CN116264780A

CN116264780A - 有机发光二极管和包括该有机发光二极管的有机发光显示装置

Info

Publication number: CN116264780A
Application number: CN202211569432.5A
Authority: CN
Inventors: 申仁爱; 闵慧理; 林起焕; 金捘演
Original assignee: LG Display Co Ltd
Current assignee: LG Display Co Ltd
Priority date: 2021-12-14
Filing date: 2022-12-07
Publication date: 2023-06-16
Also published as: GB202215783D0; DE102022128811A1; KR20230089737A; GB2615383A; US20230189643A1

Abstract

本公开内容涉及一种有机发光二极管，其包括：第一电极；面对所述第一电极的第二电极；和第一发光部，所述第一发光部包括位于所述第一电极和所述第二电极之间的第一发光材料层、位于所述第二电极和所述第一发光材料层之间的第一空穴阻挡层、和位于所述第一发光材料层和所述第一空穴阻挡层之间的第一中间功能层，其中所述第一发光材料层包括第一化合物、第二化合物和第三化合物，并且所述第一中间功能层包括第一化合物和第二化合物，并且其中所述第一中间功能层中的所述第二化合物具有与所述第一发光材料层中的所述第二化合物相同的核，并且具有比所述第一发光材料层中的所述第二化合物更高的LUMO能级。

Description

有机发光二极管和包括该有机发光二极管的有机发光显示装置

相关申请的交叉引用

本申请主张于2021年12月14日在韩国递交的韩国专利申请第10-2021-0178381号的权益，通过引用将其作为整体并入本文。

技术领域

本公开内容涉及一种有机发光二极管，且更具体而言，涉及一种具有高显示性能的有机发光二极管和一种包括所述有机发光二极管的有机发光显示装置。

背景技术

对于具有小占据面积的平板显示装置的需求正在增长。在平板显示装置中，包括有机发光二极管(OLED)在内并且可被称为有机电致发光装置的有机发光显示装置的技术正在迅速发展。

OLED通过将来自于作为电子注入电极的阴极的电子和来自于作为空穴注入电极的阳极的空穴注入发光材料层中、将电子与空穴结合、生成激子、并将激子从激发态转化为基态而发光。

可以使用荧光材料作为在OLED中的发光物。但是，由于只有荧光材料的单重态激子参与了发光，因此荧光材料的发光效率受到了限制。

发明内容

因此，本公开内容的实施方式涉及一种实质上消除了与现有技术的局限和不足相关的一个或多个问题的OLED和有机发光显示装置。

本公开内容的目的在于提供一种具有高显示性能的OLED和有机发光显示装置。

额外的特征和方面将在以下的描述中得以阐述，并从该描述中将部分地变得显而易见，或者可通过实践本文所提供的本发明构思而知悉。本发明构思的其他特征和方面可通过在书面描述中特别指出的或由此衍生的结构、和其权利要求书以及随附的附图来实现并得到。

为了实现根据本公开内容的实施方式的目的的这些和其他优点，如本文所述，本公开内容的一个方面是一种有机发光二极管，包括：第一电极；面对所述第一电极的第二电极；和第一发光部，所述第一发光部包括位于所述第一电极和所述第二电极之间的第一发光材料层、位于所述第二电极和所述第一发光材料层之间的第一空穴阻挡层、和位于所述第一发光材料层和所述第一空穴阻挡层之间的第一中间功能层，其中所述第一发光材料层包括第一化合物、第二化合物和第三化合物，并且所述第一中间功能层包括第一化合物和第二化合物，并且其中所述第一中间功能层中的所述第二化合物具有与所述第一发光材料层中的所述第二化合物相同的核，并且具有比所述第一发光材料层中的所述第二化合物更高的LUMO能级，其中所述第一发光材料层中的所述第二化合物和所述第一中间功能层中的所述第二化合物各自由式3-1表示：

[式3-1]

其中b1为0至4的整数，Y由式3-2表示：

[式3-2]

其中R11和R12各自独立地选自由取代或未取代的C1至C10烷基、取代或未取代的C6至C30芳基、和取代或未取代的C5至C30杂芳基构成的群组，或者两个相邻的R11和两个相邻的R12中的至少一个彼此连接，连同它们所附接的原子，形成芳香环或杂芳环，并且其中b2和b3各自独立地为0至4的整数。

本公开内容的另一方面是一种有机发光显示装置，包括：基板，所述基板包括红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域；和有机发光二极管，所述有机发光二极管设置在所述基板之上或上方并位于所述红色像素区域内，所述有机发光二极管包括：第一电极；面对所述第一电极的第二电极；和第一发光部，所述第一发光部包括位于所述第一电极和所述第二电极之间的第一发光材料层、位于所述第二电极和所述第一发光材料层之间的第一空穴阻挡层、和位于所述第一发光材料层和所述第一空穴阻挡层之间的第一中间功能层，其中所述第一发光材料层包括第一化合物、第二化合物和第三化合物，并且所述第一中间功能层包括第一化合物和第二化合物，并且其中所述第一中间功能层中的所述第二化合物具有与所述第一发光材料层中的所述第二化合物相同的核，并且具有比所述第一发光材料层中的所述第二化合物更高的LUMO能级。

要理解的是，前述的一般描述和下述的详细描述均为示例且为解释性的，并且意在提供所主张的本发明构思的进一步解释。

附图说明

包括随附的附图以提供本公开内容的进一步的理解，这些随附的附图并入并构成了本申请的一部分、图解了本公开内容的实施方式、并与说明书一起用以解释本公开内容的原理。

图1是本公开内容的有机发光显示装置的示意性电路图。

图2是根据本公开内容的第一实施方式的有机发光显示装置的示意性截面图。

图3是根据本公开内容的第二实施方式的OLED的示意性截面图。

图4是根据本公开内容的第二实施方式的OLED的部分的能带图。

图5是根据本公开内容的第三实施方式的OLED的示意性截面图。

图6是根据本公开内容的第四实施方式的OLED的示意性截面图。

图7是根据本公开内容的第五实施方式的OLED的示意性截面图。

图8是根据本公开内容的第六实施方式的有机发光显示装置的示意性截面图。

图9是根据本公开内容的第七实施方式的有机发光显示装置的示意性截面图。

具体实施方式

现将详细参照在随附的附图中图解的一些实施例和优选的实施方式。

图1是本公开内容的有机发光显示装置的示意性电路图。

如图1所示，一种有机发光显示装置包括栅极线GL、数据线DL、电源线PL、开关薄膜晶体管TFT Ts、驱动TFT Td、存储电容器Cst和OLED D。栅极线GL和数据线DL彼此交叉以限定像素区域P。像素区域可包括红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域。

开关TFT Ts连接至栅极线GL和数据线DL，驱动TFT Td和存储电容器Cst连接至开关TFT Ts和电源线PL。OLED D连接至驱动TFT Td。

在有机发光显示装置中，当通过经由栅极线GL施加的栅极信号开启开关TFT Ts时，来自数据线DL施加的数据信号被施加至驱动TFT Td的栅极和存储电容器Cst的一个电极。

当通过数据信号开启驱动TFT Td时，电流从电源线PL被供应至OLED D。因此，OLED发光。在这种情况下，当开启驱动TFT Td时，从电源线PL施加到OLED D的电流水平被确定，以便OLED D可以产生灰度。

当关闭开关TFT Ts时，存储电容器Cst用于维持驱动TFT Td的栅极的电压。因此，即使关闭开关TFT Ts，从电源线PL施加到OLED D的电流水平也会维持到下一帧。

因此，有机发光显示装置显示出期望的图像。

如图2所示，有机发光显示装置100包括：基板110、基板110之上或上方的TFT Tr、覆盖TFT Tr的平坦化层、和在平坦化层150上且连接至TFT Tr的OLED D。可在基板110上限定红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域。

基板110可以是玻璃基板或柔性基板。例如，柔性基板可以是聚酰亚胺(PI)基板、聚醚砜(PES)基板、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)基板、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)基板、和聚碳酸酯(PC)基板中的一种。

缓冲层122形成在基板上，TFT Tr形成在缓冲层122上。可省略缓冲层122。例如，缓冲层122可由例如氧化硅或氮化硅的无机绝缘材料形成。

半导体层120形成在缓冲层122上。半导体层120可包括氧化物半导体材料或多晶硅。

当半导体层120包括氧化物半导体材料时，遮光图案(未示出)可形成在半导体层120下方。至半导体层120的光被遮光图案遮蔽或阻断，因此能够防止半导体层120的热降解。另一方面，当半导体层120包括多晶硅时，可将杂质掺入半导体层120的两侧中。

栅极绝缘层124形成在半导体层120上。栅极绝缘层124可由诸如氧化硅或氮化硅之类的无机绝缘材料形成。

由例如金属的导电材料形成的栅极130形成在栅极绝缘层124上以对应半导体层120的中心。在图2中，栅极绝缘层124形成在基板110的整个表面上。或者，栅极绝缘层124可进行图案化以具有与栅极130相同的形状。

层间绝缘层132形成在栅极130上并在基板110的整个表面的上方。层间绝缘层132可由例如氧化硅或氮化硅的无机绝缘材料、或者例如苯并环丁烯或光亚克力的有机绝缘材料形成。

层间绝缘层132包括暴露半导体层120的两侧的第一接触孔134和第二接触孔136。第一接触孔134和第二接触孔136位于栅极130的两侧处以与栅极130间隔开。

第一接触孔134和第二接触孔136形成为穿过栅极绝缘层124。或者，当栅极绝缘层124进行图案化以具有与栅极130相同的形状时，第一接触孔134和第二接触孔136仅形成为穿过层间绝缘层132。

由例如金属的导电材料形成的源极144和漏极146形成在层间绝缘层132上。

源极144和漏极146相对于栅极130彼此间隔开，并分别穿过第一接触孔134和第二接触孔136接触半导体层120的两侧。

半导体层120、栅极130、源极144和漏极146构成了TFT Tr。TFT Tr用作驱动元件。即，TFT Tr是(图1的)驱动TFT Td。

在驱动TFT Tr中，栅极130、源极144和漏极146位于半导体层120上方。即，TFT Tr具有共平面结构。

或者，在驱动TFT Tr中，栅极可以位于半导体层下方，并且源极和漏极可以位于半导体层上方，使得驱动TFT Tr可具有反向交错结构。在这种情形下，半导体层可包括非晶硅。

尽管未示出，但是栅极线和数据线彼此交叉以限定像素区域，并且开关TFT形成为连接至栅极线和数据线。开关TFT连接至作为驱动元件的TFT Tr。除此之外，可进一步形成电源线和存储电容器，所述电源线可形成为与栅极线和数据线中的一者平行并且与栅极线和数据线中的一者间隔开，所述存储电容器用于在一帧中保持TFT Tr的栅极的电压。

平坦化层150形成在基板110的整个表面上以覆盖源极144和漏极146。平坦化层150提供平坦的顶部表面并具有暴露TFT Tr的漏极146的漏极接触孔152。

OLED D设置在平坦化层150上并包括连接至TFT Tr的漏极146的第一电极210、有机发光层220和第二电极230。有机发光层220和第二电极230依次堆叠在第一电极210上。OLED D位于每一个红色像素区域、绿色像素区域、和蓝色像素区域并分别发出红光、绿光和蓝光。

第一电极210分别形成在每个像素区域中。第一电极210可以是阳极且可包括可由例如具有较高功函数的透明导电氧化物(TCO)的导电材料形成的透明导电氧化物材料层和反射层。即，第一电极210可以是反射电极。

或者，第一电极210可具有单层结构的透明导电氧化物材料层。即，第一电极210可以是透明电极。

例如，透明导电氧化物材料层可由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡锌(ITZO)、氧化锡(SnO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟铜(ICO)、和氧化铝锌(Al：ZnO，AZO)中的一种形成，反射层可由银(Ag)、银与钯(Pd)、铜(Cu)、铟(In)和钕(Nd)之一形成的合金、以及铝钯铜(APC)合金中的一种形成。例如，第一电极210可能具有ITO/Ag/ITO或ITO/APC/ITO的结构。

此外，堤岸层160形成在平坦化层150上以覆盖第一电极210的边缘。即，堤岸层160位于像素区域的边界处并暴露像素区域中的第一电极210的中心。

作为发光单元的有机发光层220形成在第一电极210上。在红色像素区域的OLED D中，有机发光层220包括包含第一红色发光材料层(EML)的第一发光部、电子阻挡层(EBL)、空穴阻挡层(HBL)和中间功能层。此外，在红色像素区域的OLED D的有机发光层可进一步包括包含第二红色EML的第二发光部。

第一发光部和第二发光部各自可进一步包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中的至少一者而具有多层结构。此外，有机发光层可进一步包括位于第一发光部和第二发光部之间的电荷产生层(CGL)。

如以下所解释的，在红色像素区域的OLED D中，第一红色EML是包括第一延迟荧光化合物和荧光化合物的荧光发光层。中间功能层包括第二延迟荧光化合物，并位于第一红色EML和HBL之间。第二延迟荧光化合物具有与第一延迟荧光化合物相同的化学结构，且具有比第一延迟荧光化合物更高的最低未占据分子轨道(LUMO)能级。因此，OLED D的发光性能得到改善。

第二电极230形成在形成了有机发光层220的基板110的上方。第二电极230覆盖显示区域的整个表面，并且可以由具有较低功函数的导电材料形成以用作阴极。例如，第二电极230可由铝(A1)、镁(Mg)、钙(Ca)、银(Ag)或它们的合金例如(MgAg)形成。第二电极230可具有薄的外形，例如10至30nm，而是透明的(或半透明的)。

或者，第一电极210可以是透明电极，第二电极230可以是反射电极。

尽管未示出，OLED D可进一步包括在第二电极230上的覆盖层。OLED D和/或有机发光显示装置100的发光效率可通过覆盖层而进一步改善。

封装膜(或封装层)170形成在第二电极230上以防止湿气渗透入OLED D中。封装膜170包括依次堆叠的第一无机绝缘层172、有机绝缘层174和第二无机绝缘层176，但不限于此。

尽管未示出，有机发光显示装置100可包括对应于红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域的彩色滤光器。例如，彩色滤光器可以位于OLED D或封装膜170之上或上方。

此外，有机发光显示装置100可进一步包括在封装膜170或彩色滤光器之上或上方的盖窗(未示出)。在这一实例中，基板110和盖窗具有柔性，从而可提供柔性有机发光显示装置。

如图3所示，OLED D1包括第一电极210、面对第一电极210的第二电极230、和在二者之间的有机发光层220。有机发光层220包括EML 260、EBL246、HBL 252和中间功能层270。此外，OLED D1可进一步包括用于增强(改善)发光效率的覆盖层290。

有机发光显示装置可包括红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域，OLED D1位于红色像素区域。

第一电极210可以是阳极，第二电极230可以是阴极。第一电极210是反射电极，第二电极230是透明电极(或半透明电极)。例如，第一电极210可具有ITO/Ag/ITO的结构，第二电极230可由MgAg或Al形成。即，第一电极210可具有第一透射率，第二电极230可具有大于第一透射率的第二透射率。

EBL 246位于第一电极210和EML 260之间，HBL 252位于第二电极230和EML 260之间。中间功能层270位于HBL 252和EML 260之间。即，EML260的一个表面(侧)接触EBL 246，EML 260的另一表面接触中间功能层270，并与HBL 252隔开。中间功能层270的一个表面和另一表面分别接触EML 260和HBL 252。

EML 260包括第一化合物262、第二化合物264和第三化合物266。第一化合物262作为基质，第二化合物264作为辅助基质(辅助掺杂剂)，第三化合物266作为掺杂剂(发光器)。第二化合物264为延迟荧光化合物，第三化合物266为荧光化合物。

中间功能层270包括第一化合物272和第二化合物274。

EML 260中第一化合物262和中间功能层270中第一化合物272分别由式1表示。

[式1]

在式1中，R1、R2、R3、R4和R5各自独立地选自由取代或未取代的C1至C10烷基、取代或未取代的C6至C30芳基、和取代或未取代的C5至C30杂芳基构成的群组，a1、a2、a3、a4和a5各自独立地为0至4的整数。X为NR6、O或S，R6选自由氢、取代或未取代的C1至C10烷基、取代或未取代的C6至C30芳基、和取代或未取代的C5至C30杂芳基构成的群组。

即，EML 260中第一化合物262和中间功能层270中第一化合物272具有相同的化学结构，并且可以相同也可以不同。

在本公开内容中，C6至C30芳基可以选自由以下各者构成的群组：苯基、联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、戊烷基(pentanenyl)、茚基、茚并茚基(indenoindenyl)、庚搭烯基(heptalenyl)、次联苯基、并茚苯基(indacenyl)、菲基苯并菲基、二苯并菲基、薁基芘基荧蒽基、次三苯基、屈基(chrysenyl)、四苯基、并四苯基(tetrasenyl)、二萘品苯基(picenyl)、五苯基、并五苯基、芴基、茚并芴基和螺芴基。

在本公开内容中，C5至C30杂芳基可以选自由以下各者构成的群组：吡咯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、四嗪基、咪唑基、吡唑基、吲哚基、异吲哚基、吲唑基、吲嗪基、吡咯嗪基、咔唑基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、吲哚并咔唑基、茚并咔唑基、苯并呋喃咔唑基、苯并噻吩咔唑基、喹啉基、异喹啉基、酞嗪基、喹喔啉基、噌啉基、喹唑啉基、奎诺唑啉基、嘌呤基、苯并喹啉基、苯并异喹啉基、苯并喹唑啉基、苯并喹喔啉基、吖啶基、菲咯啉基、嘧啶基(perimidinyl)、菲啶基、蝶啶基、萘胺基、呋喃基、恶嗪基、恶唑基、恶二唑基、三唑基、二恶英基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、硫代吡喃基、呫吨基(xanthenyl)、苯并吡喃基、异苯并吡喃基、噻嗪基、噻吩基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、二呋喃吡嗪基、苯并呋喃二苯并呋喃基、苯并噻吩并苯并噻吩基(benzothienobenzothiophenyl)、苯并噻吩并二苯并噻吩基(benzothienodibenzothiophenyl)、苯并噻吩并苯并呋喃基(benzothienobenzofuranyl)和苯并噻吩并二苯并呋喃基(benzothienodibenzofuranyl)。

在本公开内容中，在没有具体限定的情况下，烷基、芳基和/或杂芳基的取代基可以是氘、氚、氰基、卤素、C1至C10烷基、C1至C10烷氧基、和C6至C30芳基中的至少一种，其中C6至C30芳基可以选择性地用C1至C10烷基进一步取代。

描述为“取代或未取代的”的基团可以用本文所限定的一个或多个基团取代(在原子价允许的情况下)。

EML 260中第一化合物262和中间功能层270中第一化合物272各自可以是式2中的化合物中的一者。

[式2]

EML 260中第二化合物264和中间功能层270中第二化合物274各自由式3-1表示，EML 260中第二化合物264和中间功能层270中第二化合物274是不同的。

[式3-1]

在式3-1中，Y由式3-2表示，b1为0至4的整数。当b1为2或更大时，Y是相同的或不同的。

[式3-2]

在式3-2中，R11和R12各自独立地选自由取代或未取代的C1至C10烷基、取代或未取代的C6至C30芳基、和取代或未取代的C5至C30杂芳基构成的群组，或者两个相邻的R11和两个相邻的R12中的至少一个彼此连接以形成芳香环或杂芳环。此外，b2和b3各自独立地为0至4的整数。

例如，b1可以是4，R11和R12各自可以独立地选自由C1至C10烷基例如甲基、C6至C30芳基例如苯基、C5至C30杂芳基例如咔唑基构成的群组，或者两个相邻的R11和两个相邻的R12中的至少一个彼此连接以形成杂芳环。

即，EML 260中第二化合物264和中间功能层270中第二化合物274具有相同的核，但是不同的。

中间功能层270中第二化合物274具有比EML 260中第二化合物264更高的LUMO能级。例如，中间功能层270中第二化合物274的LUMO能级与EML 260中第二化合物264的LUMO能级之间的差值可以是0.5eV或更低。

EML 260中第二化合物264的LUMO能级可以低于3.0 eV。

可通过测量HOMO能级和带隙来确定LUMO能级。LUMO能级等于HOMO能级-带隙(即，LUMO＝HOMO-带隙)。可通过制备厚度为50nm的单层薄膜(整齐薄膜)并在空气中用光电子分光光度计(例如，AC3)测量来确定HOMO能级。通过测量厚度为50nm的单层薄膜(例如，SCINCO/S-3100)中的UV-vis，可以从边缘的切向波长计算出带隙。带隙等于1239.85除以切向波长(即，带隙＝1239.85/(切向波长))。

参照图4，这是根据本公开内容的第二实施方式的OLED的部分的能带图，中间功能层270中第二化合物274的LUMO能级高于EML 260中第二化合物264的LUMO能级。中间功能层270中第二化合物274的最高占据分子轨道(HOMO)等于或不同于EML 260中第二化合物264的HOMO能级。此外，在EML 260中，作为荧光掺杂剂的第三化合物266的LUMO能级等于或高于第二化合物264的LUMO能级，第三化合物266的HOMO能级高于第二化合物264的HOMO能级。此外，第三化合物266的HOMO能级高于中间功能层270中第二化合物274的HOMO能级。

EML 260中第二化合物264是式4中的化合物中的一者，中间功能层270中第二化合物274是式4中的化合物中的另一者。

[式4]

例如，EML 260中第二化合物264可以由式3a表示，中间功能层270中第二化合物274可以由式3b表示。

[式3a]

在式3a中，Y由式3-2表示，b1的定义与式3-1中的定义相同。

[式3b]

在式3b中，Y由式3-2表示，b1的定义与式3-1中的定义相同。

即，EML 260中第二化合物264具有包括两个氰基和至少一个取代或未取代的咔唑基的结构，它们连接至同一个苯基团上且两个氰基存在于对位。

另一方面，中间功能层270中第二化合物274具有包括两个氰基和至少一个取代或未取代的咔唑基的结构，它们连接至同一个苯基团上且两个氰基存在于间位。

在一实施方式中，EML 260中第二化合物264和中间功能层270中第二化合物274各自由式3-3表示。

[式3-3]

在式3-3中，R13和R14中的一个是CN，R13和R14中的另一个由式3-2表示。

例如，在EML 260中第二化合物264中，R14为CN，R13由式3-2表示。在中间功能层270中第二化合物274中，R14由式3-2表示，R13为CN。

例如，EML 260中第二化合物264可以是式4a中的化合物中的一者，中间功能层270中第二化合物274可以是式4b中的化合物中的一者。

[式4a]

[式4b]

EML 260中第三化合物266具有1.8至2.2eV的能带隙“Eg”和低于-3.0 eV的LUMO能级。此外，EML 260中第三化合物266具有580至650nm、例如610至630nm的发光波长范围。

EML 260中第三化合物266由式5表示。

[式5]

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在式5中，R21、R22、R23和R24各自独立地选自取代或未取代的C6至C30芳基，R25、R26和R27各自独立地选自由氢、氘、取代或未取代的C1至C10烷基、取代或未取代的C6至C30芳基、和取代或未取代的C5至C30杂芳基构成的群组。

例如，R21、R22、R23和R24各自可以是用C1至C10烷基(例如甲基或叔丁基)取代或未取代的苯基。此外，R25和R26各自可以是氢，R27可以选自用C1至C10烷氧基(例如甲氧基)和C6至C30芳基(例如叔丁基苯基)中的至少一个取代或未取代的C6至C30芳基(例如苯基)、以及取代或未取代的C5至C30杂芳基(例如二苯并呋喃基或噻吩基)。

EML 260中第三化合物266可以是式6中的化合物中的一者。

[式6]

在EML 260中，第一化合物262的第一重量％和第二化合物264的第二重量％各自大于第三化合物266的第三重量％。第二化合物264的第二重量％可与第一化合物262的第一重量％相同或不同。EML 260由第一化合物262、第二化合物264和第三化合物266组成，且EML 260中第一化合物262的第一重量％、第二化合物264的第二重量％和第三化合物266的第三重量％的总和为100重量％。

此外，在EML 260中，第二化合物264的三重能级低于第一化合物262的三重能级，而高于第三化合物266的三重能级。

在中间功能层270中，第一化合物272的第四重量％大于第二化合物274的第五重量％。中间功能层270由第一化合物272和第二化合物274组成，且中间功能层270中第一化合物272的第四重量％与第二化合物274的第五重量％的总和为100重量％。

EML 260中第二化合物264的第二重量％大于中间功能层270中第二化合物274的第五重量％。例如，EML 260中第二化合物264的第二重量％可以是40重量％以上且60重量％以下，中间功能层270中第二化合物274的第五重量％可以是1重量％以上且10重量％以下。

EML 260具有第一厚度t1，中间功能层270具有比第一厚度t1更小的第二厚度t2。第二厚度t2可以是第一厚度t1的40％或以下。例如，第二厚度t2可以是

以上且/>

以下。

EML 260是用于发光的层，而中间功能层270是用于传输电子至EML 260并防止激子从EML 260转移至HBL 252的层。

EBL 246可包括式7中的化合物。

[式7]

或者，EBL 246可包括选自由以下各者构成的群组的化合物中的至少一者：TCTA、三[4-(二乙基)苯基]胺、N-(联苯-4-基)-9，9-二甲基-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺、TAPC、MTDATA、1，3-二(咔唑-9-基)苯(mCP)、3，3’-双(N-咔唑-3-苯基)-1，1’-联苯(mCBP)、CuPc、N，N’-双[4-[双(3-甲基苯基)氨基]苯基]-N，N’-二苯基-[1，1’-联苯]-4，4’-二胺(DNTPD)、TDAPB、DCDPA和2，8-双(9-苯基-9H-咔唑-3-基)二苯并[b，d]噻吩。EBL 246可具有5至20nm的厚度。例如，EBL 246的厚度可等于或小于中间功能层270的第二厚度t2。

HBL 252包括具有比EML 260和中间功能层270更低的HOMO能级的材料。

HBL 252可包括式8中的化合物。

[式8]

或者，HBL 252可包括选自由以下各者构成的群组的化合物中的至少一者：BCP、BAlq、Alq3、PBD、螺-PBD、Liq、双-4，6-(3，5-二-3-吡啶基苯基)-2-甲基嘧啶(B3PYMPM)、双[2-(二苯基膦基)苯基]醚氧化物(DPEPO)、9-(6-9H-咔唑-9-基)吡啶-3-基)-9H-3，9’-联咔唑和TSPO1。

HBL 252可具有5至20nm的厚度。例如，HBL 252的厚度可等于或小于中间功能层270的第二厚度t2

如上所示，EBL 246接触EML 260的第一表面(即第一电极210一侧处的表面)，HBL252与EML 260的第二表面(即第二电极230一侧处的表面)隔开且接触中间功能层270。

OLED D1可进一步包括位于第一电极210和EBL 246之间的HTL 244以及位于第二电极230和HBL 252之间的ETL 254中的至少一个。

此外，OLED D1可进一步包括位于第一电极210和HTL 244之间的HIL 242以及位于第二电极230和ETL 254之间的EIL 256中的至少一个。

例如，HTL 244可包括式9中的化合物中的一者。

[式9]

或者，HTL 244可包括选自由以下各者构成的群组的化合物中的至少一者：N，N’-二苯基-N，N’-双(3-甲基苯基)-1，1’-联苯-4，4’-二胺(TPD)、N，N’-二苯基-N，N’-双(1-萘基)-1，1’-联苯-4，4”-二胺(NPB；NPD)、4，4’-双(N-咔唑)-1，1’-联苯(CBP)、聚[N，N’-双(4-丁基苯基)-N，N’-双(苯基)-联苯胺(Poly-TPD)、聚[(9，9-二辛基芴基-2，7-二基)-共-(4，4’-(N-(4-仲-丁基苯基)二苯胺))](TFB)、二-[4-(N，N-二-对-甲苯基-氨基)-苯基]环己烷(TAPC)、3，5-二(9H-咔唑-9-基)-N，N-二苯基苯胺(DCDPA)、N-(联苯-4-基)-9，9-二甲基-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-二胺、和N-(联苯-4-基)-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)联苯-4-胺。

HIL 242可包括式9中的化合物中的一者和式10的化合物作为掺杂剂。在HIL 242中，式10的化合物可具有约1至10重量％。

[式10]

或者，HIL 242可包括选自由以下各者构成的群组的化合物中的至少一者：4，4’，4”-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺(MTDATA)、4，4’，4”-三(N，N-二苯基-氨基)三苯胺(NATA)、4，4’，4”-三(N-(萘-1-基)-N-苯基-氨基)三苯胺(1T-NATA)、4，4’，4”-三(N-(萘-2-基)-N-苯基-氨基)三苯胺(2T-NATA)、酞菁铜(CuPc)、三(4-咔唑基-9-基-苯基)胺(TCTA)、NPB(或NPD)、1，4，5，8，9，11-六氮杂苯并菲六腈(dipyrazino[2，3-f：2’3’-h]quinoxaline-2，3，6，7，10，11-hexacarbonitrile；HAT-CN)、1，3，5-三[4-(二苯基氨基)苯基]苯(TDAPB)、聚(3，4-次乙基二氧噻吩)聚苯乙烯磺酸钠(PEDOT/PSS)和N-(联苯基-4-基)-9，9-二甲基-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺。

ETL 254可包括式11中的化合物中的至少一种。

[式11]

或者，ETL 254可包括恶二唑类化合物、三唑类化合物、邻二氮杂菲类化合物、苯并恶唑类化合物、苯并噻唑类化合物、苯并咪唑类化合物和三嗪类化合物中的一者。例如，ETL254可包括选自由以下各者构成的群组的化合物：三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)、2-联苯基-4-基-5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4-恶二唑(PBD)、螺-PBD、喹啉锂(Liq)、1，3，5-三(N-苯基苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)、双(2-甲基-8-羟基喹啉-N1，O8)-(1，1’-联苯-4-羟基)铝(BAlq)、4，7-二苯基-1，10-邻二氮杂菲(Bphen)、2，9-双(萘-2-基)4，7-二苯基-1，10-邻二氮杂菲(NBphen)、2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-邻二氮杂菲(BCP)、3-(4-联苯基)-4-苯基-5-叔丁基-1，2，4-三唑(TAZ)、4-(萘-1-基)-3，5-二苯基-4H-1，2，4-三唑(NTAZ)、1，3，5-三(p-吡啶-3-基-苯基)苯(TpPyPB)、2，4，6-三(3’-(吡啶-3-基)联苯-3-基)1，3，5-三嗪(TmPPPyTz)、聚[9，9-双(3’-((N，N-二甲基)-N-乙基铵)-丙基)-2，7-芴]-alt-2，7-(9，9-二辛基芴)](PFNBr)、三(苯基喹喔啉)(TPQ)和二苯基-4-三苯基硅甲基-苯基氧化膦(TSPO1)。

EIL 256包括碱金属卤化物，诸如LiF、CsF、NaF或BaF₂，但不限于此。

覆盖层290位于第二电极230之上或上方，并且可包括式9中的化合物中的一者。

在本公开内容的OLED D1中，EML 260包括具有高量子效率的第二化合物264和具有窄FWHM的第三化合物266，使得OLED D1提供高荧光。

此外，由于中间功能层270设置在EML 260和HBL 252之间，该中间功能层270包括具有与EML 260中第二化合物264相同的核并且具有比EML 260中第二化合物264更高的LUMO能级的第二化合物274，因此降低了OLED D1的驱动电压和FWHM，并且改善了OLED D1的发光效率(亮度)。

即，通过中间功能层270改善了EML 260中的电荷平衡，并防止了激子从EML 260转移至HBL 252所导致的激子猝灭问题。因此，OLED D1的发光性能得到了改善。

此外，由于相关技术OLED中EML 260和HBL 252之间的界面处存在的激子产生区，即空穴和电子的重新结合区，朝着EBL 246移动，因此OLED D1的发光性能得到进一步改善。

此外，由于EML 260中作为第一延迟荧光化合物的第二化合物264和中间功能层270中作为第二延迟荧光化合物的第二化合物274具有相同的核和相似的性能，因此EML260与中间功能层270之间的界面性能得到改善，使得OLED D1的发光性能得到进一步改善。

如图5所示，OLED D2包括第一电极210、面对第一电极210的第二电极230、和在二者之间的有机发光层220。有机发光层220包括第一发光部310和第二发光部340，第一发光部310包括第一EML 320、第一中间功能层330、第一EBL 315和第一HBL 317，第二发光部340包括第二EML 350、第二中间功能层360、第二EBL 343和第二HBL 345。第二发光部340位于第一发光部310和第二电极230之间。此外，有机发光层220可进一步包括位于第一发光部310和第二发光部340之间的CGL 370。此外，OLED D2可进一步包括用于增强(改善)发光效率的覆盖层290。

有机发光显示装置可包括红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域，OLED D2位于红色像素区域。

在第一发光部310中，第一EBL 315位于第一EML 320之下，第一HBL317位于第一EML 320的上方。即，第一EBL 315位于第一电极210和第一EML 320之间，第一HBL 317位于第一EML 320和第二发光部340之间。第一中间功能层330位于第一EML 320和第一HBL 317之间。

在第一发光部310中，第一EML 320的一个表面(侧)接触第一EBL 315，第一EML320的另一表面接触第一中间功能层330，并与第一HBL 317隔开。第一中间功能层330的一个表面和另一表面分别接触第一EML 320和第一HBL 317。即，第一EML 320、第一中间功能层330、第一HBL 317依次堆叠在第一EBL 315上。

第一EML 320包括第一化合物322、第二化合物324和第三化合物326。第一化合物322作为基质，第二化合物324作为辅助基质(辅助掺杂剂)，第三化合物326作为掺杂剂(发光器)。第二化合物324为延迟荧光化合物，第三化合物326为荧光化合物。

第一中间功能层330包括第一化合物332和第二化合物334。

第一EML 320中第一化合物322和第一中间功能层330中第一化合物332分别由式1表示。

第一EML 320中第一化合物322和第一中间功能层330中第一化合物332具有相同的化学结构，并且可以相同也可以不同。例如，第一EML 320中第一化合物322和第一中间功能层330中第一化合物332各自可以是式2中的化合物中的一者。

第一EML 320中第二化合物324和第一中间功能层330中第二化合物334分别由式3-1表示，第一EML 320中第二化合物324和第一中间功能层330中第二化合物334是不同的。第一EML 320中第二化合物324可由式3a表示，第一中间功能层330中第二化合物334可由式3b表示。

第一中间功能层330中第二化合物334具有比第一EML 320中第二化合物324更高的LUMO能级。

例如，第一EML 320中第二化合物324是式4中的化合物中的一者，第一中间功能层330中第二化合物334是式4中的化合物中的另一者。

第一EML 320中第三化合物326由式5表示，并且可以是式6中的化合物中的一者。

在第一EML 320中，第一化合物322的第一重量％和第二化合物324的第二重量％各自大于第三化合物326的第三重量％。第二化合物324的第二重量％可与第一化合物322的第一重量％相同或不同。第一EML 320由第一化合物322、第二化合物324和第三化合物326组成，且第一EML 320中第一化合物322的第一重量％、第二化合物324的第二重量％和第三化合物326的第三重量％的总和为100重量％。

在第一中间功能层330中，第一化合物332的第四重量％大于第二化合物334的第五重量％。第一中间功能层330由第一化合物332和第二化合物334组成，第一中间功能层330中第一化合物332的第四重量％和第二化合物334的第五重量％的总和为100重量％。

第一EML 320中第二化合物324的第二重量％大于第一中间功能层330中第二化合物334的第五重量％。例如，第一EML 320中第二化合物324的第二重量％可以是40重量％以上且60重量％以下，第一中间功能层330中第二化合物334的第五重量％可以是1重量％以上且10重量％以下。

第一EML 320具有第一厚度t1，第一中间功能层330具有比第一厚度t1更小的第二厚度t2。第二厚度t2可以是第一厚度t1的40％或以下。例如，第二厚度t2可以是

以上且/>

以下。

第一EML 320是用于发光的层，而第一中间功能层330是用于传输电子至EML 320并防止激子从第一EML 320转移至第一HBL 317的层。

例如，第一EBL 315可包括式7中的化合物，且第一EBL 315的厚度可以等于或小于第一中间功能层330的第二厚度t2。

例如，第一HBL 317可包括式8中的化合物，且第一HBL 317的厚度可以等于或小于第一中间功能层330的第二厚度t2。

此外，第一发光部310可进一步包括第一EBL 315下方的HIL 311、第一EBL 315与HIL 311之间的第一HTL 313、和第一HBL 317上的第一ETL 319中的至少一者。

在第二发光部340中，第二EBL 343位于第二EML 350之下，第二HBL345位于第二EML 350的上方。即，第二EBL 343位于第一发光部310和第二EML 350之间，第二HBL 345位于第二EML 350和第二电极230之间。第二个中间功能层360位于第二EML 350和第二HBL345之间。

在第二发光部340中，第二EML 350的一个表面(侧)接触第二EBL 343，第二EML350的另一表面接触第二中间功能层360，并与第二HBL 345隔开。第二中间功能层360的一个表面和另一表面分别接触第二EML 350和第二HBL 345。即，第二EML 350、第二中间功能层360、第二HBL 345依次堆叠在第二EBL 343上。

第二EML 350包括第一化合物352、第二化合物354和第三化合物356。第一化合物352作为基质，第二化合物354作为辅助基质(辅助掺杂剂)，第三化合物356作为掺杂剂(发光器)。第二化合物354为延迟荧光化合物，第三化合物356为荧光化合物。

第二中间功能层360包括第一化合物362和第二化合物364。

第二EML 350中第一化合物352和第二中间功能层360中第一化合物362分别由式1表示。

第二EML 350中第一化合物352和第二中间功能层360中第一化合物362具有相同的化学结构，并且可以相同也可以不同。例如，第二EML 350中第一化合物352和第二中间功能层360中第一化合物362各自可以是式2中的化合物中的一者。

第一EML 320中第一化合物322、第一中间功能层330中第一化合物332、第二EML350中第一化合物352和第二中间功能层360中第一化合物362可以相同也可以不同。

第二EML 350中第二化合物354和第二中间功能层360中第二化合物364分别由式3-1表示，第二EML 350中第二化合物354和第二中间功能层360中第二化合物364是不同的。第二EML 350中第二化合物354可由式3a表示，第二中间功能层360中第二化合物364可由式3b表示。

第二中间功能层360中第二化合物364具有比第二EML 350中第二化合物354更高的LUMO能级。

例如，第二EML 350中第二化合物354是式4中的化合物中的一者，第二中间功能层360中第二化合物364是式4中的化合物中的另一者。

第一EML 320中第二化合物324和第二EML 350中第二化合物354可以相同也可以不同，第一中间功能层330中第二化合物334和第二中间功能层360中第二化合物364可以相同也可以不同。

第二EML 350中第三化合物356由式5表示，并且可以是式6中的化合物中的一者。

在第二EML 350中，第一化合物352的第一重量％和第二化合物354的第二重量％各自大于第三化合物356的第三重量％。第二化合物354的第二重量％可与第一化合物352的第一重量％相同或不同。第二EML 350由第一化合物352、第二化合物354和第三化合物356组成，且第二EML 350中第一化合物352的第一重量％、第二化合物354的第二重量％和第三化合物356的第三重量％的总和为100重量％。

在第二中间功能层360中，第一化合物362的第四重量％大于第二化合物364的第五重量％。第二中间功能层360由第一化合物362和第二化合物364组成，第二中间功能层360中第一化合物362的第四重量％和第二化合物364的第五重量％的总和为100重量％。

第二EML 350中第二化合物354的第二重量％大于第二中间功能层360中第二化合物364的第五重量％。例如，第二EML 350中第二化合物354的第二重量％可以是40重量％以上且60重量％以下，第二中间功能层360中第二化合物364的第五重量％可以是1重量％以上且10重量％以下。

第二EML 350具有第一厚度t1，第二中间功能层360具有比第一厚度t1更小的第二厚度t2。第二厚度t2可以是第一厚度t1的40％或以下。例如，第二厚度t2可以是

以上且/>

以下。

第二EML 350是用于发光的层，第二中间功能层360是用于传输电子至第二EML350并防止激子从第二EML 350转移至第二HBL 345的层。

例如，第二EBL 343可包括式7中的化合物，且第二EBL 343的厚度可以等于或小于第二中间功能层360的第二厚度t2。

例如，第二HBL 345可包括式8中的化合物，且第二HBL 345的厚度可以等于或小于第二中间功能层360的第二厚度t2。

此外，第二发光部340可进一步包括第二EBL 343之下的第二HTL 341、第二HBL345上方的EIL 349、和第二HBL 345与EIL 349之间的第二ETL 347中的至少一者。

CGL 370位于第一发光部310和第二发光部340之间，第一发光部310和第二发光部340通过CGL 370连接。第一发光部310、CGL 370和第二发光部340依次堆叠在第一电极210上。即，第一发光部310位于第一电极210和CGL 370之间，第二发光部340位于第二电极230和CGL 370之间。

CGL 370可以是N型CGL 372和P型CGL 374组成的P-N结型CGL。N型CGL 372位于第一ETL 319和第二HTL 341之间，P型CGL 374位于N型CGL 372和第二HTL 341之间。N型CGL372将电子提供至第一发光部310的第一EML 320中，P型CGL 374将空穴提供至第二发光部340的第二EML350中。

N型CGL 372可包括基质和掺杂剂，基质可以是ETL 319和ETL 347的材料，掺杂剂是Li。例如，掺杂剂，即Li，在N型CGL 372中可以是0.5重量％。P型CGL 374可包括HIL 311的材料。

N型CGL 372和P型CGL 374各自可具有5至20nm的厚度。此外，N型CGL 372的厚度可大于P型CGL 374的厚度。

覆盖层290位于第二电极230上。例如，覆盖层290可包括式9中的化合物中的一者，并且可具有50至200nm的厚度。

在本公开内容的OLED D2中，第一EML 320包括具有高量子效率的第二化合物324和具有窄FWHM的第三化合物326，第二EML 350包括具有高量子效率的第二化合物354和具有窄FWHM的第三化合物356。因此，OLED D2提供高荧光。

此外，第一中间功能层330设置在第一EML 320和第一HBL 317之间，该第一中间功能层330包括具有与第一EML 320中第二化合物324相同的核并且具有比第一EML 320中第二化合物324更高的LUMO能级的第二化合物334，以及第二中间功能层360设置在第二EML350和第二HBL 345之间，该第二中间功能层360包括具有与第二EML 350中第二化合物354相同的核并且具有比第二EML 350中第二化合物354更高的LUMO能级的第二化合物364。因此，降低了OLED D2的驱动电压和FWHM，并且改善了OLED D2的发光效率(亮度)。

即，通过第一中间功能层330和第二中间功能层360，改善了第一EML 320和第二EML 350中的电荷平衡，并防止了激子从第一EML 320转移至第一HBL 317以及从第二EML350转移至第二HBL 345所导致的激子猝灭问题。因此，OLED D2的发光性能得到了改善。

此外，由于相关技术OLED中第一EML 320和第一HBL 317之间的界面处以及第二EML 350和第二HBL 345之间的界面处存在的激子产生区，即空穴和电子的重新结合区，朝着第一EBL 315和第二EBL 343移动，OLED D2的发光性能得到进一步改善。

此外，第一EML 320中作为延迟荧光化合物的第二化合物324和第一中间功能层330中作为延迟荧光化合物的第二化合物334具有相同的核和相似的性能，第二EML 350中作为延迟荧光化合物的第二化合物354和第二中间功能层360中作为延迟荧光化合物的第二化合物364具有相同的核和相似的性能。因此，第一EML 320与第一中间功能层330之间的界面性能以及第二EML 350与第二中间功能层360之间的界面性能得到改善，使得OLED D2的发光性能得到进一步改善。

如图6所示，OLED D3包括第一电极210、面对第一电极210的第二电极230、和在二者之间的有机发光层220。有机发光层220包括第一发光部410和第二发光部440，第一发光部410包括第一EML 420，第二发光部440包括第二EML 450、中间功能层460、EBL 443和HBL445。第二发光部440位于第一发光部410和第二电极230之间。此外，有机发光层220可进一步包括位于第一发光部410和第二发光部440之间的CGL 470。此外，OLED D3可进一步包括用于增强(改善)发光效率的覆盖层290。

有机发光显示装置可包括红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域，OLED D3位于红色像素区域。

第一EML 410包括第四化合物422和第五化合物424。第四化合物422是基质，第五化合物424是磷光掺杂剂(发光器)。

第四化合物422可以是式12中的化合物。

[式12]

第五化合物424可以是式13的化合物。

[式13]

在第一EML 420中，第四化合物422的重量％大于第五化合物424的重量％。例如，在第一EML 420中，第五化合物424可以是0.1至10重量％。

第一发光部410进一步包括第一EML 420之下的第一HTL 413和第一EML 420上的第一ETL 419。即，第一HTL 413位于第一EML 420和第一电极210之间，第一ETL 419位于第一EML 420和第二发光部440之间。

第一EML 420的一个表面和另一表面分别接触第一HTL 413和第一ETL 419。即，包括有作为磷光发光层的第一EML 420的第一发光部410中并不存在EBL、HBL和中间功能层。

例如，第一HTL 413可包括式9中的化合物中的一者，第一ETL 519可包括式11中的化合物中的一者。

此外，第一发光部410可进一步包括第一HTL 413之下的HIL 411。即，HIL 411位于第一电极210和第一HTL 413之间。

在第二发光部440中，EBL 443位于第二EML 450之下，HBL 445位于第二EML 450的上方。即，EBL 443位于第一发光部410和第二EML 450之间，HBL 445位于第二EML 450和第二电极230之间。中间功能层460位于第二EML 450和HBL 445之间。

在第二发光部440中，第二EML 450的一个表面(侧)接触EBL 443，第二EML 450的另一表面接触中间功能层460，并与HBL 445隔开。中间功能层460的一个表面和另一表面分别接触第二EML 450和HBL 445。即，第二层EML 450、中间功能层460、HBL 445依次堆叠在EBL 443上。

在包括有作为磷光发光层的第一EML 420的第一发光部410中，不存在EBL、中间功能层和HBL，使得第一EML 420接触第一HTL 413和第一ETL 419。另一方面，在包括有作为荧光发光层的第二EML 450的第二发光部440中，第二EML 450接触EBL 443和中间功能层460。

第二EML 450包括第一化合物452、第二化合物454和第三化合物456。第一化合物452作为基质，第二化合物454作为辅助基质(辅助掺杂剂)，第三化合物456作为掺杂剂(发光器)。第二化合物454为延迟荧光化合物，第三化合物456为荧光化合物。

第一EML 420的最大发光波长与第二EML 450的最大发光波长之间的差值可以是5nm或更小。例如，第一EML 420中第五化合物424的最大发光波长与第二EML 450中第三化合物456的最大发光波长之间的差值可以是5nm或更小。

中间功能层460包括第一化合物462和第二化合物464。

第二EML 450中第一化合物452和中间功能层460中第一化合物462分别由式1表示。

第二EML 450中第一化合物452和中间功能层460中第一化合物462具有相同的化学结构，并且可以相同也可以不同。例如，第二EML 450中第一化合物452和中间功能层460中第一化合物462各自可以是式2中的化合物中的一者。

第二EML 450中第二化合物454和中间功能层460中第二化合物464分别由式3-1表示，第二EML 450中第二化合物454和中间功能层460中第二化合物464是不同的。第二EML450中第二化合物454可由式3a表示，中间功能层460中第二化合物464可由式3b表示。

中间功能层460中第二化合物464具有比第二EML 450中第二化合物454更高的LUMO能级。

例如，第二EML 450中第二化合物454是式4中的化合物中的一者，中间功能层460中第二化合物464是式4中的化合物中的另一者。

第二EML 450中第三化合物456由式5表示，并且可以是式6中的化合物中的一者。

在第二EML 450中，第一化合物452的第一重量％和第二化合物454的第二重量％各自大于第三化合物456的第三重量％。第二化合物454的第二重量％可与第一化合物452的第一重量％相同或不同。第二EML 450由第一化合物452、第二化合物454和第三化合物456组成，且第二EML 450中第一化合物452的第一重量％、第二化合物454的第二重量％和第三化合物456的第三重量％的总和为100重量％。

在中间功能层460中，第一化合物462的第四重量％大于第二化合物464的第五重量％。中间功能层460由第一化合物462和464第二化合物组成，中间功能层460中第一化合物462的第四重量％和第二化合物464的第五重量％的总和为100重量％。

第二EML 450中第二化合物454的第二重量％大于中间功能层460中第二化合物464的第五重量％。例如，第二EML 450中第二化合物454的第二重量％可以是40重量％以上且60重量％以下，中间功能层460中第二化合物464的第五重量％可以是1重量％以上且10重量％以下。

第二EML 450具有第一厚度t1，中间功能层460具有比第一厚度t1更小的第二厚度t2。第二厚度t2可以是第一厚度t1的40％或以下。例如，第二厚度t2可以是

以上且

以下。

第二EML 450是用于发光的层，中间功能层460是用于传输电子至第二EML 450并防止激子从第二EML 450转移至HBL 445的层。

例如，EBL 443可包括式7中的化合物，且EBL 443的厚度可以等于或小于中间功能层460的第二厚度t2。

例如，HBL 445可包括式8中的化合物，且HBL 445的厚度可以等于或小于中间功能层460的第二厚度t2。

此外，第二发光部440可进一步包括EBL 443之下的第二HTL 441、HBL 445上方的EIL 449、和HBL 445与EIL 449之间的第二ETL 447中的至少一者。

CGL 470位于第一发光部410和第二发光部440之间，第一发光部410和第二发光部440通过CGL 470连接。第一发光部410、CGL 470和第二发光部440依次堆叠在第一电极210上。即，第一发光部410位于第一电极210和CGL 470之间，第二发光部440位于第二电极230和CGL 470之间。

CGL 470可以是N型CGL 472和P型CGL 474组成的P-N结型CGL。N型CGL 472位于第一ETL 419和第二HTL 441之间，P型CGL 474位于N型CGL 472和第二HTL 441之间。N型CGL472将电子提供至第一发光部410的第一EML 420中，P型CGL 474将空穴提供至第二发光部440的第二EML 450中。

N型CGL 472可包括基质和掺杂剂，基质可以是ETL 419和ETL 447的材料，掺杂剂是Li。例如，掺杂剂，即Li，在N型CGL 472中可以是0.5重量％。P型CGL 474可包括HIL 411的材料。

N型CGL 472和P型CGL 474各自可具有5至20nm的厚度。此外，N型CGL 472的厚度可大于P型CGL 474的厚度。

在本公开内容的OLED D3中，第一EML 420包括作为磷光掺杂剂的第五化合物242，第二EML 450包括具有高量子效率的第二化合物454和具有窄FWHM的第三化合物456。因此，OLED D3提供高发射效率、高色纯和长寿命。

此外，中间功能层460设置在第二EML 450和HBL 445之间，该中间功能层460包括具有与第二EML 450中第二化合物454相同的核并且具有比第二EML 450中第二化合物454更高的LUMO能级的第二化合物464。因此，降低了OLED D3的驱动电压和FWHM，并且改善了OLED D3的发光效率(亮度)。

即，通过中间功能层460改善了第二EML 450中的电荷平衡，并防止了激子从第二EML 450转移至HBL 445所导致的激子猝灭问题。因此，OLED D3的发光性能得到了改善。

此外，由于相关技术OLED中第二EML 450和HBL 445之间的界面处存在的激子产生区，即空穴和电子的重新结合区，朝着EBL 443移动，OLED D3的发光性能得到进一步改善。

此外，第二EML 450中作为延迟荧光化合物的第二化合物454和中间功能层460中作为延迟荧光化合物的第二化合物464具有相同的核和相似的性能。因此，第二EML 450与中间功能层460之间的界面性能得到改善，使得OLED D3的发光性能得到进一步改善。

如图7所示，OLED D4包括第一电极210、面对第一电极210的第二电极230、和在二者之间的有机发光层220。有机发光层220包括第一发光部510和第二发光部540，第一发光部510包括第一EML 520、中间功能层530、EBL515和HBL 517，第二发光部540包括第二EML550。第二发光部540位于第一发光部510和第二电极230之间。此外，有机发光层220可进一步包括位于第一发光部510和第二发光部540之间的CGL 570。此外，OLED D4可进一步包括用于增强(改善)发光效率的覆盖层290。

有机发光显示装置可包括红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域，OLED D4位于红色像素区域。

第一电极210可以是阳极，第二电极230可以是阴极。第一电极210是反射电极，第二电极230是透明电极(或半透明电极)。例如，第一电极210可具有ITO/Ag/ITO的结构，第二电极230可由MgAg或A1形成。即，第一电极210可具有第一透射率，第二电极230可具有大于第一透射率的第二透射率。

在第一发光部510中，EBL 515位于第一EML 520之下，HBL 517位于第一EML 520的上方。即，EBL 515位于第一电极210和第一EML 520之间，HBL 517位于第一EML 520和第二发光部540之间。中间功能层530位于第一EML520和HBL 517之间。

在第一发光部510中，第一EML 520的一个表面(侧)接触EBL 515，第一EML 520的另一表面接触中间功能层530，并与HBL 517隔开。中间功能层530的一个表面和另一表面分别接触第一EML 520和HBL 517。即，第一EML 520、中间功能层530、HBL 517依次堆叠在EBL515上。

第一EML 520包括第一化合物522、第二化合物524和第三化合物526。第一化合物522作为基质，第二化合物524作为辅助基质(辅助掺杂剂)，第三化合物526作为掺杂剂(发光器)。第二化合物524为延迟荧光化合物，第三化合物526为荧光化合物。

中间功能层530包括第一化合物532和第二化合物534。

第一EML 520中第一化合物522和中间功能层530中第一化合物532分别由式1表示。

第一EML 520中第一化合物522和中间功能层530中第一化合物532具有相同的化学结构，并且可以相同也可以不同。例如，第一EML 520中第一化合物522和中间功能层530中第一化合物532各自可以是式2中的化合物中的一者。

第一EML 520中第二化合物524和中间功能层530中第二化合物534分别由式3-1表示，第一EML 520中第二化合物524和中间功能层530中第二化合物534是不同的。第一EML520中第二化合物524可由式3a表示，中间功能层530中第二化合物534可由式3b表示。

中间功能层530中第二化合物534具有比第一EML 520中第二化合物524更高的LUMO能级。

例如，第一EML 520中第二化合物524是式4中的化合物中的一者，中间功能层530中第二化合物534是式4中的化合物中的另一者。

第一EML 520中第三化合物526由式5表示，并且可以是式6中的化合物中的一者。

在第一EML 520中，第一化合物522的第一重量％和第二化合物524的第二重量％各自大于第三化合物526的第三重量％。第二化合物524的第二重量％可与第一化合物522的第一重量％相同或不同。第一EML 520由第一化合物522、第二化合物524和第三化合物526组成，且第一EML 520中第一化合物522的第一重量％、第二化合物524的第二重量％和第三化合物526的第三重量％的总和为100重量％。

在中间功能层530中，第一化合物532的第四重量％大于第二化合物534的第五重量％。中间功能层530由第一化合物532和第二化合物534组成，中间功能层530中第一化合物532的第四重量％和第二化合物534的第五重量％的总和为100重量％。

第一EML 520中第二化合物524的第二重量％大于中间功能层530中第二化合物534的第五重量％。例如，第一EML 520中第二化合物524的第二重量％可以是40重量％以上且60重量％以下，中间功能层530中第二化合物534的第五重量％可以是1重量％以上且10重量％以下。

第一EML 520具有第一厚度t1，中间功能层530具有比第一厚度t1更小的第二厚度t2。第二厚度t2可以是第一厚度t1的40％或以下。例如，第二厚度t2可以是

以上且

以下。

第一EML 520是用于发光的层，中间功能层530是用于传输电子至EML520并防止激子从第一EML 520转移至HBL 517的层。

例如，EBL 515可包括式7中的化合物，且EBL 515的厚度可以等于或小于中间功能层530的第二厚度t2。

例如，HBL 517可包括式8中的化合物，且HBL 517的厚度可以等于或小于中间功能层530的第二厚度t2。

此外，第一发光部510可进一步包括EBL 515下方的HIL 511、EBL 515与HIL 511之间的第一HTL 513、和HBL 517上的第一ETL 519中的至少一者。

第二EML 550包括第四化合物552和第五化合物554。第四化合物552是基质，第五化合物554是磷光掺杂剂(发光器)。

第四化合物552可以是式12中的化合物，第五化合物554可以是式13中的化合物。

第二发光部540进一步包括第二EML 550之下的第二HTL 541和第二EML 550上的第二ETL 547。即，第二HTL 541位于第二EML 550和第一发光部510之间，第一ETL 547位于第二EML 550和第二电极230之间。

第二EML 550的一个表面和另一表面分别接触第二HTL 413和第二ETL 419。即，包括有作为第二EML 550的磷光发光层的第二发光部540中并不存在EBL、HBL和中间功能层。

例如，第二HTL 541可包括式9中的化合物中的一者，第二ETL 547可包括式11中的化合物中的一者。

此外，第二发光部540可进一步包括在第二ETL 547上的EIL 549。即，EIL 549位于第二电极230和第二ETL 547之间。

在包括有作为荧光发光层的第一EML 520的第一发光部510中，第一EML 520接触EBL 515和中间功能层530。另一方面，在包括有作为磷光发光层的第二EML 550的第二发光部540中，由于不存在EBL、中间功能层和HBL，因此第二EML 550接触第二HTL 541和第二ETL547。

CGL 570位于第一发光部510和第二发光部540之间，第一发光部510和第二发光部540通过CGL 570连接。第一发光部510、CGL 570和第二发光部540依次堆叠在第一电极210上。即，第一发光部510位于第一电极510与CGL 570之间，第二发光部540位于第二电极230与CGL 570之间。

CGL 570可以是N型CGL 572和P型CGL 574组成的P-N结型CGL。N型CGL 572位于第一ETL 519和第二HTL 541之间，P型CGL 574位于N型CGL 572和第二HTL 541之间。N型CGL572将电子提供至第一发光部510的第一EML520中，P型CGL 574将空穴提供至第二发光部540的第二EML 550中。

N型CGL 572可包括基质和掺杂剂，基质可以是ETL 519和ETL 547的材料，掺杂剂是Li。例如，掺杂剂，即Li，在N型CGL 572中可以是0.5重量％。P型CGL 574可包括HIL 511的材料。

N型CGL 572和P型CGL 574各自可具有5至20nm的厚度。此外，N型CGL 572的厚度可大于P型CGL 574的厚度。

在本公开内容的OLED D4中，更接近作为透明电极的第二电极230的第二EML 550的半最大全宽(FWHM)比更接近作为反射电极的第一电极210的第一EML 520的半最大全宽(FWHM)更小(更窄)。此外，更接近作为透明电极的第二电极230的第二EML 550的发光效率(量子效率)比更接近作为反射电极的第一电极210的第一EML 520的发光效率(量子效率)更大。

即，在OLED D4中，包括式12中的第四化合物552和式13中的第五化合物554的第二EML 550的FWHM比包括式1中的第一化合物522、式3-1中的第二化合物524和式5中的第三化合物526的第一EML 520的FWHM更小，包括式12中的第四化合物552和式13中的第五化合物554的第二EML 550的发光效率比包括式1中的第一化合物522、式3-1中的第二化合物524和式5中的第三化合物526的第一EML 520的发光效率更大。

由于第二EML 550和第一EML 520分别设置为更接近作为透明电极的第二电极230和作为反射电极的第一电极210，因此增强了OLED D4中的腔效应，从而改善了OLED D4的发光效率和使用寿命。

此外，中间功能层530设置在第一EML 520和HBL 517之间，该中间功能层530包括具有与第一EML 520中第二化合物524相同的核并且具有比第一EML 520中第二化合物524更高的LUMO能级的第二化合物534。因此，降低了OLED D4的驱动电压和FWHM，并且改善了OLED D4的发光效率(亮度)。

即，通过中间功能层530改善了第一EML 520中的电荷平衡，并防止了激子从第一EML 520转移至HBL 517所导致的激子猝灭问题。因此，OLED D4的发光性能得到了改善。

此外，由于相关技术OLED中第一EML 520和HBL 517之间的界面处存在的激子产生区，即空穴和电子的重新结合区，朝着EBL 515移动，OLED D4的发光性能得到进一步改善。

此外，第一EML 520中作为延迟荧光化合物的第二化合物524和中间功能层530中作为延迟荧光化合物的第二化合物534具有相同的核和相似的性能。因此，第一EML 520和中间功能层530之间的界面性能得到改善，使得OLED D4的发光性能得到进一步改善。

如图8所示，有机发光显示装置600包括：其中限定有第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3的基板610、基板610上方的TFT Tr和OLED D。OLED D设置在TFT Tr的上方并连接至TFT Tr。

例如，第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3可以分别是绿色像素区域、红色像素区域和蓝色像素区域。第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3构成一个像素单元。或者，像素单元可进一步包括白色像素区域。

基板610可以是玻璃基板或柔性基板。

缓冲层612形成在基板610上，TFT Tr形成在缓冲层612上。可省略缓冲层612。

TFT Tr位于缓冲层612上。TFT Tr包括半导体层、栅极、源极和漏极，并作为驱动元件。即，TFT Tr可以是(图1的)驱动TFT Td。

平坦化层(或钝化层)650形成在TFT Tr上。平坦化层650具有平坦的顶部表面，并包括暴露TFT Tr的漏极的漏极接触孔652。

OLED D设置在平坦化层650上，并包括第一电极210、有机发光层220和第二电极230。第一电极210连接至TFT Tr的漏极，有机发光层220和第二电极230依次堆叠在第一电极210上。OLED D位于每一个第一像素区域P1至第三像素区域P3中，并在第一像素区域P1至第三像素区域P3中发出不同颜色的光。例如，位于第一像素区域P1的OLED D可以发出红光，位于第二像素区域P2的OLED D可以发出绿光，位于第三像素区域P3的OLED D可以发出蓝光。

第一电极210形成为在第一像素区域P1至第三像素区域P3中是分离的，第二电极230形成为一体以覆盖第一像素区域P1至第三像素区域P3。

第一电极210是阳极和阴极中的一者，第二电极230是阳极和阴极中的另一者。此外，第一电极210为反射电极，第二电极230为透明电极(或半透明电极)。即，来自OLED D的光通过第二电极230而显示图像。(即，顶部发光型有机发光显示装置)

例如，第一电极210可以是阳极且可包括可由例如具有较高功函数的透明导电氧化物(TCO)的导电材料形成的透明导电氧化物材料层和反射层。即，第一电极210可以是反射电极。

第二电极230可以是阴极，并且可以由具有较低功函数的导电材料形成。第二电极230可具有薄的外形而是透明的(或半透明的)。

有机发光层220可以具有如图3和图5至图7所示的结构。

参照图3，有机发光层220包括：EML 260，其包括由式1表示的第一化合物262、由式3表示的第二化合物264、和由式5表示的第三化合物266；位于EML 260一侧的HBL 252；和位于EML 260和HBL 252之间的中间功能层270，其包括由式3表示的第二化合物274并且具有比EML 260中第二化合物264更高的LUMO能级。

中间功能层270中第二化合物274的LUMO能级与EML 260中第二化合物264的LUMO能级之间的差值可以是0.5eV或更低，EML 260中第二化合物264的LUMO能级可以低于3.0eV。

EML 260中第二化合物264的重量％大于中间功能层270中第二化合物274的重量％。例如，EML 260中第二化合物264的重量％可以是40重量％以上且60重量％以下，中间功能层270中第二化合物274的重量％可以是1重量％以上且10重量％以下。

以上且/>

以下。

EML 260的第一表面接触中间功能层270并与HBL 252隔开，EML 260的第二表面接触EBL 246。

参照图5，有机发光层220包括第一发光部310和第二发光部340；其中第一发光部310包括：第一EML 320，其包括由式1表示的第一化合物322、由式3表示的第二化合物324、和由式5表示的第三化合物326；位于第一EML320一侧的第一HBL 317；和位于第一EML 320和第一HBL 317之间的第一中间功能层330，其包括由式3表示的第二化合物334并且具有比第一EML 320中第二化合物324更高的LUMO能级；其中第二发光部340包括：第二EML350，其包括由式1表示的第一化合物352、由式3表示的第二化合物354、和由式5表示的第三化合物356；位于第二EML 350一侧的第二HBL 345；和位于第二EML 350和第二HBL 345之间的第二中间功能层360，其包括由式3表示的第二化合物364并且具有比第二EML 350中第二化合物354更高的LUMO能级。

第一中间功能层330中第二化合物334的LUMO能级与第一EML 320中第二化合物324的LUMO能级之间的差值可以是0.5eV或更低，第一EML 320中第二化合物324的LUMO能级可以低于3.0 eV。

第一EML 320中第二化合物324的重量％大于第一中间功能层330中第二化合物334的重量％。例如，第一EML 320中第二化合物324的重量％可以是40重量％以上且60重量％以下，第一中间功能层330中第二化合物334的重量％可以是1重量％以上且10重量％以下。

以上且/>

以下。

第一EML 320的第一表面接触第一中间功能层330并与第一HBL 317隔开，第一EML320的第二表面接触第一EBL 315。

第二中间功能层360中第二化合物364的LUMO能级与第二EML 350中第二化合物354的LUMO能级之间的差值可以是0.5eV或更低，第二EML 350中第二化合物354的LUMO能级可以低于3.0 eV。

第二EML 350中第二化合物354的重量％大于第二中间功能层360中第二化合物364的重量％。例如，第二EML 350中第二化合物354的重量％可以是40重量％以上且60重量％以下，第二中间功能层360中第二化合物364的重量％可以是1重量％以上且10重量％以下。

以上且/>

以下。

第二EML 350的第一表面接触第二中间功能层360并与第二HBL 345隔开，第二EML350的第二表面接触第二EBL 343。

参照图6，有机发光层220包括第一发光部410和第二发光部440；其中第一发光部410包括第一EML 420，其包括式12中的第四化合物422和式13中的第五化合物424；其中第二发光部440包括：第二EML 450，其包括由式1表示的第一化合物452、由式3表示的第二化合物454、和由式5表示的第三化合物456；位于第二EML 450一侧的HBL 445；和位于第二EML450和HBL 445之间的中间功能层460，其包括由式3表示的第二化合物464并且具有比第二EML 450中第二化合物454更高的LUMO能级。

第一发光部410进一步包括位于第一EML 420的第一侧并接触第一EML420的第一HTL 413、和位于第一EML 420的第二侧并接触第一EML 420的第一ETL 419。

中间功能层460中第二化合物464的LUMO能级与第二EML 450中第二化合物454的LUMO能级之间的差值可以是0.5eV或更低，第二EML 450中第二化合物454的LUMO能级可以低于3.0eV。

第二EML 450中第二化合物454的重量％大于中间功能层460中第二化合物464的重量％。例如，第二EML 450中第二化合物454的重量％可以是40重量％以上且60重量％以下，中间功能层460中第二化合物464的重量％可以是1重量％以上且10重量％以下。

以上且

以下。

第二EML 450的第一表面接触中间功能层460并与HBL 445隔开，第二EML 450的第二表面接触第二EBL 443。

参照图7，有机发光层220包括第一发光部510和第二发光部540；其中第一发光部510包括：第一EML 520，其包括由式1表示的第一化合物522、由式3表示的第二化合物524、和由式5表示的第三化合物526；位于第一EML520一侧的HBL 517；和位于第一EML 520和HBL517之间的中间功能层530，其包括由式3表示的第二化合物534并且具有比第一EML 520中第二化合物524更高的LUMO能级；其中第二发光部540包括第二EML 550，其包括式12中的第四化合物552和式13中的第五化合物524。

中间功能层530中第二化合物534的LUMO能级与第一EML 520中第一化合物524的LUMO能级之间的差值可以是0.5eV或更低，第一EML 520中第一化合物524的LUMO能级可以低于3.0eV。

第一EML 520中第一化合物524的重量％大于中间功能层530中第二化合物534的重量％。例如，第一EML 520中第一化合物524的重量％可以是40重量％以上且60重量％以下，中间功能层530中第二化合物534的重量％可以是1重量％以上且10重量％以下。

以上且

以下。

第一EML 520的第一表面接触中间功能层530并与HBL 517隔开，第一EML 520的第二表面接触EBL 515。

第二发光部540进一步包括位于第二EML 550的第一侧并接触第二EML550的第二HTL 541、和位于第二EML 550的第二侧并接触第二EML 550的第二ETL 547。

尽管未示出，OLED D可进一步包括在第二电极230上的覆盖层(未示出)。OLED D的发光效率可通过覆盖层而进一步改善。

封装膜(或封装层)670形成在第二电极230上以防止湿气渗透入OLED D中。封装膜670可具有包括无机绝缘层和有机绝缘层的结构。

尽管未示出，有机发光显示装置600可包括对应于红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域的彩色滤光器。例如，彩色滤光器可以位于OLED D或封装膜170之上或上方。

此外，有机发光显示装置600可进一步包括在封装膜670或彩色滤光器之上或上方的盖窗(未示出)。在这一实例中，基板610和盖窗具有柔性，从而可提供柔性有机发光显示装置。

如图9所示，有机发光显示装置700包括：其中限定有第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3的基板710、基板710上方的TFT Tr和OLED D。OLED D设置在TFT Tr的上方并连接至TFT Tr。

例如，第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3可以分别是红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域。第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3构成一个像素单元。或者，像素单元可进一步包括白色像素区域作为第四像素区域。

基板710可以是玻璃基板或柔性基板。

缓冲层712形成在基板710上，TFT Tr形成在缓冲层712上。可省略缓冲层712。

TFT Tr位于缓冲层712上。TFT Tr包括半导体层、栅极、源极和漏极，并作为驱动元件。即，TFT Tr可以是(图1的)驱动TFT Td。

平坦化层(或钝化层)750形成在TFT Tr上。平坦化层750具有平坦的顶部表面，并包括暴露TFT Tr的漏极的漏极接触孔752。

OLED D设置在平坦化层750上，并包括第一电极210、有机发光层220和第二电极230。第一电极210连接至TFT Tr的漏极，有机发光层220和第二电极230依次堆叠在第一电极210上。OLED D位于每一个第一像素区域P1至第三像素区域P3中，并在第一像素区域P1至第三像素区域P3中发出不同颜色的光。例如，位于第一像素区域P1的OLED D可以发出红光，位于第二像素区域P2的OLED D可以发出绿光，位于第三像素区域P3的OLED D可以发出蓝光。

第一电极210是阳极和阴极中的一者，第二电极230是阳极和阴极中的另一者。此外，第一电极210为透明电极(或半透明电极)，第二电极230为反射电极。即，来自OLED D的光通过第一电极210而在基板710上显示图像(即，底部发光型有机发光显示装置)。

例如，第一电极210可以是阳极且可包括可由例如具有较高功函数的透明导电氧化物(TCO)的导电材料形成的透明导电氧化物材料层和反射层。

第二电极230可以是阴极，并且可以由具有较低功函数的导电材料形成。

有机发光层220可以具有如图3和图5至图7所示的结构。

封装膜(或封装层)可形成在第二电极230上以防止湿气渗透入OLED D中。封装膜可具有包括无机绝缘层和有机绝缘层的结构。

尽管未示出，有机发光显示装置700可包括对应于红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域的彩色滤光器。例如，彩色滤光器可以位于OLED D和基板710之间。

[OLED1]

阳极(ITO/APC/ITO)、HIL(式14-1中的化合物(8重量％掺杂)和式14-2中的化合物，70nm)、HTL(式14-2中的化合物，30nm)、EBL(式14-3中的化合物，10nm)、EML、HBL(式14-4中的化合物，10nm)、ETL(式14-5中的化合物，30nm)、EIL(LiF，5nm)、阴极(AgMg，15nm)和覆盖层(式14-6中的化合物，100nm)依次沉积以形成在红色像素区域的OLED。

[式14-1]

[式14-2]

[式14-3]

[式14-4]

[式14-5]

[式14-6]

1.比较例

(1)比较例1(Ref1)

使用式2中的化合物H-3(49.5重量％)、式4中的化合物TD-2(50重量％)和式6中的化合物FD-1(0.5重量％)以形成EML

/>

(2)比较例2(Ref2)

使用式2中的化合物H-3(90重量％)和式4中的化合物TD-2(10重量％)以形成位于EML和HBL之间的中间功能层/>

(3)比较例3(Ref3)

使用式2中的化合物H-3(49.5重量％)、式4中的化合物TD-3(50重量％)和式6中的化合物FD-1(0.5重量％)以形成EML

(4)比较例4(Ref4)

使用式2中的化合物H-3(90重量％)和式4中的化合物TD-3(10重量％)以形成位于EML和HBL之间的中间功能层/>

(5)比较例5(Ref5)

使用式2中的化合物H-3(64.5重量％)、式4中的化合物TD-2(35重量％)和式6中的化合物FD-1(0.5重量％)以形成EML

(6)比较例6(Ref6)

使用式2中的化合物H-3(74.5重量％)、式4中的化合物TD-2(25重量％)和式6中的化合物FD-1(0.5重量％)以形成EML

(7)比较例7(Ref7)

使用式2中的化合物H-3(89.5重量％)、式4中的化合物TD-2(10重量％)和式6中的化合物FD-1(0.5重量％)以形成EML

使用式2中的化合物H-3(50重量％)和式4中的化合物TD-3(50重量％)以形成位于EML和HBL之间的中间功能层/>

(8)比较例8(Ref8)

(9)比较例9(Ref9)

使用式2中的化合物H-3(70重量％)和式4中的化合物TD-3(30重量％)以形成位于EML和HBL之间的中间功能层/>

(10)比较例10(Ref10)

使用式2中的化合物H-3(90重量％)和式15中的化合物(10重量％)以形成位于EML和HBL之间的中间功能层/>

(11)比较例11(Ref11)

使用式2中的化合物H-3(95重量％)和式4中的化合物TD-3(5重量％)以形成位于EML和HBL之间的中间功能层/>

(12)比较例12(Ref12)

使用式12中的化合物(98重量％)和式13中的化合物(2重量％)以形成EML

(13)比较例13(Ref13)

[式15]

2.实施例

(1)实施例1(Ex1)

使用式2中的化合物H-3(59.5重量％)、式4中的化合物TD-2(40重量％)和式6中的化合物FD-1(0.5重量％)以形成EML

(2)实施例2(Ex2)

(3)实施例3(Ex3)

(4)实施例4(Ex4)

(5)实施例5(Ex5)

使用式2中的化合物H-3(59.5重量％)、式4中的化合物TD-4(40重量％)和式6中的化合物FD-1(0.5重量％)以形成EML

(6)实施例6(Ex6)

使用式2中的化合物H-3(49.5重量％)、式4中的化合物TD-4(50重量％)和式6中的化合物FD-1(0.5重量％)以形成EML

[OLED2]

阳极(ITO/APC/ITO)、HIL(式14-1中的化合物(8重量％掺杂)和式14-2中的化合物，70nm)、第一HTL(式14-2中的化合物，30nm)、EBL(式14-3中的化合物，10nm)、第一EML、中间功能层、HBL(式14-4中的化合物，10nm)、第一ETL(式14-5中的化合物，30nm)、N-CGL(式14-5中的化合物(98重量％)和Li(2重量％)，10nm)、P-CGL(式14-1中的化合物(8重量％掺杂)和式14-2中的化合物，8nm)、第二HTL(式14-2中的化合物，30nm)、第二EML(式12中的化合物(98重量％)和式13中的化合物(2重量％)，36nm)、第二ETL(式14-5中的化合物，30nm)、EIL(LiF，5nm)、阴极(AgMg，15nm)和覆盖层(式14-6中的化合物，100nm)依次沉积以形成在红色像素区域的OLED。

3.实施例

(1)实施例7(Ex7)

使用式2中的化合物H-3(49.5重量％)、式4中的化合物TD-2(50重量％)和式6中的化合物FD-1(0.5重量％)以形成第一EML

使用式2中的化合物H-3(95重量％)和式4中的化合物TD-3(5重量％)以形成位于第一EML和HBL之间的中间功能层/>

(2)实施例8(Ex8)

使用式2中的化合物H-3(90重量％)和式4中的化合物TD-3(10重量％)以形成位于第一EML和HBL之间的中间功能层/>

(3)实施例9(Ex9)

使用式2中的化合物H-3(59.5重量％)、式4中的化合物TD-4(40重量％)和式6中的化合物FD-1(0.5重量％)以形成第一EML

(4)实施例10(Ex10)

使用式2中的化合物H-3(49.5重量％)、式4中的化合物TD-4(50重量％)和式6中的化合物FD-1(0.5重量％)以形成第一EML

(5)实施例11(Ex11)

使用式2中的化合物H-3(59.5重量％)、式4中的化合物TD-1(40重量％)和式6中的化合物FD-1(0.5重量％)以形成第一EML

使用式2中的化合物H-3(90重量％)和式4中的化合物TD-4(10重量％)以形成位于第一EML和HBL之间的中间功能层/>

(6)实施例12(Ex12)

使用式2中的化合物H-3(49.5重量％)、式4中的化合物TD-1(50重量％)和式6中的化合物FD-1(0.5重量％)以形成第一EML

(7)实施例13(Ex13)

测量比较例1至13和实施例1至13中OLED的发光特性，即驱动电压(V)、色坐标指数(CIE)、亮度(cd/A)、最大发光波长(ELmax)和FWHM，并列于表1和表2。

测量化合物TD-1、化合物TD-2、化合物TD-3、化合物TD-4、化合物FD-1、式15中的化合物“TD_Ref”的HOMO能级和LUMO能级，并列于表3。(HOMO能级和LUMO能级为B3LYP/6-31G(d)模拟数据)

表1

/>

表2

/>

表3

如表1和表2所示，相较于Refl至Ref13的OLED，Ex1至Ex6的OLED在驱动电压、发光效率和FWHM方面都具有优势，Ex1至Ex6的OLED包括EML(荧光发光层)和中间功能层，其中EML包括由式1表示的第一化合物、由式3表示的第二化合物和由式5表示的第三化合物，而中间功能层位于荧光发光层和HBL之间且包括的化合物具有比荧光发光层中第二化合物更高的LUMO能级。此外，在Ex7至Ex13的OLED中，虽然驱动电压有所增加，但是发光效率更是明显提高。

在Ref2的OLED中，中间功能层包括与EML中第二化合物相同的第二化合物。在这种情况下，中间功能层中第二化合物的LUMO能级并不高于EML中第二化合物的LUMO能级。因此，与Ref1的OLED相比，Ref2的OLED具有更高的驱动电压和更低的发光效率。

在Ref3的OLED中，中间功能层中第二化合物的LUMO能级低于EML中第二化合物的LUMO能级。因此，与Ref1的OLED相比，Ref3的OLED具有更高的驱动电压、更低的发光效率和更宽的FWHM。

在Ref4的OLED中，中间功能层的厚度

是EML厚度/>

的40％以上。因此，与Ref1的OLED相比，Ref4的OLED具有更高的驱动电压和更低的发光效率。

在Ref5和Ref6的OLED中，EML中第二化合物的重量％过低。因此，与Ref1的OLED相比，Ref5和Ref6的OLED具有更高的驱动电压和更低的发光效率。

在Ref7的OLED中，中间功能层中第二化合物的重量％大于EML中第二化合物的重量％。因此，与Ref1的OLED相比，Ref7的OLED具有更高的驱动电压和更低的发光效率。

在Ref8和Ref9的OLED中，中间功能层中第二化合物的重量％过低。因此，与Ref1的OLED相比，Ref8和Ref9的OLED具有更高的驱动电压、更低的发光效率和更宽的FWHM。

在Ref10的OLED中，中间功能层中第二化合物(即，式15中的化合物)的HOMO能级高于EML中第三化合物的HOMO能级，中间功能层中第二化合物(即，式15中的化合物)的LUMO能级与EML中第二化合物的LUMO能级的差值过大。因此，与Ref1的OLED相比，Ref10的OLED具有更高的驱动电压和更低的发光效率。

在Ref11的OLED中，中间功能层的厚度大于EML的厚度。因此，与Ref1的OLED相比，Ref11的OLED具有更高的驱动电压、更低的发光效率和更宽的FWHM。

在Ref12的OLED中，包括化合物TD-3在内的中间功能层形成为与磷光发光层接触。因此，与不包括中间功能层的Ref13的OLED相比，Ref12的OLED具有更高的驱动电压和更低的发光效率。

在本公开内容的OLED中，EML(荧光发光层)包括由式1表示的第一化合物、由式3表示的第二化合物和由式5表示的第三化合物，中间功能层包括具有比EML的第二化合物更高的LUMO能级的化合物且位于EML和HBL之间。因此，该OLED和包括该OLED的有机发光显示装置的发光性能得到改善。

对于本领域技术人员会显而易见的是，在不脱离本公开内容的精神或范围的情况下可在本公开内容中做出各种改进和变形。因此，意在本公开内容覆盖本公开内容的改进和变形，只要它们落入随附的权利要求书和它们的等价体的范围内。

Claims

1.一种有机发光二极管，包括：

第一电极；

面对所述第一电极的第二电极；和

第一发光部，所述第一发光部包括位于所述第一电极和所述第二电极之间的第一发光材料层、位于所述第二电极和所述第一发光材料层之间的第一空穴阻挡层、和位于所述第一发光材料层和所述第一空穴阻挡层之间的第一中间功能层，

其中所述第一发光材料层包括第一化合物、第二化合物和第三化合物，并且所述第一中间功能层包括第一化合物和第二化合物，并且

其中所述第一中间功能层中的所述第二化合物具有与所述第一发光材料层中的所述第二化合物相同的核，并且具有比所述第一发光材料层中的所述第二化合物更高的LUMO能级；

其中所述第一发光材料层中的所述第二化合物和所述第一中间功能层中的所述第二化合物各自由式3-1表示：

[式3-1]

其中b1为0至4的整数，并且Y由式3-2表示：

[式3-2]

其中R11和R12各自独立地选自由取代或未取代的C1至C10烷基、取代或未取代的C6至C30芳基、和取代或未取代的C5至C30杂芳基构成的群组，或者两个相邻的R11和两个相邻的R12中的至少一个彼此连接，连同它们所附接的原子，形成芳香环或杂芳环，并且

其中b2和b3各自独立地为0至4的整数。

2.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中所述第一发光材料层接触所述第一中间功能层，并且其中所述空穴阻挡层接触所述第一中间功能层。

3.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中所述第一发光材料层中的所述第二化合物和所述第一中间功能层中的所述第二化合物是不同的化合物。

4.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中所述第一发光材料层中的所述第二化合物由式3a表示，并且所述第一中间功能层中的所述第二化合物由式3b表示：

[式3a]

和

[式3b]

其中Y和b1与式3-1中的定义相同。

5.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中所述第一发光材料层中的所述第二化合物为式4中的化合物中的一者，所述第一中间功能层中的所述第二化合物为式4中的化合物中的另一者：

[式4]

6.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中所述第一发光部进一步包括位于所述第一电极和所述第一发光材料层之间的第一电子阻挡层，并且

其中所述第一发光材料层接触所述第一电子阻挡层。

7.根据权利要求6所述的有机发光二极管，其中所述第一发光部进一步包括位于所述第一电子阻挡层和所述第一电极之间的第一空穴传输层以及位于所述第一空穴阻挡层和所述第二电极之间的第一电子传输层。

8.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中所述第一发光材料层中的所述第二化合物的第一重量％大于所述第一中间功能层中的所述第二化合物的第二重量％。

9.根据权利要求8所述的有机发光二极管，其中所述第一重量％为40重量％或更多，所述第二重量％为10重量％或更少。

10.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中所述第一发光材料层具有第一厚度，所述第一中间功能层具有小于所述第一厚度的第二厚度。

11.根据权利要求10所述的有机发光二极管，其中所述第二厚度为所述第一厚度的40％或以下。

12.根据权利要求11所述的有机发光二极管，其中所述第二厚度为

或更少。

13.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中所述第一发光材料层中的所述第一化合物和所述第一中间功能层中的所述第一化合物各自由式1表示：

[式1]

其中R1、R2、R3、R4和R5各自独立地选自由取代或未取代的C1至C10烷基、取代或未取代的C6至C30芳基、和取代或未取代的C5至C30杂芳基构成的群组，

其中a1、a2、a3、a4和a5各自独立地为0至4的整数，

其中X为NR6、O或S，R6选自由氢、取代或未取代的C1至C10烷基、取代或未取代的C6至C30芳基、和取代或未取代的C5至C30杂芳基构成的群组。

14.根据权利要求13所述的有机发光二极管，其中所述第一发光材料层中的所述第一化合物和所述第一中间功能层中的所述第一化合物各自独立地选自式2中的化合物：

[式2]

15.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中所述第三化合物由式5表示：

[式5]

其中R21、R22、R23和R24各自独立地选自取代或未取代的C6至C30芳基，R25、R26和R27各自独立地选自由氢、氘、取代或未取代的C1至C10烷基、取代或未取代的C6至C30芳基、和取代或未取代的C5至C30杂芳基构成的群组。

16.根据权利要求15所述的有机发光二极管，其中所述第三化合物是式6中的化合物中的一者：

[式6]

17.根据权利要求1所述的有机发光二极管，进一步包括：

第二发光部，所述第二发光部包括第二发光材料层并且位于所述第一发光部和所述第一电极之间或位于所述第一发光部和所述第二电极之间，

位于所述第一发光部与所述第二发光部之间的电荷产生层；

其中所述第二发光材料层包括第四化合物和第五化合物。

18.根据权利要求17所述的有机发光二极管，其中所述第四化合物是式12中的化合物，所述第五化合物是式13中的化合物：

[式12]

和

[式13]

19.根据权利要求17所述的有机发光二极管，其中所述第二发光部进一步包括：

位于所述第二发光材料层的第一侧处并接触所述第二发光材料层的第二空穴传输层；和

位于所述第二发光材料层的第二侧处并接触所述第二发光材料层的第二电子传输层。

20.一种有机发光显示装置，包括：

基板，所述基板包括红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域；和

有机发光二极管，所述有机发光二极管设置在所述基板之上或上方并位于所述红色像素区域内，所述有机发光二极管包括：

第一电极；

面对所述第一电极的第二电极；和

其中所述第一中间功能层中的所述第二化合物具有与所述第一发光材料层中的所述第二化合物相同的核，并且具有比所述第一发光材料层中的所述第二化合物更高的LUMO能级。