CN116346068A - 包含弹性波装置的模块及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
一种包含弹性波装置的模块，包含：封装基板；弹性波装置，以设有功能元件的第一主面面向所述封装基板，并安装于所述封装基板；光固化薄膜，将所述封装基板连同所述封装基板与所述功能元件间的间隙密封；半导体装置，安装于所述封装基板；填充材料，设置于所述封装基板与所述半导体装置间；及金属层，覆盖所述封装基板、所述光固化薄膜及所述半导体装置。借此，可以提供一种适于低背化与降低成本的模块。
Description
技术领域
本公开涉及一种包含弹性波装置的模块及其制造方法。
背景技术
日本专利文献1(特开2017-157922)示例一种弹性波装置等电子装置的封装方法，所述封装方法将芯片以正面朝下安装于电路基板上，并以密封材料覆盖所述芯片的外周。
例如，将表面声波(Surface Acoustic Wave，SAW)滤波器、功率放大器及开关等元件搭载于基板上而成的功率放大器集成双向器模块(Power Amplifier Moduleintegrated Duplexer，PAMiD)，其芯片的安装与模块的制作适合小型化与薄型化。然而，在SAW滤波器芯片下方保留空间的同时，其他芯片的下方必须填入底部填充树脂。
并且，为了达到散热与屏蔽的效果，可以采用金属层覆盖整个模块，但会在芯片电容器等端子与金属层间形成短路。因此，在全部采用芯片安装的情况下，必须分别采用不同的树脂密封方法。换句话说，必须分别形成密封所述SAW滤波器芯片的树脂与密封其他芯片的树脂，因此不利于低背化与降低成本。
发明内容
本公开有鉴于上述问题，目的在于提供一种适于低背化及降低成本的模块。
本公开的包含弹性波装置的模块，包含：
封装基板；
弹性波装置，以设有功能元件的第一主面面向所述封装基板，并安装于所述封装基板；
光固化薄膜，与所述封装基板一起将所述封装基板与所述功能元件间的间隙密封；
半导体装置，安装于所述封装基板；
填充材料，设置于所述封装基板与所述半导体装置间；及
金属层，覆盖所述封装基板、所述光固化薄膜及所述半导体装置。
本公开的包含弹性波装置的模块，包含：
封装基板；
弹性波装置，以设有功能元件的第一主面面向所述封装基板，并安装于所述封装基板；
光固化薄膜，与所述封装基板一起将所述封装基板与所述功能元件间的间隙密封；
半导体装置，安装于所述封装基板；
无源元件，安装于所述封装基板；
填充材料，设置于所述封装基板与所述半导体装置间，和所述封装基板与所述无源元件间；及
金属层，覆盖所述封装基板、所述光固化薄膜、所述半导体装置及所述无源元件。
本公开的一种形态，所述光固化薄膜覆盖所述无源元件的中央区域以外的部分。
本公开的一种形态，所述金属层将所述无源元件与所述半导体装置气密密封。
本公开的一种形态，所述无源元件呈长方体，所述无源元件的两个端子分别形成在其两端，每一端子横跨五个面。
本公开的一种形态，所述光固化薄膜覆盖所述无源元件的两个端子。
本公开的一种形态，所述金属层与所述无源元件的端子电绝缘。
本公开的一种形态，所述光固化薄膜的厚度为25μm～75μm。
本公开的一种形态，所述光固化薄膜经过光固化及热固化，所述填充材料经过热固化。
本公开的一种形态，所述弹性波装置具有与所述第一主面相反的第二主面，至少一部分的所述第二主面不被所述光固化薄膜覆盖，至少一部分的所述第二主面被所述金属层覆盖。
本公开的一种形态，所述填充材料具有从所述半导体装置的外缘突出的突出部，所述突出部被所述金属层覆盖。
本公开的一种形态，所述弹性波装置具有与所述第一主面相反的第二主面，所述半导体装置具有远离所述封装基板的非对向面，所述弹性波装置的整个所述第二主面及所述半导体装置的整个所述非对向面被所述光固化薄膜覆盖，所述金属层形成于所述光固化薄膜上。
本公开的一种形态，所述光固化薄膜为聚酰亚胺，所述光固化薄膜的上表面设有保护膜。
本公开的一种形态，所述光固化薄膜为聚酰亚胺，所述光固化薄膜的下表面设有基底膜。
本公开的一种形态，所述包含弹性波装置的模块还包含设置于所述金属层上的绝缘层。
本公开的一种形态，所述弹性波装置包含由弹性表面波滤波器与声薄膜共振器形成的滤波器、双工器和对偶滤波器的其中任一。
本公开的一种形态，所述半导体装置为功率放大器、低噪声放大器和开关的其中任一。
本公开的包含弹性波装置的模块的制造方法，包含：
在封装基板上安装弹性波装置及半导体装置的步骤；
在所述封装基板上设置至少覆盖所述弹性波装置的光固化薄膜的步骤；
至少使覆盖所述弹性波装置的所述光固化薄膜光硬化的光照射步骤；及
至少去除覆盖所述弹性波装置以外的区域的所述光固化薄膜的步骤。
本公开的包含弹性波装置的模块的制造方法，包含：
在封装基板上安装弹性波装置、半导体装置及无源元件的步骤；
在所述封装基板上设置至少覆盖所述弹性波装置及所述无源元件的光固化薄膜的步骤；
至少使覆盖所述弹性波装置及所述无源元件的中央区域以外的区域的所述光固化薄膜光硬化的光照射步骤；及
至少去除覆盖所述弹性波装置以外的区域及覆盖所述无源元件的中央区域的所述光固化薄膜的步骤。
本公开的一种形态，所述包含弹性波装置的模块的制造方法还包含：
在所述封装基板与所述半导体装置之间及在所述封装基板与所述无源元件之间填充填充材料的步骤；及
形成覆盖所述封装基板、所述光固化薄膜及所述半导体装置的金属层的步骤。
本公开的一种形态，在去除所述光固化薄膜的步骤中，去除一部分形成于所述弹性波装置的不对向所述封装基板的主面上的所述光固化薄膜。
本公开的一种形态，在形成所述金属层的步骤中，于所述弹性波装置的不对向所述封装基板的主面中未形成所述光固化薄膜的区域形成所述金属层。
本发明的有益的效果在于：根据本公开，可以提供一种适于低背化与降低成本的包含弹性波装置的模块。
附图说明
图1是实施例的包含弹性波装置的模块的剖面图。
图2是包含弹性波装置的模块的制造方法的流程图。
图3是安装于封装基板的弹性波装置等的示意图。
图4是以树脂覆盖所述弹性波装置的示意图。
图5是使树脂的一部分照射UV而固化的示意图。
图6是去除树脂的示意图。
图7是在所述封装基板与无源元件等之间填充填充材料的示意图。
图8是绝缘层的示意图。
具体实施方式
以下将根据附图说明本发明的具体实施态样。需注意的是，各图中相同或相当的部分使用相同的标记。所述相同或相当的部分会适当地简化或省略说明。
(实施例)
图1是实施例的包含弹性波装置的模块10的剖面图。所述包含弹性波装置的模块10包含封装基板12。根据一个示例，所述封装基板12是印制电路板(Printed CircuitBoard，PCB)基板或高温共烧陶瓷(High Temperature Co-fired Ceramics，HTCC)基板。
根据其他的示例，所述封装基板12是由多个介电层形成的低温共烧陶瓷(LowTemperature Co-fired Ceramics，LTCC)多层基板。
根据其他的示例，基板与设有贯通所述基板的布线电极的任何基板也可以作为封装基板。在图1的示例中，所述封装基板12包括基材、上部电极、借由通孔布线等与所述上部电极电连接的下部电极。
所述封装基板12的内部可以设置电容器与电感器等无源元件。
弹性波装置14、半导体装置20、无源元件30，及半导体装置40分别通过凸块15、21、31、41安装于所述封装基板12。
所述凸块15电连接所述封装基板12与所述弹性波装置14。所述凸块21电连接所述封装基板12与所述半导体装置20。所述凸块31电连接所述封装基板12与所述无源元件30。所述凸块41电连接所述封装基板12与所述半导体装置40。
所述凸块15、21、31、41例如为金凸块。根据其他的示例，所述凸块31也可以换成焊料。根据一个示例，所述凸块的高度为10μm～50μm。
根据一个示例，所述弹性波装置14包括由弹性表面波滤波器、声薄膜共振器构成的滤波器、双工器(Duplexer)和对偶滤波器(Dual filter)的其中任一。
根据其他的示例，也可以采用弹性波装置以外的结构。所述弹性波装置14以设有功能元件的第一主面面向所述封装基板12，并安装于所述封装基板12。
在图1的示例中，所述弹性波装置14在第一主面设有作为功能元件的叉指换能器(Interdigital Transducer，IDT)14a与一对反射器。所述第一主面通过银、铝、铜、钛、钯等适当的金属或合金形成布线图案。所述IDT 14a与所述反射器以能激发弹性表面波的方式设置。
根据其他的示例，形成于所述第一主面的功能元件为接收滤波器与发送滤波器。所述接收滤波器能让预期的频带的电信号通过。例如，所述接收滤波器设有由多个串联共振器与多个并联共振器形成的梯形滤波器。所述发送滤波器能让预期的频带的电信号通过。例如，所述发送滤波器设有由多个串联共振器与多个并联共振器形成的梯形滤波器。
所述弹性波装置14例如包括由钽酸锂、铌酸锂或水晶等压电材料形成的基板。根据其他的示例，所述弹性波装置14包括由压电陶瓷形成的基板。
根据其他的示例，所述弹性波装置14包括由压电基板与支持基板接合而成的基板。例如，所述支持基板是由蓝宝石、硅、氧化铝、尖晶石、水晶或玻璃制成的基板。
所述弹性波装置14被树脂17覆盖。但是，所述弹性波装置14的第一主面没有被所述树脂17覆盖。所述树脂17为光固化树脂。
所述弹性波装置14与所述封装基板12间具有空隙16。所述弹性波装置14还具有位于所述第一主面的相反侧(即与所述第一主面相反)的第二主面。
根据一个示例，至少一部分的所述第二主面不被所述树脂17覆盖。所述第二主面连接金属层18。在一些实施态样中，至少一部分的所述第二主面被所述金属层18覆盖。所述金属层18具有设置于所述第二主面的第一金属层18a、连接所述树脂17的第二金属层18b，及连接所述封装基板12的第三金属层18c。所述弹性波装置14被所述金属层18气密密封。
根据一个示例，所述半导体装置20包括功率放大器、低噪声放大器和开关的其中任一。
在图1的示例中，所述半导体装置20为功率放大器。
树脂22是填充于所述封装基板12和所述半导体装置20间的树脂。所述树脂22是填充材料。所述树脂22作为底部填充胶(Underfill)。
所述半导体装置20具有对向面和非对向面，该对向面是面向所述封装基板12的面，该非对向面是位于所述对向面的相反侧(即远离所述封装基板)的面。
根据一个示例，所述非对向面没有被树脂覆盖。所述非对向面连接金属层28。所述半导体装置20被所述金属层28气密密封。
所述树脂22也可以形成从所述半导体装置20的外缘突出的突出部22OUT。所述突出部22OUT被所述金属层28覆盖。因此，确实能更好地避免所述半导体装置20与所述金属层28间不被期望的短路。
根据一个示例，所述无源元件30为电容器。所述无源元件30大致呈长方体。例如，所述无源元件30可以是边角略呈圆角的长方体。所述无源元件30的两端设有端子30T。两个所述端子30T分别形成在所述无源元件30的两端，每一端子30T横跨五个面。例如，位于图1中左侧的所述端子30T横跨所述无源元件30的左侧面、上侧面、下侧面、前侧面及后侧面，位于图1中右侧的所述端子30T则横跨所述无源元件30的右侧面、上侧面、下侧面、前侧面及后侧面。
所述无源元件30被树脂32、33覆盖。所述树脂32是填充在所述封装基板12与所述无源元件30间的树脂。所述树脂32是填充材料。所述树脂32作为底部填充胶。
所述树脂33覆盖于所述无源元件30的侧面与上表面。所述树脂33不覆盖所述无源元件30的中央区域30C。所述树脂33为光固化树脂。
所述树脂33与所述无源元件30的中央区域30C上形成金属层38。所述金属层38与所述无源元件30的两个端子30T通过所述树脂33而电绝缘。所述金属层38具有连接所述封装基板12的第一部分38a。所述金属层38将所述无源元件30气密密封。
根据一个示例，所述半导体装置40为功率放大器、低噪声放大器和开关的其中任一。在图1的示例中，所述半导体装置40为开关。
树脂42是填充在所述封装基板12和所述半导体装置40间的树脂。所述树脂42为填充材料。所述树脂42作为底部填充胶。
所述半导体装置40上形成金属层48。所述金属层48将所述半导体装置40气密密封。
根据一个示例，所述树脂17、33具有光固性与热固性。所述树脂17、33是由薄膜上的固化树脂形成的光固化薄膜。光固化薄膜的厚度例如为5μm～100μm。较佳地，光固化薄膜的厚度为25μm～75μm。为了同时确保模块整体的低高度化、所述封装基板12与所述功能元件之间的间隙的密封，及避免无源元件的端子的短路，更佳地，光固化薄膜的厚度为45μm～55μm。
根据一个示例，所述树脂的热固性指在比常温更高的第一温度下暂时软化，并持续在所述第一温度或者在比所述第一温度更高的第二温度下固化。
多种材料可以作为树脂材料，列举如下：
·以环氧树脂为基底的日本化药株式会社制造的KPM500干膜
·以环氧树脂为基底的日本太阳油墨株式会社制造的PSR-800AUS410,PSR-800AUS SR1
·以聚酰亚胺树脂为基底的东丽株式会社制造的LPA-22。
如图1所示，所述树脂17、33经过光固化与热固化，其余的树脂经过热固化。例如，填充于所述封装基板12与所述半导体装置20、40间的树脂22、42经过热固化。
所述封装基板12与所述弹性波装置14间形成所述空隙16，并在其他芯片下方提供作为底部填充胶的所述树脂22、32、42，因此能提供作为PAMID的包含弹性波装置的模块10。
让所述金属层18接触所述弹性波装置14的第二主面有助于提升散热性。让所述金属层28接触所述半导体装置20的非对向面也有助于提升散热性。
然而，也可以在所述弹性波装置14的整个第二主面上形成树脂并在树脂上形成金属层，及在所述半导体装置20的整个非对向面上形成树脂并在树脂上形成金属层。所述金属层18、28、38、48具有电磁屏蔽层的功能。
在图1的示例中，所述第三金属层18c、所述金属层28的第三金属层28c，及所述第一部分38a连接所述封装基板12。所述第三金属层18c、所述第三金属层28c，及所述第一部分38a形成于所述封装基板12正上方的树脂的开口，而连接所述封装基板12。至少一部分的所述第三金属层18c、所述第三金属层28c，及所述第一部分38a可以接触所述封装基板12的导电图案。
倘若所述封装基板12的导电图案与所述弹性波装置14的接地电位为相同电位，所述金属层18、28、38、48也会是接地电位。接地的所述金属层18、28、38、48具有电磁屏蔽层的功能。所述金属层18、28、38、48也可以是一体相连的金属层。
图2是包含弹性波装置的模块的制造方法的流程图。参照所述流程图，说明图1的包含弹性波装置的模块的制造方法。
步骤Sa与步骤Sb是在所述封装基板12上安装多个芯片的步骤。
步骤Sa包括步骤S1-搭载元件、步骤S2-焊料回流、步骤S3-洗净。于步骤Sa中，首先，步骤S1在所述封装基板12的预定位置上涂布例如焊锡膏的膏状焊料。并且，在所述膏状焊料上搭载所述芯片。
接着，借由步骤S2进行焊料回流(Reflow)处理，并借由步骤S3进行洗净处理，而使所述芯片接合于所述封装基板12。
步骤Sb包括步骤S4-电浆洗净、步骤S5-搭载元件。于步骤Sb中，首先，步骤S4对所述封装基板12采用电浆洗净处理。
因此，步骤S5中将所述芯片的凸块连接于设置在所述封装基板12上的预定位置的导电胶。根据一个示例，步骤Sb为Au-Au接合(GGI接合)工程。
步骤Sa中使用膏状焊料将所述芯片安装于所述封装基板12，而步骤Sb中使用导电胶将所述芯片安装于所述封装基板12。根据一个示例，所述弹性波装置14在步骤Sb中安装于所述封装基板12，所述半导体装置20、所述无源元件30，及所述半导体装置40在步骤Sa中安装于所述封装基板12。
根据其他的示例，所述弹性波装置14在步骤Sa中安装于所述封装基板12，所述半导体装置20、所述无源元件30，及所述半导体装置40在步骤Sb中安装于所述封装基板12。
再根据其他的示例，也可以在步骤Sa与步骤Sb的其中之一安装全部的所述芯片到所述封装基板12，并省略步骤Sa与步骤Sb的其中另一。
如图3所示，借由步骤Sa与步骤Sb将所述弹性波装置14、所述半导体装置20、40及所述无源元件30安装于所述封装基板12。
根据一个示例，图3的所述封装基板12是以单位布线基板配置成二维阵列的基板。在这种情况下，所述封装基板12可以设有多个单位布线基板。
接着进行步骤Sc。步骤Sc是形成树脂的步骤，且包括步骤S6-设置树脂层、步骤S7-真空覆膜、步骤S8-部分照射UV、步骤S9-显影去除树脂、步骤S10-设置填充材料。
首先，在步骤S6中放上树脂层而让所述树脂层横跨安装的多个装置芯片。所述树脂层为光固化薄膜。
所述树脂层例如可以是由液态的环氧树脂压制成片状而得。根据其他的示例，所述树脂层可以是有别于环氧树脂的聚酰亚胺等合成树脂。所述树脂层的上表面可以设置聚对苯二甲酸乙二酯(Polyethylene Terephthalate，PET)制成的保护膜，或是在所述树脂层的下表面设置以聚酯纤维制成的基底膜。
借由在多个所述装置芯片上放置树脂层，所述树脂层暂时被固定于多个所述装置芯片。
接着在步骤S7中，借由真空覆膜在芯片间提供树脂。例如，在真空环境中，对所述树脂层施加朝向所述封装基板12的方向的压力时，逐渐将树脂提供至所述芯片间的区域。可以借由以压缩空气充气的硅胶对所述树脂层施加朝向所述封装基板12的方向的压力，或者借由橡胶板对所述树脂层施加朝向所述封装基板12的方向的压力。
图4示例经过真空覆膜后的树脂的形状。在图4中，树脂50具有位于所述芯片上的部分50a与提供于芯片间的部分50b。
也可以用其他方法取代真空覆膜提供树脂到所述芯片间。例如，也可以采用被称为热滚压合的方法。借由通过至少加热到所述树脂层的软化温度的上滚轴与下滚轴间来进行所述热滚压合，将所述树脂层提供至所述装置芯片的上表面，并且一并填充至所述装置芯片的侧面与所述封装基板12的上表面。
如上所述，所述树脂50具有光固化性与热固化性。借此，在所述封装基板12上设置至少覆盖所述弹性波装置14及所述无源元件30的树脂。
接着，在步骤S8中让所述树脂50中覆盖所述弹性波装置14及所述无源元件30的中央区域30C以外的区域的部分固化。
图5示意让所述树脂50的一部分固化。所述树脂50具有覆盖所述弹性波装置14的第一树脂17’，与覆盖所述无源元件30的中央区域30C以外的区域的第二树脂30T’。在所述步骤S8中，对所述第一树脂17’与所述第二树脂30T’照射UV。
根据一个示例，照射UV的过程中使用只在所述第一树脂17’与所述第二树脂30T’正上方设有开口的掩膜56。借由所述掩膜56将来自UV照射装置58的UV提供至所述树脂50，在所述树脂50中，所述第一树脂17’与所述第二树脂30T’被UV照射，其他的部分不被照射。
借此，所述树脂50中只有所述第一树脂17’与所述第二树脂30T’被选择性曝光。借由所述选择性曝光，所述第一树脂17’与所述第二树脂30T’光固化。
所述第一树脂17’与所述第二树脂30T’的固化方法不限于照射UV。所述第一树脂17’与所述第二树脂30T’也可以使用热固化以外的现有的多种方法固化。例如，也可以对所述第一树脂17’与所述第二树脂30T’照射电子束，而让所述第一树脂17’与所述第二树脂30T’固化。
根据一个示例，可以使用所述掩膜56并对所述第一树脂17’与所述第二树脂30T’照射电子束。根据其他的示例，也可以在移动固定封装基板的平台的同时进行扫描，而能不使用所述掩膜，让来自电子束源的电子束照射所述第一树脂17’与所述第二树脂30T’。根据其他的示例，也可以一并使用电子束扫描与所述掩膜。
借由让所述第一树脂17’固化，保持与图1的所述树脂17相同的形状，而让所述弹性波装置14的功能元件维持在外露于所述空隙16的状态。根据一个示例，所述空隙16为密闭空间。
接着，进行步骤S9的处理。在步骤S9中，去除一部分的所述树脂。
图6是去除所述树脂的示意图。在这个示例中，去除至少一部分形成于所述弹性波装置14上的树脂而形成开口h2。去除形成于所述半导体装置20、40上的树脂。并且，去除形成于所述无源元件30的中央区域30C的树脂。并且，形成露出所述封装基板12的开口h1、h3、h5。所述开口h1、h3、h5可以选择性地被设置，例如，也可以与形成在后述金属层和所述封装基板12上的具有接地电位的布线连接。根据一个示例，通过显影去除所述树脂。
接着，进行步骤S10的处理。在步骤S10中，设置填充材料。
图7是在所述封装基板与所述无源元件等之间设置填充材料的示意图。在这个示例中，所述封装基板12和所述半导体装置20、40之间及在所述封装基板12和所述无源元件30之间设置作为填充材料的树脂22、32、42。所述填充材料可以使用一般用作底部填充胶的树脂材料。
在所述步骤S9中，因为去除形成于所述无源元件30的中央区域30C上的树脂，可以从所述中央区域30C提供底部填充胶至所述封装基板12与所述无源元件30间。借此，可以抑制所述无源元件30的焊桥等造成短路。
在提供所述底部填充胶后，让所述树脂热固化。热固化的方法视树脂的材料而定。示例其中一种树脂，借由在软化所述第二树脂的温度(即第一温度)下维持一段时间，而让所述树脂固化。示例另一种树脂，在比所述第一温度更高的第二温度下让所述树脂固化。
随着让所述树脂软化与固化的热处理，也能促使作为光固化薄膜的所述树脂17、33固化。换句话说，所述树脂17、33在上述曝光处理的过程中固定其形状，并且，之后在所述第二树脂的热处理过程中完全固化。
换句话说，借由热处理所述树脂17、33热固化。借由热处理避免或抑制所述树脂17流动，而不让所述树脂17接触所述IDT 14a。
所述树脂的固化过程中，借由具备上模具与下模具的热压机对所述树脂层往所述封装基板12的方向施压。例如，加热升温所述树脂层至一次软化温度而形成底部填充胶后，加热至固化温度而固定其形状。
接着，进行步骤Sd。步骤Sd为形成金属层的步骤，且包括步骤S11-背面贴胶带、步骤S12-触媒处理、步骤S13-背面更换胶带、步骤S14-前处理、步骤S15-无电解镀镍。
例如，在步骤S11中，在所述封装基板12的背面黏贴胶带，在步骤S12进行用于引起无电解电镀反应的触媒处理。
接着，在步骤S13中更换胶带，在步骤S14进行前处理，在步骤S15例如形成无电解镀镍。因此，借由电镀法形成覆盖所述树脂的金属层。
具体而言，形成图1的金属层18、28、38、48。根据一个示例，所述金属层借由被填充于所述树脂的开口，而连接于所述封装基板12的导电图案。所述金属层18、28、38、48也可以用无电解镀镍以外的方法形成。
根据一个示例，为形成所述金属层，可以依序使用无电解镀铜与无电解镀镍。根据其他的示例，为形成所述金属层，可以依序使用无电解镀银与无电解镀镍。再根据其他的实施例，为形成所述金属层，可以依序实施：形成Ti、溅镀Cu，及使用无电解镀镍。所述变化的实施态样，与以无电解镀镍形成所述金属层的情况相比，能提升所述树脂与所述金属层的附着性。
接着，进行步骤Se。步骤Se是所谓的后处理，且包括步骤S16-切割、步骤S17-外观检查、步骤S18-电性检查、步骤S19-包装。例如，在步骤S16中切割所述封装基板12。借此将产品分割。
接着，在步骤S17进行外观检查，在步骤S18检测产品的电性。步骤S19将没有问题的产品包装。因此，完成如图1所示的包含弹性波装置的模块10的制作。
根据一个示例，可以在图1的结构上表面形成绝缘层。
图8是绝缘层60的示意图。在这个示例中，增加在所述金属层18、28、38、48上形成所述绝缘层60的步骤。根据一个示例，所述绝缘层60的上表面大致是平坦的。借由所述绝缘层60可提高密封性。并且能有利于后续处理。
虽然以上描述了至少一个实施态样，应当理解的是，本领域技术人员能容易想到进行各种变化、修正或改进。上述变化、修正或改进也属于本公开的一部分，并且，属于本发明的范围。
应当理解的是，这里所描述的方法或装置的实施态样，不仅限于以上说明所记载或附图所示例的构成组件的架构和排列。方法和装置能以其他实施态样安装，或以其他实施态样施行。
所述实施例仅用于说明，并没有限定的意思。
本公开所使用的描述或用词仅是为了说明，并没有限定的必要。这里的“包括”、“具备”、“具有”、“包含”及其变化的使用，具有包括之后列举的项目、其等同物和附加项目的意思。
“或(或者)”的用词，或任何使用“或(或者)”描述的用语，可解释为所述描述用语中的其中一个、大于一个，或全部的意思。
前、后、左、右、顶、底、上、下，及水平、垂直的引用都是为了方便描述，并非限定本发明中任一构成组件的位置与空间配置。因此，上述说明与附图只是示例性的。
Claims (22)
1.一种包含弹性波装置的模块，其特征在于包含：
封装基板；
弹性波装置，以设有功能元件的第一主面面向所述封装基板，并安装于所述封装基板；
光固化薄膜，与所述封装基板一起将所述封装基板与所述功能元件间的间隙密封；
半导体装置，安装于所述封装基板；
填充材料，设置于所述封装基板与所述半导体装置间；及
金属层，覆盖所述封装基板、所述光固化薄膜及所述半导体装置。
2.一种包含弹性波装置的模块，其特征在于包含：
封装基板；
弹性波装置，以设有功能元件的第一主面面向所述封装基板，并安装于所述封装基板；
光固化薄膜，与所述封装基板一起将所述封装基板与所述功能元件间的间隙密封；
半导体装置，安装于所述封装基板；
无源元件，安装于所述封装基板；
填充材料，设置于所述封装基板与所述半导体装置间，和所述封装基板与所述无源元件间；及
金属层，覆盖所述封装基板、所述光固化薄膜、所述半导体装置及所述无源元件。
3.根据权利要求2所述的包含弹性波装置的模块，其特征在于：所述光固化薄膜覆盖所述无源元件的中央区域以外的部分。
4.根据权利要求2所述的包含弹性波装置的模块，其特征在于：所述金属层将所述无源元件与所述半导体装置气密密封。
5.根据权利要求2所述的包含弹性波装置的模块，其特征在于：所述无源元件呈长方体，所述无源元件的两个端子分别形成在其两端，每一端子横跨五个面。
6.根据权利要求5所述的包含弹性波装置的模块，其特征在于：所述光固化薄膜覆盖所述无源元件的两个端子。
7.根据权利要求5或6所述的包含弹性波装置的模块，其特征在于：所述金属层与所述无源元件的端子电绝缘。
8.根据权利要求1或2所述的包含弹性波装置的模块，其特征在于：所述光固化薄膜的厚度为25μm～75μm。
9.根据权利要求1或2所述的包含弹性波装置的模块，其特征在于：所述光固化薄膜经过光固化及热固化，所述填充材料经过热固化。
10.根据权利要求1或2所述的包含弹性波装置的模块，其特征在于：所述弹性波装置具有与所述第一主面相反的第二主面，至少一部分的所述第二主面不被所述光固化薄膜覆盖，至少一部分的所述第二主面被所述金属层覆盖。
11.根据权利要求1或2所述的包含弹性波装置的模块，其特征在于：所述弹性波装置具有与所述第一主面相反的第二主面，所述半导体装置具有远离所述封装基板的非对向面，所述弹性波装置的整个所述第二主面及所述半导体装置的整个所述非对向面被所述光固化薄膜覆盖，所述金属层形成于所述光固化薄膜上。
12.根据权利要求1或2所述的包含弹性波装置的模块，其特征在于：所述光固化薄膜为聚酰亚胺，所述光固化薄膜的上表面设有保护膜。
13.根据权利要求1或2所述的包含弹性波装置的模块，其特征在于：所述光固化薄膜为聚酰亚胺，所述光固化薄膜的下表面设有基底膜。
14.根据权利要求1或2所述的包含弹性波装置的模块，其特征在于：所述包含弹性波装置的模块还包含设置于所述金属层上的绝缘层。
15.根据权利要求1或2所述的包含弹性波装置的模块，其特征在于：所述填充材料具有从所述半导体装置的外缘突出的突出部，所述突出部被所述金属层覆盖。
16.根据权利要求1或2所述的包含弹性波装置的模块，其特征在于：所述弹性波装置包含由弹性表面波滤波器与声薄膜共振器形成的滤波器、双工器和对偶滤波器的其中任一。
17.根据权利要求1或2所述的包含弹性波装置的模块，其特征在于：所述半导体装置为功率放大器、低噪声放大器和开关的其中任一。
18.一种包含弹性波装置的模块的制造方法，其特征在于包含：
在封装基板上安装弹性波装置及半导体装置的步骤；
在所述封装基板上设置至少覆盖所述弹性波装置的光固化薄膜的步骤；
至少使覆盖所述弹性波装置的所述光固化薄膜光硬化的光照射步骤；及
至少去除覆盖所述弹性波装置以外的区域的所述光固化薄膜的步骤。
19.一种包含弹性波装置的模块的制造方法，其特征在于包含：
在封装基板上安装弹性波装置、半导体装置及无源元件的步骤；
在所述封装基板上设置至少覆盖所述弹性波装置及所述无源元件的光固化薄膜的步骤；
至少使覆盖所述弹性波装置及所述无源元件的中央区域以外的区域的所述光固化薄膜光硬化的光照射步骤；及
至少去除覆盖所述弹性波装置以外的区域及覆盖所述无源元件的中央区域的所述光固化薄膜的步骤。
20.根据权利要求19所述的包含弹性波装置的模块的制造方法，其特征在于还包含：
在所述封装基板与所述半导体装置之间及在所述封装基板与所述无源元件之间填充填充材料的步骤；及
形成覆盖所述封装基板、所述光固化薄膜及所述半导体装置的金属层的步骤。
21.根据权利要求18至20中任一项所述的包含弹性波装置的模块的制造方法，其特征在于：在去除所述光固化薄膜的步骤中，去除一部分形成于所述弹性波装置的不对向所述封装基板的主面上的所述光固化薄膜。
22.根据权利要求20所述的包含弹性波装置的模块的制造方法，其特征在于：在形成所述金属层的步骤中，于所述弹性波装置的不对向所述封装基板的主面中未形成所述光固化薄膜的区域形成所述金属层。
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