CN112687816A - 有机发光二极管和包括有机发光二极管的有机发光装置 - Google Patents

有机发光二极管和包括有机发光二极管的有机发光装置 Download PDF

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Abstract

本公开提供包含第一化合物和第二化合物的有机发光二极管和包括所述有机发光二极管的有机发光装置，其中，所述第一化合物的能级和所述第二化合物的能级满足预定条件。

Description

有机发光二极管和包括有机发光二极管的有机发光装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2019年10月18日在韩国提交的韩国专利申请第10-2019-0130133号和2020年9月8日在大韩民国提交的韩国专利申请第10-2020-0114590号的权益，在此通过援引将它们完整并入。
技术领域
本公开涉及一种有机发光二极管，更具体地，涉及一种具有优异发光性质的有机发光二极管，以及包括该有机发光二极管的有机发光装置。
背景技术
近来，对占据面积小的平板显示装置的需求增加。在平板显示装置中，包括有机发光二极管(OLED)并且可以被称为有机电致发光装置的有机发光显示装置的技术得到迅速发展。
通过将来自作为电子注入电极的阴极的电子和来自作为空穴注入电极的阳极的空穴注入发光材料层中，电子与空穴结合，产生激子，并使激子从激发态转化成基态，而使OLED发光。在荧光材料中，仅单重态激子参与发射，使得现有技术的荧光材料具有低发光效率。在磷光材料中，单重态激子和三重态激子都参与发光，使得磷光材料比荧光材料具有更高的发光效率。然而，作为典型的磷光材料的金属络合物的发光寿命短，因此在商业化方面受到限制。
发明内容
本公开涉及基本上消除了与现有技术的局限和缺点有关的一个或多个问题的OLED和有机发光装置。
在下面的描述中阐述了本公开的其他特征和优点，其将从描述中变得显而易见，或者通过实践本公开而明白。通过本文以及附图中所描述的特征来实现和获得本公开的目的和其他优点。
为了实现与本公开的实施方式的目的一致的这些和其他优点，如本文所述，本公开的一个方面是一种有机发光二极管，其包括：第一电极；面向所述第一电极的第二电极；和发光材料层，其包含第一化合物和第二化合物且位于第一电极和第二电极之间，其中，所述第一化合物由式1表示：
[式1]
Figure BDA0002725374010000021
其中，n是1至4的整数，其中，R1和R2各自独立地选自由氢、氘、氚、C1至C20烷基、C6至C30芳基和C3至C40杂芳基组成的组，或者相邻的两个R1和/或相邻的两个R2结合形成稠环，
其中，所述第二化合物由式2表示：
[式2]
Figure BDA0002725374010000022
其中，R11至R17各自选自由氢、氘、氚、C1至C20烷基、C6至C30芳基和C3至C40杂芳基组成的组，或者R11至R17中相邻的两个结合形成稠环，并且其中，X1和X2各自独立地选自氟。
本公开的另一个方面是有机发光二极管，所述有机发光二极管包括：第一电极；面向所述第一电极的第二电极；和发光材料层，其包括第一发光材料层和第二发光材料层且位于第一电极和第二电极之间，其中，第一发光材料层包含式1的第一化合物：
[式1]
Figure BDA0002725374010000031
其中，n是1至4的整数，其中，R1和R2各自独立地选自由氢、氘、氚、C1至C20烷基、C6至C30芳基和C3至C40杂芳基组成的组，或者相邻的两个R1和/或相邻的两个R2结合形成稠环，
其中，第二发光材料层位于第一发光材料层和第一电极之间并包含式2的第二化合物：
[式2]
Figure BDA0002725374010000032
其中，R11至R17各自选自由氢、氘、氚、C1至C20烷基、C6至C30芳基和C3至C40杂芳基组成的组，或者R11至R17中相邻的两个结合形成稠环，并且其中，X1和X2各自独立地选自氟。
本公开的另一个方面是有机发光装置，所述有机发光装置包括：基板；设置在所述基板上面或上方的有机发光二极管，所述有机发光二极管包括：第一电极；面向所述第一电极的第二电极；和发光材料层，其包含第一化合物和第二化合物并位于第一电极和第二电极之间，其中，第一化合物由式1表示：
[式1]
Figure BDA0002725374010000041
其中，n是1至4的整数，其中，R1和R2各自独立地选自由氢、氘、氚、C1至C20烷基、C6至C30芳基和C3至C40杂芳基组成的组，或者相邻的两个R1和/或相邻的两个R2结合形成稠环，其中，第二化合物由式2表示：
[式2]
Figure BDA0002725374010000042
其中，R11至R17各自选自由氢、氘、氚、C1至C20烷基、C6至C30芳基和C3至C40杂芳基组成的组，或者R11至R17中相邻的两个结合形成稠环，并且其中，X1和X2各自独立地选自氟。
本公开的另一个方面是有机发光装置，所述有机发光装置包括：基板；设置在所述基板上面或上方的有机发光二极管，所述有机发光二极管包括：第一电极；面向所述第一电极的第二电极；和发光材料层，其包括第一发光材料层和第二发光材料层并位于第一电极和第二电极之间，其中，第一发光材料层包含式1的第一化合物：
[式1]
Figure BDA0002725374010000043
其中，n是1至4的整数，其中，R1和R2各自独立地选自由氢、氘、氚、C1至C20烷基、C6至C30芳基和C3至C40杂芳基组成的组，或者相邻的两个R1和/或相邻的两个R2结合形成稠环，
其中，第二发光材料层位于第一发光材料层和第一电极之间并包含式2的第二化合物：
[式2]
Figure BDA0002725374010000051
其中，R11至R17各自选自由氢、氘、氚、C1至C20烷基、C6至C30芳基和C3至C40杂芳基组成的组，或者R11至R17中相邻的两个结合形成稠环，并且其中，X1和X2各自独立地选自氟。
应当理解，前述的一般性描述和以下的详细描述均为示例性和说明性的，并且旨在提供对所要求保护的本公开的进一步说明。
附图说明
包括附图以提供对本公开的进一步理解，并且附图被并入且构成本说明书的一部分，附图示出了本公开的实施方式，并且与说明书一起用于解释本公开的原理。
图1是本公开的有机发光显示装置的示意性电路图。
图2是根据本公开的第一实施方式的有机发光显示装置的示意性截面图。
图3是根据本公开的第二实施方式的OLED的示意性截面图。
图4A和图4B是示出OLED中的第一化合物和第二化合物的能级关系的示意图。
图5是示出根据本公开的第二实施方式的OLED的发光机理的图。
图6是根据本公开的第三实施方式的OLED的示意性截面图。
图7是根据本公开的第四实施方式的OLED的示意性截面图。
图8是根据本公开的第五实施方式的OLED的示意性截面图。
图9是根据本公开的第六实施方式的有机发光显示装置的示意性截面图。
图10是根据本公开的第七实施方式的OLED的示意性截面图。
图11是根据本公开的第八实施方式的有机发光显示装置的示意性截面图。
图12是根据本公开的第九实施方式的OLED的示意性截面图。
图13是根据本公开的第十实施方式的OLED的示意性截面图。
具体实施方式
现在将详细参照在附图中示出的一些实例和优选实施方式。
本公开涉及其中将延迟荧光材料和荧光材料应用于单个发光材料层或相邻的发光材料层中的OLED，以及包括该OLED的有机发光装置。例如，有机发光装置可以是有机发光显示装置或有机照明装置。作为实例，将主要描述有机发光显示装置，其是包括本公开的OLED的显示装置。
图1是本公开的有机发光显示装置的示意性电路图。
如图1所示，有机发光显示装置包括栅极线GL、数据线DL、电源线PL、开关薄膜晶体管TFT Ts、驱动TFT Td、存储电容器Cst和OLED D。栅极线GL和数据线DL彼此交叉以界定像素区P。像素区P可以包括红色像素区、绿色像素区和蓝色像素区。
开关TFT Ts连接到栅极线GL和数据线DL，并且驱动TFT Td和存储电容器Cst连接到开关TFT Ts和电源线PL。OLED D连接到驱动TFT Td。
在有机发光显示装置中，当通过经栅极线GL施加的栅极信号使开关TFT Ts导通时，来自数据线DL的数据信号被施加至驱动TFT Td的栅极和存储电容器Cst的电极。
当通过数据信号使驱动TFT Td导通时，电流从电源线PL供给至OLED D。结果，OLEDD发光。在这种情况下，当驱动TFT Td导通时，从电源线PL施加到OLED D的电流水平被确定为使得OLED D可以产生灰度。
当开关TFT Ts关闭时，存储电容器Cst用于维持驱动TFT Td的栅极电压。因此，即使开关TFT Ts关闭，从电源线PL施加到OLED D的电流水平也保持到下一帧。
结果，有机发光显示装置显示期望的图像。
图2是根据本公开的第一实施方式的有机发光显示装置的示意性截面图。
如图2所示，有机发光显示装置100包括基板110、TFT Tr和连接至TFT Tr的OLEDD。
基板110可以是玻璃基板或柔性基板。例如，柔性基板可以是聚酰亚胺(PI)基板、聚醚砜(PES)基板、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)基板、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)基板或聚碳酸酯(PC)基板。
缓冲层122形成在基板上，并且在缓冲层122上形成TFT Tr。可以省略缓冲层122。
半导体层120形成在缓冲层122上。半导体层120可以包括氧化物半导体材料或多晶硅。
当半导体层120包括氧化物半导体材料时，可以在半导体层120下方形成遮光图案(未示出)。到半导体层120的光被遮光图案遮挡或阻挡，从而可以防止半导体层120的热降解。另一方面，当半导体层120包括多晶硅时，可以将杂质掺杂到半导体层120的两侧。
在半导体层120上形成栅极绝缘层124。栅极绝缘层124可以由诸如二氧化硅或氮化硅等无机绝缘材料形成。
由导电材料(例如金属)形成的栅极130形成在栅极绝缘层124上，对应于半导体层120的中心。
在图2中，栅极绝缘层124形成在基板110的整个表面上。作为另选，可以将栅极绝缘层124图案化以具有与栅极130相同的形状。
由绝缘材料形成的层间绝缘层132形成在栅极130上。层间绝缘层132可以由无机绝缘材料(例如二氧化硅或氮化硅)或有机绝缘材料(例如苯并环丁烯或光丙烯酸(photo-acryl))形成。
层间绝缘层132包括露出半导体层120的两侧的第一接触孔134和第二接触孔136。第一接触孔134和第二接触孔136位于栅极130的两侧并与栅极130隔开。
第一接触孔134和和第二接触孔136穿过栅极绝缘层124形成。作为另选，当将栅极绝缘层124图案化为具有与栅极130相同的形状时，第一接触孔134和第二接触孔136仅穿过层间绝缘层132形成。
由诸如金属等导电材料形成的源极144和漏极146形成在层间绝缘层132上。
源极144和漏极146相对于栅极130彼此隔开，并且分别通过第一接触孔134和第二接触孔136接触半导体层120的两侧。
半导体层120、栅极130、源极144和漏极146构成TFT Tr。TFT Tr用作驱动元件。即，TFT Tr是(图1的)驱动TFT Td。
在TFT Tr中，栅极130、源极144和漏极146位于半导体层120上方。即，TFT Tr具有共面结构。
作为另选，在TFT Tr中，栅极可以位于半导体层下方，并且源极和漏极可以位于半导体层上方，使得TFT Tr可以具有倒置交错结构。在这种情况下，半导体层可以包括非晶硅。
尽管未示出，但是栅极线和数据线彼此交叉以界定像素区，并且开关TFT形成为连接到栅极线和数据线。开关TFT连接到作为驱动元件的TFT Tr。另外，可以进一步形成电源线(其可以形成为与栅极线和数据线之一平行并且隔开)以及用于在一帧中保持TFT Tr的栅极的电压的存储电容器。
平坦化层150形成在基板110的整个表面上，以覆盖源极144和漏极146。平坦化层150提供平坦的顶面，并具有露出TFT Tr的漏极146的漏极接触孔152。
OLED D设置在平坦化层150上，并且包括与TFT Tr的漏极146连接的第一电极210、发光层220和第二电极230。发光层220和第二电极230依次堆叠在第一电极210上。OLED D位于各个红色、绿色和蓝色像素区中，并分别发射红光、绿光和蓝光。
第一电极210分别形成在各个像素区中。第一电极210可以是阳极，并且可以由具有相对较高功函数的导电材料(例如透明导电氧化物(TCO))形成。例如，第一电极210可以由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡锌(ITZO)、氧化锡(SnO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟铜(ICO)或氧化铝锌(Al:ZnO，AZO)形成。
当有机发光显示装置100以底发射型工作时，第一电极210可具有透明导电材料层的单层结构。当有机发光显示装置100以顶发射型操作时，可在第一电极210下形成反射电极或反射层。例如，反射电极或反射层可以由银(Ag)或铝-钯-铜(APC)合金形成。在这种情况下，第一电极210可具有ITO/Ag/ITO或ITO/APC/ITO的三层结构。
另外，在平坦化层150上形成堤层160以覆盖第一电极210的边缘。即，堤层160位于像素区的边界处并且露出像素区中第一电极210的中心。
作为发光单元的发光层220形成在第一电极210上。发光层220可以具有包括发光材料的发光材料层(EML)的单层结构。为了提高有机发光显示装置的发光效率，发光层220可以具有多层结构。例如，发光层220可以进一步包括空穴注入层(HIL)、空穴输送层(HTL)、电子阻挡层(EBL)、空穴阻挡层(HBL)、电子输送层(ETL)和电子注入层(EIL)。HIL、HTL和EBL依次设置在第一电极(210)和EML之间，并且HBL、ETL和EIL依次设置在EML和第二电极230之间。此外，EML可以具有单层结构或多层结构。而且，两个以上发光层可以设置为彼此隔开，使得OLED D可以具有串联结构。
第二电极230形成在形成有发光层220的基板110上方。第二电极230覆盖显示区域的整个表面，并且可以由具有相对较低功函数的导电材料形成以用作阴极。例如，第二电极230可以由铝(Al)、镁(Mg)、钙(Ca)、银(Ag)或其合金或组合形成。在顶发射型的有机发光显示装置100中，第二电极230可具有薄外形(小厚度)以提供透光性(或半透光性)。
尽管未示出，但是有机发光显示装置100可以包括与红色、绿色和蓝色像素区相对应的滤色器。例如，当具有串联结构并发射白光的OLED D形成到所有红色、绿色和蓝色像素区时，可以分别在红色、绿色和蓝色像素区中形成红色滤色器图案、绿色滤色器图案和蓝色滤色器图案，从而提供全色显示。
当有机发光显示装置100以底发射型运行时，滤色器可以设置在OLED D与基板110之间，例如，在层间绝缘层132与平坦化层150之间。当有机发光显示装置100以顶发射型运行时，滤色器可以设置在OLED D上方，例如第二电极230上方。
封装膜170形成在第二电极230上，以防止湿气渗透到OLED D中。封装膜170包括依次堆叠的第一无机绝缘层172、有机绝缘层174和第二无机绝缘层176，但不限于此。
有机发光显示装置100还可包括用于减少环境光反射的偏振板(未示出)。例如，偏振板可以是圆偏振板。在底发射型有机发光显示装置100中，偏振板可以布置在基板110下方。在顶发射型有机发光显示装置100中，偏振板可以布置在封装膜170上或上方。
另外，在顶发射型有机发光显示装置100中，覆盖窗(未示出)可以附接到封装膜170或偏光板。在这种情况下，基板110和覆盖窗具有柔性，使得可以提供柔性有机发光显示装置。
图3是根据本公开的第二实施方式的OLED的示意性截面图。例如，OLED D1可以作为OLED D应用于图1的有机发光显示装置100。
如图3所示，OLED D1包括彼此面对的第一电极210和第二电极230，以及在它们之间的发光层220。发光层220包括发光材料层(EML)240。(图2的)有机发光显示装置100可包括红色像素区、绿色像素区和蓝色像素区，OLED D1可位于绿色像素区中。
第一电极210可以是阳极，第二电极230可以是阴极。
发光层220进一步包括在第一电极210和EML 240之间的空穴输送层(HTL)260和在第二电极230和EML 240之间的电子输送层(ETL)270中的至少一个。
此外，发光层220还可包括在第一电极210和HTL 260之间的空穴注入层(HIL)250和在第二电极230和ETL 270之间的电子注入层(EIL)280中的至少一个。
此外，发光层220还可包括在HTL 260和EML 240之间的电子阻挡层(EBL)265和在EML 240和ETL 270之间的空穴阻挡层(HBL)275中的至少一个。
例如，HIL 250可包含选自由4,4’,4”-三(3-甲基苯基氨基)三苯胺(MTDATA)、4,4’,4”-三(N,N-二苯基-氨基)三苯胺(NATA)、4,4’,4”-三(N-(萘-1-基)-N-苯基-氨基)三苯胺(1T-NATA)、4,4’,4”-三(N-(萘-2-基)-N-苯基-氨基)三苯胺(2T-NATA)、铜酞菁(CuPc)、三(4-咔唑基-9-基-苯基)胺(TCTA)、N,N’-二苯基-N,N’-二(1-萘基)-1,1’-联苯-4,4”-二胺(NPB；NPD)、1,4,5,8,9,11-六氮杂三亚苯六甲腈(二吡嗪并[2,3-f:2’3’-h]喹喔啉-2,3,6,7,10,11-六甲腈；HAT-CN)、1,3,5-三[4-(二苯基氨基)苯基]苯(TDAPB)、聚(3,4-乙烯二氧噻吩)聚苯乙烯磺酸(PEDOT/PSS)和N-(联苯-4-基)-9,9-二甲基-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺组成的组中的至少一种化合物，但并不限于此。
HTL 260可包含选自由N,N’-二苯基-N,N’-二(3-甲基苯基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺(TPD)、NPB(NPD)、4,4’-二(N-咔唑基)-1,1’-联苯(CBP)、聚[N,N’-二(4-丁基苯基)-N,N’-二(苯基)-联苯胺](Poly-TPD)、(聚[(9,9-二辛基芴基-2,7-二基)-co-(4,4’-(N-(4-仲丁基苯基)二苯胺))](TFB)、二-[4-(N,N-二对甲苯基-氨基)-苯基]环己烷(TAPC)、3,5-二(9H-咔唑-9-基)-N,N-二苯基苯胺(DCDPA)、N-(联苯-4-基)-9,9-二甲基-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺和N-(联苯-4-基)-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)联苯-4-胺组成的组中的至少一种化合物，但并不限于此。
ETL 270可包含噁唑类化合物、三唑类化合物、邻菲咯啉类化合物、苯并噁唑类化合物、苯并噻唑类化合物、苯并咪唑类化合物和三嗪类化合物中的任一种。例如，ETL 270可包含选自由三-(8-羟基喹啉铝(Alq3)、2-联苯-4-基-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(PBD)、螺-PBD、喹啉锂(Liq)、1,3,5-三(N-苯基苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)、二(2-甲基-8-羟基喹啉-N1,O8)-(1,1’-联苯-4-羟基)铝(BAlq)、4,7-二苯基-1,10-邻菲咯啉(Bphen)、2,9-二(萘-2-基)-4,7-二苯基-1,10-邻菲咯啉(NBphen)、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-邻菲咯啉(BCP)、3-(4-联苯)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-三唑(TAZ)、4-(萘-1-基)-3,5-二苯基-4H-1,2,4-三唑(NTAZ)、1,3,5-三(对吡啶-3-基-苯基)苯(TpPyPB)、2,4,6-三(3’-(吡啶-3-基)联苯-3-基)-1,3,5-三嗪(TmPPPyTz)、聚[9,9-二(3’-((N,N-二甲基)-N-乙基铵)-丙基)-2,7-芴]-alt-2,7-(9,9-二辛基芴)](PFNBr)、三苯基喹噁啉(TPQ)和二苯基-4-三苯基甲硅烷基-苯基氧化膦(TSPO1)组成的组中的至少一种化合物，但并不限于此。
EIL 280可包含碱金属卤化物化合物，例如LiF、CsF、NaF或BaF2，以及有机金属化合物，例如Liq、苯甲酸锂或硬脂酸钠，但并不限于此。
位于HTL 260和EML 240之间以阻止电子由EML 240转移至HTL 260的EBL 265可包含选自由TCTA、三[4-(二乙基氨基)苯基]胺、N-(联苯-4-基)-9,9-二甲基-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺、TAPC、MTDATA、1,3-二(咔唑-9-基)苯(mCP)、3,3’-二(N-咔唑基)-1,1’-联苯(mCBP)、CuPc、N,N’-二[4-[二(3-甲基苯基)氨基]苯基]-N,N’-二苯基-[1,1’-联苯]-4,4’-二胺(DNTPD)、TDAPB、DCDPA和2,8-二(9-苯基-9H-咔唑-3-基)二苯并[b,d]噻吩)组成的组中的至少一种化合物，但并不限于此。
位于EML 240和ETL 270之间以阻止空穴由EML 240转移至ETL 270的HBL275可包含ETL 270的上述材料。例如，HBL 275的材料的HOMO能级低于EML 240的材料，并且可包含选自由BCP、BAlq、Alq3、PBD、螺-PBD、Liq、二-4,6-(3,5-二-3-吡啶基苯基)-2-甲基嘧啶(B3PYMPM)、二[2-(二苯基膦基)苯基]醚氧化物(DPEPO)、9-(6-9H-咔唑-9-基)吡啶-3-基)-9H-3,9’-联咔唑和TSPO1组成的组中的至少一种化合物，但并不限于此。
EML 240包括延迟荧光材料(化合物)的第一化合物和荧光材料(化合物)的第二化合物。EML可以进一步包括第三化合物作为主体。
例如，作为主体的第三化合物可以是以下的一种：9-(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)-9H-咔唑-3-甲腈(mCP-CN)、CBP、3,3’-二(N-咔唑基)-1,1’-联苯(mCBP)、1,3-二(咔唑-9-基)苯(mCP)、氧代二(2,1-亚苯基))双(二苯基氧化膦)(DPEPO)、2,8-双(二苯基磷酰基)二苯并噻吩(PPT)、1,3,5-三[(3-吡啶基)-苯-3-基]苯(TmPyPB)、2,6-二(9H-咔唑-9-基)吡啶(PYD-2Cz)、2,8-二(9H-咔唑-9-基)二苯并噻吩(DCzDBT)、3’,5’-二(咔唑-9-基)-[1,1’-联苯基]-3,5-二甲腈(DCzTPA)、4’-(9H-咔唑-9-基)联苯-3,5-二甲腈(pCzB-2CN)、3’-(9H-咔唑-9-基)联苯-3,5-二甲腈(mCzB-2CN)、二苯基-4-三苯基甲硅烷基苯基-氧化膦(TSPO1)、9-(9-苯基-9H-咔唑-6-基)-9H-咔唑(CCP)、4-(3-(三亚苯-2-基)苯基)二苯并[b,d]噻吩)、9-(4-(9H-咔唑-9-基)苯基)-9H-3,9’-联咔唑、9-(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)-9H-3,9’-联咔唑或9-(6-(9H-咔唑-9-基)吡啶-3-基)-9H-3,9’-联咔唑，但不限于此。
作为EML 240中的第一化合物的延迟荧光材料由式1表示。
[式1]
Figure BDA0002725374010000121
式1中，n是1至4的整数。R1和R2各自独立地选自由氢、氘、氚、C1至C20烷基、C6至C30芳基和C3至C40杂芳基组成的组，或者相连的两个R1和/或相邻的两个R2结合(或键合)形成稠环。稠环可以是C6-C20稠合脂环族环、C4-C20稠合杂脂环族环、C6-C20稠合芳香族环或C4-C20稠合杂芳香族环。
例如，n可以为3或4，R1和R2各自可以独立地选自氢、C1至C20烷基(例如甲基)和C6至C30芳基(例如苯基)。
第一化合物可以是式2的化合物中的一种。
[式2]
Figure BDA0002725374010000131
Figure BDA0002725374010000141
延迟荧光材料的单重态能级与三重态能级之差非常小(例如，约0.3eV以下)。
延迟荧光材料的三重态激子的能量通过反向系间窜越(RISC)转换为单重态激子，使得延迟荧光材料具有高量子效率。但是，由于延迟荧光材料具有较宽的半峰全宽(FWHM)，因此延迟荧光材料在色纯度上具有缺点。
为了克服延迟荧光材料的色纯度的问题，EML 240进一步包括荧光材料的第二化合物以提供超荧光。
荧光材料的第二化合物由式3表示。
[式3]
Figure BDA0002725374010000142
式3中，R11至R17各自选自由氢、氘、氚、C1至C20烷基、C6至C30芳基和C3至C40杂芳基组成的组，或者R11至R17中相邻的两个结合(或键合)形成稠环。稠环可以是C6-C20稠合脂环族环、C4-C20稠合杂脂环族环、C6-C20稠合芳香族环或C4-C20稠合杂芳香族环。X1和X2各自独立地选自氟。
在这种情况下，烷基、芳基和杂芳基具有取代基或不具有取代基，并且取代基可以是C1至C20烷基、C1至C20烷氧基、C6至C30芳基或C3至C40杂芳基。
例如，R11至R15各自可独立地选自不具有取代基的芳基、不具有取代基的杂芳基、取代有烷基的芳基、取代有烷氧基的芳基和取代有烷基和烷氧基的芳基，R16和R17各自可以是氢。另外，X1和X2各自可以是氟。
第二化合物可以是式4的化合物中的一种。
[式4]
Figure BDA0002725374010000151
本公开的OLED D中的EML 240包括第一化合物和第二化合物，并且第一化合物的激子输送到第二化合物中。结果，OLED D提供了具有窄FWHM和高发光效率的发光。
在本公开的OLED D中，第一化合物的能级和第二化合物的能级满足预定条件，使得激子从第一化合物到第二化合物的输送效率增加。因此，提高了OLED D和有机发光显示装置的发光效率和色纯度。
另外，第一化合物的能级、第二化合物的能级和第三化合物的能级满足预定条件，使得可以进一步改善OLED D和有机发光显示装置的发光效率和色纯度。
参见图4A，其为示出本公开的OLED中的第一化合物和第二化合物的能级关系的示意图，第一化合物的最低未占分子轨道(LUMO)能级“LUMO1”等于或高于第二化合物的LUMO能级“LUMO2”，第一化合物的LUMO能级“LUMO1”与第二化合物的LUMO能级“LUMO2”之差“ΔLUMO”为约0.6eV以下(ΔLUMO(＝|LUMO2–LUMO1|)≤0.6eV)。
另外，第一化合物的最高占据分子轨道(HOMO)能级“HOMO1”等于或低于第二化合物的HOMO能级“HOMO2”。例如，第一化合物的HOMO能级“HOMO1”与第二化合物的HOMO能级“HOMO2”之差“ΔHOMO”为约0.5eV以下。第一化合物的LUMO能级“LUMO1”与第二化合物的LUMO能级“LUMO2”之差“ΔLUMO”可大于第一化合物的HOMO能级“HOMO1”与第二化合物的HOMO能级“HOMO2”之差“ΔHOMO”。
即，作为延迟荧光化合物的第一化合物的能级与作为荧光化合物的第二化合物的能级匹配，电荷迅速地转移到作为发射体的第二化合物中。结果，在EML的中心存在复合区，从而降低了OLED的驱动电压，并且提高了OLED的发光效率。
此外，第一化合物的能带隙可以为约2.0eV至3.0eV，并且可以大于第二化合物的能带隙。例如，第一化合物的能带隙可以为约2.4eV至2.8eV。
如上所述，延迟荧光材料的第一化合物使用单重态激子能量和三重态激子能量进行发射。因此，在包括第一化合物和第二化合物的EML 240中，第一化合物的能量被输送到第二化合物中，并且光从第二化合物发射。结果，提高了OLED的发光效率和色纯度。
另一方面，如果EML中的延迟荧光材料和荧光材料不满足上述能级关系，则存在发光效率和/或色纯度的限制。即，参见图4B，当延迟荧光材料的LUMO能级“LUMO1”与荧光材料的LUMO能级“LUMO2”之差“ΔLUMO”大于0.6eV时，在主体中产生的激子不输送到延迟荧光材料，并被输送到荧光材料中。因此，荧光材料的三重态能量不参与发射，从而降低了OLED的发光效率。
在EML 240中，第一化合物的单重态能级小于作为主体的第三化合物的单重态能级并且大于第二化合物的单重态能级。另外，第一化合物的三重态能级小于作为主体的第三化合物的三重态能级，并且大于第二化合物的三重态能级。
此外，第三化合物的HOMO能级低于第一化合物和第二化合物各自的HOMO能级，并且第三化合物的LUMO能级高于第一化合物和第二化合物各自的LUMO能级。例如，第三化合物的HOMO能级与第一化合物的HOMO能级之差或第三化合物的LUMO能级与第一化合物的LUMO能级之差可以为约0.5eV以下，例如约0.1eV至0.5eV。当满足该条件时，提高了从第三化合物到第一化合物的电荷转移效率，从而提高了OLED的发光效率。
在EML 240中，第一化合物的重量比(重量％)可以大于第二化合物的重量比，并且可以小于第三化合物的重量比。当第一化合物的重量比大于第二化合物的重量比时，第一化合物的能量被充分转移到第二化合物中。例如，在EML 240中，第一化合物可具有约20至40的重量％，第二化合物可具有约0.1至5的重量％，第三化合物可具有约60至75的重量％。但是，不限于此。
参见图5，其是示出根据本公开的第二实施方式的OLED的发光机理的图，在作为主体的第三化合物中产生的单重态能级“S1”和三重态能级“T1”分别转移到作为延迟荧光材料的第一化合物的单重态能级“S1”和三重态能级“T1”中。由于第一化合物的单重态能级与第一化合物的三重态能级之差相对较小，因此第一化合物的三重态能级“T1”通过RISC转换为第一化合物的单重态能级“S1”(例如，具有第一化合物的三重态能级“T1”的激子转移至第一化合物的单重态能级“S1”)。例如，第一化合物的单重态能级与第一化合物的三重态能级之差(ΔEST)可以为约0.3eV以下。然后，第一化合物的单重态能级“S1”转移到第二化合物的单重态能级“S1”，以使第二化合物提供发射(例如，具有第一化合物的单重态能级“S1”的激子转移至第二化合物的单重态能级“S1”)。
如上所述，具有延迟荧光性质的第一化合物具有高量子效率。然而，由于第一化合物具有较宽的FWHM，因此第一化合物在色纯度方面具有缺点。另一方面，具有荧光性质的第二化合物具有较窄的FWHM。然而，由于第二化合物的三重态激子不参与发光，第二化合物在发光效率方面具有缺点。
然而，在本公开的OLED D1中，作为延迟荧光材料的第一化合物的单重态能级转移到作为荧光掺杂剂的第二化合物中，并且从第二化合物产生发射。因此，提高了OLED D1的发光效率和色纯度。另外，由于在EML 240中包括式1和2的第一化合物以及式3和4的第二化合物，所以OLED D1的发光效率和色纯度进一步提高。
[OLED]
依次沉积阳极(ITO，50nm)、HIL(HAT-CN(式5-1)，7nm)、HTL(NPB(式5-2)，78nm)、EBL(TAPC(式5-3)，15nm)、EML(35nm)、HBL(B3PYMPM(式5-4)，10nm)、ETL(TPBi(式5-5)，25nm)、EIL(LiF)和阴极以形成OLED。
(1)比较例1(Ref1)
使用主体(m-CBP(式5-6)，64重量％)、式6-1的化合物(35重量％)和式4的化合物2-12(1重量％)形成EML。
(2)比较例2(Ref2)
使用主体(m-CBP(式5-6)，64重量％)、式6-2的化合物(35重量％)和式4的化合物2-12(1重量％)形成EML。
(3)比较例3(Ref3)
使用主体(m-CBP(式5-6)，64重量％)、式6-3的化合物(35重量％)和式4的化合物2-12(1重量％)形成EML。
(4)实施例1(Ex1)
使用主体(m-CBP(式5-6)，64重量％)、式2的化合物1-1(35重量％)和式4的化合物2-12(1重量％)形成EML。
(5)实施例2(Ex2)
使用主体(m-CBP(式5-6)，64重量％)、式2的化合物1-5(35重量％)和式4的化合物2-12(1重量％)形成EML。
(6)实施例3(Ex3)
使用主体(m-CBP(式5-6)，64重量％)、式2的化合物1-11(35重量％)和式4的化合物2-12(1重量％)形成EML。
[式5-1]
Figure BDA0002725374010000181
[式5-2]
Figure BDA0002725374010000191
[式5-3]
Figure BDA0002725374010000192
[式5-4]
Figure BDA0002725374010000193
[式5-5]
Figure BDA0002725374010000194
[式5-6]
Figure BDA0002725374010000195
[式6-1]
Figure BDA0002725374010000196
[式6-2]
Figure BDA0002725374010000197
[式6-3]
Figure BDA0002725374010000198
测量比较例1至3和实施例1至3中的OLED的发光性质并列在表1中(EQE＝外量子效率)。
表1
V cd/A Im/W EQE(％)
Ref1 6.1 14.2 8.7 5.8
Ref2 6.0 13.2 7.9 5.2
Ref3 5.8 16.2 9.9 7.3
Ex1 5.2 29.1 17.7 17.2
Ex2 5.3 29.2 17.1 17.4
Ex3 5.3 28.2 16.4 16.6
如表1所示，使用式1和2的第一化合物以及式3和4的第二化合物的实施例1至3中的OLED的发光性质得到改善。
测量作为本公开第一化合物的式2的化合物1-1、1-5和1-11、作为本公开第二化合物的式4的化合物2-12以及式6-1至6-3的化合物的HOMO能级和LUMO能级并列在表2中。
表2
化合物 LUMO(eV) HOMO(eV)
2-12 -3.6 -5.8
1-1 -3.3 -5.7
1-5 -3.4 -6.0
1-11 -3.5 -6.0
式6-1 -2.7 -5.7
式6-2 -2.8 -5.8
式6-3 -2.9 -5.8
本公开的第一化合物(即，化合物1-1、1-5和1-11)的LUMO能级低于第二化合物(即，化合物2-12)的LUMO能级，其差值为0.6eV以下。结果，如表1所示，OLED的发光性质得到改善。另一方面，式6-1至6-3的化合物各自的LUMO能级与化合物2-12的LUMO能级之差大于0.6eV，包含化合物2-12和式6-1至6-3中的化合物之一的OLED的发光性质降低。
即，本公开的第一化合物包含与苯核连接的两个氰基基团和至少一个咔唑基团，例如三个或四个咔唑基团，使得作为延迟荧光化合物的第一化合物的能级与作为荧光化合物的第二化合物的能级匹配。因此，OLED的发光效率得到改善。
图6是根据本公开的第三实施方式的OLED的示意性截面图。
如图6所示，根据本公开的第三实施方式的OLED D2包括彼此面对的第一电极310和第二电极330，以及在它们之间的发光层320。发光层320包括EML 340。(图2的)有机发光显示装置100可包括红色像素区、绿色像素区和蓝色像素区，OLED D2可位于绿色像素区中。
第一电极310可以是阳极，第二电极330可以是阴极。
发光层320可以进一步包括在第一电极310和EML 340之间的HTL 360和在第二电极330和EML 340之间的ETL 370中的至少一个。
另外，发光层320还可以包括在第一电极310和HTL 360之间的HIL 350和在第二电极330和ETL 370之间的EIL 380中的至少一个。
此外，发光层320还可包括在HTL 360和EML 340之间的EBL 365和在EML 340和ETL370之间的HBL 375中的至少一个。
EML 340包括依次堆叠在第一电极310上方的第一EML(第一层或下部发光材料层)342和第二EML(第二层或上部发光材料层)344。即，第二EML 344位于第一EML 342和第二电极330之间。
在EML 340中，第一EML 342和第二EML 344中的一个包括式1和2中的延迟荧光材料的第一化合物，并且第一EML 342和第二EML 344中的另一个包括式3和4中的荧光材料的第二化合物。另外，第一EML 342和第二EML 344还分别包含第四化合物和第五化合物作为主体。第一EML 342中的第四化合物和第二EML 344中的第五化合物可以相同或不同。例如，第一EML 342的主体(即第四化合物)和第二EML 344的主体(即第五化合物)各自可以是上述第三化合物。
下面将说明第一EML 342包含延迟荧光材料的第一化合物的OLED。
如上所述，具有延迟荧光性质的第一化合物具有高量子效率。然而，由于第一化合物具有较宽的FWHM，因此第一化合物在色纯度方面具有缺点。另一方面，具有荧光性质的第二化合物具有较窄的FWHM。然而，第二化合物的三重态激子不参与发射，第二化合物在发光效率方面具有缺点。
在OLED D2中，由于通过RISC将第一EML 342中的第一化合物的三重态激子能量转换为第一化合物的单重态激子能量，并且第一化合物的单重态激子能量转换为第二EML344中的第二化合物的单重态激子能量，因此第二化合物提供发射。因此，单重态激子能量和三重态激子能量都参与发光，从而提高了发光效率。另外，由于由荧光材料的第二化合物提供发射，因此提供了具有窄FWHM的发射。
如上所述，第一化合物的LUMO能级等于或高于第二化合物的LUMO能级，并且第一化合物的LUMO能级与第二化合物的LUMO能级之差为约0.6eV以下。结果，进一步提高了OLEDD2的发光效率。
在第一EML 342中，第四化合物的重量比可以等于或大于第一化合物的重量比。在第二EML 344中，第五化合物的重量比可以等于或小于第二化合物的重量比。
另外，第一EML 342中的第一化合物的重量比可以大于第二EML 344中的第二化合物的重量比。结果，通过荧光共振能量转移(FRET)，能量从第一EML 342中的第一化合物充分转移到第二EML 344中的第二化合物。例如，第一EML 342中第一化合物的重量％可以为约1至50，优选为约10至40，更优选为约20至40。第二EML 344中第二化合物的重量％可以为约1至10，优选约1至5。
当HBL 375位于第二EML 344和ETL 370之间时，作为第二EML 344的主体的第五化合物可以与HBL 375的材料相同。在这种情况下，第二EML344可以具有拥有发射功能的空穴阻挡功能。即，第二EML 344可以充当用于阻挡空穴的缓冲层。当省略HBL 375时，第二EML344可以充当发光材料层和空穴阻挡层。
当第一EML 342包括荧光材料的第二化合物并且EBL 365位于HTL 360和第一EML342之间时，第一EML 342的主体可以与EBL 365的材料相同。在这种情况下，第一EML 342可以具有拥有发射功能的电子阻挡功能。即，第一EML 342可以充当用于阻挡电子的缓冲层。当省略EBL 365时，第一EML 342可以充当发光材料层和电子阻挡层。
图7是根据本公开的第四实施方式的OLED的示意性截面图。
如图7所示，根据本公开的第四实施方式的OLED D3包括彼此面对的第一电极410和第二电极430以及在它们之间的发光层420。发光层420包括EML 440。(图2的)有机发光显示装置100可包括红色像素区、绿色像素区和蓝色像素区，OLED D3可位于绿色像素区中。
第一电极410可以是阳极，第二电极430可以是阴极。
发光层420可以进一步包括在第一电极410和EML 440之间的HTL 460以及在第二电极430和EML 440之间的ETL 470中的至少一个。
另外，发光层420可以进一步包括在第一电极410和HTL 460之间的HIL 450和在第二电极430和ETL 470之间的EIL 480中的至少一个。
此外，发光层420还可包括在HTL 460和EML 440之间的EBL 465和在EML 440和ETL470之间的HBL 475中的至少一个。
EML 440包括第一EML(第一层，中间发光材料层)442，在第一EML 442和第一电极410之间的第二EML(第二层，下部发光材料层)444，以及在第一EML 442和第二电极430之间的第三EML(第三层，上部发光材料层)446。即，EML 440具有依次堆叠的第二EML 444、第一EML 442和第三EML 446的三层结构。
例如，第一EML 442可以位于EBL 465和HBL 475之间，第二EML 444可以位于EBL465和第一EML 442之间，第三EML 446可以位于HBL 475和第一EML 442之间。
在EML 440中，第一EML 442包括式1和2中的延迟荧光材料的第一化合物，并且第二EML 444和第三EML 446各自包括式3和4中的荧光材料的第二化合物。第二EML 444中的第二化合物和第三EML 446中的第二化合物可以相同或不同。另外，第一至第三EML 442、444和446还分别包括第六化合物、第七化合物和第八化合物作为主体。第一EML 442中的第六化合物、第二EML 444中的第七化合物和第三EML 446中的第八化合物可以相同或不同。例如，第一EML 442的主体(即第六化合物)、第二EML 444的主体(即第七化合物)和第三EML446的主体(即第八化合物)可以是以上第三化合物。
在OLED D3中，由于通过RISC将第一EML 442中的第一化合物的三重态激子能量转换为第一化合物的单重态激子能量，并且第一化合物的单重态激子能量转移到第二EML444中的第二化合物的单重态激子能量和第三EML 446中的第二化合物的单重态激子能量，因此第二EML 444和第三EML 446中的第二化合物提供发射。因此，单重态激子能量和三重态激子能量都参与发射，从而提高了发光效率。另外，由于由荧光材料的第二化合物提供发射，因此提供了具有窄FWHM的发射。
如上所述，第一化合物的LUMO能级等于或高于第二化合物的LUMO能级，并且第一化合物的LUMO能级与第二化合物的LUMO能级之差为约0.6eV以下。结果，进一步提高了OLEDD3的发光效率。
在第一EML 442中，第六化合物的重量比可以等于或大于第一化合物的重量比。在第二EML 444中，第七化合物的重量比可以等于或小于第二化合物的重量比。在第三EML446中，第八化合物的重量比可以等于或小于第二化合物的重量比。
另外，第一EML 442中的第一化合物的重量比可以大于第二EML 444中的第二化合物的重量比和第三EML 446中的第二化合物的重量比。结果，通过荧光共振能量转移(FRET)，能量从第一EML 442中的第一化合物充分转移到第二EML 444中的第二化合物和第三EML 446中的第二化合物。例如，第一EML 442中第一化合物的重量％可以为约1至50，优选为约10至40，更优选为约20至40。第二EML 344和第三EML 446各自中的第二化合物的重量％可以为约1至10，优选约1至5。
作为第二EML 444的主体的第七化合物可以与EBL 465的材料相同。在这种情况下，第二EML 444可以具有拥有发射功能的电子阻挡功能。即，第二EML 444可以充当用于阻挡电子的缓冲层。当省略EBL 465时，第二EML 444可以充当发光层和电子阻挡层。
作为第三EML 446的主体的第八化合物可以与HBL 475的材料相同。在这种情况下，第三EML 446可以具有拥有发射功能的空穴阻挡功能。即，第三EML 446可以充当用于阻挡空穴的缓冲层。当省略HBL 475时，第三EML 446可以充当发光层和空穴阻挡层。
第二EML 444中的第七化合物可以与EBL 465的材料相同，并且第三EML 446中的第八化合物可以与HBL 475的材料相同。在这种情况下，第二EML 444可以具有拥有发射功能的电子阻挡功能，并且第三EML 446可以具有拥有发射功能的空穴阻挡功能。即，第二EML444可以充当用于阻挡电子的缓冲层，并且第三EML 446可以充当用于阻挡空穴的缓冲层。当省略EBL 465和HBL 475时，第二EML 444可以充当发光材料层和电子阻挡层，并且第三EML 446可以充当发光材料层和空穴阻挡层。
图8是根据本公开的第五实施方式的OLED的示意性截面图。
如图8所示，OLED D4包括彼此面向对方的第一电极510和第二电极530，以及位于其间的发光层520。(图2的)有机发光显示装置100可包括红色像素区、绿色像素区和蓝色像素区，OLED D4可位于绿色像素区中。
第一电极510可以是阳极，第二电极530可以是阴极。
发光层520包括第一发射部540(包括第一EML 550)和第二发射部560(包括第二EML 570)。另外，发光层520还可包括位于第一发射部540和第二发射部560之间的电荷产生层(CGL)580。
CGL 580位于第一发射部540和第二发射部560之间，以使第一发射部540、CGL 580和第二发射部560依次堆叠在第一电极510上。即，第一发射部540位于第一电极510和CGL580之间，第二发射部560位于第二电极530和CGL 580之间。
第一发射部540包括第一EML 550。
另外，第一发射部540还可包括第一电极510与第一EML 550之间的第一HTL 540b、第一电极510与第一HTL 540b之间的HIL 540a和第一EML 550与CGL 580之间的第一ETL540e中的至少一个。
此外，第一发射部540还可包括第一HTL 540b与第一EML 550之间的第一EBL 540c和第一EML 550与第一ETL 540e之间的第一HBL 540d中的至少一个。
第二发射部560包括第二EML 570。
另外，第二发射部560还可包括CGL 580与第二EML 570之间的第二HTL 560a、第二EML 570与第二电极164之间的第二ETL 560d和第二ETL 560d与第二电极530之间的EIL560e中的至少一个。
此外，第二发射部560还可包括第二HTL 560a与第二EML 570之间的第二EBL 560b和第二EML 570与第二ETL 560d之间的第二HBL 560c中的至少一个。
CGL 580位于第一发射部540与第二发射部560之间。即，第一发射部540和第二发射部560通过CGL 580相互连接。CGL 580可以是N型CGL 582和P型CGL 584的P-N结型CGL。
N型CGL 582位于第一ETL 540e和第二HTL 560a之间，P型CGL 584位于N型CGL 582和第二HTL 560a之间。N型CGL 582向第一发射部540的第一EML 550提供电子，P型CGL 584向第二发射部560的第二EML 570提供空穴。
第一EML 550和第二EML 570是绿色EML。第一EML 550和第二EML 570中的至少一个包含式1的第一化合物和式3的第二化合物。例如，第一EML 550可包含作为延迟荧光化合物的第一化合物和作为荧光化合物的第二化合物。第一EML 550还可包含作为主体的第三化合物。
在第一EML 550中，第一化合物的重量比可大于第二化合物的重量比且小于第三化合物的重量比。当第一化合物的重量比大于第二化合物的重量比时，充分发生从第一化合物至第二化合物的能量转移。例如，在第一EML 550中，第一化合物的重量％可以为约20至40，第二化合物的重量％可以为约0.1至5，第三化合物的重量％可以为约60至75。不过，并不限于此。
第二EML 570可包含式1的第一化合物和式3的第二化合物。即，第二EML 570可具有与第一EML 550相同的有机化合物。作为另选，第二EML 570可包含与第一EML 550中的第一化合物和第二化合物中的至少一个不同的化合物以使第一EML 550和第二EML 570具有不同的发光波长或发射效率。
在本公开的OLED D4中，作为延迟荧光材料的第一化合物的单重态能级转移至作为荧光掺杂剂的第二化合物，由第二化合物产生发射。因此，OLED D4的发射效率和色纯度得以改进。另外，由于第一EML 550中包含式1和2的第一化合物以及式3和4的第二化合物，因此OLED D1的发射效率和色纯度得到进一步改进。此外，由于OLED D4具有包括两个绿色EML的两叠结构(双叠结构)，因此改进了OLED D4的色感和/或优化了OLED D4的发射效率。
图9是根据本公开的第六实施方式的有机发光显示装置的示意性截面图。
如图9所示，有机发光显示装置1000包括其中界定有第一至第三像素区P1、P2和P3的基板1010、基板1010上的TFT Tr以及OLED D5。OLED D5布置在TFT Tr上并与TFT Tr连接。例如，第一至第三像素区P1、P2和P3可分别是绿色像素区、红色像素区和蓝色像素区。
基板1010可以是玻璃基板或柔性基板。例如，柔性基板可以是聚酰亚胺(PI)基板、聚醚砜(PES)基板、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)基板、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)基板或聚碳酸酯(PC)基板。
在基板1010上形成缓冲层1012，在缓冲层1012上形成TFT Tr。可以省略缓冲层1012。
如图2所示，TFT Tr可包括半导体层、栅极、源极和漏极，并可以用作驱动元件。
在TFT Tr上形成平坦化层(或钝化层)。平坦化层1050具有平坦的顶面，并包括露出TFT Tr的漏极的漏极接触孔1052。
OLED D5布置在平坦化层1050上并包括第一电极1060、发光层1062和第二电极1064。第一电极1060与TFT Tr的漏极连接，发光层1062和第二电极1064依次堆叠在第一电极1060上。OLED D5被布置在第一至第三像素区P1至P3的各区域中并在第一至第三像素区P1至P3中发射不同颜色的光。例如，第一像素区P1中的OLED D5可发射绿光，第二像素区P2中的OLED D5可发射红光，第三像素区P3中的OLED D5可发射蓝光。
第一电极1060在第一至第三像素区P1至P3中隔开形成，第二电极1064形成为一体以覆盖第一至第三像素区P1至P3。
第一电极1060是阳极和阴极中的一个，第二电极1064是阳极和阴极中的另一个。另外，第一电极1060和第二电极1064中的一个可以是光透射电极(或半透射电极)，第一电极1060和第二电极1064中的另一个可以是反射电极。
例如，第一电极1060可以是阳极，并且可以包括由具有相对较高功函数的透明导电氧化物(TCO)材料形成的透明导电氧化物材料层。第二电极1064可以是阴极，并且可以包括由具有相对较低功函数的低电阻金属材料形成的金属材料层。例如，第一电极1060的透明导电氧化物材料层包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡锌(ITZO)、氧化锡(SnO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟铜(ICO)和氧化铝锌合金(Al:ZnO)中的至少一种，第二电极1064可包括Al、Mg、Ca、Ag、它们的合金(例如Mg-Ag合金)或它们的组合。
在底发射型有机发光显示装置1000中，第一电极1060可具有单层结构的透明导电氧化物材料层。
另一方面，在顶发射型有机发光显示装置1000中，在第一电极1060下可形成反射电极或反射层。例如，反射电极或反射层可由Ag或铝-钯-铜(APC)合金形成。在这种情况下，第一电极1060可具有ITO/Ag/ITO或ITO/APC/ITO的三层结构。另外，第二电极1064可能具有薄外形(小厚度)以提供光透射性(或半透射性)。
在平坦化层1050上形成堤层1066以覆盖第一电极1060的边缘。即，堤层1066位于第一至第三像素区P1至P3的边界处，并在第一至第三像素区P1至P3中露出第一电极1060的中心。
在第一电极1060上形成作为发射单元的发光层1062。发光层1062可具有单层结构的EML。作为另选，发光层1062还可包括HIL、HTL、EBL(依次堆叠在第一电极1060与EML之间)、HBL、ETL和EIL(依次堆叠在EML与第二电极1064之间)中的至少一个。
如上所述，在作为绿色像素区的第一像素区P1中，发光层1062的EML包含作为延迟荧光化合物的第一化合物和作为荧光化合物的第二化合物。发光层1062的EML还可包含作为主体的第三化合物。第一化合物由式1表示，第二化合物由式3表示。
在第二电极1064上形成封装膜1070以防止水分渗入OLED D5。封装膜1070可具有包括第一无机绝缘层、有机绝缘层和第二无机绝缘层的三层结构，但不限于此。
有机发光显示装置1000还可包括偏振板(未示出)以减少环境光反射。例如，偏振板可以是圆偏振板。在底发射型有机发光显示装置1000中，偏振板可布置在基板1010下方。在顶发射型有机发光显示装置1000中，偏振板可布置在封装膜1070上或上方。
图10是根据本公开的第七实施方式的OLED的示意性截面图。
如图10所示，OLED D5位于第一至第三像素区P1至P3的每一个中，并包括彼此相对的第一电极1060和第二电极1064，以及其间的发光层1062。发光层1062包括EML 1090。
第一电极1060可以是阳极，第二电极1064可以是阴极。例如，第一电极1060可以是反射电极，并且第二电极1064可以是透射电极(或半透射电极)。
发光层1062还可包括第一电极1060和EML 1090之间的HTL 1082，以及EML 1090和第二电极1064之间的ETL 1094。
另外，发光层1062还可包括第一电极1060和HTL 1082之间的HIL 1080，以及ETL1094和第二电极1064之间的EIL 1096。
此外，发光层1062还可包括EML 1090和HTL 1082之间的EBL 1086，以及EML 1090和ETL 1094之间的HBL 1092。
此外，发光层1062还可包括HTL 1082和EBL 1086之间的辅助HTL 1084。辅助HTL1084可包括第一像素区P1中的第一辅助HTL 1084a、第二像素区P2中的第二辅助HTL 1084b和第三像素区P3中的第三辅助HTL 1084c。
第一辅助HTL 1084a具有第一厚度，第二辅助HTL 1084b具有第二厚度，第三辅助HTL 1084c具有第三厚度。第一厚度小于第二厚度且大于第三厚度，以使OLED D5提供微腔结构。
即，通过具有不同厚度的第一至第三辅助HTL 1084a、1084b和1084c，第一像素区P1(其中发射第一波长范围的光，例如绿光)中的第一电极1060和第二电极1064之间的距离小于第二像素区P2(其中发射大于第一波长范围的第二波长范围的光，例如红光)中的第一电极1060和第二电极1064之间的距离，并且大于第三像素区P3(其中发射小于第一波长范围的第三波长范围的光，例如蓝光)中的第一电极1060和第二电极1064之间的距离。因此，提高了OLED D5的发射效率。
在图10中，在第三像素区P3中形成第三辅助HTL 1084c。作为另选，可以在没有第三辅助HTL 1084c的情况下提供微腔结构。
在第二电极1084上可进一步形成用于改进光提取特性的覆盖层(未示出)。
EML 1090包括第一像素区P1中的第一EML 1090a、第二像素区P2中的第二EML1090b和第三像素区P3中的第三EML 1090c。第一至第三EML 1090a、1090b和1090c可分别为绿色EML、红色EML和蓝色EML。
第一像素区P1中的第一EML 1090a包含作为延迟荧光化合物的第一化合物和作为荧光化合物的第二化合物。第一像素区P1中的第一EML 1090a还可包含作为主体的第三化合物。第一化合物由式1表示，第二化合物由式3表示。
在第一像素区P1中的EML 1090a中，第一化合物的重量比大于第二化合物的重量比且小于第三化合物的重量比。当第一化合物的重量比大于第二化合物的重量比时，充分发生从第一化合物至第二化合物的能量转移。例如，在第一像素区P1中的第一EML 1090a中，第一化合物的重量％可以为约20至40，第二化合物的重量％可以为约0.1至5，第三化合物的重量％可以为约60至75。不过，并不限于此。
第二像素区P2中的EML 1090b和第三像素区P3中的EML 1090c各自可包含主体和掺杂剂。例如，在第二像素区P2中的EML 1090b和第三像素区P3中的EML 1090c中的每一个中，掺杂剂可包括磷光化合物、荧光化合物和延迟荧光化合物中的至少一种。
图10中的OLED D5分别在第一至第三像素区P1至P3中发射绿光、红光和蓝光，以使(图9的)有机发光显示装置1000可提供全色图像。
有机发光显示装置1000还可包括与第一至第三像素区P1到P3相对应的滤色层，以提高色纯度。例如，滤色层可包括与第一像素区P1相对应的第一滤色层(例如绿色滤色层)，与第二像素区P2相对应的第二滤色层(例如红色滤色层)，以及与第三像素区P3相对应的第三滤色层(例如蓝色滤色层)。
在底发射型有机发光显示装置1000中，滤色层可以布置在OLED D5和基板1010之间。另一方面，在顶发射型有机发光显示装置1000中，滤色层可以布置在OLED D5上或上方。
图11是根据本公开的第八实施方式的有机发光显示装置的示意性截面图。
如图11所示，有机发光显示装置1100包括其中界定有第一至第三像素区P1、P2和P3的基板1110、基板1010上的TFT Tr、布置在TFT Tr上并与TFT Tr连接的OLED D和对应于第一至第三像素区P1至P3的滤色层1120。例如，第一至第三像素区P1、P2和P3可以分别是绿色像素区、红色像素区和蓝色像素区。
基板1110可以是玻璃基板或柔性基板。例如，柔性基板可以是聚酰亚胺(PI)基板、聚醚砜(PES)基板、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)基板、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)基板或聚碳酸酯(PC)基板。
在基板1110上形成TFT Tr。作为另选，在基板1110上可以形成缓冲层(未示出)，在缓冲层上可以形成TFT Tr。
如图2所示，TFT Tr可包括半导体层、栅极、源极和漏极，并可以用作驱动元件。
另外，滤色层1120布置在基板1110上。例如，滤色层1120可包括与第一像素区P1相对应的第一滤色层1122、与第二像素区P2相对应的第二滤色层1124和与第三像素区P3相对应的第三滤色层1126。第一至第三滤色层1122、1124和1126可分别为绿色滤色层、红色滤色层和蓝色滤色层。例如，第一滤色层1122可包含绿色染料和绿色颜料中的至少一种，第二滤色层1124可包含红色染料和红色颜料中的至少一种。第三滤色层1126可包含蓝色染料和蓝色颜料中的至少一种。
在TFT Tr和滤色层1120上形成平坦化层(未示出)1150。平坦化层1150具有平坦的顶面，并包括露出TFT Tr的漏极的漏极接触孔1152。
OLED D布置在平坦化层1150上并对应于滤色层1120。OLED D包括第一电极1160、发光层1162和第二电极1164。第一电极1160与TFT Tr的漏极连接，发光层1162和第二电极1164依次堆叠在第一电极1160上。OLED D在第一至第三像素区P1至P3各自中发射白光。
第一电极1160在第一至第三像素区P1至P3中隔开形成，第二电极1164形成为一体以覆盖第一至第三像素区P1至P3。
第一电极1160是阳极和阴极中的一个，第二电极1164是阳极和阴极中的另一个。另外，第一电极1160可以是光透射电极(或半透射电极)，第二电极1164可以是反射电极。
例如，第一电极1160可以是阳极，并且可以包括由具有相对较高功函数的透明导电氧化物(TCO)材料形成的透明导电氧化物材料层。第二电极1164可以是阴极，并且可以包括由具有相对较低功函数的低电阻金属材料形成的金属材料层。例如，第一电极1160的透明导电氧化物材料层包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡锌(ITZO)、氧化锡(SnO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟铜(ICO)和氧化铝锌合金(Al:ZnO)中的至少一种，第二电极1164可包括Al、Mg、Ca、Ag、它们的合金(例如Mg-Ag合金)或它们的组合。
在第一电极1160上形成作为发射单元的发光层1162。发光层1162包括至少两个发射不同颜色的光的发射部。各发射部可具有单层结构的EML。作为另选，各发射部还可包括HIL、HTL、EBL、HBL、ETL和EIL中的至少一个。另外，发光层1162还可包括发射部之间的电荷产生层(CGL)。
发射部之一的EML包含式1的第一化合物和式3的第二化合物。例如，发射部之一的EML可以包含作为延迟荧光化合物的第一化合物和作为荧光化合物的第二化合物。发射部之一的EML还可包含作为主体的第三化合物。
在平坦化层1150上形成堤层1166以覆盖第一电极1160的边缘。即，堤层1166位于第一至第三像素区P1至P3的边界处，并在第一至第三像素区P1至P3中露出第一电极1160的中心。如上所述，由于OLED D在第一至第三像素区P1至P3中发射白光，因此发光层1162可以在第一至第三像素区P1至P3中形成为公用层，而无需在第一至第三像素区P1至P3中分离。可以形成堤层1166以防止第一电极1160的边缘处的电流泄漏，也可以省略该层。
尽管未示出，有机发光显示装置1100还可包括在第二电极1164上形成的封装膜以防止水分渗入OLED D。另外，有机发光显示装置1100还可包括基板1110下的偏振板以减少环境光反射。
在图11的有机发光显示装置1100中，第一电极1160是透明电极(光透射电极)，第二电极1164是反射电极。另外，在基板1110和OLED D之间布置滤色层1120。即，有机发光显示装置1100是底发射型。
作为另选，在有机发光显示装置1100中，第一电极1160可以是反射电极，第二电极1154可以是透明电极(或半透明电极)。在这种情况下，滤色层1120位于OLEDD上或上方。
在有机发光显示装置1100中，第一至第三像素区P1至P3中的OLED D发射白光，并且白光穿过第一至第三滤色层1122、1124和1126。因此，在第一至第三像素区P1至P3中分别显示绿光、红光和蓝光。
尽管未示出，在OLED D和滤色层1120之间可以形成颜色转换层。颜色转换层可包括分别对应于第一至第三像素区P1至P3的绿色转换层、红色转换层和蓝色转换层，OLED D的白光可以转换成绿光、红光和蓝光。颜色转换层可以包括量子点。因此，可以进一步提高OLED D的色纯度。
可以包括颜色转换层来代替滤色层1120。
图12是根据本公开的第九实施方式的OLED的示意性截面图。
如图12所示，OLED D6包括彼此相对的第一电极1160和第二电极1164，以及其间的发光层1162。
第一电极1160可以是阳极，第二电极1164可以是阴极。第一电极1160是透明电极(光透射电极)，第二电极1164是反射电极。
发光层1162包括第一发射部1210(包括第一EML 1220)、第二发射部1230(包括第二EML 1240)和第三发射部1250(包括第三EML 1260)。另外，发光层1162还可包括第一发射部1210和第二发射部1230之间的第一CGL 1270，以及第一发射部1210和第三发射部1250之间的第二CGL 1280。
第一CGL 1270位于第一发射部1210和第二发射部1230之间，第二CGL 1280位于第一发射部1210和第三发射部1250之间。即，第三发射部1250、第二CGL 1280、第一发射部1210、第一CGL 1270和第二发射部1230依次堆叠在第一电极1160上。换言之，第一发射部1210位于第一CGL 1270和第二CGL 1280之间，第二发射部1230位于第一CGL 1270和第二电极1164之间。第三发射部1250位于第二CGL 1280和第一电极1160之间。
第一发射部1210还可包括第一EML 1220下方的第一HTL 1210a和第一EML 1220上方的第一ETL 1210b。即，第一HTL 1210a可位于第一EML 1220和第二CGL 1270之间，第一ETL 1210b可位于第一EML 1220和第一CGL 1270之间。
另外，第一发射部1210还可包括第一HTL 1210a和第一EML 1220之间的EBL(未示出)，以及第一ETL 1210b和第一EML 1220之间的HBL(未示出)。
第二发射部1230还可包括第二EML 1240下方的第二HTL 1230a、第二EML 1240上方的第二ETL 1230b和第二ETL 1230b上的EIL 1230c。即，第二HTL 1230a可位于第二EML1240和第一CGL 1270之间，第二ETL 1230b和EIL 1230c可位于第二EML 1240和第二电极1164之间。
另外，第二发射部1230还可包括第二HTL 1230a和第二EML 1240之间的EBL(未示出)，以及第二ETL 1230b和第二EML 1240之间的HBL(未示出)。
第三发射部1250还可包括第三EML 1260下方的第三HTL 1250b、第三HTL 1250b下方的HIL 1250a和第三EML 1260上方的第三ETL 1250c。即，HIL 1250a和第三HTL 1250b可位于第一电极1160和第三EML 1260之间，第三ETL 1250c可位于第三EML 1260和第二CGL1280之间。
另外，第三发射部1250还可包括第三HTL 1250b和第三EML 1260之间的EBL(未示出)，以及第三ETL 1250c和第三EML 1260之间的HBL(未示出)。
第一至第三EML 1220、1240和1260中的一个是绿色EML。第一至第三EML 1220、1240和1260中的另一个可以是蓝色EML，并且第一至第三EML 1220、1240和1260中的又一个可以是红色EML。
例如，第一EML 1220可以是绿色EML，第二EML 1240可以是蓝色EML，第三EML 1260可以是红色EML。作为另选，第一EML 1220可以是绿色EML，第二EML 1240可以是红色EML，第三EML 1260可以是蓝色EML。
第一EML 1220包含作为延迟荧光化合物的第一化合物和作为荧光化合物的第二化合物。第一EML 1220还可以包含作为主体的第三化合物。第一化合物由式1表示，第二化合物由式3表示。
在第一EML 1220中，第一化合物的重量比可大于第二化合物的重量比且小于第三化合物的重量比。当第一化合物的重量比大于第二化合物的重量比时，充分发生从第一化合物至第二化合物的能量转移。例如，在第一EML 1220中，第一化合物的重量％可以为约20至40，第二化合物的重量％可以为约0.1至5，第三化合物的重量％可以为约60至75。不过，并不限于此。
第二EML 1240包含主体和蓝色掺杂剂(或红色掺杂剂)，第三EML 1260包含主体和红色掺杂剂(或蓝色掺杂剂)。例如，在第二EML 1240和第三EML 1260中的每一个中，掺杂剂可包括磷光化合物、荧光化合物和延迟荧光化合物中的至少一种。
(图11的)第一至第三像素区P1至P3中的OLED D6发射白光，且白光穿过第一至第三像素区P1至P3中的滤色层1120(图11的)。因此，(图11的)有机发光显示装置1100可提供全色图像。
图13是根据本公开的第十实施方式的OLED的示意性截面图。
如图13所示，OLED D7包括彼此相对的第一电极1360和第二电极1364，以及其间的发光层1362。
第一电极1360可以是阳极，第二电极1364可以是阴极。第一电极1360是透明电极(光透射电极)，第二电极1364是反射电极。
发光层1362包括第一发射部1410(包括第一EML 1420)、第二发射部1430(包括第二EML 1440)和第三发射部1450(包括第三EML 1460)。另外，发光层1362还可包括第一发射部1410和第二发射部1430之间的第一CGL 1470，以及第一发射部1410和第三发射部1450之间的第二CGL 1480。
第一发射部1420包括下部EML 1420a和上部EML 1420b。即，下部EML 1420a位于更接近第一电极1360的位置，上部EML 1420b位于更接近第二电极1364的位置。
第一CGL 1470位于第一发射部1410和第二发射部1430之间，第二CGL 1480位于第一发射部1410和第三发射部1450之间。即，第三发射部1450、第二CGL 1480、第一发射部1410、第一CGL 1470和第二发射部1430依次堆叠在第一电极1360上。换言之，第一发射部1410位于第一CGL 1470和第二CGL 1480之间，第二发射部1430位于第一CGL 1470和第二电极1364之间。第三发射部1450位于第二CGL 1480和第一电极1360之间。
第一发射部1410还可包括第一EML 1420下方的第一HTL 1410a和第一EML 1420上方的第一ETL 1410b。即，第一HTL 1410a可位于第一EML 1420和第二CGL 1470之间，第一ETL 1410b可位于第一EML 1420和第一CGL 1470之间。
另外，第一发射部1410还可包括第一HTL 1410a和第一EML 1420之间的EBL(未示出)，以及第一ETL 1410b和第一EML 1420之间的HBL(未示出)。
第二发射部1430还可包括第二EML 1440下方的第二HTL 1430a、第二EML 1440上方的第二ETL 1430b和第二ETL 1430b上的EIL 1430c。即，第二HTL 1430a可位于第二EML1440和第一CGL 1470之间，第二ETL 1430b和EIL 1430c可位于第二EML 1440和第二电极1364之间。
另外，第二发射部1430还可包括第二HTL 1430a和第二EML 1440之间的EBL(未示出)，以及第二ETL 1430b和第二EML 1440之间的HBL(未示出)。
第三发射部1450还可包括第三EML 1460下方的第三HTL 1450b、第三HTL 1450b下方的HIL 1450a和第三EML 1460上方的第三ETL 1450c。即，HIL 1450a和第三HTL 1450b可位于第一电极1360和第三EML 1460之间，第三ETL 1450c可位于第三EML 1460和第二CGL1480之间。
另外，第三发射部1450还可包括第三HTL 1450b和第三EML 1460之间的EBL(未示出)，以及第三ETL 1450c和第三EML 1460之间的HBL(未示出)。
第一EML 1420的下部EML 1420a和上部EML 1420b中的一个是绿色EML，第一EML1420的下部EML 1420a和上部EML 1420b中的另一个可以是红色EML。即，绿色EML(或红色EML)和红色EML(或绿色EML)依次堆叠以形成第一EML 1420。
例如，作为绿色EML的上部EML 1420b包含作为延迟荧光材料的第一化合物和作为荧光材料的第二化合物。上部EML 1420b还可包含作为主体的第三化合物。第一化合物由式1表示，第二化合物由式3表示。
在上部EML 1420b中，第一化合物的重量比可大于第二化合物的重量比且小于第三化合物的重量比。当第一化合物的重量比大于第二化合物的重量比时，充分发生从第一化合物至第二化合物的能量转移。例如，在上部EML 1420b中，第一化合物的重量％可以为约20至40，第二化合物的重量％可以为约0.1至5，第三化合物的重量％可以为约60至75。不过，并不限于此。
作为红色EML的下部EML 1420a可包含主体和红色掺杂剂。
第二EML 1440和第三EML 1460各自可以是蓝色EML。第二EML 1440和第三EML1460各自可包含主体和蓝色掺杂剂。第二EML 1440的主体和掺杂剂可以与第三EML1460的主体和掺杂剂相同。作为另选，第二EML 1440的主体和掺杂剂可以与第三EML 1460的主体和掺杂剂不同。例如，第二EML 1440的掺杂剂可以与第三EML 1460中的掺杂剂在发射效率和/或发光波长方面存在差异。
在下部EML 1420a、第二EML 1440和第三EML 1460中的每一个中，掺杂剂可包括磷光化合物、荧光化合物和延迟荧光化合物中的至少一种。
(图11的)第一至第三像素区P1至P3中的OLED D7发射白光，且白光穿过第一至第三像素区P1至P3中的滤色层1120(图11的)。因此，(图11的)有机发光显示装置1100可提供全色图像。
在图13中，OLED D7具有包括第二EML 1440和第三EML 1460(蓝色EML)与第一EML1420的三叠(三重堆叠)结构。作为另选，可以省略第二EML 1440和第三EML 1460中的一个以使OLED D7可以具有两叠(双叠)结构。
对本领域技术人员而言显而易见的是，在不脱离本发明的精神或范围的情况下，可以对本发明进行各种修改和变型。因此，本发明旨在覆盖本发明的修改和变型，只要它们落入所附权利要求及其等同物的范围内即可。

Claims (20)

1.一种有机发光二极管，所述有机发光二极管包括：
第一电极；
面向所述第一电极的第二电极；和
发光材料层，其包含第一化合物和第二化合物且位于第一电极和第二电极之间，
其中，所述第一化合物由式1表示：
[式1]
Figure FDA0002725371000000011
其中，n是1至4的整数，
其中，R1和R2各自独立地选自由氢、氘、氚、C1至C20烷基、C6至C30芳基和C3至C40杂芳基组成的组，或者相邻的两个R1和/或相邻的两个R2结合形成稠环，
其中，所述第二化合物由式2表示：
[式2]
Figure FDA0002725371000000012
其中，R11至R17各自选自由氢、氘、氚、C1至C20烷基、C6至C30芳基和C3至C40杂芳基组成的组，或者R11至R17中相邻的两个结合形成稠环，并且
其中，X1和X2各自独立地选自氟。
2.如权利要求1所述的有机发光二极管，其中，所述第一化合物的最低未占分子轨道(LUMO)的能级等于或高于所述第二化合物的LUMO的能级，并且
其中，所述第一化合物的LUMO的能级与所述第二化合物的LUMO的能级之差为0.6eV以下。
3.如权利要求1所述的有机发光二极管，其中，所述第一化合物的能带隙为2.0至3.0eV。
4.如权利要求1所述的有机发光二极管，其中，所述第一化合物是式3中的化合物之一：
[式3]
Figure FDA0002725371000000021
Figure FDA0002725371000000031
5.如权利要求1所述的有机发光二极管，其中，所述第二化合物是式4中的化合物之一：
[式4]
Figure FDA0002725371000000032
Figure FDA0002725371000000041
6.如权利要求1所述的有机发光二极管，其中，所述第一化合物的重量％大于所述第二化合物的重量％。
7.一种有机发光二极管，所述有机发光二极管包括：
第一电极；
面向所述第一电极的第二电极；和
发光材料层，其包括第一发光材料层和第二发光材料层且位于第一电极和第二电极之间，
其中，所述第一发光材料层包含式1的第一化合物：
[式1]
Figure FDA0002725371000000042
其中，n是1至4的整数，
其中，R1和R2各自独立地选自由氢、氘、氚、C1至C20烷基、C6至C30芳基和C3至C40杂芳基组成的组，或者相邻的两个R1和/或相邻的两个R2结合形成稠环，
其中，所述第二发光材料层位于所述第一发光材料层和所述第一电极之间并包含式2的第二化合物：
[式2]
Figure FDA0002725371000000051
其中，R11至R17各自选自由氢、氘、氚、C1至C20烷基、C6至C30芳基和C3至C40杂芳基组成的组，或者R11至R17中相邻的两个结合形成稠环，并且
其中，X1和X2各自独立地选自氟。
8.如权利要求7所述的有机发光二极管，其中，所述第一化合物的最低未占分子轨道(LUMO)的能级等于或高于所述第二化合物的LUMO的能级，并且
其中，所述第一化合物的LUMO的能级与所述第二化合物的LUMO的能级之差为0.6eV以下。
9.如权利要求7所述的有机发光二极管，其中，所述第一化合物的能带隙为2.0至3.0eV。
10.如权利要求7所述的有机发光二极管，其中，所述第一化合物是式3中的化合物之一：
[式3]
Figure FDA0002725371000000052
Figure FDA0002725371000000061
11.如权利要求7所述的有机发光二极管，其中，所述第二化合物是式4中的化合物之一：
[式4]
Figure FDA0002725371000000071
12.如权利要求7所述的有机发光二极管，其中，所述第一发光材料层中的所述第一化合物的重量％大于所述第二发光材料层中的所述第二化合物的重量％。
13.如权利要求7所述的有机发光二极管，其中，所述发光材料层还包括第三发光材料层，所述第三发光材料层包含所述第二化合物并位于所述第二电极和所述第一发光材料层之间。
14.一种有机发光装置，所述有机发光装置包括：
基板；和
设置在所述基板上面或上方的有机发光二极管，所述有机发光二极管包括：
第一电极；
面向所述第一电极的第二电极；和
发光材料层，其包含第一化合物和第二化合物并位于第一电极和第二电极之间，
其中，所述第一化合物由式1表示：
[式1]
Figure FDA0002725371000000081
其中，n是1至4的整数，
其中，R1和R2各自独立地选自由氢、氘、氚、C1至C20烷基、C6至C30芳基和C3至C40杂芳基组成的组，或者相邻的两个R1和/或相邻的两个R2结合形成稠环，
其中，所述第二化合物由式2表示：
[式2]
Figure FDA0002725371000000082
其中，R11至R17各自选自由氢、氘、氚、C1至C20烷基、C6至C30芳基和C3至C40杂芳基组成的组，或者R11至R17中相邻的两个结合形成稠环，并且
其中，X1和X2各自独立地选自氟。
15.如权利要求14所述的有机发光装置，其中，所述第一化合物的最低未占分子轨道(LUMO)的能级等于或高于所述第二化合物的LUMO的能级，并且
其中，所述第一化合物的LUMO的能级与所述第二化合物的LUMO的能级之差为0.6eV以下。
16.如权利要求14所述的有机发光装置，其中，所述第一化合物是式3中的化合物之一：
[式3]
Figure FDA0002725371000000091
Figure FDA0002725371000000101
17.如权利要求14所述的有机发光装置，其中，所述第二化合物是式4中的化合物之一：
[式4]
Figure FDA0002725371000000102
Figure FDA0002725371000000111
18.一种有机发光装置，所述有机发光装置包括：
基板；和
设置在所述基板上面或上方的有机发光二极管，所述有机发光二极管包括：
第一电极；
面向所述第一电极的第二电极；和
发光材料层，其包括第一发光材料层和第二发光材料层并位于第一电极和第二电极之间，
其中，所述第一发光材料层包含式1的第一化合物：
[式1]
Figure FDA0002725371000000112
其中，n是1至4的整数，
其中，R1和R2各自独立地选自由氢、氘、氚、C1至C20烷基、C6至C30芳基和C3至C40杂芳基组成的组，或者相邻的两个R1和/或相邻的两个R2结合形成稠环，
其中，所述第二发光材料层位于所述第一发光材料层和第一电极之间并包含式2的第二化合物：
[式2]
Figure FDA0002725371000000121
其中，R11至R17各自选自由氢、氘、氚、C1至C20烷基、C6至C30芳基和C3至C40杂芳基组成的组，或者R11至R17中相邻的两个结合形成稠环，并且
其中，X1和X2各自独立地选自氟。
19.如权利要求18所述的有机发光装置，其中，所述第一化合物是式3中的化合物之一：
[式3]
Figure FDA0002725371000000122
Figure FDA0002725371000000131
20.如权利要求18所述的有机发光装置，其中，所述第二化合物是式4中的化合物之一：
[式4]
Figure FDA0002725371000000141
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