CN118265327A - 有机发光二极管和包括其的有机发光装置 - Google Patents
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Abstract
本公开涉及有机发光二极管和包括其的有机发光装置。所述有机发光二极管包括：第一电极；面向第一电极的第二电极；和第一发光部，所述第一发光部包括第一蓝色发光层和第二蓝色发光层并且定位在第一电极与第二电极之间，第二蓝色发光层定位在第一蓝色发光层与第二电极之间并且接触第一蓝色发光层，其中第一蓝色发光层包含第一主体和第一掺杂剂，以及第二蓝色发光层包含第二主体和第二掺杂剂，其中第一主体和第二主体中的每一者由式1表示，其中第一掺杂剂为由式3表示的第一化合物，以及第二掺杂剂为由式5表示的第二化合物。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求于2022年12月26日在韩国提交的韩国专利申请第10-2022-0184116号的权益，其通过引用整体并入本文。
技术领域
本公开涉及有机发光装置，并且更具体地，涉及具有高的发光效率、颜色纯度和寿命的有机发光二极管(OLED)。
背景技术
随着对占用面积小的平板显示装置的需求增加，包括OLED的有机发光显示装置已成为近来研究和开发的主题。
OLED通过以下来发光：将来自作为电子注入电极的阴极的电子和来自作为空穴注入电极的阳极的空穴注入到发光材料层(emitting material layer，EML)中，使电子与空穴结合，产生激子，并使激子从激发态转变成基态。可以使用柔性基板例如塑料基板作为其中形成元件的基础基板。此外，有机发光显示装置可以在比运行其他显示装置所需的电压更低的电压(例如，10V或更低)下运行。此外，有机发光显示装置在功耗和色感方面具有优势。
OLED包括：在基板上方的作为阳极的第一电极、与第一电极间隔开并面向第一电极的第二电极、和介于其间的有机发光层。
例如，有机发光显示装置可以包括红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域，并且OLED可以形成在红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域的每一者中。
然而，蓝色像素区域中的OLED无法提供足够的发光效率、颜色纯度和寿命，使得有机发光显示装置在发光效率、颜色纯度和寿命方面有局限性。
发明内容
本公开涉及OLED和包括所述OLED的有机发光装置，所述OLED基本上消除了与相关常规技术的局限性和缺点相关的问题中的一者或更多者。
本公开的一个目的是提供具有高的发光效率、颜色纯度和寿命的OLED和包括所述OLED的有机发光装置。
本公开的另外的特征和优点在随后的描述中阐述，并且将从描述中显而易见，或者通过本公开的实践而明显。本公开的目的和其他优点通过本文以及附图中描述的特征来实现和获得。
为了实现根据本公开的实施方案的目的的这些和其他优点，如本文所述，本公开的一个方面是有机发光二极管，其包括：第一电极；面向第一电极的第二电极；和第一发光部，所述第一发光部包括第一蓝色发光层和第二蓝色发光层并且定位在第一电极与第二电极之间，第二蓝色发光层定位在第一蓝色发光层与第二电极之间并且接触第一蓝色发光层，其中第一蓝色发光层包含第一主体和第一掺杂剂，以及第二蓝色发光层包含第二主体和第二掺杂剂，其中第一主体和第二主体中的每一者由式1表示：
[式1]
其中在式1中，a1为0至8的整数，Ar1选自单键和经取代或未经取代的C6至C30亚芳基，Ar2和Ar3各自独立地选自经取代或未经取代的C6至C30芳基和经取代或未经取代的C3至C30杂芳基，以及R1选自经取代或未经取代的C1至C30烷基和经取代或未经取代的C3至C30环烷基，其中第一掺杂剂由式3表示：
[式3]
其中在式3中，b1和b2各自独立地为0至4的整数，以及b3为0至3的整数，X为O或S，Ar11和Ar12各自独立地选自经取代或未经取代的C6至C30芳基、经取代或未经取代的C3至C30杂芳基和经取代或未经取代的C6至C30脂环族基团，以及R11、R12和R13各自独立地选自经取代或未经取代的C1至C30烷基、经取代或未经取代的C3至C30环烷基、经取代或未经取代的C6至C30脂环族基团、经取代或未经取代的C6至C30芳基氨基、经取代或未经取代的C6至C30芳基和经取代或未经取代的C3至C30杂芳基，或者相邻两个R11、相邻两个R12和相邻两个R13中的至少一对彼此连接以形成经取代或未经取代的环，其中第二掺杂剂由式5表示：
[式5]
其中在式5中，e1和e2各自独立地为0至4的整数，以及e3为0至3的整数，Ar21和Ar22各自独立地选自经取代或未经取代的C6至C30芳基、经取代或未经取代的C3至C30杂芳基和经取代或未经取代的C6至C30脂环族基团，以及R21、R22和R23各自独立地选自经取代或未经取代的C1至C30烷基、经取代或未经取代的C3至C30环烷基、经取代或未经取代的C6至C30芳基氨基、经取代或未经取代的C6至C30芳基和经取代或未经取代的C3至C30杂芳基，或者相邻两个R21、相邻两个R22和相邻两个R23中的至少一对彼此连接以形成经取代或未经取代的环。
本公开的另一个方面是有机发光装置，其包括：基板；在基板上方的以上有机发光二极管；和覆盖有机发光二极管的封装层。
应理解，前述的一般性描述和以下的详细描述二者都是示例性和说明性的，并且旨在进一步说明所要求保护的本公开。
附图说明
附图被包括是为了提供对本公开的进一步理解并且其被并入本说明书中并构成本说明书的一部分，附图示出了本公开的实施方案，并且与说明书一起用于说明本公开的原理。
图1是示出本公开的有机发光显示装置的示意性电路图。
图2是示出根据本公开的第一实施方案的有机发光显示装置的示意性截面图。
图3是示出根据本公开的第二实施方案的OLED的示意性截面图。
图4是示出根据本公开的第三实施方案的OLED的示意性截面图。
图5是示出根据本公开的第四实施方案的有机发光显示装置的示意性截面图。
图6是示出根据本公开的第五实施方案的有机发光显示装置的示意性截面图。
图7是示出根据本公开的第六实施方案的OLED的示意性截面图。
图8是示出根据本公开的第七实施方案的OLED的示意性截面图。
具体实施方式
现在将详细地参照本公开的各方面，其实例可以在附图中示出。在以下描述中，当确定与本文件相关的公知功能或配置的详细描述使本发明构思的主旨不必要地模糊时，将省略其详细描述。所描述的一系列处理步骤和/或操作为实例；然而，除了必须以特定顺序发生的步骤和/或操作之外，否则步骤和/或操作的顺序不限于本文所述的顺序，而是可以如本领域中已知的那样改变。相同的附图标记通篇表示相同的要素。在以下说明中使用的各个要素的名称仅是为了方便书写说明书而选择的，并因此可以与实际产品中使用的名称不同。
参照以下与附图详细描述的各方面，本公开的优点和特征以及实现它们的方法将是明显的。然而，本公开不限于以下公开的方面，而是可以以各种不同的形式实现，并且仅这些方面使本公开的公开内容完整。提供本公开是为了向本公开领域的技术人员充分告知本公开的范围。
在附图中所公开的用于说明本公开的各方面的形状、尺寸、比例、角度、数量等是说明性的，并且本公开不限于所示出的情况。在整个说明书中，相同的附图标记是指相同的要素。此外，在描述本公开时，如果确定相关已知技术的详细描述使本公开的主题不必要地模糊，则可以省略其详细描述。当在本说明书中使用“包括”、“具有”、“组成”等时，除非使用“仅”，否则可以增加其他部分。当组分以单数表示时，除非描述了特定的声明，否则包括包括复数的情况。
在对要素进行解释时，要素被解释为包括误差或公差范围，尽管没有明确描述这样的误差或公差范围。
在描述位置关系时，例如，当两个部分之间的位置关系被描述为例如“上”、“上方”、“下”和“紧邻”时，除非使用更具限制性的术语(例如“仅”或“直接(地)”)，否则可以在两个部分之间设置一个或更多个其他部分。
在描述时间关系时，例如，当时间顺序被描述为例如“之后”、“随后”、“接下来”和“之前”时，除非使用更具限制性的术语(例如“仅”、“立即(地)”或“直接(地)”)，否则可以包括不连续的情况。
将理解，虽然在本文中可以使用术语“第一”、“第二”等来描述多个要素，但是这些要素不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个要素与另一个要素区分开。例如，在不脱离本公开的范围的情况下，第一要素可以被称为第二要素，并且类似地，第二要素可以被称为第一要素。
如本领域技术人员可以充分理解的，本公开的各个方面的特征可以部分地或整体地彼此联接或结合，并且可以在技术上彼此不同地交互操作和驱动。本公开的各方面可以彼此独立地进行，或者可以以相互依赖的关系一起进行。
在本公开中，在没有具体限定的情况下，烷基、环烷基、脂环族基团、芳基、杂芳基和芳基氨基的取代基可以为以下中的至少一者：经取代或未经取代的C1至C10烷基、经取代或未经取代的C3至C30环烷基、经取代或未经取代的C6至C30芳基和经取代或未经取代的C3至C30杂芳基。
在本公开中，在没有具体限定的情况下，C1至C30烷基可以选自甲基、乙基、丙基和丁基，例如叔丁基或异丁基。
在本公开中，在没有具体限定的情况下，C3至C30环烷基可以选自环丙基、环丁基、环戊基、环己基和金刚烷基。
在本公开中，在没有具体限定的情况下，C6至C30脂环族基团可以选自四氢萘基、甲基四氢萘基、乙基四氢萘基、四甲基四氢萘基和五甲基茚满基。
在本公开中，在没有具体限定的情况下，C6至C30芳基可以选自苯基、联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、戊搭烯基、茚基、茚并茚基、庚搭烯基、联二亚苯基、引达省基(indacenyl)、菲基、苯并菲基、二苯并菲基、薁基、芘基、荧蒽基、三亚苯基、基、四亚苯基、并四苯基、苉基、五亚苯基、并五苯基、芴基、茚并芴基和螺芴基。
在本公开中，在没有具体限定的情况下，C6至C30亚芳基可以选自亚苯基、亚联苯基、亚三联苯基、亚萘基、亚蒽基、亚戊搭烯基、亚茚基、亚茚并茚基、亚庚搭烯基、亚联二亚苯基、亚引达省基、亚菲基、亚苯并菲基、亚二苯并菲基、亚薁基、亚芘基、亚荧蒽基、亚三亚苯基、亚基、亚四亚苯基、亚并四苯基、亚苉基、亚五亚苯基、亚并五苯基、亚芴基、亚茚并芴基和亚螺芴基。
在本公开中，在没有具体限定的情况下，C3至C30杂芳基可以选自吡咯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、四嗪基、咪唑基、吡唑基、吲哚基、异吲哚基、吲唑基、吲嗪基、吡咯嗪基(pyrrolizinyl)、咔唑基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、吲哚并咔唑基、茚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、喹啉基、异喹啉基、酞嗪基、喹喔啉基、噌啉基、喹唑啉基、喹嗪基、喹啉基、嘌呤基、酞嗪基、喹喔啉基、苯并喹啉基、苯并异喹啉基、苯并喹唑啉基、苯并喹喔啉基、吖啶基、菲咯啉基、啶基、菲啶基、蝶啶基、萘啶基、呋喃基、嗪基、唑基、二唑基、三唑基、二英基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、噻喃基、呫吨基、色满基、异色满基、噻嗪基、噻吩基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、二呋喃并吡嗪基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并噻吩并苯并噻吩基、苯并噻吩并二苯并噻吩基、苯并噻吩并苯并呋喃基、和苯并噻吩并二苯并呋喃基。
在本公开中，在没有具体限定的情况下，C3至C30亚杂芳基可以选自亚吡咯基、亚吡啶基、亚嘧啶基、亚吡嗪基、亚哒嗪基、亚三嗪基、亚四嗪基、亚咪唑基、亚吡唑基、亚吲哚基、亚异吲哚基、亚吲唑基、亚吲嗪基、亚吡咯嗪基(pyrrolizinylene)、亚咔唑基、亚苯并咔唑基、亚二苯并咔唑基、亚吲哚并咔唑基、亚茚并咔唑基、亚苯并呋喃并咔唑基、亚苯并噻吩并咔唑基、亚喹啉基、亚异喹啉基、亚酞嗪基、亚喹喔啉基、亚噌啉基、亚喹唑啉基、亚喹嗪基、亚喹啉基、亚嘌呤基、亚酞嗪基、亚喹喔啉基、亚苯并喹啉基、亚苯并异喹啉基、亚苯并喹唑啉基、亚苯并喹喔啉基、亚吖啶基、亚菲咯啉基、亚啶基、亚菲啶基、亚蝶啶基、亚萘啶基、亚呋喃基、亚嗪基、亚唑基、亚二唑基、亚三唑基、亚二英基、亚苯并呋喃基、亚二苯并呋喃基、亚噻喃基、亚呫吨基、亚色满基、亚异色满基、亚噻嗪基、亚噻吩基、亚苯并噻吩基、亚二苯并噻吩基、亚二呋喃并吡嗪基、亚苯并呋喃并二苯并呋喃基、亚苯并噻吩并苯并噻吩基、亚苯并噻吩并二苯并噻吩基、亚苯并噻吩并苯并呋喃基、和亚苯并噻吩并二苯并呋喃基。
现在将详细参照在附图中示出的一些实例和优选实施方案。
在本公开中，包括OLED的有机发光装置可以为有机发光显示装置或有机照明装置。作为实例，将主要描述作为包括本公开的OLED的显示装置的有机发光显示装置。
图1是示出本公开的有机发光显示装置的示意性电路图。
如图1所示，在有机发光显示装置中形成有彼此交叉以限定像素(像素区域)P的栅极线GL和数据线DL，以及电源线PL。在像素区域P中形成有开关薄膜晶体管(thin filmtransistor，TFT)Ts、驱动薄膜晶体管(TFT)Td、存储电容器Cst和OLED D。像素区域P可以包括红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域。
开关薄膜晶体管Ts连接至栅极线GL和数据线DL，驱动薄膜晶体管Td和存储电容器Cst连接在开关薄膜晶体管Ts与电源线PL之间。OLED D连接至驱动薄膜晶体管Td。
当通过经由栅极线GL施加的栅极信号使开关薄膜晶体管Ts导通时，经由开关薄膜晶体管Ts将经由数据线DL施加的数据信号施加至驱动薄膜晶体管Td的栅电极和存储电容器Cst的一个电极。
通过施加到栅电极中的数据信号使驱动薄膜晶体管Td导通，使得与数据信号成比例的电流经由驱动薄膜晶体管Td从电源线PL供给到OLED D。OLED D发射亮度与流过驱动薄膜晶体管Td的电流成比例的光。
在这种情况下，用与数据信号成比例的电压对存储电容器Cst进行充电，使得驱动薄膜晶体管Td中的栅电极的电压在一帧期间保持恒定。
因此，有机发光显示装置可以显示期望的图像。
如图1所示，在有机发光显示装置中形成有彼此交叉以限定像素区域(像素)P的栅极线GL和数据线DL，以及电源线PL。在像素区域P中形成有开关薄膜晶体管(TFT)Ts、驱动TFT Td、存储电容器Cst和OLED D。像素区域P可以包括红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域。
开关薄膜晶体管Ts连接至栅极线GL和数据线DL，以及驱动薄膜晶体管Td连接在开关薄膜晶体管Ts与电源线PL之间。存储电容器Cst连接至驱动TFT Td的栅电极和漏电极，以及OLED D连接至驱动薄膜晶体管Td。
当通过经由栅极线GL施加的栅极信号使开关薄膜晶体管Ts导通时，经由开关薄膜晶体管Ts将经由数据线DL施加的数据信号施加至驱动薄膜晶体管Td的栅电极和存储电容器Cst的一个电极中。
通过施加到栅电极中的数据信号使驱动薄膜晶体管Td导通，使得与数据信号成比例的电流经由驱动薄膜晶体管Td从电源线PL供给到OLED D。OLED D发射亮度与流过驱动薄膜晶体管Td的电流成比例的光。在这种情况下，用与数据信号成比例的电压对存储电容器Cst进行充电，使得驱动薄膜晶体管Td中的栅电极的电压在一帧期间保持恒定。因此，有机发光显示装置可以显示期望的图像。
图2是示出根据本公开的第一实施方案的有机发光显示装置的示意性截面图。
如图2所示，有机发光显示装置100包括基板110、TFT Tr和设置在平坦化层上并且与TFT Tr连接的OLED D。
基板110可以为玻璃基板或柔性基板。例如，柔性基板可以为聚酰亚胺(PI)基板、聚醚砜(PES)基板、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)基板、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)基板或聚碳酸酯(PC)基板。
在基板上形成有缓冲层120，并且在缓冲层120上形成有TFT Tr。可以省略缓冲层120。
在缓冲层120上形成有半导体层122。半导体层122可以包含氧化物半导体材料或多晶硅。当半导体层122包含氧化物半导体材料时，可以在半导体层122下方形成遮光图案(未示出)。到达半导体层122的光被遮光图案遮挡或阻挡，使得可以防止半导体层122热降解。另一方面，当半导体层122包含多晶硅时，可以向半导体层122的两侧中掺杂杂质。
在半导体层122上形成有栅极绝缘层124。栅极绝缘层124可以由无机绝缘材料例如硅氧化物(SiOx)或硅氮化物(SiNx)形成。
在栅极绝缘层124上对应于半导体层122的中心形成有由导电材料(例如，金属)形成的栅电极130。在图2中，在基板110的整个表面上形成有栅极绝缘层124。或者，栅极绝缘层124可以被图案化成具有与栅电极130相同的形状。
在栅电极130上形成有由绝缘材料形成的层间绝缘层132。层间绝缘层132可以由无机绝缘材料(例如硅氧化物或硅氮化物)或者有机绝缘材料(例如苯并环丁烯或光压克力(photo-acryl))形成。
层间绝缘层132包括使半导体层122的两侧露出的第一接触孔134和第二接触孔136。第一接触孔134和第二接触孔136定位在栅电极130的两侧以与栅电极130间隔开。第一接触孔134和第二接触孔136形成为穿过栅极绝缘层124和层间绝缘层132。或者，当栅极绝缘层124被图案化成具有与栅电极130相同的形状时，第一接触孔134和第二接触孔136形成为仅穿过层间绝缘层132。
在层间绝缘层132上形成有由导电材料(例如金属)形成的源电极140和漏电极142。源电极140和漏电极142相对于栅电极130彼此间隔开并且分别通过第一接触孔134和第二接触孔136接触半导体层122的两侧。
半导体层122、栅电极130、源电极140和漏电极142构成TFT Tr。TFT Tr用作驱动元件。即，TFT Tr可以对应于(图1的)驱动TFT Td。
在TFT Tr中，栅电极130、源电极140和漏电极142定位在半导体层122上方。即，TFTTr具有共平面结构。或者，在TFT Tr中，栅电极可以定位在半导体层下方，源电极和漏电极可以定位在半导体层上方，使得TFT Tr可以具有反向交错结构。在这种情况下，半导体层可以包含非晶硅。
尽管未示出，但栅极线和数据线彼此交叉以限定像素区域，并且开关TFT形成为与栅极线和数据线连接。开关TFT连接至作为驱动元件的TFT Tr。此外，还可以形成电源线和存储电容器，所述电源线可以形成为与栅极线和数据线中的一者平行并且间隔开，所述存储电容器用于在一帧中保持TFT Tr的栅电极的电压。
在源电极140和漏电极142上以及在基板110的整个表面上方形成有平坦化层150。平坦化层150具有平坦的顶表面并且包括使TFT Tr的漏电极142露出的漏极接触孔152。
OLED D设置在平坦化层150上并且包括与TFT Tr的漏电极142连接的第一电极160、在第一电极160上的有机发光层162和在有机发光层162上的第二电极164。OLED D设置在红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域中的每一者处并且分别在红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域中发射红色光、绿色光和蓝色光。
第一电极160单独形成在每个像素区域中。第一电极160可以为阳极并且可以由具有相对高的功函数的导电材料形成。例如，第一电极160可以由具有相对高的功函数的导电材料例如透明导电氧化物(TCO)形成。例如，第一电极160可以包含以下中的至少一者：铟-锡-氧化物(ITO)、铟-锌-氧化物(IZO)、铟-锡-锌-氧化物(ITZO)、锡氧化物(SnO)、锌氧化物(ZnO)、铟-铜-氧化物(ICO)和铝-锌-氧化物(Al:ZnO，AZO)。
当有机发光显示装置100以底部发光型运行时，第一电极160可以具有由透明导电氧化物形成的单层结构。或者，当有机发光显示装置100以顶部发光型运行时，第一电极160还可以包括反射层以具有双层结构或三层结构。例如，反射层可以包含银(Ag)或铝-钯-铜合金(APC)。在顶部发光型OLED D中，第一电极160可以具有Ag/ITO或APC/ITO的双层结构或者ITO/Ag/ITO或ITO/APC/ITO的三层结构。
在平坦化层150上形成有堤层166以覆盖第一电极160的边缘。即，堤层166定位在像素区域的边界处并且使像素区域中的第一电极160的中心露出。
在第一电极160上形成有有机发光层162。有机发光层162可以具有发光材料层(EML)的单层结构。或者，有机发光层162还可以包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子阻挡层(EBL)、空穴阻挡层(HBL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中的至少一者以具有多层结构。
在蓝色像素区域中，OLED D的有机发光层162包括蓝色EML，并且蓝色EML包括第一蓝色发光层和第二蓝色发光层。
第一蓝色发光层包含由式1表示的第一主体和由式3表示的第一掺杂剂，第二蓝色发光层包含由式1表示的第二主体和由式5表示的第二掺杂剂。作为结果，OLED D和有机发光显示装置100中的每一者具有高的发光效率和颜色纯度以及改善的寿命。
有机发光层162可以包括设置成彼此间隔开的两个或更多个蓝色EML，使得OLED D可以具有串联结构。
在其中形成有有机发光层162的基板110上方形成有第二电极164。第二电极164覆盖显示区域的整个表面并且可以由具有相对低的功函数的导电材料形成以用作阴极。例如，第二电极164可以由具有高反射率的材料例如铝(Al)、镁(Mg)、钙(Ca)、银(Ag)、其合金或其组合形成。在顶部发光型有机发光显示装置100中，第二电极164可以具有薄的轮廓(小的厚度)以提供透光特性(或半透明特性)。
在第二电极164上形成有封装层(或封装膜)170以防止水分渗入到OLED D中。封装膜170包括顺序堆叠的第一无机绝缘层172、有机绝缘层174和第二无机绝缘层176，但不限于此。可以省略封装膜170。
在底部发光型有机发光显示装置100中，可以在封装层170上设置金属板。
有机发光显示装置100可以包括对应于红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域的滤色器层。滤色器层可以包括分别对应于红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域的红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器。具有滤色器层的有机发光显示装置100可以具有改善的颜色纯度。
在底部发光型有机发光显示装置100中，滤色器层可以设置在OLED D与基板110之间，例如，设置在层间绝缘层132与平坦化层150之间。在顶部发光型有机发光显示装置100中，滤色器层可以设置在OLED D上方，例如设置在第二电极164或封装层170上或上方。
有机发光显示装置100还可以包括偏光板用于减少环境光反射。例如，偏光板可以为圆偏光板。在底部发光型有机发光显示装置100中，偏光板可以设置在基板110下方。在顶部发光型有机发光显示装置100中，偏光板可以设置在封装膜170上或上方。
此外，在顶部发光型有机发光显示装置100中，可以将覆盖窗附接至封装膜170或偏光板。在这种情况下，基板110和覆盖窗具有柔性特性，使得可以提供柔性有机发光显示装置。
图3是示出根据本公开的第二实施方案的OLED的示意性截面图。
如图3所示，OLED D1包括彼此面向的第一电极160和第二电极164，以及其间的有机发光层162，并且有机发光层162包括蓝色EML 240。
(图2)的有机发光显示装置100包括红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域。此外，有机发光显示装置100还可以包括白色像素区域。OLED D1可以定位在蓝色像素区域中。
红色像素区域中的有机发光层162包括红色EML，以及绿色像素区域中的有机发光层162包括绿色EML。
第一电极160和第二电极164中的一者为阳极，以及第一电极160和第二电极164中的另一者为阴极。第一电极160和第二电极164中的一者为反射电极，以及第一电极160和第二电极164中的另一者为透明电极(或半透明电极)。
例如，第一电极160可以包括ITO或IZO的透明导电材料层，以及第二电极164可以由Al、Mg、Ag、AlMg和MgAg中的一者形成。
蓝色EML 240包括更靠近第一电极160的第一蓝色发光层250和更靠近第二电极164并与第一蓝色发光层250相邻的第二蓝色发光层260。即，第二蓝色发光层260设置在第一蓝色发光层250与第二电极164之间并接触第一蓝色发光层250。
蓝色EML 240的厚度可以为至第一蓝色发光层250的厚度和第二蓝色发光层260的厚度之和等于蓝色EML 240的厚度，以及第一蓝色发光层250的厚度和第二蓝色发光层260的厚度可以相同或不同。第一蓝色发光层250的厚度和第二蓝色发光层260的厚度的每一者可以为至例如至
第一蓝色发光层250包含第一主体252和第一掺杂剂(例如，第一发射体)254。在第一蓝色发光层250中，第一主体252的重量％(wt％)可以为80至99，优选地95至99，以及第一掺杂剂254的重量％可以为1至20，优选地1至5。
第二蓝色发光层260包含第二主体262和第二掺杂剂(例如，第二发射体)264。在第二蓝色发光层260中，第二主体262的重量％(wt％)可以为80至99，优选地95至99，以及第二掺杂剂264的重量％可以为1至20，优选地1至5。
第一蓝色发光层250中的第一主体252的重量％和第二蓝色发光层260中的第二主体262的重量％可以相同或不同。第一蓝色发光层250中的第一掺杂剂254的重量％和第二蓝色发光层260中的第二掺杂剂264的重量％可以相同或不同。
第一主体252和第二主体262中的每一者为不含氘的蒽衍生物(例如，蒽化合物)。即，第一主体252和第二主体262中的每一者为非氘化的蒽衍生物。第一主体252和第二主体262中的每一者包含由式1表示的至少一种化合物。
[式1]
在式1中，a1为0至8的整数，
Ar1选自单键(直接键)和经取代或未经取代的C6至C30亚芳基，
Ar2和Ar3各自独立地选自经取代或未经取代的C6至C30芳基和经取代或未经取代的C3至C30杂芳基，以及
R1选自经取代或未经取代的C1至C30烷基和经取代或未经取代的C3至C30环烷基。
在式1中，Ar1可以选自单键、亚苯基、和亚萘基例如1-亚萘基或2-亚萘基。
Ar2和Ar3中的每一者可以为经取代或未经取代的C6至C30芳基。在本公开的一个方面中，Ar2和Ar3中的每一者可以选自苯基、萘基(例如1-萘基或2-萘基)、联苯基和菲基。
在本公开的一个方面中，Ar2和Ar3中的一者可以为经取代或未经取代的C6至C30芳基，例如，苯基、萘基(例如1-萘基或2-萘基)、联苯基或菲基，Ar2和Ar3中的另一者可以为经取代或未经取代的C3至C30杂芳基，例如二苯并呋喃基、苯并萘并呋喃基、二苯并噻吩基或苯并萘并噻吩基。
第一主体252和第二主体262可以相同或不同。
例如，第一蓝色发光层250中的第一主体252和第二蓝色发光层260中的第二主体262中的每一者可以包含式2中的化合物中的至少一者。
[式2]
第一蓝色发光层250中的第一掺杂剂254由式3表示。
[式3]
在式3中，b1和b2各自独立地为0至4的整数，以及b3为0至3的整数。
X为O或S，
Ar11和Ar12各自独立地选自经取代或未经取代的C6至C30芳基、经取代或未经取代的C3至C30杂芳基和经取代或未经取代的C6至C30脂环族基团，以及
R11、R12和R13各自独立地选自经取代或未经取代的C1至C30烷基、经取代或未经取代的C3至C30环烷基、经取代或未经取代的C6至C30脂环族基团、经取代或未经取代的C6至C30芳基氨基、经取代或未经取代的C6至C30芳基和经取代或未经取代的C3至C30杂芳基，或者相邻两个R11、相邻两个R12和相邻两个R13中的至少一对彼此连接以形成经取代或未经取代的环。
在本公开的一个方面中，Ar11和Ar12中的每一者可以独立地选自未经取代或经C1至C30烷基(例如叔丁基)和C3至C30环烷基(例如金刚烷基)中的至少一者取代的C6至C30芳基，例如苯基或联苯基；未经取代或经C1至C30烷基(例如甲基)和C6至C30芳基(例如苯基)中的至少一者取代的C6至C30脂环族基团，例如四甲基四氢萘基；和未经取代或经C6至C30芳基(例如苯基)取代的C3至C30杂芳基，例如二苯并呋喃基或二苯并噻吩基。
在本公开的一个方面中，R11、R12和R13中的每一者可以独立地选自经取代或未经取代的C1至C30烷基，例如甲基或叔丁基；未经取代或经C1至C30烷基(例如甲基或叔丁基)取代的C6至C30芳基，例如苯基、萘基或联苯基；未经取代或经C1至C30烷基(例如甲基或叔丁基)和C6至C30芳基(例如苯基、萘基或联苯基)中的至少一者取代的C6至C30芳基氨基，例如二苯基氨基；经取代或未经取代的C3至C30环烷基，例如金刚烷基；和经取代或未经取代的C3至C30杂芳基，例如咔唑基、二苯并呋喃基或二苯并噻吩基。
在本公开的一个方面中，相邻两个R11和相邻两个R12中的至少一对可以彼此连接以与式3中的苯环一起形成未经取代或经C1至C30烷基(例如甲基)取代的C6至C30脂环族环，例如四甲基四氢化萘。
例如，包含在第一蓝色发光层250中的第一掺杂剂254可以为式4中的化合物中的一者。
[式4]
第二蓝色发光层260中的掺杂剂264由式5表示。
[式5]
在式5中，e1和e2各自独立地为0至4的整数，以及e3为0至3的整数。
Ar21和Ar22各自独立地选自经取代或未经取代的C6至C30芳基、经取代或未经取代的C3至C30杂芳基和经取代或未经取代的C6至C30脂环族基团，以及
R21、R22和R23各自独立地选自经取代或未经取代的C1至C30烷基、经取代或未经取代的C3至C30环烷基、经取代或未经取代的C6至C30芳基氨基、经取代或未经取代的C6至C30芳基和经取代或未经取代的C3至C30杂芳基，或者相邻两个R21、相邻两个R22和相邻两个R23中的至少一对彼此连接以形成经取代或未经取代的环。
在本公开的一个方面中，Ar21和Ar22中的每一者可以为未经取代或经C1至C30烷基(例如甲基)取代的C6至C30脂环族基团，例如四甲基四氢萘基；未经取代或经C1至C30烷基(例如叔丁基)、C3至C30环烷基(例如金刚烷基)、C6至C30脂环族基团(例如四甲基四氢萘基)和C6至C30芳基氨基(例如二苯基氨基)中的至少一者取代的C6至C30芳基，例如苯基、联苯基、三联苯基或萘基；和未经取代或经C1至C30烷基(例如甲基)取代的C3至C30杂芳基，例如二苯呋喃基、二苯并噻吩基或呫吨基。
在本公开的一个方面中，R21、R22和R23中的每一者可以独立地选自经取代或未经取代的C1至C30烷基，例如甲基或叔丁基；经取代或未经取代的C3至C30环烷基，例如金刚烷基；未经取代或经C1至C30烷基(例如叔丁基)取代的C6至C30芳基氨基，例如二苯基氨基、苯基萘基氨基、萘基联苯基氨基、苯基联苯基氨基或二联苯基氨基；和经取代或未经取代的C3至C30杂芳基，例如咔唑基。
在本公开的一个方面中，相邻两个R21和相邻两个R22中的至少一对可以彼此连接以与式5中的苯环一起形成未经取代或经C1至C30烷基(例如甲基)取代的C6至C30脂环族环，例如四甲基四氢化萘。
在本公开的一个方面中，相邻两个R21和相邻两个R22中的至少一对可以彼此连接以与式5中的苯环一起形成未经取代或经C1至C30烷基(例如甲基)和C6至C30芳基(例如苯基)中的至少一者取代的C3至C30杂环，例如二氢吖啶。
在本公开的一个方面中，相邻两个R21和相邻两个R22中的一对可以彼此连接以与式5中的苯环一起形成未经取代或经C1至C30烷基(例如甲基)取代的C6至C30脂环族环，例如四甲基四氢化萘，相邻两个R21和相邻两个R22中的另一对可以彼此连接以与式5中的苯环一起形成未经取代或经C1至C30烷基(例如甲基)和C6至C30芳基(例如苯基)中的至少一者取代的C3至C30杂环，例如二氢吖啶。
例如，包含在第二蓝色发光层260中的第二掺杂剂264可以为式6中的化合物中的一者。
[式6]
包含在第一蓝色发光层250中的第一掺杂剂254具有相对高的HOMO(最高占据分子轨道)能级，即，浅HOMO体系，以及包含在第二蓝色发光层260中的第二掺杂剂264具有相对低的HOMO能级，即深HOMO体系，所述第一蓝色发光层250设置成更靠近作为用于注入空穴的阳极的第一电极160，所述第二蓝色发光层260设置成更靠近作为用于注入电子的阴极的第二电极164。
即，第一掺杂剂254可以为具有第一HOMO能级的硼衍生物，以及第二掺杂剂264可以为具有低于第一HOMO能级的第二HOMO能级的硼衍生物。第一HOMO能级与第二HOMO能级之差可以为0.5eV或更小，优选地0.4eV或更小。
此外，第一掺杂剂254具有相对高的LUMO(最低未占分子轨道)能级，即浅LUMO体系，以及第二掺杂剂264具有相对低的LUMO能级，即深LUMO体系。即，第一掺杂剂254具有第一LUMO能级，以及第二掺杂剂254具有低于第一LUMO能级的第二LUMO能级。
例如，第一掺杂剂254的第一HOMO能级可以在-5.3eV至-5.1eV的范围内，以及第二掺杂剂264的第二HOMO能级可以在-5.5eV至-5.2eV的范围内。第一掺杂剂254的第一LUMO能级可以在-2.6eV至-2.3eV的范围内，以及第二掺杂剂264的第二LUMO能级可以在-2.8eV至-2.5eV的范围内。
第一掺杂剂254的HOMO能级可以高于第一主体252的HOMO能级，以及第一掺杂剂254的LUMO能级可以高于第一主体252的LUMO能级。第二掺杂剂264的HOMO能级可以高于第二主体262的HOMO能级，以及第二掺杂剂264的LUMO能级可以高于第二主体262的LUMO能级。
第一主体252的HOMO能级和第二主体262的HOMO能级可以相同或不同，以及第一主体252的LUMO能级和第二主体262的LUMO能级可以相同或不同。第一主体252的HOMO能级和第二主体262的HOMO能级中的每一者可以在-6.0eV至-5.8eV的范围内，以及第一主体252的LUMO能级和第二主体262的LUMO能级中的每一者可以在-3.1eV至-2.9eV的范围内。
包含在第一蓝色发光层中的第一掺杂剂254具有相对小的三线态能量，以及包含在第二蓝色发光层中的第二掺杂剂264具有相对大的三线态能量，所述第一蓝色发光层设置成更靠近作为用于注入空穴的阳极的第一电极160，所述第二蓝色发光层设置成更靠近作为用于注入电子的阴极的第二电极164。即，第一掺杂剂254具有第一三线态能量，以及第二掺杂剂264具有大于第一三线态能量的第二三线态能量。
例如，第一掺杂剂254的第一三线态能量可以在2.3eV至2.5eV的范围内，以及第二掺杂剂264的第二三线态能量可以在2.5eV至2.7eV的范围内。
第一掺杂剂254的三线态能量可以大于第一主体252的三线态能量，以及第二掺杂剂264的三线态能量可以大于第二主体262的三线态能量。
第一主体252的三线态能量和第二主体262的三线态能量可以相同或不同。第一主体252的三线态能量和第二主体262的三线态能量可以在1.6eV至2.0eV的范围内。
在本公开的OLED中，第一蓝色发光层250中的第一主体252和第二蓝色发光层260中的第二主体262为具有相同化学结构的非氘化的蒽衍生物，以及第一蓝色发光层250中的第一掺杂剂254和第二蓝色发光层260中的第二掺杂剂264具有不同的化学结构和不同的电光特性，例如，HOMO能级、LUMO能级或三线态能量。
有机发光层162还可以包括设置在蓝色EML 240下方的HTL 220和设置在蓝色EML240上方的ETL 280中的至少一者。即，HTL 220可以设置在蓝色EML 240与第一电极160之间，以及ETL 280可以设置在蓝色EML240与第二电极164之间。
有机发光层162还可以包括在HTL 220与第一电极160之间的HIL210和在ETL 280与第二电极164之间的EIL 290中的至少一者。
有机发光层162还可以包括在蓝色EML 240与HTL 220之间的EBL 230和在蓝色EML240与ETL280之间的HBL 270中的至少一者。
例如，有机发光层162可以具有HIL 210、HTL 220、EBL 230、第一蓝色发光层250、第二蓝色发光层260、HBL 270、ETL 280和EIL 290顺序堆叠在第一电极160上的结构。在该配置中，第一蓝色发光层250接触EBL230并与HTL 220间隔开，以及第二蓝色发光层260接触HBL 270并与ETL 280间隔开。
或者，可以省略HBL 270。例如，有机发光层162可以具有HIL 210、HTL 220、EBL230、第一蓝色发光层250、第二蓝色发光层260、ETL 280和EIL290顺序堆叠在第一电极160上的结构。在该配置中，第一蓝色发光层250接触EBL 230并与HTL 220间隔开，以及第二蓝色发光层260接触ETL 280。
HIL210可以包含为选自以下的至少一种化合物的空穴注入材料：4,4’4”-三(3-甲基苯基氨基)三苯胺(MTDATA)、4,4’,4”-三(N,N-二苯基-氨基)三苯胺(NATA)、4,4’,4”-三(N-(萘-1-基)-N-苯基-氨基)三苯胺(1T-NATA)、4,4’,4”-三(N-(萘-2-基)-N-苯基-氨基)三苯胺(2T-NATA)、铜酞菁(CuPc)、三(4-咔唑基-9-基-苯基)胺(TCTA)、N,N’-二苯基-N,N’-双(1-萘基)-1,1’-联苯-4,4”-二胺(NPB或NPD)、1,4,5,8,9,11-六氮杂苯并菲六腈(二吡嗪并[2,3-f:2’3’-h]喹喔啉-2,3,6,7,10,11-六腈(HAT-CN)、1,3,5-三[4-(二苯基氨基)苯基]苯(TDAPB)、聚(3,4-亚乙基二氧基噻吩)聚苯乙烯磺酸酯(PEDOT/PSS)和N-(联苯-4-基)-9,9-二甲基-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺，但不限于此。例如，用于HIL 210的空穴注入材料可以为式13中的化合物。HIL 210的厚度可以为至
HTL 220可以包含为选自以下的至少一种化合物的空穴传输材料：N,N’-二苯基-N,N’-双(3-甲基苯基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺(TPD)、NPB(或NPD)、4,4’-双(N-咔唑基)-1,1’-联苯(CBP)、聚[N,N’-双(4-丁基苯基)-N,N’-双(苯基)-联苯胺](聚-TPD)、聚[(9,9-二辛基芴基-2,7-二基)-共聚-(4,4’-(N-(4-仲丁基苯基)二苯胺))](TFB)、二-[4-(N,N-二-对甲苯基-氨基)-苯基]环己烷(TAPC)、3,5-二(9H-咔唑-9-基)-N,N-二苯基苯胺(DCDPA)、N-(联苯-4-基)-9,9-二甲基-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺、和N-(联苯-4-基)-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)联苯-4-胺，但不限于此。例如，用于HTL 220的空穴传输材料可以为式14中的化合物。HTL 220的厚度可以为至优选地至
ETL 280的厚度可以为至优选地至ETL 280可以包含由式7表示的第一电子传输材料。
[式7]
在式7中，f1、f2、f3和f4各自独立地为0至4的整数，以及f5为0至2的整数，
R31、R32、R33和R34各自独立地选自氘、经取代或未经取代的C1至C10烷基、经取代或未经取代的C3至C10环烷基、经取代或未经取代的C6至C30芳基和经取代或未经取代的C3至C30杂芳基，
X1、X2和X3各自独立地为N或CR35，以及X1、X2和X3中的至少两者为N，
R35选自氢、经取代或未经取代的C1至C10烷基、经取代或未经取代的C3至C10环烷基、经取代或未经取代的C6至C30芳基和经取代或未经取代的C3至C30杂芳基，
Ar31和Ar32各自独立地选自经取代或未经取代的C6至C30芳基和经取代或未经取代的C3至C30杂芳基，以及
L31选自经取代或未经取代的C6至C30亚芳基和经取代或未经取代的C3至C30亚杂芳基。
在本公开的一个方面中，f1、f2、f3和f4中的每一者可以为0或1。
在本公开的一个方面中，R31、R32、R33和R34中的每一者可以独立地选自经取代或未经取代的C3至C10环烷基例如环己基和经取代或未经取代的C6至C30芳基例如苯基。
在本公开的一个方面中，f5可以为0或1。
在本公开的一个方面中，X1、X2和X3中的两者可以为N，X1、X2和X3中的一者可以为CR35，并且R35可以为氢。
在本公开的一个方面中，Ar31和Ar32中的每一者可以独立地为经取代或未经取代的C6至C30芳基，例如苯基或联苯基。
在本公开的一个方面中，L31可以为经取代或未经取代的C6至C30亚芳基，例如亚苯基。
例如，第一电子传输材料可以为式8中的化合物中的一者。
[式8]
或者，ETL 280可以包含由式9表示的第二电子传输材料。
[式9]
在式9中，g1、g2和g3各自独立地为0至4的整数，以及g4为0或1，
R41、R42和R43各自独立地选自氘、经取代或未经取代的C1至C10烷基、经取代或未经取代的C3至C10环烷基、经取代或未经取代的C6至C30芳基和经取代或未经取代的C3至C30杂芳基，
R44选自氢、氘、经取代或未经取代的C1至C10烷基、经取代或未经取代的C3至C10环烷基、经取代或未经取代的C6至C30芳基和经取代或未经取代的C3至C30杂芳基，
L41和L42各自独立地为经取代或未经取代的C6至C30亚芳基，以及
Ar选自经取代或未经取代的C6至C30芳基和经取代或未经取代的C3至C30杂芳基。
在本公开的一个方面中，g1和g2中的每一者可以为0。
在本公开的一个方面中，g3可以为0或1，以及R43可以为经取代或未经取代的C1至C10烷基，例如，甲基。
在本公开的一个方面中，R44可以选自经取代或未经取代的C1至C10烷基，例如甲基或乙基；和经取代或未经取代的C6至C30芳基，例如苯基、萘基或联苯基。
在本公开的一个方面中，L41和L42中的每一者可以为经取代或未经取代的C6至C30亚芳基，例如亚苯基或亚萘基。
在本公开的一个方面中，Ar可以为经取代或未经取代的C6至C30芳基，例如苯基、萘基、联苯基、三联苯基或9,9二甲基芴基。
例如，第二电子传输材料可以为式10中的化合物中的一者。
[式10]
在本公开的一个方面中，ETL280可以包含由式7表示的第一电子传输材料和由式9表示的第二电子传输材料二者。
即，ETL 280可以包含由式7表示的第一电子传输材料和由式9表示的第二电子传输材料中的至少一者。
当ETL 280包含由式7表示的第一电子传输材料和由式9表示的第二电子传输材料中的至少一者时，ETL 280可以具有电子传输功能和空穴阻挡功能。因此，可以省略HBL，使得ETL 280可以接触第二蓝色发光层260。
或者，ETL280可以包含为选自以下的至少一种化合物的电子传输材料：三-(8-羟基喹啉)铝(Alq3)、2-联苯-4-基-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-二唑(PBD)、螺-PBD、喹啉锂(Liq)、1,3,5-三(N-苯基苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)、双(2-甲基-8-羟基喹啉-N1,O8)-(1,1’-联苯-4-羟基)铝(BAlq)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(Bphen)、2,9-双(萘-2-基)-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(NBphen)、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP)、3-(4-联苯)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-三唑(TAZ)、4-(萘-1-基)-3,5-二苯基-4H-1,2,4-三唑(NTAZ)、1,3,5-三(对吡啶-3-基-苯基)苯(TpPyPB)、2,4,6-三(3’-(吡啶-3-基)联苯-3-基)1,3,5-三嗪(TmPPPyTz)、聚[9,9-双(3’-((N,N-二甲基)-N-乙基铵)-丙基)-2,7-芴]-交替-2,7-(9,9-二辛基芴)](PFNBr)、三(苯基喹喔啉)(TPQ)、二苯基-4-三苯基甲硅烷基-苯基氧化膦(TSPO1)和2-[4-(9,10-二-2-萘-2-基-2-蒽-2-基)苯基]-1-苯基-1H-苯并咪唑(ZADN)。
EIL 290可以包含为以下的至少一者的电子注入材料：碱金属，例如Li；碱卤化物化合物，例如LiF、CsF、NaF或BaF2；和有机金属化合物，例如Liq、苯甲酸锂或硬脂酸钠。或者，EIL 290可以包含式15中的化合物和掺杂剂，例如Li，并且掺杂剂的重量％可以为1至10。EIL 290的厚度可以为至优选地至
EBL 230可以包含由式11表示的电子阻挡材料。
[式11]
在式11中，h1为0至3的整数，h2和h3各自独立地为0至5的整数，h4为0至4的整数，以及h5为0或1，
R51和R54各自独立地选自氘、经取代或未经取代的C1至C30烷基、未经取代或经氘取代的C3至C30环烷基、经取代或未经取代的C6至C30芳基和经取代或未经取代的C3至C30杂芳基，
R52和R53各自独立地选自氘、经取代或未经取代的C1至C30烷基、未经取代或经氘取代的C3至C30环烷基、经取代或未经取代的C6至C30芳基和经取代或未经取代的C3至C30杂芳基，或者R52和R53彼此连接以形成经取代或未经取代的环，
R55和R56各自独立地选自经取代或未经取代的C6至C30芳基和经取代或未经取代的C3至C30杂芳基，以及
L51选自经取代或未经取代的C6至C30亚芳基和经取代或未经取代的C3至C30亚杂芳基。
在本公开的一个方面中，h5可以为0，或者L51可以为经取代或未经取代的C6至C30亚芳基，例如，亚苯基。
在本公开的一个方面中，R52和R53各自可以彼此连接使得式11中的电子阻挡材料具有螺芴的结构。
在本公开的一个方面中，R55和R56中的每一者可以独立地选自联苯基、芴基、咔唑基、苯基咔唑基、咔唑基苯基、二苯并噻吩基和二苯并呋喃基，并且可以经C1至C10烷基或C6至C30芳基(例如苯基)取代。
例如，式11中的电子阻挡材料可以为经螺芴基取代的胺衍生物。
EBL 230中的电子阻挡材料(即式11中的化合物)的HOMO能级可以低于第一掺杂剂254的HOMO能级和第二掺杂剂264的HOMO能级中的每一者。
EBL 230中的电子阻挡材料(即式11中的化合物)的HOMO能级和LUMO能级可以分别高于第一主体252的HOMO能级和LUMO能级。
EBL 230中的电子阻挡材料(即式11中的化合物)的HOMO能级可以在-5.8eV至-5.6eV的范围内，以及EBL 230中的电子阻挡材料(即式11中的化合物)的LUMO能级可以在-2.6eV至-2.3eV的范围内。
例如，EBL 230中的电子阻挡材料可以为式12中的化合物中的一者。
[式12]
或者，EBL 230可以包含为选自以下的至少一种化合物的电子阻挡材料：TCTA、三[4-(二乙基氨基)苯基]胺、N-(联苯-4-基)-9,9-二甲基-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺、TAPC、MTDATA、1,3-双(咔唑-9-基)苯(mCP)、3,3’-双(N-咔唑基)-1,1’-联苯(mCBP)、CuPc、N,N’-双[4-(双(3-甲基苯基)氨基)苯基]-N,N’-二苯基-[1,1’-联苯]-4,4’-二胺(DNTPD)、TDAPB和DCDPA、2,8-双(9-苯基-9H-咔唑-3-基)二苯并[b,d]噻吩。EBL230的厚度可以为至
HBL 270可以包含ETL 280的材料。例如，HBL 270可以包含为选自以下的至少一种化合物的空穴阻挡材料：BCP、BAlq、Alq3、PBD、螺-PBD、Liq、双-4,6-(3,5-二-3-吡啶基苯基)-2-甲基嘧啶(B3PYMPM)、双[2-(二苯基膦基)苯基]醚氧化物(DPEPO)、9-(6-9H-咔唑-9-基)吡啶-3-基)-9H-3,9’-联咔唑、TSPO1和式12中的化合物，但不限于此。HBL 270的厚度可以为至优选地至
在OLED D1中，包括第一蓝色发光层250和第二蓝色发光层260的蓝色EML 240构成发光部，或者包括第一蓝色发光层250和第二蓝色发光层260的蓝色EML 240与HIL 210、HTL220、EBL 230、HBL 270、ETL 280和EIL290中的至少一者构成发光部。
如上所述，在本公开的OLED D1中，蓝色EML 240包括：第一蓝色发光层250，所述第一蓝色发光层250包含第一主体252和第一掺杂剂254并且设置成更靠近作为阳极的第一电极160；和第二蓝色发光层260，所述第二蓝色发光层260包含第二主体262和第二掺杂剂264并且设置成更靠近作为阴极的第二电极164。在这种情况下，第一主体252和第二主体262中的每一者包含至少一种由式1表示的化合物，第一掺杂剂254由式3表示，以及第二掺杂剂264由式5表示。
因此，OLED D1和有机发光显示装置100可以在发光效率、颜色纯度和寿命的至少一个方面具有优势。
在本公开的OLED D1中，蓝色EML 240包括：第一蓝色发光层250，所述第一蓝色发光层250包含第一主体252和第一掺杂剂254并且设置成更靠近作为阳极的第一电极160；和第二蓝色发光层260，所述第二蓝色发光层260包含第二主体262和第二掺杂剂264并且设置成更靠近作为阴极的第二电极164。在这种情况下，第一主体252和第二主体262中的每一者为由式1表示的非氘化的蒽衍生物，第二掺杂剂264的HOMO能级低于第一掺杂剂254的HOMO能级，以及第二掺杂剂264的三线态能量大于第一掺杂剂254的三线态能量。
因此，OLED D1和有机发光显示装置100可以在发光效率、颜色纯度和寿命的至少一个方面具有优势。
图4是示出根据本公开的第三实施方案的OLED的示意性截面图。
如图4所示，OLED D2包括面向彼此的第一电极160和第二电极164以及在第一电极160与第二电极164之间的有机发光层162。有机发光层162包括第一发光部310和第二发光部350，所述第一发光部310包括第一蓝色EML 340，所述第二发光部350包括第二蓝色EML380。此外，有机发光层162还可以包括在第一发光部310与第二发光部350之间的电荷生成层(CGL)390。
(图2的)有机发光显示装置100包括红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域。有机发光显示装置100还可以包括白色像素区域。OLED D2定位在蓝色像素区域中。
第一电极160和第二电极164中的一者为阳极，以及第一电极160和第二电极164中的另一者为阴极。此外，第一电极160和第二电极164中的一者可以为反射电极，以及第一电极160和第二电极164中的另一者可以为透明(或半透明)电极。
例如，第一电极160可以包括ITO或IZO的透明导电材料层，以及第二电极164可以由Al、Mg、Ag、AlMg和MgAg中的一者形成。
CGL 390定位在第一发光部310与第二发光部350之间，并且第一发光部310、CGL390和第二发光部350顺序地堆叠在第一电极160上。即，第一发光部310定位在第一电极160与CGL 390之间，以及第二发光部350定位在第二电极164与CGL 390之间。
在第一发光部310中，第一蓝色EML 340包括更靠近第一电极160的第一蓝色发光层320和更靠近第二电极164并与第一蓝色发光层320相邻的第二蓝色发光层330。即，第二蓝色发光层330设置在第一蓝色发光层320与第二电极164之间并接触第一蓝色发光层320。
第一蓝色EML 340的厚度可以为至第一蓝色发光层320的厚度和第二蓝色发光层330的厚度之和等于第一蓝色EML 340的厚度，以及第一蓝色发光层320的厚度和第二蓝色发光层330的厚度可以相同或不同。第一蓝色发光层320的厚度和第二蓝色发光层330的厚度中的每一者可以为至例如至
第一蓝色发光层320包含第一主体322和第一掺杂剂(例如，第一发射体)324。在第一蓝色发光层320中，第一主体322的重量％(wt％)可以为80至99，优选地95至99，以及第一掺杂剂324的重量％可以为1至20，优选地1至5。
第一主体322包含至少一种由式1表示的化合物，以及第一掺杂剂324由式3表示。例如，第一主体322可以包含式2中的化合物中的至少一者，以及第一掺杂剂324可以包含式4中的化合物中的至少一者。
第二蓝色发光层330包含第二主体332和第二掺杂剂(例如，第二发射体)334。在第二蓝色发光层330中，第二主体332的重量％(wt％)可以为80至99，优选地95至99，以及第二掺杂剂334的重量％可以为1至20，优选地1至5。
第二主体332包含至少一种由式1表示的化合物，以及第二掺杂剂334由式5表示。例如，第二主体332可以包含式2中的化合物的至少一者，以及第二掺杂剂334可以包含式6中的化合物的至少一者。
第一主体322和第二主体332可以相同或不同。
第一蓝色发光层320中的第一主体322的重量％和第二蓝色发光层330中的第二主体332的重量％可以相同或不同，以及第一蓝色发光层320中的第一掺杂剂324的重量％和第二蓝色发光层330中的第二掺杂剂334的重量％可以相同或不同。
包含在第一蓝色发光层320中的第一掺杂剂324具有相对高的HOMO能级，即浅HOMO体系，以及包含在第二蓝色发光层330中的第二掺杂剂334具有相对低的HOMO能级，即深HOMO体系，所述第一蓝色发光层320设置成更靠近作为用于注入空穴的阳极的第一电极160，所述第二蓝色发光层330设置成更靠近作为用于注入电子的阴极的第二电极164。即，第一掺杂剂324可以具有第一HOMO能级，以及第二掺杂剂334可以具有低于第一HOMO能级的第二HOMO能级。第一HOMO能级与第二HOMO能级之差可以为0.5eV或更小，优选地0.4eV或更小。
此外，第一掺杂剂324具有相对高的LUMO能级，即浅LUMO体系，以及第二掺杂剂334具有相对低的LUMO能级，即深LUMO体系。即，第一掺杂剂324具有第一LUMO能级，以及第二掺杂剂334具有低于第一LUMO能级的第二LUMO能级。
例如，第一掺杂剂324的第一HOMO能级可以在-5.3eV至-5.1eV的范围内，以及第二掺杂剂334的第二HOMO能级可以在-5.5eV至-5.2eV的范围内。第一掺杂剂324的第一LUMO能级可以在-2.6eV至-2.3eV的范围内，以及第二掺杂剂334的第二LUMO能级可以在-2.8eV至-2.5eV的范围内。
第一掺杂剂324的HOMO能级可以高于第一主体322的HOMO能级，以及第一掺杂剂324的LUMO能级可以高于第一主体322的LUMO能级。第二掺杂剂334的HOMO能级可以高于第二主体332的HOMO能级，以及第二掺杂剂334的LUMO能级可以高于第二主体332的LUMO能级。
第一主体322的HOMO能级和第二主体332的HOMO能级可以相同或不同，以及第一主体322的LUMO能级和第二主体332的LUMO能级可以相同或不同。第一主体322的HOMO能级和第二主体332的HOMO能级中的每一者可以在-6.0eV至-5.8eV的范围内，以及第一主体322的LUMO能级和第二主体332的LUMO能级中的每一者可以在-3.1eV至-2.9eV的范围内。
包含在第一蓝色发光层320中的第一掺杂剂324具有相对小的三线态能量，以及包含在第二蓝色发光层330中的第二掺杂剂334具有相对大的三线态能量，所述第一蓝色发光层320布置成更靠近作为用于注入空穴的阳极的第一电极160，所述第二蓝色发光层330布置成更靠近作为用于注入电子的阴极的第二电极164。即，第一掺杂剂324具有第一三线态能量，以及第二掺杂剂334具有大于第一三线态能量的第二三线态能量。
例如，第一掺杂剂324的第一三线态能量可以在2.3eV至2.5eV的范围内，以及第二掺杂剂334的第二三线态能量可以在2.5eV至2.7eV的范围内。
第一掺杂剂324的三线态能量可以大于第一主体322的三线态能量，以及第二掺杂剂334的三线态能量可以大于第二主体332的三线态能量。第一主体322的三线态能量和第二主体332的三线态能量可以相同或不同。第一主体322的三线态能量和第二主体332的三线态能量可以在1.6eV至2.0eV的范围内。
即，在第一蓝色EML 340中，第一蓝色发光层320中的第一主体322和第二蓝色发光层330中的第二主体332为具有相同化学结构的非氘化的蒽衍生物，以及第一蓝色发光层320中的第一掺杂剂324和第二蓝色发光层330中的第二掺杂剂334具有不同的化学结构和不同的电光特性，例如，HOMO能级、LUMO能级或三线态能量。
第一发光部310还可以包括设置在第一蓝色EML 340下方的第一HTL 313和设置在第一蓝色EML340上方的第一ETL 319中的至少一者。即，第一HTL 313可以设置在第一蓝色EML 340与第一电极160之间，以及第一ETL319可以设置在第一蓝色EML 340与第二电极164之间。
第一发光部310还可以包括在第一HTL 313与第一电极160之间的HIL 311。
第一发光部310还可以包括在第一蓝色EML 340与第一HTL 313之间的第一EBL315和在第一蓝色EML 340与第一ETL 319之间的第一HBL317中的至少一者。
例如，第一发光部310可以具有HIL 311、第一HTL 313、第一EBL 315、第一蓝色发光层320、第二蓝色发光层330、第一HBL 317和第一ETL 319以此顺序顺序地堆叠的结构。在该配置中，第一蓝色发光层320接触第一EBL 315并与第一HTL313间隔开，以及第二蓝色发光层330接触第一HBL317并与第一ETL319间隔开。
或者，第一发光部310可以具有HIL 311、第一HTL 313、第一EBL 315、第一蓝色发光层320、第二蓝色发光层330和第一ETL 319以此顺序顺序地堆叠的结构。当第一ETL 319包含由式7表示的第一电子传输材料和由式9表示的第二电子传输材料中的至少一者时，第一ETL 319可以具有电子传输功能和空穴阻挡功能，因此可以省略第一HBL 317。在该配置中，第一蓝色发光层320接触第一EBL 315并与第一HTL 313间隔开，以及第二蓝色发光层330接触第一ETL 319。
在第二发光部350中，第二蓝色EML 380包括设置成更靠近第一电极160的第三蓝色发光层360和设置成更靠近第二电极164并与第三蓝色发光层360相邻的第四蓝色发光层370。即，第四蓝色发光层370定位在第三蓝色发光层360与第二电极164之间并接触第三蓝色发光层360。
第二蓝色EML 380的厚度可以为至第三蓝色发光层360的厚度和第四蓝色发光层370的厚度之和等于第二蓝色EML 380的厚度，以及第三蓝色发光层360的厚度和第四蓝色发光层370的厚度可以相同或不同。第三蓝色发光层360的厚度和第四蓝色发光层370的厚度中的每一者可以为至例如至
第三蓝色发光层360包含第三主体362和第三掺杂剂(例如，第三发射体)364。在第三蓝色发光层360中，第三主体362的重量％(wt％)可以为80至99，优选地95至99，以及第三掺杂剂364的重量％可以为1至20，优选地1至5。
第三主体362包括至少一种由式1表示的化合物，以及第三掺杂剂364由式3表示。例如，第三主体362可以包括式2中的化合物的至少一者，以及第三掺杂剂364可以包括式4中的化合物的至少一者。
第三主体362和第一主体322可以相同或不同，以及第三掺杂剂364和第一掺杂剂324可以相同或不同。
第四蓝色发光层370包含第四主体372和第四掺杂剂(例如，第四发射体)374。在第四蓝色发光层370中，第四主体372的重量％(wt％)可以为80至99，优选地95至99，以及第四掺杂剂374的重量％可以为1至20，优选地1至5。
第四主体372包括至少一种由式1表示的化合物，以及第四掺杂剂374由式5表示。例如，第四主体372可以包括式2中的化合物的至少一者，以及第四掺杂剂374可以包括式6中的化合物的至少一者。
第四主体372和第二主体332可以相同或不同，以及第四掺杂剂374和第二掺杂剂334可以相同或不同。
第三蓝色发光层360中的第三主体362的重量％和第四蓝色发光层370中的第四主体372的重量％可以相同或不同，以及第三蓝色发光层360中的第三掺杂剂364的重量％和第四蓝色发光层370中的第四掺杂剂374的重量％可以相同或不同。
包含在第三蓝色发光层360中的第三掺杂剂364具有相对高的HOMO能级，即浅HOMO体系，以及包含在第四蓝色发光层370中的第四掺杂剂374具有相对低的HOMO能级，即深HOMO体系，所述第三蓝色发光层360设置成更靠近作为用于注入空穴的阳极的第一电极160，所述第四蓝色发光层370设置成更靠近作为用于注入电子的阴极的第二电极164。即，第三掺杂剂364可以具有第三HOMO能级，以及第四掺杂剂374可以具有低于第三HOMO能级的第四HOMO能级。第三HOMO能级与第四HOMO能级之差可以为0.5eV或更小，优选地0.4eV或更小。
此外，第三掺杂剂364具有相对高的LUMO能级，即浅LUMO体系，以及第四掺杂剂374具有相对低的LUMO能级，即深LUMO体系。即，第三掺杂剂364具有第三LUMO能级，以及第四掺杂剂374具有低于第三LUMO能级的第四LUMO能级。
例如，第三掺杂剂364的第三HOMO能级可以在-5.3eV至-5.1eV的范围内，以及第四掺杂剂374的第四HOMO能级可以在-5.5eV至-5.2eV的范围内。第三掺杂剂364的第三LUMO能级可以在-2.6eV至-2.3eV的范围内，以及第四掺杂剂374的第四LUMO能级可以在-2.8eV至-2.5eV的范围内。
第三掺杂剂364的HOMO能级可以高于第三主体362的HOMO能级，以及第三掺杂剂364的LUMO能级可以高于第三主体362的LUMO能级。第四掺杂剂374的HOMO能级可以高于第四主体372的HOMO能级，以及第四掺杂剂374的LUMO能级可以高于第四主体372的LUMO能级。
第三主体362的HOMO能级和第四主体372的HOMO能级可以相同或不同，以及第三主体362的LUMO能级和第四主体372的LUMO能级可以相同或不同。第三主体362的HOMO能级和第四主体372的HOMO能级中的每一者可以在-6.0eV至-5.8eV的范围内，以及第三主体362的LUMO能级和第四主体372的LUMO能级中的每一者可以在-3.1eV至-2.9eV的范围内。
包含在第三蓝色发光层360中的第三掺杂剂364具有相对小的三线态能量，以及包含在第四蓝色发光层370中的第四掺杂剂374具有相对大的三线态能量，所述第三蓝色发光层360设置成更靠近作为用于注入空穴的阳极的第一电极160，所述第四蓝色发光层370设置成更靠近作为用于注入电子的阴极的第二电极164。即，第三掺杂剂364具有第三三线态能量，以及第四掺杂剂374具有大于第三三线态能量的第四三线态能量。
例如，第三掺杂剂364的第三三线态能量可以在2.3eV至2.5eV的范围内，以及第四掺杂剂374的第四三线态能量可以在2.5eV至2.7eV的范围内。
第三掺杂剂364的三线态能量可以大于第三主体362的三线态能量，以及第四掺杂剂374的三线态能量可以大于第四主体372的三线态能量。第三主体362的三线态能量和第四主体372的三线态能量可以相同或不同。第三主体362的三线态能量和第四主体372的三线态能量可以在1.6eV至2.0eV的范围内。
即，在第二蓝色EML380中，第三蓝色发光层360中的第三主体362和第四蓝色发光层370中的第四主体372为具有相同化学结构的非氘化的蒽衍生物，以及第三蓝色发光层360中的第三掺杂剂364和第四蓝色发光层370中的第四掺杂剂374具有不同的化学结构和不同的电光特性，例如HOMO能级、LUMO能级或三线态能量。
第二发光部350还可以包括设置在第二蓝色EML 380下方的第二HTL 351和设置在第二蓝色EML 380上方的第二ETL 357中的至少一者。即，第二HTL351定位在第二蓝色EML380与第一发光部310之间，以及第二ETL 357定位在第二蓝色EML 380与第二电极164之间。
第二发光部350还可以包括在第二ETL 357与第二电极164之间的EIL 359。
第二发光部350还可以包括在第二蓝色EML 380与第二HTL 351之间的第二EBL353和在第二蓝色EML 380与第二ETL 357之间的第二HBL 355。
例如，第二发光部350可以具有第二HTL 351、第二EBL 353、第三蓝色发光层360、第四蓝色发光层370、第二HBL 355、第二ETL 357和EIL 359以此顺序顺序地堆叠的结构。在该配置中，第三蓝色发光层360接触第二EBL 353并与第二HTL 351间隔开，以及第四蓝色发光层370接触第二HBL 355并与第二ETL 357间隔开。
或者，第二发光部350可以具有第二HTL 351、第二EBL 353、第三蓝色发光层360、第四蓝色发光层370、第二ETL 357和EIL 359以此顺序顺序地堆叠的结构。当第二ETL 357包含由式7表示的第一电子传输材料和由式9表示的第二电子传输材料中的至少一者时，第二ETL 357可以具有电子传输功能和空穴阻挡功能，因此可以省略第二HBL 355。在该配置中，第三蓝色发光层360接触第二EBL 353并与第二HTL 351间隔开，以及第四蓝色发光层370接触第二ETL 357。
HIL311可以包含上述空穴注入材料并且可以具有至的厚度。
第一HTL 313和第二HTL351中的每一者可以包含上述空穴传输材料并且可以具有至优选地至的厚度。
第一ETL 319和第二ETL 357中的每一者可以包含上述电子传输材料。例如，第一ETL319和第二ETL 357中的每一者可以包含由式7表示的第一电子传输材料和由式9表示的第二电子传输材料中的至少一者。第一ETL 319和第二ETL 357中的每一者可以具有至优选地至的厚度。
EIL 359可以包含上述电子注入材料并且可以具有至优选地至的厚度。
第一EBL 315和第二EBL 353中的每一者可以包含上述电子阻挡材料。例如，第一EBL 315和第二EBL 353中的每一者可以包含由式11表示的电子阻挡材料。第一EBL 315和第二EBL 353中的每一者可以具有至的厚度。
第一HBL 317和第二HBL 355中的每一者可以包含上述空穴阻挡材料并且可以具有至优选地至的厚度。
第一EBL315中的电子阻挡材料(例如式11中的化合物)的HOMO能级可以低于第一掺杂剂324的HOMO能级和第二掺杂剂334的HOMO能级中的每一者。第二EBL 353中的电子阻挡材料(例如式11中的化合物)的HOMO能级可以低于第三掺杂剂364的HOMO能级和第四掺杂剂374的HOMO能级中的每一者。
第一EBL 315中的电子阻挡材料(例如式11中的化合物)的HOMO能级和LUMO能级可以分别高于第一主体322的HOMO能级和LUMO能级。第二EBL 353中的电子阻挡材料(例如式11中的化合物)的HOMO能级和LUMO能级可以分别高于第三主体362的HOMO能级和LUMO能级。
第一EBL 315和第二EBL 353的每一者中的电子阻挡材料(即式11中的化合物)的HOMO能级可以在-5.8eV至-5.6eV的范围内，以及第一EBL 315和第二EBL 353的每一者中的电子阻挡材料(即式11中的化合物)的LUMO能级可以在-2.6eV至-2.3eV的范围内。
CGL390定位在第一发光部310与第二发光部350之间。即，第一发光部310和第二发光部350通过CGL 390连接。CGL 390可以为N型CGL392和P型CGL 394的P-N结CGL。
N型CGL 392定位在第一ETL 319与第二HTL 351之间，以及P型CGL 394定位在N型CGL392与第二HTL 351之间。
N型CGL 392可以为掺杂有碱金属(例如Li、Na、K和Cs)和/或碱土金属(例如Mg、Sr、Ba和Ra)的有机层。例如，N型CGL 392可以由N型电荷生成材料形成，所述N型电荷生成材料包含为有机材料(例如，4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(Bphen)和MTDATA)的主体、为碱金属和/或碱土金属的掺杂剂，并且掺杂剂可以以0.01至30的重量％掺杂。
P型CGL 394可以由P型电荷生成材料形成，所述P型电荷生成材料包含：无机材料，例如氧化钨(WOx)、氧化钼(MoOx)、氧化铍(Be2O3)和氧化钒(V2O5)；有机材料，例如NPD、HAT-CN、F4TCNQ、TPD、TNB、TCTA和N,N'-二辛基-3,4,9,10-苝二甲酰亚胺(PTCDI-C8)。
在图4中，第一蓝色EML340具有包括第一蓝色发光层320和第二蓝色发光层330的双层结构，以及第二蓝色EML 380具有包括第三蓝色发光层360和第四蓝色发光层370的双层结构。
或者，第一蓝色EML 340和第二蓝色EML 380中的一者可以具有双层结构，而第一蓝色EML 340和第二蓝色EML 380中的另一者可以具有单层结构。在这种情况下，第一蓝色EML 340和第二蓝色EML 380中的另一者可以包含蓝色主体和蓝色掺杂剂。
例如，蓝色主体可以选自mCP、9-(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)-9H-咔唑-3-腈(mCP-CN)、mCBP、CBP-CN、9-(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)-3-(二苯基磷酰基)-9H-咔唑(mCPPO1)、3,5-二(9H-咔唑-9-基)联苯(Ph-mCP)、TSPO1、9-(3’-(9H-咔唑-9-基)-[1,1’-联苯]-3-基)-9H-吡啶并[2,3-b]吲哚(CzBPCb)、双(2-甲基苯基)二苯基硅烷(UGH-1)、1,4-双(三苯基甲硅烷基)苯(UGH-2)、1,3-双(三苯基甲硅烷基)苯(UGH-3)、9,9-螺二芴-2-基-二苯基-氧化膦(SPPO1)和9,9’-(5-(三苯基甲硅烷基)-1,3-亚苯基)双(9H-咔唑)(SimCP)。
蓝色掺杂剂可以选自苝、4,4’-双[4-(二-对甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯(DPAVBi)、4-(二-对甲苯基氨基)-4-4’-[(二-对甲苯基氨基)苯乙烯基]茋(DPAVB)、4,4’-双[4-(二苯基氨基)苯乙烯基]联苯(BDAVBi)、2,7-双(4-二苯基氨基)苯乙烯基-9,9-螺芴(螺-DPVBi)、[1,4-双[2-[4-[N,N-二(对甲苯基)氨基]苯基]乙烯基]苯(DSB)、1-4-二-[4-(N,N-二苯基)氨基]苯乙烯基-苯(DSA)、2,5,8,11-四叔丁基苝(TBPe)、双(2-羟基苯基-吡啶)铍(Bepp2)、9-(9-苯基咔唑-3-基)-10-(萘-1-基)蒽(PCAN)、mer-三(1-苯基-3-甲基咪唑啉-2-亚基-C,C(2)’铱(III)(mer-Ir(pmi)3)、面式-三(1,3-二苯基-苯并咪唑啉-2-亚基-C,C(2)’铱(III)(面式-Ir(dpbic)3)、双(3,4,5-三氟-2-(2-吡啶基)苯基-(2-羧基吡啶基)铱(III)(Ir(tfpd)2pic)、三(2-(4,6-二氟苯基)吡啶)铱(III)(Ir(Fppy)3)和双[2-(4,6-二氟苯基)吡啶-C2,N](吡啶甲酰)铱(III)(FIrpic)。
本公开的OLED D2包括第一发光部310和第二发光部350，所述第一发光部310包括第一蓝色EML 340，所述第二发光部350包括第二蓝色EML 380，并且第一蓝色EML 340和第二蓝色EML 380中的至少一者包括第一蓝色发光层和第二蓝色发光层，所述第一蓝色发光层包含第一主体和第一掺杂剂，所述第二蓝色发光层包含第二主体和第二掺杂剂。在这种情况下，第一主体和第二主体中的每一者包括由式1表示的化合物中的至少一者，第一掺杂剂由式3表示，以及第二掺杂剂由式5表示。
因此，OLED D2和有机发光显示装置100可以在发光效率、颜色纯度和寿命的至少一个方面具有优势。
本公开的OLED D2包括第一发光部310和第二发光部350，所述第一发光部310包括第一蓝色EML 340，所述第二发光部350包括第二蓝色EML380，并且第一蓝色EML340和第二蓝色EML 380中的至少一者包括第一蓝色发光层和第二蓝色发光层，所述第一蓝色发光层包含第一主体和第一掺杂剂，所述第二蓝色发光层包含第二主体和第二掺杂剂。更靠近作为阳极的第一电极160的第一蓝色发光层包含第一主体和第一掺杂剂，以及更靠近作为阴极的第二电极164的第二蓝色发光层包含第二主体和第二掺杂剂。在这种情况下，第一主体和第二主体中的每一者为由式1表示的非氘化的蒽衍生物，第二掺杂剂的HOMO能级低于第一掺杂剂的HOMO能级，以及第二掺杂剂的三线态能量大于第一掺杂剂的三线态能量。
因此，OLED D2和有机发光显示装置100可以在发光效率、颜色纯度和寿命的至少一个方面具有优势。
图5是示出根据本公开的第四实施方案的有机发光显示装置的示意性截面图。
如图5所示，有机发光显示装置400包括：第一基板410，其中限定有红色像素RP区域、绿色像素GP区域和蓝色像素BP区域；面向第一基板410的第二基板470；定位在第一基板410与第二基板470之间并提供白色发光的OLED D；以及在OLED D与第二基板470之间的颜色转换层480。
尽管未示出，但可以在第二基板470与颜色转换层480之间形成滤色器层。
第一基板410和第二基板470中的每一者可以为玻璃基板或柔性基板。例如，第一基板410和第二基板470中的每一者可以为聚酰亚胺(PI)基板、聚醚砜(PES)基板、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)基板、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)基板或聚碳酸酯(PC)基板。
对应于红色像素RP区域、绿色像素GP区域和蓝色像素BP区域中的每一者的TFT Tr形成在第一基板410上，并且具有使TFT Tr的电极(例如漏电极)露出的漏极接触孔452的平坦化层450形成为覆盖TFT Tr。
包括第一电极460、有机发光层462和第二电极464的OLED D形成在平坦化层450上。在这种情况下，第一电极460可以通过漏极接触孔452与TFT Tr的漏电极连接。
在平坦化层450上形成有堤层466以覆盖第一电极460的边缘。即，堤层466定位在像素区域的边界处并且使像素区域中的第一电极460的中心露出。
OLED D发射蓝色光并且可以具有图3或图4中示出的结构。即，OLED D形成在红色像素RP区域、绿色像素GP区域和蓝色像素BP区域的每一者中并提供蓝色光。
例如，参照图3，OLED D的有机发光层462包括蓝色EML 240，所述蓝色EML 240包括设置成更靠近作为阳极的第一电极160的第一蓝色发光层250；和设置成更靠近作为阴极的第二电极164的第二蓝色发光层260。第一蓝色发光层250包含第一主体252和第一掺杂剂254，以及第二蓝色发光层260包含第二主体262和第二掺杂剂264。在这种情况下，第一主体252和第二主体262中的每一者包括由式1表示的第一主体化合物中的至少一者，第一掺杂剂254由式3表示，以及第二掺杂剂264由式5表示。
颜色转换层480包括对应于红色像素RP区域的第一颜色转换层482和对应于绿色像素GP区域的第二颜色转换层484。例如，颜色转换层480可以包含无机颜色转换材料例如量子点。
来自OLED D的蓝色光通过红色像素RP区域中的第一颜色转换层482转换成红色光，以及来自OLED D的蓝色光通过绿色像素GP区域中的第二颜色转换层484转换成绿色光。
因此，有机发光显示装置400可以显示全色图像。
可以在第二基板470与颜色转换层480之间设置滤色器层。滤色器层可以包括分别对应于红色像素区域和绿色像素区域的红色滤色器和绿色滤色器。
另一方面，当来自OLED D的光穿过第一基板410时，将颜色转换层480设置在OLEDD与第一基板410之间。在这种情况下，可以在第一基板410与颜色转换层480之间设置滤色器层。
图6是示出根据本公开的第五实施方案的有机发光显示装置的示意性截面图。图7是示出根据本公开的第六实施方案的OLED的示意性截面图，以及图8是示出根据本公开的第七实施方案的OLED的示意性截面图。
如图6中所示，有机发光显示装置500包括：第一基板510，其中限定有红色像素RP区域、绿色像素GP区域和蓝色像素BP区域；面向第一基板510的第二基板570；OLED D，所述OLED D定位在第一基板510与第二基板570之间并提供白色发光；和滤色器层580，所述滤色器层580在OLED D与第二基板570之间。
第一基板510和第二基板570中的每一者可以为玻璃基板或柔性基板。例如，第一基板510和第二基板570中的每一者可以为聚酰亚胺(PI)基板、聚醚砜(PES)基板、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)基板、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)基板或聚碳酸酯(PC)基板。
在第一基板上形成有缓冲层520，并且在缓冲层520上形成有对应于红色像素RP区域、绿色像素GP区域和蓝色像素BP区域中的每一者的TFT Tr。可以省略缓冲层520。
在缓冲层520上形成有半导体层522。半导体层522可以包含氧化物半导体材料或多晶硅。
在半导体层522上形成有栅极绝缘层524。栅极绝缘层524可以由无机绝缘材料例如硅氧化物或硅氮化物形成。
在栅极绝缘层524上对应于半导体层522的中心形成有由导电材料(例如金属)形成的栅电极530。
在栅电极530上形成有由绝缘材料形成的层间绝缘层532。层间绝缘层532可以由无机绝缘材料(例如硅氧化物或硅氮化物)或者有机绝缘材料(例如苯并环丁烯或光压克力(photo-acryl))形成。
层间绝缘层532包括使半导体层522的两侧露出的第一接触孔534和第二接触孔536。第一接触孔534和第二接触孔536定位在栅电极530的两侧以与栅电极530间隔开。
在层间绝缘层532上形成有由导电材料例如金属形成的源电极540和漏电极542。
源电极540和漏电极542相对于栅电极530彼此间隔开并且分别通过第一接触孔534和第二接触孔536接触半导体层522的两侧。
半导体层522、栅电极530、源电极540和漏电极542构成TFT Tr。TFT Tr充当驱动元件。即，TFT Tr可以对应于(图1的)驱动TFT Td。
尽管未示出，但栅极线和数据线彼此交叉以限定像素区域，并且开关TFT形成为与栅极线和数据线连接。开关TFT与作为驱动元件的TFT Tr连接。
此外，还可以形成电源线和存储电容器，所述电源线可以形成为与栅极线和数据线中的一者平行并且间隔开，所述存储电容器用于在一帧中保持TFT Tr的栅电极的电压。
形成钝化层550以覆盖TFT Tr，所述钝化层550包括使TFT Tr的漏电极542露出的漏极接触孔552。
通过漏极接触孔552与TFT Tr的漏电极542连接的第一电极560分开形成在每个像素区域中并且形成在钝化层550上。第一电极560可以为阳极并且可以由具有相对高的功函数的导电材料形成。例如，第一电极560可以由透明导电材料例如ITO或IZO形成。
在平坦化层550上的第一电极560下方还可以形成反射电极或反射层。例如，反射电极或反射层可以由铝-钯-铜(APC)合金形成。
在平坦化层550上形成有堤层566以覆盖第一电极560的边缘。即，堤层566定位在像素区域的边界处并且使像素区域中的第一电极560的中心露出。
在第一电极560上形成有有机发光层562。
参照图7，OLED D3包括第一电极560、第二电极564和其间的有机发光层562，并且有机发光层562包括第一发光部610和第二发光部650，所述第一发光部610包括第一EML640，所述第二发光部650包括第二EML 680。此外，有机发光层562还可以包括在第一发光部610与第二发光部650之间的电荷生成层(CGL)690。
OLED D3定位成对应于所有红色像素区域RP、绿色像素区域GP和蓝色像素区域BP。
CGL690定位在第一发光部610与第二发光部650之间，并且第一发光部610、CGL690和第二发光部650顺序堆叠在第一电极560上。即，第一发光部610定位在第一电极560与CGL 690之间，以及第二发光部650定位在第二电极564与CGL 690之间。
第一发光部610中的第一EML 640为蓝色EML。第一EML 640包括更靠近第一电极560的第一蓝色发光层620以及更靠近第二电极564并且与第一蓝色发光层620相邻的第二蓝色发光层630。即，第二蓝色发光层630设置在第一蓝色发光层620与第二电极564之间并接触第一蓝色发光层620。
第一EML 640的厚度可以为至第一蓝色发光层620的厚度和第二蓝色发光层630的厚度之和等于第一EML 640的厚度，并且第一蓝色发光层620的厚度和第二蓝色发光层630的厚度可以相同或不同。第一蓝色发光层620的厚度和第二蓝色发光层630的厚度中的每一者可以为至例如至
第一蓝色发光层620包含第一主体622和第一掺杂剂(例如，第一发射体)624。在第一蓝色发光层620中，第一主体622的重量％(wt％)可以为80至99，优选地95至99，以及第一掺杂剂624的重量％可以为1至20，优选地1至5。
第一主体622包含至少一种由式1表示的化合物，以及第一掺杂剂624由式3表示。例如，第一主体622可以包含式2中的化合物的至少一者，以及第一掺杂剂624可以包含式4中的化合物的至少一者。
第二蓝色发光层630包含第二主体632和第二掺杂剂(例如，第二发射体)634。在第二蓝色发光层630中，第二主体632的重量％(wt％)可以为80至99，优选地95至99，以及第二掺杂剂634的重量％可以为1至20，优选地1至5。
第二主体632包含至少一种由式1表示的化合物，以及第二掺杂剂634由式5表示。例如，第二主体632可以包含式2中的化合物的至少一者，以及第二掺杂剂634可以包含式6中的化合物的至少一者。
第一主体622和第二主体632可以相同或不同。
第一蓝色发光层620中的第一主体622的重量％和第二蓝色发光层630中的第二主体632的重量％可以相同或不同，以及第一蓝色发光层620中的第一掺杂剂624的重量％和第二蓝色发光层630中的第二掺杂剂634的重量％可以相同或不同。
包含在第一蓝色发光层620中的第一掺杂剂624具有相对高的HOMO能级，即浅HOMO体系，以及包含在第二蓝色发光层630中的第二掺杂剂634具有相对低的HOMO能级，即深HOMO体系，所述第一蓝色发光层620设置成更靠近作为用于注入空穴的阳极的第一电极560，所述第二蓝色发光层630设置成更靠近作为用于注入电子的阴极的第二电极564。即，第一掺杂剂624可以具有第一HOMO能级，以及第二掺杂剂634可以具有低于第一HOMO能级的第二HOMO能级。第一HOMO能级与第二HOMO能级之差可以为0.5eV或更小，优选地0.4eV或更小。
此外，第一掺杂剂624具有相对高的LUMO能级，即浅LUMO体系，以及第二掺杂剂634具有相对低的LUMO能级，即深LUMO体系。即，第一掺杂剂624具有第一LUMO能级，以及第二掺杂剂634具有低于第一LUMO能级的第二LUMO能级。
例如，第一掺杂剂624的第一HOMO能级可以在-5.3eV至-5.1eV的范围内，以及第二掺杂剂634的第二HOMO能级可以在-5.5eV至-5.2eV的范围内。第一掺杂剂624的第一LUMO能级可以在-2.6eV至-2.3eV的范围内，以及第二掺杂剂634的第二LUMO能级可以在-2.8eV至-2.5eV的范围内。
第一掺杂剂624的HOMO能级可以高于第一主体622的HOMO能级，以及第一掺杂剂624的LUMO能级可以高于第一主体622的LUMO能级。第二掺杂剂634的HOMO能级可以高于第二主体632的HOMO能级，以及第二掺杂剂634的LUMO能级可以高于第二主体632的LUMO能级。
第一主体622的HOMO能级和第二主体632的HOMO能级可以相同或不同，以及第一主体622的LUMO能级和第二主体632的LUMO能级可以相同或不同。第一主体622的HOMO能级和第二主体632的HOMO能级中的每一者可以在-6.0eV至-5.8eV的范围内，以及第一主体622的LUMO能级和第二主体632的LUMO能级中的每一者可以在-3.1eV至-2.9eV的范围内。
包含在第一蓝色发光层620中的第一掺杂剂624具有相对小的三线态能量，以及包含在第二蓝色发光层630中的第二掺杂剂634具有相对大的三线态能量，所述第一蓝色发光层620设置成更靠近作为用于注入空穴的阳极的第一电极560，所述第二蓝色发光层630设置成更靠近作为用于注入电子的阴极的第二电极564。即，第一掺杂剂624具有第一三线态能量，以及第二掺杂剂634具有大于第一三线态能量的第二三线态能量。
例如，第一掺杂剂624的第一三线态能量可以在2.3eV至2.5eV的范围内，以及第二掺杂剂634的第二三线态能量可以在2.5eV至2.7eV的范围内。
第一掺杂剂624的三线态能量可以大于第一主体622的三线态能量，以及第二掺杂剂634的三线态能量可以大于第二主体632的三线态能量。第一主体622的三线态能量和第二主体632的三线态能量可以相同或不同。第一主体622的三线态能量和第二主体632的三线态能量可以在1.6eV至2.0eV的范围内。
即，在第一蓝色EML 640中，第一蓝色发光层620中的第一主体622和第二蓝色发光层630中的第二主体632为具有相同化学结构的非氘化的蒽衍生物，以及第一蓝色发光层620中的第一掺杂剂624和第二蓝色发光层630中的第二掺杂剂634具有不同的化学结构和不同的电光特性，例如，HOMO能级、LUMO能级或三线态能量。
第一发光部610还可以包括设置在第一EML 640下方的第一HTL 613和设置在第一EML640上方的第一ETL 619中的至少一者。即，第一HTL 613可以设置在第一EML 640与第一电极560之间，以及第一ETL 619可以设置在第一EML 640与第二电极564之间。
第一发光部610还可以包括在第一HTL 613与第一电极560之间的HIL 611。
第一发光部610还可以包括在第一EML 640与第一HTL 613之间的第一EBL 615和在第一EML 640与第一ETL 619之间的第一HBL 617中的至少一者。
例如，第一发光部610可以具有HIL 611、第一HTL 613、第一EBL 615、第一蓝色发光层620、第二蓝色发光层630、第一HBL 617和第一ETL619以此顺序顺序地堆叠的结构。在该配置中，第一蓝色发光层620接触第一EBL615并与第一HTL 613间隔开，以及第二蓝色发光层630接触第一HBL 617并与第一ETL619间隔开。
或者，第一发光部610可以具有HIL 611、第一HTL 613、第一EBL 615、第一蓝色发光层620、第二蓝色发光层630和第一ETL 619以此顺序顺序地堆叠的结构。当第一ETL 619包含由式7表示的第一电子传输材料和由式9表示的第二电子传输材料中的至少一者时，第一ETL 619可以具有电子传输功能和空穴阻挡功能，因此可以省略第一HBL 617。在该配置中，第一蓝色发光层620接触第一EBL 615并与第一HTL 613间隔开，以及第二蓝色发光层630接触第一ETL 619。
第二发光部650中的第二EML 680可以为黄绿色EML。第二EML 680可以包含黄绿色主体和黄绿色掺杂剂。例如，黄绿色掺杂剂可以为荧光化合物、磷光化合物和延迟荧光化合物中的一者。
在第二EML 680中，黄绿色主体的重量％可以为约70至99.9，以及黄绿色掺杂剂的重量％可以为约0.1至10，优选地约1至5。
例如，黄绿色主体可以选自mCP-CN、CBP、mCBP、mCP、DPEPO、2,8-双(二苯基磷酰基)二苯并噻吩(PPT)、TmPyPB、PYD-2Cz、2,8-二(9H-咔唑-9-基)二苯并噻吩(DCzDBT)、3’,5’-二(咔唑-9-基)-[1,1’-联苯]-3,5-二腈(DCzTPA)、4’-(9H-咔唑-9-基)联苯-3,5-二腈(4’-(9H-咔唑-9-基)联苯-3,5-二腈(pCzB-2CN)、3’-(9H-咔唑-9-基)联苯-3,5-二腈(mCzB-2CN)、TSPO1和9-(9-苯基-9H-咔唑-6-基)-9H-咔唑(CCP)，但不限于此。
例如，黄绿色掺杂剂可以选自5,6,11,12-四苯基萘(红荧烯)、2,8-二-叔丁基-5,11-双(4-叔丁基苯基)-6,12-二苯基并四苯(TBRb)、双(2-苯基苯并噻唑)(乙酰丙酮)铱(III)(Ir(BT)2(acac))、双(2-(9,9-二乙基-芴-2-基)-1-苯基-1H-苯并[d]咪唑)(乙酰丙酮)铱(III)(Ir(fbi)2(acac))、双(2-苯基吡啶)(3-(吡啶-2-基)-2H-色烯-2-酮)铱(III)(fac-Ir(ppy)2Pc)、双(2-(2,4-二氟苯基)喹啉)(吡啶甲酸)铱(III)(FPQIrpic)和双(4-苯基噻吩并[3,2-c]吡啶-N,C2’)(乙酰丙酮)铱(Ⅲ)(PO-01)，但不限于此。
第二发光部650还可以包括设置在第二EML 680下方的第二HTL 651和设置在第二EML680上方的第二ETL 657中的至少一者。即，第二HTL 651定位在第二EML680与第一发光部610之间，以及第二ETL 657定位在第二EML 680与第二电极564之间。
第二发光部650还可以包括在第二ETL 657与第二电极564之间的EIL 659。
第二发光部650还可以包括在第二EML 680与第二HTL 651之间的第二EBL653和在第二EML680与第二ETL 657之间的第二HBL 655。
HIL611可以包含上述空穴注入材料并且可以具有至的厚度。
第一HTL 613和第二HTL 651中的每一者可以包含上述空穴传输材料并且可以具有至优选地至的厚度。
第一ETL 619和第二ETL 657中的每一者可以包含上述电子传输材料。例如，第一ETL619和第二ETL 657中的每一者可以包含由式7表示的第一电子传输材料和由式9表示的第二电子传输材料中的至少一者。第一ETL 619和第二ETL 657中的每一者的厚度可以为至优选地至
EIL 659可以包含上述电子注入材料并且可以具有至优选地至的厚度。
第一EBL 615和第二EBL 653中的每一者可以包含上述电子阻挡材料。例如，第一EBL 615和第二EBL 653中的每一者可以包含由式11表示的电子阻挡材料。第一EBL 615和第二EBL 653中的每一者的厚度可以为至
第一HBL 617和第二HBL 655中的每一者可以包含上述空穴阻挡材料并且可以具有至优选地至的厚度。
第一EBL615中的电子阻挡材料(例如式11中的化合物)的HOMO能级可以低于第一掺杂剂624的HOMO能级和第二掺杂剂634的HOMO能级中的每一者。
第一EBL 615中的电子阻挡材料(例如式11中的化合物)的HOMO能级和LUMO能级可以分别高于第一主体622的HOMO能级和LUMO能级。
第一EBL 615中的电子阻挡材料(即式11中的化合物)的HOMO能级可以在-5.8eV至-5.6eV的范围内，以及第一EBL 615中的电子阻挡材料(即式11中的化合物)的LUMO能级可以在-2.6eV至-2.3eV的范围内。
CGL 690定位在第一发光部610与第二发光部650之间。即，第一发光部610与第二发光部650通过CGL 690连接。CGL 690可以为N型CGL 692和P型CGL 694的P-N结CGL。
N型CGL 692定位在第一ETL619与第二HTL 651之间，以及P型CGL 694定位在N型CGL 692与第二HTL 651之间。
N型CGL 692可以包含上述N型电荷生成材料，以及P型CGL 694可以包含上述P型电荷生成材料。
在图7中，在第一电极560与CGL 690之间的第一EML 640为包括第一蓝色发光层620和第二蓝色发光层630的蓝色EML，而在第二电极564与CGL 690之间的第二EML 680为黄绿色EML。
或者，在第一电极560与CGL 690之间的第一EML 640可以为黄绿色EML，而在第二电极564与CGL690之间的第二EML 680可以为包括第一蓝色发光层620和第二蓝色发光层630的蓝色EML。
在本公开的OLED D3中，第一EML 640包括：第一蓝色发光层620，所述第一蓝色发光层620包含第一主体622和第一掺杂剂624并且设置成更靠近作为阳极的第一电极560；和第二蓝色发光层630，所述第二蓝色发光层630包含第二主体632和第二掺杂剂634并且设置成更靠近作为阴极的第二电极564。在这种情况下，第一主体622和第二主体632中的每一者包括由式1表示的第一主体化合物中的至少一者，第一掺杂剂624由式3表示，以及第二掺杂剂634由式5表示。
因此，OLED D3和有机发光显示装置500可以在发光效率、颜色纯度和寿命中的至少一个方面具有优势。
在本公开的OLED D3中，第一EML 640包括：第一蓝色发光层620，所述第一蓝色发光层620包含第一主体622和第一掺杂剂624并且设置成更靠近作为阳极的第一电极560；和第二蓝色发光层630，所述第二蓝色发光层630包含第二主体632和第二掺杂剂634并且设置成更靠近作为阴极的第二电极564。在这种情况下，第一主体622和第二主体632中的每一者为由式1表示的非氘化的蒽衍生物，第二掺杂剂634的HOMO能级低于第一掺杂剂624的HOMO能级，并且第二掺杂剂634的三线态能量大于第一掺杂剂624的三线态能量。
因此，OLED D3和有机发光显示装置500可以在发光效率、颜色纯度和寿命中的至少一个方面具有优势。
包括发射蓝色光的第一发光部610和发射黄绿色光的第二发光部650的OLED D3可以提供白色光。
参照图8，OLED D4包括第一电极560、第二电极564和其间的有机发光层562，并且有机发光层562包括第一发光部710、第二发光部730和第三发光部750，所述第一发光部710包括第一EML 720，所述第二发光部730包括第二EML 740，所述第三发光部750包括第三EML760。此外，有机发光层562还可以包括在第一发光部710与第三发光部750之间的第一CGL770和在第二发光部730与第三发光部750之间的第二CGL 780。
OLED D4定位成对应于所有红色像素区域RP、绿色像素区域GP和蓝色像素区域BP。
第一CGL 770定位在第一发光部710与第三发光部750之间，以及第二CGL 780定位在第二发光部730与第三发光部750之间。即，第一发光部710、第一CGL 770、第三发光部750、第二CGL 780和第二发光部730可以顺序地堆叠在第一电极560上。换言之，第一发光部710可以定位在第一电极560与第一CGL770之间，第三发光部750可以定位在第一CGL770与第二CGL 780之间，以及第二发光部730可以定位在第二CGL 780与第二电极564之间。
第一发光部710中的第一EML720为蓝色EML。第一EML 720包括更靠近第一电极560的第一蓝色发光层722以及更靠近第二电极564并且与第一蓝色发光层722相邻的第二蓝色发光层724。即，第二蓝色发光层724设置在第一蓝色发光层722与第二电极564之间并接触第一蓝色发光层722。
第一EML720的厚度可以为至第一蓝色发光层722的厚度和第二蓝色发光层724的厚度之和等于第一EML 720的厚度，以及第一蓝色发光层722的厚度和第二蓝色发光层724的厚度可以相同或不同。第一蓝色发光层722的厚度和第二蓝色发光层724的厚度中的每一者可以为至例如至
第一蓝色发光层722包含第一主体722a和第一掺杂剂(例如，第一发射体)722b。在第一蓝色发光层722中，第一主体722a的重量％(wt％)可以为80至99，优选地95至99，以及第一掺杂剂722b的重量％可以为1至20，优选地1至5。
第一主体722a包含至少一种由式1表示的化合物，以及第一掺杂剂722b由式3表示。例如，第一主体722a可以包含式2中的化合物的至少一者，以及第一掺杂剂722b可以包含式4中的化合物的至少一者。
第二蓝色发光层724包含第二主体724a和第二掺杂剂(例如，第二发射体)724b。在第二蓝色发光层724中，第二主体724a的重量％(wt％)可以为80至99，优选地95至99，以及第二掺杂剂724b的重量％可以为1至20，优选地1至5。
第二主体724a包含至少一种由式1表示的化合物，以及第二掺杂剂724b由式5表示。例如，第二主体724a可以包含式2中的化合物的至少一者，以及第二掺杂剂724b可以包含式6中的化合物的至少一者。
第一蓝色发光层722中的第一主体722a的重量％和第二蓝色发光层724中的第二主体724a的重量％可以相同或不同，以及第一蓝色发光层722中的第一掺杂剂722b的重量％和第二蓝色发光层724中的第二掺杂剂724b的重量％可以相同或不同。
包含在第一蓝色发光层722中的第一掺杂剂722b具有相对高的HOMO能级，即浅HOMO体系，以及包含在第二蓝色发光层724中的第二掺杂剂724b具有相对低的HOMO能级，即深HOMO体系，所述第一蓝色发光层722设置成更靠近作为用于注入空穴的阳极的第一电极560，所述第二蓝色发光层724设置成更靠近作为用于注入电子的阴极的第二电极564。即，第一掺杂剂722b可以具有第一HOMO能级，以及第二掺杂剂724b可以具有低于第一HOMO能级的第二HOMO能级。第一HOMO能级与第二HOMO能级之差可以为0.5eV或更小，优选地0.4eV或更小。
此外，第一掺杂剂722b具有相对高的LUMO能级，即浅LUMO体系，以及第二掺杂剂724b具有相对低的LUMO能级，即深LUMO体系。即，第一掺杂剂722b具有第一LUMO能级，以及第二掺杂剂724b具有低于第一LUMO能级的第二LUMO能级。
例如，第一掺杂剂722b的第一HOMO能级可以在-5.3eV至-5.1eV的范围内，以及第二掺杂剂724b的第二HOMO能级可以在-5.5eV至-5.2eV的范围内。第一掺杂剂722b的第一LUMO能级可以在-2.6eV至-2.3eV的范围内，以及第二掺杂剂724b的第二LUMO能级可以在-2.8eV至-2.5eV的范围内。
第一掺杂剂722b的HOMO能级可以高于第一主体722a的HOMO能级，以及第一掺杂剂722b的LUMO能级可以高于第一主体722a的LUMO能级。第二掺杂剂724b的HOMO能级可以高于第二主体724a的HOMO能级，以及第二掺杂剂724b的LUMO能级可以高于第二主体724a的LUMO能级。
第一主体722a的HOMO能级和第二主体724a的HOMO能级可以相同或不同，以及第一主体722a的LUMO能级和第二主体724a的LUMO能级可以相同或不同。第一主体722a的HOMO能级和第二主体724a的HOMO能级中的每一者可以在-6.0eV至-5.8eV的范围内，以及第一主体722a的LUMO能级和第二主体724a的LUMO能级中的每一者可以在-3.1eV至-2.9eV的范围内。
包含在第一蓝色发光层722中的第一掺杂剂722b具有相对小的三线态能量，以及包含在第二蓝色发光层724中的第二掺杂剂724b具有相对大的三线态能量，所述第一蓝色发光层722设置成更靠近作为用于注入空穴的阳极的第一电极560，所述第二蓝色发光层724设置成更靠近作为用于注入电子的阴极的第二电极564。即，第一掺杂剂722b具有第一三线态能量，以及第二掺杂剂724b具有大于第一三线态能量的第二三线态能量。
例如，第一掺杂剂722b的第一三线态能量可以在2.3eV至2.5eV的范围内，以及第二掺杂剂724b的第二三线态能量可以在2.5eV至2.7eV的范围内。
第一掺杂剂722b的三线态能量可以大于第一主体722a的三线态能量，以及第二掺杂剂724b的三线态能量可以大于第二主体724a的三线态能量。第一主体722a的三线态能量和第二主体724a的三线态能量可以相同或不同。第一主体722a的三线态能量和第二主体724a的三线态能量可以在1.6eV至2.0eV的范围内。
即，在第一蓝色EML720中，第一蓝色发光层722中的第一主体722a和第二蓝色发光层724中的第二主体724a为具有相同化学结构的非氘化的蒽衍生物，以及第一蓝色发光层722中的第一掺杂剂722b和第二蓝色发光层724中的第二掺杂剂724b具有不同的化学结构和不同的电光特性，例如，HOMO能级、LUMO能级或三线态能量。
第一发光部710还可以包括设置在第一EML 720下方的第一HTL 713和设置在第一EML720上方的第一ETL 719中的至少一者。即，第一HTL713可以设置在第一EML720与第一电极560之间，以及第一ETL 719可以设置在第一EML720与第二电极564之间。
第一发光部710还可以包括在第一HTL 713与第一电极560之间的HIL 711。
第一发光部710还可以包括在第一EML 720与第一HTL 713之间的第一EBL715和在第一EML720与第一ETL 719之间的第一HBL 717中的至少一者。
例如，第一发光部710可以具有HIL 711、第一HTL 713、第一EBL 715、第一蓝色发光层722、第二蓝色发光层724、第一HBL 717和第一ETL719以此顺序顺序地堆叠的结构。在该配置中，第一蓝色发光层722接触第一EBL715并与第一HTL713间隔开，以及第二蓝色发光层724接触第一HBL717并与第一ETL719间隔开。
或者，第一发光部710可以具有HIL 711、第一HTL 713、第一EBL 715、第一蓝色发光层722、第二蓝色发光层724和第一ETL 719以此顺序顺序地堆叠的结构。当第一ETL719包含由式7表示的第一电子传输材料和由式9表示的第二电子传输材料中的至少一者时，第一ETL 719可以具有电子传输功能和空穴阻挡功能，因此可以省略第一HBL 717。在该配置中，第一蓝色发光层722接触第一EBL 715并与第一HTL 713间隔开，以及第二蓝色发光层724接触第一ETL 719。
第二发光部730中的第二EML740为蓝色EML。第二EML 740包括设置成更靠近第一电极560的第三蓝色发光层742以及设置成更靠近第二电极564并与第三蓝色发光层742相邻的第四蓝色发光层744。即，第四蓝色发光层744定位在第三蓝色发光层742与第二电极564之间并接触第三蓝色发光层742。
第二EML740的厚度可以为至第三蓝色发光层742的厚度和第四蓝色发光层744的厚度之和等于第二EML 740的厚度，以及第三蓝色发光层742的厚度和第四蓝色发光层744的厚度可以相同或不同。第三蓝色发光层742的厚度和第四蓝色发光层744的厚度中的每一者可以为至例如至
第三蓝色发光层742包含第三主体742a和第三掺杂剂(例如，第三发射体)742b。在第三蓝色发光层742中，第三主体742a的重量％(wt％)可以为80至99，优选地95至99，以及第三掺杂剂742b的重量％可以为1至20，优选地1至5。
第三主体742a包含至少一种由式1表示的化合物，以及第三掺杂剂742b由式3表示。例如，第三主体742a可以包含式2中的化合物的至少一者，以及第三掺杂剂742b可以包含式4中的化合物的至少一者。
第三主体742a和第一主体722a可以相同或不同，以及第三掺杂剂742b和第一掺杂剂722b可以相同或不同。
第四蓝色发光层744包含第四主体744a和第四掺杂剂(例如，第四发射体)744b。在第四蓝色发光层744中，第四主体744a的重量％(wt％)可以为80至99，优选地95至99，以及第四掺杂剂744b的重量％可以为1至20，优选地1至5。
第四主体744a包含至少一种由式1表示的化合物，以及第四掺杂剂744b由式5表示。例如，第四主体744a可以包含式2中的化合物的至少一者，以及第四掺杂剂744b可以包含式6中的化合物的至少一者。
第四主体744a和第二主体724a可以相同或不同，以及第四掺杂剂744b和第二掺杂剂724b可以相同或不同。
第三蓝色发光层742中的第三主体742a的重量％和第四蓝色发光层744中的第四主体744a的重量％可以相同或不同，以及第三蓝色发光层742中的第三掺杂剂742b的重量％和第四蓝色发光层744中的第四掺杂剂744b的重量％可以相同或不同。
包含在第三蓝色发光层742中的第三掺杂剂742b具有相对高的HOMO能级，即浅HOMO体系，以及包含在第四蓝色发光层744中的第四掺杂剂744b具有相对低的HOMO能级，即深HOMO体系，所述第三蓝色发光层742设置成更靠近作为用于注入空穴的阳极的第一电极560，所述第四蓝色发光层744设置成更靠近作为用于注入电子的阴极的第二电极564。即，第三掺杂剂742b可以具有第三HOMO能级，以及第四掺杂剂744b可以具有低于第三HOMO能级的第四HOMO能级。第三HOMO能级与第四HOMO能级之差可以为0.5eV或更小，优选地0.4eV或更小。
此外，第三掺杂剂742b具有相对高的LUMO能级，即浅LUMO体系，以及第四掺杂剂744b具有相对低的LUMO能级，即深LUMO体系。即，第三掺杂剂742b具有第三LUMO能级，以及第四掺杂剂744b具有低于第三LUMO能级的第四LUMO能级。
例如，第三掺杂剂742b的第三HOMO能级可以在-5.3eV至-5.1eV的范围内，以及第四掺杂剂744b的第四HOMO能级可以在-5.2eV至-5.3eV的范围内。第三掺杂剂742b的第三LUMO能级可以在-2.6eV至-2.3eV的范围内，以及第四掺杂剂744b的第四LUMO能级可以在-2.8eV至-2.5eV的范围内。
第三掺杂剂742b的HOMO能级可以高于第三主体742a的HOMO能级，以及第三掺杂剂742b的LUMO能级可以高于第三主体742a的LUMO能级。第四掺杂剂744b的HOMO能级可以高于第四主体744a的HOMO能级，以及第四掺杂剂744b的LUMO能级可以高于第四主体744a的LUMO能级。
第三主体742a的HOMO能级和第四主体744a的HOMO能级可以相同或不同，以及第三主体742a的LUMO能级和第四主体744a的LUMO能级可以相同或不同。第三主体742a的HOMO能级和第四主体744a的HOMO能级中的每一者可以在-6.0eV至-5.8eV的范围内，以及第三主体742a的LUMO能级和第四主体744a的LUMO能级中的每一者可以在-3.1eV至-2.9eV的范围内。
包含在第三蓝色发光层742中的第三掺杂剂742b具有相对小的三线态能量，以及包含在第四蓝色发光层744中的第四掺杂剂744b具有相对大的三线态能量，所述第三蓝色发光层742设置成更靠近作为用于注入空穴的阳极的第一电极560，所述第四蓝色发光层744设置成更靠近作为用于注入电子的阴极的第二电极564。即，第三掺杂剂742b具有第三三线态能量，以及第四掺杂剂744b具有大于第三三线态能量的第四三线态能量。
例如，第三掺杂剂742b的第三三线态能量可以在2.3eV至2.5eV的范围内，以及第四掺杂剂744b的第四三线态能量可以在2.5eV至2.7eV的范围内。
第三掺杂剂742b的三线态能量可以大于第三主体742a的三线态能量，以及第四掺杂剂744b的三线态能量可以大于第四主体744a的三线态能量。第三主体742a的三线态能量和第四主体744a的三线态能量可以相同或不同。第三主体742a的三线态能量和第四主体744a的三线态能量可以在1.6eV至2.0eV的范围内。
即，在第二蓝色EML 740中，第三蓝光发光层742中的第三主体742a和第四蓝色发光层744中的第四主体744a为具有相同化学结构的非氘化的蒽衍生物，以及第三蓝光发光层742中的第三掺杂剂742b和第四蓝色发光层744中的第四掺杂剂744b具有不同的化学结构和不同的电光特性，例如HOMO能级、LUMO能级或三线态能量。
第二发光部730还可以包括设置在第二EML 740下方的第二HTL 731和设置在第二EML 740上方的第二ETL 737中的至少一者。即，第二HTL 731定位在第二EML740与第一发光部710之间，以及第二ETL 737定位在第二EML 740与第二电极564之间。
第二发光部730还可以包括在第二ETL 737与第二电极564之间的EIL739。
第二发光部730还可以包括在第二EML 740与第二HTL 731之间的第二EBL733和在第二EML 740与第二ETL 737之间的第二HBL 735中的至少一者。
例如，第二发光部730可以具有第二HTL 731、第二EBL 733、第三蓝色发光层742、第四蓝色发光层744、第二HBL 735、第二ETL 737和EIL 739以此顺序顺序地堆叠的结构。在该配置中，第三蓝色发光层742接触第二EBL 733并与第二HTL 731间隔开，以及第四蓝色发光层744接触第二HBL 735并与第二ETL 737间隔开。
或者，第二发光部730可以具有第二HTL 731、第二EBL 733、第三蓝色发光层742、第四蓝色发光层744、第二ETL 737和EIL 739以此顺序顺序地堆叠的结构。当第二ETL 737包含由式7表示的第一电子传输材料和由式9表示的第二电子传输材料中的至少一者时，第二ETL 737可以具有电子传输功能和空穴阻挡功能，因此可以省略第二HBL 735。在该配置中，第三蓝色发光层742接触第二EBL 733并与第二HTL 731间隔开，以及第四蓝色发光层744接触第二ETL 737。
第三发光部750中的第三EML760包括红色发光层762和绿色发光层764以提供红色光和绿色光。
红色发光层762可以包含红色主体和红色掺杂剂。例如，红色掺杂剂可以为荧光化合物、磷光化合物和延迟荧光化合物中的一者。
红色主体可以选自mCP-CN、CBP、mCBP、mCP、DPEPO、2,8-双(二苯基磷酰基)二苯并噻吩(PPT)、1,3,5-三[(3-吡啶基)-苯-3-基]苯(TmPyPB)、2,6-二(9H-咔唑-9-基)吡啶(PYD-2Cz)、2,8-二(9H-咔唑-9-基)二苯并噻吩(DCzDBT)、3’,5’-二(咔唑-9-基)-[1,1’-联苯]-3,5-二腈(DCzTPA)、4’-(9H-咔唑-9-基)联苯-3,5-二腈(4’-(9H-咔唑-9-基)联苯-3,5-二腈)(pCzB-2CN)、3’-(9H-咔唑-9-基)联苯-3,5-二腈(mCzB-2CN)、TSPO1、9-(9-苯基-9H-咔唑-6-基)-9H-咔唑(CCP)、4-(3-(三亚苯基-2-基)苯基)二苯并[b,d]噻吩、9-(4-(9H-咔唑-9-基)苯基)-9H-3,9’-联咔唑、9-(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)-9H-3,9’-联咔唑、9-(6-(9H-咔唑-9-基)吡啶-3-基)-9H-3,9’-联咔唑、9,9’-二苯基-9H,9’H-3,3’-联咔唑(BCzPh)、1,3,5-三(咔唑-9-基)苯(TCP)、TCTA、4,4’-双(咔唑-9-基)-2,2’-二甲基联苯(CDBP)、2,7-双(咔唑-9-基)-9,9-二甲基芴(DMFL-CBP)、2,2’,7,7’-四(咔唑-9-基)-9,9-螺芴(螺-CBP)和3,6-双(咔唑-9-基)-9-(2-乙基-己基)-9H-咔唑(TCz1)，但不限于此。
红色掺杂剂可以选自[双(2-(4,6-二甲基)苯基喹啉)](2,2,6,6-四甲基庚烷-3,5-二酮酸)铱(III)、双[2-(4-正己基苯基)喹啉](乙酰丙酮)铱(III)(Hex-Ir(phq)2(acac))、三[2-(4-正己基苯基)喹啉]铱(III)(Hex-Ir(phq)3)、三[2-苯基-4-甲基喹啉]铱(III)(Ir(Mphq)3)、双(2-苯基喹啉)(2,2,6,6-四甲基庚烯-3,5-二酮酸)铱(III)(Ir(dpm)PQ2)、双(苯基异喹啉)(2,2,6,6-四甲基庚烯-3,5-二酮酸)铱(III)(Ir(dpm)(piq)2)、双[(4-正己基苯基)异喹啉](乙酰丙酮)铱(III)(Hex-Ir(piq)2(acac))、三[2-(4-正己基苯基)喹啉]铱(III)(Hex-Ir(piq)3)、三(2-(3-甲基苯基)-7-甲基-喹啉基)铱(Ir(dmpq)3)、双[2-(2-甲基苯基)-7-甲基-喹啉](乙酰丙酮)铱(III)(Ir(dmpq)2(acac))、双[2-(3,5-二甲基苯基)-4-甲基-喹啉](乙酰丙酮)铱(III)(Ir(mphmq)2(acac))和三(二苯甲酰甲烷)单(1,10-菲咯啉)铕(Ⅲ)(Eu(dbm)3(phen))，但不限于此。
绿色发光层764可以包含绿色主体和绿色掺杂剂。例如，绿色掺杂剂可以为荧光化合物、磷光化合物和延迟荧光化合物中的一者。
绿色主体可以为用于黄绿色主体的材料中的一者。
绿色掺杂剂可以选自双[(2-苯基吡啶)](吡啶基-2-苯并呋喃并[2,3-b]吡啶)铱、三[2-苯基吡啶]铱(III)(Ir(ppy)3)、面式-三(2-苯基吡啶)铱(III)(fac-Ir(ppy)3)、双(2-苯基吡啶)(乙酰丙酮)铱(III)(Ir(ppy)2(acac))、三[2-(对甲苯基)吡啶]铱(III)(Ir(mppy)3)、双(2-(萘-2-基)吡啶)(乙酰丙酮)铱(III)(Ir(npy)2acac)、三(2-苯基-3-甲基-吡啶)铱(Ir(3mppy)3)和面式-三(2-(3-对二甲苯基)苯基)吡啶铱(III)(TEG)，但不限于此。
在一个方面中，第三发光部750中的第三EML 760还可以包括黄绿色发光层以具有三层结构。黄绿色发光层可以包含上述黄绿色主体和上述黄绿色掺杂剂。在另一个方面中，可以包括黄绿色EML代替第三EML 760。
第三发光部750还可以包括在第三EML 760下方的第三HTL 751和在第三EML 760上的第三ETL 753中的至少一者。
此外，第三发光部750还可以包括在第三HTL 751与第三EML 760之间的第三EBL和在第三EML760与第三ETL 753之间的第三HBL中的至少一者。
HIL711可以包含上述空穴注入材料并且可以具有至的厚度。
第一HTL至第三HTL713、731和751中的每一者可以包含上述空穴传输材料并且可以具有至优选地至的厚度。
第一ETL至第三ETL 719、737和753中的每一者可以包含上述电子传输材料。例如，第一ETL719和第二ETL 737中的每一者可以包含由式7表示的第一电子传输材料和由式9表示的第二电子传输材料中的至少一者。第一ETL至第三ETL719、737和753中的每一者可以具有至优选地至的厚度。
EIL 739可以包含上述电子注入材料并且可以具有至优选地至的厚度。
第一EBL715、第二EBL733和第三EBL中的每一者可以包含上述电子阻挡材料。例如，第一EBL 715和第二EBL 733中的每一者可以包含由式11表示的电子阻挡材料。第一EBL715、第二EBL 733和第三EBL中的每一者可以具有至的厚度。
第一HBL 717、第二HBL 735和第三HBL中的每一者可以包含上述空穴阻挡材料，并且可以具有至优选地至的厚度。
第一EBL 715中的电子阻挡材料(例如式11中的化合物)的HOMO能级可以低于第一掺杂剂722b的HOMO能级和第二掺杂剂724b的HOMO能级中的每一者。第二EBL 733中的电子阻挡材料(例如式11中的化合物)的HOMO能级可以低于第三掺杂剂742b的HOMO能级和第四掺杂剂744b的HOMO能级中的每一者。
第一EBL 715中的电子阻挡材料(例如式11中的化合物)的HOMO能级和LUMO能级可以分别高于第一主体722a的HOMO能级和LUMO能级。第二EBL733中的电子阻挡材料(例如式11中的化合物)的HOMO能级和LUMO能级可以分别高于第三主体742a的HOMO能级和LUMO能级。
第一EBL715和第二EBL733的每一者中的电子阻挡材料(即式11中的化合物)的HOMO能级可以在-5.8eV至-5.6eV的范围内，以及第一EBL715和第二EBL 733的每一者中的电子阻挡材料(即式11中的化合物)的LUMO能级可以在-2.6eV至-2.3eV的范围内。
第一CGL 770定位在第一发光部710与第三发光部750之间，以及第二CGL780定位在第二发光部730与第三发光部750之间。即，第一发光部710和第三发光部750可以通过第一CGL 770彼此连接，以及第二发光部730和第三发光部750可以通过第二CGL 780彼此连接。第一CGL 770可以为第一N型CGL772和第一P型CGL 774的P-N结CGL，以及第二CGL 780可以为第二N型CGL 782和第二P型CGL 784的P-N结CGL。
在第一CGL 770中，第一N型CGL 772定位在第一ETL 719与第三HTL 751之间，以及第一P型CGL 774定位在第一N型CGL 772与第三HTL 751之间。
在第二CGL 780中，第二N型CGL 782定位在第三ETL 753与第二HTL 731之间，以及第二P型CGL 784定位在第二N型CGL 782与第二HTL 731之间。
第一N型CGL 772和第二N型CGL 782中的每一者可以包含上述N型电荷生成材料，以及第一P型CGL 774和第二P型CGL 784中的每一者可以包含上述P型电荷生成材料。
在图8中，第一EML 720具有包括第一蓝色发光层722和第二蓝色发光层724的双层结构，以及第二EML 740具有包括第三蓝色发光层742和第四蓝色发光层744的双层结构。
或者，第一EML 720和第二EML 740中的一者可以具有双层结构，而第一EML 720和第二EML740中的另一者可以具有单层结构。在这种情况下，第一EML720和第二EML740中的另一者可以包含蓝色主体和蓝色掺杂剂。蓝色主体可以为上述蓝色主体材料，以及蓝色掺杂剂可以为上述蓝色掺杂剂材料。
本公开的OLED D4包括第一发光部710、第二发光部730和第三发光部750，所述第一发光部710包括第一EML 720(例如，第一蓝色EML)，所述第二发光部730包括第二EML740(例如，第二蓝色EML)，所述第三发光部750包括第三EML 760，所述第三EML 760包括红色发光层762和绿色发光层764，以及第一蓝色EML 720和第二蓝色EML 740中的至少一者包括包含第一主体和第一掺杂剂的第一蓝色发光层以及包含第二主体和第二掺杂剂的第二蓝色发光层。在这种情况下，第一主体和第二主体中的每一者包含由式1表示的第一主体化合物中的至少一者，第一掺杂剂由式3表示，以及第二掺杂剂由式5表示。
因此，OLED D4和有机发光显示装置500可以在发光效率、颜色纯度和寿命中的至少一个方面具有优势。
本公开的OLED D4包括第一发光部710、第二发光部730和第三发光部750，所述第一发光部710包括第一EML 720(例如，第一蓝色EML)，所述第二发光部730包括第二EML 740(例如，第二蓝色EML)，所述第三发光部750包括第三EML760，所述第三EML 760包括红色发光层762和绿色发光层764，以及第一蓝色EML 720和第二蓝色EML 740中的至少一者包括包含第一主体和第一掺杂剂的第一蓝色发光层以及包含第二主体和第二掺杂剂的第二蓝色发光层。更靠近作为阳极的第一电极560的第一蓝色发光层包含第一主体和第一掺杂剂，以及更靠近作为阴极的第二电极564的第二蓝色发光层包含第二主体和第二掺杂剂。在这种情况下，第一主体和第二主体中的每一者为由式1表示的非氘化的蒽衍生物，第二掺杂剂的HOMO能级低于第一掺杂剂的HOMO能级，并且第二掺杂剂的三线态能量大于第一掺杂剂的三线态能量。
因此，OLED D4和有机发光显示装置500可以在发光效率、颜色纯度和寿命中的至少一个方面具有优势。
此外，OLED D4包括各自提供蓝色发光的第一发光部710和第二发光部730以及提供红绿色发光的第三发光部750，使得OLED D4可以提供白色发光。
图8中的OLED D4具有包括第一发光部710、第二发光部730和第三发光部750的三堆叠体结构。OLED D4还可以包括另外的发光部和另外的CGL。
再次参照图6，在其中形成有有机发光层562的第一基板510的上方形成有第二电极564。
在有机发光显示装置500中，由于从有机发光层562发射的光穿过第二电极564而入射到滤色器层580，因此第二电极564具有薄的轮廓用于透射光。
第一电极560、有机发光层562和第二电极564构成OLED D。
滤色器层580设置在OLED D上方，并且包括分别对应于红色像素区域RP、绿色像素区域GP和蓝色像素区域BP的红色滤色器582、绿色滤色器584和蓝色滤色器586。
可以使用粘合剂层将滤色器层580附接至OLED D。或者，可以使滤色器层580直接形成在OLED D上。
可以形成封装层(或封装膜)以防止水分渗透到OLED D中。例如，封装膜可以包括顺序堆叠的第一无机绝缘层、有机绝缘层和第二无机绝缘层，但不限于此。可以省略封装膜。
用于减少环境光反射的偏光板可以设置在顶部发光型OLED D上方。例如，偏光板可以为圆偏光板。
在图6的OLED D中，来自有机发光层562的光穿过第二电极564，以及滤色器层580设置在OLED D上方。或者，来自有机发光层562的光可以穿过第一电极560，滤色器层580可以设置在OLED D与第一基板510之间。
在OLED D与滤色器层580之间可以形成有颜色转换层(未示出)。颜色转换层可以包括分别对应于红色像素RP区域、绿色像素GP区域和蓝色像素BP区域的红色颜色转换层、绿色颜色转换层和蓝色颜色转换层。来自OLED D的白色光通过红色颜色转换层、绿色颜色转换层和蓝色颜色转换层分别转换成红色光、绿色光和蓝色光。
如上所述，在有机发光显示装置500中，红色像素RP区域、绿色像素GP区域和蓝色像素BP区域中的OLED D发射白色光，并且来自有机发光二极管D的白色光穿过红色滤色器582、绿色滤色器584和蓝色滤色器586。因此，分别由红色像素RP区域、绿色像素GP区域和蓝色像素BP区域提供红色光、绿色光和蓝色光。
在图6至图8中，发射白色光的OLED D用于显示装置。或者，OLED D可以在没有驱动元件和滤色器层中的至少一者的情况下形成在基板的整个表面上以用于照明装置。各自包括本公开的OLED D的显示装置和照明装置可以被称为有机发光装置。
[OLED]
在阳极(ITO，)上，顺序地堆叠HIL(式13中的化合物， )、HTL(式14中的化合物，)、EBL第一蓝色发光层(第一主体(式2中的化合物BH1-3，97重量％)和第一掺杂剂(3重量％)，)、第二蓝色发光层(第二主体(式2中的化合物BH1-3，97重量％)和第二掺杂剂(3重量％)，)、ETLEIL(式15中的化合物(97重量％)和Li(3重量％)，)和阴极(Al，)以形成OLED。
[式13]
[式14]
[式15]
1.比较例
(1)比较例1至5(Ref1至Ref5)
使用式16中的化合物EBL-A以形成EBL，使用式6中的化合物BD2-5作为第一掺杂剂，以及使用式17中的化合物ETL-A以形成ETL。分别使用式4中的化合物BD1-4、BD1-7、BD1-21、BD1-25和BD1-42作为第二掺杂剂。
(2)比较例6至10(Ref6至Ref10)
使用式16中的化合物EBL-A以形成EBL，使用式6中的化合物BD2-8作为第一掺杂剂，以及使用式17中的化合物ETL-A以形成ETL。分别使用式4中的化合物BD1-4、BD1-7、BD1-21、BD1-25和BD1-42作为第二掺杂剂。
(3)比较例11至15(Ref11至Ref15)
使用式16中的化合物EBL-A以形成EBL，使用式6中的化合物BD2-14作为第一掺杂剂，以及使用式17中的化合物ETL-A以形成ETL。分别使用式4中的化合物BD1-4、BD1-7、BD1-21、BD1-25和BD1-42作为第二掺杂剂。
(4)比较例16至20(Ref16至Ref20)
使用式16中的化合物EBL-A以形成EBL，使用式6中的化合物BD2-18作为第一掺杂剂，以及使用式17中的化合物ETL-A以形成ETL。分别使用式4中的化合物BD1-4、BD1-7、BD1-21、BD1-25和BD1-42作为第二掺杂剂。
(5)比较例21至25(Ref21至Ref25)
使用式16中的化合物EBL-A以形成EBL，使用式6中的化合物BD2-22作为第一掺杂剂，以及使用式17中的化合物ETL-A以形成ETL。分别使用式4中的化合物BD1-4、BD1-7、BD1-21、BD1-25和BD1-42作为第二掺杂剂。
(6)比较例26至30(Ref26至Ref30)
使用式12中的化合物E1以形成EBL，使用式6中的化合物BD2-5作为第一掺杂剂，以及使用式17中的化合物ETL-A以形成ETL。分别使用式4中的化合物BD1-4、BD1-7、BD1-21、BD1-25和BD1-42作为第二掺杂剂。
(7)比较例31至35(Ref31至Ref35)
使用式12中的化合物E1以形成EBL，使用式6中的化合物BD2-8作为第一掺杂剂，以及使用式17中的化合物ETL-A以形成ETL。分别使用式4中的化合物BD1-4、BD1-7、BD1-21、BD1-25和BD1-42作为第二掺杂剂。
(8)比较例36至40(Ref36至Ref40)
使用式12中的化合物E1以形成EBL，使用式6中的化合物BD2-14作为第一掺杂剂，以及使用式17中的化合物ETL-A以形成ETL。分别使用式4中的化合物BD1-4、BD1-7、BD1-21、BD1-25和BD1-42作为第二掺杂剂。
(9)比较例41至45(Ref41至Ref45)
使用式12中的化合物E1以形成EBL，使用式6中的化合物BD2-18作为第一掺杂剂，以及使用式17中的化合物ETL-A以形成ETL。分别使用式4中的化合物BD1-4、BD1-7、BD1-21、BD1-25和BD1-42作为第二掺杂剂。
(10)比较例46至50(Ref46至Ref50)
使用式12中的化合物E1以形成EBL，使用式6中的化合物BD2-22作为第一掺杂剂，以及使用式17中的化合物ETL-A以形成ETL。分别使用式4中的化合物BD1-4、BD1-7、BD1-21、BD1-25和BD1-42作为第二掺杂剂。
(11)比较例51至55(Ref51至Ref55)
使用式16中的化合物EBL-A以形成EBL，使用式6中的化合物BD2-5作为第一掺杂剂，以及使用式8中的化合物ETL1以形成ETL。分别使用式4中的化合物BD1-4、BD1-7、BD1-21、BD1-25和BD1-42作为第二掺杂剂。
(12)比较例56至60(Ref56至Ref60)
使用式16中的化合物EBL-A以形成EBL，使用式6中的化合物BD2-8作为第一掺杂剂，以及使用式8中的化合物ETL1以形成ETL。分别使用式4中的化合物BD1-4、BD1-7、BD1-21、BD1-25和BD1-42作为第二掺杂剂。
(13)比较例61至65(Ref61至Ref65)
使用式16中的化合物EBL-A以形成EBL，使用式6中的化合物BD2-14作为第一掺杂剂，以及使用式8中的化合物ETL1以形成ETL。分别使用式4中的化合物BD1-4、BD1-7、BD1-21、BD1-25和BD1-42作为第二掺杂剂。
(14)比较例66至70(Ref66至Ref70)
使用式16中的化合物EBL-A以形成EBL，使用式6中的化合物BD2-18作为第一掺杂剂，以及使用式8中的化合物ETL1以形成ETL。分别使用式4中的化合物BD1-4、BD1-7、BD1-21、BD1-25和BD1-42作为第二掺杂剂。
(15)比较例71至75(Ref71至Ref75)
使用式16中的化合物EBL-A以形成EBL，使用式6中的化合物BD2-22作为第一掺杂剂，以及使用式8中的化合物ETL1以形成ETL。分别使用式4中的化合物BD1-4、BD1-7、BD1-21、BD1-25和BD1-42作为第二掺杂剂。
(16)比较例76至80(Ref76至Ref80)
使用式12中的化合物E1以形成EBL，使用式6中的化合物BD2-5作为第一掺杂剂，以及使用式8中的化合物ETL1以形成ETL。分别使用式4中的化合物BD1-4、BD1-7、BD1-21、BD1-25和BD1-42作为第二掺杂剂。
(17)比较例81至85(Ref81至Ref85)
使用式12中的化合物E1以形成EBL，使用式6中的化合物BD2-8作为第一掺杂剂，以及使用式8中的化合物ETL1以形成ETL。分别使用式4中的化合物BD1-4、BD1-7、BD1-21、BD1-25和BD1-42作为第二掺杂剂。
(18)比较例86至90(Ref86至Ref90)
使用式12中的化合物E1以形成EBL，使用式6中的化合物BD2-14作为第一掺杂剂，以及使用式8中的化合物ETL1以形成ETL。分别使用式4中的化合物BD1-4、BD1-7、BD1-21、BD1-25和BD1-42作为第二掺杂剂。
(19)比较例91至95(Ref91至Ref95)
使用式12中的化合物E1以形成EBL，使用式6中的化合物BD2-18作为第一掺杂剂，以及使用式8中的化合物ETL1以形成ETL。分别使用式4中的化合物BD1-4、BD1-7、BD1-21、BD1-25和BD1-42作为第二掺杂剂。
(20)比较例96至100(Ref96至Ref100)
使用式12中的化合物E1以形成EBL，使用式6中的化合物BD2-22作为第一掺杂剂，以及使用式8中的化合物ETL1以形成ETL。分别使用式4中的化合物BD1-4、BD1-7、BD1-21、BD1-25和BD1-42作为第二掺杂剂。
(21)比较例101至105(Ref101至Ref105)
使用式16中的化合物EBL-A以形成EBL，使用式6中的化合物BD2-5作为第一掺杂剂，以及使用式10中的化合物ETL1-1以形成ETL。分别使用式4中的化合物BD1-4、BD1-7、BD1-21、BD1-25和BD1-42作为第二掺杂剂。
(22)比较例106至110(Ref106至Ref110)
使用式16中的化合物EBL-A以形成EBL，使用式6中的化合物BD2-8作为第一掺杂剂，以及使用式10中的化合物ETL1-1以形成ETL。分别使用式4中的化合物BD1-4、BD1-7、BD1-21、BD1-25和BD1-42作为第二掺杂剂。
(23)比较例111至115(Ref111至Ref115)
使用式16中的化合物EBL-A以形成EBL，使用式6中的化合物BD2-14作为第一掺杂剂，以及使用式10中的化合物ETL1-1以形成ETL。分别使用式4中的化合物BD1-4、BD1-7、BD1-21、BD1-25和BD1-42作为第二掺杂剂。
(24)比较例116至120(Ref116至Ref120)
使用式16中的化合物EBL-A以形成EBL，使用式6中的化合物BD2-18作为第一掺杂剂，以及使用式10中的化合物ETL1-1以形成ETL。分别使用式4中的化合物BD1-4、BD1-7、BD1-21、BD1-25和BD1-42作为第二掺杂剂。
(25)比较例121至125(Ref121至Ref125)
使用式16中的化合物EBL-A以形成EBL，使用式6中的化合物BD2-22作为第一掺杂剂，以及使用式10中的化合物ETL1-1以形成ETL。分别使用式4中的化合物BD1-4、BD1-7、BD1-21、BD1-25和BD1-42作为第二掺杂剂。
(26)比较例126至130(Ref126至Ref130)
使用式12中的化合物E1以形成EBL，使用式6中的化合物BD2-5作为第一掺杂剂，以及使用式10中的化合物ETL1-1以形成ETL。分别使用式4中的化合物BD1-4、BD1-7、BD1-21、BD1-25和BD1-42作为第二掺杂剂。
(27)比较例131至135(Ref131至Ref135)
使用式12中的化合物E1以形成EBL，使用式6中的化合物BD2-8作为第一掺杂剂，以及使用式10中的化合物ETL1-1以形成ETL。分别使用式4中的化合物BD1-4、BD1-7、BD1-21、BD1-25和BD1-42作为第二掺杂剂。
(28)比较例136至140(Ref136至Ref140)
使用式12中的化合物E1以形成EBL，使用式6中的化合物BD2-14作为第一掺杂剂，以及使用式10中的化合物ETL1-1以形成ETL。分别使用式4中的化合物BD1-4、BD1-7、BD1-21、BD1-25和BD1-42作为第二掺杂剂。
(29)比较例141至145(Ref141至Ref145)
使用式12中的化合物E1以形成EBL，使用式6中的化合物BD2-18作为第一掺杂剂，以及使用式10中的化合物ETL1-1以形成ETL。分别使用式4中的化合物BD1-4、BD1-7、BD1-21、BD1-25和BD1-42作为第二掺杂剂。
(30)比较例146至150(Ref146至Ref150)
使用式12中的化合物E1以形成EBL，使用式6中的化合物BD2-22作为第一掺杂剂，以及使用式10中的化合物ETL1-1以形成ETL。分别使用式4中的化合物BD1-4、BD1-7、BD1-21、BD1-25和BD1-42作为第二掺杂剂。
2.实施例
(1)实施例1至5(Ex1至Ex5)
使用式16中的化合物EBL-A以形成EBL，使用式6中的化合物BD2-5作为第二掺杂剂，以及使用式17中的化合物ETL-A以形成ETL。分别使用式4中的化合物BD1-4、BD1-7、BD1-21、BD1-25和BD1-42作为第一掺杂剂。
(2)实施例6至10(Ex6至Ex10)
使用式16中的化合物EBL-A以形成EBL，使用式6中的化合物BD2-8作为第二掺杂剂，以及使用式17中的化合物ETL-A以形成ETL。分别使用式4中的化合物BD1-4、BD1-7、BD1-21、BD1-25和BD1-42作为第一掺杂剂。
(3)实施例11至15(Ex11至Ex15)
使用式16中的化合物EBL-A以形成EBL，使用式6中的化合物BD2-14作为第二掺杂剂，以及使用式17中的化合物ETL-A以形成ETL。分别使用式4中的化合物BD1-4、BD1-7、BD1-21、BD1-25和BD1-42作为第一掺杂剂。
(4)实施例16至20(Ex16至Ex20)
使用式16中的化合物EBL-A以形成EBL，使用式6中的化合物BD2-18作为第二掺杂剂，以及使用式17中的化合物ETL-A以形成ETL。分别使用式4中的化合物BD1-4、BD1-7、BD1-21、BD1-25和BD1-42作为第一掺杂剂。
(5)实施例21至25(Ex21至Ex25)
使用式16中的化合物EBL-A以形成EBL，使用式6中的化合物BD2-22作为第二掺杂剂，以及使用式17中的化合物ETL-A以形成ETL。分别使用式4中的化合物BD1-4、BD1-7、BD1-21、BD1-25和BD1-42作为第一掺杂剂。
(6)实施例26至30(Ex26至Ex30)
使用式12中的化合物E1以形成EBL，使用式6中的化合物BD2-5作为第二掺杂剂，以及使用式17中的化合物ETL-A以形成ETL。分别使用式4中的化合物BD1-4、BD1-7、BD1-21、BD1-25和BD1-42作为第一掺杂剂。
(7)实施例31至35(Ex31至Ex35)
使用式12中的化合物E1以形成EBL，使用式6中的化合物BD2-8作为第二掺杂剂，以及使用式17中的化合物ETL-A以形成ETL。分别使用式4中的化合物BD1-4、BD1-7、BD1-21、BD1-25和BD1-42作为第一掺杂剂。
(8)实施例36至40(Ex36至Ex40)
使用式12中的化合物E1以形成EBL，使用式6中的化合物BD2-14作为第二掺杂剂，以及使用式17中的化合物ETL-A以形成ETL。分别使用式4中的化合物BD1-4、BD1-7、BD1-21、BD1-25和BD1-42作为第一掺杂剂。
(9)实施例41至45(Ex41至Ex45)
使用式12中的化合物E1以形成EBL，使用式6中的化合物BD2-18作为第二掺杂剂，以及使用式17中的化合物ETL-A以形成ETL。分别使用式4中的化合物BD1-4、BD1-7、BD1-21、BD1-25和BD1-42作为第一掺杂剂。
(10)实施例46至50(Ex46至Ex50)
使用式12中的化合物E1以形成EBL，使用式6中的化合物BD2-22作为第二掺杂剂，以及使用式17中的化合物ETL-A以形成ETL。分别使用式4中的化合物BD1-4、BD1-7、BD1-21、BD1-25和BD1-42作为第一掺杂剂。
(11)实施例51至55(Ex51至Ex55)
使用式16中的化合物EBL-A以形成EBL，使用式6中的化合物BD2-5作为第二掺杂剂，以及使用式8中的化合物ETL1以形成ETL。分别使用式4中的化合物BD1-4、BD1-7、BD1-21、BD1-25和BD1-42作为第一掺杂剂。
(12)实施例56至60(Ex56至Ex60)
使用式16中的化合物EBL-A以形成EBL，使用式6中的化合物BD2-8作为第二掺杂剂，以及使用式8中的化合物ETL1以形成ETL。分别使用式4中的化合物BD1-4、BD1-7、BD1-21、BD1-25和BD1-42作为第一掺杂剂。
(13)实施例61至65(Ex61至Ex65)
使用式16中的化合物EBL-A以形成EBL，使用式6中的化合物BD2-14作为第二掺杂剂，以及使用式8中的化合物ETL1以形成ETL。分别使用式4中的化合物BD1-4、BD1-7、BD1-21、BD1-25和BD1-42作为第一掺杂剂。
(14)实施例66至70(Ex66至Ex70)
使用式16中的化合物EBL-A以形成EBL，使用式6中的化合物BD2-18作为第二掺杂剂，以及使用式8中的化合物ETL1以形成ETL。分别使用式4中的化合物BD1-4、BD1-7、BD1-21、BD1-25和BD1-42作为第一掺杂剂。
(15)实施例71至75(Ex71至Ex75)
使用式16中的化合物EBL-A以形成EBL，使用式6中的化合物BD2-22作为第二掺杂剂，以及使用式8中的化合物ETL1以形成ETL。分别使用式4中的化合物BD1-4、BD1-7、BD1-21、BD1-25和BD1-42作为第一掺杂剂。
(16)实施例76至80(Ex76至Ex80)
使用式12中的化合物E1以形成EBL，使用式6中的化合物BD2-5作为第二掺杂剂，以及使用式8中的化合物ETL1以形成ETL。分别使用式4中的化合物BD1-4、BD1-7、BD1-21、BD1-25和BD1-42作为第一掺杂剂。
(17)实施例81至85(Ex81至Ex85)
使用式12中的化合物E1以形成EBL，使用式6中的化合物BD2-8作为第二掺杂剂，以及使用式8中的化合物ETL1以形成ETL。分别使用式4中的化合物BD1-4、BD1-7、BD1-21、BD1-25和BD1-42作为第一掺杂剂。
(18)实施例86至90(Ex86至Ex90)
使用式12中的化合物E1以形成EBL，使用式6中的化合物BD2-14作为第二掺杂剂，以及使用式8中的化合物ETL1以形成ETL。分别使用式4中的化合物BD1-4、BD1-7、BD1-21、BD1-25和BD1-42作为第一掺杂剂。
(19)实施例91至95(Ex91至Ex95)
使用式12中的化合物E1以形成EBL，使用式6中的化合物BD2-18作为第二掺杂剂，以及使用式8中的化合物ETL1以形成ETL。分别使用式4中的化合物BD1-4、BD1-7、BD1-21、BD1-25和BD1-42作为第一掺杂剂。
(20)实施例96至100(Ex96至Ex100)
使用式12中的化合物E1以形成EBL，使用式6中的化合物BD2-22作为第二掺杂剂，以及使用式8中的化合物ETL1以形成ETL。分别使用式4中的化合物BD1-4、BD1-7、BD1-21、BD1-25和BD1-42作为第一掺杂剂。
(21)实施例101至105(Ex101至Ex105)
使用式16中的化合物EBL-A以形成EBL，使用式6中的化合物BD2-5作为第二掺杂剂，以及使用式10中的化合物ETL1-1以形成ETL。分别使用式4中的化合物BD1-4、BD1-7、BD1-21、BD1-25和BD1-42作为第一掺杂剂。
(22)实施例106至110(Ex106至Ex110)
使用式16中的化合物EBL-A以形成EBL，使用式6中的化合物BD2-8作为第二掺杂剂，以及使用式10中的化合物ETL1-1以形成ETL。分别使用式4中的化合物BD1-4、BD1-7、BD1-21、BD1-25和BD1-42作为第一掺杂剂。
(23)实施例111至115(Ex111至Ex115)
使用式16中的化合物EBL-A以形成EBL，使用式6中的化合物BD2-14作为第二掺杂剂，以及使用式10中的化合物ETL1-1以形成ETL。分别使用式4中的化合物BD1-4、BD1-7、BD1-21、BD1-25和BD1-42作为第一掺杂剂。
(24)实施例116至120(Ex116至Ex120)
使用式16中的化合物EBL-A以形成EBL，使用式6中的化合物BD2-18作为第二掺杂剂，以及使用式10中的化合物ETL1-1以形成ETL。分别使用式4中的化合物BD1-4、BD1-7、BD1-21、BD1-25和BD1-42作为第一掺杂剂。
(25)实施例121至125(Ex121至Ex125)
使用式16中的化合物EBL-A以形成EBL，使用式6中的化合物BD2-22作为第二掺杂剂，以及使用式10中的化合物ETL1-1以形成ETL。分别使用式4中的化合物BD1-4、BD1-7、BD1-21、BD1-25和BD1-42作为第一掺杂剂。
(26)实施例126至130(Ex126至Ex130)
使用式12中的化合物E1以形成EBL，使用式6中的化合物BD2-5作为第二掺杂剂，以及使用式10中的化合物ETL1-1以形成ETL。分别使用式4中的化合物BD1-4、BD1-7、BD1-21、BD1-25和BD1-42作为第一掺杂剂。
(27)实施例131至135(Ex131至Ex135)
使用式12中的化合物E1以形成EBL，使用式6中的化合物BD2-8作为第二掺杂剂，以及使用式10中的化合物ETL1-1以形成ETL。分别使用式4中的化合物BD1-4、BD1-7、BD1-21、BD1-25和BD1-42作为第一掺杂剂。
(28)实施例136至140(Ex136至Ex140)
使用式12中的化合物E1以形成EBL，使用式6中的化合物BD2-14作为第二掺杂剂，以及使用式10中的化合物ETL1-1以形成ETL。分别使用式4中的化合物BD1-4、BD1-7、BD1-21、BD1-25和BD1-42作为第一掺杂剂。
(29)实施例141至145(Ex141至Ex145)
使用式12中的化合物E1以形成EBL，使用式6中的化合物BD2-18作为第二掺杂剂，以及使用式10中的化合物ETL1-1以形成ETL。分别使用式4中的化合物BD1-4、BD1-7、BD1-21、BD1-25和BD1-42作为第一掺杂剂。
(30)实施例146至150(Ex146至Ex150)
使用式12中的化合物E1以形成EBL，使用式6中的化合物BD2-22作为第二掺杂剂，以及使用式10中的化合物ETL1-1以形成ETL。分别使用式4中的化合物BD1-4、BD1-7、BD1-21、BD1-25和BD1-42作为第一掺杂剂。
[式16]
[式17]
测量了用于在比较例1至150和实施例1至150中制造的OLED的第一蓝色发光层和第二蓝色发光层的掺杂剂的特性，即HOMO能级、LUMO能级和三线态能量(T1)，并将其列于表1中。
确定HOMO能级的各种方法对于本领域技术人员而言是已知的。例如，可以使用常规表面分析仪，例如由RKI instruments制造的AC3表面分析仪来确定HOMO能级。表面分析仪可以用于检测厚度为50nm的化合物的单层膜(纯的膜)。LUMO能级可以如下计算：
LUMO＝HOMO-带隙。
带隙可以使用本领域技术人员已知的任何常规方法计算，例如对厚度为50nm的单层膜进行紫外-可见(UV-vis)测量来计算。例如，这可以使用SCINCO S-3100分光光度计完成。本文公开的实施例和实施方案的化合物的HOMO和LUMO值可以以这种方式确定。即，HOMO和LUMO值可以是薄膜例如50nm膜的实验确定的值或经验确定的值。
三线态能量可以由PL光谱测量或计算。
表1
| HOMO(eV) | LUMO(eV) | T1(eV) | |
| BD1-4 | -5.18 | -2.47 | 2.41 |
| BD1-7 | -5.14 | -2.42 | 2.39 |
| BD1-21 | -5.08 | -2.38 | 2.38 |
| BD1-25 | -5.22 | -2.46 | 2.45 |
| BD1-42 | -5.05 | -2.36 | 2.43 |
| BD2-5 | -5.39 | -2.66 | 2.63 |
| BD2-8 | -5.49 | -2.77 | 2.61 |
| BD2-14 | -5.29 | -2.59 | 2.62 |
| BD2-18 | -5.39 | -2.70 | 2.59 |
| BD2-22 | -5.26 | -2.56 | 2.59 |
用于比较例1至150和实施例1至150中的OLED的第一蓝色发光层和第二蓝色发光层的化合物组合列于表2至11中，并且测量了比较例1至150和实施例1至150中制造的OLED的特性，即驱动电压(V)、亮度(Cd/A)、蓝色色坐标(Bx，By)和寿命(LT)，并将其列于表12至21中。
表2
表3
表4
表5
表6
表7
表8
表9
表10
表11
表12
表13
表14
表15
表16
表17
表18
表19
表20
表21
如表2至21所示，与比较例1至150的OLED相比，实施例1至150的OLED在发光效率、颜色纯度、和寿命中的至少一个方面具有优势。
例如，在比较例1和实施例1的OLED(其各自采用相同的电子阻挡材料(即化合物EBL-A)、相同的第一掺杂剂和第二掺杂剂(即，化合物BD1-4和化合物BD2-5)和相同的电子传输材料(即化合物ETL-A))中，与其中第一蓝色发光层包含由式5表示的化合物(即化合物BD2-5)且第二蓝色发光层包含由式3表示的化合物(即化合物BD1-4)的比较例1的OLED相比，其中第一蓝色发光层包含由式3表示的化合物(即化合物BD1-4)且第二蓝色发光层包含由式5表示的化合物(即化合物BD2-5)的实施例1的OLED在发光效率、颜色纯度和寿命中的至少一个方面具有优势。
此外，将实施例1、26、51、76、101和126的OLED相比较，其中i)EBL包含式11中的化合物和/或ii)ETL包含式7中的化合物或式9中的化合物的OLED提供显著增加的寿命。
对于本领域技术人员明显的是，在不脱离本公开的精神或范围的情况下，可以对本公开的实施方案进行各种修改和变化。因此，旨在修改和变化覆盖本公开，只要它们落入所附权利要求及其等同方案的范围内即可。
Claims (20)
1.一种有机发光二极管，包括：
第一电极；
面向所述第一电极的第二电极；和
第一发光部，所述第一发光部包括第一蓝色发光层和第二蓝色发光层并且定位在所述第一电极与所述第二电极之间，所述第二蓝色发光层定位在所述第一蓝色发光层与所述第二电极之间并且接触所述第一蓝色发光层，
其中所述第一蓝色发光层包含第一主体和第一掺杂剂，以及所述第二蓝色发光层包含第二主体和第二掺杂剂，
其中所述第一主体和所述第二主体中的每一者由式1表示：
[式1]
其中在所述式1中，
a1为0至8的整数，
Ar1选自单键和经取代或未经取代的C6至C30亚芳基，
Ar2和Ar3各自独立地选自经取代或未经取代的C6至C30芳基和经取代或未经取代的C3至C30杂芳基，以及
R1选自经取代或未经取代的C1至C30烷基和经取代或未经取代的C3至C30环烷基，
其中所述第一掺杂剂由式3表示：
[式3]
其中在所述式3中，
b1和b2各自独立地为0至4的整数，以及b3为0至3的整数，
X为O或S，
Ar11和Ar12各自独立地选自经取代或未经取代的C6至C30芳基、经取代或未经取代的C3至C30杂芳基和经取代或未经取代的C6至C30脂环族基团，以及
R11、R12和R13各自独立地选自经取代或未经取代的C1至C30烷基、经取代或未经取代的C3至C30环烷基、经取代或未经取代的C6至C30脂环族基团、经取代或未经取代的C6至C30芳基氨基、经取代或未经取代的C6至C30芳基和经取代或未经取代的C3至C30杂芳基，或者相邻两个R11、相邻两个R12和相邻两个R13中的至少一对彼此连接以形成经取代或未经取代的环，
其中所述第二掺杂剂由式5表示：
[式5]
其中在所述式5中，
e1和e2各自独立地为0至4的整数，以及e3为0至3的整数，
Ar21和Ar22各自独立地选自经取代或未经取代的C6至C30芳基、经取代或未经取代的C3至C30杂芳基和经取代或未经取代的C6至C30脂环族基团，以及
R21、R22和R23各自独立地选自经取代或未经取代的C1至C30烷基、经取代或未经取代的C3至C30环烷基、经取代或未经取代的C6至C30芳基氨基、经取代或未经取代的C6至C30芳基和经取代或未经取代的C3至C30杂芳基，或者相邻两个R21、相邻两个R22和相邻两个R23中的至少一对彼此连接以形成经取代或未经取代的环。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中所述第一掺杂剂为式4中的化合物中的一者：
[式4]
3.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中所述第二掺杂剂为式6中的化合物中的一者：
[式6]
4.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中所述第一主体和所述第二主体中的每一者包含式2中的化合物中的至少一者：
[式2]
5.根据权利要求1所述的有机发光二极管，还包括：
第二发光部，所述第二发光部包括第三蓝色发光层和第四蓝色发光层并且定位在所述第一发光部与所述第二电极之间，所述第四蓝色发光层定位在所述第三蓝色发光层与所述第二电极之间并且接触所述第三蓝色发光层，
其中所述第三蓝色发光层包含第三主体和第三掺杂剂，以及所述第四蓝色发光层包含第四主体和第四掺杂剂，
其中所述第三主体和所述第四主体中的每一者由式1表示，以及
其中所述第三掺杂剂由式3表示，以及所述第四掺杂剂由式5表示。
6.根据权利要求5所述的有机发光二极管，还包括：
第三发光部，所述第三发光部包括红色发光层和绿色发光层并且定位在所述第一发光部与所述第二发光部之间。
7.根据权利要求1所述的有机发光二极管，还包括：
第二发光部，所述第二发光部包括黄绿色发光层并且定位在所述第一发光部与所述第二电极之间。
8.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中所述第一发光部还包括：
空穴传输层，所述空穴传输层在所述第一电极与所述第一蓝色发光层之间；
电子阻挡层，所述电子阻挡层在所述空穴传输层与所述第一蓝色发光层之间；和
电子传输层，所述电子传输层在所述第二蓝色发光层与所述第二电极之间。
9.根据权利要求8所述的有机发光二极管，其中所述电子传输层包含由式7表示的第一电子传输材料和由式9表示的第二电子传输材料中的至少一者：
[式7]
和
[式9]
其中在所述式7中，
f1、f2、f3和f4各自独立地为0至4的整数，以及f5为0至2的整数，
R31、R32、R33和R34各自独立地选自氘、经取代或未经取代的C1至C10烷基、经取代或未经取代的C3至C10环烷基、经取代或未经取代的C6至C30芳基和经取代或未经取代的C3至C30杂芳基，
X1、X2和X3各自独立地为N或CR35，以及X1、X2和X3中的至少两者为N，
R35选自氢、经取代或未经取代的C1至C10烷基、经取代或未经取代的C3至C10环烷基、经取代或未经取代的C6至C30芳基和经取代或未经取代的C3至C30杂芳基，
Ar31和Ar32各自独立地选自经取代或未经取代的C6至C30芳基和经取代或未经取代的C3至C30杂芳基，以及
L31选自经取代或未经取代的C6至C30亚芳基和经取代或未经取代的C3至C30亚杂芳基，
其中在所述式9中，
g1、g2和g3各自独立地为0至4的整数，以及g4为0或1，
R41、R42和R43各自独立地选自氘、经取代或未经取代的C1至C10烷基、经取代或未经取代的C3至C10环烷基、经取代或未经取代的C6至C30芳基和经取代或未经取代的C3至C30杂芳基，
R44选自氢、氘、经取代或未经取代的C1至C10烷基、经取代或未经取代的C3至C10环烷基、经取代或未经取代的C6至C30芳基和经取代或未经取代的C3至C30杂芳基，
L41和L42各自独立地为经取代或未经取代的C6至C30亚芳基，以及
Ar选自经取代或未经取代的C6至C30芳基和经取代或未经取代的C3至C30杂芳基。
10.根据权利要求9所述的有机发光二极管，其中所述第一电子传输材料为式8中的化合物中的一者：
[式8]
11.根据权利要求9所述的有机发光二极管，其中所述第二电子传输材料为式10中的化合物中的一者：
[式10]
12.根据权利要求8所述的有机发光二极管，其中所述电子阻挡层包含由式11表示的电子阻挡材料：
[式11]
其中在所述式11中，
h1为0至3的整数，h2和h3各自独立地为0至5的整数，h4为0至4的整数，以及h5为0或1，
R51和R54各自独立地选自氘、经取代或未经取代的C1至C30烷基、未经取代或经氘取代的C3至C30环烷基、经取代或未经取代的C6至C30芳基和经取代或未经取代的C3至C30杂芳基，
R52和R53各自独立地选自氘、经取代或未经取代的C1至C30烷基、未经取代或经氘取代的C3至C30环烷基、经取代或未经取代的C6至C30芳基和经取代或未经取代的C3至C30杂芳基，或者R52和R53彼此连接以形成经取代或未经取代的环，
R55和R56各自独立地选自经取代或未经取代的C6至C30芳基和经取代或未经取代的C3至C30杂芳基，以及
L51选自经取代或未经取代的C6至C30亚芳基和经取代或未经取代的C3至C30亚杂芳基。
13.根据权利要求12所述的有机发光二极管，其中所述电子阻挡材料为式12中的化合物中的一者：
[式12]
14.根据权利要求12所述的有机发光二极管，其中所述电子阻挡材料的HOMO能级低于所述第一掺杂剂的HOMO能级和所述第二掺杂剂的HOMO能级中的每一者。
15.根据权利要求12所述的有机发光二极管，其中所述电子阻挡材料的HOMO能级和LUMO能级分别高于所述第一主体的HOMO能级和LUMO能级。
16.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中所述第一掺杂剂具有第一HOMO能级，以及所述第二掺杂剂具有低于所述第一HOMO能级的第二HOMO能级。
17.根据权利要求16所述的有机发光二极管，其中所述第一掺杂剂具有第一三线态能量，以及所述第二掺杂剂具有大于所述第一三线态能量的第二三线态能量。
18.一种有机发光装置，包括：
基板；
在所述基板上方的根据权利要求1至17中任一项所述的有机发光二极管；和
覆盖所述有机发光二极管的封装层。
19.根据权利要求18所述的有机发光装置，其中所述基板包括红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域，并且所述有机发光二极管对应于所述红色像素区域、所述绿色像素区域和所述蓝色像素区域，
其中所述有机发光装置还包括：滤色器层，所述滤色器层对应于所述红色像素区域、所述绿色像素区域和所述蓝色像素区域并且定位在所述基板与所述有机发光二极管之间或者定位在所述有机发光二极管上方。
20.根据权利要求18所述的有机发光装置，其中所述基板包括红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域，并且所述有机发光二极管对应于所述红色像素区域、所述绿色像素区域和所述蓝色像素区域，
其中所述有机发光装置还包括：颜色转换层，所述颜色转换层对应于所述红色像素区域和所述绿色像素区域并且定位在所述基板与所述有机发光二极管之间或者定位在所述有机发光二极管上方。
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