JP2023056513A - 積層型電子部品 - Google Patents

Abstract

【課題】外部電極のＡｇイオンマイグレーションを防止する積層型電子部品を提供する。【解決手段】積層型電子部品１００は、誘電体層１１１及び誘電体層を間に挟んで交互に配置される第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２を含み、第１方向に対向する第１面及び第２面、第１面及び第２面と連結され、第２方向に対向する第３面及び第４面、第１面～第４面と連結され、第３方向に対向する第５面及び第６面を含む本体１１０と、第３面上に配置される第１下地電極層１３１と、第４面上に配置される第２下地電極層１３２と、第３面、第１面及び第２面を含む領域上に配置され、第１下地電極層の少なくとも一部を露出するように形成された第１電極層１４１と、第４面、第１面及び第２面を含む領域上に配置され、第２下地電極層の少なくとも一部を露出するように形成された第２電極層１４２と、を含む。各下地電極層はＣｕを含み、各電極層はＡｇを含む。【選択図】図３

Description

本発明は、積層型電子部品に関するものである。

積層型電子部品の一つである積層セラミックキャパシタ（Ｍｕｌｔｉｌａｙｅｒ Ｃｅｒａｍｉｃ Ｃａｐａｃｉｔｏｒ、ＭＬＣＣ）は、小型でありながらも高容量が保障されるという利点により、通信、コンピュータ、家電、自動車などの産業に使用される重要なチップ部品であり、特に、携帯電話、コンピュータ、デジタルテレビなど、各種の電気、電子、情報通信機器に使用される核心的な受動素子である。また、自動車又はインフォテインメントシステムにも積層セラミックキャパシタが使用されるにつれて、高信頼性、高強度特性及び小型化に対する要求が増加している。

従来の一般的な積層セラミックキャパシタを基板などに実装するために、積層セラミックキャパシタの外部電極は、下地電極層上に形成されためっき層を含んでいた。但し、高温、高振動の環境で、このような積層セラミックキャパシタを基板に実装する場合、錫（Ｓｎ）半田、外部電極及び基板の熱膨張率の差により半田クラックが形成されるという問題が発生することがあり、高温による酸化により接触抵抗が増加するという問題が発生することがある。

このような問題点を解決するために、銅（Ｃｕ）を含む下地電極層と銀（Ａｇ）を含む電極層とを含む外部電極構造が使用されている。このような外部電極を使用する場合、錫半田の代わりに銀エポキシ（Ａｇ ｅｐｏｘｙ）のような導電性接着剤（Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ ｇｌｕｅ）を使用して積層セラミックキャパシタを基板に実装することができ、錫（Ｓｎ）半田によって基板に実装される一般的な積層セラミックキャパシタに比べて高温、高圧、高振動の環境での信頼性に優れている。

但し、Ａｇを含む外部電極が、電圧が形成された状態で湿気に晒される場合、積層セラミックキャパシタの表面に沿ってＡｇイオンマイグレーション（ｍｉｇｒａｔｉｏｎ）が発生する可能性がある。このようなＡｇイオンマイグレーションは、積層セラミックキャパシタの表面において電流の漏れを発生させ、積層セラミックキャパシタの絶縁抵抗を劣化したり、短絡不良を発生させたりする原因となる。

したがって、外部電極がＡｇを含む場合でも、Ａｇイオンマイグレーションを効果的に抑制し、積層セラミックキャパシタの絶縁抵抗の劣化及び短絡不良を抑制することができる外部電極の構造に対する改善が必要な実情である。

本発明のいくつかの目的の一つは、外部電極がＡｇを含む場合、Ａｇイオンマイグレーションが発生して積層型電子部品の絶縁抵抗が劣化したり、短絡不良が発生したりする問題点を解決することである。

本発明のいくつかの目的の一つは、Ａｇイオンマイグレーションが発生する問題点を解決するために、Ａｇを含む電極層の配置領域を調節する場合、Ｃｕを含む下地電極層が外部に露出して積層型電子部品の耐湿信頼性が劣化するという問題点を解決することである。

但し、本発明の目的は上述の内容に限定されず、本発明の具体的な実施形態を説明する過程でより容易に理解することができる。

本発明の一実施形態による積層型電子部品は、誘電体層及び上記誘電体層を間に挟んで交互に配置される第１及び第２内部電極を含み、第１方向に対向する第１及び第２面、上記第１及び第２面と連結され、第２方向に対向する第３及び第４面、上記第１～第４面と連結され、第３方向に対向する第５及び第６面を含む本体と、上記第３面上に配置されて上記第１内部電極と連結される第１接続部を含む第１下地電極層と、上記第４面上に配置されて上記第２内部電極と連結される第２接続部を含む第２下地電極層と、上記第３面、上記第１面及び上記第２面を含む領域上に配置され、上記第１下地電極層の少なくとも一部を露出するように形成された第１電極層と、上記第４面、上記第１面及び上記第２面を含む領域上に配置され、上記第２下地電極層の少なくとも一部を露出するように形成された第２電極層と、を含み、上記第１及び第２下地電極層はＣｕを含み、上記第１及び第２電極層はＡｇを含むことができる。

本発明のいくつかの効果の一つは、Ａｇを含む電極層が配置される領域を最小化し、Ａｇイオンマイグレーションの発生を抑制することである。

本発明のいくつかの効果の一つは、Ａｇを含む電極層を積層型電子部品の実装面に偏るように配置し、Ａｇイオンマイグレーションの発生を抑制することである。

本発明のいくつかの効果の一つは、Ａｇを含む電極層を本体と接しないように配置し、Ａｇイオンマイグレーションの発生を抑制することである。

但し、本発明の多様かつ有益な利点及び効果は、上述した内容に限定されず、本発明の具体的な実施形態を説明する過程でより容易に理解することができる。

本発明の一実施形態による積層型電子部品を示す斜視図である。 図１による積層型電子部品の底面斜視図である。 図１のＩ－Ｉ'線に沿った断面図である。 図１のＩＩ－ＩＩ'線に沿った断面図である。 本発明の一実施形態による積層型電子部品の本体を分解して示す分解斜視図である。 本発明の一実施形態による積層型電子部品が実装された基板の断面図を概略的に示す図である。 一実施形態による積層型電子部品を示す断面図である。 一実施形態による積層型電子部品を示す断面図である。 一実施形態による積層型電子部品を示す断面図である。 一実施形態による積層型電子部品を示す断面図である。 本発明の一実施形態による積層型電子部品を示す斜視図である。 図１１による積層型電子部品の底面斜視図である。 図１１のＩＩＩ－ＩＩＩ'線に沿った断面図である。 本発明の一実施形態による積層型電子部品が実装された基板の断面図を概略的に示す図である。 一実施形態による積層型電子部品を示す断面図である。 一実施形態による積層型電子部品を示す断面図である。 一実施形態による積層型電子部品を示す断面図である。 一実施形態による積層型電子部品を示す断面図である。 本発明の一実施形態による積層型電子部品を示す分解斜視図である。 図１９のＩＶ－ＩＶ'線に沿った断面図である。 一実施形態による積層型電子部品を示す断面図である。 本発明の一実施形態による積層型電子部品が実装された基板の断面図を概略的に示す図である。

以下、具体的な実施形態及び添付の図面を参照して本発明の実施形態を説明する。しかし、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形することができ、本発明の範囲は以下で説明する実施形態に限定されるものではない。また、本発明の実施形態は、通常の技術者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面における要素の形状及び大きさ等は、より明確な説明のために誇張されてもよく、図面上の同じ符号で示される要素は同じ要素である。

そして、図面において本発明を明確に説明するために説明と関係のない部分は省略し、図面に示した各構成の大きさ及び厚さは説明の便宜上、任意に示しているため、本発明は必ずしも図示したものに限定されない。なお、同一思想の範囲内の機能が同一である構成要素については、同一の参照符号を用いて説明する。さらに、明細書全体において、ある部分がある構成要素を「含む」と言うとき、これは、特に反対となる記載がない限り、他の構成要素を除外するのではなく、他の構成要素をさらに含み得ることを意味する。

図面において、第１方向は厚さＴ方向、第２方向は長さＬ方向、第３方向は幅Ｗ方向と定義することができる。

図１は、本発明の一実施形態による積層型電子部品１００を示す斜視図であり、図２は、図１による積層型電子部品の底面斜視図であり、図３は、図１のＩ－Ｉ'線に沿った断面図であり、図４は、図１のＩＩ－ＩＩ'線に沿った断面図であり、図５は、本発明の一実施形態による積層型電子部品の本体を分解して示す分解斜視図であり、図６は、本発明の一実施形態による積層型電子部品が実装された基板１０００の断面図を概略的に示す図である。

以下、図１～図６を参照して、本発明の一実施形態による積層型電子部品１００について説明する。

本発明の一実施形態による積層型電子部品１００は、誘電体層１１１及び上記誘電体層を間に挟んで交互に配置される第１及び第２内部電極１２１、１２２を含み、第１方向に対向する第１及び第２面１、２、上記第１及び第２面と連結され、第２方向に対向する第３及び第４面３、４、上記第１～第４面と連結され、第３方向に対向する第５及び第６面５、６を含む本体１１０と、上記第３面３上に配置されて上記第１内部電極１２１と連結される第１接続部１３１ａを含む第１下地電極層１３１と、上記第４面４上に配置されて上記第２内部電極１２１と連結される第２接続部１３２ａを含む第２下地電極層１３２と、上記第３面３、上記第１面１及び上記第２面２を含む領域上に配置され、上記第１下地電極層１３１の少なくとも一部を露出するように形成された第１電極層１４１と、上記第４面４、上記第１面１及び上記第２面２を含む領域上に配置され、上記第２下地電極層１３２の少なくとも一部を露出するように形成された第２電極層１４２と、を含み、上記第１及び第２下地電極層１３１、１３２はＣｕを含み、上記第１及び第２電極層１４１、１４２はＡｇを含むことができる。

本体１１０は、誘電体層１１１及び内部電極１２１、１２２が交互に積層されている。

本体１１０の具体的な形状に特に限定はないが、図示のように、本体１１０は六面体形状又はこれと類似の形状からなることができる。焼成過程で本体１１０に含まれたセラミック粉末の収縮により、本体１１０は完全な直線を有する六面体形状ではないが、実質的に六面体形状を有することができる。

本体１１０は、第１方向に互いに対向する第１及び第２面１、２、上記第１及び第２面１、２と連結され、第２方向に互いに対向する第３及び第４面３、４、第１及び第２面１、２と連結され、第３及び第４面３、４と連結され、第３方向に互いに対向する第５及び第６面５、６を有することができる。

一実施形態において、本体１１０は、第１面と第３面を連結する第１－３コーナー、上記第１面と第４面を連結する第１－４コーナー、上記第２面と第３面を連結する第２－３コーナー、上記第２面と第４面を連結する第２－４コーナーを含み、上記第１－３コーナー及び第２－３コーナーは、上記第３面に近づくほど上記本体の第１方向の中央に収縮した形態を有し、上記第１－４コーナー及び第２－４コーナーは、上記第４面に近づくほど、上記本体の第１方向の中央に収縮した形態を有することができる。

誘電体層１１１上に内部電極１２１、１２２が配置されていないマージン領域が重なることによって、内部電極１２１、１２２の厚さによる段差が発生し、第１面と第３～第５面を連結するコーナー及び／又は第２面と第３～第５面を連結するコーナーは、第１面又は第２面を基準としてみたとき、本体１１０の第１方向の中央側に収縮した形態を有することができる。あるいは、本体の焼結過程における収縮挙動により、第１面１と第３～第６面３、４、５、６を連結するコーナー及び／又は第２面２と第３～第６面３、４、５、６を連結するコーナーは、第１面又は第２面を基準としてみたとき、本体１１０の第１方向の中央側に収縮した形態を有することができる。あるいは、チッピング不良などを防止するために、本体１１０の各面を連結する角を別途の工程を行ってラウンド処理することにより、第１面と第３～第６面を連結するコーナー及び／又は第２面と第３～第６面を連結するコーナーはラウンド形態を有することができる。

上記コーナーは、第１面と第３面を連結する第１－３コーナー、第１面と第４面を連結する第１－４コーナー、第２面と第３面を連結する第２－３コーナー、第２面と第４面を連結する第２－４コーナーを含むことができる。また、コーナーは、第１面と第５面を連結する第１－５コーナー、第１面と第６面を連結する第１－６コーナー、第２面と第５面を連結する第２－５コーナー、第２面と第６面を連結する第２－６コーナーを含むことができる。本体１１０の第１～第６面は、概して平坦な面であることができ、平坦でない領域をコーナーと見なすことができる。以下、各面の延長線とは、各面の平坦な部分を基準として延びた線を意味することができる。

このとき、下地電極層１３１、１３２のうち本体１１０のコーナー上に配置された領域をコーナー部、本体１１０の第３及び第４面上に配置された領域を接続部、本体の第１及び第２面上に配置された領域をバンド部とすることができる。

一方、内部電極１２１、１２２による段差を抑制するために、積層後の内部電極が本体の第５及び第６面５、６に露出するように切断した後、単一の誘電体層又は２つ以上の誘電体層を容量形成部Ａｃの両側面に第３方向（幅方向）に積層してマージン部１１４、１１５を形成する場合には、第１面と第５及び第６面を連結する部分、及び第２面と第５及び第６面を連結する部分が収縮した形態を有していなくてもよい。

本体１１０を形成する複数の誘電体層１１１は焼成された状態であって、隣接する誘電体層１１１間の境界は走査電子顕微鏡（ＳＥＭ：Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を利用せずには確認し難いほど一体化することができる。

本発明の一実施形態によると、上記誘電体層１１１を形成する原料は、十分な静電容量が得られる限り、特に限定されない。例えば、チタン酸バリウム系材料、鉛複合ペロブスカイト系材料、又はチタン酸ストロンチウム系材料などを使用することができる。上記チタン酸バリウム系材料は、ＢａＴｉＯ_３系セラミック粉末を含むことができ、上記セラミック粉末の例としては、ＢａＴｉＯ_３、ＢａＴｉＯ_３にＣａ（カルシウム）、Ｚｒ（ジルコニウム）等が一部固溶した（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）ＴｉＯ_３（０＜ｘ＜１）、Ｂａ（Ｔｉ_１－ｙＣａ_ｙ）Ｏ_３（０＜ｙ＜１）、（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）（Ｔｉ_１－ｙＺｒ_ｙ）Ｏ_３（０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１）又はＢａ（Ｔｉ_１－ｙＺｒ_ｙ）Ｏ_３（０＜ｙ＜１）等が挙げられる。

また、上記誘電体層１１１を形成する原料としては、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）などのパウダーに、本発明の目的に応じて様々なセラミック添加剤、有機溶剤、結合剤、分散剤などを添加することができる。

本体１１０は本体１１０の内部に配置され、誘電体層１１１を間に挟んで互いに対向するように配置される第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２を含んで容量が形成される容量形成部Ａｃと、上記容量形成部Ａｃの第１方向の上部及び下部に形成されたカバー部１１２、１１３とを含むことができる。

また、上記容量形成部Ａｃは、キャパシタの容量形成に寄与する部分であって、誘電体層１１１を間に挟んで複数の第１及び第２内部電極１２１、１２２を繰り返し積層して形成されることができる。

カバー部１１２、１１３は、上記容量形成部Ａｃの第１方向の上部に配置される上部カバー部１１２、及び上記容量形成部Ａｃの第１方向の下部に配置される下部カバー部１１３を含むことができる。

上記上部カバー部１１２及び下部カバー部１１３は、単一の誘電体層又は２つ以上の誘電体層を容量形成部Ａｃの上下面にそれぞれ厚さ方向に積層して形成することができ、基本的に物理的又は化学的ストレスによる内部電極の損傷を防止する役割を果たすことができる。

上記上部カバー部１１２及び下部カバー部１１３は内部電極を含まず、誘電体層１１１と同じ材料を含むことができる。

すなわち、上記上部カバー部１１２及び下部カバー部１１３はセラミック材料を含むことができ、例えば、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）系セラミック材料を含むことができる。

また、上記容量形成部Ａｃの側面にはマージン部１１４、１１５が配置されることができる。

マージン部１１４、１１５は、本体１１０の第５面５に配置される第１マージン部１１４と、第６面６に配置される第２マージン部１１５とを含むことができる。すなわち、マージン部１１４、１１５は、上記本体１１０の幅方向の両端面（ｅｎｄ ｓｕｒｆａｃｅｓ）に配置されることができる。

マージン部１１４、１１５は、図４に示すように、上記本体１１０を幅－厚さ（Ｗ－Ｔ）方向に切断した断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）において、第１及び第２内部電極１２１、１２２の両端と本体１１０の境界面との間の領域を意味することができる。

マージン部１１４、１１５は、基本的に物理的又は化学的ストレスによる内部電極の損傷を防止する役割を果たすことができる。

マージン部１１４、１１５は、セラミックグリーンシート上にマージン部が形成される箇所を除き、導電性ペーストを塗布して内部電極を形成することにより形成されたものであってもよい。

また、内部電極１２１、１２２による段差を抑制するために、積層後の内部電極が本体の第５及び第６面５、６に露出するように切断した後、単一の誘電体層又は２つ以上の誘電体層を容量形成部Ａｃの両側面に第３方向（幅方向）に積層してマージン部１１４、１１５を形成することもできる。

内部電極１２１、１２２は誘電体層１１１と交互に積層される。

内部電極１２１、１２２は、第１及び第２内部電極１２１、１２２を含むことができる。第１及び第２内部電極１２１、１２２は、本体１１０を構成する誘電体層１１１を間に挟んで互いに対向するように交互に配置され、本体１１０の第３及び第４面３、４にそれぞれ露出することができる。

図３を参照すると、第１内部電極１２１は第４面４と離隔し、第３面３を介して露出し、第２内部電極１２２は第３面３と離隔し、第４面４を介して露出することができる。本体の第３面３には、第１下地電極層１３１が配置されて第１内部電極１２１と連結され、本体の第４面４には、第２下地電極層１３２が配置されて第２内部電極１２２と連結されることができる。

すなわち、第１内部電極１２１は第２下地電極層１３１とは連結されず、第１下地電極層１３１と連結され、第２内部電極１２２は第１下地電極層１３１とは連結されず、第２下地電極層１３１と連結される。したがって、第１内部電極１２１は第４面４において一定距離離隔して形成され、第２内部電極１２２は第３面３において一定距離離隔して形成されることができる。

このとき、第１及び第２内部電極１２１、１２２は、中間に配置された誘電体層１１１によって互いに電気的に分離することができる。

本体１１０は、第１内部電極１２１が印刷されたセラミックグリーンシートと第２内部電極１２２が印刷されたセラミックグリーンシートとを交互に積層した後、焼成して形成することができる。

内部電極１２１、１２２を形成する材料は、特に限定されず、電気伝導性に優れた材料を使用することができる。例えば、内部電極１２１、１２２は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、錫（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金のうち一つ以上を含むことができる。

また、内部電極１２１、１２２は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、錫（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金のうち一つ以上を含む内部電極用導電性ペーストをセラミックグリーンシートに印刷して形成することができる。上記内部電極用導電性ペーストの印刷方法としては、スクリーン印刷法又はグラビア印刷法などを使用することができるが、本発明はこれらに限定されるものではない。

第１及び第２下地電極層１３１、１３２は、本体１１０の外側に配置されることができる。本実施形態では、２つの下地電極層１３１、１３２を有する構造について説明しているが、下地電極層１３１、１３２の個数や形状などは、内部電極１２１、１２２の形態やその他の目的に応じて変更することができる。

第１下地電極層１３１は、上記第３面３上に配置されて上記第１内部電極１２１と連結される第１接続部１３１ａを含み、第２下地電極層１３２は、上記第４面４上に配置されて上記第２内部電極１２２と連結される第２接続部１３２ａを含む。

しかし、本発明は、上記第１及び第２下地電極層が上記第３面３及び第４面４上にのみ配置され、本体１１０の他の面１、２、５、６には配置されない構造に制限されるものではない。

すなわち、第１下地電極層１３１は、上記第１接続部１３１ａから上記第１面１の一部まで延びて配置される第１バンド部１３１ｂ及び上記第１接続部から上記第２面２の一部まで延びて配置される第３バンド部１３１ｃをさらに含むことができ、第２下地電極層１３２は、上記第２接続部１３２ａから上記第１面１の一部まで延びて配置される第２バンド部１３２ｂ、及び上記第２接続部から上記第２面２の一部まで延びて配置される第４バンド部１３２ｃをさらに含むことができる。

また、第１下地電極層１３１は、第１接続部１３１ａから第５及び第６面５、６の一部まで延びる第１側面バンド部を含むことができ、第２下地電極層１３２は、第２接続部１３２ａから第５及び第６面の一部まで延びる第２側面バンド部をさらに含むことができる。

但し、第３バンド部、第４バンド部、第１側面バンド部及び第２側面バンド部は、本発明において必須の構成要素でなくてもよい。すなわち、第１下地電極層１３１は上記第１接続部１３１ａ及び第１バンド部１３１ｂを含み、第２下地電極層１３２は上記第２接続部１３２ａ及び第２バンド部１３２ｂを含むことができ、第１及び第２下地電極層１３１、１３２は、第２面２には配置されなくてもよく、第５面５及び第６面６にも配置されなくてもよい。

第１及び第２下地電極層１３１、１３２はＣｕを含むことができる。Ｃｕは、内部電極１２１、１２２に含まれる金属との電気的連結性に優れるという利点がある。

一方、第１及び第２下地電極層１３１、１３２はＣｕを主成分とし、他の材料として電気伝導性に優れた他の金属を含むことができる。例えば、Ｎｉ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｓｎ、Ｃｒ及びこれらの合金のうち一つ以上をさらに含むことができる。

第１及び第２下地電極層１３１、１３２は、Ｃｕ及びガラスを含む焼成（ｆｉｒｉｎｇ）電極であってもよく、Ｃｕ及び樹脂を含む樹脂系電極であってもよい。

また、第１及び第２下地電極層１３１、１３２は、本体上に焼成電極及び樹脂系電極が順次に形成された形態であってもよい。なお、第１及び第２下地電極層１３１、１３２は、本体上にＣｕを含むシートを転写する方式で形成されてもよく、焼成電極上にＣｕを含むシートを転写する方式で形成されたものであってもよい。

本発明の一実施形態によると、第１及び第２下地電極層１３１、１３２はＣｕを含むことにより、内部電極１２１、１２２との電気的連結性を向上させることができる。一方、本体１１０との接着力を向上させ、緻密度を向上させるために、第１及び第２下地電極層１３１、１３２はガラスをさらに含むことができる。

第１電極層１４１は、上記第３面３、上記第１面１及び上記第２面２を含む領域上に配置され、上記第１下地電極層１３１の少なくとも一部を露出するように形成され、第２電極層１４２は、上記第４面４、上記第１面１及び上記第２面２を含む領域上に配置され、上記第２下地電極層１３２の少なくとも一部を露出するように形成されることができる。

すなわち、第１電極層１４１は、上記第３面３、上記第１面１及び上記第２面２を含む領域上に配置され、上記第１下地電極層１３１の少なくとも一部を覆わないように配置されることができ、上記第４面４、上記第１面１及び上記第２面２を含む領域上に配置され、第２電極層１４２は第２下地電極層１３２の少なくとも一部を覆わないように配置されることができる。

上記第１及び第２下地電極層１３１、１３２の少なくとも一部を露出するように第１及び第２電極層１４１、１４２を形成する方法は様々であり得る。
例えば、第１電極層１４１は第１バンド部１３１ｂ上に配置され、第２電極層１４２は第２バンド部１３２ｂ上に配置されることにより、第１及び第２電極層１４１、１４２が配置されていない第１及び第２下地電極層１３１、１３２の少なくとも一部が露出することができる。

さらに他の例示として、後述する一実施形態による積層型電子部品２００、２０１、２０２、２０３、２０４のように、第３面３上に配置された第１下地電極層１３１を第１連結電極２３１ａ、第４面４上に配置された第２下地電極層１３２を第２連結電極２３２とし、第１面１上に配置されて第１連結電極２３１と連結されるように第１電極層１４１を配置して第１バンド電極２４１を形成し、第１面１上に配置されて第２連結電極２３２と連結されるように第２電極層１４２を配置して第２バンド電極２４２を形成することにより、第１及び第２バンド電極２４１、２４２によって覆われていない第１及び第２連結電極２３１、１３２の少なくとも一部を露出させることができる。

さらに他の例示として、後述する一実施形態による積層型電子部品３００、３０１のように、第１下地電極層３３１は、第１接続部３３１ａから第１面１の一部まで延びて配置される第１バンド部３３１ｂ、及び第１接続部３３１ａから第２面２の一部まで延びて配置される第３バンド部３３１ｃをさらに含み、第２下地電極層３３２は、第２接続部３３２ａから第１面１の一部まで延びて配置される第２バンド部３３２ｂ、及び第２接続部３３２ａから第２面２の一部まで延びて配置される第４バンド部３３２ｃをさらに含み、第１電極層３４１は第１接続部３３１ａ上に配置され、第２電極層３４２は第２接続部３３２ａ上に配置されることにより、第１及び第２電極層３４１、３４２が配置されていない第１及び第２下地電極層３３１、３３２の少なくとも一部を露出させることができる。

第１及び第２電極層１４１、１４２は銀（Ａｇ）を含むことができる。 これにより、第１電極層１４１は第１下地電極層１３１と、第２電極層１４２は第２下地電極層１３２と連結され、基板上に配置された電極パッド１９１、１９２上に導電性金属及び樹脂を含む導電性接着剤１７１、１７２を塗布し、上記導電性接着剤上に積層型電子部品１００の第１及び第２電極層１４１、１４２を接合して基板１８０に実装することができる。

第１及び第２電極層１４１、１４２はＡｇを含むことができる。第１及び第２電極層１４１、１４２は、Ａｇ及びガラスを含む焼成（ｆｉｒｉｎｇ）電極であってもよく、めっきで形成されたＡｇめっき層であってもよい。

上記第１及び第２電極層１３１、１３２は、第１及び第２下地電極層に含まれるＣｕに比べて標準還元電位が大きいＡｇを含むため、第１及び第２下地電極層の酸化を防止し、水分の浸透を防止する役割を果たすことができる。

また、導電性金属及び樹脂を含む導電性接着剤により積層型電子部品１００を基板１８０に実装できるようにするため、高温－低温サイクルで外部電極と半田との熱膨張率の差による半田クラックが発生するという問題点を解決することができる。

しかし、銀（Ａｇ）を含む第１及び第２電極層１４１、１４２を第１及び第２下地電極層１３１、１３２上に形成する場合、本体１１０の表面に沿ってＡｇイオンマイグレーションが発生する可能性がある。これにより、積層型電子部品１００の電流の漏れによる絶縁抵抗の劣化、及び互いに異なる極性を有する下地電極層１３１、１３２の間、又は電極層１４１、１４２の間に短絡が発生する可能性がある。

高温多湿な環境では、積層型電子部品１００の表面に水分又は汚染物質が存在する可能性が増加するようになる。このような状態で電圧が印加される場合、正極で溶解した金属イオンが負極に移動し、負極で析出が起こるようになる。このような反応が継続することによって、金属の樹枝状（Ｄｅｎｄｒｉｔｅ）は、負極から正極に本体１１０の表面に沿って成長するようになり、このような形状をイオンマイグレーション（Ｉｏｎ Ｍｉｇｒａｔｉｏｎ）と呼ぶ。

特に、このようなイオンマイグレーションが最も容易に発生する金属伝導体はＡｇであることが知られているが、外部電極がＡｇを含むか、又はＡｇを単独で使用する場合、本体１１０の表面にＡｇイオンマイグレーションがより容易に発生する可能性がある。

このようなＡｇイオンマイグレーションは、積層型電子部品の外部電極の間の本体１１０の表面に発生するため、電流の漏れによる本体１１０表面の絶縁層の破壊が起こり、積層型電子部品１００の絶縁抵抗の低下を引き起こす可能性があり、電極間の短絡（ｓｈｏｒｔ）を誘発する可能性があるため、積層型電子部品１００の信頼性に致命的な影響を及ぼす可能性がある。

一方、Ａｇイオンマイグレーションの成長速度を制御する主な要因は電圧及び湿度であることが知られている。積層型電子部品１００が実装面から離れるほど、外部環境に露出する可能性が増加し、空気と接触する面積が多くなり得るため、湿気によりさらに多くの影響を受ける可能性がある。これにより、実装面から離れる方向に向かうほど、積層型電子部品にＡｇイオンマイグレーションがより強く発生する傾向がある。

そこで、本発明では、Ａｇを含む第１及び第２電極層１４１、１４２が配置される位置及びその領域を調節して、Ａｇイオンマイグレーションの発生を最小化しながらも、積層型電子部品の高温多湿な環境における信頼性を確保しようとする。

本発明の一実施形態によると、銀（Ａｇ）を含む第１及び第２電極層１４１、１４２は、上記第１及び第２バンド部上に配置されることができる。

第１電極層１４１は第１バンド部１３１ｂ上に配置され、第２電極層１４２が第２バンド部１３２ｂ上に配置されることによって、第１及び第２電極層１４１、１４２が第１及び第２下地電極層１３１、１３２の表面全体に配置される場合に発生し得るＡｇイオンマイグレーションを効果的に抑制することができる。また、第１電極層及び第２電極層１４１、１４２が配置される領域を減らすことができ、Ａｇを含むペーストの塗布量を減らして積層型電子部品１００の製造コストを節減することができる。

上述したように、Ａｇイオンマイグレーションは、積層型電子部品１００の実装面の反対方向に向かうほど、より強く起こる傾向があるため、実装面に近い第１及び第２バンド部１３１ｂ、１３２ｂにＡｇを含む電極層を配置する本発明の一実施形態の場合、Ａｇイオンマイグレーションの抑制効果がより顕著になり得る。

これにより、Ａｇを含む電極層１４１、１４２が配置される領域を最小化しながらも、導電性金属及び樹脂を含む導電性接着剤１７１、１７２により基板１８０への実装が可能である。したがって、Ａｇイオンマイグレーションの発生を抑制して絶縁抵抗の劣化及び短絡を防止することができ、Ｃｕを含む第１及び第２下地電極層１３１、１３２の実装領域における酸化を防止し、導電性金属及び樹脂を含む導電性接着剤を介して実装を可能にすることにより、固着強度の低下を防止することができる。

Ａｇイオンマイグレーションの成長速度を制御する他の要素の一つは、第１及び第２電極層の成分が挙げられる。イオンマイグレーションが最も発生しやすい金属はＡｇと知られており、第１及び第２電極層１４１、１４２がＡｇ単独からなっているか、Ａｇが電極層内に部分的に凝縮して存在する場合、又はＡｇの含量が過度な場合、Ａｇイオンマイグレーションがより強く発生する可能性がある。

一実施形態において、第１及び第２下地電極層１３１、１３２はガラスをさらに含み、上記第１及び第２電極層１４１、１４２はガラス及びパラジウム（Ｐｄ）をさらに含むことができる。

第１及び第２電極層１４１、１４２がガラスを含むことにより、ガラスが含まれた下地電極層１３１、１３２との接着力を向上させることができる。

第１及び第２電極層１４１、１４２がパラジウム（Ｐｄ）をさらに含む場合、Ａｇ及びＰｄが全率固溶体（ｉｓｏｍｏｒｐｈｏｕｓ）を形成するため、Ａｇイオンマイグレーションを効果的に抑制することができる。また、Ｐｄの標準還元電位（＋０．９１５Ｖ）はＡｇの標準還元電位（０．８０Ｖ）より高いため、第１及び第２下地電極層１３１、１３２の酸化をより効果的に防止することができる。

このとき、第１及び第２電極層１４１、１４２に含まれるＰｄの含量は、Ａｇ１００モルに対して１モル以上５モル以下であってもよい。

Ｐｄの含量がＡｇ１００モルに対して１モル未満である場合には、Ａｇとの全率固溶体を十分に形成し難く、Ａｇイオンマイグレーションを抑制する効果が不十分である可能性がある。

これに対し、Ｐｄの含量がＡｇ１００モルに対して５モルを超える場合には、一般的にＰｄの焼結駆動力がＡｇより高いため、焼結駆動力の差によるブリスター（ｂｌｉｓｔｅｒ）、放射クラック等が発生するおそれがあり、製造コストが増加する可能性がある。

一方、第１及び第２下地電極層１３１、１３２、第１及び第２電極層１４１、１４２の成分は、ＳＥＭ－ＥＤＳ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ－Ｅｎｅｒｇｙ Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ Ｘ－ｒａｙ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）を用いて観察した画像から算出したものであってもよい。具体的に、積層型電子部品を幅方向（第３方向）の中央の位置まで研磨して長さ方向及び厚さ方向の断面（Ｌ－Ｔ断面）を露出させた後、下地電極層及び電極層を厚さ又は長さ方向に５等分した領域のうち中央に配置された領域をＥＤＳを用いて、下地電極層及び電極層に含まれた各元素の種類と全元素１００ａｔ％に対する含量を測定することができる。

一方、導電性金属及び樹脂を含む導電性接着剤１７１、１７２を介して積層型電子部品１００を実装する場合、固着強度を確保するためには、上記導電性接着剤１７１、１７２と第１及び第２電極層１４１、１４２間の接触面積を十分に確保する必要がある。

一実施形態では、上記第１電極層１４１は、上記第１バンド部１３１ｂから上記第１接続部１３１ａの一部まで延びて配置され、上記第２電極層１４２は、上記第２バンド部１３２ｂから上記第２接続部１３２ｂの一部まで延びて配置して導電性接着剤１７１、１７２と第１及び第２電極層１４１、１４２間の接触面積を十分に確保することにより、積層型電子部品１００の固着強度を向上させることができる。

一実施形態において、第１及び第２電極層１４１、１４２の上記第１方向の最低点から上記第１方向の最高点までの上記第１方向の平均サイズＴＢ１は、１０μｍ以上４０μｍ以下であってもよい。上記ＴＢ１が１０μｍ未満の場合、第１及び第２電極層１４１、１４２が第１及び第２バンド部１３１ｂ、１３２ｂを十分に覆わないことがあるため、十分な固着強度を確保し難い可能性があり、上記ＴＢ１が４０μｍを超える場合、第１及び第２接続部１３１ａ、１３２ａ上に第１及び第２電極層１４１、１４２が過度に形成され、Ａｇイオンマイグレーションの発生を抑制し難くなる可能性がある。

これと同様の観点から、一実施形態では、上記第１面１から上記第１及び第２内部電極１２１、１２２のうち上記第１面に最も近く配置された内部電極までの第１方向の平均サイズをＨ１、上記第１面の延長線から上記第１及び第２接続部１３１ａ、１３２ａ上に配置された第１及び第２電極層の端までの第１方向の平均サイズをＨ２とするとき、Ｈ１≧Ｈ２を満たすことができる。すなわち、第１及び第２電極層１４１、１４２が最下端に配置された第１及び第２内部電極１２１、１２２以下の領域に配置されることにより、十分な固着強度を確保しながらもＡｇイオンマイグレーションを効果的に抑制することができる。

一方、第１及び第２電極層１４１、１４２の上記第１方向の最低点から上記第１方向の最高点までの上記第１方向の平均サイズＴＢ１は、本体１１０を第３方向の中央部において、第１及び第２方向に切断した断面（Ｌ－Ｔ断面）の第１電極層１４１側で測定した値と、第２電極層１４２側で測定した値とを平均した値であることができる。

図６を参照すると、本発明の一実施形態による積層型電子部品１００が実装された基板１０００において、積層型電子部品１００の第１及び第２電極層１４１、１４２は基板１８０上に配置された電極パッド１９１、１９２と導電性接着剤１７１、１７２によって接合されることができる。

本発明の一実施形態による第１及び第２電極層１４１、１４２が銀（Ａｇ）を含むため、電極層１４１、１４２と導電性接着剤１７１、１７２は電気的導通を確保することができ、導電性接着剤１７１、１７２に含まれた樹脂が硬化して基板１８０との接着力を確保することができる。

また、従来の積層型電子部品を基板に実装する際に、錫（Ｓｎ）を含む半田を使用する場合と異なり、高温－低温サイクルでも電極層１４１、１４２と導電性接着剤１７１、１７２に加わる熱衝撃を緩和することにより、積層型電子部品１００の固着強度を向上させることができる。

導電性接着剤１７１、１７２に含まれる導電性金属の種類は特に限定されず、例えば、Ａｇ、Ａｕなどの金属を含むことができる。

一実施形態において、導電性接着剤１７１、１７２に含まれる樹脂はエポキシ樹脂であってもよい。エポキシ樹脂は半田より熱膨張率が小さく、これにより高温環境下で温度変化に伴う熱膨張及び熱収縮によるクラックの発生を抑制することができる。錫（Ｓｎ）を含む半田を介して基板に積層型電子部品を実装する従来の場合、高温－低温サイクルで外部電極と半田との熱膨張率の差によるストレスにより半田クラックが発生しやすい。本発明の一実施形態によると、導電性接着剤１７１、１７２は樹脂を含むことにより、第１及び第２電極層１４１、１４２と上記導電性接着剤との熱膨張率の差を減らすことができ、導電性接着剤にクラックが発生するという問題点を解決することができる。また、エポキシ樹脂を含むことにより、その含量に応じて常温硬化及び熱硬化に容易であり、優れた接着性を確保することができる。

一実施形態では、導電性接着剤１７１、１７２に含まれる樹脂の種類をエポキシ樹脂として例を挙げたが、これに限定されるものではなく、ポリウレタン、シリコン、ポリイミド、フェノール、ポリエステル系熱硬化性樹脂を使用することもできる。

図７は、一実施形態による積層型電子部品１０１を示す断面図である。

図７を参照すると、一実施形態による積層型電子部品１０１は、上記第１面１から上記第１及び第２内部電極１２１、１２２のうち上記第１面に最も近く配置された内部電極までの第１方向の平均サイズをＨ１、上記第１面の延長線から上記第１及び第２接続部１３１ａ、１３２ａ上に配置された第１及び第２電極層の端までの第１方向の平均サイズをＨ２とするとき、Ｈ１＜Ｈ２を満たすことができる。

Ｃｕを含む第１及び第２下地電極層１３１、１３２のうち、Ａｇを含む第１及び第２電極層１４１、１４２で覆われていない部分は、外部に露出した場合、外部からの水分浸透に弱い可能性がある。特に、第１及び第２下地電極層１３１、１３２が導電性ペーストで形成された焼成（ｆｉｒｉｎｇ）電極である場合、第１及び第２接続部１３１ａ、１３２ａの第１方向に向かうほど、その厚さ（第２方向のサイズ）が減少する領域でＣｕの酸化が起こるようになると、外部水分の主な浸透経路となる可能性がある。

一実施形態による積層型電子部品１０１によると、Ｈ１＜Ｈ２を満たすことにより、第１及び第２接続部１３１ａ、１３２ａの厚さ（第２方向のサイズ）が薄い領域まで第１及び第２電極層１４１、１４２が延びるように配置して外部水分の主な浸透経路を遮断することができるため、積層型電子部品１０１の耐湿信頼性を向上させることができる。

一方、上述したように、Ａｇイオンマイグレーションは、積層型電子部品１０１の実装面から実装面の反対方向に向かうほど、より強く発生する傾向がある。したがって、Ａｇを含む第１及び第２電極層１４１、１４２を本体１１０の第１方向にさらに延びるように形成する場合、第１及び第２電極層１４１、１４２を第１及び第２バンド部１３１ｂ、１３２ｂ上に形成してＡｇイオンマイグレーションの発生を抑制する効果が十分でない可能性がある。このとき、上記本体の第１方向の平均サイズをＴとするとき、Ｈ２＜Ｔ／２を満たすことにより、Ａｇを含む第１及び第２電極層１４１、１４２が過度に第１方向に形成されないようにして、Ａｇイオンマイグレーションの発生抑制効果を十分に確保することができる。すなわち、上記Ｈ１、Ｈ２、Ｔは、Ｈ１＜Ｈ２＜Ｔ／２を満たすことができる。

Ｈ１及びＨ２は、本体１１０を第３方向の中央部において第１及び第２方向に切断した断面（Ｌ－Ｔ断面）で測定した値を平均した値であることができる。 Ｈ１は、断面において、第１面１に最も近く配置された内部電極と第１面１との間の距離を第２方向の任意の地点で測定した値を平均した値であり、Ｈ２は、接続部に配置された電極層の端を基準に測定した値であり、第１バンド部１４１側で測定した値と第２バンド部１４２側で測定した値とを平均した値であることができる。このとき、Ｈ１及びＨ２の測定時に基準となる第１面の延長線Ｅ１は同一であり得る。

また、本体１１０の第１方向のサイズＴは、同様に、本体１１０を第３方向の中央部において第１及び第２方向に切断した断面（Ｌ－Ｔ断面）で第１面の延長線Ｅ１と第２面の延長線Ｅ２の第１方向のサイズを測定した値であることができる。

第１及び第２電極層１４１、１４２が配置される領域を調節する方法は特に限定されない。第１及び第２電極層１４１、１４２は、第１及び第２下地電極層１３１、１３２を形成した後、第１バンド部１３１ｂ及び第２バンド部１３２ｂを、Ａｇを含む導電性ペーストに交互に浸漬し、乾燥した後、約６００℃の温度で焼成して形成することができる。このとき、本体１１０を浸漬する深さを調節して第１及び第２電極層１４１、１４２が配置される領域を調節することができるが、これに限定されるものではない。

図８は、一実施形態による積層型電子部品１０２を示す断面図である。

図８を参照すると、一実施形態による積層型電子部品１０２は、上記第１接続部１３１ａ上に配置される第１絶縁層１５１及び上記第２接続部１３２ａ上に配置される第２絶縁層１５２を含むことができる。

第１及び第２絶縁層１５１、１５２は、第１及び第２接続部１３１ａ、１３２ａ上に配置されて第１及び第２下地電極層１３１、１３２に含まれるＣｕの酸化を防止し、積層型電子部品１０２の曲げ強度を向上させる役割を果たすことができる。

上記第１絶縁層１５１は、第１接続部１３１ａ上に配置され、上記第３バンド部１３１ｃ上に延びて配置されることができ、上記第２絶縁層１５２は第２接続部１３２ａ上に配置され、上記第４バンド部１３２ｃ上に延びて配置されることができる。これにより、積層型電子部品１０２の曲げ強度及びシーリング特性をさらに向上させることができる。積層型電子部品１０２のシーリング特性を著しく向上させるためには、上記第１絶縁層１５１は上記第３バンド部１３１ｃの端を覆うように配置され、上記第２絶縁層１５２は上記第４バンド部１３２ｃの端を覆うように配置されることが好ましいが、これに限定されるものではない。

上記第１及び第２絶縁層１５１、１５２は、積層型電子部品１０２のシーリング特性を向上させ、曲げ強度を向上させて外部の熱又は振動による引張応力から積層型電子部品１０２を保護可能な程度の強度を有する物質で構成されてもよい。例えば、第１及び第２絶縁層１５１、１５２は、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、エチルセルロース（Ｅｔｈｙｌ Ｃｅｌｌｕｌｏｓｅ）等の材料から選択された１種以上を含んでもよく、ガラスをさらに含んでもよい。

また、第１及び第２絶縁層１５１、１５２は単一の成分又は複数の成分を含むことができ、好ましくは、本体１１０又は第１及び第２下地電極層１３１、１３２との結合力を向上させるために、ＴｉＯ_２、ＢａＴｉＯ_３、Ａｌ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２、ＢａＯなどから選択された１種以上を添加剤として含むことができる。

第１及び第２絶縁層１５１、１５２を形成する方法は、成分及び目的に応じて多様であり得る。例えば、絶縁ペーストをスキージを用いて塗膜を形成した後、本体１１０に第１及び第２下地電極層１３１、１３２を配置して各断面を順次浸漬した後、乾燥する方式で形成することができる。また、ゾル－ゲル法（Ｓｏｌ－ｇｅｌ ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ）、化学的蒸着法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＣＶＤ）、原子層蒸着法（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＡＬＤ）などで形成されてもよいが、これらに限定されるものではなく、薄くて均一な絶縁層を形成することができる他の方法によっても形成することができる。

一方、第１及び第２絶縁層１５１、１５２の成分は、ＳＥＭ－ＥＤＳ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ－Ｅｎｅｒｇｙ Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ Ｘ－ｒａｙ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）を用いて観察した画像から算出したものであってもよい。具体的に、積層型電子部品を幅方向（第３方向）の中央の位置まで研磨して長さ方向及び厚さ方向の断面（Ｌ－Ｔ断面）を露出させた後、第１及び第２絶縁層１５１、１５２を厚さ又は長さ方向に５等分した領域のうち中央に配置された領域をＥＤＳを用いて、第１及び第２絶縁層１５１、１５２に含まれた各元素の種類と全元素１００ａｔ％に対する含量を測定することができる。また、ＧＣ－ＭＳ（ｇａｓ ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈ－ｍａｓｓ ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ）分析を用いて絶縁層に含まれた樹脂の種類を区別することができる。

一実施形態において、誘電体層１１１の平均厚さｔｄと上記内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｅはｔｄ＞２×ｔｅを満たすことができる。すなわち、一実施形態によると、上記誘電体層１１１の平均厚さｔｄは、上記内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｅの２倍よりも大きいことを特徴とすることができる。

一般的に、高電圧電装用電子部品は、高電圧環境下で絶縁破壊電圧の低下による信頼性の問題が主なイシューである。一実施形態による積層型電子部品は、高電圧環境下で絶縁破壊電圧の低下を防止するために、上記誘電体層１１１の平均厚さｔｄを上記内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｅの２倍よりも大きくして、内部電極間の距離である誘電体層の厚さを増加させることにより、絶縁破壊電圧特性を向上させることができる。上記誘電体層１１１の平均厚さｔｄが上記内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｅの２倍以下である場合には、内部電極間の距離である誘電体層の厚さが薄いため、絶縁破壊電圧が低下する可能性がある。

上記内部電極の平均厚さｔｅは１μｍ未満であってもよく、上記誘電体層の平均厚さｔｄは２．８μｍ未満であってもよいが、必ずしもこれに限定されるものではない。

誘電体層１１１の平均厚さｔｄ及び内部電極の平均厚さｔｅは、本体１１０の長さ及び厚さ方向（Ｌ－Ｔ）の断面を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ、Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）でイメージをスキャンして測定することができる。より具体的に、スキャンされたイメージにおいて、一つの誘電体層の内部電極を長さ方向に等間隔である３０個の地点でその厚さを測定し、平均値を測定することができる。上記等間隔である３０個の地点は容量形成部Ａｃで指定することができる。また、このような平均値の測定を１０個の誘電体層及び内部電極に拡張して平均値を測定すると、誘電体層の平均厚さ及び内部電極の平均厚さをさらに一般化することができる。

図９は、一実施形態による積層型電子部品１０３を示す断面図である。

図９を参照すると、一実施形態による積層型電子部品１０３は、上記本体１１０の上記第２方向の平均サイズをＬ、上記第３面の延長線Ｅ３から上記第１バンド部１３１ｂ'の端までの上記第２方向の平均サイズをＢ１、上記第４面の延長線Ｅ４から上記第２バンド部１３２ｂ'の端までの上記第２方向の平均サイズをＢ２とするとき、０．２≦Ｂ１／Ｌ≦０．４及び０．２≦Ｂ２／Ｌ≦０．４を満たすことができる。

Ｂ１／Ｌ及びＢ２／Ｌが０．２未満の場合には、十分な固着強度を確保し難い可能性がある。これに対し、Ｂ２／Ｌが０．４を超える場合には、高圧電流下で第１電極層１４１と第２電極層１４２との間で漏れ電流が発生するおそれがあり、実装時に導電性接着剤の滲み等により第１電極層１４１及び第２電極層１４２が電気的に連結されるおそれがある。

Ｂ１、Ｂ２及びＬは、本体１１０を第３方向の中央部において第１及び第２方向に切断した断面（Ｌ－Ｔ断面）で測定した値であることができる。特に、本体１１０の第２方向のサイズＬは、上記第３面の延長線Ｅ３と上記第４面の延長線Ｅ４との間の第２方向のサイズに該当することができる。

図９を参照すると、一実施形態による積層型電子部品１０３は、上記第１面１上に配置され、且つ上記第１電極層１４１と上記第２電極層１４２との間に配置される追加絶縁層１６０をさらに含むことができる。これにより、高圧電流下で第１電極層１４１と第２電極層１４２との間で発生し得る漏れ電流などを防止することができる。

上記追加絶縁層１６０の種類は特に限定する必要はない。例えば、追加絶縁層１６０は、第１及び第２絶縁層１５１、１５２と同様に、エポキシ樹脂を含むことができる。但し、追加絶縁層１６０の材料を必ずしも第１及び第２絶縁層１５１、１５２と同じ材料に限定する必要はなく、異なる材料で形成してもよい。

図９を参照すると、一実施形態による積層型電子部品１０３の第１下地電極層１３１'は、第１接続部１３１ａ'、第１バンド部１３１ｂ'、及び第３バンド部１３１ｃ'を含み、第２下地電極層１３２'は、第２接続部１３２ａ'、第２バンド部１３２ｂ'、及び第４バンド部１３２ｃ'を含むことができる。このとき、第１及び第２バンド部１３１ｂ'、１３２ｂ'は、第３及び第４バンド部１３１ｃ'、１３２ｃ'よりも第２方向にさらに長く配置されてもよい。これにより、実装面積を確保して積層型電子部品１０３の固着強度を向上させながらも、積層型電子部品１０３において下地電極層１３１'、１３２'が占める比重を縮小して単位体積当たりの容量を向上させることができる。

図１０は、一実施形態による積層型電子部品１０４を示す断面図である。

図１０を参照すると、一実施形態による積層型電子部品１０４の第１下地電極層１３１''は、第１接続部１３１ａ及び第１バンド部１３１ｂを含み、第２下地電極層１３２''は、第２接続部１３２ａ及び第２バンド部１３２ｂを含むことができる。すなわち、積層型電子部品１００とは異なり、第３及び第４バンド部１３１ｃ、１３２ｃを含まないＬ字状を有することができる。これにより、第１及び第２下地電極層１３１''、１３２''が占める比重を最小化し、積層型電子部品１０４の単位体積当たりの容量をさらに向上させることができる。

図１１は、本発明の一実施形態による積層型電子部品２００を示す斜視図であり、図１２は、図１１による積層型電子部品の底面斜視図であり、図１３は、図１１のＩＩＩ－ＩＩＩ'線に沿った断面図であり、図１４は、本発明の一実施形態による積層型電子部品が実装された基板２０００の断面図を概略的に示す図である。

以下、図１１～図１４を参照して、本発明の一実施形態による積層型電子部品２００について説明する。但し、本発明の一実施形態及び様々な実施形態による積層型電子部品１００、１０１、１０２、１０３、１０４と重複する内容は、重複説明を避けるために省略することができる。

本発明の一実施形態による積層型電子部品２００は、誘電体層及び上記誘電体層を間に挟んで交互に配置される第１及び第２内部電極を含み、第１方向に対向する第１及び第２面、上記第１及び第２面と連結され、第２方向に対向する第３及び第４面、上記第１～第４面と連結され、第３方向に対向する第５及び第６面を含む本体１１０と、上記第３面上に配置される第１連結電極２３１と、上記第４面上に配置される第２連結電極２３２と、上記第１面上に配置されて上記第１連結電極と連結される第１バンド電極２４１と、上記第１面上に配置されて上記第２連結電極と連結される第２バンド電極２４２と、を含み、上記第１及び第２連結電極はＣｕを含み、上記第１及び第２バンド電極はＡｇを含むことができる。

第１連結電極２３１は第３面３上に配置されて第１内部電極１２１と連結され、第２連結電極２３２は第４面４上に配置されて第２内部電極１２２と連結されることができる。

第１連結電極２３１は、上記第３面３上に配置される第１接続部２３１ａ及び上記第１接続部から上記第１面１及び第３面３を連結するコーナーＣ１に延びて配置される第１コーナー部２３１ｂを含み、第２連結電極２３２は、上記第４面上に配置される第２接続部２３２ａ、並びに上記第２接続部から上記第１面１及び第４面４を連結するコーナーＣ２に配置される第２コーナー部２３２ｂを含むことができる。

従来は、外部電極を形成する際に導電性金属を含むペーストを用いて、本体の内部電極が露出した面をペーストにディッピング（ｄｉｐｐｉｎｇ）する方法が主に使用されてきた。しかし、ディッピング（ｄｉｐｐｉｎｇ）工法によって形成された外部電極は、厚さ方向の中央部における外部電極の厚さが厚すぎる可能性がある。また、このようなディッピング（ｄｉｐｐｉｎｇ）工法による外部電極の厚さ不均衡の問題がなくとも、本体の第３及び第４面に内部電極が露出するため、外部電極を介した水分及びめっき液の浸透を抑制するために、第３及び第４面に配置された外部電極の厚さが一定以上となるように形成した。

本発明の一実施形態による連結電極２３１、２３２は、従来のディッピング方式によって形成された外部電極に比べて均一で薄い厚さを有することができる。

上記連結電極２３１、２３２は、例えば、導電性金属、バインダーのような有機物質等を含むシートを第３及び第４面に転写する方式で形成することができるが、これに限定されるものではなく、導電性金属を第３及び第４面にめっきして形成することができる。すなわち、連結電極２３１、２３２は、導電性金属を焼成した焼成層であってもよく、めっき層であってもよい。

連結電極２３１、２３２の厚さは特に限定されないが、例えば、２～７μｍであってもよい。ここで、連結電極２３１、２３２の厚さとは、最大厚さを意味することができ、連結電極２３１、２３２の第２方向のサイズを意味することができる。

第１及び第２連結電極２３１、２３２はＣｕを含むことができる。Ｃｕは、内部電極１２１、１２２に含まれる金属との電気的連結性に優れる利点がある。

一方、第１及び第２連結電極２３１、１３２は、Ｃｕを主成分とし、他の材料として電気伝導性に優れた他の金属を含むことができる。例えば、Ｎｉ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｓｎ、Ｃｒ及びこれらの合金のうち一つ以上をさらに含むことができる。

また、本体１１０との接着力を向上させ、緻密度を向上させるために、第１及び第２連結電極２３１、２３２はガラスをさらに含むことができる。

第１及び第２バンド電極２４１、２４２は、本体１１０の第１面１に配置されることができる。第１及び第２バンド電極２４１、２４２は、それぞれ第１及び第２連結電極２３１、２３２と接触することにより、第１及び第２内部電極１２１、１２２とそれぞれ電気的に連結されることができる。

従来のディッピング（ｄｉｐｐｉｎｇ）工法により形成された外部電極は、第３及び第４面で厚く形成され、第１、第２、第５及び第６面にも一部延びて形成されるため、有効体積率を高く確保することが難しいという問題があった。

これに対し、本発明の一実施形態によると、内部電極が露出した面には、第１及び第２連結電極２３１、２３２を配置し、基板に実装される面には、第１及び第２バンド電極２４１、２４２を配置することによって有効体積率を高く確保することができる。

一方、内部電極１２１、１２２が第１方向に積層されている場合には、内部電極１２１、１２２が実装面と平行になるように積層型電子部品２０００を基板に水平実装することができる。但し、本発明は、水平実装である場合に限定されるものではなく、内部電極１２１、１２２を第３方向に積層する場合には、内部電極１２１、１２２が実装面と垂直になるように積層型電子部品を基板に垂直実装することができる。

第１及び第２バンド電極２４１、２４２はＡｇを含むことができる。例えば、第１及び第２バンド電極２３１、２３２ｂは、Ａｇ及びガラスを含む焼成（ｆｉｒｉｎｇ）電極であってもよく、本体の第１面にＡｇ及びガラスを含むペーストを塗布する方式を用いて形成してもよいが、これに限定されるものではなく、Ａｇを本体の第１面にめっきしたＡｇめっき層であってもよい。

本発明の一実施形態では、第１及び第２バンド電極２４１、２４２にＡｇを含ませることにより、導電性金属及び樹脂を含む導電性接着剤２７１、２７２との結合力を向上させ、基板２８０と積層型電子部品２００間の固着強度を向上させることができる。

上記第１及び第２バンド電極２４１、２４２は、第１及び第２連結電極２３１、２３２に含まれるＣｕに比べて標準還元電位が大きいＡｇを含むため、第１及び第２連結電極２３１、２３２の酸化を防止し、水分の浸透を防止する役割を果たすことができる。

また、導電性金属及び樹脂を含む導電性接着剤により積層型電子部品２００を基板２８０に実装できるようにするため、高温－低温サイクルで外部電極と半田との熱膨張率の差による半田クラックが発生するという問題点を解決することができる。

しかし、Ａｇを含む第１及び第２バンド電極２４１、２４２を第１及び第２連結電極２３１、２３２上に形成する場合、本体１１０の表面に沿ってＡｇイオンマイグレーションが発生することがある。これにより、積層型電子部品２００の電流漏れによる絶縁抵抗の劣化、及び互いに異なる極性を有する連結電極２３１、２３２の間に短絡が発生する可能性がある。

このようなＡｇイオンマイグレーションは、積層型電子部品の外部電極の間の本体１１０の表面に発生するため、電流漏れによる本体１１０表面の絶縁層の破壊が起こり、積層型電子部品２００の絶縁抵抗の低下を引き起こす可能性があり、電極間の短絡（ｓｈｏｒｔ）を誘発する可能性があるため、積層型電子部品２００の信頼性に致命的な影響を及ぼす可能性がある。

上述したように、積層型電子部品２００の実装面から離れるほど、Ａｇイオンマイグレーションがより強く発生する傾向がある。

そこで、一実施形態では、Ａｇを含む第１及び第２バンド電極２４１、２４２を本体１１０の第１面上に配置し、その領域を調節してＡｇイオンマイグレーションの発生を最小化しながらも、積層型電子部品２００の高温多湿な環境における信頼性を確保しようとする。

本発明の一実施形態によると、Ｃｕを含む第１及び第２連結電極２３１、２３２を本体１１０の第３面３及び第４面４にそれぞれ配置して電気的導通を確保し、Ａｇを含む第１及び第２バンド電極２４１、２４２を第１面に配置して、導電性金属及び樹脂を含む導電性接着剤２７１、２７２を介して基板２８０に実装可能である。

また、Ａｇを含む第１及び第２バンド電極２４１、２４２が第１面上に配置されるため、積層型電子部品２００の本体１１０の表面にＡｇイオンマイグレーションが発生することを抑制することができる。

上述したように、Ａｇイオンマイグレーションは、積層型電子部品２００の実装面から実装面の反対方向に向かうほど、より強く発生する傾向があるため、このようなＡｇイオンマイグレーションの発生抑制効果は第１及び第２バンド電極２４１、２４２を第１面上に配置することにより、さらに顕著になることができる。

一方、上述したように、第１及び第２バンド電極２４１、２４２がＡｇ単独からなっているか、Ａｇがバンド電極内に部分的に凝縮して存在する場合、又はＡｇの含量が過度な場合、Ａｇイオンマイグレーションがより強く発生する可能性がある。

一実施形態において、第１及び第２連結電極２３１、２３２はガラスをさらに含み、上記第１及び第２バンド電極２４１、２４２はガラス及びパラジウム（Ｐｄ）をさらに含むことができる。

これにより、連結電極２３１、２３２及びバンド電極２４１、２４２の両方がガラスを含むことで接着力を向上させることができ、第１及び第２バンド電極２４１、２４２がパラジウム（Ｐｄ）をさらに含む場合、ＡｇとＰｄが全率固溶体（ｉｓｏｍｏｒｐｈｏｕｓ）を形成するため、Ａｇイオンマイグレーションを効果的に抑制することができる。また、Ｐｄの標準還元電位（＋０．９１５Ｖ）はＡｇの標準還元電位（０．８０Ｖ）より高いため、第１及び第２連結電極２３１、２３２の酸化をより効果的に防止することができる。

このとき、第１及び第２バンド電極２４１、２４２に含まれるＰｄの含量は、Ａｇ１００モルに対して１モル以上５モル以下であってもよい。

Ｐｄの含量がＡｇ１００モルに対して１モル未満である場合には、Ａｇとの全率固溶体を十分に形成することが難しく、Ａｇイオンマイグレーションを抑制する効果が不十分である可能性がある。

これに対し、Ｐｄの含量がＡｇ１００モルに対して５モルを超える場合には、一般的にＰｄの焼結駆動力がＡｇより高いため、焼結駆動力の差によるブリスター（ｂｌｉｓｔｅｒ）、放射クラック等が発生するおそれがあり、製造コストが増加する可能性がある。

一実施形態において、上記第１連結電極２３１は、上記第３面３上に配置されて第１内部電極１２１と連結される第１接続部２３１ａ、並びに上記第１接続部から上記第１面及び第３面を連結するコーナーＣ１に延びて配置される第１コーナー部２３１ｂを含み、上記第２連結電極２３２は、上記第４面上に配置されて第１内部電極と連結される第２接続部２３２ａ、並びに上記第２接続部から上記第１面及び第４面を連結するコーナーＣ２に延びて配置される第２コーナー部２３２ｂを含み、上記第１バンド電極２４１は、上記第１コーナー部の少なくとも一部を覆うように延びて配置され、上記第２バンド電極２４２は、上記第２コーナー部の少なくとも一部を覆うように延びて配置されることができる。これにより、内部電極１２１、１２２と連結された第１及び第２連結電極２３１、２３２を第１及び第２バンド電極２４１、２４２とそれぞれ連結して電気的導通を確保することができ、Ａｇを含む第１及び第２バンド電極２４１、２４２が配置される領域を最小化することができるため、Ａｇイオンマイグレーションの発生を効果的に抑制することができる。

図１４を参照すると、本発明の一実施形態による積層型電子部品２００が実装された基板２０００は、積層型電子部品２００の第１及び第２バンド電極２４１、２４２が基板２８０上に配置された電極パッド２９１、２９２と導電性接着剤２７１、２７２によって接合されることができる。

上記第１及び第２バンド電極２４１、２４２はＡｇを含むため、バンド電極２４１、２４２と導電性接着剤２７１、２７２は電気的導通を確保することができ、導電性接着剤２７１、２７２に含まれた樹脂が硬化して基板２８０との接着力を確保することができる。

また、錫（Ｓｎ）を含む半田を使用して基板に積層型電子部品を実装する従来の場合と異なり、高温－低温サイクルでも第１及び第２バンド電極２４１、２４２と導電性接着剤２７１、２７２に加わる熱衝撃を緩和することにより、積層型電子部品２００の固着強度を向上させることができる。

上記本発明の一実施形態による積層型電子部品２００が実装された基板２０００の導電性接着剤２７１、２７２の成分及び効果は、本発明の一実施形態による積層型電子部品１００が実装された基板１０００に使用された導電性接着剤１７１、１７２と同一であり得る。

図１５は、一実施形態による積層型電子部品２０１を示す断面図である。

導電性金属及び樹脂を含む導電性接着剤２７１、２７２を介して積層型電子部品２０１を実装する場合、固着強度を確保するためには、上記導電性接着剤２７１、２７２と第１及び第２バンド電極２４１、２４２間の接触面積を十分に確保する必要がある。

図１５を参照すると、一実施形態による積層型電子部品２０１の上記第１バンド電極２４１は、上記第１接続部２３１ａの少なくとも一部を覆うように延びて配置され、上記第２バンド電極２４２は、上記第２接続部２３２ａの少なくとも一部を覆うように延びて配置されることができる。これにより、導電性接着剤２７１、２７２と第１及び第２バンド電極２４１、２４２間の接触面積を十分に確保することにより、積層型電子部品２０１の固着強度を向上させることができる。

一実施形態において、第１及び第２バンド電極２４１、２４２の上記第１方向の最低点から上記第１方向の最高点までの上記第１方向の平均サイズＴＢ２は、１０μｍ以上４０μｍ以下であってもよい。上記ＴＢ２が１０μｍ未満の場合、第１及び第２バンド電極２４１、２４２が第１及び第２コーナー部２３１ｂ、２３２ｂを十分に覆わないことがあるため、十分な電気的連結性を確保し難い可能性があり、上記ＴＢ２が４０μｍを超える場合、第１及び第２接続部２３１ａ、２３２ａ上に第１及び第２バンド電極２４１、２４２が過度に形成され、Ａｇイオンマイグレーションの発生を抑制し難くなる可能性がある。

これと同様の観点から、一実施形態では、上記第１面１から上記第１及び第２内部電極１２１、１２２のうち、上記第１面に最も近く配置された内部電極までの第１方向の平均サイズをＨ１、上記第１面の延長線Ｅ１から上記第１及び第２接続部２３１ａ、２３２ａ上に配置された第１及び第２バンド電極２４１、２４２の端までの第１方向の平均サイズをＨ２とするとき、Ｈ１≧Ｈ２を満たすことができる。すなわち、第１及び第２バンド電極２４１、２４２が最下端に配置された第１及び第２内部電極１２１、１２２以下の領域に配置されることにより、十分な電気的連結性を確保しながらも、Ａｇイオンマイグレーションを効果的に抑制することができる。

一方、第１及び第２バンド電極２４１、２４２の上記第１方向の最低点から上記第１方向の最高点までの上記第１方向の平均サイズＴＢ２は、本体１１０を第３方向の中央部において第１及び第２方向に切断した断面（Ｌ－Ｔ断面）のうち、第１バンド電極２４１側で測定した値と第２バンド電極２４２側で測定した値とを平均した値であることができる。

図１６は、一実施形態による積層型電子部品２０２を示す断面図である。

図１６を参照すると、一実施形態による積層型電子部品２０２は、上記第１面１から上記第１及び第２内部電極１２１、１２２のうち、上記第１面に最も近く配置された内部電極までの第１方向の平均サイズをＨ１、上記第１面の延長線Ｅ１から上記第１及び第２接続部２３１ａ、２３２ａ上に配置された第１及び第２バンド電極２４１、２４２の端までの第１方向の平均サイズをＨ２とするとき、Ｈ１＜Ｈ２を満たすことができる。

上述したように、本体１１０のコーナーは、焼成過程で収縮が起こる領域であり、誘電体の微細構造が緻密でないため、水分浸透の主な経路となり得る。一実施形態による積層型電子部品２０２によると、第１及び第２バンド電極２４１、２４２を第１及び第２内部電極１２１、１２２のうち最下端に位置した内部電極以上に配置することにより、本体のコーナーを介した水分の浸透をより確実に防止することができるため、積層型電子部品２０２の耐湿信頼性を向上させることができる。

一方、上述したように、Ａｇイオンマイグレーションは、積層型電子部品２０２の実装面から実装面の反対方向に向かうほど、より強く発生する傾向がある。したがって、Ａｇを含む第１及び第２バンド電極２４１、２４２を本体１１０の第１方向にさらに延びるように形成する場合、第１及び第２バンド電極２４１、２４２を本体１１０の第１面上に配置してＡｇイオンマイグレーションの発生を抑制する効果が十分でない可能性がある。このとき、上記本体の第１方向の平均サイズをＴとするとき、Ｈ２＜Ｔ／２を満たすことにより、Ａｇを含む第１及び第２バンド電極２４１、２４２が過度に第１方向に形成されないようにして、Ａｇイオンマイグレーションの発生抑制効果を十分に確保することができる。すなわち、上記Ｈ１、Ｈ２、Ｔは、Ｈ１＜Ｈ２＜Ｔ／２を満たすことができる。

Ｈ１及びＨ２は、本体１１０を第３方向の中央部において第１及び第２方向に切断した断面（Ｌ－Ｔ断面）で測定した値を平均した値であることができる。Ｈ１は、断面において、第１面１に最も近く配置された内部電極と第１面１との間の距離を第２方向の任意の地点で測定した値を平均した値であり、Ｈ２は、接続部に配置されたバンド電極の端を基準に測定した値であり、第１バンド電極２４１側で測定した値と第２バンド部２４２側で測定した値との平均値であることができる。このとき、Ｈ１及びＨ２の測定時に基準となる第１面の延長線Ｅ１は同一であり得る。

図１７は、一実施形態による積層型電子部品２０３を示す断面図である。

図１７を参照すると、一実施形態による積層型電子部品２０３は、上記第１連結電極上に配置される第１絶縁層及び上記第２連結電極上に配置される第２絶縁層を含むことができる。

第１及び第２絶縁層２５１、２５２は、第１及び第２連結電極２３１、２３２上に配置されて第１及び第２連結電極２３１、２３２に含まれるＣｕの酸化を防止し、積層型電子部品２０３の曲げ強度を向上させる役割を果たすことができる。

上記第１絶縁層２５１は、第１接続部２３１ａ上に配置されて上記第１バンド電極２４１と接することができ、上記第２絶縁層２５２は、第２接続部２３２ａ上に配置されて上記第２バンド電極２４２と接することができる。これにより、積層型電子部品２０３の曲げ強度、及びシーリング特性をさらに向上させることができる。積層型電子部品２０３のシーリング特性を著しく向上させるためには、第１及び第２絶縁層２５１、２５２は、上記第１面１の一部まで延びて配置されることが好ましいが、これに限定されるものではない。

一方、上記第１及び第２絶縁層２５１、２５２の成分及び形成方法は、上述した一実施形態による積層型電子部品１０２の第１及び第２絶縁層１５１、１５２と同一であり得る。

図１８は、一実施形態による積層型電子部品２０４を示す断面図である。

図１８を参照すると、一実施形態による積層型電子部品２０４は、上記本体の第２方向の平均サイズをＬ、上記第３面の延長線から上記第１バンド電極の端までの上記第２方向の平均サイズをＢ１、上記第４面の延長線から上記第２バンド電極の端までの上記第２方向の平均サイズをＢ２とするとき、０．２≦Ｂ１／Ｌ≦０．４及び０．２≦Ｂ２／Ｌ≦０．４を満たすことができる。

Ｂ１／Ｌ及びＢ２／Ｌが０．２未満の場合には、十分な固着強度を確保し難い可能性がある。これに対し、Ｂ２／Ｌが０．４を超える場合には、高圧電流下で第１バンド電極２４１と第２バンド電極２４２との間で漏れ電流が発生するおそれがあり、実装時に導電性接着剤の滲み等により第１バンド電極２４１と第２バンド電極２４２が電気的に連結されるおそれがある。

Ｂ１、Ｂ２及びＬは、本体１１０を第３方向の中央部において、第１及び第２方向に切断した断面（Ｌ－Ｔ断面）で測定した値であることができる。特に、本体１１０の第２方向のサイズＬは、上記第３面の延長線Ｅ３と上記第４面の延長線Ｅ４との間の第２方向のサイズに該当することができる。

図１８を参照すると、一実施形態において、上記積層型電子部品２０４は上記第１面上に配置され、且つ上記第１バンド電極２４１と上記第２バンド電極２４２との間に配置される追加絶縁層２６０をさらに含むことができる。これにより、高圧電流下で第１バンド電極２４１と第２バンド電極２４２との間で発生し得る漏れ電流などを防止することができる。

図１９は、本発明の一実施形態による積層型電子部品３００を示す分解斜視図であり、図２０は、図１９のＩＶ－ＩＶ'線に沿った断面図であり、図２１は、一実施形態による積層型電子部品３０１を示す断面図であり、図２２は、本発明の一実施形態による積層型電子部品が実装された基板３０００の断面図を概略的に示す図である。

以下、図１９～図２２を参照して、本発明の一実施形態による積層型電子部品３００及び一実施形態による積層型電子部品３０１について説明する。但し、本発明の一実施形態及び様々な実施形態による積層型電子部品１００、１０１、１０２、１０３、１０４、１０４と重複する内容は、重複説明を避けるために省略することができる。

図１９～図２０を参照すると、本発明の一実施形態による積層型電子部品３００は、誘電体層及び上記誘電体層を間に挟んで交互に配置される第１及び第２内部電極を含み、第１方向に対向する第１及び第２面、上記第１及び第２面と連結され、第２方向に対向する第３及び第４面、上記第１～第４面と連結され、第３方向に対向する第５及び第６面を含む本体１１０と、上記第３面上に配置されて上記第１内部電極と連結される第１接続部３３１ａ、上記第１接続部から上記第１面の一部まで延びて配置される第１バンド部３３１ｂ、及び上記第１接続部から上記第２面の一部まで延びて配置される第３バンド部３３１ｃを含む第１下地電極層３３１と、上記第４面上に配置されて上記第２内部電極と連結される第２接続部３３２ａ、上記第２接続部から上記第１面の一部まで延びて配置される第２バンド部３３２ｂ、及び上記第２接続部から上記第２面の一部まで延びて配置される第４バンド部３３２ｃを含む第２下地電極層３３２と、上記第１接続部上に配置される第１電極層３４１と、上記第２接続部上に配置される第２電極層３４２と、上記第１電極層上に配置される第１金属フレーム３６１と、上記第２電極層上に配置される第２金属フレーム３６２と、上記第１電極層と上記第１金属フレームとの間、及び上記第２電極層と上記第２金属フレームとの間にそれぞれ配置され、Ａｇ及び樹脂を含む導電性連結部３５１、３５２と、を含み、上記第１及び第２下地電極層はＣｕを含み、上記第１及び第２電極層はＡｇを含むことができる。

第１下地電極層３３１は、上記第３面３上に配置されて上記第１内部電極１２１と連結される第１接続部３３１ａ、上記第１接続部から上記第１面１の一部まで延びて配置される第１バンド部３３１ｂ、及び上記第１接続部から上記第２面２の一部まで延びて配置される第３バンド部３３１ｃを含むことができ、第２下地電極層３３２は、上記第４面４上に配置されて上記第２内部電極１２２と連結される第２接続部３３２ａ、上記第２接続部から上記第１面１の一部まで延びて配置される第２バンド部３３２ｂ、及び上記第２接続部から上記第２面２の一部まで延びて配置される第４バンド部３３２ｃを含むことができる。

また、第１下地電極層３３１は、第１接続部３３１ａから第５及び第６面５、６の一部まで延びる第１側面バンド部を含むことができ、第２下地電極層３３２は、第２接続部３３２ａから第５及び第６面の一部まで延びる第２側面バンド部を含むことができる。

但し、第３バンド部、第４バンド部、第１側面バンド部及び第２側面バンド部は、本発明に必須の構成要素でなくてもよい。すなわち、第１下地電極層３３１は、上記第１接続部３３１ａ及び第１バンド部１３１ｂを含み、第２下地電極層３３２は、上記第２接続部３３２ａ及び第２バンド部３３２ｂを含むことができ、第１及び第２下地電極層３３１、１３２は、第２面２に配置されなくてもよく、第５面５及び第６面６にも配置されなくてもよい。

第１及び第２下地電極層３３１、３３２はＣｕを含むことができる。Ｃｕは、内部電極１２１、１２２に含まれる金属との電気的連結性に優れる利点がある。

一方、第１及び第２下地電極層３３１、３３２はＣｕを主成分とし、他の材料として電気伝導性に優れた他の金属を含むことができる。例えば、Ｎｉ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｓｎ、Ｃｒ及びこれらの合金のうち一つ以上をさらに含むことができる。

第１及び第２下地電極層３３１、３３２は、Ｃｕ及びガラスを含む焼成（ｆｉｒｉｎｇ）電極であってもよく、Ｃｕ及び樹脂を含む樹脂系電極であってもよい。

また、第１及び第２下地電極層３３１、３３２は、本体上に焼成電極及び樹脂系電極が順次に形成された形態であってもよい。また、第１及び第２下地電極層３３１、３３２は、本体上にＣｕを含むシートを転写する方式で形成されてもよく、焼成電極上にＣｕを含むシートを転写する方式で形成されたものであってもよい。

本発明の一実施形態によると、第１及び第２下地電極層３３１、３３２はＣｕを含むことにより、内部電極１２１、１２２との電気的連結性を向上させることができる。一方、本体１１０との接着力を向上させ、緻密度を向上させるために、第１及び第２下地電極層３３１、３３２はガラスをさらに含むことができる。

第１及び第２電極層３４１、３４２は、上記第１及び第２接続部３３１ａ、３３２ａ上にそれぞれ配置される。第１電極層３４１は第１接続部３３１ａ上に配置され、第２電極層３４２は第２接続部３３２ａ上に配置され、銀（Ａｇ）を含むことができる。これにより、第１及び第２下地電極層がＣｕを含んでいても、第１及び第２接続部３３１ａ、３３２ａの外部露出を遮断してＣｕの酸化を防止することができる。

従来の場合、高温及び高圧で積層型電子部品の信頼性を確保するために、Ｃｕを含む下地電極層上にＡｇを含む電極層を形成する試みがあった。この場合、外部の湿気により本体１１０の表面に沿ってＡｇイオンマイグレーションが発生する可能性があり、電流漏れによる絶縁抵抗の劣化及び外部電極間の短絡発生を引き起こす可能性がある。

特に、このようなＡｇイオンマイグレーションは、Ａｇを含む電極層が本体１１０の表面と接する外部電極のバンド部分の端と隣接した領域で主に発生する。また、金属フレーム３６１、３６２を介して基板３８０に実装されるため、金属フレームなしで基板に実装される場合とは異なり、本体の実装面が外部環境に露出しやすく、本体の実装面においてもＡｇイオンマイグレーションが容易に発生し得る。

そこで、本発明の一実施形態では、接続部３３１ａ、３３２ａ上に配置される第１及び第２電極層３４１、３４２の配置領域を調節し、バンド部３３１ｂ、３３１ｃ、３３２ｂ、３３２ｃとの適切な距離を維持してＡｇイオンマイグレーションの発生を抑制しようとする。

本発明の一実施形態によると、Ａｇを含む第１及び第２電極層３４１、３４２は、Ｃｕを含む下地電極層の第１及び第２接続部３３１ａ、３３２ａ上にそれぞれ配置されることにより、接続部３３１ａ、３３２ａの酸化を防止しながらも、Ａｇイオンマイグレーションの発生を効果的に抑制し、積層型電子部品３００の絶縁抵抗の劣化及び短絡の発生を抑制することができる。

Ａｇを含む第１及び第２電極層３４１、３４２を接続部３３１ａ、３３２ａ上に配置し、基板の実装のために導電性接着剤をバンド部３３１ｂ、３３１ｃ、３３２ｂ、３３２ｃに形成する場合、第１及び第２電極層３４１、３４２で覆われていないバンド部３３１ｂ、３３１ｃ、３３２ｂ、３３２ｃの領域に含まれるＣｕの酸化により実装時に固着強度が低下する可能性がある。

本発明の一実施形態では、第１電極層３４１上に上記第１金属フレーム３６１を配置し、第２電極層３４２上に第２金属フレーム３６２を配置することにより、上記金属フレーム３６１、３６２が導電性接着剤３７１、３７２を介して基板の電極パッド３９１、３９２に接着されるようにして、バンド部の酸化による固着強度の低下を防止することができる。

一実施形態において、上記第１及び第２電極層３４１、３４２は、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）及び金（Ａｕ）のうち一つ以上をさらに含むことができる。これにより、第１及び第２電極層３４１、３４２が銀（Ａｇ）のみを含む場合よりも、Ａｇイオンマイグレーションの発生をさらに抑制することができる。

一実施形態において、第１及び第２下地電極層３３１、３３２はガラスをさらに含み、上記第１及び第２電極層３４１、３４２はガラス及びパラジウム（Ｐｄ）をさらに含むことができる。

これにより、下地電極層３３１、３３２及び電極層３４１、３４２の両方がガラスを含むことで接着力を向上させることができ、第１及び第２電極層３４１、３４２がパラジウム（Ｐｄ）をさらに含む場合、ＡｇとＰｄが全率固溶体（ｉｓｏｍｏｒｐｈｏｕｓ）を形成するため、Ａｇイオンマイグレーションを効果的に抑制することができる。また、Ｐｄの標準還元電位（＋０．９１５Ｖ）はＡｇの標準還元電位（０．８０Ｖ）より高いため、第１及び第２下地電極層３３１、３３２の酸化をより効果的に防止することができる。

このとき、第１及び第２電極層３４１、３４２に含まれるＰｄの含量は、Ａｇ１００モルに対して１モル以上５モル以下であってもよい。

Ｐｄの含量がＡｇ１００モルに対して１モル未満である場合には、Ａｇとの全率固溶体を十分に形成することが難しく、Ａｇイオンマイグレーションを抑制する効果が不十分である可能性がある。

これに対し、Ｐｄの含量がＡｇ１００モルに対して５モルを超える場合には、一般的にＰｄの焼結駆動力がＡｇより高いため、焼結駆動力の差によるブリスター（ｂｌｉｓｔｅｒ）、放射クラック等が発生するおそれがあり、製造コストが増加する可能性がある。

金属フレーム３６１、３６２は、積層型電子部品３００と実装基板３８０との間の間隔を確保することにより、基板からの熱的、機械的ストレスが積層セラミックキャパシタに直接伝達されないようにする役割を果たすことができる。特に、Ａｇを含む電極層を含む本発明の一実施形態のような積層型電子部品３００の場合、高温、高圧及び高振動の環境で使用できるため、その効果はさらに顕著になり得る。

第１金属フレーム３６１は第１電極層３４１上に配置され、第２金属フレーム３６２は第２電極層３４２上に配置されることができる。本発明の一実施形態による積層型電子部品３００は、第１及び第２金属フレーム３６１、３６２が導電性接着剤３７１、３７２を介して基板３８０上に配置された電極パッド３９１、３９２に接着されて積層型電子部品３００が実装された基板３０００を形成することができる。

金属フレーム３６１、３６２を形成する材料は、外部衝撃を吸収し、積層型電子部品３００を強く支持できる物質であれば特に限定されない。一実施形態において、上記第１及び第２金属フレームは、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｃｒ、及びこれらの合金のうち一つ以上を含むことができる。

導電性連結部３５１、３５２は、第１電極層３４１と第１金属フレーム３６１との間、及び第２電極層３４２と第２金属フレーム３６２との間に配置されることができ、電極層と金属フレームとの接着力を向上させる役割を果たすことができる。

上記導電性連結部３５１、３５２は、電気的連結性を確保するために導電性物質を含むことができ、外部から伝達される振動を吸収し、電極層３４１、３４２と金属フレーム３６１、３６２間の接着力を確保するために樹脂を含むことができる。

より好ましくは、導電性物質としてＡｇを含むことで、Ａｇを含む電極層３４１、３４２との電気的連結性をさらに向上させることができ、樹脂としてエポキシ樹脂を含むことで、熱衝撃による抵抗性を向上させることができる。

一実施形態において、上記第１電極層３４１は、上記第１接続部３３１ａから上記第１及び第３バンド部３３１ｂ、３３１ｃ上の一部まで延びて配置され、上記第２電極層３４２は、上記第２接続部３３２ａから上記第２及び第４バンド部３３２ｂ、３３２ｃ上の一部まで延びて配置されることができる。これにより、Ａｇを含む電極層が外部からの水分浸透に脆弱な本体のコーナーを覆うように配置され、積層型電子部品３００の耐湿信頼性を向上させることができる。

一方、第１及び第２電極層３４１、３４２が、上記第１接続部及び第２接続部３４１ａ、３４２ａから第５面及び第６面上の一部まで延びる側面バンド部を含む場合には、上記第１及び第２電極層３４１、２４２は、上記側面バンド部上の一部まで延びて配置されることで、積層型電子部品３００の耐湿信頼性をさらに向上させることができる。

なお、上記第１及び第２電極層３４１、３４２が下地電極層３３１、３３２のバンド部３３１ｂ、３３１ｃ、３３２ｂ、３３２ｃを覆うように配置される場合、第１及び第２電極層３４１、３４２は本体１１０の表面と接することができる。高温多湿な状態で積層型電子部品３００を作動させる場合、本体１１０の表面が結露する可能性が高くなるため、Ａｇを含む第１及び第２電極層３４１、３４２が本体１１０の表面と接する場合、Ａｇイオンマイグレーションの発生を加速させるおそれがある。

したがって、一実施形態では、上記第１電極層３４１は、上記第１及び第３バンド部３３１ｂ、３３１ｃの端を覆わないように配置され、上記第２電極層３４１は、上記第２及び第４バンド部３３２ｂ、３３２ｃの端を覆わないように配置されることにより、上記Ａｇイオンマイグレーションの発生が加速化する現象を抑制することができる。

一実施形態において、上記第１電極層３４１と上記導電性連結部３５１とが接する端から上記第１及び第３バンド部３３１ｂ、３３１ｃの端までの第２方向の平均サイズＬＢ、及び上記第２電極層３４２と上記導電性連結部２５２とが接する端から上記第２及び第４バンド部３３２ｂ、３３２ｃの端までの第２方向の平均サイズＬＢは、０．１μｍ以上０．５８μｍ以下であってもよい。上記ＬＢが０．１μｍ未満である場合、外部からの水分浸透に脆弱な本体のコーナーを十分に覆うことができず、十分な耐湿信頼性を確保し難くなる可能性があり、上記ＬＢが０．５８μｍを超える場合、本体１１０と第１及び第２電極層３４１、３４２間の距離が近いため、Ａｇイオンマイグレーションが加速化する現象を抑制し難くなる可能性がある。一実施形態によると、電極層３４１、３４２の端から下地電極層のバンド部３３１ｂ、３３１ｃ、３３２ｂ、３３２ｃ間の第２方向の平均長さを適切に調節して積層型電子部品３００の十分な耐湿信頼性を確保しながらも、Ａｇイオンマイグレーションが加速化する現象を抑制することができる。

上記第１電極層３４１と上記導電性連結部３５１とが接する端から上記第１及び第３バンド部３３１ｂ、３３１ｃの端までの第２方向の平均サイズＬＢ、及び上記第２電極層３４２と上記導電性連結部２５２が接する端から上記第２及び第４バンド部３３２ｂ、３３２ｃの端までの第２方向の平均サイズＬＢは、本体１１０を第３方向の中央部において第１及び第２方向に切断した断面（Ｌ－Ｔ断面）で測定した値であることができ、第１下地電極層３３１側で測定した値と第２下地電極層３３２側で測定した値との平均値であることができる。

図２１を参照すると、一実施形態による積層型電子部品３０１の上記第１電極層３４１'は、上記第１面の延長線Ｅ１と上記第２面の延長線Ｅ２との間に配置されることができる。これにより、Ａｇを含む第１及び第２電極層３４１'、３４２'を下地電極層３３１、３３２のバンド部３３１ｂ、３３１ｃ、３３２ｂ、３３２ｃ上には配置しないことにより、第１及び第２電極層３４１'、３４２'と本体１１０との間の十分な距離を確保することで、Ａｇイオンマイグレーションの発生をより効果的に抑制することができる。

このとき、第１電極層３４１'と第１金属フレーム３６１との間及び第２電極層３４２'と第２金属フレーム３６２との間に配置される導電性接着剤３５１'、３５２'も、上記第１面の延長線Ｅ１と上記第２面の延長線Ｅ２との間に配置されることができる。これにより、導電性接着剤３５１'、３５２'を最小限にして塗布することができるため、Ａｇマイグレーションをより確実に抑制することができ、製造コストを節減することができる。

図２２を参照すると、本発明の一実施形態による積層型電子部品３００が実装された基板３０００は、積層型電子部品３００の第１及び第２金属フレーム３６１、３６２及び基板３８０上に配置された電極パッド３９１、３９２と導電性接着剤３７１、３７２によって接合されることができる。

上記第１及び第２金属フレームと導電性接着剤３７１、３７２は導電性金属を含むため電気的導通を確保することができ、導電性接着剤３７１、３７２に含まれた樹脂が硬化して電極パッド３９１、３９２との接着力を確保することができる。

また、錫（Ｓｎ）を含む半田を用いて基板に積層型電子部品を実装する従来の場合と異なり、高温－低温サイクルでも第１及び第２金属フレーム３６１、３６２と導電性接着剤３７１、３７２に加わる熱衝撃を緩和することにより、積層型電子部品３００の固着強度を向上させることができる。

以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明は、上述した実施形態及び添付の図面によって限定されるものではなく、添付の特許請求の範囲によって限定されるものとする。したがって、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から逸脱しない範囲内で、当技術分野における通常の知識を有する者により様々な形態の置換、変形及び変更が可能であり、これも本発明の範囲に属すると言える。

また、本発明で使用される「一実施形態」という表現は、互いに同じ実施形態を意味するものではなく、それぞれ互いに異なる固有の特徴を強調して説明するために提供されたものである。しかし、上記提示された一実施形態は、他の一実施形態の特徴と結合して実現されることを排除しない。例えば、特定の一実施形態で説明した事項が他の一実施形態に説明されていなくても、他の一実施形態においてその事項と反対又は矛盾する説明がない限り、他の一実施形態に係る説明と理解することができる。

本発明で使用される用語は、単に一実施形態を説明するために使用されたものであり、本発明を限定しようとする意図ではない。このとき、単数の表現は、文脈上明らかに異なる意味ではない限り、複数の表現を含む。

１００、１０１、１０２、１０３、１０４、２００、２０１、２０２、２０３、２０４、３００、３０１：積層型電子部品
１１０：本体
１１１：誘電体層
１１２、１１３：カバー部
１１４、１１５：マージン部
１２１、１２２：第１及び第２内部電極
１３１、１３２、３３１、３３２：第１及び第２下地電極層
１３１ａ、１３２ａ、２３１ａ、２３２ａ、３３１ａ、３３２ａ：第１及び第２接続部
１３１ｂ、１３２ｂ、３３１ｂ、３３２ｂ：第１及び第２バンド部
１３１ｃ、１３２ｃ、３３１ｃ、３３２ｃ：第３及び第４バンド部
２３１、２３２：第１及び第２連結電極
２３１ｂ、２３２ｂ：第１及び第２コーナー部
１４１、１４２、３４１、３４２：第１及び第２電極層
２４１、２４２：第１及び第２バンド電極
１５１、１５２、２５１、２５２：第１及び第２絶縁層
１６０、２６０：追加絶縁層
３５１、３５２：導電性連結部
３６１、３６２：第１及び第２金属フレーム
１７１、１７２、２７１、２７２、３７１、３７２：導電性接着剤
１９１、１９２、２９１、２９２、３９１、３９２：電極パッド
１８０、２８０、３８０：基板
１０００、２０００、３０００：積層型電子部品が実装された基板

Claims (32)

1. 誘電体層及び前記誘電体層を間に挟んで交互に配置される第１及び第２内部電極を含み、第１方向に対向する第１及び第２面、前記第１及び第２面と連結され、第２方向に対向する第３及び第４面、前記第１～第４面と連結され、第３方向に対向する第５及び第６面を含む本体と、
   前記第３面上に配置されて前記第１内部電極と連結される第１接続部を含む第１下地電極層と、
   前記第４面上に配置されて前記第２内部電極と連結される第２接続部を含む第２下地電極層と、
   前記第３面、前記第１面及び前記第２面を含む領域上に配置され、前記第１下地電極層の少なくとも一部を露出するように形成された第１電極層と、
   前記第４面、前記第１面及び前記第２面を含む領域上に配置され、前記第２下地電極層の少なくとも一部を露出するように形成された第２電極層と、を含み、
   前記第１下地電極層及び前記第２下地電極層はＣｕを含み、前記第１電極層及び前記第２電極層はＡｇを含む、積層型電子部品。
2. 前記第１下地電極層は、前記第１接続部から前記第１面の一部まで延びて配置される第１バンド部、及び前記第１接続部から前記第２面の一部まで延びて配置される第３バンド部をさらに含み、
   前記第２下地電極層は、前記第２接続部から前記第１面の一部まで延びて配置される第２バンド部、及び前記第２接続部から前記第２面の一部まで延びて配置される第４バンド部をさらに含み、
   前記第１電極層は前記第１バンド部上に配置され、
   前記第２電極層は前記第２バンド部上に配置される、請求項１に記載の積層型電子部品。
3. 前記第１電極層は、前記第１バンド部から前記第１接続部の一部まで延びて配置され、
   前記第２電極層は、前記第２バンド部から前記第２接続部の一部まで延びて配置される、請求項２に記載の積層型電子部品。
4. 前記第１電極層及び前記第２電極層の前記第１方向の最低点から前記第１方向の最高点までの前記第１方向の平均サイズは１０μｍ以上４０μｍ以下である、請求項３に記載の積層型電子部品。
5. 前記第１面から前記第１及び第２内部電極のうち、前記第１面に最も近く配置された内部電極までの第１方向の平均サイズをＨ１、
   前記第１面の延長線から前記第１接続部及び前記第２接続部上に配置された第１及び第２電極層の端までの第１方向の平均サイズをＨ２とするとき、
   Ｈ１≧Ｈ２を満たす、請求項３に記載の積層型電子部品。
6. 前記第１面から前記第１及び第２内部電極のうち、前記第１面に最も近く配置された内部電極までの第１方向の平均サイズをＨ１、
   前記第１面の延長線から前記第１接続部及び前記第２接続部上に配置された第１及び第２電極層の端までの第１方向の平均サイズをＨ２とするとき、
   Ｈ１＜Ｈ２を満たす、請求項３に記載の積層型電子部品。
7. 前記本体の第１方向の平均サイズをＴとするとき、
   Ｈ２＜Ｔ／２を満たす、請求項６に記載の積層型電子部品。
8. 前記第１下地電極層及び前記第２下地電極層はガラスをさらに含み、
   前記第１電極層及び前記第２電極層はガラス及びＰｄをさらに含む、請求項２に記載の積層型電子部品。
9. 前記本体の前記第２方向の平均サイズをＬ、前記第３面の延長線から前記第１バンド部の端までの前記第２方向の平均サイズをＢ１、
   前記第４面の延長線から前記第２バンド部の端までの前記第２方向の平均サイズをＢ２とするとき、
   ０．２≦Ｂ１／Ｌ≦０．４及び０．２≦Ｂ２／Ｌ≦０．４を満たす、請求項２に記載の積層型電子部品。
10. 前記第１面上に配置され、且つ前記第１電極層と前記第２電極層との間に配置される追加絶縁層をさらに含む、請求項９に記載の積層型電子部品。
11. 前記第１接続部上に配置される第１絶縁層、及び前記第２接続部上に配置される第２絶縁層をさらに含む、請求項２に記載の積層型電子部品。
12. 前記絶縁層はエポキシ樹脂を含む、請求項１１に記載の積層型電子部品。
13. 前記第３面上に配置された前記第１下地電極層を第１連結電極、前記第４面上に配置された前記第２下地電極層を第２連結電極、前記第１面上に配置されて前記第１連結電極と連結される前記第１電極層を第１バンド電極、前記第１面上に配置されて前記第２連結電極と連結される前記第２電極層を第２バンド電極とするとき、
    前記第１連結電極及び前記第２連結電極はＣｕを含み、
    前記第１バンド電極及び前記第２バンド電極はＡｇを含む、請求項１に記載の積層型電子部品。
14. 前記第１連結電極は、前記第３面上に配置されて前記第１内部電極と連結される第１接続部、並びに前記第１接続部から前記第１面及び第３面を連結するコーナーに延びて配置される第１コーナー部を含み、
    前記第２連結電極は、前記第４面上に配置されて前記第１内部電極と連結される第２接続部、並びに前記第２接続部から前記第１面及び第４面を連結するコーナーに延びて配置される第２コーナー部を含み、
    前記第１バンド電極は、前記第１コーナー部の少なくとも一部を覆うように延びて配置され、
    前記第２バンド電極は、前記第２コーナー部の少なくとも一部を覆うように延びて配置される、請求項１３に記載の積層型電子部品。
15. 前記第１連結電極は、前記第３面上に配置されて前記第１内部電極と連結される第１接続部、並びに前記第１接続部から前記第１面及び第３面を連結するコーナーに延びて配置される第１コーナー部を含み、
    前記第２連結電極は、前記第４面上に配置されて前記第１内部電極と連結される第２接続部、並びに前記第２接続部から前記第１面及び第４面を連結するコーナーに延びて配置される第２コーナー部を含み、
    前記第１バンド電極は、前記第１接続部の少なくとも一部を覆うように延びて配置され、
    前記第２バンド電極は、前記第２接続部の少なくとも一部を覆うように延びて配置される、請求項１３に記載の積層型電子部品。
16. 前記第１バンド電極及び前記第２バンド電極の前記第１方向の最低点から前記第１方向の最高点までの前記第１方向の平均サイズは、１０μｍ以上４０μｍ以下である、請求項１４に記載の積層型電子部品。
17. 前記第１面から前記第１及び第２内部電極のうち、前記第１面に最も近く配置された内部電極までの第１方向の平均サイズをＨ１、
    前記第１面の延長線から前記第１接続部及び前記第２接続部上に配置された第１及び第２バンド電極の端までの第１方向の平均サイズをＨ２とするとき、
    Ｈ１≧Ｈ２を満たす、請求項１５に記載の積層型電子部品。
18. 前記第１面から前記第１及び第２内部電極のうち、前記第１面に最も近く配置された内部電極までの第１方向の平均サイズをＨ１、
    前記第１面の延長線から前記第１接続部及び前記第２接続部上に配置された第１及び第２バンド電極の端までの第１方向の平均サイズをＨ２とするとき、
    Ｈ１＜Ｈ２を満たす、請求項１５に記載の積層型電子部品。
19. 前記本体の第１方向のサイズをＴとするとき、
    Ｈ２＜Ｔ／２を満たす、請求項１８に記載の積層型電子部品。
20. 前記第１連結電極及び前記第２連結電極はガラスを含み、
    前記第１バンド電極及び前記第２バンド電極はガラス及びＰｄを含む、請求項１３に記載の積層型電子部品。
21. 前記本体の上記第２方向のサイズをＬ、前記第３面の延長線から前記第１バンド電極の端までの前記第２方向の平均サイズをＢ１、
    前記第４面の延長線から前記第２バンド電極の端までの前記第２方向の平均サイズをＢ２とするとき、
    ０．２≦Ｂ１／Ｌ≦０．４及び０．２≦Ｂ２／Ｌ≦０．４を満たす、請求項１３に記載の積層型電子部品。
22. 前記第１面上に配置され、且つ前記第１バンド電極と前記第２バンド電極との間に配置される追加絶縁層をさらに含む、請求項２１に記載の積層型電子部品。
23. 前記第１連結電極上に配置される第１絶縁層、及び前記第２連結電極上に配置される第２絶縁層を含む、請求項１３に記載の積層型電子部品。
24. 前記絶縁層はエポキシ樹脂を含む、請求項２３に記載の積層型電子部品。
25. 前記第１下地電極層は、前記第１接続部から前記第１面の一部まで延びて配置される第１バンド部、及び前記第１接続部から前記第２面の一部まで延びて配置される第３バンド部をさらに含み、
    前記第２下地電極層は、前記第２接続部から前記第１面の一部まで延びて配置される第２バンド部、及び前記第２接続部から前記第２面の一部まで延びて配置される第４バンド部をさらに含み、
    前記第１電極層は前記第１接続部上に配置され、
    前記第２電極層は前記第２接続部上に配置され、
    前記第１電極層上には第１金属フレームが配置され、
    前記第２電極層上には第２金属フレームが配置され、
    前記第１電極層と前記第１金属フレームとの間、及び前記第２電極層と前記第２金属フレームとの間には、導電性連結部がそれぞれ配置される、請求項１に記載の積層型電子部品。
26. 前記第１電極層は、前記第１接続部から前記第１バンド部及び前記第３バンド部上の一部まで延びて配置され、前記第２電極層は、前記第２接続部から前記第２バンド部及び前記第４バンド部上の一部まで延びて配置される、請求項２５に記載の積層型電子部品。
27. 前記第１電極層は、前記第１バンド部及び前記第３バンド部の端を覆わないように配置され、
    前記第２電極層は、前記第２バンド部及び前記第４バンド部の端を覆わないように配置される、請求項２５に記載の積層型電子部品。
28. 前記第１電極層と前記導電性連結部とが接する端から前記第１バンド部及び前記第３バンド部の端までの第２方向の平均サイズ、並びに前記第２電極層と前記導電性連結部とが接する端から前記第２バンド部及び前記第４バンド部の端までの第２方向の平均サイズは０．１μｍ以上０．５８μｍ以下である、請求項２６に記載の積層型電子部品。
29. 前記第１電極層及び前記第２電極層は、前記第１面の延長線と第２面の延長線との間に配置される、請求項２５に記載の積層型電子部品。
30. 前記導電性連結部はＡｇ及びエポキシ樹脂を含む、請求項２５に記載の積層型電子部品。
31. 前記第１金属フレーム及び前記第２金属フレームは、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｃｒ及びこれらの合金のうち一つ以上を含む、請求項２５に記載の積層型電子部品。
32. 前記第１下地電極層及び前記第２下地電極層はガラスをさらに含み、
    前記第１電極層及び前記第２電極層はガラス及びＰｄをさらに含む、請求項２５に記載の積層型電子部品。

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