CN115954206A - 多层电子组件 - Google Patents

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Abstract

本公开提供一种多层电子组件。多层电子组件包括：主体，包括介电层和内电极，所述主体具有在第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面、在第二方向上彼此相对的第三表面和第四表面以及在第三方向上彼此相对的第五表面和第六表面；第一基体电极层，设置在第三表面上并包括第一连接部；第二基体电极层，设置在第四表面上并包括第二连接部；第一电极层，设置在包括第三表面、第一表面和第二表面的区域上，使第一基体电极层的至少一部分暴露；以及第二电极层，设置在包括第四表面、第一表面和第二表面的区域上，使第二基体电极层的至少一部分暴露。第一基体电极层和第二基体电极层中的每个包含Cu，第一电极层和第二电极层中的每个包含Ag。

Description

多层电子组件
本申请要求于2021年10月7日在韩国知识产权局提交的第10-2021-0133382号韩国专利申请和于2022年9月26日在韩国知识产权局提交的第10-2022-0121815号韩国专利申请的优先权的权益，所述韩国专利申请的公开内容通过引用被全部包含于此。
技术领域
本公开涉及一种多层电子组件。
背景技术
作为多层电子组件之一的多层陶瓷电容器(MLCC)由于其小尺寸和高容量而成为用于诸如通信、计算机、家用电器和汽车的行业中的重要的片式组件，并且特别地，成为用于诸如移动电话、计算机和数字TV的各种电气装置、电子装置和信息通信装置中的关键的无源元件。此外，随着多层陶瓷电容器用于汽车或信息娱乐系统中，对高可靠性、高强度特性和小型化的需求正在增加。
通常，为了将常规的多层陶瓷电容器安装在基板等上，多层陶瓷电容器的外电极可包括形成在电极层上的镀层。然而，当这样的多层陶瓷电容器安装在高温和高振动环境中的基板上时，锡(Sn)焊料、外电极和基板之间的热膨胀系数的差异可能导致形成焊料裂纹的问题，并且由于高温引起的氧化可能导致接触电阻增加的问题。
为了解决这个问题，已经使用了包括含有铜(Cu)的基体电极层和含有银(Ag)的电极层的外电极结构。当使用这样的外电极时，多层陶瓷电容器可通过使用导电胶(诸如银环氧树脂)代替锡焊接而安装在基板上，因此与通过锡(Sn)焊接安装在基板上的常规的多层陶瓷电容器相比，在高温、高压和高振动环境中具有优异的可靠性。
然而，当包含Ag的外电极在形成电压时暴露于湿气时，可能沿着多层陶瓷电容器的表面发生Ag离子迁移。这样的Ag离子迁移在多层陶瓷电容器的表面上引起漏电流，这是引起多层陶瓷电容器的绝缘电阻劣化或短路缺陷的因素。
因此，即使当外电极包含Ag时，也需要改善外电极的结构，以能够有效抑制Ag离子迁移，从而抑制多层陶瓷电容器的绝缘电阻的劣化和短路缺陷。
发明内容
本公开的一方面可解决如下问题：由于在外电极包含Ag时发生的Ag离子迁移而导致多层电子组件的绝缘电阻劣化或短路缺陷。
本公开的一方面可解决多层电子组件的低防潮可靠性的问题，该问题是由如下原因引起的：当控制包含Ag的电极层的设置区域以解决Ag离子迁移的问题时，包含Cu的基体电极层暴露于外部。
然而，本公开中的目的不限于上面的描述，并且可在描述本公开中的具体示例实施例的过程中被更容易地理解。
根据本公开的一方面，一种多层电子组件可包括：主体，包括介电层、交替设置且所述介电层设置在其间的第一内电极和第二内电极，并且所述主体具有在第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面、连接到所述第一表面和所述第二表面并且在第二方向上彼此相对的第三表面和第四表面以及连接到所述第一表面至所述第四表面并且在第三方向上彼此相对的第五表面和第六表面；第一基体电极层，设置在所述第三表面上并且包括连接到所述第一内电极的第一连接部；第二基体电极层，设置在所述第四表面上并且包括连接到所述第二内电极的第二连接部；第一电极层，设置在包括所述第三表面、所述第一表面和所述第二表面的区域上，并且形成为使所述第一基体电极层的至少一部分暴露；以及第二电极层，设置在包括所述第四表面、所述第一表面和所述第二表面的区域上，并且形成为使所述第二基体电极层的至少一部分暴露，其中，所述第一基体电极层和所述第二基体电极层中的每个包含Cu，并且所述第一电极层和所述第二电极层中的每个包含Ag。
根据本公开的另一方面，一种多层电子组件可包括：主体，包括介电层、交替设置且所述介电层设置在其间的第一内电极和第二内电极，并且所述主体具有在第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面、连接到所述第一表面和所述第二表面并且在第二方向上彼此相对的第三表面和第四表面以及连接到所述第一表面至所述第四表面并且在第三方向上彼此相对的第五表面和第六表面；第一基体电极层，包括设置在所述第三表面上并连接到所述第一内电极的第一连接部、从所述第一连接部延伸到所述第一表面的一部分的第一带部以及从所述第一连接部延伸到所述第二表面的一部分的第三带部；第二基体电极层，包括设置在所述第四表面上并连接到所述第二内电极的第二连接部、从所述第二连接部延伸到所述第一表面的一部分的第二带部以及从所述第二连接部延伸到所述第二表面的一部分的第四带部；第一电极层，设置在所述第一带部上；以及第二电极层，设置在所述第二带部上，其中，所述第一基体电极层和所述第二基体电极层中的每个可包含Cu，并且所述第一电极层和所述第二电极层中的每个可包含Ag。
根据本公开的另一方面，一种多层电子组件可包括：主体，包括介电层、交替设置且所述介电层设置在其间的第一内电极和第二内电极，所述主体具有在第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面、连接到所述第一表面和所述第二表面并且在第二方向上彼此相对的第三表面和第四表面以及连接到所述第一表面至所述第四表面并且在第三方向上彼此相对的第五表面和第六表面；第一连接电极，设置在所述第三表面上；第二连接电极，设置在所述第四表面上；第一带电极，设置在所述第一表面上并连接到所述第一连接电极；以及第二带电极，设置在所述第一表面上并连接到所述第二连接电极，其中，所述第一连接电极和所述第二连接电极中的每个可包含Cu，并且所述第一带电极和所述第二带电极中的每个可包含Ag。
根据本公开的另一方面，一种多层电子组件可包括：主体，包括介电层、交替设置且所述介电层设置在其间的第一内电极和第二内电极，并且所述主体具有在第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面、连接到所述第一表面和所述第二表面并且在第二方向上彼此相对的第三表面和第四表面以及连接到所述第一表面至所述第四表面并且在第三方向上彼此相对的第五表面和第六表面；第一基体电极层，包括设置在所述第三表面上并连接到所述第一内电极的第一连接部、从所述第一连接部延伸到所述第一表面的一部分的第一带部以及从所述第一连接部延伸到所述第二表面的一部分的第三带部；第二基体电极层，包括设置在所述第四表面上并连接到所述第二内电极的第二连接部、从所述第二连接部延伸到所述第一表面的一部分的第一带部以及从所述第二连接部延伸到所述第二表面的一部分的第四带部；第一电极层，设置在所述第一连接部上；第二电极层，设置在所述第二连接部上；第一金属框架，设置在所述第一电极层上；第二金属框架，设置在所述第二电极层上；以及导电连接部，分别设置在所述第一电极层与所述第一金属框架之间以及所述第二电极层与所述第二金属框架之间，其中，所述第一基体电极层和所述第二基体电极层中的每个可包含Cu，并且所述第一电极层和所述第二电极层中的每个可包含Ag。
根据本公开的另一方面，一种多层电子组件可包括：主体，包括介电层以及第一内电极和第二内电极，所述介电层位于所述第一内电极和所述第二内电极之间；第一基体电极层，设置在所述主体上并连接到所述第一内电极；第二基体电极层，设置在所述主体上并连接到所述第二内电极；第一电极层，连接到所述第一基体电极层并且仅覆盖所述第一基体电极层的一部分；以及第二电极层，连接到所述第二基体电极层并且仅覆盖所述第二基体电极层的一部分。所述第一基体电极层和所述第二基体电极层中的每个可包含Cu，并且所述第一电极层和所述第二电极层中的每个可包含Ag。
根据本公开的另一方面，一种多层电子组件可包括：主体，包括介电层以及第一内电极和第二内电极，所述介电层位于所述第一内电极和所述第二内电极之间；第一基体电极层，设置在所述主体上并连接到所述第一内电极；第二基体电极层，设置在所述主体上并连接到所述第二内电极；第一电极层，连接到所述第一基体电极层并且仅覆盖所述第一基体电极层的一部分；以及第二电极层，连接到所述第二基体电极层并且仅覆盖所述第二基体电极层的一部分。第一电极层和第二电极层的主要组分的标准还原电位可大于第一基体电极层和第二基体电极层的主要组分的标准还原电位。
附图说明
通过结合附图的以下具体实施方式，本公开的以上和其他方面、特征和优点将被更清楚地理解，在附图中：
图1是示出根据本公开中的示例实施例的多层电子组件的立体图；
图2是根据图1的多层电子组件的立体图；
图3是沿图1的线I-I'截取的截面图；
图4是沿图1的线II-II'截取的截面图；
图5是示出根据本公开中的示例实施例的多层电子组件的主体的分解立体图；
图6是其上安装有根据本公开中的示例实施例的多层电子组件的基板的示意性截面图；
图7是示出根据本公开中的示例实施例的多层电子组件的截面图；
图8是示出根据本公开中的示例实施例的多层电子组件的截面图；
图9是示出根据本公开中的示例实施例的多层电子组件的截面图；
图10是示出根据本公开中的示例实施例的多层电子组件的截面图；
图11是示出根据本公开中的示例实施例的多层电子组件的立体图；
图12是图11中所示的多层电子组件的立体图；
图13是沿图11的线III-III'截取的截面图；
图14是其上安装有根据本公开中的示例实施例的多层电子组件的基板的示意性截面图；
图15是示出根据本公开中的示例实施例的多层电子组件的截面图；
图16是示出根据本公开中的示例实施例的多层电子组件的截面图；
图17是示出根据本公开中的示例实施例的多层电子组件的截面图；
图18是示出根据本公开中的示例实施例的多层电子组件的截面图；
图19是示出根据本公开中的示例实施例的多层电子组件的分解立体图；
图20是沿图19的线IV-IV'截取的截面图；
图21是示出根据本公开中的示例实施例的多层电子组件的截面图；以及
图22是其上安装有根据本公开中的示例实施例的多层电子组件的基板的示意性截面图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图详细描述示例实施例。然而，示例实施例可以以各种其他形式修改，并且本公开的范围不限于下面将描述的示例实施例。此外，提供示例实施例以向本领域技术人员更完整地说明本公开。在附图中，为了清楚起见，可夸大形状和尺寸，并且将始终使用相同的附图标记来指示相同或相似的组件。
为了清楚地说明本公开，将在附图中省略与描述无关的部件，并且为了便于描述，对附图中所示的每个组件的尺寸和厚度进行了适应性调整，因此，本公开不必然局限于所示的每个组件的尺寸和厚度。此外，在本公开的范围内，在整个附图中，相似的附图标记将用于指示具有类似功能的相似的组件。此外，在整个说明书中，除非有明确的相反描述，否则“包含”任何组件将被理解为暗示包括其他要素而不是排除任何其他要素。
在附图中，第一方向可被定义为厚度方向，第二方向可被定义为长度方向，并且第三方向可被定义为宽度方向。
图1是示出根据本公开中的示例实施例的多层电子组件100的立体图。
图2是根据图1的多层电子组件的立体图。
图3是沿图1的线I-I'截取的截面图。
图4是沿图1的线II-II'截取的截面图。
图5是示出根据本公开中的示例实施例的多层电子组件的主体的分解立体图。
图6是其上安装有根据本公开中的示例实施例的多层电子组件的基板1000的示意性截面图。
在下文中，将参照图1至图6描述根据示例实施例的多层电子组件100。
根据本公开的一方面，多层电子组件100可包括：主体110，包括介电层111、可交替地设置且介电层111设置在它们之间的第一内电极121和第二内电极122，并且主体110具有在第一方向上彼此相对的第一表面1和第二表面2、可连接到第一表面1和第二表面2并且在第二方向上彼此相对的第三表面3和第四表面4以及可连接到第一表面1至第四表面4并且在第三方向上彼此相对的第五表面5和第六表面6；第一基体电极层131，设置在第三表面3上并包括连接到第一内电极121的第一连接部131a；第二基体电极层132，设置在第四表面4上并包括连接到第二内电极122的第二连接部132a；第一电极层141，设置在包括第三表面3、第一表面1和第二表面2的区域上并且形成为使第一基体电极层131的至少一部分暴露；以及第二电极层142，设置在包括第四表面4、第一表面1和第二表面2的区域上，并且形成为使第二基体电极层132的至少一部分暴露。第一基体电极层131和第二基体电极层132中的每个包含Cu，并且第一电极层141和第二电极层142中的每个包含作为主要组分的Ag。
主体110可包括介电层111以及交替堆叠在主体110中的内电极121和122。
主体110的形状可不受特别限制，但是如图1中所示，主体110的形状可以是六面体形状或类似于六面体形状的形状。尽管由于在烧结工艺中包含在主体110中的陶瓷颗粒的收缩，主体110不具有具有完美直线的六面体形状，但是主体110可具有大体上六面体形状。
主体110可具有在第一方向上彼此相对的第一表面1和第二表面2、连接到第一表面1和第二表面2并且在第二方向上彼此相对的第三表面3和第四表面4以及连接到第一表面1和第二表面2、连接到第三表面3和第四表面4并且在第三方向上彼此相对的第五表面5和第六表面6。
在示例性实施例中，主体110具有连接第一表面1和第三表面3的第1-3角部、连接第一表面1和第四表面4的第1-4角部、连接第二表面2和第三表面3的第2-3角部以及连接第二表面2和第四表面4的第2-4角部，其中，随着第1-3角部和第2-3角部接近第三表面3，第1-3角部和第2-3角部可具有朝向主体110的在第一方向上的中央收缩的形状，并且随着第1-4角部和第2-4角部接近第四表面4，第1-4角部和第2-4角部可具有朝向主体110的在第一方向上的中央收缩的形状。
由于在内电极121和122以及介电层111的层叠体中，内电极121和122没有设置在介电层111的边缘区域上，因此由于内电极121和122的厚度而产生高度差，使得当从第一表面1或第二表面2观察时，连接第一表面1与第三表面3的角部、连接第一表面1与第四表面4的角部、连接第一表面1与第五表面5的角部、连接第一表面1与第六表面6的角部和/或连接第二表面2与第三表面3的角部、连接第二表面2与第四表面4的角部、连接第二表面2与第五表面5的角部、连接第二表面2与第六表面6的角部可具有朝向主体110的在第一方向上的中央收缩的形状。可选地，通过烧结工艺期间主体110的收缩行为，当从第一表面1或第二表面2观察时，连接第一表面1与第三表面3的角部、连接第一表面1与第四表面4的角部、连接第一表面1与第五表面5的角部、连接第一表面1与第六表面6的角部和/或连接第二表面2与第三表面3的角部、连接第二表面2与第四表面4的角部、连接第二表面2与第五表面5的角部、连接第二表面2与第六表面6的角部可具有朝向主体110的在第一方向上的中央收缩的形状。可选地，当执行单独的工艺以对连接主体110的每个表面的角部进行倒圆角以防止碎裂缺陷等时，连接第一表面1与第三表面3的角部、连接第一表面1与第四表面4的角部、连接第一表面1与第五表面5的角部、连接第一表面1与第六表面6的角部和/或连接第二表面2与第三表面3的角部、连接第二表面2与第四表面4的角部、连接第二表面2与第五表面5的角部、连接第二表面2与第六表面6的角部可具有圆角形状。
角部可包括连接第一表面1与第三表面3的第1-3角部、连接第一表面1与第四表面4的第1-4角部、连接第二表面2与第三表面3的第2-3角部以及连接第二表面2与第四表面4的第2-4角部。另外，角部可包括连接第一表面1与第五表面5的第1-5角部、连接第一表面1与第六表面6的第1-6角部、连接第二表面2与第五表面5的第2-5角部以及连接第二表面2与第六表面6的第2-6角部。主体110的第一表面1至第六表面6可以是大体上平坦的表面，并且非平坦区域可被视为角部。在下文中，每个表面的延长线可指相对于每个表面的平坦部分延伸的线。
在这种情况下，在基体电极层131和132中，设置在主体110的角部上的区域可被称为角部部分，并且设置在主体110的第三表面3和第四表面4上的区域可被称为连接部，并且设置在第一表面1和第二表面2上的区域可被称为带部。
另外，为了抑制由于内电极121和122引起的高度差，在切割层叠体以使内电极暴露于电容形成部Ac的在第三方向(宽度方向)上的两侧之后，在电容形成部Ac(下面将描述)的在第三方向(宽度方向)上的两侧上堆叠单个介电层或者两个或更多个介电层以形成边缘部114和115，在这种情况下，连接第一表面1与第五表面5的部分和连接第一表面1与第六表面6的部分以及连接第二表面2与第五表面5的部分和连接第二表面2与第六表面6的部分可不具有收缩形状。
形成主体110的多个介电层111可处于烧结状态，并且相邻的介电层111可彼此一体化，使得在不使用扫描电子显微镜(SEM)的情况下它们之间的边界不容易区分。
根据本公开中的示例实施例，用于形成介电层111的原材料可不受特别限制，只要可获得足够的电容即可。例如，可使用钛酸钡基材料、铅复合钙钛矿基材料、钛酸锶基材料等。钛酸钡基材料可包括BaTiO3基陶瓷粉末，并且BaTiO3基陶瓷粉末的示例可包括BaTiO3以及其中钙(Ca)、锆(Zr)等部分固溶于BaTiO3等中的(Ba1-xCax)TiO3(0<x<1)、Ba(Ti1-yCay)O3(0<y<1)、(Ba1-xCax)(Ti1-yZry)O3(0<x<1，0<y<1)和Ba(Ti1-yZry)O3(0<y<1)。
另外，根据本公开的目的，可通过将各种陶瓷添加剂、有机溶剂、粘合剂、分散剂等添加到诸如钛酸钡(BaTiO3)粉末的粉末中来制备介电层111的原材料。
主体110可包括：形成电容的电容形成部Ac，电容形成部Ac包括设置在主体110中并且设置为彼此相对且介电层111设置在其间的第一内电极121和第二内电极122；以及覆盖部112和113，设置在电容形成部Ac上方和下方。
另外，电容形成部Ac是对形成电容器的电容作出贡献的部分，并且可通过重复堆叠多个第一内电极121和多个第二内电极122且使介电层111介于第一内电极121和第二内电极122之间来形成。
覆盖部112和113可包括在第一方向上设置在电容形成部Ac上方的上覆盖部112和在第一方向上设置在电容形成部Ac下方的下覆盖部113。
上覆盖部112和下覆盖部113可通过在第一方向上分别在电容形成部Ac的上表面和下表面上堆叠单个介电层或者两个或更多个介电层来形成，并且可基本上用于防止由于物理应力或化学应力而引起的对内电极的损坏。
上覆盖部112和下覆盖部113不包括内电极，并且可包括与介电层111的材料相同的材料。
也就是说，上覆盖部112和下覆盖部113可包含陶瓷材料，诸如钛酸钡(BaTiO3)基陶瓷材料。
另外，边缘部114和115可设置在电容形成部Ac的侧表面上。
边缘部114和115可包括设置在主体110的第五表面5上的第一边缘部114和设置在主体110的第六表面6上的第二边缘部115。也就是说，边缘部114和115可设置在主体110的在宽度方向上的两个侧表面上。
如图4中所示，边缘部114和115可指如下区域：在主体110的宽度-厚度方向上的截面中，第一内电极121和第二内电极122的两端与主体110的外表面之间的区域。
边缘部114和115可基本上用于防止由于物理应力或化学应力引起的对内电极的损坏。
边缘部114和115可通过如下方式形成：在形成内电极时，将导电膏涂覆到陶瓷生片的除了将形成边缘部的部分之外的部分上。
另外，为了抑制由于内电极121和122引起的台阶差，堆叠其上涂覆有用于形成内电极的导电膏的陶瓷生片，切割堆叠的陶瓷生片以使内电极暴露于电容形成部Ac的在第三方向(宽度方向)上的两侧，在电容形成部Ac的在第三方向(宽度方向)上的两侧上堆叠单个介电层或者两个或更多个介电层，以形成边缘部114和115。
内电极121和122与介电层111交替堆叠。
内电极121和122可包括第一内电极121和第二内电极122。第一内电极121和第二内电极122可交替地设置为彼此相对，并且构成主体110的介电层111介于第一内电极121和第二内电极122之间，并且第一内电极121和第二内电极122可分别暴露于主体110的第三表面3和第四表面4。
参照图3，第一内电极121可与第四表面4间隔开并且通过第三表面3暴露，第二内电极122可与第三表面3间隔开并且通过第四表面4暴露。第一基体电极层131可设置在主体110的第三表面3上并连接到第一内电极121，并且第二基体电极层132可设置在主体110的第四表面4上并连接到第二内电极122。
也就是说，第一内电极121可不连接到第二基体电极层132，而是可连接到第一基体电极层131，并且第二内电极122可不连接到第一基体电极层131并且可连接到第二基体电极层132。因此，第一内电极121可形成为与第四表面4间隔开预定距离，并且第二内电极122可形成为与第三表面3间隔开预定距离。
在这种情况下，第一内电极121和第二内电极122可通过设置在其间的介电层111彼此电绝缘。
主体110可通过如下方式形成：交替堆叠其上印刷有用于形成第一内电极121的导电膏的陶瓷生片和其上印刷有用于形成第二内电极122的的导电膏的陶瓷生片，然后烧结层叠的陶瓷生片。
用于形成内电极121和122的材料可不受特别限制，并且可使用具有优异的导电性的材料。例如，内电极121和122可包含镍(Ni)、铜(Cu)、钯(Pd)、银(Ag)、金(Au)、铂(Pt)、锡(Sn)、钨(W)、钛(Ti)及它们的合金中的至少一种。
此外，内电极121和122可通过在陶瓷生片上印刷用于形成内电极的导电膏来形成，该导电膏包含镍(Ni)、铜(Cu)、钯(Pd)、银(Ag)、金(Au)、铂(Pt)、锡(Sn)、钨(W)、钛(Ti)及它们的合金中的至少一种。印刷用于形成内电极的导电膏的方法可以是丝网印刷法、凹版印刷法等，但是本公开不限于此。
第一基体电极层131和第二基体电极层132可设置在主体110的外部。在本示例性实施例中描述了多层电子组件100包括两个基体电极层的结构，但是基体电极层131和132的数量、形状等可根据内电极121和122的形状或其他目的而改变。
第一基体电极层131可设置在第三表面3上并且可包括连接到第一内电极121的第一连接部131a，并且第二基体电极层132可设置在第四表面4上并且可包括连接到第二内电极122的第二连接部132a。
然而，本公开不限于这样的结构：第一基体电极层131和第二基体电极层132仅分别设置在第三表面3和第四表面4上，并且不设置在主体110的其他表面上。
也就是说，第一基体电极层131还可包括：第一带部131b，设置为从第一连接部131a延伸到第一表面1的一部分；以及第三带部131c，设置为从第一连接部131a延伸到第二表面2的一部分。第二基体电极层132还可包括：第二带部132b，设置为从第二连接部132a延伸到第一表面1的一部分；以及第四带部132c，设置为从第二连接部132a延伸到第二表面2的一部分。
另外，第一基体电极层131还可包括从第一连接部131a延伸到第五表面5的一部分和第六表面6的一部分的第一侧带部，并且第二基体电极层132还可包括从第二连接部132a延伸到第五表面5的一部分和第六表面6的一部分的第二侧带部。
如上所述，第三带部131c、第四带部132c、第一侧带部和第二侧带部可不是本公开的必要组件。也就是说，多层电子组件100可不包括第三带部131c、第四带部132c、第一侧带部和第二侧带部中的任何一者，或者可包括第三带部131c、第四带部132c、第一侧带部和第二侧带部中的至少一者。例如，第一基体电极层131包括第一连接部131a和第一带部131b，并且第二基体电极层132包括第二连接部132a和第二带部132b，即，第一基体电极层131和第二基体电极层132不设置在第二表面2上，并且也不设置在第五表面5和第六表面6上。
第一基体电极层131和第二基体电极层132可包含Cu。Cu具有如下优点：与包含在内电极121和122中的金属具有优异的电连接性。
另外，第一基体电极层131和第二基体电极层132中的每个可包含作为主要组分的Cu和作为其他组分、具有优异的导电性的其他金属。例如，第一基体电极层131和第二基体电极层132中的每个还可包含Ni、Pd、Ag、Sn、Cr及它们的合金中的一种或更多种。
第一基体电极层131和第二基体电极层132中的每个可以是包含Cu和玻璃的烧结电极，或者可以是包含Cu和树脂的树脂基电极。
另外，第一基体电极层131和第二基体电极层132中的每个可以是在主体110上顺序形成的烧结电极和树脂基电极的形式。另外，第一基体电极层131和第二基体电极层132中的每个可通过将包含Cu的片转印到主体110上或通过将包含Cu的片转印到烧结电极上来形成。
根据本公开中的示例实施例，第一基体电极层131和第二基体电极层132可包含Cu，从而改善与内电极121和122的电连接性。另外，第一基体电极层131和第二基体电极层132还可包含玻璃，以改善对主体110的粘合性并提高密度。
第一电极层141可设置在包括第三表面3、第一表面1和第二表面2的区域上，并且可形成为使第一基体电极层131的至少一部分暴露。第二电极层142可设置在包括第四表面4、第一表面1和第二表面2的区域上，并且可形成为使第二基体电极层132的至少一部分暴露。
可改变形成第一电极层141和第二电极层142的方法以使第一基体电极层131的至少一部分和第二基体电极层132的至少一部分暴露。
例如，第一电极层141可设置在第一带部131b上并且第二电极层142可设置在第二带部132b上，以使第一基体电极层131的没有设置第一电极层141的至少一部分和第二基体电极层132的没有设置第二电极层142的至少一部分暴露。
作为另一示例，如稍后将描述的根据实施例的多层电子组件200、201、202、203和204中，如果设置在第三表面3上的第一基体电极层131被称为第一连接电极231，并且设置在第四表面4上的第二基体电极层132被称为第二连接电极232，则第一电极层141可设置在第一表面1上并且可连接到第一连接电极231以形成第一带电极241，并且第二电极层142可设置在第一表面1上并且可连接到第二连接电极232以形成第二带电极242，以分别使第一连接电极231的没有被第一带电极241覆盖的至少一部分和第二连接电极232的没有被第二带电极242覆盖的至少一部分暴露。
作为另一示例，如在稍后将描述的根据实施例的多层电子组件300和301中，第一基体电极层331还可包括：第一带部331b，设置为从第一连接部331a延伸到第一表面1的一部分；第三带部331c，设置为从第一连接部331a延伸到第二表面2的一部分，并且第二基体电极层332还可包括：第二带部332b，设置为从第二连接部332a延伸到第一表面1的一部分；以及第四带部332c，设置为从第二连接部332a延伸到第二表面2的一部分。第一电极层341可设置在第一连接部331a上，并且第二电极层342可设置在第二连接部332a上，以分别使第一基体电极层331的没有设置第一电极层341的至少一部分和第二基体电极层332的没有设置第二电极层342的至少一部分暴露。
第一电极层141和第二电极层142中的每个可包含Ag。第一电极层141和第二电极层142中的每个可以是包含Ag和玻璃的烧结电极，或者可以是通过镀覆形成的Ag镀层。
第一电极层141和第二电极层142中的每个包含与第一基体电极层131和第二基体电极层132中包含的主要组分(例如，Cu)相比具有更大的标准还原电位的主要组分(例如，Ag)，因此，可用于防止第一基体电极层131和第二基体电极层132被氧化并防止湿气渗透。
另外，由于多层电子组件100可通过包含导电金属和树脂的导电粘合剂171和172安装在安装基板180上，因此可解决在高温和低温循环中由于外电极和焊料之间的热膨胀系数的差异而发生焊料裂纹的问题。
然而，当在第一基体电极层131和第二基体电极层132上形成包含银(Ag)的第一电极层141和第二电极层142时，可能沿着主体110的表面发生Ag离子迁移。因此，由于多层电子组件100的漏电流，绝缘电阻可能劣化，并且在基体电极层131和132之间或在具有不同极性的电极层141和142之间可能发生短路。
在高温和高湿度环境中，湿气或污染物存在于多层电子组件100的表面上的可能性会增加。当在这种状态下施加电压时，固溶在正极中的金属离子移动到负极，因此可能在负极处发生沉淀。随着反应继续，金属枝晶(metal dendrites)沿着主体110的表面从负极生长到正极，这种现象被称为离子迁移。
特别地，众所周知最容易发生离子迁移的金属导体是Ag。当外电极包含Ag或单独使用Ag时，Ag离子迁移可能更容易发生在主体110的表面上。
由于Ag离子迁移发生在主体110的在外电极之间的表面上，因此主体110的表面上的绝缘层被漏电流破坏，因此多层电子组件100的绝缘电阻可能减小并且电极之间可能发生短路，从而对多层电子组件100的可靠性具有致命影响。
另外，众所周知，控制Ag离子迁移的生长速率的主要因素是电压和湿度。随着远离多层电子组件的安装表面，暴露于外部环境的可能性可能增加，并且与空气接触的面积可能增加，因此多层电子组件可能更多地受到湿气的影响。因此，随着远离多层电子组件的安装表面，Ag离子迁移倾向于在多层电子组件中更强烈地发生。
因此，通过控制设置有包含Ag的第一电极层141和第二电极层142的位置和区域，本公开将确保多层电子组件在高温和高湿环境中的可靠性，同时使Ag离子迁移的发生最小化。
根据本公开中的示例实施例，包含银(Ag)的第一电极层141和第二电极层142可设置在第一带部131b和第二带部132b上。
由于第一电极层141设置在第一带部131b上并且第二电极层142设置在第二带部132b上，因此可有效地抑制当在如下情况下时可能发生的Ag离子迁移：第一电极层141和第二电极层142分别设置在第一基体电极层131和第二基体电极层132的整个表面上。另外，可减小设置第一电极层141和第二电极层142的区域，因此，可减少包含Ag的膏的涂覆量，从而降低多层电子组件100的制造成本。
如上所述，由于Ag离子迁移倾向于在远离多层电子组件100的安装表面的方向(第一方向)上更强烈地发生，因此在本公开中的示例实施例(包含Ag的电极层设置在靠近安装表面的第一带部131b和第二带部132b上)的情况下，抑制Ag离子迁移的效果可更显著。
因此，可通过包含导电金属和树脂的导电粘合剂171和172将包含Ag的电极层141和142安装在安装基板180上，同时使设置有电极层141和142的区域最小化。因此，可抑制Ag离子迁移的发生，以防止绝缘电阻的劣化和短路，防止包含Cu的第一基体电极层131和第二基体电极层132的氧化，并且通过使用包含导电金属和树脂的导电粘合剂进行安装来防止粘合强度的降低。
控制Ag离子迁移的生长速率的其他因素之一可以是电极层的组分。已知最可能发生离子迁移的金属为Ag，并且当第一电极层141和第二电极层142仅由Ag形成时，当Ag在电极层内部部分地冷凝时，或者当Ag的含量过量时，Ag离子迁移可能更强烈地发生。
在示例实施例中，第一基体电极层131和第二基体电极层132中的每个还可包含玻璃，并且第一电极层141和第二电极层142中的每个还可包含玻璃和钯(Pd)。
由于第一电极层141和第二电极层142包含玻璃，因此可改善与包含玻璃的基体电极层131和132的粘合性。
当第一电极层141和第二电极层142还包含钯(Pd)时，Ag和Pd形成同晶体，从而有效地抑制Ag离子迁移。另外，由于Pd的标准还原电位(+0.915V)高于Ag的标准还原电位(+0.80V)，因此可更有效地防止第一基体电极层131和第二基体电极层132被氧化。
在这种情况下，相对于100mol的Ag，包含在第一电极层141和第二电极层142中的Pd的含量可大于等于1mol且小于等于5mol。
当相对于100mol的Ag，Pd的含量小于1mol时，难以与Ag充分形成同晶体，因此抑制Ag离子迁移的效果可能不足。
另一方面，当相对于100mol的Ag，Pd的含量大于5mol时，由于Pd的烧结驱动力通常高于Ag的烧结驱动力，因此由于烧结驱动力的差异可能发生气泡、辐射裂纹等，因此可能增加制造成本。
另外，第一基体电极层131和第二基体电极层132以及第一电极层141和第二电极层142的组分可通过使用扫描电子显微镜-能量色散X射线光谱仪(SEM-EDS)观察到的图像获得。具体地，在将多层电子组件抛光到其在宽度方向(第三方向)上的中央位置以使其在该中央位置处的长度和厚度方向截面暴露之后，在基体电极层和电极层在厚度方向或长度方向上被分成5个相等部分的区域中的中央区域中，可通过使用SEM-EDS来测量包含在基体电极层和电极层中的各种元素的类型以及各种元素的含量(相对于100mol的总元素)。
另外，当通过包含导电金属和树脂的导电粘合剂171和172安装多层电子组件100时，有必要充分地确保导电粘合剂171和172与第一电极层141和第二电极层142之间的接触面积以确保粘合强度。
在示例实施例中，第一电极层141可设置在第一带部131b上并且设置为从第一带部131b延伸到第一连接部131a的一部分，并且第二电极层142可设置在第二带部132b上并且设置为从第二带部132b延伸到第二连接部132a的一部分，以充分地确保导电粘合剂171和172与第一电极层141和第二电极层142之间的接触面积，从而提高多层电子组件100的粘合强度。
在示例实施例中，第一电极层141和第二电极层142在第一方向上从第一方向上的最低点到第一方向上的最高点的平均尺寸TB1可大于等于10μm且小于等于40μm。当TB1小于10μm时，第一电极层141和第二电极层142可能不足以覆盖第一带部131b和第二带部132b，因此可能难以充分地确保粘合强度，并且当TB1超过40μm时，第一电极层141和第二电极层142过度地形成在第一连接部131a和第二连接部132a上，因此可能难以抑制Ag离子迁移的发生。
从类似的角度来看，在示例实施例中，当在第一方向上从第一表面1到第一内电极121和第二内电极122中的设置为最靠近第一表面1的内电极的平均尺寸为H1，并且在第一方向上从第一表面1的延长线分别到第一电极层141的设置在第一连接部131a上的端部和第二电极层142的设置在第二连接部132a上的端部的平均尺寸为H2时，可满足H1≥H2。也就是说，由于第一电极层141和第二电极层142设置在如下区域中：该区域位于设置在最下端的第一内电极121和第二内电极122下方，因此可有效地抑制Ag离子迁移，同时充分地确保粘合强度。
另外，从第一电极层141和第二电极层142在第一方向上的最低点到第一电极层141和第二电极层142在第一方向上的最高点的平均尺寸TB1可以是通过如下方法获得的值：在主体110的在第三方向上的中部沿第一方向和第二方向截取的截面中，对在第一电极层141侧测量的值和在第二电极层142侧测量的值取平均数。
在示例实施例中，介电层111的平均厚度td和内电极121和122的平均厚度te可满足td>2×te。也就是说，根据示例性实施例，介电层111的平均厚度td可大于内电极121和122中的每个(或内电极121和122中的一个)的平均厚度te的两倍。
通常，在高压电气组件中，在高电压环境下由于击穿电压的降低引起的可靠性问题是重要的。在根据示例性实施例的多层电子组件中，介电层111的平均厚度td可被设定为大于内电极121和122中的每个(或内电极121和122中的一个)的平均厚度te的两倍，以防止在高电压环境下击穿电压的降低，从而改善击穿电压的特性。当介电层111的平均厚度td小于等于内电极121和122中的每个(或内电极121和122中的一个)的平均厚度te的两倍时，介电层的厚度(即内电极之间的距离)可能小，使得击穿电压可能降低。
内电极的平均厚度te可小于1μm，介电层的平均厚度td可小于2.8μm。然而，内电极的平均厚度te和介电层的平均厚度td不必局限于此。
介电层111的平均厚度td和内电极的平均厚度te可通过如下方法测量：用放大倍数为10000倍的扫描电子显微镜(SEM)扫描主体110的在长度方向和厚度方向上的截面以获得扫描图像，然后，在扫描图像中沿长度方向在相等间距的30个点处分别测量一个介电层和一个内电极的厚度值并分别取平均值。可在电容形成部(Ac)中指定所述相等间距的30个点。另外，当通过将平均值的测量扩展到10个介电层和10个内电极来测量平均值时，可使介电层的平均厚度和内电极的平均厚度更具有一般性。
参照图6，在其上安装有根据本公开中的示例实施例的多层电子组件100的基板1000中，多层电子组件100的第一电极层141和第二电极层142可通过导电粘合剂171和172结合到设置在安装基板180上的电极焊盘191和192。
由于根据本公开中的示例实施例的第一电极层141和第二电极层142包含银(Ag)，因此电极层141和142以及导电粘合剂171和172可确保导电性，并且包含在导电粘合剂171和172中的树脂可固化以确保与安装基板180的粘合性。
另外，与使用包含锡(Sn)的焊料将多层电子组件安装在安装基板上的情况不同，当根据本示例实施例的多层电子组件100安装在安装基板180上时，通过即使在高温循环中也能够缓解施加到电极层141和142以及导电粘合剂171和172的热冲击，可提高多层电子组件100的粘合强度。
包含在导电粘合剂171和172中的导电金属的类型没有特别限制，并且可包含例如金属(诸如Ag或Au)。
在示例实施例中，包含在导电粘合剂171和172中的树脂可以是环氧树脂。环氧树脂的热膨胀系数小于焊料的热膨胀系数，因此，可抑制由于热膨胀和热收缩(由高温环境中的温度变化所引起)导致的裂纹。在通过包含锡(Sn)的焊料将多层电子组件安装在安装基板上的传统情况下，由于在高温-低温循环中外电极和焊料之间的热膨胀系数的差异导致的应力，可能发生焊料裂纹。然而，根据本公开中的示例实施例，由于导电粘合剂171和172包含树脂，因此可减小第一电极层141和第二电极层142与导电粘合剂171和172之间的热膨胀系数的差异，因此可解决导电粘合剂中出现裂纹的问题。另外，通过包含环氧树脂，导电粘合剂可根据其含量在室温下容易地固化或者热固化，并且可确保优异的粘合性。
在示例实施例中，包含在导电粘合剂171和172中的树脂的类型的示例可包含环氧树脂，但是本公开不限于此，并且可使用聚氨酯、硅树脂、聚酰亚胺树脂、酚醛树脂和聚酯基热固性树脂。
图7是示出根据示例实施例的多层电子组件101的截面图。
参照图7，在根据示例实施例的多层电子组件101中，当在第一方向上从第一表面1到第一内电极121和第二内电极122中设置为最靠近第一表面1的内电极的平均尺寸为H1，并且在第一方向上从第一表面1的延长线分别到第一电极层141的设置在第一连接部131a上的端部和第二电极层142的设置在第二连接部132a上的端部的平均尺寸为H2时，可满足H1<H2。
当包含Cu的第一基体电极层131和第二基体电极层132中未被包含Ag的第一电极层141和第二电极层142覆盖的部分暴露于外部时，这些部分可能容易受来自外部的湿气渗透的影响。特别地，在第一基体电极层131和第二基体电极层132是利用导电膏形成的烧结电极的情况下，当在第一连接部131a和第二连接部132a的厚度(第二方向上的尺寸)薄的区域中发生Cu的氧化时，第一连接部131a和第二连接部132a可能是来自外部的湿气的主要渗透路径。
根据示例实施例的多层电子组件101，通过满足H1<H2，第一电极层141和第二电极层142设置为延伸到第一连接部131a和第二连接部132a的厚度(第二方向上的尺寸)薄的区域，因此，可阻挡来自外部的湿气的主要渗透路径，因此可提高多层电子组件101的防潮可靠性。
另外，如上所述，Ag离子迁移倾向于从多层电子组件101的安装表面朝向远离安装表面的方向(第一方向)更强烈地发生。因此，当包含Ag的第一电极层141和第二电极层142形成为在主体110的第一方向上过度延伸时，通过在第一带部131b和第二带部132b上分别形成第一电极层141和第二电极层142来抑制Ag离子迁移的发生的效果可能不足。在这种情况下，当主体110在第一方向上的平均尺寸为T时，通过满足H2<T/2，包含Ag的第一电极层141和第二电极层142没有在第一方向上过度形成，因此可充分确保抑制Ag离子迁移发生的效果。也就是说，H1、H2和T可满足H1<H2<T/2。在这种情况下，第一电极层141和第二电极层142均没有延伸到第二表面2。另外，在第二方向上，第一电极层141至多与第一内电极121的一部分和第二内电极122的一部分叠置，并且第二电极层142至多与第一内电极121的一部分和第二内电极122的一部分叠置。
H1和H2可以是通过如下方法获得的值：对在主体110的在第三方向上的中部沿第一方向和第二方向切割的截面中测量的值取平均数。H1可以是通过如下方法获得的值：在所述截面中，对在第二方向上的任意点处测量的设置为最靠近第一表面1的内电极与第一表面1之间的距离取平均数，H2可以是基于电极层的设置在连接部上的端部测量的值，并且可以是通过如下方法获得的值：对在第一电极层141侧测量的值和在第二电极层142侧测量的值取平均数。在这种情况下，在测量H1和H2时用作参照线的第一表面1的延长线E1可相同。
另外，类似地，主体110在第一方向上的平均尺寸T可以是通过如下方法获得的值：在主体110的在第三方向上的中部沿第一方向和第二方向截取的截面中，测量从第一表面1的延长线E1到第二表面2的延长线E2在第一方向上的平均尺寸。
控制设置有第一电极层141和第二电极层142的区域的方法不受特别限制。在形成第一基体电极层131和第二基体电极层132之后，可通过如下方法来形成第一电极层141和第二电极层142：将第一带部131b和第二带部132b交替地浸入包含Ag的导电膏中，干燥第一带部131b和第二带部132b，然后在约600℃的温度下烧结第一带部131b和第二带部132b。在这种情况下，可通过控制主体110的浸没深度来控制设置有第一电极层141和第二电极层142的区域，但是本公开不限于此。
图8是示出根据示例实施例的多层电子组件102的截面图。
参照图8，根据示例实施例的多层电子组件102可包括设置在第一连接部131a上的第一绝缘层151和设置在第二连接部132a上的第二绝缘层152。
第一绝缘层151和第二绝缘层152可分别设置在第一连接部131a和第二连接部132a上，以用于防止包含在第一基体电极层131和第二基体电极层132中的Cu的氧化，并提高多层电子组件102的弯曲强度。
第一绝缘层151可设置在第一连接部131a上并可延伸到第三带部131c上，并且第二绝缘层152可设置在第二连接部132a上并可延伸到第四带部132c上。因此，可进一步改善多层电子组件102的弯曲强度和密封特性。为了显著改善多层电子组件102的密封特性，可优选的是，如图8中所示，第一绝缘层151设置为覆盖第三带部131c的远离第一连接部131a的端部，并且第二绝缘层152设置为覆盖第四带部132c的远离第二连接部132a的端部，但是本公开不限于此。
第一绝缘层151和第二绝缘层152可利用可改善多层电子组件102的密封特性和弯曲强度的材料形成，以具有足够的强度来保护多层电子组件102免受由外部热或振动引起的应力。例如，第一绝缘层151和第二绝缘层152可包含从诸如环氧树脂、丙烯酸树脂和乙基纤维素的材料中选择的一种或更多种，并且还可包含玻璃。
另外，第一绝缘层151和第二绝缘层152可包含单个组分或多个组分，并且优选地，可包含从TiO2、BaTiO3、Al2O3、SiO2、BaO等中选择的一种或更多种作为添加剂，以改善与主体110的粘合性或者与第一基体电极层131和第二基体电极层132的粘合性。
形成第一绝缘层151和第二绝缘层152的方法可根据它们的组分和用途而变化。例如，第一绝缘层151和第二绝缘层152可通过如下方式形成：在主体110上设置第一基体电极层131和第二基体电极层132，将第一基体电极层131和第二基体电极层132顺序地浸入绝缘膏中，使用刮板使浸在第一基体电极层131和第二基体电极层132上的绝缘膏形成绝缘膜，然后干燥第一基体电极层131和第二基体电极层132。另外，第一绝缘层151和第二绝缘层152可通过溶胶-凝胶处理、化学气相沉积(CVD)、原子层沉积(ALD)等形成，但是本公开不限于此，并且第一绝缘层151和第二绝缘层152也可通过能够形成薄且均匀的绝缘层的其他方法形成。
另外，第一绝缘层151和第二绝缘层152的组分可通过使用扫描电子显微镜-能量色散X射线光谱仪(SEM-EDS)观察到的图像获得。具体地，在将多层电子组件抛光到其在宽度方向(第三方向)上的中央位置以使其在该中央位置处的长度和厚度方向截面暴露之后，在第一绝缘层151和第二绝缘层152在厚度方向或长度方向上被分成5个相等部分的区域中的中央区域中，可通过使用SEM-EDS来测量包含在第一绝缘层151和第二绝缘层152中的各种元素的类型以及各种元素的含量(相对于100mol的总元素)。另外，包含在绝缘层中的树脂的类型可通过使用气相色谱-质谱(GC-MS)分析来区分。
图9是示出根据示例实施例的多层电子组件103的截面图。
参照图9，在根据示例实施例的多层电子组件103中，当主体110在第二方向上的平均尺寸为L，主体110在第二方向上从第三表面3的延长线E3到第一带部131b'的远离第一连接部131a'的端部的平均尺寸为B1，并且主体110在第二方向上从第四表面4的延长线E4到第二带部132b'的远离第二连接部132a'的端部的平均尺寸为B2时，可满足0.2≤B1/L≤0.4和0.2≤B2/L≤0.4。
当B1/L和B2/L小于0.2时，可能难以充分确保粘合强度。另一方面，当B2/L超过0.4时，可能存在在高压电流下在第一电极层141和第二电极层142之间产生漏电流的风险，并且还可能存在第一电极层141和第二电极层142在安装期间通过导电粘合剂的扩散而电连接的风险。
B1、B2和L可以是在如下截面中测量的值：在主体110的在第三方向上的中部沿第一方向和第二方向截取的截面。特别地，主体110在第二方向上的平均尺寸L可对应于第三表面3的延长线E3和第四表面4的延长线E4之间在第二方向上的平均尺寸。
参照图9，根据示例实施例的多层电子组件103还可包括设置在第一表面1上且设置在第一电极层141和第二电极层142之间的附加绝缘层160。因此，可防止在高压电流下可能在第一电极层141和第二电极层142之间发生的漏电流等。
附加绝缘层160的类型不需要特别限制。例如，附加绝缘层160可像第一绝缘层151和第二绝缘层152一样包含环氧树脂。然而，附加绝缘层160的材料不必局限于与第一绝缘层151和第二绝缘层152的材料相同的材料，并且可利用与第一绝缘层151和第二绝缘层152的材料不同的材料形成。
参照图9，根据示例实施例的多层电子组件103的第一基体电极层131'可包括第一连接部131a'、第一带部131b'和第三带部131c'，并且第二基体电极层132'可包括第二连接部132a'、第二带部132b'和第四带部132c'。在这种情况下，在第二方向上，第一带部131b'和第二带部132b'可比第三带部131c'和第四带部132c'长。因此，可通过确保安装面积以降低多层电子组件103中的基体电极层131'和132'的比例以提高每单位体积容量，并且同时可提高多层电子组件103的粘合强度。
图10是示出根据示例实施例的多层电子组件104的截面图。
参照图10，根据示例实施例的多层电子组件104的第一基体电极层131”可包括第一连接部131a和第一带部131b，并且第二基体电极层132”可包括第二连接部132a和第二带部132b。也就是说，与多层电子组件100不同，多层电子组件104可具有L形状的基体电极层，该L形状的基体电极层不包括第三带部131c和第四带部132c。因此，可通过使多层电子组件104中第一基体电极层131”和第二基体电极层132”的比例最小化来进一步提高多层电子组件104的每单位体积容量。
图11是示出根据本公开中的示例实施例的多层电子组件200的立体图。
图12是图11中所示的多层电子组件的立体图。
图13是沿图11的线III-III'截取的截面图。
图14示意性地示出了其上安装有根据本公开中的示例实施例的多层电子组件的基板2000的截面图。
在下文中，将参照图11至图14描述根据本公开中的示例实施例的多层电子组件200。然而，可省略与根据示例实施例的多层电子组件100、101、102、103和104的内容重复的内容，以避免重复描述。
根据本公开中的示例实施例的多层电子组件200可包括：主体110，包括介电层111、交替设置且介电层111设置在其间的第一内电极121和第二内电极122，并且主体110具有在第一方向上彼此相对的第一表面1和第二表面2、连接到第一表面1和第二表面2并且在第二方向上彼此相对的第三表面3和第四表面4以及连接到第一表面1至第四表面4并且在第三方向上彼此相对的第五表面5和第六表面6；第一连接电极231，设置在第三表面3上；第二连接电极232，设置在第四表面4上；第一带电极241，设置在第一表面1上并连接到第一连接电极231；以及第二带电极242，设置在第一表面1上并连接到第二连接电极232。第一连接电极231和第二连接电极232中的每个可包含Cu，并且第一带电极241和第二带电极242中的每个可包含作为主要组分的Ag。
第一连接电极231可设置在第三表面3上并连接到第一内电极121，并且第二连接电极232可设置在第四表面4上并连接到第二内电极122。
第一连接电极231可包括设置在第三表面3上的第一连接部231a和设置为从第一连接部231a延伸到连接第一表面1和第三表面3的角部C1的第一角部231b，并且第二连接电极232可包括设置在第四表面4上的第二连接部232a和设置为从第二连接部232a延伸到连接第一表面1和第四表面4的角部C2的第二角部232b。
通常，为了形成外电极，主要使用将主体的内电极所暴露到的表面浸入包含导电金属的膏中的方法。然而，在通过浸渍法形成的外电极时，外电极在厚度方向上的中部中的厚度可能太厚。另外，即使根据浸渍法不存在外电极的厚度不均匀的问题，由于内电极暴露于主体的第三表面和第四表面，为了抑制湿气和镀液通过外电极的渗透，设置在第三表面和第四表面上的外电极的厚度也可形成为大于等于特定水平。
根据本公开中的示例实施例的连接电极231和232可具有比通过传统的浸渍法形成的外电极更加均匀且更薄的厚度。
例如，可通过将包含导电金属、诸如粘合剂的有机材料等的片转印到第三表面3和第四表面4来形成连接电极231和232，但是本公开不限于此，并且可通过在第三表面3和第四表面4上镀覆导电金属来形成连接电极231和232。也就是说，连接电极231和232可以是镀层或者通过烧结导电金属形成的烧结层。
连接电极231和232的厚度没有特别限制，但是可以是例如2μm至7μm。这里，连接电极231和232的厚度可指最大厚度，并且可指连接电极231和232在第二方向上的尺寸。
第一连接电极231和第二连接电极232可包含Cu。Cu具有如下优点：与包含在内电极121和122中的金属具有优异的电连接性。
另外，第一连接电极231和第二连接电极232可包含作为主要组分的Cu和作为其他组分、具有优异的导电性的其他金属。例如，第一连接电极231和第二连接电极232还可包含Ni、Pd、Ag、Sn、Cr和它们的合金中的一种或更多种。
另外，第一连接电极231和第二连接电极232还可包含玻璃，以改善与主体110的粘合性并提高密度。
第一带电极241和第二带电极242可设置在主体110的第一表面1上。第一带电极241和第二带电极242可分别接触第一连接电极231和第二连接电极232，并且因此分别电连接到第一内电极121和第二内电极122。
由于通过传统的浸渍法形成的外电极厚厚地形成在第三表面和第四表面上，并且部分地延伸到第一表面、第二表面、第五表面和第六表面，因此存在难以确保高的有效体积比的问题。
然而，根据本公开中的示例实施例，第一连接电极231和第二连接电极232设置在主体110的内电极暴露于其的表面上，并且第一带电极241和第二带电极242设置在安装表面(即，第一表面1)上，因此可确保高的有效体积比。
另外，当沿第一方向堆叠内电极121和122时，多层电子组件200可水平地安装在安装基板280上，使得内电极121和122平行于安装表面。然而，本公开不限于水平安装，并且当沿第三方向堆叠内电极时，多层电子组件可竖直地安装在安装基板上，使得内电极垂直于安装表面。
第一带电极241和第二带电极242中的每个可包含Ag。例如，第一带电极241和第二带电极242可以是包含Ag和玻璃的烧结电极，并且可通过将包含Ag和玻璃的膏涂覆到主体110的第一表面1的方法形成，但是本公开不限于此，并且第一带电极241和第二带电极242可以是Ag镀层，其中Ag镀覆在主体110的第一表面1上。
在本公开中的示例实施例中，通过使第一带电极241和第二带电极242包含Ag，可改善与包含导电金属和树脂的导电粘合剂271和272的粘合性，因此可提高安装基板280和多层电子组件200之间的粘合强度。
由于第一带电极241和第二带电极242包含与第一连接电极231和第二连接电极232中包含的主要组分(例如，Cu)相比具有更大的标准还原电位的主要组分(例如，Ag)，因此第一带电极241和第二带电极242可用于防止第一连接电极231和第二连接电极232被氧化并防止湿气渗透。
另外，由于根据本公开中的示例实施例的多层电子组件可通过包含导电金属和树脂的导电粘合剂安装在安装基板上，因此可解决如下问题：在高温和低温循环中由于外电极和焊料之间的热膨胀系数的差异而发生焊料裂纹。
然而，当包含Ag的第一带电极241和第二带电极242分别形成在第一连接电极231和第二连接电极232上时，可能沿着主体110的表面发生Ag离子迁移。因此，由于多层电子组件200的漏电流，绝缘电阻可能劣化，并且在具有不同极性的连接电极231和232之间可能发生短路。
由于Ag离子迁移发生在主体110的在外电极之间的表面上，因此主体110的表面上的绝缘层被漏电流破坏，因此多层电子组件200的绝缘电阻可能减小并且电极之间可能发生短路，从而对多层电子组件200的可靠性具有致命影响。
如上所述，离多层电子组件200的安装表面越远，Ag离子迁移倾向于发生得越强烈。
因此，在示例实施例中，包含Ag的第一带电极241和第二带电极242设置在主体110的第一表面1上，并且可控制第一带电极241和第二带电极242的区域以确保多层电子组件200在高温高湿环境中的可靠性，同时使Ag离子迁移的发生最小化。
根据本公开中的示例实施例，包含Cu的第一连接电极231和第二连接电极232可分别设置在主体110的第三表面3和第四表面4上以确保导电性，并且包含Ag的第一带电极241和第二带电极242可设置在第一表面1上以通过包含导电金属和树脂的导电粘合剂271和272安装在安装基板280上。
另外，由于包含Ag的第一带电极241和第二带电极242设置在第一表面1上，因此可抑制在多层电子组件200的主体110的表面上发生Ag离子迁移。
如上所述，由于Ag离子迁移倾向于从多层电子组件200的安装表面朝向远离安装表面的方向(第一方向)更强烈地发生，因此通过将第一带电极241和第二带电极242设置在第一表面1上，这样的抑制Ag离子迁移的效果可更显著。
另外，如上所述，在第一带电极241和第二带电极242仅利用Ag形成的情况下，当Ag在带电极中部分地冷凝时或者当Ag的含量过量时，Ag离子迁移可能更强烈地发生。
然而，在示例实施例中，第一连接电极231和第二连接电极232还可包含玻璃，并且第一带电极241和第二带电极242还可包含玻璃和钯(Pd)。
因此，当第一带电极241和第二带电极242还包含钯(Pd)时，Ag和Pd可形成同晶体，因此可有效地抑制Ag离子迁移。另外，由于Pd的标准还原电位(+0.915V)高于Ag的标准还原电位(+0.80V)，因此可更有效地防止第一连接电极231和第二连接电极232被氧化。另外，由于连接电极231和232以及带电极241和242都包含玻璃，从而改善粘合性。
在这种情况下，相对于100mol的Ag，包含在第一带电极241和第二带电极242中的Pd的含量可大于等于1mol且小于等于5mol。
当相对于100mol的Ag，Pd的含量小于1mol时，难以与Ag充分形成同晶体，因此抑制Ag离子迁移的效果可能不足。
另一方面，当相对于100mol的Ag，Pd的含量大于5mol时，由于Pd的烧结驱动力通常高于Ag的烧结驱动力，因此由于烧结驱动力的差异可能发生气泡、辐射裂纹等，因此可能增加制造成本。
在示例实施例中，第一连接电极231可包括：第一连接部231a，设置在第三表面3上并连接到第一内电极121；以及第一角部231b，设置为从第一连接部231a延伸到连接第一表面1和第三表面3的角部C1。第二连接电极232可包括：第二连接部232a，设置在第四表面4上并连接到第二内电极122；以及第二角部232b，设置为从第二连接部232a延伸到连接第一表面1和第四表面4的角部C2。第一带电极241可设置为延伸以覆盖第一角部231b的至少一部分，并且第二带电极242可设置为延伸以覆盖第二角部232b的至少一部分。因此，连接到第一内电极121的第一连接电极231和连接到第二内电极122的第二连接电极232可分别连接到第一带电极241和第二带电极242，以确保导电性并使其中设置有包含Ag的第一带电极241和第二带电极242的区域最小化，因此可有效地抑制Ag离子迁移。
参照图14，在其上安装有根据本公开中的示例实施例的多层电子组件200的基板2000中，多层电子组件200的第一带电极241和第二带电极242可通过导电粘合剂271和272结合到设置在安装基板280上的电极焊盘291和292。
由于第一带电极241和第二带电极242包含Ag，因此带电极241和242以及导电粘合剂271和272可确保导电性，并且包含在导电粘合剂271和272中的树脂可被固化以确保与安装基板280的粘合性。
另外，与使用包含锡(Sn)的焊料将多层电子组件安装在安装基板上的传统情况不同，通过即使在高温循环中也能够缓解施加到带电极241和242以及导电粘合剂271和272的热冲击，可提高多层电子组件200的粘合强度。
用于基板2000的导电粘合剂271和272的组分和效果可与用于基板1000的导电粘合剂171和172的组分和效果相同。
图15是示出根据示例实施例的多层电子组件201的截面图。
当通过包含导电金属和树脂的导电粘合剂271和272安装多层电子组件201时，有必要充分地确保导电粘合剂271和272与第一带电极241和第二带电极242之间的接触面积以确保粘合强度。
参照图15，根据示例实施例的多层电子组件201的第一带电极241可被设置为延伸以覆盖第一连接部231a的至少一部分，并且第二带电极242可被设置为延伸以覆盖第二连接部232a的至少一部分。因此，可通过充分确保导电粘合剂271和272与第一带电极241和第二带电极242之间的接触面积来提高多层电子组件201的粘合强度。
在示例实施例中，第一带电极241和第二带电极242在第一方向上从第一方向上的最低点到第一方向上的最高点的平均尺寸TB2可大于等于10μm且小于等于40μm。当TB2小于10μm时，第一带电极241和第二带电极242可能不足以覆盖第一角部231b和第二角部232b，因此可能难以充分地确保电连接性，并且当TB2超过40μm时，第一带电极241和第二带电极242过度地形成在第一连接部231a和第二连接部232a上，因此可能难以抑制Ag离子迁移的发生。
从类似的角度来看，在示例实施例中，当在第一方向上从第一表面1到第一内电极121和第二内电极122中设置为最靠近第一表面1的内电极的平均尺寸为H1，并且在第一方向上从第一表面1的延长线E1分别到第一带电极241的设置在第一连接部231a上的端部和第二带电极242的设置在第二连接部232a上的端部的平均尺寸为H2时，可满足H1≥H2。也就是说，由于第一带电极241和第二带电极242设置在如下区域中：该区域位于设置在最下端的内电极的下方，因此可有效地抑制Ag离子迁移，同时充分地确保电连接性。
另外，平均尺寸TB2是从第一带电极241和第二带电极242中的每个在第一方向上的最低点到第一带电极241和第二带电极242中的每个在第一方向上的最高点的平均尺寸，并且可以是通过如下方式获得的值：在主体110的在第三方向上的中部沿第一方向和第二方向截取的截面中，对在第一带电极241侧测量的值和在第二带电极242侧测量的值取平均数。
图16是示出根据示例实施例的多层电子组件202的截面图。
参照图16，在根据示例实施例的多层电子组件202中，当在第一方向上从第一表面1到第一内电极121和第二内电极122中设置为最靠近第一表面1的内电极的平均尺寸为H1，并且在第一方向上从第一表面1的延长线E1分别到第一带电极241的设置在第一连接部231a上的端部和第二带电极242的设置在第二连接部232a上的端部的平均尺寸为H2时，可满足H1<H2。
如上所述，由于主体110的角部是在烧结工艺期间发生收缩的区域，因此介电微结构不致密，因此主体110的角部可能是湿气渗透的主要路径。根据示例实施例的多层电子组件202，通过将第一带电极241和第二带电极242设置在第一内电极121和第二内电极122中位于最下端的内电极上方，可更可靠地防止湿气通过主体的角部渗透，因此可提高多层电子组件202的防潮可靠性。
另外，如上所述，Ag离子迁移倾向于从多层电子组件202的安装表面朝向远离安装表面的方向(第一方向)更强烈地发生。因此，当包含Ag的第一带电极241和第二带电极242形成为在主体110的第一方向上过度延伸时，通过在主体110的第一表面1上设置第一带电极241和第二带电极242来抑制Ag离子迁移的发生的效果可能不足。在这种情况下，当主体110在第一方向上的平均尺寸为T时，通过满足H2<T/2，包含Ag的第一带电极241和第二带电极242没有在第一方向上过度形成，因此可充分确保抑制Ag离子迁移的发生的效果。也就是说，H1、H2和T可满足H1<H2<T/2。
H1和H2可以是通过如下方法获得的值：对在主体110的在第三方向上的中部沿第一方向和第二方向切割的截面中测量的值取平均数。H1可以是通过如下方法获得的值：在所述截面中，对在第二方向上的任意点处测量的设置为最靠近第一表面1的内电极与第一表面1之间的距离取平均数，H2可以是基于带电极的设置在连接部上的端部测量的值，并且可以是通过如下方法获得的值：对在第一带电极241侧测量的值和在第二带电极242侧测量的值取平均数。在这种情况下，在测量H1和H2时用作参照线的第一表面1的延长线E1可相同。
图17是示出根据示例实施例的多层电子组件203的截面图。
参照图17，根据示例实施例的多层电子组件203可包括设置在第一连接电极231上的第一绝缘层251和设置在第二连接电极232上的第二绝缘层252。
第一绝缘层251和第二绝缘层252可分别设置在第一连接电极231和第二连接电极232上，以用于防止包含在第一连接电极231和第二连接电极232中的Cu的氧化，并提高多层电子组件203的弯曲强度。
第一绝缘层251可设置在第一连接部231a上并接触第一带电极241，并且第二绝缘层252可设置在第二连接部232a上并接触第二带电极242。因此，可进一步改善多层电子组件203的弯曲强度和密封特性。为了显著改善多层电子组件203的密封特性，第一绝缘层251和第二绝缘层252优选地设置为延伸到第二表面2的一部分，但不限于此。
另外，第一绝缘层251和第二绝缘层252的组分和形成方法可与根据上述示例实施例的多层电子组件102的第一绝缘层151和第二绝缘层152相同。
图18是示出根据示例实施例的多层电子组件204的截面图。
参照图18，在根据示例实施例的多层电子组件204中，当主体110在第二方向上的平均尺寸为L，主体110在第二方向上从第三表面3的延长线E3到第一带电极241'的远离第一连接部231a的端部的平均尺寸为B1，并且主体110在第二方向上从第四表面4的延长线E4到第二带电极242'的远离第二连接部232a的端部的平均尺寸为B2时，可满足0.2≤B1/L≤0.4和0.2≤B2/L≤0.4。
当B1/L和B2/L小于0.2时，可能难以充分确保粘合强度。另一方面，当B2/L超过0.4时，可能存在在高压电流下在第一带电极241'和第二带电极242'之间产生漏电流的风险，以及第一带电极241'和第二带电极242'在安装期间通过导电粘合剂等的扩散而电连接的风险。
B1、B2和L可以是在如下截面中测量的值：主体110的在第三方向上的中部沿第一方向和第二方向截取的截面。特别地，主体110在第二方向上的平均尺寸L可对应于第三表面3的延长线E3和第四表面4的延长线E4之间在第二方向上的平均尺寸。
参照图18，根据示例实施例的多层电子组件204还可包括设置在第一表面1上且设置在第一带电极241'和第二带电极242'之间的附加绝缘层260。因此，可防止在高压电流下可能在第一带电极241'和第二带电极242'之间发生的漏电流等。
图19是示出根据本公开中的示例实施例的多层电子组件300的分解立体图。
图20是沿图19的线IV-IV'截取的截面图。
图21是示出根据示例实施例的多层电子组件301的截面图。
图22示意性地示出了其上安装有根据本公开中的示例实施例的多层电子组件的基板3000的截面图。
在下文中，将参照图19至图22描述根据本公开中的示例实施例的多层电子组件300和根据示例实施例的多层电子组件301。然而，可省略与根据示例实施例的多层电子组件100、101、102、103和104的内容重复的内容，以避免重复描述。
参照图19和图20，根据本公开中的示例实施例的多层电子组件300可包括：主体110，包括介电层111、交替设置且介电层111设置在其间的第一内电极121和第二内电极122，并且主体110具有在第一方向上彼此相对的第一表面1和第二表面2、连接到第一表面1和第二表面2并且在第二方向上彼此相对的第三表面3和第四表面4以及连接到第一表面1至第四表面4并且在第三方向上彼此相对的第五表面5和第六表面6；第一基体电极层331，包括设置在第三表面3上并连接到第一内电极121的第一连接部331a、设置为从第一连接部331a延伸到第一表面1的一部分的第一带部331b以及设置为从第一连接部331a延伸到第二表面2的一部分的第三带部331c；第二基体电极层332，包括设置在第四表面4上并连接到第二内电极122的第二连接部332a、设置为从第二连接部332a延伸到第一表面1的一部分的第二带部332b以及设置为从第二连接部332a延伸到第二表面2的一部分的第四带部332c；第一电极层341，设置在第一连接部331a上；第二电极层342，设置在第二连接部332a上；第一金属框架361，设置在第一电极层341上；第二金属框架362，设置在第二电极层342上；以及导电连接部351和352，导电连接部351设置在第一电极层341和第一金属框架361之间，并且导电连接部352设置在第二电极层342和第二金属框架362之间。第一基体电极层331和第二基体电极层332中的每个可包含Cu，并且第一电极层341和第二电极层342中的每个可包含作为主要组分的Ag。
第一基体电极层331可包括设置在第三表面3上并连接到第一内电极121的第一连接部331a、设置为从第一连接部331a延伸到第一表面1的一部分的第一带部331b以及设置为从第一连接部331a延伸到第二表面2的一部分的第三带部331c。第二基体电极层332可包括设置在第四表面4上并连接到第二内电极122的第二连接部332a、设置为从第二连接部332a延伸到第一表面1的一部分的第二带部332b以及设置为从第二连接部332a延伸到第二表面2的一部分的第四带部332c。
另外，第一基体电极层331可包括从第一连接部331a延伸到第五表面5的一部分和第六表面6的一部分的第一侧带部，并且第二基体电极层332可包括从第二连接部332a延伸到第五表面5的一部分和第六表面6的一部分的第二侧带部。
然而，第三带部331c、第四带部332c、第一侧带部和第二侧带部可不是本公开的必要组件。也就是说，多层电子组件300可不包括第三带部331c、第四带部332c、第一侧带部和第二侧带部中任何一者，或者可包括第三带部331c、第四带部332c、第一侧带部和第二侧带部中的至少一者。例如，第一基体电极层331可包括第一连接部331a和第一带部331b，并且第二基体电极层332可包括第二连接部332a和第二带部332b，即，第一基体电极层331和第二基体电极层332不设置在第二表面2上，并且不设置在第五表面5和第六表面6上。
第一基体电极层331和第二基体电极层332可包含Cu。Cu具有如下优点：与包含在内电极121和122中的金属具有优异的电连接性。
另外，第一基体电极层331和第二基体电极层332可包含作为主要组分的Cu和作为其他组分、具有优异的导电性的其他金属。例如，第一基体电极层331和第二基体电极层332还可包含Ni、Pd、Ag、Sn、Cr及它们的合金中的一种或更多种。
第一基体电极层331和第二基体电极层332可以是包含Cu和玻璃的烧结电极，或者可以是包含Cu和树脂的树脂基电极。
另外，第一基体电极层331和第二基体电极层332中的每个可以是在主体110上顺序地形成烧结电极和树脂基电极的形式。另外，第一基体电极层331和第二基体电极层332中的每个可通过将包含Cu的片转印到主体110上或者通过将包含Cu的片转印到烧结电极上来形成。
根据本公开中的示例实施例，第一基体电极层331和第二基体电极层332可包含Cu，从而改善与内电极121和122的电连接性。另外，第一基体电极层331和第二基体电极层332还可包含玻璃，以改善对主体110的粘合性并提高密度。
第一电极层341和第二电极层342分别设置在第一连接部331a和第二连接部332a上。第一电极层341可设置在第一连接部331a上，并且第二电极层342可设置在第二连接部332a上，并且可均包含银(Ag)。因此，即使第一基体电极层331和第二基体电极层332包含Cu，也可通过防止第一连接部331a和第二连接部332a暴露于外部来防止Cu被氧化。
在相关技术中，为了确保多层电子组件在高温高压下的可靠性，已经尝试在包含Cu的基体电极层上形成包含Ag的电极层。在这种情况下，由于外部湿气，可能沿着主体110的表面发生Ag离子迁移，这可能由于漏电流而导致绝缘电阻的劣化和外电极之间的短路。
特别地，这样的Ag离子迁移主要发生在与外电极的带部的端部相邻的区域中，在该区域中，包含Ag的电极层与主体110的表面接触。另外，由于多层电子组件300通过金属框架361和362安装在安装基板380上，因此与多层电子组件在不使用金属框架的安装在安装基板上的情况不同，主体的安装表面容易暴露于外部环境，因此Ag离子迁移可能容易发生在主体的安装表面上。
因此，在本公开的示例实施例中，控制设置在连接部331a和332a上的第一电极层341和第二电极层342的设置区域，并且保持与带部331b、331c、332b和332c的适当距离以抑制Ag离子迁移的发生。
根据本公开中的示例实施例，包含Ag的第一电极层341和第二电极层342可分别设置在包含Cu的第一基体电极层331的第一连接部331a和包含Cu的第二基体电极层332的第二连接部332a上，以有效地抑制Ag离子迁移的发生，同时防止连接部331a和332a的氧化，因此可抑制多层电子组件300的绝缘电阻的劣化和短路的发生。
当包含Ag的第一电极层341和第二电极层342分别设置在连接部331a和332a上，并且导电粘合剂形成在用于安装基板380的带部331b、331c、332b、332c上时，由于包含在带部331b、331c、332b和332c的未被第一电极层341和第二电极层342覆盖的区域中的Cu的氧化，在安装期间粘合强度可能降低。
在本公开的示例实施例中，通过将第一金属框架361设置在第一电极层341上并且将第二金属框架362设置在第二电极层342上，金属框架361和362可通过导电粘合剂371和372粘合到安装基板380的电极焊盘391和392，以防止由于带部的氧化而导致的粘合强度的降低。
在示例实施例中，第一电极层341和第二电极层342还可包含钯(Pd)、铂(Pt)和金(Au)中的一种或更多种。因此，与第一电极层341和第二电极层342仅包含银(Ag)的情况相比，可进一步抑制Ag离子迁移的发生。
在示例实施例中，第一基体电极层331和第二基体电极层332还可包含玻璃，并且第一电极层341和第二电极层342还可包含玻璃和钯(Pd)。
因此，基体电极层331和332以及电极层341和342都包含玻璃以改善粘合性，并且当第一电极层341和第二电极层342还包含钯(Pd)时，Ag和Pd可形成同晶体，因此可有效地抑制Ag离子迁移。另外，由于Pd的标准还原电位(+0.915V)高于Ag的标准还原电位(+0.80V)，因此可更有效地防止第一基体电极层331和第二基体电极层332被氧化。
在这种情况下，相对于100mol的Ag，包含在第一电极层341和第二电极层342中的Pd的含量可大于等于1mol且小于等于5mol。
当相对于100mol的Ag，Pd的含量小于1mol时，难以与Ag充分形成同晶体，因此抑制Ag离子迁移的效果可能不足。
另一方面，当相对于100mol的Ag，Pd的含量大于5mol时，由于Pd的烧结驱动力通常高于Ag的烧结驱动力，因此由于烧结驱动力的差异可能发生气泡、辐射裂纹等，因此可能增加制造成本。
金属框架361和362可用于通过确保多层电子组件300和安装基板380之间的间隙来防止来自安装基板380的热应力和机械应力直接传递到多层电子组件300。特别地，由于根据本公开中的示例性实施例的包括含有Ag的电极层的多层电子组件300可在高温、高压和高振动环境中使用，因此效果可更显著。
第一金属框架361可设置在第一电极层341上，并且第二金属框架362可设置在第二电极层342上。在根据本公开中的示例实施例的多层电子组件300中，第一金属框架361和第二金属框架362可通过导电粘合剂371和372与设置在安装基板380上的电极焊盘391和392接触，以形成其上安装有多层电子组件300的基板3000。
形成金属框架361和362的材料没有特别限制，只要是能够吸收外部冲击并强力支撑多层电子组件300的材料即可。在示例实施例中，第一金属框架361和第二金属框架362中的每个可包含Ni、Fe、Cu、Ag、Cr及它们的合金中的一种或更多种。
导电连接部351和352可分别设置在第一电极层341和第一金属框架361之间以及第二电极层342和第二金属框架362之间，并且可用于改善电极层和金属框架之间的粘合性。
导电连接部351和352可包含导电材料以确保电连接性，并且可包含树脂以吸收从外部传递的振动，并确保电极层341和342与金属框架361和362之间的粘合。
更优选地，Ag可作为导电材料而被包含在导电连接部351和352中以进一步改善与包含Ag的电极层341和342的电连接性，并且可通过包含环氧树脂作为树脂来改善由于热冲击引起的阻抗。
在示例实施例中，第一电极层341可设置为从第一连接部331a延伸到第一带部331b的一部分和第三带部331c的一部分，并且第二电极层342可设置为从第二连接部332a延伸到第二带部332b的一部分和第四带部332c的一部分。因此，可设置包含Ag的电极层以覆盖主体的容易受来自外部的湿气渗透的角部，从而提高多层电子组件300的防潮可靠性。
另外，当第一基体电极层331和第二基体电极层332分别包括从第一连接部331a和第二连接部332a分别延伸到第五表面5的一部分和第六表面6的一部分的侧带部时，第一电极层341和第二电极层342可设置为延伸到侧带部上的一部分，从而进一步提高多层电子组件300的防潮可靠性。
另外，当第一电极层341和第二电极层342设置为覆盖基体电极层331和332的带部331b、331c、332b和332c时，第一电极层341和第二电极层342可能与主体110的表面接触。当多层电子组件300在高温和高湿状态下操作时，由于主体110的表面冷凝的可能性可能增加，因此当包含Ag的第一电极层341和第二电极层342与主体110的表面接触时，存在加速Ag离子迁移的风险。
因此，在示例实施例中，第一电极层341可设置为不覆盖第一带部331b和第三带部331c，并且第二电极层342可设置为不覆盖第二带部332b和第四带部332c，从而抑制Ag离子迁移加速的现象。
在示例实施例中，从第一电极层341与第一带部331b和第三带部331c相交的端部分别到第一带部331b的远离第一连接部331a的端部和第三带部331c的远离第一连接部331a的端部在第二方向上的平均尺寸LB可大于等于0.1μm且小于等于0.58μm，并且从第二电极层342与第二带部332b和第四带部332c相交的端部分别到第二带部332b的远离第二连接部332a的端部和第四带部332c的远离第二连接部332a的端部在第二方向上的平均尺寸LB可大于等于0.1μm且小于等于0.58μm。当LB小于0.1μm时，主体110与第一电极层341和第二电极层342之间的距离小，因此可能难以抑制Ag离子迁移的加速，并且当LB超过0.58μm时，可能不足以充分覆盖主体的容易受来自外部的湿气渗透的角部，因此可能难以充分确保防潮可靠性。根据示例实施例，如上所述，通过适当地控制从电极层341和342的端部到基体电极层的带部331b、331c、332b和332c的端部在第二方向上的平均长度，可抑制Ag离子迁移加速的现象，同时确保多层电子组件300的足够的防潮可靠性。
从第一电极层341与第一带部331b和第三带部331c相交的端部到第一带部331b的远离第一连接部331a的端部和第三带部331c的远离第一连接部331a的端部在第二方向上的平均尺寸LB以及从第二电极层342与第二带部332b和第四带部332c相交的端部到第二带部332b的远离第二连接部332a的端部和第四带部332c的远离第二连接部332a的端部在第二方向上的平均尺寸LB可以是在如下截面中测量的值：主体110的在第三方向的中部沿第一方向和第二方向截取的截面，并且可以是通过如下方法获得的值：对在第一基体电极层331侧测量的值和在第二基体电极层332侧测量的值取平均数。
参照图21，根据示例实施例的多层电子组件301的第一电极层341'和第二电极层342'可设置在第一表面1的延长线E1和第二表面2的延长线E2之间。因此，通过不在基体电极层331和332的带部331b、331c、332b和332c上设置包含Ag的第一电极层341'和第二电极层342'，确保了第一电极层341'和第二电极层342'与主体110之间的足够距离，因此可更有效地抑制Ag离子迁移的发生。
在这种情况下，分别设置在第一电极层341'和第一金属框架361之间以及设置在第二电极层342'和第二金属框架362之间的导电粘合剂351'和352'也可设置在第一表面1的延长线E1和第二表面2的延长线E2之间。因此，由于可将导电粘合剂351'和352'涂覆量最小化，因此可更可靠地抑制Ag离子迁移，并且可降低制造成本。
参照图22，在其上安装有根据本公开中的示例实施例的多层电子组件300的基板3000中，多层电子组件300的第一金属框架361和第二金属框架362可通过导电粘合剂371和372分别结合到设置在安装基板380上的电极焊盘391和392。
由于第一金属框架361和第二金属框架362以及导电粘合剂371和372包含导电金属，因此可确保导电性，并且包含在导电粘合剂371和372中的树脂可固化以确保与电极焊盘391和392的粘合性。
另外，与使用包含锡(Sn)的焊料将多层电子组件安装在安装基板上的传统情况不同，通过即使在高温循环中也能够缓解施加到第一金属框架361和第二金属框架362以及导电粘合剂371和372的热冲击，可提高多层电子组件300的粘合强度。
如上所述，本公开中的各种效果之一是通过使其中设置有包含Ag的电极层的区域最小化来抑制Ag离子迁移的发生。
本公开中的各种效果之一是通过将包含Ag的电极层设置为朝向多层电子组件的安装表面偏移来抑制Ag离子迁移的发生。
本公开中的各种效果之一是通过设置包含Ag的电极层以不与主体接触来抑制Ag离子迁移的发生。
然而，本公开中的各种有益的优点和效果不限于以上的描述，并且在描述本公开中的具体示例实施例的过程中可被更容易地理解。
尽管上面已经详细描述了示例实施例，但是本公开可不限于上述示例实施例。因此，在不脱离权利要求中限定的本公开的范围的情况下，本领域普通技术人员将可进行各种类型的替换、修改和改变，并且这些替换、修改和改变属于本公开的范围。
这里使用的术语“示例实施例”不是指相同的示例实施例，而是被提供以强调与另一示例实施例的特定特征或特性不同的特定特征或特性。然而，这里提供的示例实施例被认为能够通过与另一示例实施例组合来实现。例如，除非在另一示例实施例中提供了相反或相矛盾的描述，否则即使在特定示例实施例中描述的内容没有在另一示例实施例中描述，这些内容也可被理解为与另一示例实施例相关。
这里使用的术语仅用于描述示例实施例而不是限制本公开。在这种情况下，除非在上下文中另有解释，否则单数形式包括复数形式。

Claims (45)

1.一种多层电子组件，包括：
主体，包括介电层、交替设置且所述介电层设置在其间的第一内电极和第二内电极，并且所述主体具有在第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面、连接到所述第一表面和所述第二表面并且在第二方向上彼此相对的第三表面和第四表面以及连接到所述第一表面至所述第四表面并且在第三方向上彼此相对的第五表面和第六表面；
第一基体电极层，设置在所述第三表面上并且包括连接到所述第一内电极的第一连接部；
第二基体电极层，设置在所述第四表面上并且包括连接到所述第二内电极的第二连接部；
第一电极层，设置在包括所述第三表面、所述第一表面和所述第二表面的区域上，并且形成为使所述第一基体电极层的至少一部分暴露；以及
第二电极层，设置在包括所述第四表面、所述第一表面和所述第二表面的区域上，并且形成为使所述第二基体电极层的至少一部分暴露，
其中，所述第一基体电极层和所述第二基体电极层中的每个包含Cu，并且所述第一电极层和所述第二电极层中的每个包含Ag。
2.如权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述第一基体电极层还包括第一带部和第三带部，所述第一带部设置为从所述第一连接部延伸到所述第一表面的一部分，所述第三带部设置为从所述第一连接部延伸到所述第二表面的一部分，
所述第二基体电极层还包括第二带部和第四带部，所述第二带部设置为从所述第二连接部延伸到所述第一表面的一部分，所述第四带部设置为从所述第二连接部延伸到所述第二表面的一部分，
所述第一电极层设置在所述第一带部上，并且
所述第二电极层设置在所述第二带部上。
3.如权利要求2所述的多层电子组件，其中，所述第一电极层从所述第一带部延伸到所述第一连接部的一部分，并且
所述第二电极层从所述第二带部延伸到所述第二连接部的一部分。
4.如权利要求3所述的多层电子组件，其中，所述第一电极层和所述第二电极层中的每个从所述第一方向上的最低点到所述第一方向上的最高点的平均尺寸大于等于10μm且小于等于40μm。
5.如权利要求3所述的多层电子组件，其中，满足H1≥H2，其中，H1是在所述第一方向上从所述第一表面到所述第一内电极和所述第二内电极中设置为最靠近所述第一表面的内电极的平均尺寸，并且H2是在所述第一方向上从所述第一表面的延长线分别到所述第一电极层的设置在所述第一连接部上的端部和所述第二电极层的设置在所述第二连接部上的端部的平均尺寸。
6.如权利要求3所述的多层电子组件，其中，满足H1<H2，其中，H1是在所述第一方向上从所述第一表面到所述第一内电极和所述第二内电极中设置为最靠近所述第一表面的内电极的平均尺寸，并且H2是在所述第一方向上从所述第一表面的延长线分别到所述第一电极层的设置在所述第一连接部上的端部和所述第二电极层的设置在所述第二连接部上的端部的平均尺寸。
7.如权利要求6所述的多层电子组件，其中，满足H2<T/2，其中，T是所述主体在所述第一方向上的平均尺寸。
8.如权利要求2所述的多层电子组件，其中，所述第一基体电极层和所述第二基体电极层中的每个还包含玻璃，并且
所述第一电极层和所述第二电极层中的每个还包含玻璃和Pd。
9.如权利要求2所述的多层电子组件，其中，满足0.2≤B1/L≤0.4和0.2≤B2/L≤0.4，其中，L是所述主体在所述第二方向上的平均尺寸，B1是在所述第二方向上从所述第三表面的延长线到所述第一带部的远离所述第一连接部的端部的平均尺寸，并且B2是在所述第二方向上从所述第四表面的延长线到所述第二带部的远离所述第二连接部的端部的平均尺寸。
10.如权利要求9所述的多层电子组件，所述多层电子组件还包括：
附加绝缘层，设置在所述第一表面上并且设置在所述第一电极层和所述第二电极层之间。
11.如权利要求2所述的多层电子组件，所述多层电子组件还包括设置在所述第一连接部上的第一绝缘层和设置在所述第二连接部上的第二绝缘层。
12.如权利要求11所述的多层电子组件，其中，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层中的每个包含环氧树脂。
13.如权利要求1所述的多层电子组件，其中，设置在所述第三表面上的所述第一基体电极层被称为第一连接电极，设置在所述第四表面上的所述第二基体电极层被称为第二连接电极，设置在所述第一表面上并连接到所述第一连接电极的所述第一电极层被称为第一带电极，并且设置在所述第一表面上并连接到所述第二连接电极的所述第二电极层被称为第二带电极，
所述第一连接电极和所述第二连接电极中的每个包含Cu，并且
所述第一带电极和所述第二带电极中的每个包含Ag。
14.如权利要求13所述的多层电子组件，其中，所述第一连接电极包括所述第一连接部和第一角部，所述第一连接部设置在所述第三表面上并连接到所述第一内电极，所述第一角部从所述第一连接部延伸到连接所述第一表面和所述第三表面的角部，
所述第二连接电极包括所述第二连接部和第二角部，所述第二连接部设置在所述第四表面上并连接到所述第二内电极，所述第二角部从所述第二连接部延伸到连接所述第一表面和所述第四表面的角部，
所述第一带电极延伸以覆盖所述第一角部的至少一部分，并且
所述第二带电极延伸以覆盖所述第二角部的至少一部分。
15.如权利要求13所述的多层电子组件，其中，所述第一连接电极包括所述第一连接部和第一角部，所述第一连接部设置在所述第三表面上并连接到所述第一内电极，所述第一角部从所述第一连接部延伸到连接所述第一表面和所述第三表面的角部，
所述第二连接电极包括所述第二连接部和第二角部，所述第二连接部设置在所述第四表面上并连接到所述第二内电极，所述第二角部从所述第二连接部延伸到连接所述第一表面和所述第四表面的角部，
所述第一带电极延伸以覆盖所述第一连接部的至少一部分，并且
所述第二带电极延伸以覆盖所述第二连接部的至少一部分。
16.如权利要求14所述的多层电子组件，其中，所述第一带电极和所述第二带电极中的每个从所述第一方向上的最低点到所述第一方向上的最高点的平均尺寸大于等于10μm且小于等于40μm。
17.如权利要求15所述的多层电子组件，其中，满足H1≥H2，其中，H1是在所述第一方向上从所述第一表面到所述第一内电极和所述第二内电极中设置为最靠近所述第一表面的内电极的平均尺寸，H2是在所述第一方向上从所述第一表面的延长线分别到所述第一带电极的设置在所述第一连接部上的端部和所述第二带电极的设置在所述第二连接部上的端部的平均尺寸。
18.如权利要求15所述的多层电子组件，其中，满足H1<H2，其中，H1是在所述第一方向上从所述第一表面到所述第一内电极和所述第二内电极中设置为最靠近所述第一表面的内电极的平均尺寸，H2是在所述第一方向上从所述第一表面的延长线分别到所述第一带电极的设置在所述第一连接部上的端部和所述第二带电极的设置在所述第二连接部上的端部的平均尺寸。
19.如权利要求18所述的多层电子组件，其中，满足H2<T/2，其中，T是所述主体在所述第一方向上的平均尺寸。
20.如权利要求13所述的多层电子组件，其中，所述第一连接电极和所述第二连接电极中的每个还包含玻璃，并且
所述第一带电极和所述第二带电极中的每个还包含玻璃和Pd。
21.如权利要求13所述的多层电子组件，其中，满足0.2≤B1/L≤0.4和0.2≤B2/L≤0.4，其中，L是所述主体在所述第二方向上的平均尺寸，B1是在所述第二方向上从所述第三表面的延长线到所述第一带电极的远离所述第一连接电极的端部的平均尺寸，并且B2是在所述第二方向上从所述第四表面的延长线到所述第二带电极的远离所述第二连接电极的端部的平均尺寸。
22.如权利要求21所述的多层电子组件，所述多层电子组件还包括：
附加绝缘层，设置在所述第一表面上并且设置在所述第一带电极与所述第二带电极之间。
23.如权利要求13所述的多层电子组件，所述多层电子组件还包括设置在所述第一连接电极上的第一绝缘层和设置在所述第二连接电极上的第二绝缘层。
24.如权利要求23所述的多层电子组件，其中，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层中的每个包含环氧树脂。
25.如权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述第一基体电极层还包括第一带部和第三带部，所述第一带部设置为从所述第一连接部延伸到所述第一表面的一部分，所述第三带部设置为从所述第一连接部延伸到所述第二表面的一部分，
所述第二基体电极层还包括第二带部和第四带部，所述第二带部设置为从所述第二连接部延伸到所述第一表面的一部分，所述第四带部设置为从所述第二连接部延伸到所述第二表面的一部分，
所述第一电极层设置在所述第一连接部上，
所述第二电极层设置在所述第二连接部上，
第一金属框架设置在所述第一电极层上，
第二金属框架设置在所述第二电极层上，并且
导电连接部分别设置在所述第一电极层和所述第一金属框架之间以及所述第二电极层和所述第二金属框架之间。
26.如权利要求25所述的多层电子组件，其中，所述第一电极层从所述第一连接部延伸到所述第一带部的一部分和所述第三带部的一部分，并且所述第二电极层从所述第二连接部延伸到所述第二带部的一部分和所述第四带部的一部分。
27.如权利要求25所述的多层电子组件，其中，所述第一电极层与所述第一带部的远离所述第一连接部的端部和所述第三带部的远离所述第一连接部的端部间隔开，并且
所述第二电极层与所述第二带部的远离所述第二连接部的端部和所述第四带部的远离所述第二连接部的端部间隔开。
28.如权利要求25所述的多层电子组件，其中，在所述第二方向上从所述第一电极层的端部分别到所述第一带部的远离所述第一连接部的端部和所述第三带部的远离所述第一连接部的端部的平均尺寸以及在所述第二方向上从所述第二电极层的端部分别到所述第二带部的远离所述第二连接部的端部和所述第四带部的远离所述第二连接部的端部的平均尺寸均大于等于0.1μm且小于等于0.58μm。
29.如权利要求25所述的多层电子组件，其中，所述第一电极层和所述第二电极层设置在所述第一表面的延长线与所述第二表面的延长线之间。
30.如权利要求25所述的多层电子组件，其中，所述导电连接部包含Ag和环氧树脂。
31.如权利要求25所述的多层电子组件，其中，所述第一金属框架和所述第二金属框架中的每个包括Ni、Fe、Cu、Ag、Cr及它们的合金中的至少一种。
32.如权利要求25所述的多层电子组件，其中，所述第一基体电极层和所述第二基体电极层中的每个还包含玻璃，并且
所述第一电极层和所述第二电极层中的每个还包含玻璃和Pd。
33.一种多层电子组件，包括：
主体，包括介电层以及第一内电极和第二内电极，所述介电层位于所述第一内电极和所述第二内电极之间；
第一基体电极层，设置在所述主体上并连接到所述第一内电极；
第二基体电极层，设置在所述主体上并连接到所述第二内电极；
第一电极层，连接到所述第一基体电极层并且仅覆盖所述第一基体电极层的一部分；以及
第二电极层，连接到所述第二基体电极层并且仅覆盖所述第二基体电极层的一部分，
其中，所述第一基体电极层和所述第二基体电极层中的每个包含Cu，并且所述第一电极层和所述第二电极层中的每个包含Ag。
34.如权利要求33所述的多层电子组件，其中，所述主体具有在第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面、连接到所述第一表面和所述第二表面并且在第二方向上彼此相对的第三表面和第四表面以及连接到所述第一表面至所述第四表面并且在第三方向上彼此相对的第五表面和第六表面，
所述第一基体电极层包括设置在所述第三表面上并连接到所述第一内电极的第一连接部，
所述第二基体电极层包括设置在所述第四表面上并连接到所述第二内电极的第二连接部，
所述第一电极层设置在所述第一表面上并延伸到所述第三表面上以覆盖所述第一连接部的一部分，并且
所述第二电极层设置在所述第一表面上并延伸到所述第四表面上以覆盖所述第二连接部的一部分。
35.如权利要求34所述的多层电子组件，其中，所述第一电极层和所述第二电极层均没有延伸到所述第二表面。
36.如权利要求34所述的多层电子组件，其中，在所述第二方向上，所述第一电极层至多与所述第一内电极的一部分和所述第二内电极的一部分叠置，并且所述第二电极层至多与所述第一内电极的一部分和所述第二内电极的一部分叠置。
37.如权利要求33所述的多层电子组件，其中，所述主体具有在第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面、连接到所述第一表面和所述第二表面并且在第二方向上彼此相对的第三表面和第四表面以及连接到所述第一表面至所述第四表面并且在第三方向上彼此相对的第五表面和第六表面，
所述第一基体电极层包括设置在所述第三表面上并连接到所述第一内电极的第一连接部，
所述第二基体电极层包括设置在所述第四表面上并连接到所述第二内电极的第二连接部，
所述第一电极层设置在所述第三表面上并与所述第一连接部接触，并且与所述第一基体电极层的端部在所述第二方向上间隔开，并且
所述第二电极层设置在所述第四表面上并与所述第二连接部接触，并且与所述第二基体电极层的端部在所述第二方向上间隔开。
38.如权利要求33所述的多层电子组件，其中，所述主体具有在第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面、连接到所述第一表面和所述第二表面并且在第二方向上彼此相对的第三表面和第四表面以及连接到所述第一表面至所述第四表面并且在第三方向上彼此相对的第五表面和第六表面，
所述第一基体电极层包括设置在所述第三表面上并连接到所述第一内电极的第一连接部，
所述第二基体电极层包括设置在所述第四表面上并连接到所述第二内电极的第二连接部，
所述第一电极层设置在所述第三表面上并且没有延伸到所述第一表面和所述第二表面，并且
所述第二电极层设置在所述第四表面上并且没有延伸到所述第一表面和所述第二表面。
39.如权利要求33所述的多层电子组件，其中，所述第一基体电极层和所述第二基体电极层中的每个还包含玻璃，并且
所述第一电极层和所述第二电极层中的每个还包含玻璃和Pd。
40.如权利要求33所述的多层电子组件，其中，Cu是所述第一基体电极层和所述第二基体电极层中的主要组分，并且
Ag是所述第一电极层和所述第二电极层中的主要组分。
41.一种多层电子组件，包括：
主体，包括介电层以及第一内电极和第二内电极，所述介电层位于所述第一内电极和所述第二内电极之间；
第一基体电极层，设置在所述主体上并连接到所述第一内电极；
第二基体电极层，设置在所述主体上并连接到所述第二内电极；
第一电极层，连接到所述第一基体电极层并且仅覆盖所述第一基体电极层的一部分；以及
第二电极层，连接到所述第二基体电极层并且仅覆盖所述第二基体电极层的一部分，
其中，所述第一电极层和所述第二电极层的主要组分的标准还原电位大于所述第一基体电极层和所述第二基体电极层的主要组分的标准还原电位。
42.如权利要求41所述的多层电子组件，其中，所述主体具有在第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面、连接到所述第一表面和所述第二表面并且在第二方向上彼此相对的第三表面和第四表面以及连接到所述第一表面至所述第四表面并且在第三方向上彼此相对的第五表面和第六表面，
所述第一基体电极层包括设置在所述第三表面上并连接到所述第一内电极的第一连接部，
所述第二基体电极层包括设置在所述第四表面上并连接到所述第二内电极的第二连接部，
所述第一电极层设置在所述第一表面上并延伸到所述第三表面上以覆盖所述第一连接部的一部分，并且
所述第二电极层设置在所述第一表面上并延伸到所述第四表面上以覆盖所述第二连接部的一部分。
43.如权利要求42所述的多层电子组件，其中，所述第一电极层和所述第二电极层均没有延伸到所述第二表面。
44.如权利要求42所述的多层电子组件，其中，在所述第二方向上，所述第一电极层至多与所述第一内电极的一部分和所述第二内电极的一部分叠置，并且所述第二电极层至多与所述第一内电极的一部分和所述第二内电极的一部分叠置。
45.如权利要求41所述的多层电子组件，其中，所述主体具有在第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面、连接到所述第一表面和所述第二表面并且在第二方向上彼此相对的第三表面和第四表面以及连接到所述第一表面至所述第四表面并且在第三方向上彼此相对的第五表面和第六表面，
所述第一基体电极层包括设置在所述第三表面上并连接到所述第一内电极的第一连接部，
所述第二基体电极层包括设置在所述第四表面上并连接到所述第二内电极的第二连接部，
所述第一电极层设置在所述第三表面上并且与所述第一连接部接触，并且
所述第二电极层设置在所述第四表面上并且与所述第二连接部接触。
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