CN111105931A - 电容器组件 - Google Patents
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 48
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 113
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 53
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 28
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims abstract description 28
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims abstract description 28
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 58
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 34
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 30
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 30
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 29
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 29
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 29
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 239000011135 tin Substances 0.000 claims description 18
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 11
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 184
- 238000000034 method Methods 0.000 description 22
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 13
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 7
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 7
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 7
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 3
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 3
- TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L barium sulfate Chemical compound [Ba+2].[O-]S([O-])(=O)=O TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 2
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N palladium silver Chemical compound [Pd].[Ag] SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 230000007717 exclusion Effects 0.000 description 1
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/228—Terminals
- H01G4/232—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/228—Terminals
- H01G4/232—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor
- H01G4/2325—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor characterised by the material of the terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/005—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/005—Electrodes
- H01G4/008—Selection of materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/005—Electrodes
- H01G4/012—Form of non-self-supporting electrodes
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
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- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/228—Terminals
- H01G4/252—Terminals the terminals being coated on the capacitive element
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- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
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Abstract
本发明提供一种电容器组件,所述电容器组件包括:主体,包括介电层和内电极;以及外电极,设置在所述主体上。所述外电极包括:电极层,连接到所述内电极;镀层,设置在所述电极层上;以及第二相材料,布置在所述镀层和所述电极层之间的边界处。所述第二相材料包含硫(S)。
Description
本申请要求于2018年10月29日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0129733号韩国专利申请的优先权的权益,该韩国专利申请的公开内容通过引用被全部包含于此。
技术领域
本公开涉及一种电容器组件。
背景技术
作为一种类型的电容器组件的多层陶瓷电容器(MLCC)由于其诸如紧凑性、保证高电容以及易安装等优点,是用于包括通信、计算、家用电器、汽车等工业领域的重要的片式组件。详细地,MLCC是用于诸如移动电话、计算机、数字电视(TV)等的信息通信装置、电气装置和电子装置中的核心无源组件。
随着近来对移动装置、可穿戴装置等的需求增长,确保电容器组件的防潮可靠性以便将电容器组件用在各种温度和环境中变得越来越重要。
为了改善机械、电气和化学稳定性和可安装性,MLCC的外电极包括设置在电极层上的镀层。
然而,在形成镀层的镀覆工艺期间,诸如电极层的玻璃等具有差的耐化学性的组分可能会被镀液蚀刻。可选地,耐热可靠性和防潮可靠性会因当镀液通过电极层的其中电极层断开的一部分渗透到电容器主体中时发生的内部缺陷而劣化。
发明内容
本公开的一方面提供一种具有改善的耐热可靠性和防潮可靠性的电容器组件。
根据本公开的一方面,一种电容器组件包括:主体,包括介电层和内电极;以及外电极,设置在所述主体上。所述外电极包括:电极层,连接到所述内电极;镀层,设置在所述电极层上;以及第二相材料,布置在所述镀层所述电极层之间的边界处。所述第二相材料包含硫(S)。
所述硫(S)可与从由锡(Sn)、铜(Cu)、镍(Ni)、钡(Ba)、铝(Al)、硅(Si)和氧(O)组成的组中选择的至少一种作为化合物包含在所述第二相材料中。
所述第二相材料可占所述电极层和所述镀层之间的边界的面积的2%至50%。
所述电极层可包括导电金属和玻璃。
所述导电金属可包括从由铜(Cu)、钯(Pd)和银(Ag)组成的组中选择的至少一种。
所述电极层可包括烧结电极层和设置在所述烧结电极层上的导电树脂层,所述烧结电极层包括导电金属和玻璃,所述导电树脂层包括导电金属和树脂。
包含在所述烧结电极层中的所述导电金属可包括从由铜(Cu)、钯(Pd)和银(Ag)组成的组中选择的至少一种。
包含在所述导电树脂层中的所述导电金属可包括从由铜(Cu)、银(Ag)、镍(Ni)和它们的合金组成的组中选择的至少一种,并且包含在所述导电树脂层中的树脂可包括环氧类树脂。
所述镀层可包括第一镀层和设置在所述第一镀层上的第二镀层。所述第一镀层可包括从由镍(Ni)、铜(Cu)、钯(Pd)和银(Ag)组成的组中选择的至少一种,并且所述第二镀层可包括锡(Sn)。
所述电极层可具有1微米至10微米的厚度,所述第一镀层可具有1微米至5微米的厚度,并且所述第二镀层可具有1微米至5微米的厚度。
所述介电层可具有0.4微米或更小的厚度,并且所述内电极可具有0.4微米或更小的厚度。
所述内电极可包括第一内电极和第二内电极。所述主体可包括电容形成部和盖部,在所述电容形成部中形成电容,所述电容形成部包括设置为彼此面对的所述第一内电极和所述第二内电极,且介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间,所述盖部设置在所述电容形成部的上方和下方。所述盖部中的每个可具有20微米或更小的厚度。
所述电容器组件可具有0.4毫米或更小的长度以及0.2毫米或更小的宽度。
根据本公开的一方面,一种电容器组件包括:主体,包括介电层和内电极;以及外电极,设置在所述主体上。所述外电极包括:电极层,连接到所述内电极;镀层,设置在所述电极层上;以及多个图案,利用包含硫(S)的第二相材料制成,布置在所述电极层和所述镀层之间并彼此间隔开。
所述硫(S)可与从由锡(Sn)、铜(Cu)、镍(Ni)、钡(Ba)、铝(Al)、硅(Si)和氧(O)组成的组中选择的至少一种作为化合物包含在所述第二相材料中。
所述电极层可包括导电金属和玻璃。
所述电极层可包括烧结电极层和设置在所述烧结电极层上的导电树脂层,所述烧结电极层包括导电金属和玻璃,所述导电树脂层包括导电金属和树脂。
所述介电层可具有0.4微米或更小的厚度,并且所述内电极可具有0.4微米或更小的厚度。
所述多个图案可随机分布在所述电极层和所述镀层之间。
附图说明
通过以下结合附图的详细描述,本公开的以上和其他方面、特征和优点将被更清楚地理解,在附图中:
图1是根据本公开中的示例性实施例的电容器组件的透视图;
图2是沿图1中的线I-I’截取的截面图;
图3A和图3B示出了用于制造电容器组件的主体的其上印刷有内电极的陶瓷生片;
图4是图2中区域“A”的放大图并且示出了根据本公开中的示例性实施例的外电极;
图5是图2中区域“A”的放大图并且示出了根据本公开中的另一示例性实施例的外电极;
图6A至图6F示出了通过使用扫描电子显微镜(SEM)分析发明示例的外电极而获得的结果;以及
图7A至图7C是示出由于执行镀覆工艺因侵蚀电极层中包括的玻璃而形成的孔的示意图。
具体实施方式
在下文中,将参照附图对本公开中的实施例进行如下描述。然而,本公开可以以许多不同的形式呈现,并且不应被解释为限于在这里所阐述的实施例。更确切地说,提供这些实施例以使本公开将是彻底的和完整的,并且将把本公开的范围充分地传达给本领域技术人员。在附图中,为了清楚起见,可夸大元件的形状和尺寸,并且将始终使用相同的标号表示相同或相似的组件。
另外,将通过使用相同的附图标记来描述在各个实施例的附图中示出的相同概念的范围内具有相同功能的元件。本说明书中使用的术语用于说明实施例而不是限制本发明。除非明确地描述为相反,否则在本说明书中单数形式包括复数形式。词语“包括”和诸如“包含”或“具有”的变型将被理解为意指包括所陈述的组成、步骤,操作和/或元件,但不排除任何其他组成、步骤、操作和/或元件。
在附图中,X方向可被定义为L方向或长度方向,Y方向可被定义为W方向或宽度方向,以及Z方向可被定义为层叠方向、T方向或厚度方向。
电容器组件
图1是根据本公开中的示例性实施例的电容器组件的透视图,并且图2是沿图1中的线I-I’截取的截面图。图3A和图3B示出了用于制造电容器组件的主体的其上印刷有内电极的陶瓷生片。图4是图2中区域“A”的放大图并且示出了根据本公开中的示例性实施例的外电极。
参照图1至图4,根据示例性实施例的电容器组件100包括主体110以及外电极131和132,主体110包括介电层111以及内电极121和122,外电极131和132设置在主体110的外表面上。外电极131和132均包括:电极层,分别连接到内电极121和122;镀层,设置在电极层上;以及第二相材料,布置在电极层与镀层之间的边界处(稍后将描述)。第二相材料包含硫(S)。
在主体110中,介电层111与内电极121和122交替层叠。
主体110的形状不受限制,但可具有六面体形状或与其类似的形状。由于在烧结期间包括在主体110中的陶瓷粉末颗粒的收缩,主体110可具有大体上六面体形状,而不是具有完全直线的六面体形状。
主体110可具有设置为在厚度方向(Z方向)上彼此相对的第一表面1和第二表面2、连接到第一表面1和第二表面2并且设置为在长度方向(X方向)上彼此相对的第三表面3和第四表面4以及连接到第一表面1和第二表面2以及第三表面3和第四表面4并且设置为在宽度方向(Y方向)上彼此相对的第五表面5和第六表面6。
构成主体110的多个介电层111处于烧结状态,并且可彼此一体化,使得在没有使用扫描电子显微镜(SEM)的情况下,它们之间的边界可能不易于显而易见。
形成介电层111的原材料不受限制,只要可获得足够的电容即可,但是可以是例如钛酸钡(BaTiO3)基粉末颗粒。在形成介电层111的原材料中,根据本公开的目的,可将各种陶瓷添加剂、有机溶剂、塑化剂、粘合剂、分散剂等添加到诸如钛酸钡(BaTiO3)粉末颗粒等的粉末颗粒中。
另一方面,不必限制介电层111的厚度td。
然而,当介电层形成为具有小于0.6微米(μm)的厚度时,详细地,0.4μm或更小的厚度,防潮可靠性会劣化。
如稍后将描述的,根据示例性实施例,包含硫(S)的第二相材料布置在镀层和电极层之间的边界处,以改善致密度的水平并抑制镀层的断开。因此,即使当介电层具有小于0.4μm或更小的厚度时,也可充分确保防潮可靠性。
结果,当介电层111的厚度为0.4μm或更小时,防潮可靠性改善效果可变得显著。
介电层111的厚度可指介于第一内电极121和第二内电极122之间的介电层111的平均厚度。
可通过使用扫描电子显微镜(SEM)扫描主体110的沿长度-厚度方向的截面(L-T截面)测量介电层111的平均厚度。
例如,关于从通过扫描主体110的在长度-厚度方向上的截面(L-T截面)获得的图像提取的任意介电层,可通过测量介电层111的在其长度方向上的30个等距点处的厚度获得介电层111的平均厚度。
可在第一内电极121和第二内电极122彼此重叠的电容形成部中测量30个等距点处的厚度值。
在这种情况下,电容器组件100可包括设置在主体110中的电容形成部和盖部112和113,在电容形成部中,通过包括设置在彼此上的第一内电极121和第二内电极122且介电层中的每个介于它们之间形成电容,盖部112和113设置在电容形成部的上方和下方。
盖部112和113不包括内电极,并且可包括与介电层111相同的材料。例如,盖部112和113可包括诸如钛酸钡(BaTiO3)基陶瓷材料的陶瓷材料。
盖部112和113可通过分别在电容形成部的顶表面和底表面上竖直地层叠单个介电层或者两个或更多个介电层来形成,并且可主要用于防止内电极被物理应力或化学应力损坏。
不必限制盖部112和113的厚度。然而,各个盖部112和113可具有20μm或更小的厚度tp,以容易实现电容器组件100的小型化和高电容。在这种情况下,水分渗透路径会减小,从而使防潮可靠性劣化。
如稍后将描述的,根据示例性实施例,包含硫(S)的第二相材料可布置在镀层和电极层之间的边界处,以改善外电极的致密度的水平并且抑制镀层的断开。因此,即使当各个盖部112和113的厚度tp为20μm或更小时,也可充分确保防潮可靠性。
结果,当各个盖部112和113的厚度tp为20μm或更小时,防潮可靠性改善效果可变得显著。
内电极121和122与介电层交替地层叠,并且可包括第一内电极121和第二内电极122。第一内电极121和第二内电极122可交替地设置为彼此面对,并且构成主体110的介电层111中的每个介于它们之间,并且第一内电极121和第二内电极122可分别暴露于第三表面3和第四表面4。
参照图2,第一内电极121可与第四表面4间隔开并且可通过第三表面3暴露,并且第二内电极122可与第三表面3间隔开并且可通过第四表面4暴露。
第一内电极121和第二内电极122可利用介于它们之间的介电层111电绝缘。参照图3A和图3B,主体110可通过交替层叠图3A的其上印刷有第一内电极121的陶瓷生片和图3B的其上印刷有第二内电极122的陶瓷生片并且烧结层叠的图3A和图3B的陶瓷生片形成。
第一内电极121和第二内电极122的材料不受限制。例如,第一内电极121和第二内电极122可使用包括诸如钯(Pd)、钯-银(Pd-Ag)合金的贵金属、镍(Ni)以及铜(Cu)中的至少一种的导电膏形成。
导电膏的印刷方法可以是丝网印刷法、凹版印刷法等,但不限于此。
不必限制第一内电极121和第二内电极122的厚度。然而,第一内电极121和第二内电极122可具有0.4μm或更小的厚度te,以容易实现电容器组件100的小型化和高电容。
各个第一内电极121和第二内电极122的厚度可指各个第一内电极121和第二内电极122的平均厚度。
可通过使用扫描电子显微镜(SEM)扫描主体110的沿长度-厚度方向的截面(L-T截面)来测量各个第一内电极121和第二内电极122的平均厚度。
例如,关于从通过扫描主体110的沿长度-厚度方向的截面(L-T截面)获得的图像提取的任意第一内电极121和第二内电极122,通过测量各个第一内电极121和第二内电极122在其长度方向上的30个等距点处的厚度值,可获得各个第一内电极121和第二内电极122的平均厚度。
可在第一内电极121和第二内电极122彼此重叠的电容形成部中测量30个等距点处的厚度值。
外电极131和132分别设置在主体100的外表面上,并且外电极131包括电极层131a、第二相材料131b和镀层131c,外电极132包括电极层132a、第二相材料132b和镀层132c。
外电极131和132可包括分别连接到第一内电极121和第二内电极122的第一外电极131和第二外电极132。
第一外电极131和第二外电极132可分别从主体110的第三表面3和第四表面4延伸到主体110的第一表面1的一部分和第二表面2的一部分。另外,第一外电极131和第二外电极132可分别从主体110的第三表面3和第四表面4延伸到主体110的第五表面5的一部分和第六表面6的一部分。
在下文中,将主要描述第一外电极131,但是其描述可同样地或类似地应用于第二外电极132。
为了改善机械、电气和化学稳定性和可安装性,多层陶瓷电容器的外电极包括设置在电极层上的镀层。
然而,在形成镀层的镀覆工艺期间,诸如电极层的玻璃等具有差的耐化学性的组分可能会被镀液蚀刻。可选地,耐热可靠性和防潮可靠性会因当镀液通过电极层的其中电极层断开的一部分渗透到电容器主体中时发生的内部缺陷而劣化。
图7A至图7C是示出由于执行镀覆工艺因侵蚀电极层中包括的玻璃而形成的孔的示意图。图7A是镀覆前的电极层的示意图,图7B是镀覆期间的电极层的示意图,以及图7C是镀覆后的电极层的示意图。
参照图7A至图7C,当执行镀覆工艺时,诸如玻璃等具有差的耐化学性的材料可能会被镀液蚀刻,从而形成孔h。因此,耐热可靠性和防潮可靠性会因当镀液通过电极层的其中电极层断开的一部分渗透到电容器主体中时发生的内部缺陷而劣化。孔h用作镀液或水分通过其渗透的路径。结果,耐热可靠性和防潮可靠性劣化。
根据示例性实施例,在包含硫(S)的第二相材料131b和132b布置在外电极131和132的电极层131a和132a与镀层131c和132c之间的边界处的情况下,第二相材料131b和132b可用作保护层,以抑制对电极层131a和132a的侵蚀并减少电极层131a和132a的断开。因此,可改善耐热可靠性和防潮可靠性。
包含硫(S)的第二相材料131b和132b可具有针对镀液的改善的耐化学性,以防止诸如包括在电极层131a和132a中的玻璃等具有差的耐化学性的材料被蚀刻。因此,可改善外电极131和132的致密度的水平。
第二相材料131b和132b包含硫(S),并且硫(S)可与玻璃组分、在镀覆期间还原的金属组分或镀覆工艺的添加剂组分形成化合物。例如,硫(S)可包含在第二相材料中,同时与从由锡(Sn)、铜(Cu)、镍(Ni)、钡(Ba)、铝(Al)、硅(Si)和氧(O)组成的组中选择的至少一种形成化合物。
在这种情况下,第二相材料131b和132b可以是硫酸盐基的第二相材料。
第二相材料131b和132b可以占电极层131a和132a与镀层131c和132c之间的边界的面积的2%至50%。第二相材料131b和132b的面积百分比可在考虑到形成镀层131c和132c之前突出到电极层131a和132a的表面的玻璃的面积来确定。第二相材料131b和132b中的每个可包括彼此间隔开的多个图案。多个图案可随机分布。
当第二相材料131b和132b所占面积小于电极层131a和132a与镀层131c和132c之间的边界的面积的2%时,考虑到在镀覆之前突出到电极层131a和132a的表面的玻璃的面积,第二相材料131b和132b会不足以用作保护层来抑制对电极层131a和132a的侵蚀。另外,会难以减少电极层131a和132a自身的断开。另一方面,当第二相材料131b和132b所占面积大于电极层131a和132a与镀层131c和132c之间的边界的面积的50%时,会减弱电连接性并且会发生镀层131c和132c的断开。
形成第二相材料131b和132b的方法不受限制。例如,可在镀覆工艺之前使用化学预处理和电预处理来形成第二相材料131b和132b。可选地,可通过在镀覆工艺期间改变镀液的组成来形成第二相材料131b和132b。
在镀覆工艺之前的化学预处理可采用将包括电极层形成于其中的主体浸入含硫预处理溶液中之后诱导还原/沉积反应的方法来形成第二相材料,或者添加可与玻璃反应的添加剂或金属化合物的方法来形成第二相材料。
镀覆工艺之前的电预处理可采用引入含硫电解质和添加剂的方法,从而以种子镀覆方式形成第二相材料。
此外,可在镀覆工艺期间通过以下面这种方式改变镀液的组成来形成第二相材料:硫添加剂或硫溶剂的比例为总镀液的体积的1%至60%(即,1vol%至60vol%)。
电极层131a和132a用于将主体110机械地结合到外电极131和132,并用于将内电极121和122电气地和机械地结合到外电极131和132。
电极层131a和132a可使用诸如金属等的任意材料形成,只要其具有导电性即可。可考虑电特性、结构稳定性等来确定具体的材料。
在电极层131a和132a包括导电金属e1和玻璃g的情况下,由于玻璃g针对镀液具有差的耐化学性,因此会容易在电极层131a和132a中形成孔。在这种情况下,孔用作镀液或水分通过其渗透的路径,从而使耐热可靠性和防潮可靠性劣化。
因此,在电极层131a和132a包括导电金属e1和玻璃g的情况下,耐热可靠性和防潮可靠性改善效果可更显著。
玻璃g用于将主体110机械地结合到外电极131和132,并且导电金属e1用于将内电极121和122电气地和机械地结合到外电极131和132。导电金属e1可以是从由铜(Cu)、钯(Pd)和银(Ag)组成的组中选择的至少一种。
电极层131a和132a中的每个可具有1μm至10μm的厚度。
参照图5,根据另一示例性实施例,电极层131a'可包括烧结电极层131a1和设置在烧结电极层131a1上的导电树脂层131a2,烧结电极层131a1包括导电金属e1和玻璃g,导电树脂层131a2包括导电金属和基体树脂。由于导电树脂层131a2比烧结电极层131a1具有更高的防水分渗透性和水分含量,因此导电树脂层131a2可设置在烧结电极层131a1上,以防止镀液在镀覆工艺期间渗透到主体110中或防止成品片的防潮可靠性劣化。
包括在导电树脂层131a2中的基体树脂可具有粘附性和冲击吸收性,并且不受限制,只要其可与导电金属粉末颗粒混合以制备膏体即可,并且可包括例如环氧类树脂。
包括在导电树脂层131a2中的导电金属不受限制,只要其可电连接到烧结电极层131a1即可,并且可包括例如从由铜(Cu)、银(Ag)、镍(Ni)及它们的合金组成的组中选择的至少一种。导电树脂层131a2可不包含烧结电极层131a1中使用的玻璃。在烧结电极层131a1中使用的玻璃也用于形成导电树脂层131a2的情况下,烧结电极层131a1中的玻璃的密度可高于导电树脂层131a2中的玻璃的密度。
镀层131c和132c可用于机械、电气和化学稳定性以及可安装性。
镀层131c和132c可包括用于确保机械、电气和化学稳定性的第一镀层131c1和132c1以及设置在第一镀层131c1和132c1上以改善可安装性的第二镀层131c2和132c2。
第一镀层131c1和132c1中的每个可包括从由镍(Ni)、铜(Cu)、钯(Pd)和银(Ag)组成的组中选择的至少一种,并且可以是例如镍(Ni)镀层。
第二镀层131c2和132c2中的每个可包括低熔点金属,并且可以是例如锡(Sn)镀层。
形成镀层的方法不受限制,并且可使用电镀或无电镀形成镀层。然而,当在镀覆工艺期间形成第二相材料时,可通过以下面这种方式改变组成来执行镀覆工艺:硫添加剂或硫溶剂的比例为总镀液的体积的1%至60%(即,1vol%至60vol%)。
在这种情况下,第一镀层131c1和132c1中的每个可具有1μm至5μm的厚度,并且第二镀层131c2和132c2中的每个可具有1μm至5μm的厚度。
不必限制电容器组件100的尺寸。
为了实现小型化以及高电容,应减薄介电层和内电极以增加其层叠数。由于该原因,在尺寸为0402(0.4mm×0.2mm)或更小的电容器组件中,根据本公开的耐热可靠性和防潮可靠性改善效果可能会变得显著。
例如,电容器组件可具有0.4mm或更小的长度以及0.2mm或更小的宽度。
实验示例
表(1)示出了用于确认通过设置在电极层和镀层之间的第二相材料获得的效果的实验结果。
根据发明示例,在主体中形成包括铜(Cu)和玻璃的电极层。将电极层浸入预处理溶液中,预处理溶液中包含浓度为5%或更低的含硫元素的酸基添加剂。使用电镀在电极层上依次形成镍(Ni)镀层和锡(Sn)镀层。Ni镀层和Sn镀层中的每个具有4μm的厚度。
根据对比示例,在主体中形成包括铜(Cu)和玻璃的电极层。使用电镀在电极层上依次形成镍(Ni)镀层和锡(Sn)镀层,而不执行上述发明示例的预处理。Ni镀层和Sn镀层中的每个具有4μm的厚度。
在表(1)中示出了在发明示例和对比示例中的每个的100个样品中发生镀层的断开的样品的数量。通过观察每个样品在宽度方向上的中央部分的沿长度方向和厚度方向的截面来测量镀层的断开。
此外,在表(1)中示出了对于发明示例和对比示例中的每个的400个样品中具有不良焊接、差的高温/高电压可靠性和差的防潮可靠性的样品的数量。
通过在150摄氏度的温度下施加两倍于参考电压那么高的电压12小时并且将绝缘电阻值与初始值进行比较来测量高温/高电压可靠性。劣化了1.0E+1倍或更多倍的样品被确定为有缺陷的。也就是说,绝缘电阻值劣化为初始值的十分之一或更小的样品被确定为有缺陷的。
通过在85摄氏度的温度和85%的相对湿度下施加参考电压12小时并将绝缘电阻与初始值进行比较来测量防潮可靠性。劣化了1.0E+1倍或更多倍的样品被确定为有缺陷的。也就是说,绝缘电阻值劣化为初始值的十分之一或更小的样品被确定为有缺陷的。
表(1)
在对比示例的情况下,在电极层和镍(Ni)镀层之间的边界处没有第二相材料,发生了镀层的断开、焊接不良、高温/高电压可靠性差以及防潮可靠性差。
同时,在发明示例的情况下,在电极层和镍(Ni)镀层之间的边界处存在第二相材料,没有发生镀层的断开、焊接不良、高温/高压可靠性差以及防潮可靠性差。
图6A至图6F示出了通过使用扫描电子显微镜(SEM)分析发明示例的外电极而获得的结果。
图6A是使用扫描电子显微镜(SEM)在宽度方向上的中央部分拍摄的沿长度方向和厚度方向的截面的图像。
图6B是图6A中区域“B”的放大图。
图6C示出了对于沿图6B中的线“C”的碳(C)、氧(O)、钡(Ba)和硫(S)的线性映射(line mapping)分析的结果。从图6C可看出,在发明示例中,在电极层和镍(Ni)镀层之间的边界处存在硫酸钡基第二相材料。
图6D示出了对于图6A中区域“B”中的镍(Ni)的2D映射(2dimensional mapping)分析的结果。图6E示出了对于图6A中区域“B”中的铜(Cu)的2D映射分析的结果。图6F示出了对于图6A中区域“B”中的硫(S)的2D映射分析的结果。在本公开中,“2D映射”是指基于其颜色分析每个元素的分布的方法。在图6D至图6F中,2D映射意味着区域的亮度越高,相应元素的含量越高。
从图6D至图6F可看出,在电极层和镍(Ni)镀层之间的边界处存在包含硫(S)的第二相材料。
如上所述,根据示例性实施例,包含硫(S)的第二相材料布置在镀层和电极层之间的边界处,以改善外电极的致密度的水平并且抑制镀层的断开。结果,可提供具有改善的耐热可靠性和防潮可靠性的电容器组件。
尽管以上已示出和描述了示例性实施例,但是对于本领域技术人员来说将明显的是,在不脱离由所附权利要求限定的本发明的范围的情况下,可进行修改和变型。
Claims (19)
1.一种电容器组件,包括:
主体,包括介电层和内电极;以及
外电极,设置在所述主体上,
其中,所述外电极包括:
电极层,连接到所述内电极;
镀层,设置在所述电极层上;以及
第二相材料,布置在所述镀层和所述电极层之间的边界处,并且
所述第二相材料包含硫。
2.根据权利要求1所述的电容器组件,其中,所述硫与从由锡、铜、镍、钡、铝、硅和氧组成的组中选择的至少一种作为化合物包含在所述第二相材料中。
3.根据权利要求1所述的电容器组件,其中,所述第二相材料占所述电极层和所述镀层之间的边界的面积的2%至50%。
4.根据权利要求1所述的电容器组件,其中,所述电极层包括导电金属和玻璃。
5.根据权利要求4所述的电容器组件,其中,所述导电金属包括从由铜、钯和银组成的组中选择的至少一种。
6.根据权利要求1所述的电容器组件,其中,所述电极层包括烧结电极层和设置在所述烧结电极层上的导电树脂层,所述烧结电极层包括导电金属和玻璃,所述导电树脂层包括导电金属和树脂。
7.根据权利要求6所述的电容器组件,其中,包含在所述烧结电极层中的所述导电金属包括从由铜、钯和银组成的组中选择的至少一种。
8.根据权利要求6所述的电容器组件,其中,包含在所述导电树脂层中的所述导电金属包括从由铜、银、镍和它们的合金组成的组中选择的至少一种,并且包含在所述导电树脂层中的树脂包括环氧类树脂。
9.根据权利要求1所述的电容器组件,其中,所述镀层包括第一镀层和设置在所述第一镀层上的第二镀层,并且
所述第一镀层包括从由镍、铜、钯和银组成的组中选择的至少一种,并且所述第二镀层包括锡。
10.根据权利要求9所述的电容器组件,其中,所述电极层具有1微米至10微米的厚度,所述第一镀层具有1微米至5微米的厚度,并且所述第二镀层具有1微米至5微米的厚度。
11.根据权利要求1所述的电容器组件,其中,所述介电层具有0.4微米或更小的厚度,并且所述内电极具有0.4微米或更小的厚度。
12.根据权利要求1所述的电容器组件,其中,所述内电极包括第一内电极和第二内电极,
所述主体包括电容形成部和盖部,在所述电容形成部中,通过包括设置为彼此面对的所述第一内电极和所述第二内电极且介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间形成电容,所述盖部设置在所述电容形成部的上方和下方,并且
所述盖部中的每个具有20微米或更小的厚度。
13.根据权利要求1所述的电容器组件,其中,所述电容器组件具有0.4毫米或更小的长度以及0.2毫米或更小的宽度。
14.一种电容器组件,包括:
主体,包括介电层和内电极;以及
外电极,设置在所述主体上,
其中,所述外电极包括:
电极层,连接到所述内电极;
镀层,设置在所述电极层上;以及
多个图案,利用包含硫的第二相材料制成,布置在所述电极层和所述镀层之间并彼此间隔开。
15.根据权利要求14所述的电容器组件,其中,所述硫与从由锡、铜、镍、钡、铝、硅和氧组成的组中选择的至少一种作为化合物包含在所述第二相材料中。
16.根据权利要求14所述的电容器组件,其中,所述电极层包括导电金属和玻璃。
17.根据权利要求14所述的电容器组件,其中,所述电极层包括烧结电极层和设置在所述烧结电极层上的导电树脂层,所述烧结电极层包括导电金属和玻璃,所述导电树脂层包括导电金属和树脂。
18.根据权利要求14所述的电容器组件,其中,所述介电层具有0.4微米或更小的厚度,并且所述内电极具有0.4微米或更小的厚度。
19.根据权利要求14所述的电容器组件,其中,所述多个图案随机分布在所述电极层和所述镀层之间。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020180129733A KR102070235B1 (ko) | 2018-10-29 | 2018-10-29 | 커패시터 부품 |
KR10-2018-0129733 | 2018-10-29 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN111105931A true CN111105931A (zh) | 2020-05-05 |
CN111105931B CN111105931B (zh) | 2023-05-23 |
Family
ID=68420748
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201910236618.0A Active CN111105931B (zh) | 2018-10-29 | 2019-03-27 | 电容器组件 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US10804034B2 (zh) |
JP (1) | JP7188843B2 (zh) |
KR (1) | KR102070235B1 (zh) |
CN (1) | CN111105931B (zh) |
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- 2018-12-21 JP JP2018240268A patent/JP7188843B2/ja active Active
-
2019
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---|---|
KR102070235B1 (ko) | 2020-01-28 |
JP7188843B2 (ja) | 2022-12-13 |
US20200135403A1 (en) | 2020-04-30 |
US11152155B2 (en) | 2021-10-19 |
US20200303123A1 (en) | 2020-09-24 |
US10804034B2 (en) | 2020-10-13 |
KR20190121214A (ko) | 2019-10-25 |
JP2020072246A (ja) | 2020-05-07 |
CN111105931B (zh) | 2023-05-23 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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GR01 | Patent grant | ||
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