CN114868267A - 有机发光二极管和包括其的有机发光装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种有机发光二极管，其包括第一电极；面对第一电极的第二电极；包括第一化合物和第二化合物并且位于第一和第二电极之间的发光材料层。第一化合物的能级和第二化合物的能级满足预定条件。此外，有机发光装置可以包括上述有机发光二极管。此外，本发明涉及一种可以包括所述有机发光二极管的有机发光装置。

Description

有机发光二极管和包括其的有机发光装置
【技术领域】
本发明涉及一种有机发光二极管，更具体地，涉及一种具有优异发光特性的有机发光二极管和包括其的有机发光显示装置。
【背景技术】
近来，对具有小占用面积的平板显示装置的需求增加。在平板显示装置中，包括有机发光二极管(OLED)并且可以被称为有机电致发光装置的有机发光显示装置的技术得到迅速发展。
OLED通过将来自作为电子注入电极的阴极的电子和来自作为空穴注入电极的阳极的空穴注入到发光材料层(EML)中，将电子与空穴结合，产生激子，并将激子从激发态转变为基态而发光。在荧光材料中，仅单重态激子参与发射，使得现有技术的荧光材料具有低发射效率。在磷光材料中，单重态激子和三重态激子都参与发射，使得磷光材料具有比荧光材料更高的发射效率。然而，作为典型的磷光材料的金属络合物，其发光寿命短，商品化受到限制。
【发明内容】
【技术问题】
因此，本发明旨在提供一种OLED和有机发光装置，其基本上消除了由于现有技术的限制和缺点而导致的一个或多个问题。
本发明的一个目的在于提供一种具有改进的发光特性如发光效率和寿命的OLED。
本发明的另一目的在于提供一种包括上述OLED的有机发光显示装置，其具有改进的发光特性，例如发光效率和寿命。
本发明的附加特征和优点将在随后的描述中阐述，并且部分将从描述中显而易见，或者可以通过本发明的实践来了解。本发明的目的和其他优点将通过书面描述及其权利要求以及附图中特别指出的结构来实现和获得。
【技术方案】
根据一个方面，本发明提供了一种有机发光二极管，其包括：第一电极；面对第一电极的第二电极；第一发光材料层，其包括第一化合物和第二化合物并且位于第一和第二电极之间，其中，第一化合物由式1表示：其中Z1和Z2各自独立地选自氧、硫和硒，R选自氢、氘、C1至C20烷基、C6至C30芳基、C5至C30杂芳基和C1至C20胺基，Z1和Z2各自独立地选自氧、硫和硒，并且R选自氢、氘、C1至C20烷基、C6至C30芳基、C5至C30杂芳基和C1至C20胺基，其中，在式2-1中，X选自单键、CR3R4、O、S和NR5，Y选自CN、卤素和C1至C20卤代烷基，其中n1和n2各自独立地为0至4的整数，其中，在式2-2中，X1选自CR6和N，X2至X4各自独立地选自单键、CR7R8、O、S和NR9，其中L选自C6至C30亚芳基和C5至C30杂亚芳基，m为1至3的整数，其中R1至R9各自独立地选自H、D、C1至C20烷基、C6至C30芳基、C5至C30杂芳基和C1至C20胺基。
Figure BDA0003687437870000021
Figure BDA0003687437870000031
根据另一方面，本发明提供了一种有机发光显示装置，其包括：基板；位于基板上方的上述有机发光二极管；以及覆盖有机发光二极管的封装膜。
应当理解的是，前述总体描述和以下详细描述都是示例并且是解释性的，并且旨在提供对所要求保护的本发明的进一步解释。
【有益效果】
在OLED和有机发光装置中，发光层包括主体和延迟荧光化合物，并且主体的能级与延迟荧光化合物的能级相匹配。结果是，防止了激基复合物(exciplex)降低发光效率和寿命的问题，因此OLED和有机发光装置具有优异的发光特性和发光效率。
此外，发光层进一步包括荧光化合物，从而提供延迟荧光化合物的高量子效率和荧光化合物的窄半峰全宽(FWHM)。因此，OLED和有机发光装置具有进一步提高的发光特性和发光效率。
【附图描述】
为了提供对本发明的进一步理解而包含的附图被并入并构成本说明书的一部分，其示出了本发明的实施方式，并与说明书一起用于解释本发明实施方式的原理。
图1是本发明的有机发光显示装置的电路示意图。
图2是本发明第一实施方式的有机发光显示装置的截面示意图。
图3是本发明第二实施方式的OLED的截面示意图。
图4是说明本发明的使用延迟荧光化合物的OLED的发光机制的示意图。
图5是OLED中第一化合物与第二化合物的能级关系示意图。
图6是本发明第三实施方式的OLED的截面示意图。
图7是本发明第四实施方式的OLED的截面示意图。
图8是本发明第五实施方式的OLED的截面示意图。
图9是本发明第六实施方式的有机发光显示装置的截面示意图。
图10是本发明第七实施方式的OLED的截面示意图。
图11是本发明第八实施方式的有机发光显示装置的截面示意图。
图12是本发明第九实施方式的OLED的截面示意图。
图13是本发明第十实施方式的OLED的截面示意图。
【具体实施方式】
现在将详细参考本发明的各个方面，其实例在附图中示出。
本发明涉及一种OLED以及包括所述OLED的有机发光装置，其中在单个发光材料层或相邻的发光材料层中提供具有匹配的能级的主体和延迟荧光化合物。例如，有机发光装置可以是有机发光显示装置或有机照明装置。作为实例，将主要描述作为包括本发明的OLED的显示装置的有机发光显示装置。
图1为本发明的有机发光显示装置的电路示意图。
如图1所示，有机发光显示装置包括栅极线GL、数据线DL、电源线PL、开关薄膜晶体管TFT Ts、驱动TFT Td、存储电容器Cst和OLED D。栅极线GL和数据线DL相互交叉以限定像素区P。像素区P可以包括红色像素区、绿色像素区和蓝色像素区。
开关TFT Ts连接至栅极线GL和数据线DL，驱动TFT Td和存储电容器Cst连接至开关TFT Ts和电源线PL。OLED D连接至驱动TFT Td。
在有机发光显示装置中，当开关TFT Ts被通过栅极线GL施加的栅极信号导通时，来自数据线DL的数据信号被施加到驱动TFT Td的栅电极和存储电容器Cst的电极。
当驱动TFT Td被数据信号导通时，电流从电源线PL提供给OLED D。结果是，OLED D发光。在这种情况下，当驱动TFT Td导通时，确定从电源线PL施加到OLED D的电流水平，使得OLED D可以产生灰度。
当开关TFT Ts断开时，存储电容器Cst用于维持驱动TFT Td的栅电极的电压。因此，即使开关TFT Ts断开，从电源线PL施加到OLED D的电流水平也保持到下一帧。
结果是，有机发光显示装置显示期望的图像。
图2是本发明第一实施方式的有机发光显示装置的截面示意图。
如图2所示，有机发光显示装置100包括基板110、TFT Tr和连接至TFT Tr的OLEDD。
基板110可以是玻璃基板或柔性基板。例如，柔性基板可以是聚酰亚胺(PI)基板、聚醚砜(PES)基板、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)基板、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)基板或聚碳酸酯(PC)基板。
在基板上形成缓冲层122，在缓冲层122上形成TFT Tr。可以省略缓冲层122。
在缓冲层122上形成半导体层120。半导体层120可以包括氧化物半导体材料或多晶硅。
当半导体层120包括氧化物半导体材料时，可以在半导体层120下方形成遮光图案(未示出)。到达半导体层120的光被遮光图案遮蔽或阻挡，从而可以防止半导体层120的热劣化。另一方面，当半导体层120包括多晶硅时，杂质可以掺杂到半导体层120的两侧。
栅绝缘层124在半导体层120上形成。栅绝缘层124可以由诸如氧化硅或氮化硅等无机绝缘材料形成。
由例如金属等导电材料形成的栅电极130在栅绝缘层124上形成以对应于半导体层120的中心。在图2中，栅绝缘层124在基板110的整个表面上形成。或者，栅绝缘层124可以图案化以具有与栅电极130相同的形状。
由绝缘材料形成的层间绝缘层132在栅电极130上形成。层间绝缘层132可以由无机绝缘材料(例如氧化硅或氮化硅)或有机绝缘材料(例如苯并环丁烯或光丙烯(photo-acryl))形成。
层间绝缘层132包括暴露半导体层120两侧的第一接触孔134和第二接触孔136。第一接触孔134和第二接触孔136位于栅电极130的两侧以与栅电极130间隔开。
第一接触孔134和第二接触孔136穿过栅绝缘层124形成。作为另一种选择，当栅绝缘层124图案化为具有与栅电极130相同的形状时，第一接触孔134和第二接触孔136形成为仅通过层间绝缘层132。
由例如金属等导电材料形成的源电极144和漏电极146在层间绝缘层132上形成。
源电极144和漏电极146相对于栅电极130彼此间隔开并且通过第一接触孔134和第二接触孔136分别接触半导体层120的两侧。
半导体层120、栅电极130、源电极144和漏电极146构成TFT Tr。TFT Tr用作驱动元件。即，TFT Tr是驱动TFT Td(图1)。
在TFT Tr中，栅电极130、源电极144和漏电极146位于半导体层120上方。即，TFTTr具有共面结构。
作为另一种选择，在TFT Tr中，栅电极可以位于半导体层下方，源电极和漏电极可以位于半导体层上方，使得TFT Tr可以具有反交错结构。在这种情况下，半导体层可以包括非晶硅。
尽管未示出，栅极线和数据线彼此交叉以限定像素区域，并且开关TFT形成为连接到栅极线和数据线。开关TFT连接到作为驱动元件的TFT Tr。此外，可以进一步形成可以形成为与栅极线和数据线之一平行并与其隔开的电源线，以及用于在一帧中保持TFT Tr的栅极电压的存储电容器。
整平层150在基板110的整个表面上形成以覆盖源电极144和漏电极146。整平层150提供平坦的顶表面并具有暴露TFT Tr的漏电极146的漏极接触孔152。
OLED D设置在整平层150上并且包括连接到TFT Tr的漏极146的第一电极210、发光层220和第二电极230。发光层220和第二电极230依次堆叠在第一电极210上。OLED D位于红色、绿色和蓝色像素区域中的每一个中，并分别发射红光、绿光和蓝光。
第一电极210在每个像素区中分别形成。第一电极210可以是阳极并且可以由具有相对高功函数的导电材料(例如透明导电氧化物(TCO))形成。例如，第一电极210可以由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡锌(ITZO)、氧化锡(SnO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟铜(ICO)或氧化铝锌(Al:ZnO，AZO)形成。
当有机发光显示装置100以底部发射型操作时，第一电极210可以具有透明导电材料层的单层结构。当有机发光显示装置100以顶部发射型操作时，反射电极或反射层可以在第一电极210下方形成。例如，反射电极或反射层可以由银(Ag)或铝钯铜(APC)合金形成。在这种情况下，第一电极210可以具有ITO/Ag/ITO或ITO/APC/ITO的三层结构。
此外，在整平层150上形成堤层160以覆盖第一电极210的边缘。即，堤层160位于像素区的边界并暴露像素区中第一电极210的中心。
作为发光单元的发光层220在第一电极210上形成。发光层220可以具有包括发光材料的发光材料层(EML)的单层结构。作为另一种选择，发光层220可以具有多层结构。例如，发光层220可以进一步包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子阻挡层(EBL)、空穴阻挡层(HBL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中的至少一种。HIL、HTL和EBL依次设置在第一电极210和EML之间，并且HBL、ETL和EIL依次设置在EML和第二电极230之间。此外，EML可以具有单层结构或多层结构。此外，发光层220可以包括彼此间隔开的至少两个EML，使得OLED可以具有串联结构。
第二电极230在形成有发光层220的基板110上方形成。第二电极230覆盖显示区域的整个表面并且可以由具有相对低功函数的导电材料形成以用作阴极。例如，第二电极230可以由铝(Al)、镁(Mg)、钙(Ca)、银(Ag)或它们的合金或组合形成。在顶部发射型有机发光显示装置100中，第二电极230可以具有薄的轮廓(小厚度)以提供透光特性(或半透特性)。
尽管未示出，有机发光显示装置100可以包括对应于红色、绿色和蓝色像素区的滤色器。例如，当具有串联结构并发射白光的OLED D形成到所有红色、绿色和蓝色像素区时，可以分别在红色、绿色和蓝色像素区域中形成红色滤色器图案、绿色滤色器图案和蓝色滤色器图案，从而提供全色显示。
当有机发光显示装置100以底部发射型操作时，滤色器可以设置在OLED D和基板110之间，例如，在层间绝缘层132和整平层150之间。作为另一种选择，当有机发光显示装置100以顶部发射型操作时，滤色器可以设置在OLED D上方，例如第二电极230上方。
封装膜170在第二电极230上形成以防止湿气渗入OLED D。封装膜170包括依次堆叠的第一无机绝缘层172、有机绝缘层174和第二无机绝缘层176，但不限于此。
有机发光显示装置100可以进一步包括用于减少环境光反射的偏振板(未示出)。例如，偏振板可以是圆偏振板。在底部发射型有机发光显示装置100中，偏振板可以设置在基板110下方。在顶部发射型有机发光显示装置100中，偏振板可以设置在封装膜170上或上方。
此外，在顶部发射型有机发光显示装置100中，覆盖窗(未示出)可以附接到封装膜170或偏振板上。在这种情况下，基板110和覆盖窗具有柔性特性，从而可以提供柔性有机发光显示装置。
图3为本发明第二实施方式的OLED的截面示意图。
如图3所示，OLED D1包括彼此面对的第一电极210和第二电极230，以及它们之间的发光层220。发光层220包括发光材料层(EML)240。(图2的)有机发光显示装置100可以包括红色像素区、绿色像素区和蓝色像素区，并且OLED D1可以位于绿色像素区。
第一电极210可以是阳极，第二电极230可以是阴极。
发光层220进一步包括在第一电极210和EML 240之间的空穴传输层(HTL)260及在第二电极230和EML 240之间的电子传输层(ETL)270中的至少一个。
此外，发光层220可以进一步包括在第一电极210和HTL 260之间的空穴注入层(HIL)250及在第二电极230和ETL 270之间的电子注入层(EIL)280中的至少一个。
此外，发光层220可以进一步包括HTL 260和EML 240之间的电子阻挡层(EBL)265及EML 240和ETL 270之间的空穴阻挡层(HBL)275中的至少一个。
例如，HIL 250可以包括选自下组的至少一种化合物：4,4’,4”-三(3-甲基苯基氨基)三苯胺(MTDATA)、4,4’,4”-三(N,N-二苯基-氨基)三苯胺(NATA)、4,4’,4”-三(N-(萘-1-基)-N-苯基-氨基)三苯胺(1T-NATA)、4,4’,4”-三(N-(萘-2-基)-N-苯基-氨基)三苯胺(2T-NATA)、铜酞菁(CuPc)、三(4-咔唑-9-基-苯基)胺(TCTA)、N,N’-二苯基-N,N’-双(1-萘基)-1,1’-联苯-4,4”-二胺(NPB；NPD)、1,4,5,8,9,11-六氮杂三亚苯六甲腈(二吡嗪[2,3-f:2’3’-h]喹喔啉-2,3,6,7,10,11-六甲腈；HAT-CN)、1,3,5-三[4-(二苯基氨基)苯基]苯(TDAPB)、聚(3,4-乙烯二氧噻吩)聚苯乙烯磺酸盐(PEDOT/PSS)、和N-(联苯-4-基)-9,9-二甲基-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺，但不限于此。
HTL 260可以包括选自下组的至少一种化合物：N,N’-二苯基-N,N’-双(3-甲基苯基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺；TPD)、NPB(NPD)、4,4’-双(N-咔唑基)-1,1’-联苯(CBP)、聚[N,N’-双(4-丁基苯基)-N,N’-双(苯基)-联苯胺](聚-TPD)、(聚[(9,9-二辛基芴基-2,7-二基)-co-(4,4’-(N-(4-仲丁基苯基)二苯胺))](TFB)、二-[4-(N,N-二-对甲苯基-氨基)-苯基]环己烷(TAPC)、3,5-二(9H-咔唑-9-基)-N,N-二苯基苯胺(DCDPA)、N-(联苯-4-基)-9,9-二甲基-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺、和N-(联苯-4-基)-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)联苯-4-胺，但不限于此。
ETL 270可以包括基于噁二唑的化合物、基于三唑的化合物、基于菲咯啉的化合物、基于苯并噁唑的化合物、基于苯并噻唑的化合物、基于苯并咪唑的化合物和基于三嗪的化合物中的至少一种。例如，ETL 270可以包括选自下组的至少一种化合物：三-(8-羟基喹啉)铝(Alq3)、2-联苯-4-基-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(PBD)、螺-PBD、喹啉锂(Liq)、1,3,5-三(N-苯基苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)、双(2-甲基-8-羟基喹啉-N1,O8)-(1,1’-联苯-4-羟基)铝(BAlq)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(Bphen)、2,9-双(萘-2-基)4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(NBphen)、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP)、3-(4-联苯)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-三唑(TAZ)、4-(萘-1-基)-3,5-二苯基-4H-1,2,4-三唑(NTAZ)、1,3,5-三(对吡啶-3-基-苯基)苯(TpPyPB)、2,4,6-三(3’-(吡啶-3-基)联苯-3-基)1,3,5-三嗪(TmPPPyTz)、聚[9,9-双(3’-((N,N-二甲基)-N-乙基铵)-丙基)-2,7-芴]-alt-2,7-(9,9-二辛基芴)](PFNBr)、三(苯基喹喔啉)(TPQ)、和二苯基-4-三苯基甲硅烷基-苯基氧化膦(TSPO1)，但不限于此。
EIL 280可以包括碱金属卤化物化合物(如LiF、CsF、NaF或BaF2)和有机金属化合物(如Liq、苯甲酸锂或硬脂酸钠)中的至少一种，但不限于此。
EBL 265位于HTL 260和EML 240之间以阻止电子从EML 240转移到HTL 260中，它可以包括选自下组的至少一种化合物：TCTA、三[4-(二乙氨基)苯基]胺、N-(联苯-4-基)-9,9-二甲基-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺、TAPC、MTDATA、1,3-双(咔唑-9-基)苯(mCP)、3,3’-双(N-咔唑基)-1,1’-联苯(mCBP)、CuPc、N,N’-双[4-[双(3-甲基苯基)氨基]苯基]-N,N’-二苯基-[1,1’-联苯]-4,4’-二胺(DNTPD)、TDAPB、DCDPA、和2,8-双(9-苯基-9H-咔唑-3-基)二苯并[b,d]噻吩)，但不限于此。
HBL 275位于EML 240和ETL 270之间以阻止空穴从EML 240转移到ETL 270中，它可以包括ETL 270的上述材料。例如，HBL 275的材料具有低于EML 240的材料的HOMO能级并且可以是选自下组的至少一种化合物：BCP、BAlq、Alq3、PBD、螺-PBD、Liq、双-4,6-(3,5-二-3-吡啶基苯基)-2-甲基嘧啶(B3PYMPM)、双[2-(二苯基膦基)苯基]齿氧化物(DPEPO)、9-(6-9H-咔唑-9-基)吡啶-3-基)-9H-3,9’-联咔唑、和TSPO1，但不限于此。
EML 240包括作为主体的第一化合物和作为延迟荧光材料(化合物)的第二化合物。作为延迟荧光材料的第二化合物可以用作掺杂剂(发光体)。
作为主体的第一化合物由式1表示。
[式1]
Figure BDA0003687437870000101
在式1中，Z1和Z2各自独立地选自氧(O)、硫(S)和硒(Se)，并且R选自氢(H)、氘(D)、C1至C20烷基、C6至C30芳基、C5至C30杂芳基和C1至C20胺基(例如，烷基胺或芳基胺)。
例如，Z1和Z2可以各自独立地选自O和S，并且Z1和Z2可以不同。R可以是C6至C30芳基，例如，苯基或萘基。
作为延迟荧光材料的第二化合物由式2-1或2-2表示。
[式2-1]
Figure BDA0003687437870000102
[式2-2]
Figure BDA0003687437870000111
在式2-1中，X选自单键、CR3R4、O、S和NR5，Y选自CN、卤素和C1至C20卤代烷基。n1和n2中的每一个独立地是0至4的整数。
在式2-2中，X1选自CR6和N，X2至X4各自独立地选自单键、CR7R8、O、S和NR9。L选自C6至C30亚芳基和C5至C30杂亚芳基，m为1至3的整数。L可以取代有D、CN、CF3和卤素(例如F)中的至少一种。
在式2-1和2-2中，R1至R9各自独立地选自H、D、C1至C20烷基、C6至C30芳基、C5至C30杂芳基和C1至C20胺基。
在式2-1中，X可以是单键，Y可以是CN。即，式2-1的第二化合物可以由式2-3表示。此外，在式2-2中，X3和X4各自可以是单键，L可以是氰基亚苯基，m可以是1。即，式2-2的第二化合物可以由式2-4表示。
[式2-3]
Figure BDA0003687437870000112
[式2-4]
Figure BDA0003687437870000121
例如，在式2-3中，n1和n2中的至少一个可以是2以上。优选地，n1可以是2，并且n2可以是4。在式4中，X1可以是N，X2可以是NR9，并且R1和R2各自可以是未经取代或经取代的C6至C30芳基，例如，苯基。
例如，第一化合物可以是式3中的化合物之一。
[式3]
Figure BDA0003687437870000122
Figure BDA0003687437870000131
例如，第二化合物可以是式4中的化合物之一。
[式4]
Figure BDA0003687437870000132
Figure BDA0003687437870000141
Figure BDA0003687437870000151
在本发明的OLED D1中，EML 240包括式2-1或2-2的作为延迟荧光材料的第二化合物。由于延迟荧光材料的单重态激子和三重态激子参与发光，因此提高了OLED D1的量子效率(发光效率)。
即，参照作为本发明使用延迟荧光化合物的OLED的发光机制示意图的图4，在延迟荧光化合物中，三重态激子受场或热激活时，三重态激子和单重态激子转变为中间态“I1”并转化为基态“S0”而发光。换言之，单重态“S1”和三重态“T1”参与发光，从而提高了发光效率。延迟荧光材料可以称为场激活延迟荧光(FADF)材料或热激活延迟荧光(TADF)材料。
然而，当传统的主体与具有深最高占据分子轨道(HOMO)能级的延迟荧光材料一起使用时，延迟荧光材料与主体之间会产生激基复合物，从而出现诸如发射效率降低、半峰全宽(FWHM)增加和/或发射波长偏移等问题。
在本发明的OLED D1中，其包括式1中的第一化合物作为主体并且式2-1或2-2中的第二化合物作为延迟荧光材料，在第一和第二化合物之间不产生激基复合物。因此，通过将第二化合物的三重态能量转换为第二化合物的单重态能量，即RISC，来提高量子效率，而没有诸如发射效率降低、FWHM增加和/或发射波长偏移等问题。
参考作为OLED中第一化合物与第二化合物的能级关系示意图的图5，第一化合物的HOMO能级“H1”等于或低于第二化合物的HOMO能级“H2”，并且第一化合物的HOMO能级“H1”和第二化合物的HOMO能级“H2”之间的差值“ΔH”可以小于约0.2eV。结果是，第一化合物和第二化合物之间没有激基复合物的产生，并且提高了OLED D1的发光特性和发光效率。此外，第二化合物的能带隙可以等于或小于2.5eV。
此外，第一化合物的最低未占分子轨道(LUMO)能级“L1”高于第二化合物的LUMO能级“L2”，第一化合物的LUMO能级“L1”和第二化合物的LUMO能级“L2”之间的差值“ΔL”可以是约0.8到1.0eV。
在EML 240中，第一化合物的重量百分比可以等于或大于第二化合物的重量百分比。例如，在EML 240中，第一化合物可以是约50重量％至70重量％，第二化合物可以是30重量％至50重量％。但是，不限于此。
如上所述，在本发明的OLED D1中，EML 240包括式1的第一化合物作为主体，和式2-1或2-2的第二化合物作为延迟荧光材料，使得OLED D1和包括OLED D1的有机发光显示装置100(图2)的发光特性和发光效率得到改善。
[OLED]
在阳极上(ITO，50nm)，HIL(式5-1的化合物，7nm)、HTL(式5-2的化合物，78nm)、EBL(式5-3的化合物，15nm)、EML(35nm)、HBL(式5-4的化合物，10nm)、ETL(式5-5的化合物，25nm)、EIL(LiF)和阴极(Al)依次堆叠以形成OLED。
(1)比较例1(Ref1)
式6-1的化合物(60重量％)作为主体和式4的化合物2-1(40重量％)用于形成EML。
(2)比较例2(Ref2)
式6-2的化合物(60重量％)作为主体和式4的化合物2-1(40重量％)用于形成EML。
(3)比较例3(Ref3)
式6-3的化合物(60重量％)作为主体和式4的化合物2-1(40重量％)用于形成EML。
(4)比较例4(Ref4)
式6-4的化合物(60重量％)作为主体和式4的化合物2-1(40重量％)用于形成EML。
(5)比较例5(Ref5)
式6-5的化合物(60重量％)作为主体和式4的化合物2-1(40重量％)用于形成EML。
(6)比较例6(Ref6)
式6-6的化合物(60重量％)作为主体和式4的化合物2-1(40重量％)用于形成EML。
(7)实施例1(Ex1)
式3的化合物1-1(60重量％)作为主体和式4的化合物2-1(40重量％)用于形成EML。
(8)实施例2(Ex2)
式3的化合物1-2(60重量％)作为主体和式4的化合物2-1(40重量％)用于形成EML。
(9)实施例3(Ex3)
式3的化合物1-3(60重量％)作为主体和式4的化合物2-1(40重量％)用于形成EML。
(10)实施例4(Ex4)
式3的化合物1-4(60重量％)作为主体和式4的化合物2-1(40重量％)用于形成EML。
(11)比较例7(Ref7)
式6-1的化合物(50重量％)作为主体和式4的化合物3-1(50重量％)用于形成EML。
(12)比较例8(Ref8)
式6-2的化合物(50重量％)作为主体和式4的化合物3-1(50重量％)用于形成EML。
(13)比较例9(Ref9)
式6-3的化合物(50重量％)作为主体和式4的化合物3-1(50重量％)用于形成EML。
(14)比较例19(Ref10)
式6-4的化合物(50重量％)作为主体和式4的化合物3-1(50重量％)用于形成EML。
(15)比较例11(Ref11)
式6-5的化合物(50重量％)作为主体和式4的化合物3-1(50重量％)用于形成EML。
(16)比较例12(Ref12)
式6-6的化合物(50重量％)作为主体和式4的化合物3-1(50重量％)用于形成EML。
(17)实施例5(Ex5)
式3的化合物1-1(50重量％)作为主体和式4的化合物3-1(50重量％)用于形成EML。
(18)实施例6(Ex6)
式3的化合物1-2(50重量％)作为主体和式4的化合物3-1(50重量％)用于形成EML。
(19)实施例7(Ex7)
式3的化合物1-3(50重量％)作为主体和式4的化合物3-1(50重量％)用于形成EML。
(20)实施例8(Ex8)
式3的化合物1-4(50重量％)作为主体和式4的化合物3-1(50重量％)用于形成EML。
[式5-1]
Figure BDA0003687437870000181
[式5-2]
Figure BDA0003687437870000191
[式5-3]
Figure BDA0003687437870000192
[式5-4]
Figure BDA0003687437870000193
[式5-5]
Figure BDA0003687437870000194
[式6-1]
Figure BDA0003687437870000195
[式6-2]
Figure BDA0003687437870000201
[式6-3]
Figure BDA0003687437870000202
[式6-4]
Figure BDA0003687437870000203
[式6-5]
Figure BDA0003687437870000204
[式6-6]
Figure BDA0003687437870000205
测量了OLED在Ref1至Ref12和Ex1至Ex8中的发光特性，即驱动电压“V”、外量子效率“EQE”、最大发射波长“λmax”和FWHM，并列于表1。
表1
@6.3mA/cm2
Figure BDA0003687437870000211
如表1所示，在EML中包括式1的第一化合物和式2-1或2-2的第二化合物的OLED的发光特性得到改善。
即，在Ref1至Ref12的OLED中，在EML中产生激基复合物，使得发射波长向长波长偏移并且FWHM增加。此外，由于主体的低空穴迁移率，可以增加驱动电压和/或降低发射效率，例如EQE。
然而，在本发明的EML中包括式1的第一化合物和式2-1或2-2的第二化合物的OLED中，由于防止激基复合物的产生或使其最小化，防止了发射波长的偏移并提供了窄FWHM。此外，在式1的第一化合物中，由于咔唑部分的3位和相邻杂芳基部分的3位关联(连接或结合)，第一化合物具有高空穴部分。因此，降低了OLED的驱动电压，提高了OLED的发光效率，例如EQE。
测量了作为本发明的第一化合物的式3的化合物1-1至1-4的HOMO能级和LUMO能级，以及作为本发明的第二化合物的式4的化合物2-1和3-1的HOMO能级和LUMO能级，并列于表2中。([eV])
表2
HOMO LUMO
化合物1-1 -5.9 -2.4
化合物1-2 -5.9 -2.4
化合物1-3 -5.9 -2.4
化合物1-4 -5.8 -2.4
化合物2-1 -5.8 -3.4
化合物3-1 -5.7 -3.2
如表2所示，第一化合物(例如化合物1-1至1-4)的HOMO能级与第二化合物(例如化合物2-1和3-1)的HOMO能级之间的差等于或小于0.2eV，并且第二化合物的能带隙小于2.5eV。此外，第一化合物的LUMO能级与第二化合物的LUMO能级之差为0.8eV至1.0eV。
作为延迟荧光材料的式2-1或2-2的第二化合物的单重态能级与三重态能级之间的差异非常小(例如，约0.3eV以下)。延迟荧光材料的三重态激子的能量通过反向系统间穿越(RISC)转换成单重态激子，使得延迟荧光材料具有高量子效率。然而，由于延迟荧光材料具有宽的FWHM，延迟荧光材料在色纯度方面存在缺点。
为了克服延迟荧光材料的色纯度问题，EML240可以进一步包括作为荧光材料的第三化合物以提供超荧光。在这种情况下，第二化合物的重量百分比可以等于或小于第一化合物的重量百分比，并且可以大于第三化合物的重量百分比。例如，在EML240中，第一化合物可以为约40重量％至60重量％，第二化合物可以为约30重量％至50重量％，并且第三化合物可以为约0.1重量％至10重量％。
作为荧光材料的第三化合物可由式7-1至7-3之一表示。
[式7-1]
Figure BDA0003687437870000231
[式7-2]
Figure BDA0003687437870000232
[式7-3]
Figure BDA0003687437870000233
在式7-1至7-3中，R11至R26中的每一个、R31至R34中的每一个和R41至R47中的每一个独立地选自H、D、C1至C20烷基、C1至C20烷氧基、C1至C20甲硅烷基如烷基甲硅烷基或芳基甲硅烷基、C6至C30芳基、C5至C30杂芳基和C1至C20胺基。
例如，R11至R26可以各自独立地选自H、C1至C20烷基和C1至C20烷氧基，R31至R34可以各自独立地选自H和C1至C20烷基。R41至R47可以各自独立地选自H、C1至C20烷基和C6至C30芳基。
在式1、2-1至2-4和7-1至7-3中，芳基和/或杂芳基可以是未经取代的或经取代的。芳基和/或杂芳基的取代基可以是D、卤素、CN或C1至C20烷基。
此外，在式1、2-1至2-4和7-1至7-3中，C6至C30芳基(或亚芳基)基团可以选自苯基、联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、并五苯基(pentanenyl)、茚基、茚并茚基、并七苯基、亚联苯基(biphenylenyl)、引达省基、菲基、苯并菲基、二苯并菲基、薁基、芘基、荧蒽基、三亚苯基、
Figure BDA0003687437870000241
基、四苯基、并四苯基、茜基(picenyl)、五苯基、联五苯基(pentacenyl)、芴基、茚并芴基和螺芴基。
此外，在式1、2-1至2-4和7-1至7-3中，C5至C30杂芳基可以选自吡咯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、四嗪基、咪唑基、吡唑基、吲哚基、异吲哚基、吲唑基、吲哚嗪基、吡咯嗪基、咔唑基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、吲哚并咔唑基、茚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、喹啉基、异喹啉基、酞嗪基、喹喔啉基、噌啉基、喹唑啉基(quinazolinyl)、喹嗪啉基(quinozolinyl)、喹啉基、嘌呤基、酞嗪基、喹喔啉基、苯并喹啉基、苯并异喹啉基、苯并喹唑啉基、苯并喹喔啉基、吖啶基、菲咯啉基、呸啶基、菲啶基、蝶啶基、噌啉基、萘胺基(naphtharidinyl)、呋喃基、噁嗪基、噁唑基、噁二唑基、三唑基、二噁英基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、噻喃基、蒽醌基、苯并吡喃基基(chromaenyl)、异苯并吡喃基、硫代吖嗪基(thioazinyl)、苯硫基、苯并苯硫基、二苯并苯硫基、二呋喃并吡嗪基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并噻吩并苯并苯硫基、苯并噻吩并二苯并苯硫基、苯并噻吩并苯并呋喃、和苯并噻吩并二苯并呋喃基。
例如，第三化合物可以是式8中的化合物之一。
[式8]
Figure BDA0003687437870000251
Figure BDA0003687437870000261
当OLED D1的EML 240包括第一至第三化合物时，第二化合物的激子转移到第三化合物中，使得第三化合物提供光发射。因此，OLED D1通过第二化合物提供具有高量子效率并且通过第三化合物提供窄FWHM的发光。
图6是本发明第三实施方式的OLED的截面示意图。
如图6所示，本发明第三实施方式的OLED D2包括彼此面对的第一电极310和第二电极330，以及它们之间的发光层320。发光层320包括EML 340。(图2的)有机发光显示装置100可以包括红色像素区、绿色像素区和蓝色像素区，并且OLED D2可以设置在绿色像素区中。
第一电极310可以是阳极，第二电极330可以是阴极。
发光层320可以进一步包括在第一电极310和EML 340之间的HTL 360及在第二电极330和EML 340之间的ETL 370中的至少一个。
此外，发光层320可以进一步包括在第一电极310和HTL 360之间的HIL 350及在第二电极330和ETL 370之间的EIL 380中的至少一个。
此外，发光层320可以进一步包括在HTL 360和EML 340之间的EBL 365及在EML340和ETL 370之间的HBL 375中的至少一个。
EML 340包括依次堆叠在第一电极310上方的第一EML(第一层或下发光材料层)342和第二EML(第二层或上发光材料层)344。即，第二EML 344位于第一EML 342和第二电极330之间。
在EML 340中，第一和第二EML 342和344中的一个包括式1的第一化合物和式2-1或2-2的第二化合物，并且第一和第二EML 342和344中的另一个包括式7-1至7-3之一的第三化合物和作为主体的第四化合物。例如，第四化合物可以是式1的化合物。
将解释其中第一EML 342包括第一和第二化合物的OLED。
具有延迟荧光特性的第二化合物具有高量子效率。然而，由于第二化合物具有宽的FWHM，因此第二化合物在色纯度方面具有缺点。另一方面，具有荧光特性的第三化合物具有窄的FWHM。然而，第三化合物的三重态激子不参与光发射，第三化合物在发光效率方面存在缺点。
在OLED D2中，由于第一EML 342中的第二化合物的三重态激子能量通过RISC被转换为第一化合物的单重态激子能量，并且第二EML 344中第一化合物的单重态激子能量被转移至第三化合物的单重态激子能量。结果是，第三化合物提供光发射。因此，单重态激子能量和三重态激子能量都参与到光发射中，从而提高了发光效率。此外，由于发光是由荧光材料的第三化合物提供的，所以提供了具有窄FWHM的光发射。
在第一EML 342中，第一化合物的重量百分比可以等于或大于第二化合物的重量百分比。此外，在第二EML 344中，第三化合物的重量百分比可以小于第四化合物。第一EML342中的第二化合物的重量百分比可以大于第二EML 344中的第三化合物的重量百分比。
结果是，可以充分或有效地产生从第一EML 342中的第二化合物到第二EML 344中的第三化合物的FRET能量转移。例如，第二化合物在第一EML 342中可以是30重量％至50重量％，优选40重量％至50重量％，第三化合物在第二EML 344中可以是0.1重量％至10重量％，优选0.1重量％至5重量％。
作为第二EML 344中的主体的第四化合物可以与HBL 375的材料相同。在这种情况下，第二EML344可以具有空穴阻挡功能和发射功能。即，第二EML 344可以用作用于阻挡空穴的缓冲层。当省略HBL 375时，第二EML 344可以用作发光材料层和空穴阻挡层。
当作为荧光材料的第三化合物包括在第一EML 342中并且第二化合物包括在第二EML 344中时，作为第一EML 342中的主体的第四化合物可以与EBL 365的材料相同。在这种情况下，第一EML 342可以具有电子阻挡功能和发射功能。即，第一EML 342可以用作阻挡电子的缓冲层。当省略EBL 365时，第一EML 342可以用作发光材料层和电子阻挡层。
图7是本发明第四实施方式的OLED的截面示意图。
如图7所示，本发明第四实施方式的OLED D3包括彼此面对的第一电极410和第二电极430，以及它们之间的发光层420。发光层420包括EML 440。(图2的)有机发光显示装置100可以包括红色像素区、绿色像素区和蓝色像素区，并且OLED D3可以位于绿色像素区中。
第一电极410可以是阳极，第二电极430可以是阴极。
发光层420可以进一步包括在第一电极410和EML 440之间的HTL 460及在第二电极430和EML 440之间的ETL 470中的至少一个。
此外，发光层420可以进一步包括在第一电极410和HTL 460之间的HIL 450及在第二电极430和ETL 470之间的EIL 480中的至少一个。
此外，发光层420可以进一步包括在HTL 460和EML 440之间的EBL 465及在EML440和ETL 470之间的HBL 475中的至少一个。
EML 440包括第一EML(第一层，中间发光材料层)442，在第一EML 442和第一电极410之间的第二EML(第二层，下发光材料层)444，以及第一EML 442和第二电极430之间的第三EML(第三层，上发光材料层)446。即，EML 440具有依次堆叠的第二EML 444、第一EML 442和第三EML 446的三层结构。
例如，第一EML 442可以位于EBL 465和HBL 475之间，第二EML 444可以位于EBL465和第一EML 442之间，第三EML 446可以位于HBL 475和第一EML 442之间。
第一EML 442包括式1的第一化合物和式2-1或2-2的第二化合物，并且第二和第三EML 444和446中的每一个包括式7-1至式7-3之一的第三化合物和作为主体的第四化合物。第二EML 444中的第三化合物和第三化合物446中的第三化合物可以相同或不同，并且第二EML 444中的第四化合物和第三化合物446中的第四化合物可以相同或不同。例如，第二EML444中的第四化合物和第三化合物446中的第四化合物中的每一个可以是式1中的化合物。
在OLED D3中，由于第一EML 442中的第二化合物的三重态激子能量通过RISC被转换为第二化合物的单重态激子能量，并且第二化合物的单重态激子能量被转移至第二EML444中的第三化合物的单重态激子能量和第三EML 446中的第三化合物的单重态激子能量。结果是，第二和第三EML 444和446中的第三化合物提供光发射。因此，单重态激子能量和三重态激子能量都参与到光发射中，从而提高了发光效率。此外，由于发光是由作为荧光材料的第三化合物提供的，所以提供了具有窄FWHM的光发射。
在第一EML 442中，第一化合物的重量比可以等于或大于第二化合物的重量比。在第二EML 444中，第三化合物的重量比可以小于第四化合物的重量比。在第三EML446中，第三化合物的重量比可以小于第四化合物的重量比。
结果是，能量通过FRET充分和/或有效地从第一EML 442中的第二化合物转移到第二EML 444中的第三化合物和第三EML 446中的第三化合物中。例如，第二化合物在第一EML442中可为约30重量％至50重量％，优选为约40重量％至50重量％。第三化合物在第二EML444和第三EML 446中的每一个中可为约0.1重量％至10重量％，优选为约0.1重量％至5重量％。
作为第二EML 444的主体的第四化合物可以与EBL 465的材料相同。在这种情况下，第二EML 444可以具有电子阻挡功能和发射功能。即，第二EML 444可以用作阻挡电子的缓冲层。当省略EBL 465时，第二EML 444可以用作发光层和电子阻挡层。
作为第三EML 446的主体的第四化合物可以与HBL 475的材料相同。在这种情况下，第三EML 446可以具有空穴阻挡功能和发射功能。即，第三EML 446可以用作用于阻挡空穴的缓冲层。当省略HBL 475时，第三EML 446可以用作发光层和空穴阻挡层。
第二EML 444中作为主体的第四化合物可以与EBL 465的材料相同，并且第三EML446中作为主体的第四化合物可以与HBL 475的材料相同。在这种情况下，第二EML 444可以具有电子阻挡功能和发射功能，并且第三EML 446可以具有空穴阻挡功能和发射功能。即，第二EML 444可以用作阻挡电子的缓冲层，第三EML 446可以用作阻挡空穴的缓冲层。当省略EBL 465和HBL 475时，第二EML 444可以用作发光材料层和电子阻挡层，而第三EML 446可以用作发光材料层和空穴阻挡层。
图8是本发明第五实施方式的OLED的截面示意图。
如图8所示，OLED D4包括彼此面对的第一电极510和第二电极530，以及它们之间的发光层520。(图2的)有机发光显示装置100可以包括红色像素区、绿色像素区和蓝色像素区，并且OLED D4可以位于绿色像素区中。
第一电极510可以是阳极，第二电极530可以是阴极。
发光层520包括包含第一EML 550的第一发射部540和包含第二EML 570的第二发射部560。此外，发光层520可以进一步包括在第一和第二发射部540和560之间的电荷产生层(CGL)580。
CGL 580位于第一和第二发射部540和560之间，使得第一发射部540、CGL 580和第二发射部560依次堆叠在第一电极510上。即，第一发射部540位于第一电极510和CGL 580之间，第二发射部580位于第二电极530和CGL 580之间。
第一发射部540包括第一EML 550。
此外，第一发射部540可以进一步包括在第一电极510和第一EML 550之间的第一HTL 540b、在第一电极510和第一HTL 540b之间的HIL 540a以及在第一EML550和CGL 580之间的第一ETL 540e中的至少一个。
此外，第一发射部540可以进一步包括在第一HTL 540b和第一EML 550之间的第一EBL 540c及在第一EML 550和第一ETL 540e之间的第一HBL 540d中的至少一个。
第二发射部560包括第二EML 570。
此外，第二发射部560可以进一步包括在CGL 580和第二EML 570之间的第二HTL560a，在第二EML 570和第二电极164之间的第二ETL 560d，及在第二ETL 560d和第二电极530之间的EIL 560e中的至少一个。
此外，第二发射部560可以进一步包括在第二HTL 560a和第二EML 570之间的第二EBL 560b及在第二EML 570和第二ETL 560d之间的第二HBL 560c中的至少一个。
CGL 580位于第一和第二发射部540和560之间。即，第一和第二发射部540和560通过CGL 580彼此连接。CGL 580可以是N型CGL 582和P型CGL 584的P-N结型CGL。
N型CGL 582位于第一ETL 540e与第二HTL 560a之间，P型CGL 584位于N型CGL 582与第二HTL 560a之间。N型CGL 582向第一发射部540的第一EML 550提供电子，P型CGL 584向第二发射部560的第二EML 570提供空穴。
第一和第二EML 550和570中的每一个都是绿色EML。第一和第二EML 550和570中的至少一个包括式1的第一化合物和式2-1或2-2的第二化合物。
例如，第一EML 550可以包括式1的第一化合物和式2-1或2-2的第二化合物。在这种情况下，发光是由第二化合物提供的。在第一EML 550中，第一化合物的重量比可以等于或大于第二化合物的重量比。例如，在第一EML 550中，第一化合物可以是约50重量％至70重量％，第二化合物可以是约30重量％至50重量％。
第一EML 550可以进一步包括作为荧光材料的式7-1至7-3之一的第三化合物。在这种情况下，发光是由第三化合物提供的。第二化合物的重量百分比可以等于或小于第一化合物并且可以大于第三化合物。例如，在第一EML 550中，第一化合物可以是约40重量％至60重量％，第二化合物可以是约30重量％至50重量％，第三化合物可以是约0.1重量％至10重量％。当第二化合物的重量百分比大于第三化合物的重量百分比时，第二化合物的能量充分地转移到第三化合物。
第二EML 570可以包括式1的第一化合物和式2-1或2-2的第二化合物。此外，第二EML 570可以进一步包括式7-1至7-3之一的第三化合物。
作为另一种选择，第二EML 570可以包括与第一EML 550中的第一和第二化合物或第一EML 550中的第一至第三化合物中的至少一种不同的化合物，使得第一和第二EML 550和570在发光波长或发光效率方面是不同的。
在本发明的OLED D4中，通过作为主体的第一化合物和作为延迟荧光材料的第二化合物，提高了OLED D4的发光特性和发光效率。此外，当进一步包含作为荧光材料的第三化合物时，OLED D4的色纯度进一步提高。
图9是本发明第六实施方式的有机发光显示装置的截面示意图。
如图9所示，有机发光显示装置1000包括基板1010，其中限定了第一至第三像素区P1、P2和P3，在基板1010上方的TFT Tr和OLED D5。OLED D5设置在TFT Tr上方并连接至TFTTr。例如，第一至第三像素区P1、P2和P3可以分别是绿色像素区、红色像素区和蓝色像素区。
基板1010可以是玻璃基板或柔性基板。例如，柔性基板可以是聚酰亚胺(PI)基板、聚醚砜(PES)基板、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)基板、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)基板或聚碳酸酯(PC)基板。
在基板1010上形成缓冲层1012，在缓冲层1012上形成TFT Tr。可以省略缓冲层1012。
如图2所解释，TFT Tr可以包括半导体层、栅电极、源电极和漏电极并且可以用作驱动元件。
在TFT Tr上形成整平层(或钝化层)1050。整平层1050具有平坦的顶面并且包括暴露TFT Tr的漏极的漏极接触孔1052。
OLED D5设置在整平层1050上，并且包括第一电极1060、发光层1062和第二电极1064。第一电极1060连接到TFT Tr的漏极，发光层1062和第二电极1064依次堆叠在第一电极1060上。OLED D5设置在第一至第三像素区P1至P3的每一个中，并在第一至第三像素区P1至P3中发射不同颜色的光。例如，第一像素区P1中的OLED D5可以发出绿光，第二像素区P2中的OLED D5可以发出红光，第三像素区P3中的OLED D5可以发出蓝光。
第一电极1060形成为在第一至第三像素区P1至P3中分离，第二电极1064形成为一体以覆盖第一至第三像素区P1至P3。
第一电极1060是阳极和阴极之一，第二电极1064是阳极和阴极中的另一个。此外，第一电极1060和第二电极1064中的一个可以是透光电极(或半透电极)，而第一电极1060和第二电极1064中的另一个可以是反射电极。
例如，第一电极1060可以是阳极并且可以包括由具有相对高功函数的透明导电氧化物(TCO)材料形成的透明导电氧化物材料层。第二电极1064可以是阴极并且可以包括由具有相对低功函数的低电阻金属材料形成的金属材料层。例如，第一电极1060的透明导电氧化物材料层包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡锌(ITZO)、氧化锡(SnO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟铜(ICO)和氧化铝锌合金(Al:ZnO)中的至少一种，并且第二电极1064可以包括Al、Mg、Ca、Ag、它们的合金，例如Mg-Ag合金，或它们的组合。
在底部发射型有机发光显示装置1000中，第一电极1060可以具有透明导电氧化物材料层的单层结构。
另一方面，在顶部发射型有机发光显示装置1000中，可以在第一电极1060下方形成反射电极或反射层。例如，反射电极或反射层可以由Ag或铝-钯-铜(APC)合金形成。在这种情况下，第一电极1060可以具有ITO/Ag/ITO或ITO/APC/ITO的三层结构。此外，第二电极1064可以具有薄轮廓(小厚度)以提供透光特性(或半透特性)。
堤层1066在整平层1050上形成以覆盖第一电极1060的边缘。即，堤层1066位于第一至第三像素区P1至P3的边界处并暴露第一至第三像素区域P1至P3中的第一电极1060的中心。
作为发光单元的发光层1062在第一电极1060上形成。发光层1062可以具有单层EML结构。作为另一种选择，发光层1062可以进一步包括依次堆叠在第一电极1060和EML之间的HIL、HTL、EBL，和依次堆叠在EML和第二电极1064之间HBL、ETL和EIL中的至少一个。
在作为绿色像素区的第一像素区P1中，发光层1062的EML包括式1的第一化合物和式2-1或2-2的第二化合物。此外，作为绿色像素区的第一像素区P1中的发光层1062的EML可以进一步包括式7-1至7-3之一的第三化合物。
封装膜1070在第二电极1064上形成以防止水分渗透到OLED D5中。封装膜1070可以具有包括第一无机绝缘层、有机绝缘层和第二无机绝缘层的三层结构，但不限于此。
有机发光显示装置1000可以进一步包括用于减少环境光反射的偏振板(未示出)。例如，偏振板可以是圆偏振板。在底部发射型有机发光显示装置1000中，偏振板可以设置在基板1010下方。在顶部发射型有机发光显示装置1000中，偏振板可以设置在封装膜1070上或上方。
图10是本发明第七实施方式的OLED的截面示意图。
参考图10和图9，OLED D5位于第一至第三像素区P1至P3中的每一个中，并且包括彼此面对的第一电极1060和第二电极1064以及它们之间的发光层1062。发光层1062包括EML 1090。
第一电极1060可以是阳极，第二电极1064可以是阴极。例如，第一电极1060可以是反射电极，第二电极1064可以是透射电极(或半透电极)。
发光层1062可以进一步包括在第一电极1060和EML 1090之间的HTL 1082及在EML1090和第二电极1064之间的ETL 1094。
此外，发光层1062可以进一步包括在第一电极1060和HTL 1082之间的HIL 1080及在ETL 1094和第二电极1064之间的EIL 1096。
此外，发光层1062可以进一步包括在EML 1090与HTL 1082之间的EBL 1086及在EML 1090与ETL 1094之间的HBL 1092。
此外，发光层1062可以进一步包括在HTL 1082和EBL 1086之间的辅助HTL1084。辅助HTL 1084可以包括在第一像素区P1中的第一辅助HTL 1084a、在第二像素区P2中的第二辅助HTL 1084b和第三像素区P3中的第三辅助HTL 1084c。
第一辅助HTL 1084a具有第一厚度，第二辅助HTL 1084b具有第二厚度，第三辅助HTL 1084c具有第三厚度。第一厚度小于第二厚度且大于第三厚度，使得OLED D5提供微腔结构。
即，通过具有厚度差异的第一至第三辅助HTL 1084a、1084b和1084c，第一像素区P1中的第一电极1060和第二电极1064之间的距离(其中发射第一波长范围光，例如，绿光)小于第二像素区P2中的第一电极1060和第二电极1064之间的距离(其中发射大于第一波长范围的第二波长范围的光，例如，红光)，并且大于第三像素区P3中第一电极1060和第二电极1064之间的距离(其中发射小于第一波长范围的第三波长范围的光，例如，蓝光)。因此，提高了OLED D5的发光效率。
在图10中，第三辅助HTL 1084c在第三像素区P3中形成。作为另一种选择，可以在没有第三辅助HTL 1084c的情况下提供微腔结构。
可以在第二电极1084上进一步形成用于提高光提取特性的覆盖层(未示出)。
EML 1090包括第一像素区P1中的第一EML 1090a、第二像素区P2中的第二EML1090b和第三像素区P3中的第三EML 1090c。第一至第三EML 1090a、1090b和1090c可以分别是绿色EML、红色EML和蓝色EML。
第一像素区P1中的第一EML 1090a包括式1的第一化合物和式2-1或2-2的第二化合物。在这种情况下，发光是由第二化合物提供的。在第一像素区P1中的第一EML 1090a中，第一化合物的重量比可以等于或大于第二化合物的重量比。例如，在第一像素区P1中的第一EML 1090a中，第一化合物可以是约50重量％至70重量％，第二化合物可以是约30重量％至50重量％。
第一像素区P1中的第一EML 1090a可以进一步包括作为荧光材料的式7-1至7-3之一的第三化合物。在这种情况下，发光是由第三化合物提供的。第二化合物的重量百分比可以等于或小于第一化合物并且可以大于第三化合物。例如，在第一EML 550中，第一化合物可以是约40重量％至60重量％，第二化合物可以是约30重量％至50重量％，第三化合物可以是约0.1重量％至10重量％。当第二化合物的重量百分比大于第三化合物的重量百分比时，第二化合物的能量充分地转移到第三化合物。
第二像素区P2中的第二EML 1090b和第三像素区P3中的第三EML 1090c中的每一个可以包括主体和掺杂剂。例如，在第二像素区P2中的第二EML 1090b和第三像素区P3中的第三EML 1090c中的每一个中，掺杂剂可以包括磷光化合物、荧光化合物和延迟荧光化合物中的至少一种。
图10中的OLED D5分别在第一至第三像素区P1至P3中发射绿光、红光和蓝光，使得(图9的)有机发光显示装置1000可以提供全色图像。
有机发光显示装置1000可以进一步包括对应于第一至第三像素区P1至P3的滤色器层以提高色纯度。例如，滤色器层可以包括对应于第一像素区P1的第一滤色器层，例如绿色滤色器层，对应于第二像素区P2的第二滤色器层，例如红色滤色器层，以及对应于第三像素区P3的第三滤色器层，例如蓝色滤色器层。
在底部发射型有机发光显示装置1000中，滤色器层可以设置在OLED D5和基板1010之间。另一方面，在顶部发射型有机发光显示装置1000中，滤色器层可以设置在OLEDD5上或之上。
图11是本发明第八实施方式的有机发光显示装置的截面示意图。
如图11所示，有机发光显示装置1100包括基板1110，其中限定了第一至第三像素区P1、P2和P3，在基板1110上方的TFT Tr，设置在TFT Tr上方并连接至TFT Tr的OLED D，以及对应于第一至第三像素区P1至P3的滤色器层1120。例如，第一至第三像素区P1、P2和P3可以分别是绿色像素区、红色像素区和蓝色像素区。
基板1110可以是玻璃基板或柔性基板。例如，柔性基板可以是聚酰亚胺(PI)基板、聚醚砜(PES)基板、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)基板、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)基板或聚碳酸酯(PC)基板。
TFT Tr在基板1110上形成。作为另一种选择，缓冲层(未示出)可以在基板1110上形成，并且TFT Tr可以在缓冲层上形成。
如图2所解释，TFT Tr可以包括半导体层、栅电极、源电极和漏电极并且可以用作驱动元件。
此外，滤色器层1120设置在基板1110上。例如，滤色器层1120可以包括对应于第一像素区P1的第一滤色器层1122、对应于第二像素区P2的第二滤色器层1124，以及对应于第三像素区P3的第三滤色器层1126。第一至第三滤色器层1122、1124和1126可以分别是绿色滤色器层、红色滤色器层和蓝色滤色器层。例如，第一滤色器层1122可以包括绿色染料和绿色颜料中的至少一种，而第二滤色器层1124可以包括红色染料和红色颜料中的至少一种。第三滤色器层1126可以包括蓝色染料和蓝色颜料中的至少一种。
整平层(或钝化层)1150在TFT Tr和滤色器层1120上形成。整平层1150具有平坦的顶表面并且包括暴露TFT Tr的漏极的漏极接触孔1152。
OLED D设置在整平层1150上并且对应于滤色器层1120。OLED D包括第一电极1160、发光层1162和第二电极1164。第一电极1160连接至TFT Tr的漏电极，发光层1162和第二电极1164依次堆叠在第一电极1160上。OLED D在第一至第三像素区P1至P3的每一个中发射白光。
第一电极1160形成为在第一至第三像素区P1至P3中分离，第二电极1164形成为一体以覆盖第一至第三像素区P1至P3。
第一电极1160是阳极和阴极中的一个，第二电极1164是阳极和阴极中的另一个。此外，第一电极1160可以是透光电极(或半透电极)，第二电极1164可以是反射电极。
例如，第一电极1160可以是阳极并且可以包括由具有相对高功函数的透明导电氧化物(TCO)材料形成的透明导电氧化物材料层。第二电极1164可以是阴极并且可以包括由具有相对低功函数的低电阻金属材料形成的金属材料层。例如，第一电极1160的透明导电氧化物材料层包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡锌(ITZO)、氧化锡(SnO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟铜(ICO)和氧化铝锌合金(Al:ZnO)中的至少一种，并且第二电极1164可以包括Al、Mg、Ca、Ag、它们的合金，例如Mg-Ag合金，或它们的组合。
作为发光单元的发光层1162在第一电极1160上形成。发光层1162包括至少两个发射不同颜色光的发射部。每个发射部可以具有单层EML结构。作为另一种选择，每个发射部可以进一步包括HIL、HTL、EBL、HBL、ETL和EIL中的至少一个。此外，发光层1162可以进一步包括在发射部之间的电荷产生层(CGL)。
发射部之一的EML包括式1的第一化合物和式2-1或2-2的第二化合物。发射部之一的EML可以进一步包括作为荧光材料的式7-1至7-3之一的第三化合物。
堤层1166在整平层1150上形成以覆盖第一电极1160的边缘。即，堤层1166位于第一至第三像素区P1至P3的边界并暴露第一至第三像素区P1至P3中的第一电极的中心。如上所述，由于OLED D在第一至第三像素区P1至P3中发射白光，发光层1162可以在第一至第三像素区P1至P3中形成为公共层，而不在第一至第三像素区P1至P3中分离。堤层1166可以形成为防止在第一电极1160的边缘处的电流泄漏并且可以被省略。
尽管未示出，有机发光显示装置1100还可以包括在第二电极1164上形成的封装膜以防止水分渗透到OLED D中。此外，有机发光显示装置1100可以进一步包括基板1110下的偏振板用于减少环境光反射。
在(图11的)有机发光显示装置1100中，第一电极1160是透明电极(透光电极)，第二电极1164是反射电极。此外，滤色器层1120位于基板1110与OLED D之间。即，有机发光显示装置11000为底部发射型。
作为另一种选择，在有机发光显示装置1100中，第一电极1160可以是反射电极，第二电极1154可以是透明电极(或半透电极)。在这种情况下，滤色器层1120位于OLED D上或上方。
在有机发光显示装置1100中，第一至第三像素区P1至P3中的OLED D发射白光，并且白光穿过第一至第三滤色器层1122、1124和1126。因此，绿光、红光和蓝光分别显示在第一至第三像素区P1至P3中。
尽管未示出，但可以在OLED D和滤色器层1120之间形成颜色转换层。颜色转换层可以包括分别对应于第一至第三像素区P1至P3的绿色转换层、红色转换层和蓝色转换层，且OLED D发出的白光可转换为绿光、红光和蓝光。颜色转换层可以包括量子点。因此，可以进一步提高OLED D的色纯度。
可以包括颜色转换层来代替滤色器层1120。
图12是本发明第九实施方式的OLED的截面示意图。
如图12所示，OLED D6包括彼此面对的第一电极1160和第二电极1164，以及它们之间的发光层1162。
第一电极1160可以是阳极，第二电极1164可以是阴极。第一电极1160为透明电极(透光电极)，第二电极1164为反射电极。
发光层1162包括包含第一EML 1220的第一发射部1210、包含第二EML 1240的第二发射部1230和包含第三EML 1260的第三发射部1250。此外，发光层1162可以进一步包括在第一和第二发射部1210和1230之间的第一CGL 1270及在第一发射部1210和第三发射部1250之间的第二CGL 1280。
第一CGL 1270位于第一和第二发射部1210和1230之间，第二CGL 1280位于第一和第三发射部1210和1250之间。即，第三发射部1250、第二CGL 1280、第一发射部1210、第一CGL 1270和第二发射部1230依次堆叠在第一电极1160上。换言之，第一发射部1210位于第一和第二CGL 1270和1280之间，并且第二发射部1230位于第一CGL 1270和第二电极1164之间。第三发射部1250位于第二CGL 1280和第一电极1160之间。
第一发射部1210可以进一步包括在第一EML 1220下方的第一HTL 1210a和在第一EML 1220上方的第一ETL 1210b。即，第一HTL 1210a可以位于第一EML 1220和第二CGL1270之间，并且第一ETL 1210b可以位于第一EML 1220和第一CGL1270之间。
此外，第一发射部1210可以进一步包括在第一HTL 1210a和第一EML 1220之间的EBL(未示出)及在第一ETL 1210b和第一EML 1220之间的HBL(未示出)。
第二发射部1230可以进一步包括在第二EML 1240下方的第二HTL 1230a、在第二EML 1240上方的第二ETL 1230b和在第二ETL 1230b上的EIL 1230c。即，第二HTL 1230a可以位于第二EML 1240和第一CGL 1270之间，第二ETL 1230b和EIL1230c可以位于第二EML1240和第二电极1164之间。
此外，第二发射部1230可以进一步包括在第二HTL 1230a和第二EML 1240之间的EBL(未示出)及在第二ETL 1230b和第二EML 1240之间的HBL(未示出)。
第三发射部1250可以进一步包括在第三EML 1260下方的第三HTL 1250b，在第三HTL 1250b下方的HIL 1250a和在第三EML 1260上方的第三ETL 1250c。即，HIL 1250a和第三HTL 1250b可以位于第一电极1160和第三EML 1260之间，第三ETL 1250c可以位于第三EML 1260和第二CGL 1280之间。
此外，第三发射部1250可以进一步包括在第三HTL 1250b和第三EML 1260之间的EBL(未示出)及在第三ETL 1250c和第三EML 1260之间的HBL(未示出)。
第一至第三EML 1220、1240和1260之一是绿色EML。第一至第三EML 1220、1240和1260中的另一个可以是蓝色EML，并且第一至第三EML 1220、1240和1260中的另一个可以是红色EML。
例如，第一EML 1220可以是绿色EML，第二EML 1240可以是蓝色EML，第三EML 1260可以是红色EML。作为另一种选择，第一EML 1220可以是绿色EML，第二EML 1240可以是红色EML，并且第三EML 1260可以是蓝色EML。
第一EML 1220包括式1的第一化合物和式2-1或2-2的第二化合物。在这种情况下，发光是由第二化合物提供的。在第一EML 550中，第一化合物的重量比可以等于或大于第二化合物的重量比。例如，在第一EML 550中，第一化合物可以是约50重量％至70重量％，第二化合物可以是约30重量％至50重量％。
第一EML 1220可以进一步包括作为荧光材料的式7-1至7-3之一的第三化合物。在这种情况下，发光是由第三化合物提供的。第二化合物的重量百分比可以等于或小于第一化合物并且可以大于第三化合物。例如，在第一EML 1220中，第一化合物可以是约40重量％至60重量％，第二化合物可以是约30重量％至50重量％，第三化合物可以是约0.1重量％至10重量％。当第二化合物的重量百分比大于第三化合物的重量百分比时，第二化合物的能量充分地转移到第三化合物。
第二EML 1240包括主体和蓝色掺杂剂(或红色掺杂剂)，第三EML 1260包括主体和红色掺杂剂(或蓝色掺杂剂)。例如，在第二和第三EML 1240a和1260的每一个中，掺杂剂可以包括磷光化合物、荧光化合物和延迟荧光化合物中的至少一种。
(图11的)第一至第三像素区P1至P3中的OLED D6发射白光，白光穿过第一至第三像素区P1至P3中的(图11的)滤色器层1120。因此，(图11的)有机发光显示装置1100可以提供全色图像。
图13是本发明第十实施方式的OLED的截面示意图。
如图13所示，OLED D7包括彼此面对的第一电极1360和第二电极1364，以及它们之间的发光层1362。
第一电极1360可以是阳极，第二电极1364可以是阴极。第一电极1360为透明电极(透光电极)，第二电极1364为反射电极。
发光层1362包括包含第一EML 1420的第一发射部1410、包含第二EML 1440的第二发射部1430和包含第三EML 1460的第三发射部1450。此外，发光层1362可以进一步包括第一和第二发射部1410和1430之间的第一CGL 1470及第一发射部1410和第三发射部1450之间的第二CGL 1480。
第一发射部分1420包括下EML 1420a和上EML 1420b。即，下EML 1420a位于更靠近第一电极1360的位置，上EML 1420b位于更靠近第二电极1364的位置。
第一CGL 1470位于第一和第二发射部1410和1430之间，第二CGL 1480位于第一和第三发射部1410和1450之间。即，第三发射部1450、第二CGL 1480、第一发射部1410、第一CGL 1470和第二发射部1430依次堆叠在第一电极1360上。换句话说，第一发射部1410位于第一和第二CGL 1470和1480之间，并且第二发射部1430位于第一CGL 1470和第二电极1364之间。第三发射部1450位于第二CGL 1480和第一电极1360之间。
第一发射部1410可以进一步包括在第一EML 1420下方的第一HTL 1410a和在第一EML 1420上方的第一ETL 1410b。
此外，第一发射部1410可以进一步包括在第一HTL 1410a和第一EML 1420之间的EBL(未示出)及在第一ETL 1410b和第一EML 1420之间的HBL(未示出)。
第二发射部1430可以进一步包括在第二EML 1440下方的第二HTL 1430a、在第二EML 1440上方的第二ETL 1430b和在第二ETL 1430b上的EIL 1430c。即，第二HTL 1430a可以位于第二EML 1440和第一CGL 1470之间，第二ETL 1430b和EIL1430c可以位于第二EML1440和第二电极1364之间。
此外，第二发射部1430可以进一步包括在第二HTL 1430a和第二EML 1440之间的EBL(未示出)及在第二ETL 1430b和第二EML 1440之间的HBL(未示出)。
第三发射部1450可以进一步包括在第三EML 1460下方的第三HTL 1450b、在第三HTL 1450b下方的HIL 1450a和在第三EML 1460上方的第三ETL 1450c。即，HIL 1450a和第三HTL 1450b可以位于第一电极1360和第三EML 1460之间，第三ETL 1450c可以位于第三EML 1460和第二CGL 1480之间。
此外，第三发射部1450可以进一步包括在第三HTL 1450b和第三EML 1460之间的EBL(未示出)及在第三ETL 1450c和第三EML 1460之间的HBL(未示出)。
第一EML 1420的下EML1420a和上EML 1420b中的一个是绿色EML，并且第一EML1420的下EML 1420a和上EML 1420b中的另一个可以是红色EML。即，绿色EML(或红色EML)和红色EML(或绿色EML)依次堆叠以形成第一EML 1420。
例如，作为绿色EML的上EML 1420b包括式1的第一化合物和式2-1或2-2的第二化合物。在这种情况下，发光是由第二化合物提供的。在上EML 1420b中，第一化合物的重量比可以等于或大于第二化合物的重量比。例如，在上EML 1420b中，第一化合物可以是约50重量％至70重量％，第二化合物可以是约30重量％至50重量％。
上EML 1420b可以进一步包括作为荧光材料的式7-1至7-3之一的第三化合物。在这种情况下，发光是由第三化合物提供的。第二化合物的重量百分比可以等于或小于第一化合物并且可以大于第三化合物。例如，在上EML 1420b中，第一化合物可以是约40重量％至60重量％，第二化合物可以是约30重量％至50重量％，第三化合物可以是约0.1重量％至10重量％。当第二化合物的重量百分比大于第三化合物的重量百分比时，第二化合物的能量充分地转移到第三化合物。
作为红色EML的下EML 1420a可以包括主体和红色掺杂剂。
第二和第三EML 1440和1460中的每一个可以是蓝色EML。第二和第三EML1440和1460中的每一个可以包括主体和蓝色掺杂剂。第二EML 1440的主体和掺杂剂可以与第三EML 1460的主体和掺杂剂相同。作为另一种选择，第二EML 1440的主体和掺杂剂可以不同于第三EML 1460的主体和掺杂剂。例如，第二EML 1440中的掺杂剂与第三EML 1460中的掺杂剂的发射效率和/或发射光波长可以不同。
在下EML 1420a、第二EML 1440和第三EML 1460的每一个中，掺杂剂可以包括磷光化合物、荧光化合物和延迟荧光化合物中的至少一种。
(图11的)第一至第三像素区P1至P3中的OLED D7发射白光，白光穿过第一至第三像素区P1至P3中的(图11的)滤色器层1120。因此，(图11的)有机发光显示装置1100可以提供全色图像。
在图13中，OLED D7具有三叠层(三重叠层)结构，包括作为蓝色EML的第二和第三EML 1440和1460，及第一EML 1420。作为另一种选择，可以省略第二和第三EML 1440和1460之一，使得OLED D7可以具有双叠层(双重叠层)结构。
如图8、12和13所示，每个像素区域中的OLED包括包含本发明的有机化合物的第一EML，例如绿色EML，一个或多个第二EML和CGL，使得OLED具有串联结构。在这种情况下，一个或多个第二EML是红色EML、绿色EML和蓝色EML中的至少一种，使得OLED提供绿色发射或白色发射。
尽管已经参考示例性实施方式和实施例描述了本发明，但是这些实施方式和实施例并不旨在限制本发明的范围。相反，对于本领域的技术人员来说显而易见的是，在不脱离本发明的精神或范围的情况下，可以对本发明进行各种修改和变化。因此，本发明旨在覆盖本发明的修改和变化，只要它们落入所附权利要求及其等效物的范围内即可。
可以组合上述各种实施方式以提供其他实施方式。在本说明书中提及和/或在申请数据表中列出的所有专利、专利申请出版物、专利申请、外国专利、外国专利申请和非专利出版物通过引用以其整体并入本文。如果需要，可以修改实施方式的多个方面以采用各种专利、申请和出版物的概念来提供更其他实施方式。
可以根据以上详细描述对实施方式进行这些和其他改变。一般而言，在以下权利要求中，所使用的术语不应被解释为将权利要求限制为在说明书和权利要求中公开的特定实施方式，而应被解释为包括所有可能的实施方式以及这些权利要求所享有的等效物的全部范围。因此，权利要求不限于本发明的公开内容。

Claims (15)

1.一种有机发光二极管，其包括：
第一电极；
面对第一电极的第二电极；和
第一发光材料层，所述第一发光材料层包括第一化合物和第二化合物，并位于所述第一电极和第二电极之间，
其中，所述第一化合物由式1表示：
[式1]
Figure FDA0003687437860000011
其中，Z1和Z2各自独立地选自氧、硫和硒，并且R选自氢、氘、C1至C20烷基、C6至C30芳基、C5至C30杂芳基和C1至C20胺基，
其中，所述第二化合物由式2-1或式2-2表示：
[式2-1]
Figure FDA0003687437860000012
和
[式2-2]
Figure FDA0003687437860000021
其中，在式2-1中，X选自单键、CR3R4、O、S和NR5，Y选自CN、卤素和C1至C20卤代烷基，
其中，n1和n2各自独立地为0至4的整数，
其中，在式2-2中，X1选自CR6和N，X2至X4各自独立地选自单键、CR7R8、O、S和NR9，其中，L选自C6至C30亚芳基和C5至C30杂亚芳基，m为1至3的整数，并且
其中，R1至R9各自独立地选自H、D、C1至C20烷基、C6至C30芳基、C5至C30杂芳基和C1至C20胺基。
2.如权利要求1所述的有机发光二极管，其中，所述第一化合物为式3的化合物之一：
[式3]
Figure FDA0003687437860000022
Figure FDA0003687437860000031
3.如权利要求1所述的有机化合物，其中，所述第二化合物为式4的化合物之一：
[式4]
Figure FDA0003687437860000032
Figure FDA0003687437860000041
Figure FDA0003687437860000051
4.如权利要求1所述的有机发光二极管，其中，所述第一化合物的最高占据分子轨道能级与所述第二化合物的最高占据分子轨道能级之差为等于或小于0.2eV，且
所述第一化合物的吸收光谱与所述第二化合物的发射光谱的重叠率等于或大于35％。
5.如权利要求1所述的有机发光二极管，其中，所述第一化合物的重量百分比等于或大于所述第二化合物的重量百分比。
6.如权利要求4所述的有机发光二极管，其中，所述第一发光材料层进一步包括由式5-1至5-3之一表示的第三化合物：
[式5-1]
Figure FDA0003687437860000061
[式5-2]
Figure FDA0003687437860000062
和
[式5-3]
Figure FDA0003687437860000063
其中，R11至R26中的每一个、R31至R34中的每一个和R41至R47中的每一个独立地选自氢、氘、C1至C20烷基、C1至C20烷氧基、C1至C20甲硅烷基如烷基甲硅烷基或芳基甲硅烷基、C6至C30芳基、C5至C30杂芳基和C1至C20胺基。
7.如权利要求6所述的有机发光二极管，其中，所述第三化合物为式6的化合物之一：
[式6]
Figure FDA0003687437860000071
Figure FDA0003687437860000081
8.如权利要求6所述的有机发光二极管，其中，所述第一发光材料层包括第一层和第二层，所述第二层位于所述第一层和所述第二电极之间，并且
其中，所述第二层包括所述第一化合物和所述第二化合物，所述第一层包括所述第三化合物和第一主体。
9.如权利要求8所述的有机发光二极管，其中，所述第一发光材料层进一步包括第三层，所述第三层包括所述第三化合物和第二主体，并且位于所述第二层和所述第二电极之间。
10.如权利要求9所述的有机发光二极管，其进一步包括：
在所述第二电极和所述第三层之间的空穴阻挡层，
其中，所述第二主体与所述空穴阻挡层的材料相同。
11.如权利要求8所述的有机发光二极管，其进一步包括：
在所述第一电极和所述第一层之间的电子阻挡层，
其中，所述第一主体与所述电子阻挡层的材料相同。
12.如权利要求6所述的有机发光二极管，其中，所述第一发光材料层包括第一层和第二层，所述第二层位于所述第一层和所述第二电极之间，并且
其中，所述第一层包括所述第一化合物和所述第二化合物，所述第二层包括所述第三化合物和第一主体。
13.如权利要求12所述的有机发光二极管，其进一步包括：
在所述第二电极和所述第二层之间的空穴阻挡层，
其中，所述第一主体与所述空穴阻挡层的材料相同。
14.如权利要求1所述的有机发光二极管，其进一步包括：
在所述第一电极与所述第一发光材料层之间的第二材料层；和
在所述第一发光材料层和所述第二发光材料层之间的电荷产生层，
其中，所述第二发光材料层为红色发光材料层、绿色发光材料层和第三发光材料层中的一种。
15.一种有机发光显示装置，其包括：
基板；
位于所述基板上方的权利要求1至14中任一项所述的有机发光二极管；和
覆盖所述有机发光二极管的封装膜。
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JP6136175B2 (ja) * 2012-10-10 2017-05-31 コニカミノルタ株式会社 白色エレクトロルミネッセンスデバイス
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