CN116264781A - 有机发光二极管和包括其的有机发光显示装置 - Google Patents
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Abstract
一种有机发光二极管，包括：反射电极；面向反射电极的透明电极，和有机发光层，包括第一发光部和第二发光部，并位于反射电极和透明电极之间，其中第一发光部包括第一发光层和第二发光层，第二发光部包括第三发光层和第四发光层，其中第一发光层是第一磷光发射层，第二发光层是第一荧光发射层，并且其中第一荧光发射层比第一磷光发射层更靠近透明电极。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求于2021年12月14日在韩国提交的韩国专利申请第10-2021-0178380号的优先权，其公开内容通过引用并入本文。
技术领域
本公开内容涉及一种有机发光二极管，更具体地说，涉及一种具有高显示性能的有机发光二极管和包括其的有机发光显示装置。
背景技术
对具有小占用面积的平板显示装置的要求越来越高。在平板显示装置中，一种包括有机发光二极管(OLED)，可称为有机电致发光装置的有机发光显示装置的技术正在迅速发展。
OLED通过从作为电子注入电极的阴极注入电子和从作为空穴注入电极的阳极注入空穴到发光材料层，将电子与空穴结合，产生激子，并将激子从激发态转化到基态来发光。
荧光材料可被用作OLED中的发射体。然而，由于只有荧光材料的单线激子参与发射，所以荧光材料的发光效率有限制。
发明内容
因此，本公开内容的实施方式涉及一种OLED和有机发光显示装置，该装置基本上避免了与相关技术的限制和缺点相关的一个或多个问题。
本公开内容的一个目的是提供一种具有高显示性能的OLED和有机发光显示装置。
其他的特征和方面将在接下来的描述中阐述，并且部分将从描述中显而易见，或者可以通过实践本文提供的本公开内容构思而了解。本公开内容构思的其他特征和方面可通过书面描述中特别指出的结构，或可从中推导出的结构，以及本文的权利要求书和附图来实现和达到。
为了按照本公开内容的实施方式的目的实现这些和其他优点，如本文所述，本公开内容的一个方面是一种有机发光二极管，包括：反射电极；面向反射电极的透明电极，和有机发光层，包括第一发光部和第二发光部，并位于反射电极和透明电极之间，其中第一发光部包括第一发光层和第二发光层，第二发光部包括第三发光层和第四发光层，其中第一发光层是第一磷光发射层，第二发光层是第一荧光发射层，并且其中第一荧光发射层比第一磷光发射层更靠近透明电极。
本公开内容的另一个方面是一种有机发光装置，包括：包括红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域的基板；以及设置在基板上或上方且在红色像素区域中的有机发光二极管，该有机发光二极管包括：反射电极；面向反射电极的透明电极，和有机发光层，包括第一发光部和第二发光部，并位于反射电极和透明电极之间，其中第一发光部包括第一发光层和第二发光层，第二发光部包括第三发光层和第四发光层，其中第一发光层是第一磷光发射层，第二发光层是第一荧光发射层，并且其中第一荧光发射层比第一磷光发射层更靠近透明电极。
应当理解，上述一般描述和以下详细描述都是示例性的和解释性的，旨在进一步解释所要求的发明构思。
附图说明
附图是为了进一步理解本公开内容的内容而包括的，并被纳入本申请并构成本申请的一部分，说明本公开内容的实施例，并与描述一起用于解释本公开内容的原理。
图1是本公开内容的有机发光显示装置的电路示意图。
图2是根据本公开内容的第一实施方式的有机发光显示装置的示意性截面图。
图3是根据本公开内容的第二实施方式的OLED的示意性截面图。
图4是根据本公开内容的第三实施方式的OLED的示意性截面图。
图5是根据本公开内容的第四实施方式的OLED的示意性截面图。
图6是根据本公开内容的第五实施方式的有机发光显示装置的示意性截面图。
图7是根据本公开内容的第六实施方式的有机发光显示装置的示意性截面图。
图8A和8B是用于本公开内容的OLED的荧光掺杂剂的PL光谱。
具体实施方式
现将详细参考一些实施例和优选实施方式，其在附图中得到说明。
图1是本公开内容的有机发光显示装置的电路示意图。
如图1所示，有机发光显示装置包括栅极线GL、数据线DL、电源线PL、开关薄膜晶体管TFT Ts、驱动TFT Td、存储电容器Cst和OLED D。栅极线GL和数据线DL相互交叉以限定像素区域P。该像素区可以包括红色像素区、绿色像素区和蓝色像素区。
开关TFT Ts连接到栅极线GL和数据线DL，并且驱动TFT Td和存储电容Cst连接到开关TFT Ts和电源线PL。OLED D与驱动TFT Td连接。
在有机发光显示装置中，当开关TFT Ts被通过栅极线GL施加的栅极信号打开时，来自数据线DL的数据信号被施加到驱动TFT Td的栅极和存储电容Cst的电极。
当驱动TFT Td被数据信号打开时，电流从电源线PL向OLED D提供。结果，OLED D发出光。在这种情况下，当驱动TFT Td被打开时，从电源线PL施加到OLED D的电流的水平被确定为使OLED D可以产生灰度。
存储电容器Cst的作用是在开关TFT Ts关闭时保持驱动TFT Td的栅极电压。因此，即使开关TFT Ts被关闭，从电源线PL施加到OLED D的电流的水平也保持到下一帧。
结果，有机发光显示装置显示所需的图像。
图2是根据本公开内容的第一实施方式的有机发光显示装置的示意性截面图。
如图2所示，有机发光显示装置100包括基板110，在基板110上或其上方的TFT Tr，覆盖TFT Tr的平坦化层150和在平坦化层150上并与TFT Tr连接的OLED D。红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域可以在基板110上限定。
基板110可以是玻璃基板或柔性基板。例如，柔性基板可以是聚酰亚胺(PI)基板、聚醚砜(PES)基板、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)基板、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)基板和聚碳酸酯(PC)基板之一。
在基板上形成缓冲层122，并且在缓冲层122上形成TFT Tr。缓冲层122可以被省略。例如，缓冲层122可以由无机绝缘材料，例如，氧化硅或氮化硅形成。
在缓冲层122上形成半导体层120。半导体层120可以包括氧化物半导体材料或多晶硅。
当半导体层120包括氧化物半导体材料时，可在半导体层120下形成遮光图案(未示出)。通往半导体层120的光被遮光图案所屏蔽或阻挡，从而可以防止半导体层120的热降解。另一方面，当半导体层120包括多晶硅时，杂质可以被掺入半导体层120的两面。
在半导体层120上形成栅极绝缘层124。栅极绝缘层124可以由无机绝缘材料，例如氧化硅或氮化硅形成。
在栅极绝缘层124上形成栅极130，其由导电材料例如金属形成，以对应于半导体层120的中心。在图2中，栅极绝缘层124形成于基板110的整个表面。或者，栅极绝缘层124可以被图案化以具有与栅极130相同的形状。
层间绝缘层132形成在栅极130上且在基板110的整个表面上方。层间绝缘层132可以由无机绝缘材料，例如氧化硅或氮化硅，或有机绝缘材料，例如苯并环丁烯或光丙烯酸形成。
层间绝缘层132包括暴露在半导体层120的两侧的第一和第二接触孔134和136。第一和第二接触孔134和136设置在栅极130的两侧，以与栅极130间隔开。
第一和第二接触孔134和136是穿过栅极绝缘层124形成的。或者，当栅极绝缘层124被图案化以具有与栅极130相同的形状时，第一和第二接触孔134和136仅通过层间绝缘层132形成。
在层间绝缘层132上形成源极144和漏极146，其由导电材料，例如金属形成。
源极144和漏极146相对于栅极130彼此间隔开，并且分别通过第一和第二接触孔134和136接触半导体层120的两侧。
半导体层120、栅极130、源极144和漏极146构成TFT Tr。TFT Tr作为驱动元件。也就是说，TFT Tr是驱动TFT Td的(图1)。
在TFT Tr中，栅极130、源极144和漏极146设置在半导体层120上。也就是说，TFTTr具有共面结构。
或者，在TFT Tr中，栅极可以位于半导体层之下，而且源极和漏极可以位于半导体层之上，这样，TFT Tr可以有一个倒置的交错结构。在此实例中，半导体层可以包括非晶硅。
尽管未示出，但栅极线和数据线相互交叉以限定像素区域，并且开关TFT形成为连接到栅极线和数据线。开关TFT被连接到作为驱动元件的TFT Tr。此外，可进一步形成电源线，其可形成为与栅极线和数据线之一平行且间隔开，以及用于将TFT Tr的栅极电压维持在一帧的存储电容器。
在基板110的整个表面上形成平坦化层150以覆盖源极和漏极144和146。平坦化层150提供平坦的顶面并具有暴露TFT Tr的漏极146的漏极接触孔152。
OLED D设置在平坦化层150上，并且包括第一电极210(其与TFT Tr的漏极146连接)、有机发光层220和第二电极230。该有机发光层220和第二电极230依次堆叠在第一电极210上。OLED D位于每个红、绿、蓝像素区域，分别发出红、绿、蓝光。
第一电极210分别形成于每个像素区域中。第一电极210可以是阳极，并且可以包括可由具有相对高的功函数的导电材料(例如透明导电氧化物(TCO))形成的透明导电氧化物材料层以及反射层。也就是说，该第一电极210可以是反射电极。
或者，第一电极210可以具有透明导电氧化物材料层的单层结构。也就是说，该第一电极210可以是透明电极。
例如，透明导电氧化物材料层可以由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡锌(ITZO)、氧化锡(SnO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟铜(ICO)和氧化铝锌(Al:ZnO，AZO)之一形成，且反射层可由银(Ag)、Ag和钯(Pd)、铜(Cu)、铟(In)和钕(Nd)之一的合金以及铝-钯-铜(APC)合金之一形成。例如，第一电极210可以具有ITO/Ag/ITO或ITO/APC/ITO的结构。
此外，在平坦化层150上形成堤岸层160以覆盖第一电极210的边缘。也就是说，堤岸层160位于像素区域的边界处，并暴露出像素区域中的第一电极210的中心。
作为发射单元的有机发光层220形成在第一电极210上。在红色像素区域的OLED D中，有机发光层220包括包括第一红色发光材料层(EML)的第一发光部和包括第二红色EML的第二发光部。也就是说，红色像素区域中的OLED D的有机发光层220具有多堆叠结构，使得OLED D具有串联结构。
第一和第二发光部中的每一个可以进一步包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子阻挡层(EBL)、空穴阻挡层(HBL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中的至少一个，以具有多层结构。此外，有机发光层可以进一步包括第一和第二发光部之间的电荷生成层(CGL)。
如下所述，在红色像素区域的OLED D中，第一和第二红色EML中的至少一个包括：荧光发射层(其包括延迟荧光化合物和荧光化合物)和磷光发射层(其包括磷光化合物)。因此，该OLED D在发光效率、半峰全宽(FWHM)和寿命方面具有优势。
第二电极230形成在形成有机发光层220的基板110上。第二电极230覆盖显示区域的整个表面，并且可以由具有相对低功函数的导电材料形成，以作为阴极。例如，第二电极230可以由铝(Al)、镁(Mg)、钙(Ca)、银(Ag)或它们的合金形成，例如，镁-银合金(MgAg)。第二电极230可以具有薄的轮廓，例如10至30nm，是透明(或半透明)的。
尽管未示出，但OLED D可以进一步包括第二电极230上的封盖层。OLED D的发光效率可以通过封盖层进一步提高。
在第二电极230上形成封装膜(或封装层)170，以防止水分渗透到OLED D中，封装膜170包括依次堆叠的第一无机绝缘层172、有机绝缘层174和第二无机绝缘层176，但不限于此。
尽管未示出，但有机发光显示装置100可以包括对应于红、绿和蓝像素区域的彩色滤光片。例如，彩色滤光片可以设置在OLED D或封装膜170上或上方。
此外，有机发光显示装置100可以进一步包括在封装膜170或彩色滤光片上或上方的盖窗(未显示)。在这种情况下，基板110和盖窗具有柔性特性，从而可以提供柔性有机发光显示装置。
图3是根据本公开内容的第二实施方式的OLED的示意性截面图。
如图3所示，OLED D1包括作为反射电极的第一电极210，作为面向第一电极210的透明电极(或半透明电极)的第二电极230，以及其间的有机发光层220。有机发光层220包括第一发光部310(其包括第一EML 340)，其中包括第一发光层320和第二发光层330，以及第二发光部350(其包括第二EML 380)，其中包括第三发光层360和第四发光层370。此外，有机发光层220可以进一步包括第一和第二发光部310和350之间的CGL 390。此外，OLED D1可以进一步包括用于增强(改善)发光效率的封盖层290。
有机发光显示装置可以包括红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域，并且OLED D1位于红色像素区域。
第一电极210可以是阳极，而第二电极230可以是阴极。第一电极210是反射电极，而第二电极230是透明电极(或半透明电极)。例如，第一电极210可以具有ITO/Ag/ITO的结构，而第二电极230可以由MgAg或Al形成。也就是说，第一电极210可以有第一透光率，而第二电极230可以有大于第一透光率的第二透光率。
在第一发光部310中，第一发光层320位于第一电极210和第二发光层330之间。也就是说，第一发光层310设置成更靠近第一电极210，而第二发光层320设置成更靠近第二电极230。第一发光层320是磷光发射层，第二发光层330是磷光发射层。在第二发光部350中，第四发光层370位于第二电极230和第三发光层360之间。也就是说，第三发光层360设置成更靠近第一电极210，而第四发光层370设置成更靠近第二电极230。第三发光层360是磷光发射层，第四发光层370是荧光发射层。也就是说，在第二发光部350中，作为荧光层的第四发光层设置成更靠近作为透明电极的第二电极230。换句话说，在第二发光部350中，作为荧光层的第四发光层370比作为磷光层的第三发光层360更靠近作为透明电极的第二电极230。
第一发光层320包括作为主体的第一化合物322和作为磷光掺杂剂(或第一磷光发射体)的第二化合物324，第二发光层330包括作为主体的第一化合物332和作为磷光掺杂剂的第二化合物334，并且第三发光层360包括作为主体的第一化合物362和作为磷光掺杂剂的第二化合物364。
第四发光层370包括作为主体的第一化合物372、作为辅助主体(或辅助掺杂剂)的第三化合物374和作为荧光掺杂剂(或第一荧光发射体)的第四化合物376。第三化合物374是延迟荧光化合物。
作为第一发光层320的主体的第一化合物322、作为第二发光层330的主体的第一化合物332、作为第三发光层360的主体的第一化合物362和作为第四发光层370的主体的第一化合物372中的每个由式1表示。
[式1]
在式1中，Ar选自由取代或未取代的C6至C30芳撑基和取代或未取代的C5至C30杂芳撑基构成的群组。R1、R2、R3和R4各自独立地选自由取代或未取代的C1至C10烷基和取代或未取代的C6至C30芳基构成的群组，或者相邻的两个R1、相邻的两个R2、相邻的两个R3和相邻的两个R4中的至少一个相互连接而形成芳香环、芳香族稠合环、杂环或杂稠合环。a1、a2、a3和a4各自独立地是0至4的整数。
在本公开内容中，在没有具体定义的情况下，取代基可以是氘(D)、卤素、C1至C10烷基和C6至C30芳基的至少一个。
在本公开内容中，C6至C30芳基(或C6至C30芳烃基)可以选自由苯基、联苯、三联苯、萘基、蒽基、戊烯基、茚基、庚烯基、联苯基、茚基、菲基、苯并菲基、二苯菲尼基、薁基、芘基、氟苯基、三苯基、氯苯基、四苯基、四烯基、皮烯基、五苯基、五烯基、芴基、茚氟基和螺芴基构成的群组。
在本公开内容中，C5至C30杂芳基可选自由吡咯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、四嗪基、咪唑基、吡唑基、吲哚基、异吲哚基、吲哚嗪基、吡咯嗪基、咔唑基，苯并咔唑基、二苯并咔唑基、吲哚咔唑基、茚并咔唑基、苯并呋喃咔唑基、苯并噻吩咔唑基、喹啉基、异喹啉基、酞嗪基、喹喔啉基、噌嗪基、喹唑啉基、喹啉基、嘌吟基、酞嗪基、喹喔啉基、苯并喹啉基、苯并异喹啉基、苯并喹唑啉基、苯并喹喔啉基、吖啶基、菲林基、菲啶基、蝶啶基、桂皮基、萘啶基、呋喃基、噁嗪基、噁二唑基、三唑基、二羟基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、硫代吡喃基、呫吨基、色兰基、异色兰基、硫氮基、噻吩基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、二呋吡嗪基、苯并呋喃基、苯并噻吩基苯并噻吩基、苯并噻吩基二苯并呋喃基和苯并噻吩基二苯并呋喃基构成的群组。
例如，在式1中，Ar可以是联苯撑基和苯撑基中的一种。此外，两个相邻的R1、两个相邻的R2、两个相邻的R3和两个相邻的R4中的至少一个可以相互连接而形成杂环稠合环。
也就是说，作为第一发光层320的主体的第一化合物322、作为第二发光层330的主体的第一化合物332、作为第三发光层360的主体的第一化合物362和作为第四发光层370的主体的第一化合物372具有相同的化学结构，并且可以相同或不同。
式1可由式1a表示。
[式1a]
在式1a中，R5和R6各自独立地选自由取代或未取代的C1至C10烷基和取代或未取代的C6至C30芳基构成的群组，并且a5和a6各自独立地是0至4的整数。R1、R2、R3、R4、a1、a2、a3和a4的定义与式1中相同。
此外，式1可由式1b表示。
[式1b]
在式1b中，R5和R6各自独立地选自由取代或未取代的C1至C10烷基和取代或未取代的C6至C30芳基构成的群组，并且a5和a6各自独立地是0至4的整数。R1、R2、R3、R4、a1、a2、a3和a4的定义与式1中相同。
此外，式1可由式1c表示。
[式1c]
在式1c中，R7独立地选自由取代或未取代的C1至C10烷基和取代或未取代的C6至C30芳基构成的群组，并且a7独立地是0至4的整数。R1、R2、R3、R4、a1、a2、a3和a4的定义与式1中相同。
也就是说，在红色像素区域的OLED D1中，作为第一发光层320的主体的第一化合物322、作为第二发光层330的主体的第一化合物332、作为第三发光层360的主体的第一化合物362和作为第四发光层370的主体的第一化合物372中的每一个都具有连接(结合、连接或接合)到一个连接体(例如联苯撑基或苯撑基)的两个咔唑基团的结构，或者具有连接(结合、连接或连接)到一个连接体(例如联苯撑基或苯撑基)的两个稠合的咔唑基团的结构。
例如，作为第一发光层320的主体的第一化合物322、作为第二发光层330的主体的第一化合物332、作为第三发光层360的主体的第一化合物362和作为第四发光层370的主体的第一化合物372中的每一个可以是式2的化合物之一。
[式2]
作为第一发光层320的磷光掺杂剂的第二化合物324、作为第二发光层的磷光掺杂剂的第二化合物334和作为第三发光层的磷光掺杂剂的第二化合物364中的每一个的发射波长范围为580至650nm。此外，在作为第一发光层320的磷光掺杂剂的第二化合物324、作为第二发光层的磷光掺杂剂的第二化合物334和作为第三发光层的磷光掺杂剂的第二化合物364中，第一发射峰和第二发射峰之差小于30nm。此外，作为第一发光层320的磷光掺杂剂的第二化合物324、作为第二发光层的磷光掺杂剂的第二化合物334和作为第三发光层的磷光掺杂剂的第二化合物364中的每一个的半峰全宽(HWFM)为35nm或以下。
作为第一发光层320的磷光掺杂剂的第二化合物324、作为第二发光层的磷光掺杂剂的第二化合物334和作为第三发光层的磷光掺杂剂的第二化合物364可以相同或不同。
例如，作为第一发光层320的磷光掺杂剂的第二化合物324、作为第二发光层的磷光掺杂剂的第二化合物334和作为第三发光层的磷光掺杂剂的第二化合物364各自独立地选自式3中的化合物。
[式3]
作为第四发光层370的辅助主体的第三化合物374由式4-1表示。
[式4-1]
在式4-1中，Y由式4-2表示，且c1为1至4的整数，当c1为2或更多时，Y相同或不同。
[式4-2]
在式4-2中，R11和R12各自独立地选自由取代或未取代的C1至C10烷基、取代或未取代的C6至C30芳基和取代或未取代的C5至C30杂芳基构成的群组，或者两个相邻的R11和两个相邻的R12中的至少一个相互连接而形成芳环或杂芳环。此外，c2和c3各自独立地是0至4的整数。
例如，c1可以是4，并且c2和c3可以是0。
例如，式4-1可由式4a表示。
[式4a]
在式4a中，Y由式4-2表示，并且c1的定义与式4-1中的定义相同。
另外，式4-1可以由式4b表示。
[式4b]
在式4b中，Y由式4-2表示，并且c4是0至3的整数，例如，c4可以是3，并且两个氰基(CN)可以在邻位或间位连接。
例如，作为第四发光层370的辅助主体的第三化合物374可以是式5中的化合物之一。
[式5]
作为第四发光层370的荧光掺杂剂的第四化合物376由式6表示。
[式6]
在式6中，R21、R22、R23和R24各自独立地选自取代或未取代的C6至C30芳基，并且R25、R26和R27各自独立地选自由氢、氘、取代或未取代的C1至C10烷基、取代或未取代的C6至C30芳基和取代或未取代的C5至C30杂芳基构成的群组。
例如，R21、R22、R23和R24中的每一个可以是未取代的或被C1至C10烷基取代的苯基，例如，甲基或叔丁基。此外，R25和R26中的每一个可以是氢或C6至C30的芳基(例如苯基)，未被取代或被C1至C10的烷基，例如甲基或叔丁基取代，R27可以选自未被取代或被C1至C10烷氧基(例如甲氧基)、和C6至C30芳基(例如叔丁基苯基)中的至少一个取代的C6至C30的芳基(例如苯基)、以及取代或未取代的C5至C30杂芳基(例如二苯呋喃基或噻吩基)。
作为第四发光层370的第一荧光掺杂剂的第四化合物376可以是式7中的化合物之一。
[式7]
在第一发光层320中，第一化合物322的重量％大于第二化合物324的重量％。例如，在第一发光层320中，第二化合物324相对于第一化合物322可以具有1至20的重量％。
在第二发光层330中，第一化合物332的重量％大于第二化合物334的重量％。例如，在第二发光层330中，第二化合物334相对于第一化合物332可以具有1至20的重量％。
在第三发光层360中，第一化合物362的重量％大于第二化合物364的重量％。例如，在第三发光层360中，第二化合物364相对于第一化合物362可以具有1至20的重量％。
在第四发光层370中，第一和第三化合物372和374中的每个的重量％大于第四化合物376的重量％，并且第一化合物372的重量％可以等于或大于第三化合物374的重量％。例如，在第四发光层370中，第三化合物374相对于第一化合物362可以具有80至100的重量％，而第四化合物376相对于第一化合物372可以具有0.1至10的重量％。
第一至第四发光层320、330、360和370中的每个可以具有约10至25nm的厚度。第一至第四发光层320、330、360和370可以具有相同的厚度或不同的厚度。
在第四发光层370中，作为荧光掺杂剂的第四化合物376“FD”的最低未占分子轨道(LUMO)能级与作为辅助主体的第三化合物374“TD”的LUMO能级之差可以是0.2eV或更少且-0.3eV或更多。(0.2eV≧LUMO(FD)-LUMO(TD)≧-0.3eV)因此，可以防止第四发光层370中的第三和第四化合物374和376之间产生激基复合物，从而提高OLED D1的发光性能。
在第二发光部380中，作为荧光发射层的第四发光层370中的第一发射峰和第二发射峰之差大于作为磷光发射层的第三发光层360中的第一发射峰和第二发射峰之差。也就是说，作为第四发光层370中发射体(掺杂剂)的第四化合物376的第一发射峰和第二发射峰之差大于作为第三发光层360中发射体的第二化合物364的第一发射峰和第二发射峰之差。
此外，作为荧光发射层的第四发光层370中的第一发射峰和第二发射峰之差为50nm或更小，并且第三发光层360中的第一发射峰和第二发射峰之差小于30nm。也就是说，作为第四发光层370中的发射体的第四化合物376的第一发射峰和第二发射峰之差为50nm或更小，而作为第三发光层360中的发射体的第二化合物364的第一发射峰和第二发射峰之差值小于30nm。
第四发光层370中的第四化合物376的FWHM，即PL光谱中第一发射峰的FWHM为35nm或更小，并且第三发光层360中的第二化合物364的FWHM等于或小于第四化合物376的FWHM。优选的是，第三发光层360中的第二化合物364的FWHM小于第四化合物376的FWHM。此外，OLED D1的FWHM等于或小于第二化合物364的FWHM。
第二发光部350中的第三和第四发光层360和370满足上述条件，以便增加OLED D1中的空穴效应。结果，OLED D1的亮度得到改善。
第一发光层320的最大发射波长与第二发光层330的最大发射波长之差为20nm或更小，第三发光层360的最大发射波长与第四发光层370的最大发射波长之差为20nm或更小。也就是说，第一发光层320中的第二化合物324的最大发射波长与第二发光层330中的第二化合物334的最大发射波长之差为20nm或更少，第三发光层360中的第二化合物364的最大发射波长与第四发光层370中的第四化合物376的最大发射波长之差为20nm或更少。例如，第一至第四发光层320、330、360和370中的每一个可以具有580至650nm的发射波长范围，优选600至640nm。
此外，包括第一和第二发光层320和330的第一发光部310的平均发射波长与包括第三和第四发光层360和370的第二发光部350的平均发射波长之差可以是20nm或更少。
第一发光部310可以进一步包括位于第一EML 340下的第一HTL 313和位于第一EML 340上的第一ETL 319中的至少一个。
此外，第一发光部310可以进一步包括位于第一HTL 313之下的HIL。
此外，第一发光部310可以进一步包括位于第一EML 340和第一HTL313之间的第一EBL 315以及位于第一EML 340和第一ETL 319之间的第一HBL 317中的至少一个。
第二发光部350可以进一步包括位于第二EML 380之下的第二HTL 351和位于第二EML 380上的第二ETL 357中的至少一个。
此外，第二发光部350可以进一步包括位于第二ETL 357上的EIL。
此外，第二发光部350可以进一步包括位于第二EML 380和第二HTL 351之间的第二EBL 353以及位于第二EML 380和第二ETL 357之间的第二HBL355中的至少一个。
CGL 390位于第一和第二发光部310和350之间，并且第一和第二发光部310和350通过CGL 390连接。第一发光部310、CGL 390和第二发光部350依次堆叠在第一电极210上。也就是说，第一发光部310位于第一电极210和CGL 390之间，并且第二发光部350位于第二电极230和CGL 390之间。
CGL 390可以是N型CGL 392和P型CGL 394的P-N结型CGL。
N型CGL 392位于第一ETL 319和第二HTL 351之间，并且P型CGL 394位于N型CGL392和第二HTL 351之间。N型CGL 392向第一发光部310的第一EML 340提供电子，而P型CGL394向第二发光部350的第二EML 380提供空穴。
例如，HIL 311可包括选自由4,4',4”-三(3-甲基苯基氨基)三苯胺(MTDATA)、4,4',4”-三(N,N-二苯基-氨基)三苯胺(NATA)、4,4',4”-三(N-(萘-1-基)-N-苯基-氨基)三苯胺(1T-NATA)、4,4',4”-三(N-(萘-2-基)-N-苯基-氨基)三苯胺(2T-NATA)、铜酞菁(CuPc)、三(4-咔唑基-9-基-苯基)胺(TCTA)、N,N'-二苯基-N,N'-双(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4”-二胺(NPB或NPD),1,4,5,8,9,11-六氮杂苯甲腈(二吡嗪[2,3-f:2'3'-h]喹喔啉-2,3,6,7,10,11-六甲腈(HAT-CN)、1,3,5-三[4-(二苯基氨基)苯基]苯(TDAPB)、聚(3,4-乙烯二氧噻吩)聚苯乙烯磺酸盐(PEDOT/PSS)，和N-(联苯-4-基))-9,9-二甲基-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺构成的群组中的至少一种化合物。HIL 311的厚度可以是50到100nm。
第一和第二HTL 313和351各自可以包括选自由N,N'-二苯基-N,N'-双(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(TPD)、NPB(NPD)、4,4'-双(N-咔唑基)-1,1'-联苯(CBP)、聚[N,N'-双(4-丁基苯基)-N,N'-双(苯基)-联苯胺](聚-TPD)、(聚[(9,9-二辛基芴基-2,7-二基)-共-(4,4'-(N-(4-仲丁基苯基)二苯胺))](TFB)、二-[4-(N,N-二-对甲苯基-氨基)-苯基]环己烷(TAPC)、3,5-二(9H-咔唑-9-基)-N,N-二苯基苯胺(DCDPA)、N-(联苯-4-基)-9,9-二甲基-N-(4-(9-苯基)-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺和N-(联苯基-4-基)-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)联苯-4-胺构成的群组中的至少一种化合物。第一和第二HTL313和351各自可以具有10至40nm的厚度。第一和第二HTL 313和351可以具有相同或不同的厚度。
第一和第二ETL 319和357各自可以包括选自由三-(8-羟基喹啉铝(Alq3)、2-联苯-4-基-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-恶二唑(PBD)、螺-PBD、喹啉锂(Liq)、1,3,5-三(N-苯基苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)、双(2-甲基-8-羟基喹啉-N1,O8)-(1,1'-联苯-4-羟基)铝(BAlq)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(Bphen)、2,9-二(萘-2-基)-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(NBphen)、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP)、3-(4-联苯)-4-苯基-5-叔-丁基苯基-1,2,4-三唑(TAZ)、4-(萘-1-基)-3,5-二苯基-4H-1,2,4-三唑(NTAZ)、1,3,5-三(p-吡啶-3-基-苯基)苯(TpPyPB)、2,4,6-三(3'-(吡啶-3-基)联苯-3-基)1,3,5-三嗪(TmPPPyTz)、聚[9,9-双(3'-(N,N-二甲基)-N-乙基铵)-丙基)-2,7-芴]-alt-2,7-(9,9-二辛基芴)](PFNBr)、三(苯基喹喔啉)(TPQ)和二苯基[4-(三苯基甲硅烷基)苯基]氧化膦(TSPO1)构成的群组中的至少一种化合物。第一和第二ETL 319和357各自可以具有10至40nm的厚度。例如，第一ETL 319的厚度可以小于第二ETL 357的厚度。
EIL 359可以包括碱金属卤化物化合物(例如LiF、CsF、NaF或BaF2)和有机金属化合物(例如Liq、苯甲酸锂或硬脂酸钠)中的至少一种。EIL 359可具有1至10nm的厚度。
第一和第二EBL 315和353各自可以包括选自由TCTA、三[4-(二乙基氨基)苯基]胺、N-(联苯基-4-基)-9,9-二甲基-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺、TAPC、MTDATA、1,3-双(咔唑-9-基)苯(mCP)、3,3'-双(N-咔唑基)-1,1'-联苯(mCBP)、CuPc、N,N'-二[4-(二(3-甲基苯基))氨基)苯基]-N,N'-二苯基-[1,1'-联苯]-4,4'-二胺(DNTPD)、TDAPB、DCDPA和2,8-双(9-苯基-9H-咔唑-3-基)二苯并[b,d]噻吩)构成的群组中的至少一种化合物。第一和第二EBL 315和353各自可以具有5至15nm的厚度。
第一和第二HBL 317和355各自可以包括选自由BCP、BAlq、Alq3、PBD、螺-PBD、Liq、双-4,6-(3,5-二-3-吡啶基苯基)-2-甲基嘧啶(B3PYMPM)、双[2-(二苯基膦基)苯基]醚氧化物(DPEPO)、9-(6-9H-咔唑-9-yl)吡啶-3-基)-9H-3,9'-联咔唑和TSPO1构成的群组中的至少一种化合物。第一和第二HBL 317和355各自可以具有5至15nm的厚度。
N型CGL 392可以包括主体，其可以是蒽衍生物或ETL 319和357的材料，以及掺杂剂是Li。例如，掺杂剂，即Li，在N型CGL 392中的重量百分比可以是0.5。P型CGL 394可以包括HIL 311的材料。
N型CGL 392和P型CGL 394中的每一个可以具有5至20nm的厚度。此外，N型CGL 392的厚度可以大于P型CGL 394的厚度。
封盖层290位于第二电极230上。例如，封盖层290可以包括HTL 313和351的材料并且可以具有50至200nm的厚度。
OLED D1包括第一发光部310和第二发光部350，并且第一和第二发光部310和350中的至少一个，例如第二发光部350，包括磷光发射层和荧光发射层。因此，OLED D1在发光效率、FWHM(即色纯度)和寿命方面具有优势。此外，在第二发光部350中，荧光发射层设置成比磷光发射层更靠近作为透明电极的第二电极230，从而进一步改善OLED D1的发光性能。
图4是根据本公开内容的第三实施方式的OLED的示意性截面图。
如图4所示，OLED D2包括作为反射电极的第一电极210，作为面向第一电极210的透明电极(或半透明电极)的第二电极230，以及其间的有机发光层220。有机发光层220包括第一发光部410(其包括第一EML 440)，其中包括第一发光层420和第二发光层430，以及第二发光部450(其包括第二EML 480)，其中包括第三发光层460和第四发光层470。此外，有机发光层220可以进一步包括第一和第二发光部410和450之间的CGL490。此外，OLED D2可以进一步包括用于增强(改善)发光效率的封盖层290。
有机发光显示装置可以包括红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域，并且OLED D2位于红色像素区域。
第一电极210可以是阳极，而第二电极230可以是阴极。第一电极210是反射电极，而第二电极230是透明电极(或半透明电极)。例如，第一电极210可以具有ITO/Ag/ITO的结构，而第二电极230可以由MgAg形成。
在第一发光部410中，第一发光层420位于第一电极210和第二发光层430之间。也就是说，第一发光层410设置成更靠近第一电极210，而第二发光层420设置成更靠近第二电极230。第一发光层420是磷光发射层，第二发光层430是磷光发射层。在第二发光部450中，第四发光层470位于第二电极230和第三发光层460之间。也就是说，第三发光层460设置成更靠近第一电极210，而第四发光层470设置成更靠近第二电极230。第三和第四发光层460和470是荧光发射层。也就是说，第一发光部410包括磷光发射层，即第一发光层420，和荧光发射层，即第二发光层430，并且荧光发射层，即第二发光层430设置成更靠近透明(半透明)电极，即第二电极230。换句话说，在第一发光部410中，荧光发射层，即第二发光层430比磷光发射层，即第一发光层420更靠近透明(半透明)电极，即第二电极230。
第一发光层420包括作为主体的第一化合物422和作为磷光掺杂剂(发射体)的第二化合物424。
第二发光层430包括作为主体的第一化合物432、作为辅助主体(辅助掺杂剂)的第三化合物434和作为荧光掺杂剂的第四化合物436，第三发光层460包括作为主体的第一化合物462、作为辅助主体(辅助掺杂剂)的第三化合物464和作为荧光掺杂剂的第四化合物466，第四发光层470包括作为主体的第一化合物472、作为辅助主体(辅助掺杂剂)的第三化合物474和作为荧光掺杂剂的第四化合物476。第二、第三和第四发光层430、460和470中的每个第三化合物434、464和474是延迟荧光化合物。
在第一发光层420中作为主体的第一化合物422、在第二发光层430中作为主体的第一化合物432、在第三发光层460中作为主体的第一化合物462和在第四发光层470中作为主体的第一化合物472中的每一个由式1表示。
也就是说，作为第一发光层420中的主体的第一化合物422、作为第二发光层430中的主体的第一化合物432、作为第三发光层460中的主体的第一化合物462和作为第四发光层470中的主体的第一化合物472具有相同的化学结构，可以相同或不同。
例如，作为第一发光层420中的主体的第一化合物422、作为第二发光层430中的主体的第一化合物432、作为第三发光层460中的主体的第一化合物462和作为第四发光层470中的主体的第一化合物472中的每一个可以由式1a至1c之一表示。作为第一发光层420中的主体的第一化合物422、作为第二发光层430中的主体的第一化合物432、作为第三发光层460中的主体的第一化合物462和作为第四发光层470中的主体的第一化合物472中的每一个可以独立地选自式2的化合物。
作为第一发光层420中的磷光掺杂剂的第二化合物424是式3中的化合物之一。
作为第二发光层430中的辅助主体的第三化合物434、作为第三发光层460中的辅助主体的第三化合物464和作为第四发光层470中的辅助主体的第三化合物474中的每一个由式4-1表示。
也就是说，作为第二发光层430中的辅助主体的第三化合物434、作为第三发光层460中的辅助主体的第三化合物464和作为第四发光层470中的辅助主体的第三化合物474具有相同的化学结构，并且可以相同或不同。
例如，作为第二发光层430中的辅助主体的第三化合物434、作为第三发光层460中的辅助主体的第三化合物464和作为第四发光层470中的辅助主体的第三化合物474中的每一个可以独立地选自式5中的化合物。
作为第二发光层430中的荧光掺杂剂的第四化合物436、作为第三发光层460中的荧光掺杂剂的第四化合物466和作为第四发光层470中的荧光掺杂剂的第四化合物476中的每一个由式6表示。
也就是说，作为第二发光层430中的荧光掺杂剂的第四化合物436、作为第三发光层460中的荧光掺杂剂的第四化合物466和作为第四发光层470中的荧光掺杂剂的第四化合物476具有相同的化学结构，并且可以相同或不同。
例如，作为第二发光层430中的荧光掺杂剂的第四化合物436、作为第三发光层460中的荧光掺杂剂的第四化合物466和作为第四发光层470中的荧光掺杂剂的第四化合物476中的每个可以独立地选自式7中的化合物。
在第一发光层420中，第一化合物422的重量％大于第二化合物424的重量％。例如，在第一发光层420中，第二化合物424相对于第一化合物422可以具有1至20的重量％。
在第二发光层430中，第一和第三化合物432和434中的每个的重量％大于第四化合物476的重量％，并且第一化合物432的重量％可以等于或大于第三化合物434的重量％。例如，在第二发光层430中，第三化合物434相对于第一化合物432可以具有80至100的重量％，而第四化合物436相对于第一化合物432可以具有0.1至10的重量％。
在第三发光层460中，第一和第三化合物462和464中的每个的重量％大于第四化合物466的重量％，并且第一化合物462的重量％可以等于或大于第三化合物464的重量％。例如，在第三发光层460中，第三化合物464相对于第一化合物462可以具有80至100的重量％，并且第四化合物466相对于第一化合物462可以具有0.1至10的重量％。
在第四发光层470中，第一和第三化合物472和474中的每个的重量％大于第四化合物476的重量％，并且第一化合物472的重量％可以等于或大于第三化合物474的重量％。例如，在第四发光层470中，第三化合物474相对于第一化合物462可以具有80至100的重量％，并且第四化合物476相对于第一化合物472可以具有0.1至10的重量％。
第一至第四发光层420、430、460和470中的每个可以具有约10至25nm的厚度。第一至第四发光层420、430、460和470可以具有相同的厚度或不同的厚度。
在第二发光层430中，作为荧光掺杂剂的第四化合物436“FD”的LUMO能级与作为辅助主体的第三化合物474“TD”的LUMO能级之差可以是0.2eV或更少且-0.3eV或更多。(0.2eV≧LUMO(FD)-LUMO(TD)≧-0.3eV)因此，可以防止第二发光层430中的第三和第四化合物434和436之间产生激基复合物，从而提高OLED D2的发光性能。
在第三发光层460中，作为荧光掺杂剂的第四化合物466“FD”的LUMO能级与作为辅助主体的第三化合物464“TD”的LUMO能级之差可以是0.2eV或更少且-0.3eV或更多。(0.2eV≧LUMO(FD)-LUMO(TD)≧-0.3eV)因此，可以防止第三发光层460中的第三和第四化合物464和466之间产生激基复合物，从而提高OLED D2的发光性能。
在第四发光层470中，作为荧光掺杂剂的第四化合物476“FD”的LUMO能级与作为辅助主体的第三化合物474“TD”的LUMO能级之差可以是0.2eV或更少且-0.3eV或更多。(0.2eV≧LUMO(FD)-LUMO(TD)≧-0.3eV)因此，可以防止第四发光层470中的第三和第四化合物474和476之间产生激基复合物，从而提高OLED D2的发光性能。
在第一发光部410中，作为荧光发射层的第二发光层430中的第一发射峰和第二发射峰之差大于作为磷光发射层的第一发光层420中的第一发射峰和第二发射峰之差。也就是说，作为第二发光层430中发射体(掺杂剂)的第四化合物436的第一发射峰和第二发射峰之差大于作为第一发光层420中发射体的第二化合物424的第一发射峰和第二发射峰之差。
此外，作为荧光发射层的第二发光层430中的第一发射峰和第二发射峰之差为50nm或更小，并且第一发光层420中的第一发射峰和第二发射峰之差小于30nm。也就是说，作为第二发光层430中的发射体的第四化合物436的第一发射峰和第二发射峰之差为50nm或更小，而作为第一发光层420中的发射体的第二化合物424的第一发射峰和第二发射峰之差值小于30nm。
第二发光层430中的第四化合物436的FWHM，即PL光谱中第一发射峰的FWHM为35nm或更小，并且第一发光层420中的第二化合物424的FWHM等于或小于第四化合物436的FWHM。此外，OLED D2的FWHM等于或小于第二化合物364的FWHM。
第一发光部410中的第一和第二发光层420和430满足上述条件，以便增加OLED D2中的空穴效应。结果，OLED D2的亮度得到改善。
第一发光层420的最大发射波长与第二发光层430的最大发射波长之差为20nm或更小，第三发光层460的最大发射波长与第四发光层470的最大发射波长之差为20nm或更小。也就是说，第一发光层420中的第二化合物424的最大发射波长与第二发光层430中的第四化合物436的最大发射波长之差为20nm或更少，第三发光层460中的第四化合物466的最大发射波长与第四发光层470中的第四化合物476的最大发射波长之差为20nm或更少。例如，第一至第四发光层420、430、460和470中的每一个可以具有580至650nm的发射波长范围，优选600至640nm。
此外，包括第一和第二发光层420和430的第一发光部410的平均发射波长与包括第三和第四发光层460和470的第二发光部450的平均发射波长之差可以是20nm或更少。
第一发光部410可以进一步包括位于第一EML 440下的第一HTL 413和位于第一EML 440上的第一ETL 419中的至少一个。
此外，第一发光部410可以进一步包括位于第一HTL 413之下的HIL。
此外，第一发光部410可以进一步包括位于第一EML 440和第一HTL413之间的第一EBL 415以及位于第一EML 440和第一ETL 419之间的第一HBL417中的至少一个。
第二发光部450可以进一步包括位于第二EML 480之下的第二HTL 451和位于第二EML 480上的第二ETL 457中的至少一个。
此外，第二发光部450可以进一步包括位于第二ETL 457上的EIL。
此外，第二发光部450可以进一步包括位于第二EML 480和第二HTL451之间的第二EBL 453以及位于第二EML 480和第二ETL 457之间的第二HBL 455中的至少一个。
CGL 490位于第一和第二发光部410和450之间，并且第一和第二发光部410和450通过CGL 490连接。第一发光部410、CGL 490和第二发光部450依次堆叠在第一电极210上。也就是说，第一发光部410位于第一电极210和CGL 490之间，并且第二发光部450位于第二电极230和CGL 490之间。
CGL 490可以是N型CGL 492和P型CGL 494的P-N结型CGL。
N型CGL 492位于第一ETL 419和第二HTL 451之间，并且P型CGL 494位于N型CGL492和第二HTL 451之间。N型CGL 492向第一发光部410的第一EML 440提供电子，而P型CGL494向第二发光部450的第二EML 480提供空穴。
封盖层290位于第二电极230上。例如，封盖层290可以包括HTL 413和451的材料并且可以具有50至200nm的厚度。
OLED D2包括第一发光部410和第二发光部450，并且第一和第二发光部410和450中的至少一个，例如第一发光部410，包括磷光发射层和荧光发射层。因此，OLED D2在发光效率、FWHM(即色纯度)和寿命方面具有优势。此外，在第一发光部410中，荧光发射层设置成比磷光发射层更靠近作为透明电极的第二电极230，从而进一步改善OLED D2的发光性能。
图5是根据本公开内容的第四实施方式的OLED的示意性截面图。
如图5所示，OLED D3包括作为反射电极的第一电极210，作为面向第一电极210的透明电极(或半透明电极)的第二电极230，以及其间的有机发光层220。有机发光层220包括第一发光部510(其包括第一EML 540)，其中包括第一发光层520和第二发光层530，以及第二发光部550(其包括第二EML 580)，其中包括第三发光层560和第四发光层570。此外，有机发光层220可以进一步包括第一和第二发光部510和550之间的CGL 590。此外，OLED D3可以进一步包括用于增强(改善)发光效率的封盖层290。
有机发光显示装置可以包括红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域，并且OLED D3位于红色像素区域。
第一电极210可以是阳极，而第二电极230可以是阴极。第一电极210是反射电极，而第二电极230是透明电极(或半透明电极)。例如，第一电极210可以具有ITO/Ag/ITO的结构，而第二电极230可以由MgAg形成。
在第一发光部510中，第一发光层520设置在第一电极210和第二发光层530之间。第一发光层520是磷光发射层，第二发光层530是磷光发射层。在第二发光部550中，第四发光层570设置在第二电极230和第三发光层560之间。第三发光层560是磷光发射层，而第四发光层570是荧光发射层。
也就是说，在第一发光部510中，荧光发射层，即第二发光层530，设置在透明(半透明)电极，即第二电极230的一侧，并且在第二发光部550中，荧光发射层，即第四发光层570，设置在透明电极，即第二电极230的一侧。换句话说，在第一发光部510中，荧光发射层，即第二发光层530，设置成比磷光发射层，即第一发光层520更靠近透明电极，即第二电极230。而在第二发光部550中，荧光发射层，即第四发光层570，设置成比磷光发射层，即第三发光层560更靠近透明电极，即第二电极230。
第一发光层520包括作为主体的第一化合物522和作为磷光掺杂剂(发射体)的第二化合物524。而第三发光层560包括作为主体的第一化合物562、作为磷光掺杂剂的第二化合物564。
第二发光层530包括作为主体的第一化合物532、作为辅助主体(辅助掺杂剂)的第三化合物534和作为荧光掺杂剂的第三化合物534和作为荧光掺杂剂的第四化合物536，第四发光层570包括作为主体的第一化合物572、作为辅助主体(辅助掺杂剂)的第三化合物574和作为荧光掺杂剂的第四化合物576。第二和第四发光层530和570中的每个第三化合物534和574是延迟荧光化合物。
在第一发光层520中作为主体的第一化合物522、在第二发光层530中作为主体的第一化合物532、在第三发光层560中作为主体的第一化合物562和在第四发光层570中作为主体的第一化合物572中的每一个由式1表示。
也就是说，作为第一发光层520中的主体的第一化合物522、作为第二发光层530中的主体的第一化合物532、作为第三发光层560中的主体的第一化合物562和作为第四发光层570中的主体的第一化合物572具有相同的化学结构，可以相同或不同。
例如，作为第一发光层520中的主体的第一化合物522、作为第二发光层530中的主体的第一化合物532、作为第三发光层560中的主体的第一化合物562和作为第四发光层570中的主体的第一化合物572中的每一个可以由式1a至1c之一表示。作为第一发光层520中的主体的第一化合物522、作为第二发光层530中的主体的第一化合物532、作为第三发光层560中的主体的第一化合物562和作为第四发光层570中的主体的第一化合物572中的每一个可以独立地选自式2的化合物。
作为第一发光层520中的磷光掺杂剂的第二化合物524和作为第三发光层560中的磷光掺杂剂的第二化合物564中的每一个独立地选自式3的化合物。
作为第二发光层530中的辅助主体的第三化合物534和作为第四发光层570中的辅助主体的第三化合物574中的每一个由式4-1表示。
也就是说，作为第二发光层530中的辅助主体的第三化合物534和作为第四发光层570中的辅助主体的第三化合物574具有相同的化学结构，可以相同或不同。
例如，作为第二发光层530中的辅助主体的第三化合物534和作为第四发光层570中的辅助主体的第三化合物574中的每一个可以独立地选自式5中的化合物。
作为第二发光层530中的荧光掺杂剂的第四化合物536和作为第四发光层570中的荧光掺杂剂的第四化合物576中的每一个由式6表示。
也就是说，作为第二发光层530中的荧光掺杂剂的第四化合物536和作为第四发光层570中的荧光掺杂剂的第四化合物576具有相同的化学结构，可以相同或不同。
例如，作为第二发光层530中的荧光掺杂剂的第四化合物536、和作为第四发光层570中的荧光掺杂剂的第四化合物576中的每一个可以独立地选自式7中的化合物。
在第一发光层520中，第一化合物522的重量％大于第二化合物524的重量％。例如，在第一发光层520中，第二化合物524相对于第一化合物522可以具有1至20的重量％。
在第二发光层530中，第一和第三化合物532和534中的每个的重量％大于第四化合物576的重量％，并且第一化合物532的重量％可以等于或大于第三化合物534的重量％。例如，在第二发光层530中，第三化合物534相对于第一化合物532可以具有80至100的重量％，而第四化合物536相对于第一化合物532可以具有0.1至10的重量％。
在第三发光层560中，第一化合物562的重量％大于第四化合物564的重量％。例如，在第三发光层560中，第二化合物564相对于第一化合物562可以具有1至20的重量％。
在第四发光层570中，第一和第三化合物572和574中的每个的重量％大于第四化合物576的重量％，并且第一化合物572的重量％可以等于或大于第三化合物574的重量％。例如，在第四发光层570中，第三化合物574相对于第一化合物562可以具有80至100的重量％，并且第四化合物576相对于第一化合物572可以具有0.1至10的重量％。
第一至第四发光层520、530、560和570中的每个可以具有约10至25nm的厚度。第一至第四发光层520、530、560和570可以具有相同的厚度或不同的厚度。
在第二发光层530中，作为荧光掺杂剂的第四化合物536“FD”的LUMO能级与作为辅助主体的第三化合物574“TD”的LUMO能级之差可以是0.2eV或更少且-0.3eV或更多。(0.2eV≧LUMO(FD)-LUMO(TD)≧-0.3eV)在第四发光层570中，作为荧光掺杂剂的第四化合物576“FD”的LUMO能级与作为辅助主体的第三化合物574“TD”的LUMO能级之差可以是0.2eV或更少且-0.3eV或更多。(0.2eV≧LUMO(FD)-LUMO(TD)≧-0.3eV)因此，可以防止第二和第四发光层530和570中产生激基复合物，从而提高第二和第四发光层530和570的发光性能。
在第一发光部510中，作为荧光发射层的第二发光层530中的第一发射峰和第二发射峰之差大于作为磷光发射层的第一发光层520中的第一发射峰和第二发射峰之差。也就是说，作为第二发光层530中发射体(掺杂剂)的第四化合物536的第一发射峰和第二发射峰之差大于作为第一发光层520中发射体的第二化合物524的第一发射峰和第二发射峰之差。
此外，作为荧光发射层的第二发光层530中的第一发射峰和第二发射峰之差为50nm或更小，并且第一发光层520中的第一发射峰和第二发射峰之差小于30nm。也就是说，作为第二发光层530中的发射体的第四化合物536的第一发射峰和第二发射峰之差为50nm或更小，而作为第一发光层520中的发射体的第二化合物524的第一发射峰和第二发射峰之差值小于30nm。
在第二发光部550中，作为荧光发射层的第四发光层570中的第一发射峰和第二发射峰之差大于作为磷光发射层的第三发光层560中的第一发射峰和第二发射峰之差。也就是说，作为第四发光层570中发射体(掺杂剂)的第四化合物736的第一发射峰和第二发射峰之差大于作为第三发光层560中发射体的第二化合物564的第一发射峰和第二发射峰之差。
此外，作为荧光发射层的第四发光层570中的第一发射峰和第二发射峰之差为50nm或更小，并且第三发光层560中的第一发射峰和第二发射峰之差小于30nm。也就是说，作为第四发光层570中的发射体的第四化合物576的第一发射峰和第二发射峰之差为50nm或更小，而作为第三发光层560中的发射体的第二化合物564的第一发射峰和第二发射峰之差值小于30nm。
第二发光层530中的第四化合物536和第四发光层570中的第四化合物576中的每一个的FWHM，即PL光谱中第一发射峰的FWHM为35nm或更小，并且第一发光层520中的第二化合物524和第三发光层560的第二化合物564的FWHM分别小于第二发光层530中的第四化合物536和第四发光层570的第四化合物576的FWHM。此外，OLED D3的FWHM等于或小于第一发光层520中的第二化合物524或第三发光层560中的第二化合物564。
第一发光部510中的第一和第二发光层520和530和第三和第四发光层560和570满足上述条件，以便增加OLED D3中的空穴效应。结果，OLED D3的亮度得到改善。
第一发光层520的最大发射波长与第二发光层530的最大发射波长之差为20nm或更小，第三发光层560的最大发射波长与第四发光层570的最大发射波长之差为20nm或更小。也就是说，第一发光层520中的第二化合物524的最大发射波长与第二发光层530中的第四化合物536的最大发射波长之差为20nm或更少，第三发光层560中的第二化合物564的最大发射波长与第四发光层570中的第四化合物576的最大发射波长之差为20nm或更少。例如，第一至第四发光层520、530、560和570中的每一个可以具有580至650nm的发射波长范围，优选600至640nm。
此外，包括第一和第二发光层520和530的第一发光部510的平均发射波长与包括第三和第四发光层560和570的第二发光部550的平均发射波长之差可以是20nm或更少。
第一发光部510可以进一步包括位于第一EML 540下的第一HTL 513和位于第一EML 540上的第一ETL 519中的至少一个。
此外，第一发光部510可以进一步包括位于第一HTL 513之下的HIL。
此外，第一发光部510可以进一步包括位于第一EML 540和第一HTL513之间的第一EBL 515以及位于第一EML 540和第一ETL 519之间的第一HBL 517中的至少一个。
第二发光部550可以进一步包括位于第二EML 580之下的第二HTL 551和位于第二EML 580上的第二ETL 557中的至少一个。
此外，第二发光部550可以进一步包括位于第二ETL 557上的EIL。
此外，第二发光部550可以进一步包括位于第二EML 580和第二HTL551之间的第二EBL 553以及位于第二EML 580和第二ETL 557之间的第二HBL 555中的至少一个。
CGL 590位于第一和第二发光部510和550之间，并且第一和第二发光部510和550通过CGL 590连接。第一发光部510、CGL 590和第二发光部4550依次堆叠在第一电极210上。也就是说，第一发光部510位于第一电极210和CGL 590之间，并且第二发光部550位于第二电极230和CGL 590之间。
CGL 590可以是N型CGL 592和P型CGL 594的P-N结型CGL。
N型CGL 592位于第一ETL 519和第二HTL 551之间，并且P型CGL 594位于N型CGL592和第二HTL 551之间。N型CGL 592向第一发光部510的第一EML 540提供电子，而P型CGL594向第二发光部550的第二EML 580提供空穴。
封盖层290位于第二电极230上。例如，封盖层290可以包括HTL 513和551的材料并且可以具有50至200nm的厚度。
OLED D3包括第一发光部510和第二发光部550，并且第一和第二发光部510和550各自包括磷光发射层和荧光发射层。因此，OLED D3在发光效率、FWHM(即色纯度)和寿命方面具有优势。
图6是根据本公开内容的第五实施方式的有机发光显示装置的示意性截面图。
如图6所示，有机发光显示装置600包括基板610，其中限定了第一至第三像素区域P1、P2和P3，基板610上或其上方的TFT Tr以及覆盖TFT Tr并连接到TFT Tr的OLED D。
例如，第一至第三像素区域P1、P2和P3可以是绿色像素区域、红色像素区域和蓝色像素区域。第一至第三像素区域P1、P2和P3构成一个像素单元。或者，该像素单元可以进一步包括白色像素区域。
基板610可以是玻璃基板或柔性基板。
在基板610上形成缓冲层612，并且TFT Tr形成在缓冲层612上。缓冲层612可以被省略。
在缓冲层612上设置TFT Tr。TFT Tr包括半导体层、栅极、源极和漏极并作为驱动元件。也就是说，TFT Tr可以是驱动TFT Td的(图1)。
在TFT Tr上设置平坦化层(或钝化层)650。平坦化层650具有平坦的顶面，并且包括暴露于TFT Tr的漏极的漏极接触孔652。
OLED D设置在平坦化层650上，并且包括第一电极210、有机发光层220和第二电极230。第一电极210通过漏极接触孔152连接到TFT Tr的漏极，并且有机发光层220和第二电极230依次叠加在第一电极210上。OLED D设置在第一至第三像素区域P1至P3中的每一个，并在第一至第三像素区域P1至P3中的每一个发出不同颜色的光。例如，第一像素区域中的OLED D可发红光，第二像素区域P2中的OLED D可发绿光，而第三像素区域P3中的OLED D可发蓝光。
第一电极210可以形成为在第一至第三像素区域P1至P3中的每一个中分离，并且第二电极230可以形成为对应于第一至第三像素区域P1至P3的一体。
第一电极210是阳极和阴极中的一个，并且第二电极230是阳极和阴极中的另一个。此外，第一电极210是反射电极，而第二电极230是透明(或半透明)电极。也就是说，来自OLED D的光通过第二电极230显示图像。(即一种顶部发射型有机发光显示装置)
例如，第一电极210可以是阳极，并且可以包括由具有相对高的功函数的导电材料(例如透明导电氧化物(TCO))形成的透明导电氧化物材料层以及反射层。也就是说，该第一电极210可以是反射电极。
第二电极230可以是阴极，并且可以包括具有相对低功函数的导电材料。第二电极230可以具有薄的轮廓，是透明(或半透明)的。
有机发光层220可以具有图3至5所解释的结构。
参照图3，有机发光层220包括含第一EML 340的第一发光部310和含第二EML 380的第二发光部350，第一发光部310包括第一和第二发光层320和330，第二发光部350包括第三和第四发光层360和370。
在第一发光部310中，第一发光层320位于第一电极210和第二发光层330之间。第一发光层320是磷光发射层，而第二发光层330是磷光发射层。在第二发光部350中，第四发光层370位于第二电极230和第三发光层360之间。第三发光层360是磷光发射层，第四发光层370是荧光发射层。也就是说，在第二发光部350中，作为荧光发射层的第四发光层370位于为更靠近作为透明电极(或半透明电极)的第二电极230。
第一发光层320包括作为主体的第一化合物322和作为磷光掺杂剂(或第一磷光发射体)的第二化合物324，第二发光层330包括作为主体的第一化合物332和作为磷光掺杂剂的第二化合物334，并且第三发光层360包括作为主体的第一化合物362和作为磷光掺杂剂的第二化合物364。
第四发光层370包括作为主体的第一化合物372、作为辅助主体(或辅助掺杂剂)的第三化合物374和作为荧光掺杂剂(或第一荧光发射体)的第四化合物376。
作为第一发光层320的主体的第一化合物322、作为第二发光层330的主体的第一化合物332、作为第三发光层360的主体的第一化合物362和作为第四发光层370的主体的第一化合物372中的每一个用式1表示。作为第一发光层320的磷光掺杂剂的第二化合物324、作为第二发光层的磷光掺杂剂的第二化合物334和作为第三发光层的磷光掺杂剂的第二化合物364各自独立地选自式3的化合物。作为第四发光层470中的辅助主体的第三化合物374由式4-1表示，而作为第四发光层470中的荧光掺杂剂的第四化合物376由式6表示。
参照图4，有机发光层220包括第一发光部410(其包括第一EML 440)以及第二发光部450(其包括第二EML 480)，第一发光部410包括第一发光层420和第二发光层430，第二发光部450包括第三发光层460和第四发光层470。
在第一发光部410中，
第一发光层420位于第一电极210和第二发光层430之间。第一发光层420是磷光发射层，第二发光层430是磷光发射层。在第二发光部450中，第四发光层470位于第二电极230和第三发光层460之间。第三发光层460是荧光发射层，而第四发光层470是荧光发射层。也就是说，在第一发光部410中，荧光发射层，即第二发光层430更靠近透明(半透明)电极，即第二电极230。
第一发光层420包括作为主体的第一化合物422和作为磷光掺杂剂(发射体)的第二化合物424。第二发光层430包括作为主体的第一化合物432、作为辅助主体(辅助掺杂剂)的第三化合物434和作为荧光掺杂剂的第四化合物436，第三发光层460包括作为主体的第一化合物462、作为辅助主体(辅助掺杂剂)的第三化合物464和作为荧光掺杂剂的第四化合物466，第四发光层470包括作为主体的第一化合物472、作为辅助主体(辅助掺杂剂)的第三化合物474和作为荧光掺杂剂的第四化合物476。第二、第三和第四发光层430、460和470中的每个第三化合物434、464和474是延迟荧光化合物。
作为第一发光层420中的主体的第一化合物422、作为第二发光层430中的主体的第一化合物432、作为第三发光层460中的主体的第一化合物462和作为第四发光层470中的主体的第一化合物472中的每一个由式1表示。作为第一发光层420中的磷光掺杂剂的第二化合物424是式3中的化合物之一。作为第二发光层430中的辅助主体的第三化合物434、作为第三发光层460中的辅助主体的第三化合物464和作为第四发光层470中的辅助主体的第三化合物474中的每一个由式4-1表示。作为第二发光层430中的荧光掺杂剂的第四化合物436、作为第三发光层460中的荧光掺杂剂的第四化合物466和作为第四发光层470中的荧光掺杂剂的第四化合物476中的每一个由式6表示。
参照图5，有机发光层220包括第一发光部510(其包括第一EML 540)以及第二发光部550(其包括第二EML 580)，第一发光部510包括第一发光层520和第二发光层530，第二发光部550包括第三发光层560和第四发光层570。
在第一发光部510中，第一发光层520位于第一电极210和第二发光层530之间。第一发光层520是磷光发射层，第二发光层530是磷光发射层。在第二发光部550中，第四发光层570位于第二电极230和第三发光层560之间。第三发光层560是磷光发射层，而第四发光层570是荧光发射层。也就是说，在第一发光部510中，作为荧光发射层的第二发光层530位于更靠近作为透明(半透明)电极的第二电极230，并且在第二发光部550中，作为荧光发射层的第四发光层位于更靠近作为透明电极的第二电极230。
第一发光层520包括作为主体的第一化合物522和作为磷光掺杂剂(发射体)的第二化合物524。而第三发光层560包括作为主体的第一化合物562、作为磷光掺杂剂的第二化合物564。第二发光层530包括作为主体的第一化合物532、作为辅助主体(辅助掺杂剂)的第三化合物534和作为荧光掺杂剂的第三化合物534和作为荧光掺杂剂的第四化合物536，第四发光层570包括作为主体的第一化合物572、作为辅助主体(辅助掺杂剂)的第三化合物574和作为荧光掺杂剂的第四化合物576。第二和第四发光层530和570中的每个第三化合物534和574是延迟荧光化合物。
在第一发光层520中作为主体的第一化合物522、在第二发光层530中作为主体的第一化合物532、在第三发光层560中作为主体的第一化合物562和在第四发光层570中作为主体的第一化合物572中的每一个由式1表示。作为第一发光层520中的磷光掺杂剂的第二化合物524和作为第三发光层560中的磷光掺杂剂的第二化合物564中的每一个独立地选自式3的化合物。作为第二发光层530中的辅助主体的第三化合物534和作为第四发光层570中的辅助主体的第三化合物574中的每一个由式4-1表示。作为第二发光层530中的荧光掺杂剂的第四化合物536和作为第四发光层570中的荧光掺杂剂的第四化合物576中的每一个由式6表示。
尽管未示出，但OLED D可以进一步包括第二电极230上的封盖层(未显示)。OLED D的发光效率可以通过封盖层进一步提高。
在第二电极230上形成封装膜(或封装层)670，以防止水分渗透到OLED D中，封装膜670可包括无机绝缘层和有机绝缘层。
尽管未示出，但有机发光显示装置600可以包括对应于红、绿和蓝像素区域的彩色滤光片。例如，彩色滤光片可以设置在OLED D或封装膜670上或上方。
此外，有机发光显示装置100可以进一步包括在封装膜170或彩色滤光片上或上方的盖窗(未显示)。在这种情况下，基板610和盖窗具有柔性特性，从而可以提供柔性有机发光显示装置。
图7是根据本公开内容的第六实施方式的有机发光显示装置的示意性截面图。
如图7所示，有机发光显示装置700包括基板710，其中限定了第一至第三像素区域P1、P2和P3，基板710上或其上方的TFT Tr以及覆盖TFT Tr并连接到TFT Tr的OLED D。
例如，第一至第三像素区域P1、P2和P3可以是绿色像素区域、红色像素区域和蓝色像素区域。第一至第三像素区域P1、P2和P3构成一个像素单元。或者，该像素单元可以进一步包括作为第四像素区域的白色像素区域。
基板710可以是玻璃基板或柔性基板。
在基板710上形成缓冲层712，并且TFT Tr形成在缓冲层712上。缓冲层712可以被省略。
在缓冲层712上设置TFT Tr。TFT Tr包括半导体层、栅极、源极和漏极并作为驱动元件。也就是说，TFT Tr可以是驱动TFT Td的(图1)。
在TFT Tr上设置平坦化层(或钝化层)750。平坦化层750具有平坦的顶面，并且包括暴露于TFT Tr的漏极的漏极接触孔752。
OLED D设置在平坦化层750上，并且包括第一电极210、有机发光层220和第二电极230。第一电极210通过漏极接触孔152连接到TFT Tr的漏极，并且有机发光层220和第二电极230依次叠加在第一电极240上。OLED D设置在第一至第三像素区域P1至P3中的每一个，并在第一至第三像素区域P1至P3中的每一个发出不同颜色的光。例如，第一像素区域中的OLED D可发红光，第二像素区域P2中的OLED D可发绿光，而第三像素区域P3中的OLED D可发蓝光。
第一电极210可以形成为在第一至第三像素区域P1至P3中的每一个中分离，并且第二电极230可以形成为对应于第一至第三像素区域P1至P3的一体。
第一电极210是阳极和阴极中的一个，并且第二电极230是阳极和阴极中的另一个。此外，第一电极210是透明(或半透明)电极，而第二电极230是反射电极。也就是说，来自OLED D的光通过第一电极210显示图像。(即一种底部发射型有机发光显示装置)
例如，第一电极210可以是阳极，并且可以包括由具有相对高的功函数的导电材料(例如透明导电氧化物(TCO))形成的透明导电氧化物材料层以及反射层。也就是说，该第一电极210可以是反射电极。
第二电极230可以是阴极，并且可以包括具有相对低功函数的导电材料。
有机发光层220可以具有图3至5所解释的结构。但是第一发光层320、420和520以及第二发光层330、430和530的堆叠顺序以及第三发光层360、460和560以及第四发光层370、470和570的堆叠顺序被改变。
例如，在图5的OLED D3中，在第一EML 540中，作为荧光发射层的第二发光层530位于在比第一发光层520更靠近作为透明电极的第一电极210。在第二EML580中，作为荧光发射层的第四发光层570位于比第三发光层560更靠近作为透明电极的第一电极210。
在第二电极230上形成封装膜(或封装层)770，以防止水分渗透到OLED D中，封装膜770可包括无机绝缘层和有机绝缘层。
尽管未示出，但有机发光显示装置700可以包括对应于红、绿和蓝像素区域的彩色滤光片。例如，彩色滤光片可以设置在OLED D和基板710之间。
此外，有机发光显示装置100可以进一步包括在封装膜170或彩色滤光片上或上方的盖窗(未显示)。在这种情况下，基板610和盖窗具有柔性特性，从而可以提供柔性有机发光显示装置。
[OLED1]
阳极(ITO/APC/ITO)，HIL(式8-1中的化合物(8wt％)和式8-2的化合物，70nm)，HTL(式8-2中的化合物，30nm)，EBL(式8-3中的化合物，10nm)，第一EML(36nm)，HBL(式8-4中的化合物，10nm)，ETL(式8-5中的化合物，15nm)，N-CGL(式8-5中的化合物(98wt％)和Li(2wt％)，10nm)，P-CGL(式8-1的化合物，8nm)，HTL(式8-2中的化合物，25nm)，EBL(式8-3中的化合物，10nm)，第二EML(36nm)，HBL(式8-4中的化合物，10nm)，ETL(式8-5中的化合物，30nm)、EIL(LiF，5nm)、阴极(AgMg，15nm)和封盖层(式8-6中的化合物，100nm)，依次沉积以在红色像素区域形成OLED。
[式8-1]
[式8-2]
[式8-3]
[式8-4]
[式8-5]
[式8-6]
1.比较例
(1)比较例1(Ref1)
将式2中的化合物H1(98wt％)和式3中的化合物PD1(2wt％)用于形成第一和第二EML。
(2)比较例2(Ref2)
式2中的化合物H1(50重量％)、式5中的化合物TD1(49重量％)和式7中的化合物FD1(1重量％)用于形成第一和第二EML。
(3)比较例3(Ref3)
将式2中的化合物H1(50重量％)、式5中的化合物TD1(49重量％)和式7中的化合物FD1(1重量％)用于形成第一EML，并且将式2中的化合物H1(98重量％)和式3中的化合物PD1(2重量％)用于形成第二EML。
(4)比较例4(Ref4)
将式2中的化合物H1(98重量％)和式3中的化合物PD1(2重量％)用于形成第一EML，并且将式2中的化合物H1(50重量％)、式5中的化合物TD1(49重量％)和式7中的化合物FD1(1重量％)用于形成第二EML。
[OLED2]
阳极(ITO/APC/ITO)，HIL(式8-1中的化合物(8wt％)和式8-2中的化合物，70nm)，HTL(式8-2中的化合物，30nm)，EBL(式8-3中的化合物，10nm)，第一发光层(18nm)，第二发光层(18nm)，HBL(式8-4中的化合物，10nm)，ETL(式8-5中的化合物，15nm)，N-CGL(式8-5中的化合物(98wt％)和Li(2wt％)，10nm)，P-CGL(式8-1中的化合物，8nm)，HTL(式8-2中的化合物，25nm)，EBL(式8-3中的化合物，10nm)，第三发光层(18nm)，第四发光层(18nm)，HBL(式8-4中的化合物。10nm)，ETL(式8-5中的化合物，30nm)，EIL(LiF，5nm)，阴极(AgMg，15nm)和封盖层(式8-6中的化合物，100nm)依次沉积以在红色像素区域形成OLED。
2.比较例5(Ref5)
式2中的化合物H1(98重量％)和式3中的化合物PD1(2重量％)用于形成第一、第二和第三发光层，并且式2中的化合物H1(50重量％)、式9中的化合物(49重量％)和式10中的化合物(1重量％)用于形成第四发光层。
2.实施例
(1)实施例1(Ex1)
将式2中的化合物H1(98wt％)和式3中的化合物PD1(2wt％)用于形成第一和第三发光层，式2中的化合物H1(50wt％)、式5中的化合物TD1(49wt％)和式7中的化合物FD1(1wt％)用于形成第二发光层，并且式2中的化合物H1(50wt％)、式9中的化合物(49wt％)和式10中的化合物(1wt％)用于形成第四发光层。
(2)实施例2(Ex2)
式2中的化合物H1(98重量％)和式3中的化合物PD1(2重量％)用于形成第一发光层，式2中的化合物H1(50重量％)、式5中的化合物TD1(49wt％)和式7中的化合物FD1(1wt％)用于形成第二和第三发光层，并且式2中的化合物H1(50wt％)、式9中的化合物(49wt％)和式10中的化合物(1wt％)用于形成第四发光层。
(3)实施例3(Ex3)
将式2中的化合物H1(98wt％)和式3中的化合物PD1(2wt％)用于形成第一、第二和第三发光层，并且将式2中的化合物H1(50wt％)、式5中的化合物TD1(49wt％)和式7中的化合物FD1(1wt％)用于形成第四发光层。
(4)实施例4(Ex4)
将式2中的化合物H1(98wt％)和式3中的化合物PD1(2wt％)用于形成第一和第三发光层，并且将式2中的化合物H1(50wt％)、式5中的化合物TD1(49wt％)和式7中的化合物FD1(1wt％)用于形成第二和第四发光层。
(5)实施例5(Ex5)
式2中的化合物H1(98wt％)和式3中的化合物PD1(2wt％)用于形成第一发光层，并且式2中的化合物H1(50wt％)、式5中的化合物TD1(49wt％)和式7中的化合物FD1(1wt％)用于形成第二、第三和第四发光层。
(6)实施例6(Ex6)
式2中的化合物H1(98wt％)和式3中的化合物PD1(2wt％)用于形成第一和第三发光层，并且式2中的化合物H1(50wt％)、式5中的化合物TD1(49wt％)和式7中的化合物FD2(1wt％)用于形成第二和第四发光层。
(7)实施例7(Ex7)
式2中的化合物H1(98wt％)和式3中的化合物PD1(2wt％)用于形成第一和第三发光层，并且式2中的化合物H1(50wt％)、式5中的化合物TD1(49wt％)和式7中的化合物FD3(1wt％)用于形成第二和第四发光层。
(8)实施例8(Ex8)
式2中的化合物H1(98wt％)和式3中的化合物PD1(2wt％)用于形成第一和第三发光层，并且式2中的化合物H1(50wt％)、式5中的化合物TD1(49wt％)和式7中的化合物FD4(1wt％)用于形成第二和第四发光层。
(9)实施例9(Ex9)
式2中的化合物H1(98wt％)和式3中的化合物PD1(2wt％)用于形成第一和第三发光层，并且式2中的化合物H1(50wt％)、式5中的化合物TD1(49wt％)和式7中的化合物FD5(1wt％)用于形成第二和第四发光层。
[式9]
[式10]
测量比较例1至5和实施例1至9中的OLED的发光特性，即驱动电压(V)、亮度(cd/A)、色坐标指数(CIE)、最大发射波长(ELmax)、FWHM和寿命(T95)，并列在表1和2中。
式7中的化合物FD1和式10中的化合物"FD_Ref"的PL光谱示出在图8A和8B中，PL光谱的特性列于表3中。
表1
表2
表3
| FD | Δ(λ2nd-λ1st) | FWHM(nm) |
| FD1 | 26 | 35 |
| FD_Ref | 26 | 40 |
如表1和表2所示，与Ref1至Ref4的OLED(其中第一和第二发光部中的每一个包括单层EML)相比，Ref5和Ex1至Ex9的OLED(其中第一和第二发光部中的每一个包括双层EML)的寿命显著提高。
尽管第一和第二发光部中的至少一个包括磷光发射层和磷光发射层更接近透明电极的荧光发射层，但是OLED的特性根据磷光发射层和荧光发射层的组合而改变。
也就是说，在其中荧光发射层包括作为荧光发射体(掺杂剂)的式10中的化合物的Ref5的OLED中，不满足FWHM为35nm或更小的荧光发射体的条件。因此，尽管荧光发射层被设置成更接近透明电极，但没有提供强的空穴效应。
与Ref5的OLED相比，Ex1和Ex2的OLED的第一发光部中的荧光发射层包括式6中的化合物作为荧光发射体，从而提高发光效率和寿命。
此外，在其中第一发光部中的荧光发射层和第二发光部中的荧光发射层都包括作为荧光发射体的式6中的化合物的Ex3至Ex9的OLED中，满足上述条件，从而提供强的空穴效应。因此，与Ref5、Ex1和Ex2的OLED相比，在Ex3至Ex9的OLED中，FWHM下降，并且发光效率和寿命进一步提高。
如上所述，本公开内容的OLED包括第一和第二发光部，每个发光部包括荧光发射层和磷光发射层，并且第一和第二发光部中的至少一个中的荧光发射层被设置成更接近作为透明电极的第二电极。因此，空穴效应得到加强，OLED的特性(性能)得到改善。
对于本领域的技术人员来说，显然可以在不脱离本公开内容的精神或范围的情况下对本公开内容进行各种修改和变化。因此，本公开内容的目的是涵盖本公开内容的修改和变化，只要它们属于所附权利要求及其等同物的范围。
Claims (20)
1.一种有机发光二极管，包含：
反射电极；
面向所述反射电极的透明电极，和
有机发光层，所述有机发光层包括第一发光部和第二发光部并位于所述反射电极和所述透明电极之间，
其中所述第一发光部包括第一发光层和第二发光层，所述第二发光部包括第三发光层和第四发光层，
其中所述第一发光层是第一磷光发射层，所述第二发光层是第一荧光发射层，并且
其中所述第一荧光发射层比所述第一磷光发射层更靠近所述透明电极。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中所述第三发光层是第二磷光发射层，所述第四发光层是第三磷光发射层，并且
其中所述第二发光部位于所述反射电极和所述第一发光部之间。
3.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中所述第三发光层是第二荧光发射层，所述第四发光层是第三荧光发射层，并且
其中所述第一发光部位于所述反射电极和所述第二发光部之间。
4.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中所述第三发光层是第二磷光发射层，所述第四发光层是第二荧光发射层，并且
其中所述第二荧光发射层比所述第二磷光发射层更靠近所述透明电极。
5.根据权利要求4所述的有机发光二极管，其中所述第三发光层包括第一化合物和第二化合物，所述第四发光层包括所述第一化合物、第三化合物和第四化合物，
其中所述第一化合物由式1表示：
[式1]
其中Ar选自由取代或未取代的C6至C30芳撑基和取代或未取代的C5至C30杂芳撑基构成的群组，
其中R1、R2、R3和R4各自独立地选自由取代或未取代的C1至C10烷基和取代或未取代的C6至C30芳基构成的群组，或者相邻的两个R1、相邻的两个R2、相邻的两个R3和相邻的两个R4中的至少一个相互连接而形成芳香环、芳香族稠合环、杂环或杂稠合环，
其中a1、a2、a3和a4各自独立地是0至4的整数，
其中所述第二化合物是式3中的化合物之一：
[式3]
其中所述第三化合物由式4-1表示：[式4-1]
其中c1为1至4的整数，且Y由式4-2表示：
[式4-2]
其中R11和R12各自独立地选自由取代或未取代的C1至C10烷基、取代或未取代的C6至C30芳基和取代或未取代的C5至C30杂芳基构成的群组，或者两个相邻的R11和两个相邻的R12中的至少一个相互连接而形成芳环或杂芳环，
其中c2和c3各自独立地是0至4的整数，
其中所述第四化合物由式6表示：
[式6]
其中R21、R22、R23和R24各自独立地选自取代或未取代的C6至C30芳基，并且R25、R26和R27各自独立地选自由氢、氘、取代或未取代的C1至C10烷基、取代或未取代的C6至C30芳基和取代或未取代的C5至C30杂芳基构成的群组。
6.根据权利要求5所述的有机发光二极管，其中所述第一化合物是式2中的化合物之一：
[式2]
7.根据权利要求5所述的有机发光二极管，其中所述第三化合物是式5中的化合物之一：
[式5]
8.根据权利要求5所述的有机发光二极管，其中所述第四化合物是式7中的化合物之一：
[式7]
9.根据权利要求4所述的有机发光二极管，其中所述第四发光层中的第一发射峰和第二发射峰之差为50nm或更小，所述第三发光层中的第一发射峰和第二发射峰之差小于30nm。
10.根据权利要求9所述的有机发光二极管，其中所述第四发光层中的第一发射峰和第二发射峰之差大于所述第三发光层中的第一发射峰和第二发射峰之差。
11.根据权利要求9所述的有机发光二极管，其中所述第四发光层的第一半峰全宽为35nm或更小，所述第三发光层的第二半峰全宽小于所述第一半峰全宽。
12.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中所述第一发光层包括第一化合物和第二化合物，所述第二发光层包括所述第一化合物、第三化合物和第四化合物，
其中所述第一化合物由式1表示：
[式1]
其中Ar选自由取代或未取代的C6至C30芳撑基和取代或未取代的C5至C30杂芳撑基构成的群组，
其中R1、R2、R3和R4各自独立地选自由取代或未取代的C1至C10烷基和取代或未取代的C6至C30芳基构成的群组，或者相邻的两个R1、相邻的两个R2、相邻的两个R3和相邻的两个R4中的至少一个相互连接而形成芳香环、芳香族稠合环、杂环或杂稠合环，
其中a1、a2、a3和a4各自独立地是0至4的整数，
其中所述第二化合物是式3中的化合物之一：
[式3]
其中所述第三化合物由式4-1表示：[式4-1]
其中c1为1至4的整数，且Y由式4-2表示：
[式4-2]
其中R11和R12各自独立地选自由取代或未取代的C1至C10烷基、取代或未取代的C6至C30芳基和取代或未取代的C5至C30杂芳基构成的群组，或者两个相邻的R11和两个相邻的R12中的至少一个相互连接而形成芳环或杂芳环，
其中c2和c3各自独立地是0至4的整数，
其中所述第四化合物由式6表示：
[式6]
其中R21、R22、R23和R24各自独立地选自取代或未取代的C6至C30芳基，并且R25、R26和R27各自独立地选自由氢、氘、取代或未取代的C1至C10烷基、取代或未取代的C6至C30芳基和取代或未取代的C5至C30杂芳基构成的群组。
13.根据权利要求12所述的有机发光二极管，其中所述第一化合物是式2中的化合物之一：
[式2]
14.根据权利要求12所述的有机发光二极管，其中所述第三化合物是式5中的化合物之一：
[式5]
15.根据权利要求12所述的有机发光二极管，其中所述第四化合物是式7中的化合物之一：
[式7]
16.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中所述第二发光层中的第一发射峰和第二发射峰之差为50nm或更小，所述第三发光层中的第一发射峰和第二发射峰之差小于30nm。
17.根据权利要求16所述的有机发光二极管，其中所述第二发光层中的第一发射峰和第二发射峰之差大于所述第一发光层中的第一发射峰和第二发射峰之差。
18.根据权利要求16所述的有机发光二极管，其中所述第二发光层的第一半峰全宽为35nm或更小，所述第一发光层的第二半峰全宽小于所述第一半峰全宽。
19.一种有机发光显示装置，包含：
包括红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域的基板；以及
设置在所述基板上或上方且在所述红色像素区域中的有机发光二极管，所述有机发光二极管包括：
反射电极；
面向所述反射电极的透明电极，和
有机发光层，所述有机发光层包括第一发光部和第二发光部并位于所述反射电极和所述透明电极之间，
其中所述第一发光部包括第一发光层和第二发光层，所述第二发光部包括第三发光层和第四发光层，
其中所述第一发光层是第一磷光发射层，所述第二发光层是第一荧光发射层，并且
其中所述第一荧光发射层比所述第一磷光发射层更靠近所述透明电极。
20.根据权利要求19所述的有机发光二极管，其中所述第一发光层包括第一化合物和第二化合物，所述第二发光层包括所述第一化合物、第三化合物和第四化合物，
其中所述第一化合物由式1表示：
[式1]
其中Ar选自由取代或未取代的C6至C30芳撑基和取代或未取代的C5至C30杂芳撑基构成的群组，
其中R1、R2、R3和R4各自独立地选自由取代或未取代的C1至C10烷基和取代或未取代的C6至C30芳基构成的群组，或者相邻的两个R1、相邻的两个R2、相邻的两个R3和相邻的两个R4中的至少一个相互连接而形成芳香环、芳香族稠合环、杂环或杂稠合环，
其中a1、a2、a3和a4各自独立地是0至4的整数，
其中所述第二化合物是式3中的化合物之一：
[式3]
其中所述第三化合物由式4-1表示：
[式4-1]
其中c1为1至4的整数，且Y由式4-2表示：
[式4-2]
其中R11和R12各自独立地选自由取代或未取代的C1至C10烷基、取代或未取代的C6至C30芳基和取代或未取代的C5至C30杂芳基构成的群组，或者两个相邻的R11和两个相邻的R12中的至少一个相互连接而形成芳环或杂芳环，
其中c2和c3各自独立地是0至4的整数，
其中所述第四化合物由式6表示：
[式6]
其中R21、R22、R23和R24各自独立地选自取代或未取代的C6至C30芳基，并且R25、R26和R27各自独立地选自由氢、氘、取代或未取代的C1至C10烷基、取代或未取代的C6至C30芳基和取代或未取代的C5至C30杂芳基构成的群组。
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