KR20230103096A - 적층형 전자 부품 - Google Patents
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- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 248
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 636
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 132
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 59
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 59
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 38
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 34
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 31
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 26
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 21
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims description 15
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 14
- ZFZQOKHLXAVJIF-UHFFFAOYSA-N zinc;boric acid;dihydroxy(dioxido)silane Chemical compound [Zn+2].OB(O)O.O[Si](O)([O-])[O-] ZFZQOKHLXAVJIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 11
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 10
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 10
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 claims description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000013459 approach Methods 0.000 claims 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 38
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 31
- 230000008569 process Effects 0.000 description 17
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 16
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 16
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 15
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 13
- 229910011255 B2O3 Inorganic materials 0.000 description 12
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 12
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 11
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 10
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 8
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 8
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 8
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- -1 borosilicate Chemical compound 0.000 description 7
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 7
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 7
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 5
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 5
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 5
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 5
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 5
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 4
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 4
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 4
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 4
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 4
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 4
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 4
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 3
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 2
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical group [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008094 contradictory effect Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000002149 energy-dispersive X-ray emission spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 2
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000037361 pathway Effects 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
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- H01G4/232—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor
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- H01G4/1218—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates
- H01G4/1227—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates based on alkaline earth titanates
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- H01G2/02—Mountings
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Abstract
본 발명의 일 실시예에 따른 적층형 전자 부품은 유전체층 및 상기 유전체층을 사이에 두고 번갈아 배치되는 제1 및 제2 내부 전극을 포함하며, 제1 방향으로 대향하는 제1 및 제2 면, 상기 제1 및 제2 면에 연결되고 제2 방향으로 대향하는 제3 및 제4 면, 상기 제1 내지 제4 면과 연결되고 제3 방향으로 대향하는 제5 및 제6 면을 포함하는 바디; 상기 제3 면에 배치되는 제1 접속부 및 상기 제1 접속부로부터 상기 제1 면의 일부까지 연장되는 제1 밴드부를 포함하는 제1 외부 전극; 상기 제4 면에 배치되는 제2 접속부 및 상기 제2 접속부로부터 상기 제1 면의 일부까지 연장되는 제2 밴드부를 포함하는 제2 외부 전극; 상기 제2 면 상에 배치되어 상기 제1 및 제2 접속부 상의 일부까지 연장되어 배치되는 절연층; 및 상기 제1 및 제2 밴드부 상에 배치되는 도금층; 을 포함하며, 상기 절연층은 Si를 포함하는 산화물을 포함할 수 있다.
Description
본 발명은 적층형 전자 부품에 관한 것이다.
적층형 전자 부품 중 하나인 적층 세라믹 커패시터(MLCC: Multi-Layered Ceramic Capacitor)는 액정 표시 장치(LCD: Liquid Crystal Display) 및 플라즈마 표시 장치 패널(PDP: Plasma Display Panel) 등의 영상 기기, 컴퓨터, 스마트폰 및 휴대폰 등 여러 전자 제품의 인쇄회로기판에 장착되어 전기를 충전시키거나 또는 방전시키는 역할을 하는 칩 형태의 콘덴서이다.
이러한 적층 세라믹 커패시터는 소형이면서 고용량이 보장되고 실장이 용이하다는 장점으로 인하여 다양한 전자 장치의 부품으로 사용될 수 있다.
최근에는 전자제품의 소형화, 다기능화에 따라 적층 세라믹 커패시터의 고집적화, 고용량화에 대한 요구가 증대되어 적층 세라믹 커패시터 사이의 공간이 최소화되고 있다.
또한, 자동차 또는 인포테인먼트 시스템에도 적층 세라믹 커패시터가 사용됨에 따라 고신뢰성, 고강도 특성과 소형화에 대한 요구가 증가되고 있다.
적층 세라믹 커패시터의 소형화 및 고용량화를 위해서는 내부 전극 및 유전체층을 얇게 형성하여 적층 수를 증가시켜야 하며, 용량 형성에 영향을 미치지 않는 부분의 부피를 최소화시켜 용량구현에 필요한 유효 부피 분율을 증가시킬 필요가 있다.
또한, 제한된 기판의 면적 내에서 최대한 많은 수의 부품을 실장하기 위해서는 실장 공간을 최소화할 필요가 있다.
또한, 적층 세라믹 커패시터의 소형화 및 고용량화에 따라 마진의 두께가 얇아짐에 따라 외부의 수분 침투 또는 도금액의 침투가 용이해질 수 있고, 이로 인해 신뢰성이 취약해질 수 있다. 따라서, 외부의 수분 침투 또는 도금액의 침투로부터 적층 세라믹 커패시터를 보호해 줄 수 있는 방안이 요구된다.
본 발명의 여러 목적 중 하나는 열팽창 및 열수축으로부터 적층형 전자 부품을 보호하기 위해 적층형 전자 부품을 둘러싸는 유리층을 형성하는 경우 유리층에 뭉침이 발생하여 균일한 막을 형성하기 어려운 문제점을 해결하기 위함이다.
본 발명의 여러 목적 중 하나는 연화점 이하의 온도에서 유리층의 경도가 상승하면서 적층형 전자 부품에 응력을 전달하게 되므로 적층형 전자 부품에 크랙 및 딜라미네이션을 발생시키는 문제점을 해결하기 위함이다.
본 발명의 여러 목적 중 하나는 온도를 상승시키는 과정에서 적층형 전자 부품을 구성하는 외부 전극의 금속이 내부 전극으로 확산되어 방사 크랙이 발생하는 문제점을 해결하기 위함이다.
다만, 본 발명의 목적은 상술한 내용에 한정되지 않으며, 본 발명의 구체적인 실시 형태를 설명하는 과정에서 보다 쉽게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 적층형 전자 부품은 유전체층 및 상기 유전체층을 사이에 두고 번갈아 배치되는 제1 및 제2 내부 전극을 포함하며, 제1 방향으로 대향하는 제1 및 제2 면, 상기 제1 및 제2 면과 연결되고 제2 방향으로 대향하는 제3 및 제4 면, 상기 제1 내지 제4 면과 연결되고 제3 방향으로 대향하는 제5 및 제6 면을 포함하는 바디; 상기 제3 면에 배치되는 제1 접속부, 상기 제1 접속부로부터 상기 제1 면의 일부까지 연장되는 제1 밴드부를 포함하는 제1 외부 전극; 상기 제4 면에 배치되는 제2 접속부, 상기 제2 접속부로부터 상기 제1 면의 일부까지 연장되는 제2 밴드부를 포함하는 제2 외부 전극; 상기 제2 면 상에 배치되어 상기 제1 및 제2 접속부 상으로 연장되어 배치되는 절연층; 상기 제1 밴드부 상에 배치되는 제1 도금층; 및 상기 제2 밴드부 상에 배치되는 제2 도금층; 을 포함하며, 상기 절연층은 규소(Si)를 포함하는 산화물을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 적층형 전자 부품은 유전체층 및 상기 유전체층을 사이에 두고 번갈아 배치되는 제1 및 제2 내부 전극을 포함하며, 제1 방향으로 대향하는 제1 및 제2 면, 상기 제1 및 제2 면과 연결되고 제2 방향으로 대향하는 제3 및 제4 면, 상기 제1 내지 제4 면과 연결되고 제3 방향으로 대향하는 제5 및 제6 면을 포함하는 바디; 상기 제3 면에 배치되는 제1 접속부, 상기 제1 접속부로부터 상기 제1 면의 일부까지 연장되는 제1 밴드부를 포함하는 제1 외부 전극; 상기 제4 면에 배치되는 제2 접속부, 상기 제2 접속부로부터 상기 제1 면의 일부까지 연장되는 제2 밴드부를 포함하는 제2 외부 전극; 상기 제2 면 상에 배치되어 상기 제1 및 제2 접속부 상으로 연장되어 배치되는 절연층; 상기 제1 밴드부 상에 배치되는 제1 도금층; 및 상기 제2 밴드부 상에 배치되는 제2 도금층; 을 포함하며, 상기 절연층은 붕소(B)를 포함하는 산화물, 붕규산염 및 아연-붕규산염 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 적층형 전자 부품은 유전체층 및 상기 유전체층을 사이에 두고 번갈아 배치되는 제1 및 제2 내부 전극을 포함하며, 제1 방향으로 대향하는 제1 및 제2 면, 상기 제1 및 제2 면과 연결되고 제2 방향으로 대향하는 제3 및 제4 면, 상기 제1 내지 제4 면과 연결되고 제3 방향으로 대향하는 제5 및 제6 면을 포함하는 바디; 상기 제3 면에 배치되는 제1 접속부, 상기 제1 접속부로부터 상기 제1 면의 일부까지 연장되는 제1 밴드부, 상기 제1 접속부로부터 상기 제2 면의 일부까지 연장되는 제3 밴드부를 포함하는 제1 외부 전극; 상기 제4 면에 배치되는 제2 접속부, 상기 제2 접속부로부터 상기 제1 면의 일부까지 연장되는 제2 밴드부, 및 상기 제2 접속부로부터 상기 제2 면의 일부까지 연장되는 제4 밴드부를 포함하는 제2 외부 전극; 상기 제1 및 제2 접속부 상에 배치되며, 상기 제2 면, 제3 및 제4 밴드부를 덮도록 배치되는 절연층; 상기 제1 밴드부 상에 배치되는 제1 도금층; 및 상기 제2 밴드부 상에 배치되는 제2 도금층; 을 포함하며, 상기 절연층은 규소(Si)를 포함하는 산화물을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 적층형 전자 부품은 유전체층 및 상기 유전체층을 사이에 두고 번갈아 배치되는 제1 및 제2 내부 전극을 포함하며, 제1 방향으로 대향하는 제1 및 제2 면, 상기 제1 및 제2 면과 연결되고 제2 방향으로 대향하는 제3 및 제4 면, 상기 제1 내지 제4 면과 연결되고 제3 방향으로 대향하는 제5 및 제6 면을 포함하는 바디; 상기 제3 면에 배치되는 제1 접속부, 상기 제1 접속부로부터 상기 제1 면의 일부까지 연장되는 제1 밴드부, 상기 제1 접속부로부터 상기 제2 면과 제3 면을 연결하는 코너로 연장되어 배치되는 제 1 코너부를 포함하는 제1 외부 전극; 상기 제4 면에 배치되는 제2 접속부, 상기 제2 접속부로부터 상기 제1 면의 일부까지 연장되는 제2 밴드부, 및 상기 제2 접속부로부터 제2 면과 제4 면을 연결하는 코너로 연장되어 배치되는 제2 코너부를 포함하는 제2 외부 전극; 상기 제1 및 제2 접속부 상에 배치되며, 상기 제2 면, 제1 및 제2 코너부를 덮도록 배치되는 절연층; 상기 제1 밴드부 상에 배치되는 제1 도금층; 및 상기 제2 밴드부 상에 배치되는 제2 도금층; 을 포함하며, 상기 제3 면의 연장선으로부터 상기 제1 코너부의 끝단까지의 상기 제2 방향 평균 크기를 B3, 상기 제4 면의 연장선으로부터 상기 제2 코너부의 끝단 까지의 상기 제2 방향 평균 크기를 B4, 상기 제3 면과 상기 제2 내부 전극이 이격된 영역의 제2 방향 평균 크기를 G1, 상기 제4 면과 상기 제1 내부 전극이 이격된 영역의 제2 방향 평균 크기를 G2라 할 때, B3≤G1 및 B4≤G2를 만족하며, 상기 절연층은 규소(Si)를 포함하는 산화물을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 적층형 전자 부품은 유전체층 및 상기 유전체층을 사이에 두고 번갈아 배치되는 제1 및 제2 내부 전극을 포함하며, 제1 방향으로 대향하는 제1 및 제2 면, 상기 제1 및 제2 면과 연결되고 제2 방향으로 대향하는 제3 및 제4 면, 상기 제1 내지 제4 면과 연결되고 제3 방향으로 대향하는 제5 및 제6 면을 포함하는 바디; 상기 제3 면에 배치되는 제1 연결 전극 및 상기 제1 면에 배치되어 상기 제1 연결 전극과 연결되는 제1 밴드 전극을 포함하는 제1 외부 전극; 상기 제4 면에 배치되는 제2 연결 전극 및 상기 제1 면에 배치되어 상기 제2 연결 전극과 연결되는 제2 밴드 전극을 포함하는 제2 외부 전극; 상기 제1 연결 전극 상에 배치되는 제1 절연층; 상기 제2 연결 전극 상에 배치되는 제2 절연층; 상기 제1 밴드 전극 상에 배치되는 제1 도금층; 및 상기 제2 밴드 전극 상에 배치되는 제2 도금층; 을 포함하며, 상기 절연층은 규소(Si)를 포함하는 산화물을 포함할 수 있다.
본 발명의 여러 효과 중 하나는 열팽창 및 열수축으로부터 적층형 전자 부품을 보호하고 균일한 절연막을 형성하는 것이다.
본 발명의 여러 효과 중 하나는 연화점 이하의 온도에서 유리층의 경도가 상승하면서 적층형 전자 부품에 응력을 전달하는 것을 억제하여 적층형 전자 부품에 크랙 및 딜라미네이션을 방지하는 것이다.
본 발명의 여러 효과 중 하나는 온도를 상승시키는 과정에서 적층형 전자 부품을 구성하는 외부 전극의 금속이 내부 전극으로 확산되어 방사 크랙이 발생하는 것을 억제하는 것이다.
다만, 본 발명의 다양하면서도 유익한 장점과 효과는 상술한 내용에 한정되지 않으며, 본 발명의 구체적인 실시 형태를 설명하는 과정에서 보다 쉽게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 적층형 전자 부품의 사시도를 개략적으로 도시한 것이다.
도 2는 도 1의 적층형 전자 부품의 바디의 사시도를 개략적으로 도시한 것이다.
도 3은 도 1의 I-I`에 따른 단면도이다.
도 4는 도 2의 바디를 분해하여 개략적으로 도시한 분해 사시도이다.
도 5는 도 1의 적층형 전자 부품이 실장된 기판의 사시도를 개략적으로 도시한 것이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 적층형 전자 부품의 사시도를 개략적으로 도시한 것이다. 도 7은 도 6의 II-II`에 따른 단면도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 적층형 전자 부품의 사시도를 개략적으로 도시한 것이다. 도 9는 도 8의 III-III`에 따른 단면도이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 적층형 전자 부품의 사시도를 개략적으로 도시한 것이다. 도 11은 도 10의 IV-IV`에 따른 단면도이다.
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 적층형 전자 부품의 사시도를 개략적으로 도시한 것이다. 도 13은 도 12의 V-V`에 따른 단면도이다.
도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 적층형 전자 부품의 사시도를 개략적으로 도시한 것이다. 도 15는 도 14의 VI-VI`에 따른 단면도이다. 도 16은 도 14의 변형예를 도시한 것이다.
도 17은 본 발명의 일 실시예에 따른 적층형 전자 부품의 사시도를 개략적으로 도시한 것이다. 도 18은 도 17의 VII-VII`에 따른 단면도이다.
도 19은 본 발명의 일 실시예에 따른 적층형 전자 부품의 사시도를 개략적으로 도시한 것이다. 도 20는 도 19의 VIII-VIII`에 따른 단면도이다. 도 21은 도 19의 변형예를 도시한 것이다.
도 22는 본 발명의 일 실시예에 따른 적층형 전자 부품의 사시도를 개략적으로 도시한 것이다. 도 23는 도 22의 IX-IX`에 따른 단면도이다. 도 25는 도 22의 변형예를 도시한 것이다.
도 25는 본 발명의 일 실시예에 따른 적층형 전자 부품의 사시도를 개략적으로 도시한 것이다. 도 26은 도 25의 X-X`에 따른 단면도이다. 도 27은 도 25의 변형예를 도시한 것이다.
도 28은 본 발명의 일 실시예에 따른 적층형 전자 부품의 사시도를 개략적으로 도시한 것이다. 도 29는 도 28의 XI-XI`에 따른 단면도이다. 도 30은 도 28의 변형예를 도시한 것이다.
도 31은 본 발명의 일 실시예에 따른 적층형 전자 부품의 사시도를 개략적으로 도시한 것이다. 도 32는 도 31의 XII-XII`에 따른 단면도이다.
도 33은 본 발명의 일 실시예에 따른 적층형 전자 부품의 사시도를 개략적으로 도시한 것이다. 도 34는 도 33의 XIII-XIII`에 따른 단면도이다. 도 35는 도 33의 변형예를 도시한 것이다.
도 36은 본 발명의 일 실시예에 따른 적층형 전자 부품의 사시도를 개략적으로 도시한 것이다. 도 37은 도 36의 XIV-XIV`에 따른 단면도이다. 도 38은 도 36의 K1 영역을 확대한 확대도이다.
도 2는 도 1의 적층형 전자 부품의 바디의 사시도를 개략적으로 도시한 것이다.
도 3은 도 1의 I-I`에 따른 단면도이다.
도 4는 도 2의 바디를 분해하여 개략적으로 도시한 분해 사시도이다.
도 5는 도 1의 적층형 전자 부품이 실장된 기판의 사시도를 개략적으로 도시한 것이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 적층형 전자 부품의 사시도를 개략적으로 도시한 것이다. 도 7은 도 6의 II-II`에 따른 단면도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 적층형 전자 부품의 사시도를 개략적으로 도시한 것이다. 도 9는 도 8의 III-III`에 따른 단면도이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 적층형 전자 부품의 사시도를 개략적으로 도시한 것이다. 도 11은 도 10의 IV-IV`에 따른 단면도이다.
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 적층형 전자 부품의 사시도를 개략적으로 도시한 것이다. 도 13은 도 12의 V-V`에 따른 단면도이다.
도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 적층형 전자 부품의 사시도를 개략적으로 도시한 것이다. 도 15는 도 14의 VI-VI`에 따른 단면도이다. 도 16은 도 14의 변형예를 도시한 것이다.
도 17은 본 발명의 일 실시예에 따른 적층형 전자 부품의 사시도를 개략적으로 도시한 것이다. 도 18은 도 17의 VII-VII`에 따른 단면도이다.
도 19은 본 발명의 일 실시예에 따른 적층형 전자 부품의 사시도를 개략적으로 도시한 것이다. 도 20는 도 19의 VIII-VIII`에 따른 단면도이다. 도 21은 도 19의 변형예를 도시한 것이다.
도 22는 본 발명의 일 실시예에 따른 적층형 전자 부품의 사시도를 개략적으로 도시한 것이다. 도 23는 도 22의 IX-IX`에 따른 단면도이다. 도 25는 도 22의 변형예를 도시한 것이다.
도 25는 본 발명의 일 실시예에 따른 적층형 전자 부품의 사시도를 개략적으로 도시한 것이다. 도 26은 도 25의 X-X`에 따른 단면도이다. 도 27은 도 25의 변형예를 도시한 것이다.
도 28은 본 발명의 일 실시예에 따른 적층형 전자 부품의 사시도를 개략적으로 도시한 것이다. 도 29는 도 28의 XI-XI`에 따른 단면도이다. 도 30은 도 28의 변형예를 도시한 것이다.
도 31은 본 발명의 일 실시예에 따른 적층형 전자 부품의 사시도를 개략적으로 도시한 것이다. 도 32는 도 31의 XII-XII`에 따른 단면도이다.
도 33은 본 발명의 일 실시예에 따른 적층형 전자 부품의 사시도를 개략적으로 도시한 것이다. 도 34는 도 33의 XIII-XIII`에 따른 단면도이다. 도 35는 도 33의 변형예를 도시한 것이다.
도 36은 본 발명의 일 실시예에 따른 적층형 전자 부품의 사시도를 개략적으로 도시한 것이다. 도 37은 도 36의 XIV-XIV`에 따른 단면도이다. 도 38은 도 36의 K1 영역을 확대한 확대도이다.
이하, 구체적인 실시형태 및 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태를 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 실시형태는 통상의 기술자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있으며, 도면상의 동일한 부호로 표시되는 요소는 동일한 요소이다.
그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하고, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다. 또한, 동일한 사상의 범위 내의 기능이 동일한 구성요소는 동일한 참조부호를 사용하여 설명한다. 나아가, 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
도면에서, 제1 방향은 적층 방향 또는 두께(T) 방향, 제2 방향은 길이(L) 방향, 제3 방향은 폭(W) 방향으로 정의될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 적층형 전자 부품의 사시도를 개략적으로 도시한 것이다.
도 2는 도 1의 적층형 전자 부품의 바디의 사시도를 개략적으로 도시한 것이다.
도 3은 도 1의 I-I`에 따른 단면도이다.
도 4는 도 2의 바디를 분해하여 개략적으로 도시한 분해 사시도이다.
도 5는 도 1의 적층형 전자 부품이 실장된 기판의 사시도를 개략적으로 도시한 것이다.
이하, 도 1 내지 도 5를 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 적층형 전자 부품(1000)에 대해 설명하도록 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 적층형 전자 부품(1000)은, 유전체층(111), 상기 유전체층을 사이에 두고 번갈아 배치되는 제1 및 제2 내부 전극(121, 122)을 포함하며, 제1 방향으로 대향하는 제1 및 제2 면(1, 2), 상기 제1 및 제2 면과 연결되고 제2 방향으로 대향하는 제3 및 제4 면(3, 4), 상기 제1 내지 제4 면과 연결되고 제3 방향으로 대향하는 제5 및 제6 면(5, 6)을 포함하는 바디(110); 상기 제3 면에 배치되는 제1 접속부(131a), 상기 제1 접속부로부터 상기 제1 면의 일부까지 연장되는 제1 밴드부(131b), 및 상기 제1 접속부로부터 상기 제2 면의 일부까지 연장되는 제3 밴드부(131c)를 포함하는 제1 외부 전극(131); 상기 제4 면에 배치되는 제2 접속부(132a), 상기 제2 접속부로부터 상기 제1 면의 일부까지 연장되는 제2 밴드부(132b), 및 상기 제2 접속부로부터 상기 제2 면의 일부까지 연장되는 제4 밴드부(132c)를 포함하는 제2 외부 전극(132); 상기 제1 및 제2 접속부 상에 배치되며, 상기 제2 면, 제3 및 제4 밴드부(131c, 132c)를 덮도록 배치되는 절연층(151); 상기 제1 밴드부(131b) 상에 배치되는 제1 도금층(141); 및 상기 제2 밴드부(132b)상에 배치되는 제2 도금층(142); 을 포함하며, 상기 절연층(151)은 규소(Si)를 포함하는 산화물을 포함할 수 있다.
바디(110)는 유전체층(111) 및 내부 전극(121, 122)이 교대로 적층되어 있다.
바디(110)의 구체적인 형상에 특별히 제한은 없지만, 도시된 바와 같이 바디(110)는 육면체 형상이나 이와 유사한 형상으로 이루어질 수 있다. 소성 과정에서 바디(110)에 포함된 세라믹 분말의 수축으로 인하여, 바디(110)는 완전한 직선을 가진 육면체 형상은 아니지만 실질적으로 육면체 형상을 가질 수 있다.
바디(110)는 제1 방향으로 서로 대향하는 제1 및 제2 면(1, 2), 상기 제1 및 제2 면(1, 2)과 연결되고 제2 방향으로 서로 대향하는 제3 및 제4 면(3, 4), 제1 및 제2 면(1, 2)과 연결되고 제3 및 제4 면(3, 4)과 연결되며 제3 방향으로 서로 대향하는 제5 및 제6 면(5, 6)을 가질 수 있다.
일 실시예에서, 바디(110)는 제1 면과 제3 면을 연결하는 제1-3 코너, 상기 제1 면과 제4 면을 연결하는 제1-4 코너, 상기 제2 면과 제3 면을 연결하는 제2-3 코너, 상기 제2 면과 제4 면을 연결하는 제2-4 코너를 포함하며, 상기 제1-3 코너 및 제2-3 코너는 상기 제3 면에 가까워질수록 상기 바디의 제1 방향 중앙으로 수축된 형태를 가지고, 상기 제1-4 코너 및 제2-4 코너는 상기 제4 면에 가까워질수록 상기 바디의 제1 방향 중앙으로 수축된 형태를 가질 수 있다.
유전체층(111) 상에 내부 전극(121, 122)이 배치되지 않은 마진 영역이 중첩됨에 따라 내부 전극(121, 122) 두께에 의한 단차가 발생하여 제1 면과 제3 내지 제5 면을 연결하는 코너 및/또는 제2 면과 제3 내지 제5 면을 연결하는 코너는 제1 면 또는 제2 면을 기준으로 볼 때 바디(110)의 제1 방향 중앙 쪽으로 수축된 형태를 가질 수 있다. 또는, 바디의 소결 과정에서의 수축 거동에 의해 제1 면(1)과 제3 내지 제6 면(3, 4, 5, 6)을 연결하는 코너 및/또는 제2 면(2)과 제3 내지 제6 면(3, 4, 5, 6)을 연결하는 코너는 제1 면 또는 제2 면을 기준으로 볼 때 바디(110)의 제1 방향 중앙 쪽으로 수축된 형태를 가질 수 있다. 또는, 칩핑 불량 등을 방지하기 위하여 바디(110)의 각 면을 연결하는 모서리를 별도의 공정을 수행하여 라운드 처리함에 따라 제1 면과 제3 내지 제6 면을 연결하는 코너 및/또는 제2 면과 제3 내지 제6 면을 연결하는 코너는 라운드 형태를 가질 수 있다.
상기 코너는 제1 면과 제3 면을 연결하는 제1-3 코너, 제1 면과 제4 면을 연결하는 제1-4 코너, 제2 면과 제3 면을 연결하는 제2-3 코너, 제2 면과 제4 면을 연결하는 제2-4 코너를 포함할 수 있다. 또한, 코너는 제1 면과 제5 면을 연결하는 제1-5 코너, 제1 면과 제6 면을 연결하는 제1-6 코너, 제2 면과 제5 면을 연결하는 제2-5 코너, 제2 면과 제6 면을 연결하는 제2-6 코너를 포함할 수 있다. 바디(110)의 제1 내지 제6 면은 대체로 평탄한 면일 수 있으며, 평탄하지 않은 영역을 코너로 볼 수 있다. 이하, 각 면의 연장선이란 각 면의 평탄한 부분을 기준으로 연장한 선을 의미할 수 있다.
이때, 외부 전극(131, 132) 중 바디(110)의 코너 상에 배치된 영역을 코너부, 바디(110)의 제3 및 제4 면 상에 배치된 영역을 접속부, 바디의 제1 및 제2 면 상에 배치된 영역을 밴드부라 할 수 있다.
한편, 내부 전극(121, 122)에 의한 단차를 억제하기 위하여, 적층 후 내부 전극이 바디의 제5 및 제6 면(5, 6)으로 노출되도록 절단한 후, 단일 유전체층 또는 2 개 이상의 유전체층을 용량 형성부(Ac)의 양측면에 제3 방향(폭 방향)으로 적층하여 마진부(114, 115)를 형성하는 경우에는 제1 면과 제5 및 제6 면을 연결하는 부분 및 제2 면과 제5 및 제6 면을 연결하는 부분이 수축된 형태를 가지지 않을 수 있다.
바디(110)를 형성하는 복수의 유전체층(111)은 소성된 상태로서, 인접하는 유전체층(111) 사이의 경계는 주사전자현미경(SEM: Scanning Electron Microscope)를 이용하지 않고 확인하기 곤란할 정도로 일체화될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 유전체층(111)을 형성하는 원료는 충분한 정전 용량을 얻을 수 있는 한 특별히 제한되지 않는다. 예를 들어, 티탄산바륨계 재료, 납 복합 페로브스카이트계 재료 또는 티탄산스트론튬계 재료 등을 사용할 수 있다. 상기 티탄산바륨계 재료는 BaTiO3계 세라믹 분말을 포함할 수 있으며, 상기 세라믹 분말의 예시로, BaTiO3, BaTiO3에 Ca(칼슘), Zr(지르코늄) 등이 일부 고용된 (Ba1-xCax)TiO3 (0<x<1), Ba(Ti1-yCay)O3 (0<y<1), (Ba1-xCax)(Ti1-yZry)O3 (0<x<1, 0<y<1)또는 Ba(Ti1-yZry)O3 (0<y<1) 등을 들 수 있다.
또한, 상기 유전체층(111)을 형성하는 원료는 티탄산바륨(BaTiO3) 등의 파우더에 본 발명의 목적에 따라 다양한 세라믹 첨가제, 유기용제, 결합제, 분산제 등이 첨가될 수 있다.
한편, 유전체층(111)의 평균 두께(td)는 특별히 한정할 필요는 없다.
다만, 일반적으로 유전체층을 0.6μm 미만의 두께로 얇게 형성하는 경우, 특히 유전체층의 두께가 0.35μm 이하인 경우에는 신뢰성이 저하될 우려가 있었다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 절연층을 외부 전극의 접속부 상에 배치하고, 도금층을 외부 전극의 밴드부 상에 배치함으로써 외부의 수분 침투, 도금액의 침투 등을 방지하여 신뢰성을 향상시킬 수 있기 때문에, 유전체층(111)의 평균 두께가 0.35μm 이하인 경우에도 우수한 신뢰성을 확보할 수 있다.
따라서, 유전체층(111)의 평균 두께가 0.35μm 이하인 경우에 본 발명에 따른 신뢰성 향상 효과가 보다 현저해질 수 있다.
상기 유전체층(111)의 평균 두께(td)는 상기 제1 및 제2 내부 전극(121, 122) 사이에 배치되는 유전체층(111)의 평균 두께를 의미할 수 있다.
유전체층(111)의 평균 두께는 바디(110)의 길이 및 두께 방향(L-T) 단면을 1만 배율의 주사전자현미경(SEM, Scanning Electron Microscope)으로 이미지를 스캔하여 측정할 수 있다. 보다 구체적으로, 스캔된 이미지에서 하나의 유전체층을 길이 방향으로 등간격인 30개의 지점에서 그 두께를 측정하여 평균값을 측정할 수 있다. 상기 등간격인 30개의 지점은 용량 형성부(Ac)에서 지정될 수 있다. 또한, 이러한 평균값 측정을 10개의 유전체층으로 확장하여 평균값을 측정하면, 유전체층의 평균 두께를 더욱 일반화할 수 있다.
바디(110)는 바디(110)의 내부에 배치되며, 유전체층(111)을 사이에 두고 서로 대향하도록 배치되는 제1 내부 전극(121) 및 제2 내부 전극(122)을 포함하여 용량이 형성되는 용량 형성부(Ac)와 상기 용량 형성부(Ac)의 제1 방향 상부 및 하부에 형성된 커버부(112, 113)를 포함할 수 있다.
또한, 상기 용량 형성부(Ac)는 커패시터의 용량 형성에 기여하는 부분으로서, 유전체층(111)을 사이에 두고 복수의 제1 및 제2 내부 전극(121, 122)을 반복적으로 적층하여 형성될 수 있다.
커버부(112, 113)는 상기 용량 형성부(Ac)의 제1 방향 상부에 배치되는 상부 커버부(112) 및 상기 용량 형성부(Ac)의 제1 방향 하부에 배치되는 하부 커버부(113)를 포함할 수 있다.
상기 상부 커버부(112) 및 하부 커버부(113)는 단일 유전체층 또는 2 개 이상의 유전체층을 용량 형성부(Ac)의 상하면에 각각 두께 방향으로 적층하여 형성할 수 있으며, 기본적으로 물리적 또는 화학적 스트레스에 의한 내부 전극의 손상을 방지하는 역할을 수행할 수 있다.
상기 상부 커버부(112) 및 하부 커버부(113)는 내부 전극을 포함하지 않으며, 유전체층(111)과 동일한 재료를 포함할 수 있다.
즉, 상기 상부 커버부(112) 및 하부 커버부(113)는 세라믹 재료를 포함할 수 있으며, 예를 들어 티탄산바륨(BaTiO3)계 세라믹 재료를 포함할 수 있다.
한편, 커버부(112, 113)의 평균 두께는 특별히 한정할 필요는 없다. 다만, 적층형 전자 부품의 소형화 및 고용량화를 보다 용이하게 달성하기 위하여 커버부(112, 113)의 평균 두께(tc)는 15μm 이하일 수 있다. 또한, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 절연층을 외부 전극의 접속부 상에 배치하고, 도금층을 외부 전극의 밴드부 상에 배치함으로써 외부의 수분 침투, 도금액의 침투 등을 방지하여 신뢰성을 향상시킬 수 있기 때문에, 커버부(112, 113)의 평균 두께(tc)가 15μm 이하인 경우에도 우수한 신뢰성을 확보할 수 있다.
커버부(112, 113)의 평균 두께(tc)는 제1 방향 크기를 의미할 수 있으며, 용량 형성부(Ac)의 상부 또는 하부에서 등간격의 5개 지점에서 측정한 커버부(112, 113)의 제1 방향 크기를 평균한 값일 수 있다.
또한, 상기 용량 형성부(Ac)의 측면에는 마진부(114, 115)가 배치될 수 있다.
마진부(114, 115)는 바디(110)의 제5 면(5)에 배치된 제1 마진부(114)와 제6 면(6)에 배치된 제2 마진부(115)를 포함할 수 있다. 즉, 마진부(114, 115)는 상기 세라믹 바디(110)의 폭 방향 양 단면(end surfaces)에 배치될 수 있다.
마진부(114, 115)는 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 바디(110)를 폭-두께(W-T) 방향으로 자른 단면(cross-section)에서 제1 및 제2 내부 전극(121, 122)의 양 끝단과 바디(110)의 경계면 사이의 영역을 의미할 수 있다.
마진부(114, 115)는 기본적으로 물리적 또는 화학적 스트레스에 의한 내부 전극의 손상을 방지하는 역할을 수행할 수 있다.
마진부(114, 115)는 세라믹 그린시트 상에 마진부가 형성될 곳을 제외하고 도전성 페이스트를 도포하여 내부 전극을 형성함으로써 형성된 것일 수 있다.
또한, 내부 전극(121, 122)에 의한 단차를 억제하기 위하여, 적층 후 내부 전극이 바디의 제5 및 제6 면(5, 6)으로 노출되도록 절단한 후, 단일 유전체층 또는 2 개 이상의 유전체층을 용량 형성부(Ac)의 양측면에 제3 방향(폭 방향)으로 적층하여 마진부(114, 115)를 형성할 수도 있다.
한편, 마진부(114, 115)의 폭은 특별히 한정할 필요는 없다. 다만, 적층형 전자 부품의 소형화 및 고용량화를 보다 용이하게 달성하기 위하여 마진부(114, 115)의 평균 폭은 15μm 이하일 수 있다. 또한, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 절연층을 외부 전극의 접속부 상에 배치하고, 도금층을 외부 전극의 밴드부 상에 배치함으로써 외부의 수분 침투, 도금액의 침투 등을 방지하여 신뢰성을 향상시킬 수 있기 때문에, 마진부(114, 115)의 평균 폭이 15μm 이하인 경우에도 우수한 신뢰성을 확보할 수 있다.
마진부(114, 115)의 평균 폭은 마진부(114, 115)의 제3 방향 평균 크기를 의미할 수 있으며, 용량 형성부(Ac)의 측면에서 등간격의 5개 지점에서 측정한 마진부(114, 115)의 제3 방향 크기를 평균한 값일 수 있다.
내부 전극(121, 122)은 유전체층(111)과 교대로 적층된다.
내부 전극(121, 122)은 제1 및 제2 내부 전극(121, 122)을 포함할 수 있다. 제1 및 제2 내부 전극(121, 122)은 바디(110)를 구성하는 유전체층(111)을 사이에 두고 서로 대향하도록 번갈아 배치되며, 바디(110)의 제3 및 제4 면(3, 4)으로 각각 노출될 수 있다.
도 3을 참조하면, 제1 내부 전극(121)은 제4 면(4)과 이격되며 제3 면(3)을 통해 노출되고, 제2 내부 전극(122)은 제3 면(3)과 이격되며 제4 면(4)을 통해 노출될 수 있다. 바디의 제3 면(3)에는 제1 외부 전극(131)이 배치되어 제1 내부 전극(121)과 연결되고, 바디의 제4 면(4)에는 제2 외부 전극(132)이 배치되어 제2 내부 전극(122)과 연결될 수 있다.
즉, 제1 내부 전극(121)은 제2 외부 전극(132)과는 연결되지 않고 제1 외부 전극(131)과 연결되며, 제2 내부 전극(122)은 제1 외부 전극(131)과는 연결되지 않고 제2 외부 전극(132)과 연결된다. 따라서, 제1 내부 전극(121)은 제4 면(4)에서 일정거리 이격되어 형성되고, 제2 내부 전극(122)은 제3 면(3)에서 일정거리 이격되어 형성될 수 있다.
이때, 제1 및 제2 내부 전극(121, 122)은 중간에 배치된 유전체층(111)에 의해 서로 전기적으로 분리될 수 있다.
바디(110)는 제1 내부 전극(121)이 인쇄된 세라믹 그린 시트와 제2 내부 전극(122)이 인쇄된 세라믹 그린 시트를 번갈아 적층한 후, 소성하여 형성할 수 있다.
내부 전극(121, 122)을 형성하는 재료는 특별히 제한되지 않으며, 전기 전도성이 우수한 재료를 사용할 수 있다. 예를 들어, 내부 전극(121, 122)은 니켈(Ni), 구리(Cu), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 금(Au), 백금(Pt), 주석(Sn), 텅스텐(W), 티타늄(Ti) 및 이들의 합금 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
또한, 내부 전극(121, 122)은 니켈(Ni), 구리(Cu), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 금(Au), 백금(Pt), 주석(Sn), 텅스텐(W), 티타늄(Ti) 및 이들의 합금 중 하나 이상을 포함하는 내부 전극용 도전성 페이스트를 세라믹 그린 시트에 인쇄하여 형성할 수 있다. 상기 내부 전극용 도전성 페이스트의 인쇄 방법은 스크린 인쇄법 또는 그라비아 인쇄법 등을 사용할 수 있으며, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
한편, 내부 전극(121, 122)의 평균 두께(te)는 특별히 한정할 필요는 없다.
다만, 일반적으로 내부 전극을 0.6μm 미만의 두께로 얇게 형성하는 경우, 특히 내부 전극의 두께가 0.35μm 이하인 경우에는 신뢰성이 저하될 우려가 있었다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 절연층을 외부 전극의 접속부 상에 배치하고, 도금층을 외부 전극의 밴드부 상에 배치함으로써 외부의 수분 침투, 도금액의 침투 등을 방지하여 신뢰성을 향상시킬 수 있기 때문에, 내부 전극(121, 122)의 평균 두께가 0.35μm 이하인 경우에도 우수한 신뢰성을 확보할 수 있다.
따라서, 내부 전극(121, 122)의 두께가 평균 0.35μm 이하인 경우에 본 발명에 따른 효과가 보다 현저해질 수 있으며, 세라믹 전자 부품의 소형화 및 고용량화를 보다 용이하게 달성할 수 있다.
상기 내부 전극(121, 122)의 평균 두께(te)는 내부 전극(121, 122)의 평균 두께를 의미할 수 있다.
내부 전극(121, 122)의 평균 두께는 바디(110)의 길이 및 두께 방향(L-T) 단면을 1만 배율의 주사전자현미경(SEM, Scanning Electron Microscope)으로 이미지를 스캔하여 측정할 수 있다. 보다 구체적으로, 스캔된 이미지에서 하나의 내부 전극을 길이 방향으로 등간격인 30개의 지점에서 그 두께를 측정하여 평균값을 측정할 수 있다. 상기 등간격인 30개의 지점은 용량 형성부(Ac)에서 지정될 수 있다. 또한, 이러한 평균값 측정을 10개의 내부 전극으로 확장하여 평균값을 측정하면, 내부 전극의 평균 두께를 더욱 일반화할 수 있다.
외부 전극(131, 132)은 바디(110)의 제3 면(3) 및 제4 면(4)에 배치될 수 있다. 외부 전극(131, 132)은 바디(110)의 제3 및 제4 면(3, 4)에 각각 배치되어, 제1 및 제2 내부 전극(121, 122)과 각각 연결된 제1 및 제2 외부 전극(131, 132)을 포함할 수 있다.
외부 전극(131, 132)은 제3 면에 배치되는 제1 접속부(131a) 및 상기 제1 접속부로부터 상기 제1 면의 일부까지 연장되는 제1 밴드부(131b)를 포함하는 제1 외부 전극(131), 제4 면에 배치되는 제2 접속부(132a) 및 상기 제2 접속부로부터 상기 제1 면의 일부까지 연장되는 제2 밴드부(132b)를 포함하는 제2 외부 전극(132)을 포함할 수 있다. 제1 접속부(131a)는 제1 내부 전극(121)과 제3 면에서 연결되고, 제2 접속부(132a)는 제2 내부 전극(122)과 제4 면에서 연결될 수 있다.
또한, 제1 외부 전극(131)은 제1 접속부(131a)로부터 제2 면의 일부까지 연장되는 제3 밴드부(131c)를 포함할 수 있으며, 제2 외부 전극(132)은 제2 접속부(132a)로부터 제2 면의 일부까지 연장되는 제4 밴드부(132c)를 포함할 수 있다. 나아가, 제1 외부 전극(131)은 제1 접속부(131a)로부터 제5 및 제6 면의 일부까지 연장되는 제1 측면 밴드부를 포함할 수 있으며, 제2 외부 전극(132)은 제2 접속부(132a)로부터 제5 및 제6 면의 일부까지 연장되는 제2 측면 밴드부를 포함할 수 있다.
다만, 제3 밴드부, 제4 밴드부, 제1 측면 밴드부 및 제2 측면 밴드부는 본 발명에 필수 구성 요소가 아닐 수 있다. 제1 및 제2 외부 전극(131, 132)은 제2 면에는 배치되지 않을 수 있고, 제5 및 제6 면에도 배치되지 않을 수 있다. 제1 및 제2 외부 전극(131, 132)이 제2 면에 배치되지 않음에 따라, 제1 및 제2 외부 전극(131, 132)은 바디의 제2 면의 연장선 이하로 배치될 수 있다. 또한, 제1 및 제2 접속부(131a, 132a)는 제5 및 제6 면과 이격되어 배치될 수 있으며, 제1 및 제2 접속부(131a, 132a)는 제2 면과 이격되어 배치될 수 있다. 또한, 제1 및 제2 밴드부(131b, 132b)도 제5 및 제6 면과 이격되어 배치될 수 있다.
한편, 제1 및 제2 외부 전극(131, 132)이 제3 및 제4 밴드부(131c, 132c)를 포함하는 경우, 제3 및 제4 밴드부(131c, 132c) 상에 절연층이 배치되는 것을 도시하고 있으나, 이에 제한되는 것은 아니며, 실장 편이성을 향상시키기 위하여 제3 및 제4 밴드부(131c, 132c) 상에 도금층을 배치할 수 있다. 또한, 제1 및 제2 외부 전극(131, 132)이 제3 및 제4 밴드부(131c, 132c)를 포함하되, 측면 밴드부는 포함하지 않는 형태일 수 있으며, 이 경우 제1, 제2 접속부(131a, 132a), 및 제1 내지 제4 밴드부(131a, 132b, 131c, 132c)가 제5 및 제6 면과 이격된 형태를 가질 수 있다.
본 실시 형태에서는 세라믹 전자 부품(100)이 2개의 외부 전극(131, 132)을 갖는 구조를 설명하고 있지만, 외부 전극(131, 132)의 개수나 형상 등은 내부 전극(121, 122)의 형태나 기타 다른 목적에 따라 바뀔 수 있을 것이다.
한편, 외부 전극(131, 132)은 금속 등과 같이 전기 전도성을 갖는 것이라면 어떠한 물질을 사용하여 형성될 수 있고, 전기적 특성, 구조적 안정성 등을 고려하여 구체적인 물질이 결정될 수 있으며, 나아가 다층 구조를 가질 수 있다.
외부 전극(131, 132)은 도전성 금속 및 글라스를 포함한 소성(firing) 전극이거나, 도전성 금속 및 수지를 포함한 수지계 전극일 수 있다.
또한, 외부 전극(131, 132)은 바디 상에 소성 전극 및 수지계 전극이 순차적으로 형성된 형태일 수 있다. 또한, 외부 전극(131, 132)은 바디 상에 도전성 금속을 포함한 시트를 전사하는 방식으로 형성되거나, 소성 전극 상에 도전성 금속을 포함한 시트를 전사하는 방식으로 형성된 것일 수 있다.
외부 전극(131, 132)에 포함되는 도전성 금속으로 전기 전도성이 우수한 재료를 사용할 수 있으며 특별히 한정하지 않는다. 예를 들어, 도전성 금속은 Cu, Ni, Pd, Ag, Sn, Cr 및 그들의 합금 중 하나 이상일 수 있다. 바람직하게는 외부 전극(131, 132)은 Ni 및 Ni 합금 중 하나 이상을 포함할 수 있으며, 이에 따라, Ni을 포함하는 내부 전극(121, 122)과의 연결성을 보다 향상시킬 수 있다.
절연층(151)은 제1 및 제2 접속부(131a, 132a) 상에 배치될 수 있다.
제1 및 제2 접속부(131a, 132a)는 내부 전극(121, 122)과 연결되는 부위이기 때문에, 도금 공정에서 도금액 침투 또는 실사용시 수분 침투의 경로가 될 수 있다. 본 발명에서는 접속부(131a, 132a) 상에 절연층(151)이 배치되기 때문에 외부의 수분 침투 또는 도금액의 침투를 방지할 수 있다.
절연층(151)은 제1 및 제2 도금층(141, 142)과 접하도록 배치될 수 있다. 이때, 절연층(151)이 제1 및 제2 도금층(141, 142)의 끝단을 일부 덮는 형태로 접하거나, 제1 및 제2 도금층(141, 142)이 절연층(151)의 끝단을 일부 덮는 형태로 접할 수 있다.
절연층(151)은 제1 및 제2 접속부(131a, 132a) 상에 배치되며, 제2 면, 제3 및 제4 밴드부(131c, 132c)를 덮도록 배치될 수 있다. 이때, 절연층(151)은 제2 면 중 제3 및 제4 밴드부(131c, 132c)가 배치되지 않은 영역, 제3 및 제4 밴드부(131c, 132c)를 덮도록 배치될 수 있다. 이에 따라, 절연층(151)이 제3 및 제4 밴드부(131c, 132c)의 끝단과 바디(110)가 접하는 영역을 커버하여 수분 침투 경로를 차단함으로써 내습 신뢰성을 보다 향상시킬 수 있다.
절연층(151)은 제2 면 상에 배치되어 상기 제1 및 제2 접속부(131a, 132a) 로 연장되어 배치될 수 있다. 또한, 절연층은 외부 전극(131, 132)이 제2 면에 배치되지 않는 경우, 제2 면을 전부 덮도록 배치될 수 있다. 한편, 절연층(151)이 제2 면에 반드시 배치되어야 하는 것은 아니며, 절연층이 제2 면의 일부 또는 전부에 배치되지 않을 수 있고, 절연층이 2개로 분리되어 제1 및 제2 접속부(131a, 132a) 상에 각각 배치되는 형태를 가질 수도 있다. 절연층이 제2 면 전부에 배치되지 않는 경우, 제2 면의 연장선 이하로 배치될 수 있다. 또한, 절연층이 제2 면에는 배치되지 않으나, 제1 및 제2 접속부(131a, 132a) 상에서 제5 및 제6 면으로 연장되어 하나의 절연층을 이룰 수 있다.
나아가, 절연층(151)은 제1 및 제2 측면 밴드부, 제5 면 및 제6 면의 일부를 덮도록 배치될 수 있다. 이때, 절연층(151)에 덮이지 않은 제5 면 및 제6 면의 일부는 외부로 노출될 수 있다.
또한, 절연층(151)은 제1 및 제2 측면 밴드부, 제5 면 및 제 6 면을 모두 덮도록 배치될 수 있으며, 이 경우 제5 면 및 제6 면이 외부로 노출되지 않아 내습 신뢰성을 향상시킬 수 있으며, 접속부(131a, 132a) 또한 직접적으로 외부로 노출되지 않아 적층형 전자 부품(1000)의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 보다 상세하게는, 절연층이 제1 및 제2 측면 밴드부를 모두 덮고, 제5 및 제6 면 중 제1 및 제2 측면 밴드부가 형성된 영역을 제외한 영역을 모두 덮을 수 있다.
절연층(151)은 절연층(151)이 배치된 외부 전극(131, 132) 상에 도금층(141, 142)이 형성되는 것을 방지하는 역할을 수행할 수 있으며, 실링 특성을 향상시켜 외부로부터 수분이나 도금액 등이 침투하는 것을 최소화하는 역할을 수행할 수 있다.
절연층(151)은 규소(Si)를 포함하는 산화물을 포함할 수 있다.
적층형 전자 부품을 기판에 실장하기 위해서는 솔더 리플로우(reflow)과정을 거쳐야 한다. 이 과정에서 온도 상승과 하강이 일어나게 되어 열팽창과 열수축이 일어나게 되어 적층형 전자 부품에 인장 응력을 가할 수 있다. 이러한 인장 응력은 적층형 전자 부품에 균열을 발생시켜 전기적 특성을 저하시킬 수 있다.
종래에는, 열팽창과 열수축으로 인한 열충격으로부터 적층형 전자 부품을 보호하기 위해 외부 전극 및 바디의 표면 일부에 절연층을 글래스 계열 물질로 형성했다.
글래스 계열 물질을 포함하는 절연층은 유리 분말 또는 유리 페이스트를 성형한 후 연화점 부근까지 온도를 상승시키고 낮추는 방식으로 형성될 수 있다. 이때, 절연층의 온도를 상승 시키고 낮추는 과정 중에서, 절연층의 뭉침이 발생하여 균일한 막을 형성하기 어려울 수 있다. 또한, 연화점 이하의 온도에서 절연층 경도가 상승하면서 적층형 전자 부품에 응력을 전달하게 되므로 적층형 전자 부품에 크랙 및 딜라미네이션을 발생시킬 수 있다. 또한, 온도를 상승시키는 과정에서 적층형 전자 부품(1000)을 구성하는 외부 전극(131, 132)의 금속이 내부 전극(121, 122)으로 확산되어 방사 크랙이 발생할 우려가 있다. 특히, 적층형 전자 부품(1000)의 고용량화, 소형화를 위해 절연층(151) 및 내부 전극(121, 122)의 두께를 감소시키게 되면 방사 크랙 및 딜라미네이션에 더 취약해질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 적층형 전자 부품(1000)에서의 절연층(151)은 Si를 포함하는 산화물을 포함함으로써, 절연층의 뭉침을 방지하여 균일학 막을 형성하고, 고온에서 경도가 증가하면서 적층형 전자 부품(1000)에 응력을 전달하는 것을 방지할 수 있으며, 또한, Si를 포함하는 산화물을 포함하는 절연층을 형성하는 경우 일반 유리층 대비 낮은 온도에서 형성이 가능하므로, 적층형 전자 부품(1000)을 구성하는 외부 전극(131, 132)의 금속이 내부 전극(121, 122)로 확산되는 현상을 억제하여 방사 크랙의 발생을 감소시킬 수 있다.
한편, 절연층(151)에 포함되는 Si의 함량이 높을수록 다른 재료로 형성된 동일한 두께의 절연층 대비 외부 습기의 침투를 효과적으로 방지할 수 있으며, 도금액 등과 같은 산이나 염기 등에 대한 내식성과 저항성이 향상될 수 있다.
일 실시예에서, 절연층은 산소를 제외한 나머지 원소들의 몰수 대비 Si 원자의 몰수가 0.95 이상일 수 있다. 즉 절연층(151)은 불순물로 검출되는 원소들을 제외하면 실질적으로 Si를 포함하는 산화물로 이루어질 수 있다.
한편, Si를 포함하는 산화물을 포함하는 절연층(151)을 형성하는 방법은 다양할 수 있다. 예를 들어 졸-겔법(Sol-gel processing), 화학적 증착법(Chemical Vapor Deposition, CVD), 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition, ALD)등으로 형성될 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니며, 얇고 균일한 절연층을 형성할 수 있는 다른 방법으로도 형성될 수 있다.
한편, Si를 포함하는 산화물은 실리카(SiO2)일 수 있다. 살라카(SiO2)는 일반적인 글래스 계열 물질보다 얇고 균일한 절연층(151)을 형성할 수 있으며, 알루미나(Al2O3)와 같은 다른 무기질에 비해 내충격성, 내식성이 우수하다.
일 실시예에서, 절연층(151)에 포함되는 Si를 포함하는 산화물은 실리카(SiO2)일 수 있으며, 이에 따라 적층형 전자 부품(1000)의 절연층(151)을 균일하게 형성할 수 있고, 크랙 및 딜라미네이션의 발생을 억제하고 방사크랙의 발생을 억제할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 적층형 전자 부품(1000)과 같이 절연층(151)이 Si를 포함하는 산화물을 포함하는 경우 절연층을 이루는 각 물질들이 불안정하게 존재할 수 있다.
붕소를 포함하는 산화물은 절연층에 포함된 다른 물질 예컨데, SiO2, ZnO등과 화합물을 형성하여 절연층을 안정화 할 수 있다. 일 실시예에서, Si를 포함하는 산화물을 포함하는 절연층(151)은 붕소를 포함하는 산화물을 더 포함함으로써 각 물질들을 유기적으로 결합하게 하여 절연층(151)의 안정성을 향상시킬 수 있다.
특히, 절연층(151)이 붕소를 포함하는 산화물을 포함하는 경우, 바디(110) 표면의 바륨옥사이드와 저온에서 반응하여 Eutetic을 형성할 수 있다. 따라서, 일 실시예에서는 적층형 전자 부품(1000)은 붕소를 포함하는 산화물을 더 포함하는 절연층(151)과 바디(110)가 접하는 계면에서 바륨 및 붕소를 포함하는 접착층을 더 포함할 수 있다.
절연층에 포함되는 물질은 SiO2, B2O3와 같은 절연물질이므로, 도전성 금속을 포함하는 제1 및 제2 외부 전극(131, 132)과 접착력이 좋지 않다. 본 발명의 일 실시예에 따른 적층형 전자 부품(1000)은 절연층(151)과 제1 및 제2 외부 전극(131, 132)와의 접착력이 좋지 않음에도 불구하고 절연물질을 포함하는 바디(110)과 접착력이 좋기 때문에 적층형 전자 부품(1000) 전체의 강도를 향상시킬 수 있다.
보다 바람직하게는, 절연층(151)에 포함되는 붕소를 포함하는 산화물과 바디(110)에 포함되는 바륨 옥사이드가 절연층(151)과 바디(110)이 접하는 계면에서 Eutetic Bonding을 형성하고 바륨 및 붕소를 포함하는 접착층이 형성될 수 있으며 적층형 전자 부품(1000) 전체의 강도를 더욱 향상시킬 수 있다.
일 실시예에서는, 절연층(151)은 붕소를 포함하는 산화물(boric oxide)을 더 포함하고, 절연층(151)과 바디(110)이 접하는 계면에서 바륨 및 붕소를 포함하는 접착층을 더 포함하도록 하여 절연층(151)과 바디(110)의 접착력을 향상시키고 적층형 전자 부품(1000) 전체의 강도를 향상시킬 수 있다.
이때, 절연층(151)의 성분은 SEM-EDS(Scanning Electron Microscope - Energy Dispersive X-ray Spectroscopy)를 이용하여 관찰한 화상으로부터 산출한 것일 수 있다. 구체적으로, 적층형 전자 부품을 폭 방향(제3 방향) 중앙의 위치까지 연마하여 길이 방향 및 두께 방향 단면(L-T 단면)을 노출시킨 후, 절연층을 두께 방향으로 5등분한 영역들 중 중앙에 배치된 영역을 EDS를 이용하여 절연층에 포함된 각 원소들의 몰수를 측정할 수 있으며, 산소 원자를 제외한 나머지 원소들의 총 몰수 대비 Si 원자의 몰수 또는 붕소 원자의 몰수를 계산할 수 있다.
한편, 일 실시예에 따른 적층형 전자 부품(1000)의 다른 일 실시예에서는 본 발명의 다른 일 실시형태에 따른 적층형 전자 부품(1000)은 유전체층(111) 및 상기 유전체층(111)을 사이에 두고 번갈아 배치되는 제1 및 제2 내부 전극(121, 122)을 포함하며, 제1 방향으로 대향하는 제1 및 제2 면(1, 2), 상기 제1 및 제2 면에 연결되고 제2 방향으로 대향하는 제3 및 제4 면(3, 4), 상기 제1 내지 제4 면과 연결되고 제3 방향으로 대향하는 제5 및 제6 면(5, 6)을 포함하는 바디(110); 상기 제3 면(3)에 배치되는 제1 접속부(131a) 및 상기 제1 접속부(131a)로부터 상기 제1 면(1)의 일부까지 연장되는 제1 밴드부(131b)를 포함하는 제1 외부 전극(131); 상기 제4 면(4)에 배치되는 제2 접속부(132a) 및 상기 제2 접속부(132a)로부터 상기 제1 면(1)의 일부까지 연장되는 제2 밴드부(132b)를 포함하는 제2 외부 전극(132); 상기 제2 면(2) 상에 배치되어 상기 제1 및 제2 접속부(131a) 상의 일부까지 연장되어 배치되는 절연층)(151), 및 상기 제1 및 제2 밴드부(131b, 132b) 상에 배치되는 도금층(141, 142);을 포함하며, 상기 절연층(151)은 붕소(B)를 포함하는 산화물, 붕규산염, 및 아연-붕규산염 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
종래 글래스계 물질을 포함하는 절연층은 열팽창 계수가 세라믹 바디 또는 외부 전극보다 상대적으로 커서 적층형 전자 부품에 응력을 과도한 응력을 가할 수 있다.
절연층이 붕소를 포함하는 산화물(boric oxide)을 포함하는 경우, 글래스계 물질을 포함하는 절연층 대비 저온에서 절연층의 형성이 가능하여 절연층 형성 과정에서 유발될 수 있는 방사 크랙을 방지할 수 있으며, 액상 및 기상법 등 다양한 방법으로 형성이 가능한 장점이 있다.
또한, 붕소를 포함하는 산화물을 포함하는 절연층은 글래스계 물질을 포함하는 절연층 대비 열팽창계수가 낮아서 적층형 전자 부품에 열처리를 하거나 외부에서 열충격이 가해지는 경우에도 적층형 전자 부품에 가해지는 응력을 최소화 할 수 있으며, 물리적 충격에 대한 내성이 강하므로, 적층형 전자 부품을 보호하는 완충제 역할을 할 수 있다.
일 실시예에서, 절연층(151)이 붕소를 포함하는 산화물(boric oxide) 을 포함하도록 함으로써, 적층형 전자 부품(1000)의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
한편, 붕소를 포함하는 산화물은 B2O3로 이루어진 것이 바람직하나, 이에 제한되는 것은 아니다.
일 실시예에서, 절연층(151)은 산소 원자를 제외한 나머지 원소들의 총 몰수 대비 붕소 원자의 몰수가 0.95 이상일 수 있다. 즉, 절연층(151)은 불순물로 검출되는 원소들을 제외하면 실질적으로 붕소를 포함하는 산화물로 이루어질 수 있다.
붕규산염(borosilicate)은 붕소를 포함하는 산화물(boric oxide) 대비 내식성이 높아 절연층의 역할 뿐 아니라, 도금액의 침투로부터 적층형 전자 부품을 보호하는 역할을 할 수 있으며, 수분 투과율이 낮다. 일 실시예에서, 절연층(151)이 붕규산염(borosilicate) 를 포함하도록 함으로써 적층형 전자 부품(1000)의 외부로부터 수분 및 도금액의 침투를 방지하여 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
일 실시예에서, 절연층(151)은 산소 원자를 제외한 나머지 원소들의 총 몰수 대비 붕소 및 규소 원자의 몰수가 0.95 이상일 수 있다. 즉, 절연층(151)은 불순물로 검출되는 원소들을 제외하면 실질적으로 붕규산염으로 이루어질 수 있다.
아연-붕규산염(zinc-borosilicate)은 붕규산염(borosilicate) 대비 저온 에서 형성이 가능하여 방사크랙의 형성을 더욱 방지할 수 있으며, 외부 전극에 포함되는 Cu 등과 같은 금속과의 젖음성(wettability)이 좋은 특성을 가진다.
일 실시예에서, 절연층(151)이 아연-붕규산염(zinc-borosilicate)을 포함 하도록 함으로써, 방사크랙의 형성을 방지함과 동시에 절연층(151)과 제1 및 제2 외부 전극(131, 132) 결합력을 향상시킬 수 있다. 또한, 향상된 결합력을 통해 도금액 및 수분의 침투를 방지하여 적층형 전자 부품(1000)의 신뢰성 향상에 도움을 줄 수 있다.
일 실시예에서, 절연층(151)은 산소 원자를 제외한 나머지 원소들의 총 몰수 대비 붕소, 규소 및 아연 원자의 몰수가 0.95 이상일 수 있다. 즉, 절연층(151)은 불순물로 검출되는 원소들을 제외하면 실질적으로 아연-붕규산염으로 이루어질 수 있다.
한편, 붕소를 포함하는 산화물(boric oxide), 붕규산염(borosilicate) 및 아연-붕규산염(zinc-borosilicate) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 절연층을 형성하는 방법은 다양할 수 있다. 예를 들어 졸-겔법(Sol-gel processing), 화학적 증착법(Chemical Vapor Deposition, CVD), 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition, ALD)등으로 형성될 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니며, 얇고 균일한 절연층을 형성할 수 있는 다른 방법으로도 형성될 수 있다.
이때, 절연층(151)의 성분은 SEM-EDS(Scanning Electron Microscope - Energy Dispersive X-ray Spectroscopy)를 이용하여 관찰한 화상으로부터 산출한 것일 수 있다. 구체적으로, 적층형 전자 부품을 폭 방향(제3 방향) 중앙의 위치까지 연마하여 길이 방향 및 두께 방향 단면(L-T 단면)을 노출시킨 후, 절연층을 두께 방향으로 5등분한 영역들 중 중앙에 배치된 영역을 EDS를 이용하여 절연층에 포함된 각 원소들의 몰수를 측정할 수 있으며, 산소 원자를 제외한 나머지 원소들의 총 몰수 대비 Si 원자의 몰수, 붕소 원자의 몰수 또는 아연 원자의 몰수를 계산할 수 있다.
일 실시예에서, 절연층(151)은 붕소를 포함하는 산화물(boric oxide), 붕규산염 및 아연-붕규산염(zinc-borosilicate) 중 적어도 어느 하나 이상을 포함할 수 있으며, 이외에도 다양한 첨가제를 포함할 수 있다. 절연층(151)이 붕소를 포함하는 산화물(boric oxide), 붕규산염(borosilicate) 및 아연-붕규산염(zinc-borosilicate)중 적어도 어느 하나를 포함하도록 함으로써, 외부 열충격으로부터 적층형 전자 부품(1000)에 가해지는 응력을 감소시켜 크랙 및 딜라미네이션의 발생을 감소시키고, 방사크랙의 형성을 방지하며, 도금액 및 외부 수분의 침투를 막아 적층형 전자 부품(1000)의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
제1 및 제2 도금층(141, 142)은 각각 제1 및 제2 밴드부(131b, 132b) 상에 배치될 수 있다. 도금층(141, 142)은 실장 특성을 향상시키는 역할을 수행할 수 있으며, 도금층(141, 142)이 밴드부(131b, 132b) 상에 배치됨에 따라 실장 공간을 최소화할 수 있고, 내부 전극으로 도금액이 침투하는 것을 최소화하여 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 제1 및 제2 도금층(141, 142)의 일 끝단은 제1 면에 접할 수 있으며, 타 끝단은 절연층(151)에 접할 수 있다.
도금층(141, 142)의 종류는 특별히 한정하지 않으며, Cu, Ni, Sn, Ag, Au, Pd 및 이들의 합금 중 하나 이상을 포함하는 도금층일 수 있고, 복수의 층으로 형성될 수 있다.
도금층(141, 142)에 대한 보다 구체적인 예를 들면, 도금층(141, 142)은 Ni 도금층 또는 Sn 도금층일 수 있으며, 제1 및 제2 밴드부(131b, 132b) 상에 Ni 도금층 및 Sn 도금층이 순차적으로 형성된 형태일 수 있다.
일 실시예에서, 제1 및 제2 도금층(141, 142)은 각각 제1 및 제2 접속부(131a, 132a)를 일부 덮도록 연장되어 배치될 수 있다. 제1 및 제2 내부 전극(121, 122) 중 제1 면(1)에 가장 가깝게 배치된 내부 전극까지의 제1 방향 평균 크기를 H1, 상기 제1 면(1)의 연장선으로부터 상기 제1 및 제2 접속부(131a, 132a) 상에 배치된 제1 및 제2 도금층(141, 142)의 끝단까지의 제1 방향 평균 크기를 H2라 할 때, H1>H2를 만족할 수 있다. 이에 따라, 도금 공정시 도금액이 내부 전극으로 침투하는 것을 억제하여 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
H1 및 H2는 바디(110)를 제3 방향으로 등간격을 가지는 5개 지점에서 제1 및 제2 방향으로 절단한 단면(L-T 단면)에서 측정한 값들을 평균한 값일 수 있다. H1은 각 단면에서 제1 면(1)에 가장 가깝게 배치된 내부 전극이 외부 전극과 연결되는 지점에서 측정한 값들을 평균한 값일 수 있으며, H2는 외부 전극과 접하는 도금층의 끝단을 기준으로 측정한 값들을 평균한 값일 수 있고, H1 및 H2 측정시 기준이 되는 제1 면의 연장선은 동일할 수 있다.
일 실시예에서, 제1 도금층(141)은 절연층(151)의 제1 외부 전극(131) 상에 배치된 끝단을 덮도록 배치되며, 제2 도금층(142)은 절연층(151)의 제2 외부 전극(132) 상에 배치된 끝단을 덮도록 배치될 수 있다. 이에 따라, 절연층(151)과 도금층(141, 142)의 결합력을 강화하여 적층형 전자 부품(1000)의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
일 실시예에서, 절연층(151)은 제1 도금층(141)의 제1 외부 전극(131) 상에 배치된 끝단을 덮도록 배치되며, 절연층(151)은 제2 도금층(142)의 제2 외부 전극(132) 상에 배치된 끝단을 덮도록 배치될 수 있다. 이에 따라, 절연층(151)과 도금층(141, 142)의 결합력을 강화하여 적층형 전자 부품(1000)의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
일 실시예에서, 바디(110)의 제2 방향 평균 크기를 L, 상기 제3 면의 연장선으로부터 상기 제1 밴드부의 끝단까지의 상기 제2 방향 평균 크기를 B1, 상기 제4 면의 연장선으로부터 상기 제2 밴드부의 끝단까지의 상기 제2 방향 평균 크기를 B2라 할 때, 0.2≤B1/L≤0.4 및 0.2≤B2/L≤0.4를 만족할 수 있다.
B1/L 및 B2/L이 0.2 미만인 경우에는 충분한 고착 강도를 확보하기 어려울 수 있다. 반면에, B2/L이 0.4 초과인 경우에는 고압 전류 하에서 제1 밴드부(131b)와 제2 밴드부(132b) 사이에서 누설 전류가 방생할 우려가 있으며, 도금 공정시 도금 번짐 등에 의해 제1 밴드부(131b)와 제2 밴드부(132b)가 전기적으로 연결될 우려가 있다.
B1, B2 및 L은 바디(110)를 제3 방향으로 등간격을 가지는 5개 지점에서 제1 및 제2 방향으로 절단한 단면(L-T 단면)에서 측정한 값들을 평균한 값일 수 있다.
적층형 전자 부품(1000)이 실장된 실장 기판(1100)을 도시한 도 5를 참조하면, 적층형 전자 부품(1000)의 도금층(141, 142)은 기판(180) 상에 배치된 전극 패드(181, 182)와 솔더(191, 192)에 의해 접합될 수 있다.
한편, 내부 전극(121, 122)이 제1 방향으로 적층되어 있는 경우에는 내부 전극(121, 122)이 실장 면과 평행하도록 적층형 전자 부품(1000)을 기판(180)에 수평 실장할 수 있다. 다만 본 발명이 수평 실장인 경우에 한정되는 것은 아니며, 내부 전극(121, 122)을 제3 방향으로 적층하는 경우에는 내부 전극(121, 122)이 실장 면과 수직하도록 기판에 적층형 전자 부품을 수직 실장할 수 있다.
적층형 전자 부품(1000)의 사이즈는 특별히 한정할 필요는 없다.
다만, 소형화 및 고용량화를 동시에 달성하기 위해서는 유전체층 및 내부 전극의 두께를 얇게 하여 적층수를 증가시켜야 하기 때문에, 1005 (길이Х폭, 1.0mmХ0.5mm) 이하의 사이즈를 가지는 적층형 전자 부품(1000)에서 본 발명에 따른 신뢰성 및 단위 부피당 용량 향상 효과가 보다 현저해질 수 있다.
따라서, 제조 오차, 외부 전극 크기 등을 고려하면 세라믹 전자 부품(100)의 길이가 1.1mm 이하이고, 폭이 0.55mm 이하인 경우, 본 발명에 따른 신뢰성 향상 효과가 보다 현저해질 수 있다. 여기서, 적층형 전자 부품(1000)의 길이는 적층형 전자 부품(1000)의 제2 방향 최대 크기를 의미하며, 적층형 전자 부품(1000)의 폭은 적층형 전자 부품(1000)의 제3 방향 최대 크기를 의미할 수 있다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 적층형 전자 부품(1001)의 사시도를 개략적으로 도시한 것이며, 도 7은 도 6의 II-II`에 따른 단면도이다.
도 6 및 도 7을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 적층형 전자 부품(1001)은 제1 및 제2 도금층(141-1, 142-1)이 제1 면의 연장선(E1) 이하로 배치될 수 있다. 이에 따라, 실장 시 솔더의 높이를 최소화할 수 있으며 실장 공간을 최소화할 수 있다.
또한, 절연층(151-1)은 제1 면의 연장선 이하까지 연장되어 제1 및 제2 도금층(141-1, 142-1)과 접하도록 배치될 수 있다.
도 8을 본 발명의 일 실시예에 따른 적층형 전자 부품(1002)의 사시도를 개략적으로 도시한 것이며, 도 9는 도 8의 III-III`에 따른 단면도이다.
도 8 및 도 9를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 적층형 전자 부품(1002)은 제1 면(1) 상에 배치되며 제1 밴드부(131b)와 제2 밴드부(132b) 사이에 배치되는 추가 절연층(161)을 더 포함할 수 있다. 이에 따라, 고압 전류 하에서 제1 밴드부(131b)와 제2 밴드부(132b) 사이에서 발생할 수 있는 누설 전류 등을 방지할 수 있다.
추가 절연층(161)의 종류는 특별히 한정할 필요는 없다. 예를 들어, 절연층(151)과 마찬가지로 Si를 포함하는 산화물, 붕소를 포함하는 산화물(boric oxide), 붕규산염(borosilicate) 및 아연-붕규산염(zinc-borosilicate) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 한편, 추가 절연층(161)과 절연층(151)이 동일한 재료로 형성될 필요는 없으며, 상이한 재료로 형성될 수 있다. 예를 들어, 추가 절연층(161)은 에폭시 수지, 아크릴 수지 등에서 선택된 1종 이상의 열경화성 수지를 포함할 수 있다. 또한, 추가 절연층(161)은 고분자 수지 이외에 TiO2, BaTiO3, Al2O3, SiO2, BaO 등에서 선택된 1종 이상을 첨가제로 포함할 수 있다. 이에 따라, 바디 또는 외부 전극과의 결합력을 향상시킬 수 있다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 적층형 전자 부품(1003)의 사시도를 개략적으로 도시한 것이며, 도 11은 도 10의 IV-IV`에 따른 단면도이다.
도 10 및 도 11을 참조하면, 일 실시예에 따른 적층형 전자 부품(1003)은 제1 면(1)으로부터 상기 제1 및 제2 내부 전극(121, 122) 중 상기 제1 면(1)에 가장 가깝게 배치된 내부 전극까지의 제1 방향 평균 크기를 H1, 상기 제1 면(1)의 연장선으로부터 상기 제1 및 제2 접속부(131a, 132a) 상에 배치된 도금층(141-3, 142-3)의 끝단까지의 제1 방향 평균 크기를 H2라 할 때, H1<H2를 만족할 수 있다. 이에 따라, 실장시 솔더와 접하는 면적을 증가시켜 고착 강도를 향상시킬 수 있다.
보다 바람직하게는 바디(110)의 제1 방향 평균 크기를 T라 할 때, H2<T/2를 만족할 수 있다. 즉, H1<H2<T/2를 만족할 수 있다. H2가 T/2 이상인 경우에는 절연층에 의한 내습 신뢰성 향상 효과가 저하될 우려가 있기 때문이다.
H1, H2 및 T는 바디(110)를 제3 방향으로 등간격을 가지는 5개 지점에서 제1 및 제2 방향으로 절단한 단면(L-T 단면)에서 측정한 값들을 평균한 값일 수 있다. H1은 각 단면에서 제1 면(1)에 가장 가깝게 배치된 내부 전극이 외부 전극과 연결되는 지점에서 측정한 값들을 평균한 값일 수 있으며, H2는 각 단면에서 외부 전극과 접하는 도금층의 끝단을 기준으로 측정한 값들을 평균한 값일 수 있고, H1 및 H2 측정시 기준이 되는 제1 면의 연장선은 동일할 수 있다. 또한, T는 각 단면에서 바디(110)의 제1 방향 최대 크기를 측정한 후 평균한 값일 수 있다.
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 적층형 전자 부품(1004)의 사시도를 개략적으로 도시한 것이며 도 13은 도 12의 V-V`에 따른 단면도이다.
도 12 및 도 13을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 적층형 전자 부품(1004)은 제1 밴드부(131b-4)의 평균 길이(B1)가 제3 밴드부(131c-4)의 평균 길이(B3)보다 길 수 있으며, 제2 밴드부(132b-4)의 평균 길이가 제4 밴드부(132c-4)의 평균 길이(B4)보다 길 수 있다. 이에 따라, 실장시 솔더와 접하는 면적을 증가시켜 고착 강도를 향상시킬 수 있다.
보다 상세하게는 제3 면(3)의 연장선으로부터 상기 제1 밴드부(131b-4)의 끝단까지의 상기 제2 방향 평균 크기를 B1, 상기 제4 면(4)의 연장선으로부터 상기 제2 밴드부(132b-4)의 끝단까지의 상기 제2 방향 평균 크기를 B2, 상기 제3 면(3)의 연장선으로부터 상기 제3 밴드부(131c-4)의 끝단까지의 상기 제2 방향 평균 크기를 B3, 상기 제4 면(4)의 연장선으로부터 상기 제4 밴드부(132c-4)의 끝단까지의 상기 제2 방향 평균 크기를 B4라 할 때, B3<B1 및 B4<B2를 만족할 수 있다.
이 때, 바디(110)의 제2 방향 평균 크기를 L이라 할 때, 0.2≤B1/L≤0.4 및 0.2≤B2/L≤0.4를 만족할 수 있다.
B1, B2, B3, B4 및 L은 바디(110)를 제3 방향으로 등간격을 가지는 5개 지점에서 제1 및 제2 방향으로 절단한 단면(L-T 단면)에서 측정한 값들을 평균한 값일 수 있다.
또한, 제1 외부 전극(131-4)은 제1 접속부(131a-4)로부터 제5 및 제6 면의 일부까지 연장되는 제1 측면 밴드부를 포함할 수 있으며, 제2 외부 전극(132-4)은 제2 접속부(132a-4)로부터 제5 및 제6 면의 일부까지 연장되는 제2 측면 밴드부를 포함할 수 있다. 이 때, 상기 제1 및 제2 측면 밴드부의 제2 방향 크기는 제1 면에 가까워질수록 점차 커질 수 있다. 즉, 상기 제1 및 제2 측면 밴드부는 테이퍼 형상 내지 사다리꼴 형상으로 배치될 수 있다.
나아가, 상기 제3 면의 연장선으로부터 상기 제3 밴드부(131c-4)의 끝단까지의 상기 제2 방향 평균 크기를 B3, 상기 제4 면의 연장선으로부터 상기 제4 밴드부(132c-4)의 끝단까지의 상기 제2 방향 평균 크기를 B4, 상기 제3 면과 상기 제2 내부 전극(122)이 이격된 영역의 제2 방향 평균 크기를 G1, 상기 제4 면과 상기 제1 내부 전극(121)이 이격된 영역의 제2 방향 평균 크기를 G2라 할 때, B3≤G1 및 B4≤G2를 만족할 수 있다. 이에 따라, 외부 전극이 차지하는 부피를 최소화하여 적층형 전자 부품(1004)의 단위 부피당 용량을 증가시킬 수 있다.
상기 G1 및 G2는 바디를 제3 방향 중앙에서 제1 및 제2 방향으로 절단한 단면에서, 제1 방향 중앙부에 위치한 임의의 5개의 제2 내부 전극에 대하여 측정한 제3 면까지 이격된 제2 방향 크기를 평균한 값은 G1으로 하고, 제1 방향 중앙부에 위치한 임의의 5개의 제1 내부 전극에 대하여 측정한 제4 면까지 이격된 영역의 제2 방향 크기를 평균한 값을 G2로 할 수 있다.
나아가, 바디(110)를 제3 방향으로 등간격을 가지는 5개 지점에서 제1 및 제2 방향으로 절단한 단면(L-T 단면)에서 G1 및 G2를 구하고, 그들을 평균한 값을 G1 및 G2로 하여 더욱 일반화할 수 있다.
다만, 본 발명을 B3≤G1 및 B4≤G2으로 한정하려는 의도는 아니며, B3≥G1 및 B4≥G2를 만족하는 경우도 본 발명의 일 실시예로 포함될 수 있다. 따라서, 일 실시예에서, 제3 면의 연장선으로부터 제3 밴드부의 끝단까지의 상기 제2 방향 평균 크기를 B3, 상기 제4 면의 연장선으로부터 상기 제4 밴드부의 끝단까지의 상기 제2 방향 평균 크기를 B4, 제3 면과 상기 제2 내부 전극이 이격된 영역의 제2 방향 평균 크기를 G1, 제4 면과 상기 제1 내부 전극이 이격된 영역의 제2 방향 평균 크기를 G2라 할 때, B3≥G1 및 B4≥G2를 만족할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제3 면(E3)의 연장선으로부터 상기 제1 밴드부의 끝단까지의 상기 제2 방향 평균 크기를 B1, 상기 제4 면의 연장선으로부터 상기 제2 밴드부의 끝단까지의 상기 제2 방향 평균 크기를 B2라 할 때, B1≥G1 및 B2≥G2를 만족할 수 있다. 이에 따라, 적층형 전자 부품(1004)의 기판(180)과의 고착 강도를 향상시킬 수 있다.
도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 적층형 전자 부품(1005)의 사시도를 개략적으로 도시한 것이며 도 15는 도 14의 VI-VI`에 따른 단면도이다.
도 14 및 도 15를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 적층형 전자 부품(1005)의 제1 및 제2 외부 전극(131-5, 132-5)은 제2 면상에는 배치되지 않고, 제3, 제4 및 제1 면에 배치되어 L자 형태를 가질 수 있다. 즉, 제1 및 제2 외부 전극(131-5, 132-5)은 제2 면의 연장선 이하에 배치될 수 있다.
제1 외부 전극(131-5)은 제3 면(3)에 배치되는 제1 접속부(131a-5), 상기 제1 접속부(131a-5)로부터 상기 제1 면(1)의 일부까지 연장되는 제1 밴드부(131b-5)를 포함할 수 있으며, 제2 외부 전극(132-5)은 제4 면(4)에 배치되는 제2 접속부(132a-5), 상기 제2 접속부(132a-5)로부터 상기 제1 면(1)의 일부까지 연장되는 제2 밴드부(132b-5)를 포함할 수 있다. 제2 면(2) 상에는 외부 전극(131-5, 132-5)가 배치되지 않아, 절연층(151-5)이 제2 면(2)의 전부를 덮도록 배치될 수 있다. 이에 따라, 외부 전극(131-5, 132-5)이 차지하는 부피를 최소화할 수 있기 때문에 적층 전자 부품(1005)의 단위 부피당 용량을 보다 향상시킬 수 있다. 다만, 절연층(151-5)이 제2 면(2)의 전부를 덮는 형태로 한정할 필요는 없으며, 절연층이 제2 면(2)의 일부 또는 전부를 덮지 않고, 분리되어 제1 및 제2 접속부(131a-5, 132a-5)를 각각 덮고 있는 형태를 가질 수도 있다.
또한, 절연층(151-5)이 제5 면 및 제6 면의 일부를 덮도록 배치되어 신뢰성을 보다 향상시킬 수 있다. 이때, 절연층(151-5)에 덮이지 않은 제5 면 및 제6 면의 일부는 외부로 노출될 수 있다.
나아가, 절연층(151-5)은 제5 면 및 제6 면의 전체를 덮도록 배치될 수 있으며, 이 경우 제5 면 및 제6 면이 외부로 노출되지 않아 내습 신뢰성을 보다 더 향상시킬 수 있다.
제1 밴드부(131b-5) 상에는 제1 도금층(141-5), 제2 밴드부(132b-5) 상에는 제2 도금층(142-5)이 배치되며, 제1 및 제2 도금층(141-5, 142-5)은 제1 및 제2 접속부(132a-5. 132b-5) 상의 일부까지 연장되어 배치될 수 있다.
이때, 제5 및 제6 면(5, 6) 상에도 외부 전극(131-5, 132-5)이 배치되지 않을 수 있다. 즉, 외부 전극(131-5, 132-5)이 제3, 제4 및 제1 면 상에만 배치되는 형태를 가질 수 있다.
제1 면(1)으로부터 상기 제1 및 제2 내부 전극(121, 122) 중 상기 제1 면(1)에 가장 가깝게 배치된 내부 전극까지의 제1 방향 평균 크기를 H1, 상기 제1 면(1)의 연장선으로부터 상기 제1 및 제2 접속부(131a-5, 132a-5) 상에 배치된 도금층(141-5, 142-5)의 끝단까지의 제1 방향 평균 크기를 H2라 할 때, H1<H2를 만족할 수 있다. 이에 따라, 실장시 솔더와 접하는 면적을 증가시켜 고착 강도를 향상시킬 수 있으며, 외부 전극(131-5, 132-5)과 도금층(141-5, 142-5)이 접하는 면적을 증가시켜 ESR(Equivalent Series Resistance)가 증가되는 것을 억제할 수 있다.
보다 바람직하게는 바디(110)의 제1 방향 평균 크기를 T라 할 때, H2<T/2를 만족할 수 있다. 즉, H1<H2<T/2를 만족할 수 있다. H2가 T/2 이상인 경우에는 절연층에 의한 내습 신뢰성 향상 효과가 저하될 우려가 있기 때문이다.
또한, 제1 및 제2 도금층(141-5, 142-5)은 제3 면 및 제4 면에서 절연층(151-1)의 일부를 덮도록 배치될 수 있다. 즉, 도금층(141-5, 142-5)이 제3 면 및 제4 면에서 절연층(151-5)의 끝단을 덮도록 배치될 수 있다. 이에 따라 절연층(151-5)과 도금층(141-5, 142-5)의 결합력을 강화하여 적층형 전자 부품(1005)의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
또한, 절연층(151-5)는 제3 면 및 제4 면에서 제1 및 제2 도금층(141-5, 142-5)의 일부를 덮도록 배치될 수 있다. 즉, 절연층(151-5)이 제3 면 및 제4 면에서 도금층(141-5, 142-5)의 끝단을 덮도록 배치될 수 있다. 이에 따라, 절연층(151-5)과 도금층(141-5, 142-5)의 결합력을 강화하여 적층형 전자 부품(1005)의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
도 16은 도 14의 변형예를 도시한 것이다. 도 16을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 적층형 전자 부품(1005)의 변형예(1006)는 제1 접속부(131a-6)와 제3 면 사이에는 제1 추가 전극층(134)이 배치될 수 있으며, 제2 접속부(132a-6)와 제4 면 사이에는 제2 추가 전극층(135)이 배치될 수 있다. 제1 추가 전극층(134)은 제3 면을 벗어나지 않는 범위에서 배치될 수 있으며, 제2 추가 전극층(135)은 제4 면을 벗어나지 않는 범위에서 배치될 수 있다. 제1 및 제2 추가 전극층(134, 135)은 내부 전극(121, 122)과 외부 전극(131-6, 132-6) 간의 전기적 연결성을 향상시킬 수 있으며, 외부 전극(131-6, 132-6)과의 결합력이 우수하여 외부 전극(131-6, 132-6)의 기계적 결합력을 보다 향상 시키는 역할을 수행할 수 있다.
제1 및 제2 외부 전극(131-6, 132-6)은 제2 면 상에 제1 및 제2 외부 전극이 배치되지 않은 L자 형태를 가질 수 있다.
제1 외부 전극(131-6)은 제1 추가 전극층(134) 상에 배치되는 제1 접속부(131a-6), 상기 제1 접속부(131a-6)로부터 상기 제1 면(1)의 일부까지 연장되는 제1 밴드부(131b-6)를 포함할 수 있으며, 제2 외부 전극(132-6)은 제2 추가 전극층(135) 상에 배치되는 제2 접속부(132a-6), 상기 제2 접속부(132a-6)로부터 상기 제1 면(1)의 일부까지 연장되는 제2 밴드부(132b-6)를 포함할 수 있다.
한편, 제1 및 제2 추가 전극층(131-6, 132-6)은 금속 등과 같이 전기 전도성을 갖는 것이라면 어떠한 물질을 사용하여 형성될 수 있고, 전기적 특성, 구조적 안정성 등을 고려하여 구체적인 물질이 결정될 수 있다. 또한, 제1 및 제2 추가 전극층(131-6, 132-6)은 도전성 금속 및 글라스를 포함한 소성(firing) 전극이거나, 도전성 금속 및 수지를 포함한 수지계 전극일 수 있다. 또한, 제1 및 제2 추가 전극층(131-6, 132-6)은 바디 상에 도전성 금속을 포함한 시트를 전사하는 방식으로 형성된 것일 수 있다.
제1 및 제2 추가 전극층(131-6, 132-6)에 포함되는 도전성 금속으로 전기 전도성이 우수한 재료를 사용할 수 있으며 특별히 한정하지 않는다. 예를 들어, 도전성 금속은 Cu, Ni, Pd, Ag, Sn, Cr 및 그들의 합금 중 하나 이상일 수 있다. 바람직하게는 제1 및 제2 추가 전극층(131-6, 132-6)은 Ni 및 Ni 합금 중 하나 이상을 포함할 수 있으며, 이에 따라, Ni을 포함하는 내부 전극(121, 122)과의 연결성을 보다 향상시킬 수 있다.
도 17은 본 발명의 일 실시예에 따른 적층형 전자 부품(1007)의 사시도를 개략적으로 도시한 것이며 도 18은 도 17의 VII-VII`에 따른 단면도이다.
도 17 및 도 18을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 적층형 전자 부품(1007)의 제1 및 제2 도금층(141-6, 142-6)의 평균 두께(t1)은 절연층(151-6)의 평균 두께(t2)보다 얇은 형태일 수 있다.
절연층(151-6)은 외부의 수분 침투 또는 도금액의 침투를 방지하는 역할을 하나, 도금층(141-6, 142-6)과의 연결성이 약해 도금층(141-6, 142-6)의 딜라미네이션(delamination)의 원인이 될 수 있다. 도금층이 딜라미네이션되는 경우 기판(180)과의 고착 강도가 저하될 수 있다. 여기서 도금층(141-6, 142-6)의 딜라미네이션이란 도금층이 일부 떨어지거나 외부 전극(131-5, 132-5)과 물리적으로 분리되는 것을 의미할 수 있다. 도금층과 절연층의 연결성이 약하기 때문에 절연층과 도금층의 계면의 틈이 벌어지거나 이물질이 침투할 가능성이 높아지고, 외부 충격 등에 취약하게 되어 딜라미네이션될 가능성이 높아질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면 도금층의 평균 두께(t1)를 절연층의 평균 두께(t2)보다 얇게하여 도금층과 절연층이 맞닿는 면적을 줄일 수 있으며, 이에 따라 딜라미네이션의 발생을 억제하여 적층형 전자 부품(1000)의 기판(180)과의 고착 강도를 향상시킬 수 있다.
제1 및 제2 도금층(141-6, 142-6)의 평균 두께(t1)는 제1 및 제2 접속부(131a-5, 132a-5) 또는 제1 및 제2 밴드부(131b-5, 132b-5) 상의 등간격의 5개 지점에서 측정한 두께를 평균한 값일 수 있으며, 절연층(151-6)의 평균 두께(t2)는 제1 및 제2 접속부(131a-5, 132a-5) 상의 등간격의 5개 지점에서 측정한 두께를 평균한 값일 수 있다.
도 19는 본 발명의 일 실시예에 따른 적층형 전자 부품(2000)의 사시도를 개략적으로 도시한 것이다. 도 20은 도 19의 VIII-VIII`에 따른 단면도이다.
이하, 도 19 및 도 20를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 적층형 전자 부품(2000)에 대하여 상세히 설명하도록 한다. 다만, 상술한 내용과 중복되는 내용은 중복된 설명을 피하기 위하여 생략될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 적층형 전자 부품(2000)은, 유전체층(111), 상기 유전체층을 사이에 두고 번갈아 배치되는 제1 및 제2 내부 전극(121, 122)을 포함하며, 제1 방향으로 대향하는 제1 및 제2 면(1, 2), 상기 제1 및 제2 면과 연결되고 제2 방향으로 대향하는 제3 및 제4 면(3, 4), 상기 제1 내지 제4 면과 연결되고 제3 방향으로 대향하는 제5 및 제6 면(5, 6)을 포함하는 바디(110); 상기 제3 면에 배치되는 제1 연결 전극(231a) 및 상기 제1 면에 배치되어 상기 제1 연결 전극과 연결되는 제1 밴드 전극(231b)을 포함하는 제1 외부 전극(231); 상기 제4 면에 배치되는 제2 연결 전극(232a) 및 상기 제1 면에 배치되어 상기 제2 연결 전극과 연결되는 제2 밴드 전극(232b)을 포함하는 제2 외부 전극(232); 상기 제1 연결 전극 상에 배치되는 제1 절연층(251); 상기 제2 연결 전극 상에 배치되는 제2 절연층(252); 상기 제1 밴드 전극 상에 배치되는 제1 도금층(241); 및 상기 제2 밴드 전극 상에 배치되는 제2 도금층(242); 을 포함하며, 상기 제1 및 제2 절연층(251, 252)는 규소(Si)를 포함하는 산화물을 포함할 수 있다.
제1 연결 전극(231a)은 제3 면(3)에 배치되어 제1 내부 전극(121)과 연결되며, 제2 연결 전극(231b)은 제4 면(4)에 배치되어 제2 내부 전극(122)과 연결될 수 있다. 또한, 제1 연결 전극(231a`) 상에는 제1 절연층(251)이 배치되고, 제2 연결 전극(232a) 상에는 제2 절연층(252)이 배치될 수 있다.
종래에는 외부 전극을 형성할 때 도전성 금속이 포함된 페이스트를 사용하여, 바디의 내부 전극이 노출된 면을 페이스트에 딥핑(dipping)하는 방법이 주로 사용되었다. 하지만 딥핑(dipping) 공법에 의하여 형성된 외부 전극은 두께 방향 중앙부에서의 외부 전극의 두께가 너무 두꺼울 수 있었다. 또한, 이러한 딥핑(dipping) 공법에 따른 외부 전극의 두께 불균형 문제가 아니더라도, 바디의 제3 및 제4 면으로 내부 전극이 노출되기 때문에 외부 전극을 통한 수분 및 도금액 침투를 억제하기 위해서 제3 및 제4 면에 배치된 외부 전극의 두께가 일정 이상이 되도록 형성하였다.
반면에, 본 발명에서는 연결 전극(231a, 232a) 상에 절연층(251, 252)을 배치하기 때문에 내부 전극이 노출되는 제3 및 제4 면에서의 연결 전극(231a, 232a) 두께를 얇게 해도 충분한 신뢰성을 확보할 수 있다.
제1 및 제2 연결 전극(231a, 232a)은 각각 제3 및 제4 면에 대응하는 형태일 수 있으며, 제1 및 제2 연결 전극(231a, 232a)에서 바디(110)를 향하는 면은 바디(110)의 제3 및 제4 면과 각각 동일한 면적을 가질 수 있다. 제1 및 제2 연결 전극(231a, 232a)은 각각 제3 및 제4 면(3, 4)을 벗어나지 않는 범위에서 배치될 수 있다. 연결 전극(231a, 232a)은 바디(110)의 제1, 제2, 제5 및 제6 면(1, 2, 5, 6)으로 연장되지 않도록 배치될 수 있다. 구체적으로, 일 실시예에서 제1 및 제2 연결 전극(231a, 232a은 제5 및 제6 면과 이격되어 배치될 수 있다. 이에 따라 내부 전극(121, 122)과 외부 전극(231, 232) 간의 충분한 연결성을 확보하면서도 외부 전극이 차지하는 부피를 최소화 하여 적층형 전자 부품(2000)의 단위 부피당 용량을 증가시킬 수 있다.
이런 관점에서, 상기 제1 및 제2 연결전극(231a, 232a)는 상기 제2 면(2)과 이격되어 배치될 수 있다. 즉, 외부 전극(231, 232)이 제2 면 상에는 배치되지 않음에 따라 외부 전극(231, 232)이 차지하는 부피를 더욱 최소화 하여 적층형 전자 부품(2000)의 단위 부피당 용량을 더욱 증가시킬 수 있다.
다만, 연결 전극(231a, 232a)은 바디(110)의 코너로 연장되어 코너 상에 배치된 코너부를 포함할 수 있다. 즉, 일 실시예에서, 제1 연결 전극은 상기 제1-3 코너 및 제2-3 코너 상으로 연장되어 배치되는 코너부(미도시)를 포함하며, 상기 제2 연결 전극은 상기 제1-4 코너 및 제2-4 코너 상으로 연장되어 배치되는 코너부(미도시)를 포함할 수 있다.
또한, 연결 전극(231a, 232a)은 종래 딥핑 방식에 의해 형성된 외부 전극 대비 균일하고 얇은 두께를 가질 수 있다.
연결 전극(231a, 232a)을 형성하는 방법은 특별히 제한할 필요는 없으나, 예를 들어, 도전성 금속, 바인더와 같은 유기물질 등을 포함하는 시트를 제3 및 제4 면에 전사하는 방식으로 형성할 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니며, 도전성 금속을 제3 및 제4 면에 도금하여 형성할 수 있다. 즉, 연결 전극(231a, 232a)는 도전성 금속을 소성한 소성층 이거나 도금층일 수 있다.
연결 전극(231a, 232a)의 두께는 특별히 한정하지 않으나, 예를 들어 2~7μm일 수 있다. 여기서, 연결 전극(231a, 232a)의 두께란 최대 두께를 의미할 수 있으며, 연결 전극(231a, 232a)의 제2 방향 크기를 의미할 수 있다.
일 실시예에서, 제1 및 제2 연결 전극(231a, 232a)은 내부 전극(121, 122)에 포함된 금속과 동일한 금속 및 글라스를 포함할 수 있다. 제1 및 제2 연결 전극(231a, 232a)이 내부 전극(121, 122)에 포함된 금속과 동일한 금속을 포함함에 따라 내부 전극(121, 122)과의 전기적 연결성을 향상시킬 수 있으며, 제1 및 제2 연결 전극(231a, 232a)이 글라스를 포함함에 따라 바디(110) 및/또는 절연층(251, 252)과의 결합력을 향상시킬 수 있다. 이때, 내부 전극(121, 122)에 포함된 금속과 동일한 금속은 Ni일 수 있다.
제1 및 제2 절연층(251, 252)은 각각 제1 및 제2 연결 전극(231a, 232a) 상에 배치되어 제1 및 제2 연결 전극(231a, 232a) 상에 도금층이 형성되는 것을 방지하는 역할을 수행할 수 있다. 또한, 제1 및 제2 절연층(251, 252)은 실링 특성을 향상시켜 외부로부터 수분이나 도금액 등이 침투하는 것을 최소화하는 역할을 수행할 수 있다.
일 실시예에서, 제1 및 제2 절연층(251, 252)은 규소(Si)를 포함하는 산화물을 포함할 수 있다. 이에 따라, 내습 신뢰성을 보다 향상시킬 수 있으며, 열수축에 의한 크랙, 금속 확산에 따른 방사 크랙 등을 억제할 수 있다.
이때, 일 실시예에서는, 제1 및 제2 절연층(251, 252)은 붕소를 포함하는 산화물(boric oxide)을 더 포함하고, 제1 및 제2 절연층(251, 252)과 바디(110)이 접하는 계면에서 바륨 및 붕소를 포함하는 접착층을 더 포함하도록 하여 절연층(251, 252)과 바디(110)의 접착력을 향상시키고 적층형 전자 부품(2000) 전체의 강도를 향상시킬 수 있다.
일 실시예에서, 제1 및 제2 절연층(251, 252)은 산소를 제외한 나머지 원소들의 몰수 대비 Si 원자의 몰수가 0.95 이상일 수 있다. 즉 절연층(151)은 불순물로 검출되는 원소들을 제외하면 실질적으로 Si를 포함하는 산화물로 이루어질 수 있으며, 이에 따라 동일한 두께를 가지는 다른 성분으로 구성된 절연 층 대비 외부 습기의 침투를 효과적으로 방지할 수 있으며, 도금액 등과 같은 산이나 염기들에 대한 내식성과 저항성이 향상될 수 있다.
또한, 일 실시예에서, 제1 및 제2 절연층(251, 252)은 붕소를 포함하는 산화물(boric oxide), 붕규산염 및 아연-붕규산염(zinc-borosilicate) 중 적어도 어느 하나 이상을 포함할 수 있다. 이에 따라 외부 열충격으로부터 적층형 전자 부품(2000)에 가해지는 응력을 감소시켜 크랙 및 딜라미네이션의 발생을 감소시키고, 방사크랙의 형성을 방지하며, 도금액 및 외부 수분의 침투를 막아 적층형 전자 부품(2000)의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
상기 실시예 중에서 제1 및 제2 절연층(251, 252)이 붕소를 포함하는 산화물(boric oxide), 붕규산염 및 아연-붕규산염(zinc-borosilicate) 중 적어도 어느 하나 이상을 포함하는 경우 바디(110) 표면의 바륨 옥사이드와 저온에서 반응하여 Eutetic을 형성할 수 있다. 따라서, 일 실시예에서는 적층형 전자 부품(2000)은 붕소를 포함하는 산화물을 더 포함하는 절연층(251, 252)과 바디(110)가 접하는 계면에서 바륨 및 붕소를 포함하는 접착층을 더 포함할 수 있다.
절연층에 포함되는 물질은 SiO2, B2O3와 같은 절연물질이므로, 도전성 금속을 포함하는 제1 및 제2 외부 전극(231, 232)과 접착력이 좋지 않다. 본 발명의 일 실시예에 따른 적층형 전자 부품(2000)은 절연층(251, 252)과 제1 및 제2 외부 전극(231, 232)와의 접착력이 좋지 않음에도 불구하고 절연물질을 포함하는 바디(110)과 접착력이 좋기 때문에 적층형 전자 부품(2000) 전체의 강도를 향상시킬 수 있다.
제1 및 제2 밴드 전극(231b, 232b)은 바디(110)의 제1 면(1)에 배치될 수 있다. 제1 및 제2 밴드 전극(231b, 232b)은 각각 제1 및 제2 연결 전극(231a, 232a)과 접촉함으로써, 제1 및 제2 내부 전극(121, 122)과 각각 전기적으로 연결될 수 있다.
종래의 딥핑(dipping) 공법에 의하여 형성된 외부 전극은 제3 및 제4 면에서 두껍게 형성되고 제1, 제2, 제5 및 제6 면에도 일부 연장되어 형성됨에 따라 유효 부피율을 높게 확보하기 어려운 문제점이 있었다.
반면에, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 내부 전극이 노출된 면에는 제1 및 제2 연결 전극(231a, 232a)을 배치하고, 기판에 실장되는 면에는 제1 및 제2 밴드 전극(231b, 232b)을 배치함에 따라 유효 부피율을 높게 확보할 수 있다.
한편, 내부 전극(121, 122)이 제1 방향으로 적층되어 있는 경우에는 내부 전극(121, 122)이 실장 면과 평행하도록 적층형 전자 부품(2000)을 기판에 수평 실장할 수 있다. 다만 본 발명이 수평 실장인 경우에 한정되는 것은 아니며, 내부 전극(121, 122)을 제3 방향으로 적층하는 경우에는 내부 전극(121, 122)이 실장 면과 수직하도록 기판에 적층형 전자 부품을 수직 실장할 수 있다.
제1 및 제2 밴드 전극(231b, 232b)은 금속 등과 같이 전기 전도성을 갖는 것이라면 어떠한 물질을 사용하여 형성될 수 있고, 전기적 특성, 구조적 안정성 등을 고려하여 구체적인 물질이 결정될 수 있다. 예를 들어, 제1 및 제2 밴드 전극(231, 232b)은 도전성 금속 및 글라스를 포함한 소성(firing) 전극일 수 있으며, 바디의 제1 면에 도전성 금속 및 글라스를 포함하는 페이스트를 도포하는 방식을 이용하여 형성할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니며, 도전성 금속을 바디의 제1 면에 도금한 도금층일 수 있다.
제1 및 제2 밴드 전극(231b, 232b)에 포함되는 도전성 금속으로 전기 전도성이 우수한 재료를 사용할 수 있으며 특별히 한정하지 않는다. 예를 들어, 도전성 금속은 니켈(Ni), 구리(Cu) 및 그들의 합금 중 하나 이상일 수 있으며, 내부 전극(121, 122)에 포함된 금속과 동일한 금속을 포함할 수 있다.
한편, 실링 특성 및 높은 강도를 확보하기 위해 일 실시예에서, 제1 외부 전극(231)은 상기 제2 면(2)에 배치되어 상기 제1 연결 전극(231a)과 연결되는 제3 밴드 전극(미도시)를 더 포함하며, 상기 제2 외부 전극(232)는 상기 제2 면(2)에 배치되어 상기 제2 연결전극(232a)과 연결되는 제4 밴드 전극(미도시)를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제3 면의 연장선(E3)으로부터 상기 제1 밴드 전극(231b)의 끝단까지의 거리를 B1, 상기 제4 면의 연장선(E4)으로부터 상기 제2 밴드 전극(232b)의 끝단까지의 거리를 B2, 상기 제3 면의 연장선으로부터 상기 제3 밴드 전극(미도시)의 끝단까지의 거리를 B3, 상기 제4 면의 연장선으로부터 상기 제4 밴드 전극(미도시)의 끝단까지의 거리를 B4, 상기 제3 면과 상기 제2 내부 전극(122)이 이격된 영역의 제2 방향 평균 크기를 G1, 상기 제4 면과 상기 제1 내부 전극(121)이 이격된 영역의 제2 방향 평균 크기를 G2라 할 때, B1≥G1, B3≤G1, B2≥G2 및 B4≤G2를 만족할 수 있다. 이에 따라 외부 전극이 차지하는 부피를 최소화 하여 적층형 전자 부품(2000)의 단위 부피당 용량을 증가 시킴과 동시에 실장 시 솔더와 접하는 면적을 증가시켜 고착 강도를 향상시킬 수 있다.
다만, 본 발명을 B1≥G1, B3≤G1, B2≥G2 및 B4≤G2으로 한정하려는 의도는 아니며, B1≥G1, B3≥G1, B2≥G2 및 B4≥G2를 만족하는 경우도 본 발명의 일 실시예로 포함될 수 있다. 따라서, 일 실시예에서, 상기 제3 면의 연장선(E3)으로부터 상기 제1 밴드 전극(231b)의 끝단까지의 거리를 B1, 상기 제4 면의 연장선(E4)으로부터 상기 제2 밴드 전극(232b)의 끝단까지의 거리를 B2, 상기 제3 면의 연장선으로부터 상기 제3 밴드 전극(미도시)의 끝단까지의 거리를 B3, 상기 제4 면의 연장선으로부터 상기 제4 밴드 전극(미도시)의 끝단까지의 거리를 B4, 상기 제3 면과 상기 제2 내부 전극(122)이 이격된 영역의 제2 방향 평균 크기를 G1, 상기 제4 면과 상기 제1 내부 전극(121)이 이격된 영역의 제2 방향 평균 크기를 G2라 할 때, B1≥G1, B3≥G1, B2≥G2 및 B4≥G2를 만족할 수 있다.
제1 및 제2 도금층(241, 242)은 제1 및 제2 밴드 전극(231b, 232b) 상에 배치될 수 있다. 제1 및 제2 도금층(241, 242)은 실장 특성을 향상시키는 역할을 수행한다. 제1 및 제2 도금층(241, 242)의 종류는 특별히 한정하지 않으며, Ni, Sn, Pd 및 이들의 합금 중 하나 이상을 포함하는 도금층일 수 있고, 복수의 층으로 형성될 수 있다.
제1 및 제2 도금층(241, 242)에 대한 보다 구체적인 예를 들면, 제1 및 제2 도금층(241, 242)은 Ni 도금층 또는 Sn 도금층일 수 있으며, 제1 및 제2 밴드 전극(231b, 232b) 상에 Ni 도금층 및 Sn 도금층이 순차적으로 형성된 형태일 수 있다.
일 실시예에서, 제1 및 제2 도금층(241, 242)은 각각 제1 및 제2 연결 전극(231a, 232a)을 일부 덮도록 연장되어 배치될 수 있다.
제1 면(1)으로부터 제1 및 제2 내부 전극(121, 122) 중 제1 면(1)에 가장 가깝게 배치된 내부 전극까지의 제1 방향 평균 크기를 H1, 상기 제1 면(1)의 연장선으로부터 상기 제1 및 제2 연결 전극(231a, 232a) 상에 배치된 제1 및 제2 도금층(241, 242)의 끝단까지의 제1 방향 평균 크기를 H2라 할 때, H1>H2를 만족할 수 있다. 이에 따라, 도금 공정시 도금액이 내부 전극으로 침투하는 것을 억제하여 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
일 실시예에서, 제1 및 제2 절연층(251, 252)은 제1 및 제2 연결 전극(231a, 232a)과 각각 직접 접하도록 배치되며, 제1 및 제2 연결 전극(231a, 232a)은 도전성 금속 및 글라스를 포함할 수 있다. 이에 따라, 제1 및 제2 연결 전극 (231a, 232a)의 외표면 중 절연층(251, 252)이 배치된 영역에는 도금층(241, 242)이 배치되지 않을 수 있기 때문에, 도금액에 의한 외부전극 침식 방지를 효과적으로 억제할 수 있다.
일 실시예에서, 제1 및 제2 절연층(251, 252)은 제1 및 제2 연결 전극(231a, 232a)과 각각 직접 접하도록 배치되며, 제1 및 제2 연결 전극(231a, 232a)은 도전성 금속 및 수지를 포함할 수 있다. 이에 따라, 제1 및 제2 연결 전극 (231a, 232a)의 외표면 중 절연층(251, 252)이 배치된 영역에는 도금층(241, 242)이 배치되지 않을 수 있기 때문에, 도금액에 의한 외부전극 침식 방지를 효과적으로 억제할 수 있다.
일 실시예에서, 제1 도금층(241)은 제1 절연층(251)의 제1 외부 전극(231) 상에 배치된 끝단을 덮도록 배치되며, 제2 도금층(242)은 제2 절연층(252)의 제2 외부 전극(232) 상에 배치된 끝단을 덮도록 배치될 수 있다. 이에 따라, 절연층(251, 252)과 도금층(241, 242)의 결합력을 강화하여 적층형 전자 부품(3000)의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 또한, 외부 전극(231, 232) 상에 도금층(241, 242)을 형성하기 전에 제1 및 제2 절연층(251, 252)을 먼저 형성함으로써, 도금층 형성 과정에서의 도금액 침투를 보다 확실히 억제할 수 있다. 도금층보다 절연층을 먼저 형성함에 따라, 도금층(241, 242)이 절연층(251, 252)의 끝단을 덮는 형태를 가질 수 있다.
일 실시예에서, 제1 절연층(251)은 제1 도금층(241)의 제1 외부 전극(231) 상에 배치된 끝단을 덮도록 배치되며, 제2 절연층(252)은 제2 도금층(342)의 제2 외부 전극(332) 상에 배치된 끝단을 덮도록 배치될 수 있다. 이에 따라, 절연층(351)과 도금층(341, 342)의 결합력을 강화하여 적층형 전자 부품(3000)의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
도 21은 도 19의 변형예를 도시한 것이다. 도 21을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 적층형 전자 부품(2000)의 변형예(2001)는 제1 및 제2 절연층(251-1, 252-1)이 제5 및 제6 면(5, 6)으로 연장되어 서로 연결됨으로써 하나의 절연층(253-1)으로 연결될 수 있다. 이때, 연결된 제1 및 제2 절연층(253-1)이 제5 면 및 제6 면의 일부를 덮도록 배치될 수 있다.
도 22는 본 발명의 일 실시예에 따른 적층형 전자 부품(2002)의 사시도를 개략적으로 도시한 것이다. 도 23는 도 22의 IX-IX`에 따른 단면도이다.
도 22 및 도 23을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 적층형 전자 부품(2002)은 제1 및 제2 도금층(241-2, 242-2)이 제1 면의 연장선 이하로 배치될 수 있다. 이에 따라, 실장 시 솔더의 높이를 최소화할 수 있으며 실장 공간을 최소화할 수 있다.
또한, 제1 및 제2 절연층(251-2, 252-2)은 제1 면의 연장선 이하까지 연장되어 제1 및 제2 도금층(241-2, 242-2)과 접하도록 배치될 수 있다.
도 25는 도 22의 변형예를 도시한 것이다. 도 25를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 적층형 전자 부품(2002)의 변형예(2003)는 제1 및 제2 절연층(251-3, 252-3)이 제5 및 제6 면(5, 6)으로 연장되어 서로 연결됨으로써 하나의 절연층(253-3)으로 연결될 수 있다. 이때, 연결된 제1 및 제2 절연층(253-3)이 제5 면 및 제6 면의 전부를 덮도록 배치될 수 있다.
도 25는 본 발명의 일 실시예에 따른 적층형 전자 부품(2004)의 사시도를 개략적으로 도시한 것이다. 도 26은 도 25의 X-X`에 따른 단면도이다.
도 25 및 도 26을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 적층형 전자 부품(2004)은 제1 면(1) 상에 배치되며 제1 밴드 전극(231b)와 제2 밴드 전극(232b) 사이에 배치되는 추가 절연층(261)을 더 포함할 수 있다. 이에 따라, 고압 전류 하에서 제1 밴드 전극(231b)와 제2 밴드 전극(232b) 사이에서 발생할 수 있는 누설 전류 등을 방지할 수 있다.
추가 절연층(261)의 종류는 특별히 한정할 필요는 없다. 예를 들어, 추가 절연층(261)은 제1 및 제2 절연층(251-2, 252-2)과 마찬가지로 Si를 포함하는 산화물, 붕소를 포함하는 산화물(boric oxide), 붕규산염(borosilicate) 및 아연-붕규산염(zinc-borosilicate) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 다만, 추가 절연층(261)과 제1 및 제2 절연층(251-2, 252-2)을 동일한 재료로 한정할 필요는 없으며, 상이한 재료로 형성될 수도 있다. 예를 들어, 에폭시 수지, 아크릴 수지, 에틸 셀룰로우스(Ethyl Cellulose) 등에서 선택된 1종 이상을 포함하거나, 글래스를 포함할 수 있다.
도 27는 도 25의 변형예를 도시한 것이다. 도 27을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 적층형 전자 부품(2004)의 변형예(2005)는 제1 및 제2 절연층(251-5, 252-5)이 제5 및 제6 면(5, 6)으로 연장되어 서로 연결됨으로써 하나의 절연층(253-5)으로 연결될 수 있다.
도 28은 본 발명의 일 실시예에 따른 적층형 전자 부품(2006)의 사시도를 개략적으로 도시한 것이다. 도 29는 도 28의 XI-XI`에 따른 단면도이다.
도 28 및 도 29를 참조하면, 일 실시예에 따른 적층형 전자 부품(2006)은 제1 연결 전극(231a) 상에 배치되는 제1 절연층(251-6), 제2 연결 전극(232a) 상에 배치되는 제2 절연층(252-6)을 포함하며, 제1 면(1)으로부터 상기 제1 및 제2 내부 전극(121, 122) 중 상기 제1 면(1)에 가장 가깝게 배치된 내부 전극까지의 제1 방향 평균 크기를 H1, 상기 제1 면(1)의 연장선으로부터 상기 제1 및 제2 연결 전극(231a, 232a) 상에 배치된 제1 및 제2 도금층(241-6, 242-6)의 끝단까지의 제1 방향 평균 크기를 H2라 할 때, H1<H2를 만족할 수 있다. 이에 따라, 실장시 솔더와 접하는 면적을 증가시켜 고착 강도를 향상시킬 수 있다.
보다 바람직하게는 바디(110)의 제1 방향 평균 크기를 T라 할 때, H2<T/2를 만족할 수 있다. 즉, H1<H2<T/2를 만족할 수 있다. H2가 T/2 이상인 경우에는 절연층에 의한 내습 신뢰성 향상 효과가 저하될 우려가 있기 때문이다.
도 30은 도 28의 변형예를 도시한 것이다. 도 30을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 적층형 전자 부품(2006)의 변형예(2007)는 제1 및 제2 절연층(251-7, 252-7)이 제5 및 제6 면(5, 6)으로 연장되어 서로 연결됨으로써 하나의 절연층(253-7)으로 연결될 수 있다.
도 31은 본 발명의 일 실시예에 따른 적층형 전자 부품(2008)의 사시도를 개략적으로 도시한 것이다. 도 32는 도 31의 XII-XII`에 따른 단면도이다.
도 31 및 도 32를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 적층형 전자 부품(2008)은 제1 및 제2 절연층(251-8, 252-8)이 제2, 제5 및 제6 면(2, 5, 6)으로 연장되어 서로 연결됨으로써 하나의 절연층(253-8)으로 연결될 수 있다. 도 33에 도시된 바와 같이, 절연층(253-8)이 제2 면을 모두 덮고 있는 형태일 수 있으며, 제5 및 제6 면은 일부만 덮고 있는 형태일 수 있다.
도 33은 본 발명의 일 실시예에 따른 적층형 전자 부품(2009)의 사시도를 개략적으로 도시한 것이다. 도 34는 도 33의 XIII-XIII`에 따른 단면도이다.
도 35 및 도 36을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 적층형 전자 부품(2009)의 제1 및 제2 도금층(241-9, 242-9)의 평균 두께(t1)은 제1 및 제2 절연층(251-9, 252-9)의 평균 두께(t2)보다 얇은 형태일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면 제1 및 제2 도금층(241-9, 242-9)의 평균 두께(t1)를 제1 및 제2 절연층(251-9, 252-9)의 평균 두께(t2)보다 얇게하여 도금층과 절연층이 맞닿는 면적을 줄일 수 있으며, 이에 따라 딜라미네이션의 발생을 억제하여 적층형 전자 부품(2009)의 기판(180)과의 고착 강도를 향상시킬 수 있다.
제1 및 제2 도금층(241-9, 242-9)의 평균 두께(t1)는 제1 및 제2 연결 전극(231a, 232a) 또는 제1 및 제2 밴드 전극(231b, 232b) 상의 등간격의 5개 지점에서 측정한 두께를 평균한 값일 수 있으며, 절연층(251-9, 252-9)의 평균 두께(t2)는 제1 및 제2 연결 전극(231a, 232a) 상의 등간격의 5개 지점에서 측정한 두께를 평균한 값일 수 있다.
도 35는 도 33의 변형예를 도시한 것이다. 도 35를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 적층형 전자 부품(2009)의 변형예(2010)는 제1 및 제2 절연층(251-10, 252-10)이 제5 및 제6 면(5, 6)으로 연장되어 서로 연결됨으로써 하나의 절연층(253-10)으로 연결될 수 있다.
도 36은 본 발명의 일 실시예에 따른 적층형 전자 부품의(3000) 사시도를 개략적으로 도시한 것이다. 도 37은 도 36의 XIV-XIV`에 따른 단면도이다. 도 38은 도 36의 K1 영역을 확대한 확대도이다.
도 36 내지 42를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 적층형 전자 부품(3000)은 유전체층(111) 및 상기 유전체층을 사이에 두고 번갈아 배치되는 제1 및 제2 내부 전극(121, 122)을 포함하며, 제1 방향으로 대향하는 제1 및 제2 면, 상기 제1 및 제2 면과 연결되고 제2 방향으로 대향하는 제3 및 제4 면, 상기 제1 내지 제4 면과 연결되고 제3 방향으로 대향하는 제5 및 제6 면을 포함하는 바디(110); 상기 바디의 제3 면에 배치되는 제1 접속부(331a), 상기 제1 접속부로부터 제1 면의 일부까지 연장되는 제1 밴드부(331b), 상기 제1 접속부로부터 바디의 제2 면과 제3 면을 연결하는 코너로 연장되어 배치되는 제1 코너부(331c)를 포함하는 제1 외부 전극(331); 상기 바디의 제4 면에 배치되는 제2 접속부(332a), 상기 제2 접속부로부터 제1 면의 일부까지 연장되는 제2 밴드부(332b), 상기 제2 접속부로부터 바디의 제2 면과 제4 면을 연결하는 코너로 연장되어 배치되는 제2 코너부(332c)를 포함하는 제2 외부 전극(332); 상기 제1 및 제2 접속부(331a, 332a) 상에 배치되며, 상기 제2 면, 제1 및 제2 코너부를 덮도록 배치되는 절연층(351); 상기 제1 밴드부 상에 배치되는 제1 도금층(341); 및 상기 제2 밴드부 상에 배치되는 제2 도금층(342);을 포함하며, 상기 절연층(351)은 규소(Si)를 포함하는 산화물을 포함할 수 있다
일 실시예에서, 상기 제3 면의 연장선으로부터 상기 제1 코너부(331c)의 끝단 까지의 상기 제2 방향 평균 크기를 B3, 상기 제4 면의 연장선으로부터 상기 제2 코너부(332c)의 끝단 까지의 상기 제2 방향 평균 크기를 B4, 상기 제3 면과 상기 제2 내부 전극이 이격된 영역의 제2 방향 평균 크기를 G1, 상기 제4 면과 상기 제1 내부 전극이 이격된 영역의 제2 방향 평균 크기를 G2라 할 때, B3≤G1 및 B4≤G2를 만족할 수 있다. 이에 따라 외부 전극(331, 332)이 차지하는 부피를 최소화하여 적층형 전자 부품(3000)의 단위 부피당 용량을 증가시킬 수 있다.
이때, 상기 제3 면의 연장선으로부터 상기 제1 밴드부(331b)의 끝단까지의 상기 제2 방향 평균 크기를 B1, 상기 제4 면의 연장선으로부터 상기 제2 밴드부(332b)의 끝단까지의 상기 제2 방향 평균 크기를 B2라 할 때, B1≥G1 및 B3≥G2를 만족할 수 있다. 이에 따라, 실장시 솔더와 접하는 면적을 증가시켜 고착 강도를 향상시킬 수 있다.
일 실시예에 따른 적층형 전자 부품(3000)은 유전체층(111) 및 상기 유전체층을 사이에 두고 번갈아 배치되는 제1 및 제2 내부 전극(121, 122)을 포함하며, 제1 방향으로 대향하는 제1 및 제2 면, 상기 제1 및 제2 면과 연결되고 제2 방향으로 대향하는 제3 및 제4 면, 상기 제1 내지 제4 면과 연결되고 제3 방향으로 대향하는 제5 및 제6 면을 포함하는 바디(110)를 포함할 수 있다. 적층형 전자 부품(3000)의 바디(110)는 후술할 바와 같이 바디의 제1 면 또는 제2 면의 단부가 수축된 형태를 가지는 것을 제외하면 적층형 전자 부품(1000)의 바디(110)과 동일한 구성을 가질 수 있다.
외부 전극(331, 332)은 바디(110)의 제3 면(3) 및 제4 면(4)에 배치될 수 있다. 외부 전극(331, 332)은 바디(110)의 제3 및 제4 면(3, 4)에 각각 배치되어, 제1 및 제2 내부 전극(121, 122)과 각각 연결된 제1 및 제2 외부 전극(331, 332)을 포함할 수 있다.
외부 전극(331, 332)은 제3 면에 배치되는 제1 접속부(331a) 및 상기 제1 접속부로부터 상기 제1 면의 일부까지 연장되는 제1 밴드부(331b), 상기 제1 접속부로부터 상기 제2 면과 제3 면을 연결하는 코너로 연장되어 배치되는 제1 코너부(331c)를 포함하는 제1 외부 전극(331), 제4 면에 배치되는 제2 접속부(332a) 및 상기 제2 접속부로부터 상기 제1 면의 일부까지 연장되는 제2 밴드부(332b), 상기 제2 접속부로부터 제2 면과 제4 면을 연결하는 코너로 연장되어 배치되는 제2 코너부(332c)를 포함하는 제2 외부 전극(132)을 포함할 수 있다. 제1 접속부(331a)는 제1 내부 전극(121)과 제3 면에서 연결되고, 제2 접속부(332a)는 제2 내부 전극(122)과 제4 면에서 연결될 수 있다.
일 실시에에서 상기 제1 및 제2 접속부(331a, 332a)는 상기 제5 및 제6 면과 이격되어 배치될 수 있다. 이에 따라 외부 전극(331, 332)가 차지하는 비중을 최소화 하여 적층형 전자 부품(3000)을 더욱 소형화 할 수 있다.
유전체층(111) 상에 내부 전극(121, 122)이 배치되지 않은 마진 영역이 중첩됨에 따라 내부 전극(121, 122) 두께에 의한 단차가 발생하여 제1 면과 제3 내지 제5 면을 연결하는 코너 및/또는 제2 면과 제3 내지 제5 면을 연결하는 코너는 제1 면 또는 제2 면을 기준으로 볼 때 바디(110)의 제1 방향 중앙 쪽으로 수축된 형태를 가질 수 있다. 또는, 바디의 소결 과정에서의 수축 거동에 의해 제1 면(1)과 제3 내지 제6 면(3, 4, 5, 6)을 연결하는 코너 및/또는 제2 면(2)과 제3 내지 제6 면(3, 4, 5, 6)을 연결하는 코너는 제1 면 또는 제2 면을 기준으로 볼 때 바디(110)의 제1 방향 중앙 쪽으로 수축된 형태를 가질 수 있다. 또는, 칩핑 불량 등을 방지하기 위하여 바디(110)의 각 면을 연결하는 모서리를 별도의 공정을 수행하여 라운드 처리함에 따라 제1 면과 제3 내지 제6 면을 연결하는 코너 및/또는 제2 면과 제3 내지 제6 면을 연결하는 코너는 라운드 형태를 가질 수 있다.
상기 코너는 제1 면과 제3 면을 연결하는 제1-3 코너(c1-3), 제1 면과 제4 면을 연결하는 제1-4 코너(c1-4), 제2 면과 제3 면을 연결하는 제2-3 코너(c2-3), 제2 면과 제4 면을 연결하는 제2-4 코너(c2-4)를 포함할 수 있다. 또한, 코너는 제1 면과 제5 면을 연결하는 제1-5 코너, 제1 면과 제6 면을 연결하는 제1-6 코너, 제2 면과 제5 면을 연결하는 제2-5 코너, 제2 면과 제6 면을 연결하는 제2-6 코너를 포함할 수 있다. 다만, 내부 전극(121, 122)에 의한 단차를 억제하기 위하여, 적층 후 내부 전극이 바디의 제5 및 제6 면(5, 6)으로 노출되도록 절단한 후, 단일 유전체층 또는 2 개 이상의 유전체층을 용량 형성부(Ac)의 양측면에 제3 방향(폭 방향)으로 적층하여 마진부(114, 115)를 형성하는 경우에는 제1 면과 제5 및 제6 면을 연결하는 부분 및 제2 면과 제5 및 제6 면을 연결하는 부분이 수축된 형태를 가지지 않을 수 있다.
한편, 바디(110)의 제1 내지 제6 면은 대체로 평탄한 면일 수 있으며, 평탄하지 않은 영역을 코너로 볼 수 있다. 또한, 외부 전극(131, 132) 중 코너 상에 배치되는 영역을 코너부로 볼 수 있다.
이런 관점에서, 상기 제1 및 제2 코너부(331c, 332c)는 상기 제2 면의 연장선(E2) 이하에 배치될 수 있으며, 상기 제1 및 제2 코너부(331c, 332c)는 제2 면과 이격되어 배치될 수 있다. 즉, 외부 전극(331, 332)이 제2 면 상에는 배치되지 않음에 따라 외부 전극(331, 332)이 차지하는 부피를 더욱 최소화 하여 적층형 전자 부품(3000)의 단위 부피당 용량을 더욱 증가시킬 수 있다. 또한 제1 코너부(331c)는 제3 면과 제2 면을 연결하는 제2-3코너(C2-3)의 일부 상에 배치될 수 있으며, 제2 코너부(332c)는 제4 면과 제2 면을 연결하는 제2-4코너(C2-4)의 일부 상에 배치될 수 있다.
제2 면의 연장선(E2)는 하기와 같이 정의될 수 있다.
적층형 전자 부품(3000)을 폭 방향 중앙에서 절단한 길이-두께 방향 단면(L-T 단면)에서, 제3 면에서 제4 면까지 길이 방향으로 균등한 간격을 가지는 두께 방향의 7개의 직선(P0, P1, P2. P3, P4, P5, P6, P7)을 그어 P2와 제2 면이 만나는 지점과 P4와 제2 면이 만나는 지점을 지나는 직선을 제2 면의 연장선(E2)으로 정의할 수 있다.
한편, 외부 전극(331, 332)은 금속 등과 같이 전기 전도성을 갖는 것이라면 어떠한 물질을 사용하여 형성될 수 있고, 전기적 특성, 구조적 안정성 등을 고려하여 구체적인 물질이 결정될 수 있으며, 나아가 다층 구조를 가질 수 있다.
외부 전극(331, 332)은 도전성 금속 및 글라스를 포함한 소성(firing) 전극이거나, 도전성 금속 및 수지를 포함한 수지계 전극일 수 있다.
또한, 외부 전극(331, 332)은 바디 상에 소성 전극 및 수지계 전극이 순차적으로 형성된 형태일 수 있다. 또한, 외부 전극(331, 332)은 바디 상에 도전성 금속을 포함한 시트를 전사하는 방식으로 형성되거나, 소성 전극 상에 도전성 금속을 포함한 시트를 전사하는 방식으로 형성된 것일 수 있다.
외부 전극(331, 332)에 포함되는 도전성 금속으로 전기 전도성이 우수한 재료를 사용할 수 있으며 특별히 한정하지 않는다. 예를 들어, 도전성 금속은 Cu, Ni, Pd, Ag, Sn, Cr 및 그들의 합금 중 하나 이상일 수 있다. 바람직하게는 외부 전극(331, 332)은 Ni 및 Ni 합금 중 하나 이상을 포함할 수 있으며, 이에 따라, Ni을 포함하는 내부 전극(121, 122)과의 연결성을 보다 향상시킬 수 있다.
절연층(351)은 제1 및 제2 접속부(331a, 332a) 상에 배치될 수 있다.
제1 및 제2 접속부(331a, 332a)는 내부 전극(121, 122)과 연결되는 부위이기 때문에, 도금 공정에서 도금액 침투 또는 실사용시 수분 침투의 경로가 될 수 있다. 본 발명에서는 접속부(331a, 332a) 상에 절연층(351)이 배치되기 때문에 외부의 수분 침투 또는 도금액의 침투를 방지할 수 있다.
절연층(351)은 제1 및 제2 도금층(341, 342)과 접하도록 배치될 수 있다. 이때, 절연층(351)이 제1 및 제2 도금층(341, 342)의 끝단을 일부 덮는 형태로 접하거나, 제1 및 제2 도금층(341, 342)이 절연층(351)의 끝단을 일부 덮는 형태로 접할 수 있다.
절연층(353)은 제1 및 제2 접속부(331a, 332a) 상에 배치되며, 제2 면, 제1 및 제2 코너부(331c, 332c)를 덮도록 배치될 수 있다. 또한, 절연층(351)이 제1 및 제2 코너부(331c, 332c)의 끝단과 바디(110)가 접하는 영역을 커버하여 수분 침투 경로를 차단함으로써 내습 신뢰성을 보다 향상시킬 수 있다.
절연층(351)은 제2 면 상에 배치되어 상기 제1 및 제2 접속부(331a, 332a) 로 연장되어 배치될 수 있다. 또한, 절연층은 외부 전극(331, 332)이 제2 면에 배치되지 않는 경우, 제2 면을 전부 덮도록 배치될 수 있다. 한편, 절연층(351)이 제2 면에 반드시 배치되어야 하는 것은 아니며, 절연층이 제2 면의 일부 또는 전부에 배치되지 않을 수 있고, 절연층이 2개로 분리되어 제1 및 제2 접속부(331a, 332a) 상에 각각 배치되는 형태를 가질 수도 있다. 그러나 이 경우에도 절연층은 제1 및 제2 코너부(331c 332c)를 전부 덮도록 배치될 수 있다. 절연층이 제2 면 전부에 배치되지 않는 경우, 제2 면의 연장선 이하로 배치될 수 있다. 또한, 절연층이 제2 면에는 배치되지 않으나, 제1 및 제2 접속부(331a, 332a) 상에서 제5 및 제6 면으로 연장되어 하나의 절연층을 이룰 수 있다.
일 실시예에서, 상기 절연층(351)은 상기 제5 면 및 제6 면의 일부를 덮도록 배치되어 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 이때, 상기 절연층에 덮이지 않은 상기 제5 면 및 제6 면의 일부는 외부로 노출될 수 있다.
나아가, 절연층(351)은 제5 면 및 제6 면의 전체를 덮도록 배치될 수 있으며, 이 경우 제5 면 및 제6 면이 외부로 노출되지 않아 내습 신뢰성을 보다 더 향상시킬 수 있다.
절연층(351)은 절연층(351)이 배치된 외부 전극(331, 332) 상에 도금층(341, 342)이 형성되는 것을 방지하는 역할을 수행할 수 있으며, 실링 특성을 향상시켜 외부로부터 수분이나 도금액 등이 침투하는 것을 최소화하는 역할을 수행할 수 있다. 절연층(351)의 성분, 조성, 평균 두께 및 이에 따른 효과는 적층형 전자 부품(1000, 2000) 내지 이들의 다양한 실시예가 포함하는 절연층(151, 251, 252, 253)과 동일하므로 이에 대한 설명은 생략하도록 한다.
제1 및 제2 도금층(341, 342)은 각각 제1 및 제2 밴드부(331b, 332b) 상에 배치될 수 있다. 도금층(341, 342)은 실장 특성을 향상시키는 역할을 수행할 수 있으며, 도금층(341, 342)이 밴드부(331b, 332b) 상에 배치됨에 따라 실장 공간을 최소화할 수 있고, 내부 전극으로 도금액이 침투하는 것을 최소화하여 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 제1 및 제2 도금층(341, 342)의 일 끝단은 제1 면에 접할 수 있으며, 타 끝단은 절연층(351)에 접할 수 있다.
도금층(341, 342)의 종류는 특별히 한정하지 않으며, Cu, Ni, Sn, Ag, Au, Pd 및 이들의 합금 중 하나 이상을 포함하는 도금층일 수 있고, 복수의 층으로 형성될 수 있다.
도금층(341, 342)에 대한 보다 구체적인 예를 들면, 도금층(341, 342)은 Ni 도금층 또는 Sn 도금층일 수 있으며, 제1 및 제2 밴드부(331b, 332b) 상에 Ni 도금층 및 Sn 도금층이 순차적으로 형성된 형태일 수 있다.
일 실시예에서, 절연층(351)은 제1 및 제2 외부 전극(331, 332)과 직접 접하도록 배치되며, 제1 및 제2 외부 전극(331, 332)은 도전성 금속 및 글라스를 포함할 수 있다. 이에 따라, 제1 및 제2 외부 전극(331, 332)의 외표면 중 절연층(351)이 배치된 영역에는 도금층(341, 342)이 배치되지 않을 수 있기 때문에, 도금액에 의한 외부전극 침식 방지를 효과적으로 억제할 수 있다.
일 실시예에서, 절연층(351)은 제1 및 제2 외부 전극(331, 332)과 직접 접하도록 배치되며, 제1 및 제2 외부 전극(331, 332)은 도전성 금속 및 수지를 포함할 수 있다. 이에 따라, 제1 및 제2 외부 전극(331, 332)의 외표면 중 절연층(351)이 배치된 영역에는 도금층(341, 342)이 배치되지 않을 수 있기 때문에, 도금액에 의한 외부전극 침식 방지를 효과적으로 억제할 수 있다.
일 실시예에서, 제1 도금층(341)은 절연층(351)의 제1 외부 전극(331) 상에 배치된 끝단을 덮도록 배치되며, 제2 도금층(342)은 절연층(351)의 제2 외부 전극(332) 상에 배치된 끝단을 덮도록 배치될 수 있다. 이에 따라, 절연층(351)과 도금층(341, 342)의 결합력을 강화하여 적층형 전자 부품(3000)의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 또한, 외부 전극(331, 332) 상에 도금층(341, 342)을 형성하기 전에 절연층(351)을 먼저 형성함으로써, 도금층 형성 과정에서의 도금액 침투를 보다 확실히 억제할 수 있다. 도금층보다 절연층을 먼저 형성함에 따라, 도금층(341, 342)이 절연층(351)의 끝단을 덮는 형태를 가질 수 있다.
일 실시예에서, 절연층(351)은 제1 도금층(341)의 제1 외부 전극(331) 상에 배치된 끝단을 덮도록 배치되며, 절연층(351)은 제2 도금층(342)의 제2 외부 전극(332) 상에 배치된 끝단을 덮도록 배치될 수 있다. 이에 따라, 절연층(351)과 도금층(341, 342)의 결합력을 강화하여 적층형 전자 부품(3000)의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
일 실시예에서, 제1 및 제2 도금층(341, 342)은 각각 제1 및 제2 접속부(331a, 332a)를 일부 덮도록 연장되어 배치될 수 있다. 제1 및 제2 내부 전극(121, 122) 중 제1 면(1)에 가장 가깝게 배치된 내부 전극까지의 제1 방향 평균 크기를 H1, 상기 제1 면(1)의 연장선으로부터 상기 제1 및 제2 접속부(131a, 132a) 상에 배치된 제1 및 제2 도금층(341, 342)의 끝단까지의 제1 방향 평균 크기를 H2라 할 때, H1>H2를 만족할 수 있다. 이에 따라, 도금 공정시 도금액이 내부 전극으로 침투하는 것을 억제하여 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제1 면으로부터 상기 제1 및 제2 내부 전극(121, 122) 중 상기 제1 면에 가장 가깝게 배치된 내부 전극까지의 제1 방향 평균 크기를 H1, 상기 제1 면의 연장선으로부터 상기 제1 및 제2 접속부(331a, 332a) 상에 배치된 도금층(341, 342)의 끝단까지의 제1 방향 평균 크기를 H2라 할 때, H1<H2를 만족할 수 있다. 이에 따라, 실장시 솔더와 접하는 면적을 증가시켜 고착 강도를 향상시킬 수 있다. 보다 바람직하게는 바디(110)의 제1 방향 평균 크기를 T라 할 때, H2<T/2를 만족할 수 있다. 즉, H1<H2<T/2를 만족할 수 있다. H2가 T/2 이상인 경우에는 절연층에 의한 내습 신뢰성 향상 효과가 저하될 우려가 있기 때문이다.
일 실시예에서, 상기 제1 및 제2 도금층(341, 342)은 상기 제1 면의 연장선 이하로 배치될 수 있다. 이에 따라, 실장 시 솔더의 높이를 최소화할 수 있으며 실장 공간을 최소화할 수 있다. 또한, 절연층(351)은 제1 면의 연장선 이하까지 연장되어 제1 및 제2 도금층(341, 342)과 접하도록 배치될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 바디의 제2 방향 평균 크기를 L, 상기 제3 면의 연장선으로부터 상기 제1 밴드부의 끝단까지의 상기 제2 방향 평균 크기를 B1, 상기 제4 면의 연장선으로부터 상기 제2 밴드부의 끝단까지의 상기 제2 방향 평균 크기를 B2라 할 때, 0.2≤B1/L≤0.4 및 0.2≤B2/L≤0.4를 만족할 수 있다.
B1/L 및 B2/L이 0.2 미만인 경우에는 충분한 고착 강도를 확보하기 어려울 수 있다. 반면에, B2/L이 0.4 초과인 경우에는 고압 전류 하에서 제1 밴드부(331b)와 제2 밴드부(332b) 사이에서 누설 전류가 방생할 우려가 있으며, 도금 공정시 도금 번짐 등에 의해 제1 밴드부(331b)와 제2 밴드부(332b)가 전기적으로 연결될 우려가 있다.
일 실시예에서, 상기 제1 면 상에 배치되며 상기 제1 밴드부(331b)와 상기 제2 밴드부(332b) 사이에 배치되는 추가 절연층을 더 포함할 수 있다. 이에 따라, 고압 전류 하에서 제1 밴드 전극(331b)와 제2 밴드 전극(332b) 사이에서 발생할 수 있는 누설 전류 등을 방지할 수 있다.
추가 절연층의 종류는 특별히 한정할 필요는 없다. 예를 들어, 추가 절연층은 절연층(351)과 Si를 포함하는 산화물, 붕소를 포함하는 산화물(boric oxide), 붕규산염(borosilicate) 및 아연-붕규산염(zinc-borosilicate) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 다만, 추가 절연층과 절연층(351)을 동일한 재료로 한정할 필요는 없으며, 상이한 재료로 형성될 수도 있다. 예를 들어, 에폭시 수지, 아크릴 수지, 에틸 셀룰로우스(Ethyl Cellulose) 등에서 선택된 1종 이상을 포함하거나, 글래스를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제3 면의 연장선으로부터 상기 제1 밴드부의 끝단까지의 상기 제2 방향 평균 크기를 B1, 상기 제4 면의 연장선으로부터 상기 제2 밴드부의 끝단까지의 상기 제2 방향 평균 크기를 B2라 할 때, B3<B1 및 B4<B2를 만족할 수 있다. 제1 밴드부(331b)의 평균 길이(B1)가 제1 코너부 (331c)의 평균 길이(B3)보다 길 수 있으며, 제2 밴드부(332b)의 평균 길이가 제2 코너부(332)의 평균 길이(B4)보다 길 수 있다. 이에 따라, 실장시 솔더와 접하는 면적을 증가시켜 고착 강도를 향상시킬 수 있다.
보다 상세하게는 제3 면(3)의 연장선으로부터 상기 제1 밴드부(331b)의 끝단까지의 상기 제2 방향 평균 크기를 B1, 상기 제4 면(4)의 연장선으로부터 상기 제2 밴드부(332b)의 끝단까지의 상기 제2 방향 평균 크기를 B2, 상기 제3 면(3)의 연장선으로부터 상기 제1 코너부(331c)의 끝단까지의 상기 제2 방향 평균 크기를 B3, 상기 제4 면(4)의 연장선으로부터 상기 제2 코너부(332c)의 끝단까지의 상기 제2 방향 평균 크기를 B4라 할 때, B3<B1 및 B4<B2를 만족할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제1 및 제2 도금층(341, 342)의 평균 두께는 상기 절연층(351)의 평균 두께보다 얇을 수 있다.
절연층(351)은 외부의 수분 침투 또는 도금액의 침투를 방지하는 역할을 하나, 도금층(341, 342)과의 연결성이 약해 도금층의 딜라미네이션(delamination)의 원인이 될 수 있다. 도금층이 딜라미네이션되는 경우 기판과의 고착 강도가 저하될 수 있다. 여기서 도금층의 딜라미네이션이란 도금층이 일부 떨어지거나 외부 전극(331, 332)과 물리적으로 분리되는 것을 의미할 수 있다. 도금층과 절연층의 연결성이 약하기 때문에 절연층과 도금층의 계면의 틈이 벌어지거나 이물질이 침투할 가능성이 높아지고, 외부 충격 등에 취약하게 되어 딜라미네이션될 가능성이 높아질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면 도금층의 평균 두께를 절연층의 평균 두께보다 얇게하여 도금층과 절연층이 맞닿는 면적을 줄일 수 있으며, 이에 따라 딜라미네이션의 발생을 억제하여 적층형 전자 부품(3000)의 과의 고착 강도를 향상시킬 수 있다.
적층형 전자 부품(3000)의 사이즈는 특별히 한정할 필요는 없다.
다만, 소형화 및 고용량화를 동시에 달성하기 위해서는 유전체층 및 내부 전극의 두께를 얇게 하여 적층수를 증가시켜야 하기 때문에, 1005 (길이×폭, 1.0mm×0.5mm) 이하의 사이즈를 가지는 적층형 전자 부품(3000)에서 본 발명에 따른 신뢰성 및 단위 부피당 용량 향상 효과가 보다 현저해질 수 있다.
따라서, 제조 오차, 외부 전극 크기 등을 고려하면 적층형 전자 부품(3000)의 길이가 1.1mm 이하이고, 폭이 0.55mm 이하인 경우, 본 발명에 따른 신뢰성 향상 효과가 보다 현저해질 수 있다. 여기서, 적층형 전자 부품(3000)의 길이는 적층형 전자 부품(3000)의 제2 방향 최대 크기를 의미하며, 적층형 전자 부품(3000)의 폭은 적층형 전자 부품(3000)의 제3 방향 최대 크기를 의미할 수 있다.
이상에서 본 발명의 실시 형태에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며, 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 한다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이며, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다고 할 것이다.
또한, 본 개시에서 사용된 '일 실시예'라는 표현은 서로 동일한 실시예를 의미하지 않으며, 각각 서로 다른 고유한 특징을 강조하여 설명하기 위해서 제공된 것이다. 그러나, 상기 제시된 일 실시예들은 다른 일 실시예의 특징과 결합되어 구현되는 것을 배제하지 않는다. 예를 들어, 특정한 일 실시예에서 설명된 사항이 다른 일 실시예에서 설명되어 있지 않더라도, 다른 일 실시예에서 그 사항과 반대되거나 모순되는 설명이 없는 한, 다른 일 실시예에 관련된 설명으로 이해될 수 있다.
본 개시에서 사용된 용어는 단지 일 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 개시를 한정하려는 의도가 아니다. 이때, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
1000, 2000, 3000: 적층형 전자 부품
1100: 적층형 전자 부품의 실장 기판
110: 바디
111: 유전체층
112, 113: 커버부
114, 115: 마진부
121, 122: 내부 전극
131, 231, 331: 제1 외부 전극
132, 232, 332: 제2 외부 전극
134, 135: 추가 전극층
141, 142, 241, 242, 341, 342: 도금층
151, 251, 252, 253, 351: 절연층
161, 261: 추가 절연층
180: 기판
181, 182: 전극 패드
191, 192: 솔더
1100: 적층형 전자 부품의 실장 기판
110: 바디
111: 유전체층
112, 113: 커버부
114, 115: 마진부
121, 122: 내부 전극
131, 231, 331: 제1 외부 전극
132, 232, 332: 제2 외부 전극
134, 135: 추가 전극층
141, 142, 241, 242, 341, 342: 도금층
151, 251, 252, 253, 351: 절연층
161, 261: 추가 절연층
180: 기판
181, 182: 전극 패드
191, 192: 솔더
Claims (142)
- 유전체층 및 상기 유전체층을 사이에 두고 번갈아 배치되는 제1 및 제2 내부 전극을 포함하며, 제1 방향으로 대향하는 제1 및 제2 면, 상기 제1 및 제2 면과 연결되고 제2 방향으로 대향하는 제3 및 제4 면, 상기 제1 내지 제4 면과 연결되고 제3 방향으로 대향하는 제5 및 제6 면을 포함하는 바디;
상기 제3 면에 배치되는 제1 접속부, 상기 제1 접속부로부터 상기 제1 면의 일부까지 연장되는 제1 밴드부를 포함하는 제1 외부 전극;
상기 제4 면에 배치되는 제2 접속부, 상기 제2 접속부로부터 상기 제1 면의 일부까지 연장되는 제2 밴드부를 포함하는 제2 외부 전극;
상기 제2 면 상에 배치되어 상기 제1 및 제2 접속부 상으로 연장되어 배치되는 절연층;
상기 제1 밴드부 상에 배치되는 제1 도금층; 및
상기 제2 밴드부 상에 배치되는 제2 도금층; 을 포함하며,
상기 절연층은 규소(Si)를 포함하는 산화물을 포함하는
적층형 전자 부품.
- 제1항에 있어서,
상기 Si을 포함하는 산화물은 실리카(SiO2)인
적층형 전자 부품.
- 제1항에 있어서,
상기 절연층은 붕소(B)를 포함하는 산화물을 더 포함하는
적층형 전자 부품.
- 제3항에 있어서,
상기 바디는 바륨(Ba)을 포함하며,
상기 절연층과 상기 바디가 접하는 계면에서 바륨(Ba) 및 붕소(B)를 포함하는 접착층을 포함하는
적층형 전자 부품.
- 제3항에 있어서,
상기 바디의 제2 방향 평균 크기를 L, 상기 제3 면의 연장선으로부터 상기 제1 밴드부의 끝단까지의 상기 제2 방향 평균 크기를 B1, 상기 제4 면의 연장선으로부터 상기 제2 밴드부의 끝단까지의 상기 제2 방향 평균 크기를 B2라 할 때,
0.2≤B1/L≤0.4 및 0.2≤B2/L≤0.4를 만족하는
적층형 전자 부품.
- 제4항에 있어서,
상기 바디의 제2 방향 평균 크기를 L, 상기 제3 면의 연장선으로부터 상기 제1 밴드부의 끝단까지의 상기 제2 방향 평균 크기를 B1, 상기 제4 면의 연장선으로부터 상기 제2 밴드부의 끝단까지의 상기 제2 방향 평균 크기를 B2라 할 때,
0.2≤B1/L≤0.4 및 0.2≤B2/L≤0.4를 만족하는
적층형 전자 부품.
- 제3항에 있어서,
상기 제1 면 상에 배치되며 상기 제1 밴드부와 상기 제2 밴드부 사이에 배치되는 추가 절연층을 더 포함하는 적층형 전자 부품.
- 제4항에 있어서,
상기 제1 면 상에 배치되며 상기 제1 밴드부와 상기 제2 밴드부 사이에 배치되는 추가 절연층을 더 포함하는 적층형 전자 부품.
- 제3항에 있어서,
상기 제1 면으로부터 상기 제1 및 제2 내부 전극 중 상기 제1 면에 가장 가깝게 배치된 내부 전극까지의 제1 방향 평균 크기를 H1, 상기 제1 면의 연장선으로부터 상기 제1 및 제2 접속부 상에 배치된 도금층의 끝단까지의 제1 방향 평균 크기를 H2라 할 때, H1>H2를 만족하는
적층형 전자 부품.
- 제4항에 있어서,
상기 제1 면으로부터 상기 제1 및 제2 내부 전극 중 상기 제1 면에 가장 가깝게 배치된 내부 전극까지의 제1 방향 평균 크기를 H1, 상기 제1 면의 연장선으로부터 상기 제1 및 제2 접속부 상에 배치된 도금층의 끝단까지의 제1 방향 평균 크기를 H2라 할 때, H1>H2를 만족하는
적층형 전자 부품.
- 제3항에 있어서,
상기 제1 면으로부터 상기 제1 및 제2 내부 전극 중 상기 제1 면에 가장 가깝게 배치된 내부 전극까지의 제1 방향 평균 크기를 H1, 상기 제1 면의 연장선으로부터 상기 제1 및 제2 접속부 상에 배치된 도금층의 끝단까지의 제1 방향 평균 크기를 H2라 할 때, H1<H2를 만족하는
적층형 전자 부품.
- 제4항에 있어서,
상기 제1 면으로부터 상기 제1 및 제2 내부 전극 중 상기 제1 면에 가장 가깝게 배치된 내부 전극까지의 제1 방향 평균 크기를 H1, 상기 제1 면의 연장선으로부터 상기 제1 및 제2 접속부 상에 배치된 도금층의 끝단까지의 제1 방향 평균 크기를 H2라 할 때, H1<H2를 만족하는
적층형 전자 부품.
- 제1항에 있어서,
상기 제1 면으로부터 상기 제1 및 제2 내부 전극 중 상기 제1 면에 가장 가깝게 배치된 내부 전극까지의 제1 방향 평균 크기를 H1, 상기 제1 면의 연장선으로부터 상기 제1 및 제2 접속부 상에 배치된 도금층의 끝단까지의 제1 방향 평균 크기를 H2라 할 때, H1>H2를 만족하는
적층형 전자 부품.
- 제1항에 있어서,
상기 제1 면으로부터 상기 제1 및 제2 내부 전극 중 상기 제1 면에 가장 가깝게 배치된 내부 전극까지의 제1 방향 평균 크기를 H1, 상기 제1 면의 연장선으로부터 상기 제1 및 제2 접속부 상에 배치된 도금층의 끝단까지의 제1 방향 평균 크기를 H2라 할 때, H1<H2를 만족하는
적층형 전자 부품.
- 제14항에 있어서,
상기 바디의 제1 방향 평균 크기를 T라 할 때,
상기 H2<T/2를 만족하는
적층형 전자 부품.
- 제1항에 있어서,
상기 제1 및 제2 도금층은 상기 제1 면의 연장선 이하로 배치되는
적층형 전자 부품.
- 제1항에 있어서,
상기 바디의 제2 방향 평균 크기를 L, 상기 제3 면의 연장선으로부터 상기 제1 밴드부의 끝단까지의 상기 제2 방향 평균 크기를 B1, 상기 제4 면의 연장선으로부터 상기 제2 밴드부의 끝단까지의 상기 제2 방향 평균 크기를 B2라 할 때,
0.2≤B1/L≤0.4 및 0.2≤B2/L≤0.4를 만족하는
적층형 전자 부품.
- 제1항에 있어서,
상기 제1 면 상에 배치되며 상기 제1 밴드부와 상기 제2 밴드부 사이에 배치되는 추가 절연층을 더 포함하는
적층형 전자 부품.
- 제18항에 있어서,
상기 추가 절연층은 규소(Si)를 포함하는 산화물을 포함하는
적층형 전자 부품.
- 제1항에 있어서,
상기 제1 및 제2 외부 전극은 Ni 및 Ni 합금 중 하나 이상을 포함하는
적층형 전자 부품.
- 제1항에 있어서,
상기 적층형 전자 부품의 상기 제2 방향 최대 크기는 1.1mm 이하이고, 상기 제3 방향 최대 크기는 0.55mm 이하인
적층형 전자 부품.
- 제1항에 있어서,
상기 유전체층의 평균 두께는 0.35μm 이하인
적층형 전자 부품.
- 제1항에 있어서,
상기 제1 및 제2 내부 전극의 평균 두께는 0.35μm 이하인
적층형 전자 부품.
- 제1항에 있어서,
상기 유전체층을 사이에 두고 번갈아 배치되는 제1 및 제2 내부 전극을 포함하는 용량 형성부 및 상기 용량 형성부의 제1 방향 양 단면 상에 배치되는 커버부를 포함하며,
상기 커버부의 제1 방향 평균 크기는 15μm 이하인
적층형 전자 부품.
- 제1항에 있어서,
상기 제1 및 제2 도금층의 평균 두께는 상기 절연층의 평균 두께보다 얇은
적층형 전자 부품.
- 제1항에 있어서,
상기 제1 및 제2 접속부는 상기 제5 및 제6 면과 이격되어 배치되는
적층형 전자 부품.
- 제1항에 있어서,
상기 제1 및 제2 접속부는 상기 제2 면과 이격되어 배치되는
적층형 전자 부품.
- 제1항에 있어서,
상기 제1 도금층은 상기 절연층의 상기 제1 외부 전극 상에 배치된 끝단을 덮도록 배치되며, 상기 제2 도금층은 상기 절연층의 상기 제2 외부 전극 상에 배치된 끝단을 덮도록 배치되는
적층형 전자 부품.
- 제1항에 있어서,
상기 절연층은 상기 제1 도금층의 상기 제1 외부 전극 상에 배치된 끝단을 덮도록 배치되며, 상기 절연층은 상기 제2 도금층의 상기 제2 외부 전극 상에 배치된 끝단을 덮도록 배치되는
적층형 전자 부품.
- 제1항에 있어서,
상기 절연층은, 상기 제5 면 및 제6 면의 일부를 덮도록 배치되는
적층형 전자 부품.
- 제1항에 있어서,
상기 절연층은, 상기 제5 면 및 제6 면의 전부를 덮도록 배치되는
적층형 전자 부품.
- 제1항에 있어서,
상기 바디는 상기 제1 면과 제3 면을 연결하는 제1-3 코너, 상기 제1 면과 제4 면을 연결하는 제1-4 코너, 상기 제2 면과 제3 면을 연결하는 제2-3 코너, 상기 제2 면과 제4 면을 연결하는 제2-4 코너를 포함하며,
상기 제1-3 코너 및 제2-3 코너는 상기 제3 면에 가까워질수록 상기 바디의 제1 방향 중앙으로 수축된 형태를 가지고, 상기 제1-4 코너 및 제2-4 코너는 상기 제4 면에 가까워질수록 상기 바디의 제1 방향 중앙으로 수축된 형태를 가지고,
상기 제1 외부 전극은 상기 제1-3 코너 상에 배치되는 코너부 및 상기 제1 접속부로부터 상기 제2-3 코너 상으로 연장되어 배치되는 코너부를 포함하며, 상기 제2 외부 전극은 상기 제1-4 코너 상에 배치되는 코너부 및 상기 제2 접속부로부터 상기 제2-4 코너 상으로 연장되어 배치되는 코너부를 포함하는
적층형 전자 부품.
- 유전체층 및 상기 유전체층을 사이에 두고 번갈아 배치되는 제1 및 제2 내부 전극을 포함하며, 제1 방향으로 대향하는 제1 및 제2 면, 상기 제1 및 제2 면과 연결되고 제2 방향으로 대향하는 제3 및 제4 면, 상기 제1 내지 제4 면과 연결되고 제3 방향으로 대향하는 제5 및 제6 면을 포함하는 바디;
상기 제3 면에 배치되는 제1 접속부, 상기 제1 접속부로부터 상기 제1 면의 일부까지 연장되는 제1 밴드부를 포함하는 제1 외부 전극;
상기 제4 면에 배치되는 제2 접속부, 상기 제2 접속부로부터 상기 제1 면의 일부까지 연장되는 제2 밴드부를 포함하는 제2 외부 전극;
상기 제2 면 상에 배치되어 상기 제1 및 제2 접속부 상으로 연장되어 배치되는 절연층;
상기 제1 밴드부 상에 배치되는 제1 도금층; 및
상기 제2 밴드부 상에 배치되는 제2 도금층; 을 포함하며,
상기 절연층은 붕소(B)를 포함하는 산화물, 붕규산염 및 아연-붕규산염 중 적어도 어느 하나를 포함하는
적층형 전자 부품.
- 제33항에 있어서,
상기 절연층은 붕소를 포함하는 산화물을 포함하는
적층형 전자 부품.
- 제33항에 있어서,
상기 바디는 바륨(Ba)을 포함하며,
상기 절연층과 상기 바디가 접하는 계면에서 바륨(Ba) 및 붕소(B)를 포함하는 접착층을 포함하는
적층형 전자 부품.
- 제33항에 있어서,
상기 제1 면으로부터 상기 제1 및 제2 내부 전극 중 상기 제1 면에 가장 가깝게 배치된 내부 전극까지의 제1 방향 평균 크기를 H1, 상기 제1 면의 연장선으로부터 상기 제1 및 제2 접속부 상에 배치된 도금층의 끝단까지의 제1 방향 평균 크기를 H2라 할 때, H1>H2를 만족하는
적층형 전자 부품.
- 제33항에 있어서,
상기 제1 면으로부터 상기 제1 및 제2 내부 전극 중 상기 제1 면에 가장 가깝게 배치된 내부 전극까지의 제1 방향 평균 크기를 H1, 상기 제1 면의 연장선으로부터 상기 제1 및 제2 접속부 상에 배치된 도금층의 끝단까지의 제1 방향 평균 크기를 H2라 할 때, H1<H2를 만족하는
적층형 전자 부품.
- 제37항에 있어서,
상기 바디의 제1 방향 평균 크기를 T라 할 때,
상기 H2<T/2를 만족하는
적층형 전자 부품.
- 제33항에 있어서,
상기 제1 및 제2 도금층은 상기 제1 면의 연장선 이하로 배치되는
적층형 전자 부품.
- 제33항에 있어서,
상기 바디의 제2 방향 평균 크기를 L, 상기 제3 면의 연장선으로부터 상기 제1 밴드부의 끝단까지의 상기 제2 방향 평균 크기를 B1, 상기 제4 면의 연장선으로부터 상기 제2 밴드부의 끝단까지의 상기 제2 방향 평균 크기를 B2라 할 때,
0.2≤B1/L≤0.4 및 0.2≤B2/L≤0.4를 만족하는
적층형 전자 부품.
- 제33항에 있어서,
상기 제1 면 상에 배치되며 상기 제1 밴드부와 상기 제2 밴드부 사이에 배치되는 추가 절연층을 더 포함하는
적층형 전자 부품.
- 제41항에 있어서,
상기 추가 절연층은 붕소(B)을 포함하는 산화물을 포함하는
적층형 전자 부품.
- 제33항에 있어서,
상기 제1 및 제2 외부 전극은 Ni 및 Ni 합금 중 하나 이상을 포함하는
적층형 전자 부품.
- 제33항에 있어서,
상기 적층형 전자 부품의 상기 제2 방향 최대 크기는 1.1mm 이하이고, 상기 제3 방향 최대 크기는 0.55mm 이하인
적층형 전자 부품.
- 제33항에 있어서,
상기 유전체층의 평균 두께는 0.35μm 이하인
적층형 전자 부품.
- 제33항에 있어서,
상기 제1 및 제2 내부 전극의 평균 두께는 0.35μm 이하인
적층형 전자 부품.
- 제33항에 있어서,
상기 유전체층을 사이에 두고 번갈아 배치되는 제1 및 제2 내부 전극을 포함하는 용량 형성부 및 상기 용량 형성부의 제1 방향 양 단면 상에 배치되는 커버부를 포함하며,
상기 커버부의 제1 방향 평균 크기는 15μm 이하인
적층형 전자 부품.
- 제33항에 있어서,
상기 제1 및 제2 도금층의 평균 두께는 상기 절연층의 평균 두께보다 얇은
적층형 전자 부품.
- 제33항에 있어서,
상기 제1 및 제2 접속부는 상기 제5 및 제6 면과 이격되어 배치되는
적층형 전자 부품.
- 제33항에 있어서,
상기 제1 및 제2 접속부는 상기 제2 면과 이격되어 배치되는
적층형 전자 부품.
- 제33항에 있어서,
상기 제1 도금층은 상기 절연층의 상기 제1 외부 전극 상에 배치된 끝단을 덮도록 배치되며, 상기 제2 도금층은 상기 절연층의 상기 제2 외부 전극 상에 배치된 끝단을 덮도록 배치되는
적층형 전자 부품.
- 제33항에 있어서,
상기 절연층은 상기 제1 도금층의 상기 제1 외부 전극 상에 배치된 끝단을 덮도록 배치되며, 상기 절연층은 상기 제2 도금층의 상기 제2 외부 전극 상에 배치된 끝단을 덮도록 배치되는
적층형 전자 부품.
- 제33항에 있어서,
상기 절연층은, 상기 제5 면 및 제6 면의 일부를 덮도록 배치되는
적층형 전자 부품.
- 제33항에 있어서,
상기 절연층은, 상기 제5 면 및 제6 면의 전부를 덮도록 배치되는
적층형 전자 부품.
- 제33항에 있어서,
상기 바디는 상기 제1 면과 제3 면을 연결하는 제1-3 코너, 상기 제1 면과 제4 면을 연결하는 제1-4 코너, 상기 제2 면과 제3 면을 연결하는 제2-3 코너, 상기 제2 면과 제4 면을 연결하는 제2-4 코너를 포함하며,
상기 제1-3 코너 및 제2-3 코너는 상기 제3 면에 가까워질수록 상기 바디의 제1 방향 중앙으로 수축된 형태를 가지고, 상기 제1-4 코너 및 제2-4 코너는 상기 제4 면에 가까워질수록 상기 바디의 제1 방향 중앙으로 수축된 형태를 가지고,
상기 제1 외부 전극은 상기 제1-3 코너 상에 배치되는 코너부 및 상기 제1 접속부로부터 상기 제2-3 코너 상으로 연장되어 배치되는 코너부를 포함하며, 상기 제2 외부 전극은 상기 제1-4 코너 상에 배치되는 코너부 및 상기 제2 접속부로부터 상기 제2-4 코너 상으로 연장되어 배치되는 코너부를 포함하는
적층형 전자 부품.
- 유전체층 및 상기 유전체층을 사이에 두고 번갈아 배치되는 제1 및 제2 내부 전극을 포함하며, 제1 방향으로 대향하는 제1 및 제2 면, 상기 제1 및 제2 면과 연결되고 제2 방향으로 대향하는 제3 및 제4 면, 상기 제1 내지 제4 면과 연결되고 제3 방향으로 대향하는 제5 및 제6 면을 포함하는 바디;
상기 제3 면에 배치되는 제1 접속부, 상기 제1 접속부로부터 상기 제1 면의 일부까지 연장되는 제1 밴드부, 상기 제1 접속부로부터 상기 제2 면의 일부까지 연장되는 제3 밴드부를 포함하는 제1 외부 전극;
상기 제4 면에 배치되는 제2 접속부, 상기 제2 접속부로부터 상기 제1 면의 일부까지 연장되는 제2 밴드부, 및 상기 제2 접속부로부터 상기 제2 면의 일부까지 연장되는 제4 밴드부를 포함하는 제2 외부 전극;
상기 제1 및 제2 접속부 상에 배치되며, 상기 제2 면, 제3 및 제4 밴드부를 덮도록 배치되는 절연층;
상기 제1 밴드부 상에 배치되는 제1 도금층; 및
상기 제2 밴드부 상에 배치되는 제2 도금층; 을 포함하며,
상기 절연층은 규소(Si)를 포함하는 산화물을 포함하는
적층형 전자 부품.
- 제56항에 있어서,
상기 규소(Si)를 포함하는 산화물은 실리카(SiO2)인
적층형 전자 부품.
- 제56항에 있어서,
상기 절연층은 붕소(B)를 포함하는 산화물을 더 포함하는
적층형 전자 부품.
- 제58항에 있어서,
상기 바디는 바륨(Ba)을 포함하며,
상기 절연층과 상기 바디가 접하는 계면에서 바륨(Ba) 및 붕소(B)를 포함하는 접착층을 포함하는
적층형 전자 부품.
- 제56항에 있어서,
상기 제1 면으로부터 상기 제1 및 제2 내부 전극 중 상기 제1 면에 가장 가깝게 배치된 내부 전극까지의 제1 방향 평균 크기를 H1, 상기 제1 면의 연장선으로부터 상기 제1 및 제2 접속부 상에 배치된 도금층의 끝단까지의 제1 방향 평균 크기를 H2라 할 때, H1>H2를 만족하는
적층형 전자 부품.
- 제56항에 있어서,
상기 제1 면으로부터 상기 제1 및 제2 내부 전극 중 상기 제1 면에 가장 가깝게 배치된 내부 전극까지의 제1 방향 평균 크기를 H1, 상기 제1 면의 연장선으로부터 상기 제1 및 제2 접속부 상에 배치된 도금층의 끝단까지의 제1 방향 평균 크기를 H2라 할 때, H1<H2를 만족하는
적층형 전자 부품.
- 제61항에 있어서,
상기 바디의 제1 방향 평균 크기를 T라 할 때,
상기 H2<T/2를 만족하는
적층형 전자 부품.
- 제56항에 있어서,
상기 제1 및 제2 도금층은 상기 제1 면의 연장선 이하로 배치되는
적층형 전자 부품.
- 제56항에 있어서,
상기 바디의 제2 방향 평균 크기를 L, 상기 제3 면의 연장선으로부터 상기 제1 밴드부의 끝단까지의 상기 제2 방향 평균 크기를 B1, 상기 제4 면의 연장선으로부터 상기 제2 밴드부의 끝단까지의 상기 제2 방향 평균 크기를 B2라 할 때,
0.2≤B1/L≤0.4 및 0.2≤B2/L≤0.4를 만족하는
적층형 전자 부품.
- 제56항에 있어서,
상기 제1 면 상에 배치되며 상기 제1 밴드부와 상기 제2 밴드부 사이에 배치되는 추가 절연층을 더 포함하는
적층형 전자 부품.
- 제65항에 있어서,
상기 추가 절연층은 규소(Si)를 포함하는 산화물을 포함하는
적층형 전자 부품.
- 제56항에 있어서,
상기 제1 및 제2 외부 전극은 Ni 및 Ni 합금 중 하나 이상을 포함하는
적층형 전자 부품.
- 제56항에 있어서,
상기 제3 면의 연장선으로부터 상기 제1 밴드부의 끝단까지의 상기 제2 방향 평균 크기를 B1, 상기 제4 면의 연장선으로부터 상기 제2 밴드부의 끝단까지의 상기 제2 방향 평균 크기를 B2, 상기 제3 면의 연장선으로부터 상기 제3 밴드부의 끝단까지의 상기 제2 방향 평균 크기를 B3, 상기 제4 면의 연장선으로부터 상기 제4 밴드부의 끝단까지의 상기 제2 방향 평균 크기를 B4라 할 때,
B3<B1 및 B4<B2를 만족하는
적층형 전자 부품.
- 제56항에 있어서,
상기 적층형 전자 부품의 상기 제2 방향 최대 크기는 1.1mm 이하이고, 상기 제3 방향 최대 크기는 0.55mm 이하인
적층형 전자 부품.
- 제56항에 있어서,
상기 유전체층의 평균 두께는 0.35μm 이하인
적층형 전자 부품.
- 제56항에 있어서,
상기 제1 및 제2 내부 전극의 평균 두께는 0.35μm 이하인
적층형 전자 부품.
- 제56항에 있어서,
상기 유전체층을 사이에 두고 번갈아 배치되는 제1 및 제2 내부 전극을 포함하는 용량 형성부 및 상기 용량 형성부의 제1 방향 양 단면 상에 배치되는 커버부를 포함하며,
상기 커버부의 제1 방향 평균 크기는 15μm 이하인
적층형 전자 부품.
- 제56항에 있어서,
상기 제1 및 제2 도금층의 평균 두께는 상기 절연층의 평균 두께보다 얇은
적층형 전자 부품.
- 제56항에 있어서,
상기 제1 도금층은 상기 절연층의 상기 제1 외부 전극 상에 배치된 끝단을 덮도록 배치되며, 상기 제2 도금층은 상기 절연층의 상기 제2 외부 전극 상에 배치된 끝단을 덮도록 배치되는
적층형 전자 부품.
- 제56항에 있어서,
상기 절연층은 상기 제1 도금층의 상기 제1 외부 전극 상에 배치된 끝단을 덮도록 배치되며, 상기 절연층은 상기 제2 도금층의 상기 제2 외부 전극 상에 배치된 끝단을 덮도록 배치되는
적층형 전자 부품.
- 제56항에 있어서,
상기 제1 외부 전극은 상기 제1 접속부로부터 상기 제5 및 제6 면의 일부까지 연장되는 제1 측면 밴드부를 포함하며,
상기 제2 외부 전극은 상기 제2 접속부로부터 상기 제5 및 제6면의 일부까지 연장되는 제2 측면 밴드부를 포함하고,
상기 제1 및 제2 측면 밴드부의 제2 방향 크기는 상기 제1 면에 가까워질수록 커지는
적층형 전자 부품.
- 제56항에 있어서,
상기 제1 외부 전극은 상기 제1 접속부로부터 상기 제5 및 제6 면의 일부까지 연장되는 제1 측면 밴드부를 포함하며,
상기 제2 외부 전극은 상기 제2 접속부로부터 상기 제5 및 제6면의 일부까지 연장되는 제2 측면 밴드부를 포함하고,
상기 절연층은 상기 제1 및 제2 측면 밴드부, 상기 제5 면 및 제6 면의 일부를 덮도록 배치되는
적층형 전자 부품.
- 제56항에 있어서,
상기 제1 외부 전극은 상기 제1 접속부로부터 상기 제5 및 제6 면의 일부까지 연장되는 제1 측면 밴드부를 포함하고,
상기 제2 외부 전극은 상기 제2 접속부로부터 상기 제5 및 제6면의 일부까지 연장되는 제2 측면 밴드부를 포함하며,
상기 절연층은 상기 제1, 제2 측면 밴드부, 제5 및 제6 면을 모두 덮도록 배치되는
적층형 전자 부품.
- 제56항에 있어서,
상기 제3 면의 연장선으로부터 상기 제3 밴드부의 끝단까지의 상기 제2 방향 평균 크기를 B3, 상기 제4 면의 연장선으로부터 상기 제4 밴드부의 끝단까지의 상기 제2 방향 평균 크기를 B4,
상기 제3 면과 상기 제2 내부 전극이 이격된 영역의 제2 방향 평균 크기를 G1, 상기 제4 면과 상기 제1 내부 전극이 이격된 영역의 제2 방향 평균 크기를 G2라 할 때,
B3≥G1 및 B4≥G2를 만족하는
적층형 전자 부품.
- 제79항에 있어서,
상기 제3 면의 연장선으로부터 상기 제1 밴드부의 끝단까지의 상기 제2 방향 평균 크기를 B1, 상기 제4 면의 연장선으로부터 상기 제2 밴드부의 끝단까지의 상기 제2 방향 평균 크기를 B2라 할 때,
B1≥G1 및 B2≥G2를 만족하는
적층형 전자 부품.
- 제56항에 있어서,
상기 바디는 상기 제1 면과 제3 면을 연결하는 제1-3 코너, 상기 제1 면과 제4 면을 연결하는 제1-4 코너, 상기 제2 면과 제3 면을 연결하는 제2-3 코너, 상기 제2 면과 제4 면을 연결하는 제2-4 코너를 포함하며,
상기 제1-3 코너 및 제2-3 코너는 상기 제3 면에 가까워질수록 상기 바디의 제1 방향 중앙으로 수축된 형태를 가지고, 상기 제1-4 코너 및 제2-4 코너는 상기 제4 면에 가까워질수록 상기 바디의 제1 방향 중앙으로 수축된 형태를 가지고,
상기 제1 외부 전극은 상기 제1-3 코너 및 제2-3 코너 상에 배치되는 코너부를 포함하며, 상기 제2 외부 전극은 상기 제1-4 코너 및 제2-4 코너 상에 배치되는 코너부를 포함하는
적층형 전자 부품.
- 유전체층 및 상기 유전체층을 사이에 두고 번갈아 배치되는 제1 및 제2 내부 전극을 포함하며, 제1 방향으로 대향하는 제1 및 제2 면, 상기 제1 및 제2 면과 연결되고 제2 방향으로 대향하는 제3 및 제4 면, 상기 제1 내지 제4 면과 연결되고 제3 방향으로 대향하는 제5 및 제6 면을 포함하는 바디;
상기 제3 면에 배치되는 제1 접속부, 상기 제1 접속부로부터 상기 제1 면의 일부까지 연장되는 제1 밴드부, 상기 제1 접속부로부터 상기 제2 면과 제3 면을 연결하는 코너로 연장되어 배치되는 제 1 코너부를 포함하는 제1 외부 전극;
상기 제4 면에 배치되는 제2 접속부, 상기 제2 접속부로부터 상기 제1 면의 일부까지 연장되는 제2 밴드부, 및 상기 제2 접속부로부터 제2 면과 제4 면을 연결하는 코너로 연장되어 배치되는 제2 코너부를 포함하는 제2 외부 전극;
상기 제1 및 제2 접속부 상에 배치되며, 상기 제2 면, 제1 및 제2 코너부를 덮도록 배치되는 절연층;
상기 제1 밴드부 상에 배치되는 제1 도금층; 및
상기 제2 밴드부 상에 배치되는 제2 도금층; 을 포함하며,
상기 제3 면의 연장선으로부터 상기 제1 코너부의 끝단까지의 상기 제2 방향 평균 크기를 B3, 상기 제4 면의 연장선으로부터 상기 제2 코너부의 끝단 까지의 상기 제2 방향 평균 크기를 B4,
상기 제3 면과 상기 제2 내부 전극이 이격된 영역의 제2 방향 평균 크기를 G1, 상기 제4 면과 상기 제1 내부 전극이 이격된 영역의 제2 방향 평균 크기를 G2라 할 때,
B3≤G1 및 B4≤G2를 만족하며,
상기 절연층은 규소(Si)를 포함하는 산화물을 포함하는
적층형 전자 부품.
- 제82항에 있어서,
상기 규소(Si)를 포함하는 산화물은 실리카(SiO2)인
적층형 전자 부품.
- 제82항에 있어서,
상기 절연층은 붕소(B)를 포함하는 산화물을 더 포함하는
적층형 전자 부품.
- 제84항에 있어서,
상기 바디는 바륨(Ba)을 포함하며,
상기 절연층과 상기 바디가 접하는 계면에서 바륨 및 붕소를 포함하는 접착층을 포함하는
적층형 전자 부품.
- 제82항에 있어서,
상기 제1 면으로부터 상기 제1 및 제2 내부 전극 중 상기 제1 면에 가장 가깝게 배치된 내부 전극까지의 제1 방향 평균 크기를 H1, 상기 제1 면의 연장선으로부터 상기 제1 및 제2 접속부 상에 배치된 도금층의 끝단까지의 제1 방향 평균 크기를 H2라 할 때, H1>H2를 만족하는
적층형 전자 부품.
- 제82항에 있어서,
상기 제1 면으로부터 상기 제1 및 제2 내부 전극 중 상기 제1 면에 가장 가깝게 배치된 내부 전극까지의 제1 방향 평균 크기를 H1, 상기 제1 면의 연장선으로부터 상기 제1 및 제2 접속부 상에 배치된 도금층의 끝단까지의 제1 방향 평균 크기를 H2라 할 때, H1<H2를 만족하는
적층형 전자 부품.
- 제87항에 있어서,
상기 바디의 제1 방향 평균 크기를 T라 할 때,
상기 H2<T/2를 만족하는
적층형 전자 부품.
- 제82항에 있어서,
상기 제1 및 제2 도금층은 상기 제1 면의 연장선 이하로 배치되는
적층형 전자 부품.
- 제82항에 있어서,
상기 바디의 제2 방향 평균 크기를 L, 상기 제3 면의 연장선으로부터 상기 제1 밴드부의 끝단까지의 상기 제2 방향 평균 크기를 B1, 상기 제4 면의 연장선으로부터 상기 제2 밴드부의 끝단까지의 상기 제2 방향 평균 크기를 B2라 할 때,
0.2≤B1/L≤0.4 및 0.2≤B2/L≤0.4를 만족하는
적층형 전자 부품.
- 제82항에 있어서,
상기 제1 면 상에 배치되며 상기 제1 밴드부와 상기 제2 밴드부 사이에 배치되는 추가 절연층을 더 포함하는
적층형 전자 부품.
- 제91항에 있어서,
상기 추가 절연층은 규소(Si)를 포함하는 산화물을 포함하는
적층형 전자 부품.
- 제82항에 있어서,
상기 제1 및 제2 외부 전극은 Ni 및 Ni 합금 중 하나 이상을 포함하는
적층형 전자 부품.
- 제82항에 있어서,
상기 제3 면의 연장선으로부터 상기 제1 밴드부의 끝단까지의 상기 제2 방향 평균 크기를 B1, 상기 제4 면의 연장선으로부터 상기 제2 밴드부의 끝단까지의 상기 제2 방향 평균 크기를 B2라 할 때,
B3<B1 및 B4<B2를 만족하는
적층형 전자 부품.
- 제82항에 있어서,
상기 적층형 전자 부품의 상기 제2 방향 최대 크기는 1.1mm 이하이고, 상기 제3 방향 최대 크기는 0.55mm 이하인
적층형 전자 부품.
- 제82항에 있어서,
상기 제1 및 제2 내부 전극의 평균 두께는 0.35μm 이하인
적층형 전자 부품.
- 제82항에 있어서,
상기 유전체층을 사이에 두고 번갈아 배치되는 제1 및 제2 내부 전극을 포함하는 용량 형성부 및 상기 용량 형성부의 제1 방향 양 단면 상에 배치되는 커버부를 포함하며,
상기 커버부의 제1 방향 평균 크기는 15μm 이하인
적층형 전자 부품.
- 제82항에 있어서,
상기 제1 및 제2 도금층의 평균 두께는 상기 절연층의 평균 두께보다 얇은
적층형 전자 부품.
- 제82항에 있어서,
상기 제1 및 제2 코너부는 상기 제2 면의 연장선 이하에 배치되는
적층형 전자 부품.
- 제82항에 있어서,
상기 제1 및 제2 접속부는 상기 제5 및 제6 면과 이격되어 배치되는
적층형 전자 부품.
- 제82항에 있어서,
상기 제1 및 제2 코너부는 상기 제2 면과 이격되어 배치되는
적층형 전자 부품.
- 제82항에 있어서,
상기 제1 도금층은 상기 절연층의 상기 제1 외부 전극 상에 배치된 끝단을 덮도록 배치되며, 상기 제2 도금층은 상기 절연층의 상기 제2 외부 전극 상에 배치된 끝단을 덮도록 배치되는
적층형 전자 부품.
- 제82항에 있어서,
상기 절연층은 상기 제1 도금층의 상기 제1 외부 전극 상에 배치된 끝단을 덮도록 배치되며, 상기 절연층은 상기 제2 도금층의 상기 제2 외부 전극 상에 배치된 끝단을 덮도록 배치되는
적층형 전자 부품.
- 제82항에 있어서,
상기 절연층은 상기 제5 면 및 제6 면의 일부를 덮도록 배치되는
적층형 전자 부품.
- 제82항에 있어서,
상기 절연층은 상기 제5 면 및 제6 면의 전부를 덮도록 배치되는
적층형 전자 부품.
- 제82항에 있어서,
상기 제3 면의 연장선으로부터 상기 제1 밴드부의 끝단까지의 상기 제2 방향 평균 크기를 B1, 상기 제4 면의 연장선으로부터 상기 제2 밴드부의 끝단까지의 상기 제2 방향 평균 크기를 B2라 할 때,
B1G1 및 B2
G2를 만족하는
적층형 전자 부품.
- 유전체층 및 상기 유전체층을 사이에 두고 번갈아 배치되는 제1 및 제2 내부 전극을 포함하며, 제1 방향으로 대향하는 제1 및 제2 면, 상기 제1 및 제2 면과 연결되고 제2 방향으로 대향하는 제3 및 제4 면, 상기 제1 내지 제4 면과 연결되고 제3 방향으로 대향하는 제5 및 제6 면을 포함하는 바디;
상기 제3 면에 배치되는 제1 연결 전극 및 상기 제1 면에 배치되어 상기 제1 연결 전극과 연결되는 제1 밴드 전극을 포함하는 제1 외부 전극;
상기 제4 면에 배치되는 제2 연결 전극 및 상기 제1 면에 배치되어 상기 제2 연결 전극과 연결되는 제2 밴드 전극을 포함하는 제2 외부 전극;
상기 제1 연결 전극 상에 배치되는 제1 절연층;
상기 제2 연결 전극 상에 배치되는 제2 절연층;
상기 제1 밴드 전극 상에 배치되는 제1 도금층; 및
상기 제2 밴드 전극 상에 배치되는 제2 도금층; 을 포함하며,
상기 절연층은 규소(Si)를 포함하는 산화물을 포함하는
적층형 전자 부품.
- 제107항에 있어서,
상기 규소(Si)를 포함하는 산화물은 실리카(SiO2)인
적층형 전자 부품.
- 제107항에 있어서,
상기 절연층은 붕소(B)를 포함하는 산화물을 더 포함하는
적층형 전자 부품.
- 제109항에 있어서,
상기 바디는 바륨(Ba)을 포함하며,
상기 절연층과 상기 바디가 접하는 계면에서 바륨 및 붕소를 포함하는 접착층을 포함하는
적층형 전자 부품.
- 제1항에 있어서,
상기 제1 면으로부터 상기 제1 및 제2 내부 전극 중 상기 제1 면에 가장 가깝게 배치된 내부 전극까지의 제1 방향 평균 크기를 H1, 상기 제1 면의 연장선으로부터 상기 제1 및 제2 연결 전극 상에 배치된 제1 및 제2 도금층의 끝단까지의 제1 방향 평균 크기를 H2라 할 때, H1>H2를 만족하는
적층형 전자 부품.
- 제107항에 있어서,
상기 제1 면으로부터 상기 제1 및 제2 내부 전극 중 상기 제1 면에 가장 가깝게 배치된 내부 전극까지의 제1 방향 평균 크기를 H1, 상기 제1 면의 연장선으로부터 상기 제1 및 제2 연결 전극 상에 배치된 제1 및 제2 도금층의 끝단까지의 제1 방향 평균 크기를 H2라 할 때, H1<H2를 만족하는
적층형 전자 부품.
- 제112항에 있어서,
상기 바디의 제1 방향 평균 크기를 T라 할 때,
상기 H2 및 T는 H2<T/2를 만족하는
적층형 전자 부품.
- 제107항에 있어서,
상기 제1 및 제2 도금층은 상기 제1 면의 연장선 이하로 배치되는
적층형 전자 부품.
- 제107항에 있어서,
상기 제1 면 상에 배치되며 상기 제1 밴드 전극과 상기 제2 밴드 전극 사이에 배치되는 추가 절연층을 더 포함하는
적층형 전자 부품.
- 제115항에 있어서,
상기 추가 절연층은 규소(Si)를 포함하는 산화물을 포함하는
적층형 전자 부품.
- 제107항에 있어서,
상기 제1 및 제2 연결 전극은 Ni 및 Ni 합금 중 하나 이상을 포함하는
적층형 전자 부품.
- 제107항에 있어서,
상기 적층형 전자 부품의 상기 제2 방향 최대 크기는 1.1mm 이하이고, 상기 제3 방향 최대 크기는 0.55mm 이하인
적층형 전자 부품.
- 제107항에 있어서,
상기 유전체층의 평균 두께는 0.35μm 이하인
적층형 전자 부품.
- 제107항에 있어서,
상기 제1 및 제2 내부 전극의 평균 두께는 0.35μm 이하인
적층형 전자 부품.
- 제107항에 있어서,
상기 유전체층을 사이에 두고 번갈아 배치되는 제1 및 제2 내부 전극을 포함하는 용량 형성부 및 상기 용량 형성부의 제1 방향 양 단면 상에 배치되는 커버부를 포함하며,
상기 커버부의 제1 방향 평균 크기는 15μm 이하인
적층형 전자 부품.
- 제107항에 있어서,
상기 제1 및 제2 도금층의 평균 두께는 상기 제1 및 제2 절연층의 평균 두께보다 얇은
적층형 전자 부품.
- 제107항에 있어서,
상기 제1 및 제2 연결 전극은 상기 제5 및 제6 면과 이격되어 배치되는
적층형 전자 부품.
- 제107항에 있어서,
상기 제1 및 제2 연결전극은 상기 제2 면과 이격되어 배치되는
적층형 전자 부품.
- 제107항에 있어서,
상기 제1 도금층은 상기 제1 절연층의 상기 제1 외부 전극 상에 배치된 끝단을 덮도록 배치되며, 상기 제2 도금층은 상기 제2 절연층의 상기 제2 외부 전극 상에 배치된 끝단을 덮도록 배치되는
적층형 전자 부품.
- 제107항에 있어서,
상기 제1 절연층은 상기 제1 도금층의 상기 제1 외부 전극 상에 배치된 끝단을 덮도록 배치되며, 상기 제2 절연층은 상기 제2 도금층의 상기 제2 외부 전극 상에 배치된 끝단을 덮도록 배치되는
적층형 전자 부품.
- 제107항에 있어서,
상기 제1 및 제2 절연층은 상기 제5 면 및 제6 면으로 연장되어 서로 연결되며, 상기 제5 면 및 제6 면의 일부를 덮도록 배치되는
적층형 전자 부품.
- 제107항에 있어서,
상기 제1 및 제2 절연층은 상기 제5 면 및 제6 면으로 연장되어 서로 연결되며, 상기 제5 면 및 제6 면을 전부를 덮도록 배치되는
적층형 전자 부품.
- 제107항에 있어서,
상기 제1 및 제2 절연층은 상기 제2 면으로 연장되어 서로 연결되는
적층형 전자 부품.
- 제107항에 있어서,
상기 바디는 상기 제1 면과 제3 면을 연결하는 제1-3 코너, 상기 제1 면과 제4 면을 연결하는 제1-4 코너, 상기 제2 면과 제3 면을 연결하는 제2-3 코너, 상기 제2 면과 제4 면을 연결하는 제2-4 코너를 포함하며,
상기 제1-3 코너 및 제2-3 코너는 상기 제3 면에 가까워질수록 상기 바디의 제1 방향 중앙으로 수축된 형태를 가지고, 상기 제1-4 코너 및 제2-4 코너는 상기 제4 면에 가까워질수록 상기 바디의 제1 방향 중앙으로 수축된 형태를 가지고,
상기 제1 연결 전극은 상기 제1-3 코너 및 제2-3 코너 상으로 연장되어 배치되는 코너부를 포함하며, 상기 제2 연결 전극은 상기 제1-4 코너 및 제2-4 코너 상으로 연장되어 배치되는 코너부를 포함하는
적층형 전자 부품.
- 제107항에 있어서,
상기 제1 외부 전극은 상기 제2 면에 배치되어 상기 제1 연결 전극과 연결되는 제3 밴드 전극을 더 포함하며,
상기 제2 외부 전극은 상기 제2 면에 배치되어 상기 제2 연결 전극과 연결되는 제4 밴드 전극을 더 포함하는
적층형 전자 부품.
- 제131항에 있어서,
상기 제3 면의 연장선으로부터 상기 제1 밴드 전극의 끝단까지의 거리를 B1, 상기 제4 면의 연장선으로부터 상기 제2 밴드 전극의 끝단까지의 거리를 B2, 상기 제3 면의 연장선으로부터 상기 제3 밴드 전극의 끝단까지의 거리를 B3, 상기 제4 면의 연장선으로부터 상기 제4 밴드 전극의 끝단까지의 거리를 B4, 상기 제3 면과 상기 제2 내부 전극이 이격된 영역의 제2 방향 평균 크기를 G1, 상기 제4 면과 상기 제1 내부 전극이 이격된 영역의 제2 방향 평균 크기를 G2라 할 때,
B1≥G1, B3≥G1, B2≥G2 및 B4≥G2를 만족하는
적층형 전자 부품.
- 제131항에 있어서,
상기 제3 면의 연장선으로부터 상기 제1 밴드 전극의 끝단까지의 거리를 B1, 상기 제4 면의 연장선으로부터 상기 제2 밴드 전극의 끝단까지의 거리를 B2, 상기 제3 면의 연장선으로부터 상기 제3 밴드 전극의 끝단까지의 거리를 B3, 상기 제4 면의 연장선으로부터 상기 제4 밴드 전극의 끝단까지의 거리를 B4, 상기 제3 면과 상기 제2 내부 전극이 이격된 영역의 제2 방향 평균 크기를 G1, 상기 제4 면과 상기 제1 내부 전극이 이격된 영역의 제2 방향 평균 크기를 G2라 할 때,
B1≥G1, B3≤G1, B2≥G2 및 B4≤G2를 만족하는
적층형 전자 부품.
- 제107항에 있어서,
상기 제1 밴드전극 및 상기 제2 밴드전극은 상기 내부 전극에 포함된 금속과 동일한 금속을 포함하는
적층형 전자 부품.
- 제107항에 있어서,
상기 제1 연결전극 및 상기 제2 연결전극은 상기 내부 전극에 포함된 금속과 동일한 금속을 포함하는
적층형 전자 부품.
- 제107항에 있어서,
상기 제1 밴드전극 및 상기 제2 밴드전극은 도전성 금속 및 글라스를 포함한 소성(firing) 전극인
적층형 전자 부품.
- 제107항에 있어서,
상기 제1 연결전극 및 상기 제2 연결전극은 도전성 금속 및 글라스를 포함한 소성(firing) 전극인
적층형 전자 부품.
- 제107항에 있어서,
상기 제1 밴드전극 및 상기 제2 밴드전극은 도금층인
적층형 전자 부품.
- 제107항에 있어서,
상기 제1 연결전극 및 상기 제2 연결전극은 도금층인
적층형 전자 부품.
- 제134항에 있어서,
상기 동일한 금속은 Ni인
적층형 전자 부품.
- 제135항에 있어서,
상기 동일한 금속은 Ni인
적층형 전자 부품.
- 제136항에 있어서,
상기 도전성 금속은 니켈(Ni), 구리(Cu) 및 그들의 합금 중 하나 이상인
적층형 전자 부품.
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020210193707A KR20230103096A (ko) | 2021-12-31 | 2021-12-31 | 적층형 전자 부품 |
| US17/952,511 US20230215638A1 (en) | 2021-12-31 | 2022-09-26 | Mutilayer electronic component |
| JP2022160633A JP2023099436A (ja) | 2021-12-31 | 2022-10-05 | 積層型電子部品 |
| CN202211658860.5A CN116387027A (zh) | 2021-12-31 | 2022-12-22 | 多层电子组件 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020210193707A KR20230103096A (ko) | 2021-12-31 | 2021-12-31 | 적층형 전자 부품 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20230103096A true KR20230103096A (ko) | 2023-07-07 |
Family
ID=86962104
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020210193707A KR20230103096A (ko) | 2021-12-31 | 2021-12-31 | 적층형 전자 부품 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20230215638A1 (ko) |
| JP (1) | JP2023099436A (ko) |
| KR (1) | KR20230103096A (ko) |
| CN (1) | CN116387027A (ko) |
-
2021
- 2021-12-31 KR KR1020210193707A patent/KR20230103096A/ko unknown
-
2022
- 2022-09-26 US US17/952,511 patent/US20230215638A1/en active Pending
- 2022-10-05 JP JP2022160633A patent/JP2023099436A/ja active Pending
- 2022-12-22 CN CN202211658860.5A patent/CN116387027A/zh active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20230215638A1 (en) | 2023-07-06 |
| JP2023099436A (ja) | 2023-07-13 |
| CN116387027A (zh) | 2023-07-04 |
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