CN116324518A

CN116324518A - 检测装置

Info

Publication number: CN116324518A
Application number: CN202180067162.5A
Authority: CN
Inventors: 岛田修; 前田博己; 谷森达; 高田淳史; 富樫和义; 本村知久
Original assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Current assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date: 2020-10-01
Filing date: 2021-09-30
Publication date: 2023-06-23
Also published as: JP7215639B2; US20230384465A1; JPWO2022071549A1; JP2023025252A; JP2024038315A; JP7420208B2; EP4224216A1; WO2022071549A1

Abstract

检测放射线的检测装置具备：容器，包括第一部、在第一方向上与第一部对置的第二部、及从第一部朝向第二部扩展的侧部，该容器收容气体；电子检测器，位于容器的内部，检测因康普顿散射而产生的电子；漂移电极，在容器的内部位于比电子检测器更靠第二部侧的位置，且与电子检测器对置；以及放射线检测器，位于比偏移电极更靠第二部侧的位置，对散射的放射线进行检测。

Description

检测装置

技术领域

本公开的实施方式涉及检测放射线的检测装置。

背景技术

作为检测放射线的装置，例如如专利文献1～3所公开的那样，已知有对已被康普顿散射的放射线以及因康普顿散射而产生的电子进行检测的检测装置。检测装置具备：容器，收容气体；漂移电极及电子检测器，在容器的内部对置；以及放射线检测器，位于容器的外部。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2017/057674号小册子

专利文献2：日本特开2016-217874号公报

专利文献3：日本特开2016-161522号公报

发明内容

--发明所要解决的技术课题--

优选准确地取得与在漂移电极和电子检测器之间产生的康普顿散射相关的信息。信息例如是产生康普顿散射的位置、因康普顿散射而产生的反冲电子的飞痕、康普顿散射后的放射线的能量等。然而，根据漂移电极、电子检测器以及放射线检测器的配置，有时无法准确地得到这些信息。

例如在专利文献1～3的检测装置中，在容器的内部康普顿散射后的放射线在通过电子检测器、容器以及容器的外部的空气之后入射到放射线检测器。在这种情况下，放射线与电子检测器、容器以及容器的外部的空气之间有产生相互反应的可能性。例如，认为放射线被光电吸收或者产生具有不同能量的放射线。此外，还认为在电子检测器、容器以及容器的外部的空气中产生康普顿散射。如果产生这些现象，则产生由放射线检测器检测出的放射线的能量、位置等与在漂移电极与电子检测器之间产生的康普顿散射不对应的情况。因此，容易产生检测结果的偏差、误差等。

本公开的实施方式的目的在于提供能够有效地解决这样的课题的检测装置。

--用于解决技术问题的手段--

本公开的一个实施方式是检测放射线的检测装置，具备：

容器，包括第一部、在第一方向上与所述第一部对置的第二部、及从所述第一部朝向所述第二部扩展的侧部，所述容器收容气体；

电子检测器，位于所述容器的内部，检测因康普顿散射而产生的电子；

漂移电极，在所述容器的内部位于比所述电子检测器更靠所述第二部侧的位置且与所述电子检测器对置；以及

放射线检测器，位于比所述漂移电极更靠所述第二部侧的位置，检测被散射的放射线。

在本公开的一个实施方式的检测装置中，所述放射线检测器也可以位于所述容器的内部。

在本公开的一个实施方式的检测装置中，所述放射线检测器也可以位于所述容器的外部。

在本公开的一个实施方式的检测装置中，所述第一部也可以包括在沿着所述电子检测器与所述漂移电极对置的方向观察的情况下在与所述电子检测器重叠的范围内平坦地扩展的外表面。

在本公开的一个实施方式的检测装置中，所述第一部的内表面与所述电子检测器之间的距离也可以为10mm以下。

本公开的一个实施方式是检测放射线的检测装置，具备：

容器，其包括第一部、在第一方向上与所述第一部对置的第二部、及从所述第一部朝向所述第二部扩展的侧部，所述容器收容气体；

漂移电极，在所述容器的内部位于比所述电子检测器更靠所述第一部侧的位置且与所述电子检测器对置；以及

放射线检测器，位于比所述电子检测器更靠所述第二部侧的位置，检测被散射的放射线。

在本公开的一个实施方式的检测装置中，所述第一部包括外表面，该外表面在沿着所述电子检测器与所述漂移电极对置的方向观察的情况下，在与所述漂移电极重叠的范围内平坦地扩展。

在本公开的一个实施方式的检测装置中，所述第一部的内表面与所述漂移电极之间的距离也可以为10mm以上且100mm以下。

在本公开的一个实施方式的检测装置中，所述漂移电极也可以包括多个贯通孔。

本公开的一个实施方式是检测放射线的检测装置，具备：

漂移电极，位于所述容器的内部，且在与所述第一方向交叉的方向上与所述电子检测器对置；以及

放射线检测器，与所述第一部相比更接近所述第二部，对散射的放射线进行检测。

本公开的一个实施方式的检测装置也可以具备位于所述电子检测器与所述漂移电极之间，且与所述电子检测器以及所述漂移电极对置的电子放大器。

在本公开的一个实施方式的检测装置中，所述电子检测器包括多个收集电极，

所述电子放大器也可以包括：基材，包括表面及背面，在与所述漂移电极对置的方向上形成与所述收集电极重叠的贯通孔；第一电极，位于所述表面；以及第二电极，位于所述背面。

本公开的一个实施方式的检测装置也可以具备辅助漂移电极，该辅助漂移电极包括沿着所述电子检测器与所述漂移电极对置的方向排列的多个环形电极和位于相邻的两个所述环形电极之间的间隔件。

本公开的一个实施方式的检测装置也可以具备：辅助漂移电极，包括沿所述电子检测器与所述漂移电极对置的方向排列的多个环形电极、及位于相邻的两个所述环形电极之间的间隔件；以及中继基板，支承所述辅助漂移电极以及所述电子检测器。所述漂移电极也可以安装于所述辅助漂移电极，以使得与所述电子检测器对置。所述中继基板也可以配置在所述第二部上。

在本公开的一个实施方式的检测装置中，所述放射线检测器也可以包括闪烁器和光检测器，所述闪烁器被所述散射的放射线激发而发出荧光，所述光检测器检测所述荧光。

在本公开的一个实施方式的检测装置中，所述放射线检测器也可以包括用于检测所述散射的放射线的半导体检测元件。

在本公开的一个实施方式的检测装置中，所述容器的侧部也可以具有圆筒形。

本公开的一个实施方式的检测装置也可以具备位于所述容器的内部的吸附材料。

本公开的一个实施方式的检测装置也可以具备：循环路，与所述容器连接；以及泵及过滤器，插入于所述循环路。

--发明效果--

根据本公开的实施方式，能够提高放射线检测器的检测精度。

附图说明

图1是表示第一实施方式所涉及的检测装置的一例的立体图。

图2是图1的检测装置的剖视图。

图3是表示电子检测器的一例的立体图。

图4是表示放射线检测器的一例的立体图。

图5是用于说明图1的检测装置的作用的图。

图6是表示第一实施方式所涉及的检测装置的第一变形例的剖视图。

图7是表示第一实施方式所涉及的检测装置的第二变形例的剖视图。

图8是表示第一实施方式所涉及的检测装置的第三变形例的剖视图。

图9是表示第一实施方式所涉及的检测装置的第四变形例的剖视图。

图10是表示第一实施方式所涉及的检测装置的第五变形例的剖视图。

图11是表示第一实施方式所涉及的检测装置的第六变形例的剖视图。

图12是表示第二实施方式所涉及的检测装置的一例的立体图。

图13是图12的检测装置的剖视图。

图14是用于说明图12的检测装置的作用的图。

图15是表示第三实施方式所涉及的检测装置的一例的立体图。

图16是图15的检测装置的剖视图。

图17是用于说明图15的检测装置的作用的图。

图18是表示第三实施方式所涉及的检测装置的第一变形例的剖视图。

图19是表示第三实施方式所涉及的检测装置的第二变形例的剖视图。

图20是表示第二实施方式所涉及的检测装置的一变形例的剖视图。

图21是表示第一共用变形例所涉及的容器的立体图。

图22是表示将第一共用变形例所涉及的容器应用于第一实施方式的例子的剖视图。

图23是表示将第一共用变形例所涉及的容器应用于第一实施方式的例子的剖视图。

图24是表示将第一共用变形例所涉及的容器应用于第二实施方式的例子的剖视图。

图25是表示将第一共用变形例所涉及的容器应用于第二实施方式的例子的剖视图。

图26是表示将第一共用变形例所涉及的容器应用于第三实施方式的例子的剖视图。

图27是表示将第一共用变形例所涉及的容器应用于第三实施方式的例子的剖视图。

图28是表示第二共用变形例所涉及的辅助漂移电极的立体图。

图29是表示第二共用变形例所涉及的辅助漂移电极的剖视图。

图30是表示环形电极的一例的俯视图。

图31是表示将第二共用变形例所涉及的辅助漂移电极应用于第二实施方式的例子的剖视图。

具体实施方式

以下所示的实施方式是本公开的实施方式的一例，本公开并不限定于这些实施方式来解释。此外，在本说明书中，“基板”、“基材”、“片材”、“膜”等用语并非仅基于称呼的不同而相互区别。例如，“基板”、“基材”是还包括能够被称为片材、膜的构件的概念。进而，在本说明书中使用的确定形状、几何学的条件以及它们的程度的例如“平行”、“正交”等用语、长度、角度的值等，不受严格的意义束缚，包括能够期待同样的功能的程度的范围来解释。

在本说明书中参照的附图中，对相同部分或具有相同功能的部分标注相同的附图标记或者类似的附图标记，有时省略其重复的说明。此外，附图的尺寸比率为了便于说明而存在与实际的比率不同的情况、结构的一部分从附图中省略的情况。

在本说明书中，在关于某个参数列举了多个上限值的候补以及多个下限值的候补的情况下，该参数的数值范围也可以通过组合任意的一个上限值的候补和任意的一个下限值的候补来构成。例如，考虑记载为以下情况，“参数B例如为A1以上，可以为A2以上，也可以为A3以上。参数B例如为A4以下，可以为A5以下，也可以为A6以下”。在这种情况下，参数B的数值范围可以是A1以上且A4以下，也可以是A1以上且A5以下，还可以是A1以上且A6以下，还可以是A2以上且A4以下，还可以是A2以上且A5以下，还可以是A2以上且A6以下，还可以是A3以上且A4以下，还可以是A3以上且A5以下，还可以是A3以上且A6以下。

第一实施方式

以下，参照附图对本公开的第一实施方式所涉及的检测装置10的结构进行详细说明。首先，对检测装置10的概要进行说明。图1是表示检测装置10的一例的立体图。图2是图1的检测装置10的剖视图。

(检测装置)

检测装置10具备容器20、位于容器20的内部的电子检测器30、漂移电极40以及放射线检测器50。容器20例如是腔室。在容器20的内部至少收容氩气、氙等稀有气体。在容器20的内部，除了稀有气体之外，还可以收容二氧化碳、甲烷等具有消光作用的猝灭气体。

容器20包括第一面21、在第一方向D1上与第一面21对置的第二面22、以及从第一面21朝向第二面22扩展的侧面23。设想检测装置10检测通过第一面21入射到容器20的内部的放射线。容器20也可以载置为第二面22与地板、台等面对置或接触。如图1所示，容器20也可以具有圆筒形。即，侧面23也可以具有圆形的截面。虽未图示，但容器20也可以具有圆筒形以外的形状，例如立方体、长方体的形状。虽未图示，但第一面21也可以弯曲为朝向容器20的外侧凸出。

辐射放射线的对象物位于容器20的外部。第一面21是容器的面中最接近对象物的面。在以下的说明中，也将第一面21称为第一部21。也将第二面22称为第二部22。也将侧面23称为侧部23。

容器20的材料优选为容易使放射线透过的材料。由此，能够抑制在通过容器20的期间放射线被容器20吸收或散射。容器20例如也可以包括塑料、金属。塑料可以是纤维增强塑料。在使用金属的情况下，容器20可以由单一的金属元素构成，也可以由合金构成。作为金属，例如能够使用铝、铝合金。为了使容器20轻量化，也可以使用比重小于4的金属。

在容器20包括塑料的情况下，容器20的厚度例如为1mm以上，可以为5mm以上，也可以为10mm以上。容器20的厚度例如为30mm以下，可以为25mm以下，也可以为20mm以下。

在容器20包括金属的情况下，容器20的厚度例如为2mm以上，可以为3mm以上，也可以为5mm以上。容器20的厚度例如为20mm以下，可以为15mm以下，也可以为10mm以下。

电子检测器30、漂移电极40以及放射线检测器50依次在从第一部21朝向第二部22的一侧排列。即，漂移电极40位于比电子检测器30靠第二部22侧的位置。放射线检测器50位于比漂移电极40靠第二部22侧的位置。“结构要素A位于比结构要素B靠第二部22侧”是指结构要素A相对于结构要素B位于图1的箭头S2所示的一侧。箭头S2表示从第一部21朝向第二部22的方向。从结构要素B到第二部22的距离也可以比从结构要素B到结构要素A的距离长，也可以比从结构要素B到结构要素A的距离长。

电子检测器30也可以比第二部22更接近第一部21。漂移电极40以及放射线检测器50也可以比第一部21更接近第二部22。

对电子检测器30、漂移电极40以及放射线检测器50进行详细说明。

入射到容器20的内部的放射线与气体碰撞时，有时产生康普顿散射。当产生康普顿散射时，产生反冲电子。此外，沿反冲电子的飞痕产生电离电子。电子检测器30检测电离电子。通过检测电离电子，能够计算反冲电子的飞痕以及能量。

图3是表示电子检测器30的一例的立体图。电子检测器30也可以包括多个收集电极31和支承收集电极31的支承基板32。收集电极31与漂移电极40对置。支承基板32包括在与第一方向D1交叉的方向上扩展的面。收集电极31检测通过电场而被吸引到电子检测器30的电离电子。多个收集电极31也可以在与第一方向D1交叉的方向上排列。例如，支承基板32也可以包括在与第一方向D1正交的方向上扩展的面。多个收集电极31也可以在与第一方向D1正交的第二方向D2以及第三方向D3上排列。第二方向D2与第三方向D3也可以正交。

收集电极31包括具有导电性的材料。作为收集电极31的材料，能够使用铜(Cu)、金(Au)、银(Ag)、铂(Pt)、钯(Pd)、铑(Rh)、锡(Sn)、铝(Al)、镍(Ni)、铬(Cr)、钛(Ti)、钼(Mo)、钨(W)、钽(Ta)等金属或者使用这些的合金等。优选使用铜(Cu)、金(Au)、银(Ag)等具有高导电性的金属。

由收集电极31检测出的电子作为电信号被处理。电子检测器30也可以包括用于处理电信号的电路、布线等。电信号例如也可以经由与电子检测器30连接的未图示的电缆、密封连接器、布线基板等向容器20的外部传输。

虽然未图示，但多个电子检测器30也可以在第二方向D2或者第三方向D3上排列。由此，能够放大能检测电子的区域。

漂移电极40被配置为与电子检测器30对置。例如，漂移电极40在第一方向D1上与电子检测器30对置。即，漂移电极40包括在与第一方向D1正交的方向上扩展的面。漂移电极40具有比电子检测器30的收集电极31的电位低的电位。因此，如图2所示，在电子检测器30与漂移电极40之间产生从电子检测器30朝向漂移电极40的电场E1。伴随着因康普顿散射而产生的反冲电子的电离电子通过电场E1被向电子检测器30侧吸引。

漂移电极40包括具有导电性的材料。例如，漂移电极40包括铝、铝合金等比重小于4的金属。由此，与漂移电极40包括比重较大的金属的情况相比，能够抑制通过漂移电极40的放射线受到漂移电极40的影响。

漂移电极40的厚度例如为0.01mm以上，可以为0.1mm以上，也可以为0.3mm以上。漂移电极40的厚度例如为2.0mm以下，可以为1.0mm以下，也可以为0.5mm以下。越减小漂移电极40的厚度，越能够抑制通过漂移电极40的放射线受到漂移电极40的影响。

放射线检测器50检测散射的放射线。在本实施方式中，在电子检测器30与漂移电极40之间散射的放射线在透过了漂移电极40之后由放射线检测器50检测。放射线检测器50能够检测到达放射线检测器50的放射线的位置以及能量。

图4是表示放射线检测器50的一例的立体图。放射线检测器50也可以包括多个检测元件51和支承检测元件51的电路基板52。多个检测元件51也可以在与第一方向D1交叉的方向上排列。例如，多个检测元件51也可以在与第一方向D1正交的第二方向D2以及第三方向D3上排列。

只要能够检测放射线，检测元件51的结构是任意的。

例如，检测元件51也可以包括被散射的放射线激发而发出荧光的闪烁器和检测荧光的光检测器。光检测器例如也可以包括雪崩光电二极管。

检测元件51可以包括检测所述散射的放射线的半导体检测元件。半导体检测元件例如也可以具备包括碲化锌镉的半导体。

放射线检测器50也可以包括：第一检测元件51，其能够检测具有第一范围内的能量的放射线；以及第二检测元件51，其能够检测具有与第一范围不同的第二范围内的能量的放射线。由此，能够放大放射线检测器50能够检测的放射线的能量的范围。

由检测元件51检测出的放射线由电路基板52作为电子信号进行处理。电路基板52也可以包括用于处理电信号的电路、布线等。电信号例如也可以经由与电路基板52连接的未图示的电缆、密封连接器、布线基板等向容器20的外部传输。

放射线检测器50与漂移电极40电绝缘。例如，放射线检测器50与漂移电极40之间的距离K1被设定为确保电绝缘。气体、绝缘体等也可以位于漂移电极40与放射线检测器50之间。由此，能够抑制在漂移电极40与放射线检测器50之间产生放电等不良。

虽未图示，但多个放射线检测器50也可以在第二方向D2或者第三方向D3上排列。由此，能够放大能检测放射线的区域。

电子检测器30、漂移电极40、放射线检测器50等位于容器20的内部的电气部件优选配置为在与容器20的内表面之间不会产生放电等不良。例如，优选确定电气部件的配置以及电位，以使得位于容器20的内部的电气部件与容器20的内表面之间产生的电场为2.5kV/cm以下。

(检测装置的制造方法)

接着，对检测装置10的制造方法的一例进行说明。

首先，准备电子检测器30、漂移电极40、放射线检测器50、电缆、连接器等配置于容器20的内部的电气部件。接着，对这些电气部件实施第一减压烘烤处理。例如，将在处理中使用的容器的内部控制为比大气压低的气压气氛，在容器的内部对电气部件进行加热。由此，能够抑制在检测装置10的使用中从电气部件产生排气。气氛的压力例如为0.1个大气压以下。在减压烘烤处理的期间，也可以通过进行容器的内部的排气，将压力维持在0.1气压以下。加热温度例如为60℃以上，也可以为100℃以上。加热温度可以为125℃以下。加热时间可以为2小时以上，也可以为12小时以上。此外，也可以对检测装置10的容器20也同样地实施第一减压烘烤处理。

接着，将实施了第一减压烘烤处理的电气部件配置在容器20的内部。之后，也可以在容器20的内部对电气部件实施第二减压烘烤处理。

优选在电子检测器30、漂移电极40、放射线检测器50、电缆、连接器等电气部件中，使用不易产生排气的部件。例如，铝电解电容器等包括中空部的部件容易产生排气。考虑到这一点，优选使用层叠陶瓷电容器来代替铝电解电容器。

(检测装置的作用)

接着，参照图5对检测装置10的作用的一例进行说明。在图5中，省略了容器20。

在图5中，附图标记R1表示通过容器20的第一部21而入射到容器20的内部的放射线。放射线R1例如是带电粒子、γ射线、X射线、中子或者紫外光等。放射线R1在通过电子检测器30之后，到达电子检测器30与漂移电极40之间的空间。附图标记R2表示到达电子检测器30与漂移电极40之间的空间的放射线。由于在通过电子检测器30时产生的散射、衰减，因此放射线R2的能量有时比放射线R1的能量低。

若放射线R2与气体碰撞，则有时产生康普顿散射。附图标记P表示产生散射的位置。也将位置P称为散射点。附图标记R3表示散射的放射线。放射线R3在通过了漂移电极40之后，到达放射线检测器50。附图标记R4表示到达放射线检测器50的放射线。由于在通过漂移电极40时产生的散射、衰减，因此放射线R4的能量有时比放射线R3的能量低。放射线R4由多个检测元件51中的一个检测。由此，能够计算放射线R4的到达位置以及能量。

附图标记R5表示因康普顿散射而产生的反冲电子。在反冲电子R5的飞痕形成电子云。电子云的各电子通过电场E1被向电子检测器30侧吸引。例如，如图5所示，沿着反冲电子R5的飞痕依次产生的电子e1、e2被向电子检测器30侧吸引。电子e1、e2由与电子e1、e2的位置对应的收集电极31检测。由此，能够计算电子e1、e2的位置以及能量。此外，能够计算反冲电子R5的飞痕和能量以及散射点P。

在本实施方式中，如上所述，放射线检测器50位于容器20的内部。因此，与放射线检测器50位于容器20的外部的情况相比，能够抑制在到达放射线检测器50之前的期间产生放射线的散射、衰减等。因此，能够更准确地得到与在电子检测器30与漂移电极40之间的空间散射的放射线R3相关的信息。

此外，在本实施方式中，放射线检测器50与漂移电极40对置。在漂移电极40的厚度较小，构成漂移电极40的金属的比重较小的情况下，通过漂移电极40的放射线不易受到漂移电极40的影响。这也有助于减小到达放射线检测器50的放射线R4的能量与散射的放射线R3的能量之间的差。此外，能够有助于减少到达放射线检测器50的放射线R4的放射线量与散射的放射线R3的放射线量的差。因此，能够更准确地获得与散射的放射线R3相关的信息。

本实施方式在散射前的放射线R1、R2的能量未知的情况下特别有用。

能够对上述的第一实施方式施加各种变更。以下，根据需要参照附图对变形例进行说明。在以下的说明以及以下的说明中使用的附图中，对于能够与第一实施方式同样地构成的部分，使用与对第一实施方式中的对应的部分使用的附图标记相同的附图标记，省略重复的说明。此外，在第一实施方式中得到的作用效果在变形例中也能够得到的情况下，有时省略其说明。

(第一变形例)

图6是表示第一变形例所涉及的检测装置10的剖视图。检测装置10也可以具备位于电子检测器30与漂移电极40之间的电子放大器60。电子放大器60例如被配置为在第一方向D1上与电子检测器30以及漂移电极40对置。

电子放大器60被配置为产生电子雪崩放大。例如，电子放大器60包括：包括表面631以及背面632的基材63；位于表面631的第一电极61；和位于背面632的第二电极62。第一电极61与电子检测器30对置。第二电极62与漂移电极40对置。在基材63形成从表面631贯通至背面632的多个贯通孔64。如图6所示，贯通孔64在与漂移电极40对置的方向上，例如在第一方向D1上与电子检测器30的收集电极31重叠。多个收集电极31也可以相对于一个贯通孔64重叠。

第二电极62的电位高于漂移电极40的电位。因此，在第二电极62与漂移电极40之间产生从第二电极62朝向漂移电极40的电场E2。第一电极61的电位高于第二电极62的电位。因此，在第一电极61与第二电极62之间产生从第一电极61朝向第二电极62的电场E3。

考虑在电子放大器60与漂移电极40之间产生从第一部21入射到容器20的内部的放射线的康普顿散射的情况。形成在反冲电子的飞痕上的电子云的电子通过电场E2被吸引到电子放大器60侧。

被吸引至电子放大器60的电子与气体碰撞，使气体电离。电离后的电子在贯通孔64的内部雪崩地放大，并且作为电子群向第一电极61侧吸引。通过了贯通孔64的电子由收集电极31检测。根据本变形例，通过使用电子放大器60，计测的电子的量增加。因此，能够以更高的精度检测电子的位置等。

(第二变形例)

图7是表示第二变形例所涉及的检测装置10的剖视图。检测装置10也可以具备位于电子检测器30与漂移电极40之间的辅助漂移电极70。辅助漂移电极70包括在电子检测器30与漂移电极40对置的方向上扩展的面71。例如，面71在第一方向D1上扩展。

辅助漂移电极70是为了提高电子检测器30与漂移电极40之间的电场分布的均匀性而设置的。辅助漂移电极70也可以包围电子检测器30与漂移电极40之间的空间。虽未图示，但辅助漂移电极70也可以包括沿第一方向D1排列的多个电极。例如，辅助漂移电极70也可以具有利用多个电极包围电子检测器30与漂移电极40之间的空间的、所谓的笼状的构造。辅助漂移电极70也可以由具有绝缘性的树脂等材料固定。

辅助漂移电极70与漂移电极40同样地，包括具有导电性的材料。例如，辅助漂移电极70也可以包括铝等比重小于4的金属。

(第三变形例)

图8是表示第三变形例所涉及的检测装置10的剖视图。如图8所示，放射线检测器50也可以位于容器20的外部。例如，放射线检测器50也可以位于第二部22的外侧。放射线检测器50也可以隔着第二部22与漂移电极40对置。

根据本变形例，通过将放射线检测器50配置于容器20的外部，能够防止从放射线检测器50产生的排气对容器20的内部的环境造成影响。由此，例如能够进一步提高形成于反冲电子R5的飞痕的电子云的密度。此外，在容器20的内部设置电子放大器60的情况下，能够进一步促进由电子放大器60进行的电子的放大。

在本变形例中，在电子检测器30与漂移电极40之间的空间被散射的放射线R3在通过了漂移电极40以及容器20的第二部22之后，到达放射线检测器50。为了抑制在第二部22中产生放射线的散射、衰减等，优选第二部22的厚度较小。

(第四变形例)

图9是表示第四变形例所涉及的检测装置10的剖视图。检测装置10也可以具备位于容器20的内部的吸附材料81。吸附材料81能够吸附从位于容器20的内部的电气部件产生的排气。例如，吸附材料81能够吸附水蒸气、氧等。吸附材料81例如是钛、锆等活性金属或者合金的吸气材料、沸石或者硅胶等吸附材料、或者吸气泵等。

吸附材料81优选配置在不与放射线干涉的位置。例如，吸附材料81也可以配置于容器20的侧部23。

(第五变形例)

图10是表示第五变形例所涉及的检测装置10的剖视图。检测装置10也可以具备用于除去从位于容器20的内部的电气部件产生的排气的装置。例如，检测装置10也可以具备与容器20连接的循环路82和插入到循环路82的泵83以及过滤器84。

泵83将容器20的内部的气体吸入循环路82。过滤器84从吸入到循环路82的气体中除去水蒸气、氧等不需要的成分。除去了不需要的成分的气体再次返回到容器20的内部。

(第六变形例)

图11是表示第六变形例所涉及的检测装置10的剖视图。如图11所示，漂移电极40也可以包括多个贯通孔41。贯通孔41也可以在漂移电极40与放射线检测器50对置的方向上，例如在第一方向D1上与检测元件51重叠。

在本变形例中，通过康普顿散射而散射的放射线R3的一部分在通过了漂移电极40的贯通孔41之后，到达放射线检测器50。因此，与透过漂移电极40的情况相比，能够抑制在漂移电极40中产生放射线的散射、衰减等。因此，能够更准确地获得与散射的放射线R3相关的信息。

另外，说明了针对上述的第一实施方式的几个变形例，但当然也可以将多个变形例适当组合来应用。

第二实施方式

接着，对本公开的第二实施方式进行说明。在第二实施方式中，对与第一实施方式相同的部分标注相同的附图标记并省略详细的说明。此外，在本实施方式中也能够得到在第一实施方式中得到的作用效果的情况下，有时省略其说明。

图12是表示检测装置10的一例的立体图。图13是图12的检测装置10的剖视图。检测装置10具备容器20、位于容器20的内部的漂移电极40、电子检测器30以及放射线检测器50。漂移电极40、电子检测器30以及放射线检测器50依次在从第一部21朝向第二部22的一侧排列。即，漂移电极40位于比电子检测器30靠第一部21侧的位置。放射线检测器50位于比电子检测器30靠第二部22侧的位置。“结构要素A位于比结构要素B靠第一部21侧”是指结构要素A相对于结构要素B位于图12的箭头S1所示的一侧。箭头S1表示从第二部22朝向第一部21的方向。从结构要素B到第一部21的距离可以比从结构要素B到结构要素A的距离长，也可以比从结构要素B到结构要素A的距离长。

漂移电极40也可以比第二部22更接近第一部21。电子检测器30以及放射线检测器50也可以比第一部21更接近第二部22。

放射线检测器50与电子检测器30电绝缘。例如，放射线检测器50与电子检测器30之间的距离K2被设定为确保电绝缘。气体、绝缘体等也可以位于电子检测器30与放射线检测器50之间。由此，能够抑制在电子检测器30与放射线检测器50之间产生放电等不良。

(检测装置的作用)

接着，参照图14对检测装置10的作用的一例进行说明。在图14中，省略了容器20。

入射到容器20的内部的放射线R1在通过了漂移电极40之后，到达电子检测器30与漂移电极40之间的空间。附图标记R2表示到达电子检测器30与漂移电极40之间的空间的放射线。由于在通过漂移电极40时产生的散射、衰减，因此放射线R2的能量有时比放射线R1的能量低。

在电子检测器30与漂移电极40之间的空间被散射的放射线R3在通过了电子检测器30之后，到达放射线检测器50。附图标记R4表示到达放射线检测器50的放射线。由于在通过电子检测器30时产生的散射、衰减，因此放射线R4的能量有时比放射线R3的能量低。放射线R4由多个检测元件51中的一个检测。由此，能够计算放射线R4的到达位置以及能量。

形成于反冲电子R5的飞痕的电子云的各电子通过电场E1被向电子检测器30侧吸引。例如，电子e1、e2由与电子e1、e2的位置对应的收集电极31检测。由此，能够计算电子e1、e2的位置以及能量。此外，能够计算反冲电子R5的飞痕和能量以及散射点P。

在本实施方式中，也与第一实施方式的情况同样地，放射线检测器50位于容器20的内部。因此，与放射线检测器50位于容器20的外部的情况相比，能够抑制在到达放射线检测器50之前的期间产生放射线的散射、衰减等。因此，能够更准确地得到与在电子检测器30与漂移电极40之间的空间散射的放射线R3相关的信息。

此外，在本实施方式中，漂移电极40位于比电子检测器30靠第一部21侧的位置。在漂移电极40包括比重小的金属的情况下，通过漂移电极40的放射线不易受到漂移电极40的影响。因此，与电子检测器30位于比漂移电极40靠第一部21侧的情况相比，到达电子检测器30与漂移电极40之间的空间的放射线R2的能量减少的比例变小。换言之，入射到容器20的放射线R1的能量与到达电子检测器30与漂移电极40之间的空间的放射线R2的能量之差相对于放射线R1的比例变小。此外，放射线R1的放射线量与放射线R2的放射线量之差变小。因此，能够提高在电子检测器30与漂移电极40之间的空间中产生期待的康普顿散射的概率。此外，通过减小放射线R2的能量减少的比例，能够提高作为计测值而期待的散射的放射线R3朝向第二部22侧的概率。

另一方面，在本实施方式中，散射的放射线R3通过电子检测器30后到达放射线检测器50。因此，与第一实施方式的情况相比，在散射的放射线到达放射线检测器50之前的期间，容易产生放射线的散射、衰减等。考虑到这一点，放射线检测器50在检测到具有明显小于设想的能量的能量的放射线的情况下，也可以忽略该信息。由此，能够抑制计算出错误的散射点P。

本实施方式在散射前的放射线R1、R2的种类已知的情况下特别有用。根据本实施方式，通过提高在电子检测器30与漂移电极40之间的空间中产生期待的康普顿散射的概率，能够高效地得到与放射线的量、分布等相关的信息。

能够对上述的第二实施方式施加各种变更。例如，与第一实施方式的第一变形例的情况同样地，检测装置10也可以具备位于电子检测器30与漂移电极40之间的电子放大器60。与第一实施方式的第二变形例的情况同样地，检测装置10也可以具备位于电子检测器30与漂移电极40之间的辅助漂移电极70。与第一实施方式的第四变形例的情况同样地，检测装置10也可以具备位于容器20的内部的吸附材料81。与第一实施方式的第五变形例的情况同样地，检测装置10也可以具备用于除去从位于容器20的内部的电气部件产生的排气的装置。与第一实施方式的第六变形例的情况同样地，漂移电极40也可以包括多个贯通孔41。

与第一实施方式的第三变形例的情况同样地，放射线检测器50也可以位于容器20的外部。例如，如图20所示，放射线检测器50也可以位于第二部22的外侧。放射线检测器50也可以隔着第二部22与电子检测器30对置。

另外，说明了针对上述的第二实施方式的几个变形例，但当然也可以将多个变形例适当组合来应用。

第三实施方式

接着，对本公开的第三实施方式进行说明。在第三实施方式中，对与第一实施方式相同的部分标注相同的附图标记并省略详细的说明。此外，在本实施方式中也能够得到在第一实施方式中得到的作用效果的情况下，有时省略其说明。

图15是表示检测装置10的一例的立体图。图16是图15的检测装置10的剖视图。检测装置10具备容器20、位于容器20的内部的电子检测器30、漂移电极40以及放射线检测器50。

电子检测器30和漂移电极40在与第一方向D1交叉的方向上对置。例如，电子检测器30与漂移电极40也可以在与第一方向D1正交的第二方向D2上对置。

放射线检测器50检测在电子检测器30与漂移电极40之间的空间散射的放射线。放射线检测器50也可以比第一部21更接近第二部22。在图15以及图16所示的例子中，放射线检测器50在第二方向D2上不与电子检测器30以及漂移电极40重叠。虽未图示，但放射线检测器50也可以在第二方向D2上与电子检测器30以及漂移电极40重叠。

(检测装置的作用)

接着，参照图17说明检测装置10的作用的一例。在图17中，省略了容器20。

从第一部21入射到容器20的内部的放射线R1到达电子检测器30与漂移电极40之间的空间。附图标记R2表示到达电子检测器30与漂移电极40之间的空间的放射线。

在电子检测器30与漂移电极40之间的空间被散射的放射线R3到达放射线检测器50。附图标记R4表示到达放射线检测器50的放射线。

形成于反冲电子R5的飞痕的电子云的各电子通过电场E1被向电子检测器30侧吸引。例如，电子e1、e2由与电子e1、e2的位置对应的收集电极31检测。由此，能够计算电子e1、e2的位置以及能量。此外，能够计算反冲电子R5的飞行痕迹和能量以及散射点P。

此外，在本实施方式中，入射到容器20的内部的放射线R1能够不通过电子检测器30、漂移电极40等电气部件而到达电子检测器30与漂移电极40之间的空间。因此，与上述第一实施方式以及第二实施方式的情况不同，入射到容器20的放射线R1的能量以及放射线量与到达电子检测器30与漂移电极40之间的空间的放射线R2的能量以及放射线量相等。因此，能够提高在电子检测器30与漂移电极40之间的空间中产生期待的康普顿散射的概率。此外，通过使放射线R2与放射线R1同等，能够提高作为计测值而期待的散射的放射线R3朝向第二部22侧的概率。

此外，在本实施方式中，在电子检测器30与漂移电极40之间的空间散射的放射线R3能够不通过电子检测器30、漂移电极40等电气部件而到达放射线检测器50。因此，与上述第一实施方式以及第二实施方式的情况不同，散射的放射线R3的能量以及放射线量与到达放射线检测器50的放射线R4的能量以及放射线量相等。因此，能够更准确地获得与散射的放射线R3相关的信息。

能够对上述的第三实施方式施加各种变更。以下，根据需要参照附图对变形例进行说明。在以下的说明以及以下的说明中使用的附图中，对于能够与第三实施方式同样地构成的部分，使用与对第一实施方式中的对应的部分使用的附图标记相同的附图标记，省略重复的说明。此外，在第三实施方式中得到的作用效果在变形例中也能够得到的情况下，有时省略其说明。

(第一变形例)

图18是表示第一变形例所涉及的检测装置10的剖视图。检测装置10也可以具备位于电子检测器30与漂移电极40之间的电子放大器60。电子放大器60例如被配置为在第二方向D2上与电子检测器30以及漂移电极40对置。通过使用电子放大器60，计测的电子的量增加。因此，能够以更高的精度检测电子的位置等。

(第二变形例)

图19是表示第三变形例的检测装置10的剖视图。如图19所示，放射线检测器50也可以位于容器20的外部。例如，放射线检测器50也可以位于第二部22的外侧。放射线检测器50也可以与第二部22对置。

根据本变形例，通过将放射线检测器50配置于容器20的外部，能够防止从放射线检测器50产生的排气对容器20的内部的环境造成影响。由此，例如能够进一步提高形成于反冲电子R5的飞痕的电子云的密度此外，在容器20的内部设置电子放大器60的情况下，能够进一步促进由电子放大器60进行的电子的放大。

(其他变形例)

与第一实施方式的第二变形例的情况同样地，检测装置10也可以具备位于电子检测器30与漂移电极40之间的辅助漂移电极70。与第一实施方式的第四变形例的情况同样地，检测装置10也可以具备位于容器20的内部的吸附材料81。与第一实施方式的第五变形例的情况同样地，检测装置10也可以具备用于除去从位于容器20的内部的电气部件产生的排气的装置。与第一实施方式的第六变形例的情况同样地，漂移电极40也可以包括多个贯通孔41。

另外，说明了针对上述的第三实施方式的几个变形例，但当然也可以将多个变形例适当组合来应用。

接着，对共通变形例进行说明。共同变形例可以应用于第一实施方式、第二实施方式以及和第三实施方式中的任意一个。

(第一共用变形例)

图21是表示第一共用变形例所涉及的容器20的立体图。如图21所示，容器20也可以包括第一部21以及侧部23、以及位于第一部21与侧部23之间的角部24。第一部21也可以平坦地扩展。角部24也可以包括在与第一部21及侧部23不同的方向上扩展的面。

图22是表示将第一共用变形例所涉及的容器20应用于第一实施方式的例子的剖视图。第一部21包括外表面211以及内表面212。外表面211也可以与对象物5对置。对象物5辐射放射线。检测装置10能够检测通过第一部21入射到容器20的内部的放射线。

如图22所示，外表面211也可以平坦地扩展。优选外表面211在范围F1中平坦地扩展。例如，对置方向上的点P1的位置与点P2的位置之差为10mm以下。由此，能够缩短从对象物5到电子检测器30的距离。因此，能够提高测量的分辨率。范围F1是在沿电子检测器30与漂移电极40对置的方向(以下，也称为对置方向)观察的情况下与电子检测器30重叠的范围。外表面211上的点P1在沿对置方向观察的情况下，与电子检测器30的中心点重叠。外表面211上的点P2在沿对置方向观察的情况下与电子检测器30的端部重叠。

附图标记K3表示电子检测器30与第一部21的内表面212之间的、对置方向上的距离。通过缩短距离K3，能够缩短从对象物5到电子检测器30的距离。距离K3例如为10mm以下，可以为5mm以下，也可以为2mm以下。距离K3也可以为0mm。即，电子检测器30也可以与内表面212相接。

如图22所示，内表面212也可以平坦地扩展。由此，能够在电子检测器30的整个区域内缩短距离K3。

如图22所示，角部24也可以突出为朝向容器20的外侧突出。由此，能够提高容器20的刚性。

图23是表示将第一共用变形例所涉及的容器20应用于第一实施方式的其他例子的剖视图。如图23所示，放射线检测器50也可以位于第二部22的外侧。放射线检测器50也可以隔着第二部22与漂移电极40对置。

图24是表示将第一共用变形例所涉及的容器20应用于第二实施方式的例子的剖视图。优选外表面211在范围F2中平坦地扩展。例如，对置方向上的点P3的位置与点P4的位置之差为10mm以下。由此，能够缩短从对象物5到漂移电极40的距离。因此，能够提高测量的分辨率。范围F2是在沿对置方向观察的情况下与漂移电极40重叠的范围。外表面211上的点P3在沿对置方向观察的情况下，与漂移电极40的中心点重叠。外表面211上的点P4在沿对置方向观察的情况下与漂移电极40的端部重叠。

附图标记K 4表示漂移电极40与第一部21的内表面212之间的距离。通过缩短距离K4，能够缩短从对象物5到漂移电极40的距离。距离K4例如为100mm以下，可以为70mm以下，也可以为50mm以下。另一方面，当漂移电极40与内表面212接触时，漂移电极40与容器20电连接。因此，优选将距离K4维持在一定以上，或者在漂移电极40与内表面212之间配置绝缘体。距离K4例如为10mm以上，可以为20mm以上，也可以为30mm以上。

图25是表示将第一共用变形例所涉及的容器20应用于第二实施方式的其他例子的剖视图。如图25所示，放射线检测器50也可以位于第二部22的外侧。放射线检测器50也可以隔着第二部22与电子检测器30对置。

图26是表示将第一共用变形例所涉及的容器20应用于第三实施方式的例子的剖视图。优选外表面211在范围F3中平坦地扩展。例如，侧部23的面方向上的点P5的位置与点P6的位置之差为10mm以下。由此，能够缩短电子检测器30与漂移电极40之间的空间(以下，也称为相向空间)与对象物5之间的距离。因此，能够提高测量的分辨率。范围F3是在沿侧部23的面方向观察的情况下与对置空间重叠的范围。外表面211上的点P5在沿侧部23的面方向观察的情况下，与对置空间的中心点重叠。外表面211上的点P6在沿侧部23的面方向观察的情况下，与电子检测器30的与漂移电极40的对置面或者漂移电极40的与电子检测器30的对置面重叠。

图27是表示将第一共用变形例所涉及的容器20应用于第三实施方式的其他例子的剖视图。如图27所示，放射线检测器50也可以位于第二部22的外侧。放射线检测器50也可以与第二部22对置。

(第二共用变形例)

图28以及图29是表示第二共用变形例所涉及的辅助漂移电极70的立体图以及剖视图。辅助漂移电极70也可以包括多个环形电极72。多个环形电极72沿着对置方向排列。环形电极72包括朝向漂移电极40的环第一面73和位于环第一面73的相反侧的环第二面74。

图30是表示环形电极72的俯视图。在环形电极72形成开口721。开口721在对置方向上与电子检测器30重叠。环形电极72也可以在对置方向上不与电子检测器30重叠。环形电极72也可以在对置方向上与漂移电极40重叠。环形电极72在俯视时具有宽度W1。宽度W1例如为5mm以上，可以为6mm以上，也可以为8mm以上。宽度W1例如为30mm以下，可以为25mm以下，也可以为20mm以下。宽度W1是构成环形电极72的外缘的圆的半径R11与构成环形电极72的内缘的圆的半径R12的差。

环形电极72也可以由具有导电性的导线构成。例如，首先，准备具有第一端以及第二端的导线。接着，使导线变形为圆形或者多边形，将第一端与第二端连接。由此，得到环形电极72。在这种情况下，环形电极72的宽度W1与导线的截面的尺寸对应。例如，在导线的截面为圆形的情况下，环形电极72的宽度W1与导线的截面的直径相等。线材的材料例如是金属。

辅助漂移电极70也可以包括配置于在对置方向上相邻的两个环形电极72之间的间隔件75。间隔件75确定在对置方向上相邻的两个环形电极72之间的距离K5。根据环形电极72的数量、电子检测器30与漂移电极40之间的电压等来确定距离K5。距离K5例如为2mm以上，可以为5mm以上，也可以为8mm以上。距离K5例如为30mm以下，可以为20mm以下，也可以为15mm以下。

漂移电极40也可以安装于辅助漂移电极70。例如，辅助漂移电极70也可以包括位于漂移电极40与环电极72之间的间隔件75。包括漂移电极40以及多个环形电极72的构造体也被称为漂移器45。

如图29所示，辅助漂移电极70也可以包括将在对置方向上相邻的两个环形电极72电连接的布线76。辅助漂移电极70也可以包括将在对置方向上相邻的漂移电极40与环形电极72电连接的布线76。辅助漂移电极70也可以包括插入到布线76的路径中的电阻器77。通过将相邻的两个环形电极72电连接，能够调整两个环形电极72之间的电压。由此，能够使在对置方向上排列的环形电极72的电位阶段性地变化。例如，假设漂移电极40的电位为-4000V，电子检测器30的电位为0V，20个环形电极72配置在漂移电极40与电子检测器30之间。在这种情况下，能够使从漂移电极40朝向电子检测器30排列的多个环形电极72的电位阶段性地变化为-3800V、-3600V、-3400V、…。由此，能够提高形成于漂移电极40与电子检测器30之间的空间的电场的均匀性。

在对置方向上相邻的两个环形电极72之间的电压例如为50V以上，可以为100V以上，也可以为150V以上。在对置方向上相邻的两个环形电极72之间的电压例如为500V以下，可以为400V以下，也可以为300V以下。

如图29所示，辅助漂移电极70也可以由中继基板90支承。中继基板90也可以支承电子检测器30。例如，中继基板90也可以包括支承电子检测器30的第一基板91和支承辅助漂移电极70的第二基板92。第二基板92也可以位于第一基板91与辅助漂移电极70之间。在检测装置10具备电子放大器60的情况下，电子放大器60也可以由中继基板90支承。

图31是表示将第二共用变形例所涉及的辅助漂移电极70应用于第二实施方式的例子的剖视图。放射线检测器50也可以位于容器20的外部。在这种情况下，中继基板90也可以配置于第二部22上。通过在第二部22中使用中继基板90来支承辅助漂移电极70，能够不将漂移电极40固定于第一部21而使漂移电极40与第一部21对置。

如图31所示，中继基板90也可以包括从容器20的内部向外部延伸的第三基板93。中继基板90也可以包括将电子检测器30与第一基板91电连接的导线95。电子检测器30的电信号经由导线95、第一基板91以及第三基板93传输至容器20的外部。

-附图标记说明-

5 对象物

10 检测装置

20 容器

21 第一部

22 第二部

23 侧部

24 角部

25 第一部分

26 第二部分

30 电子检测器

31 收集电极

32 支承基板

40 漂移电极

41 贯通孔

45 漂移器

50 放射线检测器

51 检测元件

52 电路基板

60 电子放大器

61 第一电极

62 第二电极

63 基材

64 贯通孔

70 辅助漂移电极

72 环形电极

73 环第一面

74 环第二面

75 问隔件

76 布线

77 电阻器

81 吸附材料

82 循环路

83 泵

84 过滤器

90 中继基板

91 第一基板

92 第二基板

93 第三基板

95 线。

Claims

1.一种检测装置，检测放射线，具备：

漂移电极，在所述容器的内部位于比所述电子检测器更靠所述第二部侧的位置，且与所述电子检测器对置；以及

放射线检测器，位于比所述偏移电极更靠所述第二部侧的位置，对散射的放射线进行检测。

2.根据权利要求1所述的检测装置，其中，

所述放射线检测器位于所述容器的内部。

3.根据权利要求1所述的检测装置，其中，

所述放射线检测器位于所述容器的外部。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的检测装置，其中，

所述第一部包括外表面，该外表面在沿所述电子检测器与所述漂移电极对置的方向观察的情况下，在与所述电子检测器重叠的范围内平坦地扩展。

5.根据权利要求4所述的检测装置，其中，

所述第一部的内表面与所述电子检测器之间的距离为10mm以下。

6.一种检测装置，检测放射线，具备：

漂移电极，在所述容器的内部位于比所述电子检测器更靠所述第一部侧的位置，且与所述电子检测器对置；以及

放射线检测器，位于比所述电子检测器更靠所述第二部侧的位置，对散射的放射线进行检测。

7.根据权利要求6所述的检测装置，其中，

所述放射线检测器位于所述容器的内部。

8.根据权利要求6所述的检测装置，其中，

所述放射线检测器位于所述容器的外部。

9.根据权利要求6至8中任一项所述的检测装置，其中，

所述第一部包括外表面，该外表面在沿所述电子检测器与所述漂移电极对置的方向观察的情况下，在与所述漂移电极重叠的范围内平坦地扩展。

10.根据权利要求9所述的检测装置，其中，

所述第一部的内表面与所述漂移电极之间的距离为10mm以上且100mm以下。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的检测装置，其中，

所述漂移电极包括多个贯通孔。

12.一种检测装置，检测放射线，具备：

13.根据权利要求12所述的检测装置，其中，

所述放射线检测器位于所述容器的内部。

14.根据权利要求12所述的检测装置，其中，

所述放射线检测器位于所述容器的外部。

15.根据权利要求1至14中任一项所述的检测装置，其中，

所述检测装置具备电子放大器，该电子放大器位于所述电子检测器与所述漂移电极之间，并与所述电子检测器以及所述漂移电极对置。

16.根据权利要求15所述的检测装置，其中，

所述电子检测器包括多个收集电极，

所述电子放大器包括：基材，包括表面以及背面，在与所述漂移电极对置的方向上形成与所述收集电极重叠的贯通孔；第一电极，位于所述表面；以及第二电极，位于所述背面。

17.根据权利要求1至16中任一项所述的检测装置，其中，

所述检测装置具备辅助漂移电极，该辅助漂移电极包括沿着所述电子检测器与所述漂移电极对置的方向排列的多个环形电极和位于相邻的两个所述环形电极之间的间隔件。

18.根据权利要求8所述的检测装置，其中，

所述检测装置具备：

辅助漂移电极，包括沿所述电子检测器与所述漂移电极对置的方向排列的多个环形电极和位于相邻的两个所述环形电极之间的间隔件；以及

中继基板，支承所述辅助漂移电极以及所述电子检测器，

所述漂移电极安装于所述辅助漂移电极，以使得与所述电子检测器对置，

所述中继基板配置在所述第二部上。

19.根据权利要求1至18中任一项所述的检测装置，其中，

所述放射线检测器包括：

被所述散射的放射线激发而发出荧光的闪烁器；和

检测所述荧光的光检测器。

20.根据权利要求1至19中任一项所述的检测装置，其中，

所述放射线检测器包括检测所述散射的放射线的半导体检测元件。

21.根据权利要求1至20中任一项所述的检测装置，其中，

所述容器的侧部具有圆筒形。

22.根据权利要求1至21中任一项所述的检测装置，其中，

所述检测装置具备位于所述容器的内部的吸附材料。

23.根据权利要求1至22中任一项所述的检测装置，其中，

所述检测装置具备：

循环路，与所述容器连接；和

泵及过滤器，插入于所述循环路。