CN118042856A - 有机发光二极管和包括其的有机发光装置 - Google Patents
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Abstract
本公开涉及有机发光二极管和包括其的有机发光装置。所述有机发光二极管包括第一电极；面向第一电极的第二电极；和第一蓝色发光材料层，所述第一蓝色发光材料层包含第一化合物和第二化合物并且位于第一电极与第二电极之间，其中第一化合物由式1表示，以及第二化合物由式3表示。根据本发明的一个方面，允许提供具有高的发光效率和/或改善的寿命的OLED和有机发光装置。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求于2022年11月11日在大韩民国提交的韩国专利申请第10-2022-0150605号的权益，其在此通过引用整体并入。
技术领域
本公开涉及有机发光二极管，并且更特别地，涉及具有高的发光效率和/或改善的寿命的有机发光二极管，以及包括该有机发光二极管的有机发光装置。
背景技术
对占用面积小的平板显示装置的需求增加。在平板显示装置中，包括有机发光二极管(OLED)并且可以被称为有机电致发光装置的有机发光显示装置的技术迅速发展。
OLED通过以下来发光：将来自作为电子注入电极的阴极的电子和来自作为空穴注入电极的阳极的空穴注入到发光材料层中，使电子与空穴结合，产生激子，并使激子从激发态转换成基态。
然而，相关技术OLED在发光特性例如驱动电压、发光效率和寿命方面具有限制。特别地，蓝色OLED在发光特性方面具有大的限制。
发明内容
因此，本公开的实施方案涉及OLED和有机发光装置，其基本上消除了与相关技术的限制和缺点相关的问题中的一者或更多者。
本公开的一个方面是提供具有高的发光效率和/或改善的寿命的OLED和有机发光装置。
另外的特征和方面将在随后的描述中阐述，并且部分地将从描述中显而易见，或者可以通过本文提供的本公开构思的实践而得知。本公开构思的其他特征和方面可以通过在撰写的说明书中或可从中得出的、及其权利要求以及附图中特别指出的结构来实现和获得。
为了实现根据本公开的实施方案的目的的这些和其他优点，如本文所述，本公开的一个方面为有机发光二极管，所述有机发光二极管包括：第一电极；面向第一电极的第二电极；和第一蓝色发光材料层，所述第一蓝色发光材料层包含第一化合物和第二化合物并且位于第一电极与第二电极之间，其中第一化合物由式1表示：
[式1]
其中在式1中，R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7和R8各自独立地选自氘、卤素、氰基、经取代或未经取代的C1至C20烷基、经取代或未经取代的C1至C20烷氧基、经取代或未经取代的C1至C20烷基氨基、经取代或未经取代的C6至C30芳基氨基、经取代或未经取代的C6至C30芳基甲硅烷基、经取代或未经取代的C6至C30芳基和经取代或未经取代的C3至C60杂芳基，a1、a6、a7和a8各自独立地为0至5的整数，a2、a4和a5各自独立地为0至4的整数，以及a3为0至3的整数，其中第二化合物由式3表示：
[式3]
其中在式3中，X1、X2和X3各自独立地选自CR16和N，X1、X2和X3中的至少一者为N，Ar选自经取代或未经取代的C6至C30芳基和经取代或未经取代的C3至C60杂芳基，R11、R12、R13、R14和R15各自独立地选自氘、卤素、氰基、经取代或未经取代的C1至C20烷基、经取代或未经取代的C1至C20烷氧基、经取代或未经取代的C1至C20烷基氨基、经取代或未经取代的C6至C30芳基氨基、经取代或未经取代的C6至C30芳基甲硅烷基、经取代或未经取代的C6至C30芳基和经取代或未经取代的C3至C60杂芳基，R16选自氢、氘、卤素、氰基、经取代或未经取代的C1至C20烷基、经取代或未经取代的C1至C20烷氧基、经取代或未经取代的C1至C20烷基氨基、经取代或未经取代的C6至C30芳基氨基、经取代或未经取代的C6至C30芳基甲硅烷基、经取代或未经取代的C6至C30芳基和经取代或未经取代的C3至C60杂芳基，b1和b2各自独立地为0至4的整数，b3、b4和b5各自独立地为0至5的整数。
本公开的另一个方面为有机发光装置，所述有机发光装置包括：基板；设置在基板上方的上述有机发光二极管；和覆盖有机发光二极管的封装层。
应理解，前面的一般性描述和以下的详细描述二者均为示例性和说明性的，并且旨在提供对要求保护的本发明构思的进一步说明。
附图说明
被包括以提供对本公开的进一步理解并且被并入并构成本申请的一部分的附图举例说明了本公开的实施方案，并且与说明书一起用于说明本公开的原理。
图1是本公开的有机发光显示装置的示意性电路图。
图2是根据本公开的第一实施方案的有机发光显示装置的示意性截面图。
图3是根据本公开的第二实施方案的OLED的示意性截面图。
图4是示出本公开的OLED中的发光材料层中的发光机制的图。
图5A至5C是分别示出p型主体的PL光谱、n型主体的PL光谱和在p型主体与n型主体之间产生的激基复合物的PL光谱的图。
图6是根据本公开的第三实施方案的OLED的示意性截面图。
图7是根据本公开的第四实施方案的OLED的示意性截面图。
图8是根据本公开的第五实施方案的OLED的示意性截面图。
图9是根据本公开的第六实施方案的有机发光显示装置的示意性截面图。
图10是根据本公开的第七实施方案的有机发光显示装置的示意性截面图。
图11是根据本公开的第八实施方案的OLED的示意性截面图。
图12是根据本公开的第九实施方案的OLED的示意性截面图。
图13是根据本公开的第十实施方案的OLED的示意性截面图。
具体实施方式
现在将详细地参照本公开的多个方面，其实例可以在附图中示出。在以下描述中，当确定与本文献相关的公知功能或配置的详细描述不必要地使本发明构思的主旨模糊时，将省略其详细描述。所描述的加工步骤和/或操作的进行为实例；然而，除了必须以特定顺序发生的步骤和/或操作之外，步骤和/或操作的顺序不限于本文所阐述的顺序，并且可以如本领域中已知的进行改变。相同的附图标记通篇表示相同的要素。在以下说明中使用的各个要素的名称仅是为了方便书写说明书而选择的，并因此可以与实际产品中使用的名称不同。
参照以下与附图一起详细地描述的多个方面，本公开的优点和特征以及实现它们的方法将显而易见。然而，本公开不限于以下公开的多个方面，而是可以以各种不同的形式实现，并且只有这些方面才使本公开的公开内容完整。提供本公开以向本公开的领域的技术人员充分告知本公开的范围。
附图中公开的用于说明本公开的多个方面的形状、尺寸、比例、角度、数量等是说明性的，并且本公开不限于示出的事项。在整个说明书中，相同的附图标记是指相同的要素。此外，在描述本公开时，如果确定相关已知技术的详细描述不必要地使本公开的主题模糊，则可以省略其详细描述。当在本说明书中使用“包含”、“具有”、“包括”等时，除非使用“仅”，否则可以添加其他部分。当组成部分以单数表示时，除非描述特定说明，否则包括复数的情况也包括在内。
在对要素进行解释时，要素被解释为包括误差或公差范围，尽管没有明确描述这样的误差或公差范围。
在描述位置关系时，例如，当两个部分之间的位置关系被描述为例如“上”、“上方”、“下”和“附近”时，除非使用更加限制性的术语(例如“恰好”或“直接(地)”)，否则在两个部分之间可以设置一个或更多个其他部分。
在描述时间关系时，例如，当时间顺序被描述为例如“之后”、“随后”、“接着”和“之前”时，除非使用更加限制性的术语(例如“恰好”、“立即(地)”或“直接(地)”)，否则可以包括不连续的情况。
应理解，虽然在本文中可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种要素，但是这些要素不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个要素与另一个要素区分开。例如，在不脱离本公开的范围的情况下，第一要素可以被称为第二要素，类似地，第二要素可以被称为第一要素。
如本领域技术人员可以充分理解的，本公开的多个方面的特征可以部分地或整体地彼此联接或组合，并且可以在技术上彼此不同地互操作和驱动。本公开的多个方面可以彼此独立地进行，或者可以以相互依赖的关系一起进行。
现在将详细参照在附图中示出的一些实例和优选实施方案。
本公开涉及OLED和包括所述OLED的有机发光装置，在所述OLED中蓝色发光材料层包含能够产生长波长能量的激基复合物的p型主体和n型主体。例如，有机发光装置可以为有机发光显示装置或有机照明装置。作为实例，将主要描述有机发光显示装置，其为包括本公开的OLED的显示装置。
图1是本公开的有机发光显示装置的示意性电路图。
如图1所示，有机发光显示装置包括栅极线GL、数据线DL、电源线PL、开关薄膜晶体管TFT Ts、驱动TFT Td、存储电容器Cst和OLED D。栅极线GL和数据线DL彼此交叉以限定像素区域P。像素区域可以包括红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域。
开关TFT Ts连接至栅极线GL和数据线DL，以及驱动TFT Td和存储电容器Cst连接至开关TFT Ts和电源线PL。OLED D连接至驱动TFT Td。
在有机发光显示装置中，当通过经由栅极线GL施加的栅极信号使开关TFT Ts导通时，来自数据线DL的数据信号被施加至驱动TFT Td的栅电极和存储电容器Cst的一个电极。
当通过数据信号使驱动TFT Td导通时，电流从电源线PL供应至OLED D。作为结果，OLED D发光。在这种情况下，当驱动TFT Td被导通时，确定从电源线PL施加至OLED D的电流的水平，使得OLED D可以产生灰度级。
存储电容器Cst用于在开关TFT Ts断开时保持驱动TFT Td的栅电极的电压。因此，即使开关TFT Ts断开，从电源线PL施加至OLED D的电流的水平也保持到下一帧。
作为结果，有机发光显示装置显示期望的图像。
图2是根据本公开的第一实施方案的有机发光显示装置的示意性截面图。
如图2所示，有机发光显示装置100包括基板110、在基板110上或上方的TFT Tr、覆盖TFT Tr的平坦化层150和在平坦化层150上并且连接至TFT Tr的OLED D。在基板110上可以限定有红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域。
基板110可以为玻璃基板或柔性基板。例如，柔性基板可以为聚酰亚胺(PI)基板、聚醚砜(PES)基板、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)基板、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)基板和聚碳酸酯(PC)基板中的一者。
在基板上形成有缓冲层122，以及TFT Tr形成在缓冲层122上。可以省略缓冲层122。例如，缓冲层122可以由无机绝缘材料例如硅氧化物或硅氮化物形成。
在缓冲层122上形成有半导体层120。半导体层120可以包含氧化物半导体材料或多晶硅。
当半导体层120包含氧化物半导体材料时，可以在半导体层120下方形成遮光图案(未示出)。朝向半导体层120的光被遮光图案遮挡或阻挡，从而可以防止半导体层120的热降解。另一方面，当半导体层120包含多晶硅时，可以向半导体层120的两侧中掺杂杂质。
在半导体层120上形成有栅极绝缘层124。栅极绝缘层124可以由无机绝缘材料例如硅氧化物或硅氮化物形成。
在栅极绝缘层124上对应于半导体层120的中心形成有由导电材料(例如金属)形成的栅电极130。在图2中，栅极绝缘层124形成在基板110的整个表面上。或者，栅极绝缘层124可以被图案化成具有与栅电极130相同的形状。
层间绝缘层132形成在栅电极130上并且在基板110的整个表面上方。层间绝缘层132可以由无机绝缘材料(例如硅氧化物或硅氮化物)或有机绝缘材料(例如苯并环丁烯或光压克力(photo-acryl))形成。
层间绝缘层132包括使半导体层120的两侧露出的第一接触孔134和第二接触孔136。第一接触孔134和第二接触孔136位于栅电极130的两侧以与栅电极130间隔开。
第一接触孔134和第二接触孔136形成为穿过栅极绝缘层124。或者，当栅极绝缘层124被图案化成具有与栅电极130相同的形状时，第一接触孔134和第二接触孔136形成为仅穿过层间绝缘层132。
在层间绝缘层132上形成有由导电材料(例如金属)形成的源电极144和漏电极146。
源电极144和漏电极146相对于栅电极130彼此间隔开并且分别通过第一接触孔134和第二接触孔136接触半导体层120的两侧。
半导体层120、栅电极130、源电极144和漏电极146构成TFT Tr。TFT Tr用作驱动元件。即，TFT Tr为(图1的)驱动TFT Td。
在TFT Tr中，栅电极130、源电极144和漏电极146位于半导体层120上方。即，TFTTr具有共平面结构。
或者，在TFT Tr中，栅电极可以位于半导体层下方，并且源电极和漏电极可以位于半导体层上方，使得TFT Tr可以具有反向交错结构。在这种情况下，半导体层可以包含非晶硅。
虽然未示出，但是栅极线和数据线彼此交叉以限定像素区域，以及开关TFT形成为连接至栅极线和数据线。开关TFT连接至作为驱动元件的TFT Tr。此外，还可以形成电源线和用于在一帧中保持TFT Tr的栅电极的电压的存储电容器，所述电源线可以形成为与栅极线和数据线中的一者平行并且间隔开。
平坦化层150形成在基板110的整个表面上以覆盖源电极144和漏电极146。平坦化层150提供平坦的顶表面并且具有使TFT Tr的漏电极146露出的漏极接触孔152。
OLED D设置在平坦化层150上并且包括连接至TFT Tr的漏电极146的第一电极210、有机发光层220和第二电极230。有机发光层220和第二电极230顺序地堆叠在第一电极210上。OLED D位于红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域中的每一者中并且分别发射红色光、绿色光和蓝色光。
第一电极210分别形成在每个像素区域中。第一电极210可以为阳极并且可以包括透明导电氧化物材料层，其可以由具有相对高的功函数的导电材料例如透明导电氧化物(TCO)形成。
例如，透明导电氧化物材料层可以由以下中的一者形成：铟-锡-氧化物(ITO)、铟-锌-氧化物(IZO)、铟-锡-锌-氧化物(ITZO)、锡氧化物(SnO)、锌氧化物(ZnO)、铟-铜-氧化物(ICO)和铝-锌-氧化物(Al:ZnO，AZO)。
第一电极210可以具有透明导电氧化物材料层的单层结构。即，第一电极210可以为透明电极。
或者，第一电极210还可以包括反射层以具有双层结构或三层结构。即，第一电极210可以为反射电极。
例如，反射层可以由以下中的一者形成：银(Ag)，Ag和钯(Pd)、铜(Cu)、铟(In)和钕(Nd)中的一者的合金，以及铝-钯-铜(APC)合金。例如，第一电极210可以具有Ag/ITO或APC/ITO的双层结构或者ITO/Ag/ITO或ITO/APC/ITO的三层结构。
此外，在平坦化层150上形成有堤层160以覆盖第一电极210的边缘。即，堤层160位于像素区域的边界处并且使像素区域中的第一电极210的中心露出。
包括发光材料层(EML)的有机发光层220形成在第一电极210上。在蓝色像素区域中的OLED D中，有机发光层220的EML包含由式1表示的p型主体和由式3表示的n型主体。此外，EML还可以包含由式5表示的磷光掺杂剂，例如发射体。
在EML中，由p型主体和n型主体产生具有长波长能量的激基复合物，使得显著提高OLED的发光效率。
有机发光层220还可以包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子阻挡层(EBL)、空穴阻挡层(HBL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中的至少一者以具有多层结构。
在本公开的一个方面中，蓝色像素区域中的OLED D的有机发光层220可以包括第一蓝色发光部和第二蓝色发光部以具有串联结构，所述第一蓝色发光部包括第一蓝色EML，所述第二蓝色发光部包括第二蓝色EML，并且第一蓝色EML和第二蓝色EML中的至少一者包含由式1表示的p型主体和由式3表示的n型主体。在这种情况下，有机发光层220还可以包括在第一蓝色发光部与第二蓝色发光部之间的电荷生成层(CGL)。
第二电极230形成在其中形成有有机发光层220的基板110上方。第二电极230覆盖显示区域的整个表面，并且可以由具有相对低的功函数的导电材料形成以用作阴极。例如，第二电极230可以由铝(Al)、镁(Mg)、钙(Ca)、银(Ag)或其合金例如Mg-Ag合金(MgAg)形成。
在顶部发光型OLED D中，第一电极210用作反射电极，并且第二电极230具有薄的轮廓以用作透明(或半透明)电极。或者，在底部发光型OLED中，第一电极210用作透明电极，并且第二电极230用作反射电极。
虽然未示出，但是OLED D还可以包括在第二电极230上的覆盖层。OLED D和有机发光显示装置100的发光效率可以通过覆盖层进一步提高。
在第二电极230上形成有封装膜(或封装层)170以防止水分渗入OLED D中。封装膜170包括顺序堆叠的第一无机绝缘层172、有机绝缘层174和第二无机绝缘层176，但不限于此。
或者，在底部发光型有机发光显示装置100中，可以在第二电极230上方设置有金属封装板。例如，可以使用粘合层将金属封装板附接至OLED D。
虽然未示出，但是有机发光显示装置100可以包括对应于红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域的滤色器。例如，滤色器可以位于OLED D上或上方，或者位于基板110与OLED D之间。
有机发光显示装置100还可以包括偏光板以用于减少环境光反射。例如，偏光板可以为圆偏光板。在底部发光型有机发光显示装置100中，偏光板可以设置在基板110下方。在顶部发光型有机发光显示装置100中，偏光板可以设置在封装膜170上或上方。
此外，有机发光显示装置100还可以包括在封装膜170或偏光板上或上方的覆盖窗。在这种情况下，基板110和覆盖窗具有柔性特性，使得可以提供柔性有机发光显示装置。
图3是根据本公开的第二实施方案的OLED的示意性截面图。
如图3所示，OLED D1包括面向彼此的第一电极210和第二电极230以及其间的有机发光层220。有机发光层220包括发光材料层(EML)，例如蓝色EML240。OLED D1还可以包括在第二电极230上的覆盖层以提高光提取效率。
(图2的)有机发光显示装置100可以包括红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域，以及OLED D1可以位于蓝色像素区域中。
第一电极210可以为阳极，并且第二电极230可以为阴极。第一电极210和第二电极230中的一者可以为反射电极，并且第一电极210和第二电极230中的另一者可以为透明(或半透明)电极。例如，第一电极210可以具有ITO的单层结构，以及第二电极230可以由Al形成。
有机发光层220还包括在第一电极210与EML 240之间的空穴传输层(HTL)260和在第二电极230与EML 240之间的电子传输层(ETL)270中的至少一者。
此外，有机发光层220还可以包括在第一电极210与HTL 260之间的空穴注入层(HIL)250和在第二电极230与ETL 270之间的电子注入层(EIL)280中的至少一者。
此外，有机发光层220还可以包括在HTL 260与EML 240之间的电子阻挡层(EBL)265和在EML240与ETL 270之间的空穴阻挡层(HBL)275中的至少一者。
例如，HIL250可以包含选自以下的至少一种化合物：4,4’,4”-三(3-甲基苯基氨基)三苯胺(MTDATA)、4,4’,4”-三(N,N-二苯基-氨基)三苯胺(NATA)、4,4’,4”-三(N-(萘-1-基)-N-苯基-氨基)三苯胺(1T-NATA)、4,4’,4”-三(N-(萘-2-基)-N-苯基-氨基)三苯胺(2T-NATA)、铜酞菁(CuPc)、三(4-咔唑基-9-基-苯基)胺(TCTA)、N,N’-二苯基-N,N’-双(1-萘基)-1,1’-联苯-4,4”-二胺(NPB或NPD)、1,4,5,8,9,11-六氮杂苯并菲六腈(二吡嗪并[2,3-f:2’3’-h]喹喔啉-2,3,6,7,10,11-六腈(HAT-CN))、1,3,5-三[4-(二苯基氨基)苯基]苯(TDAPB)、聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)聚苯乙烯磺酸盐(PEDOT/PSS)和N-(联苯-4-基)-9,9-二甲基-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺，但不限于此。例如，HIL 250的厚度可以为1nm至30nm。
HTL 260可以包含选自以下的至少一种化合物：N,N’-二苯基-N,N’-双(3-甲基苯基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺(TPD)、NPB(NPD)、4,4’-双(N-咔唑基)-1,1’-联苯(CBP)、聚[N,N’-双(4-丁基苯基)-N,N’-双(苯基)-联苯胺](聚-TPD)、聚[(9,9-二辛基芴基-2,7-二基)-共聚-(4,4’-(N-(4-仲丁基苯基)二苯胺))](TFB)、二-[4-(N,N-二-对甲苯基-氨基)-苯基]环己烷(TAPC)、3,5-二(9H-咔唑-9-基)-N,N’-二苯基苯胺(DCDPA)、N-(联苯-4-基)-9,9-二甲基-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺和N-(联苯-4-基)-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)联苯-4-胺，但不限于此。例如，HTL 260的厚度可以为10nm至100nm。
ETL270可以包含以下中的至少一者：基于二唑的化合物、基于三唑的化合物、基于菲咯啉的化合物、基于苯并唑的化合物、基于苯并噻唑的化合物、基于苯并咪唑的化合物、和基于三嗪的化合物。例如，ETL 270可以包含选自以下的至少一种化合物：三-(8-羟基喹啉)铝(Alq3)、2-联苯-4-基-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-二唑(PBD)、螺-PBD、喹啉锂(Liq)、1,3,5-三(N-苯基苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)、双(2-甲基-8-羟基喹啉-N1,O8)-(1,1’-联苯-4-羟基)铝(BAlq)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(Bphen)、2,9-双(萘-2-基)4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(NBphen)、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP)、3-(4-联苯)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-三唑(TAZ)、4-(萘-1-基)-3,5-二苯基-4H-1,2,4-三唑(NTAZ)、1,3,5-三(对吡啶-3-基-苯基)苯(TpPyPB)、2,4,6-三(3’-(吡啶-3-基)联苯-3-基)1,3,5-三嗪(TmPPPyTz)、聚[9,9-双(3’-((N,N-二甲基)-N-乙基铵)-丙基)-2,7-芴-交替-2,7-(9,9-二辛基芴)]二溴化物(PFNBr)、三(苯基喹喔啉)(TPQ)和二苯基-4-三苯基甲硅烷基-苯基氧化膦(TSPO1)，但不限于此。例如，ETL 270的厚度可以为10nm至100nm。
EIL280可以包含以下中的至少一者：碱卤化物化合物例如LiF、CsF、NaF、或BaF2，和有机金属化合物例如Liq、苯甲酸锂、或硬脂酸钠，但不限于此。例如，EIL280的厚度可以为0.1nm至10nm。
位于HTL 260与EML240之间以阻挡电子从EML 240转移到HTL 260中的EBL265可以包含选自以下的至少一种化合物：TCTA、三[4-(二乙基氨基)苯基]胺、N-(联苯-4-基)-9,9-二甲基-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺、TAPC、MTDATA、1,3-双(咔唑-9-基)苯(mCP)、3,3’-双(N-咔唑基)-1,1’-联苯(mCBP)、CuPc、N,N’-双[4-[双(3-甲基苯基)氨基]苯基]-N,N’-二苯基-[1,1’-联苯]-4,4’-二胺(DNTPD)、TDAPB、DCDPA、和2,8-双(9-苯基-9H-咔唑-3-基)二苯并[b,d]噻吩，但不限于此。例如，EBL 265的厚度可以为1nm至30nm。
位于EML240与ETL 270之间以阻挡空穴从EML 240转移到ETL 270中的HBL275可以包含ETL270的上述材料。例如，HBL 275的材料具有比EML240的材料更低的HOMO能级并且可以为选自以下的至少一种化合物：BCP、BAlq、Alq3、PBD、螺-PBD、Liq、双-4,6-(3,5-二-3-吡啶基苯基)-2-甲基嘧啶(B3PYMPM)、双[2-(二苯基膦基)苯基]醚氧化物(DPEPO)、9-(6-(9H-咔唑-9-基)吡啶-3-基)-9H-3,9’-联咔唑、和TSPO1，但不限于此。例如，HBL275的厚度可以为1nm至30nm。
EML240包含作为p型主体的第一化合物242(例如第一主体)和作为n型主体的第二化合物244(例如第二主体)。此外，EML 240还可以包含作为磷光掺杂剂的第三化合物246(例如磷光发射体)。EML 240的厚度可以为10nm至100nm。
在EML240中，第一化合物242和第二化合物244中的每一者的重量％可以大于第三化合物246的重量％，并且第一化合物242的重量％和第二化合物244的重量％可以相同或不同。例如，在EML 240中，第一化合物242和第二化合物244可以具有相同的重量％，并且第三化合物246可以具有5至15的重量％。
EML240中的作为p型主体的第一化合物242由式1表示。
[式1]
在式1中，
R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7和R8各自独立地选自氘、卤素、氰基、经取代或未经取代的C1至C20烷基、经取代或未经取代的C1至C20烷氧基、经取代或未经取代的C1至C20烷基氨基、经取代或未经取代的C6至C30芳基氨基、经取代或未经取代的C6至C30芳基甲硅烷基、经取代或未经取代的C6至C30芳基和经取代或未经取代的C3至C60杂芳基，
a1、a6、a7和a8各自独立地为0至5的整数，a2、a4和a5各自独立地为0至4的整数，以及a3为0至3的整数。
在本公开的一个方面中，R4和R5中的至少一者可以选自经取代或未经取代的C6至C30芳基例如苯基和经取代或未经取代的C3至C60杂芳基例如咔唑基。
在本公开中，在没有具体限定的情况下，取代基可以选自氘、卤素基团、腈基、硝基、羟基、羰基、酯基、酰亚胺基、氨基、氧化膦基、烷氧基、芳氧基、烷基硫基、芳基硫基、烷基磺酰基、芳基磺酰基、甲硅烷基、硼基、烷基、环烷基、烯基、芳基、芳烷基、芳烯基、烷基芳基、烷基胺基、芳烷基胺基、杂芳基胺基、芳基胺基、芳基膦基、杂环基或杂芳基。这些取代基可以进一步被取代。这些取代基可以包含1至60个碳原子，特别地1、2、3、6或7至60、30、20、10或6个碳原子。并且杂环基或杂芳基可以包含一个或更多个杂原子，例如N、O、S、P或Si原子。例如，取代基可以选自氘、经取代或未经取代的C1至C20烷基、经取代或未经取代的C3至C20环烷基和经取代或未经取代的C6至C30芳基。
在本公开中，在没有具体限定的情况下，C6至C30芳基可以选自苯基、联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、戊烯基、茚基、茚并茚基、庚搭烯基、亚联苯基、引达省基(indacenyl)、菲基、苯并菲基、二苯并菲基、薁基、芘基、荧蒽基、三亚苯基、基、四苯基、并四苯基、苉基、五苯基、并五苯基、芴基、茚并芴基和螺芴基。
在本公开中，在没有具体限定的情况下，C3至C30杂芳基可以选自吡咯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、四嗪基、咪唑基、吡唑基、吲哚基、异吲哚基、吲唑基、吲嗪基、吡咯嗪基、咔唑基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、吲哚并咔唑基、茚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、喹啉基、异喹啉基、酞嗪基、喹喔啉基、噌啉基、喹唑啉基、喹嗪基、嘌呤基、苯并喹啉基、苯并异喹啉基、苯并喹唑啉基、苯并喹喔啉基、吖啶基、菲咯啉基、咟啶基、菲啶基、蝶啶基、萘啶基、呋喃基、嗪基、唑基、二唑基、三唑基、二英基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、噻喃基、呫吨基、色烯基、异色烯基、噻嗪基、噻吩基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、二呋喃并吡嗪基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并噻吩并苯并噻吩基、苯并噻吩并二苯并噻吩基、苯并噻吩并苯并呋喃基和苯并噻吩并二苯并呋喃基。
在本公开的一个方面中，在式1中，可以指定三苯基甲硅烷基的连接位置。例如，式1可以由式1-1或式1-2表示。
[式1-1]
[式1-2]
在式1-1中，
R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7和R8各自独立地选自氘、卤素、氰基、经取代或未经取代的C1至C20烷基、经取代或未经取代的C1至C20烷氧基、经取代或未经取代的C1至C20烷基氨基、经取代或未经取代的C6至C30芳基氨基、经取代或未经取代的C6至C30芳基甲硅烷基、经取代或未经取代的C6至C30芳基和经取代或未经取代的C3至C60杂芳基，
a6、a7和a8各自独立地为0至5的整数，a1、a2、a4和a5各自独立地为0至4的整数，以及a3为0至3的整数。
在式1-2中，
R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7和R8各自独立地选自氘、卤素、氰基、经取代或未经取代的C1至C20烷基、经取代或未经取代的C1至C20烷氧基、经取代或未经取代的C1至C20烷基氨基、经取代或未经取代的C6至C30芳基氨基、经取代或未经取代的C6至C30芳基甲硅烷基、经取代或未经取代的C6至C30芳基和经取代或未经取代的C3至C60杂芳基，
a1、a6、a7和a8各自独立地为0至5的整数，a2和a4各自独立地为0至4的整数，以及a3和a5独立地为0至3的整数。
例如，由式1表示的第一化合物242可以为式2中的化合物中的一者。
[式2]
在EML240中，作为n型主体的第二化合物244由式3表示。
[式3]
在式3中，
X1、X2和X3各自独立地选自CR16和N，X1、X2和X3中的至少一者为N，
Ar选自经取代或未经取代的C6至C30芳基和经取代或未经取代的C3至C60杂芳基，
R11、R12、R13、R14和R15各自独立地选自氘、卤素、氰基、经取代或未经取代的C1至C20烷基、经取代或未经取代的C1至C20烷氧基、经取代或未经取代的C1至C20烷基氨基、经取代或未经取代的C6至C30芳基氨基、经取代或未经取代的C6至C30芳基甲硅烷基、经取代或未经取代的C6至C30芳基和经取代或未经取代的C3至C60杂芳基，R16选自氢、氘、卤素、氰基、经取代或未经取代的C1至C20烷基、经取代或未经取代的C1至C20烷氧基、经取代或未经取代的C1至C20烷基氨基、经取代或未经取代的C6至C30芳基氨基、经取代或未经取代的C6至C30芳基甲硅烷基、经取代或未经取代的C6至C30芳基和经取代或未经取代的C3至C60杂芳基，
b1和b2各自独立地为0至4的整数，b3、b4和b5各自独立地为0至5的整数。
在本公开的一个方面中，X1、X2和X3各自可以为N，并且Ar可以选自经取代或未经取代的C6至C30芳基例如苯基和经取代或未经取代的C3至C60杂芳基例如咔唑基。此外，R11和R12各自可以独立地选自氘和未经取代或经氘取代的C3至C30杂芳基。
在本公开的一个方面中，除三苯基甲硅烷基之外的Ar和咔唑基可以经氘取代。
例如，由式3表示的第二化合物244可以为式4中的化合物中的一者。
[式4]
由式1表示的第一化合物242具有联咔唑(例如，双咔唑)部分和大体积的三苯基硅烷部分，由式3表示的第二化合物244具有含氮环例如三嗪环和大体积的三苯基硅烷部分。因此，可以在第一化合物242与第二化合物244之间产生具有长波长的激基复合物，并且可以增加激基复合物产生的效率。
在EML240中，作为磷光掺杂剂的第三化合物246由式5表示。
[式5]
在式5中，
X1和X2中的一者为C，并且X1和X2中的另一者为N，
R21、R22、R23、R24和R25各自独立地选自氘、卤素、氰基、经取代或未经取代的C1至C20烷基、经取代或未经取代的C3至C20环烷基、经取代或未经取代的C1至C20烷基甲硅烷基、经取代或未经取代的C1至C20烷基氨基、经取代或未经取代的C6至C30芳基氨基、经取代或未经取代的C6至C30芳基甲硅烷基、经取代或未经取代的C6至C30芳基和经取代或未经取代的C3至C30杂芳基，
R26选自氢、氘、卤素、氰基、经取代或未经取代的C1至C20烷基、经取代或未经取代的C3至C20环烷基、经取代或未经取代的C1至C20烷基甲硅烷基、经取代或未经取代的C1至C20烷基氨基、经取代或未经取代的C6至C30芳基氨基、经取代或未经取代的C6至C30芳基甲硅烷基、经取代或未经取代的C6至C30芳基和经取代或未经取代的C3至C30杂芳基，
d1和d2各自独立地为0至4的整数，d4为0至3的整数，以及d3和d5各自独立地为0至2的整数。
在本公开的一个方面中，R21、R22、R23、R24、R25和R26各自可以独立地选自经取代或未经取代的C1至C20烷基例如甲基或叔丁基和经取代或未经取代的C6至C30芳基例如苯基。在本公开的一个方面中，d1、d2、d3、d4和d5中的至少一者可以为正整数。
在本公开的一个方面中，式5可以由式5-1或式5-2表示。
[式5-1]
[式5-2]
在式5-1和式5-2中的每一者中，R21至R26和d1至d5的限定与式5中的那些相同。
例如，作为磷光掺杂剂的第三化合物246可以为式6中的化合物中的一者。
[式6]
第三化合物246可以具有在430nm至490nm范围内的最大发射波长。
第三化合物246的最低未占据分子轨道(LUMO)能级低于第一化合物242的最低未占据分子轨道(LUMO)能级并且高于第二化合物244的最低未占据分子轨道(LUMO)能级。
因此，电子被捕获到第二化合物244中，使得磷光掺杂剂上的由磷光掺杂剂中的电子捕获产生的应力减小。因此，OLED D1的发光效率和寿命增加。
测量第一化合物242和第二化合物244的最高占据分子轨道(HOMO)能级和LUMO能级并列于表1中。
确定HOMO能级的各种方法是技术人员已知的。例如，可以使用常规表面分析仪例如由RKI仪器制造的AC3表面分析仪确定HOMO能级。表面分析仪可以用于探究厚度为50nm的化合物的单膜(净膜)。LUMO能级可以如下计算：
LUMO＝HOMO-带隙。
带隙可以使用技术人员已知的任何常规方法，例如由厚度为50nm的单膜的UV-vis测量结果来计算。例如，这可以使用SCINCO S-3100分光光度计来完成。可以以这种方式确定本文公开的实例和实施方案的化合物的HOMO值和LUMO值。即，HOMO值和LUMO值可以为薄膜例如50nm膜的实验地或经验地确定的值。
表1
| HOMO(eV) | LUMO(eV) | HOMO(eV) | LUMO(eV) | ||
| P1 | -5.37 | -1.92 | N1 | -6.00 | -2.80 |
| P2 | -5.37 | -1.97 | N2 | -5.95 | -2.50 |
| P3 | -5.50 | -1.90 | N3 | -6.00 | -2.81 |
| P4 | -5.50 | -1.90 | N4 | -6.05 | -2.70 |
| P5 | -5.40 | -1.95 | N5 | -5.96 | -2.50 |
| P6 | -5.39 | -2.04 |
第一化合物242的LUMO能级与第二化合物244的LUMO能级之差可以等于或大于0.4eV。
第一化合物242的HOMO能级的范围为-5.70eV至-5.30eV，以及第一化合物242的LUMO能级的范围为-2.20eV至-1.90eV。第二化合物244的HOMO能级的范围为-6.40eV至-5.70eV，以及第二化合物244的LUMO能级的范围为-3.00eV至-2.50eV。
因此，可以在第一化合物242与第二化合物244之间以高激基复合物产生效率产生具有长波长的激基复合物。激基复合物转移至第三化合物246中，并且由第三化合物246提供发光。因此，提高了OLED D1的发光效率和寿命。
即，参照图4(其为示出本公开的OLED中的发光材料层中的发光机制的图)，在EML240中，在为第一化合物242的p型主体“p-主体”与为第二化合物244的n型主体“n-主体”之间产生激基复合物，并且激基复合物转移至为第三化合物246的磷光掺杂剂“PD”中。最后，由磷光掺杂剂“PD”提供发光。
在红色像素区域中，OLED D1包括红色EML。红色EML包含红色主体和红色掺杂剂。在绿色像素区域中，OLED D1包括绿色EML。绿色EML包含绿色主体和绿色掺杂剂。红色掺杂剂和绿色掺杂剂各自可以为荧光化合物、磷光化合物和延迟荧光化合物中的一者。
如上所述，在蓝色像素区域中，OLED D1的EML 240包含由式1表示的第一化合物242、由式3表示的第二化合物244和由式5表示的第三化合物246，并且长波长激基复合物的产生效率增加。此外，由于由式3表示的第二化合物244的LUMO能级低于第三化合物246的LUMO能级，因此第三化合物246上的由向第三化合物246中的电子捕获产生的应力减小。因此，在OLED D1和包括OLED D1的有机发光显示装置100中，发光效率和寿命显著增加。
[OLED]
顺序地沉积阳极(ITO，50nm)、HIL(式7-1，7nm)、HTL(式7-2，45nm)、EBL(式7-3，10nm)、EML(30nm)、HBL(式7-4，10nm)、ETL(式7-5，30nm)、EIL(LiF，1nm)和阴极(Al，70nm)以形成OLED。
[式7-1]
[式7-2]
[式7-3]
[式7-4]
[式7-5]
1.比较例
(1)比较例1(Ref1)
使用式8中的化合物Ref-P1(45重量％)、式4中的化合物N1(45重量％)、式6中的化合物PD1(10重量％)来形成EML。
(2)比较例2(Ref2)
使用式8中的化合物Ref-P1(45重量％)、式9中的化合物Ref_N1(45重量％)、式6中的化合物PD1(10重量％)来形成EML。
(3)比较例3(Ref3)
使用式2中的化合物P1(45重量％)、式9中的化合物Ref_N2(45重量％)、式6中的化合物PD1(10重量％)来形成EML。
(4)比较例4(Ref4)
使用式8中的化合物Ref-P2(45重量％)、式4中的化合物N1(45重量％)、式6中的化合物PD1(10重量％)来形成EML。
(5)比较例5(Ref5)
使用式8中的化合物Ref-P2(45重量％)、式4中的化合物N3(45重量％)、式6中的化合物PD1(10重量％)来形成EML。
(6)比较例6(Ref6)
使用式2中的化合物P1(45重量％)、式9中的化合物Ref_N3(45重量％)、式6中的化合物PD1(10重量％)来形成EML。
[式8]
[式9]
2.实施例
(1)实施例1(Ex1)
使用式2中的化合物P1(45重量％)、式4中的化合物N1(45重量％)、式6中的化合物PD1(10重量％)来形成EML。
(2)实施例2(Ex2)
使用式2中的化合物P2(45重量％)、式4中的化合物N1(45重量％)、式6中的化合物PD1(10重量％)来形成EML。
(3)实施例3(Ex3)
使用式2中的化合物P1(45重量％)、式4中的化合物N3(45重量％)、式6中的化合物PD1(10重量％)来形成EML。
(4)实施例4(Ex4)
使用式2中的化合物P2(45重量％)、式4中的化合物N3(45重量％)、式6中的化合物PD1(10重量％)来形成EML。
(5)实施例5(Ex5)
使用式2中的化合物P3(45重量％)、式4中的化合物N3(45重量％)、式6中的化合物PD1(10重量％)来形成EML。
(6)实施例6(Ex6)
使用式2中的化合物P4(45重量％)、式4中的化合物N3(45重量％)、式6中的化合物PD1(10重量％)来形成EML。
(7)实施例7(Ex7)
使用式2中的化合物P5(45重量％)、式4中的化合物N3(45重量％)、式6中的化合物PD1(10重量％)来形成EML。
(8)实施例8(Ex8)
使用式2中的化合物P6(45重量％)、式4中的化合物N3(45重量％)、式6中的化合物PD1(10重量％)来形成EML。
测量比较例1至6和实施例1至8中的OLED的发光特性，即驱动电压(V)、外量子效率(EQE)和寿命(T95)并列于表2中。
表2
如表2所示，与比较例1至6的OLED相比，其中EML包含由式1表示的第一化合物即p型主体和由式3表示的第二化合物即n型主体的实施例1至8的OLED的发光效率和寿命中的至少一者显著增加。
此外，与使用式4中的化合物N1的实施例1和2的OLED相比，使用式4中的化合物N3的OLED的寿命显著增加。即，当在OLED中包含其中式3中的除三苯基甲硅烷基之外的Ar和咔唑基经氘取代的第二化合物N3时，OLED的寿命显著增加。
参照图5A，在比较例2的OLED中，在p型主体即化合物Ref_P1与n型主体即化合物Ref_N1之间产生激基复合物，使得显示出具有比p型主体即化合物Ref_P1的PL光谱和n型主体即化合物Ref_N1的PL光谱中的每一者更长的波长的PL光谱。然而，由于在p型主体即化合物Ref_P1与n型主体即化合物Ref_N1之间产生的激基复合物具有相对短的波长，因此向磷光掺杂剂中的能量转移效率降低。此外，由于n型主体即化合物Ref_N1的LUMO能级高于磷光掺杂剂的LUMO能级，因此电子被捕获在磷光掺杂剂中，使得OLED的寿命显著降低。
然而，参照图5B和5C，由于在由式1表示的第一化合物即p型主体与由式3表示的第二化合物即n型主体之间产生具有相对长的波长的激基复合物，因此向磷光掺杂剂中的能量转移效率提高。此外，由于由式3表示的第二化合物即n型主体的LUMO能级低于磷光掺杂剂的LUMO能级，因此防止向磷光掺杂剂中的电子捕获或者使向磷光掺杂剂中的电子捕获最小化，使得OLED的寿命显著增加。
图6是根据本公开的第三实施方案的OLED的示意性截面图。
如图6所示，OLED D2包括面向彼此的第一电极210和第二电极230以及其间的有机发光层220。有机发光层220包括第一发光部310和第二发光部340，所述第一发光部310包括第一蓝色EML 320，所述第二发光部340包括第二蓝色EML350。有机发光层220可以包括在第一发光部310与第二发光部340之间的CGL370。OLED D2还可以包括在第二电极230上的覆盖层以提高光提取效率。
有机发光显示装置100可以包括红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域，以及OLED D2可以位于蓝色像素区域中。
第一电极210可以为阳极，并且第二电极230可以为阴极。第一电极210和第二电极230中的一者可以为反射电极，并且第一电极210和第二电极230中的另一者可以为透明(或半透明)电极。例如，第一电极210可以具有ITO的单层结构，以及第二电极230可以由Al形成。
第一发光部310还可以包括在第一蓝色EML 320下方的第一HTL 334和在第一蓝色EML320上方的第一ETL 336中的至少一者。
此外，第一发光部310还可以包括在第一电极210与第一HTL 334之间的HIL332。
此外，第一发光部310还可以包括在第一HTL 334与第一蓝色EML 320之间的第一EBL和在第一蓝色EML 320与第一ETL 336之间的第一HBL中的至少一者。
第二发光部340还可以包括在第二蓝色EML 350下方的第二HTL 362和在第二蓝色EML350上方的第二ETL 364中的至少一者。
此外，第二发光部340还可以包括在第二电极230与第二ETL 364之间的EIL366。
此外，第二发光部340还可以包括在第二HTL 362与第二蓝色EML 350之间的第二EBL和在第二蓝色EML 350与第二ETL 364之间的第二HBL中的至少一者。
例如，HIL332可以包含选自以下的至少一种化合物：MTDATA、NATA、1T-NATA、2T-NATA、CuPc、TCTA、NPB(或NPD)、HAT-CN、TDAPB、PEDOT/PSS和N-(联苯-4-基)-9,9-二甲基-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺。
第一HTL334和第二HTL362各自可以包含选自以下的至少一种化合物：TPD、NPB(或NPD)、CBP、聚-TPD、TFB、TAPC、DCDPA、N-(联苯-4-基)-9,9-二甲基-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺和N-(联苯-4-基)-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)联苯-4-胺。
第一ETL336和第二ETL364各自可以包含以下中的至少一者：基于二唑的化合物、基于三唑的化合物、基于菲咯啉的化合物、基于苯并唑的化合物、基于苯并噻唑的化合物、基于苯并咪唑的化合物、和基于三嗪的化合物。例如，第一ETL336和第二ETL 364各自可以包含选自以下的至少一种化合物：Alq3、PBD、螺-PBD、Liq、TPBi、BAlq、Bphen、NBphen、BCP、TAZ、NTAZ、TpPyPB、TmPPPyTz、PFNBr、TPQ和TSPO1。
EIL366可以包含以下中的至少一者：碱卤化物化合物，例如LiF、CsF、NaF、或BaF2；和有机金属化合物，例如Liq、苯甲酸锂、或硬脂酸钠。
第一EBL和第二EBL各自可以包含选自以下的至少一种化合物：TCTA、三[4-(二乙基氨基)苯基]胺、N-(联苯-4-基)-9,9-二甲基-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺、TAPC、MTDATA、mCP、mCBP、CuPc、DNTPD、TDAPB、DCDPA和2,8-双(9-苯基-9H-咔唑-3-基)二苯并[b,d]噻吩。
第一HBL和第二HBL各自可以包含选自以下的至少一种化合物：BCP、BAlq、Alq3、PBD、螺-PBD、Liq、B3PYMPM、DPEPO、9-(6-(9H-咔唑-9-基)吡啶-3-基)-9H-3,9’-联咔唑和TSPO1。
CGL370位于第一发光部310与第二发光部340之间。即，第一发光部310和第二发光部340通过CGL370彼此连接。CGL 370可以为N型CGL372和P型CGL374的PN结CGL。
N型CGL372位于第一ETL336与第二HTL 362之间，以及P型CGL 374位于N型CGL372与第二HTL362之间。
N型CGL372向第一发光部310的第一蓝色EML 320中提供电子，以及P型CGL374向第二发光部340的第二蓝色EML 350中提供空穴。
N型CGL372可以为掺杂有碱金属(例如Li、Na、K和Cs)和/或碱土金属(例如Mg、Sr、Ba和Ra)的有机层。例如，N型CGL 372可以由N型电荷生成材料形成，所述N型电荷生成材料包含为有机材料的主体例如4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(Bphen)和MTDATA、为碱金属和/或碱土金属的掺杂剂，并且掺杂剂可以以0.01至30的重量％掺杂。
P型CGL374可以由P型电荷生成材料形成，所述P型电荷生成材料包括无机材料例如钨氧化物(WOx)、钼氧化物(MoOx)、氧化铍(Be2O3)或氧化钒(V2O5)，有机材料例如NPD、HAT-CN、F4TCNQ、TPD、TNB、TCTA、N,N’-二辛基-3,4,9,10-二甲酰亚胺(PTCDI-C8)，或其组合。
第一蓝色EML320包含为n型主体的第一化合物322例如第一主体和为p型主体的第二化合物324例如第二主体。第一蓝色EML 320还可以包含为磷光掺杂剂的第三化合物326。第一蓝色EML 320的厚度可以在10nm至100nm的范围内。
在第一蓝色EML320中，第一化合物322和第二化合物324中的每一者的重量％可以大于第三化合物326的重量％。第一化合物322的重量％和第二化合物324的重量％可以相同或不同。例如，在第一蓝色EML 320中，第一化合物322和第二化合物324可以具有相同的重量％，以及第三化合物326可以具有5至15的重量％。
第一化合物322由式1表示并且可以为式2中的化合物中的一者。第二化合物324由式3表示并且可以为式4中的化合物中的一者。第三化合物326由式5表示并且可以为式6中的化合物中的一者。
第二蓝色EML350包含为主体的第四化合物352和为蓝色掺杂剂的第五化合物354。第五化合物354可以为蓝色荧光掺杂剂。第二蓝色EML 350的厚度可以在10nm至100nm的范围内。
例如，第四化合物352可以选自mCP、9-(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)-9H-咔唑-3-腈(mCP-CN)、mCBP、CBP-CN、9-(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)-3-(二苯基磷酰基)-9H-咔唑(mCPPO1)、3,5-二(9H-咔唑-9-基)联苯(Ph-mCP)、TSPO1、9-(3’-(9H-咔唑-9-基)-[1,1’-联苯]-3-基)-9H-吡啶并[2,3-b]吲哚(CzBPCb)、双(2-甲基苯基)二苯基硅烷(UGH-1)、1,4-双(三苯基甲硅烷基)苯(UGH-2)、1,3-双(三苯基甲硅烷基)苯(UGH-3)、9,9-螺二芴-2-基-二苯基-氧化膦(SPPO1)和9,9’-(5-(三苯基甲硅烷基)-1,3-亚苯基)双(9H-咔唑)(SimCP)。
例如，第五化合物354可以选自、4,4’-双[4-(二-对甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯(DPAVBi)、4-(二-对甲苯基氨基)-4-4’-[(二-对甲苯基氨基)苯乙烯基](DPAVB)、4,4’-双[4-(二苯基氨基)苯乙烯基]联苯(BDAVBi)、2,7-双(4-二苯基氨基)苯乙烯基-9,9-螺芴(螺-DPVBi)、1,4-双[2-[4-[N,N-二(对甲苯基)氨基]苯基]乙烯基]苯(DSB)、1-4-二-[4-(N,N-二苯基)氨基]苯乙烯基-苯(DSA)、2,5,8,11-四叔丁基(TBPe)、双(2-羟基苯基-吡啶)合铍(Bepp2)和9-(9-苯基咔唑-3-基)-10-(萘-1-基)蒽(PCAN)。
例如，第二蓝色EML350可以包含作为主体的蒽衍生物和作为蓝色掺杂剂的硼衍生物。
在蓝色像素区域中，OLED D2的有机发光层220包括第一蓝色EML 320和第二蓝色EML350以具有串联结构。
在这种情况下，第一蓝色EML320包含由式1表示的第一化合物322、由式3表示的第二化合物324和由式5的表示第三化合物326，使得第一化合物322与第二化合物324之间具有长波长的激基复合物的产生效率增加。
此外，由于第二化合物324的LUMO能级低于第三化合物326的LUMO能级，因此第三化合物326上的应力减小，使得OLED D2的发光效率和寿命增加。
此外，由于由式3表示的第二化合物324具有延迟荧光特性，因此非辐射三线态激子参与发光体系，使得OLED D2和包括OLED D2的有机发光显示装置100的发光效率进一步得到提高。
图7是根据本公开的第四实施方案的OLED的示意性截面图。
如图7所示，OLED D3包括面向彼此的第一电极210和第二电极230以及其间的有机发光层220。有机发光层220包括第一发光部410和第二发光部440，所述第一发光部410包括第一蓝色EML 420，所述第二发光部440包括第二蓝色EML450。有机发光层220可以包括在第一发光部410与第二发光部440之间的CGL470。OLED D3还可以包括在第二电极230上的覆盖层以提高光提取效率。
有机发光显示装置100可以包括红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域，并且OLED D3可以位于蓝色像素区域中。
第一电极210可以为阳极，并且第二电极230可以为阴极。第一电极210和第二电极230中的一者可以为反射电极，并且第一电极210和第二电极230中的另一者可以为透明(或半透明)电极。例如，第一电极210可以具有ITO的单层结构，以及第二电极230可以由Al形成。
第一发光部410还可以包括在第一蓝色EML 420下方的第一HTL 434和在第一蓝色EML420上方的第一ETL 436中的至少一者。
此外，第一发光部410还可以包括在第一电极210与第一HTL 434之间的HIL432。
此外，第一发光部410还可以包括在第一HTL 434与第一蓝色EML 420之间的第一EBL和在第一蓝色EML 420与第一ETL 436之间的第一HBL中的至少一者。
第二发光部440还可以包括在第二蓝色EML 450下方的第二HTL 462和在第二蓝色EML450上方的第二ETL 464中的至少一者。
此外，第二发光部440还可以包括在第二电极230与第二ETL 464之间的EIL466。
此外，第二发光部440还可以包括在第二HTL 462与第二蓝色EML 450之间的第二EBL和在第二蓝色EML 450与第二ETL 464之间的第二HBL中的至少一者。
例如，HIL432可以包含选自以下的至少一种化合物：MTDATA、NATA、1T-NATA、2T-NATA、CuPc、TCTA、NPB(或NPD)、HAT-CN、TDAPB、PEDOT/PSS和N-(联苯-4-基)-9,9-二甲基-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺。
第一HTL 434和第二HTL 462各自可以包含选自以下的至少一种化合物：TPD、NPB(或NPD)、CBP、聚-TPD、TFB、TAPC、DCDPA、N-(联苯-4-基)-9,9-二甲基-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺和N-(联苯-4-基)-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)联苯-4-胺。
第一ETL 436和第二ETL 464各自可以包含以下中的至少一者：基于二唑的化合物、基于三唑的化合物、基于菲咯啉的化合物、基于苯并唑的化合物、基于苯并噻唑的化合物、基于苯并咪唑的化合物和基于三嗪的化合物。例如，第一ETL 436和第二ETL 464各自可以包含选自以下的至少一种化合物：Alq3、PBD、螺-PBD、Liq、TPBi、BAlq、Bphen、NBphen、BCP、TAZ、NTAZ、TpPyPB、TmPPPyTz、PFNBr、TPQ和TSPO1。
EIL 466可以包含以下中的至少一者：碱卤化物化合物，例如LiF、CsF、NaF、或BaF2；和有机金属化合物，例如Liq、苯甲酸锂、或硬脂酸钠。
第一EBL和第二EBL各自可以包含选自以下的至少一种化合物：TCTA、三[4-(二乙基氨基)苯基]胺、N-(联苯-4-基)-9,9-二甲基-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺、TAPC、MTDATA、mCP、mCBP、CuPc、DNTPD、TDAPB、DCDPA和2,8-双(9-苯基-9H-咔唑-3-基)二苯并[b,d]噻吩。
第一HBL和第二HBL各自可以包含选自以下的至少一种化合物：BCP、BAlq、Alq3、PBD、螺-PBD、Liq、B3PYMPM、DPEPO、9-(6-(9H-咔唑-9-基)吡啶-3-基)-9H-3,9’-联咔唑和TSPO1。
CGL 470位于第一发光部410与第二发光部440之间。即，第一发光部410和第二发光部440通过CGL 470彼此连接。CGL 470可以为N型CGL 472和P型CGL 474的PN结CGL。
N型CGL 472位于第一ETL 436与第二HTL 462之间，以及P型CGL 474位于N型CGL472与第二HTL 462之间。
N型CGL 472向第一发光部410的第一蓝色EML 420中提供电子，以及P型CGL 474向第二发光部440的第二蓝色EML 450中提供空穴。
N型CGL 472可以为掺杂有碱金属(例如Li、Na、K和Cs)和/或碱土金属(例如Mg、Sr、Ba和Ra)的有机层。例如，N型CGL 472可以由N型电荷生成材料形成，所述N型电荷生成材料包含为有机材料的主体(例如，4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(Bphen)和MTDATA)、为碱金属和/或碱土金属的掺杂剂，并且掺杂剂可以以0.01至30的重量％掺杂。
P型CGL474可以由P型电荷生成材料形成，所述P型电荷生成材料包括无机材料，例如钨氧化物(WOx)、钼氧化物(MoOx)、氧化铍(Be2O3)或氧化钒(V2O5)，有机材料，例如NPD、HAT-CN、F4TCNQ、TPD、TNB、TCTA、N,N’-二辛基-3,4,9,10-二甲酰亚胺(PTCDI-C8)，或其组合。
第一蓝色EML420包含为主体的第四化合物422和为蓝色掺杂剂的第五化合物424。第五化合物424可以为蓝色荧光掺杂剂。第一蓝色EML 420的厚度可以在10nm至100nm的范围内。
例如，第四化合物422可以选自mCP、mCP-CN、mCBP、CBP-CN、mCPPO1、Ph-mCP、TSPO1、CzBPCb、UGH-1、UGH-2、UGH-3、SPPO1和SimCP，以及第五化合物424可以选自DPAVBi、DPAVB、BDAVBi、螺-DPVBi、DSB、DSA、TBPe、Bepp2和PCAN。
例如，第一蓝色EML420可以包含作为主体的蒽衍生物和作为蓝色掺杂剂的硼衍生物。
第二蓝色EML450包含为n型主体的第一化合物452例如第一主体，和为p型主体的第二化合物454例如第二主体。第二蓝色EML 450还可以包含为磷光掺杂剂的第三化合物456。第二蓝色EML 450的厚度可以在10nm至100nm的范围内。
在第二蓝色EML450中，第一化合物452和第二化合物454中的每一者的重量％可以大于第三化合物456的重量％。第一化合物452的重量％和第二化合物454的重量％可以相同或不同。例如，在第二蓝色EML 450中，第一化合物452和第二化合物454可以具有相同的重量％，以及第三化合物456可以具有5至15的重量％。
第一化合物452由式1表示并且可以为式2中的化合物中的一者。第二化合物454由式3表示并且可以为式4中的化合物中的一者。第三化合物456由式5表示并且可以为式6中的化合物中的一者。
在蓝色像素区域中，OLED D3的有机发光层220包括第一蓝色EML 420和第二蓝色EML450以具有串联结构。
在这种情况下，第二蓝色EML450包含由式1表示的第一化合物452、由式3表示的第二化合物454和由式5的表示的第三化合物456，使得第一化合物452与第二化合物454之间具有长波长的激基复合物的产生效率增加。
此外，由于第二化合物454的LUMO能级低于第三化合物456的LUMO能级，因此第三化合物456上的应力减小，使得OLED D3的发光效率和寿命增加。
此外，由于由式3表示的第二化合物454具有延迟荧光特性，因此非辐射三线态激子参与发光体系，使得OLED D3和包括OLED D3的有机发光显示装置100的发光效率进一步得到提高。
图8是根据本公开的第五实施方案的OLED的示意性截面图。
如图8所示，OLED D4包括面向彼此的第一电极210和第二电极230以及其间的有机发光层220。有机发光层220包括第一发光部510和第二发光部540，所述第一发光部510包括第一蓝色EML 520，所述第二发光部540包括第二蓝色EML550。有机发光层220可以包括在第一发光部510与第二发光部540之间的CGL570。OLED D4还可以包括在第二电极230上的覆盖层以提高光提取效率。
有机发光显示装置100可以包括红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域，并且OLED D4可以位于蓝色像素区域中。
第一电极210可以为阳极，并且第二电极230可以为阴极。第一电极210和第二电极230中的一者可以为反射电极，并且第一电极210和第二电极230中的另一者可以为透明(或半透明)电极。例如，第一电极210可以具有ITO的单层结构，以及第二电极230可以由Al形成。
第一发光部510还可以包括在第一蓝色EML 520下方的第一HTL 534和在第一蓝色EML520上方的第一ETL 536中的至少一者。
此外，第一发光部510还可以包括在第一电极210与第一HTL 534之间的HIL532。
此外，第一发光部510还可以包括在第一HTL 534与第一蓝色EML 520之间的第一EBL和在第一蓝色EML 520与第一ETL 536之间的第一HBL中的至少一者。
第二发光部540还可以包括在第二蓝色EML 550下方的第二HTL 562和在第二蓝色EML550上方的第二ETL 564中的至少一者。
此外，第二发光部540还可以包括在第二电极230与第二ETL 564之间的EIL566。
此外，第二发光部540还可以包括在第二HTL 562与第二蓝色EML550之间的第二EBL和在第二蓝色EML 550与第二ETL 564之间的第二HBL中的至少一者。
例如，HIL 532可以包含选自以下的至少一种化合物：MTDATA、NATA、1T-NATA、2T-NATA、CuPc、TCTA、NPB(或NPD)、HAT-CN、TDAPB、PEDOT/PSS和N-(联苯-4-基)-9,9-二甲基-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺。
第一HTL 534和第二HTL 562各自可以包含选自以下的至少一种化合物：TPD、NPB(或NPD)、CBP、聚-TPD、TFB、TAPC、DCDPA、N-(联苯-4-基)-9,9-二甲基-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺和N-(联苯-4-基)-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)联苯-4-胺。
第一ETL 536和第二ETL 564各自可以包含以下中的至少一者：基于二唑的化合物、基于三唑的化合物、基于菲咯啉的化合物、基于苯并唑的化合物、基于苯并噻唑的化合物、基于苯并咪唑的化合物和基于三嗪的化合物。例如，第一ETL 536和第二ETL 564各自可以包含选自以下的至少一种化合物：Alq3、PBD、螺-PBD、Liq、TPBi、BAlq、Bphen、NBphen、BCP、TAZ、NTAZ、TpPyPB、TmPPPyTz、PFNBr、TPQ和TSPO1。
EIL 566可以包含以下中的至少一者：碱卤化物化合物，例如LiF、CsF、NaF、或BaF2；和有机金属化合物，例如Liq、苯甲酸锂、或硬脂酸钠。
第一EBL和第二EBL各自可以包含选自以下的至少一种化合物：TCTA、三[4-(二乙基氨基)苯基]胺、N-(联苯-4-基)-9,9-二甲基-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺、TAPC、MTDATA、mCP、mCBP、CuPc、DNTPD、TDAPB、DCDPA和2,8-双(9-苯基-9H-咔唑-3-基)二苯并[b,d]噻吩。
第一HBL和第二HBL各自可以包含选自以下的至少一种化合物：BCP、BAlq、Alq3、PBD、螺-PBD、Liq、B3PYMPM、DPEPO、9-(6-(9H-咔唑-9-基)吡啶-3-基)-9H-3,9’-联咔唑和TSPO1。
CGL 570位于第一发光部510与第二发光部540之间。即，第一发光部510和第二发光部540通过CGL 570彼此连接。CGL 570可以为N型CGL 572和P型CGL 574的PN结CGL。
N型CGL 572位于第一ETL 536与第二HTL 562之间，以及P型CGL 574位于N型CGL572与第二HTL 562之间。
N型CGL 572向第一发光部510的第一蓝色EML 520中提供电子，以及P型CGL 574向第二发光部540的第二蓝色EML 550中提供空穴。
N型CGL 572可以为掺杂有碱金属(例如Li、Na、K和Cs)和/或碱土金属(例如Mg、Sr、Ba和Ra)的有机层。例如，N型CGL 572可以由N型电荷生成材料形成，所述N型电荷生成材料包含为有机材料的主体(例如，4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(Bphen)和MTDATA)、为碱金属和/或碱土金属的掺杂剂，并且掺杂剂可以以0.01至30的重量％掺杂。
P型CGL 574可以由P型电荷生成材料形成，所述P型电荷生成材料包括无机材料例如钨氧化物(WOx)、钼氧化物(MoOx)、氧化铍(Be2O3)或氧化钒(V2O5)，有机材料例如NPD、HAT-CN、F4TCNQ、TPD、TNB、TCTA、N,N’-二辛基-3,4,9,10-苝二甲酰亚胺(PTCDI-C8)，或其组合。
第一蓝色EML 520包含为n型主体的第一化合物522例如第一主体，和为p型主体的第二化合物524例如第二主体。第一蓝色EML 520还可以包含为磷光掺杂剂的第三化合物526。第一蓝色EML 520的厚度可以在10nm至100nm的范围内。
在第一蓝色EML 520中，第一化合物522和第二化合物524中的每一者的重量％可以大于第三化合物526的重量％。第一化合物522的重量％和第二化合物524的重量％可以相同或不同。例如，在第一蓝色EML 520中，第一化合物522和第二化合物524可以具有相同的重量％，以及第三化合物526可以具有5至15的重量％。
第一化合物522由式1表示并且可以为式2中的化合物中的一者。第二化合物524由式3表示并且可以为式4中的化合物中的一者。第三化合物526由式5表示并且可以为式6中的化合物中的一者。
第二蓝色EML 550包含为n型主体的第四化合物552例如第一主体，和为p型主体的第五化合物554例如第二主体。第二蓝色EML 550还可以包含为磷光掺杂剂的第六化合物556。第二蓝色EML 550的厚度可以在10nm至100nm的范围内。
在第二蓝色EML 550中，第四化合物552和第五化合物554中的每一者的重量％可以大于第六化合物556的重量％。第四化合物552的重量％和第五化合物554的重量％可以相同或不同。例如，在第二蓝色EML 550中，第四化合物552和第五化合物554可以具有相同的重量％，以及第六化合物556可以具有5至15的重量％。
第四化合物552由式1表示并且可以为式2中的化合物中的一者。第五化合物554由式3表示并且可以为式4中的化合物中的一者。第六化合物556由式5表示并且可以为式6中的化合物中的一者。
第一蓝色EML520中的第一化合物522和第二蓝色EML 550中的第四化合物552可以相同或不同。第一蓝色EML 520中的第二化合物524和第二蓝色EML550中的第五化合物554可以相同或不同。第一蓝色EML 520中的第三化合物526和第二蓝色EML 550中的第六化合物556可以相同或不同。
在蓝色像素区域中，OLED D4的有机发光层220包括第一蓝色EML 520和第二蓝色EML550以具有串联结构。
在这种情况下，第一蓝色EML520包含由式1表示的第一化合物522、由式3表示的第二化合物524和由式5表示的第三化合物526，以及第二蓝色EML550包含由式1表示的第四化合物552、由式3表示的第五化合物554和由式5表示的第六化合物556。因此，第一化合物522与第二化合物524之间具有长波长的激基复合物的产生效率以及第四化合物552与第五化合物554之间具有长波长的激基复合物的产生效率增加。
此外，由于第二化合物524和第五化合物554的LUMO能级分别低于第三化合物526和第六化合物556的LUMO能级，因此第三化合物526和第六化合物556上的应力减小，使得OLED D4的发光效率和寿命增加。
此外，由于各自由式3表示的第二化合物524和第五化合物554具有延迟荧光特性，因此非辐射三线态激子参与发光体系，使得OLED D4和包括OLED D4的有机发光显示装置100的发光效率进一步得到提高。
图9是示出根据本公开的第六实施方案的有机发光显示装置的示意性截面图。
如图9所示，有机发光显示装置600包括：第一基板610，其中限定有红色像素区域RP、绿色像素区域GP和蓝色像素区域BP；面向第一基板610的第二基板670；OLED D，所述OLED D位于第一基板610与第二基板670之间并且提供白色发光；以及在OLED D与第二基板670之间的颜色转换层680。
虽然未示出，但是可以在第二基板670与各颜色转换层680之间形成滤色器。
第一基板610和第二基板670各自可以为玻璃基板或柔性基板。例如，柔性基板可以为聚酰亚胺(PI)基板、聚醚砜(PES)基板、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)基板、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)基板或聚碳酸酯(PC)基板。
在第一基板610上形成有对应于红色像素区域RP、绿色像素区域GP和蓝色像素区域BP中的每一者的TFT Tr，并且形成有平坦化层650以覆盖TFT Tr，所述平坦化层650具有使TFT Tr的电极(例如漏电极)露出的漏极接触孔652。
在平坦化层650上形成有包括第一电极210、有机发光层220和第二电极230的OLEDD。在这种情况下，第一电极210可以通过漏极接触孔652连接至TFT Tr的漏电极。
第一电极210可以为阳极，并且第二电极230可以为阴极。第一电极210和第二电极230中的一者可以为反射电极，并且第一电极210和第二电极230中的另一者可以为透明(或半透明)电极。例如，第一电极210可以具有ITO的单层结构，以及第二电极230可以由Al形成。
在平坦化层650上形成有堤层666以覆盖第一电极210的边缘。即，堤层666位于像素区域的边界处并且使像素区域中的第一电极210的中心露出。
由于OLED D在红色像素区域RP、绿色像素区域GP和蓝色像素区域BP的每一者中发射蓝色光，因此有机发光层220可以在红色像素区域RP、绿色像素区域GP和蓝色像素区域BP中一体地形成为公共层而不分离。可以形成堤层666以防止第一电极210的边缘处的电流泄漏，并且可以省略堤层666。
OLED D发射蓝色光并且可以具有图3和图6至图8中示出的结构。即，OLED D形成在红色像素区域RP、绿色像素区域GP和蓝色像素区域BP的每一者中并且提供蓝色光。
例如，参照图3，OLED D的有机发光层220包括蓝色EML 240，并且蓝色EML240包含作为p型主体的由式1表示的第一化合物242、作为n型主体的由式3表示的第二化合物244和作为磷光掺杂剂的由式5表示的第三化合物246。
颜色转换层680包括对应于红色像素区域RP的第一颜色转换层682和对应于绿色像素区域GP的第二颜色转换层684。例如，颜色转换层680可以包含无机颜色转换材料例如量子点。在蓝色像素区域BP中不存在颜色转换层，使得蓝色像素区域BP中的OLED D可以直接面向第二基板670。
来自OLED D的蓝色光通过红色像素区域RP中的第一颜色转换层682转换成红色光，以及来自OLED D的蓝色光通过绿色像素区域GP中的第二颜色转换层684转换成绿色光。
因此，有机发光显示装置600可以显示全彩图像。
当来自OLED D的光穿过第一基板610以显示图像时，颜色转换层680可以设置在OLED D与第一基板610之间。
图10是示出根据本公开的第七实施方案的有机发光显示装置的示意性截面图。
如图10所示，有机发光显示装置700包括：第一基板710，其中限定有红色像素区域RP、绿色像素区域GP和蓝色像素区域BP；面向第一基板710的第二基板770；OLED D，所述OLED D位于第一基板710与第二基板770之间并且提供白色发光；以及在OLED D与第二基板770之间的滤色器层780。
第一基板710和第二基板770各自可以为玻璃基板或柔性基板。例如，柔性基板可以为聚酰亚胺(PI)基板、聚醚砜(PES)基板、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)基板、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)基板或聚碳酸酯(PC)基板。
在第一基板710上形成有缓冲层720，以及在缓冲层720上形成有对应于红色像素区域RP、绿色像素区域GP和蓝色像素区域BP中的每一者的TFT Tr。可以省略缓冲层720。
在缓冲层720上形成有半导体层722。半导体层722可以包含氧化物半导体材料或多晶硅。
在半导体层722上形成有栅极绝缘层724。栅极绝缘层724可以由无机绝缘材料例如硅氧化物或硅氮化物形成。
在栅极绝缘层724上对应于半导体层722的中心形成有由导电材料(例如金属)形成的栅电极730。
在栅电极730上形成有由绝缘材料形成的层间绝缘层732。层间绝缘层732可以由无机绝缘材料(例如硅氧化物或硅氮化物)或有机绝缘材料(例如苯并环丁烯或光压克力)形成。
层间绝缘层732包括使半导体层722的两侧露出的第一接触孔734和第二接触孔736。第一接触孔734和第二接触孔736位于栅电极730的两侧以与栅电极730间隔开。
在层间绝缘层732上形成有由导电材料(例如金属)形成的源电极740和漏电极742。
源电极740和漏电极742相对于栅电极730彼此间隔开并且分别通过第一接触孔734和第二接触孔736接触半导体层722的两侧。
半导体层722、栅电极730、源电极740和漏电极742构成TFT Tr。TFT Tr用作驱动元件。即，TFT Tr可以对应于(图1的)驱动TFT Td。
虽然未示出，但栅极线和数据线彼此交叉以限定像素区域，并且开关TFT形成为与栅极线和数据线连接。开关TFT连接至作为驱动元件的TFT Tr。
此外，还可以形成电源线和用于在一帧中保持TFT Tr的栅电极的电压的存储电容器，所述电源线可以形成为与栅极线和数据线中的一者平行并且间隔开。
形成平坦化层750以覆盖TFT Tr，所述平坦化层750包括使TFT Tr的漏电极742露出的漏极接触孔752。
通过漏极接触孔752连接至TFT Tr的漏电极742的第一电极810分开地形成在每个像素区域中和平坦化层750上。第一电极810可以为阳极并且可以由具有相对高的功函数的导电材料形成。例如，第一电极810可以包括由透明导电氧化物(TCO)形成的透明导电氧化物层。
例如，第一电极810的透明导电氧化物材料层可以由以下中的一者形成：铟-锡-氧化物(ITO)、铟-锌-氧化物(IZO)、铟-锡-锌-氧化物(ITZO)、锡氧化物(SnO)、锌氧化物(ZnO)、铟-铜-氧化物(ICO)和铝-锌-氧化物(Al:ZnO，AZO)。
第一电极810还可以包括反射层以具有双层结构或三层结构。即，第一电极810可以为反射电极。
例如，反射层可以由以下中的一者形成：银(Ag)，Ag和钯(Pd)、铜(Cu)、铟(In)和钕(Nd)中的一者的合金，以及铝-钯-铜(APC)合金。例如，第一电极810可以具有Ag/ITO或APC/ITO的双层结构或者ITO/Ag/ITO或ITO/APC/ITO的三层结构。
在平坦化层750上形成有堤层766以覆盖第一电极810的边缘。即，堤层766位于像素区域的边界处并且使像素区域中的第一电极810的中心露出。由于OLED D在红色像素区域RP、绿色像素区域GP和蓝色像素区域BP的每一者中发射蓝色光，因此有机发光层820可以在红色像素区域RP、绿色像素区域GP和蓝色像素区域BP中一体地形成为公共层而不分离。可以形成堤层766以防止第一电极810的边缘处的电流泄漏，并且可以省略堤层766。
在第一电极810上形成有有机发光层820。
在其中形成有有机发光层820的第一基板710上方形成有第二电极830。
在有机发光显示装置700中，由于从有机发光层820中发射的光通过第二电极830入射至滤色器层780，因此第二电极830具有薄的轮廓以用于透射光。
第一电极810、有机发光层820和第二电极830构成OLED D。
滤色器层780设置在OLED D上方，并且包括分别对应于红色像素区域RP、绿色像素区域GP和蓝色像素区域BP的红色滤色器782、绿色滤色器784和蓝色滤色器786。红色滤色器782包含红色染料和红色颜料中的至少一者，绿色滤色器784包含绿色染料和绿色颜料中的至少一者，以及蓝色滤色器786包含蓝色染料和蓝色颜料中的至少一者。
可以使用粘合层将滤色器层780附接至OLED D。或者，滤色器层780可以直接形成在OLED D上。
可以形成封装层(或封装膜)以防止水分渗入OLED D中。例如，封装膜可以包括顺序堆叠的第一无机绝缘层、有机绝缘层和第二无机绝缘层，但不限于此。可以省略封装膜。
在底部发光型有机发光显示装置700中，可以在第二电极830上方设置金属板。可以使用粘合层将金属板附接至OLED D。
可以在顶部发光型OLED D的第二基板770的外侧上方设置用于减少环境光反射的偏光板。例如，偏光板可以为圆偏光板。
在图10的OLED D中，第一电极810和第二电极830分别为反射电极和透明(或半透明)电极，并且滤色器层780设置在OLED D上方。
或者，第一电极810和第二电极830可以分别为透明(或半透明)电极和反射电极，并且滤色器层780可以设置在OLED D与第一基板710之间。在这种情况下，第一电极810可以具有透明导电氧化物层的单层结构。
可以在OLED D与滤色器层780之间形成颜色转换层。颜色转换层可以包括分别对应于红色像素区域RP、绿色像素区域GP和蓝色像素区域BP的红色颜色转换层、绿色颜色转换层和蓝色颜色转换层。来自OLED D的白色光分别通过红色颜色转换层、绿色颜色转换层和蓝色颜色转换层转换成红色光、绿色光和蓝色光。
可以包括颜色转换层代替滤色器层780。
如上所述，在有机发光显示装置700中，红色像素区域RP、绿色像素区域GP和蓝色像素区域BP中的OLED D发射白色光，并且来自有机发光二极管D的白色光穿过红色滤色器782、绿色滤色器784和蓝色滤色器786。作为结果，分别由红色像素区域RP、绿色像素区域GP和蓝色像素区域BP提供红色光、绿色光和蓝色光。
在图10中，发射白色光的OLED D用于显示装置。或者，OLED D可以在没有驱动元件和滤色器层中的至少一者的情况下形成在基板的整个表面上，从而用于照明装置。各自包括本公开的OLED D的显示装置和照明装置可以被称为有机发光装置。
图11是根据本公开的第八实施方案的OLED的示意性截面图。
如图11所示，OLED D5包括面向彼此的第一电极810和第二电极830以及其间的有机发光层820。有机发光层820包括第一发光部910、第二发光部930和第三发光部950，所述第一发光部910包括第一EML 920例如第一蓝色EML，所述第二发光部930包括第二EML 940例如第二蓝色EML，所述第三发光部950包括第三EML 960。有机发光层820还可以包括在第一发光部910与第三发光部950之间的第一CGL 970和在第二发光部930与第三发光部950之间的第二CGL 980。OLED D5还可以包括在第二电极830上的覆盖层以提高光提取效率。
有机发光显示装置700可以包括红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域，并且OLED D5可以位于红色像素区域RP、绿色像素区域GP和蓝色像素区域BP中并发射蓝色光。
第一电极810可以为阳极，并且第二电极830可以为阴极。第一电极810和第二电极830中的一者可以为反射电极，并且第一电极810和第二电极830中的另一者可以为透明(或半透明)电极。例如，第一电极810可以具有ITO的单层结构，以及第二电极830可以由Al形成。
第一发光部910还可以包括在第一蓝色EML 920下方的第一HTL 914和在第一蓝色EML920上方的第一ETL 916中的至少一者。
此外，第一发光部910还可以包括在第一电极810与第一HTL 914之间的HIL912。
此外，第一发光部910还可以包括在第一HTL 914与第一蓝色EML 920之间的第一EBL和在第一蓝色EML 920与第一ETL 916之间的第一HBL中的至少一者。
第二发光部930还可以包括在第二蓝色EML 940下方的第二HTL 932和在第二蓝色EML940上方的第二ETL 934中的至少一者。
此外，第二发光部930还可以包括在第二电极830与第二ETL 934之间的EIL936。
此外，第二发光部930还可以包括在第二HTL 932与第二蓝色EML 940之间的第二EBL和在第二蓝色EML 940与第二ETL 934之间的第二HBL中的至少一者。
在第三发光部950中，第三EML960可以包括红色EML 962、黄绿色EML964和绿色EML966。在这种情况下，黄绿色EML 964设置在红色EML962与绿色EML966之间。或者，可以省略黄绿色EML 964，并且第三EML960可以具有包括红色EML 962和绿色EML 966的双层结构。
红色EML962包含红色主体和红色掺杂剂，绿色EML 966包含绿色主体和绿色掺杂剂，以及黄绿色EML 964包含黄绿色主体和黄绿色掺杂剂。红色掺杂剂、绿色掺杂剂和黄绿色掺杂剂各自可以为荧光化合物、磷光化合物和延迟荧光化合物中的一者。
例如，在绿色EML966中，绿色主体可以为CBP(4,4’-双(咔唑-9-基)联苯)，以及绿色掺杂剂可以为Ir(py)3(面式三(2-苯基吡啶)铱)或Alq3(三(8-羟基喹啉)铝)。
第三发光部950可以包括在第三EML 960下方的第三HTL 952和在第三EML960上方的第三ETL954中的至少一者。
此外，第三发光部950还可以包括在第三HTL 952与第三EML 960之间的第三EBL和在第三EML960与第三ETL 954之间的第三HBL中的至少一者。
例如，HIL 912可以包含选自以下的至少一种化合物：MTDATA、NATA、1T-NATA、2T-NATA、CuPc、TCTA、NPB(或NPD)、HAT-CN、TDAPB、PEDOT/PSS和N-(联苯-4-基)-9,9-二甲基-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺。
第一HTL 914、第二HTL 932和第三HTL 952各自可以包含选自以下的至少一种化合物：TPD、NPB(或NPD)、CBP、聚-TPD、TFB、TAPC、DCDPA、N-(联苯-4-基)-9,9-二甲基-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺和N-(联苯-4-基)-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)联苯-4-胺。
第一ETL916、第二ETL 934和第三ETL 954各自可以包含以下中的至少一者：基于二唑的化合物、基于三唑的化合物、基于菲咯啉的化合物、基于苯并唑的化合物、基于苯并噻唑的化合物、基于苯并咪唑的化合物和基于三嗪的化合物。例如，第一ETL 916、第二ETL 934和第三ETL 954各自可以包含选自以下的至少一种化合物：Alq3、PBD、螺-PBD、Liq、TPBi、BAlq、Bphen、NBphen、BCP、TAZ、NTAZ、TpPyPB、TmPPPyTz、PFNBr、TPQ和TSPO1。
EIL 936可以包含以下中的至少一者：碱卤化物化合物，例如LiF、CsF、NaF、或BaF2；和有机金属化合物，例如Liq、苯甲酸锂、或硬脂酸钠。
第一EBL至第三EBL各自可以包含选自以下的至少一种化合物：TCTA、三[4-(二乙基氨基)苯基]胺、N-(联苯-4-基)-9,9-二甲基-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺、TAPC、MTDATA、mCP、mCBP、CuPc、DNTPD、TDAPB、DCDPA和2,8-双(9-苯基-9H-咔唑-3-基)二苯并[b,d]噻吩。
第一HBL至第三HBL各自可以包含选自以下的至少一种化合物：BCP、BAlq、Alq3、PBD、螺-PBD、Liq、B3PYMPM、DPEPO、9-(6-(9H-咔唑-9-基)吡啶-3-基)-9H-3,9’-联咔唑和TSPO1。
第一CGL 970位于第一发光部910与第三发光部950之间，以及第二CGL 980位于第二发光部930与第三发光部950之间。即，第一发光部910和第三发光部950可以通过第一CGL970彼此连接，以及第二发光部930和第三发光部950可以通过第二CGL 980彼此连接。第一CGL 970可以为第一N型CGL 972和第一P型CGL 974的P-N结CGL，以及第二CGL 980可以为第二N型CGL 982和第二P型CGL 984的P-N结CGL。
在第一CGL 970中，第一N型CGL 972位于第一ETL 916与第三HTL 952之间，以及第一P型CGL 974位于第一N型CGL 972与第三HTL 952之间。
在第二CGL 980中，第二N型CGL 982位于第三ETL 954与第二HTL 932之间，以及第二P型CGL 984位于第二N型CGL 982与第二HTL 932之间。
第一N型CGL 972和第二N型CGL 982各自可以为掺杂有碱金属(例如Li、Na、K和Cs)和/或碱土金属(例如Mg、Sr、Ba和Ra)的有机层。例如，第一N型CGL 972和第二N型CGL 982各自可以由N型电荷生成材料形成，所述N型电荷生成材料包含为有机材料的主体(例如，4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(Bphen)和MTDATA)、为碱金属和/或碱土金属的掺杂剂，并且掺杂剂可以以0.01至30的重量％掺杂。
第一P型CGL 974和第二P型CGL 984各自可以由P型电荷生成材料形成，所述P型电荷生成材料包括无机材料例如钨氧化物(WOx)、钼氧化物(MoOx)、氧化铍(Be2O3)或氧化钒(V2O5)，有机材料例如NPD、HAT-CN、F4TCNQ、TPD、TNB、TCTA、N,N’-二辛基-3,4,9,10-苝二甲酰亚胺(PTCDI-C8)，或其组合。
第一蓝色EML 920包含为p型主体的第一化合物922例如第一主体，和为n型主体的第二化合物924例如第二主体。第一蓝色EML 920还可以包含为磷光掺杂剂的第三化合物926。第一蓝色EML 920的厚度可以在10nm至100nm的范围内。
在第一蓝色EML 920中，第一化合物922和第二化合物924中的每一者的重量％可以大于第三化合物926的重量％。第一化合物922的重量％和第二化合物924的重量％可以相同或不同。例如，在第一蓝色EML 920中，第一化合物922和第二化合物924可以具有相同的重量％，以及第三化合物926可以具有5至15的重量％。
第一化合物922由式1表示并且可以为式2中的化合物中的一者。第二化合物924由式3表示并且可以为式4中的化合物中的一者。第三化合物926由式5表示并且可以为式6中的化合物中的一者。
第二蓝色EML 940包含为主体的第四化合物942和为蓝色掺杂剂的第五化合物944。第五化合物944可以为蓝色荧光掺杂剂。第二蓝色EML940的厚度可以在10nm至100nm的范围内。
例如，第四化合物942可以为mCP、mCP-CN、mCBP、CBP-CN、mCPPO1、Ph-mCP、TSPO1、CzBPCb、UGH-1、UGH-2、UGH-3、SPPO1和SimCP中的一者，以及第五化合物944可以为DPAVBi、DPAVB、BDAVBi、螺-DPVBi、DSB、DSA、TBPe、Bepp2和PCAN中的一者。
例如，第二蓝色EML940可以包含作为主体的蒽衍生物和作为蓝色掺杂剂的硼衍生物。
OLED D5的有机发光层820包括第一发光部910、第二发光部930和第三发光部950，所述第一发光部910包括第一蓝色EML 920，所述第二发光部930包括第二蓝色EML940，所述第三发光部950包括红色EML 962、黄绿色EML964和绿色EML 966，使得OLED D5具有串联结构。
在这种情况下，第一蓝色EML920包含由式1表示的第一化合物922、由式3表示的第二化合物924和由式5的表示第三化合物926，使得第一化合物922与第二化合物924之间具有长波长的激基复合物的产生效率增加。
此外，由于第二化合物924的LUMO能级低于第三化合物926的LUMO能级，因此第三化合物926上的应力减小，使得OLED D5的发光效率和寿命增加。
此外，由于由式3表示的第二化合物924具有延迟荧光特性，因此非辐射三线态激子参与发光体系，使得OLED D5和包括OLED D5的有机发光显示装置700的发光效率进一步得到提高。
图12是根据本公开的第九实施方案的OLED的示意性截面图。
如图12所示，OLED D6包括面向彼此的第一电极810和第二电极830以及其间的有机发光层820。有机发光层820包括第一发光部1010、第二发光部1030和第三发光部1050，所述第一发光部1010包括第一EML 1020，例如第一蓝色EML，所述第二发光部1030包括第二EML 1040，例如第二蓝色EML，所述第三发光部1050包括第三EML 1060。有机发光层820还可以包括在第一发光部1010与第三发光部1050之间的第一CGL1070和在第二发光部1030与第三发光部1050之间的第二CGL 1080。OLED D6还可以包括在第二电极830上的覆盖层以提高光提取效率。
有机发光显示装置700可以包括红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域，并且OLED D6可以位于红色像素区域RP、绿色像素区域GP和蓝色像素区域BP中并发射蓝色光。
第一电极810可以为阳极，并且第二电极830可以为阴极。第一电极810和第二电极830中的一者可以为反射电极，并且第一电极810和第二电极830中的另一者可以为透明(或半透明)电极。例如，第一电极810可以具有ITO的单层结构，以及第二电极830可以由Al形成。
第一发光部1010还可以包括在第一蓝色EML 1020下方的第一HTL 1014和在第一蓝色EML1020上方的第一ETL 1016中的至少一者。
此外，第一发光部1010还可以包括在第一电极810与第一HTL 1014之间的HIL1012。
此外，第一发光部1010还可以包括在第一HTL 1014与第一蓝色EML 1020之间的第一EBL和在第一蓝色EML 1020与第一ETL 1016之间的第一HBL中的至少一者。
第二发光部1030还可以包括在第二蓝色EML 1040下方的第二HTL 1032和在第二蓝色EML1040上方的第二ETL 1034中的至少一者。
此外，第二发光部1030还可以包括在第二电极830与第二ETL 1034之间的EIL1036。
此外，第二发光部1030还可以包括在第二HTL 1032与第二EML 1040之间的第二EBL和在第二EML1040与第二ETL 1034之间的第二HBL中的至少一者。
在第三发光部1050中，第三EML 1060可以包括红色EML 1062、黄绿色EML1064和绿色EML1066。在这种情况下，黄绿色EML 1064设置在红色EML1062与绿色EML1066之间。或者，可以省略黄绿色EML 1064，并且第三EML1060可以具有包括红色EML 1062和绿色EML 1066的双层结构。
红色EML1062包含红色主体和红色掺杂剂，绿色EML 1066包含绿色主体和绿色掺杂剂，以及黄绿色EML 1064包含黄绿色主体和黄绿色掺杂剂。红色掺杂剂、绿色掺杂剂和黄绿色掺杂剂各自可以为荧光化合物、磷光化合物和延迟荧光化合物中的一者。
第三发光部1050可以包括在第三EML 1060下方的第三HTL 1052和在第三EML1060上方的第三ETL1054中的至少一者。
此外，第三发光部1050还可以包括在第三HTL 1052与第三EML 1060之间的第三EBL和在第三EML1060与第三ETL 1054之间的第三HBL中的至少一者。
第一CGL1070位于第一发光部1010与第三发光部1050之间，以及第二CGL1080位于第二发光部1030与第三发光部1050之间。即，第一发光部1010和第三发光部1050可以通过第一CGL 1070彼此连接，以及第二发光部1030和第三发光部1050可以通过第二CGL 1080彼此连接。第一CGL1070可以为第一N型CGL1072和第一P型CGL 1074的P-N结CGL，以及第二CGL1080可以为第二N型CGL 1082和第二P型CGL 1084的P-N结CGL。
在第一CGL1070中，第一N型CGL 1072位于第一ETL 1016与第三HTL1052之间，以及第一P型CGL1074位于第一N型CGL 1072与第三HTL1052之间。
在第二CGL1080中，第二N型CGL 1082位于第三ETL 1054与第二HTL1032之间，以及第二P型CGL1084位于第二N型CGL 1082与第二HTL1032之间。
第一蓝色EML1020包含为主体的第四化合物1022和为蓝色掺杂剂的第五化合物1024。第五化合物1024可以为蓝色荧光掺杂剂。第一蓝色EML1020的厚度可以在10nm至100nm的范围内。
例如，第一蓝色EML1020可以包含作为主体的蒽衍生物和作为蓝色掺杂剂的硼衍生物。
第二蓝色EML1040包含为p型主体的第一化合物1042例如第一主体，和为n型主体的第二化合物1044例如第二主体。第二蓝色EML 1040还可以包含为磷光掺杂剂的第三化合物1046。第二蓝色EML 1040的厚度可以在10nm至100nm的范围内。
在第二蓝色EML1040中，第一化合物1042和第二化合物1044中的每一者的重量％可以大于第三化合物1046的重量％。第一化合物1042的重量％和第二化合物1044的重量％可以相同或不同。例如，在第二蓝色EML1040中，第一化合物1042和第二化合物1044可以具有相同的重量％，以及第三化合物1046可以具有5至15的重量％。
第一化合物1042由式1表示并且可以为式2中的化合物中的一者。第二化合物1044由式3表示并且可以为式4中的化合物中的一者。第三化合物1046由式5表示并且可以为式6中的化合物中的一者。
OLED D6的有机发光层820包括第一发光部1010、第二发光部1030和第三发光部1050，所述第一发光部1010包括第一蓝色EML 1020，所述第二发光部1030包括第二蓝色EML1040，所述第三发光部1050包括红色EML1062、黄绿色EML1064和绿色EML 1066，使得OLEDD6具有串联结构。
在这种情况下，第二蓝色EML1040包含由式1表示的第一化合物1042、由式3表示的第二化合物1044和由式5的表示的第三化合物1046，使得第一化合物1042与第二化合物1044之间具有长波长的激基复合物的产生效率增加。
此外，由于第二化合物1044的LUMO能级低于第三化合物1046的LUMO能级，因此第三化合物1046上的应力减小，使得OLED D6的发光效率和寿命增加。
此外，由于由式3表示的第二化合物1044具有延迟荧光特性，因此非辐射三线态激子参与发光体系，使得OLED D6和包括OLED D6的有机发光显示装置700的发光效率进一步得到提高。
图13是根据本公开的第十实施方案的OLED的示意性截面图。
如图13所示，OLED D7包括面向彼此的第一电极810和第二电极830以及其间的有机发光层820。有机发光层820包括第一发光部1110、第二发光部1130和第三发光部1150，所述第一发光部1110包括第一EML 1120，例如第一蓝色EML，所述第二发光部1130包括第二EML 1140，例如第二蓝色EML，所述第三发光部1150包括第三EML 1160。有机发光层820还可以包括在第一发光部1110与第三发光部1150之间的第一CGL1170和在第二发光部1130与第三发光部1150之间的第二CGL 1180。OLED D7还可以包括在第二电极830上的覆盖层以提高光提取效率。
有机发光显示装置700可以包括红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域，并且OLED D7可以位于红色像素区域RP、绿色像素区域GP和蓝色像素区域BP中并发射蓝色光。
第一电极810可以为阳极，并且第二电极830可以为阴极。第一电极810和第二电极830中的一者可以为反射电极，并且第一电极810和第二电极830中的另一者可以为透明(或半透明)电极。例如，第一电极810可以具有ITO的单层结构，以及第二电极830可以由Al形成。
第一发光部1110还可以包括在第一蓝色EML 1120下方的第一HTL1114和在第一蓝色EML1120上方的第一ETL 1116中的至少一者。
此外，第一发光部1110还可以包括在第一电极810与第一HTL 1114之间的HIL1112。
此外，第一发光部1110还可以包括在第一HTL 1114与第一蓝色EML 1120之间的第一EBL和在第一蓝色EML 1120与第一ETL 1116之间的第一HBL中的至少一者。
第二发光部1130还可以包括在第二蓝色EML 1140下方的第二HTL 1132和在第二蓝色EML1140上方的第二ETL 1134中的至少一者。
此外，第二发光部1130还可以包括在第二电极830与第二ETL 1134之间的EIL1136。
此外，第二发光部1130还可以包括在第二HTL 1132与第二蓝色EML 1140之间的第二EBL和在第二蓝色EML 1140与第二ETL 1134之间的第二HBL中的至少一者。
在第三发光部1150中，第三EML1160可以包括红色EML 1162、黄绿色EML1164和绿色EML1166。在这种情况下，黄绿色EML 1164设置在红色EML1162与绿色EML1166之间。或者，可以省略黄绿色EML 1164，并且第三EML1160可以具有包括红色EML 1162和绿色EML 1166的双层结构。
红色EML1162包含红色主体和红色掺杂剂，绿色EML 1166包含绿色主体和绿色掺杂剂，以及黄绿色EML 1164包含黄绿色主体和黄绿色掺杂剂。红色掺杂剂、绿色掺杂剂和黄绿色掺杂剂各自可以为荧光化合物、磷光化合物和延迟荧光化合物中的一者。
第三发光部1150可以包括在第三EML 1160下方的第三HTL 1152和在第三EML1160上方的第三ETL1154中的至少一者。
此外，第三发光部1150还可以包括在第三HTL 1152与第三EML 1160之间的第三EBL和在第三EML1160与第三ETL 1154之间的第三HBL中的至少一者。
第一CGL1170位于第一发光部1110与第三发光部1150之间，以及第二CGL1180位于第二发光部1130与第三发光部1150之间。即，第一发光部1110和第三发光部1150可以通过第一CGL 1170彼此连接，以及第二发光部1130和第三发光部1150可以通过第二CGL 1180彼此连接。
第一CGL1170可以为第一N型CGL 1172和第一P型CGL 1174的P-N结CGL，以及第二CGL1180可以为第二N型CGL 1182和第二P型CGL1184的P-N结CGL。
在第一CGL1170中，第一N型CGL 1172位于第一ETL 1116与第三HTL1152之间，以及第一P型CGL1174位于第一N型CGL 1172与第三HTL1152之间。
在第二CGL1180中，第二N型CGL 1182位于第三ETL 1154与第二HTL1132之间，以及第二P型CGL1184位于第二N型CGL 1182与第二HTL1132之间。
第一蓝色EML1120包含为p型主体的第一化合物1122例如第一主体，和为n型主体的第二化合物1124例如第二主体。第一蓝色EML 1120还可以包含为磷光掺杂剂的第三化合物1126。第一蓝色EML 1120的厚度可以在10nm至100nm的范围内。
在第一蓝色EML1120中，第一化合物1122和第二化合物1124中的每一者的重量％可以大于第三化合物1126的重量％。第一化合物1122的重量％和第二化合物1124的重量％可以相同或不同。例如，在第一蓝色EML1120中，第一化合物1122和第二化合物1124可以具有相同的重量％，以及第三化合物1126可以具有5至15的重量％。
第一化合物1122由式1表示并且可以为式2中的化合物中的一者。第二化合物1124由式3表示并且可以为式4中的化合物中的一者。第三化合物1126由式5表示并且可以为式6中的化合物中的一者。
第二蓝色EML1140包含为p型主体的第四化合物1142例如第一主体，和为n型主体的第五化合物1144例如第二主体。第二蓝色EML 1140还可以包含为磷光掺杂剂的第六化合物1146。第二蓝色EML 1140的厚度可以在10nm至100nm的范围内。
在第二蓝色EML1140中，第四化合物1142和第五化合物1144中的每一者的重量％可以大于第六化合物1146的重量％。第四化合物1142的重量％和第五化合物1144的重量％可以相同或不同。例如，在第二蓝色EML1140中，第四化合物1142和第五化合物1144可以具有相同的重量％，以及第六化合物1146可以具有5至15的重量％。
第四化合物1142由式1表示并且可以为式2中的化合物中的一者。第五化合物1144由式3表示并且可以为式4中的化合物中的一者。第六化合物1146由式5表示并且可以为式6中的化合物中的一者。
第一蓝色EML1120中的第一化合物1122和第二蓝色EML 1140中的第四化合物1142可以相同或不同。第一蓝色EML 1120中的第二化合物1124和第二蓝色EML1140中的第五化合物1144可以相同或不同。第一蓝色EML1120中的第三化合物1126和第二蓝色EML 1140中的第六化合物1146可以相同或不同。
OLED D7的有机发光层820包括第一发光部1110、第二发光部1130和第三发光部1150，所述第一发光部1110包括第一蓝色EML 1120，所述第二发光部1130包括第二蓝色EML1140，所述第三发光部1150包括红色EML1162、黄绿色EML1164和绿色EML 1166，使得OLED D7具有串联结构。
在这种情况下，第一蓝色EML1120包含由式1表示的第一化合物1122、由式3表示的第二化合物1124和由式5表示的第三化合物1126，以及第二蓝色EML1140包含由式1表示的第四化合物1142、由式3表示的第五化合物1144和由式5表示的第六化合物1146。因此，第一化合物1122与第二化合物1124之间具有长波长的激基复合物的产生效率和第四化合物1142与第五化合物1144之间具有长波长的激基复合物的产生效率增加。
此外，由于第二化合物1124和第五化合物1144的LUMO能级分别低于第三化合物1126和第六化合物1146的LUMO能级，因此第三化合物1126和第六化合物1146上的应力减小，使得OLED D7的发光效率和寿命增加。
此外，由于各自由式3表示的第二化合物1124和第五化合物1144具有延迟荧光特性，因此非辐射三线态激子参与发光体系，使得OLED D7和包括OLED D7的有机发光显示装置700的发光效率进一步得到提高。
对于本领域技术人员将明显的是，在不脱离本公开的精神或范围的情况下，可以在本公开中进行各种修改和变化。因此，本公开旨在涵盖本公开的修改和变化，只要它们落入所附权利要求及其等同方案的范围内即可。
Claims (23)
1.一种有机发光二极管，包括：
第一电极；
面向所述第一电极的第二电极；和
第一蓝色发光材料层，所述第一蓝色发光材料层包含第一化合物和第二化合物并且位于所述第一电极与所述第二电极之间，
其中所述第一化合物由式1表示：
[式1]
其中在所述式1中，
R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7和R8各自独立地选自氘、卤素、氰基、经取代或未经取代的C1至C20烷基、经取代或未经取代的C1至C20烷氧基、经取代或未经取代的C1至C20烷基氨基、经取代或未经取代的C6至C30芳基氨基、经取代或未经取代的C6至C30芳基甲硅烷基、经取代或未经取代的C6至C30芳基、和经取代或未经取代的C3至C60杂芳基，
a1、a6、a7和a8各自独立地为0至5的整数，a2、a4和a5各自独立地为0至4的整数，以及a3为0至3的整数，
其中所述第二化合物由式3表示：
[式3]
其中在所述式3中，
X1、X2和X3各自独立地选自CR16和N，X1、X2和X3中的至少一者为N，
Ar选自经取代或未经取代的C6至C30芳基和经取代或未经取代的C3至C60杂芳基，
R11、R12、R13、R14和R15各自独立地选自氘、卤素、氰基、经取代或未经取代的C1至C20烷基、经取代或未经取代的C1至C20烷氧基、经取代或未经取代的C1至C20烷基氨基、经取代或未经取代的C6至C30芳基氨基、经取代或未经取代的C6至C30芳基甲硅烷基、经取代或未经取代的C6至C30芳基和经取代或未经取代的C3至C60杂芳基，
R16选自氢、氘、卤素、氰基、经取代或未经取代的C1至C20烷基、经取代或未经取代的C1至C20烷氧基、经取代或未经取代的C1至C20烷基氨基、经取代或未经取代的C6至C30芳基氨基、经取代或未经取代的C6至C30芳基甲硅烷基、经取代或未经取代的C6至C30芳基和经取代或未经取代的C3至C60杂芳基，
b1和b2各自独立地为0至4的整数，b3、b4和b5各自独立地为0至5的整数。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中所述式1由式1-1或式1-2表示：
[式1-1]
[式1-2]
其中在所述式1-1中，
R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7和R8各自独立地选自氘、卤素、氰基、经取代或未经取代的C1至C20烷基、经取代或未经取代的C1至C20烷氧基、经取代或未经取代的C1至C20烷基氨基、经取代或未经取代的C6至C30芳基氨基、经取代或未经取代的C6至C30芳基甲硅烷基、经取代或未经取代的C6至C30芳基和经取代或未经取代的C3至C60杂芳基，以及
a6、a7和a8各自独立地为0至5的整数，a1、a2、a4和a5各自独立地为0至4的整数，以及a3为0至3的整数，
其中在所述式1-2中，
R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7和R8各自独立地选自氘、卤素、氰基、经取代或未经取代的C1至C20烷基、经取代或未经取代的C1至C20烷氧基、经取代或未经取代的C1至C20烷基氨基、经取代或未经取代的C6至C30芳基氨基、经取代或未经取代的C6至C30芳基甲硅烷基、经取代或未经取代的C6至C30芳基和经取代或未经取代的C3至C60杂芳基，以及
a1、a6、a7和a8各自独立地为0至5的整数，a2和a4各自独立地为0至4的整数，以及a3和a5独立地为0至3的整数。
3.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中所述第一化合物为式2中的化合物中的一者：
[式2]
4.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中所述第二化合物为式4中的化合物中的一者：
[式4]
5.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中所述第一蓝色发光材料层还包含由式5表示的第三化合物：
[式5]
其中在所述式5中，
X1和X2中的一者为C，以及X1和X2中的另一者为N，
R21、R22、R23、R24和R25各自独立地选自氘、卤素、氰基、经取代或未经取代的C1至C20烷基、经取代或未经取代的C3至C20环烷基、经取代或未经取代的C1至C20烷基甲硅烷基、经取代或未经取代的C1至C20烷基氨基、经取代或未经取代的C6至C30芳基氨基、经取代或未经取代的C6至C30芳基甲硅烷基、经取代或未经取代的C6至C30芳基和经取代或未经取代的C3至C30杂芳基，
R26选自氢、氘、卤素、氰基、经取代或未经取代的C1至C20烷基、经取代或未经取代的C3至C20环烷基、经取代或未经取代的C1至C20烷基甲硅烷基、经取代或未经取代的C1至C20烷基氨基、经取代或未经取代的C6至C30芳基氨基、经取代或未经取代的C6至C30芳基甲硅烷基、经取代或未经取代的C6至C30芳基、和经取代或未经取代的C3至C30杂芳基，
d1和d2各自独立地为0至4的整数，d4为0至3的整数，以及d3和d5各自独立地为0至2的整数。
6.根据权利要求5所述的有机发光二极管，其中所述式5由式5-1或式5-2表示：
[式5-1]
[式5-2]
其中在所述式5-1和所述式5-2的每一者中，R21至R26和d1至d5的限定与式5中的那些相同。
7.根据权利要求5所述的有机发光二极管，其中所述第三化合物为式6中的化合物中的一者：
[式6]
8.根据权利要求5所述的有机发光二极管，其中所述第一化合物和所述第二化合物中的每一者的重量％大于所述第三化合物的重量％。
9.根据权利要求5所述的有机发光二极管，还包括：
在所述第一蓝色发光材料层与所述第二电极之间的第二蓝色发光材料层，
其中所述第二蓝色发光材料层包含主体和荧光掺杂剂。
10.根据权利要求9所述的有机发光二极管，还包括：
第三发光材料层，所述第三发光材料层包括红色发光材料层、黄绿色发光材料层和绿色发光材料层并且位于所述第一蓝色发光材料层与所述第二蓝色发光材料层之间。
11.根据权利要求5所述的有机发光二极管，还包括：
位于所述第一蓝色发光材料层与所述第二电极之间的第二蓝色发光材料层，
其中所述第二蓝色发光材料层包含由所述式1表示的第四化合物、由所述式3表示的第五化合物和由所述式5表示的第六化合物。
12.根据权利要求11所述的有机发光二极管，还包括：
第三发光材料层，所述第三发光材料层包括红色发光材料层、黄绿色发光材料层和绿色发光材料层并且位于所述第一蓝色发光材料层与所述第二蓝色发光材料层之间。
13.一种有机发光装置，包括：
基板；
设置在所述基板上方的根据权利要求1所述的有机发光二极管；和
覆盖所述有机发光二极管的封装层。
14.根据权利要求13所述的有机发光装置，其中所述基板包括红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域，以及所述有机发光二极管对应于所述红色像素区域、所述绿色像素区域和所述蓝色像素区域，以及
其中所述有机发光装置还包括对应于所述红色像素区域、所述绿色像素区域和所述蓝色像素区域的颜色转换层。
15.根据权利要求13所述的有机发光装置，其中所述基板包括红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域，以及所述有机发光二极管对应于所述红色像素区域、所述绿色像素区域和所述蓝色像素区域，以及
其中所述有机发光装置还包括对应于所述红色像素区域、所述绿色像素区域和所述蓝色像素区域的滤色器层。
16.根据权利要求13所述的有机发光装置，其中所述第一化合物为式2中的化合物中的一者：
[式2]
17.根据权利要求13所述的有机发光装置，其中所述第二化合物为式4中的化合物中的一者：
[式4]
18.根据权利要求13所述的有机发光装置，其中所述第一蓝色发光材料层还包含由式5表示的第三化合物：
[式5]
其中在所述式5中，
X1和X2中的一者为C，以及X1和X2中的另一者为N，
R21、R22、R23、R24和R25各自独立地选自氘、卤素、氰基、经取代或未经取代的C1至C20烷基、经取代或未经取代的C3至C20环烷基、经取代或未经取代的C1至C20烷基甲硅烷基、经取代或未经取代的C1至C20烷基氨基、经取代或未经取代的C6至C30芳基氨基、经取代或未经取代的C6至C30芳基甲硅烷基、经取代或未经取代的C6至C30芳基、和经取代或未经取代的C3至C30杂芳基，
R26选自氢、氘、卤素、氰基、经取代或未经取代的C1至C20烷基、经取代或未经取代的C3至C20环烷基、经取代或未经取代的C1至C20烷基甲硅烷基、经取代或未经取代的C1至C20烷基氨基、经取代或未经取代的C6至C30芳基氨基、经取代或未经取代的C6至C30芳基甲硅烷基、经取代或未经取代的C6至C30芳基、和经取代或未经取代的C3至C30杂芳基，
d1和d2各自独立地为0至4的整数，d4为0至3的整数，以及d3和d5各自独立地为0至2的整数。
19.根据权利要求18所述的有机发光装置，其中所述第三化合物为式6中的化合物中的一者：
[式6]
20.根据权利要求13所述的有机发光装置，其中所述有机发光二极管还包括：
位于所述第一蓝色发光材料层与所述第二电极之间的第二蓝色发光材料层；和
第三发光材料层，所述第三发光材料层包括红色发光材料层、黄绿色发光材料层和绿色发光材料层并且位于所述第一蓝色发光材料层与所述第二蓝色发光材料层之间，
其中所述第二蓝色发光材料层包含由所述式1表示的第四化合物、由所述式3表示的第五化合物和由所述式5表示的第六化合物。
21.一种有机发光二极管，包括：
第一电极；
面向所述第一电极的第二电极；和
位于所述第一电极与所述第二电极之间的一个或更多个蓝色发光材料层，所述蓝色发光材料层中的一个或更多个层包含第一化合物和第二化合物，
其中所述第一化合物的LUMO能级与所述第二化合物的LUMO能级之差等于或大于0.4eV。
22.根据权利要求21所述的有机发光二极管，其中
所述第一化合物的HOMO能级的范围为-5.70eV至-5.30eV，和/或所述第一化合物的LUMO能级的范围为-2.20eV至-1.90eV。
23.根据权利要求21所述的有机发光二极管，其中
所述第二化合物的HOMO能级的范围为-6.40至-5.70eV，和/或所述第二化合物的LUMO能级的范围为-3.00eV至-2.50eV。
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