CN112864332B - 有机发光二极管和包括其的有机发光装置 - Google Patents

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Abstract

本公开提供了有机发光二极管和包括其的有机发光装置，所述有机发光二极管包括：第一电极；面对第一电极的第二电极；和发光材料层，所述发光材料层包含第一化合物和第二化合物并且位于第一电极与第二电极之间，其中第一化合物包含含有一个硼原子、一个氧原子和四个碳原子的六元环部分，而第二化合物包含含有一个硼原子、一个氮原子和四个碳原子的六元环部分。

Description

有机发光二极管和包括其的有机发光装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2019年11月28日在大韩民国提交的韩国专利申请第10-2019-0155531号和于2020年10月6日在大韩民国提交的韩国专利申请第10-2020-0128779号的权益，其全部通过引用其整体并入本文。
技术领域
本公开涉及有机发光二极管，并且更特别地，涉及具有优异的发光特性的有机发光二极管以及包括该有机发光二极管的有机发光装置。
背景技术
近来，对具有小占用面积的平板显示装置的需求增加。在平板显示装置中，包括有机发光二极管(OLED)并且可以被称为有机电致发光装置的有机发光显示装置的技术迅速发展。
OLED通过如下发光：将来自作为电子注入电极的阴极的电子和来自作为空穴注入电极的阳极的空穴注入到发光材料层中，使电子与空穴结合，产生激子，并使激子从激发态转换成基态。在荧光材料中，仅单线态激子参与发光，使得相关技术荧光材料具有低发光效率。在磷光材料中，单线态激子和三线态激子两者均参与发光，使得磷光材料比荧光材料具有更高的发光效率。然而，作为典型磷光材料的金属配合物化合物具有短的发光寿命，并因此在商业化方面具有局限性。
发明内容
本公开涉及基本上消除了与相关常规技术的局限性和缺点相关的问题中的一个或更多个问题的OLED和有机发光装置。
本公开的另外的特征和优点在下面的描述中阐述，并且根据该描述显而易见，或者通过本公开的实践而明显。本公开的目的和其他优点通过本文以及附图中描述的特征来实现并获得。
为了根据本公开的实施方案的目的实现这些和其他优点，如本文所述的，本公开的一个方面是有机发光二极管，所述有机发光二极管包括：第一电极；面对第一电极的第二电极；和发光材料层，所述发光材料层包含第一化合物和第二化合物并且位于第一电极与第二电极之间，其中第一化合物包含含有一个硼原子、一个氧原子和四个碳原子的六元环部分，而第二化合物包含含有一个硼原子、一个氮原子和四个碳原子的六元环部分。
本公开的另一个方面是有机发光装置，所述有机发光装置包括：基板；和设置在基板上或在基板上方的有机发光二极管，所述有机发光二极管包括：第一电极；面对第一电极的第二电极；和发光材料层，所述发光材料层包含第一化合物和第二化合物并且位于第一电极与第二电极之间，其中第一化合物包含含有一个硼原子、一个氧原子和四个碳原子的六元环部分，而第二化合物包含含有一个硼原子、一个氮原子和四个碳原子的六元环部分。
应理解，前述的一般性描述和以下的详细描述两者均为示例性和说明性的，并且旨在进一步解释所要求保护的本公开。
附图说明
附图被包括以提供对本公开的进一步理解并且附图被并入并构成本说明书的一部分，附图示出了本公开的实施方案，并且与说明书一起用于说明本公开的原理。
图1是本公开的有机发光显示装置的示意性电路图。
图2是根据本公开的第一实施方案的有机发光显示装置的示意性截面图。
图3是根据本公开的第二实施方案的OLED的示意性截面图。
图4A至图4D是示出OLED中的第一化合物和第二化合物的能级关系的示意图。
图5是示出根据本公开的第二实施方案的OLED的发光机理的图。
图6是根据本公开的第三实施方案的OLED的示意性截面图。
图7是根据本公开的第四实施方案的OLED的示意性截面图。
图8是根据本公开的第五实施方案的OLED的示意性截面图。
图9是根据本公开的第六实施方案的有机发光显示装置的示意性截面图。
图10是根据本公开的第七实施方案的有机发光显示装置的示意性截面图。
图11是根据本公开的第八实施方案的OLED的示意性截面图。
图12是根据本公开的第九实施方案的有机发光显示装置的示意性截面图。
图13是根据本公开的第十实施方案的OLED的示意性截面图。
图14是根据本公开的第十一实施方案的OLED的示意性截面图。
具体实施方式
现在具体参照在附图中示出的实例和优选实施方案中的一些。
本公开涉及其中将延迟荧光材料和荧光材料施加在单个发光材料层或相邻的发光材料层中的OLED以及包括该OLED的有机发光装置。例如，有机发光装置可以是有机发光显示装置或有机照明装置。作为示例，将主要描述有机发光显示装置，其为包括本公开的OLED的显示装置。
图1是本公开的有机发光显示装置的示意性电路图。
如图1中所示，有机发光显示装置包括：栅极线GL、数据线DL、电源线PL、开关薄膜晶体管TFT Ts、驱动TFT Td、存储电容器Cst和OLED D。栅极线GL和数据线DL彼此交叉以限定像素区域P。像素区域可以包括红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域。
开关TFT Ts连接至栅极线GL和数据线DL，驱动TFT Td和存储电容器Cst连接至开关TFT Ts和电源线PL。OLED D连接至驱动TFT Td。
在有机发光显示装置中，当通过经由栅极线GL施加的栅极信号导通开关TFT Ts时，来自数据线DL的数据信号被施加至驱动TFT Td的栅电极和存储电容器Cst的电极。
当通过数据信号导通驱动TFT Td时，电流从电源线PL供应至OLED D。结果，OLED D发光。在这种情况下，当驱动TFT Td被导通时，确定从电源线PL施加至OLED D的电流的水平，使得OLED D可以产生灰度级。
存储电容器Cst用于在开关TFT Ts被关断时保持驱动TFT Td的栅电极的电压。因此，即使开关TFT Ts被关断，从电源线PL施加至OLED D的电流的水平也保持到下一帧。
结果，有机发光显示装置显示期望的图像。
图2是根据本公开的第一实施方案的有机发光显示装置的示意性截面图。
如图2中所示，有机发光显示装置100包括基板110、TFT Tr和连接至TFT Tr的OLEDD。
基板110可以是玻璃基板或塑料基板。例如，基板110可以是聚酰亚胺基板。
在基板上形成有缓冲层122，并且TFT Tr形成在缓冲层122上。缓冲层122可以被省略。
在缓冲层122上形成有半导体层120。半导体层120可以包含氧化物半导体材料或多晶硅。
当半导体层120包含氧化物半导体材料时，在半导体层120下可以形成遮光图案(未示出)。到达半导体层120的光被遮光图案遮挡或阻挡，使得可以防止半导体层120的热降解。另一方面，当半导体层120包含多晶硅时，可以向半导体层120的两侧中掺杂杂质。
在半导体层120上形成有栅极绝缘层124。栅极绝缘层124可以由诸如硅氧化物或硅氮化物的无机绝缘材料形成。
在栅极绝缘层124上对应于半导体层120的中心形成有由导电材料(例如金属)形成的栅电极130。在图2中，栅极绝缘层124形成在基板110的整个表面上。或者，栅极绝缘层124可以被图案化成具有与栅电极130相同的形状。
在栅电极130上形成有由绝缘材料形成的层间绝缘层132。层间绝缘层132可以由无机绝缘材料(例如硅氧化物或硅氮化物)或者有机绝缘材料(例如苯并环丁烯或光亚克力(photo-acryl))形成。
层间绝缘层132包括使半导体层120两侧露出的第一接触孔134和第二接触孔136。第一接触孔134和第二接触孔136位于栅电极130的两侧，从而与栅电极130间隔开。在图2中，第一接触孔134和第二接触孔136形成为穿过层间绝缘层132和栅极绝缘层124。或者，当栅极绝缘层124被图案化成具有与栅电极130相同的形状时，第一接触孔134和第二接触孔136形成为仅穿过层间绝缘层132。
在层间绝缘层132上形成有由导电材料(例如金属)形成的源电极144和漏电极146。源电极144和漏电极146相对于栅电极130彼此间隔开并且分别通过第一接触孔134和第二接触孔136接触半导体层120的两侧。
半导体层120、栅电极130、源电极144和漏电极146构成TFT Tr。TFT Tr用作驱动元件。即，TFT Tr为(图1的)驱动TFT Td。
在TFT Tr中，栅电极130、源电极144和漏电极146位于半导体层120上方。即，TFTTr具有共面结构。
或者，在TFT Tr中，栅电极可以位于半导体层下方，并且源电极和漏电极可以位于半导体层上方，使得TFT Tr可以具有反交错结构。在这种情况下，半导体层可以包含非晶硅。
尽管未示出，但是栅极线和数据线彼此交叉以限定像素区域，并且开关TFT形成为连接至栅极线和数据线。开关TFT连接至作为驱动元件的TFT Tr。此外，可以进一步形成电源线和用于将TFT Tr的栅电极的电压保持一帧的存储电容器，所述电源线可以形成为与栅极线和数据线中的一者平行并且间隔开。
在基板110的整个表面上形成有平坦化层150以覆盖源电极144和漏电极146。平坦化层150提供平坦的顶表面并且具有使TFT Tr的漏电极146暴露的漏极接触孔152。
OLED D设置在平坦化层150上并且包括连接至TFT Tr的漏电极146的第一电极210、发光层220和第二电极230。发光层220和第二电极230顺序地堆叠在第一电极210上。OLED D位于红色、绿色和蓝色像素区域的每一者中并且分别发射红色光、绿色光和蓝色光。
第一电极210分别形成在每个像素区域中。第一电极210可以是阳极并且可以由具有相对高的功函数的导电材料例如透明导电氧化物(TCO)形成。例如，第一电极210可以由以下形成：铟-锡-氧化物(ITO)、铟-锌-氧化物(IZO)、铟-锡-锌-氧化物(ITZO)、锡氧化物(SnO)、锌氧化物(ZnO)、铟-铜-氧化物(ICO)或铝-锌-氧化物(Al:ZnO，AZO)。
当有机发光显示装置100以底部发光型工作时，第一电极210可以具有透明导电材料层的单层结构。当本公开的有机发光显示装置100以顶部发光型工作时，可以在第一电极210下方形成反射电极或反射层。例如，反射电极或反射层可以由银(Ag)或铝-钯-铜(APC)合金形成。在这种情况下，第一电极210可以具有ITO/Ag/ITO或ITO/APC/ITO的三层结构。
此外，在平坦化层150上形成有堤层160以覆盖第一电极210的边缘。即，堤层160位于像素区域的边界处并且使像素区域中的第一电极210的中心暴露。
在第一电极210上形成有作为发光单元的发光层220。发光层220可以具有包含发光材料的发光材料层(EML)的单层结构。为了提高有机发光显示装置的发光效率，发光层220可以具有多层结构。例如，发光层220还可以包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子阻挡层(EBL)、空穴阻挡层(HBL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)。HIL、HTL和EBL顺序地设置在第一电极(210)与EML之间，而HBL、ETL和EIL顺序地设置在EML与第二电极230之间。此外，EML可以具有单层结构或多层结构。而且，两个或更多个发光层可以被布置成彼此间隔开使得OLED D可以具有串联结构。
在形成有发光层220的基板110上方形成有第二电极230。第二电极230覆盖显示区域的整个表面并且可以由具有相对低的功函数的导电材料形成以用作阴极。例如，第二电极230可以由铝(Al)、镁(Mg)、钙(Ca)、银(Ag)或其合金或者组合来形成。在顶部发光型有机发光显示装置100中，第二电极230可以具有薄外形(小的厚度)以提供透光特性(或半透射特性)。
尽管未示出，但是有机发光显示装置100可以包括与红色、绿色和蓝色像素区域相对应的滤色器。例如，当具有串联结构并且发射白光的OLED D形成在红色、绿色和蓝色像素区域的全部中时，红色滤色器图案、绿色滤色器图案和蓝色滤色器图案可以分别形成在红色、绿色和蓝色像素区域中，从而提供全色显示。
当有机发光显示装置100以底部发光型工作时，滤色器可以设置在OLED D与基板110之间，例如，可以设置在层间绝缘层132与平坦化层150之间。或者，当有机发光显示装置100以顶部发光型工作时，滤色器可以设置在OLED D上方，例如，可以设置在第二电极230上方。
在第二电极230上形成有封装膜170以防止水分渗透到OLED D中。封装膜170包括顺序地堆叠的第一无机绝缘层172、有机绝缘层174和第二无机绝缘层176，但不限于此。
有机发光显示装置100还可以包括用于减少环境光反射的偏光板(未示出)。例如，偏光板可以是圆偏光板。在底部发光型有机发光显示装置100中，偏光板可以设置在基板110下方。在顶部发光型有机发光显示装置100中，偏光板可以设置在封装膜170上或上方。
此外，在顶部发光型有机发光显示装置100中，覆盖窗(未示出)可以附接至封装膜170或偏光板。在这种情况下，基板110和覆盖窗具有柔性特性，使得可以提供柔性有机发光显示装置。
图3是根据本公开的第二实施方案的OLED的示意性截面图。
如图3中所示，OLED D1包括彼此面对的第一电极210和第二电极230和介于其间的发光层220。发光层220包括发光材料层(EML)240。(图2的)有机发光显示装置100可以包括红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域，并且OLED D1可以位于蓝色像素区域中。
第一电极210可以是阳极，并且第二电极230可以是阴极。
发光层220还包括在第一电极210与EML 240之间的空穴传输层(HTL)260和在第二电极230与EML 240之间的电子传输层(ETL)270中的至少一者。
此外，发光层220还可以包括在第一电极210与HTL 260之间的空穴注入层(HIL)250和在第二电极230与ETL 270之间的电子注入层(EIL)280中的至少一者。
此外，发光层220还可以包括在HTL 260与EML 240之间的电子阻挡层(EBL)265和在EML 240与ETL 270之间的空穴阻挡层(HBL)275中的至少一者。
例如，HIL 250可以包含选自以下的至少一种化合物：4,4’,4”-三(3-甲基苯基氨基)三苯胺(MTDATA)、4,4’,4”-三(N,N-二苯基-氨基)三苯胺(NATA)、4,4’,4”-三(N-(萘-1-基)-N-苯基-氨基)三苯胺(1T-NATA)、4,4’,4”-三(N-(萘-2-基)-N-苯基-氨基)三苯胺(2T-NATA)、铜酞菁(CuPc)、三(4-咔唑基-9-基-苯基)胺(TCTA)、N,N’-二苯基-N,N’-双(1-萘基)-1,1’-联苯基-4,4”-二胺(NPB；NPD)、1,4,5,8,9,11-六氮杂苯并菲六腈(二吡嗪并[2,3-f:2’3’-h]喹喔啉-2,3,6,7,10,11-六腈；HAT-CN)、1,3,5-三[4-(二苯基氨基)苯基]苯(TDAPB)、聚(3,4-乙烯二氧噻吩)聚苯乙烯磺酸盐(PEDOT/PSS)和N-(联苯-4-基)-9,9-二甲基-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺，但不限于此。
HTL 260可以包含选自以下的至少一种化合物：N,N’-二苯基-N,N’-双(3-甲基苯基)-1,1’-联苯基-4,4’-二胺(TPD)、NPB(NPD)、4,4’-双(N-咔唑基)-1,1’-联苯(CBP)、聚[N,N’-双(4-丁基苯基)-N,N’-双(苯基)-联苯胺](聚-TPD)、聚[(9,9-二辛基芴基-2,7-二基)-共-(4,4’-(N-(4-仲丁基苯基)二苯胺))](TFB)、二-[4-(N,N-二-对甲苯基-氨基)-苯基]环己烷(TAPC)、3,5-二(9H-咔唑-9-基)-N,N-二苯基苯胺(DCDPA)、N-(联苯-4-基)-9,9-二甲基-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺和N-(联苯-4-基)-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)联苯基-4-胺，但不限于此。
ETL 270可以包含以下的至少一者：基于二唑的化合物、基于三唑的化合物、基于菲咯啉的化合物、基于苯并唑的化合物、基于苯并噻唑的化合物、基于苯并咪唑的化合物和基于三嗪的化合物。例如，ETL 270可以包含选自以下的至少一种化合物：三-(8-羟基喹啉铝)(Alq3)、2-联苯-4-基-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-二唑(PBD)、螺-PBD、喹啉锂(Liq)、1,3,5-三(N-苯基苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)、双(2-甲基-8-羟基喹啉-N1,O8)-(1,1’-联苯基-4-羟基)铝(BAlq)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(Bphen)、2,9-双(萘-2-基)-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(NBphen)、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP)、3-(4-联苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-三唑(TAZ)、4-(萘-1-基)-3,5-二苯基-4H-1,2,4-三唑(NTAZ)、1,3,5-三(对吡啶-3-基-苯基)苯(TpPyPB)、2,4,6-三(3’-(吡啶-3-基)联苯-3-基)1,3,5-三嗪(TmPPPyTz)、聚[9,9-双(3’-(N,N-二甲基)-N-乙基铵)-丙基)-2,7-芴]-交替-2,7-(9,9-二辛基芴)](PFNBr)、三(苯基喹喔啉)(TPQ)和二苯基-4-三苯基甲硅烷基-苯基氧化膦(TSPO1)，但不限于此。
EIL 280可以包含碱卤化物化合物例如LiF、CsF、NaF或BaF2，和有机金属化合物例如Liq、苯甲酸锂或硬脂酸钠，但不限于此。
位于HTL 260与EML 240之间以阻挡电子从EML 240转移到HTL260中的EBL 265可以包含选自以下的至少一种化合物：TCTA、三[4-(二乙基氨基)苯基]胺、N-(联苯基-4-基)-9,9-二甲基-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺、TAPC、MTDATA、1,3-双(咔唑-9-基)苯(mCP)、3,3’-双(N-咔唑基)-1,1’-联苯(mCBP)、CuPc、N,N’-双[4-(双(3-甲基苯基)氨基)苯基]-N,N’-二苯基-[1,1’-联苯基]-4,4’-二胺(DNTPD)、TDAPB、DCDPA和2,8-双(9-苯基-9H-咔唑-3-基)二苯并[b,d]噻吩，但不限于此。
位于EML 240与ETL 270之间以阻挡空穴从EML 240转移到ETL 270中的HBL 275可以包含上述ETL 270的材料。例如，HBL 275的材料具有低于EML 240的材料的HOMO能级，并且可以为选自以下的至少一种化合物：BCP、BAlq、Alq3、PBD、螺-PBD、Liq、双-4,6-(3,5-二-3-吡啶基苯基)-2-甲基嘧啶(B3PYMPM)、双[2-(二苯基膦基)苯基]醚氧化物(DPEPO)、9-(6-(9H-咔唑-9-基)吡啶-3-基)-9H-3,9’-联咔唑和TSPO1，但不限于此。
EML 240包含为延迟荧光材料(化合物)的第一化合物和为荧光材料(化合物)的第二化合物。EML240还可以包含第三化合物作为主体。包含第一化合物和第二化合物的EML240发射蓝色光，并且OLED D1位于蓝色像素区域中。
例如，作为主体的第三化合物可以为以下中的一者：9-(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)-9H-咔唑-3-腈(mCP-CN)、CBP、3,3'-双(N-咔唑基)-1,1'-联苯(mCBP)、1,3-双(咔唑-9-基)苯(mCP)、氧基双(2,1-亚苯基))双(二苯基氧化膦)(DPEPO)、2,8-双(二苯基磷酰基)二苯并噻吩(PPT)、1,3,5-三[(3-吡啶基)-苯-3-基]苯(TmPyPB)、2,6-二(9H-咔唑-9-基)吡啶(PYD-2Cz)、2,8-二(9H-咔唑-9-基)二苯并噻吩(DCzDBT)、3',5'-二(咔唑-9-基)-[1,1'-联苯]-3,5-二腈(DCzTPA)、4'-(9H-咔唑-9-基)联苯-3,5-二腈(pCzB-2CN)、3'-(9H-咔唑-9-基)联苯-3,5-二腈(mCzB-2CN)、二苯基-4-三苯基甲硅烷基苯基-氧化膦(TSPO1)、9-(9-苯基-9H-咔唑-6-基)-9H-咔唑(CCP)、4-(3-(三亚苯-2-基)苯基)二苯并[b,d]噻吩、9-(4-(9H-咔唑-9-基)苯基)-9H-3,9'-联咔唑、9-(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)-9H-3,9'-联咔唑或9-(6-(9H-咔唑-9-基)吡啶-3-基)-9H-3,9'-联咔唑，但不限于此。
作为EML 240中的第一化合物的延迟荧光材料由式1表示。
[式1]
在式1中，R1和R2各自独立地选自氢、氘、氚、卤素、C1至C20烷基、C6至C30芳基、C5至C30杂芳基、C1至C20烷基胺基和C6至C30芳基胺基，以及R3为经取代或未经取代的包含氮原子的C5至C60杂芳基。
例如，R1和R2各自可以独立地选自氢、C1至C20烷基(例如叔丁基)和C6至C30芳基(例如苯基)。R3可以是具有电子供体特性的杂芳基。例如，R3可以选自吲哚并咔唑基、二吲哚并咔唑基、双咔唑基、吖啶基、螺吖啶基、吩嗪基、吩噻嗪基及其衍生物。
术语“烷基”、“芳基”和“杂芳基”可以包括经取代的“烷基”、“芳基”和“杂芳基”和未经取代的“烷基”、“芳基”和“杂芳基”。当它们被取代时，取代基可以为C1至C20烷基、C6至C30芳基和C5至C30杂芳基中的至少一者。
例如，第一化合物可以为式2的化合物中的一者。
[式2]
延迟荧光材料的单线态能级与三线态能级之间的差非常小(小于约0.3eV)。延迟荧光材料的三线态激子的能量通过反向系间窜越(reverse intersystem crossing，RISC)转换为单线态激子，使得延迟荧光材料具有高量子效率。然而，由于延迟荧光材料具有宽的半高全宽(FWHM)，因此延迟荧光材料在颜色纯度方面具有缺点。
为了克服延迟荧光材料的颜色纯度的问题，EML 240还包含为荧光材料的第二化合物以提供超荧光。
为荧光材料的第二化合物由式3表示。
[式3]
在式3中，R11至R14各自独立地选自氢、氘、氚、C1至C20烷基、C6至C30芳基、C5至C30杂芳基、C1至C20烷基胺基和C6至C30芳基胺基，或者R11至R14中的相邻两者结合而形成包含硼和氮的稠环。R15至R18各自独立地选自氢、氘、氚、C1至C20烷基、C6至C30芳基、C5至C30杂芳基、C1至C20烷基胺基和C6至C30芳基胺基。
例如，R12和R13可以结合而形成包含硼和氮的稠环。
术语“烷基”、“芳基”和“杂芳基”可以包括经取代的“烷基”、“芳基”和“杂芳基”以及未经取代的“烷基”、“芳基”和“杂芳基”。当它们被取代时，取代基可以为C1至C20烷基、C6至C30芳基和C5至C30杂芳基中的至少一者。
作为第二化合物的式3可以由式4-1或式4-2表示。
[式4-1]
[式4-2]
在式4-1中，R15至R18和R21至R24各自独立地选自氢、氘、氚、C1至C20烷基、C6至C30芳基、C5至C30杂芳基、C1至C20烷基胺基和C6至C30芳基胺基。在式4-2中，R15至R18和R31至R34各自独立地选自氢、氘、氚、C1至C20烷基、C6至C30芳基、C5至C30杂芳基、C1至C20烷基胺基和C6至C30芳基胺基。
例如，第二化合物可以为式5的化合物中的一者。
[式5]
本公开的OLED D中的EML 240包含第一化合物和第二化合物，并且第一化合物的激子转移到第二化合物中。结果，OLED D提供了具有窄的FWHM和高发光效率的发光。
在本公开的OLED D中，第一化合物的能级和第二化合物的能级满足预定条件，使得激子从第一化合物到第二化合物的转移效率提高。因此，OLED D和有机发光显示装置的发光效率和颜色纯度得以改善。
此外，第一化合物的能级、第二化合物的能级和第三化合物的能级满足预定条件，使得OLED D和有机发光显示装置的发光效率和颜色纯度可以进一步得以改善。
参照图4A和图4B，其为示出本公开的OLED中的第一化合物和第二化合物的能级关系的示意图，第一化合物的最高占据分子轨道(HOMO)能级“HOMO1”与第二化合物的HOMO能级“HOMO2”之间的差“ΔHOMO”为小于0.3eV。
即，如图4A中所示，第一化合物的HOMO能级“HOMO1”可以高于第二化合物的HOMO能级“HOMO2”，或者如图4B中所示，第一化合物的HOMO能级“HOMO1”可以低于第二化合物的HOMO能级“HOMO2”。在这种情况下，通过满足条件“ΔHOMO<0.3eV”，主体中产生的激子通过第一化合物有效地转移到第二化合物中。例如，第一化合物的HOMO能级“HOMO1”与第二化合物的HOMO能级“HOMO2”之间的差“ΔHOMO”可以为约0.2eV或更小。
此外，第一化合物的最低未占据分子轨道(LUMO)能级“LUMO1”与第二化合物的LUMO能级“LUMO2”之间的差“ΔLUMO”为0.3eV或更小。第一化合物的LUMO能级“LUMO1”可以高于第二化合物的LUMO能级“LUMO2”。
如上所述，为延迟荧光材料的第一化合物使用单线态激子能量和三线态激子能量用于发光。因此，在包含第一化合物和第二化合物的EML 240中，第一化合物的能量转移到第二化合物中，并且由第二化合物发射光。结果，OLED的发光效率和颜色纯度得以改善。
另一方面，如果EML中的延迟荧光材料和荧光材料未满足以上能级关系，则在发光效率和/或颜色纯度方面存在限制。即，参照图4C，当延迟荧光材料的HOMO能级“HOMO1”与荧光材料的HOMO能级“HOMO2”之间的差“ΔHOMO”大于或等于0.3eV时，空穴可以直接从主体转移到荧光材料中，使得可能直接由荧光材料产生发光。结果，发光效率可能降低。另外，如图4D中所示，当延迟荧光材料的HOMO能级“HOMO1”与荧光材料的HOMO能级“HOMO2”之间的差“ΔHOMO”大于0.5eV并且延迟荧光材料的LUMO能级“LUMO1”低于荧光材料的LUMO能级“LUMO2”时，在被捕获在荧光材料中的空穴与延迟荧光材料的LUMO能级之间可能产生激发态复合物，使得可能产生激发态复合物发光。结果，发光波长范围可能偏移。
在EML 240中，第一化合物的单线态能级小于作为主体的第三化合物的单线态能级并且大于第二化合物的单线态能级。此外，第一化合物的三线态能级小于作为主体的第三化合物的三线态能级并且大于第二化合物的三线态能级。
在EML 240中，第一化合物的重量比(重量％)可以大于第二化合物的重量比(重量％)并且可以小于第三化合物的重量比(重量％)。当第一化合物的重量比大于第二化合物的重量比时，第一化合物的能量充分转移到第二化合物中。例如，在EML 240中，第一化合物可以为约20重量％至40重量％，以及第二化合物可以为约0.1重量％至5重量％。然而，其不限于此。
参照图5，其为示出根据本公开的第二实施方案的OLED的发光机理的图，在作为主体的第三化合物中产生的单线态能级“S1”和三线态能级“T1”分别转移到作为延迟荧光材料的第一化合物的单线态能级“S1”和三线态能级“T1”中。由于第一化合物的单线态能级与第一化合物的三线态能级之间的差相对小，因此第一化合物的三线态能级“T1”通过RISC转换为第一化合物的单线态能级“S1”。例如，第一化合物的单线态能级与第一化合物的三线态能级之间的差(ΔEST)可以为0.3eV或更小。然后，第一化合物的单线态能级“S1”转移到第二化合物的单线态能级“S1”中，使得第二化合物提供发光。
如上所述，具有延迟荧光特性的第一化合物具有高量子效率。然而，由于第一化合物具有宽的FWHM，因此第一化合物在颜色纯度方面具有缺点。另一方面，具有荧光特性的第二化合物具有窄的FWHM。然而，第二化合物的三线态激子不参与发光，因此第二化合物在发光效率方面具有缺点。
然而，在本公开的OLED D1中，作为延迟荧光材料的第一化合物的单线态能级转移至作为荧光掺杂剂的第二化合物中，并且由第二化合物产生发光。因此，OLED D1的发光效率和颜色纯度得到改善。此外，由于在EML 240中包含式1和式2的第一化合物以及式3至式5的第二化合物，因此OLED D1的发光效率和颜色纯度进一步得到改善。
[OLED]
将阳极(ITO，50nm)、HIL(HAT-CN(式6-1)，7nm)、HTL(NPB(式6-2)，45nm)、EBL(TAPC(式6-3)，10nm)、EML(30nm)、HBL(B3PYMPM(式6-4)，10nm)、ETL(TPBi(式6-5)，30nm)、EIL(LiF)和阴极顺序地沉积以形成OLED。
[式6-1]
[式6-2]
[式6-3]
[式6-4]
[式6-5]
(1)比较例1(Ref1)
使用主体(m-CBP(式7)，69重量％)、式2的化合物1-1(30重量％)和式8的化合物8-1(1重量％)以形成EML。
(2)比较例2(Ref2)
使用主体(m-CBP(式7)，69重量％)、式2的化合物1-1(30重量％)和式8的化合物8-2(1重量％)以形成EML。
(3)比较例3(Ref3)
使用主体(m-CBP(式7)，69重量％)、式2的化合物1-6(30重量％)和式8的化合物8-1(1重量％)以形成EML。
(4)比较例4(Ref4)
使用主体(m-CBP(式7)，69重量％)、式2的化合物1-6(30重量％)和式8的化合物8-2(1重量％)以形成EML。
(5)比较例5(Ref5)
使用主体(m-CBP(式7)，69重量％)、式9的化合物9-1(30重量％)和式5的化合物2-1(1重量％)以形成EML。
(6)比较例6(Ref6)
使用主体(m-CBP(式7)，69重量％)、式9的化合物9-1(30重量％)和式5的化合物2-10(1重量％)以形成EML。
(7)比较例7(Ref7)
使用主体(m-CBP(式7)，69重量％)、式9的化合物9-1(30重量％)和式8的化合物8-1(1重量％)以形成EML。
(8)比较例8(Ref8)
使用主体(m-CBP(式7)，69重量％)、式9的化合物9-1(30重量％)和式8的化合物8-2(1重量％)以形成EML。
(9)比较例9(Ref9)
使用主体(m-CBP(式7)，69重量％)、式9的化合物9-2(30重量％)和式5的化合物2-1(1重量％)以形成EML。
(10)比较例10(Ref10)
使用主体(m-CBP(式7)，69重量％)、式9的化合物9-2(30重量％)和式8的化合物8-1(1重量％)以形成EML。
(11)实施例1(Ex1)
使用主体(m-CBP(式7)，69重量％)、式2的化合物1-1(30重量％)和式5的化合物2-1(1重量％)以形成EML。
(12)实施例2(Ex2)
使用主体(m-CBP(式7)，69重量％)、式2的化合物1-6(30重量％)和式5的化合物2-1(1重量％)以形成EML。
(13)实施例3(Ex3)
使用主体(m-CBP(式7)，69重量％)、式2的化合物1-1(30重量％)和式5的化合物2-10(1重量％)以形成EML。
(14)实施例4(Ex4)
使用主体(m-CBP(式7)，69重量％)、式2的化合物1-6(30重量％)和式5的化合物2-10(1重量％)以形成EML。
(15)实施例5(Ex5)
使用主体(m-CBP(式7)，69重量％)、式2的化合物1-1(30重量％)和式5的化合物2-6(1重量％)以形成EML。
(16)实施例6(Ex6)
使用主体(m-CBP(式7)，69重量％)、式2的化合物1-6(30重量％)和式5的化合物2-6(1重量％)以形成EML。
[式7]
[式8]
[式9]
测量比较例1至10和实施例1至6中的OLED的发光特性并列于表1中。
表1
如表1中所示，与比较例1至10的OLED相比，使用式1和2的第一化合物以及式3至5的第二化合物的实施例1至6中的OLED的发光特性得以改善。
测量作为本公开的第一化合物的式2的化合物1-1和1-6，作为本公开的第二化合物的式5的化合物2-1、2-6和2-10，式8的化合物8-1和8-2以及式9的化合物9-1和9-2的HOMO能级和LUMO能级并列于表2。
表2
在实施例1至6的OLED中，第一化合物的HOMO能级与第二化合物的HOMO能级之间的差小于0.3eV，使得OLED的发光效率得以改善。另一方面，在比较例1至10的OLED中，第一化合物的HOMO能级与第二化合物的HOMO能级之间的差大于或等于0.3eV，使得OLED的发光效率降低和/或发光波长范围偏移。
图6是根据本公开的第三实施方案的OLED的示意性截面图。
如图6中所示，根据本公开的第三实施方案的OLED D2包括彼此面对的第一电极310和第二电极330和介于其间的发光层320。发光层320包括EML 340。(图2的)有机发光显示装置100可以包括红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域，并且OLED D2可以位于蓝色像素区域中。
第一电极310可以是阳极，并且第二电极330可以是阴极。
发光层320还可以包括在第一电极310与EML 340之间的HTL 360和在第二电极330与EML 340之间的ETL 370中的至少一者。
此外，发光层320还可以包括在第一电极310与HTL 360之间的HIL350和在第二电极330与ETL 370之间的EIL 380中的至少一者。
此外，发光层320还可以包括在HTL 360与EML 340之间的EBL 365和在EML 340与ETL 370之间的HBL 375中的至少一者。
EML340包括顺序地堆叠在第一电极310上方的第一EML(第一层或下部发光材料层)342和第二EML(第二层或上部发光材料层)344。即，第二EML 344位于第一EML 342与第二电极330之间。
在EML 340中，第一EML 342和第二EML 344中的一者包含第一化合物，所述第一化合物包含含有一个硼原子、一个氧原子和四个碳原子的六元环(例如六边形环)部分，而第一EML 342和第二EML 344中的另一者包含第二化合物，所述第二化合物包含含有一个硼原子、一个氮原子和四个碳原子的六元环部分。
例如，第一化合物可以由式1表示并且可以是式2中的化合物中的一者。第一化合物具有延迟荧光特性。第二化合物可以由式3、4-1和4-2中的一者表示，并且可以是式5中的化合物中的一者。第二化合物具有荧光特性。
此外，第一EML 342和第二EML 344还分别包含第四化合物和第五化合物作为主体。第一EML 342中的第四化合物和第二EML 344中的第五化合物可以相同或不同。例如，第一EML 342的主体(即，第四化合物)和第二EML 344的主体(即，第五化合物)各自可以是以上第三化合物。
将对其中第一EML 342包含为延迟荧光材料的第一化合物的OLED进行说明。
如上所述，具有延迟荧光特性的第一化合物具有高量子效率。然而，由于第一化合物具有宽的FWHM，因此第一化合物在颜色纯度方面具有缺点。另一方面，具有荧光特性的第二化合物具有窄的FWHM。然而，第二化合物的三线态激子不参与发光，因此第二化合物在发光效率方面具有缺点。
在OLED D2中，由于第一EML 342中的第一化合物的三线态激子能量通过RISC转换为第一化合物的单线态激子能量，并且第一化合物的单线态激子能量转移到第二EML 344中的第二化合物的单线态激子能量中，因此第二化合物提供发光。因此，单线态激子能量和三线态激子能量两者均参与发光，使得发光效率得以改善。此外，由于由为荧光材料的第二化合物提供发光，因此提供了具有窄的FWHM的发光。
如上所述，第一化合物的HOMO能级与第二化合物的HOMO能级之间的差为小于0.3eV，使得OLED D2的发光效率进一步得以改善。
在第一EML 342中，第四化合物的重量比可以等于或大于第一化合物的重量比。在第二EML 344中，第五化合物的重量比可以等于或小于第二化合物的重量比。
此外，第一EML 342中的第一化合物的重量比可以大于第二EML 344中的第二化合物的重量比。结果，能量通过荧光共振能量转移(fluorescence resonance energytransfer，FRET)从第一EML 342中的第一化合物充分转移到第二EML 344中的第二化合物中。例如，第一EML 342中的第一化合物可以为约1重量％至50重量％，优选约10重量％至40重量％，更优选约20重量％至40重量％。第二EML 344中的第二化合物可以为约0.1重量％至10重量％，优选约0.1重量％至5重量％。
当HBL 375位于第二EML 344与ETL 370之间时，作为第二EML 344的主体的第五化合物可以与HBL 375的材料相同。在这种情况下，第二EML344可以具有空穴阻挡功能和发光功能。即，第二EML 344可以用作用于阻挡空穴的缓冲层。当省略HBL375时，第二EML 344可以用作发光材料层和空穴阻挡层。
当第一EML342包含为荧光材料的第二化合物并且EBL 365位于HTL 360与第一EML342之间时，第一EML 342的主体可以与EBL 365的材料相同。在这种情况下，第一EML 342可以具有电子阻挡功能和发光功能。即，第一EML 342可以用作用于阻挡电子的缓冲层。当省略EBL365时，第一EML 342可以用作发光材料层和电子阻挡层。
图7是根据本公开的第四实施方案的OLED的示意性截面图。
如图7中所示，根据本公开的第四实施方案的OLED D3包括彼此面对的第一电极410和第二电极430和介于其间的发光层420。发光层420包括EML 440。(图2的)有机发光显示装置100可以包括红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域，并且OLED D3可以位于蓝色像素区域中。
第一电极410可以是阳极，并且第二电极430可以是阴极。
发光层420还可以包括在第一电极410与EML 440之间的HTL 460和在第二电极430与EML 440之间的ETL 470中的至少一者。
此外，发光层420还可以包括在第一电极410与HTL 460之间的HIL450和在第二电极430与ETL 470之间的EIL 480中的至少一者。
此外，发光层420还可以包括在HTL 460与EML 440之间的EBL 465和在EML 440与ETL 470之间的HBL 475中的至少一者。
EML 440包括第一EML(第一层，中间发光材料层)442、在第一EML 442与第一电极410之间的第二EML(第二层，下部发光材料层)444和在第一EML 442与第二电极430之间的第三EML(第三层，上部发光材料层)446。即，EML 440具有第二EML 444、第一EML 442和第三EML 446顺序堆叠的三层结构。
例如，第一EML 442可以位于EBL 465与HBL 475之间，第二EML444可以位于EBL465与第一EML 442之间，以及第三EML 446可以位于HBL 475与第一EML 442之间。
在EML 440中，第一EML 442包含第一化合物，所述第一化合物包含含有一个硼原子、一个氧原子和四个碳原子的六元环部分，并且第二EML 444和第三EML 446各自包含第二化合物，所述第二化合物包含含有一个硼原子、一个氮原子和四个碳原子的六元环部分。
例如，第一化合物可以由式1表示并且可以是式2中的化合物中的一者。第一化合物具有延迟荧光特性。第二化合物可以由式3、4-1和4-2中的一者表示并且可以是式5中的化合物中的一者。第二化合物具有荧光特性。第二EML 444的第二化合物和第三EML 446的第二化合物可以相同或不同。
此外，第一EML 442、第二EML 444和第三EML 446还分别包含第六化合物、第七化合物和第八化合物作为主体。第一EML 442中的第六化合物、第二EML 444中的第七化合物和第三EML 446中的第八化合物可以相同或不同。例如，第一EML 442的主体(即，第六化合物)、第二EML 444的主体(即，第七化合物)和第三EML 446的主体(即，第八化合物)各自可以是以上第三化合物。
在OLED D3中，由于第一EML 442中的第一化合物的三线态激子能量通过RISC转换为第一化合物的单线态激子能量，并且第一化合物的单线态激子能量转移到第二EML 444中的第二化合物的单线态激子能量中以及转移到第三EML 446中的第二化合物的单线态激子能量中，因此第二EML 444和第三EML 446中的第二化合物提供发光。因此，单线态激子能量和三线态激子能量两者均参与发光，使得发光效率得以改善。此外，由于由为荧光材料的第二化合物提供发光，因此提供了具有窄的FWHM的发光。
如上所述，第一化合物的HOMO能级与第二化合物的HOMO能级之间的差为小于0.3eV，使得OLED D2的发光效率进一步得以改善。
在第一EML 442中，第六化合物的重量比可以等于或大于第一化合物的重量比。在第二EML 444中，第七化合物的重量比可以等于或小于第二化合物的重量比。在第三EML446中，第八化合物的重量比可以等于或小于第二化合物的重量比。
此外，第一EML 442中的第一化合物的重量比可以大于第二EML 444中的第二化合物的重量比和第三EML 446中的第二化合物的重量比中的每一者。结果，能量通过荧光共振能量转移(FRET)从第一EML 442中的第一化合物充分转移到第二EML 444中的第二化合物和第三EML 446中的第二化合物中。例如，第一EML 442中的第一化合物可以为约1重量％至50重量％，优选约10重量％至40重量％，更优选约20重量％至40重量％。第二EML 444和第三EML 446的每一者中的第二化合物可以为约0.1重量％至10重量％，优选约0.1重量％至5重量％。
作为第二EML 444的主体的第七化合物可以与EBL 465的材料相同。在这种情况下，第二EML 444可以具有电子阻挡功能和发光功能。即，第二EML 444可以用作用于阻挡电子的缓冲层。当省略EBL 465时，第二EML 444可以用作发光层和电子阻挡层。
作为第三EML 446的主体的第八化合物可以与HBL 475的材料相同。在这种情况下，第三EML 446可以具有空穴阻挡功能和发光功能。即，第三EML 446可以用作用于阻挡空穴的缓冲层。当省略HBL 475时，第三EML 446可以用作发光层和空穴阻挡层。
第二EML 444中的第七化合物可以与EBL 465的材料相同，第三EML446中的第八化合物可以与HBL 475的材料相同。在这种情况下，第二EML 444可以具有电子阻挡功能和发光功能，第三EML 446可以具有空穴阻挡功能和发光功能。即，第二EML 444可以用作用于阻挡电子的缓冲层，第三EML 446可以用作用于阻挡空穴的缓冲层。当省略EBL 465和HBL 475时，第二EML 444可以用作发光材料层和电子阻挡层，第三EML 446用作发光材料层和空穴阻挡层。
图8是根据本公开的第五实施方案的OLED的示意性截面图。
如图8所示，OLED D4包括彼此面对的第一电极510和第二电极530、以及介于其间的发光层520。(图2的)有机发光显示装置100可以包括红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域，并且OLED D4可以位于蓝色像素区域中。
第一电极510可以为阳极，第二电极530可以为阴极。
发光层520包括第一发光部540和第二发光部560，所述第一发光部540包括第一EML 550，所述第二发光部560包括第二EML 570。此外，发光层520还可以包括在第一发光部540与第二发光部560之间的电荷产生层(CGL)580。
CGL 580位于第一发光部540与第二发光部560之间，使得第一发光部540、CGL 580和第二发光部560顺序地堆叠在第一电极510上。即，第一发光部540位于第一电极510与CGL580之间，而第二发光部560位于第二电极530与CGL 580之间。
第一发光部540包括第一EML 550。
此外，第一发光部540还可以包括在第一电极510与第一EML 550之间的第一HTL540b、在第一电极510与第一HTL 540b之间的HIL 540a、以及在第一EML 550与CGL 580之间的第一ETL 540e中的至少一者。
此外，第一发光部540还可以包括在第一HTL 540b与第一EML 550之间的第一EBL540c和在第一EML 550与第一ETL 540e之间的第一HBL540d中的至少一者。
第二发光部560包括第二EML 570。
此外，第二发光部560还可以包括在CGL 580与第二EML 570之间的第二HTL 560a、在第二EML 570与第二电极530之间的第二ETL 560d、以及在第二ETL 560d与第二电极530之间的EIL 560e中的至少一者。
此外，第二发光部560还可以包括在第二HTL 560a与第二EML 570之间的第二EBL560b和在第二EML 570与第二ETL 560d之间的第二HBL 560c中的至少一者。
CGL580位于第一发光部540与第二发光部560之间。即，第一发光部540和第二发光部560通过CGL 580彼此相连接。CGL 580可以是N型CGL 582和P型CGL 584的P-N结型CGL。
N型CGL 582位于第一ETL 540e与第二HTL 560a之间，P型CGL 584位于N型CGL 582与第二HTL 560a之间。N型CGL 582向第一发光部540的第一EML 550提供电子，P型CGL 584向第二发光部560的第二EML 570提供空穴。
第一EML 550和第二EML 570为蓝色EML。第一EML 550和第二EML 570中的至少一者包含式1的第一化合物和式3的第二化合物。例如，第一EML 550可以包含作为延迟荧光化合物的第一化合物和作为荧光化合物的第二化合物。第一EML 550还可以包含作为主体的第三化合物。
在第一EML 550中，第一化合物的重量比可以大于第二化合物的重量比且小于第三化合物的重量比。当第一化合物的重量比大于第二化合物的重量比时，充分产生从第一化合物向第二化合物的能量转移。例如，在第一EML 550中，第一化合物的重量％可以为约20至40，第二化合物的重量％可以为约0.1至10，第三化合物的重量％可以为约50至80。然而，不限于此。
第二EML 570可以包含式1的第一化合物和式3的第二化合物。即，第二EML 570可以具有与第一EML 550相同的有机化合物。或者，第二EML 570可以包含与第一EML 550中的第一化合物和第二化合物中的至少一者不同的化合物，使得第一EML550和第二EML 570在发光波长或发光效率方面不同。
在本公开的OLED D4中，作为延迟荧光材料的第一化合物的单线态能级转移到作为荧光掺杂剂的第二化合物中，并且由第二化合物产生发光。因此，OLED D4的发光效率和颜色纯度得到改善。此外，由于式1和式2的第一化合物以及式3至式5的第二化合物包含在第一EML 550中，因此OLED D4的发光效率和颜色纯度进一步得到改善。此外，由于OLED D4具有包括两个蓝色EML的两堆叠结构(双重堆叠结构)，因此OLED D4的色感得到改善以及/或者OLED D4的发光效率得到优化。
图9是根据本公开的第六实施方案的有机发光显示装置的示意性截面图。
如图9所示，有机发光显示装置600包括：第一基板610，在其中限定了第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3；面对第一基板610的第二基板670；位于第一基板610与第二基板670之间并且提供蓝色发光的OLED D；和在OLED D与第二基板670之间的颜色转换层680。例如，第一像素区域P1可以为蓝色像素区域，第二像素区域P2可以为红色像素区域，第三像素区域P3可以为绿色像素区域。
第一基板610和第二基板670各自可以为玻璃基板或柔性基板。例如，柔性基板可以为聚酰亚胺(PI)基板、聚醚砜(PES)基板、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)基板、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)基板或聚碳酸酯(PC)基板。
在第一基板610上形成有与红色像素RP、绿色像素GP和蓝色像素BP的每一者相对应的TFT Tr。或者，可以在第一基板610上形成缓冲层(未示出)，并且可以在缓冲层上形成TFT Tr。
如图2所说明的，TFT Tr可以包括半导体层、栅电极、源电极和漏电极并且可以用作驱动元件。
在TFT Tr上形成有平坦化层(或钝化层)650。平坦化层650具有平坦的顶表面并且包括使TFT Tr的漏电极暴露的漏极接触孔652。
OLED D设置在平坦化层650上并且包括第一电极660、发光层662和第二电极664。第一电极660连接至TFT Tr的漏电极，并且发光层662和第二电极664顺序地堆叠在第一电极660上。
第一电极660形成为在第一像素区域P1至第三像素区域P3中是分开的，而第二电极664形成为一体以覆盖第一像素区域P1至第三像素区域P3。
第一电极660是阳极和阴极中的一者，而第二电极664是阳极和阴极中的另一者。此外，第一电极660可以为反射电极，而第二电极664可以为透光(或半透射)电极。
例如，第一电极660可以为阳极并且可以由具有相对高的功函数的导电材料形成。第一电极660可以包括由透明导电氧化物(TPO)材料形成的透明导电氧化物材料层和反射层(或反射电极层)。第二电极664可以为阴极并且可以包括由具有相对低的功函数的低电阻金属材料形成的金属材料层。例如，第一电极660可以具有ITO/Ag/ITO或ITO/APC/ITO的结构，但不限于此。第二电极664可以包含Al、Mg、Ca、Ag或Mg-Ag合金，并且可以具有为透明(或半透明)的薄外形。
在平坦化层650上形成有堤层666以覆盖第一电极660的边缘。即，堤层666位于第一像素区域P1至第三像素区域P3的边界处，并且使第一像素区域P1至第三像素区域P3中的第一电极660的中心暴露。由于OLED D在第一像素区域P1至第三像素区域P3中发射蓝色光，因此发光层662可以形成为第一像素区域P1至第三像素区域P3中的公共层，而不在第一像素区域P1至第三像素区域P3中分开。可以形成堤层666以防止在第一电极660的边缘处的电流泄漏，并且可以省略堤层666。
在第一电极660上形成有作为发光单元的发光层662。例如，发光层662可以具有图3、图6或图8的结构，并且可以提供蓝色光。即，第一像素区域P1至第三像素区域P3中的OLEDD发射蓝色光。
颜色转换层680包括与第二像素区域P2对应的第一颜色转换层682和与第三像素区域P3对应的第二颜色转换层684。第一颜色转换层682可以为红色转换层，而第二颜色转换层684可以为绿色转换层。例如，颜色转换层680可以包含诸如量子点的无机颜色转换材料。
来自OLED D的蓝色光在第二像素区域P2中通过第一颜色转换层682转换成红色光，来自OLED D的蓝色光在第三像素区域P3中通过第二颜色转换层684转换成绿色光。
因此，有机发光显示装置600可以显示全色图像。
另一方面，在底部发光型有机发光显示装置600中，颜色转换层680设置在OLED D与第一基板610之间。
虽然未示出，但是有机发光显示装置600还可以包括在第二基板670与颜色转换层680之间的滤色器层。在这种情况下，有机发光显示装置600的颜色纯度可以进一步得到改善。另一方面，在底部发光型有机发光显示装置600中，滤色器层可以设置在第一基板610与颜色转换层680之间。
图10是根据本公开的第七实施方案的有机发光显示装置的示意性截面图。
如图10所示，有机发光显示装置1000包括：基板1010，在其中限定了第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3；在基板1010上方的TFT Tr和OLED D5。OLED D5设置在TFT Tr上方并且连接至TFT Tr。例如，第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3可以分别为蓝色像素区域、红色像素区域和绿色像素区域。
基板1010可以为玻璃基板或柔性基板。例如，柔性基板可以为聚酰亚胺(PI)基板、聚醚砜(PES)基板、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)基板、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)基板或聚碳酸酯(PC)基板。
在基板1010上形成有缓冲层1012，并且TFT Tr形成在缓冲层1012上。缓冲层1012可以被省略。
如图2所说明的，TFT Tr可以包括半导体层、栅电极、源电极和漏电极并且可以用作驱动元件。
在TFT Tr上形成有平坦化层(或钝化层)1050。平坦化层1050具有平坦的顶表面并且包括使TFT Tr的漏电极暴露的漏极接触孔1052。
OLED D5设置在平坦化层1050上并且包括第一电极1060、发光层1062和第二电极1064。第一电极1060连接至TFT Tr的漏电极，并且发光层1062和第二电极1064顺序地堆叠在第一电极1060上。OLED D5设置在第一像素区域P1至第三像素区域P3的每一者中，并且在第一像素区域P1至第三像素区域P3中发射不同颜色的光。例如，第一像素区域P1中的OLEDD5可以发射蓝色光，第二像素区域P2中的OLED D5可以发射红色光，第三像素区域P3中的OLED D5可以发射绿色光。
第一电极1060形成为在第一像素区域P1至第三像素区域P3中是分开的，而第二电极1064形成为一体以覆盖第一像素区域P1至第三像素区域P3。
第一电极1060是阳极和阴极中的一者，第二电极1064是阳极和阴极中的另一者。此外，第一电极1060和第二电极1064中的一者可以为透光电极(或半透射电极)，而第一电极1060和第二电极1064中的另一者可以为反射电极。
例如，第一电极1060可以为阳极并且可以包括由具有相对高的功函数的透明导电氧化物(TCO)材料形成的透明导电氧化物材料层。第二电极1064可以为阴极并且可以包括由具有相对低的功函数的低电阻金属材料形成的金属材料层。例如，第一电极1060的透明导电氧化物材料层包含以下的至少一者：铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锡锌氧化物(ITZO)、锡氧化物(SnO)、锌氧化物(ZnO)、铟铜氧化物(ICO)和铝-锌氧化物合金(Al:ZnO)，第二电极1064可以包含Al、Mg、Ca、Ag、其合金(如Mg-Ag合金)、或其组合。
在底部发光型有机发光显示装置1000中，第一电极1060可以具有透明导电氧化物材料层的单层结构。
另一方面，在顶部发光型有机发光显示装置1000中，可以在第一电极1060下方形成反射电极或反射层。例如，反射电极或反射层可以由Ag或铝-钯-铜(APC)合金形成。在这种情况下，第一电极1060可以具有ITO/Ag/ITO或ITO/APC/ITO的三层结构。此外，第二电极1064可以具有薄外形(小的厚度)以提供透光特性(或半透射特性)。
在平坦化层1050上形成有堤层1066以覆盖第一电极1060的边缘。即，堤层1066位于第一像素区域P1至第三像素区域P3的边界处，并且使第一像素区域P1至第三像素区域P3中的第一电极1060的中心暴露。
在第一电极1060上形成有作为发光单元的发光层1062。发光层1062可以具有EML的单层结构。或者，发光层1062还可以包括顺序地堆叠在第一电极1060与EML之间的HIL、HTL、EBL，以及顺序地堆叠在EML与第二电极1064之间的HBL、ETL和EIL中的至少一者。
在作为蓝色像素区域的第一像素区域P1中，发光层1062的EML包含作为延迟荧光化合物的第一化合物和作为荧光化合物的第二化合物。发光层1062的EML还可以包含作为主体的第三化合物。第一化合物由式1表示，第二化合物由式3表示。
在第二电极1064上形成有封装膜1070以防止水分渗透到OLED D5中。封装膜1070可以具有包括第一无机绝缘层、有机绝缘层和第二无机绝缘层的三层结构，但不限于此。
有机发光显示装置1000还可以包括用于减少环境光反射的偏光板(未示出)。例如，偏光板可以是圆偏光板。在底部发光型有机发光显示装置1000中，偏光板可以设置在基板1010下方。在顶部发光型有机发光显示装置1000中，偏光板可以设置在封装膜1070上或上方。
图11是根据本公开的第八实施方案的OLED的示意性截面图。
参照图11与图10，OLED D5位于第一像素区域P1至第三像素区域P3中的每一者中，并且包括彼此面对的第一电极1060和第二电极1064以及介于其间的发光层1062。发光层1062包括EML 1090。
第一电极1060可以为阳极，第二电极1064可以为阴极。例如，第一电极1060可以为反射电极，第二电极1064可以为透射电极(或半透射电极)。
发光层1062还可以包括在第一电极1060与EML 1090之间的HTL1082以及在EML1090与第二电极1064之间的ETL 1094。
此外，发光层1062还可以包括在第一电极1060与HTL 1082之间的HIL 1080以及在ETL 1094与第二电极1064之间的EIL 1096。
而且，发光层1062还可以包括在EML 1090与HTL 1082之间的EBL1086以及在EML1090与ETL 1094之间的HBL 1092。
此外，发光层1062还可以包括在HTL 1082与EBL 1086之间的辅助HTL 1084。辅助HTL 1084可以包括在第一像素区域P1中的第一辅助HTL1084a、在第二像素区域P2中的第二辅助HTL 1084b和在第三像素区域P3中的第三辅助HTL 1084c。
第一辅助HTL 1084a具有第一厚度，第二辅助HTL 1084b具有第二厚度，第三辅助HTL 1084c具有第三厚度。第三厚度小于第二厚度且大于第一厚度，使得OLED D5提供微腔结构。
即，通过厚度不同的第一辅助HTL 1084a、第二辅助HTL 1084b和第三辅助HTL1084c，其中发射第一波长范围光如绿色光的第三像素区域P3中的第一电极1060与第二电极1064之间的距离小于其中发射大于第一波长范围的第二波长范围光如红色光的第二像素区域P2中的第一电极1060与第二电极1064之间的距离，并且大于其中发射小于第一波长范围的第三波长范围光如蓝色光的第一像素区域P1中的第一电极1060与第二电极1064之间的距离。因此，OLED D5的发光效率得到改善。
在图11中，在第一像素区域P1中形成有第一辅助HTL 1084a。或者，可以提供没有第一辅助HTL 1084a的微腔结构。
可以在第二电极1064上进一步形成用于改善光提取特性的盖层(未示出)。
EML 1090包括在第一像素区域P1中的第一EML 1090a、在第二像素区域P2中的第二EML 1090b和在第三像素区域P3中的第三EML 1090c。第一EML 1090a、第二EML 1090b和第三EML 1090c可以分别为蓝色EML、红色EML和绿色EML。
第一像素区域P1中的第一EML 1090a包含作为延迟荧光化合物的第一化合物和作为荧光化合物的第二化合物。第一像素区域P1中的第一EML 1090a还可以包含作为主体的第三化合物。第一化合物由式1表示，第二化合物由式3表示。
在第一像素区域P1中的第一EML 1090a中，第一化合物的重量比可以大于第二化合物的重量比且小于第三化合物的重量比。当第一化合物的重量比大于第二化合物的重量比时，充分产生从第一化合物向第二化合物的能量转移。例如，在第一像素区域P1中的第一EML 1090a中，第一化合物的重量％可以为约20至40，第二化合物的重量％可以为约0.1至10，第三化合物的重量％可以为约50至80。然而，不限于此。
第二像素区域P2中的第二EML 1090b和第三像素区域P3中的第三EML 1090c各自可以包含主体和掺杂剂。例如，在第二像素区域P2中的第二EML 1090b和第三像素区域P3中的第三EML 1090c中的每一者中，掺杂剂可以包括磷光化合物、荧光化合物和延迟荧光化合物中的至少一者。
图11中的OLED D5在第一像素区域P1至第三像素区域P3中分别发射蓝色光、红色光和绿色光，使得(图10的)有机发光显示装置1000可以提供全色图像。
有机发光显示装置1000还可以包括与第一像素区域P1至第三像素区域P3对应的滤色器层以改善颜色纯度。例如，滤色器层可以包括与第一像素区域P1对应的第一滤色器层(如蓝色滤色器层)、与第二像素区域P2对应的第二滤色器层(如红色滤色器层)和与第三像素区域P3对应的第三滤色器层(如绿色滤色器层)。
在底部发光型有机发光显示装置1000中，滤色器层可以设置在OLED D5与基板1010之间。另一方面，在顶部发光型有机发光显示装置1000中，滤色器层可以设置在OLEDD5上或上方。
图12是根据本公开的第九实施方案的有机发光显示装置的示意性截面图。
如图12所示，有机发光显示装置1100包括：基板1110，在其中限定了第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3；基板1110上方的TFT Tr；设置在TFT Tr上方且连接至TFT Tr的OLED D；和与第一像素区域P1至第三像素区域P3相对应的滤色器层1120。例如，第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3可以分别为蓝色像素区域、红色像素区域和绿色像素区域。
基板1110可以为玻璃基板或柔性基板。例如，柔性基板可以为聚酰亚胺(PI)基板、聚醚砜(PES)基板、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)基板、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)基板或聚碳酸酯(PC)基板。
在基板1110上形成有TFT Tr。或者，可以在基板1110上形成缓冲层(未示出)，并且在缓冲层上可以形成TFT Tr。
如图2所说明的，TFT Tr可以包括半导体层、栅电极、源电极和漏电极并且可以用作驱动元件。
此外，滤色器层1120设置在基板1110上。例如，滤色器层1120可以包括与第一像素区域P1相对应的第一滤色器层1122、与第二像素区域P2相对应的第二滤色器层1124和与第三像素区域P3相对应的第三滤色器层1126。第一滤色器层1122、第二滤色器层1124和第三滤色器层1126可以分别为蓝色滤色器层、红色滤色器层和绿色滤色器层。例如，第一滤色器层1122可以包含蓝色染料和蓝色颜料中的至少一者，第二滤色器层1124可以包含红色染料和红色颜料中的至少一者。第三滤色器层1126可以包含绿色染料和绿色颜料中的至少一者。
在TFT Tr和滤色器层1120上形成有平坦化层(或钝化层)1150。平坦化层1150具有平坦的顶表面并且包括使TFT Tr的漏电极暴露的漏极接触孔1152。
OLED D设置在平坦化层1150上并且与滤色器层1120相对应。OLED D包括第一电极1160、发光层1162和第二电极1164。第一电极1160连接至TFT Tr的漏电极，并且发光层1162和第二电极1164顺序地堆叠在第一电极1160上。OLED D在第一像素区域P1至第三像素区域P3的每一者中发射白光。
第一电极1160形成为在第一像素区域P1至第三像素区域P3中是分开的，而第二电极1164形成为一体以覆盖第一像素区域P1至第三像素区域P3。
第一电极1160是阳极和阴极中的一者，而第二电极1164是阳极和阴极中的另一者。此外，第一电极1160可以为透光电极(或半透射电极)，而第二电极1164可以为反射电极。
例如，第一电极1160可以为阳极并且可以包括由具有相对高的功函数的透明导电氧化物(TCO)材料形成的透明导电氧化物材料层。第二电极1164可以为阴极并且可以包括由具有相对低的功函数的低电阻金属材料形成的金属材料层。例如，第一电极1160的透明导电氧化物材料层包含以下的至少一者：铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锡锌氧化物(ITZO)、锡氧化物(SnO)、锌氧化物(ZnO)、铟铜氧化物(ICO)和铝-锌氧化物合金(Al:ZnO)，第二电极1164可以包含Al、Mg、Ca、Ag、其合金(如Mg-Ag合金)、或其组合。
在第一电极1160上形成有作为发光单元的发光层1162。发光层1162包括发射不同颜色光的至少两个发光部。每个发光部可以具有EML的单层结构。或者，每个发光部还可以包括HIL、HTL、EBL、HBL、ETL和EIL中的至少一者。此外，发光层1162还可以包括在发光部之间的电荷产生层(CGL)。
发光部中的一者的EML包含式1的第一化合物和式3的第二化合物。例如，发光部中的一者的EML可以包含作为延迟荧光化合物的第一化合物和作为荧光化合物的第二化合物。发光部中的一者的EML还可以包含作为主体的第三化合物。
在平坦化层1150上形成有堤层1166以覆盖第一电极1160的边缘。即，堤层1166位于第一像素区域P1至第三像素区域P3的边界处，并且使第一像素区域P1至第三像素区域P3中的第一电极1160的中心暴露。如上所述，由于OLED D在第一像素区域P1至第三像素区域P3中发射白光，因此发光层1162可以形成为第一像素区域P1至第三像素区域P3中的公共层，而不在第一像素区域P1至第三像素区域P3中分开。可以形成堤层1166以防止第一电极1160的边缘处的电流泄漏，并且可以省略堤层1166。
虽然未示出，但是有机发光显示装置1100还可以包括形成在第二电极1164上以防止水分渗透到OLED D中的封装膜。此外，有机发光显示装置1100还可以包括基板1110下方的用于减少环境光反射的偏光板。
在图12的有机发光显示装置1100中，第一电极1160为透明电极(透光电极)，第二电极1164为反射电极。此外，滤色器层1120位于基板1110与OLED D之间。即，有机发光显示装置1100为底部发光型。
或者，在有机发光显示装置1100中，第一电极1160可以为反射电极，第二电极1164可以为透明电极(或半透明电极)。在这种情况下，滤色器层1120位于OLED D上或上方。
在有机发光显示装置1100中，第一像素区域P1至第三像素区域P3中的OLED D发射白光，并且白光穿过第一滤色器层1122、第二滤色器层1124和第三滤色器层1126。因此，在第一像素区域P1至第三像素区域P3中分别显示蓝色光、红色光和绿色光。
虽然未示出，但是在OLED D与滤色器层1120之间可以形成有颜色转换层。颜色转换层可以包括分别与第一像素区域P1至第三像素区域P3相对应的蓝色转换层、红色转换层和绿色转换层，并且来自OLED D的白光可以被转换成蓝色光、红色光和绿色光。颜色转换层可以包含量子点。因此，OLED D的颜色纯度可以进一步得到改善。
颜色转换层可以代替滤色器层1120包含在内。
图13是根据本公开的第十实施方案的OLED的示意性截面图。
如图13所示，OLED D6包括彼此面对的第一电极1160和第二电极1164以及介于其间的发光层1162。
第一电极1160可以为阳极，第二电极1164可以为阴极。第一电极1160为透明电极(透光电极)，第二电极1164为反射电极。
发光层1162包括第一发光部1210、第二发光部1230和第三发光部1250，所述第一发光部1210包括第一EML 1220，所述第二发光部1230包括第二EML 1240，所述第三发光部1250包括第三EML 1260。此外，发光层1162还可以包括在第一发光部1210与第二发光部1230之间的第一CGL 1270和在第二发光部1230与第三发光部1250之间的第二CGL1280。
第一CGL 1270位于第一发光部1210与第二发光部1230之间，第二CGL 1280位于第二发光部1230与第三发光部1250之间。即，第三发光部1250、第二CGL 1280、第二发光部1230、第一CGL 1270和第一发光部1210顺序地堆叠在第一电极1160上。换言之，第一发光部1210位于第二电极1164与第一CGL 1270之间，第二发光部1230位于第一CGL1270与第二CGL1280之间。第三发光部1250位于第二CGL 1280与第一电极1160之间。
第一发光部1210还可以包括在第一EML 1220下方的第一HTL 1210a和在第一EML1220上方的第一ETL 1210b。即，第一HTL 1210a可以位于第一EML 1220与第一CGL 1270之间，第一ETL 1210b可以位于第一EML 1220与第二电极1164之间。
此外，第一发光部1210还可以包括在第一EML 1220下方的第一HTL1210a、在第一EML 1220上方的第一ETL 1210b和在第一ETL 1210b上方的EIL 1210c。即，第一HTL 1210a位于第一EML 1220与第一CGL 1270之间，第一ETL 1210b和EIL 1210c位于第一EML 1220与第二电极1164之间。
此外，第一发光部1210还可以包括在第一HTL 1210a与第一EML1220之间的EBL(未示出)和在第一ETL 1210b与第一EML 1220之间的HBL(未示出)。
第二发光部1230还可以包括在第二EML 1240下方的第二HTL 1230a和在第二EML1240上方的第二ETL 1230b。即，第二HTL 1230a位于第二EML 1240与第二CGL 1280之间，第二ETL 1230b位于第二EML 1240与第一CGL 1270之间。
此外，第二发光部1230还可以包括在第二HTL 1230a与第二EML1240之间的EBL(未示出)和在第二ETL 1230b与第二EML 1240之间的HBL(未示出)。
第三发光部1250还可以包括在第三EML 1260下方的HIL 1250a和第三HTL 1250b以及在第三EML 1260上方的第三ETL 1250c。即，HIL 1250a和第三HTL 1250b位于第三EML1260与第一电极1160之间，第三ETL1250c位于第三EML1260与第二CGL 1280之间。
此外，第三发光部1250还可以包括在第三HTL 1250b与第三EML1260之间的EBL(未示出)和在第三ETL 1250c与第三EML 1260之间的HBL(未示出)。
第一CGL1270位于第一发光部1210与第二发光部1230之间。即，第一发光部1210和第二发光部1230通过第一CGL1270彼此相连接。第一GL 1270可以是N型CGL 1270a和P型CGL1270b的P-N结型CGL。
N型CGL 1270a位于第二ETL1230b与第一HTL1210a之间，P型CGL 1270b位于N型CGL1270a与第一HTL 1210a之间。N型CGL 1270a向第二发光部1230的第二EML 1240提供电子，P型CGL 1270b向第一发光部1210的第一EML 1220提供空穴。
第二CGL 1280位于第二发光部1230与第三发光部1250之间。即，第二发光部1230和第三发光部1250通过第二CGL 1280彼此相连接。第二CGL 1280可以是N型CGL 1280a和P型CGL 1280b的P-N结型CGL。
N型CGL 1280a位于第三ETL 1250c与第二HTL 1230a之间，P型CGL1280b位于N型CGL 1280a与第二HTL 1230a之间。N型CGL 1280a向第三发光部1250的第三EML 1260提供电子，P型CGL 1280b向第二发光部1230的第二EML 1240提供空穴。
第一EML 1220、第二EML 1240和第三EML 1260中的一者可以为蓝色EML，第一EML1220、第二EML 1240和第三EML 1260中的另一者可以为绿色EML，而第一EML 1220、第二EML1240和第三EML 1260中的再一者可以为红色EML。
例如，第一EML 1220可以为蓝色EML，第二EML 1240可以为绿色EML，第三EML 1260可以为红色EML。或者，第一EML 1220可以为蓝色EML，第二EML 1240可以为红色EML，第三EML 1260可以为绿色EML。
第一EML 1220包含作为延迟荧光化合物的第一化合物和作为荧光化合物的第二化合物。第一EML 1220还可以包含作为主体的第三化合物。第一化合物由式1表示，第二化合物由式3表示。
在第一EML 1220中，第一化合物的重量比可以大于第二化合物的重量比且小于第三化合物的重量比。当第一化合物的重量比大于第二化合物的重量比时，充分产生从第一化合物向第二化合物的能量转移。例如，在第一EML 1220中，第一化合物的重量％可以为约20至40，第二化合物的重量％可以为约0.1至10，以及第三化合物的重量％可以为约50至80。然而，其不限于此。
第二EML 1240包含主体和绿色掺杂剂(或红色掺杂剂)，第三EML1260包含主体和红色掺杂剂(或绿色掺杂剂)。例如，在第二EML1240和第三EML 1260的每一者中，掺杂剂可以包含磷光化合物、荧光化合物和延迟荧光化合物中的至少一者。
(图12的)第一像素区域P1至第三像素区域P3中的OLED D6发射白光，并且白光穿过(图12的)第一像素区域P1至第三像素区域P3中的滤色器层1120。因此，(图12的)有机发光显示装置1100可以提供全色图像。
图14是根据本公开的第十一实施方案的OLED的示意性截面图。
如图14所示，OLED D7包括彼此面对的第一电极1360和第二电极1364以及介于其间的发光层1362。
第一电极1360可以为阳极，第二电极1364可以为阴极。第一电极1360为透明电极(透光电极)，第二电极1364为反射电极。
发光层1362包括第一发光部1410、第二发光部1430和第三发光部1450，所述第一发光部1410包括第一EML 1420，所述第二发光部1430包括第二EML 1440，所述第三发光部1450包括第三EML 1460。此外，发光层1362还可以包括在第一发光部1410与第三发光部1450之间的第一CGL 1470和在第二发光部1430与第三发光部1450之间的第二CGL1480。
第一CGL 1470位于第一发光部1410与第三发光部1450之间，第二CGL 1480位于第二发光部1430与第三发光部1450之间。即，第二发光部1430、第二CGL 1480、第三发光部1450、第一CGL 1470和第一发光部1410顺序地堆叠在第一电极1360上。换言之，第一发光部1410位于第二电极1364与第一CGL 1470之间，第二发光部1430位于第二CGL1480与第一电极1360之间。第三发光部1450位于第一CGL 1470与第二CGL 1480之间。
第一发光部1410还可以包括在第一EML 1420下方的第一HTL 1410a以及在第一EML 1420上方的第一ETL 1410b和EIL 1410c。即，第一HTL1410a可以位于第一EML 1420与第一CGL 1470之间，第一ETL 1410b和EIL 1410c可以位于第一EML 1420与第二电极1364之间。
此外，第一发光部1410还可以包括在第一HTL 1410a与第一EML1420之间的EBL(未示出)和在第一ETL 1410b与第一EML 1420之间的HBL(未示出)。
第二发光部1430还可以包括在第二EML 1440下方的HIL 1430a、第二HTL 1430b和在第二EML 1440上方的第二ETL 1430c。即，HIL 1430a、第二HTL 1430b可以位于第一电极1360与第二EML 1440之间，第二ETL1430c可以位于第二EML 1440与第二CGL 1480之间。
此外，第二发光部1430还可以包括在第二HTL 1430b与第二EML1440之间的EBL(未示出)和在第二ETL 1430c与第二EML 1440之间的HBL(未示出)。
第三发光部1450还可以包括在第三EML 1460下方的第三HTL 1450a和在第三EML1460上方的第三ETL 1450b。即，第三HTL 1450a可以位于第二CGL 1480与第三EML 1460之间，第三ETL 1450b可以位于第三EML 1460与第一CGL 1470之间。
此外，第三发光部1450还可以包括在第三HTL 1450a与第三EML 1460之间的EBL(未示出)和在第三ETL 1450b与第三EML 1460之间的HBL(未示出)。
第一CGL 1470位于第一发光部1410与第三发光部1450之间。即，第一发光部1410和第三发光部1450通过第一CGL 1470彼此相连接。第一GL 1470可以是N型CGL 1470a和P型CGL 1470b的P-N结型CGL。
N型CGL 1470a位于第三ETL 1450b与第一HTL 1410a之间，P型CGL 1470b位于N型CGL 1470a与第一HTL 1410a之间。N型CGL 1470a向第三发光部1450的第三EML 1460提供电子，P型CGL 1470b向第一发光部1410的第一EML 1420提供空穴。
第二CGL 1480位于第二发光部1430与第三发光部1450之间。即，第二发光部1430和第三发光部1450通过第二CGL 1480彼此相连接。第二CGL 1480可以是N型CGL1480a和P型CGL 1480b的P-N结型CGL。
N型CGL 1480a位于第二ETL 1430c与第三HTL 1450a之间，P型CGL 1480b位于N型CGL 1480a与第三HTL 1450a之间。N型CGL 1480a向第二发光部1430的第二EML 1440提供电子，P型CGL 1480b向第三发光部1450的第三EML 1460提供空穴。
第一EML 1420和第二EML 1440各自为蓝色EML。第一EML 1420和第二EML 1440中的至少一者(例如第一EML 1420)包含式1的第一化合物和式3的第二化合物。此外，第一EML1420还可以包含作为主体的第三化合物。
在第一EML 1420中，第一化合物的重量比可以大于第二化合物的重量比且小于第三化合物的重量比。当第一化合物的重量比大于第二化合物的重量比时，充分产生从第一化合物向第二化合物的能量转移。
例如，在第一EML 1420中，第一化合物的重量％可以为约20至40，第二化合物的重量％可以为约0.1至10，以及第三化合物的重量％可以为约50至80。然而，不限于此。
第二EML 1440可以包含式1的第一化合物和式3的第二化合物。即，第二EML 1440可以具有与第一EML 1420相同的有机化合物。或者，第二EML 1440可以包含与第一EML1420中的第一化合物和第二化合物中的至少一者不同的化合物，使得第一EML 1420和第二EML 1440在发光波长或发光效率方面不同。
第三EML 1460包括下部EML 1460a和上部EML 1460b。下部EML1460a更靠近第一电极1360，上部EML 1460b更靠近第二电极1364。
第三EML 1460的下部EML 1460a和上部EML 1460b中的一者为绿色EML，第三EML1460的下部EML 1460a和上部EML 1460b中的另一者可以为红色EML。即，绿色EML(或红色EML)和红色EML(或绿色EML)顺序地堆叠以形成第三EML 1460。
下部EML 1460a和上部EML 1460b各自可以包含主体和掺杂剂。在下部EML 1460a和上部EML 1460b的每一者中，掺杂剂可以包括磷光化合物、荧光化合物和延迟荧光化合物中的至少一者。
或者，第三EML 1460可以具有黄绿色EML的单层结构。
(图12的)第一像素区域P1至第三像素区域P3中的OLED D7发射白光，并且白光穿过(图12的)第一像素区域P1至第三像素区域P3中的滤色器层1120。因此，(图12的)有机发光显示装置1100可以提供全色图像。
在图14中，OLED D7具有包括作为蓝色EML的第一EML 1420和第二EML 1440与第三EML 1460的三堆叠(三重堆叠)结构。或者，第一EML 1420和第二EML 1440中的一者可以被省略，使得OLED D7可以具有两堆叠(双重堆叠)结构。
对本领域技术人员明显的是，可以在不偏离本发明的精神或范围的情况下在本发明中进行各种修改和变化。因此，本发明旨在涵盖本发明的修改和变化，只要其落入所附权利要求及其等同方案的范围内即可。

Claims (14)

1.一种有机发光二极管，包括：
第一电极；
面对所述第一电极的第二电极；和
发光材料层，所述发光材料层包含第一化合物和第二化合物并且位于所述第一电极与所述第二电极之间，
其中所述第一化合物为式2中的化合物中的一者，而所述第二化合物由式3表示：
[式3]
其中R11至R14各自独立地选自氢、氘、氚、C1至C20烷基、C6至C30芳基、C5至C30杂芳基、C1至C20烷基胺基和C6至C30芳基胺基，或者R11至R14中的相邻两者结合而形成包含硼和氮的稠环，以及
其中R15至R18各自独立地选自氢、氘、氚、C1至C20烷基、C6至C30芳基、C5至C30杂芳基、C1至C20烷基胺基和C6至C30芳基胺基，
[式2]
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中式3由式4-1或式4-2表示：
[式4-1]
和
[式4-2]
其中在式4-1中，R15至R18和R21至R24各自独立地选自氢、氘、氚、C1至C20烷基、C6至C30芳基、C5至C30杂芳基、C1至C20烷基胺基和C6至C30芳基胺基，以及
其中在式4-2中，R15至R18和R31至R34各自独立地选自氢、氘、氚、C1至C20烷基、C6至C30芳基、C5至C30杂芳基、C1至C20烷基胺基和C6至C30芳基胺基。
3.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中所述第二化合物为式5中的化合物中的一者：
[式5]
4.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中所述第一化合物的最高占据分子轨道(HOMO)的能级与所述第二化合物的HOMO的能级之间的差小于0.3eV。
5.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中所述第一化合物的重量％大于所述第二化合物的重量％。
6.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中所述发光材料层包括第一发光材料层和第二发光材料层，并且所述第二发光材料层位于所述第一发光材料层与所述第一电极之间，以及
其中所述第一化合物包含在所述第一发光材料层中，而所述第二化合物包含在所述第二发光材料层中。
7.根据权利要求6所述的有机发光二极管，其中所述第一发光材料层中的所述第一化合物的重量％大于所述第二发光材料层中的所述第二化合物的重量％。
8.根据权利要求6所述的有机发光二极管，其中所述发光材料层还包括第三发光材料层，所述第三发光材料层包含所述第二化合物并且位于所述第二电极与所述第一发光材料层之间。
9.一种有机发光装置，包括：
基板；和
设置在所述基板上或在所述基板上方的有机发光二极管，所述有机发光二极管包括：
第一电极；
面对所述第一电极的第二电极；和
发光材料层，所述发光材料层包含第一化合物和第二化合物并且位于所述第一电极与所述第二电极之间，
其中所述第一化合物为式2中的化合物中的一者，而所述第二化合物由式3表示：
[式3]
其中R11至R14各自独立地选自氢、氘、氚、C1至C20烷基、C6至C30芳基、C5至C30杂芳基、C1至C20烷基胺基和C6至C30芳基胺基，或者R11至R14中的相邻两者结合而形成包含硼和氮的稠环，以及
其中R15至R18各自独立地选自氢、氘、氚、C1至C20烷基、C6至C30芳基、C5至C30杂芳基、C1至C20烷基胺基和C6至C30芳基胺基，
[式2]
10.根据权利要求9所述的有机发光装置，其中式3由式4-1或式4-2表示：
[式4-1]
和
[式4-2]
其中在式4-1中，R15至R18和R21至R24各自独立地选自氢、氘、氚、C1至C20烷基、C6至C30芳基、C5至C30杂芳基、C1至C20烷基胺基和C6至C30芳基胺基，以及
其中在式4-2中，R15至R18和R31至R34各自独立地选自氢、氘、氚、C1至C20烷基、C6至C30芳基、C5至C30杂芳基、C1至C20烷基胺基和C6至C30芳基胺基。
11.根据权利要求9所述的有机发光装置，其中所述第二化合物为式5中的化合物中的一者：
[式5]
12.根据权利要求9所述的有机发光装置，其中所述第一化合物的最高占据分子轨道(HOMO)的能级与所述第二化合物的HOMO的能级之间的差小于0.3eV。
13.根据权利要求9所述的有机发光装置，其中所述发光材料层包括第一发光材料层和第二发光材料层，并且所述第二发光材料层位于所述第一发光材料层与所述第一电极之间，以及
其中所述第一化合物包含在所述第一发光材料层中，而所述第二化合物包含在所述第二发光材料层中。
14.根据权利要求13所述的有机发光装置，其中所述发光材料层还包括第三发光材料层，所述第三发光材料层包含所述第二化合物并且位于所述第二电极与所述第一发光材料层之间。
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