JP2023056513A - 積層型電子部品 - Google Patents
積層型電子部品 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2023056513A JP2023056513A JP2022161647A JP2022161647A JP2023056513A JP 2023056513 A JP2023056513 A JP 2023056513A JP 2022161647 A JP2022161647 A JP 2022161647A JP 2022161647 A JP2022161647 A JP 2022161647A JP 2023056513 A JP2023056513 A JP 2023056513A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- electrode layer
- band
- electronic component
- multilayer electronic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 57
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 57
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 25
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 10
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 10
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 7
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000013508 migration Methods 0.000 abstract description 60
- 230000005012 migration Effects 0.000 abstract description 60
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 59
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 48
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 44
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 43
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 43
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 41
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 27
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 27
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 19
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 description 16
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 15
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 12
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 12
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 12
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 12
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 11
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 10
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 10
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 8
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 8
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 7
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 7
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 7
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 7
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 6
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 6
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 6
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 5
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 5
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 4
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 4
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 4
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 4
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000000740 bleeding effect Effects 0.000 description 2
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 2
- 238000002149 energy-dispersive X-ray emission spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 BaTiO 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Inorganic materials [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 210000001787 dendrite Anatomy 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G2/00—Details of capacitors not covered by a single one of groups H01G4/00-H01G11/00
- H01G2/02—Mountings
- H01G2/06—Mountings specially adapted for mounting on a printed-circuit support
- H01G2/065—Mountings specially adapted for mounting on a printed-circuit support for surface mounting, e.g. chip capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/005—Electrodes
- H01G4/008—Selection of materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/005—Electrodes
- H01G4/012—Form of non-self-supporting electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
- H01G4/1218—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates
- H01G4/1227—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates based on alkaline earth titanates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/224—Housing; Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/228—Terminals
- H01G4/232—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/228—Terminals
- H01G4/232—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor
- H01G4/2325—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor characterised by the material of the terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/30—Stacked capacitors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
Abstract
【課題】外部電極のAgイオンマイグレーションを防止する積層型電子部品を提供する。【解決手段】積層型電子部品100は、誘電体層111及び誘電体層を間に挟んで交互に配置される第1内部電極121及び第2内部電極122を含み、第1方向に対向する第1面及び第2面、第1面及び第2面と連結され、第2方向に対向する第3面及び第4面、第1面~第4面と連結され、第3方向に対向する第5面及び第6面を含む本体110と、第3面上に配置される第1下地電極層131と、第4面上に配置される第2下地電極層132と、第3面、第1面及び第2面を含む領域上に配置され、第1下地電極層の少なくとも一部を露出するように形成された第1電極層141と、第4面、第1面及び第2面を含む領域上に配置され、第2下地電極層の少なくとも一部を露出するように形成された第2電極層142と、を含む。各下地電極層はCuを含み、各電極層はAgを含む。【選択図】図3
Description
本発明は、積層型電子部品に関するものである。
積層型電子部品の一つである積層セラミックキャパシタ(Multilayer Ceramic Capacitor、MLCC)は、小型でありながらも高容量が保障されるという利点により、通信、コンピュータ、家電、自動車などの産業に使用される重要なチップ部品であり、特に、携帯電話、コンピュータ、デジタルテレビなど、各種の電気、電子、情報通信機器に使用される核心的な受動素子である。また、自動車又はインフォテインメントシステムにも積層セラミックキャパシタが使用されるにつれて、高信頼性、高強度特性及び小型化に対する要求が増加している。
従来の一般的な積層セラミックキャパシタを基板などに実装するために、積層セラミックキャパシタの外部電極は、下地電極層上に形成されためっき層を含んでいた。但し、高温、高振動の環境で、このような積層セラミックキャパシタを基板に実装する場合、錫(Sn)半田、外部電極及び基板の熱膨張率の差により半田クラックが形成されるという問題が発生することがあり、高温による酸化により接触抵抗が増加するという問題が発生することがある。
このような問題点を解決するために、銅(Cu)を含む下地電極層と銀(Ag)を含む電極層とを含む外部電極構造が使用されている。このような外部電極を使用する場合、錫半田の代わりに銀エポキシ(Ag epoxy)のような導電性接着剤(Conductive glue)を使用して積層セラミックキャパシタを基板に実装することができ、錫(Sn)半田によって基板に実装される一般的な積層セラミックキャパシタに比べて高温、高圧、高振動の環境での信頼性に優れている。
但し、Agを含む外部電極が、電圧が形成された状態で湿気に晒される場合、積層セラミックキャパシタの表面に沿ってAgイオンマイグレーション(migration)が発生する可能性がある。このようなAgイオンマイグレーションは、積層セラミックキャパシタの表面において電流の漏れを発生させ、積層セラミックキャパシタの絶縁抵抗を劣化したり、短絡不良を発生させたりする原因となる。
したがって、外部電極がAgを含む場合でも、Agイオンマイグレーションを効果的に抑制し、積層セラミックキャパシタの絶縁抵抗の劣化及び短絡不良を抑制することができる外部電極の構造に対する改善が必要な実情である。
本発明のいくつかの目的の一つは、外部電極がAgを含む場合、Agイオンマイグレーションが発生して積層型電子部品の絶縁抵抗が劣化したり、短絡不良が発生したりする問題点を解決することである。
本発明のいくつかの目的の一つは、Agイオンマイグレーションが発生する問題点を解決するために、Agを含む電極層の配置領域を調節する場合、Cuを含む下地電極層が外部に露出して積層型電子部品の耐湿信頼性が劣化するという問題点を解決することである。
但し、本発明の目的は上述の内容に限定されず、本発明の具体的な実施形態を説明する過程でより容易に理解することができる。
本発明の一実施形態による積層型電子部品は、誘電体層及び上記誘電体層を間に挟んで交互に配置される第1及び第2内部電極を含み、第1方向に対向する第1及び第2面、上記第1及び第2面と連結され、第2方向に対向する第3及び第4面、上記第1~第4面と連結され、第3方向に対向する第5及び第6面を含む本体と、上記第3面上に配置されて上記第1内部電極と連結される第1接続部を含む第1下地電極層と、上記第4面上に配置されて上記第2内部電極と連結される第2接続部を含む第2下地電極層と、上記第3面、上記第1面及び上記第2面を含む領域上に配置され、上記第1下地電極層の少なくとも一部を露出するように形成された第1電極層と、上記第4面、上記第1面及び上記第2面を含む領域上に配置され、上記第2下地電極層の少なくとも一部を露出するように形成された第2電極層と、を含み、上記第1及び第2下地電極層はCuを含み、上記第1及び第2電極層はAgを含むことができる。
本発明のいくつかの効果の一つは、Agを含む電極層が配置される領域を最小化し、Agイオンマイグレーションの発生を抑制することである。
本発明のいくつかの効果の一つは、Agを含む電極層を積層型電子部品の実装面に偏るように配置し、Agイオンマイグレーションの発生を抑制することである。
本発明のいくつかの効果の一つは、Agを含む電極層を本体と接しないように配置し、Agイオンマイグレーションの発生を抑制することである。
但し、本発明の多様かつ有益な利点及び効果は、上述した内容に限定されず、本発明の具体的な実施形態を説明する過程でより容易に理解することができる。
以下、具体的な実施形態及び添付の図面を参照して本発明の実施形態を説明する。しかし、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形することができ、本発明の範囲は以下で説明する実施形態に限定されるものではない。また、本発明の実施形態は、通常の技術者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面における要素の形状及び大きさ等は、より明確な説明のために誇張されてもよく、図面上の同じ符号で示される要素は同じ要素である。
そして、図面において本発明を明確に説明するために説明と関係のない部分は省略し、図面に示した各構成の大きさ及び厚さは説明の便宜上、任意に示しているため、本発明は必ずしも図示したものに限定されない。なお、同一思想の範囲内の機能が同一である構成要素については、同一の参照符号を用いて説明する。さらに、明細書全体において、ある部分がある構成要素を「含む」と言うとき、これは、特に反対となる記載がない限り、他の構成要素を除外するのではなく、他の構成要素をさらに含み得ることを意味する。
図面において、第1方向は厚さT方向、第2方向は長さL方向、第3方向は幅W方向と定義することができる。
図1は、本発明の一実施形態による積層型電子部品100を示す斜視図であり、図2は、図1による積層型電子部品の底面斜視図であり、図3は、図1のI-I'線に沿った断面図であり、図4は、図1のII-II'線に沿った断面図であり、図5は、本発明の一実施形態による積層型電子部品の本体を分解して示す分解斜視図であり、図6は、本発明の一実施形態による積層型電子部品が実装された基板1000の断面図を概略的に示す図である。
以下、図1~図6を参照して、本発明の一実施形態による積層型電子部品100について説明する。
本発明の一実施形態による積層型電子部品100は、誘電体層111及び上記誘電体層を間に挟んで交互に配置される第1及び第2内部電極121、122を含み、第1方向に対向する第1及び第2面1、2、上記第1及び第2面と連結され、第2方向に対向する第3及び第4面3、4、上記第1~第4面と連結され、第3方向に対向する第5及び第6面5、6を含む本体110と、上記第3面3上に配置されて上記第1内部電極121と連結される第1接続部131aを含む第1下地電極層131と、上記第4面4上に配置されて上記第2内部電極121と連結される第2接続部132aを含む第2下地電極層132と、上記第3面3、上記第1面1及び上記第2面2を含む領域上に配置され、上記第1下地電極層131の少なくとも一部を露出するように形成された第1電極層141と、上記第4面4、上記第1面1及び上記第2面2を含む領域上に配置され、上記第2下地電極層132の少なくとも一部を露出するように形成された第2電極層142と、を含み、上記第1及び第2下地電極層131、132はCuを含み、上記第1及び第2電極層141、142はAgを含むことができる。
本体110は、誘電体層111及び内部電極121、122が交互に積層されている。
本体110の具体的な形状に特に限定はないが、図示のように、本体110は六面体形状又はこれと類似の形状からなることができる。焼成過程で本体110に含まれたセラミック粉末の収縮により、本体110は完全な直線を有する六面体形状ではないが、実質的に六面体形状を有することができる。
本体110は、第1方向に互いに対向する第1及び第2面1、2、上記第1及び第2面1、2と連結され、第2方向に互いに対向する第3及び第4面3、4、第1及び第2面1、2と連結され、第3及び第4面3、4と連結され、第3方向に互いに対向する第5及び第6面5、6を有することができる。
一実施形態において、本体110は、第1面と第3面を連結する第1-3コーナー、上記第1面と第4面を連結する第1-4コーナー、上記第2面と第3面を連結する第2-3コーナー、上記第2面と第4面を連結する第2-4コーナーを含み、上記第1-3コーナー及び第2-3コーナーは、上記第3面に近づくほど上記本体の第1方向の中央に収縮した形態を有し、上記第1-4コーナー及び第2-4コーナーは、上記第4面に近づくほど、上記本体の第1方向の中央に収縮した形態を有することができる。
誘電体層111上に内部電極121、122が配置されていないマージン領域が重なることによって、内部電極121、122の厚さによる段差が発生し、第1面と第3~第5面を連結するコーナー及び/又は第2面と第3~第5面を連結するコーナーは、第1面又は第2面を基準としてみたとき、本体110の第1方向の中央側に収縮した形態を有することができる。あるいは、本体の焼結過程における収縮挙動により、第1面1と第3~第6面3、4、5、6を連結するコーナー及び/又は第2面2と第3~第6面3、4、5、6を連結するコーナーは、第1面又は第2面を基準としてみたとき、本体110の第1方向の中央側に収縮した形態を有することができる。あるいは、チッピング不良などを防止するために、本体110の各面を連結する角を別途の工程を行ってラウンド処理することにより、第1面と第3~第6面を連結するコーナー及び/又は第2面と第3~第6面を連結するコーナーはラウンド形態を有することができる。
上記コーナーは、第1面と第3面を連結する第1-3コーナー、第1面と第4面を連結する第1-4コーナー、第2面と第3面を連結する第2-3コーナー、第2面と第4面を連結する第2-4コーナーを含むことができる。また、コーナーは、第1面と第5面を連結する第1-5コーナー、第1面と第6面を連結する第1-6コーナー、第2面と第5面を連結する第2-5コーナー、第2面と第6面を連結する第2-6コーナーを含むことができる。本体110の第1~第6面は、概して平坦な面であることができ、平坦でない領域をコーナーと見なすことができる。以下、各面の延長線とは、各面の平坦な部分を基準として延びた線を意味することができる。
このとき、下地電極層131、132のうち本体110のコーナー上に配置された領域をコーナー部、本体110の第3及び第4面上に配置された領域を接続部、本体の第1及び第2面上に配置された領域をバンド部とすることができる。
一方、内部電極121、122による段差を抑制するために、積層後の内部電極が本体の第5及び第6面5、6に露出するように切断した後、単一の誘電体層又は2つ以上の誘電体層を容量形成部Acの両側面に第3方向(幅方向)に積層してマージン部114、115を形成する場合には、第1面と第5及び第6面を連結する部分、及び第2面と第5及び第6面を連結する部分が収縮した形態を有していなくてもよい。
本体110を形成する複数の誘電体層111は焼成された状態であって、隣接する誘電体層111間の境界は走査電子顕微鏡(SEM:Scanning Electron Microscope)を利用せずには確認し難いほど一体化することができる。
本発明の一実施形態によると、上記誘電体層111を形成する原料は、十分な静電容量が得られる限り、特に限定されない。例えば、チタン酸バリウム系材料、鉛複合ペロブスカイト系材料、又はチタン酸ストロンチウム系材料などを使用することができる。上記チタン酸バリウム系材料は、BaTiO3系セラミック粉末を含むことができ、上記セラミック粉末の例としては、BaTiO3、BaTiO3にCa(カルシウム)、Zr(ジルコニウム)等が一部固溶した(Ba1-xCax)TiO3(0<x<1)、Ba(Ti1-yCay)O3(0<y<1)、(Ba1-xCax)(Ti1-yZry)O3(0<x<1、0<y<1)又はBa(Ti1-yZry)O3(0<y<1)等が挙げられる。
また、上記誘電体層111を形成する原料としては、チタン酸バリウム(BaTiO3)などのパウダーに、本発明の目的に応じて様々なセラミック添加剤、有機溶剤、結合剤、分散剤などを添加することができる。
本体110は本体110の内部に配置され、誘電体層111を間に挟んで互いに対向するように配置される第1内部電極121及び第2内部電極122を含んで容量が形成される容量形成部Acと、上記容量形成部Acの第1方向の上部及び下部に形成されたカバー部112、113とを含むことができる。
また、上記容量形成部Acは、キャパシタの容量形成に寄与する部分であって、誘電体層111を間に挟んで複数の第1及び第2内部電極121、122を繰り返し積層して形成されることができる。
カバー部112、113は、上記容量形成部Acの第1方向の上部に配置される上部カバー部112、及び上記容量形成部Acの第1方向の下部に配置される下部カバー部113を含むことができる。
上記上部カバー部112及び下部カバー部113は、単一の誘電体層又は2つ以上の誘電体層を容量形成部Acの上下面にそれぞれ厚さ方向に積層して形成することができ、基本的に物理的又は化学的ストレスによる内部電極の損傷を防止する役割を果たすことができる。
上記上部カバー部112及び下部カバー部113は内部電極を含まず、誘電体層111と同じ材料を含むことができる。
すなわち、上記上部カバー部112及び下部カバー部113はセラミック材料を含むことができ、例えば、チタン酸バリウム(BaTiO3)系セラミック材料を含むことができる。
また、上記容量形成部Acの側面にはマージン部114、115が配置されることができる。
マージン部114、115は、本体110の第5面5に配置される第1マージン部114と、第6面6に配置される第2マージン部115とを含むことができる。すなわち、マージン部114、115は、上記本体110の幅方向の両端面(end surfaces)に配置されることができる。
マージン部114、115は、図4に示すように、上記本体110を幅-厚さ(W-T)方向に切断した断面(cross-section)において、第1及び第2内部電極121、122の両端と本体110の境界面との間の領域を意味することができる。
マージン部114、115は、基本的に物理的又は化学的ストレスによる内部電極の損傷を防止する役割を果たすことができる。
マージン部114、115は、セラミックグリーンシート上にマージン部が形成される箇所を除き、導電性ペーストを塗布して内部電極を形成することにより形成されたものであってもよい。
また、内部電極121、122による段差を抑制するために、積層後の内部電極が本体の第5及び第6面5、6に露出するように切断した後、単一の誘電体層又は2つ以上の誘電体層を容量形成部Acの両側面に第3方向(幅方向)に積層してマージン部114、115を形成することもできる。
内部電極121、122は誘電体層111と交互に積層される。
内部電極121、122は、第1及び第2内部電極121、122を含むことができる。第1及び第2内部電極121、122は、本体110を構成する誘電体層111を間に挟んで互いに対向するように交互に配置され、本体110の第3及び第4面3、4にそれぞれ露出することができる。
図3を参照すると、第1内部電極121は第4面4と離隔し、第3面3を介して露出し、第2内部電極122は第3面3と離隔し、第4面4を介して露出することができる。本体の第3面3には、第1下地電極層131が配置されて第1内部電極121と連結され、本体の第4面4には、第2下地電極層132が配置されて第2内部電極122と連結されることができる。
すなわち、第1内部電極121は第2下地電極層131とは連結されず、第1下地電極層131と連結され、第2内部電極122は第1下地電極層131とは連結されず、第2下地電極層131と連結される。したがって、第1内部電極121は第4面4において一定距離離隔して形成され、第2内部電極122は第3面3において一定距離離隔して形成されることができる。
このとき、第1及び第2内部電極121、122は、中間に配置された誘電体層111によって互いに電気的に分離することができる。
本体110は、第1内部電極121が印刷されたセラミックグリーンシートと第2内部電極122が印刷されたセラミックグリーンシートとを交互に積層した後、焼成して形成することができる。
内部電極121、122を形成する材料は、特に限定されず、電気伝導性に優れた材料を使用することができる。例えば、内部電極121、122は、ニッケル(Ni)、銅(Cu)、パラジウム(Pd)、銀(Ag)、金(Au)、白金(Pt)、錫(Sn)、タングステン(W)、チタン(Ti)及びこれらの合金のうち一つ以上を含むことができる。
また、内部電極121、122は、ニッケル(Ni)、銅(Cu)、パラジウム(Pd)、銀(Ag)、金(Au)、白金(Pt)、錫(Sn)、タングステン(W)、チタン(Ti)及びこれらの合金のうち一つ以上を含む内部電極用導電性ペーストをセラミックグリーンシートに印刷して形成することができる。上記内部電極用導電性ペーストの印刷方法としては、スクリーン印刷法又はグラビア印刷法などを使用することができるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
第1及び第2下地電極層131、132は、本体110の外側に配置されることができる。本実施形態では、2つの下地電極層131、132を有する構造について説明しているが、下地電極層131、132の個数や形状などは、内部電極121、122の形態やその他の目的に応じて変更することができる。
第1下地電極層131は、上記第3面3上に配置されて上記第1内部電極121と連結される第1接続部131aを含み、第2下地電極層132は、上記第4面4上に配置されて上記第2内部電極122と連結される第2接続部132aを含む。
しかし、本発明は、上記第1及び第2下地電極層が上記第3面3及び第4面4上にのみ配置され、本体110の他の面1、2、5、6には配置されない構造に制限されるものではない。
すなわち、第1下地電極層131は、上記第1接続部131aから上記第1面1の一部まで延びて配置される第1バンド部131b及び上記第1接続部から上記第2面2の一部まで延びて配置される第3バンド部131cをさらに含むことができ、第2下地電極層132は、上記第2接続部132aから上記第1面1の一部まで延びて配置される第2バンド部132b、及び上記第2接続部から上記第2面2の一部まで延びて配置される第4バンド部132cをさらに含むことができる。
また、第1下地電極層131は、第1接続部131aから第5及び第6面5、6の一部まで延びる第1側面バンド部を含むことができ、第2下地電極層132は、第2接続部132aから第5及び第6面の一部まで延びる第2側面バンド部をさらに含むことができる。
但し、第3バンド部、第4バンド部、第1側面バンド部及び第2側面バンド部は、本発明において必須の構成要素でなくてもよい。すなわち、第1下地電極層131は上記第1接続部131a及び第1バンド部131bを含み、第2下地電極層132は上記第2接続部132a及び第2バンド部132bを含むことができ、第1及び第2下地電極層131、132は、第2面2には配置されなくてもよく、第5面5及び第6面6にも配置されなくてもよい。
第1及び第2下地電極層131、132はCuを含むことができる。Cuは、内部電極121、122に含まれる金属との電気的連結性に優れるという利点がある。
一方、第1及び第2下地電極層131、132はCuを主成分とし、他の材料として電気伝導性に優れた他の金属を含むことができる。例えば、Ni、Pd、Ag、Sn、Cr及びこれらの合金のうち一つ以上をさらに含むことができる。
第1及び第2下地電極層131、132は、Cu及びガラスを含む焼成(firing)電極であってもよく、Cu及び樹脂を含む樹脂系電極であってもよい。
また、第1及び第2下地電極層131、132は、本体上に焼成電極及び樹脂系電極が順次に形成された形態であってもよい。なお、第1及び第2下地電極層131、132は、本体上にCuを含むシートを転写する方式で形成されてもよく、焼成電極上にCuを含むシートを転写する方式で形成されたものであってもよい。
本発明の一実施形態によると、第1及び第2下地電極層131、132はCuを含むことにより、内部電極121、122との電気的連結性を向上させることができる。一方、本体110との接着力を向上させ、緻密度を向上させるために、第1及び第2下地電極層131、132はガラスをさらに含むことができる。
第1電極層141は、上記第3面3、上記第1面1及び上記第2面2を含む領域上に配置され、上記第1下地電極層131の少なくとも一部を露出するように形成され、第2電極層142は、上記第4面4、上記第1面1及び上記第2面2を含む領域上に配置され、上記第2下地電極層132の少なくとも一部を露出するように形成されることができる。
すなわち、第1電極層141は、上記第3面3、上記第1面1及び上記第2面2を含む領域上に配置され、上記第1下地電極層131の少なくとも一部を覆わないように配置されることができ、上記第4面4、上記第1面1及び上記第2面2を含む領域上に配置され、第2電極層142は第2下地電極層132の少なくとも一部を覆わないように配置されることができる。
上記第1及び第2下地電極層131、132の少なくとも一部を露出するように第1及び第2電極層141、142を形成する方法は様々であり得る。
例えば、第1電極層141は第1バンド部131b上に配置され、第2電極層142は第2バンド部132b上に配置されることにより、第1及び第2電極層141、142が配置されていない第1及び第2下地電極層131、132の少なくとも一部が露出することができる。
例えば、第1電極層141は第1バンド部131b上に配置され、第2電極層142は第2バンド部132b上に配置されることにより、第1及び第2電極層141、142が配置されていない第1及び第2下地電極層131、132の少なくとも一部が露出することができる。
さらに他の例示として、後述する一実施形態による積層型電子部品200、201、202、203、204のように、第3面3上に配置された第1下地電極層131を第1連結電極231a、第4面4上に配置された第2下地電極層132を第2連結電極232とし、第1面1上に配置されて第1連結電極231と連結されるように第1電極層141を配置して第1バンド電極241を形成し、第1面1上に配置されて第2連結電極232と連結されるように第2電極層142を配置して第2バンド電極242を形成することにより、第1及び第2バンド電極241、242によって覆われていない第1及び第2連結電極231、132の少なくとも一部を露出させることができる。
さらに他の例示として、後述する一実施形態による積層型電子部品300、301のように、第1下地電極層331は、第1接続部331aから第1面1の一部まで延びて配置される第1バンド部331b、及び第1接続部331aから第2面2の一部まで延びて配置される第3バンド部331cをさらに含み、第2下地電極層332は、第2接続部332aから第1面1の一部まで延びて配置される第2バンド部332b、及び第2接続部332aから第2面2の一部まで延びて配置される第4バンド部332cをさらに含み、第1電極層341は第1接続部331a上に配置され、第2電極層342は第2接続部332a上に配置されることにより、第1及び第2電極層341、342が配置されていない第1及び第2下地電極層331、332の少なくとも一部を露出させることができる。
第1及び第2電極層141、142は銀(Ag)を含むことができる。 これにより、第1電極層141は第1下地電極層131と、第2電極層142は第2下地電極層132と連結され、基板上に配置された電極パッド191、192上に導電性金属及び樹脂を含む導電性接着剤171、172を塗布し、上記導電性接着剤上に積層型電子部品100の第1及び第2電極層141、142を接合して基板180に実装することができる。
第1及び第2電極層141、142はAgを含むことができる。第1及び第2電極層141、142は、Ag及びガラスを含む焼成(firing)電極であってもよく、めっきで形成されたAgめっき層であってもよい。
上記第1及び第2電極層131、132は、第1及び第2下地電極層に含まれるCuに比べて標準還元電位が大きいAgを含むため、第1及び第2下地電極層の酸化を防止し、水分の浸透を防止する役割を果たすことができる。
また、導電性金属及び樹脂を含む導電性接着剤により積層型電子部品100を基板180に実装できるようにするため、高温-低温サイクルで外部電極と半田との熱膨張率の差による半田クラックが発生するという問題点を解決することができる。
しかし、銀(Ag)を含む第1及び第2電極層141、142を第1及び第2下地電極層131、132上に形成する場合、本体110の表面に沿ってAgイオンマイグレーションが発生する可能性がある。これにより、積層型電子部品100の電流の漏れによる絶縁抵抗の劣化、及び互いに異なる極性を有する下地電極層131、132の間、又は電極層141、142の間に短絡が発生する可能性がある。
高温多湿な環境では、積層型電子部品100の表面に水分又は汚染物質が存在する可能性が増加するようになる。このような状態で電圧が印加される場合、正極で溶解した金属イオンが負極に移動し、負極で析出が起こるようになる。このような反応が継続することによって、金属の樹枝状(Dendrite)は、負極から正極に本体110の表面に沿って成長するようになり、このような形状をイオンマイグレーション(Ion Migration)と呼ぶ。
特に、このようなイオンマイグレーションが最も容易に発生する金属伝導体はAgであることが知られているが、外部電極がAgを含むか、又はAgを単独で使用する場合、本体110の表面にAgイオンマイグレーションがより容易に発生する可能性がある。
このようなAgイオンマイグレーションは、積層型電子部品の外部電極の間の本体110の表面に発生するため、電流の漏れによる本体110表面の絶縁層の破壊が起こり、積層型電子部品100の絶縁抵抗の低下を引き起こす可能性があり、電極間の短絡(short)を誘発する可能性があるため、積層型電子部品100の信頼性に致命的な影響を及ぼす可能性がある。
一方、Agイオンマイグレーションの成長速度を制御する主な要因は電圧及び湿度であることが知られている。積層型電子部品100が実装面から離れるほど、外部環境に露出する可能性が増加し、空気と接触する面積が多くなり得るため、湿気によりさらに多くの影響を受ける可能性がある。これにより、実装面から離れる方向に向かうほど、積層型電子部品にAgイオンマイグレーションがより強く発生する傾向がある。
そこで、本発明では、Agを含む第1及び第2電極層141、142が配置される位置及びその領域を調節して、Agイオンマイグレーションの発生を最小化しながらも、積層型電子部品の高温多湿な環境における信頼性を確保しようとする。
本発明の一実施形態によると、銀(Ag)を含む第1及び第2電極層141、142は、上記第1及び第2バンド部上に配置されることができる。
第1電極層141は第1バンド部131b上に配置され、第2電極層142が第2バンド部132b上に配置されることによって、第1及び第2電極層141、142が第1及び第2下地電極層131、132の表面全体に配置される場合に発生し得るAgイオンマイグレーションを効果的に抑制することができる。また、第1電極層及び第2電極層141、142が配置される領域を減らすことができ、Agを含むペーストの塗布量を減らして積層型電子部品100の製造コストを節減することができる。
上述したように、Agイオンマイグレーションは、積層型電子部品100の実装面の反対方向に向かうほど、より強く起こる傾向があるため、実装面に近い第1及び第2バンド部131b、132bにAgを含む電極層を配置する本発明の一実施形態の場合、Agイオンマイグレーションの抑制効果がより顕著になり得る。
これにより、Agを含む電極層141、142が配置される領域を最小化しながらも、導電性金属及び樹脂を含む導電性接着剤171、172により基板180への実装が可能である。したがって、Agイオンマイグレーションの発生を抑制して絶縁抵抗の劣化及び短絡を防止することができ、Cuを含む第1及び第2下地電極層131、132の実装領域における酸化を防止し、導電性金属及び樹脂を含む導電性接着剤を介して実装を可能にすることにより、固着強度の低下を防止することができる。
Agイオンマイグレーションの成長速度を制御する他の要素の一つは、第1及び第2電極層の成分が挙げられる。イオンマイグレーションが最も発生しやすい金属はAgと知られており、第1及び第2電極層141、142がAg単独からなっているか、Agが電極層内に部分的に凝縮して存在する場合、又はAgの含量が過度な場合、Agイオンマイグレーションがより強く発生する可能性がある。
一実施形態において、第1及び第2下地電極層131、132はガラスをさらに含み、上記第1及び第2電極層141、142はガラス及びパラジウム(Pd)をさらに含むことができる。
第1及び第2電極層141、142がガラスを含むことにより、ガラスが含まれた下地電極層131、132との接着力を向上させることができる。
第1及び第2電極層141、142がパラジウム(Pd)をさらに含む場合、Ag及びPdが全率固溶体(isomorphous)を形成するため、Agイオンマイグレーションを効果的に抑制することができる。また、Pdの標準還元電位(+0.915V)はAgの標準還元電位(0.80V)より高いため、第1及び第2下地電極層131、132の酸化をより効果的に防止することができる。
このとき、第1及び第2電極層141、142に含まれるPdの含量は、Ag100モルに対して1モル以上5モル以下であってもよい。
Pdの含量がAg100モルに対して1モル未満である場合には、Agとの全率固溶体を十分に形成し難く、Agイオンマイグレーションを抑制する効果が不十分である可能性がある。
これに対し、Pdの含量がAg100モルに対して5モルを超える場合には、一般的にPdの焼結駆動力がAgより高いため、焼結駆動力の差によるブリスター(blister)、放射クラック等が発生するおそれがあり、製造コストが増加する可能性がある。
一方、第1及び第2下地電極層131、132、第1及び第2電極層141、142の成分は、SEM-EDS(Scanning Electron Microscope-Energy Dispersive X-ray Spectroscopy)を用いて観察した画像から算出したものであってもよい。具体的に、積層型電子部品を幅方向(第3方向)の中央の位置まで研磨して長さ方向及び厚さ方向の断面(L-T断面)を露出させた後、下地電極層及び電極層を厚さ又は長さ方向に5等分した領域のうち中央に配置された領域をEDSを用いて、下地電極層及び電極層に含まれた各元素の種類と全元素100at%に対する含量を測定することができる。
一方、導電性金属及び樹脂を含む導電性接着剤171、172を介して積層型電子部品100を実装する場合、固着強度を確保するためには、上記導電性接着剤171、172と第1及び第2電極層141、142間の接触面積を十分に確保する必要がある。
一実施形態では、上記第1電極層141は、上記第1バンド部131bから上記第1接続部131aの一部まで延びて配置され、上記第2電極層142は、上記第2バンド部132bから上記第2接続部132bの一部まで延びて配置して導電性接着剤171、172と第1及び第2電極層141、142間の接触面積を十分に確保することにより、積層型電子部品100の固着強度を向上させることができる。
一実施形態において、第1及び第2電極層141、142の上記第1方向の最低点から上記第1方向の最高点までの上記第1方向の平均サイズTB1は、10μm以上40μm以下であってもよい。上記TB1が10μm未満の場合、第1及び第2電極層141、142が第1及び第2バンド部131b、132bを十分に覆わないことがあるため、十分な固着強度を確保し難い可能性があり、上記TB1が40μmを超える場合、第1及び第2接続部131a、132a上に第1及び第2電極層141、142が過度に形成され、Agイオンマイグレーションの発生を抑制し難くなる可能性がある。
これと同様の観点から、一実施形態では、上記第1面1から上記第1及び第2内部電極121、122のうち上記第1面に最も近く配置された内部電極までの第1方向の平均サイズをH1、上記第1面の延長線から上記第1及び第2接続部131a、132a上に配置された第1及び第2電極層の端までの第1方向の平均サイズをH2とするとき、H1≧H2を満たすことができる。すなわち、第1及び第2電極層141、142が最下端に配置された第1及び第2内部電極121、122以下の領域に配置されることにより、十分な固着強度を確保しながらもAgイオンマイグレーションを効果的に抑制することができる。
一方、第1及び第2電極層141、142の上記第1方向の最低点から上記第1方向の最高点までの上記第1方向の平均サイズTB1は、本体110を第3方向の中央部において、第1及び第2方向に切断した断面(L-T断面)の第1電極層141側で測定した値と、第2電極層142側で測定した値とを平均した値であることができる。
図6を参照すると、本発明の一実施形態による積層型電子部品100が実装された基板1000において、積層型電子部品100の第1及び第2電極層141、142は基板180上に配置された電極パッド191、192と導電性接着剤171、172によって接合されることができる。
本発明の一実施形態による第1及び第2電極層141、142が銀(Ag)を含むため、電極層141、142と導電性接着剤171、172は電気的導通を確保することができ、導電性接着剤171、172に含まれた樹脂が硬化して基板180との接着力を確保することができる。
また、従来の積層型電子部品を基板に実装する際に、錫(Sn)を含む半田を使用する場合と異なり、高温-低温サイクルでも電極層141、142と導電性接着剤171、172に加わる熱衝撃を緩和することにより、積層型電子部品100の固着強度を向上させることができる。
導電性接着剤171、172に含まれる導電性金属の種類は特に限定されず、例えば、Ag、Auなどの金属を含むことができる。
一実施形態において、導電性接着剤171、172に含まれる樹脂はエポキシ樹脂であってもよい。エポキシ樹脂は半田より熱膨張率が小さく、これにより高温環境下で温度変化に伴う熱膨張及び熱収縮によるクラックの発生を抑制することができる。錫(Sn)を含む半田を介して基板に積層型電子部品を実装する従来の場合、高温-低温サイクルで外部電極と半田との熱膨張率の差によるストレスにより半田クラックが発生しやすい。本発明の一実施形態によると、導電性接着剤171、172は樹脂を含むことにより、第1及び第2電極層141、142と上記導電性接着剤との熱膨張率の差を減らすことができ、導電性接着剤にクラックが発生するという問題点を解決することができる。また、エポキシ樹脂を含むことにより、その含量に応じて常温硬化及び熱硬化に容易であり、優れた接着性を確保することができる。
一実施形態では、導電性接着剤171、172に含まれる樹脂の種類をエポキシ樹脂として例を挙げたが、これに限定されるものではなく、ポリウレタン、シリコン、ポリイミド、フェノール、ポリエステル系熱硬化性樹脂を使用することもできる。
図7は、一実施形態による積層型電子部品101を示す断面図である。
図7を参照すると、一実施形態による積層型電子部品101は、上記第1面1から上記第1及び第2内部電極121、122のうち上記第1面に最も近く配置された内部電極までの第1方向の平均サイズをH1、上記第1面の延長線から上記第1及び第2接続部131a、132a上に配置された第1及び第2電極層の端までの第1方向の平均サイズをH2とするとき、H1<H2を満たすことができる。
Cuを含む第1及び第2下地電極層131、132のうち、Agを含む第1及び第2電極層141、142で覆われていない部分は、外部に露出した場合、外部からの水分浸透に弱い可能性がある。特に、第1及び第2下地電極層131、132が導電性ペーストで形成された焼成(firing)電極である場合、第1及び第2接続部131a、132aの第1方向に向かうほど、その厚さ(第2方向のサイズ)が減少する領域でCuの酸化が起こるようになると、外部水分の主な浸透経路となる可能性がある。
一実施形態による積層型電子部品101によると、H1<H2を満たすことにより、第1及び第2接続部131a、132aの厚さ(第2方向のサイズ)が薄い領域まで第1及び第2電極層141、142が延びるように配置して外部水分の主な浸透経路を遮断することができるため、積層型電子部品101の耐湿信頼性を向上させることができる。
一方、上述したように、Agイオンマイグレーションは、積層型電子部品101の実装面から実装面の反対方向に向かうほど、より強く発生する傾向がある。したがって、Agを含む第1及び第2電極層141、142を本体110の第1方向にさらに延びるように形成する場合、第1及び第2電極層141、142を第1及び第2バンド部131b、132b上に形成してAgイオンマイグレーションの発生を抑制する効果が十分でない可能性がある。このとき、上記本体の第1方向の平均サイズをTとするとき、H2<T/2を満たすことにより、Agを含む第1及び第2電極層141、142が過度に第1方向に形成されないようにして、Agイオンマイグレーションの発生抑制効果を十分に確保することができる。すなわち、上記H1、H2、Tは、H1<H2<T/2を満たすことができる。
H1及びH2は、本体110を第3方向の中央部において第1及び第2方向に切断した断面(L-T断面)で測定した値を平均した値であることができる。 H1は、断面において、第1面1に最も近く配置された内部電極と第1面1との間の距離を第2方向の任意の地点で測定した値を平均した値であり、H2は、接続部に配置された電極層の端を基準に測定した値であり、第1バンド部141側で測定した値と第2バンド部142側で測定した値とを平均した値であることができる。このとき、H1及びH2の測定時に基準となる第1面の延長線E1は同一であり得る。
また、本体110の第1方向のサイズTは、同様に、本体110を第3方向の中央部において第1及び第2方向に切断した断面(L-T断面)で第1面の延長線E1と第2面の延長線E2の第1方向のサイズを測定した値であることができる。
第1及び第2電極層141、142が配置される領域を調節する方法は特に限定されない。第1及び第2電極層141、142は、第1及び第2下地電極層131、132を形成した後、第1バンド部131b及び第2バンド部132bを、Agを含む導電性ペーストに交互に浸漬し、乾燥した後、約600℃の温度で焼成して形成することができる。このとき、本体110を浸漬する深さを調節して第1及び第2電極層141、142が配置される領域を調節することができるが、これに限定されるものではない。
図8は、一実施形態による積層型電子部品102を示す断面図である。
図8を参照すると、一実施形態による積層型電子部品102は、上記第1接続部131a上に配置される第1絶縁層151及び上記第2接続部132a上に配置される第2絶縁層152を含むことができる。
第1及び第2絶縁層151、152は、第1及び第2接続部131a、132a上に配置されて第1及び第2下地電極層131、132に含まれるCuの酸化を防止し、積層型電子部品102の曲げ強度を向上させる役割を果たすことができる。
上記第1絶縁層151は、第1接続部131a上に配置され、上記第3バンド部131c上に延びて配置されることができ、上記第2絶縁層152は第2接続部132a上に配置され、上記第4バンド部132c上に延びて配置されることができる。これにより、積層型電子部品102の曲げ強度及びシーリング特性をさらに向上させることができる。積層型電子部品102のシーリング特性を著しく向上させるためには、上記第1絶縁層151は上記第3バンド部131cの端を覆うように配置され、上記第2絶縁層152は上記第4バンド部132cの端を覆うように配置されることが好ましいが、これに限定されるものではない。
上記第1及び第2絶縁層151、152は、積層型電子部品102のシーリング特性を向上させ、曲げ強度を向上させて外部の熱又は振動による引張応力から積層型電子部品102を保護可能な程度の強度を有する物質で構成されてもよい。例えば、第1及び第2絶縁層151、152は、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、エチルセルロース(Ethyl Cellulose)等の材料から選択された1種以上を含んでもよく、ガラスをさらに含んでもよい。
また、第1及び第2絶縁層151、152は単一の成分又は複数の成分を含むことができ、好ましくは、本体110又は第1及び第2下地電極層131、132との結合力を向上させるために、TiO2、BaTiO3、Al2O3、SiO2、BaOなどから選択された1種以上を添加剤として含むことができる。
第1及び第2絶縁層151、152を形成する方法は、成分及び目的に応じて多様であり得る。例えば、絶縁ペーストをスキージを用いて塗膜を形成した後、本体110に第1及び第2下地電極層131、132を配置して各断面を順次浸漬した後、乾燥する方式で形成することができる。また、ゾル-ゲル法(Sol-gel processing)、化学的蒸着法(Chemical Vapor Deposition、CVD)、原子層蒸着法(Atomic Layer Deposition、ALD)などで形成されてもよいが、これらに限定されるものではなく、薄くて均一な絶縁層を形成することができる他の方法によっても形成することができる。
一方、第1及び第2絶縁層151、152の成分は、SEM-EDS(Scanning Electron Microscope-Energy Dispersive X-ray Spectroscopy)を用いて観察した画像から算出したものであってもよい。具体的に、積層型電子部品を幅方向(第3方向)の中央の位置まで研磨して長さ方向及び厚さ方向の断面(L-T断面)を露出させた後、第1及び第2絶縁層151、152を厚さ又は長さ方向に5等分した領域のうち中央に配置された領域をEDSを用いて、第1及び第2絶縁層151、152に含まれた各元素の種類と全元素100at%に対する含量を測定することができる。また、GC-MS(gas chromatograph-mass spectrometer)分析を用いて絶縁層に含まれた樹脂の種類を区別することができる。
一実施形態において、誘電体層111の平均厚さtdと上記内部電極121、122の平均厚さteはtd>2×teを満たすことができる。すなわち、一実施形態によると、上記誘電体層111の平均厚さtdは、上記内部電極121、122の平均厚さteの2倍よりも大きいことを特徴とすることができる。
一般的に、高電圧電装用電子部品は、高電圧環境下で絶縁破壊電圧の低下による信頼性の問題が主なイシューである。一実施形態による積層型電子部品は、高電圧環境下で絶縁破壊電圧の低下を防止するために、上記誘電体層111の平均厚さtdを上記内部電極121、122の平均厚さteの2倍よりも大きくして、内部電極間の距離である誘電体層の厚さを増加させることにより、絶縁破壊電圧特性を向上させることができる。上記誘電体層111の平均厚さtdが上記内部電極121、122の平均厚さteの2倍以下である場合には、内部電極間の距離である誘電体層の厚さが薄いため、絶縁破壊電圧が低下する可能性がある。
上記内部電極の平均厚さteは1μm未満であってもよく、上記誘電体層の平均厚さtdは2.8μm未満であってもよいが、必ずしもこれに限定されるものではない。
誘電体層111の平均厚さtd及び内部電極の平均厚さteは、本体110の長さ及び厚さ方向(L-T)の断面を1万倍率の走査電子顕微鏡(SEM、Scanning Electron Microscope)でイメージをスキャンして測定することができる。より具体的に、スキャンされたイメージにおいて、一つの誘電体層の内部電極を長さ方向に等間隔である30個の地点でその厚さを測定し、平均値を測定することができる。上記等間隔である30個の地点は容量形成部Acで指定することができる。また、このような平均値の測定を10個の誘電体層及び内部電極に拡張して平均値を測定すると、誘電体層の平均厚さ及び内部電極の平均厚さをさらに一般化することができる。
図9は、一実施形態による積層型電子部品103を示す断面図である。
図9を参照すると、一実施形態による積層型電子部品103は、上記本体110の上記第2方向の平均サイズをL、上記第3面の延長線E3から上記第1バンド部131b'の端までの上記第2方向の平均サイズをB1、上記第4面の延長線E4から上記第2バンド部132b'の端までの上記第2方向の平均サイズをB2とするとき、0.2≦B1/L≦0.4及び0.2≦B2/L≦0.4を満たすことができる。
B1/L及びB2/Lが0.2未満の場合には、十分な固着強度を確保し難い可能性がある。これに対し、B2/Lが0.4を超える場合には、高圧電流下で第1電極層141と第2電極層142との間で漏れ電流が発生するおそれがあり、実装時に導電性接着剤の滲み等により第1電極層141及び第2電極層142が電気的に連結されるおそれがある。
B1、B2及びLは、本体110を第3方向の中央部において第1及び第2方向に切断した断面(L-T断面)で測定した値であることができる。特に、本体110の第2方向のサイズLは、上記第3面の延長線E3と上記第4面の延長線E4との間の第2方向のサイズに該当することができる。
図9を参照すると、一実施形態による積層型電子部品103は、上記第1面1上に配置され、且つ上記第1電極層141と上記第2電極層142との間に配置される追加絶縁層160をさらに含むことができる。これにより、高圧電流下で第1電極層141と第2電極層142との間で発生し得る漏れ電流などを防止することができる。
上記追加絶縁層160の種類は特に限定する必要はない。例えば、追加絶縁層160は、第1及び第2絶縁層151、152と同様に、エポキシ樹脂を含むことができる。但し、追加絶縁層160の材料を必ずしも第1及び第2絶縁層151、152と同じ材料に限定する必要はなく、異なる材料で形成してもよい。
図9を参照すると、一実施形態による積層型電子部品103の第1下地電極層131'は、第1接続部131a'、第1バンド部131b'、及び第3バンド部131c'を含み、第2下地電極層132'は、第2接続部132a'、第2バンド部132b'、及び第4バンド部132c'を含むことができる。このとき、第1及び第2バンド部131b'、132b'は、第3及び第4バンド部131c'、132c'よりも第2方向にさらに長く配置されてもよい。これにより、実装面積を確保して積層型電子部品103の固着強度を向上させながらも、積層型電子部品103において下地電極層131'、132'が占める比重を縮小して単位体積当たりの容量を向上させることができる。
図10は、一実施形態による積層型電子部品104を示す断面図である。
図10を参照すると、一実施形態による積層型電子部品104の第1下地電極層131''は、第1接続部131a及び第1バンド部131bを含み、第2下地電極層132''は、第2接続部132a及び第2バンド部132bを含むことができる。すなわち、積層型電子部品100とは異なり、第3及び第4バンド部131c、132cを含まないL字状を有することができる。これにより、第1及び第2下地電極層131''、132''が占める比重を最小化し、積層型電子部品104の単位体積当たりの容量をさらに向上させることができる。
図11は、本発明の一実施形態による積層型電子部品200を示す斜視図であり、図12は、図11による積層型電子部品の底面斜視図であり、図13は、図11のIII-III'線に沿った断面図であり、図14は、本発明の一実施形態による積層型電子部品が実装された基板2000の断面図を概略的に示す図である。
以下、図11~図14を参照して、本発明の一実施形態による積層型電子部品200について説明する。但し、本発明の一実施形態及び様々な実施形態による積層型電子部品100、101、102、103、104と重複する内容は、重複説明を避けるために省略することができる。
本発明の一実施形態による積層型電子部品200は、誘電体層及び上記誘電体層を間に挟んで交互に配置される第1及び第2内部電極を含み、第1方向に対向する第1及び第2面、上記第1及び第2面と連結され、第2方向に対向する第3及び第4面、上記第1~第4面と連結され、第3方向に対向する第5及び第6面を含む本体110と、上記第3面上に配置される第1連結電極231と、上記第4面上に配置される第2連結電極232と、上記第1面上に配置されて上記第1連結電極と連結される第1バンド電極241と、上記第1面上に配置されて上記第2連結電極と連結される第2バンド電極242と、を含み、上記第1及び第2連結電極はCuを含み、上記第1及び第2バンド電極はAgを含むことができる。
第1連結電極231は第3面3上に配置されて第1内部電極121と連結され、第2連結電極232は第4面4上に配置されて第2内部電極122と連結されることができる。
第1連結電極231は、上記第3面3上に配置される第1接続部231a及び上記第1接続部から上記第1面1及び第3面3を連結するコーナーC1に延びて配置される第1コーナー部231bを含み、第2連結電極232は、上記第4面上に配置される第2接続部232a、並びに上記第2接続部から上記第1面1及び第4面4を連結するコーナーC2に配置される第2コーナー部232bを含むことができる。
従来は、外部電極を形成する際に導電性金属を含むペーストを用いて、本体の内部電極が露出した面をペーストにディッピング(dipping)する方法が主に使用されてきた。しかし、ディッピング(dipping)工法によって形成された外部電極は、厚さ方向の中央部における外部電極の厚さが厚すぎる可能性がある。また、このようなディッピング(dipping)工法による外部電極の厚さ不均衡の問題がなくとも、本体の第3及び第4面に内部電極が露出するため、外部電極を介した水分及びめっき液の浸透を抑制するために、第3及び第4面に配置された外部電極の厚さが一定以上となるように形成した。
本発明の一実施形態による連結電極231、232は、従来のディッピング方式によって形成された外部電極に比べて均一で薄い厚さを有することができる。
上記連結電極231、232は、例えば、導電性金属、バインダーのような有機物質等を含むシートを第3及び第4面に転写する方式で形成することができるが、これに限定されるものではなく、導電性金属を第3及び第4面にめっきして形成することができる。すなわち、連結電極231、232は、導電性金属を焼成した焼成層であってもよく、めっき層であってもよい。
連結電極231、232の厚さは特に限定されないが、例えば、2~7μmであってもよい。ここで、連結電極231、232の厚さとは、最大厚さを意味することができ、連結電極231、232の第2方向のサイズを意味することができる。
第1及び第2連結電極231、232はCuを含むことができる。Cuは、内部電極121、122に含まれる金属との電気的連結性に優れる利点がある。
一方、第1及び第2連結電極231、132は、Cuを主成分とし、他の材料として電気伝導性に優れた他の金属を含むことができる。例えば、Ni、Pd、Ag、Sn、Cr及びこれらの合金のうち一つ以上をさらに含むことができる。
また、本体110との接着力を向上させ、緻密度を向上させるために、第1及び第2連結電極231、232はガラスをさらに含むことができる。
第1及び第2バンド電極241、242は、本体110の第1面1に配置されることができる。第1及び第2バンド電極241、242は、それぞれ第1及び第2連結電極231、232と接触することにより、第1及び第2内部電極121、122とそれぞれ電気的に連結されることができる。
従来のディッピング(dipping)工法により形成された外部電極は、第3及び第4面で厚く形成され、第1、第2、第5及び第6面にも一部延びて形成されるため、有効体積率を高く確保することが難しいという問題があった。
これに対し、本発明の一実施形態によると、内部電極が露出した面には、第1及び第2連結電極231、232を配置し、基板に実装される面には、第1及び第2バンド電極241、242を配置することによって有効体積率を高く確保することができる。
一方、内部電極121、122が第1方向に積層されている場合には、内部電極121、122が実装面と平行になるように積層型電子部品2000を基板に水平実装することができる。但し、本発明は、水平実装である場合に限定されるものではなく、内部電極121、122を第3方向に積層する場合には、内部電極121、122が実装面と垂直になるように積層型電子部品を基板に垂直実装することができる。
第1及び第2バンド電極241、242はAgを含むことができる。例えば、第1及び第2バンド電極231、232bは、Ag及びガラスを含む焼成(firing)電極であってもよく、本体の第1面にAg及びガラスを含むペーストを塗布する方式を用いて形成してもよいが、これに限定されるものではなく、Agを本体の第1面にめっきしたAgめっき層であってもよい。
本発明の一実施形態では、第1及び第2バンド電極241、242にAgを含ませることにより、導電性金属及び樹脂を含む導電性接着剤271、272との結合力を向上させ、基板280と積層型電子部品200間の固着強度を向上させることができる。
上記第1及び第2バンド電極241、242は、第1及び第2連結電極231、232に含まれるCuに比べて標準還元電位が大きいAgを含むため、第1及び第2連結電極231、232の酸化を防止し、水分の浸透を防止する役割を果たすことができる。
また、導電性金属及び樹脂を含む導電性接着剤により積層型電子部品200を基板280に実装できるようにするため、高温-低温サイクルで外部電極と半田との熱膨張率の差による半田クラックが発生するという問題点を解決することができる。
しかし、Agを含む第1及び第2バンド電極241、242を第1及び第2連結電極231、232上に形成する場合、本体110の表面に沿ってAgイオンマイグレーションが発生することがある。これにより、積層型電子部品200の電流漏れによる絶縁抵抗の劣化、及び互いに異なる極性を有する連結電極231、232の間に短絡が発生する可能性がある。
このようなAgイオンマイグレーションは、積層型電子部品の外部電極の間の本体110の表面に発生するため、電流漏れによる本体110表面の絶縁層の破壊が起こり、積層型電子部品200の絶縁抵抗の低下を引き起こす可能性があり、電極間の短絡(short)を誘発する可能性があるため、積層型電子部品200の信頼性に致命的な影響を及ぼす可能性がある。
上述したように、積層型電子部品200の実装面から離れるほど、Agイオンマイグレーションがより強く発生する傾向がある。
そこで、一実施形態では、Agを含む第1及び第2バンド電極241、242を本体110の第1面上に配置し、その領域を調節してAgイオンマイグレーションの発生を最小化しながらも、積層型電子部品200の高温多湿な環境における信頼性を確保しようとする。
本発明の一実施形態によると、Cuを含む第1及び第2連結電極231、232を本体110の第3面3及び第4面4にそれぞれ配置して電気的導通を確保し、Agを含む第1及び第2バンド電極241、242を第1面に配置して、導電性金属及び樹脂を含む導電性接着剤271、272を介して基板280に実装可能である。
また、Agを含む第1及び第2バンド電極241、242が第1面上に配置されるため、積層型電子部品200の本体110の表面にAgイオンマイグレーションが発生することを抑制することができる。
上述したように、Agイオンマイグレーションは、積層型電子部品200の実装面から実装面の反対方向に向かうほど、より強く発生する傾向があるため、このようなAgイオンマイグレーションの発生抑制効果は第1及び第2バンド電極241、242を第1面上に配置することにより、さらに顕著になることができる。
一方、上述したように、第1及び第2バンド電極241、242がAg単独からなっているか、Agがバンド電極内に部分的に凝縮して存在する場合、又はAgの含量が過度な場合、Agイオンマイグレーションがより強く発生する可能性がある。
一実施形態において、第1及び第2連結電極231、232はガラスをさらに含み、上記第1及び第2バンド電極241、242はガラス及びパラジウム(Pd)をさらに含むことができる。
これにより、連結電極231、232及びバンド電極241、242の両方がガラスを含むことで接着力を向上させることができ、第1及び第2バンド電極241、242がパラジウム(Pd)をさらに含む場合、AgとPdが全率固溶体(isomorphous)を形成するため、Agイオンマイグレーションを効果的に抑制することができる。また、Pdの標準還元電位(+0.915V)はAgの標準還元電位(0.80V)より高いため、第1及び第2連結電極231、232の酸化をより効果的に防止することができる。
このとき、第1及び第2バンド電極241、242に含まれるPdの含量は、Ag100モルに対して1モル以上5モル以下であってもよい。
Pdの含量がAg100モルに対して1モル未満である場合には、Agとの全率固溶体を十分に形成することが難しく、Agイオンマイグレーションを抑制する効果が不十分である可能性がある。
これに対し、Pdの含量がAg100モルに対して5モルを超える場合には、一般的にPdの焼結駆動力がAgより高いため、焼結駆動力の差によるブリスター(blister)、放射クラック等が発生するおそれがあり、製造コストが増加する可能性がある。
一実施形態において、上記第1連結電極231は、上記第3面3上に配置されて第1内部電極121と連結される第1接続部231a、並びに上記第1接続部から上記第1面及び第3面を連結するコーナーC1に延びて配置される第1コーナー部231bを含み、上記第2連結電極232は、上記第4面上に配置されて第1内部電極と連結される第2接続部232a、並びに上記第2接続部から上記第1面及び第4面を連結するコーナーC2に延びて配置される第2コーナー部232bを含み、上記第1バンド電極241は、上記第1コーナー部の少なくとも一部を覆うように延びて配置され、上記第2バンド電極242は、上記第2コーナー部の少なくとも一部を覆うように延びて配置されることができる。これにより、内部電極121、122と連結された第1及び第2連結電極231、232を第1及び第2バンド電極241、242とそれぞれ連結して電気的導通を確保することができ、Agを含む第1及び第2バンド電極241、242が配置される領域を最小化することができるため、Agイオンマイグレーションの発生を効果的に抑制することができる。
図14を参照すると、本発明の一実施形態による積層型電子部品200が実装された基板2000は、積層型電子部品200の第1及び第2バンド電極241、242が基板280上に配置された電極パッド291、292と導電性接着剤271、272によって接合されることができる。
上記第1及び第2バンド電極241、242はAgを含むため、バンド電極241、242と導電性接着剤271、272は電気的導通を確保することができ、導電性接着剤271、272に含まれた樹脂が硬化して基板280との接着力を確保することができる。
また、錫(Sn)を含む半田を使用して基板に積層型電子部品を実装する従来の場合と異なり、高温-低温サイクルでも第1及び第2バンド電極241、242と導電性接着剤271、272に加わる熱衝撃を緩和することにより、積層型電子部品200の固着強度を向上させることができる。
上記本発明の一実施形態による積層型電子部品200が実装された基板2000の導電性接着剤271、272の成分及び効果は、本発明の一実施形態による積層型電子部品100が実装された基板1000に使用された導電性接着剤171、172と同一であり得る。
図15は、一実施形態による積層型電子部品201を示す断面図である。
導電性金属及び樹脂を含む導電性接着剤271、272を介して積層型電子部品201を実装する場合、固着強度を確保するためには、上記導電性接着剤271、272と第1及び第2バンド電極241、242間の接触面積を十分に確保する必要がある。
図15を参照すると、一実施形態による積層型電子部品201の上記第1バンド電極241は、上記第1接続部231aの少なくとも一部を覆うように延びて配置され、上記第2バンド電極242は、上記第2接続部232aの少なくとも一部を覆うように延びて配置されることができる。これにより、導電性接着剤271、272と第1及び第2バンド電極241、242間の接触面積を十分に確保することにより、積層型電子部品201の固着強度を向上させることができる。
一実施形態において、第1及び第2バンド電極241、242の上記第1方向の最低点から上記第1方向の最高点までの上記第1方向の平均サイズTB2は、10μm以上40μm以下であってもよい。上記TB2が10μm未満の場合、第1及び第2バンド電極241、242が第1及び第2コーナー部231b、232bを十分に覆わないことがあるため、十分な電気的連結性を確保し難い可能性があり、上記TB2が40μmを超える場合、第1及び第2接続部231a、232a上に第1及び第2バンド電極241、242が過度に形成され、Agイオンマイグレーションの発生を抑制し難くなる可能性がある。
これと同様の観点から、一実施形態では、上記第1面1から上記第1及び第2内部電極121、122のうち、上記第1面に最も近く配置された内部電極までの第1方向の平均サイズをH1、上記第1面の延長線E1から上記第1及び第2接続部231a、232a上に配置された第1及び第2バンド電極241、242の端までの第1方向の平均サイズをH2とするとき、H1≧H2を満たすことができる。すなわち、第1及び第2バンド電極241、242が最下端に配置された第1及び第2内部電極121、122以下の領域に配置されることにより、十分な電気的連結性を確保しながらも、Agイオンマイグレーションを効果的に抑制することができる。
一方、第1及び第2バンド電極241、242の上記第1方向の最低点から上記第1方向の最高点までの上記第1方向の平均サイズTB2は、本体110を第3方向の中央部において第1及び第2方向に切断した断面(L-T断面)のうち、第1バンド電極241側で測定した値と第2バンド電極242側で測定した値とを平均した値であることができる。
図16は、一実施形態による積層型電子部品202を示す断面図である。
図16を参照すると、一実施形態による積層型電子部品202は、上記第1面1から上記第1及び第2内部電極121、122のうち、上記第1面に最も近く配置された内部電極までの第1方向の平均サイズをH1、上記第1面の延長線E1から上記第1及び第2接続部231a、232a上に配置された第1及び第2バンド電極241、242の端までの第1方向の平均サイズをH2とするとき、H1<H2を満たすことができる。
上述したように、本体110のコーナーは、焼成過程で収縮が起こる領域であり、誘電体の微細構造が緻密でないため、水分浸透の主な経路となり得る。一実施形態による積層型電子部品202によると、第1及び第2バンド電極241、242を第1及び第2内部電極121、122のうち最下端に位置した内部電極以上に配置することにより、本体のコーナーを介した水分の浸透をより確実に防止することができるため、積層型電子部品202の耐湿信頼性を向上させることができる。
一方、上述したように、Agイオンマイグレーションは、積層型電子部品202の実装面から実装面の反対方向に向かうほど、より強く発生する傾向がある。したがって、Agを含む第1及び第2バンド電極241、242を本体110の第1方向にさらに延びるように形成する場合、第1及び第2バンド電極241、242を本体110の第1面上に配置してAgイオンマイグレーションの発生を抑制する効果が十分でない可能性がある。このとき、上記本体の第1方向の平均サイズをTとするとき、H2<T/2を満たすことにより、Agを含む第1及び第2バンド電極241、242が過度に第1方向に形成されないようにして、Agイオンマイグレーションの発生抑制効果を十分に確保することができる。すなわち、上記H1、H2、Tは、H1<H2<T/2を満たすことができる。
H1及びH2は、本体110を第3方向の中央部において第1及び第2方向に切断した断面(L-T断面)で測定した値を平均した値であることができる。H1は、断面において、第1面1に最も近く配置された内部電極と第1面1との間の距離を第2方向の任意の地点で測定した値を平均した値であり、H2は、接続部に配置されたバンド電極の端を基準に測定した値であり、第1バンド電極241側で測定した値と第2バンド部242側で測定した値との平均値であることができる。このとき、H1及びH2の測定時に基準となる第1面の延長線E1は同一であり得る。
図17は、一実施形態による積層型電子部品203を示す断面図である。
図17を参照すると、一実施形態による積層型電子部品203は、上記第1連結電極上に配置される第1絶縁層及び上記第2連結電極上に配置される第2絶縁層を含むことができる。
第1及び第2絶縁層251、252は、第1及び第2連結電極231、232上に配置されて第1及び第2連結電極231、232に含まれるCuの酸化を防止し、積層型電子部品203の曲げ強度を向上させる役割を果たすことができる。
上記第1絶縁層251は、第1接続部231a上に配置されて上記第1バンド電極241と接することができ、上記第2絶縁層252は、第2接続部232a上に配置されて上記第2バンド電極242と接することができる。これにより、積層型電子部品203の曲げ強度、及びシーリング特性をさらに向上させることができる。積層型電子部品203のシーリング特性を著しく向上させるためには、第1及び第2絶縁層251、252は、上記第1面1の一部まで延びて配置されることが好ましいが、これに限定されるものではない。
一方、上記第1及び第2絶縁層251、252の成分及び形成方法は、上述した一実施形態による積層型電子部品102の第1及び第2絶縁層151、152と同一であり得る。
図18は、一実施形態による積層型電子部品204を示す断面図である。
図18を参照すると、一実施形態による積層型電子部品204は、上記本体の第2方向の平均サイズをL、上記第3面の延長線から上記第1バンド電極の端までの上記第2方向の平均サイズをB1、上記第4面の延長線から上記第2バンド電極の端までの上記第2方向の平均サイズをB2とするとき、0.2≦B1/L≦0.4及び0.2≦B2/L≦0.4を満たすことができる。
B1/L及びB2/Lが0.2未満の場合には、十分な固着強度を確保し難い可能性がある。これに対し、B2/Lが0.4を超える場合には、高圧電流下で第1バンド電極241と第2バンド電極242との間で漏れ電流が発生するおそれがあり、実装時に導電性接着剤の滲み等により第1バンド電極241と第2バンド電極242が電気的に連結されるおそれがある。
B1、B2及びLは、本体110を第3方向の中央部において、第1及び第2方向に切断した断面(L-T断面)で測定した値であることができる。特に、本体110の第2方向のサイズLは、上記第3面の延長線E3と上記第4面の延長線E4との間の第2方向のサイズに該当することができる。
図18を参照すると、一実施形態において、上記積層型電子部品204は上記第1面上に配置され、且つ上記第1バンド電極241と上記第2バンド電極242との間に配置される追加絶縁層260をさらに含むことができる。これにより、高圧電流下で第1バンド電極241と第2バンド電極242との間で発生し得る漏れ電流などを防止することができる。
図19は、本発明の一実施形態による積層型電子部品300を示す分解斜視図であり、図20は、図19のIV-IV'線に沿った断面図であり、図21は、一実施形態による積層型電子部品301を示す断面図であり、図22は、本発明の一実施形態による積層型電子部品が実装された基板3000の断面図を概略的に示す図である。
以下、図19~図22を参照して、本発明の一実施形態による積層型電子部品300及び一実施形態による積層型電子部品301について説明する。但し、本発明の一実施形態及び様々な実施形態による積層型電子部品100、101、102、103、104、104と重複する内容は、重複説明を避けるために省略することができる。
図19~図20を参照すると、本発明の一実施形態による積層型電子部品300は、誘電体層及び上記誘電体層を間に挟んで交互に配置される第1及び第2内部電極を含み、第1方向に対向する第1及び第2面、上記第1及び第2面と連結され、第2方向に対向する第3及び第4面、上記第1~第4面と連結され、第3方向に対向する第5及び第6面を含む本体110と、上記第3面上に配置されて上記第1内部電極と連結される第1接続部331a、上記第1接続部から上記第1面の一部まで延びて配置される第1バンド部331b、及び上記第1接続部から上記第2面の一部まで延びて配置される第3バンド部331cを含む第1下地電極層331と、上記第4面上に配置されて上記第2内部電極と連結される第2接続部332a、上記第2接続部から上記第1面の一部まで延びて配置される第2バンド部332b、及び上記第2接続部から上記第2面の一部まで延びて配置される第4バンド部332cを含む第2下地電極層332と、上記第1接続部上に配置される第1電極層341と、上記第2接続部上に配置される第2電極層342と、上記第1電極層上に配置される第1金属フレーム361と、上記第2電極層上に配置される第2金属フレーム362と、上記第1電極層と上記第1金属フレームとの間、及び上記第2電極層と上記第2金属フレームとの間にそれぞれ配置され、Ag及び樹脂を含む導電性連結部351、352と、を含み、上記第1及び第2下地電極層はCuを含み、上記第1及び第2電極層はAgを含むことができる。
第1下地電極層331は、上記第3面3上に配置されて上記第1内部電極121と連結される第1接続部331a、上記第1接続部から上記第1面1の一部まで延びて配置される第1バンド部331b、及び上記第1接続部から上記第2面2の一部まで延びて配置される第3バンド部331cを含むことができ、第2下地電極層332は、上記第4面4上に配置されて上記第2内部電極122と連結される第2接続部332a、上記第2接続部から上記第1面1の一部まで延びて配置される第2バンド部332b、及び上記第2接続部から上記第2面2の一部まで延びて配置される第4バンド部332cを含むことができる。
また、第1下地電極層331は、第1接続部331aから第5及び第6面5、6の一部まで延びる第1側面バンド部を含むことができ、第2下地電極層332は、第2接続部332aから第5及び第6面の一部まで延びる第2側面バンド部を含むことができる。
但し、第3バンド部、第4バンド部、第1側面バンド部及び第2側面バンド部は、本発明に必須の構成要素でなくてもよい。すなわち、第1下地電極層331は、上記第1接続部331a及び第1バンド部131bを含み、第2下地電極層332は、上記第2接続部332a及び第2バンド部332bを含むことができ、第1及び第2下地電極層331、132は、第2面2に配置されなくてもよく、第5面5及び第6面6にも配置されなくてもよい。
第1及び第2下地電極層331、332はCuを含むことができる。Cuは、内部電極121、122に含まれる金属との電気的連結性に優れる利点がある。
一方、第1及び第2下地電極層331、332はCuを主成分とし、他の材料として電気伝導性に優れた他の金属を含むことができる。例えば、Ni、Pd、Ag、Sn、Cr及びこれらの合金のうち一つ以上をさらに含むことができる。
第1及び第2下地電極層331、332は、Cu及びガラスを含む焼成(firing)電極であってもよく、Cu及び樹脂を含む樹脂系電極であってもよい。
また、第1及び第2下地電極層331、332は、本体上に焼成電極及び樹脂系電極が順次に形成された形態であってもよい。また、第1及び第2下地電極層331、332は、本体上にCuを含むシートを転写する方式で形成されてもよく、焼成電極上にCuを含むシートを転写する方式で形成されたものであってもよい。
本発明の一実施形態によると、第1及び第2下地電極層331、332はCuを含むことにより、内部電極121、122との電気的連結性を向上させることができる。一方、本体110との接着力を向上させ、緻密度を向上させるために、第1及び第2下地電極層331、332はガラスをさらに含むことができる。
第1及び第2電極層341、342は、上記第1及び第2接続部331a、332a上にそれぞれ配置される。第1電極層341は第1接続部331a上に配置され、第2電極層342は第2接続部332a上に配置され、銀(Ag)を含むことができる。これにより、第1及び第2下地電極層がCuを含んでいても、第1及び第2接続部331a、332aの外部露出を遮断してCuの酸化を防止することができる。
従来の場合、高温及び高圧で積層型電子部品の信頼性を確保するために、Cuを含む下地電極層上にAgを含む電極層を形成する試みがあった。この場合、外部の湿気により本体110の表面に沿ってAgイオンマイグレーションが発生する可能性があり、電流漏れによる絶縁抵抗の劣化及び外部電極間の短絡発生を引き起こす可能性がある。
特に、このようなAgイオンマイグレーションは、Agを含む電極層が本体110の表面と接する外部電極のバンド部分の端と隣接した領域で主に発生する。また、金属フレーム361、362を介して基板380に実装されるため、金属フレームなしで基板に実装される場合とは異なり、本体の実装面が外部環境に露出しやすく、本体の実装面においてもAgイオンマイグレーションが容易に発生し得る。
そこで、本発明の一実施形態では、接続部331a、332a上に配置される第1及び第2電極層341、342の配置領域を調節し、バンド部331b、331c、332b、332cとの適切な距離を維持してAgイオンマイグレーションの発生を抑制しようとする。
本発明の一実施形態によると、Agを含む第1及び第2電極層341、342は、Cuを含む下地電極層の第1及び第2接続部331a、332a上にそれぞれ配置されることにより、接続部331a、332aの酸化を防止しながらも、Agイオンマイグレーションの発生を効果的に抑制し、積層型電子部品300の絶縁抵抗の劣化及び短絡の発生を抑制することができる。
Agを含む第1及び第2電極層341、342を接続部331a、332a上に配置し、基板の実装のために導電性接着剤をバンド部331b、331c、332b、332cに形成する場合、第1及び第2電極層341、342で覆われていないバンド部331b、331c、332b、332cの領域に含まれるCuの酸化により実装時に固着強度が低下する可能性がある。
本発明の一実施形態では、第1電極層341上に上記第1金属フレーム361を配置し、第2電極層342上に第2金属フレーム362を配置することにより、上記金属フレーム361、362が導電性接着剤371、372を介して基板の電極パッド391、392に接着されるようにして、バンド部の酸化による固着強度の低下を防止することができる。
一実施形態において、上記第1及び第2電極層341、342は、パラジウム(Pd)、白金(Pt)及び金(Au)のうち一つ以上をさらに含むことができる。これにより、第1及び第2電極層341、342が銀(Ag)のみを含む場合よりも、Agイオンマイグレーションの発生をさらに抑制することができる。
一実施形態において、第1及び第2下地電極層331、332はガラスをさらに含み、上記第1及び第2電極層341、342はガラス及びパラジウム(Pd)をさらに含むことができる。
これにより、下地電極層331、332及び電極層341、342の両方がガラスを含むことで接着力を向上させることができ、第1及び第2電極層341、342がパラジウム(Pd)をさらに含む場合、AgとPdが全率固溶体(isomorphous)を形成するため、Agイオンマイグレーションを効果的に抑制することができる。また、Pdの標準還元電位(+0.915V)はAgの標準還元電位(0.80V)より高いため、第1及び第2下地電極層331、332の酸化をより効果的に防止することができる。
このとき、第1及び第2電極層341、342に含まれるPdの含量は、Ag100モルに対して1モル以上5モル以下であってもよい。
Pdの含量がAg100モルに対して1モル未満である場合には、Agとの全率固溶体を十分に形成することが難しく、Agイオンマイグレーションを抑制する効果が不十分である可能性がある。
これに対し、Pdの含量がAg100モルに対して5モルを超える場合には、一般的にPdの焼結駆動力がAgより高いため、焼結駆動力の差によるブリスター(blister)、放射クラック等が発生するおそれがあり、製造コストが増加する可能性がある。
金属フレーム361、362は、積層型電子部品300と実装基板380との間の間隔を確保することにより、基板からの熱的、機械的ストレスが積層セラミックキャパシタに直接伝達されないようにする役割を果たすことができる。特に、Agを含む電極層を含む本発明の一実施形態のような積層型電子部品300の場合、高温、高圧及び高振動の環境で使用できるため、その効果はさらに顕著になり得る。
第1金属フレーム361は第1電極層341上に配置され、第2金属フレーム362は第2電極層342上に配置されることができる。本発明の一実施形態による積層型電子部品300は、第1及び第2金属フレーム361、362が導電性接着剤371、372を介して基板380上に配置された電極パッド391、392に接着されて積層型電子部品300が実装された基板3000を形成することができる。
金属フレーム361、362を形成する材料は、外部衝撃を吸収し、積層型電子部品300を強く支持できる物質であれば特に限定されない。一実施形態において、上記第1及び第2金属フレームは、Ni、Fe、Cu、Ag、Cr、及びこれらの合金のうち一つ以上を含むことができる。
導電性連結部351、352は、第1電極層341と第1金属フレーム361との間、及び第2電極層342と第2金属フレーム362との間に配置されることができ、電極層と金属フレームとの接着力を向上させる役割を果たすことができる。
上記導電性連結部351、352は、電気的連結性を確保するために導電性物質を含むことができ、外部から伝達される振動を吸収し、電極層341、342と金属フレーム361、362間の接着力を確保するために樹脂を含むことができる。
より好ましくは、導電性物質としてAgを含むことで、Agを含む電極層341、342との電気的連結性をさらに向上させることができ、樹脂としてエポキシ樹脂を含むことで、熱衝撃による抵抗性を向上させることができる。
一実施形態において、上記第1電極層341は、上記第1接続部331aから上記第1及び第3バンド部331b、331c上の一部まで延びて配置され、上記第2電極層342は、上記第2接続部332aから上記第2及び第4バンド部332b、332c上の一部まで延びて配置されることができる。これにより、Agを含む電極層が外部からの水分浸透に脆弱な本体のコーナーを覆うように配置され、積層型電子部品300の耐湿信頼性を向上させることができる。
一方、第1及び第2電極層341、342が、上記第1接続部及び第2接続部341a、342aから第5面及び第6面上の一部まで延びる側面バンド部を含む場合には、上記第1及び第2電極層341、242は、上記側面バンド部上の一部まで延びて配置されることで、積層型電子部品300の耐湿信頼性をさらに向上させることができる。
なお、上記第1及び第2電極層341、342が下地電極層331、332のバンド部331b、331c、332b、332cを覆うように配置される場合、第1及び第2電極層341、342は本体110の表面と接することができる。高温多湿な状態で積層型電子部品300を作動させる場合、本体110の表面が結露する可能性が高くなるため、Agを含む第1及び第2電極層341、342が本体110の表面と接する場合、Agイオンマイグレーションの発生を加速させるおそれがある。
したがって、一実施形態では、上記第1電極層341は、上記第1及び第3バンド部331b、331cの端を覆わないように配置され、上記第2電極層341は、上記第2及び第4バンド部332b、332cの端を覆わないように配置されることにより、上記Agイオンマイグレーションの発生が加速化する現象を抑制することができる。
一実施形態において、上記第1電極層341と上記導電性連結部351とが接する端から上記第1及び第3バンド部331b、331cの端までの第2方向の平均サイズLB、及び上記第2電極層342と上記導電性連結部252とが接する端から上記第2及び第4バンド部332b、332cの端までの第2方向の平均サイズLBは、0.1μm以上0.58μm以下であってもよい。上記LBが0.1μm未満である場合、外部からの水分浸透に脆弱な本体のコーナーを十分に覆うことができず、十分な耐湿信頼性を確保し難くなる可能性があり、上記LBが0.58μmを超える場合、本体110と第1及び第2電極層341、342間の距離が近いため、Agイオンマイグレーションが加速化する現象を抑制し難くなる可能性がある。一実施形態によると、電極層341、342の端から下地電極層のバンド部331b、331c、332b、332c間の第2方向の平均長さを適切に調節して積層型電子部品300の十分な耐湿信頼性を確保しながらも、Agイオンマイグレーションが加速化する現象を抑制することができる。
上記第1電極層341と上記導電性連結部351とが接する端から上記第1及び第3バンド部331b、331cの端までの第2方向の平均サイズLB、及び上記第2電極層342と上記導電性連結部252が接する端から上記第2及び第4バンド部332b、332cの端までの第2方向の平均サイズLBは、本体110を第3方向の中央部において第1及び第2方向に切断した断面(L-T断面)で測定した値であることができ、第1下地電極層331側で測定した値と第2下地電極層332側で測定した値との平均値であることができる。
図21を参照すると、一実施形態による積層型電子部品301の上記第1電極層341'は、上記第1面の延長線E1と上記第2面の延長線E2との間に配置されることができる。これにより、Agを含む第1及び第2電極層341'、342'を下地電極層331、332のバンド部331b、331c、332b、332c上には配置しないことにより、第1及び第2電極層341'、342'と本体110との間の十分な距離を確保することで、Agイオンマイグレーションの発生をより効果的に抑制することができる。
このとき、第1電極層341'と第1金属フレーム361との間及び第2電極層342'と第2金属フレーム362との間に配置される導電性接着剤351'、352'も、上記第1面の延長線E1と上記第2面の延長線E2との間に配置されることができる。これにより、導電性接着剤351'、352'を最小限にして塗布することができるため、Agマイグレーションをより確実に抑制することができ、製造コストを節減することができる。
図22を参照すると、本発明の一実施形態による積層型電子部品300が実装された基板3000は、積層型電子部品300の第1及び第2金属フレーム361、362及び基板380上に配置された電極パッド391、392と導電性接着剤371、372によって接合されることができる。
上記第1及び第2金属フレームと導電性接着剤371、372は導電性金属を含むため電気的導通を確保することができ、導電性接着剤371、372に含まれた樹脂が硬化して電極パッド391、392との接着力を確保することができる。
また、錫(Sn)を含む半田を用いて基板に積層型電子部品を実装する従来の場合と異なり、高温-低温サイクルでも第1及び第2金属フレーム361、362と導電性接着剤371、372に加わる熱衝撃を緩和することにより、積層型電子部品300の固着強度を向上させることができる。
以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明は、上述した実施形態及び添付の図面によって限定されるものではなく、添付の特許請求の範囲によって限定されるものとする。したがって、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から逸脱しない範囲内で、当技術分野における通常の知識を有する者により様々な形態の置換、変形及び変更が可能であり、これも本発明の範囲に属すると言える。
また、本発明で使用される「一実施形態」という表現は、互いに同じ実施形態を意味するものではなく、それぞれ互いに異なる固有の特徴を強調して説明するために提供されたものである。しかし、上記提示された一実施形態は、他の一実施形態の特徴と結合して実現されることを排除しない。例えば、特定の一実施形態で説明した事項が他の一実施形態に説明されていなくても、他の一実施形態においてその事項と反対又は矛盾する説明がない限り、他の一実施形態に係る説明と理解することができる。
本発明で使用される用語は、単に一実施形態を説明するために使用されたものであり、本発明を限定しようとする意図ではない。このとき、単数の表現は、文脈上明らかに異なる意味ではない限り、複数の表現を含む。
100、101、102、103、104、200、201、202、203、204、300、301:積層型電子部品
110:本体
111:誘電体層
112、113:カバー部
114、115:マージン部
121、122:第1及び第2内部電極
131、132、331、332:第1及び第2下地電極層
131a、132a、231a、232a、331a、332a:第1及び第2接続部
131b、132b、331b、332b:第1及び第2バンド部
131c、132c、331c、332c:第3及び第4バンド部
231、232:第1及び第2連結電極
231b、232b:第1及び第2コーナー部
141、142、341、342:第1及び第2電極層
241、242:第1及び第2バンド電極
151、152、251、252:第1及び第2絶縁層
160、260:追加絶縁層
351、352:導電性連結部
361、362:第1及び第2金属フレーム
171、172、271、272、371、372:導電性接着剤
191、192、291、292、391、392:電極パッド
180、280、380:基板
1000、2000、3000:積層型電子部品が実装された基板
110:本体
111:誘電体層
112、113:カバー部
114、115:マージン部
121、122:第1及び第2内部電極
131、132、331、332:第1及び第2下地電極層
131a、132a、231a、232a、331a、332a:第1及び第2接続部
131b、132b、331b、332b:第1及び第2バンド部
131c、132c、331c、332c:第3及び第4バンド部
231、232:第1及び第2連結電極
231b、232b:第1及び第2コーナー部
141、142、341、342:第1及び第2電極層
241、242:第1及び第2バンド電極
151、152、251、252:第1及び第2絶縁層
160、260:追加絶縁層
351、352:導電性連結部
361、362:第1及び第2金属フレーム
171、172、271、272、371、372:導電性接着剤
191、192、291、292、391、392:電極パッド
180、280、380:基板
1000、2000、3000:積層型電子部品が実装された基板
Claims (32)
- 誘電体層及び前記誘電体層を間に挟んで交互に配置される第1及び第2内部電極を含み、第1方向に対向する第1及び第2面、前記第1及び第2面と連結され、第2方向に対向する第3及び第4面、前記第1~第4面と連結され、第3方向に対向する第5及び第6面を含む本体と、
前記第3面上に配置されて前記第1内部電極と連結される第1接続部を含む第1下地電極層と、
前記第4面上に配置されて前記第2内部電極と連結される第2接続部を含む第2下地電極層と、
前記第3面、前記第1面及び前記第2面を含む領域上に配置され、前記第1下地電極層の少なくとも一部を露出するように形成された第1電極層と、
前記第4面、前記第1面及び前記第2面を含む領域上に配置され、前記第2下地電極層の少なくとも一部を露出するように形成された第2電極層と、を含み、
前記第1下地電極層及び前記第2下地電極層はCuを含み、前記第1電極層及び前記第2電極層はAgを含む、積層型電子部品。 - 前記第1下地電極層は、前記第1接続部から前記第1面の一部まで延びて配置される第1バンド部、及び前記第1接続部から前記第2面の一部まで延びて配置される第3バンド部をさらに含み、
前記第2下地電極層は、前記第2接続部から前記第1面の一部まで延びて配置される第2バンド部、及び前記第2接続部から前記第2面の一部まで延びて配置される第4バンド部をさらに含み、
前記第1電極層は前記第1バンド部上に配置され、
前記第2電極層は前記第2バンド部上に配置される、請求項1に記載の積層型電子部品。 - 前記第1電極層は、前記第1バンド部から前記第1接続部の一部まで延びて配置され、
前記第2電極層は、前記第2バンド部から前記第2接続部の一部まで延びて配置される、請求項2に記載の積層型電子部品。 - 前記第1電極層及び前記第2電極層の前記第1方向の最低点から前記第1方向の最高点までの前記第1方向の平均サイズは10μm以上40μm以下である、請求項3に記載の積層型電子部品。
- 前記第1面から前記第1及び第2内部電極のうち、前記第1面に最も近く配置された内部電極までの第1方向の平均サイズをH1、
前記第1面の延長線から前記第1接続部及び前記第2接続部上に配置された第1及び第2電極層の端までの第1方向の平均サイズをH2とするとき、
H1≧H2を満たす、請求項3に記載の積層型電子部品。 - 前記第1面から前記第1及び第2内部電極のうち、前記第1面に最も近く配置された内部電極までの第1方向の平均サイズをH1、
前記第1面の延長線から前記第1接続部及び前記第2接続部上に配置された第1及び第2電極層の端までの第1方向の平均サイズをH2とするとき、
H1<H2を満たす、請求項3に記載の積層型電子部品。 - 前記本体の第1方向の平均サイズをTとするとき、
H2<T/2を満たす、請求項6に記載の積層型電子部品。 - 前記第1下地電極層及び前記第2下地電極層はガラスをさらに含み、
前記第1電極層及び前記第2電極層はガラス及びPdをさらに含む、請求項2に記載の積層型電子部品。 - 前記本体の前記第2方向の平均サイズをL、前記第3面の延長線から前記第1バンド部の端までの前記第2方向の平均サイズをB1、
前記第4面の延長線から前記第2バンド部の端までの前記第2方向の平均サイズをB2とするとき、
0.2≦B1/L≦0.4及び0.2≦B2/L≦0.4を満たす、請求項2に記載の積層型電子部品。 - 前記第1面上に配置され、且つ前記第1電極層と前記第2電極層との間に配置される追加絶縁層をさらに含む、請求項9に記載の積層型電子部品。
- 前記第1接続部上に配置される第1絶縁層、及び前記第2接続部上に配置される第2絶縁層をさらに含む、請求項2に記載の積層型電子部品。
- 前記絶縁層はエポキシ樹脂を含む、請求項11に記載の積層型電子部品。
- 前記第3面上に配置された前記第1下地電極層を第1連結電極、前記第4面上に配置された前記第2下地電極層を第2連結電極、前記第1面上に配置されて前記第1連結電極と連結される前記第1電極層を第1バンド電極、前記第1面上に配置されて前記第2連結電極と連結される前記第2電極層を第2バンド電極とするとき、
前記第1連結電極及び前記第2連結電極はCuを含み、
前記第1バンド電極及び前記第2バンド電極はAgを含む、請求項1に記載の積層型電子部品。 - 前記第1連結電極は、前記第3面上に配置されて前記第1内部電極と連結される第1接続部、並びに前記第1接続部から前記第1面及び第3面を連結するコーナーに延びて配置される第1コーナー部を含み、
前記第2連結電極は、前記第4面上に配置されて前記第1内部電極と連結される第2接続部、並びに前記第2接続部から前記第1面及び第4面を連結するコーナーに延びて配置される第2コーナー部を含み、
前記第1バンド電極は、前記第1コーナー部の少なくとも一部を覆うように延びて配置され、
前記第2バンド電極は、前記第2コーナー部の少なくとも一部を覆うように延びて配置される、請求項13に記載の積層型電子部品。 - 前記第1連結電極は、前記第3面上に配置されて前記第1内部電極と連結される第1接続部、並びに前記第1接続部から前記第1面及び第3面を連結するコーナーに延びて配置される第1コーナー部を含み、
前記第2連結電極は、前記第4面上に配置されて前記第1内部電極と連結される第2接続部、並びに前記第2接続部から前記第1面及び第4面を連結するコーナーに延びて配置される第2コーナー部を含み、
前記第1バンド電極は、前記第1接続部の少なくとも一部を覆うように延びて配置され、
前記第2バンド電極は、前記第2接続部の少なくとも一部を覆うように延びて配置される、請求項13に記載の積層型電子部品。 - 前記第1バンド電極及び前記第2バンド電極の前記第1方向の最低点から前記第1方向の最高点までの前記第1方向の平均サイズは、10μm以上40μm以下である、請求項14に記載の積層型電子部品。
- 前記第1面から前記第1及び第2内部電極のうち、前記第1面に最も近く配置された内部電極までの第1方向の平均サイズをH1、
前記第1面の延長線から前記第1接続部及び前記第2接続部上に配置された第1及び第2バンド電極の端までの第1方向の平均サイズをH2とするとき、
H1≧H2を満たす、請求項15に記載の積層型電子部品。 - 前記第1面から前記第1及び第2内部電極のうち、前記第1面に最も近く配置された内部電極までの第1方向の平均サイズをH1、
前記第1面の延長線から前記第1接続部及び前記第2接続部上に配置された第1及び第2バンド電極の端までの第1方向の平均サイズをH2とするとき、
H1<H2を満たす、請求項15に記載の積層型電子部品。 - 前記本体の第1方向のサイズをTとするとき、
H2<T/2を満たす、請求項18に記載の積層型電子部品。 - 前記第1連結電極及び前記第2連結電極はガラスを含み、
前記第1バンド電極及び前記第2バンド電極はガラス及びPdを含む、請求項13に記載の積層型電子部品。 - 前記本体の上記第2方向のサイズをL、前記第3面の延長線から前記第1バンド電極の端までの前記第2方向の平均サイズをB1、
前記第4面の延長線から前記第2バンド電極の端までの前記第2方向の平均サイズをB2とするとき、
0.2≦B1/L≦0.4及び0.2≦B2/L≦0.4を満たす、請求項13に記載の積層型電子部品。 - 前記第1面上に配置され、且つ前記第1バンド電極と前記第2バンド電極との間に配置される追加絶縁層をさらに含む、請求項21に記載の積層型電子部品。
- 前記第1連結電極上に配置される第1絶縁層、及び前記第2連結電極上に配置される第2絶縁層を含む、請求項13に記載の積層型電子部品。
- 前記絶縁層はエポキシ樹脂を含む、請求項23に記載の積層型電子部品。
- 前記第1下地電極層は、前記第1接続部から前記第1面の一部まで延びて配置される第1バンド部、及び前記第1接続部から前記第2面の一部まで延びて配置される第3バンド部をさらに含み、
前記第2下地電極層は、前記第2接続部から前記第1面の一部まで延びて配置される第2バンド部、及び前記第2接続部から前記第2面の一部まで延びて配置される第4バンド部をさらに含み、
前記第1電極層は前記第1接続部上に配置され、
前記第2電極層は前記第2接続部上に配置され、
前記第1電極層上には第1金属フレームが配置され、
前記第2電極層上には第2金属フレームが配置され、
前記第1電極層と前記第1金属フレームとの間、及び前記第2電極層と前記第2金属フレームとの間には、導電性連結部がそれぞれ配置される、請求項1に記載の積層型電子部品。 - 前記第1電極層は、前記第1接続部から前記第1バンド部及び前記第3バンド部上の一部まで延びて配置され、前記第2電極層は、前記第2接続部から前記第2バンド部及び前記第4バンド部上の一部まで延びて配置される、請求項25に記載の積層型電子部品。
- 前記第1電極層は、前記第1バンド部及び前記第3バンド部の端を覆わないように配置され、
前記第2電極層は、前記第2バンド部及び前記第4バンド部の端を覆わないように配置される、請求項25に記載の積層型電子部品。 - 前記第1電極層と前記導電性連結部とが接する端から前記第1バンド部及び前記第3バンド部の端までの第2方向の平均サイズ、並びに前記第2電極層と前記導電性連結部とが接する端から前記第2バンド部及び前記第4バンド部の端までの第2方向の平均サイズは0.1μm以上0.58μm以下である、請求項26に記載の積層型電子部品。
- 前記第1電極層及び前記第2電極層は、前記第1面の延長線と第2面の延長線との間に配置される、請求項25に記載の積層型電子部品。
- 前記導電性連結部はAg及びエポキシ樹脂を含む、請求項25に記載の積層型電子部品。
- 前記第1金属フレーム及び前記第2金属フレームは、Ni、Fe、Cu、Ag、Cr及びこれらの合金のうち一つ以上を含む、請求項25に記載の積層型電子部品。
- 前記第1下地電極層及び前記第2下地電極層はガラスをさらに含み、
前記第1電極層及び前記第2電極層はガラス及びPdをさらに含む、請求項25に記載の積層型電子部品。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2021-0133382 | 2021-10-07 | ||
KR20210133382 | 2021-10-07 | ||
KR10-2022-0121815 | 2022-09-26 | ||
KR1020220121815A KR20230050233A (ko) | 2021-10-07 | 2022-09-26 | 적층형 전자 부품 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2023056513A true JP2023056513A (ja) | 2023-04-19 |
Family
ID=85798105
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022161647A Pending JP2023056513A (ja) | 2021-10-07 | 2022-10-06 | 積層型電子部品 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20230113834A1 (ja) |
JP (1) | JP2023056513A (ja) |
CN (1) | CN115954206A (ja) |
-
2022
- 2022-10-04 US US17/959,576 patent/US20230113834A1/en active Pending
- 2022-10-06 JP JP2022161647A patent/JP2023056513A/ja active Pending
- 2022-10-08 CN CN202211222249.8A patent/CN115954206A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20230113834A1 (en) | 2023-04-13 |
CN115954206A (zh) | 2023-04-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7301660B2 (ja) | キャパシタ部品 | |
JP7136427B2 (ja) | 積層セラミック電子部品及びその実装基板 | |
US20100202098A1 (en) | Ceramic electronic part | |
KR102294680B1 (ko) | 적층 세라믹 전자부품 | |
KR20190116127A (ko) | 커패시터 부품 | |
CN111243864A (zh) | 多层陶瓷电容器 | |
KR20210134545A (ko) | 적층 세라믹 전자부품 | |
KR20190116121A (ko) | 커패시터 부품 | |
US11776746B2 (en) | Multilayer capacitor | |
CN112992535A (zh) | 多层电子组件 | |
KR20190044036A (ko) | 적층 세라믹 커패시터 및 그 제조방법 | |
CN110620012A (zh) | 多层陶瓷电子组件以及用于多层陶瓷电子组件的安装的板 | |
JP2023070005A (ja) | 積層型キャパシタ | |
JP5724262B2 (ja) | 電子部品 | |
KR20200064860A (ko) | 적층 세라믹 커패시터 | |
JP2023099276A (ja) | 積層型電子部品 | |
JP2023056513A (ja) | 積層型電子部品 | |
KR20190116138A (ko) | 적층형 커패시터 및 그 실장 기판 | |
KR20230050233A (ko) | 적층형 전자 부품 | |
US11469051B2 (en) | Multilayer capacitor and board having the same mounted thereon | |
US20230215653A1 (en) | Multilayer electronic component | |
JP2023101384A (ja) | 積層型電子部品 | |
JP2023099430A (ja) | 積層型電子部品 | |
JP2023099456A (ja) | 積層型電子部品 | |
JP2023099436A (ja) | 積層型電子部品 |