CN114830364A - 有机发光二极管和包括其的有机发光装置 - Google Patents

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Abstract

本公开涉及有机发光二极管以及包括所述有机发光二极管的有机发光显示器，所述有机发光二极管包括：第一电极；面对第一电极的第二电极；和第一发光材料层，所述第一发光材料层包含第一化合物和第二化合物并且定位在第一电极与第二电极之间，其中第一化合物的吸收光谱与第二化合物的发射光谱之间的重叠率等于或大于35％。

Description

有机发光二极管和包括其的有机发光装置
技术领域
本公开涉及有机发光二极管，并且更具体地，涉及具有高发光效率和优异颜色纯度的有机发光二极管以及包括其的有机发光显示装置。
背景技术
近来，对具有小占用面积的平板显示装置的需求增加。在平板显示装置中，包括有机发光二极管(OLED)并且可以被称为有机电致发光装置的有机发光显示装置的技术迅速发展。
OLED通过以下来发光：将来自作为电子注入电极的阴极的电子和来自作为空穴注入电极的阳极的空穴注入到发光材料层(emitting material layer，EML)中，使电子与空穴结合，产生激子，并使激子从激发态转换成基态。
可以使用荧光材料作为OLED中的发射器。然而，由于仅单线态激子参与发光，因此相关技术的荧光材料在发光效率方面具有限制。
发明内容
技术问题
因此，本公开涉及OLED和有机发光装置，其基本上消除了由于相关技术的限制和缺点而导致的问题中的一者或更多者。
本公开的一个目的是提供具有改善的发光效率和颜色纯度的OLED。
本公开的另一个目的是提供包括OLED并且具有改善的发光效率和颜色纯度的有机发光显示装置。
本公开的另外的特征和优点将在随后的描述中阐述，并且部分地将从描述中显而易见，或者可以通过本公开的实践而得知。本公开的目的和其他优点将通过在撰写的说明书及其权利要求以及附图中特别指出的结构来实现和获得。
问题的解决方案
根据一个方面，本公开提供了有机发光二极管，所述有机发光二极管包括第一电极；面对第一电极的第二电极；和第一发光材料层，所述第一发光材料层包含第一化合物和第二化合物并且定位在第一电极与第二电极之间，其中第一化合物由式1表示：其中R1和R2各自独立地选自氢、氘、C1至C20烷基、C6至C30芳基和C3至C40杂芳基，其中R3和R4各自独立地选自氢、氘、C1至C20烷基、C6至C30芳基和C4至C40杂芳基，或者R3中的相邻两者和两个相邻的R4中的至少一对彼此连接形成稠环，其中第二化合物由式2表示：其中R11和R12各自独立地选自氢、氘、氰基、C1至C20烷基、C6至C30芳基和C3至C40杂芳基，其中R13选自氢、氘、氰基、C1至C20烷基、C6至C30芳基和C3至C40杂芳基，其中X选自氰基；硝基；卤素；经氰基、硝基或卤素取代的C1至C20烷基；经氰基、硝基或卤素取代的C6至C30芳基；和经氰基、硝基或卤素取代的C3至C40杂芳基，以及其中L选自C6至C30亚芳基，以及n为0或1。
[式1]
Figure BDA0003698177660000021
[式2]
Figure BDA0003698177660000022
根据另一方面，本公开提供了有机发光显示装置，所述有机发光显示装置包括：基板；在基板上方的上述有机发光二极管；和覆盖有机发光二极管的封装膜。
应理解，前述的一般性描述和以下的详细描述二者均是实例并且是说明性的，并且旨在提供对所要求保护的本公开的进一步说明。
发明的有益效果
在OLED和有机发光装置中，为荧光材料的第一化合物和为延迟荧光材料的第二化合物包含在单个发光材料层或相邻的发光材料层中，在所述第二化合物中经吸电子基团取代的吲哚并咔唑部分和三嗪部分经由连接基团连接(连结或结合)。因此，OLED和有机发光装置的发光特性得到改善。
即，颜色纯度通过为荧光材料的第一化合物得到改善，以及发光效率通过为延迟荧光材料的第二化合物得到改善。因此，提供了具有优异的颜色纯度和改善的发光效率的OLED和有机发光显示装置。
附图说明
被包括以提供对本公开的进一步理解的附图被并入并构成本说明书的一部分，举例说明了本公开的实施方式并且与说明书一起用于说明本公开的实施方案的原理。
图1是本公开的有机发光显示装置的示意性电路图。
图2是根据本公开的第一实施方案的有机发光显示装置的示意性截面图。
图3是根据本公开的第二实施方案的OLED的示意性截面图。
图4是示出OLED中的荧光材料的吸收光谱与延迟荧光材料的发射光谱之间的关系的图。
图5是示出根据本公开的第二实施方案的OLED中的荧光材料的吸收光谱与延迟荧光材料的发射光谱之间的关系的图。
图6是根据本公开的第三实施方案的OLED的示意性截面图。
图7是根据本公开的第四实施方案的OLED的示意性截面图。
图8是根据本公开的第五实施方案的OLED的示意性截面图。
图9是根据本公开的第六实施方案的有机发光显示装置的示意性截面图。
图10是根据本公开的第七实施方案的OLED的示意性截面图。
图11是根据本公开的第八实施方案的有机发光显示装置的示意性截面图。
图12是根据本公开的第九实施方案的OLED的示意性截面图。
图13是根据本公开的第十实施方案的OLED的示意性截面图。
具体实施方式
现在将详细参照本公开的方面，其实例在附图中示出。
本公开涉及其中在单个发光材料层或相邻的发光材料层中提供延迟荧光材料和荧光材料的OLED以及包括所述OLED的有机发光装置。荧光材料的吸收光谱和延迟荧光材料的发射光谱匹配。例如，有机发光装置可以为有机发光显示装置或有机照明装置。作为实例，将主要描述作为包括本公开的OLED的显示装置的有机发光显示装置。
图1是本公开的有机发光显示装置的示意性电路图。
如图1所示，有机发光显示装置包括栅极线GL、数据线DL、电源线PL、开关薄膜晶体管TFT Ts、驱动TFT Td、存储电容器Cst和OLED D。栅极线GL和数据线DL彼此交叉以限定像素区域P。像素区域P可以包括红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域。
开关TFT Ts连接至栅极线GL和数据线DL，以及驱动TFT Td和存储电容器Cst连接至开关TFT Ts和电源线PL。OLED D连接至驱动TFT Td。
在有机发光显示装置中，当通过经由栅极线GL施加的栅极信号使开关TFT Ts导通时，来自数据线DL的数据信号被施加至驱动TFT Td的栅电极和存储电容器Cst的一个电极。
当通过数据信号使驱动TFT Td导通时，电流从电源线PL供应至OLED D。作为结果，OLED D发光。在这种情况下，当驱动TFT Td被导通时，确定从电源线PL施加至OLED D的电流的水平，使得OLED D可以产生灰度级。
存储电容器Cst用于在开关TFT Ts断开时保持驱动TFT Td的栅电极的电压。因此，即使开关TFT Ts断开，从电源线PL施加至OLED D的电流的水平也保持到下一帧。
作为结果，有机发光显示装置显示期望的图像。
图2是根据本公开的第一实施方案的有机发光显示装置的示意性截面图。
如图2所示，有机发光显示装置100包括基板110、TFT Tr和连接至TFT Tr的OLEDD。
基板110可以为玻璃基板或柔性基板。例如，柔性基板可以为聚酰亚胺(PI)基板、聚醚砜(PES)基板、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)基板、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)基板或聚碳酸酯(PC)基板。
在基板上形成有缓冲层122，以及TFT Tr形成在缓冲层122上。可以省略缓冲层122。
在缓冲层122上形成有半导体层120。半导体层120可以包含氧化物半导体材料或多晶硅。
当半导体层120包含氧化物半导体材料时，可以在半导体层120下方形成遮光图案(未示出)。到达半导体层120的光被遮光图案遮挡或阻挡，使得可以防止半导体层120的热降解。另一方面，当半导体层120包含多晶硅时，可以向半导体层120的两侧中掺杂杂质。
在半导体层120上形成有栅极绝缘层124。栅极绝缘层124可以由诸如硅氧化物或硅氮化物的无机绝缘材料形成。
在栅极绝缘层124上对应于半导体层120的中心形成有由导电材料(例如金属)形成的栅电极130。在图2中，栅极绝缘层124形成在基板110的整个表面上。或者，栅极绝缘层124可以被图案化成具有与栅电极130相同的形状。
在栅电极130上形成有由绝缘材料形成的层间绝缘层132。层间绝缘层132可以由无机绝缘材料(例如硅氧化物或硅氮化物)或者有机绝缘材料(例如苯并环丁烯或光压克力(photo-acryl))形成。
层间绝缘层132包括使半导体层120的两侧露出的第一接触孔134和第二接触孔136。第一接触孔134和第二接触孔136定位在栅电极130的两侧以与栅电极130间隔开。
第一接触孔134和第二接触孔136形成为穿过栅极绝缘层124。或者，当栅极绝缘层124被图案化成具有与栅电极130相同的形状时，第一接触孔134和第二接触孔136形成为仅穿过层间绝缘层132。
在层间绝缘层132上形成有由导电材料(例如金属)形成的源电极144和漏电极146。
源电极144和漏电极146相对于栅电极130彼此间隔开并且分别通过第一接触孔134和第二接触孔136接触半导体层120的两侧。
半导体层120、栅电极130、源电极144和漏电极146构成TFT Tr。TFT Tr用作驱动元件。即，TFT Tr为(图1的)驱动TFT Td。
在TFT Tr中，栅电极130、源电极144和漏电极146定位在半导体层120上方。即，TFTTr具有共平面结构。
或者，在TFT Tr中，栅电极可以定位在半导体层下方，并且源电极和漏电极可以定位在半导体层上方，使得TFT Tr可以具有反向交错结构。在这种情况下，半导体层可以包含非晶硅。
虽然未示出，但栅极线和数据线彼此交叉以限定像素区域，以及开关TFT形成为与栅极线和数据线连接。开关TFT连接至作为驱动元件的TFT Tr。此外，还可以形成电源线和用于在一帧中保持TFT Tr的栅电极的电压的存储电容器，所述电源线可以形成为与栅极线和数据线中的一者平行并且间隔开。
在基板110的整个表面上形成有平坦化层150以覆盖源电极144和漏电极146。平坦化层150提供平坦的顶表面并且具有使TFT Tr的漏电极146露出的漏极接触孔152。
OLED D设置在平坦化层150上并且包括与TFT Tr的漏电极146连接的第一电极210、发光层220和第二电极230。发光层220和第二电极230顺序地堆叠在第一电极210上。OLED D定位在红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域的每一者中并且分别发射红色光、绿色光和蓝色光。
第一电极210单独地形成在每个像素区域中。第一电极210可以为阳极并且可以由具有相对高的功函数的导电材料例如透明导电氧化物(TCO)形成。例如，第一电极210可以由以下形成：铟-锡-氧化物(ITO)、铟-锌-氧化物(IZO)、铟-锡-锌-氧化物(ITZO)、锡氧化物(SnO)、锌氧化物(ZnO)、铟-铜-氧化物(ICO)或铝-锌-氧化物(Al:ZnO，AZO)。
当有机发光显示装置100以底部发光型运行时，第一电极210可以具有透明导电材料层的单层结构。当有机发光显示装置100以顶部发光型运行时，可以在第一电极210下方形成反射电极或反射层。例如，反射电极或反射层可以由银(Ag)或铝-钯-铜(APC)合金形成。在这种情况下，第一电极210可以具有ITO/Ag/ITO或ITO/APC/ITO的三层结构。
此外，在平坦化层150上形成有堤层160以覆盖第一电极210的边缘。即，堤层160定位在像素区域的边界处并且使像素区域中的第一电极210的中心露出。
在第一电极210上形成有作为发光单元的发光层220。发光层220可以具有包含发光材料的发光材料层(EML)的单层结构。或者，发光层220可以具有多层结构。例如，发光层220还可以包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子阻挡层(EBL)、空穴阻挡层(HBL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中的至少一者。HIL、HTL和EBL顺序地设置在第一电极210与EML之间，以及HBL、ETL和EIL顺序地设置在EML与第二电极230之间。此外，EML可以具有单层结构或多层结构。此外，发光层220可以包括彼此间隔开的至少两个EML，使得OLED可以具有串联结构。
在形成有发光层220的基板110上方形成有第二电极230。第二电极230覆盖显示区域的整个表面并且可以由具有相对低的功函数的导电材料形成以用作阴极。例如，第二电极230可以由铝(Al)、镁(Mg)、钙(Ca)、银(Ag)或者其合金或组合来形成。在顶部发光型有机发光显示装置100中，第二电极230可以具有薄轮廓(小厚度)以提供透光特性(或半透射特性)。
虽然未示出，但有机发光显示装置100可以包括对应于红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域的滤色器。例如，当具有串联结构并且发射白色光的OLED D形成在红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域的全部中时，可以分别在红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域中形成红色滤色器图案、绿色滤色器图案和蓝色滤色器图案，从而提供全彩显示。
当有机发光显示装置100以底部发光型运行时，滤色器可以设置在OLED D与基板110之间，例如，在层间绝缘层132与平坦化层150之间。或者，当有机发光显示装置100以顶部发光型运行时，滤色器可以设置在OLED D上方，例如，在第二电极230上方。
在第二电极230上形成有封装膜170以防止水分渗入OLED D中。封装膜170包括顺序堆叠的第一无机绝缘层172、有机绝缘层174和第二无机绝缘层176，但不限于此。
有机发光显示装置100还可以包括偏光板(未示出)以用于减少环境光反射。例如，偏光板可以为圆偏光板。在底部发光型有机发光显示装置100中，偏光板可以设置在基板110下方。在顶部发光型有机发光显示装置100中，偏光板可以设置在封装膜170上或上方。
此外，在顶部发光型有机发光显示装置100中，覆盖窗(未示出)可以附接至封装膜170或偏光板。在这种情况下，基板110和覆盖窗具有柔性特性，使得可以提供柔性有机发光显示装置。
图3是根据本公开的第二实施方案的OLED的示意性截面图。
如图3所示，OLED D1包括彼此面对的第一电极210和第二电极230以及其间的发光层220。发光层220包括发光材料层(EML)240。(图2的)有机发光显示装置100可以包括红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域，并且OLED D1可以定位在绿色像素区域中。
第一电极210可以为阳极，第二电极230可以为阴极。
发光层220还包括在第一电极210与EML 240之间的空穴传输层(HTL)260和在第二电极230与EML 240之间的电子传输层(ETL)270中的至少一者。
此外，发光层220还可以包括在第一电极210与HTL 260之间的空穴注入层(HIL)250和在第二电极230与ETL 270之间的电子注入层(EIL)280中的至少一者。
而且，发光层220还可以包括在HTL 260与EML 240之间的电子阻挡层(EBL)265和在EML 240与ETL 270之间的空穴阻挡层(HBL)275中的至少一者。
例如，HIL 250可以包含选自以下中的至少一种化合物：4,4’,4”-三(3-甲基苯基氨基)三苯胺(MTDATA)、4,4’,4”-三(N,N-二苯基-氨基)三苯胺(NATA)、4,4’,4”-三(N-(萘-1-基)-N-苯基-氨基)三苯胺(1T-NATA)、4,4’,4”-三(N-(萘-2-基)-N-苯基-氨基)三苯胺(2T-NATA)、铜酞菁(CuPc)、三(4-咔唑基-9-基-苯基)胺(TCTA)、N,N’-二苯基-N,N’-双(1-萘基)-1,1’-联苯-4,4”-二胺(NPB；NPD)、1,4,5,8,9,11-六氮杂苯并菲六腈(二吡嗪并[2,3-f:2’3’-h]喹喔啉-2,3,6,7,10,11-六腈；HAT-CN)、1,3,5-三[4-(二苯基氨基)苯基]苯(TDAPB)、聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)聚苯乙烯磺酸盐(PEDOT/PSS)和N-(联苯-4-基)-9,9-二甲基-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺，但不限于此。
HTL 260可以包含选自以下中的至少一种化合物：N,N’-二苯基-N,N’-双(3-甲基苯基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺；TPD)、NPB(NPD)、4,4’-双(N-咔唑基)-1,1’-联苯(CBP)、聚[N,N’-双(4-丁基苯基)-N,N’-双(苯基)-联苯胺](聚-TPD)、聚[(9,9-二辛基芴基-2,7-二基)-共聚-(4,4’-(N-(4-仲丁基苯基)二苯胺))](TFB)、二-[4-(N,N-二-对甲苯基-氨基)-苯基]环己烷(TAPC)、3,5-二(9H-咔唑-9-基)-N,N-二苯基苯胺(DCDPA)、N-(联苯-4-基)-9,9-二甲基-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺、和N-(联苯-4-基)-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)联苯-4-胺，但不限于此。
ETL 270可以包含以下中的至少一者：基于
Figure BDA0003698177660000091
二唑的化合物、基于三唑的化合物、基于菲咯啉的化合物、基于苯并
Figure BDA0003698177660000092
唑的化合物、基于苯并噻唑的化合物、基于苯并咪唑的化合物和基于三嗪的化合物。例如，ETL 270可以包含选自以下中的至少一种化合物：三-(8-羟基喹啉)铝(Alq3)、2-联苯-4-基-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-
Figure BDA0003698177660000093
二唑(PBD)、螺-PBD、喹啉锂(Liq)、1,3,5-三(N-苯基苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)、双(2-甲基-8-羟基喹啉-N1,O8)-(1,1’-联苯-4-羟基)铝(BAlq)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(Bphen)、2,9-双(萘-2-基)4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(NBphen)、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP)、3-(4-联苯)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-三唑(TAZ)、4-(萘-1-基)-3,5-二苯基-4H-1,2,4-三唑(NTAZ)、1,3,5-三(对吡啶-3-基-苯基)苯(TpPyPB)、2,4,6-三(3’-(吡啶-3-基)联苯-3-基)1,3,5-三嗪(TmPPPyTz)、聚[9,9-双(3’-((N,N-二甲基)-N-乙基铵)-丙基)-2,7-芴]-交替-2,7-(9,9-二辛基芴)](PFNBr)、三(苯基喹喔啉)(TPQ)、和二苯基-4-三苯基甲硅烷基-苯基氧化膦(TSPO1)，但不限于此。
EIL 280可以包含碱卤化物化合物(例如LiF、CsF、NaF或BaF2)和有机金属化合物(例如Liq、苯甲酸锂、或硬脂酸钠)中的至少一者，但不限于此。
定位在HTL 260与EML 240之间以阻挡电子从EML 240转移到HTL 260中的EBL 265可以包含选自以下中的至少一种化合物：TCTA、三[4-(二乙基氨基)苯基]胺、N-(联苯-4-基)-9,9-二甲基-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺、TAPC、MTDATA、1,3-双(咔唑-9-基)苯(mCP)、3,3’-双(N-咔唑基)-1,1’-联苯(mCBP)、CuPc、N,N’-双[4-[双(3-甲基苯基)氨基]苯基]-N,N’-二苯基-[1,1’-联苯]-4,4’-二胺(DNTPD)、TDAPB、DCDPA、和2,8-双(9-苯基-9H-咔唑-3-基)二苯并[b,d]噻吩，但不限于此。
定位在EML 240与ETL 270之间以阻挡空穴从EML 240转移到ETL 270中的HBL 275可以包含ETL 270的以上材料。例如，HBL 275的材料具有低于EML 240的材料的HOMO能级，并且可以为选自以下中的至少一种化合物：BCP、BAlq、Alq3、PBD、螺-PBD、Liq、双-4,6-(3,5-二-3-吡啶基苯基)-2-甲基嘧啶(B3PYMPM)、双[2-(二苯基膦基)苯基]醚氧化物(DPEPO)、9-(6-9H-咔唑-9-基)吡啶-3-基)-9H-3,9’-联咔唑、和TSPO1，但不限于此。
EML 240包含为荧光材料(化合物)的第一化合物和为延迟荧光材料(化合物)的第二化合物。包含第一化合物和第二化合物的EML 240提供绿色发光，并且OLED D1设置在绿色像素区域中。
第一化合物由式1表示。
[式1]
Figure BDA0003698177660000101
在式1中，R1和R2各自独立地选自氢(H)、氘(D)、C1至C20烷基、C6至C30芳基和C3至C40杂芳基。R3和R4各自独立地选自H、D、C1至C20烷基、C6至C30芳基和C4至C40杂芳基，或者R3中的相邻两者和两个相邻的R4中的至少一对彼此连接(连结或结合)形成稠环。
R1和R2可以相同或不同，并且R1和R2各自可以独立地选自C1至C20烷基和C6至C30芳基。例如，R1和R2各自可以独立地选自乙基、异丙基、叔丁基和苯基。
R3和R4可以相同或不同，并且R3和R4各自可以独立地选自H和C1至C20烷基。例如，R3和R4各自可以独立地选自H、甲基和叔丁基。
第二化合物由式2表示。
[式2]
Figure BDA0003698177660000111
在式2中，R11和R12各自独立地选自H、D、氰基、C1至C20烷基、C6至C30芳基和C3至C40杂芳基。R13选自H、D、氰基、C1至C20烷基、C6至C30芳基和C3至C40杂芳基，以及X选自氰基；硝基；卤素；经氰基、硝基或卤素取代的C1至C20烷基；经氰基、硝基或卤素取代的C6至C30芳基；和经氰基、硝基或卤素取代的C3至C40杂芳基。L选自C6至C30亚芳基，以及n为0或1。
即，第二化合物包含吸电子基团例如X、吲哚并咔唑部分、三嗪部分和亚苯基连接基团。在这种情况下，吸电子基团X和吲哚并咔唑部分经由连接基团例如L连接或者直接连接，以及吲哚并咔唑部分和三嗪部分经由亚苯基连接基团连接。
例如，R11和R12各自可以独立地选自C6至C30芳基例如苯基，以及R13可以为氰基。X可以选自三嗪衍生物、嘧啶衍生物、吡啶衍生物、氰基、经卤素取代的烷基。在一个实施方案中，X可以选自二苯基三嗪基、二苯基嘧啶基、二甲基三嗪基、二甲基嘧啶基、氰基苯基和三氟甲基苯基。L可以为亚苯基。
在式1和2中，烷基、芳基和杂芳基可以是未经取代或经取代的。例如，烷基、芳基和杂芳基的取代基可以为D、C1至C20烷基、C6至C30芳基或C5至C30杂芳基。
在式1和2中，C6至C30芳基(或亚芳基)可以选自苯基、联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、戊烯基、茚基、茚并茚基、庚搭烯基、亚联苯基、引达省基(indacenyl)、菲基、苯并菲基、二苯并苯菲基、薁基、芘基、荧蒽基、三亚苯基、
Figure BDA0003698177660000122
基、四苯基、并四苯基、苉基、五苯基、并五苯基、芴基、茚并芴基和螺芴基。
在式1和2中，C5至C30杂芳基可以选自吡咯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、四嗪基、咪唑基、吡唑基、吲哚基、异吲哚基、吲唑基、吲嗪基、吡咯嗪基、咔唑基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、吲哚并咔唑基、茚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、喹啉基、异喹啉基、酞嗪基、喹喔啉基、sinolinyl、喹唑啉基、喹嗪基、喹啉基、嘌呤基、酞嗪基、喹喔啉基、苯并喹啉基、苯并异喹啉基、苯并喹唑啉基、苯并喹喔啉基、吖啶基、菲咯啉基、咟啶基、菲啶基、蝶啶基、噌啉基、萘啶基、呋喃基、
Figure BDA0003698177660000123
嗪基、
Figure BDA0003698177660000124
唑基、
Figure BDA0003698177660000125
二唑基、三唑基、二
Figure BDA0003698177660000126
英基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、噻喃基、呫吨基、色烯基、异色烯基、噻嗪基、噻吩基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、二呋喃并吡嗪基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并噻吩并苯并噻吩基、苯并噻吩并二苯并噻吩基、苯并噻吩并苯并呋喃基和苯并噻吩并二苯并呋喃基。
此外，在式1和2中，稠环可以为C6至C20脂环、C4至C20杂脂环、C6至C20芳族环或C4至C20杂芳族环。
例如，第一化合物可以为式3的化合物中的一者。
[式3]
Figure BDA0003698177660000121
Figure BDA0003698177660000131
例如，第二化合物可以为式4的化合物中的一者。
[式4]
Figure BDA0003698177660000141
Figure BDA0003698177660000151
Figure BDA0003698177660000161
Figure BDA0003698177660000171
Figure BDA0003698177660000181
Figure BDA0003698177660000191
Figure BDA0003698177660000201
Figure BDA0003698177660000211
Figure BDA0003698177660000221
式1中的第一化合物发射具有窄半峰全宽(FWHM)的绿色光。因此，包含第一化合物的OLED D1提供具有优异颜色纯度的绿色发光。然而，由于为荧光材料的式1中的第一化合物仅单线态激子参与发光，因此发光效率例如量子效率降低。
另一方面，为延迟荧光材料的式2中的第二化合物的三线态激子的能量通过反向系间窜越(RISC)转化为单线态激子，使得第二化合物具有高的量子效率。然而，由于为延迟荧光材料的式2中的第二化合物具有宽的FWHM，因此为延迟荧光材料的式2中的第二化合物在颜色纯度方面具有缺点。
在本公开的OLED D1中，EML 240包含具有窄FWHM的第一化合物和具有高量子效率的第二化合物，OLED D1提供超荧光。
即，第二化合物中的三线态激子转化为第二化合物中的单线态激子，并且第二化合物中的单线态激子转移到第一化合物中。由第一化合物提供发光，使得OLED D提供窄的FWHM和高的发光效率。
为了提高从第二化合物到第一化合物中的能量转移效率，第一化合物的吸收光谱与第二化合物的发射光谱之间的重叠率可以等于或大于约35％。
EML 240还可以包含第三化合物作为主体。作为主体的第三化合物可以选自：
9-(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)-9H-咔唑-3-腈(mCP-CN)、1,3-双(咔唑-9-基)苯(CBP)、3,3’-双(N-咔唑基)-1,1’-联苯(mCBP)、1,3-双(咔唑-9-基)苯(mCP)、氧代双(2,1-亚苯基)双(二苯基氧化膦)(DPEPO)、2,8-双(二苯基磷酰基)二苯并噻吩(PPT)、1,3,5-三[(3-吡啶基)-苯-3-基]苯(TmPyPB)、2,6-二(9H-咔唑-9-基)吡啶(PYD-2Cz)、2,8-二(9H-咔唑-9-基)二苯并噻吩(DCzDBT)、3’,5’-二(咔唑-9-基)-[1,1’-联苯]-3,5-二腈(DCzTPA)、4’-(9H-咔唑-9-基)联苯-3,5-二腈(pCzB-2CN)、3’-(9H-咔唑-9-基)联苯-3,5-二腈(mCzB-2CN)、二苯基-4-三苯基甲硅烷基苯基-氧化膦(TSPO1)、9-(9-苯基-9H-咔唑-6-基)-9H-咔唑(CCP)、4-(3-(三亚苯-2-基)苯基)二苯并[b,d]噻吩、9-(4-(9H-咔唑-9-基)苯基)-9H-3,9’-联咔唑、9-(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)-9H-3,9’-联咔唑和9-(6-(9H-咔唑-9-基)吡啶-3-基)-9H-3,9’-联咔唑，但不限于此。
例如，在EML 240中可以包含作为主体的式5的化合物中的一者以及第一化合物和第二化合物。
[式5]
Figure BDA0003698177660000231
在EML 240中，第二化合物的单线态激子的能级小于(低于)作为主体的第三化合物的单线态激子的能级并且大于(高于)第一化合物的单线态激子的能级。此外，第二化合物的三线态激子的能级小于第三化合物的三线态激子的能级并且大于第二化合物。
在EML 240中，第二化合物的重量％可以大于第一化合物的重量％并且可以等于或小于第三化合物的重量％。当第二化合物的重量％大于第一化合物的重量％时，第二化合物的能量被充分或有效地转移到第一化合物中。例如，在EML 240中，第一化合物的重量％可以为0.1至10，优选0.1至5，第二化合物的重量％可以为30至49.9，优选40至49.9，以及第三化合物的重量％可以为40至60。然而，其不限于此。
在根据本公开的第二实施方案的OLED中，作为主体的第三化合物中产生的单线态能级(例如激子)和三线态能级被转移到为延迟荧光材料的第二化合物的单线态能级和三线态能级中。由于第二化合物的单线态能级与三线态能级之差相对小，因此第二化合物的三线态能级的能量通过反向系间窜越(reverse intersystem crossing，RISC)转化为第二化合物的单线态能级。例如，第二化合物的单线态能级与三线态能级之差可以等于或小于约0.3eV。其后，第二化合物的单线态能级被转移到第一化合物的单线态能级中，并且由第一化合物提供发光。
如上所述，具有延迟荧光特性的第二化合物具有高量子效率。然而，由于第二化合物的FWHM宽，因此来自第二化合物的发光具有差的颜色纯度。另一方面，具有荧光特性的第一化合物具有窄的FWHM。然而，由于第一化合物的三线态激子不参与发光，因此来自第一化合物的发光具有低的发光效率。
在本公开的OLED中，为延迟荧光材料的第二化合物的单线态激子的能级被转移到为荧光材料的第一化合物中，由第一化合物提供发光。因此，OLED D1的发光效率和颜色纯度得到改善。此外，由于在EML 240中包含式1中的第一化合物和式2中的第二化合物，因此OLED D1的发光效率和颜色纯度进一步得到改善。
[OLED]
在阳极(ITO，70nm)上，将HIL(式6-1中的化合物，10nm)、HTL(式6-2中的化合物，140nm)、EBL(式6-3中的化合物，10nm)、EML(40nm)、HBL(式6-4中的化合物，10nm)、ETL(式6-5中的化合物，30nm)、EIL(Liq，1nm)和阴极(Mg:Ag，10nm)顺序地堆叠以形成OLED。
[式6-1]
Figure BDA0003698177660000251
[式6-2]
Figure BDA0003698177660000252
[式6-3]
Figure BDA0003698177660000253
[式6-4]
Figure BDA0003698177660000254
[式6-5]
Figure BDA0003698177660000261
(1)比较例1(Ref1)
使用作为主体的式5中的化合物H6(49.9重量％)、式3中的化合物1-1(0.2重量％)和式7-1中的化合物(49.9重量％)来形成EML。
(2)比较例2(Ref2)
使用作为主体的式5中的化合物H6(49.9重量％)、式3中的化合物1-1(0.2重量％)和式7-2中的化合物(49.9重量％)来形成EML。
(3)比较例3(Ref3)
使用作为主体的式5中的化合物H6(49.9重量％)、式3中的化合物1-4(0.2重量％)和式7-1中的化合物(49.9重量％)来形成EML。
(4)比较例4(Ref4)
使用作为主体的式5中的化合物H6(49.9重量％)、式3中的化合物1-4(0.2重量％)和式7-2中的化合物(49.9重量％)来形成EML。
(5)实施例1(Ex1)
使用作为主体的式5中的化合物H6(49.9重量％)、式3中的化合物1-1(0.2重量％)和式4中的化合物2-1(49.9重量％)来形成EML。
(6)实施例2(Ex2)
使用作为主体的式5中的化合物H6(49.9重量％)、式3中的化合物1-1(0.2重量％)和式4中的化合物2-2(49.9重量％)来形成EML。
(7)实施例3(Ex3)
使用作为主体的式5中的化合物H6(49.9重量％)、式3中的化合物1-1(0.2重量％)和式4中的化合物2-3(49.9重量％)来形成EML。
(8)实施例4(Ex4)
使用作为主体的式5中的化合物H6(49.9重量％)、式3中的化合物1-1(0.2重量％)和式4中的化合物2-4(49.9重量％)来形成EML。
(9)实施例5(Ex5)
使用作为主体的式5中的化合物H6(49.9重量％)、式3中的化合物1-1(0.2重量％)和式4中的化合物2-9(49.9重量％)来形成EML。
(10)实施例6(Ex6)
使用作为主体的式5中的化合物H6(49.9重量％)、式3中的化合物1-1(0.2重量％)和式4中的化合物2-10(49.9重量％)来形成EML。
(11)实施例7(Ex7)
使用作为主体的式5中的化合物H6(49.9重量％)、式3中的化合物1-1(0.2重量％)和式4中的化合物2-11(49.9重量％)来形成EML。
(12)实施例8(Ex8)
使用作为主体的式5中的化合物H6(49.9重量％)、式3中的化合物1-1(0.2重量％)和式4中的化合物2-12(49.9重量％)来形成EML。
(13)实施例9(Ex9)
使用作为主体的式5中的化合物H6(49.9重量％)、式3中的化合物1-4(0.2重量％)和式4中的化合物2-1(49.9重量％)来形成EML。
(14)实施例10(Ex10)
使用作为主体的式5中的化合物H6(49.9重量％)、式3中的化合物1-4(0.2重量％)和式4中的化合物2-2(49.9重量％)来形成EML。
(15)实施例11(Ex11)
使用作为主体的式5中的化合物H6(49.9重量％)、式3中的化合物1-4(0.2重量％)和式4中的化合物2-3(49.9重量％)来形成EML。
(16)实施例12(Ex12)
使用作为主体的式5中的化合物H6(49.9重量％)、式3中的化合物1-4(0.2重量％)和式4中的化合物2-4(49.9重量％)来形成EML。
(17)实施例13(Ex13)
使用作为主体的式5中的化合物H6(49.9重量％)、式3中的化合物1-4(0.2重量％)和式4中的化合物2-9(49.9重量％)来形成EML。
(18)实施例14(Ex14)
使用作为主体的式5中的化合物H6(49.9重量％)、式3中的化合物1-4(0.2重量％)和式4中的化合物2-10(49.9重量％)来形成EML。
(19)实施例15(Ex15)
使用作为主体的式5中的化合物H6(49.9重量％)、式3中的化合物1-4(0.2重量％)和式4中的化合物2-11(49.9重量％)来形成EML。
(20)实施例16(Ex16)
使用作为主体的式5中的化合物H6(49.9重量％)、式3中的化合物1-4(0.2重量％)和式4中的化合物2-12(49.9重量％)来形成EML。
[式7-1]
Figure BDA0003698177660000281
[式7-2]
Figure BDA0003698177660000282
测量Ref1至Ref4和Ex1至Ex16中的OLED的发光特性，即驱动电压“V”、电流效率“cd/A”、延迟荧光材料的最大发射峰“TDEL”、荧光材料的最大吸收峰“FDabs”以及延迟荧光材料的最大发射峰与荧光材料的最大吸收峰之间的重叠率“重叠(％)”，并列于表1中。
表1
Figure BDA0003698177660000291
如表1所示，与Ref1至Ref4的OLED相比，包含式1中的第一化合物和式2中的第二化合物的Ex1至Ex16的OLED的发光效率显著提高。
参照图4(其是示出OLED中的荧光材料的吸收光谱与延迟荧光材料的发射光谱之间的关系的图)，延迟荧光材料即式7-1中的化合物“TD”的最大发射波长例如峰值波长与最大吸收波长即式3中的化合物1-1“FD”具有约10nm以上的差异。因此，延迟荧光材料即式7-1中的化合物“TD”的最大发射波长与最大吸收波长即式3中的化合物1-1“FD”之间的重叠率相对较小，例如为约31％。
另一方面，在式2的第二化合物中，吸电子基团X和吲哚并咔唑部分经由连接基团L连接或直接连接，使得第二化合物的发射峰移动至短波长处。参照图5(其是示出根据本公开的第二实施方案的OLED中的荧光材料的吸收光谱与延迟荧光材料的发射光谱之间的关系的图)，延迟荧光材料即式4中的化合物2-1“TD”的最大发射波长与最大吸收波长即式3中的化合物1-1“FD”之间的重叠率增加，例如为约37％。
因此，包含式1中的第一化合物和式2中的第二化合物的OLED的发光效率显著提高。
图6是根据本公开的第三实施方案的OLED的示意性截面图。
如图6所示，根据本公开的第三实施方案的OLED D2包括彼此面对的第一电极310和第二电极330以及其间的发光层320。发光层320包括EML 340。(图2的)有机发光显示装置100可以包括红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域，并且OLED D2可以定位在绿色像素区域中。
第一电极310可以为阳极，第二电极330可以为阴极。
发光层320还可以包括在第一电极310与EML 340之间的HTL 360和在第二电极330与EML 340之间的ETL 370中的至少一者。
此外，发光层320还可以包括在第一电极310与HTL 360之间的HIL 350和在第二电极330与ETL 370之间的EIL 380中的至少一者。
而且，发光层320还可以包括在HTL 360与EML 340之间的EBL 365和在EML 340与ETL 370之间的HBL 375中的至少一者。
EML 340包括顺序地堆叠在第一电极310上方的第一EML(第一层或下发光材料层)342和第二EML(第二层或上发光材料层)344。即，第二EML 344定位在第一EML 342与第二电极330之间。
在EML 340中，第一EML 342和第二EML 344中的一者包含式1和3中的为荧光材料的第一化合物，并且第一EML 342和第二EML 344中的另一者包含式2和4中的为延迟荧光材料的第二化合物。此外，第一EML 342和第二EML 344还分别包含第四化合物和第五化合物作为主体。第一EML 342中的第四化合物和第二EML 344中的第五化合物可以相同或不同。例如，第一EML 342的主体(即，第四化合物)和第二EML 344的主体(即，第五化合物)各自可以为以上第三化合物。
将对其中第一EML 342包含第一化合物的OLED进行说明。
具有延迟荧光特性的第二化合物具有高量子效率。然而，由于第二化合物具有宽的FWHM，因此第二化合物在颜色纯度方面具有缺点。另一方面，具有荧光特性的第一化合物具有窄的FWHM。然而，第一化合物的三线态激子不参与发光，因此第一化合物在发光效率方面具有缺点。
在OLED D2中，由于第二EML 344中的第二化合物的三线态激子能量通过RISC转化为第二化合物的单线态激子能量，并且第二化合物的单线态激子能量转移到第一EML 342中的第一化合物的单线态激子能量中。因此，第一化合物提供发光。因此，单线态激子能量和三线态激子能量二者均参与发光，使得发光效率得到改善。此外，由于由荧光材料的第一化合物提供发光，因此提供了具有窄FWHM的发光。
如上所述，第一化合物的吸收光谱和第二化合物的发射光谱的重叠率等于或大于约35％。因此，第二EML 344中的第二化合物的能量被有效地转移到第一EML 342中的第一化合物中，使得OLED D2的发光效率进一步得到改善。
在第一EML 342中，第四化合物的重量％可以等于或大于第一化合物的重量％。此外，在第二EML 344中，第五化合物的重量％可以等于或大于第二化合物。第一EML 342中的第一化合物的重量％可以小于第二EML 344中的第二化合物的重量％。因此，可以充分或有效地产生通过FRET从第二EML 344中的第二化合物到第一EML 342中的第一化合物中的能量转移。例如，第一EML 342中的第一化合物的重量％可以为0.01至10，优选0.1至5，以及第二EML 344中的第二化合物的重量％可以为30至50，优选40至50。
第一EML 342中的主体可以与EBL 365的材料相同。在这种情况下，第一EML 342可以具有电子阻挡功能和发光功能。即，第一EML 342可以用作用于阻挡电子的缓冲层。当省略EBL 365时，第一EML 342可以用作发光材料层和电子阻挡层。
当第一化合物包含在第二EML 344中并且第二化合物包含在第一EML 342中时，第二EML 344中的主体可以与HBL 375的材料相同。在这种情况下，第二EML 344可以具有空穴阻挡功能和发光功能。即，第二EML 344可以用作用于阻挡空穴的缓冲层。当省略HBL 375时，第二EML 344可以用作发光材料层和空穴阻挡层。
图7是根据本公开的第四实施方案的OLED的示意性截面图。
如图7所示，根据本公开的第四实施方案的OLED D3包括彼此面对的第一电极410和第二电极430以及其间的发光层420。发光层420包括EML 440。(图2的)有机发光显示装置100可以包括红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域，并且OLED D3可以定位在绿色像素区域中。
第一电极410可以为阳极，第二电极430可以为阴极。
发光层420还可以包括在第一电极410与EML 440之间的HTL 460和在第二电极430与EML 440之间的ETL 470中的至少一者。
此外，发光层420还可以包括在第一电极410与HTL 460之间的HIL 450和在第二电极430与ETL 470之间的EIL 480中的至少一者。
而且，发光层420还可以包括在HTL 460与EML 440之间的EBL 465和在EML 440与ETL 470之间的HBL 475中的至少一者。
EML 440包括第一EML(第一层，中间发光材料层)442、在第一EML 442与第一电极410之间的第二EML(第二层，下发光材料层)444、以及在第一EML 442与第二电极430之间的第三EML(第三层，上发光材料层)446。即，EML 440具有顺序堆叠的第二EML 444、第一EML442和第三EML 446的三层结构。
例如，第一EML 442可以定位在EBL 465与HBL 475之间，第二EML 444可以定位在EBL 465与第一EML 442之间，以及第三EML 446可以定位在HBL 475与第一EML 442之间。
第一EML 442包含式2和4中的为延迟荧光材料的第二化合物，以及第二EML 444和第三EML 446各自包含式1和3中的为荧光材料的第一化合物。第一EML 444中的第一化合物和第三EML 446中的第一化合物可以相同或不同。此外，第一EML 442、第二EML 444和第三EML 446还分别包含第六化合物、第七化合物和第八化合物作为主体。第一EML 442中的第六化合物、第二EML 444中的第七化合物和第三EML 446中的第八化合物可以相同或不同。例如，第一EML 442的主体(即，第六化合物)、第二EML 444的主体(即，第七化合物)和第三EML 446的主体(即，第八化合物)各自可以为以上第三化合物。
在OLED D3中，由于第一EML 442中的第二化合物的三线态激子能量通过RISC转化为第二化合物的单线态激子能量，并且第二化合物的单线态激子能量转移到第二EML 444中的第一化合物的单线态激子能量中以及转移到第三EML 446中的第一化合物的单线态激子能量中。因此，第二EML 444和第三EML 446中的第一化合物提供发光。因此，单线态激子能量和三线态激子能量二者均参与发光，使得发光效率得到改善。此外，由于由为荧光材料的第一化合物提供发光，因此提供了具有窄FWHM的发光。
如上所述，第一化合物的吸收光谱和第二化合物的发射光谱的重叠率等于或大于约35％。
因此，第一EML 442中的第二化合物的能量被有效地转移到第二EML 444和第三EML 446的每一者中的第一化合物中，使得OLED D3的发光效率得到进一步改善。
在第一EML 442中，第六化合物的重量比可以等于或大于第一化合物的重量比。在第二EML 444中，第七化合物的重量比可以等于或小于第一化合物的重量比。在第三EML446中，第八化合物的重量比可以等于或小于第一化合物的重量比。
此外，第一EML 442中的第二化合物的重量比可以大于第二EML 444中的第一化合物的重量比和第三EML 446中的第一化合物的重量比中的每一者。因此，能量通过FRET从第一EML 442中的第二化合物充分和/或有效地转移到第二EML 444中的第一化合物和第三EML 446中的第一化合物中。例如，在第一EML 442中，第二化合物的重量％可以为约30至50，优选约40至50。在第二EML 444和第三EML 446的每一者中，第一化合物的重量％可以为约0.01至10，优选约0.1至5。但是，其不限于此。
第二EML 444的主体可以与EBL 465的材料相同。在这种情况下，第二EML 444可以具有电子阻挡功能和发光功能。即，第二EML 444可以用作用于阻挡电子的缓冲层。当省略EBL 465时，第二EML 444可以用作发光层和电子阻挡层。
第三EML 446的主体可以与HBL 475的材料相同。在这种情况下，第三EML 446可以具有空穴阻挡功能和发光功能。即，第三EML 446可以用作用于阻挡空穴的缓冲层。当省略HBL 475时，第三EML 446可以用作发光层和空穴阻挡层。
第二EML 444中的主体可以与EBL 465的材料相同，并且第三EML 446中的主体可以与HBL 475的材料相同。在这种情况下，第二EML 444可以具有电子阻挡功能和发光功能，以及第三EML 446可以具有空穴阻挡功能和发光功能。即，第二EML 444可以用作用于阻挡电子的缓冲层，以及第三EML 446可以用作用于阻挡空穴的缓冲层。当省略EBL 465和HBL475时，第二EML 444可以用作发光材料层和电子阻挡层，以及第三EML 446用作发光材料层和空穴阻挡层。
图8是根据本公开的第五实施方案的OLED的示意性截面图。
如图8所示，OLED D4包括彼此面对的第一电极510和第二电极530以及其间的发光层520。(图2的)有机发光显示装置100可以包括红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域，并且OLED D4可以定位在绿色像素区域中。
第一电极510可以为阳极，第二电极530可以为阴极。
发光层520包括第一发光部540和第二发光部560，所述第一发光部540包括第一EML 550，所述第二发光部560包括第二EML 570。此外，发光层520还可以包括在第一发光部540与第二发光部560之间的电荷生成层(CGL)580。
CGL 580定位在第一发光部540与第二发光部560之间，使得第一发光部540、CGL580和第二发光部560顺序地堆叠在第一电极510上。即，第一发光部540定位在第一电极510与CGL 580之间，以及第二发光部580定位在第二电极530与CGL 580之间。
第一发光部540包括第一EML 550。
此外，第一发光部540还可以包括在第一电极510与第一EML 550之间的第一HTL540b、在第一电极510与第一HTL 540b之间的HIL 540a以及在第一EML 550与CGL 580之间的第一ETL 540e中的至少一者。
而且，第一发光部540还可以包括在第一HTL 540b与第一EML 550之间的第一EBL540c和在第一EML 550与第一ETL 540e之间的第一HBL 540d中的至少一者。
第二发光部560包括第二EML 570。
此外，第二发光部560还可以包括在CGL 580与第二EML 570之间的第二HTL 560a、在第二EML 570与第二电极164之间的第二ETL 560d以及在第二ETL 560d与第二电极530之间的EIL 560e中的至少一者。
而且，第二发光部560还可以包括在第二HTL 560a与第二EML 570之间的第二EBL560b和在第二EML 570与第二ETL 560d之间的第二HBL 560c中的至少一者。
CGL 580定位在第一发光部540与第二发光部560之间。即，第一发光部540和第二发光部560通过CGL 580彼此连接。CGL 580可以为N型CGL 582和P型CGL 584的PN结型CGL。
N型CGL 582定位在第一ETL 540e与第二HTL 560a之间，以及P型CGL 584定位在N型CGL 582与第二HTL 560a之间。N型CGL 582将电子提供至第一发光部540的第一EML 550中，P型CGL 584将空穴提供至第二发光部560的第二EML 570中。
第一EML 550和第二EML 570各自为绿色EML。第一EML 550和第二EML 570中的至少一者包含式1和3中的为荧光材料的第一化合物以及式2和4中的为延迟荧光材料的第二化合物。第一EML 550还可以包含第三化合物作为主体。第三化合物可以选自式5中的化合物。
在第一EML 550中，第二化合物的重量比可以大于第一化合物的重量比并且可以等于或小于第三化合物的重量比。当第二化合物的重量比大于第一化合物的重量比时，充分地产生从第二化合物到第一化合物中的能量转移。例如，在第一EML 550中，第一化合物的重量％可以为0.01至10，优选0.1至5，第二化合物的重量％可以为30至49.9，优选40至49.9，以及第三化合物的重量％可以为40至60。然而，其不限于此。
第二EML 570可以包含式1的第一化合物和式2的第二化合物。或者，第二EML 570可以包含与第一EML 550中的第一化合物和第二化合物中的至少一者不同的化合物，使得第一EML 550和第二EML 570在发射光波长或发光效率方面具有差异。
在本公开的OLED D4中，作为延迟荧光材料的第二化合物的单线态能级被转移至作为荧光掺杂剂的第一化合物中，并且由第一化合物产生发光。因此，OLED D4的发光效率和颜色纯度得到改善。此外，由于在第一EML 550中包含式1的第一化合物和式2的第二化合物，因此OLED D4的发光效率和颜色纯度进一步得到改善。而且，由于OLED D4具有含有两个绿色EML的两堆叠体结构(双堆叠体结构)，因此OLED D4的色感得到改善和/或OLED D4的发光效率得到优化。
图9是根据本公开的第六实施方案的有机发光显示装置的示意性截面图。
如图9所示，有机发光显示装置1000包括：基板1010，其中限定有第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3；在基板1010上方的TFT Tr；和OLED D5。OLED D5设置在TFT Tr上方并且与TFT Tr连接。例如，第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3可以分别为绿色像素区域、红色像素区域和蓝色像素区域。
基板1010可以为玻璃基板或柔性基板。例如，柔性基板可以为聚酰亚胺(PI)基板、聚醚砜(PES)基板、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)基板、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)基板或聚碳酸酯(PC)基板。
在基板1010上形成有缓冲层1012，以及TFT Tr形成在缓冲层1012上。可以省略缓冲层1012。
如用图2所说明的，TFT Tr可以包括半导体层、栅电极、源电极和漏电极并且可以用作驱动元件。
在TFT Tr上形成有平坦化层(或钝化层)1050。平坦化层1050具有平坦的顶表面并且包括使TFT Tr的漏电极露出的漏极接触孔1052。
OLED D5设置在平坦化层1050上并且包括第一电极1060、发光层1062和第二电极1064。第一电极1060连接至TFT Tr的漏电极，并且发光层1062和第二电极1064顺序地堆叠在第一电极1060上。OLED D5设置在第一像素区域P1至第三像素区域P3的每一者中并且在第一像素区域P1至第三像素区域P3中发射不同颜色的光。例如，第一像素区域P1中的OLEDD5可以发射绿色光，第二像素区域P2中的OLED D5可以发射红色光，以及第三像素区域P3中的OLED D5可以发射蓝色光。
第一电极1060形成为在第一像素区域P1至第三像素区域P3中分开，以及第二电极1064形成为一体式以覆盖第一像素区域P1至第三像素区域P3。
第一电极1060为阳极和阴极中的一者，第二电极1064为阳极和阴极中的另一者。此外，第一电极1060和第二电极1064中的一者可以为透光电极(或半透射电极)，并且第一电极1060和第二电极1064中的另一者可以为反射电极。
例如，第一电极1060可以为阳极并且可以包括由具有相对高的功函数的透明导电氧化物(TCO)材料形成的透明导电氧化物材料层。第二电极1064可以为阴极并且可以包括由具有相对低的功函数的低电阻金属材料形成的金属材料层。例如，第一电极1060的透明导电氧化物材料层包含铟-锡-氧化物(ITO)、铟-锌-氧化物(IZO)、铟-锡-锌-氧化物(ITZO)、锡氧化物(SnO)、锌氧化物(ZnO)、铟-铜-氧化物(ICO)和铝-锌氧化物合金(Al:ZnO)中的至少一者，以及第二电极1064可以包含Al、Mg、Ca、Ag、其合金例如Mg-Ag合金、或其组合。
在底部发光型有机发光显示装置1000中，第一电极1060可以具有透明导电氧化物材料层的单层结构。
另一方面，在顶部发光型有机发光显示装置1000中，可以在第一电极1060下方形成反射电极或反射层。例如，反射电极或反射层可以由Ag或铝-钯-铜(APC)合金形成。在这种情况下，第一电极1060可以具有ITO/Ag/ITO或ITO/APC/ITO的三层结构。此外，第二电极1064可以具有薄轮廓(小厚度)以提供透光特性(或半透射特性)。
在平坦化层1050上形成有堤层1066以覆盖第一电极1060的边缘。即，堤层1066定位在第一像素区域P1至第三像素区域P3的边界处并且使第一像素区域P1至第三像素区域P3中的第一电极1060的中心露出。
在第一电极1060上形成有作为发光单元的发光层1062。发光层1062可以具有EML的单层结构。或者，发光层1062还可以包括顺序地堆叠在第一电极1060与EML之间的HIL、HTL、EBL，顺序地堆叠在EML与第二电极1064之间的HBL、ETL和EIL中的至少一者。
在为绿色像素区域的第一像素区域P1中，发光层1062的EML包含为荧光材料的第一化合物和为延迟荧光材料的第二化合物。发光层1062的EML还可以包含第三化合物作为主体。第一化合物由式1表示，以及第二化合物由式2表示。
在第二电极1064上形成有封装膜1070以防止水分渗入OLED D5中。封装膜1070可以具有包括第一无机绝缘层、有机绝缘层和第二无机绝缘层的三层结构，但不限于此。
有机发光显示装置1000还可以包括偏光板(未示出)以用于减少环境光反射。例如，偏光板可以为圆偏光板。在底部发光型有机发光显示装置1000中，偏光板可以设置在基板1010下方。在顶部发光型有机发光显示装置1000中，偏光板可以设置在封装膜1070上或上方。
图10是根据本公开的第七实施方案的OLED的示意性截面图。
参照图10和图9，OLED D5定位在第一像素区域P1至第三像素区域P3的每一者中，并且包括彼此面对的第一电极1060和第二电极1064以及其间的发光层1062。发光层1062包括EML 1090。
第一电极1060可以为阳极，第二电极1064可以为阴极。例如，第一电极1060可以为反射电极，第二电极1064可以为透射电极(或半透射电极)。
发光层1062还可以包括在第一电极1060与EML 1090之间的HTL 1082和在EML1090与第二电极1064之间的ETL 1094。
此外，发光层1062还可以包括在第一电极1060与HTL 1082之间的HIL 1080和在ETL 1094与第二电极1064之间的EIL 1096。
而且，发光层1062还可以包括在EML 1090与HTL 1082之间的EBL 1086和在EML1090与ETL 1094之间的HBL 1092。
此外，发光层1062还可以包括在HTL 1082与EBL 1086之间的辅助HTL 1084。辅助HTL 1084可以包括第一像素区域P1中的第一辅助HTL 1084a、第二像素区域P2中的第二辅助HTL 1084b和第三像素区域P3中的第三辅助HTL 1084c。
第一辅助HTL 1084a具有第一厚度，第二辅助HTL 1084b具有第二厚度，以及第三辅助HTL 1084c具有第三厚度。第一厚度小于第二厚度并且大于第三厚度，使得OLED D5提供微腔结构。
即，通过具有厚度差异的第一辅助HTL 1084a、第二辅助HTL 1084b和第三辅助HTL1084c，其中发射第一波长范围的光例如绿色光的第一像素区域P1中的第一电极1060与第二电极1064之间的距离小于其中发射大于第一波长范围的第二波长范围的光例如红色光的第二像素区域P2中的第一电极1060与第二电极1064之间的距离，并且大于其中发射小于第一波长范围的第三波长范围的光例如蓝色光的第三像素区域P3中的第一电极1060与第二电极1064之间的距离。因此，提高了OLED D5的发光效率。
在图10中，在第三像素区域P3中形成有第三辅助HTL 1084c。或者，可以在没有第三辅助HTL 1084c的情况下提供微腔结构。
还可以在第二电极1084上形成用于改善光提取特性的覆盖层(未示出)。
EML 1090包括第一像素区域P1中的第一EML 1090a、第二像素区域P2中的第二EML1090b和第三像素区域P3中的第三EML 1090c。第一EML 1090a、第二EML 1090b和第三EML1090c可以分别为绿色EML、红色EML和蓝色EML。
第一像素区域P1中的第一EML 1090a包含为荧光材料的第一化合物和为延迟荧光材料的第二化合物。第一像素区域P1中的第一EML 1090a还可以包含第三化合物作为主体。第一化合物由式1表示，以及第二化合物由式2表示。第三化合物可以选自式5中的化合物。
在第一像素区域P1中的第一EML 1090a中，第二化合物的重量比可以大于第一化合物的重量比并且可以等于或小于第三化合物的重量比。当第二化合物的重量比大于第一化合物的重量比时，充分地产生从第三化合物到第一化合物中的能量转移。
例如，在第一像素区域P1中的第一EML 1090a中，第一化合物的重量％可以为0.01至10，优选0.1至5，第二化合物的重量％可以为30至49.9，优选40至49.9，以及第三化合物的重量％可以为40至60。然而，其不限于此。
第二像素区域P2中的第二EML 1090b和第三像素区域P3中的第三EML 1090c各自可以包含主体和掺杂剂。例如，在第二像素区域P2中的第二EML 1090b和第三像素区域P3中的第三EML 1090c的每一者中，掺杂剂可以包含磷光化合物、荧光化合物和延迟荧光化合物中的至少一者。
图10的OLED D5在第一像素区域P1至第三像素区域P3中分别发射绿色光、红色光和蓝色光，使得(图9的)有机发光显示装置1000可以提供全彩图像。
有机发光显示装置1000还可以包括对应于第一像素区域P1至第三像素区域P3的滤色器层以改善颜色纯度。例如，滤色器层可以包括对应于第一像素区域P1的第一滤色器层例如绿色滤色器层、对应于第二像素区域P2的第二滤色器层例如红色滤色器层和对应于第三像素区域P3的第三滤色器层例如蓝色滤色器层。
在底部发光型有机发光显示装置1000中，滤色器层可以设置在OLED D5与基板1010之间。另一方面，在顶部发光型有机发光显示装置1000中，滤色器层可以设置在OLEDD5上或上方。
图11是根据本公开的第八实施方案的有机发光显示装置的示意性截面图。
如图11所示，有机发光显示装置1100包括：基板1110，其中限定有第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3；在基板1110上方的TFT Tr；设置在TFT Tr上方并且与TFT Tr连接的OLED D；以及对应于第一像素区域P1至第三像素区域P3的滤色器层1120。例如，第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3可以分别为绿色像素区域、红色像素区域和蓝色像素区域。
基板1110可以为玻璃基板或柔性基板。例如，柔性基板可以为聚酰亚胺(PI)基板、聚醚砜(PES)基板、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)基板、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)基板或聚碳酸酯(PC)基板。
TFT Tr形成在基板1110上。或者，可以在基板1110上形成有缓冲层(未示出)，并且TFT Tr可以形成在缓冲层上。
如用图2所说明的，TFT Tr可以包括半导体层、栅电极、源电极和漏电极并且可以用作驱动元件。
此外，滤色器层1120设置在基板1110上。例如，滤色器层1120可以包括对应于第一像素区域P1的第一滤色器层1122、对应于第二像素区域P2的第二滤色器层1124以及对应于第三像素区域P3的第三滤色器层1126。第一滤色器层1122、第二滤色器层1124和第三滤色器层1126可以分别为绿色滤色器层、红色滤色器层和蓝色滤色器层。例如，第一滤色器层1122可以包含绿色染料和绿色颜料中的至少一者，以及第二滤色器层1124可以包含红色染料和红色颜料中的至少一者。第三滤色器层1126可以包含蓝色染料和蓝色颜料中的至少一者。
在TFT Tr和滤色器层1120上形成有平坦化层(或钝化层)1150。平坦化层1150具有平坦的顶表面并且包括使TFT Tr的漏电极露出的漏极接触孔1152。
OLED D设置在平坦化层1150上并且对应于滤色器层1120。OLED D包括第一电极1160、发光层1162和第二电极1164。第一电极1160连接至TFT Tr的漏电极，并且发光层1162和第二电极1164顺序地堆叠在第一电极1160上。OLED D在第一像素区域P1至第三像素区域P3的每一者中发射白色光。
第一电极1160形成为在第一像素区域P1至第三像素区域P3中分开，以及第二电极1164形成为一体式以覆盖第一像素区域P1至第三像素区域P3。
第一电极1160为阳极和阴极中的一者，第二电极1164为阳极和阴极中的另一者。此外，第一电极1160可以为透光电极(或半透射电极)，第二电极1164可以为反射电极。
例如，第一电极1160可以为阳极并且可以包括由具有相对高的功函数的透明导电氧化物(TCO)材料形成的透明导电氧化物材料层。第二电极1164可以为阴极并且可以包括由具有相对低的功函数的低电阻金属材料形成的金属材料层。例如，第一电极1160的透明导电氧化物材料层包含铟-锡-氧化物(ITO)、铟-锌-氧化物(IZO)、铟-锡-锌-氧化物(ITZO)、锡氧化物(SnO)、锌氧化物(ZnO)、铟-铜-氧化物(ICO)和铝-锌氧化物合金(Al:ZnO)中的至少一者，以及第二电极1164可以包含Al、Mg、Ca、Ag、其合金例如Mg-Ag合金、或其组合。
在第一电极1160上形成有作为发光单元的发光层1162。发光层1162包括发射不同颜色的光的至少两个发光部。各发光部可以具有EML的单层结构。或者，各发光部还可以包括HIL、HTL、EBL、HBL、ETL和EIL中的至少一者。此外，发光层1162还可以包括在发光部之间的电荷生成层(CGL)。
发光部的一者中的EML包含式1中的第一化合物和式2中的第二化合物。即，发光部的一者中的EML包含荧光材料和延迟荧光材料。发光部的一者中的EML还可以包含第三化合物作为主体。第三化合物可以选自式5中的化合物。
在平坦化层1150上形成有堤层1166以覆盖第一电极1160的边缘。即，堤层1166定位在第一像素区域P1至第三像素区域P3的边界处并且使第一像素区域P1至第三像素区域P3中的第一电极1160的中心露出。如上所述，由于OLED D在第一像素区域P1至第三像素区域P3中发射白色光，因此发光层1162可以在第一像素区域P1至第三像素区域P3中形成为公共层而不在第一像素区域P1至第三像素区域P3中分开。可以形成堤层1166以防止第一电极1160的边缘处的电流泄漏，并且可以省略堤层1166。
虽然未示出，但有机发光显示装置1100还可以包括形成在第二电极1164上的封装膜以防止水分渗入OLED D中。此外，有机发光显示装置1100还可以包括在基板1110下方的偏光板以用于减少环境光反射。
在(图11的)有机发光显示装置1100中，第一电极1160为透明电极(透光电极)，第二电极1164为反射电极。此外，滤色器层1120定位在基板1110与OLED D之间。即，有机发光显示装置11000为底部发光型。
或者，在有机发光显示装置1100中，第一电极1160可以为反射电极，第二电极1154可以为透明电极(或半透明电极)。在这种情况下，滤色器层1120定位在OLED D上或上方。
在有机发光显示装置1100中，第一像素区域P1至第三像素区域P3中的OLED D发射白色光，并且白色光穿过第一滤色器层1122、第二滤色器层1124和第三滤色器层1126。因此，在第一像素区域P1至第三像素区域P3中分别显示绿色光、红色光和蓝色光。
虽然未示出，但可以在OLED D与滤色器层1120之间形成有颜色转换层。颜色转换层可以包括分别对应于第一像素区域P1至第三像素区域P3的绿色颜色转换层、红色颜色转换层和蓝色颜色转换层，并且可以将来自OLED D的白色光转换为绿色光、红色光和蓝色光。颜色转换层可以包含量子点。因此，OLED D的颜色纯度可以进一步得到改善。
可以包括颜色转换层来代替滤色器层1120。
图12是根据本公开的第九实施方案的OLED的示意性截面图。
如图12所示，OLED D6包括彼此面对的第一电极1160和第二电极1164以及其间的发光层1162。
第一电极1160可以为阳极，第二电极1164可以为阴极。第一电极1160为透明电极(透光电极)，第二电极1164为反射电极。
发光层1162包括第一发光部1210、第二发光部1230和第三发光部1250，所述第一发光部1210包括第一EML 1220，所述第二发光部1230包括第二EML 1240，所述第三发光部1250包括第三EML 1260。此外，发光层1162还可以包括在第一发光部1210与第二发光部1230之间的第一CGL 1270和在第一发光部1210与第三发光部1250之间的第二CGL 1280。
第一CGL 1270定位在第一发光部1210与第二发光部1230之间，以及第二CGL 1280定位在第一发光部1210与第三发光部1250之间。即，第三发光部1250、第二CGL 1280、第一发光部1210、第一CGL 1270和第二发光部1230顺序地堆叠在第一电极1160上。换言之，第一发光部1210定位在第一CGL 1270与第二CGL 1280之间，第二发光部1230定位在第一CGL1270与第二电极1164之间。第三发光部1250定位在第二CGL 1280与第一电极1160之间。
第一发光部1210还可以包括在第一EML 1220下方的第一HTL 1210a和在第一EML1220上方的第一ETL 1210b。即，第一HTL 1210a可以定位在第一EML 1220与第二CGL 1270之间，第一ETL 1210b可以定位在第一EML 1220与第一CGL 1270之间。
此外，第一发光部1210还可以包括在第一HTL 1210a与第一EML 1220之间的EBL(未示出)和在第一ETL 1210b与第一EML 1220之间的HBL(未示出)。
第二发光部1230还可以包括在第二EML 1240下方的第二HTL 1230a、在第二EML1240上方的第二ETL 1230b和在第二ETL 1230b上的EIL 1230c。即，第二HTL 1230a可以定位在第二EML 1240与第一CGL 1270之间，第二ETL 1230b和EIL 1230c可以定位在第二EML1240与第二电极1164之间。
此外，第二发光部1230还可以包括在第二HTL 1230a与第二EML 1240之间的EBL(未示出)和在第二ETL 1230b与第二EML 1240之间的HBL(未示出)。
第三发光部1250还可以包括在第三EML 1260下方的第三HTL 1250b、在第三HTL1250b下方的HIL 1250a和在第三EML 1260上方的第三ETL 1250c。即，HIL 1250a和第三HTL1250b可以定位在第一电极1160与第三EML 1260之间，第三ETL 1250c可以定位在第三EML1260与第二CGL 1280之间。
此外，第三发光部1250还可以包括在第三HTL 1250b与第三EML 1260之间的EBL(未示出)和在第三ETL 1250c与第三EML 1260之间的HBL(未示出)。
第一EML 1220、第二EML 1240和第三EML 1260中的一者为绿色EML。第一EML1220、第二EML 1240和第三EML 1260中的另一者可以为蓝色EML，以及第一EML 1220、第二EML 1240和第三EML 1260中的余者为可以为红色EML。
例如，第一EML 1220可以为绿色EML，第二EML 1240可以为蓝色EML，以及第三EML1260可以为红色EML。或者，第一EML 1220可以为绿色EML，第二EML 1240可以为红色EML，以及第三EML 1260可以为蓝色EML。
第一EML 1220包含为荧光材料的第一化合物和为延迟荧光材料的第二化合物。此外，第一EML 1220还可以包含第三化合物作为主体。第一化合物由式1表示，以及第二化合物由式2表示。第三化合物可以选自式5中的化合物。
在第一EML 1220中，第二化合物的重量比可以大于第一化合物的重量比并且可以等于或小于第三化合物的重量比。当第二化合物的重量比大于第一化合物的重量比时，充分地产生从第三化合物到第一化合物中的能量转移。例如，在第一EML 1220中，第一化合物的重量％可以为0.01至10，优选0.1至5，第二化合物的重量％可以为30至49.9，优选40至49.9，以及第三化合物的重量％可以为40至60。然而，其不限于此。
第二EML 1240包含主体和蓝色掺杂剂(或红色掺杂剂)，以及第三EML 1260包含主体和红色掺杂剂(或蓝色掺杂剂)。例如，在第二EML 1240a和第三EML 1260的每一者中，掺杂剂可以包含磷光化合物、荧光化合物和延迟荧光化合物中的至少一者。
(图11的)第一像素区域P1至第三像素区域P3中的OLED D6发射白色光，并且白色光穿过第一像素区域P1至第三像素区域P3中的(图11的)滤色器层1120。因此，(图11的)有机发光显示装置1100可以提供全彩图像。
图13是根据本公开的第十实施方案的OLED的示意性截面图。
如图13所示，OLED D7包括彼此面对的第一电极1360和第二电极1364以及其间的发光层1362。
第一电极1360可以为阳极，第二电极1364可以为阴极。第一电极1360为透明电极(透光电极)，第二电极1364为反射电极。
发光层1362包括第一发光部1410、第二发光部1430和第三发光部1450，所述第一发光部1410包括第一EML 1420，所述第二发光部1430包括第二EML 1440，所述第三发光部1450包括第三EML 1460。此外，发光层1362还可以包括在第一发光部1410与第二发光部1430之间的第一CGL 1470和在第一发光部1410与第三发光部1450之间的第二CGL 1480。
第一发光部1420包括下EML1420a和上EML 1420b。即，下EML 1420a被定位成更靠近第一电极1360，以及上EML 1420b被定位成更靠近第二电极1364。
第一CGL 1470定位在第一发光部1410与第二发光部1430之间，以及第二CGL 1480定位在第一发光部1410与第三发光部1450之间。即，第三发光部1450、第二CGL 1480、第一发光部1410、第一CGL 1470和第二发光部1430顺序地堆叠在第一电极1360上。换言之，第一发光部1410定位在第一CGL 1470与第二CGL 1480之间，第二发光部1430定位在第一CGL1470与第二电极1364之间。第三发光部1450定位在第二CGL 1480与第一电极1360之间。
第一发光部1410还可以包括在第一EML 1420下方的第一HTL 1410a和在第一EML1420上方的第一ETL 1410b。
此外，第一发光部1410还可以包括在第一HTL 1410a与第一EML 1420之间的EBL(未示出)和在第一ETL 1410b与第一EML 1420之间的HBL(未示出)。
第二发光部1430还可以包括在第二EML 1440下方的第二HTL 1430a、在第二EML1440上方的第二ETL 1430b和第二ETL 1430b上的EIL 1430c。即，第二HTL 1430a可以定位在第二EML 1440与第一CGL 1470之间，第二ETL 1430b和EIL 1430c可以定位在第二EML1440与第二电极1364之间。
此外，第二发光部1430还可以包括在第二HTL 1430a与第二EML 1440之间的EBL(未示出)和在第二ETL 1430b与第二EML 1440之间的HBL(未示出)。
第三发光部1450还可以包括在第三EML 1460下方的第三HTL 1450b、在第三HTL1450b下方的HIL 1450a和在第三EML 1460上方的第三ETL 1450c。即，HIL 1450a和第三HTL1450b可以定位在第一电极1360与第三EML 1460之间，第三ETL 1450c可以定位在第三EML1460与第二CGL 1480之间。
此外，第三发光部1450还可以包括在第三HTL 1450b与第三EML 1460之间的EBL(未示出)和在第三ETL 1450c与第三EML 1460之间的HBL(未示出)。
第一EML 1420的下EML 1420a和上EML 1420b中的一者为绿色EML，并且第一EML1420的下EML 1420a和上EML 1420b中的另一者可以为红色EML。即，绿色EML(或红色EML)和红色EML(或绿色EML)顺序地堆叠以形成第一EML 1420。
例如，为绿色EML的上EML 1420b包含为荧光材料的第一化合物和为延迟荧光材料的第二化合物。此外，上EML 1420b还可以包含第三化合物作为主体。第一化合物由式1表示，第二化合物由式2表示。第三化合物可以选自式5中的化合物。
在上EML 1420b中，第二化合物的重量比可以大于第一化合物的重量比并且可以等于或小于第三化合物的重量比。当第二化合物的重量比大于第一化合物的重量比时，充分地产生从第三化合物到第一化合物中的能量转移。例如，在上EML 1420b中，第一化合物的重量％可以为0.01至10，优选0.1至5，第二化合物的重量％可以为30至49.9，优选40至49.9，以及第三化合物的重量％可以为40至60。然而，其不限于此。
为红色EML的下EML 1420a可以包含主体和红色掺杂剂。
第二EML 1440和第三EML 1460各自可以为蓝色EML。第二EML 1440和第三EML1460各自可以包含主体和蓝色掺杂剂。第二EML 1440的主体和掺杂剂可以与第三EML 1460的主体和掺杂剂相同。或者，第二EML 1440的主体和掺杂剂可以与第三EML 1460的主体和掺杂剂不同。例如，第二EML 1440中的掺杂剂可以与第三EML 1460中的掺杂剂在发光效率和/或发光波长方面具有差异。
在下EML 1420a、第二EML 1440和第三EML 1460的每一者中，掺杂剂可以包含磷光化合物、荧光化合物和延迟荧光化合物中的至少一者。
(图11的)第一像素区域P1至第三像素区域P3中的OLED D7发射白色光，并且白色光穿过第一像素区域P1至第三像素区域P3中的(图11的)滤色器层1120。因此，(图11的)有机发光显示装置1100可以提供全彩图像。
在图13中，OLED D7具有包括第二EML 1440和第三EML 1460以及第一EML 1420的三堆叠体(三重堆叠体)结构，所述第二EML 1440和所述第三EML 1460为蓝色EML。或者，可以省略第二EML 1440和第三EML 1460中的一者，使得OLED D7可以具有两堆叠体(双堆叠体)结构。
如图8、12和13所示，各像素区域中的OLED包括包含本公开的有机化合物的第一EML例如绿色EML、一个或更多个第二EML和CGL，使得OLED具有串联结构。在这种情况下，一个或更多个第二EML为红色EML、绿色EML和蓝色EML中的至少一者，使得OLED提供绿色发光或白色发光。
虽然已经参照示例性实施方案和实施例描述了本公开，但这些实施方案和实施例不旨在限制本公开的范围。相反，对于本领域技术人员而言将明显的是，在不脱离本发明的精神或范围的情况下，可以在本公开中进行各种修改和变化。因此，旨在本公开涵盖本公开的修改和变化，只要它们落入所附权利要求及其等同方案的范围内即可。
可以将上述多个实施方案组合以提供另外的实施方案。本说明书中提及和/或申请数据表中列出的全部专利、专利申请公开、专利申请、外国专利、外国专利申请以及非专利公开均通过引用整体并入本文。如有必要采用各种专利、申请和公开中的构思来提供还进一步的实施方案，则可以修改实施方案的方面。
根据以上详细描述，可以对实施方案做出这些改变和其他改变。通常，在所附的权利要求中，所使用的术语不应被解释为将权利要求限于说明书和权利要求中公开的具体实施方案，而是应解释为包括所有可能的实施方案以及这样的权利要求所赋予的等同方案的所有范围。因此，权利要求不受本公开限制。

Claims (14)

1.一种有机发光二极管，包括：
第一电极；
面对所述第一电极的第二电极；和
第一发光材料层，所述第一发光材料层包含第一化合物和第二化合物并且定位在所述第一电极与所述第二电极之间，
其中所述第一化合物由式1表示：
[式1]
Figure FDA0003698177650000011
其中R1和R2各自独立地选自氢、氘、C1至C20烷基、C6至C30芳基和C3至C40杂芳基，
其中R3和R4各自独立地选自氢、氘、C1至C20烷基、C6至C30芳基和C4至C40杂芳基，或者R3中的相邻两者和两个相邻的R4中的至少一对彼此连接形成稠环，
其中所述第二化合物由式2表示：
[式2]
Figure FDA0003698177650000012
其中R11和R12各自独立地选自氢、氘、氰基、C1至C20烷基、C6至C30芳基和C3至C40杂芳基，
其中R13选自氢、氘、氰基、C1至C20烷基、C6至C30芳基和C3至C40杂芳基，
其中X选自氰基；硝基；卤素；经氰基、硝基或卤素取代的C1至C20烷基；经氰基、硝基或卤素取代的C6至C30芳基；和经氰基、硝基或卤素取代的C3至C40杂芳基，以及
其中L选自C6至C30亚芳基，以及n为0或1。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中所述第一化合物为式3的化合物中的一者：
[式3]
Figure FDA0003698177650000021
Figure FDA0003698177650000031
3.根据权利要求1所述的有机化合物，其中所述第二化合物为式4的化合物中的一者：
[式4]
Figure FDA0003698177650000032
Figure FDA0003698177650000041
Figure FDA0003698177650000051
Figure FDA0003698177650000061
Figure FDA0003698177650000071
Figure FDA0003698177650000081
Figure FDA0003698177650000091
4.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中所述第一化合物的吸收光谱与所述第二化合物的发射光谱之间的重叠率等于或大于35％。
5.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中所述第二化合物的重量％大于所述第一化合物的重量％。
6.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中所述第一发光材料层还包含第一主体。
7.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中所述第一发光材料层包括第一层和第二层，并且所述第二层定位在所述第一层与所述第二电极之间，以及
其中所述第一层包含所述第一化合物和第一主体，以及所述第二层包含所述第二化合物和第二主体。
8.根据权利要求7所述的有机发光二极管，其中所述第一发光材料层还包括第三层，所述第三层包含所述第一化合物和第三主体并且定位在所述第二层与所述第二电极之间。
9.根据权利要求8所述的有机发光二极管，还包括：
在所述第二电极与所述第三层之间的空穴阻挡层，
其中所述第三主体与所述空穴阻挡层的材料相同。
10.根据权利要求7所述的有机发光二极管，还包括：
在所述第一电极与所述第一层之间的电子阻挡层，
其中所述第一主体与所述电子阻挡层的材料相同。
11.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中所述第一发光材料层包括第一层和第二层，并且所述第二层定位在所述第一层与所述第一电极之间，以及
其中所述第一层包含所述第二化合物和第一主体，以及所述第二层包含所述第一化合物和第二主体。
12.根据权利要求11所述的有机发光二极管，还包括：
在所述第二电极与所述第二层之间的空穴阻挡层，
其中所述第一主体与所述空穴阻挡层的材料相同。
13.根据权利要求1所述的有机发光二极管，还包括：
在所述第一电极与所述第一发光材料层之间的第二材料层；以及
在所述第一发光材料层与所述第二发光材料层之间的电荷生成层，
其中所述第二发光材料层为红色发光材料层、绿色发光材料层和第三发光材料层中的一者。
14.一种有机发光显示装置，包括：
基板；
在所述基板上方的根据权利要求1至13中任一项所述的有机发光二极管；和
覆盖所述有机发光二极管的封装膜。
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