 前記第１外部電極は、前記第１接続部から前記第５面及び第６面の一部まで延長される第１側面バンド部を含み、
前記第２外部電極は、前記第２接続部から前記第５面及び第６面の一部まで延長される第２側面バンド部を含み、
前記第１側面バンド部及び第２側面バンド部の第２方向の大きさは、前記第１面に近くなるほど大きくなる、請求項５６に記載の積層型電子部品。 - 前記第１外部電極は、前記第１接続部から前記第５面及び第６面の一部まで延長される第１側面バンド部を含み、
前記第２外部電極は、前記第２接続部から前記第５面及び第６面の一部まで延長される第２側面バンド部を含み、
前記絶縁層は、前記第１側面バンド部及び第２側面バンド部、前記第５面及び第６面の一部を覆うように配置される、請求項５６に記載の積層型電子部品。 - 前記第１外部電極は、前記第１接続部から前記第５面及び第６面の一部まで延長される第１側面バンド部を含み、
前記第２外部電極は、前記第２接続部から前記第５面及び第６面の一部まで延長される第２側面バンド部を含み、
前記絶縁層は、前記第１、第２側面バンド部、第５面及び第６面をいずれも覆うように配置される、請求項５６に記載の積層型電子部品。 - 前記第３面の延長線から前記第３バンド部の末端までの前記第２方向の平均大きさをＢ３、前記第４面の延長線から前記第４バンド部の末端までの前記第２方向の平均大きさをＢ４、
前記第３面と前記第２内部電極が離隔した領域の第２方向の平均大きさをＧ１、前記第４面と前記第１内部電極が離隔した領域の第２方向の平均大きさをＧ２とした時、
Ｂ３≧Ｇ１及びＢ４≧Ｇ２を満たす、請求項５６に記載の積層型電子部品。 - 前記第３面の延長線から前記第１バンド部の末端までの前記第２方向の平均大きさをＢ１、前記第４面の延長線から前記第２バンド部の末端までの前記第２方向の平均大きさをＢ２とした時、
Ｂ１≧Ｇ１及びＢ２≧Ｇ２を満たす、請求項７９に記載の積層型電子部品。 - 前記本体は、前記第１面と第３面を連結する第１－３コーナー、前記第１面と第４面を連結する第１－４コーナー、前記第２面と第３面を連結する第２－３コーナー、前記第２面と第４面を連結する第２－４コーナーを含み、
前記第１－３コーナー及び第２－３コーナーは、前記第３面に近くなるほど前記本体の第１方向の中央に収縮した形態を有し、前記第１－４コーナー及び第２－４コーナーは、前記第４面に近くなるほど前記本体の第１方向の中央に収縮した形態を有し、
前記第１外部電極は、前記第１－３コーナー及び第２－３コーナー上に配置されるコーナー部を含み、前記第２外部電極は、前記第１－４コーナー及び第２－４コーナー上に配置されるコーナー部を含む、請求項５６に記載の積層型電子部品。 - 誘電体層及び前記誘電体層を挟んで交互に配置される第１内部電極及び第２内部電極を含み、第１方向に対向する第１面及び第２面、前記第１面及び第２面と連結され第２方向に対向する第３面及び第４面、前記第１面から第４面と連結され第３方向に対向する第５面及び第６面を含む本体と、
前記第３面に配置される第１接続部、前記第１接続部から前記第１面の一部まで延長される第１バンド部、前記第１接続部から前記第２面と第３面を連結するコーナーに延長して配置される第１コーナー部を含む第１外部電極と、
前記第４面に配置される第２接続部、前記第２接続部から前記第１面の一部まで延長される第２バンド部、及び前記第２接続部から第２面と第４面を連結するコーナーに延長して配置される第２コーナー部を含む第２外部電極と、
前記第１接続部及び第２接続部上に配置され、前記第２面、第１コーナー部及び第２コーナー部を覆うように配置される絶縁層と、
前記第１バンド部上に配置される第１めっき層と、
前記第２バンド部上に配置される第２めっき層とを含み、
前記第３面の延長線から前記第１コーナー部の末端までの前記第２方向の平均大きさをＢ３、前記第４面の延長線から前記第２コーナー部の末端までの前記第２方向の平均大きさをＢ４、
前記第３面と前記第２内部電極が離隔した領域の第２方向の平均大きさをＧ１、前記第４面と前記第１内部電極が離隔した領域の第２方向の平均大きさをＧ２とした時、
Ｂ３≦Ｇ１及びＢ４≦Ｇ２を満たし、
前記絶縁層は、珪素（Ｓｉ）を含む酸化物を含む、
積層型電子部品。 - 前記珪素（Ｓｉ）を含む酸化物は、シリカ（ＳｉＯ２）である、請求項８２に記載の積層型電子部品。
- 前記絶縁層は、ホウ素（Ｂ）を含む酸化物をさらに含む、請求項８２に記載の積層型電子部品。
- 前記本体は、バリウム（Ｂａ）を含み、
前記絶縁層と前記本体が接する界面でバリウム及びホウ素を含む接着層を含む、請求項８４に記載の積層型電子部品。 - 前記第１面から前記第１内部電極及び第２内部電極のうち前記第１面に最も近く配置された内部電極までの第１方向の平均大きさをＨ１、前記第１面の延長線から前記第１接続部及び第２接続部上に配置されためっき層の末端までの第１方向の平均大きさをＨ２とした時、Ｈ１＞Ｈ２を満たす、請求項８２に記載の積層型電子部品。
- 前記第１面から前記第１内部電極及び第２内部電極のうち前記第１面に最も近く配置された内部電極までの第１方向の平均大きさをＨ１、前記第１面の延長線から前記第１接続部及び第２接続部上に配置されためっき層の末端までの第１方向の平均大きさをＨ２とした時、Ｈ１＜Ｈ２を満たす、請求項８２に記載の積層型電子部品。
- 前記本体の第１方向の平均大きさをＴとした時、
前記Ｈ２はＨ２＜Ｔ／２を満たす、請求項８７に記載の積層型電子部品。 - 前記第１めっき層及び第２めっき層は、前記第１面の延長線以下に配置される、請求項８２に記載の積層型電子部品。
- 前記本体の第２方向の平均大きさをＬ、前記第３面の延長線から前記第１バンド部の末端までの前記第２方向の平均大きさをＢ１、前記第４面の延長線から前記第２バンド部の末端までの前記第２方向の平均大きさをＢ２とした時、
０．２≦Ｂ１／Ｌ≦０．４及び０．２≦Ｂ２／Ｌ≦０．４を満たす、請求項８２に記載の積層型電子部品。 - 前記第１面上に配置され、前記第１バンド部と前記第２バンド部の間に配置される追加絶縁層をさらに含む、請求項８２に記載の積層型電子部品。
- 前記追加絶縁層は、珪素（Ｓｉ）を含む酸化物を含む、請求項９１に記載の積層型電子部品。
- 前記第１外部電極及び第２外部電極は、Ｎｉ及びＮｉ合金のうち一つ以上を含む、請求項８２に記載の積層型電子部品。
- 前記第３面の延長線から前記第１バンド部の末端までの前記第２方向の平均大きさをＢ１、前記第４面の延長線から前記第２バンド部の末端までの前記第２方向の平均大きさをＢ２とした時、
Ｂ３＜Ｂ１及びＢ４＜Ｂ２を満たす、請求項８２に記載の積層型電子部品。 - 前記積層型電子部品の前記第２方向の最大大きさは１．１ｍｍ以下であり、前記第３方向の最大大きさは０．５５ｍｍ以下である、請求項８２に記載の積層型電子部品。
- 前記第１内部電極及び第２内部電極の平均厚さは、０．３５μｍ以下である、請求項８２に記載の積層型電子部品。
- 前記誘電体層を挟んで交互に配置される第１内部電極及び第２内部電極を含む容量形成部及び前記容量形成部の第１方向の両端面上に配置されるカバー部を含み、
前記カバー部の第１方向の平均大きさは、１５μｍ以下である、請求項８２に記載の積層型電子部品。 - 前記第１めっき層及び第２めっき層の平均厚さは、前記絶縁層の平均厚さより薄い、請求項８２に記載の積層型電子部品。
- 前記第１コーナー部及び第２コーナー部は、前記第２面の延長線以下に配置される、請求項８２に記載の積層型電子部品。
- 前記第１接続部及び第２接続部は、前記第５面及び第６面と離隔して配置される、請求項８２に記載の積層型電子部品。
- 前記第１コーナー部及び第２コーナー部は、前記第２面と離隔して配置される、請求項８２に記載の積層型電子部品。
- 前記第１めっき層は、前記絶縁層の前記第１外部電極上に配置された末端を覆うように配置され、前記第２めっき層は、前記絶縁層の前記第２外部電極上に配置された末端を覆うように配置される、請求項８２に記載の積層型電子部品。
- 前記絶縁層は、前記第１めっき層の前記第１外部電極上に配置された末端を覆うように配置され、前記絶縁層は、前記第２めっき層の前記第２外部電極上に配置された末端を覆うように配置される、請求項８２に記載の積層型電子部品。
- 前記絶縁層は、前記第５面及び第６面の一部を覆うように配置される、請求項８２に記載の積層型電子部品。
- 前記絶縁層は、前記第５面及び第６面の全部を覆うように配置される、請求項８２に記載の積層型電子部品。
- 前記第３面の延長線から前記第１バンド部の末端までの前記第２方向の平均大きさをＢ１、前記第４面の延長線から前記第２バンド部の末端までの前記第２方向の平均大きさをＢ２とした時、
Ｂ１≧Ｇ１及びＢ２≧Ｇ２を満たす、請求項８２に記載の積層型電子部品。 - 誘電体層及び前記誘電体層を挟んで交互に配置される第１内部電極及び第２内部電極を含み、第１方向に対向する第１面及び第２面、前記第１面及び第２面と連結され第２方向に対向する第３面及び第４面、前記第１面から第４面と連結され第３方向に対向する第５面及び第６面を含む本体と、
前記第３面に配置される第１連結電極及び前記第１面に配置され前記第１連結電極と連結される第１バンド電極を含む第１外部電極と、
前記第４面に配置される第２連結電極及び前記第１面に配置され前記第２連結電極と連結される第２バンド電極を含む第２外部電極と、
前記第１連結電極上に配置される第１絶縁層と、
前記第２連結電極上に配置される第２絶縁層と、
前記第１バンド電極上に配置される第１めっき層と、
前記第２バンド電極上に配置される第２めっき層とを含み、
前記絶縁層は、珪素（Ｓｉ）を含む酸化物を含む、
積層型電子部品。 - 前記珪素（Ｓｉ）を含む酸化物は、シリカ（ＳｉＯ２）である、請求項１０７に記載の積層型電子部品。
- 前記絶縁層は、ホウ素（Ｂ）を含む酸化物をさらに含む、請求項１０７に記載の積層型電子部品。
- 前記本体は、バリウム（Ｂａ）を含み、
前記絶縁層と前記本体が接する界面でバリウム及びホウ素を含む接着層を含む、請求項１０９に記載の積層型電子部品。 - 前記第１面から前記第１内部電極及び第２内部電極のうち前記第１面に最も近く配置された内部電極までの第１方向の平均大きさをＨ１、前記第１面の延長線から前記第１連結電極及び第２連結電極上に配置された第１めっき層及び第２めっき層の末端までの第１方向の平均大きさをＨ２とした時、Ｈ１＞Ｈ２を満たす、請求項１０７に記載の積層型電子部品。
- 前記第１面から前記第１内部電極及び第２内部電極のうち前記第１面に最も近く配置された内部電極までの第１方向の平均大きさをＨ１、前記第１面の延長線から前記第１連結電極及び第２連結電極上に配置された第１めっき層及び第２めっき層の末端までの第１方向の平均大きさをＨ２とした時、Ｈ１＜Ｈ２を満たす、請求項１０７に記載の積層型電子部品。
- 前記本体の第１方向の平均大きさをＴとした時、
前記Ｈ２及びＴは、Ｈ２＜Ｔ／２を満たす、請求項１１２に記載の積層型電子部品。 - 前記第１めっき層及び第２めっき層は前記第１面の延長線以下に配置される、請求項１０７に記載の積層型電子部品。
- 前記第１面上に配置され前記第１バンド電極と前記第２バンド電極の間に配置される追加絶縁層をさらに含む、請求項１０７に記載の積層型電子部品。
- 前記追加絶縁層は、珪素（Ｓｉ）を含む酸化物を含む、請求項１１５に記載の積層型電子部品。
- 前記第１連結電極及び第２連結電極は、Ｎｉ及びＮｉ合金のうち一つ以上を含む、請求項１０７に記載の積層型電子部品。
- 前記積層型電子部品の前記第２方向の最大大きさは１．１ｍｍ以下であり、前記第３方向の最大大きさは０．５５ｍｍ以下である、請求項１０７に記載の積層型電子部品。
- 前記誘電体層の平均厚さは、０．３５μｍ以下である、請求項１０７に記載の積層型電子部品。
- 前記第１内部電極及び第２内部電極の平均厚さは、０．３５μｍ以下である、請求項１０７に記載の積層型電子部品。
- 前記誘電体層を挟んで交互に配置される第１内部電極及び第２内部電極を含む容量形成部及び前記容量形成部の第１方向の両端面上に配置されるカバー部を含み、
前記カバー部の第１方向の平均大きさは１５μｍ以下である、請求項１０７に記載の積層型電子部品。 - 前記第１めっき層及び第２めっき層の平均厚さは、前記第１絶縁層及び第２絶縁層の平均厚さより薄い、請求項１０７に記載の積層型電子部品。
- 前記第１連結電極及び第２連結電極は、前記第５面及び第６面と離隔して配置される、請求項１０７に記載の積層型電子部品。
- 前記第１連結電極及び第２連結電極は、前記第２面と離隔して配置される、請求項１０７に記載の積層型電子部品。
- 前記第１めっき層は、前記第１絶縁層の前記第１外部電極上に配置された末端を覆うように配置され、前記第２めっき層は、前記第２絶縁層の前記第２外部電極上に配置された末端を覆うように配置される、請求項１０７に記載の積層型電子部品。
- 前記第１絶縁層は、前記第１めっき層の前記第１外部電極上に配置された末端を覆うように配置され、前記第２絶縁層は、前記第２めっき層の前記第２外部電極上に配置された末端を覆うように配置される、請求項１０７に記載の積層型電子部品。
- 前記第１絶縁層及び第２絶縁層は、前記第５面及び第６面に延長して互いに連結され、前記第５面及び第６面の一部を覆うように配置される、請求項１０７に記載の積層型電子部品。
- 前記第１絶縁層及び第２絶縁層は、前記第５面及び第６面に延長して互いに連結され、前記第５面及び第６面を全部を覆うように配置される、請求項１０７に記載の積層型電子部品。
- 前記第１絶縁層及び第２絶縁層は、前記第２面に延長して互いに連結される、請求項１０７に記載の積層型電子部品。
- 前記本体は、前記第１面と第３面を連結する第１－３コーナー、前記第１面と第４面を連結する第１－４コーナー、前記第２面と第３面を連結する第２－３コーナー、前記第２面と第４面を連結する第２－４コーナーを含み、
前記第１－３コーナー及び第２－３コーナーは、前記第３面に近くなるほど前記本体の第１方向の中央に収縮した形態を有し、前記第１－４コーナー及び第２－４コーナーは、前記第４面に近くなるほど前記本体の第１方向の中央に収縮した形態を有し、
前記第１連結電極は、前記第１－３コーナー及び第２－３コーナー上に延長して配置されるコーナー部を含み、前記第２連結電極は、前記第１－４コーナー及び第２－４コーナー上に延長して配置されるコーナー部を含む、請求項１０７に記載の積層型電子部品。 - 前記第１外部電極は、前記第２面に配置され前記第１連結電極と連結される第３バンド電極をさらに含み、
前記第２外部電極は、前記第２面に配置され前記第２連結電極と連結される第４バンド電極をさらに含む、請求項１０７に記載の積層型電子部品。 - 前記第３面の延長線から前記第１バンド電極の末端までの距離をＢ１、前記第４面の延長線から前記第２バンド電極の末端までの距離をＢ２、前記第３面の延長線から前記第３バンド電極の末端までの距離をＢ３、前記第４面の延長線から前記第４バンド電極の末端までの距離をＢ４、前記第３面と前記第２内部電極が離隔した領域の第２方向の平均大きさをＧ１、前記第４面と前記第１内部電極が離隔した領域の第２方向の平均大きさをＧ２とした時、
Ｂ１≧Ｇ１、Ｂ３≧Ｇ１、Ｂ２≧Ｇ２及びＢ４≧Ｇ２を満たす、請求項１３１に記載の積層型電子部品。 - 前記第３面の延長線から前記第１バンド電極の末端までの距離をＢ１、前記第４面の延長線から前記第２バンド電極の末端までの距離をＢ２、前記第３面の延長線から前記第３バンド電極の末端までの距離をＢ３、前記第４面の延長線から前記第４バンド電極の末端までの距離をＢ４、前記第３面と前記第２内部電極が離隔した領域の第２方向の平均大きさをＧ１、前記第４面と前記第１内部電極が離隔した領域の第２方向の平均大きさをＧ２とした時、
Ｂ１≧Ｇ１、Ｂ３≦Ｇ１、Ｂ２≧Ｇ２及びＢ４≦Ｇ２を満たす、請求項１３１に記載の積層型電子部品。 - 前記第１バンド電極及び前記第２バンド電極は、前記内部電極に含まれた金属と同一の金属を含む、請求項１０７に記載の積層型電子部品。
- 前記第１連結電極及び前記第２連結電極は、前記内部電極に含まれた金属と同一の金属を含む、請求項１０７に記載の積層型電子部品。
- 前記第１バンド電極及び前記第２バンド電極は、導電性金属及びガラスを含む焼成（ｆｉｒｉｎｇ）電極である、請求項１０７に記載の積層型電子部品。
- 前記第１連結電極及び前記第２連結電極は、導電性金属及びガラスを含む焼成（ｆｉｒｉｎｇ）電極である、請求項１０７に記載の積層型電子部品。
- 前記第１バンド電極及び前記第２バンド電極は、めっき層である、請求項１０７に記載の積層型電子部品。
- 前記第１連結電極及び前記第２連結電極は、めっき層である、請求項１０７に記載の積層型電子部品。
- 前記同一の金属は、Ｎｉである、請求項１３４に記載の積層型電子部品。
- 前記同一の金属は、Ｎｉである、請求項１３５に記載の積層型電子部品。
- 前記導電性金属は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）及びそれらの合金のうち一つ以上である、請求項１３６に記載の積層型電子部品。
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