CN116285963A - 窄谱带发光量子点、制备方法及电致发光器件、制备方法 - Google Patents

窄谱带发光量子点、制备方法及电致发光器件、制备方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种窄谱带发光量子点、制备方法及电致发光器件、制备方法，属于量子点合成技术领域，将Ag源、Ga源、Zn源一锅法预热，后注入S前驱体溶液升温得到Ag‑Ga‑Zn‑S纳米晶；清洗涂覆有氧化铟锡的玻璃衬底；依次旋涂PEDOT：PSS溶液、空穴传输层溶液、量子点溶液、电子传输层溶液；蒸镀铝电极，用光学胶黏剂进行封装，器件构筑完毕。本发明合成了具有窄谱带蓝光特性的量子点，具有优异的结晶性、分散性及发光特性；构筑量子点发光二极管实现半峰全宽(FWHM)小于50nm的窄谱电致发光，获得了高色纯度的无镉QLED器件；合成方式简便，材料廉价易得，原材料均无毒无害，反应时间短，便于批量生产。

Description

窄谱带发光量子点、制备方法及电致发光器件、制备方法
技术领域
本发明涉及量子点合成技术领域，具体涉及一种窄谱带发光量子点、制备方法及电致发光器件、制备方法。
背景技术
发光半导体纳米晶体(或称量子点)是准零维的纳米材料，通常三个维度都介于1-10纳米之间，纳米晶体由于其自身的量子限域效应而显示出独特的物理和化学性质，广泛地应用于发光器件领域中。
半导体量子点的电致发光器件所使用的发光材料主要是镉基硫族化合物量子点,然而镉等重金属元素对环境和人体都有一定的危害，相比来说I-III-VI族半导体纳米晶的合成较为绿色环保。
量子点材料应用于电致发光器件需要具备色纯度高即拥有窄的光致发光半峰全宽，而且由于其具有大量的缺陷态，主要是杂质能级发光，致使其光致、电致发光光谱半峰全宽(FWHM)普遍大于75nm，限制了I-III-VI族半导体纳米晶在显示领域的应用。
目前I-III-VI族半导体纳米晶发光器件研究较多的主要是红光至绿光范围内，因为其斯托克斯位移较大，在蓝光领域内研究较少，而蓝光窄谱带量子点的合成及其器件构筑的研究更是从未有过报道。因此，开发一种环境友好且光电性能优异的蓝光窄谱带半导体纳米晶且应用于电致发光器件是非常有必要的。
发明内容
本发明的目的在于提供一种窄谱带发光量子点、制备方法及电致发光器件、制备方法，以解决上述背景技术中存在的至少一项技术问题。
为了实现上述目的，本发明采取了如下技术方案：
一方面，本发明提供一种窄谱带发光量子点，将Ag源、Ga源、Zn源一锅法预热，后注入S前驱体溶液升温得到Ag-Ga-Zn-S纳米晶，即窄谱带发光量子点。
第二方面，本发明提供一种如上所述的窄谱带发光量子点的制备方法，包括如下步骤：
步骤1，称量Ag源、Ga源、Zn源、配体及溶剂置入三口烧瓶，加热真空除气搅拌溶解一段时间；
步骤2，称量S源，溶解在溶剂和配体的混合溶液中，加热搅拌一段时间，得到硫前驱体溶液；
步骤3，通入氮气，在氮气保护下磁力搅拌，注入硫前驱体溶液，保温搅拌一段时间，后升温，保温一段时间；
步骤4，将反应得到的产物加入反溶剂离心，沉淀依次加入溶剂、反溶剂反复离心，得到窄谱带发光量子点。
可选的，步骤1中，Ag源为硝酸银、醋酸银、碳酸银或卤化银中的一种或多种的混合；Ga源为乙酰丙酮镓、氯化镓或硝酸镓中的一种或多种的混合；锌源为硬脂酸锌、醋酸锌或卤化锌中的一种或多种的混合；配体为正十二硫醇或正十硫醇中的一种或多种的混合；溶剂为油胺、十八胺或1-十八烯中的一种或多种的混合；每1mmol镓源加入10～30ml溶剂。
可选的，步骤2中，硫源为硫粉、硫脲或1,3-二甲基硫脲中的一种或多种的混合；溶剂为油胺、十八胺、1-十八烯中的一种或多种的混合；配体为正十二硫醇或正十硫醇中的一种或多种的混合；溶剂和配体的体积比为1：(1～10)；每1mmol硫源加入1-5ml配体。
可选的，步骤3中，银、镓、锌、硫前驱体摩尔配比为1:(2～20):(0.1～2):(4～40)。
可选的，步骤4中，溶剂为正己烷、甲苯、氯仿或二氯甲烷中的一种或多种的混合；反溶剂为甲醇、乙醇、异丙醇、叔丁醇或正丁醇中的一种或多种的混合。
第三方面，本发明提供一种利用如上所述的窄谱带发光量子点制备的电致发光器件，所述电致发光器件的制备方法包括：
步骤S1，清洗涂覆有氧化铟锡的玻璃衬底；
步骤S2，依次旋涂PEDOT：PSS溶液、空穴传输层溶液、量子点溶液、电子传输层溶液；
步骤S3，蒸镀铝电极，用光学胶黏剂进行封装，器件构筑完毕。
可选的，步骤S2中，在清洗好的玻璃衬底上均匀涂布PEDOT：PSS溶液，以3000～6000rpm的转速旋涂0.5～2分钟后放在加热台上，130～170℃的温度下退火10～20分钟，冷却后转移至手套箱；将基片固定于旋涂仪后将空穴传输层溶液旋涂，退火；旋涂制备好的Ag-Ga-Zn-S量子点溶液以2000～4000rpm的速度旋涂，不退火；待器件恢复室温后，旋涂电子传输层溶液，旋涂完毕后退火。
可选的，步骤S2中，空穴传输层溶液为TFB、PVK或MCBP中的一种或多种的混合；电子传输层溶液为ZnO、掺镁ZnO或SnO2中的一种或多种的混合。
可选的，步骤3中，将器件转移至蒸镀仓蒸镀铝电极，蒸镀速度为0.3～0.8nm/s，目标厚度为70～130nm；蒸镀完毕后，将器件进行简单的封装，固化。
本发明有益效果：合成的量子点材料实现了蓝光窄谱带发光特性，具有优异的结晶性、分散性及发光特性；构筑量子点发光二极管(QLED)实现半峰全宽(FWHM)小于50nm的窄谱电致发光，获得了高色纯度的无镉QLED器件；合成方式简便，材料廉价易得，原材料均无毒无害，反应时间短，便于批量生产。
本发明附加方面的优点，将在下述的描述部分中更加明显的给出，或通过本发明的实践了解到。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例所述的Ag-Ga-Zn-S半导体纳米晶的制备过程示意图。
图2为本发明实施例所述的Ag-Ga-Zn-S半导体纳米晶的纯化过程示意图。
图3为本发明实施例所述的Ag-Ga-Zn-S量子点发光二极管的构筑过程示意图。
图4为本发明实施例所述的蓝光窄谱带Ag-Ga-Zn-S纳米晶的光致发光光谱、紫外可见吸收光谱示意图。
图5为本发明实施例所述的Ag-Ga-Zn-S纳米晶的透射电子显微镜照片。
图6为本发明实施例所述的Ag-Ga-Zn-S纳米晶反应过程的XRD衍射谱图。
图7为本发明实施例所述的Ag-Ga-Zn-S纳米晶构筑发光二极管的发光图。
具体实施方式
下面详细叙述本发明的实施方式，所述实施方式的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过附图描述的实施方式是示例性的，仅用于解释本发明，而不能解释为对本发明的限制。
本技术领域技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。
还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像这里一样定义，不会用理想化或过于正式的含义来解释。
本技术领域技术人员可以理解，除非特意声明，这里使用的单数形式“一”、“一个”、“所述”和“该”也可包括复数形式。应该进一步理解的是，本发明的说明书中使用的措辞“包括”是指存在所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件，但是并不排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件和/或它们的组。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
为便于理解本发明，下面结合附图以具体实施例对本发明作进一步解释说明，且具体实施例并不构成对本发明实施例的限定。
本领域技术人员应该理解，附图只是实施例的示意图，附图中的部件并不一定是实施本发明所必须的。
实施例1
本实施例1中，提供了一种窄谱带Ag-Ga-Zn-S纳米晶的制备方法，将Ag源、Ga源、Zn源一锅法预热，后注入S前驱体溶液升温得到Ag-Ga-Zn-S纳米晶。所述窄谱带发光量子点制备采用一锅法制备，简单快捷。具体制备包括步骤如下：
步骤1，称量Ag源、Ga源、Zn源、配体及溶剂置入三口烧瓶，加热真空除气搅拌溶解一段时间。
步骤2，称量S源，溶解在溶剂和配体的混合溶液中，加热搅拌一段时间，得到硫前驱体溶液。
步骤3，通入氮气，在氮气保护下磁力搅拌，注入硫前驱体溶液，保温搅拌一段时间，后升温，保温一段时间。
步骤4，将反应得到的产物加入反溶剂离心，沉淀依次加入溶剂、反溶剂反复离心，得到窄谱带发光量子点，即窄谱带Ag-Ga-Zn-S纳米晶。
步骤1中，I族金属盐作为Ag源，包括但不限于硝酸银、醋酸银、碳酸银、卤化银；Ⅲ族金属盐作为Ga源，包括但不限于乙酰丙酮镓、氯化镓、硝酸镓；锌源包括但不限于硬脂酸锌、醋酸锌、卤化锌；配体包括但不限于正十二硫醇、正十硫醇；溶剂包括但不限于油胺、十八胺、1-十八烯；每1mmol镓源加入10～30ml溶剂；加热温度为40～100℃；搅拌时间为30～90分钟。
步骤2中，硫源包括但不限于硫粉、硫脲、1,3-二甲基硫脲；溶剂包括但不限于油胺、十八胺、1-十八烯；配体包括但不限于正十二硫醇、正十硫醇；溶剂和配体的体积比为1：(1～10)；每1mmol硫源加入1-5ml配体；加热温度为40～100℃；搅拌时间为10～30分钟。
步骤3中，硫源溶解在溶剂和配体的混合溶液中，用注射器快速注射后搅拌10～30min，后以5～40℃/min的速率升温至260～340℃保持1～10min。银、镓、锌、硫前驱体摩尔配比为1:(2～20):(0.1～2):(4～40)。
步骤4中溶剂包括但不限于正己烷、甲苯、氯仿、二氯甲烷；反溶剂包括但不限于甲醇、乙醇、异丙醇、叔丁醇、正丁醇；将所有反应产物加入反溶剂以4000～12000r/min离心2～10min，分离出沉淀，依次用溶剂、反溶剂洗涤5～15次。
实施例2
本实施例2中，提供了一种电致发光器件的构筑方法，该电致发光器件基于实施例1中的窄谱带发光量子点制成。其包括如下步骤：
步骤1，清洗涂覆有氧化铟锡的玻璃衬底。
步骤2，依次旋涂PEDOT：PSS溶液、空穴传输层溶液、量子点溶液、电子传输层溶液。
步骤3，蒸镀铝电极，用光学胶黏剂进行封装，器件构筑完毕。
量子点制备过程在空气环境下完成，器件构筑过程需要在手套箱中进行。
步骤1中，清洗剂包括但不限于去离子水、丙酮、异丙醇、二氯甲烷、氯仿；清洗3～5次，烘干后放入臭氧清洗机清洗5～50分钟。
步骤2中，空穴传输层溶液包括但不限于TFB、PVK、MCBP；电子传输层溶液包括但不限于ZnO、掺镁ZnO、SnO2；在清洗好的玻璃衬底上均匀涂布100～300uL PEDOT：PSS溶液，以3000～6000rpm的转速旋涂0.5～2分钟后放在加热台上，130～170℃的温度下退火10～20分钟，冷却后转移至手套箱；将基片固定于旋涂仪后将20～60uL的空穴传输层溶液(6～12mg/ml)以3000～6000rmp的速度旋涂0.5～2分钟，140～180℃下退火20～40分钟；旋涂制备好的Ag-Ga-Zn-S量子点溶液(5～20mg/ml)以2000～4000rpm的速度旋涂0.5～2分钟，不退火；待器件恢复室温后，旋涂电子传输层溶液(6～14mg/ml)，旋涂速度为1500～3000rpm，时间为0.5～2分钟，旋涂完毕后以40～80℃退火20～50分钟。
步骤3中，将器件转移至蒸镀仓蒸镀铝电极，蒸镀速度为0.3～0.8nm/s，目标厚度为70～130nm；蒸镀完毕后，将器件进行简单的封装，将适量光学胶黏剂涂到器件正面(旋涂面)并于另一片盖玻片粘合后放入到紫外灯下固化，器件即制作完毕。
实施例3
本实施例3中，提供了一种Ag-Ga-Zn-S基窄谱带蓝光纳米晶的合成方法，实现光致发光半峰全宽(FWHM)小于50nm的无镉Ag基I-III-VI族量子点的合成，构筑了量子点发光二极管实现半峰全宽(FWHM)小于50nm的窄谱电致发光器件。具体包括如下步骤实现：
步骤1：称量Ag源、Ga源、Zn源及第一溶剂置入三口烧瓶，加热真空除气搅拌溶解一段时间。
步骤2：称量S源，溶解在第一溶剂和配体的混合溶液中，加热搅拌一段时间。
步骤3：通入氮气，在氮气保护下磁力搅拌，注入硫前驱体溶液，保温搅拌一段时间，后升温，保温一段时间。
步骤4：将反应得到的产物加入反溶剂离心，沉淀依次加入第二溶剂、反溶剂反复离心，得到窄谱带发光量子点。
步骤5：清洗涂覆有氧化铟锡的玻璃衬底。
步骤6，依次旋涂PEDOT：PSS溶液、空穴传输层溶液、量子点溶液、电子传输层溶液。
步骤7，蒸镀铝电极，用光学胶黏剂进行封装，器件构筑完毕。
步骤1中，所述Ag源选自醋酸银、碳酸银、硝酸银、硫酸盐、卤化银中的一种或多种的混合。所述Ga源选自醋酸镓、硝酸镓、硫酸镓、卤化镓、乙酰丙酮镓中的一种或多种的混合。所述Zn源为醋酸锌、硝酸锌、硫酸锌、卤化锌中的一种或多种的混合。所述Ag源、所述Ga源、所述Zn源、所述S源的摩尔比为1:(2～20):(0.1～2):(4～40)。所述第一溶剂选自油胺、十八胺、1-十八烯中的一种或多种的混合。每1mmol镓源加入10～30ml溶剂。加热温度为40～100℃；搅拌时间为30～90分钟。所述S源选自硫脲、N,N-二甲基硫脲、硫单质中的一种或多种的混合。所述配体选自正十硫醇、正十二硫醇中的一种或多种的混合。溶剂和配体的体积比为1：(1～10)；每1mmol硫源加入1-5ml配体。在步骤3中，加热温度为40～100℃；搅拌时间为10～30分钟。在步骤4中，所述第二溶剂选自正己烷、甲苯、氯仿、二氯甲烷中的一种或多种的混合。在步骤4中，所述反溶剂选自甲醇、乙醇、异丙醇、叔丁醇、正丁醇中的一种或多种的混合。在步骤4中，将所有反应产物加入反溶剂以4000～12000r/min离心2～10min，分离出沉淀，依次用溶剂、反溶剂洗涤5～15次。在本步骤5中，清洗剂包括但不限于去离子水、丙酮、异丙醇、二氯甲烷、氯仿；清洗3～5次，烘干后放入臭氧清洗机清洗5～50分钟。在步骤6中，空穴传输层包括但不限于TFB、PVK、MCBP。在步骤6中，电子传输层包括但不限于ZnO、掺镁ZnO、SnO2。在步骤6中，在清洗好的玻璃衬底上均匀涂布100～300uL PEDOT：PSS溶液，以3000～6000rpm的转速旋涂0.5～2分钟后放在加热台上，130～170℃的温度下退火10～20分钟，冷却后转移至手套箱。在本步骤6中，将基片固定于旋涂仪后将20～60uL的空穴传输层溶液(6～12mg/ml)以3000～6000rmp的速度旋涂0.5～2分钟，140～180℃下退火20～40分钟。在步骤6中，旋涂制备好的Ag-Ga-Zn-S溶液(5～20mg/ml)以2000～4000rpm的速度旋涂0.5～2分钟，不退火。在步骤6中，待器件恢复室温后，旋涂电子传输层溶液(6～14mg/ml)，旋涂速度为1500～3000rpm，时间为0.5～2分钟，旋涂完毕后以40～80℃退火20～50分钟。在步骤7中，将器件转移至蒸镀仓蒸镀铝电极，蒸镀速度为0.3～0.8nm/s，目标厚度为70～130nm。在本步骤7中，蒸镀完毕后，将器件进行简单的封装，将适量光学胶黏剂涂到器件正面(旋涂面)并于另一片盖玻片粘合后放入到紫外灯下固化，器件即制作完毕。
综上，本实施例3中，主要采用一锅法，研究了银基I-III-VI族半导体纳米晶实现窄谱带蓝光量子点的生长过程及光致发光性能，光致发光峰位为450-480nm处，半峰全宽小于50nm，实现了蓝光窄谱带发光特性，构筑量子点发光二极管实现半峰全宽(FWHM)小于50nm的窄谱电致发光。利用X射线衍射仪(XRD)、透射电子显微镜(TEM)等对产物进行结构分析，显示出优异的结晶性、分散性及发光特性；以此材料为发光层，进行电致发光二极管的构筑，能够获得高色纯度的无镉QLED器件；合成工艺方式简便，材料廉价易得，原材料无毒无害，反应时间短，便于批量生产。
实施例4
如图1至图2所示，本实施例4中，提供了一种窄谱带蓝光Ag-Ga-Zn-S纳米晶的制备方法。首先，称取硝酸银、乙酰丙酮镓、硬脂酸锌混合于20ml油胺溶液中，移入四口烧瓶中。所述硝酸银加入量为0.12mmol、乙酰丙酮镓加入量为0.96mmol、硬脂酸锌加入量为0.03mmol。将1.96mmol的硫粉溶于2ml油胺、5ml正十二硫醇的混合溶液中，50℃下搅拌半小时。
进一步地，将反应体系于80℃脱气处理1小时后通入氮气保护，用注射器注入配置好的硫粉溶液，保温20分钟，后以10℃/min的速度升至300℃保温5min。反应产物冷却后，在反应产物溶液中加入3倍体积的异丙醇沉淀量子点，后以9000r/min离心5min，倒出上清液，留下沉淀。获得的沉淀用少量正己烷进行溶解，再加入乙醇至完全沉淀，以9000r/min离心5min留下沉淀，反复离心5次，后用乙醇、甲苯交替洗涤3遍，最后得到溶解在甲苯里的Ag-Ga-Zn-S量子点溶液。
如图3所示，基于上述制备的量子点溶液，制备了电致发光器件。
将涂覆有氧化铟锡(ITO)的玻璃衬底分别用去离子水、丙酮、异丙醇进行清洗，每个过程进行30分钟，烘干后放在臭氧清洗机清洗20分钟。在清洗好的玻璃衬底上均匀涂布150uL PEDOT：PSS，以5000rpm的转速旋涂1分钟后放在加热台上，150℃的温度下退火15分钟，冷却后转移至手套箱将基片固定于旋涂仪后将40uL的TFB的氯苯溶液(8mg/ml)以4000rmp的速度旋涂1分钟，160℃下退火30分钟。旋涂制备好的Ag-Ga-Zn-S甲苯溶液(10mg/ml)以3000rpm的速度旋涂1分钟，不退火。待器件恢复室温后，旋涂掺杂Mg的ZnO溶液(10mg/ml)，旋涂速度为2000rpm，时间为1分钟，旋涂完毕后以60℃退火半小时。待器件冷却后，将器件转移至蒸镀仓蒸镀铝电极，蒸镀速度为0.5nm/s，目标厚度为100nm。蒸镀完毕后，将器件进行简单的封装，将适量光学胶黏剂涂到器件正面(旋涂面)并于另一片盖玻片粘合后放入到紫外灯下固化，器件即制作完毕。
如图4所示，从图中可以Ag-Ga-Zn-S纳米晶的峰位在470nm，半峰宽为48nm，具有较好的色纯度。如图5所示，Ag-Ga-Zn-S纳米晶尺寸分布均匀，大小为4.2nm，结晶性良好。如图6所示，Ag-Ga-Zn-S纳米晶为四方AgGaS2晶向，结晶性良好。如图7所示，以Ag-Ga-Zn-S纳米晶构筑的量子点发光二极管发光图，二极管发蓝光，色纯度较好。
综上所述，本发明实施例的方法有效地克服了I-III-VI族半导体纳米晶光致发光光谱半峰全宽(FWHM)普遍较大的缺点，获得了FWHM小于50nm的I-III-VI族半导体纳米晶，并在电致发光器件上具有较好的应用，电致发光光谱FWHM小于50nm。
上述虽然结合附图对本发明的具体实施方式进行了描述，但并非对本发明保护范围的限制，所属领域技术人员应该明白，在本发明公开的技术方案的基础上，本领域技术人员在不需要付出创造性劳动即可做出的各种修改或变形，都应涵盖在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种窄谱带发光量子点，其特征在于，将Ag源、Ga源、Zn源一锅法预热，后注入S前驱体溶液升温得到Ag-Ga-Zn-S纳米晶，即窄谱带发光量子点。
2.一种如权利要求1所述的窄谱带发光量子点的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1，称量Ag源、Ga源、Zn源、配体及溶剂置入三口烧瓶，加热真空除气搅拌溶解一段时间；
步骤2，称量S源，溶解在溶剂和配体的混合溶液中，加热搅拌一段时间，得到硫前驱体溶液；
步骤3，通入氮气，在氮气保护下磁力搅拌，注入硫前驱体溶液，保温搅拌一段时间，后升温，保温一段时间；
步骤4，将反应得到的产物加入反溶剂离心，沉淀依次加入溶剂、反溶剂反复离心，得到窄谱带蓝光量子点，即窄谱带Ag-Ga-Zn-S纳米晶。
3.根据权利要求2所述的窄谱带发光量子点的制备方法，其特征在于，步骤1中，Ag源为硝酸银、醋酸银、碳酸银或卤化银中的一种或多种的混合；Ga源为乙酰丙酮镓、氯化镓或硝酸镓中的一种或多种的混合；锌源为硬脂酸锌、醋酸锌或卤化锌中的一种或多种的混合；配体为正十二硫醇或正十硫醇中的一种或多种的混合；溶剂为油胺、十八胺或1-十八烯中的一种或多种的混合；每1mmol镓源加入10～30ml溶剂。
4.根据权利要求3所述的窄谱带发光量子点的制备方法，其特征在于，步骤2中，硫源为硫粉、硫脲或1,3-二甲基硫脲中的一种或多种的混合；溶剂为油胺、十八胺、1-十八烯中的一种或多种的混合；配体为正十二硫醇或正十硫醇中的一种或多种的混合；溶剂和配体的体积比为1：(1～10)；每1mmol硫源加入1-5ml配体。
5.根据权利要求4所述的窄谱带发光量子点晶的制备方法，其特征在于，步骤3中，银、镓、锌、硫前驱体摩尔配比为1:(2～20):(0.1～2):(4～40)。
6.根据权利要求4所述的窄谱带发光量子点的制备方法，其特征在于，步骤4中，溶剂为正己烷、甲苯、氯仿或二氯甲烷中的一种或多种的混合；反溶剂为甲醇、乙醇、异丙醇、叔丁醇或正丁醇中的一种或多种的混合。
7.一种利用如权利要求2至6任一项所述的窄谱带发光量子点制备的电致发光器件，其特征在于，所述电致发光器件的制备方法包括：
步骤S1，清洗涂覆有氧化铟锡的玻璃衬底；
步骤S2，依次旋涂PEDOT：PSS溶液、空穴传输层溶液、量子点溶液、电子传输层溶液；
步骤S3，蒸镀铝电极，用光学胶黏剂进行封装，器件构筑完毕。
8.根据权利要求7所述的电致发光器件，其特征在于，步骤S2中，在清洗好的玻璃衬底上均匀涂布PEDOT：PSS溶液，以3000～6000rpm的转速旋涂0.5～2分钟后放在加热台上，130～170℃的温度下退火10～20分钟，冷却后转移至手套箱；将基片固定于旋涂仪后将空穴传输层溶液旋涂，退火；旋涂制备好的Ag-Ga-Zn-S量子点溶液以2000～4000rpm的速度旋涂，不退火；待器件恢复室温后，旋涂电子传输层溶液，旋涂完毕后退火。
9.根据权利要求8所述的电致发光器件，其特征在于，步骤S2中，空穴传输层溶液为TFB、PVK或MCBP中的一种或多种的混合；电子传输层溶液为ZnO、掺镁ZnO或SnO2中的一种或多种的混合。
10.根据权利要求8所述的电致发光器件，其特征在于，步骤3中，将器件转移至蒸镀仓蒸镀铝电极，蒸镀速度为0.3～0.8nm/s，目标厚度为70～130nm；蒸镀完毕后，将器件进行简单的封装，固化。
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