CN116261343A - 有机发光显示装置 - Google Patents

Abstract

一种有机发光显示装置包括：包括第一像素区域至第三像素区域的基板；和包括透明电极、反射电极和位于所述透明电极和所述反射电极之间的发光层的有机发光二极管，其中所述第一像素区域中的有机发光二极管中的发光层包括含有第一发光材料层的第一发光部和含有第二发光材料层的第二发光部，并且所述第二发光部位于所述第一发光材料层和所述透明电极之间，其中所述第二像素区域中的有机发光二极管中的发光层包括含有第三发光材料层的第三发光部和含有第四发光材料层的第四发光部，并且所述第四发光部位于所述第三发光材料层和所述透明电极之间，并且其中所述第一发光材料层和所述第四发光材料层各自是荧光发光层，所述第二发光材料层和所述第三发光材料层各自是磷光发光层。

Description

有机发光显示装置

相关申请的交叉引用

本申请要求于2021年12月10日在韩国提交的韩国专利申请第10-2021-0176762号的优先权，其公开内容通过引用并入本文。

技术领域

本公开内容涉及一种有机发光显示装置，更具体地说，涉及一种具有高显示性能的有机发光显示装置。

背景技术

对具有小占用面积的平板显示装置的要求越来越高。在平板显示装置中，一种包括有机发光二极管(OLED)，可称为有机电致发光装置的有机发光显示装置的技术正在迅速发展。

OLED通过从作为电子注入电极的阴极注入电子和从作为空穴注入电极的阳极注入空穴到发光材料层，将电子与空穴结合，产生激子，并将激子从激发态转化到基态来发光。

荧光材料可被用作OLED中的发射体。然而，由于只有荧光材料的单线态激子参与发射，所以荧光材料的发光效率有限制。

发明内容

因此，本公开内容的实施方式涉及一种有机发光显示装置，其基本上避免了与相关技术的限制和缺点相关的一个或多个问题。

本公开内容的一个目的是提供一种具有高显示性能的有机发光显示装置。

其他的特征和方面将在接下来的描述中阐述，并且部分将从描述中显而易见，或者可以通过实践本文提供的本公开内容构思而了解。本公开内容构思的其他特征和方面可通过书面描述中特别指出的结构，或可从中推导出的结构，以及本文的权利要求书和附图来实现和达到。

为了按照本公开内容的实施方式的目的实现这些和其他优点，如本文所述，本公开内容的一个方面是一种有机发光显示装置包括：包括第一像素区域至第三像素区域的基板；和包括透明电极、反射电极和位于所述透明电极和所述反射电极之间的发光层的有机发光二极管，其中所述第一像素区域中的有机发光二极管中的发光层包括含有第一发光材料层的第一发光部和含有第二发光材料层的第二发光部，并且所述第二发光部位于所述第一发光材料层和所述透明电极之间，其中所述第二像素区域中的有机发光二极管中的发光层包括含有第三发光材料层的第三发光部和含有第四发光材料层的第四发光部，并且所述第四发光部位于所述第三发光材料层和所述透明电极之间，并且其中所述第一发光材料层和所述第四发光材料层各自是荧光发光层，所述第二发光材料层和所述第三发光材料层各自是磷光发光层。

应当理解，上述一般描述和以下详细描述都是示例性的和解释性的，旨在进一步解释所要求的发明构思。

附图说明

被包括以提供对本公开内容的进一步理解的附图被并入本申请且构成本申请的一部分，图解了本公开内容的实施方式，并与说明书一起用于解释本公开内容的原理。

图1是本公开内容的有机发光显示装置的电路示意图。

图2是根据本公开内容的第一实施方式的有机发光显示装置的示意性截面图。

图3是根据本公开内容的第二实施方式的有机发光显示装置的示意性截面图。

图4是示出根据本公开内容的第一实施方式的有机发光显示装置的像素区域的示意性截面图。

图5是根据本公开内容的第三实施方式的有机发光显示装置的OLED的示意性截面图。

图6是根据本公开内容的第四实施方式的有机发光显示装置的红色像素区域中的OLED的示意性截面图。

图7是根据本公开内容的第四实施方式的有机发光显示装置的绿色像素区域中的OLED的示意性截面图。

图8是根据本公开内容的第五实施方式的有机发光显示装置的红色像素区域中的OLED的示意性截面图。

图9是根据本公开内容的第五实施方式的有机发光显示装置的绿色像素区域中的OLED的示意性截面图。

具体实施方式

现将详细参考一些实施例和优选实施方式，其在附图中得到说明。

图1是本公开内容的有机发光显示装置的示意电路图。

如图1所示，有机发光显示装置包括栅极线GL、数据线DL、电源线PL、开关薄膜晶体管TFT Ts、驱动TFT Td、存储电容器Cst和OLED D。栅极线GL和数据线DL相互交叉以定义像素区域P。该像素区域可以包括或可以是红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域。

开关TFT Ts连接到栅极线GL和数据线DL，并且驱动TFT Td和存储电容Cst连接到开关TFT Ts和电源线PL。OLED D与驱动TFT Td连接。

在有机发光显示装置中，当开关TFT Ts被通过栅极线GL施加的栅极信号打开时，来自数据线DL的数据信号被施加到驱动TFT Td的栅极和存储电容Cst的电极。

当驱动TFT Td被数据信号打开时，电流从电源线PL向OLED D提供。结果，OLED D发出光。在这种情况下，当驱动TFT Td被打开时，从电源线PL施加到OLED D的电流的水平被确定为使OLED D可以产生灰度。

存储电容器Cst的作用是在开关TFT Ts关闭时保持驱动TFT Td的栅极电压。因此，即使开关TFT Ts被关闭，从电源线PL施加到OLED D的电流的水平也保持到下一帧。

结果，有机发光显示装置显示所需的图像。

图2是根据本公开内容的第一实施方式的有机发光显示装置的示意性截面图。

如图2所示，有机发光显示装置100包括基板110，其中定义了第一至第三像素区域P1、P2和P3，基板110上或其上方的TFT Tr以及覆盖TFT Tr并与TFT Tr连接的OLED D。

例如，第一像素区域P1可以是红色像素区域，第二像素区域P2可以是绿色像素区域，而第三像素区域P3可以是蓝色像素区域。第一至第三像素区域P1至P3构成一个像素单元。或者，像素单元可以进一步包括第四像素区域是白色像素区域。

基板110可以是玻璃基板或柔性基板。

缓冲层122形成在基板上，并且TFT Tr形成在缓冲层122上。缓冲层122可以被省略。

TFT Tr被设置在缓冲层122上。TFT Tr包括半导体层、栅极、源极和漏极并作为驱动元件。也就是说，TFT Tr可以是(图1的)驱动TFT Td。

在TFT Tr上设置了平坦化层150。平坦化层150具有平坦的顶面并且包括暴露TFTTr的漏极的漏极接触孔152。

OLED D设置在平坦化层150上，并且包括第一电极210、发光层220和第二电极230。第一电极210通过漏极接触孔152连接到TFT Tr的漏极，并且发光层220和第二电极230依次叠加在第一电极210上。OLED D设置在第一至第三像素区域P1至P3中的每一个，并在第一至第三像素区域P1至P3中的每一个发出不同颜色的光。例如，第一像素区域的OLED D可以提供发红光，第二像素区域P2的OLED D可以提供发绿光，而第三像素区域P3的OLED D可以发蓝光。

第一电极210可以形成为在第一至第三像素区域P1至P3中的每一个中分离，并且第二电极230可以形成为对应于第一至第三像素区域P1至P3的一体。

第一电极210是阳极和阴极中的一个，并且第二电极230是阳极和阴极中的另一个。第一电极210是反射电极，且第二电极230是透明(或半透明)电极。也就是说，来自发光层的光通过第二电极230来显示图像。(顶部发射型有机发光显示装置)

例如，第一电极210可以是阳极，并且可以包括具有相对高的功函数的透明导电氧化物材料层以及反射层。

第二电极230可以是阴极，并且可以包括具有相对低功函数的导电材料。第二电极230具有薄的轮廓，以成为透明的(或半透明的)。

作为发射单元的发光层220可以具有发光材料层(EML)的单层结构。或者，发光层220可以进一步包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子阻挡层(EBL)、空穴阻挡层(HBL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中的至少一个，以具有多层结构。此外，两个或更多的发射单元可以被设置成分离的，从而OLED D可以具有串联结构。

尽管未示出，但OLED D可以进一步包括第二电极230上的封盖层。OLED D的发光效率可以通过封盖层进一步提高。

在第二电极230上形成封装膜(或封装层)170，以防止水分渗透到OLED D中。封装膜170可以具有一种结构，其中无机绝缘层和有机绝缘层被堆叠。

尽管未示出，但有机发光显示装置100可以包括对应于第一至第三像素区域P1至P3的彩色滤光片。例如，彩色滤光片可以设置在OLED D或封装膜170上或上方。

此外，有机发光显示装置100可以进一步包括在封装膜170或彩色滤光片上或上方的盖窗(未示出)。在这种情况下，基板110和盖窗具有柔性特性，从而可以提供柔性有机发光显示装置。

图3是根据本公开内容的第二实施方式的有机发光显示装置的示意性截面图。

如图3所示，有机发光显示装置100包括基板110，其中定义了第一至第三像素区域P1、P2和P3、基板110上或其上方的TFT Tr以及覆盖TFT Tr并连接到TFT Tr的OLED D。

例如，第一像素区域P1可以是红色像素区域，第二像素区域P2可以是绿色像素区域，而第三像素区域P3可以是蓝色像素区域。第一至第三像素区域P1至P3构成一个像素单元。或者，该像素单元可以进一步包括第四像素区域是白色像素区域。

基板110可以是玻璃基板或柔性基板。

在基板上形成缓冲层122，并且TFT Tr形成在缓冲层122上。缓冲层122可以被省略。

在缓冲层122上设置TFT Tr。TFT Tr包括半导体层、栅极、源极和漏极并作为驱动元件。也就是说，TFT Tr可以是驱动TFT Td的(图1)。

在TFT Tr上设置平坦化层150。平坦化层150具有平坦的顶面，并且包括暴露于TFTTr的漏极的漏极接触孔152。

OLED D设置在平坦化层150上，并且包括第一电极210、发光层220和第二电极230。第一电极210通过漏极接触孔152连接到TFT Tr的漏极，并且发光层220和第二电极230依次叠加在第一电极210上。OLED D设置在第一至第三像素区域P1至P3中的每一个，并在第一至第三像素区域P1至P3中的每一个发出不同颜色的光。例如，第一像素区域中的OLED D可发红光，第二像素区域P2中的OLED D可发绿光，而第三像素区域P3中的OLED D可发蓝光。

第一电极210可以形成为在第一至第三像素区域P1至P3中的每一个中分离，并且第二电极230可以形成为对应于第一至第三像素区域P1至P3的一个体。

第一电极210是阳极和阴极中的一个，并且第二电极230是阳极和阴极中的另一个。第一电极210是透明(或半透明)电极，而第二电极230是反射电极。也就是说，来自发光层的光通过第一电极210，在基板110的一个侧面显示图像。(底部发射型有机发光显示装置)

例如，第一电极210可以是阳极，并且可以包括具有相对高的功函数的导电材料，例如，透明导电氧化物材料(TCO)。

第二电极230可以是阴极，并且可以包括具有相对低功函数的导电材料。

作为发射单元的发光层220可以具有发光材料层(EML)的单层结构。或者，发光层220可以进一步包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子阻挡层(EBL)、空穴阻挡层(HBL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中的至少一个，以具有多层结构。此外，两个或更多的发射单元可以被设置成分离的，从而OLED D可以具有串联结构。

在第二电极230上形成封装膜(或封装层)170，以防止水分渗透到OLED D中。封装膜170可以具有一种结构，其中无机绝缘层和有机绝缘层被堆叠。

尽管未示出，但有机发光显示装置100可以包括对应于第一至第三像素区域P1至P3的彩色滤光片。例如，彩色滤光片可以设置在OLED D和基板110之间。

图4是示出根据本公开内容的第一实施方式的有机发光显示装置的像素区域的示意性截面图。

如图4所示，有机发光显示装置100包括基板110、基板110上或基板110上方的TFTTr、覆盖TFT Tr的平坦化层150以及位于平坦化层150上并与TFT Tr连接的OLED D。

基板110可以是玻璃基板或柔性基板。例如，柔性基板可以是聚酰亚胺(PI)基板、聚醚砜(PES)基板、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)基板、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)基板和聚碳酸酯(PC)基板之一。

在基板上形成缓冲层122，并且在缓冲层122上形成TFT Tr。缓冲层122可以被省略。例如，缓冲层122可以由无机绝缘材料，例如，氧化硅或氮化硅形成。

在缓冲层122上形成半导体层120。半导体层120可以包括氧化物半导体材料或多晶硅。

当半导体层120包括氧化物半导体材料时，可在半导体层120下形成遮光图案(未示出)。通往半导体层120的光被遮光图案所屏蔽或阻挡，从而可以防止半导体层120的热降解。另一方面，当半导体层120包括多晶硅时，杂质可以被掺入半导体层120的两面。

在半导体层120上形成栅极绝缘层124。栅极绝缘层124可以由无机绝缘材料，例如氧化硅或氮化硅形成。

在栅极绝缘层124上形成栅极130，其由导电材料例如金属形成，以对应于半导体层120的中心。在图4中，栅极绝缘层124形成于基板110的整个表面。或者，栅极绝缘层124可以被图案化以具有与栅极130相同的形状。

层间绝缘层132形成在栅极130上并覆盖基板110的整个表面。层间绝缘层132可以由无机绝缘材料，例如氧化硅或氮化硅，或有机绝缘材料，例如苯并环丁烯或光丙烯酸形成。

层间绝缘层132包括暴露在半导体层120的两侧的第一和第二接触孔134和136。第一和第二接触孔134和136设置在栅极130的两侧，以与栅极130间隔开。第一和第二接触孔134和136是通过栅极绝缘层124形成的。或者，当栅极绝缘层124被图案化以具有与栅极130相同的形状时，第一和第二接触孔134和136仅通过层间绝缘层132形成。

在层间绝缘层132上形成源极144和漏极146，其由导电材料，例如金属形成。源极144和漏极146相对于栅极130彼此间隔开，并且分别通过第一和第二接触孔134和136接触半导体层120的两侧。

半导体层120、栅极130、源极144和漏极146构成TFT Tr。TFT Tr作为驱动元件。也就是说，TFT Tr是驱动TFT Td的(图1)。

在TFT Tr中，栅极130、源极144和漏极146设置在半导体层120上。也就是说，TFTTr具有共面结构。或者，在TFT Tr中，栅极可以位于半导体层之下，而且源极和漏极可以位于半导体层之上，这样，TFT Tr可以有一个倒置的交错结构。在此实例中，半导体层可以包括非晶硅。

尽管未示出，但栅极线和数据线相互交叉以定义像素区域，并且开关TFT形成为连接到栅极线和数据线。开关TFT被连接到作为驱动元件的TFT Tr。此外，可进一步形成电源线，其可形成为与栅极线和数据线之一平行且间隔开，以及用于将TFT Tr的栅极电压维持在一帧的存储电容器。

在基板110的整个表面上形成平坦化层150以覆盖源极和漏极144和146。平坦化层150提供平坦的顶面并具有暴露TFT Tr的漏极146的漏极接触孔152。

OLED D设置在平坦化层150上，并且包括第一电极210(其与TFT Tr的漏极146连接)、发光层220和第二电极230。发光层220和第二电极230依次堆叠在第一电极210上。OLEDD位于每个红、绿、蓝像素区域，分别发出红、绿、蓝光。

第一电极210分别形成于每个像素区域。第一电极210可以是阳极，并且可以包括由具有相对高的功函数的导电材料(例如透明导电氧化物(TCO))形成的透明导电氧化物材料层以及反射层。

或者，在根据本公开内容的第二实施方式的有机发光显示装置中，第一电极210可以具有透明导电氧化物材料层的单层结构。在这种情况下，封盖层290可以被省略。

例如，透明导电氧化物材料层可以由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡锌(ITZO)、氧化锡(SnO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟铜(ICO)和氧化铝锌(Al:ZnO，AZO)之一形成，且反射层可由银(Ag)、Ag和钯(Pd)、铜(Cu)、铟(In)和钕(Nd)之一的合金以及铝-钯-铜(APC)合金之一形成。例如，第一电极210可以具有ITO/Ag/ITO或ITO/APC/ITO的结构。

此外，在平坦化层150上形成堤岸层160以覆盖第一电极210的边缘。也就是说，堤岸层160位于像素区域的边界处，并暴露出像素区域中的第一电极210的中心。

作为发射单元的发光层220形成在第一电极210上。发光层220可以具有发光材料层(EML)的单层结构。或者，发光层220可以进一步包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子阻挡层(EBL)、空穴阻挡层(HBL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中的至少一个，以具有多层结构。此外，两个或更多的发射单元可以设置成分离的，从而使OLED D可以具有串联结构。

如下所述，在红色像素区域和绿色像素区域中的每一个，EML包括具有延迟荧光特性的化合物和具有荧光特性的化合物。因此，有机发光显示装置100具有高的发光效率和窄的半峰全宽(FWHM)。

第二电极230形成在形成发光层220的基板110上。第二电极230覆盖显示区域的整个表面，并且可以由具有相对低功函数的导电材料形成，以作为阴极。例如，第二电极230可以由铝(Al)、镁(Mg)、钙(Ca)、银(Ag)或它们的合金形成，例如，镁-银合金(MgAg)。第二电极230可以具有薄的轮廓，例如10至30纳米，是透明(或半透明)的。

尽管未示出，但OLED D可以进一步包括第二电极230上的封盖层。OLED D的发光效率可以通过封盖层进一步提高。

在第二电极230上形成封装膜(或封装层)170，以防止水分渗透到OLED D中，封装膜170包括依次堆叠的第一无机绝缘层172、有机绝缘层174和第二无机绝缘层176，但不限于此。

尽管未示出，但有机发光显示装置100可以包括对应于红、绿和蓝像素区域的彩色滤光片。例如，彩色滤光片可以设置在OLED D或封装膜170上或上方。

此外，有机发光显示装置100可以进一步包括在封装膜170或彩色滤光片上或上方的盖窗(未显示)。在这种情况下，基板110和盖窗具有柔性特性，从而可以提供柔性有机发光显示装置。

图5是根据本公开内容的第三实施方式的有机发光显示装置的OLED的示意性截面图。

如图5所示，OLED D1包括彼此面对的第一和第二电极210和230以及其间的发光层220。发光层220包括EML 240。此外，OLED D1可以进一步包括用于增强光提取的封盖层290。

有机发光显示装置可以包括红色、绿色和蓝色像素区域，并且OLED D1可以位于红色、绿色和蓝色像素区域中的每一个中。

第一电极210可以是阳极，而第二电极230可以是阴极。第一电极210是反射电极，而第二电极230是透明(半透明)电极。例如，第一电极210可以有ITO/Ag/ITO的结构，而第二电极230可以由MgAg形成。

发光层220可以进一步包括第一电极210和EML 240之间的HTL 260以及EML 240和第二电极230之间的ETL 270中的至少一个。

此外，发光层220可以进一步包括第一电极210和HTL 260之间的HIL 250以及ETL270和第二电极230之间的EIL 280中的至少一个。

此外，发光层220可以进一步包括EML 240和HTL 260之间的EBL 265以及EML 240和ETL 270之间的HBL 275中的至少一个。

例如，HTL 260可以包括式1中的化合物之一。

[式1]

或者，HTL 260可以包括至少一种选自以下群组的化合物：N,N'-二苯基-N,N'-双(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(TPD)、NPB(NPD)、4,4'-双(N-咔唑基)-1,1'-联苯(CBP)、聚[N,N'-双(4-丁基苯基)-N,N'-双(苯基)-联苯胺](poly-TPD),(聚[(9,9-二辛基芴-2,7-二基)-共(4,4'-N-(4-仲丁基苯基)二苯胺)](TFB)、二-[4-(N,N-二对甲苯胺)-苯基]环己烷(TAPC)、3,5-二(9H-咔唑-9-基)-N,N-二苯基苯胺(DCDPA)、N-(二苯基-4-基)-9,9-二甲基-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺、N-(联苯-4-基)-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)联苯-4-胺和式1中的化合物。

HIL 250可由式1中的化合物与作为掺杂剂的式2中的化合物形成。在HIL 250中，式2中的化合物可具有约1至10的重量％。

[式2]

此外，HIL 250可以包括至少一种选自以下群组的化合物：4,4',4"-三(3-甲基苯基氨基)三苯胺(MTDATA)、4,4',4"-三(N,N-二苯基-氨基)三苯胺(NATA)、4,4',4"-三(N-(萘-1-基)-N-苯基-氨基)三苯胺(1T-NATA)、4,4',4"-三(N-(萘-2-基)-N-苯基-氨基)三苯胺(2T-NATA)、酞菁铜(CuPc)、三(4-咔唑-9-基苯基)胺(TCTA)、N,N'-二苯基-N,N'-双(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4"-二胺(NPB或NPD)、1,4,5,8,9,11-六氮杂苯六甲腈(二吡嗪[2,3-f：2'3'-h]喹喔啉-2,3,6,7,10,11-六腈(HAT-CN))、1,3,5-三[4-(二苯基氨基)苯基]苯(TDAPB)、聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)聚苯乙烯磺酸盐(PEDOT/PSS)，以及N-(联苯-4-基)-9,9-二甲基-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺。

ETL 270可包括式3中的化合物之一。

[式3]

或者，ETL 270可以包括噁唑基化合物、三唑基化合物、菲罗啉基化合物、苯并噁唑基化合物、苯并噻唑基化合物、苯并咪唑基化合物和三嗪基化合物中的一种。例如，ETL 270可以包括至少一种选自以下群组的化合物：三-(8-羟基喹啉铝)(Alq₃)、2-联苯-4-基-5-(4-丁基苯基)-1,3,4-恶二唑(PBD)、螺-PBD、喹酸锂(Liq)、1,3,5-三(N-苯基苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)、双(2-甲基-8-羟基喹啉-N1,O8)-(1,1'-联苯-4-醇)铝(BAlq)、4,7-二苯基-1,10-菲罗啉(Bphen)、2,9-双(萘-2-基)-4,7-二苯基-1,10-菲罗啉(NBphen)、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲罗啉(BCP)、3-(4-联苯)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-三唑(TAZ)、4-(萘-1-基)-3,5-二苯基-4H-1,2,4-三唑(NTAZ)、1,3,5-三(对-吡啶-3-基-苯基)苯(TpPyPB)、2,4,6-三(3'-(吡啶-3-基)二苯基-3-基)1,3,5-三嗪(TmPPPyTz)、聚[9,9-双(3'-((N,N-二甲基)-N-乙基铵)-丙基)-2,7-芴]-alt-2,7-(9,9-二辛基芴)](PFNBr)、三苯基喹喔啉(TPQ)以及二苯基-4-三苯基硅基-苯基氧化膦(TSPO1)。

EIL 280可以包括至少一种碱卤化物化合物，例如LiF、CsF、NaF或BaF₂，但不限于此。

EBL 265位于HTL 260和EML 240之间以阻挡从EML 240到HTL 260的电子转移，可以包括式4中的化合物。

[式4]

或者，EBL 265可以包括至少一种选自以下群组的化合物：TCTA、三[4-(二乙基氨基)苯基]胺、N-(联苯-4-基)-9,9-二甲基-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺、TAPC、MTDATA、1,3-双(咔唑-9-基)苯(mCP)、3,3'-双(N-咔唑基)-1,1'-联苯(mCBP)、CuPc、N,N'-双[4-[双(3-甲基苯基)氨基]苯基]-N,N'-二苯基-[1,1'-联苯]-4,4'-二胺(DNTPD)、TDAPB、DCDPA、2,8-双(9-苯基-9H-咔唑-3-基)二苯并[b,d]噻吩)和式4中的化合物。

HBL 275位于ETL 270和EML 240之间以阻挡从EML 240到ETL 270的空穴转移，可以包括式5中的化合物。

[式5]

或者，EBL 265可以包括至少一种选自以下群组的化合物：BCP、BAlq、Alq₃、PBD、螺-PBD、Liq、双-4,6-(3,5-二-吡啶苯基)-2-甲基嘧啶(B3PYMPM)、双[2-(二苯基膦)苯基]醚氧化物(DPEPO)、9-(6-9H-咔唑-9-基)吡啶-3-基)-9H-3,9'-二咔唑、TSPO1和式5中的化合物。

封盖层位于第二电极230上或上方，并且可以包括式1中的化合物之一。

在第一像素区域P1，即红色像素区域，EML 240包括作为主体的第一化合物、作为延时荧光材料(或化合物)的第二化合物以及作为荧光材料的第三化合物。第二化合物可以是辅助主体或辅助掺杂剂，而第三化合物可以是发射体(或掺杂剂)。

第二化合物的最低未占分子轨道(LUMO)能级等于或低于-3.0eV。此外，第一化合物的最高占用分子轨道(HOMO)与第二化合物的HOMO能级之间的差等于或低于0.4eV。此外，第二化合物的LUMO能级与第三化合物的LUMO能级之差等于或小于0.3eV。第三化合物的能带间隙的范围为1.8至2.2eV。确定HOMO能级的各种方法对技术人员来说是已知的。例如，HOMO能级可以用传统的表面分析仪，如RKI仪器制造的AC3表面分析仪来确定。该表面分析仪可用于确定厚度为50纳米的化合物的单层薄膜(整齐的薄膜)。LUMO能级可按以下方式计算：LUMO＝HOMO-带隙。带隙可以用技术人员已知的任何常规方法计算，例如从厚度为50纳米的单层薄膜的紫外-可见测量中计算。例如，可以用SCINCO S-3100分光光度计完成。本文所公开的实施例和实施方式的化合物的HOMO和LUMO值可以通过这种方式确定。即，HOMO和LUMO值可以是薄膜(例如50nm的薄膜)的实验或经验确定的值。

在第二像素区域P2，即绿色像素区域，EML 240包括作为主体的第四化合物、第五化合物是延迟荧光材料(或化合物)以及第六化合物是荧光材料。第五化合物可以是辅助主体或辅助掺杂剂，第六化合物可以是发射体(或掺杂剂)。

第五化合物的LUMO能级等于或低于-3.0eV。此外，第四化合物的HOMO和第五化合物的HOMO能级之间的差等于或低于0.4eV。此外，第五化合物的LUMO能级与第六化合物的LUMO能级之差等于或小于0.3eV。第六化合物的能带间隙具有2.2至2.4eV的范围。

第一化合物和第四化合物中的每一个由式6-1表示。

[式6-1]

在式6-1中，a1和a2各自独立地是0至4的整数。R1和R2各自独立地选自由氘和被取代的或未被取代的C1至C10烷基构成的群组，或者当R1和R2在空间上彼此接近时，R1和R2彼此连接以形成包括O或S的环。X选自由O、S和NR3构成的群组，R3选自由氢、氘、被取代的或未被取代的C1至C10烷基、被取代的或未被取代的C6至C30芳基和被取代的或未被取代的C5至C30杂芳基构成的群组。

例如，R3可以是C6至C30的芳基，例如，苯基。

也就是说，作为第一像素区域P1即红色像素区域中的EML 240的主体的第一化合物和作为第二像素区域P2即绿色像素区域中的EML 240的主体的第四化合物具有相同的化学结构，并且可以是相同或不同的。

在本公开内容中，C6至C30芳基(或C6至C30芳烃基)可以选自由苯基、联苯、三联苯、萘基、蒽基、戊烯基、茚基、庚烯基、联苯基、茚基、菲基、苯并菲基、二苯菲尼基、薁基、芘基、氟苯基、三苯基、氯苯基、四苯基、四烯基、皮烯基、五苯基、五烯基、芴基、茚氟基和螺芴基构成的群组。

在本公开内容中，C5至C30杂芳基可选自由吡咯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、四嗪基、咪唑基、吡唑基、吲哚基、异吲哚基、吲哚嗪基、吡咯嗪基、咔唑基，苯并咔唑基、二苯并咔唑基、吲哚咔唑基、茚并咔唑基、苯并呋喃咔唑基、苯并噻吩咔唑基、喹啉基、异喹啉基、酞嗪基、喹喔啉基、噌嗪基、喹唑啉基、喹啉基、嘌吟基、酞嗪基、喹喔啉基、苯并喹啉基、苯并异喹啉基、苯并喹唑啉基、苯并喹喔啉基、吖啶基、菲林基、菲啶基、蝶啶基、桂皮基、萘啶基、呋喃基、噁嗪基、噁二唑基、三唑基、二羟基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、硫代吡喃基、呫吨基、色兰基、异色兰基、硫氮基、噻吩基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、二呋吡嗪基、苯并呋喃基、苯并噻吩基苯并噻吩基、苯并噻吩基二苯并呋喃基和苯并噻吩基二苯并呋喃基。

在本公开内容中，在没有具体定义的情况下，当C1至C10烷基、C6至C30芳基和C5至C30杂芳基中的至少一个被取代时，取代基可以是氘、氚、氰基、卤素、C1至C10烷基、C1至C10烷氧基和C6至C30芳基中的至少一个。

对于作为第一像素区域P1，即红色像素区域中的EML 240的主体的第一化合物，式6-1可由式6-2表示。

[式6-2]

在式6-2中，R1、R2、X、a1和a2的定义与式6-1中的定义相同。

对于作为第二像素区域P2，即绿色像素区域中的EML 240的主体的第四化合物，式6-1可以用式6-3表示。

[式6-3]

在式6-3中，R1、R2、X、a1和a2的定义与式6-1中的定义相同。

也就是说，在第一像素区域P1，即红色像素区域的EML 240的第一化合物和在第二像素区域P2，即绿色像素区域的EML 240的第四化合物可以有两个杂芳基与连接基，即联苯、二苯呋喃基或二苯硫基的连接(连接、结合或接合)位置的不同。换句话说，在第一像素区域P1，即红色像素区域的EML 240的第一化合物中，连接基和两个杂芳基连接至对位的连接基(liker)，而在第二像素区域P2，即绿色像素区域的EML 240的第种化合物中，连接基和两个杂芳基连接至间位的连接基(liker)。

第一和第四化合物各自独立地是式6-4中的化合物之一。

[式6-4]

/>

例如，第一化合物可以是化合物1-5至1-12中的一种，第四化合物可以是化合物1-1至1-4、1-13和1-14中的一种。

第二和第五化合物中的每一个由式7-1表示。

[式7-1]

在式7-1中，Y由式7-2表示，且b1为0至4的整数，当b为2或更大时，两个或多个Y可以相同或不同。

[式7-2]

在式7-2中，R11和R12各自独立地选自由氘、被取代的或未被取代的C1至C10烷基、被取代的或未被取代的C6至C30芳基以及被取代的或未被取代的C5至C30杂芳基构成的群组，并且b2和b3各自独立地是0至4的整数。

例如，b1可以是3或4，优选4。b2和b3各自可以独立地是0或1。R11和R12各自独立地选自C1至C10烷基，例如甲基，和C5至C30杂芳基，例如咔唑基。

也就是说，作为第一像素区域P1，即红色像素区域的EML 240的辅助掺杂剂的第二化合物和作为第二像素区域P2，即绿色像素区域的EML 240的辅助掺杂剂的第五化合物具有相同的化学结构，并且可以相同或不同。

对于作为第一像素区域P1，即红色像素区域中的EML 240的辅助掺杂剂的第二化合物，式7-1可以由式8-1表示。

[式8-1]

在式8-1中，Y由式7-2表示，并且b1的定义与式7-1中相同。

对于作为第二像素区域P2，即绿色像素区域中的EML 240的辅助掺杂剂的第五化合物，式7-1可以用式8-2表示。

[式8-2]

在式8-2中，Y由式7-2表示，并且b4是0至3的整数，例如，b4可以是2或3，并且两个氰基基团可以在邻位上连接。

也就是说，在第一像素区域P1，即红色像素区域的EML 240的第二化合物和在第二像素区域P2，即绿色像素区域的EML 240的第五化合物可以具有两个氰基基团与一个苯撑基基团的连接位置上的差异。换句话说，在第一像素区域P1，即红色像素区域的EML 240的第二化合物中，两个氰基基团在对位上与苯撑基基团相连，而在第二像素区域P2，即绿色像素区域的EML 240的第五化合物中，两个氰基基团在间位上与苯撑基基团相连。

第二和第五化合物各自独立地是式8-3中的化合物之一。

[式8-3]

例如，第二化合物可以是化合物2-1、2-2、2-4和2-5中的一个，并且第五化合物可以是化合物2-3、2-6和2-7中的一个。

第三化合物由式9-1表示。

[式9-1]

在式9-1中，R21、R22、R23和R24各自独立地是被取代的或未被取代的C6至C30芳基，并且R25、R26和R27各自独立地选自由氢、氘、被取代的或未被取代的C1至C10烷基、被取代的或未被取代的C6至C30芳基和被取代的或未被取代的C5至C30杂芳基构成的群组。

例如，R21、R22、R23和R24各自独立地是未被取代的或被C1至C10烷基取代的苯基，例如，甲基或叔丁基。此外，R25和R26可以是氢，并且R27可以选自被C1至C10烷氧基(例如甲氧基)取代的C6至C30芳基(例如苯基)、或C6至C30芳基(例如叔丁基苯基)和C5至C30杂芳基(例如二苯呋喃基或咔唑基)。

第三化合物可以是式9-2中的化合物之一。

[式9-2]

第六化合物由式10-1表示。

[式10-1]

/>

在式10-1中，R31、R32、R33和R34各自独立地选自由氢和被取代的或未被取代的C1至C10烷基构成的群组，并且R31、R32、R33和R34中的至少一个是被取代的或未被取代的C1至C10烷基。R35、R36和R37各自独立地选自由氢、氘、被取代的或未被取代的C1至C10烷基、被取代的或未被取代的C6至C30芳基和被取代的或未被取代的C5至C30杂芳基构成的群组。

例如，R31、R32、R33和R34中的两个或四个可以是C1至C10烷基，例如，甲基。R35和R36各自可以独立地选自氢和C1至C10烷基，例如乙基，并且R37可以选自未被取代的或被C1至C10烷基，例如甲基取代的C6至C30芳基，例如苯基，或C6至C30芳基，例如叔丁基苯基，和C5至C30杂芳基，例如二苯呋喃基。

第六化合物可以是式10-2中的化合物之一。

[式10-2]

在第一像素区域P1，即红色像素区域的EML 240中，第二化合物的重量％可以小于第一化合物的重量％，并且可以大于第三化合物的重量％。例如，在第一像素区域P1的EML240中，第一化合物可具有45至55的重量％，第二化合物可具有40至50的重量％，并且第三化合物可具有0.1至5的重量％。

在第二像素区域P2，即绿色像素区域的EML 240中，第五化合物的重量％可以小于第四化合物的重量％，并且可以大于第六化合物的重量％。例如，在第二像素区域P2的EML240中，第四和第五化合物中的每一个可以具有45至50的重量％，并且第六化合物可以具有0.1至5的重量％。

在第一像素区域P1中的EML 240中的第三化合物的重量％可以等于或大于第二像素区域P2中的EML 240中的第六化合物的重量％。

在第三像素区域P2，即蓝色像素区域，EML 240包括作为主体的第七化合物和作为荧光材料的第八化合物。第八化合物可以是发射体(或掺杂剂)。

第七化合物可以是蒽衍生物。例如，第七化合物是式11中的化合物之一。

[式11]

第八化合物可以是芘衍生物。例如，第八化合物是式12中的化合物之一。

[式12]

在本公开内容的OLED D1中，由于第一像素区域P1中的EML 240和第二像素区域P2中的EML 240中的每一个包括作为第二和第五化合物的具有高发光效率的延迟荧光材料，和作为第三和第六化合物的具有窄FWHM的荧光材料，OLED D1提供超荧光。

来自作为阳极的第一电极210的空穴和来自作为阴极的第二电极230的电子在第一化合物中结合产生激子，并且该激子被转移到第二化合物。在第二化合物中，三重态激子被转化为单线态态激子。第二化合物的单线态态激子被转移到第三种化合物中，并由第三化合物提供发射。因此，OLED D1可以提供窄的FWHM和高的发光效率。

[OLED1]

阳极、HIL(式12-1中的化合物和式2中的化合物(8wt％)，10nm)、HTL(式12-1中的化合物，70nm)、EBL(式4中的化合物，10nm)、EML(45nm)、HBL(式5中的化合物，10nm)、ETL(式12-2中的化合物，25nm)、EIL(LiF，5nm)、阴极(Al，80nm)和封盖层(式12-3中的化合物，100nm)依次沉积以形成红色像素区域的OLED。

[式12-1]

[式12-2]

[式12-3]

1.比较例

(1)比较例1(Ref1)

使用式13中的化合物6-1(50重量％)、式14中的化合物5-1(49.5重量％)和式9-2中的化合物3-1(0.5重量％)来形成EML。

(2)比较例2(Ref2)

使用式13中的化合物6-1(50重量％)、式14中的化合物5-2(49.5重量％)和式9-2中的化合物3-1(0.5重量％)来形成EML。

(3)比较例3(Ref3)

使用式13中的化合物6-1(50重量％)、式8-3中的化合物2-1(49.5重量％)和式9-2中的化合物3-1(0.5重量％)来形成EML。

(4)比较例4(Ref4)

使用式13中的化合物6-1(50重量％)、式8-3中的化合物2-2(49.5重量％)和式9-2中的化合物3-1(0.5重量％)来形成EML。

(5)比较例5(Ref5)

使用式13中的化合物6-2(50重量％)、式8-3中的化合物2-1(49.5重量％)和式9-2中的化合物3-1(0.5重量％)来形成EML。

(6)比较例6(Ref6)

使用式6-4中的化合物1-5(50重量％)、式14中的化合物5-1(49.5重量％)和式9-2中的化合物3-1(0.5重量％)来形成EML。

2.实施例

(1)实施例1(Ex1)

使用式6-4中的化合物1-1(50重量％)、式8-3中的化合物2-1(49.5重量％)和式9-2中的化合物3-1(0.5重量％)来形成EML。

(2)实施例2(Ex2)

使用式6-4中的化合物1-13(50重量％)、式8-3中的化合物2-1(49.5重量％)和式9-2中的化合物3-1(0.5重量％)来形成EML。

(3)实施例3(Ex3)

使用式6-4中的化合物1-7(50重量％)、式8-3中的化合物2-1(49.5重量％)和式9-2中的化合物3-1(0.5重量％)来形成EML。

(4)实施例4(Ex4)

使用式6-4中的化合物1-5(50重量％)、式8-3中的化合物2-1(49.5重量％)和式9-2中的化合物3-1(0.5重量％)来形成EML。

[式13]

[式14]

[式13]

对比较例1至6和实施例1至4中的OLED的发光特性，即驱动电压(V)、外量子效率(EQE)、最大发射波长(ELmax)和FWHM进行测量并列于表1。

表1

如表1所示，与比较例1至比较例6的OLED相比，红色EML中包括式6-1的第一化合物、式7-1的第二化合物和式9-1的第三化合物的实施例1至实施例4的OLED在驱动电压、发光效率(EQE)和FWHM中至少一个方面具有优势。

也就是说，由于比较例1至比较例6中使用的化合物不满足在红色EML中包含的第一至第三化合物所需的上述条件，所以OLED的特性或显示质量性能下降。

然而，在本公开内容的OLED中，由于红色EML中的第一至第三化合物满足上述条件，来自第一化合物的能量通过第二化合物有效地转移到第三化合物中，从而从第三化合物提供发射。结果，OLED的特性或显示质量性能得到改善。

此外，与包括由式6-3代表的第一化合物，即化合物1-1和化合物1-13的实施例1和实施例2的OLED相比，包括由式6-2代表的第一化合物，即化合物1-7和化合物1-5的实施例3和实施例4的OLED的驱动电压显著降低。

图6是根据本公开内容的第四实施方式的有机发光显示装置的红色像素区域中的OLED的示意性截面图，而且图7是根据本公开内容的第四实施方式的有机发光显示装置的绿色像素区域中的OLED的示意性截面图。

如图6所示，OLED D2-1包括作为反射电极的第一电极210、作为面对第一电极210的透明(半透明)电极的第二电极230以及设置在第一和第二电极210和230之间的发光层220。发光层220包括第一发光部310，包括第一EML320(其为荧光发光层)，和第二发光部330，包括第二EML 340(其为磷光发光层)。第二发光部330设置在第一发光部310和第二电极230之间。发光层220可以进一步包括第一和第二发光部310和330之间的电荷生成层(CGL)。此外，OLED D2-1可以进一步包括位于作为透明电极的第二电极230上或上方的用于增强光提取的封盖层390。

有机发光显示装置100可以包括红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域，并且OLED D2-1位于第一像素区域P1，即红色像素区域。

第一电极210可以是阳极，而第二电极230可以是阴极。

第一电极210可以具有ITO/Ag/ITO的结构，并且第二电极230可以由MgAg形成。或者，第一电极210可以具有ITO层的单层结构，并且第二电极230可以是反射电极。在这种情况下，包括第二EML 340(其为磷光发光层)的第二发光部330的位置更靠近第一电极210，并且包括第一EML 320(其为荧光发光层)的第一发光部310的位置更靠近第二电极230。

也就是说，在第一像素区域P1，即红色像素区域的OLED D2-1中，作为磷光发光层的第二EML 340位于透明电极的一侧，即显示表面的一侧，并且作为荧光发光层的第一EML320位于反射电极的一侧。换句话说，作为荧光发光层的第一EML320位于反射电极和作为磷光发光层的第二EML340之间，而作为磷光发光层的第二EML340位于透明电极和作为荧光发光层的第一EML320之间。

第一发光部310可以进一步包括第一EML 320下的HIL 312、HIL 312与第一EML320之间的第一HTL 314以及第一EML 320上的第一ETL 316中的至少一个。

第一EML 320包括由式6-1表示的第一化合物322、由式7-1表示的第二化合物324和由式9-1表示的第三化合物326。第一化合物322可作为主体，第二化合物324可作为辅助掺杂剂(或辅助主体)，而第三化合物326可作为发射体。也就是说，如上所述，第一EML 320是荧光发光层，其中发光是由第三化合物326提供。

例如，第一化合物322可由式6-2表示，第二化合物324可由式8-1表示，而第三化合物326可由式9-1表示。第一化合物322可以是式6-4中的化合物之一，第二化合物324可以是式8-3中的化合物之一，而且第三化合物326可以是式9-2中的化合物之一。

在第一EML 320中，第二化合物324的重量％可以小于第一化合物322的重量％，并且可以大于第三化合物326的重量％。例如，在第一EML 320中，第一化合物322可以具有45至55的重量％，第二化合物324可以具有40至50的重量％，并且第三化合物326可以具有0.1至5的重量％。

第二发光部330可以进一步包括第二EML 340下的第二HTL 332、第二EML 340上的EIL 336以及第二EML 340和EIL 336之间的第二ETL 334中的至少一个。

第二EML 340包括第一主体342和红色磷光掺杂剂(发射体)344。第一主体342可以具有大于红色磷光掺杂剂344的重量％。例如，红色磷光掺杂剂344可以具有相对于第一主体342的0.1至5的重量％。

第一主体342可以是式15中的化合物。

[式15]

红色磷光掺杂剂344可以是式16中的化合物之一。

[式16]

CGL 350位于第一和第二发光部310和330之间。也就是说，第一和第二发光部310和330通过CGL 350连接。CGL 350可以是N型CGL 352和P型CGL 354的P-N结型CGL。

N型CGL 352位于第一ETL 316和第二HTL 332之间，并且P型CGL 354位于N型CGL352和第二HTL 332之间。N型CGL 352向第一发光部310的第一EML 320提供电子，并且P型CGL 354向第二发光部330的第二EML 340提供空穴。

N型CGL 352可以包括式3中的化合物和作为掺杂剂的Li。在N型CGL352中，Li可以具有1至10的重量％。

P型CGL 354可包括式1中的化合物和式2中的化合物作为掺杂剂。在P型CGL 354中，式2的化合物可以具有1至10的重量％。

如图7所示，OLED D2-2包括作为反射电极的第一电极210、作为面向第一电极210的透明(半透明)电极的第二电极230以及位于第一和第二电极210和230之间的发光层220。发光层220包括第一发光部410，包括第一EML420(其为磷光发光层)，和第二发光部430，包括第二EML 440(其为荧光发光层)。第二发光部430设置在第一发光部410和第二电极230之间。发光层220可以进一步包括第一和第二发光部410和430之间的电荷生成层(CGL)。此外，OLED D2-2可以进一步包括用于增强光提取的封盖层390，该盖层设置在作为透明电极的第二电极230上或上方。OLED D2-1中的封盖层390和OLED D2-2中的封盖层390可以形成为一体，成为连续体。

有机发光显示装置100可以包括红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域，并且OLED D2-2定位在第二像素区域P2是绿色像素区域。

第一电极210可以是阳极，而第二电极230可以是阴极。

第一电极210可以具有ITO/Ag/ITO的结构，并且第二电极230可以由MgAg形成。或者，第一电极210可以具有ITO层的单层结构，而第二电极230可以是反射电极。在这种情况下，包括第二EML 440(其为荧光发光层)的第二发光部430的位置更靠近第一电极210，并且包括第一EML 420(其为磷光发光层)的第一发光部410的位置更靠近第二电极230。

也就是说，在OLED D2-2的第二像素区域P2，即绿色像素区域中，作为荧光发光层的第二EML 440位于透明电极的一侧，即显示表面的一侧，并且作为磷光发光层的第一EML420位于反射电极的一侧。换句话说，作为磷光发光层的第一EML 420位于反射电极和作为荧光发光层的第二EML 440之间，并且作为荧光发光层的第二EML 440位于透明电极和作为磷光发光层的第一EML 420之间。

第一发光部410可以进一步包括第一EML 420下面的HIL 412、HIL 412和第一EML420之间的第一HTL 414以及第一EML 420上的第一ETL 416中的至少一个。

第一EML 420包括第二主体422和绿色磷光掺杂剂(发射体)424。第二主体422可以具有大于绿色磷光掺杂剂424的重量％。例如，绿色磷光掺杂剂424可以具有相对于第二主体422的0.1至5的重量％。

第二主体422是式17中的化合物。

[式17]

绿色磷光掺杂剂424是式18中的化合物之一。

[式18]

第二发光部430可以进一步包括第二EML 440下方的第二HTL 432、第二EML 440上方的EIL 436以及第二EML 440和EIL 436之间的第二ETL 434中的至少一个。

第二EML 440包括由式6-1表示的第四化合物442、由式7-1表示的第五化合物444和由式10-1表示的第六化合物446。第四化合物442可作为主体，第五化合物444可作为辅助掺杂剂(或辅助主体)，而第六化合物446可作为发射体。也就是说，如上所述，第二EML 440是荧光发光层，其中发光是由第六化合物446提供。

例如，第四化合物442可由式6-3表示，而第五化合物444可由式8-2表示。第四化合物442可以是式6-4中的化合物之一，第五化合物444可以是式8-3中的化合物之一，并且第六化合物446可以是式10-2中的化合物之一。

在第二EML 440中，第五化合物444的重量％可以等于或小于第四化合物442的重量％，并且可以大于第六化合物446的重量％。例如，在第二EML440中，第四和第五化合物442和444中的每一个可以具有45至50的重量％，并且第六化合物446可以具有0.1至5的重量％。

CGL 450位于第一和第二发光部410和430之间。也就是说，第一和第二发光部410和430通过CGL450连接。CGL 450可以是N型CGL 452和P型CGL 454的P-N结型CGL。

N型CGL 452位于第一ETL 416和第二HTL 432之间，并且P型CGL 454位于N型CGL452和第二HTL 432之间。N型CGL 452向第一发光部410的第一EML 420提供电子，并且P型CGL 454向第二发光部430的第二EML 440提供空穴。

N型CGL 452可以包括式3的化合物和作为掺杂剂的Li。在N型CGL 452中，Li可以具有1至10的重量％。

P型CGL 454可包括式1的化合物和式2的化合物作为掺杂剂。在P型CGL 454中，式2中的化合物可以具有1至10的重量％。

在第三像素区域P3，即蓝色像素区域，OLED包括第一和第二电极210和230以及第一和第二电极210和230之间的发光层220，并且发光层220包括第一发光部，包括第一EML(其为荧光发光层)，以及第二发光部，包括第二EML(其为荧光发光层)。第二发光部设置在第一发光部和第二电极230之间。发光层220可以进一步包括第一和第二发光部之间的CGL。此外，OLED可以进一步包括用于增强光提取的封盖层。

在OLED中的第三像素区域P3，即蓝色像素区域，第一和第二EML的每一个可以包括作为主体的蒽衍生物和作为荧光掺杂剂(发射体)的芘衍生物。例如，主体可以是式11中的化合物之一，而荧光掺杂剂可以是式12中的化合物之一。第一EML中的主体和第二EML中的主体可以相同或不同，而第一EML中的荧光掺杂剂和第二EML中的荧光掺杂剂可以相同或不同。

在本公开内容的有机发光显示装置100的第一像素区域P1(即红色像素区域)的OLED D2-1和第二像素区域P2(即绿色像素区域)的OLED D2-2中，在透明电极的一侧的第二EML 340和440的FWHM小于在反射电极的一侧的第一EML 320和420。此外，在透明电极一侧的第二EML 340和440的发光效率(量子效率)大于在反射电极一侧的第一EML 320和420的发光效率。

在第一像素区域P1，即红色像素区域的OLED D2-1中，包括第一主体342是式15的化合物和红色磷光掺杂剂344是式16的化合物之一的第二EML 340的FWHM小于包括由式6-1表示的第一化合物322、由式7-1表示的第二化合物324和由式9-1表示的第三化合物326的第一EML 320的FWHM。此外，包括第一主体342是式15中的化合物和红色磷光掺杂剂344是式16中的化合物之一的第二EML 340的发光效率，大于包括式6-1表示的第一化合物322、式7-1表示的第二化合物324和式9-1表示的第三化合物326的第一EML 320的发光效率。因此，通过将第二EML 340设置成更靠近作为透明电极的第二电极230，以及将第一EML 320设置成更靠近作为反射电极的第一电极210，OLED D2-1在第一像素区域P1中的微腔效应得到加强或放大。因此，OLED D2-1的发光效率和寿命得到改善。

在第二像素区域P2，即绿色像素区域的OLED D2-2中，包括由式6-1表示的第四化合物442、由式7-1表示的第五化合物444和由式10-1表示的第六化合物446的第二EML 440的FWHM小于第一EML 420的FWHM，该第一EML 420包括第二主体422是式17中的化合物和绿色磷光掺杂剂424是式18中的化合物之一。此外，包括由式6-1表示的第四化合物442、由式7-1表示的第五化合物444和由式10-1表示的第六化合物446的第二EML 440的发光效率大于第一EML 420，该第一EML 420包括第二主体422是式17中的化合物和绿色磷光掺杂剂424是式18中的化合物之一。因此，通过将第二EML 440设置成更靠近作为透明电极的第二电极230，以及将第一EML 420设置成更靠近作为反射电极的第一电极210，OLED D2-2在第二像素区域P2中的微腔效应得到加强或放大。因此，OLED D2-2的发光效率和寿命得到改善。

图8是根据本公开内容的第五实施方式的有机发光显示装置的红色像素区域中的OLED的示意性截面图，以及图9是根据本公开内容的第五实施方式的有机发光显示装置的绿色像素区域中的OLED的示意性截面图。

如图8所示，OLED D3-1包括作为反射电极的第一电极210、作为面向第一电极210的透明(半透明)电极的第二电极230以及第一和第二电极210和230之间的发光层220。发光层220包括第一发光部510，包括第一EML 520(其为荧光发光层)，以及第一EML 520上的HBL517和第二发光部530，包括第二EML 540(其为磷光发光层)。第二发光部530设置在第一发光部510和第二电极230之间。发光层220可以进一步包括第一和第二发光部510和530之间的电荷生成层(CGL)。此外，OLED D3-1可以进一步包括位于在作为透明电极的第二电极230上或上方的用于增强光提取的封盖层590。

有机发光显示装置100可以包括红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域，并且OLED D3-1位于第一像素区域P1的红色像素区域。

第一电极210可以是阳极，且第二电极230可以是阴极。

第一电极210可以具有ITO/Ag/ITO的结构，并且第二电极230可以由MgAg形成。或者，第一电极210可以具有ITO层的单层结构，且第二电极230可以是反射电极。在这种情况下，包括第二EML 540(其为磷光发光层)的第二发光部530的位置更靠近第一电极210，并且包括第一EML 520(其为荧光发光层)的第一发光部510的位置更靠近第二电极230。

也就是说，在OLED D3-1的第一像素区域P1，即红色像素区域中，作为磷光发光层的第二EML 540位于透明电极的一侧，即显示表面的一侧，并且作为荧光发光层的第一EML520位于反射电极的一侧。换句话说，作为荧光发光层的第一EML 520位于反射电极和作为磷光发光层的第二EML 540之间，并且作为磷光发光层的第二EML 540位于透明电极和作为荧光发光层的第一EML 520之间。

第一发光部510可以进一步包括第一EML 520下的HIL 512、HIL 512和第一EML520之间的第一HTL 514以及HBL 517上的第一ETL 516中的至少一个。此外，第一发光部510可以进一步包括第一EML 520和第一HTL 514之间的EBL(未示出)。

EBL可以由式4中的化合物形成或包括式4中的化合物，并且HBL 517可以由式5中的化合物形成或包括式5中的化合物。

第一EML 520包括由式6-1表示的第一化合物522、由式7-1表示的第二化合物524和由式9-1表示的第三化合物526。第一化合物522可作为主体，第二化合物524可作为辅助掺杂剂(或辅助主体)，而第三化合物526可作为发射体。也就是说，如上所述，第一EML 520是荧光发光层，其中发光由第三化合物526提供。

例如，第一化合物522可由式6-2表示，而第二化合物524可由式8-1表示。第一化合物522可以是式6-4中的化合物之一，第二化合物524可以是式8-3中的化合物之一，并且第三化合物526可以是式9-2中的化合物之一。、在第一EML 520中，第二化合物524的重量％可以小于第一化合物522的重量％并且可以大于第三化合物526的重量％。例如，在第一EML520中，第一化合物522的重量％可为45至55，第二化合物524的重量％可为40至50，而第三化合物526的重量％可为0.1至5。

第二发光部530可以进一步包括第二EML 540下方的第二HTL 532、第二EML 540上方的EIL 536以及第二EML 540和EIL 536之间的第二ETL 534中的至少一个。

与第一发光部510不同，第二发光部530不包括EBL和HBL。例如，在第一发光部510中，由于HBL 517在第一EML 520和第一EBL 516之间，第一EBL 520接触HBL 517而不接触第一ETL 516。另一方面，在第二发光部530中，第二ETL 534接触第二EML 540。

也就是说，在OLED D3-1的第一像素区域P1，即红色像素区域中，HBL存在或包括于第一发光部510(其包括作为荧光发光层的第一EML 520)中，并且不存在或包括于第二发光部530(其中包括作为磷光发光层的第二EML540)中。EBL可以仅存在或包括于第一发光部510中，或者可以都不存在或包括于第一和第二发光部510和530中。

换句话说，在第一发光部510中，第一HTL 514位于第一EML 520的一侧，第一ETL516位于第一EML 520的另一侧，并且HBL，例如，第一HBL517位于第一EML 520和第一ETL516之间。在第二发光部530中，第二HTL532位于第二EML 540的一侧，并且第二ETL 534位于第二EML 540的另一侧。因此，第一EML 520的另一侧与HBL 517接触，而第二EML 540的另一侧与第二电子ETL 534接触。在第一发光部510中，EBL，例如第二EBL，可以设置在第一EML520和第一HTL 514之间。在这种情况下，第一EML 520的一侧接触EBL，并且第二EML 540的一侧接触第二HTL 532。

第二EML 540包括第一主体542和红色磷光掺杂剂544。第一主体542可以具有大于红色磷光掺杂剂544的重量％。例如，红色磷光掺杂剂544相对于第一主体542可以具有0.1至5的重量％。

第一主体542是式15中的化合物，而红色磷光掺杂剂544是式16中的化合物之一。

CGL 550位于第一和第二发光部510和530之间。也就是说，第一和第二发光部510和530通过CGL550连接。CGL 550可以是N型CGL 552和P型CGL 554的P-N结型CGL。

N型CGL 552位于第一ETL 516和第二HTL 532之间，并且P型CGL 554位于N型CGL552和第二HTL 532之间。N型CGL 552向第一发光部510的第一EML 520提供电子，而P型CGL554向第二发光部530的第二EML 540提供空穴。

如图9所示，OLED D3-2包括作为反射电极的第一电极210、作为面向第一电极210的透明(半透明)电极的第二电极230以及设置在第一和第二电极210和230之间的发光层220。发光层220包括第一发光部610，包括第一EML620(其为磷光发光层)，以及第二发光部630，包括第二EML 640(其为荧光发光层)，第二EML 640下的EBL 633以及第二EML 640上的HBL 635。第二发光部630设置在第一发光部610和第二电极230之间。发光层220可以进一步包括第一和第二发光部610和630之间的电荷生成层(CGL)。此外，OLED D3-2可以进一步包括用于增强光提取的封盖层690，该封盖层设置在作为透明电极的第二电极230上或上方。OLED D3-1中的封盖层590和OLED D3-2中的封盖层690可以形成为一体，成为连续体。

有机发光显示装置100可以包括红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域，并且OLED D3-2位于作为绿色像素区域的第二像素区域P2。

第一电极210可以是阳极，并且第二电极230可以是阴极。

第一电极210可以具有ITO/Ag/ITO的结构，并且第二电极230可以由MgAg形成。或者，第一电极210可以具有ITO层的单层结构，而第二电极230可以是反射电极。在这种情况下，包括第二EML 640(其为荧光发光层)的第二发光部630位于更靠近第一电极210，并且包括第一EML 620(其为磷光发光层)的第一发光部610位于更靠近第二电极230。

也就是说，在OLED D3-2的第二像素区域P2，即绿色像素区域中，作为荧光发光层的第二EML 640位于透明电极的一侧，即显示表面的一侧，并且作为磷光发光层的第一EML620位于反射电极的一侧。换句话说，作为磷光发光层的第一EML 620位于反射电极和作为荧光发光层的第二EML 640之间，而作为荧光发光层的第二EML 640位于透明电极和作为磷光发光层的第一EML 620之间。

第一发光部610可以进一步包括第一EML 620下的HIL 612、HIL 612和第一EML620之间的第一HTL 614以及第一EML 620上的第一ETL 616中的至少一个。

第一EML 620包括第二主体622和绿色磷光掺杂剂624。第二主体622可以具有大于绿色磷光掺杂剂624的重量％。例如，绿色磷光掺杂剂624相对于第二主体622可以具有0.1至5的重量％。

第二主体622是式17中的化合物，并且绿色磷光掺杂剂624是式18中的化合物之一。

第二发光部630可以进一步包括EBL 633下的第二HTL 632、HBL 635上的EIL 636以及HBL 635和EIL 636之间的第二ETL 634中的至少一个。

在第二像素区域的OLED D3-2中，与第二发光部640不同，第一发光部610不包括EBL和HBL。例如，在第二发光部640中，由于EBL 633和HBL635分别存在于第二EML 640和第二HTL 632之间以及第二EML 640和第二ETL 634之间，因此第二EML 640接触EBL 633和HBL635而不接触第二HTL 632和第二ETL 634。另一方面，在第一发光部610中，第一HTL 614和第一ETL 616接触第一EML 620。

换句话说，在第一发光部610，例如第三发光部610中，第一HTL 614，例如第三HTL，位于第一EML 620，例如第三EML的一侧，并且第一ETL 616，例如第三ETL，位于第一EML 620的另一侧。在第二发光部640，例如第四发光部，第二HTL 632，例如第四HTL，位于第二EML640，例如第四EML的一侧，EBL 633，例如第一EBL，位于第二EML 640和第二HTL 632之间，并且第二ETL 634，例如第四ETL，位于第二EML 640的另一侧。因此，第一EML 620的一侧与第一HTL 614接触，而第二EML 640的一侧与EBL 633接触。在第二发光部630中，HBL 635，例如，第二HBL，可以被设置在第二EML 640和第二ETL 634之间。在这种情况下，第一EML 620的另一侧接触第一ETL 616，并且第二EML 620的另一侧接触HBL 635。

也就是说，在OLED D3-1的第二像素区域P2，即绿色像素区域中，EBL和HBL存在或包括于第二发光部630(其中包括作为荧光发光层的第二EML640)中，并且不存在或包括于第一发光部610(其中包括作为磷光发光层的第一EML 620)中。

第二EML 640包括由式6-1表示的第四化合物642、由式7-1表示的第五化合物644和由式10-1表示的第六化合物646。第四化合物642可作为主体，第五化合物644可作为辅助掺杂剂(或辅助主体)，而第六化合物646可作为发射体。也就是说，如上所述，第二EML 640是荧光发光层，其中发光是由第六化合物646提供。

例如，第四化合物642可由式6-3表示，而第五化合物644可由式8-2表示。第四化合物642可以是式6-4中的化合物之一，第五化合物644可以是式8-3中的化合物之一，并且第六化合物646可以是式10-2中的化合物之一。

在第二EML 640中，第五化合物644的重量％可以等于或小于第四化合物642的重量％，并且可以大于第六化合物646的重量％。例如，在第二EML 640中，第四和第五化合物642和644中的每一个可以具有45至50的重量％，并且第六化合物646可以具有0.1至5的重量％。

EBL 633可由式4中的化合物形成或包括式4中的化合物，并且HBL 635可由式5中的化合物形成或包括式5中的化合物。

CGL 650位于第一和第二发光部610和630之间。也就是说，第一和第二发光部610和630通过CGL 650连接。CGL 650可以是N型CGL 652和P型CGL 654的P-N结型CGL。

N型CGL 652位于第一ETL 616和第二HTL 632之间，并且P型CGL 654位于N型CGL652和第二HTL 632之间。N型CGL 652向第一发光部610的第一EML 620提供电子，并且P型CGL 654向第二发光部630的第二EML 640提供空穴。

在第三像素区域P3，即蓝色像素区域，OLED包括第一和第二电极210和230以及第一和第二电极210和230之间的发光层220，并且发光层220包括第一发光部，包括第一EML(其为荧光发光层)，以及第二发光部，包括第二EML(其为荧光发光层)。第二发光部设置在第一发光部和第二电极230之间。发光层220可以进一步包括第一和第二发光部之间的CGL。此外，OLED可以进一步包括用于增强光提取的封盖层。

在OLED中的第三像素区域P3，即蓝色像素区域，第一和第二EML中的每一个可以包括作为主体的蒽衍生物和作为荧光掺杂剂(发射体)的芘衍生物。例如，主体可以是式11中的化合物之一，而荧光掺杂剂可以是式12中的化合物之一。第一EML中的主体和第二EML中的主体可以相同或不同，而第一EML中的荧光掺杂剂和第二EML中的荧光掺杂剂可以相同或不同。

在本公开内容的有机发光显示装置100的第一像素区域P1(即红色像素区域)的OLED D3-1和第二像素区域P2(即绿色像素区域)的OLED D3-2中，在透明电极的一侧的第二EML 540和640的FWHM小于在反射电极的一侧的第一EML 520和620。此外，在透明电极一侧的第二EML 540和640的发光效率(量子效率)大于在反射电极一侧的第一EML 520和620的发光效率。

在第一像素区域P1，即红色像素区域的OLED D3-1中，包括第一主体542是式15的化合物和红色磷光掺杂剂544是式16的化合物之一的第二EML 540的FWHM小于包括由式6-1表示的第一化合物522、由式7-1表示的第二化合物524和由式9-1表示的第三化合物526的第一EML 520的FWHM。此外，包括第一主体542是式15中的化合物和红色磷光掺杂剂544是式16中的化合物之一的第二EML 540的发光效率，大于包括式6-1表示的第一化合物522、式7-1表示的第二化合物524和式9-1表示的第三化合物526的第一EML 320的发光效率。因此，通过将第二EML 540设置成更靠近作为透明电极的第二电极230，以及将第一EML 520设置成更靠近作为反射电极的第一电极210，OLED D3-1在第一像素区域P1中的微腔效应得到加强或放大。因此，OLED D3-1的发光效率和寿命得到改善。

在第二像素区域P2的OLED D3-2中，即绿色像素区域，第二EML 640的FWHM小于第一EML 620的FWHM，该第二EML 640包括由式6-1表示的第四化合物642、由式7-1表示的第五化合物644和由式10-1表示的第六化合物646，该第一EML 620包括作为式17的化合物的第二宿主622和作为式18的化合物之一的绿色磷光剂624。此外，包括由式6-1代表的第四种化合物642、由式7-1代表的第五种化合物644和由式10-1代表的第六种化合物646的第二种EML 640的发光效率大于第一种EML 620，其中包括第二宿主622是式17中的化合物和绿色磷光掺杂剂624是式18中的化合物之一。因此，通过将第二EML 640设置成更靠近作为透明电极的第二电极230，以及将第一EML 620设置成更靠近作为反射电极的第一电极210，OLEDD3-2在第二像素区域P2中的微腔效应得到加强或放大。因此，OLED D3-2的发光效率和寿命得到改善。

[OLED2]

阳极、HIL(式12-1中的化合物和式2中的化合物(8wt％)，70nm)、第一HTL(式12-1中的化合物，30nm)、第一EML(45nm)、第一ETL(式12-2中的化合物，15nm)、N型CGL(式12-2中的化合物和Li(2wt％)，10nm)，P型CGL(式12-1中的化合物和式2中的化合物(8wt％)，8nm)，第二HTL(式12-1中的化合物，30nm)，第二EML(45nm)，第二ETL(式12-2中的化合物，30nm)，EIL(LiF，5nm)，阴极(Ag:Mg，15nm)和封盖层(式12-3中的化合物，100nm)依次沉积以形成红色像素区域的OLED。

1.比较例

(1)比较例7(Ref7)

使用式6-4中的化合物1-5(50重量％)、式8-3中的化合物2-1(49.5重量％)和式9-2中的化合物3-1(0.5重量％)来形成第一和第二EML。

(2)比较例8(Ref8)

使用式15中的化合物(98wt％)和式16中的化合物16-1(2wt％)来形成第一EML，并且使用式6-4中的化合物1-5(50wt％)、式8-3中的化合物2-1(49.5wt％)和式9-2中的化合物3-1(0.5wt％)来形成第二EML。

2.实施例

(1)实施例5(Ex5)

使用式6-4中的化合物1-5(50wt％)、式8-3中的化合物2-1(49.5wt％)和式9-2中的化合物3-1(0.5wt％)来形成第一EML，并且使用式15中的化合物(98wt％)和式16中的化合物16-1(2wt％)来形成第二EML。

(2)实施例6(Ex6)

使用式6-4中的化合物1-5(50wt％)、式8-3中的化合物2-1(49.5wt％)和式9-2中的化合物3-1(0.5wt％)来形成第一EML，并且使用式15中的化合物(98wt％)和式16中的化合物16-1(2wt％)来形成第二EML。此外，使用式5中的化合物在第一EML和第一ETL之间形成HBL(10nm)。

(3)实施例7(Ex7)

使用式6-4中的化合物1-5(50wt％)、式8-3中的化合物2-1(49.5wt％)和式9-2中的化合物3-1(0.5wt％)来形成第一EML，并且使用式15中的化合物(98wt％)和式16中的化合物16-1(2wt％)来形成第二EML。此外，使用式4中的化合物在第一EML和第一HTL之间形成EBL(10nm)，使用式5中的化合物在第一EML和第一ETL之间形成HBL(10nm)。

对比较例7和8以及实施例5至7中的OLED的发光特性，即驱动电压(V)、发光效率(cd/A)、颜色坐标指数(CIE)和寿命(T95)进行测量并列于表2。

表2

如表2所示，与包括两个荧光发光层的比较例7的OLED相比，包括一个荧光发光层和一个磷光发光层的比较例8、实施例5、实施例6和实施例7的OLED在驱动电压、发光效率和寿命方面具有优势。

另一方面，与比较例8的OLED(其中荧光发光层设置在阴极的一侧)相比，实施例5、实施例6和实施例7的OLED(其中磷光发光层设置在作为透明电极的阴极的一侧)在驱动电压、发光效率和寿命方面具有优势。

此外，实施例6和实施例7的OLED包括与荧光发光层相邻的HBL和/或EBL，在发光效率和寿命方面具有很大优势。

此外，在包括与荧光发光层相邻的HBL而没有EBL的实施例6的OLED中，发光效率和寿命得到进一步改善。

[OLED3]

阳极、HIL(式12-1中的化合物和式2中的化合物(8wt％)，70nm)、第一HTL(式12-1中的化合物，30nm)、第一EML(45nm)、第一ETL(式12-2中的化合物，15nm)、N型CGL(式12-2中的化合物和Li(2wt％)，10nm)，P型CGL(式12-1中的化合物和式2中的化合物(8wt％)，8nm)，第二HTL(式12-1中的化合物，30nm)，第二EML(45nm)，第二ETL(式12-2中的化合物，30nm)，EIL(LiF，5nm)，阴极(Ag:Mg，15nm)和封盖层(式12-3中的化合物，100nm)依次沉积以形成绿色像素区域的OLED。

1.比较例

(1)比较例9(Ref9)

使用式6-4中的化合物1-1(49.9重量％)、式8-3中的化合物2-6(49.9重量％)和式10-2中的化合物4-1(0.2重量％)来形成第一和第二EML。

(2)比较例10(Ref10)

使用式6-4中的化合物1-1(49.9重量％)、式8-3中的化合物2-6(49.9重量％)和式10-2中的化合物4-1(0.2重量％)来形成第一EML。以及使用式17中的化合物(98wt％)和式18中的化合物18-4(2wt％)来形成第二EML。

2.实施例

(1)实施例8(Ex8)

使用式17中的化合物(98wt％)和式18中的化合物18-4(2wt％)来形成第一EML。以及使用式6-4中的化合物1-1(49.9重量％)、式8-3中的化合物2-6(49.9重量％)和式10-2中的化合物4-1(0.2重量％)来形成第二EML。

(2)实施例9(Ex9)

使用式17中的化合物(98wt％)和式18中的化合物18-4(2wt％)来形成第一EML。以及使用式6-4中的化合物1-1(49.9重量％)、式8-3中的化合物2-6(49.9重量％)和式10-2中的化合物4-1(0.2重量％)来形成第二EML。此外，使用式4中的化合物在第二EML和第二HTL之间形成EBL(10nm)。

(3)实施例10(Ex10)

使用式17中的化合物(98wt％)和式18中的化合物18-4(2wt％)来形成第一EML，以及使用式6-4中的化合物1-1(49.9重量％)、式8-3中的化合物2-6(49.9重量％)和式10-2中的化合物4-1(0.2重量％)来形成第二EML。此外，使用式4中的化合物在第二EML和第二HTL之间形成EBL(10nm)，使用式5中的化合物在第一EML和第一ETL之间形成HBL(10nm)。

对比较例9和10以及实施例8至10中的OLED的发光特性，即驱动电压(V)、发光效率(cd/A)、颜色坐标指数(CIE)和寿命(T95)进行测量并列于表3。

如表3所示，与包括两个荧光发光层的比较例9的OLED相比，包括一个荧光发光层和一个磷光发光层的比较例10、实施例8、实施例9和实施例10的OLED在驱动电压、发光效率和寿命方面具有优势。

另一方面，与比较例10的OLED(其中荧光发光层设置在阴极的一侧)相比，实施例8、实施例9和实施例10的OLED(其中荧光发光层设置在作为透明电极的阴极的一侧)在驱动电压、发光效率和寿命方面具有优势。

此外，实施例9和实施例10的OLED包括与荧光发光层相邻的HBL和/或EBL，在发光效率和寿命方面具有很大优势。此外，在包括与荧光发光层相邻的HBL而没有EBL的实施例9的OLED中，发光效率和寿命得到进一步改善。

对于本领域的技术人员来说，显然可以在不脱离本公开内容的精神或范围的情况下对本公开内容进行各种修改和变化。因此，本公开内容的目的是涵盖本公开内容的修改和变化，只要它们属于所附权利要求及其等同物的范围。

Claims (20)

1.一种有机发光显示装置，包括：

包括第一像素区域至第三像素区域的基板；和

包括透明电极、反射电极和位于所述透明电极和所述反射电极之间的发光层的有机发光二极管，

其中所述第一像素区域中的有机发光二极管中的发光层包括含有第一发光材料层的第一发光部和含有第二发光材料层的第二发光部，并且所述第二发光部位于所述第一发光材料层和所述透明电极之间，

其中所述第一发光材料层是荧光发光层，所述第二发光材料层是磷光发光层，并且

其中所述第二发光材料层的半峰全宽小于所述第一发光材料层的半峰全宽，所述第二发光材料层的发光效率大于第一发光材料层的发光效率。

2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述第二像素区域中的有机发光二极管中的发光层包括含有第三发光材料层的第三发光部和含有第四发光材料层的第四发光部，并且所述第四发光部位于所述第三发光材料层和所述透明电极之间，并且

其中所述第四发光材料层是荧光发光层，第三发光材料层是磷光发光层。

3.根据权利要求2所述的有机发光显示装置，其中所述第四发光材料层的半峰全宽小于第三发光材料层的半峰全宽，所述第四发光材料层的发光效率大于第三发光材料层的发光效率。

4.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述第一发光部进一步包括位于所述第一发光材料层一侧的第一空穴传输层、位于所述第一发光材料层另一侧的第一电子传输层以及位于所述第一发光材料层和所述第一电子传输层之间的第一空穴阻挡层。

5.根据权利要求2所述的有机发光显示装置，其中所述第四发光部进一步包括位于所述第四发光材料层一侧的第四空穴传输层、位于所述第四发光材料层和所述第四空穴传输层之间的第一电子阻挡层以及位于所述第四发光材料层另一侧的第四电子传输层。

6.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述第一发光材料层包括第一化合物至第三化合物，

其中所述第一化合物由式6-1表示：

[式6-1]

其中在式6-1中，a1和a2各自独立地是0至4的整数，

其中R1和R2各自独立地选自由氘和被取代的或未被取代的C1至C10烷基构成的群组，或者当R1和R2在空间上彼此接近时，R1和R2彼此连接以形成包括O或S的环，

其中X选自由O、S和NR3构成的群组，并且R3选自由氢、氘、被取代的或未被取代的C1至C10烷基、被取代的或未被取代的C6至C30芳基和被取代的或未被取代的C5至C30杂芳基构成的群组，

其中所述第二化合物由式7-1表示：

[式7-1]

其中在式7-1中，b1为1至4的整数，且Y由式7-2表示：

[式7-2]

其中在式7-2中，R11和R12各自独立地选自由氘、被取代的或未被取代的C1至C10烷基、被取代的或未被取代的C6至C30芳基以及被取代的或未被取代的C5至C30杂芳基构成的群组，并且b2和b3各自独立地是0至4的整数，

其中所述第三化合物由式9-1表示：

[式9-1]

其中在式9-1中，R21、R22、R23和R24各自独立地是被取代的或未被取代的C6至C30芳基，并且R25、R26和R27各自独立地选自由氢、氘、被取代的或未被取代的C1至C10烷基、被取代的或未被取代的C6至C30芳基和被取代的或未被取代的C5至C30杂芳基构成的群组。

7.根据权利要求6所述的有机发光显示装置，其中所述式6-1由式6-2表示：

[式6-2]

/>

其中R1、R2、X、a1和a2的定义与式6-1中的定义相同。

8.根据权利要求6所述的有机发光显示装置，其中所述第一化合物是式6-4中的化合物之一：

[式6-4]

9.根据权利要求6所述的有机发光显示装置，其中所述式7-1由式8-1表示：

[式8-1]

其中Y和b1的定义与式7-1中的定义相同。

10.根据权利要求6所述的有机发光显示装置，其中所述第二化合物是式8-3中的化合物之一：

[式8-3]

11.根据权利要求6所述的有机发光显示装置，其中所述第三化合物是式9-2中的化合物之一：

[式9-2]

12.根据权利要求6所述的有机发光显示装置，其中所述第二发光材料层包括第一主体和第一磷光掺杂剂，并且

其中所述第一主体是式15中的化合物，并且所述第一磷光掺杂剂是式16中的化合物之一：

[式15]

且

[式16]

13.根据权利要求2所述的有机发光显示装置，其中所述第四发光材料层包括第四化合物至第六化合物，

其中所述第四化合物由式6-1表示：

[式6-1]

其中在式6-1中，a1和a2各自独立地是0至4的整数，

其中R1和R2各自独立地选自由氘和被取代的或未被取代的C1至C10烷基构成的群组，或者当R1和R2在空间上彼此接近时，R1和R2彼此连接以形成包括O或S的环，

其中X选自由O、S和NR3构成的群组，并且R3选自由氢、氘、被取代的或未被取代的C1至C10烷基、被取代的或未被取代的C6至C30芳基和被取代的或未被取代的C5至C30杂芳基构成的群组，

其中所述第五化合物由式7-1表示：

[式7-1]

其中在式7-1中，b1为1至4的整数，且Y由式7-2表示：

[式7-2]

其中在式7-2中，R11和R12各自独立地选自由氘、被取代的或未被取代的C1至C10烷基、被取代的或未被取代的C6至C30芳基以及被取代的或未被取代的C5至C30杂芳基构成的群组，并且b2和b3各自独立地是0至4的整数，

其中所述第六化合物由式10-1表示：

[式10-1]

其中在式10-1中，R31、R32、R33和R34各自独立地选自由氢和被取代的或未被取代的C1至C10烷基构成的群组，并且R31、R32、R33和R34中的至少一个是被取代的或未被取代的C1至C10烷基，且

其中R35、R36和R37各自独立地选自由氢、氘、被取代的或未被取代的C1至C10烷基、被取代的或未被取代的C6至C30芳基和被取代的或未被取代的C5至C30杂芳基构成的群组。

14.根据权利要求13所述的有机发光显示装置，其中所述式6-1由式6-3表示：

[式6-3]

其中R1、R2、X、a1和a2的定义与式6-1中的定义相同。

15.根据权利要求13所述的有机发光显示装置，其中所述第四化合物是式6-4中的化合物之一：

[式6-4]

16.根据权利要求13所述的有机发光显示装置，其中所述式7-1由式8-2表示：

[式8-2]

其中Y的定义与式7-1中的定义相同，并且b4是0至3的整数。

17.根据权利要求13所述的有机发光显示装置，其中所述第五化合物是式8-3中的化合物之一：

[式8-3]

18.根据权利要求13所述的有机发光显示装置，其中所述第六化合物是式10-2中的化合物之一：

[式10-2]

19.根据权利要求13所述的有机发光显示装置，其中所述第三发光材料层包括第二主体和第二磷光掺杂剂，且

其中所述第二主体是式17中的化合物，且所述第二磷光掺杂剂是式18中的化合物之一：

[式17]

[式18]

20.根据权利要求2所述的有机发光显示装置，

其中所述第二发光部进一步包括位于所述第二发光材料层一侧的第二空穴传输层和位于所述第二发光材料层另一侧的第二电子传输层，

其中所述第三发光部进一步包括位于所述第三发光材料层一侧的第三空穴传输层和位于所述第三发光材料层另一侧的第三电子传输层。

Images