CN102154007A - I-ii-iii-vi族量子点及其制备方法 - Google Patents
I-ii-iii-vi族量子点及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102154007A CN102154007A CN2011100943350A CN201110094335A CN102154007A CN 102154007 A CN102154007 A CN 102154007A CN 2011100943350 A CN2011100943350 A CN 2011100943350A CN 201110094335 A CN201110094335 A CN 201110094335A CN 102154007 A CN102154007 A CN 102154007A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- quantum dot
- family
- iii
- preparation
- cationic monomer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
本发明的I-II-III-VI族量子点及其制备方法属于半导体纳米材料制备技术领域。量子点的具体组成为(CumAg1-m)aZnb(InnGa1-n)cSd,I族元素铜与银摩尔比为1-m/m,1≥m≥0;III族元素铟与镓摩尔比为1-n/n,1≥n≥0。制备方法是将Cu或/和Ag、Zn、In或/和Ga的阳离子单体和配体溶于非配位型溶剂,制备配体和阳离子单体络合物;将配体和阳离子单体络合物升温注入溶于油胺的S的阴离子单体,制得量子点;最后在丙酮或者乙醇中沉淀再分散到氯仿或己烷溶剂中。本发明的量子点有很高的量子效率、优良单分散性和稳定性;粒子的组成可调控,不需要对粒子进行尺寸选择,操作简单成本低。
Description
技术领域
本发明属于半导体纳米材料制备技术领域。涉及通过调控温度和组分配比制备尺寸可控、组分可调的高荧光效率、物理和化学性能稳定的量子点。
背景技术
当半导体晶体的尺寸小到一定程度后(1~20纳米),其费米能级附近的电子能级由原来的准连续状态变为不连续,这一现象称为量子尺寸效应。相应的其性质主要依赖于晶体的尺寸。典型的半导体纳米晶即量子点主要包括II-VI,III-V和IV-VI族。这些量子点都表现出明显的量子尺寸效应,其性质显著不同于其体相材料。例如量子点的光学性能依赖于粒子的尺寸,其吸收和发射波长随着尺寸的变化而变化。基于这些特殊的性能,半导体量子点在生物标记、照明、显示器等领域有着重要应用。
胶体半导体量子点的研究工作可追溯到1982年,Brus小组首次报道了水溶性半导体量子点的制备和光学性能的研究。在这以后,一些小组相继开展了半导体量子点的合成及性能研究工作。
I-II-III-VI族量子点由于其不含有剧毒的重金属而受关注。同典型半导体量子点如II-VI、III-V族或者I-III-VI族量子点相比,合成I-II-III-VI族量子点的工作较少,而且现有技术制备出的量子尺寸在小于激子波尔半径内不可控且不可调。例如Lu于2009年首次报道了通过胺热解单分子反应前体方法制备I-II-III-VI族量子点(Chem.Mater.2003,15,3142-3147))获得的量子点尺寸从6到30纳米,没有荧光发射(J.Am.Che.Soc.2008,130,5620-5621)。目前关于I-II-III-VI族量子点无论制备方法、其性质研究方面还无法同典型的二元和三元量子点相比。例如CdSe量子点的荧光量子效率可达80%以上,而文献报道的I-II-III-VI族量子点由于尺寸超过激子波尔半径没有荧光。现存的I-II-III-VI族主要相关工作主要集中于制备不同晶体结构的I-II-III-VI族量子点(立方结构和六方结构),制备量子点时体系需要在真空,需进一步制备单分子反应单体(阳离子和阴离子的化合物),这些方法会为量子点合成带来诸多不便,例如成本高、操作复杂。而且,从材料的研究方面考虑,I-II-III-VI族量子点的组成和性能关系的研究还未见诸报道,从这一意义来说,制备高荧光效率的组分可控的I-II-III-VI族量子点一直是研究的热点。
发明内容
本发明要解决的技术问题是,基于背景技术存在的问题,通过调控阳离子的活性,注入阴离子单体的办法制备I-II-III-VI族量子点。通过调控单体组成和温度首次获得尺寸可控,组分可调的I-II-III-VI族量子点,量子尺寸在小于激子波尔半径内。进一步实验表明,不同组分的量子点表现出不同的光学性质即量子点的组成和其荧光效率密切相关。首次获得的具有高荧光效率的I-II-III-VI族量子点。这种方法操作简单,成本低廉,易于扩大规模生产。
本发明通过调控投料比制备不同材料组成的I-II-III-VI族量子点,通过调控反应组成,制备的纳米晶荧光效率可达60%以上。利用本发明的方法制备的I-II-III-VI族量子点从光学性能方面可完全取代典型的CdSe量子点,基本可以满足生物标记、照明和显示器等领域应用需求。
本发明的量子点由I、II、III和VI族元素组成。量子点的具体组成为(AgmCu1-m)aZnb(GanIn1-n)cSd,其中6≥a>1,6≥b>1,6≥c>1,d随着a、b和c数值变化而变化,d=(a+2b+3c)/2以满足分子化合价的要求;I族元素为铜或/和银,铜与银摩尔比为1-m/m,1≥m≥0;II族元素为锌;III族元素为铟或/和镓,铟与镓摩尔比为1-n/n,1≥n≥0;VI族元素为硫;量子点尺寸在激子波尔半径内。
本发明的量子点,粒度在1~8纳米;表面配体是疏水性的有机分子,表面配体包括十八胺、油酸或/和巯醇。
本发明的量子点不含有剧毒的重金属元素,制备的量子点显示出良好的单分散性,通过调控量子点的尺寸和组成,其光学发光波长为450到1000纳米,涵盖了整个可见和近红外区。本发明的量子点表面有适合的配体钝化量子点表面,因而获得的量子点有较高的荧光效率。
本发明通过调控阳离子单体活性、注入阴离子前体法制备I-II-III-VI族量子点。不同阳离子单体和不同的配体形成配合物,通过加入不同比例的单体,在一定温度下注入阴离子单体可得到I-II-III-VI族量子点。具体的I-II-III-VI族量子点的制备方法如下。
一种I-II-III-VI族量子点的制备方法,首先将Cu或/和Ag的I族阳离子单体、Zn的II族阳离子单体、In或/和Ga的III族阳离子单体和配体溶于非配位型溶剂,制备配体和阳离子单体络合物;将配体和阳离子单体络合物升温至150~240℃,注入溶于油胺的S的阴离子单体,保持18~22分钟,制得(AgmCu1-m)aZnb(GanIn1-n)cSd量子点;最后加入丙酮或者乙醇致量子点沉淀,进而分散到氯仿或己烷溶剂中;其中,各阳离子单体和阴离子单体的用量按制备的量子点组成的摩尔比计算,非配位型溶剂用量按每mmol Zn的阳离子单体使用6~40mL非配位型溶剂计算,配体用量按摩尔比配体:Zn的阳离子单体=4~24∶1计算,油胺的用量按每mL油胺加入0.6~1mmol S的阴离子单体计算;所述的非配位型溶剂,是十八烯、十八烷或二十烯;所述的配体,是疏水性的有机分子,具体包括长链烷基胺、脂肪酸或/和巯醇。
本发明方法制备的量子点具有良好的稳定性和较高的量子效率。化学稳定性是在室温下放置3个月后,荧光效率无变化。对于制备的量子点,其效率至少5%,优化组成的量子点效率至少40%,进一步优化得到的量子点效率至少在60%以上。对于所制备的量子点其效率同样包括中间的值。量子效率的测量是通过对比罗丹明6G计算获得,实验样品通过积分球测试表明,效率的误差不超过5%。
本发明制备的量子点需要调控阳离子单体活性。需要加入配体和阳离子形成的配合物。这些阳离子单体包括醋酸锌、硝酸锌、十八酸锌,醋酸铜、醋酸亚铜、硝酸铜、硝酸亚铜、氯化铜、氯化亚铜、乙酰丙酮铜,醋酸铟、氯化铟、乙酰丙酮铟,醋酸银、硝酸银,氯化镓、乙酰丙酮镓;所述的S的阴离子单体,是单质硫;所述的长链烷基胺、脂肪酸或/和巯醇,优选十八胺,油酸,十二烷基巯醇、八烷基巯醇、十八烷基巯醇。
制备量子点所需的材料包括铜,铟,银,镓,锌。阴离子单体为硫,注入阴离子单体前将其溶解在油胺中。在制备配体和阳离子单体络合物时,加入适量的脂肪酸可进一步调控粒子尺寸,例如脂肪酸浓度为1摩尔/升时,制备的粒子尺寸可达到10纳米,而脂肪酸的浓度为0.1摩尔/升时,粒子的尺寸仅为3纳米。脂肪酸主要有十八酸,十四酸和八酸等。
本发明是油相法制备I-II-III-VI量子点,反应用的溶剂是非配位型溶剂,例如十八烯、十八烷、二十烯等。由于量子点表面是长链烷基胺、脂肪酸和/或巯醇,适量的丙酮或者乙醇加入导致量子点沉淀,进而重新分散到有机溶剂如氯仿或己烷等溶剂中。
综上所述,本发明最大的特点有:1,获得的量子点有很高的量子效率。2,粒子的组成通过投料比调控。3,不需要对粒子进行尺寸选择。4,反应不需要抽真空,操作简单,更接近“绿色”。
附图说明:
图1是本发明不同温度下制备具有化学计量比的(Cu∶In∶Zn∶S=1∶1∶1∶3)不同尺寸的四元量子点的透射电子显微镜照片。
图2是本发明不同温度条件下制备不同尺寸的四元量子点X-射线衍射图。
图3是本发明不同温度下制备具有化学计量比的(Cu∶In∶Zn∶S=1∶1∶1∶3)四元量子点元素分析结果。
图4是本发明不同温度下制备具有不同组份的四元量子点元素分析结果:量子点的组成分别为CuInZn20S22,CuInZn5S7,CuInZn3S5,CuInZnS3,Cu2In2ZnS5。
具体实施方式:
实施例1~21给出制备I-II-III-VI族量子点的方法。
这里给出的是本发明具有不同组分Ia-IIb-IIIc-S((a+2b+3c)/2)量子点,其中a、b和c为大于零的任意数值即:6≥a>1,6≥b>1,6≥c>1。本发明组成I族和III族的元素如下:I=Ag或/和Cu;II=Zn;III=Ga或/和In。量子点组成可表示为(AgmCu1-m)aZnb(GanIn1-n)cS((a+2b+3c)/2),其中m,n的数值为0到1之间的任意数值并包括0和1.即:1≥m≥0,1≥n≥0。本发明的方法显著特征就是粒子的投料摩尔比和制得粒子的组成完全一致。
实施例1:
当m=0,n=0,c=6典型合成的量子点为CuaZnbIn6S((a+2b+18)/2):其中组成量子点的I族元素和II族元素组成可任意调节其比例:
当a∶b>1,一个典型的量子点Cu2ZnIn6S11合成示例如下:
首先将3ml十八烯、0.2mmol醋酸铜、0.1mmol醋酸锌,0.6mmol醋酸铟,2.2mmol十八酸和2.2mmol十二巯醇加入反应瓶,随后溶液升温至至150~240度之间任意温度,1.1mmol单质硫(溶解在1.1ml油胺里)迅速注入反应溶液中并保持20分钟,制得Cu2ZnIn6S11量子点。
实施例2:
当m=0,n=0,c=1典型合成的量子点为CuaZnbInS((a+2b+3)/2)):其中组成量子点的I族元素和II族元素组成可任意调节其比例:
当a∶b=1,一个典型的量子点CuZnInS3合成示例如下:
首先将3ml十八烯、0.1mmol醋酸铜、0.1mmol醋酸锌,0.1mmol醋酸铟,0.6mmol十八酸和0.6mmol十二巯醇加入反应瓶,随后溶液升温至至150~240度之间任意温度,0.3mmol单质硫(溶解在0.3ml油胺里)迅速注入反应溶液中并保持20分钟,制得CuZnInS3量子点。
实施例3:
当m=0,n=0,c=1典型合成的量子点为CuaZnbInS((a+2b+1)/2):其中组成量子点的I族元素和II族元素组成可任意调节其比例:
当a∶b<1,一个典型的量子点CuZn2InS4合成示例如下:
首先将3ml十八烯、0.1mmol醋酸铜、0.2mmol醋酸锌,0.1mmol醋酸铟,0.4mmol十八酸和2.2mmol十二巯醇加入反应瓶,随后溶液升温至至150~240度之间任意温度,0.6mmol单质硫(溶解在1ml油胺里)迅速注入反应溶液中并保持20分钟,制得CuZnIn3S6量子点。
实施例4:
当m=0,n=0.5,c=6,典型合成的量子点为CuaZnbIn3Ga3S((a+2b+3c)/2):其中组成量子点的I族元素和II族元素组成可任意调节其比例:
当a∶b>1,一个典型的量子点Cu2ZnIn3Ga3S11合成示例如下:
首先将3ml十八烯、0.2mmol醋酸铜、0.1mmol醋酸锌,0.3mmol醋酸铟,0.3mmol醋酸镓,2.2mmol十八酸和2.2mmol十二巯醇加入反应瓶,随后溶液升温至至150~240度之间任意温度,1.1mmol单质硫(溶解在1.1ml油胺里)迅速注入反应溶液中并保持20分钟,制得Cu2ZnIn3Ga3S11量子点。
实施例5:
当m=0,n=0.5,c=4,典型合成的量子点为CuaZnbIn2Ga2S((a+2b+6)/2):其中组成量子点的I族元素和II族元素组成可任意调节其比例:
当a∶b<1,一个典型的量子点Cu2Zn5In2Ga2S12合成示例如下:
首先将3ml十八烯、0.2mmol醋酸铜、0.5mmol醋酸锌,0.2mmol醋酸铟,0.2mmol醋酸镓,2.4mmol十八酸和2.4mmol十二巯醇加入反应瓶,随后溶液升温至至150~240度之间任意温度,1.2mmol单质硫(溶解在1.2ml油胺里)迅速注入反应溶液中并保持20分钟,制得Cu2Zn5In2Ga2S12量子点。
实施例6:
当m=0,n=0.5,c=2,典型合成的量子点为CuaZnbInGaS((a+2b+2)/2):其中组成量子点的I族元素和II族元素组成可任意调节其比例:
当a∶b=1,一个典型的量子点Cu2Zn2InGaS6合成示例如下:
首先将3ml十八烯、0.2mmol醋酸铜、0.2mmol醋酸锌,0.1mmol醋酸铟,0.1mmol醋酸镓,1.2mmol十八酸和1.2mmol十二巯醇加入反应瓶,随后溶液升温至至150~240度之间任意温度,0.6mmol单质硫(溶解在1ml油胺里)迅速注入反应溶液中并保持20分钟,制得Cu2Zn2InGaS6量子点。
实施例7:
当m=0,n=1,c=6典型合成的量子点为CuaZnbGa6S((a+2b+18)/2):其中组成量子点的I族元素和II族元素组成可任意调节其比例:
当a∶b>1,一个典型的量子点Cu2ZnGa6S11合成示例如下:
首先将3ml十八烯、0.2mmol醋酸铜、0.1mmol醋酸锌,0.6mmol醋酸镓,2.2mmol十八酸和2.2mmol十二巯醇加入反应瓶,随后溶液升温至至150~240度之间任意温度,1.1mmol单质硫(溶解在1.1ml油胺里)迅速注入反应溶液中并保持20分钟,制得Cu2ZnGa6S11量子点。
实施例8:
当m=0,n=1,c=3典型合成的量子点为CuaZnbGa3S((a+2b+3)/2):其中组成量子点的I族元素和II族元素组成可任意调节其比例:
当a∶b=1,一个典型的量子点CuZnGa3S6合成示例如下:
首先将3ml十八烯、0.1mmol醋酸铜、0.1mmol醋酸锌,0.3mmol醋酸镓,1.2mmol十八酸和2.2mmol十二巯醇加入反应瓶,随后溶液升温至至150~240度之间任意温度,0.6mmol单质硫(溶解在1ml油胺里)迅速注入反应溶液中并保持20分钟,制得CuZnGa3S6量子点。
实施例9:
当m=0,n=1,c=1,典型合成的量子点为CuaZnbGaS((a+2b+3)/2):其中组成量子点的I族元素和II族元素组成可任意调节其比例:
当a∶b<1,一个典型的量子点CuZn2GaS4合成示例如下:
首先将3ml十八烯、0.1mmol醋酸铜、0.2mmol醋酸锌,0.1mmol醋酸镓,0.8mmol十八酸和0.8mmol十二巯醇加入反应瓶,随后溶液升温至至150~240度之间任意温度,0.8mmol单质硫(溶解在0.8ml油胺里)迅速注入反应溶液中并保持20分钟,制得CuZn2GaS4量子点。
实施例10:
当m=0.5,n=0,c=6,典型合成的量子点为(Ag0.5Cu0.5)aZnbIn6S((a+2b+18)/2):其中组成量子点的I族元素与III族元素组成可任意调节其比例:
当a∶b>1,一个典型的量子点Cu2Ag2ZnIn6S12合成示例如下:
首先将3ml十八烯、0.2mmol醋酸铜、0.2mmol醋酸银,0.1mmol醋酸锌,0.6mmol醋酸铟,2.4mmol十八酸和2.4mmol十二巯醇加入反应瓶,随后溶液升温至至150~240度之间任意温度,1.2mmol单质硫(溶解在1.2ml油胺里)迅速注入反应溶液中并保持20分钟,制得Cu2Ag2ZnIn6S12量子点。
实施例11:
当m=0.5,n=0,c=2,典型合成的量子点为(Ag0.5Cu0.5)aZnbIn2S((a+2b+6)/2):其中组成量子点的I族元素与III族元素组成可任意调节其比例:
当a∶b=1,一个典型的量子点CuAgZn2In2S6合成示例如下:
首先将3ml十八烯、0.1mmol醋酸铜、0.1mmol醋酸银,0.2mmol醋酸锌,0.2mmol醋酸铟,1.2mmol十八酸和1.2mmol十二巯醇加入反应瓶,随后溶液升温至至150~240度之间任意温度,0.6mmol单质硫(溶解在0.6ml油胺里)迅速注入反应溶液中并保持20分钟,制得CuAgZn2In2S6量子点。
实施例12:
当m=0.5,n=0,c=2,典型合成的量子点为(Ag0.5Cu0.5)aZnbIn6S((a+2b+6)/2):其中组成量子点的I族元素与III族元素组成可任意调节其比例:
当a∶b<1,一个典型的量子点CuAgZn4In2S8合成示例如下:
首先将3ml十八烯、0.1mmol醋酸铜、0.1mmol醋酸银,0.4mmol醋酸锌,0.2mmol醋酸铟,1.6mmol十八酸和1.6mmol十二巯醇加入反应瓶,随后溶液升温至至150~240度之间任意温度,0.8mmol单质硫(溶解在0.8ml油胺里)迅速注入反应溶液中并保持20分钟,制得CuAgZn4In2S8量子点。
实施例13
当m=0.5,n=0.5,c=6,典型合成的量子点为(Ag0.5Cu0.5)aZnbIn3Ga3S((a+2b+18)/2)):其中组成量子点的I族元素与II族元素组成可任意调节其比例:
当a∶b>1,一个典型的量子点Ag2Cu2ZnIn3Ga3S12合成示例如下:
首先将3ml十八烯、0.4mmol醋酸铜、0.4mmol醋酸银,0.1mmol醋酸锌,0.3mmol醋酸铟,0.3mmol醋酸镓,2.4mmol十八酸和2.4mmol十二巯醇加入反应瓶,随后溶液升温至至150~240度之间任意温度,1.2mmol单质硫(溶解在1.2ml油胺里)迅速注入反应溶液中并保持20分钟,制得Ag2Cu2ZnIn3Ga3S12量子点。。
实施例14
当m=0.5,n=0.5,c=4,典型合成的量子点为(Ag0.5Cu0.5)aZnbIn3Ga3S((a+2b+12)/2)):其中组成量子点的I族元素与II族元素组成可任意调节其比例:
当a∶b<1,一个典型的量子点AgCuZn4In2Ga2S11合成示例如下:
首先将3ml十八烯、0.1mmol醋酸铜、0.1mmol醋酸银,0.4mmol醋酸锌,0.2mmol醋酸铟,0.2mmol醋酸镓,2.2mmol十八酸和2.2mmol十二巯醇加入反应瓶,随后溶液升温至至150~240度之间任意温度,1.1mmol单质硫(溶解在1.1ml油胺里)迅速注入反应溶液中并保持20分钟,制得AgCuZn4In2Ga2S11量子点。
实施例15:
当m=0.5,n=0.5,c=2典型合成的量子点为(Ag0.5Cu0.5)aZnbInGaS((a+2b+6)/2):其中组成量子点的I族元素与II族元素组成可任意调节其比例:
当a∶b=1,一个典型的量子点AgCuZn2GaInS6合成示例如下:
首先将3ml十八烯、0.1mmol醋酸铜、0.1mmol醋酸银,0.2mmol醋酸锌,0.1mmol醋酸铟,0.1mmol醋酸镓,1.2mmol十八酸和1.2mmol十二巯醇加入反应瓶,随后溶液升温至至150~240度之间任意温度,0.6mmol单质硫(溶解在0.6ml油胺里)迅速注入反应溶液中并保持20分钟,制得AgCuZn2GaInS6量子点。
实施例16:
当m=0.5,n=1,c=6,典型合成的量子点为(Ag0.5Cu0.5)aZnbGa6S((a+2b+12)/2)):其中组成量子点的I族元素与II族元素组成可任意调节其比例:
当a∶b>1,一个典型的量子点Ag2Cu2ZnGa6S12合成示例如下:
首先将3ml十八烯、0.4mmol醋酸铜、0.4mmol醋酸银,0.1mmol醋酸锌,0.6mmol醋酸镓,2.4mmol十八酸和2.4mmol十二巯醇加入反应瓶,随后溶液升温至至150~240度之间任意温度,1.2mmol单质硫(溶解在1.2ml油胺里)迅速注入反应溶液中并保持20分钟,制得Ag2Cu2ZnGa6S12量子点。
实施例17:
当m=0.5,n=1,c=4,典型合成的量子点为(Ag0.5Cu0.5)aZnbGa4S((a+2b+12)/2)):其中组成量子点的I族元素与II族元素组成可任意调节其比例:
当a∶b<1,一个典型的量子点AgCuZn4Ga4S11合成示例如下:
首先将3ml十八烯、0.1mmol醋酸铜、0.1mmol醋酸银,0.4mmol醋酸锌,0.4mmol醋酸镓,2.2mmol十八酸和2.2mmol十二巯醇加入反应瓶,随后溶液升温至至150~240度之间任意温度,1.1mmol单质硫(溶解在1.1ml油胺里)迅速注入反应溶液中并保持20分钟,制得AgCuZn4Ga4S11量子点。
实施例18:
当m=0.5,n=1,c=2典型合成的量子点为(Ag0.5Cu0.5)aZnbGa2S((a+2b+6)/2):其中组成量子点的I族元素与II族元素组成可任意调节其比例:
当a∶b=1,一个典型的量子点AgCuZn2Ga2S6合成示例如下:
首先将3ml十八烯、0.1mmol醋酸铜、0.1mmol醋酸银,0.2mmol醋酸锌,0.2mmol醋酸镓,1.2mmol十八酸和1.2mmol十二巯醇加入反应瓶,随后溶液升温至至150~240度之间任意温度,0.6mmol单质硫(溶解在0.6ml油胺里)迅速注入反应溶液中并保持20分钟,制得AgCuZn2Ga2S6量子点。
实施例19:
当m=1,n=1,c=6,典型合成的量子点为AgaZnbGa6S((a+2b+18)/2)):其中组成量子点的I族元素与II族元素组成可任意调节其比例:
当a∶b>1,一个典型的量子点Ag4ZnGa6S12合成示例如下:
首先将3ml十八烯、0.4mmol醋酸银、0.1mmol醋酸锌,0.6mmol醋酸镓,2.4mmol十八酸和2.4mmol十二巯醇加入反应瓶,随后溶液升温至至150~240度之间任意温度,1.2mmol单质硫(溶解在1.2ml油胺里)迅速注入反应溶液中并保持20分钟,制得Ag4ZnGa6S12量子点。
实施例20:
当m=1,n=1,c=4,典型合成的量子点为AgaZnbGa4S((a+2b+12)/2):其中组成量子点的I族元素与II族元素组成可任意调节其比例:
当a∶b<1,一个典型的量子点Ag2Zn4Ga4S11合成示例如下:
首先将3ml十八烯、0.2mmol醋酸银,0.4mmol醋酸锌,0.4mmol醋酸镓,2.2mmol十八酸和2.2mmol十二巯醇加入反应瓶,随后溶液升温至至150~240度之间任意温度,1.1mmol单质硫(溶解在1.1ml油胺里)迅速注入反应溶液中并保持20分钟,制得Ag2Zn4Ga4S11量子点。
实施例21:
当m=1,n=1,c=2典型合成的量子点为AgaZnbGa2S((a+2b+6)/2):其中组成量子点的I族元素与II族元素组成可任意调节其比例:
当a∶b=1,一个典型的量子点AgZnGaS3合成示例如下:
首先将3ml十八烯、0.1mmol醋酸银,0.2mmol醋酸锌,0.2mmol醋酸镓,1.2mmol十八酸和1.2mmol十二巯醇加入反应瓶,随后溶液升温至至150~240度之间任意温度,0.6mmol单质硫(溶解在0.6ml油胺里)迅速注入反应溶液中并保持20分钟,制得AgZnGaS3量子点。
Claims (5)
1.一种I-II-III-VI族量子点,由I、II、III和VI族元素组成;其特征在于,量子点的具体组成为(AgmCu1-m)aZnb(GanIn1-n)cSd,其中6≥a>1、6≥b>1、6≥c>1,d=(a+2b+3c)/2;I族元素铜与银摩尔比为1-m/m,1≥m≥0;III族元素铟与镓摩尔比为1-n/n,1≥n≥0。
2.根据权利要求1所述的I-II-III-VI族量子点,其特征在于,所述的量子点,粒度在1~8纳米;表面配体是疏水性的有机分子,表面配体包括十八胺、油酸或/和巯醇。
3.一种权利要求1的I-II-III-VI族量子点的制备方法,首先将Cu或/和Ag的I族阳离子单体、Zn的II族阳离子单体、In或/和Ga的III族阳离子单体和配体溶于非配位型溶剂,制备配体和阳离子单体络合物;将配体和阳离子单体络合物升温至150~240℃,注入溶于油胺的S的阴离子单体,保持18~22分钟,制得(AgmCu1-m)aZnb(GanIn1-n)cSd量子点;最后加入丙酮或者乙醇致量子点沉淀,进而分散到氯仿或己烷溶剂中;其中,各阳离子单体和阴离子单体的用量按制备的量子点组成的摩尔比计算,非配位型溶剂用量按每mmol Zn的阳离子单体使用6~40mL非配位型溶剂计算,配体用量按摩尔比配体∶Zn的阳离子单体=4~24∶1计算,油胺的用量按每mL油胺加入0.6~1mmol S的阴离子单体计算;所述的非配位型溶剂,是十八烯、十八烷或二十烯;所述的配体,是长链烷基胺、脂肪酸或/和巯醇。
4.根据权利要求3所述的I-II-III-VI族量子点的制备方法,其特征在于,所述的阳离子单体,包括醋酸锌、硝酸锌、十八酸锌,醋酸铜、醋酸亚铜、硝酸铜、硝酸亚铜、氯化铜、氯化亚铜、乙酰丙酮铜,醋酸铟、氯化铟、乙酰丙酮铟,醋酸银、硝酸银,氯化镓、乙酰丙酮镓;所述的S的阴离子单体,是单质硫;所述的长链烷基胺、脂肪酸或/和巯醇,分别是十八胺,油酸,十二烷基巯醇、八烷基巯醇、十八烷基巯醇。
5.根据权利要求3所述的I-II-III-VI族量子点的制备方法,其特征在于,在制备配体和阳离子单体络合物时,加入脂肪酸调控I-II-III-VI族量子点的粒子尺寸;所述的脂肪酸是十八酸,十四酸或/和八酸;脂肪酸用量按摩尔比脂肪酸∶Zn的II族阳离子单体=2~24∶1计算。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2011100943350A CN102154007A (zh) | 2011-04-15 | 2011-04-15 | I-ii-iii-vi族量子点及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2011100943350A CN102154007A (zh) | 2011-04-15 | 2011-04-15 | I-ii-iii-vi族量子点及其制备方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN102154007A true CN102154007A (zh) | 2011-08-17 |
Family
ID=44435687
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2011100943350A Pending CN102154007A (zh) | 2011-04-15 | 2011-04-15 | I-ii-iii-vi族量子点及其制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN102154007A (zh) |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103265948A (zh) * | 2013-04-28 | 2013-08-28 | 温州大学 | 一种掺杂型四元多色荧光Ag-Zn-In-S量子点的制备方法 |
CN103265949A (zh) * | 2013-04-28 | 2013-08-28 | 温州大学 | 一种单核AgInS2量子点的制备方法 |
CN104263362A (zh) * | 2014-09-17 | 2015-01-07 | 重庆大学 | 一种Ag-In-Zn-S四元合金纳米棒及其制备方法 |
CN104804732A (zh) * | 2015-04-11 | 2015-07-29 | 吉林大学 | 一种适用于蓝光led的热稳定白光量子点的制备方法 |
EP3162874A1 (en) | 2015-11-02 | 2017-05-03 | ETH Zurich | Luminescent semiconductor nanocrystals and methods for making same |
CN106634958A (zh) * | 2016-12-16 | 2017-05-10 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 核壳结构量子点材料及其制备方法 |
JP2018058043A (ja) * | 2016-10-06 | 2018-04-12 | 三井化学株式会社 | 複合金属化合物および光触媒電極 |
JP2018058733A (ja) * | 2016-10-06 | 2018-04-12 | 三井化学株式会社 | 金属化合物の製造方法、光触媒の製造方法、および光触媒複合体の製造方法 |
WO2018223747A1 (zh) * | 2017-06-08 | 2018-12-13 | Tcl集团股份有限公司 | 一种量子点-配体复合物及制备方法与应用 |
CN109746011A (zh) * | 2018-12-10 | 2019-05-14 | 济南大学 | 一种mof基衍生的复合光催化剂及其制备方法 |
CN110368954A (zh) * | 2019-05-13 | 2019-10-25 | 江苏大学 | 水热掺杂法制备Cu:Ag-In-Zn-S量子点光催化剂及其应用 |
CN116285963A (zh) * | 2022-11-30 | 2023-06-23 | 北京交通大学 | 窄谱带发光量子点、制备方法及电致发光器件、制备方法 |
CN116285963B (zh) * | 2022-11-30 | 2024-06-11 | 北京交通大学 | 窄谱带发光量子点、制备方法及电致发光器件、制备方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20050023963A1 (en) * | 2003-08-02 | 2005-02-03 | Hisham Menkara | Light emitting device having thio-selenide fluorescent phosphor |
CN1780895A (zh) * | 2003-04-30 | 2006-05-31 | 纳米技术有限公司 | 适于(f)ret-分析的芯/壳纳米粒子 |
-
2011
- 2011-04-15 CN CN2011100943350A patent/CN102154007A/zh active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1780895A (zh) * | 2003-04-30 | 2006-05-31 | 纳米技术有限公司 | 适于(f)ret-分析的芯/壳纳米粒子 |
US20050023963A1 (en) * | 2003-08-02 | 2005-02-03 | Hisham Menkara | Light emitting device having thio-selenide fluorescent phosphor |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
RENGUO XIE,ET AL.,: "Formation of High-Quality I-III-VI Semiconductor Nanocrystals by Tuning Relative Reactivity of Cationic Precursors", 《JOURNAL OF AMERICAN CHEMICAL SOCIETY》 * |
WENJIN ZHANG, ET AL.,: "Facile synthesis of ZnS-CuInS2-alloyed nanocrystals for a color-tunable fluorchrome and photocatalyst", 《INORGANIC CHEMISTRY》 * |
Cited By (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103265949A (zh) * | 2013-04-28 | 2013-08-28 | 温州大学 | 一种单核AgInS2量子点的制备方法 |
CN103265948B (zh) * | 2013-04-28 | 2015-04-08 | 温州大学 | 一种掺杂型四元多色荧光Ag-Zn-In-S量子点的制备方法 |
CN103265949B (zh) * | 2013-04-28 | 2015-07-15 | 温州大学 | 一种单核AgInS2量子点的制备方法 |
CN103265948A (zh) * | 2013-04-28 | 2013-08-28 | 温州大学 | 一种掺杂型四元多色荧光Ag-Zn-In-S量子点的制备方法 |
CN104263362A (zh) * | 2014-09-17 | 2015-01-07 | 重庆大学 | 一种Ag-In-Zn-S四元合金纳米棒及其制备方法 |
CN104263362B (zh) * | 2014-09-17 | 2016-04-27 | 重庆大学 | 一种Ag-In-Zn-S四元合金纳米棒及其制备方法 |
CN104804732A (zh) * | 2015-04-11 | 2015-07-29 | 吉林大学 | 一种适用于蓝光led的热稳定白光量子点的制备方法 |
EP3162874A1 (en) | 2015-11-02 | 2017-05-03 | ETH Zurich | Luminescent semiconductor nanocrystals and methods for making same |
WO2017076863A1 (en) | 2015-11-02 | 2017-05-11 | Eth Zurich | Luminescent semiconductor nanocrystals and methods for making same |
JP2018058733A (ja) * | 2016-10-06 | 2018-04-12 | 三井化学株式会社 | 金属化合物の製造方法、光触媒の製造方法、および光触媒複合体の製造方法 |
JP2018058043A (ja) * | 2016-10-06 | 2018-04-12 | 三井化学株式会社 | 複合金属化合物および光触媒電極 |
CN106634958A (zh) * | 2016-12-16 | 2017-05-10 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 核壳结构量子点材料及其制备方法 |
WO2018223747A1 (zh) * | 2017-06-08 | 2018-12-13 | Tcl集团股份有限公司 | 一种量子点-配体复合物及制备方法与应用 |
CN109746011A (zh) * | 2018-12-10 | 2019-05-14 | 济南大学 | 一种mof基衍生的复合光催化剂及其制备方法 |
CN109746011B (zh) * | 2018-12-10 | 2021-06-04 | 济南大学 | 一种mof基衍生的复合光催化剂及其制备方法 |
CN110368954A (zh) * | 2019-05-13 | 2019-10-25 | 江苏大学 | 水热掺杂法制备Cu:Ag-In-Zn-S量子点光催化剂及其应用 |
CN110368954B (zh) * | 2019-05-13 | 2022-02-15 | 江苏大学 | 水热掺杂法制备Cu:Ag-In-Zn-S量子点光催化剂及其应用 |
CN116285963A (zh) * | 2022-11-30 | 2023-06-23 | 北京交通大学 | 窄谱带发光量子点、制备方法及电致发光器件、制备方法 |
CN116285963B (zh) * | 2022-11-30 | 2024-06-11 | 北京交通大学 | 窄谱带发光量子点、制备方法及电致发光器件、制备方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN102154007A (zh) | I-ii-iii-vi族量子点及其制备方法 | |
CN102212363B (zh) | 一种核壳结构量子点的制备方法 | |
Cossairt | Shining light on indium phosphide quantum dots: understanding the interplay among precursor conversion, nucleation, and growth | |
De Trizio et al. | Forging colloidal nanostructures via cation exchange reactions | |
Luther et al. | Synthesis of PbS nanorods and other ionic nanocrystals of complex morphology by sequential cation exchange reactions | |
Li et al. | High‐yield fabrication and electrochemical characterization of tetrapodal CdSe, CdTe, and CdSexTe1–x nanocrystals | |
Al-Salim et al. | Synthesis of CdSeS nanocrystals in coordinating and noncoordinating solvents: solvent's role in evolution of the optical and structural properties | |
Zhang et al. | Scalable single-step noninjection synthesis of high-quality core/shell quantum dots with emission tunable from violet to near infrared | |
Friedfeld et al. | Conversion reactions of atomically precise semiconductor clusters | |
CN110317609B (zh) | 量子点、其制备方法及光电器件 | |
CN108048084A (zh) | 第iii-v族/锌硫属化物合金化的半导体量子点 | |
CN102849779B (zh) | 一种硫化银量子点的制备方法 | |
Liu et al. | Highly luminescent blue emitting CdS/ZnS core/shell quantum dots via a single-molecular precursor for shell growth | |
Wang et al. | Semiconductor–noble metal hybrid nanomaterials with controlled structures | |
CN103184045A (zh) | Ii型核壳结构半导体纳米晶的制备方法 | |
Saavedra-Rodriguez et al. | Tunable white-light emission of Co2+ and Mn2+ co-doped ZnS nanoparticles by energy transfer between dopant ions | |
Drake et al. | Design Principles of Colloidal Nanorod Heterostructures | |
Xie et al. | Zinc chalcogenide seed-mediated synthesis of CdSe nanocrystals: nails, chesses and tetrahedrons | |
Liu et al. | Ag+-Induced Shape and Composition Evolution of Covellite CuS Nanoplatelets To Produce Plate–Satellite and Biconcave− Particle Heterostructures | |
CN101457403B (zh) | 尺寸可控半导体纳米簇和纳米晶的绿色合成方法 | |
Bennett et al. | Size dependent optical properties and structure of ZnS nanocrystals prepared from a library of thioureas | |
Shan et al. | Synthesis of wurtzite In and Ga phosphide quantum dots through cation exchange reactions | |
Shen et al. | Size-and shape-dependent growth of fluorescent ZnS nanorods and nanowires using Ag nanocrystals as seeds | |
Shan et al. | The effect of PVP on the formation and optical properties ZnO/Ag nanocomposites | |
Huang et al. | Crystalline nanowires of Ln2O2S, Ln2O2S2, LnS2 (Ln= La, Nd), and La2O2S: Eu3+. conversions via the boron-sulfur method that preserve shape |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20110817 |